Вы находитесь на странице: 1из 6

ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ

www.electronics.ru

МЭМС-резонаторы
Процесс пошел
В.Майская

Кварцевые резонаторы, появившиеся в 20-е годы прошлого столетия,


с 1940-х годов поддерживают работу средств регулировки частоты
бесчисленных электронных систем – от генераторов тактовых
импульсов и обычных часов до радиостанций и мобильных систем
связи, компьютеров и телекоммуникационных систем. Не имеющие
себе равных по температурной стабильности кварцевые резонаторы
до сих пор остаются последним критическим компонентом, который
не интегрирован в кремниевую микросхему. С начала 1980-х годов
специалисты в области микроэлектроники пытаются разработать
пригодные для их замены резонаторы на основе МЭМС-технологии.
Но создать МЭМС-резонаторы, не уступающие кварцевым элементам
по температурной стабильности и рабочим характеристикам
оказалось не просто. Не говоря уже о трудности их изготовления.
В последние годы некоторые изготовители МЭМС-резонаторов
смогли решить проблемы обеспечения высокой температурной
стабильности и низкого энергопотребления, монтажа в корпус и
интеграции с КМОП-схемами. И теперь можно ожидать, что МЭМС-
резонаторы начнут активно заменять кварцевые элементы, реализуя
такие преимущества, как малые габариты, низкая стоимость,
высокие надежность, ударо- и вибропрочность.

Х
отя потребность в МЭМС не столь велика МЭМС-резонаторов по устранению их недостат-
как в полупроводниковых микросхемах, ков (влияние температуры на характеристики,
это не значит, что их технология не раз- в  первую очередь на частоту и точность, слож-
вивается. В середине первого десятиле- ность изготовления) и решению проблем, при-
тия 21 столетия были разработаны и пред- сущих системам на основе кварцевых резона-
ставлены на рынке разнообразные МЭМС-приборы, торов (в первую очередь уменьшение размеров
в результате чего МЭМС-сектор рынка электронных и снижение стоимости). Но господствующие на
приборов пережил спад деловой активности конца рынке поставщики кварцевых резонаторов не
десятилетия легче, чем полупроводниковый сек- уступят рынок без борьбы. И здесь возможна
тор. Согласно оценкам компании Yole Development, агрессивная война цен. Чтобы победить, изгото-
рынок МЭМС за период с 2009 по 2015 год возрастет вители МЭМС-резонаторов стремятся не столько
с ∼7,5 млрд. долл. до  19  млрд. И немалая его часть снижать их стоимость, сколько улучшать харак-
придется на долю МЭМС-резонаторов, применяю- теристики, совершенствовать методы корпуси-
щихся в  блоках синхронизации, а также в хими- рования и по возможности применять новые
ческих и биологических сенсорах. материалы.
Росту продаж МЭМС-блоков синхронизации До последнего времени высокое пол-
способствуют успешные усилия изготовителей ное сопротивление МЭМС-резонаторов

28 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №4 (00110) 2011


ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ www.electronics.ru

с  электростатическим преобразованием на с зазором между электродом и резонатором менее


