Вы находитесь на странице: 1из 52

№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Практическая
силовая
электроника
ISSN 1996-7888 № 1 (33)/2009

Под редакцией Содержание


д. т. н., проф., академика АЭН РФ А. В. Лукина,
д. т. н., проф. Г. М. Малышкова Как повлияет финансовый кризис на производителей
источников питания
Технический редактор: к. т. н., доц. В. В. Крючков (по материалам Darnell Group) .................................. 2

Зарегистрирован Министерством Российской Б. Н. Карзов, М. Ю. Кастров, Д. В. Жикленков


Федерации по делам печати, телерадиовещания и Понижающеповышающий преобразователь с
средств массовых коммуникаций 30 августа 2002 г., малыми перенапряжениями на полупроводниковых
компонентах для ККМ с универсальным входом ... 6
свидетельство ПИ № 7713452.
Г. М. Малышков
Издатель и учредитель — Закрытое Акционерное Сравнительный анализ многозвенных фильтров
Общество «ММП Ирбис». нижних частот ............................................................ 13

Полное или частичное воспроизведение или размно Б. Н. Карзов, И. Н. Соловьев, Е. И. Ходырев


жение каким бы то ни было способом материалов, Прямоходовой преобразователь напряжения в режиме
опубликованных в сборнике, допускается только с ШИМ с резонансным размагничиванием ................. 18
письменного разрешения редакции. В. А. Постников, С. В. Аверин, Ю. Г. Следков
Алгоритм управления трехфазным инвертором в
При перепечатке ссылка на научнотехнический режиме ШИМ ............................................................. 24
сборник «Практическая силовая электроника»
обязательна. М. Ю. Кастров, И. Н. Соловьев
Регулирование выходного напряжения преобразователей
Рукописи не рецензируются и не возвращаются. постоянного напряжения цифровыми методами ......... 31

За содержание рекламных материалов редакция от Н. Н. Петросян, П. С. Манукян


Анализ резонансного инвертора с закрытым входом
ветственности не несет.
для индукционного нагрева с широтноимпульсным
Отпечатано в ООО «Типография АРЕС», регулированием входного напряжения .................. 37
г. Москва, Остаповский проезд, д. 5, стр. 6 Д. А. Шевцов, Д. Р. Манбеков
Анализ несимметричных режимов перемагничивания
Подписано в печать 02.03.2009. Тираж 500 экз. сердечника трансформатора в двухтактных
Адрес редакции: преобразователях с дросселем постоянного тока в
111024, Москва, Андроновское шоссе 26, первичной цепи ......................................................... 42
ЗАО «ММПИрбис» Д. Р. Манбеков, Д. А. Шевцов
Тел/факс: (495) 2344267, 6734308 Сравнительный анализ различных типов двухтактных
Email: pse@mmpirbis.ru, sin@mai.ru транзисторных преобразователей постоянного напряжения
УДК 621.314 при несимметричном режиме перемагничивания ........ 45
ВАК 05.09.01 Д. А. Шевцов, Буй Дык Кыонг
Дополнительная информация о журнале “ПСЭ”: Источник вторичного электропитания с регулируемым
www.mmpirbis.ru напряжением ............................................................... 48

1
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

КАК ПОВЛИЯЕТ ФИНАНСОВЫЙ КРИЗИС НА


ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
(по материалам публикаций Darnell Group)

Сейчас все пишут о финансовом кризисе и его Компании, занимающиеся высокими технологи
потенциальных последствиях, начиная с нехватки ями, как правило, менее чувствительны по сравнению
продовольствия до глобального коллапса. Вполне с другими отраслями к проблемам кредитования. (От
очевидно, что все эти проблемы значительно глуб расли высоких технологий производители полупро
же и сложнее, чтобы их можно было реалистически водниковых устройств, компонентов и материалов,
проанализировать в одной статье. Итак, каким об программного обеспечения, компьютеров и компь
разом производители источников питания могут ютерных сетей, а также их инвесторы оказывают
критически проанализировать текущее положение очень серьезное влияние на всю нашу жизнь. Несмот
вещей и сделать прогнозы на будущее. ря на то, что это сектор развивался в течение 25 лет,
Самый безопасный подход – это взглянуть на компании высоких технологий борются с постоянны
“признаки” сопутствующие и основные те, которые ми проблемами доступ к капиталам, снижение вре
дают представление о том, что происходит в эконо мени от начала разработки изделия до выхода его на
мике. Для экономики существуют общие признаки, рынок, поиск и сохранение талантливых разработчи
но существуют также признаки для отдельных отрас ков важны, как никогда. А кроме того, существуют
лей. Эти признаки могут изменяться, но они, по край еще акционеры и проблемы рынков сбыта). Совсем
ней мере, определяют “реальное” развитие событий, недавно IBM раньше срока выпустила отчет о дохо
которое может помочь отрасли выжить, или выбить дах в третьем квартале, где сообщается о 20% увели
из под нее основу. чении прибылей, и повторила свои перспективы на
Положительный момент состоит в том, что рынок 2009 г. Компании, испытывающие сильные потреб
устройств силовой электроника и источников пита ности в капитале, могут оказаться в беде, и проекты,
ния – это обширный, разнообразный рынок, кото включающие в себя инвестирование в новые техно
рый снабжает практически каждый основной логии, могут быть отложены.
потребительский сегмент – от жилых, коммерческих Отрасль, которая похоже получит максимум
и промышленных строений, до компьютеров, комму “пользы” (если можно так выразиться) от этого кри
никаций и потребительских товаров, медицинского, зиса, – это рынок энергоустановок, использующих
военного и аэрокосмического оборудования, а также возобновляемые источники энергии. Правительство
транспорта. Электроэнергия нужна везде и всегда в США не только продлило налоговые скидки для про
потребных количествах, даже во время самые труд изводителей и инвесторов, но также указ о финансо
ные периоды экономического развития. Возможнос вой помощи, включая целый ряд государственных
ти сбыта могут сокращаться, но потребность остается. налоговых скидок для целой группы систем, исполь
Финансовый сектор – это только небольшая часть зующих возобновляемую энергию, включая солнеч
всего рынка электронной продукции, и спад в этом ную энергетику и ветроэнергетику. И за последние
секторе может снизить темпы роста производства ус полгода коммунальные предприятия в США сделали
тройств силовой электроники только на процентную серьезный шаг в сторону рынка вырабатывания и рас
точку или две. пределения электроэнергии на основе солнечной
Однако кредитный кризис не ограничится только энергетики.
финансовыми рынками. Все крупные компании по Поскольку производители систем возобновляемой
страдают от сокращения кредитов, что приведет к энергии уже давно борются за устойчивое положение
снижению расходов. Будет иметь место “уход в глу на рынке, вполне вероятно, что финансовый кризис
хую оборону”, и потребуются определенные матери не ухудшит их положение. Экономические трудности
альные стимулирующие средства для возвращения их в самом деле могут сделать их продукцию более при
на прежние позиции. Во многих случаях, однако, это влекательной по существу. Налоговые льготы сдела
означает, что темпы роста замедлятся, но не остано ют такие системы более доступными, а производители
вятся совсем. Отрасль информационных технологий инверторов, различных преобразователей частоты и
может иметь достаточный запас, чтобы пережить статических переключателей без нулевого положения
спад, хотя темпы роста затрат на технологии могут соответственно также получат выгоду.
быть очень низкими (т. е. выражаться однозначными Оборотной стороной этого является то, что в Ев
числами). По мнению некоторых аналитиков это мо ропе субсидии снижаются. Например, в Испании на
жет произойти во второй половине 2009 года. энергоустановки, использующие солнечную энергию,

2
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
в 2009 году определили новый верхний предел 300 падать духом и делать все возможное”. При гибкости
МВт. В данном регионе возможен избыток электро капиталистического рынка компании по производ
энергии, но он, возможно, никоим образом не повли ству источников питания должны сосредоточиться и
яет на другие регионы. Кроме того, компаниям, пережить бурю, а это означает определение как крат
связанным с возобновляемыми источникам энергии, косрочных возможностей, так и тех, которые возник
необходимо получать прибыль. Прилагающая макси нут после финансового кризиса.
мальные усилия отрасль ветроэнергетики, например, Аналитики Darnell Group считают, что снижение тем
может столкнуться с большим количеством препят пов роста в некоторых секторах прикладных систем бу
ствий, связанных с ограничением кредитования даже дет продолжаться в течение 2010 г. Однако, как было
при наличии налоговых льгот. сказано ранее, снижающийся прирост это не отрица
Другая отрасль, которая ничего не потеряет – это тельный прирост. Вполне возможно, что кредитный
телекоммуникации. Вспомним, что эта отрасль подвер кризис затронет отрасли, требующие больших капита
глась значительной реорганизации в начале нового века, ловложений, например производственные. Также мо
и конкурирующие локальные телекоммуникационные гут быть затронуты производители потребительских
компании (CLECs competitive local exchange carriers) не товаров. Но инвестиционным фирмам попрежнему
имеют больших проблем по задолженностям, с которы требуется инвестировать. Анализ показывает, что про
ми сталкиваются другие компании. Это поможет таким изводители альтернативных источников питания, в ча
компаниям благополучно перенести кредитный кризис. стности, будут иметь прирост, несмотря на финансовый
Установлено, например, что они получили 1,6 млрд. кризис. В 2009 г. инвестирование в технологии ожида
долларов наличными, а расширение сети в ближайшем ется также в азиатскотихоокеанском регионе.
будущем принесет еще столько же. Продажи в секторе Несмотря на то, что исследование Darnell Group
телекоммуникаций будут осуществляться на уровне ин охватывает весь спектр источников питания для при
женерного и технического обслуживания, а также бес менения в различных устройствах, существуют три
проводных сетей. Продолжают оставаться популярными сегмента, которые обеспечили себе хорошие возмож
мобильные телефоны, а провайдеры услуг мобильной ности в настоящее время, и, вероятно, их экономи
связи в широкой полосе частот (в особенности) имеют ческий рост будет продолжаться даже во время спада.
достаточно эффективные сети низкие эксплуатацион Для этого существуют несколько причин, при этом
ные расходы. каждая распространяется на разные рынки. Эти сег
Продажа полупроводниковых устройств также менты включают в себя альтернативные экологичес
имеет свои естественные циклы, которые имеют тен ки чистые (“green”) источники энергии, устройства с
денцию происходить, когда в экономике происходит повышенной эффективностью использования энер
спад или подъем. Недавно Ассоциация производите гии, а также технологические направления на рын
лей полупроводников (Semiconductor Industry ках типа “стабильный, если нетипичный”.
Association) сообщила о том, что по сравнению с пре За месяцы до обрушения финансового рынка,
дыдущим годом продажи полупроводниковых уст цены на нефть вызывали все возрастающую потреб
ройств в мире в августе выросли на 5,5%. Продажи ность в гибридных электромобилях (HEV – hybrid
персональных компьютеров и микротелефонной гар electric vehicle). В настоящее время цены на бензин
нитуры были основными двигателями спроса, при пошли вниз, но потребители и бизнес попрежнему
этом в 2009 г. планируется более чем 13%ый рост про хотят получить топливосберегающие автомобили и
даж персональных компьютеров. другие средства передвижения. Автомобильная про
Никто не может точно сказать, что произойдет в мышленность испытывает трудности изза ограниче
течение ближайших месяцев. Страх был ускорителем ния кредитов, но правительства начинают влиять на
процесса столь необходимой корректировки эконо ситуацию с помощью различных стимулирующих
мики. Но “корректировка” не означает “обвал”. Кор средств, которые могут поддержать этот рынок. На
ректировки имеют тенденцию осуществляться в пример, недавно во Франции выделено 40 миллионов
прямой пропорции к своей полной противоположно евро в виде государственной поддержки для развития
сти, иногда “гиперкоррекции”. Но “снижение тем электромобилей и гибридных электромобилей. Ожи
пов роста” не означает “отсутствие роста”. Возможно дается, что и в других европейских странах правитель
производителям источников питания не нравится ства также будут способствовать получению займов
возврат к более разумному экономическому климату, от Европейского инвестиционного банка производи
но они переживут его. телями автомобилей для разработки малотоксичных
Далее рассмотрим некоторые специфические рын средств передвижения.
ки, которые возможно выдержат экономический Производители гибридных электромобилей всегда
шторм, и почему это произойдет. пользовались поддержкой правительств и налоговы
События, происшедшие за последнее время, не ми льготами, поэтому на их успех сильно не повлияет
особенно способствовали ослаблению состояния об спад, зависящий только от рынка. Кроме того, – это
реченности и уныния, царящему на мировых финан новые технологии, а с коммерческой точки зрения
совых рынках. В большинстве случаев компании новые технологии должны в любом случае в течение
склоняются к принципу “это случилось, давайте не ряда лет испытывать трудности. Положительным для

