Вы находитесь на странице: 1из 80

СОДЕРЖАНИЕ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ............................................................. 3


ВВЕДЕНИЕ .............................................................................................................. 6
1 АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРЫ. МЕТОДЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ. ............. 7
1.1 Оптические покрытия и их параметры ....................................................... 7
1.2 Лучевая прочность покрытий .................................................................... 13
1.3 Современные методы формирования тонких пленок ............................. 15
1.4 Теория зародышеобразования и формирования пленки ......................... 20
1.5 Процесс зародышеобразования ................................................................. 30
1.6 Этапы и четыре стадии формирования пленки........................................ 33
1.7 Образование дефектов в процессе роста пленок ..................................... 37
2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС И МЕТОДЫ ПРОВЕДЕНИЯ
ИССЛЕДОВАНИЙ............................................................................................ 42
2.1 Установка для ионно-лучевого распыления ............................................ 42
2.2 Схема установки .......................................................................................... 43
2.3 Описание технологических устройств и принципа работы ................... 45
2.4 Измерение параметров ионного пучка ..................................................... 54
2.5 Контроль толщины слоев в многослойном покрытии ............................ 59
2.6 Методика определения лучевой прочности поверхности ...................... 61
3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МУЛЬТИАППЕРТУРНОГО ИОННО-
ЛУЧЕВОГО ИСТОЧНИКА.............................................................................. 65
3.1 Плотность ионного тока ............................................................................. 65
3.2 Профиль пучка и ионный ток .................................................................... 67
3.3 Тормозная характеристика ионного источника ....................................... 70
4 ФОРМИРОВАНИЕ ПОКРЫТИЙ С ПОВЫШЕННОЙ ЛУЧЕВОЙ
СТОЙКОСТЬЮ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ПАРАМЕТРОВ ........................ 72
4.1 Описание методики исследования образцов ............................................ 74
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ..................................................................................................... 78
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ ........................................... 79

2
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы магистерской диссертации. Формирование


оптически стойких покрытий для зеркал в лазерных резонаторах представляет
значительный практический интерес. Что обусловлено широким применением
лазерных систем для специального назначения, в медицине, обработке
материалов и сварке, промышленности как тяжелой, так и легкой, а также в
научных целях.
Цель и задачи исследования. Разработка технологии формирования
оптически стойких покрытий на основе оксида кремния методом ионно-лучевого
распыления.
Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:
1. Аналитические исследования методов получения оптически стойких
покрытий и их свойств.
2. Разработка технологического комплекса для формирования оптически
стойких покрытий, методов оценки их свойств.
3. Проведение измерения параметров ионного источника, определение
оптимальных режимов работы.
4. Формирования оптически стойких покрытий и изучение их свойств.
Объект и предмет исследования. Объектом исследования является
процесс получения покрытий методом ионно-лучевого распыления на основе
оксида кремния, гафния и ниобия и изучение их лучевой стойкости. Предметом
исследования являются экспериментальные зависимости режимов получения
оптически стойки покрытий на основе оксида кремния и их способность
сопротивляться необратимым изменениям оптических параметров при
воздействии мощного оптического излучения.
Область исследования. Содержание диссертационной работы
соответствует образовательному стандарту высшего образования второй
ступени (магистратуры) специальности 1-41 80 01 «Твердотельная электроника,
радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых
эффектах».
Теоретическая и методологическая основа исследования.
В результате выполнения аналитических исследований были
определены основные методы получения оптически стойких покрытий. На
основании преимуществ и недостатков установленных методов при формировании
оптически стойких покрытий, был выбран метод реактивного ионно-лучевого
распыления, позволяющий формировать пленки оксидов высокой плотности и
повышенной лучевой стойкостью.

3
Разработан экспериментальный комплекс на основе мультиапертурного
ионного источника. Экспериментальный комплекс состоит из: вакуумной
установки для создания и поддержания вакуума, мультиапертурного источника
ионов, мишенного узла, системы компенсации заряда, системы подачи рабочего
газа и блоков питания. С помощью зондовой системы определен профиль
распределения плотности тока ионного пучка, определен энергетический спектр
потока ионов на основе снятой тормозной характеристики. Исходя из выше
приведенного установлены эффективные режимы работы мультиапертурного
ионного источника.
Информационная база исследования заключается в определении
оптимальных условий формирования ионного пучка и режимов нанесения
оптически покрытий с повышенной лучевой стойкостью.
Научная новизна диссертационной работы заключается в разработке и
использовании мультиаппертурного ионного источника для формирования
оптически стойких покрытий с высокой плотностью, отсутствием больших
внутренних напряжений и воспроизводимостью стехиометрии методом
ионно-лучевого реактивного распыления и установление лучевой прочности
полученных покрытий.
Связь работы с приоритетными направлениями научных
исследований и запросами реального сектора экономики. Практическая
часть работы выполнялась на ООО «ИЗОВАК-технологии» и результаты работы
используются для внутренних проектов предприятия.
Основные положения диссертации, выносимые на защиту. На защиту
выносятся следующие основные результаты:
1. Формирование оптически стойких покрытий методом реактивного
ионно-лучевого распыления при рабочем давлении 2*10-2 Па,
мощности индукционного разряда в зоне плазмообразования источника
ионов 600 Вт, и напряжении экстрагирующего сетки-электрода 1500 В,
а ускоряющем сетки-электрода 400 В, с расходом Ar – 15 см3/мин и O2
– 24 см3/мин, обеспечивающими формирование четырехслойных
интерференционных покрытий - зеркал, с оптической прочностью для
образцов с парами слоев Nb2O5 + SiO2 и HfO2 + SiO2 в 1,5 раза выше, а
для образцов с парами слоев SiN + SiO2 в 1,2 раза выше чем другими
методами.
Теоретическая значимость диссертации заключается в установлении
зависимостей и закономерностей изменения параметров оптически стойких
покрытий от режимов работы ионного источника.
Практическая значимость состоит в том, что был разработан
экспериментальный комплекс и определены параметры работы
4
мультиаппертурного ионного источника для формирования оптически прочных
покрытий на основе оксида кремния состава Nb2O5 + SiO2, Si3N4 + SiO2,
HfO2 + SiO2.
Личный вклад соискателя. Все основные результаты и выводы получены
соискателем самостоятельно. Сборка, запуск, определение эффективных
режимов работы ионного источника, а также процесса нанесение оптических
покрытий проводилось соискателем лично. Во время работы над диссертацией,
соискателем были исследованы зависимости ионного тока и плотности ионного
тока от разницы напряжений на ускоряющей и экстрагирующей сетках, влияние
расхода газа, мощности ВЧ излучения на однородность ионного пучка, а также
ионный ток, измерена тормозная характеристика ионного пучка и
энергетический спектр ионного пучка. Анализ результатов эксперимента по
формированию покрытий проводился совместно с научным руководителем,
кандидатом технических наук Котовым Д. А.
Апробация результатов диссертации. Основные теоретические
результаты и законченные этапы диссертационной работы, а также результаты
прикладных исследований и разработок были доложены на 56-й научной
конференции студентов, магистрантов, аспирантов БГУИР, 2020.
Отдельные положения, в частности режимы формирования оптически
стойких покрытий использовались в рамках проектов ООО «ИЗОВАК-
технологии»
Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из
введения, общей характеристики работы, четырех глав, заключения и списка
использованных источников, включающего 42 наименования. Общий объем
диссертации составляет 81 страницу.

5
ВВЕДЕНИЕ

Внедрение оптических приборов и методов исследования в различные


области науки и техники приводит к необходимости создания многослойных
диэлектрических, металлодиэлектрических систем не только с расширяющимися
требованиями к их свойствам, но и возможному их сочетанию. Это в первую
очередь оптические, физико-механические, химические и другие свойства. Из
оптических свойств следует упомянуть непрерывно расширяющей
спектральный диапазон работы приборов, ужесточение требований к лучевой
стойкости и прочности покрытий, сочетание возможности отражения
(пропускания) и формирования волнового фронта отражённого (прошедшего)
излучения.
Проблема формирования оптически стойких покрытий включает в себя
научно-технические аспекты, относящиеся к физике, химии, и является довольно
обширной среди современных актуальных направлений технологии. Реализация
этих требований напрямую зависит от достижений в конструировании
оборудования и совершенствования технологических процессов получения
тонких пленок. В настоящее время наиболее перспективными методами
нанесения оптический стойких покрытий являются вакуумные ионно-лучевые.
Это обусловлено их высокой чистотой технологических процессов и качеством
продукции.
Целью настоящей работы является экспериментальное изучение свойств
мультиаппертурного ионного источника и формирование оптически стойких
покрытий для зеркал лазерных резонаторов с более высокой лучевой
прочностью.

6
1 АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРЫ. МЕТОДЫ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ
УСТРОЙСТВА ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИ
ПРОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ.

1.1 Оптические покрытия и их параметры

С развитием технологий в современном мире стало очевидно, что наиболее


эффективный способ модификации поверхности материалов – это нанесение
тонкопленочных (до 50 мкм) покрытий из различных материалов с заданными
структурой и физикомеханическими и химическими свойствами. При помощи
таких покрытий можно существенным образом изменить механические,
оптические, электрические, магнитные, тепловые и химические свойства
исходного материала, получая изделия с требуемыми свойствами.
Оптические покрытия могут быть однослойными и многослойными,
состоящими из чередующихся пленок различных веществ: диэлектриков,
металлов и других пленкообразующих материалов. В зависимости от назначения
и физических свойств их подразделяют на следующие типы: просветляющие,
светоделительные, спектроделительные, зеркальные, фильтрующие,
поляризующие и защитные. При нанесении оптических покрытий на
преломляющие и отражающие поверхности оптических деталей существенно
изменяются оптические параметры и расширяются функции оптических
приборов, работающих в ультрафиолетовом, видимом и инфракрасном
спектральном диапазоне
1.1.1 Просветляющие покрытия. Основная, почти классическая задача,
просветляющих покрытий – увеличение спектрального диапазона и уменьшение
остаточного отражения [1]. Решение её при создании покрытий, работающих в
широком спектральном диапазоне, включающем ультрафиолетовую, видимую и
ближнюю инфракрасную часть спектра, осложняется тем, что оно существенно
зависит от показателя преломления просветляемого материала. Показатель
преломления просветляемых материалов лежит в интервале от 1,35 до 2,20.
Кроме того набор стабильных, химически устойчивых, стойких к воздействию
внешней атмосферы плёнкообразующих материалов невелик. Наибольшие
сложности возникают при создании антиотражающих покрытий на материалах с
малым показателем преломления. Однако, при использовании современных
методов синтеза удаётся создавать конструкции, обеспечивающие заданные
требования [2, 3]. Такие конструкции содержат слои, толщина которых не
превышает нескольких нанометров, что вызывает значительные
технологические сложности при их реализации, связанные как с контролем
толщины слоёв в процессе их изготовления, так и со стабильностью параметров
7
плёнок во времени. Это требует создания новых методов контроля толщины в
процессе осаждения и исследование изменения свойств этих слоёв в процессе
эксплуатации [4, 5].
Не меньший интерес в последнее время предъявляется к покрытиям,
работающим в области вакуумного ультрафиолета [6]. Создание таких покрытий
в настоящее время сдерживается из-за отсутствия знаний о показателях
преломления плёнкообразующих материалов, прозрачных в этой области
спектра и приборов, позволяющих аттестовать эти материалы с достаточной
точностью.
Особый интерес в последние годы проявляется к просветляющим
покрытиям с переменным по толщине показателем преломления. Хотя свойства
таких покрытий известно очень давно их экспериментальная реализация к
настоящему времени почти отсутствует [7].
В последнее время, в связи с экспериментальными исследованиями,
посвящёнными одновременному испарению двух и более плёнкообразующих
материалов в вакууме, появляется надежда на создание таких покрытий.
Толщина одиночного просветляющего слоя должна быть равна или
кратна 1/4 длины световой волны. В этом случае лучи, отражённые от её
наружной и внутренней сторон, отразятся в противофазе и при равной амплитуде
погасятся вследствие интерференции – интенсивность блика станет равной нулю
(см. рисунок 1.1).

Рисунок 1.1 – Интерференция в четвертьволновом противобликовом


покрытии
8
Для наилучшего эффекта (уравнивания амплитуд отражённого света)
показатель преломления просветляющей плёнки должен равняться квадратному
корню показателя преломления оптического стекла. Традиционным материалом
для просветляющей плёнки является фторид магния, обладающий низким
показателем преломления. Отражательная способность стекла, просветлённого
таким способом, сильно зависит от длины волны, что является основным
недостатком однослойного просветления. Минимум отражательной способности
соответствует длине волны равной:

𝜆 = 4𝑑 ∗ 𝑛, (1.1)

где d – толщина пленки, n – её показатель преломления.


В настоящее время однослойное просветление (главное его преимущество
– дешевизна) используется в бюджетных оптических узлах и в лазерной оптике,
рассчитанной на работу в узком спектральном диапазоне.
Помимо однослойных покрытий в просветляющей оптике существуют
также двухслойные покрытия, состоящие из двух просветляющих слоев,
наружный – с меньшим коэффициентом преломления. Имеют лучшие
характеристики, чем однослойные. И многослойные, представляющие собой
последовательность из не менее чем трёх чередующихся слоёв материалов с
различными показателями преломления. Раннее считалось, что для видимой
области спектра достаточно от трех до четырех слоёв. Современные
многослойные просветляющие покрытия практически всех изготовителей имеют
от шести до восьми слоёв и характеризуются низкими потерями на отражение во
всей видимой области спектра.

1.1.2 Свето- и спектроделительные покрытия. Для спектроделительных


покрытий, особенно применяемых в оптоэлектронике и оптической связи,
основная проблема заключается в уменьшении спектрального диапазона зоны, в
которой коэффициент отражения или пропускания меняется быстро (крутизна
спектральной характеристики, определяемая как dT/dλ или dR/dλ должна иметь
максимальное значение в этом диапазоне). Зоны прозрачности, подавления и
контрастность, определяемая как отношение максимального и минимального
пропускания, должны иметь фиксированное значение, которое определяется
техническим заданием [1].
Основная сложность, возникающая при конструировании таких покрытий,
заключается в обеспечении максимального значения параметров dT/dλ (dR/dλ)
[8]. Классический путь её преодоления – использование систем, состоящих из
большого числа четвертьволновых слоёв с малой разницей в показателях
9
преломления плёнкообразующих материалов. Однако при этом зона
максимального отражения уменьшается пропорционально разнице в показателях
преломления. Аналогичный результата может быть достигнут при
использовании материалов с большой разницей показателей преломления
плёнкообразующих материалов при меньшем числе слоёв, что не всегда
возможно в ультрафиолетовой и видимой областях спектра из-за отсутствия
таковых. При решении этой задачи необходимо искать компромиссный вариант,
который позволит при разумном количестве оптических слоёв достичь заданной
величины крутизны. Этот компромисс, как правило, определяется свойствами
плёнкообразующих материалов (собственные напряжения и коэффициент
термического расширения плёнок) и материала подложки [9].

1.1.3 Зеркальные покрытия. Создание систем с максимальным


коэффициентом отражения как на кратных длинах, так и некратных целому
числу длинах волн и расширение спектрального диапазона, захватывающего
спектральный диапазон от ультрафиолетовой до ближней ИК-области спектра,
создание узкополосных зеркал – зеркал с минимальной шириной области
максимального отражения является актуальной задачей. Разработка
конструкции таких зеркал в принципе может быть решена с помощью
современных методов синтеза многослойных диэлектрических систем
(рисунок 1.2).

