Вы находитесь на странице: 1из 7

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ, 2018, том 82, № 3, с.

  395–401

УДК 539.216.2

ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ


ПЛЕНОК ПРИ ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ РАСПЫЛЕНИИ:
ЭКСПЕРИМЕНТ И  МОДЕЛИРОВАНИЕ
© 2018 г. А. В. Тумаркин*, В. А. Вольпяс, М. В. Злыгостов, А. А. Одинец, Е. Н. Сапего
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет “ЛЭТИ” имени В. И. Ульянова (Ленина)
*E-mail: avtumarkin@yandex.ru

Экспериментально исследовано изменение элементного состава сегнетоэлектрических тонких пле-


нок твердых растворов титанатов, цирконатов и станнатов бария и стронция, полученных методом
ионно-плазменного распыления керамических мишеней при различных давлениях рабочего газа. Ин-
терпретация полученных экспериментальных результатов проведена на основе статистического мо-
делирования процессов транспорта потоков распыленных атомов Ba, Sr, Sn, Zr и Ti в газовой среде.
Показано, что результаты моделирования достаточно корректно (в пределах 5%) описывают измене-
ние элементного состава в широком диапазоне давлений рабочего газа. Проведенные эксперимен-
тальные и теоретические исследования позволили выбрать оптимальные значения технологических
параметров для получения сегнетоэлектрических тонких пленок с заданным элементным составом,
определяющим их электрофизические свойства.

DOI: 10.7868/S0367676518030304

В  настоящее время существует устойчивый температурному коэффициенту емкости (ТКС)


интерес к сегнетоэлектрическим (СЭ) материа- трехслойных СЭ-элементов порядка 10–3 К–1 в ди-
лам, обусловленный возможностью создания на апазонах температур (–10–20) °С и  (20–90) °С.
их основе электрически управляемых сверхвысо- Наилучшие на сегодня результаты по темпера-
кочастотных (СВЧ) устройств [1–4]. Сегодня на турной стабильности СЭ-структур опубликова-
базе СЭ-тонких пленок реализованы лаборатор- ны в работе [15]. ТКС двухслойных элементов на
ные макеты управляемых фильтров, конденсато- основе BST-пленок с  содержанием Ва 50 и  90%
ров с высокой добротностью и фазовращателей не превышает 10–4 К–1 в  диапазоне температур
для частотного диапазона вплоть до 60 ГГц [5–8]. (–25–125) °С, что сопоставимо с аналогичной ве-
Наиболее перспективными для СВЧ-применений личиной полупроводниковых элементов.
являются твердые растворы BaxSr1–xTiO3 (BST) Отметим, что сегодня независимо от метода
[9], BaZrxTi1–xO3 (BZT) [10, 11] и  BaSnxTi1– xO3 получения пленок для формирования многослой-
(BSnT) [12, 13], электрофизические свойства ко- ных структур переменного компонентного состава
торых изменяются в широких пределах в зависи- в основном применяется последовательное осаж-
мости от элементного состава. дение слоев из нескольких источников (распыле-
Одним из основных факторов, ограничиваю- ние мишеней различного компонентного соста-
щих использование сегнетоэлектриков в технике ва, использование различных смесей прекурсоров
СВЧ, является сильная зависимость свойств мате- и т. д.). Смена источников, даже в едином техно-
риала от температуры. Очевидно, что исследования логическом цикле, приводит к кратковременному
технологии получения сегнетоэлектрических пле- прерыванию процесса осаждения и, как следствие,
нок, направленные на минимизацию температур- к образованию дефектного переходного слоя меж-
ной зависимости их свойств, являются актуальной ду осаждаемыми слоями. Как альтернатива тако-
задачей. му подходу, в работах [16, 17] продемонстрирова-
В  частности, перспективным методом по- на возможность создания градиентных по составу
вышения температурной стабильности свойств СЭ-пленок методом ионно-плазменного распы-
СЭ-элементов является использование много- ления (ИПР) одного источника материала (мише-
слойных структур на основе пленок различно- ни определенного состава). Управление составом
го состава. В  обзоре [14] приводятся данные по пленки происходит за счет создания направленных

395
396 Тумаркин и др.

