Вы находитесь на странице: 1из 9

Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Побистор или IGBT


и имитационное моделирование устройств на них

П
Владимир Дьяконов, ервый прибор класса IGBT был создан объемного заряда коллекторного перехода, насту-
д. т. н., профессор в СССР еще в 1977 г. и назван побистором. пающее при высоких напряжениях на коллекторе
На него было получено авторское свиде- (позже было установлено, что и при больших токах
vpdyak@yandex.ru тельство СССР на изобретение с запретом опублико- коллектора также), делает механизм перемещения но-
вания в открытой печати. В последующем приборы сителей в базовой и коллекторной областях полевым
этого класса стали массовыми изделиями, вместе (дрейфовым) и резко уменьшает время включения —
с мощными полевыми транзисторами существен- порою до 1 нс и меньше [1–3]. В течение малого фи-
но потеснившими на рынке мощные биполярные зического времени работы биполярного транзистора
транзисторы и тиристоры, и были признаны пер- в лавинном режиме были реализованы потенциально
спективными для применения в электроэнергетике. теоретически возможные рабочие токи и напряжения
В статье описано развитие этого класса приборов с минимальным временем включения.
и имитационное моделирование преобразователей К середине 70-х годов автором и его научной шко-
электроэнергии на них в системах MATLAB R2010a лой в Смоленском филиале МЭИ были опубликова-
и Simulink 7.5 новейших версий. Оно очень полезно ны многие десятки основополагающих работ по тео-
ввиду дороговизны новых приборов, позволяет про- рии и применению лавинных транзисторов, включая
водить моделирование различных по физике работы первую в мире монографию по ним [1]. Были уста-
устройств и заметно сократить сроки исследований, новлены первые научные связи с ведущей советской
разработки и проектирования изделий с ними. фирмой по созданию полупроводниковых прибо-
ров и интегральных микросхем — НИИ «Пульсар»
(Москва). Мы приняли участие в создании первого
От лавинных транзисторов к полевым
советского лавинного транзистора ГТ338 [1] (руко-
Сейчас уже ни у кого не вызывает сомнения, что соз- водитель разработок Ю. А. Кузнецов, позже ставший
дание мощных переключающих и силовых полупро- заместителем директора по научной работе). Эти ра-
водниковых приборов, широко используемых в самых боты продолжаются и в наше время [2, 3].
различных энергетических устройствах (от импульсных Однако уже в те далекие годы стало ясно, что ла-
источников питания до крупных энергетических уста- винные транзисторы — приборы уникальные и могут
новок, преобразователей и устройств электропривода), применяться в импульсных схемах для генерации очень
стало возможным благодаря применению технологии коротких мощных импульсов с большой скважностью
полевого механизма управления. Мощные биполярные и малой средней мощностью. В обычных силовых
транзисторы в последнее десятилетие все чаще и чаще схемах лавинный режим был скорее вредным, чем по-
вытесняются мощными полевыми транзисторами, а ти- лезным явлением, и изучался как фактор, ограничи-
ристоры, оставаясь наиболее массовыми ключевыми вающий область безопасной работы ключевых схем.
приборами, заменяются побисторами, или «биполяр- Но уникально высокое быстродействие лавинных тран-
ными транзисторами с полевым управлением» IGBT зисторов заинтересовало некоторые фирмы. В середи-
(Insulated Gate Bipolar Transistors). не 70-х годов кафедру посетила делегация из крупного
Многие годы по ключевым свойствам биполярные научно-производственного объединения НПО «Элас»
транзисторы намного превосходили полевые. Но, зеленоградского Центра микроэлектроники, входяще-
к сожалению, в обычном режиме работы они вели го в состав военно-промышленного комплекса (ВПК)
себя далеко не лучшим образом. Целый ряд фун- СССР тех лет. Нам было предложено взяться за крупную
даментальных физических явлений (накопление закрытую НИР по проблеме создания высоковольтных
избыточных зарядов при включении, насыщение и сильноточных быстродействующих и сверхбыстро-
структуры, неравномерность распределения плот- действующих источников импульсов. Не без колебаний
ности тока по площади эмиттера, расширение базы мы согласились. Причины сомнений очевидны — фи-
вследствие эффекта Кирка и вызванное этим падение зически было невозможно обеспечить одновременно
усилительных и частотных свойств и т. д.) сильно большие рабочие напряжения полупроводниковых
препятствовали росту рабочих токов и мощностей приборов с большими токами, особенно в условиях
биполярных транзисторов. Серьезным их недостат- их высокого быстродействия. Промышленной базы
ком стала значительная задержка выключения при для производства таких приборов в Смоленском фи-
насыщении транзистора, связанная с рассаcыванием лиале МЭИ не было, и это обрекало наши разработки
зарядов избыточных носителей в его базе. Все эти на длительный путь внедрения и закрепляло за ними
минусы связаны с инжекционным механизмом уникальный (т. е. не массовый) характер. Но в те годы
управления биполярным транзистором и медлен- ВПК СССР не жалел денег на фундаментальные научные
ным механизмом диффузионного (лишь частично работы, тема была открыта и хорошо профинансирова-
дрейфового) переноса носителей тока. на. Кафедра быстро оснастилась самой современной из-
В конце 60-х годов ушедшего века было установ- мерительной аппаратурой тех лет — высокочастотными
лено, что в лавинном режиме работы перекрытие стробоскопическими и высокоскоростными осцилло-
базовой области биполярного транзистора областью графами, генераторами наносекундных импульсов,

