Вы находитесь на странице: 1из 180

СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких


каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике
транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные
схемы.

Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов,


подразделяются на:

1 Каскад с общим эмиттером (на схеме показан каскад с фиксированным током


базы - это одна из разновидностей смещения транзистора).

2 Каскад с общим коллектором

3 Каскад с общей базой

Каскад с общим эмиттеромобладает высоким усилением по напряжению и току.


К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное
сопротивление каскада (порядка сотен ом), высокое (порядка десятков Килоом)
выходное сопротивление.  Отличительная особенность - изменение фазы
входного сигнала на 180 градусов (то есть - инвертирование). Благодаря
высокому коэффициенту усиления схема с ОЭ имеет преимущественное
применение по сравнению с ОБ и ОК.

Рассмотрим работу каскада подробнее: при подаче на базу входного напряжения


- входной ток протекает через переход "база-эмиттер" транзистора, что вызывает
открывание транзистора и, в следствии этого, увеличение коллекторного тока. В
цепи эмиттера транзистора протекает ток, равный сумме тока базы и тока
коллектора. На резисторе в цепи коллектора, при прохождении через него тока,
возникает некоторое напряжение, величиной значительно превышающей
входное. Таким образом происходит усиление транзистора по напряжению. Так
как ток и напряжение в цепи - величины взаимосвязанные, аналогично
происходит и усиление входного тока. 
Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким выходным
сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда
меньше 1. Входное сопротивление каскада  с ОК зависит от сопротивления
нагрузки (Rн) и больше его (приблизительно) в Н21э раз. (Величина "Н21э" -
это статический коэффициент усиления данного экземпляра транзистора,
включенного по схеме с Общим Эмиттером).  Данная схема используется для
согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала
с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника можно
привести, например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный
микрофон. Схема с ОК не изменяет фазы входного сигнала. Иногда такую схему
называют Эмиттерным повторителем.

Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно


в каскадах усилителей высоких частот. Усиление каскада с ОБ обеспечивает
усиление только по напряжению. Данное включение транзистора позволяет более
полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном
уровне шумов. Что такое частотная характеристика транзистора? Это -
способность транзистора усиливать высокие частоты, близкие к граничной
частоте усиления, Эта величина зависит от типа транзистора. Более
высокочастотный транзистор способен усиливать и более высокие частоты. С
повышением рабочей частоты, коэффициент усиления транзистора понижается.
Если для построения усилителя использовать, например, схему с общим
эмиттером, то при некоторой (граничной) частоте каскад перестает усиливать
входной сигнал. Использование этого - же транзистора, но включенного по схеме
с общей базой, позволяет значительно повысить граничную частоту усиления.
Каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает низким входным и
невысоким выходным сопротивлениями (эти параметры очень хорошо
согласуются при работе в антенных усилителях с использованием так
называемых "коаксиальных" несимметричных высокочастотных кабелей,
волновое сопротивление которых как правило не превышает 100 ом). Если
сравнивать величины сопротивлений для каскада с ОЭ и ОБ, то входное
сопротивление каскада с ОБ в (1+Н21э) раз меньше, чем с ОЭ, а выходное в
(1+Н21э) раз больше.Каскад с ОБ не изменяет фазы входного сигнала.

В практике радиолюбителя иногда приходится использовать параллельное


включение транзисторов для увеличения выходной мощности (коллекторного
тока). Один из вариантов данного включения приведен ниже:
При таком включении нужно стремиться использовать транзисторы с близкими
параметрами Вст. Транзисторы большой мощности при этом должны
устанавливаться на один теплоотвод. Для дополнительного выравнивания токов в
данной схеме в цепях эмиттеров применены резисторы. Сопротивление
резисторов следует выбирать исходя из падения напряжения на них (в интервале
рабочих токов) около 1 вольта (или, по крайней мере, - не менее 0,7
вольта). Данная схема должна применяться с большой осторожностью, так
как даже транзисторы одного типа и из одной партии выпуска имеют очень
большой разброс по параметрам. Выход из строя одного из транзисторов
неизбежно приведет к выходу из строя и других транзисторов в цепочке...
При параллельном включении двух транзисторов максимальный
суммарный ток  коллектора не должен превышать 1,6-1,7 от предельного
тока коллектора одного из транзисторов! Количество транзисторов,
включенных по этой схеме может быть сколько угодно большим - все
зависит от целесообразности...

В радиолюбительской практике иногда необходим транзистор с


проводимостью, отличной от имеющегося (например - в выходном каскаде
УЗЧ и проч.) . Выйти из положения позволяет схема включения, приведенная
ниже:
В данном каскаде используется как правило маломощный транзистор
VT1 необходимой проводимости, транзистор VT2 необходимой мощности, но
другой проводимости. Данный каскад (в частности) эквивалентен транзистору с
проводимостью N-P-N большой мощности с высоким коэффициентом передачи
тока базы (h21Э). Если мы используем в качестве VT1, VT2 транзисторы
противоположной проводимости - получим мощный составной транзистор с
проводимостью P-N-P.

Если в данной схеме применить транзисторы одной структуры - получим так


называемый Составной транзистор. Такое включение транзисторов называют
Схемой Дарлингтона. Промышленность выпускает  такие транзисторы в одном
корпусе. Существуют как маломощные (типа КТ3102 и т.п.)  так и мощные
(например - КТ825) составные транзисторы.

А сейчас поговорим немного о температурной стабилизации усилителя.

Транзистор, являясь полупроводниковым прибором, изменяет свои параметры


при изменении рабочей температуры. Так, при повышении температуры,
усилительные свойства транзистора ухудшаются. Обусловлено это рядом
причин : при повышении температуры значительно увеличивается такой
параметр транзистора, как обратный ток коллектора. Увеличение обратного
тока коллектора транзистора приводит к значительному увеличению
коллекторного тока и к смещению рабочей точки в сторону увеличения тока. При
некоторой температуре коллекторный ток транзистора возрастает до такой
величины, при которой транзистор перестает реагировать на слабый входной
(базовый) ток. Попросту говоря - каскад перестает быть усилительным. Для того,
чтобы расширить диапазон рабочих температур,необходимо применять
дополнительные меры по температурной стабилизации рабочей
точкитранзистора. Самым простым способом является коллекторная
стабилизация рабочего тока смещения. Рассмотренная нами выше схема каскада
по схеме с общим эмиттером является схемой с фиксированным током базы. Ток
коллектора в данной схеме зависит от параметров конкретного экземпляра
транзистора и должен устанавливаться индивидуально при помощи подбора
величины резистора R1. При смене транзистора начальный (при отсутствии
сигнала) ток коллектора приходится подбирать заново, так как транзисторы даже
одного типа имеют очень большой разброс статического коэффициента усиления
тока базы (h21 Э). Другая разновидность каскада - схема с фиксированным
напряжением смещения. Эта схема также обладает недостатками, описанными
выше:
Для повышения термостабильности каскада необходимо использовать
специальные схемы включения:

Схема коллекторной стабилизации, обладая основными недостатками


схемы с общим эмиттером (подбор резистора базового смещения под
конкретный экземпляр транзистора), тем не менее позволяет расширить
диапазон рабочих температур каскада. Как видим, данная схема
отличается подключением резистора смещения не к источнику питания,
а в коллекторную цепь. Благодаря такому включению удалось
значительно (за счет применения отрицательной обратной связи)
расширить диапазон рабочих температур каскада. При увеличении
обратного тока коллектора транзистора, увеличивается ток коллектора,
что вызывает более полное открывание транзистора и уменьшение
коллекторного напряжения. Уменьшение коллекторного напряжения, в
свою очередь, уменьшает напряжение начального смещения
транзистора, что вызывает уменьшение коллекторного тока до
приемлемой величины. Таким образом - осуществляется отрицательная
обратная связь, которая несколько уменьшает усиление каскада, но зато
позволяет увеличить максимальную рабочую температуру.

Более качественную стабилизацию температурных параметров каскада


усиления можно осуществить, если несколько усложнить схему и
применить так называемую "эмиттерную"температурную
стабилизацию. Данная схема, несмотря на сложность, позволяет
каскаду сохранять усилительные свойства в очень широком интервале
рабочих температур. Кроме того, применение данной схемы
стабилизации дает возможность замены транзисторов без последующей
настройки. Отдельно скажу о конденсаторе С3. Этот конденсатор
служит для повышения коэффициента усиления каскада на переменном
токе. Он устраняет отрицательную обратную связь каскада. Емкость
этого конденсатора зависит от рабочей частоты усилителя. Для
усилителя звуковых частот емкость конденсатора может колебаться от 5
до 50 микрофарад, для диапазона радиочастот - от 0,01 до 0,1
микрофарады (но его в некоторых случаях может и не быть).

Теперь давайте попробуем расчитать термостабильный каксад по


постоянному току:

ВНИМАНИЕ! Данные расчета получаются довольно


приблизительные! Окончательный номинал резистора R1
потребуется подобрать при наладке более точно!
Для начала нам нужно определиться с исходными данными для расчета.
На верхнем прямоугольнике даны постоянные величины соответственно
для германиевого (Ge) и кремниевого (Si) транзистора.

Для начала расчета нам нужны следующие входные


параметры: Напряжение питания (Uk), в Вольтах (Принимаем - как пример -
равное 6 вольтам). Ток коллектора (Ik), в Миллиамперах (принимаем равный 1
миллиамперу); тип транзистора (Ge. Si), минимальная рабочая частота Fmin в
герцах (предположим 150000 герц - для работы в диапазоне ДВ) . Сопротивление
в цепи коллектора R3 принимаем равным 1 Килоому. Величина этого резистора
обычно не расчитывается а берется равным 750 ом - 4,7 Килоом. От величины
этого резистора зависит коэффициент усиления каскада по переменному току.
Транзистор, предположим, КТ315 - кремниевый. Расчет ведем согласно рисунку
сверху-вниз!
Вначале по формуле расчитываем сопротивление резистора в цепи эмиттера R4
= 0,6 килоом.
Далее находим сопротивление резистора R2 = 19,5 килоом .
Далее - сопротивление резистора R1 = 70,5 Килоом.
По формуле вычисляем минимальную емкость конденсатора С1 = 0,016
микрофарад. Здесь можно без ухудшения частотных свойств каскада поставить
конденсатор большей емкости (например на 0,022 микрофарад).
Так, произведя несложные вычисления, мы получили расчитанный каскад для
работы в усилителе радиочастоты . Так как во время расчета мы получили
номиналы резисторов не соответствующие стандартному ряду, можно
несколько скорректировать их. Так вместо резистора R4 можно поставить
резистор на 620 ом, резистор R2 заменим на резистор с номиналом 20 килоом,
резистор R1 заменяем на резистор 75 килоом. Эти незначительные отклонения от
расчета не приведут к каким либо проблемам при работе каскада - всего навсего
слегка изменится коллекторный ток...
Теперь давайте расчитаем работу каскада по переменному току:

Для этого расчета нам потребуются следующие параметры: Сопротивления


резисторов R1 - R4, Входное сопротивление следующего (нагрузочного) каскада.

Сначала определяем сопротивление Rэ. Для нашего случая (ток коллектора 1


миллиампер) Rэ = 26 ом,
Далее определим проводимость S = 38.46 микросименса (ориентировочно),
Вычисляем значение R11. Для транзистора типа КТ315Б среднее значение
параметра h21э равно 200, отсюда R11 равно 5200,
Величину Rb необходимо определить для вычисления входного сопротивления
каскада, являющегося нагрузкой расчитываемого. Она равна (при номиналах
резисторов, взятых в нашем примере)  5,75 килоом,
Для упрощения расчета можно не вычислять сопротивление Rн, а принять его
равным R3.
Ожидаемый коэффициент усиления данного каскада на транзисторе типа КТ315Б
со средним значением h21э равным 200 получается около 40.
Следует иметь в виду, что полученное значение коэффициента усиления
каскада весьма приблизительно! На практике это значение может
отличаться в 1,5 - 2 раза (иногда - больше) и зависит от конкретного
экземпляра транзистора!
При расчете коэффициента усиления транзистороного каскада по переменному
току следует учитывать, что этот коэффициент зависит от частоты усиливаемого
сигнала. Максимальная частота примененного транзистора должна быть по
крайней мере в 15-20 раз выше предельной частоты усиления  (определяется по
справочнику).

Для написания этой странички использовались материалы из книги


"Краткий радиотехнический справочник." Авторы Богданович и Ваксер,
Издательство "Беларусь" 1976 год.

Литература по теме: Небольшой учебник "Азы транзисторной


схемотехники" (около  380 килобайт), найденный мной в
интернете, можно скачать по этой ссылке.

Пользователь сайта Wind  написал   программу-калькулятор для


облегчения расчетов каскада с общим эмиттером. Программа
работает в  Exel.

Книжка "Расчет схем на транзисторах" лежит здесь (довольно


древняя - 1969 года издания, но вполне актуальная!) обьем
около 8 мБайт.

УСИЛИТЕЛИ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ

Ниже приведены несколько схем различных маломощных транзисторных


усилителей звуковой частоты.

Первая схема - самая простая - двухкаскадный УЗЧ с однотактным


выходным каскадом. 
Схема собрана на двух маломощных транзисторах. На транзисторе VT1 собран
каскад предварительного усиления, на  транзисторе VT2 - оконечный каскад.
Режимы транзисторов по постоянному току подбираются (во время налаживания)
резисторами R1 и R3. Несколько слов о включении резистора R1. Резистор
включен в цепь нагрузки для повышения температурной стабильности каскада.
Такое включение уменьшает температурную зависимость коллекторного тока от
температуры (у транзисторов есть одна неприятная особенность - при повышении
температуры увеличивается коллекторный ток, что может привести к увеличению
коллекторного тока до недопустимых величин и приводит к потере
работоспособности каскада). Данный усилитель обладает невысокой выходной
мощностью - порядка 20 - 30 милливатт и требует применения высокоомной
нагрузки для выходного каскада. Для согласования низкого сопротивления
динамической головки с относительно высоким выходным сопротивлением
оконечного каскада применен согласующий выходной трансформатор. В данной
схеме в качестве нагрузки выходного каскада можно применить абонентский
громкоговоритель (например "ОБЬ"). Выходной каскад здесь собран по так
называемой схеме "А". Эта схема обладает высокой линейностью, хорошим
усилением, но невысокой экономичностью, так как ток покоя выходного каскада
выбран довольно большой (можно посчитать мощность, потребляемую
усилителем от источника питания P=I(потребления)*U(питания)=9(В)*10(МА)=90
милливатт, что, при выходной мощности 20 милливатт соответствует КПД всего
около 20%).

Для повышения экономичности и увеличения выходной мощности можно


рекомендовать усилитель с двухтактным выходным каскадом, работающим в
режиме "AB". Эта схема позволяет получить уже выходную мощность в пределах
100-150 милливатт при потребляемом токе порядка 30 миллиампер (в режиме
сигнала).
 

Как видно из схемы, ток покоя выходного каскада здесь не превышает 4


миллиампер, что значительно повышает экономичность усилителя в целом
(сравните с потреблением тока первым усилителем). К недостатку данной схемы
можно отнести применение для согласования специальных трансформаторов.
Приобретение готовых трансформаторов может стать целой проблемой.

Если в выходном каскаде применить так называемую


комплементарную (взамодополняющую) пару транзисторов - можно обойтись
без применения довольно дефицитных и громоздких трансформаторов. 
Выходной каскад в этой схеме собран на транзисторах разной проводимости, что
позволило максимально упростить выходной каскад. При помощи резистора R1
устанавливаем на эмиттерах транзисторов выходного каскада напряжение,
равное половине питания (в данном случае - 4,5 вольта). Коллекторный ток
выходного каскада устанавливаем резистором R3 (в пределах 2-4 миллиампер).
Диод в данной схеме может быть заменен резистором , сопротивлением около
100 ом, но при этом сильно снизится температурная стабильность
усилителя.                 Этот усилитель также имеет свой недостатки. Во-первых -
низкая (по сравнению с трансформаторным усилителем) экономичность и, во-
вторых - небольшой коэффициент усиления (так как транзисторы выходного
каскада включены по схеме с общим коллектором, которая не дает усиления по
напряжению). С первым недостатком можно смириться, так как экономичность
усилителя остается довольно высокой. Для устранения второго недостатка
обычно приходится добавлять еще один каскад усиления (можно, например,
использовать первый каскад от простейшего однотактного усилителя).

Если у вас найдется микросхема операционного усилителя, то схему УЗЧ


можно собрать по приводимой ниже схеме.
 

В данной схеме усиление напряжения производится операционным


усилителем А1, а транзисторы используются для согласования высокого
выходного сопротивления микросхемы с низким сопротивлением
звуковой катушки громкоговорителя. Настройка данной схемы сводится
к подбору при помощи R4 нужного коэффициента усиления (чем меньше
этот резистор - тем больше коэффициент усиления). Данная схема имеет
коэффициент усиления около 130 при выходной мощности 200
милливатт. Величина сопротивления резисторов R1,R2 может быть от
100 до 200 килоом, но она должна быть одинаковой. В качестве
транзисторов можно использовать практически любую комплементарную
пару, но обязательно - либо оба кремниевые, либо оба  - германиевые.
В качестве примера можно рекомендовать применение транзисторов
типов КТ315+КТ361; КТ3107+КТ3102; МП38+МП41.Этот усилитель
можно собрать на плате с размерами 20*30мм.

Еще одна схема интересного (на мой взгляд) усилителя:


Этот усилитель отличается предельной простотой. Благодаря
использованию непосредственных связей между каскадами удалось
получить коэффициент усиления около 20 тысяч при неплохой
частотной полосе! Выходная мощность такого усилителя - около 300
милливатт. 

Настройка: 

1. Заземляем базу транзистора VT2 и подбором резистора R3


устанавливает ток коллектора выходного каскада в пределах 80-90
миллиампер. Далее транзистор подключаем согласно схеме...

2. Заземляем базу первого транзистора и подбором резистора R2


устанавливаем ток коллектора выходного каскада 15 миллиампер. Далее
транзистор подключаем согласно схеме...

3. Резистором R4 устанавливаем ток коллектора выходного каскада в


пределах 40-50 миллиампер. 

К недостатку усилителя следует отнести большой потребляемый ток, что


обусловленно работой выходного каскада в режиме "А". При повторении
усилителя транзистор выходного каскада можно заменить более мощным
(из серии П213-П217). Схема работает только с германиевыми
транзисторами (при использовании кремниевых транзисторов
потребуется изменение всех номиналов резисторов!!!)... Данный
усилитель я использовал еще в детские годы для работы с детекторным
приемником, при этом в качестве источника питания использовалась
батарея для карманного фонарика на 4,5 вольта...

Также существуют специализированные микросхемы - усилители


звуковой частоты с выходной мощностью от 50 милливатт до 100 ватт,
но мы пока не будем их рассматривать. По мере приобретения опыта, вы
сами сможете попробовать использовать такие микросхемы.

Последнюю схему удобно применить совместно с простейшим


детекторным радиоприемником. Этот эксперимент я проводил еще во
времена моего детства, тогда да ДВ диапазоне мне удавалось "поймать"
3 радиостанции с вполне приемлемой громкостью (при этом детекторный
приемник без усилителя не "ловил" ничего!). Дело в том, что в нашем
регионе ближайшая ДВ радиостанция расположена в 400 километрах,
следующие в 600, а также в 700 километрах... При такой удаленности на
детекторный радиоприемник без усилителя удается поймать, к
сожалению, только помехи...

УСИЛИТЕЛИ ЗЧ НА МИКРОСХЕМАХ

Поговорим об специализированных микросхемах - усилителях мощности


звуковых частот. Этот класс насчитывает сотни типов микросхем с
выходной мощностью от 0,1 до 200 ватт, выпускаемых разными фирмами в
мире.

В нашей стране выпускаются микросхемы для звуковой техники серии К174.


Подробнее остановимся на трех из них.

Эти микросхемы были разработаны довольно давно, но и сейчас


используются для построения усилителей не только радиолюбителями, но
и в промышленной аппаратуре.

Одной из первых микросхем данного класса была выпущена микросхема


усилителя мощности звуковых частот типа К174УН4.

Микросхема К174УН4 представляет собой интегральный усилитель мощности


звуковой частоты.
Основные технические параметры микросхемы следующие: Выходная мощность
при напряжении питания 9 вольт и сопротивлении нагрузки 4 ома - около 0,7
ватта, Коэффициент усиления по напряжению - 4...40, Коэффициент гармоник
(искажений) - не более 2 % (при максимальной выходной мощности).
Корпус микросхемы имеет специальные лепестки для крепления на теплоотводе.
Для вашего удобства схема включения выполнена в виде монтажной с привязкой
деталей к выводам микросхемы.

Коэффициент усиления микросхемы зависит от значения сопротивления


резистора R2. Зависимость - обратная (то есть - при уменьшении значения
сопротивления резистора, коэффициент усиления возрастает, и наоборот).

Следующая, более мощная микросхема из этого семейства носит название


К174УН7.
 Микросхема К174УН7 - усилитель мощности со следующими параметрами:
Напряжение питания -9...15 вольт, выходная мощность при напряжении питания
15 вольт и сопротивлении нагрузки 4 ома - не менее 4,5 ватт, Коэффициент
гармоник при максимальной мощности - не более 10%, при выходной мощности
2,5 ватта - не более 2,5 %.
Корпус микросхемы также имеет лепестки для крепления к теплоотводу.

Как видите - схема включения у этой ИМС несколько сложнее предыдущей, но


выходные параметры (в частности - выходная мощность) значительно улучшены.
Величина усиления данной микросхемы зависит от номинала резистора R3.
Зависимость также обратная.

Наиболее "продвинутая" из всех рассматриваемых нами микросхем - микросхема


К174УН14.

Микросхема К174УН14 - усилитель мощности низкой частоты с номинальной


выходной мощностью 4,5 ватта. Усилитель имеет встроенную тепловую защиту и
защиту от коротких замыканий на выходе. Основные параметры микросхемы:
Напряжение питание 8...16 вольт, номинальная выходная мощность (при
напряжении питания 13,5 вольт и сопротивлении нагрузки 4 ома) - 4,5 ватта, при
коэффициенте гармоник не более 10 %.
Микросхема выполнена в пластмассовом корпусе с 5 выводами, внешний вид
которого показан на рисунке в конце странички.
 

Коэффициент усиления этого усилителя зависит от отношения сопротивлений


резисторов R1 и R2 ( в данном случае К= R1/R2= 10).

В конце привожу рисунки корпусов этих микросхем.

 
Транзистором называется полупроводниковый прибор, который может усиливать, преобразовывать и генерировать
электрические сигналы. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в 1947 году. Материалом для его
изготовления служил германий. А уже в 1956 году на свет появился кремниевый транзистор.

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда – электроны и дырки, отчего такие транзисторы и
называются биполярными. Кроме биполярных существуют униполярные (полевые) транзисторы, у которых используется
лишь один тип носителей – электроны или дырки. В этой статье будут рассмотрены биполярные транзисторы.

Долгое время транзисторы в основном были германиевыми, и имели структуру p-n-p, что объяснялось возможностями
технологий того времени. Но параметры германиевых транзисторов были нестабильны, их самым большим недостатком
следует считать низкую рабочую температуру, - не более 60..70 градусов Цельсия. При более высоких температурах
транзисторы становились неуправляемыми, а затем и вовсе выходили из строя.

Со временем кремниевые транзисторы начали вытеснять германиевых собратьев. В настоящее время в основном они,
кремниевые, и применяются, и в этом нет ничего удивительного. Ведь кремниевые транзисторы и диоды (практически все
типы) сохраняют работоспособность до 150…170 градусов. Кремниевые транзисторы также являются «начинкой» всех
интегральных микросхем.

Транзисторы по праву считаются одним из великих открытий человечества. Придя на смену электронным лампам, они не
просто заменили их, а совершили переворот в электронике, удивили и потрясли мир. Если бы не было транзисторов, то
многие современные приборы и устройства, такие привычные и близкие, просто не появились на свет: представьте себе,
например, мобильный телефон на электронных лампах! Подробнее об истории транзисторов смотрите здесь.

Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n, что также объясняется технологией производства, хотя
существуют и кремниевые транзисторы типа p-n-p, но их несколько меньше, нежели структуры n-p-n. Такие транзисторы
используются в составе комплементарных пар (транзисторы разной проводимости с одинаковыми электрическими
параметрами). Например, КТ315 и КТ361, КТ815 и КТ814, а в выходных каскадах транзисторных УМЗЧ КТ819 и КТ818. В
импортных усилителях очень часто применяется мощная комплементарная пара 2SA1943 и 2SC5200.

Часто транзисторы структуры p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, а структуры n-p-n обратной. В
литературе такое название почему-то почти не встречается, а вот в кругу радиоинженеров и радиолюбителей
используется повсеместно, всем сразу понятно, о чем идет речь. На рисунке 1 показано схематичное устройство
транзисторов и их условные графические обозначения.
Рисунок 1.

Кроме различия по типу проводимости и материалу, биполярные транзисторы классифицируются по мощности и рабочей
частоте. Если мощность рассеивания на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается маломощным. При
мощности 0,3…3 Вт транзистор называют транзистором средней мощности, а при мощности свыше 3 Вт мощность
считается большой. Современные транзисторы в состоянии рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

Транзисторы усиливают электрические сигналы не одинаково хорошо: с увеличением частоты усиление транзисторного
каскада падает, и на определенной частоте прекращается вовсе. Поэтому для работы в широком диапазоне частот
транзисторы выпускаются с разными частотными свойствами.

По рабочей частоте транзисторы делятся на низкочастотные, - рабочая частота не свыше 3 МГц, среднечастотные – 3…30
МГц, высокочастотные – свыше 30 МГц. Если же рабочая частота превышает 300 МГц, то это уже сверхвысокочастотные
транзисторы.

Вообще, в серьезных толстых справочниках приводится свыше 100 различных параметров транзисторов, что также
говорит об огромном числе моделей. А количество современных транзисторов таково, что в полном объеме их уже
невозможно поместить ни в один справочник. И модельный ряд постоянно увеличивается, позволяя решать практически
все задачи, поставленные разработчиками.

Существует множество транзисторных схем (достаточно вспомнить количество хотя бы бытовой аппаратуры) для усиления
и преобразования электрических сигналов, но, при всем разнообразии, схемы эти состоят из отдельных каскадов, основой
которых служат транзисторы. Для достижения необходимого усиления сигнала, приходится использовать несколько
каскадов усиления, включенных последовательно. Чтобы понять, как работают усилительные каскады, надо более
подробно познакомиться со схемами включения транзисторов.

Сам по себе транзистор усилить ничего не сможет. Его усилительные свойства заключаются в том, что малые изменения
входного сигнала (тока или напряжения) приводят к значительным изменениям напряжения или тока на выходе каскада за
счет расходования энергии от внешнего источника. Именно это свойство широко используется в аналоговых схемах, -
усилители, телевидение, радио, связь и т.д.

Для упрощения изложения здесь будут рассматриваться схемы на транзисторах структуры n-p-n. Все что будет сказано об
этих транзисторах, в равной степени относится и к транзисторам p-n-p. Достаточно только поменять полярность
источников питания, электролитических конденсаторов и диодов, если таковые имеются, чтобы получить работающую
схему.

Схемы включения транзисторов

Всего таких схем применяется три: схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей
базой (ОБ). Все эти схемы показаны на рисунке 2.
Рисунок 2.

Но прежде, чем перейти к рассмотрению этих схем, следует познакомиться с тем, как работает транзистор в ключевом
режиме. Это знакомство должно упростить понимание работы транзистора в режиме усиления. В известном смысле
ключевую схему можно рассматривать как разновидность схемы с ОЭ.

Работа транзистора в ключевом режиме

Прежде, чем изучать работу транзистора в режиме усиления сигнала, стоит вспомнить, что транзисторы часто
используются в ключевом режиме.

Такой режим работы транзистора рассматривался уже давно. В августовском номере журнала «Радио» 1959 года была
опубликована статья Г. Лаврова «Полупроводниковый триод в режиме ключа». Автор статьи предлагал регулировать
частоту вращения коллекторного двигателя изменением длительности импульсов в обмотке управления (ОУ). Теперь
подобный способ регулирования называется ШИМ и применяется достаточно часто. Схема из журнала того времени
показана на рисунке 3.
Рисунок 3.

Но ключевой режим используется не только в системах ШИМ. Часто транзистор просто что-то включает и выключает.

В этом случае в качестве нагрузки можно использовать реле: подали входной сигнал - реле включилось, нет - сигнала реле
выключилось. Вместо реле в ключевом режиме часто используются лампочки. Обычно это делается для индикации:
лампочка либо светит, либо погашена. Схема такого ключевого каскада показана на рисунке 4. Ключевые каскады также
применяются для работы со светодиодами или с оптронами.

Рисунок 4.

На рисунке каскад управляется обычным контактом, хотя вместо него может быть цифровая микросхема или
микроконтроллер. Лампочка автомобильная, такая применяется для подсветки приборной доски в «Жигулях». Следует
обратить внимание на тот факт, что для управления используется напряжение 5В, а коммутируемое коллекторное
напряжение 12В.

Ничего странного в этом нет, поскольку напряжения в данной схеме никакой роли не играют, значение имеют только токи.
Поэтому лампочка может быть хоть на 220В, если транзистор предназначен для работы на таких напряжениях.
Напряжение коллекторного источника также должно соответствовать рабочему напряжению нагрузки. С помощью
подобных каскадов выполняется подключение нагрузки к цифровым микросхемам или микроконтроллерам.

В этой схеме ток базы управляет током коллектора, который, за счет энергии источника питания, больше в несколько
десятков, а то и сотен раз (зависит от коллекторной нагрузки), чем ток базы. Нетрудно заметить, что происходит усиление
по току. При работе транзистора в ключевом режиме обычно для расчета каскада пользуются величиной, называемой в
справочниках «коэффициент усиления по току в режиме большого сигнала», - в справочниках обозначается буквой β. Это
есть отношение тока коллектора, определяемого нагрузкой, к минимально возможному току базы. В виде математической
формулы это выглядит вот так: β = Iк/Iб.

Для большинства современных транзисторов коэффициент β достаточно велик, как правило, от 50 и выше, поэтому при
расчете ключевого каскада его можно принять равным всего 10. Даже, если ток базы и получится больше расчетного, то
транзистор от этого сильнее не откроется, на то он и ключевой режим.

Чтобы зажечь лампочку, показанную на рисунке 3, Iб = Iк/β = 100мА/10 = 10мА, это как минимум. При управляющем
напряжении 5В на базовом резисторе Rб за вычетом падения напряжения на участке Б-Э останется 5В – 0,6В = 4,4В.
Сопротивление базового резистора получится: 4,4В / 10мА = 440 Ом. Из стандартного ряда выбирается резистор с
сопротивлением 430 Ом. Напряжение 0,6В это напряжение на переходе Б–Э, и при расчетах о нем не следует забывать!

Для того, чтобы база транзистора при размыкании управляющего контакта не осталась «висеть в воздухе», переход Б–Э
обычно шунтируется резистором Rбэ, который надежно закрывает транзистор. Об этом резисторе не следует забывать,
хотя в некоторых схемах его почему-то нет, что может привести к ложному срабатыванию каскада от помех. Собственно,
все про этот резистор знали, но почему-то забыли, и лишний раз наступили на «грабли».
Номинал этого резистора должен быть таким, чтобы при размыкании контакта напряжение на базе не оказалось бы
меньше 0,6В, иначе каскад будет неуправляемым, как будто участок Б–Э просто замкнули накоротко. Практически
резистор Rбэ ставят номиналом примерно в десять раз больше, нежели Rб. Но даже если номинал Rб составит 10Ком,
схема будет работать достаточно надежно: потенциалы базы и эмиттера будут равны, что приведет к закрыванию
транзистора.

Такой ключевой каскад, если он исправен, может включить лампочку в полный накал, или выключить совсем. В этом
случае транзистор может быть полностью открыт (состояние насыщения) или полностью закрыт (состояние отсечки). Тут
же, сам собой, напрашивается вывод, что между этими «граничными» состояниями существует такое, когда лампочка
светит вполнакала. В этом случае транзистор наполовину открыт или наполовину закрыт? Это как в задаче о наполнении
стакана: оптимист видит стакан, наполовину налитый, в то время, как пессимист считает его наполовину пустым. Такой
режим работы транзистора называется усилительным или линейным.

Работа транзистора в режиме усиления сигнала

Практически вся современная электронная аппаратура состоит из микросхем, в которых «спрятаны» транзисторы.
Достаточно просто подобрать режим работы операционного усилителя, чтобы получить требуемый коэффициент усиления
или полосу пропускания. Но, несмотря на это, достаточно часто применяются каскады на дискретных («рассыпных»)
транзисторах, и поэтому понимание работы усилительного каскада просто необходимо.

Самым распространенным включением транзистора по сравнению с ОК и ОБ является схема с общим эмиттером (ОЭ).
Причина такой распространенности, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и по току. Наиболее
высокий коэффициент усиления каскада ОЭ обеспечивается когда на коллекторной нагрузке падает половина напряжения
источника питания Eпит/2. Соответственно, вторая половина падает на участке К-Э транзистора. Это достигается
настройкой каскада, о чем будет рассказано чуть ниже. Такой режим усиления называется классом А.

При включении транзистора с ОЭ выходной сигнал на коллекторе находится в противофазе с входным. Как недостатки
можно отметить то, что входное сопротивление ОЭ невелико (не более нескольких сотен Ом), а выходное в пределах
десятков КОм.

Если в ключевом режиме транзистор характеризуется коэффициентом усиления по току в режиме большого сигнала  β, то
в режиме усиления используется «коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала», обозначаемый, в
справочниках h21э. Такое обозначение пришло из представления транзистора в виде четырехполюсника. Буква «э»
говорит о том, что измерения производились при включении транзистора с общим эмиттером.

Коэффициент h21э, как правило, несколько больше, чем β, хотя при расчетах в первом приближении можно пользоваться
и им. Все равно разброс параметров β и h21э настолько велик даже для одного типа транзистора, что расчеты получаются
лишь приблизительными. После таких расчетов, как правило, требуется настройка схемы.

Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его нельзя. Отсюда и большой разброс
коэффициента усиления у транзисторов взятых даже из одной коробки (читай одной партии). Для маломощных
транзисторов этот коэффициент колеблется в пределах 100…1000, а у мощных 5…200. Чем тоньше база, тем выше
коэффициент.

Простейшая схема включения транзистора ОЭ показана на рисунке 5. Это просто небольшой кусочек из рисунка 2,
показанного во второй части статьи. Такая схема называется схемой с фиксированным током базы.
Рисунок 5.

Схема исключительно проста. Входной сигнал подается в базу транзистора через разделительный конденсатор C1, и,
будучи усиленным, снимается с коллектора транзистора через конденсатор C2. Назначение конденсаторов, - защитить
входные цепи от постоянной составляющей входного сигнала (достаточно вспомнить угольный или электретный
микрофон) и обеспечить необходимую полосу пропускания каскада.

Резистор R2 является коллекторной нагрузкой каскада, а R1 подает постоянное смещение в базу. С помощью этого
резистора стараются сделать так, чтобы напряжение на коллекторе было бы Eпит/2. Такое состояние называют рабочей
точкой транзистора, в этом случае коэффициент усиления каскада максимален.

Приблизительно сопротивление резистора R1 можно определить по простой формуле R1 ≈ R2 * h21э / 1,5…1,8.


Коэффициент 1,5…1,8 подставляется в зависимости от напряжения питания: при низком напряжении (не более 9В)
значение коэффициента не более 1,5, а начиная с 50В, приближается к 1,8…2,0. Но, действительно, формула настолько
приблизительна, что резистор R1 чаще всего приходится подбирать, иначе требуемая величина Eпит/2 на коллекторе
получена не будет.

Коллекторный резистор R2 задается как условие задачи, поскольку от его величины зависит коллекторный ток и усиление
каскада в целом: чем больше сопротивление резистора R2, тем выше усиление. Но с этим резистором надо быть
осторожным, коллекторный ток должен быть меньше предельно допустимого для данного типа транзистора.

Схема очень проста, но эта простота придает ей и отрицательные свойства, и за эту простоту приходится расплачиваться.
Во – первых усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, -
подбирай заново смещение, выводи на рабочую точку.

Во-вторых, от температуры окружающей среды, - с повышением температуры возрастает обратный ток коллектора Iко, что
приводит к увеличению тока коллектора. И где же тогда половина напряжения питания на коллекторе Eпит/2, та самая
рабочая точка? В результате транзистор греется еще сильнее, после чего выходит из строя. Чтобы избавиться от этой
зависимости, или, по крайней мере, свести ее к минимуму, в транзисторный каскад вводят дополнительные элементы
отрицательной обратной связи – ООС.

На рисунке 6 показана схема с фиксированным напряжением смещения.


Рисунок 6.

Казалось бы, что делитель напряжения Rб-к, Rб-э обеспечит требуемое начальное смещение каскада, но на самом деле
такому каскаду присущи все недостатки схемы с фиксированным током. Таким образом, приведенная схема является всего
лишь разновидностью схемы с фиксированным током, показанной на рисунке 5.

Схемы с термостабилизацией

Несколько лучше обстоит дело в случае применения схем, показанных на рисунке 7.

Рисунок 7.

В схеме с коллекторной стабилизацией резистор смещения R1 подключен не к источнику питания, а к коллектору


транзистора. В этом случае, если при увеличении температуры происходит увеличение обратного тока, транзистор
открывается сильнее, напряжение на коллекторе уменьшается. Это уменьшение приводит к уменьшению напряжения
смещения, подаваемого на базу через R1. Транзистор начинает закрываться, коллекторный ток уменьшается до
приемлемой величины, положение рабочей точки восстанавливается.

Совершенно очевидно, что такая мера стабилизации приводит к некоторому снижению усиления каскада, но это не беда.
Недостающее усиление, как правило, добавляют наращиванием количества усилительных каскадов. Зато подобная ООС
позволяет значительно расширить диапазон рабочих температур каскада.
Несколько сложней схемотехника каскада с эмиттерной стабилизацией. Усилительные свойства подобных каскадов
остаются неизменными в еще более широком диапазоне температур, чем у схемы с коллекторной стабилизацией. И еще
одно неоспоримое преимущество, - при замене транзистора не приходится заново подбирать режимы работы каскада.

Эмиттерный резистор R4, обеспечивая температурную стабилизацию, также снижает усиление каскада. Это для
постоянного тока. Для того, чтобы исключить влияние резистора R4 на усиление переменного тока, резистор R4
шунтирован конденсатором Cэ, который для переменного тока представляет незначительное сопротивление. Его величина
определяется диапазоном частот усилителя. Если эти частоты лежат в звуковом диапазоне, то емкость конденсатора
может быть от единиц до десятков и даже сотен микрофарад. Для радиочастот это уже сотые или тысячные доли, но в
некоторых случаях схема прекрасно работает и без этого конденсатора.

Для того, чтобы лучше понять, как работает эмиттерная стабилизация, надо рассмотреть схему включения транзистора с
общим коллектором ОК.

Схема с общим коллектором (ОК) Показана на рисунке 8. Эта схема является кусочком рисунка 2, из второй части статьи,
где показаны все три схемы включения транзисторов.

Рисунок 8.

Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной
снимается через конденсатор C2. Вот тут можно спросить, почему же эта схема называется ОК? Ведь, если вспомнить
схему ОЭ, то там явно видно, что эмиттер соединен с общим проводом схемы, относительно которого подается входной и
снимается выходной сигнал.

В схеме же ОК коллектор просто соединен с источником питания, и на первый взгляд кажется, что к входному и выходному
сигналу отношения не имеет. Но на самом деле источник ЭДС (батарея питания) имеет очень маленькое внутреннее
сопротивление, для сигнала это практически одна точка, один и тот же контакт.

Более подробно работу схемы ОК можно рассмотреть на рисунке 9.


Рисунок 9.

Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода б-э находится в пределах 0,5…0,7В, поэтому можно
принять его в среднем 0,6В, если не задаваться целью проводить расчеты с точностью до десятых долей процента.
Поэтому, как видно на рисунке 9, выходное напряжение всегда будет меньше входного на величину Uб-э, а именно на те
самые 0,6В. В отличие от схемы ОЭ эта схема не инвертирует входной сигнал, она просто повторяет его, да еще и снижает
на 0,6В. Такую схему еще называют эмиттерным повторителем. Зачем же такая схема нужна, в чем ее польза?

Схема ОК усиливает сигнал по току в h21э раз, что говорит о том, что входное сопротивление схемы в h21э раз больше,
чем сопротивление в цепи эмиттера. Другими словами можно не опасаясь спалить транзистор подавать непосредственно
на базу (без ограничительного резистора) напряжение. Просто взять вывод базы и соединить его с шиной питания +U.

Высокое входное сопротивление позволяет подключать источник входного сигнала с высоким импедансом (комплексное
сопротивление), например, пьезоэлектрический звукосниматель. Если такой звукосниматель подключить к каскаду по
схеме ОЭ, то низкое входное сопротивление этого каскада просто «посадит» сигнал звукоснимателя, - «радио играть не
будет».

Отличительной особенностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток Iк зависит только от сопротивления нагрузки
и напряжения источника входного сигнала. При этом параметры транзистора тут вообще никакой роли не играют. Про
такие схемы говорят, что они охвачены стопроцентной обратной связью по напряжению.

Как показано на рисунке 9 ток в эмиттерной нагрузке (он же ток эмиттера) Iн = Iк + Iб. Принимая во внимание, что ток базы
Iб ничтожно мал по сравнению с током коллектора Iк, можно полагать, что ток нагрузки равен току коллектора Iн = Iк. Ток в
нагрузке будет (Uвх – Uбэ)/Rн. При этом будем считать, что Uбэ известен и всегда равен 0,6В.

Отсюда следует, что ток коллектора Iк = (Uвх – Uбэ)/Rн зависит лишь от входного напряжения и сопротивления нагрузки.
Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, правда, при этом особо усердствовать не надо. Ведь если
вместо Rн поставить гвоздь – сотку, то никакой транзистор не выдержит!

Схема ОК позволяет достаточно легко измерить статический коэффициент передачи тока h21э. Как это сделать, показано
на рисунке 10.

Рисунок 10.

Сначала следует измерить ток нагрузки, как показано на рисунке 10а. При этом базу транзистора никуда подключать не
надо, как показано на рисунке. После этого измеряется ток базы в соответствии с рисунком 10б. Измерения должны в
обоих случаях производиться в одних величинах: либо в амперах, либо в миллиамперах. Напряжение источника питания и
нагрузка должны оставаться неизменными при обоих измерениях. Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока
достаточно ток нагрузки разделить на ток базы: h21э ≈ Iн/Iб.

Следует отметить, что при увеличении тока нагрузки h21э несколько уменьшается, а при увеличении напряжения питания
увеличивается. Эмиттерные повторители часто строятся по двухтактной схеме с применением комплементарных пар
транзисторов, что позволяет увеличить выходную мощность устройства. Такой эмиттерный повторитель показан на
рисунке 11.
Рисунок 11.

Рисунок 12.

Включение транзисторов по схеме с общей базой ОБ

Такая схема дает только усиление по напряжению, но обладает лучшими частотными свойствами по сравнению со схемой
ОЭ: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах. Основное применение схемы ОБ это антенные
усилители диапазонов ДМВ. Схема антенного усилителя показана на рисунке 12.

Транзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода (эмиттер, базу, коллектор), можно
включить тремя основными способами (рис. 3.1 — 3.6). Как известно, входной сигнал поступает на усилитель
по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам. Следовательно, для трех-
электродного усилительного прибора при подаче входного и съеме выходного сигнала по двум проводам
один из электродов будет непременно общим. Соответственно тому, какой из электродов в схеме включения
транзистора будет являться общим, различают три основные схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ),
общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ).

Рис. 3.1. Схема с общим эммитером (ОЭ)

 
Рис. 3.2. Схема с общим коллектором (ОК)

Практические варианты схем включения транзисторов структуры п-р-п и р-п-р приведены на рис. 3.1 — 3.6.
Как следует из сопоставления рисунков, схемы эти идентичны и различаются лишь полярностью подаваемого
напряжения.

Для определения входного (RBX.) и выходного (RBbix.) сопротивления каждой из схем включения, а также
коэффициентов усиления по току (К,), напряжению (Ки) и мощности (КР=К|ХКи) расчетные и
экспериментальные значения и формулы приведены в таблицах 3.1 и 3.2.

Таблица с формулами приведена для приближенных расчетов, а для первоначальной, первичной оценки и
сравнения свойств основных схем включения транзисторов предназначена вторая таблица с численными
оценками.
Рис. 3.3. Схема с общей базой (ОБ)

Обозначения в таблице следующие: RH — сопротивление нагрузки; R3 — сопротивление эмиттера или


отношение изменения напряжения на эмиттерном переходе к изменению тока эмиттера в режиме короткого
замыкания в выходной цепи по переменному току; RB — сопротивление базы или отношение изменения
напряжения между эмиттером и базой к изменению тока коллектора в режиме холостого хода входной цепи
по переменному току; а — коэффициент усиления по току для схемы с общей базой; р — коэффициент
усиления по току для схемы с общим эмиттером.

