Nelaev SAPR

Министерство образования Республики Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники»
В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий
Р
УИ
ОСНОВЫ САПР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
БГ
Допущено Министерством образования Республики Беларусь
в качестве учебного пособия для студентов учреждений,
обеспечивающих получение высшего образования по специальностям
а
«Микро- и наноэлектронные технологии и системы»,
ек
«Квантовые информационные системы»

т
ио
бл
Би
Минск БГУИР 2008

УДК 621.382.8.049.77.001.2(075.8)
ББК 32.844.1 я73
Н 49
ISBN 978-985-488-321-2
Рецензенты:
зав. кафедрой ЭТТ БГУИР, академик НАН Беларуси,
профессор, доктор технических наук А. П. Достанко
кафедра «Интеллектуальные системы» Белорусского
национального технического университета
Р
заместитель директора по научной работе Научно-технического центра
«Белмикросистемы» УП «Завод попупроводниковых приборов»,
УИ
доктор технических наук, профессор А. И. Белоус
Нелаев, В. В.
Н 49 Основы САПР в микроэлектронике : учеб. пособие / В. В. Нелаев,
БГ
В. Р. Стемпицкий. – Минск : БГУИР, 2008. – 221 c.: ил.
ISBN 978-985-488-321-2
В пособии приведено описание физических моделей технологических процессов и
приборов микроэлектроники, используемых в современных программных комплексах
а
компьютерного технологического и приборного проектирования.
На приложенном к пособию компакт-диске содержится разработанный авторами про-
ек
граммный модуль GUI-SUPREM, предназначенный как для моделирования отдельных техно-

логических операций микроэлектроники, так и для проведения в сети Интернет/Интранет од-
номерного по пространству проектирования технологического маршрута формирования при-
борной структуры с использованием программного комплекса SUPREM III.
т
ио
бл
Би
2
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................................5
1. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ...........................................................................................11
1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.
КМОП-технология..................................................................................................11
1.2. Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии ..............36
1.2.1. Диффузия в макроскопическом (континуальном) приближении ..........36
1.2.2. Моделирование диффузии примесей с учетом дефектов
Р
кристаллической решетки в микроскопическом приближении (атомарный
уровень)...............................................................................................................46
УИ
1.2.3. Обобщенные уравнения для описания диффузии...................................48
1.2.4. Модель диффузии Ферми .........................................................................50
1.2.5. Модель сегрегации примесей...................................................................51
1.2.6. Двухмерная модель диффузии .................................................................52
БГ
1.2.7. Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект» ...........57
1.2.8. Другие модели диффузии примесей и их расширения ...........................58
1.2.9. Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии ....................67
1.3. Модели окисления кремния ............................................................................69
а
1.3.1. Математическое описание процесса окисления кремния.......................69
1.3.2. Зависимости констант B/A и B от условий окисления ............................72
ек
1.3.3. Смешанная окислительная среда .............................................................75

1.3.4. Двухмерные модели окисления кремния ................................................76
1.3.5. Аналитическая двухмерная модель локального окисления кремния ....79
т
1.4. Моделирование ионной имплантации............................................................85

1.4.1. Аналитические модели имплантации ......................................................86
ио
1.4.2. Моделирование имплантации методом Mонте-Карло............................93

1.5. Моделирование поликремниевой технологии .............................................101
1.5.1. Моделирование осаждения поликристаллического кремния на
плоскую поверхность в LPCVD-процессе c одновременным легированием 102
бл
1.5.2. Моделирование осаждения поликристаллического кремния

на рельефную поверхность в LPCVD-процессе с одновременным
легированием ....................................................................................................108
Би
1.5.3. Моделирование роста зерна поликристаллического кремния при

длительном и импульсном режимах термообработки....................................111
1.5.4. Моделирование электрофизических характеристик
поликристаллического кремния.......................................................................121
1.6. Моделирование формирования силицидов ..................................................127
1.7. Моделирование процессов осаждения .........................................................129
1.8. Моделирование травления ............................................................................136
1.9. Моделирование химико-механического полирования ................................140
2. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ...............143
2.1. Основные уравнения физики полупроводниковых приборов.....................143
3
2.2. Основы теории статистики носителей заряда ..............................................146
2.3. Пространственный заряд, обусловленный неполной ионизацией,
ловушками и дефектами.......................................................................................150
2.4. Транспортное уравнение энергетического баланса .....................................157
2.5. Физические явления на границах..................................................................161
2.6. Физические модели переноса носителей заряда ..........................................164
2.6.1. Модели подвижности носителей заряда ................................................164
2.6.2. Модели генерации и рекомбинации носителей.....................................181
2.6.3. Модели ударной ионизации ...................................................................185
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ........................................................................................................197
Р
ЛИТЕРАТУРА ..........................................................................................................199
ПРИЛОЖЕНИЕ ........................................................................................................208
УИ
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ.................................................................................216
АББРЕВИАТУРЫ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ТЕРМИНОВ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ ....................................................218
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
4
ВВЕДЕНИЕ
Бурное развитие микроэлектроники в течение последних десятилетий бес-

прецедентно в мировой истории технологий, и оно почти без отклонений подчи-
няется эмпирически выведенному закону Мура, согласно которому степень инте-
грации изделий микроэлектроники ежегодно удваивается. В табл. В.1 представле-
ны данные об основных характеристиках интегральных микросхем (ИМС) на
примере динамической памяти, начиная с 1995 года, и прогноз их развития до
2012 года [1].
Таблица В.1
Основные характеристики интегральных микросхем
Р
на примере динамической памяти и тенденция их развития
Год 1995 1997 1999 2003 2006 2009 2012
УИ
Минимальная ширина линий, мкм 0,35 0,25 0,18 0,13 0,10 0,07 0,05
2
Размер чипа, мм 200 280 400 560 790 1120 1580
Число транзисторов на чип 107 1,5⋅107 2⋅107 8⋅107 2⋅108 5⋅108 1,4⋅109
Частота, MГц 300 450 600 800 1 000 1200 1500
БГ
Память 256 Мбит 512 Мбит 1 Гбит 4 Гбит 16 Гбит 64 Гбит 256 Гбит
Максимальное количество слоев
5 6 6–7 7 7–8 8–9 9
металлизации
Минимальное количество масок 20 22 22–24 24 24–26 26–28 28
Напряжение питания, В 2,0–3,0 1,8–2,5 1,5–1,8 1,2–1,5 0,9–1,2 0,6–0,9 0,5–0,6
а
Минимальная ширина линий (наименьший размер структурных элементов
ек
схемы, обеспечиваемый технологическим оборудованием и, прежде всего, лито-

графией) является наиболее важным показателем размеров компонентов ИМС.
т
ио
бл
Би
Рис. В.1. Эволюция и экстраполяция на перспективу

минимальных характерных размеров интегральных схем
5
На рис. В.1 приведены данные об эволюции этой характеристики за послед-
ние 10 лет и их экстраполяция на будущее [1]. В среднем, как видно из рисунка,
минимальная ширина линий уменьшается на 13 % в год. В последние годы эта
скорость снизилась до 10 % в год. Размер чипа за последние 45 лет сокращался в
среднем на 16 % в год; в последние годы этот темп снизился до 6 % в год для
микропроцессоров и до 12 % в год для ИМС динамической памяти.
Однако очевидно, что бесконечное уменьшение характерных размеров при-
боров микроэлектроники (и соответственно выполнение закона Мура) невозмож-
но. Оно ограничено прежде всего физическими пределами функционирования
приборов. Так, при толщине подзатворного диэлектрика МОП-транзистора менее
1–1,5 нм электроны могут легко туннелировать через тонкий слой изолятора:
Р
именно такой сверхтонкий слой подзатворного диэлектрика требуется для МОП-
транзистора с боковыми размерами, равными 0,05 мкм (50 нм), обеспечивающими
УИ
приборы поколения 2012 года («Переходная область» на рис. В.1).
Тем не менее теоретические исследования показывают, что стандартные
кремниевые КМОП-структуры функциональны с геометрическими нормами
вплоть до 20–30 нм. Если изготовление приборов с такими размерами окажется
БГ
экономически целесообразно, то к 2020 году будет возможно создание систем на
кристалле с плотностью 1010–1012 компонентов (приборов и других элементов
систем на кристалле).
Выполнение закона Мура в не столь отдаленном будущем может быть огра-
а
ничено также технологическими возможностями оборудования для изготовления
ИМС и, прежде всего, возможностями литографии. Используемое в настоящее
ек
время оборудование оптической литографии обеспечивает размер линий порядка

0,1 мкм (хотя продолжающиеся научные исследования могут снизить и эту вели-
чину – область «Квантовые устройства» на рис. В.1). Многообещающи в этом от-
т
ношении исследования в области электронно-лучевой и рентгеновской литогра-

фии. Революционные результаты исследований в области литографии могут обес-
ио
печить оборудование для сканирующей туннельной микроскопии, с помощью ко-

торой можно достичь разрешения на уровне отдельных атомов (область «Размеры
атомов» на рис. В.1).
бл
Следует также отметить, что стремительный прогресс развития микроэлек-

троники сопровождается постоянным усложнением технологии, что влечет за со-
бой неуклонное удорожание оборудования. В связи с этим в начале 90-х годов
Би
встал вопрос о справедливости выполнения закона Мура в будущем и с экономи-

ческой точки зрения. Один из аргументов в пользу такого вывода состоит, в част-
ности, в экспоненциально возрастающей стоимости проектирования и оборудова-
ния, затрат на тестирование изделий и т.д.
Несомненные резервы развития нынешней и будущей микроэлектроники
открываются в разработке и использовании в системах компьютерного проекти-
рования физических моделей технологии и приборов, обеспечивающих точность
и, следовательно, надежность компьютерного проектирования ИМС с характер-
ными размерами вплоть до атомарного уровня.
Физической основой современных технологических операций формирова-
ния ИМС являются процессы взаимодействия энергетических ионов и фотонов
6
с кристаллической решеткой и диффузионные процессы массопереноса. Очевид-
но, что для микроразмерных структур (и тем более для наноразмерных) традици-
онные методы моделирования физических явлений, сопровождающих современ-
ные технологические процессы обработки полупроводниковых структур, осно-
ванные на уравнениях макроскопического тепломассопереноса, неприемлемы.
При описании таких объектов необходимо проводить анализ динамики переме-
щений отдельных атомов и эволюции исследуемого ансамбля атомов на уровне
дискретной кристаллической решетки (из первых принципов!), что возможно, на-
пример, при использовании метода молекулярной динамики [2]. C другой сторо-
ны, моделирование таких макроскопических физических явлений, как, например,
высокотемпературное окисление или осаждение пленки поликристаллического
Р
кремния из газовой фазы дает достаточно адекватные результаты в континуаль-
ном (в основном, феноменологическом) приближении методами механики
УИ
сплошных сред. Полученные из первых принципов фундаментальные характери-
стики могут использоваться как подгоночные константы в феноменологических
моделях [3].
К настоящему времени разработан целый ряд программных комплексов для
БГ
моделирования технологических операций формирования структурных элементов
приборов сверхбольших интегральных схем (СБИС). В табл. В.2 представлены
основные характеристики наиболее известных из них.
а
Таблица В.2
Основные характеристики программных средств
ек
для моделирования технологических операций микроэлектроники

SUPREM III
FABRICS-II
SSUPREM4
SUPREM II
ROMAMS
OPUS/3D
SYPRUS
IMPACT
SUPRA
т
TESIC
TEX-I
RITM
Характеристики
ио
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Пространственная размерность моделей
1 1 2 2 2 2 2 2 1 3 1 3
(1-, 2- или 3-мерная)
бл
Моделирование имплантации:
Количество слоев в мишени:
два (Si, SiO2) + + + + + + +
пять (Si, SiO2, Si3N4, p-Si, фоторезист)
Би
+ + + +
Имплантация через маску + + + + + + + + + +
Имплантируемые ионы:
B, P, As, Sb + + + + + + + + + + + +
Другие ионы + + +
Функции для описания профилей распределения
концентраций имплантированных ионов:
Гауссиана +
Гауссиана с «хвостом» + + +
Две полугауссианы + +
Пирсон IV + + + + +
Питрсон IV и эмпирический экспоненциаль-
+ + + +
ный «хвост» для бора
7
Окончание табл. В.2
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
Расчет методом Монте-Карло +
Решение транспортного уравнения Больцмана +
Особенности моделирования диффузионного
перераспределения примесей:
Коэффициенты диффузии примесей постоянны + +
P: Три области изменения коэффициента диф-
+ + + + + + + + + +
фузии
As, Sb, B: вакансионная модель коэффициента
+ + + + + + + + +
диффузии
Учет эффектов окисления OED и OISF + + +
Р
Учет высокого уровня легирования + + + + + + + +
Учет дрейфового члена, обусловленного нали-
+ + + + + + +
УИ
чием других заряженных примесей
Учет кластерообразования + + + + + + + +
Численное решение уравнения Фика + + + +
Моделирование роста пленки окисла:
Модель Дила–Гроува + + + + + + + + +
БГ
Учет зависимости коэффициентов в модели
Дила–Гроува от технологических параметров:
+ + + + +
давления, состава среды, уровня легирования,
ориентации подложки
Моделирование эпитаксии:
а
Рост эпипленки из газовой фазы + + +
ек
Автолегирование эпипленки + +
Моделирование травления + + + + +
Моделирование осаждения поликремния + + + +
Язык программирования (F – Fortran,
т
P C C F F P P P F C C D
P – Pascal, C – язык С+, D – Delphi)
Операционная система (M – MS DOS, W
W
ио
W – Windows, U – Unix) U
Аппаратная платформа (P – PC, P, P, W,
S P P P P P P S P
M – Macintosh, S – WorkStation) S S M
бл
Каждая из приведенных в табл. В.2 программ моделирования технологии

обладает своими достоинствами и недостатками, связанными с целями, которые
преследовались при их создании, и аппаратно-программными возможностями
Би
разработчиков.
Программа SUPREM II [4–6] позволяет «конструировать» профиль распре-
деления ионно-имплантированных примесей (четыре типа имплантируемых при-
месей, двухслойная структура, профиль распределения концентрации ионно-
имплантированных примесей – статистические функции Гаусса и Пирсон IV); при
моделировании диффузионного перераспределения примесей учитывается повы-
шение коэффициентов диффузии примесей при окислении и эффект кластерооб-
разования.
В программе SUPREM III [7] профиль распределения ионно-
имплантированных примесей рассчитывается посредством использования функ-
ции Пирсон IV; при расчете коэффициентов диффузии примесей учтен эффект
8
высокого уровня легирования; в исходное уравнение диффузии введен дрейфовый
член, обусловленный наличием заряженных примесей; автолегирование эпиплен-
ки при ее росте из легированной подложки рассчитывается путем решения урав-
нения второго закона Фика с соответствующими граничными условиями.
Программы SUPREM II и III одномерны (как и отечественные программы
TEX-I [8] и RITM [9], которые, в основном, подобны комплексу SUPREM-II). По-
следняя версия программы SUPREM – SSUPREM4, входящая в состав комплекса
ATHENA для проектирования технологии/прибора/схемы компании Silvaco
[10–13], отличается двухмерностью расчетов и использованием современных фи-
зических моделей технологических процессов.
Отличительные особенности программных комплексов SUPRA [14],
Р
IMPACT [15], ROMANS II [16], FABRICS [17] и OPUS/3D [18] состоят в том, что
они основаны на двухмерном физическом моделировании процессов имплантации
УИ
примесей через окно в маске, термического отжига в окислительной среде и авто-
легирования при эпитаксиальном наращивании кремниевой подложки. Эти про-
граммы характеризуются использованием физических моделей и вычислительных
методов различного уровня – от программы SUPRA, в которой осуществляется
БГ
двумерное моделирование имплантации через маску, и процесса эпитаксии, до
программы OPUS/3D, в которой реализовано квазитрехмерное решение диффузи-
онного уравнения перераспределения примесей.
Программа SYPRUS [19] предназначена для моделирования стандартной
а
КМОП-технологии с использованием аналитических решений физических моде-
лей базовых технологических операций.
ек
Следует отметить, что из перечисленных программных комплексов только

программы SSUPREM4 и FABRICS обладают возможностями для решения важ-
нейшей задачи компьютерного проектирования в микроэлектронике – статисти-
т
ческого моделирования технологии с целью оптимизации технологического про-

цесса посредством анализа влияния флуктуаций технологических параметров на
ио
выходные характеристики моделирования. Однако программа FABRICS одно-

мерна, и статистическое моделирование в ней осуществляется не на физической
основе, а посредством использования аналитических полуэмпирических соотно-
бл
шений. В программах SSUPREM4 и SYPRUS статистический анализ осуществля-

ется посредством прямого численного моделирования. Такой подход требует
чрезвычайно больших вычислительных затрат.
Би
В программе TESIC (TEchnology Simulation of Integrated Circuits) сочетают-

ся многомерность (вплоть до 3-мерного) моделирования базовых технологиче-
ских операций формирования структурных элементов приборов микроэлектрони-
ки с современным подходом к задаче статистического проектирования и оптими-
зации технологии, основанным на RSM-методологии [20–22].
Достаточно подробный анализ состояния проблемы моделирования прибо-
ров микроэлектроники и соответствующих программных средств на конец 80-х
годов прошлого века изложен в работах [14, 23–25]. Наиболее полная реализация
разработанных с тех пор физических моделей переноса носителей заряда, являю-
щихся основой приборного моделирования, осуществлена в программе
SPISCES2 [26], входящей в состав комплекса SILVACO. Этой программе уделено
9
особое внимание в данном пособии, учитывая тот факт, что программы
SSUPREM4 и SPISCES2 функционируют в одной оболочке. Таким образом резуль-
таты моделирования технологии с использованием SSUPREM4 являются входными
данными для SPISCES2, что позволяет использовать связи между этими программа-
ми для осуществления эффективной процедуры оптимизации как параметров тех-
нологии, так и электрических характеристик проектируемого прибора.
В первом разделе пособия описываются физические модели базовых техно-
логических операций микроэлектроники с акцентом на модели, используемые в
современных программных комплексах проектирования технологии ИМС. При-
ведены также способы решения некоторых простых задач, которые можно ис-
пользовать в инженерно-физическом приближении.
Р
Во втором разделе описываются физические модели, используемые в со-
временных программных средствах проектирования приборов микроэлектроники,
УИ
в частности, в программе SPISCES2.
Пособие предназначено для углубленного освоения учебных дисциплин,
связанных с изучением методов и программных средств проектирования и моде-
лирования в микроэлектронике. Ознакомление и приобретение навыков работы в
БГ
среде современных средств компьютерного проектирования ИМС являются необ-
ходимыми компонентами подготовки и повышения квалификации профессио-
нальных инженеров-проектировщиков интегральных схем, а также магистрантов,
аспирантов и научных работников.
а
Авторы выражают признательность профессору Дж. Д. Пламмеру из Стен-
фордского университета за любезное разрешение поместить в книге ряд иллюст-
ек
раций, взятых из его научных работ, а также компании SILVACO за предостав-

ленную возможность использовать в пособии некоторые иллюстративные мате-
риалы, содержащиеся в технической документации к программным модулям
т
ATHENA (технологическое проектирование) и ATLAS (проектирование приборов

микроэлектроники), академическими лицензиями на использование которых об-
ио
ладает кафедра микро- и наноэлектроники Белорусского государственного уни-

верситета информатики и радиоэлектроники.
Основной труд написания пособия принадлежит В. В. Нелаеву. Доработка всех
бл
разделов пособия и его техническое оформление осуществлены В. Р. Стемпицким.

В разработке модуля GUI-SUPREM участвовали магистрант кафедры мик-
ро- и наноэлектроники К. А. Кудин и аспирант кафедры микро- и наноэлектрони-
Би
ки М. Н. Найбук.
10
1. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Современные ионно-фотонные технологические методы формирования

сверхбольших сверхбыстродействующих интегральных схем (ССБИС) с субмик-
ронными характерными размерами структурных элементов обеспечиваются ис-
пользованием низкотемпературных, неравновесных, импульсных и радиационно-
стимулированных технологических операций. К таким прогрессивным техноло-
гическим операциям относятся ионная имплантация, лазерный и электронный от-
жиг, газофазное, плазмохимическое и молекулярно-лучевое осаждение пленок,
плазмохимическое и ионное травление. Только низкотемпературная ионно-
Р
фотонная технология может обеспечить получение субмикронных размеров
ССБИС путем минимизации боковых и вертикальных размеров легированных об-
УИ
ластей, лучшую контролируемость планарности слоев и равномерности их леги-
рования, снижение дефектности обрабатываемых структур, повышение специаль-
ных характеристик приборов, как, например, радиационная стойкость.
Процесс изготовления ССБИС представляет собой последовательность де-
БГ
сятков технологических операций, являющихся комбинацией лишь небольшого
числа базовых операций, к которым относятся:
- легирование (имплантационное и диффузионное);
- «разгонка» примесей посредством высокотемпературной обработки;
а
- модификация поверхности (окисление, эпитаксия, осаждение тонких пле-
нок, металлизация);
ек
- литография (перенос рисунка обрабатываемой структуры на поверхность

пластины).
Рассмотрим в качестве примера технологический маршрут формирования
т
типичной приборной структуры микроэлектроники.

ио
1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.

КМОП-технология
бл
В последние 15 лет наиболее популярной среди процессов изготовления

ССБИС является КМОП-технология (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,
CMOS). Предпочтительность приборов на КМОП-структурах объясняется их вы-
сокой и гибкой функциональностью, относительно низким напряжением питания,
Би
размерной масштабируемостью.
КМОП-технология, основанная на технологии формирования МОП-
транзисторов n- и p-типов на одной подложке, используется для изготовления
различных типов логических устройств, а также резисторов, конденсаторов, тон-
копленочных транзисторов и других элементов микроэлектроники. Конечная
структура типичной КМОП схемы изображена на рис. 1.1.
Кроме активных приборов на этом рисунке можно видеть и другие струк-
турные элементы, включая электрическую изоляцию между n-МОП- и p-МОП-
транзисторами, многоуровневую систему электрических соединений между ак-
11
тивными компонентами схемы, а также области, обеспечивающие снижение эф-
фектов паразитных резисторов.
Исходными данными для формирования любых структур приборов микро-
электроники является информация о кремниевой подложке. В общем случае не-
обходимо задать тип ее проводимости (n- или p-), удельную проводимость (опре-
деляемую концентрацией легирующих примесей) и кристаллографическую ори-
ентацию. КМОП-структура обычно формируется на подложке p-типа, характери-
зующейся достаточно высокой величиной удельной проводимости (25–50 Oм⋅см,
что соответствует уровню легирования ∼1015 см-3). Активные компоненты форми-
руются в приповерхностных областях подложки (так называемых «карманах»,
well) с повышенным уровнем концентрации примесей (∼1016–1017 см-3). На
Р
рис. 1.1 изображена КМОП-структура, сформированная на двух карманах n- и p-
типа проводимости.
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.1. Сечение современной КМОП-структуры с двумя уровнями

металлизации. Справа – n-МОП-, слева – p-МОП-транзисторы.
Би
Показаны выводы к истоку S (Source), стоку D (Drain) и затвору G (Gate)
Современные кремниевые интегральные схемы формируются на подложках

с <100> кристаллографической ориентацией, поскольку именно с такой ориента-
цией получаются наилучшие свойства поверхности раздела «кремний–двуокись
кремния» (Si/SiO2).
Рассмотрим поэтапно технологический маршрут формирования КМОП-
структуры, чтобы показать многообразие технологических операций, входящих
в состав всего маршрута [27].
12
1. Химическая обработка кремниевой пластины с целью очистки ее поверх-
ности.
2. Создание на поверхности подложки тонкого ∼40 нм (0,04 мкм, 400 Å)
слоя окисла посредством окисления в атмосфере сухого кислорода (45 мин,
1000 °С).
3. Осаждение из газовой фазы при низком давлении (Low Pressure Chemical
Vapor Deposition, LPCVD) тонкого ∼80 нм слоя нитрида кремния (Si3N4). Осажде-
ние Si3N4 на кремниевую подложку приводит к созданию высоких сжимающих
напряжений на поверхности, поэтому основная цель предыдущей операции осаж-
дения тонкого слоя окисла состоит в их устранении посредством частичной ком-
пенсации напряжений, возникающих в окисле и в нитриде кремния.
Р
4. Осаждение слоя фоторезиста (∼1 мкм), используемого в качестве маски-
рующего слоя. Промежуточное состояние структуры после операций 1–4 изобра-
УИ
жено на рис. 1.2.
БГ
а
ек
т
Рис. 1.2. Состояние структуры после операций 1–4
5. Фотолитография (маска №1) для последующего формирования изоляци-

ио
онных областей посредством проведения LOCOS-процесса (LOCal Oxidation Sili-

con).
6. Травление определенных областей структуры.
бл
Состояние структуры после операций 5–6 изображено на рис. 1.3.

Би
Рис. 1.3. Травление – подготовка к проведению LOCOS-процесса
13
7. Снятие слоя фоторезиста с использованием фотолитографического про-
цесса. Современные установки для проведения фотолитографии обеспечивают
формирование линий толщиной порядка 0,25 мкм с точностью локального распо-
ложения менее 100 нм. Типичная стоимость оборудования для проведения такого
сложного процесса составляет до миллиона долларов.
8. Проведение LOCOS-процесса (длительность – 90 мин, температура –
1000 °C в среде H2O) для формирования толстого (∼0,5 мкм), так называемого по-
левого, слоя окисла (field oxide), предназначенного для боковой изоляции актив-
ных элементов (МОП-транзисторов) КМОП-структуры (рис. 1.4).
Р
УИ
БГ
Рис. 1.4. Результат проведения LOCOS-процесса
а
Далее проводятся операции создания изоляции между активными элемен-
ек
тами КМОП-структуры. Эта последовательность операций не входит в основной

маршрут формирования активных элементов рассматриваемой структуры, но яв-
ляется важной и необходимой в современной технологии микроэлектроники.
т
Прогрессивным способом создания изоляционных областей является технология с

использованием мелких канавок (Shallow Trench Isolation, STI). Приведем после-
ио
довательность операций, реализующих STI-технологию:

- предварительные операции те же, которые используются в LOCOS-
процессе. На поверхности подложки термически выращивается слой SiO2
бл
(10–20 нм) и осаждается слой Si3N4 (50–100 нм), как показано на рис. 1.3;
- нанесение фоторезиста (рис. 1.4);
- травление в определенных местах окисла и нитрида кремния (фоторезист
используется как маска);
Би
- локальное травление кремниевой подложки с целью формирования мелко-

залегающих канавок. Канавки должны иметь слегка наклонные стенки. Кроме то-
го, углы канавок должны быть слегка закруглены. Эти условия необходимы для
устранения образования полостей внутри окисла кремния, которым будут в даль-
нейшем заполняться канавки;
- термическое осаждение тонкого (10–20 нм) слоя SiO2 на боковые стенки и
на дно канавок;
- осаждение толстого слоя SiO2 в CVD или HDP (осаждение в плазме высо-
кой плотности, High Density Plasma) процессе для заполнения канавки;
14
- заключительная операция формирования изоляции в STI-процессе – пла-
наризация поверхности методом химико-механического полирования (Chemical-
Mechanical Polishing, CMP).
Вернемся теперь к основному маршруту формирования активных элементов
КМОП-структуры. Операция 8 была проведена как подготовительная для форми-
рования p-кармана в p-подложке для будущего n-МОП-транзистора и симметрич-
но расположенного p-МОП-транзистора в n-кармане.
9. Осаждение слоя фоторезиста для формирования p-кармана.
10. Фотолитография. Маска №2 используется для формирования p-кармана,
а маска №3 для формирования p-МОП-транзистора в n-кармане.
11. Имплантационное легирование бором области p-кармана (доза 1013 см-2,
Р
энергия ∼150–200 кэВ) через слой SiO2 для предотвращения эффекта каналирова-
ния. Отметим, что выбранная энергия ионов обеспечивает их прохождение через
УИ
толстый слой полевого окисла. Концентрация бора в p-кармане составляет
∼5⋅1016–1017 см-3 (рис. 1.5).
БГ
а
ек
т
ио
бл

Би
12. Снятие слоя фоторезиста химическим способом или в кислородной

плазме.
13. Осаждение слоя фоторезиста.
14. Литография (маска №3 используется для определения областей форми-
рования n-кармана).
15. Ионная имплантация фосфора (энергия ∼300–400 кэВ) для легирования
области n-кармана (рис. 1.6).
15
Р
УИ
Рис. 1.6. Фоторезист используется в качестве маски для формирования
n-МОП-прибора. Имплантация фосфора проводится для легирования
n-кармана, в котором будет образован p-МОП-транзистор
БГ
Отметим, что энергия ионов фосфора должна быть выше, чем в идентичной
операции легирования бором (операция 11), поскольку масса атома фосфора (33)
гораздо выше, чем масса атома бора (11), и атому фосфора требуется большая
а
энергия, чтобы проникнуть в процессе ионной имплантации через такой же слой
ек
окисла, что и в операции 11. Доза имплантации фосфора примерно такая же, как и
доза имплантации бора в операции 11.
16. Высокотемпературная разгонка примесей в p- и n-карманах в инертной
т
среде (длительность 4–6 часов при температуре 1000–1100 °С) для формирования
p- и n-переходов на глубине порядка нескольких микрон (рис. 1.7).
ио
бл
Би
Рис. 1.7. Высокотемпературная разгонка для формирования p- и n-карманов
17. Снятие слоя фоторезиста и химическая очистка поверхности кремниевой

подложки.
Следующие операции проводятся для формирования активных областей
КМОП-структуры. Существуют различные способы достижения этой цели. Здесь
описываются только некоторые из них.
16
18. Осаждение тонкого слоя окисла.
19. Осаждение слоя нитрида кремния (Si3N4).
21. Фотолитография для удаления слоев фоторезист–Si3N4–SiO2 в опреде-
ленных областях.
22. Ионная имплантация (доза ∼1013 см-2, энергия ∼50 кэВ) для подлегиро-
вания бором той области подложки, где будет формироваться область боковой
изоляции (рис. 1.8). Энергия ионов должна быть такой, чтобы они не проникли
через слой полевого окисла.
Р
УИ
БГ
а
ек
Рис. 1.8. Имплантация бора до проведения LOCOS-процесса (см. рис. 1.4) с целью
т
повышения степени легирования подложки в области под полевым окислом

для минимизации проблем, связанных с инверсией поля в МОП-транзисторе
ио
23. Создание p-областей посредством высокотемпературного осаждения по-

левого слоя окисла в LOCOS-процессе с одновременной диффузией бора для
формирования p-областей под ним (рис. 1.9).
бл
Би
Рис. 1.9. Состояние формируемой структуры после проведения LOCOS-процесса
17
24. Формирование p- и n-карманов, как и в процессах, иллюстрируемых
рис. 1.6 и 1.7, но отличающихся тем, что энергии имплантации бора и фосфора
здесь ниже (∼50 кэВ), чтобы эти ионы не проникли через полевой окисел
(рис. 1.10). Отметим, что при этом отсутствует необходимость использования
специальной маски, как при проведении операций 13–15, поскольку используется
та же маска, что и при проведении LOCOS-процесса.
Р
УИ
Рис. 1.10. Вариант формирования активных областей
БГ
КМОП-структуры после создания p- и n-карманов
Современные КМОП-структуры формируются на подложках, которые име-

ют скрытые высоколегированные слои, расположенные под активными прибора-
а
ми. Возможно также формирование КМОП-структур на высоколегированных
ек
подложках. Такие высоколегированные области позволяют минимизировать про-

блему «защелкивания» МОП-транзистора. Этот эффект связан с наличием пара-
зитных p-n-p-n-элементов, обладающих такими нежелательными вольт-
т
амперными характеристиками, которые могут привести к выходу из строя прибо-

ра. Высоколегированные слои под областями активных приборов шунтируют па-
разитные элементы, имеющие низкие значения сопротивления, что предотвраща-
ио
ет их включение и, следовательно, снимает вероятность «защелкивания».

Рассмотрим этапы формирования таких высоколегированных скрытых сло-
ев. Исходное состояние соответствует рис. 1.2.
бл
Для формирования областей, где будет образован n+-скрытый слой, исполь-

зуется маска №1 (рис. 1.11).
25. Ионная имплантация (доза ∼1015 см-2, энергия ∼50 кэВ) для легирования
Би
области скрытого слоя. В этой операции могут использоваться ионы как мышья-
ка, так и сурьмы. Обычно используются ионы мышьяка, поскольку мышьяк имеет
более высокий предел растворимости в кремнии.
26. Снятие слоя фоторезиста в кислотной среде или в кислородной плазме.
18
Р
УИ
Рис. 1.11. Локальная имплантация ионов мышьяка,
используемая при формировании скрытых и эпитаксиальных слоев.
БГ
Маска №1 используется для задания областей n+-скрытых слоев
27. Высокотемпературная обработка, сопровождающаяся несколькими эф-

фектами. Во-первых, при этом разгоняются n+-примеси до глубины залегания p-n-
а
перехода ∼1–2 мкм. Во-вторых, часть процесса разгонки проводится в окисли-
тельной среде (H2O). При этом выращивается толстый слой окисла на поверхно-
ек
сти подложки только над n+-областями вследствие наличия в необходимых облас-

тях слоя Si3N4. Возможность использования одной маски для создания как n+-, так
и p+-скрытых слоев обеспечивается проведением LOCOS-процесса (толщина слоя
т
SiO2 ∼0,4 мкм). В-третьих, в процессах разгонки и окисления создается ступенька

на кремниевой подложке вблизи краев n+-скрытых слоев. Эта ступенька будет иг-
ио
рать важную роль после проведения операции выращивания эпислоя кремния на

этих скрытых слоях. Результирующая структура показана на рис. 1.12.
бл
Би
Рис. 1.12. Разгонка n+-скрытого слоя после удаления фоторезиста.

Формирование толстого слоя окисла над n+-областью в LOCOS-процессе.
28. Снятие слоя Si3N4.
19
29. Ионная имплантация (доза ∼1014 см-2, энергия ∼50–75 кэВ) для легирова-
ния области p+-скрытого слоя (рис. 1.13). Здесь важно свойство самосовмещения
обоих (n+- и p+-) слоев. Толстый слой окисла над n+-скрытым слоем препятствует
проникновению имплантируемых p+-ионов (бор), тогда как исходный тонкий слой
окисла прозрачен для проникновения имплантируемых ионов.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.13. Использование толстого слоя SiO2
в качестве маски при имплантации фосфора
а
ек
30. Высокотемпературная разгонка бора и мышьяка вглубь подложки

в инертной среде (несколько часов при температуре 1000–1100 °С) (рис. 1.14).
т
ио
бл
Би
Рис. 1.14. Одновременная разгонка фосфора и бора в результате

длительной высокотемпературной обработки
31. Снятие слоя окисла в растворе HF.

32. Химическая очистка.
33. Наращивание эпитаксиального слоя толщиной несколько микрон с од-
новременным легированием бором или мышьяком (температура 800–1000 °C, ис-
точник кремния – силан SiH4, источник легирующей примеси – борин B2H6 или
фосфин AsH3) – рис. 1.15. Здесь эпислой не легирован, поскольку имплантацион-
20
ное легирование отдельных его областей будет проводиться в последующих опе-
рациях.
Р
УИ
Рис. 1.15. Результат наращивания эпитаксиального слоя.
Итак, скрытые высоколегированные слои для предотвращения эффекта «за-

щелкивания» созданы. Далее проводятся уже рассмотренные операции для подго-
БГ
товки и проведения LOCOS-процесса (см. рис. 1.2–1.4) и формирования n- и p-
карманов (см. рис. 1.5–1.7).
34. Соединение карманов со скрытыми слоями посредством диффузии соот-
ветствующих примесей в процессе высокотемпературной обработки (рис. 1.16).
а
Условия проведения этих операций (несколько часов при температуре 1000–
1100 °С) зависят от толщины эпислоя.
ек
т
ио
бл
Рис. 1.16. Состояние формируемой структуры после операции 34

Би
Следует отметить, что формирование скрытых эпитаксиальных слоев тре-

бует только одной дополнительной маски.
Вернемся теперь к описанию основного маршрута, начиная с рис. 1.7.
Важной целью проектирования технологического маршрута формирования
КМОП-структуры является правильный выбор параметров технологических опе-
раций для получения необходимых значений пороговых напряжений как для n-,
так и p-МОП-транзисторов.
В современных КМОП-приборах пороговое напряжение VTH составляет 0,5–
0,8 В (положительное для n-МОП и отрицательное для p-МОП-приборов). Оце-
ночное выражение для порогового напряжения:
21
2ε s qN A (2φ f ) qQI
VTH = VFB + 2φ f + + , (1.1)
Cox Cox
здесь VFB – напряжение на затворе, необходимое для компенсации разницы работ

выхода для материалов затвора и подложки и электрических зарядов в подзатвор-
ном окисле, φf – энергия Ферми для кремния, εs – диэлектрическая проницаемость
для кремния, NA – концентрация примесей в подложке, Cox – емкость подзатвор-
ного окисла, QI – доза легирующих примесей в области канала.
Очевидно, что величины NA, Cox и QI определяются технологическими пара-
Р
метрами.
УИ
36. Фотолитография для открытия областей, где будет сформирован
n-МОП-транзистор (маска №4).
37. Ионная имплантация бора (доза ∼1–5⋅1012 см-2, энергия ∼50–75 кэВ) в
область канала будущего n-МОП-транзистора для получения заданного значения
БГ
VTH (рис. 1.17). Энергия имплантации, с одной стороны, должна быть достаточно
высокой, чтобы ионы проникли через тонкий слой окисла, и, с другой стороны, не
слишком высокой, чтобы имплантированные ионы бора проникли не слишком
глубоко от поверхности кремниевой подложки. Значение дозы QI вычисляется из
а
выражения (1.1) для VTH.
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.17. Легирование бором области канала для получения

заданного значения порогового напряжения n-МОП-транзистора
На рис. 1.18 иллюстрируется такая же последовательность операций для

формирования p-МОП прибора (используется маска №5).
39. Фотолитография для открытия областей, где будет сформирован
p-МОП-транзистор (маска №5).
22
40. Ионная имплантация мышьяка для получения заданного значения VTH
p-МОП-транзистора. Доза имплантации в этом случае должна быть такой же, как
и в операции 37, а энергия имплантации должна быть выше, поскольку ионы
мышьяка имеют большую массу, чем бор.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.18. Легирование мышьяком области канала для получения заданного
значения порогового напряжения n-МОП-транзистора
а
ек
41. Травление в растворе HF для снятия тонкого слоя (∼10–20 нм) окисла
над областью, где формируются активные приборы.
42. Выращивание тонкого (в современных приборах менее 10 нм) слоя
т
окисла кремния для формирования подзатворного диэлектрика МОП-транзистора

(120 мин, 800 °С в сухом кислороде или 25 мин, 800 °С во влажной среде).
Необходимость снятия исходного и последующего наращивания нового
ио
слоя окисла обусловлена лучшей контролируемостью операции наращивания

окисла, чем травления. Кроме того, вновь выращенный слой окисла характеризу-
ется более высоким качеством структуры. Результирующая структура показана на
бл
рис. 1.19.
Би
Рис. 1.19. Формирование подзатворного окисла для p- и n-МОП-транзисторов
23
43. Осаждение поликремниевого электрода толщиной ∼0,3–0,5 мкм
в LPCVD-процессе при температуре 600 °С (рис. 1.20).
44. Ионная имплантация n-типа примеси для подлегирования поликремния
(доза ∼5⋅1015 см-2, величина энергии некритична). Легирование поликремния мо-
жет быть осуществлено и на этапе 43 (осаждение поликремния с одновременным
легированием, in-situ doping). В таком случае операция 44 отсутствует.
45. Разгонка примеси в поликремнии в процессе высокотемпературной об-
работки.
47. Фотолитография (маска №6).
Р
УИ
БГ
а
Рис. 1.20. Осаждение пленки поликремния для формирования
ек
затворов p- и n-МОП-транзисторов
48. Локальное плазмохимическое травление поликремния (рис. 1.21).

т
ио
бл
Би
Рис. 1.21. Формирование p- и n-МОП-транзисторов (маска №6)
Слой поликремния может быть использован в качестве соединения между

активными приборами (например, для соединения поликремниевых затворов n- и
p-МОП-приборов). В этом случае поликремний используется в качестве первого
уровня межсоединений. Однако поскольку слоевое сопротивление поликремния
(∼10 Ом/кв) гораздо выше, чем металла (≤ 0,1 Ом/кв), поликремний используется
только в случае коротких межсоединений.
24
Таким образом, следующая последовательность операций предназначена
для имплантационного введения n- и p-примесей в исток-стоковые области буду-
щих n-МОП и p-МОП транзисторов соответственно (рис. 1.22, 1.23) и для форми-
рования тонкого слоя окисла вдоль краев поликремниевых затворов
(рис. 1.24, 1.25). Эти операции необходимы для удовлетворения условий масшта-
бирования МОП-приборов.
За последние 10 лет характерные размеры МОП-приборов снизились
с ∼1 мкм до <0,25 мкм, а напряжение питания – с ∼5 В всего лишь до ∼2,5–3,3 В.
Если с уменьшением размеров транзисторных структур не происходит соответст-
вующего масштабирования напряжения питания, возникает проблема, связанная с
резким увеличением электрических полей в структурных элементах. Так, при
Р
длине канала МОП-транзистора, равной 2 мкм, и напряжении питания 5 В среднее
электрическое поле в канале составляет ∼2,5⋅104 В/см. Уменьшение длины канала
УИ
до 0,5 мкм без снижения напряжения питания приводит к повышению электриче-
ского поля в канале до ∼105 В/см, что влечет проблемы, связанные с так называе-
мыми «горячими» электронами. Носители заряда (электроны или дырки), разо-
гнанные в таких высоких электрических полях, вызывают эффект ударной иони-
БГ
зации, в результате которого создаются дополнительные электронно-дырочные
пары за счет разрыва Si-Si-связей. Кроме того, такие высокоэнергетические элек-
троны могут преодолеть довольно высокий энергетический барьер (∼3,2 эВ) меж-
ду зоной проводимости кремния и зоной проводимости SiO2. Это приводит к ин-
а
жекции дополнительных носителей в область подзатворного диэлектрика и, сле-
ек
довательно, к нестабильности функционирования прибора.

Для устранения указанных эффектов высоких электрических полей уровень
легирования в области стока повышают с целью создания n+n-p-профиля между
т
стоком и каналом в n-МОП-транзисторе и, соответственно, p+-p--n- в p-МОП-

транзисторе. Это позволяет плавно уменьшить уровень напряжения на стоке на
гораздо большее расстояние, чем в случае резкого n+-p (p+-n)-перехода без подле-
ио
гирования стока, что понижает уровень электрических полей вблизи области сто-
ка. Такой прием подлегирования стока используется в так называемой LDD
(Lightly Doped Drain) технологии формирования КМОП-структуры.
бл
49. Удаление слоя фоторезиста в нужной области.

51. Ионная имплантация фосфора (n-тип примеси) для подлегирования об-
Би
ласти стока n-МОП-транзистора (доза ∼5⋅1013–5⋅1014 см-2, энергия ∼30 кэВ)

(рис. 1.22).
25
Р
УИ
Рис. 1.22. Использование маски №7 и имплантации фосфора
для формирования LDD-области в n-МОП-транзисторе
БГ
Аналогичные операции 50–52 (имплантируемая примесь – бор, фотолито-
графия с маской №8) проводятся для формирования LDD-области в p-МОП-
транзисторе (рис. 1.23).
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.23. Использование маски №8 для имплантации бора

при формировании LDD-области в p-МОП-транзисторе
В современной технологии формирования КМОП-структуры используется

несколько низкоэнергетических операций ионного подлегирования областей сто-
ка (истока) с различными величинами доз и энергий (и даже с разными наклонами
направления ионного пучка относительно поверхности подложки) для создания
прецизионного профиля легированных примесей вблизи края области стока (ис-
тока), чтобы минимизировать эффекты короткого канала, связанные с распро-
26
странением электрического поля вглубь канала, что приводит к снижению потен-
циального барьера для носителей между областями истока и канала и, в конечном
счете, к снижению эффективности управления тока в стоке напряжением на за-
творе.
52. Осаждение тонкого (порядка нескольких сотен нанометров) конформно-
го слоя диэлектрика (SiO2 или Si3N4) в LPCVD-процессе для создания изоляции
(рис. 1.24).
Р
УИ
БГ
Рис. 1.24. Осаждение конформного слоя SiO2
для формирования изоляции вдоль краев поликремниевого затвора
а
53. Анизотропное травление (вертикальное, но не горизонтальное!) осаж-
денного слоя SiO2/Si3N4 (рис. 1.25) с целью его удаления вдоль краев поликрем-
ек
ния.
т
ио
бл
Рис. 1.25. Стравливание лишнего окисла для формирования

Би
изоляции вдоль краев поликремния
Далее необходимо ввести легирующие примеси в области истока/затвора

как n-МОП-, так и p-МОП-транзисторов посредством ионной имплантации. Вна-
чале эта процедура проводится для формирования областей истока/затвора n-
МОП-транзистора.
54. Осаждение тонкого «экранирующего» слоя окисла для подавления эф-
фекта каналирования, сопровождающего последующую операцию ионного леги-
рования.
55. Нанесение слоя фоторезиста.
27
57. Ионная имплантация мышьяка (n-тип примеси) для легирования облас-
тей истока и затвора n-МОП-транзистора (доза ∼2–4⋅1015 см-2, энергия ∼75 КэВ) –
рис 1.26. При указанных величинах дозы и энергии мышьяк проникает через «эк-
ранирующий» слой окисла. При этом обеспечивается достаточно мелкая глубина
залегания p-n-перехода.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.26. Формирование областей стока и истока n-МОП-транзистора
а
ек
58, 59, 60. Эти операции, аналогичные операциям 55–57 (имплантируемая

примесь – бор, фотолитография с маской №10), проводятся для формирования
областей истока/затвора p-МОП-транзистора (рис 1.27).
т
ио
бл
Би
Рис. 1.27. Формирование областей стока и истока p-МОП-транзистора
61. Длительная (30 мин, ∼900 °С) или быстрая (∼1 мин, 1000–1050 °С) тер-
мическая обработка – последняя стадия формирования активных приборов
28
КМОП-структуры (рис. 1.28). Дефекты кристаллической решетки, образованные
при проведении предыдущих операций имплантационного легирования, отжига-
ются. При этом используется важный эффект повышения коэффициента диффу-
зии примесей в присутствии повышенной концентрации точечных дефектов (ва-
кансий и междоузлий) – так называемый Transient Enhanced Diffusion (TED) эф-
фект. Использование этого эффекта в современной технологии микроэлектроники
играет решающую роль при формировании мелких глубин залегания p-n-
переходов, что важно для обеспечения масштабируемости характеристик прибо-
ров при переходе к субмикронной технологии.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.28. Высокотемпературная разгонка примесей для формирования
окончательных p-n-переходов элементов КМОП-структуры
а
ек
Следующие операции проводятся для формирования межсоединений от-

дельных элементов КМОП-структуры. В описываемой технологии используется
три уровня межсоединений. Этапы формирования первого, нижнего уровня ил-
т
люстрируются рис. 1.29–1.32.

62. Снятие окисла из тех областей, где будут формироваться контакты к ле-
ио
гированным областям кремниевой подложки и к поликремнию. Эта операция

проводится посредством безмасочного травления в среде HF, поскольку вытрав-
ливаемый слой окисла (экранирующий, выращенный перед формированием об-
ластей истока/стока) достаточно тонкий (∼10 нм) (см. рис. 1.29).
бл
Би
Рис. 1.29. Травление окисла в областях истока/стока

и на верхней поверхности поликремния
29
63. Осаждение тонкого (50–100 нм) слоя титана посредством магнетронного
распыления (рис. 1.30).
Р
УИ
Рис. 1.30. Осаждение титана методом распыления
БГ
а
ек
Рис. 1.31. Формирование пленок TiSi2 (области, выделенные

т
темным цветом) и TiN (области серого цвета)

ио
64. Формирование силицида титана TiSi2 в процессе высокотемпературной

обработки (∼600 °С, ∼1 мин) в среде азота посредством химической реакции меж-
ду Ti и Si (рис 1.31). TiSi2 – отличный проводник (на рисунке этот слой выделен
бл
темным цветом). Он образует низкоомные контакты с n+- и p+-областями кремния

и поликремния. В процессе проведения этой операции Ti реагирует и с N2, обра-
зуя нитрид титана TiN (области серого цвета на рис 1.31). TiN также хороший
Би
проводник, хотя его электропроводность ниже электропроводности большинства

металлов. По этой причине нитрид титана используется лишь для локальных или
коротких соединений.
67. Высокотемпературная обработка (∼800 °С, ∼1 мин) в среде аргона для
коррекции сопротивлений слоев TiN и TiSi2 до 10 и 1 Ом/кв соответственно.
68. Удаление лишних областей TiN посредством химического травления
(см. рис. 1.32).
30
Р
УИ
69. Удаление «островков» фоторезиста.
Следующие операции проводятся для формирования остальных двух слоев
металлических соединений (рис. 1.33–1.39). Прежде всего, проводится планариза-
БГ
ция поверхности (сглаживание ее топографии) с целью удаления выступов и впа-
дин на поверхности, образовавшихся на предыдущих этапах осаждения тонких
пленок, для получения качественных слоев металла.
70. Осаждение толстого (∼1 мкм) конформного слоя окисла в CVD- или
а
LPCVD-процессе. В современной технологии вместо окисла осаждаются фосфор-
силикатные (ФCC) или бор-фосфор-силикатные стекла (БФCC), пленки окисла
ек
кремния, легированные фосфором или бором. Иногда на слой ФCC или БФCC до-
полнительно осаждается пленка нелегированного окисла (см. рис 1.33). Фосфор
служит для защиты от проникновения примесей из n+-областей в активные облас-
т
ти, что приводит к нестабильности функционирования МОП-приборов. Добавка

бора снижает температуру, при которой осажденный окисел «растекается» по по-
ио
верхности.
бл
Би
Рис. 1.33. Осаждение конформного слоя окисла в LPCVD-процессе
31
71. «Растекания» ФCC или БФCC по поверхности еще недостаточно для ка-
чественной планаризации топографии поверхности, поэтому необходимы допол-
нительные меры для достижения этой цели – например, осаждение фоторезиста,
который заполняет все неровности поверхности, поскольку он находится в жид-
кой фазе.
72. Безмасочное плазменное травление. В современной технологии эта опе-
рация заменяется химико-механическим полированием (Chemical-Mechanical
Polishing, CMP) – совместным использованием установки для полирования и об-
работки в среде жидкого раствора кремнезема. Результат иллюстрируется
рис. 1.34.
Р
УИ
БГ
а
Рис.1.34. Планаризация поверхности окисла в CMP-процессе
ек
Следующие операции предназначены для открытия областей, в которых бу-

дет сформирован контакт между первым уровнем металла и нижележащей струк-
турой.
т

ио
75. Плазменное травление SiO2 для получения отверстий, через которые бу-
дет осуществлено формирование контактов (рис. 1.35).
бл
Би

32
76. Стравливание фоторезиста.
Далее проводятся операции для сохранения планарности поверхности по-
средством осаждения слоев металлов.
77. Магнетронное или CVD-осаждение тонкого (несколько десятков нано-
метров) слоя Ti или двойного слоя Ti/TiN для обеспечения хорошей адгезии на
пленку SiO2 и на другие материалы структуры. TiN служит в качестве эффектив-
ного барьерного слоя между будущими верхними слоями металла и нижними ло-
кальными слоями, предназначенными для соединения с активными приборами.
78. Осаждение слоя вольфрама в CVD-процессе (рис. 1.36).
Р
УИ
БГ
а
ек
Рис. 1.36. Осаждение тонкого барьерно-адгезионного слоя

т
79. Повторная планаризация поверхности в процессе химико-механического

ио
полирования. В результате проведения этой операции удаляются слои W и TiN во

всех областях, кроме тех, где будут образованы контактные отверстия, и, кроме
того, планаризуется поверхность, на которую будет осажден первый уровень ме-
бл
талла (рис. 1.37).

