Вы находитесь на странице: 1из 22

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования «Казанский национальный исследовательский
технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ»
(КНИТУ-КАИ)
Институт Радиоэлектроники и Телекоммуникаций
(наименование института (факультета), филиала)
Нанотехнологий в электронике
(наименование кафедры)

25.05.03 Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования


(шифр и наименование направления подготовки (специальности))

КУРСОВАЯ РАБОТА

по дисциплине: Схемотехника

на тему: Проектирование широкополосного усилителя

Обучающийся: группа 5308 Хайдаров М.Р.


(номер группы) (подпись, дата) (Ф.И.О.)

Руководитель доц. Куншин.С.Е


(должность) (Ф.И.О.)

Курсовая работа (проект) зачтена (зачтен) с оценкой ________________

___________________
(подпись, дата)

Казань 2021
Содержание

1. Техническое задание………………………………………………………….3
2. Введение………………………………………………………………………...4
3. Анализ технического задания………………………………………………6
4. Расчет…………………………………………………………………………..7
5. Моделирование……………………………………………………………….18
6. Вывод…………………………………………………………………………..21
7. Использованная литература………………………………………………22

2
Техническое задание
Требуется рассчитать усилитель гармонических сигналов,
удовлетворяющий следующим требованиям:
 ЭДС входного сигнала: E= 1 мВ;
 активная нагрузка: Rн= 200 кОм;
 Ёмкость нагрузки: Сн = 10пФ
 частотные искажения: MН= 2,0 дБ(1,26раз) и МВ= 2,5 дБ(1,33раз);
 минимальная рабочая температура: tmin=-10С;
 максимальная рабочая температура: tmax=40С;
 внутреннее сопротивление источника сигнала: Rист=300Ом;
 нижняя граничная частота: fН= 250 Гц;
 верхняя граничная частота: fВ= 8 МГц;
 входное сопротивление: Rвх= 175 Ом;
 коэффициент нелинейных искажений: KНИ= 4%;
 амплитуда выходного сигнала: Uвых=3,5 В.

3
Введение
Усилителем называется устройство, предназначенное для усиления
входного электрического сигнала по напряжению, по току или по мощности
за счёт преобразования энергии источника питания в энергию выходного
сигнала.
В аналоговых электронных устройствах усилители не только
обеспечивают простое усиление входного сигнала. На их основе
выполняются самые разнообразные устройства функциональной обработки
сигналов, а также различные генераторы электрических сигналов.
Усилители различают:
1) по виду усиливаемого сигнала – усилители постоянного тока
(УПТ), усилители гармонического и импульсного сигналов;
2) по виду усиливаемой величины – усилители напряжения, тока и
мощности;
3) по диапазону усиливаемых частот – усилитель постоянного тока,
усилители переменного тока подразделяются; усилители низких частот
(УНЧ),усилители высоких частот (УВЧ), усилители СВЧ-диапазона,
оптические усилители, широкополосные, узкополосные, избирательные
усилители, усилители с управляемой полосой усиливаемых частот;
4) по виду соединения между каскадами в многокаскадных
усилителях различают – усилители с гальванической, емкостной и
трансформаторной связью. Связь по постоянному току обеспечивается
только при наличии гальванической связи;
5) по виду нагрузки – усилители с активной, емкостной и
индуктивной нагрузкой;

4
6) резонансные усилители (в процессе усиления используются
резонансные системы);
7) по способу усиления – электронные, магнитные, электромашинные,
оптические или квантовые, параметрические усилители.

