Nelaev SAPR

Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий
Р
УИ
ОСНОВЫ САПР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
БГ
Допущено Министерством образования Республики Беларусь
в качестве учебного пособия для студентов учреждений,
обеспечивающих получение высшего образования по специальностям
а
«Микро- и наноэлектронные технологии и системы»,
ек
«Квантовые информационные системы»

т
ио
бл
Би
Минск БГУИР 2008

УДК 621.382.8.049.77.001.2(075.8)
ББК 32.844.1 я73
Н 49
ISBN 978-985-488-321-2
Рецензенты:
зав. кафедрой ЭТТ БГУИР, академик НАН Беларуси,
профессор, доктор технических наук А. П. Достанко
кафедра «Интеллектуальные системы» Белорусского
национального технического университета
Р
заместитель директора по научной работе Научно-технического центра
«Белмикросистемы» УП «Завод попупроводниковых приборов»,
УИ
доктор технических наук, профессор А. И. Белоус
Нелаев, В. В.
Н 49 Основы САПР в микроэлектронике : учеб. пособие / В. В. Нелаев,
БГ
В. Р. Стемпицкий. – Минск : БГУИР, 2008. – 221 c.: ил.
ISBN 978-985-488-321-2
В пособии приведено описание физических моделей технологических процессов и
приборов микроэлектроники, используемых в современных программных комплексах
а
компьютерного технологического и приборного проектирования.
На приложенном к пособию компакт-диске содержится разработанный авторами про-
ек
граммный модуль GUI-SUPREM, предназначенный как для моделирования отдельных техно-

логических операций микроэлектроники, так и для проведения в сети Интернет/Интранет од-
номерного по пространству проектирования технологического маршрута формирования при-
борной структуры с использованием программного комплекса SUPREM III.
т
ио
бл
Би
2
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................5
1. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ...........................................................................................11
1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.
КМОП-технология..................................................................................................11
1.2. Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии ..............36
1.2.1. Диффузия в макроскопическом (континуальном) приближении ..........36
1.2.2. Моделирование диффузии примесей с учетом дефектов
Р
кристаллической решетки в микроскопическом приближении (атомарный
уровень)...............................................................................................................46
УИ
1.2.3. Обобщенные уравнения для описания диффузии...................................48
1.2.4. Модель диффузии Ферми .........................................................................50
1.2.5. Модель сегрегации примесей...................................................................51
1.2.6. Двухмерная модель диффузии .................................................................52
БГ
1.2.7. Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект» ...........57
1.2.8. Другие модели диффузии примесей и их расширения ...........................58
1.2.9. Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии ....................67
1.3. Модели окисления кремния ............................................................................69
а
1.3.1. Математическое описание процесса окисления кремния.......................69
1.3.2. Зависимости констант B/A и B от условий окисления ............................72
ек
1.3.3. Смешанная окислительная среда .............................................................75

1.3.4. Двухмерные модели окисления кремния ................................................76
1.3.5. Аналитическая двухмерная модель локального окисления кремния ....79
т
1.4. Моделирование ионной имплантации............................................................85

1.4.1. Аналитические модели имплантации ......................................................86
ио
1.4.2. Моделирование имплантации методом Mонте-Карло............................93

1.5. Моделирование поликремниевой технологии .............................................101
1.5.1. Моделирование осаждения поликристаллического кремния на
плоскую поверхность в LPCVD-процессе c одновременным легированием 102
бл
1.5.2. Моделирование осаждения поликристаллического кремния

на рельефную поверхность в LPCVD-процессе с одновременным
легированием ....................................................................................................108
Би
1.5.3. Моделирование роста зерна поликристаллического кремния при

длительном и импульсном режимах термообработки....................................111
1.5.4. Моделирование электрофизических характеристик
поликристаллического кремния.......................................................................121
1.6. Моделирование формирования силицидов ..................................................127
1.7. Моделирование процессов осаждения .........................................................129
1.8. Моделирование травления ............................................................................136
1.9. Моделирование химико-механического полирования ................................140
2. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ...............143
2.1. Основные уравнения физики полупроводниковых приборов.....................143
3
2.2. Основы теории статистики носителей заряда ..............................................146
2.3. Пространственный заряд, обусловленный неполной ионизацией,
ловушками и дефектами.......................................................................................150
2.4. Транспортное уравнение энергетического баланса .....................................157
2.5. Физические явления на границах..................................................................161
2.6. Физические модели переноса носителей заряда ..........................................164
2.6.1. Модели подвижности носителей заряда ................................................164
2.6.2. Модели генерации и рекомбинации носителей.....................................181
2.6.3. Модели ударной ионизации ...................................................................185
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ........................................................................................................197
Р
ЛИТЕРАТУРА ..........................................................................................................199
ПРИЛОЖЕНИЕ ........................................................................................................208
УИ
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ.................................................................................216
АББРЕВИАТУРЫ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ТЕРМИНОВ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ ....................................................218
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
4
ВВЕДЕНИЕ
Бурное развитие микроэлектроники в течение последних десятилетий бес-

прецедентно в мировой истории технологий, и оно почти без отклонений подчи-
няется эмпирически выведенному закону Мура, согласно которому степень инте-
грации изделий микроэлектроники ежегодно удваивается. В табл. В.1 представле-
ны данные об основных характеристиках интегральных микросхем (ИМС) на
примере динамической памяти, начиная с 1995 года, и прогноз их развития до
2012 года [1].
Таблица В.1
Основные характеристики интегральных микросхем
Р
на примере динамической памяти и тенденция их развития
Год 1995 1997 1999 2003 2006 2009 2012
УИ
Минимальная ширина линий, мкм 0,35 0,25 0,18 0,13 0,10 0,07 0,05
2
Размер чипа, мм 200 280 400 560 790 1120 1580
Число транзисторов на чип 107 1,5⋅107 2⋅107 8⋅107 2⋅108 5⋅108 1,4⋅109
Частота, MГц 300 450 600 800 1 000 1200 1500
БГ
Память 256 Мбит 512 Мбит 1 Гбит 4 Гбит 16 Гбит 64 Гбит 256 Гбит
Максимальное количество слоев
5 6 6–7 7 7–8 8–9 9
металлизации
Минимальное количество масок 20 22 22–24 24 24–26 26–28 28
Напряжение питания, В 2,0–3,0 1,8–2,5 1,5–1,8 1,2–1,5 0,9–1,2 0,6–0,9 0,5–0,6
а
Минимальная ширина линий (наименьший размер структурных элементов
ек
схемы, обеспечиваемый технологическим оборудованием и, прежде всего, лито-

графией) является наиболее важным показателем размеров компонентов ИМС.
т
ио
бл
Би
Рис. В.1. Эволюция и экстраполяция на перспективу

минимальных характерных размеров интегральных схем
5
На рис. В.1 приведены данные об эволюции этой характеристики за послед-
ние 10 лет и их экстраполяция на будущее [1]. В среднем, как видно из рисунка,
минимальная ширина линий уменьшается на 13 % в год. В последние годы эта
скорость снизилась до 10 % в год. Размер чипа за последние 45 лет сокращался в
среднем на 16 % в год; в последние годы этот темп снизился до 6 % в год для
микропроцессоров и до 12 % в год для ИМС динамической памяти.
Однако очевидно, что бесконечное уменьшение характерных размеров при-
боров микроэлектроники (и соответственно выполнение закона Мура) невозмож-
но. Оно ограничено прежде всего физическими пределами функционирования
приборов. Так, при толщине подзатворного диэлектрика МОП-транзистора менее
1–1,5 нм электроны могут легко туннелировать через тонкий слой изолятора:
Р
именно такой сверхтонкий слой подзатворного диэлектрика требуется для МОП-
транзистора с боковыми размерами, равными 0,05 мкм (50 нм), обеспечивающими
УИ
приборы поколения 2012 года («Переходная область» на рис. В.1).
Тем не менее теоретические исследования показывают, что стандартные
кремниевые КМОП-структуры функциональны с геометрическими нормами
вплоть до 20–30 нм. Если изготовление приборов с такими размерами окажется
БГ
экономически целесообразно, то к 2020 году будет возможно создание систем на
кристалле с плотностью 1010–1012 компонентов (приборов и других элементов
систем на кристалле).
Выполнение закона Мура в не столь отдаленном будущем может быть огра-
а
ничено также технологическими возможностями оборудования для изготовления
ИМС и, прежде всего, возможностями литографии. Используемое в настоящее
ек
время оборудование оптической литографии обеспечивает размер линий порядка

0,1 мкм (хотя продолжающиеся научные исследования могут снизить и эту вели-
чину – область «Квантовые устройства» на рис. В.1). Многообещающи в этом от-
т
ношении исследования в области электронно-лучевой и рентгеновской литогра-

фии. Революционные результаты исследований в области литографии могут обес-
ио
печить оборудование для сканирующей туннельной микроскопии, с помощью ко-

торой можно достичь разрешения на уровне отдельных атомов (область «Размеры
атомов» на рис. В.1).
бл
Следует также отметить, что стремительный прогресс развития микроэлек-

троники сопровождается постоянным усложнением технологии, что влечет за со-
бой неуклонное удорожание оборудования. В связи с этим в начале 90-х годов
Би
встал вопрос о справедливости выполнения закона Мура в будущем и с экономи-

ческой точки зрения. Один из аргументов в пользу такого вывода состоит, в част-
ности, в экспоненциально возрастающей стоимости проектирования и оборудова-
ния, затрат на тестирование изделий и т.д.
Несомненные резервы развития нынешней и будущей микроэлектроники
открываются в разработке и использовании в системах компьютерного проекти-
рования физических моделей технологии и приборов, обеспечивающих точность
и, следовательно, надежность компьютерного проектирования ИМС с характер-
ными размерами вплоть до атомарного уровня.
Физической основой современных технологических операций формирова-
ния ИМС являются процессы взаимодействия энергетических ионов и фотонов
6
с кристаллической решеткой и диффузионные процессы массопереноса. Очевид-
но, что для микроразмерных структур (и тем более для наноразмерных) традици-
онные методы моделирования физических явлений, сопровождающих современ-
ные технологические процессы обработки полупроводниковых структур, осно-
ванные на уравнениях макроскопического тепломассопереноса, неприемлемы.
При описании таких объектов необходимо проводить анализ динамики переме-
щений отдельных атомов и эволюции исследуемого ансамбля атомов на уровне
дискретной кристаллической решетки (из первых принципов!), что возможно, на-
пример, при использовании метода молекулярной динамики [2]. C другой сторо-
ны, моделирование таких макроскопических физических явлений, как, например,
высокотемпературное окисление или осаждение пленки поликристаллического
Р
кремния из газовой фазы дает достаточно адекватные результаты в континуаль-
ном (в основном, феноменологическом) приближении методами механики
УИ
сплошных сред. Полученные из первых принципов фундаментальные характери-
стики могут использоваться как подгоночные константы в феноменологических
моделях [3].
К настоящему времени разработан целый ряд программных комплексов для
БГ
моделирования технологических операций формирования структурных элементов
приборов сверхбольших интегральных схем (СБИС). В табл. В.2 представлены
основные характеристики наиболее известных из них.
а
Таблица В.2
Основные характеристики программных средств
ек
для моделирования технологических операций микроэлектроники

SUPREM III
FABRICS-II
SSUPREM4
SUPREM II
ROMAMS
OPUS/3D
SYPRUS
IMPACT
SUPRA
т
TESIC
TEX-I
RITM
Характеристики
ио
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Пространственная размерность моделей
1 1 2 2 2 2 2 2 1 3 1 3
(1-, 2- или 3-мерная)
бл
Моделирование имплантации:
Количество слоев в мишени:
два (Si, SiO2) + + + + + + +
пять (Si, SiO2, Si3N4, p-Si, фоторезист)
Би
+ + + +
Имплантация через маску + + + + + + + + + +
Имплантируемые ионы:
B, P, As, Sb + + + + + + + + + + + +
Другие ионы + + +
Функции для описания профилей распределения
концентраций имплантированных ионов:
Гауссиана +
Гауссиана с «хвостом» + + +
Две полугауссианы + +
Пирсон IV + + + + +
Питрсон IV и эмпирический экспоненциаль-
+ + + +
ный «хвост» для бора
7
Окончание табл. В.2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Расчет методом Монте-Карло +
Решение транспортного уравнения Больцмана +
Особенности моделирования диффузионного
перераспределения примесей:
Коэффициенты диффузии примесей постоянны + +
P: Три области изменения коэффициента диф-
+ + + + + + + + + +
фузии
As, Sb, B: вакансионная модель коэффициента
+ + + + + + + + +
диффузии
Учет эффектов окисления OED и OISF + + +
Р
Учет высокого уровня легирования + + + + + + + +
Учет дрейфового члена, обусловленного нали-
+ + + + + + +
УИ
чием других заряженных примесей
Учет кластерообразования + + + + + + + +
Численное решение уравнения Фика + + + +
Моделирование роста пленки окисла:
Модель Дила–Гроува + + + + + + + + +
БГ
Учет зависимости коэффициентов в модели
Дила–Гроува от технологических параметров:
+ + + + +
давления, состава среды, уровня легирования,
ориентации подложки
Моделирование эпитаксии:
а
Рост эпипленки из газовой фазы + + +
ек
Автолегирование эпипленки + +
Моделирование травления + + + + +
Моделирование осаждения поликремния + + + +
Язык программирования (F – Fortran,
т
P C C F F P P P F C C D
P – Pascal, C – язык С+, D – Delphi)
Операционная система (M – MS DOS, W
W
ио
W – Windows, U – Unix) U
Аппаратная платформа (P – PC, P, P, W,
S P P P P P P S P
M – Macintosh, S – WorkStation) S S M
бл
Каждая из приведенных в табл. В.2 программ моделирования технологии

обладает своими достоинствами и недостатками, связанными с целями, которые
преследовались при их создании, и аппаратно-программными возможностями
Би
разработчиков.
Программа SUPREM II [4–6] позволяет «конструировать» профиль распре-
деления ионно-имплантированных примесей (четыре типа имплантируемых при-
месей, двухслойная структура, профиль распределения концентрации ионно-
имплантированных примесей – статистические функции Гаусса и Пирсон IV); при
моделировании диффузионного перераспределения примесей учитывается повы-
шение коэффициентов диффузии примесей при окислении и эффект кластерооб-
разования.
В программе SUPREM III [7] профиль распределения ионно-
имплантированных примесей рассчитывается посредством использования функ-
ции Пирсон IV; при расчете коэффициентов диффузии примесей учтен эффект
8
высокого уровня легирования; в исходное уравнение диффузии введен дрейфовый
член, обусловленный наличием заряженных примесей; автолегирование эпиплен-
ки при ее росте из легированной подложки рассчитывается путем решения урав-
нения второго закона Фика с соответствующими граничными условиями.
Программы SUPREM II и III одномерны (как и отечественные программы
TEX-I [8] и RITM [9], которые, в основном, подобны комплексу SUPREM-II). По-
следняя версия программы SUPREM – SSUPREM4, входящая в состав комплекса
ATHENA для проектирования технологии/прибора/схемы компании Silvaco
[10–13], отличается двухмерностью расчетов и использованием современных фи-
зических моделей технологических процессов.
Отличительные особенности программных комплексов SUPRA [14],
Р
IMPACT [15], ROMANS II [16], FABRICS [17] и OPUS/3D [18] состоят в том, что
они основаны на двухмерном физическом моделировании процессов имплантации
УИ
примесей через окно в маске, термического отжига в окислительной среде и авто-
легирования при эпитаксиальном наращивании кремниевой подложки. Эти про-
граммы характеризуются использованием физических моделей и вычислительных
методов различного уровня – от программы SUPRA, в которой осуществляется
БГ
двумерное моделирование имплантации через маску, и процесса эпитаксии, до
программы OPUS/3D, в которой реализовано квазитрехмерное решение диффузи-
онного уравнения перераспределения примесей.
Программа SYPRUS [19] предназначена для моделирования стандартной
а
КМОП-технологии с использованием аналитических решений физических моде-
лей базовых технологических операций.
ек
Следует отметить, что из перечисленных программных комплексов только

программы SSUPREM4 и FABRICS обладают возможностями для решения важ-
нейшей задачи компьютерного проектирования в микроэлектронике – статисти-
т
ческого моделирования технологии с целью оптимизации технологического про-

цесса посредством анализа влияния флуктуаций технологических параметров на
ио
выходные характеристики моделирования. Однако программа FABRICS одно-

мерна, и статистическое моделирование в ней осуществляется не на физической
основе, а посредством использования аналитических полуэмпирических соотно-
бл
шений. В программах SSUPREM4 и SYPRUS статистический анализ осуществля-

ется посредством прямого численного моделирования. Такой подход требует
чрезвычайно больших вычислительных затрат.
Би
В программе TESIC (TEchnology Simulation of Integrated Circuits) сочетают-

