Вы находитесь на странице: 1из 9

KiT#57(4)_R.

qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 136

136 силовая электроника www.finestreet.ru

Поведение высоковольтных
MOSFETтранзисторов
в преобразователях
с мягким переключением:
анализ и повышение надежности
Лео САРО (Leo SARO)
pad@sicon;ups.com
Кеннет ДИРБЕРГЕР
(Kenneth DIERBERGER) В данной статье анализируется поведение MOSFETтранзистора при
KenD@advancedpower.com
Ричард РЕДЛ (Richard REDL)
высоком напряжении питания в мощном конверторе с преобразованием
RRedl@freesurf.ch при нулевом напряжении, и выдвигается оригинальная теория причины
пробоя MOSFETтранзистора. Здесь также предложены новые технические
Перевод Наджима ХАМЗИНА решения по повышению устойчивости транзистора и, следовательно,
penta7@rambler.ru надежности всего оборудования.

реимущества схем конверторов с мяг- ле для фиксирования напряжения переклю- поскольку считалось, что внутренние па-

П ким переключением и, в частности,


с переключением при нулевом на-
пряжении (ПНН, также называемое пере-
чения на уровне напряжения источника пи-
тания. И внутренний паразитный диод
и выходная емкость транзистора являются
разитные диоды никогда не подвергаются
жесткому выключению, то есть к диодам ни-
когда не прикладывается обратное напряже-
ходом при нуле напряжения или резонанс- существенными компонентами для органи- ние, пока по ним протекает прямой ток.
ным переходом), известны большинству зации резонансного перехода. На этапе серийного производства мы фик-
специалистов. Высокочастотные конверто- Хотя в мостовом преобразователе с переклю- сировали множество отказов MOSFET-тран-
ры, запитываемые от источника высоко- чением при нулевом напряжении MOSFET- зисторов в преобразователе с ПНН. После-
вольтного напряжения, демонстрируют зна- транзистор устойчиво работает внутри своей дующее исследование определенно доказало,
чительно улучшенные характеристики при области безопасной работы, и его внутрен- что транзистор надежно работал в пределах
использовании топологии с мягким пере- ний паразитный диод никогда не подвергается своей области безопасной работы (SOA).
ключением. К данным улучшениям можно жесткому выключению, на практике случа- Фактически, мы могли продемонстрировать,
отнести: ются некоторые «необъяснимые» отказы из- что при всех возможных нормальных и кри-
1) уменьшенные потери на переключение, ко- за неизбежного использования внутреннего тических условиях все статические и переход-
торые позволяют повысить частоту преоб- паразитного диода. ные электрические параметры MOSFET-тран-
разования и устанавливать реактивные В данной статье анализируется поведение зистора оставались в пределах максимально
компоненты меньших размеров; MOSFET-транзистора при высоком напряже- допустимых значений.
2) уменьшенные электромагнитные и радио- нии питания в мощном конверторе с преоб- В результате анализа отказов, выполнен-
помехи; разованием при нулевом напряжении, и вы- ного на статистически значимом количестве
3) отсутствие потребности в сложных и до- двигается оригинальная теория причины про- компонентов, была получена следующая ин-
рогостоящих снабберных схемах; боя MOSFET-транзистора. формация:
4) использование паразитных элементов схе- Предложены новые технические решения 1) Наименьшее значение времени обратного
мы для организации резонансного перехода. по повышению устойчивости транзистора и, восстановления внутреннего паразитного
Благодаря перечисленным преимуществам следовательно, надежности всего оборудова- диода уменьшало число отказов. Обрати-
топологию с переключением при нулевом на- ния. Эффективность этих решений под- те внимание на то, что мы могли контро-
пряжении в настоящее время широко исполь- тверждена работой телекоммуникационно- лировать, устанавливая схему обнаруже-
зуют в силовой электронике и особенно в те- го источника электропитания мощностью ния и регистрации во всех источниках
лекоммуникационных системах электропи- 6000 Вт и выходного тока 100 А. питания, что внутренний диод MOSFET-
тания. транзистора работал без жесткого выклю-
MOSFET-транзистор наиболее часто ис- Введение чения.
пользуется в качестве управляемого тран- 2) Все отказы случались, когда выходная на-
зисторного ключа в мостовом преобразо- Выпрямитель с выходными параметрами грузка снижалась до уровня менее 25% от ее
вателе с переключением при нулевом на- 60 В, 100 А для применения в телекоммуни- максимальной величины, несмотря на тот
пряжении. MOSFET-транзистор способен кационных устройствах был разработан с ис- факт, что в этом случае MOSFET-транзис-
работать на высоких частотах переключе- пользованием силовых MOSFET-транзисто- торы менее нагружены (то есть работают
ния, и его внутренний паразитный диод эко- ров на 1000 В в узле DC/DC-конвертора с более низким значением тока, мощности
номит дополнительный внешний компо- с ПНН. Первоначально использовались ком- рассеяния, dv/dt, перенапряжения и т. д.),
нент, который необходим в преобразовате- поненты со стандартным восстановлением, чем в том случае, когда нагрузка увеличена.

