ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ПРИБОРОСТРОЕНИЯ И ИНФОРМАТИКИ

Расчетно-графическая работа

РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА С ОЭ

Вариант 3

Выполнил ____________________
____________________
Проверил ____________________
____________________

Москва, 2021г.
1
 Исходные данные:
Транзистор М П 39 ; Δ I б =4 00 мкА ;U КЭ max=15 В ;I к max =20 мА ;Pк max =150 мВт;C к =50 пФ ;

f гр =1 МГц.

Решение
По справочнику определяем, что структура транзистора МП39 p-n-p.
Приводим его схему включения (см рис.1) в каскаде с общим эмиттером
(ОЭ).

VT1

Рисунок 1– Схема включения транзистора МП39 в каскаде с ОЭ

2
 1. Расчет параметров транзистора

1.1. Изображаем семейство статических входных и выходных

характеристик заданного транзистора, соответствующих схеме с ОЭ.

Рисунок 1 – Вольт-амперные характеристики транзистора МП39

1.2. Определяем h – параметры транзистора, соответствующие схеме с

ОЭ, пользуясь входными и выходными характеристиками транзистора:
По входным характеристикам определяем следующие параметры:

ΔU бэ ΔU бэ
h11 = ΔI б / Uкэ = const, h12 = ΔU кэ / I = const;
б

Рисунок 2 – Определение h-параметров по входной характеристике

транзистора МП39
3
 0,35−0,25
h11 = =66,7 Ом ;
( 2−0,5 ) ·10−3

0,35−0,25
h12= =0,02.
5−0

По выходным характеристикам определяем следующие параметры:

ΔI к
h21 =
ΔI б / Uкэ = const,
ΔI к
h22 = ΔU к / I = const.
б

Iб=1400мкА
Iб=1200мкА
Iб=1000мкА
Iб=800мкА
Iб=600мкА
Iб=400мкА
Iб=200мкА

Рисунок 3 – Определение h-параметров по выходной характеристике

транзистора МП39

( 20−14 ) · 10−3 ( 15−14 ) ·10−3

h21= =30 ;h 22 = =125 мк См .
( 800−600) ·10−6 10−2
1.3. Определяем входное и выходное сопротивление транзистора:
1 1
Rвх т =h11 =66,7 Ом; Rвых т= = =8000 Ом .
h22 125 · 10−6

1.4. Определяем коэффициент передачи по току транзистора β:

β=h 21=30.

2. Расчет усилительного каскада по постоянному току

графоаналитическим методом

4
 2.1. Изображаем семейство выходных характеристик заданного
транзистора (см рис.4).
2.2. На выходных характеристиках наносим кривую допустимой
мощности Pkmax, рассеиваемой на коллекторе. Для этого из выражения Pkmax=
UкэIк = const=150мВт определяем ток Iк задавая произвольно величину Uкэ:

Таблица 1 – Данные тока и напряжения для построения кривой

допустимой мощности
Uкэ, В 3 4 6 8 10 12 14
Iк, мА 50 37,5 25 18,75 15 12,5 10,71

Iб=1400мкА
Iб=1200мкА
Iб=1000мкА
Iб=800мкА
Iб=600мкА
A Iб=400мкА
Iб=200мкА
Uкэ max

Рисунок 4 – Построение кривой допустимой мощности на выходных

характеристиках транзистора

2.3. Выбираем значение напряжения источника питания Eк в пределах

(0.7 – 0.9) Ukmax:
Eп =0,9 ·U kmax =0,9· 15=13,5 В .

2.4. Из условия передачи максимальной мощности от источника

энергии к потребителю (согласованный режим) желательно выбрать Rк ≈
Rвых.т. однако на выход усилителя обычно включается нагрузка Rн ≤ Rк

5
поэтому рекомендуется выбирать Rк = (0.3 – 1)Rвых. т., так чтобы его величина
лежала в диапазоне Rк = (0,5 – 10) кОм.
Rк =0,3 Rвых т =0,3 · 8000=2400 Ом .

С учётом рекомендаций принимаем Rк =675 Ом (чтобы выйти на

максимально возможный ток коллектора).