24 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

цифровыми вольтметрами и т. д. Не было за- генераторных ВЧ- и СВЧ-полевых транзисторов


труднений и в получении массовых и опытных для радиопередатчиков принадлежит СССР.
радиокомпонентов, включая транзисторы раз- Еще в 1973 г. советские полевые транзисторы
личных типов. КП901 и КП902 (руководитель разработок В. В.
Работа с НПО «Элас» помогла нам расши- Бачурин из НИИ «Пульсар») получили Золотую
рить связи с другими научными учреждения- медаль на Международной выставке-ярмарке
ми: НИИ «Пульсар», НПО «Полюс» и т. д. в Лейпциге. Вскоре были созданы полевые
В те годы связь вузов с научными учрежде- «громадины» — транзисторы КП904, отдающие
ниями поощрялась и была взаимовыгодной. мощность в десятки ват на частотах до 60 МГц.
Разработчики получали возможность при- Максимальная рассеиваемая мощность прибо- Рис. 1. Составной транзистор (биполярный,
влечь к своим разработкам ученых и студентов. ров составляла 75 Вт, а максимальное рабочее управляемый полевым транзистором)
Высшие учебные заведения принимали широ- напряжение 100 В [8]. Все наши приборы по-
кое участие в фундаментальных исследованиях казали прекрасные импульсные и динамические
и публикациях по ним статей и книг, до чего свойства: время переключения КП901 и КП902 высоковольтного и сильноточного биполярно-
руки вечно занятых разработчиков аппарату- достигло 1 нс. Но, будучи устройствами с гори- го транзистора [12, 13]. Заметим, что в эти годы
ры обычно не доходили. Кроме того, ученые зонтальным каналом с высокоомным язычком биполярный транзистор был более мощным
вузов обычно имели более широкие взгляды в стоковой области, они имели большие оста- и сильноточным прибором, чем полевой.
на изучаемые ими задачи и могли заниматься точные напряжения (до 10–15 В). Мы обратили внимание на то, что если
смежными вопросами, что в отраслевых НИИ К сожалению, в те годы внедрение новых соединить накоротко сток МДП-транзистора
и КБ обычно не приветствовалось. идей в изделия электронной промышленно- с коллектором мощного биполярного транзи-
Благодаря связям с фундаментальной и отрас- сти не приветствовалось, и мощные полевые стора (рис. 1), то такая структура при малом
левой наукой (электроникой и микроэлектро- транзисторы развивались, в основном, как омическом сопротивлении коллектора (его ча-
никой) мы уже в начале 70-х годов значительно ВЧ- и СВЧ-приборы для радиопередающих сто обозначают rх’) принципиально не насыща-
расширили круг своих интересов и занялись устройств. Они давали лучшие спектральные ется при включении и не имеет задержки при
исследованиями только-только появившихся характеристики радиопередающих устройств выключении, свойственной насыщающимся
мощных полевых транзисторов. Исследуя опыт- и обеспечивали меньшие взаимные помехи ключам с биполярными транзисторами. При
ные образцы ВЧ- и СВЧ-полевых транзисторов множества радиопередатчиков в зоне боя (са- заданном выходном токе (он определяется
НИИ «Пульсар», мы выявили их уникальные молетных, танковых и т. д.). Остаточные на- током коллектора биполярного транзистора)
импульсные свойства: возможность сверхбы- пряжения у таких приборов достигали 10–15 В, ключ требует применения менее мощного по-
строго (менее 1 нс) переключения, отсутствие а рабочие напряжения не превышали 100 В. левого транзистора с меньшим током стока,
насыщения при включении и задержки времени Вслед за приборами с горизонтальным кана- который задает ток базы биполярного тран-