частоту в диапазоне гигагерц препятствовало их 30 нм, с приемлемым низким полным сопротив-
широкому применению, несмотря на высокий лением и высоким Q было предложено частично
фактор качества Q (показатель, характеризующий заполнять зазор диэлектриком с высокой диэлек-
энергетические потери резонатора). Это связано трической постоянной, наносимым послойным
с тем, что на высокой резонансной частоте полное атомным осаждением, или уменьшать его размер
сопротивление кремниевых МЭМС растет, и сиг- с помощью процесса формирования силицидов.
налы практически не регистрируются. С другой Последний метод позволил формировать зазоры
стороны, полное сопротивление пьезоэлектриче- менее 30 нм с требуемым высоким аспектным
ских резонаторов мало, но фактор качества не соотношением путем отжига структуры в течение
удовлетворителен. Для решения проблем электро- от нескольких секунд до нескольких минут неза-
статических МЭМС-преобразователей либо умень- висимо от горизонтальных размеров прибора.
шается ширина зазора консоли при сохранении При формировании зазора путем силицидирова-
требуемого большого аспектного соотношения, ния не нужно проводить процесс травления.
либо зазор заполняется диэлектриком с  высокой Еще два метода, разработанные в универ-
диэлектрической проницаемостью, либо вместо ситете в Беркли, основаны на попытке обойти
емкостного преобразования используется пьезо- тот факт, что фактор качества тонкопленочных
электрическое. Однако полное сопротивление пьезорезистивных резонаторов на основе пленок
и  таких усовершенствованных резонаторов уве- нитрида алюминия меньше, чем у электроста-
личивается с уменьшением их размеров. К тому тических на ту же частоту. Проведенные иссле-
же предлагаемые методы приводят к усложнению дования показали, что потери энергии связаны
процессов изготовления и интеграции резонато- не столько с пьезоэлектриком, сколько с контак-
ров со стандартными КМОП-схемами. тирующим с ним электродом. В результате был
Тем не менее, на конференции IEDM 2007 предложен так называемый емкостной пьезоэ-
специалисты компании NXP сообщили о раз- лектрический резонатор, в котором электроды
работке кремниевого пьезорезистивного отделены от консоли зазором в несколько нано-
МЭМС-резонатора на рекордную частоту 1,1 ГГц. метров. Такой зазор не нарушает требуемое для
Его  работа основана на регистрации перемеще- хорошей электромеханической связи электриче-
ний кремниевой консоли резонатора, возника- ское поле, но устраняет потери, вносимые элек-
ющих под действием электростатического поля, тродами. Утверждается, что Q такой структуры
с помощью пьезорезистивных свойств кремния [1]. в девять раз больше, чем у обычных пьезоэлектри-
Резонатор изготавливался реактивным ионным ческих AlN-резонаторов.
травлением пленки кремния n-типа толщиной Согласно другому методу повышения фактора
1,5 мкм, нанесенной на утопленный слой оксида. качества пьезоэлектрических резонаторов, AlN-
Консоль формировалась изотропным травлением консоль с нанесенным на нее электродом сое-
утопленного оксида. диняется с «безэлектродной» консолью. В такой
В результате последовательного четырехкрат- структуре общая энергия "повышает" Q резонатора
ного масштабирования структуры резонатора с нанесенным на него электродом. Фактор каче-
были получены значения резонансной частоты ства емкостных пьезоэлектрических резонаторов
18, 74, 290 и 1,094 МГц. При этом, по утверждению
разработчиков, эффективное полное сопротивле-
ние при резонансе было на несколько порядков
меньше, чем у резонаторов с емкостным пре-
образованием. Таким образом, показана воз-
можность реализации миниатюрных масшта-
бируемых высокочастотных МЭМС-резонаторов
и генераторов без существенного ухудшения их
характеристик.
Интересные методы получения МЭМС-
резонаторов с высоким Q и низким полным
сопротивлением предложены исследователями
Калифорнийского университета в Беркли [2].
Для  создания электростатических резонаторов

