Вы находитесь на странице: 1из 18

АННОТАЦИЯ

Лабораторный практикум "Экспериментальные методы физики


конденсированного состояния вещества" предназначен для студентов 4-5
курсов факультета наук о материалах и физического факультета МГУ.
Основными задачами практикума являются закрепление на практике
теоретических положений курсов лекций "Экспериментальные методы
физики конденсированного состояния вещества" и "Экспериментальные
методы физики низких температур", а также выработка у студентов
навыков проведения физических измерений, обработки и представления
экспериментальных данных, сопоставления результатов измерений с
теоретическими моделями.
Пособие представляет собой вторую часть междисциплинарного
практикума по физике конденсированного состояния вещества и содержит
описания трех лабораторных работ, на выполнение каждой из которых
отводится одно четырехчасовое занятие. Каждое из описаний включает в
себя достаточно полное и замкнутое теоретическое введение, схемы
измерительных установок, методики проведения измерений и расчета
параметров исследуемых материалов, описания алгоритма и программы
расчета этих параметров на персональном компьютере, а также список
литературы и контрольные вопросы, определяющие основные требования,
предъявляемые к студентам при допуске к выполнению и защите
лабораторной работы. В этой второй части практикума представлены
также работы, специфическими особенностями которых являются
применение персональных компьютеров для моделирования зависимостей
физических величин от внешних воздействий и расчет характеристик
твердотельных материалов по заданным экспериментальным данным при
вариации параметров задачи.
В лаборатории имеются в наличии описания приборов, применяемых
при выполнении каждой лабораторной работы, справочники, содержащие
информацию о параметрах исследуемых материалов и структур,
рекомендованная и дополнительная литература. Простые способы
управления приборами и дополнительные консультации даются
преподавателем непосредственно при выполнении работы.
Описание лабораторной работы №5 составлено Е.П.Скипетровым,
№6 – Е.П.Скипетровым и Е.А.Зверевой, №7 – В.А.Кульбачинским.

3
Лабораторная работа №5

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛЕВЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ


КОЭФФИЦИЕНТА ХОЛЛА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ С ДВУМЯ
ТИПАМИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
(4 часа)

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Расчет полевых зависимостей коэффициента Холла в


полупроводниках с двумя типами носителей заряда, определение
основных параметров носителей заряда в окрестности переходов типа
металл-диэлектрик, индуцированных электронным облучением и
давлением, по экспериментальным данным.

2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

2.1. Введение
Эффект Холла относится к группе гальваномагнитных кинетических
явлений и возникает при протекании тока в полупроводнике в присутствии
перпендикулярного току магнитного поля [1]. В этом случае в
направлении, перпендикулярном векторам плотности тока j и индукции
магнитного поля B появляется холловское поле:
r rr
E H = − RH [ j B ] (1)

где RH – коэффициент Холла.


В полупроводнике с одним типом носителей заряда выражение для
коэффициента Холла в произвольном классическом магнитном поле имеет
следующий вид [1, 2]:

µ2
µH µ 1 1+ µ 2B2 (2)
RH = = 2 ' H 2 2 =
σ B e K11 (1 + µ H B ) en µ
2
µ2
2

+ B2
1+ µ 2B2 1+ µ 2B2

где σB – проводимость в присутствии магнитного поля, µH и n –

4
холловская подвижность и концентрация электронов, К’11 – кинетический
коэффициент, µ=µ(E)=eτ(E)/m*, τ - время релаксации.
В сильном классическом магнитном поле (µB>>1) выражение для
коэффициента Холла упрощается и принимает классический вид:

1
RH → (3)
en
В области слабых классических магнитных полей (µB<<1):

1 τ
2
A
RH ≈ 2
= (4)
en τ en

где <τ> - среднее время релаксации, A=<τ2>/<τ>2 – холл-фактор,


величина которого зависит от степени вырождения и доминирующего
механизма рассеяния носителей заряда в полупроводнике.
Таким образом, в вырожденных полупроводниках и металлах
величина коэффициента Холла не зависит от магнитного поля, а в
невырожденных может уменьшаться при увеличении магнитного поля не
более, чем на величину холл-фактора (примерно вдвое). При наличии
нескольких типов носителей заряда ситуация кардинально меняется: даже
в вырожденном полупроводнике коэффициент Холла может значительно
изменяться и, в ряде случаев, менять знак при увеличении магнитного
поля. Это обстоятельство позволяет использовать экспериментальные
полевые зависимости коэффициента Холла для определения основных
параметров (проводимости, подвижности, концентрации) каждого из
типов носителей заряда в таких полупроводниках.