Рис. 3.4. Схема с общим эммитером (ОЭ)

Рис. 3.5. Схема с общим коллектором (ОК)

 
Рис. 3.6. Схема с общей базой (ОБ)

Наиболее часто в практических схемах используют режим включения транзистора с общим эмиттером (как
обладающий наибольшим коэффициентом усиления по мощности).

Эмиттерные повторители (схемы с общим коллектором) применяют для согласования высокого выходного
сопротивления источника сигнала с низким входным сопротивлением нагрузки. Для построения
высокочастотных усилителей (имеющих низкое входное сопротивление) используют схемы с общей базой.

В зависимости от наличия, полярности и величины потенциалов на электродах транзисторов различают


несколько режимов его работы. Насыщение — транзистор открыт, напряжение на переходе К— Э
минимально, ток через переходы максимален. Отсечка — транзистор закрыт, напряжение на переходе К — Э
максимально, ток через переходы минимален. Активный — промежуточный между режимом насыщения и
отсечки. Инверсный — характеризуется подачей на электроды транзистора обратной (инверсной) полярности
рабочего напряжения.

В переключательно-коммутирующих схемах, имеющих только два состояния: включено (сопротивление


ключевого элемента близко к нулю) и выключено (сопротивление ключевого элемента стремится к
бесконечности), используются режимы насыщения и отсечки. Активный режим широко применяют для
усиления сигналов. Инверсный режим используют достаточно редко, поскольку улучшить показатели схемы
при таком включении транзистора не удается.

Для того чтобы без расчетов первоначально оценить величины RC-элементов, входящих в состав схем (рис.
3.1, 3.2, 3.4, 3.5), можно принять величину сопротивления в коллекторной (эмиттерной) цепи равной
нескольким кОм, а величину сопротивления в цепи базы в 30...50 раз большим. При этом напряжение на
коллекторе (эмиттере) должно быть равно половине напряжения питания. Для схемы с общей базой (рис.
3.3, 3.6) величина сопротивления R3, обычно не превышает 0,1... 1 кОм, величина сопротивления R2
составляет несколько кОм.

Величины реактивных сопротивлений конденсаторов С1 — СЗ для наиболее низких частот, которые


требуется усилить, должны быть примерно на порядок ниже соединенных с ними активных сопротивлений R1
— R3 (рис. 3.1 — 3.6). В принципе, величины этих емкостей можно было бы выбрать со значительным
запасом, но в этом случае увеличиваются габариты переходных конденсаторов, их стоимость, токи утечки,
длительность переходных процессов и т.д.
В качестве примера приведем таблицу 3.3 для быстрого определения величины реактивного сопротивления
конденсаторов для нескольких частот.

Напомним, что реактивное сопротивление конденсатора Хс, Ом, можно вычислить по формуле:

Для постоянного тока реактивное сопротивление конденсаторов стремится к бесконечности. Следовательно,


для усилителей постоянного тока (нижняя граничная частота усиления равна нулю) переходные
конденсаторы не требуются, а для разделения каскадов необходимо предусматривать специальные меры.
Конденсаторы в цепях постоянного тока равносильны обрыву цепи. Поэтому при построении схем усилителей
постоянного тока используют схемы с непосредственными связями между каскадами. Разумеется, в этом
случае необходимо согласование уровней межкаскадных напряжений.

При усилении переменного тока в цепи нагрузки усилительных каскадов зачастую используют индуктивные
элементы. Отметим, что реактивное сопротивление индуктивностей растет с увеличением частоты.
Соответственно, с изменением сопротивления нагрузки от частоты, растет и коэффициент усиления такого
каскада.

Помимо биполярных транзисторов широкое распространение приобрели более современные элементы —


полевые транзисторы (рис. 3.7 — 3.9).
Рис. 3.7. Схема с общим истоком (ОИ)

Рис. 3.8. Схема с общим стоком (ОС)

По аналогии со схемами включения биполярных транзисто ров полевые включают с общим истоком, общим
стоком и с об щим затвором.

Основные расчетные соотношения для этих схем включения полевых транзисторов приведены в таблице 3.4,
где S — крутизна характеристики полевого транзистора, мА/В; R, — внутреннее сопротивление транзистора.

 
Рис. 3.9. Схема с общим затвором (03)

Основные расчетные соотношения для этих схем включения полевых транзисторов приведены в таблице 3.4,
где S — крутизна характеристики полевого транзистора, мА/В; R, — внутреннее сопротивление транзистора.

Ориентировочно величина R1 (рис. 3.7 — 3.9) может быть от нескольких Ом до единиц МОм R2 — несколько
кОм. Отметим, что, как и для биполярных транзисторов, полевые также допускают работу с отсечкой, с
насыщением; активный и инверсный режимы.

Для увеличения коэффициента передачи по току биполярного транзистора используют «составные»


транзисторы, включаемые по схеме Дарлингтона (рис. 3.10 — 3.13). Общий их коэффициент усиления
несколько отличается от произведения коэффициентов усиления каждого из транзисторов. Одновременно
ухудшается температурная стабильность схемы.

Рис. 3.10

Рис. 3.11

Рис. 3.12

 
Рис. 3.13

Полевые транзисторы. For dummies


Электроника для начинающих*

Введение

А теперь давайте поговорим о полевых транзисторах. Что можно предположить уже по


одному их названию? Во-первых, поскольку они транзисторы, то с их помощью можно как-то
управлять выходным током. Во-вторых, у них предполагается наличие трех контактов. И в-
третьих, в основе их работы лежит p-n переход. Что нам на это скажут официальные
источники?

Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с


тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического
поля. (electrono.ru)

Определение не только подтвердило наши предположения, но и продемонстрировало


особенность полевых транзисторов — управление выходным током происходит посредством
изменения приложенного электрического поля, т.е. напряжения. А вот у биполярных
транзисторов, как мы помним, выходным током управляет входной ток базы. 

Еще один факт о полевых транзисторах можно узнать, обратив внимание на их другое
название — униполярные. Это значит, что в процессе протекания тока у них участвует
только один вид носителей заряда (или электроны, или дырки).

Три контакта полевых транзисторов называются исток (источник носителей


тока), затвор (управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают носители). Структура
кажется простой и очень похожей на устройство биполярного транзистора. Но реализовать ее
можно как минимум двумя способами. Поэтому различают полевые транзисторы с
управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Вообще, идея последних появилась еще в 20-х годах XX века, задолго до изобретения
биполярных транзисторов. Но уровень технологии позволили реализовать ее лишь в 1960
году. В 50-х же был сначала теоретически описан, а затем получил воплощение полевой
транзистор с управляющим p-n переходом. И, как и их биполярные «собратья», полевые
транзисторы до сих пор играют в электронике огромную роль.
Перед тем, как перейти к рассказу о физике работы униполярных транзисторов, хочу
напомнить ссылки, по которым можно освежить свои знания о p-n переходе: раз и два.

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом


Итак, как же устроен первый тип полевых транзисторов? В основе устройства лежит
пластинка из полупроводника с проводимостью (например) p-типа. На противополжных
концах она имеет электроды, подав напряжение на которые мы получим ток от истока к
стоку. Сверху на этой пластинке есть область с противоположным типом проводимости, к
которой подключен третий электрод — затвор. Естественно, что между затвором и p-областью
под ним (каналом) возникает p-n переход. А поскольку n-слой значительно уже канала, то
большая часть обедненной подвижными носителями заряда области перехода будет
приходиться на p-слой. Соответственно, если мы подадим на переход напряжение обратного
смещения, то, закрываясь, он значительно увеличит сопротивление канала и уменьшит ток
между истоком и стоком. Таким образом, происходит регулирование выходного тока
транзистора с помощью напряжения (электрического поля) затвора.

Можно провести следующую аналогию: p-n переход — это плотина, перекрывающая поток
носителей заряда от истока к стоку. Увеличивая или уменьшая на нем обратное напряжение,
мы открываем/закрываем на ней шлюзы, регулируя «подачу воды» (выходной ток).

Итак, в рабочем режимеполевого транзистора с


управляющим p-n переходом напряжение на
затворе должно быть
либо нулевым (канал
открыт полностью), либо
обратным.
Если величина обратного напряжения станет
настолько большой, что запирающий слой
закроет канал, то транзистор перейдет в режим отсечки.

Даже при нулевом напряжении на затворе, между затвором и стоком существует обратное
напряжение, равное напряжению исток-сток. Вот почему p-n переход имеет такую неровную
форму, расширяясь к области стока.

Само собой разумеется, что можно сделать транзистор с


каналом n-типа и затвором p-типа. Сущность его работы при
этом не изменится.

Условные графические изображения полевых транзисторов приведены на рисунке (а — с


каналом p-типа, б — с каналом n-типа). Стрелка здесь указывает направление от p-слоя к n-
слою. 

Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-


переходом

Поскольку в рабочем режиме ток затвора обычно невелик или вообще равен нулю, то
графики входных характеристик полевых транзисторов мы рассматривать не будем.
Перейдем сразу к выходным или стоковым. Кстати, статическими их называют потому, что на
затвор подается постоянное напряжение. Т.е. нет необходимости учитывать частотные
моменты, переходные процессы и т.п.

Выходной (стоковой) называется зависимость тока стока от напряжения исток-сток при


константном напряжении затвор-исток. На рисунке — график слева.

На графике можно четко выделить три зоны. Первая из них — зона резкого возрастания тока
стока. Это так называемая «омическая» область. Канал «исток-сток» ведет себя как
резистор, чье сопротивление управляется напряжением на затворе транзистора. 

Вторая зона — область насыщения. Она имеет почти линейный вид. Здесь происходит
перекрытие канала в области стока, которое увеличивается при дальнейшем росте
напряжения исток-сток. Соответственно, растет и сопротивление канала, а стоковый ток
меняется очень слабо (закон Ома, однако). Именно этот участок характеристики используют
в усилительной технике, поскольку здесь наименьшие нелинейные искажения сигналов и
оптимальные значения малосигнальных параметров, существенных для усиления. К таким
параметрам относятся крутизна характеристики, внутреннее сопротивление и коэффициент
усиления. Значения всех этих непонятных словосочетаний будут раскрыты ниже.

Третья зона графика — область пробоя, чье название говорит само за себя.

С правой стороны рисунка показан график еще одной важной зависимости —стоко-
затворной характеристики. Она показывает то, как зависит ток стока от напряжения
затвор-исток при постоянном напряжении между истоком и стоком. И именно ее крутизна
является одним из основных параметров полевого транзистора.

Полевой транзистор с изолированным затвором

Такие транзисторы также часто называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- или


МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторами (англ. metall-oxide-semiconductor field
effect transistor, MOSFET). У таких устройств затвор отделен от канала тонким слоем
диэлектрика. Физической основой их работы является эффект изменения проводимости
приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием
поперечного электрического поля.
Устройство транзисторов такого вида следующее. Есть
подложка из полупроводника с p-проводимостью, в которой
сделаны две сильно легированные области с n-
проводимостью (исток и сток). Между ними пролегает узкая
приповерхностнаяя перемычка, проводимость которой
также n-типа. Над ней на поверхности пластины имеется тонкий слой диэлектрика (чаще
всего из диоксида кремния — отсюда, кстати, аббревиатура МОП). А уже на этом слое и
расположен затвор — тонкая металлическая пленка. Сам кристалл обычно соединен с
истоком, хотя бывает, что его подключают и отдельно.

Если при нулевом напряжении на затворе подать напряжение исток-сток, то по каналу между
ними потечет ток. Почему не через кристалл? Потому что один из p-n переходов будет
закрыт. 

А теперь подадим на затвор отрицательное относительно истока напряжение. Возникшее


поперечное электрическое поле «вытолкнет» электроны из канала в подложку.
Соответственно, возрастет сопротивление канала и уменьшится текущий через него ток.
Такой режим, при котором с возрастанием напряжения на затворе выходной ток падает,
называют режимом обеднения. 
Если же мы подадим на затвор напряжение, которое будет способствовать возникновению
«помогающего» электронам поля «приходить» в канал из подложки, то транзистор будет
работать в режиме обогащения. При этом сопротивление канала будет падать, а ток через
него расти.

Рассмотренная выше конструкция транзистора с изолированным затвором похожа на


конструкцию с управляющим p-n переходом тем, что даже при нулевом токе на затворе при
ненулевом напряжении исток-сток между ними существует так называемый начальный ток
стока. В обоих случаях это происходит из-за того, что канал для этого тока встроен в
конструкцию транзистора. Т.е., строго говоря, только что мы рассматривали такой подтип
МДП-транзисторов, как транзисторы с встроенным каналом.

Однако, есть еще одна разновидность полевых транзисторов с изолированным затвором


— транзистор с индуцированным (инверсным) каналом. Из названия уже понятно его
отличие от предыдущего — у него канал между сильнолегированными областями стока и
истока появляется только при подаче на затвор напряжения определенной полярности.

Итак, мы подаем напряжение только на исток и сток. Ток между ними течь не будет,
поскольку один из p-n переходов между ними и подложкой закрыт. 
Подадим на затвор (прямое относительно истока) напряжение. Возникшее электрическое
поле «потянет» электроны из сильнолегированных областей в подложку в направлении
затвора. И по достижении напряжением на затворе определенного значения в
приповерхностной зоне произойдет так называемаяинверсия типа проводимости. Т.е.
концентрация электронов превысит концентрацию дырок, и между стоком и истоком
возникнет тонкий канал n-типа. Транзистор начнет проводить ток, тем сильнее, чем выше
напряжение на затворе. 
Из такой его конструкции понятно, что работать транзистор с индуцированным каналом
может только находясь в режиме обогащения. Поэтому они часто встречаются в устройствах
переключения.

Условные обозначения транзисторов с изолированным затвором следующие:

 
Здесь
а − со встроенным каналом n- типа;
б − со встроенным каналом р- типа;
в − с выводом от подложки;
г − с индуцированным каналом n- типа;
д − с индуцированным каналом р- типа;
е − с выводом от подложки.

Статические характеристики МДП-транзисторов

Семейство стоковых и стоко-затворная характеристики транзистора с встроенным каналом


предсталены на следующем рисунке:
Те же характеристики для транзистора с идуцированным каналом:

Экзотические МДП-структуры

Чтобы не запутывать изложение, хочу просто посоветовать ссылки, по которым о них можно
почитать. В первую очередь, это всеми любимая википедия, раздел «МДП-структуры
специального назначения». А здесь теория и формулы: учебное пособие по твердотельной
электронике, глава 6, подглавы 6.12-6.15. Почитайте, это интересно! 

Общие параметры полевых транзисторов

1. Максимальный ток стока при фиксированном напряжении затвор-исток.


2. Максимальное напряжение сток-исток, после которого уже наступает
пробой.
3. Внутреннее (выходное) сопротивление. Оно представляет собой
сопротивление канала для переменного тока (напряжение затвор-исток — константа).
4. Крутизна стоко-затворной характеристики. Чем она больше, тем «острее»
реакция транзистора на изменение напряжения на затворе.
5. Входное сопротивление. Оно определяется сопротивлением обратно
смещенного p-n перехода и обычно достигает единиц и десятков МОм (что выгодно отличает
полевые транзисторы от биполярных «родственников»). А среди самих полевых транзисторов
пальма первенства принадлежит устройствам с изолированным затвором.
6. Коэффициент усиления — отношение изменения напряжения исток-сток к
изменению напряжения затвор-исток при постоянном токе стока.

Схемы включения

Как и биполярный, полевой транзистор можно рассматривать как четырехполюсник, у


которого два из четырех контактов совпадают. Таким образом, можно выделить три вида схем
включения: с общим истоком, с общим затвором и с общим стоком. По характеристикам они
очень похожи на схемы с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором для
биполярных транзисторов. 
Чаще всего применяется схема с общим истоком (а), как дающая большее усиление по
току и мощности. 
Схема с общим затвором (б) усиления тока почти не дает и имеет маленькое входное
сопротивление. Из-за этого такая схема включения имеет ограниченное практическое
применение.
Схему с общим стоком (в) также называют истоковым повторителем. Ее коэффициент
усиления по напряжению близок к единице, входное сопротивление велико, а выходное
мало. 
Отличия полевых транзисторов от биполярных. Области применения

Как уже было сказано выше, первое и главное отличие этих двух видов транзисторов в том,
что вторые управляются с помощью изменения тока, а первые — напряжения. И из этого
следуют прочие преимущества полевых транзисторов по сравнению с биполярными:

 высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте,


отсюда и малые потери на управление;
 высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания
неосновных носителей);
 поскольку усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены
переносом основных носителей заряда, их верхняя граница эффективного усиления выше,
чем у биполярных;
 высокая температурная стабильность;
 малый уровень шумов, так как в полевых транзисторах не используется
явление инжекции неосновных носителей заряда, которое и делает биполярные транзисторы
«шумными»;
 малое потребление мощности.

Однако, привсем при этом у полевых транзисторов есть и недостаток — они «боятся»
статического электричества, поэтому при работе с ними предъявляют особо жесткие
требования по защите от этой напасти.

Где применяются полевые транзисторы? Да практически везде. Цифровые и аналоговые


интегральные схемы, следящие и логические устройства, энергосберегающие схемы, флеш-
память… Да что там, даже кварцевые часы и пульт управления телевизором работают на
полевых транзисторах. Они повсюду, %хабраюзер%. Но теперь ты знаешь, как они работают!

Основные схемы включения полевых транзисторов


Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком
(ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ) (рис. 7).
Рисунок 7 – Схемы включения полевого транзистора: а) ОИ; б) ОЗ; в) ОС

На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном


транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком дает очень большое усиление тока и мощности.
Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления тока, и поэтому усиление
мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным
сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение.

Полевые транзисторы
Полевыми транзисторами называют активные
полупроводниковые приборы, в которых выходным током
управляют с помощью электрического поля (в биполярных
транзисторах выходной ток управляется входным током).
Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в
процессе протекания электрического тока участвует только
один вид носителей.
Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим
переходом и с изолированным затвором. Все они имеют три
электрода: исток (источник носителей тока), затвор
(управляющий электрод) и сток (электрод, куда стекают
носители).
Транзистор с управляющим p-n-переходом. Его
схематическое изображение приведено на рис.
1.21, а условное графическое обозначение этого транзистора –
на рис. 1.22, а, б (p- и n-типов соответственно). Стрелка
указывает направление от слоя р к слою п (как и стрелка в
изображении эмиттера биполярного транзистора). В
интегральных микросхемах линейные размеры транзисторов
могут быть существенно меньше 1 мкм.

Рис. 1.22 Устройство транзистора

Рис. 1.23 Графическое изображение: а – канал р-типа; б – каналn-типа

Удельное сопротивление слоя n (затвора) намного меньше


удельного сопротивления слоя р (канала), поэтому область р-
n-перехода, обедненная подвижными носителями заряда и
имеющая очень большое удельное сопротивление,
расположена главным образом в слое р.
Если типы проводимости слоев полупроводника в
рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то
получим полевой транзистор с управляющим
р-n-переходом и каналом n-типа. Если подать положительное
напряжение между затвором и истоком транзистора с каналом
р-типа: изи> 0, то оно сместит p-n-переход в обратном
направлении.
При увеличении обратного напряжения на переходе он
расширяется в основном за счет канала (в силу указанного
выше различия в удельных сопротивлениях). Увеличение
ширины перехода уменьшает толщину канала и,
следовательно, увеличивает его сопротивление. Это приводит
к уменьшению тока между истоком и стоком. Именно это
явление позволяет управлять током с помощью напряжения и
соответствующего ему электрического поля. Если
напряжение изи достаточно велико, то канал полностью
перекрывается областью p-n-перехода (напряжение отсечки).
В рабочем режиме р-n-переход должен находиться под
обратным или нулевым напряжением. Поэтому в рабочем
режиме ток затвора примерно равен нулю (iз  ? 0), а ток стока
практически равен току истока.
На ширину р-n-перехода и толщину канала прямое влияние
также оказывает напряжение между истоком и стоком.
Пусть uзи = 0 и поданоположительное напряжение uис (рис.
1.24). Это напряжение окажется поданным и на промежуток
затвор – сток, т.е. окажется, что uзс  = uис ир-n-переход находится
под обратным напряжением.
Обратное напряжение в различных областях р-n-перехода
различно. В областях вблизи истока это напряжение
практически равно нулю, а в областях вблизи стока это
напряжение примерно равно величине uис.Поэтому p-n-переход
будет шире в тех областях, которые ближе к стоку. Можно
считать, что напряжение в канале от истока к стоку
увеличивается линейно.
При uис = Uзи  отс канал полностью перекроется вблизи стока
(рис. 1.25). При дальнейшем увеличении напряжения uис эта
область канала, в которой он перекрыт, будет расширяться.
Рис. 1.24 Принцип действия
транзистора

Рис. 1.25 Режим отсечки


Схемы включения транзистора. Для полевого транзистора,
как и для биполярного, существуют три схемы включения:
схемы с общим затвором (03), общим истоком (ОИ) и общим
стоком (ОС). Наиболее часто используются схемы с общим
истоком (рис. 1.26).
Так как в рабочем режиме ic ? 0, то входные характеристики
обычно не рассматриваются.
Выходные (стоковые) характеристики. Выходной
характеристикой называют зависимость вида

где f – некоторая функция.


Выходные характеристики для транзистора с р-n-переходом и
каналом n-типа приведены на рис. 1.27.
Обратимся к характеристике, соответствующей условию uзи = 0.
В линейной области (uис < 4 В) характеристика почти линейна
(все характеристики этой области представляют собой почти
прямые линии, веерообразно выходящие из начала
координат). Она определяется сопротивлением канала.
Транзистор, работающий в линейной области, можно
использовать в качестве линейного управляемого
сопротивления.
При uис > 4 В канал в области стока перекрывается.
Дальнейшее увеличение напряжения приводит к очень
незначительному росту тока, так как с увеличением
напряжения область, в которой канал перекрыт, расширяется.
При этом сопротивление промежутка исток-сток
увеличивается, а ток ic практически не изменяется. Это область
насыщения. Ток стока в области насыщения uзи = 0 и при
заданном напряжении иси  называют начальным током стока и
обозначают через icнач. Для рассматриваемых
характеристик ic  нач = 5 мА при иси = 10 В.

Рис. 1.26 Схема с общей базой

Рис. 1.27 Выходные


характеристики
Параметрами, характеризующими свойства транзистора
усиливать напряжение, являются:
1) Крутизна стокозатворной характеристики S (крутизна
характеристики полевого транзистора):
2) Внутреннее дифференциальное
сопротивление Rис диф
3) Коэффициент усиления

Можно заметить, что

Транзисторы с изолированным затвором. Полевой


транзистор с изолированным затвором – это транзистор,
затвор которого отделен в электрическом отношении от канала
слоем диэлектрика. Физической основой работы таких
транзисторов является эффект поля, который состоит в
изменении концентрации свободных носителей заряда в
приповерхностной области полупроводника под действием
внешнего электрического поля. В соответствии с их структурой
такие транзисторы называют МДП-транзисторами (металл-
диэлектрик-полупроводник) или МОП-
транзисторами (металл-оксид-полупроводник). Существуют
две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным и со
встроенным каналами.

Рис. 1.28 Устройство МДП-транзистора со


встроенным каналом n-типа
На рис. 1.28 показан принцип устройства транзистора со
встроенным каналом.
Основанием (подложкой) служит кремниевая пластинка с
электропроводностью p-типа. В ней созданы две области с
электропроводностью n+-типа с повышенной проводимостью.
Эти области являются истоком и стоком и от них сделаны
выводы. Между стоком и истоком имеется приповерхностый
канал с электропроводностью n-типа. Заштрихованная область
– диэлектрический слой из диоксида кремния (его толщина
обычно составляет 0,1 – 0,2 мкм). Сверху диэлектрического
слоя расположен затвор в виде тонкой металлической пленки.
Кристалл такого транзистора обычно соединен с истоком, и его
потенциал принимается за нулевой. Иногда от кристалла
бывает сделан отдельный вывод.

Если к затвору приложено нулевое


напряжение, то при подаче между стоком и истоком
напряжения через канал потечет ток, представляющий собой
поток электронов. Через кристалл ток не пойдет, так как один
из p-n-переходов находится под обратным напряжением. При
подаче на затвор напряжения отрицательной полярности
относительно истока (следовательно, и кристалла) в канале
образуется поперечное электрическое поле, которое
выталкивает электроны из канала в области истока, стока и
кристалла. Канал обедняется электронами, его сопротивление
увеличивается, ток уменьшается. Чем больше напряжение на
затворе, тем меньше ток. Такой режим называетсярежимом
обеднения. Если подать положительное напряжение на
затвор, то под действием поля из областей стока, истока и
кристалла в канал будут приходить электроны. Сопротивление
канала падает, ток увеличивается. Такой режим
называется режимом обогащения. Если кристалл n-типа, то
канал должен быть p-типа и полярность напряжения меняется
на противоположную.
Другим типом является транзистор с индуцированным
(инверсным) каналом (рис. 1.29). От предыдущего он
отличается тем, что канал возникает только при подаче на
затвор напряжения определенной полярности.
При отсутствии напряжения на затворе канала нет, между
истоком и стоком
n+-типа расположен только кристалл p-типа и на одном из p-n+-
переходов получается обратное напряжение. В этом состоянии
сопротивление между стоком и истоком велико и транзистор
закрыт. При подаче на затвор напряжения положительной
полярности под влиянием поля затвора электроны
проводимости будут перемещаться из областей стока и истока
и p-области по направлению к затвору. Когда напряжение на
затворе достигает своего отпирающего (порогового) значения
(еденицы вольт), в приповерхностном слое концентрация
электронов настолько увеличивается, что превышает
концентрацию дырок, и в этом слое произойдет так
называемая инверсия типа электропроводности, т.е.
образуется тонкий канал n-типа, и транзистор начнет
проводить ток. Чем больше напряжение на затворе, тем
больше ток стока. Очевидно, что такой транзистор может
работать только в режиме обогащения. Если подложка n-типа,
то получится индуцированный канал p-типа. Транзисторы с
индуцированным каналом часто встречаются в устройствах
переключения. Схемы включения полевых транзисторов
подобны схемам включения биполярных. Следует отметить,
что полевой транзистор позволяет получить намного больший
коэффициент усиления, нежели биполярный. Обладая
высоким входным сопротивлением (и низким выходным)
полевые транзисторы постепенно вытесняют биполярные.
По электропроводности канала различают p-канальные и n-
канальные МДП-транзисторы. Условное обозначение этих
приборов на электрических схемах показано на рис.
1.30. Существует классификация МДП-транзисторов по
конструктивно-технологическим признакам (чаще по виду
материала затвора).

Рис. 1.30 Условные графические обозначения полевых


транзисторов
с изолированным затвором: а – со встроенным р-каналом; б –
со встроенным
n-каналом; в – с индуцированным p-каналом; г – с
индуцированным n-каналом
Интегральные микросхемы, содержащие одновременно p-
канальные и n-канальные МДП-транзисторы, называют
комплементарными (сокращенно КМДП-ИМС). КМДП-ИМС
отличаются высокой помехоустойчивостью, малой
потребляемой мощностью, высоким быстродействием.
Частотные свойства полевых транзисторов определяются
постоянной времени RC-цепи затвора. Поскольку входная
емкость Сзи у транзисторов с р-n-переходом велика (десятки
пикофарад), их применение в усилительных каскадах с
большим входным сопротивлением возможно в диапазоне
частот, не превышающих сотен килогерц – единиц мегагерц.
При работе в переключающих схемах скорость переключения
полностью определяется постоянной времени RC-цепи
затвора. У полевых транзисторов с изолированным затвором
входная емкость значительно меньше, поэтому их частотные
свойства намного лучше, чем у полевых транзисторов с р-n-
переходом.

Униполярный транзистор
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором токизменяется в результате действия пе
рпендикулярного току электрического поля, создаваемого входнымсигналом.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака(э
лектронами или дырками), поэтому такие приборы называются униполярными (в отличие от биполярных).
История создания полевых транзисторов
Идея полевого транзистора с изолированным затвором была предложена Лилиенфельдом в 1926—
1928годах. Однако объективные трудности в реализации этой конструкции позволили создать первыйраб
отающий прибор этого типа только в 1960 году. В 1953 году Дейки и Росс предложили и реализовалидруг
ую конструкцию полевого транзистора — с управляющим p-n-переходом. Наконец, третья конструкцияпол
евых транзисторов — полевых транзисторов с барьером Шоттки — была предложена и реализованаМидо
м в 1966 году.
Схемы включения полевых транзисторов
Классификация полевых транзисторов
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первуюо
бразуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник 
(барьерШоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затв
ора), т. н.транзисторы МДП (метал — диэлектрик — полупроводник).
Транзисторы с управляющим p-n переходом

Рис. 1. Устройство полевоготранзистора с управляющимp-n переходом

Полевой транзистор с управляющим p-n переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолиров
ан(то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n переходом, смещённым в обратномнаправ
лении.
Такой транзистор имеет два невыпрямляющих контакта к области, по которой проходит управляемый ток
основных носителей заряда, и один или два управляющих электронно-дырочных перехода, смещённых в
обратном направлении (см. рис. 1). При изменении обратного напряжения на p-n переходе изменяется ег
отолщина и, следовательно, толщина области, по которой проходит управляемый ток основных носителе
йзаряда. Область, толщина и поперечное сечение которой управляется внешним напряжением науправл
яющем p-n переходе и по которой проходит управляемый ток основных носителей, называютканалом. Эл
ектрод, из которого в канал входят основные носители заряда, называют истоком. Электрод,через котор
ый из канала уходят основные носители заряда, называют стоком. Электрод, служащий длярегулирован
ия поперечного сечения канала, называют затвором.
Электропроводность канала может быть как n-, так и p-типа. Поэтому по электропроводности каналаразл
ичают полевые транзисторы с n-каналом и р-каналом. Все полярности напряжений смещени
я,подаваемых на электроды транзисторов с n- и с p-каналом, противоположны.
Управление током стока, то есть током от внешнего относительно мощного источника питания в цепинагр
узки, происходит при изменении обратного напряжения на p-n переходе затвора (или на двух p-
nпереходах одновременно). В связи с малостью обратных токов мощность, необходимая для управления
током стока и потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, оказывается ничтожно малой. Поэтому
полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебании как по мощности, так и по т
окуи напряжению.
Таким образом, полевой транзистор по принципу действия аналогичен вакуумному триоду. Исток в полев
омтранзисторе подобен катоду вакуумного триода, затвор — сетке, сток — аноду. Но при этом полевойтр
анзистор существенно отличается от вакуумного триода. Во-первых, для работы полевого транзистора не
требуется подогрева катода. Во-вторых, любую из функций истока и стока может выполнять каждый из эт
ихэлектродов. В-третьих, полевые транзисторы могут быть сделаны как с n-каналом, так и с p-каналом, чт
опозволяет удачно сочетать эти два типа полевых транзисторов в схемах.
От биполярного транзистора полевой транзистор отличается, во-первых, принципом действия: в биполяр
номтранзисторе управление выходным сигналом производится входным током, а в полевом транзисторе 
—входным напряжением или электрическим полем. Во-вторых, полевые транзисторы имеют значительно
большие входные сопротивления, что связано с обратным смещением p-n-перехода затвора врассматри
ваемом типе полевых транзисторов. В-третьих, полевые транзисторы могут обладать низкимуровнем шу
ма (особенно на низких частотах), так как в полевых транзисторах не используется явлениеинжекции нео
сновных носителей заряда и канал полевого транзистора может быть отделён от поверхностиполупровод
никового кристалла. Процессы рекомбинации носителей в p-n переходе и в базе биполярноготранзистор
а, а также генерационно-рекомбинационные процессы на поверхности кристалла полупроводникасопрово
ждаются возникновением низкочастотных шумов.
Транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

Рис. 2. Устройство полевоготранзистора с изолированнымзатвором.

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён вэл
ектрическом отношении от канала слоем диэлектрика.
В кристалле полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называютподл
ожкой, созданы две сильнолегированные области с противоположным относительно подложки типомпров
одимости. На эти области нанесены металлические электроды — исток и сток. Расстояние между сильно
легированными областями истока и стока может быть меньше микрона. Поверхность кристаллаполупров
одника между истоком и стоком покрыта тонким слоем (порядка 0,1 мкм) диэлектрика. Так какисходным п
олупроводником для полевых транзисторов обычно является кремний, то в качестве диэлектрикаиспольз
уется слой двуокиси кремния SiO2, выращенный на поверхности кристалла кремния путёмвысокотемпера
турного окисления. На слой диэлектрика нанесён металлический электрод — затвор.Получается структур
а, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторыс изолированны
м затвором часто называют МДП-транзисторами.
Входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 1010…1014 Ом (у полевых транзисторов супра
вляющим p-n-переходом 107…109), что является преимуществом при построении высокоточныхустройств.
Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с индуцированным каналом и со встроенным канало
м.
В МДП-транзисторах с индуцированным каналом (рис. 2, а) проводящий канал между сильнолегированны
миобластями истока и стока отсутствует и, следовательно, заметный ток стока появляется только приопр
еделённой полярности и при определённом значении напряжения на затворе относительно истока,которо
е называют пороговым напряжением (UЗИпор).
В МДП-транзисторах со встроенным каналом (рис. 2, б) у поверхности полупроводника под затвором прин
улевом напряжении на затворе относительно истока существует инверсный слой — канал, которыйсоеди
няет исток со стоком.
Изображённые на рис. 2 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку сэ
лектропроводностью n-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а такжеиндуци
рованный и встроенный канал имеют электропроводность p-типа. Если же аналогичные транзисторысозд
аны на подложке с электропроводностью p-типа, то канал у них будет иметь электропроводность n-типа.
МДП-транзисторы с индуцированным каналом
При напряжении на затворе относительно истока, равном нулю, и при наличии напряжения на стоке,
— токстока оказывается ничтожно малым. Он представляет собой обратный ток p-n перехода между подл
ожкой исильнолегированной областью стока. При отрицательном потенциале на затворе (для структуры, 
показаннойна рис. 2, а) в результате проникновения электрического поля через диэлектрический слой в п
олупроводникпри малых напряжениях на затворе (меньших UЗИпор) у поверхности полупроводника под зат
вором возникаетобеднённый основными носителями слой эффект поля и область объёмного заряда, сос
тоящая изионизированных нескомпенсированных примесных атомов. При напряжениях на затворе, боль
ших UЗИпор, уповерхности полупроводника под затвором возникает инверсный слой, который и является ка
налом,соединяющим исток со стоком. Толщина и поперечное сечение канала будут изменяться с измене
ниемнапряжения на затворе, соответственно будет изменяться и ток стока, то есть ток в цепи нагрузки ио
тносительно мощного источника питания. Так происходит управление током стока в полевом транзисторе 
сизолированным затвором и с индуцированным каналом.
В связи с тем, что затвор отделён от подложки диэлектрическим слоем, ток в цепи затвора ничтожно мал,
мала и мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора и необходимая для управленияотн
осительно большим током стока. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом можетпрои
зводить усиление электромагнитных колебаний по напряжению и по мощности.
Принцип усиления мощности в МДП-транзисторах можно рассматривать с точки зрения передачиносител
ями заряда энергии постоянного электрического поля (энергии источника питания в выходной цепи)перем
енному электрическому полю. В МДП-транзисторе до возникновения канала почти всё напряжениеисточн
ика питания в цепи стока падало на полупроводнике между истоком и стоком, создавая относительнобол
ьшую постоянную составляющую напряжённости электрического поля. Под действием напряжения назат
воре в полупроводнике под затвором возникает канал, по которому от истока к стоку движутся носителиза
ряда — дырки. Дырки, двигаясь по направлению постоянной составляющей электрического поля,разгоня
ются этим полем и их энергия увеличивается за счёт энергии источника питания, в цепи стока.Одновреме
нно с возникновением канала и появлением в нём подвижных носителей заряда уменьшаетсянапряжение 
на стоке, то есть мгновенное значение переменной составляющей электрического поля в каналенаправле
но противоположно постоянной составляющей. Поэтому дырки тормозятся переменнымэлектрическим по
лем, отдавая ему часть своей энергии.
МДП-транзисторы со встроенным каналом

Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) истатические характеристики передачи (b) МДП-
транзисторасо встроенным каналом.
 В данной схеме вкачестве нелинейногоэлемента используетсяМДП транзистор сизолированным затворо
ми индуцированнымканалом.

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе 
(см.рис. 2, б) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения н
азатворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор совстрое
нным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения каналаносит
елями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещениивы
ходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).
Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующейнапр
яжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора совстроенным к
аналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкогозначения.
Формулы расчёта   в зависимости от напряжения UЗИ
1. Транзистор закрыт 

Пороговое значение напряжения МДП транзистора 
2. Параболический участок. 

-удельная крутизна транзистора.
3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий уровень.

 — Уравнение Ховстайна.

МДП-структуры специального назначения
В структурах типа металл-нитрид-оксид-полупроводник (МНОП) диэлектрик под затвором выполняетсядв
ухслойным: слой оксида SiO2 и толстый слой нитрида Si3N4. Между слоями образуются ловушкиэлектроно
в, которые при подаче на затвор МНОП-структуры положительного напряжения (28..30 В)захватывают тун
нелирующие через тонкий слой SiO2 электроны. Образующиеся отрицательно заряженныеионы повышаю
т пороговое напряжение, причём их заряд может храниться до нескольких лет при отсутствиипитания, так 
как слой SiO2 предотвращает утечку заряда. При подаче на затвор большого отрицательногонапряжения 
(28…30 В), накопленный заряд рассасывается, что существенно уменьшает пороговоенапряжение.
Структуры типа металл-оксид-полупроводник (МОП) с плавающим затвором и лавинной инжекцие
й(ЛИЗМОП) имеют затвор, выполненный из поликристаллического кремния, изолированный от других час
тейструктуры. Лавинный пробой p-n-перехода подложки и стока или истока, на которые подаётся высокое
напряжение, позволяет электронам проникнуть через слой окисла на затвор, вследствие чего на нёмпояв
ляется отрицательный заряд. Изолирующие свойства диэлектрика позволяют сохранять это заряддесятк
и лет. Удаление электрического заряда с затвора осуществляется с помощью ионизирующегоультрафиол
етового облучения кварцевыми лампами, при этом фототок позволяет электронамрекомбинировать с ды
рками.
В дальнейшем были разработаны структуры запоминающих полевых транзисторов с двойным затвором.
Встроенный в диэлектрик затвор используется для хранения заряда, определяющего состояние прибора, 
авнешний (обычный) затвор, управляемый разнополярными импульсами для ввода или удаления заряда 
навстроенном (внутреннем) затворе. Так появились ячейки, а затем и микросхемы флэш-памяти, получив
шие внаши дни большую популярнотсь и составившие заметную конкуренцию жестким дискам в компьют
ерах.
Для создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) были созданы сверхминиатюрные полевыемикро
транзисторы. Они делаются с применением нанотехнологий с геометрическим разрешением менее100 н
м. У таких приборов толщина подзатворного диэлектрика доходит до нескольких атомных слоев.Использу
ются различные, в том числе трехзатворные структуры. Приборы работают в микромощном режиме.В сов
ременных микропроцессорах корпорации Intel число приборов составляет от десятков миллионов до 2ми
ллиардов. Новейшие полевые микротранзисторы выполняются на напряженном кремнии, имеютметалли
ческий затвор и используют новый запатентованный материал для подзатворного диэлектрика наоснове 
соединений гафния.[1]
В последние четверть века бурное развитие получили мощные полевые транзисторы, в основном МДП-
типа.Они состоят из множества маломощных структур или из структур с разветвленной конфигурацией за
твора.Такие ВЧ и СВЧ приборы впервые были созданы в CCCР специалистами НИИ «Пульсар» Бачурин
ым В. В. (кремниевые приборы) и Ваксембургом В. Я. (арсенид-
галлиевые приборы) Исследование их импульсныхсвойств было выполнено научной школой проф. Дьяко
нова В. П.
(Смоленский филиал МЭИ). Это открылообласть разработки мощных ключевых (импульсных) полевых тр
анзисторов со специальными структурами,имеюших высокие рабочие напряжения и токи (раздельно до 5
00—1000 В и 50-100 А). Такие приборынередко управляются малыми (до 5 В) напряжениями, имеют мало
е сопротивление в открытом состоянии(до 0,01 Ом) у сильноточных приборов, высокую крутизну и малые 
(в единицы-десятки нс) временапереключения. У них отсутствует явление накопления носителей в структ
уре и явление насыщения,присушее биполярным транзисторам. Благодаря этому мощные полевые транз
исторы успешно вытесняютмощные биполярные транзисторы в области силовой электроники малой и ср
едней мощности.[2][3]
Области применения полевых транзисторов
Значительная часть производимых в настоящий момент полевых транзисторов входит в состав КМОП-
структур, которые строятся из полевых транзисторов с каналами разного (p- и n-) типа проводимости иши
роко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах.
За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем (величиной напряжения приложенного к затво
ру),а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребл
яютзначительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а такж
е всхемах малого потребления и энергосбережения (реализация спящих режимов).
Выдающиеся примеры устройств, построенных на полевых транзисторах,
— наручные кварцевые часы ипульт дистанционного управления для телевизора. За счёт применения КМ
ОП-структур эти устройства могутработать до нескольких лет, потому что практически не потребляют эне
ргии.
Грандиозными темпами развиваются области применения мощных полевых транзисторов. Их применени
е врадиопередающих устройствах позволяет получить повышенную чистоту спектра излучаемыхрадиосиг
налов, уменьшить уровень помех и повысить надежность радиопередатчиков. В силовойэлектронике клю
чевые мощные полевые транзисторы успешно заменяют и вытесняют мощные биполярныетранзисторы. 
В силовых преобразователях они позволяют на 1-2 поядка повысить частоту преобразования ирезко уме
ньшить габариты и массу энергетических преобразователей. В устройствах большой мощностииспользую
тся биполярные транзисторы с полевым управлением (тиристоры. В усилителях мощностизвуковых часто
т высшего класса HiFi и HiEnd мощные полевые транзисторы успешно заменяют мощныеэлектронные ла
мпы, обладающие малыми нелинейными и динамическими искажениями.

Биполярный транзистор с изолированным


затвором
[править | править вики-текст]

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Условное графическое обозначение БТИЗ.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT отангл. Insulated-gate bipolar


transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как
мощный электронный ключ в импульсных источниках питания,инверторах, в системах
управления электрическими приводами.
По своей внутренней структуре БТИЗ представляет собой каскадное включение двух электронных
ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном
транзисторе. Управляющий электрод называется затвором, как у полевого транзистора, два других
электрода — эмиттером и коллектором, как у биполярного. Такое составное включение полевого и
биполярного транзисторов позволяет сочетать в одном устройстве достоинства обоих типов
полупроводниковых приборов.
Выпускаются как отдельные БТИЗ, так и силовые сборки (модули) на их основе, например, для
управления цепями трёхфазного тока.

Содержание
  [убрать] 

 1 История
 2 Применение
 3 См. также
 4 Примечания
 5 Ссылки

История[править | править вики-текст]
До 90-х годов XX века в качестве силовых полупроводниковых приборов, помимо тиристора,
использовалисьбиполярные транзисторы. Их эффективность была ограничена несколькими
недостатками:

 необходимость большого тока базы для включения;


 наличие токового «хвоста» при запирании, поскольку ток коллектора не спадает
мгновенно после снятия тока управления — появляется сопротивление в цепи коллектора, и транзистор
нагревается;
 зависимость параметров от температуры;
 напряжения насыщения цепи коллектор-эмиттер ограничивает минимальное рабочее
напряжение.
С появлением полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (англ. MOSFET), ситуация
изменилась. В отличие от биполярных, полевые транзисторы:

 управляются не током, а напряжением;


 их параметры не так сильно зависят от температуры;
 их рабочее напряжение теоретически не имеет нижнего предела благодаря
использованию многоячеистыхСБИС;
 имеют низкое сопротивление канала (менее миллиома);
 могут работать в широком диапазоне токов (от миллиампер до сотен ампер);
 имеют высокую частоту переключения (сотни килогерц и больше);
 высокие рабочие напряжения при больших линейных и нагрузочных изменениях, тяжёлых
рабочих циклах и низких выходных мощностях.
Полевые МОП-транзисторы легко управляются, что свойственно транзисторам с изолированным
затвором, и имеют встроенный диод утечки для ограничения случайных бросков тока. Типичные
применения этих транзисторов — разнообразные импульсные преобразователи напряжения с высокими
рабочими частотами, и даже аудио-усилители (так называемого класса D).

Схематичное изображение внутренней структуры БТИЗ.