В данной курсовой работе будет рассчитан и спроектирован


широкополосный усилитель гармонических сигналов, удовлетворяющий
требованиям технического задания. Широкополосный усилитель
обеспечивает равномерное усиление сигнала в широком диапазоне частот с
заданным коэффициентом усиления.
Широкополосные усилители предназначены для усиления сигналов в
диапазоне частот, составляющих от десятков герц до сотен мегагерц. При
усилении импульсных сигналов широкополосные усилители называются
импульсными. Так как в широкополосных усилителях требуется усиливать
электрические сигналы в очень широком частотном диапазоне, то в них
используются резисторные каскады (имеющие наилучшие частотные,
фазовые и переходные характеристики), дополненные для расширения
полосы пропускания усиливаемых частот специальными корректирующими
цепями. Широкополосные каскады с коррекцией для усиления как
гармонических, так и импульсных сигналов, для широкополосного усиления.
используются специальные транзисторы, называемые высокочастотными,
имеющие высокую предельную частоту коэффициента передачи тока.
Транзисторы в широкополосных каскадах обычно включают по схеме с
общим эмиттером или истоком.

5
Анализ технического задания

Для проектирования усилителя гармонических сигналов по данному


техническому заданию усилитель необходимо сделать многокаскадным.
Кроме того, в курсовой работе необходимо предусмотреть согласование
выходного сопротивления усилителя с сопротивлением нагрузки,
подключаемой через коаксиальный кабель.
Рассчитываемый усилитель имеет высокую верхнюю граничную
частоту, что потребует применения высокочастотных усилительных секций
типа общий эмиттер с использованием коррекции эмиттерной
противосвязью, которая дополнительно стабилизирует коэффициент
усиления каскада. Умеренные требования по нижней граничной частоте
позволяют использовать конденсаторы как в цепях межкаскадной связи, так
и в цепях эмиттерной стабилизации.
Для входного и выходного каскадов необходимо выбрать схемы,
которые построены на основе эмиттерного повторителя (ЭП) (они не будут
участвовать в усилении, так как их коэффициент усиления всегда чуть ниже
единицы). Эмиттерный повторитель в случае входного каскада нужен для
обеспечения заданного входного сопротивления усилителя 175 Ом. Но в
целях уменьшения количества каскадов, в качестве входного каскада будет
использоваться каскад с общим эмиттером, т.к. в нем так же можно получить
достаточное входное сопротивление. В случае выходного каскада схема
эмиттерного повторителя введена для согласования с нагрузкой, которая по
техническому заданию имеет сопротивление 20 Ом, так как эмиттерный
повторитель обладает достаточно низким выходным сопротивлением.
Для промежуточных каскадов в основном есть одно ограничение –
входное сопротивление следующего каскада должно быть больше, чем
выходное сопротивление предыдущего. То есть входное и выходное
сопротивления должны быть согласованы с выходным и входным
сопротивлениями предыдущего и следующего каскадов соответственно.
6
Расчет
Определение числа каскадов и распределение искажений между каскадами
В многокаскадных усилителях, построенных на независимых каскадах
или усилительных секциях, то есть на каскадах, не использующих взаимную
коррекцию, максимальная площадь усиления достигается при одинаковых
параметрах всех каскадов.
Расчетный коэффициент усиления всего усилителя определяется
соотношением:
K з∗K 0 2∗3500
K р= = =14000 раз
Kс 0,5
K з 1,5−2 − запас усиления;
U вых 3,5 В
K 0= = =3500− заданный коэффициент усиления;
E 1∗10−3 В
Пт = К0*fв = 3500 * 8 * 106 = 28 ГГц
K с 0,5 − коэффициент, учитывающий потери усиления входной цепи

усилителя;
N Э =N Эвх + N Э пр + N Э вых + N Э б =0+3+1+0=4 − эквивалентное или расчетное

число каскадов с частотными свойствами, аналогичными промежуточному


каскаду;
r б б ¿, C б ' к , fT – характеристики транзистора, используемого при
построении каскадов.
В данной курсовой используется транзистор 2N3501 для которого
f T =150 МГц; C б ' к =8 пФ; r б б} =10 О¿;

f в и M даны в техническом задании.

