Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования «Казанский национальный исследовательский
технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ»
(КНИТУ-КАИ)
Институт радиоэлектроники и телекоммуникаций
(наименование института (факультета), филиала)
Электронных и квантовых средств передачи информации
(наименование кафедры)
25.05.03. Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования
(шифр и наименование направления подготовки (специальности))
КУРСОВАЯ РАБОТА
по дисциплине: Формирование и передача сигналов
на тему: ВЧ-тракт радиопередающего устройства
_________________
(подпись, дата)
Казань 2020
1
2
АННОТАЦИЯ
В данной курсовой работе произведен расчет радиопередающего
устройства и усилителей мощности. По исходным данным были
подобраны активные элементы для оконечного и предоконечного каскадов
и рассчитаны их параметры, которые отвечают требованиям устойчивой
работы каскадов. При расчёте усилителя мощности были использованы
параметры транзистора ранее рассчитанной структурной схемы. Усилитель
удовлетворяет всем параметрам технического задания.
ABSTRACT
In this course work, the calculation of the radio transmitting device and
power amplifiers is made. Based on the initial data, active elements were
selected for the terminal and pre-terminal cascades and their parameters were
calculated, which meet the requirements for stable operation of the cascades.
When calculating the power amplifier, the transistor parameters of the
previously calculated block diagram were used. The amplifier meets all the
parameters of the technical specification.
Введение
Основная задача проектирования радиопередающего устройства
(РПдУ) состоит в выборе наиболее эффективных решений с учётом
государственных стандартов и современной элементной базы при
реализации РПдУ в зависимости от назначения, условий эксплуатации,
мощности в антенне, диапазона рабочих частот, вида модуляции,
нестабильности рабочей частоты, уровня внеполосного излучения.
Расчет радиопередающего устройства (РПдУ) ведется от конца к
началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ).
Модулятор (М) в зависимости от вида модуляции подключается или
в конце ВЧ тракта – при АМ или ИМ, или в начале ВЧ тракта – при ЧМ.
РА
РОК =
hf ×hКС
где
Рок – мощность на коллекторе оконечного каскада,
hf = 0,8...0,9
- кпд фидера,
h = 0,8...0,9 для П-, Г-, Т- образных фильтров,
КС
4
РОК
РВХОК =
КР
где Кр – коэффициент усиления по мощности
Основная часть
1.Расчет структурной схемы
1.1 Выбор активного элемента
РА
РОК [ Вт ] =
hf ×hКС
23
31.834
( 0.85 0.85)
1.1.2. Выбор активного элемента
По мощности подходят транзистор 2Т950А(справочник: Петухов
В.М. стр.443)
fТ >fраб> 3fβ
6
150 10 6 h
3 10 Используем 21э тип = 50
50
Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:
f
h21э = Т
fраб
=
5
6
150 10
3.488
6
43 10
Проверим справедливость неравенства:
22.9068
fТ >fраб> 3fβ
Для 2Т950А 150 ∙106 >43 ∙106> 3∙3∙106
h21э
404
32.
Условие выполняется, расчёт можно продолжать.
1
0
3
.
1
где
α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5
Sкр
– крутизна критического режима.
Для 2Т950А в справочнике rнас
1
SKP [ См ] = =
rнас
rнас[Ом]=0.15Ом
1
6.667
0.15
1 2 10
0.5 10 60 1 71.25
4 6.667 60
Р [Вт] = 31.834
Требуется ок
Транзистор 2Т950А подходит.
6
Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы
транзистора: Выбираем напряжение питания
ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:
UКЭmax доп 60
ЕК £ = 30
2 2
1 7.11
0.5 7.11 19 1 31.877
2 6.667 19
7
2
æf ö ÷
K Р = ççç max ÷ ÷ = 9.418761
÷
çè fpаб ø
÷
где ƒmax – максимальная частота усиления по мощности биполярного
транзистора.
zвх zБ h21Э zЭ
Далее производится расчет параметров выбранного транзистора
2Т950А:
Z вх Ом 0.6 j1
Для данного тр-ра
2 2
0.6 1 1.166
z Б rБ 2 2 f раб LБ
2
2
( 0.6)
2 6 9
2 3.14 43 10 ( 2.3) 10 0.864
СК – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.