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 137

силовая электроника 137

3) Оборудование, которое работало ниже кри- Транзисторные ключи в преобразователе дается с входа на выход. Эта часть цикла ха-
тического значения недонагруженности работают с отсутствием потерь при включе- рактеризуется открытым состоянием схемы.
в течение достаточно длительного проме- нии и с уменьшенными потерями при вы- Стадия 2. Резонансный переход:
жутка времени, продолжало и дальше ра- ключении. Из-за индуктивной нагрузки пле- от передачи мощности
ботать, практически без отказов MOSFET- ча моста и тока, текущего в нагрузке, будет к свободной циркуляции тока
транзисторов. естественная замена тока транзисторного В конце стадии передачи мощности тран-
4) Обычно, если в оборудовании происходил ключа током антипараллельного диода дру- зисторный ключ S4 переходит в выключен-
отказ MOSFET-транзистора, то после заме- гого транзисторного ключа в том же самом ное состояние. Так как ток катушки индук-
ны неисправного компонента оно работа- плече, которая приведет к фактически нуле- тивности не может резко меняться, он про-
ло без аналогичного отказа. вому напряжению на транзисторном ключе должает течь, перезаряжая выходные емкости
В данной статье делается попытка дать объ- к моменту включения. Это, в свою очередь, транзисторных ключей S3, S4 и, таким обра-
яснение вышеупомянутой информации, исключает потери мощности, вызванные, во- зом, уровень напряжения в точке VB подни-
а также предлагаются способы устранения от- первых, одновременным наличием тока и на- мается до значения напряжения источника
казов MOSFET-транзистора. пряжения в транзисторном ключе при каж- питания 800 В.
дом переключении и, во-вторых, разрядом Стадия 3. Свободная циркуляция тока
Основные режимы работы выходной емкости транзисторного ключа. (антипараллельный диод)
мостового преобразователя Выходная емкость работает как емкостной Когда напряжение в точке VB достигает на-
с использованием снаббер, уменьшая потери на выключение, пряжения источника питания, антипарал-
фазосдвигающей ШИМ вызванные конечным временем выключения лельный диод транзисторного ключа S3 на-
с переключением транзисторного ключа. Паразитные элемен- чинает проводить ток, фиксируя напряжение
при нулевом напряжении ты схемы (выходная емкость, индуктивность VB на уровне 800 В. Полный ток первичной
намагничивания и рассеяния, антипараллель- обмотки IP теперь течет через антипараллель-
Типовая схема (рис. 1) [1–4, 7] включает ный диод) преимущественно используются ный диод.
4 транзисторных ключа S1–S4, каждый из ко- для содействия резонансному переключению Стадия 4. Свободная циркуляция тока
торых зашунтирован антипараллельным ди- с низкими потерями. (антипараллельный диод + переход
одом и выходной емкостью. Дополнительная Транзисторные ключи в данном преобра- «сток–исток» транзистора)
индуктивность и два небольших фиксирую- зователе используются иначе, чем в стандарт- Через несколько сотен наносекунд после
щих диода [1] задействованы в первичной об- ном преобразователе с жестким переключе- того, как антипараллельный диод транзис-
мотке трансформатора для поддержания ре- нием, так как внутренний антипараллельный тора S3 начал проводить ток, включается
жима мягкого переключения при уменьшен- диод MOSFET-транзистора и выходная ем- транзистор S3 с целью снижения потерь про-
ной нагрузке и ограничения перенапряжения кость становятся существенными компонен- водимости за счет совмещения открытого
на выходных выпрямительных диодах. тами в резонансном переходе. Временная диа- перехода «сток–исток» MOSFET-транзисто-
грамма (рис. 2) демонстрирует работу преоб- ра с открытым состоянием антипараллель-
разователя. ного диода. Обратите внимание, что вклю-
чение транзистора S3 имеет место при нуле-
вом напряжении «сток–исток» транзистора,
поэтому включение транзистора происходит
без потерь.
Часть (отрицательного) первичного тока
IP теперь течет через переход «сток–исток»
транзистора S3; остающийся ток течет в ан-
типараллельном диоде. Весь ток транзисто-
ра S1 положителен и течет в переходе
«сток–исток» транзистора. VA = 800 В, так как
транзистор S1 открыт; V B = 800 В, так как
транзистор S3 тоже открыт, и VP = 0 В.
Рассмотренная часть цикла характеризует-
Рис. 1. Мостовой преобразователь с переключением Рис. 2. Временная диаграмма работы мостового
ся свободной циркуляцией тока. Это позво-
при нулевом напряжении преобразователя с переключением при нулевом ляет фиксировать частоту преобразования;
напряжении фактически, данная ситуация сохраняется
до начала включения другой диагонали (про-
Преобразователь работает с фиксирован- хождение тока через транзисторы S2 и S3).
ной частотой переключения 50 кГц и с ре- Полный цикл переключения состоит из се- Эта часть цикла обычно длится несколько
гулируемым напряжением питания 800 В. ми стадий. микросекунд.
Выходной выпрямитель представляет собой Стадия 1. Передача мощности Стадия 5. Резонансный переход:
удвоитель тока. Эффективное значение ко- Диагональные транзисторные ключи S1 и S4 от свободной циркуляции тока
эффициента заполнения (установленного находятся в открытом состоянии. VA = 800 В, к передаче мощности
для напряжения на входе трансформатора) так как ключ S1 открыт; VB = 0 В, поскольку Транзисторный ключ S1 выключен, и ток
определяется периодом между коммутация- ключ S4 тоже открыт; VP равно полному на- в нем отклонен от перехода «сток–исток»
ми двух плеч моста. В данном преобразова- пряжению питания 800 В. На этой стадии пер- транзистора к выходной емкости. Если ток
теле вместо модуляции фактической шири- вичный ток трансформатора IP увеличивает- перехода «сток–исток» транзистора спадает
ны импульса драйверов затворов мы поддер- ся из-за вклада тока намагничивания и осо- к нулю прежде, чем существенно повысилось
живаем коэффициенты заполнения затвора бенно из-за тока в выходных катушках напряжение VDS , мы получаем выключение
(и транзисторного ключа соответственно) индуктивности. Антипараллельные диоды без потерь. Ток теперь перезаряжает выход-
на фиксированном уровне 50% и изменяем транзисторных ключей не участвуют в рабо- ные емкости S1 и S2, устанавливая напряже-
момент переключения плеча S3–S4. те схемы и ток не проводят. Мощность пере- ние VA от 800 к 0 В.

