МИНИCTEPCTBO ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего образования
«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ

Кристаллография

Направление подготовки 28.03.02 «Наноинженерия»

Профиль «Диагностика материалов и наносистем в

промышленности»

Квалификация выпускника бакалавр

Форма обучения очная
Учебный план 2017
Изучается в 5,6 семестрах

СОГЛАСОВАНО: РАЗРАБОТАНО:
Зав. кафедрой ТН Зав. кафедрой ТН
___________________ Серов А.В. ___________________ Серов А.В.
«__» ____________ 201_г. «__» ____________ 201_г.

Доцент кафедры ТН
___________________Арефьева Л.П.
Рассмотрено УМК «__» ____________ 201_ г.
Протокол №___ от «___»__________

Председатель УМК института

______________

Ставрополь, 2017
 МИНИCTEPCTBO ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

УТВЕРЖДАЮ

Директор института ЭЭиН

_______________ Кононов Ю.Г.
«__» __________ 201_ г.

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ

Кристаллография

Направление подготовки 28.03.02 «Наноинженерия»

Профиль «Диагностика материалов и наносистем в

промышленности»

Квалификация выпускника бакалавр

Форма обучения очная
Учебный план 2016
Изучается в 5,6 семестрах

СОГЛАСОВАНО: РАЗРАБОТАНО:
Зав. кафедрой ТН Зав. кафедрой ТН
___________________ Серов А.В. ___________________ Серов А.В.
«__» ____________ 201_г. «__» ____________ 201_г.

Доцент кафедры ТН
___________________Арефьева Л.П.
Рассмотрено УМК «__» ____________ 201_ г.
Протокол №___ от «___»__________

Председатель УМК института

______________

Ставрополь, 2016
 КУРС ЛЕКЦИЙ

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Ставрополь

2016
 3

ПРЕДИСЛОВИЕ
В основе описания структуры и свойств металлов и сплавов лежат
представления об их кристаллическом строении. Это вызвало необходимость
привести в первой части пособия основные уравнения и понятия
геометрической кристаллографии: симметрии, прямой и обратной решёток,
кристаллографических проекций. Здесь выделены только те узловые вопросы,
использование которых необходимо для расчета картин электронной
дифракции, анализа деталей структуры на электронно-микроскопическом
изображении и в рентгеноструктурном анализе.
Наиболее полные экспериментальные исследования структуры металлов и
сплавов на атомном уровне (дефектов кристаллического строения), их фазового
и химического составов проводятся дифракционными методами:
рентгенографии и аналитической электронной микроскопии, включающей в
себя просвечивающую электронную микроскопию, растровую электронную
микроскопию и рентгеновский микроанализ. Для иллюстрации применения
этих методов во второй части пособия рассматриваются вопросы
использования кристаллографических проекций кристаллов средних сингоний,
анализа дефектов упаковки и образующих их частичных дислокаций,
определения типов карбидов железа по габитусной плоскости выделений,
отыскиваемой с помощью анализа следов её пересечения с поверхностью
фольги.
Идентификация фаз в сплавах будет неполной, если данные по их
кристаллическому строению не будут дополнены результатами их химического
состава, которые получают с помощью рентгеновского микроанализа. К тому
же современный электронный микроскоп включает в себя, по сути, три
прибора: просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ), растровый
электронный микроскоп (РЭМ) и рентгеновский микроанализатор (МАР). Эти
моменты предопределили описание (в третьей части пособия) принципа
работы, конструкции и использование в металловедении РЭМ и МАР.
 5

1. ЭЛЕМЕНТЫ СИММЕТРИИ. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ

РЕШЕТКА

Кристаллы характеризуются закономерным упорядоченным

расположением частиц в пространстве, что соответствует минимуму
внутренней энергии в условиях существования твердого тела. Анизотропия и
симметрия физических свойств – характерная особенность кристаллов,
обусловленная закономерностью и симметрией их внутреннего строения.
В кристаллическом многограннике и в вырезанной из него пластине
наблюдается одинаково закономерное, симметричное, периодическое
расположение частиц. Частицы, из которых сложены кристаллы, т.е. атомы,
ионы, молекулы, образуют правильные симметричные ряды, сетки, решётки.
Каждому кристаллическому веществу присущи определенный порядок и
симметрия в расположении частиц, четко установившиеся расстояния между
частицами. Вследствие того, что в структуре кристалла в разных направлениях
различны расстояния и силы связи между частицами, большинство свойств
кристалла анизотропные, т.е. различны в разных направлениях, но одинаковы в
направлениях, симметричных друг другу. Закономерность расположения
частиц, их природа, их энергетический спектр и силы связи между ними
определяют физические свойства кристалла. Внешние воздействия, такие как
электрическое или магнитное поле, механическое воздействие или легирование
кристаллического тела чужеродными атомами, могут нарушать динамическое
равновесие и менять свойства кристалла. Отсюда закономерность и симметрия
структуры кристалла – следствие динамического равновесия многих сил и
процессов. Таким образом, симметрия, периодичность и закономерность
структуры – основные характеристики кристаллического состояния вещества.
 6

1.1. Точечная симметрия

Симметрия форм кристаллов отражает симметрию их физических свойств, в
первую очередь симметрию их скоростей роста.
Симметричная фигура, или симметричный многогранник, – это фигура,
которая может совместиться сама с собой в результате симметрических
преобразований или операций. К операциям точечной симметрии, при действии
которых на месте остается хотя бы одна точка в кристаллическом
многограннике, относятся конечные операции симметрии 1-го и 2-го родов.
К конечным операциям симметрии 1-го рода принадлежат отражение в
плоскости m, поворот вокруг оси симметрии n, зеркальное отражение в центре
симметрии. Отражение в плоскости описывается плоскостью m симметрии,
которая делит фигуру на две части, расположенные относительно друг друга
как предмет и его зеркальное отражение (рис.1.1). Осью симметрии n
называется прямая линия, при повороте вокруг которой на некоторый
определенный угол α фигура совмещается сама с собой (рис.1.2). Порядок оси
2π
симметрии n = показывает, сколько раз фигура совместится сама с собой
α
при полном обороте вокруг этой оси.
В кристаллах возможны только оси симметрии 1, 2, 3, 4, 6-го
порядков. Это ограничение обусловлено тем, что кристаллическое
вещество – бесконечная система материальных частиц, симметрично
повторяющихся в пространстве. Центр симметрии или центр инверсии
( 1 ), - это особая точка внутри фигуры, характеризующаяся тем, что любая
прямая, проведенная через центр симметрии, встречает одинаковые,
соответственные точки фигуры по обе стороны от центра на равных
расстояниях. В связи с этим симметрическое преобразование в центре
симметрии – это зеркальное отражение в точке, когда каждая точка
фигуры отражается в центре так, что фигура как бы поворачивается при
 7
этом с лица наизнанку (рис.1.3). Совокупностью m; n = 2, 3, 4, 6 и 1
исчерпываются все возможные в кристаллах конечные операции
симметрии 1-го рода.
Конечные операции симметрии 2-го рода представляют собой
совместное действие двух операций: вращения и инверсии в центре
симметрии или вращение и отражение в плоскости симметрии.

А В В' A'

С C'

Рис. 1.1. Отражение треугольника АВС в плоскости симметрии m,

перпендикулярной плоскости чертежа

В
n=4

Рис. 1.2. Ось симметрии 4-го порядка АВ

 8

A B

B' A'

D'

Рис. 1.3. Отражение треугольника АВD в центре симметрии 1

Инверсионная ось симметрии представляет собой сочетание оси вращения

и одновременного отражения (инверсии) в центре симметрии (рис. 1.4,а).
В кристаллах могут быть только 1, 2, 3, 4, 6 инверсионные оси.
Сочетание оси симметрии и отражение в плоскости симметрии m,
перпендикулярной этой оси, образуют зеркально поворотную ось симметрии
(рис.1.4,б). Возможны Λ1, Λ2, Λ3, Λ4, Λ6 зеркально-поворотные оси
симметрии.
Симметрические преобразования с помощью зеркально-поворотных осей
симметрии могут быть заменены симметрическими преобразованиями: Λ1 ≡ 2 ≡
≡ m, Λ2 ≡ 1 ≡ c, Λ3 ≡ 6 ≡ L3P, Λ4 ≡ 4 , Λ6 ≡ 3 ≡ L3C.
Таким образом, внешняя, видимая симметрия кристаллов полностью
описывается следующими элементами симметрии:
 9
m, 1 , 2, 3, 4, 6, 3 , 4 , 6 .

а 2 б Λ1
А

A
A'

m m

А" A'

2≡m 2 ≡ Λ1 ≡ m Λ1 ≡ m

Рис.1.4. Действие осей симметрии:

а - симметрическое преобразование точки А в точку А" инверсионной
осью 2 ;
б - симметрическое преобразование точки А в точку А' зеркально-
поворотной осью Λ1

Полное сочетание элементов симметрии кристаллического многогранника

образует его класс симметрии, или точечную группу симметрии. Всего имеется
32 класса симметрии кристаллов, которые исчерпывают все возможные
сочетания элементов симметрии кристаллических многогранников.

1.2. Кристаллографические категории, сингонии и системы осей

координат

В зависимости от сочетаний осей симметрии (плоскостей, центра, простых

и/или инверсионных осей симметрии) каждый кристалл принадлежит к одному
из 32 классов точечной симметрии.
 10
Для его описания важнейшей характеристикой кристалла является наличие
или отсутствие единственной оси симметрии, которую нельзя повторить
никакими другими операциями симметрии, свойственными этому кристаллу.
Это единственное, не повторяющееся в кристаллическом многограннике
направление называется особым, или единичным. По симметрии и по числу
единичных направлений кристаллы делятся на три категории: высшую,
среднюю и низшую.
Симметрия куба характерна для кристалла высшей категории.
У кристаллов высшей категории нет единичных направлений, но обязательно
имеются несколько осей порядка выше 2-го. Их главная черта − четыре оси
3-го порядка, которыми являются пространственные диагонали куба (рис.1.5).
Любому направлению в кристалле высшей категории соответствуют
другие симметрично эквивалентные направления. Свойства кристалла в
направлениях симметрично эквивалентных должны быть одинаковыми,
поэтому анизотропия свойств в кристаллах высшей категории выражена слабее
всего.

3 3 3 4 2 2
4
3 2

4 2

2
а б в

Рис. 1.5. Оси симметрии в кристаллах кубической сингонии:

а – 3-го порядка; б – 4-го порядка; в – 2-го порядка
 11

К средней категории относятся кристаллы, у которых есть одно особое

направление: одна ось симметрии порядком выше, чем 2-го, а именно, оси 3, 4,
6-го порядков, простая или инверсионная. У этих кристаллов анизотропия
физических свойств гораздо сильнее, чем у кристаллов высшей категории,
наибольшее различие свойств наблюдается вдоль и поперёк главной оси
симметрии. К низшей категории относятся кристаллы, у которых нет осей
симметрии порядка выше 2-го, а единичных направлений несколько. Это
наименее симметричные кристаллы с ярко выраженной анизотропией свойств.
Три категории разделяются на 7 сингоний. Термин “сингония” обозначает
сходноугольность. В сингонии объединяются те кристаллы, для которых
одинакова симметрия элементарных ячеек их структур и одинакова система
осей координат. Низшую категорию составляют триклинная, моноклинная и
ромбическая сингонии, среднюю – тригональная, тетрагональная и
гексагональная сингонии и высшую категорию – кубическая.
Трехмерная система координат в анизотропной кристаллической среде
выбирается в соответствии с симметрией среды. В общем случае – это
косоугольные координаты с неодинаковыми масштабными отрезками по осям.
Выбор их определяется тем, что оси согласуются с симметрией кристалла и
упрощают его аналитическое описание. Это описание будет однозначным, если
известны правила кристаллографической установки, определяющие положение
осей координат.
В кристаллографии пользуются всегда правой системой координат. Оси
координат выбираются по осям симметрии или по нормалям к плоскостям
симметрии, а если нет ни таких, ни других в низшей категории, то по ребрам
кристаллической решетки. Обязательным условием выбора величин периодов
кристаллической решетки a, b, c является требование, чтобы c< a< b, (рис.1.5).
Классификация кристаллов по сингониям определяется выбором
кристаллографической системы координат, или, иначе говоря, выбором
элементарной ячейки кристалла. На рис. 1.6 показаны правила установки в
 12
кристаллах семи сингоний: оси со значком “m” означают нормаль к плоскости
симметрии; 2, 3, 4, 6, 3 , 4 , 6 - оси симметрии.

Обозначения Триклинная
Z
с а ≠ b≠ с
α≠β≠γ
β α b

а γ У
Х

Моноклинная Ромбическая

А≠ b≠с
а≠b≠с 2, m α = β = γ = 900
α = γ = 900 ≠ β
2, m
2, m

2, m

Тригональная Гексагональная

6, 6 , 3, 3 а= b≠с 6, 6 , 3, 3 а= b≠с
α = β = 900 α = β = 900
γ = 1200 2, m γ = 1200
а

2, m а а 2, m
2, m 2, m

Тетрагональная Кубическая

4, 4 а= b≠с 4, 4 ,2 а= b=с
α = β = γ = 900 α = β = γ = 900

2, m
4, 4 ,2
 13
2, m 4, 4 ,2

Рис. 1.6. Кристаллографические системы координат и правила установки

кристаллов
Таким образом, для каждой сингонии надо знать установленный условный
порядок расположения осей координат – правила кристаллографической
установки, потому что от расположения осей зависят кристаллографические
индексы.
Каждый из 32 классов симметрии обозначается специальным символом.
Все символы основаны на теоремах о сочетании элементов симметрии.
В международных (интернациональных) символах классов симметрии пишутся
только основные, порождающие элементы симметрии, а порожденные
элементы симметрии, выводимые из сочетаний основных элементов, не
пишутся. В качестве порождающих элементов симметрии выбираются главным
образом плоскости.
В международной символике приняты следующие обозначения:
n – ось симметрии n-го порядка, n - инверсионная ось симметрии n-го
порядка, m – плоскость симметрии.
nm – ось симметрии n-го порядка и n плоскостей симметрии, проходящих вдоль
неё;
n/m – ось симметрии n-го порядка и перпендикулярная ей плоскость
симметрии;
n2 – ось симметрии n-го порядка и n осей 2-го порядка, ей перпендикулярных;
n n
m ; – ось симметрии n- го порядка и плоскости m, соответственно
m mm
параллельные и перпендикулярные ей.

1.3. Симметрия структуры кристаллов

Структуру кристалла в отличие от структуры многогранника (конечной
фигуры) можно представить как бесконечные симметричные ряды, сетки и
решётки из периодически чередующихся частиц.
 14
Материальные частицы (атомы, ионы, молекулы), образующие
кристаллическую структуру, располагаются в пространстве закономерно,
периодически, повторяясь в строго определенных направлениях, через строго
определенные промежутки. В реальных кристаллах закономерное чередование
частиц всегда несколько нарушено из-за их теплового движения, возбуждения и
ряда других причин. В геометрической кристаллографии не учитываются
дефекты и нарушения кристаллического строения, рассматривается идеальный
кристалл, в структуре которого нет нарушений, все одинаковые частицы
расположены одинаковыми параллельными бесконечными рядами. Другими
словами, кристаллическая структура состоит из частиц, связанных друг с
другом различными преобразованиями симметрии.
В структуре кристаллов к конечным преобразованиям симметрии,
входящим в точечную группу симметрии, добавляются ещё бесконечные
симметрические преобразования. Основное симметрическое преобразование –
трансляция, т.е. бесконечно повторяющийся перенос вдоль одной прямой на
одно и то же определенное расстояние, называемое периодом трансляции.
Причем термином “трансляция” обозначают и симметрическое преобразование,
и элемент симметрии, и период трансляции.
Произведение трансляции на операцию отражения в плоскости
симметрии порождает сложную бесконечную операцию симметрии –
преобразование с помощью плоскости скользящего отражения. Плоскость
скользящего отражения – это совокупность совместно действующих плоскости
симметрии и параллельного ей переноса на величину равную половине периода
трансляции вдоль плоскости (рис.1.7). Симметрическое преобразование
плоскостью скользящего отражения можно описать, указав, как при этом
изменяются координаты произвольной точки Х, У, Z.
Другим важным симметрическим преобразованием, описывающим
структуру кристалла, является произведение трансляции на поворот вокруг оси
симметрии, которое порождает винтовой поворот (рис.1.8). Винтовой осью
симметрии называется совокупность оси симметрии и переноса точек вдоль
 15
этой оси, действующих совместно. После полного поворота исходная точка
должна совместиться с другой, совершенно ей идентичной, но отстоящей от неё
на один или несколько периодов трансляции.

l m l m

1
к к
m 1' 2' m
к к
m 2 m

Период а

l m l m

Рис. 1.7. Симметрическое преобразование с помощью плоскости

скользящего отражения:

в кристаллической структуре NaCl; - атомы Na и - атомы Cl;

m – плоскость зеркального отражения; l, к – плоскости скользящего
отражения; а – период кристаллической решетки NaCl
 16

Ион Cl (1) совместится с другим ионом Cl (1'), если его отразить в

плоскости к и перенести вдоль плоскости на а/2 или если его отразить в
плоскости l и перенести вдоль плоскости на половину периода решетки а/2.
Точно так же ион Na (2) совместится с другим ионом Na (2') при отражении в
плоскости l и переносе вдоль плоскости на половину периода решетки. При
таких преобразованиях симметрично совместятся друг с другом и все
остальные ионы Na и ионы Cl.
По аналогии с простыми инверсионными и зеркально-поворотными
осями винтовые оси симметрии кристаллической структуры могут быть только
двойными, тройными, четверными и шестерными.
Различают правые и левые винтовые оси. В случае правой винтовой оси
перемещение вдоль оси сопряжено с вращением по часовой стрелке, а в случае
левой – против часовой стрелки. Винтовая ось обозначается двумя цифрами,
например 41. Большая цифра указывает порядок оси. Частное от деления
цифры, стоящей в индексе (1), на большую (4), т.е. 1/4, дает величину переноса
вдоль оси, выраженную через элементарную трансляцию вдоль этой оси.
На рис. 1.8 представлено действие поворотной оси симметрии 3 и
винтовых осей симметрии 31 и 32.
Действие винтовых осей третьего порядка заключается в повороте на 120о
и одновременном переносе на t/3 вдоль оси поворота (ось 31) или на 2t / 3
(ось 32) вдоль оси трансляции t. Поворот может быть по часовой стрелке или
против неё; соответственно различают правые и левые винтовые оси 31 и 32.
Эквивалентность левых и правых осей 31 и 32 видна на рис. 1.8: левая ось 32
переводит точку в такие же положения, как и правая 31.
Сочетание трансляций с каждым из элементов симметрии образует новые
элементы симметрии, бесконечно образующиеся в пространстве. Сочетание
всех возможных преобразований симметрии кристаллической структуры
 17
называется пространственной группой симметрии. Пространственная группа
симметрии характеризует симметрию структуры кристалла так же, как
точечная группа симметрии характеризует симметрию внешней формы
кристалла и симметрию его макроскопических свойств.

1 2 2 1
3 3 3 3

3 31 – правая; 32 – правая;
32 – левая; 31 – левая

Рис.1.8. Винтовой поворот

Каждой точечной группе соответствует несколько пространственных

групп. Для того чтобы из пространственной группы симметрии кристалла
получить его точечную группу, нужно мысленно уничтожить все трансляции,
 18
т.е. превратить плоскости скользящего отражения в простые зеркальные
плоскости, винтовые оси – в обычные поворотные оси симметрии и свести все
оставшиеся элементы симметрии в одну точку. Так получаются 230
пространственных непрерывных групп симметрии кристаллического
пространства, которые были выведены в 1890 – 1894 гг. одновременно и
независимо друг от друга Е.С. Фёдоровым и А. Шенфлисом.
Интернациональный символ пространственной группы составляется
таким образом, чтобы по виду символа можно было полностью представить
взаимное расположение элементов симметрии.
При описании пространственной симметрии решётки анализируемой
фазы для каждой сингонии на первом месте указывается тип решётки (выбор и
описание которой будут рассмотрены ниже), а за ним характерные элементы
точечной симметрии (табл.1.1).
Таблица 1.1
Правила записи символа пространственной группы

Позиции
Сингония
I II III IV

Имеющийся
Триклинная Тип решетки элемент - -
Бравэ симметрии

Имеющийся
элемент
симметрии
Моноклинная То же -
2 или 2 (и
m, ⊥ к 2, если
она есть)
Плоскость m, нормальная, или ось n,
Ромбическая -«- параллельная:
(оси Х) (оси У) (оси Z)
Ось высшего
Тригональная Координатная Диагональная
порядка (и
Тетрагональная -«- плоскость m плоскость или
плоскость m,
Гексагональная или ось ось
⊥ к ней)
 19
Координатные Диагональные
Кубическая -«- плоскости или 3 плоскости
оси или оси

Для каждой структуры характерен выбор её элементарных трансляций, или

трансляционных групп, которые определяют пространственную решётку.
Пространственная решётка является геометрической схемой, описывающей
расположение материальных частиц в кристалле. Она строится на трех
основных некомпланарных осях трансляции, или периодах решётки: a, b, c.
В зависимости от отношения величин и взаимной ориентации трех основных
трансляций a, b, c получаются решётки, отличающиеся друг от друга своей
симметрией. Симметрия кристаллической структуры ограничивает число
возможных решёток. Решётка должна быть инвариантной по отношению ко
всем преобразованиям симметрии, возможным для данного кристаллического
пространства.
Основные трансляции, а значит, и решётка должны соответствовать
симметрии структуры кристалла.
Точки пересечения, образующие пространственную решётку, называются
узлами. Узел может находиться как в промежутке между материальными
частицами, так и в центре тяжести одной частицы или группы частиц. Для
металлических кристаллов узел совпадает с центром тяжести атома (иона).
Три элементарные трансляции определяют элементарную ячейку решётки,
или параллелепипед повторяемости.
Исходя из идеи о периодическом расположении центров тяжести
сферических материальных частиц в кристаллическом веществе, О. Бравэ в
1848г. показал, что всё многообразие кристаллических структур можно описать
с помощью 14 типов решёток, отличающихся по типам элементарных ячеек
(рис.1.9) и по симметрии и подразделяющихся на 7 кристаллографических
сингоний (табл.1.1).
 20
Решёткой Бравэ называется бесконечная система точек, которая
образуется трансляционным повторением одной точки. Таким образом, каждая
решётка Бравэ – это группа трансляций, характеризующих расположение
материальных частиц в пространстве. В соответствии с решётками Бравэ
кристаллы описываются 14 трансляционными группами. Решётки Бравэ
играют исключительно важную роль в кристаллографии. Любую
кристаллическую структуру можно представить с помощью одной из 14
решёток Бравэ.

Примитивная - Р

Базоцентрированная -

А В С

Объемноцентрированная - I

Гранецентрированная -
F

Рис. 1.9. Типы элементарных ячеек

Для выбора элементарной ячейки Бравэ используют три условия:

 21
1. Симметрия элементарной ячейки должна соответствовать симметрии
кристалла, т.е. наиболее высокой симметрии той сингонии, к которой относится
кристалл; ребра элементарной ячейки должны быть трансляциями решетки.
2. Элементарная ячейка должна содержать максимально возможное число
прямых углов или равных углов и равных ребер.
3. Элементарная ячейка должна иметь минимальный объём.
Эти условия должны выполняться последовательно, т.е. при выборе
ячейки первое условие важнее второго, а второе важнее третьего.
По характеру взаимного расположения основных трансляций или по
расположению узлов все кристаллические решётки разбиваются, по Бравэ, на
четыре типа (табл.1.2):
Таблица 1.2.
Решетки Бравэ
Тип решетки
Базоцентри- Объемноцен- Гранецентри-
Сингонии Примитивная
рованная трированная рованная
Триклинная Р - - -
Моноклинная Р А (В,С) - -
Ромбическая Р А (В,С) I F
Тригональная Р - - -
Тетрагональная Р - I -
Гексагональная Р - - -
Кубическая Р - I F

Выбор примитивной ячейки, у которой узлы имеются только в вершинах,

по условию Бравэ, даёт систему координат, которая является самой удобной
для описания структуры и свойств кристалла. Примитивные ячейки Бравэ – это
те основные ячейки, по которым были характеризованы сингонии кристалла.
Требования выполнения условий выбора ячеек Бравэ предопределяет
использование непримитивных (сложных) элементарных ячеек для описания
 22
некоторых кристаллических структур разных сингоний (см. табл.1.2). К
непримитивным (сложным) элементарным ячейкам относятся ячейки, которым
принадлежит больше одного атома на каждую. В сложных ячейках имеются
ещё узлы: в объемно-центрированной I ячейке – один узел в центре ячейки, в
гранецентрированной F ячейке – по одному узлу в центре каждой грани, в
базоцентрированной С (А,В) - ячейке – по одному узлу в центрах пары
параллельных граней.
Приняв один из узлов пространственной решётки за начало координат (за
узел с символом [[000]]), можно найти все остальные узлы решётки с помощью
трансляционной группы, т.е. совокупности основных трансляций элементарной
ячейки ( R j ). У примитивных решёток достаточно определить три основные
трансляции а, b, с, соответствующие рёбрам элементарной ячейки. Для всех
остальных решёток нужно учитывать ещё дополнительные трансляции ρ j ,
соединяющие нулевой атом с неидентичными атомами, расположенными
внутри элементарной ячейки или на её гранях.
Для того, чтобы выделить в структуре элементарную ячейку Бравэ,
нужно, согласно правилам выбора элементарной ячейки, найти три кратчайшие
некомпланарные трансляции а, b, с, которые обязательно должны соединять
одинаковые узлы. Полученную элементарную ячейку необходимо проверить:
1. Можно ли на этих трансляциях построить ячейку, отвечающую
правилам выбора ячейки Бравэ?
2. Все ли частицы в структуре можно получить с помощью такого выбора
трансляций?
Согласно этим требованиям, элементарная ячейка описывается базисом.
Базисом называется совокупность координат неидентичных атомов,
входящих в элементарную ячейку. Атомы идентичны, если они химически
одинаковы и структурно эквивалентны (т.е. их положение в структуре
эквивалентно при заполнении бесконечного кристаллического
пространства с помощью элементарной ячейки). Если атомы химически
неодинаковы или структурно неэквивалентны, они называются
 23
неидентичными. Например, в чистых кристаллических веществах,
имеющих ОЦК решётку, в элементарной ячейке содержится два
неидентичных атома, которые химически одинаковы, но имеют разное
положение в структуре. Атомы одного типа располагаются в вершинах
элементарной ячейки и принадлежат одновременно 8-ми ячейкам.
1
Следовательно, на одну элементарную ячейку приходится ⋅ 8 = 1 атом с
8
111
координатами [[000]]. Второй с координатами [[ ]] находится в центре
222
элементарной ячейки. Таким образом, базис ОЦК решётки чистого
111
вещества записывается как [[000; ]].
222
Если рассматривать расположение атомов NaCl, то атомы Na и Cl
располагаются в плоскостях {100} в шахматном порядке, причем в соседних
плоскостях этого типа атомы натрия чередуются с атомами хлора. Обычно
такое чередование атомов в решётке описывается элементом решётки, как
показано на рис.1.10.

Рис. 1.10. Элемент решетки NaCl:

- Na; - Cl
 24
Однако этот элемент решётки NaCl не является элементарной ячейкой,
поскольку его нельзя транслировать в пространстве. Для возможного
транслирования в пространстве необходимо увеличить трансляции по осям Х,
У, Z таким образом, чтобы с помощью полученной элементарной ячейки можно
было описать все бесконечное пространство решётки NaCl: по осям Х, У и Z
нужно удвоить расстояние между атомами, которые будут соединять между
собой химически одинаковые атомы согласно закону их чередования в
структуре. Эти расстояния и будут периодами кристаллической решётки NaCl,
а элемент пространства – элементарной ячейкой NaCl, содержащей 8 ячеек
(рис.1.10), в которой показано чередование атомов в трёхмерном пространстве
и которуюможно транслировать по осям координат (рис.1.11).
Z

Рис. 1.11. Элементарная ячейка решетки NaCl:

- Na; - Cl

После определения базиса решётки становится возможным описание

положения узлов, направлений и плоскостей в решётке (рис.1.12).
 25
Любой узел решётки определяется радиус-вектором R = ma + nb + рс ,

соединяющим выбранный за нулевой узел с данным узлом.

Совокупность чисел m, n, р, записанная в двойных квадратных скобках
[[mnр]], называется символом узла, а три числа m, n, р – индексами узла. Числа
в символе пишутся подряд, без запятых, читаются порознь. Знак минус пишется
над цифрой.
Ряд или узловая прямая в решётке, а также ребро кристаллического
многогранника характеризуются наклоном в выбранной системе координат.
Если ряд не проходит через начало координат, он проводится параллельно
самому себе через начало координат.

1 1
[[ 0 ]]
2 2

000 [[010]] У

[[100]]
X
11
[[ 0 ]]
22
Рис. 1.12. Положения узлов [[ХУZ]] в решетке

В виду этого все параллельные направления в кристалле равнозначны и

обозначаются как [UVW], где U, V, W – проекции на оси координат атома,
ближайшего к «нулевому» в ряду [UVW], проходящему через «нулевой» атом.
Все направления данного семейства обозначаются <UVW>. Если индексы в
 26
символе ряда кратные, их необходимо сокращать на целое положительное
число.
Любая грань кристалла или плоскость, проведенная через узлы
пространственной решётки, параллельна какой-либо плоской сетке, а значит
бесконечному числу плоских сеток.
Если плоскость решётки пересекает все три оси координат, отсекая на них
отрезки ma, nb, pc, то отношение чисел m:n:p характеризует наклон плоскости
к осям координат. Этим отношением определяется и ориентировка всего
семейства параллельных ей плоскостей.
Серию отношений рациональных чисел m:n:p для всех параллельных
плоскостей можно представить как отношение целых взаимно простых чисел
p:q:r, которые называются параметрами Вейсса. Например, если параллельные
аb
плоскости отсекают на осях координат отрезки: 1-я плоскость - ∞,
23
2b 1 1 2
2-я плоскость а ∞ и т.д., то полученные соотношения будут : : ∞ = 1: : ∞
3 2 3 3

и т.д. = p:q:v = 3:2: ∞.