ся многомерность (вплоть до 3-мерного) моделирования базовых технологиче-
ских операций формирования структурных элементов приборов микроэлектрони-
ки с современным подходом к задаче статистического проектирования и оптими-
зации технологии, основанным на RSM-методологии [20–22].
Достаточно подробный анализ состояния проблемы моделирования прибо-
ров микроэлектроники и соответствующих программных средств на конец 80-х
годов прошлого века изложен в работах [14, 23–25]. Наиболее полная реализация
разработанных с тех пор физических моделей переноса носителей заряда, являю-
щихся основой приборного моделирования, осуществлена в программе
SPISCES2 [26], входящей в состав комплекса SILVACO. Этой программе уделено
9
особое внимание в данном пособии, учитывая тот факт, что программы
SSUPREM4 и SPISCES2 функционируют в одной оболочке. Таким образом резуль-
таты моделирования технологии с использованием SSUPREM4 являются входными
данными для SPISCES2, что позволяет использовать связи между этими программа-
ми для осуществления эффективной процедуры оптимизации как параметров тех-
нологии, так и электрических характеристик проектируемого прибора.
В первом разделе пособия описываются физические модели базовых техно-
логических операций микроэлектроники с акцентом на модели, используемые в
современных программных комплексах проектирования технологии ИМС. При-
ведены также способы решения некоторых простых задач, которые можно ис-
пользовать в инженерно-физическом приближении.
Р
Во втором разделе описываются физические модели, используемые в со-
временных программных средствах проектирования приборов микроэлектроники,
УИ
в частности, в программе SPISCES2.
Пособие предназначено для углубленного освоения учебных дисциплин,
связанных с изучением методов и программных средств проектирования и моде-
лирования в микроэлектронике. Ознакомление и приобретение навыков работы в
БГ
среде современных средств компьютерного проектирования ИМС являются необ-
ходимыми компонентами подготовки и повышения квалификации профессио-
нальных инженеров-проектировщиков интегральных схем, а также магистрантов,
аспирантов и научных работников.
а
Авторы выражают признательность профессору Дж. Д. Пламмеру из Стен-
фордского университета за любезное разрешение поместить в книге ряд иллюст-
ек
раций, взятых из его научных работ, а также компании SILVACO за предостав-

ленную возможность использовать в пособии некоторые иллюстративные мате-
риалы, содержащиеся в технической документации к программным модулям
т
ATHENA (технологическое проектирование) и ATLAS (проектирование приборов

микроэлектроники), академическими лицензиями на использование которых об-
ио
ладает кафедра микро- и наноэлектроники Белорусского государственного уни-

верситета информатики и радиоэлектроники.
Основной труд написания пособия принадлежит В. В. Нелаеву. Доработка всех
бл
разделов пособия и его техническое оформление осуществлены В. Р. Стемпицким.

В разработке модуля GUI-SUPREM участвовали магистрант кафедры мик-
ро- и наноэлектроники К. А. Кудин и аспирант кафедры микро- и наноэлектрони-
Би
ки М. Н. Найбук.
10
1. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Современные ионно-фотонные технологические методы формирования

сверхбольших сверхбыстродействующих интегральных схем (ССБИС) с субмик-
ронными характерными размерами структурных элементов обеспечиваются ис-
пользованием низкотемпературных, неравновесных, импульсных и радиационно-
стимулированных технологических операций. К таким прогрессивным техноло-
гическим операциям относятся ионная имплантация, лазерный и электронный от-
жиг, газофазное, плазмохимическое и молекулярно-лучевое осаждение пленок,
плазмохимическое и ионное травление. Только низкотемпературная ионно-
Р
фотонная технология может обеспечить получение субмикронных размеров
ССБИС путем минимизации боковых и вертикальных размеров легированных об-
УИ
ластей, лучшую контролируемость планарности слоев и равномерности их леги-
рования, снижение дефектности обрабатываемых структур, повышение специаль-
ных характеристик приборов, как, например, радиационная стойкость.
Процесс изготовления ССБИС представляет собой последовательность де-
БГ
сятков технологических операций, являющихся комбинацией лишь небольшого
числа базовых операций, к которым относятся:
- легирование (имплантационное и диффузионное);
- «разгонка» примесей посредством высокотемпературной обработки;
а
- модификация поверхности (окисление, эпитаксия, осаждение тонких пле-
нок, металлизация);
ек
- литография (перенос рисунка обрабатываемой структуры на поверхность

пластины).
Рассмотрим в качестве примера технологический маршрут формирования
т
типичной приборной структуры микроэлектроники.

ио
1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.

КМОП-технология
бл
В последние 15 лет наиболее популярной среди процессов изготовления

ССБИС является КМОП-технология (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,
CMOS). Предпочтительность приборов на КМОП-структурах объясняется их вы-
сокой и гибкой функциональностью, относительно низким напряжением питания,
Би
размерной масштабируемостью.
КМОП-технология, основанная на технологии формирования МОП-
транзисторов n- и p-типов на одной подложке, используется для изготовления
различных типов логических устройств, а также резисторов, конденсаторов, тон-
копленочных транзисторов и других элементов микроэлектроники. Конечная
структура типичной КМОП схемы изображена на рис. 1.1.
Кроме активных приборов на этом рисунке можно видеть и другие струк-
турные элементы, включая электрическую изоляцию между n-МОП- и p-МОП-
транзисторами, многоуровневую систему электрических соединений между ак-
11
тивными компонентами схемы, а также области, обеспечивающие снижение эф-
фектов паразитных резисторов.
Исходными данными для формирования любых структур приборов микро-
электроники является информация о кремниевой подложке. В общем случае не-
обходимо задать тип ее проводимости (n- или p-), удельную проводимость (опре-
деляемую концентрацией легирующих примесей) и кристаллографическую ори-
ентацию. КМОП-структура обычно формируется на подложке p-типа, характери-
зующейся достаточно высокой величиной удельной проводимости (25–50 Oм⋅см,
что соответствует уровню легирования ∼1015 см-3). Активные компоненты форми-
руются в приповерхностных областях подложки (так называемых «карманах»,
well) с повышенным уровнем концентрации примесей (∼1016–1017 см-3). На
Р
рис. 1.1 изображена КМОП-структура, сформированная на двух карманах n- и p-
типа проводимости.
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.1. Сечение современной КМОП-структуры с двумя уровнями

металлизации. Справа – n-МОП-, слева – p-МОП-транзисторы.
Би
Показаны выводы к истоку S (Source), стоку D (Drain) и затвору G (Gate)
Современные кремниевые интегральные схемы формируются на подложках

с <100> кристаллографической ориентацией, поскольку именно с такой ориента-
цией получаются наилучшие свойства поверхности раздела «кремний–двуокись
кремния» (Si/SiO2).
Рассмотрим поэтапно технологический маршрут формирования КМОП-
структуры, чтобы показать многообразие технологических операций, входящих
в состав всего маршрута [27].
12
1. Химическая обработка кремниевой пластины с целью очистки ее поверх-
ности.
2. Создание на поверхности подложки тонкого ∼40 нм (0,04 мкм, 400 Å)
слоя окисла посредством окисления в атмосфере сухого кислорода (45 мин,
1000 °С).
3. Осаждение из газовой фазы при низком давлении (Low Pressure Chemical
Vapor Deposition, LPCVD) тонкого ∼80 нм слоя нитрида кремния (Si3N4). Осажде-
ние Si3N4 на кремниевую подложку приводит к созданию высоких сжимающих
напряжений на поверхности, поэтому основная цель предыдущей операции осаж-
дения тонкого слоя окисла состоит в их устранении посредством частичной ком-
пенсации напряжений, возникающих в окисле и в нитриде кремния.
Р
4. Осаждение слоя фоторезиста (∼1 мкм), используемого в качестве маски-
рующего слоя. Промежуточное состояние структуры после операций 1–4 изобра-
УИ
жено на рис. 1.2.
БГ
а
ек
т
Рис. 1.2. Состояние структуры после операций 1–4
5. Фотолитография (маска №1) для последующего формирования изоляци-

ио
онных областей посредством проведения LOCOS-процесса (LOCal Oxidation Sili-

con).
6. Травление определенных областей структуры.
бл
Состояние структуры после операций 5–6 изображено на рис. 1.3.

Би
Рис. 1.3. Травление – подготовка к проведению LOCOS-процесса
13
7. Снятие слоя фоторезиста с использованием фотолитографического про-
цесса. Современные установки для проведения фотолитографии обеспечивают
формирование линий толщиной порядка 0,25 мкм с точностью локального распо-
ложения менее 100 нм. Типичная стоимость оборудования для проведения такого
сложного процесса составляет до миллиона долларов.
8. Проведение LOCOS-процесса (длительность – 90 мин, температура –
1000 °C в среде H2O) для формирования толстого (∼0,5 мкм), так называемого по-
левого, слоя окисла (field oxide), предназначенного для боковой изоляции актив-
ных элементов (МОП-транзисторов) КМОП-структуры (рис. 1.4).
Р
УИ
БГ
Рис. 1.4. Результат проведения LOCOS-процесса
а
Далее проводятся операции создания изоляции между активными элемен-
ек
тами КМОП-структуры. Эта последовательность операций не входит в основной

маршрут формирования активных элементов рассматриваемой структуры, но яв-
ляется важной и необходимой в современной технологии микроэлектроники.
т
Прогрессивным способом создания изоляционных областей является технология с

использованием мелких канавок (Shallow Trench Isolation, STI). Приведем после-
ио
довательность операций, реализующих STI-технологию:

- предварительные операции те же, которые используются в LOCOS-
процессе. На поверхности подложки термически выращивается слой SiO2
бл
(10–20 нм) и осаждается слой Si3N4 (50–100 нм), как показано на рис. 1.3;
- нанесение фоторезиста (рис. 1.4);
- травление в определенных местах окисла и нитрида кремния (фоторезист
используется как маска);
Би
- локальное травление кремниевой подложки с целью формирования мелко-

залегающих канавок. Канавки должны иметь слегка наклонные стенки. Кроме то-
го, углы канавок должны быть слегка закруглены. Эти условия необходимы для
устранения образования полостей внутри окисла кремния, которым будут в даль-
нейшем заполняться канавки;
- термическое осаждение тонкого (10–20 нм) слоя SiO2 на боковые стенки и
на дно канавок;
- осаждение толстого слоя SiO2 в CVD или HDP (осаждение в плазме высо-
кой плотности, High Density Plasma) процессе для заполнения канавки;
14
- заключительная операция формирования изоляции в STI-процессе – пла-
наризация поверхности методом химико-механического полирования (Chemical-
Mechanical Polishing, CMP).
Вернемся теперь к основному маршруту формирования активных элементов
КМОП-структуры. Операция 8 была проведена как подготовительная для форми-
рования p-кармана в p-подложке для будущего n-МОП-транзистора и симметрич-
но расположенного p-МОП-транзистора в n-кармане.
9. Осаждение слоя фоторезиста для формирования p-кармана.
10. Фотолитография. Маска №2 используется для формирования p-кармана,
а маска №3 для формирования p-МОП-транзистора в n-кармане.
11. Имплантационное легирование бором области p-кармана (доза 1013 см-2,
Р
энергия ∼150–200 кэВ) через слой SiO2 для предотвращения эффекта каналирова-
ния. Отметим, что выбранная энергия ионов обеспечивает их прохождение через
УИ
толстый слой полевого окисла. Концентрация бора в p-кармане составляет
∼5⋅1016–1017 см-3 (рис. 1.5).
БГ
а
ек
т
ио
бл

Би
12. Снятие слоя фоторезиста химическим способом или в кислородной

плазме.
13. Осаждение слоя фоторезиста.
14. Литография (маска №3 используется для определения областей форми-
рования n-кармана).
15. Ионная имплантация фосфора (энергия ∼300–400 кэВ) для легирования
области n-кармана (рис. 1.6).
15
Р
УИ
Рис. 1.6. Фоторезист используется в качестве маски для формирования
n-МОП-прибора. Имплантация фосфора проводится для легирования
n-кармана, в котором будет образован p-МОП-транзистор
БГ
Отметим, что энергия ионов фосфора должна быть выше, чем в идентичной
операции легирования бором (операция 11), поскольку масса атома фосфора (33)
гораздо выше, чем масса атома бора (11), и атому фосфора требуется большая
а
энергия, чтобы проникнуть в процессе ионной имплантации через такой же слой
ек
окисла, что и в операции 11. Доза имплантации фосфора примерно такая же, как и
доза имплантации бора в операции 11.
16. Высокотемпературная разгонка примесей в p- и n-карманах в инертной
т
среде (длительность 4–6 часов при температуре 1000–1100 °С) для формирования
p- и n-переходов на глубине порядка нескольких микрон (рис. 1.7).
ио
бл
Би
Рис. 1.7. Высокотемпературная разгонка для формирования p- и n-карманов
17. Снятие слоя фоторезиста и химическая очистка поверхности кремниевой

подложки.
Следующие операции проводятся для формирования активных областей
КМОП-структуры. Существуют различные способы достижения этой цели. Здесь
описываются только некоторые из них.
16
18. Осаждение тонкого слоя окисла.
19. Осаждение слоя нитрида кремния (Si3N4).
21. Фотолитография для удаления слоев фоторезист–Si3N4–SiO2 в опреде-
ленных областях.
22. Ионная имплантация (доза ∼1013 см-2, энергия ∼50 кэВ) для подлегиро-
вания бором той области подложки, где будет формироваться область боковой
изоляции (рис. 1.8). Энергия ионов должна быть такой, чтобы они не проникли
через слой полевого окисла.
Р
УИ
БГ
а
ек
Рис. 1.8. Имплантация бора до проведения LOCOS-процесса (см. рис. 1.4) с целью
т
повышения степени легирования подложки в области под полевым окислом

для минимизации проблем, связанных с инверсией поля в МОП-транзисторе
ио
23. Создание p-областей посредством высокотемпературного осаждения по-

левого слоя окисла в LOCOS-процессе с одновременной диффузией бора для
формирования p-областей под ним (рис. 1.9).
бл
Би
Рис. 1.9. Состояние формируемой структуры после проведения LOCOS-процесса
17
24. Формирование p- и n-карманов, как и в процессах, иллюстрируемых
рис. 1.6 и 1.7, но отличающихся тем, что энергии имплантации бора и фосфора
здесь ниже (∼50 кэВ), чтобы эти ионы не проникли через полевой окисел
(рис. 1.10). Отметим, что при этом отсутствует необходимость использования
специальной маски, как при проведении операций 13–15, поскольку используется
та же маска, что и при проведении LOCOS-процесса.
Р
УИ
Рис. 1.10. Вариант формирования активных областей
БГ
КМОП-структуры после создания p- и n-карманов
Современные КМОП-структуры формируются на подложках, которые име-

ют скрытые высоколегированные слои, расположенные под активными прибора-
а
ми. Возможно также формирование КМОП-структур на высоколегированных
ек
подложках. Такие высоколегированные области позволяют минимизировать про-

блему «защелкивания» МОП-транзистора. Этот эффект связан с наличием пара-
зитных p-n-p-n-элементов, обладающих такими нежелательными вольт-
т
амперными характеристиками, которые могут привести к выходу из строя прибо-

ра. Высоколегированные слои под областями активных приборов шунтируют па-
разитные элементы, имеющие низкие значения сопротивления, что предотвраща-
ио
ет их включение и, следовательно, снимает вероятность «защелкивания».

Рассмотрим этапы формирования таких высоколегированных скрытых сло-
ев. Исходное состояние соответствует рис. 1.2.
бл
Для формирования областей, где будет образован n+-скрытый слой, исполь-

зуется маска №1 (рис. 1.11).
25. Ионная имплантация (доза ∼1015 см-2, энергия ∼50 кэВ) для легирования
Би
области скрытого слоя. В этой операции могут использоваться ионы как мышья-
ка, так и сурьмы. Обычно используются ионы мышьяка, поскольку мышьяк имеет
более высокий предел растворимости в кремнии.
26. Снятие слоя фоторезиста в кислотной среде или в кислородной плазме.
18
Р
УИ
Рис. 1.11. Локальная имплантация ионов мышьяка,
используемая при формировании скрытых и эпитаксиальных слоев.
БГ
Маска №1 используется для задания областей n+-скрытых слоев
27. Высокотемпературная обработка, сопровождающаяся несколькими эф-

фектами. Во-первых, при этом разгоняются n+-примеси до глубины залегания p-n-
а
перехода ∼1–2 мкм. Во-вторых, часть процесса разгонки проводится в окисли-
тельной среде (H2O). При этом выращивается толстый слой окисла на поверхно-
ек
сти подложки только над n+-областями вследствие наличия в необходимых облас-

тях слоя Si3N4. Возможность использования одной маски для создания как n+-, так
и p+-скрытых слоев обеспечивается проведением LOCOS-процесса (толщина слоя
т
SiO2 ∼0,4 мкм). В-третьих, в процессах разгонки и окисления создается ступенька

на кремниевой подложке вблизи краев n+-скрытых слоев. Эта ступенька будет иг-
ио
рать важную роль после проведения операции выращивания эпислоя кремния на

этих скрытых слоях. Результирующая структура показана на рис. 1.12.
бл
Би
Рис. 1.12. Разгонка n+-скрытого слоя после удаления фоторезиста.