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 138

138 силовая электроника

Стадия 6. Резонансный переход:


от свободной циркуляции тока
к передаче мощности
(антипараллельный диод)
Когда точка VA достигает нулевого напря-
жения, антипараллельный диод S2 начинает
проводить ток, фиксируя напряжение в точке
VA на нулевом уровне. Весь первичный ток IP
теперь течет в антипараллельном диоде тран-
зистора S2, а также в антипараллельном ди-
оде и переходе «сток–исток» транзистора S3. Рис. 3. Вертикальное поперечное сечение ДМОП;структуры
Напряжение в точке VA = 0 В, так как S2 от-
крыт; напряжение в точке V B = 800 В, по-
скольку S3 открыт, и VP = –800 В. Ток IP бы- Захват тока приводит к локальному нагре- или к отрицательной шине. Этот прямой ток
стро уменьшается, так как токи в трансфор- ву, увеличивая тем самым усиление биполяр- приводит к генерации неосновных носителей
маторе и во внешних катушках индуктивности ного транзистора, от этого сокращается зна- и в слое p-типа, и в эпитаксиальных n-слоях
теперь текут в разных направлениях. чение тока, и, в конечном счете, транзистор (рис. 4).
Стадия 7. Передача мощности отказывает. При прямом смещении антипа- Затем переход MOSFET-транзистора откры-
Стадия 6 длится несколько сотен наносе- раллельного диода неосновные носители, ос- вается и отбирает часть тока, протекающего
кунд, пока не откроется транзистор S2. Далее тающиеся в области базы в течение времени через канал внутреннего паразитного диода.
он опять включается без потерь при отсутст- восстановления диода, могут вызвать разру- Переход «сток–исток» MOSFET-транзистора
вии напряжения на переходе «сток–исток». шение транзистора. может проводить ток в обоих направлениях.
Ток через антипараллельные диоды транзи- Отклонение тока от внутреннего паразитно-
сторов S2 и S3 быстро спадает к нулю, пото- Теория механизма разрушения го диода уменьшит генерацию неосновных
му что переход «сток–исток» транзистора носителей, но не остановит ее (рис. 5).
MOSFET отводит от них часть тока, в основ- Согласно общим представлениям о топо-
ном потому, что полярность напряжения на логии переключения при нулевом напряже-
первичной обмотке трансформатора меняет нии (ПНН), где MOSFET-транзистор нахо-
направление тока IP на противоположное. дится в открытом состоянии, в то время как
К моменту завершения процесса накопле- внутренний паразитный диод проводит ток,
ния заряда в катушках индуктивности мощ- этот диод не будет подвержен вторичному
ность передана на выход, и преобразователь пробою, поскольку ток полностью протека-
находится в состоянии, подобном стадии 1. ет в обратном направлении в течение доста-
Согласно параметрам нашей схемы, цикл точно продолжительного для восстановле-
длится приблизительно 7 мкс. Теперь преоб- ния диода промежутка времени.
разователь готов повторить следующий цикл, В действительности заряд останется запа-
сходный с вышеупомянутым, на сей раз с диа- сенным во внутреннем паразитном диоде
гональной парой S2–S3. на более длительное время, чем величина Рис. 5. Протекание прямого тока во внутреннем
Как мы можем видеть, транзистор MOSFET времени обратного восстановления, указан- паразитном диоде и переходе MOSFET;транзистора
всегда выключается только после того, как ная в документации, либо до тех пор, пока
ток в его антипараллельном диоде полностью не будет приложено высокое напряжение, ко-
изменил направление и в течение нескольких торое приведет к рассасыванию неосновных Затем внешняя схема полностью изменяет
микросекунд протекал непосредственно в пе- носителей в переходе. Поэтому, когда к вну- направление тока через транзистор. Это при-
реходе «сток–исток» транзистора MOSFET; треннему паразитному диоду прикладыва- водит к появлению небольшого обратного
следовательно, после того, как антипарал- ется высокое обратное напряжение, все еще тока во внутреннем паразитном диоде. Обрат-
лельный диод прекращает проводить ток, он есть вероятность вторичного пробоя (даже ный ток невелик из-за незначительного элек-
несколько микросекунд подвергается воздей- по прошествии относительно большого про- трического поля, созданного низким напряже-
ствию высокого значения dv/dt. межутка времени). нием, произведенным текущим током в пере-
В типичной топологии ПНН прямой ток ходе с низким сопротивлением. В результате
Описание через внутренний паразитный диод фикси- некоторые неосновные носители будут охва-
антипараллельного диода рует выходное напряжение к положительной чены полем и удалены из перехода (рис. 6).

Все мощные MOSFET-транзисторы имеют


паразитный биполярный транзистор в своей
структуре. Вертикальная ДМОП-структура, как
показано на рис. 3, имеет переход «база–эмит-
тер» биполярного транзистора, закорочен-
ный металлизацией истока, и формирует та-
ким образом «антипараллельный диод».
Если этот паразитный биполярный тран-
зистор становится активным, может произой-
ти классический случай вторичного пробоя
с перераспределением тока. Этот механизм
достаточно хорошо описан в литературе, Рис. 4. Протекание прямого тока во внутреннем Рис. 6. Обратное протекание тока во внутреннем
а также в статьях по применению MOSFET- паразитном диоде паразитном диоде и переходе транзистора
транзистора [5, 6].