В кристаллографии принято характеризовать плоскости или нормали к ним
не параметрами, а индексами Миллера. Индексы Миллера – это величины,
обратные параметрам Вейсса, приведённые к целым числам. Если параметры
плоскости p,q,r (отрезки, отсекаемые плоскостью по осям координат), то
индексы Миллера определяются из соотношения:
1 1 1
: : = h:k :l . (1.1)
р q r

1 1 1 1 1
В приведённом примере h : k : l = : : = : : 1/∞ = 2 : 3 : 0.
p q r 3 2

Числа h,k,l называются индексами плоскости; индексы, написанные подряд

и заключённые в круглые скобки (hkl), называются символом плоскости.
Символом (hkl) характеризуется вся совокупность параллельных
плоскостей. Этот символ означает, что система параллельных плоскостей
 27
рассекает отрезок а на h частей, отрезок в на k частей и отрезок с на l частей,
т.е. величины h,k,l обратно пропорциональны отрезкам, отсекаемым этой
плоскостью на осях координат. Все плоскости данного семейства обозначаются
фигурными скобками: {hkl}. Если индексы в символе ряда кратные, их
необходимо сокращать на целое положительное число (рис.1.13).
Оси координат имеют символы: ОХ – [100], ОУ – [010], OZ – [001].
Символы осей координат не зависят от углов между осями координат и от
осевых отрезков, они одинаковы в любой системе координат.
В общем виде уравнение плоскости записывается как
hx+ky+lz=N, (1.2)
где N – всегда целое число;
h,k,l – взаимно простые, целые числа.
Для плоскости, проходящей через начало координат, N = 0, для плоскости,
ближайшей к началу координат, N=1.
Примеры.
1. Найти символы плоскости, отсекающей на осях координат отрезки
4а, 3в, 2с.
Пишем соотношение m:n:p = 4:3:2
1 1 1 1 1 1
: : = : : = 3:4:6 .
m n p 4 3 2

Отсюда (hkl) = (346).

2. Найти символы плоскости, параллельной осям X, Z и отсекающей 3
единицы на оси У.
1 1 1 1
m:n:p = ∞ : 3 : ∞, отсюда : : = 0 : : 0 = 0 : 1 : 0 , (hkl) = (010).
m n p 3

Символы координатных плоскостей, независимо от углов между осями

координат, всегда будут:
Х0У = (001), Х0Z = (010), У0Z = (100).
Каждое семейство направлений <UVW> и плоскостей {hkl}, в котором все
индексы имеют разные значения, содержит 48 разных вариантов [uvw] или
 28

(hkl), тогда как в семействах < uvo > и {hko} − их 24, в семействах <uuu> и
{hhh} – 8, в <uuo> и {hho} –12, в семействах <uoo> и {hoo} – 6.
Следует отметить, что прежде чем характеризовать положение узлов,
индексы направлений и плоскостей в решётке, необходимо сначала выбрать
элементарную ячейку и описать её базис. От координат атомов базиса и выбора
периодов элементарной ячейки зависят индексы узлов, направлений и
плоскостей в решётке. Например, фаза имеет примитивную кубическую
решётку состава АВ, в которой атомы компонентов А и В хаотично занимают
узлы решётки. В этом случае элементарной ячейкой фазы является куб с
периодом а, описываемый положением нулевого атома. Направление [111] и
плоскость (111) в такой решетке показаны на рис.1.13.
[111]

[[000]]
(111) n=1

Рис. 1.13. Элементарная ячейка примитивной кубической решетки:

– атомы А или В

Если же в результате термообработки, например, отжига, в решётке фазы

происходит упорядочение атомов таким образом, что атомы разных сортов
располагаются слоями в плоскостях (001), то решётка изменит симметрию с
кубической на тетрагональную. Элементарная ячейка такой тетрагональной
решётки будет состоять из двух кубических ячеек и описываться базисом
1
(рис.1.14): [[А – 000, В – 00 ]] n = 2, периодами её решётки будут ат = вт = ао ,
2
ст = 2 ао.
[111]
 29

(111)

Рис. 1.14. Элементарная ячейка упорядоченной фазы состава АВ:

– атомы А ; – атомы В
В данной решётке плоскость, описываемая индексами (111) в старых
координатах, будет иметь индексы (112), а положение плоскости (111) займет
положение плоскости (221) неупорядоченной решётки, а направление [111]
упорядоченной решётки будет иметь индексы [112] в старых координатах.
Метод описания плоскостей или направлений (граней и рёбер) кристалла с
помощью индексов и символов основывается на законе целых чисел или законе
рациональности параметров.
За оси координат выбираются направления трех непараллельных рёбер
кристалла, а за единицы измерения (периоды) по этим осям – отрезки,
отсекаемые на них какой-либо гранью кристалла, принятой за “единичную”.
Пусть “единичная” грань отсекает на осях координат отрезки ОА, ОВ, ОС
(рис.1.15).
Z

C′

O
A В
A′ B′
X У

Рис. 1.15. Параллельные грани в кристалле

 30
Закон целых чисел гласит: для любых двух граней (плоскостей) реального
кристалла двойные отношения параметров равны отношению целых чисел, т.е.
OA′⁄ OA : OB′⁄ OB :OC ⁄ OC′=p: q : r,
где p,q,r – целые, взаимно простые и для реальных кристаллов малые
(не превышающие значения, равного 5) числа.
Плоскость A′B′C′ может быть гранью кристалла, только если отрезки
OA′, OB′, OC′, отсекаемые ею на осях координат, и “единичные” отрезки ОА,
ОВ, ОС связаны между собой этим соотношением.
Грани (плоскости), для которых отношение p:q:r – иррациональное,
невозможны в реальном кристалле. Если эти числа будут целые, но больше 5,
то грань возможна, но её появление маловероятно.
Кристалл растёт так, что частицы вещества из окружающей среды
отлагаются на его гранях. Грани нарастают параллельно самим себе. Меняются
площади граней, их форма, но взаимный наклон граней остаётся неизменным,
поэтому углы между плоскостями тоже остаются постоянными. В этом
заключается закон постоянства углов: во всех кристаллах данного вещества при
одинаковых условиях (т.е. при одинаковых температуре и давлении и при
одинаковой модификации кристаллической решётки) углы между
соответствующими плоскостями кристаллов постоянны.
Согласно закону постоянства углов, характерными параметрами любого
кристаллического вещества являются углы между плоскостями (или гранями)
кристалла, которые остаются неизменными до тех пор, пока устойчива
кристаллическая структура. Форму кристаллического многогранника,
расположение его элементов симметрии, анизотропию свойств можно
характеризовать набором углов между плоскостями (гранями) кристалла.
Символы плоскостей (граней) и направлений (рёбер) кристалла удобно
изображать и определять с помощью кристаллографических проекций.
В заключение приведены три примера расшифровки записей
пространственных групп структур, принадлежащих низшей, средней и высшей
категориям:
 31
1. Пространственная группа Р 222 описывает кристаллическую структуру,
принадлежащую ромбической сингонии, поскольку в ней нет осей, порядок n
которых больше 2, а есть три оси второго порядка, параллельные осям X, У и Z,
определяющие, что координатные углы α, β и γ равны 90о. Символ Р
свидетельствует, что решётка данной структуры примитивная.
2. Пространственная группа I 4/mmm описывает кристаллическую
структуру, принадлежащую тетрагональной сингонии и имеющую объёмно-
центрированную тетрагональную решётку. Полная международная запись этой
пространственной группы I 4/m 2/m 2/m. Данную кристаллическую решётку
характеризует особое направление – единственная ось 4-го порядка,
параллельная оси Z. Перпендикулярно оси 4-го порядка проходят оси 2-го
порядка, две из которых расположены по осям координат X и У и в символе
пространственной группы находятся на третьей позиции. Две оси 2-го порядка
проходят по диагональным направлениям <110> и в символе пространственной
группы стоят на четвёртой позиции.
Перпендикулярно оси 4-го порядка (или оси Z) и осям 2-го порядка (оси
Х [100] и У [010] и диагональным осям [110] и [ 1 10]) расположены плоскости
симметрии m. Поскольку плоскости симметрии перпендикулярны чётным осям,
в кристаллической решётке есть центр симметрии. Таким образом,
кристаллическая структура характеризуется ОЦТ – решеткой, которая имеет
одну ось симметрии 4-го порядка, четыре оси 2-го порядка, пять плоскостей
симметрии и центр симметрии, что описывается формулой L44L25РC, где L –
оси, Р – плоскости, С – центр.
3. Пространственная группа Fm3m описывает кристаллическую структуру
высшей симметрии – кубическую. Признаком принадлежности структуры к
кубической сингонии является существование четырёх осей 3-го порядка,
проходящих по телесным диагоналям кристаллической решётки <111>, что
описывается в символе пространственной группы цифрой 3, стоящей на третьей
позиции. На второй позиции в символе пространственной группы указаны
плоскости симметрии, которые являются координатными плоскостями {100}, а
 32
на четвертой позиции – плоскости симметрии, являющиеся диагональными
плоскостями {110}. Перпендикулярно плоскостям симметрии в данной
пространственной группе расположены три оси 4-го порядка по осям координат
и шесть осей 2-го порядка по направлениям <110>. Такая кристаллическая
решётка имеет центр симметрии, поскольку перпендикулярно чётным осям
проходят плоскости симметрии. Данная кристаллическая структура имеет
гранецентрированную кубическую решётку, которая обозначается первым
символом пространственной группы F. Таким образом, кристаллическая
структура Fm3m описывается ГЦК решёткой, которая имеет три оси 4-го
порядка, четыре оси 3-го порядка, шесть осей 2-го порядка, девять плоскостей
симметрии и центр симметрии, что записывается следующим образом:
3L44L36L29PC.
 33

2. ПОНЯТИЕ ОБ ОБРАТНОЙ РЕШЕТКЕ

2.1. Единичные трансляционные векторы обратной решётки

Обратная решетка – это математический образ, применяемый для
установления соотношений между различными параметрами кристаллической
решетки и величинами, определяющими то или иное физическое свойство
кристалла.
Пространственная решетка кристалла, определяемая тремя векторами
трансляции а1 , а 2 , а3 – называется прямой или атомной, так как в её узлах
расположены атомы (молекулы, ионы);
R = u а1 + v а 2 + w а3 , (2.1)
где R - радиус-вектор прямой решётки, соединяющей её начало с узлом с
координатами [[ a1 a 2 a3 ]]
С помощью определенных математических построений единичные
трансляционные векторы прямой решётки a1 , a 2 , a3 ( a , b , с ) заменяются
трансляционными векторами обратной решетки b1 , b2 , b3 ( a * , b * , с * )
[a 2 a3 ] [a a ] [a3 a1 ] [a a ] [a1 a 2 ]
b1 = = 2 3 ; b2 = = 3 1 ; b3 = , (2.2)
a1 [a 2 a3 ] V a 2 [a3 a1 ] V a 3 [a1 a 2 ]

где V – объём элементарной ячейки.

R * = bqpr = qb1 + рb2 + rb3 - называется вектором обратной решетки, где [[q,

p, r ]] – координатные узлы обратной решётки.

Если знаменатель скаляр, то направление b1 определяется направлением
[a 2 a3 ] (рис.2.1). По свойству векторного произведения он перпендикулярен к

плоскости, определяемой векторами а 2 и а3 :

а1 [a 2 a3 ] V
b1 а1 = = =1
a1 [a 2 a3 ] V

b1 а1 = b2 а 2 = b3 а3 = 1
∧
b1 а1 = b1 a1 cos b1 a1 = 1 (2.3)
 34

∧
b1 a1 = 0 ,

b1

а1

a3

a2

Рис.2.1. Взаимная ориентация векторов прямого и обратного

пространства

т.е. условие параллельности (коллинеарности) векторов:

b1 || а1 , b2 || а 2 , b3 || а3 , что характерно для ромбических сингоний, т.е. прямой и

обратный единичные (трансляционные) векторы взаимно параллельны

(рис.2.1).
Таким образом, для ромбических сингоний: кубической, тетрагональной и
1 1
ромбической a = , b= .
b a
[a 2 a3 ]a1
b1 ⋅ а1 = =0 [a 2 a3 ] - даёт вектор перпендикулярный к а1 , его
V

скалярное произведение с а1 = 0, cos 90o= 0.

(a1b2 ) = (a1b3 ) = (a 2 b1 ) = 0 .

Следовательно, обратные решетки сохраняют те же сингонии, что и

прямые решетки: кубическая прямая → кубическая обратная, гексагональная
прямая → гексагональная обратная и т.д.

2.2. Свойства вектора обратной решетки

1. Вектор обратной решетки b qpr перпендикулярен соответствующей
плоскости прямой решетки (hkl) – рис.2.2.
 35

Необходимо и достаточно доказать, что вектор bqpr перпендикулярен двум

прямым, лежащим в плоскости (hkl) – рис. 2.2:

a3
С

a3
N
l
bqpr

0
a2 B a2
а1 k
h

a1

Рис. 2.2. Ориентировка вектора обратного пространства b qpr и

соответствующей ему плоскости (hkl) прямого пространства
 36

a 2 a1 a1 a3
AB = − , CA = − .
k h h l
Найдем скалярные произведения:
a 2 a1 q p r
(bqpr AB) = 0 = (qb1 + pb2 + rb3 )( − ) = (b1 a 2 ) + (b2 a 2 ) + (b3 a 2 ) −
k h k k k
q p r p q
− (b1 a1 ) − (b2 a1 ) − (b3 a1 ) = − = 0 ,
h k h k h
где b1 а 2 = b3 а 2 = b2 а1 = b3 а1 = 0; b2 a 2 = b1a1 = 1,
a1 a3 q r
(bqpr CA) = 0 = (qb1 + pb2 + rb3 )( − ) = − =0.
h l h l

Откуда следует, что для выполнения условия перпендикулярности необходимо,

q p r
чтобы = = = n - целое число, в частности q=nh, т.е. bqpr = nbhkl , n = 1,2,3
h k l
(порядок отражения).
Поэтому с точностью до целого множителя: вектор обратной решетки
(характеризующий её узел) имеет те же индексы, что и плоскости прямой
решетки, нормальные к нему.
Следовательно, обратная решетка есть совокупность точек (узлов),
каждая из которых отображает семейство параллельных атомных
плоскостей и имеет те же индексы (с точностью до общего множителя).
2. Абсолютная величина вектора обратной решетки с индексами hkl равна
обратной величине межплоскостного расстояния для плоскостей прямой
решетки {hkl}:
1
⏐ bhkl ⏐= bhkl = . (2.4)
d hkl

Уравнение плоскости в векторной форме:

( R nο ) = D = nd , (2.5)
где R - радиус-вектор любой точки на плоскости; nο - единичный вектор

нормали данной плоскости; ⏐ R nο ⏐- проекция радиуса-вектора R (любой точки

на плоскости) на направление нормали (рис. 2.3);
 37

a3

C2

С1 no || bhkl

0
B1 B2 а2
а1
h
A1

A2

a1

Рис. 2.3. Ориентировка вектора обратного пространства bhkl

и перпендикулярных ему плоскостей прямого пространства
 38

D – расстояние плоскости от начала координат D = dn, где d - межплоскостное

расстояние, n – номер плоскости от начала координат (порядок отражения).
Как доказали раньше, bhkl – нормален плоскости (hkl) (рис. 2.2),
R bhkl bhkl
т.е. bhkl ⎥⎥ no , поэтому = nd hkl , = no
bhkl bhkl
Возьмем любую точку в плоскости А1 В1 С1 или А2 В2 С2 , например А1 или А2
a1
и т.д. Для них R = n , следовательно,
h
a1 n
(hb1 + kb2 + lb3 )
h 1
= n d hkl , т.к. а1b1 = 1, a1b2 = a1b3 = 0 ,то = d hkl
bhkl bhkl

bqpr
Поскольку bqpr = nbhkl , bhkl = , то
n
n
bqpr = . (2.6)
d

Таким образом, обратная решетка есть совокупность узлов, каждый из

которых соответствует семейству параллельных атомных плоскостей и
имеет те же индексы.
Узлы обратной решетки строят из прямой решетки путем проведения из
нулевого узла нормалей к соответствующим плоскостям. Длина нормали для
каждого узла обратной решетки есть величина обратная межплоскостному
расстоянию для соответствующих плоскостей. Обратная решетка кристалла
обладает той же сингонией, что и прямая. Но ОЦК трансформируется в ГЦК, а
ГЦК → ОЦК.
Представления об обратной решётке очень важны при решении
структурных задач методом просвечивающей электронной микроскопии
(ПЭМ), в большинстве из которых анализируется ориентация конкретных
кристаллов, дающая дифракционный контраст на электронномикроскопи-
ческом изображении. Определение ориентации тех или иных областей
структуры в общем случае для кристаллов любой симметрии требует знания
узлов разориентировки между направлениями и нормалями к одноимённым
плоскостям. Только для кристаллов кубической симметрии нормали к
плоскостям кристалла и одноименные направления совпадают. Анализ прямой
 39

и обратной решёток кристалла позволяет найти связь между плоскостями {hkl}

и одноименными направлениями [hkl] для кристаллов любой симметрии.
Сначала рассмотрим кубические кристаллы. Из уравнений (2.2) и (2.3), с
помощью которых вводится обратная решётка, следует, что прямая и обратная
решётки имеют одинаковую симметрию и отличаются друг от друга лишь
объёмом. На рис. 2.4 представлена связь прямой и обратной кубических
решёток на примере плоскостей {011} и направлений <011>.

[011] [011]*
(011) ⊥(011) ⊥(011)*

(011)*

Рис. 2.4. Ориентация кристаллографических плоскостей и

направлений в прямой и обратных решётках кристаллов кубической
сингонии

Пусть | а | = 1, тогда | в | = 1/| а | =1

Отсюда следует, что
(011) || (011)*;
⊥(011) ≡ [011], ⊥(011)* ≡ [011]*;
[011] || ⊥(011)*;
⊥(011) || [011]*.
Таким образом, в кристаллах кубической симметрии одноименные
плоскости прямой и обратной решёток, а также одноимённые направления в
них совпадают:
 40

(hkl) || (hkl)*;
[hkl] || [hkl]* или
в общем случае [UVW] || [UVW]*.
В кристаллах более низкой симметрии, чем кубическая, плоскости и
направления с одинаковыми индексами в прямой и обратной решётках
находятся под углом друг к другу. Это явление рассмотрено на примере
тетрагональной решётки (рис. 2.5), симметрия которой сохраняется в обратном
пространстве.

(011)
[011]

⊥(011)*
⊥(011)
[011]*

(011)*

Рис. 2.5. Ориентация кристаллографических плоскостей и направлений

в прямой и обратной решётках кристаллов тетрагональной сингонии

а1 = а2 = а, а3 = с, а, с – периоды прямой (кристаллической)

тетрагональной решётки;
1 1
в1 = в2 = в = , в3 = – периоды обратной тетрагональной решётки
а с
 41

1
Пусть а = 1, с = 2; тогда в1 = 1, в3 = .
2
Из сравнения элементарных ячеек прямой и обратной решёток,
построенных с учетом их размеров, следует, что
(011) не || (011)* и [011] не || [011]*,
но [011] || ⊥(011)* и ⊥(011) || [011]*,
Поскольку ориентация плоскости в пространстве может быть задана не
только расположением лежащих в ней точек, но также и направлением нормали
к этой плоскости, то введение понятия “обратной решетки” приводит по
существу к тому, что задание ориентации плоскости в пространстве
осуществляется с помощью её нормали, т.е. вектора обратной решетки.
Нормаль обладает числом измерений на единицу меньшим, чем плоскость, что
создает преимущество простоты, особенно в тех случаях, когда одновременно
рассматривается совокупность большого числа плоскостей. Одновременно, в
ряде случаев, при введении понятия обратной решетки упрощается и
математическая интерпретация.
Можно утверждать, что обратная решетка является важным способом для
изучения явления дифракции лучей (рентгеновских, электронных) в кристалле.

2.3. Уравнение Лауэ. Сфера Эвальда

Условие получения дифракции рентгеновских лучей и электронов на
кристалле описывается в разных моделях уравнениями Вульфа-Брэгга и Лауэ.
Уравнение Вульфа-Брэгга
2d sin Θ = nλ, (2.7)
где d(hkl) – расстояние между плоскостями (hkl) в кристалле,
λ – длина волны излучения,
n – порядок отражения, целое число.
Уравнение Вульфа-Брэгга описывает дифракцию на кристалле в прямом
пространстве. В обратном пространстве ему эквивалентно уравнение Лауэ:
n1 n0
− = в qpr , (2.8)
λ λ
где n0 и n1 - единичные вектора, нормальные к фронту распространения
падающего и рассеянного лучей: | n1 | = | n0 | = 1;
в qpr - вектор обратной решетки:

в qpr = q в 1 + p в 2 + v в 3 ,

в 1 , в 2 , в 3 - единичные трансляционные вектора обратной решетки,

q, p, r – координаты узла обратного пространства.

 42

Между индексами интерференции HKL, описывающими рефлекс (линию)

на дифракционной картине, и координатами узлов обратного пространства
[[qpr]] существует связь:
q = nh = H, p = nk = K, r = nl = L.
Представление об обратной решётке облегчает интерпретацию явления
дифракции. Для этого Эвальдом предложено графическое отображение
уравнения Лауэ с помощью сферы, названной сферой распространения (сферой
Эвальда) – рис.2.6.
Сфера Эвальда строится следующим образом:
1. Если плоскости прямой кристаллической решётки заменить векторами
обратной решётки, то есть из одной точки провести перпендикуляры к
плоскостям {hkl}, то они являются векторами обратного пространства,
абсолютная величина которых будет равна обратной величине приведенного
n 1
межплоскостного расстояния: | в qpr | = = , а углы между векторами в qpr
d ( hkl ) d HKL

равны углам между плоскостями {hkl} прямого кристаллического

пространства. Величина векторов обратной решётки и углы между ними
определяют симметрию (сингонию) данной кристаллической структуры.
 43

h/λ B

A ϕ
ϕ в qpr

h0 / λ

Рис. 2.6. Сфера распространения (сфера Эвальда)

При этом соотношения между плоскостями к ним сохраняются в

независимости от их ориентировки по отношению к плоскости проекций, а
пересечение векторов обратной решётки плоскостью проекций образует сетку
из сечений узлов обратного пространства, конфигурация которых определяется
формой отражающего кристалла.
2. В полученном сечении обратного пространства выбирается произвольно
нулевой узел. Из нулевого узла в направлении обратном, по отношению к
направлению падающего рентгеновского луча, откладывается вектор
n0 1 1
величиной | | = , находится центр, из которого радиусом описывается
λ λ λ
сфера Эвальда. Из уравнения Лауэ следует, что векторы, соединяющие центр
сферы с узлами обратного пространства, расположенными на её поверхности,
n0
по абсолютной величине равны величине вектора | | по направлению
λ
 44

падающего луча и соединяются с ним вектором обратной решётки в qpr , т. е. в

этом случае будет выполняться условие дифракции.
Таким образом, в отражающее положение попадают те плоскости
кристаллической решётки, для которых узлы обратного пространства лежат на
поверхности сферы Эвальда.
По числу узлов, лежащих на поверхности сферы Эвальда, можно
определить количество интерференционных максимумов (линий на
дифракционной картине), найти их индексы интерференции HKL и углы
Вульфа-Брэгга. При этом видно, что дифракция рентгеновских лучей
происходит дискретно в определенных фиксированных направлениях.
Из этого анализа следует, что дифракционной характеристикой вещества
является ряд значений межплоскостных расстояний d, а также относительных
интенсивностей I отражений от этих плоскостей. Сведения о межплоскостных
расстояниях d/n, относительных интенсивностей I и соответствующих им
индексов интерференции HKL сводятся в таблицы, которые приводятся в
справочниках. Каждая фаза имеет свою кристаллическую решётку, значит,
характеризуется определенным набором межплоскостных расстояний. Поэтому
для решения вопроса о том, какая фаза присутствует в исследуемом материале,
достаточно рассчитать рентгенограмму или дифрактограмму, снятую по методу
поликристалла, и сравнить полученный ряд межплоскостных расстояний с
табличными значениями.
Рентгеноструктурный анализ позволяет установить симметрию, тип и
периоды кристаллических решёток чистых веществ, химических и
интерметаллических соединений, фаз, образующих сплавы, т. е. определить
кристаллическую структуру веществ.
Дифракция электронов на кристалле так же, как и дифракция
рентгеновских лучей, описывается уравнением Лауэ. Однако в отличие от
последних дифракция электронов описывается в пространстве волнового
вектора К , которое отличается от обратного пространства только лишь
масштабом.
 45

2π n K
Волновой вектор К имеет вид К = n , отсюда = и уравнение Лауэ
λ λ 2π

n1 n0
в обратном пространстве − = в qpr описывается в К пространстве
λ λ
выражением
К 1 - К 0 = 2π в qpr , (2.9)
где К 1 - волновой вектор рассеянных электронных лучей;
К 0 - волновой вектор падающих электронных лучей;

в qpr - вектор обратной решётки, соединяющий волновые вектора К 0 и К 1 .

Вследствие того, что длина волны электронов λ очень мала и составляет

величину порядка 0,04 Å (при напряжении на пушке электронного микроскопа

n0 1
~80 кв), радиус сферы Эвальда | | = ≅ 25 Å-1 – очень большая величина по
λ λ
1
сравнению с величиной вектора обратной решётки в qpr : | в qpr | = = 0,4Å
d ( HKL )

(для дифракционного максимума (110) α-фазы на основе ОЦК решётки α-Fe).

Углы Вульфа-Брэгга для дифракции электронов на кристалле малы и
составляют доли градуса (Θ(110) α − Fe ≅ 0,5 град.). Поэтому уравнение Лауэ при
дифракции электронов изображается графически как небольшой сегмент сферы
Эвальда. Из этого следует, что вектор обратной решётки в qpr лежит в
плоскости, перпендикулярной падающему электронному лучу (рис. 2.7).
Из этих соображений считается, что электрономограмма представляет
собой плоское сечение обратного пространства, перпендикулярное падающему
лучу электронов. Из сравнения подобных треугольников вытекает (рис. 2.7):

к1 1
| |=
2π λ | в qpr | = 1/d
Объект 2Θ
r
0
L
Ko 1
| |=
2π λ
 46

Рис. 2.7. Связь волновых векторов K1 , K 2 и вектора обратной решётки

в qpr

1
d ( HKL ) r
tg 2Θ = = ; r dHKL = λL = C, (2.10)
1 L
λ
где dHKL - приведённое межплоскостное расстояние, Å или нм;
r - расстояние от нулевого рефлекса до рефлекса с индексами HKL, мм;
λ - длина волны электронов, [Å];
L - расстояние от объекта до плоскости электронограммы, мм;
С - электронографическая постоянная, Å⋅мм.
Расчёт дифракционных картин в ПЭМ производится с помощью
уравнения (2.10)

С
dHKL = (2.11)
r
Значение электронографической постоянной С находится из
расчета электронограмм эталонных веществ, полученных в тех же условиях,
что и электронограммы исследуемого объекта.
 48

3. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЕКЦИИ

В геометрической кристаллографии в физическом металловедении обычно

не рассматривается внешняя форма, размеры граней и самих кристаллов, так
как, например, внешняя форма и размеры кристаллов зависят прежде всего от
внешних условий, в которых кристалл образовался.
Главная задача кристаллографии в физическом металловедении – точно
отобразить углы между плоскостями. Существует закон постоянства углов: для
всех кристаллов одного и того же вещества в одной и той же модификации
углы между соответствующими плоскостями одинаковы.
Цель кристаллографических проекций: удобно и точно изобразить и
измерять на плоском листе бумаги угловые соотношение между плоскостями,
направлениями и элементами их симметрии. С помощью
кристаллографических проекций исследуют в металловедении линии
скольжения, двойники, выделения новых фаз, ориентировку монокристаллов,
преимущественную ориентировку зерен в поликристаллах и целый ряд других
задач.
3.1. Кристаллографический и полярный комплексы
В кристаллографии проектируется не кристалл, а кристаллографический
комплекс, полученный от данного кристалла (рис. 3.1).

(100) (010)
(001)

Центр
кристаллического комплекса

Рис. 3.1. Кристаллографический комплекс

 49
Кристаллографический комплекс получается при параллельном
перемещении плоскостей в пространстве до взаимного пересечения их в
одной точке.
В некоторых случаях проектируется полярный комплекс, который обратен
кристаллическому (рис.3.2). Полярный комплекс получается при
восстановлении из центра кристаллографического комплекса перпендикуляров
ко всем плоскостям.
Таким образом, в полярном комплексе плоскость заменяется её нормалью
(как в обратной решетке).

(001)

(0 1 0) (010)

(100) (00 1 )

Рис. 3.2. Полярный комплекс

В этом тот же смысл, что и при построении обратной решетки: нормаль

обладает числом измерений на единицу меньшим, чем плоскость.
Следовательно, задание ориентации плоскости с помощью её нормали обладает
прежде всего преимуществом простоты, особенно в тех случаях, когда
одновременно рассматривается совокупность большого числа плоскостей. В
ряде случаев использование представлений об обратной решётке упрощает
математический аппарат.

3.2. Виды кристаллографических проекций

 50
Для упрощения рассмотрения кристаллографических задач - плоскости
или нормали к ним проектируют на различные поверхности (плоскость, сферу),
что приводит к различным кристаллографическим проекциям.
В кристаллографии чаще других рассматриваются следующие проекции:
1) линейная; 2) гномоническая;
3) сферическая; 4) гномосферическая;
5) стереографическая; 6) гномостереографическая.
Линейная проекция: проектируемый объект – кристаллографический
комплекс. Все плоскости и направления проектируются на плоскость,
находящуюся на некотором расстоянии от центра кристаллического комплекса
(рис.3.3).

В
N
P
А О
Q

Рис. 3.3. Линейная проекция плоскости Q и направления ON

Линейной проекцией плоскости Q является прямая AB, по которой

проектируемая плоскость Q пересекается с плоскостью проекции Р. Линейной
проекцией линии кристаллографического направления ON является точка
пересечения направления с плоскостью проекции N – полюс.
Несколько плоскостей, параллельных одному направлению в
пространстве, образуют зону. В кристаллографическом комплексе все
плоскости одной зоны пересекаются по одной прямой, называемой осью зоны
(АВ на рис. 3.4).
 51
В линейной проекции зона изображается пучком прямых, пересекающихся
в одной точке (точка В на рис. 3.4).