2.2. Полевые зависимости коэффициента Холла в полупроводнике с


несколькими типами носителей заряда
В полупроводнике с несколькими типами носителей заряда с
квадратичными изотропными законами дисперсии, помещенного в
скрещенные электрическое и магнитное поля, плотность тока представляет
собой сумму вкладов каждого типа носителей заряда [1, 2]:

r r
j = ∑ jk ,
r r ek3 ' r r
jk = ek K11k E +
2 '

mk
[ ]
K12 k E B (5)

5
где К’rsk - кинетические коэффициенты, ek- заряды, mk - эффективные
массы для каждого типа носителей заряда.
Выражая из (5) компоненты плотности тока jx и jz, подобно случаю
полупроводника с одним типом носителей заряда [1, 2], получаем
холловское поле Ez, холловскую подвижность µH и проводимость в
присутствии магнитного поля σB:

ek3 '
∑k m K12k
Ez = − k
BEx = − µ H BE x (6)
∑ k2 K11' k
e
k

ek4 K12' 2k 2
jx = ∑ ek2 K11' k E x + ∑ B Ex = σ B Ex (7)
k k mk2 K11' k

σ B = ∑ ek2 K11' k (1 + µ H2 B 2 ) (8)


k

Теперь, используя эмпирическое выражение для холловского поля


(Ez=−RHjxB) и закон Ома в дифференциальной форме (jx=σBEx), записываем
общее выражение для коэффициента Холла в полупроводнике с
несколькими типами носителей заряда:

µ k2 ( E )
µH
∑e n k k
1 + µ k2 ( E ) B 2
RH = =
k (9)
σB  µk (E )  
2
µ (E)  2 2
2

∑ ek nk + ∑ ek nk k
2  2 
B
k 1 + µk ( E ) B   k
2
1 + µ (E)B  2
k

где nk – концентрации носителей заряда, µk(E)=ekτk(E)/mk.


И, наконец, вводя величины подвижностей µk=ek<τk>/mk, и
проводимостей σk=eknkµk для каждого типа носителей заряда, для
удельного сопротивления полупроводника ρ и коэффициента Холла в
вырожденном полупроводнике (<τk>≈τk(EF)) в произвольном
классическом магнитном поле получаем:

1
= ∑ σ k = ∑ (ek nk µ k ) (10)
ρ k k

6
 σ k µk 
∑  1 + µ 
2 2 
k  kB  (11)
RH = 2 2
  σ k    σ k µ k B 
∑   + ∑ 
2 2 

2 2 
 k  1 + µ k B   k  1 + µ k B 
В пределах слабых и сильных класических магнитных полей
выражения для коэффициента Холла значительно упрощаются:

∑e n µ k k
2
k
RH = k
2
, (µk B << 1) (12)
 
∑ ek nk µ k 
 k 
1
RH = , (µk B >> 1) (13)
∑ ek nk
k

Таким образом, в слабых магнитных полях основной вклад в величину


коэффициента Холла вносят носители заряда с наибольшей
подвижностью, а в сильных магнитных полях - носители заряда с
наибольшей концентрацией.

2.3. Энергетический спектр радиационных дефектов в сплавах


Pb1-xSnxSe
В настоящее время известно, что облучение полупроводниковых
твердых растворов Pb1-xSnxSe быстрыми электронами приводит к
возникновению в энергетическом спектре носителей заряда двух глубоких
уровней (зон локализованных состояний) Et и Et1 (рис. 1), связанных с
разными типами радиационных дефектов [3]. Положение этих уровней
относительно краев энергетических зон зависит от состава сплава (рис. 1).
Зона радиационных дефектов Et не заполнена электронами. Поэтому
возникающие в результате облучения состояния могут быть либо
нейтральными, либо оказывать акцепторное действие в зависимости от их
положения относительно уровня Ферми EF. Положение середины зоны
радиационных дефектов относительно края зоны L6- линейно зависит от
состава сплава x: Et(мэВ)≈L6-+(87-250x).
Зона радиационных дефектов Et1 частично заполнена электронами и

7
Рис. 1. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах Pb1-xSnxSe,
облученных быстрыми электронами.