Первые мощные полевые транзисторы были созданы в СССР в НИИ «Пульсар» (разработчик —
В. В. Бачурин) в 1973 году, а их ключевые свойства исследованы в Смоленском филиале МЭИ (научный
руководитель — В. П. Дьяконов)[1]. В рамках этих работ в 1979 году были предложены составные
транзисторы с управлением мощным биполярным транзистором с помощью полевого транзистора с
изолированным затвором. Было показано, что выходные токи и напряжения составных структур
определяются биполярным транзистором, а входные — полевым. Было доказано, что биполярный
транзистор в ключе на основе составного транзистора не насыщается, что резко уменьшает задержку при
выключении ключа[2], были показаны достоинства таких транзисторов в роли силовых ключей [3]. На
«полупроводниковый прибор, выполненный в виде единой структуры, содержащей мощный биполярный
транзистор, на поверхности которого создан полевой транзистор с V-образным изолированным
затвором» получено авторское свидетельство СССР.

Структура БТИЗ-транзистора.
Первый промышленный образец БТИЗ был запатентован International Rectifier в 1983 году. Позднее, в
1985 году, был разработан биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) с полностью
плоской структурой (без V-канала) и более высокими рабочими напряжениями. Это произошло почти
одновременно в лабораториях фирм General Electric в городе Скенектади (штат Нью-Йорк) и
в RCA в Принстоне (Нью-Джерси). Первоначально устройство называли COMFET, GEMFET или IGFET. В
прошлом десятилетии[когда?]приняли название IGBT. Первые БТИЗ не получили распространения из-за
врождённых пороков — медленного переключения и низкой надёжности. Второе (1990-е годы) и третье
(современное) поколения БТИЗ в целом избавились от этих пороков.
БТИЗ сочетает достоинства двух основных видов транзисторов:

 высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности — от полевых


транзисторов с изолированным затвором
 низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии — от биполярных
транзисторов.
 малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
 характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
 управление как у МОП — напряжением.
Диапазон использования — от десятков до 1200 ампер по току, от сотен вольт до 10 кВ по напряжению. В
диапазоне токов до десятков ампер и напряжений до 500 В целесообразно применение обычных МОП-
(МДП-) транзисторов, а не БТИЗ, так как при низких напряжениях полевые транзисторы обладают
меньшим сопротивлением.

Применение[править | править вики-текст]

Сборка на БТИЗ для коммутации напряжения до 3300 В и токов до1200 А.

Основное применение БТИЗ — это инверторы, импульсные регуляторы тока,частотно-регулируемые


приводы.
Широкое применение БТИЗ нашли в источниках сварочного тока, в управлении мощным
электроприводом, в том числе на городском электрическом транспорте.
Применение БТИЗ-модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с
тиристорными устройствами) обеспечить высокийКПД, высокую плавность хода машины и возможность
применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.
БТИЗ применяют при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более
100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт). БТИЗ используются в схемах управления
двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной
нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота —
до 50 кГц).
БТИЗ и МОП занимают диапазон средних мощностей и частот, частично «перекрывая» друг друга. В
общем случае, для высокочастотных низковольтных каскадов наиболее подходят МОП, а для
высоковольтных мощных — БТИЗ.
В некоторых случаях БТИЗ и МОП полностью взаимозаменяемы, цоколёвка приборов и характеристики
управляющих сигналов обоих устройств обычно одинаковы. БТИЗ и МОП требуют 12—15 В для полного
включения и не нуждаются в отрицательном напряжении для выключения. Но «управляемый
напряжением» не значит, что схеме управления не нужен источник тока. Затвор БТИЗ или МОП для
управляющей схемы представляет собой конденсатор с величиной ёмкости, достигающей тысяч
пикофарад (для мощных устройств). Драйвер затвора должен быть способным быстро заряжать и
разряжать эту ёмкость, чтобы гарантировать быстрое переключение транзистора.
Силовые транзисторы  

  Основные классы силовых транзисторов


Транзистором называют полупроводниковый прибор, содержащий два или
более p-n-переходов и способный работать как в усилительных, так и в
ключевых режимах.
В силовых электронных аппаратах транзисторы используются в
качестве полностью управляемых ключей. В зависимости от сигнала
управления транзистор может находиться в закрытом (низкая проводимость) или в открытом
(высокая проводимость) состоянии.
В закрытом состоянии транзистор способен выдерживать прямое напряжение, определяемое
внешними цепями, при этом ток транзистора имеет небольшое значение.
В открытом состоянии транзистор проводит прямой ток, определяемый внешними цепями, при
этом напряжение между силовыми выводами транзистора мало. Транзисторы не способны
проводить ток в обратном направлении и не выдерживают обратного напряжения.
По принципу действия различают следующие основные классы силовых транзисторов:
биполярные транзисторы,
полевые транзисторы, среди которых наибольшее распространение получили
транзисторы типа металл-оксид-полупроводник (МОП) (MOSFET - metal oxide semiconductor field
effect transistor),
полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом или транзисторы со статической
индукцией (СИТ) (SIT - static induction transistor),
биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) (IGBT - insulated gate
bipolar transistor).
Биполярные транзисторы
Биполярные транзисторы состоят из трёх слоёв полупроводниковых материалов с различным
типом проводимости. В зависимости от порядка чередования слоёв структуры различают
транзисторы р-п-р- и n-p-n-типов. Среди силовых транзисторов широкое распространение
получили транзисторы п-р-п-типа (рис. 1, a).
Средний слой структуры называется базой (В), внешний слой, инжектирующий (внедряющий)
носители – эмиттером (Е), собирающий носители – коллектором (С). Каждый из слоев – база,
эмиттер и коллектор – имеет вывод для соединения с элементами электрической схемы и
внешними цепями. MOSFET-транзисторы. Принцип действия МОП – транзисторов основан на
изменении электрической проводимости на границе диэлектрика и полупроводника под
воздействием электрического поля.
Из структуры транзистора имеются следующие выводы: затвор (G), исток (S), сток (D), а также
вывод от подложки (B), соединяемой обычно с истоком (рис. 1, b).
Принципиальным отличием МОП – транзисторов от биполярных транзисторов является
то, что они управляются напряжением (полем, создаваемым этим напряжением), а не
током. Основные процессы в МОП – транзисторах обусловлены одним типом носителей, что
повышает их быстродействие.
Допустимые значения коммутируемых токов МОП – транзисторов существенно зависят от
напряжения. При токах до 50 А допустимое напряжение обычно не превышает 500 В при
частоте коммутации до 100 кГц. 
SIT-транзисторы
Это разновидность полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (рис. 6.6., c). Рабочая
частота SIT-транзисторов обычно не превышает 100 кГц при напряжении коммутируемых цепей
до 1200 В и токах до 200 – 400 А.
IGBT-транзисторы
Стремление объединить в одном транзисторе положительные свойства биполярного и полевого
транзисторов привело к созданию IGBT – транзистора (рис. 1., d).
IGBT – транзистор имеет низкие потери мощности во включенном состоянии подобно
биполярному транзистору и высокое входное сопротивление цепи управления, характерное для
полевого транзистора. 

Рис. 1. Условно-графические обозначения транзисторов: a) – биполярный транзистор п-р-п-типа;


b) – MOSFET-транзистор с каналом п-типа; c) – SIT-транзистор с управляющим p-n-переходом;
d) – IGBT-транзистор.
Коммутируемые напряжения силовых IGBT – транзисторов, так же как и
биполярных, не более 1200 В, а предельные значения токов достигают
нескольких сот ампер при частоте 20 кГц.
Приведённые выше характеристики обуславливают области применения
различных типов силовых транзисторов в современных силовых электронных
устройствах. Традиционно применялись биполярные транзисторы, основной
недостаток которых заключается в потреблении значительного тока базы, что
требовало мощного оконечного каскада управления и приводило к снижению
КПД устройства в целом.
Затем были разработаны полевые транзисторы, более быстродействующие и потребляющие
небольшие мощности из системы управления. Основным недостатком МОП – транзисторов
являются большие потери мощности от протекания силового тока, что определяется
особенностью статической ВАХ.
В последнее время лидирующее положение в области применения занимают IGBT –
транзисторы, сочетающие в себе достоинства биполярных и полевых транзисторов. Предельная
мощность SIT – транзисторов сравнительно невелика, поэтому широкого применения в силовой
электронике они не нашли. 
Обеспечение безопасной работы силовых транзисторов
Главным условием надёжной работы силовых транзисторов является обеспечение соответствия
обеспечения безопасности работы как статических, так и динамических вольтамперных
характеристик, определяемых конкретными условиями работы.
Ограничениями, определяющими безопасность работы силовых транзисторов, являются:
максимально допустимое значение тока коллектора (стока);
допустимое значение рассеиваемой транзистором мощности;
максимально допустимое значение напряжения коллектор – эмиттер (сток – исток);
В импульсных режимах работы силовых транзисторов границы безопасности работы
существенно расширяются. Это объясняется инерционностью тепловых процессов,
вызывающих перегрев полупроводниковой структуры транзисторов.

Динамические ВАХ транзистора во многом определяется параметрами коммутируемой нагрузки.


Например, выключение активно – индуктивной нагрузки вызывает перенапряжения на ключевом
элементе. Эти перенапряжения определяются ЭДС самоиндукции Um= -Ldi/dt, возникающей в
индуктивной составляющей нагрузки при спадании тока до нуля.
Для исключения или ограничения перенапряжений при коммутации активно – индуктивной
нагрузки применяются различные цепи формирования траектории переключения (ЦФТП),
позволяющие сформировать желаемую траекторию переключения. В простейшем случае это
может быть диод, шунтирующий активно – индуктивную нагрузку или RC-цепь, подключаемая
параллельно стоку и истоку МОП – транзистора. 

Операционный усилитель (ОУ, OpAmp) — усилитель постоянного


тока с дифференциальным входом и, как правило, единственным выходом, имеющий высокий
коэффициент усиления. ОУ почти всегда используются в схемах с глубокойотрицательной
обратной связью, которая, благодаря высокому коэффициенту усиления ОУ, полностью
определяет коэффициент передачи полученной схемы.

В настоящее время ОУ получили широкое применение, как в виде отдельных чипов, так и в


виде функциональных блоков в составе более сложных интегральных схем. Такая
популярность обусловлена тем, что ОУ является универсальным блоком с характеристиками,
близкими к идеальным, на основе которого можно построить множество
различных электронных узлов.

История[править | править вики-текст]

Операционный усилитель изначально был спроектирован для выполнения математических


операций (отсюда его название), путём использования напряжения как аналоговой величины.
Такой подход лежит в основе аналоговых компьютеров, в которых ОУ использовались для
моделирования базовыхматематических
операций (сложение, вычитание,интегрирование, дифференцирование и т. д.). Однако
идеальный ОУ является многофункциональным схемотехническим решением, он имеет
множество применений помимо математических операций. Реальные ОУ, основанные
на транзисторах, электронных лампах или других активных компонентах, выполненные в виде
дискретных или интегральных схем, являются приближением к идеальным.

Ламповый операционный усилитель K2-W.

Первые промышленные ламповыеОУ (1940-е гг.) выполнялись на паре двойных триодов, в


том числе в виде отдельных конструктивных сборок в корпусах с октальным цоколем.
В 1963Роберт Видлар, инженер Fairchild Semiconductor, спроектировал первый интегральный
ОУ — μA702. При цене в 300 долларов, прибор, содержавший 9 транзисторов, использовался
только в военных применениях. Первый доступный интегральный ОУ, μA709, также
спроектированный Видларом, был выпущен в 1965; вскоре после выпуска его цена упала
ниже 10 долларов, что было всё ещё слишком дорого для бытового применения, но вполне
доступно для массовой промышленной автоматики и т. п. гражданских задач.

В 1967 National Semiconductor, куда перешёл работать Видлар, выпустила LM101, а


в 1968Fairchild выпустило практически идентичный μA741 — первый ОУ со встроенной
частотной коррекцией. ОУ LM101/μA741 был более стабилен и прост в использовании, чем
предшественники. Многие производители до сих пор выпускают версии этого классического
чипа (их можно узнать по числу «741» в наименовании). Позднее были разработаны ОУ и на
другой элементной базе: на полевых транзисторах с p-n переходом (конец 1970х) и с
изолированным затвором (начало 1980х), что позволило существенно улучшить ряд
характеристик. Многие из более современных ОУ могут быть установлены в схемы,
спроектированные для 741 без каких-либо доработок, при этом характеристики схемы только
улучшатся.

Применение ОУ в электронике чрезвычайно широко — операционный усилитель, вероятно,


наиболее часто встречающийся элемент в аналоговой схемотехнике. Добавление лишь
нескольких внешних компонентов делает из ОУ конкретную схему аналоговой обработки
сигналов. Многие стандартные ОУ сто́ят всего несколько центов в крупных партиях (1000шт),
но усилители с нестандартными характеристиками (в интегральном или дискретном
исполнении) могут стоить $100 и выше.

Обозначения[править | править вики-текст]

Обозначение операционного усилителя на схемах

На рисунке показано схематичное изображение операционного усилителя. Выводы имеют


следующее значение:

 V+: неинвертирующий вход


 V−: инвертирующий вход
 Vout: выход
 VS+: плюс источника питания (также может обозначаться как  ,  , или )
 VS−: минус источника питания (также может обозначаться как  ,  , или )

Указанные пять выводов присутствуют в любом ОУ, они необходимы для его


функционирования. Однако, существуют операционные усилители, не имеющие
неинвертиующего входа[2]. В частности, такие ОУ находят применение в аналоговых
вычислительных машинах (АВМ). ОУ, применяемые в АВМ, принято делить на 5 классов, из
которых ОУ первого и второго класса имеют только один вход. Операционные усилители
первого класса — усилители высокой точности (УВТ) с одним входом. Они предназначены
для работы в составе интеграторов, сумматоров, устройств слежения-хранения, электронных
коэффициентов. Высокий коэффициент усиления, предельно малые значения смещения
нуля, входного тока и дрейфа нуля, высокое быстродействие обеспечивают снижение
погрешности, вносимой усилителем, ниже 0,01 %. Операционные усилители второго класса —
усилители средней точности (УСТ) также с одним входом, обладающие меньшим
коэффициентом усиления и большими значениями смещения и дрейфа нуля. Эти ОУ
предназначены для применения в составе электронных устройств установки коэффициентов,
инверторов, электронных переключателей, в функциональных преобразователях,
множительных устройствах. Помимо этого, некоторые ОУ могут иметь дополнительные
выводы (предназначенные, например, для установки тока покоя, частотной коррекции,
балансировки или других функций).

Выводы питания (VS+ и VS−) могут быть обозначены по-разному (см. выводы питания


интегральных схем). Часто выводы питания не рисуют на схеме, чтобы не загромождать её
несущественными деталями, при этом способ подключения этих выводов явно не
указывается или считается очевидным (особенно часто это происходит при изображении
одного усилителя из микросхемы с четырьмя усилителями с общими выводами питания). При
обозначении ОУ на схемах можно менять местами инвертирующий и неинвертирующий
входы, если это удобно; выводы питания, как правило, всегда располагают единственным
способом (положительный вверху).

Основы функционирования[править | править вики-текст]

ОУ 741 в корпусе TO-5

Питание[править | править вики-текст]
В общем случае ОУ использует двуполярное питание, то есть источник питания имеет три
вывода с потенциалами:

 U+ (к нему подключается VS+)


 0
 U- (к нему подключается VS-)

Вывод источника питания с нулевым потенциалом непосредственно к ОУ обычно не


подключается, но, как правило, является сигнальной землёй и используется для
созданияобратной связи. Часто вместо двуполярного используется более простое
однополярное, а общая точка создаётся искусственно или совмещается с отрицательной
шиной питания.

ОУ способны работать в широком диапазоне напряжений источников питания, типичное


значение для ОУ общего применения от ±1,5 В до ±15 В при двуполярном питании (то
есть U+ = 1,5…15 В, U- = −15…-1,5 В, допускается значительный перекос).

Простейшее включение ОУ[править | править вики-текст]


Рассмотрим работу ОУ как отдельного дифференциального усилителя, то есть без включения
в рассмотрение каких-либо внешних компонентов. В этом случае ОУ ведёт себя как обычный
усилитель с дифференциальным входом, то есть поведение ОУ описывается следующим
образом:

(1)

здесь

 Vout: напряжение на выходе


 V+: напряжение на неинвертирующем входе
 V−: напряжение на инвертирующем входе
 Gopenloop: коэффициент усиления с разомкнутой петлёй обратной связи

Все напряжения считаются относительно общей точки схемы. Рассматриваемый способ


включения ОУ (без обратной связи) практически не используется [3] вследствие присущих ему
серьёзных недостатков:

 Коэффициент усиления с разомкнутой петлёй обратной связи Gopenloop нормируется в


очень широких пределах и может изменяться в тысячи раз (зависит сильнее всего от
частоты сигнала и температуры).
 Коэффициент усиления очень велик (типичное значение 10 6 на постоянном токе) и не
поддаётся регулировке.
 Точка отсчёта входного и выходного напряжений не поддаются регулировке.

Идеальный операционный усилитель[править | править вики-текст]

Для того, чтобы рассматривать функционирование ОУ в режиме с обратной связью,


необходимо вначале ввести понятие идеального операционного усилителя. Идеальный ОУ
является физической абстракцией, то есть не может реально существовать, однако позволяет
существенно упростить рассмотрение работы схем на ОУ благодаря использованию простых
математических моделей.

Идеальный ОУ описывается формулой (1) и обладает следующими характеристиками:

1. Бесконечно большой коэффициент усиления с разомкнутой петлей обратной


связи Gopenloop.[4]
2. Бесконечно большое входное сопротивление входов V- и V+. Другими словами, ток,
протекающий через эти входы, равен нулю.
3. Нулевое выходное сопротивление выхода ОУ.
4. Способность выставить на выходе любое значение напряжения.
5. Бесконечно большая скорость нарастания напряжения на выходе ОУ.
6. Полоса пропускания: от постоянного тока до бесконечности.

Пункты 5 и 6 в действительности следуют из формулы (1), поскольку в неё не входят


временны́е задержки и фазовые сдвиги. Из перечисленных условий следует важнейшее
свойство идеального ОУ, упрощающее рассмотрение схем с его использованием:

Идеальный ОУ, охваченный отрицательной обратной связью, поддерживает одинаковое


напряжение на своих входах[5][6]

Другими словами, при указанных условиях всегда выполняется равенство:


(2)

Не следует думать, что ОУ выравнивает напряжения на своих входах, подавая напряжение на


входы «изнутри». На самом деле ОУ выставляет на выходе такое напряжение, которое через
обратную связь подействует на входы таким образом, что разность входных напряжений
уменьшится до нуля.

Легко убедиться в справедливости равенства (2). Допустим, (2) нарушено — имеет место
небольшая разность напряжений. Тогда входное дифференциальное напряжение, усиленное
в ОУ, вызвало бы (вследствие бесконечного коэффициента усиления) бесконечно большое
выходное напряжение, которое, в соответствии с определениемООС, ещё уменьшило бы
разность входных напряжений. И так до тех пор, пока равенство (2) не будет выполнено.
Заметим, что выходное напряжение может быть любым — оно определяется видом обратной
связи и входным напряжением.

Простейший усилитель на ОУ[править | править вики-текст]

Из рассмотрения принципа работы идеального ОУ следует очень простая методика


проектирования схем:

Пусть необходимо построить цепь на ОУ с требуемыми свойствами. Требуемые свойства


заключаются прежде всего в заданном состоянии выхода (выходное напряжение, выходной
ток и т. д.), которое, возможно, зависит от какого-либо входного воздействия. Для создания
схемы нужно подключить к ОУтакую обратную связь, чтобы при требуемом выходном
состоянии достигалось равенство напряжений на входах ОУ (инвертирующем и
неинвертирующем), а обратная связь была бы отрицательной.

Таким образом, требуемое состояние системы будет устойчивым состоянием равновесия, и


система будет в нем находиться неограниченно долго[7]. Пользуясь этим упрощённым
подходом, несложно получить простейшую схему неинвертирующего усилителя.

От усилителя требуется наличие на выходе напряжения, отличающегося от входного в   


раз, то есть  . В соответствии с приведённой выше методикой подадим на
неинвертирующий вход ОУ сам входной сигнал, а на инвертирующий — часть выходного
сигнала с резистивного делителя.

Неинвертирующий усилитель

Расчёт реального коэффициента усиления для идеального (или реального, но который можно
с определёнными допущениями считать идеальным) усилителя очень прост. Заметим, что в
том случае, когда усилитель находится в состоянии равновесия, напряжения на его входах
можно считать одинаковыми. Исходя из этого следует, что падение напряжения на
резисторе   равно  , а на всём делителе сопротивлением  , падает  .
Заметим, что, поскольку входное сопротивление операционного усилителя очень велико, то
током, поступающим на инвертирующий (−) вход усилителя можно пренебречь, и ток,
протекающий через резисторы делителя, можно принять одинаковым. Ток через   

равен  , а через весь делитель  .

Таким образом:

Откуда:

Следует обратить внимание, что в неинвертирующей схеме включения коэффициент


усиления напряжения всегда больше или равен 1, вне зависимости от номиналов
используемых резисторов. Если сопротивление   равно нулю, то мы получаем
неинвертирующий повторитель напряжения имеющий коэффициент усиления напряжения 1,
и в этом случае сопротивление   не оказывает существенного влияния на работу схемы,
поэтому его можно попросту убрать, приняв его равным бесконечности.

Можно рассуждать немного проще, сразу заметив, что  .

Таким образом, коэффициент передачи усилителя, построенного на ОУ с достаточно


большим усилением, практически зависит только от параметров обратной связи. Это
полезное свойство позволяет проектировать системы с очень стабильным коэффициентом
передачи, необходимые, например, при измерениях и обработке сигналов.

Инвертирующий усилитель

Для операционного усилителя, включенного по инвертирующей схеме, расчёт при принятых


допущениях тоже не представляет сложности. Для этого следует заметить, что напряжение в
средней точке делителя, а именно на инвертирующем входе (−) усилителя равно 0 (т. н.
виртуальная земля). Отсюда падения напряжения на резисторах равны, соответственно,
входному и выходному напряжениям. Ток через резисторы тоже можно принять одинаковым,
поскольку через инвертирующий вход (−) ток практически отсутствует, как было указано выше.

Отсюда:
Следует обратить внимание, что в инвертирующей схеме включения коэффициент усиления
может быть как больше, так и меньше единицы и зависит от номиналов резисторов делителя.
То есть усилитель может использоваться как активный аттенюатор (ослабитель) входного
напряжения. Преимуществом этого решения над пассивным аттенюатором заключается в
том, что с точки зрения источника сигнала аттенюатор выглядит как обычный резистор
нагрузки, подключенный между сигналом и землёй (в данном случае т. н. «виртуальной»), то
есть является обычной активной нагрузкой (разумеется, без учёта паразитных ёмкостей и
индуктивностей). Это значительно упрощает расчёт влияния нагрузки на источник сигнала и
их взаимное согласование.

Отличия реальных ОУ от идеального[править | править вики-текст]

Параметры ОУ, характеризующие его неидеальность, можно разбить на группы:

Параметры по постоянному току[править | править вики-текст]

 Ограниченное усиление: коэффициент Gopenloop не бесконечен (типичное значение


10  ÷ 106 на постоянном токе). Этот эффект заметно проявляется только в случаях, когда
5

коэффициент передачи каскада с ОУ отличается от параметра Gopenloop в небольшое число


раз (усиление каскада отличается от Gopenloop на 1÷2 порядка или еще меньше).
 Ненулевой входной ток (или, что почти то же самое, ограниченное входное
сопротивление): типичные значения входного тока составляют 10−9 ÷ 10−12 А. Это
накладывает ограничения на максимальное значение сопротивлений в цепи обратной
связи, а также на возможности согласования по напряжению с источником сигнала.
Некоторые ОУ имеют на входе дополнительные цепи для защиты входа от чрезмерного
напряжения — эти цепи могут значительно ухудшить входное сопротивление. Поэтому
некоторые ОУ выпускаются в защищенной и незащищенной версии.
 Ненулевое выходное сопротивление. Данное ограничение не имеет большого
значения на низких частотах или при небольшой ёмкости нагрузки, так как наличие
обратной связи эффективно уменьшает выходное сопротивление каскада на ОУ
(практически до сколь угодно малых значений).
 Ненулевое напряжение смещения: требование о равенстве входных напряжений в
активном состоянии для реальных ОУ выполняется не совсем точно — ОУ стремится
поддерживать между своими входами не точно ноль вольт, а некоторое небольшое
напряжение (напряжение смещения). Другими словами, реальный ОУ ведет себя как
идеальный ОУ, у которого внутри последовательно с одним из входов включен генератор
напряжения с ЭДСUсм. Напряжение смещения — очень важный параметр, он
ограничивает точность ОУ, например, при сравнении двух напряжений. Типичные
значения Uсм составляют 10−3 ÷ 10−6 В.
 Ненулевое усиление синфазного сигнала. Идеальный ОУ усиливает только разницу
входных напряжений, сами же напряжения значения не имеют. В реальных ОУ значение
входного синфазного напряжения оказывает некоторое влияние на выходное напряжение.
Данный эффект определяется параметром коэффициент ослабления синфазного
сигнала (КОСС, англ. common-mode rejection ratio, CMRR), который показывает, во сколько
раз приращение напряжения на выходе меньше, чем вызвавшее его приращение
синфазного напряжения на входе ОУ. Типичные значения: 10 4 ÷ 106.
Параметры по переменному току[править | править вики-текст]

 Ограниченная полоса пропускания. Любой усилитель имеет конечную полосу


пропускания, но фактор полосы не особенно значим для ОУ, поскольку они имеют
внутреннюю частотную коррекцию для увеличения запаса по фазе.
 Ненулевая входная ёмкость. Образует паразитный фильтр нижних частот.
 Ненулевая задержка сигнала. Данный параметр, косвенно связанный с ограничением
полосы пропускания, может ухудшить действие ООС при повышении рабочих частот.
 Ненулевое время восстановления после насыщения .
Нелинейные эффекты[править | править вики-текст]

 Насыщение — ограничение диапазона возможных значений выходного напряжения.


Обычно выходное напряжение не может выйти за пределы напряжения питания.
Насыщение имеет место в случае, когда выходное напряжение «должно быть» больше
максимального или меньше минимального выходного напряжения. ОУ не может выйти за
пределы, и выступающие части выходного сигнала «срезаются» (то есть ограничиваются).

В моменты насыщения усилитель не действует в соответствии с формулой (1), что вызывает


отказ в работе ООС и появлению разности напряжений на его входах, что обычно является
признаком неисправности схемы (и это легко обнаруживаемый наладчиком признак проблем).
Исключение — работа ОУ в режиме компаратора.

Искажение входного П-образного сигнала при ограниченной скорости нарастания выходного


сигнала ОУ.

Ограниченная скорость нарастания. Выходное напряжение ОУ не может измениться


мгновенно. Скорость изменения выходного напряжения измеряется в вольтах за
микросекунду, типичные значения 1÷100 В/мкс. Параметр обусловлен временем,
необходимым для перезаряда внутренних ёмкостей.
Ограничения тока и напряжения[править | править вики-текст]

 Ограниченное выходное напряжение. У любого ОУ потенциал на выходе не может


быть выше, чем потенциал положительной шины питания и не может быть ниже, чем
потенциал отрицательной шины питания (в случае, если нагрузка отсутствует, или
является резистивной и не содержит источник тока). Другими словами, выходное
напряжение не может выйти за пределы питающего напряжения. Например, для
ОУ opa277[1] выходное напряжение находится в пределах от VS−+0,5 В до VS+−2 В при
сопротивлении нагрузки 10 кОм. Ширина этих «мертвых зон» выходного напряжения,
которых выход ОУ не может достичь, зависит от ряда условий (сопротивление нагрузки,
направление выходного тока и др.). Существуют ОУ, у которых мертвые зоны
минимальны, например, по 50 мВ до шин питания при нагрузке 10 кОм для opa340[2], эта
особенность ОУ называется «rail-to-rail» (от шины до шины).
 Ограниченный выходной ток. Большинство ОУ широкого применения имеют
встроенную защиту от превышения выходного тока — типичное значение максимального
тока 25 мА. Защита предотвращает перегрев и выход ОУ из строя.
Мощные ОУ, такие как К157УД1, могут иметь крепление длярадиатора.

 Ограниченная выходная мощность. Большинство ОУ предназначено для


применений, не требовательных к мощности: сопротивление нагрузки не должно быть
менее 2 кОм.

Классификация ОУ[править | править вики-текст]


По типу элементной базы[8][править | править вики-текст]

 На полевых транзисторах
 На биполярных транзисторах
 На электронных лампах (устарели)
По области применения[править | править вики-текст]
Выпускаемые промышленностью операционные усилители постоянно совершенствуются,
параметры ОУ приближаются к идеальным. Однако улучшить все параметры одновременно
технически невозможно или нецелесообразно из-за дороговизны полученного чипа. Для того,
чтобы расширить область применения ОУ, выпускаются различные их типы, в каждом из
которых один или несколько параметров являются выдающимися, а остальные на обычном
уровне (или даже чуть хуже). Это оправдано, так как в зависимости от сферы применения от
ОУ требуется высокое значение того или иного параметра, но не всех сразу. Отсюда вытекает
классификация ОУ по областям применения.

 Индустриальный стандарт. Так называют широко применяемые, очень дешевые ОУ


общего применения со средними характеристиками. Пример «классических» ОУ: с
биполярным входом — LM324, с полевым входом — TL084.
 Прецизионные ОУ имеют очень малые напряжения смещения, применяются в точных
измерительных схемах. Обычно ОУ на биполярных транзисторах по этому показателю
несколько лучше, чем на полевых. Также от прецизионных ОУ требуется долговременная
стабильность параметров. Исключительно малыми смещениями
обладают стабилизированные прерыванием ОУ. Примеры: AD707, AD708, с напряжением
смещения 30 мкВ, а также новейшие AD8551 с типичным напряжением смещения 1 мкВ.
 С малым входным током (электрометрические) ОУ. Все ОУ, имеющие полевые
транзисторы на входе, обладают малым входным током. Но среди них существуют
специальные ОУ с исключительно малым входным током. Чтобы полностью реализовать
их преимущества, при проектировании устройств с их использованием необходимо даже
учитывать утечку тока по печатной плате. Пример: AD549 с входным током 6·10−14 А.
 Микромощные и программируемые ОУ потребляют малый ток на собственное
питание. Такие ОУ не могут быть быстродействующими, так как малый потребляемый ток
и высокое быстродействие — взаимоисключающие требования. Программируемыми
называются ОУ, для которых все внутренние токи покоя можно задать с помощью
внешнего тока, подаваемого на специальный вывод ОУ.
 Мощные (сильноточные) ОУ могут отдавать большой ток в нагрузку, то есть
допустимое сопротивление нагрузки меньше стандартных 2 кОм, и может составлять до
50 Ом.
 Низковольтные ОУ работоспособны при напряжении питания 3 В и даже ниже. Как
правило, они имеют rail-to-rail выход.
 Высоковольтные ОУ. Все напряжения для них (питания, синфазное входное,
максимальное выходное) значительно больше, чем для ОУ широкого применения.
 Быстродействующие ОУ имеют высокую скорость нарастания и частоту единичного
усиления. Такие ОУ не могут быть микромощными, и как правило выполнены на
биполярных транзисторах.
 Малошумящие ОУ.
 Звуковые ОУ. Имеют минимально возможный коэффициент гармоник (THD).
Примеры: LM4562 (THD 0,00003 %), OPA2132 (THD 0,00008 %), LME49600 (THD
0,00003 %), AD797 (THD 0,0001 %) и т. п.
 Для однополярного питания. CMOS ОУ обеспечивают выходное напряжение,
практически равное напряжению питания (rail-to-rail, R2R), биполярные ОУ — примерно на
1.2 В меньше, что существенно при небольших значениях Ucc.
 Специализированные ОУ. Обычно разработаны для конкретных задач (подключение
фотодатчика, магнитной головки, и др.). Могут содержать в себе готовые цепи ООС или
отдельные необходимые для этого прецизионные резисторы.

Возможны также комбинации данных категорий, например, прецизионный


быстродействующий ОУ.

Другие классификации[править | править вики-текст]


По входным сигналам:

 Обычный двухвходовый ОУ;


 ОУ с тремя входами[9]: третий вход, имеющий коэффициент передачи +1 (для чего
используется внутренняя ООС), используется для расширения возможностей ОУ,
например, смещение по напряжению выходных сигналов относительно входных, или
возможность построения каскада с высоким выходным сопротивлением синфазному
сигналу, что напоминает трансформатор с двумя обмотками, однако каскад на AD8132
передаёт и постоянный ток, что трансформатор не может.

По выходным сигналам:

 Обычный ОУ с одним выходом;


 ОУ с дифференциальным выходом[10]
Использование ОУ в схемотехнике[править | править вики-текст]

Использование ОУ как схемотехнического элемента гораздо проще и понятнее, чем


оперирование отдельными элементами, его составляющими (транзисторами, резисторами
и т. п.). При проектировании устройств на первом (приближённом) этапе операционные
усилители можно считать идеальными. Далее для каждого ОУ определяются требования,
которые накладывает на него схема, и подбирается ОУ, удовлетворяющий этим требованиям.
Если получается, что требования к ОУ слишком жёсткие, то можно частично
перепроектировать схему для обхода данной проблемы.

Принципиальная схема операционного усилителя[править | править вики-


текст]
См. также: Внутренняя структура операционного усилителя 741

Схемы на операционных усилителях[править | править вики-текст]


Основная статья: Применение операционных усилителей

Области применения[править | править вики-текст]

 Предусилители и буферные усилители звукового и видеочастотного диапазона


 Компараторы напряжения
 Дифференциальные усилители
 Дифференциаторы и интеграторы
 Фильтры
 Выпрямители повышенной точности
 Стабилизаторы напряжения и тока
 Аналоговые вычислители
 Аналого-цифровые преобразователи
 Цифро-аналоговые преобразователи
 Генераторы сигналов
 Преобразователи ток-напряжение и напряжение- ток

См. также[править | править вики-текст]

Дополнительные иллюстрации на Викискладе?

 Применение операционных усилителей


 Операционный усилитель 741
 Инструментальный усилитель
 Активный фильтр
 Аналоговый компьютер

Примечания[править | править вики-текст]

1. ↑ По типу элементной базы, используемой для построения входных цепей (моста)
2. ↑ Операционный усилитель? Это очень просто!
3. ↑ Единственным исключением является простейший аналоговый компаратор
4. ↑ Казалось бы, это бессмысленное допущение, поскольку при этом на выходе было бы бесконечное
напряжение всегда, за исключением редкого случая, когда напряжения на входах V- и V+ равны. В
действительности выходное напряжение даже в теоретической модели всегда ограничено из-за
использования отрицательной обратной связи.
5. ↑ Путём изменения выходного напряжения
6. ↑ Если система (ОУ с ОС) устойчива
7. ↑ Это очень упрощённый подход, в действительности необходимо учитывать другие возможные
состояния равновесия, а также ряд других факторов.
8. ↑ По типу элементной базы, используемой для построения входных цепей (моста)
9. ↑ AD8132 — ОУ, имеющий третий вход с усилением +1
10. ↑ AD8132 — ОУ с дифференциальным выходом

Основные схемы включения ОУ


Широкое практическое использование ОУ в аналоговых схемах основывается
главным образом на применении в них различного рода внешних ОС, чему способствует
большое значение коэффициента усиления Коу, а также высокое входное и малое
выходное сопротивление ОУ. Высокие качества параметров современных интегральных
ОУ позволяют без внесения заметной погрешности при расчете схем на ОУ принимать
Кuоу    , КIоу     и Rвх.оу    .
Основными схемами на ОУ
являются инвертирующий и неинвертирующий усилители, режим работы которых
осуществляется в пределах линейного участка передаточной характеристики. Также
весьма важны схемы компенсации напряжения сдвига .

Неинвертирующий усилитель на ОУ
Неинвертирующий усилитель изображен на (рис. 1.11).

Рис. 1.11

Данная схема позволяет использовать в качестве неинвертирующего усилителя ОУ,


схема обладает высоким полным входным сопротивлением, причем коэффициент
усиления всей схемы по напряжению может быть жестко задан с помощью
сопротивлений R1 и Rос.
В данной схеме входной сигнал подается на неинвертирующий вход ОУ.
Усилитель содержит последовательную отрицательную обратную связь по
напряжению, создаваемую на резисторе Rоси поданную на инвертирующий вход.
Полное входное сопротивление всей схемы оказывается высоким, так как
единственным путем для тока между входом и землей является высокое полное входное
сопротивление ОУ.
Сопротивления R1 и Rос образуют делитель напряжения с очень малой нагрузкой,
так как ток, необходимый для управления усилителем, очень мал ( Iсм >> 0 ).
Поэтому через R1 и Rос течет одинаковый ток и напряжение, приложенное к
инвертирующему входу, равно:
Uвх.инв = UвыхR1/R1+Rос

Так как IR1 = IRос , Rвх     , имеем


IR1 = UR1/R1 , IRос = URос/Rос , Uвх.инв = Uвх + Uq,

поэтому

IR1 = (Uвх + Uq)/R1 , IRx = (Uвых - (Uвх + Uq)) / Rос

Следовательно:
(Uвх + Uq) / R1 = (Uвых - (Uвх + Uq)) / Rос

Так как
Uвых = KUq и Uq = Uвых / K,

то если K     , Uq >>0, можно написать

Uвх / R1 = (Uвых - Uвх) / Rос

Найдем отсюда коэффициент усиления схемы U вых / Uвх , который называют


коэффициентом усиления с замкнутой ОС (Kос), или коэффициентом усиления
замкнутого усилителя, т.е.
UвхRос = R1Uвых - R1Uвх

Uвх(Rос + R1) = R1Uвых

(Rос + R1) / R1 = Uвых / Uвх = Кос

Кос = Rос / R1 +1 , когда К>>Кос.

Сопротивления R1 + Rос следует выбирать так, чтобы общий ток нагрузки с учетом
этого сопротивления не превышал максимального выходного тока усиления.

Инвертирующий усилитель
Инвертирующий усилитель изображен на (рис. 1.12)

Рис. 1.12

Входной и выходной сигналы инвертирующего усилителя сдвинуты по фазе на


180°. Изменение знака выходного сигнала относительно входного создается введением
по инвертирующему входу ОУ с помощью резистора R оспараллельной обратной связи по
напряжению. Неинвертирующий вход связан с общей точкой входа и выхода схемы
(заземляется). Входной сигнал подается через резистор R1 на инвертирующий вход ОУ.
Благодаря высокому коэффициенту усиления усилителя без ОС для изменения
выходного напряжения усилителя во всем рабочем диапазоне достаточно весьма
малого значения Uз (обычно Uвых.max < Uи.п.).
Если на схему подать положительное входное напряжение U вх, то Uq станет
положительным и выходной потенциал начнет снижаться. Выходное напряжение будет
меняться в отрицательном направлении до тех пор, пока напряжение на
инвертирующем входе в точке А не станет почти нулевым: U q = Uвых / Kоу >> 0.
Таким образом, R1 и Rос действует как делитель напряжения между U вых и Uвх и
Uвых / Uвх = Rос / R1.
Точка А называется потенциально заземленной, поскольку потенциал почти равен
потенциалу Земли,так как Uq >> 0.
Если принять Rвх.оу     и входной ток ОУ Iоу = 0, то
IR1 = (Uвх - Uq) / R1 и IR1 = - (Uвых - Uq) / Rос,

следовательно

(Uвх - Uq) / R1 = - (Uвых - Uq) / Rос.

Полагая,что Uq >> 0 и К     , запишем


Uвх/R1 = Uвых/Rос, Кос = Uвых/Uвх = - Rос/R1

Таким образом, коэффициент усиления инвертирующего каскада ОУ зависит


только от параметров внешней цепи и не зависит от коэффициента усиления самого
ОУ. Обычно R1 выбирается так, чтобы не нагружать источник напряжения U вх, а
Rос должно быть достаточно большим, чтобы чрезмерно не нагружать операционный
усилитель.
Если выбрать Rос = R1, когда Кuос = - 1, то схема (рис. 1.12) получит свойства
инвертирующего повторителя напряжения(инвертор сигнала).
Поскольку Uq   0, входное сопротивление схемы Rвх = R1, выходное сопротивление
усилителя:
Rвых = ((Rвых оу (1+Rос/R1)) / Кu,оу

При Кu,оу     , Rвых   0.

Внешняя компенсация сдвига.


Некоторые усилители имеют встроенные регулировочные элементы для устранения
сдвига. В усилителях, которые не имеют внутренних средств для устранения нуля U сдв,
приходится добавлять внешнюю резисторную цепь для компенсации напряжения
сдвига.
В схеме на (рис. 1.13), хотя I см и невелик, но он все же существует и, если даже
Uсдв равно нулю, Iсм, протекая через параллельное соединение сопротивлений R1 и Rос,
вызовет появление на выходе напряжения Uсдв.вых (Iсм), равного Iсм(R1 || Rос).
Поскольку ток смещения неинвертирующего входа Iсм2 (рис. 1.14) приблизительно
равен току смещения, протекающему через инвертирующий вход (I см1), то, подключив в
цепь неинвертирующего входа сопротивление Rк, равное R1 || Rос, получим напряжение,
возникающее на Rк, приблизительно равное напряжению смещения по
инвертирующему входу от Iсм1 (R1 || Rос).

Рис. 1.13
Рис. 1.14

Для компенсации Uсдв, вызванного небалансом Uбэ, следует установить делитель, с


помощью которого можно было бы компенсировать даже U сдв.max, не изменяя
коэффициент передачи цепи обратной связи.
Схема установки нуля напряжения сдвига (потенциометр R п) показана на (рис.
1.15).

Рис. 1.15

В этой схеме R3 + R2 = Rк - это условие компенсации напряжения сдвига выхода,
вызванного токами смещения. Сопротивление R4 выбирается так, чтобы параллельное
соединение R3 и R4, было примерно равно R3. Это означает, что R3 выбирается малым, а
R4 - большим. Диапазон регулировки напряжения сдвига приблизительно равен ± U
R3/R4, так как R4>>R3. Потенциометр Rп должен иметь достаточно большое
сопротивление, чтобы не нагружать источник питания, но вместе с тем, ток через
потенциометр должен быть по крайней мере в 20 - 40 раз больше I см, так как R3 и
R4образуют делитель напряжения.
Компенсация Uсдв в неинвертирующем усилителе осуществляется аналогично,
однако делитель напряжения устанавливается в цепи ОС, так что очень важно, чтобы
R4 было много больше R3 (рис. 1.16).
Рис. 1.16

Заметим, что R1 = R3 + R5, и эта сумма используется в выражении для определения
коэффициента усиления усилителя с ОС. Сопротивления R п и R4 выбираются точно так
же, как и для инвертирующего усилителя.

 пониманием, как работает операционный усилитель (ОУ, или по-английски OpAmp) мы сейчас и
займемся. При этом будем рассматривать его работу буквально «на пальцах», практически не
пользуясь никакими формулами, разве что кроме закона дедушки Ома: «Ток через участок цепи (I)
прямо пропорционален напряжению на нем (U) и обратно пропорционален его сопротивлению
(R)»:
I = U / R.  (1)

Для начала, в принципе, не так уж и важно, как именно ОУ устроен внутри. Просто примем в
качестве допущения, что он представляет собой «черный ящик» с какой-то там начинкой. На
данном этапе не будем рассматривать и такие параметры ОУ, как «напряжение смещения»,
«напряжение сдвига», «температурный дрейф», «шумовые характеристики», «коэффициент
подавления синфазной составляющей», «коэффициент подавления пульсаций напряжений
питания», «полоса пропускания» и т.п. Все эти параметры будут важны на следующем этапе его
изучения, когда в голове «улягутся» основные принципы его работы ибо «гладко было на бумаге,
да забыли про овраги»…

Пока что просто допустим, что параметры ОУ близки к идеальным и рассмотрим, только то, какой
сигнал будет на его выходе, если какие-то сигналы подавать на его входы.

Итак, операционный усилитель (ОУ) является дифференциальным усилителем постоянного тока с


двумя входами (инвертирующим и неинвертирующим) и одним выходом. Кроме них ОУ имеет
выводы питания: положительного и отрицательного. Эти пять выводов имеются в почти любом
ОУ и принципиально необходимы для его работы.
Примечание

Существуют ОУ и не имеющие одного из входов. Либо инвертирующего (инверторы), либо


неинвертирующего (повторители, буферы), но они применяются редко и мы их рассматривать не
будем. ОУ может иметь и дополнительные выводы для балансировки и частотной коррекции, но
эти выводы и их функции мы также сейчас рассматривать не будем. Это задача более
продвинутого изучения как внутренней структуры ОУ, так и их работы.