В Р

Ось зоны

Рис. 3.4. Линейная проекция кристаллографической зоны

Недостаток линейной проекции, который ограничивает её

распространение: для проектирования всего кристалла требуется
бесконечная плоскость проекции.
Гномоническая проекция. Проектируемый объект – полярный
комплекс. Все линии и плоскости комплекса проектируются на плоскость,
расположенную на некотором расстоянии от центра комплекса (рис. 3.5).
В гномонической проекции плоскость кристалла изображается
полюсом (N на рис. 3.5) - точкой пересечения нормали ON к
проектируемой плоскости Q с плоскостью проекции Р. Следовательно,
гномоническая проекция плоскости Q есть точка – полюс N.
Гномонической проекцией зоны является ряд точек, расположенных
на одной прямой (АВ на рис. 3.5).
В полярном комплексе прямая (направление ON на рис. 2.5)
отображается перпендикулярной ей плоскостью Q, поэтому гномонической
проекцией направления (ON на рис. 3.5) является линия пересечения
плоскости Q полярного комплекса с плоскостью проекции P, т.е. в
гномонической проекции направление ON отображается линией АВ.
Гномоническая проекция употребляется при расчете лауэграмм, так
как с её помощью можно построить проекцию всех плоскостей кристалла.

В P

А N
 52
0 Q

Нормаль, которая
отображает плоскость Q

Рис. 3.5. Гномоническая проекция плоскости Q и направления ON

Недостаток гномонической проекции в том, что у линейной проекции

для проектирования всего кристалла требуется бесконечная плоскость.
Сферическая и гномосферическая проекции. Вокруг центра
кристаллографического комплекса произвольным радиусом описывается сфера,
которая называется сферой проекции. Плоскости кристалла пересекают сферу
по кругам наибольшего диаметра, т.е. по большим кругам. Если все плоскости
проектировать подобным образом на сферу, то большие круги пересекутся под
тем же углам, что и плоскости кристалла (рис. 3.6).
Если в центр сферы проекций поместить полярный комплекс, то
получится гномосферическая проекция, в которой кристаллографическая
плоскость отображается полюсом Р – точкой пересечения перпендикуляра
к плоскости с поверхностью сферы (рис. 3.6). Совокупность полюсов на
сфере называется полюсной фигурой.

Рис. 3.6. Сферическая проекция плоскости и направления

 53
По размещению полюсов на сфере, образующих полюсную фигуру, можно
определить ориентировку кристаллографических плоскостей, т.к. угол между
двумя плоскостями в кристалле равен углу между их полюсами.
Стереографическая и гномостереографическая проекции.
Практически более удобно пользоваться не сферой проекций, а её плоским
изображением, т.к. как при этом вся работа может быть выполнена на листе
бумаги. Необходимо спроектировать сферу без нарушения углов между
плоскостями или полюсами. Углы на сфере проектируются на
стереографическую проекцию без искажений.
Для этого источник света S (или центр проекции) необходимо поместить в
какой-либо точке, лежащей на поверхности сферы, а плоскость проекции
расположить перпендикулярно к диаметру, проходящему через центр сферы и
центр проекции (рис.3.7). Расстояние плоскости от поверхности сферы не имеет
значения, так как, при изменении расстояния меняется только увеличение
изображения, но не угловые соотношения.
Внутри основного круга (показанного эллипсом на рис. 3.7) проектируется
полусфера, противоположная источнику света.

M′

Е’
S
N
Е

L′
 54

Рис. 3.7. Гномосферическая проекция направлений и плоскостей

Возможно отобразить всю сферу в пределах основного круга при

совмещении двух проекций и различать их знаками + и −. Любая плоскость,
проходящая через точки NS, рассечёт сферу по большому кругу, который
спроектируется на плоскость проекции в виде прямой линии.
Любой большой круг, проходящий через точку N, проектируется на
плоскость в виде прямой линии. Отображающий диаметр основного круга
проекций (круг SN – горизонтально проектируется в ЕЕ). Большой круг – это
окружность на поверхности сферы, радиус которой равен радиусу сферы.
Если большой горизонтальный круг разделить на градусы, то его проекция
ЕЕ′ будет служить шкалой для стереографически спроектированных точек,
лежащих на горизонтальном круге. Так же наносятся деления на вертикальный
круг ML, которые проектируются на основной круг (рис. 3.8).

270о

180о 180о 0о

90о

Рис. 3.8. Отсчёт углов по основному кругу и меридиану

 55

По экватору измеряется угол ρ в пределах 0-1800, по основному кругу

меридиану - угол ϕ в диапазоне 0-3600 по часовой стрелке.
Таким образом, можно спроектировать на плоскость глобус с линиями
широты и долготы (меридианами и параллелями).
Если ось, проходящую через северный и южный полюсы, спроектировать
перпендикулярно к плоскости проекции, то стереографическая проекция всех
параллелей и меридианов образует сетку Болдырева (рис. 3.9). Если ось,
проходящая через северный и южный полюсы сферы, параллельна плоскости
проекции, то линии долготы и широты образуют стереографическую сетку,
называемую сеткой Вульфа (рис. 3.10).

Рис. 3.9. Сетка Болдырева Рис. 3.10. Сетка Вульфа

Важно отметить, что углы между пересекающимися плоскостями

сохраняются неизменными в стереографической проекции и легко поддаются
измерению. Исходя из таких предпосылок, формируются свойства
стереографической и гномостереографической проекций.

3.3. Свойства стереографической и гномостереографической

проекций
1. На стереографической проекции кристаллографическая плоскость,
совпадающая с большим кругом, параллельным плоскости проекции,
изображается основным кругом.
2. Кристаллографические плоскости, совпадающие с большим кругом,
перпендикулярным плоскости проекции, проектируются в виде диаметра
основного круга.
 56
3. Наклонные плоскости изображаются в виде проекций наклонных
больших кругов, которые при повороте сетки Вульфа могут совпадать с одним
из меридианов.
4. Кристаллографические направления на стереографической проекции
изображаются в виде точек (полюсов). Поэтому стереографическая проекция
плоскостей, принадлежащих одной зоне, изображаются в виде проекции
кругов, пересекающихся в одной точке.
5. Гномостереографическая проекция есть проекция обратной решетки.
Кристаллографические плоскости на гномостереографической проекции
изображаются в виде полюсов, а кристаллографические направления в виде
проекции больших кругов. Поэтому на гномостереографической проекции
полюса плоскостей, принадлежащих одной зоне, лежат на проекции одного
круга, который при вращении сетки можно совместить с одним из меридианов.
6. Для кристаллов кубической сингонии можно пользоваться одними и
теми же стандартными проекциями при изображении кристалла в стерео- или
гномостереографической проекциях. Это связано с тем, что в кубической
сингонии плоскости и перпендикулярные к ним направления имеют одни и те
же индексы, а углы между пересекающимися плоскостями равны углам между
нормалями к соответствующим плоскостям.
7. Углы между двумя точками на проекции не изменяются при вращении
точек вокруг оси (центра) стереографической проекции.
8. Угол между двумя полюсами на проекции равен разности их широт,
угол между двумя точками равен разности их долгот, когда они лежат на
экваторе (горизонтальном диаметре). Для измерения угла между двумя
полюсами необходимо, поворотом сетки Вульфа вокруг её центра, совместить
их с экватором или меридианом, которые служат шкалой для отсчёта угловых
градусов.
 57
3.4. Стандартные проекции кристаллов
Стереографическая проекция полюсов всех важнейших плоскостей и
направлений кристалла с малыми индексами называется стандартной
проекцией.
Ясно, что стандартная проекция (стандартная сетка) кубического
кристалла может рассматриваться и как стереографическая проекция
(тогда в точки-полюсы проектируются кристаллографические
направления), и как гномостереографическая проекция (тогда
кристаллографические плоскости отображаются полюсами на сетке).
Если оси Х и У кристалла лежат на плоскости проекции, то полюсы
плоскостей (100) и (010) расположены на основном круге (рис. 3.11). Ось Z
перпендикулярна к плоскости проекции, поэтому полюс плоскости (001)
находится в центре этого круга.
Изображение производится путем откладывания углов между полюсами и
кристаллографическими осями с помощью стереографической сетки.
Процесс построения значительно сокращается при использовании:
1) свойства симметрии кристалла;
2) зональных соотношений – определении полюсов посредством
пересечений кругов зон.
На рис. 3.11 представлена сетка для кубической системы с осью проекции
(001). Стандартные проекции с другими плоскостями проекции могут быть
получены из стандартной проекции (001) путем вращения сетки.
Стандартные кристаллографические проекции для кристаллов кубической
системы одинаковы для всех кристаллических веществ с кубической решёткой.
Это объясняется тем, что уравнение, описывающее связь углов между
плоскостями и индексами плоскостей в кубической решётке не содержит
значений периодов решётки и координатных углов:
h1h2 + k1k2 + l1l2
cos ϕ (h1 k1l1 )^ (h2 k 2 l 2 ) = , (3.1)
h12 + k12 + l12 h22 + k 22 + l22
 58

1 00

1 10 110

001

010 010

110 110

100

Рис. 3.11. Стандартная проекция 001 кристаллов кубической сингонии

Из уравнения (3.1) следует, что в кубических решётках всех типов

(примитивной кубической ПК, объемно-центрированной ОЦК,
гранецентрированной ГЦК) с любыми периодами углы между плоскостями
 59
одинаковы и одинаковы кристаллографические проекции для любых веществ с
кубической решёткой.
В кристаллах более низкой симметрии, чем кубическая, углы между
плоскостями зависят от соотношений периодов решётки и координатных углов.
Например, в тетрагональной решётке

h1h2 k1k 2 l1l2

2
+ 2 + 2
cos ϕ (h1k1l1 )^ (h2 k2l2 ) = 2 a2 2 a 2 c 2 2 , (3.2)
h1 k1 l1 h2 k2 l2
+ + + +
a2 a2 c2 a2 a2 c2

Следовательно, для кристаллов средних и низших сингоний

кристаллографические проекции строятся для конкретных соотношений
периодов и координатных углов.
Для гексагональных кристаллов стандартные сетки (0001) построены для
кристаллов с определенными соотношениями, например, с/а = 1,86 или = 1,633.
Для кристаллов с другими с/а они не годятся. Гномостереографическая
проекция для гексагональных кристаллов не совпадает с их стереографической
проекцией.
 61
ЧАСТЬ 2.

4. КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ПРОЕКЦИИ ДЛЯ КРИСТАЛЛОВ

СРЕДНИХ СИНГОНИЙ

Многие кристаллические структуры металлов и сплавов имеют симметрию

решёток более низкую, чем кубическая. В таких кристаллах плоскости решетки
(hkl) в общем случае не совпадают с одноименными плоскостями (hkl)*
обратной решётки, а нормали к плоскостям кристаллической решётки не
являются одноименными кристаллографическими направлениями. Плоскость
электронограммы – плоскость обратной решётки, перпендикулярная оси зоны
[UVW] для данной ориентации кристалла, в большинстве случаев не является
плоскостью кристаллической решётки с теми же индексами интерференции
(рис.4.1). В общем случае нормаль к плоскости прямой кристаллической
решетки является одноименным направлением в обратной решетке, а
направление в кристаллической решетке представляет собой нормаль к
одноименной плоскости обратной решетки.

⊥(011) || [011]*

[011] || ⊥(011)*

(011)

(011)*

Рис. 4.1. Сечение электронограммы (011)* для кристаллов

с тетрагональной решёткой
 62
Это затрудняет структурный анализ, проводимый прежде всего методом
просвечивающей электронной микроскопии, поскольку выделяемые на
электронно-микроскопических изображениях важные направления в общем
случае будут разориентированы с направлениями, лежащими в плоскости
электронограммы и проходящими через узлы обратной решётки, хотя могут
иметь те же индексы интерференции.
Поэтому решение таких структурных задач, как определение взаимной
ориентации разных кристаллов, систем двойникования, ориентационных
соотношений фаз и т.д., удобно проводить с использованием
гномостереографических проекций, построенных для плоскостей и
направлений кристаллов некубической симметрии, принимая во
внимание, что кристаллографические направления являются нормалями
к одноименным плоскостям обратной решетки (рис. 4.2).
Гномостереографические проекции плоскостей и направлений для
чистых кристаллических веществ или фаз в сплавах некубической
симметрии строятся для конкретных значений периодов а, в, с их
кристаллической решётки данной сингонии. При этом следует помнить,
что гномостереографические проекции направлений кристаллов средних и
низких сингоний это есть гномостереографические проекции плоскостей
обратной решётки. Поэтому, построив и наложив друг на друга
гномостереографические проекции плоскостей прямой кристаллической и
обратной решёток с малыми одноименными индексами (учитывая те
плоскости (hkl) и (hkl)*, которые совпадают друг с другом в прямом и
обратном пространствах), можно определить любое угловое соотношение
как между конкретными плоскостями или направлениями, так и между
конкретными плоскостями и направлениями в кристаллах не кубических
сингоний.
Графическое построение стереографических проекций выполняется с
использованием законов зон. Под зоной понимается совокупность
плоскостей (hikili), пересекающихся по одному направлению, называемому
осью зоны с индексами [UVW] (рис. 4.2).

[UVW]
 63

(h1kll1) (h2k2l2)

(UVW)*

⊥(h2k2l2) ⊥(h2k2l2)

Полюс (h2k2l2) Полюс (h2k2l2)

Рис. 4.2. Проекция зоны с осью [UVW] на плоскость [UVW]*

Если известны индексы двух плоскостей, принадлежащих зоне, то на

основании закона зон, индексы оси зоны могут быть найдены из
следующих соотношений:
U = k1l2 – l1k2;
V = l1h2 – l2h1;
W = h1k2 – h2k1.
Аналогично, если известны индексы двух осей зон, которым
принадлежит плоскость, то её индексы определяются из подобных
соотношений:
h = V1W2 – V2W1;
k = W1U2 – W2U1;
l = U1V2 – U2V1.

Между индексами оси зоны [UVW] и индексами плоскостей (hkl),

входящих в данную зону, существует следующее уравнение: hU + kV + lW = 0,
которое определяет условие зональности.
Для построения гномостереографических проекций важно то, что
плоскость, индексы которой (h3k3l3) равны сумме одноименных индексов двух
плоскостей зоны [UVW], принадлежит той же зоне [UVW]:
h3 = h1 + h2;
k3 = k1 + k2;
 64
l3 = l1 + l2.
На гномостереографической проекции полюса плоскостей,
принадлежащие зоне, располагаются на угловом расстоянии 90о от проекции,
изображающей ось зоны, и находятся на одном меридиане сетки Вульфа, если
проекция оси зоны располагается на экваторе. При этом угол между полюсами
плоскостей, лежащих на меридиане, является углом между этими плоскостями.
В случае если заданы две плоскости и нужно найти их зону и её ось,
следует концентрическим поворотом кальки установить проекции плоскостей
на меридиан и от точки его пересечения с экватором отсчитать 90о к центру
проекций. Полученная на экваторе точка и будет проекцией оси зоны, так как
отстоит на 90о от любой из точек меридиана (рис.4.2).
Проекция плоскости (hkl), принадлежащая двум зонам, на сетке Вульфа
является точкой пересечения двух меридианов, на которых расположены
проекции плоскостей, образующих эти зоны.
При построении стандартных проекций с помощью закона зон достаточно
в качестве исходных данных знать положение четырёх непараллельных друг к
другу плоскостей кристалла (трех координатных и единичной (111)). Это
положение определяется величинами углов между плоскостями (001) и (111),
(100) и (111), (010) и (111), которые рассчитываются по формуле, устанавливающей

значение косинуса угла между плоскостями в зависимости от значений

индексов плоскостей по формулам для решётки кристаллов соответствующих
сингоний.
Гномостереографическая проекция кристаллов строится на сетке Вульфа.
Поскольку каждая плоскость кристалла принадлежит, по крайней мере, двум
зонам, то положение плоскости определяется точкой пересечения зон. Четыре
исходные плоскости (001), (010), (100) и (111) принадлежат шести зонам индексы
которых находятся по формуле для расчёта оси зоны: [100], [010], [001],
[111], [101], [011] .

В качестве оси проекции выбирается перпендикуляр к плоскости (001)

прямой кристаллической решётки. Проведя эти шесть зон как соответствующие
 65
меридианы, в точках их пересечения находят новые плоскости, индексы
которых вновь определяются по закону зон: на пересечении зон [100] и [0 11]
расположена плоскость (011) , на пересечении зон [101] и [010] – плоскость (101),
на пересечении зон [001] и [110] - плоскость (110).
Следует отметить, что для кристаллических решёток, имеющих
симметрию более низкую, чем кубическая, в качестве исходных
плоскостей для построения гномостереографической проекции лучше
выбрать шесть плоскостей (001), (010), (100), (110), (101), (011), так как
положение соответствующих полюсов легче найти на плоскости проекции.
Углы между ними рассчитываются по формуле косинуса угла между
плоскостями для решётки данной сингонии, и положение полюсов данных
плоскостей обозначаются на проекции. В центре проекции, как и в первом
случае, устанавливается полюс (001), который является перпендикуляром
к плоскости (001) для решётки данной сингонии.
Далее проводятся меридианы через полюса (100) и (011), (001) и (110),
(010) и (101) и находится точка их пересечения, которая является полюсом
(111) и вершиной сферического треугольника (рис.4.3). Затем операции
продолжают, приняв во внимание новые зоны и точки их пересечения.
Построение следует вести в сферическом треугольнике,
ограниченном проекциями плоскостей (001) – (100) – (010). После
разделения сферического треугольника (001) – (100) – (010) на три области,
ограниченные проекциями (полюсами) плоскостей,
(001)-(011)-(111)-(101);
(110)-(111)-(011)-(010) и
(100)-(101)-(111)-(110) ,
находят их вершины, которые получаются на пересечении зон с осями: первая -
[110] и [111] , вторая [101] и [111] , третья [0 11] и [111] (рис.4.3).
Индексы проекций плоскостей, находящихся на пересечении зон в
вершинах сферических треугольников, рассчитывают по правилу зон или
сложением одноимённых индексов плоскостей, лежащих в их основании и
принадлежащих одной зоне:
(001) + (111) = (112) или (101) + (011) = (112);
(100) + (111) = (211) или (101) + (110) = (211);
(110) + (011) = (121) или (111) + (010) = (121).
 66

110 110

010 001 001 010

112 121
101 111

010 211 110

100

Рис. 4.3. Построение гномостереографической проекции

Затем деление сферических треугольников продолжают, получив новые

зоны и точки их пересечения, которые являются вершинами новых
сферических треугольников и полюсами плоскостей.
Гномостереографическая проекция строится в пределах сферического
треугольника, ограниченного полюсами (100)-(010)-(001), а положения
полученных полюсов плоскостей внутри него симметрично переносятся в
соответственные положения других секторов проекции.
Достаточно осуществить построение одной стереографической проекции
кристаллической решётки сечением (001), получение других сечений решётки
данного типа осуществляется поворотом таким образом, чтобы интересующая
ось проекций вышла в центр проекции.
 67
При этом следует помнить, что на гномостереографических проекциях для
кристаллических решёток некубических сингонии ось проекций является
нормалью к соответствующей плоскости, а не направлением в кристалле.
Для того чтобы получить гномостереографические проекции направлений
кристаллов более низких сингоний, чем кубическая, нужно “перейти в обратное
пространство”, т.е. по формулам обратной решётки для кристаллов
анализируемой сингонии найти её периоды а*, в*, с*, симметрия же обратной
решётки сохраняется такой же, как у прямой кристаллической.
В обратной решётке, как было показано выше, нормали к плоскостям
обратной решётки являются направлениями прямой кристаллической решётки с
соответствующими индексами. Построение гномостереографических проекций
производится аналогичным образом. Как правило, ограничиваются
построением гномостереографической проекции [001], отображающей
направление в кристалле.
На построенных гномостереографических проекциях углы между
полюсами являются истинными углами между плоскостями на проекции
плоскостей и углами между направлениями на проекции направлений.
Построенные гномостереографические проекции для плоскостей и
направлений накладываются друг на друга таким образом, чтобы
осуществлялось точное совмещение полюсов одноименных плоскостей и
направлений и/или между ними выполнялся точный угол разориентировки.
Проще всего осуществить совмещение сечений (001) прямой и (001)*
обратной решёток, поскольку для решёток всех сингоний, кроме триклинной,
нормаль к плоскости (001) совпадает с направлением [001] в кристалле. Как
правило, вторым полюсом для проведения совмещения проекций выбирается
полюс (100) на проекциях плоскостей и направлений.
Полученная объединенная гномостереографическая поверхность
плоскостей и направлений, на которой обозначены положения полюсов как
плоскостей, так и направлений в кристалле, очень удобна для анализа структур
кристаллов, имеющих решётки не кубической сингонии, особенно для
кристаллов с тетрагональной и гексагональной решётками.
При определении взаимной ориентации кристаллов, когда на
микродифракционной картине наблюдается много рефлексов, полученных от
кристаллов разных ориентировок, правильность расшифровки
электронограммы можно проверить, построив теоретические дифракционные
картины, соответствующие рассчитанным.
Найдя на объединённой гномостереографической проекции плоскостей и
направлений кристалла анализируемой сингонии нужную ось зоны, т.е. полюс
направления, проекцию поворачивают таким образом, чтобы этот полюс
находился в центре проекции, а полюса плоскостей располагались на большом
круге проекций (рис. 4.4).
Соединив на рис. 4.4 прямыми линиями, проходящими через центр круга
проекции, положение полюса оси зоны, полюсы плоскостей с одноимёнными
индексами, получаем сечение электронограммы, на котором показаны углы
между плоскостями для данной зоны, так как полюсы плоскостей являются
 68
точками пересечения перпендикуляров к плоскостям со сферой проекций.
Принимая во внимание, что нормали к плоскостям являются векторами
обратной решётки и что абсолютная величина вектора обратной решётки
n 1
| в (qpr ) | = = ,
d ( HKL ) d ( hkl )
можно найти радиус − вектор на данном сечении обратной решётки – сечении
электронограммы, используя электронографическую постоянную электронного
С
микроскопа: С = d(HKL)⋅ r, отсюда r = .
d ( HKL )
Находим полюсы (hi ki li), откладывая от центра проекции соответствующие
радиусы-векторы r. Соединив полученные полюсы (рефлексы) и выполнив
построение в масштабе электронограммы, получаем теоретическую
электронограмму с данной осью зоны (рис.4.4).
Построение выполнено правильно, если для индексов интерференции
выполняется правило:
H3 = H1 + H2; H4 = H 1 + H2;
K3 = K1 + K2; K4 = K 1 + K2;
L3 = L1 + L2; L4 = L1 + L2.

Cравнение построенных теоретических электронограмм с эксперимен-

тальными помогает произвести правильно расшифровку полученных
дифракционных картин.
В качестве примера использования совмещённых гномостереографи-
ческих проекций в структурном анализе на рис. 4.5, 4.6, 4.7 приведены
совмещенные проекции плоскостей и направлений решётки, а также
совмещённые проекции решёток матрицы и двойника систем {111}<112> и
{101}<101> для тетрагонального мартенсита с решёткой типа L1o, имеющей
степень тетрагональности с/а = 0,85.
На совмещённой гномостереографической проекции плоскостей и
направлений тетрагонального кристалла можно определить угол между любой
плоскостью и любым направлением в решётке.
 69

(11 1)

(00 1)
(110)
(001) (11 1)
(H4K4L4) (222)
[111] (H2K2L2) (H3K3L3)

( H 1 K 1 L1 ) (H1K1L1)
(111) (111) (111) (111)

( 2 20) (002)
(H 3 K 3 L 3 ) (111) (H 4 K 4 L 4 )
(H 2 K 2 L 2 )
(110)
(001)

(111)

Рис. 4.4. Гномостереографическая проекция зоны (110) *

гранецентрированной тетрагональной решётки

На совмещённых гномостереографических проекциях матричной и

двойниковых решёток легко можно установить, какое сечение решётки
двойника будет выявляться при определённом сечении решётки матрицы, т.е.
будет ему параллельно, и как плоскости решётки двойника в этом сечении
будут ориентированы относительно плоскостей решётки матрицы при
 70
определённой ориентации матричного кристалла для двойников той или другой
системы.
 73

Рис. 4.5. Гномостереографические проекции плоскостей ( )

и направлений ( ) в гранецентрированной тетрагональной
решетке с с/а = 0,85
 74

Рис. 4.6. Совмещённые гномостереографические проекции

ГЦТ – решеток с с/а = 0,85 матрицы ( ) и двойника ( ) системы {111} <112>
 75

Рис. 4.7. Совмещённые гномостереографические проекции ГЦТ− решёток

с с/a = 0,85 матрицы ( ) и двойника ( ) системы {101}<101>
 76

5. АНАЛИЗ ДЕФЕКТОВ УПАКОВКИИ И ЧАСТИЧНЫХ

ДИСЛОКАЦИЙ

5.1. Нахождение ориентации исследуемого участка объекта

На рис. 5.1 приведена микроструктура образца стали 40Х13Н8Г8Б,
закалённого от 1100оС и состаренного при 700оС в течение 32 часов. В
структуре присутствуют дефекты упаковки, залегающие видманштеттово.

Рис. 5.1. Система дефектов упаковки в аустенитной стали 40Х13Н8Г8Б

Х 17 000

Указанные на рис. 5.1 кристаллографические направления нанесены с

учётом угла поворота и инверсии изображения относительно дифракционной
картины (180о). Дифракционный вектор g = [ 111 ] найден по наиболее сильному
рефлексу на электронограмме. Поскольку ось зоны чётная [101], то
неопределенность, связанная с поворотом на 180о, не учитывалась.
1. На рис. 5.2 показана схема расчёта электронограммы, снятой с
данной области образца, по которой найдена его ориентировка.
 77
[121] [ 111 ] [101]

242 202 242

131 111 111 131

020 020

131 111 111 131

Рис. 5.2. Схема микроэлектронограммы, снятой с центральной области

на рис.5.1. Ось зоны [101]

Как видно на рис.5.3, изображение опрокинуто после первой инверсии на

180о, а картина дифракции не претерпела этого. Это учитывается при
отыскании точного направления g дифракционного действующего вектора.

Линза
А
Объект Рефлекс на
В дифракционной картине
О 2Θ О′
Изображение
Фокальная
плоскость А′

Рис. 5.3. Схема хода лучей в объективной линзе электронного

микроскопа при формировании дифракционной картины и изображения

5.2. Отыскание габитусной плоскости дефектов упаковки

 78
Дефекты упаковки в центре снимка выглядят в виде параллельных
полос (9 полос у двух верхних дефектов, 7 полос у нижнего). Количество
полос (ширина дефектов) определяются толщиной фольги: небольшая
клиновидность связана с тем, что справа и сверху толщина фольги
меньше, чем слева. С возрастанием толщины появляются добавочные
полосы в центральной области дефектов.

( 111 )

H H ( 111 )

B ∠ 35o16′ [121]

(111)

[101]

[121]

Рис. 5.4. Схема ориентации плоскостей совокупности {111} в исследуемой

области образца

По стандартной сетке [110] установили габитус плоских дефектов {111},

а именно:
1) вдоль снимка справа налево плоскость (111) наклонна к плоскости
поверхности фольги на ϕ = 35о16′;
2) плоскости ( 111 ) и ( 111 ) ориентированы перпендикулярно к плоскости
поверхности фольги и пересекаются с ней вдоль направлений [121] и
[121] соответственно (рис. 5.4).

Следовательно, наблюдаемые плоские дефекты являются дефектами

упаковки, внутри которых при определенном контрасте видны частичные
дислокации.
3. Определение типа дефектов упаковки. Дефекты упаковки бывают
двух типов: внедрения и вычитания. Для определения типа дефектов
упаковки необходимо отыскание следующих параметров:
 79
1. По сопоставлению светлопольного и темнопольного изображений
установлен низ (Н) и верх (В) фольги. Поскольку на позитиве светлопольного
изображения крайние полосы тёмные, следовательно, разность фаз
α = −2π ⁄ 3 < 0.
2. Определение cos β, где β = g ∧ R - угол между действующим вектором
g и вектором R - смещения столбика, выбранного вдоль направления
первичного пучка электронов в образце, на дефекте упаковки:
α = 2π⋅ | g |⋅| R |⋅ cos β < 0, поэтому cos β < 0, а β > 90о.
Следовательно, g и R на изображении дефекта направлены в различные
стороны.
3. Согласно (рис. 5.5) определяем, что наблюдаемые в структуре стали
плоские дефекты являются дефектами упаковки типа внедрения.

g =[ 111 ]
Образец
β R

Проекция g Изображение
дифракционного вектора
на нижнюю поверхность
фольги Низ Верх

Рис. 5.5. Схема ориентации дефектов упаковки внедрения по отношению к

направлению вектора g

5.3. Анализ частичных дислокаций

 80
Ранее установили, что дефект упаковки, наблюдаемый в центре снимка
расположен в плоскости (111). Он сформировался при зарождении частиц NbC
в результате скопления вакансий, образующих призматическую
дислокационную петлю типа 1/3 <111>.
Хирш постулировал следующую реакцию:
1 1 1 a
[110] = [111] + [112] , когда дислокация с b = [110] является сидячей в
2 3 6 2
плоскости (111). Следовательно, в данном случае дефект упаковки в плоскости
1
(111) ограничен двумя частичными дислокациями [111] - Франка, имеющими
3
1
краевую компоненту b , и винтовой дислокацией [112] - Шокли.
6
Применим условия видимости частичных дислокацией: если фазовый
1
множитель (разность фаз) α=2π g R =0; 2πm (m-любое целое число или ± ),
3
то частичная дислокация не видна, когда S ≅0. Условие видимости
2
дислокации α = g b = ± .
3
Дифракционный вектор g = [111] . Для дислокации Франка
1 1
g ⋅b = [1 ⋅1 + 1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1] = − - не видна, так как краевая компонента мала и нет
3 3
1
достаточного контраста. Дислокация Шокли [112] видна, поскольку
6
1 4 2
g b = [1 ⋅1 + 1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 2] = − = − - видна.
6 6 3
В верхней части снимка, где контраст в виде параллельных полос на
дефекте упаковки не проявляется, наблюдаются только частичные дислокации:
верхний ряд }}}} – дислокации Шокли, ниже и правее {{{{ – дислокации
Франка, поскольку S ≠ 0 и несколько сменилась ориентировка фольги.

