Вы находитесь на странице: 1из 10

Технический университет Молдовы

Факультет Вычислительной техники, Информатики и Микроэлектроники

Отчет №3
Курс: Микро-наноэлектронные приборы

Тема: Исследование емкостных характеристик структур


полупроводник-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник.

Выполнила ст. гр. MN-192

Бабисанда Серафима

Проверил конф. др. Монайко Эдуард

Кишинев 2021
Цель работы: Изучение особенностей работы, вольтамперных характеристик и определение
основных параметров туннельного диода (ТД).

4.5. Структура металл-диэлектрик-полупроводник.


В предыдущих разделах ри анализе структуры энергетических зон твердых тел не
учитывалось влияние границы кристаллов на энергетический спектр электронов.
Однако в силу ряда причин у поверхности кристаллов возникают так называемые
поверхностные энергетические состояния, видоизменяющие структуру
энергетического спектра носителей заряда вблизи поверхности. Основными
причинами, вызывающими появление поверхностных энергетических состояний
являются:

 нарушение периодичности потенциала решетки кристалла вследствие ее


обрыва у поверхности;

 наличие нескомпенсированных валентных связей у поверхностных атомов;

 искажение потенциала решетки у поверхности, вызванное


адсорбированными атомами и всевозможными поверхностными дефектами
структуры крм=исталлаю.

Рассмотрим процессы в приповерхностной области полупроводника при контакте


его с металлом через диэлектрик (МДП). Если в качестве диэлектрика
используется окисел, то такую структуру называют МОП-структура. Данная
структура может быть представлена в виде конденсатора.

Рис.4.8 Схема МДП-структуры:

1-Ме; 2-диэлектрик; 3 - полупроводник

Предположим вначале, что поверхностные состояния на границе полупроводника


с диэлектриком отсутствуют. В этом случае до включения электрического поля
энергетическая диаграмма полупроводника у поверхности не искривлена. При
включении поля у поверхности металла и полупроводника, как у всякого
конденсатора, накапливаются заряды. Если полупроводник электронного типа (n)
и к нему приложен отрицательный потенциал, то у поверхности скапливается
отрицательный потенциал избыточных электронов. Энергетическая диаграмма
при этом искривляется вниз, как показано на рис. 4.9(а). При другой полярности
приложенного напряжения приповерхностный слой будет обедняться, а
энергетическая диаграмма искривиться вверх, как показано на рис.4.9(б).
Изменение концентрации свободных носителей заряда под действием
электрического поля приводит к изменению проводимости вдоль поверхности
образца. Это явление принято называть эффектом поля.
Рис. 4.9 Энергетическая диаграмма МДП- структуры

Из рис.4.9 видно, что при приложении к полупроводнику отрицательной


полярности напряжения поверхностная проводимость будет неограниченно
возрастать. При перемене полярности приложенного напряжения по мере
обеднения приповерхностного слоя поверхностная проводимость будет
уменьшаться. Однако, по мере уменьшения концентрации электронов у
поверхности концентрация дырок будет возрастать. При некотором напряжении
концентрация электронов у поверхности будет равна концентрации дырок. При
этом, очевидно, удельная электропроводность на поверхности равна собственной
электропроводности рассматриваемого полупроводника. Дальнейшее увеличение
напряжения приведет к появлению инверсионного дырочного слоя у поверхности.
По мере увеличения концентрации дырок у поверхности с ростом приложенного
напряжения поверхностная проводимость будет возрастать.

Рис.4.10 Зависимость приращения поверхностной проводимости в зависимости от


величины потенциала у поверхности полупроводника (Ge) при различной степени
легирования

Таким образом, зависимость поверхностной электропроводности от приложенного


напряжения имеет явно выраженный минимум.

На рис.4.10 приведены кривые приращения поверхностной проводимости G для


германия n – типа от величины потенциала у поверхности 0 для нескольких
значений параметра  =ni/n0, характеризующего степень легирования
полупроводника. Видно, что с увеличением степени легирования минимум кривых
приращения смещается влево. Правая ветвь обусловлена в основном
электронной проводимостью, а левые ветви – дырочной проводимостью.

