Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
3
Лабораторная работа №5
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
2.1. Введение
Эффект Холла относится к группе гальваномагнитных кинетических
явлений и возникает при протекании тока в полупроводнике в присутствии
перпендикулярного току магнитного поля [1]. В этом случае в
направлении, перпендикулярном векторам плотности тока j и индукции
магнитного поля B появляется холловское поле:
r rr
E H = − RH [ j B ] (1)
µ2
µH µ 1 1+ µ 2B2 (2)
RH = = 2 ' H 2 2 =
σ B e K11 (1 + µ H B ) en µ
2
µ2
2
+ B2
1+ µ 2B2 1+ µ 2B2
4
холловская подвижность и концентрация электронов, К’11 – кинетический
коэффициент, µ=µ(E)=eτ(E)/m*, τ - время релаксации.
В сильном классическом магнитном поле (µB>>1) выражение для
коэффициента Холла упрощается и принимает классический вид:
1
RH → (3)
en
В области слабых классических магнитных полей (µB<<1):
1 τ
2
A
RH ≈ 2
= (4)
en τ en
r r
j = ∑ jk ,
r r ek3 ' r r
jk = ek K11k E +
2 '
mk
[ ]
K12 k E B (5)
5
где К’rsk - кинетические коэффициенты, ek- заряды, mk - эффективные
массы для каждого типа носителей заряда.
Выражая из (5) компоненты плотности тока jx и jz, подобно случаю
полупроводника с одним типом носителей заряда [1, 2], получаем
холловское поле Ez, холловскую подвижность µH и проводимость в
присутствии магнитного поля σB:
ek3 '
∑k m K12k
Ez = − k
BEx = − µ H BE x (6)
∑ k2 K11' k
e
k
ek4 K12' 2k 2
jx = ∑ ek2 K11' k E x + ∑ B Ex = σ B Ex (7)
k k mk2 K11' k
µ k2 ( E )
µH
∑e n k k
1 + µ k2 ( E ) B 2
RH = =
k (9)
σB µk (E )
2
µ (E) 2 2
2
∑ ek nk + ∑ ek nk k
2 2
B
k 1 + µk ( E ) B k
2
1 + µ (E)B 2
k
1
= ∑ σ k = ∑ (ek nk µ k ) (10)
ρ k k
6
σ k µk
∑ 1 + µ
2 2
k kB (11)
RH = 2 2
σ k σ k µ k B
∑ + ∑
2 2
2 2
k 1 + µ k B k 1 + µ k B
В пределах слабых и сильных класических магнитных полей
выражения для коэффициента Холла значительно упрощаются:
∑e n µ k k
2
k
RH = k
2
, (µk B << 1) (12)
∑ ek nk µ k
k
1
RH = , (µk B >> 1) (13)
∑ ek nk
k
7
Рис. 1. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах Pb1-xSnxSe,
облученных быстрыми электронами.
8
линейно зависит от состава сплава x: Et1(мэВ)≈L6++(35-600x).
9
проводимости на свободные состояния в зоне радиационных дефектов и
быстрому уменьшению концентрации свободных электронов. Затем
середина зоны радиационных дефектов Et выходит в запрещенную зону,
при некотором критическом давлении P* концентрация свободных
электронов обращается в нуль и происходит переход металл-диэлектрик.
Переход металл-диэлектрик сопровождается резким (примерно на
три порядка) увеличением удельного сопротивления и инверсией знака
коэффициента Холла при гелиевой температуре (T=4.2 K). Это связано с
тем, что в металлической фазе основным механизмом проводимости
является электронная проводимость по зоне разрешенных состояний, а в
диэлектрической фазе доминирующим механизмом проводимости при
низких температурах становится проводимость по локализованным
состояниям (по зоне радиационных дефектов), имеющая дырочный
характер. В окрестности перехода металл-диэлектрик сосуществуют оба
указанных механизма проводимости и происходит плавное
перераспределение электронов между зоной проводимости и зоной
локализованных состояний под действием давления. Поэтому в широком
диапазоне давлений коэффициент Холла RН облученных электронами
образцов сильно зависит от величины магнитного поля. По мере
приближения к точке P=P* наблюдается сначала уменьшение абсолютной
величины коэффициента Холла, а затем инверсия знака RН с ростом
магнитного поля (B≤7 Тл) и сдвиг точки инверсии знака коэффициента
Холла в сторону слабых магнитных полей. В диэлектрической фазе
коэффициент Холла имеет положительный знак, а величина RН почти не
зависит от величины магнитного поля.
Появление точки инверсии знака RН и изменение вида зависимостей
RН(B) при гидростатическом сжатии облученных кристаллов связано с
изменением параметров носителей заряда (проводимости, подвижности,
концентрации носителей заряда) в окрестности перехода металл-
диэлектрик и позволяет определять зависимости этих параметров от
давления путем сравнения экспериментальных полевых зависимостей
коэффициента Холла с теоретическими, расчитанными по формуле (11).
