ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ

Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное

образовательное учреждение высшего образования
Московский технический университет связи и информатики
Власов В.П., Каравашкина В.Н.

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

Москва 2016
УДК 621.38
План УМД на 2015/2016 уч. г.

В.П. Власов, В.Н. Каравашкина. Учебное пособие: Физические основы

электроники / МТУСИ. – М., 2016. 68 с.

Данное учебное пособие содержит общие сведения об электрических

свойствах веществ и контактов различных материалов, используемых в
электронике, описание принципов работы и характеристик структур на их
основе, а также основные принципы моделирования электронных элементов.
Настоящее пособие полезно для подготовки бакалавров всех технических
специальностей, проходящих обучение в МТУСИ.

Ил. 59, список лит. 6 назв.

утверждено заседанием кафедры «Электроника»

протокол № 4 от 05.02.2016

утверждено советом факультета РиТ

протокол № 7 от 15.03.2016

Рецензенты: Т.Б. Асеева, к.т.н., доцент (МТУСИ)

В.Н. Нефедов, д.т.н., профессор (НИУ ВШЭ)

2
 CОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
1.1. Электрические свойства веществ
1.2. Электрические заряды в полупроводниках
1.3. Энергетические диаграммы
1.4. Электропроводность полупроводников
1.5. Токи в полупроводниках
1.6. Особенности примесных полупроводников
1.7. Расчёт концентрации подвижных носителей заряда
2. ОБЩИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
2.1. Контакты и структуры в электронике
2.2. Контактная разность потенциалов
2.3. Собственные токи в контактах
2.4. Электроёмкость контактов
2.5. Электрический и тепловой пробой в контактах.
3. КОНТАКТ МЕТАЛЛ – ПОЛУПРОВОДНИК. ДИОДЫ ШОТКИ
3.1. Основные свойства металло-полупроводниковых контактов
3.2. Диоды Шотки
4. КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ Р- И N-ТИПА
4.1. Основные свойства p-n перехода
4.2. Основные числовые характеристики p-n перехода
4.3 Вольт-амперная характеристика p-n перехода
5. ДИОДЫ НА ОСНОВЕ M-N, P-N ПЕРЕХОДОВ И P-I-N СТРУКТУРЫ
5.1. Мощный выпрямительный диод
5.2. Импульсные и высокочастотные диоды
5.3. Стабилитрон
5.4. Варикап
5.5. Диоды на основе p-i-n структуры
5.6. Свето- и фото-диоды. Солнечные батареи
6. СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК.
МДП-ТРАНЗИСТОР
6.1. Основные свойства МДП-структуры
6.2 МДП-транзистор с индуцированным каналом
6.3. Основные параметры МДП-транзистора
6.4. Статические характеристики МДП-транзистора
6.5. МДП-транзистор с плавающим затвором
6.6. Арсенид-галлиевый полевой транзистор
7. N-P-N И P-N-P СТРУКТУРЫ. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
7.1. Основные свойства биполярного транзистора
7.2. Биполярный транзистор в схеме с общей базой

3
 7.3. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
7.4. Статические характеристики биполярного транзистора
8. ИНЕРЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МДП И БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
8.1. Причины инерционности МДП и биполярных транзисторов
8.2. Импульсные свойства МДП и биполярных транзисторов
8.3. Частотные свойства МДП и биполярных транзисторов
9. IGBT – ТРАНЗИСТОР
10. КОНТАКТ ПРОВОДНИК - ВАКУУМ. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ
11. КОМПЬЮТЕРНЫЕ МОДЕЛИ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
11.1. Компьютерная модель диода
11.2. Компьютерная модель транзистора
12. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
13. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

4
 ВВЕДЕНИЕ

Настоящее пособие призвано восполнить острую нехватку учебной

литературы по дисциплине «Физические основы электроники», связанную с
внешними факторами. Например, переход к бакалавриату, чрезвычайно
быстрые и радикальные изменения в электронике (переход к новой элементной
базе, новым методам разработки, изготовления и эксплуатации аппаратуры).
Теперь главной задачей ВУЗа является подготовка бакалавров с широкой
гибкой общей эрудицией. Потребность в разработчиках с узкой специализацией
хотя и актуально, но единична и требует намного более высокого уровня
школьной, вузовской и послевузовской подготовки.
Немногочисленные общедоступные издания, которые можно
рекомендовать для изучения отдельных вопросов курса ФОЭ, крайне неудобны
в целом и отличаются плохим соответствием современности и задачам курса.
Так, в [1] и [2] большое внимание уделяется p-n переходу и диодам на его
основе, в том числе исчезнувшим из электроники германиевым, туннельным,
обращенным диодам. Достаточно изучить каталог любого крупного
производителя полупроводниковых элементов, чтобы понять, что основными
на сегодня являются диоды с m-n, гетеро- и p-i-n структурами. последним в
данных изданиях в лучшем случае уделены только отдельные страницы.
Неактуально также к тиристорным и преувеличено к биполярным структурам
внимание, тогда как основной сегодня является МДП-структура и ее
многочисленные варианты. Стремительно распространяющиеся IGBT приборы,
как правило, даже не упоминаются. Большим недостатком неспециальной
литературы является также невнимание к крайне важному факту – главным
средством описания и изучения свойств современных электронных элементов,
а также главным инструментом разработки, изготовления и эксплуатации
изделий электроники стало компьютерное моделирование.
В условиях крайне ограниченных объёмов лекционного курса и данного
пособия авторы сочли нужным избежать излишней детализации и
сосредоточиться на главном – концепциях, принципах, проблемах, методоах в
физических основах современной электроники.

5
 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ
1.1 Электрические свойства веществ. Полупроводники

Проводники содержат большое количество носителей заряда, способных

перемещаться под действием электрического поля. Такие заряды называют
подвижными, их направленное движение – электрическим током. Сила тока i
определяется скоростью перемещения суммарного заряда подвижных
носителей Q: i = dQ/dt. Способность вещества пропускать ток называется
электропроводностью. Электропроводность определяется, главным образом,
плотностью концентрации, или просто концентрацией подвижных носителей
– их количеством в единице объёма. Типичными проводниками являются
металлы. Для них характерна высокая концентрация подвижных зарядов –
свободных электронов.
Диэлектрики практически не содержат подвижные заряды, их
электропроводность ничтожна. Такими свойствами обладает большое число
веществ.
Полупроводники занимают промежуточное положение по
электропроводности межу проводниками и диэлектриками. Типичным и самым
распространённым в электронике полупроводником является кремний (Si).
Широкое применение находят также некоторые соединения, например арсенид
галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN).
Чистые, или собственные полупроводники содержат атомы только одного
вида. Если в полупроводник при изготовлении намеренно введены примеси
определённого вида в необходимой концентрации, то это примесный
полупроводник. Полупроводники, как правило, используются в
кристаллическом виде. В кристаллах атомы располагаются на строго
определённых расстояниях друг от друга, в строго определённом взаимном
расположении. Это гарантирует предсказуемость и повторяемость
электрофизических свойств полупроводника, их однородность и,
следовательно, независимость от источника сырья, места, времени и условий
изготовления.
Кристаллическая решётка кремния условно изображена на рис. 1.
Кружки здесь – атомы кремния, двойные линии между кружками – связи
между атомами. Такие связи возникают благодаря валентности – способности
атомов образовывать связи друг с другом и удерживаться на определённом
расстоянии друг от друга. Валентные связи (в данном кристалле ковалентные
связи – их частный случай) обеспечиваются парами валентных электронов –
электронов внешней, валентной орбиты (оболочки), по одному от каждого из
связанных атомов. Именно внешними оболочками «соприкасаются» атомы при
сближении и именно валентные электроны образуют связи с соседними
атомами. Согласно рис. 1 каждый атом кристаллического кремния обладает

6
четырьмя валентными электронами и связан с четырьмя соседними атомами,
т.е. валентность кремния равна 4.

Рис. 1

На рис.1 кристаллическая решётка изображена в идеальном состоянии.

Однако в реальности полупроводник не может быть абсолютно чистым и
бездефектным. От посторонних примесей и дефектов тщательно избавляются
при изготовлении кристаллов для электронных элементов.

1.2 Электрические заряды в полупроводниках

Идеальное состояние решётки невозможно также при любой температуре,

превышающей абсолютный нуль. При этом атомы и электроны хаотично
колеблются относительно своих исходных положений, т.е. обладают некоторой
тепловой энергией. Амплитуда и направление колебаний случайны и,
вследствие обмена энергией между соседними атомов, энергия хаотических
тепловых колебаний электронов в некоторые моменты времени оказывается
достаточной, чтобы они преодолели притяжение ядра и покинули атом. Такие
электроны называются свободными или электронами проводимости, т.к.
способны направленно двигаться под действием электрического поля.
Свободными становятся, прежде всего, валентные электроны, наиболее
удалённые от ядра и наименее с ним связанные.
На месте валентного электрона, ставшего свободным, образуется так
называемая дырка – микрообласть с зарядом +q *, в которой отсутствует
валентный электрон. Заряд появляется здесь вследствие нарушения равенства
суммарного заряда электронов атома и заряда его ядра. Процесс образования
свободного электрона и дырки, или электронно-дырочной пары, называется

7
генерацией, рис. 2а. Если генерация обусловлена тепловыми движениями
атомов, то это термогенерация. Генерация может вызываться и получением
кристаллом других видов энергии, например, световой при освещении
полупроводника.

Рис. 2

Одновременно с генерацией происходит обратный процесс –

рекомбинация. При этом перемещающийся по полупроводнику свободный
электрон попадает в область дырки, восстанавливает ковалентную связь и
вновь становится валентным. Восстанавливается валентная связь и
электрическая нейтральность данной микрообласти, свободный электрон и
дырка исчезают, рис. 2б. В собственном полупроводнике генерация и
рекомбинация свободных электронов и дырок происходит только парами,
поэтому собственная концентрация свободных электронов ni и собственная
концентрация дырок pi равны. Генерация происходит за счёт поглощения
внешней энергии. Рекомбинация сопровождается её выделением, так как
свободный электрон, превращаясь в валентный, теряет часть своей энергии. В
частности, при рекомбинации полупроводник может светиться, что
используется в светодиодах.
Дырка, как и свободный электрон, считается подвижным носителем
заряда. При перемещении дырка заполняется не свободным, а соседним
валентным электроном. Валентный электрон при этом остаётся валентным, его
энергия не изменяется. Дырка исчезает на прежнем месте и возникает на новом
месте, т.е. перемещается. Хотя при этом фактически перемещаются валентные
электроны, воспринимается это, как перемещение единичного положительного
заряда. Таким образом, перемещение зарядов в полупроводнике, т.е.
возникновение тока, вызывается независимым друг от друга движением
свободных электронов и дырок. Поэтому ток в полупроводниках может иметь

8
как электронную In, так и дырочную Ip составляющие. Движение дырки
поясняет рис. 3.

* q – элементарный, или единичный электрический заряд, равный 1,6*10-19 Кл.

Заряд электрона равен –q, дырки +q.

Рис. 3

Наряду с подвижными зарядами важную роль имеют неподвижные

заряды – ионизированные атомы веществ, чаще всего примесей. Ионами
называют атомы, утратившие часть своих электронов (положительные ионы)
или захватившие посторонние электроны (отрицательные ионы). Ионы в
твёрдых веществах не способны перемещаться и создавать ток. Однако, как и
любые другие электрические заряды, они способны создавать электрическое
поле, влияющее на подвижные заряды.

1.3 Энергетические диаграммы

Энергетическая диаграмма – график с главной осью y, на которой

откладываются значения энергии W электронов вещества, обычно в электрон-
вольтах, (эВ). Ось x позволяет отобразить изменение энергии вдоль главной
координаты, в направлении движения носителей заряда. На рис. 4 изображена
энергетическая диаграмма собственного полупроводника для образца с длиной
l. Серые области соответствуют возможным значениям энергии электронов
(разрешённые зоны). Промежутки между ними – запрещённые зоны.
Электронов, имеющих энергии, находящиеся в пределах запрещённых зон в
веществе нет. Количество разрешённых и запрещенных зон в различных
веществах различно.
В проводниках запрещённых зон нет вообще, в диэлектриках верхняя
запрещённая зона очень широкая. Для полупроводников в электронике
наиболее важны три верхних зоны (рис. 4). Самая верхняя из них, зона
проводимости, соответствует энергиям свободных электронов. Под ней

9
располагается запрещённая зона, электронов в которой нет*. Разрешённая зона
ниже – валентная зона, соответствует энергиям валентных электронов.

* Часто используемое выражение «электрон находится в зоне…»

указывает не на место его расположения в пространстве, а на значение его
энергии.

На энергетической диаграмме можно отобразить важные величины:

Wз – ширина запрещённой зоны;
Wc – дно зоны проводимости;
Wv – потолок валентной зоны.

Рис. 4

Энергетические диаграммы позволяют также графически отображать

состояния и процессы в полупроводниках [2]. Например, рис. 5 иллюстрирует
генерацию и рекомбинацию в собственном полупроводнике.

10
 Рис. 5
Очевидно, что для превращения валентного электрона в свободный
электрон необходима энергия не меньше

Wз = Wc - Wv (1)

Чем шире запрещённая зона полупроводника, тем слабее термогенерация

и меньше собственная концентрация свободных носителей заряда.
Такая же энергия выделяется при рекомбинации в виде тепла или света.
Поэтому энергия кванта света hν при свечении полупроводника и,
следовательно, цвет свечения определяются шириной запрещённой зоны:

hν = hc / λ = Wз, (2)

где h - постоянная Планка; ν, λ, c - частота, длина волны и скорость

света.
Отсюда разнообразие полупроводников в светодиодах и в пикселах
светодиодных экранов.

