ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ, 2018, том 82, № 3, с.

  395–401

УДК 539.216.2

ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ

ПЛЕНОК ПРИ ИОННО-ПЛАЗМЕННОМ РАСПЫЛЕНИИ:
ЭКСПЕРИМЕНТ И  МОДЕЛИРОВАНИЕ
© 2018 г. А. В. Тумаркин*, В. А. Вольпяс, М. В. Злыгостов, А. А. Одинец, Е. Н. Сапего
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение
высшего образования Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет “ЛЭТИ” имени В. И. Ульянова (Ленина)
*E-mail: avtumarkin@yandex.ru

Экспериментально исследовано изменение элементного состава сегнетоэлектрических тонких пле-

нок твердых растворов титанатов, цирконатов и станнатов бария и стронция, полученных методом
ионно-плазменного распыления керамических мишеней при различных давлениях рабочего газа. Ин-
терпретация полученных экспериментальных результатов проведена на основе статистического мо-
делирования процессов транспорта потоков распыленных атомов Ba, Sr, Sn, Zr и Ti в газовой среде.
Показано, что результаты моделирования достаточно корректно (в пределах 5%) описывают измене-
ние элементного состава в широком диапазоне давлений рабочего газа. Проведенные эксперимен-
тальные и теоретические исследования позволили выбрать оптимальные значения технологических
параметров для получения сегнетоэлектрических тонких пленок с заданным элементным составом,
определяющим их электрофизические свойства.

DOI: 10.7868/S0367676518030304

В  настоящее время существует устойчивый температурному коэффициенту емкости (ТКС)

интерес к сегнетоэлектрическим (СЭ) материа-
лам, обусловленный возможностью создания на
их основе электрически управляемых сверхвысо-
кочастотных (СВЧ) устройств [1–4]. Сегодня на
базе СЭ-тонких пленок реализованы лаборатор-
ные макеты управляемых фильтров, конденсато-
ров с высокой добротностью и фазовращателей
для частотного диапазона вплоть до 60 ГГц [5–8].
Наиболее перспективными для СВЧ-применений
являются твердые растворы BaxSr1–xTiO3 (BST)
[9], BaZrxTi1–xO3 (BZT) [10, 11] и  BaSnxTi1– xO3
(BSnT) [12, 13], электрофизические свойства ко-
торых изменяются в широких пределах в зависи-
мости от элементного состава.
Одним из основных факторов, ограничиваю-
щих использование сегнетоэлектриков в технике
СВЧ, является сильная зависимость свойств мате-
риала от температуры. Очевидно, что исследования
технологии получения сегнетоэлектрических пле-
нок, направленные на минимизацию температур-
ной зависимости их свойств, являются актуальной
задачей.
В  частности, перспективным методом по-
вышения температурной стабильности свойств
СЭ-элементов является использование много-
слойных структур на основе пленок различно-
го состава. В  обзоре [14] приводятся данные по
трехслойных СЭ-элементов порядка 10–3 К–1 в ди-
апазонах температур (–10–20) °С и  (20–90) °С.
Наилучшие на сегодня результаты по темпера-
турной стабильности СЭ-структур опубликова-
ны в работе [15]. ТКС двухслойных элементов на
основе BST-пленок с  содержанием Ва 50 и  90%
не превышает 10–4 К–1 в  диапазоне температур
(–25–125) °С, что сопоставимо с аналогичной ве-
личиной полупроводниковых элементов.
Отметим, что сегодня независимо от метода
получения пленок для формирования многослой-
ных структур переменного компонентного состава
в основном применяется последовательное осаж-
дение слоев из нескольких источников (распыле-
ние мишеней различного компонентного соста-
ва, использование различных смесей прекурсоров
и т. д.). Смена источников, даже в едином техно-
логическом цикле, приводит к кратковременному
прерыванию процесса осаждения и, как следствие,
к образованию дефектного переходного слоя меж-
ду осаждаемыми слоями. Как альтернатива тако-
му подходу, в работах [16, 17] продемонстрирова-
на возможность создания градиентных по составу
СЭ-пленок методом ионно-плазменного распы-
ления (ИПР) одного источника материала (мише-
ни определенного состава). Управление составом
пленки происходит за счет создания направленных