потоков одних компонентов на подложку и диф- в пределах которых возможно получение пленок
фузионных потоков других, что достигается за необходимого элементного состава [16–18]. Таким
счет изменения давления рабочего газа в процессе образом, проведение моделирования является не-
осаждения. Такой подход дает возможность избе- обходимым начальным этапом в технологическом
жать формирования дефектных слоев, возникаю- цикле получения многокомпонентных пленок.
щих при смене источника, и реализовать структуру Для анализа процессов, происходящих в газо-
с непрерывным изменением компонентного соста- вой фазе при распылении керамических мишеней
ва по толщине. титаната бария–стронция, тианата–станната и ти-
Таким образом, знание зависимости свойств таната–цирконата бария, использована модель
пленочных твердых растворов, осаждаемых мето- транспорта атомных частиц в  газах, основанная
дом ИПР, от такого технологического параметра на расчете параметров взаимодействия распылен-
как давление рабочего газа становится принципи- ных атомов с газовой средой в пространстве дрей-
ально важным с точки зрения получения пленок фа мишень–подложка методом Монте-Карло [18].
заданного элементного состава и  проектирова- Данная модель позволяет оценить диапазон тех-
ния СВЧ-элементов на их основе. В связи с этим нологических параметров управляемого осажде-
в данной работе исследуются сегнетоэлектрические ния многокомпонентных покрытий методом ИПР
пленочные твердые растворы титанатов, станнатов и  может быть использована для моделирования
и  цирконатов бария и  стронция, осажденные на процессов осаждения широкого спектра много-
подложки монокристаллического сапфира методом компонентных соединений в любой газовой среде,
ИПР при различных давлениях рабочего газа; про- используемой в данной технологии.
водится сопоставление экспериментальных данных Процесс переноса частиц от мишени к подлож-
по элементному составу полученных пленок с ре- ке определяется рядом следующих эффектов: об-
зультатами моделирования процессов транспорта разование направленного потока частиц, упругое
распыленных атомов в газовой среде. рассеяние на атомах рабочего газа, термализация
Осаждение пленочных покрытий методом ион- и диффузионное распространение распыленного
но-плазменного распыления можно условно раз- потока. Под термализацией атомных частиц под-
делить на два этапа. Первый этап, состоящий из разумевается потеря ими энергии при столкно-
распыления мишени и  транспорта частиц через вениях с  частицами газовой среды до состояния
газовую среду, определяет характеристики пото- термодинамического равновесия с ней. Длина тер-
ка частиц, достигших подложки. Компонентный мализации атомов напрямую влияет на соотноше-
состав распыляемой мишени, давление и  состав ние потоков компонентов на подложку и приводит
рабочего газа, расстояние между катодом и  под- к  изменению компонентного состава растущей
ложкой – основные факторы, определяющие вид пленки по сравнению с  распыляемой мишенью.
энергетического спектра распыленных атомов, Количественные оценки длины зоны термализа-
процесс их переноса в пространстве дрейфа ми- ции распыленных частиц позволяют определить
шень–подложка, энергетические и  угловые рас- границу между их направленным и диффузионным
пределения атомов, осаждающихся на подложку. движением.
Второй этап – это процессы, происходящие на по- На основе моделей распыления многокомпо-
верхности подложки, определяемые, в первую оче- нентных мишеней и  транспорта распыленных
редь, ее температурой. атомов [18–21] рассчитаны значения длин терма-
Управление потоками осаждаемых на подложку лизации исследуемых элементов, скоростей до-
атомов в процессе ИПР возможно на основе по- ставки атомов на подложку и соотношение ком-
нимания физических процессов, происходящих понентов тонких пленок BST, BZT и  BSnT при
при распылении многокомпонентных мишеней распылении мишеней Ba0.3Sr0.7TiO3, BaZr0.5Ti0.5O3
и транспорта частиц через газовую среду. и  BaSn0.5Ti0.5O3 в  диапазоне давлений рабочего
Статистическое моделирование процессов ион- газа  – кислорода 2–60 Па. Выбор составов рас-
но-плазменного осаждения пленочных покрытий пыляемых мишеней и технологических режимов
позволяет оценить энергетические характеристики осаждения пленок сделан на основе предыдущих
распыленных атомов и количественные соотноше- исследований, позволивших определить область
ния элементов, приходящих на подложку, в зави- технологических параметров для получения пле-
симости от технологических параметров процесса: нок BST, BZT и BSnT с электрофизическими ха-
энергии газового разряда, давления и состава рабо- рактеристиками, достаточными для СВЧ-примене-
чего газа, геометрических размеров распылитель- ний [5, 11, 13].
ной системы. При помощи моделирования про- Характерный вид рассчитанных простран-
цессов распыления и транспорта частиц возмож- ственных зон термализации потоков распылен-
но определить диапазоны параметров процесса, ных атомов на примере Ва и  Sr при различных