1.4 Электропроводность полупроводников

В физике полупроводников вместо понятий ток I и напряжение U удобнее

пользоваться понятиями плотность тока J [А/м2] и напряжённость поля E [В/м].
В этом случае закон Ома имеет вид:

J = E/ρ (3) или J = σE, (4)

где ρ – удельное сопротивление [Ом/м], σ – удельная проводимость

[См/м]. Очевидно, что электропроводность полупроводника тем больше,
чем больше заряд свободных электронов и дырок -q и q, чем больше их

11
концентрации n, p и чем быстрее они способны двигаться под действием
электрического поля:

σ = q(µnn + µpp) (5)

Здесь µn и µp - коэффициенты подвижности свободных электронов и

дырок – средние скорости их движения под действием электрического поля с
напряжённостью 1 В/м.
Подстановка (5) в (4) даёт:

J = q(µnn + µpp)E (6)

Электронная и дырочная составляющие плотности тока складываются,

так как противоположны и направления движения свободных электронов и
дырок и знаки их зарядов.
Средняя скорость электронов (следовательно, и дырок) относительно
невелика из-за столкновений электронов с атомами кристаллической решётки.
При столкновениях часть кинетической энергии движущихся электронов
передается атомам, чем вызывается выделение тепла в любой проводящей
среде при протекании в ней тока.
Электропроводность собственного полупроводника быстро
(экспоненциально) растёт с увеличением температуры, так как при этом
усиливается термогенерация электронно-дырочных пар и растёт их
концентрация.

1.5 Токи в полупроводниках

Дрейфовым током называется ток, обусловленный движением носителей

заряда под действием электрического поля. Выражение (4) соответствует
плотности дрейфового тока Jдр. В общем случае дрейфовый ток может иметь
электронную Jдр.n и дырочную Jдр.p составляющие.
Направленное движение носителей заряда может быть также результатом
диффузии – повсеместно наблюдаемого физического явления. Диффузией
называется движение любых подвижных частиц из области с большей в область
с меньшей концентрацией, обусловленное их хаотическим тепловым
движением. Если происходит диффузия заряженных частиц, наблюдается
направленное перемещение зарядов, т.е. возникает диффузионный ток.
Диффузионный ток невозможен в однородной среде, концентрация подвижных
зарядов в которой везде одинакова, а также при нулевой абсолютной
температуре.

12
 Плотности электронного и дырочного диффузионного токов,
обусловленных диффузией свободных электронов и дырок, описываются
выражениями:

Jдф.n = qDn dn/dx (7), Jдф.p = - qDp dp/dx (8)

Здесь Dn и Dp – коэффициенты диффузии свободных электронов и дырок;

dn/dx и dp/dx – градиенты концентрации свободных электронов и дырок.
Коэффициенты диффузии, как и коэффициенты подвижности,
характеризуют среднюю скорость движения свободных электронов и дырок.
Она зависит от количества столкновений электронов с атомами
кристаллической решётки, а также от температуры, поскольку с ростом
температуры растет скорость хаотического теплового движения. Поэтому
коэффициент диффузии пропорционален коэффициенту подвижности и
температуре:

D = µkT/q, (9)

где k – постоянная Больцмана; T – абсолютная температура.

Градиент концентрации – это вектор, величина которого равна скорости
увеличения или уменьшения концентрации в некотором направлении. В общем
случае он указывает направление наискорейшего увеличения концентрации или
наискорейшего её уменьшения (антиградиент). В (7) и (8) используются
одномерные градиенты, учитывающие изменение концентрации в главном
направлении x.
На рис. 6 изображен образец полупроводника, в левой части p+ которого
концентрация дырок больше, чем в правой части р.

Рис. 6.
Ниже построены зависимости концентрации и градиента концентрации
дырок от координаты x. Очевидно, что в переходной области будет

13
происходить диффузия дырок слева направо. В глубине областей, где
полупроводник однороден, диффузии не будет.
Положительным направлением тока считается направление движения
положительных зарядов (или обратное направлению движения носителей
отрицательных зарядов). Именно так движутся дырки в образце, вдоль
положительного направления x. Согласно (8), отрицательный градиент образца
дал бы отрицательное значение плотности тока и току, если бы это выражение
не имело знак «минус».

1.6 Особенности примесных полупроводников

В собственных полупроводниках концентрации свободных электронов и

дырок равны (собственная концентрация ni). Однако для электронных
элементов и интегральных схем необходимы полупроводники с преобладанием
свободных электронов (n – тип) и с преобладанием дырок (р – тип). Их
называют также полупроводниками с электронной и дырочной проводимостью.
Чтобы получить полупроводник n – типа, в него при изготовлении
кристалла добавляют донорную примесь. Атомы такой примеси имеют
большую, чем сам полупроводник, валентность. Например, в кремний (число
валентных электронов на внешней электронной оболочке равно 4) может быть
добавлен фосфор (валентность 5). Это означает, что в полупроводнике появятся
избыточные электроны, не участвующие в образовании связей между атомами.
Такие электроны легко становятся свободными, достигается преобладание
свободных электронов [2]. Преобладающие по количеству носители
называются основными. Неосновных носителей обычно на несколько порядков
меньше.
На рис. 7 изображена энергетическая диаграмма полупроводника n –
типа.

Рис. 7

14
 Донорная примесь порождает разрешённые уровни в запрещённой зоне,
вблизи дна зоны проводимости.
Электроны с таким уровнем энергии становятся свободными при
приобретении очень небольшой дополнительной энергии, энергии активации
Wакт. Поэтому активация примеси происходит уже при низких температурах,
когда термогенерация подвижных носителей самим полупроводником
незначительна. Зависимость концентрации свободных электронов n от
температуры Т приобретает вид рис. 8.

Рис. 8

Участок 1 этой зависимости соответствует быстрому росту концентрации

за счет активации примеси. Рост прекращается, когда будут активированы все
атомы примеси (участок 2). В области высоких температур рост возобновляется
за счёт усиления термогенерации атомами самого полупроводника (участок 3).
На этом же рисунке показана экспоненциальная зависимость
концентрации ni для собственного полупроводника. По сравнению с ним
примесный полупроводник обладает большим достоинством – наличием
обширного участка 2 с практически неизменной концентрацией и
проводимостью в большом диапазоне температур T1 – T2. Выбирая
концентрацию донорной примеси Nд при изготовлении можно получать
желательные и стабильные параметры полупроводника в необходимом
диапазоне температур. При этом обеспечивается соотношение:

n = Nд + ni ≈ Nд = const (10)

Аналогичные изменения происходят при добавлении акцепторной

примеси для изготовления полупроводника р – типа. Такая примесь, например
бор с валентностью 3, имеет меньшую, чем кремний, валентность, что приводит
к дефициту валентных электронов. Достигается преобладание дырок.

15
Появление акцепторных атомов приводит к появлению разрешённых уровней в
запрещённой зоне вблизи потолка валентной зоны, рис. 9.

Рис. 9

Эти уровни легко заполняются валентными электронами, для чего

требуется небольшая дополнительная энергия активации Wакт. Температурная
зависимость концентрации дырок такая же, как и у полупроводника n – типа.
На термостабильном участке выполняется аналогичное (10) соотношение:

p = Nа + ni ≈ Nа = const, (11)
где Nа – концентрация акцепторной примеси.
На рис. 10 изображены фрагменты кристаллических решёток с донорным
(рис. 10а) и акцепторным (рис. 10б) атомом.

Рис. 10

16
 При утрате одного из пяти валентных электронов донорного атома он
превращается в положительно заряженный ион. Суммарный заряд этого иона и
порождённого донорным атомом свободного электрона равен нулю,
полупроводник остаётся электрически нейтральным. Однако, если свободный
электрон исчезнет, например в результате рекомбинации, заряд иона
становится «заметным», электрическая нейтральность нарушается. Такие ионы
называются нескомпенсированными ионами донорной примеси. Каждый такой
ион, как и дырка, имеет заряд +q, однако в отличие от дырки является
неподвижным зарядом. Чем больше таких ионов, тем сильнее создаваемое ими
электрическое поле, которое влияет на процессы в полупроводнике.
Аналогично, при захвате акцепторным атомом недостающего валентного
электрона, он превращается в отрицательно заряженный ион. Возникшая при
этом дырка уравновешивает заряд иона, однако, если дырка исчезает из
окрестности иона, ион становится нескомпенсированным ионом акцепторной
примеси с зарядом –q. Суммарное электрическое поле таких ионов также
влияет на процессы в полупроводнике.

1.7 Расчёт концентрации подвижных носителей заряда

Для определения собственной концентрации заданного полупроводника

при заданной температуре можно воспользоваться формулой:
 З

ni  NC NV e 2T (12)
где NC и NV – эффективные плотности уровней в зоне проводимости и
валентной зоне, φЗ – ширина запрещенной зоны, φТ термический потенциал.
В неё входит ряд констант, определённых для используемых в
электронике полупроводников с высокой точностью и приводимых как в
научной, так и в учебной литературе. Кроме того, в литературе часто
указываются значения ni для основных полупроводников при комнатной
температуре Ткомн . При такой температуре для кремния ni ≈ 1010 см-3 . Обращает
на себя внимание ничтожность этой величины по сравнению с концентрацией
атомов самого полупроводника Nат ≈ 1023 см-3 .
Если известна концентрация примеси, например, донорной примеси Nд и
полупроводник используется в диапазоне температур, обеспечивающем
стабильность параметров, для определения концентрации основных носителей
можно воспользоваться формулой (10). При типичной для полупроводниковых
элементов концентрации примесей 1018 см-3 концентрация основных носителей
n будет такой же. Концентрацию неосновных носителей р можно найти из
соотношения:

np = ni2 (13)

17
 Это соотношение отражает очевидный факт: если температура неизменна
(ni = const), то чем больше основных носителей, тем меньше неосновных, так
как с ростом концентрации основных носителей возрастает вероятность их
встречи с неосновными носителями и их рекомбинации.
Для рассматриваемого примера для кремния при комнатной
температуре из (13) следует:

p = ni2/n= 102 см-3

Обращает на себя внимание ничтожность концентрации неосновных

носителей 102 см-3 по отношению к концентрации основных носителей 1018 см-3.
Тем не менее, неосновные носители часто являются главными факторами
процессов в электронных элементах и интегральных схемах.

2. ОБЩИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ ВЕЩЕСТВ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

2.1 Контакты и структуры в электронике

В электронике используются самые различные вещества – проводники,

полупроводники, диэлектрики. Они образуют самые разнообразные контакты,
в которых наблюдаются контактные явления. Многослойные контакты
называют структурами. Примерами контактов являются контакты металлов,
призванные беспрепятственно пропускать ток, контакт полупроводников p и n-
типа (p-n переход). Примерами структур являются электрический конденсатор,
в котором контактируют металл, диэлектрик и снова металл (структура МДМ),
МДП-структура, в которой контактируют металл, диэлектрик и полупроводник.
МДП-структура является основой самого распространённого электронного
элемента нашего времени – МДП-транзистора.

2.2 Контактная разность потенциалов

На границе упомянутых веществ всегда возникает электрическое поле,

сила которого характеризуется напряжённостью поля Е или, чаще, контактной
разностью потенциалов φк.
На рис. 11 изображён в качестве примера контакт двух металлов.

18
 Рис. 11

Концентрация свободных электронов в металлах очень высокая. При

ненулевой абсолютной температуре они хаотично движутся, обладая в
отдельные моменты времени большой кинетической энергией. Если эта энергия
достаточна для выхода электрона из металла, он пересекает контакт и
переходит в смежную область. Таким образом, наблюдаются два встречных
потока электронов. Если металлы неодинаковы, неодинакова и сила этих
потоков. В результате в одной из приграничных областей концентрация
свободных электронов увеличится (обогащение), в другой – уменьшится
(обеднение). Равенство по модулю положительных зарядов ядер и
отрицательных зарядов электронов в этих областях нарушается, они
приобретают заряд: отрицательный в обогащенной области, положительный в
обеднённой области. Эти заряды создают в приграничных областях
электрическое поле с контактной разностью потенциалов φк.
Работа, которую надо совершить, для выхода электрона из металла,
называется работой выхода. Численно она равна qφ, где φ – потенциал
электрического поля на поверхности. Для металлов с работами выхода qφ1 и
qφ2 контактная разность потенциалов определяется выражением:

φк = φ1 - φ2 (14)

Контактная разность потенциалов возникает на границе любых типов

проводников и полупроводников. Причиной этого, как и в случае двух
металлов, является нарушение электрической нейтральности приграничных
областей из-за перемещения зарядов.
Электрическое поле в контакте может способствовать или препятствовать
движению подвижных носителей заряда. Потому распространён термин
потенциальный барьер, высота которого равна φк.
Хотя для контактов между металлами характерна небольшая величина φк
и они хорошо проводят ток, некоторые пары металлов как электрические
контакты недопустимы. Так, контакт алюминиевого и медного проводов

19
нарушается и даже разрушается в течение короткого времени. Причина –
электрохимическая коррозия, обусловленная наличием φк .

2.3 Собственные токи в контактах

Так как проводники и полупроводники способны проводить ток, в

контактах между ними в отсутствие внешнего напряжения могут возникать
токи.
Рассмотрим, например, контакт полупроводников, отличающихся только
концентрацией донорной примеси, рис. 12.