Вывод: видимые на изображении дефектов упаковки частичные

1
дислокации являются – дислокациями Шокли [112] , причём в подавляющем
6
большинстве одного знака, так как дефекты упаковки всегда наблюдаются по
одну сторону (слева) от неё.
 81
5.4. Определение плотности дислокаций
По электронномикроскопическому изображению дислокации ρд в
локальном участке фольги оцениваются по уравнению
l l 4
ρд = = = l= ⋅lp ,
V St Stπ
где l – общая длина линии дислокации; V – объём кристалла; l p - измеренная

длина проекции линии дислокации на нижнюю поверхность фольги;

S – площадь; t – толщина фольги.
Для отыскания l p используется метод секущих, т.е. подсчитывается число

пересечений (N) дислокаций с линиями случайной длины L на площади S

(можно проводить не случайные линии, а сетку с определенным размером ячеек
или серию окружностей).
π ⋅N ⋅S 4 ⋅π ⋅ S ⋅ N 2N ⋅ S 2N ⋅ S 2N
Поскольку l p = , l= = , то ρд = = .
2L π ⋅ 2L L S ⋅t ⋅ L t ⋅ L
11 12 -2
Этот метод используется, когда ρ д < 10 ……10 см и изображение
отдельных линий дислокаций не накладывается друг на друга.
Толщину фольги t определяем двумя способами:
1. По инстинкционной толщине ξ. Значение ξ при дифракционном векторе
g = [111] для аустенитной стали (никеля) равняется 236 Å. Поскольку на
изображении дефекта упаковки в центре снимка наблюдается
8 интерференционных полос, то ξ⋅n = t, ξNi = 236 х 8 =
1 888 Å = 0,19⋅10-4см.
2. По углу наклона ϕ плоского дефекта к поверхности фольги. Как видно
из рис. 5.6, толщина фольги t = m⋅ tgϕ , где m – ширина изображения плоского
дефекта, пересекающего под углом ϕ всю толщину образца.

t Образец
ϕ
m
 82

Изображение

Рис. 5.6. Схема определения толщины фольги t по углу наклона плоского

дефекта к её поверхности

Значение ϕ находится из уравнения

h1 h2 + к1 к 2 + l1l 2
cos ϕ =
2 2 2 2 2 2
, (5.1)
h +к +l ⋅ h +к +l
1 1 1 2 2 2

где (h1, к1, l1) – индексы плоскости поверхности фольги в рассматриваемом

примере (101); (h2, к2, l2) – плоскости залегания наклонного дефекта – (111) на
рис. 5.1.
Совместное использование этих двух методик расчёта t позволяет:
1) отыскать ξ; 2)оценить увеличение или 3) определить угол залегания
дефекта ϕ.
 83
6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТИПА КАРБИДА ЖЕЛЕЗА ПО ГАБИТУСНОЙ
ПЛОСКОСТИ ВЫДЕЛЕНИЙ

1. Для решения поставленной задачи необходимы навыки работы с

сетками стереографических проекций и стандартными проекциями
кристаллов. Используются их следующие свойства:
- на стереографической сетке плоскости отображаются проекциями
больших кругов (меридианами), направления – полюсами,
кристаллографическая зона – совокупностью проекций больших кругов,
пересекающихся в полюсе, который отображает ось зоны;
- на гномостереографической сетке плоскости отображаются
полюсами, направления – проекциями больших кругов (меридианами),
кристаллографическая зона – совокупностью полюсов, лежащих на одном
меридиане, отображающем ось зоны.
Сформулированное в данной работе исследование сводится к решению
кристаллографической задачи: найти совокупность плоскостей,
принадлежащих одной кристаллографической зоне, осью которой
является направление пересечения этих плоскостей с плоскостью
поверхности фольги.
2. Электронографический снимок фольги с видманштеттово
залегаемыми внутри кристаллов частицами карбидов железа представлен
на рис. 6.1.
При низкотемпературном отпуске мартенсита среднеуглеродистых сталей
возможно выделение двух типов карбидов Fe:
а) ε − карбида, частицы которого формируются на плоскостях {100}α-Fe,
вдоль направлений <110>α-Fe;
б) цементита Fe3C, частицы которого формируются на плоскостях {110}α-
Fe вдоль направлений <111>α-Fe.
Получить картины дифракции от дисперсных карбидов в тонкой
фольге не удается, на электронограмме присутствуют только рефлексы
матрицы, поэтому идентификация частиц возможна по габитусным
плоскостям – поверхностям раздела матрица-частица.
 84

Рис. 6.1. Структура мартенсита стали 40 после закалки

и отпуска при 300оС, х 17 000

На снимок перенесены кристаллографические данные об ориентации

исследованного участка образца (плоскость поверхности фольги,
кристаллографические направления), найденные из расчета микроэлектрон-
нограммы, и её наложение на снимок с учетом угла разворота изображения
относительно картины дифракции.
3. Порядок работы:
Перенести электронограмму на стандартную сетку (работа проводится
на кальке), в центре сетки – ось зоны электронограммы [112] (плоскость
поверхности фольги), рефлексы на электронограмме отображаются
полюсами на основном круге.
Отложить направления [110], [111], [131], вдоль которых располагаются
длинные оси частицы на снимке. Если используемую стандартную сетку
рассматривать как гномостереографическую проекцию, то
рассматриваемые направления отображаются меридианами и являются
направлениями, по которым плоскость поверхности фольги (112)
пересекается с габитусными плоскостями выделений {100}α-Fe или {110}α-Fe.
Восстанавить перпендикуляр для отыскания каждого меридиана к
соответствующему полюсу: кальку с отмеченным полюсом переносят на
сетку Вульфа так, чтобы он оказался на экваторе; по экватору
отсчитывается угол 90о и обводится найденный меридиан. Полюса
плоскостей, пересекающихся с плоскостью поверхности фольги (112) по
данному направлению, располагаются на этом меридиане.
На меридиане перпендикулярном к [111] - располагаются полюса
123,011, 121 ;
На меридиане перпендикулярном к [110] - располагаются полюса 111,110, 221 ;
На меридиане перпендикулярном к [131] - располагаются полюса 013, 101, 513 .
Видно, что на всех меридианах имеются полюса плоскостей типа {110}.
Это позволяет заключить, что габитусная плоскость выделений близка
к {110}α-Fe и, следовательно, они являются цементитом Fe3C.
 МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Северо-Квавказский федеральный
университет

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ ПО ПРАКТИЧЕСКИМ ЗАНЯТИЯМ

"КРИСТАЛЛОГРАФИЯ"

Ставрополь
2016
 СОДЕРЖАНИЕ

1. Геометрия кристаллической решетки. ................................................................................3

2. Кристаллографические индексы. .........................................................................................4
3. Кристаллографические проекции. .......................................................................................7
4. Преобразования симметрии................................................................................................10
5. Матричное описание операций симметрии. .....................................................................13
6. Предельные группы.............................................................................................................16
7. Пространственные группы симметрии..............................................................................17
8. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах. ...............................................................20
Ответы, указания, решения. .......................................................................................................21
Приложения .................................................................................................................................39
Приложение 1 Точечные группы и их подгруппы ............................................................39
Приложение 2 Обозначения точечных групп симметрии ................................................40
Приложение 3 Точечные группы симметрии. ...................................................................42
Приложение 4 Предельные группы. ...................................................................................44
Приложение 5 Пространственные группы симметрии. ....................................................47
Литература ...................................................................................................................................51
1. Геометрия кристаллической решетки.
Идеальный кристалл есть однородная симметричная конденсированная среда, обладаю-
щая трансляционно-упорядоченным атомным строением.
r
Элементарная ячейка – это параллелепипед, ребра которого образованы векторами a , b ,
r
c.

r r
Рисунок 1 Элементарная ячейка a , b , c - элементарные трансляции соответственно по осям x,
y , z ; α – угол лежащий против оси x , β - против оси y ; γ -против оси z .
Существует 14 элементарных ячеек Браве. Эти решетки подразделяются на 7 сингоний
Таблица 1 Решетки Браве
Сингония Число Символ Характеристика ячейки
ячеек ячейки
Триклинная 1 P a ≠ b ≠ c , α ≠ β ≠γ
Моноклинная 2 P, C a ≠ b ≠ c , α = γ = 90 o ≠ β
Ромбическая 4 P, C, I, F a ≠ b ≠ c , α = β = γ = 90 0
Тетрагональная 2 P, I a = b ≠ c , α = β = γ = 90 0
Кубическая 3 P, I, F a = b = c , α = β = γ = 90 0
Тригональная 1 P a = b = c , α = β = γ < 120 0 ≠ 90 o
Гексагональная 1 P a = b ≠ c , α = β = 90 0 , γ = 120 0
P – примитивная, C – базоцентрированная, I – объемноцентрированная, F – гранецен-
трированная
r r r r
Вектор трансляции T = ua + vb + wc , где u , v , w – любые целые числа, определяет поло-
жение узлов кристаллической решетки.
Базис кристаллической структуры – есть группа атомов, которые идентичны по составу
расположению и ориентации.
Кристаллическая структура = кристаллическая решетка + базис.
Примитивная ячейка – есть ячейка с минимальным объемом. На примитивную ячейку
приходится только один узел кристаллической решетки. Частным случаем примитивной
ячейки является примитивная ячейка Вигнера-Зейтца. Порядок построения ячейки Вигне-
ра-Зейтца:
1. Выбирается узел решетки
2. Проводятся линии, соединяющие этот узел с соседними узлами
3. Через середины построенных линий проводятся плоскости, перпендикулярные к
ним.
Фигура, ограниченная этими плоскостями и есть ячейка Вигнера-Зейтца.
Базисные векторы обратной решетки вводят соотношениями
r* bc [ ]
rr
r
r* [crar ]
r r
r* [arcr ]
(1.1)
c = r r r
( [ ])
a = r r
c a×b
, b = r
([
a b ×c
,
]) (
b [c × a ] )
Решетка, построенная на этом базисе, - есть обратная решетка.
Угловые параметры ячеек прямой и обратной решеток связаны уравнениями
cos βcos γ −cos α cosγcos α−cos β cos αcos β−cos γ
cos α * = cos β * = cos γ * = . (1.2)

sin β sin γ sin γ sinα sin α sin β

Скалярное произведение векторов прямой и обратной решетки

(ar ⋅ ar ) = 1 (ar ⋅ b ) = 0 (ar ⋅ cr ) = 0

* * *

r r r r

(b ⋅ ar ) = 0 (b ⋅ b ) = 1 (b ⋅ cr ) = 0
* * * (1.3)

(cr ⋅ ar ) = 0 (cr ⋅ r ) = 0 (cr ⋅ cr ) = 1

*
b *
*

Вектор трансляции обратной решетки

r r
r r
G = ha * + kb * + lc * , где h , k , l - целые числа.
Произведение вектора трансляции обратной решетки на вектор трансляции прямой ре-
шетки
rr
TG = 2π × целое число

Первая зона Бриллюэна есть ячейка Вигнера-Зейтца в обратном пространстве.

Задача 1.1. Определить базис ячеек следующих кристаллов: Ge , PbTe , V , W , Mg ,

GaAs . Указать тип ячеек Браве для решеток этих веществ, их базис и координаты нулевых
узлов.
Задача 1.2. Построить примитивную ячейку для объемноцентрированной кубической ре-
шетки.
Задача 1.3. Построить примитивную ячейку для гранецентрированной кубической решет-
ки.
Задача 1.4. Доказать, что обратная решетка обратной решетки есть прямая решетка.
Задача 1.5 Дана двумерная решетка элементарной ячейкой которой является ромб, острый
угол которого 60 o . Построить обратную решетку и первую зону Бриллюэна.
Задача 1.6. a = 10 Å , b = 17 Å, c = 20 Å,, α = β = 90°, . γ = 110°. Найти параметры и объём
ячейки обратной решётки, и объём ячейки кристалла.
Задача 1.7. a = 5 Å, b = 7 Å, c = 10 Å , α = 100°, β = 90°, . γ = 104°. Найти объём ячейки
кристалла и объём ячейки обратной решётки.
Задача 1.8. Определить элементарную ячейку обратной решётки для ромбоэдрического
кристалла (параметры прямой решётки: a = b = c, α = β = γ ≠ 90°) и для ромбического
кристалла (параметры прямой решётки: a ≠ b ≠ c , α = β = γ = 90°).
Задача 1.9. Элементарная ячейка триклинного кристалла имеет параметры: a = 6,64 Å, b
= 8,31 Å, c = 11,18 Å, α =64.0°, β = 46.3°, . γ =77.4°. Вычислить параметры обратной ре-
шётки.
Задача 1.10. Параметры ячейки равны a = 5,2Å, b = 8,3 Å, c = 12,1 Å, α =76˚50’.,
β .=88˚14’, γ . = 117˚26’. Определить параметры ячейки обратной решетки.

2. Кристаллографические индексы.

Символы узлов. Если один из узлов решетки выбрать на начало координат, то любой
r r r
другой узел решетка определяется радиусом вектора R = ma + nb + pc , где m , n , p -
три числа, которые называются индексом данного узла, Совокупности чисел m , n , p ,
записанная в двойных квадратных скобках [[m, n, p ]] называется символом узла.
Индексы Миллера – три целых числа, определяющие расположение в пространстве граней
и атомных плоскостей кристалла, а также направлений в кристалле относительно кри-
сталлографических осей. Пусть кристаллографическая плоскость r отсекает на осях коор-
r r r r
динат, построенных на векторах a , b , c , отрезки p'1 a , p'2 b , p'3 c ( p'1 , p'2 , p'3 - целые
числа); целочисленные обратные отношения
p' = h : k : l
1 : 1 : 1 (2.1)
p' 1 p' 2 3

определяют индексы Миллера (hkl ) данной плоскости. Если грань пересекает оси в отри-
цательном направлении, то над индексами ставятся черточки (h k l ) . Совокупность сим-
метричных граней одной простой формы кристалла обозначается {hkl} . Прямая и парал-
лельное ей ребро, проходящие из начала координат O в точку A (определяемую вектором
r r r
p a + p b + p c ) определяются индексами Вейса [ p p p ] . Совокупность параллельных
1 2 3 1 2 3

направлений обозначается < p1 , p2 , p3 > .

В кристаллах гексагональной сингонии используют четырехосную систему координат: в
r
r
базисной плоскости , в дополнении к осям X и Y , направленным по a и b соответствен-
r r
но, вводится еще ось U , направленная по вектору − a − b . По главной оси симметрии по
r
прежнему направлен вектор c и соответственно ось Z . Кристаллографические плоскости
и направления характеризуются ориентировкой относительно всех четырех осей и соот-
ветственно четырьмя индексами (индексы Браве). Сумма первых трех индексов Браве все-
гда равна нулю.
Произвольная точка кристаллического пространства с координатами x , y , z принадле-
жащая этой плоскости удовлетворяет уравнению:
hx + ky + lz = 0 . (2.2)

Уравнения других плоскостей, параллельных данной, и не проходящих через начало ко-

ординат, будут иметь вид
hx + ky + lz = p , (2.3)

где константа p определяет расстояние плоскости от начала координат.

Межплоскостное расстояние для решетки с произвольной сингонией
⎧ ⎫
1 1 ⎪ h2
k 2
l 2 ⎪
= + + ⎬ +
⎨
d2 ξ2 ⎪ a (
sin α
2
)
⎛⎪ b ⎞
⎪
2
⎛ ⎞
⎪ c sinγ ⎪ ⎪
2
, (2.4)
⎝ sin β ⎠ ⎝ ⎠

+ 2 (cosα cos β − cos γ ) + 2 (cos γ cosα − cos β ) + 2 (cos β cos γ − cosα )

hk kl kl
ab ca bc

где параметр ξ определяется формулой

ξ 2 = 1 − cos 2 α − cos 2 β − cos 2 γ + 2 cos 2 α cos 2 β cos 2 γ . (2.5)

В частном случае для кристаллов кубической сингонии

1 h2 + k 2 + l 2
= . (2.6)
d2 a2
Период идентичности узлового ряда – расстояние между двумя ближайшими узлами дан-
ного ряда
 6

Pld = (u 2 a 2 + v 2b 2 + ω 2 c 2 + 2uvab cos γ + 2uωac cos β + 2vωbc cosα ) 2 ,

1
(2.7)

где [uvω ] - индексы узлового ряда.

Для ортогональной решетки период идентичности узлового ряда
Pld = u 2 a 2 + v 2 b 2 + ω 2 c 2 . (2.8)

Угол между двумя узловыми рядами [u1v1ω1 ] и [u 2 v2ω 2 ]

(R R )
cos ϕ = 1 2 (2.9)
R1 R2

здесь
R1 = u1a + v1b + ω1c и R2 = u 2 a + v2 b + ω 2 c
Для кубической решетки
u1u 2 +v1v2 + ω1ω 2
cos ϕ = . (2.10)
u1 + v12 + ω12 u 22 + v22 + ω 22
2

Угол между двумя узловыми плоскостями (h1 k1l1 ) и (h2 k 2 l 2 )

cos ϕ =
(H 1 H 2 ) (2.11)
H1 H 2

где H 1 и H 2 - векторы обратной решетки, перпендикулярные данным узловым плоско-

стям
H 1 = h1a + k1b + l1c , H 2 = h2a + k 2 b + l 2 c
Условие перпендикулярности двух плоскостей
(H 1 H 2 ) = 0 (2.12)

Для кубической решетки

h1h2 +k1k 2 +l1l 2
cos ϕ = (2.13)
h12 + k12 + l12 h22 + k 22 + l 22

и условие перпендикулярности
h1h2 + k1k 2 + l1l 2 = 0 . (2.14)

Угол между узловой плоскостью и узловым рядом

cosψ =
(RH ) . (2.15)
RH

Если в плоскости (hkl ) лежат два направления [u1v1 w1 ] и [u 2 v 2 w2 ] то индексы этой плос-
кости равны
h = v1w2 − v 2 w1 , k = w1u 2 − w2u1 , l = u1v 2 − u 2 v1 (2.16)

Аналогично, индексы направления [uvw] вдоль которой пересекаются две плоскости

(h1k1l1 ) и (h2 k2l2 ) определяются системой уравнений
u = k1l 2 − k 2 l1 , v = l1h2 − l 2 h1 , w = h1 k2 − h2 k1 (2.17)
Множество
зоной плоскостей, узловых плоскостей, параллельных
а соответствующий некоторому
узловой ряд – осью зоны.узловому
Плоскость ряду,(hkl ) принад-
называется
лежит зоне с осью, которая имеет индексы [uvω ] .
Индексы оси зоны, которой принадлежат две плоскости (h1k1l1 ) и (h2 k 2l 2 ) определяются из
соотношений
u = (k1l 2 − k 2 l1 ) , v = (h2 l1 − h1l 21 ) , ω = (h1k 2 − h2 k1 ) (2.18)

Условие зональности определяющее связь между индексами оси зоны [uvw] и индексами
(hkl ) плоскостей, входящих в данную зону имеет вид
hu + kv + lw = 0 . (2.19)

Три узловые плоскости (h1k1l1 ) , (h2 k 2l 2 ) и (h3 k3l3 ) принадлежат одной зоне, если
⎛ h1 k1 l1 ⎞
⎪ ⎪
⎪ h2 k2 l2 ⎪ = 0 . (2.20)
⎪h
⎝ 3 k3 l 3 ⎪⎠

Задача 2.1. Принадлежат ли плоскости (111) , (171) , (2 1 2 ) к одной зоне?

Задача 2.2. Записать индексы направления в гексагональной плотноупакованной решетке,
вдоль которого расположены атомы с координатами [[ 2 3 1 3 0]] и [[ 1 3 2 3 1 2 ]] .
Задача 2.3. Вычислить углы между направлением [001] и < 111 > , < 110 > и < 112 > для
Mg.
Задача 2.4. Найти среди перечисленных пять плоскостей, принадлежащих одной зоне:
(111) , (1 71) , (312 ) , (021) , (3 1 1) , (515) , (133) , (113) , (1 1 0) , (0 1 1) .
Задача 2.5. Построить плоские сетки прямой и обратной решеток, перпендикулярные на-
правлениям [001] , [110] , [111] проходящие через начало координат для Ge.
Задача 2.6. Определить период идентичности вдоль направления (111) в решетках алмаза
и сфалерита.
Задача 2.7. Найти индексы плоскостей, отсекающих на координатных осях отрезки 2;3;4; -
3;3;2.
Задача 2.8. Для кубической сингонии найти индексы плоскости (hkl ) , в которой находят-
ся направления [011] и [102] .
Задача 2.9. Найти три плоскости, входящие в данную зону или ось зоны [111].
Задача 2.10. Найти расстояние между плоскостями (111) для триклинного кристалла
имеющего параметры: a = 6,64 Å, b = 8,31 Å, c = 11,18 Å, α =64.0°, β = 46.3°,
. γ =77.4°.

3. Кристаллографические проекции.
Для построения кристаллографической проекции кристаллического многогранника пере-
несем все грани и ребра параллельно самим себе так, чтобы они пересекались в одной
точке пространства O. К каждой грани из той же точки o восстановим нормали, которые
будут определять ориентацию соответствующих плоскостей. Построенная совокупность
прямых и плоскостей называется кристаллическим комплексом, а выбранная таким обра-
зом точка О – центром кристаллического комплекса.
Сферическая проекция.
 8
Из центра кристаллического комплекса O описывается сфера произвольного радиуса.
Точка пересечения линии комплекса с поверхностью сферы – есть сферическая проекция
направления.
Первая сферическая координата – долгота ϕ – отсчитывается по экватору от нулевого
индекса по часовой стрелке (на сетке каждое деление соответствует 2°, каждый десятый
градус выделен жирной линией).
Вторая сферическая координата – полярное расстояние ρ – отсчитывается по любому
направлению от нуля (северный полюс N ) до 180 o . (южный полюс S ).
Стереографическая проекция
Плоскостью проекции является экваториальная плоскость Q . Для построения стереогра-
фической проекции прямой, например OA , проводят линию AS на сфере от полюсной
точки A на сфере проекций до южного полюса S сферы. Точка a пересечения линии AS
с кругом проекции есть стереографическая проекция направления OA .

Рисунок 2 Построение стереографической проекции.

Гномостереографическая проекция.
Чтобы получить гномостереографическую проекцию кристаллографической плоскости,
проводят нормаль к этой плоскости до пересечения со сферой проекций , а затем линию,
соединяющую эту точку пересечения и южный полюс сферы. Гномостереографическая
проекция плоскости является точка. Гномостереографические проекции направлений изо-
бражаются дугами больших кругов.
Гномоническая проекция.
Плоскость гномонической проекции - касательная к северному полюсу сферы проекций.
Проекция направления OA дает на сферической проекции точку a , определенную коор-
динатами ϕ , ρ , на гномонической проекции – точку a2 , на стереографической проекции
– точку a1 .
Рисунок 3 Связь между стереографической и гномостереографической проекциями.
Таблица 2 Соотношения между различными типами проекций.
Изображение
Тип проекции
плоскости прямой
Стереографическая Дуга большого круга Точка
Гномоническая Точка Дуга большого круга
Гномоническая Точка Прямая

Для удобства построения проекций используются специальные стереографические сетки

(например, «сетка Болдырева», рис. 4a), наибольшее распространение из которых получи-
ла в кристаллографии сетка Вульфа (рис. 4b), предложенная русским ученым
Г.В.Вульфом в 1897 году. Она представляет собой стереографическую проекцию градус-
ной сети сферы на меридиональную плоскость. Стандартный радиус сетки – 100 мм, цена
деления – 2°.

a. b.
Рисунок 4 Сетка Болдырева (a) b и сетка Вульфа (b).
Задача 3.1. Построить стереографическую проекцию направления, заданного сфери-
ческими координатами ϕ и ρ.
Задача 3.2 (обратная). Определить сферические координаты направления, заданного
стереографической проекцией
Задача 3.3. Провести дугу большого круга через заданные стереографические проек-
ции двух направлений.
 10
Задача 3.4. Измерить угол между двумя направлениями, заданными их стереографи-
ческими проекциями (например, угол между направлениями А и В).
Задача 3.5. Найти полюс дуги большого круга, заданной на стереографической проек-
ции (под полюсом дуги разумеют точку, равноотстоящую от всех точек дуги на 90°).
Задача 3.6 (обратная). По заданному полюсу найти дугу большого круга, отвечающую
его экватору.
Задача 3.7. Измерить угол между двумя дугами больших кругов. Например, требуется
измерить угол между дугами ab и ad (см. рис. 4).
Задача 3.8. Построить геометрическое место точек, образующих с заданной на проек-
ции точкой одно и то же угловое расстояние α (задача на построение малого круга).
Задача 3.9. Даны измеренные на гониометре сферические координаты следующих
граней кристалла:
Грани 1 2 3 4 5 6 7 8 9
ϕ, ˚ - 11 101 191 281 56 146 236 326
ρ, ˚ 0 42 42 42 42 90 90 90 90
Требуется: 1) изобразить гномостереографические и стереографические проекции
всех граней (задачи 1 и 6); 2) измерить углы между гранями (задачи 4 и 7); 3) изобразить
гномостереографические и стереографические проекции ребер (задачи 3 и 5); 4) найти
сферические координаты ребер и измерить углы между ребрами (задачи 2, 4 и 7).
Задача 3.10. Построить гномостереографическую проекцию кристалла по углам меж-
ду нормалями к граням (именно такие углы, как известно, измеряются на однокружном
отражательном гониометре. Они же легко находятся и посредством прикладного гонио-
метра).

4. Преобразования симметрии.
Преобразования симметрии представляют собой совокупность перемещений, при которых
тело совмещается с самим собой.
Множество G называется группой, если для его элементов и заданной операции «умноже-
ния» выполняются следующие условия (групповые постулаты):
1. Умножение ассоциативно, т.е.
( g i ∗ g k ) ∗ g m = gi ∗ ( g k ∗ g m ) (4.1)

2. Среди элементов g i множества G есть элемент e ⊂ G такой, что

g i ∗ e = e ∗ g i = gi (4.2)
элемент e называется единичным (тождественным) элементом группы G .
3. Для каждого элемента g i можно найти элемент, обозначаемый обычно через g i−1 ,
принадлежащий тому же множеству G , такой что
g i ∗ g i = g i ∗ g −1
−1
i = e (4.3)
−1
Элемент g i называется элементом, обратным элементом g i .
Если все элементы группы коммутируют друг с другом , то группа называется абелевой.
Группа называется конечной, если количество элементов группового множества равно не-
которому числу. Количество элементов конечной группы называется ее порядком. При
бесконечном числе элементов группового множества группа называется бесконечной.
Подгруппа представляет подмножество группы, которая является группой относительно
операции умножения. Любая группа имеет две тривиальные подгруппы – подгруппу,
множество которой состоит лишь из единичного элемента e , и подгруппу, тождественную
самой группе. Порядок подгруппы R является целым делителем порядка n группы
G ⊃ R , т.е.
 n
=p (4.5)
r

r - порядок подгруппы R , p - индекс подгруппы. g i .

Левый смежный класс относительно подгруппы R получают умножением слева элемента
g k (g k ∈ G, g k ∉ R ) на все элементы подгруппы R - g k ∗ R . Правый смежный класс
группы G относительно подгруппы R получают перемножением всевозможных элемен-
тов g i ∈ R и g k таким образом, что g k является правым сомножителем, т.е. R ∗ g k .
Любую группу G можно разложить по подгруппе R , представляя ее групповое мно-
жество в виде объединения элементов правых или левых смежных классов:
G = e ∗ R ∪ g 1 ∗ R ∪ g 2 ∗ R ∪ K ∪ g p −1 ∗ R
G = R ∗ e ∪ R ∗ g1 ∪ R ∗ g 2 ∪ K ∪ R ∗ g p −1
Подгруппа называется инвариантной, если разложения на правые и левые смежные
классы совпадают.
Две группы G и H изоморфные, если между элементами групповых множеств имеет
место взаимно-однозначное соответствие, т.е. если элементам g i , g p ∈ G соответству-
ют элементы hk , hn ∈ H , то из g f = g p ∗ gi и h f = hn ∗ hk следует, что элементу g f
соответствует элемент h f .
Две группы G и H гомоморфные, если одному и тому же элементу hi ∈ H могут
быть сопоставлены сразу несколько элементов g i1 , g i 2 K группы G (порядок
группы G выше, чем порядок группы H ).
Циклические группы – это группы, обладающие одним генератором. Все элементы
циклической группы представляют степени одного генератора.
Точечные преобразования симметрии – такие преобразования, при которых есть хотя
бы одна неподвижная точка.

Таблица 3 Элементы симметрии клнечных фигур и их обозначения.

Название Обо- Изображение по отношению к плоскости чертежа
значе- перпендикулярное параллельное
ние
между-
народ-
ное
Плоскость симметрии m

Центр симметрии 1

двойная 2
Оси симметрии

поворотные

тройная 3
 12
Название Обо- Изображение по отношению к плоскости чертежа
значе- перпендикулярное параллельное
ние
между-
народ-
ное
четвертная 4

шестерная 6

тройная 3
иверсионные

четвертная 4

шестерная 6

2π
Ось симметрии n-ого порядка – это поворот вокруг оси на угол .
n
Плоскость симметрии – плоскость, которая делит фигуру на две зеркально равные час-
ти.
Центр симметрии (центр инверсии) – точка внутри кристалла, в которой пересекаются
и делятся пополам все прямые линии, соединяющие противоположные точки поверх-
ности.
2π
Инверсионная ось симметрии n-ого порядка - поворот вокруг оси на угол и после-
n
дующая инверсия.
Для обозначения кристаллографических классов (точечных групп) приняты: n - ось
симметрии n -го порядка, n - инверсионная ось симметрии n -го порядка, m - плоскость
симметрии, nm - ось симметрии n-ого порядка и n плоскостей симметрии, проходящих
n
вдоль нее, - ось симметрии порядка n и плоскость симметрии, к ней перпендикуляр-
m
ная, n2 - ось симметрии порядка n и n осей второго порядка, к ней перпендикулярных,
n
m или n / mmm - ось симметрии n-ого порядка и плоскости параллельные и перпенди-
m
кулярные к ней.
Задача 4.1. Показать, что в кристаллической решётке не может существовать ось симмет-
рии пятого порядка.
Задача 4.2. Найти порядок оси вдоль [111] в гранецентрированной кубической решётке.
Задача 4 3. Пренебрегая несущественными деталями, разбить буквы русского и латинско-
го алфавитов по группам симметрии.
Задача 4.4. Записать формулу симметрии следующих фигур: а) квадрата, б) параллело-
грамма, в) куба, г) тетраэдра, д) шеститигранной призмы, е) шестигранной пирамиды, ж)
додекаэдра, з) октаэдра, и) цилиндра, к) шара.
Задача 4.5. Записать международной символикой точечные группы:
а) D2 , б) C 2v , в) C 3v , г) S 4 , д) C 4 h , e) D4 h , ж) C 6 h , з) D6 h , и) Th , к) O , л) Td .
Задача 4.6. Записать подгруппы следующих точечных групп:
а) mmm , б) 6mm , в) 4 mmm , г) 3m .
Задача 4.7. Найти порядки следующих групп симметрии: mmm , 222 , 23 , m3m .
Задача 4.8. Дано множество, состоящее из четырех матриц:
⎛ 0 1 0⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ 0 −1 0⎞ ⎛1 0 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
a = ⎪ −1 0 0 ⎪ b = ⎪ 0 −1 0 ⎪ c = ⎪ 1 0 0 ⎪ e = ⎪ 0 1 0 ⎪
⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 0 0 1⎪ ⎪0 0 1⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
В качестве операции умножения используется умножение матриц. Показать, что данное
множество является группой. Найти его подгруппы.
Задача 4.9. Найти подгруппы группы 422.
Задача 4.10. Определить элементы симметрии модели объемноцентрированной кубиче-
ской решетки, записать формулу симметрии и ее международный символ.