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018


ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…397

давлениях рабочего газа O2 представлен на рис. 1. плоскость мишени

Пространственная граница зоны термализации


распыленных атомов соответствует термализации Sr
Ba 0.7 см
95% их первоначального потока. На рис. 2 изоб­ 0.95 см
ражена сравнительная диаграмма, демонстриру- 10 Па
ющая значения длины Т зоны термализации для
всех исследуемых элементов при давлении кис-
лорода 2 и  10  Па, построенная по результатам
моделирования. Sr
Из рис. 1 и 2 видно, что при давлении рабоче- 3.42 см

го газа 2 Па длина зоны термализации атомов Ва Плоскость подложки 35 мм

и  в  меньшей степени Sn превышает расстояние Ba


мишень–подложка (35  мм), следовательно, дан- 4.76 см 2 Па
ные атомы на подложку осаждаются как из прямо-
го, так и из диффузионного потока, тогда как Zr, Sr Рис. 1. Пространственные зоны термализации
и Ti достигают подложки исключительно в диффу- Ba и Sr в кислороде при давлении 2 и 10 Па.
зионном режиме.
При увеличении давления рабочего газа уже до
10 Па длина зоны термализации всех распылен-
ных из исследуемых мишеней атомов становится Т, см
5
меньше расстояния дрейфа мишень–подложка,
2 Па
и на подложку они осаждаются в диффузионном 4
режиме. 10 Па
Очевидно, что атомы Ba, Sn, Zr, Sr и Ti с разной 3
вероятностью будут достигать подложки, располо-
женной в центре круговой магнетронной распыли- 2
тельной системы, в силу различного характера их
рассеяния в газовой среде. При низких давлениях 1
рабочего газа наиболее тяжелые атомы будут оса-
ждаться преимущественно под кольцевой зоной 0
Ba Sn Zr Sr Ti
распыления мишени. При увеличении давления
состав потока распыленных атомов, достигших Рис. 2. Длина зоны термализации распыленных ато-
поверхности рассматриваемой подложки, изменя- мов Ba, Sn, Zr, Sr и Ti в кислороде.
ется в сторону увеличения концентрации Ва. Это
обусловлено тем, что направленный дрейф атомов
бария в результате термализации сменяется диф-
W(Ba, Sr), отн. ед. W(Zr, Sn, Ti), отн. ед.
фузным движением. В силу разницы в массах “вир-
0.009 0.010
туальный” источник диффузионных атомов Ва, Ba
определяемый границей зоны термализации, на- Sr
ходится ближе к подложке, чем для остальных ато- 0.008
0.007 Zr
мов. Поэтому с увеличением давления плотность Sn
потока атомов бария, достигающих подложки, бу- Ti 0.006
дет нарастать, и их концентрация в пленке будет 0.005
увеличиваться. При этом скорость осаждения рас- 0.004
пыленных атомов на подложку может существенно
уменьшаться в области высоких давлений. 0.003
0.002
Вероятности доставки распыленных атомов W
из активной зоны распыления мишени на под- 0
0.001
ложку размером 15 × 15 мм, расположенную на оси 0 10 20 30 40 50 60
распылительной системы, рассчитанные соглас- P, Па
но модели [18] при различных давлениях рабочего
газа, представлены на рис. 3. На данном графике Рис. 3. Вероятности доставки распыленных атомов
на подложку в системах BST, BSnT и BZT при раз-
сопоставляются замещающие друг друга компо-
личных давлениях рабочего газа.
ненты твердого раствора, т. е. Ba/Sr при распыле-
нии мишени Ba0.3Sr0.7TiO3; Zr/Ti и Sn/Ti при рас-
пылении мишеней BaZr0.5Ti0.5O3 и  BaSn0.5Ti0.5O3,

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018


398 Тумаркин и др.