Рисунок 1.2 – основной принцип и схема получения многослойного


отражающего покрытия

Увеличение коэффициента отражения до величины, максимально


приближенной к ста процентам, значительно увеличивает общую толщину
диэлектрической системы. Это увеличение общей толщины приводит к тому, что
система начинает разрушаться под действием механических напряжений,
10
возникающих в слоях. Возможным выходом из этой ситуации является подбор
пар слоёв взаимно компенсирующих как собственные, так и термические
напряжения [10].
При создании широкополосных систем перспективным является
использование металлодиэлектрических систем. Подобный подход к
конструированию широкополосных отражателей может быть использован для
создания лазерных систем если напряжённость электрического поля световой
волны, доходящих до металлического слоя уменьшается на один- два порядка.
Особый интерес представляют системы, в состав которых входят слои с
заданным распределением показателя преломления по толщине. Такие системы
не только исключают границы раздела между слоями, изготовленными из
различных материалов, что значительно увеличивает механическую прочность и
лучевую стойкость покрытия, но и позволяют реализовать узкополосные
системы, работающие как на кратных, так и не кратных длинах волн [11]. В
общем случае зеркальные покрытия делятся на три типа:
Металлические. Металлические зеркала применяют, когда необходимо
высокое отражение в широком спектральном диапазоне. Коэффициент
отражения металлических зеркал, в отличие от диэлектрических, мало меняется
с изменением поляризации или угла падения света. Основными недостатками
металлических зеркал, в сравнении с диэлектрическими, являются несколько
меньший коэффициент отражения на заданных длинах волн и существенно
меньшая лучевая стойкость.
На рисунке 1.3 представлена зависимость коэффициента отражения от
длины волны различных металлических покрытий.

Рисунок 1.3 – Сравнение оптических свойств металлических зеркал [12]


11
Диэлектрические зеркала. Высокоотражающие (зеркальные) покрытия
состоят из достаточного количества пар равнотолщинных слоев
диэлектрических материалов. Толщина слоёв и количество пар определяется
исходя из условия получения требуемого отражения на центральной рабочей
длине волны и при рабочем угле падения. Ширина зоны отражения определяется
отношением показателей преломления используемых диэлектриков и
составляет, как правило, от 10 до 12% от рабочей длины волны. Чаще всего такие
зеркала создаются для работы с лазерами, когда требуется высокое отражение на
одной длине волны и высокая лучевая стойкость [13]. Отражение от таких
конструкций в рабочем диапазоне превышает 99% (типичное для металлов
значение не превышает 95%), а лучевая стойкость составляет несколько Джоулей
на см2 (против 0.3 Дж/см2 у металлов). Эти покрытия, как правило,
конструируются для угла падения 0 или 45 градусов, но могут быть
оптимизированы под почти любой другой угол. Например, для наших внеосевых
параболических зеркал диэлектрические конструкции оптимизируются под
рабочий угол падения, равный половине внеосевого угла параболы.

Рисунок 1.4 – Высокоотражающее диэлектрическое зеркало на


1064 нм, угол падения ноль градусов

Металл-диэлектрические зеркала. Увеличивая количество


диэлектрических слоёв поверх плёнки алюминия, можно достичь отражения
12
выше 99% в требуемом спектральном регионе. По сути дела, поверх
алюминиевой плёнки создаётся полноценное диэлектрическое зеркало.
Достоинством такой конструкции по сравнению с классическим
диэлектрическим зеркалом является высокое отражение во всём спектральном
диапазоне и меньшая чувствительность конструкции к изменению угла падения
и поляризации света. Но лучевая стойкость данных конструкций остаётся
низкой, не позволяя применять их в силовой оптике [14, 15].

1.1.4 Поляризующие покрытия. В ряде современных приборов


используется излучение как когерентных, так и некогерентных источников с
определённым состоянием поляризации, что выдвигает дополнительные
требования к поляризации отражённого и прошедшего потоков. Если для
лазерных источников расходимость излучения мала, то для ряда других
источников расходимость может достигать величины нескольких десятков
градусов. [16] Для этих источников не только велика расходимость, но и
достаточно велик спектральный диапазон излучения. Это существенно
ужесточает требования к конструкции многослойных систем, отражающих или
пропускающих излучение с произвольным, наперёд заданным состоянием
поляризации, расходимости и спектральным диапазоном. Воспроизводимость
спектральных характеристик таких покрытий определяется точностью контроля
и стабильностью режимов осаждения [16].

1.2 Лучевая прочность покрытий

Лучевая прочность – способность среды или элемента силовой


оптики сопротивляться необратимому изменению оптических параметров и
сохранять свою целостность при воздействии мощного оптического излучения
(например, излучения лазера). Лазерная прочность при многократном
воздействии часто называют лучевой стойкостью. Лазерная прочность
определяет верхнее значение предела работоспособности элемента силовой
оптики. Понятие Лазерная прочность возникло одновременно с появлением
мощных твердотельных лазеров, фокусировка излучения которых в объём или
на поверхность среды приводила к её оптическому пробою. Лазерная прочность
численно характеризуется порогом разрушения (порогом
пробоя) qх – плотностью потока оптического излучения, начиная с которой в
объёме вещества или на его поверхности наступают необратимые изменения в
результате выделения энергии за счёт линейного (остаточного) или нелинейного
поглощения светового потока, обусловленного многофотонным поглощением,
ударной ионизацией или возникновением тепловой неустойчивости [17].
13
Первые два механизма реализуются в прозрачных средах, лишённых
любого вида поглощающих неоднородностей, а также при микронных размерах
фокальных пятен или предельно малых длительностях импульсов излучения.
При этом лазерная прочность покрытий достигает очень больших значений
~1010 – 1013 Вт/см2. При значительных размерах облучаемой области
оптический пробой обусловлен тепловой неустойчивостью среды, содержащей
линейно или нелинейно поглощающие неоднородности субмикронных
размеров [18]. Рост поглощения в окружающей микронеоднородность матрице
связан с её нагревом поглощающими неоднородностями. При этом в материалах
с малой шириной запрещённой зоны увеличивается концентрация свободных
электронов, а в широкозонных диэлектриках происходит термическое
разложение вещества [18].
Распространяющаяся по веществу волна поглощения, инициированная
неоднородностью, приводит к быстрому росту размеров поглощающего дефекта
до критической величины, при которой образуются макроскопические трещины.
Тепловая неустойчивость в реальных оптических средах в широких световых
пучках возникает при энергетической освещённости в пределах 106 – 107 Вт/см2
для импульсов длительностью больше 10−5 с. С уменьшением длительности
импульса Лазерная прочность возрастает вследствие нестационарности нагрева
неоднородностей. Лазерная прочность резко увеличивается при уменьшении
размеров облучаемой области из-за уменьшения вероятности попадания
поглощающей неоднородности в световой пучок [17, 18, 19].
Одним из ключевых узлов лазера, определяющим его рабочие
характеристики, является оптический резонатор. В газовых лазерах резонатор
обычно состоит из двух или более зеркал, одно из которых является выходным,
и прозрачного окна разделяющего активную среду и атмосферу. Зачастую
выходной элемент может совмещать функции окна и полупрозрачного зеркала.
Недостаточно высокая лучевая (оптическая) стойкость материалов силовой
оптики заметно ограничивает технические характеристики лазеров. Так,
предельно достижимая интенсивность излучения реальной лазерной системы в
настоящее время определяется, как правило, оптической стойкостью зеркал
резонатора, в том числе, выходного элемента. Поэтому весьма актуальной
является задача исследования физики процесса взаимодействия мощного
лазерного луча с оптическими элементами [20].
Существует ряд методов получения оптически стойких покрытий,
рассмотрим далее методы их формирования.

14
1.3 Современные методы формирования тонких пленок

Как правило, методы осаждения пленок разделяют на физические (Physical


Vapor Deposition) и химические (Chemical Deposition). Физические методы
основаны на транспорте материала пленки в атомном виде от твердофазного
источника, или мишени, к подложке с последующей конденсацией и
формированием покрытия. В основе химических методов лежит осаждение
газообразных или жидких прекурсоров и образование пленки в результате
химических превращений прекурсоров на поверхности подложки или в
непосредственной близости от нее [21]. Иногда четкое разделение физических и
химических методов провести достаточно трудно: физический метод испарения
металлов может сочетаться с их окислением, а электрохимические технологии
получения пленок, сочетающие признаки как физических, так и химических
методов, представляется целесообразным выделить в самостоятельную группу.
Однако к покрытиям, применяемым в мощных лазерных системах,
предъявляют более жесткие требования на соответствие спецификации и
надежности при эксплуатации в условиях варьирования температур.
Современные оптически стойкие покрытия получают преимущественно
вакуумными методами, из-за более высокого качества и повышенного контроля
за ростом пленки. Рассмотрим основные методы нанесения оптически стойких
покрытий [22].

1.3.1 Электронно-лучевое испарение. Механизм электронно-лучевого


испарения: посредством нагрева нити накала которая служит катодом,
происходит термоэмиссия электронов, причем нить накала располагается не на
одной линии с подложкой, таким образом, устраняется появление в пленке
примесей от материала катода.
Лучшие результаты при напылении получаются, если испаряемый
материал разместить в небольшом углублении охлаждаемого водой медного
нагревателя. Электронный ток силой 100 – 500 мА эмитируется вольфрамовой
нитью накала, находящейся вне поля прямого видения со стороны испаряемого
вещества, и ускоряется высоким напряжением 3 — 10кВ. Электронный луч с
помощью магнитного поля направляется на маленький участок испаряемого
вещества, которое локально плавится. Некоторые соединения перед испарением
подвергаются диссоциации и от испарителя в первую очередь отделяется
компонент, который имеет более высокое давление пара. Для преодоления этого
эффекта различные компоненты соединения испаряются из отдельных
источников со скоростями, соответствующими молекулярному составу
конденсата [23, 24].
15
Рисунок 1.5 – схема электронно-лучевого испарителя [25].

Преимущества электронно-лучевого испарения обусловлены тем, что


энергия подводится непосредственно к поверхности мишени, где формируется
поток пара. В зоне действия электронов может развиваться температура до
10000°C. Благодаря этому возможно получать пленки тугоплавких металлов –
тантала, молибдена и др. При электронно-лучевом испарении капельная фаза
практически отсутствует, т. к. нагревается поверхность мишени. Особенностью
данного метода является то, что подложки не нагреваются в процессе испарения,
т. к. они располагаются на большом расстоянии от испарителя (30–40 см).
Метод позволяет варьировать скорость осаждения пленки от 1 нм до
нескольких микрометров в минуту. Эффективность использования материала
мишени достаточно высока по сравнению с другими методами. Пленки,
полученные с помощью электронно-лучевого испарения, имеют хорошую
адгезию.
Данным методом получают покрытия из сплавов металлов,
полупроводников и даже диэлектриков. При нанесении пленок сложного
химического состава испарение вещества проводится в контролируемой газовой
атмосфере, что позволяет избежать химического распада испаряемого вещества
за счет выделения летучих компонентов. Например, напыление оксидных пленок
TiO2−MnO2 проводили в атмосфере, содержащей остаточный кислород [9].
Недостатки метода также известны – это чувствительность характеристик
пленок к изменениям температуры и относительно невысокие точность и
воспроизводимость процесса при нанесении многослойных покрытий [24].

1.3.2 Магнетронное распыление. На сегодняшний день магнетронные


распылительные системы широко используются в технологиях нанесения
16
покрытий вакуумно-плазменными методами. Действие МРС основано на
распылении поверхности катода-мишени ускоренными ионами, образующимися
в плазме тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, и
формировании потоков атомов материала мишени в направлении поверхности,
на которую осаждается покрытие.
Основными элементами МРС (рисунок 1.11) являются катод-мишень 1,
анод 2 и магнитная система 3. При подаче постоянного напряжения между
электродами МРС инициируется аномальный тлеющий разряд.

1 – катод-мишень; 2 – анод; 3 – магнитная система; 4 – силовая


линия магнитного поля; 5 – траектория движения электронов;
6 –зона наибольшей эрозии поверхности катода.

Рисунок 1.6 – схема магнетронной распылительной системы с плоской


мишенью

Наличие замкнутого магнитного поля у распыляемой поверхности


позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у мишени. Электроны,
образующиеся в результате вторичной ионно-электронной эмиссии,
захватываются магнитным полем и движутся по замкнутым траекториям у
поверхности мишени. Они оказываются в ловушке, создаваемой с одной стороны
магнитным полем, удерживающим электроны у поверхности катода, а с другой

17
стороны – тормозящим электрическим полем, отталкивающим их. В результате
эффективного удержания электронов и их интенсивной энергетической
релаксации, значительно возрастает концентрация положительных ионов у
поверхности катода. Что в свою очередь обусловливает увеличение
интенсивности ионной бомбардировки поверхности мишени и плотности потока
распылённых атомов. Наиболее интенсивно распыляется поверхность мишени в
области сильного магнитного поля. Эта часть поверхности имеет вид замкнутой
дорожки, геометрия которой определяется формой полюсов магнитной
системы [25].
Существенное влияние на качество формируемых покрытий, их адгезию к
основе оказывает состояние поверхности образцов. Как правило, на поверхности
образцов существует оксидный слой, который ухудшает адгезию покрытия.
Технологический цикл нанесения покрытий включает в себя этап чистки
поверхности образцов. С этой целью используют направленные потоки ионов
инертных газов, генерируемых источниками ионов. Кроме того, ускоренными
ионами можно воздействовать на обрабатываемую поверхность в процессе роста
плёнки (ионное ассистирование), что позволяет изменять структуру, а,
следовательно, и свойства покрытия. Улучшается микроструктура, в частности
увеличивается плотность и однородность, размельчается столбчатая структура,
исчезает сквозная пористость, что приводит к улучшению износо-, усталостной
и коррозионной стойкости изделий с покрытиями [25].

1.3.3 Ионно-лучевое распыление. В последние годы для нанесения


покрытий на оптические элементы активно используют установки ионно-
лучевого распыления материала, особенно при создании прецизионных
покрытий. Оригинальные тонкопленочные покрытия на оптических элементах
получают методом ионного напыления. В процессе осаждения материала на
подложку потоками низкоэнергетичных медленных ионов толщину покрытия
подвергают особому постоянному оптическому контролю. Требуемая толщина
пленки может быть выдержана очень точно благодаря низкой скорости
нанесения и высокой воспроизводимости, присущей этому методу. Более того,
метод используют для создания очень плотных покрытий, не чувствительных к
температурному дрейфу и имеющих низкое рассеяние света. Однако такой метод
напыления имеет и большой недостаток, хотя он является продолжением его
достоинств, слишком малую производительность, к тому ведет низкая скорость
роста пленок [26].
Ионно-лучевое распыление предпочтительно для формирования
тонкопленочных диэлектрических покрытий. В отличие от других ионных
методов, при ИЛР практически можно гарантировать перенос состава оксидной
18
мишени в покрытие. Достоинством ИЛР является высокая степень
контролируемости основных рабочих параметров, высокий рабочий вакуум,
пространственное разделение областей генерации плазмы и непосредственной
конденсации материала, минимальное воздействие вторичных электронов на
подложки, отсутствие высокого напряжения на мишени [26].
При добавлении реактивного газа, кислорода, в камеру, можно получать
пленки заданного состава и в этом случае соединение образуется за счет реакции
реактивного газа с атомами материала мишени, ниже рассмотрим данный
метод [26].