Количество каскадов должно удовлетворять условию:


1
K ip =K N ≤(0,3 … 0,5) β , где N – количество каскадов,
K ip − усиление i−го каскада .

Определяем β транзистора 2N3501;


Проводим измерение выходных характеристик по схеме рис.1 для
токов базы от 0мкА до 200мкА (рис.2).

7
Рис 1. Схема для измерения выходных характеристик

Рис. 2 Определение β

Следовательно:
∆ I k 2,97 mA
β= = =148,5
∆ I б 20 mkA

Значит:
1
K ip =14000 N ≤ ( 0,3 … 0,5 ) 148,5

8
1
N
K ip =14000 ≤ ( 44,55 …74,25 )

При N=3 K ip=19,94 ≤ ( 44,55 … 74,25 )


Отсюда следует, что необходимое количество каскадов равно 3-ум.
Так как данный расчет не учитывает выходного и входного буферных
каскадов, а так же влияние схемы коррекции, вносимой в каскады, то с их
учетом общее количество каскадов равно 4. Количество же усилительных
секций, построенных по схеме с ОЭ, рассчитываемых данной формулой,
равно 3-ум.
Рассчитаем частотные искажения, вносимые каскадами:
N Э вых 1
NЭ 4
M вых =M =1,33 =1,08 раз
3
M пр=1,33 4 =1,24 разx
0
2
M вх =1,33 =1 раз
0
2
M буф=1,33 =1 раз

Мв=2,5дБ ≈ 1,33 раз - величина искажений, заданная в тех задании.


Использование коррекции может внести значительные изменения в
расчетные данные, так как расчет не предполагает учета влияния коррекции.
Расчет выходного каскада
Необходимо рассчитывать отдельно параметры выходного и
промежуточного(ых) каскадов. Все промежуточные каскады будут
идентичны друг другу. Все каскады будут реализованы на одном
транзисторе.
Так как выходной каскад, это схема, введенная для согласования
нагрузки с усилителем, и основной его задачей является обеспечение
значения выходного сопротивления усилителя сопоставимым со значением
сопротивления нагрузки. Расчет таких схем можно сделать по приближенной
методике. Схема (рис.3) представляет собой эмиттерный повторитель со
схемой смещения на входе.

9
Рисунок 3 Схема эмиттерного повторителя
Расчет сопротивления R э:
Для обеспечения симметричного сигнала с малым нелинейным
искажением возьмем значение R э=170 Ом.
Найдем значение U э :
U э=0,5¿ E п=0,5∗100 В=50 В

Расчет сопротивления R1 и R 2:
Так как входное сопротивление каскада рассчитывается как
параллельное соединение сопротивлений R1 и R 2. Необходимо выбрать
значения R1 и R 2 такими, чтобы их параллельное соединение принимало бы
значение, подходящее для согласования с предоконечным каскадом,
построенным по схеме ОЭ. Примем это значение равным 170 Ом. Так же во
внимание надо принять следующую зависимость:
U б R1 37 В
= = =0,75
U э R2 50 В

Из вышесказанного можно принять R1=1,5 кОм , R2=2 кОм


R1∗R2 1,5∗103 Ом∗2∗103 Ом
Rб ≈ R вх = = ≈ 857 Ом
R 1+ R 2 1,5∗103 Ом+2∗103 Ом

Расчет промежуточных каскадов:


Ниже (рис.4) представлена схема каскада, построенного по схеме с
Общим Эмиттером, расчет сопротивлений и емкостей которого будет
приведен ниже:
10
Рисунок 4 Схема с общим эмиттером
Eп ≥ 2U вых +U кэ нас +U запас ≥ 2∗3,5 В+1 В+ 87 В ≈ 95 В
U кэ нас ≈ 1 В – падение напряжения на транзисторе в состояние
насыщения.
Для широкополосного усилителя амплитудное значение выходного
напряжения:
U a =U вых =3,5 В

А переменная составляющая коллекторного тока:


Ua 3,5 В
I ка= = =0,44 мА
Rн пр 8∗10 3 Ом

Величина постоянной составляющей коллекторного тока должна


удовлетворять условию:
I к =( 1,5−2 )∗I ка ≈ 1,7∗0,44 ¿ 10−3 А ≈ 0,847 мА
Коллекторное сопротивление тогда можно выбрать следующем
образом:

E п−U э−U ост 100 В−10 В−1,5 В


Rк ≤ ≤ ≤ 10448Ом ,
Iк 0,847 ¿ 10−3 А
Где U э ≈ 0,1∗E п ≈ 10 В ; U ост =0,5−2 В –остаточное напряжение на
коллекторе.

11
Возьмем Rк =883 кОм .
Напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке рассчитывается
следующем образом:
U кэ=E п−U э −R к∗I к =100 В−10 В−883 Ом∗0.847 ¿ 10−3 А=89,25 В
Теперь для выбора транзистора по энергетическим характеристикам
можно записать систему неравенств, описывающую допустимые значения:
U кэ 89,25 В

{
U кэ доп ≥ ≥ ≥ 111,56 В
( 0,7−0,9 ) 0,8
Iк 0.847 ¿ 10−3 А
I к доп ≥ ≥ ≥ 1,05 мА
( 0,7−0,9 ) 0,8
U кэ∗I к 0.847 ¿ 10−3 А∗89,25 В
P к доп ≥ ≥ ≥ 0,095 Вт
( 0,7−0,9 ) 0,8

Данную систему условий удовлетворяет универсальный транзистор


2N3501 со следующими характеристиками:
U кэ доп=150 В>111,56 В

{ I к доп =600 мА >1,05 мА


Pк доа =1000 мВт> 0 , 095 мВт

Расчет термостабилизации
Для расчета температурной стабилизации, сначала подберем значения
R2, R1, Rб , R э таким образов, чтобы изменение коллекторного тока при

заданном диапазоне температур не превышал допустимого значения ∆ I к доп.


Потом оценим ожидаемые приращения тока коллектора и напряжения
коллектор-эмиттер, ориентируясь на типовые параметры транзистора и
найденные элементы схемы. Эти данные используем при расчете
температурной стабильности усилителя по переменному току.
Для определения Rб найдем следующие величины:

∆ β β max −β min 300−100


= = =0,5
β βmax + β min 300+100

Где β max и β min максимальное и минимальное значения передачи по току.


Изменение обратного коллекторного тока в рабочем интервале
температур:
12
t max −20 ℃ t min −20 ℃ 40℃−20 ℃ −10 ℃−20℃
∆ I к 0=I к 0 2 ( φ
−2 φ )=2.1∗10 А ( 2
−6 7
−2 7 ) ≈ 15,12 м к А
Где I к 0 ≈ 2,1 мкА , 7 для кремниевого транзистора.
Напряжение на переходе база-эмиттер изменяется с температурой на
величину:
∆ U б э =2,2∗10−3 ( t max −t min ) =2,2∗10−3 ( 40 ℃−(−10 ℃ ) )=0 ,11 В
'

Определим R э:
Для расчета сопротивления эмиттера необходимо последовательно
найти: сопротивление нагрузки каскада, требуемое входное сопротивление
каскада и сопротивление обратной связи по переменному току
(сопротивление коррекции).
R к∗Rн доп 883 ¿ 103 Ом∗8∗103 Ом
Rн ' к = = ≈ 795 Ом
Rк + R н доп 883 ¿10 3 Ом+8∗103 Ом

Где Rн доп ≈ 8кОм, входное сопротивление следующего каскада.