10
запрещённой зоны (рис. 1). Поэтому генерация дефектов при электронном
облучении сплавов n-типа вызывает постепенное уменьшение
концентрации электронов за счёт перетекания электронов из зоны
проводимости в зону радиационных дефектов и переход типа металл-
диэлектрик под действием облучения при некотором критическом потоке
облучения Φ=Φ* (рис. 3). В диэлектрической фазе (Φ>Φ*) зона
проводимости оказывается частично заполненной электронами, а уровень
Ферми мягко стабилизируется в зоне радиационных дефектов Et.
При гелиевой температуре в окрестности перехода металл-
диэлектрик сосуществуют два основных механизма проводимости –
электронная зонная проводимость и проводимость по локализованным
состояниям зоны радиационных дефектов. В металлической фазе (Φ<Φ*)
в пределе слабых магнитных полей (µkB<<1) знак и величина
коэффициента Холла определяются носителями заряда с большей
подвижностью (электронами зоны проводимости) (см. (12)), а в пределе
сильных классических магнитных полей (µkB>>1) основной вклад в
величину RН вносят носители заряда с большей концентрацией (тяжелые
носители заряда, обеспечивающие проводимость по зоне радиационных
дефектов) (см. (13)). Поэтому экспериментальные полевые зависимости
коэффициента Холла в широком диапазоне потоков электронного
11
облучения характеризуются наличием точки инверсии знака RН,
положение которой на шкале магнитных полей зависит от потока
облучения. Сравнение этих зависимостей с теоретическими, расчитанными
по формуле (11), позволяет определить основные параметры носителей
заряда (проводимости, подвижности, концентрации носителей заряда) в
облученных образцах и их зависимости от потока облучения в окрестности
перехода металл-диэлектрик, индуцированного электронным облучением.
12
диэлектрик-металл, связанному с перетеканием электронов из валентной
зоны в зону радиационных дефектов, при некотором критическом
давлении P=P*.
Установлено, что в области низких температур при атмосферном
давлении коэффициент Холла RH облученных электронами образцов имеет
отрицательный знак и сильно зависит от величины магнитного поля -
абсолютная величина RH уменьшается примерно на порядок в магнитных
полях B≤7 Тл. Гидростатическое сжатие приводит к более резкому
уменьшению |RH| и инверсии знака коэффициента Холла при увеличении
магнитного поля. С ростом давления точка инверсии знака коэффициента
Холла смещается в сторону слабых магнитных полей, а после перехода в
металлическую фазу (P>P*) коэффициент Холла имеет положительный
знак, увеличиваясь с ростом магнитного поля. И, наконец, в области
максимальных давлений зависимость коэффициента Холла от магнитного
поля практически отсутствует.
Характер полевых зависимостей коэффициента Холла связан с
сосуществовании по крайней мере двух типов носителей заряда
противоположного знака в облученных электронами сплавах Pb1-xSnxSe
(x<0.06). Появление точки инверсии знака RH и изменение вида
зависимостей RH(B) при гидростатическом сжатии облученных кристаллов
указывает, очевидно, на смену основного механизма проводимости при
переходе диэлектрик-металл и изменение параметров носителей заряда,
которые могут быть определены путем сопоставления экспериментальных
полевых зависимостей коэффициента Холла с теоретическими. При
построении теоретических полевых зависимостей RH(B) в общем случае
следует учитывать существование трех механизмов проводимости. В
области низких давлений (в диэлектрической фазе) доминирующими
механизмами являются поверхностная проводимость электронного типа и
дырочная проводимость по зоне радиационных дефектов, а в окрестности
перехода диэлектрик-металл - дырочная зонная проводимость и
электронная проводимость по поверхности.
13
носителей заряда выполняются с помощью ЭВМ в соответствии с
выражением (11). При этом однозначность выбора параметров модели в
процессе подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным
данным обеспечивается структурой программы расчета, которая
предусматривает вариацию только двух параметров модели (обычно
подвижностей носителей заряда µk). Два других параметра модели (обычно
удельные электропроводности σk) предварительно определяются прямым
расчетом по величинам удельного сопротивления (10) и коэффициента
Холла в слабом магнитном поле (12) при Т=4.2 К.
В процессе расчета первоначально задаются произвольные значения
подвижностей электронов (µn<0) и дырок (µp>0) в исследуемом образце
при гелиевой температуре. По этим величинам с помощью (10), (12) по
экспериментальным значениям удельного сопротивления ρ и
коэффициента Холла в слабом магнитном поле RH(0) вычисляются
электронная σn и дырочная σp проводимости. Значения σn и σp, а также
величины µn и µp подставляются в формулу (11) для расчета полевой
зависимости коэффициента Холла. Затем, варьируя исходные значения
подвижностей µn и µp и повторяя процедуру расчета, добиваются
наилучшего совпадения экспериментальных и теоретических
зависимостей RH(B) во всем исследованном диапазоне магнитных полей.
