План
э1 (б2) э э б
б
э б
p n+ n+
+
p n
n + + +
n n n
n n+ р
n+ г) n
к к
к б)
а) к э
б T1
э1 б2
T2 б
R1 R2
в) д)
э к
Рис. 12.4. Структуры силового биполярного транзистора (а), структура составного транзистора (б), его
схема (в), параллельная структура (г) и схема (д)
Выбор типа транзистора при предельно допустимом сочетании параметров производится с
использованием приведенного в технических условиях графика безопасной работы, который построен
на основе выходных характеристик транзистора с учетом тепловых режимов. Особенностью работы
силовых биполярных транзисторов в предельных режимах является возможность его саморазогрева за
счет положительной электротепловой обратной связи, образующейся вследствие увеличения тока при
повышении температуры. В режиме переключения транзистор потребляет мощность в основном во
время работы в активном режиме при отпирании и закрывании.
Биполярные транзисторы с небольшим коэффициентом передачи тока потребляют сравнительно
большую энергию по базовой цепи
Указанный недостаток устранен в приборах, имеющих два устойчивых состояния, которые
сохраняются при снятии входного сигнала, т.е. без затрат энергии по цепи управления. Биполярный
прибор, предназначенный для переключения (коммутации) тока и называемый тиристором, содержит
три взаимодействующих p-n перехода в черырехслойной p2 - n2 - p1- n1 структуре (рис.12.5,а).
А I I
Iэ2 А
p2 Т2 Iб2= Iк1 у
n2 U Iу Iк2
у Iу2 > Iу1
p1 Т1 I Iу=0 К
у н
Iб1 Iл
n1 Iэ1 –Uпр U
г)
б) Uн Uл2 Uл1 Uл
а) К в)
Рис. 12.5. Структура (а), эквивалентная схема (б), характеристики (в) и обозначение тиристора (г)
Для получения статической характеристики тиристора его структуру удобно представить
условно разделенной на две части, которым соответствуют транзисторы Т1 и Т2 на эквивалентной схеме
(рис.12.5,б). Анализ процессов с помощью эквивалентной схемы позволяет получить зависимость тока I
через переходы от напряжения U между внешними выводами катода (К) и анода (А).
При положительном напряжении на катоде переходы n2 - p2 и n1-p1 смещены в прямом, а переход
n2 - p1 – в обратном направлении, что определяет весьма малый ток закрытого перехода Iк0 через
прибор. Указанная полярность приложенного напряжения обеспечивает активный (усилительный)
режим транзисторов Т1 и Т2, для которого справедливы соотношения I к1 α1 I э1 и I к2 α 2 I э2 . Из
эквивалентной схемы можно записать I э2 I к2 I к1 I к0 и с учетом I э1 I э2 I несложно
получить выражение для тока I I к 0 [1 - (α1 α 2 )] . Характеристика структуры зависит от
приложенного напряжения U вследствие α1 и α2 от напряжений и токов переходов. Если приложенное
положительное напряжение невелико, то коэффициенты передачи близки к нулю и рост напряжения
приводит к небольшому увеличению тока. При существенном увеличении напряжения наблюдается
достаточно быстрый рост α1 и α2, так что их сумма приближается к единичному значению
(α1 α2 ) 1 . При напряжении U = Uл происходит лавинообразный рост тока, отображаемый на
характеристике участком Iл I Iн с отрицательным дифференциальным сопротивлением (рис.12.5,в).
Увеличение тока снижает потенциальный барьер среднего перехода и при значении Iн все переходы
оказываются смещенными в прямом направлении. При этом общее напряжение Uн складывается из
напряжений насыщения на открытых переходах. Изменение полярности приложенного напряжения
практически дает значение обратного тока перехода I Iк0 вплоть до электрического пробоя перехода
при напряжении U = Uпр.
Прибор, управляемый напряжением, приложенным к двум внешними электродам, называется
диодным тиристором или динистором. Его включение (перевод в проводящее состояние)
осуществляется приложением прямого напряжения U > Uл. Установившееся значение тока,
определяемое восходящей ветвью характеристики при U Uл, может быть слишком большим и обычно
прибор переводится в проводящее состояние и затем устанавливается ток при меньших значениях
напряжения. Выключение прибора можно осуществлять подачей обратного напряжения
(противоположной полярности) или снижением тока до I < Iл.
Уровень переключения тиристора можно изменять подачей тока через специально
сформированный электрод, контактирующий с областью р1 (рис.12.5,г). Ток управляющего электрода
Iу1 складывается с током коллектора T1, что увеличивает ток через переход и снижает напряжение
срабатывания UА1 (рис.12.5,в). При напряжении U < Uл тиристор можно перевести в проводящее
состояние с помощью импульса тока управления Iу. После снятия сигнала управления тиристор
останется во включенном состоянии.
