МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение

высшего образования «Крымский федеральный университет им.В.И.Вернадского»

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ (СТРУКТУРНОЕ ПОДРАЗДЕЛЕНИЕ)

Кафедра компьютерной инженерии и моделирования

ОБЯЗАТЕЛЬНЫЕ ДОМАШНИЕ ЗАДАНИЯ

ДЛЯ КОНТРОЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ СТУДЕНТА

ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА
код и наименование дисциплины по учебному плану

09.03.04 ПРОГРАММНАЯ ИНЖЕНЕРИЯ

код и наименование направления подготовки по ФГОС

высшее образование - бакалавриат

уровень образования

направленность (профиль)
2018
учебный план набора

Симферополь, 2018
Представлены 3 обязательных индивидуальных задания для отчетности по самостоятельной работе.
Основная цель – закрепление и углубление знаний по разделам курса и формирование практических
навыков применения методов анализа теории цепей.

Теоретические сведения для выполнения работы приведены в учебно-методическом пособии.

Номер варианта индивидуального задания соответствует порядковому номеру студента в журнале

академической группы. Задания оформляются в тонкой тетради и сдаются в установленный срок. Решение
задач должно содержать объяснения хода решения, графики и анализ численных результатов.

ЗАДАНИЕ 1. ЯВЛЕНИЕ РЕЗОНАНСА В ЛИНЕЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЦЕПИ

ПОСЛЕДНИЙ ДЕНЬ СДАЧИ ОТЧЕТНОСТИ 10 ОКТЯБРЯ

Задание для выполнения: Определить резонансную частоту контура, его добротность, характер тока до
резонансной частоты.

Расчетная схема 1 Расчетная схема 2

ЗАДАНИЕ 2. РАСЧЕТ ПЕРЕХОДНОГО РЕЖИМА ЦЕПИ КЛАССИЧЕСКИМ МЕТОДОМ
ПОСЛЕДНИЙ ДЕНЬ СДАЧИ ОТЧЕТНОСТИ 10 ноября

Задание для выполнения: Определить законы изменения тока в индуктивной катушке и напряжения на
обкладках конденсатора после замыкания ключа.

Электрические характеристики элементов заданы:

Активные сопротивления 1Ом,
Индуктивности 0,01Гн
Емкости 1 мкФ
ЭДС 2В
Источник тока 0,5 А

Дать качественную оценку изменения токов и напряжений при размыкании ключа.

1 4 5
1 2 5 6 2

4
3

а) б).
.

3 5
3

1 2 4 1 4
2 5

в). г).

Расположение элементов в ветвях цепи

Вариант Граф R L C
Ключ ист.напряж. E1 ист.напряж Е2 ист.тока J

1 а 3 1 - 6 1,5,4 3 2
2 б 5 1 5 - 3,4,5 1 2
3 в 2 3 - 5 1,2,3 3 4
4 г 3 1 - 5 1,4,3 1 2
5 а 6 6 - 1 2,3,6,5 2 5
6 б 2 5 3 - 1,2,3,5 4 1
7 в 2 1 - 4 1,4,5 2 5
 8 г 4 3 1 - 2,3,4,5 5 1
9 а 4 1 - 6 1,4,5 3 2
10 б 4 4 - 5 1,4,3 1 2
11 в 5 4 5 - 1,3,4,5 1 2
12 г 5 5 - 2 1,3,4,5 4 1
13 а 6 2 5 - 1,5,6 1 2
14 б 5 3 5 - 2,4,5 4 1
15 в 2 4 - 5 1,2,3,4 1 3
16 г 5 3 - 1 2,3,5 3 4
17 а 5 3 - 2 1,3,5,6 1 4

ЗАДАНИЕ 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ СПОСОБОВ ВКЛЮЧЕНИЯ И РЕЖИМОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

ПОСЛЕДНИЙ ДЕНЬ СДАЧИ ОТЧЕТНОСТИ 10 ДЕКАБРЯ

Задание для выполнения: используя пакет Electronics Workbench, снять статические характеристики
биполярного транзистора и научиться обеспечивать положение рабочей точки транзистора при различных
схемах питания.
Порядок выполнения работы
1. Ознакомьтесь с параметрами моделей биполярных транзисторов (идеального и реальных),
выберите транзистор для дальнейшего исследования и использования.
№ ВАРИАНТА
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
КТ312Б КТ315А КТ316b КТ385А КТ608А КТ630А КТ635Б КТ642А КТ653Б КТ815Г