5. Матричное описание операций симметрии.

Каждой операции соответствуют матрицы. В соответствии со значением детерминанта
матрицы преобразования все операции симметрии подразделяются на операции первого
рода ( det aij = +1 ) и второго рода ( det a ij = −1 ). Операции первого рода (повороты) не из-
меняют системы координат, операции второго рода (отражения, инверсия) преобразуют
правую систему координат в левую и наоборот. Матрица преобразования системы коор-
динат, эквивалентная двум последовательно выполненным преобразованиям, равна про-
изведению матриц этих преобразований.
Матрица тождественного преобразования
1 0 0
e= 0 1 0 (5.1)
0 0 1

Поворот на угол ϕ вокруг оси, задаваемой вектором (k1 k2 k3 )

cos ϕ + k12 (1 − cos ϕ ) k 3 sin ϕ +k 1k 2 (1 − cos ϕ ) − k 2 sin ϕ + k1k3 (1 − cos ϕ )
− k 3 sin ϕ +k 1k 2 (1 − cos ϕ ) cos ϕ + k 22 (1 − cos ϕ ) k1 sin ϕ +k 2 k 3 (1 − cos ϕ ) . (5.2)
k 2 sin ϕ + k1k 3 (1 − cos ϕ ) − k1 sin ϕ +k 2k 3 (1 − cos ϕ ) cos ϕ + k 32 (1 − cos ϕ )
2π
Поворот по часовой стрелке на угол ϕ = (ось поворота ось Z)
n
Матрица абсолютных величин углов
ϕ π π
−ϕ
2 2
π
ϕ ij = + ϕ π
ϕ (5.3)
2 2
π π
0
2 2

Матрица направляющих косинусов

 14
cos ϕ sin ϕ 0
aij = − sin ϕ cos ϕ 0 (5.4)
0 0 1

Отражение в плоскости симметрии, проходящей через ось Z и составляющей угол θ с

осью X.
Матрица абсолютных величин углов
π π
2θ − 2θ
2 2
π π
ϕ ij = − 2θ π − 2θ (5.5)
2 2
π π
0
2 2

Матрица направляющих косинусов

cos(2θ ) sin (2θ ) 0
aij = sin (2θ ) − cos(2θ ) 0 (5.6)
0 0 1

Зеркальный поворот на угол ϕ вокруг оси координат Z

cos ϕ sin ϕ 0
− sin cos ϕ 0 (5.7)
0 0 −1

Инверсия
−1 0 0
I = 0 −1 0 (5.8)
0 0 1

Инверсионный поворот на угол ϕ вокруг оси координат Z

− cos ϕ − sin ϕ 0
sin ϕ − cos ϕ 0 (5.9)
0 0 −1

r r r
При переходе от некоторой системы координат с базисными векторами
r r a , b , c к новой
системе с базисными векторами, точка, имевшая в базисе a , b , c координаты x , y , z , в
r r r r r r
базисе A , B , rC будет иметь координаты X , Y , Z . Разложение вектора базиса A , B , C
r r
по
r базису a , br : r
, c
r
A = α11 a + α 12 b + α 13 c
r r r r
B = α 21a + α 22 b + α 23 c , (5.10)
r r r r
C = α 31 a + α 32 b + α 33 c

r r r r r
Аналогично, каждый вектор базиса a , b , c можно разложить по базису A , B , C :
r r r r
a = β 11 A + β 12 B + β 13C
r r r r
b = β 21 A + β 22 B + β 23 C . (5.11)
r r r r
c = β 31 A + β 32 B + β 33C
Матрицы α ij и β ij являются взаимно обратными. Чтобы выразить новые координаты точ-
ки через старые нужно использовать матрицу β ij , подвергнутую транспонированию. Ана-
логичным образом для получения выражения старых координат через новые используется
матрица α ji получаемая транспонированием матрицы α ij .
Задача 5.1. Записать в матричной форме результаты последовательного действия опера-
ций: а) 2 x ⋅ 1 , б) 6 z ⋅ m x , в) 2 x ⋅ 3111 ⋅ m z , г) 2 x ⋅ m z ⋅ 3111 , д) 3 z ⋅ m x , е) m x ⋅ 3 z и определите
полученную операцию.
Задача 5.2. Привести матричное представление точечной группы m3m и указать, каким
преобразованиям соответствуют ее элементы.
Задача 5.3. Записать матрицы-генераторы групп: а) 222 , б) 4mm , в) 4 mmm , г) 23 , д)
432 .
Задача 5.4. Записать матрицы-генераторы (порождающие матрицы) привести матричное
представление точечной группы 4 mmm . Найти подгруппы этой группы.
Задача 5.5. В кристалле имеются повороты вокруг координатных осей x и y , как вокруг
осей 4 . Записать матричное представление точечной группы этого кристалла.
Задача 5.6. Каким операциям симметрии соответствуют следующие матрицы:
⎛ ⎞
⎛ −1 0 0 ⎞ ⎪1 0 0 ⎪ ⎛ 0 1 0⎞ ⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 1 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ 2 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
а) ⎪ 0 −1 0 ⎪ б) ⎪ 0 2 в) ⎪ − 1 0 0 ⎪ г) ⎪ 1 0 0 ⎪ д) ⎪ 1 0 0 ⎪ , е)
2⎪ , , ,
2
⎪ 0 0 −1⎪ ⎪ 2 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ ⎠ 2 ⎝ 0 0 1⎠ ⎝ 0 1 0⎠ ⎝ 0 0 1⎠
⎝0 2 2⎠
⎛ 0 0 1⎞
⎪ ⎪
⎪ 0 1 0⎪ .
⎪ 1 0 0⎪
⎝ ⎠
Задача 5.7. Изобразить графически взаиморасположение осей исходной координатной
системы и осей после преобразования точечными операциями, имеющие в матричной за-
писи вид:
⎛ 1 ⎞ ⎛− 1 − 3 ⎞ ⎛ ⎞
⎪ 2 − 32 0⎪ ⎪ 2 2 0⎪ ⎪ − 12 − 3 2 0 ⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
а) ⎪ 3 1 0 ⎪ , б) ⎪ 3 −1 0 ⎪ в) ⎪ − 3 1 0 ⎪ , г)
⎪ 02 0
2
1 ⎪ ⎪ 02 2
1 ⎪ ⎪ 0 2 0
2
− 1⎪⎪
⎪ ⎪ ⎪ 0 ⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛− 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞ ⎛ ⎞
⎪ 2 −
3
⎪ − 12
⎪ 3 3
2 2 0⎪ 2 0⎪ 2 0⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ 32 1
2
0 ⎪ , д) ⎪ 3 1 0 ⎪ , е) ⎪ 3 1 0⎪
⎪ 0 0 − 1⎪ ⎪ 02 0
2
− 1 ⎪ ⎪ 2 2 ⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ 0 0 1⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
.
Задача 5.8. Написать группы в матричном представлении для следующих операций:
а) 1 , б) 2 x , в) 2 y , г) 3 z , д) 3[111] , e) m z , ж) 4 z .
Задача 5.9. Записать матрицу преобразования осей координат при переходе от гексаго-
нальной к ромбоэдрической системе осей.
 16
Задача 5.10. Пусть в кристалле возможны следующие операции:
1) поворот вокруг оси 6 , совпадающий с осью z (6 z ) ;
2) поворот вокруг оси 2 , совпадающий с осью x (2 x ) ;
3) отражение в начале координат, как в центре симметрии (1 ) .
Определить результирующую операцию при последовательном выполнении:
а) 1, затем 2, затем 3; б) 1, затем 3, затем 2; в) 2, затем 1, затем 3;
г) 2, затем 3, затем 1; д) 3, затем 1, затем 2; е) 3, затем 2, затем 1.

6. Предельные группы.
Точечные группы, содержащие оси симметрии бесконечного порядка, называются пре-
дельными группами симметрии или группами Кюри. Таких групп 7 и каждая из 32 точеч-
ных групп симметрии кристаллов является подгруппой по меньшей мере одной из них.
Конечные геометрические фигуры, которые характеризуют группы Кюри представлены
на рисунке . Условные обозначения элементов симметрии предельных групп на стерео-
графических проекциях показаны на рисунке .
Принцип Неймана. Группа симметрии любого физического свойства кристалла должна
включать в себя точечную группу симметрии кристалла.
Принцип Кюри. Кристалл, находящийся под влиянием внешнего воздействия, будет обла-
дать теми элементами симметрии, которые являются общими для кристалла в отсутствие
воздействия и воздействия в отсутствии кристалла. Другими словами, точечная группа
симметрии кристалла G в результате наложения возмущения с группой симметрии G B
переходит в группу G Λ - общую подгруппу групп симметрии кристалла G и воздействия
GB :
GΛ = G I GB .

Задача 6.1. Определить группу симметрии однородного постоянного электрического по-

ля
Задача 6.2. Известно, что кристаллы кварца являются пьезоэлектрическими, т.е. поляри-
зуются под действием механических напряжений. Какие из ориентированных кварцевых
пластинах: пластинки, перпендикулярные оси 3 или оси 2, следует выбрать в качестве
чувствительных элементов пьезоэлектрических датчиков одноосного давления ?
Задача 6.3. К кубическому кристаллу с симметрией m3m приложили одноосное напря-
жение растяжения. Какой симметрией будет обладать кристалл, если напряжение прикла-
дывается вдоль направлений: а) [001] , б) [111] , в) [110] .
Задача 6.4. Кристалл с симметрией mm поместили в электрическое поле таким образом,
что направление поля совпадало с направлением [001] и затем [010] . Найти симметрию
кристалла в обоих случаях.
Задача 6.5. Найти величину и направление вектора плотности тока (в координатной сис-
теме X1, X2, X3), возникающего в кристаллической пластинке площадью S и толщиной
( )
d S >> d под действием внешнего поля E , равного 150 В/см и приложенного в направ-
лении
⎛ 2 2 ⎞
⎪ ⎪
⎪ 2 , 2 ,0 ⎪, если тензор удельной электропроводности кристалла в этой координатной
⎝ ⎠
системе имеет вид
9 −2 8
σ ij = − 2 16 0 ⋅10 −7 Ом −1см −1
8 0 25
Задача 6.6. Диэлектрическая проницаемость моноклинного кристалла в ортогональной
системе координат задается тензором вида
10 5 0
5 20 0 .
0 0 30
как следует вырезать кристаллическую пластинку фиксированных размеров, обладающую
наибольшей емкостью
Задача 6.7. Определить величину двойного лучепреломления кварцевой пластинки, ори-
ентированной своей нормалью произвольным образом относительно оси X3 кристаллофи-
зической системы координат (рис 5). Каким образом следует вырезать пластинку, чтобы
она а) обладала максимальным двойным лучепреломлением, б) не обладала двойным лу-
чепреломлением.

Рисунок 5 К задаче 6.7

Задача 6.8. Найти кристаллографические направления, по которым следует приложить
электрическое поле к кристаллу с симметрией 6m2 , чтобы его симметрия понизилась: а)
до тригональной 3m , б) до ромбической mm , в) до моноклинной m .
Задача 6.9. К кристаллу с симметрией 23 приложено электрическое поле вдоль направ-
лений: а) [100] , б) [110] , в) [111] , г) [hk 0] . Найти симметрию кристалла в поле для каждого
из указанных способов наложения поля.
Задача 6.10. Какую симметрию приобретает однородная непрерывная изотропная среда
в электрическом поле.

7. Пространственные группы симметрии.

Пространственной группой симметрии называется сочетание всех возможных преобразо-
ваний симметрии кристаллической структуры. Каждая пространственная группа G пред-
ставляет собой бесконечное множество элементов, которые описываются операторами
 18
{e | 0}, {ϕ1 | t(ϕ1 )} , {ϕ 2 | t (ϕ 2 )}, …, {ϕ k | t (ϕ k )} ,
Здесь оператор {ϕ | t(ϕ )} действует на множестве радиус-векторов точек кристалличе-
ского пространства по правилу
{ϕ | t (ϕ )}ri = ϕri + t (ϕ ) (7.1)
ϕ - оператор, который описывает изометрическую точечную операцию, совместимую с
кристаллической решеткой, t (ϕ ) - оператор параллельного переноса, который комбиниру-
ется с точечной операцией ϕ .
Закон умножения операторов
{ϕ t(ϕ )}{ψ t (ψ )} = {ϕ ∗ψ ϕt (ψ ) + t (ϕ )}. (7.2)

Основное бесконечное симметрическое преобразование – трансляция. Произведение

трансляции на операцию отражения в плоскости симметрии порождает плоскость сколь-
r r r
зящего отражения. Если скольжение направленоr вдоль осей a , b , c то плоскости сколь-
зящего отражения обозначают символами a , b , c . Величина переноса равна половине
периода трансляции вдоль плоскости. Скольжение может быть направлено вдоль диагона-
r r r
ли параллелограмма, построенного на элементарных трансляциях a , b , c , лежащих в
плоскости скольжения. Если при этом перенос производится на половину длины диагона-
ли параллелограмма, плоскость обозначают символом n , если на четверть длины – сим-
волом d .
Произведение трансляции на поворот вокруг оси симметрии порождает винтовую ось
симметрии. Винтовые оси могут быть порядков 2, 3, 4, 6. Обозначается винтовая ось циф-
рой с цифровым индексом: цифра указывает порядок оси, а частное от деления индекса на
порядок оси дает величину переноса вдоль оси в долях элементарной трансляции. Разли-
чают левые и правые винтовые оси.

Таблица 4 Элементы симметрии структур кристаллов.

Оси
Вертикальные Горизонтальные Наклонные
21 61 21

31 62 4 2

32 63 41 21

41 64 42 3

42 65 43 31

43 4 32
Таблица 5 Элементы симметрии структур кристаллов.
Плоскости
Вертикальные Горизонтальные Наклонные
m m
m
a, b a
⎫
⎪
⎬a, b
c b ⎪
⎭

n n n, d

d d

Каждой точечной группе соответствует несколько пространственных групп. Чтобы из

пространственной группы симметрии кристалла получить его точечную группу, следует
уничтожить все трансляции и свести оставшиеся элементы симметрии в одну точку, т.е.
получить операцию симметрии вида {ϕ | 0} .
Чтобы вывести из точечной группы пространственную группу необходимо перебрать все
возможные сочетания элементов симметрии и решеток Браве. Так получают 230 про-
странственных групп. Символ пространственной группы содержит символ решетки Браве
и международный символ точечной группы. При этом символы осей и плоскостей сим-
метрии в символе могут изменяться на символы винтовых осей о скользящих плоскостей
в соответствии с их наличием в данном конкретном кристаллическом пространстве.
Все множество пространственных разбивается на два подмножества – симморфные и не-
симморфные. Симморфные пространственные группы содержат в качестве подгрупп то-
чечные группы симметрии, отвечающие классу, к которому принадлежит данная про-
странственная группа.
Задача 7.1. Изобразить на чертеже винтовую ось симметрии 3 порядка.
Задача 7.2. Выписать подмножество пространственных групп отвечающей точеной груп-
пе m3m .
2
Задача 7.3. Изобразить график пространственной группы P 1 .
b
Задача 7.4. Вывести пространственные группы связанные с триклинной сингонией.
Задача 7.5. Определить точечную группу, соответствующую пространственной группе
2
P 1.
b
Задача 7.6. Записать координаты всех точек правильной системы в кристаллографическом
базисе через координаты одной произвольно заданной для пространственной группы
2
P 1.
b
Задача 7.7. Выписать симморфные пространственные группы для тетрагональной синго-
нии.
Задача 7.8. Какие элементы симметрии присутствуют в пространственной группе Ibam .
Задача 7.9. Найти результат произведения поворотов вокруг винтовой оси и отражений в
скользящей плоскости.
Задача 7.10. Найти результат операции {m z t x (m z )}.
 20

8. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах.

Формула Вульфа-Брэгга для дифракции
2d sin θ = nλ (8.1)

здесь d - расстояние между плоскостями, θ - угол дифракции, λ - длина волны, n - це-

лое число.
Условия Лауэ для интерференции
a (cos ϕ − cos ϕ 0 ) = hλ
b(cosψ − cosψ 0 ) = kλ (8.2)
c(cosη − cosη0 ) = lλ
связывают косинусы первичных углов и косинусы углов рассеяния.
Структурный фактор рассеяния
i 2π ( x j h+ y j k + z j l )
Jc = ∑ f je (8.3)
j

f j - атомный фактор рассеяния, x j , y j , z j - координаты атомов в базисе.

Задача 8.1. При заданном направлении и длине волны λ падающего пучка изобразить
возможные направления векторов рассеяния при условии, что их длина волны постоянна,
и соответствующие направления волновых векторов рассеянных волн
Задача 8.2. Точечная симметрия кристалла – 222. Какие типы симметрии могут иметь лау-
граммы этого кристалла.
Задача 8.3. Первичный пучок рентгеновских лучей параллелен плоскости (100) кристалла
с точечной группой 42m . Какие типы симметрии лауэграмм возможны.
Задача 8.4. Дифрактограмма поликристаллического образца имеет отражения при сле-
дующих углах θ , град: 12,79; 14,81; 21,10; 25,00; 26,28; 30,74. Проверить принадлежит ли
исследуемое вещество к кубической сингонии. Проиндицировать отражения дифракто-
граммы и определить параметр решетки.
Задача 8.5. Излучение с длиной волны λ = 4 ⋅10 −3 нм распространяется вдоль оси [010]
кристаллической пластинки вольфрама. Построить узлы обратной решетки плоскости
[010], сферу Эвальда и определить возможные направления дифрагированных пучков.
Задача 8.6. Определить направляющие косинусы дифрагированного пучка при отражении
от плоскости (hkl ) при заданных направляющих косинусах для кубической решетки.
Задача 8.7. Пучок рентгеновских лучей направлен вдоль оси [100] кристалла меди. Опре-
делить равны {111дифракционных
которойположение }. максимумов отраженных от плоскостей индексы зоны
Задача 8.8. Рассчитать структурный фактор для ОЦК.
Задача 8.9. При упругом рассеянии излучения с длиной волны λ = 0,07нм угол рассеяния
2θ = 60o . Какой импульс приобрела квазичастица от рассеивателя.
Задача 8.10. Рассчитать положение дифракционных максимумов при съемке образца Zn.
Длина волны излучения λ = 0,07 .
Ответы, указания, решения.
1.1 ГЦК-ячейку Браве имеют кристаллы: Ge, PbTe, CaF2, NaCl, Fe3O4, GaAs; ОЦК – αFe, V, W; кубическую
примитивную – CsCl, Cu3Au; гексагональную – Mg, ZnS; тетрагональную I-ячейку – ZnSiP2.
1.2 Примитивная ячейка ОЦК – ромбоэдр, угол между соседними ребрами 600. Вектора примитивных транс-
ляций:
(
r 1 r r r r 1
2 2
) (
r r r r 1 r r r
a = a i + j −k , b = a −i + j +k , c = a i − j +k
2
) ( )
1.3 Примитивная ячейка ГЦК – ромбоэдр, угол между соседними ребрами 109028’. Вектора примитивных
трансляций:

(
a = a (i + j ) , b = a j + k , c = a i + k
r 1 r r r 1 r r r 1 r r
2 2 2
) ( )
1.4 Для доказательства используются соотношения (1.1). По этим соотношениям находят вектора обратной
решетки.
1.5. Вектора прямой решетки записываются в виде:
r r 3r 1r
a = 1⋅ i , b = i + j.
2 2
Вектора обратной решетки ищут в виде:
r r r r r
a* = a x ⋅ i + a y ⋅ j , b* = bx ⋅ i + by ⋅ j .
Используя свойство (1.3) находят компоненты векторов обратной решетки. Затем строится двумерная сетка
обратной решетки и ячейка Вигнера-Зейтца.
bc sin α ca sin β ab sin γ r
1.6. a* = , b* = , c* = , α * = arcsin .
V V V sin β sin γ
r = (1 − cos 2 α − cos 2 β − cos 2 γ + 2 cos α cos β cos γ )
1
Здесь 2

r
γ * = arcsin , здесь r = sin γ .
sin α sin β
o 0 0
Отсюда a* = 0,106 A −1 , b* = 0,063 A −1 , c* = 0,05 A −1 , α * = β * = 90 o , γ * = 70 o .
0 o
V = 10 ×16 × 20 = 3200 A3 , V * = 0,1 × 0,06 × 0,05 = 3 ⋅10 −4 A −3
1.7 Объемы ячейки решетки (V ) и ячейки обратной решетки (V *) (см. задачу 1.9) равны V = abcr ,
V * = a * b * c * r * , причем VV* = 1.
r = (1 − cos 2 100 − cos 2 90 − cos 2 104 + cos100 cos 90 cos 90 )
1
2
= 0,95
V =332.5Å , V * = 3 ⋅10 −3 Å-3

1.8 Параметры обратной ячейки ромбоэдрического кристалла равны

α * = β * = γ * = arccos cos α−2 cosα = arcsin (1 −3 cos α+2 2 cos α)

1
2 2 3 2

sin α sin α
sinα
a* = b* = c* = .
a (1 − 3 cos 2 α + 2 cos 3 α ) 2
1

Для ромбического кристалла

a* = 1 , b* = 1 , c* = 1 . α * = β * = γ * = 90 0 .
a b c
1.9 Параметры обратной решетки равны:
a* = 0,154 Å-1, b* = 0,137 Å-1, c* = 0,100 Å-1,
α * = 64,2 0 , β * = 88,0 0 , γ * = 77,80
(r = 0,766 V = 540,77Å 3 ) .
1.10 Расчет параметров обратной решетки по известным параметрам прямой решетки производится по фор-
мулам (1.1) и (1.2). То есть a* = 0,33 Å-1, b* = 0,21 Å-1, c* = 0,13 Å-1
 22
α * = 102,4 0 , β * = 99,0 0 , γ * = 61,30 .
Объем ячейки прямой решетки равен
V = abc (1 − cos 2 α − cos 2 β − cos 2 γ + 2 cos α cos β cos γ ) ,
12

то есть V = 294,4 Å3
2.1 Векторы обратной решетки, нормальные к указанным плоскостям, должны удовлетворять условию
(2.21). В данном случае это условие не выполняется.
2.2 [223]
a3
2.3 cos ϕ =
[(v ]
,
+ v − v1v 2 )a12 + v32 a 32
1
2 2 2
1 2
где vi - индексы заданного направления, составляющего угол ϕ с направлением [001]. Для направления
[111]
a3
cos ϕ = ,
(a )
1
2
+a 2 2

[ ]
1 3

а для 1 1 1
a3
cos ϕ =
(3a + a 32 )
1
2 2
1

2.4 (111), (312), (021), 3 1 1 , 1 1 0 . ( ) ( )

2.5 В кубической решетке индексы плоскости, перпендикулярного ей направления и индексы направления
обратной решетки совпадают. Построить плоские сетки можно, найдя два узловых направления, принадле-
жащих им. Вычисляют соответствующие периоды идентичности, и сечение ячейки транслируется вдоль
этих двух направлений. Узловые направления в обратной решетке перпендикулярны плоскостям решетки
кристалла. При этом должно выполняться условие: hi u i = 0 . Период идентичности вдоль соответствующих
направлений 1 dh .

b
2.6 a 3
2.7 Для нахождения индексов используется соотношение (2.1).
2.8 С использованием отношений (2.17) находят искомые индексы.
2.9 Индексы плоскостей определяют из условия (2.20).
2.10 Межплоскостное расстояние определяется по формуле (2.4)
3.1 Например, пусть некоторое направление А задано сферическими координатами ϕ=165° и ρ=68°: А (165°,
68°). Требуется найти стереографическую проекцию этого направления.
1. Накладываем кальку на сетку и ставим на ней центральный крестик и черточку нулевого индекса для
ϕ (рис. 3);
2. От нулевого индекса для ϕ по кругу проекций (по часовой стрелке) отсчитываем первую сфериче-
скую координату – долготу ϕ (165°) и отмечаем результат на внешнем круге вспомогательной чертой;
3. Вращением кальки (центр кальки при этом всегда должен совпадать с центром сетки) совмещаем
найденную вспомогательную черту с концом ближайшего диаметра сетки;
4. По этому диаметру от центра сетки в сторону вспомогательной черты отсчитываем вторую сфериче-
скую координату – полярное расстояние ρ (68°) – и отмечаем найденную точку небольшим кружком;
5. Возвращаем кальку в исходное положение и надписываем точку а.
Точка а является искомой стереографической проекцией направления А
3.2
1. Вращением кальки приводим заданную точку (стереографическую проекцию направления) на ближайший
диаметр сетки. По этому диаметру от центра сетки до заданной точки отсчитываем сферическую координату
ρ и отмечаем вспомогательной чертой на круге проекций тот конец упомянутого диаметра, в направлении
которого лежит наша точка (рис. 6).
2. По кругу проекций отсчитываем сферическую координату ϕ: от нулевого индекса по часовой
стрелке до вспомогательной черточки.
3.3
Например, провести дугу большого круга через стереографические проекции а и b направлений А
(165°, 68°) и В (309°, 55°).
1. Вращением кальки добиваемся того, чтобы обе заданные точки a и b оказались на одной из вспомо-
гательных меридиональных дуг сетки Вульфа.
2. Найденную дугу тщательно обводим карандашом и возвращаем кальку в исходное положение (рис.
7).
3.4
1. Как и при решении предыдущей задачи, вращением кальки совмещаем данные точки а и b с одной из ме-
ридиональных дуг сетки Вульфа (задача 3).
2. Отсчитываем по этой меридиональной дуге количество градусов, заключенных между точками а и b
(рис. 4). В результате получаем ∠AB=113°.
3.5 Например, требуется найти полюс дуги аb (см. рис. 7).
1. Вращением кальки совмещаем заданную дугу аb с соответствующей меридиональной дугой сетки
Вульфа.
2. Отсчитываем по горизонтальному диаметру сетки от точки пересечения заданной дуги с этим диа-
метром по направлению к центру сетки 90° (перейдя за него) и отмечаем кружком найденную точку.
3. Возвращаем кальку в исходное положение и надписываем точку – Pab.
Найденная точка Pab, как легко проверить, действительно является полюсом дуги аb.
Ответ: Pаb (62°, 61°); Pbd (194°, 59°); Pad (269°, 60°).
3.6
1. Вращением кальки приводим заданный полюс на горизонтальный диаметр сетки.
2. Отсчитываем по горизонтальному диаметру в направлении центра сетки 90° (перейдя за него) и об-
водим проходящую здесь меридиональную дугу. Эта последняя будет искомой экваториальной дугой отно-
сительно заданного полюса.
Если заданный полюс выражает гномостереографическую проекцию грани, то найденная экваториаль-
ная дуга соответствует стереографической проекции той же грани.
Если заданный полюс представляет стереографическую проекцию ребра, то найденная дуга отвечает
его гномостереографической проекции.
3.7 Например, требуется измерить угол между дугами ab и ad (см. рис. 7).
1. Вращением кальки совмещаем точку пересечения дуг – а (вершину измеряемого угла) с горизон-
тальным диаметром сетки.
2. Приняв эту вершину за полюс, проводим отвечающую ему экваториальную дугу (задача 6).
3. Количество градусов, заключенное в этой дуге между точками пересечения с ней двух заданных дуг,
и является величиной искомого угла.
3.8. Пусть заданная точка лежит внутри круга проекций (например, точка b (309°, 55°)). Требуется по-
строить вокруг нее, как стереографического центра, малый круг заданного радиуса (α=30°).
 24

Рисунок 6. Рисунок 7.

