Вы находитесь на странице: 1из 3

Фотоэффект и его применение

при создании солнечных батарей как источник света

.
Фотоэффект - явление, связанное с освобождением электронов твердого тела или
жидкости под дей ствием электромагнитного излучения. Различают внутренние,
внешние и вентильные фотоэффекты.

1887 году Генрихом Герцем. При работе с открытым резонатором заметил, что если
посветить ультрафиолетовым на цинковые разрядники, то прохождение искры
заметно облегчается. Исследования фотоэффекта показали, что, вопреки
классической электродинамике, энергия вылетающего электрона всегда строго
связана с частотой падающего излучения и практически не зависит от
интенсивности облучения. Фотоэффект был объяснён в 1905 году Альбертом
Эй нштей ном (за что в 1921 году он получил Нобелевскую премию) на основе
гипотезы Макса Планка о квантовой природе света. В работе Эй нштей на
содержалась важная новая гипотеза -- если Планк предположил, что свет излучается
только квантованными порциями, то Эй нштей н уже считал, что свет и существует
только в виде квантованных порций . Из представления о свете как о частицах
(фотонах) немедленно следует формула Эй нштей на для фотоэффекта:

hV= Aion + Aout +(mv^2)/2


где Aion -- работа по ионизации атомов вещества (для металлов Aion = 0), Aout --
работа необходимая для выхода электрона из вещества, (mv^2)/2 -- кинетическая
энергия вылетающего электрона, V -- частота падаюшего фотона с энергией hV, h --
постоянная Планка. Из этой формулы следует существование красной границы
фотоэффекта, т.е. существование наименьшей частоты, ниже которой энергии
фотона уже не достаточно для того чтобы "выбить" электрон из металла. Суть
формулы заключается в том, что энергия фотона расходуется на ионизацию атома
вещества, на работу которую необходимо совершить для того, чтобы "вырвать"
электрон, и остаток переходит в кинетическую энергию электрона. Исследования
фотоэффекта были одними из самых первых квантовомеханических исследований .

Внешним фотоэффектом (фотоэлектронной эмиссией ) называется испускание


электронов веществом под дей ствием света. Электроны, вылетающие из вещества
при внешнем фотоэффекте, называются фотоэлектронами, а электрический ток,
образуемый ими при упорядоченном движении во внешнем электрическом поле,
называется фототоком
1. Законы внешнего фотоэффекта
Законы фотоэффекта - три закона внешнего фотоэффекта: -1- максимальная
скорость фотоэлектронов определяется частотой света и не зависит от его
интенсивности; -2- для каждого вещества существует красная граница
фотоэффекта; -3- количество электронов, испускаемых веществом за 1 с
пропорционально интенсивности излучения.

Внутренним фотоэффектом называется перераспределение электронов по


энергетическим состояниям в твердых и жидких полупроводниках и диэлектриках,
происходящее под действием света. Он проявляется в изменении концентрации
носителей зарядов в среде и приводит к возникновению фотопроводимости или
вентильного фотоэффекта. Фотопроводимостью называется увеличение
электрической проводимости вещества под действием света. Вентильным
фотоэффектом (фотоэффектом в запирающем слое) называется возникновение
под действием света ЭДС (фото-ЭДС) в системе, состоящей из контактирующих
полупроводника и металла или двух разнородных полупроводников (например в
p-n переходе).
Фотопроводимость, фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности
полупроводника под действием электромагнитного излучения. Впервые
Фотопроводимость наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно
Фотопроводимость обусловлена увеличением концентрации носителей тока под
действием света (концентрационная Фотопроводимость). Она возникает в
результате нескольких процессов: фотоны «вырывают» электроны из валентной
зоны и «забрасывают» их в зону проводимости (рис. 1), при этом одновременно
возрастает число электронов проводимости и дырок (собственная
Фотопроводимость); электроны из заполненной зоны забрасываются на
свободные примесные уровни - возрастает число дырок (дырочная примесная
Фотопроводимость); электроны забрасываются с примесных уровней в зону
проводимости (электронная примесная Фотопроводимость). Возможно
комбинированное возбуждение Фотопроводимость «собственным» и
«примесным» светом: «собственное» возбуждение в результате последующих
процессов захвата носителей приводит к заполнению примесных центров и,
следовательно, к появлению примесной Фотопроводимость (индуцированная
примесная Фотопроводимость). Концентрационная Фотопроводимость может
возникать только при возбуждении достаточно коротковолновым излучением,
когда энергия фотонов превышает либо ширину запрещенной зоны (в случае
собственной и индуцированной Фотопроводимость), либо расстояние между
одной из зон и примесным уровнем (в случае электронной или дырочной
примесной Фотопроводимость).
Принцип работы солнечных батарей

Преобразование энергии в ФЭП основано на фотовольтаическом эффекте,


который возникает в неоднородных полупроводниковых структурах при
воздействии на них солнечного излучения. Природа этого
явления.Неоднородность структуры ФЭП может быть получена легированием
одного и того же полупроводника различными примесями (создание p - n-
переходов) или путём соединения различных полупроводников с неодинаковой
шириной запрещённой зоны-энергии отрыва электрона из атома (создание
гетеропереходов), или же за счёт изменения химического состава
полупроводника, приводящего к появлению градиента ширины запрещённой зоны
(создание варизонных структур). Возможны также различные комбинации
перечисленных способов.Эффективность преобразования зависит от
электрофизических характеристик неоднородной полупроводниковой структуры, а
также оптических свойств ФЭП , среди которых наиболее важную роль играет
фотопроводимость , обусловленная явлениями внутреннего фотоэффекта в
полупроводниках при облучении их солнечным светом.Принцип работы ФЭП
можно пояснить на примере преобразователей с p-n- переходом, которые широко
применяются в современной солнечной и космической энергетике. Электронно-
дырочный переход создаётся путём легирования пластинки
монокристаллического полупроводникового материала с определённым типом
проводимости (т.е. или p- или n- типа) примесью, обеспечивающей создание
поверхностного слоя с проводимостью противоположного типа. Концентрация
легирующей примеси в этом слое должна быть значительно выше, чем
концентрация примеси в базовом (первоначальном монокристалле) материале,
чтобы нейтрализовать имеющиеся там основные свободные носители заряда и
создать проводимость противоположного знака. У границы n-и p- слоёв в
результате перетечки зарядов образуются обеднённые зоны с
нескомпенсированным объёмным положительным зарядом в n-слое и объёмным
отрицательным зарядом в p-слое. Эти зоны в совокупности и образуют p-n-
переход.Возникший на переходе потенциальный барьер (контактная разность
потенциалов) препятствует прохождению основных носителей заряда, т.е.
электронов со стороны p-слоя, но беспрепятственно пропускают неосновные
носители в противоположных направлениях. Это свойство p-n-переходов и
определяет возможность получения фото-ЭДС при облучении ФЭП солнечным
светом.