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 139

силовая электроника 139

После короткого промежутка времени до- мени открытого состояния транзистора. Это • Оборудование, исправно проработавшее
статочное количество носителей будет удале- особенно справедливо в случае большой ве- продолжительное время (даже при работе
но, что позволит переходу поддерживать не- личины времени обратного восстановления на критически малую нагрузку), имеет хо-
большое значение напряжения. В это время внутреннего паразитного диода. рошие шансы и дальше работать без про-
большая часть тока отведена в резистивный ка- С другой стороны, при большой нагрузке блем: после отказа части более слабых
нал и развивает положительное напряжение (то есть при большом значении тока в MOSFET- MOSFET-транзисторов оставшиеся явля-
через RDS(on), что, в свою очередь, слегка сме- транзисторе) увеличенного падения напря- ются более живучими.
щает диодный переход в обратном направле- жения на сопротивлении канала может ока- • Как правило, оборудование с отказавшим
нии. Некоторые носители будут продолжать заться достаточно, чтобы провести полную MOSFET-транзистором после однократной
устраняться в результате нормального процес- рекомбинацию неосновных зарядов к момен- замены отказавшего элемента далее рабо-
са рекомбинации, а некоторые — в результате ту окончания времени открытого состояния тает без аналогичных отказов: поскольку
принудительного процесса, который зависит транзистора. Это обеспечит безопасное за- «слабые» компоненты составляют незна-
от напряжения, приложенного к диоду (рис. 7). крытие транзистора. чительную часть от всей совокупности,
Допустим, что совокупность MOSFET-тран- со статистической точки зрения очень ма-
зисторов обладает статистическим распреде- ловероятно восстановление оборудования
лением (нормальным, например) относитель- с использованием другого «слабого» транзи-
но времени рекомбинации, его зависимости стора.
от обратного напряжения, приложенного
к диоду, усиления паразитного n-p-n-транзи- Результаты экспериментов
стора, его устойчивости к скорости нараста- с внутренним паразитным диодом
ния dv/dt и т. д. В результате, при тех же са-
мых рабочих режимах только определенная 1. Оценка запасенного заряда,
часть из всех рассматриваемых компонентов остающегося в переходе
может представлять интерес для рассматри- Для оценки обсуждаемой теории была по-
Рис. 7. Обратное протекание тока только в переходе ваемой нами проблемы. Эти склонные к раз- строена схема испытаний (см. упрощенный
транзистора рушению MOSFET-транзисторы должны вариант схемы на рис. 10). Она работает
быть наиболее медленными из всех компо- по следующему принципу. Сначала мы про-
нентов с перечисленными статистическими пускаем прямой ток во внутреннем паразит-
Величина этого напряжения зависит от то- распределениями. Объясним, почему это так. ном диоде тестируемого устройства; затем ос-
ка первичной обмотки и, следовательно, • Чем короче время обратного восстановле- танавливаем протекание тока без приложения
от выходной нагрузки. Если это напряжение ния внутреннего паразитного диода, тем обратного напряжения к переходу. Наконец,
маленькое, большое количество неосновных более низкая интенсивность отказов: trr — после заданного периода времени обратное
носителей остается в переходе в течение зна- хороший показатель времени рекомбинации напряжение прикладывается к переходу внут-
чительного времени. Когда переход будет неосновных зарядов, и этот параметр очень реннего паразитного диода, и измеряется ос-
в закрытом состоянии, MOSFET-транзистор важен в нашей гипотезе. Следовательно, мы тающийся заряд обратного восстановления.
начнет поддерживать напряжение, создаю- имеем следующую ситуацию (рис. 9): Канал тестируемого устройства может быть
щее более высокое обратное напряжение включен или выключен в любое время до или
на внутреннем паразитном диоде. Приложен- во время испытательного цикла для выясне-
ное высокое обратное напряжение на внут- ния последствий от смещения на затворе.
реннем паразитном диоде охватит остающи- Для определения величины заряда обратного
еся в переходе носители (рис. 8). Если обрат- восстановления проводилось предварительное
ный ток приблизится к величине, достаточной испытание без подачи прямого тока через внут-
для активизации паразитного биполярного ренний паразитный диод и с приложением об-
транзистора, может произойти вторичный ратного напряжения 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс.
пробой, разрушающий MOSFET-транзистор. Он определен как базовый уровень заряда,
или количество заряда, в котором отсутству-
ет заряд, запасенный в результате прохожде-
Рис. 9. Распределение критичных MOSFET;транзисторов ния прямого тока.
от trr Проводился ряд испытаний для определе-
ния требуемого времени для рекомбинации
всего запасенного в переходе заряда после
Конечно, как было сказано прежде, следует
учитывать как можно большее количество
параметров для определения устойчивости
MOSFET-транзистора в ПНН-конверто-
рах, но единственный доступный в докумен-
Рис. 8. Обратное протекание тока только во внутреннем тации и весьма просто измеряемый пара-
паразитном диоде метр — trr .
• Существуют ситуации, когда часть источ-
ников питания работает в течение долгого
При маленькой нагрузке (то есть при низ- времени без проблем, а другая часть иден-
ком значении тока в MOSFET-транзисторе) тичных источников питания выходит
низкого положительного падения напряже- из строя за короткое время при тех же самых
ния на сопротивлении канала недостаточно, рабочих режимах: могло сломаться только
чтобы провести полную рекомбинацию не- то оборудование, в котором использовался Рис. 10. Упрощенная схема
основных зарядов к моменту окончания вре- «слабый» транзистор (более медленный).