3
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
этого сектора является то, что электрификация под — тепловая – энергия, излучаемая печами, нагре
вижных объектов касается целого ряда транспортных вателями и источниками трения;
средств, а не только потребительских, или автомоби — световая – улавливание солнечного света или
лей с жилым кузовом для загородного отдыха. К та комнатного освещения с помощью фотодатчиков, фо
ким средствам относятся автопогрузчики, тележки тодиодов и солнечных панелей;
для гольфа, грузопассажирские транспортные сред — электромагнитная – от дросселей, соленоидов
ства высокой проходимости, машины по обслужива и трансформаторов;
нию автохозяйства, грузовые автомобили большой — природная – энергия окружающей среды, на
грузоподъемности, машины по добыче торфа, а так пример, ветер, поток воды, океанские течения и
же строительная техника. Некоторые из этих рынков солнце;
небольшие с точки зрения числа штучных продаж, но — человеческого тела – сочетание механической
количество микросхем для управления электропита и тепловой энергии, обычно вырабатываемой живы
нием, необходимых для каждой единицы такой тех ми организмами, либо в результате таких действий как
ники, может быть достаточно большим. ходьба или сидение;
Еще один развивающийся рынок – это извлече — другие виды – энергия от химических или био
ние энергии (energy harvesting или energy scavenging). логических источников.
В окружающей нас природе везде имеются запасы Нужно сказать, что все эти источники практичес
энергии, доступные в виде тепловой энергии, свето ки неограниченны и общедоступны, если находятся
вой (солнечной)энергии, энергии ветра, а также ме непосредственно в системе или рядом с ней.
ханической. Однако, зачастую, энергия, отдаваемая Системе извлечения энергии, в общем случае, не
этими источниками настолько мала, что ее нельзя обходимы источник энергии, например, вибрация,
использовать для питания для какихлибо практичес тепло, свет или поток воздуха, а также еще три состав
ких устройств. Извлечение энергии – это процесс ляющие электронных компонентов, включающие:
улавливания ничтожно малых количеств энергии от — устройство преобразования энергии, например
одного или нескольких источников такого типа и за пьезоэлектрический элемент, чтобы преобразовать
пасание ее для последующего использования. Устрой определенный вид энергии в электрическую;
ства для извлечения энергии позволяют эффективно — модуль извлечения энергии, с помощью кото
и с высоким КПД извлекать, накапливать, сохранять рого энергия извлекается, накапливается и распреде
и распределять эту энергию для питания в той фор ляется к устройству;
ме, какая необходима для выполнения определенных — конечное устройство, например беспровод
задач. Аналогично, модуль для извлечения энергии – ная сеть датчиков, либо устройства управления
это электронное устройство, способное выполнять все и контроля.
эти функции для питания различного вида датчиков Сегмент устройств извлечения энергии развивает
и схем управления устройств с повторнократковре ся, частично, за счет налоговых льгот на энергосбе
менным режимом работы. Передовые технические регающие технологии, особенно автоматизированных
разработки позволили повысить эффективность уст технических средств для помещений, например уп
ройств, извлекающих ничтожные порции энергии из равление освещенностью. Несмотря на то, что веро
окружающей среды и преобразующие их в электри ятно годовой прирост производства источников
ческую энергию. Кроме того, прогресс в технологи питания промышленного применения снизится, от
микропроцессоров позволил повысить энергетичес дельные сегменты рынка, где имеется возможность
кий КПД за счет существенного снижения требова снизить начальные капиталовложения, могут преодо
ний по потреблению электроэнергии. В сочетании леть кризис без последствий. Одна из возможностей
такие разработки вызвали интерес у инженерно – сети радиодатчиков, позволяющие осуществлять
технического сообщества к разработке все больше сбор энергии еще более дешевым способом в устрой
го количества устройств, для питания которых ствах, где расходы на медь недопустимы (либо неже
используется извлечение энергии. лательно использование аккумуляторных батарей).
Извлечение энергии из естественного источника Предполагается, что происходящий в настоящее
в месте расположения какойлибо аппаратуры, где время переход на устройства цифрового управления
такой источник неисчерпаем, становится все более и контроля электропитания также продолжится без
привлекательной альтернативой неудобным настен болезненно, но по причинам, отличным от случаев
ным розеткам или аккумуляторам. Такой практичес гибридных электромобилей и сбора энергии. Цифро
ки независимый источник питания при правильной вое управление больше не является новой технологи
разработке и установке будет необслуживаемым в те ей – оно используется во многих устройствах. При
чения всего срока службы питаемого им устройства. этом его всеобщее признание ожидается в течение
Обычными источниками для извлечения энергии последующих пяти или десяти лет. Однако, такую тен
являются: денцию можно видеть на рынках, называемых “ста
— механическая – от таких источников, как виб бильный, если нетипичный”, например современных
рация, механические напряжения и усилия; систем передачи информации.

4
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
В последнем отчете Semoicast сообщается, что не происходить с помощью батареи топливных источ
смотря на экономическую неопределенность, зат ников питания.
рагивающую США, Европу и Японию, рынок 32 и Важно помнить, что нынешний финансовый кри
64битовых микроконтроллеров, встроенных мик зис вызван истощением кредитов, а не принципиаль
ропроцессоров и цифровых сигнальных процессо ной слабостью предприятий, покупающих источники
ров общего назначения будет иметь стабильный и питания. Последнее подтверждается спадом в секто
непрерывный рост. Эти рынки включают в себя ме ре телекоммуникаций, приведшему к сокращению
дицинскую, автомобильную и коммуникационную рынка на 40%. Частично это произошло вследствие
инфраструктуру. Полупроводниковые приборы сильно разросшейся инфраструктуры, чего в настоя
применяются в высокоэффективных системах, в ко щее время не происходит. Когда финансовые рынки
торых используются регуляторы напряжения и пре стабилизируются и появятся свободные средства, эти
образователи постоянного напряжения, что крепкие в своей основе компании и предприятия бу
позволит также поддерживать на необходимом дут готовы осуществлять свои бизнес планы. А ком
уровне продажи цифровых схем управления. пании, производящие источники питания, должны
Некоторые слабые технологии могут также полу быть готовы снабжать их своей продукцией.
чись временное облегчение. С расширением прави
тельственных налоговых льгот производители
топливных элементов в настоящее время находятся в
таком положении, что могут не только заключать Литература
сделки, но также и привлекать новых участников, в 1. Linnea Brush. Will the Financial Crisis Dent the
том числе и новые предприятия. Последняя ситуация Power Supply Industry? (Part I) – www:PowerPulse.net,
особенно важна, поскольку предприятиям сейчас пре 2008.
доставлено право получения этих налоговых льгот при 2. Linnea Brush. Will the Financial Crisis Dent the
приобретении ими подобных технологий. Наилучшие Power Supply Industry? (Part II) – www:PowerPulse.net,
возможности для внедрения таких технологий на се 2008.
годняшний день предоставляются на объектах, где 3. What is Energy Harvesting? – www: energyharvest
отключение электроэнергии оказывается катастрофи ing.net.
ческим, например в больницах, или при распределен 4. Energy Harvesting – Wikipedia, the free
ном генерировании энергии, которое может encyclopedia.

5
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Б. Н. Карзов, М. Ю. Кастров, Д. В. Жикленков

ПОНИЖАЮЩЕ-ПОВЫШАЮЩИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С
МАЛЫМИ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯМИ НА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОМПОНЕНТАХ ДЛЯ ККМ С
УНИВЕРСАЛЬНЫМ ВХОДОМ
В преобразователях, используемых для коррекции ко2 решаемая за счет введения в схему дополнительных
эффициента мощности (ККМ), наличие универсального компонентов.
входа, т. е. возможности работы от сети переменного В устройствах ККМ с универсальным входом воз
тока по всему миру, достигается дорогой ценой в пересче2 можность обеспечения как повышающего, так и пони
те на перегрузки на электронных компонентах и потери, жающего преобразования достаточно привлекательна,
габариты компонентов и ограничения на величину выход2 так как при этом величина постоянного выходного на
ного напряжения. Рассмотрена новая структура преоб2 пряжения может быть установлена на любом уровне.
разователя с двумя силовыми ключами, позволяющая Однако в традиционных структурах, содержащих один
существенно улучшить рабочие характеристики, по срав2 силовой ключ, включая обычную понижающеповыша
нению с понижающе2повышающими преобразователями на ющую, обратноходовую, SEPIC и преобразователь Кука
основе одного силового ключа (включая структуры обрат2 [2, 3], присутствуют существенно повышенные пере
ноходового, SEPIC и преобразователя Кука), а также грузки на компонентах, размеры компонентов, а также
традиционными преобразователями в двумя силовыми пониженный, по сравнению с повышающим преобра
ключами. Рассматриваемый преобразователь имеет ха2 зователем, КПД.
рактеристики преобразования понижающе2повышающего Известно, что повышающий и понижающий пре
преобразователя, потери на проводимость силового клю2 образователи постоянного напряжения потенциаль
ча, сравнимые с потерями повышающего преобразовате2 но могут иметь значительно более высокий КПД и
ля. Кроме того, в нем отсутствует проблема пусковых меньшие перегрузки на компонентах в случае, если
токов, а также имеется возможность уменьшения габа2 их преобразовательные характеристики удовлетворя
ритов дросселя до уровня повышающего преобразователя. ют техническим условиям по входным и выходным
параметрам. На основе этих данных наша цель – со
Хорошо известно, что при использовании в ККМ здание структуры преобразователя с двумя раздельно
наиболее эффективна структура повышающего пре управляемыми силовыми ключами таким образом,
образователя, при условии, что выходное постоянное чтобы он работал и как понижающий, либо как по
напряжение немного превышает максимальную ам вышающий на различных участках периода сетевого
плитуду входного переменного напряжения [1]. При напряжения. Такие структуры, включающие два си
использовании в устройствах с универсальным вхо ловых ключа могут иметь более высокий КПД, мень
дом, когда действующее значение входного напряже шие габариты и способность произвольного выбора
ния изменяется в диапазоне 90...305 В, выходное уровня выходного постоянного напряжения. Два про
напряжение должно устанавливаться на уровне 450 В. стых примера традиционных каскадных соединений
При пониженном напряжении сети (U~д = 90 В) поте понижающего и повышающего преобразователей
ри на проводимость высокие, поскольку действующее приведены на рис. 1а и б [4, 5]. Такие преобразовате
значение входного тока имеет наибольшее значение, ли работают как повышающие, когда VT2 все время
и при преобразовании требуется наибольшее повы открыт, и как понижающие когда VT1 постоянно за
шение. При больших действующих значениях вход перт. В режиме непрерывных токов полный коэффи
ного тока (низком входном напряжении), а также циент преобразования равен
большом значении произведения вольтсекунд при
D2
широком диапазоне напряжения сети, габариты дрос M= , (1)
селя должны быть существенно увеличены. В резуль 1 − D1
тате габариты повышающего преобразователя, где D1 и D2 – коэффициенты заполнения ключей VT1
предназначенного для работы в ККМ с универсаль и VT2 соответственно.
ным входом, существенно увеличиваются, по сравне С помощью метода синтеза структур преобразова
нию с преобразователем, предназначенным для телей, содержащих два силовых ключа, описанного в
работы в узком диапазоне входных напряжений. Кро [6], можно получить новые структуры с понижающе
ме того, вследствие существенного значения величи повышающими характеристиками. Одна из таких
ны емкости конденсатора выходного фильтра, новых структур понижающеповышающий преоб
возникает проблема возникновения пускового тока, разователь с чередованием режимов (ПППЧР) пока