выключения, малые остаточные напряжения лом были созданы первые отечественные по- зистора (стоит вспомнить, что ток коллектора
и т. д., и поставили вопрос о производстве и раз- левые транзисторы вертикальной структуры у биполярного транзистора в B раз превосходит
витии мощных ключевых полевых транзисто- с V-образным затвором и практически верти- ток базы, а значения B составляют десятки раз,
ров [4, 5]. Замечу, что в те годы эти свойства кальным затвором и тонким диэлектриком. где B — коэффициент передачи тока базы).
были далеко не очевидны, и серийные полевые Это транзисторы КП905, КП907, КП908, КП911 Годом позже нами, совместно с сотрудниками
транзисторы были маломощными прибора- и КП913. По частотным свойствам (рабочие НИИ «Пульсар», была подана заявка на изобре-
ми с напряжениями всего до 15–20 В, токами частоты до 2 ГГц и выше [9]) и скорости пере- тение № 2725221 «Полупроводниковый прибор»
до 15–20 мА и временами переключения в сотни ключения в ключевых схемах они превосходили с приоритетом от 15 февраля 1979 г. Было по-
наносекунд. Особых перспектив в импульсных подобные западные серийные транзисторы. лучено авторское свидетельство СССР № 757051
устройствах они не имели, поскольку облада- Несколько позже были разработаны первые (рис. 2), зарегистрированное 21 апреля 1980 г. [14].
ли большими временами переключения (доли советские высоковольтные ключевые МДП-
микросекунд) из-за больших удельных емко- транзисторы КП701 и КП702 [10, 11] с рабо-
стей структуры и плохих ключевых свойств. чими напряжениями до 500 В. В это время
Наши исследования показали, что быстро- разработка мощных переключающих поле-
действие маломощных полевых транзисторов вых транзисторов была широко развернута
очень далеко от потенциально возможного из- во всем мире. Структура полевых транзисто-
за больших паразитных емкостей структуры ров совершенствовалась, и они стали достой-
и большой толщины подзатворного диэлек- ными конкурентами для мощных биполяр-
трика. Стало ясно, что только изготовление ных транзисторов, превосходя их не только
полевых транзисторов по микроэлектронной по скорости переключения, но и нередко (хотя
технологии способно резко повысить скорость и не всегда) по уровням рабочих напряжений
переключения полевых транзисторов. Это до- и токов. Появились приборы с сопротивле-
стигалось созданием распределенных и многих нием во включенном состоянии в единицы-
одновременно работающих параллельно струк- десятки милиом. К этому времени наметилось
тур мощных приборов. По существу, мощные наше отставание от зарубежного уровня раз-
полевые транзисторы превратились в специали- вития силовых полевых транзисторов.
зированные интегральные микросхемы.
Переход к микроминиатюрным полевым тран- Как появился побистор
зисторам с применением нанотехнологий привел (впоследствии — IGBT)
к разработкам фирмами Intel, AMD и IBM уже
в начале этого века терагерцевых микротранзи- Еще в 1977 г. наша кафедра выполнила для
сторов с рабочими напряжениями 1–2 В и очень НИИ «Пульсар» НИР «Исследование наносе-
малыми токами. Ныне они широко используют- кундных импульсных устройств на мощных
ся в микросхемах памяти и микропроцессоров, СВЧ МДП-транзисторах» (заключительный от-
оcобенно корпорации Intel [6, 7]. чет по ней был сдан в мае 1978 г.). Именно тогда
Но в те годы перед нами стояла задача реали- мы впервые исследовали составные транзисторы Рис. 2. Авторское свидетельство СССР
зации высокого быстродействия мощных (сило- (рис. 1), в которых мощный МДП-транзистор №757051
вых) приборов. Приоритет в создании мощных использовался для запуска еще более мощного

