Practica 2 Memoria

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIÓN
Electronica Digital II
Dept. Sist. Digitales y Telecomunicaciones
Managua, Nicaragua
Práctica No. 2 Dispositivos de Memoria

Datos de la práctica
Carrera INGENIERIA ELECTRONICA

Semestre Grupo
Tipo Practica Laboratorio Simulación Fecha
Asignatura Electronica Digital II
Unidad Temática
No Alumnos por practica 2 No. Alumnos por reporte 2
Nombre del Profesor
Nombre(s) de Alumno(s)
Tiempo estimado Vo. Bo Del Profesor

Comentarios
OBJETIVOS:
Objetivo General
 Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria con base en sus entradas

y salidas.
 Combinar ICs de memoria para formar módulos de memoria con un tamaño de
palabra más grande y/o mayor capacidad
Objetivos Específicos
1. Comprender y utilizar en forma correcta la terminología asociada con los

sistemas de memoria
2. Distinguir entre los diversos tipos de ROM y citar algunas aplicaciones comunes
3. Utilizar el programa Circuit Maker para simular circuitos digitales de memoria
ROM o memoria RAM.
MEDIOS A UTILIZAR:
 Laboratorio de Simulación
 PC
 Software ISE, Adept y Circuit Maker.
 Kit FPGA Basys 2.
Universidad Nacional de Ingeniería Carlos Ortega

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Managua, Nicaragua

2
Managua, Nicaragua
INTRODUCCION
La memoria es un medio físico capaz de almacenar información (programas y datos) de

forma temporal o permanente. Aunque conceptualmente parezcan sencillas, presentan
una gran variedad de tipos, tecnología, estructura, prestaciones y costos. Ninguna
tecnología es óptima para satisfacer todas las necesidades de un computador, por lo
que existe una jerarquía de subsistemas de memoria.
La capacidad de la memoria es una forma de especificar la cantidad de bits que puede

almacenar un dispositivo de memoria. La capacidad se puede expresar como el
producto: número de palabras x tamaño de la palabra o por una cantidad específica de
bits. El arreglo de las memorias indica que está compuesta por n palabras de m bits
cada una.
Cada una de estas palabras tiene asociado una dirección (código binario) para acceder
a ella para escribir o leer un dato. Las designaciones comunes para expresar la
capacidad de una memoria son:
1K = 210 = 1024
1M = 220 = 1024 K
1G = 230 = 1024M
1T = 240 = 1024G
En esta guía de laboratorio analizaremos de manera general el funcionamiento de un

modulo de memoria ROM y RAM, asi mismo seremos capaces de aumentar el tamaño
de la palabra y su capacidad.

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Managua, Nicaragua
DESARROLLO O PROCEDIMIENTO:
I Parte Memoria ROM (Modulo de 8X8 usando ISE)
1. Cree un nuevo proyecto en ISE Project Navigator.
2. Recordemos un poco la configuración inicial mostrada en la Figura 1. para poder

trabajar con el programa ISE y el Kit FPGA.
3. Agregue una nueva fuente (New Source) usando un modulo verilog (Verilog
Module) con el nombre rom8 asignando como entradas las tres líneas de dirección,
en este caso serian: [2:0]addr y como salidas las líneas de datos de 8 bits [7:0] M.
4. Después de agregadas las entradas y salidas termine de escribir el código del

programa mostrado a continuación:

4
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module rom8(
input [2:0] addr, //Entrada de Direcciones de Memoria
output [7:0] M //Salida de Datos
);
parameter N=8; //Tamaño de la palabra

parameter N_WORDS=8; //Numero de palabras en la memoria
reg [N-1:0] rom [0:N_WORDS-1];
parameter data = 'h00C8F9AF64956CD4; //Datos almacenados en Memoria
parameter IXLEFT = N*N_WORDS -1; //Maximo de Direcciones de Memoria
integer i;
//wire temp;
initial
begin
for (i=0; i<N_WORDS; i=i+1)
rom[i] = data [(IXLEFT-N*i)-:N];
end
assign M = rom[addr];
endmodule
5. El módulo de memoria ROM tendrá el siguiente mapa de Memoria y su

distribución.