Формирование толстого слоя окисла над n+-областью в LOCOS-процессе.
28. Снятие слоя Si3N4.
19
29. Ионная имплантация (доза ∼1014 см-2, энергия ∼50–75 кэВ) для легирова-
ния области p+-скрытого слоя (рис. 1.13). Здесь важно свойство самосовмещения
обоих (n+- и p+-) слоев. Толстый слой окисла над n+-скрытым слоем препятствует
проникновению имплантируемых p+-ионов (бор), тогда как исходный тонкий слой
окисла прозрачен для проникновения имплантируемых ионов.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.13. Использование толстого слоя SiO2
в качестве маски при имплантации фосфора
а
ек
30. Высокотемпературная разгонка бора и мышьяка вглубь подложки

в инертной среде (несколько часов при температуре 1000–1100 °С) (рис. 1.14).
т
ио
бл
Би
Рис. 1.14. Одновременная разгонка фосфора и бора в результате

длительной высокотемпературной обработки
31. Снятие слоя окисла в растворе HF.

32. Химическая очистка.
33. Наращивание эпитаксиального слоя толщиной несколько микрон с од-
новременным легированием бором или мышьяком (температура 800–1000 °C, ис-
точник кремния – силан SiH4, источник легирующей примеси – борин B2H6 или
фосфин AsH3) – рис. 1.15. Здесь эпислой не легирован, поскольку имплантацион-
20
ное легирование отдельных его областей будет проводиться в последующих опе-
рациях.
Р
УИ
Рис. 1.15. Результат наращивания эпитаксиального слоя.
Итак, скрытые высоколегированные слои для предотвращения эффекта «за-

щелкивания» созданы. Далее проводятся уже рассмотренные операции для подго-
БГ
товки и проведения LOCOS-процесса (см. рис. 1.2–1.4) и формирования n- и p-
карманов (см. рис. 1.5–1.7).
34. Соединение карманов со скрытыми слоями посредством диффузии соот-
ветствующих примесей в процессе высокотемпературной обработки (рис. 1.16).
а
Условия проведения этих операций (несколько часов при температуре 1000–
1100 °С) зависят от толщины эпислоя.
ек
т
ио
бл
Рис. 1.16. Состояние формируемой структуры после операции 34

Би
Следует отметить, что формирование скрытых эпитаксиальных слоев тре-

бует только одной дополнительной маски.
Вернемся теперь к описанию основного маршрута, начиная с рис. 1.7.
Важной целью проектирования технологического маршрута формирования
КМОП-структуры является правильный выбор параметров технологических опе-
раций для получения необходимых значений пороговых напряжений как для n-,
так и p-МОП-транзисторов.
В современных КМОП-приборах пороговое напряжение VTH составляет 0,5–
0,8 В (положительное для n-МОП и отрицательное для p-МОП-приборов). Оце-
ночное выражение для порогового напряжения:
21
2ε s qN A (2φ f ) qQI
VTH = VFB + 2φ f + + , (1.1)
Cox Cox
здесь VFB – напряжение на затворе, необходимое для компенсации разницы работ

выхода для материалов затвора и подложки и электрических зарядов в подзатвор-
ном окисле, φf – энергия Ферми для кремния, εs – диэлектрическая проницаемость
для кремния, NA – концентрация примесей в подложке, Cox – емкость подзатвор-
ного окисла, QI – доза легирующих примесей в области канала.
Очевидно, что величины NA, Cox и QI определяются технологическими пара-
Р
метрами.
УИ
36. Фотолитография для открытия областей, где будет сформирован
n-МОП-транзистор (маска №4).
37. Ионная имплантация бора (доза ∼1–5⋅1012 см-2, энергия ∼50–75 кэВ) в
область канала будущего n-МОП-транзистора для получения заданного значения
БГ
VTH (рис. 1.17). Энергия имплантации, с одной стороны, должна быть достаточно
высокой, чтобы ионы проникли через тонкий слой окисла, и, с другой стороны, не
слишком высокой, чтобы имплантированные ионы бора проникли не слишком
глубоко от поверхности кремниевой подложки. Значение дозы QI вычисляется из
а
выражения (1.1) для VTH.
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.17. Легирование бором области канала для получения

заданного значения порогового напряжения n-МОП-транзистора
На рис. 1.18 иллюстрируется такая же последовательность операций для

формирования p-МОП прибора (используется маска №5).
39. Фотолитография для открытия областей, где будет сформирован
p-МОП-транзистор (маска №5).
22
40. Ионная имплантация мышьяка для получения заданного значения VTH
p-МОП-транзистора. Доза имплантации в этом случае должна быть такой же, как
и в операции 37, а энергия имплантации должна быть выше, поскольку ионы
мышьяка имеют большую массу, чем бор.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.18. Легирование мышьяком области канала для получения заданного
значения порогового напряжения n-МОП-транзистора
а
ек
41. Травление в растворе HF для снятия тонкого слоя (∼10–20 нм) окисла
над областью, где формируются активные приборы.
42. Выращивание тонкого (в современных приборах менее 10 нм) слоя
т
окисла кремния для формирования подзатворного диэлектрика МОП-транзистора

(120 мин, 800 °С в сухом кислороде или 25 мин, 800 °С во влажной среде).
Необходимость снятия исходного и последующего наращивания нового
ио
слоя окисла обусловлена лучшей контролируемостью операции наращивания

окисла, чем травления. Кроме того, вновь выращенный слой окисла характеризу-
ется более высоким качеством структуры. Результирующая структура показана на
бл
рис. 1.19.
Би
Рис. 1.19. Формирование подзатворного окисла для p- и n-МОП-транзисторов
23
43. Осаждение поликремниевого электрода толщиной ∼0,3–0,5 мкм
в LPCVD-процессе при температуре 600 °С (рис. 1.20).
44. Ионная имплантация n-типа примеси для подлегирования поликремния
(доза ∼5⋅1015 см-2, величина энергии некритична). Легирование поликремния мо-
жет быть осуществлено и на этапе 43 (осаждение поликремния с одновременным
легированием, in-situ doping). В таком случае операция 44 отсутствует.
45. Разгонка примеси в поликремнии в процессе высокотемпературной об-
работки.
47. Фотолитография (маска №6).
Р
УИ
БГ
а
Рис. 1.20. Осаждение пленки поликремния для формирования
ек
затворов p- и n-МОП-транзисторов
48. Локальное плазмохимическое травление поликремния (рис. 1.21).

т
ио
бл
Би
Рис. 1.21. Формирование p- и n-МОП-транзисторов (маска №6)
Слой поликремния может быть использован в качестве соединения между

активными приборами (например, для соединения поликремниевых затворов n- и
p-МОП-приборов). В этом случае поликремний используется в качестве первого
уровня межсоединений. Однако поскольку слоевое сопротивление поликремния
(∼10 Ом/кв) гораздо выше, чем металла (≤ 0,1 Ом/кв), поликремний используется
только в случае коротких межсоединений.
24
Таким образом, следующая последовательность операций предназначена
для имплантационного введения n- и p-примесей в исток-стоковые области буду-
щих n-МОП и p-МОП транзисторов соответственно (рис. 1.22, 1.23) и для форми-
рования тонкого слоя окисла вдоль краев поликремниевых затворов
(рис. 1.24, 1.25). Эти операции необходимы для удовлетворения условий масшта-
бирования МОП-приборов.
За последние 10 лет характерные размеры МОП-приборов снизились
с ∼1 мкм до <0,25 мкм, а напряжение питания – с ∼5 В всего лишь до ∼2,5–3,3 В.
Если с уменьшением размеров транзисторных структур не происходит соответст-
вующего масштабирования напряжения питания, возникает проблема, связанная с
резким увеличением электрических полей в структурных элементах. Так, при
Р
длине канала МОП-транзистора, равной 2 мкм, и напряжении питания 5 В среднее
электрическое поле в канале составляет ∼2,5⋅104 В/см. Уменьшение длины канала
УИ
до 0,5 мкм без снижения напряжения питания приводит к повышению электриче-
ского поля в канале до ∼105 В/см, что влечет проблемы, связанные с так называе-
мыми «горячими» электронами. Носители заряда (электроны или дырки), разо-
гнанные в таких высоких электрических полях, вызывают эффект ударной иони-
БГ
зации, в результате которого создаются дополнительные электронно-дырочные
пары за счет разрыва Si-Si-связей. Кроме того, такие высокоэнергетические элек-
троны могут преодолеть довольно высокий энергетический барьер (∼3,2 эВ) меж-
ду зоной проводимости кремния и зоной проводимости SiO2. Это приводит к ин-
а
жекции дополнительных носителей в область подзатворного диэлектрика и, сле-
ек
довательно, к нестабильности функционирования прибора.

Для устранения указанных эффектов высоких электрических полей уровень
легирования в области стока повышают с целью создания n+n-p-профиля между
т
стоком и каналом в n-МОП-транзисторе и, соответственно, p+-p--n- в p-МОП-

транзисторе. Это позволяет плавно уменьшить уровень напряжения на стоке на
гораздо большее расстояние, чем в случае резкого n+-p (p+-n)-перехода без подле-
ио
гирования стока, что понижает уровень электрических полей вблизи области сто-
ка. Такой прием подлегирования стока используется в так называемой LDD
(Lightly Doped Drain) технологии формирования КМОП-структуры.
бл
49. Удаление слоя фоторезиста в нужной области.

51. Ионная имплантация фосфора (n-тип примеси) для подлегирования об-
Би
ласти стока n-МОП-транзистора (доза ∼5⋅1013–5⋅1014 см-2, энергия ∼30 кэВ)

(рис. 1.22).
25
Р
УИ
Рис. 1.22. Использование маски №7 и имплантации фосфора
для формирования LDD-области в n-МОП-транзисторе
БГ
Аналогичные операции 50–52 (имплантируемая примесь – бор, фотолито-
графия с маской №8) проводятся для формирования LDD-области в p-МОП-
транзисторе (рис. 1.23).
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.23. Использование маски №8 для имплантации бора

при формировании LDD-области в p-МОП-транзисторе
В современной технологии формирования КМОП-структуры используется

несколько низкоэнергетических операций ионного подлегирования областей сто-
ка (истока) с различными величинами доз и энергий (и даже с разными наклонами
направления ионного пучка относительно поверхности подложки) для создания
прецизионного профиля легированных примесей вблизи края области стока (ис-
тока), чтобы минимизировать эффекты короткого канала, связанные с распро-
26
странением электрического поля вглубь канала, что приводит к снижению потен-
циального барьера для носителей между областями истока и канала и, в конечном
счете, к снижению эффективности управления тока в стоке напряжением на за-
творе.
52. Осаждение тонкого (порядка нескольких сотен нанометров) конформно-
го слоя диэлектрика (SiO2 или Si3N4) в LPCVD-процессе для создания изоляции
(рис. 1.24).
Р
УИ
БГ
Рис. 1.24. Осаждение конформного слоя SiO2
для формирования изоляции вдоль краев поликремниевого затвора
а
53. Анизотропное травление (вертикальное, но не горизонтальное!) осаж-
денного слоя SiO2/Si3N4 (рис. 1.25) с целью его удаления вдоль краев поликрем-
ек
ния.
т
ио
бл
Рис. 1.25. Стравливание лишнего окисла для формирования

Би
изоляции вдоль краев поликремния
Далее необходимо ввести легирующие примеси в области истока/затвора

как n-МОП-, так и p-МОП-транзисторов посредством ионной имплантации. Вна-
чале эта процедура проводится для формирования областей истока/затвора n-
МОП-транзистора.
54. Осаждение тонкого «экранирующего» слоя окисла для подавления эф-
фекта каналирования, сопровождающего последующую операцию ионного леги-
рования.
55. Нанесение слоя фоторезиста.
27
57. Ионная имплантация мышьяка (n-тип примеси) для легирования облас-
тей истока и затвора n-МОП-транзистора (доза ∼2–4⋅1015 см-2, энергия ∼75 КэВ) –
рис 1.26. При указанных величинах дозы и энергии мышьяк проникает через «эк-
ранирующий» слой окисла. При этом обеспечивается достаточно мелкая глубина
залегания p-n-перехода.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.26. Формирование областей стока и истока n-МОП-транзистора
а
ек
58, 59, 60. Эти операции, аналогичные операциям 55–57 (имплантируемая

примесь – бор, фотолитография с маской №10), проводятся для формирования
областей истока/затвора p-МОП-транзистора (рис 1.27).
т
ио
бл
Би
Рис. 1.27. Формирование областей стока и истока p-МОП-транзистора
61. Длительная (30 мин, ∼900 °С) или быстрая (∼1 мин, 1000–1050 °С) тер-
мическая обработка – последняя стадия формирования активных приборов
28
КМОП-структуры (рис. 1.28). Дефекты кристаллической решетки, образованные
при проведении предыдущих операций имплантационного легирования, отжига-
ются. При этом используется важный эффект повышения коэффициента диффу-
зии примесей в присутствии повышенной концентрации точечных дефектов (ва-
кансий и междоузлий) – так называемый Transient Enhanced Diffusion (TED) эф-
фект. Использование этого эффекта в современной технологии микроэлектроники
играет решающую роль при формировании мелких глубин залегания p-n-
переходов, что важно для обеспечения масштабируемости характеристик прибо-
ров при переходе к субмикронной технологии.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.28. Высокотемпературная разгонка примесей для формирования
окончательных p-n-переходов элементов КМОП-структуры
а
ек
Следующие операции проводятся для формирования межсоединений от-

дельных элементов КМОП-структуры. В описываемой технологии используется
три уровня межсоединений. Этапы формирования первого, нижнего уровня ил-
т
люстрируются рис. 1.29–1.32.

62. Снятие окисла из тех областей, где будут формироваться контакты к ле-
ио
гированным областям кремниевой подложки и к поликремнию. Эта операция

проводится посредством безмасочного травления в среде HF, поскольку вытрав-
ливаемый слой окисла (экранирующий, выращенный перед формированием об-
ластей истока/стока) достаточно тонкий (∼10 нм) (см. рис. 1.29).
бл
Би
Рис. 1.29. Травление окисла в областях истока/стока

и на верхней поверхности поликремния
29
63. Осаждение тонкого (50–100 нм) слоя титана посредством магнетронного
распыления (рис. 1.30).
Р
УИ
Рис. 1.30. Осаждение титана методом распыления
БГ
а
ек
Рис. 1.31. Формирование пленок TiSi2 (области, выделенные

т
темным цветом) и TiN (области серого цвета)

ио
64. Формирование силицида титана TiSi2 в процессе высокотемпературной

обработки (∼600 °С, ∼1 мин) в среде азота посредством химической реакции меж-
ду Ti и Si (рис 1.31). TiSi2 – отличный проводник (на рисунке этот слой выделен
бл
темным цветом). Он образует низкоомные контакты с n+- и p+-областями кремния

и поликремния. В процессе проведения этой операции Ti реагирует и с N2, обра-
зуя нитрид титана TiN (области серого цвета на рис 1.31). TiN также хороший
Би
проводник, хотя его электропроводность ниже электропроводности большинства

металлов. По этой причине нитрид титана используется лишь для локальных или
коротких соединений.
67. Высокотемпературная обработка (∼800 °С, ∼1 мин) в среде аргона для
коррекции сопротивлений слоев TiN и TiSi2 до 10 и 1 Ом/кв соответственно.
68. Удаление лишних областей TiN посредством химического травления
(см. рис. 1.32).
30
Р
УИ
69. Удаление «островков» фоторезиста.
Следующие операции проводятся для формирования остальных двух слоев
металлических соединений (рис. 1.33–1.39). Прежде всего, проводится планариза-
БГ
ция поверхности (сглаживание ее топографии) с целью удаления выступов и впа-
дин на поверхности, образовавшихся на предыдущих этапах осаждения тонких
пленок, для получения качественных слоев металла.
70. Осаждение толстого (∼1 мкм) конформного слоя окисла в CVD- или
а
LPCVD-процессе. В современной технологии вместо окисла осаждаются фосфор-
силикатные (ФCC) или бор-фосфор-силикатные стекла (БФCC), пленки окисла
ек
кремния, легированные фосфором или бором. Иногда на слой ФCC или БФCC до-
полнительно осаждается пленка нелегированного окисла (см. рис 1.33). Фосфор
служит для защиты от проникновения примесей из n+-областей в активные облас-
т
ти, что приводит к нестабильности функционирования МОП-приборов. Добавка

бора снижает температуру, при которой осажденный окисел «растекается» по по-
ио
верхности.
бл
Би
Рис. 1.33. Осаждение конформного слоя окисла в LPCVD-процессе
31
71. «Растекания» ФCC или БФCC по поверхности еще недостаточно для ка-
чественной планаризации топографии поверхности, поэтому необходимы допол-
нительные меры для достижения этой цели – например, осаждение фоторезиста,
который заполняет все неровности поверхности, поскольку он находится в жид-
кой фазе.
72. Безмасочное плазменное травление. В современной технологии эта опе-
рация заменяется химико-механическим полированием (Chemical-Mechanical
Polishing, CMP) – совместным использованием установки для полирования и об-
работки в среде жидкого раствора кремнезема. Результат иллюстрируется
рис. 1.34.
Р
УИ
БГ
а
Рис.1.34. Планаризация поверхности окисла в CMP-процессе
ек
Следующие операции предназначены для открытия областей, в которых бу-

дет сформирован контакт между первым уровнем металла и нижележащей струк-
турой.
т

ио
75. Плазменное травление SiO2 для получения отверстий, через которые бу-
дет осуществлено формирование контактов (рис. 1.35).
бл
Би

32
76. Стравливание фоторезиста.
Далее проводятся операции для сохранения планарности поверхности по-
средством осаждения слоев металлов.
77. Магнетронное или CVD-осаждение тонкого (несколько десятков нано-
метров) слоя Ti или двойного слоя Ti/TiN для обеспечения хорошей адгезии на
пленку SiO2 и на другие материалы структуры. TiN служит в качестве эффектив-
ного барьерного слоя между будущими верхними слоями металла и нижними ло-
кальными слоями, предназначенными для соединения с активными приборами.
78. Осаждение слоя вольфрама в CVD-процессе (рис. 1.36).
Р
УИ
БГ
а
ек
Рис. 1.36. Осаждение тонкого барьерно-адгезионного слоя

т
79. Повторная планаризация поверхности в процессе химико-механического

ио
полирования. В результате проведения этой операции удаляются слои W и TiN во

всех областях, кроме тех, где будут образованы контактные отверстия, и, кроме
того, планаризуется поверхность, на которую будет осажден первый уровень ме-
бл
талла (рис. 1.37).