Рис. 12

Здесь левая область, обозначенная как n+, обладает более высокой

концентрацией примесей и основных носителей – свободных электронов. В
таком контакте существуют условия для возникновения диффузии:
концентрация свободных электронов в n+ области больше, чем в n области,
температура не равна нулю. Свободные электроны будут диффундировать из n+
области в n область (обозначены на рисунке кружками, стрелка указывает
направление движения). Следовательно, в таком контакте существует
диффузионный ток Iдф.
В n+ области, теряющей часть отрицательных зарядов, возникает
обеднение и образуется положительный заряд нескомпенсированных ионов
донорной примеси (обозначены, в отличие от подвижных зарядов, квадратами).
В n области, в результате обогащения возникает избыточный отрицательный
заряд. Поэтому появляется собственное электрическое поле с контактной
разностью потенциалов φк. Это поле заставляет часть свободных электронов
пересекать контакт в обратном направлении, т.е. порождает встречный
дрейфовый ток Iдр. Устанавливается равновесное состояние:

Iдф = Iдр (15)

Токи равны и противоположны, поэтому тока во внешней цепи нет.

20
 Нарушение равновесия в отсутствие внешнего напряжения невозможно.
Например, при возникновении преобладания Iдф из-за усиления диффузии
увеличатся положительный и отрицательный заряд приграничных областей,
усилится электрическое поле и возрастёт встречный Iдр. Равновесие
восстановится.
Наличие и равенство Iдф и Iдр наблюдается в любых контактах, в которых
есть подвижные носители заряда и собственное электрическое поле.

2.4 Электроёмкость контактов

Электроёмкостью, или просто ёмкостью, называется способность

различных объектов накапливать и сохранять электрические заряды.
Барьерной ёмкостью называют ёмкость таких объектов, в которых
подвижные заряды сохраняются из-за отсутствия пути для их движения, т.е. для
тока разряда, т.к. существует препятствие для этого тока. Таким препятствием
является, например, диэлектрический слой конденсатора или диэлектрический
слой между металлом и полупроводником МДП-структуры. Подобное
препятствие образует также обеднённый слой полупроводника. Концентрация
подвижных носителей заряда в обеднённом полупроводнике может быть
настолько малой, что он, как и диэлектрик, почти не проводит ток.
Величина барьерной ёмкости контакта зависит от его площади S,
толщины диэлектрического или обеднённого слоя w и его диэлектрической
проницаемости εε0:

Сб = εε0S/w (16)

Диффузионной ёмкостью обладают объекты, в которых подвижные

носители заряда диффундируют в некоторую полупроводниковую область и
создают здесь диффузионный заряд. Диффузионный заряд и диффузионная
ёмкость пропорциональны диффузионному току Iдф этих носителей и их
среднему времени жизни τ:

Cдф = τIдф/φт , (17)

где φт = kT/q - термический потенциал.

В среднем, спустя время 2…3τ* большая часть носителей заряда погибает
в результате рекомбинации с зарядами области, в которую они проникли.
Поэтому диффузионный заряд и диффузионная ёмкость существуют пока
происходит приток новых носителей, т.е. при Iдф ≠ 0 или пока в областях есть
диффузионный заряд.

21
 Наличие емкости контакта, требующей времени на заряд и разряд,
определяет его быстродействие, т.е. способность быстро переходить из
закрытого состояния в открытое и наоборот.

2.5 Электрический и тепловой пробой в контактах

Пробоем называется резкое возрастание тока в диэлектрике или

обеднённом полупроводнике при достижении напряжения на таких слоях
значения напряжения пробоя Uпр [2, 3, 6]. В допробойном состоянии, при
|U| < |Uпр|, ток ничтожен, так как создаётся движением ничтожного количества
подвижных носителей.
Электрический пробой диэлектрического или обеднённого слоя возникает
при превышении в нём напряжённости поля некоторой критической
напряжённости Екр. При этом напряжение не обязательно большое, так как
напряженность поля Е ≈ U/w будет большой и при малых напряжениях, если
мала толщина слоя w.
Типичным электрическим пробоем является лавинный пробой. При таком
пробое сильное электрическое поле разгоняет свободные электроны до столь
значительной скорости, что их кинетической энергии при соударениях с
атомами диэлектрика или обеднённого полупроводника хватает для
превращения валентных электронов атомов в свободные. Появляются новые
свободные электроны, которые также разгоняются электрическим полем и
соударяются с атомами. Концентрация свободных электронов и ток резко
возрастают.
Лавинный пробой считается обратимым, так как он исчезает при
уменьшении напряжения на обеднённом слое.
Тепловой пробой возникает, как правило, вслед за лавинным. Возросший
при лавинном пробое ток увеличивает количество выделяющегося тепла,
температура материала возрастает. В результате (если отводимая от материала
мощность меньше рассеиваемой) усиливается термогенерация подвижных
носителей, растёт их концентрация, ток становится ещё больше, температура
ещё выше и т.д. Перегрев слоя приводит к его разрушению, поэтому тепловой
пробой считается необратимым.
При лавинном пробое исчезает главное полезное свойство
диэлектрического или обеднённого слоёв – низкая электропроводность, при
тепловом эти слои вообще разрушаются.

* спустя время τ, концентрация пересекших границу контакта в

некоторый момент времени носителей уменьшается в e раз, спустя время 2…3τ
почти все они рекомбинируют с основными носителями.

22
 3. КОНТАКТ МЕТАЛЛ – ПОЛУПРОВОДНИК. ДИОДЫ ШОТКИ

3.1. Основные свойства металло-полупроводниковых контактов

Контакт металл-полупроводник (m-n или m-p переход), относится к

наиболее распространенным в электронике типам контактов. Чаще всего это
обычный, омический контакт. Его сопротивление невелико, не зависит от
знака и величины приложенного напряжения. Ток в омическом контакте связан
с напряжением законом Ома. Такие контакты совершенно необходимы для
электрического соединения элементов или их частей друг с другом.
Однако некоторые металлы и полупроводники образуют так называемые
контакты Шотки, обладающие односторонней проводимостью. При прямом
напряжении Uпр они хорошо пропускают ток (открытое состояние), при
обратном напряжении Uобр тока почти нет (закрытое состояние). Такие
контакты используются в диодах Шотки и некоторых типах транзисторов.
Характер контакта металл–полупроводник зависит от соотношения работ
выхода контактирующего металла qм и полупроводника qп. Если, например,
qмqп, будет преобладать поток свободных электронов из металла в
полупроводник. При этом в m-n переходе в приграничной области
полупроводника образуется избыток свободных электронов, т.е. обогащенный
слой, рис. 13,а. В таком виде в контакте свободные электроны имеются во всех
его частях, и поэтому он обладает очень маленьким электрическим
сопротивлением, т.е. является омическим контактом.

а) б)

Рис. 13

ВАХ омического контакта линейна. Его главным параметром является

сопротивление R, которое должно быть минимальным. Оно определяется,
главным образом, параметрами полупроводниковой области, сопротивление
которой намного больше. Сопротивление этой области и контакта в целом
зависит от длины области L, площади её поперечного сечения S и удельного

23
сопротивления ρ. Удельное сопротивление, в свою очередь, зависит от
концентрации носителей n и их подвижности µn:

R = ρL/S = L/ µnnS (18)

3.2. Диоды Шотки

Если qм  qп, в m-n переходе преобладает поток электронов из

полупроводника в металл, рис. 13,б. В n-области образуется обеднённый слой.
Уменьшение концентрации свободных электронов в обеднённом слое
приводит к появлению здесь положительного заряда нескомпенсированных
ионов донорной примеси. Заряды в приграничных областях создают
собственное электрическое поле с контактной разностью потенциалов

к0 = m – п (19)

где к0 – контактная разность потенциалов в равновесном состоянии, т.е. в

отсутствие внешнего напряжения.
Чтобы получить открытое состояние контакта, необходимо подать на
него прямое напряжение, плюс (больший потенциал) к m – области, минус
(меньший потенциал) к n – области. Свободные электроны n – области начнут
заполнять обеднённый слой, контактная разность потенциалов уменьшится,
потенциальный барьер понизится:

к = к0 – Uпр (20)

Распределение свободных электронов примет вид рис. 13,а. Высокая

концентрация свободных электронов во всех частях контакта обусловит
протекание большого дрейфового тока, прямого тока Iпр.
При обратном напряжении
к = к0 + Uобр , (21)

т.е. контактная разность потенциалов и потенциальный барьер возрастут. В

обеднённом слое концентрация свободных электронов станет ещё меньше, сам
слой расширится. Обратный ток Iобр будет ничтожным.
Поэтому при qм  qп m-n переход обладает односторонней
проводимостью, т.е. является контактом Шотки.
Аналогичная картина наблюдается в менее распространённом m-p
контакте. При qм  qp это контакт Шотки, при qм  qp – омический контакт.
Вольт-амперные характеристики (ВАХ) омического контакта и контакта
Шотки изображены на рис. 14,а и рис. 14,б:

24
 а) б)
Рис. 14

ВАХ контакта Шотки описывается формулой Шокли:

I = I0(eU/T – 1), (22)

Термический потенциал T при комнатной температуре составляет 0,025

В, а прямые напряжения составляют десятые доли В. Потому при прямых
(положительных) напряжениях единицей в скобках в формуле (22) можно
пренебречь и ВАХ в области прямых напряжений, так называемая прямая
ветвь - экспоненциальная. Ток насыщения, или тепловой ток I0 при
неизменной температуре – константа, определяющаяся конструкцией и
материалом контакта, а также степенью легирования полупроводниковых
областей. Является параметром контакта. Этот ток называют тепловым из-за
сильной зависимости от температуры. В контактах металл-полупроводник и
двух полупроводников этот ток обусловлен дрейфом неосновных носителей
через внутреннее поле контакта, которое является для них ускоряющим.
Поскольку неосновные носители в примесных полупроводниках появляются за
счет генерации (в основном, термогенерации), то и величина этого тока зависит
непосредственно от температуры.
При обратных напряжениях протекает незначительный ток I0, а при
обратных напряжениях, превышающих напряжение пробоя Uпр, возникает
электрический пробой и ток резко возрастает.
Важнейшими достоинствами диодов Шотки являются:
- наименьшие по сравнению с другими диодами напряжения открытого
состояния, в пределах 0,2…0,5 В. Это означает, что в диодах Шотки, по
сравнению с другими диодами, при одинаковом прямом токе рассеиваемая
мощность Pрасс = UпрIпр меньше. Поэтому диоды Шотки отличаются меньшими
тепловыми потерями;
- в открытом состоянии ток в них дрейфовый, т.к. его диффузионная
составляющая ничтожна. Поэтому у диодов Шотки нет диффузионной ёмкости,

25
емкость чисто барьерная и небольшая, они отличаются высоким
быстродействием.

4. КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИКОВ р- И n- ТИПА

4.1. Основные свойства p-n перехода

Контакт p и n полупроводников, или p-n переход, как и m-n переход,

является одним из распространенных видов контактов, используемых в
электронике. Его главным свойством является односторонняя проводимость,
т.е. способность хорошо проводить ток только при одной полярности
приложенного напряжения (прямое напряжение). При обратном напряжении
ток на несколько порядков меньше.
Как правило, одна из областей p-n перехода имеет намного более
высокую концентрацию донорной примеси Nд или акцепторной примеси Nа.
Область с большей концентрацией примесей называют также
сильнолегированной областью, с меньшей – слаболегированной. Такие
переходы называют асимметричными, их сильнолегированную область –
эмиттером, слаболегированную – базой. Сильнолегированную область
обозначают n+ или p+ , рис. 15:

Рис. 15

На границе p и n областей существуют значительные градиенты

концентрации свободных электронов и дырок dn/dx и dp/dx. Поэтому в p-n
переходе даже в отсутствие внешнего напряжения происходит диффузия
основных носителей в смежную область, т.е. наблюдается диффузионный ток
основных носителей Iдф. При этом в p-n+ переходе dn/dx » dp/dx и поэтому
будет преобладать электронная составляющая диффузионного тока Iдф.n . В p+-n
переходе dn/dx « dp/dx и поэтому будет преобладать дырочная составляющая
Iдф.p.
Диффузия основных носителей в смежную область, где они становятся
неосновными, приводит к рекомбинации с основными носителями смежной

26
области. В результате рекомбинации в приграничных областях концентрация
свободных электронов и дырок очень низкая, образуется обедненный слой. В
этом слое атомы примесей превращаются в нескомпенсированные ионы. Из-за
очень низкой концентрации подвижных носителей заряд нескомпенсированных
ионов примесей будет здесь главным типом электрических зарядов. В
приграничных областях возникают два слоя таких зарядов: отрицательный
заряд в р – области, положительный заряд в n – области, рис. 15. Эти заряды
создают собственное электрическое поле p-n перехода с контактной разностью
потенциалов φк0.
Собственное электрическое поле p-n перехода – тормозящее для
диффундирующих основных носителей (образует потенциальный барьер). Это
ограничивает диффузию основных носителей. Это же поле является
ускоряющим для неосновных носителей, что вызывает встречный дрейф
неосновных носителей, т.е. встречный дрейфовый ток Iдр = Iдф.p + Iдф.n. Чем
интенсивнее диффузия, тем сильнее поле перехода и больше дрейфовый ток.
Поэтому возникает устойчивое равновесие диффузионного и дрейфового токов,
в результате чего тока во внешней цепи нет. Выравнивания концентраций, как
это было бы, например, при диффузии газов, не происходит.
Если к переходу приложено внешнее напряжение, сила поля в переходе
изменяется. Когда к р – области приложен плюс внешнего источника, т.е.
при прямом напряжении, поле в переходе ослабевает (потенциальный барьер
понижается):

φк = φк0 - Uпр . (23)

Поэтому усиливается диффузия основных носителей, и ослабевает дрейф

неосновных. Возникает большой прямой ток Iпр – большой диффузионный ток
основных носителей. Когда к р - области приложен минус (меньший
потенциал), т.е. при обратном напряжении, поле в переходе усиливается
(потенциальный барьер возрастает):

φк = φк0 + Uобр . (24)

Диффузия основных носителей при этом ослабевает. Возникает

преобладание дрейфового тока неосновных носителей, т.е. обратный ток Iобр.
Так как концентрация неосновных носителей очень мала, обратный ток
намного, на несколько порядков, меньше. Этим и объясняется главное свойство
p–n перехода: высокая проводимость при прямом напряжении, очень низкая –
при обратном напряжении.