Би
Рис. 1.37. CMP-планаризация поверхности
33
Итак, отверстия под контакты вытравлены, заполнены металлом и поверх-
ность полностью планаризована.
Р
УИ
Рис. 1.38. Состояние формируемой структуры после операций 60–62
БГ
80. Слой первого уровня металла (Al с небольшим содержанием Si и Cu)
осаждается методом магнетронного распыления (рис. 1.38). Добавка кремния (до
величины, равной пределу растворимости Si в Al) служит для того, чтобы крем-
ний из подложки не адсорбировался алюминием – в противном случае возникают
а
проблемы, связанные с величиной контактного сопротивления и надежностью
контактов. Добавка меди служит для предотвращения явления электромиграции,
ек
возникающего в процессе длительной работы приборов при повышенных темпе-

ратурах и высоких плотностях тока, что приводит к образованию полостей в алю-
миниевых проводниках вследствие повышенной диффузии атомов алюминия.
т
ио
бл
Би
Рис. 1.39. Состояние структуры после формирования

второго уровня металлизации
34
Далее повторяются операции 70–82 (рис. 1.34–1.39) для создания изоляции
между первым и вторым уровнями металла и нанесения слоя второго уровня ме-
талла.
Маска №14 используется для определения положения отверстий между
первым и вторым уровнями металла. Маска №15 используется для задания облас-
тей, где формируется второй уровень металла. Последняя операция – осаждение
пассивирующего слоя Si3N4 в PECVD-процессе. Маска №16 используется для
вскрытия отверстий (см. рис. 1.39).
Р
Заключительная операция – термическая обработка при относительно низ-
кой температуре (400–450 °С) в течение ∼30 мин в газовой атмосфере (10% H2
УИ
в азоте) для оплавления металлических контактов и снятия электрических заря-
дов, образовавшихся на границе раздела Si/SiO2.
Большинство описанных технологических операций успешно моделируют-
ся с использованием современных средств компьютерного проектирования тех-
БГ
нологии (Technology Computer Aided Design, TCAD), позволяющих разработчику
технологии отрабатывать технологические режимы с целью их оптимизации для
достижения требуемых физико-топологических параметров и электрических ха-
рактеристик приборов. Включение методов и средств проектирования и модели-
а
рования в сферу автоматизированного производства ИМС позволяет эффективно
и наиболее оптимальным способом «вмешиваться» в технологический процесс
ек
с целью исправления «ошибки» на определенном этапе технологического мар-

шрута, выявленной на его выходе или на промежуточном этапе. Компьютерное
т
проектирование технологии изготовления приборов и ИМС в целом позволяет на

три порядка снизить финансовые затраты, требующиеся при лабораторных отра-
ботках технологии.
ио
Результаты компьютерного моделирования (другими словами, компьютер-

ного эксперимента) могут опережать развитие «know-how» технологий, т.е.
в принципе можно построить модель технологической операции, еще не реализо-
бл
ванной на практике (такую ситуацию можно представить, например, при модели-

ровании технологии изготовления ИМС на сверхрешетках). С другой стороны,
решение задачи моделирования технологических операций формирования струк-
Би
турных элементов интегральных микросхем позволяет осуществлять целенаправ-

ленный поиск физических методов и технологических параметров для реализации
на практике той или иной технологии, т.е. результаты компьютерного моделиро-
вания оказываются полезными при разработке новых и улучшении традиционных
технологических операций.
Задача моделирования технологии изготовления ИМС состоит в построении
адекватных физических моделей базовых операций, в выборе наиболее оптималь-
ных с точки зрения быстродействия и точности расчетов численных методов ин-
тегрирования уравнений, описывающих физические процессы, сопровождающие
технологические операции, и в согласовании отдельных моделей базовых опера-
ций в процессе построения сквозного технологического маршрута с целью полу-
35
чения на выходе профилей распределения концентраций электрически активных
примесей в структурных областях изготавливаемой схемы и ее характерных гео-
метрических размеров.
1.2. Модели диффузионного перераспределения примесей в кремнии
Точный контроль профилей распределения активных легирующих примесей

является одной из главных задач проектирования технологического маршрута
формирования приборной структуры. Информация о перераспределении приме-
сей при отжиге является определяющей при оценке электрических характеристик
прибора.
Р
Модели диффузии описывают перераспределение примесей и дефектов
кристаллической решетки при термической обработке, обусловленное градиентом
УИ
концентрации и внутренними электрическими полями.
Диффузионные процессы могут рассматриваться как в макроскопическом
(континуальном), так и в микроскопическом (на уровне дискретной кристалличе-
ской решетки) приближениях. В макроскопическом приближении решается урав-
БГ
нение диффузии при определенных граничных условиях. При решении задачи
диффузии на атомном уровне учитывается взаимодействие диффундирующих
атомов примесей как с атомами, так и с дефектами кристаллической решетки.
Очевидно, что второе приближение основано на более глубоких физических
а
представлениях, поэтому оно используется во всех современных программных
средствах моделирования технологии и прибора.
ек
1.2.1. Диффузия в макроскопическом (континуальном) приближении

т
Общая формулировка фундаментального закона сохранения в интегро-

дифференциальной форме, лежащая в основе диффузионного перераспределения
ио
примесей, имеет следующий вид:

d rr
dt V ∫(t )
CdV = ∫ ( g − l ) dV − ∫ ndS ,
F (1.2)
бл
V (t ) S (t )
где C – концентрация примесей; S(t) – замкнутая поверхность, ограничивающая

r
Би
объем V(t), в котором рассматривается диффузионный процесс; F – вектор пото-

r
ка примесей; n – единичный вектор, нормальный к поверхности S(t); g – скорость
генерации примесей; l – скорость потерь примесей; t – время.
Левая часть уравнения (1.2) представляет собой скорость изменения кон-
центрации примеси в некотором объеме V(t) и определяется как скорость генера-
ции примеси в этом объеме минус уход примеси через поверхность S(t), ограни-
чивающую объем V(t). Использование уравнения непрерывности в интегральной
форме упрощает описание изменения объема, происходящего при окислении
кремния и в процессе эпитаксиального наращивания. Члены в уравнении (1.2),
описывающие процессы генерации и потерь, включены для учета эволюции со-
36
стояний примесных атомов в кристаллической решетке кремния, как, например, в
случае мышьяка, когда атомы могут существовать как в междоузельном, так и
кластерном состояниях.
Исторически макроскопическое приближение находило достаточно широ-
кое использование при инженерно-физическом рассмотрении задачи диффузион-
ного перераспределения примесей вследствие возможности получения во многих
простых случаях аналитического решения.
Описание диффузионных процессов в макроскопическом приближении ос-
новано на законах (уравнениях) Фика. Первый закон Фика связывает диффузию
примесных атомов с их концентрационным градиентом. В основе этого закона
лежит постулат, устанавливающий, что диффузионный поток F пропорционален
Р
градиенту концентрации. Для одномерного случая имеем
УИ
∂C
F = −D , (1.3)
∂x
∂C
где D – коэффициент диффузии примеси, – градиент концентрации.
БГ
∂x
Следует отметить, что первый закон Фика подобен закону Фурье, устанав-
ливающему связь между тепловым потоком и градиентом температуры, а также
закону Ома, устанавливающему связь между током и градиентом электрического
потенциала.
а
Более удобная для практического использования форма уравнения (1.3) ус-
ек
танавливается вторым законом Фика, который связывает концентрацию примесей

с временным и пространственным аргументами. Этот закон описывает потоки,
входящие и выходящие из элемента объема (рис. 1.40), и представляет собой уп-
т
рощенную модификацию закона сохранения (1.2): изменение со временем кон-

центрации в поперечном сечении единичной площади равно разности между вхо-
ио
дящими и выходящими потоками:
∆C ∆F Fin − Fout
= = . (1.4)
бл
∆t ∆x ∆x
Би
Рис. 1.40. Входящие Fin и выходящие Fout потоки примеси

в элементарном объеме, используемые в выражении (1.4)
37
Учитывая (1.3), уравнение (1.4) преобразуется в следующее соотношение:
∂C ∂  ∂C 
= D . (1.5)
∂ t ∂ x  ∂ x 
Если коэффициент диффузии – постоянная величина (например при данной

температуре), то его можно вывести из знака дифференциала, и выражение (1.5)
приобретает более привычную форму:
Р
∂C ∂ 2C
=D 2 . (1.6)
∂t ∂x
УИ
Для трехмерного пространства выражение (1.5) имеет следующий вид:
∂C
БГ
= ∇ F = ∇ ( D∇ C ) .
∂t
Аналитические решения диффузионного уравнения. Приведенные ниже ана-

а
литические решения уравнения (1.6) используются в основном для оценок в ин-
женерно-физическом приближении в отличие от точного физического моделиро-
ек
вания профилей распределения примесей, формирующихся в процессе диффузи-

онного перераспределения.
Простейшее решение уравнения (1.6) для стационарного случая:
т
∂ 2C
ио
D 2 = 0. (1.7)
∂x
Двойное интегрирование (1.7) дает

бл
C = a + bx. (1.8)
Би
Это решение описывает линейное изменение концентрации по глубине x.

Такое решение диффузионного уравнения используется, например, при анализе
диффузии атомов кислорода в окисле при выводе выражения для скорости окис-
ления кремния.
При моделировании кремниевых технологических процессов в инженерно-
физическом приближении используются и другие варианты решения линейного
диффузионного уравнения, отличающиеся граничными и различными внешними
условиями.
Решение в форме распределения Гаусса. Рассмотрим диффузионное пере-
распределение примеси в слаболегированной (например, в результате ионной им-
38
плантации) области, начальное распределение которой выражается в виде δ-функ-
ции (рис. 1.41).
Р
Рис. 1.41. Диффузионное перераспределение (гауссова форма)
УИ
примеси из исходного распределения в виде δ-функции
Такая задача решается, например, при коротком низкотемпературном эпи-

таксиальном росте монокристаллического кремния на кремниевой подложке с од-
БГ
новременным легированием из газовой фазы. Другая подобная задача решается
при моделировании диффузионного перераспределения ионно-имплантированной
примеси, исходный профиль которой также можно аппроксимировать
δ-функцией. В этом случае имеем следующие граничные условия:
а
C→0, если t→0, для x>0;
ек
C→∞, если t→0, для x=0; (1.9)

∞
∫− ∞ C ( x, t )dx = Q ,
т
(1.10)
где Q – полное количество примесей, определяемое дозой имплантации.

ио
Решение уравнения (1.6), удовлетворяющее указанным граничным услови-

ям, имеет следующий вид:
бл
Q  x2   2 
C ( x, t ) = exp −  = C (0, t ) exp − x  . (1.11)
2 πDt   4 Dt 
 4 Dt   
Би
Уравнение (1.11) описывает эволюцию распределения примеси, профиль

которой в исходном состоянии был гауссовым, и эту же форму он сохраняет
в процессе диффузии. Очевидно, что такой профиль симметричен относительно
начала координат, т.е. он зеркально отображается относительно плоскости x = 0.
Отметим несколько следствий полученного решения (1.11). Во-первых,
1
максимальное значение концентрации изменяется по закону . Во-вторых, кон-
t
2
центрация примесей уменьшается в e раз на глубине , называемой диффузи-
Dt
онной длиной. Зависимость относительной концентрации от времени для по-
39
лученного профиля в линейном и логарифмическом масштабах показана
на рис. 1.42.
Р
УИ
Рис. 1.42. Изменение со временем исходного гауссова распределения примеси
БГ
Решение в форме функции ошибок. Такое решение диффузионного уравне-
ния может быть выведено для задачи перераспределения примеси из неограни-
ченного источника в процессе высокотемпературной обработки (например при
а
проведении операции эпитаксиального наращивания с одновременным легирова-
нием). В этом случае граничные и начальные условия для уравнения (1.6) имеют
ек
вид:
C = 0, если t = 0, для x > 0,
C = C, если t = 0, для x ≤ 0. (1.12)
т
В таком случае решение уравнения (1.6) можно получить, разбив всю ис-
ио
ходную область на n слоев толщиной ∆x, каждый из которых содержит C∆x при-
месей. Тогда общее решение будет представлять собой линейную суперпозицию
решений (1.11) для каждого тонкого i-го слоя:
бл
C n ( x − xi ) 2
C ( x, t ) = ∑ ∆xi exp − 4 Dt . (1.13)
2 πDt i =1
Би
При ∆x→0 сумма переходит в интеграл:
C ∞ (x − α )2
C ( x, t ) =
2 πDt
∫0 exp −
4D t
dα . (1.14)
x −α
Замена переменной = η дает
2 Dt
40
C x/ 2 Dt
C ( x, t ) =
π
∫− ∞ exp( −η 2 )dη . (1.15)
Интеграл в (1.15) представляет собой табулированную функцию ошибок:
2 z
erf ( z ) = ∫0 exp (−η ) dη .
2
(1.16)
π
Таким образом, решение (1.15) можно представить в виде
Р
C  x 
C ( x, t ) = 1 − erf   .
 (1.17)
2   2 D t 
УИ
Выражение в квадратных скобках представляет собой так называемую до-
полнительную функцию ошибок erfс(x) = 1 – erf(x), так что
C ( x, t ) =
C
2  БГ x 
erfc  .

 2 D t 
(1.18)
а
Временная эволюция профиля, описываемого уравнением (1.18), представ-
ек
лена на рис. 1.43.

т
ио
бл
Би
Рис. 1.43. Диффузионное перераспределение примеси

из неограниченного источника
41
Горизонтальная ось на графике выражена в единицах диффузионной длины
2 Dt 0 , характеризующей глубину, на которую диффундирует примесь в услови-
ях термической обработки.
Решение нелинейного закона Фика. При рассмотрении линейного диффузи-

онного уравнения предполагается, что коэффициент диффузии примесей D не за-
висит ни от каких параметров, кроме температуры T. Температурная зависимость
коэффициента диффузии определяется следующим выражением:
Р
 − EA 
D = D 0 exp , (1.19)
УИ
 kT 
где k – постоянная Больцмана, EA – энергия активации, D0 – так называемый пре-
БГ
дэкспоненциальный член.
Таблица 1.1
а
Параметры собственных коэффициентов диффузии примесей
ек
в монокристаллическом кремнии
Примесь Единица измерения

т
Si B In As Sb P
D0 560 1,0 1,2 9,17 4,58 4,70 см2с-1
EA 4,76 3,5 3,5 3,99 3,88 3,68 эВ
ио
Значения EA и D0 для типичных в кремниевой технологии примесей приве-

дены в табл. 1.1 и определяют собственный коэффициент диффузии в условиях,
бл
когда концентрация примеси гораздо меньше собственной концентрации соответ-

ствующих носителей заряда в кремнии ni (например при 300 К
ni = 1,45⋅1010 см-3) [27]. На рис. 1.44 приведены температурные зависимости соб-
Би
ственных коэффициентов диффузии примесей в монокристаллическом кремнии.

Если концентрация примесей превышает собственную концентрацию носи-
телей, коэффициенты диффузии примесей отличаются от собственных, что объ-
ясняется так называемыми эффектами высокого уровня легирования.
42
Р
УИ
БГ
а
Рис. 1.44. Температурные зависимости коэффициентов
ек
диффузии типичных примесей
Модификация закона Фика с учетом электрического поля. В условиях вы-

т
сокого уровня легирования в уравнение Фика (1.3) должно быть введено дополни-
тельное слагаемое для учета изменения потока диффундирующих примесей во
ио
внешнем электрическом поле, обусловленном влиянием других ионизированных

примесей. В общем случае поток диффундирующих примесей во внешнем поле
можно записать в следующем виде:
бл
∂C
Ftotal = F + F ' = − D + Cv . (1.20)
∂x
Би
Здесь F΄ – дополнительный поток и v – скорость диффундирующих частиц

во внешнем поле.
Если поток F΄ и, следовательно, скорость v не зависят от пространственной
координаты x, то зависимость концентрации диффундирующих примесей от вре-
мени будет выражаться в модифицированной форме второго закона Фика:
∂C ∂  ∂C  ∂C
=  D  − ν . (1.21)
∂t ∂ x  ∂ x  ∂x
43
Учитывая выражение для скорости диффундирующих частиц в электриче-
ском поле ε,
ν=με,
принимая во внимание, что ε представляет собой градиент потенциала ∂ψ/∂x, где

потенциал
kT n
ψ =− ln ,
q ni
Р
и используя соотношение Эйнштейна между подвижностью μ и собственным ко-
УИ
эффициентом диффузии примеси D
q
µ= D,
kT
поле:
F = −D
∂C
− DC
∂
БГ
получаем выражение для диффузионного потока во внутреннем электрическом
n
а
ln . (1.22)
∂x ∂ x ni
ек
Возможны два способа решения уравнения (1.22). В первом, учитывая оче-

∂ 1
видное соотношение ln x = , получаем
т
∂x x
∂C ∂ n
F = − D( − C ln(C i )) . (1.23)
ио
∂x ∂x n
Выражение (1.23) обычно используется при оценке диффузионного пере-

бл
распределения примесей в условиях высокого уровня легирования, когда в моде-

лируемой области содержатся несколько примесей разного типа проводимости.
Другой способ состоит в использовании обычного условия зарядовой элек-
тронейтральности и статистики Больцмана при совместном описании ансамбля
Би
носителей заряда и заряженных примесей:

N D+ + p = N A− + n,
(1.24)
np = ni ,
2
где N D+ и N A− – концентрации донорных и акцепторных примесей соответственно,

а p и n – концентрации дырок и электронов.
Если все примеси электрически активны, то поток F можно записать в сле-
дующем виде:
44
∂C
F = − hD ,
∂x (1.25)
где C – «чистая» концентрация примесей, равная абсолютному значению разности
концентраций донорных и акцепторных примесей, а коэффициент h:
C
h =1+ . (1.26)
C + 2
4ni2
Из анализа выражения (1.26) следует, что максимальное значение h может

быть равным 2. Это означает, что внутреннее электрическое поле, проявляющееся
Р
в условиях высокого уровня легирования, может привести максимум к двукрат-
ному увеличению значения собственного коэффициента диффузии примесей. Од-
УИ
нако этот вывод, как показывают результаты экспериментов, неприменим к диф-
фузии примеси с низкой концентрацией, находящейся в поле примеси противопо-
ложного типа проводимости с высокой концентрацией. Например, n-примесь
(мышьяк) с высокой концентрацией, являющаяся источником внутреннего элек-
БГ
трического поля для примеси p-типа (бор) с низкой концентрацией, повышает ко-
эффициент диффузии бора гораздо значительнее, чем в h раз, что проявляется
в более существенном увеличении глубины залегания p-n-перехода (рис. 1.45).
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.45. Результат моделирования влияния электрического поля, создаваемого

примесью с высокой концентрацией, на коэффициент диффузии
низкоконцентрационной примеси противоположного типа проводимости
Модификация закона Фика с учетом концентрационно-зависимой диффу-

зии. Как следует из первого закона Фика, поток диффундирующей примеси про-
45
порционален градиенту ее концентрации. Экспериментальные данные показыва-
ют, что интенсификация диффузии примеси в высококонцентрационных областях
обусловлена не только влиянием внутреннего электрического поля, создаваемого
в областях с повышенной концентрацией примесей. Эти области характеризуются
повышенной плотностью точечных дефектов кристаллической решетки (междо-
узлий и вакансий), которые принимают активное участие в диффузионной мигра-
ции примесей. Данные, представленные на рис. 1.46, иллюстрируют этот эффект
диффузии в высококонцентрационных областях.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
Рис.1.46. Более интенсивный диффузионный процесс

перераспределения высококонцентрационной примеси
ио
1.2.2. Моделирование диффузии примесей с учетом дефектов

кристаллической решетки в микроскопическом приближении (атомарный
бл
уровень)
Современные модели диффузии примесей в кремнии с участием точечных

Би
дефектов подробно изложены в обзоре [28]. В программе SSUPREM 4 диффузи-

онные процессы описываются тремя основными моделями:
- стандартной диффузионной моделью;
- двухмерной диффузионной моделью;
- моделью связанных пар «атом примеси–точечный дефект».
Все три модели основаны на концепции парной диффузии, согласно кото-
рой атом примеси диффундирует только в совокупности с точечным дефектом
кристаллической решетки (междоузельным атомом кремния или вакансией). Если
между атомом примеси и дефектом существует постоянная связь, то они могут
перемещаться только как единое целое (как пара). Точечный дефект, с другой
стороны, может диффундировать как свободно, так и как компонент пары «при-
46
месный атом–дефект», так что коэффициент диффузии свободного точечного де-
фекта может значительно отличаться от коэффициента диффузии точечного де-
фекта, связанного в паре.
Стандартная диффузионная модель. В этой модели не учитывается участие
дефектов в диффузии примесей; она представляет собой частный случай диффу-
зионной модели дефектно-примесных пар. При этом полагается, что ансамбль
собственных точечных дефектов кристаллической решетки кремния в модели-
руемой системе находится в термодинамическом равновесии, поэтому при рас-
смотрении диффузионных процессов они не учитываются в явном виде. В связи с
этим преимущество использования стандартной диффузионной модели состоит в
быстром выполнении расчетов по сравнению с моделями более высокого уровня.
Р
Очевидно, что стандартная модель не выполняется в том случае, когда совокуп-
ность точечных дефектов не находится в термодинамическом равновесии. Такая
УИ
ситуация возникает, например, при рассмотрении диффузии, усиленной окисле-
нием (Oxidation Enhanced Diffusion, OED) , а также при моделировании диффузии
в условиях высокого уровня радиационных повреждений, вызванных импланта-
цией.
БГ
Двухмерная диффузионная модель. В этой модели совокупность точечных
дефектов учитывается в явном виде. Важной особенностью двухмерной модели
является учет эволюции ансамбля точечных дефектов во времени. В условиях пе-
ресыщения точечными дефектами увеличение коэффициента диффузии примесей
а
учитывается посредством введения масштабного множителя, который равен еди-
нице в состоянии равновесной концентрации точечных дефектов. Следовательно,
ек
при равновесной концентрации точечных дефектов двухмерная модель сводится к

стандартной модели. Диффузия примесей при использовании этой модели в су-
щественной степени определяется диффузией точечных дефектов, тогда как диф-
т
фузия точечных дефектов, с другой стороны, считается не зависящей от диффузии

примесей. С физической точки зрения это соответствует состоянию «примесь–
ио
точечный дефект» с нулевой энергией связи.

Модель диффузии связанных пар «примесный атом–точечный дефект».
Эта модель идентична двухмерной модели диффузии, за исключением того, что
бл
в ней диффузия дефектов определяется диффузией примесей посредством добав-

ления к основному потоку дефектов потока связанных пар «примесь–точечный
дефект». Таким образом, в этой модели учитываются два потока – поток примесей
Би
и поток дефектов. Однако с физической точки зрения эта модель обладает недос-
татком, заключающимся в том, что при ее использовании затруднительно строго
учесть доли дефектов и примесей, связанных и не связанных в пары. Таким обра-
зом, эта модель не может воспроизвести эффект насыщения коэффициента диф-
фузии примеси, который наблюдается при очень высокой концентрации приме-
сей, когда все дефекты связаны в пары. Другими словами, эта модель основана на
предположении, что концентрация связанных пар гораздо ниже концентраций как
примесей, так и вакансий.
Во всех трех моделях используются следующие предположения:
- выполняется статистика Больцмана и отсутствуют внешние источники но-
сителей заряда, поэтому справедливо использование стандартного выражения для
47
потенциала [29]:
q n
∇ψ = ln   . (1.27)
kT  ni 
Если это предположение не выполняется, то необходимо решать уравнение

Пуассона для расчета потенциала:
∇ (ε∇ ψ ) = − ρ , (1.28)
Р
где ε – диэлектрическая постоянная; ψ – потенциал; ρ – плотность заряда;
- электрические процессы происходят гораздо быстрее, чем остальные про-
УИ
цессы (адиабатическое приближение);
- взаимодействие примесей и дефектов в парах всегда носит равновесный
характер;
- подвижные примеси являются электрически активными.
БГ
Наибольшей физической полнотой обладают модели диффузии примесей,
используемые в программе SSUPREM4.
Для каждой рассматриваемой диффундирующей частицы (примеси или то-
чечного дефекта) математическое описание диффузионной модели включает:
а
- уравнение непрерывности;
- один или более членов, описывающих потоки диффундирующих частиц;
ек
- граничные условия (в том числе условия на границах раздела фаз).

Поскольку примеси могут диффундировать только в составе пары «при-
месь–точечный дефект», уравнение непрерывности для примеси представляет со-
т
бой уравнение непрерывности для дефектно-примесных пар. В табл. 1.2 приведе-

ны стандартные обозначения для диффундирующих частиц. Через x обозначается
ио
нейтральное зарядовое состояние частицы.
Таблица 1.2
бл
Стандарты обозначений для диффундирующих частиц

Физическая единица Общий символ Конкретные символы
Примесь A B, P, As, Sb, ...
Точечный дефект (междоузлие, вакансия)
Би
X I, V
Зарядовое состояние c x, -, =, +, ++
1.2.3. Обобщенные уравнения для описания диффузии
Уравнение непрерывности в дифференциальной форме в отличие от инте-

гральной записи (1.2) для диффузии частиц сорта p (примесей) в объеме пред-
ставляется в обобщенном виде уравнения Фика второго порядка [30]:
∂C p
∂t
( )
=∇ − Jp + S , (1.29)
48
где CP – полная концентрация частиц (примесей) сорта p, а свободный член S
в правой части уравнения учитывает все источники и стоки.
Уравнение непрерывности выражает закон сохранения количества частиц
в данном объеме, а именно: скорость изменения количества частиц в единице объ-
ема равна скорости ухода частиц из объема вследствие диффузии плюс скорость
генерации новых частиц или их аннигиляции. Поток частиц JP представляется
в виде следующего выражения:
J p = − D p (C P )∇C P + + C P +σE , (1.30)
Р
где CP+ – доля подвижных (из общего количества CP), а также электрически ак-
тивных частиц, σ – их подвижность, E – напряженность локального электрическо-
УИ
го поля. Из уравнения (1.30) следует, что в рассматриваемой диффузионной зада-
че имеются два основных вклада в поток частиц:
- вклад, пропорциональный градиенту концентрации подвижных частиц
БГ
(коэффициент пропорциональности DP, как обычно, – коэффициент диффузии
частиц сорта p);
- вклад дрейфового потока, пропорциональный величине локального элек-
трического поля.
Если в рассматриваемой системе имеется несколько типов электрически за-
а
ряженных частиц, то CP устанавливает связь между ними, поскольку все заряжен-
ек
ные частицы вносят вклад в общий поток частиц и в то же время зависят от ло-
кального электрического поля. Следует также отметить, что уравнение (1.30) не-
линейно относительно СP, поскольку как коэффициент диффузии DP, так и элек-
т
трическое поле Е зависят от концентрации всех частиц.

В условиях термодинамического равновесия подвижность и коэффициент
диффузии примеси связаны между собой посредством соотношения Эйнштейна
ио
kT
D= σ . Подставляя σ в (1.30), полагая, что заряд частицы равен целому числу
q
бл
ZP, умноженному на элементарный заряд e, и используя соотношение между на-

пряженностью электрического поля E и потенциалом ΨE = –∆ψ, получаем выра-
жение для диффузионного потока частиц в другой, более удобной для анализа,
форме:
Би
 
J p = − D p (C ) ∇C p + + Z p C p +
e
∇ψ  . (1.31)
 kT 
Граничные условия можно выразить в следующем виде:
αCp + β∂nCp = R, (1.32)
где α и β – действительные числа, а ∂nCp – поток через границу моделируемой

области. Коэффициент R учитывает все источники на границе моделируемой
49
области.
Физические граничные условия включают:
- область моделирования («поверхность»);
- границы раздела, где рассматриваются частицы, значимые для данной об-
ласти материалов (например междоузлия на границе раздела кремний/двуокись
кремния).
Условия на границах раздела используются для частиц, которые существу-
ют в обеих областях материалов. Для каждой такой поверхности раздела необхо-
димо определить:
- условие «скачка» концентрации;
- условие «скачка» потока.
Р
Условие «скачка» концентрации учитывает нарушение непрерывности рас-
пределения концентрации частиц на границе раздела и объясняется как явлением
УИ
сегрегации примесей, так и разностью в величинах твердой растворимости частиц
в разных материалах.
Условие «скачка» потока предполагает наличие на границе раздела источ-
ников или стоков частиц, таких как рекомбинация, инжекция частиц или их скоп-
БГ
ление на движущейся границе раздела.
Для всех частиц используются нулевые граничные условия для боковых
сторон и для верхней части моделируемой области.
а
1.2.4. Модель диффузии Ферми
ек
В модели диффузии Ферми поведение каждой частицы описывается урав-

нением непрерывности в следующей форме:
т
∂C A    n  
Z

= ∇ (D AV + D AI )C A + ∇ ln C A +    , (1.33)
ио
∂t    ni  
 
n
бл
где коэффициент под логарифмом учитывает эффект поля. Собственная кон-

ni
центрация ni рассчитывается следующим образом:
Би
 ni  p
ni = ni0 exp − E T .
 (1.34)
 kT 
Показатель степени Z в (1.33) учитывает направление вектора электрическо-

го поля, действующего на диффундирующую частицу, и равен +1 для доноров
и –1 для акцепторов. Tp – параметр, учитывающий температуру.
Величины DAV и DAI представляют собой вклады в коэффициент диффузии
примесей от пар «примесь–вакансия» и «примесь–междоузлие» в различных за-
рядовых состояниях [28]. Эти члены зависят как от положения уровня Ферми
50
(именно поэтому описываемая модель диффузии примесей называется моделью
Ферми), так и от температуры и выражаются следующим образом:
1 2 −1 −2 
 n −  n  =  n  +  n  ++  n 
D AV  T ,  = D AV
X
+ D AV   + D AV   + D AV   + D AV   ,
 ni  i
n  i
n  ni   ni  
1 2 −1 −2  (1.35)
 n −  n  =  n  +  n  ++  n  
D AI  T ,  = D AI
X
+ D AI   + D AI   + D AI   + D AI   , 
 ni  i
n  ni   ni   ni  
где температурная зависимость в неявном виде включена в собственный коэффи-
Р
циент диффузии пары «примесь–точечный дефект» DAX, который определяется
законом Аррениуса в виде
УИ
 D AX
C 
D CAX = C
D AX 
exp − E . (1.36)
0  kT 
 
1.2.5. Модель сегрегации примесей

БГ
Под явлением сегрегации подразумевается перенос частиц через поверх-
а
ность раздела двух сред с различными значениями предела твердой растворимо-
сти.
ек
В многослойной структуре явление сегрегации примесей возникает вдоль

поверхности раздела двух материалов: твердое тело/твердое тело или твердое те-
т
ло/газ. Такая сегрегация описывается эмпирическими соотношениями, основан-

ными на кинетической модели первого порядка для потока через границу раздела:
ио
 C 
FS = h12  1 − C2  , (1.37)
 M 12 
бл
где C1 и C2 – концентрации частиц вблизи поверхности раздела сред 1 и 2 соот-

ветственно; h12 – скорость переноса частиц через границу раздела из среды 1
в среду 2 и M12 – коэффициент сегрегации, равный отношениию пределов твердой
Би
растворимости примеси в средах 1 и 2, определяемый следующим соотношением:
твердая растворимость примеси в материале1

M 12 = . (1.38)
твердая растворимость примеси в материале2
Последние два коэффициента в выражении (1.37) – температурно-

независимые параметры, которые учитывают перенос частиц через поверхность
раздела и отношение растворимостей примесей в каждой области материала.
Из уравнения (1.38) следует соотношение
51
1
M 21 = . (1.39)
M 12
Путем несложных алгебраических преобразований из уравнений (1.37)

и (1.39) получается универсальное соотношение для скорости переноса частиц из
материала 1 в материал 2 через поверхность раздела:
h21 = M 12 h12 . (1.40)
1.2.6. Двухмерная модель диффузии
Р
Двухмерная модель, основанная на стандартной модели диффузии, предна-
УИ
значена для точного расчета эволюции ансамбля неравновесных точечных дефек-
тов. При этом необходимо решать три различных уравнения: одно для примесей и
по одному для каждого типа точечных дефектов – вакансий и междоузлий.
Диффузия примесей. Уравнение непрерывности для примесей в двухмерной
БГ
модели диффузии имеет следующий вид:
    
Z  
∂C A
= ∑ ∇  X* D AX  C A + ∇ ln  C A + *X     ,

C C n
(1.41)
∂t X = I ,V  C X
 C X  ni   
а
   
ек
где CX – текущие концентрации точечных дефектов, а C *X – их равновесные кон-

центрации.
т
Для учета зависимости коэффициента диффузии примесей от равновесной

концентрации точечных дефектов коэффициенты диффузии пар «точечный де-
фект–примесь», полученные из уравнения (1.35), следует умножить на нормали-
ио
зованную концентрацию точечных дефектов [30]. Несмотря на феноменологиче-

ский характер этой зависимости, она физически разумна и используется в боль-
шинстве моделей, учитывающих усиление диффузии примесей при окислении
бл
(Oxidation Enhanced Diffusion, OED), или в условиях переходных процессов

(Transient Enhanced Diffusion, TED) [31].
Выражение под оператором градиента представляет собой коэффициент,
Би
определяемый внешними дефектами. Он важен при рассмотрении той области

моделирования, где резко изменяется профиль концентрации точечных дефектов.
Концентрации равновесных точечных дефектов зависят от температуры и
уровня Ферми и могут быть рассчитаны из следующих выражений:
52
+1 +2 −1  −2
−
n −−  n + n ++  n
k + k  
x
+k   + k  
+k   
 ni   ni   ni    ni 
CV* = CV*i
, 
k x + k − + k −− + k + + k ++
+1 +2 −1 −2
 (1.42)
 n   n   n   n  
k x + k −   + k − −   + k +   + k + +   
C I = CI
* *i  ni   ni   ni   ni 
.
−
k +k +k +k +k
x −− + ++ 
Величины CV*i и C I*i представляют собой собственные равновесные кон-
Р
центрации точечных дефектов, а весовые факторы kx, k-, k--, k+ и k++ – подгоноч-
ные параметры модели, которые вводятся для учета распределения дефектов
УИ
в различных зарядовых состояниях. Полагается, что все эти величины зависят от
температуры и эта зависимость подчиняется закону Аррениуса:
 k Ex 
БГ
k x
= k 0x exp − ,
 (1.43)
 kT 
где kx и k Ex – предэкспоненциальные коэффициенты и энергии активации.

а
Граничные условия и условия на границах раздела фаз идентичны тем, ко-
торые используются в стандартной модели диффузии.
ек
Диффузия междоузлий. Профиль распределения междоузлий рассчитывает-

ся с использованием уравнения непрерывности в следующей форме:
т
∂C I ∂C ET
= ∇(− J I ) − R + + R< 311> , (1.44)
∂t ∂t
ио
где R – скорость рекомбинации в объеме, определяемая интенсивностью реакций

между междоузлиями и вакансиями, выражается следующим образом:
бл
(
R = K r C I CV − C I*CV* . ) (1.45)
Би
Здесь Kr – подгоночный параметр.

Выражение для потока междоузлий
C 
− J I = DI C I*∇ I*  (1.46)
 CI 
точно учитывает влияние электрического поля на заряженные междоузлия по-

C
средством градиента нормализованной концентрации междоузлий I* . Здесь DI –
CI
53
коэффициент диффузии свободных междоузлий.
∂CET
Член в уравнении (1.44) описывает эмиссию и захват междоузлий ло-
∂t
вушками. Модель взаимодействия примесей с ловушками была предложена в ра-
боте [32] для объяснения широкого диапазона изменений коэффициентов диффу-
зии при различных экспериментальных условиях. Уравнение, описывающее эво-
люцию ансамбля ловушек в зависимости от времени, имеет следующий вид:
∂C ET  e* 
= − K T C ET C I − C
* I
*
(CT − C )
ET  , (1.47)
∂t  1 − e 
Р
где KT – скорость захвата междоузлий ловушками; CT – полная концентрация ло-
УИ
вушек; CET – концентрация ловушек в равновесном состоянии; CI – концентрация
междоузлий; C*I – равновесная концентрация междоузлий; e* – отношение кон-
центраций ловушек, находящихся в равновесном состоянии, к полной концентра-
ции ловушек (e* ≡ CET/CT).
I + T⇔IT БГ
Уравнение для междоузлий I и ловушек T выводится из простой реакции:
(1.48)
а
или из уравнения:
ек
∂C ET
= − K T C I C ET + K r (CT − C ET ) , (1.49)
∂t
т
где Kr – скорость эмиссии из ловушек. В условиях термодинамического равнове-

ио
сия левая часть уравнения (1.47) равна нулю, что дает
(
= K r CT − C ET )
⇔ K r = KT
(
C I* C ET
*
/ CT )=K e*
1 − (C )
K T C I*C ET
* * *
бл
T CI . (1.50)
*
ET / CT 1− e *
Подстановка выражения для Kr в уравнение (1.49) приводит к выраже-

Би
нию (1.47).
Член R<311> в уравнении (1.44) обозначает скорость развала междоузельных
кластеров <311>, образующихся при высокодозной имплантации примесей
в кремний. Такие объемные дефекты могут рассматриваться как стоки для меж-
доузлий [33].
Скорость развала кластеров определяется простой экспоненциальной зави-
симостью от времени:
∂C< 311> 1  t

R< 311> = − = f ( x )  exp −  , (1.51)
∂t τ   τ
54
где f(x) – профиль распределения <311> кластеров (он подобен имплантационно-
му профилю); τ – временная константа.
Как показано в работе [34], распределение междоузлий зависит от гранич-
ных условий для уравнения баланса потока:
( )
∂ n C I + K S C I − C I* = g , (1.52)
где ∂nCI – проекция вектора потока междоузлий на единичный вектор, перпенди-

кулярный границе; KS – эффективная скорость рекомбинации междоузлий; g – ге-
нерационный член для учета инжекции междоузлий при отжиге в окислительной
Р
среде.
УИ
Таким образом, уравнение (1.52) описывает количество междоузлий, гене-
рируемых на границе, минус количество рекомбинированных междоузлий
и должно быть равно количеству междоузлий, которые диффундируют из поверх-
ности раздела в подложку.
БГ
Эффективная скорость рекомбинации междоузлий Ks зависит от смещения
поверхности раздела при окислении согласно выражению:
  v Kp 
K S = K surf  K r  i  + 1 ,
а
(1.53)
  vi −max  
ек
где Ksurf – коэффициент поверхностной рекомбинации междоузлий для фиксиро-

ванных поверхностей раздела; vi – скорость смещения поверхности раздела
т
SiO2/Si; vi–max – максимальная скорость смещения поверхности раздела; Kr и Kp –

эмпирические параметры, используемые для калибровки скорости поверхностной
ио
рекомбинации междоузлий.
Поверхностная рекомбинация играет важную роль при релаксации профи-
лей распределения дефектов в их равновесное состояние, которая не может про-
бл
исходить только за счет объемной рекомбинации. Следует отметить, что движу-

щая поверхность раздела может инжектировать точечные дефекты в кремний и
поликремний.
Возможны две формы представления параметра g в выражении (1.52).
Би
В одной он представляется в виде степенной зависимости от длительности отжи-

га t:
T
g = A(t + t 0 ) p , (1.54)
а в другой – в виде степенной зависимости от скорости смещения границы разде-

ла SiO2/Si:
vi
g = θ v mole vi ( ), (1.55)
vi −max
55
где θ – доля атомов кремния, участвующих в процессе окисления и инжектируе-
мых в объем в качестве собственных междоузлий, vmole – атомная плотность крем-
ния, а остальные коэффициенты – подгоночные параметры.
Диффузия вакансий. Уравнения для диффузии и потока вакансий в основ-
ном подобны соответствующим уравнениям для междоузлий:
∂CV
= ∇(− J V ) − R , (1.56)
∂t
где R – скорость объемной рекомбинации вакансий и междоузлий. Объемная ре-
Р
комбинация представляет собой простую реакцию между вакансиями и междоуз-
лиями и выражается следующим соотношением:
УИ
( )
R = K r C I CV − C I*CV* . (1.57)
БГ
Здесь Kr – коэффициент объемной рекомбинации.
Поток вакансий рассчитывается следующим образом:
C 
− J V = DV CV* ∇ V* 
а
(1.58)
C 
 V 
ек
с корректным учетом влияния электрического поля на заряженные вакансии по-

C
средством использования градиента нормализованной концентрации V* ; DV –
т
CV
коэффициент диффузии свободных вакансий.
ио
Точечные дефекты имеют более высокие значения коэффициента диффу-

зии, чем примесь, поэтому они могут диффундировать вглубь моделируемой
структуры. Если моделируемая структура мелкая, то может быть получена нефи-
бл
зично высокая концентрация дефектов в тех областях, где присутствуют примеси,

что, следовательно, приведет к повышенной диффузии примесей. В этом случае
необходимо увеличить размер моделируемой области, чтобы обеспечить адекват-
Би
ный сток для точечных дефектов. Для задания глубины области моделирования
следует оценить характерные длины диффузии для дефектов, используя выраже-
ние
l = D X ∆t , (1.59)
где DX – коэффициент диффузии дефекта, а ∆t – длительность диффузионного

процесса.
56
1.2.7. Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект»
Модель диффузии пар «примесь–точечный дефект» устанавливает взаимо-

зависимость между диффузией примесей, с одной стороны, и диффузией точеч-
ных дефектов – с другой посредством добавления к члену, описывающему поток
в уравнениях для дефектов, величины потока пар «примесь–точечный дефект»,
что приводит к следующим выражениям:
∂CV  C 
= ∇ − J V − ∑ J AV −R,
 (1.60)
∂t  A, c 
Р
∂C I  C  ∂C ET ∂C< 311>
= ∇ − J I − ∑ J AV −R+
 − , (1.61)
∂t   ∂t ∂ t
УИ
A , c
где суммирование производится по всем зарядовым состояниям примесей и то-

чечных дефектов. Остальные уравнения модели диффузии связанных пар иден-
БГ
тичны уравнениям двухмерной модели, описанной в предыдущем разделе. Влия-
ние дополнительного члена проявляется только при очень высоких концентраци-
ях примесей и большой дозе имплантации, когда существенно увеличивается ко-
эффициент диффузии примесей вследствие повышения уровня Ферми и увеличе-
ния степени пересыщения точечными дефектами, что следует из уравнений (1.35)
а
и (1.41).
ек
Обобщением уравнений (1.60) и (1.61) являются выражения:
∂  free   C 
CV − ∑ C AV C  = ∇ − J Vfree − ∑ J AV − R,
т
(1.62)
∂t  A, c



 A, c


∂  free   C  ∂C
 − R + ∂C ET − < 311> ,
ио
C I − ∑ C AI C  = ∇ − J Ifree − ∑ J AI (1.63)
∂t  A, c



 A, c

 ∂t ∂t
бл
которые показывают, что скорость изменения полной концентрации точечных

дефектов X определяется вкладами дефектов, диффундирующих свободно (free),
дефектов, диффундирующих в парах (paired), а также вкладов различных истоков
Би
и стоков [30]. Истоки и стоки также должны быть разделены на вклады от спа-
ренных (paired) и неспаренных (unpaired) дефектов. В работе [35] показано, что
уравнение (1.41) для примесей необходимо изменить посредством подстановки
концентрации неспаренных активных примесей в полную концентрацию актив-
ных примесей, что приводит к следующему выражению:
∂C A  C    
Z 
= ∑ ∇  *X D AX C A unpaired ∇ ln  C A unpaired *X    .
C n
(1.64)
∂t X = I ,V  C X
 + C X  ni  
  +  
57
1.2.8. Другие модели диффузии примесей и их расширения
Модель диффузии связанных пар «примесь–точечный дефект» при высокой

концентрации. Эта модель является расширением базовой модели диффузии свя-
занных пар «примесь–точечный дефект» с включением рассмотрения пар более
высокого порядка и учета механизмов рекомбинации точечных дефектов [36, 39].
В эту модель включено взаимодействие примеси и дефектов более высокого по-
рядка в тех случаях, когда число дефектно-примесных пар существенно велико
(при высокой концентрации примесей в кремнии). Модель включает две дополни-
тельные реакции рекомбинации в объеме и две дополнительные реакции реком-
бинации на поверхности раздела Si/SiO2.
Р
В объеме дополнительные члены, описывающие рекомбинацию точечных
дефектов, применимы при высоких концентрациях, когда превалирует высокий
УИ
уровень дефектно-примесных пар:
 D + DV 
K rPI −V = Fi  PI  K r , (1.65)
+
БГ
 ID DV 
 D + DPV 
K rI − PV = Fi  I  K r . (1.66)
 I
D + D V 
а
Дополнительные параметры модели учитывают отношение эффективного
ек
сечения захвата «примесь–дефект» к сечению рекомбинации «дефект–дефект».

Подобным образом на поверхности раздела скорости поверхностной реком-
бинации междоузлий управляются парными и непарными механизмами согласно
т
соотношению
D  I
ио
PI
K surf = Fk  PI  K surf . (1.67)
 DI 
бл
Это соотношение связывает поверхностную рекомбинацию дефектов, осу-

ществляемую через пары «примесь–точечный дефект», с рекомбинацией, проис-
ходящей непосредственно на поверхности.
Повышенная объемная рекомбинация на дислокационных петлях (loop).
Би
Дислокационные петли играют роль стоков для точечных дефектов. В этой моде-
ли вводится дополнительный сток для междоузлий, зависящий от распределения
дислокационных петель в некоторой пространственной области.
При использовании этой модели учитывается повышение скорости реком-
бинации междоузлий в областях дислокационных петель, описываемое выраже-
нием
(
Rloop = dα C I − C I* . ) (1.68)
58
Модель диффузии при быстром термическом отжиге. При анализе диффу-
зии примесей в процессе быстрого термического отжига (Rapid Thermal
Annealing, RTA) используются описанные диффузионные модели, а именно:
двухмерная модель и модель связанных пар. Поскольку RTA является быстрым
термическим циклом, включающим плавное повышение температуры до высоких
температур, в этом процессе будет доминировать так называемая переходная по-
вышенная диффузия (Transient Enhanced Diffusion, TED), сопровождающаяся су-
щественным повреждением кристаллической решетки.
Важными параметрами модели RTA-диффузии являются отношение коли-
чества междоузлий в форме <311> кластеров к количеству свободных междоуз-
лий, а также характеристическое время, необходимое для перерастворения меж-
Р
доузельных кластеров.
Модели электрической деактивации и кластерообразования. При высокой
УИ
степени легирования концентрация электрически активных примесей CA+ может
быть ниже соответствующей химической концентрации CA. Чтобы примесь в по-
лупроводниковом материале стала электрически активной, ее следует поместить в
узел замещения кристаллической решетки с тем, чтобы носитель заряда находил-
БГ
ся либо в валентной зоне (акцепторная примесь), либо в зоне проводимости (до-
норная примесь). Однако выше определенного уровня легирования невозможно
поместить большее количество примесей в узлы замещения кристаллической ре-
шетки – лишние примеси будут неактивными. Порог, при котором происходит
а
деактивация примесей, часто называется «пределом твердой растворимости», что
отчасти терминологически неверно, поскольку примеси могут существовать в
ек
различных фазовых состояниях кристалла. Следовательно, трудно определить, к

какому фазовому переходу следует отнести «предел твердой растворимости». На-
пример, избыточные примеси могут существовать в виде небольших кластеров
т
или в виде больших преципитатов. «Порог деактивации» является более точным

обозначением для такого предела и будет далее по тексту использоваться именно
ио
в таком смысле. В дальнейшем через C Ath+ будет обозначаться порог деактивации.

Таким образом, во всех описываемых здесь моделях для каждого типа при-
месей принимаются следующие предположения:
бл
– примеси, находящиеся в состоянии, превышающем порог деактивации,

считаются электрически неактивными, т.е. они не вносят вклад в совокупность
носителей заряда;
Би
– такие примеси считаются неподвижными, т.е. они не могут диффундиро-

вать.
Цель использования модели электрической активации состоит в расчете
концентрации примесей, при которой происходит их деактивация. Для этого во
всех моделях диффузии используются две модели электрической активации:
– модель кластерообразования для мышьяка;
– полуэмпирическая активационная модель (с использованием табличных
данных) для всех других примесей.
Модель кластерообразования для мышьяка основана на простой реакции
59
As+ + V= ⇔ AsV–. (1.69)
Полагая, что уравнение (1.69) всегда является равновесным, можно исполь-

зовать следующее выражение для установления связи между химической и актив-
ной концентрациями мышьяка:
2
 n  CV   n  CV 
2
C A = C A + + Cclust = C A + + CtnC A +   * = C A + 1 + Ctn   *  . (1.70)
 ni  CV   ni  CV 
Р
Поскольку существует циклическая зависимость между активной концен-
трацией мышьяка CA+ и концентрацией носителей заряда n, можно оценить вели-
УИ
чину n в начале моделирования. Кроме того (по определению), можно предполо-
C
жить, что отношение V* равно единице при использовании модели диффузии
CV
Ферми.
БГ
В полуэмпирической активационной модели (с использованием табличных
данных) для всех примесей, за исключением мышьяка, используется двухступен-
чатая схема при расчете концентрации активных примесей:
1. Проводится интерполяция экспериментальных данных (температура, по-
а
рог деактивации) и определяется концентрация, не зависящая от порога деактива-
ек
ции, что соответствует текущей температуре, для которой производится модели-

рование.
2. Вводится логарифмическая зависимость посредством задания величины
т
порога деактивации:
   CA  
ио
    − b
 C th 
 th   A+  
C A + 1 + (1,0 − b )ln
C th = 1,0 − b  при C A ≤ C Ath+ ;
'
A+ (1.71)
бл
  
  
C
A при C A > C A + ,
th
Би
где параметр b имеет значение в интервале (0,8…1,0). Использование уравнения

(1.71) способствует сглаживанию профиля распределения активных примесей, ко-
торый в основном соответствует полному («химическому») профилю.
Модели диффузии, учитывающие высокий уровень концентрации примесей.