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(b)
(a)
Figura 2 (a) Mapa de Memoria (b) Distribucion

6
Managua, Nicaragua
6. Despues de verificar la sintaxis del programa usando la opción Check Sintax,

realice un archivo .UCF con los nombres de los pines a utilizar en la tarjeta FPGA.
7. Teniendo todos los archivos necesarios compile el programa usando la opción

Generate Programming File para poder obtener el archivo .BIT.
8. Antes de introducir el archivo .BIT a la tarjeta verifique que el jumper este en la

opción de PC.
9. Introduzca el archivo .BIT usando el software ADEPT.
Actividades
Visualizacion de los Datos de la Memoria
Clear Señal de Cambio

Lineas de Direccion
Ejercicio 1 Ejercicio 2
Fig. 3 Diagrama de Funcionamiento de la Memoria ROM
1. Compruebe los valores almacenados en las direcciones de Memoria de la ROM.
2. Cambie los valores almacenados dentro de la Memoria y compruebe otra vez.
3. Modifique el programa del modulo de Memoria para que tenga una entrada de
habilitación en ALTO (CS). Esto debe realizarse en un nuevo proyecto.
Memoria ROM con generación de líneas de dirección.
1. Después de realizado el primer ejercicio generaremos de manera automática las

líneas de dirección mediante un contador de tres bits. Este nuevo proyecto contara
de un modulo top llamado romtop, el cual llamara al archivo rom y agregaremos
los otros archivos .v pertenecientes al contador, a los archivos antirebotes y al
divisor de frecuencias de reloj. (Los Archivos que se agregaran serán dados por el
docente asignado)

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2. El archivo romtop tendrá el siguiente código de programa:
module romtop(
input mclk,
input [3:0]btn,
output [7:0] ld
);
wire [2:0] addr;

wire [7:0] M;
wire clk25, clk190, clr, go1;
wire [3:0] btnd;
assign clr = btn[3];

assign ld = M;
clkdiv U1 (.clk(mclk),.clr(clr),.clk190(clk190),.clk25(clk25));
debounce4 U2 (.inp(btn), .cclk(clk190), .clr(clr), .outp(btnd));
clock_pulse U3 (.inp(btnd[0]), .cclk(clk25), .clr(clr), .outp(go1));
counter # (.N(3)) U4 (.clr(clr), .clk(go1), .q(addr));
rom8 U5 (.addr(addr), .M(M));
endmodule
3. El diagrama de bloque de este nuevo proyecto quedara de la siguiente forma:

btn[0] btn[3] mclk 50 Mhz
btn[3] clr clk190 clr

cclk clkdiv
debounce4
btnd[0]
clk25
btn[3] clr cclk
clock_pulse
btn[3] go1
M[7:4]
addr[2:0] ld[7:4]
clr clk rom8
counter ld[3:0]
M[3:0]

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4. Despues de haber creado y editado el archivo romtop.v agregue los archivos .v

usando la opción del click derecho Add Copy of Source. Seleccione los archivos
rom8, counter, clkdiv, debounce4 y clock_pulse.
5. Cree un archivo .UCF con las teminales a emplear en este proyecto y luego
compílelo para poderlo introducir a la tarjeta FPGA con el ADEPT.
Actividades.
1. Compruebe el funcionamiento del ejercicio siguiendo el diagrama de la Figura 3.
2. Explique con sus palabras el desarrollo de todo el ejercicio siguiendo el diagrama

de bloques.
II Parte Circuit Maker
1. Utilice el programa Circuit Maker para simular el circuito siguiente:
DISP1 DISP2
U1 4321 4321
PROM32
CS
O7
O6
O5
A4 O4
A3 O3
A2 O2
A1 O1
A0 O0
2. Posicione el ratón en la memoria ROM y haga clic con el botón derecho y escoja del
menú la función “Edit PROM/RAM” y posiciónese en las 5 primeras direcciones (una
por una y haciendo doble clic) para modificar los datos, puede introducir los datos
en forma hexadecimal, introduzca en el siguiente orden:
dirección 0000: 45
0001: 87
0002: F3
0003: 44
0004: 55