4.2. Основные числовые характеристики p-n перехода.

27
 Контактную разность потенциалов в отсутствие внешнего напряжения k0
можно найти по формуле:

NANД
k0 = T ln –––––-- , (25)
2
ni
Подставив сюда значение термического потенциала при комнатной
температуре T = 0.025 В, типичные значения концентрации примесей
асимметричного p-n перехода для базы 1016, для эмиттера 1018 см-3 и
собственную концентрацию кремния при комнатной температуре ni ≈ 1010 см-3,
получим типичную величину:

k0 ≈ 0,84 В (26а)

Примерно такое прямое напряжение надо подать на кремниевый p-n

переход, чтобы предельно понизить потенциальный барьер и обеспечить
полностью открытое состояние.
Другим важнейшим параметром p-n перехода является его толщина, или
ширина, w. За w принимается протяженность приграничных областей с
нескомпенсированными ионами примесей, или, что то же самое, толщина
обеднённого слоя:
2εε0K0 (N А  N Д )
w , (26б)
qN АN Д

Для кремниевого p-n перехода при указанных выше исходных данных w

≈ 1 мкм, что также является типичной величиной.
При подаче прямого напряжения переход сужается, а при подаче
обратного напряжения расширяется. В этих случаях его толщину можно
рассчитать, подставляя вместо φk0 в (26б) φk из (23) или (24).
От толщины перехода зависят его барьерная ёмкость (16), напряжение
лавинного пробоя и другие важные параметры. В предположении
однородности поля p-n перехода его напряжённость составит величину

E = Uобр/w (27)

и может достигать сотен кВ/см.

Тепловой ток тоже принято считать параметром p-n перехода.

4.3 Вольт-амперная характеристика p-n перехода

28
 Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n перехода, в основной своей
части, как и ВАХ m-n контакта Шотки, описывается формулой Шокли (22).
Подчиняющуюся этой закономерности ВАХ называют идеализированной, или
теоретической ВАХ, рис. 16:

Рис. 16

ВАХ реальных p-n и m-n диодов сильно отклоняются от идеальной ВАХ в

области больших обратных напряжений, когда возникает пробой (участок
пробоя).
В области больших прямых токов отклонение обусловлено тем, что
сопротивление заполненного носителями обеднённого слоя очень мало. При
этом сопротивление перехода в целом определяется сопротивлением
прилегающих к переходу областей, в первую очередь, сопротивлением базы rб.
У диодов Шотки отклонение реальной ВАХ от экспоненты при больших токах
проявляется слабее, т.к. для них слабое легирование полупроводниковой
области нехарактерно.
Значительное расхождение наблюдается также в допробойной части
обратной ветви ВАХ. Согласно формуле Шокли при обратных напряжениях
обратный ток неизменен и равен току насыщения I0. Однако в реальности на
этот ток накладываются ещё несколько токов, растущих с увеличением Uобр.
Одной из составляющих обратного тока является ток утечки Iут, который
обусловлен движением носителей не в самом контакте, а по его поверхности.
Поверхность полупроводника взаимодействует с окружающей средой и,
обладая сводными валентными связями, способна захватывать посторонние
атомы. Их валентность, вероятнее всего, будет отличаться от валентности
самого полупроводника, т.е. эти атомы будут для полупроводника донорными
или акцепторными примесями. В результате поверхность окажется
сильнолегированной и будет обладать повышенной электропроводностью. Ток

29
утечки растёт с увеличением Uобр и, складываясь с I0, создаёт наклон
допробойной части ВАХ.

5. ДИОДЫ НА ОСНОВЕ M-N, P-N ПЕРЕХОДОВ

И P-I-N СТРУКТУРЫ

5.1 Мощный выпрямительный диод

К мощным относят высоковольтные и сильноточные диоды, переход

которых способен выдерживать большие обратные напряжения (до нескольких
кВ) и большие прямые токи (до нескольких кА).
Согласно (27), при заданном обратном напряжении Uобр < Uпр
напряжённость поля в p-n переходе можно понижать, увеличивая толщину его
обеднённого слоя w. Тем самым достигается увеличение напряжения пробоя
Uпр. Увеличение w, согласно (26б), достигается уменьшением концентрации
примесей. Поэтому одну из областей, базу высоковольтного p-n диода делают
слаболегированной. В m-n диодах Шотки Uпр намного меньше и в качестве
высоковольтных диодов они не используются.
Толщина p-n перехода будет ещё больше, если сделать
слаболегированной и вторую область. Однако в этом случае уменьшатся
градиенты концентрации обоих видов носителей и поэтому окажется
небольшим диффузионный прямой ток. Поэтому вторую область перехода,
эмиттер, делают сильнолегированной. Это позволяет сделать достаточно
большой электронную или дырочную составляющие диффузионного тока. Тем
самым обеспечивается необходимое значение прямого тока.
Увеличение допустимого прямого тока достигается также за счёт
увеличения площади p-n и m-n переходов. При этом снижается плотность
прямого тока Jпр = Iпр/S, которая не должна превышать критического значения.
Кроме того, при увеличении S уменьшается сопротивление открытого
состояния, что уменьшает тепловые потери при больших токах. Особенно
большой прямой ток достигается в диодах Шотки, так как их напряжение
открытого состояния и тепловые потери в 2…3 раза меньше, чем у p-n диодов.
Поскольку в ассиметричных p-n переходах (с эмиттером и базой)
одновременно максимизируется обратное напряжение и прямой ток, именно
такие, ассиметричные переходы наиболее распространены.
Мощные выпрямительные диоды применяются в выпрямителях –
преобразователях переменного тока в постоянный.

5.2. Импульсные и высокочастотные диоды

30
 Импульсные диоды должны обладать минимальным временем
переключения из закрытого состояния в открытое и наоборот. В
высокочастотных диодах минимальны паразитные реактивные составляющие
токов. То и другое обеспечивается, в основном, минимизацией барьерной и
диффузионной ёмкостей диодов.
Уменьшение барьерной ёмкости m-n и p-n переходов, согласно (16),
достигается уменьшением площади контакта S. На сегодня, благодаря
интегральной технологии, она может составлять всего несколько десятков нм2.
Однако уменьшение S находится в противоречии с необходимостью обеспечить
заданный прямой ток. Поэтому выбор S и других величин в (16) всегда
компромиссен. Известны также попытки перехода от кремния к
полупроводникам с меньшей величиной εε0.
Диффузионная ёмкость отсутствует в диодах Шотки, что делает их
основным типом для указанных применений.
В диодах с p-n переходом диффузионную ёмкость удаётся уменьшить за
счёт уменьшения толщины базы. На рис. 17 изображены p-n+ диоды с обычной
(а) и тонкой базой (б):

а) б)
Рис. 17

Т.к. у этих диодов эмиттером является сильнолегированная n-область,

при прямом напряжении будет наблюдаться преимущественно электронный
диффузионный ток. Рис. 17 демонстрирует распределение свободных
электронов в обоих диодах. Очевидно, что в диоде с тонкой базой
пространство, где существует диффузионный заряд, а также сам этот заряд,
намного меньше. Поэтому здесь намного меньше и диффузионная ёмкость.
Согласно (17), диффузионную емкость p-n диода можно также
уменьшить, уменьшив среднее время жизни неосновных носителей в базе τ.
Для этого, например, можно несколько увеличить концентрацию примеси
в базе, что вызовет более интенсивную рекомбинацию и уменьшение τ.

31
 Всё сказанное в равной степени относится к m-n и p-n переходам в
интегральных схемах, где они используются не только в качестве диодов, но и в
составе других элементов.

5.3. Стабилитрон

Стабилитрон – диод, предназначенный для стабилизации напряжения в

режиме электрического пробоя. В таком диоде используется кремниевый p-n
переход, отличающийся способностью работать при температурах до 125 0 С и
малой склонностью к возникновению теплового пробоя.
Схема включения стабилитрона представлена на рис. 18:

Рис. 18

Здесь Uвх – нестабильное напряжение источника питания – батареи,

аккумулятора, солнечной батареи и т.п. На стабилитрон подано обратное
напряжение, достаточное для возникновения электрического пробоя. Rогр не
позволяет току в стабилитроне превысить предельно допустимое значение
Iобр.макс. Тем самым исключается переход электрического пробоя в тепловой.
Сопротивление нагрузки Rн включено параллельно стабилитрону. Поэтому
напряжения на них равны и близки к напряжению пробоя Uпр. Напряжение на
нагрузке, в зависимости от крутизны участка пробоя, остаётся более или менее
стабильным.

5.4. ВАРИКАП

Варикап – диод, предназначенный для работы в режиме управляемой

барьерной ёмкости Cб.
При обратном напряжении на p-n переходе ток в нём очень небольшой и,
если есть переменная составляющая Nд, существует ёмкостная составляющая
обратного тока Iобр. Ёмкостный обратный ток тем больше, чем больше Cб и
выше частота переменной составляющей. Его величина может намного
превосходить активную составляющую обратного тока. Поэтому p-n

32
 переход при обратном напряжении можно использовать, как ёмкостный
элемент. При прямом напряжении это невозможно, т.к. в этом случае
появляется на несколько порядков больший активный прямой ток.
Подставив (26) в (16) с учётом того, что при обратном напряжении к =
к0 + Uобр, получим:

½
Cб = [2εε0(к0 + Uобр)(Nа + Nд)/qNаNд] (28)

Из (28) следует, что барьерной емкостью можно управлять, изменяя

обратное напряжение на p-n переходе. Таким образом, p-n диод при Uобр
является элементом с ёмкостью Cб, которую можно изменять.
При изготовлении варикапа полупроводник, тип примесей и закон их
распределения в областях выбираются так, чтобы зависимость Cб(Uобр) была
более сильной. В общем случае эта зависимость описывается выражением

Cб = [2εε0(к0 + Uобр)(Nа + Nд)/qNаNд]m (29)

где m = 0,3…1.
Схема включения варикапа приведена на рис. 19. Здесь варикап

Рис. 19

включён как ёмкость последовательного колебательного контура. На него

подаётся управляющее обратное напряжение Uупр. Изменяя это напряжение
можно настраивать колебательный контур на необходимую резонансную
частоту ω0 = (1/√LC).

5.5. Диоды на основе p-i-n структуры

Значительно улучшить импульсные, частотные и другие свойства диодов

позволяет использование p-i-n структуры. В такой структуре между p и n
областями располагается i-область собственного полупроводника, рис. 20.

33
 Рис. 20

Собственный полупроводник обладает на несколько порядков более

низкой концентрацией свободных электронов и дырок по сравнению с p и n
областями. Поскольку в таком полупроводнике примесей нет, эта область
искусственно расширяет область неподвижного объемного заряда ионов при
сохранении концентрации примесей в слоях p и n. В результате многократно
возрастают w и сопротивление закрытого состояния, а также многократно
уменьшается барьерная ёмкость.
Чтобы сохранить высокие значения градиентов концентрации ≈ dn/dw и
≈ dp/dw и, тем самым, сохранить большим диффузионный прямой ток, толщину
i-области l делают не слишком большой:

l < L, (30)

где L – диффузионная длина – среднее расстояние, на котором концентрация

диффундирующих в i-область носителей уменьшается в e раз из-за
рекомбинации.
P-i-n диоды являются на сегодня одними из наиболее совершенных
электронных ключей. Их обратный ток, барьерная ёмкость и сопротивление
открытого состояния минимальны (у идеального ключа все эти параметры
равны нулю).

5.6. Свето- и фото-диоды. Солнечные батареи

Устройство свето- и фото-диодов в целом одинаково, рис. 21. Одна из

областей их p-n перехода очень тонкая, что позволяет возникающему в
переходе свету излучаться в окружающее пространство (светодиод) или
позволяет внешнему свету проникать в переход (фотодиод).
В светодиодах используется излучательная рекомбинация, при которой
рекомбинация каждой p-n пары порождает квант световой энергии.

34
 Рис. 21

Интенсивная рекомбинация и свечение возможны только при протекании

в светодиоде прямого тока от внешнего источника.
Из (2) следует, что длина волны и цвет возникающего света определяются
выражением:

λ = hc/Wз, (31)

где h – постоянная Планка, c – скорость света, Wз – ширина запрещённой зоны

полупроводника. Согласно (31), цвет свечения определяется шириной
запрещённой зоны полупроводника.
Кремниевые диоды излучают в инфракрасном, невидимом глазу
диапазоне. Кремниевые светодиоды широко применяются, когда их работа не
должна видимым светом мешать человеку, например, в пультах управления.
Светодиоды на основе фосфида галлия производят красное свечение, на основе
карбида кремния – жёлтое и т.д. Решена проблема получения любого цвета
свечения. В частности, три различных светодиода – красный, зелёный и синий
решают эту проблему в пикселах светодиодных экранов.
Быстро развивается теория и практика гетеропереходов – p-n переходов с
полупроводниками различного типа в p- и n-областях. Им свойственно
особенно высокое разнообразие возможных электрических и светотехнических
характеристик.
В значительной степени решена проблема высокого к.п.д. светодиодов,
который достигает нескольких десятков процентов. Поэтому, а также благодаря
исключительно высокой надёжности, светодиоды интенсивно вытесняют
лампы накаливания и газонаполненные приборы в осветительной и сигнальной
аппаратуре.
В фотодиодах внешний свет проникает в p-n переход и, если выполняется
соотношение (31), вызывает в нём генерацию электронно-дырочных пар.
Поскольку в переходе имеется собственное электрическое поле, ускоряющее
для неосновных носителей, последние разводятся полем в противоположные
стороны и, тем самым, увеличивают дрейфовую составляющую тока.

