Вы находитесь на странице: 1из 4

Целью работы, описанной в статье «1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb

p+-n junctions» (2018), было проведено исследование темнового тока и 1/f-шума в


диффузионных p+-n-переходах InSb с целью выяснения возможной корреляции между
механизмами переноса носителей заряда и возникновения шума.
Исходными материалами служили нелегированные и легированные Te
монокристаллы n-InSb с концентрацией электронов в диапазоне 10 14-1015 см–3. Плотность
дислокаций в подложках была порядка 102 см2; использовались три метода диффузии Cd в
подложки n-InSb, обозначенные как p-n-переходы (далее «переходы») TR1, TR2 и TR3
(различия в ступенчатости процесса диффузии и отжига) [5]. Тонкие
поликристаллические пленки CdTe использовались в качестве пассивирующих/защитных
слоев. Омические контакты к p- и n-областям переходов были изготовлены из сплава In-
Zn и чистого In соответственно.
Вольт-амперные и высокочастотные (1 МГц) вольт-фарадные характеристики
измеряли как функцию напряжения смещения. Спектры шума исследовались в диапазоне
частот 5…2 · 104 Гц при 77 К. Измерительная установка состояла из трансимпедансного
усилителя и анализатора спектра СК4-74. Трансимпедансный усилитель - малошумящий
операционный усилитель на полевых транзисторах, работающий в режиме отрицательной
обратной связи по току. Требования к операционным усилителям для фотодиодов на
A3B5 с достаточно низким динамическим сопротивлением обсуждаются в работе [19].
Разработанный усилитель позволяет корректно измерять шум в переходах с
динамическим сопротивлением > 3 кОм.
В исследованных p-n переходах вольт-фарадные характеристики линеаризованы в
координатах I–3-V. Параметры перехода, такие как градиент концентрации, встроенное
напряжение и ширина обедненной области, были определены из измерений I-V.
Переход TR3 показывает самый низкий темновой ток при низких и умеренных
напряжениях смещения. В то же время в переходе TR1 четко наблюдается избыточный
ток при прямом смещении. Прямой ток в переходе TR3 состоит из диффузионных и
рекомбинационных токов, тогда как в переходе TR2 он в основном ограничивается
туннельным током при малых смещениях и током рекомбинации при более высоких
смещениях (рис. 1).
Рис. 1. Вольт-амперные характеристики при Рис. 2. Обратные ветви ВАХ в переходе
прямом смещении (закрытые точки) и TR1 при температурах, К: 77 (1), 89 (2),
обратном смещении (открытые точки) 120 (3), 138 (4), 156 (5).
переходах TR1 и TR3 при 77 К.

На рис. 2 показаны обратные ВАХ, измеренные в образце TR1 в интервале


температур 77-156 К. Они аппроксимируются степенной зависимостью I ~ U m. При
температурах T < 120 K и напряжениях смещения U 0,2 В сублинейные зависимости I-U с
показателем степени m ~ 0,8. При более высоких температурах (кривые 4, 5) m ~ 0,7–0,8
для напряжений смещения U 0,03 В и m ~ 0,3 для более высоких напряжений 0,04 < U ≤
0,2. Обратный ток стремится к насыщению, что характерно для теплового механизма
переноса носителей заряда в гомогенных p-n-переходах. С увеличением обратного
смещения ток увеличивается и m изменяется от 2–3 при U = 1-2 В до 4,5-5,0 при более
высоких смещениях. Следует отметить, что обратный ток изменяется примерно на три
порядка в интервале температур 77… 156 К.

5
Рис. 4. Спектры шума, измеренные в Рис. 5. Спектры шума в переходе TR1,
переходе TR3 при обратном смещении измеренные при обратном смещении –
-10 мВ, T = 77 К. 10 мВ, T = 77 К. На вставке показана
зависимость шумового тока от
температуры.