В сравнении с зонной диаграммой контакта металл-полупроводник можно


отметить, что присутствие окисла способствует уменьшению поля на поверхности
полупроводника путем разделения существующих поверхностных зарядов, но
никаких других существенных различий в этой части диаграммы, которая
относиться к полупроводнику, здесь нет. Однако, по электрическим
характеристикам эти две структуры имееют коренное различие. В МОП-структуре
свободное движение носителей через окисел невозможно ни в одном из
направлений.
Вольт-емкостная характеристика. Важным свойством МОП-структуры является
зависимость ее емкости от приложенного напряжения. Эта завмсимость
обусловлена тем, что толщина приповерхностного слоя, обедненного или
обогащенного носителями заряда, изменяется с изменением приложенного
напряжения.

Емкость МОП-структуры в случае обогащения крайне мало изменяется с


изменением приложенного напряжения. Иная картина наблюдается при
обеднении носителями заряда приповерхностного слоя. В этом случае плотность
заряда не может беспредельно увеличиваться и ограничивается плотностью
заряда ионизированных атомов примеси qNi. Поэтому по мере увеличения
приложенного напряжения и по мере увеличения заряда QS =qNilp толщина
обедненного слоя lp  возрастает, что приводит к соответствующему уменьшению
емкости МОП-структуры.

В условиях обеднения МОП структуру можно представить как два


последовательно включенных конденсатора. Емкость одного из них обусловлена
диэлектрическим слоем и не зависит от напряжения.

 (4.38)

где ε и d – диэлектрическая проницаемость и толщина окисла, соответственно.

Емкость другого конденсатора обусловлена обедненным слоем полупроводника.


Эта емкость зависит от напряжения и выражается формулой

 (4.39)

где εП и lP диэлектрическая проницаемость и толщина обедненного слоя


полупроводника.

Полная емкость структуры равна

 (4.40)

Комбинируя полученные уравнения, учитывая выражение для толщины слоя


объемного заряда для контакта металл-полупроводник получим

 (4.41)

где φМП – контактная разность потенциала между металлом и полупроводником.

Изменение емкости по приведенной формуле происходит лишь до появления


инверсионного слоя, после чего емкость МОП-структуры от приложенного
напряжения не зависит.
Рассмотренные явления при контакте метелла с полупроводником через
диэлектрик нашли применение при создании МОП (МДП) транзисторов.
Существует две разновидности МОП-транзисторов: с проводящим и
индуцированным каналом (рис…).

Рис. 4.11. Планарные МОП- транзисторы с проводящим (а) и индуцированным (б)


каналом.

Как видно на рис. 4.11 под контактами истока и стока образованы методом
диффузии подконтактные р-области. В исходном состоянии, когда к электродам
не приложено внешнее напряжение, приповерхностная область полупроводника,
находящаяся под затвором, практически ничем не отличается от объема
полупроводника. Если на исток подать прямое смещение, а на сток обратное, то
по мере увеличения обратного напряжения на затворе приповерхностный слой
полупроводника будет обедняться. При этом ток стока будет ничтожно мал и
равет обратному току стокового p-n перехода. При некотором напряжении
Uзотп происходит инверсия. Инверсионный приповерхностный слой образует канал,
который соединяет диффузионные p- области между истоком и стоком, в
результате чего между этими электродами возникает ток. При дальнейшем
увеличении напряжения на затворе ток стока будет увеличиваться в соответствии
с выражением

 (4.42)

где w и L – ширина и длина канала;

d – толщина слоя окисла под затвором.

Напряжение стока, при котором наступает насыщение в МОП-транзисторе

UC  нас = UЗ - UЗ отп (4.43)

Величина тока стока насыщения равна

 (4.44)

У реальных МОП-транзисторов на основе кремния и алюминия крутизна достигает


2-5мА/В, а пороговое напряжение при котором отпирается транзистор, составляет
4-6В. Остаточный ток стока транзистора в закрытом состоянии обычно не
превышает 10-9-10-10 А.

mV1 mV2 I
0.05 0.028 0,0017
0.1 0.055 0,0034
0.2 0.06 0,0038
0.3 0.098 0,0062
0.4 0.18 0,0114
0.5 0.21 0,013
0.6 0.54 0,034
0.7 0.6 0,038
0.8 0.7 0,04
1 0.5 0,031
2 0.98 0,062
3 1.5 0,095

Пример расчета:

U 1∗R7 + R8 2∗R7 + R8 0,028∗36+28 0,028∗64


I= =mV = = =0,0017
R5∗R7 R5∗R 7 28∗36 1008