6
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б

Рис. 1. Структуры каскадных понижающеповышающих преобразователей на двух силовых ключах: а – повышающепонижающая;


б – понижающеповышающая

зана на рис. 2. Режимы работы такого преобразовате Работа ПППЧР в качестве идеального
ля и его основные характеристики в установившемся выпрямителя
режиме, а также в качестве выпрямителя с улучшен Проведем анализ работы ПППЧР в качестве выпря
ным спектральным составом, потери в силовых клю мителя с низким содержанием высших гармоник. Вы
чах и дросселе, рассмотрены в последующих разделах. ражения для действующих значений токов обоих
транзисторов и дросселей, а также вольтсекунд полу
Режимы работы ПППЧР и основные чены таким образом, чтобы облегчить вычисление по
характеристики в установившемся режиме терь на проводимость и габаритов магнитных элементов.
Рассматриваемый понижающеповышающий пре При использовании в устройствах с ККМ выпрям
образователь с чередованием режимов (ПППЧР) по ленное напряжение определяется как
казан на рис. 2. В отличие от каскадных структур
ячейка повышающего ключа (VT1, VD1) перемежа
ется с ячейкой понижающего ключа (VT2, VD2). В
режиме непрерывных токов (РНТ) полный коэффи
циент преобразования равен
D1
M = D2 + . (2)
1 − D1
Если ключ VT2 всегда разомкнут, преобразователь
работает в режиме повышения (рис. 3а). среднее зна
чение напряжения на конденсаторе С1 равно нулю.
В этом режиме входной ток разделяется и протекает а
через L1 и L2. В результате полное значение действу
ющего тока через дроссели L1 и L2 меньше, чем дей
ствующее значение тока, протекающего через один
дроссель.

Рис. 3. Режимы работы ПППЧР: а – повышающий;


б – понижающий

Рис. 2. Структура понижающеповышающего преобразователя с Таблица 1. Основные соотношения для режимов повыше
чередованием режимов (ПППЧР) ния и понижения

Если ключ VT1 все время разомкнут, преобразо


ватель работает в режиме понижения, как показано
на рис. 3б. Дроссель L1 и конденсатор C1 образуют
фильтр нижних частот. Средний ток через фильтр L1,
C1 равен нулю, а напряжение на С1 равно разности
между входным и выходным напряжениями. Дроссель
L2 в режиме понижения выполняет те же функции
дросселя обычного понижающего преобразователя.
Основные соотношения для обоих режимов работы
приведены в таблице 1.

7
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
uвх (t ) = U m | sin(ωt ) | . (3)
Желательно, чтобы выходное напряжение регулиро
валось относительно постоянного значения U, а вход
ной ток был пропорционален входному напряжению
uвх (t )
i вх (t ) = , (4)

где Rм – эквивалентное постоянное сопротивление
при заданной выходной мощности. а
Формы входного и выходного напряжений на по
ловине периода сетевого напряжения для случая, ког
да величина выходного напряжения выбрана меньше
максимальной амплитуды входного напряжения, по
казаны на рис. 4. Преобразователь работает в режи
мах повышения или понижения, в соответствии с
состоянием входного и выходного напряжений. При
анализе предполагается, что преобразователь работает
в РНТ.
Режим повышения. В промежутке времени [0, tm]
величина входного напряжения меньше величины
б
выходного, ячейка повышающего ключа (VT1, VD1)
активна, а ячейка понижающего ключа (VT2, VD2) Рис. 4. Выпрямленное напряжение сети и выходное
напряжение (а); коэффициенты заполнения повышающей
неактивна – ключ все время замкнут. и понижающей ячеек ПППЧР, работающего в режиме
В квазиустановившемся режиме коэффициенты выпрямителя с низким содержанием высших гармоник (б)
заполнения транзисторов являются функциями
времени Вольтсекунды, приложенные к L1 и L2 за время
периода переключений такие же, как вольтсекунды,
⎧ U
⎪D1 (t ) = 1 − m sin(ωt ) ; приложенные к дросселю простого повышающего
⎨ U (5) преобразователя, и равны
⎪⎩D2 (t ) = 1.
u ⋅ s = D1 (t )Tпер uвх (t ) =
Средние токи дросселей определяются как
⎡ U 2 sin 2 (ωt ) ⎤
= ⎢U m sin(ωt ) − m ⎥Tпер , (9)
⎧ U sin(ωt ) U m2 sin 2 (ωt ) ⎣ U ⎦
⎪i L1 (t ) = m − ;
⎪ Rм URм
⎨ где Тпер – период переключений.
⎪i (t ) = U m sin (ωt ) .
2 2
(6) Режим понижения. В промежуток времени
⎪⎩ L2
URм [tm, Tc/4] мгновенное значение входного напряжения
превышает значение выходного напряжения, и ста
Когда проводит VT1, протекающий через него новится активной понижающая ячейка, а повышаю
ток является суммой токов, протекающих через оба щая ячейка становится неактивной (VT1 все время
дросселя. заперт). L1 и C1 образуют между входом и выходом
В режиме повышения VT1 всегда заперт, и ток фильтр нижних частот и в квазиустановившемся ре
дросселя L1 равен малому току пульсаций. Следова жиме работы оказывают незначительное влияние.
тельно, действующие значения токов через VT1 и L1 Коэффициенты заполнения транзисторов VT1 и
в режиме повышения определяются с помощью (5) и VT2 определяются как
(6). В результате получаем
⎧D1 (t ) = 0;
⎪ U
tm ⎨D (t ) = , (10)
{D1 (t )[iL1 (t ) + iL2 (t )] }пов dt =
4
Tс ∫0
I д ( VT1) =
2
⎪ 2 U sin( ωt )
⎩ m

а токи дросселей
4 ⎡U m2 sin 2 (ωt ) U m3 sin 3 (ωt ) ⎤
tm (7)
Tс ∫0 ⎣
= ⎢ − ⎥dt ; ⎧i L1 (t ) = 0;
Rм2 URм2 ⎦ ⎪
⎨i (t ) = U m sin (ωt ) .
2 2
(11)
⎪ L2
⎩ URм
4 ⎡U m2 sin 2 (ωt ) U m3 sin 3 (ωt ) ⎤ ,
tm

I д (L1) = ∫⎢
Tс 0 ⎣ Rм2

URм2
⎥dt

(8) Коэффициенты заполнения транзисторов VT1 и
VT2 за половину периода напряжения сети показаны
где Тс – период напряжения сети. на рис. 4б. Как при повышении, так и при пониже

8
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
нии преобразователь работает в режиме непрерывных Таблица 3. Сравнение перенапряжений на силовых ключах

токов. Транзистор VT2 и дроссель L2 проводят ток в


обоих режимах. Действующие значения токов в них
определяются из (5), (6) и (11):

tm

{D1 (t )[iL1 (t ) + i L2 (t )] }пов dt + L


4

2
I д ( VT2) =
Tс 0
Tс / 4

L+ ∫ [D i
tm
2 L2 (t )]пон dt =
(12)
4 ⎡ U m2 sin 2 (ωt ) U m3 sin 3 (ωt ) ⎤
t m T /4 с

= ⎢
Tс ⎢ 0 Rм2 ∫ dt + ∫
U вых Rм2
dt ⎥ ;
⎥⎦
⎣ t m

Tс / 4
4 U m4 sin 4 (ωt ) 3 U Uвых – постоянное выходное напряжение
I д (L2) =
Tс ∫
0
2 2
U Rм
dt =
8 Rн
, (13) Uт – максимальная амплитуда входного напряжения

где Rн – сопротивление нагрузки.


Вольтсекунды, приложенные к L2 за период пе значение выходного напряжения. Все структуры на
реключений, как вольтсекунды, приложенные к основе двух силовых ключей, включая ПППЧР, обес
дросселю простого понижающего преобразователя, и печивают меньшие перенапряжения, чем структуры
равны понижающеповышающих преобразователей на ос
нове одного ключа, и эти перенапряжения такие же,
⎡ ⎤
u ⋅ s = [1 − D2 (t )]TперU = ⎢U −
U как в случае повышающего преобразователя (за счет
⎥Tпер . (14)
⎢⎣ U m sin(ωt ) ⎥⎦ большего числа силовых ключей).
Потери на проводимость в транзисторе. При
В режиме понижения вольтсекунды, приложенные сравнении полагаем, что сопротивление в откры
к L1, близки к нулю. том состоянии у всех транзисторов одинаковое. По
Для примера рассчитанные для двух значений на этому сравниваются действующие значения полных
пряжения сети действующие значения токов компо токов через транзисторы, определяемые как сумма
нентов приведены в таблице 2. квадратов действующих токов каждого транзисто
Сравнение характеристик преобразователей ра. На практике при одинаковых размерах кристал
Проведем сравнение ПППЧР со структурами по лов сопротивление в открытом состоянии
вышающего, понижающеповышающего на одном транзистора, входящего в состав однотранзистор
силовом ключе и каскадного понижающеповышаю ных понижающеповышающих преобразователей,
щего преобразователей с точки зрения перенапряже будет больше, вследствие более высокого допусти
ний на силовом ключе, потерь на проводимость и мого напряжения. Наихудший случай потерь на
размеров магнитных компонентов. Все результаты по проводимость в ключе возникает при минимальном
лучены в предположении, что преобразователи рабо действующем значении напряжения сети (90 В ).
тают в режиме непрерывных токов (РНТ). Потери на проводимость в ключе для всех понижа
Перенапряжение на силовом ключе. Сравнение наи ющеповышающих структур находятся как функ
худших случаев перенапряжений на силовых ключах ции постоянного выходного напряжения и
приведено в таблице 3. Выходное напряжение повы нормализуются относительно потерь на проводи
шающего преобразователя (Uн) превышать макси мость в повышающем преобразователе, работаю
мальное значение амплитуды входного напряжения щем при фиксированном постоянном выходном
(Uт), а в случаях понижающеповышающих преобра напряжении 450 В. Результаты расчетов приведены
зователей можно произвольно устанавливать любое на рис. 5а. Полные потери на проводимость у рас
сматриваемого преобразователя (ПППЧР), а также
Таблица 2. Действующее значение токов компонентов при ми
каскадного повышающепонижающего преобразо
нимальном и максимальном напряжении сети вателя практически совпадают с потерями в повы
шающем преобразователе и значительно меньше
потерь в однотранзисторном понижающееповы
шающем преобразователе, или каскадных понижа
ющеповышающих преобразователях. Например,
при выходном напряжении 300 В потери на прово
Uн = 200 В; Рн = 100 Вт димость в таких преобразователях соответственно

9
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

1 – ПППЧР; 2 – однотранзисторный понижающеповышающий;


3 – каскадный понижающеповышающий; 4 – каскадный повышающеепонижающий

Рис. 5. Сравнение при наихудшем случае потерь на проводимость транзисторов (а) и омических потерь в дросселях (б)