www.powere.ru 25
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 4. Фрагмент текста из описания изобретения

Рис. 3. Структура побистора, предложенного в которой эти работы были проведены. Не все • полевой транзистор имеет V-образную
в изобретении [14]: 1 — высоколегированная создатели «побистора» дожили до наших дней. структуру, более совершенную и более со-
n+подложка; 2 — низколегированная область Нам кажется, что сейчас вполне назрело время временную, чем у полевых транзисторов
коллектора, частью которой является область вспомнить, как развивались события в те годы с горизонтальным каналом.
стока; 3 и 4 — области базы и эмиттера и чем отличаются сопоставляемые приборы — Типичное семейство выходных вольт-амперных
биполярного транзистора; 5 — область истока побисторы и IGBT. Тем более, что не все воз- характеристик (ВАХ) одного из первых побисто-
полевого транзистора; 6 — область канала (она можности побисторов реализованы в IGBT ров показано на рис. 5. Напряжение на включен-
же область базы); 7 — проводящая область даже новых поколений. ном приборе составляет единицы вольт и значи-
канала; 8 — Vобразная канавка; В побисторе используется n + -p-n-n + - тельно меньше остаточного напряжения МДП-
9 — изоляционная область затвора; структура эпитаксиального биполярного транзисторов. Форма ВАХ весьма характерна для
10 — проводящая область затвора; транзистора, управляемого n-канальным приборов рассматриваемого класса.
11 — проводящая (металлическая) область МДП-транзистором в наклонным (поч-
подложки; 12 — металлический контакт к истоку ти вертикальным) каналом, показанная
А что такое IGBT?
и базе; 13 — металлический контакт к эмиттеру на рис. 3.
Побистору присущи все основные харак- Приборы, называемые ныне IGBT, полу-
теристики, свойственные этому классу при- чили поистине массовую известность. Одна
Это изобретение не было секретным, но его боров (включая современные IGBT). На рис. 4 из причин этого — столь же броское, сколь
описание имело гриф «Не подлежит опубли- представлен отсканированный фрагмент тек- и неточное название (Insulated Gate Bipolar
кованию в открытой печати». Поэтому, будучи ста из описания изобретения [14], кратко и ис- Transistors). Чтобы разобраться в неточностях
сознательными советскими гражданами тех лет, черпывающе отражающий физическую суть принципиального характера, рассмотрим ти-
его авторы не стали упоминать его в статьях, по- нового прибора. пичные структуры первых планарных IGBT.
священных совместному применению полево- Отметим некоторые особенности побисто- На рис. 6 показан эквивалент IGBT на дис-
го и биполярного транзисторов, которые были ра, отличающие его от IGBT, причем в луч- кретных приборах.
опубликованы в последующие годы [12, 13]. шую сторону: В сущности, IGBT являются комбинацией
Авторам изобретения выплатили премию по • прибор использует структуру n+-p-n-n+- управляемого напряжением затвора полевого
50 советских рублей каждому. биполярного транзистора, имеющую луч- транзистора и тиристора, который, после при-
Однако сейчас ясно, что устройства дан- шие электрофизические параметры, чем нятия специальных мер по блокировке паразит-
ного класса (мы их назвали побисторами — p-n-p-структура IGBT; ного транзистора, становится подобным обыч-
ПОлевой и БИполярный транзиСТОР) вслед • эта структура не имеет дополнительных па- ному биполярному транзистору типа p+-n-p-p+.
за мощными полевыми транзисторами стали разитных или специально созданных слоев; Никакого полевого управления (или изолиро-
новым и весьма перспективным классом си- • отсутствует паразитный биполярный тран- ванного затвора) основной биполярный транзи-
ловых полупроводниковых приборов, назван- зистор, который вызывает «защелкивание» стор не имеет — он, как обычный биполярный,
ных за рубежом «биполярными транзистора- при включении IGBT; управляется током базы. Механизм управления
ми с полевым управлением» (Insulated Gate • канал полевого транзистора образуется при этом инжекционный. Но ток базы создает-
Bipolar Transistors, IGBT). За рубежом эти при- в области, примыкающей к высокоомной ся полевым транзистором, имеющим полевое
боры стали упоминаться в литературе с 1985 г., n-области коллектора биполярного, что управление с помощью затвора. Так что на са-
т. е. спустя семь лет с зарегистрированного исключает или сильно затрудняет его на- мом деле IGBT вовсе не является биполярным
момента подачи заявки [14]. Большой вклад сыщение при включении; транзистором с полевым управлением.
в их развитие внесли фирмы International • у прибора нетрудно вывести вывод от базы Схема интегрального прибора, появивше-
Rectifier, General Electric, Mitsubishi Electric, структуры биполярного транзистора, что гося примерно в 1985 г., показана на рис. 7.
RCA, Hitachi, Vishay и др. позволит подключать к ней цепи, резко Подобная структура была предложена и реа-
Ныне ограничения на публикацию наших ускоряющие выключение (например, про- лизована рядом зарубежных фирм. Самой ха-
работ давно потеряли силу. Распалась страна, сто резистор между базой и эмиттером); рактерной частью устройства является ниж-

а б

Рис. 5. Семейство ВАХ одного Рис. 6. а) Эквивалент IGBT на основе планарных МДПтранзистора и тиристора;
из первых побисторов б) схема при блокировке паразитного транзистора

26 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 8. Внешний вид модулей IGBT,