обладает донорно-акцепторными свойствами. В PbSe и сплавах с низким


содержанием олова середина зоны находится в запрещенной зоне вблизи
потолка валентной зоны. Поэтому при увеличении потока электронного
облучения (при увеличении плотности локализованных состояний) в
образцах n-типа происходит уменьшение концентрации электронов в
результате перетекания электронов из зоны проводимости на уровень Et1, а
в образцах p-типа – уменьшение концентрации дырок в результате
перетекания электронов с уровня Et1 в валентную зону. В итоге, при
достаточно высоких потоках облучения, независимо от исходного типа
проводимости, происходит переход в диэлектрическое состояние, в
котором при низких температурах валентная зона целиком заполнена
электронами, зона проводимости свободна от электронов, а зона Et1
частично заполнена электронами. При этом уровень Ферми оказывается
стабилизированным зоной радиационных дефектов, а степень заполнения
зоны электронами определяется исходной концентраций носителей заряда
и потоком электронного облучения. Положение середины зоны
радиационных дефектов Et1 относительно края валентной зоны L6+

8
линейно зависит от состава сплава x: Et1(мэВ)≈L6++(35-600x).

2.4. Переход металл-диэлектрик, индуцированный давлением


в облученных электронами сплавах n-Pb1-xSnxSe
В сплавах Pb1-xSnxSe с нормальным спектром (Eg>0 при x<0.15) зона
Et является резонансной и расположена на фоне разрешенных состояний
зоны проводимости (рис. 2). Если, как это представлено на рис. 2, зона
радиационных дефектов находится существенно выше уровня Ферми EF,
электронное облучение практически не влияет на электрофизические
свойства и величину концентрации электронов в зоне проводимости.
Однако, последующее гидростатическое сжатие облученных кристаллов
приводит к резкому уменьшению концентрации свободных электронов n и
переходу типа металл-диэлектрик под действием давления. Дело в том, что
при увеличении давления происходит уменьшение ширины запрещенной
зоны и инверсия энергетических зон в точках L зоны Бриллюэна, а зона
радиационных дефектов движется параллельно терму L6-. После инверсии
зон в L расстояние между серединой зоны Et и дном зоны проводимости
L6+ быстро уменьшается, что приводит к перетеканию электронов из зоны

Рис. 2. Перестройка энергетического спектра носителей заряда в


n-Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами, под давлением.

9
проводимости на свободные состояния в зоне радиационных дефектов и
быстрому уменьшению концентрации свободных электронов. Затем
середина зоны радиационных дефектов Et выходит в запрещенную зону,
при некотором критическом давлении P* концентрация свободных
электронов обращается в нуль и происходит переход металл-диэлектрик.
Переход металл-диэлектрик сопровождается резким (примерно на
три порядка) увеличением удельного сопротивления и инверсией знака
коэффициента Холла при гелиевой температуре (T=4.2 K). Это связано с
тем, что в металлической фазе основным механизмом проводимости
является электронная проводимость по зоне разрешенных состояний, а в
диэлектрической фазе доминирующим механизмом проводимости при
низких температурах становится проводимость по локализованным
состояниям (по зоне радиационных дефектов), имеющая дырочный
характер. В окрестности перехода металл-диэлектрик сосуществуют оба
указанных механизма проводимости и происходит плавное
перераспределение электронов между зоной проводимости и зоной
локализованных состояний под действием давления. Поэтому в широком
диапазоне давлений коэффициент Холла RН облученных электронами
образцов сильно зависит от величины магнитного поля. По мере
приближения к точке P=P* наблюдается сначала уменьшение абсолютной
величины коэффициента Холла, а затем инверсия знака RН с ростом
магнитного поля (B≤7 Тл) и сдвиг точки инверсии знака коэффициента
Холла в сторону слабых магнитных полей. В диэлектрической фазе
коэффициент Холла имеет положительный знак, а величина RН почти не
зависит от величины магнитного поля.
Появление точки инверсии знака RН и изменение вида зависимостей
RН(B) при гидростатическом сжатии облученных кристаллов связано с
изменением параметров носителей заряда (проводимости, подвижности,
концентрации носителей заряда) в окрестности перехода металл-
диэлектрик и позволяет определять зависимости этих параметров от
давления путем сравнения экспериментальных полевых зависимостей
коэффициента Холла с теоретическими, расчитанными по формуле (11).