ОУ имеет огромный коэффициент усиления, как минимум, 50000…100000, а реально — намного


больше. Поэтому, в первом приближении, можно даже допустить, что он равен бесконечности.
Примечание

Правда, ОУ первых разработок (К140УД1 или, как он тогда маркировался, К1УТ401 —


отечественная реплика uA702) имел коэффициент усиления всего 500...4500 для группы «А» и
1350...12000 для группы «Б», а поскольку в старой аппаратуре, откуда их можно выпаять, они еще
попадаются, это ограничение уже надо учитывать.
Термин «дифференциальный» («different» переводится с английского как «разница», «различие»,
«разность») означает, что на выходной потенциал ОУ влияет исключительно разность
потенциалов между его входами, независимо от их абсолютного  значения и полярности.

Термин «постоянного тока» означает, что усиливает ОУ входные сигналы начиная от 0 Гц.
Верхний диапазон частот (частотный диапазон), усиливаемых ОУ сигналов зависит от многих
причин, таких, как частотные характеристики транзисторов, из которых он состоит, коэффициента
усиления схемы, построенной с применением ОУ и т.п. Но этот вопрос уже выходит за рамки
первичного ознакомления с его работой и  рассматриваться здесь не будет.

Входы ОУ имеют очень большое входное сопротивление, равное десяткам/сотням МегаОм, а то и


ГигаОм (и только в приснопамятных К140УД1, да еще в К140УД5 оно составляло всего 30…50
кОм). Столь большое сопротивление входов означает, что на входной сигнал они практически не
влияют.

Поэтому с большой степенью приближения к теоретическому идеалу можно считать, что ток во


входы ОУ не течет. Это — первое важное правило, которое применяется при анализе работы
ОУ. Прошу хорошо запомнить, что оно касается только самого ОУ, а не схем с его применением!

Что же означают термины «инвертирующий» и «неинвертирующий»? По отношению к чему


определяется инверсия и вообще, что это за «зверек» такой — инверсия сигнала?

Примечание
При тщательном поиске в Гугле, к своему великому удивлению, внятного толкования смысла этого
термина в отношении аналогового сигнала в электротехнике я не нашел. Видимо, оно
подразумевается настолько очевидным, что даже в пояснениях не нуждается.  Одно из
определений, гласящее: «Инвертирование или инверсия сигнала  — это изменение его
полярности» [1], требует уточнения, что такое «полярность». Один непонятный термин
описывается другим, также непонятным термином. Поэтому попробуем всё же сформулировать
данное понятие самостоятельно, не привязываясь к принципам работы собственно ОУ.
В переводе с латинского одним из значений слова «inversio» является «оборачивание»,
«переворот». Иными словами, инверсия — это зеркальное отражение (отзеркаливание)
сигнала относительно горизонтальной оси Х (оси времени). На Рис. 1 показаны несколько из
множества возможных вариантов инверсии сигнала, где красным цветом обозначен прямой
(входной) сигнал и синим — проинвертированный (выходной).
Рис. 1 Понятие инверсии сигнала

Особо следует отметить, что к нулевой линии (как на Рис. 1, А, Б) инверсия сигнала не привязана!
Сигналы могут быть инверсными и асимметрично. Например, оба только в области
положительных значений (Рис. 1, В), что характерно для цифровых сигналов или при
однополярном питании (об этом речь идти будет дальше), или оба частично в положительной и
частично — в отрицательной областях (Рис. 1, Б, Д). Возможны и другие варианты. Главным
условием является их взаимная зеркальность относительно какого-то произвольным образом
выбранного уровня (например, искусственной средней точки, о которой речь также будет вестись
дальше). Иными словами, полярность сигнала тоже не является определяющим фактором.

Изображают ОУ на принципиальных схемах по-разному. За рубежом ОУ раньше изображались, да


и сейчас очень часто изображаются в виде равнобедренного треугольника (Рис. 2, А).
Инвертирующий вход —  символом «минус», а неинвертирующий — символом «плюс» внутри
треугольника. Эти символы совершенно не означают, что на соответствующих входах потенциал
должен быть более положительным или более отрицательным, чем на другом. Они просто-
напросто указывают, как реагирует потенциал выхода на потенциалы, подаваемые на входы. В
итоге их легко спутать с выводами питания, что может оказаться неожиданными «граблями»,
особенно для начинающих.

Рис. 2  Варианты условных графических изображений (УГО) 


операционных усилителей

В системе отечественных условных графических изображений (УГО) до вступления в силу ГОСТ


2.759-82 (СТ СЭВ 3336-81) ОУ также изображались в виде треугольника, только инвертирующий
вход — символом инверсии — кружочком в месте пересечения вывода с треугольником (Рис.2, Б),
а сейчас — в виде прямоугольника (Рис.2, В).

При обозначении ОУ на схемах инвертирующий и неинвертирующий входы можно менять


местами, если так удобнее, однако, традиционно инвертирующий вход изображается вверху, а
неинвертирующий — внизу. Выводы питания, как правило, всегда располагают единственным
способом (положительный вверху, отрицательный — внизу).

Внимание!

Часто выводы питания на схеме не рисуют, дабы не загромождать её несущественными деталями


(например, при изображении одного усилителя из микросхемы с несколькими ОУ с общими
выводами питания). Кроме того, шина, являющаяся общей для напряжений питания обеих
полярностей питающего напряжения, тоже не изображается одной линией, а обозначается
значками в виде перевернутой буквы «Т» (_|_) в нужных местах. Все эти значки на реальной схеме
соединены вместе одной шиной.

ОУ почти всегда используются в схемах с отрицательной обратной связью (ООС).

Обратной связью называется эффект подачи части выходного напряжения усилителя на его вход,
где оно алгебраически (с учетом знака) суммируется с входным напряжением. О принципе
суммирования сигналов речь пойдет ниже. В зависимости от того, на какой вход ОУ,
инвертирующий или неинвертирующий, подается ОС, различают отрицательную обратную связь
(ООС), когда часть выходного сигнала подается на инвертирующий вход (Рис. 3, А) или
положительную обратную связь (ПОС), когда часть выходного сигнала подается, соответственно,
на неинвертирующий вход  (Рис. 3, Б).

Рис. 3 Принцип формирования обратной связи (ОС)

В первом случае, поскольку выходной сигнал является инверсным по отношению ко входному, он


вычитается из входного. В результате общее усиление каскада снижается. Во втором случае —
суммируется со входным, общее усиление каскада повышается.

На первый взгляд может показаться, что ПОС имеет положительный эффект, а ООС —
совершенно бесполезная затея: зачем же снижать усиление? Именно так и посчитали патентные
эксперты США, когда в 1928 г. Гарольд С. Блэк попытался запатентовать ООС. Однако, жертвуя
усилением, мы существенно улучшаем другие важные параметры схемы, как, например, её
линейность, частотный диапазон и пр. Чем глубже ООС, тем меньше характеристики всей схемы
зависят от характеристик ОУ.
Примечание
Глубина ООС показывает, во сколько раз изменяется коэффициент усиления схемы под её
влиянием по сравнению с её отсутствием (без ООС). Выражается обычно в логарифмическом
масштабе — децибелах. Поскольку мы договаривались, что формул в данной статье почти не
будет, отмечу только, что чем меньше её цифровое значение, тем глубже ООС.

А вот ПОС (учитывая собственное огромное усиление ОУ), имеет обратное влияние на
характеристики схемы и самое неприятное — вызывает ее самовозбуждение. Она, конечно, тоже
используется осознанно, например, в генераторах, компараторах с гистерезисом (подробно об
этом — далее) и т.п., но в общем виде её влияние на работу усилительных схем с ОУ скорее
негативное и требует очень тщательного и обоснованного анализа её применения.

Поскольку ОУ имеет два входа, то возможны такие основные виды его включения с
использованием ООС (Рис. 4):

Рис. 4 Основные схемы включения ОУ

а) инвертирующее (Рис. 4, А) — сигнал подается на инвертирующий вход, а неинвертирующий


подключается непосредственно к опорному потенциалу (не используется);
б) неинвертирующее (Рис. 4, Б) — сигнал подается на неинвертирующий вход, а
инвертирующий подключается непосредственно к опорному потенциалу (не используется);
в)  дифференциальное (Рис. 4, В) — сигналы подаются на оба входа, инвертирующий и
неинвертирующий.
Для анализа работы этих схем следует учесть второе важнейшее правило, которому подчиняется
работа ОУ: Выход операционного усилителя стремится к тому, чтобы разность
напряжений между его входами была равна нулю.
Вместе с тем, любая формулировка должна быть необходимой и достаточной, чтобы ограничить
всё подмножество подчиняющихся ей случаев. Приведенная выше формулировка, при всей её
«классичности», не дает никакой информации о том, на какой же из входов «стремится повлиять»
выход. Исходя из неё, получается, что вроде бы ОУ выравнивает напряжения на своих входах,
подавая напряжение на них откуда-то «изнутри».
Если внимательно рассмотреть схемы на Рис. 4, можно заметить, что ООС (через Rоос) во всех
случаях заведена с выхода только на инвертирующий вход, что дает нам основание
переформулировать это правило следующим образом: Напряжение на выходе ОУ, охваченном
ООС, стремится к тому, чтобы потенциал на инвертирующем входе уравнялся с
потенциалом на неинвертирующем входе.

Исходя из этого определения, «ведущим» при любом включении ОУ с ООС является


неинвертирующий вход, а «ведомым» — инвертирующий.

Внимание!
Правило 2 действительно только для ОУ, охваченных ООС. При отсутствии любой ОС, либо при
наличии ПОС, Правило 2 не действует!

При описании работы ОУ потенциал на его инвертирующем входе часто называют «виртуальным
нулем» или «виртуальной средней точкой». Перевод латинского слова «virtus» означает
«воображаемый», «мнимый». Виртуальный объект ведет себя близко к поведению аналогичных
объектов материальной реальности, т.е., для входных сигналов (за счет действия ООС)
инвертирующий вход можно считать подключенным непосредственно к такому же потенциалу, к
какому подключен и неинвертирующий вход. Однако, «виртуальный ноль» является всего лишь
частным случаем, имеющим место только при двуполярном питании ОУ. При использовании
однополярного питания (о чем будет вестись речь ниже), да и во многих других схемах включения,
ни на неинвертирующем, ни на инвертирующем входах ноля не будет. Поэтому давайте
договоримся, что этот термин мы применять не будем, поскольку он мешает начальному
пониманию принципов работы ОУ.
Вот с этой точки зрения и разберем схемы, приведенные на Рис. 4. При этом, для упрощения
анализа, примем, что напряжения питания всё-таки двуполярные, равные друг другу по величине
(скажем, ± 15 В), со средней точкой (общая шина или «земля»), относительно которой и будем
отсчитывать входные и выходные напряжения. Кроме того, анализ будет проводить по
постоянному току, т.к. изменяющийся переменный сигнал в каждый момент времени тоже можно
представить как выборку значений постоянного тока. Во всех случаях обратная связь через Rоос
заведена с выхода ОУ на его инвертирующий вход. Различие заключается только в том, на какие
из входов подается входное напряжение.

А) Инвертирующее включение (Рис. 5).

Рис. 5  Принцип работы ОУ в инвертирующем включении

Потенциал на неинвертирующем входе равен нулю, т.к. он подключен к средней точке («земле»).
Входной сигнал, равный +1 В относительно средней точки (от GB) подан на левый вывод входного
резистора Rвх. Допустим, что сопротивления Rоос и Rвх равны друг другу и составляют 1 кОм (в
сумме их сопротивление равно 2 кОм).

Внимание!

В данном и последующих примерах номиналы резисторов являются «учебными»! Исключительно


для того, чтобы оперировать с целыми и круглыми величинами (например, 1 кОм — 1 В — 1 мА). О
том, какими они должны быть в реальности, речь пойдет отдельно.
Согласно Правилу 2, на инвертирующем входе должно быть такой же потенциал, как и на
зануленном неинвертирующем, т.е., 0 В. Следовательно, к Rвх приложено напряжение +1 В.
Согласно закону Ома по нему будет протекать ток Iвх. = 1 В / 1000 Ом = 0,001 А (1 мА).
Направление протекания этого тока показано стрелкой.
Примечание

В электротехнике направление движения электрического тока традиционно принято обозначать от


плюса к минусу. Хотя в действительности он обусловлен перемещением электронов, имеющих
отрицательный заряд, но этот факт был открыт намного позже, чем само явление электричества.
Так что не будем отходить от традиций.
Поскольку Rоос и Rвх включены делителем, а согласно Правилу 1 входы ОУ тока не потребляют,
то для того, чтобы в средней точке этого делителя напряжение составляло 0 В, к правому выводу
Rоос должно быть приложено напряжение минус 1 В, а протекающий по нему ток Iоос также
должен быть равен 1 мА. Иными словами, между левым выводом Rвх и правым выводом Rоос
приложено напряжение 2 В, а ток, протекающий по этому делителю равен 1 мА (2 В / (1 кОм + 1
кОм) = 1 мА), т.е. Iвх. = Iоос.
Если на вход подать напряжение отрицательной полярности, на выходе ОУ будет напряжение
положительной полярности. Всё то же самое, только стрелки, показывающие протекание тока
через Rоос и Rвх будут направлены в противоположную сторону.

Таким образом, при равенстве номиналов Rоос и Rвх, напряжение на выходе ОУ будет равно
напряжению на его входе по величине, но инверсное по полярности. И мы
получилиинвертирующий повторитель. Эта схема нередко применяется, если нужно
проинвертировать сигнал, полученный с помощью схем, принципиально являющихся
инверторами. Например, логарифмических усилителей.

Теперь давайте, сохранив номинал Rвх, равным 1 кОм, увеличим сопротивление Rоос до 2 кОм
при том же входном сигнале +1 В. Общее сопротивление делителя Rоос+Rвх увеличилось до 3
кОм. Чтобы в его средней точке остался потенциал 0 В (равный потенциалу неинвертирующего
входа), через Rоос должен протекать тот же ток (1 мА), что и через Rвх. Следовательно, падение
напряжения на Rоос (напряжение на выходе ОУ) должно составлять уже 2 В. На выходе ОУ
напряжение равно минус 2 В.

Увеличим номинал Rоос до 10 кОм. Теперь напряжение на выходе ОУ при тех же остальных
условиях составит уже 10 В. Во-о-от! Наконец-то мы получили инвертирующий усилитель! Его
выходное напряжение больше входного (иными словами, коэффициент усиления Ку) во столько
раз, во сколько раз сопротивление Rоос больше, чем сопротивление Rвх. Как я ни зарекался не
применять формулы, давайте всё-таки отобразим это в виде уравнения:
Ку = – Uвых / Uвх = – Rоос / Rвх.  (2)

Знак минус перед дробью правой части уравнения означает только то, что выходной сигнал
инверсен по отношению ко входному. И ничего более!

А теперь давайте увеличим сопротивление Rоос до 20 кОм и проанализируем, что получится.


Согласно формулы (2) при Ку = 20 и входном сигнале 1 В на выходе должно было бы быть
напряжение 20 В. Ан не тут-то было! Мы же ранее приняли допущение, что напряжение питания
нашего ОУ составляет всего ± 15 В. Но даже 15 В получить не удастся (почему так — чуть ниже).
«Выше головы (напряжения питания) не прыгнешь»! В итоге такого надругательства над
номиналами схемы выходное напряжение ОУ «упирается» в напряжение питания (выход ОУ
входит в насыщение). Баланс равенства токов через делитель RоосRвх (Iвх. = Iоос) нарушается,
на инвертирующем входе появляется потенциал, отличный от потенциала на неинвертирующем
входе. Правило 2 перестает действовать.
Входное сопротивление инвертирующего усилителя равно сопротивлению Rвх, поскольку через
него протекает весь ток от источника входного сигнала (GB).

Теперь давайте заменим постоянный Rоос на переменный, с номиналом, скажем 10 кОм (Рис. 6).

Рис. 6  Схема инвертирующего усилителя с переменным усилением


При правом (по схеме) положении его движка усиление будет составлять Rоос / Rвх = 10 кОм / 1
кОм = 10. Перемещая движок Rоос влево (уменьшая его сопротивление) усиление схемы будет
снижаться и, наконец, при крайнем левом его положении станет равным нулю, поскольку
числитель в приведенной выше формуле станет равным нулю при любом значении знаменателя.
На выходе будет ноль также при любом значении и полярности входного сигнала. Такая схема
часто применяется в схемах усиления звуковых сигналов, например, в микшерах, где приходится
регулировать усиление от нуля.
Внимание!

Следует отметить, что в этой схеме есть двое «граблей»:

1) чтобы получить линейную регулировку коэффициента усиления от угла поворота движка


переменного резистора, он должен быть с логарифмической зависимостью «Б» (для
отечественных) либо «С» (для импортных);

2) не все ОУ способны работать стабильно при коэффициенте усиления, близком к 1, а тем более,
меньше единицы. Например, К574УД1 желательно использовать с Ку более 6.
Б) Неинвертирующее включение (Рис. 7).

Рис. 7  Принцип работы ОУ в неинвертирующем включении

Левый вывод Rвх подключен к средней точке («земле»), а входной сигнал, равный +1 В подан
прямо на неинвертирующий вход. Поскольку нюансы анализа «разжеваны» выше, здесь будем
уделять внимание только существенным отличиям.

На первом этапе анализа также примем сопротивления Rоос и Rвх равными друг другу и
составляющими 1 кОм. Т.к. на неинвертирующем входе потенциал составляет +1 В, то по Правилу
2 такой же потенциал (+1 В) должен быть и на инвертирующем входе (показано на рисунке). Для
этого на правом выводе резистора Rоос (выходе ОУ) должно быть напряжение +2 В.
Токи Iвх. и Iоос, равные 1 мА, текут теперь через резисторы Rоос и Rвх в обратном направлении
(показаны стрелками). У нас получился неинвертирующий усилитель с усилением, равным 2,
поскольку входной сигнал, равный +1 В формирует выходной сигнал, равный +2 В.

Странно, не так ли? Номиналы те же, что и в инвертирующем включении (различие только в том,
что сигнал подан на другой вход), а усиление налицо. Разберемся в этом чуть позже.

Теперь увеличиваем номинал Rоос до 2 кОм. Чтобы сохранить баланс токов Iвх. = Iоос и


потенциал инвертирующего входа +1 В, на выходе ОУ должно быть уже +3 В. Ку = 3 В / 1 В = 3!

Увеличиваем номинал Rоос дальше, до 10 кОм. На выходе ОУ выходное напряжение теперь


должно быть уже 11 В. Ку = 11 В / 1 В = 11.

Если сравнить значения Ку при неинвертирующем включении с инвертирующим, при тех же


номиналах Rоос и Rвх, то получается что коэффициент усиления во всех случаях больше на
единицу. Выводим формулу:
Ку = Uвых / Uвх + 1 = (Rоос / Rвх) + 1  (3)

Почему же так происходит? Да очень просто! ООС действует точно так же, как и при
инвертирующем включении, но согласно Правилу 2, к потенциалу инвертирующего входа в
неинвертирующем включении всегда прибавляется потенциал неинвертирующего входа.

Так что же, при неинвертирующем включении нельзя получить усиление, равное 1? Почему же
нельзя — можно. Давайте уменьшать номинал Rоос, аналогично тому, как мы анализировали Рис.
6. При его нулевом значении — перемыкании выхода с инвертирующем входом накоротко (Рис. 8,
А), согласно Правилу 2, на выходе будет такое напряжение, чтобы потенциал инвертирующего
входа был равен потенциалу неинвертирующего входа, т.е., +1 В. Получаем: Ку = 1 В / 1 В = 1 (!)
Ну, а поскольку инвертирующий вход тока не потребляет и разности потенциалов между ним и
выходом нет, то и никакой ток в этой цепи не протекает.

Рис. 8 Схема включения ОУ, как повторителя напряжения

Rвх становится вообще лишним, т.к. он подключается параллельно нагрузке, на которую должен
работать выход ОУ и через него совершенно зря будет протекать его выходной ток. А что будет,
если оставить Rоос, но убрать Rвх (Рис. 8, Б)? Тогда в формуле усиления Ку = Rоос / Rвх + 1
сопротивление Rвх теоретически становится близким к бесконечности (в реальности, конечно же,
нет, т.к. существуют утечки по плате, да и входной ток ОУ хоть и пренебрежимо мал, но нулю всё-
таки не равен), при чем соотношение Rоос / Rвх приравнивается к нулю. В формуле остается
только единица: Ку = + 1. А усиление меньше единицы для этой схемы можно получить? Нет,
меньше не получится ни при каких обстоятельствах. «Лишнюю» единицу в формуле усиления на
кривой козе не объедешь…

После того, как мы убрали все «лишние» резисторы, получается


схема неинвертирующегоповторителя, показанная на Рис. 8, В.
На первый взгляд, такая схема не имеет практического смысла: зачем нужно единичное да еще и
неинверсное «усиление» — что, нельзя просто подать сигнал дальше??? Однако, такие схемы
применяются довольно часто и вот почему. Согласно Правилу 1 ток во входы ОУ не течет,
т.е.,входное сопротивление неинвертирующего повторителя очень большое — те самые
десятки, сотни и даже тысячи МОм (это же относится и к схеме по Рис. 7)! А вот выходное
сопротивление очень малое (доли Ома!). Выход ОУ «пыхтит изо всех сил», стараясь, согласно
Правилу 2, поддержать на инвертирующем входе такой же потенциал, как и на неинвертирующем.
Ограничением является только допустимый выходной ток ОУ.

А вот с этого места мы немного вильнем в сторону и рассмотрим вопрос выходных токов ОУ чуть
подробнее.

Для большинства ОУ широкого применения в технических параметрах указано, что сопротивление


нагрузки, подключенной к их выходу, не должно быть меньше 2 кОм. Больше — сколько угодно.
Для намного меньшего числа оно составляет 1 кОм (К140УД…). Это значит, что при наихудших
условиях: максимальном напряжении питания (например, ±16 В или суммарно 32 В), нагрузкой,
подключенной между выходом и одной из шин питания и максимальном выходном напряжении
противоположной полярности, к нагрузке будет приложено напряжение около 30 В. При этом ток
через нее составит: 30 В / 2000 Ом = 0,015 А (15 мА). Не так, чтобы мало, но и не особо много. К
счастью, большинство ОУ широкого применения имеют встроенную защиту от превышения
выходного тока — типичное значение максимального выходного тока составляет 25 мА. Защита
предотвращает перегрев и выход ОУ из строя.

Если напряжения питания не максимально допустимые, то минимальное сопротивление нагрузки


можно пропорционально уменьшать. Скажем, при питании 7,5…8 В (суммарно 15…16 В) оно
может составлять 1 кОм.

Примечание

Существуют ОУ с повышенным выходным током, например, К157УД1, способные обеспечивать


выходной ток до 100 мА (для него минимальное сопротивление нагрузки составляет 200 Ом). И,
наконец, широко применяющаяся микросхема усилителя звуковой частоты TDA2030/2050/2052
тоже представляет собой ОУ. Только низкочастотный и весьма мощный (максимальный выходной
ток составляет, соответственно, 3,5/5,0/6,0 А). Это позволяет использовать её не только по
«прямому» назначению но и для тех применений, где традиционном применялись ОУ, например, в
блоках питания, для управления электродвигателями и т.п. Мощные достаточно
быстродействующие ОУ широкого применения: L165, LM675, OPA544 и пр.
В) Дифференциальное включение (Рис. 9).

Рис. 9  Принцип работы ОУ в дифференциальном включении

Итак, допустим, что при одинаковых номиналах Rвх и Rоос, равных 1 кОм, на оба входа схемы
поданы одинаковые напряжения, равные +1 В (Рис. 9, А). Поскольку потенциалы с обеих сторон
резистора Rвх равны друг другу (напряжения на резисторе равно 0), ток через него не протекает. А
значит, равен нулю и ток через резистор Rоос. Т.е., эти два резистора никакой функции не
выполняют. По сути, мы фактически получили неинвертирующий повторитель (сравните с Рис. 8).
Соответственно, на выходе получим такое же напряжение, как и на неинвертирующем входе, т.е.,
+1 В. Поменяем полярность входного сигнала на инвертирующем входе схемы (перевернем GB1)
и подадим минус 1 В (Рис. 9, Б). Теперь между выводами Rвх приложено напряжение 2 В и через
него течет ток Iвх = 2 мА (надеюсь, что подробно расписывать, почему так — уже не нужно?). Для
того, чтобы скомпенсировать этот ток, через Rоос тоже должен протекать ток, равный 2 мА. А для
этого на выходе ОУ должно быть напряжение +3 В.
Вот где проявился ехидный «оскал» дополнительной единички в формуле коэффициента
усиления неинвертирующего усилителя. Получается, что при
таком упрощенномдифференциальном включении разница в коэффициентах усиления постоянно
сдвигает выходной сигнал на величину потенциала на неинвертирующем входе. Проблема-с!
Однако, «Даже если вас съели — у вас всё равно остаётся как минимум два выхода». Значит, нам
каким-то образом надо уравнять коэффициенты усиления инвертирующего и неинвертирующего
включений, чтобы «нейтрализовать» эту лишнюю единичку.
Для этого подадим входной сигнал на неинвертирующий вход не напрямую, а через делитель
Rвх2, R1 (Рис. 9, В). Примем их номиналы также по 1 кОм. Теперь на неинвертирующем (а значит,
и на инвертирующем тоже) входе ОУ будет потенциал +0,5 В, через него (и Rоос) будет протекать
ток Iвх = Iоос = 0,5 мА, для обеспечения которого на выходе ОУ должно быть напряжение, равное
0 В. Фу-у-ух! Мы добились, чего хотели! При равных по величине и полярности сигналах на обеих
входах схемы (в данном случае +1 В, но то же самое будет справедливо и для минус 1 В и для
любых иных цифровых значений), на выходе ОУ будет сохраняться нулевое напряжение, равное
разнице входных сигналов.
Проверим это рассуждение, подав на инвертирующий вход сигнал отрицательной полярности
минус 1 В (Рис. 9, Г). При этом Iвх = Iоос = 2 мА, для чего на выходе должно быть +2 В. Всё
подтвердилось! Уровень выходного сигнала соответствует разнице между входными.
Конечно, при равенстве Rвх1 и Rоос (соответственно, Rвх2 и R1) усиления мы не получим. Для
этого нужно увеличить номиналы Rоос и R1, как это делали при анализе предыдущих включений
ОУ (не буду повторяться), причем должно строго соблюдаться соотношение:

Rоос / Rвх1 = R1 / Rвх2. (4)

Что же полезного мы получаем от такого включения практически? А получаем мы замечательное


свойство: выходное напряжение не зависит от абсолютных значений входных сигналов, если они
равны друг другу по величине и полярности. На выход поступает только разностный
(дифференциальный) сигнал. Это позволяет усиливать очень малые сигналы на фоне помехи,
одинаково действующей на оба входа. Например, сигнал с динамического микрофона на фоне
наводки сети промышленной частоты 50 Гц.

Однако, в этой бочке меда, к сожалению, присутствует ложка дегтя. Во-первых, равенство (4)
должно соблюдаться очень строго (вплоть до десятых а иногда и сотых процента!). Иначе
возникнет разбаланс токов, действующих в схеме, а следовательно, кроме разностных
(«противофазных») сигналов будут усиливаться и сочетанные («синфазные») сигналы.

Давайте, разберемся с сущностью этих терминов (Рис. 10).

Рис. 10  Сдвиг фазы сигнала


Фаза сигнала — это величина, характеризующая смещение начала отсчета периода сигнала
относительно начала отсчета времени. Поскольку и начало отсчета времени, и начало отсчета
периода выбираются произвольно, фаза одного периодического сигнала физическим смыслом не
обладает. Однако разность фаз двух периодических сигналов — это величина, имеющая
физический смысл, она отражает запаздывание одного из сигналов относительно другого. Что
считать началом периода, не имеет никакого значения. За точку начала периода можно взять
нулевое значение с положительным наклоном. Можно — максимум. Всё в нашей власти. 
На Рис. 9 красным обозначен исходный сигнал, зеленым — сдвинутый на ¼ периода относительно
исходного и синим — на ½ периода. Если сравнить красную и синюю кривые с кривыми на Рис. 2,
Б, то можно заметить, что они взаимно инверсны. Т.о., «синфазные сигналы» — это сигналы,
совпадающие друг с другом в каждой своей точке, а «противофазные сигналы» —инверсные друг
относительно друга.
В то же время, понятие инверсии более широкое, чем понятие фазы, т.к. последнее применимо
только к регулярно повторяющимся, периодическим сигналам. А понятие инверсии применимо к
любым сигналам, в том числе и непериодическим, как, например, звуковой сигнал, цифровая
последовательность, либо постоянное напряжение. Чтобы фаза была состоятельной величиной,
сигнал должен быть периодическим хотя бы на некотором интервале. В противном случае, и фаза
и период превращаются в математические абстракции.
Во-вторых, инвертирующий и неинвертирующий входы в дифференциальном включении при
равенстве номиналов Rоос = R1 и Rвх1 = Rвх2 будут иметь различные входные сопротивления.
Если входное сопротивление инвертирующего входа определяется только номиналом  Rвх1, то
неинвертирующего — номиналами последовательно включенных Rвх2 и R1 (ещё не забыли, что
входы ОУ тока не потребляют?). В приведенном выше примере они будут составлять,
соответственно, 1 и 2 кОм. А если мы увеличим Rоос и R1 для получения полноценного
усилительного каскада, то разница возрастет еще существеннее: при Ку = 10 — до,
соответственно, всё того же 1 кОм и целых 11 кОм!
К сожалению, на практике обычно ставят номиналы Rвх1 = Rвх2 и Rоос = R1. Однако, это
приемлемо, только если источники сигнала для обоих входов имеют очень низкое выходное
сопротивление. Иначе оно образует делитель с входным сопротивлением данного усилительного
каскада, а поскольку коэффициент деления таких «делителей» будет разным, то и результат
очевиден: дифференциальный усилитель с такими номиналами резисторов не будет выполнять
своей функции подавления синфазных (сочетанных) сигналов, либо выполнять эту функцию
плохо.

Одним из путей решения данной проблемы может быть неравенство номиналов резисторов,
подключенных к инвертирующему и неинвертирующему входам ОУ. А именно, чтобы Rвх2 + R1 =
Rвх1. Ещё одним важным моментом является достижение точного соблюдения равенства (4). Как
правило, этого добиваются путем разбиения R1 на два резистора — постоянный, обычно
составляющий 90% от нужного номинала и переменный (R2), сопротивление которого составляет
20% от нужного номинала (Рис. 11, А).

Рис. 11  Варианты балансировки дифференциального усилителя


Путь общепринятый, но опять же, при таком способе балансировки пусть и немного, но изменяется
входное сопротивление неинвертирующего входа. Намного стабильнее вариант с включением
подстроечного резистора (R5) последовательно с Rоос (Рис. 11, Б), поскольку Rоос в
формировании входного сопротивления инвертирующего входа участия не принимает. Главное —
сохранить соотношения их номиналов, аналогично варианту «А» (Rоос / Rвх1 = R1 / Rвх2).

Коль скоро мы повели речь о дифференциальном включении и упомянули повторители, хотелось


бы описать одну интересную схемку (Рис. 12).

Рис. 12  Схема переключаемого инвертирующего/неинвертирующего повторителя

Входной сигнал подается одновременно на оба входа схемы (инвертирующий и


неинвертирующий). Номиналы всех резисторов (Rвх1, Rвх2 и Rоос) равны друг другу (в данном
случае возьмем их реальные значения: 10…100 кОм). Неинвертирующий вход ОУ ключом SA
может замыкаться на общую шину.

В замкнутом положении ключа (Рис. 12, А) резистор Rвх2 в работе схемы не участвует (через него
только «бесполезно» течет ток Iвх2 от источника сигнала на общую шину).
Получаеминвертирующий повторитель с усилением равным минус 1 (см. Рис. 6). А вот при
разомкнутом положении ключа SA (Рис. 12, Б) получаем неинвертирующий повторитель с
усилением равным +1.
Принцип работы этой схемы можно выразить и несколько по-другому. При замкнутом ключе SA
она работает как инвертирующий усилитель с усилением, равным минус 1, а при разомкнутом —
одновременно (!) и как инвертирующий усилитель с усилением, минус 1, и как неинвертирующий
усилитель с усилением +2,  откуда: Ку = +2 + (–1) = +1.
В таком виде эту схему можно использовать, если, например, на этапе проектирования неизвестна
полярность входного сигнала (скажем, от датчика, к которому нет доступа до начала наладки
устройства). Если же в качестве ключа использовать транзистор (например, полевой),
управляемый от входного сигнала с помощью компаратора (о нем речь будет вестись ниже), то
получим синхронный детектор (синхронный выпрямитель). Конкретная реализация такой схемы,
конечно же, выходит за рамки начального ознакомления с работой ОУ и мы её здесь опять же
подробно рассматривать не будем.

А теперь давайте рассмотрим принцип суммирования входных сигналов (Рис. 13, А), а заодно
разберемся, какие же номиналы резисторов Rвх и Rоос  должны быть в реальности.
Рис. 13  Принцип работы инвертирующего сумматора

Берем за основу уже рассмотренный выше инвертирующий усилитель (Рис. 5), только ко входу ОУ
подключаем не один, а два входных резистора Rвх1 и Rвх2. Пока что, в «учебных» целях,
принимаем сопротивления всех резисторов, включая Rоос, равными 1 кОм. На левые выводы
Rвх1 и Rвх2 подаем входные сигналы, равные +1 В. Через эти резисторы протекают токи, равные
1 мА (показаны стрелками, направленными слева направо). Для поддержания на инвертирующем
входе такого же потенциала, как и на неинвертирующем (0 В), через резистор Rоос должен
протекать ток, равный сумме входных токов (1 мА +1 мА = 2 мА), показанный стрелкой,
направленной в противоположном направлении (справа налево), для чего на выходе ОУ должно
быть напряжение минус 2 В.

Тот же самый результат (выходное напряжение минус 2 В) можно получить, если на вход
инвертирующего усилителя (Рис. 5) подать напряжение +2 В, либо номинал Rвх уменьшить вдвое,
т.е. до 500 Ом. Увеличим напряжение, приложенное к резистору Rвх2 до +2 В (Рис. 13, Б). На
выходе получим напряжение минус 3 В, что равно сумме входных напряжений.

Входов может быть не два, а сколь угодно много. Принцип работы данной схемы от этого не
изменится: выходное напряжение в любом случае будет прямо пропорционально алгебраической
сумме (с учетом знака!) токов, проходящих через резисторы, подключенные к инвертирующему
входу ОУ (обратно пропорционально их номиналам), независимо от их количества.

Если же, на входы инвертирующего сумматора подать сигналы, равные +1 В и минус 1 В (Рис. 13,
В), то протекающие через них токи будут разнонаправлены, они взаимно скомпенсируются и на
выходе будет 0 В. Через резистор Rоос в таком случае ток протекать не будет. Иными словами,
ток, протекающий по Rоос, алгебраически суммируется со входными токами.

Отсюда также проистекает важный момент: пока мы оперировали небольшими входными


напряжениями (1…3 В), выход ОУ широкого применения вполне мог обеспечить такой ток (1…3
мА) для Rоос и что-то ещё оставалось для нагрузки, подключенной к выходу ОУ. Но если
напряжения входных сигналов увеличить до максимально допустимых (близких к напряжениям
питания), то получается, что весь выходной ток уйдет в Rоос. Для нагрузки ничего не останется. А
кому нужен усилительный каскад, который работает «сам на себя»? Кроме того, номиналы
входных резисторов, равные всего 1 кОм (соответственно, определяющие входное сопротивление
инвертирующего усилительного каскада), требуют протекания по ним  чрезмерно больших токов,
сильно нагружающих источник сигнала. Поэтому в реальных схемах сопротивление Rвх
выбирается не менее 10 кОм, но и желательно не более 100 кОм, чтобы при заданном
коэффициенте усиления не ставить Rоос слишком большого номинала. Хотя эти величины и не
являются абсолютными, а только прикидочными, как говорится, «в первом приближении» — всё
зависит от конкретной схемы. В любом случае нежелательно, чтобы через Rоос протекал ток,
превышающий 5…10% максимального выходного тока данного конкретного ОУ.
Суммируемые сигналы можно подавать и на неинвертирующий вход.
Получаетсянеинвертирующий сумматор. Принципиально такая схема будет работать точно так
же, как и инвертирующий сумматор, на выходе которого будет сигнал, прямо пропорциональный
входным напряжениям и обратно пропорциональный номиналам входных резисторов. Однако
практически она используется намного реже, т.к. содержит «грабли», которые следует учитывать.

Поскольку Правило 2 действует только для инвертирующего входа, на котором действует


«виртуальный потенциал нуля», то на неинвертирующем будет потенциал, равный алгебраической
сумме входных напряжений. Следовательно, входное напряжение, имеющееся на одном из
входов, будет влиять на напряжение, поступающее на другие входы. «Виртуального потенциала»
ведь на неинвертирующем входе нет! В итоге приходится применять дополнительные
схемотехнические ухищрения.

До сих пор мы рассматривали схемы на ОУ с ООС. А что будет, если обратную связь убрать
вообще? В таком случае мы получаем компаратор (Рис. 14), т.е., устройство, сравнивающее по
абсолютному значению два потенциала на своих входах (от английского слова compare —
сравнивать). На его выходе будет напряжение, приближающееся к одному из напряжений питания
в зависимости от того, какой из сигналов больше другого. Обычно входной сигнал подается на
один из входов, а на другой — постоянное напряжение, с которым он сравнивается (т.н. «опорное
напряжение»). Оно может быть любым, в том числе и равным нулевому потенциалу (Рис. 14, Б).

Рис. 14  Схема включения ОУ как компаратора

Внимание!

На Рис. 14 и 15 расположение входов обратное тому, как это принято для ОУ с ООС:
неинвертирующий вход — вверху, инвертирующий — внизу). Это является общепринятым для
изображения компараторов, особенно тех, что выпускаются в виде отдельных микросхем (о них
речь будет вестись ниже). Даже цоколевка выводов у них противоположная по сравнению с ОУ.
Однако, не всё так хорошо «в королевстве Датском»… А что произойдет, если напряжение между
входами будет равно нулю? По идее, на выходе тоже должен быть ноль, но в реальности —
никогда. Если потенциал на одном из входов хоть на чуть-чуть перевесит потенциал другого, то
уже этого будет достаточно, чтобы на выходе возникли хаотические скачки напряжения из-за
случайных возмущений, наводящихся на входы компаратора.
В реальности любой сигнал является «зашумленным», т.к. идеала не может быть по определению.
И в области, близкой к точке равенства потенциалов входов, на выходе компаратора появится
пачка выходных сигналов вместо одного четкого переключения. Для борьбы с этим явлением в
схему компаратора часто вводят гистерезис путем создания слабой положительной ПОС с
выхода на неинвертирующий вход (Рис. 15).

Рис. 15  Принцип действия гистерезиса в компараторе за счет ПОС

Проанализируем работу этой схемы. Напряжения её питания составляют ±10 В (для ровного
счета). Сопротивление Rвх равно 1 кОм, а Rпос — 10 кОм. В качестве опорного напряжения,
поступающего на инвертирующий вход, выбран потенциал средней точки. Красной кривой показан
входной сигнал, поступающий на левый вывод Rвх (вход схемы компаратора), синей — потенциал
на неинвертирующем входе ОУ и зеленой — выходной сигнал.
Пока входной сигнал имеет отрицательную полярность, на выходе — отрицательное напряжение,
которое через Rпос суммируется с входным напряжением обратно пропорционально номиналам
соответствующих резисторов. В результате потенциал неинвертирующего входа во всем
диапазоне отрицательных значений на 1 В (по абсолютному значению) превышает уровень
входного сигнала. Как только потенциал неинвертирующего входа уравняется с потенциалом
инвертирующего (для входного сигнала это будет составлять + 1 В), напряжение на выходе ОУ
начнет переключаться с отрицательной полярности в положительную. Суммарный потенциал на
неинвертирующем входе начнет лавинообразно становиться ещё более положительным,
поддерживая процесс такого переключения. В итоге незначительные шумовые колебания входного
и опорного сигналов компаратор просто «не заметит», поскольку они будут на много порядков
меньшими по амплитуде, чем описанная «ступенька» потенциала на неинвертирующем входе при
переключении.
При снижении входного сигнала обратное переключение выходного сигнала компаратора
произойдет при входном напряжении минус 1 В. Вот эта разница между уровнями входного
сигнала, ведущими к переключению выхода компаратора, равная в нашем случае суммарно 2 В, и
называется гистерезисом. Чем больше сопротивление Rпос по отношению к Rвх (меньше
глубина ПОС), тем меньший гистерезис переключения. Так, при Rпос = 100 кОм он будет
составлять всего 0,2 В, а при Rпос = 1 Мом — 0,02 В (20 мВ). Выбирается гистерезис (глубина
ПОС), исходя из реальных условий функционирования компаратора в конкретной схеме. В какой и
10 мВ будет много, а в какой — и 2 В мало.

К сожалению, не каждый ОУ и не во всех случаях можно использовать в качестве компаратора [2].


Выпускаются специализированные микросхемы компараторов, предназначенные для
согласования между аналоговыми  и цифровыми сигналами. Часть из них специализирована для
подключения к цифровым ТТЛ-микросхемам (597СА2), часть — цифровым ЭСЛ-микросхемам
(597СА1), однако большинство является т.н. «компараторами широкого применения»
(LM393/LM339/К554СА3/К597СА3). Их основное отличие от ОУ заключается в особом устройстве
выходного каскада, который выполнен на транзисторе с открытым коллектором (Рис. 16).

Рис. 16 Выходной каскад компараторов широкого применения 


и его подключение к нагрузочному резистору

Это требует обязательного применения внешнего нагрузочного резистора (R1), без которого


выходной сигнал просто физически не способен сформировать высокий (положительный)
выходной уровень. Напряжение +U2, к которому подключается нагрузочный резистор, может быть
иным, чем напряжение питания +U1 самой микросхемы компаратора. Это позволяет простыми
средствами обеспечить выходной сигнал нужного уровня — будь он ТТЛ или КМОП.
Примечание

В большинстве компараторов, примером которых могут быть сдвоенные LM393 (LM193/LM293) или
точно такие же по схемотехнике, но счетверенные LM339 (LM139/LM239), эмиттер транзистора
выходного каскада соединен с минусовым выводом питания, что несколько ограничивает область
их применения. В этой связи хотел бы обратить внимание на компаратор LM31 (LM111/LM211),
аналогом которого является отечественный 521/554СА3, в котором отдельно выведены как
коллектор, так и эмиттер выходного транзистора, которые можно подключать к иным
напряжениям, чем напряжения питания самого компаратора. Единственным и относительным его
недостатком является только то, что в 8-выводном (иногда в 14 выводном) корпусе он всего лишь
один.
До сих пор мы рассматривали схемы, в которых входной сигнал поступал на вход(ы) через Rвх,
т.е. все они являлись преобразователями входного напряжения в выходное напряжение же. При
этом входной ток протекал через Rвх. А что будет, если его сопротивление принять равным нулю?
Работать схема будет точно так же, как и рассмотренный выше инвертирующий усилитель, только
в качестве Rвх будет служить выходное сопротивление источника сигнала (Rвых), а мы
получим преобразователь входного тока  в выходное напряжение (Рис. 17).
Рис. 17  Схема преобразователя тока в напряжение на ОУ

Поскольку на инвертирующем входе потенциал такой же, как и на неинвертирующем (в данном


случае равен «виртуальному нулю»), весь входной ток (Iвх) будет протекать через Rоос между
выходом источника сигнала (G) и выходом ОУ. Входное сопротивление такой схемы близко к
нулевому, что позволяет строить на ее основе микро/миллиамперметры, практически не
влияющие на ток, протекающий по измеряемой цепи. Пожалуй, единственным ограничением
является допустимый диапазон входных напряжений ОУ, который не следует превышать. С её
помощью можно построить также, например, линейный преобразователь тока фотодиода в
напряжение и множество других схем.
Мы рассмотрели основные принципы функционирования ОУ в различных схемах его включения.
Остался один важный вопрос: их питание.

Как было сказано выше, ОУ типично имеет всего 5 выводов: два входа, выход и два вывода
питания, положительного и отрицательного. В общем случае используется двуполярное питание,
то есть источник питания имеет три вывода с потенциалами: +U; 0; –U.

Еще раз внимательно рассмотрим все приведенные выше рисунки и увидим, что  отдельного
вывода средней точки в ОУ НЕТ! Для работы их внутренней схемы она просто не нужна. На
некоторых схемах со средней точкой соединялся неинвертирующий вход, однако, это не является
правилом.
Вставка

Специальный вывод средней точки «изнутри» кристалла был только в самом первом
интегральном ОУ μA702 (отечественная реплика — К1УТ401, переименованный позднее в
К140УД1). В некоторых других ОУ (К140УД8, К574УД2, К140УД13 и др.) отдельным выводом
заземлялся (занулялся) корпус исключительно для повышения их защищенности от помех
(наводок).
Следовательно, подавляющее  большинство современных ОУ предназначены для
питанияОДНОПОЛЯРНЫМ напряжением! Возникает закономерный вопрос: «А зачем же тогда
нужно двуполярное питание», если мы так упорно и с завидным постоянством изображали его на
рисунках?
Оказывается, оно просто очень удобно для практических целей по следующим причинам:

А) Для обеспечения достаточного тока и размаха выходного напряжения через нагрузку (Рис. 18).
Рис. 18  Протекание выходного тока через нагрузку при различных вариантах питании ОУ

Пока что не будем рассматривать входные (и ООС) цепи схем, изображенных на рисунке («чёрный
ящик»). Примем, как данность, что на вход подается какой-то входной синусоидальный сигнал
(черная синусоида на графиках) и на выходе получается такой же синусоидальный сигнал,
усиленный по отношению ко входному цветная синусоида на графиках).