в 1,78 и 2,15 раз больше, чем в рассматриваемой Суммарное значение вольтсекунд, приложенных
структуре ПППЧР. к дросселям повышающего преобразователя, а также
Сравнение магнитных компонентов. Размеры дрос однотранзисторного понижающеповышающего и
селя определяются потерями в меди и вольтсекунда двухтранзисторного понижающеповышающего пре
ми, приложенными к дросселю, при наихудшем образователей за половину периода сетевого напря
случае. жения, показаны на рис. 6. На рисунке изображены
Омические потери в дросселе. Наихудший случай оми три кривые для разных входных напряжений при фик
ческих потерь в дросселе возникает также при мини сированной частоте переключений, равной 100 кГц.
мальном напряжении сети. Результаты расчета Величина выходного напряжения однотранзисторно
омических потерь в функции постоянного выходного го и двухтранзисторного понижающеповышающих
напряжения, нормализованные относительно омичес преобразователей составляет 325 В, а повышающего
ких потерь в дросселе повышающего преобразователя в преобразователя – 450 В. Максимальное значение
фиксированным выходным напряжением 450 В, при вольсекунд, приложенных к дросселям всех двух
ведены на рис. 5б. Омическое сопротивление всех дрос транзисторных понижающеповышающих преобра
селей принято одинаковым, поэтому сравнение зователей наименьшее и равно 0,812 ⋅ 10 3 В⋅с, по
проводилось по действующим значениям токов. Поте сравнению с 1,8 ⋅ 103 В⋅с для всех однотранзисторных
ри в ПППЧР значительно меньше, чем в других пони понижающеповышающих преобразователей и
жающеповышающих структурах. При правильном 1,125 ⋅ 103 В⋅с для повышающего преобразователя.
выборе величины выходного постоянного напряжения В результате низких омических потерь и миниму
эти потери могут быть на 50% ниже, чем омические по ма максимальной величины прикладываемых вольт
тери в дросселе повышающего преобразователя. секунд, дроссели в структуре ПППЧР имеют
Вольт2секунды, приложенные к дросселю. Вольтсе значительно меньшие габариты, по сравнению с дру
кунды, приложенные к однотранзисторному понижа гими понижающеповышающими структурами и по
ющеповышающему преодразователю, определяются вышающим преобразователем.
как
Результаты экспериментальных исследований
U ⋅U m sin(ωt )
u⋅s = ⋅Tпер . (15) Для подтверждения работоспособности рассмат
U + U m sin(ωt )
риваемой структуры создан экспериментальных ма
В двухтранзисторном понижающееповышаю кет преобразователя, схема которого показана на
щем преобразователе в одном из режимов дроссель рис. 7. Индуктивности дросселей L1 и L2 выбраны та
может играть роль части фильтра нижних частот. В кими, чтобы при полной нагрузке преобразователь ра
этом случае вольтсекунды, прикладываемые за вре ботал в РНТ как при повышении, так и при
мя периода переключений, практически равны понижении напряжения.
нулю. Когда величина входного напряжения мень Для формирования сигналов управления с коэф
ше величины выходного, дроссель работает, как фициентом заполнения D1 для силового ключа VT1 и
дроссель повышающего преобразователя, и вольт D2 для силового ключа VT2 используется одно управ
секунды определяются согласно (9). При величине ляющее напряжение (Uупр) рис. 8а. Временная зави
входного напряжения, большей величины выходно симость установившегося значения напряжения Uупр
го напряжения, дроссель работает, как дроссель показана на рис. 8б. Это напряжение подается на вход
понижающего преобразователя, и вольтсекунды схемы, имеющей два выхода ШИМ, на выходах ко
определяются согласно (14). торой формируются сигналы управления транзисто

10
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б в

1 – Uд(вх) = 90 В; 2 – Uд(вх) = 220 В; 3 – Uд(вх) = 305 В

Рис. 6. Вольтсекунды, приложенные к дросселям структур:


а – повышающей; б – однотранзисторной понижающеповышающей; в – двухтранзисторной понижающеповышающей

рами VT1 и VT2. Осциллограммы напряжения Uупр (120 В) Преобразователь все время работает в режиме
показаны на рис. 9. Управление по среднему току ис повышения (рис. 10а). При этом КПД преобразова
пользовано для обеспечения работы устройства в ре теля составляет 93,8%, коэффициент гармоник вход
жиме коррекции коэффициента мощности (ККМ). ного тока – 1,9%. При высоком повышенном
Результаты экспериментальных исследований пре действующем напряжении сети (240 В) в различные
образователя мощность 100 Вт показаны на рис. 10. промежутки времени в течение половины периода
При малом значении действующего напряжения сети сетевого напряжения преобразователь работает как в
режиме повышения, так и понижения (рис. 10б). При
этом КПД преобразователя составляет 93,8%, а ко
эффициент гармоник входного тока – 4,6%.
Зависимость КПД выпрямителя от действующего
значения напряжения сети показана на рис. 11. Вы
сокий КПД (более 93%) достигается во всем диапазо
не изменения входного напряжения (90…264 В).

Заключение
Рассмотрена структура преобразователя, назван
ного ПППЧР, для использования в устройствах кор

Рис. 7. Схема экспериментального ПППЧР:


L1 = 1,1 мГн; L2 = 2 мГн; С1 = 2,25мкФ, С2 = 150 мкФ,
fпер = 100 кГц; Uвых = 200 В

б б

Рис. 8. Зависимость коэффициентов заполнения от Uупр (а) и Рис. 9. Выпрямленное напряжение сети и напряжение управле
зависимость Uупр(t) на половине периода напряжения сети (б) ния при сетевом напряжении 120 В (а) и 240 В (б)

11
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б

Рис. 10. Выпрямленное напряжение сети и потребляемый от сети ток при напряжении сети 120 В (а) и 240 В (б)

рекции коэффициента мощности. Преобразователь


имеет преимущества по уровням перенапряжений на
полупроводниковых компонентах, меньшие потери
на проводимость в транзисторах и омические потери
в дросселях, потенциально меньшие габариты дрос
селей. Кроме того, имеется возможность произволь
ного задания уровня выходного напряжения
преобразователя. Высокий КПД (более 93% во всем
диапазоне изменения напряжения сети) и низкий
коэффициент гармоник потребляемого тока обеспе
чиваются как при повышенном, так и при понижен
Рис. 11. Зависимость КПД ПППЧР от действующего
ном напряжении сети. напряжения сети

Литература
1. Erikson R. Fundamentals of Power Electronics. – BuckBoost converter. – IEEE Trans. Indu. Elec., Vol. 43,
Kluwer, 1997, ch. 17. May1996, pp. 441–449.
2. Simonetti D. S. L., Sebastian J., Reis F. S., and Uceda 6. Zhou D. Synthesis of PWM DCtoDC Power
J. Design Criteria for SEPIC and CUK Converters As Converters.– Ph. D. thesis, California Institute of
Power Factor Preregulators in Discontinuous Mode. – Technology, October 1995.
IEEE IECON2, 1992, pp. 283–288.
3. Erikson R., Mdigan R., and Singer S. Design of a
Simple High Power Factor Rectifier Based On The Flyback
Converter. – IEEE APEC90, 1990, pp. 792–801. Карзов Борис Николаевич, начальник отдела мет2
4. Lopez O., L. Vicuna, M. Castilla, Matas J., and Lopez рологии ЗАО “ММП2Ирбис”, тел.: 8(495) 273243208;
M. SlidingModeControl Design of a HighPower Кастров Михаил Юрьевич, к. т. н., главный инже2
Factor BuckBoost Rectifier. – IEEE Trans. Indu. Elec., нер ЗАО “ММП2Ирбис”, тел. 8(495) 987210216, , e2mail:
Vol. 46, No 3, June 1999, pp. 604–612. kastrov@mmp2irbis.ru;
5. Ghanem M. C., Al2Hassad K., and Roy G. A New Жикленков Дмитрий Викторович, ведущий специа2
Control Strategy to Achieve Sinusoidal Line In A Cascade лист, ООО “Ирбис2Комплект”, тел.: 8(495) 987210216.

12
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Г. М. Малышков

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ МНОГОЗВЕННЫХ ФИЛЬТРОВ


НИЖНИХ ЧАСТОТ

Метод структурных чисел позволяет относитель2 наибольшее четное число одинаковых и тех, в кото
но просто определять коэффициенты передачи напря2 рых какойнибудь элемент повторяется:
жения и тока многоэлементных фильтров инверторов.
⎡1 2 2⎤ ⎡2⎤
⎡1 3 1⎤ ⎡3 2 2⎤ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
Сравнительный анализ многозвенных фильтров ⎢ ⎥×⎢ ⎥ = ⎢2 3 1 ⎥ = ⎢3 ⎥ .
нижних частот удобно провести, используя метод ⎣ 2 4 3⎦ ⎣ 0 0 3 ⎦ ⎢3 4 3⎥ ⎢4⎥
структурных чисел. Структурное число имеет геомет ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
рическое изображение и обратное геометрическое 4. Выполняются следующие соотношения:
изображение.
А + В = В + А;
Принимаем следующие основные обозначения:
АВ = ВА;
αi – ребро, представляющее ветвь источника;
А(ВС) = (АВ)С;
βi – ребро, представляющее выходную ветвь;
А(В + С) = АВ+АС.
А – структурное число, для которого граф служит
обратным изображением; 5. Алгебраическая производная структурного чис
∂А/∂α – алгебраическая производная структурно ла ∂А/∂α – структурное число, столбцы которого не
го числа по элементу αi; содержат элемент (α).
Dβι – структурное однострочное число, состоящее
из элементов какогонибудь пути, соединяющего ⎡1 1 5 4⎤
входные зажимы фильтра и не содержащего βi; ⎢ ⎥ ∂A = ⎡2 3 4 ⎤ ; ∂A = ⎡1 3⎤ .
A = ⎢2 3 3 3 ⎥ ; ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
detA – детерминантная функция структурного ∂ 1 ⎣4 2 3 ⎦ ∂ 4 ⎣2 1⎦
⎢⎣4 2 7 1 ⎥⎦
числа;
sim(A;B) = det(A ∩ B) – функция совпадения; 6. Обратная алгебраическая производная структур
Z – множество импедансов фильтра. ного числа ∂А/∂α – структурное число, в котором
Таблица вида столбцы, содержащие элемент (α), исключены:

⎡ α11 α12 K α1n ⎤ ⎡1 1 5 4⎤ ⎡5 ⎤ ⎡1 5⎤



α α 22

K α 2n ⎥ ⎢ ⎥ ; δA = ⎢4⎥ ; δA = ⎢3 3⎥ .
A = ⎢2 3 3 3 ⎥
A = ⎢ 21 δ1 ⎢ ⎥ δ 4 ⎢ ⎥
⎢ M M L M ⎥ ⎢⎣4 2 7 1 ⎥⎦ ⎢⎣3 ⎥⎦ ⎢⎣2 7⎥⎦
⎢ ⎥
⎣α m1 α m2 K α mn ⎦ 7. Определитель структурного числа
считается структурным числом, если выполнять сле ⎡1 4 7⎤
дующие правила обращения с таблицей. ⎢ ⎥
det A = det ⎢2 5 8⎥ = 1 ⋅ 2 ⋅ 3 + 4 ⋅ 5 ⋅ 6 + 7 ⋅ 8 ⋅ 4 .
1. Два структурных числа равны, если содержат оди
наковые элементы независимо от их расположения: ⎢⎣7 8 4⎥⎦