1.3.4 Реактивное ионно-лучевое распыление. При реактивном ионном


распылении протекают реакции с осаждаемым веществом. В вакуумную камеру
вводят дозированное количество реактивного газа (азот, кислород, метан, и т.д.),
для того, чтобы он в зависимости от концентрации вступил в химическое
соединение с распыляемым веществом [27].
Один из основных вопросов, интересующих исследователей реактивного
распыления, заключается в определении той области распылительной системы,
где происходит реакция. Образует ли химически активный газ слой на
поверхности катода, после чего распыляются молекулы соединения, или же
реакция происходит непосредственно на подложке? Имеющиеся данные
свидетельствуют, что более существенным является второй механизм. Реакция в
газовой фазе маловероятна из-за возникающих проблем сохранения импульса и
рассеяния теплоты реакции.
Результатом процесса реактивного распыления является рост пленки
химического соединения с заданным составом и скоростью. При этом используя
сравнительно легко изготавливаемые мишени из металлов и сплавов, можно
получать различные сложные соединения, меняя состав и парциальные давления
рабочих газов, параметры разряда и температуру подложки, обеспечивается
высокая адгезия пленки к подложке благодаря большой энергии
конденсирующихся атомов, получение пленок из тугоплавких металлов
протекает без чрезмерного перегрева вакуумной камеры, большая площадь
распыляемой пластины материала – мишени, выполняющей функции источника
атомов осаждаемого вещества, позволяет получить полностью равномерные по
толщине пленки на подложках больших размеров, что обеспечивает
эффективную реализацию группового метода обработки [28].
Использование сеточных ионных источников в данном методе
предпочтительнее, поскольку этот метод позволяет получать пучок ионов с
высокой степенью моноэнергетичности ионов и данное преимущество является

19
определяющим при выборе типа установки для формирования оптических
покрытий.

1.4 Теория зародышеобразования и формирования пленки

1.4.1 Падение частиц на подложку, адсорбция и термическая


аккомодация, процессы при взаимодействии атомов, молекул и радикалов с
поверхностью. Во всех теориях зародышеобразования первым этапом считается
столкновение атомов или молекул пара с подложкой. В результате столкновения
частицы пара могут адсорбироваться и прочно закрепиться на подложке, могут
через конечный промежуток времени после адсорбции снова испариться, а могут
и мгновенно упруго отразиться от подложки.
В общем случае незаряженные нейтральные частицы (НЧ) пара падают на
поверхность с энергиями, значительно большими kT, где T – температура
подложки. Поэтому возникает вопрос, сможет ли такая частица, например, атом
пара достаточно быстро прийти в равновесие с подложкой так, чтобы смогла
произойти его адсорбция, или он отразится от подложки, не отдав ей при этом
всей своей энергии. В последнем случае, коэффициент термической
аккомодации, который определяется как:

𝛼 𝑇 = (𝐸𝑦 − 𝐸𝑟 )⁄(𝐸𝑦 − 𝐸) = (𝑇𝑦 − 𝑇𝑟 )⁄(𝑇𝑦 − 𝑇) (1.2)

где Ev – кинетическая энергия атома пара, падающего на подложку; Er – энергия


десорбированного атома до установления равновесия с подложкой; E – энергия
десорбированного атома после установления равновесия с подложкой; Tv, Tr, T
– соответствующие температуры [29].
Мак-Фи и Леннард-Джонс показали, что время, необходимое для того,
чтобы падающий атом потерял свою избыточную кинетическую энергию и
закрепился на подложке, порядка 2/ν, где ν частота колебаний решетки в
подложке. Таким образом, атом, столкнувшись с подложкой, за несколько
колебаний решетки теряет почти всю свою избыточную энергию. Поэтому
будем в дальнейшем полагать, что установление равновесия происходит
мгновенно.

1.4.2 Классификация процессов. Процессы взаимодействия НЧ с


поверхностью можно разделить на группы:
- процессы, происходящие на поверхности и в тонком приповерхностном
слое и приводящие к адсорбции или отражению первичных НЧ, диффузии

20
адсорбированных частиц, внедрению НЧ в приповерхностный слой, нагреву
поверхности;
- эмиссионные процессы: эмиссия электронов, физическое и химическое
распыление, десорбция первичных НЧ и слабосвязанных физически
адсорбированных инородных частиц.

1.4.3 Отражение первичных НЧ:


а). Упругое отражение без изменения кинетической энергии НЧ.
Такой процесс наблюдается при энергии падающей на поверхность
частицы Е0 от 0,03 до 0,5 эВ. Коэффициент отражения составляет от 10 -3 до 10-1
в зависимости от типа НЧ и материала поверхности и растет в этих пределах с
уменьшением поляризуемости НЧ.
б). Упругое отражение с обменом кинетической энергией.
Такой процесс наблюдается при Е0 < 0,5 эВ. Коэффициент отражения
лежит в интервале 0,8 – 0,95. Обмен энергией между НЧ и твердым телом
возможен в том случае, когда падающая НЧ находится некоторое время в
адсорбированном состоянии.
Для многоатомных НЧ в обмене энергией могут принимать участие не
только кинетическая энергия, но и вращательная и колебательная. Коэффициент
аккомодации в этом случае будет больше, чем для одноатомных НЧ и включает
в себя три парциальных коэффициента, соответствующих каждому виду
энергии. Для большинства металлических поверхностей при столкновении с
молекулами N2, O2, CO2, CnHm, SF6 коэффициент аккомодации лежит в интервале
0,5 – 0,95. Максимальное значение, равное 0,98, он принимает для молекулы
H2O.
в). Неупругое отражение с поверхностной ионизацией.
Часть падающих НЧ может покинуть поверхность в ионизованном
состоянии, т.е. приобрести или положительный или отрицательный единичный
заряд.
Отрицательная ионизация наблюдается при столкновении
электроотрицательных НЧ с нагретыми поверхностями. В этом случае частица
захватывает с поверхности электрон. Типичные примеры таких НЧ – F, Cl, Br,
O, NO, O2.
г). Неупругое отражение с поверхностным тушением.
Если падающая НЧ находится в возбужденном состоянии, то в процессе
отражения она переходит в основное с вероятностью близкой к единице [21].

21
1.4.4 Эмиссия электронов. Обнаружено два механизма эмиссии электронов
при взаимодействии НЧ с поверхностями: потенциальная и кинетическая
эмиссия. Потенциальная эмиссия происходит при условии, когда НЧ обладает
внутренней энергией Ев (энергией возбуждения) и она превышает работу выхода
электрона eφ. Возбужденные НЧ имеют высокую поляризуемость (большой
дипольный момент). При их приближении к поверхности на расстояние 2 – 3 Å
происходит полевое вырывание электрона и тушение частицы. Максимальная
энергия эмитированного электрона равна Ев – eφ. Коэффициент эмиссии при
столкновении метастабильных возбужденных атомов Ar и He с поверхностью
металлов порядка 0,05, с поверхностью полупроводников – 0,001.
Кинетическая эмиссия происходит, если не выполняется условие для
потенциальной и кинетическая энергия частицы Е0 превышает 500 эВ. Механизм
эмиссии сводится к ударной ионизации частицы поверхности. Коэффициент
эмиссии растет от 10–3 до 5.10–2 при облучении металлов атомами Ar с Е0 от 0,7
до 2 кэВ.

1.4.5 Физическое распыление поверхности. Это процесс удаления


(выбивания) с поверхности атомов (молекул, радикалов), принадлежащих
материалу поверхности, под действием падающих НЧ. Процесс относится к
пороговым, т.к. Е0 должна быть больше или равна энергии связи частиц
поверхности ЕСВ. Для очень широкого круга материалов поверхности (от Be до
Au) ЕСВ = 15 – 30 эВ. При Е0 > Есв коэффициент распыления весьма низок и
может достигать 10–3 – 10–4 из-за низкой энергии НЧ. Процесс можно наблюдать
лишь при использовании ионно-лучевых, ионно-плазменных и ионных
источников НЧ.

1.4.6 Десорбция слабосвязанных инородных частиц. Это процесс удаления


с поверхности физически адсорбированных инородных частиц, т.е. частиц с
энергией связи ЕСВ = 0,01 – 0,5 эВ. Процесс относится к пороговым, т.к. Е0
должно превышать ЕСВ. При их отличии на порядок и более вероятность
десорбции превышает 0,5.

1.4.7 Адсорбция падающих НЧ. Это процесс прилипания падающих НЧ к


поверхности под действием сил связи (притяжения) [20].
Силы связи при адсорбции. При приближении НЧ к поверхности на
расстояние меньше 10 Å между ней и частицами поверхности возникают силы
взаимодействия. Различают три предельных типа сил взаимодействия,
приводящих к адсорбции: силы Ван-дер-ваальса, обменные и гетерополярные.

22
Адсорбцию под действием сил Ван-дер-Ваальса называют физической.
Силы Ван-дер-Ваальса – это электростатически наведенные силы,
обусловленные деформацией внешних электронных оболочек. Они относятся к
слабым силам. Энергия связи под действием этих сил составляет 0,01 – 0,3 эВ в
зависимости от материала поверхности и рода НЧ. Силы проявляются при
приближении НЧ к поверхности на расстояние 3 – 10 Å и относятся к
дальнодействующим. Особенностью этих сил является отсутствие у них
активационного барьера. Силами Ван-дер-Ваальса в основном обусловлена
физическая адсорбция органических молекул, атмосферных частиц,
многоатомных молекул и инертных газов.
Силы Ван-дер-Ваальса в свою очередь делятся на ориентационные,
индукционные и дисперсионные. Ориентационные силы возникают между
частицами с постоянными дипольными моментами. Индукционные силы
возникают между частицами с постоянным и наведенным дипольным моментом
или наведенным зарядом (для металлических и полупроводниковых
поверхностей). Дисперсионные силы возникают при корреляции между
флуктуирующими дипольными моментами.
При физической адсорбции инертных газов, а также молекул N2, O2, и H2
преобладают дисперсионные силы. При физической адсорбции молекул H2O,
CO, и NH3 преобладают ориентационные силы [21].
Адсорбция под действием обменных сил называется химической или
слабой хемосорбцией. Обменные силы возникают при перекрытии электронных
оболочек взаимодействующих частиц и обусловлены электронными переходами
между НЧ и частицей поверхности. Эти силы проявляются при расстояниях 1 –
3 Å и относятся к короткодействующим. Обменные силы приводят к
образованию химической ковалентной связи между НЧ и частицей поверхности.
Такая связь образуется двумя электронами с противоположными спинами,
принадлежащими двум атомам. Энергия связи – единицы эВ. Для НЧ,
совпадающих с материалом поверхности, энергия связи может достигать 30 эВ.
Для молекулярных НЧ возникновение обменных сил требует энергии
активации (например, для разрыва замкнутых поверхностных связей или
диссоциации падающей НЧ). Для идеальных поверхностей, например,
поверхности Si, полученной сколом в вакууме, химическая адсорбция атомов
металла происходит без подвода энергии активации. Причем прочность
соединения (силицид) выше прочности каждого из материалов в отдельности.
Адсорбция под действием гетерополярных (или кулоновских) сил
называется сильной хемосорбцией. Гетерополярные силы возникают при
передаче электрона от НЧ к поверхности или наоборот. На поверхности
образуется слой ионов, который индуцирует в материале поверхности заряд
23
обратного знака. Под действием гетерополярных сил возникает ионная связь.
Энергия связи превышает эту величину для обменных сил и составляет единицы
эВ. Для возникновения гетерополярных сил НЧ должна приблизиться к
поверхности на 1 – 2 Å.

1.4.8 Потенциальные кривые адсорбции. Десорбция и миграция. Процесс


адсорбции НЧ хорошо иллюстрируется потенциальными кривыми адсорбции,
показывающими зависимость потенциальной энергии W НЧ от ее расстояния r
до поверхности (рисунок 1.7)
На участках кривых 1 и 2, где dW/dr > 0 действуют силы притяжения, при
обратном знаке производной – силы отталкивания [22].
Адсорбция, описываемая кривой 1, происходит при столкновении с
поверхностью НЧ, не обладающих внутренней энергией (энергия возбуждения
и диссоциации). Примерами таких частиц могут быть молекулы N 2, O2, H2, H2O
и т.д., атомы инертных газов, атомы металлов и полупроводников, если материал
поверхности не совпадает с родом НЧ. Адсорбция, описываемая кривой 2,
происходит для НЧ, имеющих внутреннюю энергию.

1 – кривая физической адсорбции; 2 – кривая химической адсорбции;


Wф и Wх – глубина потенциальной ямы или энергия связи для физической и
химической адсорбции соответственно; Wa – энергия активации; Iд и Iв –
энергия (потенциал) диссоциации и возбуждения соответственно.

Рисунок 1.7 – потенциальные кривые абсорбции


24
Такими НЧ являются возбужденные химически устойчивые молекулы,
молекулярные радикалы в основном и возбужденном состоянии, атомы,
обладающие свободными химическими связями (например, N, O, H, OH) и
способные образовать химическое соединение с частицами поверхности.
Рассмотрим особенности адсорбции НЧ, используя кривые на рисунке 1.7.
а). Физическая адсорбция.
В зависимости от Е0 падающей НЧ возможны следующие случаи:
- Е0 > Wф. В этом случае произойдет упругое отражение без передачи
кинетической энергии. НЧ совершит одно колебание в потенциальной яме и
покинет поверхность. Период колебания t0 порядка 10-12 с. Если Е0 близкок Wф,
то НЧ совершит от 2 до 103 колебаний с уменьшающейся амплитудой и
произойдет ее упругое отражение с передачей кинетической энергии.
- E0 >> Wф и Wa. В этом случае произойдет внедрение НЧ в поверхность,
которое может с малой вероятностью сопровождаться процессом физического
распыления или эмиссии электрона.
- Е0 равна или немного превышает величину (Wф + Wа). В этом случае
частица достигнет точку М, где возможна ее диссоциация и переход полученных
радикалов на кривую 2.
- Е0 < Wф. В этом случае произойдет физическая адсорбция. НЧ будет
колебаться в потенциальной яме с конечной установившейся амплитудой rф1 –
rф2. НЧ увеличит или уменьшит свою кинетическую энергию в зависимости от
температуры поверхности.
Адсорбция характеризуется понижением свободной энергии поверхности
и убылью энтропии из-за потери некоторых степеней свободы НЧ. В результате
адсорбция является экзотермическим процессом и сопровождается выделением
тепла. Теплота физической адсорбции Qа зависит от сорта НЧ и материала
поверхности и не превышает 108 Дж/кмоль. Например, при адсорбции на
углерод паров воды Qa = 0,9.108 и азота – 0,1.108 Дж/кмоль.
Частица, попавшая в потенциальную яму, будет находиться в ней
промежуток времени, называемый временем абсорбции ta.