КТ950А:
8
СК[пФ]=150
SП – крутизна по эмиттерному переходу /5/:
2Т950А:
42,5 ×IK1
SП [См ] = =
1 + 3,66 ×10- 3 ×t П
42.5 3.555
87.233
3
1 3.66 10 200
9
Выходная мощность ПредОК с учётом потерь в КС:
РвхОК
РПредОК [ Вт ] =
hКС
3.384
3.981
0.85
Далее расчет параметров производится аналогично расчёту ОК.
fТ >fраб> 3fβ
Для 2Т903А 400 ∙106 >43 ∙106> 3∙ 3.75 ∙106
h21э
h21э0
10
fТ
f
Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты.
1.1.3. Проверка получения на выбранном транзисторе возможной
мощности
1 æ 2 ×IК max доп ÷ ö
ç
P [ Вт ] £ ×a 1 ×IК max доп ×UКЭ max доп çç1- ÷
÷=
4 çè Sкр ×U КЭ max доп ÷
÷
ø
где
α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5
Sкр
– крутизна критического режима.
Рассчитаем rнас :
Для транзистора 2Т903А:
UКЭ нас 1
rнас [ Ом ] » = SKP [ См ] = =
IК нас rнас
1
2
1
2
Рассчитаем мощность при использовании транзистора 2Т903А
1 2 3
0.5 3 60 1 20.25
4 1 60
Р [Вт] = 3.981
Требуется ок
Транзистор 2Т903А подходит.
Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы
транзистора. Выбираем напряжение питания
ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:
UКЭmax доп 60
ЕК £ = 30
2 2
1 0.583
0.5 0.583 28 1 3.996
2 1 28
11
По заданию требуется РОК=3.981Вт, т.е. транзистор 2Т903А подходит.
2
æf ÷ ö
K Р = ççç max ÷ ÷
çè fpаб ÷
÷
ø
=104/43=5.8081
12
zвх в общем случае определяется по формуле:
zвх zБ h21Э zЭ
Далее производится расчет параметров выбранного транзистора
2Т903А:
Z вх Ом 0.6 j1
Для данного тр-ра
Модуль входного сопротивления:
zвх [ Ом ] = rБ2 + xБ2 =
2 2
0.6 1 1.166
z Б rБ 2 2 f раб LБ
2
2
( 0.6)
2 6 9
2 3.14 43 10 ( 10) 10 2.766
СК – емкость коллекторного перехода
2Т903А:
СК[пФ]=180
SП – крутизна по эмиттерному переходу:
2Т903А:
42,5 ×IK1
SП [См ] = =
1 + 3,66 ×10- 3 ×t П
42.5 0.292
8.012
3
1 3.66 10 150
13
Сопротивление эмиттера rэ рассчитывается по формуле:
1
rэ [Ом ] = =
Sп
1
0.125
8.012
rЭ 2 f раб LЭ
2 2
zЭ
2
( 0.125 0)
2 6 9
2 3.14 43 10 ( 10 0) 10 2.703
L – индуктивность выводов:
2Т903А:
LБ =10 нГн
LЭ =10 нГн
Входная мощность
РПредОК
Pвх Вт
ПредОК
KP
3.981
0.685
5.8081
Все параметры сведем в таблицу.
14
Расчет усилителя мощности (УМ)
При расчёте УМ используют параметры транзистора 2Т950А из
структурной схемы, определенные по методике (1).