Компонентный состав в системах BST, BSnT и BZT по результатам статистического моделирования и данным
РИСЭ

BST

Номер Ba/(Ba+Sr)
Р, Па Ti/(Ba+Sr) V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод.
1927 2 0.15 0.17 1 42
1935 10 0.23 0.24 1 36
1939 60 0.32 0.33 1 14
BZT
Номер Ba/(Zr+Ti) Zr/(Zr+Ti)
Р, Па V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод. экс. мод.
2267 2 0.8 0.85 0.58 0.54 31
2271 10 1.1 1.2 0.55 0.53 28
2268 60 2.4 2.4 0.52 0.52 20
BSnT
Номер Ba/(Sn+Ti) Sn/(Sn+Ti)
Р, Па V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод. экс. мод.
2267 2 0.9 0.92 0.54 0.52 55
2266 10 1.2 1.25 0.55 0.53 50
2268 60 1.47 1.5 0.56 0.54 26

соответственно. Сравнительный анализ распреде- Е ≈ 227 кэВ, для регистрации которых использо-
ления вероятности доставки на подложку Ba и Sr вался электростатический анализатор. Угол рассе-
для системы BST при различных значениях давле- яния составлял 120°. Для каждого образца были по-
ния газовой среды показывает, что подложка при лучены энергетические спектры рассеянных ионов
низких давлениях оказывается обедненной барием в  режиме произвольной ориентации пучка I(E).
(относительно состава мишени) и  обогащенной На основании зависимости I(E) путем сопостав-
стронцием. В системах BZT и BSnT в исследуемом ления экспериментально измеренных и расчетных
диапазоне давлений наблюдается близкий к сте­ спектров определялся состав пленок и их толщина.
хиометрическому перенос распыленных атомов Sn, Исследуемые пленки были получены методом
Zr и Ti на подложку. ВЧ магнетронного распыления керамических ми-
Для сопоставления результатов моделирования шеней Ba0.3Sr0.7TiO3, BaZr0.5Ti0.5O3 и BaSn0.5Ti0.5O3
с экспериментальными данными методом рассе- диаметром 76 мм. Расстояние мишень–подложка
яния ионов средних энергий (РИСЭ) исследован во всех случаях составляло 35 мм, диаметр внеш-
компонентный состав пленок BST, BZT и  BSnT, него и внутреннего кольца зоны распыления – 32
осажденных при комнатной температуре и различ- и 12 мм соответственно. Перед процессом осажде-
ных давлениях рабочего газа, с целью исключения ния проводилось предраспыление мишени в сто-
из рассмотрения высокотемпературных процессов роне от подложкодержателя в течение 30 мин с це-
на подложке. РИСЭ является модификацией ме- лью очистки поверхности. Осаждение проводилось
тода резерфордовского обратного рассеяния ио- на подложки чистого сапфира (r-срез). В качестве
нов (РОР) и отличается от последнего диапазоном рабочего газа использовался кислород. Мощность
энергий ионов зондирующего пучка (единицы – разряда составляла 140 Вт, давление рабочего газа
десятки МэВ в РОР и десятки–сотни кэВ в РИСЭ). изменялось в интервале от 2 до 60 Па. После осаж-
Снижение энергии ионного пучка позволяет за дения пленки охлаждались в  атмосфере чистого
счет применения электростатических анализато- кислорода со скоростью 2–3 °С ∙ мин–1.
ров энергий обратнорассеянных ионов повысить Данные по относительному содержанию компо-
разрешение по глубине исследуемых образцов. нентов (по результатам моделирования и по данным
В  данной работе для исследования пленок при- РИСЭ) и скорости осаждения V исследуемых пле-
менялись пучки ионов Не+ с начальной энергией нок приведены в таблице. Приведенные в таблице

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018


ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…399

экспериментальные данные по элементным составам Ba/(Ba + Sr), отн. ед.