𝑡𝑎 = 𝑡0 𝑒 (𝑄𝑎/𝑅𝑇) (1.3)

Например, для НЧ воздуха при Т = 293 К ta порядка 10–10 с, а при Т = 77 К


(температура жидкого азота ta порядка секунды. Для паров воды ta порядка 102 с
при комнатной температуре.
По истечении времени t > ta происходит самостоятельная десорбция НЧ с
поверхности. Если частица покинула поверхность за время t0 < t < ta, то этот

25
процесс называют вынужденной десорбцией. Вынужденная десорбция может
произойти только при передаче адсорбированной НЧ кинетической энергии
путем столкновения с ней другой частицы. Такими частицами могут быть
налетающие на поверхность ионы, атомы, молекулы, радикалы, фотоны,
электроны. Следует отметить, что при столкновении адсорбированной НЧ с
электроном или фотоном наиболее вероятны процессы возбуждения и
диссоциации и в итоге переход НЧ на кривую 2 [29].
Глубина потенциальной ямы неоднородна вдоль поверхности. Особенно
это проявляется для физически и механически неоднородных поверхностей.
Даже для идеальных поверхностей глубина потенциальной ямы больше в
местах, соответствующих центрам поверхностных частиц. По этой причине
физически адсорбированная НЧ может перемещаться (мигрировать) по
поверхности, периодически перескакивая из одной более глубокой ямы в
другую. Такой процесс называют миграцией адсорбированных частиц. Время
нахождения НЧ в одной яме (время между скачками) называют временем
миграции tm. Его величину можно оценить по формуле:

𝑡𝑚 = 𝑡0 𝑒 (𝑄𝑚 ∙𝑅𝑇) (1.4)

где Qm – теплота миграции. Qm < Qa и зависит от типа решетки и степени


неидеальности поверхности, возрастая с ростом последней. Например, для
идеальной кубической решетки Qm = 0,5Qa и число скачков n за время адсорбции
n = ta/tm = 107. Путь, пройденный частицей за время адсорбции, L = nD = 0,5 см
при D = 5 Å, где D – постоянная решетки. Для неидеальных поверхностей с
высокой плотностью поверхностных дефектов и механической
неоднородностью минимумы Wф могут быть аномально большими. Это
приводит к резкому росту ta и tm.
Миграция – один из ключевых моментов механизма образования
пленочных покрытий на поверхности.
б). Химическая адсорбция.
В зависимости от Е0 падающей НЧ возможны следующие случаи:
- E0 > Wx + Iд (Iв). НЧ упруго или неупруго отразится от поверхности
с передачей или нет кинетической энергии.
- E0 >> Wx + Iд (Iв). Произойдет внедрение НЧ в приповерхностный
слой.
- E0 < Wx + Iд (Iв). Произойдет химическая адсорбция НЧ с
установившейся конечной амплитудой колебаний rХ1 – rХ2.

26
Теплота химической адсорбции в 2 –5 раза больше чем физической. Время
адсорбции и миграции на несколько порядков выше. Вероятность
самопроизвольной десорбции очень мала. Для вынужденной десорбции
необходима энергия Wx + Wa или Wx + Iд, что значительно больше нежели в
случае физической адсорбции.
Пересечение кривых 1 и 2 (т. М рисунок 1.7) позволяет для нерадикальных
НЧ ступенчато переходить от физической к химической адсорбции, преодолев
активационный барьер (Wa плюс потенциальная энергия частицы в яме) за счет
получения энергии от внешних частиц, включая и частицы твердого тела. В
последнем случае это возможно при нагреве поверхности. Конечно, процесс
перехода из физической ямы в химическую сопровождается диссоциацией НЧ.

1.4.9 Внедрение НЧ (Атомная имплантация). Процесс наблюдается при Е0


больше единиц эВ. Глубина внедрения ограничивается в основном потерями
энергии в процессах упругого рассеяния НЧ при их движении и составляет 5 –
100 Å при Е0 = 10 – 50 эВ. Концентрация внедренных НЧ по направлению,
перпендикулярному к поверхности, плавно спадает от максимального значения
на поверхности.

1.4.10 Диффузия адсорбированных НЧ и растворение газов. При


взаимодействии стационарного потока НЧ с поверхностью на ней
устанавливается некоторая поверхностная плотность Ns адсорбированных
частиц. Величина Ns зависит от материала поверхности, степени идеальности и
температуры, сорта и плотности потока НЧ. При достаточно интенсивных
потоках НЧ адсорбированные частицы могут образовывать сплошной
моноатомный слой (порядка 1015 см-2). Дальнейший рост плотности потока НЧ
может привести к многослойной адсорбции. Указанное создает необходимые
условия для диффузии адсорбированных частиц в глубь материала поверхности.
Процесс диффузии хорошо описывается законами Фико:

𝐼 = −𝐷(𝑑𝑁/𝑑𝑥) (1.5)

𝜕𝑁/𝜕𝑡 = 𝐷(𝜕 2 𝑁/𝜕𝑥 2 ) (1.6)

где I – плотность диффузионного потока, D – коэффициент диффузии, N –


объемная плотность частиц в поверxностном слое, х – координата вглубь
твердого тела.
Граничным условием для решения системы уравнений является то, что
N(0,t) = Ns = const и при бесконечно большом времени N не может превысить
27
величину N*, где N* – предельная растворимость данного сорта НЧ и данном
материале поверхности [21].
Решение уравнений Фико в рассматриваемом случае имеет вид:

𝑁(𝑥, 𝑡) = 𝑁𝑠 ∙ 𝑒𝑟𝑓𝑐[(𝑥/2)(𝐷𝑡)−0,5 ] (1.7)

Графически вид решения представлен на рисунке 1.8.

Рисунок 1.8 – распределение плотности диффундированных в


поверхность НЧ для различных моментов времени. τ2 > τ1.

Основной трудностью расчета N(x, t) является то, что далеко не всегда


известна величина N*, которая зависит от сорта НЧ, материала, структуры и
температуры поверхностного слоя, а также то, что величина D зависит от
большого числа факторов и параметров процесса. А именно, D пропорционален
exp(– 1/T), зависит от материала поверхности и сорта НЧ, кристаллографической
ориентации поверхности, степени кристалличности (размер зерен, плотность и
вид дефектов), механических напряжении поверхностного слоя.
Практический интерес представляют случаи долговременного контакта
поверхностей с газовыми средами, когда концентрация продиффундировавших
частиц достигла N*. Для металлов с гомополярной связью величину N* можно
рассчитать по формуле:

𝑁 ∗ = 𝑁0 𝑝1⁄𝑛 𝑒 ±𝑄𝑠/𝑅𝑇 (1.8)

28
где N0 – постоянный коэффициент, определяемый сортом НЧ, Qs – энергия
активации при растворении, n – число атомов в молекуле, знак (+) для НЧ,
образующих химическое соединение, знак (–) для НЧ, образующих истинные
растворы.
В металлах газы растворяются в атомарном состоянии и перед
растворением происходит диссоциация НЧ. Величина N* измеряется в единице
(атом НЧ/атом материала поверхности) и может принимать значения от близкой
к нулю (например, пары Al – N2 и Ag – N2) до типичных значений порядка 10–2–
10–4. Максимальное значения N* достигается для пары Ti – H2, изменяющееся от
1 до 8 с понижением температуры от 700 оС до 0 оС.
Для материалов с ионной связью (например, LiF) или ковалентной связью
(например, Si) растворение НЧ может происходить в молекулярном состоянии.
Для таких материалов зависимость N*(T) сложнее, нежели рассмотренная выше.
Например, предельная растворимость As и P в Si имеет максимум 2.10 -2
атом/атом при температуре 1150 оС.

1.4.11 Химическое травление (распыление). Это процесс удаления с


поверхности частиц, принадлежащих материалу поверхности, в результате
химических реакций между адсорбированными НЧ и частицами поверхности.
Необходимым условием процесса является возможность образования
«летучих» и стабильных при температуре поверхности Тп химических
соединений. Термин «летучее» соединение означает, что при Тп продукт
реакции испаряется с поверхности, т.е. химическое травление возможно при Тп
больше или равной температуре кипения соединения.
Большинство металлов, полупроводников, а также их оксиды и нитриды
образуют «летучие» соединения с относительно низкой температурой кипения с
продуктами диссоциации фтор- и хлорсодержащих газов (CCl4, CF4, SF6, BCl4 и
т.д.). Летучими соединениями являютcя: AlCl3, SiF4, TiF4, MoF6, AuCl3 и т.д.
Температура кипения этих соединений лежит в интервале от 180 К (AlCl3) до 557
К (TiF4).
Реакции с образованием летучих соединений могут идти как с участием
радикалов, падающих на поверхность, так и с участием молекул, физически
адсорбированных на поверхности. В последнем случае должен происходить
переход от физической к химической адсорбции путем стимуляции диссоциации
потоками электронов, фотонов, ионов.

1.4.12 Нагрев поверхности. Ряд из выше перечисленных процессов


взаимодействия НЧ с поверхностью сопровождается выделением тепла. А
именно, процесс неупругого отражения, физического распыления, атомной
29
имплантации, адсорбции, химического распыления. Поскольку эти процессы
происходят или на поверхности, или на очень малых глубинах, меньших 0,01
мкм, то энерговыделение можно считать поверхностным. В уравнении
теплопроводности необходимо решать одномерную задачу. Решение уравнения
теплопроводности всегда приводит к тому, что максимальная температура
достигается на поверхности.
В некоторых случаях химического распыления, а также для процессов
поверхностной ионизации и эмиссии электронов происходит снижение
температуры поверхности. В этих случаях количество выделенной падающими
НЧ энергии меньше энергии затраченной на образование летучих продуктов или
ионизацию [29].

1.5 Процесс зародышеобразования

Адсорбированные атомы могут мигрировать по поверхности, сталкиваясь


с другими атомами могут объединяться в малые частицы (кластеры) или иначе
называемые зародышами. Они, по сравнению с отдельными атомами, должны
быть более устойчивы к повторному испарению. В большинстве теорий
постулируется, что как только зародыш достигнет определенной критической
величины, в среднем, он уже не распадается на отдельные атомы, а растет.
Существуют две основные теории зародышеобразования в тонких
пленках, основанные на капиллярной и атомной моделях, которые отличаются в
подходе к вычислению энергии образования зародышей. Существует и третья
заслуживающая внимания модель, в которой подчеркивается возможность
испарения кластеров с подложки. Капиллярная модель предсказывает, что
изменение свободной энергии при образовании зародыша имеет максимум, т.е.
зародыш по мере роста и прохождения через критический размер имеет
минимум устойчивости по отношении к диссоциации в паровую фазу.
Максимум свободной энергии получается в результате конкуренции двух
параметров: очень большого отношения поверхности к объему в малых
зародышах, из-за которого их устойчивость уменьшается и наличия энергии
конденсации (энергии связей между атомами), увеличивающей устойчивость
зародышей с увеличением их размера (рисунок 1.9). Таким образом, зародыши,
превысившие критический размер, быстро повышают свою устойчивость с
каждым присоединенным атомом, и процесс их разрушения и испарения
становиться маловероятным. На процесс повторного испарения очевидно
определяющим образом влияет температура подложки, если нет других
энергетических воздействий на поверхность. В эксперименте соответствующую
температуру при которой начинает наблюдаться конденсат называют
30
критической Т0. При Т < Т0 среднее время жизни адсорбированного атома
настолько велико, что все атомы попадающие на подложку, захватываются
устойчивыми зародышами и конденсация с самого начала является полной, т.е.
коэффициент прилипания αs = 1 даже при времени наблюдения близком к нулю
[30].
Поэтому, зависимость массы конденсата от времени с момента начала
процесса нанесения пленки будет линейной (рисунок 1.10). В эксперименте
выявление этой линейности разумеется в сильной степени зависит от
чувствительности приборов, используемых для измерения сконденсированного
вещества. При Т > Т0 в начальный период времени конденсация является
неполной, т.е. αs < 1 и по мере накопления на поверхности зародышей с размером
больше критического, усиливается захват атомов и присоединение их к
растущим зародышам и конденсация становится полной и рассматриваемые
зависимости выходят на линейный участок (рисунок 1.10).

Рисунок 1.9 – зависимость свободной энергии образования


зародыша от его размера.

31
Рисунок 1.10 – зависимость массы
сконденсировавшегося вещества от времени при
разных температурах подложки [31].

При увеличении температуры подложки степень пересыщения


понижается, среднее время жизни адсорбированного атома уменьшается, а
коэффициент поверхностной диффузии адатомов увеличивается. Рассмотрение
этих эффектов в теориях позволяет определить следующие критические
температуры:
- «критическая температура конденсации», выше которой невозможно
наблюдать появление осадка, т.к. αs << 1, ta мало и площадь поверхности,
покрытая зародышами и связанными с ними зонами захвата мала; при
температуре выше критической конденсацию наблюдать невозможно, при
температуре ниже критической она происходит быстро; с критической
температурой конденсации связана температура Т0, выше которой конденсация
в начальный период времени неполная, а ниже – полная с самого начала;
- температуры «переходов», соответствующие изменению размера
критического зародыша, температуры «переходов» можно наблюдать только
размер критического зародыша мал и добавление еще одного атома существенно
меняет размер зародыша и, следовательно, его устойчивость;
- температура «эпитаксии», выше которой наблюдается эпитаксиальный
рост осадка на монокристаллической подложке; температура «эпитаксии» в
32
сильной степени зависит от скорости осаждения и состояния поверхности
подложки.
По-видимому, наилучшей методикой изучения зародышеобразования
является проведение процесса осаждения внутри электронного микроскопа, т.к.
это дает возможность непосредственно наблюдать за образованием кластеров и
измерять их размеры.
Размер критического зародыша и, следовательно, зернистость пленки
сильно зависят от природы металла, для тугоплавких металлов (с высокой
температурой кипения), таких как W, Mo, Ta, Pt и Ni, даже очень маленькие
зародыши являются устойчивыми. У металлов с низкой температурой кипения,
таких как Cd, Mg, и Zn, зародыши должны стать достаточно большими, прежде
чем они станут устойчивыми, их устойчивость с увеличением размера растет
очень медленно, диссоциация или повторное испарение при этом остаются
вероятными. Критические зародыши должны иметь бóльшие размеры, если
поверхностная энергия конденсируемого материала велика, а материала
подложки мала [31].
Чем сильнее связь между адатомами и подложкой, тем меньше
критический зародыш и тем больше частота зародышеобразования.
Увеличение температуры подложки приведет к увеличению размера
критического зародыша. Кроме того, островковая структура будет сохраняться
до бóльших средних толщин, чем те, которые соответствуют низким
температурам.
Увеличение скорости осаждения приводит к увеличению скорости
зародышеобразования и к образованию более мелких островков. Непрерывная
пленка образуется при меньших толщинах. Зависимость слабая и эффект
заметен только при изменении скорости на несколько порядков.

1.6 Этапы и четыре стадии формирования пленки

Теория зародышеобразования и электронно-микроскопические


наблюдения позволяют выделить последовательность следующих этапов
образования зародышей и роста пленки вплоть до образования непрерывной
пленки:
1. Появление адсорбированных атомов.
2. Образование субкритических кластеров разного размера.
3. Образование зародышей критического размера (этап
зародышеобразования).

33
4. Рост этих зародышей до сверхкритических размеров с результирующим
обеднением адатомами зон захвата вокруг зародышей. Образование
критических зародышей на площадях не обедненных адатомами.
5. Зародыши соприкасаются друг с другом и срастаются, с образованием
нового островка, занимающего площадь меньше, чем сумма площадей
объединившихся зародышей, это приводит к увеличению свободной
поверхности подложки.
6. Атомы адсорбируются на этих освободившихся участках, и наступает
процесс «вторичного» образования зародышей.
7. Большие островки срастаются, оставляя каналы или полости в пленке.
8. Каналы и полости заполняются в результате вторичного
зародышеобразования и в конце концов образуется сплошная пленка.

Основные этапы схематически показаны на рис. 2.5.

Рисунок 1.11 - этапы формирования пленки

Можно выделить 4 стадии процесса роста пленки (по Пэшли):


- образование зародышей и островковой структуры (1 – 4 этапы);
- срастание или коалесценция островков (5 и 6 этапы);
- образование каналов (7 этап);
- формирование непрерывной пленки (8 этап).

Образование зародышей и островковой структуры. Наименьшие


зародыши, которые можно заметить в электронный микроскоп имеют размер
≈ 20 Å. Зародыши растут в трех измерениях, но рост вдоль поверхности
подложки как правило значительно более быстрый чем по нормали. Это
обусловлено доминирующей ролью в процессе роста поверхностно
34
диффундирующих адсорбированных атомов в сравнении с ролью атомов
приходящих на зародыш непосредственно из паровой фазы. Для Ag или Au,
конденсирующихся на подложку MoS2 при 400 ºС, концентрация
первоначальных зародышей составляет 5·1010 см-2, а минимальная
диффузионная длина ≈ 500 Å.