№4 (00110) 2011 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 29


ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ www.electronics.ru

Управляющий
электрод

м
мк
41

Рис.2. Поликристаллический ВЧ МЭМС-резонатор


км

паровой среды пленки вольфрама и в последую-


14

щем удалении избыточного вольфрама. Этот про-


Считывающий цесс позволил создать МЭМС-резонаторы без нави-
электрод сающих над подложкой балок. Фактор качества
ВЧ МЭМС-резонаторов составил ∼5000, полное
сопротивление – менее 300 Ом.
Для опорных генераторов с высоким Q
Рис.1. Фильтр с AlN МЭМС-резонатором и  ПЧ-фильтров в лаборатории Сандиа соз-
дан поликристаллический МЭМС-резонатор
обоих типов превышал 10K. Экстраполяция дан- с  емкостным преобразованием (рис.2). Зазор
ных измерений показала, что Q "безэлектродных" между электродом и конденсатором не превы-
резонаторов лежит в диапазоне от 14 040 до 15 795. шает 100  нм. Преимущества этого резонатора
По мнению разработчиков, МЭМС-резонаторы перед пьезоэлектрическим – высокий фактор
с предложенной структурой, характеризуемые качества (более 60К), малый дрейф характери-
высоким фактором качества и малым полным стик, простота настройки и низкая чувстви-
сопротивлением, найдут применение в системах тельность к вибрациям. Рассчитан резонатор на
связи, в том числе и мобильных, а также в РЛС. частоту до 200 МГц.
Разработку МЭМС-резонаторов для систем обе- Первые кремниевые МЭМС-резонаторы были
спечения национальной безопасности и для ядер- основаны на электростатическом, а не пьезоэлек-
ного оружия ведут специалисты Национальной трическом преобразовании традиционных квар-
лаборатории в Сандиа Министерства энерге- цевых резонаторов. Однако кремниевые резо-
тики США [3]. Ими создан пьезоэлектрический наторы менее стабильны, чем кварцевые, и их
AlN-резонатор на частоту 1–3 ГГц (рис.1), который изготовителям приходится устанавливать доста-
можно изготавливать с помощью оборудования точно дорогостоящие средства компенсации
и материалов, разработанных для формирования влияния температуры. Специалисты Центра
пленочных объемно-акустических резонаторов электроники Швейцарии (Swiss Center for
(Film Bulk Acoustic Resonators, FBARS). Подобно Electronics and Microtechnology, CSEM) решили
FBARS пьезоэлектрический механизм преобра- проблему стабилизации работы кремниевых
зования резонаторов позволяет создавать на их
основе фильтры с низкими вносимыми потерями.
Но в отличие от FBARS МЭМС-резонаторы могут
изготавливаться на одной подложке с фильтро,
поскольку их частота задается с помощью про-
цесса литографии.
В технологии создания МЭМС-резонаторов
предусмотрен разработанный специалистами
лаборатории процесс изготовления сложных
многослойных структур на основе упрочняющей
пленки вольфрама. Он заключается в осажде-
нии жертвенного слоя оксида, формировании
рисунка, травлении оксида, нанесении в создан-
ную форму методом химического осаждения из Рис.3. Поликристаллический ВЧ МЭМС-резонатор

30 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №4 (00110) 2011


ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ www.electronics.ru

МЭМС-резонаторов путем нанесения поверх


выполненной на КНИ-пластине кремниевой
консоли толщиной 20–100  мкм пленки нитрида
алюминия толщиной 2 мкм и компенсации
влияния температуры с помощью переключа-
емого конденсатора (рис.3). При подаче напря-
жения на резонатор пьезоэлектрик сжимается, Рис.4. Кремниевый МЭМС-резонатор SiT1052
и консоль колеблется синхронно с приложенным
напряжением, т.е. он функционирует подобно название CMEMS-ZeroThermal (CMEMS – Standard
обычному кварцевому резонатору. Таким обра- CMOS  +  MEMS)*, заключается в обертывании
зом специалистам центра удалось уменьшить резонатора запатентованным компанией мате-
потребляемую резонатором энергию на три риалом, который при увеличении температуры
порядка. Стабильность частоты разработанного создает механические напряжения, компенси-
ими пьезоэлектрического кремниевого резона- рующие изменения его резонансной частоты.
тора составляет 5 ppm в диапазоне температур Указывается, что стабильность частоты резона-
0…50˚С (против 15–30 ppm для обычных МЭМС- тора такой конструкции составляла 0,5–1  ppm/˚C
резонаторов) при потребляемом токе 3 мкА  [4]. в диапазоне температур не менее 100˚С [5].
По мнению создателей резонатора, он весьма
перспективен для применения в беспроводных * В конце апреля 2010 года Silicon Clocks приобрела компания
датчиках. Silicon Laboratories, которая намерена использовать техноло-
Другой оригинальный метод компенса- гию CMEMS с тем, чтобы освоить массовое производство разра-
ции влияния температуры предложила ком- ботанных ею КМОП-систем генерации сигналов синхронизации
пания Silicon Clocks. Метод, получивший бытовой электроники.

