Defectos Puntuales

Víctor Manuel Delgado Romero1

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

SEPI ESIME Azcapotzalco

Ciencia y Ensaye de los Materiales

Edificio de Posgrado y Campus Virtual | Av. de las Granjas 682, Col. Santa Catarina, C.P. 02250,
Delegación Azcapotzalco, México D.F.

1 vmdelgador@hotmail.com

Introducción.

Las estructuras cristalinas son un impurezas químicas. Los cuales son llamados

agrupamiento periódico de celdas unitarias defectos puntuales; discontinuidades de las

que generan puntos de red; agrupaciones de estructuras cristalinas que involucran uno o

puntos con idénticos contornos en el espacio quizá varios átomos. Estos defectos o
tridimensional. Estas redes son esqueletos imperfecciones, pueden ser generados en la

sobre los que se construyen dichas estructura del material, mediante el

estructuras, situando átomos o grupos de movimiento de los átomos al ganar energía

átomos en los puntos reticulares o cerca de por calentamiento; durante su proceso de
ellos, como se muestra en la Figura 1. formación.

En los materiales reales existen defectos

estructurales con independencia de las

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Celda Unitaria

Figura 1

Representación de una Estructura Cubica Simple repetida, equivalente a muchas celdas unitarias adyacentes.

(b)
(a)

(c)

Figura 2

Representación bidimensional de una vacancia (a), átomo intersticial (b) y átomos sustitucionales (c).

Vacancia, Átomos Intersticiales y Átomos sustitucionales, los cuales se muestran en la

Sustitucionales. Figura 2. Introducen campos de esfuerzos de

compresión o de tensión que alteran la red de

Los defectos puntuales, que incluyen
la estructura cristalina. Como resultado, las
vacancias, átomos intersticiales y átomos
dislocaciones (Imperfección lineal en la red

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de un material cristalino; el movimiento de (1)

las dislocaciones ayuda a explicar la manera
Donde: es el número de puntos de red por
en que se deforman los materiales), no
cm3, es la energía de activación (energía de
pueden deslizarse en las cercanías de defectos
vibración requerida para la formación de una
puntuales, incrementándose la resistencia del
vacancia), es la temperatura absoluta en
material [M. Hinojosa, 2000].
grados Kelvin (k) y es la constante de
El más simple de los defectos puntuales es la
Boltzmann o de los gases (1.38 x 10-23
vacancia, existe un defecto de este tipo
J/atomos-k o 8.62 x10-5 ev/atomo-k),
cuando un átomo se encuentra ausente en
dependiendo de las unidades de .
una posición de la estructura cristalina, la
cual normalmente ocupa, ver Figura 2 (a). Un átomo intersticial, ver Figura 3, es un

átomo que se ha desplazado y situado en un

Las vacancias se producen durante la
hueco (un espacio vacío pequeño que
solidificación; proceso físico que consiste en
ordinariamente no está ocupado), de una
el cambio de estado de la materia de líquido a
estructura cristalina. Por ejemplo: en la
sólido producido por una disminución en la
fundición del acero, los átomos de Carbono
temperatura. Y durante las vibraciones
(C), se agregan al Hierro (Fe). Una vez dentro
térmicas; calentamiento del material,
del material, existe un número de átomos de
permitiendo sus propias respuestas
Carbono y de Hidrogeno (H), que se
dinámicas, visto desde el punto de vista
mantienen en estado intersticial en la
atómico. Esto desplaza los átomos de sus
estructura cristalina del huésped (Hierro) y
posiciones normales [W. D. Callister, 1997].
aunque son más pequeños que los átomos de

El número de Nv es el número de vacancias la red y en ocasiones mas grandes que el

por cm3, de una determinada cantidad de hueco que ocupan, permiten que esta se

material se determina con la Ecuación (1). distorsione y se comprima [Askeland, 1998 y

J. F. Shackelford, 2005].

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Figura 3

Átomo Intersticial.

En el caso de los Átomos sustitucionales, la estructura, por lo que los átomos

cuando un átomo de un metal huésped o circundantes al inducido se comprimen. En el

base que forma parte de la red de una caso de que el átomo inducido sea de un

estructura cristalina es reemplazado por uno radio atómico mas pequeño que el

más grande, ver Figura 4 (a), se considera que reemplazado, los átomos circundantes se

incrementos de esfuerzo fueron inducidos a tensionan, ver Figura 4 (b).

(a) (b)

Figura 4

Átomos Sustitucionales, Pequeño (a) y Grande (b).

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Defecto Schottky

Defecto Frenkel

Figura 5

Defectos Frenkel y Schottky.

Defectos Frenkel y Schottky. compuestas de enlace iónico2. A fin de

mantener una carga neutral, se debe formar

Los Defectos Frenkel son una combinación
tanto una vacancia de catión3 como de anión4.
vacante-intersticial. La mayoría de las
estructuras cristalinas compuestas (Formadas Ambos defectos se pueden apreciar de

por dos o más elementos), son demasiado manera simple en la Figura 5.

cerradas para permitir este defecto. Se

producen cuando un ion1 se mueve para crear

un sitio intersticial, dejando atrás una

vacancia.

El Defecto Schottky, se le nombra a aquel

defecto que se presenta cuando existe un par 2

Enlace formado entre dos superficies
de vacancias en estructuras cristalinas diferentes de átomos, cuando uno de ellos
(Catión), dona sus electrones de valencia al otro
(Anión). La atracción electroestática une a los
iones.
3
Ion cargado positivamente, producido
cuando un átomo, por lo general de un metal,
1
Partícula cargada eléctricamente, cede sus electrones de valencia (Número de
constituida por un átomo. Conceptualmente esto electrones que participan en los enlaces o en las
se puede entender como que, a partir de un reacciones químicas).
4
estado neutro de un átomo, se han ganado o Ion cargado negativamente, producido
perdido electrones; este fenómeno se conoce cuando un átomo, usualmente de un no-metal,
como ionización. acepta uno o más electrones.

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Conclusiones.

Los defectos puntuales alteran el arreglo

perfecto de los átomos circundantes,

distorsionando la red a lo largo de quizás,

cientos de espacios atómicos, a partir del

defecto. Una dislocación que se mueva a

través de las cercanías generales de un
defecto puntual encuentra una red en la cual

los átomos no están en sus posiciones de

equilibrio. Esta alteración requiere que se

aplique un esfuerzo más alto para obligar a

que la dislocación venza al efecto,

incrementándose la resistencia del material.

Referencias.

D. R. Askeland, “Ciencia e Ingeniería de los

Materiales”, 3ª. Edición, Editorial Thompson,

1998.

J. F. Shackelford, “Introducción a la Ciencia de

Materiales para Ingenieros”. 6ª. Edición,

Editorial Pearson, 2005.

W. D. Callister, “Ciencia e Ingeniería de los

Materiales”, 3ª. Edición, Editorial Reverté,

1997.

M. Hinojosa, “La Estructura Cristalina de los

Metales”, Ingenierías UANL, Vol. III, No.8,

2000.

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