Существует несколько структур тиристоров, обладающих различными свойствами и
характеристиками. Среди них следует упомянуть симметричные тиристоры (симисторы) и запираемые
тиристоры, которые включают и выключают с помощью импульсов тока управления различной
полярности.
К недостаткам тиристоров следует отнести относительно низкое быстродействие, обусловленное
большим временем выключения. Большинство групп тиристоров обладает ограниченной
управляемостью, выражающейся в возможности отпирания по маломощной цепи управления, а
запирания – по силовой цепи. Возможность отпирания с помощью коротких импульсов напряжения
снижает помехоустойчивость устройств с тиристорами.
В непрерывных и импульсных энергетических преобразователях нашли применение мощные
полевые транзисторы. В отличие от биполярных приборов, управляемых с помощью входного тока, в
полевых транзисторах для управления выходным током служит входное напряжение. Наибольшее
распространение получили полевые транзисторы, имеющие структуру "металл-диэлектрик-
полупроводник» (МДП). На полупроводниковой подложке р-типа формируются области n+-типа с
металлическими выводами стока (с) и истока (и), между которыми помещен металлический затвор (з),
изолированный от подложки тонким слоем диэлектрика из окиси кремния (рис.12.6,а).
и з и и з и з и с
p n+ n+ n+ n+ n+
з и
n Ic
n+ n+
а) б) в) ДТ
с
с
Рис.12.6. Полевые транзисторы с параллельной структурой (а), вертикальными каналами (б) и
датчиком тока (в)
Для коммутации значительных токов преимущественно используются МДП транзисторы с
индуцированным каналом n-типа. Относительно высокое сопротивление канала (доли Ома) приводит к
большому падению напряжения в открытом состоянии. Сопротивление проводящего канала
пропорционально его длине. Для уменьшения прямого падения напряжения прибор изготавливают с
коротким каналом, который обеспечивает высокую крутизну gm проходной характеристики в линейном
режиме iс = gm uз.
Увеличение допустимого значения выходного тока (стока) достигается за счет параллельного
соединения отдельных структур, что приводит к увеличению габаритов прибора, а также возрастанию
значений межэлектродных емкостей, снижающих быстродействие и вызывающих рост потребления
при переключении. Уменьшение площади, занимаемой прибором, достигается за счет использования
V- образных структур с вертикальным расположением каналов (рис.12.6,б).
МДП транзистор обладает существенной зависимостью параметров от температуры. Рост
температуры прибора приводит к увеличению сопротивления канала и уменьшению тока, что
обеспечивает высокую теплостойкость устройства. Для обеспечения системы регулирования
температуры и защиты приборов МДП транзисторы снабжаются встроенными датчиками тока.
Конструктивно одну из множества параллельных ячеек в структуре транзистора выделяют под датчик
тока и снабжают ее дополнительным выводом (рис.12.6,в).
Полевые транзисторы используются в силовых преобразователях для коммутации больших
токов при не слишком высоких напряжениях. Повышение допустимого напряжения требует
расширения стоковой области n+-типа, что ведет к увеличению сопротивления открытого транзистора.
Достоинствами прибора является весьма малое потребление по цепи управления, очень большой
коэффициент усиления тока и простота сопряжения с параметрами управляющих логических
элементов.
Совершенствование технологии привело к созданию комбинированной структуры, содержащей
силовой биполярный и управляющий КМОП транзисторы (12.7,а). В типичную структуру p+ - n –- p+
силового биполярного транзистора введена область n+, которая совместно с областями n –, p+ и
поликремниевым затвором образуют управляющий полевой транзистор с индуцированным каналом n-
типа.
к з к
к
з
n+ n+
Т2 з
p+ ПТ
n– Т1 э
Iс
p+ б) э в)
а)
э
Рис. 12.7. Структура (а), схема (б) и обозначение (в) БТ с изолированным затвором
Ток стока МОП транзистора является током базы силового транзистора T1 (рис.12.7,б).
Управляемость улучшается за счет образовавшегося в структуре транзистора T2, который вместе с T1
образует составной транзистор. В целом структура обеспечивает весьма большой коэффициент
усиления тока, благодаря соединению полевого транзистора с составным биполярным транзистором.
Прибор (рис.12.7,в) с приведенной комбинированной структурой, называется биполярным
транзистором с изолированным затвором или IGBT прибором (Insulated Gate bipolar Transistor). В нем
объединены преимущества полевых транзисторов (совместимость по уровням управления с
цифровыми логическими элементами, очень большое входное сопротивление) с достоинствами
силовых биполярных транзисторов (малое выходное сопротивление, большие значения
коммутируемых токов при высоких напряжениях). Производятся IGBT приборы с широкой
номенклатурой параметров в виде отдельных изделий или в составе силовых блоков, оснащенных
системами контроля и управления.