При подключении нагрузки Rнагр. между выходом ОУ и средней точки соединения источников
питания (GB1 и GB2) — Рис. 18, А, ток через нагрузку протекает симметрично относительно
средней точки (соответственно, красная и синяя полуволны), а его амплитуда максимальна и
амплитуда напряжения на Rнагр. также максимально возможна — она может достигать почти
напряжений питания. Ток от источника питания соответствующей полярности замыкается через
ОУ, Rнагр. и источник питания (красная и синяя линии, показывающие протекание тока в
соответствующем направлении).

Поскольку внутреннее сопротивление источников питания ОУ весьма мало, ток, проходящий через
нагрузку, ограничен только её сопротивлением и максимальным выходным током ОУ, которое
типично составляет 25 мА.

Примечание

Даже в не очень свежих цинк-угольных гальванических элементах внутренне сопротивление


составляет единицы Ом, не говоря уж о сетевых блоках питания, щелочных и, тем более,
кислотных аккумуляторах, В которых оно составляет сотые и тысячные доли Ома.
При питании ОУ однополярным напряжением в качестве общей шины выбирается обычно
отрицательный (минусовый) полюс источника питания, к которому и подключается второй вывод
нагрузки (Рис. 18, Б). Теперь ток через нагрузку может протекать только в одном направлении
(показано красной линией), второму направлению просто неоткуда взяться. Иными словами, ток
через нагрузку становится асимметричным (пульсирующим).

Однозначно утверждать, что такой вариант плох, нельзя. Если нагрузкой является, скажем,
динамическая головка, то для неё это плохо однозначно. Однако, существует множество
применений, когда подключение нагрузки между выходом ОУ и одной из шин питания (как правило,
отрицательной полярности), не только допустимо, но и единственно возможно. 

Если же всё-таки нужно обеспечить симметрию протекания тока через нагрузку при однополярном
питании, то приходится гальванически развязывать её от выхода ОУ гальванически конденсатором
С1 (Рис. 18, В).
Б) Для обеспечения нужного тока инвертирующего входа, а также привязки входных сигналов к
какому-то произвольно выбранному уровню, принимаемому за опорный (нулевой) — задания
режима работы ОУ по постоянному току (Рис. 19).

Рис. 19  Подключение источника входного сигнала при различных вариантах питания ОУ

Теперь рассмотрим варианты подключения источников входных сигналов, исключив из


рассмотрения подключение нагрузки.

Подключение инвертирующего и неинвертирующего входов к средней точке соединения


источников питания (Рис. 19, А) было рассмотрено при анализе приведенных ранее схем. Если
неинвертирующий вход тока не потребляет и просто принимает потенциал средней точки, то через
источник сигнала (G) и Rвх, включенные последовательно, ток-то протекает, замыкаясь через
соответствующий источник питания! А поскольку их внутренние сопротивления пренебрежимо
малы по сравнению со входным током (на много порядков меньше, чем Rвх), то и влияния на
напряжения питания он практически не оказывает.

Таким образом, при однополярном питании ОУ, можно совершенно спокойно сформировать
потенциал, подаваемый на его неинвертирующий вход, с помощью делителя R1R2 (Рис. 19, Б, В).
Типичные номиналы резисторов этого делителя составляют 10…100 кОм, причем нижний
(подключенный к общей минусовой шине) крайне желательно зашунтировать конденсатором на
10…22 мкф, чтобы существенно снизить влияние пульсаций напряжения питания на потенциал
такой искусственной  средней точки.
А вот источник сигнала (G) к этой искусственной средней точке подключать крайне нежелательно
всё из-за того же входного тока. Давайте прикинем. Даже при номиналах делителя R1R2 = 10 кОм
и Rвх = 10…100 кОм, входной ток Iвх составит в лучшем случае 1/10, а в худшем —  до 100% тока,
проходящего через делитель. Следовательно, на столько же будет «плавать» потенциал на
неинвертирующем входе  в сочетании (синфазно) с входным сигналом.

Чтобы устранить взаимовлияние входов друг на друга при усилении сигналов постоянного тока при
таком включении, для источника сигнала следует организовать отдельный потенциал
искусственной средней точки, формируемый резисторами R3R4 (Рис. 19, Б),  либо, если
усиливается сигнал переменного тока, гальванически развязать источник сигнала от
инвертирующего входа конденсатором С2 (Рис. 19, В).

Следует отметить, что в приведенных выше схемах (Рис. 18, 19) мы по умолчанию приняли
допущение, что выходной сигнал должен быть симметричным относительно либо средней точки
источников питания, либо искусственной средней точки. В реальности это нужно не всегда.
Довольно часто нужно, чтобы выходной сигнал имел преимущественно либо положительную, либо
отрицательную полярность. Поэтому совершенно не обязательно, чтобы положительная и
отрицательная полярности источника питания были равны по абсолютному значению. Одно из них
может быть значительно меньше по абсолютному значению, чем другое — только таким, чтобы
обеспечить нормальное функционирование ОУ.

Возникает закономерный вопрос: «А каким именно»? Чтобы ответить на него, коротко рассмотрим
допустимые диапазоны напряжений входных и выходного сигналов ОУ.

У любого ОУ потенциал на выходе не может быть выше, чем потенциал положительной шины
питания и ниже, чем потенциал отрицательной шины питания. Иными словами, выходное
напряжение не может выйти за пределы питающих напряжений. Например, для ОУ OPA277
выходное напряжение при сопротивлении нагрузки 10 кОм меньше напряжения положительной
шины питания на 2 В и отрицательной шины питания —  на 0,5 В. Ширина этих «мертвых зон»
выходного напряжения, которых не может достичь выход ОУ, зависит от ряда факторов, таких, как
схемотехника выходного каскада, сопротивление нагрузки и др.). Существуют ОУ, у которых
мертвые зоны минимальны, например, по 50 мВ до напряжения шин питания при нагрузке 10 кОм
(для OPA340), эта особенность ОУ называется «rail-to-rail» (R2R).

С другой стороны, для ОУ широкого применения входные сигналы также не должны превышать
напряжения питания, а для некоторых — быть меньше их на 1,5…2 В. Однако, существуют ОУ со
специфической схемотехникой входного каскада (например, те же LM358/LM324), которые могут
работать не только от уровня отрицательного питания, но даже «минусовее» его на 0,3 В, что
существенно облегчает их использование при однополярном питании с общей отрицательной
шиной.

Примечание

Слово «rail» переводится с английского, как «рельс», «шина». Т.е., дословно получается «от
рельса-до-рельса» («от шины-до-шины») или, иными словами, «во всем диапазоне питающих
напряжений». В полном объеме этот термин обозначает, что теоретически такой размах сигнала
можно снимать с выхода и такой же размах входного сигнала подавать на вход.

Давайте, наконец, рассмотрим и пощупаем этих «жучков-паучков». Можно даже обнюхать и


облизать. Разрешаю. Рассмотрим их наиболее частые варианты, доступные начинающим
радиолюбителям. Тем более, если приходится выпаивать ОУ из старой аппаратуры.

Для ОУ старых разработок, в обязательном порядке требующих внешних цепей для частотной
коррекции, чтобы предотвратить самовозбуждение, было характерно наличие дополнительных
выводов. Некоторые ОУ из-за этого даже не «влезали» в 8-выводный корпус (рис. 20, А) и
изготавливались в 12-выводных круглых металло-стеклянных, например, К140УД1, К140УД2,
К140УД5 (Рис. 20, Б) или в 14-выводных DIP-корпусах, например, К140УД20, К157УД2 (Рис. 20, В).
Аббревиатура DIP является сокращением английского выражения «Dual In line Package» и
переводится как «корпус с двусторонним расположением выводов».

Круглый металло-стеклянный корпус (Рис. 20, А, Б) применялся, как основной, для импортных ОУ


примерно до середины 70-х годов, а для отечественных ОУ — до середины 80-х и применяется
сейчас для т.н. «военных» применений («5-я приемка»).
Иногда отечественные ОУ размещались в довольно «экзотических» в настоящее время корпусах:
15-выводный прямоугольный метало-стеклянный для гибридного К284УД1 (Рис. 20, Г), в котором
ключом является дополнительный 15-й вывод от корпуса, и других. Правда, планарные 14-
выводные корпуса (Рис. 20, Д) для размещения в них ОУ мне лично не встречались. Они
применялись для цифровых микросхем.

Рис. 20 Корпуса отечественных операционных усилителей

Современные же ОУ в большинстве своем содержат корректирующие цепи прямо на кристалле,


что позволило обходиться минимальным количеством выводов (как пример — 5-выводный SOT23-
5 для одиночного ОУ — Рис. 23). Это позволило в одном корпусе размещать по два-четыре
полностью независимых (кроме общих выводов питания) ОУ, изготовленных на одном кристалле.

Рис. 21 Двухрядные пластиковые корпуса современных ОУ для выводного монтажа (DIP)

Иногда можно встретить ОУ, размещенные в однорядных 8-выводных (Рис. 22) либо 9-выводных
корпусах (SIP) - К1005УД1. Аббревиатура SIP является сокращением английского выражения
«Single In line Package» и переводится как «корпус с односторонним расположением выводов».
Рис. 22  Однорядный  пластиковый корпус сдвоенных ОУ для выводного монтажа (SIP-8)

Они были разработаны для минимизации места, занимаемого на плате, но, к сожалению,
«опоздали»: к этому времени широкое распространение заняли корпуса для поверхностного
монтажа (SMD — Surface Mounting Device) путем подпайки прямо к дорожкам платы (Рис. 23).
Однако, для начинающих их использование представляет существенные сложности.

Примечание

9-выводные SIP-корпуса обладают интересной особенностью: выводы положительного


напряжения питания (+U) расположены по краям корпуса (1-й и 9-й) и соединены вместе. Как
корпус ни запаивай — не ошибешься, т.к. цоколевка самих ОУ симметрична относительно вывода
отрицательного питания (5-й вывод).

Рис. 23 Корпуса современных импортных ОУ для поверхностного монтажа (SMD)

Очень часто одна и та же микросхема может «упаковываться» производителем в различные


корпуса (Рис. 24).
Рис. 24 Варианты размещения одной и той же микросхемы в разных корпусах

Выводы всех микросхем имеют последовательную нумерацию, отсчитываемую от т.н. «ключа»,


указывающего на расположение вывода под номером 1. (Рис. 25). В любом случае, если
расположить корпус выводами от себя, их нумерация по возрастающей идет против  часовой
стрелки!

Рис. 25 Расположение выводов операционных усилителей 


в различных корпусах (цоколевка), вид сверху; 
направление нумерации показано стрелками

В круглых металло-стеклянных корпусах ключ имеет вид бокового выступа (Рис. 25, А, Б). Вот с
расположения этого ключа возможны огроменных размеров «грабли»! В отечественных 8-
выводных корпусах (302.8) ключ располагается напротив первого вывода (Рис. 25, А), а в
импортных ТО-5 — напротив восьмого вывода (Рис. 25, Б). В 12-выводных корпусах, как
отечественных (302.12), так и импортных, ключ расположен между первым и 12-м выводами.

Обычно инвертирующий вход как в круглых металло-стеклянных, так и в DIP-корпусах, соединен со


2-м выводом, неинвертирующий — с 3-м, выход — с 6-м, минус питания — с 4-м и плюс питания —
с 7-м. Однако, есть и исключения (ещё одни возможные «грабли»!) в цоколевке ОУ К140УД8,
К574УД1. В них нумерация выводов сдвинута на один против часовой стрелки по сравнению с
общепринятой для большинства других типов, т.е. с выводами они соединены, как в импортных
корпусах (Рис. 25, Б), а нумерация соответствует отечественным (Рис. 25, А).
В последние годы большинство ОУ «бытового назначения» стали размещать в пластмассовых
корпусах (Рис. 21, 25, В-Д). В этих корпусах ключом является либо углубление (точка) напротив
первого вывода, либо вырез в торце корпуса между первым и 8-м (DIP-8) или 14-м (DIP-14)
выводами, либо фаска вдоль первой половины выводов (Рис. 21, посередине). Нумерация
выводов в этих корпусах также идет против часовой стрелки при виде сверху (выводами от
себя).

Как было сказано выше, ОУ с внутренней коррекцией имеют всего пять выводов, из которых
только три (два входа и выход) принадлежат каждому отдельному ОУ. Это позволило в одном 8-
выводном корпусе разместить на одном кристалле по два полностью независимых (за
исключением плюса и минуса питания, требующих еще двух выводов) ОУ (Рис. 25, Г), а в 14-
выводном корпусе — даже четыре (Рис. 25, Д). В итоге в настоящее время большинство ОУ
выпускаются как минимум сдвоенными, например, TL062, TL072, TL082, дешевые и простые
LM358 и др. Точно такие же по внутренней структуре, но счетверенные — соответственно, TL064,
TL074, TL084 и LM324.

В отношении отечественного аналога LM324 (К1401УД2) существуют еще одни «грабли»: если в
LM324 плюс питания выведен на 4-й вывод, а минус — на 11-й, то в К1401УД2 наоборот: плюс
питания выведен на 11-й вывод, а минус — на 4-й. Однако, никаких сложностей с разводкой это
отличие не вызывает. Поскольку цоколевка выводов ОУ полностью симметрична (Рис. 25, Д),
нужно просто перевернуть корпус на 180 градусов, чтобы 1-й вывод занял место 8-го. Да и всё.

Пара слов относительно маркировки импортных ОУ (да и не только ОУ). Для ряда разработок
первых 300 цифровых обозначений было принято обозначать группу качества первой цифрой
цифрового кода. Например, ОУ LM158/LM258/LM358, компараторы  LM193/LM293/LM393,
регулируемые трехвыводные стабилизаторы TL117/TL217/TL317 и пр. совершенно идентичны по
внутренней структуре, но различаются по температурному рабочему диапазону. Для LM158
(TL117) диапазон рабочих температур составляет от минус 55 до +125…150 градусов по Цельсию
(т.н. «боевой» или военный диапазон), для LM258 (TL217) — от минус 40 до +85 градусов
(«промышленный» диапазон) и для LM358 (TL317) — от 0 до +70 градусов («бытовой» диапазон).
При этом цена на них может быть совершенно не соответствующей такой градации, либо
отличаться очень незначительно (неисповедимы пути ценообразования!). Так что покупать их
можно с любой маркировкой, доступной «для кармана» начинающего, особо не гоняясь за первой
«тройкой».

После исчерпания первых трех сотен цифровой маркировки группы надежности стали отмечать
буквами, значение которых расшифровываются в даташитах (Datasheet дословно переводится как
«таблица данных») на данные компоненты.

Заключение

Вот мы и изучили «азбуку» работы ОУ, немного захватив и компараторы. Дальше надо учиться
складывать из этих «букв» слова, предложения и целые осмысленные «сочинения»
(работоспособные схемы).

Процессор. Что такое процессор


Процессор – это главная микросхема компьютера, его 'мозг'. Он выполняет
программный код, находящийся в памяти и руководит работой всех устройств
компьютера. Чем выше скорость работы процессора, тем выше
быстродействие компьютера. Процессор имеет специальные ячейки, которые
называются регистрами. Именно в регистры помещаются команды, которые
выполняются процессором, а также данные, которыми оперируют команды.
Работа процессора состоит в выборе из памяти в определенной
последовательности команд и данных для их последующего выполнения.
Во время процесса процессор считывает последовательность команд,
содержащихся в памяти, и исполняет их. Такая последовательность команд
называется программой и представляет алгоритм полезной работы процессора.
Очерёдность считывания команд изменяется в случае, если процессор
считывает команду перехода — тогда адрес следующей команды может
оказаться другим. Другим примером изменения процесса может служить
случай получения команды останова или переключение в режим обработки
аппаратного прерывания.
Команды центрального процессора являются самым нижним уровнем
управления компьютером, поэтому выполнение каждой команды неизбежно и
безусловно. Не производится никакой проверки на допустимость
выполняемых действий, в частности, не проверяется возможная потеря
ценных данных. Чтобы компьютер выполнял только допустимые действия,
команды должны быть соответствующим образом организованы в виде
необходимой программы. Скорость перехода от одного этапа цикла к другому
определяется тактовым генератором. Тактовый генератор вырабатывает
импульсы, служащие ритмом для центрального процессора. Частота тактовых
импульсов называется тактовой частотой.
Основными характеристиками процессоров являются: разрядность и
быстродействие.
Быстродействие – это параметр, показывающий количество тактов,
выполняемых процессором в секунду. Измеряется в мегагерцах (МГц), 1 МГц
= 1 000 000 тактов в секунду. Чем данный параметр выше тем быстрее
процессор.
Разрядность – это параметр который является важным для таких устройств
компьютера, как внутренние регистры, шина ввода вывода данных, шина
адреса памяти.
Типы процессоров:

CISC-процессоры
Complex Instruction Set Computing — вычисления со сложным набором
команд. Процессорная архитектура, основанная на усложнённом наборе
команд. Типичными представителями CISC является семейство
микропроцессоров Intel x86 (хотя уже много лет эти процессоры являются
CISC только по внешней системе команд).
RISC-процессоры
Reduced Instruction Set Computing (technology) — вычисления с
сокращённым набором команд. Архитектура процессоров, построенная на
основе сокращённого набора команд. Характеризуется наличием команд
фиксированной длины, большого количества регистров, операций типа
регистр-регистр, а также отсутствием косвенной адресации. Концепция RISC
разработана Джоном Коком (John Cocke) из IBM Research, название
придумано Дэвидом Паттерсоном (David Patterson). Самая распространённая
реализация этой архитектуры представлена процессорами серии PowerPC,
включая G3, G4 и G5. Довольно известная реализация данной архитектуры —
процессоры серий MIPS и Alpha.
MISC-процессоры
Minimum Instruction Set Computing — вычисления с минимальным
набором команд. Дальнейшее развитие идей команды Чака Мура, который
полагает, что принцип простоты, изначальный для RISC процессоров,
слишком быстро отошёл на задний план. В пылу борьбы за максимальное
быстродействие, RISC догнал и перегнал многие CISC процессоры по
сложности. Архитектура MISC строится на стековой вычислительной модели
с ограниченным числом команд (примерно 20–30 команд).
Многоядерные процессоры
Содержат несколько процессорных ядер в одном корпусе (на одном или
нескольких кристаллах). Процессоры, предназначенные для работы одной
копии операционной системы на нескольких ядрах, представляют собой
высокоинтегрированную реализацию системы «Мультипроцессор». На
данный момент массово доступны процессоры с двумя ядрами, в частности
Intel Core 2 Duo на ядре Conroe и Athlon64X2 на базе микроархитектуры K8.
В ноябре 2006 года вышел первый четырёхъядерный процессор Intel Core
2 Quad на ядре Kentsfield, представляющий собой сборку из двух кристаллов
Conroe в одном корпусе. Двухядерность поцессоров включает такие понятия,
как наличие логических и физических ядер: например двухядерный процессор
Intel Core Duo состоит из одного физического ядра, которое в свою очередь
разделено на два логических. Процессор Intel Core 2 Duo состоит из двух
физических ядер, что существенно влияет на скорость его работы.
10 сентября 2007 года были выпущены в продажу нативные (в виде одного
кристалла) четырёхьядерные процессоры для серверов AMD Quad-Core
Opteron, имевшие в процессе разработки кодовое название AMD Opteron
Barсelona[1]. 19 ноября 2007 вышел в продажу четырёхьядерный процессор
для домашних компьютеров AMD Quad-Core Phenom[2]. Эти процесоры
реализуют новую микроархитектуру K8L (K10). 27 сентября 2006 года Intel
продемонстрировала прототип 80-ядерного процессора[3]. Предполагается,
что массовое производство подобных процессоров станет возможно не раньше
перехода на 32-нанометровый техпроцесс, а это в свою очередь ожидается к
2010 году.
Этапы выполнения цикла комманд:
 процессор выставляет число, хранящееся в регистре счётчика команд, на шину адреса, и
отдаёт памяти команду чтения;
 выставленное число является для памяти адресом; память, получив адрес и команду
чтения, выставляет содержимое, хранящееся по этому адресу, на шину данных, и
сообщает о готовности;
 процессор получает число с шины данных, интерпретирует его как команду (машинную
инструкцию) из своей системы команд и исполняет её;
 если последняя команда не является командой перехода, процессор увеличивает на
единицу (в предположении, что длина каждой команды равна единице) число,
хранящееся в счётчике команд; в результате там образуется адрес следующей
команды;
 снова выполняется с первого пункта.

Процессор
[править | править вики-текст]

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

У этого термина существуют и другие значения, см. Процессор (значения).

Запрос «ЦП» перенаправляется сюда; см. также другие значения.

Intel Core i7 2600K Socket LGA1155, вид сверху

Intel Core i7 2600K Socket LGA1155, вид снизу

Центра́льный проце́ссор (ЦП; также центральное процессорное


устройство — ЦПУ; англ. central processing unit, CPU, дословно —центральное
обрабатывающее устройство) — электронный блок либо интегральная
схема (микропроцессор), исполняющаямашинные инструкции (код программ), главная
часть аппаратного обеспечения компьютера или программируемого логического контроллера.
Иногда называют микропроцессором или простопроцессором.
Изначально термин центральное процессорное устройствоописывал специализированный
класс логических машин, предназначенных для выполнения сложных компьютерных
программ. Вследствие довольно точного соответствия этого назначения функциям
существовавших в то время компьютерных процессоров, он естественным образом был
перенесён на сами компьютеры. Начало применения термина и его аббревиатуры по
отношению к компьютерным системам было положено в 1960-е годы. Устройство, архитектура
и реализация процессоров с тех пор неоднократно менялись, однако их основные
исполняемые функции остались теми же, что и прежде.
Главными характеристиками ЦПУ являются: тактовая частота,производительность,
энергопотребление, нормы литографическогопроцесса, используемого при производстве (для
микропроцессоров) и архитектура.
Ранние ЦП создавались в виде уникальных составных частей для уникальных, и даже
единственных в своём роде, компьютерных систем. Позднее от дорогостоящего способа
разработки процессоров, предназначенных для выполнения одной единственной или
нескольких узкоспециализированных программ, производители компьютеров перешли к
серийному изготовлению типовых классов многоцелевых процессорных устройств. Тенденция
к стандартизации компьютерных комплектующих зародилась в эпоху бурного
развития полупроводниковых элементов, мейнфреймов и миникомпьютеров, а с появлением
интегральных схем она стала ещё более популярной. Создание микросхем позволило ещё
больше увеличить сложность ЦП с одновременным уменьшением их физических размеров.
Стандартизация и миниатюризация процессоров привели к глубокому проникновению
основанных на них цифровых устройств в повседневную жизнь человека. Современные
процессоры можно найти не только в таких высокотехнологичных устройствах, как
компьютеры, но и в автомобилях,калькуляторах, мобильных телефонах и даже в
детских игрушках. Чаще всего они представленымикроконтроллерами, где, помимо
вычислительного устройства, на кристалле расположены дополнительные компоненты
(память программ и данных, интерфейсы, порты ввода-вывода, таймеры и др.). Современные
вычислительные возможности микроконтроллера сравнимы с процессорами персональных
ЭВМ десятилетней давности, а чаще даже значительно превосходят их показатели.

Содержание
  [убрать] 

 1 История
o 1.1 Перспективы
 2 Архитектура фон Неймана
o 2.1 Конвейерная архитектура
o 2.2 Суперскалярная архитектура
o 2.3 CISC-процессоры
o 2.4 RISC-процессоры
o 2.5 MISC-процессоры
o 2.6 VLIW-процессоры
o 2.7 Многоядерные процессоры
o 2.8 Кэширование
 3 Гарвардская архитектура
 4 Параллельная архитектура
o 4.1 Цифровые сигнальные процессоры
 5 Процесс изготовления
o 5.1 Энергопотребление процессоров
o 5.2 Рабочая температура процессора
o 5.3 Тепловыделение процессоров и отвод тепла
o 5.4 Измерение и отображение температуры микропроцессора
 6 Производители
o 6.1 СССР/Россия
o 6.2 Китай
o 6.3 Япония
 7 Миф о мегагерцах
 8 См. также
 9 Примечания
 10 Литература
 11 Ссылки

История[править | править вики-текст]
История развития производства процессоров полностью соответствует истории развития
технологии производства прочих электронных компонентов и схем.
Первым этапом, затронувшим период с 1940-х по конец 1950-х годов, было создание
процессоров с использованием электромеханических реле, ферритовых сердечников
(устройств памяти) и вакуумных ламп. Они устанавливались в специальные разъёмы на
модулях, собранных в стойки. Большое количество таких стоек, соединённых проводниками, в
сумме представляли процессор. Отличительной особенностью была низкая надёжность,
низкое быстродействие и большое тепловыделение.
Вторым этапом, с середины 1950-х до середины 1960-х, стало внедрение транзисторов.
Транзисторы монтировались уже на близкие к современным по виду платам,
устанавливаемым в стойки. Как и ранее, в среднем процессор состоял из нескольких таких
стоек. Возросло быстродействие, повысилась надёжность, уменьшилось энергопотребление.
Третьим этапом, наступившим в середине 1960-х годов, стало использование микросхем.
Первоначально использовались микросхемы низкой степени интеграции, содержащие
простые транзисторные и резисторные сборки, затем, по мере развития технологии, стали
использоваться микросхемы, реализующие отдельные элементы цифровой схемотехники
(сначала элементарные ключи и логические элементы, затем более сложные элементы —
элементарные регистры, счётчики, сумматоры), позднее появились микросхемы, содержащие
функциональные блоки процессора — микропрограммное устройство, арифметическо-
логическое устройство, регистры, устройства работы с шинами данных и команд.
Четвёртым этапом, в начале 1970-х годов, стало создание, благодаря прорыву в
технологии создания БИС иСБИС (больших и сверхбольших интегральных схем,
соответственно), микропроцессора — микросхемы, на кристалле которой физически были
расположены все основные элементы и блоки процессора. Фирма Intel в 1971 году создала
первый в мире 4-разрядный микропроцессор 4004, предназначенный для использования в
микрокалькуляторах. Постепенно практически все процессоры стали выпускаться в формате
микропроцессоров. Исключением долгое время оставались только малосерийные
процессоры, аппаратно оптимизированные для решения специальных задач (например,
суперкомпьютеры или процессоры для решения ряда военных задач), либо процессоры, к
которым предъявлялись особые требования по надёжности, быстродействию или защите от
электромагнитных импульсов и ионизирующей радиации. Постепенно, с удешевлением и
распространением современных технологий, эти процессоры также начинают
изготавливаться в формате микропроцессора.
Сейчас слова микропроцессор и процессор практически стали синонимами, но тогда это было
не так, потому что обычные (большие) и микропроцессорные ЭВМ мирно сосуществовали
ещё, по крайней мере, 10—15 лет, и только в начале 1980-х годов микропроцессоры
вытеснили своих старших собратьев. Тем не менее, центральные процессорные устройства
некоторых суперкомпьютеров даже сегодня представляют собой сложные комплексы,
построенные на основе микросхем большой и сверхбольшой степени интеграции.
Переход к микропроцессорам позволил потом создать персональные компьютеры, которые
проникли почти в каждый дом.
Первым общедоступным микропроцессором был 4-разрядный Intel 4004, представленный 15
ноября 1971 годакорпорацией Intel. Он содержал 2300 транзисторов, работал на тактовой
частоте 92,6 кГц[1] и стоил 300 долл.
Далее его сменили 8-разрядный Intel 8080 и 16-разрядный 8086, заложившие основы
архитектуры всех современных настольных процессоров. Из-за распространённости 8-
разрядных модулей памяти был выпущен дешевый 8088, упрощенная версия 8086, с 8-
разрядной шиной данных.
Затем проследовала его модификация, 80186.
В процессоре 80286 появился защищённый режим с 24-битной адресацией, позволявший
использовать до 16 Мб памяти.
Процессор Intel 80386 появился в 1985 году и привнёс улучшенный защищённый режим, 32-
битную адресацию, позволившую использовать до 4 Гб оперативной памяти и поддержку
механизма виртуальной памяти. Эта линейка процессоров построена
на регистровой вычислительной модели.
Параллельно развиваются микропроцессоры, взявшие за основу стековую вычислительную
модель.
За годы существования микропроцессоров было разработано множество различных
их архитектур. Многие из них (в дополненном и усовершенствованном виде) используются и
поныне. Например, Intel x86, развившаяся вначале в 32-битную IA-32, а позже в 64-битную
x86-64 (которая у Intel называется EM64T). Процессоры архитектуры x86 вначале
использовались только в персональных компьютерах компании IBM (IBM PC), но в настоящее
время всё более активно используются во всех областях компьютерной индустрии, от
суперкомпьютеров до встраиваемых решений. Также можно перечислить такие архитектуры,
как Alpha, POWER, SPARC, PA-RISC, MIPS (RISC-архитектуры) и IA-64(EPIC-архитектура).
В современных компьютерах процессоры выполнены в виде компактного модуля (размерами
около 5×5×0,3 см), вставляющегося в ZIF-сокет (AMD) или на подпружинивающую
конструкцию — LGA (Intel). Особенностью разъёма LGA является то, что выводы перенесены
с корпуса процессора на сам разъём — socket, находящийся на материнской плате. Большая
часть современных процессоров реализована в виде одного полупроводникового кристалла,
содержащего миллионы, а с недавнего времени даже миллиарды транзисторов.
Перспективы[править | править вики-текст]
В перспективе изменится материальная часть процессоров ввиду того, что технологический
процесс достигнет физических пределов производства. Имеются различные направления.

 Оптические компьютеры — в которых вместо электрических сигналов обработке


подвергаются потоки света (фотоны, а не электроны).
 Квантовые компьютеры, работа которых всецело базируется на квантовых эффектах.
В настоящее время ведутся работы над созданием рабочих версий квантовых
процессоров.
 Молекулярные компьютеры — вычислительные системы, использующие
вычислительные возможности молекул (преимущественно органических). Молекулярными
компьютерами используется идея вычислительных возможностей расположения атомов в
пространстве.

Архитектура фон Неймана[править | править вики-текст]


Основная статья: Архитектура фон Неймана

Большинство современных процессоров для персональных компьютеров в общем основаны


на той или иной версии циклического процесса последовательной обработки данных,
изобретённого[источник  не  указан  1429  дней] Джоном фон Нейманом.
Дж. фон Нейман придумал[источник  не  указан  1429  дней] схему постройки компьютера в 1946 году.
Отличительной особенностью архитектуры фон Неймана является то, что инструкции и
данные хранятся в одной и той же памяти.
В различных архитектурах и для различных команд могут потребоваться дополнительные
этапы. Например, дляарифметических команд могут потребоваться дополнительные
обращения к памяти, во время которых производится считывание операндов и запись
результатов.
Этапы цикла выполнения:

1. Процессор выставляет число, хранящееся в регистре счётчика команд, на шину


адреса и отдаёт памятикоманду чтения.
2. Выставленное число является для памяти адресом; память, получив адрес и команду
чтения, выставляет содержимое, хранящееся по этому адресу, на шину данных и
сообщает о готовности.
3. Процессор получает число с шины данных, интерпретирует его как команду
(машинную инструкцию) из своейсистемы команд и исполняет её.
4. Если последняя команда не является командой перехода, процессор увеличивает на
единицу (в предположении, что длина каждой команды равна единице) число,
хранящееся в счётчике команд; в результате там образуется адрес следующей
команды.
Данный цикл выполняется неизменно, и именно он называется процессом (откуда и
произошло название устройства).
Во время процесса процессор считывает последовательность команд, содержащихся в
памяти, и исполняет их. Такая последовательность команд называется программой и
представляет алгоритм работы процессора. Очерёдность считывания команд изменяется в
случае, если процессор считывает команду перехода, — тогда адрес следующей команды
может оказаться другим. Другим примером изменения процесса может служить случай
получения команды остановка или переключение в режим обработки прерывания.
Команды центрального процессора являются самым нижним уровнем управления
компьютером, поэтому выполнение каждой команды неизбежно и безусловно. Не
производится никакой проверки на допустимость выполняемых действий, в частности, не
проверяется возможная потеря ценных данных. Чтобы компьютер выполнял только
допустимые действия, команды должны быть соответствующим образом организованы в виде
необходимой программы.
Скорость перехода от одного этапа цикла к другому определяется тактовым генератором.
Тактовый генератор вырабатывает импульсы, служащие ритмом для центрального
процессора. Частота тактовых импульсов называетсятактовой частотой.
Конвейерная архитектура[править | править вики-текст]
Основная статья: Вычислительный конвейер

Конвейерная архитектура (англ. pipelining) была введена в центральный процессор с целью


повышения быстродействия. Обычно для выполнения каждой команды требуется
осуществить некоторое количество однотипных операций, например: выборка команды
из ОЗУ, дешифровка команды, адресация операнда в ОЗУ, выборка операнда из ОЗУ,
выполнение команды, запись результата в ОЗУ. Каждую из этих операций сопоставляют
одной ступени конвейера. Например, конвейер микропроцессора с архитектурой MIPS-
I содержит четыре стадии:

 получение и декодирование инструкции,


 адресация и выборка операнда из ОЗУ,
 выполнение арифметических операций,
 сохранение результата операции.
После освобождения  -й ступени конвейера она сразу приступает к работе над следующей
командой. Если предположить, что каждая ступень конвейера тратит единицу времени на
свою работу, то выполнение команды на конвейере длиной в   ступеней займёт   единиц
времени, однако в самом оптимистичном случае результат выполнения каждой следующей
команды будет получаться через каждую единицу времени.
Действительно, при отсутствии конвейера выполнение команды займёт   единиц времени
(так как для выполнения команды по-прежнему необходимо выполнять выборку, дешифровку
и т. д.), и для исполнения   команд понадобится   единиц времени; при использовании
конвейера (в самом оптимистичном случае) для выполнения   команд понадобится всего
лишь   единиц времени.
Факторы, снижающие эффективность конвейера:

1. Простой конвейера, когда некоторые ступени не используются (например, адресация и


выборка операнда из ОЗУ не нужны, если команда работает с регистрами).
2. Ожидание: если следующая команда использует результат предыдущей, то последняя
не может начать выполняться до выполнения первой (это преодолевается при
использовании внеочередного выполнения команд — out-of-order execution).
3. Очистка конвейера при попадании в него команды перехода (эту проблему удаётся
сгладить, используя предсказание переходов).
Некоторые современные процессоры имеют более 30 ступеней в конвейере, что повышает
производительность процессора, но, однако, приводит к увеличению длительности простоя
(например, в случае ошибки в предсказании условного перехода). Не существует единого
мнения по поводу оптимальной длины конвейера: различные программы могут иметь
существенно различные требования.
Суперскалярная архитектура[править | править вики-текст]
Способность выполнения нескольких машинных инструкций за один такт процессора путем
увеличения числа исполнительных устройств. Появление этой технологии привело к
существенному увеличению производительности, в то же время существует определенный
предел роста числа исполнительных устройств, при превышении которого
производительность практически перестает расти, а исполнительные устройства
простаивают. Частичным решением этой проблемы является, например, технология Hyper-
threading.
CISC-процессоры[править | править вики-текст]
Complex instruction set computer — вычисления со сложным набором команд. Процессорная
архитектура, основанная на усложнённом наборе команд. Типичными
представителями CISC являются микропроцессоры семейства x86 (хотя уже много лет эти
процессоры являются CISC только по внешней системе команд: в начале процесса
исполнения сложные команды разбиваются на более простые микрооперации (МОП),
исполняемые RISC-ядром).
RISC-процессоры[править | править вики-текст]
Reduced instruction set computer — вычисления с упрощённым набором команд (в литературе
слово reduced нередко ошибочно переводят как «сокращённый»). Архитектура процессоров,
построенная на основе упрощённого набора команд, характеризуется наличием команд
фиксированной длины, большого количества регистров, операций типа регистр-регистр, а
также отсутствием косвенной адресации. Концепция RISC разработана Джоном
Коком из IBMResearch, название придумано Дэвидом Паттерсоном (David Patterson).
Упрощение набора команд призвано сократить конвейер, что позволяет избежать задержек на
операциях условных и безусловных переходов. Однородный набор регистров упрощает
работу компилятора при оптимизации исполняемого программного кода. Кроме того, RISC-
процессоры отличаются меньшим энергопотреблением и тепловыделением.
Среди первых реализаций этой архитектуры были
процессоры MIPS, PowerPC, SPARC, Alpha, PA-RISC. В мобильных устройствах широко
используются ARM-процессоры.
MISC-процессоры[править | править вики-текст]
Minimum instruction set computer — вычисления с минимальным набором команд. Дальнейшее
развитие идей команды Чака Мура, который полагает, что принцип простоты, изначальный
для RISC-процессоров, слишком быстро отошёл на задний план. В пылу борьбы за
максимальное быстродействие, RISC догнал и обогнал многие CISC-процессоры по
сложности. Архитектура MISC строится на стековой вычислительной модели с ограниченным
числом команд (примерно 20—30 команд).
VLIW-процессоры[править | править вики-текст]
Very long instruction word — сверхдлинное командное слово. Архитектура процессоров с явно
выраженным параллелизмом вычислений, заложенным в систему команд процессора.
Являются основой для архитектуры EPIC. Ключевым отличием от суперскалярных CISC-
процессоров является то, что для них загрузкой исполнительных устройств занимается часть
процессора (планировщик), на что отводится достаточно малое время, в то время как
загрузкой вычислительных устройств для VLIW-процессора занимается компилятор, на что
отводится существенно больше времени (качество загрузки и, соответственно,
производительность теоретически должны быть выше). Примером VLIW-процессора является
Intel Itanium.
Многоядерные процессоры[править | править вики-текст]
Основная статья: Многоядерный процессор

Информация в этой статье или некоторых её разделах устарела.

Вы можете помочь проекту, обновив её и убрав после этого данный шаблон.

Содержат несколько процессорных ядер в одном корпусе (на одном или нескольких
кристаллах).
Процессоры, предназначенные для работы одной копии операционной системы на нескольких
ядрах, представляют собой высокоинтегрированную реализацию мультипроцессорности.
Первым многоядерным микропроцессором стал POWER4 от IBM, появившийся в 2001 году и
имевший два ядра.
В октябре 2004 года Sun Microsystems выпустила двухъядерный процессор UltraSPARC IV,
который состоял из двух модифицированных ядер UltraSPARC III. В начале 2005 был создан
двухъядерный UltraSPARC IV+.
14 ноября 2005 года Sun выпустила восьмиядерный UltraSPARC T1, каждое ядро которого
выполняло 4 потока.
5 января 2006 года Intel представила первый двухъядерный процессор на одном кристалле
Core Duo, для мобильной платформы.
В ноябре 2006 года вышел первый четырёхъядерный процессор Intel Core 2 Quad на ядре
Kentsfield, представляющий собой сборку из двух кристаллов Conroe в одном корпусе.
Потомком этого процессора стал Intel Core 2 Quad на ядре Yorkfield (45 нм), архитектурно
схожем с Kentsfield, но имеющем больший объём кэша и рабочие частоты.
В октябре 2007 года в продаже появились восьмиядерные UltraSPARC T2, каждое ядро
выполняло 8 потоков.
10 сентября 2007 года были выпущены в продажу настоящие (в виде одного кристалла)
четырёхъядерные процессоры для серверов AMD Opteron, имевшие в процессе разработки
кодовое название AMD Opteron Barcelona. [2] 19 ноября 2007 года вышел в продажу
четырёхъядерный процессор для домашних компьютеров AMD Phenom.[3]Эти процессоры
реализуют новую микроархитектуру K8L (K10).
Компания AMD пошла по собственному пути, изготовляя четырёхъядерные процессоры
единым кристаллом (в отличие от Intel, первые четырёхъядерные процессоры которой
представляют собой фактически склейку двух двухъядерных кристаллов). Несмотря на всю
прогрессивность подобного подхода, первый «четырёхъядерник» фирмы, названный AMD
Phenom X4, получился не слишком удачным. Его отставание от современных ему
процессоров конкурента составляло от 5 до 30 и более процентов в зависимости от модели и
конкретных задач[4].
К 1—2 кварталу 2009 года обе компании обновили свои линейки четырёхъядерных
процессоров. Intel представила семейство Core i7, состоящее из трёх моделей, работающих
на разных частотах. Основными изюминками данного процессора является использование
трёхканального контроллера памяти (типа DDR3) и технологии эмулированиявосьми ядер
(полезно для некоторых специфических задач). Кроме того, благодаря общей оптимизации
архитектуры удалось значительно повысить производительность процессора во многих типах
задач. Слабой стороной платформы, использующей Core i7, является её чрезмерная
стоимость, так как для установки данного процессора необходима дорогая материнская плата
на чипсете Intel X58 и трёхканальный набор памяти типа DDR3, также имеющий на данный
момент высокую стоимость.
Компания AMD, в свою очередь, представила линейку процессоров Phenom II X4. При её
разработке компания учла свои ошибки: был увеличен объём кэша (по сравнению с первым
поколением Phenom), процессоры стали изготавливаться по 45-нм техпроцессу (это,
соответственно, позволило снизить тепловыделение и значительно повысить рабочие
частоты). В целом, AMD Phenom II X4 по производительности стоит вровень с процессорами
Intel предыдущего поколения (ядро Yorkfield) и весьма значительно отстаёт от Intel Core i7 [5]. С
выходом 6-ядерного процессора AMD Phenom II X6 Black Thuban 1090T ситуация немного
изменилась в пользу AMD.
По состоянию на 2013 год массово доступны процессоры с двумя, тремя, четырьмя и шестью
ядрами, а также двух-, трёх- и четырёх-модульные процессоры AMD поколения Bulldozer. В
серверном сегменте также доступны 8-ядерные процессоры Xeon и Nehalem (Intel) и 12-
ядерные Opteron (AMD).[6]
Подробнее по этой теме см.: en:Microprocessor chronology#2010s.

Кэширование[править | править вики-текст]
Основная статья: Кэш процессора

Кэширование — это использование дополнительной быстродействующей памяти (так


называемого кэша —англ. cache, от фр. cacher — «прятать») для хранения копий блоков
информации из основной (оперативной) памяти, вероятность обращения к которым в
ближайшее время велика.
Различают кэши 1-, 2- и 3-го уровней (обозначаются L1, L2 и L3 — от Level 1, Level 2 и Level
3). Кэш 1-го уровня имеет наименьшую латентность (время доступа), но малый размер, кроме
того, кэши первого уровня часто делаются многопортовыми. Так, процессоры AMD K8 умели
производить одновременно 64-битные запись и чтение, либо два 64-битных чтения за такт,
AMD K8L может производить два 128-битных чтения или записи в любой комбинации.
Процессоры Intel Core 2 могут производить 128-битные запись и чтение за такт. Кэш 2-го
уровня обычно имеет значительно большую латентность доступа, но его можно сделать
значительно больше по размеру. Кэш 3-го уровня — самый большой по объёму и довольно
медленный, но всё же он гораздо быстрее, чем оперативная память.

Гарвардская архитектура[править | править вики-текст]


Основная статья: Гарвардская архитектура

Гарвардская архитектура отличается от архитектуры фон Неймана тем, что программный код
и данные хранятся в разной памяти. В такой архитектуре невозможны многие методы
программирования (например, программа не может во время выполнения менять свой код;
невозможно динамически перераспределять память между программным кодом и данными);
зато гарвардская архитектура позволяет более эффективно выполнять работу в случае
ограниченных ресурсов, поэтому она часто применяется во встраиваемых системах.

Параллельная архитектура[править | править вики-текст]


Архитектура фон Неймана обладает тем недостатком, что она последовательная. Какой бы
огромный массив данных ни требовалось обработать, каждый его байт должен будет пройти
через центральный процессор, даже если над всеми байтами требуется провести одну и ту
же операцию. Этот эффект называется узким горлышком фон Неймана.
Для преодоления этого недостатка предлагались и предлагаются архитектуры процессоров,
которые называютсяпараллельными. Параллельные процессоры используются
в суперкомпьютерах.
Возможными вариантами параллельной архитектуры могут служить (по классификации
Флинна):

 SISD — один поток команд, один поток данных;


 SIMD — один поток команд, много потоков данных;
 MISD — много потоков команд, один поток данных;
 MIMD — много потоков команд, много потоков данных.
Цифровые сигнальные процессоры[править | править вики-текст]
Основная статья: Цифровой сигнальный процессор

Для цифровой обработки сигналов, особенно при ограниченном времени обработки,


применяют специализированные высокопроизводительные сигнальные микропроцессоры
(англ. digital signal processor, DSP) с параллельной архитектурой.