Коалесценция островков.
На рисунке 1.12 показана коалесценция двух круглых островков.

Рисунок 1.12 –схема изменения формы островков в процессе их коалесценции

Коалесценция длится менее 0,1 с для малых зародышей и характеризуется


уменьшением полной площади проекции зародышей на подложку и
увеличением их по высоте. Зародыши с четко выраженными
кристаллографическими формами в процессе срастания округляются.
Получившийся островок снова принимает кристаллографическую форму, если
он достаточно долгое время не взаимодействует с соседними островками. На
стадии зародышеобразования кристаллики, в основном, имеют форму
треугольника, после коалесценции приобретают форму шестиугольника, но
часто с дефектами [31].
Процесс коалесценции приводит к увеличению свободной поверхности
подложки, и к образованию вторичных зародышей между островками. Этот
эффект становиться заметным, когда первичные островки вырастают до
размеров ≈ 1000 Å, и продолжается до тех пор, пока не образуется пленка без
дырок.
Основным механизмом переноса массы при коалесценции является
поверхностная диффузия, второстепенным – объемная. Образование шеек при
коалесценции происходит за короткое время около 0,06 с.
Движущей силой коалесценции является уменьшение поверхностной
энергии. После того, как при коалесценции произошло основное уменьшение
поверхностной энергии, дополнительное ее уменьшение происходит за счет
образования граничных плоскостей с предпочтительной кристаллографической
35
ориентацией. Островок, образующийся в ходе слияния, продолжает менять свою
форму в течение довольно длительного времени (рисунок 1.13).

Рисунок 1.13 – изменение площади составного


островка Au во время коалесценции и после нее
на подложке MoS2 при 400 ºС.

Образование каналов.
По мере роста островков степень округления после срастания островков
уменьшается. Значительные изменения формы ограничиваются областями в
непосредственной близости от места соединения. Поэтому островки
вытягиваются и образуют сетчатую структуру, в которой конденсированный
материл разделен длинными, узкими каналами неправильной формы, шириной
50 – 200 Å. Зарастание каналов происходит по механизму образования
вторичных зародышей, их роста и при прикосновении к стенкам канала
образуются мостики, которые быстро разрастаются. В результате образуется
пленка со множеством мелких дырок, зарастание которых происходит по
аналогичному механизму через образования вторичных зародышей, их
срастания, присоединения к пленке, очищение дырки и вновь образования
вторичных зародышей и т.д. до полного заполнения дырки.

36
На стадии роста пленки, характеризующейся образованием каналов и
дырок, вторичные зародыши и островки объединяются с массивными областями
относительно быстро, менее чем за 0,1 с [31].

Формирование сплошной пленки


Общий механизм роста поликристаллических слоев похож на механизм
роста эпитаксиальных пленок, за исключением того, что срастающиеся островки
в этом случае имеют произвольную относительную ориентацию,
подчиняющуюся случайному закону распределения. Во время срастания
происходит рекристаллизация, поэтому размер зерен растет.
Эпитаксия – это ориентированный или монокристаллический рост пленки.
Эпитаксия значительно представлена в технологии микроэлектроники и имеет
две основные разновидности:
- автоэпитаксия, ориентированный или монокристаллический рост
материала на подложке из того же материала;
- гетероэпитаксия, это ориентированный или монокристаллический рост
материала на подложке из другого материала.
Эпитаксиальное выращивание весьма сложный и многофакторно
обусловленный процесс. Основные условия, как следует из теоретических и
экспериментальных исследований, следующие:
- высокая температура подложки – малые температуры подложки
уменьшают отношение скорости эпитаксиального зарождения к скорости
неориентированного роста; увеличение температуры активирует процесс
осаждения атомов в позициях, сопряженных с кристаллической решеткой
подложки, приводит к увеличению поверхностной и объемной диффузии,
способствующих сглаживанию несоответствия, которые возникают при росте
соседних зародышей; величина температуры эпитаксии зависит от многих
параметров критичных для механизма формирования пленки;
- низкие пересыщения – при низких пересыщениях только отдельные места
могут действовать как центры зарождения, тогда как при высоких
пересыщениях вероятно более беспорядочное, случайное зарождение [31].

1.7 Образование дефектов в процессе роста пленок

Дефекты при росте тонких пленок оказывают существенное влияние на их


свойства. Уменьшение количества дефектов является ключевым пунктом при
улучшении технологии и увеличении качества, рабочих характеристик пленок.
1.7.1 Дислокации и дефекты упаковки. Дислокации и дефекты упаковки
вакансионного и междоузельного типов являются наиболее часто
37
встречающимися дефектами в поликристаллических и монокристаллических
пленках. Плотность дислокаций обычно составляет 1010 - 1011 см-2.
Основные механизмы появления дислокаций:
1. при сращивании двух островков с кристаллическими решетками,
слегка повернутыми относительно друг друга, образуется субграница,
состоящая из дислокаий;
2. т.к. подложка и пленка обычно имеют разные параметры решетки, это
приводит к смещению атомов пленки и подложки друг относительно
друга, разным в разных островках, что может привести к образованию
дислокаций при срастании островков;
3. напряжения в пленках могут привести к возникновению дислокаций на
краях дырок и границе с подложкой;
4. дислокации, оканчивающиеся на поверхности подложки, могут
продолжаться в пленку;
5. при коалесценции островков с дефектами упаковки.
Если измерять плотность дислокаций в процессе роста, окажется, что
большинство дислокаций вводиться в пленку на стадии образования каналов и
дырок (рисунок 1.14). Большинство дислокаций на этой стадии роста появляется
из-за несоответствия решеток пленки и подложки и, вероятно, возникающими
напряжениями и соответствующими упругими деформациями.

Рисунок 1.14 – качественная зависимость плотности


дислокаций от толщины пленок золота, осажденных на
подложке MoS2 при 300 ºС.
38
Вакансии могут возникать по разным причинам, в том числе и из-за
замуровывания при быстрой конденсации. Примеси очевидно определяются
технологической чистотой процесса. Природа междоузельных дефектов не
менее многофакторна, чем и природа вакансий.

1.7.2 Границы зерен. В общем случае, в тонких пленках границы зерен


занимают большую площадь, чем в массивных образцах материала, т.к. средний
размер зерна в пленках меньше. Размер зерна зависит от условий осаждения и
температуры отжига (рисунок 1.15).

Рисунок 1.15 – зависимость размера кристаллитов от толщины


пленки d, температуры подложки TS, температуры отжига Tотж и
скорости осаждения v.

Как видно из представленных зависимостей, зерна перестают расти при


достижении некоторых значений параметров осаждения. Зависимость размера
кристаллитов от толщины пленки свидетельствует о том, что после достижения
определенной толщины, новые зерна будут зарождаться поверх старых. Размер
зерна увеличивается при увеличении температуры подложки или температуры
39
отжига, т.к. пи этом увеличивается поверхностная подвижность; в результате
происходит уменьшение полной энергии пленки за счет уменьшения площади
границ между зернами. Зависимость размера кристаллитов от скорости
осаждения объясняется тем, что при больших скоростях конденсации
затрудняется процесс поверхностной миграции атомов (основного механизма
роста зерен), т.е. происходит некоторый эффект «замуровывания» [20] .

1.7.3 Площадь поверхности и шероховатость. В пленке достигается


минимум полной энергии в том случае, если площадь ее поверхности
поддерживается минимально возможной, т.е. если поверхность представляет
собой идеальную плоскость. На практике, в силу известного «островкового»
механизма роста, поверхность всегда имеет некоторую шероховатость. Процесс
миграции по поверхности частиц очевидно способствует некоторому
сглаживанию поверхности.
Экспериментально наблюдалось, что наибольшая площадь поверхности,
измеренная с помощью адсорбции газа, получается при нанесении пленки в
условиях низкой поверхностной подвижности атомов, т.е. при низких
температурах подложки. Показано, что в этих условиях площадь поверхности
увеличивается с толщиной пленки линейно и отношение площади поверхности
к геометрической площади может быть больше 100 (рисунок 1.16) [29].

Рисунок 1.16 – Зависимость отношения площади поверхности к


геометрической площади от толщины пленки никеля при их нанесении на
подложку с температурой около 25 oС; 1 – нанесение в атмосфере азота при
давлении 1 Торр, 2 – нанесение в высоком вакууме.
40
Линейное увеличение площади поверхности с толщиной пленки означает,
что пленка пористая и адсорбируемый газ может проникать даже в самые
нижние слои. Зависимость 1 (осаждение в атмосфере азота) значительно более
сильная, ее можно объяснить возникновением конденсата пара у поверхности,
т.е. образование мелких частиц (кластеров) упаковка которых на поверхности
приводит к образованию более пористой структуры [31].

41
2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС И МЕТОДЫ
ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Установка для ионно-лучевого распыления

Для ионно-лучевого распыления, в диссертационной работе, мной,


использовались сеточные источники ионов, принцип действия которых
заключается в получении ионов в плазме газового разряда, электростатическом
ускорении ионов и формировании ионного пучка с помощью ионно-оптической
системы, и последующей нейтрализации пространственного заряда ионного
пучка электронами.
Данный метод формирования оптических покрытий был выбран исходя из
рядя достоинств, таких как:
– высокая степень моноэнергетичности пучка ионов;
– возможность работать практически с любыми химически активными
газами;
– возможность формирования пучков ионов различной формы и
конфигурации;
– возможность получения в 2 – 3 раза больших плотностей тока при той же
энергии ионов;
– однородная обработка неподвижных поверхностей большой площади;
– регулировка заряда на обрабатываемой поверхности;
– управление в широком диапазоне энергией ионов и плотностью тока
пучка ионов.
Сеточные ионные источники классифицируются по типу используемого в
них газового разряда (или катода), а также по форме выходного сечения ионного
пучка.
Основными элементами сеточных источников являются газоразрядная
камера, в которой происходит ионизация рабочего газа, ионно-оптическая
система, обеспечивающая ускорение ионов и формирование ионного пучка, а
также катод-нейтрализатор, служащий источником электронов для компенсации
пространственного заряда ионного пучка. Кроме того, сеточные источники,
основанные на постоянном разряде, включают катод, обеспечивающий
поддержание разряда в газоразрядной камере. Газоразрядная камера сеточных
радиочастотных источников включает в себя корпус из кварца и охлаждаемый
индуктор.
Дефокусирующие ионно-оптические системы включают выпуклые сетки.
Благодаря специальной (профилированной) форме выпуклых сеток, достигается

42
существенное увеличение зоны однородности ионного пучка. Материал сеток
как правило молибден.
Фокусирующие ионно-оптические системы содержат вогнутые сетки.
Обеспечивают получение пучков с большой плотностью ионного тока на
мишени. Материал сеток как правило молибден.
Плоские ионно-оптические системы применяются более часто, т.к. они
удовлетворяют требованиям многих технологических применений источников
ионов и проще в изготовлении. Материал сеток – графит или молибден [30].

2.2 Схема установки

В данной работе все процессы осаждения проводились на установке


вакуумного напыления «LIDIZ» производства ООО «Изовак», внешний вид ВТО
(Вакуумно-технологическое оборудование) представлен на рисунке 2.1.

Рисунок 2.1 – внешний вид установки

Для создания и поддержания уровня вакуума, использовалось три насоса.


Для формирования первичного вакуума, сперва подключался механический
43
пластинчато-роторный насос, при откачке до допустимых значений в работу
включается механически насос Рутса, а затем, при достижении необходимого
уровня вакуума (средний вакуум) с помощью криогенного насоса,
осуществлялась откачка камеры до рабочих давлений (порядка 10-4 – 10-5 Па).
Для достижения более глубокого вакуума, использовалась двухконтурная
откачка
Схема размещения технологических устройств в камере установки,
используемая в эксперименте представлена на рисунке 2.2.

Рисунок 2.2 – Схема ионно-лучевого распыления

На держатель для подложек вручную закрепляются образцы. После чего


происходит откачка камеры до рабочих давление (порядка 10 -4 – 10-5 Па). После
чего в среде Аргона производится очистка источником ассистирования. Затем
направленный пучок ионов, фокусируемый ионно-оптической системой,
бомбардирует мишень, распыляя её. Для компенсации заряда ионного пучка
используется нейтрализатор, на основе полого катода. Материал мишени
осаждается на подложку, параллельно процессу осаждения производится
контроль толщины пленки. При добавлении кислорода в рабочую камеру, можно
получать пленки оксидов материала мишени. При достижении заданной
толщины, происходит переворот держателя мишени на другую сторону и
распыление другого материала. Разный состав материала мишеней, возможность
44
поворота, а также контроль толщины и параметров полученной пленки,
позволяет с лёгкостью чередовать процессы напыления различных материалов
заданных толщин без дегерметизации камеры, получая необходимые оптические
свойства.
Направленный пучок ионов, фокусируемый ионно-оптической системой,
бомбардирует мишень, распыляя её. Реактивный газ, кислород, вступает в
реакцию с поверхностью мишени тем самым окисляя её. Распыленное вещество
осаждается на подложку, образуя чистую, наноструктурированную, тонкую
пленку. Для компенсации заряда пучка используется нейтрализатор.

2.3 Описание технологических устройств и принципа работы

2.3.1 Газоразрядная камера. Газоразрядная камера (ГРК) является самым


простым элементом ИИ. Представляет собой сосуд с кварцевыми стенками,
системы ввода газа, индуктор, размещенный на внешней поверхности кварцевых
стенок, систему питания индуктора. Внутри ГРК происходит поступление газ
или газовой смеси, генерация ионов [32].
В основе работы ГРК, то есть в основе генерации плазмы, лежат уравнения
Максвелла.
Система уравнений Максвелла в интегральной форме:


𝜕𝐵
∮𝐿 𝐸⃗ 𝑑𝑙 = − ∫𝑆 𝜕𝑡 𝑑𝑆, (2.1)

⃗ 𝑑𝑆 = 0,
∮𝑆 𝐵 (2.2)


⃗ 𝑑𝑙 = ∫ (𝑗 + 𝜕𝐷) 𝑑𝑆,
∮𝐿 𝐻 (2.3)
𝑆 𝜕𝑡

⃗ 𝑑𝑆 = ∫ 𝜌 𝑑𝑉,
∮𝑆 𝐷 (2.4)
𝑉

1. Циркуляция вектора напряженности Е вихревого электрического поля


по любому замкнутому контуру равна скорости изменения магнитного потока
через площадь контура, взятую с обратным знаком.
Отражает:
- первое положение теории Максвелла,
- закон электромагнитной индукции.
2. Поток вектора индукции В магнитного поля через любую замкнутую
поверхность равен нулю.