Пассивные компоненты, применяемые в силовых устройствах, работают при больших токах
и высоких напряжениях, что обусловило специфику их параметров и конструктивного исполнения.
Р е з и с т о р ы по принципу действии являются преобразователями электрической энергии в
тепловую, которая рассеивается в окружающем пространстве. В мощных высокоэффективных
преобразователях резисторы применяются в случаях крайней необходимости для регулирования и
ограничения тока, гашения избыточной мощности, задания интервалов времени, а также вместе с
конденсаторами в фильтрах маломощных источников электропитания. В сильноточных блоках при
низкой частоте используются проволочные резисторы, имеющие высокую надежность при работе в
широком температурном диапазоне.
К о н д е н с а т о р ы применяются в большинстве силовых блоков (в составе стабилизаторов и
фильтров, во времязадающих цепях). Конденсаторы энергетических устройств находятся под
одновременным воздействием постоянного и переменного (пульсирующего) напряжений. К основным
параметрам силовых конденсаторов следует отнести номинальную емкость и ее отклонения в условиях
эксплуатации, номинальное напряжение, реактивную мощность в заданном диапазоне частот, тангенс
угла потерь, характеризующий рассеяние энергии внутри конденсатора, которое приводит к разогреву
прибора.
Лучшими удельными параметрами обладают электролитические конденсаторы, имеющие
наибольшую емкость при заданном объеме и допустимом напряжении. Большинство выпускаемых
типов электролитических конденсаторов рассчитано на работу при однополярном напряжении. Кроме
того, они имеют достаточно высокий уровень потерь и большую инерционность, что ограничивает их
использование в низкочастотных устройствах. При высокой частоте преобразования применяют
различные типы керамических конденсаторов.
И н д у к т и в н ы е к а т у ш к и с ферромагнитными сердечниками (дроссели) нашли широкое
применение в силовых устройствах для сглаживания кривой тока и в качестве накопителей энергии в
импульсных преобразователях. Индуктивность дросселя можно оценить с помощью соотношения
L N 2 μ 0μ ц s l , где N – число витков дросселя; s, l – сечение и длина магнитопровода; μ ц –
относительная магнитная проницаемость при перемагничивании по частному циклу. В сглаживающих
фильтрах через обмотку дросселя наряду с переменной составляющей проходит постоянный ток,
приводящий к смещению рабочей точки на кривой В(Н), что может привести к насыщению материала.
При этом относительная магнитная проницаемость снижается и может приближаться к единичному
значению, когда применение сердечника неэффективно.
Для снижения влияния подмагничивания на параметры дросселя ферромагнитный сердечник
изготавливается с немагнитным (воздушным) зазором. Наличие зазора длиной δ с проницаемостью μ =
1 можно интерпретировать как изменение относительной магнитной проницаемости материала
сердечника μ с. При малой длине зазора δ << l и высокой проницаемости материала μ >> 1 для оценки
эквивалентной проницаемости сердечника можно воспользоваться соотношением
μ с [ (1 μ ) ( δ l )] 1 l δ .
На основе полученной формулы дроссель с малым зазором представляют линейной
индуктивностью L N 2 μ 0 l δ . Производство дросселя с большим значением индуктивности
требует изготовления сердечника с весьма малым зазором, что приводит к снижению стабильности
характеристик при изменении температуры вследствие вариации длины зазора при разогреве
сердечника.
Т р а н с ф о р м а т о р – это прибор, в котором передача электрической энергии осуществляется
посредством магнитной связи между обмотками без непосредственного (гальванического) контакта. В
силовой аппаратуре трансформаторы применяются для преобразования уровней переменных
(преимущественно синусоидальных) напряжений и токов. Параметры трансформатора влияют на
основные показатели энергетических преобразователей (выпрямителей, инверторов) и систем
электропитания. Габариты и масса трансформатора в большинстве приложений практически
определяют аналогичные параметры преобразователя в целом. В свою очередь характеристики и
параметры трансформатора зависят от множества схемных и конструктивных факторов.
Трансформатор представляет собой нелинейное электротехническое устройство, анализ
процессов в котором связан с решением достаточно сложной электродинамической задачи. С целью
выявления особенностей силовых трансформаторов кратко рассмотрим наиболее общие подходы к их
описанию и выбору компонентов. Конструктивные параметры трансформатора выбирают из условия
передачи заданной мощности с учетом обеспечения допустимого перегрева при минимальных
габаритах.
В соответствии с принципом действия передача мощности между обмотками трансформатора
осуществляется с помощью магнитного потока, сконцентрированного в магнитопроводе, на котором
размещены обмотки. Характеристики трансформатора во многом определяются типом и материалом
ферромагнитного сердечника (магнитопровода), применяемого с целью концентрации магнитного
потока и увеличения магнитной связи между обмотками. Для изготовления сердечников
трансформаторов используются различные виды материалов (электротехнические стали, пермаллои,
ферриты, магнитодиэлектрики) с отличающимися кривыми намагничивания. Важной характеристикой
материала является индукция насыщения Bm, определяющая максимальное значение магнитного
потока Φm сечением sс. Магнитный поток создается приложенным входным переменным сигналом и
зависит от действующего значения напряжения U1, частоты f и числа витков N1 первичной обмотки
Фm U 1 ( 4.44 f N 1 ) .
