Вы находитесь на странице: 1из 29

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования «Казанский национальный исследовательский
технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ»
(КНИТУ-КАИ)
Институт радиоэлектроники и телекоммуникаций
(наименование института (факультета), филиала)
Электронных и квантовых средств передачи информации
(наименование кафедры)
25.05.03. Техническая эксплуатация транспортного радиооборудования
(шифр и наименование направления подготовки (специальности))

КУРСОВАЯ РАБОТА
по дисциплине: Формирование и передача сигналов
на тему: ВЧ-тракт радиопередающего устройства

Обучающийся гр.5308 Павлов Г.Ю.

Руководитель ассистент Бобина Е.А

Курсовая работа зачтена с оценкой __________________

_________________
(подпись, дата)

Казань 2020

1
2
АННОТАЦИЯ
В данной курсовой работе произведен расчет радиопередающего
устройства и усилителей мощности. По исходным данным были
подобраны активные элементы для оконечного и предоконечного каскадов
и рассчитаны их параметры, которые отвечают требованиям устойчивой
работы каскадов. При расчёте усилителя мощности были использованы
параметры транзистора ранее рассчитанной структурной схемы. Усилитель
удовлетворяет всем параметрам технического задания.

ABSTRACT
In this course work, the calculation of the radio transmitting device and
power amplifiers is made. Based on the initial data, active elements were
selected for the terminal and pre-terminal cascades and their parameters were
calculated, which meet the requirements for stable operation of the cascades.
When calculating the power amplifier, the transistor parameters of the
previously calculated block diagram were used. The amplifier meets all the
parameters of the technical specification.
Введение
Основная задача проектирования радиопередающего устройства
(РПдУ) состоит в выборе наиболее эффективных решений с учётом
государственных стандартов и современной элементной базы при
реализации РПдУ в зависимости от назначения, условий эксплуатации,
мощности в антенне, диапазона рабочих частот, вида модуляции,
нестабильности рабочей частоты, уровня внеполосного излучения.
Расчет радиопередающего устройства (РПдУ) ведется от конца к
началу, т.е. от передающей антенны до возбудителя (автогенератора – АГ).
Модулятор (М) в зависимости от вида модуляции подключается или
в конце ВЧ тракта – при АМ или ИМ, или в начале ВЧ тракта – при ЧМ.

Рис. 1. Обобщенная структурная схема ВЧ- тракта РПдУ

Исходя из заданной мощности в антенне РА , необходимо определить


мощность, которую должен выдать выбранный транзистор с учетом потерь
в фидере h и колебательной системе h :
f КС

РА
РОК =
hf ×hКС

где
Рок – мощность на коллекторе оконечного каскада,
hf = 0,8...0,9
- кпд фидера,
h = 0,8...0,9 для П-, Г-, Т- образных фильтров,
КС

h = 0,5 для контура.


КС

Входная мощность оконечного каскада:

4
РОК
РВХОК =
КР
где Кр – коэффициент усиления по мощности

Мощность на коллекторе транзистора предоконечного каскада с


учетом потерь в колебательной системе:
РВХОК
РПрОК =
hКС

Основная часть
1.Расчет структурной схемы
1.1 Выбор активного элемента

1.1.1. Расчет оконечного каскада (ОК)


Исходные данные:
Мощность в антенне РА=23Вт
Рабочая частота fраб=43МГц
  0,8…0,9 кс = 0,8…0,9

РА
РОК [ Вт ] =
hf ×hКС

23
 31.834
( 0.85  0.85)
1.1.2. Выбор активного элемента
По мощности подходят транзистор 2Т950А(справочник: Петухов
В.М. стр.443)
fТ >fраб> 3fβ

fT =150МГц– граничная частота


fT [Гц ] = h21э спр
×fспр
=
Для транзистора 2Т950А
6 8
5  30  10  1.5  10
fT
fb [Гц ] = =
h21э0

6
150  10 6 h
 3  10 Используем 21э тип = 50
50
Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:
f
h21э = Т
fраб
=

5
6
150  10
 3.488
6
43  10
Проверим справедливость неравенства:

22.9068
fТ >fраб> 3fβ
Для 2Т950А 150 ∙106 >43 ∙106> 3∙3∙106

h21э
404
32.
Условие выполняется, расчёт можно продолжать.

