Анализ Отказов. Методики и Оборудование.

АНАЛИЗ ОТКАЗОВ
Сборник статей
Зачем нужен анализ отказов

в микроэлектронике?
Методики и оборудование.
Часть 1 Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru
1
ВВЕДЕНИЕ
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ
ЗАЧЕМ НУЖЕН АНАЛИЗ ОТКАЗОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Анализ отказа полупроводниковых устройств необходим для выяснения причины отка-
за и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной связи с этапами
производства и проектирования. В связи с рыночными требованиями более высокой
надежности и разработкой устройств с более высокой степенью интеграции и больши-
ми размерами чипа для анализа отказов требуются самые новые технологии.
Чтобы гарантировать надежность, анализ должен быть "встроен" в устройство еще на

стадиях проектирования и производства. Однако невозможно полностью избавиться
от отказов во время производства и использования в полевых условиях. Поэтому для
предотвращения повторного возникновения подобных сбоев, должен быть выполнен
анализ отказа. Он необходим для выяснения причины отказа и обеспечения на осно-
ве этой информации оперативной обратной связи с этапами производства и проекти-
рования.
ЧТО ТАКОЕ АНАЛИЗ ОТКАЗОВ?

Анализ отказа начинается, когда находящееся под наблюдением устройство утрачи-
вает свои основные функции согласно критериям отказа. Отказы включают полную
потерю функций и различные уровни деградации. По мере того как электронное обо-
рудование становится все более сложным, отказы уже не ограничиваются отдельны-
ми компонентами, а превращаются в сложный отказ всей системы. Анализ отказа без
учета этих факторов может привести к ошибочным корректирующим действиям.
Анализ отказа — это исследование характера и механизма отказа с использовани-

ем оптических, электрических, физических и химических методик анализа. Прежде
чем начать анализ, необходимо собрать подробности об обстоятельствах и сим-
птомах отказа. Сюда входит исследование изменений электрических характери-
стик и других предшествующих отказу данных, среды, условий нагрузки, монтажа
и возможность человеческих ошибок. Анализ этих факторов позволит сделать
Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

2
ВВЕДЕНИЕ
предположение о потенциальном характере и механизме отказа. На основе этого

предположения определяются наиболее подходящие методы и процедуры. Недо-
статочная информация относительно обстоятельств и симптомов отказа может при-
вести к неподобающему выбору методики анализа, а, следовательно, к значительным
затратам труда и времени.
ГРАДАЦИЯ ОТКАЗОВ ПО РАЗМЕРНОСТИ

Отказы могут быть вызваны дефектами на разном уровне, начиная с визуально раз-
личимых трещин, заканчивая нарушениями на атомарном уровне. На рис. 1 показана
геометрическая градация отказов по размерности.
Рис. 1. Геометрическая градация отказов по размерности
ПРОЦЕДУРА АНАЛИЗА ОТКАЗОВ

Как уже упомянуто, анализ отказа зависит от многих факторов. На рис. 2 представлена
общая процедура анализа отказа. Отказавшее устройство сначала подвергается визу-
альному осмотру корпуса (входной контроль) и проверке электрических характеристик.
Если отказ подтверждается, то вскрывается корпус (производится пробоподготовка) и
чип анализируется согласно характеру отказа. В зависимости от типа дефекта для его
локализации применяются различные методы. Соответствие между типом дефекта и
применяемым методом приведены в табл. 1. И только затем выясняется механизм от-
каза и определяются корректирующие действия.

3
ВВЕДЕНИЕ
Рис. 2. Общий алгоритм процедуры анализа отказа
ТИПЫ ДЕФЕКТОВ И МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ
ТАБЛИЦА 1.
ТИП ДЕФЕКТА МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ

Загрязнение, посторонние частицы FIB/SEM, TEM/STEM, EDX, EELS
Резестивная перемычка, мостик DLS – LADA, SDL, RIL
Разрыв SLS - CV-OBIC, OBIRCH
Некорректная схема DLS – LADA, SDL, RIL
Отклонение от геометрии FIB/SEM, TEM, STEM
Полость SLS – NB –OBIC, SEI
Аномальный слой FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS
Нарушение барьерного слоя FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS
Дефектная поверхность контакта FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS, AES, XPS, TOF-
SIMS
Утечка PEM, EBIC
FIB/SEM, TEM, STEM, EDX,EELS, AES, XPS, TOF-
Локальная концентрация легирующей примеси SIMS
Дефект кристала, напряжение SLS – NB –OBIC, SEI
Короткое замыкание SLS - CV-OBIC, OBIRCH, TEA
Резистивный переход SLS - CV-OBIC, OBIRCH
Электро-миграция SLS - CV-OBIC, OBIRCH

4
ВВЕДЕНИЕ
СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЙ ПО АНАЛИЗУ ОТКАЗОВ
SEM сканирующий электронный микроскоп

STEM сканирующая просвечивающая электронная микроскопия
TEM просвечивающая электронная микроскопия
EELS спектроскопияпотеря энергии электронами
EBIC измерения тока, индуцированного электронным лучом
EDX энергодесперсионный анализ
X-Ray рентгеновскй анализ
SAM акустическая микроскопия
IR инфракрасная спектроскопия
EBT тестирование электронным лучом
PEM фотоэмиссионный анализ
LSI определение логического состояния сигналов путём пассивного накопления эмис-
сии
EHR рекомбинация электронно-дырочных пар
HCL люминесценция горячих носителей
GOL утечка в подзатворном диэлектрике
TEA термоимиссионный анализ
LSM конфокальная лазерная сканирующая микроскопия
LVP измерение напряжения лазерным лучом
LVI визуализация контраста наприяжения лазерным лучом
TRE эмиссионное зондирование с разрешением по времени
RIE реактивное ионное травление
FIB ионно-лучевая микроскопия
AFM атомно-силовая микроскопия
SPM сканирующая зондовая микроскопия
STM сканирующая тунельная микроскопия

SLS статическая лазерная стимуляция
OBIC измерение тока, индуцированного оптическим лучом при постоянном напряжении
смещения
OBIRCH изменение сопротивления индуцированное оптическим лучом
SEI метод визуализации эффекта Зеебека
WDX волновой микроанализ
TOF-SIMS времяпролетная масс-спектроскопия вторичных ионов
D-SIMS динамическая масс-спектроскопия вторичных ионов
XPS рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

5
ВВЕДЕНИЕ
ВЫВОД:
Процесс изготовления полупроводниковой пластины включает сотни шагов с исполь-

зованием различных типов материалов, что требует широкого диапазона знаний о
процессах проектирования и производства. Если на каком-то этапе проектирования/
производства происходит сбой, то найти причину отказа — это сложная процедура,
которая требует знаний о современных методах исследований. Однако, проведение
такой процедуры чрезвычайно необходимо, так как анализ отказов позволяет найти
причину отказа, устранить ее, предотвратить сбой в работе микросхемы, откоррек-
тировать процесс производства, что в конечном итоге снижает выпуск бракованной
продукции, снижает затраты производства и обеспечивает производство надежной
микроэлектроники.