Би
Рис. 1.37. CMP-планаризация поверхности
33
Итак, отверстия под контакты вытравлены, заполнены металлом и поверх-
ность полностью планаризована.
Р
УИ
Рис. 1.38. Состояние формируемой структуры после операций 60–62
БГ
80. Слой первого уровня металла (Al с небольшим содержанием Si и Cu)
осаждается методом магнетронного распыления (рис. 1.38). Добавка кремния (до
величины, равной пределу растворимости Si в Al) служит для того, чтобы крем-
ний из подложки не адсорбировался алюминием – в противном случае возникают
а
проблемы, связанные с величиной контактного сопротивления и надежностью
контактов. Добавка меди служит для предотвращения явления электромиграции,
ек
возникающего в процессе длительной работы приборов при повышенных темпе-

ратурах и высоких плотностях тока, что приводит к образованию полостей в алю-
миниевых проводниках вследствие повышенной диффузии атомов алюминия.
т
ио
бл
Би
Рис. 1.39. Состояние структуры после формирования

второго уровня металлизации
34
Далее повторяются операции 70–82 (рис. 1.34–1.39) для создания изоляции
между первым и вторым уровнями металла и нанесения слоя второго уровня ме-
талла.
Маска №14 используется для определения положения отверстий между
первым и вторым уровнями металла. Маска №15 используется для задания облас-
тей, где формируется второй уровень металла. Последняя операция – осаждение
пассивирующего слоя Si3N4 в PECVD-процессе. Маска №16 используется для
вскрытия отверстий (см. рис. 1.39).
Р
Заключительная операция – термическая обработка при относительно низ-
кой температуре (400–450 °С) в течение ∼30 мин в газовой атмосфере (10% H2
УИ
в азоте) для оплавления металлических контактов и снятия электрических заря-
дов, образовавшихся на границе раздела Si/SiO2.
Большинство описанных технологических операций успешно моделируют-
ся с использованием современных средств компьютерного проектирования тех-
БГ
нологии (Technology Computer Aided Design, TCAD), позволяющих разработчику
технологии отрабатывать технологические режимы с целью их оптимизации для
достижения требуемых физико-топологических параметров и электрических ха-
рактеристик приборов. Включение методов и средств проектирования и модели-
а
рования в сферу автоматизированного производства ИМС позволяет эффективно
и наиболее оптимальным способом «вмешиваться» в технологический процесс
ек
с целью исправления «ошибки» на определенном этапе технологического мар-

шрута, выявленной на его выходе или на промежуточном этапе. Компьютерное
т
проектирование технологии изготовления приборов и ИМС в целом позволяет на

три порядка снизить финансовые затраты, требующиеся при лабораторных отра-
ботках технологии.
ио
Результаты компьютерного моделирования (другими словами, компьютер-

ного эксперимента) могут опережать развитие «know-how» технологий, т.е.
в принципе можно построить модель технологической операции, еще не реализо-
бл
ванной на практике (такую ситуацию можно представить, например, при модели-

ровании технологии изготовления ИМС на сверхрешетках). С другой стороны,
решение задачи моделирования технологических операций формирования струк-
Би
турных элементов интегральных микросхем позволяет осуществлять целенаправ-

ленный поиск физических методов и технологических параметров для реализации
на практике той или иной технологии, т.е. результаты компьютерного моделиро-
вания оказываются полезными при разработке новых и улучшении традиционных
технологических операций.
Задача моделирования технологии изготовления ИМС состоит в построении
адекватных физических моделей базовых операций, в выборе наиболее оптималь-
ных с точки зрения быстродействия и точности расчетов численных методов ин-
тегрирования уравнений, описывающих физические процессы, сопровождающие
технологические операции, и в согласовании отдельных моделей базовых опера-
ций в процессе построения сквозного технологического маршрута с целью полу-
35
чения на выходе профилей распределения концентраций электрически активных
примесей в структурных областях изготавливаемой схемы и ее характерных гео-
метрических размеров.
1.2. Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии
Точный контроль профилей распределения активных легирующих примесей

является одной из главных задач проектирования технологического маршрута
формирования приборной структуры. Информация о перераспределении приме-
сей при отжиге является определяющей при оценке электрических характеристик
прибора.
Р
Модели диффузии описывают перераспределение примесей и дефектов
кристаллической решетки при термической обработке, обусловленное градиентом
УИ
концентрации и внутренними электрическими полями.
Диффузионные процессы могут рассматриваться как в макроскопическом
(континуальном), так и в микроскопическом (на уровне дискретной кристалличе-
ской решетки) приближениях. В макроскопическом приближении решается урав-
БГ
нение диффузии при определенных граничных условиях. При решении задачи
диффузии на атомном уровне учитывается взаимодействие диффундирующих
атомов примесей как с атомами, так и с дефектами кристаллической решетки.
Очевидно, что второе приближение основано на более глубоких физических
а
представлениях, поэтому оно используется во всех современных программных
средствах моделирования технологии и прибора.
ек
1.2.1. Диффузия в макроскопическом (континуальном) приближении

т
Общая формулировка фундаментального закона сохранения в интегро-

дифференциальной форме, лежащая в основе диффузионного перераспределения
ио
примесей, имеет следующий вид:

d rr
dt V ∫(t )
CdV = ∫ ( g − l ) dV − ∫ ndS ,
F (1.2)
бл
V (t ) S (t )
где C – концентрация примесей; S(t) – замкнутая поверхность, ограничивающая

r
Би
объем V(t), в котором рассматривается диффузионный процесс; F – вектор пото-

r
ка примесей; n – единичный вектор, нормальный к поверхности S(t); g – скорость
генерации примесей; l – скорость потерь примесей; t – время.
Левая часть уравнения (1.2) представляет собой скорость изменения кон-
центрации примеси в некотором объеме V(t) и определяется как скорость генера-
ции примеси в этом объеме минус уход примеси через поверхность S(t), ограни-
чивающую объем V(t). Использование уравнения непрерывности в интегральной
форме упрощает описание изменения объема, происходящего при окислении
кремния и в процессе эпитаксиального наращивания. Члены в уравнении (1.2),
описывающие процессы генерации и потерь, включены для учета эволюции со-
36
стояний примесных атомов в кристаллической решетке кремния, как, например, в
случае мышьяка, когда атомы могут существовать как в междоузельном, так и
кластерном состояниях.
Исторически макроскопическое приближение находило достаточно широ-
кое использование при инженерно-физическом рассмотрении задачи диффузион-
ного перераспределения примесей вследствие возможности получения во многих
простых случаях аналитического решения.
Описание диффузионных процессов в макроскопическом приближении ос-
новано на законах (уравнениях) Фика. Первый закон Фика связывает диффузию
примесных атомов с их концентрационным градиентом. В основе этого закона
лежит постулат, устанавливающий, что диффузионный поток F пропорционален
Р
градиенту концентрации. Для одномерного случая имеем
УИ
∂C
F = −D , (1.3)
∂x
∂C
где D – коэффициент диффузии примеси, – градиент концентрации.
БГ
∂x
Следует отметить, что первый закон Фика подобен закону Фурье, устанав-
ливающему связь между тепловым потоком и градиентом температуры, а также
закону Ома, устанавливающему связь между током и градиентом электрического
потенциала.
а
Более удобная для практического использования форма уравнения (1.3) ус-
ек
танавливается вторым законом Фика, который связывает концентрацию примесей

с временным и пространственным аргументами. Этот закон описывает потоки,
входящие и выходящие из элемента объема (рис. 1.40), и представляет собой уп-
т
рощенную модификацию закона сохранения (1.2): изменение со временем кон-

центрации в поперечном сечении единичной площади равно разности между вхо-
ио
дящими и выходящими потоками:
∆C ∆F Fin − Fout
= = . (1.4)
бл
∆t ∆x ∆x
Би
Рис. 1.40. Входящие Fin и выходящие Fout потоки примеси

в элементарном объеме, используемые в выражении (1.4)
37
Учитывая (1.3), уравнение (1.4) преобразуется в следующее соотношение:
∂C ∂  ∂C 
= D . (1.5)
∂ t ∂ x  ∂ x 
Если коэффициент диффузии – постоянная величина (например при данной

температуре), то его можно вывести из знака дифференциала, и выражение (1.5)
приобретает более привычную форму:
Р
∂C ∂ 2C
=D 2 . (1.6)
∂t ∂x
УИ
Для трехмерного пространства выражение (1.5) имеет следующий вид:
∂C
БГ
= ∇ F = ∇ ( D∇ C ) .
∂t
Аналитические решения диффузионного уравнения. Приведенные ниже ана-

а
литические решения уравнения (1.6) используются в основном для оценок в ин-
женерно-физическом приближении в отличие от точного физического моделиро-
ек
вания профилей распределения примесей, формирующихся в процессе диффузи-

онного перераспределения.
Простейшее решение уравнения (1.6) для стационарного случая:
т
∂ 2C
ио
D 2 = 0. (1.7)
∂x
Двойное интегрирование (1.7) дает

бл
C = a + bx. (1.8)
Би
Это решение описывает линейное изменение концентрации по глубине x.

Такое решение диффузионного уравнения используется, например, при анализе
диффузии атомов кислорода в окисле при выводе выражения для скорости окис-
ления кремния.
При моделировании кремниевых технологических процессов в инженерно-
физическом приближении используются и другие варианты решения линейного
диффузионного уравнения, отличающиеся граничными и различными внешними
условиями.
Решение в форме распределения Гаусса. Рассмотрим диффузионное пере-
распределение примеси в слаболегированной (например, в результате ионной им-
38
плантации) области, начальное распределение которой выражается в виде δ-функ-
ции (рис. 1.41).
Р
Рис. 1.41. Диффузионное перераспределение (гауссова форма)
УИ
примеси из исходного распределения в виде δ-функции
Такая задача решается, например, при коротком низкотемпературном эпи-

таксиальном росте монокристаллического кремния на кремниевой подложке с од-
БГ
новременным легированием из газовой фазы. Другая подобная задача решается
при моделировании диффузионного перераспределения ионно-имплантированной
примеси, исходный профиль которой также можно аппроксимировать
δ-функцией. В этом случае имеем следующие граничные условия:
а
C→0, если t→0, для x>0;
ек
C→∞, если t→0, для x=0; (1.9)

∞
∫− ∞ C ( x, t )dx = Q ,
т
(1.10)
где Q – полное количество примесей, определяемое дозой имплантации.

ио
Решение уравнения (1.6), удовлетворяющее указанным граничным услови-

ям, имеет следующий вид:
бл
Q  x2   2 
C ( x, t ) = exp −  = C (0, t ) exp − x  . (1.11)
2 πDt   4 Dt 
 4 Dt   
Би
Уравнение (1.11) описывает эволюцию распределения примеси, профиль

которой в исходном состоянии был гауссовым, и эту же форму он сохраняет
в процессе диффузии. Очевидно, что такой профиль симметричен относительно
начала координат, т.е. он зеркально отображается относительно плоскости x = 0.
Отметим несколько следствий полученного решения (1.11). Во-первых,
1
максимальное значение концентрации изменяется по закону . Во-вторых, кон-
t
2
центрация примесей уменьшается в e раз на глубине , называемой диффузи-
Dt
онной длиной. Зависимость относительной концентрации от времени для по-
39
лученного профиля в линейном и логарифмическом масштабах показана
на рис. 1.42.
Р
УИ
Рис. 1.42. Изменение со временем исходного гауссова распределения примеси
БГ
Решение в форме функции ошибок. Такое решение диффузионного уравне-
ния может быть выведено для задачи перераспределения примеси из неограни-
ченного источника в процессе высокотемпературной обработки (например при
а
проведении операции эпитаксиального наращивания с одновременным легирова-
нием). В этом случае граничные и начальные условия для уравнения (1.6) имеют
ек
вид:
C = 0, если t = 0, для x > 0,
C = C, если t = 0, для x ≤ 0. (1.12)
т
В таком случае решение уравнения (1.6) можно получить, разбив всю ис-
ио
ходную область на n слоев толщиной ∆x, каждый из которых содержит C∆x при-
месей. Тогда общее решение будет представлять собой линейную суперпозицию
решений (1.11) для каждого тонкого i-го слоя:
бл
C n ( x − xi ) 2
C ( x, t ) = ∑ ∆xi exp − 4 Dt . (1.13)
2 πDt i =1
Би
При ∆x→0 сумма переходит в интеграл:
C ∞ (x − α )2
C ( x, t ) =
2 πDt
∫0 exp −
4D t
dα . (1.14)
x −α
Замена переменной = η дает
2 Dt
40
C x/ 2 Dt
C ( x, t ) =
π
∫− ∞ exp( −η 2 )dη . (1.15)
Интеграл в (1.15) представляет собой табулированную функцию ошибок:
2 z
erf ( z ) = ∫0 exp (−η ) dη .
2
(1.16)
π
Таким образом, решение (1.15) можно представить в виде
Р
C  x 
C ( x, t ) = 1 − erf   .
 (1.17)
2   2 D t 
УИ
Выражение в квадратных скобках представляет собой так называемую до-
полнительную функцию ошибок erfс(x) = 1 – erf(x), так что
C ( x, t ) =
C
2  БГ x 
erfc  .

 2 D t 
(1.18)
а
Временная эволюция профиля, описываемого уравнением (1.18), представ-
ек
лена на рис. 1.43.

т
ио
бл
Би
Рис. 1.43. Диффузионное перераспределение примеси

из неограниченного источника
41
Горизонтальная ось на графике выражена в единицах диффузионной длины
2 Dt 0 , характеризующей глубину, на которую диффундирует примесь в услови-
ях термической обработки.
Решение нелинейного закона Фика. При рассмотрении линейного диффузи-

онного уравнения предполагается, что коэффициент диффузии примесей D не за-
висит ни от каких параметров, кроме температуры T. Температурная зависимость
коэффициента диффузии определяется следующим выражением:
Р
 − EA 
D = D 0 exp , (1.19)
УИ
 kT 
где k – постоянная Больцмана, EA – энергия активации, D0 – так называемый пре-
БГ
дэкспоненциальный член.
Таблица 1.1
а
Параметры собственных коэффициентов диффузии примесей
ек
в монокристаллическом кремнии
Примесь Единица измерения

т
Si B In As Sb P
D0 560 1,0 1,2 9,17 4,58 4,70 см2с-1
EA 4,76 3,5 3,5 3,99 3,88 3,68 эВ
ио
Значения EA и D0 для типичных в кремниевой технологии примесей приве-

дены в табл. 1.1 и определяют собственный коэффициент диффузии в условиях,
бл
когда концентрация примеси гораздо меньше собственной концентрации соответ-

ствующих носителей заряда в кремнии ni (например при 300 К
ni = 1,45⋅1010 см-3) [27]. На рис. 1.44 приведены температурные зависимости соб-
Би
ственных коэффициентов диффузии примесей в монокристаллическом кремнии.