1
0
3
.
1

Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты.


1.1.3 Проверка получения на выбранном транзисторе возможной
мощности
120

1 æ 2 ×IК max доп ÷ ö


ç
P [ Вт ] £ ×a 1 ×IК max доп ×UКЭ max доп çç1- ÷
÷=
4 çè Sкр ×U КЭ max доп ÷
÷
ø
М
М
М
М
,
f

где
α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5
Sкр
– крутизна критического режима.
Для 2Т950А в справочнике rнас
1
SKP [ См ] = =
rнас
rнас[Ом]=0.15Ом
1
 6.667
0.15

Рассчитаем мощность при использовании транзистора 2Т950А

1  2  10 
 0.5  10  60  1   71.25
4   6.667  60 

Р [Вт] = 31.834
Требуется ок
Транзистор 2Т950А подходит.
6
Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы
транзистора: Выбираем напряжение питания
ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:
UКЭmax доп 60
ЕК £ =  30
2 2

Зададим Eк=19В, IКmax=7.11А,


определим возможную мощность:

1  7.11 
 0.5  7.11  19   1    31.877
2  6.667  19 

По заданию требуется РОК=31.834т, т.е. транзистор 2Т950А подходит.

1.2. Определим коэффициент усиления по мощности:


2
æ f ¢ ö÷ æЕК ö÷2 æР ¢ö
ç
К Р » К Р¢ ×çç ÷ ×ççç max ÷ ×ççç 1 ÷
÷
÷ ÷
çèfраб ø÷ çè ЕК¢ ø÷ çèР1 ø÷
÷ ÷
,
2
 6 2
 80  10   19   70 
7       24.499
6 28
 43  10     31.877 
 
где параметры со штрихом K'P , f ', E'K , P'1 – параметры выбранного
транзистора, приведенные в справочнике,
ƒраб – рабочая частота,
P1 – требуемая мощность,
EK – задаваемое напряжение питания.

Получение мощности P1 > P'1 приводит к снижению надежности


транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в
результате расчета
25…30 > KP > 1,5
25…30 > 24.499 > 1,5

7
2
æf ö ÷
K Р = ççç max ÷ ÷ = 9.418761
÷
çè fpаб ø
÷
где ƒmax – максимальная частота усиления по мощности биполярного
транзистора.

1.4.1Максимальная частота усиления мощности fmax.

fmax [ Гц ] = fT ×g1 (qВЧ ) 8p ×zвх ×СК =


6
150  10  0.51 8
 1.32  10
 12
8  3.14   1.166  150  10

zвх в общем случае определяется по формуле:

zвх  zБ  h21Э  zЭ
Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

1.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по


схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)
Определим параметры транзисторов:
1.3.1. Входное сопротивление
Z Б  Ом   rБ  jxБ
Z Б  Ом   rБ  j раб LБ

2Т950А:
Z вх  Ом   0.6  j1
Для данного тр-ра

Модуль входного сопротивления:


zвх [ Ом ] = rБ2 + xБ2 =

2 2
0.6  1  1.166

z Б  rБ 2   2  f раб  LБ  
2

2
( 0.6)  
2 6  9
2  3.14  43  10  ( 2.3)  10   0.864
СК – емкость коллекторного перехода приводится в справочнике.
КТ950А:

8
СК[пФ]=150
SП – крутизна по эмиттерному переходу /5/:
2Т950А:

42,5 ×IK1
SП [См ] = =
1 + 3,66 ×10- 3 ×t П
42.5  3.555
 87.233
3
1  3.66  10  200