№4 (00110) 2011 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 31


ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ www.electronics.ru

Еще одна причина того, что МЭМС- к  потребляемой мощности. Ударопрочность


резонаторы, разрабатываемые уже более 30 лет, МЭМС-резонатора составляет 5∙104 g, вибростой-
до сих пор не находили применения в коммер- кость – 70 g, что на порядок выше, чем у кварцевых
ческих генераторах – трудности герметизации. резонаторов. Площадь резонатора – всего 0,5 мм 2,
Корпус должен обеспечивать очень чистую среду выход годных – 95%, т.е. при производстве больших
для МЭМС-резонатора, поскольку даже неболь- партий он будет очень дешевым. Поставляется
шое загрязнение его поверхности может приве- резонатор SiT1052 как заведомо бездефектный при-
сти к  существенному изменению резонансной бор. Предназначен для систем реального времени,
частоты. И к тому же, поскольку МЭМС-резонаторы блоков синхронизации, микропроцессоров, мало-
зачастую предназначены для применения мощных радиостанций, часов, смарткарт и дру-
в системах, предъявляющих высокие требования гих портативных электронных устройств.
к стоимости, корпус должен быть дешевым. Оригинальное решение на конференции
Эти задачи решены с помощью технологии IEDM 2008 представили специалисты лаборатории
вакуумной герметизации на уровне кремние- наноприборов Федерального института техноло-
вой пластины MEMS First, полученной SiTimes гии Швейцарии – активный кремниевый МЭМС-
у компании Bosch [6] и позволяющей обойтись без резонатор на основе n-канального полевого тран-
дорогостоящих керамических корпусов. МЭМС- зистора на вибрирующей подложке (vibrating-body
резонаторы компании первоначально гермети- field effect transistor, VB-FET) [8]. VB-FET выпол-
зируют на пластине пленкой эпитаксиального нен на КНИ-подложке с элементами микронных
поликремния толщиной 15 мкм, после чего пла- размеров. Зазор между вибрирующей подложкой
стины режут на кристаллы, которые совместно и  фиксированными затворами в  горизонтальной
с  электронной схемой управления (специали- плоскости равен ∼150 нм. Работа такой гибридной
зированной схемой на кристалле типа ASIC или структуры с полевым транзистором, интегриро-
ASSP) можно монтировать в стандартный пласт- ванным в резонансную МЭМС, основана на моду-
массовый корпус для полупроводниковых прибо- ляции носителей канала, которая преобладает
ров. Эпитаксиальная пленка поликремния, осаж- в структуре микронных размеров, и на пьезорези-
даемая при температуре 1100˚С, "съедает" влагу стивном эффекте подложки. Полевой транзистор
и  все загрязняющие примеси среды. Метод гер- колеблется в горизонтальной плоскости.
метизации и монтажа в корпус не только дешев Основные достоинства активных МЭМС-
и "чист", но благодаря ему МЭМС-резонатор выгля- резонаторов на полевых транзисторах с двумя
дит и ведет себя как обычный полупроводниковый или четырьмя затворами, работающих на частоте
прибор. А потребители получают возможность 2 и 71 МГц, соответственно – "встроенное" усиле-
применять в своих работах малогабаритный ком- ние, сверхнизкое сопротивление и возможность
понент, сократить число требуемых компонентов регулировки частоты постоянным напряжением
и быстрее выйти на рынок с новым продуктом. При смещения. Такой резонатор можно использовать
сообщении об используемой технологии сборки в генераторе синхронизирующих сигналов без
в  корпус в  январе 2009  года разработчики утверж- усилителя и тем самым уменьшить его энергопо-
дали, что предложенный метод окажется пригод- требление и снизить стоимость.
ным для создания МЭМС-резонаторов широкого Интерес представляют поиски новых мате-
применения. И они не ошиблись. риалов для изготовления МЭМС-устройств,
В конце 2010 года компания SiTimes объявила в том числе и резонаторов. И здесь, возможно,
о промышленном выпуске первого кремниевого перспективными окажутся открытые научно-
МЭМС-резонатора в пластмассовом корпусе SiT1052 исследовательской группой Йельского универси-
на частоту 32,768 кГц (рис.4) [7]. Стабильность тета новые сплавы металлов, которые прочнее
частоты, обеспечиваемая резонатором, составляет стали, но могут менять форму подобно пласт-
±5 ppm, практически даже после пайки разброс массе. Структуру сплавов, названных объем-
характеристик нулевой. Это  исключает проведе- ными металлическими стеклами (Bulk Metallic
ние операций предварительной обработки, ком- Glasses, BMG) формируют произвольно размещен-
пенсации дрейфа характеристик и внутрисхем- ные атомы в отличие от нормальной, кристалли-
ной калибровки, необходимых при производстве ческой структуры обычных металлов.
кварцевых резонаторов. Потребляемый ток не пре- Группа создала множество предметов
вышает 1 мкА, т.е. резонатор пригоден для при- сложных форм, включая литые металличе-
менения в системах с  жесткими требованиями ские бутылки, корпуса часов, миниатюрные