Поскольку электрические характеристики прибора в существенной степени зави-
сят от распределения электрически активных примесей, формирующегося в ре-
зультате проведения последовательных термических обработок, важно, чтобы ис-
пользуемые модели диффузии примесей были как можно более точными, что осо-
бенно важно при моделировании глубокой субмикронной технологии. При этом
60
приобретает критическое значение двухмерное и даже трехмерное моделирова-
ние. Однако, к сожалению, достаточно точные методики измерения многомерных
профилей распределения примесей в настоящее время отсутствуют. Поэтому
двухмерные (и, тем более, трехмерные) профили активных примесей могут быть
получены только посредством моделирования.
Очевидно, что различные аномальные явления диффузии примесей в крем-
нии вызываются неравновесными точечными дефектами. Эти дефекты вводятся
или непосредственно в процессе диффузии (пример – эффект «продавливания»
эмиттерного перехода в процессе диффузии фосфора с высокой концентрацией),
или инжектируются в подложку при таких обработках, как окисление или нитри-
дизация, или возникают при ионной имплантации примесей в кремниевую под-
Р
ложку. С уменьшением размера формируемого прибора указанные переходные
явления являются ключевыми для точного моделирования процесса диффузии
УИ
примесей.
Модель диффузии CNET. Модель диффузии примесей CNET разработана
фирмой CNET-Grenoble (France Telecom). Ниже описывается указанная модель и
показаны ее отличия от стандартной модели CPL, описанной в работе [30]. CNET-
БГ
модель является расширением CPL-модели, в частности, для случая диффузии с
высокой концентрацией примесей. Основные физические предпосылки, заложен-
ные в CNET-модель, заключаются в следующем:
– диффузия примесей происходит с участием как вакансий (V), так и меж-
а
доузлий (I). Эти точечные дефекты существуют в различных зарядовых состояни-
ях, относительные концентрации которых зависят от локального положения уров-
ек
ня Ферми, т.е. от локальной концентрации примесей;

– как междоузлия, так и вакансии имеют относительно высокие значения
энергии связи с примесными атомами, вследствие чего диффузия примесей осу-
т
ществляется посредством пар «примесь–точечный дефект» (примеси, находящие-

ся в виде атомов внедрения в кристаллической решетке, являются неподвижны-
ио
ми). Полагается, что такие примесно-дефектные пары в своих зарядовых состоя-

ниях находятся в локальном равновесии с атомами примеси, располагающимися в
положении замещения, и со свободными дефектами. Считается, что при высоком
бл
уровне легирования концентрации таких пар нельзя считать пренебрежимо малы-

ми по сравнению с концентрациями примесей, находящихся в состоянии замеще-
ния. По этой причине концентрации пар «примесь–точечный дефект» необходимо
Би
учитывать при расчете полной концентрации примесей и положения уровня Фер-

ми (т.е. концентрации носителей заряда). Прямым следствием этого является час-
тичная самокомпенсация при высоком уровне концентрации примесей, что дает
определенный вклад в разницу между полной концентрацией и концентрацей ак-
тивной примесей в изменение собственного коэффициента диффузии как функ-
ции полной концентрации примесей.
– мышьяк и бор при концентрациях, превышающих порог твердой раство-
римости, образуют нейтральные и неподвижные комплексы (AS2V или B2I), кото-
рые увеличивают эффективный коэффициент диффузии и вносят вклад в концен-
трацию неактивных примесей. Полагается, что эти комплексы находятся в со-
стоянии локального равновесия с другими примесями и дефектами. Дальнейшим
61
развитием этой модели является модель кластерообразования [37];
– при превышении концентрации примесей до величины порядка 1020 см-3
дефектно-примесные пары уже нельзя рассматривать как изолированные частицы,
поскольку вакансии могут взаимодействовать уже с большим числом, чем один
примесный атом. В CNET-модели [38–39] этот эффект описывается существова-
нием перколяционного кластера из примесных атомов, раполагающихся друг от
друга на расстояниях вплоть до пятого соседа кристаллической решетки. В таком
кластере значительно увеличиваются как коэффициент диффузии, так и концен-
трация вакансий, что вызывает значительное повышение концентрации примесей,
диффундирующих совместно с вакансией. Этот механизм позволяет точно опи-
сать известную форму высококонцентрационного профиля распределения фосфо-
Р
ра с перегибом (ступенькой) и «хвостом». Поток каждой диффундирующей пары
«примесь–дефект», а также свободных дефектов включает дрейфовые члены, вы-
УИ
зываемые встроенным электрическим полем и градиентом концентрации;
– полагается, что междоузлия (I) и вакансии (V) не находятся в локальном
равновесии, но они могут аннигилировать посредством механизма бимолекуляр-
ной рекомбинации. Особенность CNET-модели состоит в том, что в процессе ан-
БГ
нигиляции участвуют не только свободные дефекты, но также и дефектно-
примесные пары, которые играют роль рекомбинационных центров. В результате
скорость I-V-рекомбинации существенно усиливается при высоком уровне кон-
центрации примесей.
а
Компоненты CNET-модели. CNET-модель включает все приведенные выше
пять компонентов. В каждой из них используется свое физическое представление
ек
диффузии примесей. Полная CNET-модель использует одновременно все пять

компонентов.
1. Непренебрежимые концентрации дефектно-примесных пар. В этой мо-
т
дели учитываются эффекты, связанные с высокой концентрацией примесей.

Для фосфора каждый из пяти компонентов модели описывается следующим
ио
образом:
Pchem = PV–+PV0+PI+(PI0+IP–)+P+ =
бл
=[P+]{1+Kp+ν=[V=]+Kp+ν–[V–]+p+1i[Ii]}+[P]precipitate. (1.72)
Последний член учитывает атомы фосфора, которые уходят в преципитаты,

Би
когда [P]chem больше предела растворимости.

2. Образование кластеров. Кроме ухода в преципитаты при моделировании
профилей распределения примесей мышьяка и бора учитывается образование не-
подвижных нейтральных комплексов. В модели CNET такие кластеры обознача-
ются как As2V и B2I (в CPL-модели они неподвижны и превращаются в пары
AsV -).
При использовании простой статической (равновесной) модели:
[ ][ ]
KAS+ AsV − As + AsV − ,
[ ][ ]
K B − BI + B − BI + .


(1.73)
62
3. Уравнение нейтральности. Этот компонент модели учитывает концен-
трацию заряженных пар, т.е. решается уравнение
n–p=Σ(Donor)ε+εΣ(DonorV)ε+εΣ(DonorI)ε+εΣ(AcceptV)ε+εΣ(AcceptI)ε–Σ(Accept)ε. (1.74)
В уравнении (1.74) ε равно 1, 0 или –1 в зависимости от зарядового состоя-

ния пары:
( ) 
ε = 1 для PV − + P + ,V = ,
ε = 0 для PV = (P ,V ) , 

Р
0 + −
(1.75)
ε = −1 для BV = (B ,V ).
+  − ++
УИ

Суммирование в (1.74) проводится по всем донорам (P, As, Sb) и по всем

акцепторам (B, In). Следуя этой процедуре, «активная» концентрация в результате
БГ
решения уравнения диффузии будет равна соответствующей доле примесей, на-
ходящейся в состоянии замещения, от ее полной концентрации. Тип примеси за-
дается посредством присвоения соответствующего знака при суммировании.
4. Зарядовые состояния пар. Для бора хорошо известно, что существуют
а
только пары BV0, BV+ и BI-, BI+. Их концентрации задаются следующим образом:
ек
[BV ] = K [B ][V ], 
o
−
B V +
− +
[BV ]= K [B ][V ],

+ − ++
т
B −V + +
[BI ]= K [B ][I ], 
(1.76)
− − 0
B− I 0
[BI ] = K [B ][I ]. 

ио
+ − ++
B − I ++
бл
Для фосфора (как и для других доноров) существуют пары PV 0 и PV –.

Здесь:
[PV ] = K [P ][V ],  + −
Би
o
P +V −
[PV ] = K [P ][V ],

−
P +V =
+ =
[PI ] = K [P ][I ], 
+
+ 0
P I
+ o
(1.77)
[PI ] = K [P ][I ], 
0
P+I −
+ −
[PI ]= K [P ][I ]. 

−
P+ I =
+ =
Эффективный коэффициент диффузии. Расчет концентрации C из общего

уравнения CPL-модели осуществляется посредством решения уравнения
63
∂CT  C C  C C C C  C C 
= ∇  DVX C A V* ∇ log  C A V*  + D XI C A I * ∇ log  C A *I  . (1.78)
∂t  CV  CV ni  CI  C I ni 
При значениях C = n или p легко показать, что в модели диффузии пар, ос-
нованной на моделях CPL или CNET, полагается, что величины DVx и DxI рассчи-
тываются из базисных параметров пар. В уравнениях
i
v
C
DVX = ∑ Kx, v δ   D XV i −1 ,
i
Р
i  ni 
(1.79)
УИ
i
C
D XI = ∑ Kx, i iδ i   D XI i −1
i  ni 
коэффициенты δν и δi – относительные доли заряженных вакансий и междоузлий
БГ
соответственно. Это приводит к выражениям, аналогичным для модели диффузии
фосфора в связанных парах «примесный атом–дефект», которые отличаются от
соответствующих выражений для бора, мышьяка и олова. Фактически в модели
диффузии связанных пар отношение DVx / DxI не зависит от концентрации приме-
а
сей, тогда как при использовании CNET-модели это отношение зависит от n, что
ек
подтверждается экспериментально (OED-эксперименты при высоких концентра-

циях примеси показывают меньшее усиление диффузии, чем для собственных
концентраций P и As.)
т
Следует подчеркнуть, что имеются определенные соотношения для разных

констант, входящих в модели, что сокращает число подгоночных параметров. Во-
ио
первых, из физических соображений следует, что отношения D xV − / D xV 0 и

D xV 0 / D xV + должны быть равны. В таком случае:
бл
DPV − DPV 0 = DPV 0 DPV + = DVP ,


DPI − DPI 0 = DPI 0 DPI + = DP , 
I
Би
 (1.80)
DBI + DBI 0 = DBI 0 DBI − = DBI , 

DBV + DBV 0 = DBV 0 DBV − = DVB . 
Эти коэффициенты диффузии являются свободными параметрами, если со-

ответствующие параметры для пар (K) в (1.79) известны. Кроме того, они могут
быть рассчитаны через известные экспериментальные значения собственных ко-
эффициентов диффузии (Di) и через междоузельный компонент fi при собствен-
ных условиях. Члены в (1.58), представляющие собой долю концентрации приме-
сей, входящих в соответствующие пары, имеют очевидный физический смысл, и
64
их, в принципе, можно определить экспериментально (параметры KiXV невозмож-
но определить экспериментально, поскольку величины C*V и C*I неизвестны).
5. Влияние примесей на скорость бимолекулярной рекомбинации. При ис-
пользовании CPL-модели рекомбинация точечных дефектов в объеме подчиняет-
ся следующей зависимости:
( )
G − R = K R C I CV − C I*CV* , (1.81)
где CI и CV представляют собой полные концентрации точечных дефектов, а ско-

рость рекомбинации определяется параметром KR.
Используя общую запись реакции
Р
УИ
XV + I⇔X,
XI + V⇔X, (1.82)
где X обозначает примесь, легко показать, что член (G – R) необходимо перепи-

сать следующим образом:
( БГ
G − R = K BM C I CV − C I*CV* .) (1.83)
а
Коэффициент KBM существенно зависит от концентрации примесей и вклю-
ек
чает концентрации нейтральных дефектов. Следовательно, KR можно вывести из

KBM следующим образом:
т
K BM
KR = (1.84)
 C
i
C 
i
∑ ∂i  + ∑ ∂i  
ио
 i  ni  i  ni  
и
бл
K BM = K BM
0
+ ∑ K BM
x
, (1.85)
X
Би
0 x
где K BM – свободный член, а K BM обозначает вклад определенной примеси.
0
Даже при пренебрежении влиянием пар значение K BM зависит от уровня
легирования вследствие различных состояний дефектов:
65


  
I o + V o → 4πR (DI + DV ) I 0 V 0 , 

+ 0 +
ni  0 0 
I V → 4πR(DI + DV ) + ∂   I V ,  [ ][ ] (1.86)
n 

− 0 − n  0
I V → 4πR(DI + DV ) + ∂   I V . 0 

[ ][ ]
 ni 
Это утверждение относится и к I0, V++, V-, V=. Следовательно:
Р
i i
i
n n
4πR(DI + DV )∑ δ  i  + ∑ δ i  i 
УИ
n  n 
K R0 = i i
. (1.87)
 i n 
i
i n 
i 
∑ δ  i  + ∑ δ  i  
 i  n  i  n  
БГ
Компонент модели, в которой учитывается зависимость от концентрации
пар «примесный атом–дефект», в свою очередь можно разделить на два компо-
нента, соответствующих рекомбинации вакансий с парами «примесь–дефект» и
а
рекомбинации междоузлий с парами «примесь–дефект»:
ек
X
K BM = K BM
XI ,V
+ K BM
XV , I
. (1.88)
т
При расчете реакций между отдельно рассматриваемыми частицами, имею-

щими одинаковый (ненулевой) заряд, можно пренебречь знаком заряда по причи-
ио
не кулоновского отталкивания. Вследствие эффектов, связанных с уровнем Фер-

ми, такие пары не могут иметь высокие концентрации в один и тот же момент
времени. Это объясняется выражениями (1.86)–(1.88) при одинаковом радиусе за-
хвата R в этих уравнениях. В первом приближении R ≥ 2,35 Å (межатомное рас-
бл
стояние в кремнии).
6. Модель проницаемости. Если концентрация примеси превышает некото-
рую величину Сperc (≈5⋅1020 см-3), то основной механизм диффузии изменяется
Би
(для той области моделирования, где присутствуют вакансии) вследствие сильно-

го взаимодействия между примесями и дефектами (вплоть до расстояний в преде-
лах пятых соседей кристаллической решетки). В этом случае диффузия описыва-
ется таким образом, как если бы «эффективная» концентрация увеличилась с не-
которым коэффициентом, а соответствующие потоки будут описываться согласно
следующему выражению:
J Vperc = F perc J VLOW (1.89)
66
с обычным потоком вакансий J Vlow при Cdopant < Cperc и
Cvtot  ∂X + + 1 ∂n 
J Vperc = V
F perc Dv  + X . (1.90)
NS  ∂X n ∂x 
 
Аналогичное выражение используется для модели диффузии посредством

дефектно-примесных пар:
J Xperc = F perc
X
Dx
Cx +
[ ] 
[ ]
n
X ∇ log  X +  . (1.91)
Р
NS  ni 
УИ
Таким образом, полный поток является комбинацией потоков с учетом и без
учета эффекта проницаемости (перколяции) согласно выражениям
J X = pJ Xperc + (1 − p )J VX + J XI , (1.92)
БГ [ ]
J V = pJ Vperc + (1 − p )JVlow = pF perc + (1 − p ) J Vlow ,
где p – вероятность проявления эффекта проницаемости, которая рассчитывается

(1.93)
а
из выражений
ек
p = 0 для ∑ [X S ] < C perc , (1.94)

  ∑ [X S ]  
0, 4

т
p = min1; 0,85 
 C perc  
. (1.95)
   
ио
Таким образом, примеси при низкой концентрации будут обладать повы-

шенным коэффициентом диффузии вследствие присутствия других примесей
бл
с концентрацией, превышающей Cperc.
1.2.9. Модель диффузии легирующих примесей в поликремнии

Би
Механизмы диффузии примесей в поликремнии отличаются от соответст-

вующих механизмов в кристаллическом кремнии.
Два потока диффузии примесей в поликремнии. Поликремний имеет микро-
структуру в виде малых (по сравнению с областями формируемого прибора) кри-
сталлических областей, называемых зернами. Зерна отделяются друг от друга
границами, занимают определенный пространственный объем и образуют слож-
ную сеть. Текстура и морфология границ зерен зависят от условий осаждения по-
ликремния и от последующей термической обработки, в процессе которой проис-
ходит рекристаллизация поликремния (см. подразд. 1.5). Примеси внутри зерна
диффундируют различным образом по сравнению с диффузией по границам зе-
67
рен. Примеси диффундируют как через объем зерна, так и через поверхности раз-
дела зерен. Моделирование диффузии во всех областях поликремния с такой гео-
метрически сложной микроструктурой связано с большими вычислительными за-
тратами и поэтому требует использования специальных математических методов.
В программе SSUPREM4 используется двухмерная численная модель, изложен-
ная в работах [40–42]. Согласно этой модели, поликремниевая микроструктура
математически описывается в гомогенном приближении. Суть его заключается в
том, что пространственно разделенные области зерен и их границ представляются
в виде пространственно перекрывающихся гомогенной объемной области зерна и
гомогенной области сети границ зерна. Каждый локальный элемент поликрем-
ниевого материала включает два компонента: собственно зерно и границу зерна.
Р
Сеть границ зерна характеризуется скалярной функцией плотности, описывающей
размер зерна, и векторной функцией, описывающей кристаллографическое на-
УИ
правление границы зерна. Соответственно каждая примесь подразделяется на два
диффузионных компонента: внутри объема зерна и в области границы зерна. Эти
два компонента связываются с сегрегацией на границах зерен. При рассмотрении
термического цикла моделируется также и рекристаллизация поликремния, чтобы
БГ
включить в модель и эффект роста зерна.
Соотношение между компонентами диффузии примесей для зерен и границ
зерен согласно [42] имеет следующий вид:
а
∂C g
( )
= ∇ D g ∇C g − G , (1.96)
ек
∂t
 D gE 
D g = Dg 0 exp −  , (1.97)
 kT 
т
∂C gb
∂t
( )
= ∇ i Fij Dgb ∇ j C gb + G , (1.98)
ио
 Cg 
( )
G = τ −1 
 Pseg
− C gb  ,

(1.99)
 
бл
 D gbE  1
D gb = Dgb 0 exp −  , (1.100)
 kT t
Би
1 0 0
Fij =
1 0 2 0  , (1.101)
L g ( x,y,z)  
0 0 1
где Cg – компонент концентрационного профиля, относящегося к зернам;

Cgb – компонент концентрационного профиля, относящегося к границам зерен;
Dg и Dgb – коэффициенты диффузии примесей в объеме зерна и по границам зерен
соответственно; G – член, относящийся к сегрегационному потоку примесей на
границах зерен; τ – константа, введенная для описания скорости сегрегации; Pseg –
коэффициент сегрегации; Fij – тензор, посредством которого осуществляется учет
68
эффекта направленности границ зерна; Lg – размер зерна (он предполагается оди-
наковым в x, y, z направлениях).
Сегрегация на границах зерен рассчитывается согласно выражению [43]:
1 QS  δ 
Pseg = A exp − 0  , (1.102)
L g N si  kT 
где QS – плотность сегрегации на границах зерен; Nsi – плотность атомов в кри-

сталлическом кремнии; A – энтропийный коэффициент; δo – энергия активации
сегрегации.
Р
1.3. Модели окисления кремния
УИ
При изготовлении структур и приборов микроэлектроники важным техно-
логическим процессом является термическое окисление, используемое для фор-
мирования диэлектрического затвора в МОП-транзисторах, областей изоляции
БГ
между отдельными приборами, имплантационных масок и пассивирующего слоя
(см. подразд. 1.1).
1.3.1. Математическое описание процесса окисления кремния

а
Моделирование процесса окисления кремния основано на классической
ек
теории Дила–Гроува [44], согласно которой окисление рассматривается как сово-

купность трех процессов:
1. Перенос окислителя (O2 или H2O) из газовой фазы в слой SiO2 через по-
т
верхность раздела газ-окислитель/SiO2.

2. Перенос окислителя через слой SiO2 до достижения поверхности раздела
ио
Si/SiO2.
3. Химические реакции
Si + O2 → SiO2 или Si + 2H2 O→ SiO2 + 2H2
на поверхности раздела SiO2/Si.
бл
Расчет переноса окислителя через поверхность раздела газ-окислитель/SiO2

проводится посредством следующего выражения:
Би
F1 = h(CG − C S ) , (1.103)
где h – коэффициент массопереноса; CG – равновесная концентрация окислителя в

SiO2; CS – концентрация окислителя в SiO2 на поверхности раздела газ/SiO2.
Равновесная концентрация окислителя в SiO2 линейна относительно парци-
ального давления окислителя PS согласно закону Генри:
C* = KPS, (1.104)
где K – константа.
69
Диффузия молекул окислителя в SiO2 определяется градиентом его концен-
трации и описывается законом Фика:
F2 = − Deff ∇C , (1.105)
где Deff – эффективный коэффициент диффузии окислителя (H2O или O2) в расту-
щем слое SiO2; C – концентрация окислителя в окисле.
Поток молекул окислителя на поверхности раздела Si (polySi)/SiO2 между
кремнием и окислителем выражается следующим образом:
Р
F3 =kSCI, (1.106)
УИ
где ks – константа скорости реакции на поверхности раздела Si/SiO2.
В стационарных условиях все три потока равны:
F = F1 = F2 = F3.
БГ
Разделив поток F на N1 (число молекул окислителя в единице объема SiO2,
равное 2,2⋅1022 см-3 для окисления в кислороде и в два раза большее для окисления
во влажной среде) и рассматривая лишь одномерный рост SiO2, получаем ско-
а
рость роста слоя окисла:
ек
dx0 F
= , (1.107)
dt N1
т
где x0 – толщина окисла. Из уравнений (1.103), (1.105) и (1.106) уравнение (1.107)

ио
может быть выражено в следующем виде:
dx0 B
= , (1.108)
бл
dt A + 2x0
где
 1 1
A = 2 Deff  +  , (1.109)
Би
 k h
C*
B = 2 Deff . (1.110)
N1
Здесь B и B/A – так называемые параболическая и линейная константы скорости

роста окисла, поскольку они являются коэффициентами при x2 и x в выражении
(1.108). В физическом смысле эти константы служат для описания вкладов в по-
токи F2 (поток окислителя) и F3 (химические реакции на поверхности раздела
SiO2/Si).
70
Температурные зависимости линейной и параболической констант имеют
ярко выраженный экспоненциальный характер и подчиняются закону Аррениуса:
B
B = C1 exp( − E1 / kT ) и = C 2 exp( − E2 / kT ) .
A
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.47. Температурные зависимости констант B и B/A для окисления

<111> кремния в сухой и влажной кислородосодержащих средах
бл
В табл. 1.3 приведены значения соответствующих констант для темпера-

турных зависимостей B и B/A, а на рис. 1.47 – графическая иллюстрация этих за-
висимостей для процессов окисления кремния в сухой (O2) и влажной (H2O + O2)
средах.
Би
Таблица 1.3
Константы в модели Дила–Гроува для моделирования окисления
<111> кремния при давлении 1 атм
(При моделировании <100> кремния все значения C2 следует разделить на 1,68)
Среда B B/A
Сухой кислород C1 = 7,72·102 мкм2/ч, E1 = 1,23 эВ C2 = 6,23·106 мкм2/ч, E2 = 2,0 эВ
Влажный кислород C1 = 2,14·102 мкм2/ч, E1 = 0,71 эВ C2 = 8,95·107 мкм2/ч, E2 = 2,05 эВ
H2O C1 = 3,86·102 мкм2/ч, E1 = 0,78 эВ C2 = 1,63·108 мкм2/ч, E2 = 2,05 эВ
71
Другая форма записи линейно-параболического закона роста окисла крем-
ния:
x02 x
+ 0 = t +τ , (1.111)
B B/ A
xi2 + Axi
где τ = .
B
Здесь параметры xi и τ введены для учета начальной толщины окисла перед
проведением операции окисления, поскольку реально кремниевая подложка все-
гда имеет тонкий ~20 Å слой окисла.
Выражение (1.111) в предельных случаях имеет вид:
Р
B
x0 ≈ (t + τ )
УИ
(1.112)
A
при больших значениях линейной константы B/A (тонкие пленки окисла) и
БГ
x02 ≅ B(t + τ ) (1.113)
при больших значениях параболической константы B (толстые пленки окисла).

а
1.3.2. Зависимости констант B/A и B от условий окисления
ек
Для короткого времени и низкой температуры окисления рост окисла лине-

ен относительно времени окисления. При этом процессы на границах раздела (пе-
т
ренос окислителя через границу раздела газ-окислитель/SiO2 и окислительная ре-

акция на границе раздела Si/SiO2) являются определяющими факторами при опи-
сании кинетики роста окисла.
ио
Разделив уравнение (1.110) на (1.109), получаем следующее выражение для

линейной константы скорости окисления:
бл
 B  CI  1 1
 =  + . (1.114)
 
A N 1h k
Би
Равновесная концентрация окислителя C* определяется уравнением (1.104).

Коэффициент массопереноса h определяется соотношением Аррениуса:
 h 
h = h0 exp − E  .
 k BT 
Чтобы разделить влияние различных факторов процесса окисления на ли-

нейную константу B/A, ее удобно представить в следующем виде:
72
(B/A)I = (B/A)i(B/A)or(B/A)P(B/A)Cl(B/A)d, (1.115)
где соответствующие сомножители описывают зависимость B/A от ориентации

окисляемой подложки (or), давления (P), содержания хлора (Cl) и степени легиро-
вания подложки (d). (B/A)i – собственная (определяемая экспериментально) ли-
нейная константа скорости окисления слаболегированного окисла, получаемого
при атмосферном давлении без хлора в газе-окислителе.
Ориентационная зависимость линейной константы скорости окисления.

Влияние ориентации кремниевой подложки на кинетику окисления объясняется
разной поверхностной плотностью атомов кремния и разным числом химических
Р
связей Si–Si на различных гранях кристалла кремния [45, 46]. Отсюда следует, что
параболическая константа В не зависит от ориентации подложки, поскольку она
УИ
определяет интенсивность диффузии окислителя лишь в объеме SiO2. Как пока-
зывают экспериментальные данные, значения линейной константы В/А для кри-
сталлографических ориентаций <111> и <100> с достаточной точностью можно
аппроксимировать следующим соотношением
БГ
(B/A)111 = 1,68(B/A)100.
Для ориентации <110> значение В/А принимается в 1,45 больше, чем для
а
ориентации <100>.
ек
Зависимость толщины окисла кремния от давления. Окисление кремния

при высоких давлениях позволяет вырастить относительно толстые пленки SiO2
при пониженных температурах, что уменьшает перераспределение примесей
т
[48, 54]. Зависимость линейной константы скорости окисления от давления, как

следует из (1.104), описывается степенным соотношением
ио
(B/A)P = (B/A)iPkp,
бл
где P – парциальное давление окислительного газа, kp – экспериментально опре-

деляемая константа.
Би
Для окисления во влажной среде kp ≅ 1, а для окисления в сухой атмосфере

kp ≅ 0,7–0,8. В качестве примера, на рис. 1.53 показана зависимость толщины
окисла кремния от времени окисления при Р = 0,1 атм в сухом кислороде для раз-
ных температур, полученная в модели Дила–Гроува.
73
Р
УИ
БГ
Рис. 1.48. Толщина окисла кремния в зависимости от времени окисления
для различных парциальных давлений окислительного газа
Зависимость толщины окисла кремния от содержания хлора. Добавка хло-

а
ра в окислительную систему приводит к лучшей пассивации и к повышенным ди-
ек
электрическим свойствам окисла [44, 46, 47]. В сухой окислительной среде введе-
ние хлора приводит к повышению скорости окисления. Одно из возможных объ-
яснений этого влияния состоит в деформации кристаллической решетки SiO2 при
т
внедрении атомов хлора в окисную пленку, что приводит к повышению коэффи-

циента диффузии окислителя.
Зависимость толщины окисла кремния от степени легирования. Известно,
ио
что формирование SiO2 на высоколегированных подложках n-типа и p-типа может

быть улучшено по сравнению с формированием SiO2 на слаболегированных под-
ложках [48, 49]. Зависимость кинетики роста окисла от концентрации примесей
бл
проявляется в изменении линейной константы скорости окисления. Физический

смысл влияния высокого уровня концентрации примесей объясняется прежде все-
го эффектом электрического поля [49, 50, 53]:
Би
 B   k d ,0  V * 
  = 1 + k d exp −  * − 1 , (1.116)
  d   
A  B  Vi
k T 
где V* – равновесная концентрация вакансий в кремнии вблизи поверхности раз-

дела Si/SiO2; Vi* – равновесная концентрация вакансий в кремнии; kd,0 и kd – экспе-
риментально определяемые константы.
Равновесная концентрация вакансий в различных зарядовых состояниях за-
висит от положения уровня Ферми [51, 52] и определяется следующим выражени-
ем:
74
 n   ni  + +  n  −  n  = 
2 2
+
1 +  φ +   φ +  φ +   φ 
i
 n n  ni   ni  
V * = Vi*  + ++ − = ,
 1+φ +φ +φ +φ 
 
 
где n – концентрация электронов; ni – собственная концентрация носителей заря-

да; φ+, φ++, φ- и φ= – доли концентраций вакансий соответственно в положитель-
ных, двукратно-положительных, отрицательных и двукратно-отрицательных за-
Р
рядовых состояниях, зависимость которых от температуры задается соотношени-
ем Аррениуса.
УИ
С увеличением степени легирования примесями n-типа зависимость V* от
Vi* увеличивается, а для примесей p-типа остается почти неизменной. Увеличение
зависимости V* от Vi* для примесей n-типа связано с увеличением линейной кон-
станты скорости окисления, что приводит к формированию более толстых пленок
БГ
окисла. Это объясняется более высокой способностью к внедрению в кристалли-
ческую решетку кремниевой подложки вакансий или молекул окислителя при
окислении высоколегированной подложки n-типа.
а
1.3.3. Смешанная окислительная среда
ек
На практике окислительной средой может быть смесь газа, состоящая из

более чем одного окислителя и разных примесей. Полная скорость окисления бу-
дет зависеть от всех составляющих. При моделировании окисления в многоком-
т
понентной газовой среде следует одновременно учитывать диффузию и окисле-

ние всех газовых составляющих [54]. Парциальные давления каждого газа рассчи-
ио
тываются следующим образом:
Fj
Pj = Ptot
бл
, (1.117)
∑ Fi
где Pj и Fj – парциальное давление и скорость потока газа соответственно для ка-
Би
ждой j-й компоненты; Ptot – полное давление газовой смеси.

Для сред, содержащих более чем один окислитель (например, O2 и H2O),
используется парциальное давление каждого окислителя при расчете C* для каж-
дого компонента. Из полученного значения C* рассчитываются k и Deff для каждо-
го составляющего окислителя. Уравнение (1.103) решается для каждого окислите-
ля с целью получения распределения концентрации окислителя в растущем SiO2.
Вклады от каждого составляющего окислителя в скорость смещения поверхности
раздела Si/SiO2 рассчитываются с помощью выражения
75
k j Cij
VS = ∑ ,
i N ij
если используется уравнение (1.108). Индекс j соответствует j-му окислительному

газу.
Уравнения для потока также рассчитываются для смешанной среды, в кото-
рой присутствуют как O2, так и H2O. Зависимости величин Deff и k от напряжения
являются функциями содержания сухого и влажного кислорода, которые зависят
от процессов окисления, проводимых ранее.
Р
1.3.4. Двухмерные модели окисления кремния
УИ
Модели, основанные на теории окисления Дила–Гроува, позволяют рассчи-
тывать произвольные двухмерные структуры. При этом уравнение (1.112) адек-
ватно описывает движение поверхности раздела Si/SiO2, если окисел движется в
том же направлении, в каком он растет (для планарных окисляемых структур).
БГ
Однако в большинстве реальных структур окисел движется в двухмерном про-
странстве. Двухмерное движение элементов окисла рассчитывается посредством
численного решения уравнения гидродинамической ползучести в моделях
COMPRESS и VISCOUS, используемых в современных программах технологиче-
а
ского моделирования, в том числе в программе SSUPREM4.
Модель COMPRESS. В модели COMPRESS дополнительно к решению урав-
ек
нений (1.112) и (1.113) решается упрощенное уравнение гидродинамического те-

чения для получения потока окисных элементов [45, 46]. При пренебрежении ус-
корительными и гравитационными членами в уравнении гидродинамического те-
т
чения уравнение ползучести имеет вид

ио
→
η ∇ V = ∇P ,
2
(1.118)
где P – гидродинамическое давление; V – скорость роста элемента окисла; η –

бл
вязкость окисла.
Вязкость окисла рассчитывается из выражения
Би
E
η= , (1.119)
(2 + 2µ )
где E – модуль Юнга; µ – коэффициент Пуассона.
Поток окисла рассматривается как несжимаемая жидкость. Полагается, что
плотность окисла постоянна во времени. При таком предположении в уравнении
непрерывности массы получаем следующее условие несжимаемости:
→→
∇V = 0 . (1.120)
76
Условие несжимаемости в уравнении (1.120) при слабой сжимаемости вы-
ражается следующим образом:
→→ 1 − (2 µ )
∇V = − P. (1.121)
η
Решение уравнения (1.121) на каждом временном шаге дает поле скоростей

элементов окисла.
Модель COMPRESS используется при моделировании планарных и непла-
нарных структур, когда эффекты напряжения играют небольшую роль при опре-
Р
делении формы окисла. Если эффекты напряжения существенны, обычно исполь-
УИ
зуется модель окисления VISCOUS. На рис. 1.49 показана двухмерная структура,
полученная при моделировании LOCOS-окисления посредством использования
модели COMPRESS.
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.49. Двухмерная структура, полученная при моделировании

LOCOS-окисления посредством использования модели COMPRESS
77
Модель VISCOUS. В модели VISCOUS решаются те же уравнения, что и
в модели COMPRESS. Однако при этом рассчитываются и напряжения в расту-
щем окисле.
Напряжения в окисле рассчитываются следующим образом [55–57]:
 − ηE 
2η exp 
σ xx + σ yy =  B   ∂Vx + ∂V y  ,
k T
(1.122)
1 − (2 POISS .R )  ∂x ∂y 
 − η E  ∂Vx ∂V y 
σ xx − σ yy = 2η exp  +  , (1.123)
∂ ∂
Р
 B 
k T x y 
 − η E  ∂Vx ∂V y 
σ xy = ηVISC .0 exp  + ,
УИ
(1.124)
 kbT  ∂x ∂y 
где Vx и Vy – x и y компоненты скорости потока V; η и ηE – пред-экспоненциальный
БГ
коэффициент и энергия активации для вязкости.
Нелинейная модель с зависимостью от напряжения, предложенная в рабо-
те [49], позволяет описать реальную форму LOCOS-профиля с перегибами на по-
верхности раздела. С помощью уравнений (1.118) и (1.121)–(1.124) вначале реша-
ется линейная задача нахождения скоростей и напряжений, а затем рассчитыва-
а
ются коэффициенты для определения коэффициента диффузии окислителя Deff,
ек
вязкости окисла η и константы скорости реакции на поверхности раздела k:
(
(i ) = D (i −1) exp Vd σ xx + σ yy ),
т
Deff eff  
 k bT 
 τVc 
ио
 
µ (i ) = µ (i −1)  b  ,
2 k T
 τV 
sin h c 
бл
 2kbT 
 σ V + σ tVt 
k (i ) = k (i −1) exp − r r ,
Би
 kbT 
где i – номер итерации; Vd, Vc, Vr и Vt – активационные объемы; τ – полное напря-

жение сдвига:
τ =
1
2
(σ xx − σ yy )2 + 4σ xy2 ,
σr – нормальная компонента полного напряжения:
78
σ r = σ xx n x2 + σ yy n 2y + 2σ xy n x n y ,
σt – тангенциальная компонента полного напряжения:
σ t = σ xx n 2y + σ yy n x2 − 2σ xy n x n y ,
где nx и ny – x- и y-компоненты единичного нормального вектора.

Найденные параметры подставляются на следующей итерации, и этот про-
цесс продолжается до достижения заданной точности. Следует отметить, что вре-
мя расчета по модели VISCOUS больше, чем по модели COMPRESS.
Р
На рис. 1.50 приведена результирующая структура LOCOS-окисления, по-
лученная по модели VISCOUS.
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.50. Результирующая структура LOCOS-окисления,

полученная по модели VISCOUS
1.3.5. Аналитическая двухмерная модель локального окисления кремния
Моделирование непланарного локального окисления (LOCOS-процесс), ха-

рактеризующегося образованием подслоя окисла под нитридной маской в виде
79
так называемой геометрии «птичьего клюва», представляет собой сложную зада-
чу. Процесс локального окисления сопровождается возникновением высоких ме-
ханических напряжений вблизи края окна в маске и, как следствие, образованием
дефектов кристаллической решетки с высоким уровнем их концентрации. Этот
эффект не учитывается в физических моделях окисления кремния в приближении
вязкого течения [45, 46] и вязко-упругой деформации [47, 48]. Кроме того, ис-
пользование этих моделей при проектировании технологии формирования струк-
турных элементов интегральных схем требует больших вычислительных затрат,
что неприемлемо в статистических расчетах.
Более эффективной с точки зрения требуемых вычислительных ресурсов и
физической адекватности результатов расчетов является аналитическая модель
Р
«птичьего клюва» [58].
В зависимости от толщины нитридной маски, как показывают результаты
УИ
экспериментальных исследований, возможны две формы «птичьего клюва»
(рис. 1.51).
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.51. Различные формы структуры «птичьего клюва»,

бл
наблюдаемые в эксперименте [56]:

■ – структура 1; O – структура 2
Би
Условно назовем форму «птичьего клюва», образующуюся при малых

(< 0,05 мкм) толщинах нитридной маски, структурой 1 (низкий уровень напряже-
ний вблизи края маски), а при больших (> 0,1 мкм) толщинах нитридной маски –
структурой 2 (высокий уровень напряжений вблизи края маски).
В аналитической модели локального окисления основными параметрами
являются толщина нитридной маски en и толщина исходного оксидного слоя eox
под нитридом (рис. 1.52).
80
Р
УИ
БГ
Рис. 1.52. Геометрия и параметры аналитической модели «птичьего клюва»:
а – структура 1, б – структура 2
На рис. 1.52 Eox – толщина окисла, рассчитываемая по классической модели

модели Дила–Гроува, а остальные параметры характеризуют геометрию «птичье-
а
го клюва» вблизи края маски и зависят от условий операции окисления (в основ-
ек
ном, от температуры процесса). Z1 и Z2 – аналитические функции, описывающие

поверхности раздела «окисел–кремний» и «окисел–окружающая среда» (окисел–
нитрид) соответственно. Для каждой структуры геометрии «птичьего клюва»
т
принимаются свои формы аналитических выражений для Z1 и Z2.

Для структуры 1:
ио
Z1(y)=a1erfc(b1y+c1)+d1,
Z2(y)=a2erfc(b2y+c2)+d2.
бл
Для структуры 2 вследствие высокого уровня напряжений вблизи края

маски наблюдается ступенька на поверхности раздела «окисел–кремний» вбли-
зи края маски, характеризующаяся сдвигом окисла на величину δ, поэтому
Би
принимаются две формы аналитических выражений для Z1 и Z2 слева и справа

от этой ступеньки:
81
a1′erfc(b1′ ( y − δ )), y ≥δ

Z1 ( y ) = d1' − y ,
e1′ , y <δ 
d1' − y + q 
( )
a 2' erfc b2' y + c2' , y≥0 

Z2 (y) = d 2' − y ,
e2′ , y < 0
d 2' − y + q 
где q = 0,05 мкм и δ = 0,04 мкм.
Р
Величины a1, b1, a’1, b’1, … являются эмпирическими функциями технологи-
УИ
ческих параметров en и eox; Eox – толщина окисла, рассчитываемая по модели Ди-
ла–Гроува для планарного процесса окисления. Параметры Lbb (длина бокового
окисления под нитридом) и H (величина подъема маски при окислении) рассчи-
тываются согласно следующим выражениям:

Lbb = K L (− Tox + 1580,3)Eox exp

0.67

 0 ,06 БГ
 (en − 0,08 )2  0,3 
eox ,

 
а
  T 
H = K H  (− 1,75en + 0,445 )Eox exp − ox  .
ек
  200  
Здесь Tox – температура (°С), при которой производится окисление, KL = 8,25·10-3,

т
KH = 402 для следующих диапазонов изменения величин Eox, Tox, en и eox:

ио
0 < Eox < 1,5 мкм,

850 °С < Tox <1100 °С,
0,05 мкм < en < 0,2 мкм,
0 < eox < 0,05 мкм.
бл
Приведенные аналитические выражения и диапазоны изменения параметров

справедливы для подложки с кристаллографической ориентацией <100>.
Би
Описанная аналитическая модель достаточно точно воспроизводит геомет-

рию «птичьего клюва», а использование экспериментальных данных позволяет
оценить другие критические параметры, связанные с образованием этой структу-
ры, в частности, упругие напряжения под маской и концентрации дефектов кри-
сталлической решетки в условиях возникающих упругих деформаций.
В работе [59] исследована работоспособность описанной аналитической
модели формирования структуры «птичьего клюва» вблизи края маски и перерас-
пределения примесей в этом процессе.
Двухмерное моделирование профилей распределения фосфора в результате
его имплантации в кремниевую подложку через окно в маске с произвольным на-
82
клоном ее углов осуществлялось посредством использования суперпозиции ста-
тистических функций распределения – PEARSON-IV вдоль направления бомбар-
дирующих ионов и двух гауссиан вдоль поперечных направлений [20, 59]. Рас-
считанное распределение фосфора в виде изоконцентрационных линий (цифры на
изолиниях соответствуют десятичному логарифму значения концентрации фос-
фора) после его имплантации в кремниевую подложку через окно в маске с пря-
моугольными краями размером 2×2 мкм2, с энергией имплантации 100 кэВ и до-
зой 1015 см-2 представлено на рис. 1.53.
Р
УИ
БГ
а
ек
Рис. 1.53. Двухмерный профиль распределения фосфора в кремнии

т
ио
Результаты моделирования последующего перераспределения фосфора

в результате длительного высокотемпературного локального окисления представ-
лены на рис. 1.54 и 1.55. Параметры процесса окисления: длительность 30 мин,
бл
температура 950 °C (см. рис. 1.54) и 1100 °C (рис. 1.55), окислительная среда –
влажный кислород. В качестве варьируемых параметров кроме температуры про-
цесса были выбраны величины толщины нитридной маски en (0,1 и 0,2 мкм) и
Би
толщины исходного оксидного слоя eox (0,001 и 0,04 мкм) под нитридом.
В программе SSUPREM4 форма «птичьего клюва» окисла под нитридными
масками различной толщины рассчитывается с использованием двух моде-
лей [58]. Одна из них описывает рост окисла под тонким слоем нитрида, когда на-
пряжения от слоя нитридной маски пренебрежимо малы. Другая описывает рост
окисла, когда толщина слоя нитрида достаточно велика и напряжения в окисле
могут вызвать «вспучивание» слоя окисла.
83
Р
УИ
БГ
а а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.54. Двухмерные пост-имплантационные профили распределения

фосфора в кремнии: а – en = 0,1 мкм, eox = 0,04 мкм;
б – en = 0,2 мкм, eox = 0,001 мкм
84
Р
УИ
БГ
а а
ек
т
ио
бл
Би
б
Рис. 1.55. Двухмерные пост-имплантационные профили распределения
фосфора в кремнии: а – en = 0,1 мкм, eox = 0,04 мкм;
б – en = 0,2 мкм, eox = 0,001 мкм
1.4. Моделирование ионной имплантации
Ионная имплантация – один из основных способов локального легирования

полупроводниковых структур. Эта технологическая операция применяется не
только для введения легирующих примесей в полупроводники, но также и для
синтеза новых соединений, изменения механических, коррозионных, каталитиче-
85
ских и оптических свойств приповерхностных слоев материалов. Совершенство-
вание технологий, использующих ионную имплантацию в качестве метода кон-
тролируемого введения примесей в твердые тела, требует все более точного опи-
сания распределений примесных атомов. Это особенно актуально при использо-
вании высокоэнергетических и высокоинтенсивных имплантаций, коротких и им-
пульсных отжигов, а также в безмасочных технологиях.
Существуют три взаимодополняющих метода расчета распределений им-
плантированных примесей: метод моментов [60], решение уравнений переноса
частиц в пространстве энергий-углов [61] и моделирование траекторий ионов ме-
тодом Монте-Карло [62].
Метод моментов является наиболее оптимальным при построении профилей
Р
распределения ионно-имплантированных примесей с известными моментами ста-
тистического распределения для определенных пар «ион–мишень» [63, 64].
УИ
В реальной технологии имплантация легирующих примесей производится
через окно в маске (SiO2 или Si3N4). Вследствие бокового ухода примесей под
маску и проникновения части имплантируемой примеси через слой маски (при
достаточно малой ее толщине) необходимо учитывать многомерность постим-
БГ
плантационного профиля.
В программе SSUPREM4 используются аналитические и статистические
приближения для моделирования ионной имплантации. Аналитические модели
основаны на построении профилей имплантированных ионов из рассчитанных
а
или измеренных моментов распределений. В статистическом подходе использу-
ются результаты расчетов траекторий ионов методом Монте-Карло в физическом
ек
приближении с целью определения окончательного распределения остановив-

шихся частиц.
т
1.4.1. Аналитические модели имплантации

ио
Для расчета распределений ионно-имплантированных примесей использу-

ются пространственные моменты. Этот метод основан на концепции пробегов
Линдхарда [65], в котором профиль ионно-имплантированных примесей строится
бл
на основании ранее рассчитанных или измеренных моментов. Двухмерное рас-

пределение может рассматриваться как суперпозиция продольного (вдоль направ-
ления имплантации) и поперечного (перпендикулярно направлению импланта-
Би
ции) одномерных распределений.