6
ПРОБОПОДГОТОВКА
КАК ПРАВИЛЬНО ВСКРЫТЬ ЧИП?
КАКИЕ МЕТОДЫ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ КОРПУСА

И КОМПАУНДА МИКРОСХЕМЫ?
В помощь технологу
Для проведения функциональной диагностики и внутреннего физического анализа

микросхемы необходимо вначале вскрыть чип, не затронув при этом кристалл. Про-
цесс вскрытия микросхемы часто называют декапсуляцией.
Декапсуляция — процесс частичного или полного удаления корпуса микросхемы

для обеспечения доступа к кристаллу, чипу. Вскрытие микросхемы можно произвести
разными способами. Выделяют несколько типов декапсуляции в соответствии с раз-
личными методами воздействия на корпус:
• Лазерная декапсуляция;
• Химическая декапсуляция;
• Механическая декапсуляция;
• Плазмохимическая декапсуляция.

7
1. ЛАЗЕРНАЯ ДЕКАПСУЛЯЦИЯ
Лазерная декапсуляция — это удаление корпуса путем воздействия на него фокуси-
рованным лазерным лучом. Под воздействием лазерного луча материал испаряется и
выдувается из зоны воздействия. В процессе работы выбирается паттерн, по которому
будет проводится сканирование. Мощность, скважность импульса, скорость прохода и
т.д. выбираются в зависимости от типа корпуса.
ПРЕИМУЩЕСТВА
Метод характеризуется высокой скоростью удаления материала корпусов и хорошей
селективностью по отношению к разварочным выводам, а также более точным и ров-
ным “окошком”. Метод подходит для большинства известных типов корпусов.
НЕДОСТАТКИ
Данный метод не позволяет удалять материал корпуса до самого кристалла, так как
лазерный луч может повреждать поверхность кристалла, а именно алюминиевые
(или иные) проводники из верхнего металла, в результате чего микросхема становит-
ся “нерабочей”, а топология — неразличимой. Обычно, данный метод хорошо работа-
ет до остаточной толщины в 100 — 200 мкм.
Рис. 1. Оборудование для лазерной декапсуляции от производителя Control Laser
2. ХИМИЧЕСКАЯ ДЕКАПСУЛЯЦИЯ
При химической декапсуляции удаление корпуса микросхемы происходит путем его
растворения горячими высококонцентрированными кислотами (или смесями кислот).
Данным методом можно удалять корпуса полностью или локально в зоне интереса.

8
На результат процесса влияют такие параметры, как концентрация кислот, темпера-

тура кислот, время обработки. Для сохранения кристалла в рабочем состоянии можно
удалить часть корпуса, создать “окошко” с помощью других методов (механическая
декапсуляция, лазерная декапсуляция), и локально подать кислоту в “окошко”.
Для повышения контроля процесса используются специальные системы химической

декапсуляции, где осуществляется контроль объема и температуры подаваемой кис-
лоты, образцы устанавливаются на специальную головку той стороной, которую необ-
ходимо открыть, между головкой и образцом ставится специальная маска с окошком
нужного размера, которое ограничивает область воздействия кислоты.
Рис. 2. Кристалл после химической декапсуляции
Метод химического удаления относительно прост: для удаления всего корпуса до-
статочно поместить образец в склянку с кислотой и поставить на плитку в вытяжном
шкафу на некоторое время. По завершению пластиковый корпус растворится, медная
подложка отделится от кристалла.
Метод характеризуется сложностью контроля процесса травления и определения
конечной точки, при этом существует вероятность бокового подтрава, что может по-
вредить разварочные выводы. Так же, при использовании кислот используется нагрев
в диапазоне 90 — 120 °С, что повышает реакционную способность, что также может
повредить разварочные выводы и электрически выводы на ножке микросхемы.

9
Чтобы уменьшить риски травления на финальной стадии применяют дополнитель-

ные методы для предварительного удаления материала корпуса, оставляя небольшой
слой корпуса для финальной химической декапсуляции. Процедура предварительно-
го удаления корпуса перед финальной декапсуляцией называется в некоторых источ-
никах “пре-кавитация” (pre-cavitation).
Рис. 3. Этапы декапсуляции.
3. МЕХАНИЧЕСКАЯ ДЕКАПСУЛЯЦИЯ
Корпус удаляется путем механической обработки, при которой режущий инстру-
мент (фреза) совершает вращательное движение, а обрабатываемый образец — по-
ступательное. Метод хорошо подходит для “мягких” (пластиковых) корпусов, так как
керамика плохо поддается такой обработке, хотя при использовании специальных
фрез можно обрабатывать удалять и твердые материалы с небольшой скоростью.
Механическая декапсуляция лицевой стороны применима в том случае, если нет

возможности использовать химические методы из-за высокого риска повреждения
разварки. Удаление корпуса с лицевой стороны обычно проходит в два этапа (так на-
зываемая “туннельная декапсуляция”) — открытие “окошка” до разварки кристалла с
большей площадью и финальная обработка до самого кристалла или оставляя не-
большой слой корпуса с площадью, до разварочных “пятаков”, чтобы не повредить
саму разварку. Остатки корпуса легко поддаются удалению плазмохимическим
методом либо жидкой химией кратковременного воздействия.

10
Рис. 4. Этапы туннельной декапсуляции.
Обработка обратной стороны происходит сначала до медной подложки, после чего

другой фрезой (подходящей для меди) удаляют саму медную подложку. На данном
этапе важно не повредить электрические выводы ножек самого корпуса.
Как правило, до лицевой стороны кристалла фрезой не доходят, оставляя слой
компаунда для финальной химической или плазменной декапсуляции, хотя можно
использовать наконечники с абразивом для финального удаления материала и
визуализации топологии. Так происходит из-за сложности вывести параллельность
образца и фрезы с такой точностью, чтобы на всей площади кристалла происходи-
ло равномерное удаление. Так же влияют краевые эффекты — фреза при обработ-
ке дольше задерживается на краях, из-за чего можно наблюдать завалы.
Данный метод хорошо использовать для декапсуляции обратной стороны кристал-
ла и создании “окошка” при декапсуляции лицевой стороны.
Есть вероятность повредить разварочные выводы.
4. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКАЯ ДЕКАПСУЛЯЦИЯ
При плазмохимической декапсуляции удаление корпуса происходит за счет реакции
фторсодержащих радикалов с материалом корпуса в потоке фокусированной плазмы и
образовании газообразных продуктов реакции, которые удаляются вакуумным насосом.