Если концентрация примесей превышает собственную концентрацию носи-
телей, коэффициенты диффузии примесей отличаются от собственных, что объ-
ясняется так называемыми эффектами высокого уровня легирования.
42
Р
УИ
БГ
а
Рис. 1.44. Температурные зависимости коэффициентов
ек
диффузии типичных примесей
Модификация закона Фика с учетом электрического поля. В условиях вы-

т
сокого уровня легирования в уравнение Фика (1.3) должно быть введено дополни-
тельное слагаемое для учета изменения потока диффундирующих примесей во
ио
внешнем электрическом поле, обусловленном влиянием других ионизированных

примесей. В общем случае поток диффундирующих примесей во внешнем поле
можно записать в следующем виде:
бл
∂C
Ftotal = F + F ' = − D + Cv . (1.20)
∂x
Би
Здесь F΄ – дополнительный поток и v – скорость диффундирующих частиц

во внешнем поле.
Если поток F΄ и, следовательно, скорость v не зависят от пространственной
координаты x, то зависимость концентрации диффундирующих примесей от вре-
мени будет выражаться в модифицированной форме второго закона Фика:
∂C ∂  ∂C  ∂C
=  D  − ν . (1.21)
∂t ∂ x  ∂ x  ∂x
43
Учитывая выражение для скорости диффундирующих частиц в электриче-
ском поле ε,
ν=με,
принимая во внимание, что ε представляет собой градиент потенциала ∂ψ/∂x, где

потенциал
kT n
ψ =− ln ,
q ni
Р
и используя соотношение Эйнштейна между подвижностью μ и собственным ко-
УИ
эффициентом диффузии примеси D
q
µ= D,
kT
поле:
F = −D
∂C
− DC
∂
БГ
получаем выражение для диффузионного потока во внутреннем электрическом
n
а
ln . (1.22)
∂x ∂ x ni
ек
Возможны два способа решения уравнения (1.22). В первом, учитывая оче-

∂ 1
видное соотношение ln x = , получаем
т
∂x x
∂C ∂ n
F = − D( − C ln(C i )) . (1.23)
ио
∂x ∂x n
Выражение (1.23) обычно используется при оценке диффузионного пере-

бл
распределения примесей в условиях высокого уровня легирования, когда в моде-

лируемой области содержатся несколько примесей разного типа проводимости.
Другой способ состоит в использовании обычного условия зарядовой элек-
тронейтральности и статистики Больцмана при совместном описании ансамбля
Би
носителей заряда и заряженных примесей:

N D+ + p = N A− + n,
(1.24)
np = ni ,
2
где N D+ и N A− – концентрации донорных и акцепторных примесей соответственно,

а p и n – концентрации дырок и электронов.
Если все примеси электрически активны, то поток F можно записать в сле-
дующем виде:
44
∂C
F = − hD ,
∂x (1.25)
где C – «чистая» концентрация примесей, равная абсолютному значению разности
концентраций донорных и акцепторных примесей, а коэффициент h:
C
h =1+ . (1.26)
C + 2
4ni2
Из анализа выражения (1.26) следует, что максимальное значение h может

быть равным 2. Это означает, что внутреннее электрическое поле, проявляющееся
Р
в условиях высокого уровня легирования, может привести максимум к двукрат-
ному увеличению значения собственного коэффициента диффузии примесей. Од-
УИ
нако этот вывод, как показывают результаты экспериментов, неприменим к диф-
фузии примеси с низкой концентрацией, находящейся в поле примеси противопо-
ложного типа проводимости с высокой концентрацией. Например, n-примесь
(мышьяк) с высокой концентрацией, являющаяся источником внутреннего элек-
БГ
трического поля для примеси p-типа (бор) с низкой концентрацией, повышает ко-
эффициент диффузии бора гораздо значительнее, чем в h раз, что проявляется
в более существенном увеличении глубины залегания p-n-перехода (рис. 1.45).
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.45. Результат моделирования влияния электрического поля, создаваемого

примесью с высокой концентрацией, на коэффициент диффузии
низкоконцентрационной примеси противоположного типа проводимости
Модификация закона Фика с учетом концентрационно-зависимой диффу-

зии. Как следует из первого закона Фика, поток диффундирующей примеси про-
45
порционален градиенту ее концентрации. Экспериментальные данные показыва-
ют, что интенсификация диффузии примеси в высококонцентрационных областях
обусловлена не только влиянием внутреннего электрического поля, создаваемого
в областях с повышенной концентрацией примесей. Эти области характеризуются
повышенной плотностью точечных дефектов кристаллической решетки (междо-
узлий и вакансий), которые принимают активное участие в диффузионной мигра-
ции примесей. Данные, представленные на рис. 1.46, иллюстрируют этот эффект
диффузии в высококонцентрационных областях.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
Рис.1.46. Более интенсивный диффузионный процесс

перераспределения высококонцентрационной примеси
ио
1.2.2. Моделирование диффузии примесей с учетом дефектов

кристаллической решетки в микроскопическом приближении (атомарный
бл
уровень)
Современные модели диффузии примесей в кремнии с участием точечных

Би
дефектов подробно изложены в обзоре [28]. В программе SSUPREM 4 диффузи-

онные процессы описываются тремя основными моделями:
- стандартной диффузионной моделью;
- двухмерной диффузионной моделью;
- моделью связанных пар «атом примеси–точечный дефект».
Все три модели основаны на концепции парной диффузии, согласно кото-
рой атом примеси диффундирует только в совокупности с точечным дефектом
кристаллической решетки (междоузельным атомом кремния или вакансией). Если
между атомом примеси и дефектом существует постоянная связь, то они могут
перемещаться только как единое целое (как пара). Точечный дефект, с другой
стороны, может диффундировать как свободно, так и как компонент пары «при-
46
месный атом–дефект», так что коэффициент диффузии свободного точечного де-
фекта может значительно отличаться от коэффициента диффузии точечного де-
фекта, связанного в паре.
Стандартная диффузионная модель. В этой модели не учитывается участие
дефектов в диффузии примесей; она представляет собой частный случай диффу-
зионной модели дефектно-примесных пар. При этом полагается, что ансамбль
собственных точечных дефектов кристаллической решетки кремния в модели-
руемой системе находится в термодинамическом равновесии, поэтому при рас-
смотрении диффузионных процессов они не учитываются в явном виде. В связи с
этим преимущество использования стандартной диффузионной модели состоит в
быстром выполнении расчетов по сравнению с моделями более высокого уровня.
Р
Очевидно, что стандартная модель не выполняется в том случае, когда совокуп-
ность точечных дефектов не находится в термодинамическом равновесии. Такая
УИ
ситуация возникает, например, при рассмотрении диффузии, усиленной окисле-
нием (Oxidation Enhanced Diffusion, OED) , а также при моделировании диффузии
в условиях высокого уровня радиационных повреждений, вызванных импланта-
цией.
БГ
Двухмерная диффузионная модель. В этой модели совокупность точечных
дефектов учитывается в явном виде. Важной особенностью двухмерной модели
является учет эволюции ансамбля точечных дефектов во времени. В условиях пе-
ресыщения точечными дефектами увеличение коэффициента диффузии примесей
а
учитывается посредством введения масштабного множителя, который равен еди-
нице в состоянии равновесной концентрации точечных дефектов. Следовательно,
ек
при равновесной концентрации точечных дефектов двухмерная модель сводится к

стандартной модели. Диффузия примесей при использовании этой модели в су-
щественной степени определяется диффузией точечных дефектов, тогда как диф-
т
фузия точечных дефектов, с другой стороны, считается не зависящей от диффузии

примесей. С физической точки зрения это соответствует состоянию «примесь–
ио
точечный дефект» с нулевой энергией связи.

Модель диффузии связанных пар «примесный атом–точечный дефект».
Эта модель идентична двухмерной модели диффузии, за исключением того, что
бл
в ней диффузия дефектов определяется диффузией примесей посредством добав-

ления к основному потоку дефектов потока связанных пар «примесь–точечный
дефект». Таким образом, в этой модели учитываются два потока – поток примесей
Би
и поток дефектов. Однако с физической точки зрения эта модель обладает недос-
татком, заключающимся в том, что при ее использовании затруднительно строго
учесть доли дефектов и примесей, связанных и не связанных в пары. Таким обра-
зом, эта модель не может воспроизвести эффект насыщения коэффициента диф-
фузии примеси, который наблюдается при очень высокой концентрации приме-
сей, когда все дефекты связаны в пары. Другими словами, эта модель основана на
предположении, что концентрация связанных пар гораздо ниже концентраций как
примесей, так и вакансий.
Во всех трех моделях используются следующие предположения:
- выполняется статистика Больцмана и отсутствуют внешние источники но-
сителей заряда, поэтому справедливо использование стандартного выражения для
47
потенциала [29]:
q n
∇ψ = ln   . (1.27)
kT  ni 
Если это предположение не выполняется, то необходимо решать уравнение

Пуассона для расчета потенциала:
∇ (ε∇ ψ ) = − ρ , (1.28)
Р
где ε – диэлектрическая постоянная; ψ – потенциал; ρ – плотность заряда;
- электрические процессы происходят гораздо быстрее, чем остальные про-
УИ
цессы (адиабатическое приближение);
- взаимодействие примесей и дефектов в парах всегда носит равновесный
характер;
- подвижные примеси являются электрически активными.
БГ
Наибольшей физической полнотой обладают модели диффузии примесей,
используемые в программе SSUPREM4.
Для каждой рассматриваемой диффундирующей частицы (примеси или то-
чечного дефекта) математическое описание диффузионной модели включает:
а
- уравнение непрерывности;
- один или более членов, описывающих потоки диффундирующих частиц;
ек
- граничные условия (в том числе условия на границах раздела фаз).

Поскольку примеси могут диффундировать только в составе пары «при-
месь–точечный дефект», уравнение непрерывности для примеси представляет со-
т
бой уравнение непрерывности для дефектно-примесных пар. В табл. 1.2 приведе-

ны стандартные обозначения для диффундирующих частиц. Через x обозначается
ио
нейтральное зарядовое состояние частицы.
Таблица 1.2
бл
Стандарты обозначений для диффундирующих частиц

Физическая единица Общий символ Конкретные символы
Примесь A B, P, As, Sb, ...
Точечный дефект (междоузлие, вакансия)
Би
X I, V
Зарядовое состояние c x, -, =, +, ++
1.2.3. Обобщенные уравнения для описания диффузии
Уравнение непрерывности в дифференциальной форме в отличие от инте-

гральной записи (1.2) для диффузии частиц сорта p (примесей) в объеме пред-
ставляется в обобщенном виде уравнения Фика второго порядка [30]:
∂C p
∂t
( )
=∇ − Jp + S , (1.29)
48
где CP – полная концентрация частиц (примесей) сорта p, а свободный член S
в правой части уравнения учитывает все источники и стоки.
Уравнение непрерывности выражает закон сохранения количества частиц
в данном объеме, а именно: скорость изменения количества частиц в единице объ-
ема равна скорости ухода частиц из объема вследствие диффузии плюс скорость
генерации новых частиц или их аннигиляции. Поток частиц JP представляется
в виде следующего выражения:
J p = − D p (C P )∇C P + + C P +σE , (1.30)
Р
где CP+ – доля подвижных (из общего количества CP), а также электрически ак-
тивных частиц, σ – их подвижность, E – напряженность локального электрическо-
УИ
го поля. Из уравнения (1.30) следует, что в рассматриваемой диффузионной зада-
че имеются два основных вклада в поток частиц:
- вклад, пропорциональный градиенту концентрации подвижных частиц
БГ
(коэффициент пропорциональности DP, как обычно, – коэффициент диффузии
частиц сорта p);
- вклад дрейфового потока, пропорциональный величине локального элек-
трического поля.
Если в рассматриваемой системе имеется несколько типов электрически за-
а
ряженных частиц, то CP устанавливает связь между ними, поскольку все заряжен-
ек
ные частицы вносят вклад в общий поток частиц и в то же время зависят от ло-
кального электрического поля. Следует также отметить, что уравнение (1.30) не-
линейно относительно СP, поскольку как коэффициент диффузии DP, так и элек-
т
трическое поле Е зависят от концентрации всех частиц.

В условиях термодинамического равновесия подвижность и коэффициент
диффузии примеси связаны между собой посредством соотношения Эйнштейна
ио
kT
D= σ . Подставляя σ в (1.30), полагая, что заряд частицы равен целому числу
q
бл
ZP, умноженному на элементарный заряд e, и используя соотношение между на-

пряженностью электрического поля E и потенциалом ΨE = –∆ψ, получаем выра-
жение для диффузионного потока частиц в другой, более удобной для анализа,
форме:
Би
 
J p = − D p (C ) ∇C p + + Z p C p +
e
∇ψ  . (1.31)
 kT 
Граничные условия можно выразить в следующем виде:
αCp + β∂nCp = R, (1.32)
где α и β – действительные числа, а ∂nCp – поток через границу моделируемой

области. Коэффициент R учитывает все источники на границе моделируемой
49
области.
Физические граничные условия включают:
- область моделирования («поверхность»);
- границы раздела, где рассматриваются частицы, значимые для данной об-
ласти материалов (например междоузлия на границе раздела кремний/двуокись
кремния).
Условия на границах раздела используются для частиц, которые существу-
ют в обеих областях материалов. Для каждой такой поверхности раздела необхо-
димо определить:
- условие «скачка» концентрации;
- условие «скачка» потока.
Р
Условие «скачка» концентрации учитывает нарушение непрерывности рас-
пределения концентрации частиц на границе раздела и объясняется как явлением
УИ
сегрегации примесей, так и разностью в величинах твердой растворимости частиц
в разных материалах.
Условие «скачка» потока предполагает наличие на границе раздела источ-
ников или стоков частиц, таких как рекомбинация, инжекция частиц или их скоп-
БГ
ление на движущейся границе раздела.
Для всех частиц используются нулевые граничные условия для боковых
сторон и для верхней части моделируемой области.
а
1.2.4. Модель диффузии Ферми
ек
В модели диффузии Ферми поведение каждой частицы описывается урав-

нением непрерывности в следующей форме:
т
∂C A    n  
Z

= ∇ (D AV + D AI )C A + ∇ ln C A +    , (1.33)
ио
∂t    ni  
 
n
бл
где коэффициент под логарифмом учитывает эффект поля. Собственная кон-

ni
центрация ni рассчитывается следующим образом:
Би
 ni  p
ni = ni0 exp − E T .
 (1.34)
 kT 
Показатель степени Z в (1.33) учитывает направление вектора электрическо-

го поля, действующего на диффундирующую частицу, и равен +1 для доноров
и –1 для акцепторов. Tp – параметр, учитывающий температуру.
Величины DAV и DAI представляют собой вклады в коэффициент диффузии
примесей от пар «примесь–вакансия» и «примесь–междоузлие» в различных за-
рядовых состояниях [28]. Эти члены зависят как от положения уровня Ферми
50
(именно поэтому описываемая модель диффузии примесей называется моделью
Ферми), так и от температуры и выражаются следующим образом:
1 2 −1 −2 
 n −  n  =  n  +  n  ++  n 
D AV  T ,  = D AV
X
+ D AV   + D AV   + D AV   + D AV   ,
 ni  i
n  i
n  ni   ni  
1 2 −1 −2  (1.35)
 n −  n  =  n  +  n  ++  n  
D AI  T ,  = D AI
X
+ D AI   + D AI   + D AI   + D AI   , 
 ni  i
n  ni   ni   ni  
где температурная зависимость в неявном виде включена в собственный коэффи-
Р
циент диффузии пары «примесь–точечный дефект» DAX, который определяется
законом Аррениуса в виде
УИ
 D AX
C 
D CAX = C
D AX 
exp − E . (1.36)
0  kT 
 
1.2.5. Модель сегрегации примесей

БГ
Под явлением сегрегации подразумевается перенос частиц через поверх-
а
ность раздела двух сред с различными значениями предела твердой растворимо-
сти.
ек
В многослойной структуре явление сегрегации примесей возникает вдоль

поверхности раздела двух материалов: твердое тело/твердое тело или твердое те-
т
ло/газ. Такая сегрегация описывается эмпирическими соотношениями, основан-

ными на кинетической модели первого порядка для потока через границу раздела:
ио
 C 
FS = h12  1 − C2  , (1.37)
 M 12 
бл
где C1 и C2 – концентрации частиц вблизи поверхности раздела сред 1 и 2 соот-

ветственно; h12 – скорость переноса частиц через границу раздела из среды 1
в среду 2 и M12 – коэффициент сегрегации, равный отношениию пределов твердой
Би
растворимости примеси в средах 1 и 2, определяемый следующим соотношением:
твердая растворимость примеси в материале1

M 12 = . (1.38)
твердая растворимость примеси в материале2
Последние два коэффициента в выражении (1.37) – температурно-

независимые параметры, которые учитывают перенос частиц через поверхность
раздела и отношение растворимостей примесей в каждой области материала.
Из уравнения (1.38) следует соотношение
51
1
M 21 = . (1.39)
M 12
Путем несложных алгебраических преобразований из уравнений (1.37)