8 0.15 31.834
19 0.5 0.5 1 17.935
2
0.5 19
0.319
3.55 2.265
0.5
IК0 £ I К0 доп
1.5. Высота импульса коллекторного тока:
I К0
IК mах = =
a 0 ( qВЧ )
15
2.265
7.1
0.319
7.1 £ 10 А
19 2.265 43.035
31.834
0.74
43.035
проверка:
0,78 f h f 0,5
1.8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
Р расс = Р0 - Р1 =
43.035 31.834 11.201
Р расс p РКдоп
11.201 84
16
6 12
1 0.5 2 43 10 150 10 5.052 1.102
;
при правильном выборе транзистора c £ 1,5
RБК
Rдоп
h21эо
RБК = =
2p fт ×Ск
50
353.678
6 12
2 150 10 150 10
2
h21 э
I К0 × 1+ 2
h21 ér æ 1 ÷ öù
RДОП = эо
×êê Б + rЭ ×ççç1+ ÷
÷
ú=
ú
h h ç
è h ÷
21э øû
I Б ×g 0 ( p - q) × 21э ëê 21э ú
h21эо
2
3.488
2.265 1
2
0.011 1 8.99
50 0.6 1
2.113 0.319
3.488 3.488 3.488
50
h g ( p - q) ×Rдоп ér æ 1 ÷ öù
ЕБЭ = - I Б × 21э × 0 + Еотс + I ко ×êê Б + rэ ×ççç1+ ÷
÷
ú=
ú
h21эо 2
h21э h
êë 21э ç
è h ÷
21э øú
1+ 2 û
h21эо
17
0.319 8.99
0.7 2.265 0.012 1 0.676
3.488 0.6 1
2.249
50 2 3.488 3.488
3.488
1
2
50
где Еотс=Е′;
g 0 ( 1800 - 900 ) = 0,319
;
fТ
=
fраб
h21э – коэффициент передачи по току на рабочей частоте h21э=
6
150 10
3.488
6
43 10
*
Rдоп p Rдоп
Если , то расчет проведен правильно, в дальнейших расчетах
используется Rдоп.
2.4.Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе
h ( 1+ Соsq) Rдоп
ЕБЭ max [В] = - I Б × 21э × + Еотс =
h21эо 2
h21
1+ 2 э
h21эо
Lэ
Lвх оэ = LБ + =
2.5. c
9
9 2.1 10 9
2.3 10 4.206 10
1.102 UБнас
rБ = =
IБ нас
=0.6
4.2
1.4
3
c ú=
êë úû
18
1 0.5 2 150 106 50 10 12 5.052 (0.6) (4.488) (0.011) 0.5 2 150 106 2.1 10 9 0 4.684
1.102
12
СК 150 10 11
СК А = = 5 10
z 3
где СК = СК + СК , А П
é(r + R ù
êБ
ë Б корр ) + ( 1 + g1 ( q) ×h21э ) ×(RЭкорр + rэ )ú
û- r
RВХ ОЭ = é1- g1 ( q) ù=
вх оэ + Rдоп ×ë
c û
h21э
Свхоэ = =
2p fт ×Rвх оэ
3.488 10
3.734 10
6
2 150 10 9.911
19
2
æh21э ö÷
çç ÷
çèh ø÷ ÷
21эо
rвх = rвх оэ + Rвх оэ × =
æ h21 2 ö÷
çç1 + э
÷
çè h 2 ÷
÷
21оэ ø
2
3.488
4.684 9.911
50 4.732
2
3.488
1
2
50
h21э
h21эо
хвх = 2p f ×Lвх оэ - Rвх оэ × =
æ h21 2 ö
э ÷
çç1 + ÷
çè h 2 ø÷ ÷
21оэ
3.488
6
2 43 10 4.206 10 9.911
9 50
0.448
2
3.488
1
2
50
2.6. Входная мощность:
U2
Рвх = 0,5 ×I Б2 ×rвх = 0,5 × вх =
rвх
2
0.5 ( 2.249) 4.732 11.967
31.834
2.66
11.967
I э0 = I Б0 + I К0 =
20
1
2
( 2 11.967 4.732) 10.642
1.50717.935
13.514
2
0.212 23
2 34.984
0.5 3
13.514 10
21
40 j 30
при
XA f r :
XA
QA = =
r
30
0.6
50
34.984
13.994
2.5
ρ RА ρ1 ρ2
X1 X2 RА
Rэкв или Rэкв X1 X2 X3
или
Rвх
Rвх
Рис. 3.1,а Q1 = Q2 = Q
Рис. 3.1,б
22
1<Q <5. (3.3)
В дальнейших формулах подставляем величину добротности Q, которой
задались для одиночного П-контура Q = 2.332 для сдвоенного – Q = 1.5.