IK1 – ток первой гармоники коллекторного тока


IK1 [ A] = IK max ×a 1 ( qНЧ ) = 7.11  0.5  3.555
1.3.2. Сопротивление эмиттера rэ
1
rэ [Ом ] = =
Sп
1
 0.011
87.233
 rЭ    2  f раб   LЭ   
2 2
zЭ 
2
( 0.011  0)  
2 6  9
2  3.14  43  10  ( 2.1  0)  10   0.567
1.3.3L – индуктивность выводов
2Т950А:
LБ =2.3нГн
LЭ =2.1нГн
Входная мощность
Рок max
Pвхок  Вт  
KP
31.877
 3.384
9.418761
Все параметры сведем в таблицу.
Ikmax, А Eк, В КР Pок, Вт Pвх, Вт
7.11 19 9.41876 31.877 3.384
1

Итак, все параметры ОК каскада определены и отвечают требованиям


устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого КПД.

1.4 Выбор активного элемента предоконечного каскада


1.4.1 Расчет мощности предоконечного каскада

9
Выходная мощность ПредОК с учётом потерь в КС:
РвхОК
РПредОК [ Вт ] =
hКС

3.384
 3.981
0.85
Далее расчет параметров производится аналогично расчёту ОК.

1.4.2Выбор активного элемента


По мощности подходят транзистор 2Т903А(справочник: Петухов
В.М. стр.383).
fТ >fраб> 3fβ

fT [Гц ] = h21э спр


×fспр
Для транзистора 2Т903А:
6 8
4  30  10  1.2  10
fT
fb [Гц ] = =
h21э0
6 h21э тип =32(см. спр-к).
120  10 6 Используем
 3.75  10
32
Коэффициент усиления по току на рабочей частоте:
f
h21э = Т
fраб
=
6
120  10
 2.791
6
43  10
Проверим справедливость неравенства:
0,707h21э0

fТ >fраб> 3fβ
Для 2Т903А 400 ∙106 >43 ∙106> 3∙ 3.75 ∙106
h21э
h21э0

Условие выполняется, расчёт можно продолжать.


1
0

10

f
Рис.3. Зависимость коэффициента усиления по току от частоты.
1.1.3. Проверка получения на выбранном транзисторе возможной
мощности
1 æ 2 ×IК max доп ÷ ö
ç
P [ Вт ] £ ×a 1 ×IК max доп ×UКЭ max доп çç1- ÷
÷=
4 çè Sкр ×U КЭ max доп ÷
÷
ø
где
α1 - коэффициент Берга, при θ = 90◦ α1=0.5
Sкр
– крутизна критического режима.

Рассчитаем rнас :
Для транзистора 2Т903А:
UКЭ нас 1
rнас [ Ом ] » = SKP [ См ] = =
IК нас rнас
1
2
 1
2
Рассчитаем мощность при использовании транзистора 2Т903А
1  2 3 
 0.5  3  60  1   20.25
4   1  60 

Р [Вт] = 3.981
Требуется ок
Транзистор 2Т903А подходит.
Поскольку запас по мощности большой, уточним режим работы
транзистора. Выбираем напряжение питания
ЕК – напряжение питания, выбирается из следующего выражения:
UКЭmax доп 60
ЕК £ =  30
2 2

Зададим Eк=28В, IКmax=0.583А,


определим возможную мощность:

1  0.583 
 0.5  0.583  28   1    3.996
2  1  28 

11
По заданию требуется РОК=3.981Вт, т.е. транзистор 2Т903А подходит.

1.2. Определим коэффициент усиления по мощности:


2
æ f ¢ ö÷ æЕК ö2 æР ¢ö
ç
К Р » К Р¢ ×çç ÷ ÷ ×ççç max ÷
÷
÷ ×ççç 1 ÷
÷
çèfраб ø÷ çè ЕК¢ ø÷ çèР1 ø÷
÷ ÷
2
 6 2
 50  10   28   10 
3       8.876
 43  106   30   3.981 
 

где параметры со штрихом K'P , f ', E'K , P'1 – параметры выбранного


транзистора, приведенные в справочнике,
ƒраб – рабочая частота,
P1 – требуемая мощность,
EK – задаваемое напряжение питания.