11
Данный метод селективен по отношению к металлам, как к разварочным выводам,
так и металлическим проводникам самого кристалла. Так же при использовании
этого метода отсутствуют температурные воздействия, механические напряжения.
Данный метод подходит для большинства типов известных пластиковых корпусов.
При неправильной эксплуатации есть вероятность удалить верхний пассивиру-
ющий диэлектрик. Недостатком метода является относительно низкая скорость
удаления материала.
ОТ ЧЕГО ЗАВИСИТ ВЫБОР МЕТОДА ВСКРЫТИЯ МИКРОСХЕМЫ

Выбор метода декапсуляции корпуса микросхемы зависит от : 1) вида корпуса,
2) материала, из которого он сделан.
1. МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ КОРПУСА
Механическое снятие металлического корпуса называется “скальпирование”.
Существует несколько способов его реализации:
Верхняя часть корпуса стачивается с помощью шлифовального устройства или

шлифуется до желаемой толщины. Так же, существуют специальные машины, в
которых корпус срезается малым отрезным диском по периметру.
Так же, снятия металлической крышки можно выполнить с помощью силового

сдвига. Корпус помещается в тиски одна из губок которых упирается в корпус, а
другая в металлическую крышку. При такой реализации существует высокая ве-
роятность помять или повредить корпус. Чтобы уменьшить риски разработаны
специальные формы, для того, чтобы силы, оказывающие сдавливание, были на-
правлены максимально параллельно корпусу.
Более безопасный способ снятия металлической крышки с корпуса —

с помощью лазерного декапсулятора. Удаление корпуса происходит путем удале-
ния части материала корпуса по периметру крышки. Для этих целей предпочти-
тельней использовать более мощный зеленый лазер, хотя крышки с небольшой
толщиной возможно удалить и с помощью ИК-лазера в 7,5 Ватт. Так как удаление
металла происходит преимущественно на высоких мощностях, во время прохож-

12
дения лазерного луча по периметру корпуса будет происходить нагрев образца.

Чтобы уменьшить температурный фактор, необходимо использовать специальный
охлаждающий столик, на котором закреплен образец.
2. КЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА
Из-за устойчивости керамики к химии для декапсуляции керамических корпусов
возможно использовать механические методы и лазерную декапсуляцию.
Механическое удаление керамического корпуса очень продолжительный процесс

и не всегда эффективен — так как керамика плохо поддается обработке. Увеличи-
вается расход механических инструментов и материалов, а процесс может оказать-
ся очень продолжительным.
Для корпусов типа CERDIP создан специальный инструмент для срезания верхней
крышки корпуса с помощью настраиваемых лезвий.
Более быстрым методом является лазерная декапсуляция, что сводит процесс уда-
ления до часа — двух, а также вносит меньше механических напряжений. Но из-за
высокого нагрева области удаления материала создается температурный градиент
в корпусе, поэтому при лазерной декапсуляции керамические корпуса необходимо
охлаждать.
3. ПЛАСТМАССОВЫЕ КОРПУСА
Самыми многочисленным по разнообразию являются пластиковые корпуса, для
них применимы все четыре метода декапсуляции. Самым простым методом явля-
ется химическая декапсуляция: корпуса растворяют концентрированной сер-
ной или дымящей азотной кислотами, в ряде случаев применяется смесь кислот.
Для сохранения работоспособности образца самым оптимальным вероятно будет
являться комбинация методов — механически или с помощью лазера выполняется
прекавитация (создание “окошка”), с остаточной толщиной компаунда от 20 — 200
мкм, окончательное открытие кристалла может быть выполнено с помощью жид-
кой химии или плазмохимии.
Химический метод более экономичен, достаточно быстрый и позволяет работать

с большой остаточной толщиной в 100 — 200 мкм (что упрощает пре-кавитацию),

13
но при медной, серебряной или алюминиевой разварке повышается риск ее по-

вреждения. При использовании плазмохимии эти риски отсутствуют, но для полу-
чения приемлемой скорости необходима остаточная толщина в 20 — 50 мкм. На
рис. 5 показаны результаты вскрытия корпуса различными методами.
Рис. 5. Вскрытие корпуса микросхемы
СРАВНЕНИЕ МЕТОДОВ ДЕКАПСУЛЯЦИИ
Метод Лазерная Химическая Механическая Плазмохимиче-

декапсуляция декапсуляция декапсуляция ская декапсуляция
Точность Высокая Средняя Средняя Средняя
Сложность Средняя Высокая Высокая Средняя
Селективность Высокая Низкая Низкая Высокая
по отношению
к разаврочным
выводам
Скорость Высокая Высокая Соедняя Низкая
Для высоких Для всех типов Пластмасса Преимущественно Пластмасса
корпусов под- пластмасса, но при
ходит наличии специаль-
ных фрез можно
декапсулировать
металлические
и керамические
корпуса
Преимущества Универсальный Метод прост с Отсутсвует химия, Возможность пол-
метод декапсуля- точки зрения хорошо подходит ной декапсуляции
ции затрат челове- для декапсуляции с
ческого труда. обратной стороны
Возможность
полной декап-
суляции
Недостатки Невозможно Вероятность Вероятность по- Относительно
удалить материал бокового вреждения разва- низкая скорость
полностью подтрава (по- рочных выводов удаления материала
вреждение и при неправиль-
разварочных ном использовании
выводов) возможно удаление
пассивирующего
диэлектрика

14
МЕХАНИЧЕСКОЕ ВСКРЫТИЕ МИКРОСХЕМ
На практике, чтобы понять, почему отказала микросхема, очень часто приходится

вскрывать чип, т.е проводить его декапсуляцию. При этом, важно не повредить
кристалл.
Существует несколько способов декапсуляции. Самый простой из них — это

декапсуляция с помощью механического воздействия на корпус микросхемы.
При этом выбор устройства зависит от типа материала, из которого сделан корпус:
металл, керамика, пластик.
При механической обработке режущий инструмент (фреза) совершает враща-

тельное движение, а обрабатываемый образец — поступательное. Метод хорошо
подходит для “мягких” (пластиковых) корпусов, так как керамика плохо поддается
такой обработке, хотя при использовании специальных фрез можно обрабатывать
удалять и твердые материалы с небольшой скоростью.
В нашей статье мы познакомим Вас с тремя приборами, при помощи которых мож-
но удалять корпуса микросхем, изготовленных из разных типов материалов.
1. ASAP-1® IPS ULTRATECH — СИСТЕМА ДЕКАПСУЛЯЦИИ

ДЛЯ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ МАТЕРИАЛОВ

15
ASAP-1® IPS — система декапсуляции, позволяющая с суб-микронной точностью

утонять образец. Устройство предназначено для утончения и полировки неболь-
ших выбранных областей в электронных интегральных схемах и кристаллических
матрицах.
Верхняя часть корпуса микросхемы стачивается с помощью шлифовки до жела-

емой толщины. После обработки полученный компонент является прозрачным
для инфракрасного излучения, что позволяет осуществлять последующий анализ
отказов на лицевой стороне устройства.
Система ASAP-1® IPS также позволяет утонять образец с обратной стороны. Об-
работка обратной стороны происходит сначала до медной подложки, после чего
фрезой для меди удаляют медную подложку.
После проведенной декапсуляции Вы сможете провести анализ микросхемы в

эмиссионном микроскопе, ИК микроскопе, а также отредактировать цепь в ион-
ном микроскопе.
ОСНОВНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ASAP-1® IPS ULTRATECH

• Регулировка скорости вращения;
• Регулировка силы нажатия;
• Возможность изменять путь прохождения фрезой;
• Различные варианты функций остановки декапсуляции.
СМЕННЫЕ ФРЕЗЫ ДЛЯ РАЗНЫХ ЭТАПОВ ДИАМЕТРОМ 0,4-12 ММ:

• Грубая фреза для снятия пластика с лицевой и обратной стороны;
• Специальная фреза для удаления медных пластинок;
• Специальная фреза для удаления кремния/послойного снятия;
• Полировка производится специальными абразивными пастами с наночастицами.