представленных фирмой «Платан» Рис. 9. Семейство ВАХ современного
высоковольтного и сильноточного IGBT
с SPT+элементами
сотни таких изделий, и их цена лежит в преде-
Рис. 7. Структура планарного IGBT лах от сотен до десятков тысяч рублей.
с горизонтальным каналом полевого Некоторые из отдельных приборов и мо- компьютерной математики. В частности, это
транзистора дулей IGBT имеют уникальные технические позволило не забывать о проектировании
характеристики и могут применяться в мощ- мощных высокоскоростных импульсных
ных энергетических установках. К примеру, устройств, в том числе побисторов и IGBT,
ний тонкий p+-слой, позволяющий умень- на рис. 9 представлено семейство ВАХ в об- и перевести его в иную плоскость — матема-
шить сопротивление коллектора включенного ласти малых напряжений сильноточного (до тического моделирования.
биполярного транзистора. На рис. 7 показана 1,7 кА и выше) IGBT с SPT+-элементами [18]. Моделирование IGBT, как и других полу-
структура тиристора у приборов этого клас- Эти модули имеют максимальные рабочие на- проводниковых приборов, возможно с по-
са. Считается, что двойная инжекция носи- пряжения до 4,5 кВ [18] и выше. В российском мощью программ схемотехнического моде-
телей в p+-слой коллектора ведет к модуля- ОАО «Электровыпрямитель» созданы модули лирования типа PSpice, DesignLab, MicroCAP,
ции (уменьшению) его сопротивления, что IGBT для железнодорожного транспорта для PCAD и использованием достаточно полных
снижает падение напряжения на включенном работы в сетях постоянного тока с напряжени- моделей приборов. Однако диапазон значе-
приборе. ем 3 кВ и напряжением изоляции до 20 кВ. ний параметров IGBT очень широк. Различны
Позже появились приборы на основе Разумеется, сравнивать характеристики первых и технологические приемы, применяемые при
МДП-транзистора с вертикальным каналом составных транзисторов и советских побисторов их создании. Учет всех тонкостей работы при-
и множество других конструкций, улучшаю- с характеристиками современных модулей IGBT боров в таких программах усложняет их модели
щих характеристики приборов IBGT, но не некорректно. Но приоритет есть приоритет, и увеличивает время моделирования и число
меняющих сути их работы. А она та же, что и дискуссия по нему, безусловно, нужна и по- параметров. Часто эти электрофизические па-
у побистора! лезна. Наши приборы до 90-х годов были закры- раметры моделей пользователю просто неиз-
Интересен вопрос, почему зарубеж- той разработкой и после развала СССР вообще вестны, и он вынужден брать их «с потолка»,
ные разработчики изначально построили не развивались. Именно в это время за рубежом что снижает точность моделирования. Кроме
IGBT на основе мощного p-n-p-транзистора было создано несколько поколений полупрово- того, часто требуется моделирование систем,
(а не n-p-n) в «перевернутом» включении — дниковых приборов, а также ряд силовых мо- состоящих из разнородных устройств, в том
коллектор биполярного транзистора является дулей на их основе. В них используются новые числе магнитных, механических, гидравли-
эмиттером IGBT. Можно предположить, что и новейшие технологии изготовления [15–18], ческих и т. д. Но, если сравнить рис. 5 и 8,
они знали о советской заявке [14] и постара- хотя физические основы их работы и реализуе- становится очевидно, что семейства ВАХ по ка-
лись избежать полного копирования структу- мые преимущества остались прежними. чественному их виду мало различаются у пер-
ры этого прибора. Но, скорее всего, они просто вых не очень мощных побисторов и у новейших
взяли за основу прибора вовсе не транзистор, Имитационное моделирование сверхмощных IGBT. Исследования показали,
а тиристор, который к этому времени уже про- преобразовательных устройств что они качественно мало отличаются и в ди-
славился как самый сильноточный и высоко- на побисторах и IGBT намике переходных процессов переключения.
вольтный прибор. Заблокировав паразитную Поэтому широкое распространение получило
транзисторную структуру, они получили В начале 90-х годов творческие связи на- имитационное макромоделирование электрон-
комбинацию полевого транзистора с бипо- шей кафедры с предприятиями-заказчиками ных схем и устройств на этих замечательных
лярным — т. е. прибор с полным управлением распались, а автор был вынужден перейти приборах. Их математические макромодели
и свойствами побистора. на работу в Смоленский государственный были включены в ряд программных средств.
Сейчас, когда термин IGBT стал широко педагогический институт (ныне университет Пожалуй, одними из самых эффективных
и всемирно известным, вряд ли стоит упо- СмолГУ). Основным направлением научных и простых являются средства макромоделиро-
добляться герою, прославившемуся борьбой работ стало исследование и внедрение систем вания и формальные модели этих приборов,
с ветряными мельницами. Пусть мельница —
IGBT — крутится на пользу всему человече-
ству, тем более, что создатели IGBT во всем
мире за три десятка лет добились впечатляю-
щих успехов в создании этого нового класса
силовых приборов: уровни их рабочих напря-
жений выросли до многих киловольт, а то-
ков — до килоампер. Наряду с дискретными
одиночными уже давно выпускаются модули
с множеством IGBT-приборов. Внешний вид а б
небольшой группы таких модулей, представ-
ленных фирмой «Платан» на нашем рынке, Рис. 10. а) Обозначение IGBT; б) формальная модель IGBT
можно увидеть на рис. 8. Ныне выпускаются

www.powere.ru 27
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Система параметров модели IGBT предельно