Для этого совмещаем заданную точку с какой-либо параллелью, изображенной на сетке Вульфа, отсчи-
тываем по меридиональной дуге сетки, проходящей через исходную точку, вверх и вниз угловое расстояние
α и отмечаем полученные при этом две точки. Вращением кальки приводим заданную точку на какую-либо
другую параллель сетки и аналогичным путем получаем пару новых точек. Повторяем такой прием до тех
пор, пока полученные точки не начнут совершенно отчетливо обрисовывать окружность. Эта последняя мо-
жет быть вычерчена с помощью одной из параллелей сетки Вульфа, кривизна которой соответствует иско-
мому кругу. Для этого центр кальки сдвигается с центра сетки, и часть построенных точек совмещается пу-
тем наложения с упомянутой параллелью, по которой в несколько приемов вычерчивается, в конце концов,
требуемый малый круг.
3.10 Для проектирования данного кристалла придаем ему такую пространственную ориентировку, при
которой грани В, Р, Q и В' становятся вертикальными и изобразятся на внешнем круге проекций. Проекцию
одной из этих граней, например грани В, совместим с нулевым индексом для ϕ.
В соответствии с рисунком кристалла отсчитываем по часовой стрелке углы между нормалями к гра-
ням В : Р=42°, Р : Q=54° и В : В'=180°. Найденные на внешнем круге точки и будут проекциями этих верти-
кальных граней.
Далее по углам В : С=83° и Р : С=72° находим точку С. Для этого приводим сперва точку В в один из
полюсов сетки Вульфа, отсчитываем по кругу проекций в любую сторону 83° и прочерчиваем соответст-
вующую параллель сетки. Затем совмещаем с полюсом сетки точку Р, отсчитываем 72° и снова прочерчива-
ем параллель сетки. На пересечении двух полученных параллелей и находится проекция грани С (задача 8).
Для нахождения проекции грани О совмещаем точку В' с одним из изображенных полюсов сетки, от-
считываем 58° и рисуем параллель. Далее принимаем за стереографический центр точку С и строим малый
круг радиусом в 54° (задача 8). Этот круг пересекает параллель, вычерченную вокруг В', в двух точках. В
соответствии с рисунком, принимаем за проекцию грани О ту из них, которая отвечает расположению грани
на рисунке.
4.1 Простейшей геометрической фигурой, обладающей осью пятого порядка (осью 5), является правильный
пятиугольник (пентагон), изображенный на рис. 8. Пусть в кристалле есть ось 5. Но кристаллы тела реше-
точные, следовательно, характеризуются таким элементом симметрии, как трансляция. Это означает, что
любая плоскость в

Рисунок 8
кристалле должна быть заполнена без пропусков одинаковыми многоугольниками. Это условие можно вы-
полнить только для следующих многоугольников: гексагон (правильный шестиугольник), тетрагон (квад-
рат), тригон (правильный треугольник), параллелограмм и подогнанные друг к другу произвольные много-
угольники. Пентагонами плоскость не может быть заполнена без пропусков. Следовательно, в кристаллах
оси 5 встречаться не могут, а могут быть лишь оси 6, 4, 3, 2, 1.
4.2 Гранецентрированную кубическую ячейку (рис. 9а) ориентируем так, чтобы её телесная диагональ (на-
правление [111]) стала перпендикулярной плоскости чертежа (рис. 9б). Светлыми кружками показаны ви-
димые, черными – невидимые гомологичные точки. Из этого рисунка следует, что с направлением [111]
совпадает направление инверсионной оси шестого порядка ( 6 ).
Рисунок 9
4.3 Буквы русского и латинского алфавитов распадаются на следующие группы симметрии: mm2 (две вза-
имно пересекающиеся плоскости отражения и на линии их пересечения, как следствие, ось второго поряд-
ка); m (вертикальная - (mv) или горизонтальная - (mн) плоскости отражения) 2 (ось второго порядка); 1 -
отсутствие симметрии, кроме тривиальной, - поворота на 3600. Разбиение букв по группам приведено в таб-
лице.
Группа Алфавит
русский латинский
mm2 ЖНОХ HIOX
mн АДМПТФШ AMTUVWY
m mv ВЕЗКСЭЮ ВСDEK
2 И NSZ
1 БГЁЙЛРУЦЧЩЬЪЯ FGJLHQR

4.4 Формула симметрии - это перечень всех элементов симметрии объекта. У указанных в задаче
фигур они имеют вид: а) квадрат - L4, 4P, C; б) параллелограмм - L2,C; в) куб - 3L4, 4L36L2 9PC; г) тетра-
эдр - 3L4i, 4L3, 4L2, д) шестигранная призма - L6, 6L2 ,6P v, Pн, C; е) шестигранная пирамида - L6,6P; ж)
додекаэдр - 6L5, 10L3 ,15L2 (плоскости симметрии и центр симметрии найдите самостоятельно); з) октаэдр
- 3L4, 4L3, 6L2 9PC; и) цилиндр - оси вращения произвольного порядка Р, С; к) шар - все возможные эле-
менты точечной симметрии.
Обозначения: Ln- ось n-го порядка, Lni – инверсионная ось n-го порядка, P v, Pн - плотности отражения, С-
центр симметрии.
4.5 а) D2-222; б) С2v -mm2; в) C3v-3m; г) S4- 4 ; д) С4h-4/m; е) D4h-
4/mmm; ж) C6h-6/m; з) D6h-6/mmm; и) Тh-m3; к) 0-432; л) Тd-43m.
4.6 а). mmm- mm2x, mm2y, mm2z, 2x/m, 2у/m, 2z/m, 2x, 2y, 2z, mx, my, mz, 1.
б) 6mm-3m, mm2, 3, 2, m.
в) 4/mmm-4mm, 4/m, mmm, mm2, 2/m, 2, m, 1.
г) 3 m-3 , 3, m.
4.7 mmm-8; 222-4; 23-12; m3m-48
4.8 Для доказательства построим «таблицу умножения» (квадрат Кэли) этого множества
a b c e
a b c e a
b c e a b
c e a b c
e a b c e
Видно, что множество из перечисленных четырех матриц замкнуто относительно умножения матриц. Ум-
ножение матриц ассоциативно, в качестве единицы служит единичная матрица, для матрицы a обратным
элементом в данном множестве является матрица c, матрицы b и e совпадают с обратными. Таким образом,
множество образует группу четвертого порядка. Эта группа имеет нетривиальную подгруппу второго по-
рядка, состоящую из элементов b и e. Квадрат Кэли для этой подгруппы
b e
b e b
e b e

4.10 Формула симметрии куба 3α 4 4α 3 6α 2 9PC . Международный символ m3m.

5.1 Для определения результата (R) последовательного действия операций А, В (сначала - действует опера-
цией В, затем - А) надо найти их матричное произведение, то есть R = АВ:
 26
⎛ 1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
а) 2 x ⋅ 1 ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⋅ ⎪ 0 −1 0 ⎪ = ⎪ 0 1 0 ⎪ = m x ,
⎪ 0 0 1 ⎪ ⎪ 0 0 −1⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ 1 3 ⎞ ⎛ 1 3 ⎞
⎪ − 0⎪ ⎪ − − 0⎪
⎪ 2 2 ⎪ ⎛ −1 0 0 ⎞ ⎪ 2 2 ⎪
⎪ 3 1 ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ 3 1 ⎪
б) 6 z m x = ⎪ 0⎪ ⋅ ⎪ 0 1 0⎪ = ⎪ − − 0⎪ ,
⎪ 2 2 ⎪ ⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 2 2 ⎪
⎪ 0 0 1 ⎪ ⎝ ⎠ ⎪ 0 0 1⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
то есть R — отражение в плоскости, проходящей через ось z и имеющей с осью угол 600;
⎛1 0 0 ⎞ ⎛0 0 1⎞ ⎛ 1 0 0 ⎞ ⎛ 0 0 −1⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
в) ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⋅ ⎪ 1 0 0 ⎪ ⋅ ⎪ 0 1 0 ⎪ = ⎪ −1 0 0 ⎪.
⎪ 0 0 −1⎪ ⎪ 0
⎝ ⎠ ⎝ 1 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 0 −1⎪⎠ ⎪⎝ 0 −1 0 ⎪⎠
⎛1 0 0 ⎞ ⎛1 0 0 ⎞ ⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 0 1⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
г) ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⋅ ⎪ 0 1 0 ⎪ ⋅ ⎪ 1 0 0 ⎪ = ⎪ −1 0 0⎪ ,
⎪ 0 0 −1⎪ ⎪ 0 0 −1⎠⎪ ⎪⎝ 0 1 0 ⎠⎪ ⎪⎝ 0 1 0 ⎪⎠
⎝ ⎠ ⎝
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
⎪− 1 − 3 0⎪ ⎪− 1 − 3 0⎪
⎪ 2 2 ⎪⎛ 1 0 0 ⎞⎪ 2 2 ⎪
⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪
0 ⎪ = 6,
3 1 3 1
д) ⎪ − 0⎪⎪ 0 1 0 ⎪⎪ −
⎪ 2 2 ⎪⎪ ⎪⎪ 2 2 ⎪
⎪ 0 0 1 ⎪⎝ 0 0 −1⎠⎪ 0 0 − 1⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ ⎞⎛ ⎞
⎪ − 1 − 3 0 ⎪⎪ − 1 − 3 0⎪
⎛1 0 0 ⎞⎪ 2 2 ⎪⎪ 2 2 ⎪
⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪
е) ⎪ 0 1 0 ⎪ = 6.
3 1 3 1
0 ⎪⎪ − 0⎪⎪ −
⎪⎝ 0 0 −1⎪⎪ 02 2 ⎪⎪ 2 2 ⎪
⎠⎪ 0 1 ⎪⎪ 0 0 − 1⎪
⎪ ⎪⎪ ⎪
⎝ ⎠⎝ ⎠
Операции д) и е) являются инверсионными поворотами вокруг оси 6z, но направления поворотов противо-
положны.

5.2 В точечной группе m3m имеются различным образом ориентированные элементы симметрии. Матрицы
соответствующих операций имеют вид.
⎛ 1 0 0⎞
⎪ ⎪
ось 1 (Самосовпадение): ⎪ 0 1 0 ⎪ ,
⎪0 0 1⎪
⎝ ⎠
⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪
Центр симметрии: ⎪ 0 −1 0 ⎪ ,
⎪ 0 0 −1⎪
⎝ ⎠
 ⎛ 1 0 0 ⎞ ⎛ 1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ 0 −1 0 ⎞ ⎛ 0 1 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
Плоскости отражения: ⎪ 0 1 0 ⎪ , ⎪ 0 −1 0 ⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪ , ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪ ,
⎪ 0 0 −1⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪ ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 0 0 1 ⎞ ⎛ 0 0 1 ⎞ ⎛ 1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ 0 1 0 ⎪ , ⎪ 0 −1 0⎪ , ⎪ 0 1 0 ⎪ , ⎪ 0 0 1 ⎪ .
⎪ −1 0 0 ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ 0 1 0 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0⎞ ⎛ 0 1 0 ⎞ ⎛ 0 −1 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
оси 2: ⎪ 0 −1 0 ⎪ , ⎪ 0 1 0 ⎪,
⎪ 0 1 0 ⎪, ⎪ 0 0 1⎪ , ⎪1 0 0 ⎪ , ⎪ −1 0 0 ⎪ ,
⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 0 0 −1⎪⎪ ⎪ ⎪ 1 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 0 −1⎪⎠ ⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎝ 0 0 −1⎠ ⎝ 0
⎠ ⎝ 0 0 −1⎠
⎛ 0 0 1 ⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ 0 −1 0 ⎪ , ⎪ 0 −1 0 ⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪ .
⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ −1 0 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ 0 ⎠ ⎪⎝ 0 −1 0 ⎠⎪
⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 0 1 0⎞ ⎛ 0 1 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
оси 3*: ⎪ 1 0 0 ⎪ , ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪, ⎪ 0 0 1 ⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪ ,
⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ 0 −1 ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ −1 0 0 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ 0⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ 0 −1 0 ⎞ ⎛ 0 −1 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ 0 0 1 ⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪
⎪ −1 0 ⎪ ⎪ ⎪
⎝ 0⎠ ⎝ 1 0 0 ⎠
⎛ 0 1 0⎞ ⎛ 0 −1 0⎞ ⎛ 0 0 1⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 1 0 0 ⎞ ⎛1 0 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
оси 4: ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0⎪ , ⎪ 0 1 0⎪ , ⎪ 0 1 0 ⎪ , ⎪0 0 −1⎪ , ⎪ 0 0 1 ⎪
⎪ 0 0 1⎪ ⎪0 0 1 ⎪⎠ ⎪⎝ −1 0 0 ⎪⎠ ⎝⎪ 1 0 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 1 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 −1 0 ⎪⎠
⎝ ⎠ ⎝
⎛ 0 0 1⎞ ⎛0 −1 0 ⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
оси 4 : ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪ , ⎪0 −1 0 ⎪ , ⎪ 0 0 1⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪
⎪ 0 1 0⎪ ⎪ 0 0 −1⎠⎪ ⎪⎝ 1 0 0 ⎠⎪ ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪0 1 0⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 0 0 1 ⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 0 0 1 ⎞ ⎛ 0 0 −1⎞ ⎛ 0 −1 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
оси 6 : ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪ , ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 0 0 −1⎪ , ⎪ 0 0 1 ⎪ ,
⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ −1 0 0 ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ 0 1 0 ⎞ ⎛ 0 1 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎪ 0 0 −1⎪ , ⎪ 0 0 1 ⎪
⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ −1 0 ⎪
⎝ ⎠ ⎝ 0⎠
Порядок группы m3m равен 48.
5.3
⎛ ⎛ 1 0 0 ⎞⎛ −1 0 0 ⎞⎞
⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
а) 222 − ⎪ ⎪ 0 −1 0 ⎪⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ ,
⎪ ⎪ 0 0 −1⎪⎪ 0 0 −1⎪ ⎪
⎝⎝ ⎠⎝ ⎠⎠

⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
б) 4 / mmm − ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪⎪ 0 1 0 ⎪⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ ,
⎪⎪0 1 ⎪⎪ 0 1 ⎪⎪ ⎪⎪
⎝⎝ 0 ⎠⎝ 0 ⎠⎝ 0 0 1 ⎠ ⎠
 28
⎛ ⎛ 0 −1 0⎞⎛ 1 0 0 ⎞ ⎞
⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
в) 4mm − ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ ,
⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪⎪ 0 0 1 ⎪ ⎪
⎝⎝ ⎠⎝ ⎠⎠
⎛ ⎛ 0 0 1 ⎞⎛ 1 0 0 ⎞ ⎞
⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
г) 23 − ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪⎪ 0 −1 0 ⎪ ⎪ ,
⎪ ⎪ 0 1 0 ⎪⎪ 0 0 −1⎪ ⎪
⎝⎝ ⎠⎝ ⎠⎠
⎛ ⎛ 0 −1 0 ⎞⎛ 0 0 1 ⎞ ⎞
⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
д) 432 − ⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪⎪ 1 0 0 ⎪ ⎪ .
⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪
⎝⎝ ⎠⎝ ⎠⎠

5.4 Группа 4/mmm включает поворот вокруг оси 4z

⎛ 0 −1 0 ⎞
⎪ ⎪
4z = ⎪ 1 0 0⎪ ,
⎪ 0 0 1⎪
⎝ ⎠
отражение в плоскости, проходящей через оси z и х,
⎛1 0 0⎞
⎪ ⎪
m xy = ⎪ 0 −1 0⎪ ,
⎪0 0 1⎪
⎝ ⎠
отражение в плоскости ху
⎛ 1 0 0⎞
⎪ ⎪
m xy = ⎪ 0 1 0 ⎪ .
⎪0 0 1⎪
⎝ ⎠
Таким образом, матрица-генератор точечной группы 4/mmm имеет вид
⎛ ⎛ 0 −1 0⎞⎛ 1 0 0 ⎞⎛ 1 0 0 ⎞ ⎞
⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪
⎪ ⎪ 1 0 0 ⎪⎪ 0 −1 0⎪⎪ 0 1 0 ⎪ ⎪ .
⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪⎪ 0 0 1 ⎪⎪ ⎪⎪
⎝⎝ ⎠⎝ ⎠⎝ 0 0 1 ⎠ ⎠
Подгруппами группы 4/mmm являются группы: 1, 1 , 2 m, 4 причем их запись зависит от ориентации опре-
деляющих эти группы элементов

5.5 Группы поворотов вокруг 4х и 4у в матричном представлении

⎛1 0 0 ⎞ ⎛1 0 0⎞ ⎛ 1 0 0⎞ ⎛1 0 0⎞
⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪⎪ ⎪
(4 x ) = ⎪ 0 0 −1⎪, ⎪ 0 −1 0 ⎪, ⎪ 0 0 1 ⎪, ⎪ 0 1 0 ⎪ ;
⎪0 1 0 ⎪ ⎪0 0 1 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 −1 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 0 1 ⎠⎪
⎝ ⎠⎝
⎛ 0 0 1 ⎞⎪ ⎛⎪ −1 0 0 ⎞ ⎛0 0
⎪⎪
−1⎞ ⎛ 1 0 0 ⎞
⎪⎪
⎪ ⎪
(4 y ) = ⎪ 0 1 0 ⎪, ⎪ 0 1 0 ⎪, ⎪ 0 1 0 ⎪, ⎪ 0 1 0 ⎪ .
⎪ −1 0 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 0 −1⎪⎠ ⎪⎝ 1 0 0 ⎪⎠ ⎪⎝ 0 0 1 ⎪⎠
⎝
5.6 Исходные (сплошная линия) и конечные - после поворота - (пунктир) положения координатных осей
изображены на рис. 6.
а. Поворот на угол 1800 вокруг оси у ( ось 2).
б. Поворот на 450 (ось 8) вокруг оси z.
в. Поворот вокруг z на 900 (ось 4).
г. Поворот на 1200 вокруг оси, совпадающей с направлением [111] (ось 3[111]).
д. Отражение в плоскости, идущей через ось z и биссектрису угла между х, у.
е. Отражение в плоскости, идущей через ось у и биссектрису угла между х, z.

5 7. Положения координатных осей до (х у z) и после преобразования (x/ y/ z/ ) приведены на рис. 7. Ось z

направлена на нас. Если ось z/ направлена на нас, то она обозначается z/, если от нас, то z.
 30

5.8 Матрица - генератор (матрица элементарного преобразования), записанная в виде (q)

⎛ cos x' x cos y' x cos z' x ⎞
⎪ ⎪
(q ) = ⎪ cos x' y cos y' y cos z' y ⎪ ,
⎪ cos x' z cos y' z cos z' z ⎪
⎝ ⎠
где х у z - исходные положения координатных осей, xyz- положения координатных осей после выполнения
операции симметрии. Элементы группы рассчитываются следующим образом:
⎛ 1 0 0⎞
⎪ ⎪
(q ) , (q )
1 2
… (q ) , причем (q )
n n
= (E ) = ⎪ 0 1 0 ⎪ .
⎪ 0 0 1⎪
⎝ ⎠
То есть указанные в задаче группы записываются:
⎛ −1 0 0 ⎞ ⎛1 0 0 ⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
а) ⎪ 0 −1 0 ⎪(E ) , б) ⎪ 0 −1 0 ⎪(E ) в) ⎪ 0 1 0 ⎪(E ) ,
⎪ 0 0 −1⎪⎠ ⎪ ⎪ ⎪ 0 0 −1⎪
⎝ ⎝ 0 0 −1⎠ ⎝ ⎠
⎪ − 0⎪ ⎪ − − 0⎪
⎪ 2 2 ⎪ ⎪ 2 2 ⎪
⎪ ⎪ ⎪ 3 ⎪
0⎪ ( E )
3 1 1
г) ⎪ − − 0⎪ , ⎪ −
2 2 2 2
⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 0 0 1⎪
⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
 ⎛0 0 1⎞ ⎛0 1 0⎞ ⎛1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
д) ⎪ 1 0 0 ⎪ , ⎪ 0 0 1 ⎪(E ) , е) ⎪ 0 1 0 ⎪(E ) ,
⎪ 0 1 0⎪ ⎪1 0 0 ⎪⎠ ⎪ 0 0 −1⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎝ ⎠
⎛ 0 1 0 ⎞ ⎛ −1 0 0⎞ ⎛ 0 1 0⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
ж) ⎪ −1 0 0 ⎪ , ⎪ 0 −1 0⎪ , ⎪ 1 0 0 ⎪ , (E ) .
⎪ 0 0 1⎪ ⎪ 0 0 1 ⎪⎠ ⎝⎪ 0 0 1 ⎠⎪
⎝ ⎠ ⎝
5.9 Осевые векторы ромбоэдрической решетки выражаются через осевые векторы гексагональной решетки
следующим образом:
r 1 r
3
( r r r
)
1 r
3
r
( r r 1
3
)
r r
(
r
a R = a Γ − b Γ + c Γ , b R = a Γ + 2b Γ + c Γ , c R = − 2a Γ − b Γ + c Γ . )
Отсюда:
⎛ 1 1 1⎞
⎪ − ⎪
⎪ 3 3 3⎪
α ij = ⎪
1 2 1⎪
⎪ 3 3 3⎪
⎪ 2 1 1⎪
⎪− − ⎪
⎝ 3 3 3⎠
обратное преобразование
⎛ 1 −1 0 ⎞
⎪ ⎪
β ij = ⎪ 1 2 0 ⎪ .
⎪ 0 0 1⎪
⎝ ⎠
5.10 Указанные операции точечной симметрии описываются матрицами:
⎪ − 0⎪
⎪ 2 2 ⎪ ⎛1 0 0⎞ ⎛ −1 0 0 ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
1) (6 z ) = ⎪
3 1
0 ⎪ , 2) 2 x = ⎪ 0 −1 0 ⎪ , 3) 1 = ⎪ 0 −1 0 ⎪ .
⎪ 2 2 ⎪ ⎪⎝ 0 0 1 ⎪ ⎪⎝ 0 0 −1⎪
⎪ 0 0 1⎪ ⎠ ⎠
⎪ ⎪
⎝ ⎠
1) а), б), д) — отражения в плоскости, проходящей через ось z под углом 1200 к оси х.
⎛ 1 3 ⎞
⎪− 0⎪
⎪ 2 2 ⎪
⎪ 3 ⎪
(2x )(6 z ) = (2 x )(1 )(6 z ) = (2 x )(6 z )(1 ) = ⎪ 1
0⎪ .
⎪ 02 2
0 ⎪
⎪ 1⎪
⎪ ⎪
2) в), г), е) - отражение в плоскости, проходящей через ось z под углом
600 к оси х.
⎛ ⎞
⎪− 1 3
0⎪
⎪ 2 2 ⎪
⎪ 3 1 ⎪
(6z )(2x ) = (6 z )(1 )(2 x ) = (6 z )(2 x )(1 ) = ⎪ 0⎪ .
⎪ 20 2
0 ⎪
⎪ 1⎪
⎪ ⎪
6.1 Выберем декартову систему координат x, y, z таким образом, чтобы вектор напряженности элек-
трического поля E совпадал с осью z . Тогда группа симметрии поля будет изоморфна группе матриц,
удовлетворяющих уравнению
 32
⎡ a11 a12 a13 ⎤⎛ 0 ⎞ ⎛ 0 ⎞
⎪a ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
a 22 a23 ⎪⎪⎪ 0 ⎪ = ⎪ 0 ⎪ .
⎪ 21
⎪a
⎣ 31 a32 a33 ⎪⎦⎝⎪ E ⎪⎠ ⎪⎝ E ⎪⎠
Из решения системы уравнений следует a13 = a 23 = 0 и a33 = 1 . Сумма квадратов элементов одной строки
такой матрицы (квадрат модуля единичного вектора) равна единице, т.е.
2
a31 + a322 + a332 = 1 . Отсюда следу-
ет, что a31 = a32 = 0 . Это означает, что однородное электрическое поле инвариантно относительно всех
движений пространства, которые описываются матрицами вида
⎡ a11 a12 0⎤
g = ⎪a 21 a22 0⎪ ,
⎪ ⎪
⎪⎣ 0 0 1⎪⎦
где элементы матриц должны быть такими, чтобы det g = ±1 . Если det g = +1 , то полученные матрицы
описывают повороты вокруг оси z на всевозможные углы (ось симметрии бесконечного порядка). При
det g = −1 матрицы описывают отражения в бесконечном количестве плоскостей симметрии, проходящих
через ось z . Таким образом, группа симметрии однородного электрического поля может быть обозначена
как C∞v .
6.2 Кристаллы кварца принадлежат к классу 32. Поляризация кристаллов под действием одноосного сжатия
возникает в том случае, если при этом в кристалле появляется единичное направление, являющееся в то же
самое время и полярным. В классе 32 ось третьего порядка является единичным но не полярным направле-
нием из-за присутствия перпендикулярных к этой оси осей второго порядка.
∞
Действуя на кристалл кварца сжатием, обладающим группой симметрии
mmm вдоль оси третьего по-
рядка, получаем, что симметрия кристалла в этой случае не изменяется:
32 I ∞ = 32 .
mmm
||3
Следовательно, сжимая кварцевую пластинку, вырезанную так, что ее рабочие грани перпендикулярны оси
3 эффект поляризации не обнаружится.
При сжатии кристалла кварца вдоль одной из осей 2
32 I ∞ mmm = 2 ,
||2
из всех полярных направлений кристалла, расползающихся в плоскости, перпендикулярной оси 3 выделяет-
ся одно. Оно оказывается единичным и полярным. Следовательно, вдоль него и располагается вектор пьезо-
электрической поляризации. Таким образом, для получения пьезоэлектрического эффекта при действии од-
ноосного сжатия кварцевую пластинку следует вырезать так, чтобы ее рабочие грани были перпендикуляр-
ны одной из осей 2.
6.3 а) m3m I ∞
mmm = mmm
4
||4

б) m3m I ∞ = 3m
mmm
||3

в) m3m I ∞ mmm = mmm .

||2
6.4 mm , m .
6.5 Компоненты вектора E:
2 2
E1 = 150 ⋅ В / см , E2 = 150 ⋅ В / см , E3 = 0 ;
2 2
j1 = σ 11 E1 + σ 12 E2 + σ 13 E3 = 7,4 ⋅10 −5 А / см 2 ,
j 2 = σ 21 E1 + σ 22 E2 + σ 23 E3 = 14,7 ⋅10 −5 А / см 2 ,
j3 = σ 31 E1 + σ 32 E2 + σ 33 E3 = 8,46 ⋅10 −5 А / см 2
Направление вектора j определяются углами α, β , γ , которые он составляет с осями координат. Эти
углы определяются из соотношений:
 j1
cosα = = 0,398 , α = 66 o ,
j
j
cos β = 2 = 0,797 , α = 37 o ,
j
j
cos γ = 1 = 0,452 , α = 63o .
j
6.6 Перпендикулярно направлению 001 . [ ]
6.7 Симметрия кварца 32, следовательно он является одноосным кристаллом и имеет два главных показате-
ля преломления, n0 и ne . Показатель преломления обыкновенной волны n0 не зависит от направления.
Показатель преломления необыкновенной волны n'e зависит от направления, изменяясь от n0 до ne . Его
значение может быть найдено как радиус вектор оптической индикатрисы, лежащей в одной плоскости с
нормалью к пластинке и перпендикулярной ей. Поскольку оптическая индикатриса одноосных кристаллов
обладает осью симметрии бесконечного порядка, совпадающей с кристаллофизической осью X3, вектор r и
вектор нормали к пластинке n можно расположить в плоскости X2X3; вектор r будет иметь координаты
(0 r2 r3 ) . Уравнение эллипса, представляющего сечение оптической индикатрисы плоскостью X2X3
x 22 x 23
+ =1.
n02 ne2
Так как угол, составляемый вектором r с осью X3 - (90 o
− α ), то
x2 = r sin(90 − α ) = r cosα ,
o

x3 = r cos(90 o − α ) = r sin α .
Подставляя x2 и x3 в уравнение (), получим
r 2 cos 2 α r 2 sin 2 α
+ = 1.
n02 ne2
Откуда
1 n20 n2e
r2 = = .
cos 2 α sin 2 α ne2 cos 2 α + n02 sin 2 α
+
n02 ne2
Следовательно
1
n'e = n0ne .
n cos α + n02 sin 2 α
2
e
2

Величина двойного лучепреломления по этому направлению

⎛ 1 ⎞
Δn' = n' e −n0 = n0 ⎪⎪ ne 2 −1 ⎪
⎪.
⎝ n e cos 2
α + n 2
0 sin 2
α ⎠
Величина Δn' достигает максимального значения при α = 90 . Следовательно, максимальным двулуче-
o

преломлением будет обладать пластинка, нормаль к которой составляет угол 90 с осью X3. При α = 0
o

Δn' = 0 , т.е. пластинка с нормалью, параллельной оси X3 не обладает двойным лучепреломлением.

6.8 а) [001] , б) [110] , в) [h0l ] .
6.9 а) 2, б) 1, в) 3, г) 1.
6.10 C∞v .
7.1
 34

3 31 32

7.2 Pm3m , Pm3n , Fm3m , Fd 3m , Im 3m , Pn3n , Pn3m , Fm3c , Fd 3c , Ia3d .

21
7.3 Пусть трансляции a и b решетки располагаются в плоскости чертежа. Группа P принадлежит к
b
классу 2 моноклинной сингонии, поэтому трансляции имеют произвольные длины a и b и расположе-
m
ны под некоторым произвольным углом γ .
Трансляция c перпендикулярна трансляциям a и b и, следовательно, перпендикулярна плоскости черте-
жа. Буква P в символе пространственной группы указывает на моноклинную примитивную решетку Браве,
что означает отсутствие внутри элементарной трансляций более коротких чем a , b , c .