Гауссово распределение ионно-имплантированных примесей. Гауссово од-
номерное распределение имеет следующий вид:
C (x ) =
φ
exp
(
− x − Rp )2 , (1.125)
2π ∆Rρ 2∆Rρ2
где φ – доза; Rp – проективный пробег; ∆Rp – страгглинг проективного пробега

или стандартное отклонение.
86
Распределение Пирсона ионно-имплантированных примесей. Для большин-
ства реальных профилей гауссово распределение неадекватно, поскольку реаль-
ные профили несимметричны. Простейшим и наиболее широко используемым
методом расчета асимметричных продольных профилей распределения ионно-
имплантированных примесей является распределение Пирсона и в особенности
функция распределения Пирсон IV.
Функция Пирсон IV относится к семейству статистических распределений
как результат решения следующего дифференциального уравнения:
df ( x ) (x − a ) f (x ) ,
=
dx b0 + b1 x + b2 x 2
Р
в котором f(x) – частотная функция. Константы a, b0, b1 и b2 связаны с моментами
УИ
функции f(x) следующими соотношениями:
a=−
∆R pγ (β + 3)
, b0 = −
(
∆R 2p 4 β − 3γ 2 ), b =a, b =−
2β − γ 2 − 6
,
БГ
1 2
A A A
где A = 10β – 12γ2 – 18, а γ и β – параметры, называемые соответственно асиммет-
рией (skewness) и скошенностью или эксцессом (kurtosis).
Эти параметры распределения Пирсона непосредственно связаны с четырь-
а
мя моментами (µ1, µ2, µ3 и µ4) функции распределения f(x):
ек
µ3 µ4
R p = µ1; ∆R p = µ 2 ; γ = ; β= .
R 3p R 4p
т
Параметры µi определяются следующими выражениями:

ио
∞ ∞
µi = ∫ xf (x )dx, µ i = ∫ (x − R p ) f (x )dx i = 2, 3, 4...
i
−∞ −∞
бл
Формы решения дифференциального уравнения Пирсона зависят от приро-

ды корней уравнения b0 + b1x + b2x2 = 0. Существуют различные формы кривых
распределения Пирсона. Их полная классификация содержится в работе [66].
Би
Очевидно, что только колоколообразные кривые подходят для профилей распре-

деления имплантированных ионов. В работе [67] показано, что функция f(x) имеет
максимум, когда b0 + b1x + b2x2 = 0. Это выражение можно представить в виде
следующего соотношения между β и γ :
( ) [( )
9 6γ 2 + 5 + 9γ 6 16 + 8γ 4 + 25 γ 2 + 1 ( )]
1 2

β>   (1.126)
50 − γ 2
с дополнительным ограничением γ2 < 50.
87
Только распределение Пирсон IV имеет единственный максимум при
x = a + Rp, и оно монотонно спадает до нуля по обе стороны распределения. Та-
ким образом, именно распределение Пирсон IV обычно используется для по-
строения профиля распределения ионно-имплантированных примесей. Распреде-
ление Пирсон IV является решением уравнения (1.125) при удовлетворении сле-
дующих условий:
β=
(
39γ 2 + 48 + 6 γ 2 + 4 )
32
, 0 < γ 2 < 32 , (1.127)
32 − γ 2
Р
что дает следующую формулу для распределения Пирсон IV:
УИ
[ ( )
f (x ) = K b0 + b1 x − R p + b2 x − R p)2 ]1 (2b ) ×
( 2
 b b + 2a  2b (x − R p ) + b  ,
atan
2
× exp − 1 2 
2
БГ
 4b1b2 − b12  4b1b2 − b12 
  
где K определяется ограничением

а
∞
∫ f (x )dx = 1 . (1.128)
ек
−∞
В узкой области, где критерий распределения Пирсон IV (1.127) не выпол-

т
няется, но выполняется критерий колоколообразной формы распределения

(1.126), используются другие типы функции Пирсона, для которых свойство «ко-
локолообразности» не выполняется по всему интервалу изменения x. Обычно это
ио
не влияет на качество рассчитанных профилей, поскольку пределы изменения та-

ких функций располагаются достаточно далеко от положения их максимума.
В стандартной модели с использованием распределения Пирсон IV продольное
бл
распределение концентрации примеси пропорционально дозе ионов:
C (x ) = φ f (x ).
Би
Приближение с использованием распределения Пирсон IV дает адекватные

результаты для многих комбинаций ион/подложка/доза. Однако во многих прак-
тически важных случаях, когда необходимо учитывать эффект каналирования,
использование приближения Пирсона приводит к неадекватным результатам.
Модель со сдвоенным распределением Пирсона. Для расширения примени-
мости аналитического приближения с целью учета эффекта каналирования в ра-
боте [68] предложена модель профиля распределения ионно-имплантированных
примесей с использованием сдвоенного распределения Пирсона. В этой модели
распределение концентрации примесей представляется в виде линейной комбина-
ции двух функций:
88
C (x ) = φ1 f1 ( x ) + φ 2 f 2 (x ) , (1.129)
где φ1+φ2=φ – полная доза, а f1(x) и f2(x) – нормализованные функции Пирсон IV,
каждая со своими моментами.
Первая функция Пирсона описывает случайные столкновения импланти-
руемых примесей с атомами подложки (вблизи пика профиля), а вторая – область
хвоста, обусловленного эффектом каналирования. Уравнение (1.120) можно пере-
писать в другой форме:
C (x ) = φ [Rf1 (x ) + (1 − R ) f 2 (x )] , (1.130)
Р
где R = φ1/φ2.
УИ
Чтобы использовать распределение Пирсона в таком виде, необходимо
иметь 9 параметров: по 4 момента для каждой части такого распределения плюс
отношение доз.
БГ
Моделирование имплантации в многослойную структуру. Чтобы использо-
вать любую из приведенных выше аналитических функций распределения для
структур, состоящих из слоев с различными материалами, следует применить
специальную методику для изменения параметров пробегов в этих функциях, со-
а
ответствующих для каждого материала.
Метод подгонки к дозе. Этот метод впервые предложен в работе [69]. Сег-
ек
мент профиля внутри i-го слоя рассчитывается следующим образом:
Ci (x ) = φf (x − xt + xeff ), (1.131)
т
где f(x) – функция распределения (Гаусс, Пирсон или сдвоенный Пирсон) с мо-
ио
ментами, соответствующими i-му слою; x – расстояние от поверхности подложки

до верхней поверхности i-го слоя; xt – толщина k-го слоя,
бл
xt = ∑ tk ; (1.132)
1≤ k ≤ i −1
xeff – эффективная толщина, рассчитываемая из выражения

Би
x eff
∫ Ci (x )dx = ∑ φ k , (1.133)
0 1≤ k ≤ i −1
где φk – доля полной дозы имплантации в k-м слое. Очевидно, что для первого
слоя xeff = 0 и xt = 0.
Методы коррекции проективного пробега и максимальной глубины им-

плантации. Два других метода в аналитическом приближении для многослойных
89
структур состоят в изменении величины проективного пробега и максимальной
глубины. Эти два метода отличаются от метода подгонки к дозе способом расчета
эффективной глубины xeff, а также способом нормализации парциальных профи-
лей в слоях. Как и в методе подгонки к дозе, распределение в первом слое рассчи-
тывается с использованием моментов для первого слоя. Для последующих слоев
распределение примесей рассчитывается следующим образом:
 
Ci(x)=Nf(x–xt+xeff) и N =  φ − ∑ φ k  φi ,
 1≤ k ≤ i −1 
Р
где N – коэффициент нормализации; φ – доза имплантации; xeff – эффективная
глубина, рассчитываемая следующим образом. При расчете проективного пробега
УИ
xeff для i-го слоя:
tk
xeff = ∑ k
R kp +1 ,
1≤ k ≤ i −1 R p
БГ
где R kp – проективный пробег иона в материале k-го слоя. При масштабировании
максимального пробега xeff рассчитывается по формуле
а
tk
(R )
ек
k +1
xeff = ∑ p + 3∆R kp +1 ,
k
1≤ k ≤ i −1 R p + 3∆R kp
т
где ∆R kp – страгглинг проективного пробега в k-м слое. В этом приближении рас-

считанная величина максимального пробега используется как мера внедрения ио-
ио
на в соответствующий материал.
Метод коррекции моментов. В обоих описанных выше методах моделиро-

бл
вания имплантации в многослойную структуру параметры пробегов считаются не

зависящими от наличия других слоев. Однако очевидно, что распределение тор-
можения ионов в более глубоких слоях может зависеть от толщины и характери-
Би
стик торможения более высоких слоев, поскольку каждая траектория ионов про-
ходит через указанные более высокие слои. Метод коррекции моментов (Moment
Correction Method, MСM) частично учитывает этот эффект. В MСM-методе про-
ективный пробег и страгглинг в данном слое нормализуются в соответствии с ве-
роятностью проникновения иона в данный слой. Единственной доступной мерой
этой вероятности является доля дозы в данном слое. Таким образом, скорректиро-
ванные проективный пробег Rpc и страгглинг в i-м слое рассчитываются следую-
щим образом:
R pc = φi R ip + ∑φ k R kp , ∆R pc = φi R ip + ∑ φk R kp , где φi = φ − ∑ φk .
1≤ k ≤ i −1 1≤ k ≤ i −1 1≤ k ≤ i −1
90
Построение двухмерных профилей. Метод свертки. Метод свертки заклю-
чается в следующем. Прежде всего устанавливается направление имплантации
относительно рассматриваемой плоскости, используя угловые параметры θ (угол
между направлением пучка ионов и осью y) и φ (угол между направлением пучка
ионов и рассматриваемой поверхностью). Например, φ = 0° и θ > 0° соответству-
ют ионному пучку, параллельному рассматриваемой плоскости и направленному
в нижний правый угол рассматриваемой поверхности. φ = 90° и θ > 0° соответст-
вуют ионному пучку в плоскости, перпендикулярному рассматриваемой плоско-
сти и направленному в рассматриваемую плоскость. Эффективный угол имплан-
тации в рассматриваемой плоскости определяется из следующего выражения:
Р
tg(α) = tg(θ)cos(φ).
УИ
Фронт имплантации, перпендикулярный направлению α, разделяется на ряд
слоев Ns (обычно > 100) шириной a. Концентрация ионно-имплантированных
примесей в каждой точке сетки i с координатами (xi, yi) рассчитывается путем
БГ
суммирования вкладов от каждого k-го слоя:
C ( xi , yi ) = ∑ C k (xi , yi ).
1≤ k ≤ N S
а
Вклад от каждого слоя Ck рассчитывается посредством интегрирования час-
ек
тотной функции F2D(x,y) двухмерного источника (от начальной точки в сечении,

нормальном к центральному слою поверхности структуры) по ширине слоя:
т
a2
C k ( xi , yi ) = φ ∫ f 2 D (d i , ti )dt ,
ио
−a 2
где di – глубина вдоль направления имплантации (т.е. расстояние между началь-

бл
ной точкой и проекцией точки i на вектор n ), а ti – поперечное расстояние (т.е.

расстояние между точкой i и вектором n ).
Би
Моделирование бокового распределения примесей в зависимости от глуби-

ны. Простейшей формой двухмерной частотной функции является произведение
продольной функции f1(x) (которая может быть функцией Гаусса, Пирсона или
двойной функцией Пирсона) на не зависящую от глубины поперечную функ-
цию ft(y):
f2D(x, y) = f1(x)ft(x). (1.134)
Очевидно, что функция ft(y) должна быть симметричной и иметь колоколо-

образную форму.
91
Функция Гаусса для бокового распределения. Такая функция используется
в случае, если величина эксцесса отличается от значения 3,0, задаваемого по
умолчанию. В этом случае интегрирование уравнения (1.125) дает
 t −a 2 t + a 2
C ( xi , yi ) = φf1 (d i )erfc i
1
− erfc i ,
2  2 ∆Y 2∆Y 
где ∆Y – продольное стандартное отклонение, определяемое из выражения
∞
∆Y = φ ∫ ∫ f 2 D (x, y )y
2
dxdy . (1.135)
Р
−∞
УИ
Параболическое приближение для бокового распределения, зависящего от
глубины. В работах [70–73] показано, что продольная функция ft(y) не зависит от
глубины, поскольку имеется существенная корреляция между поперечным и про-
дольным движениями имплантируемых ионов. Эту корреляцию можно учесть,
БГ
используя поперечную функцию с не зависящим от глубины боковым стандарт-
ным отклонением. Как показано в работах [71, 73], если используются простран-
ственные моменты вплоть до четвертого порядка, наилучшим приближением яв-
ляется параболическая функция
а
( ) (
σ y2 (x ) = c0 + c1 x − R p + c2 x − R p 2 . )
ек
Чтобы найти коэффициенты этой функции, следует использовать два до-

т
полнительных пространственных момента: так называемую смешанную асиммет-

рию
ио
∞
γ xy = ∫ ∫ f 2 D (x, y )(x − R p )y
2
dxdy (1.136)
−∞
бл
и смешанный эксцесс
∞
β xy = ∫ ∫ f 2 D (x, y )(x − R p )
2
y 2 dxdy . (1.137)
Би
−∞
Параметры c0 и c2 можно определить, подставив уравнение (1.134) в урав-

нения (1.135), (1.136) и (1.137) и принимая во внимание уравнения (1.127) –
(1.133) при интегрировании по x. Это приводит к системе уравнений, из которой
можно получить следующие соотношения:
β xy − 1 − γγ xy
c0 = ∆Y (1 − B ), c1 =
2 ∆Y 2
∆R p
(
γ xy − γB , c2 = )
∆Y 2
B , где B = .
∆R 2p β −1 − γ 2
92
Негауссовы функции для бокового распределения. Результаты моделирова-
ния методом Монте-Карло [74] показывают, что в большинстве случаев функция
поперечного распределения является негауссовой. Другими словами, поперечный
эксцесс, рассчитываемый по формуле
∞
βy = ∫ ∫ f 2 D (x, y )y
4
dxdy ,
−∞
не всегда равен 3,0 и, кроме того, зависит от глубины. Несколько негауссовых по-
перечных функций распределения исследованы в работе [75], где показано, что
Р
применимы симметричные функции Пирсона (типа II для βy ≤ 3,0 и типа VII для
βy ≥ 3,0), которые обеспечивают хорошее согласие с результатами расчетов мето-
УИ
дом Монте-Карло для аморфного кремния и обладают высокими вычислительны-
ми характеристиками, поскольку их можно интегрировать по x в замкнутой форме
через неполные β-функции [76].
Другой альтернативой для функции поперечного распределения является
БГ
использование модифицированной функции Гаусса (МФГ), предложенной в рабо-
те [74]. В [76] показано, что ее также можно интегрировать в замкнутой форме с
использованием Г-функции. Выбор типа функции поперечного распределения в
определенной степени субъективен, поскольку он основан на сравнении с боко-
а
вым сечением двухмерных распределений, полученных методом Монте-Карло,
точность которого уменьшается вдали от положения его максимума. Анализ, про-
ек
веденный в работе [77] на основании BCA-моделирования (см. подразд. 1.4.2

«Моделирование имплантации методом Монте-Карло»), показал, что функция ти-
па Пирсон II несколько недооценивает концентрации, полученные в BCA-
т
расчетах, тогда как расчеты в МФГ-приближении переоценивают эти концентра-

ции. Поэтому обычно используется среднее приближение между Пирсон II и
ио
МФГ для всех βy < 3,0. Если βy = 3,0, то обе функции сводятся к функции Гаусса.
И, наконец, в работе [77] показано, что в случае более высоких значений βγ МФГ-
модель является самым лучшим приближением.
бл
Задача определения функции βy(x) является более трудной, чем сделанное

выше определение функции σy(x), поскольку в этом случае необходимо использо-
вать пространственные моменты пятого и шестого порядков, чтобы построить
Би
аналитическую функцию для зависимости βy(x). Поэтому обычно используется

постоянное значение βy, не зависящее от x.
1.4.2. Моделирование имплантации методом Mонте-Карло
Аналитические модели дают хорошие результаты только при рассмотрении

ионной имплантации в простые планарные структуры (в чистый кремний или
в кремний, покрытый тонким слоем другого материала). Однако для структур, со-
держащих много непланарных слоев, необходимы более сложные модели. Наибо-
лее гибким и универсальным приближением для моделирования ионной имплан-
тации в нестандартных условиях является метод Монте-Карло. Это приближение
93
позволяет рассчитывать имплантационные профили в произвольных структурах
с точностью, сравнимой с точностью аналитических моделей для однослойной
структуры.
На рис. 1.56 приведены профили распределений бора и мышьяка, имплан-
тированных в однослойную структуру кремния с дозой 1·1014 см-2, для двух зна-
чений энергий имплантации – 50 и 200 кэВ, полученные с использованием раз-
личных способов их построения (гауссова функция распределения, статистиче-
ская функция распределения Пирсон IV, сдвоенная функция распределения Пир-
сон IV и метод Монте-Карло). Расчеты проведены с использованием программы
SSUPREM4.
Р
УИ
БГ
а
ек
а) бор, имплантированный в кремний, б) мышьяк, имплантированный

т
Е = 50 кэВ в кремний, Е = 50 кэВ

ио
бл
Би
в) мышьяк, имплантированный г) мышьяк, имплантированный

в кремний, Е = 50 кэВ в кремний, Е = 200 кэВ
Рис. 1.56. Профили распределений бора и мышьяка,
имплантированных в однослойную структуру
94
Анализ профилей, представленных на рисунке 1.56, показывает качествен-
ную независимость профилей от массы имплантируемых ионов.
Известны по крайней мере три модели имплантации, реализуемые в цикле
Монте-Карло: для аморфного материала, для кристаллического материала и BCA-
модель для кристаллического материала. Все они основаны на приближении би-
нарных столкновений (Binary-Collision Approximation, BCA) , но используют раз-
личные приближения относительно структурного материала и распространения в
нем ионов.
Сущность физической проблемы. Пучок быстрых ионов (с энергией от 1 эВ
до 25 кэВ) в кристаллическом или аморфном твердом теле замедляется или рас-
сеивается вследствие ядерных столкновений и электронного взаимодействия. На
Р
своем пути каждый ион может образовывать атомы отдачи, которые в свою оче-
редь образуют каскады атомных столкновений. Они могут покидать поверхность
УИ
подложки (эффект распыления) или застревать в узлах кристаллической решетки.
Вместе с ионами, осажденными на подложке, это приводит к локальным измене-
ниям в составе, повреждению кристаллической решетки и, наконец, к аморфиза-
ции мишени. В зависимости от ориентации кристаллической подложки и/или на-
БГ
правления пучка имплантируемые ионы, а также создаваемые ими радиационные
повреждения имеют различное пространственное распределение. При больших
потоках эти явления будут создавать перемешивание в локальных областях, изме-
нения в составе приповерхностных областей вследствие распыления и установле-
а
ния стационарных профилей имплантированных ионов.
Метод решения задачи. Траектории отдельных движущихся частиц и про-
ек
цессы их столкновений моделируются посредством приближения бинарных

столкновений в кристаллических, поликристаллических и аморфных веществах,
используя экранированный кулоновский потенциал для ядерных столкновений и
т
комбинацию локального и нелокального приближения электронного газа для

электронных энергетических потерь. Для каждого ядерного столкновения рассчи-
ио
тывается параметр столкновения и азимутальный угол отклонения частицы в со-

ответствии с рассматриваемой кристаллической структурой, используя ее транс-
ляционную симметрию. Для аморфных материалов параметр столкновения и ази-
бл
мутальный угол отклонения частицы определяются по закону случайных чисел.

Би
95
Р
УИ
Рис. 1.57. Траектории иона и атома отдачи в приближении упругих столкновений
БГ
Ядерное торможение. При прохождении через вещество ионы взаимодей-
ствуют не только с атомами кристаллической решетки, но и с электронами. На
рис. 1.57 показана геометрия рассеяния двух частиц в лабораторной системе ко-
ординат. В ВСА-модели предполагается, что ионы движутся из одной точки по
а
отрезкам прямой линии, являющимся асимптотами их траекторий. При каждом
столкновении ион теряет свою энергию посредством квазиупругого рассеяния на
ек
атомах решетки и посредством электронных потерь.

Углы рассеяния иона и атома отдачи выражаются следующим образом:
т
tgϑy = Afsinθ/(1 + Afcosθ),

tgϑ2 = fsinθ/(1 + fcosθ),
ио
где f = 1 − Q Er , Q – потеря энергии на электронное возбуждение; A = M2/M1 –

бл
отношение массы атома мишени (рассеянного атома) к массе налетающего (им-

плантируемого иона; θ – угол рассеяния, определяемый следующим образом:
Би
∞
1
θ =π − 2p∫ dr ,
R r 2
g (r )
где
p2 V (r )
g (r ) = 1 − − ,
r2 Er
здесь p – параметр столкновения; Er = AE0 / (1 + A) – относительная кинетическая

энергия иона; E0 – энергия падающего иона; r – межатомное расстояние; V(r) –
межатомный потенциал; R – параметр, определяемый из уравнения g(R) = 0.
96
Сечения падающей и рассеянной частиц определяются посредством исполь-
зования приближения твердых сфер:
x1=ptg(θ/2), x2=0.
Межатомный потенциал. Простейшим потенциалом V(r) межатомного

взаимодействия, используемым в ВСА-приближении, является двухчастичный
кулоновский потенциал с экранирующей функцией, которая является численной
подгонкой к решению, полученному Фирсовым [78]:
Z1Z 2 e 2  r 
V (r ) =
Р
χ   ,
r  a0 
УИ
где Z1 и Z2 – атомные номера атомов 1 и 2; a0 – радиус экранировки, определяе-
мый согласно выражению:
БГ
a0 = 0,8853a B Z −1 3 ,
Z – средняя величина атомных номеров обоих атомов:

а
(
Z −1 3 = Z10,23 + Z 20,23 )
−1
M.
ек
Основной недостаток таких двухчастичных потенциалов заключается в их

относительно медленном затухании при r→∞. Параметр экранировки a0 рассмат-
т
ривается как подгоночный параметр в самосогласованных расчетах или в проце-

дуре согласования с экспериментальными данными. Экранирующая функция
ио
имеет следующую форму:
χ = ∑ ai exp (− bi x ) ,
бл
i =1
где ai и bi – константы [79].

Би
Электронное торможение. Электронное торможение, используемое при

моделировании в ВСА-приближении, состоит из двух отдельных механизмов не-
упругих энергетических потерь – локального и нелокального. Эти два механизма
электронного торможения совершенно различны как по физической природе, так
и по поведению – они имеют разные энергетические и пространственные зависи-
мости [80]. Локальные неупругие энергетические потери основаны на модели,
предложенной Фирсовым [81]. Согласно этой модели, расчет электронных энер-
гетических потерь на столкновение основан на предположении о квазиклассиче-
ской картине электронов, а именно, на средней энергии возбуждения электронных
оболочек и на распределении и движении электронов согласно модели атома То-
97
маса–Ферми. В этом квазиклассическом представлении перенос энергии ∆Е от
иона к атому обусловлен переходом электронов от одной частицы к другой, что
приводит к изменению момента иона (пропорционально его скорости ν) и к уве-
личению силы, действующей на ион. Когда ионы движутся от атома, то, несмотря
на его захват ионом, электроны возвращаются на атом. При этом не происходит
изменения момента, поскольку электроны переходят на более высокие энергети-
ческие уровни. Локальные энергетические потери, согласно модели Фирсова, рас-
считываются следующим образом:
0,05973(Z1 + Z 2 )5 3 E M 1
− ∆E =
(1 + 0,31(Z )
, eV ,
Р
+ Z 2 ) R0
13 5
1
УИ
где R0 – расстояние наибольшего сближения ионов в ангстремах, которое прибли-
зительно равно параметру столкновения в случае упругих соударений под малы-
ми углами; Е – энергия движущегося атома (иона) в эВ; М1 – масса имплантируе-
мого иона в атомных единицах массы.
ских потерь через параметр f.

БГ
В бинарном столкновении углы рассеяния зависят от неупругих энергетиче-
Нелокальные электронные энергетические потери обычно рассчитываются

по модели, описанной в работе [82]. Замедляющая способность среды S = dE/dx
а
для иона в первом приближении пропорциональна среднеквадратичному эффек-
ек
тивному заряду иона. Эффективный заряд иона, ответственный за замедляющую

способность, выводится из данного ионизационного состояния q. Дробный эф-
фективный заряд иона в данном ионизационном состоянии q можно записать
т
в следующем виде:
12
ио
Z1*  S q 
ζ ≡ =  ,
Z1  S q =1 
бл
где Sq=1 – замедляющая способность для чистого ядра. Теория Брандта–Китагавы

дает следующее простое выражение для дробного эффективного заряда иона:
Би
ζ ≈ q + C(kF)(1 – q)ln(1 + (2ΛνFa0r0)2), (1.138)
где q=(Z1–N/Z)1 – степень ионизации; N – число электронов, связанных с ядром

падающего иона; a0 и r0 – скорость падающего иона и радиус боровской орбиты;
kF и vF – волновой вектор Ферми и скорость Ферми.
Для радиуса экранировки используется экспоненциальная форма распреде-
ления, что дает
0,48 N 2 3
Λ= .
Z1 (1 − N (7 N1 ))
98
Единственной неопределенной величиной в выражении (1.138) является
константа С, примерно равная 0,5 и слабо зависящая от материала мишени. Сте-
пень ионизации q можно выразить так:
 − 0,92vr 
q = 1 − exp ,
 v Z2 3 
 0 1 
где vr ≡ 〈 v I − ve 〉 – относительная скорость между падающим ионом и электрона-

ми мишени, которая рассчитывается следующим образом:
Р
  2v12  1  v1   v F2 
УИ
3v
vr = F 1 +  2  −   для ν1<νF, vr = v1 1 + 2  для ν1 ≥ νF.
 5v 
4   3v F  15  v F   1 
Модель радиационных повреждений кристаллической решетки. Описывае-
БГ
мая модель включает рассмотрение динамических процессов превращения мише-
ни из кристаллического состояния в аморфное в процессе ионной имплантации.
С каждым налетающим ионом связана следующая характеристика реальной дозы:
а
ΔΦ = Φ/N,
ек
где N – число падающих ионов. Для каждой точки пространственной сетки рас-
считывается запасенная энергия, связанная с общим числом имплантированных
т
ионов. C увеличением дозы имплантации величина запасенной энергии возраста-

ет, и кристаллическая структура постепенно превращается в аморфную. Такой
процесс характеризуется вероятностной функцией аморфизации
ио
 ∆E (r )
f (r ) = 1 − exp  ,
бл
 Ec 
где ∆Е(r) – энергия, запасенная в единице объема, в данной точке пространствен-

ной сетки; Ec – критическая плотность энергии, представляющая собой энергию,
Би
запасенную в единице объема, необходимую для аморфизации структуры в рас-

сматриваемом объеме, которая выражается в следующем виде:
−2
  E (T − T∞ ) 
Ec (T ) = Ec 0 1 − exp  0  ,
  2 k B TT∞ 
где Ес – энергия активации; kB – постоянная Больцмана; T∞ – температура, необ-

ходимая для превращения кристалла в аморфное состояние при бесконечной дозе.
99
В BCA-модели величина f(r) = 0,6 соответствует полностью аморфизиро-
ванному состоянию, и любая дополнительная энергия, запасенная в точке r, не
вносит вклад в процесс аморфизации.
Геометрия имплантации. На рис. 1.58 представлена схема ориентации ион-
ного пучка относительно кристаллографической ориентации подложки. Имеется
три основных плоскости относительно направления ионного пучка:
- плоскость имплантации α;
- плоскость поверхности Σ;
- плоскость моделирования β.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.58. Геометрия имплантации
Плоскость имплантации – это плоскость, в которой лежит исходный пучок.

Би
Она характеризуется параметрами падающего пучка – углами наклона и поворота.

Если ориентация плоскости поверхности равна <100>, соответствующей единст-
венной ориентации подложки в модуле модели BCA, то сдвиг угла поворота соот-
ветствует направлению <101> на этой плоскости. Это означает, что угол наклона
υ будет полярным углом в этой плоскости, а угол поворота ϕ представляет собой
разницу азимутов линии, вдоль которой рассматриваемая плоскость пересекает
поверхность подложки, и направления <101>.
По умолчанию плоскость, в которой проводится моделирование, ориенти-
рована вдоль направления <101>.
Использование метода Монте-Карло при моделировании процесса имплан-
тации в аморфные материалы. В легированном полупроводнике принципиальное
100
значение имеет остаточное распределение имплантированных примесей. Проник-
новение ионов в аморфные мишени наиболее простым способом описывается с
использованием статистической транспортной модели или посредством модели-
рования методом Монте-Карло. Среди этих двух подходов метод Монте-Карло
является наиболее удобным для многокомпонентных, а также для двух- и трех-
мерных мишеней. В методе Монте-Карло рассматривается явная цепочка столк-
новений, так что состав мишени можно менять на произвольных границах про-
странства и времени. Окончательное распределение ионов определяется из об-
ширного числа N траекторий ионов, статистическая точность которого пропор-
циональна N . По мере проникновения иона в твердое тело он участвует в це-
почке столкновений с атомами мишени до тех пор, пока не останавливается. Уп-
Р
рощенная модель таких столкновений представляет собой рассмотрение бинар-
ных ядерных столкновений, разделенных отрезками прямых линий (длины сво-
УИ
бодных пробегов), в процессе которых ион испытывает непрерывные (нелокаль-
ные) электронные энергетические потери. Столкновения разделяются, т.е. состоя-
ние иона после столкновения зависит единственно от состояния иона перед
столкновением. В ВСА-приближении для аморфного материала предполагается,
БГ
что расположение атомов мишени полностью случайно после каждого столкнове-
ния, т.е. материал мишени не имеет структуры и памяти. В результате цепочка
столкновений описывается случайным выбором следующего партнера при столк-
новении относительно положения иона перед столкновением и направлением его
а
скорости. Это означает, что в модели не может описываться аномальный хвост
ек
проникновения иона в мишень, который наблюдается для ионов, имплантирован-

ных в упорядоченные монокристаллические мишени. Модель адекватно описыва-
ет распространение ионов в многослойных непланарных мишенях.
т
1.5. Моделирование поликремниевой технологии

ио
Поликристаллический кремний (поликремний) приобретает все более важ-

ное значение в технологии микроэлектроники [83, 84]. Слаболегированный поли-
кремний используется, например, как высокоомный резистор в интегральных
бл
микросхемах статической памяти. Поликремний с высоким уровнем легирования

применяется в качестве электрода затвора и межсоединений в МОП-
транзисторных интегральных микросхемах. Поликремний используется также как
Би
диффузионный источник для формирования неглубоких переходов, а также за-

глубленных контактов.
Необходимым условием получения качественных слоев поликремния с за-
данными свойствами является контроль их структурных, электрических и других
физических характеристик при проведении технологических операций формиро-
вания структурных элементов ИМС.
Осаждение поликремния из газовой фазы при низком давлении (Low
Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD-процесс) в настоящее время является
наиболее распространенным методом в современной полупроводниковой про-
мышленности [85, 86]. Этот метод позволяет использовать сразу партию пластин
в одном производственном цикле, получать пленки с наилучшей равномерностью
101
по толщине и составу. При этом очевидны преимущества использования реакто-
ров с пониженным давлением (0,5…1,0 Torr) и высокой температурой
(560…680 °C) процессов. При таких условиях коэффициенты диффузии активных
газов – реагентов на три порядка выше по сравнению с реакторами при атмосфер-
ном давлении, что определяет высокую контролируемость процессов на пластине.
Моделирование кинетики осаждения пленки поликремния в LPCVD-
процессе с одновременным легированием, роста зерна поликремния при термооб-
работке и его удельного сопротивления является эффективным способом оптими-
зации поликремниевой технологии, включая конструкцию реактора и технологи-
ческие параметры – температуру, парциальные давления компонентов газа, его
расход и пр. [2, 87–90].
Р
1.5.1. Моделирование осаждения поликристаллического кремния на
УИ
плоскую поверхность в LPCVD-процессе c одновременным легированием
Систему диффузионных уравнений, описывающих перенос молекул i-го га-

за (силана SiH4, фосфина PH3, арсина AsH3) в LPCDV-реакторе горизонтального
БГ
типа, схема которого приведена на рис. 1.59, в общем виде можно записать сле-
дующим образом:
r r
U∇Ci = −∇N i + Rni , i = 1,..., n − 1 , (1.139)
а
r
ек
где U – средний по массе вектор скорости молекул сорта i в реакторе; Ci – их мо-

лярная концентрация; Ni – молярный диффузионный поток молекул газа i-го сор-
та; R – полная скорость реакций с поверхностью пластины, на которой осуществ-
т
ляется процесс осаждения всех i-х компонент газа.

Уравнение (1.139) справедливо для всех i = 1…n компонент газа в реакторе.
При выводе решения этого уравнения должны выполняться следующие условия:
ио
- рассматривается газ только одного химического состава;

- газ содержит только такие компоненты, которые хорошо растворяются
в инертном газе-носителе;
бл
- рассматриваются только гетерогенные реакции в объеме реактора и на по-

верхности пластины.
Би
102
Р
УИ
Рис. 1.59. Схема LPCVD-реактора горизонтального типа
Типичным примером такой системы является установка для осаждения по-

ликремния на кремниевую пластину из газовой среды азот/аргон (носитель) + си-
БГ
лан SiH4 (активный компонент) посредством реакций:
SiH 4 ↔ SiH 2 + H 2 ↑
 (SiH2 – молекула силена)
SiH 2 → Si + 2H 2 ↑ 
а
ек
Скорость реакции в газовой среде (первая реакция) должна быть первого

порядка по силану, т.е.
т
RS = kC,
ио
где RS – скорость конверсии силана, C – молярная концентрация силана, k – кон-

станта пиролитического разложения силана, которую можно аппроксимировать,
как показано в работе [91], посредством выражения:
бл
 E 
k = ( a + bPtot ) AT β exp − .
 RT 
Би
Здесь эмпирические константы a = 0,0504, b = 0,9496, A = 2,54⋅1038, β = –7,95,

E1 = 61,96, если Ptot (полное давление газа в реакторе) задано в атмосферах.
r При выводе решения уравнения (1.139) полагается также отсутствие потока
( )
U = 0 в пространстве между двумя смежными пластинами, т.е. при 0 ≤ z ≤ d и
0 ≤ r ≤ rW. Это условие означает отсутствие конвективного перераспределения га-
за в малом по сравнению с размерами пластины зазоре между смежными пласти-
нами из-за относительно низкого давления внутри реактора.
Выполнение указанных условий сводит выражение (1.139) к следующему
диффузионному уравнению в цилиндрической геометрии для описания распреде-
103
ления концентрации С активного составляющего компонента (SiH4) по длине ре-
актора z и его радиусу r:
1 ∂  ∂C  ∂ 2 C
r + =0 (1.140)
r ∂r  ∂r  ∂z 2
с граничными условиями:
∂C 
=0 , 
∂r 
Р
r =b

C = Cb r = r ,  (1.141)
УИ

W
∂C
D = RS .
∂z 
z = 0, d 
БГ
Здесь D – коэффициент диффузии силана в газе-носителе, зависящий от темпера-
туры и состава газовой среды в реакторе; Cb – концентрация силана на краю пла-
стин, не зависящая от координаты z и равная концентрации на входе в реактор.
Решение системы уравнений (1.140–1.141) согласно [92] имеет вид
а
∞ I 0 (λn S )
ек
C = Cb ∑ Fn ( A1 K D )[λn cos λnξ + K D sin λnξ ], (1.142)

n =1λn I o (λn )
т
где I0 – модифицированная функция Бесселя первого рода, а собственные значе-

ния λn – положительные корни трансцендентного уравнения
ио
λn 2λ K
tg = 2 n D2 .
A λn − K D
бл
Пространственные координаты r и l здесь представлены в безразмерных ве-

личинах:
Би
r z
S= ,ξ = .
rW d
Функция Fn в выражении (1.142) определяется следующим образом:
λ2n + K D2 λn
1+ cos
λn − K D2 A
Fn ( A, K D ) = φ
(λ )
2
.
2
n + K D2 + 2 AK D
104
Параметры A и KD связаны с геометрическими характеристиками реактора и
диффузионно-кинетическими параметрами физико-химических процессов в газо-
вой среде и на поверхности пластины следующим образом:
rW kr
A= , KD = W .
d D
Эмпирическая зависимость для коэффициента диффузии D молекул силана

в газовой среде, зависящая от температуры T и полного давления газа внутри ре-
актора, получена в работе [93]:
Р
УИ
2
 T  760
D = 0,1  .
 300  Ptot
Произведение параметров A и KD определяет степень неравномерности η
БГ
толщины осаждаемой пленки поликремния по радиусу пластины:
2rW k 2
φ = 2 AK D =
2
,
а
dD
так что
ек
d
∂C (r ,0 )
2πrW ∫ − D dz
∂r r I (λ )  F ( A, K D ) 2
( )
∞ 2
0
η≡ W
=∑ 1 n  n  λ + K D2 + φ 2 .
т
2πrW2 kCb n =1λn I 0 (λn )  Ф 

ио
Скорость G осаждения пленки поликремния определяется следующим обра-

зом:
бл
G = RSkabVSi, (1.143)
где kab – коэффициент, зависящий от скорости адсорбции–десорбции молекул си-

Би
1 M Si
лилена SiH2 на поверхности кремневой пластины; VSi = – объем, прихо-
N A d Si
дящийся на один атом кремния в зерне поликремния, MSi – молекулярный вес
кремния, dSi – физическая плотность пленки поликремния, NA – число Авогадро.
При решении задачи определения скорости осаждения пленки поликремния
с одновременным легированием полагается, что реакции с участием фосфина
(PH3) протекают по следующей схеме:
105
PH 3 ( gas ) ↔ PH 3 (ads ), 


PH 3 (ads ) ↔ P (s ) + H 2 ↑,
3
2 
где gas, ads и s обозначают соответственно состояния молекул фосфина в газовой

среде, адсорбированном на поверхности пластины и атомов фосфора в твердой
фазе поликремния.
Кинетика осаждения поликремния с участием арсина (AsH3) [93] и фосфина
(PH3) обычно рассматривается, как и в случае силана, согласно теории адсорбции
Ленгмюра–Хиншельвуда. Скорость роста пленки поликремния с одновременным
Р
легированием при парциальном давлении фосфина PH3 с достаточной точностью
аппроксимируется следующим выражением:
УИ
GR(PH 3 ) =
GR
, (1.144)
1 + bγGR
БГ
где GR – скорость роста пленки при PPH3 = 0; γ – относительное содержание фос-
фина в газовой среде реактора; PSiH4 – парциальное давление силана; b – констан-
та, зависящая от температуры.
Таким образом, задавая технологические (температуру, парциальные давле-
а
ния компонентов газа в реакторе) и конструкционные параметры реактора, можно
ек
рассчитать скорость роста пленки поликремния в LPCVD-процессе, а путем варь-

ирования этих параметров определить оптимальные характеристики процесса
осаждения.
т
На рис. 1.60–1.63 представлены результаты расчетов скорости роста G

пленки поликристаллического кремния на плоской (планарной) поверхности
ио
кремниевой подложки с одновременным легированием в LPCVD-процессе [94,

95] в зависимости от температуры процесса Т, полного давления в реакторе Ptot, а
также парциальных давлений силана PSiH4 и фосфина PPH3.
бл
Другие технологические параметры LPCVD-процесса в этих расчетах оста-

вались фиксированными: радиус пластины, на которую производится осаждение
пленки поликремния, Rw = 5 см; внутренний радиус реактора Rc = 13 см и рас-
стояние между пластинами d = 0,5 см.
Би
Символами на рис. 1.60–1.63 отмечены экспериментальные [96] данные.
106
Р
УИ
Рис. 1.60. Зависимость скорости G роста пленки поликристаллического кремния
в LPCVD-процессе от температуры (Ptot = 33 Па, PSiH4 = 33 Па и PPH3 = 0)
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.61. Зависимость скорости G роста пленки поликристаллического

кремния в LPCVD-процессе от температуры
(Ptot = 33,25 Па, PSiH4 = 31 Па и PPH3 = 0,055 Па)
бл
Би
Рис. 1.62. Зависимость скорости G роста пленки поликристаллического кремния

в LPCVD-процессе от парциального давления силана PSiH4
(Т = 610 °С, Ptot = 18 Па, PPH3 = 0)
107
Р
УИ
Рис. 1.63. Зависимость скорости G роста пленки поликристаллического
кремния в LPCVD-процессе от парциального давления силана PSiH4
(Ptot = 49 Па, Т = 610 °С, PPH3 = 0)
БГ
1.5.2. Моделирование осаждения поликристаллического кремния
на рельефную поверхность в LPCVD-процессе с одновременным
легированием
а
При осаждении пленки поликремния на рельефную (непланарную) поверх-
ек
ность, например при заполнении канавки, обычно не наблюдается конформного

воспроизведения рельефа ступеньки на подложке, т.е. толщина пленки на стенках
и дне канавки отличается от толщины пленки на планарной поверхности подлож-
т
ки. Одна из причин этого явления – отличие скорости падения молекул газа на
стенки и дно канавки от скорости их осаждения на планарную поверхность пла-
ио
стины вследствие эффекта «тени» от боковых стенок канавки. По этой причине на

боковой стенке канавки создается значительный градиент концентрации адсорби-
рованных молекул газа.
бл
Уравнение, описывающее временную зависимость изменения концентрации

С молекул адсорбированного газа на боковой поверхности и дне канавки, можно
записать в следующем виде [2]:
Би
∂C ∂ 2C
= D 2 + P ( x), (1.145)
∂t ∂x
где D – коэффициент поверхностной диффузии молекул газа; P(x) – стационарный

источник, определяющий скорость «поставки» молекул газа на боковые стенки и
на дно канавки; x – пространственная координата.
Схема заполнения канавки при осаждении поликристаллического кремния

в LPCVD-процессе представлена на рисунке 1.64.
108
Р
УИ
Рис. 1.64. Схема заполнения канавки при осаждении
поликристаллического кремния в LPCVD-процессе
Если средняя величина длины свободного пробега молекул в газе намного
для источника можно представить в виде

БГ
больше размеров ступеньки, характеризующей геометрию канавки, то выражение
P(x ) = P0 F (x )arctg
d
а
, (1.146)
xn
ек
где P0 – коэффициент, определяемый из скорости осаждения пленки поликремния

(см. (1.143) или (1.144)); F(x) – функция, вводимая для сглаживания зависимости
т
P(x) вблизи точки x0; d – размер дна канавки; xn – текущая координата.

ио
Начальные и граничные условия для решения уравнения (1.146) устанавли-

ваются в следующем виде:
бл
C = 0 при t = 0, ∂C/∂x = 0 при x = x0 и x = xN. (1.147)
Программная реализация алгоритма решения транспортного уравнения по-

Би
верхностной диффузии при решении задачи осаждения пленки поликремния

на непланарную поверхность в LPCVD-процессе представлена на Web-сайте [97].
Входные параметры для расчетов: время проведения технологического про-
цесса осаждения t, с; температура процесса T, °C; скорость осаждения пленки по-
ликремния G, Å/c, которая определяется из результатов расчетов скорости осаж-
дения поликристаллического кремния на плоскую поверхность (см. раздел 1.5.1
«Моделирование осаждения поликристаллического кремния на плоскую поверх-
ность в LPCVD-процессе c одновременным легированием»); глубина канавки h,
мкм; размер дна канавки d, мкм.
109
Выходные параметры: рассчитанные значения толщины пленки поликрем-
ния в промежуточные моменты времени по всему профилю канавки – на плоской
части поверхности h1, вблизи ребра канавки h2 и на средней части дна канавки h3.
Типичные результаты расчетов представлены на рис. 1.65 и 1.66.
Р
УИ
БГ
Рис. 1.65. Результат расчета заполнения канавки в LPCVD-процессе
а
(t = 45 мин, T = 600 °С, G = 0,01 мкм/мин, h = 1 мкм, d = 1 мкм)
ек
Использование программы моделирования заполнения канавки в LPCVD-

процессе осаждения поликремния позволяет определить критические условия,
при которых происходит смыкание стенок заполняемой поликремнием канавки
т
(рис. 1.66), и тем самым оптимизировать параметры технологического процесса.

ио
бл
Би
Рис. 1.66. Результат расчета заполнения канавки в LPCVD-процессе

(t = 45 мин, T = 600 °С, G = 0,015 мкм/мин, h = 1,5 мкм, d = 1 мкм)
110
1.5.3. Моделирование роста зерна поликристаллического кремния при
длительном и импульсном режимах термообработки
Физические модели, положенные в основу расчета роста зерна легирован-

ной пленки поликремния при термообработке, описывают этот процесс посредст-
вом как диффузионных (термических), так и недиффузионных (атермических)
механизмов [2]. Рост зерна, обусловленный подвижностью дислокаций, корректно
описывается механизмом скольжения и восхождения дислокаций. Вклад второго
механизма определяется концентрацией точечных дефектов (вакансий и междоуз-
лий), которая, в свою очередь, зависит от степени легирования поликремния.
Структура зерна поликремния характеризуется его средним размером, кри-
Р
сталлографической ориентацией и распределением по размерам. Размер зерна в
существенной степени определяет распределение легирующих элементов по его
УИ
объему и, в конечном счете, влияет на величину проводимости пленки поликрем-
ния [98].
Диффузионная модель роста зерна при термообработке. Согласно общей
теории роста зерна поликристаллических материалов [99] скорость этого процесса
БГ
определяется следующим выражением:
dr
= M∆F , (1.148)
dt
а
где r – средний радиус зерна, M – атомная подвижность границы зерна, а ∆F – так
ек
называемая «движущая сила» роста зерна.

В термодинамическом представлении подвижность границы зерна является
активационным процессом:
т
 Q
ио
M = M 0 exp − . (1.149)
 kT 
Здесь Q – энергия активации перехода атома в соседнее положение, которая в ко-

бл
нечном счете определяет процесс миграции границы зерна, M0 – константа, свя-

занная с изменением энтропии, сопровождающим скачкообразное перемещение
атома.
Би
В модели роста зерна, обусловленном движением дислокаций, «движущая

сила» ∆F определяется уменьшением энергии границы зерна, так что
γ
∆F = α , (1.150)
r
где γ – средняя энергия границы зерна, r – радиус зерна, α – константа.

Полагая, что M не зависит от времени, и подставляя (1.149) и (1.150)
в (1.148), получаем:
111
  Q 
r 2 (t ) − r 2 (0 ) =  M 0 exp − 2αγ  t , (1.151)
  kT  
где t – длительность термической обработки, r(0) – начальный размер зерна.
Кинетическая модель подвижности границы зерна. В кинетической модели

роста зерна легированной пленки поликремния <100> предполагается, что мигра-
ция межзеренных границ осуществляется посредством двух механизмов движе-
ния дислокаций – скольжения (атермический механизм) и восхождения (диффу-
зионный механизм). Полагая, что оба механизма осуществляются одновременно,
Р
можно оценить вклад одного из них по экспериментальным данным, считая, что
вклад другого механизма известен.
УИ
Предположим, исходя из высказанных предпосылок, что подвижность гра-
ниц зерен
M = M1 + M2,
каций.
БГ
где M1 – подвижность, обусловленная скольжением, а M2 – восхождением дисло-
Величина M2 описывает активационный процесс, определяемый концентра-

а
цией вакансий Сv:
ек
 ω 
M 2 = KCv exp − . (1.152)
 kT 
т
Здесь ω – энергия активации, равная высоте энергетического барьера, раз-

деляющего атом кремния и вакансию, K – температурно-независимая константа.
ио
Величина ω зависит от концентрации примесей в объеме зерна поликрем-

ния, которая составляет определенную долю от их полной концентрации в пленке,
поскольку часть примесей сегрегирует на межзеренной границе. Для объяснения
бл
сегрегации на границе раздела и границе кристаллита используется теория термо-

равновесной сегрегации для металлических систем [101]. Отношение концентра-
ции примеси на границе зерна Ng к общей концентрации примеси Nt задается вы-
Би
ражением
−1
Ng  AQS E  
= exp a  + 1 , (1.153)
N t  LN Si  kT  
где NSi – атомная плотность кремния, QS = 2,64·1015 см-2 – поверхностная плотность уз-
лов на границе кристаллита поликремния, на которых может сегрегировать примесь.
Энергия активации Ea, одинаковая для фосфора и мышьяка, составляет 0,456 эВ,
L(t) = 2r(t) – размер зерна поликремния. Безразмерный множитель А равен 3,02 для
мышьяка и 2,46 – для фосфора при концентрации 2,0⋅1019 cм-3 [102].
112
Поскольку вклад (Me – Mi) диффузионного компонента в М2, обусловленно-
го легированием и, следовательно, увеличением концентрации вакансий, опреде-
ляется только добавкой, определяемой механизмом восхождения дислокации
( )
M 2e − M 2i , то
Me M 2e − M 2i
=1+ , (1.154)
Mi Mi
где индексы e и i относятся соответственно к легированному и нелегированному

поликремнию.
Р
Подставляя (1.152) в (1.154) (с учетом индексов e и i) и имея в виду тот
факт, что при высоком уровне легирования Cve/Cvi >> 1, получаем:
УИ
Me  KC vi  C ve   ω 
= 1 +    exp  − e  .
Mi  M i  C vi   kT 
 q′ 
Здесь Cvi = Cvoi exp −
 kT  БГ
, где Cvoi – предэкспоненциальный множитель, q' – энер-
гия образования вакансии на границе зерна в собственном поликремнии.
а
Таким образом,
ек
Me  C   Q′ 
= 1 + K ′ ve  exp − , (1.155)
Mi  Cvi   kT 
т
KCvoi
и Q′ = (q ′ − Q + ω e ) .
ио
где K ′ =
M oi
Расчет концентрации вакансий в легированном поликремнии. Общая кон-

бл
центрация вакансий в кремнии Cv складывается из концентраций нейтральных ва-

кансий Cvx и заряженных вакансий – в однократно отрицательном Cv-, двукратно
отрицательном Cv-- и однократно положительном Cv+ зарядовых состояниях:
Би
Cν = Cνx + Cν– + Cν–– + Cν+. (1.156)
Используя закон действующих масс и экспоненциальную зависимость кон-

центраций вакансий от энергетического уровня заряженных состояний и уровня
Ферми EF, определяемого концентрацией электронов, получаем соотношения для
отношений концентраций вакансий в различных зарядовых состояниях [103]:
113
Cv  (E − E v − ) 
Fv = = exp  F  , 
C vx  kT 
C  (2 E F − Eν − Eν − − ) 
Fv − − = v − − = exp   , (1.157)
C vx  kT 
C  (E − E F ) 
Fv + = v + = exp  v +  , 
C vx  kT 
где Eν– = 0,11 эВ, Eν–– = 0,44 эВ, Eν+ = 0,15 эВ – энергетические уровни, соответст-
вующие вакансиям в кремнии в различных зарядовых состояниях. Энергетиче-
Р
ские уровни отсчитываются относительно уровней запрещенной зоны: для отри-
цательно заряженных вакансий они располагаются ниже зоны проводимости, а
УИ
для положительно заряженных – выше валентной зоны. Этим объясняется разли-
чие в знаках перед значениями Eν–, Eν–– и Eν+ в (1.157).
Таким образом, из (1.155) и (1.157) получаем выражение для отношения
БГ
Cve
, необходимое при расчете изменения подвижности границы зерна поликрем-
Cvi
ния в легированном материале Me по сравнению с собственным кремнием Mi:
Cve (1 + Fv− + Fv−− + Fv+ )e

а
= . (1.158)
Cvi (1 + Fv− + Fv−− + Fv+ )i
ек
Эффекты высокого уровня легирования и рост зерна. Значение энергии

т
Ферми EF, входящее в выражение (1.158), зависит от температуры и концентрации

легирующих примесей. В собственном полупроводнике зависимость уровня Фер-
ио
ми от температуры определяется следующим выражением:
 
 Eg  3kT  mdn 
бл
E F =   + ln  , (1.159)
 2  4  2

m M 3 
 de C 
Би
αT 2
где E g = E g (0 ) − – ширина запрещенной зоны, T – температура, mde и mdn –
T +β
соответственно электронная и дырочная эффективные массы, Mc – число эквива-
лентных минимумов в зоне проводимости, Eg(0), α, β – эмпирические параметры,
равные для кремния соответственно 1,17, 4,73·10-4 и 636, если энергия выражается
в эВ, а температура – в кельвинах [104].
В легированном полупроводнике уровень Ферми смещается от середины
запрещенной зоны, чтобы обеспечить выполнение условия электронейтральности
114
полупроводника. Эффективное значение энергии Ферми EFe в сильнолегирован-
ном полупроводнике
δE g 1
E Fe = E F − + kT ln( β ), (1.161)
2 2
(E F − EC )
где β = (здесь EC – уровень, соответствующий дну зоны проводимо-
kT
δE g
сти); – величина эффективного сужения ширины запрещенной зоны.
2
Р
δEg = 0,057 ln(Na) – 2,44. (1.162)
УИ
Соответствующая эффективная концентрация электронов в собственном
полупроводнике с высоким уровнем легирования:
БГ
 δE g  2
1
nie = ni exp  β .
 2 kT 
а
3
 0,605 
Здесь ni = 3,8 ⋅ 10 T exp −
16 2
 – эмпирическое выражение для концентрации
ек
 kT 
носителей зарядов в собственном полупроводнике.
Использование статистики Ферми–Дирака для вырожденного полупровод-
т
ника, как показано в [105], приводит к следующему выражению для концентрации

электронов в условиях высокой концентрации примесей:
ио
 (E − Eie ) 
n = nieξ  F , (1.163)
 kT
бл
F1 ( β ) −1
 
где ξ = 2
, F1 ( β ) =  exp ( − β ) + f 1 ( β )  – интеграл Ферми–Дирака, а эмпириче-
exp ( β ) 2  2 
Би
π  
5 2
ский параметр f 1 = 3   ( β + 2,13) + ( β − 2,13 ) + 9, 6  .
2,4
12
2  2  
Таким образом, используя выражение (1.151) совместно с (1.155), (1.158) и
(1.162), получаем выражение для временной зависимости радиуса зерна поли-
кремния от температуры обработки. Поскольку доля активных примесей изменя-
ется со временем за счет сегрегации части примесей на границах зерен поликри-
сталлического кремния и является функцией размера зерна, расчет r(t) произво-
дится путем вычисления приращений [r(tn = n∆t) –r(tn–1 = (n–1)∆t)] на n-м времен-
ном шаге (∆t = τ/N, где τ – полное время термообработки, а N – число временных
шагов).
115
Принципиальные подходы к расчету температуры кремниевой пластины
при импульсном режиме термообработки, используемые в описываемой модели,
изложены в работе [106]. Алгоритм моделирования роста зерна поликристалличе-
ского кремния при длительном и импульсном режимах термообработки реализо-
ван в программе, размещенной на Web-сайте [97]. Некоторые зависимости роста
зерна поликремния от исходного среднего радиуса зерна поликремния r0, полной
концентрации легирующих примесей в пленке поликремния Nt, времени t и тем-
пературы Т длительной термообработки, мощности теплового излучения W и
времени экпозиции τ при импульсной термообработке представлены на
рис. 1.67–1.76.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.67. Зависимость размера зерна поликремния от длительности

термообработки (r0 = 0,05 мкм, Т = 1100 0С, Nt = 5⋅1020 см-3)
бл
Би
116
Р
УИ
Рис. 1.68. Зависимость размера зерна поликремния от концентрации примесей
БГ
при длительной термообработке (t = 1800 с, r0 = 0,05 мкм, Т = 1100 0С)
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.69. Зависимость размера зерна поликремния от температуры

длительной термообработки (t = 1800 с, Nt = 1021 см-3, r0 = 0,05 мкм)
117
Р
УИ
БГ
Рис. 1.70. Зависимость радиуса зерна поликремния от начального радиуса
при длительной термообработке (t = 1800 с, Nt = 1021 см-3, Т = 1100 0С)
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.71. Зависимость концентрации примесей на границе зерна

поликремния от полной концентрации примесей при длительной
термообработке (Т = 1100 0С, t = 1800 с, r0 = 0,05 мкм)
118
Р
УИ
Рис. 1.72. Зависимость радиуса зерна поликремния от длительности
импульсной термообработки (r0 = 0,05 мкм, W = 50 Вт·см-2, Nt = 5⋅1020 см-3)
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.73. Зависимость радиуса зерна поликремния от концентрации примесей

Би
при импульсной термообработке (τ = 10 с, r0 = 0,05 мкм, W = 50 Вт·см-2)
119
Р
УИ
Рис. 1.74. Зависимость радиуса зерна r поликремния от мощности излучения
БГ
при импульсной термообработке (τ = 10 с, Nt = 1021 см-3, r0 = 0,05 мкм)
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.75. Зависимость радиуса зерна поликремния от начального радиуса

Би
при импульсной термообработке (τ = 10 с, Nt = 1021 см-3, W = 50 Вт·см-2)
120
Р
УИ
Рис. 1.76. Зависимость концентрации примесей Ng на границе зерна
БГ
поликремния от полной концентрации примесей при импульсной
термообработке (W = 50 Вт·см-2, τ = 10 с, r0 = 0,05 мкм)
В программе SSUPREM4 изменение радиуса зерна поликремния r от време-

ни длительной термообработки рассчитывается по модели, предложенной в рабо-
а
те [40]:
ек
1/ 2
 2 2,6b 2 
L g ( x, y , z ) =  + λDgb / Siτ  ,
т
 g0 kT 
ио
где g0 – начальный размер зерна; b – постоянная решетки; Dgb/Si – собственный ко-

эффициент диффузии кремния по границам зерна; λ – энергия границы зерна; τ –
время проведения диффузии.
бл
1.5.4. Моделирование электрофизических характеристик

поликристаллического кремния
Би
Определяющей характеристикой поликремния являются его электрические

свойства. В связи с этим моделирование электропроводности поликремния и ис-
следование ее зависимости от уровня легирования, типа примесных атомов,
структуры зерна и технологических параметров формирования пленки поликрем-
ния имеет важное значение для качественного проектирования приборов и техно-
логии формирования структурных областей ИМС.
При одном и том же уровне легирования проводимость поликремния всегда
ниже проводимости кристаллического кремния вследствие повышенной плотно-
сти дефектов кристаллической решетки. В используемой для расчетов физической
модели переноса носителей заряда в поликремнии учитываются как физические
121
характеристики материала (структура зерна, степень легирования), так и эффекты,
связанные с взаимодействием носителей заряда и структурными несовершенства-
ми поликремния [107, 2].
Физическая модель проводимости поликристаллического кремния. Основ-
ными эффектами, контролирующими подвижность носителей заряда в поликрем-
нии и их концентрацию, являются процессы, протекающие на границах зерен и
приводящие к сегрегации примесей, захвату носителей и их рассеянию. Кроме то-
го, снижение подвижности носителей в поликремнии по сравнению с идеальной
кристаллической решеткой объясняется их рассеянием на ионизированных при-
месях и фононах.
В модели, впервые изложенной в работе [107] и развитой далее в [108, 109],
Р
для описания переноса носителей заряда в поликремнии используется теория тер-
моионной эмиссии, согласно которой область вблизи границы зерна обогащена
УИ
ловушками, которые захватывают носители, что приводит к их обеднению вблизи
этого слоя. Природа ловушечных состояний объясняется большим количеством
дефектов кристаллической решетки и разорванных электронных связей атомов в
разупорядоченной области вблизи границы зерна. Таким образом, граница зерна
БГ
является энергетическим барьером для носителей, высота которого определяется
концентрацией примесей, плотностью ловушек и размером кристаллита.
Величина энергетического барьера E(x) в обедненной зоне относительно дна
зоны проводимости определяется из решения уравнения Пуассона:
а
ек
2
qN g  W gb   W gb
E ( x) =   W +  − x  , x >
2ε  2 
, (1.164)
 2
т
где x – расстояние от середины границы зерна; W – ширина обедненной зоны

вблизи границы зерна; Wgb – ширина границы зерна; Ng – концентрация примесей,
ио
сегрегированных на границах зерен; ε – диэлектрическая проницаемость кремния;

q – заряд электрона.
Максимальное значение E(x) достигается при |x| = Wgb/2 и равно:
бл
q 2 N gW 2
Eb = , (1.165)
2ε
Би
Qt
где W = и Qt – плотность ловушек на границе зерен.
2N g
Среднюю концентрацию примесей в объеме зерна Na = Nt – Ng с учетом
примесей, сегрегированных на его границе, можно определить из выражения
(1.153):
Na AQ S E
ln = ln + a. (1.166)
Ng LN Si kT
122
В работе [102] развита феноменологическая теория проводимости в поли-
кремнии, основанная на физических механизмах, управляющих переносом носи-
телей в зависимости от сегрегации примесей, захвата носителей и их рассеяния на
границах зерен. Среднее значение удельного сопротивления в зерне поликремния
Lg Lgb
ρ= ρg + ρ gb , где L – средний размер зерна; Lg – ширина необедненной зо-
L L
ны зерна; Lgb – ширина области, не относящейся к границе зерна; ρg – удельное
сопротивление зерна; ρgb – удельное сопротивление границы зерна. При этом
L = Lg + Lgb и Lgb = 2W + Wgb.
В случае малых приложенных напряжений ток, проходящий через зерно по-
Р
ликристаллического кремния, является линейной функцией напряжения, и эффек-
тивная подвижность носителей согласно [104] определяется выражением
УИ
qL  E 
µb = exp − b , (1.167)
(2πm kT )  kT 
1
∗
БГ
2
где q – заряд электрона; m* – эффективная масса носителя заряда; k – постоянная

1
Больцмана; µ = и na – концентрация носителей в объеме зерна.
а
ρqna
Концентрация na, определяемая посредством интегрирования по объему
ек
зерна, равна:
т
1
Q 1 2εkT 2 qQ 1
na = nb [(1 − t ) + ( ) erf ( t )] ,
Lng qL N g 2 2εkTN a
ио
где Qt – поверхностная плотность ловушечных состояний; nb – концентрация но-

сителей заряда в монокристалле кремния с концентрацией легирующих примесей
бл
в объеме зерен поликремния Na, которая определяется из выражения (1.166).