Получение мощности P1 > P'1 приводит к снижению надежности


транзистора. Целесообразно выбрать такой транзистор, у которого в
результате расчета

25…30 > KP > 1,5


25…30 > 8.876> 1,5

По формуле (2.2) коэффициент усиления по мощности можно


определить для биполярных транзисторов, у которых приведены
необходимые параметры в справочнике. К сожалению, такие параметры
имеются только для мощных высокочастотных транзисторов. В таких
случаях рассчитывают коэффициент усиления по мощности /3.4/ по
следующей формуле:

2
æf ÷ ö
K Р = ççç max ÷ ÷
çè fpаб ÷
÷
ø
=104/43=5.8081

где ƒmax – максимальная частота усиления по мощности биполярного


транзистора.
2.1.7.Максимальная частота усиления мощности fmax.
fmax [ Гц ] = fT ×g1 (qВЧ ) 8p ×zвх ×СК =
6
120  10  0.51 8
 1.077  10
 12
8  3.14   1.166  180  10

12
zвх в общем случае определяется по формуле:

zвх  zБ  h21Э  zЭ
Далее производится расчет параметров выбранного транзистора

1.3.Параметры биполярного транзистора и усилителя мощности по


схеме с общим эмиттером (УМ с ОЭ)
Определим параметры транзисторов:
1.3.1. Входное сопротивление
Z Б  Ом   rБ  jxБ
Z Б  Ом   rБ  j раб LБ

2Т903А:
Z вх  Ом   0.6  j1
Для данного тр-ра
Модуль входного сопротивления:
zвх [ Ом ] = rБ2 + xБ2 =

2 2
0.6  1  1.166

z Б  rБ 2   2  f раб  LБ  
2

2
( 0.6)  
2 6  9
2  3.14  43  10  ( 10)  10   2.766
СК – емкость коллекторного перехода
2Т903А:
СК[пФ]=180
SП – крутизна по эмиттерному переходу:
2Т903А:

42,5 ×IK1
SП [См ] = =
1 + 3,66 ×10- 3 ×t П
42.5  0.292
 8.012
3
1  3.66  10  150

IK1 – ток первой гармоники коллекторного тока


IK1 [ A] = IK max ×a 1 ( qНЧ ) = 0.583 0.5  0.292
tП – температура перехода [◦С] для выбранного транзистора tП=1500С

13
Сопротивление эмиттера rэ рассчитывается по формуле:
1
rэ [Ом ] = =
Sп
1
 0.125
8.012
 rЭ    2  f раб   LЭ   
2 2
zЭ 
2
( 0.125  0)  
2 6  9
2  3.14  43  10  ( 10  0)  10   2.703

L – индуктивность выводов:
2Т903А:
LБ =10 нГн
LЭ =10 нГн

Входная мощность
РПредОК
Pвх  Вт  
ПредОК
KP
3.981
 0.685
5.8081
Все параметры сведем в таблицу.

Ikmax, А Eк, В КР PПредОК, Вт PвхПредОК, Вт


0.583 28 5.8081 3.981 0.685

Итак, все параметры ПредОК каскада определены и отвечают


требованиям устойчивой работы каскада, требуемой мощности, высокого
КПД.

14
Расчет усилителя мощности (УМ)
При расчёте УМ используют параметры транзистора 2Т950А из
структурной схемы, определенные по методике (1).

1. Расчет коллекторной цепи транзистора.

