Вы находитесь на странице: 1из 3

Биполярный транзистор – трёхполюсный полупроводниковый прибор с двумя p–n-переходами.

Он состоит из
чередующихся областей полупроводника, имеющих электропроводность различных типов. В зависимости от
последовательности чередования n- и p-областей различают транзисторы n–p–n- и p–n–p-типов. Основными
носителями заряда в транзисторе n–p–n-типа являются электроны, а в p–n–p-транзисторе – дырки.

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора.

1) с общей базой (ОБ); 2) с общим эмиттером (ОЭ); 3) с общим коллектором (ОК)

Принцип действия биполярных транзисторов. При работе транзистора в усилительном режиме эмиттерный
переход открыт, а коллекторный – закрыт. Это достигается соответствующим включением источников
питания. Так как эмиттерный переход открыт, то через него будет протекать ток эмиттера, вызванный
переходом электронов из эмиттера в базу и переходом дырок из базы в эмиттер. Следовательно, ток
эмиттера будет иметь две составляющие - электронную и дырочную. Из трёх выводов транзистора на один
подаётся входной сигнал, со второго - снимается выходной сигнал, а третий вывод является общим для
входной и выходной цепи.

ВАХ:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении
электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым
приложенным к затвору напряжением.

Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком, область, в которую они входят из
канала, называется стоком, электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором.

Схемы включения:

1. С общим истоком (а). Используется чаще всех, даёт усиление по току и мощности.

2. С общим затвором (б). Редко используется, низкое входное сопротивления, усиления нет.

3. С общим стоком (в). Усиление по напряжению близко к 1, большое входное сопротивление, а выходное
низкое. Другое название – истоковый повторитель.

Принцип работы:

Принцип работы прибора основан на изменении пространственных толщин p-n переходов. Так как в
запирающих областях практически отсутствуют подвижные носители заряда, их проводимость равняется
нулю. В полупроводниковых пластинах, на участках которых не воздействует запирающий слой, создаются
проводящие ток каналы. Если подается отрицательное напряжение в отношении истока, на затворе
образуется поток, через который протекают носителя заряда.

Для изолированных затворов, характерно расположение на них тонкого слоя диэлектрика. Такое устройство
работает по принципу электрических полей.  Для его разрушения понадобится всего лишь небольшое
электричество. В связи с этим, чтобы предотвратить статическое напряжение, которое может превышать 1000
В, необходимо создание специальных корпусов для приборов, которые минимизируют эффект от воздействия
вирусных типов электричества.

ВАХ:

Вам также может понравиться