Процесс изготовления[править | править вики-текст]


Первоначально перед разработчиками ставится техническое задание, исходя из которого
принимается решение о том, какова будет архитектура будущего процессора, его внутреннее
устройство, технология изготовления. Перед различными группами ставится задача
разработки соответствующих функциональных блоков процессора, обеспечения их
взаимодействия, электромагнитной совместимости. В связи с тем, что процессор фактически
является цифровым автоматом, полностью отвечающим принципам булевой алгебры, с
помощью специализированного программного обеспечения, работающего на другом
компьютере, строится виртуальная модель будущего процессора. На ней проводится
тестирование процессора, исполнение элементарных команд, значительных объёмов кода,
отрабатывается взаимодействие различных блоков устройства, ведётся оптимизация, ищутся
неизбежные при проекте такого уровня ошибки.
После этого из цифровых базовых матричных кристаллов и микросхем, содержащих
элементарные функциональные блоки цифровой электроники, строится физическая модель
процессора, на которой проверяются электрические и временные характеристики процессора,
тестируется архитектура процессора, продолжается исправление найденных ошибок,
уточняются вопросы электромагнитной совместимости (например, при практически рядовой
тактовой частоте в 1 ГГц отрезки проводника длиной в 7 мм уже работают как излучающие
или принимающие антенны).
Затем начинается этап совместной работы инженеров-схемотехников и инженеров-
технологов, которые с помощью специализированного программного обеспечения
преобразуют электрическую схему, содержащую архитектуру процессора, в топологию
кристалла. Современные системы автоматического проектирования позволяют, в общем
случае, из электрической схемы напрямую получить пакет трафаретов для создания масок.
На этом этапе технологи пытаются реализовать технические решения, заложенные
схемотехниками, с учётом имеющейся технологии. Этот этап является одним из самых долгих
и сложных в разработке и иногда требует компромиссов со стороны схемотехников по отказу
от некоторых архитектурных решений. Следует отметить, что ряд производителей заказных
микросхем (foundry) предлагает разработчикам (дизайн-центру или fabless) компромиссное
решение, при котором на этапе конструирования процессора используются представленные
ими стандартизованные в соответствии с имеющейся технологией библиотеки элементов и
блоков (Standard cell). Это вводит ряд ограничений на архитектурные решения, зато этап
технологической подгонки фактически сводится к игре в конструктор «Лего». В общем случае,
изготовленные по индивидуальным проектам микропроцессоры являются более быстрыми по
сравнению с процессорами, созданными на основании имеющихся библиотек.
Основная статья: Технологический процесс в электронной промышленности

Следующим, после этапа проектирования, является создание прототипа кристалла


микропроцессора. При изготовлении современных сверхбольших интегральных схем
используется метод литографии. При этом на подложку будущего микропроцессора (тонкий
круг из монокристаллического кремния, либо сапфира) через специальные маски,
содержащие прорези, поочерёдно наносятся слои проводников, изоляторов и
полупроводников. Соответствующие вещества испаряются в вакууме и осаждаются сквозь
отверстия маски на кристалле процессора. Иногда используется травление, когда
агрессивная жидкость разъедает не защищённые маской участки кристалла. Одновременно
на подложке формируется порядка сотни процессорных кристаллов. В результате появляется
сложная многослойная структура, содержащая от сотен тысяч до миллиардов транзисторов. В
зависимости от подключения транзистор работает в микросхеме как транзистор, резистор,
диод или конденсатор. Создание этих элементов на микросхеме отдельно, в общем случае,
невыгодно. После окончания процедуры литографии подложка распиливается на
элементарные кристаллы. К сформированным на них контактным площадкам (из золота)
припаиваются тонкие золотые проводники, являющиеся переходниками к контактным
площадкам корпуса микросхемы. Далее, в общем случае, крепится теплоотвод кристалла и
крышка микросхемы.
Затем начинается этап тестирования прототипа процессора, когда проверяется его
соответствие заданным характеристикам, ищутся оставшиеся незамеченными ошибки. Только
после этого микропроцессор запускается в производство. Но даже во время производства
идёт постоянная оптимизация процессора, связанная с совершенствованием технологии,
новыми конструкторскими решениями, обнаружением ошибок.
Следует отметить, что параллельно с разработкой универсальных микропроцессоров
разрабатываются наборы периферийных схем ЭВМ, которые будут использоваться с
микропроцессором и на основе которых создаются материнские платы. Разработка
микропроцессорного набора (чипсета, англ. chipset) представляет задачу, не менее сложную,
чем создание собственно микросхемы микропроцессора.
В последние несколько лет наметилась тенденция переноса части компонентов чипсета
(контроллер памяти, контроллер шины PCI Express) в состав процессора (подробнее
см.: Система на кристалле).
Энергопотребление процессоров[править | править вики-текст]
С технологией изготовления процессора тесно связано и его энергопотребление.
Первые процессоры архитектуры x86 потребляли мизерное (по современным меркам)
количество энергии, составляющее доли ватта. Увеличение количества транзисторов и
повышение тактовой частоты процессоров привело к существенному росту данного
параметра. Наиболее производительные модели потребляют до 130 и более ватт. Фактор
энергопотребления, несущественный на первых порах, сейчас оказывает серьёзное влияние
на эволюцию процессоров:

 совершенствование технологии производства для уменьшения потребления, поиск


новых материалов для снижения токов утечки, понижение напряжения питания ядра
процессора;
 появление сокетов (разъемов для процессоров) с большим числом контактов (более
1000), большинство которых предназначено для питания процессора. Так у процессоров
для популярного сокета LGA775 число контактов основного питания составляет 464 штуки
(около 60 % от общего количества);
 изменение компоновки процессоров. Кристалл процессора переместился с внутренней
на внешнюю сторону, для лучшего отвода тепла к радиатору системы охлаждения;
 интеграция в кристалл температурных датчиков и системы защиты от перегрева,
снижающей частоту процессора или вообще останавливающей его при недопустимом
увеличении температуры;
 появление в новейших процессорах интеллектуальных систем, динамически
меняющих напряжение питания, частоту отдельных блоков и ядер процессора, и
отключающих неиспользуемые блоки и ядра;
 появление энергосберегающих режимов для «засыпания» процессора, при низкой
нагрузке.
Рабочая температура процессора[править | править вики-текст]
Ещё один параметр ЦП — максимально допустимая температура полупроводникового
кристалла (TJMax), или поверхности процессора, при которой возможна нормальная работа.
Многие бытовые процессоры работоспособны при температурах поверхности (кристалла) не
выше 85 °C[7][8]. Температура процессора зависит от его загруженности и от качества
теплоотвода. При температуре, превышающей максимально допустимую производителем,
нет гарантии, что процессор будет функционировать нормально. В таких случаях возможны
ошибки в работе программ или зависание компьютера. В отдельных случаях возможны
необратимые изменения внутри самого процессора. Многие современные процессоры могут
обнаруживать перегрев и ограничивать собственные характеристики в этом случае.
Тепловыделение процессоров и отвод тепла[править | править вики-текст]
Для теплоотвода от микропроцессоров применяются пассивные радиаторы и
активные кулеры.
Измерение и отображение температуры
микропроцессора[править | править вики-текст]
Для измерения температуры микропроцессора, обычно внутри микропроцессора, в области
центра крышки микропроцессора устанавливается датчик температуры микропроцессора. В
микропроцессорах Intel датчик температуры — термодиод или транзистор с замкнутыми
коллектором и базой в качестве термодиода, в микропроцессорах AMD — терморезистор.

Производители[править | править вики-текст]
Наиболее популярные процессоры сегодня производят фирмы Intel, AMD и IBM.
Большинство процессоров, используемых в настоящее время, являются Intel-совместимыми,
то есть имеют набор инструкций и интерфейсы программирования, сходные с используемыми
в процессорах компании Intel.
Процессоры Intel: 8086, 80286, i386, i486, Pentium, Pentium II, Pentium III, Celeron (упрощённый
вариант Pentium),Pentium 4, Core 2 Duo, Core 2 Quad, Core i3, Core i5, Core i7, Xeon (серия
процессоров для серверов), Itanium, Atom(серия процессоров для встраиваемой техники) и
др.
AMD имеет в своей линейке процессоры архитектуры x86 (аналоги 80386 и 80486, семейство
K6 и семейство K7 —Athlon, Duron, Sempron) и x86-64 (Athlon 64, Athlon 64
X2, Phenom, Opteron и др.). Процессоры IBM (POWER6,POWER7, Xenon, PowerPC)
используются в суперкомпьютерах, в видеоприставках 7-го поколения, встраиваемой технике;
ранее использовались в компьютерах фирмы Apple.
По данным компании IDC, по итогам 2009 года на рынке микропроцессоров для настольных
ПК, ноутбуков и серверов доля корпорации Intel составила 79,7 %, доля AMD — 20,1 %.[9]
Доли по годам:
Год Intel AMD Другие

2007 78,9 % 13,1 % 8,0 %

2008 80,4 % 19,3 % 0,3 %

2009 79,7 % 20,1 % 0,2 %

2010 80,8 % 18,9 % 0,3 %

2011[10] 83,7 % 10,2 % 6,1 %

СССР/Россия[править | править вики-текст]
Основная статья: Российские микропроцессоры

В советское время одним из самых востребованных из-за его непосредственной простоты и


понятности стал задействованный в учебных целях МПК КР580 — набор микросхем, копия
набора микросхем Intel 82xx. Использовался в отечественных компьютерах, таких, как Радио
86РК, ЮТ-88, Микроша и т. д.
Разработкой микропроцессоров в России занимаются ЗАО «МЦСТ», НИИСИ РАН и ЗАО «ПКК
Миландр». Также разработку специализированных микропроцессоров, ориентированных на
создание нейронных систем и цифровую обработку сигналов, ведут НТЦ «Модуль» и ГУП
НПЦ «ЭЛВИС». Ряд серий микропроцессоров также производит ОАО «Ангстрем».
НИИСИ разрабатывает процессоры серии «Комдив» на основе архитектуры MIPS.
Техпроцесс — 0,5 мкм, 0,3 мкм; КНИ.

 КОМДИВ32 (англ.), 1890ВМ1Т, в том числе в варианте КОМДИВ32-С (5890ВЕ1Т),


стойком к воздействию факторов космического пространства (ионизирующему излучению)
 КОМДИВ64 (англ.), КОМДИВ64-СМП
 Арифметический сопроцессор КОМДИВ128
ЗАО ПКК Миландр разрабатывает 16-разрядный процессор цифровой обработки сигналов и
2-ядерный процессор:

 2011 год, 1967ВЦ1Т[11] — 16-разрядный процессор цифровой обработки сигналов,


частота 50 МГц, КМОП 0,35 мкм
 2011 год, 1901ВЦ1Т — 2-ядерный процессор, DSP (100 МГц) и RISC (100 МГц), КМОП
0,18 мкм
НТЦ «Модуль» разработал и предлагает микропроцессоры семейства NeuroMatrix:[12]

 1998 год, 1879ВМ1 (NM6403) — высокопроизводительный специализированный


микропроцессор цифровой обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD
архитектурой. Технология изготовления — КМОП 0,5 мкм, частота 40 МГц.
 2007 год, 1879ВМ2 (NM6404) — модификация 1879ВМ1 с увеличенной до 80 МГц
тактовой частотой и 2Мбитным ОЗУ, размещённым на кристалле процессора. Технология
изготовления — 0,25 мкм КМОП.
 2009 год, 1879ВМ4 (NM6405) — высокопроизводительный процессор цифровой
обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD архитектурой на базе
запатентованного 64-разрядного процессорного ядра NeuroMatrix. Технология
изготовления — 0,25 мкм КМОП, тактовая частота 150 МГц.
 2011 год, 1879ВМ5Я (NM6406) — высокопроизводительный процессор цифровой
обработки сигналов с векторно-конвейерной VLIW/SIMD архитектурой на базе
запатентованного 64-разрядного процессорного ядра NeuroMatrix. Технология
изготовления — 90нм КМОП, тактовая частота — 300 МГц.
 СБИС 1879ВМ3 — программируемый микроконтроллер с ЦАП и АЦП. Частота
выборок — до 600 МГц (АЦП) и до 300 МГц (ЦАП). Максимальная тактовая частота — 150
МГц.[13]
ГУП НПЦ ЭЛВИС разрабатывает и производит микропроцессоры серии «Мультикор»[14],
отличительной особенностью которых является несимметричная многоядерность. При этом
физически в одной микросхеме содержатся одно CPU RISC-ядро с архитектурой MIPS32,
выполняющее функции центрального процессора системы, и одно или более ядер
специализированного процессора-акселератора для цифровой обработки сигналов с
плавающей/фиксированной точкой ELcore-xx (ELcore = Elvees’s core), основанного на
«гарвардской» архитектуре. CPU-ядро является ведущим в конфигурации микросхемы и
выполняет основную программу. Для CPU-ядра обеспечен доступ к ресурсам DSP-ядра,
являющегося ведомым по отношению к CPU-ядру. CPU микросхемы поддерживает ядро ОС
Linux 2.6.19 или ОС жесткого реального времени QNX 6.3 (Neutrino).

 2004 год, 1892ВМ3Т (MC-12) — однокристальная микропроцессорная система с двумя


ядрами. Центральный процессор — MIPS32, сигнальный сопроцессор — SISD ядро
ELcore-14. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 80 МГц. Пиковая
производительность 240 MFLOPs (32 бита).
 2004 год, 1892ВМ2Я (MC-24) — однокристальная микропроцессорная система с двумя
ядрами. Центральный процессор — MIPS32, сигнальный сопроцессор — SIMD ядро
ELcore-24. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 80 МГц. Пиковая
производительность 480 MFLOPs (32 бита).
 2006 год, 1892ВМ5Я (MC-0226) — однокристальная микропроцессорная система с
тремя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, 2 сигнальных сопроцессора — MIMD
ядро ELcore-26. Технология изготовления — КМОП 250 нм, частота 100 МГц. Пиковая
производительность 1200 MFLOPs (32 бита).
 2008 год, NVCom-01 («Навиком») — однокристальная микропроцессорная система с
тремя ядрами. Центральный процессор — MIPS32, 2 сигнальных сопроцессора — MIMD
DSP-кластер DELCore-30 (Dual ELVEES Core). Технология изготовления — КМОП 130 нм,
частота 300 МГц. Пиковая производительность — 3600 MFLOPs (32 бита). Разработан в
качестве телекоммуникационного микропроцессора, содержит встроенную функцию 48-
канальной ГЛОНАСС/GPS-навигации.
 2012 год, 1892ВМ7Я (ранее был известен как MC-0428) — однокристальная
микропроцессорная гетерогенная система с четырьмя ядрами. Новый центральный
процессор — MIPS RISCore32F64 с интегрированным 32-/64-разрядным математическим
акселератором и 2*16Кбайт (16К команды и 16К данные) кэш памятью первого уровня, 3
сигнальных сопроцессора — модернизированное MIMD-ядро ELcore. Технология
изготовления — КМОП 130 нм, частота 300 МГц. Пиковая производительность 9600
MFLOPs (32 бита). Корпус BGA-756.
 2012 год, NVCom-02T («Навиком-02Т») — однокристальная микропроцессорная
система с тремя гетерогенными ядрами. Ведущий процессор — RISCore32F64,
сигнальные сопроцессоры — MIMD DSP-кластер DELCore-30М. Сигнальные
сопроцессоры организованны в двухпроцессорный кластер, поддерживающий вычисления
с плавающей и фиксированной точкой, и интегрированный с 48-и канальным
коррелятором для ГЛОНАСС/GPS-навигации. Сигнальные ядра имеют ряд новых
возможностей, в том числе аппаратные команды для обработки графики (IEEE-754),
аппаратную реализацию кодирования/декодирования по Хаффману; расширены
возможности использования внешних прерываний; организован доступ ядер DSP к
внешнему адресному пространству, возможно отключение частоты только от CPU.
Технология изготовления — КМОП 130 нм, частота 250 МГц. Пиковая
производительность — 4,0 GFLOPs (32 бита). Имеет пониженную потребляемую
мощность.
В качестве перспективной модели представляется микропроцессор под обозначением
«Мультиком-02» (MCom-02), позиционируемый как мультимедийный сетевой многоядерный
процессор.
ОАО «Multiclet» разрабатывает и производит на сторонних мощностях микропроцессоры по
запатентованной ею мультиклеточной технологии.

 2012 год, MCp0411100101 — универсальный микропроцессор, ориентированный на


задачи управления и цифровой обработки сигналов. Поддерживает аппаратные операции
с плавающей запятой. Технология изготовления — КМОП 180 нм, частота 100 МГц.
Пиковая производительность 2,4 GFLOPs (32 бита). Приёмка — ОТК 1,3 и 5.
ОАО «Ангстрем» производит (не разрабатывает) следующие серии микропроцессоров:

 1839 — 32-разрядный VAX-11/750-совместимый микропроцессорный комплект из 6


микросхем. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота 10 МГц.
 1836ВМ3 — 16-разрядный LSI-11/23-совместимый микропроцессор. Программно
совместим с PDP-11 фирмы DEC. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота —
16 МГц.
 1806ВМ2 — 16-разрядный LSI/2-совместимый микропроцессор. Программно
совместим с LCI-11 фирмы DEC. Технология изготовления — КМОП, тактовая частота — 5
МГц.
 Л1876ВМ1 32-разрядный RISC-микропроцессор. Технология изготовления — КМОП,
тактовая частота — 25 МГц.
Из собственных разработок Ангстрема можно отметить однокристальную 8-разрядную RISC
микроЭВМ Тесей.
Компанией МЦСТ разработано и внедрено в производство семейство универсальных SPARC-
совместимых RISC-микропроцессоров с проектными нормами 90, 130 и 350 нм и частотами от
150 до 1000 МГц (подробнее см. статью о серии — МЦСТ-R и о вычислительных комплексах
на их основе «Эльбрус-90микро»). Также разработан VLIW-процессор «Эльбрус» с
оригинальной архитектурой ELBRUS, используется в комплексах «Эльбрус-3М1»). Прошёл
государственные испытания и рекомендован к производству новый процессор «Эльбрус-
2С+», отличающийся от процессора «Эльбрус» тем, что содержит два ядра на архитектуре
VLIW и четыре ядра DSP (Elcore-09). Основные потребители российских микропроцессоров —
предприятия ВПК.

Оперативная память (ОЗУ),


что это такое? Назначение,
использование ОЗУ и
основные понятия о DDR
SDRAM.

Оперативная память (ОЗУ, RAM — Random Access Memory — eng.) —


относительно быстрая энергозависимая память компьютера с произвольным
доступом, в которой осуществляются большинство операций обмена данными
между устройствами. Является энергозависимой, то есть при отключении
питания, все данные на ней стираются.

Оперативная память является хранилищем всех потоков информации, которые


необходимо обработать процессору или же они дожидаются в оперативной
памяти своей очереди. Все устройства, связывается с оперативной памятью
через системную шину, а с ней в свою очередь обмениваются через кэш или же
напрямую.
Random Access Memory — память с произвольным (прямым) доступом.

Означает это то, что при необходимости, память можетнапрямую обратиться к


одному, необходимому блоку, не затрагивая при этом
остальные. Скоростьпроизвольного доступа не меняется от места нахождения
нужной информации, что является огромным плюсом.
Оперативная память, выгодно отличается от энергозависимой памяти,
практически нулевым влиянием количества операций чтениязаписи на срок
службы и долговечность. При соблюдении всех тонкостей при производстве,
оперативная память очень редко выходит из строя. В большинстве случаев,
повреждённая память, начинает допускать ошибки, которые приводят к краху
системы или нестабильной работе многих устройств компьютера.
Оперативная память может быть как отдельным модулем, который можно
менять и добавлять дополнительные (компьютер например), как и отдельным
блоком устройства или чипа (как вмикроконтроллёрах или простейших SoC).
 

Использование оперативной памяти.


Современные операционные системы, активно используют оперативную
память, для хранения и обработки в ней важных и часто используемых данных.
Если бы в электронных устройствах не использовалась оперативная память, то
все операции происходили бы гораздо медленней и для считывания с
постоянного источника памяти (ПЗУ), требовалось бы значительнобольше
времени. Да и более менее многопоточнаяобработка, была бы практически
невозможна.
Использование оперативной памяти, позволяет приложениям работать и
запускаться быстрее. Данные беспрепятственно могут обрабатываться и ждать
своей очереди благодаря адресуемости (все машинные слова имеют свои
собственные адреса).
Операционная система Windows 7 к примеру, может хранить в памяти часто
используемые файлы, программы и другие данные. Это позволяет при запуске
программ не ждать пока они загрузятся с более медленного диска, а сразу
начнут выполнение. Потому не стоит пугаться, если диспетчер задач показывает
что ваша ОЗУ загружена более чем на 50%. При запуске приложения,
требующего больших ресурсов памяти, более старые данные будут вытеснены
из неё, в пользу более необходимых.
В большинстве устройств, используется динамическая память с
произвольным доступом DRAM (Dynamic Random Access Memory), которая
имеет низкую цену, но медленнее статической SRAM (Static Ramdom Access
Memory). Более дорогая статическая память, нашла своё применение в
быстрой кэш памяти процессоров,видеочипов и контроллёров. Из-за того, что
статическая память занимает на кристалле гораздо больше места, чем
динамическая, во времена быстрого развития компьютерной периферии и
операционных систем, производители пошли по пути большего объёма, а не по
пути более высокой скорости, что было более оправдано.
Наиболее популярной и производительной памятью в персональных
компьютерах, начиная с 2000-х по праву стала DDR SDRAM.

Что примечательно, нет поддержки обратной совместимости ни для одной из


версий. Причина кроется в разных частотах и принципах работы контроллёров
памяти для разных версий.

Потому, невозможно вставить к примеру память DDR3 в слот памяти DDR2,


благодаря выемке в другом месте.
Последующие версии DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM, получили значительный
скачок в росте эффективной частоты. Но реальная прибавка в скорости была
только при переходе с DDR1 на DDR2 благодаря сохранению времени задержки
на приемлемом уровне, при значительном росте частоты работы. DDR3 память
не может похвастаться тем же и при увеличении частоты вдвое, задержки также
увеличиваются почти вдвое. Соответственны выигрыша в скорости работы в
реальных условиях нет. Но есть существенный плюс от перехода к новым
версиям, который всегда действует — это
уменьшение энергопотребления и тепловыделения, что благоприятно
сказывается на стабильности и возможности разгона. Современные
версии DDR3 редко нагреваются более 50 градусов по Цельсию.
Операти́вная па́мять (англ. Random Access Memory, RAM, память спроизвольным
доступом; ОЗУ (оперативное запоминающее устройство); комп.
жарг. память, оперативка) — энергозависимая часть системы компьютерной памяти, в
которой во время работы компьютера хранится выполняемый машинный код (программы), а
также входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые процессором.

Обмен данными между процессором и оперативной памятью производится:

1. непосредственно;
2. через сверхбыструю память 0-го уровня — регистры в АЛУ, либо при
наличии аппаратного кэша процессора — через кэш.

Содержащиеся в современной полупроводниковой оперативной памяти данные доступны и


сохраняются только тогда, когда на модули памяти подаётся напряжение. Выключение
питания оперативной памяти, даже кратковременное, приводит к искажению либо полному
разрушению хранимой информации.

Энергосберегающие режимы работы материнской платы компьютера позволяют переводить


его в режим сна, что значительно сокращает уровень потребления компьютером
электроэнергии. В режиме гибернации питание ОЗУ отключается. В этом случае для
сохранения содержимого ОЗУоперационная система (ОС) перед отключением питания
записывают содержимого ОЗУ на устройство постоянного хранения данных (как
правило, жёсткий диск). Например, в ОС Windows XP содержимое памяти сохраняется в
файл hiberfil.sys , в ОС семейства Unix — на специальный swap-раздел жёсткого диска.

В общем случае, ОЗУ содержит программы и данные ОС и запущенные прикладные


программы пользователя и данные этих программ, поэтому от объёма оперативной памяти
зависит количество задач, которые одновременно может выполнять компьютер под
управлением ОС.

Оперативное запоминающее устройство, ОЗУ — техническое устройство, реализующее


функции оперативной памяти.
ОЗУ может изготавливаться как отдельный внешний модуль или располагаться на одном
кристалле с процессором, например, в однокристальных ЭВМ или
однокристальных микроконтроллерах.

Содержание
  [убрать] 

 1 История
 2 ОЗУ современных компьютеров
o 2.1 Память динамического типа
o 2.2 Память статического типа
 3 Логическая структура памяти в IBM PC
 4 См. также
 5 Литература
 6 Ссылки

История[править | править вики-текст]
См. также: История вычислительной техники

В 1834 году Чарльз Бэббидж начал разработку аналитической машины. Одну из важных


частей этой машины он называл «складом» (store), эта часть предназначалась для хранения
промежуточных результатов вычислений. Информация в «складе» запоминалась в чисто
механическом устройстве в виде поворотов валов и шестерней.

ЭВМ первого поколения можно считать ещё полуэкспериментальными, поэтому в них


использовалось множество разновидностей и конструкций запоминающих устройств,
основанных на различных физических принципах:

 на электромагнитных реле;
 на акустических линиях задержки;
 на электронно-лучевых трубках;
 на электростатических трубках.

В качестве ОЗУ использовались также магнитные барабаны, обеспечивавшие достаточно


малое для ранних компьютеров время доступа; также они использовались в качестве
основной памяти для хранения программ и данных.

Второе поколение требовало более технологичных, дешёвых и быстродействующих ОЗУ.


Наиболее распространённым видом ОЗУ в то время стала память на магнитных сердечниках.

Начиная с третьего поколения большинство электронных узлов компьютеров стали


выполнять на микросхемах, в том числе и ОЗУ. Наибольшее распространение получили два
вида ОЗУ:

 динамическая память; информация сохраняется с помощью заряда конденсаторов;


 статическая память; информация сохраняется с помощью триггеров.

Статическая и динамическая память не сохраняли информацию при отключении питания.


Сохранять информацию при отключении питания способна энергонезависимая память.

Сейчас применяются три основных вида ОЗУ:


 статическое (SRAM); память в виде массивов триггеров;
 динамическое (DRAM); память в виде массивов конденсаторов;
 основанном на изменении фазы (PRAM).

В SRAM бит данных хранится в виде состояния триггера. Этот вид памяти является более
дорогим в расчёте на хранение 1 бита, но, как правило, имеет наименьшее время доступа и
меньшее энергопотребление, чем DRAM. В современных компьютерах часто используется в
качестве кэш-памяти процессора.

DRAM хранит бит данных в виде заряда конденсатора. Однобитовая ячейка памяти содержит
конденсатор и транзистор. Конденсатор заряжается до более высокого или низкого
напряжения (логические 1 или 0). Транзистор выполняет функцию ключа, подключающего
конденсатор к схеме управления, расположенного на том же чипе. Схема управления
позволяет считывать состояние заряда конденсатора или изменять его. Так как хранение 1
бита информации в этом виде памяти дешевле, чем в SRAM, DRAM сейчас преобладает в
компьютерах.

Статические и динамические ОЗУ являются энергозависимыми, так как информация в них


теряется при отключении питания. Энергонезависимые (постоянная память, ПЗУ) устройства
сохраняют информацию вне зависимости от наличия питания. К ним относятся флэш-
накопители, карты памяти для фотоаппаратов и портативных устройств и т. д.

В устройствах управления энергозависимой памяти (SRAM или DRAM) часто включают


специальные схемы для обнаружения и/или исправления ошибок. Это достигается введением
избыточных битов в хранимые машинные слова, используемые для проверки (например, биты
чётности) или коррекции ошибок.

Точнее, термин RAM относится только к устройствам твёрдотельной


памяти DRAM или SRAM — основной памяти большинства современных компьютеров. Для
оптических дисков термин DVD-RAM не совсем корректен, так как, в отличие от дисков типа
CD-RW или DVD-RW, старые данные не должны стираться перед записью новых. Тем не
менее, информационно DVD-RAM похож на жёсткий диск, хотя время обращения к нему
намного больше.

ОЗУ современных компьютеров[править | править вики-текст]

ОЗУ большинства современных компьютеров представляет


собой модули динамической памяти, содержащиеполупроводниковые ИС ЗУ, организованные
по принципу устройств с произвольным доступом. Память динамического типа дешевле, чем
статического, и её плотность выше, что позволяет на той же площади кремниевого кристалла
разместить больше ячеек памяти, но при этом её быстродействие ниже. Статическая память,
наоборот, более быстрая память, но она и дороже. В связи с этим основную оперативную
память строят на модулях динамической памяти, а память статического типа используется
для построения кэш-памяти внутри микропроцессора.

Память динамического типа[править | править вики-текст]


Основная статья: DRAM

Экономичный вид памяти. Для хранения разряда (бита или трита) используется схема,


состоящая из одногоконденсатора и одного транзистора (в некоторых вариантах два
конденсатора). Такой вид памяти, во-первых, дешевле (один конденсатор и один транзистор
на 1 бит дешевле нескольких транзисторов триггера), и, во-вторых, занимает меньшую
площадь на кристалле (там, где в SRAM размещается один триггер, хранящий 1 бит, можно
разместить несколько конденсаторов и транзисторов для хранения нескольких бит).
Но DRAM имеет и недостатки. Во-первых, работает медленнее, поскольку, если
в SRAM изменение управляющего напряжения на входе триггера сразу очень быстро
изменяет его состояние, то для того, чтобы изменить состояние конденсатора, его нужно
зарядить или разрядить. Перезаряд конденсатора гораздо более длителен (в 10 и более раз),
чем переключение триггера, даже если ёмкость конденсатора очень мала. Второй
существенный недостаток — конденсаторы со временем разряжаются. Причём разряжаются
они тем быстрее, чем меньше их электрическая ёмкость и больше ток утечки, в основном,
утечка через ключ.

Именно из-за того, что заряд конденсатора динамически уменьшается во времени, память на
конденсаторах получила своё название DRAM — динамическая память. Поэтому, дабы не
потерять содержимое памяти, заряд конденсаторов периодически восстанавливается
(«регенерируется») через определённое время, называемое циклом регенерации (обычно 2
мс). Для регенерации в современных микросхемах достаточно выполнить циклограмму
«чтения» по всем строкам запоминающей матрицы. Процедуру регенерации выполняет
процессор иликонтроллер памяти. Так как для регенерации памяти периодически
приостанавливается обращение к памяти, это снижает среднюю скорость обмена с этим
видом ОЗУ.

Память статического типа[править | править вики-текст]


Основная статья: SRAM (память)

ОЗУ, которое не надо регенерировать (обычно схемотехнически выполненное в виде


массива триггеров), называютстатической памятью с произвольным доступом или
просто статической памятью. Достоинство этого вида памяти — скорость. Поскольку
триггеры являются соединением нескольких логических вентилей, а время задержки на
вентиль очень мало, то и переключение состояния триггера происходит очень быстро.
Данный вид памяти не лишён недостатков. Во-первых, группа транзисторов, входящих в
состав триггера, обходится дороже, чем ячейка динамической памяти, даже если
они изготавливаются групповым методом миллионами на одной кремниевой подложке. Кроме
того, группа транзисторов занимает гораздо больше площади на кристалле, чем ячейка
динамической памяти, поскольку триггер состоит минимум из 2 вентилей (шести-восьми
транзисторов), а ячейка динамической памяти — только из одного транзистора и одного
конденсатора. Используется для организациисверхбыстродействующего ОЗУ, обмен
информацией с которым критичен для производительности системы.

Типы корпусов процессоров


[править | править вики-текст]

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться


от версии, проверенной 15 июля 2013; проверки требуют 8 правок.
Содержание
  [убрать] 

 1 Типы корпусов процессоров


o 1.1 DIP
o 1.2 QFP
o 1.3 PLCC/CLCC
o 1.4 LCC
o 1.5 PGA
o 1.6 BGA
o 1.7 LGA
o 1.8 Картриджи
 2 См. также
 3 Ссылки

Типы корпусов процессоров[править | править вики-текст]


После изготовления кристалла с ядрами и дополнительными схемами (например, кешем),
перед отгрузкой потребителю, процессор упаковывается в защитный корпус. Тип корпуса
выбирается в зависимости от назначения системы, в которой будет работать процессор.
Дополнительные сведения: Корпусирование ИС

Дополнительные сведения: Типы корпусов микросхем

DIP[править | править вики-текст]
Основная статья: DIP

Процессор в корпусе CDIP-40

Процессор в корпусе PDIP-40

DIP (Dual Inline Package) — корпус с двумя рядами контактов. Представляет собой
прямоугольный корпус с расположенными на длинных сторонах контактами. В зависимости от
материала корпуса выделяют два варианта исполнения:

 PDIP (Plastic DIP) — имеет пластиковый корпус;


 CDIP (Ceramic DIP) — имеет керамический корпус.
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе DIP:

 4004 — 16-контактный CDIP.


 Z80, КР1858ВМ1, КМ1858ВМ1 — 40-контактный DIP.
 8080, 8085, КР580ВМ80А — 40-контактный DIP.
 680x, 650x — 40-контактный DIP.
 M68k — 64-контактный DIP.
 8088, 8086 — 40-контактный DIP.
QFP[править | править вики-текст]
Основная статья: QFP

Процессор в корпусе TQFP-304

QFP (Quad Flat Package) — плоский корпус с четырьмя рядами контактов. Представляет
собой прямоугольный корпус с расположенными по краям контактами. В зависимости от
материала корпуса выделяют два варианта исполнения:

 PQFP (Plastic QFP) — имеет пластиковый корпус;


 CQFP (Ceramic QFP) — имеет керамический корпус;
Существуют также другие варианты: TQFP (Thin QFP) — с малой высотой
корпуса, LQFP (Low-profile QFP) и многие другие.
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе QFP:

 Т36ВМ1 — 64-контактный PQFP (т.н. "Изабелла").


 Am188ES — 100-контактный TQFP.
 NG80386SX — 100-контактный PQFP.
 Cx486SLC — 100-контактный CQFP.
 PowerPC 601 — 304-контактный TQFP.
PLCC/CLCC[править | править вики-текст]

Процессор в корпусе PLCC-68

PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) и СLCC (Ceramic Leaded Chip Carrier) представляют собой
квадратный корпус с расположенными по краям контактами, предназначенный для установки
в специальную панель (часто называемую «кроваткой»). В настоящее время широкое
распространение получили микросхемы флэш-памяти в корпусе PLCC, используемые в
качестве микросхемы BIOS на системных платах.
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе PLCC:

 M68k — 68-контактный PLCC.


 N80C186 — 68-контактный PLCC.
 CS80C286 — 68-контактный PLCC.
 N80286 — 68-контактный PLCC.
Аббревиатура LCC используется для обозначения Leadless Chip Carrier, поэтому для того,
чтобы избежать путаницы, в данном случае необходимо называть аббревиатуры PLCC и
CLCC полностью, без сокращений.
LCC[править | править вики-текст]
LCC (Leadless Chip Carrier) представляет собой низкопрофильный квадратный керамический
корпус с расположенными на его нижней части контактами, предназначенный для
поверхностного монтажа.
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе LCC:

 R80186 — 68-контактный LCC.


 R80286 — 68-контактный LCC.
 SAB80188R — 68-контактный LCC.
PGA[править | править вики-текст]

Процессор в корпусе CPGA

Процессор в корпусе FCPGA


Процессор в корпусе FCPGA2

PGA (Pin Grid Array) — корпус с матрицей выводов. Представляет собой квадратный или
прямоугольный корпус с расположенными в нижней части штырьковыми контактами. В
современных процессорах контакты расположены в шахматном порядке. В зависимости от
материала корпуса выделяют три варианта исполнения:

 PPGA (Plastic PGA) — имеет пластиковый корпус;


 CPGA (Ceramic PGA) — имеет керамический корпус;
 OPGA (Organic PGA) — имеет корпус из органического материала.
Существуют следующие модификации корпуса PGA:

 FCPGA (Flip-Chip PGA) — в данном корпусе открытый кристалл процессора


расположен на верхней части корпуса.
 FCPGA2 (Flip-Chip PGA 2) — отличается от FCPGA наличием теплораспределителя,
закрывающего кристалл процессора.
 μFCPGA (Micro Flip-Chip PGA) — компактный вариант корпуса FCPGA.
 μPGA (Micro PGA) — компактный вариант корпуса FCPGA2.
Для обозначения корпусов с контактами, расположенными в шахматном порядке, иногда
используется аббревиатура SPGA (Staggered PGA).
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе PGA:

 80386DX — 132-контактный CPGA.


 80486DX, 80486SX — 168-контактный CPGA.
 Pentium — 296-контактный CPGA, 321-контактный CPGA или PPGA.
 Pentium Pro — 387-контактный SPGA.
 Pentium MMX, K6, 6x86 — 321-контактный CPGA или PPGA.
 Celeron — 370-контактный CPGA, PPGA, FCPGA или FCPGA2, 478-контактный μPGA.
 Pentium III — 370-контактный FCPGA или FCPGA2.
 Pentium 4 — 423-контактный FCPGA2, 478-контактный μPGA.
 Athlon — 462-контактный керамический или органический FCPGA.
 Duron — 462-контактный керамический или органический FCPGA.
 Sempron — 462-контактный FCPGA, 754-контактный FCPGA2, 939-контактный
FCPGA2, 940-контактный FCPGA2.
 Athlon 64 — 754-контактный FCPGA2, 939-контактный FCPGA2, 940-контактный
FCPGA2.
 Opteron — 940-контактный FCPGA2, 1207-контактный FCPGA2.
BGA[править | править вики-текст]
Основная статья: BGA

BGA (Ball Grid Array) — представляет собой корпус PGA, в котором штырьковые контакты
заменены на шарики припоя. Предназначен для поверхностного монтажа. Чаще всего
используется в мобильных процессорах, чипсетах и современных графических процессорах.
Существуют следующие варианты корпуса BGA:
 FCBGA (Flip-Chip BGA) — в данном корпусе открытый кристалл процессора
расположен на верхней части корпуса, изготовленного из органического материала.
 μBGA (Micro BGA) и μFCBGA (Micro Flip-Chip BGA) — компактные варианты корпуса.
 HSBGA
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе BGA:

 Mobile Pentium II — 615-контактный BGA.


 Mobile Pentium III — 495-контактный BGA, 495-контактный μBGA, 479-контактный
μFCBGA.
LGA[править | править вики-текст]

Процессор в корпусе FCLGA4

LGA (Land Grid Array) — представляет собой корпус PGA, в котором штырьковые контакты
заменены на контактные площадки. Может устанавливаться в специальное гнездо, имеющее
пружинные контакты, либо устанавливаться на печатную плату. В зависимости от материала
корпуса выделяют три варианта исполнения:

 CLGA (Ceramic LGA) — имеет керамический корпус;


 PLGA (Plastic LGA) — имеет пластиковый корпус;
 OLGA (Organic LGA) — имеет корпус из органического материала;
Существует компактный вариант корпуса OLGA с теплораспределителем, имеющий
обозначение FCLGA4.
Некоторые процессоры, выполненные в корпусе LGA:

 UltraSPARC II — 787-контактный CLGA.


 Pentium II — 528-контактный PLGA (помещённый на печатную плату).
 Pentium III — 495-контактный OLGA (помещённый на печатную плату), 570-контактный
OLGA (помещённый на печатную плату).
 Pentium 4, Pentium D, Core 2 Duo — 775-контактный FCLGA4.
 Opteron для Socket F и Socket G34
Картриджи[править | править вики-текст]

Процессор в корпусе SECC


Процессор в корпусе SECC2

Процессор Itanium 2 в корпусе PAC

Процессорные картриджи представляют собой печатную плату с установленными на ней


процессором и вспомогательными элементами. Существует несколько видов процессорных
картриджей:

 SECC (Single Edge Contact Cartridge) — полностью закрытый картридж с


теплоотводной пластиной, обеспечивающей тепловой контакт между корпусом картриджа
и процессором.
 SECC2 (Single Edge Contact Cartridge) — картридж без теплоотводной пластины.
 SEPP (Single Edge Processor Package) — полностью открытая печатная плата.
 MMC (Mobile Module Connector) — картридж с открытым кристаллом процессора,
предназначенный для мобильных компьютеров.
Некоторые процессоры, выполненные в картриджах:

 Pentium II — 242-контактный SECC, 242-контактный SECC2.


 Pentium III — 242-контактный SECC2.
 Celeron — 242-контактный SEPP.
 Xeon — 330-контактный SECC.
 Mobile Pentium II — MMC.
 Athlon — 242-контактный SECC.
 Itanium — PAC418 и PAC611.

3.4.1. ПРОЦЕССОРЫ, ИХ ВИДЫ И СВЯЗАННЫЕ С НИМИ ТЕРМИНЫ

Процессор [processor] -

1. Устройство, выполняющее вычислительные и/или логические операции


над данными. Может являться автономным или быть функциональной
частью ЭВМ. В последнем случае под этим термином часто
подразумевается центральный процессор, в том числе
-микропроцессор. В зависимости от функционального назначения
различают: арифметический процессор , буферный
процессор ,процессор данных , процессор баз данных , текстовый
процессор , процессор ввода-вывода , интерфейсный
процессор ,лингвистический процессор , сетевой
процессор , межсетевой процессор , процессор передачи
данных , терминальный процессор ,специализированный процессор и
др. ;
2. Машинная программа, которая предназначена для управления
определенными процессами, например, - обработкой данных,
вычислительными процессами, работой каналов связи и т.п.

Символьный процессор [symbolic processor] - Процессор или ЭВМ на его


основе, созданные для выполнения так
называемых программ“манипулирования символами”, используемых в
системах искусственного интеллекта и написанных на языке Лисп. Некоторые
символьные процессоры могут также работать с программами, написанными на
языке Пролог .

Цифровой сигнальный процессор [Digital Signal Processor - DSP]


- Процессор, предназначенный для эффективной цифровой обработки
сигналов ( ЦОС), увеличивает вычислительные возможности ПЭВМ.
Конструктивно выполняется в виде дополнительной платы DSP (также
используется термин “ускоряющая плата”. Используется при обработке
изображений, в машинной графике, звуковых платах, факсимильных машинах,
модемах, сотовых телефонах, цифровых фотоаппаратах и видеокамерах, а также
в научно-технических расчетах и других алгоритмах ЦОС. Установка DSP в
ПЭВМ совместно с модулями аналогового ввода-вывода позволяет решать на
нем прикладные задачи по акустике, гидроакустике, радиолокации,
радионавигации, медицине, геофизике, телерадиовещании, вибродиагностике и
т.д.). Цифровые сигнальные процессоры могут также включаться в
системы мультимедиа. Системы цифровой обработки сигналов являются (как
правило) узкоспециализированными и выпускаются под конкретные задачи
небольшими партиями либо в единичных экземплярах [46, 547 ].

Центральный процессор ( ЦП )

[central processor, central processing unit (CPU)] -

Главный рабочий элемент ЭВМ, который выполняет команды программ и


управляет действиями других ее узлов. Основными составными частями
ЦП являются: арифметико-логическое устройство ( АЛУ ), устройство
управления ( блок команд), быстродействующая постоянная (“не стираемая”)
память (см. - ПЗУ) а также их регистры - функционально ориентированные
ячейки памяти - в том числе регистр команд , накапливающий
регистр и регистр последовательного управления .

Микропроцессор , ЦЕНТРАЛЬНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР ( МП )
[microprocessor] -

Центральный процессор, выполненный на большой или сверхбольшой


интегральной схеме ( БИС и СБИС). Микропроцессор (МП) является
устройством, реализующим выполнение программ и управляющим работой
остальных узлов и устройств ПЭВМ. Его характеристики определяют
возможности и области практического использования ПЭВМ, а также их
техническую совместимость .
Микропроцессоры отличаются один от другого моделью, тактовой частотой)
и разрядностью. В частности, МП одной модели могут иметь различную
тактовую частоту, задаваемую ее генератором, и, соответственно, различаться
по производительности .

В наиболее распространенных в мире моделях МП, выпускаемых фирмой Intel -


INTegrated Electronics Corp. (США) и используемых в ПЭВМ типа IBM PC , а
также совместимых с ними ПЭВМ других фирм, применяется маркировка: 8086,
8088 - для первых ПЭВМ класса IBM PC/XTи 80286, 80386, 80486 - для машин
класса IBM PC/AT . Первые две цифры в указании марки модели
микропроцессоров фирмы Intel часто опускаются и последние приводятся в
виде: 286, 386, 486 или i286, i386, i486.