⎡1 1 2 ⎤ ⎡5 1 1 ⎤ ⎡2 2 3⎤ 8. Совпадение двух структурных чисел – структур


⎢ ⎥=⎢ ⎥=⎢ ⎥. нее число, состоящее из общих столбцов:
⎣3 2 5⎦ ⎣2 3 2⎦ ⎣1 5 1 ⎦
⎡1 3 5⎤ ⎡5 2 4 ⎤ ⎡1 ⎤
2. Сумма двух структурных чисел – структурное A=⎢ ⎥; B =⎢ ⎥ ; A IB = ⎢ ⎥ .
число, содержащее все столбцы этих чисел, за исклю ⎣2 4 6 ⎦ ⎣3 1 1 ⎦ ⎣2 ⎦
чением одинаковых: 9. Совпадение структурного числа по двум его реб
рам (α, β):
⎡2 3 4⎤ ⎡3 2 5 ⎤ ⎡2 3 4 3 2 5⎤
⎢ ⎥+⎢ ⎥=⎢ ⎥= ⎛ ∂A ∂A ⎞ ⎛ ∂A ⎞ ⎛ ∂A ⎞ .
sim ⎜⎜ ; ⎟⎟ = det ⎜
⎣7 5 7 ⎦ ⎣0 7 4⎦ ⎣7 5 7 0 7 4⎦ ⎟ I ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ ∂α ∂β ⎠ ⎝ ∂α ⎠ ⎝ ∂β ⎠
⎡3 4 3 5⎤
=⎢ ⎥. 10. Коэффициент передачи напряжения:
⎣5 7 0 4⎦
⎛ ∂A ∂A ⎞
3. Произведение двух структурных чисел – струк sim⎜⎜ ; ⎟⎟ ⋅ Z β
турное число, столбцы которого суммы всех возмож Ku = ⎝ ∂α ∂β ⎠ ,
ных комбинаций столбцов исходных чисел, исключая det A

13
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
где α – ребро, содержащее источник ЭДС; Для двухзвенного ФНЧ:
β – ребро, содержащее импеданс Zβ, по отноше
нию к которому определяют коэффициент K 2U =
[1][3] =
[1][3] =
передачи напряжения. [1 2 3][3 4] [4][1 2 3] + [3][1 2]
Тогда для режима холостого хода: (1 pC1 )(1 pC 2 )
= ;
⎛ ∂A ⎞ pL2 (1 pC1 + pL1 + 1 pC 2 ) + (1 pC 2 )(1 pC1 + pL1 )
sim⎜ Dβ ; A ⎟
⎝ ∂α ⎠,
Ku = 1
det A K 2U = .
1 + p (L1C1 + L2C 2 + L2C1 ) + p 4 L1L2C1C 2
2
а для режима холостого хода и идеального источника
ЭДС Для четырехзвенного ФНЧ:
sim( AD α ; ADβ )
KU =
det( AD α )
,
K 4U =
[1][3][5][7] .
[1 2 3][3 4 5][5 6 7][7 8]
где D α – структурное число между узлами, к которым
подключен идеальный источник ЭДС; В общем случае при стабилизации выходного на
Dβ – структурное число между узлами, к которым пряжения в процессе регулирования амплитуды ос
подключена нагрузка. новной гармоники на входе фильтра одновременно
10. Коэффициент передачи тока: изменяются и амплитуды высших гармоник. Качество
выходного напряжения изменяется в процессе стаби
⎛ ∂A ∂A ⎞ лизации и практически во всем диапазоне регулиро
sim⎜⎜ ; ⎟⎟
KI = ⎝ ∂α ∂β ⎠ . вания будет лучше заданного, т. е. фильтрующие
∂A свойства фильтра оказываются избыточными. При
det нято считать, что наихудшее ослабление высших гар
∂α
моник фильтр имеет на холостом ходу, но это не
11. Входное сопротивление:
означает, что качество выходного напряжения будет
δA хуже в режиме холостого хода.
det
Z вх = δα . Множество однозвенных фильтров, составленных
∂A
det из различных по величинам индуктивностей дроссе
∂α лей и емкостей конденсаторов, будут иметь одинако
Многозвенный фильтр нижних частот показан на вые фильтрующие свойства в режиме холостого хода,
рис. 1. Фильтры нижних частот и их геометрические если их резонансные частоты равны. Выбор конкрет
изображения в виде структурных чисел показаны на ных величин элементов фильтра можно проводить с
рис. 2. учетом сопротивления нагрузки, минимизируя отно
Для режима холостого хода будем использовать сительную мощность фильтра. Коэффициент переда
формулу: чи однозвенного фильтра в режиме холостого хода
однозначно определяется квадратом относительной
⎛ ∂A ⎞ резонансной частоты фильтра. В качестве критерия
sim⎜ Dβ ; A ⎟
KU = ⎝ ∂α ⎠. подобия фильтра низкой частоты принимаем квадрат
det A относительной резонансной частоты однозвенного
фильтра.
Структурные единичные числа рис. 2 соответ Двух, трех, четырех и т. д. звенный фильтр имеет
ственно равны (холостой ход): соответственно 3, 6, 10 и т. д. комбинаций, составляю
[1] = 1/pC1; [2] = pL1; [3] = 1/pC2; [4] = pL2; щих однозвенные фильтры. Используя относительные
[5] = 1/pC3; [6] = pL3; [7] = 1/pC4; [8] = pL4; величины, любой фильтр нижних частот можно приве
сти к единому критерию подобия. В этом случае все
Для однозвенного ФНЧ:
фильтры можно оценивать по единой шкале квадрата
K 1U =
[1] =
1 pC1
. относительной резонансной частоты однозвенного
[1 2] 1 pC1 + pL1 фильтра. Суммарная индуктивность и суммарная ем
кость фильтра многозвенного фильтра будут соответ
ственно определяться как
L = ∑ Li ; C = ∑C i ;
i i

M = ω12 LC . (1)
При этом сохраняется произвольное распределе
Рис. 1. Многозвенный фильтр нижних частот ние величин элементов по звеньям фильтра.

14
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б

в г

Рис. 2. Фильтры нижних частот и их графы: а – однозвенный; б – двухзвенный; в – трехзвенный; г – четырехзвенный

Для удобства сравнения фильтров однозвенный h для двухзвенного ФНЧ:


фильтр будем дополнять конденсатором, величина
1
которого может принимать как положительные зна K 2 (n) = ; (3)
3 2 1
чения, так и отрицательные. В тех точках шкалы, где 1 − n M + n4M 2
величина емкости этого конденсатора равна нулю, 4 16
фильтры равноценны по фильтрующим свойствам на
холостом ходу. Далее следует для этой точки опреде
лить параметры элементов при минимизации мощ
ностей фильтров и провести более детальный анализ
фильтрующих свойств с учетом изменения спектра во
всем диапазоне регулирования амплитуды основной
гармоники. Перестановка звеньев фильтра не меняет
результата.
Схемы многозвенных ФНЧ показаны на рис. 3.
ЛАХ многозвенных ФНЧ, показанных на рис. 3, при
ведены на рис. 4. а
В режиме холостого хода передаточные функции
ФНЧ можно записать в следующем виде:
h для однозвенного ФНЧ:
1
K 1 (n) = ; (2)
1 − n 2M

а б

в в

Рис. 3. Фильтры нижних частот (ФНЧ): однозвенный (а); Рис. 4. ЛАХ многозвенных ФНЧ: однозвенного (а), двухзвенного
двухзвенный (б); трехзвенный (в) (б), трехзвенного (в)

15
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
h для трехзвенного ФНЧ: Дополнительно обозначим:
1 b = L1 / L2 ; c = C1 + C 2 ;
K 3 (n) = ; (4)
6 5 1 6 3 bc
1 − n 2M + n 4M 2 − n M A= ; B=
1
.
9 81 729 (1 + b)(1 + c ) (1 + b)(1 + c )
h для четырехзвенного ФНЧ: Запишем коэффициент передачи двухзвенного
ФНЧ для выбранной гармоники N:
1
K 4 (n) = 1
10 2 15 K2 = . (7)
1 − n M + 2 n4M 2 −
16 16 1 − N 2 M (1 − B ) + N 4 M 2 A
(5)
Практический интерес представляют следующие
L .
7 6 3 1 варианты:
− n M + 4 n 8M 4
16 3 16 1) b = c = 1; L1 = L2; C1 = C2;
2) b = c > 1; L1 < L2; C1 > C2;
Ослабление первой низшей из высших гармони
3) b > 1; c > 1; L1 < L2; C1 > C2;
ческих составляющих (с номером N) будет происхо
дить при следующих условиях: 4) b > 1; c = 1/b; L1 < L2; C1 < C2;
5) b > 1; c < 1/b; L1 < L2; C1 < C2.
y для однозвенного ФНЧ: N2 M >> 1;
Критерий подобия однозвенной конфигурации с
y для двухзвенного ФНЧ: N2 M >> 12;
учетом вариации величины емкости конденсатора
y для трехзвенного ФНЧ: N2 M >> 45;
y для четырехзвенного ФНЧ: N2 M >> 112. M 1 = ω12 L (C ± ΔC ) = M 2 ± ΔM . (8)
Эти неравенства приходится выполнять только за счет Принимаем, что входное напряжение содержит
улучшения спектрального состава многоимпульсно основную и одну высшую гармонику. Качество вы
го напряжения, т. е. увеличивая N. ходного напряжения оценим коэффициентом гармо
Сравнение ЛАХ проведено при М = 0,04. Это зна ник по гармоникам
чит, что для однозвенного ФНЧ в режиме холостого
YN K N
хода резонансная частота совпадает с пятой гармони kГ = , (9)
кой, рис. 5–7. Y1K 1
Сравнение однозвенного ФНЧ с двухзвенным. Обо где Y – амплитуда гармоники.
значим критерий подобия двухзвенного ФНЧ Если выбрать параметры так, что оба фильтра бу
дут одинаково ослаблять высшую гармонику, то ка
M 2 = ω12 LC = ω12 (L1 + L2 )(C1 + C 2 ) . (6)
чества выходных напряжений могут отличаться друг
от друга, так как амплитуда основной гармоники бу
дет передаваться с различными коэффициентами.
Проводя сравнение по коэффициенту гармоник,
получаем, что

N 2 −1
ΔM ≈ 1 − , (10)
N 2 − 1 − 2N 2 M (1 − B ) + AN 4 M 2

т. е. не учтены члены второго порядка малости.


Однозвенная и двухзвенная конфигурация филь
тра нижних частот равноценны при ΔM = 0 :
Рис. 5. Сравнение ЛАХ однозвенного (K(n)) и
двухзвенного (K2(n)) ФНЧ

Рис. 6. Сравнение ЛАХ однозвенного (K(n)) и Рис. 7. Сравнение ЛАХ однозвенного (K(n)) и
трехзвенного (K3(n)) ФНЧ четырехзвенного (K4(n)) ФНЧ

16
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
2
2
при М = 0; М 1 = М2; N M = 1,4; 22,6;
1− B ⎛ A −B ⎞ 2 при ΔМ < 0; М 1 < М2; 1,4 < N2 M < 22,6;
N M=
2
± ⎜ ⎟ − . (11)
A ⎝ A ⎠ A при ΔМ > 0; М 1 > М2; 1,4>N2 M, N2 M > 22,6.
Однозвенная конфигурация требует меньшей ве Таким образом, если требуемый фактор подавле
личины суммарной емкости конденсаторов при ния (коэффициент подобия) высшей гармоники
ΔM < 0. В этом случае меньше 22,6, то переход к однозвенной конфигура
2
ции позволяет уменьшить величину суммарной ем
1− B ⎛ A −B ⎞ 2 кости конденсатора.
N 2M < + ⎜ ⎟ − ; (12)
A ⎝ A ⎠ A
Выводы

1− B
2
⎛ A −B ⎞ 2 Многозвенные конфигурации ФНЧ целесообраз
N 2M > − ⎜ ⎟ − . (13) но использовать для ослабления гармоник с достаточ
A ⎝ A ⎠ A
но большими номерами при коэффициенте гармоник
Однозвенная конфигурация требует большей ве выходного напряжения существенно меньшим 0,05.
личины суммарной емкости конденсаторов при Практически требуемая величина фактора подавле
ΔM > 0: ния равна приблизительно десяти.
2
1− B ⎛ A −B ⎞ 2
N 2M < − ⎜ ⎟ − ; (14)
A ⎝ A ⎠ A Литература
1. Беллерт А., Возняцки Г. Анализ и синтез элект
2
1− B ⎛ A −B ⎞ 2 рических цепей методом структурных чисел.– Издво
N 2M > + ⎜ ⎟ − . (15) “МИР”, 1972. 322 с.
A ⎝ A ⎠ A
2. Бедфорд Б., Хофт Р. Теория автономных инвер
Например, при L1 = L2 , C1 = C2 получаем: торов. – М.: Энергия, 1969. 280 с.