395
396 Тумаркин и др.
потоков одних компонентов на подложку и диф-
фузионных потоков других, что достигается за
счет изменения давления рабочего газа в процессе
осаждения. Такой подход дает возможность избе-
жать формирования дефектных слоев, возникаю-
щих при смене источника, и реализовать структуру
с непрерывным изменением компонентного соста-
ва по толщине.
Таким образом, знание зависимости свойств
пленочных твердых растворов, осаждаемых мето-
дом ИПР, от такого технологического параметра
как давление рабочего газа становится принципи-
ально важным с точки зрения получения пленок
заданного элементного состава и  проектирова-
ния СВЧ-элементов на их основе. В связи с этим
в данной работе исследуются сегнетоэлектрические
пленочные твердые растворы титанатов, станнатов
и  цирконатов бария и  стронция, осажденные на
подложки монокристаллического сапфира методом
ИПР при различных давлениях рабочего газа; про-
водится сопоставление экспериментальных данных
по элементному составу полученных пленок с ре-
зультатами моделирования процессов транспорта
распыленных атомов в газовой среде.
Осаждение пленочных покрытий методом ион-
но-плазменного распыления можно условно раз-
делить на два этапа. Первый этап, состоящий из
распыления мишени и  транспорта частиц через
газовую среду, определяет характеристики пото-
ка частиц, достигших подложки. Компонентный
состав распыляемой мишени, давление и  состав
рабочего газа, расстояние между катодом и  под-
ложкой – основные факторы, определяющие вид
энергетического спектра распыленных атомов,
процесс их переноса в пространстве дрейфа ми-
шень–подложка, энергетические и  угловые рас-
пределения атомов, осаждающихся на подложку.
Второй этап – это процессы, происходящие на по-
верхности подложки, определяемые, в первую оче-
редь, ее температурой.
Управление потоками осаждаемых на подложку
атомов в процессе ИПР возможно на основе по-
нимания физических процессов, происходящих
при распылении многокомпонентных мишеней
и транспорта частиц через газовую среду.
Статистическое моделирование процессов ион-
но-плазменного осаждения пленочных покрытий
позволяет оценить энергетические характеристики
распыленных атомов и количественные соотноше-
ния элементов, приходящих на подложку, в зави-
симости от технологических параметров процесса:
энергии газового разряда, давления и состава рабо-
чего газа, геометрических размеров распылитель-
ной системы. При помощи моделирования про-
цессов распыления и транспорта частиц возмож-
но определить диапазоны параметров процесса,
ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018
в пределах которых возможно получение пленок
необходимого элементного состава [16–18]. Таким
образом, проведение моделирования является не-
обходимым начальным этапом в технологическом
цикле получения многокомпонентных пленок.
Для анализа процессов, происходящих в газо-
вой фазе при распылении керамических мишеней
титаната бария–стронция, тианата–станната и ти-
таната–цирконата бария, использована модель
транспорта атомных частиц в  газах, основанная
на расчете параметров взаимодействия распылен-
ных атомов с газовой средой в пространстве дрей-
фа мишень–подложка методом Монте-Карло [18].
Данная модель позволяет оценить диапазон тех-
нологических параметров управляемого осажде-
ния многокомпонентных покрытий методом ИПР
и  может быть использована для моделирования
процессов осаждения широкого спектра много-
компонентных соединений в любой газовой среде,
используемой в данной технологии.
Процесс переноса частиц от мишени к подлож-
ке определяется рядом следующих эффектов: об-
разование направленного потока частиц, упругое
рассеяние на атомах рабочего газа, термализация
и диффузионное распространение распыленного
потока. Под термализацией атомных частиц под-
разумевается потеря ими энергии при столкно-
вениях с  частицами газовой среды до состояния
термодинамического равновесия с ней. Длина тер-
мализации атомов напрямую влияет на соотноше-
ние потоков компонентов на подложку и приводит
к  изменению компонентного состава растущей
пленки по сравнению с  распыляемой мишенью.
Количественные оценки длины зоны термализа-
ции распыленных частиц позволяют определить
границу между их направленным и диффузионным
движением.
На основе моделей распыления многокомпо-
нентных мишеней и  транспорта распыленных
атомов [18–21] рассчитаны значения длин терма-
лизации исследуемых элементов, скоростей до-
ставки атомов на подложку и соотношение ком-
понентов тонких пленок BST, BZT и  BSnT при
распылении мишеней Ba0.3Sr0.7TiO3, BaZr0.5Ti0.5O3
и  BaSn0.5Ti0.5O3 в  диапазоне давлений рабочего
газа  – кислорода 2–60 Па. Выбор составов рас-
пыляемых мишеней и технологических режимов
осаждения пленок сделан на основе предыдущих
исследований, позволивших определить область
технологических параметров для получения пле-
нок BST, BZT и BSnT с электрофизическими ха-
рактеристиками, достаточными для СВЧ-примене-
ний [5, 11, 13].
Характерный вид рассчитанных простран-
ственных зон термализации потоков распылен-
ных атомов на примере Ва и  Sr при различных
 ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…397