2.5. Переход металл-диэлектрик под действием электронного


облучения в сплавах n-Pb1-xSnxSe с инверсным спектром
В твердых растворах Pb1-xSnxSe (0.19≤x≤0.34) с инверсным спектром
(Eg<0) середина зоны радиационных дефектов Et попадает в пределы

10
запрещённой зоны (рис. 1). Поэтому генерация дефектов при электронном
облучении сплавов n-типа вызывает постепенное уменьшение
концентрации электронов за счёт перетекания электронов из зоны
проводимости в зону радиационных дефектов и переход типа металл-
диэлектрик под действием облучения при некотором критическом потоке
облучения Φ=Φ* (рис. 3). В диэлектрической фазе (Φ>Φ*) зона
проводимости оказывается частично заполненной электронами, а уровень
Ферми мягко стабилизируется в зоне радиационных дефектов Et.
При гелиевой температуре в окрестности перехода металл-
диэлектрик сосуществуют два основных механизма проводимости –
электронная зонная проводимость и проводимость по локализованным
состояниям зоны радиационных дефектов. В металлической фазе (Φ<Φ*)
в пределе слабых магнитных полей (µkB<<1) знак и величина
коэффициента Холла определяются носителями заряда с большей
подвижностью (электронами зоны проводимости) (см. (12)), а в пределе
сильных классических магнитных полей (µkB>>1) основной вклад в
величину RН вносят носители заряда с большей концентрацией (тяжелые
носители заряда, обеспечивающие проводимость по зоне радиационных
дефектов) (см. (13)). Поэтому экспериментальные полевые зависимости
коэффициента Холла в широком диапазоне потоков электронного

Рис. 3. Перестройка энергетического спектра носителей заряда в


n-Pb1-xSnxSe (x=0.25) при облучении быстрыми электронами.

11
облучения характеризуются наличием точки инверсии знака RН,
положение которой на шкале магнитных полей зависит от потока
облучения. Сравнение этих зависимостей с теоретическими, расчитанными
по формуле (11), позволяет определить основные параметры носителей
заряда (проводимости, подвижности, концентрации носителей заряда) в
облученных образцах и их зависимости от потока облучения в окрестности
перехода металл-диэлектрик, индуцированного электронным облучением.

2.6. Переход диэлектрик-металл, индуцированный давлением в


облученных электронами сплавах n-Pb1-xSnxSe
В облученных электронами твердых растворах Pb1-xSnxSe с низким
содержанием олова (x<0.06) середина частично заполненной электронами
зоны радиационных дефектов Et1 находится в пределах запрещённой зоны
вблизи потолка валентной зоны (рис. 4). Под действием давления она
движется относительно краев энергетических зон в L таким образом, что
ее положение относительно середины запрещенной зоны почти не зависит
от давления. Поэтому гидростатическое сжатие облученных кристаллов
приводит к сближению зоны Et1 с потолком валентной зоны и переходу

Рис. 4. Перестройка энергетического спектра носителей заряда в


облученном электронами сплаве n-Pb1-xSnxSe (x=0.03) под давлением.