Действующее значение выходного напряжения можно оценить с использованием
коэффициента трансформации, определяемого отношением числа витков первичной и вторичной
обмоток k U1 / U 2 N1 / N 2 . Очевидно, что передаваемая в нагрузку мощность, падения напряжений
на сопротивлениях обмоток и КПД трансформатора зависят от токов в обмотках. Входной ток
трансформатора обычно представляют суммой тока в режиме холостого хода (при разомкнутой
вторичной обмотке) и составляющей, обусловленной влиянием нагрузки. В режиме холостого хода
трансформатор можно рассматривать как катушку с ферромагнитным сердечником, расчет которой
позволяет определить ток холостого хода, являющийся паспортным параметром трансформатора.
Энергетические параметры трансформатора можно проанализировать на основе баланса
мощностей P1 P2 Pп , который учитывает мощности подводимую P1, передаваемую в нагрузку P2 и
суммарные потери, которые складываются из потерь в обмотках и магнитопроводе. Перемагничивание
сердечника при прохождении токов по обмоткам сопровождается потерями. Энергия потерь в обмотках
и магнитопроводе переходит в тепло, которое частично рассеивается в окружающем пространстве и
вызывает нагрев элементов конструкции.
Падение напряжения в проводниках обмотки и потери мощности зависят от плотности тока,
которую обычно принимают Jср ≤ 4…5 А/мм2. Допустимая плотность тока и суммарное число витков
обмоток NΣ определяют площадь окна сердечника sм, в котором размещены обмотки. Габаритные
размеры трансформатора принято оценивать соотношением
sc sм P2 (k f Bm J ср ) ,
где k – коэффициент, учитывающий конструктивные параметры.
Для стандартных типоразмеров сердечников при заданной частоте f по произведению sс· sм
несложно выбрать сердечник, обеспечивающий требуемую мощность трансформатора. При заданной
мощности трансформатора снижение габаритов достигается при увеличении частоты преобразования.
В устройствах, работающих непосредственно от сети промышленной частоты f = 50 Гц, силовые
трансформаторы имеют значительные габариты. В автономных источниках электропитания
используется частота сети 400 Гц или 1 кГц. Для уменьшения габаритных размеров трансформаторов и
дросселей в инверторах применяются генераторы повышенной частоты (более 10 кГц). Снижение
потерь достигается применением сердечников на основе ферритов и магнитодиэлектриков.
Силовая электронная аппаратура наряду с приведенными основными элементами содержит
достаточно большой перечень устройств, обеспечивающих электробезопасность, защиту от перегрузок
и другие функции.
i1 Д1 i u2
L
Т Д t
р i1 T/2 T
u1 R u2 I0 t
i2
t
а) i2 Д2 i
б) t
Рис.12.12. Выпрямитель с индуктивной нагрузкой (а) и диаграммы работы (б)
Энергия, запасенная в индуктивности, поддерживает ток в нагрузке при уменьшении
напряжения на части вторичной обмотки трансформатора. Проанализируем характер установившегося
тока через диод Д1, часть вторичной обмотки трансформатора и индуктивность. К началу
положительного полупериода в индуктивности имеется начальный ток I0, образовавшийся в
предшествующем полупериоде (рис.12.12,б). Пренебрегая падением напряжения на открытом диоде Д1,
можно записать решение для тока в RL цепи с начальным условием I0 при воздействии U m sin ω t .
Учитывая, что в установившемся режиме значение тока в момент t1 T 2 равно начальному
i t1 I 0 , оценку амплитуды пульсаций можно представить в виде I I 0 R ( 4 fL) .
В момент изменения полярности напряжения на диодах происходит практически мгновенное
переключение тока индуктивности в другую обмотку. При этом ток нагрузки изменяется весьма
незначительно.
Для обеспечения возможности управления выходной мощностью выпрямителей в схемах диоды
заменяют управляемыми полупроводниковыми приборами (тиристорами, транзисторами).
Выпрямленное напряжение можно плавно изменять, регулируя момент перевода силового
полупроводникового прибора в проводящее состояние.
Двухполупериодный р е г у л и р у е м ы й в ы п р я м и т е л ь на тиристорах повторяет
аналогичную схему на диодах, дополненную устройством управления (рис.12.13,а).