β∗Rн ' к 100∗795 Ом
Rвх . тр= = ≈ 3,4 кОм
KК 24

Где β ≈100 - усиление по току;


K К = √3 14000 ≈ 24 - требуемый коэффициент усиления каскада.
Rвх . тр−r б ' э−r б ' б 4∗10 3 Ом−0,5∗10 3 Ом−10Ом
R э= = ≈ 34,6 Ом
β+ 1 100+1
Примем R э=40 Ом
Где r б ' б ≈ 10Ом - объемное сопротивление базы;
r б ' э ≈ 0,5 к Ом - сопротивление перехода база эмиттер.

Определим Rб :

Iк ∆ β I ∆β

Rб ≤ β
[
R э ∆ I к доп − ( ( ) )]
β β
+∆ Iк0 + к R −∆ U б э
β β вх
'

≤ 100∗¿
I ∆β
( ( ) )
β к
β β
+ ∆ I к 0 −∆ I к доп

¿
[
40∗ 2,5 ¿ 10−5 А− ( 0,847∗10−3 А
100
∗0,5+15.12∗10−6 А + )]
0,847∗10−3 А
100
∗0,5∗2,69∗103 Ом−0 , 11В
≤58
0,847∗10−3 А
100 ( 100
∗0 ,5+15.12∗10−6 А −2,5 ¿ 10−5 А )
13
Где ∆ I к доп=( 0,05−0,2 ) I к доп=0,025 мА
Где Rвх - входное сопротивление транзистора:

Rвх =r б ' б +
[( 22,5∗10−3
Iк ) ]
+ ∆ r ∗( β +1 ) =10 Ом+
[(
22,5∗10−3
0,847∗10−3 А ) ]
∗(100+ 1 ) ≈ 2 , 69 кОм

Возьмем Rб ≈ 58,3 кОм .


Зная, что Rб ≈ 58,3 кОм :
R1∗R 2
Rб =
R1 + R2

Примем R1=170 кОм и R2=40 кОм.


3 170∗103 Ом∗40 ¿ 103 Ом
58,3∗10 ≈
170∗10 3 Ом+ 40 ¿10 3 Ом
Теперь, рассчитав все величины оценим глубину обратной связи по
напряжению:
R1
∗β
R1 + R2 + Rвх 170∗103 Ом 1
A=1+ =1+ 3 3 3
∗¿ 3
Rб + Rэ ( β +1 ) 170∗10 Ом+ 40∗10 Ом+ 2,69∗10 Ом 58,3∗10 Ом+
Так как полученная величина A меньше 1,3 то значения R1, R2, Rб
выбраны корректно и уточнения не требуют.
Оценим ожидаемые приращения тока коллектора и напряжения
коллектор-эмиттер:
Зависимость тока коллектора от температуры для данной схемы:
1
∆ I к= ¿
A
∆ U кэ=∆ I к ( Rэ + R к ) =11,8 ¿ 10−5 А ( 40 Ом+883 Ом ) ≈ 0 ,109 В

Данные приращения тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер


невелики и составляют < 4%, что слабо сказывается по сравнению с прямыми
изменениями параметров транзистора.
Расчет корректирующей емкости
Коэффициент коррекции, соответствующий получению оптимальной
частотной характеристики по Бауде, в каскадах, описываемых единственным
RC звеном, например, в промежуточном каскаде с ОЭ:

14
τв 2

K opt = 1+
τ0( )−1=0,0 18

Где τ 0 – постоянная времени корректируемого звена:


τ 0=( R Г +r б б )∗¿ ¿
'

1 1
τ в= = ≈ 19 , 91нс
2 π f в 2∗3,14∗8 ¿ 106 Гц

Если, как это чаще всего бывает, используется коэффициент коррекции


меньше, чем оптимального по Брауде, то величина корректирующей емкости:

τ0 018∗105 ¿10−9 с
C э =K i K opt =20∗0 , ≈ 9.45 нФ
Rэ 40 Ом

Примем C э =0,975 нФ
Расчет элементов каскадов для области низких частот и больших времен
Расчет усилителя в области низких частот или больших времён
начинают с распределения искажений между каскадами. Искажения
выбирают одинаковыми во всех каскадах.
M нi =N√ M н =√2 1,26=1 ,12