35
Равновесие диффузионного и дрейфового токов нарушается и в режиме с
замкнутой внешней цепью в ней появляется фототок. В режиме с разомкнутой
внешней цепью на освещённом p-n переходе появляется фото-э.д.с., также
возникающая в результате нарушения равновесного состояния. В обоих
случаях фотодиод можно использовать для регистрации падающего на него
света. В частности, кремниевый фотодиод помещают на управляемых внешним
пультом электронных устройствах. Если в пульте применён кремниевый
светодиод, энергия квантов его света, согласно (2) и (31), достаточна для
генерации электронно-дырочных пар.
Поскольку в освещаемом p-n переходе происходит преобразование
световой энергии в электрическую, такие контакты используются в солнечных
батареях. При идеально прозрачной атмосфере и в космосе мощность светового
потока от Солнца на Земле достигает 1,4 кВт/м2.

6. СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК.
МДП-ТРАНЗИСТОР

6.1. Основные свойства МДП-структуры

МДП-структура содержит металлический слой, слой диэлектрика и слой

полупроводника, рис. 22. Если используется самый распространённый

Рис. 22

полупроводник – кремний, то диэлектрик, как правило, двуокись кремния

SiO2. Такой диэлектрик на поверхности кремния легко создаётся путём его
окисления. Диэлектрический слой всегда очень тонкий, что обеспечивает
проникновение электрического поля в полупроводник при подаче на структуру
внешнего напряжения Uвн. Полупроводник может быть как n, так и p типа.
Пусть на МДП-структуру с полупроводником p-типа подано Uвн с
полярностью: минус к металлу, плюс к полупроводнику (на металл подан

36
потенциал, меньший, чем на p-полупроводник), рис. 22б. Электрическое поле в
приповерхностном слое p-полупроводника будет направлять дырки в сторону,
диэлектрика и вытеснять электроны из той области. Концентрация дырок в
этом слое p+ будет повышенной (режим обогащения).
При подаче Uвн плюсом к металлу, рис. 22в, концентрация дырок в
приповерхностном слое p- будет пониженной из-за вытеснения отсюда дырок
созданным полем металлического слоя (режим обеднения). В то же время
концентрация свободных электронов в приповерхностном слое будет расти из-
за уменьшения вероятности их рекомбинации с дырками (см. (13)).
В результате уменьшения концентрации дырок и роста концентрации
свободных электронов, при некотором пороговом напряжении U0 их
концентрации сравняются и будут равны собственной концентрации ni, рис.
22г.
С дальнейшим ростом напряжения концентрация свободных электронов в
приповерхностном слое превысит концентрацию дырок и тип проводимости в
нем сменится с дырочного на электронный (режим инверсии).
Изменение состояния проводимости полупроводника под действием
электрического поля называется полевым эффектом. Транзисторы,
использующие полевой эффект, называются полевыми транзисторами.

6.2 МДП-транзистор с индуцированным каналом

В МДП-транзисторах используются свойства МДП-структуры, т.е. все их

разновидности относятся к классу полевых транзисторов. В современной
электронике в основном используются именно такие транзисторы [1, 5].
Устройство МДП-транзистора с индуцированным каналом поясняет рис.
23,а.

Рис. 23

37
 Здесь МДП-структура дополнена двумя снабженными металлическими
контактами «островками» n+-типа, между которыми может возникать канал n-
типа (рис.23,б). Эти области называют стоком и истоком. Внутренние контакты
с помощью обычных, омических контактов с металлом выведены на
поверхность, что позволяет соединять их с внешними цепями. Благодаря
высокой степени легирования, контакты обладают ничтожным
сопротивлением.
На рис. 23,б изображён МДП-транзистор с необходимыми для работы
подключениями. Здесь используется основная схема включения – с общим, или
заземлённым истоком. Это название отражает очевидное: в такой схеме исток
заземлён и является общим узлом для источников Uзи и Uси.
При подаче на затвор положительного напряжения Uзи, превышающего
пороговое напряжение U0, обеспечивается режим инверсии МДП-структуры. В
подзатворной области появляется слой полупроводника n-типа – канал. Канал
электрически соединяет исток и сток. Поэтому, если подано напряжение на
канал Uси, в канале появится ток канала. Ток канала, ток истока и ток стока
равны между собой. Этот ток принято называть током стока Iс. По характеру Iс
является дрейфовым током основных носителей.
Чем больше Uзи, тем больше толщина канала, концентрация свободных
электронов в нём и поэтому больше ток Iс.
При любых Uзи < U0 режим МДП-структуры – обогащение или обеднение.
Канала нет, исток и сток разделены полупроводником p-типа, ток между ними
невозможен (закрытое состояние транзистора, отсечка).
Полное название такого транзистора – МДП-транзистор с
индуцированным каналом n-типа, обусловлено тем, что под воздействием поля
затвора в нем появляется (индуцируется) канал со свойствами полупроводника
с электронной проводимостью.
Существуют и p-канальные МДП-транзисторы. В них используется МДП
структура с полупроводником n-типа. Р-канал появляется при отрицательном
напряжении Uзи < U0. Такие транзисторы менее распространены, т.к.
подвижность дырок меньше, чем подвижность свободных электронов. При
равных прочих условиях в n-канальном транзисторе ток в несколько раз
больше.

6.3 Основные параметры МДП-транзистора

Основным средством описания электрических свойств МДП-транзистора

является система параметров. Параметры используются, в частности, при
компьютерном моделировании, являющимся главным «инструментом»
разработки, изготовления и эксплуатации электронных устройств.
Одним из главных параметров МДП-транзистора является пороговое
напряжение U0. От него зависит напряжение, мощность, размеры и стоимость

38
источника питания МДП интегральных схем и отдельных МДП-транзисторов.
Стоимость, размеры и масса источника может достигать половины этих
характеристик самого электронного устройства (например, батареи гаджета).
Пороговое напряжение определяется свойствами материалов МДП-
структуры и её главным размером – толщиной диэлектрического слоя d:

2 q 0  П N МП
U 0   МП  , (32)
С0

где  МП – контактная разность потенциалов металл – полупроводник;

d – толщина диэлектрика;
q – элементарный электрический заряд;
 0 – абсолютная электрическая постоянная;
 П ,  д – относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника и
диэлектрика;
N – концентрация примеси в полупроводнике.
Большинство величин в (32) диктуются общими особенностями
современной технологии – выбором типа полупроводника (кремний),
диэлектрика (SiO2), металла (алюминий). Поэтому основным способом
уменьшения U0 является уменьшение d. На сегодня d составляет доли
нанометра , т.е. всего несколько межатомных расстояний. В результате
достигнуты U0 ≈ 0,5 В. Это позволяет использовать источники питания с
напряжением менее 1 В.
Другим важнейшим параметром МДП-транзистора является барьерная
ёмкость затвор-канал Cзк:

Cзк = ε0εдS/d = ε0εдWL/d, (33)

где S – площадь затвора, W и L – ширина и длина затвора.

От Cзк зависит время отпирания и запирания транзистора, т.е. его
импульсные и частотные свойства. Поэтому W и L должны быть
минимизированы. Однако это противоречит обеспечению необходимого тока в
канале Iс. В мощных МДП-транзисторах это противоречие разрешается
увеличением W до нескольких метров, чем увеличивается площадь
поперечного сечения канала и понижается плотность тока в нём.
Примером мощного МДП-транзистора является транзистор с Ic макс = 10
А, W = 2 м, L = 1 мкм. Проблема столь большой ширины канала в таких
транзисторах решается изготовлением канала в форме меандра, рис. 24. Здесь

39
изображены виды сверху на МДП-транзисторы с обычным (а) и увеличенным
(б) отношением W/L.
Важным параметром является также удельная крутизна B [А/В2]. Она
характеризует усилительные свойства МДП транзистора – зависимость
полезного выходного тока Iс от входного напряжения Uзи. В первом
приближении эта зависимость описывается двумя уравнениями:

Iс = 0,5B(Uзи - U0)2, при Uзи > U0 (открытое состояние)

(34)
Iс = 0, при Uзи < U0 (закрытое состояние)

Рис. 24

Очевидно, что ток в канале Iс тем больше, чем больше коэффициент

подвижности носителей в канале µ, его ширина W и проницаемость
диэлектрика εдε0. Естественно также, что Iс уменьшается с увеличением
толщины диэлектрика d (слабеет поле) и увеличением длины канала (растёт его
сопротивление). Поэтому

B = µεдε0W/d·L (35)

Главный коэффициент, характеризующий усиление электронных

элементов и устройств – коэффициент усиления по мощности Кр = Рвых/Рвх. У
МДП-транзисторов Кр может быть очень большим. Это связано с тем, что вход
транзистора, затвор отделён (изолирован) от канала диэлектрическим слоем.
При постоянном входном напряжении Uзи входного тока Iз практически нет и
Рвх = UзиIз ≈ 0. Однако при переменном входном напряжении из-за наличия
ёмкости затвор-канал появляется комплексный входной ток. Этот ток и,
следовательно, входная мощность тем больше, чем быстрее изменяется Uзи при
отпираниях и запираниях транзистора или чем выше частота усиливаемого
сигнала.

6.4. Статические характеристики МДП-транзистора

40
 Статическими характеристиками называют графики зависимости одних
постоянных напряжений и токов электронных элементов и цепей от других их
напряжений и токов. Примерами статических характеристик являются ВАХ
диода Шотки или p-n диода.
Транзистор всегда включается как четырёхполюсник, имеющий вход и
выход. Входные характеристики связывают входные напряжения и токи,
выходные характеристики связывают выходные напряжения и токи.
Проходные, или переходные характеристики связывают входные токи или
напряжения с выходными.
Примером статической характеристики является проходная
характеристика МДП-транзистора, рис. 25. Она соответствует

Рис. 25

зависимостям (34). Т.к. она связывает ток стока и напряжение на затворе, её

называют также стоко-затворной характеристикой.
На рис. 25 штриховой линией изображена также стоко-затворная
характеристика МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа. В таком
транзисторе пороговое напряжение отрицательное, канал существует при
отрицательных Uзи.

На рис. 26 изображены выходные характеристики МДП-транзистора.

41
 Рис.26

Они отражают зависимость выходного тока Iс от выходного напряжения

Uси. Этот ток зависит ещё и от входного напряжения Uзи. Поэтому выходные
характеристики обычно изображаются в виде семейства характеристик.
Каждая из характеристик семейства соответствует некоторому неизменному
Uзи. В результате семейство характеристик отображает обе важнейшие
зависимости: Iс = f1(Uси) и Iс = f2(Uзи).
Выходные характеристики МДП-транзисторов имеют два характерных
участка. Первый участок соответствует малым значениям Uси. В этой области
канал по всей своей длине одинаков, его сопротивление Rк определяется только
неизменным значением Uзи и поэтому Rк = const. При неизменном
сопротивлении зависимость тока в канале Iс от напряжения на канале Uси
подчиняется закону Ома. Отсюда название этого участка – омический, или
резистивный. Он представляет собой отрезок прямой из начала координат.
С дальнейшим увеличением Uси форма канала начинает изменяться, рис.
27. Потенциал истока в схеме с общим истоком равен нулю и неизменен.
Поэтому разность потенциалов затвор-канал и сила поля вблизи истока также
неизменны. Канал здесь сохраняет исходную толщину и концентрацию
свободных электронов. Вблизи стока, потенциал которого равен Uси, разность
потенциалов затвор-канал равна Uзи - Uси. Поэтому с ростом Uси поле затвора

42
 Рис. 27

здесь ослабевает. Канал вблизи стока становится тоньше, Rк

увеличивается. Омический участок характеристики сменяется участком
насыщения. Ток стока не уменьшается, так как одновременно растет
напряжение между стоком и истоком, увеличивающее скорость дрейфа
носителей по каналу. При дальнейшем повышении Uси произойдет пробой p-n-
прехода сток-подложка, и это приведет к резкому повышению тока стока за
счет обратного лавинного тока перехода.
Такие же по форме выходные характеристики имеют МДП-транзисторы
со встроенным каналом, рис. 28.
Они находят ограниченное применение из-за необходимости затрачивать
энергию на поддержание состояния отсечки транзистора изготовления
дополнительного n-слоя между истоком и стоком. Этот слой выполняет
функцию канала, который существует в таком транзисторе и при Uзи = 0. Как и
в транзисторах с индуцированным каналом, в МДП транзисторах со
встроенным каналом в зависимости от напряжения на затворе наступает
обогащение или обеднение канала. При достаточно сильном обеднении,

Рис. 28 Рис. 29

43
 т.е. при Uзи < U0, наступает режим инверсии полупроводника под
затвором. Канал исчезает, транзистор запирается. Стоко-затворная
характеристика МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа изображена
на рис. 29. Здесь же штриховая линия соответствует p-канальному варианту
транзистора.
Выходные характеристики всех рассмотренных в разделе 6.5
транзисторов имеют только количественные отличия, рис. 26.
Общепринятые условные обозначения всех МДП-транзисторов
приведены в Приложении 2.

6.5. МДП-транзистор с плавающим затвором

Устройство МДП-транзистора с плавающим затвором изображено на

рис. 30.