Изобразим элементы симметрии, указанные в символе пространственной группы: винтовую ось второго
порядка, параллельную оси Z , и перпендикулярную оси плоскость скользящего отражения b .
Винтовые оси будут размножаться трансляциями a , b , (a + b ) / 2 , (b + c ) / 2 . Умножая поворот вокруг
винтовых осей на перпендикулярные трансляции a , b , (a + b ) / 2 , получим новые винтовые оси на поло-
винках этих трансляций. Произведение поворотов вокруг винтовых осей и отражений в плоскости скольже-
ния дает инверсию в точке, смещенной на (b − c ) / 4 относительно точки пересечения оси и плоскости (см.
задачу 7.9).
Выберем начало координат в центре инверсии и обозначим границы основания элементарной ячейки.
7.4 Триклинной сингонии принадлежат две точечные группы 1 и 1 , и для нее характерна примитивная ре-
шетка Браве. Поэтому оба триклинных класса содержат лишь симморфные пространственные группы P1 и
P1 .
21
7.5 В пространственной группе P имеются винтовые оси второго порядка, скользящие плоскости. Пре-
b
образуя плоскости скольжения в зеркальные и винтовые оси в поворотные и сводя все элементы симметрии
в одну точку получим ось симметрии второго порядка и перпендикулярную ей плоскость отражения, что
соответствует точечной группе 2
m.
7.6 Зафиксируем произвольную точку 1 с координатами x , y , z внутри элементарной ячейки и будем
действовать на нее операторами пространственной группы. Точка 2 получается из точки 1 операцией сколь-
зящего отражения в плоскости b , параллельной плоскости чертежа и поднятой на высоту c / 4 . Точка 3
получена из точки 1 поворотом вокруг винтовой оси второго порядка. Точка 4 получается из точки 1 инвер-
сией в центре инверсии, расположенным на половине телесной диагонали элементарного параллелепипеда.
Запишем координаты полученных точек.
Точка 2
⎛ x⎞ ⎛ x ⎞ ⎛ 0 ⎞ ⎛ x ⎞
⎧ b c ⎫⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
m + y y 1/ 2 1/ 2 y .
⎨ z ⎬⎪ ⎪ = ⎪ ⎪+⎪ ⎪=⎪ + ⎪

⎩ 2 2 ⎭⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ z ⎠ ⎝ − z ⎠ ⎝1/ 2 ⎠ ⎝ 1/ 2 − z ⎠
Точка 3
⎛ x ⎞ ⎛ − x ⎞ ⎛ 1 ⎞ ⎛ 1− x ⎞
⎧ b c ⎫⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎨2 z a + + ⎬⎪ y⎪ = ⎪ − y ⎪ + ⎪1/ 2 ⎪ = ⎪1/ 2 − y ⎪ .
⎩ 2 2 ⎭⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
⎝ z ⎠ ⎝ z ⎠ ⎝1/ 2 ⎠ ⎝ 1/ 2 + z ⎠
Точка 4
⎛ x ⎞ ⎛ − x ⎞ ⎛1⎞ ⎛ 1 − x ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪ ⎪
{1 a + b + c}⎪ y ⎪ = ⎪ − y⎪ + ⎪1⎪ = ⎪1 − y⎪ .
⎪ z ⎪ ⎪ − z ⎪ ⎪1 ⎪ ⎪ 1 − z ⎪
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
4 4 4
7.7. P4 , I 4 , P 4 , I 4 P4mm , I 4mm , P , I , P422 , I 422 , P 42m , I 42m , P mm ,
m m m
4
I mm .
m
7.8 Плоскости скольжения типа a, b, зеркальная плоскость.
7.9 Запишем в операторном виде произведение поворотов вокруг винтовой оси и отражений в плоскости
отражения
⎧ b ⎫⎧ 1 c ⎫ ⎧ c b⎫ ⎧ b c ⎫
⎨m z ⎬⎨2 z ⎬ = ⎨m z ∗ 2 z m z + ⎬ = ⎨1 − ⎬
1

⎩ 2 ⎭⎩ 2 ⎭ ⎩ 2 2⎭ ⎩ 2 2⎭
1 0 0 −1 0 0 −1 0 0
Произведение m z 2 z = 0 1
1
0 0 −1 0 = 0 −1 0 =1
0 0 −1 0 0 1 0 0 −1
 36

Поскольку отражение происходит в плоскости скольжения, то результатом является инверсия в точке, сме-
щенной на вектор
(b − c ) .
4
7.10 Эта операция описывает параллельный перенос вдоль оси x и отражение в плоскости, перпендикуляр-
ной оси z . Умножим оператор на себя
{m t (m )}{m t (m )}= {m
z x z z x z z ∗ mz m z t x (m z ) + t x (m z )}.
Действие операции отражения m z на вектор переноса t x (m z ) преобразует вектор t x (m z ) в себя
⎛ 1 0 0 ⎞⎛ t (mz ) ⎞ ⎛ t (m z ) ⎞
⎪ ⎪⎪ ⎪ ⎪ ⎪
m z t x (m z ) = ⎪ 0 1 0 ⎪⎪ 0 ⎪ = ⎪ 0 ⎪ .
⎪ 0 0 −1⎪⎪ 0 ⎪ ⎪ 0 ⎪
⎝ ⎠⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Учитывая, что m z ∗ m z = e , получаем
{m z t x (mz )}∗ {m z t x (m z )} = {e 2 ⋅ t x (mz )}.
Полученный оператор описывает перенос на удвоенный вектор t x (m z ) , кратный вектору a . Таким образом

t x (m z ) = 0,
a 3a
, a, , K
2 2
Полученная операция представляет плоскость скольжения.
8.1 На рисунке показаны возможные направления волновых векторов рассеянных волн.

a b

8.2 Если направления[100] , [010] или [001] параллельны направлениям пучка, лауэграммы имеют сим-
метрию 2m . Если плоскости (001) , (010 ) или (100 ) параллельны первичному пучку (но оси 2 не парал-
лельны), то – симметрию m . Во всех остальных случаях симметрию 1.
8.3 m , 2m , 4m .
8.4 Для кубических кристаллов межплоскостное расстояние рассчитывается по (). Учитывая формулу Вуль-
фа-Брэгга, можно записать
sin 2 θ j h 2 j+ k 2 j+ l 2 j
= .
sin 2 θ 1 h12 + k12 + l12
Этот ряд по данным задачи: 1,000; 1,333; 2,668; 3,666; 4,000; 5,333. Так как индексы интерференции и сумма
их квадратов целые числа, то индексы первого отражения могут быть (111), тогда ряд индексов отражений:
111(3). 200(4). 220(8), 311(11), 222(12), 400(16) (в скобках записаны h j2 + k j2 + l j2 = 3sin 2 θ j / sin 2 θ 1 ). Кри-
сталл имеет кубическую решетку с параметром 0,6025 нм, ячейка Браве ГЦК.
8.5 Вольфрам имеет ОЦК решетку, обратной решеткой которой является ГЦК. Волновой вектор падающего
2π
луча, длина которого k = подводится к точке P. Начало вектора точка O является центром сферы
λ
Эвальда. Узлы обратной решетки, лежащие на поверхности сферы Эвальда, являются концами векторов рас-
сеянного излучения. Соединяя точку O с точкой G, получим вектор, указывающий направление дифрагиро-
ванного излучения.
8.6 Используя условия Лауэ для интерференции и что cos 2 ϕ + cos 2 ψ + cos 2 η = 1 для кубической решет-
ки, решим систему уравнений.
2kh cosψ 0 +( 2h − 2k −2l) cos ϕ 0 + 2lh cosη0
cos ϕ = −
h2 + k 2 + l 2
2kh cos ϕ 0 +( k2 − h2 −2l) cosψ 0 + 2lk cosη0
cosψ = −
h2 + k 2 + l 2
2lh cos ϕ 0 +(2l − k2 − h2 ) cosη0 + 2lk cosψ 0
cosη = −
h2 + k 2 + l 2
8.7 Индексы плоскостей зоны рассчитываются из условия зональности (). Направляющие косинусы, относи-
тельно кристаллографических осей – см. решение предыдущей задачи. Для расчета направляющих косину-
сов относительно пучка рентгеновских лучей необходимо перейти к новой системе координат посредством
преобразования
⎛ cos ϕ ' ⎞ ⎛ cos(ϕ ) − k 3 sin ϕ k 2 sin ϕ ⎞⎛ cos ϕ ⎞
⎪ ⎪ ⎪ ⎪⎪ ⎪
⎪ cosψ ' ⎪ = ⎪ k 3 sin ϕ cos ϕ + k 2 (1 − cos ϕ )
2
k 2 k 3 (1 − cos ϕ ) ⎪⎪ cosψ ⎪
⎪ cosη ' ⎪ ⎪ − k sin ϕ k 2 k 3 (1 − cos ϕ ) cos ϕ + k 32 (1 − cos ϕ )⎪⎪ ⎪
⎝ ⎠ ⎝ 2 ⎠⎝ cosη ⎠
r ⎛ cosψ0 cosη 0 ⎞
Здесь k = ⎪0 ⎪ - вектор, определяющий ось вращения.
⎪ cos ψ 0 + cos 2 η0
2
cos ψ 0 + cos 2 η0
2 ⎪
⎝ ⎠
Координаты рефлекса по формулам:
ρ = tgϕ '
⎛ cosη ' ⎞
χ = arctg ⎪ ⎪.
cosψ '
⎝ ⎠
 38

8.8
Индексы 100 110 111 200 210 220 221 310 311
плоско-
сти
J (hkl ) 0 2f 0 2f 0 2f 0 0 2f
sin θ
8.9 Δp = 2h ; Δp max = 2h / λ , Δp = 9,466 ⋅10 −24
кг ⋅ м / с ; Δp max = 18,931⋅10 −24 кг ⋅ м / с .
λ
8.10 Исходя из значений структурного фактора, определяются плоскости, от которых имеет место отраже-
ние лучей. Рассчитываются значения межплоскостных расстояний по формуле (). По формуле Вульфа-
Брэгга рассчитываются углы дифракции.
 39

Приложения
Приложение 1 Точечные группы и их подгруппы

m3m

4/mmm m3 432 43m 6 / mmm

4/m 422 42m 4mm mmm 23 622 6/m 6mm 3m 62m

4 4 222 2/m mm2 6 3 32 3m 6

1 2 m 3

1
Точечные группы m3m , 6 / mmm и их подгруппы. Сплошная линия обозначает, что соот-
ветствующая подгруппа является нормальным делителем.
 40

Приложение 2 Обозначения точечных групп симметрии

№ Международный Формула сим- Символ Порядок Изоморфные
п/п Символ метрии Шенфлиса группы
сокращенный полный
1 1 L1 C1 1 Нет
2 1 C Ci = S 2 2 2, m
3 2 L2 C2 2 1, m
4 m P C s = C1h 2 2, 1
5 2 2 L2 PC C2h 4 222 , mm
m
m
6 222 3L2 D2 = V 4 mm , 2 m
7 mm 2mm , L2 2P C 2v 4 222 , 2 m
mm2
8 mmm 2 2 2 3L2 3PC D 2 h = Vh 8 Нет
mmm
9 3 L C 3 Нет
L3C = L3i C3i = S 6
3 3
10 3 6 6, 6
11 32 L 3L D 6 3m
3 2 3
12 3m L3 3P C3v 6 32
13 3m 2 L3 3L2 3PC D3d 12 622 , 6mm ,
3
m 6m2
14 6 L C 6 3, 6
6 6
15 6 L3 P C3h 6 3, 6
16 6 6 L6 PC C6h 12 Нет
m
m
17 622 L 6L D 12 3m , 6mm ,
6 2 6
6m2
18 6mm L6 6P C 6v 6 3m , 622 ,
6m2
19 6m2 L3 3L2 4P D3h 12 3m , 622 ,
6mm
20 6 6 2 2 L6 6L2 7 PC D6 h 24 Нет
mmm
mmm
21 4 L4 C4 4 4
22 4 L4 , L4i S4 4 4
23 4 4 L4 PC C4h 8 Нет
m
m
24 422 L4 4L2 D4 8 4mm , 42m
25 4mm L4 4P C 4v 8 422 , 42m
26 42m L4 2L2 2P D2 d 8 422 , 4mm
27 4 4 2 2 L4 4L2 5PC D4h 16 Нет
mmm
mmm
28 23 3L2 4L3 T 12 Нет
 41

№ Международный Формула сим- Символ Порядок Изоморфные

п/п Символ метрии Шенфлиса группы
сокращенный полный
29 m3 2 3L2 4L3 3PC Th 24 Нет
3
m
30 432 3L4 4L3 6L2 O 24 43m
31 43m 3L4 4L3 6P Td 24 432
32 m3m 4 2 3L4 4L3 6L2 9PC Oh 48 Нет
3
m m
 42

Приложение 3 Точечные группы симметрии.

Классы
Системы Примитивные Инверсионно- Центральные Аксиальные Планальные Инверсионно- Планаксиальные
примитивные планальные
Триклинная

1 1
Моноклинная

2 m 2
Средняя кате- Низшая категория

m
Ромбическая

222 mm mmm
Тригональная
гория

3 3 32 3m 3m
 43

Классы
Системы Примитивные Инверсионно- Центральные Аксиальные Планальные Инверсионно- Планаксиальные
примитивные планальные
Гексагональная

6 6 6 622 6mm 6m2 6

m mmm
Тетрагональная

4 4 4 422 4mm 42m 4

m mmm
Кубическая
Высшая катае-

23 m3
432 43m m3m
гория
 44

Приложение 4 Предельные группы.

Обозначение Стереографическая проекция

Международный Символ Геометрическая фигура Перпендику- В плоскости Характеристика Подчиненные
символ Шенфлиса лярно плоско- чертежа группы
сти чертежа
∞ C∞ Ось симметрии 6 , 4, 3, 2, 1
бесконечного и их под-
порядка группы

∞m C∞v Ось симметрии 6mm , 4mm ,

бесконечного 3m , mm2 и
порядка и бес- их подгруп-
конечное число пы
проходящих
вдоль нее плос-
костей
 45

Обозначение Стереографическая проекция

Международный Символ Перпендику- В плоскости Подчиненные
Геометрическая фигура Характеристика
символ Шенфлиса лярно плоско- чертежа группы
сти чертежа
∞/m C ∞h Ось симметрии 6 , 4 ,
бесконечного m m
порядка и пер- 2 , m , 6 ,
m
пендикулярная
к ней плоскость 4 , 3 , 1 и их
симметрии подгруппы

∞2 D∞ Ось симметрии 622 , 422 ,

бесконечного 32 , 222 , 6 ,
порядка и бес- 4 , 3 , 2 , 1 и
конечное число их подгруп-
поперечных пы
осей 2

∞ / mm D∞h Ось симметрии 6 , 4

бесконечного m m,
порядка, беско- 2 , m , 622 ,
m
нечное число
422 , 32 ,
продольных
222 , 6 , 4 ,
плоскостей и
3 , 2 , 1 6mm ,
поперечная
4mm , 3m ,
плоскость
mm2 и их
подгруппы
 46

Обозначение Стереографическая проекция

Международный Символ Перпендику- В плоскости Подчиненные
Геометрическая фигура Характеристика
символ Шенфлиса лярно плоско- чертежа группы
сти чертежа
∞∞ R Вращающийся 432 , 23 и их
шар. Бесконеч- подгруппы
ное число осей
симметрии бес-
конечного по-
рядка, нет
плоскостей
симметрии
∞∞ / m Ri Покоящийся ∞∞ , ∞ / mm
шар. Бесконеч-
ное число осей
и бесконечное
число плоско-
стей симметрии
 47

Приложение 5 Пространственные группы симметрии.

Номер груп- Класс Символ Номер груп- Класс Символ
пы пы
Триклинная и моноклинная сингония
C1 P1 2 C1 P1
1 C 21 P2 4 C 22 P21
3 C 21 B2 6 C s2 Pm
C s3 1
5 Pb 8 Cs Bm
C s2 1
7 Bb 10 C 2h 2
P
9 2 1 m
3
11 2
2 12 2
C 2h C 2h
P m1 Bm
5
13 4 2 14 2
C 2h C 2h
Pb P b1
15 C 26h B
2
b
Ромбическая сингония
16 D12 P222 17 D22 P222 1
17 D32 P2 12 12 19 D 24 P2 12 12 1
20 D52 C 222 1 21 D 62 C 222
22 D27 F 222 23 D82 I 222
24 D92 I 2 12 12 1 25 C 12v Pmm2
26 C 2v
2
Pmc2 1 27 C 32v Pcc2
28 C 2v
4
Pma2 29 C 2v
5
Pca2 1
30 C 62v Pnc2 31 C 72v Pmn2 1
32 C82v Pba2 33 C 92v Pna2 1
10 11
34 35 Cmm2
C 2v Pnn2 C 2v
36 12
37
13
Ccc2
C 2v Cmc21 C 2v
38 C14
2v
Amm2 39 C15
2v
Abm2
40 16
Ama2 41
17
Aba2
C 2v C 2v
18 19
42 Fmm2 43 Fdd 2
C 2v C 2v
44 C 2v
20 Im m2 45 C 2v
21 Iba2
46 22
Im a2 47
1
Pmmm
C 2v D2 h
48 D22 h Pnnn 49 D32 h Pccm
50 D42 h Pban 51 D52 h Pmma
52 D62 h Pnna 53 D72 h Pmna
54 D82 h Pcca 55 D92 h Pbam
56 D10 Pccn 57 D112 h Pbcm
2h
58 12
Pnnm 59
13
Pmmn
D 2h D 2h
60 14
Pbcm 61
15
Pbca
D2h D2h
 48
D2 h Pnma 63 D2 h Cmcm
62 D216h Cmca 65 D217h Cmmm
20 21
66
64 18 19

D22hh Ccca
Cccm 69
67 D22hh Fmmm
Cmma
68 D222h Fddd 71 D223h Im mm
26 27
72
70 24 25

74 D2228hh Im ma
Ibam 73 D2 h Ibca
Тетрагональная сингония
2
75 1
P4 76 P4
1
77 C 3
4
P4 78 C 4
P4 1
6
79 C 5
4 I 42 80 4
I4 3
2
81 C 1
4
82 C 4 1
2
83 S 1
4 P4 84 S 4 I44
C4h m C 4h m
P 4 P 2
85 3
4 86 4
C4h n C 4h n
P 6 P 2
87 5 4 88 4
C4 h n C4h n
1 I 90 2 I 1
89 P422 P42 2
91 D34 P4 22 92 D44
D P4 21 2
93 D45 P4 1 22 94 D 64 P4 12 12
95 D47 P4 2 22 96 D 84 P4 22 12
10
97 D49 I 422
3
98 4
I 4 3221
100 2 P4bm
99 D14 P4mm D 4 1
4
101 C 34v P4 cm 102 C
C 4v P4 nm
104 6 P4nc
103 C 54v P4cc
2 4v 2

105 C 74v P4 mc 106 C 84v

C P4 bc
10
107 C 94v I 4mm
2 108 4v
I 4cm
2

109 C 114v I 4 md 110 C 124v

C I 4 cd
112 2
111 C 14v 1 4v 1
4
113 D 3
2d P 42m 114 D 2d P 42c
115 D25 d P 421 m 116 D62 d P 421 c
117 D27 d P 4m2 118 D82 d P 4c2
10
119 D29 d P 4b2 120 D 2 d P 4n2
121 D11
2d I 4m2 122 D122 d I 4c2
123 D12 d I 442m 124 D22 d 4
I 42d
D4 h D4 h m
P m mm 4
P cc
125 3
4 126 4
D4 h D4 h n
P n bm 6
P nc
127 5
4 128 4
D4 h m D4 h m
P bm P nc
 49
129 7
4 130 8
4
D4 h n D4 h n
131 9 P4 mm 132 10 P4 cc

D4 h m D4 h m
133 11 P 42 mm 134 12 P 4 2 cm

D4 h n D4 h n
135 13 P 4 2 bc 136 14 P 4 2 nm

D4 h m D4 h m
137 15 P 4 2 bc 138 16 P 4 2 nm

D4 h n D4 h n
139 17 P4 2 mc 140 18 P 4 2 cm

D4 h m D4 h m
141 19 I 4 2 mm 142 20 I 4 cm
D4 h I a1 md D4 h P a1 cd
Гексагональная сингония
143 C13 P3 144 C32 P31
3 4
145 C 3
P3 2 146 C 3
R3
1
147 C 3i P3 148 C3i2 R3
149 D13 P312 150 D32 P321
151 D33 P3112 152 D34 P3121
5 6
153 D 3 P3 212 154 D 3 P3 2 21
155 D37 R32 156 C13v P3m1
157 C3v2 P31m 158 3
C3v P3c1
159 C3v4 P31c 160 C3v
5
R3m
6
161 C3v R3c 162 D13d P 3 1m
2 3
163 D3d P 31c 164 D3d P 3m1
4 5
165 D3d P 3c1 166 D3d R 3m
167 D 6
3d R 3c 168 C 1
6 P6
169 C62 P6 1 170 C 63 P6 5
171 C64 P6 2 172 C 65 P6 4
173 C 66 P6 3 174 C 13h P6
175 C 1
176 C 62h
6h
P6 P6 3
m m
177 D16 P622 178 D62 P6 122
179 D63 P6 522 180 D64 P6 222
5
181 D 6 P6 4 22 182 D 6
6 P6 322
183 C 1
6v P6mm 184 C 6v
2
P6cc
185 C 6v
3
P6 3 cm 186 4
C 6v P6 3 mc
187 D3h
1
P 6m2 188 D3h
2
P 6c2
189 D3h
3
P62m 190 D 4
3h P 62c
191 D16 h P 6 mm 192 D62h P 6 cc
m m
 50
4
193 3 6 194 6
m m
D6 h PКубическая
cm D6 h P mc
сингония
195 T1 P23 196 T2 F23
197 T3 I23 198 T4 P213
199 T5 I2 3 200 T1 Pm3
3
201 2 202
1 h
4 204 5
203 Th Pn3 Th Fm3
7
205 T
6
Fd 3 206 Th Im 3
h
207 O
Th
1 P432
Pa 3 208 Oh1
T P4Ia2 32
3
209 O 3
F 432 210 O4 F 4132
211 O5 I 432 212 O6 P4 3 32
213 O7 P4 32 214 O8 I 4 32
1 216 2
215
1 1
4
217 3 218
Td P 43m Td F 43m
5 220 6
219 Td I 43m Td P 43n
2
221 1 Pm3m 222 Pn3n
Td F 43c Td I 43d
4
223 O
3
Pm3n 224 Oh Pn3m
h
6
225 O
5
Fm3m 226 Oh Fm3c
h
8
227 O7
Fd 3m 228 Oh Fd 3c
h
10
229 O9
Im 3m 230 Oh Ia3d
h

Oh Oh
 51

Литература
1. Чупрунов Е.В., Хохлов А.В., Фадеев М.А. Кристаллография. М., Издательство фи-
зико математической литературы, 2000. 496 с.
2. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М., Наука, 1975, 680
с.
3. Бублик В.Т., Дубровина А.Н. Сборник задач и упражнений по курсу «Методы ис-
следования структуры». М., Высшая школа, 1988, 192 с.
4. Переломова Н.В., Тагиева М.М. Задачник по кристаллофизике. М., Наука, 1972,
192 с.
5. Лиопо В.А. Сборник задач по кристаллографии. Гродно, ГрГУ, 2000, 69 с.
6. Геометрическая кристаллография: Методические указания к лабораторным рабо-
там по дисциплине «Кристаллография» для студентов специальностей 080600 и
080100 / Санкт-Петербургский горный институт; Составители: А.И.Глазов,
М.В.Морозов. СПб, 2000. 41 с
Федеральное государственное образовательное автономное
учреждение высшего образования

СЕВЕРО-КАВКАЗСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Институт электронергетики, электроники и

нанотехнологий

Кафедра технологии наноматериалов

САМОСТОЯТЕЛЬНАЯ РАБОТА
СТУДЕНТОВ

методические рекомендации
Кристаллография

для студентов, обучающихся по направлению подготовки

28.03.02 Наноинженерия
(квалификация (степень) «бакалавр»)

Ставрополь, 2017
Самостоятельная работа студентов: методические рекомендации.
Руководство к выполнению самостоятельной работы, отражают сущность
основных видов и требования к организации самостоятельной работы
студентов, обучающихся по направлению подготовки 28.03.02
Наноинженерия (квалификация (степень) - «бакалавр»).

2
 Содержание
Введение ………………………………………………………………………………………………………………….4
1. Виды и формы организации самостоятельной работы студентов ………...………..5

2. Требования к организации самостоятельной работы студентов при

подготовке к аудиторным занятиям ………………....………………………………………………………...8
2.1. Подготовка к лекциям ……………………………………………………………………………………………………………..8
2.2. Подготовка к семинарским занятиям ……………………………………………….…………………………………9
2.3. Подготовка презентации и доклада ……………………........................................................................................12
2.4. Подготовка к зачетам и экзаменам …………………………………………………………………………………….15

3. Требования к студентам при подготовке письменных работ ………………………..15

3.1. Подготовка реферата …………………………………………………………………………………………………………..15
3.2. Подготовка творческого домашнего задания ……………………………………………………………………23
3.3. Подготовка научной статьи ……………………………..…………………………………………………........……….26
Литература ……………………………………………………..………………………………….…………………29

3
 Введение

Основная задача высшего образования заключается в формировании

творческой личности специалиста, способного к саморазвитию,
самообразованию, инновационной деятельности.
Самостоятельная работа студентов является одной из важнейших
составляющих образовательного процесса. Независимо от полученной
профессии и характера работы любой начинающий специалист должен
обладать фундаментальными знаниями, профессиональными умениями и
навыками деятельности своего профиля, опытом творческой и
исследовательской деятельности по решению новых проблем, опытом
социально-оценочной деятельности.
Все эти составляющие образования формируются именно в процессе
самостоятельной работы студентов, так как предполагает максимальную
индивидуализацию деятельности каждого студента и может
рассматриваться одновременно и как средство совершенствования
творческой индивидуальности.
Основным принципом организации самостоятельной работы
студентов является комплексный подход, направленный на формирование
навыков репродуктивной и творческой деятельности студента в аудитории,
при внеаудиторных контактах с преподавателем на консультанциях и
домашней подготовке.
Среди основных видов самостоятельной работы студентов
традиционно выделяют: подготовка к лекциям, лабораторным и
практическим занятиям, зачетам и экзаменам, презентациям и докладам;
написание рефератов, выполнение лабораторных и контрольных работ,
написание курсовых работ; решение разноуровневых, в том числе,
проблемных задач; участие в научной работе.

4
 1. Виды и формы организации самостоятельной работы студентов
Любой вид занятий, создающий условия для зарождения самостоятельной мысли,
познавательной и творческой активности студента связан с самостоятельной работой. В
широком смысле под самостоятельной работой понимают совокупность всей
самостоятельной деятельности студентов как в учебной аудитории, так и вне ее, в
контакте с преподавателем и в его отсутствие.
Самостоятельная работа может реализовываться:
 непосредственно в процессе аудиторных занятий – на лекциях, практических и
семинарских занятиях, при выполнении контрольных и лабораторных работ и др.;
 в контакте с преподавателем вне рамок аудиторных занятий – на консультациях по
учебным вопросам, в ходе творческих контактов, при ликвидации задолженностей,
при выполнении индивидуальных заданий и т.д.;
 в библиотеке, дома, в общежитии, на кафедре и других местах при выполнении
студентом учебных и творческих заданий.
В Федеральных государственных образовательных стандартах высшего
профессионального образования (ФГОС ВПО) на внеаудиторную работу отводится не
менее половины бюджета времени студента за весь период обучения. Это время
полностью может быть использовано на самостоятельную работу. Кроме того, большая
часть времени, отводимого на аудиторные занятия, так же включает самостоятельную
работу. Таким образом, времени на самостоятельную работу в учебном процессе вполне
достаточно, вопрос в том, как эффективно использовать это время.
Цель самостоятельной работы студента – осмысленно и самостоятельно работать
сначала с учебным материалом, затем с научной информацией, заложить основы
самоорганизации и самовоспитания с тем, чтобы привить умение в дальнейшем
непрерывно повышать свою профессиональную квалификацию.
В учебном процессе выделяют два вида самостоятельной работы:
 аудиторная – самостоятельная работа выполняется на учебных занятиях под
непосредственным руководством преподавателя и по его заданию;
 внеаудиторная – самостоятельная работа выполняется студентом по заданию
преподавателя, но без его непосредственного участия.

5
 Содержание аудиторной и внеаудиторной самостоятельной работы студентов
определяется в соответствии с рекомендуемыми видами учебных заданий,
представленными в рабочей программе учебной дисциплины.
Самостоятельная работа помогает студентам:
1) овладеть знаниями:
- чтение текста (учебника, первоисточника, дополнительной литературы и т.д.);
- составление плана текста, графическое изображение структуры текста,
конспектирование текста, выписки из текста и т.д.;
- работа со справочниками и др. справочной литературой;
- ознакомление с нормативными и правовыми документами, в том числе с ГОСТами;
- учебно-методическая и научно-исследовательская работа;
- использование компьютерной техники и Интернета и др.;
2) закреплять и систематизировать знания:
- работа с конспектом лекции;
- обработка текста, повторная работа над учебным материалом учебника,
первоисточника, дополнительной литературы, аудио и видеозаписей;
- подготовка плана;
- составление таблиц и схем для систематизации учебного материала;
- подготовка ответов на контрольные вопросы;
- заполнение рабочей тетради;
- аналитическая обработка текста;
- подготовка мультимедиа презентации и докладов к выступлению на
практическом занятии (конференции, круглом столе и т.п.);
- подготовка реферата, доклада;
- составление библиографии использованных литературных источников;
- разработка тематических кроссвордов и ребусов;
- тестирование и др.;
3) формировать умения:
- решение ситуационных задач и упражнений по образцу;
- выполнение расчетов (графические и расчетные работы);
- решение разноуровневых, в том числе, проблемных задач;
- подготовка к контрольным работам;
- подготовка к тестированию;
- подготовка к собеседованиям, коллоквиумам;
- проектирование и моделирование разных видов и компонентов профессиональной

6
деятельности;
- опытно-экспериментальная работа;
- анализ профессиональных умений с использованием аудио- и видеотехники и др.
Самостоятельная работа может осуществляться индивидуально или группами
студентов в зависимости от цели, объема, конкретной тематики самостоятельной работы,
уровня сложности и уровня умений студентов.
Контроль результатов самостоятельной работы студентов должен осуществляться в
пределах времени, отведенного на обязательные учебные занятия и внеаудиторную
самостоятельную работу студентов по дисциплине, может проходить в письменной,
устной или смешанной форме.
Формы самостоятельной работы студента могут различаться в зависимости от цели,
характера, дисциплины, объема часов, определенных учебным планом: подготовка к
лекциям, семинарским, практическим и лабораторным занятиям; изучение учебных
пособий; изучение, конспектирование и аннотирование научных статей и монографий;
изучение в рамках программы курса тем и проблем, не выносимых на лекции,
лабораторные и практические занятия; написание тематических докладов, рефератов на
проблемные темы; выполнение исследовательских и творческих заданий; написание
контрольных и лабораторных работ; составление библиографии и реферирование по
заданной теме.

7
 2. Требования к организации самостоятельной работы студентов при
подготовке к аудиторным занятиям
2.1. Подготовка к лекциям
Главное в период подготовки к лекционным занятиям – научиться
методам самостоятельного умственного труда, сознательно развивать свои
творческие способности и овладевать навыками творческой работы. Для
этого необходимо строго соблюдать дисциплину учебы и поведения. Четкое
планирование своего рабочего времени и отдыха является необходимым
условием для успешной самостоятельной работы.
В основу его нужно положить рабочие программы изучаемых в семестре
дисциплин. Ежедневной учебной работе студенту следует уделять 9–10 часов
своего времени, т.е. при шести часах аудиторных занятий самостоятельной
работе необходимо отводить 3–4 часа.
Каждому студенту следует составлять еженедельный и семестровый
планы работы, а также план на каждый рабочий день. С вечера всегда надо
распределять работу на завтрашний день. В конце каждого дня
целесообразно подводить итог работы: тщательно проверить, все ли
выполнено по намеченному плану, не было ли каких-либо отступлений, а
если были, по какой причине это произошло. Нужно осуществлять
самоконтроль, который является необходимым условием успешной учебы.
Если что-то осталось невыполненным, необходимо изыскать время для
завершения этой части работы, не уменьшая объема недельного плана.
Самостоятельная работа на лекции
Слушание и запись лекций – сложный вид вузовской аудиторной
работы. Внимательное слушание и конспектирование лекций предполагает
интенсивную умственную деятельность студента. Краткие записи лекций, их
конспектирование помогает усвоить учебный материал. Конспект является
полезным тогда, когда записано самое существенное, основное и сделано это
самим студентом.
Не надо стремиться записать дословно всю лекцию. Такое

8
«конспектирование» приносит больше вреда, чем пользы. Запись лекций
рекомендуется вести по возможности собственными формулировками.
Желательно запись осуществлять на одной странице, а следующую оставлять
для проработки учебного материала самостоятельно в домашних условиях.
Конспект лекции лучше подразделять на пункты, параграфы,
соблюдая красную строку. Этому в большой степени будут
способствовать пункты плана лекции, предложенные преподавателям.
Принципиальные места, определения, формулы и другое следует
сопровождать замечаниями «важно», «особо важно», «хорошо запомнить» и
т.п. Можно делать это и с помощью разноцветных маркеров или ручек.
Лучше если они будут собственными, чтобы не приходилось просить их у
однокурсников и тем самым не отвлекать их во время лекции.