По найденной величине искажения легко найти эквивалентные


постоянные времени каскада в области низких частот. Для широкополосного
усилителя имеем:
1 1
τ н= 2
= =5 , 6 мс
2 π f н √ M −1
нi 2∗3,14∗2 50 Гц∗√ 1 , 122−1

В большинстве одиночных каскадов имеются две цепи, влияющие на


параметры усилителя в области либо низких частот, либо больших времен.
Это переходная емкость, связывающая выход каскада и нагрузку, и емкость
эмиттреной термостабилизации. Если ввести обозначение α то в
широкополосном усилителе для постоянных времени каждой из цепей
получим:

15
τэ
α=
τб

1+α 2 с∗ 1+0,952
τ б=τ н √ =5,6 ¿ 10−3 √ ≈ 8,1 мс
α 1
τ э =τ н √ 1+ 0,72=5,6 ¿ 10−3 с∗√1+0,952 ≈ 7,7 мс

Коэффициент α берут от 0,4 до 1.


Расчет емкости конденсаторов во всех случаях производится по
формуле:
τб 8∗10−3 с
C блок = = ≈ 2 , 67 мкФ
R эн 3 ¿10 3 Ом

где R эн ≈ 3 кОм
Примем C блок =2,67 мкФ .

16
Моделирование

Соберем схему широкополосного усилителя, рассчитанного выше в


среде моделирования TINA-TI:

Рис. 5 Схема усилителя


Получим осциллограмму выходного сигнала на частотах в 250 Гц, 250 кГц и
8МГц:
Для 250 Гц:

Рис 6. Осциллограмма выходного сигнала при частоте усилителя 150 Гц.

17
Для 250 кГц:

Рис 7. Осциллограмма выходного сигнала при частоте усилителя 150 кГц.

18
Для 8МГц:

Рис 8. Осциллограмма выходного сигнала при частоте усилителя 12МГц.

Получим переходную характеристику:

19
Рисунок 9. Амплитудно-частотная характеристика усилителя.
Вычислим нелинейные искажения схемы для частоты 250 кГц:

Рис 9. Результаты Фурье анализа выходного сигнала.


Нелинейные искажения 30.333%

Вывод
20
Выполнен расчет усилителя гармонических сигналов,
удовлетворяющий требованиям, приведенным в техническом задание.
Схема усилителя реализована на трёх каскадах, собранных на
транзисторе 2N3501 по схеме усилительного каскада с общим эмиттером для
промежуточного, входного и выходного каскада. Все каскады идентичны
друг другу. Коэффициент усиления схемы равен 66 дБ на заданном участке
частот. Амплитудное значение напряжения на средних частотах равно 6 В.
Нелинейные искажения схемы 30.333%. Все остальные характеристики так
же удовлетворяют техническому заданию. Расчет большинства элементов
был согласован с температурной стабилизацией схемы.

21
Литература

1. Григорьев А. Г. Схемотехника аналоговых электронных


устройств: Методическое указания по курсовому проектированию/ А. Г.
Григорьев. – Красноярск: ИПК СФУ, 2008. – 64с.
2. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Методическое
пособие /В.В. Афанасьев, М.П. Данилаев, И.И. Нуриев, А.И. Усанов. –
Казань: Издательство Казань гос. техн. ун-та, 2007. – 48с.
3. Основы схемотехники: учебное пособие /В.В. Афанасьев, М.П.
Данилаев, И.И. Нуриев, А.И. Усанов – Казань: Изд-во Казан. гос. техн. ун-та,
2013. – 184с.
4. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой
мощности. Справочник / А.А. Зайцев, А.И. Миркин; под ред. А.В.
Голомедова. – М.: Радио и связь,1989 – 640 с.

22