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 140

140 силовая электроника

прекращения прохождения прямого тока. ратном напряжении 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс. значения в течение периода проводимости
Канал оставался закрытым в течение этих ис- Данное обратное напряжение прикладыва- (10 мкс), даже если канал транзистора нахо-
пытаний. Эти испытания проводились при лось через 1 мкс после того, как прямой ток дится во включенном состоянии перед состо-
прямом токе 5 А в течение 10 мкс и обратном был выключен. янием проводимости внутреннего паразит-
напряжении 800 В с dv/dt = 1,33 В/нс. Данное Первое измерение было проведено с вы- ного диода.
обратное напряжение вначале прикладывалось ключенным каналом транзистора. Второе из- С другой стороны, FREDFET-транзистор
через 100 нс после того, как был выключен пря- мерение (рис. 12) было проведено с включе- из-за короткой продолжительности жизни
мой ток. Далее испытание с включением об- нием канала транзистора за 1 мкс до того, как неосновных носителей имеет фактически ну-
ратного напряжения повторялось с увеличе- прямой ток был выключен, и выключением левой запасенный заряд при включенном со-
нием интервала времени до тех пор, пока не был канала транзистора за 300 нс до подачи об- стоянии канала транзистора в течение послед-
достигнут базовый уровень заряда обратного ратного напряжения. ней микросекунды перед состоянием прово-
восстановления. Эти испытания проводились димости внутреннего паразитного диода.
на APT10026JN — стандартном MOSFET-тран- 3. Последствия от смещения затвора
зисторе и на APT10025JVFR — FREDFET-тран- при обратном восстановлении
зисторе (MOSFET-транзистор с быстровос- Мы подготовили испытательную установ-
станавливающимся внутренним паразитным ку (рис. 14) для тестирования поведения вну-
диодом). Результаты показаны на рис. 11. тренних паразитных диодов при обратном
восстановлении. Мы были заинтересованы
в получении данных не по результатам «аб-
солютных измерений», а скорее «сравнитель-
ных измерений» при тех же самых условиях
испытаний.

Рис. 12. Выбор временных отсчетов для измерения


эффектов в канале транзистора при запасенном заряде,
остающемся в переходе транзистора

Последующие измерения производились


с увеличением времени открытого состоя-
ния канала транзистора с шагом 1 мкс и вы-
Рис. 11. Запасенный заряд, остающийся ключением канала всегда в то же самое вре-
в переходе после прохождения прямого тока, мя (300 нс до момента приложения обрат-
стал равным нулю (Vgate = 0 В) ного напряжения). Результаты приведены
на рис. 13.
Рис. 14. Испытательная установка для измерения
Из рис. 11 ясно, что заряд остается в пере- обратного восстановления
ходе какое-то более длительное время, чем
указано в значении времени обратного вос-
становления. Стандартный MOSFET-транзи- Испытательное оборудование работает
стор был почти восстановлен через 100 мкс, следующим образом. Постоянный ток If , со-
но требовалось до 200 мкс времени, чтобы здаваемый генератором тока, протекает че-
восстановить транзистор полностью. рез внутренний паразитный диод. Далее мы
FREDFET-транзистор был почти восста- резко меняем полярность напряжения, при-
новлен через 3 мкс и полностью восстанов- ложенного к переходу диода, посредством
лен менее чем через 10 мкс. FREDFET-тран- внешнего ключа, связанного с источником
зистор восстанавливался намного быстрее, отрицательного напряжения Vr , приложен-
чем стандартный MOSFET-транзистор из-за ного к стоку. К затвору также может быть
более короткой продолжительности жизни приложено напряжение. Фиксируемые сиг-
неосновных носителей, приводящей к более налы — диодный ток (ток стока) и диодное
быстрой рекомбинации. напряжение (напряжение «сток–исток»)
2. Оценка последствий смещения Рис. 13. Зависимость запасенного заряда, (рис. 15).
затвора при запасенном заряде остающегося в переходе от времени (Vgate = 15 В) Обратите внимание, что на рисунке диод-
Для исследования включения канала тран- ный ток представлен в перевернутом виде:
зистора при запасенном в переходе заряде отрицательная часть формы сигнала — пря-
проводился другой ряд испытаний. Данный Ясно, что включение канала в течение ин- мой ток в диоде, положительная часть — ток
режим достигался за счет подачи потенциала тервала прямой проводимости внутреннего восстановления. Во всех измерениях прямой
на затвор тестируемого устройства в течение паразитного диода уменьшает количество за- ток If — 2,5 А и обратное напряжение Vr —
периода прямого прохождения тока. Запасен- пасенного заряда, и чем скорее канал транзис- 1 В. Напряжение затвора равно 0 или 3 В.
ный заряд был измерен через 1 мкс после то- тора перейдет во включенное состояние, тем Мы проверили несколько MOSFET-тран-
го, как прямой ток был остановлен. меньше величина остающегося заряда. Одна- зисторов. Рис. 16–19 показывают результаты
Как и прежде, эти испытания проводились ко запасенный заряд стандартного MOSFET- испытаний для стандартного MOSFET-тран-
при 5 А прямого тока в течение 10 мкс и об- транзистора никогда не достигает нулевого зистора и для FREDFET-транзистора.