Т1 i1у iу i1у i2у i1у
Тр i УУ t
u2
R u2
u1 t
i2у Δt T/2 T
Т2 i
а)
б) t
Рис.12.13. Схема управляемого выпрямителя (а) и диаграмма его работы (б)
Устройство управления тиристорами в каждой полупериод питающего напряжения
вырабатывает импульсы тока управления i1 и i2 (рис.12.13,б). Тиристор T1 отпирается с задержкой
ωt1 α относительно начала, а тиристор T2 отпирается в момент ωt2 π α . В результате ток
нагрузки i(t) зависит от момента отпирания тиристора. Постоянная составляющая выходного
напряжения определяется соотношением
U 0 (U m π )1 cos α .
Существует множество схем на основе управляемых приборов и конструктивных решений
регулируемых выпрямителей, которые удовлетворяют широкому спектру поставленных требований.
В большинстве случаев переменная составляющая напряжения (пульсация) на выходе
выпрямителя недопустимо велика для работы электрических приборов. Для снижения переменной
составляющей выпрямленного напряжения между нагрузкой и выпрямителем включается
конструктивно завершенный блок сглаживающего фильтра.
Наибольшее распространение получили однозвенные индуктивно- емкостные (рис.12.14,а) и
резистивно-емкостные (рис.12.14,б) фильтры.
L Rф
Д
u1 С u2 R u1 С u2
а) б)
Рис. 12.14. Сглаживающие фильтры LC (а) и RC (б) типа
В LC фильтрах эффект сглаживания тока реализуется за счет последовательно включенной
индуктивности, имеющей высокое сопротивление переменному току, а пульсации напряжения
снижаются за счет малого сопротивления конденсатора для переменной составляющей. Анализ
частотных характеристик сглаживающих фильтров позволяет определить преобразование спектра
сигнала при его прохождении с входа на выход. В силовых устройствах принята интегральная оценка
эффективности фильтра, называемая коэффициентом сглаживания q, который равен отношению
амплитуд основной гармоники пульсаций на входе и выходе фильтра q U 1m U 2 m . Если к силовому
преобразователю предъявляются требования по уровню гармонических составляющих на выходе, то
можно ввести коэффициенты сглаживания по каждой гармонической составляющей или требуемому
числу гармоник.
Определим коэффициент сглаживания LC фильтра с резистивной нагрузкой R на гармонике
пульсации kω1 . Для обеспечения эффекта сглаживания и исключения резонансных явлений емкостная
проводимость должна существенно превышать резистивную kω1CR 1 и к 2 ω12 LC 1 . Для
линейной модели фильтра можно получить выражение коэффициента сглаживания на k -й гармонике
пульсаций в виде
qk k 2 ω12 LC 1 .
Например, включение фильтра с L = 1 Гн и С = 100 мкФ на выход однополупериодного
выпрямителя на основной гармонике частоты пульсаций, совпадающей с частотой питающей сети f =
50 Гц, обеспечивает коэффициент сглаживания q ≈ 9 при сопротивлении нагрузки R 30 Ом .
Существенным недостатком LC фильтров являются большие габариты дросселя и
технологические сложности его изготовления. Высокий коэффициент сглаживания, реализуемый при
малых потерях в контуре, приводит к большой длительности переходных процессов. При малых
выпрямленных токах (десятки миллиампер) иногда используют RC фильтры, коэффициент
сглаживания которого можно оценить по формуле qk k ω1 RфC . Приведенное соотношение
справедливо для работы фильтра на нагрузку R Rф .
Для увеличения коэффициента сглаживания в мощных выпрямителях используются
многофазные схемы, которые обеспечивают относительно небольшой уровень пульсаций с частотой в
несколько раз превышающей частоту питающей сети, что позволяет улучшить энергетические
показатели и уменьшить массогабаритные параметры фильтров.
Выходное напряжение выпрямителей может изменяться при воздействии дестабилизирующих
факторов. Нестабилизированный выпрямитель имеет два основных недостатка:
- большое выходное сопротивление, вызывающее нестабильность выходных характеристик;
- нестабильность входных параметров, связанную с практически единичным коэффициентом передачи
вариаций входного напряжения на выход.
U1 u ДR U2 u U1 Д R U2
i Uст
а) б) в)
Рис.12.15. Параметрический стабилизатор (а), характеристика стабилитрона (б) и стабилизация с
усилением (в)
В полупроводниковых стабилитронах областью стабилизации является обратная ветвь вольт-
амперной характеристики p-n перехода (рис.12.15,б). Значение напряжения стабилизации U ст
различных стабилитронов находится в пределах от единиц до сотен вольт при токах через стабилитрон
от миллиампер до ампер.
Основной характеристикой стабилизатора является коэффициент стабилизации по напряжению,
определяемый как отношение относительного изменения напряжения на входе к относительному
изменению напряжения на выходе:
( u1 U 1 )
k ст
( u2 U 2 ).