1.1. Амплитуда первой гармоники напряжения на коллекторе Uк кр в


критическом режиме:
é 8 ×rнас ×Р1 ùú
Uк кр = Ек ×êê0,5 + 0,5 × 1- =
êë a 1 ( q ) ×Ек2 úú
û

 8  0.15  31.834
19   0.5  0.5  1    17.935
2
 0.5  19 

угол отсечки 1200>θнч>800 ,


1.2.Максимальное напряжение на коллекторе.
UК mах = ЕК + Uк кр =
19  17.935 36.935

UК mах £ UКЭ mах доп


1.3. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:
2 ×Р1
IК1 = =
Uк кр
2  31.834
 3.55
17.935

1.4. Постоянная составляющая коллекторного тока:


a0 ( q )
I К0 = ×I =
a 1 ( q ) k1

0.319
 3.55  2.265
0.5

IК0 £ I К0 доп
1.5. Высота импульса коллекторного тока:
I К0
IК mах = =
a 0 ( qВЧ )

15
2.265
 7.1
0.319

IК mах £ IК mах доп ,

7.1 £ 10 А

1.6. Мощность, потребляемая от источника питания:


Р0 = ЕК ×I К 0 =

19  2.265  43.035

1.7. Коэффициент полезного действия коллекторной цепи:


Р1
h= =
Р0

31.834
 0.74
43.035

проверка:
0,78 f h f 0,5
1.8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:
Р расс = Р0 - Р1 =
43.035 31.834 11.201

Р расс p РКдоп
11.201  84

1.9. Сопротивление коллекторной нагрузки:


Uк2кр Uк кр
Rэкв. = = =
2 ×Р1 I к1
2
17.935
 5.052
2  31.834

2. Расчет базовой (входной) цепи транзисторного генератора по схеме ОЭ.


2.1. Амплитуда первой гармоники базового тока:
IК1 2
h21 э c
IБ = × 1+ × =
h21э 2
h21 эо g ( q
1 ВЧ )
2
3.55 3.488 1.102
 1   2.249
3.488 2 0.5
50
h21э тип = 50
коэффициент усиления по току на рабочей частоте
h21э = 3.488
c = 1+ g1 ( qВЧ ) ×2p fраб ×Ск ×Rэкв. =

16
6  12
1  0.5  2    43  10  150  10  5.052  1.102
;
при правильном выборе транзистора c £ 1,5

2.2.Максимально возможная величина сопротивления на радиочастоте


резистора, включенного между базовым и эмиттерным выводами
транзистора:
* h21эо
Rдоп » =
2p fт ×Сэ Rуэ ® ¥
при
50
 48.229
6  12
2    150  10  1100  10

RБК

Rдоп

h21эо
RБК = =
2p fт ×Ск

50
 353.678
6  12
2    150 10  150  10

Если RБК < 500 [Ом], то RБК применять не рекомендуется,


2.3.Величина дополнительного резистора Rдоп, задающего смещение
ЕБЭ=Еотс, т.е. θ=900.

2
h21 э
I К0 × 1+ 2
h21 ér æ 1 ÷ öù
RДОП = эо
×êê Б + rЭ ×ççç1+ ÷
÷
ú=
ú
h h ç
è h ÷
21э øû
I Б ×g 0 ( p - q) × 21э ëê 21э ú
h21эо

2
3.488
2.265 1 
2
   0.011   1    8.99
50 0.6 1

2.113  0.319
3.488  3.488  3.488
50

h g ( p - q) ×Rдоп ér æ 1 ÷ öù
ЕБЭ = - I Б × 21э × 0 + Еотс + I ко ×êê Б + rэ ×ççç1+ ÷
÷
ú=
ú
h21эо 2
h21э h
êë 21э ç
è h ÷
21э øú
1+ 2 û
h21эо

17
0.319 8.99
 0.7  2.265   0.012  1    0.676
3.488 0.6 1
2.249  
50 2  3.488  3.488
3.488
1
2
50

где Еотс=Е′;
g 0 ( 1800 - 900 ) = 0,319
;