Рис. 30 Рис. 31

В таком транзисторе есть два металлических слоя, выполняющих

функцию двух затворов.
На верхний, обычный затвор, может быть подано внешнее напряжение
Uзи в виде короткого импульса, рис. 31. Возникает электрическое поле, которое
заряжает внутренний, плавающий затвор. В зависимости от знака поданного
Uзи, заряд плавающего затвора будет +Q или –Q. Этот заряд, в свою очередь,
создает вокруг себя электрическое поле, проникающее в полупроводник. При
+Q в полупроводнике возникает режим инверсии. Образуется n-канал,
транзистор открыт. При отрицательном Uзи плавающий затвор приобретает
заряд –Q. Канал исчезает (закрытое состояние).
Главное свойство такого транзистора - заряд плавающего затвора не
исчезает после отключения Uзи. Благодаря тому, что плавающий затвор со всех
сторон окружён высококачественным диэлектриком, пути для тока разряда нет
и заряд затвора сохраняется в течение нескольких лет. В течение этого же
времени сохраняется открытое или закрытое состояние. Таким образом, МДП-

44
транзистор с плавающим затвором обладает свойствами ячейки памяти,
способной хранить 1 бит информации.
Запись открытого состояния (условно единицы) осуществляется подачей
на затвор короткого положительного импульса, рис. 31. Стирание прежнего
заряда и переход в закрытое состояние (запись нуля) осуществляется подачей
короткого отрицательного импульса.
МДП-транзисторы с плавающим затвором и их разновидности получили
исключительно широкое распространение в современной электронике. На их
использовании, в частности, основывается работа флеш-памяти.

6.6. Арсенид-галлиевый полевой транзистор

В арсенид-галлиевом полевом транзисторе (в дальнейшем GaAs-

транзистор), как и в МДП-транзисторе, используется полевой эффект –
влияние электрического поля на полупроводник. И хотя в GaAs-транзисторе
нет диэлектрического слоя, подобием его является слой обеднённого
полупроводника на границе металло-полупроводникового контакта Шотки.
В работе МДП- и GaAs-транзисторов много общего. Устройство GaAs-
транзистора поясняет рис. 32. Сам GaAs кристалл примесей не содержит.
Благодаря большой ширине запрещённой зоны собственная концентрация
носителей заряда беспримесного GaAs настолько мала, что по
электропроводности этот полупроводник приближается к диэлектрикам.
Поэтому проблемы влияния полупроводника, окружающего транзистор, не
существует.

Рис. 32 Рис. 33

Канал в таком транзисторе изготавливается сразу, в виде слоя

полупроводника n-типа. Металл затвора выбирается так, чтобы контакт между
затвором и каналом являлся контактом Шотки. Как в любом другом таком m-n
контакте, в приграничной части полупроводника возникает обеднённый слой.

45
 При подаче на затвор относительно подложки положительного
напряжения наступает обогащение канала. Обеднённый слой сужается, канал
расширяется. Ток канала Iс увеличивается (Uси ≠ 0). При подаче отрицательного
напряжения на затвор обеднённый слой расширяется. При пороговом
напряжении –U0 канал исчезает, транзистор запирается. Типичная стоко-
затворная характеристика GaAs-транзистора изображена на рис. 33.
Использование GaAs-транзистора при положительных напряжениях Uзи >
0,2…0,4 В приводит к отпиранию m-n перехода и появлению в нём
значительного тока. В основной схеме включения полевых транзисторов, схеме
с общим истоком, это входной ток Iз. Поэтому возрастает входная мощность и
снижается усиление транзистора. При Uзи > 0,2…0,4 В такой транзистор не
используется.
Большим достоинством GaAs является исключительно высокая
подвижность свободных электронов. Коэффициент подвижности µn арсенида
галлия в 6 раз превышает µn кремния. Поэтому быстродействие и частотные
свойства GaAs-транзисторов и интегральных схем потенциально намного
выше, чем кремниевых. Известны успешные применения таких транзисторов в
СВЧ диапазоне (спутниковая связь) и попытки применения GaAs в
сверхбыстродействующих ИС (цифровая электроника).

7. N-P-N И P-N-P СТРУКТУРЫ. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР

7.1. Основные свойства биполярного транзистора

Биполярный транзистор (в дальнейшем БТ) является электронным

элементом с двумя р-n переходами (рис. 34).

Рис. 34

46
 Здесь изображён БТ со структурой [2] n+–р–n, хотя возможна, но менее
распространена p+–n -p структура. В работе таких БТ принципиальных
отличий нет. Области БТ получили следующие названия: n+ – эмиттер
(область, “испускающая” носители); р – база и n (на рис. 34 – область справа) –
коллектор (т.е. область, “собирающая” носители).
Каждая область снабжена омическими контактами металл-
полупроводник, служащими для подключения к внешним цепям. Названия
внешних контактов такие же, как у областей – эмиттер, база, коллектор. P-n
переход между эмиттером и базой получил название эмиттерный переход
(ЭП), между базой и коллектором – коллекторный переход (КП).
Важнейшими особенностями конструкции являются:
1) малая толщина базы, не более 0,5 мкм;
2) малая концентрация примеси в базе, порядка 1016 см-3;
3) большая концентрация примеси в эмиттере, до 1020 см-3.
Только при соблюдении перечисленных условий БТ способен проявлять
свои главные свойства: усиливать электрические сигналы, а также работать в
качестве ключа.
Возможны четыре режима БТ:
1) ЭП открыт, КП закрыт - активный, или усилительный режим.
Единственный режим, в котором возможно неискажённое усиление
сигналов;
2) ЭП закрыт, КП закрыт – режим отсечки. Используется в ключе,
закрытое состояние ключа;
3) ЭП открыт, КП открыт – режим насыщения. Используется в ключе,
открытое состояние ключа;
4) ЭП закрыт, КП открыт – инверсный режим, обратный по
отношению к активному режиму. Не используется, как не
эффективный.
Общепринятые условные обозначения БТ и схемы включения его как 4х-
полюсника приведены в [2].

7.2. Биполярный транзистор в схеме с общей базой

На рис. 35 изображена одна из схем включения БТ – схема с общей базой.

Здесь база – общий электрод для входной и выходной цепи, ток которого
является алгебраической суммой контурных входного и выходного токов.

47
 Рис. 35

Для изучения процессов в БТ наиболее удобен усилительный, или

активный режим. Он создаётся двумя внешними напряжениями:
1) Uэб – входное напряжение, прямое для эмиттерного перехода;
2) Uкб– выходное напряжение, обратное для коллекторного перехода.
В открытом ЭП, благодаря прямому напряжению, снижаются φк и
потенциальный барьер и поэтому протекает большой диффузионный ток
основных носителей Iэ. При этом Iэ имеет электронную Iэn и дырочную Iэp
составляющие. Так как концентрация свободных электронов в эмиттере на
несколько порядков больше, чем дырок в базе, Iэn >> Iэp. Поэтому в ЭП
наблюдается практически односторонний диффузионный ток свободных
электронов в базу, так называемая инжекция.
Свободные электроны в базе являются неосновными носителями. Их
больше вблизи ЭП, откуда они поступают, поэтому в базе возникает градиент
концентрации dn/dw и неосновные носители диффундируют к КП. КП заперт
напряжением Uкб, поэтому его электрическое поле для неосновных носителей –
ускоряющее. Благодаря этому они извлекаются из базы в коллектор
(экстракция). Появляется полезный выходной ток Iк.
Так как база тонкая и слаболегированная, при продвижении неосновных
носителей через базу только небольшая их часть рекомбинирует с основными
носителями базы (не более 1…2%). В противном случае наблюдалось бы
значительное уменьшение выходного тока Iк.
Рекомбинация в базе несколько уменьшает концентрацию её основных
носителей — дырок. Электрическая нейтральность базы нарушается, в ней
образуется отрицательный заряд некомпенсированных ионов акцепторной
примеси. Этот заряд создаёт так называемый рекомбинационный ток в выводе
базы Iб рек. Еще одна составляющая тока базы легко обнаруживается при
разорванной цепи эмиттера. Тока в ЭП и инжекции при этом нет. В КП

48
протекает небольшой по величине обратный ток коллектора Iкб0, создаваемый
обратным напряжением Uкб.
Таким образом, в указанном режиме в БТ действительны следующие
соотношения токов:

Iэ = Iк + Iб (закон Кирхгофа для БТ, рассматриваемого как узел цепи) (36)

Iк = α Iэ + Iкб0 (37)

Iб = Iб рек – Iкб0 (38)

Эти уравнения называют основными уравнениями БТ в схеме с общей

базой.
В кремниевых транзисторах, наиболее распространённых сегодня, Iкб0
пренебрежимо мал. Поэтому из (37) следует: α = Iк / Iэ. Коэффициент передачи
эмиттерного тока транзистора в схеме включения с общей базой α является
важнейшим параметром БТ. Можно показать, что коэффициент усиления по
мощности БТ с общей базой определяется выражением

RН
K Р  2 , (39)
rЭ

где Rн –сопротивление нагрузки, включаемое в разрыв коллекторной цепи;

rэ - сопротивление открытого ЭП, обычно очень малое.
Так как БТ в отношении нагрузки является источником тока
(сопротивление закрытого КП очень велико), Rн может на несколько порядков
превышать rэ. Поэтому, согласно (39), Кp может достигать многих тысяч раз.
На величину коэффициента усиления влияют следующие особенности
конструкции.
Качество работы ЭП характеризуется коэффициентом инжекции

I Эn NЭ
  , (40)
I Эn  I Эp N Э  N Б

где Iэn – полезный ток инжекции;

Iэр – бесполезный встречный дырочный ток;
Nэ и Nб – концентрация примесей в базе и эмиттере.
Увеличивая Nэ, можно получить γ = 0,999 и более.

49
 Качество процессов в базе характеризуется коэффициентом переноса κ,
который показывает, какая доля инжектированных в базу носителей избегает
рекомбинации и достигает КП:

κ = IK / IЭn (41)

Этот коэффициент тем ближе к максимальному значению κ = 1, чем

тоньше база и меньше в ней концентрация примесей.
Пренебрегая дырочной составляющей эмиттерного тока, умножив (40) на
(41) получим:

I Эn I К I К
    (42)
I Э I Эn I Э

7.3. Дрейфовый биполярный транзистор

Увеличению коэффициента усиления способствует также неоднородное

легирование базы: примесей вводят больше вблизи ЭП, меньше вблизи КП. В
такой базе нескомпенсированных ионов примеси, появляющихся из-за
рекомбинации основных и неосновных носителей, больше вблизи ЭП
(квадраты рис. 36). В результате, в базе возникает собственное электрическое
поле.

Рис. 36

Собственное поле в такой базе – ускоряющее для неосновных носителей

и сила Кулона FK заставляет их дрейфовать к КП. В результате свободные
электроны (кружки на рис.36) пересекают базу быстрее (дрейфовый
транзистор). Поэтому время пребывания в такой базе, так называемое время
пролёта, меньше, вероятность рекомбинации и потери из-за неё меньше,

50
импульсные и частотные свойства лучше. В настоящее время БТ
изготавливаются преимущественно в виде дрейфовых транзисторов.

7.3. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Если для полевых транзисторов наиболее распространённой является

схема с общим истоком, то для БТ – это схема с общим эмиттером, рис. 37.

Рис. 37

При таком включении входным, управляющим током является самый

маленький ток БТ – ток базы Iб, составляющий обычно 1…2 % от токов Iэ и Iк.
Поэтому усиление по току достигает десятков – сотен раз, а усиление по
мощности максимально.
Из основных уравнений схемы с общей базой можно получить основные
уравнения схемы с общим эмиттером:

Iэ = Iк + Iб (43)
(такой же, как и для схемы с общей базой, закон Кирхгофа)

Iк = βIб + (β + 1)Iкб0 = βIб + Iкэ0 (44)

Здесь β – коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Согласно (44), обратный ток коллектора в схеме с общим эмиттером Iкэ0
значительно больше, чем Iкб0. Однако в кремниевых БТ и этот ток очень мал.
Пренебрегая им, из (44) получим:

β = Iк / Iб (45)

51
 Из основных уравнений данных схем включения следует связь β и α:

β = α / (1 – α) (46)

Если, например, количество экстрагированных из базы носителей

составляет 98% от количества инжектированных в неё носителей, то α = 0.98.
При этом согласно (46), β ≈ 50. Усиление по току в схеме с общим эмиттером в
этом случае примерно в 50 раз больше, чем в схеме с общей базой.

7.4. Статические характеристики биполярного транзистора

Входные характеристики БТ в схеме с общей базой – это зависимости

Iэ(Uэб) при различных Uкб , т.е. ВАХ эмиттерного перехода, рис. 38а. Эти
характеристики

а) б)
Рис. 38

представляют интерес только при прямых входных напряжениях. Они близки к

обычной для ВАХ p-n перехода экспоненте.
Положение входной характеристики несколько зависит от выходного
напряжения Uкб. При увеличении этого напряжения увеличивается толщина
обедненного слоя КП. Следовательно, уменьшается эффективная толщина базы
w и возрастает градиент инжектированных в неё свободных электронов dn/dw.
Поэтому с ростом Uкб возрастает и диффузионный входной ток (эффект Эрли).
Выходные характеристики БТ в схеме с общей базой – это зависимости
Iк(Uкб) при различных токах эмиттера, т.е. ВАХ коллекторного перехода, рис.
38б.