При изменении входного напряжения на u1 ток через стабилитрон изменится на I ст и
вызовет приращение выходного напряжения на u2 rст I ст , где rст – дифференциальное
сопротивление стабилитрона на рабочем участке. Несложные преобразования дают приближенное
выражение для вычисления коэффициента стабилизации kст U 2 R0 U1 R .
Температурный коэффициент напряжения стабилитрона α Uст UстT определяет величину
отклонения выходного напряжения при изменении температуры. Для компенсации влияния
температуры на характеристики стабилизатора последовательно со стабилитроном включают диод в
прямом направлении с противоположным по знаку температурным коэффициентом.
Параметрические стабилизаторы напряжений применяются при малых выходных токах.
Максимальная выходная мощность ограничивается предельными значениями тока стабилизации.
Мощность нагрузки может быть увеличена включением на выходе эмиттерного повторителя на
проходном транзисторе Тп (рис.12.15,в).
Стабилизаторы напряжения характеризуются следующими основными параметрами:
- номинальным входным U1 и выходным U2 напряжениями;
- номинальным выходным током I2 и пределами его изменения;
- относительной нестабильностью выходного напряжения Δu2 / U2;
- коэффициентом стабилизации kст по входному напряжению;
- уровнем пульсаций выходного напряжения;
- выходным сопротивлением;
- температурным коэффициентом изменения выходного напряжения;
- коэффициентом полезного действия.
Для повышения стабильности выходного напряжения применяются двухкаскадные или
мостовые схемы, а также более сложные транзисторные структуры. Высококачественные
параметрические стабилизаторы применяются в качестве источников опорного напряжения (ИОН) и в
других устройствах, в том числе мощных стабилизаторах.
К о м п е н с а ц и о н н ы й стабилизатор использует свойства цепи отрицательной обратной
связи, содержащей прецизионный источник опорного напряжения (ИОН), элемент сравнения ( ЭС ) и
усилитель ( У ) разностного сигнала (рис.12.16,а).
Тп
I2
РЭ Iб R3
R2
R1 Iу
Uр U2 Rн U2
U1 У ЭС U1 Ту
Uу ИОН Iк
Uоп Д R4
а) б)
Рис.12.16. Структура (а) и схема (б) компенсационного стабилизатора
При отклонении выходного напряжения U2 от опорного уровня Uоп элемент сравнения
вырабатывает разностный сигнал Uр, который усиливается и воздействует на регулирующий элемент
(РЭ), управляющий током для получения компенсации изменения входного напряжения.
Регулирующий элемент обычно реализуется на основе силового транзистора, который обеспечивает
заданный ток нагрузки.
Энергетическую эффективность стабилизатора, характеризуемую КПД η 1 Р Р1 можно
оценить в предположении, что основные потери энергии Р приходятся на РЭ . В зависимости от
режима работы силового полупроводникового элемента (транзистора) при воздействии сигнала
управления стабилизаторы делятся на непрерывные (используется линейный усилительный режим) и
импульсные (применяется режим переключения).
Разновидности компенсационных стабилизаторов непрерывного типа (аналоговые) отличаются
исполнением опорного источника (ИОН), органа сравнения и усилителя сигнала в цепи обратной связи.
Стабилизатор с эмиттерным повторителем можно интерпретировать как простую схему,
осуществляющую компенсационный принцип управления (рис.12.15,в). Увеличение входного
напряжения U1 вызывает рост тока нагрузки, что приводит к увеличению выходного напряжения U2.
При постоянстве напряжения Uст на стабилитроне Д (ИОН) происходит уменьшение входного сигнала
эмиттерного повторителя (напряжения база-эмиттер транзистора Uбэ = Uст – U2 ), которое приводит к
уменьшению выходного напряжения. Коэффициент стабилизации приведенной схемы совпадает с
коэффициентом стабилизации входящего в устройство параметрического стабилизатора, т. к.
коэффициент передачи цепи обратной связи γu 1 (равен коэффициенту усиления эмиттерного
повторителя). По существу простейший компенсационный стабилизатор можно рассматривать как
схему параметрического стабилизатора с выходным эмиттерным повторителем.
Можно существенно повысить коэффициент стабилизации, включив в цепь обратной связи
усилитель на транзисторе Ту, нагрузкой которого служит цепь базы проходного транзистора Тп
(рис.12.16,б). Потенциал эмиттера Ту задается напряжением Uст на стабилитроне Д , а потенциал базы
определяется делителем выходного напряжения. Фактически переход база-эмиттер усилительного
транзистора включен в диагональ мостовой схемы. Любое изменение выходного напряжения U 2
создает входной ток усилителя Iу, вызывающий изменение его коллекторного тока Iк, который в свою
очередь приводит к соответствующему изменению базового тока Iб проходного транзистора Тп и
компенсации приращения выходного напряжения за счет изменения его напряжения коллектор-
эмиттер. Переменный резистор R 4 предназначен для установки требуемого уровня выходного
напряжения U 2 .