=
fраб
h21э – коэффициент передачи по току на рабочей частоте h21э=
6
150  10
 3.488
6
43  10
*
Rдоп p Rдоп
Если , то расчет проведен правильно, в дальнейших расчетах
используется Rдоп.
2.4.Максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе

h ( 1+ Соsq) Rдоп
ЕБЭ max [В] = - I Б × 21э × + Еотс =
h21эо 2
h21
1+ 2 э
h21эо

3.488 ( 1  cos ( 90) )  8.99


2.249   0.7  0.077
50 2
3.488
1
2
50

ЕБЭ max p UБЭ mах доп


0.077 < 4


Lвх оэ = LБ + =
2.5. c
9
9 2.1  10 9
2.3  10   4.206 10
1.102 UБнас
rБ = =
IБ нас
=0.6
4.2
 1.4
3

é( 1+ g ( q) ×2p f ×С ×R ) ×(r ) + ( h + 1) ×é(r ) + g ( q) ×2p f ×( L ) ùù


rВХ ОЭ = êê
1 т КА экв. Б 21Э ëэ 1 т э ûú

c ú=
êë úû

18
 1  0.5  2    150  106  50  10 12  5.052  (0.6)  (4.488)  (0.011)  0.5  2    150  106   2.1  10 9  0  4.684
1.102

 12
СК 150  10  11
СК А = =  5 10
z 3

где СК = СК + СК , А П

é(r + R ù
êБ
ë Б корр ) + ( 1 + g1 ( q) ×h21э ) ×(RЭкорр + rэ )ú
û- r
RВХ ОЭ = é1- g1 ( q) ù=
вх оэ + Rдоп ×ë
c û

( 0.6  10.5)  ( 1  0.5  3.488)  ( 0  0.011)


 4.684  8.99  ( 1  0.5)  9.911
1.102

h21э
Свхоэ = =
2p fт ×Rвх оэ
3.488  10
 3.734 10
6
2   150 10  9.911

Если Rвх оэ – отрицательное, то усилитель мощности будет работать


неустойчиво, необходимо изменить режим УМ или ввести RЭкорр.

Zвх = rвх + j ×xвх

19
2
æh21э ö÷
çç ÷
çèh ø÷ ÷
21эо
rвх = rвх оэ + Rвх оэ × =
æ h21 2 ö÷
çç1 + э
÷
çè h 2 ÷
÷
21оэ ø

2
 3.488
 
4.684  9.911 
 50   4.732
2
3.488
1
2
50
h21э
h21эо
хвх = 2p f ×Lвх оэ - Rвх оэ × =
æ h21 2 ö
э ÷
çç1 + ÷
çè h 2 ø÷ ÷
21оэ

3.488
6 
2    43  10  4.206 10   9.911
9 50
 0.448
2
3.488
1
2
50
2.6. Входная мощность:
U2
Рвх = 0,5 ×I Б2 ×rвх = 0,5 × вх =
rвх

2
0.5  ( 2.249)  4.732  11.967

2.7. Коэффициент усиления по мощности:


Р1
кр = =
Рвх

31.834
 2.66
11.967

2.8.Постоянные составляющие базового и эмиттерного токов:



I Б0 = 0 =
h21э
2.265
 0.649
3.488

I э0 = I Б0 + I К0 =

0.649  2.265  2.914

Uвх = 2 ×Рвх ×rвх =


2.9.

20
1
2
( 2  11.967 4.732)  10.642

с учетом RБ корр =10.5


Uвх £ (UБЭ mах доп + IБ 0 ×RБкорр )
4  0.649 10.5  10.815
10.642 < 10.815
2.10.Уточненное значение величины смещения на Б:
ЕБЭ = Еотс - Uвх ×сosqвч =

0.7  10.539 cos    0.7

2
Полученная величина ЕБЭ должна совпадать со значением п.2.3.
3. Расчет согласующих цепей.
Ik 2   2(90) Ik  0.212 Ik max