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 141

силовая электроника 141

Стандартный MOSFET-транзистор
Как показано на рис. 16, в случае Vg = 0 В
величина tb принимает большие значения.
Это означает, что рекомбинация заряда требу-
ет много времени. Фактически, этот интервал
закончен только в случае, когда неосновные
носители, которые находятся на некотором рас-
стоянии от перехода, захвачены и притянуты
назад к переходу и, кроме того, емкость обрат-
но-смещенного перехода заряжена до значе-
ния Vr . Когда затвор смещен напряжением 3 В
(рис. 17), величины trr и Qrr (заряд обратного
восстановления) уменьшаются значительно.
Обратите внимание, что величина напряжения
3 В недостаточно велика, чтобы открыть канал
транзистора и пропустить существенный ток.
FREDFET-транзистор
В FREDFET-транзисторе мы можем наблю-
Рис. 15. Пример формы сигнала обратного восстановления дать то же самое явление, но в этом случае
сокращение trr меньшее (рис. 18 и 19).

Рис. 16. Обратное восстановление стандартного MOSFET;транзистора. Рис. 17. Обратное восстановление стандартного MOSFET;транзистора.
If = 2,5 A, Vr = 1 В, Vg = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 500 нс/дел. If = 2,5A, Vr = 1 В, Vg = 3 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 500 нс/дел

Рис. 18. Обратное восстановление FREDFET;транзистора. Рис. 19. Обратное восстановление FREDFET;транзистора.
If = 2,5 A, Vr = 1 В, Vg = 0 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел If = 2,5 A, Vr = 1 В, Vg = 3 В. Масштаб горизонтальной шкалы: 50 нс/дел

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 142

142 силовая электроника

По результатам проведенных испытаний, Последующие измерения были предпри-


выполненных на нескольких MOSFET-тран- няты с включением канала полевого транзи-
зисторах от различных поставщиков, можно стора на 1 мкс ранее, поддерживая канал
сделать вывод о том, что небольшое положи- во включенном состоянии в течение 2 мкс по-
тельное смещение на затворе (близкое, сле перенаправления тока и выключая канал
но не достигающее порогового значения на- за 200 нс до приложения обратного напряже-
пряжения открывания транзистора) имеет ния. Результаты показаны на рис. 20. Из ри-
большое влияние на обратное восстановле- сунков ясно, что хотя 9 А прямого тока через
ние внутреннего паразитного диода, даже диод привели к более высоким значениям на-
при том, что канал транзистора фактически чального запасенного заряда, чем 2 А (пря-
выключен. Достоверным объяснением дан- мого тока через диод), запасенный заряд был
ного поведения можно считать следующее: удален более эффективно в случае нахожде- Рис. 21. Исключение проводимости внутреннего
дополнительные электроны в канале транзи- ния канала транзистора во включенном со- паразитного диода с использованием
стора имеют тенденцию повторно объеди- стоянии. Причина этого кроется в более вы- перенаправляющих диодов
няться с избыточными «дырками», запасен- соком падении напряжения через канал (из-
ными в эпитаксиальном n-слое, ускоряя, та- за более высокого значения тока), которое
ким образом, восстановление внутреннего охватит большее количество заряда в пере- (current-steering diodes) — диод Шоттки по-
паразитного диода. ходе. Это объясняет, почему отказы произо- следовательно со стоком MOSFET-транзи-
4. Последствия протекания тока шли в случае низкого уровня выходной мощ- стора наряду с ультрабыстрым антипарал-
в канале (полевого транзистора) ности. В диоде остается большее количество лельным обводным диодом (рис. 21).
и состояние канала во времени заряда, которое делает диод более восприим- В этом случае внутренний паразитный ди-
при запасенном заряде, чивым к вторичному пробою при приложе- од никогда не проводит ток. Однако это ре-
остающемся в переходе нии высокого напряжения. шение весьма дорого и сложно, кроме того,
Для определения результатов протекания последовательный диод увеличивает потери
тока в канале полевого транзистора при за- Технические способы проводимости.
пасенном заряде проводился другой ряд ис- повышения надежности приборов 2. Нами было замечено, что в случае выход-
пытаний: пропускали прямой ток через ди- ных нагрузок выше 25% предельного зна-
од в тестируемом устройстве и затем полно- Для повышения устойчивости работы по- чения (который означает высокий ток
стью меняли полярность тока (то есть меняли левого транзистора и, следовательно, надеж- в ПНН-конверторе и, следовательно, вы-
прямой ток через диод на прямой ток кана- ности оборудования было исследовано не- сокое падение напряжения на сопротивле-
ла полевого транзистора равной величины) сколько решений. нии RDS(on) в течение времени, когда тран-
и поддерживали прямой ток канала транзи- 1. Использование зистор находится во включенном состоя-
стора в течение 2 мкс. Канал тестируемого ус- FREDFET-транзисторов нии) вероятность отказа незначительна.
тройства включался до или в момент перена- MOSFET-транзисторы с более быстрым вре- Ожидается, что вероятность отказа будет
правления тока и выключался позже, через менем обратного восстановления внутренне- уменьшена при незначительной нагрузке,
2 мкс. Затем, через 200 нс после того, как го паразитного диода демонстрируют боль- если мы поддерживаем достаточно высо-
канал транзистора был выключен, мы при- шую устойчивость и прочность при работе кое напряжение «сток–исток», вынуждая
кладывали к диоду обратное напряжение в ПНН-преобразователе. В настоящее время неосновные носители полностью реком-
800 В с dv/dt = 1,33 В/нс и измеряли запасен- доступны MOSFET-транзисторы с внутренним бинировать перед окончанием включенно-
ный заряд. Эти испытания проводились паразитным диодом, обладающим временем го состояния транзистора. Это может быть
с 2 и 9 А прямого тока, протекающего через обратного восстановления приблизительно достигнуто путем добавления схемы ис-
диод в течение 5 мкс. Первое измерение бы- в десять раз меньше времени восстановления ключения насыщения. На рис. 22 показа-
ло предпринято при выключенном канале. у полевых транзисторов, производимых не- но упрощенное схемное решение исклю-
Второе измерение было предпринято за 1 мс сколько лет назад. Это особенно справедливо чения насыщения транзистора.
перед перенаправлением тока, когда канал для случая полевых транзисторов высокого на-
находился во включенном состоянии. пряжения (800 В и 1000 В). Наш опыт пока-
зывает, что долговременная интенсивность
отказов ПНН-преобразователей, построен-
ных с 800-вольтовыми или 1000-вольтовы-
ми FREDFET-транзисторами намного мень-
ше, чем таковая для ПНН-преобразователей,
построенных со стандартными MOSFET-
транзисторами высокого напряжения.
Мы также рассмотрели три других возмож- Рис. 22. Упрощенная схема исключения насыщения
ных варианта повышения устойчивости, каж-
дый из которых требует некоторой модифи-
кации схемы ПНН-преобразователя. При использовании стабилитрона с надле-
2. Модификации конвертора жащим напряжением стабилизации, в случае
Цель модификаций состоит в том, чтобы незначительной нагрузки MOSFET-транзис-
избежать использования внутреннего пара- тор вынужден работать в линейной области
зитного диода или, по крайней мере, миними- своей рабочей характеристики. В этой облас-
зировать последствия его влияния на работу ти напряжение «сток–исток» больше не свя-
Рис. 20. Зависимость запасенного заряда,
схемы. Рассматривались три возможности: зано с током, протекающим в MOSFET-тран-
остающегося в переходе, от состояния канала 1. Проводимость тока внутренним паразит- зисторе, оно постоянно и равно разнице меж-
во времени с 2 и 9 А прямого тока ным диодом может быть предотвращена пу- ду управляющим напряжением и суммой
тем добавления перенаправляющих диодов напряжений стабилитрона и выпрямительного