45
Следовательно, силовые линии магнитного поля замкнуты.
3. Циркуляция вектора напряженности Н магнитного поля по замкнутому
контуру равна алгебраической сумме токов, пронизывающих этот контур.
Закон полного тока.
Физический смысл: магнитное поле порождается током проводимости и
переменным электрическим полем.
4. Поток вектора электрической индукции D через любую замкнутую
поверхность равен сумме свободных зарядов, охватываемых этой поверхностью.
Теорема Гаусса для вектора D.
Физический смысл: электрическое поле создается нескомпенсированными
электрическими зарядами [33].
Согласно приведенным уравнениям, в катушке генерируется
быстропеременный ток. При резком изменении тока, возникает магнитное поле,
которое препятствует его мгновенному изменению (3 ур-ие). Магнитное поле
создаёт электрическое поле, противонаправленное электрическому полю в
катушке (1 ур-ие). Т. о. вторичное электрическое поле находится в пространстве
и не ограничено только медным индуктором. Если в пространстве есть
свободные заряды, они будут ускоряться этим электрическим полем, поглощая
энергию ВЧ излучения индуктора. Если свободных зарядов в пространстве мало,
то всю энергию ВЧ электромагнитного излучения поглощает сам индуктор – его
сопротивление в этом случае максимально. А если в пространстве оказываются
электроны, то эту энергию поглощают они. При этом они ускоряются и при
соударении со случайным нейтральным атомом передают ему часть энергии.
Если энергии достаточно, то рождается ещё больше заряженных частиц и
возникает газовый разряд.
Аналогичный механизм передачи энергии лежит в основе работы
трансформатора. В нашем случае катушка и область внутри ГРК (плазма) это
первая и вторая обмотки трансформатора.
Итак, исходя из этих уравнений Максвелла можно сделать некоторые
выводы: чем быстрее изменяется электрическое поле в катушке, тем больше
напряженность магнитного поля внутри катушки. Чем больше магнитное поле в
катушке, тем больше переменное электрическое поле, которое оно генерирует.
Следовательно, чем больше частота, тем больше энергии поглощают электроны,
значит с увеличением частоты увеличится и плотность плазмы, и возможность
работы на более высоких давлениях. Для PECVD процессов наблюдается
линейная зависимость скорости осаждения от частоты.

46
Рисунок 2.3 – схема работы источника

Из механизма генерации также вытекает особенность такого источника –


моноэнергетичность. Из-за того, что подвижность электронов в N раз больше
подвижности ионов аргона, ионы не приобретают кинетическую энергию от
индуктора. Их энергия задаётся системой электродов. Электронная температура
Te, как правило, составляет 2~5 эВ, в то время как температура ионов не
превышает 0,1 эВ.
Под воздействием высокочастотного поля происходит ионизация рабочего
вещества в полости газоразрядной камеры и образуется ионизованный газ, из
которого с помощью ионно-оптической системы под действием приложенного
электростатического поля извлекаются и ускоряются ионы.

2.3.2 Ионно-оптическая система (ИОС). В отличии от ионных


источников, использующих одноапертурную систему экстракции, фокусировки
и ускорения ионов, в рассматриваемых источниках применяется
многоапертурная ионно-оптическая система. Она предназначена для экстракции
ионов с границы плазмы, формирования ионного потока большого диаметра,
состоящего из множества (до 1000) ионных пучков, фокусировки каждого пучка
в отдельности и ионного пучка в целом, а также ускорения ионов до заданных
энергий (в некоторых случаях до 10 - 15 кэВ). Таким образом, ионно-оптическая
система имеет значительную функциональную нагрузку и является одним из
важнейших элементов многопучковых ионных источников [34].
Назначение ИОС - извлечение ионов из плазмы и их ускорение до
требуемой скорости (энергии)

47
Требования к ионно-оптической системе многопучковых ионных
источников:
– одновременная экстракция с границы плазмы и первичная фокусировка
многопучкового ионного потока;
– обеспечение фокусировки ионного поток в целом и ускорения ионов до
энергий 100 эВ – 2.0 кэВ;
– обеспечение минимальных потерь мощности в источниках питания;
– минимальная эрозия сеток при длительной эксплуатации источника.
Внешний вид трехсеточной ионно-оптической системы представлен на
рисунке 2.4.

Рисунок 2.4 – ионно-оптическая система из трех сеток

Как правило ионно-оптическая система мультиаппертурных ионных


источников представляет собой блок из двух (реже трех, в некоторых случаях
одной) сеток с отверстиями одинакового диаметра, число которых определяет
48
количество отдельных ионных пучков в потоке. В качестве сеток могут
использоваться плоские или вогнутые в сторону разрядной камеры тонкие
металлические или графитовые диски, от их формы зависит форма ионного
поток [36]. Система обычно оптически юстируется таким образом, что отверстия
на всех сетках располагаются соосно. Каждая из сеток (экстрагирующая,
ускоряющая и замедляющая) соединена со своим источником питания и во время
работы ионного источник имеет определенный потенциал по отношению к
потенциалу плазмы.

Рисунок 2.5 – структура и схема подключения ионного источника

Экранирующая сетка расположена в непосредственной близости от


разрядного пространства и находится, как правило, под потенциалом катода
(плазмы). Она предназначена для защиты от запыления второй, ускоряющей
сетки, формирует профиль ОПЗ, определяет энергию ионов, определяет
первичную коллимацию пучка. Ускоряющая сетка, находящаяся под
значительным отрицательным потенциалом относительно первой сетки
предназначена для экстракции ионов с границы плазмы и их ускорения до
заданной энергии, а также экранирует плазму и экранирующую сетку (ЭС) от
электронов нейтрализатора. Наличие достаточно высокого регулируемого
отрицательного потенциала на ускоряющей сетке позволяет формировать
вогнутую внутрь разрядной камеры границу плазмы различной конфигурации,
так что ионный пучок внутри ионно-оптической системы имеет сначала
сходящуюся, а затем расходящуюся форму. Замедляющая сетка находится под
49
нулевым потенциалом (заземлена) и предназначена для окончательной
фокусировки ионных пучков, тормозит ионы до требуемой энергии, защищает
ускоряющую сетку (УС) от ионов перезарядки, подавляет фокусирующий
эффект УС [34].
Ионно-оптическая система – электростатическая линза. Ионы движутся
перпендикулярно эквипотенциальным линиям, которые задают геометрия сеток,
параметры плазмы и потенциал сеток (рисунок 2.5)

Рисунок 2.5 – влияние потенциалов эмиссионной и ускоряющей сетки на


«оптическую силу» ионной линзы. (Не учтено взаимное кулоновское
отталкивание ионов – с ним фокус лежит ближе к ускоряющей сетке, либо
отсутствует)

Т. о. в трехэлектродной ионной оптической систем:


- экстрагируемый ионный ток пропорционален разности ускоряющей
потенциалов в степени 3/2;
- микрофокусировка задается взаимным расположением отверстий,
размером отверстий и расстоянием между электродами и их потенциалами. Для
каждого рабочего давления и плотности плазмы (ВЧ – мощности)
микрофокусировка подбирается по минимуму тока на ускоряющем электроде;
- макрофокусировка определяется изгибом сеток (радиусом кривизны).
Замедляющая сетка подавляет влияние ускоряющей сетки на макрофокусировку;
- энергетика задается потенциалом эмиссионного электрода;
- в согласованном режиме ток ускоряющей сетки складывается из тока
рассеянных ионов в зоне нейтрализации и в межэлектродном пространстве;
- снижение тока на экранной сетке при квеличении величины
отрицательного потенциала ускоряющей сетки обусловлено усилением
экранирования экранной сетки от электронов нейтрализатора.
50
Внешний вид ионного источника представлен на рисунке 2.6, а внешний
вид источника, установленного в камере на рисунке 2.7.

Рисунок 2.6 – Внешний вид ионного источника

Рисунок 2.7 – Внешний вид на сеточный ионный


источник, установленный в вакуумной камере

51
2.3.2 Нейтрализатор. Нейтрализация объемного заряда ионного потока на
выходе ионно-оптической системы с помощью инжекции электронов является
существенным процессом в технологии ионного распыления и травления
микроструктур‚ необходимость которого обусловлена двумя основными
причинами:
– очень низкой скоростью распыления диэлектрических мишеней и
травления микроструктур в диэлектрических пленках ионным потоком
(например, Аr+) вследствие появления на поверхности диэлектрика
положительного заряда;
– необходимостью нейтрализации объемного заряда внутри ионного
потока, наличие которого приводит к его расфокусировке и плохой коллимации,
что значительно снижает качество и Эффективность ионного травления
микроструктур.
Отсутствие устройства нейтрализации практически не позволяет
использовать многопучковые ионные источники с ионным потоком большого
диаметра для работы с диэлектриками и даже с металлами, если энергия ионов
менее 1кэВ [37].
Для осуществления нейтрализации обычно используют специальный
инжектор электронов. При этом рекомбинация электронов и ионов, как правило,
сопровождающаяся образованием нейтральных атомов, не происходит, а
обеспечивается лишь компенсация заряда в объеме ионного потока. Наиболее
простым методом получения нейтрализующих электронов является
использование внешних термоэлектронных эмиттеров, расположенных вблизи
ионного потока и погруженных непосредственно в ионный поток. Эффективное
использование внешнего эмиттера ограничено ионами пучками только малого
диаметра. Обычно такой эмиттер изготавливается из вольфрамовой или
танталовой проволоки, протянутой через ионный поток в непосредственной
близости, например, на расстоянии 1,5 см от ускоряющей сетки (рисунок 2.8).

52
Рисунок 2.8 – Сеточный ионный источник с погружным
нейтрализатором и распыляемая мишень

Такие нейтрализаторы имеют несколько недостатков, таких как


распыление компенсатора и, соответственно, некоторое загрязнение
обрабатываемых подложек, а также недолговечность работы. Помимо этого, при
контакте с атмосферой, срок жизни такого нейтрализатора сокращается еще
быстрее.
В данной работе использовалась более продвинутая конструкция
компенсатора, плазменно-мостовой источник электронов на основе разряда с
полым катодом (рисунок 2.9) [38].

Рисунок 2.9 – Устройство полого катода [38]


53
Плазменно-мостовой источник электронов предназначен для питания
электронами ионных источников типа торцевой холловский ускоритель,
нейтрализации объемного заряда ионных пучков.
Состоит из корпуса, центральной – рабочей части, торцевой задней и
передней крышки. В центральной части закреплен рабочий элемент – трубка,
изготовленная из тантала, завальцованная с противоположной стороны от
подачи газа. Внутрь трубки помещается скрученный в рулон кусок танталовой
фольги. Центральная часть электрически оторвана от корпуса двумя
цилиндрическими керамическими изоляторами.
Внешний вид нейтрализатора представлен на рисунке 2.10
Нейтрализатор крепится в непосредственной близости от ионного
источника на кронштейне, изолированном от корпуса самого нейтрализатора.

Рисунок 2.10 – Внешний вид полого катода

2.4 Измерение параметров ионного пучка

Важной задачей является определение величины ионного тока, а также


плотности ионного тока и профиля ионного пучка в ионно-лучевых системах.
Для этой цели используется стенд, состоящий из электронной системы питания,
управление и отображение данных, а также внутрикамерной оснастки в которую
входит набор зондов (рисунок 2.11).

54
Рисунок 2.11 – структурная схема стенда

Внутрикамерная оснастка включает в себя держатель, установленный на


нём механизм перемещения зонда с подвижной кареткой, сменные зонды.
Держатель закрепляется в вакуумной камере на распорах, что позволяет
использовать стенд на различных вакуумных установках. Зонды крепятся к
подвижной каретке с помощью длинного хвостовика (≈200 мм) для
минимизации возмущения плазмы пучка. Каретка с зондом перемещается с
помощью шагового двигателя по сечению пучка.
Стенд работает под управлением персонального компьютера.
Электронная система включает в себя персональный компьютер с
программой, блок управления с использованием модулей Wago, цифровой
мультиметр, блоки питания для ионных источников производства, блок питания
тормозного напряжения 0–300 В, производства TDK-Lambda имеющий
аналоговый интерфейс, 2-х дополнительных лабораторных блоков питания 0–50
В имеющих только ручное управление.
Основная часть программного кода необходимого для управления
написана и зашита в контроллер Wago, основная же программа (рабочая
программа) написана в среде LabView, в ней же и реализована визуализация.

2.4.1 Измеряемые параметры ионных пучков и методики их измерения


Ионный ток. Для измерения ионного тока в простейшем случае
необходимо поместить перпендикулярно оси пучка металлическую
пластину – коллектор, к которому подключен амперметр. Площадь коллектора
должна быть такой, чтобы полностью собирать пучок ионов. Желательно
коллектор изготавливать из мелкой металлической сетки и поместить его

55
поближе к апертуре источника. Если поток состоит из частиц одного знака –
ионов, вторая клемма амперметра подключена к земле. В технологических
установках наиболее часто используются скомпенсированные ионные пучки:
для того, чтобы не происходило накопления электрического заряда на
диэлектрических поверхностях обрабатываемых деталей, к ионному пучку
подмешиваются электроны, испускаемые накаленной вольфрамовой нитью или
специальным плазменным источником электронов (плазменно-мостовым
нейтрализатором). В этом случае амперметр покажет ток, характеризующий
разницу концентрации ионов и электронов. Для того чтобы измерить ионный
ток, скомпенсированного пучка, необходим подать на коллектор отрицательное
смещение, при этом важно определить оптимальное напряжение смещения, так
как при слишком низком напряжении часть электронов будет попадать на
коллектор, при слишком большом – ионы будут ускоряться, увеличивая
измеряемый ток.
Для определения оптимального напряжения смещения снимают ВАХ
коллектора (зондовую характеристику) и по точке перегиба определяют
напряжение смещения.

Рисунок 2.12 – методика измерения тока пучка: а – схема


измерения; б – ВАХ коллектора.

Плотность ионного тока в заданной точке. В случае однозарядного


потока измерить плотность ионного тока можно просто поместив простейший
зонд – пластину известной площади S, перпендикулярно потоку ионов.
Плотность ионного тока ji будет:

𝐼
𝑗𝑖 = з , (2.5)
𝑆

56
где Iз – ток зонда (пластины).
При измерении скомпенсированного пучка необходимо подать
отрицательное смещение аналогично п.1. В этом случае возникает проблема:
собирающая поверхность зонда будет больше, чем реальная геометрическая
поверхность, так как ионы будут притягиваться отрицательным потенциалом
зонда с большей площади, что приводит к искажению результатов измерений.
Поэтому конструкцию зонда усложняют, перед пластиной, которая теперь
называется ловушкой зонда, помещают экран с отверстием, меньшим, чем
диаметр пластины. На экран подают такой же потенциал, что и на ловушку.
Другим источником погрешности является динатронный эффект. Каждый
электрон, выбитый ионом, уносит элементарный ток, искажая результат. Для
борьбы с этим ловушка зонда выполняется не в виде плоской пластины, а в виде
цилиндра с длиной, превышающей диаметр. В этом случае большая часть
вторичных электронов попадает снова на стенки ловушки. Такой зонд
называется «Цилиндр Фарадея». Схема измерения плотности ионного ток
представлена на рисунке 2.13. Площадью зонда при расчёте плотности ионного
тока считается площадь отверстия в экране. В стенде используются зонды,
диаметр отверстия которых выбран так, чтобы площадь равнялась 1 см2 для
удобства расчётов.

Рисунок 2.13 – схема измерения плотности ионного тока

57
Профиль пучка: распределение плотности ионного тока по диаметру
пучка. Профиль пучка снимают, перемещая зонд с помощью подвижной каретки.
Если ловушка зонда выполнена в виде плоской пластины или Цилиндра Фарадея,
возникает следующая проблема: собирающая поверхность зонда равна:

𝑆соб = 𝑆л cos 𝛼, (2.6)

где Sсоб – собирающая поверхность зонда; Sл – реальная площадь ловушки;


α – угол между осью пучка и направлением на зонд.
Появляется дополнительная погрешность. Для исключения
геометрической погрешности ловушка зонда выполнена в виде цилиндрического
стержня, ось которого перпендикулярна оси пучка. В этом случае площадь
собирающей поверхности не меняется при движении зонда. С помощью такого
зонда нельзя измерить абсолютное значение плотности ионного тока, но можно
проследить изменение плотности ионного тока и построить профиль пучка.
Энергетический спектр: функция распределения ионов по энергиям. С
помощью многосеточного зонда – энергоанализатора снимают тормозную
характеристику и продифференцировав её получают энергетический спектр. В
данном случае используется зонд с пятью сетками и коллектором, помещёнными
в металлический корпус. На рисунке 2.14 представлена схема зонда для снятия
тормозной характеристики, где: 1 – экранирующая сетка;
2 – отсекающая сетка; 3 – разделительная; 4 – анализирующая;
5 – антидинатронная; 6 – коллектор, 7 – датчик тока; 8 – блок питания отсечки; 9
– блок питания антидинатронной сетки; 10 – блок питания анализирующей
сетки; 11 – генератор ступенчатого напряжения (реализован программно).
Первая сетка является экранирующей. Она заземлена и служит для того,
чтобы зонд не вносил искажения в плазму.