давлениях рабочего газа O2 представлен на рис. 1. плоскость мишени

Пространственная граница зоны термализации

распыленных атомов соответствует термализации Sr
Ba 0.7 см
95% их первоначального потока. На рис. 2 изоб­ 0.95 см
ражена сравнительная диаграмма, демонстриру- 10 Па
ющая значения длины Т зоны термализации для
всех исследуемых элементов при давлении кис-
лорода 2 и  10  Па, построенная по результатам
моделирования. Sr
Из рис. 1 и 2 видно, что при давлении рабоче- 3.42 см

го газа 2 Па длина зоны термализации атомов Ва Плоскость подложки 35 мм

и  в  меньшей степени Sn превышает расстояние Ba

мишень–подложка (35  мм), следовательно, дан- 4.76 см 2 Па
ные атомы на подложку осаждаются как из прямо-
го, так и из диффузионного потока, тогда как Zr, Sr Рис. 1. Пространственные зоны термализации
и Ti достигают подложки исключительно в диффу- Ba и Sr в кислороде при давлении 2 и 10 Па.
зионном режиме.
При увеличении давления рабочего газа уже до
10 Па длина зоны термализации всех распылен-
ных из исследуемых мишеней атомов становится Т, см
5
меньше расстояния дрейфа мишень–подложка,
2 Па
и на подложку они осаждаются в диффузионном 4
режиме. 10 Па
Очевидно, что атомы Ba, Sn, Zr, Sr и Ti с разной 3
вероятностью будут достигать подложки, располо-
женной в центре круговой магнетронной распыли- 2
тельной системы, в силу различного характера их
рассеяния в газовой среде. При низких давлениях 1
рабочего газа наиболее тяжелые атомы будут оса-
ждаться преимущественно под кольцевой зоной 0
Ba Sn Zr Sr Ti
распыления мишени. При увеличении давления
состав потока распыленных атомов, достигших Рис. 2. Длина зоны термализации распыленных ато-
поверхности рассматриваемой подложки, изменя- мов Ba, Sn, Zr, Sr и Ti в кислороде.
ется в сторону увеличения концентрации Ва. Это
обусловлено тем, что направленный дрейф атомов
бария в результате термализации сменяется диф-
W(Ba, Sr), отн. ед. W(Zr, Sn, Ti), отн. ед.
фузным движением. В силу разницы в массах “вир-
0.009 0.010
туальный” источник диффузионных атомов Ва, Ba
определяемый границей зоны термализации, на- Sr
ходится ближе к подложке, чем для остальных ато- 0.008
0.007 Zr
мов. Поэтому с увеличением давления плотность Sn
потока атомов бария, достигающих подложки, бу- Ti 0.006
дет нарастать, и их концентрация в пленке будет 0.005
увеличиваться. При этом скорость осаждения рас- 0.004
пыленных атомов на подложку может существенно
уменьшаться в области высоких давлений. 0.003
0.002
Вероятности доставки распыленных атомов W
из активной зоны распыления мишени на под- 0
0.001
ложку размером 15 × 15 мм, расположенную на оси 0 10 20 30 40 50 60
распылительной системы, рассчитанные соглас- P, Па
но модели [18] при различных давлениях рабочего
газа, представлены на рис. 3. На данном графике Рис. 3. Вероятности доставки распыленных атомов
на подложку в системах BST, BSnT и BZT при раз-
сопоставляются замещающие друг друга компо-
личных давлениях рабочего газа.
ненты твердого раствора, т. е. Ba/Sr при распыле-
нии мишени Ba0.3Sr0.7TiO3; Zr/Ti и Sn/Ti при рас-
пылении мишеней BaZr0.5Ti0.5O3 и  BaSn0.5Ti0.5O3,