0.2127.11  1.507
I U
k2 kkp
P 
2 2


1.50717.935
 13.514
2

3.1. При расчете согласующей цепи ОК необходимо определить


коэффициент фильтрации, исходя из заданной выходной мощности в
антенне РА и мощности второй гармоники Р2 = 13.514 мВт:
a Р
Фобщ = n × n × А =
a1 Р2

0.212 23
2   34.984
0.5 3
13.514 10

где n = 2 – номер гармоники


α1, αn – коэффициенты разложения последовательности
косинусоидальных импульсов выходного тока.
a 1 ( 90o ) = 0,5 a 2 ( 90o ) = 0,212
;
Ф *
общ [ дБ ] = 20lgФобщ =
20  log( 34.984)  30.877
3.2. Полученный коэффициент фильтрации необходимо распределить между
фильтром согласующей цепи выходного каскада Ф и антенным контуром
ФА:
Фобщ = Ф ×ФА
ФА = n ×QА =
2  1.25  2.5
где n = 2 – номер гармоники.
Q – добротность антенного контура.
Определим добротность антенного контура, имеющего сопротивление:
ZА = RА + j ×x А =

21
40  j  30

где RA – активное сопротивление антенны,


ХА – реактивное сопротивление антенны.
при A
X p r:
r
QA = =
RA
50
 1.25
40

при
XA f r :
XA
QA = =
r

30
 0.6
50

3.3.Определим коэффициент фильтрации согласующей цепи выходного


каскада:
Фобщ
Ф= =
ФА

34.984
 13.994
2.5

3.4. Исходя из требуемого коэффициента Ф, рассчитаем параметры


согласующей цепи. Рассмотрим два варианта согласующей цепи.
XL

ρ RА ρ1 ρ2
X1 X2 RА
Rэкв или Rэкв X1 X2 X3
или
Rвх
Rвх
Рис. 3.1,а Q1 = Q2 = Q
Рис. 3.1,б

Исходным для расчета является выбор добротности колебательных


контуров. Для одиночного П-контура
Ф
QКС = 2
n (n - 1) / n при n = 2, Qкс = Ф/6= (3.1)
13.994
 2.332
6
для сдвоенного П-контура
Ф
QКС = =
n5
13.994
 0.661
5
2
(3.2)
Если значения ф. (3.1) или ф. (3.2) меньше единицы, то задаются
добротностью:

22
1<Q <5. (3.3)
В дальнейших формулах подставляем величину добротности Q, которой
задались для одиночного П-контура Q = 2.332 для сдвоенного – Q = 1.5.
Таблица 3.1.
Параметр контура Значения параметра для П-контура
одного двух
Полоса пропускаемых 2D f =
fраб
= 2D f =
1,41fраб
=
частот Q Q
6 6
43  10 7 1.41  43  10
 1.844 10 7
2.332  4.042 10
1.5
КПД системы контуров hк = 1-
Q
= hк = 1-
2Q
=
Qx .x Qx .x
2  1.5
2.332 1  0.97
1  0.977 100
100

где Qx.x - добротность ненагруженного контура, Qx.x = 100.


Прежде чем приступить к расчету параметров фильтра, необходимо
убедиться также в том, что заданное сопротивление нагрузки больше
минимально допустимого:
Ra=40
для одного П-контура
Rэкв
RA f Rн min = =
Q2 или RВХ след. каск.>RНmin
5.052
 0.929
2
2.332
для системы двух П-контуров
Rэкв
RA f Rн min = =
(Q2 - 1)2 или RВХ след. каск.>RНmin
5.052
 3.233
 1.5  1
2
2

Сначала рассчитываются параметры схемы (рис.3.1,а) по формулам


таблицы 3.2.