17
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Б. Н. Карзов, И. Н. Соловьев, Е. И. Ходырев

ПРЯМОХОДОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ В


РЕЖИМЕ ШИМ С РЕЗОНАНСНЫМ РАЗМАГНИЧИВАНИЕМ

Рассмотрен способ размагничивания прямоходового параллельный резонансный контур. Связь между эти
преобразователя постоянного напряжения (ПП) в режи2 ми параметрами компонентов схемы и временем раз
ме ШИМ, при котором размагничивающая обмотка и магничивания трансформатора получена с помощью
диод, используемые в традиционных преобразователях, аналитических выражений для токов и напряжений
заменены внешним конденсатором, включенным параллель2 ПП для всех возможных рабочих состояний [4].
но с выпрямительным диодом на вторичной стороне транс2 Одним из существенных недостатков резонансно
форматора. При такой замене линейный процесс го размагничивания сердечника трансформатора при
размагничивания традиционного ПП становится резонан2 использовании паразитных параметров является то,
сным. Приведено сравнение теоретических характерис2 что эти паразитные параметры можно использовать
тик прямоходового преобразователя с резонансным достаточно эффективно только на высоких частотах
размагничиванием (ППРР) с характеристиками тради2 переключения. Кроме того, величина паразитных ем
ционного ПП и результаты экспериментальных исследо2 костей сильно зависит от используемых в схеме си
ваний преобразователя ловых полупроводниковых приборов и уровней
рабочих напряжений. Таким образом, регулирование
Схема традиционного прямоходового преобразо соответствующих резонансных колебаний представ
вателя постоянного напряжения в режиме ШИМ на ляет определенную трудность.
основе понижающего преобразователя, обычно ис В статье рассмотрен и проанализирован иной спо
пользуемого в качестве импульсного преобразовате соб процесса размагничивания традиционного ПП.
ля в устройствах небольшой мощности, показана на Вместо обмотки размагничивания (wрм) и диода VD1
рис. 1. Такая схема достаточно проста и имеет пре (рис. 1) в схему ППРР (рис. 2) для размагничивания
имущество по показателям затрат себестоимости. В сердечника трансформатора TV1 на вторичной сто
такой схеме необходимо размагничивание сердечни роне введен внешний конденсатор Cрм, установлен
ка трансформатора, когда разомкнут основной сило ный параллельно диоду VD1. Установка конденсатора
вой ключ S, чтобы избежать насыщения сердечника, параллельно диоду на вторичной стороне трансфор
вызываемого явлением накопления магнитного по матора, а не параллельно силовому ключу позволяет
тока. Для предотвращения насыщения сердечника и возвращать накопленную в нем энергию обратно в ин
ограничения перенапряжений на силовом ключе дуктивность намагничивания трансформатора без до
применяются дополнительные обмотки и цепи. полнительного рассеяния мощности. Таким образом,
При относительно высокой частоте переключе достигается резонансное размагничивание, а не ли
ний, например 500 кГц или более, размагничивание нейное. Следовательно, такую структуру можно на
сердечника трансформатора может быть обеспечено звать “прямоходовой преобразователь с резонансным
резонансным способом за счет использования пара размагничиванием” (ППРР). Далее рассмотрены вли
зитных параметров [4]. В этом случае индуктивность яние внешнего конденсатора, паразитных емкостей
намагничивания трансформатора и паразитные ем силового ключа и индуктивности рассеяния транс
кости силовых ключей образуют на трансформаторе форматора на работу преобразователя и результаты

Рис. 1. Схема традиционного прямоходового преобразователя Рис. 2.Структура ППРР

18
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
экспериментального исследования ППРР мощнос тью возвращается во входной источник через раз
тью 60 Вт и рабочей частотой 333 кГц. магничивающую обмотку до тех пор, пока сердеч
ник не размагнитится полностью (t = t2). Поскольку
Процессы намагничивания и размагничивания трансформатор размагничивается линейно спада
в ППРР ющим током, выражение для тока размагничивания
Процесс намагничивания и размагничивания тради можно получить, используя начальное значение
ционного ПП. Период переключений традиционного iрм(t1) = iнм(t1) = Iнм:
ПП может быть разбит на три интервала (рис. 3):
• намагничивание [0, t1]; I нм w1 U вх t
i рм (t ) = − 2
, (2)
• размагничивание [t1, t2]; w рм ⎛w ⎞
• пауза [t2, Tпер]. Lнм ⎜⎜ рм ⎟⎟
⎝ w1 ⎠
где w1 и wрм – число витков первичной и размагничи
вающей обмоток соответственно.
В течение интервала паузы трансформатор полно
стью размагничен, и диод VD1 заперт.Выходное на
пряжение обеспечивается LCфильтром. Временные
диаграммы, поясняющие принцип работы традици
онного ПП, показаны на рис. 4.
Ток намагничивания ПП за один период переключе
ний однонаправленный, и, следовательно, характеристи
Рис. 3. Ток намагничивания традиционного ПП
ка намагничивания трансформатора ПП находится в
за период переключений первом квадранте. Это можно считать одним из главных
недостатков ПП в случаях, когда магнитная рабочая точка
На интервале замкнутого состояния ключа энер выбрана вблизи области насыщения для уменьшения га
гия передается от первичной обмотки трансформато баритов трансформатора.
ра ко вторичной. Этот интервал называется Процесс намагничивания и размагничивания ППРР.
интервалом намагничивания, в течение которого Сначала проведем анализ работы ППРР без учета вли
трансформатор намагничивается линейно нарастаю яния всех паразитных элементов, считая емкость
щим током (рис. 3). В конце этого интервала ток, про внешнего конденсатора большей, чем паразитные
текающий через индуктивность намагничивания емкости. Намагничивание и размагничивание сердеч
можно рассчитать следующим образом: ника осуществляются следующим образом. Сначала,
когда силовой ключ замкнут, трансформатор намаг
t1
1 U t ничивается линейно нарастающим током, как и в тра
i нм (t ) = ∫
Lнм 0
U вх dt = вх .
Lнм
(1)
диционном ПП. На этом интервале ток протекает
через диод на вторичной стороне преобразователя, и
Поскольку во время процесса намагничивания напряжение на внешнем конденсаторе приблизитель
сердечника рабочая точка смещается по петле гисте но равно нулю. Эквивалентная схема для этого ин
резиса в одном направлении, ее необходимо привес тервала показана на рис. 5а.
ти в исходное состояние, до того как она снова начнет
смещаться в том же направлении во время следую
щего периода переключений, чтобы избежать насы
щения сердечника за счет явления накопления
магнитного потока [1–3]. Приведение сердечника в
исходное состояние происходит на интервале размаг
ничивания, когда силовой ключ разомкнут, и отсут
ствует передача энергии от входа к выходу. На этом
интервале трансформатор ПП размагничивается с
помощью третьей дополнительной обмотки, соеди
ненной с первичной обмоткой и называемой обмот
кой размагничивания, и размагничивающего диода.
Чтобы обеспечить необходимое время размагничива
ния, максимальный коэффициент заполнения управ
ляющих импульсов силового ключа ограничивается
значением 0,5, а максимальное напряжение, прило
женное к закрытому ключу величиной – 2Uвх.
В течение этого интервала размагничивания Рис. 4. Временные диаграммы, поясняющие работу
энергия, накопленная в трансформаторе, полнос традиционного ПП

19
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б в

Рис. 5. Эквивалентные схемы ППРР при замкнутом и разомкнутом состояниях силового ключа:
а – силовой ключ замкнут; б – резонансный интервал при разомкнутом силовом ключе (VD1 – открыт, VD2 – закрыт);
в – интервал свободной проводимости при разомкнутом силовом ключе (VD1– закрыт, VD2 – открыт))

Когда силовой ключ размыкается, напряжение сток Для реализации такого же процесса размагничивания
исток ключа резко возрастает до величины Uвх. Когда можно также использовать внешний конденсатор,
напряжение на силовом ключе начинает превышать подключенный параллельно силовому ключу (МДП
напряжение Uвх, диод VD1 на вторичной стороне пре транзистору). Но это приведет к существенному уве
образователя запирается, а свободно проводящий диод личению рассеиваемой энергии (0,5 ⋅ Свх U2 ⋅ Тпер) во
VD2 отпирается. Эквивалентная схема для этого интер время открытого состояния силового транзистора.
вала показана на рис. 5б. При этом по резонансной цепи,
образованной параллельным контуром индуктивности Результаты моделирования
намагничивания трансформатора (Lнм) и внешним Схема модели ППРР и результаты моделирования
конденсатором (Свн), начинает протекать синусоидаль с помощью программы OrCAD приведены на рис. 6а
ный размагничивающий ток. Конденсатор Свн заряжа и б соответственно. Параметры преобразователя:
ется резонансно до максимальной величины тока Iнм Uвх min = 17 В; Uвх max = 45 В; Iвых min = 0,5 А, Iвх max = 5 А;
(Lнм/Cвн)1/2 в полярности, показанной на рис. 5б, а за Uвых = 12 В; fпер = 333 кГц. Из приведенных результа
тем снова разряжается до нуля. Выражения для резо тов видно, что как только напряжение на силовом
нансного размагничивающего тока и напряжения ключе достигает величины Uвх, в контуре, образо
заряда на интервале, когда силовой ключ заперт, диод ванном индуктивностью намагничивания и конден
VD1 закрыт, а диод VD2 открыт записываются следую сатором Свн, начинается резонанс, и весь ток
щим образом. намагничивания протекает по вторичной обмотке
Поскольку iрм(0) = Iнм, diрм(0)/dt = 0 и иСвн(0) = 0, трансформатора.
получаем
Влияние паразитной емкости, индуктивности
i рм (t ) = I нм cos[ωс (t )]; рассеяния и Свх на работу ППРР
Lнм (3) Основные паразитные элементы ППРР, которые
uСвн (t ) = I нм sin[ωс (t )].
C вн способствуют процессу размагничивания сердечни
ка трансформатора
1 U вх • индуктивность рассеяния трансформатора;
где ωс = ; I нм = . • выходная емкость силового ключа;
2
Lнм n C вн 2Lнм
• паразитная емкость диода на вторичной стороне;
Трансформатор продолжает намагничиваться в • паразитные емкости трансформатора.
обратном направлении синусоидальным током до тех На интервале разомкнутого состояния силового
пор, пока напряжение на силовом ключе не снизится ключа эквивалентную схему первичной стороны
до величины Uвх, а напряжение на внешнем конден преобразователя можно представить в виде, пока
саторе достигает почти нулевого значения, когда сно занном на рис. 7, поскольку диод на вторичной сто
ва отпирается диод VD1 (рис. 5в). После этого ток роне запирается, как только напряжение на
намагничивания остается постоянным при макси стокисток превысит напряжение Uвх. Эту цепь мож
мальном отрицательном значении Iнм и циркулирует но рассматривать, как контур с двумя резонансными
во вторичной цепи по контуру, образованному дио частотами. Основной резонанс, используемый для
дом VD1 и свободно проводящим диодом VD2, до размагничивания трансформатора возникает на бо
начала следующего периода переключений. лее низкой частоте в контуре, образованном индук
Нужно отметить, что внешний конденсатор Свн, тивностью намагничивания (Lнм) и конденсаторам
включенный параллельно диоду VD1 не вызывает до Свн и паразитными емкостями силового ключа Сs и
полнительного рассеяния энергии, так как в конце диодов на вторичной стороне Сsд.
резонансного интервала размагничивания он переда Паразитный резонанс возникает на значительно
ет энергию, накопленную в начале резонансного ин более высокой частоте в контуре, образованном ин
тервала обратно в индуктивность намагничивания. дуктивностью рассеяния трансформатора и последо