Приведенный ряд моделей МП фирмы Intel (в литературе по отношению к нему


также используется обозначение - “семейство Intel х86”) характеризуется
последовательностью их выпуска, а также возрастанием производительности и
стоимости. Сказанное относится и к последующим выпускам моделей
микропроцессоров фирмы Intel: Pentium, Pentium Pro или P6 (старое
наименование) и Pentium II. Тактовая частота МП Intel 8086 и 8088
находилась в пределах от 4,7 до 10 МГц (менее 1 млн. операций/с.), 80286 - от 6
до 12 МГц, 80386 - от 16 до 33 МГц, 486 от 20 до 66 МГц, Pentium - от 60 до 200
МГц (100-200 и более операций/с.), Pentium Pro (P6) - тактовые частоты - 133,
150, 166, 180 и 200 МГц, Pentium II - 233, 266, 300, 333, 350, 400 и 450 МГц. В
середине 1998 г. фирма Intel провела тестирование нового процессора класса
Pentium с тактовой частотой 1000 МГц (т.е. 1 ГГц). Выпущенные в 1999 г. с
февраля по июль новые модели версий Pentium III имеют тактовуй частоту
соответственно 500, 550 и 600 МГц. В марте 2000 г. сначала фирма AMD , а за
нею Intel выпустили на мировой рынок первые партии микропроцессоров
Coppermine с тактовой частотой в 1 ГГц. В 1999-2000 гг все ведущие фирмы –
производители микропроцессоров начали активно работать над созданием
моделей, работающих на частотах 1,3 – 1,5 ГГц и выше, в частности –
моделью Pentium 4 – Willamette-479 (попросту называемого также Вилли
[ Whilly – сокр. от Willamette ]). В 2001 г. появились первые системы на базе
процессора Pentium 4 иAthlon устойчиво работающие при тактовой частоте 2
ГГц [138, 603, 664].

Модели МП ряда Intel до 80386 были 16-ти разрядными (исключение составляет


8-ми разрядная модель МП 8088), начиная с модели 80386 начали выпускаться
32-разрядные МП с переходом на использование 64-разрядных шин
данных (см. ниже) начиная с модели Pentium (регистры в этих МП остались
32-разрядными).

Дополнительные буквенные и буквенно-цифровые обозначения в маркировке


изделий МП фирмы Intel несут сведения о подвиде модели. Наиболее часто
встречаются следующие их варианты: SX - (условно) промежуточная версия
между предыдущей и данной моделью МП в том числе по производительности
(для МП класса выше i486 такой промежуточной моделью является
МП OverDrive); DX - основной вариант данной модели МП, DX2 (3, 4,..) -
варианты данной модели с повышенной производительностью, кратной
цифровому индексу. О последних моделях микропроцессоров см. [138, 226 ,
496, 497, 516, 532, 554].

Виды процессоров:

 Буферный процессор [front-end processor] - Процессор или


специализированная микроЭВМ, реализующие промежуточную
обработку данных, которыми обмениваются центральный
процессор или центральная ЭВМ с устройствами ввода-вывода .
 Препроцессор [preprocessor] - 1. Программа, выполняющая
предварительную обработку данных для другой программы; 2. То же,
чтобуферный процессор (см. выше).
 CISC (Complex Instruction Set Computing) - “ Вычислитель со
сложным набором команд” - Технология и архитектура
построениямикропроцессоров фирмы Intel (см. ниже также RISC).
 RISC (Redused Instruction-Set Computer) - “ Вычислитель с
сокращенным набором команд” - Технология
и архитектура построениямикропроцессоров, альтернативная
технологии CISC . Принцип построения RISC- процессоров основан на
применении набора простых команд и “на их основе сборки” требуемых
более сложных команд. Это позволяет сделать микропроцессоры более
компактными и производительными, а также менее энергоемкими и
дорогими. Другое преимущество технологии RISC заключается в
принципиальной возможности обеспечения совместимости ПЭВМ
типа IBM PC и Macintosh фирмы Apple . Работы, направленные на
реализацию указанной возможности, ведутся с 1992 г. фирмами
Apple, IBM и Motorola в рамках проекта PowerPCTM . В 1994 г . фирмой
Apple была выпущена первая ПЭВМ “Power Macintosh” с
МП PowerPC (Performance Optimized With Enhanced RISC Perconal
Computer). Последний из выпускаемых МП этого вида - 132-х
Мгц PowerPC 604 является самым “быстрым” или производительным и в
указанном плане составляет конкуренцию МП Pentium, а возможно
и Pentium Pro . Однако полной совместимости с МП ряда Intel он, также
как и другие модели PowerPC пока не обеспечивает (для согласования
этих систем используется программный транслятор, преобразующий
команды х86 в команды PowerPC, который обеспечивает возможность
поддержки ограниченного числа применяемых IBM PC программных
продуктов). Сказанное сдерживает массовое применение МП PowerPC.
Тем не менее объем продаж МП PowerPC в течение одного года с
момента выпуска первой ПЭВМ “Power Macintosh” составил более одного
млн. машин [47]. Подробнее о последних разработках Power Mac см [305].
Фирмы Intel и Hewlett-Packard ведут разработку следующего за Pentium
Pro поколения микропроцессоров, которые будут построены по
гибридной технологии, объединяющей
признаки CISC и RISC архитектуры (см. ниже).
 Процессор-клон , клон [cloneprocessor, clone] - Процессор,
выпускаемый другой фирмой - не его основным разработчиком и
производителем, в том числе по лицензии или без нее. Наибольшее
распространение на мировом рынке средств вычислительной техники
получили клоны микропроцессоров моделей ряда х386, х486, Pentium,
…,P entium III и т.д., выпускаемые другими фирмами - не Intel . Как
правило, клоны представляют собой собственную разработку
выпускающих их фирм. При этом они могут быть как полностью, так и
только частично совместимы с оригинальной продукцией фирмы Intel,
иметь отличные от них характеристики и даже успешно конкурировать с
ними. Так, например, 29 ноября 1999 г. фирма AMD выпустила и
произвела презентацию микропроцессора Athlon 750 (МГц), впервые в
мире произведенного по т.н. “аллюминиевой” 0,18 мкм технологии и
превысившего по производительности микропроцессор Intel Pentium III
733 МГц. В марте 2000 г. фирма AMD выпустила на мировой рынок
первую партию микропроцессоров с тактовой частотой в 1 ГГц, а в
октябре этого же года – процессор Athion 1,2 ГГц и Duron 800 ГГц.
Наиболее известными фирмами-производителями клонов
являются: AMD, Cyrix, IBM Microelectronics, SGS-Thomson, Texas Instr
uments, NexGen и др. О популярных клонах микропроцессоров ряда
Pentium и их производителях см. [196, 197, 254, 272, 292, 298, 385, 422,
477, 482, 532, 554, 664].

Некоторые термины , связанные с процессорами и их работой:

 Тактовая частота [clock rate ] - Частота синхронизирующих работу


ЭВМ (“тактовых”) импульсов, задаваемых генератором тактовой
частоты, которые регулируют выполнение циклов выборки и исполнения
команд. Чем выше тактовая частота, тем выше быстродействие
(производительность) ЭВМ. Измеряется тактовая частота в мегагерцах
(МГц).
 Быстродействие , производительность (ЭВМ)
[ performance] - Показатель качества ЭВМ. Выражается в миллионах
элементарных операций, выполняемых в одну секунду (операций/с.). Из
чего складывается быстродействие - см. [276], а также ниже: “индекс
iCOMP ”или ” iCOMP” и ” mips”.
 mips (Million Instructions Per Second) - Аббревиатура, обозначающая
быстродействие (микро)процессора - миллион операций в секунду.
 Индекс производительности , индекс iCOMP [iCOMP - Intel
Comparative Microprocessor Perfomance ] - Число, соответствующее
относительной производительности конкретного микропроцессора в
сопоставлении с производительностью МП i486SX-25, величина которой
принята за 100. Указанная мера измерения была введена фирмой Intel в
1992 г. в связи с тем, что производительность МП зависит не только от
тактовой частоты, но и других особенностей конструкции МП. Например,
наличия схем параллельной обработки сигналов (RISC-технология),
наличия встроенной кэш-памяти, применения технологии внутреннего
умножения частоты и т.п.
 Флоп (FLOP - FLOating Point operation per second ) - “Количество
операций с плавающей запятой в секунду” - единица измерения скорости
работы ЭВМ.
 Разрядность - Длина обрабатываемого двоичного слова (байта),
выраженная в битах .
 Разрядный - Термин, обозначающий “разрядность” технических и
программных продуктов, например, 32-разрядный, 64-разрядный и т.п.
 Core – “ Ядро ” - часть процессора, выполняющая арифметико-
логические операции.
 MTBF (Mean Time Between Failures ) - Аббревиатура (“среднее время
между отказами”), обозначающая надежность работы технических
средств и выраженная в среднестатистическом времени безотказной
работы устройства (в т.ч. - процессора, ЭВМ и т.д.).
 Superscalar – “ Суперскалярность” – способность параллельного
исполнения процессором нескольких команд.
 Superpipelined – “ Суперконвейерность” – режим исполнения команд
процессором, при котором команда разбивается на большое число очень
простых “фаз”, каждая из которых исполняется очень быстро, а
отдельные фазы конвейеризуются как для однойЮ так и нескольких
соседних команд. Обычно суперконвейерными считаются процессоры,
число фаз конвейера в которых превышает 8-10. Для сравнения в 486-м
процессоре 4 фазы, в Pentium – 5 фаз, в Pentium MMX 6 фаз, в Pentium II –
11 и более [385, 386].

Сопроцессор [coprocessor] -

Специализированный микропроцессор, дополняющий функциональные


возможности основного (в т.ч. - центрального ) процессора. Например, фирма
Intel наряду с микропроцессорами ряда х86 выпускала математические
сопроцессоры [mathematical coprocessor]: 8087, 80287, 80387,
предназначенные для повышения эффективности работы ПЭВМ при обработке
массивов числовых данных с плавающей точкой[floating point ] - знаком,
отделяющим целую часть числа от дробной, позиция которого в поле данных не
фиксирована форматом представления численной величины. Использование
сопроцессора позволяет существенно (в 5 - 15 раз) ускорить операции с
плавающей точкой, что имеет важное значение во многих применениях,
например, при работе с компьютерной графикой, выполнении разного рода
вычислительных работ и т.п. Микропроцессоры 486 DX и Pentium сами
поддерживают операции с плавающей точкой, поэтому при их использовании
математический сопроцессор не требуется.

Графический сопроцессор [graphical coprocessor] - Сопроцессор,


предназначенный для улучшения обработки графики. Используется в
системах компьютерной графики .

Акселератор , ускоритель [accelerator] -

Разновидность процессора, предназначенного для выполнения части


операций центрального процессора с целью повышения производительности
ЭВМ. Наиболее распространенными направлениями использования
акселераторов являются: обработка графических данных (например, цветных
высококачественных изображений), запись/считывание данных с диска на диск,
обмен данными между компьютерами и т.п. Такие устройства получили также
наименование “Графических ускорителей” или “Графических адаптеров”.
Конструктивно акселераторы выполняются в виде микросхем. Эффект
ускорения достигается различными способами, в том числе путем сокращения
времени доступа к памяти, изменения организации данных и/или памяти,
увеличения разрядности шины “память-контроллер” и т.д. Об акселераторах
для видеоадаптеров и графических ускорителях см. [89, 505, 531].

КОНТРОЛЛЕР [controller]-

Специализированный процессор, предназначенный для управления внешними


устройствами: накопителями , мониторами , принтерами и т.п. Наличие
контроллера освобождает центральный процессор от выполнения этих
функций.

В зависимости от характера объекта управления или назначения

различают:

 Групповой контроллер [group controller] - Контроллер группы


однотипных устройств или механизмов;
 Контроллер дисплея [display controller ] -
Компонент процессора монитора, управляющий выводом данных
из буфера изображения на экран монитора ;
 Контроллер ввода-вывода ( внешнего устройства ), периферийный
контроллер [input-output (peripheral) controller] - Процессор,
управляющий обменом данными между внешними
устройствами и памятью ЭВМ;
 Интеллектуальный контроллер [intelligent controller] - Контроллер,
который наряду с непосредственным управлением обменом данными
между центральным процессором и периферийными
устройствами одновременно выполняет функции редактирования
данных, их контроля, обработку сложных команд и т.п.;
 Контроллер канала [channel controller ] - Устройство управления
каналом ввода-вывода данных;
 Местный ( встроенный ) контроллер - Контроллер, встроенный в
управляемое им устройство и др.;
 Видеоконтроллер [video controller] - Контроллер ввода-вывода,
ориентированный на работу с видео изображениями (см. видео).
Видеоконтроллер является основой видеоадаптера. Он отвечает за вывод
изображения из видеопамяти, за регенерацию её содержимого, за
формирование сигнала развёртки для монитора и за обработку
запросов центрального процессора. Для ускорения вывода изображения
на экран монитора и снижения частоты конфликтов при обращении к
памяти со стороны видеоконтроллера и центрального процессора первый
имеет отдельный буфер, который заполняется данными из видеопамяти в
промежутках времени свободных от обращений к ней центрального
процессора. Внутренняя шина данных контроллера обычно шире внешней
(32, 64 или 128 разрядов против 16 или 32). Современные
видеоконтроллеры имеют архитектуру, по сложности мало уступающую
центральному процессору и зачастую превосходящую его по числу
используемых транзисторов. Подробнее см. [505].

Типы процессоров
В основном микропроцессоры это встроенные микроконтроллеры. Второй по
распространенности тип процессора - общий процессор для настольных ПК, таких как Intel
Pentium или AMD Athlon's. Менее распространены чрезвычайно мощные процессоры,
используемые для высокопроизводительных серверов, таких как сервер Sun SPARC, IBM
Power, или Intel Itanium.
Исторически микропроцессоры и микроконтроллеры пришли со "стандартными размерами" от
8 бит, 16 бит, 32 бит, 64 бит. Эти размеры являются общими, но это вовсе не означает, что
других размеров нет. Некоторые микроконтроллеры (как правило, специально разработанные
встроенные чипы) могут быть других "нестандартных" размеров, таких как 4 бит, 12 бит, 18
бит или 24 бит. Число битов определяет разрядность внутренних регистров и исполнительных
модулей. Разрядность внешних шин, а следовательно и размер адресуемого адресного
пространства, а так же способность читать/писать данные определенного размера НЕ
являются определяющими в разрядности микропроцессора. Например большинство 8
разрядных процессоров способны адресовать более 256 байт. Например, 8-битный процессор
Zilog Z180 мог работать в 20-битном адресном пространстве (1 Мб). В то же время 16-
разрядный процессор Intel 8088, стоявший в первых компьютерах IBM PC, мог работать в 20-
битном адресном пространстве (т.е. был способен адресовать до 1 Мб), но при этом мог
читать или писать не более 8 бит данных.

Контроллер (англ. controller — регулятор, управляющее устройство):

В Викисловаре есть статья«контроллер»

 Контроллер — устройство управления в электронике и вычислительной технике.


 Игровой контроллер — устройство ввода информации, используется в
консольных и компьютерных играх.
 Контроллер домена — сервер, контролирующий область компьютерной сети
(домен).
 Контроллер прерываний — микросхема или встроенный блок процессора,
отвечающий за возможность обработки запросов на прерывание от разных устройств.
 Контроллер электрического двигателя — многоступенчатый, многоцепной
коммутационный аппарат с ручным управлением.
 Микроконтроллер — микросхема, управляющая электронными устройствами.
 Промышленный контроллер — управляющее устройство, применяемое в
промышленности и других отраслях для автоматизации технологических процессов, в
быту — для управления климатом и др.
 Программируемый логический контроллер — промышленный контроллер,
оптимизированный для выполнения логических операций.
 Системный контроллер — компонент чипсета, организующий взаимодействие
процессора с оперативной памятью и формирующий компьютерную платформу.
 Контроллер машиниста — орган управления тягой и/или торможением в
локомотивах, электропоездах, трамваях
 Контроллер — то же, что и регулятор.
 Контроллер (программирование) — один из компонентов паттерна MVC.
 Контроллер — электронный блок управления двигателем и другими системами
автомобиля.

Системы автоматизации    —    Программируемые


контроллеры. ОВЕН ПЛК (PLC)
Распечатать

Компания ОВЕН известна уже 20 лет как надежный партнер, производящий широкий ряд
приборов первичной автоматики. Однако не все задачи можно решить с помощью жестко
сконфигурированных приборов. Идя в ногу со временем, и понимая потребность в таких
средствах автоматизации наших клиентов, компания ОВЕН в 2005 году начала разработку
свободно программируемых контроллеров.

С 2007 года компания ОВЕН начала продажи программируемых контроллеров ОВЕН ПЛК.


Выпускаемые контроллеры представляют собой не логическими реле, а полноценными контроллерами, с
мощными аппаратными ресурсами, и широкими возможностями программирования.
Контроллеры ОВЕН ПЛК построены на современной цифровой элементной базе. Изначально заложены
достаточно мощные аппаратные ресурсы: процессор, с широкими вычислительными возможностями,
большое количество памяти.
Программируются контроллеры ОВЕН ПЛК (PLC) с помощью профессиональной среды CoDeSys,
разработанной немецкой компанией 3S-Software.
Спектр применений ОВЕН ПЛК достаточно широк, это как построение распределенных систем
управления и диспетчеризации, так и автоматизация небольших задач.
Основные отрасли применения: ЖКХ, котельные, энергетика, автоматизация станков и автоматов,
пищевая и упаковочная промышленность.
Для облегчения начала работы с программируемыми контроллерами компанией ОВЕН проводятся
семинары «Программирование контроллеров ОВЕН ПЛК в среде CoDeSys».
Так же мы ведем специальную программу по работе с системными интеграторами. Это как поддержка
существующих интеграторов, так и помощь клиентам, которые не имеют времени или желания
заниматься автоматизацией самостоятельно. Более подробно узнать о работе с системными
интеграторами, и увидеть список интеграторов можно здесь.

Сводная таблица характеристик программируемых логических


контроллеров ОВЕН ПЛК

  ПЛК63/ПЛК73 ПЛК100/ПЛК150/ПЛ ПЛК110/ПЛК ПЛК304/ПЛК


К154 160 308
Процессор RISC RISC архитектура, 32-х RISC RISC
архитектура, 32-х разрядный ARM9, архитектура, архитектура,
разрядный ARM9, 200MHz 32-х разрядный 32-х разрядный
50MHz ARM9, 200MHz ARM9, 200MHz
OC нет нет нет Linux 2.6
Объем ОЗУ для 10 KB 8MB, max размер 8MB, max 32MB
хранения программы 1MB размер
переменных программы 1MB
программ
Тип, объем 280 KB 4MB, Flash, доступно 4MB, Flash, 16MB
памяти пользователю 3 MB доступно
хранения пользователю 3
программ MB
Объем 448 B 4KB (до 16KB) 4KB (до 16KB)  
энергонезависи
мой памяти
Время цикла 1 ms при 1 ms при логической 1 ms при зависит от
ПЛК логической обработке 50 логической системы
обработке 50 дискретных сигналов обработке 50 исполнения
дискретных при отсутствии обмена дискретных
сигналов при по сети, настраивается сигналов при
отсутствии отсутствии
обмена по сети, обмена по
настраивается сети,
настраивается
Конструктивное Моноблок, на Моноблок, на ДИН - Моноблок, на Моноблок, на
исполнение ДИН - рейку рейку ДИН - рейку и ДИН - рейку и
на на стену на стену
Климатическое IP20, (- IP20, (-20+70)град С IP20, (- IP20,
исполнение 10+55)град С 10+55)град С (0+50)град С
Человеко- Знакосинтезирую Светодиодная Светодиодная Светодиодная
машинный щий дисплей и индикация состояния индикация индикация
интерфейс кнопки контроллера и состояния состояния
управления дискретных контроллера и контроллера и
входов\выходов дискретных интерфейсных
входов\выходо портов
в
Интерфейсы: 2 до 3 последовательных до 4 до 8
последовательны порта (RS232, RS485), последователь последователь
х порта (RS232, Ethernet, USB Device ных порта ных портов
RS485) для программирования (RS232, RS485), (RS232, RS485),
Ethernet, USB до 2 Ethernet,
Device для до 2 USB
программирова
ния
Дискретные 8, развязка 8, развязка групповая, 36, развязка Для ПЛК308 -
входы на борту, групповая, 1500В. групповая, 21 дискретный
развязка 1500В.  1500 В, вход\выход
несколько
групп.
Дискретные 6 выходов, из 6 реле\12 24,
выходы на них одно реле, транзисторов, развязка транзистор\рел
борту, тип, другие по выбору групповая 1500В е, развязка
развязка аналоговые или групповая -
дискретные несколько
групп
Аналоговые до 4, ток, напряжение, до 4, ток, нет
выходы на ток\напряжение напряжение,
борту ток\напряжени
е
Аналоговые нет до 4, универсальные до 8 нет
входы на борту, для подключения
развязка, ТС,ТП,
частота опроса унифицированных
сигналов
Возможности внешними внешними модулями внешними внешними
расширения модулями ввода\вывода модулями модулями
ввода\вывода ввода\вывода ввода\вывода
Поддержка Встроенный Встроенный Встроенный Встроенный
дополнительны аккумулятор, аккумулятор, Архиватор аккумулятор, аккумулятор,
х сервисов  Архиватор на на Flash контроллера, Архиватор на Архиватор на
Flash часы реального Flash Flash
контроллера, вермени контроллера, контроллера,
часы реального часы реального часы реального
вермени вермени вермени
Сертификаты СС, Разршение СС, Разршение СС СС
котлонадзора котлонадзора

На данный момент компанией выпускается 4 линеек контроллеров

ОВЕН ПЛК63\73. Небольшие контроллеры для автоматизации малых объектов и


установок. Основное направление применение контроллера: HVAC, насосные станции,
малые станки по упаковке и переработке. Отличительной особенностью контроллеров
является дисплей и кнопки управления, позволяющие организовать управление
установкой прямо с лицевой панели контроллера.

ОВЕН ПЛК100\150\154. Первая линейка контроллеров ОВЕН, пользующаяся


наибольшей популярностью за счет лучшего соотношения цена - качество. Основное
применение контроллеры получили в сферах ЖКХ, создание и модернизация котлов и
котельных комплексов, построение распределенных систем управления и
диспетчеризации, с использованием как проводных, так и беспроводных технологий.
Отличительной особенностью данной линейки является небольшое количество
входов\выходов и расширенное количество интерфейсов «на борту» контроллеров

ОВЕН ПЛК110\160. Новая линейка контроллеров создана на программно-аппаратной


платформе ПЛК100 с учетом наработок компании пожеланий клиентов. Основное
применение контроллеров: малые станки, установки по переработке, конвейеры,
установки по розливу и дозированию, системы распределенного сбора информации,
построение распределенных систем управления. Отличительной особенностью данной
линейки является расширенное количество входов\выходов (до 60 входов\выходов
«на борту») и интерфейсов для построения распределенных систем управления.

ОВЕН ПЛК304\308. РС совместимые контроллеры для создания распределенных систем


управления и диспетчеризации. Данные контроллеры находят широкое применение в
системах сбора и диспетчеризации информации АСКУЭ, АСОДУ за счет большого
количества встроенных последовательных портов – до 8 портов RS232\RS485, и
наличия интерфейса Ethernet. Отличительной особенностью данных контроллеров
является наличие операционной системы Linux, что позволяет программировать
контроллеры из широкого ряда специальных приложений, и наличие портов для
подключения накопителей информации (SD Card и USB Host).

Логические элементы
[править | править вики-текст]

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Логические элементы — устройства, предназначенные для обработки


информации в цифровой форме(последовательности сигналов высокого — «1» и низкого —
«0» уровней в двоичной логике, последовательность «0», «1» и «2» в троичной логике,
последовательности «0», «1», «2», «3», «4», «5», «6», «7», «8» и «9» в десятичной логике).
Физически логические элементы могут быть выполнены механическими,
электромеханическими (на электромагнитных реле), электронными (на диодах и
транзисторах), пневматическими, гидравлическими, оптическими и др.
С развитием электротехники от механических логических элементов перешли к
электромеханическим логическим элементам (на электромагнитных реле), а затем к
электронным логическим элементам на электронных лампах, позже — на транзисторах.
После доказательства в 1946 г. теоремы Джона фон Неймана об экономичности
показательных позиционных систем счисления стало известно о преимуществах двоичной и
троичной систем счисления по сравнению с десятичной системой счисления. От десятичных
логических элементов перешли к двоичным логическим элементам. Двоичность и троичность
позволяет значительно сократить количество операций и элементов, выполняющих эту
обработку, по сравнению с десятичными логическими элементами.
Логические элементы выполняют логическую функцию (операцию) над входными сигналами
(операндами, данными).

Всего возможно   логических функций и соответствующих им логических элементов,


где   — основание системы счисления,   — число входов (аргументов),   — число выходов,
то есть бесконечное число логических элементов. Поэтому в данной статье рассматриваются
только простейшие и важнейшие логические элементы.

Всего возможны   двоичных двухвходовых логических элементов


и  двоичных трёхвходовых логических элементов (Булева функция).
Кроме 16 двоичных двухвходовых логических элементов и 256 трёхвходовых двоичных
логических элементов возможны 19 683 двухвходовых троичных логических элементов и 7
625 597 484 987 трёхвходовых троичных логических элементов (троичные функции).

Содержание
  [убрать] 

 1 Двоичные логические операции с цифровыми сигналами (битовые операции)


o 1.1 Отрицание, НЕ
o 1.2 Повторение
o 1.3 Конъюнкция (логическое умножение). Операция И
o 1.4 Дизъюнкция (логическое сложение). Операция ИЛИ
o 1.5 Инверсия функции конъюнкции. Операция И-НЕ (штрих Шеффера)
o 1.6 Инверсия функции дизъюнкции. Операция ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса)
o 1.7 Эквивалентность (равнозначность), ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ_ИЛИ-НЕ
o 1.8 Сложение (сумма) по модулю 2 (Исключающее_ИЛИ, неравнозначность).
Инверсия равнозначности.
o 1.9 Импликация от A к B (прямая импликация, инверсия декремента, A<=B)
o 1.10 Импликация от B к A (обратная импликация, инверсия инкремента, A>=B)
o 1.11 Декремент. Запрет импликации по B. Инверсия импликации от A к B
o 1.12 Инкремент. Запрет импликации по A. Инверсия импликации от B к A
 2 Физические реализации
 3 Классификация электронных транзисторных физических реализаций логических
элементов
o 3.1 Инвертор
 4 Применение логических элементов
 5 Комбинационные логические устройства
 6 Последовательностные цифровые устройства
 7 См. также
 8 Ссылки
 9 Литература
Двоичные логические операции с цифровыми сигналами
(битовые операции)[править | править вики-текст]
Логические операции (булева функция) своё теоретическое обоснование получили в алгебре
логики.
Логические операции с одним операндом называются унарными, с двумя — бинарными, с
тремя — тернарными(триарными, тринарными) и т. д.

Из   возможных унарных операций с унарным выходом интерес для


реализации представляют операции отрицания и повторения, причём, операция отрицания
имеет большую значимость, чем операция повторения, так как повторитель может быть
собран из двух инверторов, а инвертор из повторителей не собрать.
Отрицание, НЕ[править | править вики-текст]

Инвертор, НЕ (IEC)

Инвертор, НЕ (ANSI)

0 1

1 0

Мнемоническое правило для отрицания звучит так: На выходе будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на входе «0»,


 «0» тогда и только тогда, когда на входе «1»
Повторение[править | править вики-текст]

Повторитель (буфер)

0 0

1 1
Преобразование информации требует выполнения операций с группами знаков, простейшей
из которых является группа из двух знаков. Оперирование с большими группами всегда
можно разбить на последовательные операции с двумя знаками.

Из   возможных бинарных логических операций с двумя знаками c унарным


выходом интерес для реализации представляют 10 операций, приведённых ниже.
Конъюнкция (логическое умножение). Операция И[править | править вики-
текст]

И (IEC)

И (ANSI)

0 0 0

1 0 0

0 1 0

1 1 1

Логический элемент, реализующий функцию конъюнкции, называется схемой совпадения.


Мнемоническое правило для конъюнкции с любым количеством входов звучит так: На выходе
будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «1»,


 «0» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «0»
Словесно эту операцию можно выразить следующим выражением: "Истина на выходе может
быть при истине на входе 1 И истине на входе 2".
Дизъюнкция (логическое сложение). Операция ИЛИ[править | править вики-
текст]

ИЛИ (IEC)

ИЛИ (ANSI)
0 0 0

1 0 1

0 1 1

1 1 1

Мнемоническое правило для дизъюнкции с любым количеством входов звучит так: На выходе
будет:

 «1» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «1»,


 «0» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «0»
Инверсия функции конъюнкции. Операция И-НЕ (штрих Шеффера)
[править | править вики-текст]

И-НЕ (IEC)

И-НЕ (ANSI)

0 0 1

0 1 1

1 0 1

1 1 0

Мнемоническое правило для И-НЕ с любым количеством входов звучит так: На выходе будет:

 «1» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «0»,


 «0» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «1»
Инверсия функции дизъюнкции. Операция ИЛИ-НЕ (стрелка Пирса)
[править | править вики-текст]
В англоязычной литературе NOR.

ИЛИ-НЕ (IEC)

ИЛИ-НЕ (ANSI)

0 0 1

0 1 0

1 0 0

1 1 0

Мнемоническое правило для ИЛИ-НЕ с любым количеством входов звучит так: На выходе
будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на всех входах действуют «0»,


 «0» тогда и только тогда, когда хотя бы на одном входе действует «1»
Эквивалентность (равнозначность), ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ_ИЛИ-
НЕ[править | править вики-текст]

ИСКЛ-ИЛИ-НЕ (IEC)

ИСКЛ-ИЛИ-НЕ (ANSI)

0 0 1
0 1 0

1 0 0

1 1 1

Мнемоническое правило эквивалентности с любым количеством входов звучит так: На выходе


будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на входе действует четное количество,


 «0» тогда и только тогда, когда на входе действует нечетное количество
Словесная запись: "истина на выходе при истине на входе 1 и входе 2 или при лжи на входе
1 ивходе 2".
Сложение (сумма) по модулю 2 (Исключающее_ИЛИ, неравнозначность).
Инверсия равнозначности.[править | править вики-текст]

ИСКЛ-ИЛИ (IEC)

ИСКЛ-ИЛИ (ANSI)

В англоязычной литературе XOR.

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 0

Мнемоническое правило для суммы по модулю 2 с любым количеством входов звучит так: На
выходе будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на входе действует нечётное количество ,


 «0» тогда и только тогда, когда на входе действует чётное количество
Словесное описание: "истина на выходе - только при истине на входе1, либо только при
истине на входе 2".
Импликация от A к B (прямая импликация, инверсия декремента, A<=B)
[править | править вики-текст]

0 0 1

0 1 1

1 0 0

1 1 1

Мнемоническое правило для инверсии декремента звучит так: На выходе будет:

 «0» тогда и только тогда, когда на «B» меньше «А»,


 «1» тогда и только тогда, когда на «B» больше либо равно «А»
Импликация от B к A (обратная импликация, инверсия инкремента, A>=B)
[править | править вики-текст]

0 0 1

0 1 0

1 0 1

1 1 1

Мнемоническое правило для инверсии инкремента звучит так: На выходе будет:

 «0» тогда и только тогда, когда на «B» больше «А»,


 «1» тогда и только тогда, когда на «B» меньше либо равно «А»
Декремент. Запрет импликации по B. Инверсия импликации от A к
B[править | править вики-текст]

0 0 0

0 1 0
1 0 1

1 1 0

Мнемоническое правило для инверсии импликации от A к B звучит так: На выходе будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на «A» больше «B»,


 «0» тогда и только тогда, когда на «A» меньше либо равно «B»
Инкремент. Запрет импликации по A. Инверсия импликации от B к
A[править | править вики-текст]

0 0 0

0 1 1

1 0 0

1 1 0

Мнемоническое правило для инверсии импликации от B к A звучит так: На выходе будет:

 «1» тогда и только тогда, когда на «B» больше «A»,


 «0» тогда и только тогда, когда на «B» меньше либо равно «A»
Примечание 1. Элементы импликаций не имеют промышленных аналогов для функций с
количеством входов, не равным 2.
Примечание 2. Элементы импликаций не имеют промышленных аналогов.
Этими простейшими логическими операциями (функциями), и даже некоторыми их
подмножествами, можно выразить любые другие логические операции. Такой набор
простейших функций называется функционально полным логическим базисом. Таких
базисов 4:

 И, НЕ (2 элемента)
 ИЛИ, НЕ (2 элемента)
 И-НЕ (1 элемент)
 ИЛИ-НЕ (1 элемент).
Для преобразования логических функций в один из названых базисов необходимо
применять Закон (правило) де-Моргана.

Физические реализации[править | править вики-текст]


Реализация логических элементов возможна при помощи устройств, использующих самые
разнообразные физические принципы:
 механические,
 гидравлические,
 пневматические,
 электромагнитные,
 электромеханические,
 электронные.
Физические реализации одной и той же логической функции, а также обозначения для истины
и лжи, в разных системах электронных и неэлектронных элементов отличаются друг от друга.

Классификация электронных транзисторных физических


реализаций логических элементов[править | править вики-текст]
Логические элементы подразделяются и по типу использованных в них электронных
элементов. Наибольшее применение в настоящее время находят следующие логические
элементы:

 РТЛ (резисторно-транзисторная логика)
 ДТЛ (диодно-транзисторная логика)
 ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика)

Упрощённая схема двухвходового элемента И-НЕ ТТЛ .

Обычно входной каскад логических элементов ТТЛ представляет собой


простейшие компараторы, которые могут быть выполнены различными способами (на
многоэмиттерном транзисторе или на диодной сборке). В логических элементах ТТЛ входной
каскад, кроме функций компараторов, выполняет и логические функции. Далее следует
выходной усилитель с двухтактным (двухключевым) выходом.
В логических элементах КМОП входные каскады также представляют собой простейшие
компараторы. Усилителями являются КМОП-транзисторы. Логические функции выполняются
комбинациями параллельно и последовательно включенных ключей, которые одновременно
являются и выходными ключами.
Транзисторы могут работать в инверсном режиме, но с меньшим коэффициентом усиления.
Это свойство используются в ТТЛ многоэмиттерных транзисторах. При подаче на оба входа
сигнала высокого уровня (1,1) первый транзистор оказывается включенным в инверсном
режиме по схеме эмиттерного повторителя с высоким уровнем на базе, транзистор
открывается и подключает базу второго транзистора к высокому уровню, ток идёт через
первый транзистор в базу второго транзистора и открывает его. Второй транзистор «открыт»,
его сопротивление мало и на его коллекторе напряжение соответствует низкому уровню (0).
Если хотя бы на одном из входов сигнал низкого уровня (0), то транзистор оказывается
включенным по схеме с общим эмиттером, через базу первого транзистора на этот вход идёт
ток, что открывает его и он закорачивает базу второго транзистора на землю, напряжение на
базе второго транзистора мало и он «закрыт», выходное напряжение соответствует высокому
уровню. Таким образом,таблица истинности соответствует функции 2И-НЕ.

 ТТЛШ (то же с диодами Шоттки)


Для увеличения быстродействия логических элементов в них используются транзисторы
Шоттки (транзисторы с диодами Шоттки), отличительной особенностью которых является
применение в их конструкции выпрямляющего контакта металл-полупроводник вместо p-n
перехода. При работе этих приборов отсутствует инжекция неосновных носителей и явления
накопления и рассасывания заряда, что обеспечивает высокое быстродействие. Включение
этих диодов параллельно коллекторному переходу блокирует насыщение выходных
транзисторов, что увеличивает напряжения логических 0 и 1, но уменьшает потери времени
на переключение логического элемента при том же потребляемом токе (или позволяет
уменьшить потребляемый ток при сохранении стандартного быстродействия). Так, серия 74хх
и серия 74LSxx имеют приблизительно равное быстродействие (в действительности, серия
74LSxx несколько быстрее), но потребляемый от источника питания ток меньше в 4-5 раз (во
столько же раз меньше и входной ток логического элемента).

 КМОП (логика на основе комплементарных ключей на МОП транзисторах)


 ЭСЛ (эмиттерно-связанная логика)
Эта логика, иначе называемая логикой на переключателях тока, построена на базе
биполярных транзисторов, объединённых в дифференциальные каскады. Один из входов
обычно подключён внутри микросхемы к источнику опорного (образцового) напряжения,
примерно посредине между логическими уровнями. Сумма токов через транзисторы
дифференциального каскада постоянна, в зависимости от логического уровня на входе
изменяется лишь то, через какой из транзисторов течёт этот ток. В отличие от ТТЛ,
транзисторы в ЭСЛ работают в активном режиме и не входят в насыщение или инверсный
режим. Это приводит к тому, что быстродействие ЭСЛ-элемента при той же технологии (тех
же характеристиках транзисторов) гораздо больше, чем ТТЛ-элемента, но больше и
потребляемый ток. К тому же, разница между логическими уровнями у ЭСЛ-элемента намного
меньше, чем у ТТЛ (меньше вольта), и, для приемлемой помехоустойчивости, приходится
использовать отрицательное напряжение питания (а иногда и применять для выходных
каскадов второе питание). Зато максимальные частоты переключения триггеров на ЭСЛ
более, чем на порядок превышают возможности современных им ТТЛ, например, серия К500
обеспечивала частоты переключения 160—200 МГц, по сравнению с 10-15 МГц современной
ей ТТЛ серии К155. В настоящее время и ТТЛ(Ш), и ЭСЛ практически не используются, так как
с уменьшением проектных норм КМОП технология достигла частот переключения в несколько
гигагерц.
Инвертор[править | править вики-текст]
Одним из основных логических элементов является инвертор. Инвертирующими каскадами
являются однотранзисторный каскад с общим эмиттером, однотранзисторный каскад с общим
истоком, двухтранзисторный двухтактный выходной каскад на комплементарных парах
транзисторов с последовательным включением транзисторов по постоянному току
(применяется в ТТЛ и КМОП), двухтранзисторный дифференциальный каскад с
параллельным включением транзисторов по постоянному току (применяется в ЭСЛ) и др. Но
одного условия инвертирования недостаточно для применения инвертирующего каскада в
качестве логического инвертора. Логический инвертор должен иметь смещённую рабочую
точку на один из краёв проходной характеристики, что делает каскад неустойчивым в
середине диапазона входных величин и устойчивым в крайних положениях (закрыт, открыт).
Такой характеристикой обладает компаратор, поэтому логические инверторы строят как
компараторы, а не как гармонические усилительные каскады с устойчивой рабочей точкой в
середине диапазона входных величин. Таких каскадов, как и контактных групп реле, может
быть два вида: нормально закрытые (разомкнутые) и нормально открытые (замкнутые).

Применение логических элементов[править | править вики-текст]

Логические элементы входят в состав микросхем, например ТТЛ элементы — в состав


микросхем К155 (SN74), К133; ТТЛШ — 530, 533, К555, ЭСЛ — 100, К500 и т. д.

Комбинационные логические устройства[править | править вики-текст]

Комбинационными называются такие логические устройства, выходные сигналы которых


однозначно определяются входными сигналами:

 Сумматор
 Полусумматор
 Шифратор
 Дешифратор
 Мультиплексор
 Демультиплексор
 Цифровой компаратор
 Мажоритарный элемент
 Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) как универсальная комбинационная
логическая схема

Все они выполняют простейшие двоичные, троичные или n-ичные логические функции.

Последовательностные цифровые устройства[править | править вики-текст]

Последовательностными называют такие логические устройства, выходные сигналы


которых определяются не только сигналами на входах, но и предысторией их работы, то есть
состоянием элементов памяти.

 Триггер
 Счётчик импульсов
 Регистр
 Венъюнктор
 Секвентор
5.6. Что такое   схемы  И,  ИЛИ,  НЕ,  И—НЕ,  ИЛИ—НЕ?

 
Схема И

Схема И реализует конъюнкцию двух или более логических


значений. Условное обозначение на структурных схемах схемы И с двумя
входами представлено на рис. 5.1.

  
                  Рис. 5.1

Таблица истинности схемы И

x y x . y

0 0 0

0 1 0

1 0 0
1 1 1

Единица на выходе схемы И будет тогда и только тогда, когда на всех


входах будут единицы. Когда хотя бы на одном входе будет ноль, на выходе
также будет ноль.

Связь между выходом  z  этой схемы и входами  x  и  y  описывается


соотношением:   z = x . y 
(читается как "x и y"). Операция конъюнкции на структурных схемах
обозначается знаком  "&"  (читается как "амперсэнд"),  являющимся
сокращенной записью английского слова  and.
 

С х е м а   ИЛИ

Схема  ИЛИ  реализует дизъюнкцию двух или более логических


значений. Когда хотя бы на одном входе схемы  ИЛИ  будет единица, на её
выходе также будет единица.

Условное обозначение на структурных схемах схемы ИЛИ с двумя входами


представлено на рис. 5.2.   Знак "1" на схеме — от устаревшего обозначения
дизъюнкции как   ">=1"  (т.е. значение дизъюнкции равно единице, если сумма
значений операндов больше или равна 1).    Связь между выходом  z  этой
схемы и входами  x  и  y   описывается соотношением:  z = x v y  (читается
как "x или y").

  
                  Рис. 5.2

Таблица истинности схемы ИЛИ

x y xvy

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 1

 
С х е м а   НЕ

Схема   НЕ  (инвертор) реализует операцию отрицания.  Связь между


входом   x этой схемы и выходом  z  можно записать соотношением  z = ,
где   читается как "не x" или "инверсия х".

Если на входе схемы  0,  то на выходе  1.  Когда на входе  1,  на выходе  0. 
Условное обозначение на структурных схемах инвертора — на рисунке 5.3

  
                  Рис. 5.3

Таблица истинности схемы НЕ

0 1

1 0

 
С х е м а   И—НЕ

Схема И—НЕ состоит из элемента И и инвертора и осуществляет


отрицание результата схемы И. Связь между выходом z и входами x и yсхемы
записывают следующим образом:  , где      читается как   "инверсия x
и y".   Условное обозначение на структурных схемах схемы   И—НЕ  с двумя
входами представлено на рисунке 5.4.

  
                  Рис. 5.4

Таблица истинности схемы И—НЕ

x y

0 0 1

0 1 1
1 0 1

1 1 0

 
С х е м а   ИЛИ—НЕ

Схема ИЛИ—НЕ состоит из элемента ИЛИ и инвертора  и осуществляет


отрицание результата схемы ИЛИ.     Связь между выходом  z  и входами  x  и
y  схемы записывают следующим образом:   ,  где   ,  читается как
"инверсия  x или y ". Условное обозначение на структурных схемах
схемы ИЛИ—НЕ с двумя входами представлено на рис. 5.5.

  
                  Рис. 5.5

Таблица истинности схемы ИЛИ—НЕ

x y

0 0 1

0 1 0

1 0 0

1 1 0

[ домой ] [ следующий ] [ начало главы ] [ предыдущий ] [ содержание ]

Триггер
[править | править вики-текст]

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться


от версии, проверенной 25 ноября 2014; проверки требуют 135 правок.

У этого термина существуют и другие значения, см. Триггер (значения).


RS-Триггер
(R1, R2 = 1 kΩ, R3, R4 = 10 kΩ).

Триггер (триггерная система) — класс электронных устройств, обладающих способностью


длительно находиться в одном из двух устойчивых состояний и чередовать их под
воздействием внешних сигналов. Каждое состояние триггера легко распознаётся по значению
выходного напряжения. По характеру действия триггеры относятся к импульсным
устройствам — их активные элементы (транзисторы, лампы) работают в ключевом режиме, а
смена состояний длится очень короткое время.
Отличительной особенностью триггера как функционального устройства является свойство
запоминания двоичной информации. Под памятью триггера подразумевают способность
оставаться в одном из двух состояний и после прекращения действия переключающего
сигнала. Приняв одно из состояний за «1», а другое за «0», можно считать, что триггер хранит
(помнит) один разряд числа, записанного в двоичном коде.
При изготовлении триггеров применяются преимущественно полупроводниковые приборы
(обычно биполярные и полевые транзисторы), в прошлом —
электромагнитные реле, электронные лампы. В настоящее время логические схемы, в том
числе с использованием триггеров, создают в интегрированных средах разработки под
различныепрограммируемые логические интегральные схемы (ПЛИС). Используются, в
основном, в вычислительной техникедля организации компонентов вычислительных
систем: регистров, счётчиков, процессоров, ОЗУ.

Содержание
  [убрать] 

 1 История
 2 Определения
 3 Классификация
 4 Базовые понятия
 5 Типы триггеров
o 5.1 RS-триггеры
 5.1.1 RS-триггер асинхронный
 5.1.2 RS-триггер синхронный
 5.1.3 RS-триггер двухступенчатый со сложной логикой
o 5.2 D-триггеры
 5.2.1 D-триггер синхронный
 5.2.2 D-триггер двухступенчатый
o 5.3 T-триггеры
 5.3.1 Т-триггер асинхронный
 5.3.2 T-триггер синхронный
 5.3.3 T-триггер двухступенчатый со сложной логикой
 5.3.4 TV-триггер двухступенчатый со сложной логикой
o 5.4 JK-триггер
 5.4.1 JK-триггер двухступенчатый со сложной логикой
 6 Триггеры с любым числом устойчивых состояний
 7 Физические реализации триггеров
o 7.1 Триггеры с тиристорами
o 7.2 Триггеры на релейно-контакторной базе
 8 См. также
 9 Литература
 10 Примечания
 11 Ссылки

История[править | править вики-текст]

Рис.2 Схемы из патента Икклза и Джордана 1918 г., один (рис.1) нарисован как два инвертирующих
каскада усилителя с положительной обратной связью, другой (рис.2) как симметричная
перекрёстносвязанная пара.