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018

398 Тумаркин и др.

Компонентный состав в системах BST, BSnT и BZT по результатам статистического моделирования и данным
РИСЭ

BST

Номер Ba/(Ba+Sr)
Р, Па Ti/(Ba+Sr) V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод.
1927 2 0.15 0.17 1 42
1935 10 0.23 0.24 1 36
1939 60 0.32 0.33 1 14
BZT
Номер Ba/(Zr+Ti) Zr/(Zr+Ti)
Р, Па V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод. экс. мод.
2267 2 0.8 0.85 0.58 0.54 31
2271 10 1.1 1.2 0.55 0.53 28
2268 60 2.4 2.4 0.52 0.52 20
BSnT
Номер Ba/(Sn+Ti) Sn/(Sn+Ti)
Р, Па V, Å ∙ мин–1
образца экс. мод. экс. мод.
2267 2 0.9 0.92 0.54 0.52 55
2266 10 1.2 1.25 0.55 0.53 50
2268 60 1.47 1.5 0.56 0.54 26

соответственно. Сравнительный анализ распреде-
ления вероятности доставки на подложку Ba и Sr
для системы BST при различных значениях давле-
ния газовой среды показывает, что подложка при
низких давлениях оказывается обедненной барием
(относительно состава мишени) и  обогащенной
стронцием. В системах BZT и BSnT в исследуемом
диапазоне давлений наблюдается близкий к сте­
хиометрическому перенос распыленных атомов Sn,
Zr и Ti на подложку.
Для сопоставления результатов моделирования
с экспериментальными данными методом рассе-
яния ионов средних энергий (РИСЭ) исследован
компонентный состав пленок BST, BZT и  BSnT,
осажденных при комнатной температуре и различ-
ных давлениях рабочего газа, с целью исключения
из рассмотрения высокотемпературных процессов
на подложке. РИСЭ является модификацией ме-
тода резерфордовского обратного рассеяния ио-
нов (РОР) и отличается от последнего диапазоном
энергий ионов зондирующего пучка (единицы –
десятки МэВ в РОР и десятки–сотни кэВ в РИСЭ).
Снижение энергии ионного пучка позволяет за
счет применения электростатических анализато-
ров энергий обратнорассеянных ионов повысить
разрешение по глубине исследуемых образцов.
В  данной работе для исследования пленок при-
менялись пучки ионов Не+ с начальной энергией
Е ≈ 227 кэВ, для регистрации которых использо-
вался электростатический анализатор. Угол рассе-
яния составлял 120°. Для каждого образца были по-
лучены энергетические спектры рассеянных ионов
в  режиме произвольной ориентации пучка I(E).
На основании зависимости I(E) путем сопостав-
ления экспериментально измеренных и расчетных
спектров определялся состав пленок и их толщина.
Исследуемые пленки были получены методом
ВЧ магнетронного распыления керамических ми-
шеней Ba0.3Sr0.7TiO3, BaZr0.5Ti0.5O3 и BaSn0.5Ti0.5O3
диаметром 76 мм. Расстояние мишень–подложка
во всех случаях составляло 35 мм, диаметр внеш-
него и внутреннего кольца зоны распыления – 32
и 12 мм соответственно. Перед процессом осажде-
ния проводилось предраспыление мишени в сто-
роне от подложкодержателя в течение 30 мин с це-
лью очистки поверхности. Осаждение проводилось
на подложки чистого сапфира (r-срез). В качестве
рабочего газа использовался кислород. Мощность
разряда составляла 140 Вт, давление рабочего газа
изменялось в интервале от 2 до 60 Па. После осаж-
дения пленки охлаждались в  атмосфере чистого
кислорода со скоростью 2–3 °С ∙ мин–1.
Данные по относительному содержанию компо-
нентов (по результатам моделирования и по данным
РИСЭ) и скорости осаждения V исследуемых пле-
нок приведены в таблице. Приведенные в таблице