20
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
вательно соединенными паразитными емкостями си соединенные конденсаторы Сд и Сs образуют резо
лового ключа и диодов вторичной стороны с внешним нансный контур с Lнм. Низкочастотная резонансная
конденсатором Свн. Возникновение такого высоко составляющая определяется как
частотного резонанса нежелательно, поскольку он
становится источником электромагнитных помех. Lнм 1
Z рн = ; ωр н = . (4)
Эти связанные между собой резонансные частоты CS + C д Lнм (C S + C д )
можно определить следующим образом. Считая, что
индуктивность рассеяния (Lp) значительно меньше Для определения высокочастотной резонансной
индуктивности намагничивания (Lнм), параллельно составляющей реактивное сопротивление обмотки
намагничивания можно считать бесконечно боль
шим. При таком допущении для высокочастотного
резонанса можно рассматривать контур, в котором
резонанс происходит в цепи, образованной индуктив
ностью рассеяния и последовательно соединенными
конденсаторами Сs и Сд. Тогда

Lр (C S + C д ) CS + C д
Z рв = ; ωр н = . (5)
а C SC д LнмC SC д
Высокочастотная резонансная составляющая за
тухает в течение нескольких периодов, поскольку
энергия, накопленная в индуктивности рассеяния,
расходуется в омическом сопротивлении обмоток
трансформатора и соединительных проводов.
Схема модели ППРР показана на рис. 8. Парамет
ры ППРР: Uвх min = 17 В; Uвх max = 45 В; Iвых min = 0,5 А;
Iвых max = 5 А; Uвых = 12 В; fпер = 333кГц. Результаты мо
делирования с учетом всех паразитных компонентов
приведены на рис. 9.Влияние величины емкости на

Рис. 8. Модель ППРР с учетом паразитных компонентов

Рис. 6. Модель ППРР (а) и результаты моделирования (б)

Рис. 7. Эквивалентная схема первичной цепи ППРР с паразитны


ми компонентами Рис. Результаты моделирования

21
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
вторичной стороне преобразователя (Сэк) частоту па моделировании не учитывалось затухание, вызванное
разитного резонанса, приведено в таблице 1. сопротивлением магнитного материала сердечника.
Индуктивность намагничивания трансформатора Тем не менее, этот эффект оказывает влияние на ра
не оказывает влияния на паразитный резонанс, вслед боту силовых ключей преобразователей на паразит
ствие того, что частота этого резонанса (≈ 30 МГц для ных резонансных частотах (≈ 33 МГц).
моделируемого ППРР) значительно выше резонанс На практике коэффициент заполнения ПП обычно
ной частоты размагничивания (≈ 1 МГц). Доминиру ограничивают значением 0,5. Следовательно, сравнение
ющая емкость при паразитном резонансе зависит от ПП и ППРР проведено в предположении, что для обо
от различных параметров устройства, например его их преобразователей максимальный коэффициент за
размеров, компоновки схемы, типа полупроводнико полнения равен 0,5, а длительность интервала
вых приборов и рабочего напряжения. Изменения размагничивания составляет половину длительности
выходных емкостей полупроводниковых компонен периода переключений при минимальном значении
тов в зависимости от напряжения смещения для рас входного напряжения (Uвх min). Таким образом, период
сматриваемых ПП и ППРР приведены в таблице 2. резонанса ППРР постоянен (Tр = 0,5 Tпер), а максималь
ное значение напряжения при резонансе определяется
Таблица 1 Таблица 2 как

U вхTзамк Lнм
Uр = ; T р = π LнмC эк . (6)
2Lнм C эк
При Uвх = Uвх min
2U вх min
Tр = Tзамк max = π LнмC эк ; U р = .
π
При максимальном входном напряжении макси
мальное напряжение на закрытом силовом ключе ПП
будет равно 2Uвх max. В то же время , в случае ППРР, если
диапазон изменения входного удовлетворяет условию
Сравнение ППРР и ПП
U вх max π
Для сравнительного анализа были созданы ПП и ≥ , (7)
ППРР с одинаковыми параметрами и идентичной U вх min 2
компоновкой. Характерные осциллограммы ППРР, максимальная амплитуда напряжения резонанса бу
например, напряжения стокисток силового транзи дет меньше Uвх max. Следовательно величина перенап
стора и напряжений и токов на вторичной стороне ряжения на силовом ключе составит
преобразователя получены для различных режимов
U пер = U р max + U вх max ,
работы и проведено их сравнение с теоретическими
результатами. что меньше, чем в случае ПП, когда интервал размаг
Типовые осциллограммы для ППРР и ПП показа ничивания обоих преобразователей одинаков и равен
ны на рис. 10. В целом, получено хорошее совпаде 0,5Тпер при Uвх min = Uвх min.
ние результатов моделирования и эксперимента. Сравнение ППРР и ПП можно также провести,
Рассмотрение напряжения токисток показывает, что предположив, что максимальная величина напряжения
в экспериментальном образце затухание паразитно стокисток на закрытых силовых ключах (Uси max) при
го резонанса происходит быстрее, чем при модели мерно одинакова. Это можно обеспечить в ППРР, за
ровании. Этот факт объясняется тем, что при давшись максимальным резонансным напряжением на

а б

Рис. 10. Осциллограммы напряжения стокисток и напряжения на вторичной обмотке трансформатора при Uвх = 40 В и Iвых = 2,5 А:
а – ППРР; б – ПП

22
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
уровне Uвх max. При этом, чтобы удовлетворить этому ус Таблица 4

ловию, когда числа витков основной и размагничиваю


щей обмоток одинаковы(w1 = wрм) максимальный
коэффициент заполнения ПП дожжен быть ограничен
величиной 0,5. Для приведенных ранее параметров пре
образователей диапазон изменения входного напряже
ния для обоих преобразователей определялся при
полной нагрузке. Обнаружено, что разработанный
ППРР может регулировать выходное напряжение в бо
лее широком диапазоне изменения входных напряже
ний (1745 В) при максимальном коэффициенте
заполнения 0,63, а ПП при входном напряжении ниже ного при разработке традиционных ПП и проведении
20 В не хватает времени для полного размагничивания. некоторых предварительных разработок относитель
При этом коэффициент заполнения ограничен величи но низковольтных ППРР для практических диапазо
ной 0,5. В общем случае, ППРР имеет более гибкую нов входных и выходных напряжений. Качественно
структуру, поскольку позволяет наличие компромисса эти результаты сведены в таблице 5 для низких, сред
между максимально допустимым перенапряжением на них высоких частот переключений.
силовом ключе в разомкнутом состоянии и диапазоном Таблица 5
входных напряжений преобразователя, за счет соответ
ствующего изменения величины емкости внешнего кон
денсатора Свн.
КПД ПП и ППРР измерялся для различных вели
чин входных напряжений и выходных токов. Резуль
таты измерений приведены в таблице 3. КПД ППРР
немного выше за счет исключения размагничиваю Выводы
щей обмотки и диода. Сравнение двух структур преобразователей при
одинаковом способе управления и работающих при
Таблица 3 одинаковых условиях вход/выход показывает, что в
ППРР напряжение стокисток силового ключа име
ет более гладкую, частично синусоидальную форму и
постоянную величину максимального напряжения.
Диапазон регулирования ППРР больше чем ПП.
ППРР имеет несколько более высокий КПД по срав
нению с традиционным ПП за счет отсутствия диода
и обмотки размагничивания трансформатора. За счет
отсутствия которой трансформатор ППРР легче вы
полнять по планарной технологии.
Влияние величины емкости конденсатора Свн на
форму напряжения стокисток в ППРР. Изменения Литература
величин максимума резонансного напряжения Uр max, 1. M. Brown. Practical Switching Power Supply Design.
половины длительности интервала резонанса (Тр/2) – Academic Press, USA, 1990.
и максимального напряжения стокисток разомкну 2. A. L. Pressman. Switching Power Supply Design.–
того силового ключа при варьировании величины McGraw Hill, 1991.
емкости конденсатора Свн приведены в таблице 4. По 3. R. P Severns, and G. Bloom. Modern DCtoDC
результатам видно, что при увеличении емкости Свн Switchmode Power Converter Circuits. – Van Nostrand
уменьшается Uр max, а Тр увеличивается. Reinhold, 1984.
Качественная оценка способов размагничивания. В 4. N. Murakami and M. Yamasaki. Analysis of a
экспериментальном ППЧР с частотой переключения Resonant Condition for a Single Ended Forward Converter.
333 кГц эквивалентная паразитная емкость полупро – IEEE PESC’88 Record, April 1988, pp. 1018–1023.
водниковых приборов и трансформатора, отнесенная 5. N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robins. Power
ко вторичной стороне (Сэк = 600 пФ) становится со Electronics: Converters, Applications, and Design. – John
измеримой с емкостью внешнего конденсатора Wiley and Sons, 2nd Ed., pp. 311.
(Свн = 560 пФ). Следовательно, при повышении ра
бочей частоты преобразователя паразитная емкость
становится доминирующей. При низких частотах до Карзов Борис Николаевич, начальник отдела мет2
минирует емкость конденсатора Свн. рологии ЗАО “ММП2Ирбис”, тел.: 8(495) 987210216;
Качественный анализ способов размагничивания, Соловьев Игорь Николаевич, зав. кафедрой “Микро2
применимых для прямоходовых преобразователей электронных электросистем” МАИ, доцент, к. т. н.,
может быть проведен на основе опыта, приобретен тел.: 8(499) 158244226, e2mail: sin@mai.ru;

23
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

В. А. Постников, С. В. Аверин, Ю. Г. Следков

АЛГОРИТМ УПРАВЛЕНИЯ ТРЕХФАЗНЫМ ИНВЕРТОРОМ В


РЕЖИМЕ ШИМ

Рассмотрен алгоритм управления трехфазным ин2 рассмотренных методов. Корректность предложенно


вертором в режиме ШИМ с при изменяемом напряже2 го способа управления подтверждена результатами
нии питания. Длительность импульса рассчитывается экспериментальных исследований инвертора с мик
путем дискретных замеров и прогнозирования входного ропроцессорным управлением.
напряжения при формировании каждого импульса. Рас2
смотрены три способа прогнозирования. Корректность Определение длительности импульса для
рассмотренного метода подтверждена эксперимен2 инвертора в режиме ШИМ
тальным исследованиями с использованием схемы управ2 Инвертор в режиме ШИМ и управляющее напря
ления на основе микроконтроллера. Показано, что из жение. Упрощенная схема трехфазного инвертора
всех трех рассмотренных методов метод предваритель2 в режиме ШИМ с колеблющимся входным напря
ной оценки наиболее предпочтителен. жением показана на рис. 1. Инвертор состоит из
источника постоянного напряжения, шести сило
Системы управления на основе микроконтролле вых ключей и трехфазной нагрузки. постоянно на
ров широко используются для управления для управ пряжение для питания инвертора в режиме ШИМ
ления преобразователями электроэнергии. В [1] обеспечивается за счет выпрямления переменного
предложен алгебраический способ широтноимпуль напряжения. Выпрямленное напряжение содержит
сной модуляции, хорошо применимый в схемах уп переменную составляющую, возникающую вслед
равления однофазными инверторами на основе ствие работы выпрямителя.
микропроцессора. В [2] предложен способ расчета При наложении 3ей гармоники для увеличения
длительности импульса для трехфазного инвертора с выходного напряжения в режиме ШИМ выходное
синусоидальным выходным напряжением. управляющее напряжение фазы А определяется соот
Как правило, постоянно напряжение для питания ношением
инвертора в режиме ШИМ обеспечивается за счет
выпрямления переменного напряжения. В таком слу u A* 0 (t ) = U * sin(ω1t ) +U 3 sin(3ω1t ) , (1)
чае, выпрямленное напряжение содержит колебатель где U* – амплитуда выходного напряжения в момент
ные составляющие, возникающие вследствие работы преобразования;
выпрямителя, особенно составляющие с удвоенной U3 – амплитуда 3ей гармоники (U3 = U*/6);
частотой переменного напряжения. Следовательно, ω1 = 2πf1 – угловая частота выходного напряже
для промышленного применения необходимо разра ния инвертора (f1 – частота выходно
ботать способ управления инвертором в режиме го напряжения).
ШИМ с синусоидальным выходным напряжением Нахождение длительности импульса. Выходное
при колеблющемся входном напряжении. В [3] пред напряжение фазы А, входное напряжение и форма
ложен способ управления инвертором в режиме напряжения управляющего силовыми ключами на
ШИМ при колеблющемся входном напряжении три пряжения показаны на рис. 2. На этом рисунке обо
ангуляционного метода. Метод предусматривает значены: UА0*(t) выходное напряжение, формирующее
большое число аналогоцифровых и цифроаналого напряжение управления фазой А; UА0*(k) и UА0*(k + 1)
вых преобразований по сравнению с числом импуль
сов Применение в инверторе в режиме ШИМ при
колеблющемся входном напряжении управления по
током в реальном времени рассмотрено в [4].
В статье рассмотрен алгоритм управления цифро
вого управления трехфазным инвертором в режиме
ШИМ при колеблющемся входном напряжении. Дли
тельность импульса рассчитывается путем дискрет
ных замеров и оценки колеблющегося входного
напряжения при формировании каждого импульса.
Рассмотрены три метода оценки аппроксимация с
фиксацией, прямолинейная аппроксимация и про
гнозирование. Проведен анализ ошибок и искажений
формы выходного напряжения при использовании Рис. 1. Упрощенная схема трехфазного инвертора
в режиме ШИМ