Концентрация nb зависит от значения уровня Ферми EF, положение которого
определяется температурой T и концентрацией примесей в объеме зерен поли-
Би
кремния Na = Nt – Ng:
 (E − Ei ) 
nb = ni exp  F  . (1.168)
 kT
3
 0,605 
Здесь ni = 3,87 ⋅ 10 T exp −
16 2
 – собственная концентрация носителей. По-
 kT 
правочный множитель для nb в (1.152), обусловленный сужением ширины запре-
123
1
 δE g  2
щенной зоны δEg, равен exp  β , а параметры Eg, EF, δEg и β определяются
 2 kT 
выражениями (1.159)–(1.161).
Удельное сопротивление границы зерна при высоком уровне легирования
q 2 N a Lgb C1kT exp (− b1 )

ρ gb = ,
(2πmkT )2
1 (1 − C1kT )
4π W gb
( ) (q φ − 2π W gb
( ) (q φ − qV
1 1 1 1
где b1 = 2m * 2
)
qV b 2 , C1 = 2m * 2
b) 2,
−
Р
h h
2 2
q N aW
qVb = , qφ = qφ gb − ξ , ξ = E0 − E F , qφ gb = Eb .
УИ
2ε
При малой концентрации примесей высота энергетического барьера обед-

ненной зоны qVg имеет максимальную величину, равную примерно Eg/2 – полу-
БГ
ширине запрещенной зоны невырожденного поликристаллического кремния. Та-
ким образом, при рассмотрении проводимости через границу зерна будет доми-
нировать механизм термоионной эмиссии и удельное сопротивление можно рас-
считать с помощью выражения (1.167).
а
Рассмотрим далее вклад в удельное сопротивление поликремния, обуслов-
ленный рассеянием носителей на ионизированных примесях и на фононах.
ек
Феноменологическая теория рассеяния на ионизированных примесях позво-

ляет оценить подвижность носителей в зависимости от концентрации донорных
т
Nd и акцепторных Na примесей и температуры:
μLI(N, T) = μL(T)a + μmin(1 – a). (1.169)

ио
Здесь первое слагаемое учитывает вклад в рассеяние носителей на фононах,

а второе – в рассеяние на примесях и в электронно-дырочных столкновениях.
бл
μL(T)=AT–g (1.170)
Би
где An = 7,12·108, gn = 2,3; Ap = 1,35·108, gp = 2,2.

Индексы n и p относятся к электронной и дырочной проводимостям соот-
ветственно.
−1
  T b  N  C 
a = 1 +      ,
  300   0  
N
124
( )
где N = 0,067 ⋅ 10 N D+ + N A− + 0,33, (n = p ), μminn = 52,24, μminβ bn = 49,7,bn = –3,8,
+ −
bp = –3,7,Cn = 0,73, Cp = 0,7, Non = 1,072·1017 см-3, Nop = 1,606·1017 см-3, N D и N A –
соответственно концентрации дырочных и акцепторных примесей в объеме зерна
поликремния, а n и p – концентрации электронов и дырок.
Полная подвижность носителей в зерне поликремния согласно закону Ма-
тиссена имеет вид
1
µ= , (1.171)
1 1
+
µb µ g
Р
где μb – подвижность носителей, определяемая переносом через границу зерна, а
УИ
μg – через объем зерна.
Выводы, полученные на основании изложенного анализа зависимости ха-
рактеристик переноса носителей заряда от структуры зерна поликремния, степени
БГ
легирования и температуры, позволяют сформулировать следующий алгоритм
расчета удельного сопротивления поликремния.
Вначале рассчитывается концентрация примесей Ng в объеме зерен поли-
кремния с использованием выражения (1.166). Затем проводится расчет энергети-
ческого барьера для термоионной эмиссии на границе зерна по формуле (1.165),
а
энергетических характеристик носителей Eg, EF, δEg и концентрации носителей nb
ек
согласно выражениям (1.159), (1.160) и (1.168).

Далее по формулам (1.170), (1.171) рассчитывается подвижность носителей,
обусловленная рассеянием на ионизированных примесях и на фононах.
т
Подвижность носителей, обусловленная переносом через границу зерна для

слаболегированного (~1017 см-3) поликремния, определяется по формуле (1.167), а
ио
для поликремния с промежуточным и высоким уровнем легирования (>1017 см-3) –

согласно выражению (1.169).
Полная подвижность носителей в поликремнии, рассчитываемая по форму-
бл
1
ле (1.171), связана с удельным сопротивлением согласно выражению ρ = .
µqna
Входными данными для расчета удельного сопротивления легированного
Би
поликристаллического поликремния после термообработки являются средний ра-

диус зерна поликремния r, полная концентрация примесей в пленке поликремния
Nt и температура T.
Выходная информация, представляемая в графическом или табличном виде:
удельное сопротивление поликремния, ρ, Ом·см; полная подвижность носителей
заряда, µ, Ом·см/В·с; составляющие полной подвижности носителей заряда, опре-
деляемые рассеянием на кристаллической решетке µg, на ловушках µL и на иони-
зированных примесях µLT.
125
Р
УИ
Рис. 1.77. Зависимость величины энергетического барьера от концентрации
примесей при термообработке поликремния (r0 = 0,005 мкм, T = 1000 0C)
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.78. Зависимость величины энергетического барьера от исходного

размера зерна поликремния при термообработке (Nt = 1018 см-3, T = 1000 0C)
Алгоритм моделирования удельного сопротивления поликремния, получен-

ного посредством осаждения в LPCVD-процессе и последующей термообработки
в условиях длительного и импульсного отжига, реализован в программе, разме-
щенной на Web-сайте [97]. Некоторые типичные результаты расчетов приведены
на рис. 1.77–1.80. Символами отмечены экспериментальные [109] данные.
126
Р
УИ
Рис. 1.79. Зависимость удельного сопротивления поликремния
от концентрации примесей (r = 0,05 мкм)
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.80. Зависимость удельного сопротивления поликремния

от концентрации примесей (r = 0,5 мкм)
бл
1.6. Моделирование формирования силицидов

Би
Силициды (соединения металлов с кремнием) образуются при взаимодейст-

вии металла с кремнием с образованием промежуточной фазы. Типичная прово-
димость силицидов на несколько порядков выше по сравнению с проводимостью
высоколегированных областей n+ и p+. В современных СБИС-технологиях сили-
циды используются для снижения сопротивления контактов и межсоединений.
Кроме того, использование силицидов (самосовмещенных силицидов) приводит к
снижению сопротивления поликремниевых затворов и слоевого сопротивления
истоков и стоков МОП-транзисторов.
Рост силицидов – это процесс движения границ многослойной структуры
вдоль поверхностей раздела «металл–силицид» и «кремний–поликремний» – си-
лицид при взаимодействии атомов кремния и металла с образованием силицида.
127
Скорости движения границ рассчитываются с использованием коэффициентов,
характеризующих скорость взаимодействия атомов кремния и металла, и концен-
трации кремния и металла в силициде. Диффузия атомов кремния и металла внут-
ри слоев силицида рассматривается посредством использования уравнений, опи-
сывающих диффузию точечных дефектов. Моделируются также сегрегация при-
месей, их диффузия в силициде, а также инжекция точечных дефектов из движу-
щихся границ раздела. Может также рассматриваться комбинация сложных мате-
риалов, например, дисилицид платины (PtSi2), силицид титана (TiSi2) и силицид
вольфрама (WSi2).
Нанесение силицидов осуществляется посредством осаждения слоев туго-
плавких материалов на поверхность кремний/поликремний с последующей тер-
Р
мической обработкой.
Моделирование процесса формирования силицидов проводится таким же
УИ
образом, что и моделирование окисления. На каждом временном шаге в каждой
точке поверхности раздела рассчитываются скорости роста силицидов с учетом
температуры, коэффициентов скоростей реакции на поверхности и концентраций
металла/кремния. Скорости затем используются в качестве граничных условий
БГ
при решении диффузионных уравнений для кремния, металла и различных при-
месей. Скорость роста в i-й точке поверхности раздела рассчитывается следую-
щим образом:
а
dX i n
= ki Ci in ,
ек
dt N1i
 ks.E 
где k i = ks.0 exp −
т
– коэффициент скорости реакции на поверхности разде-

 kT 
ла; N1i – число молекул кремния или металла на единичную плотность силицида;
ио
Ci – концентрация металла или кремния; nin – вектор, нормальный к поверхности

раздела, который направлен в сторону кремния/поликремния или металла.
Диффузия молекул металла и кремния в слой силицида моделируется как и
бл
процесс диффузии точечных дефектов, при котором молекулы металла и кремния

могут реагировать с образованием силицида подобно процессу рекомбинации
междоузлий и вакансий:
Би
= ∇(D∇C ) − R ,
dC
dt
где C – концентрация молекул или металла, или кремния; R – скорость объемной

рекомбинации молекул кремния и металла; D – коэффициент диффузии кремния
или металла в силициде.
Кроме объемной рекомбинации используются коэффициенты сегрегации и
переноса на поверхности раздела с растущим слоем силицида для моделирования
химических реакций и переноса диффундирующих молекул через поверхность
раздела.
128
Формирование силицидов обычно приводит к существенному увеличению
объема, что объясняет возникновение деформаций, наблюдаемых в силицидах.
Такое изменение объема моделируется посредством использования атомных объ-
емов реагирующих молекул и молекулярного объема силицида [110]. Для реакции
типа
xMe + ySi → MxSiy
изменение объема ∆V рассчитывается следующим образом:
( xVM + yVSi ) − VM x Si y
Р
∆V = 100 ,
xVM + yVSi
УИ
где ∆V, VM, VSi и VM x , Si – соответственно изменение молекулярного объема, мо-
y
лекулярные объемы металла, кремния и силицида; x и y – число атомов металла и
БГ
кремния в силициде MxSiy.
Двухмерное движение границы раздела и изменение объема, связанное с
возникающими напряжениями, вызывают вязкий поток движения силицида. Этот
поток моделируется аналогично модели окисления COMPRESS посредством ре-
шения уравнений [111]:
а
ек
 1 − 2v  E
µ∇ 2V = ∇P, ∇∇ = −  P, µ = ,
 µ  2(1 + v )
т
где V – скорость; P – давление; µ – вязкость; ν – коэффициент Пуассона; E – мо-

дуль Юнга.
ио
1.7. Моделирование процессов осаждения

бл
Для описания топологических изменений, сопровождающих процессы оса-

ждения и травления, используются геометрические представления, коэффициенты
для которых рассчитываются по физическим моделям. В данном разделе кратко
Би
описываются геометрические подходы, используемые при анализе модификации

поверхности в современных средствах проектирования технологии, в частности, в
программах SUPREM3 и SSUPREM4.
Модель струны. В этом приближении моделируемое пространство пред-
ставляет собой совокупность треугольников, каждый из которых содержит ин-
формацию о материале, в котором проводится моделирование. Алгоритм струны
рассматривает каждую такую поверхность раздела как совокупность движущихся
сегментов. Смещение сегментов рассчитывается по соответствующей модели.
Два главных предположения ограничивают общность алгоритма струны.
Во-первых, среда, в которой проводится осаждение/травление, полагается равно-
мерной в одном направлении, так что рассматриваемая задача по существу явля-
129
ется двухмерной. Второе важное предположение состоит в том, что скорость оса-
ждения/травления является скалярной функцией положения и не зависит от на-
правления продвижения фронта локального осаждения/травления и от предыду-
щего состояния этого фронта.
При использовании алгоритма струны фронт травления моделируется в ви-
де совокупности точек, соединенных прямыми линиями, образующими струну.
На каждом приращении по времени каждая точка смещается перпендикулярно
локальному фронту осаждения/травления, как показано на рис. 1.81. При этом все
сегменты фронта осаждения/травления выравниваются таким образом, чтобы их
длины были примерно равными. Основной проблемой при разработке данного ал-
горитма является выбор подходящего критерия для установки длины сегмента.
Р
Сегмент должен быть достаточно коротким, чтобы можно было наиболее точно
описать огибающую кривую, т.е., например, максимальный угол между соседни-
УИ
ми сегментами не должен превышать 0,1 радиана. Однако такой критерий приво-
дит к распространению сегментов в такие области, где фронт может или растяги-
ваться, или сжиматься. В алгоритме струны, используемом в пакете ELITE, ошиб-
ка в выборе средней длины сегмента уменьшается пропорционально увеличению
БГ
времени расчета. а
ек
т
ио
Рис. 1.81. Модель струны при рассмотрении фронта травления
В большинстве рассматриваемых случаев скорость осаждения/травления

бл
изменяется с координатой рассматриваемого фронта травления. Это приводит

к определенным ошибкам в координате и направлении движения каждой точки
струны. Ошибки в координате определяются использованием простого алгоритма
Би
интегрирования. Предполагается, что локальная скорость постоянна в течение

каждого временного шага. Это может привести к таким же большим ошибкам в
определении координат, как и при расчете глубины травления на одном времен-
ном шаге. Ошибки в направлении связаны с неравномерными скоростями вдоль
струны и с выбором граничных условий. Предполагается, что перпендикуляр-
ность к фронту осаждения/травления на каждом временном шаге сохраняется.
Однако если две соседние точки имеют большую разницу в скоростях, быстро
движущаяся точка не сможет стартовать одновременно с точкой, которая движет-
ся с меньшей скоростью.
130
Модель химического осаждения из газовой фазы. Локальная скорость осаж-
дения R(x, y) в модели химического осаждения из газовой фазы (Chemical Vapor
Deposition, CVD) рассчитывается следующим образом:
R(x, y) = R|(1 – S)cosθ + S|,
где θ – угол между сегментом поверхности и горизонталью, R – скорость осажде-

ния и S – шаг приращения осаждаемого слоя.
Модель однонаправленного осаждения. В этой модели, как показано на
рис. 1.82, молекулы осаждаемого газа поступают на незатененную область под-
ложки только в одном направлении. Скорость роста осаждаемой пленки в области
Р
тени равна нулю.
УИ
БГ
а
ек
т
Рис. 1.82. Ступенчатый профиль для однонаправленного источника

ио
Согласно этим предположениям скорость роста на подложке R(x, y) можно

выразить следующим образом:
бл
R(x, y) = 0,
если точка с координатами (x, y) находится в тени

Би
R(x, y) = C sinωi+C sinωj,
где ω – угол между осью y и направлением потока пара; i и j – единичные векторы

соответственно в направлениях x и y; C – скорость роста незатененной поверхно-
сти, нормальной к направлению потока пара.
Рассмотрим кратко описание косинусоидального закона осаждения. В этой
простой модели рассматривается металлизация, обусловленная испарением. Мо-
дель косинусоидального закона осаждения основана на следующих предположе-
ниях:
131
1. Длина свободного пробега атомов или частиц намного больше, чем сред-
нее расстояние между источником и подложкой.
2. Расстояние между источником и подложкой намного больше по сравне-
нию с топографией подложки.
3. Пленка растет в направлении потока пара.
4. Необходимо включить эффект тени.
Величина скорости роста пленки подчиняется косинусоидальному закону,
согласно которому толщина осаждаемой пленки растет со скоростью, пропорцио-
нальной cos(ω), где ω – угол между потоком пара и нормалью к поверхности.
Подгоночный параметр равен 1,0 при осаждении на холодную подложку
(при 300 K).
Р
Модель двунаправленного осаждения. В этом случае в каждую точку неза-
тененной области подложки поток пара поступает в двух различных направлени-
УИ
ях, и предполагается, что диффузионная длина осаждаемого материала велика по
сравнению с характерными геометрическими размерами (рис. 1.83). Скорость
роста пленки рассчитывается следующим образом:
БГ
R(x, y) = 0,
если точка (x,y) частично находится в тени:

а
R(x, y)=C sinω1i+C sinω1 или R(x, y)=C sinω2i+C sinω2j,
ек
если точка (x,y) не затенена:

т
R(x, y)=C (cosω1+cosω2)i+C(sinω1+sinω2)j,
где ω1 и ω2 – углы падения.

ио
бл
Би
Рис. 1.83. Ступенчатый профиль в случае сдвоенного источника
132
Модель полусферического осаждения. Поток газа непрерывно и направлен-
но распределен в определенной области (рис. 1.84). Скорость роста пленки рас-
считывается согласно выражению
R(x, y)=C (cosω1 – cosω2)i+C(sinω1 – sinω2)j,
где ω1 и ω2 – углы, показанные на рисунке.

Для решения проблемы, связанной со ступенчатой формой пленки, часто
используется модель планарного распыления для получения пленки реальной
формы. Идеальный источник распыления моделируется посредством представле-
Р
ния источника распыления в виде полусферы.
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис. 1.84. Ступенчатый профиль пленки

с полусферическим источником пара
Модель планетарного осаждения. На рис. 1.85 показана планетарная испа-

Би
рительная система. Можно видеть, что поворот системы вдоль центральной оси
не влияет на скорость осаждения пленки. Для упрощения решения задачи ско-
рость роста пленки можно рассчитывать при сохранении планетарной системы в
стационарном состоянии с вращением только источника вдоль центральной оси
системы. В таком случае скорость роста пленки выводится из следующего урав-
нения:
R ( x, y ) = ∫
[R 2
][ ]
− r 2 − rL tg(δ − β ) + LW − L sec(δ − β )2 [L tg(δ − β )sin (β ) − L cos β ] tg δ
dδ ,
x
2 2
[
R +W R − r + L 2 2 2
− 2rL tg(δ − β )]
2
R − (r + L tg(δ − β ))
2 2
133
где δ – угол падения парового потока; β – угол наклона планетарной плоскости;
r – расстояние между плоскостью подложки и осью планетарной системы; R, L и
W – параметры, зависящие от размеров системы.
В данной планетарной модели осаждения имеются асимметрии как по краям
выращиваемой пленки, так и по глубине трещин, образующихся вследствие осо-
бой ориентации и положения образца, располагающегося в планетарной системе.
Параметры планетарной системы показаны на рис. 1.90.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. 1.85. Вид планетарного испарителя
Модель конического осаждения. Коническая модель – это упрощенная вер-

сия планетарной модели при β и r = 0, причем со стороны подложки источник вы-
глядит как симметричный конус. При такой конфигурации интеграл по приведен-
ным выше уравнениям можно вычислить в аналитическом виде:
134
R x ( x, y ) =
(
− R R 2 + LW )
L 
2
L
2
 
 1 −  tg δ max  − 1 −  tg δ min  ,
R2 + W 2 (2 2 2
R + L  ) R  R  

R z ( x, y ) =
(
L R 2 + LW )  L   L2
 2 

asin  tg δ max  − asin  2 tg δ min  .

R2 + W 2 ( 2 2
R + L 
2
) R  R  
Параметры конической модели представлены на рис. 1.86.
Р
УИ
БГ
а
ек
т
ио
Рис. 1.86. Геометрия и подложка конического испарителя

бл
Модели осаждения с использованием метода Монте-Карло. Данное при-

ближение основано на модели процесса осаждения из химической фазы при низ-
ком давлении (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD) [85, 86].
Би
Поскольку радикалы осаждаются на подложку с ненулевыми термическими

скоростями, они могут покинуть поверхность подложки. Поэтому учитывается
вероятность их «прилипания» на подложке.
При расчете поверхностной диффузии используется аналитическое при-
ближение в виде нормализованного гауссова распределения GD:
 x2 
GD = exp − 2  ,
 σD 
где x – точка контакта с поверхностью, как показано на рис. 1.87.

135
В баллистической модели рост осаждаемой пленки рассматривается как
случайное нереверсивное осаждение жестких двухмерных дисков, движущихся по
двухмерным траекториям из случайным образом выбранной точки на вершине
моделируемой поверхности в направлении к поверхности. В точке контакта с рас-
тущей пленкой падающие диски останавливаются возле ближайшей начальной
точки с самым высоким координационным числом (контактирующим с самым
большим числом соседних дисков) в пределах радиуса, равного величине σ, кото-
рая по умолчанию равна четырем диаметрам диска. Чтобы затормозить нереаль-
ный «эпитаксиальный» рост из плотно упакованной поверхности, что рассмотре-
но в работах [87, 88], начальная совокупность дисков располагается отдельно с
центрами, приблизительно равными 1,3 величины диаметра. Такой релаксацион-
Р
ный процесс моделирует ограниченную поверхностную диффузию, которая про-
исходит в пленках, для уменьшения поверхностной энергии, связанной с поверх-
УИ
ностями высокой кривизны.
Геометрия процесса осаждения, используемая в баллистической модели,
показана на рис. 1.87.
БГ
а
ек
т
ио
бл
Рис 1.87. Геометрическое представление

баллистической модели осаждения
Би
1.8. Моделирование травления
Операция травления в технологии микроэлектроники является универсаль-

ной. Она заключается или в растворении фоторезиста органическими растворите-
лями, или в травлении окисла щелочью, или в плазменном травлении резиста
электронами. Моделирование травления начинается с рассмотрения исходного
профиля структуры как движущейся среды, скорость травления которой является
функцией положения и других переменных.
136
Рассмотрим кратко некоторые модели травления, используемые в совре-
менных программных комплексах технологического моделирования, в частности,
в программе SSUPREM4.
Изотропная модель травления. В процессах мокрого и плазменного травле-
ния подложка погружается в жидкую или газовую среду, которая реагирует с об-
рабатываемой поверхностью. При мокром травлении жидкость взаимодействует с
поверхностью, и выборочные продукты удаляются. В результате этой реакции об-
разуются летучие побочные продукты, которые удаляются с помощью вакуумно-
го насоса. Физические реакции в таком процессе отсутствуют.
Модель реактивного ионного травления. В модели реактивного ионного
травления (РИТ) процесс травления разделяется на два компонента: изотропное и
Р
анизотропное травление. Каждый из этих компонентов характеризуется эмпири-
ческими скоростями травления (riso и rdir). Отношение
УИ
rdir
A=
riso + rdir
определяет меру анизотропии.

БГ
Посредством анизотропной компоненты riso моделируется химическое реак-
тивное травление, в результате которого получаются профили с подрезанными и
округленными сечениями. При A = 0 процесс полностью изотропный. В условиях
а
изотропного травления точки на струне продвигаются с постоянной скоростью riso
ек
в направлении, перпендикулярном к сектору смежных сегментов (рис. 1.88).

т
ио
бл
Би
Рис. 1.88. Точки на сегменте в случае изотропного травления
137
Начальная линия
травления
Р
УИ
Рис. 1.89. Смещение точек, обусловленное
влиянием направления падающего потока
БГ
Компонента скорости анизотроного травления rdir пропорциональна косину-
су угла между направлением потока и нормалью к поверхности. При A = 1 про-
цесс травления – анизотропный, приводящий к вертикальным боковым стенкам
а
профиля травления (рис. 1.89).
На рис. 1.90 показаны наиболее существенные области для каждой компо-
ек
ненты в модели РИТ. Эффект тени учитывается с помощью параметра riso в зате-
ненной области.
т
ио
бл
Би
Рис. 1.90. Наиболее существенные области, получаемые

с использованием параметров riso и rdir
138
Модель плазменного травления. Эта модель основана на моделировании ме-
тодом Монте-Карло переноса ионов из нейтральной плазмы через защитную обо-
лочку (кожух), окружающую электроды и стенки. Ионы поступают в эту оболоч-
ку из плазмы, и затем их движение ускоряется в электрическом потенциале между
плазмой и электродами. В методе Монте-Карло рассматривается процесс перено-
са большого числа ионов через защитную оболочку, включая их столкновения с
различными газовыми составляющими, присутствующими в камере. Число
столкновений, испытываемых каждым ионом, зависит как от величины среднего
пробега иона, так и от толщины защитной оболочки. Для снижения времени рас-
четов траектории ионов рассчитываются независимо, а взаимодействие между
ионами не рассматривается.
Р
Рассчитанные методом Монте-Карло распределения ионов используются
для расчета потока ионов, падающих на поверхность подложки. Значение этого
УИ
потока затем используется для расчета скорости травления посредством интегри-
рования потока по «окну видимости» в каждой точке на поверхности. «Окно ви-
димости», например, для плоской поверхности имеет размер от 0 до 2π. Однако
для более сложных структур, например канавки, точки на поверхности затеняются
и «окно видимости» уменьшается.
БГ
Модель травления, ускоренного легированием. Ускорение травления, обу-
словленное легированием, моделируется посредством введения величины скоро-
сти травления в каждой точке в следующем виде:
а
ек
Renh = (1+h)R.
Коэффициент h рассчитывается с помощью следующего выражения:

т
h = 0,5Hmax(tanh(HS(S – Hmin ))+1)/2,

ио
где Hmax – коэффициент, связанный с максимальным усилением, а параметр HS

показывает, как быстро величина ускорения достигает своего максимального зна-
чения; S – коэффициент, связанный с уровнем легирования подложки.
бл
Модель травления с использованием метода Монте-Карло

Уменьшение критических размеров современных приборов предъявляет вы-
сокие требования относительно оптимизации травления тонких масок. Кроме то-
Би
го, повышаются требования к травителям. Моделирование этого процесса требует

более совершенных методов, чем методы аналитические. Необходимо более точ-
ное рассмотрение таких вопросов, как расчет распределения плазмы и прямое
взаимодействие плазмы с материалом подложки.
Более физичные результаты моделирования плазменного и ионного травле-
ния достигаются с использованием метода Монте-Карло. В таких моделях учиты-
вается переосаждение полимерного материала, представляющего собой смесь
входящих ионов с молекулами материала подложки (как результат травления или
распыления).
139
1.9. Моделирование химико-механического полирования
Модели химико-механического полирования (ХМП) рассматривают плана-

ризацию пластины посредством механического и химического полирования и ре-
шают две основные проблемы: определение глубины фокуса апертуры литогра-
фической системы и утончение материала, которое сопровождает формирование
непланарной топографии [112].
Модель жесткого полирования. Модель жесткого полирования рассматри-
вает процесс сглаживания поверхности обрабатываемой пластины и рассчитывает
скорость полирования как функцию параметра поверхности Pf. Чем выше значе-
ние этого параметра, тем ниже скорость полирования. Скорость полирования для
Р
самой высокой точки структуры Ymax рассчитывается следующим образом:
УИ
R(x, y)=M1(1–Pf) –M2Pf. (1.172)
Параметрами для модели жесткого полирования являются M1 и M2: M1 – это

скорость при Pf = 0, а M2 – это скорость при Pf = 1. Pf = 1 соответствует плоской
БГ
поверхности и рассчитывается по формуле
X total − ∆Y
Pf = ⋅
X total
а
ек
Поверхностные точки, характеризующиеся параметром ∆Y ниже самой вы-

сокой точки структуры, определяют коэффициент Pf. Из данных, показанных на
рис. 1.96, коэффициент Pf можно определить следующим образом:
т
DX 1 + DX 2
Pf = .
ио
X total
Значение эффективной высоты ΔY рассчитывается как произведение преды-

бл
дущего значения и величины текущего временного шага. Этот параметр для точек
высотой Ymax равен R из уравнения (1.172). В точках ниже Ymax скорость такова,
чтобы отполировать структуру по y-координате до (Ymax – ΔY), так что структура
становится более планарной, как показано на рис. 1.91.
Би
140
Р
УИ
Рис. 1.91. Иллюстрация модели жесткого
полирования – структура после планаризации
БГ
Модель мягкого полирования. Скорость полирования в модели мягкого по-
лирования, описанной в работе [112], определяется следующим образом:
K i Ai
а
Pi = ,
Si
ек
где Ki – кинетический фактор или горизонтальная компонента скорости полиро-

вания в точке i; Ai – фактор ускорения точки I, который имеет высокое значение
т
для тех точек, в которых выступы более высокие и которые затеняют другие точ-
ки; Si – фактор затенения, повышающий скорость полирования и являющийся
ио
функцией тех точек, которые располагаются выше точки i. Для плоской поверх-
K A
ности i i = 1 .
Si
бл
Фактор затенения является характеристикой плоских поверхностей. Однако

в общем случае он рассчитывается для одной или большего количества точек, ко-
торые затеняют точку i. Фактор затенения рассчитывается посредством использо-
Би
вания следующего уравнения:
 ∆z 
S i = exp i  ,
 h 
где ∆zi ≥ 0,0 так что Si > 1. Величина ∆zi получается посредством интегрирования
по окружающей топографии:
141
i right
r 
∆z i = ∑ zi cosh i  .
ileft L
В этих уравнениях ileft и iright относятся к тем двум точкам, которые могут за-
тенять точку i. Как видно из уравнений, эффект от этих точек зависит от двух па-
раметров h и L. Переменная zi – вертикальное расстояние между точкой i и точкой
ileft/iright . Фактор ускорения Ai определяется с помощью уравнения, приведенного
ниже. Ai рассчитывается для тех двух точек, которые затеняют точку i. Таким же
образом многократные эффекты тени учитываются с помощью коэффициента
Aileft /Airight. Если точка i затеняет какую-либо другую точку j, то Ai следует увели-
Р
чить с помощью подобного уравнения. Это увеличение впоследствии сказывается
на значении величины Aileft.
УИ
Aileft= Aileft+AiBi(1–1/Si),
Airight= Airight+AiBi(1–1/Si).
БГ
Постоянная Bileft/Biright – весовой фактор, который основан на величине зате-
нения в точке i, обусловленного точкой затенения ileft/iright. Кинетический фактор
Ki, основанный на выражении Ki = 1 + Ktanαi, вводится для учета эффекта влияния
параметра K на скорость полирования. Угол αi – локальный угол, характеризую-
а
щий касательную к полируемой поверхности. Этот угол не должен превышать
89,9544° (1,57 радиан), чтобы исключить ошибки в вычислениях.
ек
т
ио
бл
Би
142
2. ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
В данном разделе приводятся основные физические модели, используемые в

программном комплексе компании SILVACO (модуль ATLAS) [113] при проек-
тировании полупроводниковых приборов.
2.1. Основные уравнения физики полупроводниковых приборов
Физические модели полупроводниковых приборов описываются системой

фундаментальных уравнений [14, 23, 114], которые связывают электростатиче-
ский потенциал и плотность носителей заряда в пределах области моделирования.
Р
Эта система уравнений выводится из законов Максвелла и состоит из уравнения
Пуассона, уравнений непрерывности и транспортных уравнений. Уравнение Пу-
УИ
ассона описывает связь между изменениями электростатического потенциала и
локальной плотности носителей. Уравнения непрерывности и транспорта описы-
вают эволюцию плотности носителей в результате процессов транспорта, генера-
ции и рекомбинации.
БГ
Уравнение Пуассона. Это уравнение связывает электростатический потен-
циал с пространственной плотностью носителей заряда:
div (ε∇ψ ) = − ρ , (2.1)

а
где ψ – электростатический потенциал (или собственный потенциал Ферми), ε –
ек
локальная диэлектрическая проницаемость и ρ – локальная пространственная

плотность зарядов. Локальная пространственная плотность зарядов представляет
собой сумму подвижных и неподвижных зарядов, включая электроны, дырки и
т
ионизированные примеси.
Электрическое поле можно найти через градиент потенциала:
ио
r
E = ∇ψ . (2.2)
бл
Уравнения непрерывности. Уравнения непрерывности для электронов и ды-

рок представляются в следующем виде:
r
Би
∂n 1 
= div ( J n ) + Gn − Rn , 
∂t q 
r  (2.3)
∂p 1
= div ( J p ) + G p − R p ,
∂t q 
r r
где n и p – концентрации электронов и дырок; J n и J p – плотности электронного
и дырочного токов; Gn и Gp – скорости генерации электронов и дырок; Rn и Rp –
скорости рекомбинации электронов и дырок; q – заряд электрона.
143
Транспортные уравнения. Уравнения (2.1) и (2.3) составляют основу для
моделирования
r r приборов. Однако кроме них для описания физических моделей
поведения J n , J p , Gn, Gp, Rn и Rp требуются дополнительные уравнения.
Уравнения для плотности тока или модели транспорта зарядов обычно вы-
водятся посредством аппроксимации и некоторых упрощений общего транспорт-
ного уравнения Больцмана, что приводит к целому ряду различных моделей
транспорта зарядов, как, например, диффузионно-дрейфовая модель, модель энер-
гетического баланса или гидродинамическая модель. Выбор той или иной модели
транспорта зарядов оказывает существенное влияние на выбор моделей генерации
и рекомбинации носителей.
Наиболее простой моделью транспорта зарядов является диффузионно-
Р
дрейфовая модель. Эта модель отличается тем, что в ее рамках не требуется вво-
УИ
дить дополнительные независимые переменные в величины ψ, n и p. До недавнего
времени диффузионно-дрейфовая модель давала физически адекватные результа-
ты почти для всех приборов. Однако диффузионно-дрейфовое приближение ока-
зывается менее точным для приборов со все более уменьшающимися характер-
БГ
ными размерами. Более точными для приборов с субмикронными размерами яв-
ляются модель энергетического баланса и гидродинамическая модель.
Диффузионно-дрейфовое транспортное уравнение. Как следует из транс-
портной теории Больцмана, плотности токов в уравнениях непрерывности могут
быть аппроксимированы диффузионно-дрейфовой моделью. В этом случае плот-
а
ности токов выражаются через квазиуровни Ферми φn и φp следующим образом:
ек
r
J n = − qµ n n∇φ n , 
r  (2.4)
т
J p = −qµ p p∇φ p ,

ио
где μn и μp – подвижности электронов и дырок. Квазиуровни Ферми могут быть

выражены через концентрации носителей и потенциал посредством аппроксима-
ции Больцмана:
бл
 − q(ψ − φ n ) 
n = nie exp  , 
 kTL  

( )
Би
(2.5)
− q ψ − φ p  
p = nie exp   ,
 kTL 
где nie – эффективная собственная концентрация электронов и TL – температура

кристаллической решетки. Эти два уравнения могут быть переписаны для опреде-
ления квазиуровней Ферми:
144
kTL n 
φn = ψ − ln , 
q nie 
 (2.6)
kTL p 
φ p =ψ + ln .
q nie 
Подставляя эти уравнения в выражения для плотностей тока (2.4), получаем

следующие соотношения для токов:
r
J n = qDn ∇n − qnµ n ∇ψ − µ n n(kTL ∇(ln nie )), 
r  (2.7)
J p= − qD p ∇p − qpµ p ∇ψ + µ p p (kTL (ln nie )).
Р
УИ
Последний член правых частей уравнений (2.7) учитывает градиент эффек-
тивной собственной концентрации носителей, обусловленный эффектами суже-
ния ширины запрещенной зоны. Эффективные электрические поля обычно опре-
деляются следующим образом:
r  kT
БГ 
En = −∇ψ + L ln nie , 
 q 

а
(2.8)
r  kTL 
E p = −∇ψ − ln nie ,
 
ек
 q
что позволяет записать диффузионно-дрейфовые уравнения в более удобной фор-

т
ме:
r r
ио
J n = qnµ n En + qDn ∇n, 

r r  (2.9)
J p = qpµ p E p − qD p ∇p.
бл
Следует отметить, что такой подход при построении диффузионно-

дрейфовой модели неявно допускает, что выполняются соотношения Эйнштейна.
В случае статистики Больцмана это соответствует:
Би
kTL 
Dn = µn , 
q 
 (2.10)
kTL
Dp = µ p .
q 
Если используется статистика Ферми–Дирака для электронов, то выражение

для Dn в системе уравнений (2.10) принимает следующий вид:
145
 kTL   1 
 µ n  F 1 2  ε Fn − ε C 
 q   L
kT ,
Dn = (2.11)
 1 
F− 1 2  ε Fn − ε C 
 kTL 
где F – интеграл Ферми–Дирака. Аналогичные выражения используются для ды-

рок со статистикой Ферми–Дирака.
Транспортное уравнение энергетического баланса. Более высокий порядок

решения общих транспортных уравнений Больцмана достигается введением до-
Р
полнительной связи между плотностью тока и температурой носителей (или энер-
гией). Выражения для плотности тока по диффузионно-дрейфовой модели моди-
УИ
фицируются, чтобы включить это дополнительное физическое соотношение.
В этом случае выражения для электронного (дырочного) тока и плотностей энер-
гетических потоков приобретают следующий вид:
БГ
r
J n = qDn ∇n − µ n n∇ψ + qnDnT ∇Tn , 

r  kδ  r 
S n = − K n ∇Tn −  n  J nTn , 
 q  
а
r  (2.12)
J p = qD p ∇p − µ p p∇ψ + qpD p ∇T p ,
T
ек
r 
 kδ p  r 
S p = − K∇T p −   J pT p ,
 q  
т
где Tn и Tp – температуры носителей заряда (электронов и дырок), Sn и Sp – соот-

ио
ветствующие энергетические (или тепловые) потоки. Транспортная модель энер-

гетического баланса включает множество достаточно сложных соотношений, по-
этому она будет изложена отдельно.
бл
Выражение для смещения тока, используемое при моделировании времен-

ных процессов в приборах, имеет следующий вид:
r
Би
r  ∂E 
J dis = ε   . (2.13)
 ∂t 
2.2. Основы теории статистики носителей заряда
Статистики Ферми–Дирака и Больцмана. Электроны в состоянии теплово-

го равновесия при температуре TL в кристаллической решетке полупроводника
подчиняются статистике Ферми–Дирака, согласно которой вероятность f(ε) того,
что электронное состояние с энергией ε будет занято электроном, записывается
146
1
f (ε ) = , (2.14)
 ε − EF 
1 + exp 
 kTL 
где EF – пространственно независимая энергия, известная как уровень Ферми, и k

– постоянная Больцмана.
В пределе (ε–EF >> kTL) уравнение (2.14) можно аппроксимировать сле-
Р
E −ε 
f (ε ) = exp F .
 (2.15)
УИ
 kTL 
Статистика, основанная на использовании уравнения (2.15), называется ста-

тистикой Больцмана. Использование статистики Больцмана вместо статистики
БГ
Ферми–Дирака значительно упрощает последующие вычисления. Вообще говоря,
статистика Больцмана применима в теории полупроводниковых приборов. Одна-
ко в статистике Ферми–Дирака необходимо учитывать определенные свойства
высоколегированных (вырожденных) материалов.
а
Эффективная плотность состояний. Интегрирование статистики Ферми–
Дирака по параболической зависимости плотности состояний в зоне проводимо-
ек
сти и в валентной зоне, энергетический минимум в которых расположен при энер-

гиях EC и EV, приводит к следующим выражениям для концентраций электронов и
дырок:
т
 E − EC  
n = N C exp F , 
ио
 kTL 
 (2.16)
 EV − E F  
p = NV exp ,

бл
 kT L 
где NC и NV – эффективные плотности состояний для электронов и дырок:

Би
3 3 
 2πme* kTL 2  T  
2  2
N C (TL ) =  =  L  NC 300,
 h2
  300  
3

3 
 2πmh* kTL 2  TL  2
NV (TL ) = 2 

=  NV 300.
2
 300  
 h  
Здесь NC300 и NV300 – подгоночные параметры.
147
Собственная концентрация носителей. Из уравнения (2.16) получим:
np = nie2 , (2.17)
где nie – собственная концентрация носителей, определяемая следующим образом:
 − Eg 
nie = N C NV exp  , (2.18)
 2 kTL
где Eg = EC – EV – ширина запрещенной зоны.
Р
Для собственного (нелегированного) материала n = p. В этом случае реше-
ние системы (2.16) относительно EF дает:
УИ
EC + EV  kTL   N C 
E F = Ei = −qψ i = + −  ln   , (2.19)
2  2   NV 
БГ
где Ei – уровень Ферми для собственного кремния, а ψi – собственный потенциал.
Уравнение (2.19) определяет также собственный потенциал при неравно-
весных условиях.
а
Концентрации электронов и дырок можно выразить через собственную кон-
центрацию носителей:
ек
 − q(ψ − φ n ) 
n = nie exp  , 
т
 kTL  

(
− q ψ − φ p  
p = nie exp 
) (2.20)
ио
 ,
 kTL 
где ψ – собственный потенциал и φ – потенциал, соответствующий уровню Фер-

бл
ми, т.е. EF = qφ.

Ширина запрещенной зоны. Температурная зависимость ширины запрещен-
ной зоны представляется следующим образом:
Би
αTL2  300 2 TL2 

E g (TL ) = E g (0) − = E g (0) + α  − ,
TL + β  300 + β TL + β 
где Eg(0) – ширина запрещенной зоны при 0 К, α и β – постоянные коэффициенты,

300 – комнатная температура в шкале Кельвина. Для кремния Eg(0) = 1,08 эВ,
α = 4,73⋅10-4 эВ/К, β = 636 К.
148
Сужение ширины запрещенной зоны. Экспериментальные данные показы-
вают, что произведение pn в кремнии зависит от концентрации примесей в усло-
виях высокого уровня легирования (более 1018 см-3). Увеличение уровня легиро-
вания приводит к сужению ширины запрещенной зоны: уровень зоны проводимо-
сти уменьшается примерно на такую же величину, на какую поднимается уровень
валентной зоны. Этот эффект моделируется с помощью изменяющейся по про-
странству собственной концентрации nie, определяемой из уравнения:
 ∆E g 
nie2 = ni2 exp  . (2.21)
 kT 
Р
Эти эффекты могут быть описаны в аналитическом виде, связывающем из-
УИ
менение ширины запрещенной зоны ∆Eg с концентрацией примеси N:
 1
 N  N  2 2 
∆E g = a ln +  ln  + c   ,
БГ
(2.22)
 b  b   
 
где a, b и c – константы.
а
ек
Изменение ширины запрещенной зоны вводится в другие физические моде-

ли посредством вычитания результатов, получаемых с использованием уравнения
(2.22), из значения ширины запрещенной зоны Eg. Кроме того, в транспортные
т
модели введены члены, описывающие эффекты электрического поля, в той фор-

ме, которая была описана выше, так что
ио
r  kT 
En = −∇ψ + L ln nie ,
 q 
 (2.23)
бл
r  kTL 
E p = −∇ψ − ln nie .
 q  
Би
При моделировании ширины запрещенной зоны введен также член, частич-

но учитывающий «сродство» к электрону χ, эффективная величина которого χeff
описывается следующим образом:
χeff = χ + ∆EgA,
где А – так называемый коэффициент асимметрии.
149
2.3. Пространственный заряд, обусловленный
неполной ионизацией, ловушками и дефектами
Уравнение Пуассона (2.1), включающее концентрации носителей, концен-

трации ионизированных донорных и акцепторных примесей ND+ и NA-, заряд, обу-
словленный ловушками и дефектами QT, имеет вид:
( )
div(ε∇ψ ) = q n − p − N D+ + N A− + QT . (2.24)
Обычно принимается полная ионизация примесей (т.е. ND+ = ND,total и

NA- = NA,total) и устанавливается величина QT, равная нулю. Для учета неполной ио-
Р
низации примеси и дополнительного заряда, связанного с ловушками и дефекта-
ми, используются специальные модели.
УИ
Неполная ионизация примесей. Эффект «вымораживания» примесей при ис-
пользовании статистики Ферми–Дирака описывается посредством введения ко-
эффициентов с целью учета вырождения для зоны проводимости и валентной зо-
ны. Величины концентраций ионизированных донорных и акцепторных примесей
описываются следующим образом:
N D+ =
ND БГ
 ε − (Ec + E DB ) 
,

а
1 + GC exp Fn  
 kT  
ек
L
NA  (2.25)
−
NA = , 
 V
E + E − ε Fp 

1 + GV exp  
т
AB
 kTL  
ио
где EDB – энергетический уровень доноров, EAB – энергетический уровень акцеп-

торов, ND и NA – полные скомпенсированные концентрации примесей n- и p-типа,
GC и GV – константы.
бл
Полные скомпенсированные концентрации примесей определяются сле-

если Ntotal = (NA, total – ND, total) > 0, то ND = |Ntotal| и NA = 0;
Би
в противоположном случае ND = 0 и NA = |Ntotal|.