Спектры шума в исследованных переходах представлены на рис. 4 и 5. Все спектры


измерены при 77 К для напряжения обратного смещения –10 мВ. Как видно, спектры
имеют вид 1/f на частотах f ≤ 2 · 102 Гц в переходе TR3 (рис. 4). В переходе TR1
преобладает 1/f-шум во всем диапазоне измеряемых частот. Отметим также слабую
температурную зависимость шумового тока в переходе TR1 (рис. 5).
Ловушки могут действовать как эффективные центры рекомбинации, а также могут
усиливать межзонное туннелирование, вызывая избыточный темновой ток. Тщательный
анализ механизмов транспорта носителей заряда при средних и умеренно больших
обратных напряжениях смещения был проведен в p+-n переходах, полученных с помощью
диффузии Cd в объемные кристаллы [2-5]. Было показано, что полный темновой ток
изменяется из-за туннелирования с помощью ловушек (trap-assisted tunneling, TAT) и
явления поверхностной утечки. Кроме того, темновой ток критически зависит от условий
процесса диффузии.
Поскольку ток ТАТ в исследуемых переходах связан с неоднородностями в
области обеднения, можно предположить, что шум 1/f возникает из-за флуктуаций
сопротивления перехода. Следует отметить, что туннельный ток в полупроводниковом
p-n-переходе имеет сильную (экспоненциальную) зависимость от электрического поля.
Таким образом, небольшая флуктуация концентрации дефектов приводит к

6
экспоненциально большой флуктуации туннельного тока и, следовательно, сопротивления
перехода. Этот факт особенно важен для ИК-фотодиодов по нескольким причинам. Во-
первых, поскольку фотодиоды изготовлены из узкозонных полупроводников,
потенциальные барьеры имеют довольно небольшую высоту, а во-вторых, из-за того, что
электроны и дырки имеют малые эффективные массы. Таким образом, характеристики
фотодиодов InSb в значительной степени зависят от структурной и электрической
однородности n-области перехода.
Спектры темнового тока и 1/f-шума исследованы в p +-n переходах InSb. Фотодиоды
были изготовлены методом диффузии Cd в монокристаллические подложки. Вольт-
амперные характеристики объяснены в рамках модели неоднородного p-n-перехода.
Неоднородности стыка обусловлены пересечением дислокациями обедненной области.
Было показано, что существует корреляция между туннельным током с помощью ловушек
через локальные неоднородные области перехода и 1/f-шумом. Утверждается, что
флуктуации сопротивления перехода ответственны за происхождение 1/f-шума.
В настоящее время InSb является одним из важнейших материалов для
изготовления фотодиодов, а также матриц фокальной плоскости фотодиодов для
средневолновой инфракрасной области l = 3-5 мкм [1]. Обычно для изготовления
фотодиодов InSb используются имплантация Be и диффузия Cd в объемные кристаллы с
проводимостью n-типа. Производительность этих фотодиодов существенно
ограничивается избыточным током через ловушки в промежутке. Ловушки могут
действовать как эффективные центры рекомбинации, а также могут усиливать межзонное
туннелирование, приводя к появлению избыточной темноты.
Текущий. Тщательный анализ механизмов транспорта носителей заряда при
средних и умеренно больших обратных напряжениях смещения был проведен в p + -n
переходах, полученных с помощью диффузии Cd в объемные кристаллы [2-5]. Было
показано, что полный темновой ток страдает от туннелирования с помощью ловушек
(TAT) и явления поверхностной утечки. Кроме того, темновой ток критически зависит от
условий процесса диффузии. Природа низкочастотного 1/f-шума в InSb все еще остается
проблемой. Его трактовали как объемные, так и поверхностные явления [6-18].
Экспериментальные данные о низкочастотном шуме в фотодиодах InSb противоречивы.
Например, опубликованные в литературе значения параметра Хоуге меняются в большом
диапазоне от 10–1 до 10–6 [13-15, 18]. Целью данной работы было исследование
темнового тока и 1/f-шума в диффузионных p+-n соединениях InSb с целью выяснения
механизмов переноса носителей и шума, а также поиска возможной корреляции между
ними.

Вам также может понравиться