Целесообразно разработать собственную «маркографию» (значки,

символы), сокращения слов. Работая над конспектом лекций, всегда
необходимо использовать не только учебник, но и ту литературу, которую
дополнительно рекомендовал лектор. Именно такая серьезная, кропотливая
работа с лекционным материалом позволит глубоко овладеть знаниями.

2.2. Подготовка к семинарским занятиям

Подготовку к каждому семинарскому занятию каждый студент должен

начать с ознакомления с планом семинарского занятия, который отражает
содержание предложенной темы. Тщательное продумывание и изучение
вопросов плана основывается на проработке текущего материала лекции, а
затем изучения обязательной и дополнительной литературы,
рекомендованную к данной теме. На основе индивидуальных предпочтений
студенту необходимо самостоятельно выбрать тему доклада по проблеме
семинара и по возможности подготовить по нему презентацию. Если
программой дисциплины предусмотрено выполнение практического задания,
то его необходимо выполнить с учетом предложенной инструкции (устно или

9
письменно). Все новые понятия по изучаемой теме необходимо выучить
наизусть и внести в глоссарий, который целесообразно вести с самого начала
изучения курса.
Результат такой работы должен проявиться в способности студента
свободно ответить на теоретические вопросы семинара, его выступлении и
участии в коллективном обсуждении вопросов изучаемой темы, правильном
выполнении практических заданий и контрольных работ.
Структура семинара
В зависимости от содержания и количества отведенного времени на
изучение каждой темы семинарское занятие может состоять из четырех-пяти
частей:
1. Обсуждение теоретических вопросов, определенных программой
дисциплины.
2. Доклад и/ или выступление с презентациями по проблеме семинара.
3. Обсуждение выступлений по теме – дискуссия.
4. Выполнение практического задания с последующим разбором
полученных результатов или обсуждение практического задания,
выполненного дома, если это предусмотрено программой.
5. Подведение итогов занятия.

Первая часть – обсуждение теоретических вопросов - проводится в

виде фронтальной беседы со всей группой и включает выборочную проверку
преподавателем теоретических знаний студентов. Примерная
продолжительность — до 15 минут.
Вторая часть — выступление студентов с докладами, которые должны
сопровождаться презентациями с целью усиления наглядности восприятия,
по одному из вопросов семинарского занятия. Обязательный элемент доклада
– представление и анализ статистических данных, обоснование социальных
последствий любого экономического факта, явления или процесса.
Примерная продолжительность — 20-25 минут.

10
 После докладов следует их обсуждение – дискуссия. В ходе этого этапа
семинарского занятия могут быть заданы уточняющие вопросы к
докладчикам. Примерная продолжительность – до 15-20 минут.
Если программой предусмотрено выполнение практического задания в
рамках конкретной темы, то преподавателями определяется его содержание и
дается время на его выполнение, а замет идет обсуждение результатов. Если
практическое задание должно было быть выполнено дома, то на семинарском
занятии преподаватель проверяет его выполнение (устно или письменно).
Примерная продолжительность – 15-20 минут.
Подведением итогов заканчивается семинарское занятие. Студентам
должны быть объявлены оценки за работу и даны их четкие обоснования.
Примерная продолжительность — 5 минут.
Работа с литературными источниками
В процессе подготовки к семинарским занятиям, студентам необходимо
обратить особое внимание на самостоятельное изучение рекомендованной
учебно-методической (а также научной и популярной) литературы.
Самостоятельная работа с учебниками, учебными пособиями, научной,
справочной и популярной литературой, материалами периодических
изданий и Интернета, статистическими данными является наиболее
эффективным методом получения знаний, позволяет значительно
активизировать процесс овладения информацией, способствует более
глубокому усвоению изучаемого материала, формирует у студентов свое
отношение к конкретной проблеме.
Более глубокому раскрытию вопросов способствует знакомство с
дополнительной литературой, рекомендованной преподавателем по каждой
теме семинарского или практического занятия, что позволяет студентам
проявить свою индивидуальность в рамках выступления на данных занятиях,
выявить широкий спектр мнений по изучаемой проблеме.

11
2.3. Подготовка презентации и доклада
Презентация, согласно толковому словарю русского языка Д.Н.
Ушакова: «… способ подачи информации, в котором присутствуют рисунки,
фотографии, анимация и звук».
Для подготовки презентации рекомендуется использовать: PowerPoint,
MS Word, Acrobat Reader, LaTeX-овский пакет beamer. Самая простая
программа для создания презентаций – Microsoft PowerPoint.
Для подготовки презентации необходимо собрать и обработать
начальную информацию. Последовательность подготовки презентации:
1. Четко сформулировать цель презентации: вы хотите свою аудиторию
мотивировать, убедить, заразить какой-то идеей или просто формально
отчитаться.
2. Определить каков будет формат презентации: живое выступление
(тогда, сколько будет его продолжительность) или электронная рассылка
(каков будет контекст презентации).
3. Отобрать всю содержательную часть для презентации и выстроить
логическую цепочку представления.
4. Определить ключевые моменты в содержании текста и выделить их.
5. Определить виды визуализации (картинки) для отображения их на
слайдах в соответствии с логикой, целью и спецификой материала.
6. Подобрать дизайн и форматировать слайды (количество картинок и
текста, их расположение, цвет и размер).
7. Проверить визуальное восприятие презентации.

К видам визуализации относятся иллюстрации, образы, диаграммы,

таблицы. Иллюстрация – представление реально существующего
зрительного ряда. Образы – в отличие от иллюстраций – метафора. Их
назначение – вызвать эмоцию и создать отношение к ней, воздействовать на
аудиторию. С помощью хорошо продуманных и представляемых образов,
информация может надолго остаться в памяти человека. Диаграмма и
графики –
12
визуализация количественных и качественных связей. Их используют для
убедительной демонстрации данных, для пространственного мышления в
дополнение к логическому. Таблица – конкретный, наглядный и точный
показ данных. Ее основное назначение – структурировать информацию, что
порой облегчает восприятие данных аудиторией.

Практические советы по подготовке презентации

 готовьте отдельно: печатный текст + слайды + раздаточный материал;
 слайды – визуальная подача информации, которая должна содержать
минимум текста, максимум изображений, несущих смысловую нагрузку,
выглядеть наглядно и просто;
 текстовое содержание презентации – устная речь или чтение, которая
должна включать аргументы, факты, доказательства и эмоции;
 рекомендуемое число слайдов 17-22;
 обязательная информация для презентации: тема, фамилия и инициалы
выступающего; план сообщения; краткие выводы из всего сказанного; список
использованных источников;
 раздаточный материал – должен обеспечивать ту же глубину и охват,
что и живое выступление: люди больше доверяют тому, что они могут унести
с собой, чем исчезающим изображениям, слова и слайды забываются, а
раздаточный материал остается постоянным осязаемым напоминанием;
раздаточный материал важно раздавать в конце презентации; раздаточный
материалы должны отличаться от слайдов, должны быть более
информативными.
Доклад - сообщение по заданной теме, с целью внести знания из
дополнительной литературы, систематизировать материл,
проиллюстрировать примерами, развивать навыки самостоятельной работы
с научной литературой, познавательный интерес к научному познанию».

Тема доклада должна быть согласованна с преподавателем и

13
соответствовать теме учебного занятия. Материалы при его подготовке,
должны соответствовать научно-методическим требованиям вуза и быть
указаны в докладе. Необходимо соблюдать регламент, оговоренный при
получении задания. Иллюстрации должны быть достаточными, но не
чрезмерными.
Работа студента над докладом-презентацией включает отрабатку умения
самостоятельно обобщать материал и делать выводы в заключении, умения
ориентироваться в материале и отвечать на дополнительные вопросы
слушателей, отработку навыков ораторства, умения проводить диспут.
Докладчики должны знать и уметь: сообщать новую информацию;
использовать технические средства; хорошо ориентироваться в теме всего
семинарского занятия; дискутировать и быстро отвечать на заданные вопросы;
четко выполнять установленный регламент (не более 10 минут); иметь
представление о композиционной структуре доклада и др.
Структура выступления
Вступление помогает обеспечить успех выступления по любой
тематике. Вступление должно содержать: название, сообщение основной
идеи, современную оценку предмета изложения, краткое перечисление
рассматриваемых вопросов, живую интересную форму изложения,
акцентирование внимания на важных моментах, оригинальность подхода.
Основная часть, в которой выступающий должен глубоко раскрыть
суть затронутой темы, обычно строится по принципу отчета. Задача основной
части – представить достаточно данных для того, чтобы слушатели
заинтересовались темой и захотели ознакомиться с материалами. При этом
логическая структура теоретического блока не должны даваться без
наглядных пособий, аудио-визуальных и визуальных материалов.
Заключение – ясное, четкое обобщение и краткие выводы, которых
всегда ждут слушатели.

14
 2.4. Подготовка к зачету и экзамену
Каждый учебный семестр заканчивается зачетно-экзаменационной
сессией. Подготовка к зачетно-экзаменационной сессии, сдача зачетов и
экзаменов является также самостоятельной работой студента. Основное в
подготовке к сессии – повторение всего учебного материала дисциплины, по
которому необходимо сдавать зачет или экзамен.
Только тот студент успевает, кто хорошо усвоил учебный материал.
Если студент плохо работал в семестре, пропускал лекции, слушал их
невнимательно, не конспектировал, не изучал рекомендованную литературу,
то в процессе подготовки к сессии ему придется не повторять уже знакомое,
а заново в короткий срок изучать весь учебный материал. Все это зачастую
невозможно сделать из-за нехватки времени.
Для такого студента подготовка к зачету или экзамену будет трудным, а
иногда и непосильным делом, а конечный результат – возможное отчисление
из учебного заведения.

3. Требования к студентам при подготовке письменных работ

3.1. Подготовка реферата
Реферат – письменный доклад по определенной теме, в котором собрана
информация из одного или нескольких источников. Рефераты пишутся
обычно стандартным языком, с использованием типологизированных
речевых оборотов вроде: «важное значение имеет», «уделяется особое
внимание», «поднимается вопрос», «делаем следующие выводы»,
«исследуемая проблема», «освещаемый вопрос» и т.п.
К языковым и стилистическим особенностям рефератов относятся слова
и обороты речи, носящие обобщающий характер, словесные клише. У
рефератов особая логичность подачи материала и изъяснения мысли,
определенная объективность изложения материала.

15
 Признаки реферата
Реферат не копирует дословно содержание первоисточника, а
представляет собой новый вторичный текст, создаваемый в результате
систематизации и обобщения материала первоисточника, его аналитико-
синтетической переработки.
Будучи вторичным текстом, реферат составляется в соответствии со
всеми требованиями, предъявляемыми к связанному высказыванию: так ему
присущи следующие категории: оптимальное соотношение и завершенность
(смысловая и жанрово-композиционная). Для реферата отбирается
информация, объективно-ценная для всех читающих, а не только для одного
автора. Автор реферата не может пользоваться только ему понятными
значками, пометами, сокращениями.
Работа, проводимая автором для подготовки реферата должна
обязательно включать самостоятельное мини-исследование, осуществляемое
студентом на материале или художественных текстов по литературе, или
архивных первоисточников по истории и т.п.
Организация и описание исследования представляет собой очень
сложный вид интеллектуальной деятельности, требующий культуры
научного мышления, знания методики проведения исследования, навыков
оформления научного труда и т.д. Мини-исследование раскрывается в
реферате после глубокого, полного обзора научной литературы по проблеме
исследования.
В зависимости от количества реферируемых источников выделяют
следующие виды рефератов:
 монографические – рефераты, написанные на основе одного
источника;
 обзорные – рефераты, созданные на основе нескольких исходных
текстов, объединенных общей темой и сходными проблемами исследования.

16
 Структура реферата
1. Титульный лист
2. Оглавление
3.Введение
4. Основная часть
5. Заключение
6. Список использованной литературы
7. Приложения
Титульный лист. Является первой страницей и заполняется по строго
определенным правилам. Ниже представлен образец оформления титульного
листа реферата.

Федеральное государственное автономное учреждение высшего

профессионального образования
«Северо-Кавказский федеральный университет»
Кафедра «Технологии наноматериалов»

РЕФЕРАТ
по дисциплине___________________________________________
на тему:
“___________________________________________________”

Выполнил:
____________________
Проверил:
____________________

Ставрополь, 2017

17
 После титульного листа помещают оглавление, в котором приводятся
все заголовки работы и указываются страницы, с которых они начинаются.
Заголовки оглавления должны точно повторять заголовки в тексте.
Сокращать их или давать в другой формулировке и последовательности
нельзя. Все заголовки начинаются с прописной буквы без точки на конце.
Последнее слово каждого заголовка соединяют отточием ( …………… ) с
соответствующим ему номером страницы в правом столбце оглавления.
Заголовки одинаковых ступеней рубрикации необходимо располагать друг
под другом.

Введение к реферату – важнейшая его часть. Здесь обычно

обосновывается актуальность выбранной темы, цель и задачи, краткое
содержание, указывается объект рассмотрения, приводится характеристика
источников для написания работы и краткий обзор имеющейся по данной
теме литературы. Актуальность предполагает оценку своевременности и
социальной значимости выбранной темы, обзор литературы по теме отражает
знакомство автора с имеющимися источниками, умение их
систематизировать, критически рассматривать, выделять существенное,
определять главное.
Основная часть. Основная часть реферата структурируется по главам и
параграфам (пунктам и подпунктам), количество и название которых
определяются автором. Содержание глав основной части должно точно
соответствовать теме работы и полностью ее раскрывать. Данные главы
должны показать умение студента сжато, логично и аргументировано
излагать материал, обобщать, анализировать и делать логические выводы.
Основная часть реферата, помимо почерпнутого из разных источников
содержания, должна включать в себя собственное мнение студента и
сформулированные выводы, опирающиеся на приведенные факты.

18
 В основной части реферата обязательными являются ссылки на авторов,
чьи позиции, мнения, информация использованы в реферате. Ссылки на
источники могут быть выполнены по тексту работы постранично в нижней
части страницы (фамилия автора, его инициалы, полное название работы, год
издания и страницы, откуда взята ссылка) или в конце цитирования - тогда
достаточно указать номер литературного источника из списка
использованной литературы с указанием конкретных страниц, откуда взята
ссылка. (Например, (7 (номер источника в списке использованной
литературы), С. 67–89). Номер литературного источника должен
указываться после каждого нового отрывка текста из другого литературного
источника.
Цитирование и ссылки не должны подменять позиции автора реферата.
Излишняя высокопарность, злоупотребления терминологией, объемные
отступления от темы, несоразмерная растянутость отдельных глав, разделов,
параграфов рассматриваются в качестве недостатков основной части
реферата.
Заключительная часть предполагает последовательное, логически
стройное изложение обобщенных выводов по рассматриваемой теме.
Заключение не должно превышать объем 2 страниц и не должно слово в
слово повторять уже имеющийся текст, но должно отражать собственные
выводы о проделанной работе, а может быть, и о перспективах дальнейшего
исследования темы. В заключении целесообразно сформулировать итоги
выполненной работы, краткого и четкого изложить выводы, представить
анализ степени выполнения поставленных во введении задач и указать то
новое, что лично для себя студент вынес из работы над рефератом.
Список использованной литературы составляет одну из частей работы,
отражающую самостоятельную творческую работу автора, и позволяет
судить о степени фундаментальности данного реферата. В список

19
использованной литературы необходимо внести все источники, которые
были изучены студентами в процессе написания реферата.
В работах используются следующие способы построения
библиографических списков: по алфавиту фамилий авторов или заглавий; по
тематике; по видам изданий; по характеру содержания; списки смешанного
построения. Литература в списке указывается в алфавитном порядке (более
распространенный вариант – фамилии авторов в алфавитном порядке), после
указания фамилии и инициалов автора указывается название литературного
источника без кавычек, место издания и название издательства – при города
Москва и Санкт-Петербург как место издания обозначаются сокращенно –
М.; СПб., название других городов пишется полностью. (М.: Академия), год
издания, страницы – общее количество или конкретные.
Список использованной литературы, приводится в следующей
последовательности: 1) законодательные акты (в хронологическом порядке);
2) статистические материалы и нормативные документы (в хронологическом
порядке); 3) литературные источники (в алфавитном порядке) – книги,
монографии, учебники и учебные пособия, периодические издания,
зарубежные источники, Интернет-источники.
Для работ из журналов и газетных статей необходимо указать фамилию
и инициалы автора, название статьи, а затем наименование источника со
всеми элементами титульного листа, после чего указать номер страницы
начала и конца статьи.
1. Петренко К.В. Демографические характеристики трудового потенциала
нефтегазодобывающих регионов Севера России// Научное обозрение. Серия 2.
Гуманитарные науки. – М., 2012. – № 5. – С. 85 – 89.
2. Артемьев З. Мигрантам дадут на работу три года// Вечерняя Москва. 2011. № 184

Для Интернет-источников необходимо указать название работы,

источник работы и сайт. Например:

20
1. О мерах по созданию и развитию малых предприятий [Электронный ресурс]:
постановление Совета министров СССР от 8 авг. 1990 г. № 790. – Режим доступа:
[14.05.2012]// http://www.consultant.ru. – Загл. с экрана.
2. Информационные ресурсы справочно-поисковой системы Рамблер - //http://
www.rambler.ru

После списка использованной литературы могут быть помещены

различные приложения (таблицы, графики, диаграммы, иллюстрации и пр.).
В приложение рекомендуется выносить информацию, которая загромождает
текст реферата и мешает его логическому восприятию. В содержательной
части работы эта часть материала должна быть обобщена и представлена в
сжатом виде. На все приложения в тексте реферата должны быть ссылки.
Каждое приложение нумеруется и оформляется с новой страницы.

Требования к оформлению реферата

Работа выполняется на компьютере (гарнитура Times New Roman,
шрифт 14) через 1,5 интервала с полями: верхнее, нижнее – 2; левое – 3;
правое – 1,5. Отступ первой строки абзаца – 1,25. Сноски – постраничные
(шрифт 12), их нумерация должна быть сквозной по всему тексту реферата.
Нумерация страниц должна быть сквозной (номер не ставится на
титульном листе, но в общем количестве страниц учитывается).
Таблицы и рисунки встраиваются в текст работы, их нумерация должна
быть сквозной по всему реферату. Они все должны иметь название и в самом
тексте реферата на них должна быть ссылка. (Например: Как следует из
таблицы 1 общая численность безработных в первое десятиление XXI века
в разрезе ряда европейских стран резко увеличивалась). После названия
таблицы и рисунка точка не ставится.

21
 Таблица 1.
Зависимость плотности вещества от температуры

№ вещество Температура, К
200 290 350 400

Общее количество страниц в реферате, без учета приложений, не

должно превышать 15 страниц. Значительное превышение установленного
объема является недостатком работы и указывает на то, что студент не сумел
отобрать и переработать необходимый материал.
В приложении помещают вспомогательные или дополнительные
материалы, которые загромождают текст основной части работы (таблицы,
рисунки, карты, графики, неопубликованные документы, переписка и т.д.).
Каждое приложение должно начинаться с новой страницы с указанием в
правом верхнем углу слова «Приложение», иметь номер и тематический
заголовок. При наличии в работе более одного приложения они нумеруются
арабскими цифрами (без знака «№»), например, «Приложение 1». Нумерация
страниц, на которых даются приложения, должна быть сквозной и
продолжать общую нумерацию страниц основного текста. Связь основного
текста с приложениями осуществляется через ссылки, которые
употребляются со словом «смотри», которое обычно сокращается и
заключается вместе с шифром в круглые скобки – например, (см. прил. 1).

22
3.2. Подготовка творческого домашнего задания
Творческие домашние задания – одна из форм самостоятельной работы
студентов, способствующая углублению знаний, выработке устойчивых
навыков самостоятельной работы. Творческое задание – задание, которое
содержит больший или меньший элемент неизвестности и имеет, как
правило, несколько подходов.
В качестве главных признаков творческих домашних работ студентов
выделяют: высокую степень самостоятельности; умение логически
обрабатывать материал; умение самостоятельно сравнивать, сопоставлять и
обобщать материал; умение классифицировать материал по тем или иным
признакам; умение высказывать свое отношение к описываемым явлениям и
событиям; умение давать собственную оценку какой-либо работы и др.
Выделяют следующие виды домашних творческих заданий:
I. Задания когнитивного типа
1. Научная проблема – решить реальную проблему, которая существует в
науке.
2. Структура – нахождение, определение принципов построения различных
структур.
3. Опыт – проведение опыта, эксперимента.
4. Общее в разном – вычленение общего и отличного в разных системах.
5. Разно-научное познание – одновременная работа с разными способами
исследования одного и того же объекта.

II. Задания креативного типа

1. Составление – составить словарь, кроссворд, игру, викторину и т.д.
2. Изготовление – изготовить поделку, модель, макет, газету, журнал,
видеофильм.
3. Учебное пособие – разработать свои учебные пособия.

23
 III. Задания организационно-деятельностного типа
1. План – разработать план домашней или творческой работы, составить
индивидуальную программу занятий по дисциплине.
2. Выступление – составить показательное выступление, соревнование,
концерт, викторину, кроссворд, занятие.
3. Рефлексия – осознать свою деятельность (речь, письмо, чтение,
вычисления, размышления) на протяжении определенного отрезка времени.
Вывести правила и закономерности этой деятельности.
4. Оценка – написать рецензию на текст, фильм, работу другого студента,
подготовить самооценку (качественную характеристику) своей работы по
определенной теме за определенный период.
Примерный список тем домашнего творческого задания представлен в
программе дисциплины. Студенту целесообразно выделить в рамках
выбранной темы проблемную зону, постараться самостоятельно ее изучить и
творчески подойти к результатам представления полученных результатов.
При этом творческое домашнее задание по дисциплине «Экономическая
социология» должно содержать анализ социо-экономической ситуации по
выбранной проблеме. Вычленить «рациональное зерно» помогут
статистические, справочные и специализированные источники информации
(данные социологических исслеований).

Требования к написанию и оформлению творческого домашнего задания:

Работа выполняется на компьютере (гарнитура Times New Roman,
шрифт 14) через 1,5 интервала с полями: верхнее, нижнее – 2; правое – 3;
левое – 1,5. Отступ первой строки абзаца – 1,25. Сноски – постраничные.
Должна быть нумерация страниц. Таблицы и рисунки встраиваются в текст
работы. Объем работы, без учета приложений, не более 10 страниц.
Значительное превышение установленного объема является недостатком
работы и указывает на то, что студент не сумел отобрать и переработать
необходимый материал.

24
 Оформление творческого задания
1. Титульный лист.
2. Форма задания.
3. Пояснительная записка.
4. Содержательная часть творческого домашнего задания.
5. Выводы.
6. Список использованной литературы.
Титульный лист является первой страницей и заполняется по строго
определенным правилам. Ниже представлен образец оформления титульного
листа творческого домашнего задания.
В пояснительной записке дается обоснование представленного задания,
отражаются принципы и условия построения, цели и задачи. Указывается
объект рассмотрения, приводится характеристика источников для написания
работы и краткий обзор имеющейся по данной теме литературы. Проводится
оценка своевременности и значимости выбранной темы.
Содержательная часть домашнего творческого задания должна точно
соответствовать теме работы и полностью ее раскрывать. Материал должен
представляться сжато, логично и аргументировано.
Заключительная часть предполагает последовательное, логически
стройное изложение обобщенных выводов по рассматриваемой теме.
Список использованной литературы составляет одну из частей работы,
отражающей самостоятельную творческую работу автора, позволяет судить о
степени фундаментальности данной работы. Общее оформление списка
использованной литературы для творческого домашнего задания аналогично
оформлению списка использованной литературы для реферата (см.
Требования к студентам при подготовке реферата). В список должны быть
включены только те источники, которые автор действительно изучил.

25
 3.3. Подготовка научной статьи
Научная статья - законченная и логически цельная работа, посвященная
конкретному вопросу, входящему в круг решаемых проблемы (задач).
Научная статья раскрывает наиболее значимые полученные результаты и
должна включать, как правило, следующие элементы:
Дополнительно, в соответствии с требованиями редакций научных
изданий, в структуру статьи могут быть также включены: индекс УДК;
перечень принятых обозначений и сокращений; аннотация на английском
языке; основные понятия и др.

№ Элементы Требования
научной статьи
1 Аннотация Аннотация (100 - 150 слов) должна ясно
излагать содержание научной статьи.
2 Сведения об Сведения об авторе(ах) включают в себя:
авторе(ах) фамилию, имя и отчество студента полностью,
название факультета, направления и программы
подготовки, курс, номер группы.
3 Название Название статьи должно отражать основную
идею выполненного исследования, быть по
возможности кратким, содержать ключевые
слова, позволяющие индексировать данную
статью.
4 Введение Должен быть дан краткий обзор источников
по проблеме, указаны нерешенные ранее
вопросы, сформулирована актуальность,
обоснована цель работы и, если необходимо,
указана ее связь с важными научными и
практическими направлениями. Во введении
следует избегать специфических понятий и
терминов. Содержание введения должно быть
понятным также и неспециалистам в
соответствующей области.
5 Основная часть Основная часть статьи должна содержать
26
 описание методики, аппаратуры, объектов
исследования и подробно освещать содержание
исследований, проведенных автором (авторами).
Полученные результаты должны быть
обсуждены с точки зрения их научной новизны
и сопоставлены с соответствующими
известными данными. Основная часть статьи
может делиться на подразделы (с
разъяснительными заголовками) и содержать
анализ последних публикаций, посвященных
решению вопросов,
относящихся к данным подразделам.

6 Заключение Завершается четко сформулированными

выводами
7 Библиография Анализ источников, использованных при
подготовке научной статьи, должен
свидетельствовать о знании автором (авторами)
статьи научных достижений в соответствующей
области. В этой связи обязательными являются
ссылки на работы других авторов. При этом
должны присутствовать ссылки на научные
публикации последних лет, включая зарубежные
публикации в данной области.

Статья должна соответствовать научным требованиям, быть интересной

достаточно широкому кругу российской научной общественности. Материал,
предлагаемый для публикации, должен быть оригинальным, не
опубликованным ранее в других печатных изданиях, написан в контексте
современной научной литературы и содержать очевидный элемент создания
нового знания. За точность воспроизведения имен, цитат, формул, цифр
несет ответственность автор.

Требования к оформлению статьи

Объем научной статьи (включая список литературы, таблицы и надписи

27
к рисункам), учитываемой в качестве научных публикаций должен
составлять, как правило, не менее 0,35 авторского листа (14 000 печатных
знаков, включая пробелы между словами, знаки препинания, цифры и
другие), что соответствует восьми страницам текста, напечатанного через 2
интервала между строками (5,5 страниц в случае печати через 1,5 интервала).
Текст – в формате А4; наименование шрифта – Times New Roman; размер
(кегель) шрифта – 14 пунктов; все поля должны быть 2 см, отступ (абзац) – 1
см, межстрочный 1,5 интервал. Текст статьи необходимо набирать без
принудительных переносов, слова внутри абзаца разделять только одним
пробелом, не использовать пробелы для выравнивания.
Следует избегать перегрузки статей большим количеством формул,
дублирования одних и тех же результатов в таблицах и графиках. Границы
таблиц и рисунков должны соответствовать параметрам полей текста.
Математические уравнения и химические формулы должны набираться в
редакторе формул Equation (MathType) или в Редакторе MS Word, одним
объектом, а не состоять из частей, сами формулы должны быть 12 кегля.
Формулы и уравнения печатаются с новой строки и нумеруются в круглых
скобках в конце строки. Рисунки должны быть представлены в формате *.jpg
или *.bmp. Подрисуночная подпись должна состоять из номера и названия
(Рис. 1. …). В тексте статьи обязательно должны быть ссылки на
представленные рисунки. Графики, диаграммы и т.п. рекомендуется
выполнять в программах MS Exel или MS Graph. Таблицы должны иметь
заголовки и порядковые номера. В тексте статьи должны присутствовать
ссылки на таблицы и рисунки. Список литературы оформляется согласно
ГОСТ 7.0.5-2008 «Библиографическая ссылка». Список литературы
приводится в порядке цитирования работ в тексте в квадратных скобках [1, 2,
3].

28
 Литература
1. Берн Э. Игры, в которые играют люди. Психология человеческих
взаимоотношений. Люди, которые играют в игры. Психология человеческой
судьбы. /Пер. с англ. - М.: Прогресс, 1988.
2. Зенкин. А.С. Самостоятельная работа студентов. Методические
указания /сост. А.С. Зенкин, В.М. Кирдяев, Ф.П. Пильгаев, А.П. Лащ –
Саранск.: Изд-во Морд. у-та, 2009. – 35 с.
3. Ковалевский И. Организация самостоятельной работы студента//
Высшее образование в России. – 2000. – №1. – С.114–115.
4. Толковый словарь русского языка: В 4 т. /Под ред. Д.Н. Ушакова.
(Переиздавался в 1947-1948 гг.) /Яндекс. Словари. [Электронный ресурс]
Заглавие с экрана //http://slovari.yandex.ru
5. Фирсова И.А. Саморазвитие личности и современные технологии
обучения /И.А. Фирсова, И.В. Непрокина //Личностно ориентированные
технологии в обучении: Сб. науч.-метод работ. – Самара.: Самар. гос. пед.
колледж, 2001. – С. 153 - 156.

29