16
2. ДЕКАПСУЛЯТОР ДЛЯ КЕРАМИЧЕСКИХ DIP КОРПУСОВ

МИКРОСХЕМ
Из-за устойчивости керамики к химии, для декапсуляции керамических корпусов
возможно использовать механические методы и лазерную декапсуляцию.
Механическое удаление керамического корпуса очень продолжительный процесс

и не всегда эффективен, так как керамика плохо поддается обработке.
Для корпусов типа CERDIP создан специальный инструмент для срезания верхней
крышки корпуса с помощью настраиваемых лезвий — декапсулятор CERDIP от
Nisene Technology Group.
Справа вы видите стандартный корпус CERDIP. Декапсулятор

CERDIP снимает крышку с таких корпусов специальными лезви-
ями. Устройство имеет регулируемую Z-ось, что означает воз-
можность регулирования лезвий по высоте. Это позволяет ис-
пользовать устройство для широкого спектра корпусов CERDIP,
независимо от их толщины.
3. CAN OPENER — ДЕКАПСУЛЯТОР ДЛЯ УДАЛЕНИЯ МЕТАЛ-

ЛИЧЕСКОГО ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО КОРПУСА МИКРОСХЕМЫ
Механическое снятие металлического корпуса называется “скальпированием”.
Существует несколько способов реализации: верхняя часть корпуса стачивается
с помощью шлифовального устройства; металлическая крышка удаляется с помо-
щью силового сдвига; корпус срезается малым отрезным диском по периметру.
Декапсулятор Can Opener Nisene Technology Group — устрой-

ство, в котором корпус срезается малым отрезным диском по
периметру. Данное устройство декапсуляции предназначено
для металлических корпусов микросхем в цилиндрическом ис-
полнении.
Альтернативным способом для снятия металлической крышки с корпуса является

лазерная декапсуляция.
ВЫВОД:
Система механической декапсуляции ASAP-1® IPS — необходимый инструмент в
любой лаборатории анализа отказов, установка позволяет работать с обратной и

17
лицевой стороной, а большой опциональный функционал системы дает возмож-

ность работать с нестандартными и сложными образцами.
У приборов CERDIP и Can Opener достаточно узкое применение, каждый из них

работает с не самыми распространенными типами корпусов. Но оба прибора
окажутся полезными в лабораториях анализа отказов, так как возможность рабо-
ты с широким спектром электронно-компонентной базы расширяет возможности
лаборатории.
Если Вам необходимо получить более подробную информацию об системах декап-

суляции, обращайтесь в нашу компанию. Наши специалисты расскажут подробно о
возможностях современных устройств для удаления корпусов и компаунда, а также
сориентируют Вас по ценам на продукцию. Присылайте свои вопросы на электрон-
ную почту: info@sernia.ru

18
МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ В МИКРО-
ЭЛЕКТРОНИКЕ
Анализ отказов — это исследование характера и механизма отказа с использова-

нием оптических, электрических, физических и химических методик анализа
Отказавшее устройство сначала подвергается визуальному осмотру корпуса (вход-
ной контроль) для проверки электрических характеристик. Если отказ подтверж-
дается, то вскрывается корпус (производится декапсуляция) и чип анализируется
согласно характеру отказа.
В зависимости от типа дефекта применяются различные методы локализации, ко-

торые можно классифицировать по следующим типам:
1. Электронно- и ионно-лучевые.
2. Зондовые и атомно-силовые.
3. Оптические.
В данной статье разговор пойдет об электронно- и ионно-лучевых методах, приме-

няемых для проведения анализа отказов.
ЭЛЕКТРОННО - И ИОННО- ЛУЧЕВЫЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА

ОТКАЗОВ
Для анализа отказов используют следующие электронно- и ионно-лучевые методы
исследований:
• Сканирующая (растровая) электронная микроскопия — SEM, Scanning Electron

Microscopy;
• Фокусированный ионный пучок (ионная микроскопия) — FIB, Focused Ion Beam;

19
МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ
• Сканирующая просвечивающая (трансмиссионная) электронная микроскопия —

STEM, Scanning transmission electron microscope;
• Просвечивающая (трансмиссионная) электронная микроскопия — TEM,
Transmission Electron Microscopy;
• Энерго-дисперсионая рентгеновская спектроскопия (микроанализ) — EDX, Energy-
dispersive X-ray spectroscopy (EDS, EDX, EDXS or XEDS) energy dispersive X-ray analysis
(EDXA) or energy dispersive X-ray microanalysis (EDXMA);
• Спектроскопия потери энергии электронами — EELS, Electron Energy Loss
Spectroscopy;
• Измерение тока, индуцированного электронным лучом — EBT, Electron Beam
Testing.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ИОННЫХ МЕТОДОВ
SEM
Scanning Electron Microscope (SEM) — растровая/сканирующая электронная ми-
кроскопия. При этом методе микроскоп сканирует исследуемый образец электрон-
ным лучом и измеряет интенсивность квантов, испускаемых образцом. Измерен-
ная интенсивность преобразуется в электрический сигнал. Принцип работы СЭМ/
РЭМ следующий: электроны, испускаемые электронной пушкой ускоряются до
энергии 2 — 40 кэВ; набор магнитных линз и отклоняющих катушек сканирования
формирует электронный пучок малого диаметра, разворачиваемый в растр на по-
верхности образца. При облучении этой поверхности электронами возбуждаются
три типа излучения: отраженные или обратно-рассеянные электроны, вторичные
электроны, рентгеновские лучи.
По сравнению с оптическими микроскопами характеризуется более высокими

пространственным разрешением и глубиной резкости, а также возможностью про-
ведения химического анализа на основе регистрации спектра излучения, генери-
руемого при облучении поверхности образца электронным пучком. SEM подходит
для определения геометрических характеристик анализируемых объектов —
резкость границ топологических рисунков, расстояние между элементами микро-
объектов, степень рассовмещения и т.д.