получены в результате моделирования РИСЭ-спек- 0.4
тров, где они являются варьируемыми параметрами Ba/(Ba + Sr) РИСЭ
итерационной процедуры. Подробно о технике мо- Ba/(Ba + Sr) мод
делирования см. [22]. Отметим, что энергетическая 0.3
ширина пиков в спектрах РИСЭ определяется сред-
ней толщиной исследуемой пленки, а отношение 0.2
амплитуд – элементным составом образца. Экспе-
риментальные данные согласуются с результатами
проведенного моделирования в пределах 5%. Типич- 0.1
ный РИСЭ-спектр обратнорассеянных ионов Не+ от
пленок BST приведен на рис. 4.
0
Сравнение экспериментальных и  расчетных 2 10 60
данных по содержанию элементов в исследуемых P, Па
твердых растворах для различных давлений рабо-
чего газа представлено на рис. 5–7. Эксперимен- Рис. 5. Содержание бария в пленочных твердых рас-
творах BST, осажденных при различных давлениях
тальные исследования и результаты моделирова- кислорода по данным РИСЭ и моделирования. Го-
ния показывают, что в исследуемых тонких плен- ризонтальным пунктиром отмечено содержание Ва
ках при давлении 2  Па наблюдается недостаток в мишени.
атомов Ba по сравнению с составом распыляемых
мишеней, что связано с  большой длиной зоны
термализации элемента, превышающей расстоя- Zr/(Zr + Ti), Ba/(Zr + Ti), отн. ед.
ние мишень–подложка. При увеличении давления 2.5
рабочего газа от 2 до 60 Па содержание Ва на под- Zr/(Zr + Ti) РИСЭ
ложке возрастает, а количество атомов Sr, Sn, Zr 2.0 Zr/(Zr + Ti) мод
и Ti (относительно Ва) уменьшается с разной сте- Ba/(Zr + Ti) РИСЭ
1.5
пенью интенсивности, обратно пропорциональной Ba/(Zr + Ti) мод
их массам. Отметим, что Ва оказывается наиболее 1.0
чувствительным к изменению давления рабочего
газа, как самый тяжелый среди исследуемых эле- 0.5
ментов. Если отношение Zr/Ti и  Sn/Ti остается
практически неизменным во всем исследуемом 0
диапазоне давлений, то изменение содержания Ва 2 10 60
в рассматриваемых твердых растворах составляет P, Па
от 1.6 до 3 раз.
Рис. 6. Содержание бария и циркония в пленочных
Из графиков видно, что результаты модели- твердых растворах BZT, осажденных при различных
рования и  эксперимента достаточно хорошо давлениях кислорода по данным РИСЭ и моделиро-
вания. Горизонтальным пунктиром отмечено содер-
жание Ва в мишени, сплошной линией – содержа-
I, отн. ед. 2 Па (х = 0.19)
ние Zr и Ti.
1100 10 Па (х = 0.23)
60 Па (х = 0.32)
1000
900 согласуются между собой. Расхождения между экс-
800 периментальными данными и результатами моде-
700 лирования можно объяснить тем, что используемая
модель оценивает компонентный состав потока
600
распыленных частиц, достигших подложки, и не
500
учитывает образование химических соединений на
400 подложке и реиспарение с нее. Данные процессы
300 определяются температурой подложки.
200 Согласно данным РИСЭ, скорость осаждения
100 пленок BSnT существенно превышает аналогичную
0
40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
величину для систем BST и BZT (см. рис. 8). Это
E, кэВ позволяет сделать вывод о более эффективном рас-
пылении мишени BSnT по сравнению с BST и BZT,
Рис. 4. РИСЭ-спектр обратнорассеянных ионов Не+ что, по-видимому, объясняется различными хими-
от BST-пленок на сапфире. ческими свойствами оксидных твердых растворов

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018


400 Тумаркин и др.