проста. Открытый IGBT представляется после-
довательным сопротивлением Ron, индуктив-
ностью Lon и источником напряжения сдвига
V1. Таким образом, идеализированная ВАХ
прибора соответствует показанной на рис. 11.
Она является линейным приближением для
рабочего участка ВАХ включенного IGBT.
Идеализированные временные диаграммы
выключения IGBT представлены на рис. 12.
Процесс выключения разбит на две стадии: спада
тока от максимального значения Imax до 0,1·Imax
за время Tf и от значения 0,1·Imax до 0 за время Tt.
Рис. 11. Идеализированная ВАХ IGBT Предусмотрено шунтирование выходной це-
Рис. 12. Идеализированные временные пью, содержащей последовательно включен-
диаграммы выключения IGBT ные резистор Rs и конденсатор с емкостью Cs
(по умолчанию равные 105 Ом и бесконечность
Inf). Это значит, что по умолчанию IGBT шун-
тирован сопротивлением 105 Ом.
Указанные выше характеристики модели
задаются в окне параметров IGBT, показан-
ном на рис. 13. Это окно появляется на экране
дисплея компьютера, если дважды щелкнуть
мышью на блоке IGBT в диаграмме модели.
Окно содержит 8 простых параметров (в мо-
дели IGBT программы схемотехнического
моделирования DesignLab, к примеру, таких
параметров 18 [21], и многие из них известны
только разработчикам этих приборов).
Рис. 14. Окно параметров IGBT Второй блок содержит шунтирующий
с шунтирующим диодом IGBT диод. Окно его параметров представ-
лено на рис. 14. Этот блок часто применяется
в схемах с индуктивным накопителем энергии.
MATLAB-Simulink давно стала международ- Диод предотвращает подачу на IGBT напряже-
ным стандартом в области технических расче- ния обратной полярности. Идеализированных
Рис. 13. Окно параметров IGBT тов и имитационного математического моде- параметров у этой модели IGBT всего три.
лирования технических устройств, в том числе
мощной электроники и энергетики.
Моделирование простейшей схемы
вошедшие в специальный пакет расширения В библиотеки моделей последних версий па-
инвертора с одним IGBT
по мощной энергетике SimPowerSystem ма- кета SimPowerSystem системы MATLAB-Simulink
тричной системы компьютерной математи- входят два блока макромоделей одиночных Приведенные ниже примеры моделирования
ки MATLAB [19, 20]. Он реализует блочное IGBT — без шунтирующего диода и с ним. преобразовательных устройств на IGBT входят
визуально-ориентированное имитационное На рис. 10 показано обозначение IGBT и его фор- в справочную систему новейшей версии систе-
моделирование с применением универсаль- мальная модель. Она содержит блок логического мы MATLAB R2010a и пакета Simulink версии
ного пакета расширения Simulink. Система управления и идеальный ключ SW. 7.5. На рис. 15 показана диаграмма модели про-

Рис. 15. Модель простейшего однотактного преобразователя на IGBT Рис. 16. Окно виртуального осциллографа с графиками
в окне расширения Simulink программы MATLAB R2010a переходных процессов

28 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 17. Окно GUIинструмента Рис. 18. Пример спектрального анализа выходного напряжения с помощью GUIинструмента

стейшей преобразовательной схемы на основе


IGBT-ключа и индуктивного накопителя энергии
с диодом. Преобразователь преобразует входное
постоянное напряжение Vdc = 100 В в повы-
шенное выходное напряжение Vout = Vdc/(1– α),
где α — коэффициент заполнения управляющих
ключом импульсов. Например, при α = 0,5 пре-
образователь примерно удваивает входное на-
пряжение при близком к 100% КПД.
При запуске моделирования (нажатием кноп-
ки со знакомв панели инструментов окна Рис. 19. Пример применения драйвера для запуска полумостовой ключевой схемы на двух IGBT
Simulink) представленная в верхнем левом углу
диаграмма (модель) устройства запускается
на процесс моделирования, параметры и метод синусоидальное напряжение (ток) с высоким IGBT (снизу) показан на рис. 20. Это иллю-
которого можно установить в соответствующем КПД. Обычно для этого применяются ключи стрирует возможность пакета Simulink осу-
окне (меню Simulation). Под диаграммой модели на двух (рис. 19) и четырех IGBT с диодами. ществлять моделирование в одном окне двух,
имеется окно многоканального виртуального Пример построения моделей инвертора а при необходимости — и большего числа са-
осциллографа, выдающего семейство «осцил- на основе ключа с двумя (сверху) и четырьмя мостоятельных диаграмм моделей.
лограмм», иллюстрирующих переходные про-
цессы работы моделируемой схемы (рис. 16).
Пакет SimPowerSystem позволяет вставлять
в диаграмму моделей специальный блок анализа
процессов, реализованный средствами графиче-
ского интерфейса пользователя GUI (Graphical
User Interface). При активизации блока мышью
появляется окно этого инструмента (рис. 17).
Из его функционала рассмотрим только воз-
можность выполнения спектрального анализа
сигналов методом быстрого преобразования
Фурье (FFT) с выделением временным окном
участка исследуемого процесса. Пример такого
анализа показан на рис. 18. Спектр строится для
фрагмента временной зависимости выходного
напряжения после его выброса в начале моде-
лирования. Он выделен линией красного цвета.
Первая линия спектра (для нулевой частоты) по-
казана с ограничением ее высоты.