Для физически адекватного моделирования эффекта неполной ионизации в
кремнии при высоких уровнях легирования используется новая модель.
Модели неполной ионизации, описываемые системой уравнений (2.25), да-
ют приемлемые физические результаты для низких и средних уровней легирова-
ния. Для более высоких (больше, чем 3·1018см-3) уровней легирования эти модели
плохо описывают экспериментальные результаты полной ионизации.
В этой модели энергии активации примесей в системе уравнений (2.25) из-
менены для описания зависимости от уровня легирования согласно следующим
выражениям:
150
E DB ( МэВ) = 44,0 − 3,6 ⋅ 10 − 8 N D ( N D < 1018 см − 3 ), 
1
3
 (2.26)
−5 1 −3
E AB ( МэВ) = 43,8 − 3,037 ⋅ 10 N A 3 ( N D < 10 см ).
18
При концентрациях примесей выше 3⋅1018 см-3 эта модель удовлетворитель-

но предсказывает эффекты, связанные с полной ионизацией. При концентрациях
примеси между 1018 и 3·1018 см-3 эта модель предсказывает величины, линейно ин-
терполированные между значениями, полученными согласно выражениям (2.25),
(2.26), и моделью полной ионизации.
Ловушки и дефекты. В полупроводниковых материалах могут образовы-
ваться дефекты кристаллической решетки, обусловленные разрывом связей на по-
Р
верхностях раздела или наличием примесей в подложке. Присутствие таких де-
УИ
фектных центров или ловушек в полупроводниковых подложках может оказать
значительное влияние на электрические характеристики приборов. Ловушечные
центры, энергия связи которых находится в пределах запрещенной зоны, обмени-
ваются зарядами между зоной проводимости и валентной зоной посредством
БГ
эмиссии и рекомбинации электронов. Ловушечные центры изменяют плотность
пространственного заряда в объеме полупроводника и влияют на статистику ре-
комбинации.
Существует три механизма, которые вносят вклад в член, описывающий
пространственный заряд в уравнении Пуассона, в дополнение к эффектам иони-
а
зированных донорных и акцепторных примесей: заряды, захваченные на границе
ек
раздела, ловушечные состояния на границе раздела и ловушечные состояния в

объеме. Заряд, захваченный на границе раздела, рассматривается как слоевой за-
ряд на границе раздела и, следовательно, контролируется условиями на границе
т
раздела. Ловушки на границе раздела и ловушки в объеме вносят вклад в про-

странственный заряд, описываемый правой частью уравнения Пуассона.
ио
Дефекты полупроводниковых структур имеют два возможных состояния,

называемых пустым и полным. В пустом состоянии дефект характеризуется опре-
деленным поперечным сечением захвата электрона. Дефект может только или ис-
пустить, или захватить электрон. Если заряд на центре изменился на величину –q
бл
посредством захвата электрона, то такой дефект называется полным и характери-

зуется другим поперечным сечением захвата дырки. Существует два основных
типа ловушек: ловушки, подобные донорам (электронные ловушки), и ловушки,
Би
подобные акцепторам (дырочные ловушки). Заряд, содержащийся в каждом типе

ловушек, будет зависеть от того, какой носитель (электрон или дырка) заполняет
ловушку.
Ловушка, подобная донору, заряжена положительно и, следовательно, мо-
жет захватить только электрон. Это означает, что ловушки, подобные донору, за-
ряжены положительно, если в них нет электрона, и они нейтральны, если запол-
нены. Ловушка, подобная акцептору, заряжена отрицательно и, следовательно,
она может только испустить электрон. Следовательно, ловушки, подобные акцеп-
торам, отрицательны, если они заполнены, и нейтральны, если они пусты. В по-
лупроводнике имеется положение уровня Ферми, соответствующее состоянию
151
нейтральности. При таком условии ловушки, располагающиеся выше уровня
Ферми, определяются как ловушки, подобные акцепторам, а ловушки, распола-
гающиеся ниже уровня Ферми, – как ловушки, подобные донорам.
Расчет ловушечного заряда в уравнении Пуассона. Полный заряд, обуслов-
ленный наличием ловушек, добавляется в правую часть уравнения Пуассона. Та-
ким образом, величина полного заряда определяется следующим соотношением:
QT = q(pt – nt),
где nt и pt – плотности ловушечного заряда для донорных и акцепторных ловушек

соответственно.
Р
Величина заряда, захваченного ловушками, зависит от плотности ловушек
Dt и вероятностей Fn и Fp образования ловушки донорного и акцепторного типов.
УИ
Для ловушек донорного и акцепторного типов захваченный заряд вычисляется со-
гласно уравнениям:
nt = Dt Fn , 
БГ
 (2.27)
pt = Dt Fp .
В случае расчета многократно заряженных ловушек с многократными энер-

а
гетическими уровнями полный заряд определяется следующим образом:
ек
k m
nt = ∑ ntα , pt = ∑ ptβ , (2.28)
α =1 β =1
т
где k – число акцепторных и m – число донорных ловушек.

При расчете вероятности образования ловушек предполагается, что сечение
ио
захвата является константой для всех энергий в данной зоне:
vn S n + e p 
бл
Fn =
( ) ,
v n S n + S p + ( en + e p ) 
 (2.29)
v p S p + en
Fp = , 
Би
( ) (
v p S n + S p + en + e p  )
где Sn и Sp – поперечные сечения захвата носителей для электронов и дырок соот-
ветственно, vn и vp – термические скорости для электронов и дырок.
Скорости эмиссии электронов и дырок определяются следующим образом:
152
Et − Ei 
en = Edeg v p S n ni exp , 
kTL 
 (2.30)
1 Ei − Et 
ep = v p S p ni exp ,
Edeg kTL 
где Ei – положение собственного уровня Ферми, Et – энергетический уровень в за-

прещенной зоне каждого дискретного центра ловушки и Edeg – коэффициент вы-
рождения ловушечного центра.
Последний член в правых частях уравнений (2.30) учитывает наличие спи-
нового вырождения, заключающегося в том, что пустой и полный дефекты обыч-
Р
но имеют различное значение спина и характеризуются вырождением орбиталей.
Учет ловушек в моделях рекомбинации. Для удовлетворения условия само-
УИ
согласованности следует учитывать, что электроны испускаются или захватыва-
ются ловушками донорного и акцепторного типов, что влияет на величину кон-
центрации носителей. Для учета этого эффекта внесены изменения в слагаемое,
описывающее скорость рекомбинации в уравнениях непрерывности.
R= ∑ Rnα +
БГ
Стандартная запись рекомбинации Шоттки–Рида–Холла (SRH):
k m
∑ R pβ ,
а
α =1 β =1
ек
где k – число ловушек-доноров, m – число ловушек-акцепторов.

Функция R записывается в следующем виде:
т
pn − ni2
Rn,p = . (2.31)
 Ei − EL   EL − Ei 
ио
ni
τn  p +  + τ n + Edeg i exp
kTL  p  kTL 
exp
 Edeg
Времена жизни электронов и дырок τn и τp связаны с сечением захвата носи-

бл
телей Sn и Sp посредством уравнений:
1
Би
τn = , (2.32)
S n vn Dt
1
τp = . (2.33)
S p v p Dt
Туннелирование с участием ловушек. Эта модель рассматривает эффекты

туннелирования для дираковских ям. При высоких электрических полях туннели-
рование электронов из валентной зоны в зону проводимости через ловушечные
или дефектные состояния может оказывать важное влияние на величину тока.
Туннелирование с участием ловушек моделируется посредством включения в вы-
153
ражение (2.31) для времен жизни ловушек слагаемых, описывающих увеличение
параметров Гn и Гp в сечениях захвата, обусловленных эффектом поля. Эти сла-
гаемые, описывающие эффект поля, приводят к изменению сечений захвата, что
позволяет учесть влияние туннелирования с участием фононов на эмиссию элек-
тронов и дырок из ловушек.
Слагаемое для описания рекомбинации имеет следующий вид:
pn − nie2
Rn, p = .
τn  1  E − Et  τp   Et 
p + nie exp i  +  n + E n
deg ie exp 
1 + Γn  Edeg  kTL  1 + Γp   kTL 
Р
Слагаемые для описания эффекта поля для электронов и дырок:
УИ
∆En 1  ∆En 
Γn = ∫ exp u − k n u 3 / 2 du ,
kTL 0  KTL 
Γp =
∆Ep 1
∫  KT
kTL 0
exp
 ∆En

 L
u − k
БГ
p u 3/ 2 
du ,

а
где u – переменная интегрирования, ∆En – энергетическая область, в которой воз-
можно туннелирование электронов, ∆Ep – энергетическая область, в которой воз-
ек
можно туннелирование дырок, а величины kn и kp определяются следующим обра-

зом:
т
4 2 m0 m ∆ E n 
* 3
k n= , 
ио
3 3qh E 
 (2.34)
4 2 m 0 m *
∆E p 
3
kp = ,
бл
3 3qh E 
где ћ – постоянная Планка, m0 – масса покоя электрона и m* – эффективная масса.

Би
Сечения захвата электронов и дырок Sn и Sp в предыдущих уравнениях мо-

дифицируются в следующем виде:
Sn 
σn = ,
1 + Γn 
Sp 
σp = .
1 + Γ p 
В соответствующих уравнениях σn и σp заменяют значения Sn и Sp.
154
Параметры ∆En,p определяются следующим образом:
EC − E fn , при ET ≤ E fn E fp − EV , при ET > E fp

∆E n = и ∆E p = ,
EC − ET , при ET > E fn EC − ET , при ET ≤ E fp
где EC – край зоны проводимости, EV – край валентной зоны, Efn – квазиуровень

Ферми для электронов, Efp – квазиуровень Ферми для дырок и ET – энергия уровня
ловушек.
Для низких уровней электрического поля (kn,p>2∆En,p/(3kT)):
Р
E  E  2  2π 24m*mo (kTL )3
Γn, p = 2 3π exp    , где EΓ = ,
УИ
EΓ  EΓ   qh
k – константа Больцмана, TL – температура решетки, E – электрическое поле.

Для высоких уровней электрического поля при (kn,p ≤ 2∆En,p/(3kT)):
Γn, p =
∆En , p π
2kTL a
exp 

БГ
 b 2 − ac 
a 
 b 
 ercf 
 a
,

а
∆En , p 3 ∆En, p
ек
3
где a = K n, p , b = − K n, p и c = K n, p − .
8 2kTL 4 kTL
т
Снижение барьера Пула–Френкеля для кулоновской ямы. Эффект Пула–

Френкеля повышает интенсивность эмиссии носителей при туннелировании с
ио
участием ловушек и фононов, а также термическую эмиссию при низких электри-

ческих полях. Эффект Пула–Френкеля проявляется, когда происходит снижение
кулоновского потенциального барьера, обусловленное влиянием электрического
бл
поля и характерное только для ловушек с кулоновским потенциалом (такие ло-

вушки, которые нейтральны, когда они заполнены).
Эффект Пула–Френкеля моделируется посредством включения слагаемого,
описывающего эффект усиления электрическим полем, для кулоновских ям
Би
(Гn и Гp) и термической эмиссии (χF) в уравнении (2.31) для времен жизни лову-
шек. Эта модель включает также и эффекты туннелирования с участием ловушек
в дираковских ямах.
Для этой модели слагаемые, описывающие рекомбинацию для ловушек,
имеют следующий вид:
155
pn − nie2
Rn = ,
τn  1  E − Et  τp   Et 
p + nie exp i  +  n + E n
deg ie exp 
χ F + Γn  Edeg  kTL  1 + Γp   kTL 
pn − nie2
Rp = ,
τp  1  Ei − Et  τp   Et 
p + nie exp  + n + Edeg nie exp 
1 + Γn  Edeg  kTL  χ F + Γp   kTL 
где фактор ускорения термической эмиссии χF:
Р
 ∆E f p 
χ F = exp .
УИ

 kTL 
Здесь ∆Efp – параметр, описывающий понижение барьера для кулоновской
БГ
ямы:
qE
∆E fp = .
πε
а
ек
Кулоновские члены Гn и Гp, описывающие фактор ускорения полем, опреде-

ляются следующим образом:
т
   ∆E  5 / 3  
∆En 1  ∆En
Γn = ∫ exp u − k p u 1 − 
3/ 2 fp
  du ,
kTL ∆E fp  KTL   u∆En   
 
ио

∆E n
∆E p  ∆E   ∆E 5 / 3  
1
  du.
u − k p u 3 / 2 1 − 
p fp 
Γp = ∫
бл
exp
kTL ∆E fp  KTL   u∆E p   
  
∆E n
Би
Ловушки в неравновесном состоянии. Акцепторные и донорные ловушки не

приходят в состояние равновесия мгновенно. Необходимо некоторое время для
эмиссии или захвата электронов. Это учитывается посредством решения дополни-
тельного дифференциального уравнения всякий раз, когда проводится нестацио-
нарное моделирование. Вероятность образования в этом случае становится зави-
симой от эмиссии электронов, развивающейся во времени, посредством следую-
щего уравнения:
d
dt
( )
Dt Fn, p = Rn (t ) − R p (t ) ,
156
где Rn(t) и Rp(t) – скорости рекомбинации электронов и дырок соответственно.
Слагаемые, описывающие процессы эмиссии и захвата Rn и Rp, представляются
  E − Ei  
Rn = Dt vn S n n(1 − Fn ) − Fn Edeg ni exp t ,
  kT L 
 1  E − Et  
R p = Dt v p S p  pF p − (1 − F p ) ni exp i  .
 kT 
 E deg  L 
Р
Моделирование ловушек в нестационарном состоянии с использованием
УИ
описываемой модели требует больших временных затрат, чем использование ста-
тической модели, но дает более точное описание физики прибора. Иногда может
быть приемлемым выполнение нестационарного моделирования с использовани-
ем статического распределения ловушек и допущения, что ловушки достигают
БГ
равновесия мгновенно.
2.4. Транспортное уравнение энергетического баланса

а
В стандартной диффузионно-дрейфовой модели переноса носителей заряда
пренебрегается такими нелокальными эффектами переноса, как отклонение ско-
ек
рости, диффузия с учетом температуры носителей и зависимость интенсивности

ударной ионизации от энергетического распределения носителей. Эти явления
могут оказать значительное влияние на характеристики приборов с субмикрон-
т
ными размерами. Для описания нелокального переноса носителей заряда предло-

жены две модели: модель энергетического баланса и гидродинамическая модель.
ио
Транспортная модель энергетического баланса основана на положениях, ко-

торые следуют из обобщенного транспортного уравнения Больцмана. При опре-
деленных предположениях эта модель сводится к гидродинамической модели.
бл
Транспортная модель энергетического баланса использует уравнения не-

прерывности с учетом температур носителей и рассматривает подвижности и ко-
эффициенты ударной ионизации как функции температур носителей, а не функ-
ции локального электрического поля.
Би
Уравнения энергетического баланса. В транспортной модели энергетиче-

ского баланса вводятся две новые независимые переменные Tn и Tp – температуры
электронов и дырок. Уравнения энергетического баланса состоят из уравнения
энергетического баланса и уравнений для плотности тока и потока энергии Sn,p.
Для электронов и дырок модель энергетического баланса представляется
соответственно следующими системами уравнений:
157
r r
divS n = − J n ∇ψ − Wn −
2 ∂t
(
3k ∂ * * 
)
λn nTn , 
r 

J n = qDn ∇n − µ n n∇ψ + qnDn ∇Tn ,  T
(2.35)
r 
 kδ n  r 
S n = − K n ∇Tn −   J nTn ,
 q  
r r 3k ∂ * * 
divS p = − J p ∇ψ − W pn −
2 ∂t
(
λ p nT p ,)

r 
J p = qD p ∇p − µ p p∇ψ + qpD p ∇T p , T
(2.36)
Р

r  kδ p  r 
S p = − K p ∇T p −   J pT p ,

УИ
 q  
r r
где S n и S p – плотности энергетического потока электронов и дырок; Wn и Wp –
БГ
энергетические потери для электронов и дырок (см. (2.52)); Kn и Kp – термическая
проводимость для электронов и дырок (см. (2.41) и (2.48)); Dn и Dp – граничные
коэффициенты диффузии электронов и дырок (см. (2.37) и (2.44)); μn и μp – под-
вижности электронов и дырок;
а
µ n kTn
Dn = λn ;
ек
(2.37)
q
F 1 (η n )
ε Fn − ε C  n 
λn = 2
, ηn = = F 1−1   ;
т
(2.38)
F−1 (η n ) kTn 2  NC 
2
 k
ио
3
DnT =  µ 2 n − λn µ n  ; (2.39)
 2 q
 Fξn + 2 (η n )
3
5
бл
µ 2n = µ n  + ξ n  ; (2.40)
2  Fξn + 1 (η n )
2
2
k
Би
K n = qnµ n   ∆nTn ; (2.41)

q
 Fξn + 5 (η n )  Fξn + 3 (η n ) 
 7  5 
∆n = δ n ξ n +  2 − ξ n +  2 ; (2.42)
 2  Fξn + 3 (η n )  2  Fξn + 1 (η n ) 
 2 2 
µ
δ n = 2n . (2.43)
µn
Подобные выражения для дырок:
158
µ p kT p
Dp = λp ; (2.44)
q
F1 (η p ) εV − ε fp  p 
λp = 2
, ηp = = F 1−1   ; (2.45)
F−1 (η p ) kT p 2  NV 
2
 3 k
D Tp =  µ 2 p − λ p µ p  ; (2.46)
 2 q
 Fξp + 2 (η p )
3
5
µ2 p = µ p  + ξ p  ; (2.47)
2  Fξp + 1 (η p )
Р
2
2
k
K p = qnµ p   ∆pT p ;
УИ
(2.48)
q
 Fξp + 5 (η p )  Fξp + 3 (η p ) 
 7  5 
∆p = δ p  ξ p +  2 − ξ p +  2 ; (2.49)
 2  Fξp + 3 (η p )  2  Fξp + 1 (η p ) 
БГ
 2 2 
µ2 p
δp = . (2.50)
µp
а
Если используется статистика Больцмана вместо статистики Ферми, то при-
ек
веденные уравнения упрощаются:
λn = λ p = 1 ;
т
5 
∆n = δ n =  + ξ n  ;
2 
ио
5 
∆n = δ p =  + ξ p  ;
2 
d (ln µ n ) Tn ∂µ n
бл
ξn = = ;
d (ln Tn ) µ n ∂Tn
d (ln µ p ) T p ∂µ p
ξp = =
Би
.
d (ln T p ) µ p ∂T p
Параметры ξn и ξp зависят от температур носителей. Другие предположения

относительно ξn и ξp соответствуют различным нелокальным моделям. В пределе
высоких полей и состояния насыщения скоростей подвижности носителей обрат-
но пропорциональны температурам носителей ξn = ξp = –1, что соответствует мо-
дели энергетического баланса.
При ξn = ξp = 0 получаем упрощенную гидродинамическую модель.
Граничные условия для n, p и ψ такие же, как и для диффузионно-
дрейфовой модели. Уравнения энергетического баланса решаются только в облас-
159
ти полупроводника. Температуры электронов и дырок задаются равными темпе-
ратуре решетки на контактах. На другой части границы нормальные компоненты
энергетических потоков исчезают.
Плотность состояний. Вычисление эффективной плотности состояний ме-
няется для модели энергетического баланса. Температуры электронов и дырок за-
меняются на температуру решетки в системе уравнений (2.17). Например,
3 3
 2πme* kTn  2  Tn  2
N C (Tn ) =   =  N C (300),
 h2   300 
 
Р
3 3
 2πmn* kT p 2
NV (T p ) =   =  T p  2 N (300).
УИ
 2   300  V
 h   
Интенсивность энергетических потерь. Скорости потери плотности энер-
БГ
гии определяют физические механизмы, по которым носители обмениваются
энергией с окружающей кристаллической решеткой. Эти механизмы включают
нагрев носителей с возрастанием температуры решетки, а также энергетический
обмен посредством процессов рекомбинации (SRH и Оже) и процессы генерации
(ударная ионизации). Если полную интенсивность генерации-рекомбинации запи-
а
сать в форме
ек
U = Rsrh − RnA + R pA + Gn − G p , (2.51)

т
где Rsrh – интенсивность рекомбинации носителей в модели Шокли–Рида–Холла,

RnA и R pA – интенсивности Оже-рекомбинации для электронов и дырок, Gn и Gp –
ио
интенсивности ударной ионизации, то интенсивности потери плотности энергии в

уравнениях (2.35) и (2.36) можно записать следующим образом:
бл
3 k (Tn − TL ) * 3
Wn = n
2 τ r, e
(
λn + kTn λ*n RSRH + E g Gn − RnA , 
2

)


Би
(2.52)
3 k (T p − TL ) * 3
Wp = p
2 τ r, p
(
A 
λ p + kT p λ p RSRH + E g G p − R p ,
2
*

)

где λ*n, p определяется выражениями (2.38) и (2.45) (и равняется «1» для статисти-
ки Больцмана), τr,e и τr,p – времена релаксации электронов и дырок, Eg – ширина
запрещенной зоны полупроводника.
Времена релаксации чрезвычайно важны, так как они определяют времен-
ную константу в выражении для интенсивности обмена энергией и, следователь-
но, требуются их точные значения, если используется точная модель. Однако этот
160
параметр измерить невозможно. Для экстракции времени релаксации необходимо
проводить статистический анализ в цикле Монте-Карло.
При проведении строгих расчетов транспорта носителей заряда необходимо
иметь в виду, что разные материалы имеют различные величины времени релак-
сации энергии и следует учитывать температурную зависимость времени релак-
сации.
Зависимость подвижности носителей от энергии. Согласно транспортной
модели энергетического баланса подвижность носителей зависит от энергии но-
сителей. Это условие учитывается посредством использования соотношения для
гомогенного стационарного энергетического баланса, которое относится к пре-
дельной скорости насыщения. При этом предполагается, что должно быть рассчи-
Р
тано эффективное электрическое поле, которое задает температуру носителей в
гомогенном образце, равную температуре в узловых точках моделируемого при-
УИ
бора. Эффективные электрические поля Eeff,n и Eeff,p рассчитываются посредством
решения уравнений:
3 k (Tn − TL )
( )
БГ
qµ n Eeff , n E 2eff ,n = ,
2 τe
3 k (T p − TL )
( )
qµ p Eeff , p E 2eff , p =
2 τp
,
а
ек
для Eeff,n и Eeff,p. Эти уравнения выводятся из уравнений энергетического баланса

посредством исключения всех слагаемых, переменных по пространству. Далее
вводятся значения эффективных электрических полей с целью их учета в модели
т
подвижности носителей. Полное описание этих моделей приведено в разделе

«Моделирование подвижности носителей».
ио
2.5. Физические явления на границах
При описании явлений на границах раздела используются различные моде-

бл
ли: омические контакты, контакты Шоттки, изолирующие контакты и границы

Ньюмана (эффекты отражения). Условия для напряжений на границах обычно за-
даются на контактах. Могут быть заданы также граничные условия для токов.
Би
В некоторых специфических случаях задаются дополнительные условия.

Омические контакты. Омические контакты обычно вводятся как простые
граничные условия раздела Дирихле, согласно которым задаются поверхностный
потенциал, концентрации электронов и дырок (ψs, ns, ps), квазипотенциалы Ферми
для неосновных и основных носителей полагаются равными напряжению, прило-
женному к электроду (т.е. φn = φp = Vapplied). При этом значение потенциала ψs со-
гласуется с условием нейтральности свободного заряда:
nS + N A− = pS + N D+ . (2.53)
161
Уравнение (2.53) можно решить для ψs, ns и ps, поскольку значения φn и φp
известны. Если используется статистика Больцмана, подстановка уравнений (2.20)
в (2.53) дает:
nS = 
2
(
1 +
N D − N A− + ) (N +
D − N A− )
2 
+ 4nie2  ,

nie2
pS = ,
nS
kT n kT p
ψ S = φ n + L ln S = φ p − L ln S .
Р
q nie q nie
УИ
Контакты Шоттки. Моделирование контактов Шоттки может быть осу-
ществлено двумя различными способами: посредством задания значения работы
выхода ϕM из металла электрода или задания скорости поверхностной рекомбина-
ции на электроде.
БГ
В случае задания работы выхода поверхностный потенциал на контакте
Шоттки определяется уравнением:
Eg kTL N C
ψS = χ + + − φ M + Vapplied ,
а
ln (2.54)
2q 2q N V
ек
где χ – величина электронного сродства для полупроводникового материала, Eg –

ширина запрещенной зоны, NC – плотность состояний в зоне проводимости, NV –
т
плотность состояний в валентной зоне и TL – температура окружающей среды.

На практике работа выхода с достаточной точностью рассчитывается по
следующей формуле:
ио
ϕM = χ + φB,
бл
где φB – высота барьера на разделе «металл–полупроводник».

При определении контакта Шоттки можно использовать метод конечной
скорости поверхностной рекомбинации. В этом случае квазиуровни Ферми φn и φp
Би
не равны величине Vapplied и электронные и дырочные токи на контакте определя-

ются следующими выражениями:
J sn = qν sn (ns − neq ), 
 (2.55)
J sp = qν sp ( p s − peq ),
где Jsn и Jsp – электронные и дырочные токи на контакте, ns и ps – поверхностные

концентрации электронов и дырок, vsn и vsp – скорости поверхностной рекомбина-
ции электронов и дырок. Параметры neq и peq – равновесные концентрации элек-
162
тронов и дырок в предположении бесконечного значения скорости поверхностной
рекомбинации(φn=φp=Vapplied).
Значения vsn и vsp вычисляются посредством использования выражения:
a rnTL2 
ν sn = ,
qN C 
 (2.56)
a rpTL2 
ν sp = ,
qNV 
Р
где arn и arp – эффективные постоянные Ричардсона для электронов и дырок, учи-
тывающие квантово-механическое отражение и туннелирование, NC и NV – плот-
УИ
ность состояний в зоне проводимости и в валентной зоне.
Модель поверхностной рекомбинации Шоттки также учитывает механизмы
понижения энергетических барьеров, обусловленные наличием электрического
поля. Наличие этих полей приводит к созданию статических дипольных слоев на
БГ
границе раздела «металл–полупроводник». Если высоты барьеров:
Eg
φbn = φ M − χ , φbp = χ + − φM ,
2
а
то условие их понижения следующее:
ек
1/ 2
 q 
∆φ b =  E 1 / 2 + αE ,
т
 (2.57)
 4πε s 
ио
где E – величина электрического поля на границе раздела, α – линейный коэффи-

циент, характеризующий понижение дипольного барьера.
Ток, обусловленный туннелированием электронов Jtn, определяется по мо-
бл
дели Цу–Езаки и применяется к контакту в качестве граничного условия для тока:
φ bn
4πqmet m0 kTL
∫ P( E Z ) N ( EZ )dEZ ,
Би
J tn = (2.58)
h3 0
где φbn – высота барьера, met – относительная эффективная масса электрона, m0 –

масса покоя электрона, h – постоянная Планка, k – постоянная Больцмана, q – за-
ряд электрона и
163
  E F − EZ  
 
  kTL  
1+ e
N ( E Z ) = ln  .
  E F − E Z − qV  
 
  kTL 
1 + e 
Вероятность прохождения P(EZ) определяется согласно модели Вентцеля–

Крамерса–Бриллюэна с аппроксимацией для барьера треугольной формы:
 
( )
1 3
 − 8π 2met m* 2 (φbn − E Z )2 
P ( E Z ) = exp .
Р
 3qhE 
 
УИ
2.6. Физические модели переноса носителей заряда
Носители заряда (электроны и дырки) ускоряются в электрических полях и
БГ
при своем движении теряют энергию в результате различных процессов рассея-
ния. Каждый тип носителя испытывает рассеяния на фононах, примесных ионах,
на других носителях, а также на поверхности и других несовершенствах материа-
ла. Поскольку все эти микроскопические явления объясняют макроскопическую
а
подвижность, рассчитываемую с использованием транспортных уравнений, то,
следовательно, подвижность носителей является функцией локального электриче-
ек
ского поля, температуры решетки, концентрации примеси и т.д.

т
2.6.1. Модели подвижности носителей заряда
Моделирование подвижности носителей обычно подразделяется на описа-

ио
ние их поведения в условиях низких и высоких электрических полей в объеме по-

лупроводника и в области инверсионных слоев.
При низком уровне электрического поля носители находятся в квази-
бл
равновесии с решеткой, и их подвижности (соответственно для электронов и ды-

рок) обозначаются как μn0 и μp0. Величины подвижностей при этих условиях зави-
сят в основном от рассеяния на фононах и на примесях. Оба этих фактора умень-
Би
шают подвижность в условиях низкого поля.

Поведение носителей при высоких электрических полях показывает, что
подвижность носителей спадает с электрическим полем, поскольку носители,
приобретающие дополнительную энергию, могут участвовать в более широком
диапазоне процессов рассеяния. Средняя дрейфовая скорость уже не возрастает
линейно с увеличением электрического поля, а повышается более медленно.
В конечном счете, скорость носителей достигает насыщения νsat с увеличением
поля. Рассеяние носителей на примесях сравнительно невелико, поэтому νsat явля-
ется в основном функцией температуры решетки.
Моделирование подвижности в объеме материала включает: расчет величин
μn0 и μp0 как функции концентрации примесей и температуры решетки, расчет νsat
164
как функции температуры решетки и промежуточного значения подвижности
в условиях низкого поля и области насыщения.
Моделирование подвижности носителей в инверсионных слоях связано
с определенными сложностями. Поведение носителей в инверсионных слоях ха-
рактеризуется рассеянием на поверхности, существенным рассеянием носителей
на носителях и квантово-механическими эффектами. Эти эффекты следует специ-
ально учитывать, чтобы получить достаточно точный результат моделирования
(особенно при расчете МОП-приборов). В качестве параметра часто используется
поперечное электрическое поле, которое характеризует интенсивность рассеяния
в инверсионных слоях.
Модели подвижности при низком уровне поля. Подвижность носителей
Р
в условиях низкого электрического поля может быть рассчитана несколькими
способами в зависимости от заданной точности.
УИ
Первое приближение заключается в использовании параметров µn и µp –
подвижностей электронов и дырок при нормальных условиях. Второй способ за-
ключается в использовании табулированного соотношения между подвижностью
при низком поле и температуре 300 K с концентрацией примеси. Третий способ
БГ
состоит в использовании аналитических моделей подвижности в условиях низко-
го поля, которые связывают подвижности носителей при низком поле с темпера-
турой и концентрацией примеси. В четвертом способе используется модель рас-
сеяния носителей на носителях, которая связывает подвижность при низком поле
а
с концентрацией носителей и температурой. Пятый способ заключается в исполь-
зовании обобщенной модели Клаасена для подвижности при низком поле, которая
ек
связывает подвижность с рассеянием на донорах, акцепторах, решетке, носителях,

а также с температурой.
т
Модель подвижности при постоянном низком уровне поля. В этой модели

отсутствует зависимость подвижности от концентрации легирующей примеси,
плотности носителей и электрических полей. Она учитывает рассеяние на решет-
ио
ке в зависимости от температуры согласно следующим выражениям:
− Tµn 
T 
бл
µ n0 = µn  L  ,
 300  
− Tµ p
 (2.59)
T  
µ p0 = µ p L 
Би
,
 300  
где ТL – температура решетки.
Аналитическая модель подвижности при низком уровне поля. Для модели-

рования зависимости подвижности при низком поле от концентрации легирую-
щей примеси и температуры используются следующие аналитические функции:
165
 TL  n
b
 TL  n
a 
µ 
2n 
 − µ   
an  1n   
 T   300 K   300 K 
µ n0 = µ1n  L  + , 
 300 K   TL  n 
c
N
d
 n 
1+    
 300 K   NCRITN .CAUG  
bp ap
 (2.60)
 T   T  
ap µ 2 p  L  − µ1 p  L  
 TL   300 K   300 K  
µ p 0 = µ1 p   +
 ,
c d 
 300 K   TL  p  N  p 
1+    
 300 K   NCRITP.CAUG  
Р
УИ
где N – локальная (полная) концентрация примесей в см-3 и TL – температура
в градусах Кельвина, а an , bn…en и ap , bp…ep – эмпирические константы для элек-
тронов и дырок.
БГ
Модель Ароры для подвижности при низком поле. Другая аналитическая
модель для зависимости подвижности при низком поле от концентрации леги-
рующей примеси и температуры предложена в работе [115]:
а
 TL  n
b 
a µ 2n   
 TL  n  300 
ек
µ n 0 = µ1n   + , 
 300  N 
1+ d 
 TL  n 
т
cn  
 300  
bp  (2.61)
ио
T  
ap µ2 p  L  
 TL   300 
µ p 0 = µ1 p   + .
 300  N 
1+
бл
dp 
T  
cp L 
 300  
Би
Модель рассеяния носителей на носителях при низком уровне поля. Модель

Доркеля и Летурка [116] для подвижности при низком поле включает зависимо-
сти от температуры, концентрации легирующих примесей и рассеяния носителей
на носителях. Согласно этой модели:
166
−0, 025
 
 
 
 1 , 025 
µ n 0, p 0 = µ nL, p  0,715 
,
   µ nL, p  
+   
 1 1,126
 µ IC  
    
  
где индексы означают: L – рассеяние на решетке, I – рассеяние на ионизирован-

ных примесях и C – рассеяние носителей на носителях.
Значения µ n,ICp определяются следующим образом:
Р
УИ
3
21 
T  2
−1 1,04 ⋅ 10  L 
 1 1   300 
µ nIC, p =  C + I  , где µ C = ,
µ µ n, p   13  TL 
2 1 
np ln 1 + 7,45 ⋅ 10 
БГ
 (np ) 3 
  300  
 2 
 TL   
3
AN .CCS  TL  2
а
   BN .CCS   
CCS .EA  300    300   
µn =
I
f ,

ек
NT  n+ p
 
 
 (2.62)
т
T 
3
2  T 
2

AP.CCS  L   BP.CCS  L   
µ pI =  300  f  300  . 
ио
NT  n+ p  
  
  
бл
Здесь NT – полная концентрация примесей, TL – температура решетки, n, p – кон-

−1
 x 
центрации электронов и дырок, f ( x ) = ln(1 + x) − .
1 + x 
Би

Значения слагаемых µ n,L p , описывающих рассеяние на решетке, определя-
ются из уравнений (2.59).
Обобщенная модель Клаассена для подвижности при низком уровне поля.

Модель Клаассена [117, 118] в обобщенном виде описывает подвижности основ-
ных и неосновных носителей заряда. Она включает эффекты рассеяния на решет-
ке, рассеяния на примесях (с экранировкой от заряженных носителей), рассеяния
носителей на носителях и кластеризации атомов примесей при высоких концен-
167
трациях. Эта модель показывает отличное согласие с эмпирическими данными
для:
– подвижности электронов как основных носителей в функции концентра-
ции доноров в интервале от 1014 до 1022 см-3;
– подвижности электронов как неосновных носителей в функции от концен-
трации акцепторов в интервале от 1017 до 1020 см-3;
– подвижности дырок как неосновных носителей в функции от концентра-
ции доноров в интервале от 1017 до 1020 см-3;
– температурной зависимости в интервале от 70 до 500 K.
Модель Клаассена учитывает более широкий ряд эффектов и откалибрована
для более широкого диапазона условий по сравнению с другими моделями под-
Р
вижности при низком поле.
Полная подвижность носителей может быть описана через ее компоненты,
УИ
используя правило Маттисена:
µ n−01 = µ nL
−1 −1
+ µ nDAP 
,
БГ
−1 −1 −1
µ p 0 = µ pL + µ pDAP 
где μn и μp – полные подвижности электронов и дырок при низком поле, μnL и μpL –
подвижности электронов и дырок, обусловленные рассеянием на решетке, μnDAP и
а
μpDAP – подвижности электронов и дырок, обусловленные рассеянием на донорах
ек
(D), акцепторах (A), экранировке (P) и носителей на носителях.

Компоненты рассеяния на решетке, μnL и μpL определяются следующим об-
разом:
т
θ n, Kla

 300 
µ nL = µ n, Kla   
ио
,
 L 
T 
θ

 300  p , Kla 
µ pL = µ p , Kla   ,
бл
 L 
T 
где θn,Kla и θp,Kla – эмпирические константы в модели Клаасена.

Би
Компоненты рассеяния носителей на примесях определяются следующими

выражениями:
α n , Kla 
N ncs  N n, Kla   n+ p 
µ nDAP = µ N , n   + µ nc  , 
N nsc, eff  nsc 
N  N nsc, eff  
 
α p , Kla  (2.63)
N pcs  N p , Kla   n+ p 
µ pDAP = µ N , p   + µ pc  ,
N psc , eff  N psc 
  N psc , eff  
 
168
где Nn,Kla, Np,Kla, αn,Kla и αp,Kla – эмпирические константы в модели Клаасена.
Компоненты рассеяния на примесях, μN,n и μN,p определяются следующими
выражениями:
µ 2max, n 3α n , Kla −1,5 

 TL 
µ N ,n =   ,
µ −µ  300  
max, n min, n 
3α p , Kla −1,5

µ max,
2
p  TL  
µ N, p =   ,
µ −µ  300  
max, p min, p
Р
где µmin,n, µmin,p, µmax,n и µmax,p – эмпирические константы в модели Клаасена.
УИ
Компоненты рассеяния носителей на носителях μnc и μpc определяются сле-
дующими выражениями:
µ µ 0,5
БГ
 300 
µ nc = min, n max, n
  ,
µ −µ  L 
T 
max, n min, n 

µ µ pµ  300  
0 ,5
µ pc =   .
а
min, p max, p
µ −µ  TL  

ек
max, p min, p
Параметры Nnsc и Npsc в уравнении (2.63) определяются следующими выра-

жениями:
т
N nsc = N D + N A + p,
ио

N psc = N D + N A + n, 
бл
где ND и NA – концентрации доноров и акцепторов, n и p – концентрации электро-

нов и дырок.
Параметры Nnsc,eff и Npsc,eff определяются следующими выражениями:
Би
 p  
N nsc, eff = N D + G ( Pn ) N A +  , 
 F ( Pn  
)

 n 
N psc, eff = N A + G ( Pp ) N D +  .
 F ( Pp )  
 
Функции G(P) и F(P) представляют собой факторы экранирования рассея-

ния носителей на носителях. Функция G(P) определяется следующими выраже-
ниями:
169
S1 S5 
G ( Pn ) = 1 − S3
+ S6
,
  m0 TL  4 
S   m0 TL  7 
S

 S 2 + PBH , n     PBH , n    
  me 300     me 300   
 (2.64)
S1 S5
G ( Pp ) = 1 − S3
+ ,
S6 
  m0 TL  4 
S   m0 TL  7  
S
 S 2 + PBH , p     PBH , p   
 
 h
m 300     h
m 300   
Р
где S1, S2, S3, S4, S5, S6 и S7 – параметры в модели Клаасена.
УИ
Функции F(Pn) и F(Pp) рассчитываются с использованием следующих вы-
ражений:
me 
R1 PnR6 + R2 + R3
БГ
mh 
F ( Pn ) = ,
PnR6 m
+ R4 + R5 e 
mh 
 (2.65)
а
mh 
R1 Pp + R2 + R3
R6
me 
ек
F ( Pp ) =
mh 
,
Pp + R4 + R5
R6

me 
т
где R1, R2, R3, R4, R5 и R6 – параметры в модели Клаасена.

Параметры экранирования Pn и Pp, используемые в уравнениях (2.65), нахо-
ио
дятся с использованием следующих выражений:
−1
 f CW , n f BH , n  
бл
Pn =  +  ,
 PCW , n PBH , n  
−1 
(2.66)
Би
 f CW , p f BH , p  
Pp =  +  ,
 CW , p
P P  
BH , p 
где fCW и fBH – параметры в модели Клаасена.

Функции PBH,n и PBH,p вычисляются с использованием следующих уравне-
ний:
170
1,36 ⋅ 10 20  me  TL  
2
PBH , n =    ,
n  0  300  
m

1,36 ⋅ 10 20  mh  TL  
2
PBH , p =    ,
p  0
m  300  
me m
где и h – нормированные эффективные массы носителей.
m0 m0
Функции PCW,n и PCW,p определяются из следующих соотношений:
Р
2 

 1  TL   
3 3
УИ
PCW , n = 3,97 ⋅ 1013  3    ,
 Z n N D  300   
2 
13 
 1  T 3  3 

БГ
PCW , p = 3,97 ⋅ 10  3  L   ,
 Z p N A  300   
где Zn и Zp – функции кластеризации, определяемые выражениями:

а

ек
1
Zn =1 + ,
2 
 NrD  
C D +  
 D  
N
т
 (2.67)
1
Z p =1+ ,
2 
ио
 Nr 
C A +  A  
 N A  
бл
где ND и NA – концентрации доноров и акцепторов , CD, CA, NrD и NrA – параметры

в модели Клаасена.
Би
Модель подвижности в инверсионных слоях. Для получения точных резуль-

татов при моделировании MOП-приборов необходимо учитывать снижение под-
вижности, наблюдающееся в инверсионных слоях. Этот эффект связан с высокой
степенью рассеяния подвижности на поверхности вблизи границы раздела «полу-
проводник–диэлектрик» и описывается:
- моделью Ломбарди деградации носителей вблизи поверхности,
- моделью подвижности Ширата в поперечном электрическом поле,
- моделями Ломбарди, Ямагучи и Таша поведения носителей в инверсион-
ных слоях.
171
Модель Ломбарди. В модели Ломбарди для описания поведения носителей
в инверсионных слоях [119] компоненты полной подвижности μT, описывающие
зависимость от поперечного поля μAC, от концентрации легирующей примеси μsr и
от температуры μb, связаны по правилу Матиссена:
µT−1 = µ AC
−1
+ µ b−1 + µ sr−1 .
Первый компонент μAC описывает вклад в поверхностную подвижность,

обусловленную рассеянием на акустических фононах:
Bn C n N τ n 
Р
µ AC , n = + 1
, 
E⊥
TL E⊥ 3 
УИ
τ T 
(2.68)
Bp C p N p 
µ AC , p = + 1
,
E⊥
TL E⊥ 3 
БГ
где E ⊥ – перпендикулярная составляющая электрического поля, N – полная кон-
центрация легирующей примеси. Константы Bn, Bp, Cn и Cp – параметры в модели
Ломбарди.
а
Второй компонент μsr – показатель шероховатости поверхности:
ек
Dn 
µ sr , n = ,
E⊥2 
т
 (2.69)
Dp 
µ sr , p = 2.
E⊥ 
ио
Параметры Dn и Dp – эмпирические константы в модели Ломбарди.

бл
Третий компонент подвижности μb – вклад, обусловленный рассеянием на

оптических междолинных фононах:
−γ
Би
 TL  n 
µ max,n   − µ 
 − Pn   300 
0, n µ1, n
µ b, n = µ 0, n exp + − , 
 N   N 
α n
 Csn 
β n 
1 +   1+   
 n
Cr  N  
−γ  (2.70)
 TL  p 
µ max, p   − µ 0, p 
 − Pp   300  µ1, p
µ b, p = µ 0, p exp  +
αp
− βp 
.
 N   N   p 
Cs
1+   1 +   
 Crp   N  
 
172
Здесь N – полная концентрация примесей, а коэффициенты Pn, Pp, Crn, Crp, Csn, Csp,
αn, αp, γn и γp – эмпирические параметры в модели Ломбарди.
Расширенная модель Ломбарди. Модель Ломбарди [119] успешно использу-

ется при моделировании многих приборов. Улучшенная версия этой модели пред-
ложена в работе [120], в которой введены две модификации. В первой описывает-
ся подвижность в объеме с использованием модели Клаасена, в которой учиты-
ваются эффекты кулоновского экранирования. Во второй модификации использу-
ется новое выражение для описания эффекта шероховатости поверхности, в кото-
рой выражения (2.69) заменяются на следующие:
Р
Dn 
УИ
µ sr , n = γ n⊥
,
E 
 (2.71)
Dp 
µ sr , p = γ ,
E p⊥ 
БГ
Al N 
γ n = An + En , 
N totτ , n 
Al p N 
 (2.72)
а
γ p = Ap + E .
N totτ , p 
ек
Здесь Ntot – полная концентрация примесей (ND + NА), а N – полная концентрация

носителей n- и p-типа.
т
Модель Ямагучи. В модели Ямагучи [121], подобной модели Ломбарди,

ио
учитывается концентрация легирующей примеси при расчете подвижности носи-

телей в условиях низкого поля. Из данных, полученных при расчете по этой мо-
дели, рассчитывается подвижность в условиях поперечного и параллельного элек-
бл
трических полей.
Вклад в подвижность, обусловленный низким полем, в модели Ямагучи оп-
ределяется следующими выражениями:
Би
173
 −
1
   2
 Ni  
µ n0 = µ L, n 1 +  , 
 Ni
+ Nrn  
 Sn  
1 
(2.73)
− 
  2
  
µ p0 = µ L, p 1 +
N i  ,
 Ni  
 S + Nr p 
  
Р
p
УИ
где Ni – «чистая» концентрация примеси, равная абсолютному значению разности
концентраций донорных и акцепторных примесей, параметры µL,n, µL,p, Sn, Sp, Nrn и
Nrз – эмпирические константы.
Зависимость подвижности от поперечного электрического поля рассчитыва-
БГ
ется следующим образом:
 1
µ s, n = µ n 0 (1 + As n E⊥ )− 2
1
(2.74)
а
µ s, p ( − 
= µ p 0 1 + As p AE⊥ 2  )
ек
где E ⊥ – перпендикулярное электрическое поле, а параметры Asn и Asp – эмпири-

т
ческие константы.
Окончательное выражение для подвижности, в котором учитывается зави-
симость от параллельного электрического поля, приобретает вид
ио
 1
 µ E −1 2 −2
2
 G n + µ s ,n E  
µ E
µ n = µ s ,n 1 +     +  s ,n  
s ,n
бл
, 
  U n   Un   Vn  

(2.75)
1 
− − 
  µ E  G + µ E 
2 1
 µ s, p E   2 
2
Би

µ p = µ s, p 1 +  s, p   p s, p 
+   ,
  U p   Up 


 V p   
  
где E – параллельное электрическое поле, а параметры Un, Up, Vn, Vp, Gn и Gp – эм-
пирические константы.
Модель Таша. В модели Таша, предложенной вначале для МОП-прибора

[122, 123], подвижность рассматривается в функции от перпендикулярного и па-
раллельного электрических полей, заряда на границе раздела, температуры ре-
174
шетки и концентрации легирующей примеси. Эта модель определяется следую-
щими выражениями:
dΓn 
µ n = Γn + (E⊥ − E0 ) ,
dE⊥ 

dΓ p 
µ p = Γ p + (E⊥ − E0 ) ,
dE⊥ 
где E⊥ – поперечное электрическое поле во всей моделируемой структуре, а E0 –

поперечное электрическое поле на краю инверсионного слоя. Функции Γn,p опре-
Р
деляются следующим образом:
УИ
µ eff , n 
Γn = 1
, 
 µ β  β 
1 +  eff , n E||  
n n

БГ
  Vs n   
  
µ eff , p 
Γp = .
βp  βp 
1
 µ
а
  eff , p ||  
E  
1 +
  Vs 
 
ек
  p   
Подвижности носителей μeff,n и μeff,p определяются тремя компонентами μph,

т
μsr и μС, которые определяются по правилу Матиссена:

ио
−1
 1 1 1 
µ eff = + +  .
 µ ph µ sr µ C 
бл
Член μph учитывает снижение подвижности из-за рассеяния на акустических

фононах посредством выражений:
Би
175
−1 
 
  
 −Tn  −1
T   Zn  
µ −ph1, n =  µ b, n  L   +  1 
, 
  300  
    L 
T 2  
 DnYn  300   
    
−1

  
  
 −Tn  −1
T   Zp  
µ −ph1, p =  µ b, p  L   +  1 
,
  300  
    TL  2  
 D pY p    
Р
  300   
УИ
где функции Zn,p и Yn,p определяются следующим образом:
 T  −1 1 
Z n = Z T1 , n  L  Eeff , n + Z T2 , n E eff , n , 
3
БГ
 300  

 TL  −1 1
Z p = Z T1 , p   Eeff , p + Z T2 , p Eeff3, p ,
 300  
(E⊥ + (RT , n − 1)E0 ) 
а
Eeff .n = ,
RT , n 
ек
Eeff . p =
( (
E⊥ + RT , p − 1 E0  ) ) ,

RT , p 

т
BT1 , n −1 
T   TL 
− BT 2 , n
Yn = PT1 , n  L  + PT2 , n n   N f 
,
 300   300  
ио
BT1 , p −1

 T  −B  T  
Y p = PT1 , p  L  + PT2 , p p T 2, p  L  N f .
 300   300  
бл
Вклад в снижение подвижности из-за шероховатости поверхности описыва-

ется следующим соотношением:
Би
(
µ sr , n = E sr , n Eeff , n )− β n 

.
µ sr , p = (E sr , p Eeff , p )− β p

Последний член, μС, моделирует вклад в кулоновское рассеяние согласно

выражениям:
176
T 
1,5 
N 2, n  L  
µC,n =  300  ,
γ BH , n 
N A ln(1 + γ BH , n ) 
1 + γ BH , n 
1,5 
 TL  
N 2, p   
µC, p =  300  ,
γ BH , p 
N D ln(1 + γ BH , p )
1 + γ BH , p 
Р
N1, n  TL α n 
УИ
γ BH , n =   ,
n  300  
где 
N1, n  TL α p 
γ BH , p =   .
p  300  
БГ
В приведенных выражениях TL – температура решетки в Кельвинах, Nf –
фиксированный заряд на границе раздела «диэлектрический затвор–кремний»,
NA – концентрация акцепторной примеси в канале, ND – концентрация донорной
а
примеси в канале, n и p – концентрации электронов и дырок в инверсионном слое.
ек
Модель Уатта для подвижности в перпендикулярном поле. Модель по-

верхностной подвижности, предложенная Уаттом [124], учитывает следующие
основные механизмы рассеяния в инверсионном слое:
т
1. Рассеяние на фононах, которое является результатом взаимодействия но-

сителей в двухмерном инверсионном слое с фононами в объеме.
ио
2. Рассеяние, обусловленное шероховатостью поверхности, являющееся ре-

зультатом взаимодействия между носителями в инверсионном слое и отклоне-
ниями от идеальной планарности границы раздела.
3. Рассеяние на ионизированных примесях, обусловленное взаимодействием
бл
между носителями в инверсионном слое и ионами, локализованными в окисле, на

границе раздела или в объеме.
Компоненты рассеяния на фононах и компоненты рассеяния, обусловлен-
Би
ные шероховатостью поверхности, являются функциями эффективного электри-

ческого поля. Компонент рассеяния на ионизированных примесях зависит от
плотности легирования в области канала.
Эффективные подвижности для электронов и дырок определяются следую-
щими уравнениями:
177
A1,n A2,n −1 
A3,n
1 1  1  1  1  1  1   1 
  
= + + , 
µ eff , n M 1,n  Eeff , n  M 2,n  Eeff , n  M 3,n  N B  N 
 i
    

 1 
A1, p
 1 
A2, p −1 A3, p 
    1  1   1 
.
1 1 1
=  E  +  E  +
µ eff , p M 1, p M 2 ,n    
M 3,n  N B   N i  
 eff , p   eff , p  
Здесь NB – плотность заряда на поверхности, Ni – плотность заряда в инверсион-

ном слое и Eeff – эффективное электрическое поле, определяемое следующими
уравнениями:
Р
Eeff , n = E⊥ + ET , n ( E0 − E ⊥ ) 
УИ
,
Eeff , p = E⊥ + ET , p ( E0 − E⊥ )
где E ⊥ – электрическое поле, перпендикулярное направлению тока, и E0 –

перпендикулярное электрическое поле на границе раздела диэлектрик–
полупроводник.
БГ
Слагаемые в правой части уравнений для μeff,n и μeff,p в модели Уатта описы-
вают три ранее обсужденных механизма рассеяния. Каждый компонент содержит
а
две константы: предэкспоненциальный множитель и коэффициент основного не-
ек
зависимого параметра. Предполагается, что компонент, описывающий рассеяние

на ионизированных примесях, обратно пропорционален плотности легирующих
примесей.
т
Выражение для эффективной подвижности содержит целый ряд норми-

рующих констант. Первые два члена в описываемой модели подвижности зависят
ио
от Eeff и представляют собой универсальное соотношение между подвижностью и

полем. Третий член учитывает отклонение от этого универсального соотношения,
обусловленное рассеянием на ионизированных примесях.
Модель Ширахаты. Модель подвижности Ширахаты [125] – универсальная
бл
модель подвижности для МОП-транзистора, в которой учитываются эффекты эк-

ранировки в инверсионном слое, а также используется улучшенная зависимость
от перпендикулярного поля для тонкого окисного слоя (подзатворного диэлек-
Би
трика). Если используется модель Клаасена для низкого уровня поля совместно с
моделью Ширахаты, то член, описывающий рассеяние на решетки, в модели
Клаасена опускается.
Модель Ширахаты для электронов и дырок представляется в следующем
виде:
178
−θ s , n 
T 
µ 0, n  L  
µn =  300  
 E⊥ 
P1,n
 E 
P2 ,n 
1 +  + 1 + ⊥  
 E1, n   E2, n  
−θ s , p ,
T  
µ 0, p  L  
µp =  300  
P1, p P2 , p
 E⊥   E  
 1 +  + 1 + ⊥  
 E1, n   E2, p  
Р
УИ
где E ⊥ – напряженность перпендикулярного электрического поля, остальные па-
раметры μ0,n, μ0,p, E1,n, E1,p, E2,n, E2,p, P1,n, P1,p, P2,n, P2,p, θ1,n и θ1,p – эмпирические
константы в модели Ширахаты.
БГ
Модель подвижности в параллельном поле. По мере ускорения носителей
в электрическом поле их скорость достигает насыщения при высоких значениях
электрического поля. Этот эффект приводит к снижению эффективной подвижно-
сти, поскольку величина дрейфовой скорости равна произведению подвижности и
а
компонента электрического поля в направлении тока. Для осуществления плавно-
го перехода между поведением носителей в условиях низкого и высокого уровней
ек
электрического поля используются следующие выражения:

т
1
   βn
  
  
ио
1
µ n ( E ) = µ n0   , 
βn
  µ n0 E   
1 +  
  
  sat , n 
V 
бл

1 
 βp 
  
Би
  
,
1
µ p (E ) = µ p0  βp 
  µ p0 E   
1 +    
 
  sat , p  
V

где Е – параллельная составляющая напряженности электрического поля,

μn0 и μp0 – подвижности электронов и дырок в условиях низкого поля. Параметры
модели βn и βp – эмпирические константы.
Температурная зависимость скоростей насыщения электронов и дырок опи-
сывается следующим выражением:
179
αn 
Vsat , n = ,
 T 
1 + θ n exp L  
T 
 nom, n  

αp
Vsat , p = .
 T 
1 + θ p exp L  
 Tnom, p  
 
Модель подвижности, учитывающая температуру носителей. В модели
Р
энергетического баланса можно установить связь между подвижностью носите-
лей и их энергией. Это достигается посредством выражения для гомогенного ста-
УИ
ционарного энергетического баланса, которое описывает предел скорости насы-
щения, что позволяет рассчитать эффективное электрическое поле. Эта величина
представляет собой значение постоянного электрического поля, при котором но-
БГ
сители в гомогенном образце имеют такую же температуру, что и в узловой точке
прибора. Эффективные электрические поля Eeff,n и Eeff,p вычисляются посредством
решения уравнений:
3 k (Tn − TL ) 
а
qµ n ( Eeff , n ) Eeff
2
,n = ,
2 τ mob, e 
ек

3 k (T p − TL ) 
qµ p ( Eeff , p ) Eeff
2
= .
2 τ mob, h 
,p
т
Эти соотношения выведены из уравнений энергетического баланса посред-

ио
ством исключения всех переменных, зависящих от пространственных координат.