Таблица 3.1.
Параметр контура Значения параметра для П-контура
одного двух
Полоса пропускаемых 2D f =
fраб
= 2D f =
1,41fраб
=
частот Q Q
6 6
43 10 7 1.41 43 10
1.844 10 7
2.332 4.042 10
1.5
КПД системы контуров hк = 1-
Q
= hк = 1-
2Q
=
Qx .x Qx .x
2 1.5
2.332 1 0.97
1 0.977 100
100
Таблица 3.2.
Этапы Формулы для расчета схем
расчета Рис. 3.1,а Рис. 3.1,б
1. Rср = Rэкв ×RА =
5.052 40 14.215
23
2. Х2 =
RA + Rср
= Х1 =
Rэкв ×Q + Rср
=
Q Q2 - 1
40 14.215 5.052 1.5 14.215
23.248 17.434
2.332 2
1.5 1
3. X вн =
Х 2 ×R 2
А
= Х3 =
RА ×Q + Rср
=
RА2 + X 22 Q2 - 1
23.248 40
2 40 1.5 14.215
17.378 59.372
2 2 2
40 23.248 1.5 1
4. rвн =
2
Х ×RА
2
= Х2 =
Х1 ×Х3
=
RА2 + X 22 Rср
2 17.434 59.372
23.248 40 72.817
10.1 14.215
2 2
40 23.248
5. Х1 = rвн ×( Rэкв - rвн ) = r 1 = Х1 + Х 2 =
17.434 72.817 90.251
10.1 ( 5.052 10.1) 7.14i
6. r = Х L = X1 + X вн = r 2 = Х2 + Х3 =
7.14i 17.378 17.378 7.14i 72.817 59.372 132.189
90.251 132.189
1.5
72.817
Рассчитаем С2
24
1 11
5.083 10
6
2 43 10 72.817
Рассчитаем С3
1 11
6.234 10
6
2 43 10 59.372
r r
L= = =
w0 2p f0
Рассчитаем L1
90.251 7
3.34 10
6
2 43 10
Рассчитаем L2
132.189 7
4.893 10
6
2 43 10
причем надо иметь в виду, что в умеренном диапазоне частот (до 100 МГц)
полученная индуктивность должна быть L > 50 нГн.
C1конд = C1 - Cк =
10 12 11
2.123 10 150 10 6.23 10
С2 конд = С2 = 50.83 пФ
C3конд = C3 = 62.34 ×10- 12
где Ск – емкость коллекторного перехода,
Сэ.след.к – входная емкость эмиттерного перехода следующего каскада.
Номиналы по ГОСТу соответственно: 62 пФ, 50.83 пФ, 62.34 пФ, 0.33мкГн
0.47мкГн.
Заключение
В процессе работы рассчитали структурную схему ВЧ тракта. В
соответствии с исходными данными был подобраны транзисторы 2Т950А для
оконечного каскада и 2Т903А для предоконечного каскада. Для каждого
каскада рассчитаны коэффициенты усиления по мощности, удовлетворяющие
25
требованиям. А также рассчитали схему усилителя мощности на оконечном
каскаде.
26
Список литературы
1. Радиопередающие устройства. /Под ред. В.В.
Шахгильдяна; - М.: Радио и связь, 1996. – 560с
2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов. /Под
ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина.
3. Проектирование радиопередающих устройств. Под ред.
А.П.Сиверса. Учебное пособие для вузов, М., 1976. Авторы: Клич С.М.,
Кривенко А.С., Носиков Г.Н. и др.
4. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы:
Справочник./Под ред. А.В.Голомедова – М.: Радио и связь, 1985.
Приложение:
27
28
Рис1.Схема электрическая структурная
29