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018

 ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…399

экспериментальные данные по элементным составам Ba/(Ba + Sr), отн. ед.

получены в результате моделирования РИСЭ-спек- 0.4
тров, где они являются варьируемыми параметрами Ba/(Ba + Sr) РИСЭ
итерационной процедуры. Подробно о технике мо- Ba/(Ba + Sr) мод
делирования см. [22]. Отметим, что энергетическая 0.3
ширина пиков в спектрах РИСЭ определяется сред-
ней толщиной исследуемой пленки, а отношение 0.2
амплитуд – элементным составом образца. Экспе-
риментальные данные согласуются с результатами
проведенного моделирования в пределах 5%. Типич- 0.1
ный РИСЭ-спектр обратнорассеянных ионов Не+ от
пленок BST приведен на рис. 4.
0
Сравнение экспериментальных и  расчетных 2 10 60
данных по содержанию элементов в исследуемых P, Па
твердых растворах для различных давлений рабо-
чего газа представлено на рис. 5–7. Эксперимен- Рис. 5. Содержание бария в пленочных твердых рас-
творах BST, осажденных при различных давлениях
тальные исследования и результаты моделирова- кислорода по данным РИСЭ и моделирования. Го-
ния показывают, что в исследуемых тонких плен- ризонтальным пунктиром отмечено содержание Ва
ках при давлении 2  Па наблюдается недостаток в мишени.
атомов Ba по сравнению с составом распыляемых
мишеней, что связано с  большой длиной зоны
термализации элемента, превышающей расстоя- Zr/(Zr + Ti), Ba/(Zr + Ti), отн. ед.
ние мишень–подложка. При увеличении давления 2.5
рабочего газа от 2 до 60 Па содержание Ва на под- Zr/(Zr + Ti) РИСЭ
ложке возрастает, а количество атомов Sr, Sn, Zr 2.0 Zr/(Zr + Ti) мод
и Ti (относительно Ва) уменьшается с разной сте- Ba/(Zr + Ti) РИСЭ
1.5
пенью интенсивности, обратно пропорциональной Ba/(Zr + Ti) мод
их массам. Отметим, что Ва оказывается наиболее 1.0
чувствительным к изменению давления рабочего
газа, как самый тяжелый среди исследуемых эле- 0.5
ментов. Если отношение Zr/Ti и  Sn/Ti остается
практически неизменным во всем исследуемом 0
диапазоне давлений, то изменение содержания Ва 2 10 60
в рассматриваемых твердых растворах составляет P, Па
от 1.6 до 3 раз.
Рис. 6. Содержание бария и циркония в пленочных
Из графиков видно, что результаты модели- твердых растворах BZT, осажденных при различных
рования и  эксперимента достаточно хорошо давлениях кислорода по данным РИСЭ и моделиро-
вания. Горизонтальным пунктиром отмечено содер-
жание Ва в мишени, сплошной линией – содержа-
I, отн. ед. 2 Па (х = 0.19)
ние Zr и Ti.
1100 10 Па (х = 0.23)
60 Па (х = 0.32)
1000
900 согласуются между собой. Расхождения между экс-
800 периментальными данными и результатами моде-
700 лирования можно объяснить тем, что используемая
модель оценивает компонентный состав потока
600
распыленных частиц, достигших подложки, и не
500
учитывает образование химических соединений на
400 подложке и реиспарение с нее. Данные процессы
300 определяются температурой подложки.
200 Согласно данным РИСЭ, скорость осаждения
100 пленок BSnT существенно превышает аналогичную
0
40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
величину для систем BST и BZT (см. рис. 8). Это
E, кэВ позволяет сделать вывод о более эффективном рас-
пылении мишени BSnT по сравнению с BST и BZT,
Рис. 4. РИСЭ-спектр обратнорассеянных ионов Не+ что, по-видимому, объясняется различными хими-
от BST-пленок на сапфире. ческими свойствами оксидных твердых растворов