Моделирование инверторов
на двух и четырех IGBT
На IGBT часто строятся однофазные инвер-
торы, обеспечивающие преобразование по- Рис. 20. Модели однофазного инвертора на основе ключа на двух и четырех IGBT
стоянного напряжения в переменное почти

www.powere.ru 29
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 21. Окно виртуального осциллографа с графиками переходных Рис. 22. Пример спектрального анализа выходного напряжения
процессов для инвертора на двух IGBT с помощью GUIинструмента для инвертора на двух IGBT

Для получения напряжения с основной нагрузки содержит куда меньшие высокоча- трехфазного управляемого выпрямителя.
синусоидальной компонентой используется стотные пульсации, чем ток в схеме с полу- Он может быть задан на применение любого
широтно-импульсная модуляция источников мостовым инвертором (рис. 21). из приборов, показанных на рис. 26. В их число
питания положительной и отрицательной по- Этот вывод подтверждает и спектральный ана- входит IGBT. Модуль позволяет строить управ-
лярности. Индуктивность сглаживает форму лиз выходного тока, представленный на рис. 24. ляемые трехфазные выпрямители с малыми
тока. На рис. 21 показаны временные диаграм- Обратите внимание на то, что в этом случае пульсациями выходного напряжения.
мы работы инвертора с ключами, выполнен- коэффициент гармоник уменьшился до 2,01%, Выбор приборов осуществляется в окне па-
ными на двух IGBT. т. е. он примерно в 3,5 раза меньше, чем в случае раметров трехфазного выпрямителя. Оно по-
С помощью GUI измерительного блока полумостового однофазного инвертора. казано на рис. 27 с открытой вкладкой выбора
можно выполнить спектральный анализ тока Для более детального просмотра временных приборов. Достоинством такого решения яв-
в последовательном контуре (тока нагруз- зависимостей работы моделируемого устрой- ляется то, что моделируемая схема выпрями-
ки). Помимо построения спектра, измеряется ства достаточно уменьшить время моделиро- теля может быть построена на любом из при-
полный коэффициент гармоник тока. Он для вания или выделить на осциллограммах не- боров, что очень полезно при сравнении таких
верхней схемы рис. 20 равен 7,24%, т. е. до- большой участок процессов. Эта возможность схем. При этом замена схемы производится
вольно большой. Это видно и из формы тока, представлена на рис. 25 и хорошо иллюстри- сменой типа прибора в окне (рис. 27).
которая содержит заметные высокочастотные рует детали осциллограмм. Если, к примеру, выбрать IGBT, то схема
пульсации, связанные с коммутацией полумо- блока трехфазного выпрямителя будет иметь
стового преобразователя (рис. 22). вид, показанный на рис. 28. На вход блока по-
Моделирование трехфазных
Применение мостового инвертора с че- дается трехфазное напряжение (фазы A, B, C),
управляемых выпрямителей
тырьмя IGBT позволяет существенно улуч- на выходе образуется постоянное напряжение
шить форму выходного тока. Это видно В состав моделей силовых устройств с пульсациями. Схемы других выпрямителей
по рис. 23: на нем почти синусоидальный ток в Simulink 7.5 входит универсальный модуль этого типа вполне очевидны. Заметим, что

Рис. 23. Окно виртуального осциллографа с графиками переходных Рис. 24. Пример спектрального анализа выходного напряжения
процессов для однофазного инвертора на четырех IGBT с помощью GUIинструмента для инвертора на четырех IGBT

30 www.powere.ru
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 26. Cиловые приборы, на которых


Рис. 25. Пример детального просмотра временных диаграмм работы может строиться универсальный модуль
мостового инвертора трехфазного выпрямителя

схематичное обозначение блока меняется в за- ботающего на временно отключаемую нагруз-


висимости от выбранного прибора. ку. Он построен на основе модуля с шестью
На рис. 29 показана диаграмма модели приборами IGBT. В диаграмму включены бло-
мощного (нагрузка до 200 кВт) трехфазного ки осциллографического контроля, система
выпрямителя (конвертора переменного тока регулировки напряжения и блок GUI измери-
в постоянный с малыми пульсациями), ра- теля для определения спектрального состава
сигналов.
Временные диаграммы могут контролиро-
ваться как отдельными виртуальными осцил-
лографами, так и многоканальным осцилло-
графом. На рис. 30 показан пример контроля
выпрямителя отдельными осциллографами.
Полное окно многоканального виртуального
осциллографа показано на рис. 31. Оно позво-
ляет судить о сложности переходных процессов
при работе моделируемого устройства.
Окно спектрального анализа устройства
(рис. 29) представлено на рис. 32. Коэффициент
Рис. 27. Окно параметров блока Рис. 28. Модуль трехфазного выпрямителя гармоник устройства составляет всего 0,37%
универсального трехфазного выпрямителя на шести IGBT для выбранного для спектрального анализа
сигнала.