58
Рисунок 2.14 – Схема зонда для снятия тормозной
характеристики с блоками питания

Вторая сетка – отсекающая, на неё подаётся отрицательный потенциал


(порядка 50 В), чтобы отделить ионы плазмы от электронов. Третья сетка
заземлена, она служит для предотвращения влияния электрических полей второй
и четвёртой сеток друг на друга. Четвёртая сетка является анализирующей, на
неё подаётся положительный потенциал, изменяющийся по ступенчатому закону
от 0 до напряжения питания исследуемого источника. При этом тормозятся ионы
со всё более высокой энергией. Пятая сетка – антидинатронная, на неё подаётся
потенциал –10 В. Ионы, попадающие на коллектор, создают ток, являющийся
входным сигналом датчика тока. Этот сигнал преобразуется в цифровую форму
и поступает в компьютер для обработки

2.5 Контроль толщины слоев в многослойном покрытии

Для достижения требуемой точности изготовления пленок и


воспроизводимости результатов напыления установки необходимо оснащать
инструментами измерения толщины получаемых слоев (рисунок 2.15)

59
Рисунок 2.15 – Схема контроля процесса напыления диэлектрических
оптических пленок

Хорошо известны такие методы контроля толщины покрытия, как


контроль с помощью монохроматического излучения или с помощью кварцевых
резонаторов. Последние помещаются вблизи подложки. При измерении
толщины с помощью монохроматического излучения с длиной волны λ
достигаемая точность измерений составляет четверть длины волны с поправкой
на коэффициент преломления измеряемого оптического слоя (или кратно ей при
получении многослойной структуры) [39].
При использовании широкополосного источника света для контроля
толщины можно наблюдать спектр опорных длин волн, определяемых в общем
случае разрешением спектрометра. Число контрольных точек при данном методе
может быть увеличено до 1000, это, естественно, повышает точность измерений
толщины пленки. Данный метод контроля дает возможность измерять
осаждаемую пленку произвольной толщины и в произвольной комбинации
слоев.
Совмещая такой способ контроля толщины с уплотнением пленки ионным
пучком, можно, сочетая преимущества электронно-лучевого метода нагрева
мишени с преимуществами метода ионно-лучевого распыления, производить
подложки с улучшенной спецификацией. Например, тонкопленочный
поляризатор. Такие поляризаторы используют для разделения по поляризации
мощных импульсных лазерных пучков. Для работы поляризатора необходимо,

60
чтобы излучение падало на него под углом Брюстера (около 56 градусов к
нормали для конкретного материала). Та доля излучения падающего пучка,
которая имеет p-поляризацию, проходит через поляризатор, в то время как s-
поляризованная доля излучения – отражается.

2.6 Методика определения лучевой прочности поверхности

В общем случае исследование лазерной прочности оптических покрытий


заключается в том, что определенная зона на исследуемом оптическом покрытии
подвергается воздействию импульсного лазерного излучения, в процессе чего на
этом покрытии фиксируются разрушения материала [28].
Все существующие методы исследования лазерной прочности оптических
покрытий направлены на определение порога разрушения материала, то есть
определение такой плотности энергии лазерного излучения, при которой на
исследуемом образце образуются пробои. Пробоем оптического покрытия
называют явление превращения прозрачной среды в поглощающую среду под
воздействием лазерного излучения. Существуют физический и технический
пороги разрушения материала. При определении физического порога
повреждения фиксируется такая плотность энергии лазерного излучения, после
воздействия которой происходит необратимое изменение важных оптических
свойств и параметров исследуемого образца. Технический же порог разрушения
характеризуется такой плотностью энергии лазерного излучения, при которой
нарушаются работоспособность, быстродействие, долговечность изделий, в
основе которых находится исследуемый материал. Порог разрушения является
одной из самых важных характеристик оптического покрытия, определяющих
возможности их применения в различных областях промышленности и
зависящих от времени воздействия лазерного излучения и размеров зоны
облучения. Поэтому при его измерении необходимо проводить контроль
параметров импульса лазерного излучения [27].
Пробой оптического покрытия может быть собственным и несобственным.
Собственный пробой формируется в самой матрице и не связан с
повреждениями, находящимися в материале. Такие повреждения называются
поглощающими неоднородностями. Данный пробой образуется при
использовании мощных лазерных систем, поэтому появляется необходимость
исключения влияния на развитие пробоя поглощающими неоднородностями.
Наиболее часто лазерная прочность реальных материалов характеризуется
образованием в результате нагрева поглощающих неоднородностей
несобственного пробоя, что ведет к разрушению материала. Такой пробой
характеризуется появлением расплавлений, изменением размеров области
61
поглощения вблизи поглощающий неоднородности, возникновением
напряжений. Присутствующие в исследуемом материале поглощающие
неоднородности уменьшают порог разрушения на несколько порядков по
сравнению с порогом разрушения при наличии собственного пробоя.
К поглощающим неоднородностям, которые уменьшают порог
разрушения материала, относятся поглощающие неоднородности,
образующиеся в результате выращивания кристаллов, обработки поверхности,
оседания пыли и т.д. [37].
Существуют два основных метода определения лазерной прочности
оптических покрытий. Первый метод заключается в том, что образец облучается
серией лазерных лучей с последовательно увеличивающейся плотностью
энергии лазерного излучения. При этом фиксируется наличие или отсутствие
разрушений на исследуемом покрытии. После проведения облучения
исследуемого образца определяется минимальное значение плотности энергии
лазерного излучения в пределах серии облучений, при котором разрушение
образовалось, и максимальное значение плотности энергии, при котором
разрушение отсутствовало. В результате строится график зависимости
вероятности повреждения материала от плотности энергии лазерного излучения,
с помощью которого определяется порог повреждения исследуемого образца.
Недостатками данного метода являются необходимость проведения
большой серии опытов с малым шагом изменения плотности энергии и
необходимость облучения сразу нескольких зон на образце с целью получения
более точных результатов. Общая схема такого метода представлена на рисунке
2.16, где: 1 – источник светового излучения; 2 – луч лазера;
3 – поворотное зеркало; 4 – фокусирующая оптическая система;
5 – оптический клин; 6 – путь отражения подсветки; 7 – образец; 8 – камера,
контролирующая образец; 9 – камера, контролирующая излучение;
10 – калориметр [39]
Луч лазера из источника светового излучения направляется на поворотное
зеркало и, отражаясь от него, поступает на фокусирующую систему и затем на
образец. Для диагностики излучения стоит оптический клин, с которого
излучение отражается в калориметр и на камеру, которая работает по излучению.
Также необходима специальная подсветка для определения облучаемой зоны на
исследуемом покрытии. От образца излучение отражается в специальную
камеру, которая контролирует образец.

62
Рисунок 2.16 – Схема формирования лазерного пучка:

От указанных недостатков избавляет второй метод исследования лазерной


прочности оптических покрытий, заключающийся в том, что образец облучается
не одним лучом, как в первом методе, а матрицей лучей с гауссовым
распределением интенсивности (огибающая интенсивности лазерных лучей, а
также отдельные лазерные лучи имеют распределения интенсивности, близкие к
гауссовым). Порог разрушения с помощью данного метода определяется с
точностью до 10 %. По сравнению с первым, данный метод обладает большим
быстродействием, но имеет существенный недостаток – отсутствие возможности
изменения плотности энергии лазерного излучения в процессе эксперимента, что
существенно сказывается на точности определения порога разрушения
исследуемого материала. Оптическая схема данного метода представлена на
рисунке 2.17 [39], где: 1 – сетчатая диафрагма; 2 – пространственно-
селектирующая диафрагма; 3 – калориметр;
4 – оптический клин; 5 – линза; 6 – плоскопараллельная пластина;
7 – CCD – камера; 8 – образец; 9 – микроскоп с CCD – камерой;
10 – светофильтры; 11 – диэлектрическое зеркало

63
Рисунок 2.17 – Оптическая схема формирования
матрицы пучков

Луч лазера поступает на сетчатую диафрагму, после чего происходит его


разделение на отдельные лучи. Затем излучение проходит через
пространственно-селектирующую диафрагму, оптический клин, линзу и
плоскопараллельную пластину, после чего поступает на образец. Как и в первом
методе, здесь присутствует камера, контролирующая образец. Для рассмотрения
пробоя на исследуемом покрытии предназначен микроскоп с CCD – камерой.
Также распространен статистический метод определения лазерной
прочности: исследуемый образец подвергается облучению серией импульсов с
одинаковой плотностью энергии лазерного излучения. При этом происходит
смещение каждого следующего импульса по горизонтали на определенное
расстояние. Затем плотность энергии увеличивается и облучение образца
проводится по следующему нижележащему ряду и т. д. до тех пор, пока не будет
облучена вся зона на исследуемом образце. После этого для каждой плотности
энергии определяют количество выстрелов, при которых произошло разрушение
образца [40].
Следует отметить, что во всех методах определения лазерной прочности
оптических покрытий используется излучение с гауссовым распределением
интенсивностей, то есть распределение интенсивностей по поверхности
исследуемого образца подчиняется нормальному закону распределения [41, 42].

64
3 ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК МУЛЬТИАППЕРТУРНОГО
ИОННО-ЛУЧЕВОГО ИСТОЧНИКА

В работе проводились измерения параметров ионно-лучевого источника с


использованием зонда. Важной задачей является определение величины ионного
тока, а также плотности ионного тока и профиля ионного пучка.
Зонд был закреплен к подвижной каретке с помощью длинного хвостовика,
а держатель закреплялся в камере на распорах. После чего цилиндр зонда
центрировался соосно с центром ионно-оптической системы.

Рисунок 3.1 – внешний вид зонда

3.1 Плотность ионного тока

Проводились измерения зависимости плотности ионного тока (мА/см2) от


ускоряющего напряжения (В). При этом остальные параметры фиксировались
следующим образом:
Таблица 3.1 – исходные параметры
Расход Ar, см3/мин 16
Рабочее давление, Па 7*10-2
Остаточное давление, Па 3*10-4
Мощность ВЧ, Вт 310
65
Напряжение экстракции, В 1500
Ток экстракции, мА 5
Ток соленоида, А 23
Расстояние зонд-источник, мм 170
Диаметр аппертуры, мм 1,5
Площадь коллектора зонда, см2 0,018

Зависимость плотности ионного тока от напряжения на ускоряющей сетке


представлена на рисунке 3.2.

Ji, мА/см2 5,000


4,800

4,600

4,400

4,200

4,000

3,800

3,600

3,400

3,200

3,000
0 200 400 600 800 1000
UA, В

Рисунок 3.2 – зависимость плотности ионного тока Ji от напряжения UA на


ускоряющей сетке

Из рисунка видно, что с увеличением напряжения, увеличивается


плотность тока. Это обуславливается увеличением числа экстрагированных
ионов с границы плазмы с увеличением потенциала на ускоряющей сетке. При
низких напряжениях, ионно-оптическая система работает в расфокусированном
режиме, при этом экстрагируемые с границы плазмы ионы, интенсивно
бомбардируют обратную сторону ускоряющей сетки, что приводит к её эрозии,
а также попаданию распыленного материала сетки в рабочую камеру и на
подложки. При высоких же напряжениях, ионно-оптическая система работает
как фокусирующая линза, траектории ионов начинают пересекаться, что также

66
снижает эффективность работы ионного источника. Поэтому существует
оптимальное значение ускоряющего потенциала.

3.2 Профиль пучка и ионный ток

Основной задачей источника является обеспечение максимально


однородного профиля ионного пучка с максимальным ионным током.
Определение профиля пучка происходило при движении каретки с зондом
и замером ионного тока каждые 1 см. Полученные профили пучка представлены
на рисунке 3.3, параметры процесса для рисунка 3.3 представлены в таблице 3.1.

Рисунок 3.3 – профиль ионного пучка при разных напряжениях на ускоряющей


сетке.

Как видно из рисунка 3.3, с увеличением ускоряющего напряжения,


плотность тока пучка увеличивается, при этом профиль пучка становится менее
однородным. Влияние на однородность пучка будет оказывать разница между
напряжением на ускоряющей сетке и экстрагирующей. На рисунке 3.3 разница
между напряжениями составляла от 1200 В до 600 В, отсюда, а также из рисунка
3.4 видно, что с уменьшение разности напряжений на сетках, резко уменьшается
плотность ионного ток, при этом изменение в неоднородности пучка
67
незначительное. Однако при увеличении разницы напряжении, после некоторого
оптимального значения, происходит существенное изменение однородности
пучка с увеличением плотности тока.

Рисунок 3.4 – профиль ионного пучка при ускоряющем напряжении 600 В и


разных напряжениях экстракции при мощности 300 Вт.

На рисунке 3.4 представлен профиль ионного пучка при ускоряющем


напряжении 600 В и разных напряжения экстракции, при этом мощность
составила 300 Вт, а расход газа составил 17 см3/мин. Увеличив мощность ВЧ,
можно проследить изменение однородности пучка (рисунок 3.5). Из рисунка
видно, что с увеличением мощности, профиль пучка стал более однородным, при
этом величина плотности тока пучка неизменна. Так же легко видеть, что с
увеличение мощности, меньшее влияние оказывает разница напряжений между
ускоряющей и экстрагирующей сетками.

68
Рисунок 3.5 – Профиль ионного пучка при ускоряющем напряжении 600 В и
различных напряжениях экстракции при мощности 500 Вт

Помимо изменений напряжений экстракции, было установлено


оптимальное значение расхода газа (Аргона) в источник. Из рисунка 3.5 видно,
что уменьшение расхода газа практически вдвое, вызывало незначительное
уменьшение плотности ионного тока, и существенное ухудшение однородности
ионного пучка. Была установлена оптимальная величина расхода газа 17
см3/мин, оптимальная величина мощности ВЧ разряда, равная 500 – 600 Вт, а
также оптимальная разница напряжений между ускоряющей и экстрагирующей
сетками, величиной 1100 В.

69
3.3 Тормозная характеристика ионного источника

Одной из основных характеристик ионных источников, является их


энергетический спектр. Для этого с помощью зонда производилось снятие
тормозной характеристики ионного источника (рисунок 3.6).
Энергетический спектр получен дифференцированием тормозной
характеристики и представлен на рисунке 3.7.

Рисунок 3.6 – тормозная характеристика ионного пучка

Рисунок 3.7 – энергетический спектр ионного пучка

70
Данное распределение ионов по энергиям является одним из основных
преимуществ данного источника и преимуществом для решения поставленной
задачи. Из рисунков видно, что источник обладает высокой
моноэнергетичностью пучка, разброс энергии по ионам минимален, в отличие от
источников других типов. Это позволяет формировать покрытия с меньшим
количеством дефектов и максимально контролируя рост пленки. При
использовании других методов, энергетический спектр оказывается «растянут»
по энергии ионов и ионы с высокой энергией вносят дефекты при формировании
пленки.