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 143

силовая электроника 143

Рис. 23. Стандартный режим незначительной нагрузки. Рис. 24. Улучшенное поведение транзистора при незначительной нагрузке.
Io = 10 A, VDS: 100 В/дел, Vg: 2 В/дел, 500 нс/дел Io = 10 A, VDS: 100 В/дел, Vg: 2 В/дел, 100 нс/дел

диода. Напряжение стабилитрона должно падение напряжения через RDS(on) меньше, Если происходит увеличение тока нагруз-
быть выбрано таким, чтобы установить на- чем пороговое напряжение внутреннего па- ки, наклон напряжения «сток–исток» также
пряжение «сток–исток», по крайней мере, разитного диода, ток будет течь только в ка- увеличивается и при фиксированной за-
столь же высоким, как это было при 25% нале полевого транзистора. Именно это про- держке включения напряжение «сток–исток»
от предельной величины нагрузки. При боль- исходит при незначительной нагрузке. приближается к нулю в момент включения
шей нагрузке падение напряжения через со- Мы можем добиться включения MOSFET- MOSFET-транзистора (рис. 25).
противление RDS(on) выше, чем фиксирован- транзистора прежде, чем его напряжение Выше некоторого значения нагрузки на-
ная величина, установленная напряжением «сток–исток» достигнет нуля, во-первых, пряжение «сток–исток» достигнет нуля преж-
управления затвором, а также напряжениями путем сокращения времени задержки вклю- де, чем включится MOSFET-транзистор.
стабилитрона и выпрямительного диода, и по- чения или, во-вторых, путем сокращения В этом случае конвертор работает с преиму-
ведение работы схемы является обычным. dv/dt — скорости нарастания напряжения ществами переключения при нулевом напря-
Главные проблемы рассмотренного решения: «сток–исток». Оба условия могут быть легко жении (рис. 26).
– высокие требования к точности напря- выполнены: первое требует изменения вели- Применение этого решения существенно
жения на стабилитроне и температурная чины сопротивления в плате управления, ко- понизило вероятность отказа MOSFET-тран-
зависимость; торая устанавливает надлежащую задержку зистора без усложнения схемы и изменений
– увеличенное потребление мощности между транзисторными ключами, второе тре- в расположении компонентов. В массовом
драйвера MOSFET-транзистора; бует увеличения величины внешнего снаб- производстве это решение использовалось
– сложность схемы и дороговизна. берного конденсатора, помещенного парал- в комбинации с FREDFET-транзисторами.
3. Подобно схеме исключения насыщения, лельно с каждым транзисторным ключом. Эффективность такого комплексного решения
третье решение предотвращает проводи- (Эти конденсаторы обычно требуются, что- была доказана статистическим анализом, вы-
мость внутреннего паразитного диода бы сократить потери на выключение; они за- полненным на более чем 500 приборах, кото-
только в случае опасности возникновения медляют нарастание напряжения «сток–исток», рые суммарно проработали в течение свыше
проблемы, то есть при незначительной на- и в результате выключение тока транзисто- 3 миллионов часов. Этот анализ подтвердил,
грузке. Это решение оказалось простым ра заканчивается с незначительным напря- что вероятность отказа MOSFET-транзисторов
и эффективным без дальнейшего увеличе- жением на MOSFET-транзисторе). в ПНН-конверторе теперь незначительна.
ния сложности конвертора. Обратите внимание, что, открывая MOSFET-
Более тщательное рассмотрение основных транзистор при напряжении, отличном от Выводы
режимов работы мостового преобразовате- нуля, мы теряем преимущества переключе-
ля с мягким переключением (стадии от 2 до 4) ния при нулевом напряжении. Это, однако, Данная статья пытается объяснить некото-
показывает, что внутренний паразитный ди- не проблема, так как это происходит при не- рые до сих пор необъяснимые отказы, кото-
од может проводить, только если напряже- значительной нагрузке, где небольшое сни- рые наблюдались в конверторах с переклю-
ние «сток–исток» достигает нуля прежде, чем жение эффективности легко можно допу- чением при нулевом напряжении (в особен-
транзистор переходит во включенное состо- стить. Так или иначе, мы имеем «квазипе- ности в мостовом преобразователе с фазовым
яние (рис. 23). реключение при нулевом напряжении», сдвигом) с использованием высоковольтного
Если мы переводим MOSFET-транзистор поскольку напряжение «сток–исток» имеет MOSFET-транзистора.
во включенное состояние прежде, чем его на- достаточно времени, чтобы приблизиться Главным механизмом отказа MOSFET-
пряжение «сток–исток» достигает нуля к нулю до включения MOSFET-транзистора. транзисторов является вторичный пробой
(рис. 24), канал MOSFET-транзистора будет Так как потери на включение транзистора паразитного биполярного транзистора. Вто-
работать параллельно с внутренним паразит- пропорциональны квадрату напряжения на ричный пробой может происходить, когда
ным диодом до того момента, как начнет про- снабберном конденсаторе, режима квазипе- паразитный биполярный транзистор акти-
текать ток в транзисторе. Это, в свою очередь, реключения при нулевом напряжении доста- визирован остаточным зарядом, оставшим-
предотвращает протекание тока во внут- точно, чтобы поддерживать потери на вклю- ся в результате проводимости внутреннего
реннем паразитном диоде. Фактически, если чение на приемлемо низком уровне. паразитного диода. Согласно общим пред-