20
EBSD
Метод EBSD — представляет собой метод микроструктурно - кристаллографиче-
ской характеристики для изучения любого кристаллического или поликристалли-
ческого материала. Этот метод предполагает понимание структуры, ориентации
кристаллов и фазы материалов в сканирующем электронном микроскопе (SEM).
Обычно он используется для изучения микроструктур, выявления текстуры, дефек-
тов, морфологии и деформации. Его можно комбинировать с дополнительными
методами в рамках SEM. В итоге анализируются дифракционная картина (линии
Кикучи), обусловленная увеличением количества отраженных электронов на кри-
сталлической поверхности решетки.
Рис.1.Дифракционная картина электронно — обратного рассеяния монокристаллического

кремния, взятая на 20 кВ с полевым источником электронов
FIB
Меиод фокусированного ионного луча широко используется в материаловедении
для локального анализа, напыления и травления материалов. Установка для ион-
ного травления напоминает растровый электронный микроскоп. В электронном
микроскопе используется пучок электронов, тогда как в FIB применяют более
тяжелые частицы — ионы (с большей кинетической энергией). Этот метод вытрав-
ливает определенную область на чипе, испуская тонкий сфокусированный ионный
пучок на поверхность чипа, чтобы вызвать эффект распыления.

21
Место
анализа
FIB
SEM-изображение FIB
Поперечное SEM-изображение
Рис.2 Наблюдение SEM поперечного сечения чипа после применения FIB
STEM
Сканирующий просвечивающий электронный микроскоп представляет со-
бой тип просвечивающего электронного микроскопа (TEM), изображения на кото-
ром формируются электронами, проходящими через достаточно тонкий образец.
Однако, в отличие от TEM, в STEM электронный луч фокусируется на мелкое пятно,
которое затем сканируется по образцу в растре. Растрирование пучка по образцу
делает STEM подходящим для аналитических методов, таких как Z-контрастное
кольцевое изображение в темном поле, и спектроскопическое картирование с по-
мощью спектроскопии с EDX или EELS. Эти сигналы могут быть получены одновре-
менно, что обеспечивает прямую корреляцию изображений и спектроскопических
данных.
TEM
TEM — просвечивающий электронный микроскоп, который испускает по-
ток электронов, ускоренный благодаря высокому напряжению, и обнаруживает
электроны, прошедшие через образец. Этот метод имеет очень высокую простран-
ственную разрешающую способность (0,2 нм при 200 кэВ). Однако толщина образ-
ца должна быть порядка 0,1 мкм или менее. Высокое качество образцов будет при
толщине сравнимой со средней длиной свободного пробега электронов в образце,
которая может быть всего несколько десятков нанометров.

22
Рис.3 Подготовка образца с помощью FIB, для дальнейшей работы с TEM
EDX
Энергетический дисперсионный рентгеновский анализ (EDX), называемый
EDS или EDAX, представляет собой рентгеновский метод, используемый для иден-
тификации элементарного состава материалов. Приложения включают материалы
и исследования продуктов, устранение неисправностей и деформацию.
Рис.4 Отображение элементов, поиск дефектных включений.
EELS
Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами — разно-

23
видность электронной спектроскопии, в которой исследуемая материя подверга-

ется облучению электронами с узким диапазоном энергий, и изучаются потери
энергии неупруго рассеянных электронов. EELS позволяет локально быстро и до-
статочно точно измерять толщину образца в TEM.
На рис.5 представлен пример применения метода EELS. EELS показывает степень
окисления Ce. Ce меняет валентность от Ce4+ до Ce3+ из объема к поверхности из-
за недостатков кислорода.
Рис. 5. CeO2-x, разрешение 0,25 эВ при 120кВ
EBIC
Метод тока, наведенного электронным лучом (EBIC — Electron Beam Induced by
Current) широко распространен в крупных иностранных компаниях. Метод EBIC
может использоваться для исследования электрофизических свойств полупрово-
дников и приборов микроэлектроники. Позволяет определить области локальных
дефектов, а также узнать параметры и местоположение p-n переходов.
Рис.6.Электрические и оптические характеристики на поверхности пассивации в нанострук-

турах GaAs. На графике зависимость PL-интенсивности от времени (metal electrode — ме-
таллический электрод, unpassivated — непассивированных, passivated — пассивированных,
undoped — нелигированных, n-doped — n-лигированных)

24
Рис. 7. EBIC в поперечном сечении образцов с «мертвыми» (dead wires) и электрически актив-
ными (active wires) нанопроволоками SiNW
EBT
При тестировании электронным лучом на поверхность чипа испускается тонкий
сфокусированный электронный луч диаметром приблизительно 0,1 мкм, в то вре-
мя как устройство работает с тестером БИС или ему подобным, чтобы измерить
распределение напряжений и форму волны внутренних проводников (рис.8). Так
как метод бесконтактен, его проще использовать по сравнению с обычными мето-
дами исследования, он позволяет проводить измерения при высоком импедансе
(без нагрузки), что особенно подходит для измерения сигналов синхронизации с
высокой точностью (диапазон частот до 7 ГГц).
Данный метод позволяет проследить проводники (узлы) и определить место отка-
за, используются несколько методик, включая сравнение распределения потенци-
алов для дефектных и недефектных устройств и сравнение измеренных и логиче-
ски смоделированных сигналов.
Рис. 8. Распределение потенциала EBT: белый — отрицательный потенциал; черный —

положительный потенциал

25
Рис. 9. Форма волны напряжения EBT
Рис. 10. CAD-инструмент навигации

26
МЕТОДЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ
КАК ИССЛЕДОВАТЬ ВНУТРЕННИЕ ДЕФЕКТЫ БЕЗ ВСКРЫТИЯ

МИКРОСХЕМЫ?
МЕТОДЫ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ

Анализ отказов полупроводниковых устройств необходим для выяснения причи-
ны отказа и обеспечения на основе этой информации оперативной обратной свя-
зи с этапами производства и проектирования. В связи с рыночными требованиями
более высокой надежности и разработкой устройств с более высокой степенью
интеграции и большими размерами чипа для анализа отказов требуются самые
новые технологии. Отказы могут быть вызваны дефектами на разном уровне,
начиная с визуально различимых трещин, заканчивая нарушениями на атомар-
ном уровне, поэтому для исследований используются самые различные методы, а
именно:
• оптические методы,
• электрические методы,
• физические методы,
• химические методы.
В сегодняшней статье мы поговорим о неразрушающих физических методах, при-
меняемых для анализа отказов.
МЕТОДЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВНУТРЕННИХ

ДЕФЕКТОВ МИКРОСХЕМ
Методики, используемые для контроля внутреннего состояния устройства без
вскрытия или удаления корпуса, включают:
• рентгеноскопию (X-Ray),