52
 По форме они такие же, как обратная ветвь ВАХ p-n перехода (см. рис.
14,б), но смещены от нуля на значение тока, созданного за счет
инжектированных из эмиттера в базу электронов. В отличие от ВАХ p-n
перехода, их принято помещать в первом квадранте, т.е. в перевёрнутом виде.
Выходные характеристики обычно изображают в виде семейства
характеристик. Это позволяет графически отразить не только зависимость
Iк(Uкб), но и зависимость Iк(Iэ).
По отношению к ВАХ p-n перехода выходные характеристики частично
смещены в область прямых напряжений. Следовательно, Iк остаётся большим в
отсутствие напряжения на КП и даже при небольших прямых напряжениях. Это
объясняется тем, что экстракция неосновных носителей из базы осуществляется
собственным полем КП. И только при небольших прямых напряжениях,
близких к к0, ток в нём исчезает из-за встречного диффузионного тока КП.
Входные и выходные характеристики БТ в схеме с общим эмиттером,
как и в схеме с общей базой, подобны ВАХ p-n перехода.
Входные характеристики изображены на рис. 39. Входное напряжение в
схеме с общим эмиттером UбЭ – это напряжение на ЭП. Входной ток – это
почти неизменная часть тока ЭП: Iб ≈ Iэ/β. Поэтому входные характеристики

Рис. 39

в схеме с общим эмиттером отличаются только обратным проявлением эффекта

Эрли, т.е. влиянием выходного напряжения Uкэ на входной ток Iб. Когда с
ростом Uкэ КП расширяется, а база сужается, Iб уменьшается из-за уменьшения
рекомбинации. Входные характеристики смещаются вправо, а не влево, как в
схеме с общей базой. Выходные характеристики схемы общим эмиттером
изображены на рис. 40. Выходной ток Iк, как и в схеме с общей базой – это ток
КП. Выходное напряжение Uкэ - это напряжение на КП плюс напряжение на
ЭП: Uкэ = Uкб + Uбэ. Поэтому выходные характеристики на величину Uбэ
смещены вправо и целиком находятся в первом квадранте. Из-за того, что
выходное напряжение частично приложено и к ЭП, выходные характеристики
имеют также более значительный наклон.

53
 Рис. 40

8. ИНЕРЦИОННЫЕ СВОЙСТВА МДП И БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

8.1. Причины инерционности МДП и биполярных транзисторов

Термины инерционные или динамические свойства транзисторов

подразумевают их неспособность мгновенно реагировать на появление
входного сигнала. Если входным сигналом являются импульсы, открывающие
или закрывающие транзисторный ключ, говорят об импульсных свойствах
транзистора. Такие сигналы характерны для основной на сегодня цифровой
электроники. Если сигнал непрерывный и описывается функциями частоты или
частотным спектром, говорят о частотных свойствах. Такие сигналы
характерны для аналоговой электроники.
Главной причиной инерционности любых электронных элементов
является наличие в них ёмкостных или индуктивных, т.е. реактивных
составляющих токов и напряжений. Так, ёмкостная составляющая тока любого
диода возникает в нём из-за барьерной или диффузионной ёмкости.
Индуктивная составляющая тока в элементах возникает из-за того, что любой
проводник или полупроводник с током обладает индуктивностью. Например,
при повышении рабочей частоты в элементах уже приходится учитывать
паразитные индуктивности выводов. Ёмкость и индуктивность элементов часто
называют паразитными (нежелательными) параметрами.
Паразитная ёмкость обратно пропорциональна, а индуктивность прямо
пропорциональна длине пути тока в проводниках и слоях элементов. Поскольку

54
длины проводников и толщины слоёв полупроводниковых элементов
минимальны, для них более характерно влияние паразитной ёмкости.
Основным паразитным реактивным параметром МДП-транзистора
является ёмкость между затвором и каналом Cзк, рис. 41,а.

а) б)
Рис. 41

Другими факторами инерционности, такими как время дрейфа носителей

в канале и его индуктивность почти всегда можно пренебречь.
Сложность учета влияния Cзк состоит в том, что эта ёмкость носит
распределённый характер. На каждый элемент длины канала Δl приходится
элемент сопротивления канала ΔRк и элемент ёмкости затвор-канал ΔCзк. В
результате эквивалентная схема, позволяющая выполнить анализ динамических
свойств, имеет вид рис.41,б.
Анализ цепей с распределёнными параметрами осложняется тем, что в
нём появляется ещё одна переменная – расстояние x. Поэтому находит
применение более простая эквивалентная схема с сосредоточенными
параметрами, рис. 42. Здесь ёмкость ΔCзк условно отнесена к двум

Рис. 42

сосредоточенным ёмкостям – между затвором и истоком Cзи и между затвором

и стоком Cзс. Эти ёмкости, а также ёмкость между транзистором и
окружающим его полупроводником Cп, стали основными параметрами,
отражающими инерционные свойства МДП-транзистора [2, 4, 5].

55
 Инерционные свойства БТ в значительной степени определяются
ёмкостями его p-n переходов ЭП и КП. Учёт их влияния осложняется тем, что
характер и величина ёмкости зависят от напряжений и токов переходов (см.
разд. 5.2). Поэтому, наряду с величиной барьерной ёмкости ЭП и КП в
отсутствие внешнего напряжения Cб0, к основным параметрам инерционности
относят коэффициент влияния m из (29).
Ещё один фактор инерционности БТ - относительно медленное
перемещение инжектированных в базу носителей от ЭП к КП. Его влияние
учитывается временем пролёта области базы, или просто временем пролета τпр
[1].

8.2 Импульсные свойства МДП и биполярных транзисторов

Импульсные свойства характеризуют реакцию транзисторного ключа на

подачу на вход управляющего напряжения в виде импульса, вызывающего
отпирание или запирание транзистора.
На рис. 43 изображены схемы простейших ключей на МДП (а) и
биполярном (б) транзисторах.
В обоих ключах управляющий сигнал в виде короткого импульса
поступает на вход от источника э.д.с. eвх с внутренним сопротивлением Ri.
Временные диаграммы eвх изображены на рис. 44, а,б. Сток и коллектор
транзисторов через сопротивление R подключены к источнику питания Eпит.

а) б)
Рис. 43

Выходным напряжением ключей являются напряжения uси и uкэ

соответственно. Штриховой линией на схемах условно обозначены входная и
выходная ёмкость транзисторов Cвх и Свых. Они являются сложными функциями
напряжений, токов и паразитных параметров транзисторов, (см. разд. 8.1).
Влияние факторов инерционности более точно учитывается методами
компьютерного моделирования.

56
 Хотя eвх изменяется скачкообразно, входное напряжение обоих ключей
изменяется не мгновенно, так как требуется некоторое время на заряд входной
ёмкости, рис. 44, в, г. Поэтому отпирание обоих транзисторов начинается с
некоторой задержкой tз. В течение этого времени напряжения на затворе и
базе достигают порогового напряжения U0 и примерного напряжения
отпирания эмиттерного перехода U*. В течение времени нарастания tн
завершается заряд Cвх, разряд Свых и другие переходные процессы.
Токи достигают предельных значений Iс.нас и Iк.нас, что характерно для
режима насыщения, используемого в ключах, рис. 44 д,е.

Рис. 44 Рис. 45

Запирание транзисторов связано с разрядом Cвх и зарядом Свых. Кроме

того, возвращение БТ в закрытое состояние сопровождается запаздыванием
переходных процессов на время рассасывания tрасс. В течение этого времени БТ
остаётся открытым из-за заряда неосновных носителей, накопившегося в базе в

57
режиме насыщения. Этот заряд исчезает, «рассасывается» не мгновенно и в
течение некоторого времени поддерживает ток экстракции.
Результатом переходных процессов является появление времён t10 и t01,
которые требуются ключам на переход из состояния логической 1 в состояние
логического 0 и наоборот, рис. 44 ж,з. Более детально работа ключей
рассматривается в курсе «Электроника» [1, 2].

8.3 Частотные свойства МДП и биполярных транзисторов

Частотные свойства характеризуют способность транзисторов

обеспечивать усиление аналоговых сигналов на различных частотах. Такие
сигналы, в отличие от цифровых (дискретных) сигналов, чаще отображаются
функциями частоты, а не функциями времени. Частотные свойства
транзисторов обычно описываются их амплитудно-частотными или фазо-
частотными характеристиками (АЧХ или ФЧХ).
В качестве простейших усилителей на МДП и биполярных транзисторах
можно рассматривать схемы на рис. 43. Принципиальным отличием
аналоговых усилителей от ключей является использование активного
(усилительного) режима, а не режимов отсечки и насыщения. Такой режим в
рассматриваемых схемах способен обеспечивать входной источник.
Создаваемое им входное напряжение должно содержать постоянную
(режимную) составляющую напряжения на затворе или базе, необходимую для
поддержания открытого состояния транзистора.
Частотные свойства МДП транзисторов принято описывать частотной
характеристикой комплексной крутизны S:

S = Iс / Uзи = S0 / (1 + jω/ωs ), (47)

где S0 – крутизна при ω = 0, ωs – предельная частота крутизны.

Из (47) можно получить выражения для модуля и фазы комплексной
крутизны, т.е. для АЧХ и ФЧХ:

|S| = S0 / (1 + [ω/ωs]2)1/2, (48) φ = - arctg ω/ωs (49)

Согласно (48), при ω = ωs, |S| = S0 /√2. В графическом виде АЧХ и ФЧХ
МДП транзистора изображены на рис. 46а.

58
 а) б)
Рис. 46

Следует заметить, что ωs даёт преувеличенное представление о частотных

возможностях МДП транзистора. На самом деле его коэффициенты усиления
по напряжению и по мощности начинают снижаться на намного более низких
частотах. Главной причиной этого является наличие неустранимой ёмкости
затвор-канал, что легко устанавливается методами компьютерного
моделирования.
Частотные свойства БТ обычно описываются комплексным
коэффициентом передачи тока в схеме с общим эмиттером β:

β = Iк / Iб = β0 / (1 + jω/ωβ) (50)

где β0 – коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при ω = 0, ωβ – предельная

частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ.
Из (50) можно получить выражения для модуля и фазы комплексного
коэффициента β, т.е. для АЧХ и ФЧХ:

|β| = β0 / (1 + [ω/ωβ]2)1/2 (51), φ = - arctg(ω/ωβ) (52)

АЧХ и ФЧХ БТ в схемах с ОЭ и ОБ изображены на рис. 46б.

Для схемы с ОЭ применяется также понятие граничная частота
коэффициента передачи тока ωгр. На этой частоте |β| = 1, т.е. усилительные
свойства по току полностью утрачиваются, хотя коэффициент передачи по
мощности может быть больше 1 за счет усиления по напряжению.

59
 Реже используется схема с общей базой, усиление которой значительно
меньше. В то же время такое включение обеспечивает равномерное усиление и
минимальный фазовый сдвиг в намного бóльшей полосе частот.
Более детально транзисторные усилители аналогового сигнала
рассматриваются в курсе «Электроника» [1, 2].

9. IGBT ТРАНЗИСТОР

Большим достоинством МДП транзистора является способность

сохранять открытое или закрытое состояние в отсутствие тока и мощности,
потребляемых от источника управляющего сигнала. Напротив, БТ в открытом
состоянии потребляет от источника сигнала ток базы Iб и, следовательно,
некоторую мощность, иногда очень значительные.
Большим достоинством биполярного транзистора в ключевом режиме
является на порядок меньшее падение напряжения на открытом и насыщенном
транзисторе. Это означает, что тепловые потери в ключе на БТ значительно
меньше, а максимальный допустимый ток значительно больше. Мощные ключи
на БТ способны в открытом состоянии пропускать ток в сотни и даже тысячи
ампер. Кроме того, они способны в закрытом состоянии выдерживать
напряжение до нескольких тысяч вольт.
Указанными достоинствами одновременно обладает IGBT транзистор.
Устройство IGBT транзистора поясняет рис. 47,а. Здесь же показано

Рис. 47

60
его условное обозначение, подчёркивающее сходство с МДП транзисторами и
БТ, рис. 47,б.
Структуру вида рис. 47,а в первом приближении можно рассматривать
как сочетание n-канального МДП транзистора и БТ со структурой n+-p-n, рис.
47,в. Прилегающие к коллектору n+ и p+ слои являются вспомогательными и
улучшают характеристики IGBT транзистора.
Основной ток в нём протекает в биполярной структуре, а управление
этим током осуществляется, как в МДП транзисторе, с помощью
изолированного затвора. Отсюда название транзистора - Insulated Gate Bipolar
Transistor, т.е. биполярный транзистор с изолированным затвором.

10. КОНТАКТ ПРОВОДНИК - ВАКУУМ. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ

Проводник в вакууме также можно рассматривать как контакт двух

веществ, точнее, двух сред. В таком контакте возникает явление
термоэлектронной эмиссии.
Термоэлектронная эмиссия, в дальнейшем просто эмиссия, является
результатом обычной для контактов диффузии свободных электронов из
металла (где их много) в окружающий вакуум (где их нет). Эмиссия тем
интенсивней, чем меньше работа выхода из металла и чем выше температура.
В простейшем электровакуумном приборе, диоде, вакуум создаётся в
стеклянном, керамическом или металлическом баллоне. На условном
обозначении диода он отображается кружком или овалом, рис. 48.

Рис. 48

Эмиссия возникает в контакте металла катода с окружающим вакуумом.