Таблица 3.2.
Этапы Формулы для расчета схем
расчета Рис. 3.1,а Рис. 3.1,б
1. Rср = Rэкв ×RА =

5.052 40  14.215

23
2. Х2 =
RA + Rср
= Х1 =
Rэкв ×Q + Rср
=
Q Q2 - 1
40  14.215 5.052 1.5  14.215
 23.248  17.434
2.332 2
1.5  1
3. X вн =
Х 2 ×R 2
А
= Х3 =
RА ×Q + Rср
=
RА2 + X 22 Q2 - 1

23.248 40
2 40  1.5  14.215
 17.378  59.372
2 2 2
40  23.248 1.5  1
4. rвн =
2
Х ×RА
2
= Х2 =
Х1 ×Х3
=
RА2 + X 22 Rср
2 17.434 59.372
23.248  40  72.817
 10.1 14.215
2 2
40  23.248
5. Х1 = rвн ×( Rэкв - rвн ) = r 1 = Х1 + Х 2 =
17.434 72.817 90.251
10.1 ( 5.052 10.1)  7.14i
6. r = Х L = X1 + X вн = r 2 = Х2 + Х3 =
7.14i 17.378 17.378 7.14i 72.817 59.372 132.189

Мнимые числа не имеют физического смысла, то есть однозвенный фильтр в


данном случае не подходит.
r
Qпров. » =
rвн
Проверяем добротность
17.378 7.14i
 1.721  0.707i
10.1
Q »Q
Если пров. , то расчет фильтра верен.
Если в ф.5 (табл. 3.2) при определении реактивного сопротивления Х1 под
корнем получается отрицательное число, то одиночный П-контур не
реализуется. В этом случае необходимо задаться другой величиной
добротности или рассчитать схему (рис.3.1,б). После расчета параметров
двухзвенного фильтра (рис.3.1,б) также необходимо определить добротность
r 1 ×r 2
Qпров. = =
Х2

90.251 132.189
 1.5
72.817

Полученная Qпров должна совпадать с выбранной добротностью Q (Qпров ≈Q,


Q = 1.5 ).
Элементы фильтров определяются по формулам:
1 1
С= = =
w0 ×Х 2p f0 ×X
Рассчитаем С1
1  10
 2.123 10
6
2    43  10  17.434

Рассчитаем С2

24
1  11
 5.083 10
6
2    43  10  72.817

Рассчитаем С3
1  11
 6.234 10
6
2    43  10  59.372

r r
L= = =
w0 2p f0
Рассчитаем L1

90.251 7
 3.34  10
6
2    43  10

Рассчитаем L2
132.189 7
 4.893 10
6
2    43  10

причем надо иметь в виду, что в умеренном диапазоне частот (до 100 МГц)
полученная индуктивность должна быть L > 50 нГн.
C1конд = C1 - Cк =
 10  12  11
2.123 10  150  10  6.23 10

С2 конд = С2 = 50.83 пФ
C3конд = C3 = 62.34 ×10- 12
где Ск – емкость коллекторного перехода,
Сэ.след.к – входная емкость эмиттерного перехода следующего каскада.
Номиналы по ГОСТу соответственно: 62 пФ, 50.83 пФ, 62.34 пФ, 0.33мкГн
0.47мкГн.

Заключение
В процессе работы рассчитали структурную схему ВЧ тракта. В
соответствии с исходными данными был подобраны транзисторы 2Т950А для
оконечного каскада и 2Т903А для предоконечного каскада. Для каждого
каскада рассчитаны коэффициенты усиления по мощности, удовлетворяющие

25
требованиям. А также рассчитали схему усилителя мощности на оконечном
каскаде.

26
Список литературы
1. Радиопередающие устройства. /Под ред. В.В.
Шахгильдяна; - М.: Радио и связь, 1996. – 560с
2. Радиопередающие устройства: Учебник для вузов. /Под
ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина.
3. Проектирование радиопередающих устройств. Под ред.
А.П.Сиверса. Учебное пособие для вузов, М., 1976. Авторы: Клич С.М.,
Кривенко А.С., Носиков Г.Н. и др.
4. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы:
Справочник./Под ред. А.В.Голомедова – М.: Радио и связь, 1985.

Приложение:

27
28
Рис1.Схема электрическая структурная

Рис2 .Принципиальная схема

29