27
• сканирующая акустическая микроскопия (SAM).
РЕНТГЕНОСКОПИЯ
Принцип работы рентгеноскопии основан на том, что проникновение рентгенов-
ских лучей меняется в зависимости от типа материала и его толщины (то есть, чем
меньше атомный вес, тем больше проникновение). Различия создают рентгенов-
ское изображение. Этот метод эффективен для того, чтобы обнаружить частицы,
поломку или перекручивание соединительных проводников, а также пустоты или
отслаивание формовочной смолы в месте крепления кристалла в пластмассовом
герметичном корпусе (рис. 1).
Рис. 1. Рентгеновское изображение внутренней части пластмассового запечатанного корпуса
СКАНИРУЮЩАЯ АКУСТИЧЕСКАЯ МИКРОСКОПИЯ

Принцип работы сканирующих акустических микроскопов основана на том,
что УЗ-волны, прошедшие, отраженные или рассеянные отдельными участками
образца имеют различные характеристики (амплитуда, фаза, и др.) в зависимости
от локальных вязкоупругих свойств материала. Эти различия позволяют метода-
ми визуализации звуковых полей получать акустическое изображения на экране
дисплея. Если есть слой воздуха на границе, то интенсивности и фазы отраженной
волны сильно отличаются. Этот тест показывает место и состояние любых пустот,
отслаивание и трещины в корпусе (рис. 2).

28
Рис. 2. Изображение корпуса в сканирующем акустическом микроскопе

29
НАНОЗОНДИРОВАНИЕ И АТОМНО-СИЛОВАЯ
МИКРОСКОПИЯ
Методики атомно-силовой микроскопии,

применяемые в анализе отказов
Атомно-силовая микроскопия, АСМ (AFM) —
это метод, используемый для наблюдения
шероховатости поверхности образца путем
обнаружения вертикальных перемещений
зонда, вызванных атомной силой между
кончиком зонда, помещенного близко к поверхности образца, и самим образцом.
Как правило, атомно-силовой микроскоп имеет дополнительные модули, которые

значительно расширяют возможности АСМ. Для реализации процедуры анализа от-
казов будут полезны следующие методики ACM:
• Сканирующая микроскопия растекания — Scanning Spreading Resistance
Microscopy (SSRM) — данная методика использует проводящий зонд и является кон-
тактной. Между образцом и зондом создается разность потенциалов и по изменению
протекающего тока оценивается сопротивление поверхности.
• Сканирующая емкостная микроскопия — Scanning Capacitance Microscopy

30
(SCM) — методика является полу-контактной, при первом проходе оценивается ре-

льеф поверхности. Второй проход проводится на некотором расстоянии от образца и
в соответствии с первым проходом, к зонду и образцу прикладывается смещение. При
втором проходе оценивается поверхностная емкость образца.
• Сканирующая микроскопия зонда Кельвина — Kelvin probe force microscope
(KPFM) — как и в методике SCM, выполняется два прохода, первый — для определения
рельефа поверхности, второй — для оценки распределения поверхностного потенци-
ала.
Методики SSRM и SCM могут использоваться не только для получения информации

о геометрии поверхности, но и для определения поверхностного заряда, областей диф-
фузии и локализации дефектов в диэлектриках и областях с высоким сопротивлением.
НАНОЗОНДОВОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ
Зондовое тестирование используется для оценки элек-
трических характеристик исследуемого образца.
В зависимости от визуализации и размера зондов вы-
деляют метод нанозондового анализа.
Устройство нанозондирования использует субмикрон-

ную зондирующую иглу, чтобы соединиться с прово-
дником или контактом, с которого была удалена защитная пленка, и таким образом
обеспечивает оценку электрических характеристик устройства. Эта технология помо-
гает локализовать место отказа до уровня наблюдения TEM и облегчает физический
поиск причины отказа.
Более того, поскольку этот метод позволяет непосредственно оценивать электриче-

ские характеристики в месте отказа, он определяет основное направление для анализа
механизма отказа от физической причины отказа до выяснения симптомов отказа.
Устройство нанозондировния позволяет обнаружить отказы на этапах разработки и
массового производства.
Система нанозондового анализа как правило интегрируется в сканирующий элек-

тронный микроскоп, так как оптические методы не способны визуализировать
объекты с достаточным разрешением. Для более быстрой навигации, как правило,
используется система CAD-навигации для более быстрого нахождения интересующего
объекта.

31
На рисунке слева показан пример анализа. При-

веден пример памяти SRAM, в которой один бит
состоит из шести МОП-транзисторов. Даже, если
локализован дефектный бит, анализ в TEM не
применим, так как область слишком обширна.
В приведенном примере в дефектном бите был
идентифицирован отказ в контакте (C) и измерены
характеристики МОП-транзисторов вокруг этого
контакта. После идентификации отказа может использоваться анализ в TEM дефектно-
го контакта и быть приняты соответствующие меры для процесса изготовления.
EBIC
При синхронизации сканирования электронного луча и предусилителя тока с
помощью системы нанозондового тестирования реализуется методика EBIC —
electron beam induced current (ток, индуцированный электронным лучем). При
сканировании поверхности электронным пучком в полупроводниковом образце
возникают электронно-дырочные пары и начинает течь ток.
Если синхронизировать измерение тока со сканированием, то можно визуализиро-

вать этот ток. Данный метод используется для идентификации скрытых проводни-
ков, дефектов в полупроводниках или для изучения неосновных носителей.
Ниже на рисунках 1 и 2 — примеры использования методики EBIC.
Рис.1 Изображение EBIC в синем и SEM- Рис.2 В результате дополнительных исследова-

изображение в сером цвете, показывающее ний EBIC и других методов физического анализа
локальные места сбоя на D44 и D15. установлена причина утечки в п-н переходах
Усилитель EBIC подключен между зондами P1 и — нарост силицида (STEM изображение кросс
P2 секции).

32
ОБОРУДОВАНИЕ
КОМПЛЕКСНАЯ СИСТЕМА ДЛЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ В МИКРО-

ЭЛЕКТРОНИКЕ
DCG SYSTEMS MERIDIAN-IV — ПОЛНОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СИ-

СТЕМА ДЛЯ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ МИКРОСХЕМ
Технологии 45 нм стирают различия между отладкой устройства и анализом от-
казов. Анализ устройства уже не является просто процессом нахождения физиче-
ского дефекта такого как короткое замыкание или обрыв. Meridian-IV предназна-
чен для решения задач анализа и локализации динамических и параметрических
отказов, связанных с целым комплексом процессов или граничными режимами
работы устройства, которые проявляются при определенных уровнях напряжения
и частоты.
ОТЛАДКА УСТРОЙСТВА И АНАЛИЗ ОТКАЗОВ

Отладка устройства традиционно ориентирована на внесение изменений, свя-
занных с выявлением проблем в проектировании, в то время как анализ отказов
традиционно ориентирован на повышение качества процесса изготовления.
Разделение между отладкой устройства и анализом отказов стало невнятным с по-