В модели энергетического баланса при анализе транспорта носителей ис-
пользуются четыре различных приближения.
бл
Модель Кафи–Томаса [126] описывает зависимость подвижности от поля.

Результирующее соотношение между подвижностью носителей и температурой
Би
носителей имеет вид:
µ n0 
µn = , 
(1 + X )
1
βn βn 
n 
µ p0  (2.76)
µp = ,
(1 + X )
1 
βp βp 
p 
180

X nβ n = α nβ n + α n2 β n (Tn − TL ) 2 β n − 4α nβ n (Tn − TL ) β n , 
1
2  
 (2.77)
βp 1 βp 2β p 2β p βp βp 
X p = α p + α p (T p − TL ) − 4α p (T p − TL ) ,
2  
3 k B µ n0 
αn = ,
2 qVsat , n 2τ e 

 (2.78)
3 k B µ p0 
αp = ,
2 qVsat , n 2τ h 

Р
где μn0 и μp0 – подвижности носителей при низком поле, Vsat,n и Vsat,p, – скорости
УИ
насыщения для электронов и дырок. Параметры Vsat,n, Vsat,p, βn и βp – эмпирические
константы.
2.6.2. Модели генерации и рекомбинации носителей
БГ
В конечном счете, генерация и рекомбинация носителей – это физические
процессы восстановления состояния равновесия в полупроводниковом материале.
Если рассматривается гомогенно легированный полупроводник с равновесной
концентрацией электронов и дырок n0 и p0, то равновесное состояние характери-
а
зуется соотношением:
ек
n0 = p0 = ni2 .
т
Поскольку в реальных условиях полупроводник находится в состоянии по-

стоянного возбуждения, величины n0 и p0 отклоняются от состояния равновесия.
ио
Например, свет, падающий на поверхность полупроводника p-типа, вызывает ге-

нерацию электронно-дырочных пар, существенно изменяющую концентрацию
неосновных носителей. В результате процессов рекомбинации система возвраща-
бл
ется в состояние равновесия. Процессы, ответственные за генерацию–

рекомбинацию, можно разделить на шесть основных типов: фононные переходы,
фотонные переходы, Оже-переходы, поверхностная рекомбинация, ударная иони-
зация и туннелирование.
Би
Модель рекомбинации Шокли–Рида–Холла. Фононные переходы происходят

с участием ловушки (или дефекта) внутри запрещенной зоны полупроводника. По
существу, это двухстадийный процесс, теория которого была предложена Шокли
и Ридом [127] и затем развита Холлом [128]. Интенсивность рекомбинации в мо-
дели Шокли–Рида–Холла (SRH) характеризуется следующим соотношением:
pn − nie2
RSRH = , (2.79)
  Etrap    − Etrap 
τ p n + nie exp  + τ n  p + nie exp 
  L 
kT   kT L 
181
где Etrap – разница между энергетическим уровнем ловушки и собственным уров-
нем Ферми, TL – температура решетки в Кельвинах, τn и τp – времена жизни элек-
тронов и дырок.
Примечание. В модели Шокли–Рида–Холла предполагается существование
только одного уровня ловушек, по умолчанию равного Etrap = 0. Этот уровень со-
ответствует наиболее эффективному центру рекомбинации.
Зависимость времени жизни носителей от концентрации примеси можно
представить следующим выражением [129]:
pn − nie2
Р
RSRH = , (2.80)
  Etrap    − Etrap 
τ p n + nie exp  + τ n  p + nie exp 
УИ
  kT L     kT L 
где
τ n, 0 
τn = ,
БГ
1+ N
N SRH , n 
 (2.81)
τ p ,0
τp = ,
1+ N 
N SRH , p 
а
ек
Здесь N – локальная концентрация примеси.
Модель Клаасена. В модели Клаасена [117] в приближении модели SRH

т
учитывается зависимость времени жизни носителей от концентрации примесей и

температуры. Времена жизни для электронов и дырок в этой модели определяют-
ио
ся уравнениями:

( )
KG, n
 300 
бл
−1 −1
τ n, 0 = KT , n + K C , n N  ,
 L 
T 
 (2.82)
( )
K G, n
 300  
τ p ,0 −1 = K T , p −1 + K C , p N 
Би
 ,
 TL  
где N – локальная (полная) концентрация примеси. Параметры KT,n, KT,p, KG,n и KG,p
– эмпирические константы в модели Клаасена.
Туннелирование с участием ловушек. При высоких электрических полях

электроны могут туннелировать через запрещенную зону посредством ловушеч-
ных состояний. Интенсивность рекомбинации носителей в модифицированной
модели Шокли–Рида–Холла, учитывающей эффект туннелирования с участием
ловушек, имеет следующий вид:
182
pn − nie2
RSRH = ,
τ p ,0   − Etrap  τ n,0   − Etrap 
n + nie exp  +  p + nie exp 
1 + Γ pDIRAC   kTL  1 + Γn
DIRAC
  kT L 
где ΓnDIRAC – член, описывающий усиление интенсивности рекомбинации электро-

нов, обусловленное эффектом поля, для дираковской ямы, и ΓpDIRAC – соответст-
венно для дырок. Величины ΓnDIRAC и ΓpDIRAC определяются уравнениями, описы-
вающими модель туннелирования с участием ловушек.
Р
Снижение барьера Пула–Френкеля для кулоновской ямы. Эффект Пула–
Френкеля может приводить к увеличению скорости эмиссии для кулоновских ям.
УИ
В результате учета этого эффекта выражения для Rn,SRH и Rp,SRH в модели Шокли–
Рида–Холла электронно-дырочной рекомбинации приобретают вид:
БГ
pn − nie2
Rn, SRH = ,
τ p ,0   − Etrap  τ n ,0   − Etrap 
n + nie exp  +  p + nie exp 
1 + Γ pDIRAC   kTL  χ F + Γn
COUL
  kT L 
а
pn − nie2
R p ,SRH = .
τ p ,0   − Etrap  τ n ,0   − Etrap 
ек
n + nie exp  +  p + nie exp 

χ F + ΓnCOUL   kTL  1 + Γ p
DIRAC
  kT L 
т
Коэффициент термической эмиссии χF в модели Пула–Френкеля и кулонов-

ские факторы ΓnCOUL и ΓpCOUL определяются выражениями, приведенными в опи-
ио
сании модели снижения барьера Пула–Френкеля для кулоновской ямы

в подразд. 2.3.2 «Ловушки и дефекты».
бл
Радиационная рекомбинация (генерация фотонов). Генерация фотонов про-

исходит в том случае, если возможен прямой переход из валентной зоны в зону
проводимости. Этот процесс характерен только для материалов с узкой шириной
запрещенной зоны как, например, в GaAs. Модель радиационной рекомбинации
Би
представляется следующим соотношением:
(
Rdirect = COpt pn − nie2 , )
где параметр COpt – константа.
Оже-рекомбинация. Оже-рекомбинация осуществляется посредством трех-

частичного последовательного взаимодействия, в результате которого подвижный
носитель либо захватывается, либо эмитирует. К сожалению, физика этих процес-
183
сов до сих пор неясна, поэтому при анализе этого явления достаточно качествен-
ного описания, изложенного в работе [130].
Стандартная модель Оже-рекомбинации. Процесс Оже–рекомбинации
обычно моделируется посредством использования следующего выражения:
R Auger = An ( pn 2 − nnie2 ) + A p (np 2 − pnie2 ) , (2.83)
где параметры An и Ap – подгоночные константы.
Модель Клаасена для температурной зависимости Оже-эффекта. Оже-

рекомбинация в модели Клаасена [131] описывается следующим выражением:
Р
УИ
R Auger = Cn ( pn 2 − nnie2 ) + C p (np 2 − pnie2 ) ,
где коэффициенты Оже зависят от температуры согласно выражениям:
БГ 
K D, n
T 
Cn = p K C , n AUGCN  L 
2
,
 300  
K D, p
 (2.84)
T  
а
C p = n 2 KC, p  L  . 
 300  
ек
Здесь KC,n, KC,p, KD,n и KD,p – подгоночные параметры.

т
Эффект сужения ширины запрещенной зоны в модели Оже. Альтернатив-

ная модель для коэффициентов Оже-рекомбинации, которая более пригодна для
ио
моделирования процессов Оже в полупроводниках с узкой шириной запрещенной

зоны, представленная в упрощенном виде в работе [132], описывается выражени-
ем
бл
R Auger = Cn ( pn 2 − nnie2 ) + C p (np 2 − pnie2 ) ,

Би
где коэффициенты Оже Cn и Cp зависят от концентрации следующим образом:
An 
Cn = ,
1 + AK , n n 
,
Ap
Cp = .
1 + AK , p p 
Здесь n и p – концентрации электронов и дырок, а параметры AK,n, AK,p, An и Ap –

подгоночные константы.
184
Поверхностная рекомбинация. Электроны и дырки кроме процессов генера-
ции–рекомбинации в объеме полупроводника, могут рекомбинировать–
генерироваться на границах раздела. Скорость поверхностной рекомбинации мо-
жет быть выше, чем в объеме. Стандартный подход для моделирования процессов
рекомбинации на границе раздела осуществляется простым способом, как и при
моделировании скорости генерации–рекомбинации в объеме:
pn − nie2
Rsurf = .
  − Etrap    − E  
n + nie exp  + τ neff  p + nie exp 
trap
τ eff
p
  kT L    kT L 
Р
Здесь:
УИ
1 1 di 
= +S . N , 
τ neff τ ni Ai 
 (2.85)
1 1 di
= i + S .P, 
τp τ p Ai
БГ 
eff

где τin,p – времена жизни носителя (электрона или дырки) в объеме, рассчитанные
а
в узле i вдоль границы раздела, которые могут быть также функцией от концен-
трации примеси. Параметры di и Ai – длина и площадь границы раздела в узле i.
ек
Параметры Sn и Sp – скорости рекомбинации для электронов и дырок соответст-

венно.
т
2.6.3. Модели ударной ионизации
В любой области пространственного заряда в условиях приложенного на-

ио
пряжения электрическое поле может быть достаточно высоким, чтобы свободные

носители приобрели энергию, необходимую для генерации новых свободных но-
сителей в результате столкновений с атомами кристалла. Другими словами, носи-
бл
тель должен приобрести энергию Ei, необходимую для ионизации атома примеси.
Если интенсивность генерации свободных носителей достаточно высока, то этот
процесс может, в конечном счете, привести к лавинному пробою.
Би
Общий процесс ударной ионизации может быть описан уравнением
G=αnJn+αpJp, (2.86)
где G – полная скорость генерации электронно-дырочных пар, αn,p – коэффициен-

ты ионизации для электронов и дырок и Jn,p – соответствующие плотности токов.
Коэффициент ионизации представляет собой число электронно-дырочных пар,
генерированных носителем на единицу длины его пробега. Точное вычисление
этого параметра важно при моделировании различных эффектов, связанных с
ударной ионизацией, как, например, ток подложки и пробивное напряжение при-
185
бора. Модели ударной ионизации можно разделить на два основных типа: ло-
кальные и нелокальные.
В локальной модели предполагается, что ионизация в любой области при-
бора является функцией только электрического поля. В нелокальных моделях
расчеты выполняются в более грубом приближении, учитывая лишь энергию,
приобретенную носителем.
Модели ударной ионизации в условиях локального электрического поля. Мо-
дель Зельбергера: Модель для расчета скорости ионизации, предложенная Зель-
бергером [114], представляет собой модификацию классической модели Чиновета
[133]. В этой модели
Р
  B βn  
α n = An exp −  n  , 
УИ
  E   

  B β p  
α p = A p exp −   ,
p
  E   
БГ

где E – электрическое поле в направлении тока в данной области структуры, а па-

раметры An, Ap Bn, Bp, βn и βp – эмпирические константы.
а
В этой модели параметры An,p и Bn,p являются также функцией от темпера-
туры решетки [134] и представляются в следующем виде:
ек
  T  M A, n  

An = An,1,2 1 + AT , n  L
 − 1 , 
т
  300    


  TL  A, p
M   
ио

A p = A p ,1,2 1 + AT , p   − 1 ,
  300    

 (2.87)
  T  M B , n  
бл
Bn = Bn,1, 2 1 + BT , n  L  − 1 , 
 
  300    

  TL  M B, p  
Би
B p = B p ,1,2 1 + BT , p   − 1 . 
 
  300    
Модель Вальдиночи. Вальдиночи с соавторами [135] предложили методику

измерений для калибровки моделей ударной ионизации, в которой учитывается
температурная зависимость, и основанную на ней новую модель. В рамках этой
модели проведена калибровка коэффициентов ионизации как для дырок, так и для
электронов в диапазоне температур от 25 до 400 оС. Эта модель основана на сле-
дующем соотношении:
186
E
α n, p = ,
an, p (TL ) + bn, p (TL ) exp[ d n , p (TL ) /( E + cn, p (TL ))]
где E – электрическое поле вдоль линий тока, а параметры этого выражения сле-
дующие:
( A
a n (TL ) = An,0 + An,1TL n , 2 , )
bn (TL ) = Bn,0 exp (Bn,1TL ),
(
cn (TL ) = C n,0 + C n,1TL
C n, 2
)+ C 2
n,3TL ,
Р
d n (TL ) = Dn,0 + Dn,1TL + Dn, 2TL2 ,
(
a p (TL ) = A p ,0 + Ap ,1TL
A p,2
),
УИ
(
b p (TL ) = B p ,0 exp B p ,1TL , )
(
c p (TL ) = C p ,0 + C p ,1TL
C p,2
)+ C 2
p ,3TL ,
БГ
d p (TL ) = D p ,0 + D p ,1TL + D p ,2TL2 .
Здесь A, B, C, и D – эмпирические константы.

а
Модель Гранта. Более простая модель ударной ионизации Гранта имеет
ек
ту же форму, что и модель Зельбергера. В этой модели:
  B  
т
α n = AN exp −  n ,
  E  

ио
  B p  
α p = AP exp −  .
  E  
бл
Модель Гранта имеет следующие особенности:

– она может быть использована при низких, промежуточных и высоких
уровнях поля;
Би
– в ней используются соответствующие коэффициенты для кремния и дру-

гих материалов;
– в этой модели отсутствует температурная зависимость.
Модель Гранта [136] была разработана на основании исследований Бараф-
фа [137], предложившего способ учета областей низкого, промежуточного и вы-
сокого поля с соответствующими скоростями ионизации для электронов и дырок.
Коэффициенты, используемые в этой модели, хорошо согласуются с эксперимен-
тальными данными Гранта [136].
Параметры модели Гранта имеют следующие значения для трех областей
электрических полей:
187
1) An = 2,6⋅106, Ap = 2,0⋅106, Bn = 1,08⋅106, Bp = 1,97⋅106 при E < 2,4⋅105 В/см
2) An = 6,2⋅105, Ap = 2,0⋅106, Bn=1,08⋅106, Bp=1,97⋅106 при 2,4⋅105 < E < 5,3⋅105 В/см
3) An = 5,0⋅105, Ap = 5,6⋅105, Bn=9,9⋅106, Bp=1,32⋅106 при E > 5,3⋅105 В/см.
Модель Кроуэлла–Зи. Кроуэлл и Зи [138] предложили более физичную (но

достаточно сложную) зависимость между электрическим полем и скоростями ио-
низации. В этой модели ионизационные коэффициенты представляются в сле-
дующем виде:
α n, p =
1
λn, p
[ ]
exp C0 (r ) + C1 (r ) x + C 2 (r ) x 2 , C0(r)= –1,92+75,5r–75,5r2,
Р
C1 (r ) = −1,75 ⋅ 10−2 − 11,9r + 46r 2 , C2 (r ) = 3,9 ⋅ 10 −4 − 1,17r + 11,5r 2 ,
УИ
E Ei 1,1eV для электронов;
где r = r ; x = ; Er = 0,063eV ; Ei = 
Ei qλn, p E 1,8eV для дырок.
 qE r   qE r 
БГ
tanh   tanh  
λn0 = λe  2kTL  ; λ 0 = λ  2kTL  ,
 qE r   qE r 
p p
tanh   tanh 
 2k300   2k300 
где λe и λp – эмпирические параметры.
а
ек
Модели ударной ионизации в условиях нелокального электрического поля.

Все модели поведения носителей в представлении локального электрического по-
ля обычно переоценивают скорость ударной ионизации. Согласно теории перено-
т
са носителей в условиях постоянного электрического поля E после прохождения

носителем расстояния Δх = Ei/(qE) он приобретает энергию, равную энергии ио-
низации Ei. Однако в реальных приборах электрическое поле непостоянно и
ио
обычно имеет острые пики напряженности в областях металлургического p-n-

перехода. Электронная модель показывает, что при прохождении носителей через
области с пиковыми значениями электрического поля расстояние ионизации Δх
бл
будет достаточно коротким. В результате скорость ударной ионизации получится

слишком высокой (переоценена), и, как следствие этого, напряжение пробоя бу-
дет недооценено, а ток подложки – переоценен.
Би
Для повышения точности моделирования процесса ударной ионизации сле-

дует использовать модель энергетического баланса с привлечением моделей ио-
низации, основанных на учете температуры носителей. Такой подход позволяет
использовать нелокальную зависимость от электрического поля в рамках модели
ударной ионизации. Использование модели энергетического баланса может
улучшить точность моделирования напряжения пробоя и тока подложки. Извест-
ны две модели ударной ионизации. Одна основана на классическом соотношении
Чиновета с некоторыми изменениями для учета температуры носителей. Другая
модель представляет собой развитие не-максвелловского приближения, основан-
ного на учете температуры носителей.
188
В транспортно-энергетическом подходе возможно использование двух мо-
делей ударной ионизации: модели Тоябе и модели Конканнона.
Модель Тоябе. Температурная зависимость в модели ударной ионизации яв-
ляется основой модели Зельбергера и подобна той, которая предложена Тоябе
[139]. В этой модели используется температура носителей для расчета эффектив-
ного электрического поля на основе гомогенного соотношения между температу-
рой и полем. С целью самосогласованного решения задачи в рамках транспортной
модели энергетического баланса подобное соотношение используется для эффек-
тивного электрического поля при анализе подвижности с учетом температуры но-
сителей. В этом случае скорости ионизации имеют следующий вид:
Р
 − Bn  
α n = An exp ,
 Eeff , n  
УИ
  

 − Bp  
α p = A p exp ,
 Eeff , p  
 
БГ
где параметры модели An,p и Bn,p – эмпирические константы.
Эффективное электрическое поле вычисляется следующим образом:
а
3 kTn 
Eeff , n = ,
2 qLe 
ек
 (2.88)
3 kT p 
Eeff , p = ,
2 qL p 
т
ио
где параметры Le,p могут быть рассчитаны по следующим соотношениям:
Le = Vsat , nτ s, n , 
,
бл
(2.89)
L p = Vsat , pτ s, p ,
где параметры Vsat,n и Vsat,p – скорости насыщения для электронов и дырок, а пара-
Би
метры τs,n и τs,p времена релаксации электронной энергии (τe и τp) в уравнени-
ях (2.78).
Модель Конканнона. В нелокальной модели ударной ионизации Тоябе при-

нимается максвелловская форма распределения горячих носителей. В работе Фи-
егна [140] результаты моделирования методом Монте-Карло подтвердили не-
максвелловский высокий энергетический «хвост» в функции распределения энер-
гии. Для более точного моделирования этих эффектов Конканноном [141] пред-
ложена модель, основанная на не-масвелловском распределении. На базе этой мо-
189
дели вычисляется вероятность достижения носителем энергии, достаточной, что-
бы вызвать ударную ионизацию.
Скорость генерации является функцией температуры носителей, а их кон-
центрации определяются следующим образом:
∞ 
Gn ( x, y ) = Cn n ∫ F (ε , Tn ( x, y ))dε , 
ET , n 
∞
 (2.90)
G p ( x, y ) = C p p ∫ F (ε , T p ( x, y ))dε ,

ET , p

Р
где n(x,y) и p(x,y) – концентрации электронов и дырок; ε – энергия; Tn(x,y) и
УИ
Tp(x,y) – температуры электронов и дырок; значение F определяется в уравнении
(2.75); Cn,p и En,p – подгоночные параметры.
Функция F(ε,T) в уравнениях (2.90) определяется через произведение функ-
ции плотности состояний g(ε) и функции энергетического распределения f(ε):
F=∞
БГ
g (ε ) f (ε )
∫ g (ε ) f (ε )dε
.
а
0
ек
Функцию плотности можно аппроксимировать следующим образом:
g(ε) = ε1,25.
т
Функции распределения энергий электронов и дырок имеют вид:

ио
  − Ceε 3   − C B ε 3  
f n (ε ) = exp 1.5  + C0 exp 1.5 ,
  Tn   Tn  
бл
.
− C ε3  
f p (ε ) = exp 1h.5 . 
 Tp  
 
Би
Константы Се,h, CB и C0 – подгоночные параметры в модели Конканнона.
Межзонное туннелирование. В случае достаточно высокого электрического

поля возможен существенный локальный изгиб энергетической зоны, что позво-
ляет электронам туннелировать из валентной зоны в зону проводимости посред-
ством внутренней эмиссии. Следовательно, в зоне проводимости генерируется
дополнительный электрон и образуется дырка в валентной зоне. Этот механизм
генерации описывается правой частью уравнения непрерывности. Согласно рабо-
190
там [142, 143] скорость генерации носителей посредством такого механизма тун-
нелирования описывается следующим соотношением:
BBγ  BBβ 
GBB = BBα E exp −  ,
 E 
где E – величина электрического поля; BBα,β,γ – параметры, которые можно рас-

считать из первых принципов согласно выражениям:
q 2 2mt m0 
Р
BBα = ,
h2 Eg 

УИ
3 / 2 mt m0 

π Eg
2
BBβ = 2 ,
qh 

БГ


BBγ = 2, 
где q – заряд электрона, h – постоянная Планка, Eg – энергия запрещенной зоны,

а
m0 – масса покоя электрона и mt – эффективная масса.
ек
Модель туннелирования Фаулера–Нордгейма. Если электрическое поле в

диэлектрике достаточно высоко, то оно может вызвать туннелирование электро-
т
нов из уровня Ферми полупроводника (или металла) в зону проводимости диэлек-

трика. Этот процесс зависит от величины приложенного электрического поля, но
не зависит от температуры окружающей среды.
ио
Уравнение Фаулера–Нордгейма выражает плотность туннельного тока через

окисел следующим образом:
бл
 F 
J FN = Fa , e E 2 exp − b , e , 
 E 
 (2.91)
Би
 Fb, h  
J FP = Fa , h E exp −
2
,
 E  
где E – электрическое поле в окисле. Коэффициенты Fa,e, Fa,h, Fb,e и Fb,h – парамет-
ры в модели Фаулера–Нордгейма.
Модель инжекции горячих носителей для свободного электрона. В этой мо-

дели предполагается, что электрон эмитирует в окисел посредством приобретения
достаточной энергии в электрическом поле канала для преодоления барьера на
границе «диэлектрик–полупроводник». При получении такой энергии электроны
191
меняют свое движение в направлении границы раздела «диэлектрик–
полупроводник» посредством рассеяния на фононах. Если эти условия выполне-
ны, носитель, движущийся в направлении к границе раздела, будет иметь мень-
шую вероятность дополнительных столкновений, сопровождающихся потерей
энергии.
Описываемая модель является модифицированной версией модели, предло-
женной Тамом [144]. Граница раздела «электрод к затвору–диэлектрик» разбива-
ется на ряд дискретных сегментов. Для каждого сегмента используется описывае-
мая в данном разделе модель для вычисления инжекционного тока в этом сегмен-
те. Общий ток затвора будет равен сумме всех его дискретных значений для каж-
дого сегмента.
Р
Для каждой дискретной точки на границе раздела «электрод к затвору–
диэлектрик» можно записать выражение для тока, инжектированного из полупро-
УИ
водника. Согласно этому выражению рассчитывается вклад в инжекционный ток
затвора от каждого узла в полупроводнике:
r r
I inj = ∫∫ P n ( x, y ) J n ( x, y ) dxdy + ∫∫ Pp ( x, y ) J p ( x, y ) dxdy ,
БГ
где Jn,p(x, y) – плотности электронного и дырочного токов в точке с координатами
(x, y) в полупроводнике; Pn,p(x, y) – вероятность того, что некоторая часть этого
а
тока достигнет подзатворного диэлектрика и инжектируется через него в электрод
затвора:
ек
PцB,n P1,n P2,n 

Pn (x, y) = ,
т
Ge 

PцB, p P1,p P2, p 
Pp (x, y) = ,

ио
Gh
где Е – электрическое поле, параллельное направлению тока, а параметры Ge и

бл
Gh – средние пути свободного пробега электронов и дырок, Pφ B – вероятность по-

лучить носителю энергию φB при движении в электрическом поле E и параллель-
но ему без потери энергии посредством рассеяния на оптических фононах:
Би
 EGe, f   φ  
PφB , n = 0,25  exp − B, n , 
  EGe, f  
 φ B, n   

 EGh, f   φ B, p  
PφB , p = 0,25  exp − ,
 φ B, p




 EGh, f  
где Ge,f и Gh,f – средние длины свободного пробега электронов и дырок при рас-
сеянии на оптических фононах. Высоты барьеров φBn, p определяются следующим
образом:
192
2 
φ B, n = Ee,0 − Ee, β E⊥ − Ge,θ E⊥ 3 − ∆ψ ( x, y ), 
2

φ B, p = Eh,0 − Eh, β E⊥ − Eh,θ E ⊥ 3 − ∆ψ ( x, y ),
где E ⊥ – электрическое поле, перпендикулярное границе раздела «полупровод-

ник–диэлектрик». Обычные высоты барьеров Ee,o и Eh,o уменьшены для учета сле-
дующих эффектов. Первый обусловлен уменьшением барьера Шоттки, высота ко-
торого зависит от перпендикулярного электрического поля на границе раздела
«полупроводник–диэлектрик». Второй эффект учитывает туннелирование через
Р
подзатворный диэлектрик посредством уменьшения высоты барьера. Третий эф-
фект учитывает тот факт, что имеется разница в потенциалах между границей
УИ
раздела «полупроводник–диэлектрик» и начальным положением горячего носите-
ля.
P1 – вероятность того, что горячий носитель не теряет энергию при рассея-
нии на оптических фононах, когда он движется к границе раздела «полупровод-
ник–диэлектрик» после переориентации:

P1, n ≈ exp −
БГ
r  
, 
а
 Ge , f  
 

ек
 r 
P1, p ≈ exp − ,
 Gh f  
 , 
т
где r – расстояние от положения в полупроводнике, где горячий носитель изменил

направление движения, до границы раздела «полупроводник–диэлектрик».
ио
P2 – вероятность рассеяния в потенциальной яме в области подзатворного

диэлектрика:
бл
 q  
  
 16πε ox Eox  
P2, n = exp −  для θ > θ n , 
Би
Pn
  
 
  
P2, n = 0 для θ < θ n , 


 q  
 
P2, p = exp −  для θ > θ p ,

Pp
 
  
  
P2, p = 0 для θ < θ p , 
193
где Pn, p – средние длины свободного пробега для электронов и дырок в окисле,
εox – диэлектрическая проницаемость окисла и Eox – электрическое поле в окисле.
Параметр θ вводит угловую зависимость вероятности рассеяния P2. Эксперимен-
тальные результаты, представленные в этой работе, показывают, что имеются
критические углы θn и θp между углом θ, образованным границей раздела «полу-
проводник–диэлектрик» и направлением электрического поля в окисле. Если угол
θ меньше этого критического угла, то электроны отталкиваются в подложку.
Модель инжекции Конканнона. В приближении статистически распределен-

ных электронов предполагается, что энергетическое распределение горячих носи-
Р
телей имеет максвелловскую форму. Однако в работе [140] при моделировании
методом Монте-Карло показано, что имеется не-максвелловский «хвост» в высо-
УИ
коэнерогетической области распределения. Более точное моделирование этого
эффекта обеспечивается моделью Конканнона [141]. Эта модель использует урав-
нение энергетического баланса для температур носителей и реализуется подоб-
ным же образом, что и модель статистически распределенных электронов.
БГ
Модель инжекции Конканнона имеет ту же форму, что и модель случайных
электронов. Инжекционный ток вычисляется согласно следующему выражению:
I inj = ∫∫ Pn ( x, y )n( x, y )dxdy + ∫∫ Pp ( x, y ) p( x, y )dxdy , (2.92)

а
ек
где n(x, y) и p(x, y) – концентрации носителей в полупроводнике. Функции веро-

ятностей Pn(x, y) и Pp(x, y) определяются следующим образом:
т
Pn ( x, y ) = −qC g , n PφB , n P1, n P2, n ,

(2.93)
Pp ( x, y ) = − qC g , p PφB, p P1, p P2, p ,
ио
где q – заряд электрона, а коэффициенты Cg,n и Cg,p – подгоночные параметры мо-

дели.
бл
Далее будут описаны три вероятностные функции, присутствующие в урав-

нениях (2.92) и (2.93).
Вероятность того, что носитель имеет достаточную энергию для преодоле-
Би
ния барьера, разделяющего диэлектрик и полупроводник φB, задается как функция

энергии, так что
∞ 
PφB , n = ∫ v⊥ (ε )F (ε , Tn ( x, y ))dε , 
φB , n 
∞

PφB , p = ∫ v⊥ (ε )F (ε , T p ( x, y ))dε ,
φB , p 
194
где v⊥ (ε ) – перпендикулярная составляющая скорости горячих носителей, опре-
деляющая вероятность возникновения горячих носителей с энергией ε, движу-
щихся в направлении границы раздела «диэлектрик–полупроводник». Высоты
барьеров φBn,p определяются следующим образом:
2 
φ B, n = Peff , n − Ee, β E⊥ − Ee,η E⊥ 3 − ∆ψ ( x, y ), 
2

φ B, p = Peff , p − Eh, β E⊥ − Eh,η E⊥ 3 − ∆ψ ( x, y ),
где E⊥ – электрическое поле, перпендикулярное границе раздела «полупровод-
Р
ник–диэлектрик». Обычные высоты барьера Ee,0 и Eh,0 снижаются за счет трех эф-
УИ
фектов. Первый эффект обусловлен понижением барьера Шоттки, которое зави-
сит от перпендикулярного электрического поля на границе раздела «полупровод-
ник–диэлектрик». Второй учитывает туннелирование через подзатворный диэлек-
трик. Третий эффект учитывает тот факт, что имеется разница в потенциалах ме-
БГ
жду границей раздела «полупроводник–диэлектрик» и исходным положением го-
рячего носителя.
В модели Фиегна [140] скорость горячих носителей пропорциональна энер-
гии согласно выражению v⊥ ~ ε 0,25 .
а
Функция F(ε,Tn,p(x, y)) задается плотностью состояний и функцией энерге-
ек
тического распределения следующим образом:
g (ε ) f (ε )
т
F (ε , Tn ( x, y )) ~ ∞
.
∫ g (ε ) f (ε )dε
ио
Плотность состояний g(ε) согласно анализу Касси [145]:

бл
g (ε ) ~ ε 0,25 .
Окончательно функция распределения энергии для электронов и дырок оп-

Би
ределяется следующим образом:
  E ε3   ET , p ε 3  
f e (ε ) ~ exp − 1.5 + C0 exp −
   , 
T ,n
   1.5 
  Tn   Tn  

 C ε3  
f e (ε ) ~ exp − A1.5 , 
 Tp  
 
195
где коэффициенты ET,n, ET,p и C0 – подгоночные параметры модели, Tn и Tp – сред-
ние температуры носителей (для электронов и дырок), вычисляемые из транс-
портной модели энергетического баланса; P1 – вероятность того, что энергетиче-
ские потери при рассеянии горячих носителей на оптических фононах при движе-
нии к границе раздела «полупроводник–диэлектрик» после изменения их направ-
ления движения отсутствуют:
 r  
P1, n ~ exp − , 
 G e 

 r 
P1, p ~ exp − ,
Р

 Gh  
УИ
где r – расстояние от точки, где изменилось направление движения носителей, до
границы раздела «полупроводник–диэлектрик».
P2 – вероятность рассеяния в потенциальной яме:



P2, n = exp −
q
16πε ox Eox БГ



 для θ > θ n , 



а
Pn
  
 
  
ек
P2, n = 0 для θ < θ n , 



 q  
т
 
P2, p = exp −  для θ > θ p ,

ио
Pp
 
  
  
P2, p = 0 для θ < θ p , 
бл
где Pn и Pp – средние пути свободного пробега электронов и дырок в окисле, εox –

диэлектрическая проницаемость окисла и Eox – электрическое поле в окисле. Уг-
Би
ловая зависимость, которая основана на работе [146], вводится параметром θ.

Экспериментальные результаты показывают, что имеются критические углы θn и
θp, представляющие собой углы между границей раздела «полупроводник–
диэлектрик» и электрическим полем в окисле. Если угол θ меньше этих критиче-
ских углов, то электроны отталкиваются в подложку.
196
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Достигнутый к настоящему времени уровень изложенных физических мо-

делей технологических процессов изготовления и моделей функционирования
кремниевых приборов микроэлектроники при использовании соответствующим
образом откалиброванных физических параметров и констант, используемых в
этих моделях, позволяет получать результаты, достаточно адекватно описываю-
щие экспериментальные данные. Эти модели лежат в основе таких современных,
являющихся международными стандартами, программных комплексов проекти-
рования в микроэлектронике, как программные средства компаний CADENCE,
SYNOPSYS и MentorGraphics (разработка схем широкого диапазона применений
Р
на всех уровнях иерархического проектирования – от схемотехнического до сис-
тем на кристалле) и компании SILVACO (технологическое и приборное проекти-
УИ
рование).
Однако по мере повышения сложности приборов микроэлектроники и
уменьшения характерных размеров их элементов критические проблемы в моде-
лировании проявляются в неодинаковой степени: возрастает роль и сложность
БГ
моделирования технологических процессов по сравнению с моделированием при-
боров [147]. Если точность результатов моделирования прибора в настоящее вре-
мя достаточно удовлетворительна для современных систем со сверхбольшой сте-
пенью интеграции, то адекватность результатов моделирования технологии экс-
а
периментальным данным является слабым местом современных средств проекти-
рования. Это связано прежде всего со стремительным развитием новых методов и
ек
оборудования для обработки полупроводниковых структур, в связи с чем прояв-

ляется отставание во времени моделирования технологических процессов от их
использования непосредственно на предприятиях электронной промышленности
т
(«вчерашняя технология моделируется завтра!»).

Не касаясь нынешних и грядущих сверхзадач нанотехнологии и наноэлек-
ио
троники [148], физические процессы в которых описываются на принципиально

других, атомистическом и квантово-механическом, уровнях, следует отметить
следующие основные проблемы в сфере моделирования современной субмикрон-
бл
ной технологии микроэлектроники в «традиционном», континуальном, прибли-

жении:
– расчет профилей активных примесей, основанный на физическом описа-
нии их диффузии и активации с участием дефектов кристаллической решетки
Би
кремния (как точечных, так и протяженных) при фазовых превращениях, сопро-

вождающих современные короткие процессы отжига;
– распределение дефектов, образующихся при имплантации, и его эволюция
во времени (возможное решение проблемы состоит в использовании перво-
принципных (ab initio) методов и в первую очередь – метода молекулярной дина-
мики);
– учет фазовых превращений при легировании посредством высокодозной
имплантации [149];
197
– анализ эффектов сегрегации и захвата примесей ловушками в процессе
окисления кремния на границе раздела «двуокись кремния–кремниевая подлож-
ка»;
– физически корректное моделирование технологии создания сверхмелких
p-n-переходов в условиях лазерного отжига с целью минимизации коротко-
канальных эффектов в структурах МОП-транзистора с одновременным получени-
ем низких значений слоевых сопротивлений для максимизации управляющих то-
ков;
– моделирование технологии получения новых материалов с более высокой,
чем для двуокиси кремния, диэлектрической проницаемостью, предназначенных
для использования в качестве диэлектрических слоев в элементах МОП-
Р
транзисторов, например, оксинитридов, диэлектрическая проницаемость которых
равна 7,5 по сравнению с 3,9 для SiO2;
УИ
Основные проблемы в сфере моделирования кремниевых приборов микро-
электроники:
– корректный физический анализ паразитных эффектов, в частности, токов
утечки в МОП-транзисторе с узким и коротким каналом;
БГ
– необходимость многомерного моделирования транспорта носителей заря-
да в современных приборных структурах (задача, требующая более емких компь-
ютерных ресурсов и, соответственно, более «изощренных» численных методов по
сравнению с многомерным моделированием технологии);
а
– учет механических напряжений в элементах МОП-транзистора, важность
которого возрастает при масштабировании прибора;
ек
– учет зависимости подвижности носителей от уровня легирования и на-

правления электрического поля, уточнение вклада рассеяния носителей на приме-
сях и эффектов рекомбинации–генерации вблизи поверхности [150].
т
Важнейшая задача при решении как указанных, так и «традиционных» про-

блем в моделировании технологии и приборов микроэлектроники состоит в ка-
ио
либровке физических параметров и констант, используемых в стандартных про-

граммных комплексах, для обеспечения адекватного описания технологических
процессов и приборов микроэлектроники (в математической постановке эта зада-
бл
ча подобна проблеме экстракции SPICE-параметров новых приборов).

Только совместное решение указанных проблем позволит решить «парал-
лельный» переход из микроэлектроники в эру наноэлектроники.
Би
198
ЛИТЕРАТУРА
1. National Technology Roadmap for Semiconductors // SIA, 1997.

2. Нелаев, В. В. Многомерное моделирование имплантационных и твердо-
фазных диффузионных процессов в технологии микроэлектроники методом мо-
лекулярной динамики и в континуальном приближении : дис. д-ра физ.-мат. наук:
05.27.01 / В. В. Нелаев; / Белорусский государственный университет информатики
и радиоэлектроники.– Минск, 2001.– 300 с.
3. Нелаев, В. В. Методы и средства моделирования и проектирования тех-
нологических процессов в микроэлектронике / В. В. Нелаев // Доклады БГУИР.–
2004.– Т. 2, № 3.– C. 62–72.
Р
4. Аntoniadis D.A., Hansen S.E., Dutton R.W. SUPREM II – A program for IC
process modeling and simulation / Stanford Electronics Lab.– Tech. Report.– 5019-2.–
УИ
1978.
5. Нелаев, В. В. Программа SUPREM II моделирования технологии изго-
товления интегральных схем : Метод. пособие / В. В. Нелаев.- Минск : БГУИР,
1998. – 26 с.
БГ
6. Нелаев, В. В. Физическое моделирование технологических процессов в
программе SUPREM II : Учеб. пособие / В. В. Нелаев.- Минск : БГУИР, 1998. –
37 c.
7. Ho C.P., Plummer J.D., Hansen S.E., Dutton R.W. VLSI process modeling. –
а
SUPREM III // IEEE Trans. on Electron Devices.– 1983.– Vol. ED-30, № 11.–
P. 1438–1452.
ек
8. Бубенников, А. Н. Физико-технологическое проектирование биполярных

элементов кремниевых БИС / А. Н. Бубенников, А. Д. Садовников. - М. : Радио и
связь, 1991. – 288 с.
т
9. Миловидов, В. С. Одномерное моделирование технологических процес-

сов производства интегральных микросхем. В. С. Миловидов, В. А. Мосолов, В.В.
ио
Нелаев // Алгоритмы и программы. Информационный бюллетень / Всес. науч.-

технич. информац. Центр; Всес. фонд алгоритмов и программ, Центральный ин-
формац. фонд.– М., 1988.– № 1.– С. 14.
бл
10. http://www.silvaco.com
11. ATHENA: The complete process simulation environment // Simulation Stan-
dard. А Journal for Process and Device Engineers.– 1984.– Vol. 5, № 3.– P. 1–10.
12. Нелаев, В. В. Технологическое проектирование интегральных схем.
Би
Программа SSUPREM 4 : учеб.-метод. пособие для курсов лекций и лаб. работ по

дисц. «Основы САПР в микроэлектронике» / В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий.–
Минск : БГУИР, 2004.– 102 с.
13. Нелаев, В. В. Работа в среде пакета ATHENA для проектирования тех-
нологии интегральных микросхем : учеб. пособие по дисц. «Основы САПР в мик-
роэлектронике» / В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий.- Минск. : БГУИР, 2005.– 137 с.
14. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов /
под ред. П. Антонетти и др.; пер. с англ.- М. : Радио и связь, 1988.– 490 с.
199
15. Collard D., Naniguchi K. IMPACT A point-defect-based two-dimensional
process simulator: modeling the lateral oxidation-enhanced diffusion of dopants in sili-
con // IEEE Trans. on Electron Devices.– 1986.– Vol. ED-33, N. 10.– P. 1454–1462.
16. Maldoradu C.D. ROMANS II – A two-dimensional process simulator for
modeling and simulation in the design of VLSI devices // Appl. Phys.– 1983.– Vol. A
31, №. 1.– P. 119–124.
17. Nassif S.R., Strojvas A.I., Director S.W. FABRICS II – A statistically based
IC fabrication process simulator // IEEE Trans. on Computer Aided Design. 1984.– Vol.
CAD-4, №. 1.– P. 40–47.
18. Ushio S., Nishi K., Kuroda S., Kai K., Ueda J. A fast three-dimensional proc-
ess simulator OPUS/3D with access to two-dimensional simulation results // IEEE
Р
Trans. on Computer Aided Design.– 1990. Vol. CAD-9, №. 7.– P. 745–751.
19. http://www.imio.pw.edu.pl/vlsi/imiocad/syprus
УИ
20. Нелаев, В. В. 3D – моделирование термического отжига ионно – им-
плантированных примесей / В. В. Нелаев, М. В. Казитов, Е. Ф. Ноготов // Инже-
нерно – физический журнал.– 1998.– T. 71, № 6.– C. 1075–1080.
21. Kazitov M.V., Kuzmicz W.B., Nelayev V.V., and Stempitsky V.R. Statistical
БГ
many-dimensional simulation of VLSI technology based on response surface methodol-
ogy // Proc. SPIE.– 1999.– Vol. 4064.– P. 179–183.
22. Статистическое проектирование и оптимизация технологии производст-
ва интегральных микросхем / А. А. Кулешов [и др.] // Микроэлектроника.– 2003.–
а
Т. 32, № 31.– С. 47–61.
23. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко. М. :
ек
Советское радио. 1980.

24. Абрамов, И. И. Численное моделирование элементов интегральных
схем. И. И. Абрамов, В. В. Харитонов. Минск. : Выш. школа. 1990.– 224 с.
т
25. Абрамов, И. И. Моделирование физических процессов в элементах крем-

ниевых интегральных микросхем / И. И. Абрамов. Минск. : БГУ, 1999.– 189 с.
ио
26. Pinto M.R., Conor S., Rafferty N., Dutton R. W. PISCES2 – Poisson and
Continuity Equation Solver / Stanford Electronics Laboratory Technical Report, Stan-
ford University.– 1984, September.
бл
27. Plummer J.D., Deal M.D., Griffin P.B. Silicon VLSI Technology. Fundamen-
tals, Practice and Modeling.– Beijing, 2003.– 817 p.
28. Fahey P.M., Griffin P.B., Plummer J.D. Point defects and dopant diffusion in
Би
silicon // Rev. Mod. Phys.– 1989.– Vol. 61, №. 2.– P. 289–384.

29. Shockley W., Last J.T. Statistics of the charged distribution for a localized
flow in a semiconductor // Phys. Rev.– 1957.– Vol. 107, №. 2.– Р. 392–399.
30. Mathiot D., Pfister J.C. Dopant diffusion in silicon: A consistent view involv-
ing nonequilibrium defects // J. of Appl. Physics.– 1984.– Vol. 55, №. 10.– P. 3518–
3525.
31. Rorris E., O’Brien R.R., Morehead F.F. et al. A new approach to the simula-
tion of the coupled point defects and impurity diffusion // IEEE Trans. on CAD.–
1990.– Vol. 9, №. 10. P. 1113–1120.
32. Griffin P.B., Plummer J.D. Process physics determining 2-D impurity profiles
in VLSI devices / International Electron Devices Meeting.– 1986, Dec.– P. 522–525.
200
33. Hu S.M. On interstitial and vacancy concentration in presence of injection //
J. Appl. Phys.– 1985.– Vol. 57.– P. 1069–1075.
34. Hobler G., Selberherr S. Two-dimensional modeling of ion implantation in-
duced point defects // IEEE Trans. on Computer Aided Design.– 1988.– Vol. 7, №. 7.–
P. 174–179.
35. Park H, Law M.E. Point defect based modeling of low dose silicon implant
damage // J. of Appl. Physics.– 1992.– Vol. 72, №. 11.– P. 3431–3439.
36. Mathiot D., Scheiblin P. ULSI Science and Technology.– 1995.
37. Middlesworth E.M., Massoud H. Dynamic clustering // Electrochemical Soc.
Proc.– 1995.– Vol. 95-5.– P. 13.
38. Mathiot D., Pfister J.C. CNET Physical Diffusion Model // J. Phys. Letters.–
Р
1982.– №. 43. L-453.
39. Yoshida M. Simulations of phosphorus predeposition profiles at high and in-
УИ
termediate surface concentrations // J. Appl. Phys.– 1979.– Vol. 59. №. 18.– P. 479–
481.
40. Thompson C.V. Grain growth in thin films // Ann. Rev. of Mat. Sci.– 1990.–
Vol. 20.– P. 245–256.
БГ
41. Mulvaney B.J., Richardson W.B., Crandle T.L. PEPPER – A process simula-
tor for VLSI // IEEE Trans. on Computer-Aided Design. – 1989. – Vol. 8, № 4.–
P.41-45.
42. Jones S.K., Gerodolle A. 2D process simulation of dopant diffusion in
а
polysilicon / NASECODE-VII Conference Copper Mountain (Colorado), Copper
ек
Mountain.– 1991, May. Ed. by J.Miller, P. 31–32.

