Вы находитесь на странице: 1из 1

Влияние ультрафиолетового облучения на микроструктуру

образцов MeO/InP
3 курс ХФММ
Выполнила — Константинова Анастасия Олеговна
Научный руководитель — д.х.н. проф. Миттова И. Я.
Научный консультант — к.х.н. доц. Сладкопевцев Б. В.
Воронежский государственный университет, Университетская пл. 1
Введение
В связи с микроминиатюризацией устройств микросистемной тех-
ники и переходом на нанометровые топологические нормы к шерохова-
тости как подложек, так и формируемых функциональных слоев,
предъявляются повышенные требования. Состояние поверхности ока-
зывает существенное влияние на структуру наносимых пленок и пара-
метры элементов в целом. УФ излучение обладает способностью акти-
вировать любые атомы (молекулы), с которыми взаимодействует, воз-
буждая в них электроны, и, тем самым, инициировать фотохимические
превращения в облучаемом веществе.
Цель работы: исследование влияние УФ-облучения на на микруст-
руктуру SnO2/InP.
Задачи:
1. Синтез методом магнетронного напыления гетероструктур SnO2/InP
с температурой подложки 200℃.
2. Термическое оксидирование гетероструктуры SnO2/InP при темпера-
туре 530℃, 60 мин.
3. Воздействие ультрафиолетового излучения длиной волны λ=365 нм
на SnO2/InP, SnO2/InP (530℃, 60 мин.)
Методика эксперимента
В работе объектами исследования выступали тонкие пленки на под-
ложках фосфида индия марки ФИЭ-1А ориентации (100). Магнетрон-
ное нанесение слоев SnO2 на поверхность InP проводили в вакуумной
установке ионного распыления Covap II. В качестве исходного материа-
ла-мишени использовали Sn с чистотой 99,999%. В качестве источника
ионов использовались газы О2+Ar с чистотой 99,999%. Для получения
кристаллической структуры SnO2 подложку InP нагревали до 200℃ в
процессе магнетронного напыления.
Термооксидирование InP и SnO2/InP проводили в печи резистивного
нагрева МТП-2М-50-500. Температурную регулировку осуществляли
на блоке ТРМ–10. Толщину образовавшихся пленок определяли на ла-
зерном эллипсометре ЛЭФ754 (λ = 632,8 нм) с абсолютной погрешно-
стью ±1нм.
Обработку образцов ультрафиолетовым излучением проводили в
УФоблучателе с длинами волн 254 и 365 нм. В данной работе воздей-
ствие проводили при 365 нм, 60 мин.
Было проведено исследование морфологии пленок SnO2/InP на ска-
нирующем туннельном микроскопе в режиме постоянного тока.
Результаты
На рис.3 и рис.4 представлены данные сканирующей туннельной
микроскопии с видами поверхностей образцов SnO2/InP с воздействием
УФ-излучения и SnO2/InP (530℃, 60 мин.) и УФ-облучением.
Как видно из представленных СТМ-изображений, УФ-облучение не
Рис.2. СТМ-изображения образца SnO2/InP после воздей-
оказывает сильного влияния на шероховатость поверхностей пленок и
гетероструктур. Высота рельефа составляет меньше 10 нм (7 и 6 нм со- ствия УФ-излучения (λ=365 нм) в течение 60 мин.
ответсвенно), что говорит о возможном применении таких пленок и ге-
терострутур в сферах электроники и микроэлектроники, так как там
этот критерий является чрезвычайно важным.
Выводы:
1. УФ-облучение не оказывает влияние на поверхность SnO2/InP
(530℃, 60 мин.) и SnO2/InP. Поверхность образцов осталась
гладкая (высота рельефа не привышала 10 нм).
2.

Рис.3. СТМ-изображения образца SnO2/InP (530℃, 60 мин.)


после воздействия УФ- излучения (λ=365 нм) в течение 60