12
диэлектрик-металл, связанному с перетеканием электронов из валентной
зоны в зону радиационных дефектов, при некотором критическом
давлении P=P*.
Установлено, что в области низких температур при атмосферном
давлении коэффициент Холла RH облученных электронами образцов имеет
отрицательный знак и сильно зависит от величины магнитного поля -
абсолютная величина RH уменьшается примерно на порядок в магнитных
полях B≤7 Тл. Гидростатическое сжатие приводит к более резкому
уменьшению |RH| и инверсии знака коэффициента Холла при увеличении
магнитного поля. С ростом давления точка инверсии знака коэффициента
Холла смещается в сторону слабых магнитных полей, а после перехода в
металлическую фазу (P>P*) коэффициент Холла имеет положительный
знак, увеличиваясь с ростом магнитного поля. И, наконец, в области
максимальных давлений зависимость коэффициента Холла от магнитного
поля практически отсутствует.
Характер полевых зависимостей коэффициента Холла связан с
сосуществовании по крайней мере двух типов носителей заряда
противоположного знака в облученных электронами сплавах Pb1-xSnxSe
(x<0.06). Появление точки инверсии знака RH и изменение вида
зависимостей RH(B) при гидростатическом сжатии облученных кристаллов
указывает, очевидно, на смену основного механизма проводимости при
переходе диэлектрик-металл и изменение параметров носителей заряда,
которые могут быть определены путем сопоставления экспериментальных
полевых зависимостей коэффициента Холла с теоретическими. При
построении теоретических полевых зависимостей RH(B) в общем случае
следует учитывать существование трех механизмов проводимости. В
области низких давлений (в диэлектрической фазе) доминирующими
механизмами являются поверхностная проводимость электронного типа и
дырочная проводимость по зоне радиационных дефектов, а в окрестности
перехода диэлектрик-металл - дырочная зонная проводимость и
электронная проводимость по поверхности.

3. МЕТОДИКА РАСЧЕТА И ОПИСАНИЕ ПРОГРАММЫ

Расчет теоретических полевых зависимостей коэффициента Холла


RH(B), сопоставление их с экспериментальными данными и определение
параметров носителей заряда в полупроводниках с двумя типами

13
носителей заряда выполняются с помощью ЭВМ в соответствии с
выражением (11). При этом однозначность выбора параметров модели в
процессе подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным
данным обеспечивается структурой программы расчета, которая
предусматривает вариацию только двух параметров модели (обычно
подвижностей носителей заряда µk). Два других параметра модели (обычно
удельные электропроводности σk) предварительно определяются прямым
расчетом по величинам удельного сопротивления (10) и коэффициента
Холла в слабом магнитном поле (12) при Т=4.2 К.
В процессе расчета первоначально задаются произвольные значения
подвижностей электронов (µn<0) и дырок (µp>0) в исследуемом образце
при гелиевой температуре. По этим величинам с помощью (10), (12) по
экспериментальным значениям удельного сопротивления ρ и
коэффициента Холла в слабом магнитном поле RH(0) вычисляются
электронная σn и дырочная σp проводимости. Значения σn и σp, а также
величины µn и µp подставляются в формулу (11) для расчета полевой
зависимости коэффициента Холла. Затем, варьируя исходные значения
подвижностей µn и µp и повторяя процедуру расчета, добиваются
наилучшего совпадения экспериментальных и теоретических
зависимостей RH(B) во всем исследованном диапазоне магнитных полей.
И, наконец, полученные таким образом данные используются для
построения зависимостей параметров носителей заряда от величины
внешнего воздействия (потока электронного облучения или давления).
Для реализации указанного алгоритма в настоящей работе
применяется программа “Hall_2004”, написанная в среде Delphi студентом
ФНМ А.В.Голубевым. Главное окно программы представлено на рис. 5.
Меню “File” содержит четыре команды (рис. 6). Команда “Load data…”
вызывает диалог открытия файла, в котором необходимо указать имя
текстового файла с исходными экспериментальными данными, например,
8_P_12.txt или 2_F_5.txt (8 или 2 – номер образца, P или F – внешнее
воздействие, т.е. давление или облучение электронами, 12 или 5 –
округленное значение величины внешнего воздействия). Команда “Save
graph…” сохраняет окно 1 в файл формата “WMF” с именем, указанным
пользователем (например, 8_P_12.wmf или 2_F_5.wmf). Команда “Print
graph” отправляет изображение окна 1 на печать на принтер,
установленный в системе «по умолчанию». И, наконец, команда “Exit”
завершает работу программы.

14
1

Рис. 5. Главное окно программы.

Рис. 6. Меню “File”.

Меню “Help” содержит две команды (рис. 7). Команда “Help”


запускает редактор Word и открывает в нем файл с данным описанием, а
команда “About” вызывает окно с информацией о программе.