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006


KiT#57(4)_R.qxd 4/21/2006 6:24 PM Page 144

144 силовая электроника

Рис. 25. Квазипереключение при нулевом напряжении при средней нагрузке. Рис. 26. Переключение при нулевом напряжении в случае большой нагрузки.
Io = 30 А, VDS: 100 В/дел, Vg: 2 В/дел, 100 нс/дел Io = 75 A, VDS: 100 В/дел, Vg: 2 В/дел, 100 нс/дел

ставлениям о конверторах с переключением напряжение «сток–исток» достигнет нуля, Литература


при нулевом напряжении, в которых откры- и внутренний паразитный диод начнет про-
тый внутренний паразитный диод обычно водить ток. Как рассмотрено в статье, это мо- 1. Redl R., Balogh L., and Nathan O. Sokal. A Novel
шунтируется сопротивлением канала, в по- жет быть сделано без существенного влияния Soft Switching Full Bridge DC/DC Converter:
левом транзисторе не остается заряд после на эффективность преобразователя с предель- Analysis, Design Considerations and Experimental
периода проводимости тока. Как разъяснено ной нагрузкой, так как согласно сделанным Results at 1.5 kW, 100 kHz. PESC '90 Record.
в статье, а также продемонстрировано на при- в статье заключениям преждевременное вклю- 2. Andreycak B. Designing a Phase Shifted Zero Voltage
мере экспериментально полученных данных, чение канала необходимо только при незна- Transition (ZVT) Converter. Topic 3 in the Unitrode
это не соответствует истине: заряд, остаю- чительной нагрузке. Power Supply Design Seminar Manual. SEM-900.
щийся в стандартных MOSFET-транзисторах, В то время как может ожидаться малень- 1993. Unitrode Corporation.
может быть существенен и часто достаточен, кое снижение эффективности при незначи- 3. Andreycak B. Design Review: 500W, 40W/in3 Phase
чтобы вызвать вторичный пробой. тельной нагрузке из-за потери преимущест- Shifted ZVT Power Converter. Topic 4 in the
С другой стороны, заряд, остающийся ва переключения при нулевом напряжении, Unitrode Power Supply Design Seminar Manual.
в MOSFET-транзисторах с быстровосстанав- эффективность на предельной нагрузке долж- SEM-900. 1993. Unitrode Corporation.
ливающимся внутренним паразитным дио- на увеличиться из-за сокращения потерь 4. Andreycak B. Phase Shifted, Zero Voltage Transition
дом (FREDFET-транзисторы), достаточно на выключение, вызванного большими емко- Design Considerations and the UC3875 PWM
мал, и здесь проблема вторичного пробоя стями снабберной цепи. Статистический ана- Controller. Unitrode Application Note U-136A.
практически исчезает. Полная защита про- лиз отказа испытываемых источников питания 5. Pelly B. The Do's and Dont's of Using the Power
тив вторичного пробоя может быть достиг- доказывает, что комбинация FREDFET-тран- HEXFET. International Rectifier Application Note
нута путем совместного использования зисторов с увеличением емкости снабберной 936A.
FREDFET-транзистора с незначительной мо- цепи фактически устраняет отказы MOSFET- 6. Avalanche and dv/dt Limitation of the Power MOSFET.
дификацией в конверторе. Эта модификация транзистора, вызванные запасенным зарядом Chapter 5. Motorola TMOS Power MOSFET
заключается в увеличении емкости снаббер- внутреннего паразитного диода. Transistor Device Data Book. DL 135/D.
ной цепи, помещенной параллельно MOSFET- Авторы благодарят Mr. Luca Franzan из SICON 7. Certain features of the circuit topology are protected
транзистору таким образом, что канал поле- за полезные дискуссии и ценные комментарии, by US Pat. 5,198,969. Readers should refer to the
вого транзистора включается прежде, чем а также его общий вклад в данную работу. ■ patent for details.

КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 4 '2006