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Managua, Nicaragua
Luego posiciónese en las últimas 5 direcciones de memoria y modifique cada una

de las palabras en el siguiente orden:
0027: DD
0028: 33
0029: AB
0030: 11
0031: 26
3. Ahora con el CS activado, active cualquiera de las direcciones antes modificadas y

presione el botón STEP para visualizar en los displays el contenido de las palabras
de la memoria, escoja simulación en modo digital.
4. Implemente un arreglo de memorias que duplique la capacidad de palabras del

circuito anterior. Introduzca datos en las 5 primeras palabras de la segunda
memoria y en las 5 últimas, escoja datos diferentes a los establecidos
anteriormente.
5. Muestre el circuito funcionando a su profesor de tal forma que se pueda mostrar en

los displays los datos guardados en la memoria.
6. Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx8 utilizando los circuitos integrados

de memoria RAM de 1Kx8 que posee el software. Introduzca datos en los
diferentes circuitos de memoria y muestre el circuito funcionando a su profesor.
III. Trabajo a Entregar
1. Salve todos los archivos simulados en memoria que tenga disponible y presente un reporte
con lo desarrollado en esta práctica de laboratorio e incluya conclusiones.
En total usted deberá tener los siguientes archivos:
1. Modulo de memoria ROM con líneas de dirección usando switch.
2. Modulo de memoria ROM con líneas de dirección usando switch y entrada de habilitación
CS.
3. Modulo de memoria ROM con generación de líneas de dirección mediante contador.
4. Modulo de memoria ROM en Circuit Maker.
5. Modulo de memoria ROM en Circuit Maker expandiendo el numero de palabras.
6. Modulo de memoria RAM de 4Kx8 usando ICs de 1Kx8.

10

Practica 2 Memoria

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Práctica No. 2 Dispositivos de Memoria

Carrera INGENIERIA ELECTRONICA

Tiempo estimado Vo. Bo Del Profesor

 Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria con base en sus entradas

1. Comprender y utilizar en forma correcta la terminología asociada con los

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La memoria es un medio físico capaz de almacenar información (programas y datos) de

La capacidad de la memoria es una forma de especificar la cantidad de bits que puede

En esta guía de laboratorio analizaremos de manera general el funcionamiento de un

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I Parte Memoria ROM (Modulo de 8X8 usando ISE)

1. Cree un nuevo proyecto en ISE Project Navigator.

2. Recordemos un poco la configuración inicial mostrada en la Figura 1. para poder

4. Después de agregadas las entradas y salidas termine de escribir el código del

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parameter N=8; //Tamaño de la palabra

5. El módulo de memoria ROM tendrá el siguiente mapa de Memoria y su

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Figura 2 (a) Mapa de Memoria (b) Distribucion

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6. Despues de verificar la sintaxis del programa usando la opción Check Sintax,

7. Teniendo todos los archivos necesarios compile el programa usando la opción

8. Antes de introducir el archivo .BIT a la tarjeta verifique que el jumper este en la

9. Introduzca el archivo .BIT usando el software ADEPT.

Visualizacion de los Datos de la Memoria

Clear Señal de Cambio

1. Compruebe los valores almacenados en las direcciones de Memoria de la ROM.

2. Cambie los valores almacenados dentro de la Memoria y compruebe otra vez.

Memoria ROM con generación de líneas de dirección.

1. Después de realizado el primer ejercicio generaremos de manera automática las

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2. El archivo romtop tendrá el siguiente código de programa:

wire [2:0] addr;

assign clr = btn[3];

3. El diagrama de bloque de este nuevo proyecto quedara de la siguiente forma:

btn[3] clr clk190 clr

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4. Despues de haber creado y editado el archivo romtop.v agregue los archivos .v

1. Compruebe el funcionamiento del ejercicio siguiendo el diagrama de la Figura 3.

2. Explique con sus palabras el desarrollo de todo el ejercicio siguiendo el diagrama

II Parte Circuit Maker

1. Utilice el programa Circuit Maker para simular el circuito siguiente:

Universidad Nacional de Ingeniería Carlos Ortega

Luego posiciónese en las últimas 5 direcciones de memoria y modifique cada una

3. Ahora con el CS activado, active cualquiera de las direcciones antes modificadas y

4. Implemente un arreglo de memorias que duplique la capacidad de palabras del

5. Muestre el circuito funcionando a su profesor de tal forma que se pueda mostrar en

6. Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx8 utilizando los circuitos integrados

III. Trabajo a Entregar

En total usted deberá tener los siguientes archivos:

1. Modulo de memoria ROM con líneas de dirección usando switch.

3. Modulo de memoria ROM con generación de líneas de dirección mediante contador.

4. Modulo de memoria ROM en Circuit Maker.

5. Modulo de memoria ROM en Circuit Maker expandiendo el numero de palabras.

6. Modulo de memoria RAM de 4Kx8 usando ICs de 1Kx8.

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