2.5. Строим нагрузочную линию усилительного каскада, согласно
уравнению:
Eк 13,5
I к= = =20 мА ;
Rк 675

Для этого используем две точки на выходных характеристиках

транзистора:
кE
Uкэ = 0, I к = R =20 мА ; Iк = 0, Uкэ = Ек=13,5В (см рис.4).
к

При этом линия нагрузки должна проходит левее и ниже допустимых

значений Ukmax, Ikmax, и Pkmax и обеспечивать достаточно протяженный
линейный участок переходной характеристики.
2.6.По точкам пересечения линии нагрузки с выходными
характеристиками построим переходную характеристику транзистора Iк =
f(Iб)
Таблица 2 – Точки пересечения линии нагрузки с выходными
характеристиками
Iб, мкА Iк, мА
800 18
600 13
400 8
200 2

6
 Iк,мА

Iб, мА

Рисунок 5 – Переходная характеристика транзистора Iк = f(Iб)

2.7. На переходной характеристике транзистора (с учетом входной

характеристики) выбрать линейный участок “а - в”, в диапазоне которого
усилитель усиливает без искажения. На середине участка “а - в” нанести
рабочую точку “А”, соответствующую режиму работы транзистора по
постоянному току.
2.8.По координатам рабочей точки “A” определяем токи и напряжения
транзистора в режиме покоя (по постоянному току) Iбо, Iко, Uбэо, Uкэо(рис.2;4):
I б 0 =0,6 мА ;I к 0=13 мА ;U бэ 0 =0,26 В ;U кэ 0=4 В .

3. Расчет усилительного каскада по переменному току

7
 3.1. Определить пределы изменения амплитуд входного тока и
напряжения, выходного тока и напряжения в линейном режиме работы
усилителя. Найти: Iбm, Iкm, Uбэm, Uкэm
I к max =2 мА ; I б max =25 мкА ;U к max=4 В; U бэ max=0,01 В ; 3.2. Рядом с графиками

входных и выходных характеристик транзистора показать характер

изменения токов и напряжений во времени в виде кривых:
iб= Iбо + Iбmsinωt; uбэ= Uбэо + Uбэmsinωt;
iк = Iко + Iкmsinωt; uкэ = Uкэо+ Uкэmsinωt;
соответствующих рабочим участкам этих характеристик.
Ik, мА

Iб, мА

Рисунок 6 – Определение пределов изменения амплитуд входного тока

и напряжения

8
 4. Расчет параметров элементов усилителя ОЭ

4.1. Рассчитываем элементы цепи термостабилизации RЭ и СЭ.

R э=0,1 Rк =0,1 ·675=67,5 Ом;

4.2. Для коллекторно – эмиттерной цепи усилительного каскада в

соответствии со вторым законом Кирхгофа можно записать уравнение
электрического состояния по постоянному току
Ек =U кэ о +( Rк + R э ) I ко .

Используя это уравнение скорректировать выбранные по п.п. 2.3 и 2.4

значение Ек или величину Rк.
Коррекция питающего напряжения:
Eк =4 + ( 675+67,5 ) · 13· 10−3 =13,65 В ;

4.3. Определить емкость в цепи эмиттера С э из условия Rэ = (5 – 10)Хэ,

где Хэ – емкостное сопротивление элемента Сэ.
При этом
10 7 107
C э= = =471,81 мкФ .
2 π f н Rэ 2 · 3,14 ·50 · 67,5

4.4. Для исключения шунтирующего действия делителя R1, R2 на

входную цепь транзистора задается сопротивление Rб
Rб =R 1||R 2 =(2−5) Rвх T

и ток делителя Iд = (2 - 5)Iбо, что повышает температурную стабильность Uбо.