Следует принять во внимание:

 частотные свойства выбираемого транзистора; ориентиром при этом может служить задаваемое
моделью «время прямого пролета» - Forward transit time - t F (чем оно больше, тем хуже частотные
свойства транзистора);
 граничная частота усиления транзистора при его включении по схеме с общим эмиттером ( f T )
вычисляется как
h21
fT  ,
(h21  1)t F
где h21 - статический коэффициент передачи тока базы транзистора ( Forward current gain coefficient);
 дополнительную информацию о частотных свойствах транзистора дает значение емкости
коллекторного перехода (Сс) - чем она меньше, тем лучше частотные свойства транзистора;
 «мощностные» свойства транзистора – чем выше « Forward Beta High-Current Knee-Point» модели,
тем мощнее транзистор.
2. "Соберите" схему каскада на биполярном транзисторе при питании фиксированным током базы,
подключите измерительные приборы (амперметры и вольтметры) с целью измерения режима
транзистора. При использовании приборов убедитесь, что они настроены на измерения на постоянном
токе (для этого щелкните два раза левой кнопкой «мыши», указывая курсором на соответствующий
прибор). Для выполнения этого пункта задания можно взять идеальный транзистор.
 Подключите к входу каскада генератор сигналов, при этом используйте разделительный конденсатор,
чтобы генератор не влиял на режим работы транзистора. Научитесь изменять частоту и уровень сигнала
генератора, для контроля используйте на выходе амперметр или вольтметр переменного тока, или
осциллограф.
3. Снимите входную I б  f (U б ) и проходную I к  f (U б ) статические характеристики выбранного
биполярного транзистора. Для этого целесообразно использовать отдельные источники питания для
коллектора и базы (еще удобнее для питания базовой цепи пользоваться источником тока – см. рис.
1.1).

Рис. 1.1. Схема снятия статических характеристик

Характеристики снимите при фиксированном напряжении на коллекторе 5 В. Целесообразные

значения тока коллектора 0,5  15 мА. С учетом этого выбираются значения тока источника в цепи базы.
Результаты измерений занесите в табл. 1.1:
Таблица 1.1. Статические характеристики транзистора
I б , мкА 6 20 35 50 75 90 105 120 135 150
I к , мА
U б , В(мВ)
Условия измерения: U k  5В

Постройте характеристики I б  f (U б ) и I к  f (U б ) в тетради для дальнейшего использования.

4. Выберите на входной характеристике положение рабочей точки и обеспечьте ее в схеме питания
фиксированным током базы (рис. 1.2,а). Для того чтобы напряжение на коллекторе осталось примерно тем
же, следует обеспечить соответствующее увеличение напряжения питания:
E  U б0
E  U к0  Rк I к0 , Rб  .
I б0
5. Перейдите к схеме коллекторной стабилизации (рис. 1.2,б) и обеспечьте тот же режим работы
транзистора.
( E  I к0 Rк )  U б0
Rб 
I б0
 а) б)

Рис. 1.2. Схема питания фиксированным током базы (а)

и схема коллекторной стабилизации (б)

6. Поставьте в цепь эмиттера сопротивление (рис. 1.3) и, задавшись током делителя, равным
десятикратному току базы, обеспечьте тот же самый режим работы в схеме эмиттерной стабилизации.
При этом не забудьте увеличить напряжение питания на величину, соответствующую падению
напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера.

E  (U э  U б0 ) (U  U б0 )
Rэ  U э /( I к0  I б0 ), Rб1  , Rб2  э .
I дел  I б0 I дел

Rб1 Rk
от ген
Е
Rб2
Rэ

Рис. 1.3. Схема эмиттерной стабилизации

В каждом случае запишите показания приборов, подтверждающие правильность обеспечения рабочей
точки, либо вставьте распечатку схем с показаниями приборов.
Схема питания фиксированным током базы

Схема коллекторной стабилизации

Схема эмиттерной стабилизации