Рис. 29. Диаграмма модели трехфазного выпрямителя, работающего Рис. 30. Раздельные осциллограммы временных зависимостей
на коммутируемую нагрузку трехфазного выпрямителя на IGBT

www.powere.ru 31
Силовая Электроника, № 5’2010 Силовая элементная база

Рис. 31. Совмещенные осциллограммы временных зависимостей


трехфазного выпрямителя на IGBT Рис. 32. Окно спектрального анализа трехфазного выпрямителя на IGBT

Представленные выше примеры дают хоро- 6. Дьяконов В. П. Кирпичики для Pentium’ов. на составном транзисторе // Электронная
шее представление о довольно сложных физи- Сверхминиатюрные транзисторы корпора- промышленность. 1981. Вып. 2.
ческих процессах в подобных устройствах и по- ции Intel // Ремонт и сервис. 2005. № 6. 14. А. с. № 757061 (СССР). Полупроводни-
зволяют детально исследовать и оптимизиро- 7. Дьяконов В. П. Intel. Новейшие информа- ковый прибор / В. В. Бачурин, В. П. Дья-
вать их еще до этапа физического макетирования. ционные технологии, достижения и люди. конов, А. И. Гордеев, А. М. Ремнев //
Учитывая дороговизну и сложные условия ра- М. СОЛОН-Пресс. 2004. Заявка 2725221, приоритет изобретения
боты побисторов и IGBT в силовых устройствах, 8. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. от 15.02.1979.
моделирование их может сберечь эти приборы Мощный высокочастотный МДП-транзистор 15. Образцов А., Смердов В. Биполярные
и существенно ускорить процесс макетирования КП904 // Электронная промышленность. транзисторы с изолированным затвором //
и разработки силовых устройств. 1979. № 5. Ремонт и сервис. 2005. № 4.
9. Бачурин В. В., Бычков С. С., Дьяконов В. П., 16. Царьков В. Б. Биполярные транзисторы
Прушинский А. К. Мощный кремниевый с изолированным затвором для начинаю-
Литература
сверхвысокочастотный МДП-транзистор щих. IGBT for beginners. http://lipetsk.lug.ru/
1. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы КП908 // Электронная промышленность. projects/igbt/index.html. 2010.
и их применение в импульсных устрой- 1980. № 1. 17. Афанасьев В. Особенности применения би-
ствах. М.: Радио и связь. 1973. 10. Бачурин В. В., Бычков С. С., Дьяконов В. П. полярных транзисторов с изолированным
2. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и др. Мощный кремниевый высоко- затвором // Электрик. 2010. № 5-6.
и тиристоры. Теория и применение. М.: вольтный МДП-транзистор КП701 // 18. Рахимо М., Шнайдер Д., Шнелл Р., Айхер С.,
СОЛОН-Пресс. 2008. Электронная промышленность.1985. № 9. Шлапбах У. IGBT-модули HiPack
3. Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы вче- 11. Бачурин В. В., Бычков С. С., Дьяконов В. П. на ток до 3,6 кА по технологии SPT+ //
ра, сегодня и завтра // Компоненты и техно- и др. Высоковольтный мощный МДП- Электроника. Наука, Технология, Бизнес.
логии. 2010. № 8. транзистор КП702 // Электронная про- 2006. № 5.
4. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В. мышленность. 1986. № 2. 19. Дьяконов В. П., Пеньков А. А. MATLAB
Мощные высокочастотные и сверхвы- 12. Дьяконов В. П., Бачурин В. В., Ремнев А. М. и Simulink в электроэнергетике. Справочник.
сокочастотные МДП-транзисторы // Статические вольт-амперные характеристики М.: ДМК-Пресс. 2009.
Электронная промышленность. 1979. № 5. ненасыщающихся составных транзисторов 20. Дьяконов В. П. Simulink 5/6/7. Самоучитель.
5. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Новожилов А. М. на биполярных и МДМ-приборах // Известия М.: ДМК-Пресс. 2008.
Мощные полевые транзисторы во вторич- вузов. Приборостроение. 1980. № 4. 21. Разевиг В. Д. Система сквозного проекти-
ных источниках питания // Электронная 13. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Ремнев А. М. рования электронных устройств DesignLab
промышленность. 1982. № 1. Сильноточные ненасыщающиеся ключи 8.0. M.: СОЛОН-Пресс. 1999.

32 www.powere.ru