Функциональные блоки устройства управления, осуществляющего обратную связь с выхода
стабилизатора на регулирующий элемент и обеспечивающего заданные параметры, выполняют по
различным схемам на основе базовых аналоговых преобразователей. Источник опорного напряжения
(ИОН) строится на основе стабилитрона, для питания которого используется схема источника тока
(токового зеркала). Схема сравнения и усилитель выполняются на основе балансного
(дифференциального) каскада или многокаскадного усилителя с входным дифференциальным
каскадом.
Конструктивно завершенные стабилизаторы в виде интегральных микросхем, наряду с
указанными блоками содержат дополнительные схемы защиты (например, от перегрузки по
выходному току). ИМС стабилизаторов обычно рассчитаны на не слишком большие токи (до единиц
ампер). Для получения стабилизаторов с большими выходными токами ИМС дополняют внешними
проходными транзисторами, чтобы образовать составной транзистор, рассчитанный на требуемую
выходную мощность. Мощные проходные транзисторы снабжают теплоотводом с целью
предотвращения их перегрева.
Потери мощности на проходном транзисторе, работающем в активном режиме непрерывного
регулирования значительны, т.к. изменение его эквивалентного сопротивления должны
скомпенсировать влияние дестабилизирующих воздействий во всем заданном диапазоне их вариаций.
Запас на регулирование напряжения достигает 0,25... 0,45 U 1 , что приводит к низкому значению
КПД до η 50 % .
Импульсные компенсационные стабилизаторы напряжения, характеризуемые минимальными
потерями энергии за счет использования ключевого режима работы проходного транзистора. В отличие
от непрерывного активного режима транзистор большую часть времени находится в состоянии
насыщения или отсечки с минимальными уровнями потребления мощности. В результате импульсный
стабилизатор потребляемый от источника питания только необходимую энергию, обеспечивая КПД до
98% .
Принцип работы импульсного стабилизатора основан на периодическом подключении на время
t0 (открытое состояние проходного транзистора) нагрузки к источнику и ее отключении в остальную
часть периода. Структура импульсного стабилизатора во многом повторяет построение
последовательного непрерывного стабилизатора. Он содержит источник опорного напряжения, с
которым сравнивается уровень выходного напряжения U 2 , и управляющее устройство (УУ),
формирующее и усиливающее разностный сигнал (рис.12.17,а).
РЭ
Ф uу
V
U1 U2
uу ШИМ УУ
ИОН t
t0 T 2T
б)
а)
Рис.12.17. Структура импульсного стабилизатора (а) и управляющие импульсы (б)
Отличительной особенностью является наличие широтно-импульсного модулятора (ШИМ) и
сглаживающего фильтра (Ф). При изменении входного напряжения U1 (или тока нагрузки) разностный
сигнал поступает на модулятор, который вырабатывает управляющее напряжение в виде
периодической с периодом Т последовательности импульсов изменяемой длительности t0 (рис.12.17,б).
Последовательность с модуляцией (изменением) ширины (ШИМ) имеет постоянную составляющую
U y V t0 T , которая выделяется с помощью сглаживающего фильтра Φ. Цепь обратной связи с
управляющим устройством УУ регулирует длительность t0 таким образом, чтобы выходное
напряжение с определенной погрешностью поддерживалось неизменным.
В импульсных стабилизаторах применяются преимущественно ключи на транзисторах
различного типа (например, полевом с индуцированном каналом) и сглаживающие LC фильтры
(рис.12.18,а).
i1 L iL uу
Tк Д t
+
i1 t0 T 2T
U1 С U t
Д R 2
а) u у iL
R t
U2
б) t
Рис. 12.18. Схема силовой части последовательного (понижающего) стабилизатора (а) и диаграмма его
работы (б)
При открытом транзисторе Тк на интервале 0 t t 0 под действием напряжения U1 U 2 ток i1
проходит в нагрузку через дроссель L, в котором происходит накопление энергии (рис.12.18,б). При
закрытом транзисторе T в течение паузы запасенная энергия через разрядный диод Д передается в
нагрузку. Конденсатор фильтра С служит для сглаживания кривой выходного напряжения. Поскольку
частоту следования импульсов f 1 T обычно выбирается достаточно высокой (десятки килогерц), то
габариты элементов фильтра не слишком велики.
В приведенной последовательной схеме стабилизатора выходное напряжение принципиально
меньше входного и такие стабилизаторы называют понижающими.
Импульсный параллельный стабилизатор содержит силовой транзистор Тп, подключенный через
блокирующий диод Д параллельно нагрузке; запасающий энергию дроссель присоединен
непосредственно к источнику питания (рис.12.19,а).