Исходя из этого определить сопротивления R1, и R2, Rб:
Uб 0 0,26
I д=5 I б 0=5 · 600 ·10−6=3 мА ; R2= = =86,7 Ом ;
I д 3 · 10−3

Eк −U б 0 13,65−0,26
R 1= = =3719,4 Ом ;
I д+ I б 0 (3+0,6) ·10−3
R 1 R2 3719,4 · 86,7
Rб = = =84,72 Ом ;
R1 + R2 3719,4 +86,7

9
 4.5. Определить емкость разделительного конденсатора из условия Rвх
= (5 – 10)Хр, где Хр – емкостное сопротивление разделительного
конденсатора, Rвх – входное сопротивление каскада. При этом
107 107
C p= [ мкФ ]= =853,35 мкФ .
2 π f н Rвх 2 ·3,14 · 50 ·37,32

10
 5. Определить параметры усилительного каскада.
5.1. Коэффициент усиления каскада по току Ki:

i вых
K i= ≈ β =30;
i вх

5.2. Входное сопротивление каскада Rвх:

Rб · Rвх т 84,72· 66,7

Rвх = = =37,32 Ом.
Rб + Rвх т 84,72+66,7

5.3. Выходное сопротивление каскада Rвых:

Rк 675
Rвых = = =622,5 Ом ;
1+ h22 R к 1+125 ·10−6 · 675

5.4. Коэффициент усиления по напряжению Ku:

−U m вых −β Rк −30 · 675

K u= = = =−542,6.
U m вх R вх 37,32

5.5. Коэффициент усиления по мощности Kр:

K p =K i K u =30· 542,6=16278,1;

5.6. Полезную выходную мощность каскада

U 2m вых 42
Pвых =0,5 · =0,5 · =11,85 мВт ;
Rк 675

5.7. Полную мощность, расходуемую источником питания

2
Pист=I к 0 Eк + I 2д ( R1 + R2 ) + I б 0 R1=13 ·10−3 · 13,65+ ( 3 · 10−3 ) ·
2
( 3719,4+ 86,7 ) + ( 0,6 · 10−3 ) ·3719,4=0,213 Вт=213 мВт;

5.8. КПД каскада:

P вых 11,85
η= = =0,056=5,6 % ;
Pист 213

5.9. Верхняя и нижняя граничные частоты определяются из

соотношения для коэффициента частотных искажений:
Kо 1
на нижней частоте
М н=
Kн
= 1+
√
(ω н τ н )2 ;

11
 Kо
М в= =√ 1+(ω В τ В )2
и верхней частоте Kн .
1
=1
Обычно выбирается М н =М В =√ 2 , тогда ωн τ н и
ω В τ В =1 ,
τ н=C p ( R вх + R вых )=601· 10−6 · (37,32+622,5 )=0,4 с ;

Rвх · R вых −12 37,32· 622,5

τ в=Cк · =50 ·10 · =1,76 нс ;
Rвх + R вых 37,32+622,5
1 1
f н= = =0,14 Гц ;
2 π τ н 2· 3,14 · 1,14
1 1
f в= = =9,05 · 107=90,5 М Гц .
2 π τ в 2 ·3,14 · 1,76 · 10−9

12
 Заключение

1) Назначение элементов схемы следующие:

– транзистор ТV1 – усилительный элемент;
– резисторы R1, R2 представляют собой делитель напряжения,
устанавливающий потенциал базы (по постоянному току) необходимый для
работы каскада в линейном режиме;
– резистор RЭ – цепь термостабилизации каскада, за счет падения
напряжения на этом резисторе, превышающем напряжение на базовом
переходе транзистора, уменьшает влияние изменения напряжения Uбэ0 при
изменении температуры;
– RК– сопротивление нагрузки по постоянному току, служит для
получения нужного потенциала на коллекторе и позволяет получить
амплитуду выходного напряжения необходимой величины;
– CР1, СР2 – разделительные конденсаторы, служат для разделения
(защиты) транзисторов по постоянному току;
– СЭ – служит для уменьшения нижней границы частоты усилителя и
увеличения коэффициента усиления по переменному току на низких
частотах;
Выбираемые номинальные значения всех элементов по справочникам,
при этом берем ближайшие номинальные значения для резисторов и
конденсаторов;
2) Данный тип транзистора можно применять в каскадах
предварительного усиления сигналов низкой и высокой частот, т.к. верхняя
граница частоты превышает 90,5 МГц, а нижняя граничная частота лежит
ниже звукового диапазона. Выходная мощность каскада составляет
11,85 мВт.

13
14