32 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес №4 (00110) 2011


ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ www.electronics.ru

резонаторы. Требуемую форму можно придать 4. Johnson R. C. Piezoelectric MEMS said to lower
материалу менее чем за минуту, и при этом он не power consumption. – www.eetimes.com/electronics-
теряет высокую прочность. Звучит фантастически. news/4081373/P ie z o elec t r ic-M E M S-sa id-to-lower-
За длинную, почти 30-летнюю, историю power-consumption.
исследований и разработок МЭМС-резонаторов 5. Johnson R. C. Solution proposed for MEMS temperature
появились малогабаритные и экономичные stability problem. – www.eetimes.com/electronics-
в  изготовлении приборы. Активно развивав- produc t s/pa ssives/4110268/Solut ion-proposed-for-
шаяся в последние несколько лет их технология MEMS-temperature-stability-problem.
позволила решить многие сложные технологиче- 6. Johnson R.  C. A pioneer charts MEMS’ trajectory. –
ские проблемы. Можно ожидать, что 2011 год ста- w w w.e e t i m e s.c o m /e l e c t r o n i c s -n e w s /4 070 417/A-
нет переломным для коммерциализации МЭМС- pioneer-charts--MEMS-trajectory
резонаторов. Ведь начало уже положено! 7.  All Silicon Device Sets a New Paradigm for Performance
and Integration that Cannot be Matched by
Литература Quartz.  – http://www.sitime.com/news/239-sitime-
1. Mokhoff N. NXP claims piezoresistive silicon e nt e r s -2-b i l l io n-r e s o n at o r-m a rk e t- w it h- wo rl d s -
MEMS at 1.1 GHz. – www.eetimes.com/electronics- first-mems-resonator-for-real-time-clock-and-time-
products/advanced-technology/4100625/NXP-claims- keeping-applications.
piezoresistive-silicon-MEMS-at-1-1-GHz. 8. Clarke P. Swiss researchers to describe energy-efficient
2. Nguyen C. and Li-Wen Hung.  High-Q Low-Impedance devices at IEDM. – www.eetimes.com/design/analog-
MEMS Resonators. – www.eecs.berkeley.edu/Pubs/ design/4016908/Swiss-researchers-to-describe-energy-
TechRpts/2011/EECS-2011-60.html. efficient-devices-at-IEDM
3.  RF MEMS Resonators and Filters - Sandia MEMS. – 9.  Stronger Than Steel, Novel Metals Are Moldable as
www.mems.sandia.gov/about/rf-mems.html. Plastic. – opac.yale.edu/news/article.aspx?id=8304

№4 (00110) 2011 ЭЛЕК ТР ОНИК А наука | технология | бизнес 33