и (1.39) получается универсальное соотношение для скорости переноса частиц из
материала 1 в материал 2 через поверхность раздела:
h21 = M 12 h12 . (1.40)
1.2.6. Двухмерная модель диффузии
Р
Двухмерная модель, основанная на стандартной модели диффузии, предна-
УИ
значена для точного расчета эволюции ансамбля неравновесных точечных дефек-
тов. При этом необходимо решать три различных уравнения: одно для примесей и
по одному для каждого типа точечных дефектов – вакансий и междоузлий.
Диффузия примесей. Уравнение непрерывности для примесей в двухмерной
БГ
модели диффузии имеет следующий вид:
    
Z  
∂C A
= ∑ ∇  X* D AX  C A + ∇ ln  C A + *X     ,

C C n
(1.41)
∂t X = I ,V  C X
 C X  ni   
а
   
ек
где CX – текущие концентрации точечных дефектов, а C *X – их равновесные кон-

центрации.
т
Для учета зависимости коэффициента диффузии примесей от равновесной

концентрации точечных дефектов коэффициенты диффузии пар «точечный де-
фект–примесь», полученные из уравнения (1.35), следует умножить на нормали-
ио
зованную концентрацию точечных дефектов [30]. Несмотря на феноменологиче-

ский характер этой зависимости, она физически разумна и используется в боль-
шинстве моделей, учитывающих усиление диффузии примесей при окислении
бл
(Oxidation Enhanced Diffusion, OED), или в условиях переходных процессов

(Transient Enhanced Diffusion, TED) [31].
Выражение под оператором градиента представляет собой коэффициент,
Би
определяемый внешними дефектами. Он важен при рассмотрении той области

моделирования, где резко изменяется профиль концентрации точечных дефектов.
Концентрации равновесных точечных дефектов зависят от температуры и
уровня Ферми и могут быть рассчитаны из следующих выражений:
52
+1 +2 −1  −2
−
n −−  n + n ++  n
k + k  
x
+k   + k  
+k   
 ni   ni   ni    ni 
CV* = CV*i
, 
k x + k − + k −− + k + + k ++
+1 +2 −1 −2
 (1.42)
 n   n   n   n  
k x + k −   + k − −   + k +   + k + +   
C I = CI
* *i  ni   ni   ni   ni 
.
−
k +k +k +k +k
x −− + ++ 
Величины CV*i и C I*i представляют собой собственные равновесные кон-
Р
центрации точечных дефектов, а весовые факторы kx, k-, k--, k+ и k++ – подгоноч-
ные параметры модели, которые вводятся для учета распределения дефектов
УИ
в различных зарядовых состояниях. Полагается, что все эти величины зависят от
температуры и эта зависимость подчиняется закону Аррениуса:
 k Ex 
БГ
k x
= k 0x exp − ,
 (1.43)
 kT 
где kx и k Ex – предэкспоненциальные коэффициенты и энергии активации.

а
Граничные условия и условия на границах раздела фаз идентичны тем, ко-
торые используются в стандартной модели диффузии.
ек
Диффузия междоузлий. Профиль распределения междоузлий рассчитывает-

ся с использованием уравнения непрерывности в следующей форме:
т
∂C I ∂C ET
= ∇(− J I ) − R + + R< 311> , (1.44)
∂t ∂t
ио
где R – скорость рекомбинации в объеме, определяемая интенсивностью реакций

между междоузлиями и вакансиями, выражается следующим образом:
бл
(
R = K r C I CV − C I*CV* . ) (1.45)
Би
Здесь Kr – подгоночный параметр.

Выражение для потока междоузлий
C 
− J I = DI C I*∇ I*  (1.46)
 CI 
точно учитывает влияние электрического поля на заряженные междоузлия по-

C
средством градиента нормализованной концентрации междоузлий I* . Здесь DI –
CI
53
коэффициент диффузии свободных междоузлий.
∂CET
Член в уравнении (1.44) описывает эмиссию и захват междоузлий ло-
∂t
вушками. Модель взаимодействия примесей с ловушками была предложена в ра-
боте [32] для объяснения широкого диапазона изменений коэффициентов диффу-
зии при различных экспериментальных условиях. Уравнение, описывающее эво-
люцию ансамбля ловушек в зависимости от времени, имеет следующий вид:
∂C ET  e* 
= − K T C ET C I − C
* I
*
(CT − C )
ET  , (1.47)
∂t  1 − e 
Р
где KT – скорость захвата междоузлий ловушками; CT – полная концентрация ло-
УИ
вушек; CET – концентрация ловушек в равновесном состоянии; CI – концентрация
междоузлий; C*I – равновесная концентрация междоузлий; e* – отношение кон-
центраций ловушек, находящихся в равновесном состоянии, к полной концентра-
ции ловушек (e* ≡ CET/CT).
I + T⇔IT БГ
Уравнение для междоузлий I и ловушек T выводится из простой реакции:
(1.48)
а
или из уравнения:
ек
∂C ET
= − K T C I C ET + K r (CT − C ET ) , (1.49)
∂t
т
где Kr – скорость эмиссии из ловушек. В условиях термодинамического равнове-

ио
сия левая часть уравнения (1.47) равна нулю, что дает
(
= K r CT − C ET )
⇔ K r = KT
(
C I* C ET
*
/ CT )=K e*
1 − (C )
K T C I*C ET
* * *
бл
T CI . (1.50)
*
ET / CT 1− e *
Подстановка выражения для Kr в уравнение (1.49) приводит к выраже-

Би
нию (1.47).
Член R<311> в уравнении (1.44) обозначает скорость развала междоузельных
кластеров <311>, образующихся при высокодозной имплантации примесей
в кремний. Такие объемные дефекты могут рассматриваться как стоки для меж-
доузлий [33].
Скорость развала кластеров определяется простой экспоненциальной зави-
симостью от времени:
∂C< 311> 1  t

R< 311> = − = f ( x )  exp −  , (1.51)
∂t τ   τ
54
где f(x) – профиль распределения <311> кластеров (он подобен имплантационно-
му профилю); τ – временная константа.
Как показано в работе [34], распределение междоузлий зависит от гранич-
ных условий для уравнения баланса потока:
( )
∂ n C I + K S C I − C I* = g , (1.52)
где ∂nCI – проекция вектора потока междоузлий на единичный вектор, перпенди-

кулярный границе; KS – эффективная скорость рекомбинации междоузлий; g – ге-
нерационный член для учета инжекции междоузлий при отжиге в окислительной
Р
среде.
УИ
Таким образом, уравнение (1.52) описывает количество междоузлий, гене-
рируемых на границе, минус количество рекомбинированных междоузлий
и должно быть равно количеству междоузлий, которые диффундируют из поверх-
ности раздела в подложку.
БГ
Эффективная скорость рекомбинации междоузлий Ks зависит от смещения
поверхности раздела при окислении согласно выражению:
  v Kp 
K S = K surf  K r  i  + 1 ,
а
(1.53)
  vi −max  
ек
где Ksurf – коэффициент поверхностной рекомбинации междоузлий для фиксиро-

ванных поверхностей раздела; vi – скорость смещения поверхности раздела
т
SiO2/Si; vi–max – максимальная скорость смещения поверхности раздела; Kr и Kp –

эмпирические параметры, используемые для калибровки скорости поверхностной
ио
рекомбинации междоузлий.
Поверхностная рекомбинация играет важную роль при релаксации профи-
лей распределения дефектов в их равновесное состояние, которая не может про-
бл
исходить только за счет объемной рекомбинации. Следует отметить, что движу-

щая поверхность раздела может инжектировать точечные дефекты в кремний и
поликремний.
Возможны две формы представления параметра g в выражении (1.52).
Би
В одной он представляется в виде степенной зависимости от длительности отжи-

га t:
T
g = A(t + t 0 ) p , (1.54)
а в другой – в виде степенной зависимости от скорости смещения границы разде-

ла SiO2/Si:
vi
g = θ v mole vi ( ), (1.55)
vi −max
55
где θ – доля атомов кремния, участвующих в процессе окисления и инжектируе-
мых в объем в качестве собственных междоузлий, vmole – атомная плотность крем-
ния, а остальные коэффициенты – подгоночные параметры.
Диффузия вакансий. Уравнения для диффузии и потока вакансий в основ-
ном подобны соответствующим уравнениям для междоузлий:
∂CV
= ∇(− J V ) − R , (1.56)
∂t
где R – скорость объемной рекомбинации вакансий и междоузлий. Объемная ре-
Р
комбинация представляет собой простую реакцию между вакансиями и междоуз-
лиями и выражается следующим соотношением:
УИ
( )
R = K r C I CV − C I*CV* . (1.57)
БГ
Здесь Kr – коэффициент объемной рекомбинации.
Поток вакансий рассчитывается следующим образом:
C 
− J V = DV CV* ∇ V* 
а
(1.58)
C 
 V 
ек
с корректным учетом влияния электрического поля на заряженные вакансии по-

C
средством использования градиента нормализованной концентрации V* ; DV –
т
CV
коэффициент диффузии свободных вакансий.
ио
Точечные дефекты имеют более высокие значения коэффициента диффу-

зии, чем примесь, поэтому они могут диффундировать вглубь моделируемой
структуры. Если моделируемая структура мелкая, то может быть получена нефи-
бл
зично высокая концентрация дефектов в тех областях, где присутствуют примеси,

что, следовательно, приведет к повышенной диффузии примесей. В этом случае
необходимо увеличить размер моделируемой области, чтобы обеспечить адекват-
Би
ный сток для точечных дефектов. Для задания глубины области моделирования
следует оценить характерные длины диффузии для дефектов, используя выраже-
ние
l = D X ∆t , (1.59)
где DX – коэффициент диффузии дефекта, а ∆t – длительность диффузионного

процесса.
56
1.2.7. Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект»
Модель диффузии пар «примесь–точечный дефект» устанавливает взаимо-

зависимость между диффузией примесей, с одной стороны, и диффузией точеч-
ных дефектов – с другой посредством добавления к члену, описывающему поток
в уравнениях для дефектов, величины потока пар «примесь–точечный дефект»,
что приводит к следующим выражениям:
∂CV  C 
= ∇ − J V − ∑ J AV −R,
 (1.60)
∂t  A, c 
Р
∂C I  C  ∂C ET ∂C< 311>
= ∇ − J I − ∑ J AV −R+
 − , (1.61)
∂t   ∂t ∂ t
УИ
A , c
где суммирование производится по всем зарядовым состояниям примесей и то-

чечных дефектов. Остальные уравнения модели диффузии связанных пар иден-
БГ
тичны уравнениям двухмерной модели, описанной в предыдущем разделе. Влия-
ние дополнительного члена проявляется только при очень высоких концентраци-
ях примесей и большой дозе имплантации, когда существенно увеличивается ко-
эффициент диффузии примесей вследствие повышения уровня Ферми и увеличе-
ния степени пересыщения точечными дефектами, что следует из уравнений (1.35)
а
и (1.41).
ек
Обобщением уравнений (1.60) и (1.61) являются выражения:
∂  free   C 
CV − ∑ C AV C  = ∇ − J Vfree − ∑ J AV − R,
т
(1.62)
∂t  A, c



 A, c


∂  free   C  ∂C
 − R + ∂C ET − < 311> ,
ио
C I − ∑ C AI C  = ∇ − J Ifree − ∑ J AI (1.63)
∂t  A, c



 A, c

 ∂t ∂t
бл
которые показывают, что скорость изменения полной концентрации точечных

дефектов X определяется вкладами дефектов, диффундирующих свободно (free),
дефектов, диффундирующих в парах (paired), а также вкладов различных истоков
Би
и стоков [30]. Истоки и стоки также должны быть разделены на вклады от спа-
ренных (paired) и неспаренных (unpaired) дефектов. В работе [35] показано, что
уравнение (1.41) для примесей необходимо изменить посредством подстановки
концентрации неспаренных активных примесей в полную концентрацию актив-
ных примесей, что приводит к следующему выражению:
∂C A  C    
Z 
= ∑ ∇  *X D AX C A unpaired ∇ ln  C A unpaired *X    .
C n
(1.64)
∂t X = I ,V  C X
 + C X  ni  
  +  
57
1.2.8. Другие модели диффузии примесей и их расширения
Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект» при высокой

концентрации. Эта модель является расширением базовой модели диффузии свя-
занных пар «примесь–точечный дефект» с включением рассмотрения пар более
высокого порядка и учета механизмов рекомбинации точечных дефектов [36, 39].
В эту модель включено взаимодействие примеси и дефектов более высокого по-
рядка в тех случаях, когда число дефектно-примесных пар существенно велико
(при высокой концентрации примесей в кремнии). Модель включает две дополни-
тельные реакции рекомбинации в объеме и две дополнительные реакции реком-
бинации на поверхности раздела Si/SiO2.
Р
В объеме дополнительные члены, описывающие рекомбинацию точечных
дефектов, применимы при высоких концентрациях, когда превалирует высокий
УИ
уровень дефектно-примесных пар:
 D + DV 
K rPI −V = Fi  PI  K r , (1.65)
+
БГ
 ID DV 
 D + DPV 
K rI − PV = Fi  I  K r . (1.66)
 I
D + D V 
а
Дополнительные параметры модели учитывают отношение эффективного
ек
сечения захвата «примесь–дефект» к сечению рекомбинации «дефект–дефект».

Подобным образом на поверхности раздела скорости поверхностной реком-
бинации междоузлий управляются парными и непарными механизмами согласно
т
соотношению
D  I
ио
PI
K surf = Fk  PI  K surf . (1.67)
 DI 
бл
Это соотношение связывает поверхностную рекомбинацию дефектов, осу-

ществляемую через пары «примесь–точечный дефект», с рекомбинацией, проис-
ходящей непосредственно на поверхности.
Повышенная объемная рекомбинация на дислокационных петлях (loop).
Би
Дислокационные петли играют роль стоков для точечных дефектов. В этой моде-
ли вводится дополнительный сток для междоузлий, зависящий от распределения
дислокационных петель в некоторой пространственной области.
При использовании этой модели учитывается повышение скорости реком-
бинации междоузлий в областях дислокационных петель, описываемое выраже-
нием
(
Rloop = dα C I − C I* . ) (1.68)
58
Модель диффузии при быстром термическом отжиге. При анализе диффу-
зии примесей в процессе быстрого термического отжига (Rapid Thermal
Annealing, RTA) используются описанные диффузионные модели, а именно:
двухмерная модель и модель связанных пар. Поскольку RTA является быстрым
термическим циклом, включающим плавное повышение температуры до высоких
температур, в этом процессе будет доминировать так называемая переходная по-
вышенная диффузия (Transient Enhanced Diffusion, TED), сопровождающаяся су-
щественным повреждением кристаллической решетки.
Важными параметрами модели RTA-диффузии являются отношение коли-
чества междоузлий в форме <311> кластеров к количеству свободных междоуз-
лий, а также характеристическое время, необходимое для перерастворения меж-
Р
доузельных кластеров.
Модели электрической деактивации и кластерообразования. При высокой
УИ
степени легирования концентрация электрически активных примесей CA+ может
быть ниже соответствующей химической концентрации CA. Чтобы примесь в по-
лупроводниковом материале стала электрически активной, ее следует поместить в
узел замещения кристаллической решетки с тем, чтобы носитель заряда находил-
БГ
ся либо в валентной зоне (акцепторная примесь), либо в зоне проводимости (до-
норная примесь). Однако выше определенного уровня легирования невозможно
поместить большее количество примесей в узлы замещения кристаллической ре-
шетки – лишние примеси будут неактивными. Порог, при котором происходит
а
деактивация примесей, часто называется «пределом твердой растворимости», что
отчасти терминологически неверно, поскольку примеси могут существовать в
ек
различных фазовых состояниях кристалла. Следовательно, трудно определить, к

какому фазовому переходу следует отнести «предел твердой растворимости». На-
пример, избыточные примеси могут существовать в виде небольших кластеров
т
или в виде больших преципитатов. «Порог деактивации» является более точным

обозначением для такого предела и будет далее по тексту использоваться именно
ио
в таком смысле. В дальнейшем через C Ath+ будет обозначаться порог деактивации.