Рис. 7. Меню “Help”.

15
После выполнения команды “Load data…” и указания файла с
исходными экспериментальными данными появляется диалоговое окно
(рис. 8), в котором необходимо задать значения величин, используемых
для построения экспериментальной зависимости RH(B) (величину тока
через образец “I” и размер образца “d”), величин, используемых для
расчета значений σn и σp (экспериментальных значений удельного
сопротивления при гелиевой температуре “R(4.2K)” и коэффициента
Холла в слабом магнитном поле “RH(0)”), а также количество точек на
экспериментальной кривой N.

Рис. 8. Окно ввода экспериментальных параметров.

Экспериментальные полевые зависимости коэффициента Холла


выводятся точками в графическое поле 1 главного окна программы
(рис. 1). В это же поле сплошной линией выводятся и рассчитанные
зависимости RH(B). Область 2 главного окна программы делится на три
части. В первой части задаются значения подвижностей электронов (µn<0)
и дырок (µp>0), необходимые для вычисления электронной и дырочной
проводимостей σn и σp. и расчета теоретической зависимости RH(B). При
нажатии на кнопку “Calculate” происходит вычисление величин σn, σp и
концентрации электронов, которые выводятся во второй части области 2 в
группе “Results”, а также теоретической полевой зависимости
коэффициента Холла, которая выводится в графическом поле 1. И,
наконец, третья часть области 2 предназначена для управления
представлением осей на графике. Здесь можно задать логарифмический
масштаб (“Logarithmic”) по каждой из осей координат, а также,

16
максимальные (“Xmax”, “Ymax”) и минимальные (“Xmin”, “Ymin”)
значения отдельно для каждой оси. Установка «галочки» “Auto” приводит
к автоматическому выбору границ диапазонов по каждой оси, с тем, чтобы
в окне 1 были представлены все экспериментальные и теоретические
точки.

4. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

Перед началом работы студент получает на листах формата A4 набор


записанных на самописце экспериментальных полевых зависимостей
коэффициента Холла для одного из образцов и ряда заданных значений
величины внешнего воздействия (потока электронов или давления). Затем
эти зависимости сканируются и записываются в графические файлы
формата “BMP” (например, 8_P_12.bmp или 2_F_5.bmp).
Полученные графические файлы загружаются в программу “Grafula”
для оцифровки. Перед оцифровкой указываются 3 ключевые точки и
соответствующие им координаты (точки и их координаты указаны на
листах с экспериментальными зависимостями RH(B)). Точка начала
координат задается нажатием кнопки и указанием соответствующей
точки на графике. Аналогично, используя кнопки и , указываются
точки с известными координатами на осях абсцисс и ординат,
соответственно. Затем в окне “Положение осей” (рис. 9) задаются
координаты этих точек.

Рис. 9. Окно “Положение осей”.

Для оцифровки первой кривой на графике необходимо нажать кнопку


, затем выделить зону для автоматической оцифровки, нажав кнопку ,

17
после чего нажать кнопку для автоматической оцифровки. Переход к
оцифровке второй кривой осуществляется нажатием кнопки .
Оцифровка второй кривой производится аналогично первой. Полученные
массивы точек сохраняются в текстовые файлы, например, 8_P_12.txt или
2_F_5.txt.
Полученный таким образом текстовый файл загружается в
программу расчета полевых зависимостей коэффициента Холла командой
“Load data…” (рис. 6). В диалоговом окне ввода параметров эксперимента
(рис. 8) необходимо заполнить все поля значениями, приведенными на
листах с экспериментальными зависимостями RH(B).
После того, как программа построит экспериментальную полевую
зависимость коэффициента Холла, варьируя значения подвижностей µn и
µp и проводя процедуру расчета теоретической зависимости RH(B),
добиваются наилучшего совпадения экспериментальных и теоретических
кривых во всем исследованном диапазоне магнитных полей.

5. ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ РАСЧЕТА

Конечные значения подвижностей µn и µp, проводимостей σn и σp и


концентрации свободных электронов n заносятся в таблицу 1, а область 1
(рис. 5) с экспериментальной и теоретической полевыми зависимостями
коэффициента Холла сохраняется командой “Save graph…” в графический
файл формата “WMF” (например, 8_P_12.wmf или 2_F_5.wmf) для
последующего создания отчета по проделанной работе.