43. Mei L., Dutton R.W. A process simulation model for multilayer structures in-
volving polycrystalline silicon // IEEE Trans. Electron Devices.– 1982.– Vol. ED-29.–
т
P. 1726–1734.
44. Deal B.E., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of sili-
con // J. Appl. Phys.– 1965.– Vol. 25.– P. 3770–3775.
ио
45. Deal B.E. Thermal oxidation kinetics of silicon in pyrogenic H2O and 5 %
HCl/H2O Mixtures // J. Electrochem. Soc.– 1978.– Vol. 125, № 4.– P. 576–579.
46. Chin D., Oh S.-Y., Hu S.M., Dutton R.W., Moll J.L. Process design using
бл
two-dimensional process and device simulator // IEEE Trans. Electron. Devices.–

1983.– Vol. ED-32, № 6.– P. 744–7493.
47. Hess D.W., Deal B.E. Kinetics of the thermal oxidation of silicon in O2/HCl
Би
mixtures // J. Electrochem. Soc.– 1977.– Vol. 124, № 5.– P. 735–739.

48. Razouk R.R., Lie L.N., Deal B.E. Kinetics of high pressure oxidation of sili-
con in pyrogenic steam // J. Electrochem. Soc.– 1981.– Vol. 128, № 10.– P. 2214–2220.
49. Athanassouli A., Ganetsos Th., Klose F., Messoloras S. Morphology and oxi-
dation kinetics of SiO2 layers on silicon // Semicond. Sci. Technol.– 2002.– № 17.
P. 65-76.
50. Law M.E. Theory of dopant diffusion assuming nondilute concentrations of
dopant-defect pairs // Appl. Phys. Lett.–1991.– Vol.57, № 2.– P. 233–248.
51. Watkins G.D. EPR studies of the lattice vacancy and low temperature damage
processes in silicon. Lattice defects in semiconductors, Ed. Huntley F.A.– 1974 / Inst.
Phys. Conf. Ser. 23.– London, 1975.
201
52. Giles M.D. Defect-coupled diffusion at high concentrations // IEEE Trans. on
Computer-Aided Design.– 1988.– Vol. 7. №. 4.– P. 411–415.
53. Park H., Law M.E. Point defect based modeling of low dose silicon implant
damage and oxidation effects on phosphorous and boron diffusion in silicon // J. Appl.
Phys.– 1992.– Vol. 72, № 8.– P. 3431–3435.
54. Hirabayashi K., Iwamura J. Kinetics of thermal growth of HCl-O2 oxides on
silicon // J. Eectrochem. Soc.– 1973.– Vol. 120.– P. 1595–1601.
55. Chin D. A General solution method for two-dimensional nonplanar oxidation
// IEEE Trans. Electron Devices.– 1983.– Vol. ED-30.– P. 993–995.
56. Matsumoto Y., Fukuma M. Numerical modeling of nonuniform thermal oxi-
dation // IEEE Trans. Electron. Devices.– 1983.– Vol. ED-32, № 2.– P. 132–140.
Р
57. Eyring H. Viscosity, plasticity and diffusion as examples of absolute reaction
rate // J. Chem. Phys.– 1936.– Vol. 4.– P. 283–287.
УИ
58. Guillemot N. A new analytical model of the bird’s beak // IEEE Trans. on
ED.– 1987.– Vol. ED-34, №. 5.– P. 1271–1280.
59. Казитов, М. В. Влияние параметров аналитической модели «птичьего
клюва» на 3-мерный профиль распределения примесей / М. В. Казитов, В. В. Не-
БГ
лаев // Радиационная физика твердого тела : материалы 8-го Межнационального
совещания / Московский ин-т электронного машиностроения.– Севастополь.–
1998.– C. 37–41.
60. Кендалл, М. Дж. Теория распределений / М. Дж. Кендалл, А. Стюарт.–
а
М. : Мир, 1966.– 257 с.
ек
61. Christel L.A., Gibbons J.F., Mylroe S. An application of the Boltzman trans-
port equation to ion range and damage distributions in multilayered targets // J. Appl.
Phys.– 1980.– Vol.51, № 2.– P. 6176–6182.
т
62. Biersack J.P., Haggmark L.G. A Monte-Carlo computer program TRIM //

Nucl. Instr. and Meth.– 1980.– Vol. 174, № 1.– P. 257–269.
63. Комаров, Ф. Ф. Ионная имплантация / Ф. Ф. Комаров, А. Н. Новиков, А.
ио
Ф. Буренков.– Минск : Унiверсiтэцкае, 1994.– 285 c.

64. Таблицы пространственных распределений примеси при ионной им-
плантации. А. Ф. Буренков [и др.]- Нью-Йорк; Лондон и др. : Гордон и Брич,
бл
1986.– 465 с.
65. Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. Range concepts and heavy ion ranges //
Kgl. Dan. Vid. Selsk. Mat.-fys. Medd.– 1963.– Vol. 33, №. 14.– P. 53–64.
Би
66. Кендалл, М. Дж. Теория распределений. М. Дж. Кендалл, А. Стюарт.–

М. : Мир, 1966.– 257 с.
67. Atomic and ion collisions in solids and at surfaces / Ed. by R. Smith // Cam-
bridge university press.– 1997.
68. Tasch A.F. An improved approach to accurately model shallow B and BF2
implants in silicon // J. Electrochem. Soc.– 1989.– Vol. 136, № 3.– P. 1717–1723.
69. Amaratunga G.A.J., Sabine K., Evans A.G.R. The modeling of ion implanta-
tion in a three-layer structure using the method of dose matching // IEEE Trans.
Electron. Dev.– 1985.– Vol. ED-32, № 9.– P. 1899–1907.
202
70. Буренков, А. Ф. Аналитический расчет ионной имплантации через окно
в маске / А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, М. М. Темкин // Микроэлектроника.–
1987.– Т. 16, №. 1.– С. 15-21.
71. Parab K.B., Yang D.H., Morris S.J., Tian S., Tasch A.F., Kamenitsa D.,
Simonton R., Magee C. Analysis of ultra-shallow doping profiles obtained by low en-
ergy ion implantation // J. Vac. Sci. Technol.– 1996.– Vol. B14, №. 1.– P. 293–299.
72. Буренков, А. Ф. 2-мерное локальное распределение ионно-
имплантированных примесей / А. Ф. Буренков, А. Г. Курганов, Г. Г. Конопляник //
Поверхность.– 1989. Т. 8.– С. 52-58.
73. Lorenz J., Kruger W., Barthel A. Simulation of the lateral spread of implanted
ions: Theory / NASECODE-VI, Ed. Miller J.J.H., Boole Press.– 1989.– P. 513–520.
Р
74. Ashworth D.G., Bowyer M.D.J., Oven R. Generating ion implantation pro-
files in one and two dimensions. 1: Density functions // J. Phys. D: Appl. Phys.– 1996.
УИ
Vol. 29.– P. 1274–1285.
75. Bowyer M.D.J., Ashworth D.G., Owen R. Representation of ion implantation
distributions in two and three dimensions // J. Phys. D: Appl. Phys.– 1991.– Vol. 24.– P.
1120–1125.
БГ
76. Griffin P.B., Plummer J.D. Process physics determining 2-D impurity profiles
in VLSI devices / International Electron Devices Meeting.– 1986. Dec.– P. 522–525.
77. Hobler G., Langer E., Selberherr S. Two-dimensional modeling of ion im-
plantation with spatial moments // Solid-State Electronics.– Vol. 30.– P. 445–447.
а
78. Фирсов, О. Б. Потенциал межатомного взаимодействия при малых и
средних энергиях столкновений / О. Б. Фирсов // Журнал экспериментальной и
ек
теоретической физики.– 1957.– Т. 34.– С. 947–951.

79. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark U. The stopping and range of ions in sol-
т
ids.– 1985.– Vol. 1 / Pergamon Press.

80. Fichtner W. Process simulation. / VLSI technology. Ed. by Sze S.M.
McGraw-Hill.– 1988.– 422 p.
ио
81. Фирсов, О. Б. Качественная трактовка средней энергии возбуждения

электронов при атомных столкновениях / О. Б. Фирсов // Журнал эксперимен-
тальной и теоретической физики.– 1959.– Т. 36.– С. 1517–1521.
бл
82. Brandt W., Kitagawa M. Effective stopping-power charges of swift ions in

condensed matter // Phys. Rev.– 1982.– Vol. B 25, № 9.– P. 5631–5637.
83. Kamins T. Polycristalline silicon for integrated circuit applications. 2d ed.,
Би
Kluwer Academic Publishers.– 1998.

84. Технология СБИС. / под ред. С. Зи; Пер. с англ.– М. : Мир, 1986.– 453 с.
85. Weerts W.L., de Groon M.H.J., Marin G.B. The kinetics of the low-pressure
chemical vapor deposition of polycrystalline silicon from silane // J. Electrochem. Soc.-
1998.– Vol. 145, № 4.– P. 1318–1330.
86. Hasimoto K., Miura K., Masuda T., Toma M., Sawai H., and Kawase M.
Growth kinetics of polycrystalline silicon from silane by thermal chemical vapor depo-
sition method // J. Electrochem. Soc.– 1990.– Vol. 137, № 3.– P. 1000–1007.
87. Jensen K.F., and Graves D.B. Modeling and analysis of low pressure CVD
reactors // J. Electrochem. Soc.– 1983.– Vol. 130, № 9.– P. 1950–1957.
203
88. Griffith S.K., Nilson R.H. Deposition uniformity, particle nucleation, and the
optimum conditions for chemical vapor deposition in multiwafer furnances // J. Electro-
chem. Soc.– 1997.– Vol. 144, № 4.– P. 1399–1410.
89. Yeckel A., Middleman S. Strategies for the control of deposition uniformity
in CVD // J. Electrochem. Soc.– 1990.– Vol. 137, № 1.– P. 207–212.
90. Learn A.J., Foster D.W. Deposition and electrical properties of in situ phos-
phorus-doped silicon films formed by low-pressure chemical vapor deposition // J.Appl.
Phys.– 1986.– Vol. 61, № 5.– P. 1898–1904.
91. Coltrin M.E., Kee R.J., Miller J.M. A mathematical model of silicon vapor
deposition. Further refinements and the effects of thermal diffusion // J. Electrochem.
Soc.– 1986.– Vol. 133, № 6.– P. 1206–1213.
Р
92. Yeckel A., Middleman S. A model of the effect of diffusion and convection
on the rate and uniformity of deposition in a CVD reactor // J. Electrochem. Soc.–
УИ
1986.– Vol.133, № 9.– P. 1951–1956.
93. Kuiper A.E., van den Brekel C.J., de Groot J., Veltcamp G.W. Modeling of
low pressure CVD process // J. Electrochem. Soc.– 1982.– Vol. 129, № 10.– P. 2288–
2291.
БГ
94. Нелаев, В. В. Моделирование процесса осаждения поликремния из газо-
вой фазы / В. В. Нелаев, А. С. Турцевич // Термодинамика и материаловедение
полупроводников : материалы IV Всес. конф. / Акад. наук СССР. Гос. комитет по
нар. обр. СССР.– М.,– 1989.– Ч.2.– С. 403.
а
95. Нелаев, В. В. Физическое моделирование процессов осаждения, термо-
обработки и свойств пленки поликремния / В. В. Нелаев // Физика и технология
ек
тонких полупроводниковых пленок : тез. докл. III Всес. научн. конф. / Акад. наук
СССР, Научный совет по проблеме «Физико-химические основы полупроводни-
кового материаловедения», Ивано-Франковский гос. пед. ин-т, ПО «Родон».–
т
Ивано-Франковск.– 1990.– С. 43.

96. Jensen K.F., Graves D.B. Modeling and analysis of low pressure CVD reac-
ио
tors // J. Electrochem. Soc.– 1983.– Vol. 130, № 9.– P. 1950–1957.

97. http://www.icts-bsuir.by.ru.
98. Sagara K., Vurakami E. Effect of grain size on conduction mechanism in
бл
polycrystalline silicon // Appl. Phys. Lett.– 1987.– Vol. 51, № 25.– P. 2139–2141.
99. Hillert M. Comments on grain growth // Scripta Met.– 1988.– Vol. 22, № 7.-
P.1035–1036.
Би
100. Kim H.-J., Tompson C.V. Kinetic modeling of grain growth in polycrystal-
line silicon films doped with phosphorus or boron // J. Electrochem. Soc.– 1988.– Vol.
135, № 9.– P. 2312–2319.
101. Mandurah M., Saraswat K.C., Helms C.R., Kamins T.I. Dopant segregation
in polysilicon // J. Appl. Phys.– 1981.– Vol. 51, № 11.– P. 5755–5759.
102. Mandurah M., Saraswat K.C., Kamins T.I. Arsenic segregation in polycrys-
talline silicon // J. Appl. Phys.– 1980.– Vol. 36, № 8.– P. 683–689.
103. Van Vechten J.A., Thurmond C.D. Entropy of ionization and temperature
variation of ionization levels of defects in semiconductors // Phys. Rev.– 1976.– Vol. B
14, № 8.– P. 3539–3550.
204
104. Зи, С. / Физика полупроводниковых приборов : В 2-х книгах. Кн.1. / С.
Зи; Пер. с англ. – 2-е изд. перераб. и доп. – М. : Мир, 1984.– 456 с.
105. Kim H.-J., Tompson C.V. Kinetic modeling of grain growth in polycrystal-
line silicon films doped with phosphorus or boron // J. Electrochem. Soc.– 1988.– Vol.
135, № 9.– P. 2312–2319.
106. Борисенко, В. Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при им-
пульсном нагреве / В. Е. Борисенко; под ред. В. А. Лабунова.– Минск. : Навука i
тэхнiка, 1992.– 248 с.
107. Seto J. Y. N. The electrical properties of polycrystalline silicon // J. Appl.
Phys.– 1975.– Vol. 46, № 12.– P. 5247–5254.
108. Baccarani G., Ricco B., and Spaddini G. Transport properties of polycrystal-
Р
line silicon films // J. Appl. Phys.– 1978.– Vol. 49, № 11.– P. 5565–5570.
109. Mandurah M. M., Saraswat K. S., Kamins T. I. A model for conduction in
УИ
polycrystalline silicon. Part 1: Theory // Proc. IEEE Trans. on Electron Devices.–
1981.– Vol. ED-28, № 10.– P. 1163–1171.
110. Murarka S.P. Silicides for VLSI applications / Academic Press, Orlando,
Florida 32887.– 1983.– P. 60.
БГ
111. Conor S. Rafferty stress effects in silicon oxidation – Simulation and ex-
periments / Integrated Circuits Laboratory, Department of Electrical Engineering, Stan-
ford University, Stanford, CA 94305.– 1989.– P. 123–125.
112. Fu G., Chandra A. An analytical dishing and step height reduction model for
а
chemical mechanical planarization (CMP) // Proc. IEEE Trans. on Semiconductor
Manufacturing.– 2003.– Vol. 16, № 3.– P. 477–485.
ек
113. ATLAS user’s manual. Device simulation and software. Vol. 1 and 2. /
SILVACO International.– December 2002.
т
114. Selberherr S. Analysis and simulation of semiconductor devices / Springer-

Verlag, Wien-New York, 1984.
115. Arora N.D., Hauser, J.R., Roulston, D.J. Electron and hole mobilities in sili-
ио
con as a function of concentration and temperature // IEEE Trans Electron Devices.–

1982.– Vol. ED-29, № 1. P. 292–295.
116. Dorkel J., Leturcq Ph. Carrier mobilities in silicon semi-empirically related
бл
to temperature doping and injection level // Solid-State Electronics.– 1981.– Vol. 24.–
P. 821–825.
117. Klaassen D.B.M. A unified mobility model for device simulation – I. Model
Би
equations and concentration dependence // Solid State Electronics.– 1992.– Vol. 35, №
7. P. 953-959.
118. Klaassen D.B.M. A unified mobility model for device simulation – II. Tem-
perature dependence of carrier mobility and lifetime // Solid Sttate Electronics.– 1992.–
Vol. 35, № 7.– P. 961–967.
119. Lombardi C. A physically based mobility model for numerical simulation of
non-planar devices // IEEE Trans. on CAD.– 1988.– Vol. 7, № 4.– P. 1164–1169.
120. Darwish M. An improved electron and hole mobility model for general pur-
pose device simulation // IEEE Trans. Elect. Dev.– 1997.– Vol. 44, № 9.– 1997.–
P. 1529–1537.
205
121. Yamaguchi K. // A mobility model for carriers in the MOS inversion layer //
IEEE Trans. Elect. Devices.– 1983.– Vol. ED-30.– P. 658–663.
122. Shin H., Tasch A.F., Maziar C.M., Banerjee S.K. // A new approach to ver-
ify and derive a transverse-field-dependent mobility model for electrons in MOS inver-
sion layers // IEEE Trans. Electron Devices.– 1989.– Vol. ED-36, № 6.– P. 1117–1123.
123. Shin H., Yeric G.M., Tasch A.F., Maziar C.M. Physically-based models for
effective mobility and local-field mobility of electrons in MOS inversion layers // IEEE
Trans. on Electron Devices.–1999.– Vol. 46, № 88.– P.1749–1759.
124. Watt J.T. Improved surface mobility models in PISCES // Proc. Int. Conf on
Computer-Aided Design of IC Fabrication Processes.– 1987.– Stanford University.
125. Shirahata M., Kusano H., Kotani N., Kusanoki S., Akasaka Y. A mobility
Р
model including the screening effect in MOS inversion layer // IEEE Trans. on Com-
puter-Aided Design.– 1992.– Vol. CAD-11, № 9.– P. 1114–1119.
УИ
126. Caughey D.M., Thomas R. E. // Carrier mobilities in silicon empirically re-
lated to doping and field // Proc. IEEE.– 1967.– Vol. 55.– P. 2192–2193.
127. Shockley W., Read W.T. Statistics of the recombination of holes and elec-
trons // Phys. Rev.– 1952.– Vol. 87.– P. 835–842.
БГ
128. Hall R.N. Electron and hole recombination in germanium // Phys. Rev.–
1952.– Vol. 87.– P. 387–342.
129. Roulston D.J., Arora N.D., Chamberlain S.G. Modeling and measurement of
minority-carrier lifetime versus doping in diffused layers of n-p silicon diodes // IEEE
а
Trans. on Electron Devices.– 1982.– Vol. ED-29, № 2.– P. 284–291.
ек
130. Fossum J.G., Lee D.S. A physical model for the dependence of carrier life-
time on doping density in nondegenerate silicon // Solid State Electronics.– 1982.–
Vol. 25, № 2.– P. 741–747.
т
131. Klaassen D. B. M., Slotboom J. W., De Graaff H. C. Unified apparent band-

gap narrowing in n- and p-type silicon // Sol. St. Electronics.– 1992.–Vol. 35, № 2.–
P. 125–129.
ио
132. Beattie A.R., White A.M. An analytical approximation with a wide range of
applicability for electron initiated Auger transitions in narrow-gap semiconductors // J.
Appl. Phys.– 1996.– Vol. 79, № 12. P. 802–813.
бл
133. Chynoweth A.G. Ionization rates for electrons and holes in silicon // Phys.
Rev.– 1958.– Vol. 109, № 2.– P. 1537–1540.
134. Mars P. Temperature dependence of avalanche breakdown voltage in p-n
Би
junctions // International Journal of Electronics.– 1993. Vol. 32, № 1.– P. 23–27.

135. Valdinoci M., Ventura D., Vecchi M.C., Rudan M., Baccaran G.i, Illien F.,
Stricker A. A., Zullino L. The impact-ionization in silicon at large operating tempera-
ture / 1999. Proc. SISPAD ’99. Kyoto, Japan.
136. Grant W.N. Electron and hole ionization rates in epitaxial silicon at high
electric fields // Solid-State Electronics.– 1973.– Vol. 16.– P. 1189–1203.
137. Baraff G.A. Distribution functions and ionization rates for hot electrons in
semiconductors // Appl. Phys. Rev.– 1973.– Vol. 128, № 5.– P. 2507–2517.
138. Crowell C.R., Sze S.M. // Temperature dependence of avalanche multiplica-
tion in semiconductors // Appl. Phys. Letters.– 1966.– Vol. 9.– P. 242–244.
206
139. Katayama K., Toyabe T. // A new hot carrier simulation method based on
full 3D hydrodynamic equations.– 1989.– Proc. IEDM-89, Technical Digest.– P. 135–
137.
140. Fiegna C., Venturi F. Simple and efficient modelling of EPROM writing //
IEEE Trans. on Elect. Dev.– 1991.– Vol. ED-38.– P. 603–610.
141. Concannon A., Piccinini F., Mathewson A., Lombardi C. The numerical
simulation of substrate and gate currents in MOS and EPROMs // IEEE Proc. IEDM.
1995. P. 289–292.
142. Hurkx G.A.M, Klaassen D.B.M., Knuvers M.P.G. New recombination
model for device simulation including tunneling // IEEE Trans. on Electron Devices.–
1992.– Vol. ED-39, № 2.– P. 331–338.
Р
143. Klaassen D.B.M. Physical modeling for bipolar device simulation / Simula-
tion of Semiconductor Devices and Processes. Ed. by Fichtner W., Aemmer D. Harting-
УИ
Gorre.– 1991.– Vol.– 4. P. 23–43.
144. Tam S., Ko P.-K., Hu C. // Lucky-electron model of channel hot-electron in-
jection in MOSFET’s // IEEE Trans. on Electron Devices.– 1984.– Vol. ED-31, № 9.–
P. 2775–2781.
БГ
145. Cassi C., Ricco B. An analytical model of the energy distribution of hot elec-
trons // IEEE Trans. on Electron Devices.– 1990.– Vol. 37, № 5.– P. 1514–1521.
146. Wada M. A two-dimensional computer simulation of hot carrier effects in
MOSFETs // Proc. IEDM Tech. Dig.– 1981.– P. 223–225.
а
147. Law M.E. Process modeling for future technologies // IBM J. Research and
ек
Developments. 2002. Vol. 46, No. 2/3. – P. 330–346.

148. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2006 Update. Mod-
eling and Simulation. www.itrs.net/Links/2006Update/FinalToPost/Update.pdf.
149. Комаров, Ф. Ф. Формирование скрытых изолирующих слоев нитрида
т
кремния в кремнии при высокоэнергетической интенсивной имплантации азота /

Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, С. А. Петров // Микроэлектроника. – 2002.– Т. 31,
ио
№5. – С. 361–366.
150. Pop E., Goodson K.E., Dutton R.W. Analytic band Monte Carlo model for
electron transport in Si including acoustic and optical phonon dispersion // J. Appl.
бл
Phys.– 2004. – Vol. 96, № 10. – P. 4998–5005.

Би
207
ПРИЛОЖЕНИЕ
В приложении приводится пример файла задания на моделирование типич-

ного технологического маршрута формирования структуры nМОП-транзистора и
некоторые результаты, характеризующие модели технологических операций и
модели для расчета электрических характеристик прибора, используемые в про-
граммном комплексе компании Silvaco. Правила создания файла задания на моде-
лирование технологии в модуле ATHENA приведены в работе [13].
Рассматриваемый технологический маршрут формирования LDD структуры
nМОП-транзистора (таблица П.1) является частью маршрута формирования
КМОП-структуры, подробно рассмотренного в подразд. 1.1. В связи с этим при
Р
описании рассматриваемого примера будут приводиться ссылки на соответст-
вующие этапы формирования nМОП-транзистора в общем маршруте создания
УИ
КМОП-структуры.
В приведенном файле отсутствуют директивы на проведение моделирова-
ния операций осаждения/травления фоторезиста и литографии, поскольку эти
операции не влияют на формирование геометрии моделируемой структуры и на
БГ
профили распределения легирующих примесей в ней.
Таблица П.1
Файла задания на моделирование типичного технологического маршрута
а
формирования LDD структуры nМОП-транзистора
Номер
ек
Содержание строки в файле задания на моделирование

строки
1 2
1 go athena
т
2 set cd=0.8
3 line x loc=-0.5 spac=0.1
ио

6 line x loc=0.0 spac=0.1
бл

10 line y loc=0.0 spac=0.001
Би

14 line y loc=5 spac=1
15 line y loc=10 spac=5
16 init orientation=100 c.boron=1e14
17 diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3
18 etch oxide thick=0.02
19 implant boron dose=8e12 energy=100 pearson
20 diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3
21 diffus time=50 temp=1000 t.rate=4.000 dryo2 press=0.10 hcl=3
22 diffus time=220 temp=1200 nitro press=1
23 diffus time=90 temp=1200 t.rate=–4.444 nitro press=1
24 etch oxide all
208
Окончание табл. П.1
1 2
25 diffus time=20 temp=1000 dryo2 press=1 hcl=3
26 etch oxide all
27 diffus time=11 temp=925 dryo2 press=1.00 hcl=3
28 implant boron dose=9.5e11 energy=10 pearson
29 depo poly thick=0.25 div=10
30 etch poly left p1.x=–0.25
31 etch poly right p1.x=0.25
32 stretch poly length=$"cd" div=6
33 method fermi compress
34 diffuse time=3 temp=900 weto2 press=1.0
Р
35 implant phosphor dose=3.0e13 energy=20 pearson
36 depo oxide thick=0.120 div=8
37 etch oxide dry thick=0.120
УИ
38 implant arsenic dose=5.0e15 energy=50 pearson
39 method fermi compress
40 diffuse time=1 temp=900 nitro press=1.0
41 etch oxide right p1.x=($"cd"/2+0.1)
БГ
42 etch oxide left p1.x=– ($"cd"/2+0.1)
43 deposit alumin thick=0.03 div=2
44 etch aluminum start x=– ($"cd"/2+0.15) y=-10.00
45 etch cont x=($"cd"/2+0.15) y=–10.00
46 etch cont x=($"cd"/2+0.15) y=10.00
а
47 etch done x=-($"cd"/2+0.15) y=10.00
49 structure outfile=mos1ex15_0.str
ек
50 tonyplot mos1ex15_0.str -set mos1ex15_0.set

51 quit
т
Ниже построчно описываются назначение и содержание предложений и ди-

ректив в обсуждаемом файле.
1 – вызов модуля ATHENA, предназначенного для моделирования техноло-
ио
гического маршрута.
2 – объявление внутренней переменной cd в качестве параметра, с помо-
щью которого в дальнейшем будет задана длина канала (равного 0,8 мкм) моде-
бл
лируемого МОП-транзистора.
3–9 – задание неравномерной расчетной сетки по оси x (вдоль поверхности
подложки). Моделируемая область имеет х-координаты от –0,5 мкм до +0,5 мкм
Би
(размерность координат и шага сетки – микроны). Начало координат совпадает с

серединой моделируемого транзистора (рис П.1). Шаг расчетной сетки (space)
задается равным 0,1 мкм в области (–0,5 ≤ х ≤ –0.4); в области (–0,4 < х ≤ –0,2)
space = 0,05 мкм; в области (–0,2 < х ≤ 0) space = 0,01 мкм. Такие же значения
шага сетки заданы в области, симметричной относительно х = 0.
10–15 – задание неравномерной расчетной сетки по оси y (вдоль нормали к
поверхности подложки): space = 0,001 мкм в области (0 ≤ х ≤ 0,2);
space = 0,005 мкм в области (0,2 < х ≤ 0,5); space = 0,05 мкм в области
(0,5 < х ≤ 0,8); space = 0,15 мкм в области (0,8 < х ≤ 5); space = 1,0 мкм в облас-
ти (5 < х ≤ 10).
209
16 – задание параметров исходной подложки (кристаллографическая ориен-
тация <100>, равномерное легирование бором с концентрацией 1014 см-3).
17 – директива на моделирование окисления подложки для создания маски
(температура – 1000 °С, длительность – 30 мин, среда – сухой кислород с 3%-ным
содержанием молекул соляной кислоты, давление – 1 атм). Расчетная толщина
окисла составляет 0,0397 мкм. (Эта операция соответствует операции 2, описан-
ной в подразд. 1.1, стр. 13).
18 – директива на моделирование травления окисла до толщины, равной
0,02 мкм (операция 6, стр. 13).
19 – директива на моделирование ионной имплантации бора через остав-
шийся после травления слой окисла (операция 11, стр. 15).
Р
20–23 – директивы на моделирование высокотемпературной разгонки бора
в 4 этапа: вначале окисление в атмосфере влажного кислорода (толщина окисла
УИ
0,4039 мкм), затем – в атмосфере влажного кислорода (толщина окисла 0,4141
мкм) и последующие 2 этапа – в нейтральной атмосфере (операция 16, стр. 16).
24 – директива на моделирование стравливания всего слоя окисла (опера-
ция 17, стр. 16).
БГ
25 – директива на моделирование окисления в атмосфере сухого кислорода
с добавкой соляной кислоты при давлении 1 атм.). Расчетная толщина окисла
0,316 мкм.
26 – директива на моделирование стравливания всего слоя окисла.
а
27 – директива на моделирование окисления в атмосфере сухого кислорода
с добавкой соляной кислоты при давлении 1 атм. (формирование подзатворного
ек
окисла). Расчетная толщина окисла 0,001 мкм (операция 42, стр. 23).
28 – директива на моделирование ионной имплантации бора (операция 37,
т
стр. 22).
29 – директива на моделирование осаждения слоя поликремния толщиной
0,25 мкм. Здесь и далее параметр div задает количество слоев осажденного мате-
ио
риала (эквивалентно заданию пространственной сетки вдоль оси y) (операция 43,

стр. 23).
30–31 – директивы на моделирование травления всего слоя поликремния
бл
влево, начиная с координаты x = –0,25, и вправо, начиная с координаты x = 0,25

(операция 48, стр. 24).
32 – «растягивание» слоя поликремния до длины, равной значению ранее
Би
объявленного параметра cd.

33–34 – директива на моделирование окисления в атмосфере влажного ки-
слорода при давлении 1 атм. Расчетная толщина окисла 0,0155 мкм. Используется
модель FERMI при расчете диффузионного перераспределения примесей и мо-
дель COMPRESS при расчете толщины и формы окисла.
35 – директива на моделирования ионной имплантации бора. Используется
модель PEARSON при расчете постимплантационного распределения примесей
(операция 51, стр. 25).
36 – директива на моделирование осаждения толстого (0,12 мкм) слоя окис-
ла кремния (операция 52, стр. 26).
210
37 – директива на моделирование травления окисла (операция 53, стр. 27).
38 – директива на моделирование ионной имплантации мышьяка (опера-
ция 57, стр. 27).
39–40 – директива на моделирование диффузионного перераспределения
примесей (модель FERMI) в нейтральной (азот) среде. При расчете толщины и
формы окисла используется модель COMPRESS (операция 61, стр. 28).
41–42 – директивы на моделирование травления всего слоя окисла вправо,
начиная с координаты x = –0,5, и влево, начиная с координаты x = 0,5. (Операция
62, стр. 29).
43 – директива на моделирование осаждения алюминия. (Операция 63,
стр. 29).
Р
44–47 – директивы на моделирование травления алюминия.
48 – сохранение выходного файла, содержащего результирующую структу-
УИ
ру, под именем mos1ex15_0.str.
49 – вызов графического постпроцессора TONYPLOT для вывода на экран
результирующей структуры моделируемого прибора.
50 – конец задания на моделирование.
БГ
Некоторые результаты моделирования технологии и электрических харак-
теристик МОП-транзистора приведены на рис. П.1–П.8.
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. П.1. Результирующая двухмерная структура МОП-транзистора
211
Р
УИ
БГ
Рис. П.2. Профили распределения бора на этапе формирования
p-кармана (строка 19, табл. П.1), рассчитанные с использованием
а
различных моделей имплантации
ек
т
ио
бл
Би
Рис. П.3. Профили распределения бора на этапе формирования p-кармана

после 1-го отжига (строка 20, табл. П.1), рассчитанные с использованием
различных моделей диффузионного перераспределения примесей (стр. 49–55)
212
Р
УИ
БГ
Рис. П.4. Зависимость порогового напряжения VTH моделируемого
nМОП-транзистора от толщины tox подзатворного окисла
а
ек
т
ио
бл
Би
Рис. П.5. Зависимость порогового напряжения VTH моделируемого

nМОП-транзистора от дозы (Dose) имплантации бора
в область канала (строка 28, табл. П.1)
213
Р
УИ
БГ
Рис. П.6. Зависимость тока стока (Drain Current) от напряжения
на стоке (Drain Voltage) для различных значений напряжения
а
на затворе (Vgate) моделируемого nМОП-транзистора
ек
т
ио
бл
Би
Рис. П.7. Зависимость тока стока (Drain Current) от напряжения

на затворе (Drain Voltage) для различных значений длины канала
(от 0,4 до 1,2 мкм) моделируемого nМОП-транзистора
214
Р
УИ
БГ
Рис. П.8. Зависимости тока стока (Drain Current) от напряжения
а
на затворе (Drain Voltage) моделируемого nМОП-транзистора, рассчитанные
с использованием различных моделей подвижности носителей заряда:
ек
CONMOB – модель, учитывающая только концентрационную

зависимость подвижности (стр. 161–162);
CCSMOB – модель Доркеля-Летурка, учитывающая зависимость
т
подвижности от концентрации примесей и температуры (стр. 162–163);

СVT – модель Ломбарди, учитывающая зависимость подвижности носителей
от концентрации примесей, температуры, а также от эффектов параллельного
ио
и продольного электрических полей (стр.167–169);

FLDMOB – модель, учитывающая зависимость подвижности носителей
от параллельного электрического поля (стр. 174–175)
бл
Би
215
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
High Density Plasma, HDP ...........................14 построение двухмерных профилей .......91
LDD-технология..........................................25 приближении бинарных столкновений .95
LOCOS-окисление ......................................77 электронное торможение .......................97
LOCOS-процесс ..........................................13 ядерное торможение ..............................96
LPCVD-процесс ..........................................27 КМОП-технология......................................11
Shallow Trench Isolation, STI.......................14 ловушки............................................. 151, 156
SPISCES2...................................................... 9 масштабируемость......................................29
SUPREM....................................................... 8 модель проводимости
Technology Computer Aided Design, TCAD 35 поликристаллического кремния ..........122
влияние электрического поля на модель проницаемости ...............................66
заряженные вакансии .............................56 окисление
Р
диффузия аналитическая модель птичьего клюва .80
Oxidation Enhanced Diffusion............47, 52 модель COMPRESS................................76
УИ
Rapid Thermal Annealing.........................59 параболическая и линейная константы
Transient Enhanced Diffusion ............52, 59 скорости роста окисла .......................70
вакансий..................................................56 теория Дила–Гроува...............................69
междоузлий.............................................53 осаждение
БГ
механизмы в поликремнии.....................67 Low Pressure Chemical Vapor Deposition,
модели, учитывающие высокий уровень LPCVD-процесс ...............................101
концентрации примесей ....................60 из газовой фазы при низком давлении ..13
модель CNET ..........................................61 моделирование с использованием метода
модель двухмерная.................................47 Монте-Карло ....................................135
а
модель диффузии при быстром модель двунаправленного осаждения .132
термическом отжиге ..........................59 модель конического осаждения...........134
ек
модель диффузии связанных пар модель однонаправленного осаждения131

‘примесный атом–точечный дефект’ 47 модель планетарного осаждения .........133
модель диффузии связанных пар модель полусферического осаждения .133
‘примесь–точечный дефект’..............57 модель струны ......................................129
т
примесей .................................................52 модель химического осаждения из

стандартная диффузионная модель .......47 газовой фазы ....................................131
ио
закон поликремния из газовой фазы при низком

Мура......................................................... 5 давлении...........................................101
Фика ........................................................70 плотность
инжекция сегрегации ..............................................69
бл
модель инжекции горячих носителей..191 состояний...................................... 147, 160

модель инжекции Конканнона.............194 подвижность
модель Фиегна......................................195 в инверсионных слоях..........................171
ионизация модель Кафи–Томаса ...........................180
Би
примесей ...............................................150 модель Ломбарди .................................172

ударная..................................................185 модель подвижности при низком уровне
ионная имплантация поля ..................................................165
Binary-Collision Approximation, BCA.....95 модель Таша .........................................174
в аморфные материалы ........................100 модель Уатта ........................................177
в многослойную структуру ....................89 модель Ширата.....................................171
межатомный потенциал .........................97 модель Ширахаты ................................178
метод Mонте-Карло ................................93 модель Ямагучи....................................173
метод коррекции моментов....................90 носителей..............................................161
метод моментов ......................................86 подзатворный диэлектрик ......................6, 23
метод Монте-Карло ........................86, 101 поликремний...............................................24
метод подгонки к дозе............................89 полирование
216
Chemical-Mechanical Polishing, CMP..... 15 изотропная модель травления ..............137
модель жесткого полирования ............ 140 модель плазменного травления............139
модель мягкого полирования .............. 141 модель реактивного ионного травления
химико-механическое полирование..... 15, ..........................................................137
140 модель травления с использованием
пространственный заряд .......................... 150 метода Монте-Карло........................139
разгонка ................................................ 16, 19 модель травления, ускоренного
распределение легированием ...................................139
Гаусса ..................................................... 38 туннелирование
Гаусса, для ионно-имплантированных модель Фаулера–Нордгейма ................191
примесей ............................................ 86 с участием ловушек ..............................153
Пирсона.................................................. 87 ударная ионизация
рекомбинация модель Вальдиночи ..............................186
Р
барьер Пула–Френкеля ........................ 183 модель Гранта.......................................187
модель Клаасена .................................. 182 модель Зельбергера ..............................186
УИ
модель рекомбинации Шокли–Рида– модель Конканнона ..............................189
Холла ............................................... 181 модель Кроуэлла–Зи.............................188
объемная на дислокационных петлях ... 58 модель Тоябе ........................................189
оже–рекомбинация .............................. 183 модель Чиновета...................................186
поверхностная...................................... 185 уравнение
учет ловушек в моделях рекомбинации
.......................................................... 153
рост зерна поликремния
диффузионная модель роста зерна...... 111
БГдиффузионно-дрейфовое транспортное
уравнение .........................................144
непрерывности................................49, 143
Пуассона .........................................48, 143
а
кинетическая модель подвижности энергетического баланса ......................157
границы зерна.................................. 112 уровень Ферми ....................................50, 114
ек
сдвоенное распределение Пирсона............ 88 функция Гаусса для бокового

скрытый слой.............................................. 18 распределения........................................ 92
собственная концентрация носителей..... 148 функция ошибок ........................................ 40
статистика ширина запрещенной зоны.......................148
т
Больцмана ...............................44, 145, 159 Шоттки

Ферми–Дирака ............................. 115, 145 контакты ...............................................162
ио
сужение ширины запрещенной зоны....... 149 эффект Пула–Френкеля ............................155

травление
бл
Би
217
АББРЕВИАТУРЫ АНГЛОЯЗЫЧНЫХ ТЕРМИНОВ,
ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
AC (Alternating Current) – переменный ток

A/C (Amorphous/Crystalline interface in Si) – граница раздела «аморфный–
кристаллический кремний»
AES (Auger Electron Spectroscopy) – Оже электронная спектроскопия
AFM (Atomic Force Microscopy) – атомная силовая микроскопия
APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) – химическое
осаждение из газовой фазы при атмосферном давлении
AR (Aspect Ratio) – аспектное соотношение
Р
ARDE (Aspect Ratio Dependent Etching) – травление с учетом величины ас-
пектного соотношения
УИ
BICMOS (BIpolar CMOS devices on the same chip) – биполярные и КМОП-
приборы на одном кристалле
BJT (Bipolar Junction Transistor) – биполярный транзистор на p-n-переходе
BOE (Buffered Oxide Etch)) – травление буферного окисла
БГ
BPSG (BoroPhosphoSilicate Glass) – бор-фосфор-силикатное стекло
CVD (Chemical Vapor Deposition) – химическое осаждение из газовой фазы
CZ (Czochralski Crystal Growth Method) – выращивание кристаллов по мето-
ду Чохральского
а
CMP (Chemical-Mechanical Polishing) – химико-механическое полирование
DC (Direct Current) – постоянный ток
ек
DOP (Degree Of Planarization) – степень планаризации

DRAM (Dynamic Random–Access Memory) – динамическая память со слу-
чайной выборкой
т
DUV (Deep UltraViolet) – глубокий ультрафиолет

E-BEAM (Electron BEAM) – электронный пучок
ио
EBSD (Electron Back-Scattering Diffraction) – дифракция электронов с обрат-

ным рассеянием
ECR (Electron Cyclotron Resonance) – электронный циклотронный резонанс
бл
EM (ElectroMigration) – электромиграция
ERF (ERror Function) – функция ошибок
ERFC (Error Function Complementary) – комплементарная функция ошибок
FET (Field Effect Transistor) – полевой транзистор
Би
FIB (Focused Ion Beam) – фокусированный ионный пучок

FTIR (Fourier Transfrom InfraRed spectroscopy) – инфракрасная спектроско-
пия, основанная на преобразовании Фурье
FZ (Float-Zone crystal growth method) – выращивание кристаллов методом
зонной плавки
HDP (High-Density Plasma) – плазма с высокой плотностью
HF (High Frequency) – высокая частота
IC (Integrated Circuit) – интегральная схема
IMD (InterMetal Dielectric) – интерметаллический диэлектрик
218
IMP (Ionized Metal Deposition, то же, что и IPVD) – метод осаждения иони-
зированного металла
IPVD (Ionized PVD, то же, что и IMP) – метод осаждения ионизированного
металла
LDD (Lightly Doped Drain) – технологический метод формирования низко-
легированного стока
LF (Low Frequency) – низкая частота
LOCOS (LOCal Oxidation of Silicon) – локальное окисление кремния
LPCVD (Low–Pressure Chemical Vapor Deposition) – химическое осаждение
из газовой фазы при низком давлении
LSS (Lindhard, Scharff, Schiott) – теория имплантации, разработанная Лин-
Р
хардом, Шарфом и Шиоттом
MBE (Molecular Beam Epitaxy) – молекулярно-лучевая эпитаксия
УИ
MOS (Metal Oxide Semiconductor) – структура металл–окисел–полупровод-
ник (МОП)
MTTF (Median Time To Failure) – среднее время на отказ
NMOS (N channel MOS transistor) – n-канальный МОП-транзистор
БГ
NPN – npn–переход
NTD (Neutron Transmutation Doping) – метод легирования посредством ней-
тронной трансмутации
NTRS (National Technology Roadmap for Semiconductors) – Американское
а
агентство по прогнозированию развития полупроводниковой промышленности
OED (Oxidation Ehanced Diffusion) – диффузия примесей, усиленная в про-
ек
цессе окисления кремния

OISF (Oxidation–Induced Stacking Fault) – образование дефектов упаковки
при окислении
т
PECVD (Plasma–Enhanced Chemical Vapor Deposition) – химическое осажде-

ние из газовой фазы в плазме
ио
PMOS (P–channel MOS transistor) – p-канальный МОП-транзистор

PSG (PhosphoSilicate Glass) – фосфор-силикатное стекло
PVD (Physical Vapor Deposition) – физическое осаждение из газовой фазы
бл
QBD (Charge to BreakDown) – заряд, необходимый для пробоя

RBS (Rutherford BackScattering) – Резерфордовское обратное рассеяние
RCA (a wafer Cleaning process) – технологический процесс очистки
Би
подложки
RF (Radio Frequency) – радиочастота (обычно 13,56 Гц)
RIE (Reactive Ion Etching) – реактивное ионное травление
RTA (Rapid Thermal Annealing) – быстрый термический отжиг
RTO (Rapid Thermal Oxidation) – быстрое термическое окисление
SACVD (SubAtmospheric Chemical Vapor Deposition) – химическое осажде-
ние из газовой фазы при субатмосферном давлении
SCM (Scanning Capacitance Microscope) – сканирующий емкостный
микроскоп
SEM (Scanning Electron Microscopy) – сканирующий электронный микроскоп
219
SIA (Semiconductor Industry Association) – американская ассоциация полу-
проводниковой промышленности
SIMOX (Silicon process for separation by IMplanted OXygen) – технологиче-
ский процесс формирования КНИ-структуры посредством имплантации кислоро-
да
SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) – вторичная ионная масс-
спектрометрия
SOI (Silicon On Insulator) – КНИ-структура («Кремний На Изоляторе»)
SPEEDIE (Stanford Profile Emulator for Etching and Deposition in Ic Engineer-
ing) – программа для эмуляции профилей распределения примесей в процессах
травления и осаждения при проектировании интегральных микросхем, разрабо-
Р
танная в Стенфордском университете
SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) – программа для
УИ
моделирования аналоговых схем
SRH (Shockley, Read, Hall Recombination) – модель рекомбинации носителей
заряда Шокли–Рида–Холла
STM (Scanning Tunneling Microscope) – сканирующий туннельный микро-
БГ
скоп
SUPREM (Stanford University PRogram Emphased to technology modeling in
Microelectronics) – программный комплекс для моделирования технологических
процессов микроэлектроники, разработанный в Стэнфордском университете
а
TCAD (Technology Computer-Aided Design) – системы автоматизированного
проектирования технологии в микроэлектронике
ек
TED (Transient-Enhanced Diffusion) – диффузия легирующих примесей, уси-

ленная в переходных процессах
TEM (Transmission Electron Microscopy) – трансмиссионная электронная
т
микроскопия
TXRF (Total X-Ray Fluorescence) – полная рентгеновская флуоресценция
ио
ULSI (UltraLarge-Scale Integration) – интегральные микросхемы со сверхвы-

сокой (более 106 вентилей на кристалл) степенью интеграции
UV (UltraViolet light) – ультрафиолетовое излучение (длина волны
бл
< 0,2–0,4 мкм)

VLSI (Very Large Scale Integration circuit) – сверхбольшие (СБИС) инте-
гральные микросхемы (до 105 вентилей на кристалл)
Би
XES (X-ray Electron Spectroscopy) – рентгеновская электронная спектроско-

пия
XPS (X-ray Photo-electron Spectroscopy) – рентгеновская фотоэлектронная
спектроскопия
XRF (X–Ray Fluorescence) – рентгеновская флуоресценция
XRD (X–Ray Diffraction) – рентгеновская дифракция
220
Р
УИ
Учебное издание
Нелаев Владислав Викторович
БГ
Стемпицкий Виктор Романович
ОСНОВЫ САПР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Учебное пособие
а
Редактор Т. Н. Крюкова
ек
Корректор М. В. Тезина
т
ио
бл
Би
Подписано в печать 15.08.2008. Формат 60х84 1/16. Бумага офсетная. Гарнитура «Таймс».
Печать ризографическая. Усл. печ. л. 12,79. Уч.-изд. л. 12,0. Тираж 100 экз. Заказ 489.
Издатель и полиграфическое исполнение: Учреждение образования
«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
ЛИ №02330/0056964 от 01.04.2004. ЛП №02330/0131666 от 30.04.2004.
220013, Минск, П. Бровки, 6
221

Nelaev SAPR

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Nelaev SAPR

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Министерство образования Республики Беларусь

«Квантовые информационные системы»

Минск БГУИР 2008

граммный модуль GUI-SUPREM, предназначенный как для моделирования отдельных техно-

1.3.3. Смешанная окислительная среда .............................................................75

1.4. Моделирование ионной имплантации............................................................85

1.4.2. Моделирование имплантации методом Mонте-Карло............................93

1.5.2. Моделирование осаждения поликристаллического кремния

1.5.3. Моделирование роста зерна поликристаллического кремния при

Бурное развитие микроэлектроники в течение последних десятилетий бес-

схемы, обеспечиваемый технологическим оборудованием и, прежде всего, лито-

Рис. В.1. Эволюция и экстраполяция на перспективу

время оборудование оптической литографии обеспечивает размер линий порядка

ношении исследования в области электронно-лучевой и рентгеновской литогра-

печить оборудование для сканирующей туннельной микроскопии, с помощью ко-

Следует также отметить, что стремительный прогресс развития микроэлек-

встал вопрос о справедливости выполнения закона Мура в будущем и с экономи-

для моделирования технологических операций микроэлектроники

Каждая из приведенных в табл. В.2 программ моделирования технологии

Следует отметить, что из перечисленных программных комплексов только

ческого моделирования технологии с целью оптимизации технологического про-

выходные характеристики моделирования. Однако программа FABRICS одно-

шений. В программах SSUPREM4 и SYPRUS статистический анализ осуществля-

В программе TESIC (TEchnology Simulation of Integrated Circuits) сочетают-

раций, взятых из его научных работ, а также компании SILVACO за предостав-

ATHENA (технологическое проектирование) и ATLAS (проектирование приборов

ладает кафедра микро- и наноэлектроники Белорусского государственного уни-

разделов пособия и его техническое оформление осуществлены В. Р. Стемпицким.

Современные ионно-фотонные технологические методы формирования

- литография (перенос рисунка обрабатываемой структуры на поверхность

типичной приборной структуры микроэлектроники.

1.1. Пример технологического маршрута формирования приборов ИМС.

В последние 15 лет наиболее популярной среди процессов изготовления

Рис. 1.1. Сечение современной КМОП-структуры с двумя уровнями

Показаны выводы к истоку S (Source), стоку D (Drain) и затвору G (Gate)

Современные кремниевые интегральные схемы формируются на подложках

Рис. 1.2. Состояние структуры после операций 1–4

5. Фотолитография (маска №1) для последующего формирования изоляци-

онных областей посредством проведения LOCOS-процесса (LOCal Oxidation Sili-

Состояние структуры после операций 5–6 изображено на рис. 1.3.

Рис. 1.3. Травление – подготовка к проведению LOCOS-процесса

тами КМОП-структуры. Эта последовательность операций не входит в основной

Прогрессивным способом создания изоляционных областей является технология с

довательность операций, реализующих STI-технологию:

- локальное травление кремниевой подложки с целью формирования мелко-

Рис. 1.5. Состояние структуры после операций 9–11

12. Снятие слоя фоторезиста химическим способом или в кислородной

Рис. 1.7. Высокотемпературная разгонка для формирования p- и n-карманов

17. Снятие слоя фоторезиста и химическая очистка поверхности кремниевой

повышения степени легирования подложки в области под полевым окислом

23. Создание p-областей посредством высокотемпературного осаждения по-

Рис. 1.9. Состояние формируемой структуры после проведения LOCOS-процесса

Современные КМОП-структуры формируются на подложках, которые име-

подложках. Такие высоколегированные области позволяют минимизировать про-

амперными характеристиками, которые могут привести к выходу из строя прибо-

ет их включение и, следовательно, снимает вероятность «защелкивания».

Для формирования областей, где будет образован n+-скрытый слой, исполь-

27. Высокотемпературная обработка, сопровождающаяся несколькими эф-

сти подложки только над n+-областями вследствие наличия в необходимых облас-

SiO2 ∼0,4 мкм). В-третьих, в процессах разгонки и окисления создается ступенька

рать важную роль после проведения операции выращивания эпислоя кремния на

Рис. 1.12. Разгонка n+-скрытого слоя после удаления фоторезиста.

28. Снятие слоя Si3N4.