явлением того, что обычно называют «плавающий дефектом». Плавающие дефек-
ты являются параметрическими и часто не могут быть сопоставлены с определен-

33
ными физическими дефектами, которые можно определить, как причину отказа.
Существует множество причин появления плавающих дефектов. Среди них про-

блемы литографии, неравномерность поверхности, флуктуация (случайные от-
клонения в следствии чего-либо) легирующей примеси и вопросы к обработке
материалов. Анализ устройства должен быть связан с влиянием синхронизации по
времени, потребляемой мощностью, рассеиваемой мощностью и шумом.
Проведение анализа устройства уже не вопрос, он заключается в поиске мест
фотонного излучения: эмиссия испускается от работающих и не работающих
транзисторов, поэтому становится сложно отследить разницу характеристик между
исправными и неисправными устройствами.
MERIDIAN-IV СИСТЕМА ОПТИМИЗИРОВАННАЯ ДЛЯ ВЫПОЛ-

НЕНИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО АНАЛИЗА
Меридиан-IV учитывает необходимость высокого разрешения, высокой чувстви-
тельности, является гибким инструментом для решения задач, представленных для
параметрического анализа плавающих дефектов.
Основанный на проверенной платформе Meridian, Meridian-IV включает в себя

улучшенную оптику, улучшенное единообразие изображения и повышенную не-
восприимчивость к вибрации.
Инвертированная конструкция микроскопа Meridian-IV позволяет легко взаимо-

действовать с любыми тестовыми сигналами: одним из важнейших требований
для динамического параметрического анализа основанного на излучении эмиссии
является наличие исправного и неисправного устройства.
Meridian-IV может также использоваться для выполнения традиционного статиче-

ского анализа отказов.

34
РЕДАКТИРОВАНИЕ ЦЕПЕЙ
АНАЛИЗ ОТКАЗОВ ПОЗВОЛЯЕТ ВЫЯВИТЬ ПРИЧИНЫ НЕИС-

ПРАВНОСТИ МИКРОСХЕМЫ
Надежность любых полупроводниковых устройств закладывается на этапе констру-
ирования, а обеспечивается технологическим процессом изготовления.
Существует множество параметров, которые влияют на характеристики и надеж-

ность устройства и не все из них можно учесть на начальных этапах разработки.
Анализ отказов позволяет выявить и локализовать области неисправностей и, как
следствие, выяснить их причину.
РЕДАКТИРОВАНИЕ ЦЕПЕЙ — ВАЖНЫЙ ЭТАП АНАЛИЗА ОТКАЗОВ

Одним из этапов после анализа отказов является редактирование с целью созда-
ния эталонного образца, который будет соответствовать всем техническим усло-
виям. В настоящее время корректирование микросхем может осуществляться с по-
мощью множества операций и существует большой выбор оборудования, которое
позволят быстро и качественно произвести эту работу с прецизионной точностью.
Основным инструментом для редактирования цепей на микро- и нано-уровнях
является с ионно-лучевой микроскоп.

35
ИОННО-ЛУЧЕВАЯ МИКРОСКОПИЯ — ОСНОВНОЙ ИНСТРУ-

МЕНТ РЕДАКТИРОВАНИЯ
Ионно-лучевая микроскопия — это универсальный инструмент для редактирова-
ния цепей. Хотя почти все FIB могут «вырезать и вставлять», очевидно, что для ком-
плексных изменений требуется оптимизация данных процессов и, следовательно,
необходимость правильного набора опций инструмента.
Рис.1. Процедуры редактирования
ДЕКАПСУЛЯЦИЯ — УДАЛЕНИЕ ПОЛИМЕРНОГО ПОКРЫТИЯ

Прежде чем приступить к редактированию цепей, необходимо произвести опреде-
ленную работу по подготовке образца (см.рис.1). В случае, когда уже известно, что
устройство не выполняет предписанные ему технические функции и произведен ана-
лиз отказов с локализацией неисправности, запускается процесс подготовки. Микро-
схему необходимо декапсулировать, удалив полимерное покрытие. Данные операции
могли быть выполнены ранее для выявления причины отказа.
CAD НАВИГАЦИЯ И КОРРЕЛЯЦИЯ С FIB

CAD навигация предоставляет возможность быстро ориентироваться относительно
топологии образца и производить редактирование с высокой точностью, существенно
снижая время работы оператора. Для этого необходимо произвести корреляцию CAD и
FIB. Привязка образца к схеме топологии происходит в несколько этапов. В начале дела-
ется грубая привязка по краям образца, после этого необходимо увеличивается область
интереса и происходит более точная привязка уже по меньшим элементам схемы.

36
ТОЧНОЕ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЕ FIB

Чтобы привязать схему топологии к образцу используется ИК камера. Она позволяет про-
сматривать реальную топологию образца сквозь слои кремния с обратной стороны или
пассивации с лицевой стороны. После привязки образца в ИК режиме, топология наклады-
вается на ионное изображение, что позволяет производить операции с высокой точностью.
МАТЕРИАЛЫ И ХИМИЧЕСКОЕ АССИСТИРОВАНИЕ

Как уже говорилось, ионно-лучевой микроскоп — это универсальный инструмент для
редактирования цепей. Редактирование цепей предъявляет высокие требования к
оператору FIB. Помимо технических знаний зачастую требуется творческий подход и
креативность. Качество результата так же зависит от выбора химических газов и элек-
трических параметров. Для выбора верного рецепта необходимо знать материалы
микросхемы, где непосредственно будет осуществляться редактирование.
Для процесса редактирования цепей материалы разделяют на 4 группы: оксид кремния,

алюминий, медь, диэлектрики с пониженной диэлектрической проницаемостью.
Травление оксида кремния: Травление оксида кремния с использованием XeF2 позво-

ляет увеличить скорость травления более чем в 5 раз, кроме того при использовании XeF2
для данного процесса требуется меньший ток.
Травление алюминия: Скорость травления алюминия выше при использовании Cl, Br или I.
Травление меди: Медь чувствительна к воздействию галогенов. XeF2 не влияет

на скорость ее травления, так же для меди характерно появление осаждений, по-
этому необходимо дополнительно напылять изолятор.
Травление диэлектриков: Скорость травления диэлектриков с пониженной

диэлектрической проницаемостью с использованием XeF2 выше. В зависимости
от диэлектрической проницаемости материала возможно подобрать химические
газы, которые повысят скорость больше чем XeF2.
Напыление: В зависимости от необходимости создания контакта, напыление про-

изводится либо проводником, либо диэлектриком. Диэлектрик TMCTS напыля-
ется для создания непроводящего слоя или для защиты участка вокруг области
травления. В качестве проводящего слоя необходим материал с низким удельным
сопротивлением. В основном для создания токопроводящих дорожек используют
вольфрам или молибден.