Таблица 1. Результаты расчета параметров носителей заряда


№ P (Ф), µn, µp, σn, σp, n,
кбар (см-2) м2/В⋅с м2/В⋅с (Ом⋅м)-1 (Ом⋅м)-1 м-3
1
2
3

Затем по значениям параметров носителей заряда, приведенных в


таблице 1, с помощью программы “Origin” следует построить графики
зависимостей концентрации свободных электронов n, проводимостей σn и
σp и подвижностей µn и µp от величины внешнего воздействия (потока
электронного облучения или давления). И, наконец, экстраполируя

18
зависимость концентрации электронов от величины внешнего воздействия
к нулевому значению концентрации электронов, оценить критическую
величину внешнего воздействия в точке перехода типа металл-диэлектрик.

6. ТРЕБОВАНИЯ К ОТЧЕТУ

В отчете необходимо привести:


1. Результаты оцифровки экспериментальных полевых зависимостей
коэффициента Холла в виде файлов и распечаток.
2. Экспериментальные и теоретические полевые зависимости
коэффициента Холла для ряда заданных значений величины внешнего
воздействия (потока электронов или давления).
3. Графики зависимостей электронных и дырочных проводимостей и
подвижностей от величины внешнего воздействия (потока электронов
или давления).
4. Зависимость концентрации свободных электронов от величины
внешнего воздействия (потока электронов или давления) и оценку
критической величины внешнего воздействия в точке перехода типа
металл-диэлектрик.

7. ЛИТЕРАТУРА

1. Киреев П.С. Физика полупроводников. // М.: Высшая школа, 1975.


2. Скипетров Е.П., Кульбачинский В.А., Акимов Б.А.
Экспериментальные методы физики конденсированного состояния
вещества. // Лабораторный практикум, под ред. Е.П.Скипетрова, М:
УНЦ ДО, 2001.
3. Брандт Н.Б., Скипетров Е.П. Спектроскопия глубоких уровней
радиационных дефектов в полупроводниках A4B6 с помощью
давления. // Физика низких температур, 1996, т.22, в.8, с.870-891.

8. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Полевая зависимость коэффициента Холла в полупроводнике с одним


типом носителей заряда.
2. Расчет величины холл-фактора в полупроводниках с разными
доминирующими механизмами рассеяния носителей заряда.

19
3. Используя общее выражение для коэффициента Холла (9), получите
формулу для коэффициента Холла в слабом магнитном поле для
полупроводника с двумя типами носителей заряда.
4. Используя общее выражение для коэффициента Холла (9), получите
формулу для коэффициента Холла в сильном классическом магнитном
поле для полупроводника с двумя типами носителей заряда.
5. Зависимости коэффициента Холла от температуры и индукции
магнитного поля, эффект инверсии знака коэффициента Холла в
полупроводнике с двумя типами носителей заряда.
6. Зонная структура полупроводников A4B6 и твердых растворов на их
основе.
7. Влияние электронного облучения на энергетический спектр носителей
заряда в твердых растворах Pb1-xSnxSe.
8. Переход типа металл-диэлектрик, индуцированный давлением в
облученных электронами сплавах n-Pb1-xSnxSe с нормальным
спектром.
9. Переход типа металл-диэлектрик, индуцированный электронным
облучением в сплавах n-Pb1-xSnxSe с инверсным спектром.
10. Какие параметры носителей заряда в полупроводнике с двумя типами
носителей заряда наиболее сильно влияют на положение точки
инверсии знака коэффициента Холла и предельное значение
коэффициента Холла в сильных классических магнитных полях?
11. Объясните характер зависимостей параметров носителей заряда от
давления в окрестности перехода диэлектрик-металл,
индуцированного давлением в облученном электронами n-Pb1-xSnxSe с
нормальным спектром.
12. Объясните характер зависимостей параметров носителей заряда от
потока электронного облучения в окрестности перехода металл-
диэлектрик, индуцированного облучением в n-Pb1-xSnxSe с инверсным
спектром.

20