И, наконец, полученные таким образом данные используются для
построения зависимостей параметров носителей заряда от величины
внешнего воздействия (потока электронного облучения или давления).
Для реализации указанного алгоритма в настоящей работе
применяется программа “Hall_2004”, написанная в среде Delphi студентом
ФНМ А.В.Голубевым. Главное окно программы представлено на рис. 5.
Меню “File” содержит четыре команды (рис. 6). Команда “Load data…”
вызывает диалог открытия файла, в котором необходимо указать имя
текстового файла с исходными экспериментальными данными, например,
8_P_12.txt или 2_F_5.txt (8 или 2 – номер образца, P или F – внешнее
воздействие, т.е. давление или облучение электронами, 12 или 5 –
округленное значение величины внешнего воздействия). Команда “Save
graph…” сохраняет окно 1 в файл формата “WMF” с именем, указанным
пользователем (например, 8_P_12.wmf или 2_F_5.wmf). Команда “Print
graph” отправляет изображение окна 1 на печать на принтер,
установленный в системе «по умолчанию». И, наконец, команда “Exit”
завершает работу программы.
14
1
15
После выполнения команды “Load data…” и указания файла с
исходными экспериментальными данными появляется диалоговое окно
(рис. 8), в котором необходимо задать значения величин, используемых
для построения экспериментальной зависимости RH(B) (величину тока
через образец “I” и размер образца “d”), величин, используемых для
расчета значений σn и σp (экспериментальных значений удельного
сопротивления при гелиевой температуре “R(4.2K)” и коэффициента
Холла в слабом магнитном поле “RH(0)”), а также количество точек на
экспериментальной кривой N.
16
максимальные (“Xmax”, “Ymax”) и минимальные (“Xmin”, “Ymin”)
значения отдельно для каждой оси. Установка «галочки» “Auto” приводит
к автоматическому выбору границ диапазонов по каждой оси, с тем, чтобы
в окне 1 были представлены все экспериментальные и теоретические
точки.
17
после чего нажать кнопку для автоматической оцифровки. Переход к
оцифровке второй кривой осуществляется нажатием кнопки .
Оцифровка второй кривой производится аналогично первой. Полученные
массивы точек сохраняются в текстовые файлы, например, 8_P_12.txt или
2_F_5.txt.
Полученный таким образом текстовый файл загружается в
программу расчета полевых зависимостей коэффициента Холла командой
“Load data…” (рис. 6). В диалоговом окне ввода параметров эксперимента
(рис. 8) необходимо заполнить все поля значениями, приведенными на
листах с экспериментальными зависимостями RH(B).
После того, как программа построит экспериментальную полевую
зависимость коэффициента Холла, варьируя значения подвижностей µn и
µp и проводя процедуру расчета теоретической зависимости RH(B),
добиваются наилучшего совпадения экспериментальных и теоретических
кривых во всем исследованном диапазоне магнитных полей.
18
зависимость концентрации электронов от величины внешнего воздействия
к нулевому значению концентрации электронов, оценить критическую
величину внешнего воздействия в точке перехода типа металл-диэлектрик.
6. ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЕТУ
7. ЛИТЕРАТУРА
8. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
19
3. Используя общее выражение для коэффициента Холла (9), получите
формулу для коэффициента Холла в слабом магнитном поле для
полупроводника с двумя типами носителей заряда.
4. Используя общее выражение для коэффициента Холла (9), получите
формулу для коэффициента Холла в сильном классическом магнитном
поле для полупроводника с двумя типами носителей заряда.
5. Зависимости коэффициента Холла от температуры и индукции
магнитного поля, эффект инверсии знака коэффициента Холла в
полупроводнике с двумя типами носителей заряда.
6. Зонная структура полупроводников A4B6 и твердых растворов на их
основе.
7. Влияние электронного облучения на энергетический спектр носителей
заряда в твердых растворах Pb1-xSnxSe.
8. Переход типа металл-диэлектрик, индуцированный давлением в
облученных электронами сплавах n-Pb1-xSnxSe с нормальным
спектром.
9. Переход типа металл-диэлектрик, индуцированный электронным
облучением в сплавах n-Pb1-xSnxSe с инверсным спектром.
10. Какие параметры носителей заряда в полупроводнике с двумя типами
носителей заряда наиболее сильно влияют на положение точки
инверсии знака коэффициента Холла и предельное значение
коэффициента Холла в сильных классических магнитных полях?
11. Объясните характер зависимостей параметров носителей заряда от
давления в окрестности перехода диэлектрик-металл,
индуцированного давлением в облученном электронами n-Pb1-xSnxSe с
нормальным спектром.
12. Объясните характер зависимостей параметров носителей заряда от
потока электронного облучения в окрестности перехода металл-
диэлектрик, индуцированного облучением в n-Pb1-xSnxSe с инверсным
спектром.
20