71
4 ФОРМИРОВАНИЕ ПОКРЫТИЙ С ПОВЫШЕННОЙ ЛУЧЕВОЙ
СТОЙКОСТЬЮ И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ПАРАМЕТРОВ

Напыление покрытий осуществлялось на установке «LIDIZ».


Перед началом формирования покрытия была произведена очистка
поверхности образцов на подложкодержателе с применением источника другого
сеточного источника в режиме ассистирования и очистки с одной подключенной
сеткой. (рисунок 4.1).

Рисунок 4.1 – Рабочая камера


72
Параметры работы источника очистки:
– Расход газа: Ar – 15 см3/мин;
– Время процесса: 10 мин;
– Давление в камере: 2*10-3 Па;
– Напряжение питания: 2 кВ;
– Ток пучка ионов: 100 мА.
Затем был произведен запуск процесса, параметры процесса представлены
в таблице 4.1.

Таблица 4.1 – Параметры процесса


Расход Ar, см3/мин 15
Расход O2, см3/мин 24
Рабочее давление, Па 2*10-2
Мощность ВЧ полезная, Вт 600
Напряжение экстракции, В 1500
Ускоряющее напряжение, В 400
Ток на ускоряющей сетке, мА 5
Ток соленоида, А 23
Электронный ток эмиссии, мА 1,5
Вращение подложки, об/c 1
Время процесса, с 1800

Нанесение покрытий в среде кислорода, позволило распыляя мишени из


кремния (Si), ниобия (Nb) и гафния (Hf) получить пленку соответствующих
оксидов металла и с соответствующим составом. В результате было напылено 3
опытных образца.
– образец №1 – материалы пленки Nb2O5 + SiO2;
– образец №2 – материалы пленки Si3N4 + SiO2;
– образец №3 – материалы пленки HfO2 + SiO2.
После получения образцов, было проведено исследование их на лазерную
прочность. В качестве источника лазерного излучения использовался Er:Glass
(фосфатный) лазер, параметры которого приведены в таблице 4.2.

Таблица 4.2 – Параметры лазера


Плотность, г/см3 5.34
Время жизни верхнего лазерного уровня, мс 8
Сечение вынужденного излучения, см2 0.8*10-20
Теплопроводность, Вт см-1К-1 0.007
73
Ширина спектральной линии, нм 0.8
Длина волны излучения, нм 1540
Показатель преломления 1.531
Максимальная плотности мощности излучения, ГВт/см2 1.6

4.1 Описание методики исследования образцов

Метод многократного воздействия. Лазерный импульс однократно


попадает в одну точку покрытия, затем образец перемещается и происходит
следующий выстрел. Так производится 100 выстрелов при одинаковой
плотности мощности излучения. Далее энергия повышается и снова
производится 100 выстрелов в разные точки образца. При определенной
энергетике покрытие начинает прогорать в отдельных точках. Скажем, из 100
выстрелов 70 оказались деструктивными. Данная информация отмечается на
графике точкой (рисунок 4.2).

Образец №1, метод "1 выстрел в точку"


1,2
λ=1.54 мкм
Δt=70 нс
1 d=95 мкм
Вероятность повреждения

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Интенсивность, ГВт/см2

Рисунок 4.2 – Результаты проверки на прочность образца № 1, состава


Nb2O5 + SiO2, методом «один выстрел в точку»

Эксперимент продолжается до тех пор, пока все 100 импульсов не


окажутся результативными. Затем по точкам на графике проводится линия.

74
Значение интенсивности излучения, при котором пленка начнет разрушаться и
будет являться лучевой прочностью данного покрытия.
При исследовании образца №1, с помощью метода «один выстрел в точку»
результаты не оказались достаточно точными и было принято решение
использовать метод «сто выстрелов в точку» для всех последующих образцов.

Образец №1, метод "100 выстрелов в точку"


1,2
λ=1.54 мкм
Δt=70 нс
1 d=95 мкм
Вероятность повреждения

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Интенсивность, ГВт/см2

Рисунок 4.3 – Результаты проверки на прочность образца № 1, состава


Nb2O5 + SiO2, методом «сто выстрелов в точку»

75
Образец №2, метод "100 выстрелов в точку"
1,2
λ=1.54 мкм
Δt=70 нс
1 d=95 мкм
Вероятность повреждения

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Интенсивность, ГВт/см2

Рисунок 4.4 – Результаты проверки на прочность образца № 2, состава


Si3N4 + SiO2, методом «сто выстрелов в точку»

Образец №3, метод "100 выстрелов в точку"


1,2
λ=1.54 мкм
Δt=70 нс
1 d=95 мкм
Вероятность повреждения

0,8

0,6

0,4

0,2

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8

Интенсивность, ГВт/см2

Рисунок 4.5 – Результаты проверки на прочность образца № 3, состава


HfO2 + SiO2, методом «сто выстрелов в точку»
76
Из рисунка 4.3 видно, что образцы с покрытием из материалов
Nb2O5 + SiO2 имеют лучевую прочность при многократном воздействии не менее
1100 МВт/cм2. По рисунку 4.4 можно сделать вывод, что образцы с покрытием
из материалов Si3N4 + SiO2 обладают лучевой прочностью до 700 МВт/см2, в
тоже время из рисунка 4.5 видно, что образцы с покрытием HfO2 + SiO2 имеют
лучевую прочность до 1100 МВ/см2.

77
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных аналитических исследований было


установлено, что формирование оптически стойких покрытий методом
реактивного ионно-лучевого распыления является перспективной технологией,
по сравнению с другими вакуумными методами, с точки зрения получения
оптически стойких пленок высокой плотности.
Для экспериментов была выбрана система с ВЧ сеточным ионным
источником, на её основе разработан экспериментальный комплекс для
формирования оптически прочных покрытий. Для определения оптимальных
режимов работы ионного источника, с помощью зонда Фарадея, были проведены
исследования зависимостей плотности ионного ток от напряжения на
ускоряющей сетке, профили ионного пучка при изменении напряжения на
ускоряющей сетке, при различных напряжениях экстракции, различных ВЧ
мощностях и расходах газа.
Экспериментально установлено, что процесс формирования оптически
стойких покрытий предпочтительно проводить при рабочем давлении 2*10-2 Па,
диаметре сеточной системы 175 мм, полезной мощности индукционного разряда
600 Вт и напряжении экстракции 1500 В, а ускоряющем напряжении 400 В, с
расходом рабочих газов для Ar – 15 см3/мин, для O2 – 24 см3/мин. обеспечивают
при проведении процесса в течении 1800 с, и формировании 4-ех слойных
диэлекрических зеркал, оптическую прочность для образцов образцов с
покрытием из материалов Nb2O5 + SiO2 и HfO2 + SiO2 не менее 1100 МВт/см2, а
для образцов с покрытием SiN + SiO2 до 700 МВт/см2. Однако исходя
распределения повреждений для образцов Nb2O5 + SiO2 и HfO2 + SiO2, можно
делать вывод о более высокой лучевой прочность для состава Nb2O5 + SiO2.

78
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

[1] Двухдиапазонное просветление оптических элементов для


тепловизионных приборов / И. С. Гайнутдинов [и др.] // Оптич. журнал. – 2002.
– Т. 69, №4. – С. 64–66.
[2] Синтез светоделительных покрытий / Е. Н. Котликов [и др.] // Оптич.
журнал. – 2001. – Т. 68, №8. – С. 49–52.
[3] Тихонравов, А. В. Современное состояние и перспективы развития
методов проективрования многослойных интерференционных покрытий / А. В.
Тихонравов, М. К. Трубецков // Оптич. журнал. – 2007. – Т. 74, №12. – С. 66–73.
[4] Комплексная технология изготовления оптических покрытий со
сложным спектральным профилем / С. А. Архипов [и др.] // Оптич. журнал. –
2007. – Т. 72, №4. – С. 66–70.
[5] Дихроичное покрытие для спектроделительных призменных устройств
/ И. С. Гайнутдинов [и др.] // Оптич. журнал. – 2002. – Т. 69, №4. – С. 60–61.
[6] Воспроизводимость спектральных характеристик отрезающих
фильтров / И. С. Гайнутдинов [и др.]. // Оптич. журнал. – 2002. – Т. 69, №4. –
С. 62–63.
[7] Голдина Н. Д. Нанесение покрытий для лазерной оптики с помощью
ионно-плазменного метода / Н. Д. Голдина // Оптич. журнал. – 2003. – Т. 70, №3.
– С. 76–81.
[8] Schulz, U. Antireflection coating with UV-protective properties for
polycarbonate / U. Schulz, K. Lau, N. Kaiser // Appl. Opt. – 2008. – Vol. 70. –
P. 83 – 87.
[9] Карасев, В. Б. Неоднородные оптические покрытия для лазерной
техники / В.Б. Карасев, Э. С. Путилин, Майа Халед// Сб. тр. Междунар. конф.
"Прикладная оптика – 2000" – 2000. – Т. 1. – С. 25.
[10] Притоцкий, Е. М. Многослойные диэлектрические зеркала для
мощных полупроводниковых лазеров / Е. М. Притоцкий, А. П. Притоцкая, М. А.
Панков // Computational nanotechnology – 2017, – №2. – C. 94 – 96.
[11] Пленкообразующие материалы для новых задач современной оптики
/ Е. П. Галькевич [и др.]. // Оптич. журнал. – 2006. – Т. 73, №12. – С. 82–83.
[12] Свойства и методы получения интерференционных покрытий для
оптического приборостроения / И. С. Гайнутдинов [и др.]. – Казань : Изд-во
ФЭН, 2003. – 424 с.
[13] Гайнутдинов, И. С. Интерференционные покрытия для оптического
приборостроения / И. С. Гайнутдинов, Е. А. Несмелов, И. Б. Хайбулин. – Казань
: Изд-во ФЭН, 2002. – 592 с.

79
[14] Применение новых пленкообразующих материалов для получения
высококачественных оптических покрытий / М. Ф. Васильева [и др.] // Оптич.
журнал. – 2007. – Т. 74, №10. – С. 79–84.
[15] Оптические покрытия [Электронный ресурс]. – Режим доступа :
http://www.tydexoptics.com/pdf/ru/Optical_Coatings_ru.pdf.
[16] Гайнутдинов, И. С. Назначение и свойства оптических
интерференционных покрытий / И. С. Гайнутдинов, В. П. Иванов, Е. А.
Несмелов. – Казань : Изд-во ФЭН, 2002. – 112 с.
[17] Оптический пробой прозрачных сред, содержащих
микронеоднородности / И. В. Алешин [и др.] // "ЖЭТФ". – 1976. – Т. 70. –
С. 1214.
[18] Cтойкость материалов силовой оптики к воздействию мощных
импульсов излучения СО2 – лазеров/ В. Е. Рогалин. – Казань : Изд-во ФЭН,
2016. – 67 с.
[19] Рамбиди, Н. Г. Физические и химические основы нанотехнологий / Н.
Г. Рамбиди, А. В. Березкин. – М. : ФИЗМАТЛИТ, 2009. – 456 с.
[20] Пул, Ч. Нанотехнологии / Ч. Пул, Ф. Оуэнс. – М. : Техносфера,
2004. – 328 с.
[21] Физические основы нанесения вакуумных покрытий [Электронный
ресурс]. – Режим доступа : http://nanocarbonics.com/wp-
content/uploads/2017/02/Лекция-3.pdf.
[22] Методы получения тонких пленок [Электронный ресурс]. – Режим
доступа: htp://gendocs.ru/v15886/реферат_- _методы_получения_тонких_пленок.
[23] Данилин, Б. С. Магнетронные распылительны системы / Б. С.
Данилин, В. К. Сырчин. – М. : Радио и связь, 1982.
[24] Граф, И. Оптика мощных лазеров: улучшение свойств
диэлектрических покрытий / И. Граф, М. Шахт // Фотоника – 2010. – №4. –
С. 14 – 16.
[25] Методы нанесения оптических покрытий (Обзор) / В. Е. Катнов
[и др.]. – Вестник Казанского техн. Ун-та, Казань. – 2014. – С. 337 – 341.
[26] Сеточные источники ионов [электронный ресурс]. – Режим доступа :
http://www.orc.ru/~platar/P2R.html.
[27] Маненков, А. А. Лазерное разрушение прозрачных твердых тел / А.
А. Маненков, А. М. Прохоров // Успехи физ. наук. – 1986. – Т. 148, Вып. 1. –
С. 179–211.
[28] Имас, Я. А. Оптичекий пробой прозрачных диэлектриков / Я. А. Имас.
– М. : Ин-т тепло- и массообмена АН БССР, 1982. – 60 с.
[29] Менде, Ф. Ф. Альтернативная идеология электродинамики / Ф. Ф.
Менде, А. С. Дубровин. – М.: Перо, 2016. – 198 с.
80
[30] Разработка и исследование диэлектрических покрытий с высокой
лучевой прочностью / Г. И. Бабаянц [и др.]. // Квант. электроника. – 2005. – №35.
– С. 663–666.
[31] Макарчук, М. В. Физика тонких пленок / М. В. Макарчук, А. П.
Королев, Конспект лекций ТГУ им. Г. Р. Державина, 2011. – 44 с.
[32] Желтухин, В. С. Расчет газодинамики струй ВЧ-плазмы пониженного
давления / В. С. Желтухин, А. Ю. Шемахин // Учен. зап. Казан. ун-та, Казань. –
2011. – Т. 153. – №4. – С. 135–142.
[33] Основы физических процессов в плазме и плазменных установках /
С.К. Жданов, В.А. Курнаев, М.К. Романовский, И.В. Цветков; Под ред. В.А.
Курнаева. – М: МИФИ, 2007. – 368 с.
[34] Введение в методы получения пленочных электролитов для
твердооксидных топливных элементов: монография / Л. А. Дунюшкина. –
Екатеринбург : УРО РАН, 2015. – 126 с.
[35] Азарова, В. В. Численная модель поляризационных и спектральных
характеристик лазерных зеркал и оптических резонаторов / В. В. Азарова, А. П.
Макеев, В. П. Симонов // Изв. Вузов. Приборостроение – 2014. – Т. 57. – № 6.
С. 73 – 78.
[36] Каменева, А. Л. Особенности получения наноструктурированных
ионно-плазменных пленок с заданными свойствами / А. Л. Каменева, А. Ю.
Клочков. – Пермь : Изд-во Перм. гос. техн. ун-та, 2010. – 126 с.
[37] Лазерные технологии: учеб. пособие к лабораторных работам / Г. Н.
Виноградова [и др.]. – СПб. : ГУ ИТМО, 2007. – 46 с.
[38] Мытников А. В. Источник электронов на основе разряда с полым
катодом для генерации пучков в форвакуумном диапазоне давлений : дис. … д-
ра. техн. Наук: 01.04.04 / А. В. Мытников – Томск: 2001 – 164 с.
[39] Исследование устойчивости материалов к атмосферному или
световому воздействию; определение антикоррозионных свойств: пат. МПК7 G
01 N 17/00/; заявитель Федеральное государственное унитарное предприятие
Научно-исследовательский институт комплексных испытаний оптико-
электронных приборов и систем; заявл. 28.01.2010; опубл. 27.09.2011.
[40] Вильчинская, С. С. Оптические материалы и технологии: учебное
пособие / C. C. Вильчинская, В. М. Лисицын // Томский политехн-ий ун-ет. –
Томск : Изд-во ун-та, 2011. – 107 С.
[41] Моржухина, А. Е. Применение лазеров в промышленности / А. Е.
Моржухина // Аллея науки – 2018. – Т. 5. – № 11. – С. 358 – 361.
[42] Мощных фемтосекундный лазер на сапфире с титаном с прямой
диодной накачкой / C. П. Никитин [и др.]. – Фотоника. – 2019. – № 6. –
С. 558 – 563.
81