37
Рис.2. Методы редактирования цепей
ОСНОВНЫЕ ОПЕРАЦИИ РЕДАКТИРОВАНИЯ

Исходя из поставленных задач при редактировании цепей производятся следующие операции:
High Aspect Ratio Milling, HAR

Травление с высоким аспектным соотношением — осуществляется при
необходимости редактирования на глубоких слоях. При хорошем сигнале
детектора соотношение в зоне травления глубины к ширине может дости-
гать 20 к 1 при использовании XeF2.
Vertical Interconnects
Вертикальные межсоединения — требуются для создания контакта между про-
водниками. Для этого должны использоваться материалы с меньшим удельным
сопротивлением. Чем уже нужно сделать отверстие, тем ниже должен быть ток
и сопротивление напыляемого материла.
Lateral Interconnects
Поверхностные соединения — необходимы для соединения токопроводящих
дорожек на верхнем или промежуточных слоях. При напылении, материал
осаждается не только в нужной области, но и вокруг нее.
Over-spray Cleanup
Чистка ионным пучком вокруг рабочей области.

38
Trace Cutting
Резка токопроводящих дорожек — одна из самых распространенных опера-
ций при редактировании. Используется для удаления контакта между элемента-
ми микросхемы.
Reconstructive Surgery
Часто появляется необходимость изменить глубоколежащий слой, до которого
невозможно добраться, не задев верхние слои металлизации. Для этого исполь-
зуется операция реконструкции Reconstructive Surgery. Металлизация, которая
преграждает путь к интересующей области, удаляется (если это не приведет к
дополнительной неисправности) или перекоммутируется и после редактирова-
ния нужного слоя напыляется обратно.
Backside editing
Когда нужно отредактировать первый или второй слой металлизации на
микросхеме с большим количеством слоев, иногда это проще сделать это с
обратной стороны — Backside editing. Кристалл утоняется для более каче-
ственного обзора чрез ИК камеру (30 — 100 нм) и используются специальные
режимы травления, чтобы быстро дойти до первого слоя, не повредив образец.
N-well size reduction

Небольшие уменьшения n-области N-well size reduction требуются для
редактирования с обратной стороны и не влияют на работу микросхемы.
Probe-Point Creation
Чтобы снять электрические характеристики с интересующей области, которая
может находится на нижних слоях, нужно вывести контактную площадку Probe-
Point Creation, для этого проводится вертикальное соединение до верхнего слоя
и напыляется небольшая область, на которую можно будет встать зондом.
ВЫВОД:
Многообразие классов и типов полупроводниковых устройств и совершенствование
технологии их производства требует разработки новых принципов и методов диагности-
ки их качества. Анализ отказов и редактирование цепей позволяют заменить длитель-
ные и дорогостоящие технологические отбраковочные испытания полупроводниковых
устройств на более эффективные и экономичные. Особого внимания заслуживают комби-
нированные методы отбраковки дефектных изделий. Высокая эффективность редактиро-
вания цепей представленными методами подтверждена экспериментально.

39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67

Анализ Отказов. Методики и Оборудование.

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Анализ Отказов. Методики и Оборудование.

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

АНАЛИЗ ОТКАЗОВ

Зачем нужен анализ отказов

ЗАЧЕМ НУЖЕН АНАЛИЗ ОТКАЗОВ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Чтобы гарантировать надежность, анализ должен быть "встроен" в устройство еще на

ЧТО ТАКОЕ АНАЛИЗ ОТКАЗОВ?

Анализ отказа — это исследование характера и механизма отказа с использовани-

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

предположение о потенциальном характере и механизме отказа. На основе этого

ГРАДАЦИЯ ОТКАЗОВ ПО РАЗМЕРНОСТИ

Рис. 1. Геометрическая градация отказов по размерности

ПРОЦЕДУРА АНАЛИЗА ОТКАЗОВ

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

Рис. 2. Общий алгоритм процедуры анализа отказа

ТИПЫ ДЕФЕКТОВ И МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ АНАЛИЗА ОТКАЗОВ

ТИП ДЕФЕКТА МЕТОДЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ И ОПРЕДЕЛЕНИЙ ПО АНАЛИЗУ ОТКАЗОВ

SEM сканирующий электронный микроскоп

STM сканирующая тунельная микроскопия

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

Процесс изготовления полупроводниковой пластины включает сотни шагов с исполь-

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

КАК ПРАВИЛЬНО ВСКРЫТЬ ЧИП?

КАКИЕ МЕТОДЫ ИСПОЛЬЗОВАТЬ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ КОРПУСА

Для проведения функциональной диагностики и внутреннего физического анализа

Декапсуляция — процесс частичного или полного удаления корпуса микросхемы

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

Рис. 1. Оборудование для лазерной декапсуляции от производителя Control Laser

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

На результат процесса влияют такие параметры, как концентрация кислот, темпера-

Для повышения контроля процесса используются специальные системы химической

Рис. 2. Кристалл после химической декапсуляции

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

Чтобы уменьшить риски травления на финальной стадии применяют дополнитель-

Рис. 3. Этапы декапсуляции.

Механическая декапсуляция лицевой стороны применима в том случае, если нет

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

Рис. 4. Этапы туннельной декапсуляции.

Обработка обратной стороны происходит сначала до медной подложки, после чего

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

ОТ ЧЕГО ЗАВИСИТ ВЫБОР МЕТОДА ВСКРЫТИЯ МИКРОСХЕМЫ

Верхняя часть корпуса стачивается с помощью шлифовального устройства или

Так же, снятия металлической крышки можно выполнить с помощью силового

Более безопасный способ снятия металлической крышки с корпуса —

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

дения лазерного луча по периметру корпуса будет происходить нагрев образца.

Механическое удаление керамического корпуса очень продолжительный процесс

Химический метод более экономичен, достаточно быстрый и позволяет работать

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

но при медной, серебряной или алюминиевой разварке повышается риск ее по-

Рис. 5. Вскрытие корпуса микросхемы

СРАВНЕНИЕ МЕТОДОВ ДЕКАПСУЛЯЦИИ

Метод Лазерная Химическая Механическая Плазмохимиче-

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

МЕХАНИЧЕСКОЕ ВСКРЫТИЕ МИКРОСХЕМ

На практике, чтобы понять, почему отказала микросхема, очень часто приходится

Существует несколько способов декапсуляции. Самый простой из них — это

При механической обработке режущий инструмент (фреза) совершает враща-

1. ASAP-1® IPS ULTRATECH — СИСТЕМА ДЕКАПСУЛЯЦИИ

Тел./факс: +7 (495) 204-13-17 | www.sernia.ru | office@sernia.ru

ASAP-1® IPS — система декапсуляции, позволяющая с суб-микронной точностью

Верхняя часть корпуса микросхемы стачивается с помощью шлифовки до жела-

После проведенной декапсуляции Вы сможете провести анализ микросхемы в

ОСНОВНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ASAP-1® IPS ULTRATECH