L Д uС
+ U2
U1 Tп С R
uу U2 t
а) б) 0 Т 2Т 3Т 4Т
Рис.12.19. Схема повышающего стабилизатора (а) и выходное напряжение (б)
При открытом силовом транзисторе Тп входной ток проходит через него и дроссель L ,
накапливающий энергию. Блокирующий диод Д при этом закрыт за счет напряжения на нагрузке, что
предотвращает разряд конденсатора через открытый транзистор. В следующий интервал, когда
регулирующий транзистор закрыт, диод Д открывается, и разрядный ток индуктивности подзаряжает
конденсатор, повышая напряжение нагрузки, которое становится больше входного (рис.12.19,б).
Кратность повышения напряжения K U U 2 U 1 зависит от индуктивности дросселя L, параметров
нагрузки R и C , скважности импульсной последовательности τ t0 T . В реальных схемах кратность
невелика ( K U 2...3 ) и снижается при увеличении тока нагрузки. В данной схеме дроссель L не
является элементом фильтра, что приводит к значительному уровню пульсаций.
Схемы импульсных преобразователей постоянного напряжения (стабилизаторов) различаются
построением управляющих устройств, модуляторов, силовой части и сглаживающих фильтров.
Импульсные преобразователи постоянного напряжения, инверторы и преобразователи частоты.
И н в е р т о р ы представляют собой устройства, преобразующие постоянное напряжение
питающей сети в переменное напряжение с постоянной или регулируемой частотой. По числу фаз
выходного напряжения инверторы подразделяются на однофазные и трехфазные. Инверторы строят по
принципам однотактного (энергия передается в нагрузку в течение одной части периода) или
двухтактного преобразования. Различают преобразователи с самовозбуждением (автогенераторы) и
принудительным возбуждением (усилители мощности).
Однотактный инвертор выполняется по схеме релаксационного автогенератора на транзисторе с
положительной обратной связью через обмотки трансформатора (рис. 12.20).
+ u2 Т1 Тр
R2
Тр t R1
R1
V u2 + u2 R
R
Т1 V
R2
R1
а) б) Т2 R2
Рис.12.20. Схема однотактного автономного инвертора (а), напряжение его выхода (б) и двухтактный
инвертор (в).
При включении источника электропитания V на базу транзистора Т1 поступает через резистор
R1 отпирающее напряжение. Ток открытого транзистора, проходящий через первичную обмотку
трансформатора, включенного в коллекторную цепь, создает магнитный поток Ф. Нарастание тока и
магнитного потока вызывает напряжение на обмотке, включенной в базовую цепь таким образом, что
она способствует увеличению тока (создает эффект положительной обратной связи). При достижении
насыщения транзистора рост тока коллектора и магнитного потока сердечника прекращается, и
индуцируемое напряжение спадает до нулевого значения. Последующее уменьшение тока приводит к
изменению полярности напряжения на базовой обмотке и лавинообразному процессу запирания
транзистора. Затем процесс отпирания транзистора повторяется, и выходное напряжение u2 имеет
форму прямоугольных импульсов, длительность которых зависит от параметров схемы.
Однотактная схема нерациональна вследствие однополярных импульсов тока в обмотке
трансформатора, которые приводят к подмагничиванию и уменьшению эквивалентной индуктивности.
Двухтактный преобразователь выполняется по симметричной схеме на транзисторах Т1 и Т2, к
коллекторам которых подключены секции первичной обмотки трансформатора (рис.12.20,б). Глубокая
положительная обратная связь реализуется посредством дополнительных обмоток, включенных в
базовые цепи транзисторов. Источник входного постоянного напряжения подключается к среднему
выводу первичной обмотки трансформатора и эмиттерам транзисторов (общей точке схемы).
При включении источника питания вследствие неидентичности параметров ток одного из
транзисторов больше, чем второго. Обмотки обратной связи подключены таким образом, что
поддерживают нарастание преобладающего тока до состояния насыщения транзистора. Переключение
транзисторов начинается при достижении насыщения сердечника трансформатора, когда напряжения
на обмотках уменьшаются и затем изменяют полярность. Глубокое насыщение сердечника
трансформатора и большие токи транзисторов приводят к увеличению потерь энергии в
преобразователе. Для предотвращения насыщения трансформатора в цепь обратной связи вводят
дополнительные элементы (дроссель, переключающий трансформатор), которые управляют работой
транзисторов.
Основным условием надежной работы автогенераторных преобразователей является
обеспечение надежного запуска при включении электропитания. В ряде устройств применяют
дополнительные цепи запуска.
Для инверторов с большой выходной мощностью используются различные структуры с
независимым возбуждением на основе силовых транзисторов или тиристоров. В состав
преобразователя входит два блока: усилитель мощности (УМ) и задающий генератор (ЗГ), который
управляет процессом переключения силовых элементов усилителя (рис.12.21,а).
+V Тр
Т1
ЗГ УМ R u2 + u2
ГИ V
а) И Т
б) 2
V u2
uу2 Т2 Т4 uу1