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018

400 Тумаркин и др.

Sn/(Sn + Ti), Ba/(Sn + Ti), отн. ед. частиц в газовой среде позволяет определить диа-
2.5 пазон давлений рабочего газа, в котором возможно
Sn/(Sn + Ti) РИСЭ управление потоками компонентов с целью влия-
2.0 Sn/(Sn + Ti) мод ния на свойства пленок сложного стехиометриче-
Ba/(Sn + Ti) РИСЭ ского состава. В случае используемой геометрии
1.5 Ba/(Sn + Ti) мод распылительной системы в диапазоне 2–10 Па про-
исходит переход из направленного в диффузион-
1.0 ный режим распространения распыленных атомов
исследуемых элементов. Использование статисти-
0.5
ческого моделирования позволяет адекватно опи-
сывать механизмы, приводящие к изменению со-
0
2 10 60 става (атомного соотношения Ba/Sr, Sn/Ti и Zr/Ti)
P, Па осажденных пленок при варьировании давления
рабочего газа, и выбирать режимы технологическо-
Рис. 7. Содержание бария и олова в пленочных твер- го процесса для получения многокомпонентных
дых растворах BSnT, осажденных при различных
давлениях кислорода по данным РИСЭ и моделиро- пленок заданного состава. При помощи изменения
вания. Горизонтальным пунктиром отмечено содер- давления рабочего газа в процессе осаждения мно-
жание Ва в мишени, сплошной линией – содержа- гокомпонентной пленки появляется возможность
ние Sn и Ti. по-разному влиять на длину термализации атомов
различных масс, плотность потока и скорость до-
ставки распыленных атомов к подложке, т. е. появ-
V, Å · мин−1 ляется возможность получать покрытия с перемен-
60 ным составом по толщине пленки.
55
50 BSnT
50 Исследование выполнено при частичной фи-
BST
42 нансовой поддержке РФФИ в  рамках научных
40 BZT
36 проектов 16-07-00617, 16-08-00808, 16-29-0514
30
31
28 и Минобрнауки России (государственное задание
26
№ 3.3990.2017/4.6).
20
20
14
10
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
0
2 10 60
P, Па 1. Cole M.W., Weiss C.V., Ngo E. et al. // Appl. Phys. Lett.
2008. V. 92. P. 182.
Рис. 8. Скорости осаждения пленок BST, BSnT 2. Yang L., Ponche F., Wang G. et al. // Appl. Phys. Lett.
и BZT при различных давлениях кислорода. 2010. V. 97. P. 162.
3. Вендик О.Г.  // Физика тв. тела. 2009. Т. 51. № 7.
С. 1441.
(в частности, энергиями связи олова – p-элемента 4. Luo C., Ji J., Ling F. et al. // J. of Alloys and Comp. 2016.
и циркония и титана – d-элементов). Также можно V. 687. P. 458.
предположить, что различие в окислительно-вос- 5. Тумаркин А.В., Тепина Е.Р., Ненашева Е.А. и  др.  //
становительных потенциалах исследуемых эле- Ж. техн. физики. 2012. Т. 82. № 6. С. 53.
ментов существенно влияет как на их адсорбцию 6. Буслов О.Ю., Кейс В.Н., Козырев A.Б. и др. // Ж. техн.
на подложке, так и на скорость образования соот- физики. 2005. Т. 75. № 9. С. 89.
ветствующего оксида. 7. Козырев А.Б., Иванов А.В., Солдатенков О.И. и др. //
Таким образом, в работе показано, что варьи- Письма в ж. техн. физики. 2001. Т. 27. № 24. С. 16.
рованием давления рабочего газа при ионно-плаз- 8. Козырев А.Б., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г. и  др.  //
менном распылении керамических мишеней BST, Письма в ж. техн. физики. 2002. Т. 28. № 6. С. 51.
BSnT и BZT можно в широких пределах изменять 9. Tumarkin A.V., Gagarin A.G., Altynnikov A.G. et al.  //
содержание атомов бария в осаждаемых слоях, что Thin Sol. Films. 2015. V. 593. P. 189.
важно для оптимизации составов исследуемых 10. Kim J.W., Shima H., Yamamoto T. et al. // Japan. J. of
твердых растворов. Статистическое моделирова- Appl. Phys. 2014. V. 53. P. 09PB04.
ние процесса ионно-плазменного распыления ке- 11. Тумаркин А.В., Разумов С.В., Гагарин А.Г. и  др.  //
рамических мишеней и транспорта распыленных Письма в ж. техн. физики. 2016. Т. 42. № 3. С. 61.