Sn/(Sn + Ti), Ba/(Sn + Ti), отн. ед. частиц в газовой среде позволяет определить диа-
2.5 пазон давлений рабочего газа, в котором возможно
Sn/(Sn + Ti) РИСЭ управление потоками компонентов с целью влия-
2.0 Sn/(Sn + Ti) мод ния на свойства пленок сложного стехиометриче-
Ba/(Sn + Ti) РИСЭ ского состава. В случае используемой геометрии
1.5 Ba/(Sn + Ti) мод распылительной системы в диапазоне 2–10 Па про-
исходит переход из направленного в диффузион-
1.0 ный режим распространения распыленных атомов
исследуемых элементов. Использование статисти-
0.5
ческого моделирования позволяет адекватно опи-
сывать механизмы, приводящие к изменению со-
0
2 10 60 става (атомного соотношения Ba/Sr, Sn/Ti и Zr/Ti)
P, Па осажденных пленок при варьировании давления
рабочего газа, и выбирать режимы технологическо-
Рис. 7. Содержание бария и олова в пленочных твер- го процесса для получения многокомпонентных
дых растворах BSnT, осажденных при различных
давлениях кислорода по данным РИСЭ и моделиро- пленок заданного состава. При помощи изменения
вания. Горизонтальным пунктиром отмечено содер- давления рабочего газа в процессе осаждения мно-
жание Ва в мишени, сплошной линией – содержа- гокомпонентной пленки появляется возможность
ние Sn и Ti. по-разному влиять на длину термализации атомов
различных масс, плотность потока и скорость до-
ставки распыленных атомов к подложке, т. е. появ-
V, Å · мин−1 ляется возможность получать покрытия с перемен-
60 ным составом по толщине пленки.
55
50 BSnT
50 Исследование выполнено при частичной фи-
BST
42 нансовой поддержке РФФИ в  рамках научных
40 BZT
36 проектов 16-07-00617, 16-08-00808, 16-29-0514
30
31
28 и Минобрнауки России (государственное задание
26
№ 3.3990.2017/4.6).
20
20
14
10
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
0
2 10 60
P, Па 1. Cole M.W., Weiss C.V., Ngo E. et al. // Appl. Phys. Lett.
2008. V. 92. P. 182.
Рис. 8. Скорости осаждения пленок BST, BSnT 2. Yang L., Ponche F., Wang G. et al. // Appl. Phys. Lett.
и BZT при различных давлениях кислорода. 2010. V. 97. P. 162.
3. Вендик О.Г.  // Физика тв. тела. 2009. Т. 51. № 7.
С. 1441.
(в частности, энергиями связи олова – p-элемента 4. Luo C., Ji J., Ling F. et al. // J. of Alloys and Comp. 2016.
и циркония и титана – d-элементов). Также можно V. 687. P. 458.
предположить, что различие в окислительно-вос- 5. Тумаркин А.В., Тепина Е.Р., Ненашева Е.А. и  др.  //
становительных потенциалах исследуемых эле- Ж. техн. физики. 2012. Т. 82. № 6. С. 53.
ментов существенно влияет как на их адсорбцию 6. Буслов О.Ю., Кейс В.Н., Козырев A.Б. и др. // Ж. техн.
на подложке, так и на скорость образования соот- физики. 2005. Т. 75. № 9. С. 89.
ветствующего оксида. 7. Козырев А.Б., Иванов А.В., Солдатенков О.И. и др. //
Таким образом, в работе показано, что варьи- Письма в ж. техн. физики. 2001. Т. 27. № 24. С. 16.
рованием давления рабочего газа при ионно-плаз- 8. Козырев А.Б., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г. и  др.  //
менном распылении керамических мишеней BST, Письма в ж. техн. физики. 2002. Т. 28. № 6. С. 51.
BSnT и BZT можно в широких пределах изменять 9. Tumarkin A.V., Gagarin A.G., Altynnikov A.G. et al.  //
содержание атомов бария в осаждаемых слоях, что Thin Sol. Films. 2015. V. 593. P. 189.
важно для оптимизации составов исследуемых 10. Kim J.W., Shima H., Yamamoto T. et al. // Japan. J. of
твердых растворов. Статистическое моделирова- Appl. Phys. 2014. V. 53. P. 09PB04.
ние процесса ионно-плазменного распыления ке- 11. Тумаркин А.В., Разумов С.В., Гагарин А.Г. и  др.  //
рамических мишеней и транспорта распыленных Письма в ж. техн. физики. 2016. Т. 42. № 3. С. 61.

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018


ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…401

12. Zhu G., Yan D., Xu H. et al. // Mater. Lett. 2015. V. 140. 18. Volpyas V.A., Kozyrev A.B. // J. Exper. and Theor. Phys.
P. 155. 2011. V. 113. № 1. P. 172.
13. Tumarkin A., Stozharov V., Altynnikov A. et al. // Integr. 19. Volpyas V.A., Petrov P.K., Chakalov R.A.  // Vacuum.
Ferroelect. 2016. V. 173. № 1. P. 157. 1999. № 52. P. 427.
14. Cole M.W. // Ferroelectrics. 2014. V. 470. P. 67. 20. Volpyas V.A., Dymashevski P.M.  // Techn. Phys. 2001.
15. Гайдуков М.М., Тумаркин М.М., Гагарин А.Г. и др. // V. 11. № 46. P. 1347.
Письма в ж. техн. физики. 2014. Т. 40. № 8. С. 37. 21. Hollmann E.K., Volpyas V.A., Wordenweber R.  //
16. Вольпяс В.А., Тумаркин А.В., Михайлов А.К. и др. // Physica  C: Superconduct. and its Appl. 2005. V. 425.
Письма в ж. техн. физики. 2016. Т. 42. № 14. С. 87. № 3. P. 101.
17. Тумаркин А.В., Разумов С.В., Вольпяс В.А. и  др.  // 22. Afrosimov V.V., Il’in R.N., Karmanenko S.F. et al. // Thin
Ж. техн. физики. 2017. Т. 87. № 10. С. 1585. Sol. Films. 2005. V. 492. P. 146.

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018