При косвенном накале катод нагревается с помощью расположенной внутри
него нити накала до нескольких сотен градусов, а при прямом накале ток
проходит через катод и разогревает его. Для улучшения эмиссионных свойств
или получения необходимого тока эмиссии Iэ подбирают специальный металл

61
(иногда полупроводник) катода с минимальной работой выхода или покрывают
его специальным составом.
На небольшом расстоянии от катода располагается второй электрод –
анод. Если напряжение на аноде по отношению к катоду положительное, анод
создаёт между катодом и анодом положительное электрическое поле. Это поле
заставляет электроны двигаться от катода к аноду. Возникает анодный ток Iа.
При отрицательном напряжении на аноде этого тока нет, так как эмиссия
свободных электронов происходит только с катода, и конвекционный ток не
протекает. Отсюда односторонняя проводимость, как и в диодах на основе m-n
и p-n переходов.
В электровакуумном триоде (рис. 49) имеется ещё один электрод –

Рис. 49

управляющая сетка – сетчатый электрод, расположенный между катодом и

анодом. Через просветы в сетке могут пролетать электроны. На управляющую
сетку подаётся напряжение входного сигнала uвх и постоянное напряжение
смещения от источника Ес. Суммарное напряжение на сетке uc = uвх + Ес, как
правило, небольшое и отрицательное. При этом электроны не перехватываются
сеткой и сеточного тока нет. В противном случае, при положительном uc,
наблюдается захват сеткой части электронов из потока, идущего от катода к
аноду. В результате появляется сеточный ток, растёт потребление мощности
от источника сигнала, уменьшается коэффициент усиления по мощности.
Уменьшается также полезный выходной ток Iа.
Расположение сетки, её «густота», величины сеточного и анодного
напряжения таковы, что суммарное поле сетки и анода вблизи катода
положительное и возникает значительный Iа. В то же время поле сетки сильно
влияет на величину Iа т.к. она расположена намного ближе к катоду и
эффективно управляет потоком электронов. В результате, из-за отсутствия

62
или малости входного (сеточного) тока мощность источника сигнала ничтожна
по сравнению с мощностью, выделяемой в нагрузке Рн = Iа2 ∙ Rн.
Следовательно, лампа обладает большим коффициентом усиления по
мощности.
С ростом отрицательного напряжения на сетке суммарное поле у катода
ослабевает. Это вызывает уменьшение тока анода Iа. При достаточно большом
отрицательном напряжении на сетке uC ток анода Iа исчезает (режим отсечки).
Электрические свойства триода хорошо отражает семейство анодных
характеристик – зависимостей Iа от Ua при различных напряжениях на
управляющей сетке Eс. Типичное триода изображено На рис. 50 изображено
семейство анодных характеристик пентода, у которого соединены электрически
все три сетки.
По анодным характеристикам хорошо видно, что влияние сеточного

Рис. 50

напряжения на анодный ток намного сильнее, чем влияние анодного

напряжения. Так, изменение напряжения на управляющей сетке с -3 В до -6 В
при неизменном Ua = 100 В уменьшит Iа на 14 мА. В тоже время для изменения
Iа на 4 мА потребуется приращение Δ Ua = 200 В.
Лампа с двумя сетками, т.е. с четырьмя электродами, называется тетрод,
с тремя сетками – пентод. В таких лампах имеются дополнительные сетки,
улучшающие электрические свойства.
Наряду со статическими характеристиками для описания свойств ламп
используется следующие три дифференциальных (малосигнальных) параметра.
Это крутизна анодно-сеточной характеристики S = dIа / dUc , внутреннее
сопротивление Ri = dUа /dIа, коэффициент усиления по напряжению  = dUа

63
/ dUc . Все три параметра определяются при неизменности остальных токов и
напряжений [1]. Из приведённых формул следует:

 = SRi (53)

11. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

11.1. Компьютерная модель диода

Компьютерное моделирование электронных элементов заключается в

поиске их эквивалентных схем и математических описаний, делающих
возможным достаточно точный компьютерный анализ сложных схем с такими
элементами.
Сегодня количество элементов в интегральных схемах может достигать
10 и более. Примерно столько же уравнений в описывающей схему системе
9

уравнений. Решение таких систем иногда невозможно даже с использованием

суперкомпьютеров. Поэтому разработка компьютерных моделей элементов –
это всегда компромисс между их точностью и сложностью [4].
Рассмотрим возможности моделирования полупроводникового диода на
примере диода на основе p-n перехода.
Простейшей компьютерной моделью полупроводникового диода является
идеальный электронный ключ, обладающий нулевым сопротивлением при
прямом напряжении и бесконечным – при обратном. Такая модель отражает
главное свойство диода – одностороннюю проводимость. Однако при этом не
учитывается наличие прямого и обратного сопротивлений, их нелинейность,
наличие ёмкости p-n перехода и другие важные его свойства.
Более совершенной является модель, основывающаяся на формуле
Шокли (см. разд. 4.3):
I
, I = I0(expU/T – 1)

Диод при этом моделируется как зависимый источник тока. Зависимость

тока I от приложенного напряжения U описывается формулой Шокли (22).
Но и такая модель не отражает важнейших свойств реального диода:
возникновение пробоя при обратном напряжении, наличие наклона начальной
части обратной ветви ВАХ, вырождение экспоненты в линейную зависимость
тока от напряжения в области больших прямых токов (рис. 51). Кроме того, эта
модель не учитывает инерционные свойства диода: согласно (22), ток диода не
зависит от частоты и времени, т.е. его частотные и импульсные свойства
идеальны.

64
 Рис. 51

Более точной, но и более сложной является модель на основе

эквивалентной схемы рис. 52 и системы уравнений (54), (55), (56):

Рис. 52
(U – Uпр)/Rпр при U < Uпр (54)

I= I0(exp(U/T – 1) при Uпр  U  UC (55)

I + (U– U )/R при U >U (56)

с C б C

Здесь диод также моделируется зависимым источником тока, однако эта

зависимость описывается не одним, а тремя уравнениями. Это позволяет
отобразить два близких к прямой линии участка ВАХ простейшими
уравнениями первой степени. Это участок пробоя, уравнение (54) и линейная
часть ВАХ при прямом напряжении, уравнение (56). Уравнение (55) –
уравнение Шокли, которое хорошо описывает начальную часть ВАХ диода при
прямом и небольших обратных напряжениях.
Добавление в эквивалентную схему сопротивления утечки Rут позволяет
придать наклон допробойной части ВАХ при обратном напряжении и
приблизить ВАХ модели к ВАХ реального диода. Так как обратный ток очень

65
мал, добавление Rут практически не изменяет положение остальных частей
ВАХ.
Частотные и импульсные свойства диода учитываются введением в
эквивалентную схему полной емкости диода С:

C = Cбар + Cдф (57)

где барьерная Cбар и диффузионная Cдф ёмкости p-n перехода

описываются обычными формулами (16) и (17).
Данная модель стала основой для моделей бóльшей точности и
сложности.

11.2. Компьютерная модель транзистора

В качестве примера компьютерной модели транзистора рассмотрим

модель БТ с n-p-n структурой. Её прототип изображён на рис. 53:

Рис. 53 Рис. 54

Здесь диоды моделируют эмиттерный (ЭП) и коллекторный (КП)

переходы. При надлежащем выборе параметров этих диодов можно получить
точное воспроизведение входной и выходной характеристик. Однако такая
«модель» не отражает главное в процессах в БТ: взаимодействие переходов. В
частности, при любом значении входного тока в ЭП выходной ток в КП не
появляется.
Поэтому естественным шагом является введение в эквивалентную схему
зависимого источника выходного тока αIэ, ток которого пропорционален
входному току Iэ, рис. 54.
Такая модель отражает важнейшее свойство БТ: в активном режиме
возникает выходной ток, пропорциональный входному току. Обратные токи ЭП
и КП игнорируются ввиду их малости в наиболее распространённых
кремниевых транзисторах.
Дальнейшим шагом является добавление ещё одного зависимого
источника тока αiIк, который необходим в случае инверсного режима, когда

66
входной ток подается в открытый КП, а в закрытом ЭП появляется выходной
ток, рис. 55:

Рис. 55 Рис. 56

И хотя инверсный режим не применяется, как малоэффективный (α >>

αi) , он иногда возникает в реальных схемах и полноценная модель должна это
отражать.
Следующим шагом является учёт ёмкости переходов, что обеспечивается
добавлением параллельно диодам полной ёмкости КП СКП и полной ёмкости
ЭП СЭП, рис. 56.
Модель пополнится уравнениями, учитывающими то, что ёмкость p – n
перехода при прямом напряжении диффузионная, при обратном - барьерная.
Та и другая зависят не только от знака приложенного напряжения, но и от его
величины.
Дальнейшее уточнение модели связано с необходимостью учёта
активного сопротивления эмиттерной области Rэ, базовой области Rб и
коллекторной областей Rк, рис. 57. Rэ - сопротивление наиболее легированной
области, в связи с чем это сопротивление часто принимается равным нулю.
Много большую величину имеет сопротивление базы Rб, в связи с обязательно
слабым легированием этой области. Сопротивление Rк учитывают в ключевом
режиме, т.к. оно влияет на сопротивление открытого состояния.

Рис. 57 Рис. 58

67
 Поскольку БТ применяется преимущественно в интегральных схемах,
между его коллекторным слоем и кристаллом ИС существует p-n переход.
Поэтому модель дополняют ещё одним диодом DJ с его барьерной ёмкостью
CJ, которые отражают существование этого перехода в интегральной схеме,
рис. 58:
Рассмотренная модель получила название модели Эберса- Молла (по
имени создателей).
Может оказаться необходимым учёт и других особенностей БТ. Это
уточнённые температурные свойства, шумовые свойства, особенности
конструкции и размеров. Общее число параметров модели БТ в
профессиональных программах компьютерного моделирования электронных
схем приближается к 100.

12. ШУМЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Напряжения и токи в электронных приборах подвержены случайным

изменениям, флуктуациям. Они воспринимаются как шумовая составляющая
полезных сигнальных токов и напряжений. В условиях слабых сигналов,
например, в протяжённых каналах связи (спутниковая связь, оптоволоконные и
кабельные линии связи) шумы часто являются главной причиной ошибок и
искажений при передаче информации.
Существуют два основных вида шумов электронных приборов: тепловой
шум и дробовый шум.
Тепловой шум возникает вследствие хаотического теплового движения
носителей заряда. В любом сечении проводника или полупроводника, в любой
отрезок времени, суммарный заряд, перенесённый слева направо отличается от
заряда, перенесённого справа налево. Это неустранимое отличие ΔQ означает
существование случайного по величине и направлению шумового тока iш.т =
ΔQ/Δt. Шумовой ток существует вне зависимости от внешнего напряжения. Он
создаёт шумовое напряжение uш.т = iш.тR на любом объекте c активным
сопротивлением R. «Шумит» любое сопротивление - сопротивление канала
МДП транзистора, сопротивление областей БТ, сопротивление обыкновенного
резистора.
Типичная временная диаграмма uш.т изображена на рис. 59.

68
 Рис. 59

Очевидно, что среднее во времени значение ūш.т = 0. Поэтому

количественно тепловой шум оценивается среднеквадратичным значением
напряжения шума ūш.т2:

ūш.т2 = 4kTRΔf (58)

Здесь k – постоянная Больцмана, T – абсолютная температура, Δf – полоса

частот, в которой шум воспринимается.
Из (57) следует, что тепловой шум можно ослабить следующими
способами:
- уменьшением температуры электронных устройств или их частей
(иногда применяется);
- применением в электронных устройствах элементов с минимальным
сопротивлением (применяется);
- уменьшением полосы пропускания канала связи Δf.
Последнее находится в противоречии с потребностью в широкополосных
каналах связи, обеспечивающих бóльшую скорость передачи информации
(например, широкополосный интернет). Однако в узкополосных, «медленных»
каналах достигается лучшее отношение сигнал/шум. Именно поэтому одно
фото с далёкой космической станции может предаваться в течение многих
часов.
Дробовый шум возникает при протекании тока в различных объектах –
транзисторах, диодах, электронных лампах. Так, количество носителей в
каждую единицу времени, пресекающих открытый m-n, p-n переход или
пространство между анодом и катодом всегда неодинаково. Отличие может
быть очень небольшим, может быть, всего на несколько электронов больше или
меньше. Тем не менее, это означает, что ток в таких объектах флуктуирует, т.е.
имеет дробовую шумовую составляющую iш.д.
Строго говоря, из-за наличия флуктуаций, постоянные токи в
электронных элементах невозможны даже при постоянных напряжениях.

69
 Временные диаграммы и подход к количественной оценке дробового
шума аналогичны тем, что относятся к тепловому шуму. Среднеквадратичный
дробовый шумовой ток вычисляется по формуле:

iш.д2 = 2qIΔf (59)

Здесь q – элементарный заряд, I – ток в объекте.

Уменьшение дробового шума путем уменьшения токов транзисторов
сопровождается уменьшением их усиления и возможно только в некоторых
пределах. Поэтому, как и в случае теплового шума, главным способом
уменьшения проявлений дробового шума является уменьшение Δf.
При компьютерном моделировании шумовых процессов в электронных
схемах ко всем сопротивлениям последовательно с ними подключаются
источники шумового напряжения. Ко всем контактам (переходам), в которых
протекает ток, параллельно подключаются источники шумового тока [1, 5, 6].

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. Н.Д.

Фёдорова. – М.,Радио и связь, 1998.
2. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М., Сов. радио,1980. – 423 с.
3. Николотов В. И. Физические основы электроники: Учебное Пособие. – М.:
Инсвязьиздат, 2003. –91 с.
4. Власов В.П., Каравашкина В.Н. Практикум по курсу «Физические основы
электроники» 2015г.
5. Смирнов Ю.А., Соколов С.В., Титов Е.В., Физические основы электроники:
Учебное пособие для вузов. – СПб.: Лань, 2013. – 599с.
6. Шишкин Г.Г., Шишкин А. Г., Электроника. Учебник для вузов. – М.: Дрофа,
2009. – 704с.

70