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018

 ВАРЬИРОВАНИЕ СОСТАВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК…401

12. Zhu G., Yan D., Xu H. et al. // Mater. Lett. 2015. V. 140.
P. 155.
13. Tumarkin A., Stozharov V., Altynnikov A. et al. // Integr.
Ferroelect. 2016. V. 173. № 1. P. 157.
14. Cole M.W. // Ferroelectrics. 2014. V. 470. P. 67.
15. Гайдуков М.М., Тумаркин М.М., Гагарин А.Г. и др. //
Письма в ж. техн. физики. 2014. Т. 40. № 8. С. 37.
16. Вольпяс В.А., Тумаркин А.В., Михайлов А.К. и др. //
Письма в ж. техн. физики. 2016. Т. 42. № 14. С. 87.
17. Тумаркин А.В., Разумов С.В., Вольпяс В.А. и  др.  //
Ж. техн. физики. 2017. Т. 87. № 10. С. 1585.
18. Volpyas V.A., Kozyrev A.B. // J. Exper. and Theor. Phys.
2011. V. 113. № 1. P. 172.
19. Volpyas V.A., Petrov P.K., Chakalov R.A.  // Vacuum.
1999. № 52. P. 427.
20. Volpyas V.A., Dymashevski P.M.  // Techn. Phys. 2001.
V. 11. № 46. P. 1347.
21. Hollmann E.K., Volpyas V.A., Wordenweber R.  //
Physica  C: Superconduct. and its Appl. 2005. V. 425.
№ 3. P. 101.
22. Afrosimov V.V., Il’in R.N., Karmanenko S.F. et al. // Thin
Sol. Films. 2005. V. 492. P. 146.

ИЗВЕСТИЯ РАН. СЕРИЯ ФИЗИЧЕСКАЯ том 82 № 3 2018