Вы находитесь на странице: 1из 3

Модели окисления кремния

Этапы окисления кремния


Различают два этапа роста окисной пленки в атмосфере кислорода:
начальный этап при низкой температуре и диффузионнный этап
(высокотемпературное окисление). Начальный этап образования пленки
связан с процессом перехода электронов от поверхностных атомов кристалла
к адсорбированным на этой поверхности атомам кислорода. Со стороны
кристалла возникает слой положительных ионов (слой, обедненный элект-
ронами), а со стороны газа - слой отрицательных ионов. В этом двойном слое
появляется сильное электрическое поле, которое вызывает направленное к
внешней поверхности пленки движение положительно заряженных атомов
основного вещества (катионов).
Катионы кристалла на поверхности пленки связываются с
отрицательно заряженными атомами кислорода (анионами) и достраивают
следующий слой пленки. На пленке вновь адсорбируются атомы кислорода, к
которым из кристалла благодаря туннельному эффекту поступают
электроны.
Начальная стадия формирования окисной пленки прекращается при
достижении толщины пленки порядка десятка атомных слоев, что вызвано
резким спадом вероятности туннельного эффекта.
В отличие от первого этапа второй этап окисления полностью
определяется процессами диффузии. При высокой температуре происходит
процесс диффузионного перемещения либо атомов окисляемого вещества и
электронов к поверхности раздела «окисел-газ», либо атомов кислорода в
объем основного вещества. Соответственно реакция окисления протекает
либо на границе раздела «окисел-газ», либо на границе раздела «окисел -
окисляемое вещество». В каждом конкретном случае проявляется тот или
иной процесс диффузионного перемещения либо их сочетание.

Механика роста окисной пленки


Одной из первых кинетических моделей, успешно примененных для
описания процесса окисления кремниевых пластин в температурном
диапазоне 973-1573 К при давлениях газа окислителя (0,2 - 1,0)108Па и
толщине окисных пленок > 50 нм, явилась модель Дила-Гроува. Она широко
использовалась в теории и практике формирования пленок диоксида
кремния, но при переходе к более тонким слоям SiO2стал особенно
очевидным ее ограниченный характер.

Окисление поверхности кремния осуществляют с помощью следующих


химических реакций:

Si+O 2=SiO 2 , (1)


1 1
Si + H 2 O= Si O 2+ H 2,
2 2
(2)

проводя процесс либо в сухом кислороде по реакции (1), либо в парах


воды по реакции (2), либо в увлажненном кислороде с использованием обеих
реакций.

На практике нередко применяют комбинированное окисление: сначала


в сухом кислороде формируют совершенную границу раздела Si – SiO2при
толщине окисла до 0,1 мкм, а затем в увлажненном кислороде увеличивают
толщину слоя до 0,4 – 0,8 мкм.

Следует иметь в виду, что перед началом высокотемпературного


окисления на поверхности кремния уже имеется слой окисла некоторой
малой, но конечной толщины dок, возникший в результате низко-
температурного окисления.

Процесс окисления кремния в установившемся режиме слагается из


следующих этапов. Молекулы окислителя (кислорода или паров воды)
адсорбируются на поверхности двуокиси кремния, создавая
концентрацию N1. Концентрация адсорбированных частиц окислителя прямо
пропорциональна давлению газа при условии отсутствия диссоциации или
ассоциации окислителя на поверхности. Далее частицы окислителя
диффундируют сквозь окисный слой к границе SiO2- Si. На границе раздела
средокисный слой – кремний атомы кислорода вступают в реакцию с
атомами кремния, в результате чего увеличивается толщина окисного слоя.
При этом в процессе установившегося окисления предполагается, что в слое
двуокиси кремния и на границах раздела сред отсутствует накопление атомов
окислителя. Очевидно, что поток окислителя из одной среды в другую
возникнет только в том случае, если существует разность концентраций на
границах фаз. Пусть в слое окисла на границе с окружающей средой
концентрация молекул окислителя равнаN2, а на границе раздела SiO2- Si со
стороны двуокиси кремния составляет N3 , что изображено на рисунке 1.
Рисунок 1. Распределение концентрации кислорода в установившемся
процессе окисления кремния

Следует иметь в виду, что в величины указанных концентраций


окислителя в окисном слое N2 иN3 не входит концентрация кислорода,
вступившего в реакцию с кремнием и образовавшего химическое соединение
Si2O.

Моделирование окисления согласно классической ленейно-


параболической теории Дила- Гроува.