Таким образом, во всех описываемых здесь моделях для каждого типа при-
месей принимаются следующие предположения:
бл
– примеси, находящиеся в состоянии, превышающем порог деактивации,

считаются электрически неактивными, т.е. они не вносят вклад в совокупность
носителей заряда;
Би
– такие примеси считаются неподвижными, т.е. они не могут диффундиро-

вать.
Цель использования модели электрической активации состоит в расчете
концентрации примесей, при которой происходит их деактивация. Для этого во
всех моделях диффузии используются две модели электрической активации:
– модель кластерообразования для мышьяка;
– полуэмпирическая активационная модель (с использованием табличных
данных) для всех других примесей.
Модель кластерообразования для мышьяка основана на простой реакции
59
As+ + V= ⇔ AsV–. (1.69)
Полагая, что уравнение (1.69) всегда является равновесным, можно исполь-

зовать следующее выражение для установления связи между химической и актив-
ной концентрациями мышьяка:
2
 n  CV   n  CV 
2
C A = C A + + Cclust = C A + + CtnC A +   * = C A + 1 + Ctn   *  . (1.70)
 ni  CV   ni  CV 
Р
Поскольку существует циклическая зависимость между активной концен-
трацией мышьяка CA+ и концентрацией носителей заряда n, можно оценить вели-
УИ
чину n в начале моделирования. Кроме того (по определению), можно предполо-
C
жить, что отношение V* равно единице при использовании модели диффузии
CV
Ферми.
БГ
В полуэмпирической активационной модели (с использованием табличных
данных) для всех примесей, за исключением мышьяка, используется двухступен-
чатая схема при расчете концентрации активных примесей:
1. Проводится интерполяция экспериментальных данных (температура, по-
а
рог деактивации) и определяется концентрация, не зависящая от порога деактива-
ек
ции, что соответствует текущей температуре, для которой производится модели-

рование.
2. Вводится логарифмическая зависимость посредством задания величины
т
порога деактивации:
   CA  
ио
    − b
 C th 
 th   A+  
C A + 1 + (1,0 − b )ln
C th = 1,0 − b  при C A ≤ C Ath+ ;
'
A+ (1.71)
бл
  
  
C
A при C A > C A + ,
th
Би
где параметр b имеет значение в интервале (0,8…1,0). Использование уравнения

(1.71) способствует сглаживанию профиля распределения активных примесей, ко-
торый в основном соответствует полному («химическому») профилю.
Модели диффузии, учитывающие высокий уровень концентрации примесей.

Поскольку электрические характеристики прибора в существенной степени зави-
сят от распределения электрически активных примесей, формирующегося в ре-
зультате проведения последовательных термических обработок, важно, чтобы ис-
пользуемые модели диффузии примесей были как можно более точными, что осо-
бенно важно при моделировании глубокой субмикронной технологии. При этом
60
приобретает критическое значение двухмерное и даже трехмерное моделирова-
ние. Однако, к сожалению, достаточно точные методики измерения многомерных
профилей распределения примесей в настоящее время отсутствуют. Поэтому
двухмерные (и, тем более, трехмерные) профили активных примесей могут быть
получены только посредством моделирования.
Очевидно, что различные аномальные явления диффузии примесей в крем-
нии вызываются неравновесными точечными дефектами. Эти дефекты вводятся
или непосредственно в процессе диффузии (пример – эффект «продавливания»
эмиттерного перехода в процессе диффузии фосфора с высокой концентрацией),
или инжектируются в подложку при таких обработках, как окисление или нитри-
дизация, или возникают при ионной имплантации примесей в кремниевую под-
Р
ложку. С уменьшением размера формируемого прибора указанные переходные
явления являются ключевыми для точного моделирования процесса диффузии
УИ
примесей.
Модель диффузии CNET. Модель диффузии примесей CNET разработана
фирмой CNET-Grenoble (France Telecom). Ниже описывается указанная модель и
показаны ее отличия от стандартной модели CPL, описанной в работе [30]. CNET-
БГ
модель является расширением CPL-модели, в частности, для случая диффузии с
высокой концентрацией примесей. Основные физические предпосылки, заложен-
ные в CNET-модель, заключаются в следующем:
– диффузия примесей происходит с участием как вакансий (V), так и меж-
а
доузлий (I). Эти точечные дефекты существуют в различных зарядовых состояни-
ях, относительные концентрации которых зависят от локального положения уров-
ек
ня Ферми, т.е. от локальной концентрации примесей;

– как междоузлия, так и вакансии имеют относительно высокие значения
энергии связи с примесными атомами, вследствие чего диффузия примесей осу-
т
ществляется посредством пар «примесь–точечный дефект» (примеси, находящие-

ся в виде атомов внедрения в кристаллической решетке, являются неподвижны-
ио
ми). Полагается, что такие примесно-дефектные пары в своих зарядовых состоя-

ниях находятся в локальном равновесии с атомами примеси, располагающимися в
положении замещения, и со свободными дефектами. Считается, что при высоком
бл
уровне легирования концентрации таких пар нельзя считать пренебрежимо малы-

ми по сравнению с концентрациями примесей, находящихся в состоянии замеще-
ния. По этой причине концентрации пар «примесь–точечный дефект» необходимо
Би
учитывать при расчете полной концентрации примесей и положения уровня Фер-

ми (т.е. концентрации носителей заряда). Прямым следствием этого является час-
тичная самокомпенсация при высоком уровне концентрации примесей, что дает
определенный вклад в разницу между полной концентрацией и концентрацей ак-
тивной примесей в изменение собственного коэффициента диффузии как функ-
ции полной концентрации примесей.
– мышьяк и бор при концентрациях, превышающих порог твердой раство-
римости, образуют нейтральные и неподвижные комплексы (AS2V или B2I), кото-
рые увеличивают эффективный коэффициент диффузии и вносят вклад в концен-
трацию неактивных примесей. Полагается, что эти комплексы находятся в со-
стоянии локального равновесия с другими примесями и дефектами. Дальнейшим
61
развитием этой модели является модель кластерообразования [37];
– при превышении концентрации примесей до величины порядка 1020 см-3
дефектно-примесные пары уже нельзя рассматривать как изолированные частицы,
поскольку вакансии могут взаимодействовать уже с большим числом, чем один
примесный атом. В CNET-модели [38–39] этот эффект описывается существова-
нием перколяционного кластера из примесных атомов, раполагающихся друг от
друга на расстояниях вплоть до пятого соседа кристаллической решетки. В таком
кластере значительно увеличиваются как коэффициент диффузии, так и концен-
трация вакансий, что вызывает значительное повышение концентрации примесей,
диффундирующих совместно с вакансией. Этот механизм позволяет точно опи-
сать известную форму высококонцентрационного профиля распределения фосфо-
Р
ра с перегибом (ступенькой) и «хвостом». Поток каждой диффундирующей пары
«примесь–дефект», а также свободных дефектов включает дрейфовые члены, вы-
УИ
зываемые встроенным электрическим полем и градиентом концентрации;
– полагается, что междоузлия (I) и вакансии (V) не находятся в локальном
равновесии, но они могут аннигилировать посредством механизма бимолекуляр-
ной рекомбинации. Особенность CNET-модели состоит в том, что в процессе ан-
БГ
нигиляции участвуют не только свободные дефекты, но также и дефектно-
примесные пары, которые играют роль рекомбинационных центров. В результате
скорость I-V-рекомбинации существенно усиливается при высоком уровне кон-
центрации примесей.
а
Компоненты CNET-модели. CNET-модель включает все приведенные выше
пять компонентов. В каждой из них используется свое физическое представление
ек
диффузии примесей. Полная CNET-модель использует одновременно все пять

компонентов.
1. Непренебрежимые концентрации дефектно-примесных пар. В этой мо-
т
дели учитываются эффекты, связанные с высокой концентрацией примесей.

Для фосфора каждый из пяти компонентов модели описывается следующим
ио
образом:
Pchem = PV–+PV0+PI+(PI0+IP–)+P+ =
бл
=[P+]{1+Kp+ν=[V=]+Kp+ν–[V–]+p+1i[Ii]}+[P]precipitate. (1.72)
Последний член учитывает атомы фосфора, которые уходят в преципитаты,

Би
когда [P]chem больше предела растворимости.

2. Образование кластеров. Кроме ухода в преципитаты при моделировании
профилей распределения примесей мышьяка и бора учитывается образование не-
подвижных нейтральных комплексов. В модели CNET такие кластеры обознача-
ются как As2V и B2I (в CPL-модели они неподвижны и превращаются в пары
AsV -).
При использовании простой статической (равновесной) модели:
[ ][ ]
KAS+ AsV − As + AsV − ,
[ ][ ]
K B − BI + B − BI + .


(1.73)
62
3. Уравнение нейтральности. Этот компонент модели учитывает концен-
трацию заряженных пар, т.е. решается уравнение
n–p=Σ(Donor)ε+εΣ(DonorV)ε+εΣ(DonorI)ε+εΣ(AcceptV)ε+εΣ(AcceptI)ε–Σ(Accept)ε. (1.74)
В уравнении (1.74) ε равно 1, 0 или –1 в зависимости от зарядового состоя-

ния пары:
( ) 
ε = 1 для PV − + P + ,V = ,
ε = 0 для PV = (P ,V ) , 

Р
0 + −
(1.75)
ε = −1 для BV = (B ,V ).
+  − ++
УИ

Суммирование в (1.74) проводится по всем донорам (P, As, Sb) и по всем

акцепторам (B, In). Следуя этой процедуре, «активная» концентрация в результате
БГ
решения уравнения диффузии будет равна соответствующей доле примесей, на-
ходящейся в состоянии замещения, от ее полной концентрации. Тип примеси за-
дается посредством присвоения соответствующего знака при суммировании.
4. Зарядовые состояния пар. Для бора хорошо известно, что существуют
а
только пары BV0, BV+ и BI-, BI+. Их концентрации задаются следующим образом:
ек
[BV ] = K [B ][V ], 
o
−
B V +
− +
[BV ]= K [B ][V ],

+ − ++
т
B −V + +
[BI ]= K [B ][I ], 
(1.76)
− − 0
B− I 0
[BI ] = K [B ][I ]. 

ио
+ − ++
B − I ++
бл
Для фосфора (как и для других доноров) существуют пары PV 0 и PV –.

Здесь:
[PV ] = K [P ][V ],  + −
Би
o
P +V −
[PV ] = K [P ][V ],

−
P +V =
+ =
[PI ] = K [P ][I ], 
+
+ 0
P I
+ o
(1.77)
[PI ] = K [P ][I ], 
0
P+I −
+ −
[PI ]= K [P ][I ]. 

−
P+ I =
+ =
Эффективный коэффициент диффузии. Расчет концентрации C из общего

уравнения CPL-модели осуществляется посредством решения уравнения
63
∂CT  C C  C C C C  C C 
= ∇  DVX C A V* ∇ log  C A V*  + D XI C A I * ∇ log  C A *I  . (1.78)
∂t  CV  CV ni  CI  C I ni 
При значениях C = n или p легко показать, что в модели диффузии пар, ос-
нованной на моделях CPL или CNET, полагается, что величины DVx и DxI рассчи-
тываются из базисных параметров пар. В уравнениях
i
v
C
DVX = ∑ Kx, v δ   D XV i −1 ,
i
Р
i  ni 
(1.79)
УИ
i
C
D XI = ∑ Kx, i iδ i   D XI i −1
i  ni 
коэффициенты δν и δi – относительные доли заряженных вакансий и междоузлий
БГ
соответственно. Это приводит к выражениям, аналогичным для модели диффузии
фосфора в связанных парах «примесный атом–дефект», которые отличаются от
соответствующих выражений для бора, мышьяка и олова. Фактически в модели
диффузии связанных пар отношение DVx / DxI не зависит от концентрации приме-
а
сей, тогда как при использовании CNET-модели это отношение зависит от n, что
ек
подтверждается экспериментально (OED-эксперименты при высоких концентра-

циях примеси показывают меньшее усиление диффузии, чем для собственных
концентраций P и As.)
т
Следует подчеркнуть, что имеются определенные соотношения для разных

констант, входящих в модели, что сокращает число подгоночных параметров. Во-
ио
первых, из физических соображений следует, что отношения D xV − / D xV 0 и

D xV 0 / D xV + должны быть равны. В таком случае:
бл
DPV − DPV 0 = DPV 0 DPV + = DVP ,


DPI − DPI 0 = DPI 0 DPI + = DP , 
I
Би
 (1.80)
DBI + DBI 0 = DBI 0 DBI − = DBI , 

DBV + DBV 0 = DBV 0 DBV − = DVB . 
Эти коэффициенты диффузии являются свободными параметрами, если со-

ответствующие параметры для пар (K) в (1.79) известны. Кроме того, они могут
быть рассчитаны через известные экспериментальные значения собственных ко-
эффициентов диффузии (Di) и через междоузельный компонент fi при собствен-
ных условиях. Члены в (1.58), представляющие собой долю концентрации приме-
сей, входящих в соответствующие пары, имеют очевидный физический смысл, и
64
их, в принципе, можно определить экспериментально (параметры KiXV невозмож-
но определить экспериментально, поскольку величины C*V и C*I неизвестны).
5. Влияние примесей на скорость бимолекулярной рекомбинации. При ис-
пользовании CPL-модели рекомбинация точечных дефектов в объеме подчиняет-
ся следующей зависимости:
( )
G − R = K R C I CV − C I*CV* , (1.81)
где CI и CV представляют собой полные концентрации точечных дефектов, а ско-

рость рекомбинации определяется параметром KR.
Используя общую запись реакции
Р
УИ
XV + I⇔X,
XI + V⇔X, (1.82)
где X обозначает примесь, легко показать, что член (G – R) необходимо перепи-

сать следующим образом:
( БГ
G − R = K BM C I CV − C I*CV* .) (1.83)
а
Коэффициент KBM существенно зависит от концентрации примесей и вклю-
ек
чает концентрации нейтральных дефектов. Следовательно, KR можно вывести из

KBM следующим образом:
т
K BM
KR = (1.84)
 C
i
C 
i
∑ ∂i  + ∑ ∂i  
ио
 i  ni  i  ni  
и
бл
K BM = K BM
0
+ ∑ K BM
x
, (1.85)
X
Би
0 x
где K BM – свободный член, а K BM обозначает вклад определенной примеси.
0
Даже при пренебрежении влиянием пар значение K BM зависит от уровня
легирования вследствие различных состояний дефектов:
65


  
I o + V o → 4πR (DI + DV ) I 0 V 0 , 

+ 0 +
ni  0 0 
I V → 4πR(DI + DV ) + ∂   I V ,  [ ][ ] (1.86)
n 

− 0 − n  0
I V → 4πR(DI + DV ) + ∂   I V . 0 

[ ][ ]
 ni 
Это утверждение относится и к I0, V++, V-, V=. Следовательно:
Р
i i
i
n n
4πR(DI + DV )∑ δ  i  + ∑ δ i  i 
УИ
n  n 
K R0 = i i
. (1.87)
 i n 
i
i n 
i 
∑ δ  i  + ∑ δ  i  
 i  n  i  n  
БГ
Компонент модели, в которой учитывается зависимость от концентрации
пар «примесный атом–дефект», в свою очередь можно разделить на два компо-
нента, соответствующих рекомбинации вакансий с парами «примесь–дефект» и
а
рекомбинации междоузлий с парами «примесь–дефект»:
ек
X
K BM = K BM
XI ,V
+ K BM
XV , I
. (1.88)
т
При расчете реакций между отдельно рассматриваемыми частицами, имею-

щими одинаковый (ненулевой) заряд, можно пренебречь знаком заряда по причи-
ио
не кулоновского отталкивания. Вследствие эффектов, связанных с уровнем Фер-

ми, такие пары не могут иметь высокие концентрации в один и тот же момент
времени. Это объясняется выражениями (1.86)–(1.88) при одинаковом радиусе за-
хвата R в этих уравнениях. В первом приближении R ≥ 2,35 Å (межатомное рас-
бл
стояние в кремнии).
6. Модель проницаемости. Если концентрация примеси превышает некото-
рую величину Сperc (≈5⋅1020 см-3), то основной механизм диффузии изменяется
Би
(для той области моделирования, где присутствуют вакансии) вследствие сильно-

го взаимодействия между примесями и дефектами (вплоть до расстояний в преде-
лах пятых соседей кристаллической решетки). В этом случае диффузия описыва-
ется таким образом, как если бы «эффективная» концентрация увеличилась с не-
которым коэффициентом, а соответствующие потоки будут описываться согласно
следующему выражению:
J Vperc = F perc J VLOW (1.89)
66
с обычным потоком вакансий J Vlow при Cdopant < Cperc и
Cvtot  ∂X + + 1 ∂n 
J Vperc = V
F perc Dv  + X . (1.90)
NS  ∂X n ∂x 
 
Аналогичное выражение используется для модели диффузии посредством

дефектно-примесных пар:
J Xperc = F perc
X
Dx
Cx +
[ ] 
[ ]
n
X ∇ log  X +  . (1.91)
Р
NS  ni 
УИ
Таким образом, полный поток является комбинацией потоков с учетом и без
учета эффекта проницаемости (перколяции) согласно выражениям
J X = pJ Xperc + (1 − p )J VX + J XI , (1.92)
БГ [ ]
J V = pJ Vperc + (1 − p )JVlow = pF perc + (1 − p ) J Vlow ,
где p – вероятность проявления эффекта проницаемости, которая рассчитывается

(1.93)
а
из выражений
ек
p = 0 для ∑ [X S ] < C perc , (1.94)

  ∑ [X S ]  
0, 4

т
p = min1; 0,85 
 C perc  
. (1.95)
   
ио
Таким образом, примеси при низкой концентрации будут обладать повы-

шенным коэффициентом диффузии вследствие присутствия других примесей
бл
с концентрацией, превышающей Cperc.
1.2.9. Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии

Би
Механизмы диффузии примесей в поликремнии отличаются от соответст-

вующих механизмов в кристаллическом кремнии.
Два потока диффузии примесей в поликремнии. Поликремний имеет микро-
структуру в виде малых (по сравнению с областями формируемого прибора) кри-
сталлических областей, называемых зернами. Зерна отделяются друг от друга
границами, занимают определенный пространственный объем и образуют слож-
ную сеть. Текстура и морфология границ зерен зависят от условий осаждения по-
ликремния и от последующей термической обработки, в процессе которой проис-
ходит рекристаллизация поликремния (см. подразд. 1.5). Примеси внутри зерна
диффундируют различным образом по сравнению с диффузией по границам зе-
67
рен. Примеси диффундируют как через объем зерна, так и через поверхности раз-
дела зерен. Моделирование диффузии во всех областях поликремния с такой гео-
метрически сложной микроструктурой связано с большими вычислительными за-
тратами и поэтому требует использования специальных математических методов.
В программе SSUPREM4 используется двухмерная численная модель, изложен-
ная в работах [40–42]. Согласно этой модели, поликремниевая микроструктура
математически описывается в гомогенном приближении. Суть его заключается в
том, что пространственно разделенные области зерен и их границ представляются
в виде пространственно перекрывающихся гомогенной объемной области зерна и
гомогенной области сети границ зерна. Каждый локальный элемент поликрем-
ниевого материала включает два компонента: собственно зерно и границу зерна.
Р
Сеть границ зерна характеризуется скалярной функцией плотности, описывающей
размер зерна, и векторной функцией, описывающей кристаллографическое на-
УИ
правление границы зерна. Соответственно каждая примесь подразделяется на два
диффузионных компонента: внутри объема зерна и в области границы зерна. Эти
два компонента связываются с сегрегацией на границах зерен. При рассмотрении
термического цикла моделируется также и рекристаллизация поликремния, чтобы
БГ
включить в модель и эффект роста зерна.
Соотношение между компонентами диффузии примесей для зерен и границ
зерен согласно [42] имеет следующий вид:
а
∂C g
( )
= ∇ D g ∇C g − G , (1.96)
ек
∂t
 D gE 
D g = Dg 0 exp −  , (1.97)
 kT 
т
∂C gb
∂t
( )
= ∇ i Fij Dgb ∇ j C gb + G , (1.98)
ио
 Cg 
( )
G = τ −1 
 Pseg
− C gb  ,

(1.99)
 
бл
 D gbE  1
D gb = Dgb 0 exp −  , (1.100)
 kT t
Би
1 0 0
Fij =
1 0 2 0  , (1.101)
L g ( x,y,z)  
0 0 1
где Cg – компонент концентрационного профиля, относящегося к зернам;

Cgb – компонент концентрационного профиля, относящегося к границам зерен;
Dg и Dgb – коэффициенты диффузии примесей в объеме зерна и по границам зерен
соответственно; G – член, относящийся к сегрегационному потоку примесей на
границах зерен; τ – константа, введенная для описания скорости сегрегации; Pseg –
коэффициент сегрегации; Fij – тензор, посредством которого осуществляется учет
68
эффекта направленности границ зерна; Lg – размер зерна (он предполагается оди-
наковым в x, y, z направлениях).
Сегрегация на границах зерен рассчитывается согласно выражению [43]:
1 QS  δ 
Pseg = A exp − 0  , (1.102)
L g N si  kT 
где QS – плотность сегрегации на границах зерен; Nsi – плотность атомов в кри-

сталлическом кремнии; A – энтропийный коэффициент; δo – энергия активации
сегрегации.
Р
1.3. Модели окисления кремния
УИ
При изготовлении структур и приборов микроэлектроники важным техно-
логическим процессом является термическое окисление, используемое для фор-
мирования диэлектрического затвора в МОП-транзисторах, областей изоляции
БГ
между отдельными приборами, имплантационных масок и пассивирующего слоя
(см. подразд. 1.1).
1.3.1. Математическое описание процесса окисления кремния

а
Моделирование процесса окисления кремния основано на классической
ек
теории Дила–Гроува [44], согласно которой окисление рассматривается как сово-

купность трех процессов:
1. Перенос окислителя (O2 или H2O) из газовой фазы в слой SiO2 через по-
т
верхность раздела газ-окислитель/SiO2.

2. Перенос окислителя через слой SiO2 до достижения поверхности раздела
ио
Si/SiO2.
3. Химические реакции
Si + O2 → SiO2 или Si + 2H2 O→ SiO2 + 2H2
на поверхности раздела SiO2/Si.
бл
Расчет переноса окислителя через поверхность раздела газ-окислитель/SiO2

проводится посредством следующего выражения:
Би
F1 = h(CG − C S ) , (1.103)
где h – коэффициент массопереноса; CG – равновесная концентрация окислителя в

SiO2; CS – концентрация окислителя в SiO2 на поверхности раздела газ/SiO2.
Равновесная концентрация окислителя в SiO2 линейна относительно парци-
ального давления окислителя PS согласно закону Генри:
C* = KPS, (1.104)
где K – константа.
69
Диффузия молекул окислителя в SiO2 определяется градиентом его концен-
трации и описывается законом Фика:
F2 = − Deff ∇C , (1.105)
где Deff – эффективный коэффициент диффузии окислителя (H2O или O2) в расту-
щем слое SiO2; C – концентрация окислителя в окисле.
Поток молекул окислителя на поверхности раздела Si (polySi)/SiO2 между
кремнием и окислителем выражается следующим образом:
Р
F3 =kSCI, (1.106)
УИ
где ks – константа скорости реакции на поверхности раздела Si/SiO2.
В стационарных условиях все три потока равны:
F = F1 = F2 = F3.
БГ
Разделив поток F на N1 (число молекул окислителя в единице объема SiO2,
равное 2,2⋅1022 см-3 для окисления в кислороде и в два раза большее для окисления
во влажной среде) и рассматривая лишь одномерный рост SiO2, получаем ско-
а
рость роста слоя окисла:
ек
dx0 F
= , (1.107)
dt N1
т
где x0 – толщина окисла. Из уравнений (1.103), (1.105) и (1.106) уравнение (1.107)

ио
может быть выражено в следующем виде:
dx0 B
= , (1.108)
бл
dt A + 2x0
где
 1 1
A = 2 Deff  +  , (1.109)
Би
 k h
C*
B = 2 Deff . (1.110)
N1
Здесь B и B/A – так называемые параболическая и линейная константы скорости

роста окисла, поскольку они являются коэффициентами при x2 и x в выражении
(1.108). В физическом смысле эти константы служат для описания вкладов в по-
токи F2 (поток окислителя) и F3 (химические реакции на поверхности раздела
SiO2/Si).
70
Температурные зависимости линейной и параболической констант имеют
ярко выраженный экспоненциальный характер и подчиняются закону Аррениуса:
B
B = C1 exp( − E1 / kT ) и = C 2 exp( − E2 / kT ) .
A
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.47. Температурные зависимости констант B и B/A для окисления

<111> кремния в сухой и влажной кислородосодержащих средах
бл
В табл. 1.3 приведены значения соответствующих констант для темпера-

турных зависимостей B и B/A, а на рис. 1.47 – графическая иллюстрация этих за-
висимостей для процессов окисления кремния в сухой (O2) и влажной (H2O + O2)
средах.
Би
Таблица 1.3
Константы в модели Дила–Гроува для моделирования окисления
<111> кремния при давлении 1 атм
(При моделировании <100> кремния все значения C2 следует разделить на 1,68)
Среда B B/A
Сухой кислород C1 = 7,72·102 мкм2/ч, E1 = 1,23 эВ C2 = 6,23·106 мкм2/ч, E2 = 2,0 эВ
Влажный кислород C1 = 2,14·102 мкм2/ч, E1 = 0,71 эВ C2 = 8,95·107 мкм2/ч, E2 = 2,05 эВ
H2O C1 = 3,86·102 мкм2/ч, E1 = 0,78 эВ C2 = 1,63·108 мкм2/ч, E2 = 2,05 эВ
71
Другая форма записи линейно-параболического закона роста окисла крем-
ния:
x02 x
+ 0 = t +τ , (1.111)
B B/ A
xi2 + Axi
где τ = .
B
Здесь параметры xi и τ введены для учета начальной толщины окисла перед
проведением операции окисления, поскольку реально кремниевая подложка все-
гда имеет тонкий ~20 Å слой окисла.
Выражение (1.111) в предельных случаях имеет вид:
Р
B
x0 ≈ (t + τ )
УИ
(1.112)
A
при больших значениях линейной константы B/A (тонкие пленки окисла) и
БГ
x02 ≅ B(t + τ ) (1.113)
при больших значениях параболической константы B (толстые пленки окисла).

а
1.3.2. Зависимости констант B/A и B от условий окисления
ек
Для короткого времени и низкой температуры окисления рост окисла лине-

ен относительно времени окисления. При этом процессы на границах раздела (пе-
т
ренос окислителя через границу раздела газ-окислитель/SiO2 и окислительная ре-

акция на границе раздела Si/SiO2) являются определяющими факторами при опи-
сании кинетики роста окисла.
ио
Разделив уравнение (1.110) на (1.109), получаем следующее выражение для

линейной константы скорости окисления:
бл
 B  CI  1 1
 =  + . (1.114)
 
A N 1h k
Би
Равновесная концентрация окислителя C* определяется уравнением (1.104).

Коэффициент массопереноса h определяется соотношением Аррениуса:
 h 
h = h0 exp − E  .
 k BT 
Чтобы разделить влияние различных факторов процесса окисления на ли-

нейную константу B/A, ее удобно представить в следующем виде:
72
(B/A)I = (B/A)i(B/A)or(B/A)P(B/A)Cl(B/A)d, (1.115)
где соответствующие сомножители описывают зависимость B/A от ориентации

окисляемой подложки (or), давления (P), содержания хлора (Cl) и степени легиро-
вания подложки (d). (B/A)i – собственная (определяемая экспериментально) ли-
нейная константа скорости окисления слаболегированного окисла, получаемого
при атмосферном давлении без хлора в газе-окислителе.
Ориентационная зависимость линейной константы скорости окисления.

Влияние ориентации кремниевой подложки на кинетику окисления объясняется
разной поверхностной плотностью атомов кремния и разным числом химических
Р
связей Si–Si на различных гранях кристалла кремния [45, 46]. Отсюда следует, что
параболическая константа В не зависит от ориентации подложки, поскольку она
УИ
определяет интенсивность диффузии окислителя лишь в объеме SiO2. Как пока-
зывают экспериментальные данные, значения линейной константы В/А для кри-
сталлографических ориентаций <111> и <100> с достаточной точностью можно
аппроксимировать следующим соотношением
БГ
(B/A)111 = 1,68(B/A)100.
Для ориентации <110> значение В/А принимается в 1,45 больше, чем для
а
ориентации <100>.
ек
Зависимость толщины окисла кремния от давления. Окисление кремния

при высоких давлениях позволяет вырастить относительно толстые пленки SiO2
при пониженных температурах, что уменьшает перераспределение примесей
т
[48, 54]. Зависимость линейной константы скорости окисления от давления, как

следует из (1.104), описывается степенным соотношением
ио
(B/A)P = (B/A)iPkp,
бл
где P – парциальное давление окислительного газа, kp – экспериментально опре-

деляемая константа.
Би
Для окисления во влажной среде kp ≅ 1, а для окисления в сухой атмосфере

kp ≅ 0,7–0,8. В качестве примера, на рис. 1.53 показана зависимость толщины
окисла кремния от времени окисления при Р = 0,1 атм в сухом кислороде для раз-
ных температур, полученная в модели Дила–Гроува.
73
Р
УИ
БГ
Рис. 1.48. Толщина окисла кремния в зависимости от времени окисления
для различных парциальных давлений окислительного газа
Зависимость толщины окисла кремния от содержания хлора. Добавка хло-

а
ра в окислительную систему приводит к лучшей пассивации и к повышенным ди-
ек
электрическим свойствам окисла [44, 46, 47]. В сухой окислительной среде введе-
ние хлора приводит к повышению скорости окисления. Одно из возможных объ-
яснений этого влияния состоит в деформации кристаллической решетки SiO2 при
т
внедрении атомов хлора в окисную пленку, что приводит к повышению коэффи-

циента диффузии окислителя.
Зависимость толщины окисла кремния от степени легирования. Известно,
ио
что формирование SiO2 на высоколегированных подложках n-типа и p-типа может

быть улучшено по сравнению с формированием SiO2 на слаболегированных под-
ложках [48, 49]. Зависимость кинетики роста окисла от концентрации примесей
бл
проявляется в изменении линейной константы скорости окисления. Физический

смысл влияния высокого уровня концентрации примесей объясняется прежде все-
го эффектом электрического поля [49, 50, 53]:
Би
 B �

Язык

Nelaev SAPR

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Nelaev SAPR

Загружено:

Авторское право:

Министерство образования Республики Беларусь

«Квантовые информационные системы»

Минск БГУИР 2008

граммный модуль GUI-SUPREM, предназначенный как для моделирования отдельных техно-

1.3.3. Смешанная окислительная среда .............................................................75

1.4. Моделирование ионной имплантации............................................................85

1.4.2. Моделирование имплантации методом Mонте-Карло............................93

1.5.2. Моделирование осаждения поликристаллического кремния

1.5.3. Моделирование роста зерна поликристаллического кремния при

Бурное развитие микроэлектроники в течение последних десятилетий бес-

схемы, обеспечиваемый технологическим оборудованием и, прежде всего, лито-

Рис. В.1. Эволюция и экстраполяция на перспективу

время оборудование оптической литографии обеспечивает размер линий порядка

ношении исследования в области электронно-лучевой и рентгеновской литогра-

печить оборудование для сканирующей туннельной микроскопии, с помощью ко-

Следует также отметить, что стремительный прогресс развития микроэлек-

встал вопрос о справедливости выполнения закона Мура в будущем и с экономи-

для моделирования технологических операций микроэлектроники

Каждая из приведенных в табл. В.2 программ моделирования технологии

Следует отметить, что из перечисленных программных комплексов только

ческого моделирования технологии с целью оптимизации технологического про-

выходные характеристики моделирования. Однако программа FABRICS одно-

шений. В программах SSUPREM4 и SYPRUS статистический анализ осуществля-

В программе TESIC (TEchnology Simulation of Integrated Circuits) сочетают-

раций, взятых из его научных работ, а также компании SILVACO за предостав-

ATHENA (технологическое проектирование) и ATLAS (проектирование приборов

ладает кафедра микро- и наноэлектроники Белорусского государственного уни-

разделов пособия и его техническое оформление осуществлены В. Р. Стемпицким.

Современные ионно-фотонные технологические методы формирования

- литография (перенос рисунка обрабатываемой структуры на поверхность

типичной приборной структуры микроэлектроники.

1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.

В последние 15 лет наиболее популярной среди процессов изготовления

Рис. 1.1. Сечение современной КМОП-структуры с двумя уровнями

Показаны выводы к истоку S (Source), стоку D (Drain) и затвору G (Gate)

Современные кремниевые интегральные схемы формируются на подложках

Рис. 1.2. Состояние структуры после операций 1–4

5. Фотолитография (маска №1) для последующего формирования изоляци-

онных областей посредством проведения LOCOS-процесса (LOCal Oxidation Sili-

Состояние структуры после операций 5–6 изображено на рис. 1.3.

Рис. 1.3. Травление – подготовка к проведению LOCOS-процесса

тами КМОП-структуры. Эта последовательность операций не входит в основной

Прогрессивным способом создания изоляционных областей является технология с

довательность операций, реализующих STI-технологию:

- локальное травление кремниевой подложки с целью формирования мелко-

Рис. 1.5. Состояние структуры после операций 9–11

12. Снятие слоя фоторезиста химическим способом или в кислородной

Рис. 1.7. Высокотемпературная разгонка для формирования p- и n-карманов

17. Снятие слоя фоторезиста и химическая очистка поверхности кремниевой

повышения степени легирования подложки в области под полевым окислом

23. Создание p-областей посредством высокотемпературного осаждения по-

Рис. 1.9. Состояние формируемой структуры после проведения LOCOS-процесса

Современные КМОП-структуры формируются на подложках, которые име-

подложках. Такие высоколегированные области позволяют минимизировать про-

амперными характеристиками, которые могут привести к выходу из строя прибо-

ет их включение и, следовательно, снимает вероятность «защелкивания».

Для формирования областей, где будет образован n+-скрытый слой, исполь-

27. Высокотемпературная обработка, сопровождающаяся несколькими эф-

сти подложки только над n+-областями вследствие наличия в необходимых облас-

SiO2 ∼0,4 мкм). В-третьих, в процессах разгонки и окисления создается ступенька

рать важную роль после проведения операции выращивания эпислоя кремния на

Рис. 1.12. Разгонка n+-скрытого слоя после удаления фоторезиста.

28. Снятие слоя Si3N4.

30. Высокотемпературная разгонка бора и мышьяка вглубь подложки

Рис. 1.14. Одновременная разгонка фосфора и бора в результате