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R1 2
EJERCICIO 1.
80Ω Llene la siguiente tabla en base
D1
1N4001 al circuito mostrado, usando
1 R3
5 3 modelo ideal
R2 80Ω R4 *se refiere al estado del diodo
160Ω 80Ω
V1
24 V 7 6 Conduce: C (en cortocircuito)
D3 No conduce: A (abierto)
D2 1N4001
1N4001
R1 2
EJERCICIO 2.
80Ω Llene la siguiente tabla en base
D1
1N4001 al circuito mostrado, usando
1 R3
5 3 modelo con potencial de
80Ω barrera
R2 R4
160Ω 80Ω
V1 *se refiere al estado del diodo
24 V 7 6
Conduce: 0.7 (VB Silicio)
D3
D2 1N4001
1N4001 No conduce: A (abierto)
0
Tabla 2: modelo con potencial
de barrera
R1 2
EJERCICIO 3.
80Ω Llene la siguiente tabla en base
D1
1N4001 al circuito mostrado, usando
1 R3
5 3 modelo con potencial de
80Ω barrera y resistencia interna
R2 R4
160Ω 80Ω
V1 *se refiere al estado del diodo
24 V 7 6
Conduce: 0.7 + i*rD (asuma rD=
D3
D2 1N4001 0.25Ω)
1N4001
0
No conduce: A (abierto)
Tabla 3: modelo con potencial de barrera y resistencia interna (también llamada volumétrica)
R1 2 EJERCICIO 4.
80Ω
D1 Llene la siguiente tabla en base al
1N4001
1
circuito mostrado, usando los tres
5 R3 3 modelos
R2 80Ω R4
160Ω 80Ω *se refiere a la aproximación
V1 * modelo ideal **
24 V 7 6
modelo con potencial de barrera
D3
D2 1N4001 *** modelo con VB y rD
1N4001
𝑉𝑥 − 𝑉𝑦
𝐸𝑥−𝑦 = ∗ 100%
𝑉𝑦
En base a los siguientes circuitos llene la tabla usando las tres aproximaciones y del resultado
concluya.
D1 D1
1 1N4001 5 1 1N4001 5
V1 R2 V1 R2
10.7 V 200Ω 10.7 V 20Ω
0 0
D1 D1
1 1N4001 5 1 1N4001 5
V1 R2 V1 R2
50.7 V 1kΩ 50.7 V 100Ω
0 0
Para resolver el error E3-4 es necesario la simulación de los circuitos anteriores usando software
para solución de circuitos
Formulas:
𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 −0.7 𝑉𝐶𝐶 −0.7
Error relativo 𝑖𝐷 ∗ = 𝑅
𝑖𝐷 ∗∗ = 𝑅
𝑖𝐷 ∗∗∗ = 𝑅+𝑟 𝐷
𝑉𝑥 − 𝑉𝑦
𝐸𝑥−𝑦 = ∗ 100% 𝑉𝑅 = 𝑖𝐷 ∗ 𝑅
𝑉𝑦