Разрывные характеристики электронных ламп, на которых основано действие триггеров,


впервые под названием «катодное реле» были описаны М. А. Бонч-Бруевичем в 1918 г.
[1]
 Практическая схема триггера была опубликована 5 августа1920
года У. Г. Икклзом (англ.)русск. и Ф. У. Джорданом (англ.)русск. в патентеВеликобритании № 14858
2 заявленном 21 июня 1918 г.[2] и в статье«Переключающее реле, использующее
трёхэлектродные вакуумные лампы»[3] от19 сентября 1919 года.

Определения[править | править вики-текст]
У этого термина существуют и другие значения, см. Триггер (значения).

Триггер (бистабильный мультивибратор[4]) — это цифровой автомат, имеющий несколько


входов и 2 выхода.
Триггер — это устройство последовательностного типа с двумя устойчивыми состояниями
равновесия, предназначенное для записи и хранения информации. Под действием входных
сигналов триггер может переключаться из одного устойчивого состояния в другое. При этом
напряжение на его выходе скачкообразно изменяется.
Триггерами называют[5] такие логические устройства, выходные сигналы которых
определяются не только сигналами на входах, но и предысторией их работы, то есть
состоянием элементов памяти.
Триггер — один из базовых (основных) элементов цифровой техники[6]. Некоторые
исследователи[7] включают триггер в 100 великих изобретений.
Триггер не является логическим элементом первого уровня, а сам состоит из логических
элементов первого уровня — инверторов или логических вентилей. По отношению к
логическим элементам первого уровня триггер является логическим устройством второго
уровня.
Триггер — элементарная ячейка оперативной памяти.
Триггер — простейшее устройство, выполняющее логическую функцию с обратной связью, то
есть простейшее устройство кибернетики.
N-ичный триггер — устройство (элементарная переключаемая ячейка памяти, переключатель
с N устойчивыми положениями), которое имеет N устойчивых состояний и возможность
переключения из любого состояния в любое другое состояние.
Триггер — это логическое устройство с двумя устойчивыми состояниями 0 и 1, имеющие
несколько входов и два выхода,один прямой, а другой инверсный.

Классификация[править | править вики-текст]
Рис. 3. Временная диаграмма работы динамического триггера

Рис. 4. Симметричные триггеры: а — с непосредственной связью между каскадами; б — с резистивной
связью

Рис. 5. Функциональная классификация триггеров

Рис. 6. Классификация триггеров по способу ввода информации

Триггеры подразделяются на две большие группы — динамические истатические. Названы


они так по способу представления выходной информации.
Динамический триггер представляет собой управляемый генератор, одно из состояний
которого (единичное) характеризуется наличием на выходе непрерывной последовательности
импульсов определённой частоты, а другое (нулевое) — отсутствием выходных импульсов.
Смена состояний производится внешними импульсами (рис. 3).
К статическим триггерам относят устройства, каждое состояние которых характеризуется
неизменными уровнями выходного напряжения (выходными потенциалами): высоким —
близким к напряжению питания и низким — около нуля. Статические триггеры по способу
представления выходной информации часто называют потенциальными.
Статические (потенциальные) триггеры, в свою очередь, подразделяются на две неравные по
практическому значению группы — симметричные и несимметричные триггеры. Оба класса
реализуются на двухкаскадном двухинверторном усилителе с положительной обратной
связью, а названием своим они обязаны способам организации внутренних электрических
связей между элементами схемы.
Симметричные триггеры отличает симметрия схемы и по структуре, и по параметрам
элементов обоих плеч. Для несимметричных триггеров характерна неидентичность
параметров элементов отдельных каскадов, а также и связей между ними.
Симметричные статические триггеры составляют основную массу триггеров, используемых в
современной радиоэлектронной аппаратуре. Схемы симметричных триггеров в простейшей
реализации (2х2ИЛИНЕ) показаны на рис. 4.
Основной и наиболее общий классификационный признак — функциональный — позволяет
систематизировать статические симметричные триггеры по способу организации логических
связей между входами и выходами триггера в определённые дискретные моменты времени
до и после появления входных сигналов. По этой классификации триггеры характеризуются
числом логических входов и их функциональным назначением (рис. 5).
Вторая классификационная схема, независимая от функциональной, характеризует триггеры
по способу ввода информации и оценивает их по времени обновления выходной информации
относительно момента смены информации на входах (рис. 6).
Каждая из систем классификации характеризует триггеры по разным показателям и поэтому
дополняет одна другую. К примеру, триггеры RS-типа могут быть
в синхронном иасинхронном исполнении.
Асинхронный триггер изменяет своё состояние непосредственно в момент появления
соответствующего информационного сигнала(ов), с некоторой задержкой равной сумме
задержек на элементах, составляющих данный триггер.
Синхронные триггеры реагируют на информационные сигналы только при наличии
соответствующего сигнала на так называемом входе синхронизации С (от англ. clock). Этот
вход также обозначают термином «такт». Такие информационные сигналы называют
синхронными. Синхронные триггеры в свою очередь подразделяют на триггеры со
статическим и с динамическим управлением по входу синхронизации С.
Триггеры со статическим управлением воспринимают информационные сигналы при подаче
на вход С логической единицы (прямой вход) или логического нуля (инверсный вход).
Триггеры с динамическим управлением воспринимают информационные сигналы при
изменении (перепаде) сигнала на входе С от 0 к 1 (прямой динамический С-вход) или от 1 к 0
(инверсный динамический С-вход). Также встречается название «триггер
управляемый фронтом».
Одноступенчатые триггеры (latch, защёлки) состоят из одной ступени представляющей
собой элемент памяти и схему управления, бывают, как правило, со статическим
управлением. Одноступенчатые триггеры с динамическим управлением применяются в
первой ступени двухступенчатых триггеров с динамическим управлением. Одноступенчатый
триггер на УГО обозначают одной буквой - Т.
Двухступенчатые триггеры (flip-flop, шлёпающие) делятся на триггеры со статическим
управлением и триггеры с динамическим управлением. При одном уровне сигнала на входе С
информация, в соответствии с логикой работы триггера, записывается в первую ступень
(вторая ступень заблокирована для записи). При другом уровне этого сигнала происходит
копирование состояния первой ступени во вторую (первая ступень заблокирована для
записи), выходной сигнал появляется в этот момент времени с задержкой равной задержке
срабатывания ступени. Обычно двухступенчатые триггеры применяются в схемах, где
логические функции входов триггера зависят от его выходов, во избежание временны́ х гонок.
Двухступенчатый триггер на УГО обозначают двумя буквами - ТТ.
Триггеры со сложной логикой бывают также одно- и двухступенчатые. В этих триггерах
наряду с синхронными сигналами присутствуют и асинхронные. Такой триггер изображён на
рис. 1, верхний (S) и нижний (R) входные сигналы являются асинхронными.
Триггерные схемы классифицируют также по следующим признакам:

 числу целочисленных устойчивых состояний (основанию системы счисления) (обычно


устойчивых состояний два, реже — больше, см. двоичный триггер, троичный триггер,
четверичный триггер[8], …, десятичный триггер, …, n-ичный триггер, …);
 числу уровней — два уровня (высокий, низкий) в двухуровневых элементах, три уровня
(положительный, ноль, отрицательный) в трёхуровневых элементах [9], …, N-уровней в N-
уровневых элементах, … ;
 по способу реакции на помехи — прозрачные и непрозрачные. Непрозрачные, в свою
очередь, делятся на проницаемые и непроницаемые.
 по составу логических элементов (триггеры на элементах И-НЕ, ИЛИ-НЕ и др.).

Базовые понятия[править | править вики-текст]


Триггер — это запоминающий элемент с двумя (или более) устойчивыми состояниями,
изменение которых происходит под действием входных сигналов и предназначен для
хранения одного бита информации, то есть лог. 0 или лог. 1.
Все разновидности триггеров представляют собой элементарный автомат, включающий
собственно элемент памяти (ЭП) и комбинационную схему (КС), которая может называться
схемой управления или входной логикой (рис. 7).

Рис. 7 структура триггеров в виде КС и ЭП

В графе триггера каждая вершина графа соединена со всеми другими вершинами, при этом
переходы от вершины к вершине возможны в обе стороны (двухсторонние). Граф двоичного
триггера — две точки соединённые отрезком прямой линии, троичного триггера —
треугольник, четверичного триггера — квадрат с диагоналями, пятеричного триггера —
пятиугольник с пентаграммой и т. д. При N=1 граф триггера вырождается в одну точку, в
математике ему соответствует унарная единица или унарный ноль, а в электронике —
монтажная «1» или монтажный «0», то есть простейшее ПЗУ. Устойчивые состояния имеют
на графе триггера дополнительную петлю, которая обозначает, что при снятии управляющих
сигналов триггер остаётся в установленном состоянии.
Состояние триггера определяется сигналами на прямом и инверсном выходах. При
положительном кодировании (позитивная логика) высокий уровень напряжения на прямом
выходе отображает значение лог. 1 (состояние = 1), а низкий уровень — значение лог. 0
(состояние = 0). При отрицательном кодировании (негативная логика) высокому уровню
(напряжению) соответствует логическое значение «0», а низкому уровню (напряжению)
соответствует логическое значение «1».
Изменение состояния триггера (его переключение или запись) обеспечивается внешними
сигналами и сигналами обратной связи, поступающими с выходов триггера на входы схемы
управления (комбинационной схемы или входной логики). Обычно внешние сигналы, как и
входы триггера, обозначают латинскими буквами R, S, T, C, D, V и др. В простейших схемах
триггеров отдельная схема управления (КС) может отсутствовать. Поскольку функциональные
свойства триггеров определяются их входной логикой, то названия основных входов
переносятся на всю схему триггера.
Входы триггеров разделяются на информационные (R, S, T и др.) и управляющие (С, V).
Информационные входы предназначены для приема сигналов запоминаемой информации.
Названия входных сигналов отождествляют с названиями входов триггера. Управляющие
входы служат для управления записью информации. В триггерах может быть два вида
управляющих сигналов:

 синхронизирующий (тактовый) сигнал С, поступающий на С-вход (тактовый вход);


 разрешающий сигнал V, поступающий на V-вход.
На V-входы триггера поступают сигналы, которые разрешают (V=1) или запрещают (V=0)
запись информации. В синхронных триггерах с V-входом запись информации возможна при
совпадении сигналов на управляющих С и V-входах.
Работа триггеров описывается с помощью таблицы переключений, являющейся
аналогом таблицы истинности для комбинационной логики. Выходное состояние триггера
обычно обозначают буквой Q. Индекс возле буквы означает состояние до подачи сигнала (t)
либо (t-1) или после подачи сигнала (t+1) или (t). В триггерах с парафазным (двухфазным)
выходом имеется второй (инверсный) выход, который обозначают как Q, /Q или Q'.
Кроме табличного определения работы триггера существует формульное задание функции
триггера всеквенциальной логике. Например, функцию RS-триггера в секвенциальной логике
представляет формула  . Аналитическая запись SR-триггера выглядит
так:  .

Типы триггеров[править | править вики-текст]


RS-триггеры[править | править вики-
Q(t
 S   R  Q(t)
)
Q(t+1) Q(t+1) текст]
RS-триггер
0 0 0 1 0 1 асинхронный[править | править вики-
текст]
0 0 1 0 1 0

0 1 0 1 0 1

0 1 1 0 0 1

1 0 0 1 1 0

1 0 1 0 1 0
Асинхронный RS-триггер с инверсными входами
1 1 0 1 не определено не определено
RS-триггер[10][11], или SR-триггер — триггер,
1 1 1 0 не определено не определено который сохраняет своё предыдущее
состояние при нулевых входах и меняет своё выходное состояние при подаче на один из его
входов единицы.
При подаче единицы на вход S (отангл. Set — установить) выходное состояние становится
равным логической единице. А при подаче единицы на вход R (отангл. Reset — сбросить)
выходное состояние становится равным логическому нулю. Состояние, при котором на оба
входа R и S одновременно поданы логические единицы не определено и зависит от
реализации, например в триггере на элементах «или-не» оба выхода переходят в состояние
логического «0», которое является неустойчивым и переходит в одно из устойчивых
состояний при снятии управляющего сигнала с одного из входов.
RS-триггер используется для создания сигнала с положительным и отрицательным
фронтами, отдельно управляемыми посредством стробов, разнесённых во времени. Также
RS-триггеры часто используются для исключения так называемого явления дребезга
контактов.
RS-триггеры иногда называют RS-фиксаторами [12].

Условное графическое обозначение асинхронного RS-триггера


 

Логическая схема асинхронного RS-триггера на элементах 2И–НЕ


 

Граф переходов асинхронного RS-триггера


 

Карта Карноасинхронного RS-триггера


 

Асинхронный RS-триггер на логических элементах 2ИЛИ-НЕ


 

 Схема устранения дребезга контактов


RS-триггер синхронный[править | править вики-текст]
 C   S   R   Q(t)  Q(t+1) Схема синхронного RS-триггера совпадает со схемой
одноступенчатого парафазного (двухфазного) D-триггера, но
0 0 не наоборот, так как в парафазном (двухфазном) D-триггере
0 x x не используются комбинации S=0, R=0 и S=1, R=1.
1 1
Алгоритм функционирования синхронного RS-триггера можно
1 0 0 0 0 представить формулой

1 0 0 1 1

1 0 1 0 0

1 0 1 1 0

1 1 0 0 1

1 1 0 1 1

1 1 1 0 не определено

1 1 1 1 не определено

где x — неопределённое состояние.

Условное графическое обозначение синхронного RS-триггера


 

Схема синхронного RS-триггера на элементах 2И-НЕ


 

Граф переходов синхронного RS-триггера


 

Карта Карно синхронного RS-триггера


RS-триггер двухступенчатый со сложной логикой [править | править вики-
текст]
Рис. 1 Схема RS-триггера двухступенчатого со сложной логикой на элементах 2И-НЕ и 3И-НЕ

УГО данного триггера изображено на рис.1. Следует отметить, что на данном рисунке
неправильно подается тактовый сигнал (На второй каскад тактовый сигнал должен
подаваться с инверсией).

D-триггеры[править | править вики-текст]
D-триггеры также называют триггерами задержки(от англ. Delay).
D-триггер синхронный[править | править вики-текст]

Пример условного графического обозначения (УГО) D-триггера с динамическим синхронным


входом С и с дополнительными асинхронными инверсными входами S и R

D Q(t) Q(t+1) D-триггер (D от англ. delay — задержка[13][14][15] либо от data[16] - данные) —


запоминает состояние входа и выдаёт его на выход. D-триггеры имеют, как
0 0 0 минимум, два входа: информационный D и синхронизации С. После прихода
активного фронта импульса синхронизации на вход С D-триггер открывается.
0 1 0 Сохранение информации в D-триггерах происходит после спада импульса
синхронизации С. Так как информация на выходе остаётся неизменной до
1 0 1 прихода очередного импульса синхронизации, D-триггер называют также
триггером с запоминанием информации или триггером-защёлкой. Рассуждая
1 1 1 чисто теоретически, парафазный (двухфазный) D-триггер можно образовать
из любых RS- или JK-триггеров, если на их входы одновременно подавать
взаимно инверсные сигналы.
D-триггер в основном используется для реализации защёлки. Так, например, для снятия 32
бит информации с параллельной шины, берут 32 D-триггера и объединяют их входы
синхронизации для управления записью информации в защёлку, а 32 D входа подсоединяют к
шине.
В одноступенчатых D-триггерах во время прозрачности все изменения информации на
входе D передаются на выход Q. Там, где это нежелательно, нужно применять
двухступенчатые (двухтактные, Master-Slave, MS) D-триггеры.

Условное графическое обозначение D-триггера со статическим входом синхронизации С


D-триггер двухступенчатый[править | править вики-текст]
В одноступенчатом триггере имеется одна ступень запоминания информации, а в
двухступенчатом — две такие ступени. Вначале информация записывается в первую
ступень, а затем переписывается во вторую и появляется на выходе. Двухступенчатый
триггер обозначают ТТ. Двухступенчатый D – триггер называют триггером с динамическим
управлением. Общая схема двухступенчатого триггера
T-триггеры[править | править вики-текст]
Т-триггер (от англ. Toggle - переключатель) часто называют счётным триггером, так как он
является простейшимсчётчиком до 2.
Т-триггер асинхронный[править | править вики-текст]
Асинхронный Т-триггер не имеет входа разрешения счёта - Т и переключается по каждому
тактовому импульсу на входе С.
T-триггер синхронный[править | править вики-текст]
T Q(t) Q(t+1)

0 0 0

0 1 1

1 0 1

1 1 0

Условное графическое обозначение (УГО) синхронного T-триггера с динамическим входом


синхронизации С на схемах.

Синхронный Т-триггер[17], при единице на входе Т, по каждому такту на входе С изменяет


своё логическое состояние на противоположное, и не изменяет выходное состояние при
нуле на входе T. Т-триггер можно построить на JK-триггере, на двухступенчатом (Master-
Slave, MS) D-триггере и на двух одноступенчатых D-триггерах и инверторе.
Как можно видеть в таблице истинности JK-триггера, он переходит в инверсное состояние
каждый раз при одновременной подаче на входы J и K логической 1. Это свойство
позволяет создать на базе JK-триггера Т-триггер, объединяя входы J и К.
В двухступенчатом (Master-Slave, MS) D-триггере инверсный выход Q соединяется со
входом D, а на вход С подаются счётные импульсы. В результате триггер при каждом
счётном импульсе запоминает значение Q, то есть будет переключаться в
противоположное состояние.
Работа схемы асинхронного двухступенчатого T-триггера с парафазным входом на двух
парафазных D-триггерах на восьмилогических вентилях 2И-НЕ. Слева — входы, справа — выходы.
Синий цвет соответствует 0, красный — 1

Т-триггер часто применяют для понижения частоты в 2 раза, при этом на Т вход подают
единицу, а на С — сигнал с частотой, которая будет поделена на 2.

T-триггер двухступенчатый со сложной логикой[править | править вики-текст]


TV-триггер двухступенчатый со сложной логикой[править | править вики-
текст]
JK-триггер[править | править вики-текст]

JK-триггер с дополнительными асинхронными инверсными входами S и R

 J   K  Q(t) Q(t+1) JK-триггер[18][19] работает так же как RS-триггер, с одним лишь
исключением: при подаче логической единицы на оба входа J и K
0 0 0 0 состояние выхода триггера изменяется на противоположное.
Вход J (отангл. Jump — прыжок) аналогичен входу S у RS-триггера.
0 0 1 1 Вход K (отангл. Kill — отключение) аналогичен входу R у RS-триггера. При
подаче единицы на вход J и нуля на вход K выходное состояние триггера
0 1 0 0 становится равным логической единице. А при подаче единицы на
вход K и нуля на вход J выходное состояние триггера становится равным
0 1 1 0 логическому нулю. JK-триггер в отличие от RS-триггера не имеет
запрещённых состояний на основных входах, однако это никак не
помогает при нарушении правил разработки логических схем. На практике
1 0 0 1
применяются только синхронные JK-триггеры, то есть состояния
основных входов J и K учитываются только в момент тактирования,
1 0 1 1 например по положительному фронту импульса на входе синхронизации.
1 1 0 1 На базе JK-триггера возможно построить D-триггер или Т-триггер. Как
можно видеть в таблице истинности JK-триггера, он переходит в
1 1 1 0 инверсное состояние каждый раз при одновременной подаче на
входы J и K логической 1. Это свойство позволяет создать на базе JK-
триггера Т-триггер, объединив входы J и К[20].
Алгоритм функционирования JK-триггера можно представить формулой

Условное графическое обозначение JK-триггера со статическим входом С


 

Граф переходов JK-триггера


 

Карта Карно JK-триггера


JK-триггер двухступенчатый со сложной логикой[править | править вики-
текст]

Триггеры с любым числом устойчивых


состояний[править | править вики-текст]
Модель пятеричного RS1S2S3S4-триггера в логическом симулятореAtanua[21]

Триггер с любым числом устойчивых состояний N строится из N логических элементов


(N-1)ИЛИ-НЕ или (N-1)И-НЕ путём соединения выхода каждого элемента (Q0, Q1, …,
Q(N-1)) с соответствующими входами всех других элементов [22][неавторитетный источник?]. То
есть наименьшее число логических элементов для построения N-ичного триггера
равно N.
Триггеры на элементах (N-1)ИЛИ-НЕ работают в прямом одноединичном коде (на
выходе Q одного из элементов — «1», на выходах Q других элементов — «0»).
Триггеры на элементах (N-1)И-НЕ работают в инверсном однонулевом коде (на
выходе Q одного из элементов — «0», на выходах Q других элементов — «1»).
При добавлении N транзисторов доступа эти триггеры могут работать как ячейки
статической сверхоперативной памяти (SRAM).
При добавлении схем управления переключением эти триггеры могут работать как N-
ичные аналоги двоичного RS-триггера.
В непозиционных системах счисления:

удельные затраты инверторов от числа состояний триггера не зависят:  ,


где   — число инверторов,   — число состояний триггера.
Удельные затраты диодов в логических частях логических элементов от числа

состояний триггера имеют линейную зависимость:  ,


где   — число инверторов,   — число состояний триггера,   — число
диодов в логической части одного логического элемента. По этому параметру
выгоднее двоичные триггеры.

Снимок модели пятеричного RS1S2S3S4-триггера Larry K. Baxter’а в логическом


симулятореAtanua

В приведённом выше подходе построения триггеров с любым числом устойчивых


состояний при увеличении числа устойчивых состояний — n, увеличивается число
входов в логических элементах в каждой элементарной ячейке триггера. Larry K.
Baxter, Lexington, Mass. Assignee: Shintron Company, Inc., Cambridge, Mass. US Patent
3,764,919 Oct. 9, 1973 Filed: Dec. 22, 1972 Fig.3 предлагает другой подход к
построению триггеров с любым числом устойчивых состояний, при котором число
логических элементов и число входов в логических элементах в каждой элементарной
ячейке триггера остаётся постоянным, но при этом увеличивается время
переключения триггера пропорционально числу разрядов триггера.

Физические реализации триггеров[править | править вики-текст]


Триггеры с тиристорами[править | править вики-текст]
Тиристор подходит для замены элемента памяти в триггерах.
Описание схемы на примере RS триггера: К катоду тиристора подключается выход
триггера Q, к управляющему электроду подключается вход S, к аноду подключается
постоянное напряжение через полевой транзистор с изолированным затвором, к
затвору полевого транзистора подключается вход R.
Описание работы: Начальное состояние на выходе Q ноль: тиристор находится в
замкнутом состоянии, ток на выходе соответствует нулю. Переход в состояние
единица: на вход S подается напряжение равно логической единице тиристор
разблокируется и напряжение на выходе Q повышается соответственно логической
единице, при последующем понижении напряжения на входе S тиристор сохраняет
низкое сопротивление и напряжение на выходе Q остается равным логической
единице. Переход от логической единицы к нулю: на вход R подается напряжение
равное логической единице полевой транзистор переходит в замкнутое состояние,
напряжение на аноде тиристора падает, вследствие чего сопротивление тиристора
возрастает и он переходит в состояние низкого выходного напряжения
соответствующего логическому нулю, это состояние сохраняется при повышении
входного напряжения на аноде тиристора.
Тиристор можно заменить на два биполярных транзистора (смотря какая реализация
будет удобнее).
Как итог мы получаем RS триггер на трех транзисторах.
Триггеры на релейно-контакторной базе[править | править вики-текст]
Основная статья: релейно-контакторная логика

Несмотря на развитие электроники и особенно микроэлектроники до сих пор


применяется простая логика на электромагнитных реле. Это связано с простотой
реализации, высокой помехозащищённостью и хорошим уровнем электрической
развязки входов и выходов таких схем (так как электромагнитные реле потребляют в
большинстве своём значительный ток) по сравнению с полупроводниковой и
ламповой электроникой.
Таковы, например:

 триггерная схема «с самоподхватом» для пуска асинхронных двигателей с


короткозамкнутым ротором.
 схемы автопереключения резервных источников питания в промышленности и
питании зданий.
5.7. Что такое триггер?
Триггер — это электронная схема, широко применяемая в регистрах компьютера для
надёжного запоминания одного разряда двоичного кода. Триггер имеет два
устойчивых состояния, одно из которых соответствует двоичной единице, а другое
— двоичному нулю.

Термин триггер происходит от английского слова trigger — защёлка,


спусковой крючок. Для обозначения этой схемы в английском языке чаще
употребляется термин flip-flop, что в переводе означает "хлопанье". Это
звукоподражательное название электронной схемы указывает на её способность
почти мгновенно переходить ("перебрасываться") из одного электрического
состояния в другое и наоборот.

Самый распространённый тип триггера — так называемый RS-триггер (S и


R, соответственно, от английских set — установка, и reset — сброс). Условное
обозначение триггера — на рис. 5.6.
 
Рис. 5.6

Он имеет два симметричных входа S и R и два симметричных выхода Q


и  , причем выходной сигнал Q является логическим отрицанием сигнала  .

На каждый из двух входов S и R могут подаваться входные сигналы в виде


кратковременных импульсов (  ).

Наличие импульса на входе будем считать единицей, а его отсутствие —


нулем.

На рис. 5.7 показана реализация триггера с помощью вентилей ИЛИ—НЕ и


соответствующая таблица истинности.

Рис. 5.7

S R Q

0 0 запрещено

0 1 1 0

1 0 0 1

1 1 хранение бита

Проанализируем возможные комбинации значений входов R и S триггера,


используя его схему и таблицу истинности схемы ИЛИ—НЕ (табл. 5.5).

1. Если на входы триггера подать S="1", R="0", то (независимо от состояния)


на выходе Q верхнего вентиля появится "0". После этого на входах
нижнего вентиля окажется R="0", Q="0" и выход  станет равным "1".
2. Точно так же при подаче "0" на вход S и "1" на вход R на выходе 
появится "0", а на Q — "1".
3. Если на входы R и S подана логическая "1", то состояние Q и  не
меняется.
4. Подача на оба входа R и S логического "0" может привести к
неоднозначному результату, поэтому эта комбинация входных сигналов
запрещена.

Поскольку один триггер может запомнить только один разряд двоичного


кода, то для запоминания байта нужно 8 триггеров, для запоминания килобайта,
соответственно, 8 х 210 = 8192 триггеров. Современные микросхемы памяти
содержат миллионы триггеров.

Триггеры — это устройства с двумя состояниями. Они предназначены для


запоминания двоичной информации. Использование триггеров позволяет реализовывать
устройства оперативной памяти (то есть памяти, информация в которой хранится только
на время вычислений). Однако это не единственная их область применения. Триггеры
широко используются для построения цифровых устройств с памятью, таких
как счётчики, преобразователи последовательного кода в
параллельный, последовательные порты или цифровые линии задержки, применяемые в
составе цифровых фильтров.

Простейшая схема триггера, позволяющая запоминать двоичную информацию, может


быть построена на двух логических инверторах, охваченных положительной обратной
связью. Она приведена на рисунке 1.

 
Рисунок 1. Схема простейшего триггера, построенного на инверторах

В схеме любого триггера может быть только два состояния — на выходе Q


присутствует логическая единица и на выходе Q присутствует логический ноль. Если
логическая единица присутствует на выходе Q, то на инверсном выходе триггера будет
присутствовать логический ноль, который после очередного инвертирования
подтверждает уровень логической единицы на выходе Q. И наоборот, если на выходе
триггера Q присутствует логический ноль, то на инверсном выходе будет присутствовать
логическая единица.

Описанная ситуация на выводах триггера будет сохраняться до тех пор пока


включено питание. Но вот вопрос — а как записывать в простейший триггер
необходимую нам информацию? Для этого в схеме потребуются входы записи нуля и
записи единицы.

RS-триггеры

RS-триггер получил название по названию своих входов. Вход S (Set — установить


англ.) позволяет устанавливать выход Q в единичное состояние. (Устанавливать означает
записывать логическую единицу). Вход R (Reset — сбросить англ.) позволяет сбрасывать
выход Q (Quit — выход англ.) в нулевое состояние.
Для реализации RS-триггера воспользуемся логическими элементами "2И-НЕ". Его
принципиальная схема, реализованная на логических элементах "2И-НЕ", приведена на
рисунке 2.

 
Рисунок 2. Схема RS-триггера на логических элементах "2И-НЕ". Входы R и S инверсные (активный
уровень'0')

Рассмотрим работу изображенной на рисунке 2 схемы триггера подробнее. Пусть на


входы R и S подаются единичные потенциалы. Если на выходе верхнего логического
элемента "2И-НЕ" Q присутствует логический ноль, то на выходе нижнего логического
элемента "2И-НЕ" появится логическая единица. Эта единица подтвердит логический
ноль на выходе триггера Q. Если на выходе верхнего логического элемента "2И-НЕ" Q
первоначально присутствует логическая единица, то на выходе нижнего логического
элемента "2И-НЕ" появится логический ноль. Этот ноль подтвердит логическую единицу
на выходе Q. То есть, при единичных уровнях на входах R и S, схема RS-триггера
работает точно так же, как и схема триггера на инверторах.

Подадим на вход S триггера нулевой потенциал. Согласно таблице истинности


логического элемента "2И-НЕ" на выходе Q появится единичный потенциал. Это приведёт
к появлению на инверсном выходе триггера нулевого потенциала. Теперь, даже если снять
нулевой потенциал с входа S, на выходе триггера останется единичный потенциал. То есть
мы записали в триггер логическую единицу.

Точно так же можно записать в триггер и логический ноль. Для этого следует
воспользоваться входом R. Так как активный уровень на входах триггера оказался
нулевым, то эти входы — инверсные. Составим таблицу истинности RS-триггера. Входы
R и S в этой таблице будем использовать прямые, то есть запись нуля, и запись единицы
будут осуществляться единичными потенциалами (таблица 1).

Таблица 1. Таблица истинности RS-триггера.

R S Q(t) Q(t+1) Пояснения

0 0 0 0 Режим хранения информации (триггером) R=S=0

0 0 1 1

0 1 0 1 Режим установки триггера в единичное состояние S=1

0 1 1 1

1 0 0 0 Режим записи нуля в триггер R=1

1 0 1 0

1 1 0 * R=S=1 запрещенная комбинация


1 1 1 *

RS-триггер можно построить и на логических элементах "2ИЛИ-НЕ". Схема RS-


триггера, построенного на логических элементах "2ИЛИ-НЕ" приведена на рисунке 3.
Единственное отличие в работе этой схемы триггера будет заключаться в том, что его
сброс и установка будет производиться единичными логическими уровнями. Эти
особенности реализации схемы триггера связаны с принципами работы инверсной логики,
которые рассматривались ранее.

 
Рисунок 3. Схема простейшего RS триггера на логических элементах "2ИЛИ-НЕ". Входы R и S
прямые (активный уровень '1')

Так как RS-триггер при построении его на логических элементах "2И-НЕ" и "2ИЛИ-
НЕ" работает одинаково, то его условно-графическое изображение на принципиальных
схемах тоже одинаково. Условно-графическое изображение RS-триггера на
принципиальных схемах приведено на рисунке 4.

 
Рисунок 4. Условно-графическое обозначение RS-триггера

Для измерения логических уровней на выходе триггера чаще всего применяются


логические пробники, в качестве которых в простейшем случае можно использовать
светодиод с токоограничивающим резистором. В качестве источника логического сигнала
можно применить механические тумблеры.

Синхронные RS-триггеры

Схема RS-триггера позволяет запоминать состояние логической схемы, но так как в


начальный момент времени может возникать переходный процесс (в цифровых схемах
этот процесс называется "опасные гонки"), то запоминать состояния логической схемы в
триггерах нужно только в определённые моменты времени, когда все переходные
процессы закончены.

Это означает, что большинство цифровых схем требуют сигнала синхронизации


(тактового сигнала). Все переходные процессы в комбинационной логической схеме
должны закончиться за время периода синхросигнала, подаваемого на входы триггеров.
Триггеры, запоминающие входные сигналы только в момент времени, определяемый
сигналом синхронизации, называются синхронными триггерами. Для того чтобы отличать
от них рассмотренные ранее варианты триггеров (RS-триггер и триггер Шмитта) эти
триггеры получили название асинхронных.
Формировать синхронизирующие сигналы с различной частотой и скважностью при
помощи генераторов и одновибраторов мы уже научились в предыдущих главах. Теперь
научимся записывать в триггеры входные логические сигналы только при наличии
разрешающего сигнала.

Для этого нам потребуется схема, пропускающая входные сигналы только при
наличии синхронизирующего сигнала. Такую схему мы уже использовали при построении
схем мультиплексоров идемультиплексоров. Это логический элемент "И".
Принципиальная схема синхронного RS-триггера приведена на рисунке 5.

 
Рисунок 5. Схема синхронного RS-триггера, построенного на элементах "И"

В таблице 2 приведена таблица истинности синхронного RS-триггера. В этой таблице


символ x означает, что значения логических уровней на данном входе не важны. Они не
влияют на работу триггера.

Таблица 2. Таблица истинности синхронного RS-триггера.

С R S Q(t) Q(t+1) Пояснения

0 x x 0 0 Режим хранения информации

0 x x 1 1

1 0 0 0 0 Режим хранения информации

1 0 0 1 1

1 0 1 0 1 Режим установки единицы S=1

1 0 1 1 1

1 1 0 0 0 Режим записи нуля R=1

1 1 0 1 0

1 1 1 0 * R=S=1 запрещенная комбинация

1 1 1 1 *

Как мы уже показали выше, RS-триггеры могут быть реализованы на различных


логических элементах. При этом принцип их работы не изменяется. В то же самое время
триггеры часто выпускаются в виде готовых микросхем (или реализуются внутри БИС в
виде готовых модулей), поэтому на принципиальных схемах синхронные триггеры
обычно изображаются в виде условно-графических обозначений. Условно-графическое
обозначение синхронного RS-триггера приведено на рисунке 6.

 
Рисунок 6. Условно-графическое обозначение синхронного RS-триггера

Яндекс.Директ

Работа: инженер электронщик5 открытых рабочих мест. Срочно! Найдите работу сегодня
же.ua.jobrapido.com

D-триггеры

В RS-триггерах для записи логического нуля и логической единицы требуются


разные входы, что не всегда удобно. При записи и хранении данных один бит может
принимать значение, как нуля, так и единицы. Для его передачи достаточно одного
провода. Как мы уже видели ранее, сигналы установки и сброса триггера не могут
появляться одновременно, поэтому можно объединить эти входы при помощи инвертора,
как показано на рисунке 7.

 
Рисунок 7. Принципиальная схема D триггера (защелки)

Такой триггер получил название D триггер. Название происходит от английского


слова delay — задержка. Конкретное значение задержки определяется частотой
следования импульсов синхронизации. Условно-графическое обозначение D триггера на
принципиальных схемах приведено на рисунке 8.

 
Рисунок 8. Условно-графическое обозначение D триггера (защелки)

Таблица истинности D триггера достаточно проста, она приведена в таблице 3. Как


видно из этой таблицы, данный триггер способен запоминать по синхросигналу и хранить
один бит двоичной информации.

Таблица 3. Таблица истинности D триггера

С D Q(t Q(t+1) Пояснения


)

0 x 0 0 Режим хранения информации

0 x 1 1
1 0 x 0 Режим записи информации

1 1 x 1

Нужно отметить, что отдельный инвертор при реализации триггера на ТТЛ элементах
не нужен, так как самый распространённый элемент ТТЛ логики - это “2И-НЕ”.
Принципиальная схема D триггера на элементах 2И-НЕ” приведена на рисунке 9.

 
Рисунок 9. Схема D триггера, реализованная на ТТЛ элементах

Ещё проще реализуется D триггер на КМОП логических элементах. В КМОП


микросхемах вместо логических элементов "И" используются обычные транзисторные
ключи. Схема D триггера приведена на рисунке 10.

 
Рисунок 10. Схема D триггера, реализованная на КМОП элементах

При подаче высокого уровня синхросигнала C транзистор VT1 открывается и


обеспечивает передачу сигнала с входа D на инверсный выход Q через инвертор D1.
Транзистор VT2 при этом закрыт и отключает второй инвертор, собранный на
транзисторах VT2 и VT3. При подаче низкого потенциала на вход C включается второй
инвертор, который вместе с инвертором D1 и образует триггер.

Во всех рассмотренных ранее схемах синхронных триггеров синхросигнал работает


по уровню, поэтому триггеры называются триггерами, работающими по уровню. Ещё
одно название таких триггеров, пришедшее из иностранной литературы — триггеры-
защёлки. Легче всего объяснить происхождение этого названия по временной диаграмме
сигналов, приведенной на рисунке 11.
 
Рисунок 11. Временная диаграмма D триггера (защелки)

По этой временной диаграмме видно, что триггер-защелка хранит данные на выходе


только при нулевом уровне на входе синхронизации. Если же на вход синхронизации
подать активный высокий уровень, то напряжение на выходе триггера будет повторять
напряжение, подаваемое на его вход.

Входное напряжение запоминается только в момент изменения уровня напряжения на


входе синхронизации C с высокого уровня на низкий уровень. Входные данные как бы
"защелкиваются" в этот момент, отсюда и название — триггер-защелка.

Принципиально в этой схеме входной переходной процесс может беспрепятственно


проходить на выход триггера. Поэтому там, где это важно, необходимо сокращать
длительность импульса синхронизации до минимума. Чтобы преодолеть такое
ограничение были разработаны триггеры, работающие по фронту.

Явление метастабильности.

До сих пор мы предполагали, что сигнал на входе триггера может принимать только
два состояния: логический ноль и логическая единица. Однако синхроимпульс может
прийти в любой момент времени, в том числе и в момент смены состояния сигнала на
входе триггера.

Если синхросигнал попадёт точно на момент перехода входным сигналом порогового


уровня, то триггер на некоторое время может попасть в неустойчивое метастабильное
состояние, при котором напряжение на его выходе будет находиться между уровнем
логического нуля и логической единицы. Это может привести к нарушению правильной
работы цифрового устройства.

Состояние метастабильности триггера подобно неустойчивому состоянию шарика,


находящегося на вершине конического холма. Такая ситуация иллюстрируется рисунком
1. Обычно триггер не может долго находиться в состоянии метастабильности и быстро
возвращается в одно из стабильных состояний. Время нахождения в метастабильном
состоянии зависит от уровня шумов схемы и использованной технологии изготовления
микросхем.
 
Рисунок 12. Иллюстрация явления метастабильности

Временные параметры триггера в момент возникновения состояния метастабильности


и выхода из этого состояния приведены на рисунке 2. Время t SU (register setup time or tSU)
на этом рисунке это минимальное время перед синхроимпульсом, в течение которого
логический уровень сигнала должен оставаться стабильным для того, чтобы избежать
метастабильности выхода триггера. Время t H (register hold time or tH) это минимально
необходимое время удержания стабильного сигнала на входе триггера для того, чтобы
избежать метастабильности его выхода. Время состояния метатастабильности случайно и
зависит от многих параметров. На рисунке 2 оно обозначено tMET.

 
Рисунок 13. Временные параметры триггера при проявлении метастабильности

Вероятность того, что время метастабильности превысит заданную величину,


экспоненциально уменьшается с ростом времени, в течение которого выход триггера
находится в метастабильном состояние.

где t — это коэффициент обратно пропорциональный коэффициенту усиления и


полосе пропускания элементов, входящих в состав триггера.

Склонность триггеров к метастабильности обычно оценивается величиной, обратной


скорости отказов. Это значение выражается как интервал времени между отказами. Его
можно определить по формуле:
где t0 = tSU – tH
fс – тактовая частота
fd – частота с которой меняются входные данные

Для того чтобы можно было оценить эту величину, приведём таблицу для двух
микросхем. Последняя строчка этой таблицы эквивалентна времени метастабильности
tMET = 5 нс.

Таблица 3. Сравнительные характеристики КМОП и Bi-КМОП триггеров

Условия измерения SN74ACT SN74ABT

fc = 33МГц, fd = 8МГц 8400 лет 8.1*109 лет

fc = 40МГц, fd = 10МГц 92 дня 1400 лет

fc = 50МГц, fd = 12МГц - 2 часа

Метастабильное состояние не всегда приводит к неправильной работе цифрового


устройства. Если время ожидания устройства после прихода импульса синхронизации
достаточно велико, то триггер может успеть перейти в устойчивое состояние, и мы даже
ничего не заметим. То есть если мы будем учитывать время метастабильности tmet то
метастабильность никак не скажется на работе остальной цифровой схемы.

Если же это время будет неприемлемым для работы схемы, то можно поставить два
триггера последовательно, как это показано на рисунке 3. Это снизит вероятность
возникновения метастабильного состояния.

 
Рисунок 14. Схема снижения вероятности возникновения метастабильного состояния на выходе
триггера

Для сравнения приведем MBTF для новой схемы. Сравнение производится тех же
самых микросхем, что и в предыдущем примере. Время метастабильности t MET = 5 нс для
50МГц, tMET = 5 нс для 67МГц, tMET= 5 нс для 80МГц.

Таблица 4. Сравнительные характеристики КМОП и Bi-КМОП триггеров

Условия измерения SN74ACT SN74ABT

fc = 33МГц, fd = 8МГц 2.62*1028 лет 4.77*1047 лет

fc = 40МГц, fd = 10МГц 3,56*1019 дня 2.18*1034 лет


fc = 50МГц, fd = 12МГц 4.9*1010 1*1021 лет

fc = 67МГц, fd = 16МГц 417 лет 1.28*109 лет

fc = 80МГц, fd = 20МГц - 2900 лет

D триггеры, работающие по фронту.

Фронт сигнала синхронизации, в отличие от высокого (или низкого) потенциала, не


может длиться продолжительное время. В идеале длительность фронта равна нулю.
Поэтому в триггере, запоминающем входную информацию по фронту не нужно
предъявлять требования к длительности тактового сигнала.

Триггер, запоминающий входную информацию по фронту, может быть построен из


двух триггеров, работающих по потенциалу. Сигнал синхронизации будем подавать на эти
триггеры в противофазе. Схема такого триггера приведена на рисунке 12.

 
Рисунок 15. Схема D-триггера, работающего по фронту

Рассмотрим работу схемы триггера, приведенной на рисунке 12 подробнее. Для этого


воспользуемся временными диаграммами, показанными на рисунке 13. На этих
временных диаграммах обозначение Q΄ соответствует сигналу на выходе первого
триггера. Так как на вход синхронизации второго триггера тактовый сигнал поступает
через инвертор, то когда первый триггер находится в режиме хранения, второй триггер
пропускает сигнал на выход схемы. И наоборот, когда первый триггер пропускает сигнал
с входа схемы на свой выход, второй триггер находится  в режиме хранения.
 
Рисунок 16. Временные диаграммы D-триггера

Обратите внимание, что сигнал на выходе всей схемы в целом не зависит от сигнала
на входе "D" схемы. Если первый триггер пропускает сигнал данных со своего входа на
выход, то второй триггер в это время находится в режиме хранения и поддерживает на
выходе предыдущее значение сигнала, то есть сигнал на выходе схемы тоже не может
измениться.

В результате проведённого анализа временных диаграмм мы определили, что сигнал в


схеме, приведенной на рисунке 12 запоминается только в момент изменения сигнала на
синхронизирующем входе "C" с единичного потенциала на нулевой.

Динамические D триггеры выпускаются в виде готовых микросхем или входят в виде


готовых блоков в составе больших интегральных схем, таких как базовый матричный
кристалл (БМК) или программируемых логических интегральных схем (ПЛИС).

Условно-графическое обозначение D триггера, запоминающего информацию по


фронту тактового сигнала, приведено на рисунке 12.

 
Рисунок 17. Условно-графическое обозначение D-триггера

То, что триггер запоминает входной сигнал по фронту, отображается на условно-


графическом обозначении треугольником, изображённым на выводе входа
синхронизации. То, что внутри этого триггера находится два триггера, отображается в
среднем поле условно-графического изображениядвойной буквой T.
Иногда при изображении динамического входа указывают, по какому фронту триггер
(или триггеры) изменяет своё состояние. В этом случае используется обозначение входа,
как это показано на рисунке 15.

Рисунок 18. Обозначение динамических входов 


На рисунке 18 а обозначен динамический вход, работающий по переднему
(нарастающему) фронту сигнала. На рисунке 18 б обозначен динамический вход,
работающий по заднему (спадающему) фронту сигнала.

Промышленностью выпускаются готовые микросхемы, содержащие динамические


триггеры. В качестве примера можно назвать микросхему 1533ТМ2. В этой микросхеме
содержится сразу два динамических триггера. Они изменяют своё состояние по
переднему фронту сигнала синхронизации.

Яндекс.Директ