24
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Таким образом, tА вк (рис. 2) определяется прирав
ниванием площади S1 к площади S2 и определяется
соотношением
U A* 0 (k ) Δt
t A вк (k ) = − . (5)
U вх* (k ) 2
Времена включения и отключения силового клю
ча VT1 (рис. 1) рассчитываются следующим образом:
2k − 1 t A вк
t A вкл = Δt − ; (6)
2 2
2k − 1 t A вк
t A отк = Δt + . (7)
2 2
Согласно алгоритму управления силовыми ключа
ми мостового коммутатора ключ VT2 работает в про
тивофазе с ключом VT1. Все времена для ключей
остальных стоек трехфазного мостового коммутато
ра инвертора рассчитываются аналогичным образом.
Прогнозирование колебаний входного напряжения. В
Рис. 2. Выходное напряжение, управляющее формированием рассматриваемом алгоритме управления необходим
сигналов управления и форма управляющего напряжения расчет среднего значения пульсирующего входного
напряжения на каждом периоде управляющего напря
– выходное напряжение, формирующее напряжение жения, когда силовой ключ замкнут. Однако в момент
управления фазой А в точках k и k + 1; ивх(t) входное расчета времени замкнутого состояния ключа вели
напряжение инвертора; ивх(k – 3), ивх(k – 2), ивх(k – 1) чина входного напряжения неизвестна. Поэтому не
и ивх(k) дискретные значения входного напряжения в обходимо прогнозирование среднего значения
точках k – 3, k – 2, k – 1 и k. Значения “1” и “0” уп входного напряжения.
равляющего силовыми ключами напряжения соответ Прогнозирование среднего значения входного на
ствуют включению верхнего верхних и нижних пряжения Uвх(k) на kом периоде управляющего на
ключей стоек трехфазного мостового коммутатора. пряжения осуществляется следующими способами.
Длительность импульса численно рассчитывается по — Аппроксимация с фиксацией (1). Uвх(k) определя
площадям S1 и S2. ется как
Среднее значение напряжения, управляющего
U вх (k ) = uвх (k ) . (8)
формированием сигналов управления UА0*(k) на kом
периоде рассчитывается следующим образом — Прямолинейная аппроксимация (2). Прогнози
kΔt рование Uвх(k) производится, используя значения
U A* 0 (t )dt
U A* 0 (k ) = ∫
( k −1) Δt
Δt
, (2) ивх(k – 1) и ивх(k):

3uвх (k ) − uвх (k − 1)
где Δt = 1/(2npf1) – длительность периода управляю U вх (k ) = . (9)
2
щих импульсов;
np – число участков разбиения полвины периода — Прогнозирование (3).
выходного напряжения инвертора. ™ Вариант 3–I. ивх(k) и ивх(k + 1) прогнозируются,
Интегрирование фазы А выходного напряжения используя значения и вх (k – 1) и и вх (k – 2) и
инвертора на kом периоде позволяет получить сле ивх(k – 3):
дующее выражение
uвх (k ) = uвх (k − 1) + {uвх (k − 1) − uвх (k − 2)};
kΔt t A вк ( k ) Δt −t A вк ( k ) (10)
U вх (k ) −U вх (k ) uвх (k + 1) = uвх (k − 1) + {uвх (k − 1) − uвх (k − 3)}.
∫U
( k −1) Δt
A0 (t )dt = ∫ 2
dt + ∫ 2
dt =
Таким образом, ивх(k) рассчитывается как
0 0 (3)
= U вх (k )[t A вк (k ) − Δt / 2],
uвх (k ) + uвх (k + 1)
uвх (k ) = =
где Uвх(k) – среднее значение входного напряжения 2
на k – 1 периоде; u (k − 1) − uвх (k − 2) − uвх (k − 1) (11)
tА вк – время замкнутого состояния верхнего сило = вх .
2
вого ключа фазы А.
Следующее равенство получаем, приравняв (3) к ™ Вариант 3–II. Колебания входного напряжения ап
UА0*(k)Δt: проксимируем следующим квадратным уравнением
U вх (k )[t A вк (k ) − Δt / 2] = U A* 0 (k )Δt . (4) uвз (t ) = k1t 2 + k 2t + k3 . (12)

25
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Положив точку k – 3 за начало отсчета времени, 2π
1 ⎡ 1 ⎤
определяем коэффициенты k1, k2 и k3 = ∫
U * ⎢sin( x ) + sin(3x )⎥ sin( x )dx = U * .
π0 ⎣ 6 ⎦
u (k − 1) − 2uвх (k − 2) + uвх (k − 3)
k1 = вх ; (13) Аналогичным образом находим b1
2
−uвх (k − 1) + 4uвх (k − 2) − 3uвх (k − 3)
k2 = ; (14) 2π
2 1
k3 = uвх (k − 3) . (15)
b1 =
π0∫u A 0 ( x ) cos( x )dx =

Тогда получаем 1
n p
⎧⎪ ⎡ x A вк (k ) ⎤ ⎛ Δx ⎞⎫⎪
uвх (k ) + uвх (k + 1)
= ∑
π k =1
U вх (k )⎨2 sin ⎢
⎪⎩
⎥ − sin⎜ ⎟⎬ ×
⎝ 2 ⎠⎪⎭
⎣ 2 ⎦
uвх (k ) = =
⎪⎧
2 n
⎡ x A вк (k ) ⎤
⎛ 2k − 1 ⎞ 1 p

9u (k − 1) − 11uвх (k − 2) + 4uвх (k − 1) (16)


= вх
× cos⎜
⎝ 2
Δx ⎟ =
⎠ π k =1

U вх (k )⎨2 sin ⎢
⎪⎩
⎥−
. ⎣ 2 ⎦
2
⎛ Δx ⎞⎫ ⎛ 2k − 1 ⎞
− sin⎜ ⎟⎬ cos⎜ Δx ⎟ =
Анализ выходного напряжения ⎝ 2 ⎠⎭ ⎝ 2 ⎠
1 ⎧ *
np
В этом разделе на основе анализа выходного на ⎛ 2k − 1 ⎞
пряжения инвертора проверяется достоверность рас = ∑ ⎨U Δx sin⎜
π k =1 ⎩ ⎝ 2
Δx ⎟ +

(21)
сматриваемого способа. С помощью ряда Фурье
выходное напряжение фазы А инвертора можно пред U* ⎡ 2k − 1 ⎤ ⎫ ⎛ 2k − 1 ⎞
+ Δx sin ⎢ Δx ⎥ ⎬ cos⎜ Δx ⎟ =
ставить в виде 6 ⎣ 2 ⎦⎭ ⎝ 2 ⎠
a0 ∞ 2π
⎡ ⎤
+ ∑[an sin(nx ) + bn cos(nx )] , 1 1
uA0 (x) =
2 n =1
(17) = ∫
U * ⎢sin( x ) + sin(3x )⎥ cos( x )dx = 0 .
π0 ⎣ 6 ⎦
где х = ω1t.
Напряжение фазы А (рис. 1) можно представить в
виде Линейное напряжение uAB(t) формируется между
выходами uA0(t) и uВ0(t). Таким образом, приведенные
⎧U вх (k ) / 2, x A вкл (k ) ≤ x < x A отк (k ); результаты показывают, что в инверторе в режиме
⎪ ⎧(k − 1)Δx ≤ x < x A вкл (k );
uA0 (x) = ⎨ ШИМ на основе рассмотренного способа управления
⎪−U вх (k ) / 2, ⎨ (18)
⎩ x A отк (k ) ≤ x < kΔx ,
выходное напряжение формируется в соответствии с
⎩ сигналами управления силовыми ключами.
где Δх = ω1Δt; xA вкл(k) = ω1tA вкл(k); xA ТК(k) = ω1tA ТК(k).
Амплитуда основной гармоники фазы А опреде Схема управления инвертором и метод
ляется следующим выражением прогнозирования
Схема микропроцессорного управления инверто

1 ром в режиме ШИМ показана на рис. 3.
a1 = ∫ u A 0 ( x ) sin( x )dx =
π0
1
n
p
⎧⎪ ⎡ x A вк (k ) ⎤ ⎛ Δx ⎞⎫⎪ (19)
= ∑
π k =1
U вх (k )⎨2 sin ⎢
⎪⎩
⎥ − sin⎜ ⎟⎬ ×
⎝ 2 ⎠⎪⎭
⎣ 2 ⎦
⎛ 2k − 1 ⎞
× sin⎜ Δx ⎟ .
⎝ 2 ⎠

где хА вк(k) = ω1tA вк(k).


При условии, что при малых углах cos(β) = 1, а
sin(β) = β, применив ряд Тейлора, получаем


np

a1 =
1
{ ⎛ 2k − 1 ⎞
∑ ⎨ U * Δx sin 2 ⎜⎝ 2 Δx ⎟⎠ +
π k =1 ⎩
U* ⎡ 3(2k − 1) ⎤ U *
+ Δx sin ⎢ Δx ⎥ × (20)
6 ⎣ 2 ⎦ 6
⎡ 3(2k − 1) ⎤ ⎫
× Δx sin ⎢ Δx ⎥ ⎬ =
⎣ 2 ⎦⎭ Рис. 3. Блоксхема управления трехфазного инвертора в режиме
ШИМ с микропроцессорным управлением

26
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
В схеме управления измеряется входное напряже и сохранения данных. Например, для схемы управле
ние и рассчитывается длительность импульса, а за ния, показанной на рис. 3, при тактовой частоте 5 МГц
тем через схему драйверов выдается сигнал на первое равно примерно 300мкс, а второе 20 мкс. Сле
отпирание соответствующего силового ключа мосто довательно максимальное время замкнутого состоя
вого коммутатора. Обработка процесса прогнозиро ния ключа в случае прогнозирования значительно
вания величины входного напряжения, расчет превышает это время для первых двух случаев. Таким
длительности импульса и формирование управляю образом, способ управления на основе прогнозиро
щего импульса выполняются в подпрограмме обра вания значительно превосходит первые два способа.
ботки прерывания, управляемого программируемым
контроллером прерываний (ПКП). Выполнение ос Анализ выходного напряжения инвертора в
новной программы включает в себя инициализацию режиме ШИМ
системы управления и расчет UA0, UВ0 и UС0. Ошибка выходного напряжения. В данном разделе
Блоксхемы подпрограмм обработки прерываний проведен анализ характеристик управления выход
на kом периоде переключений приведены на рис. 4. ным напряжением. В рассматриваемый способ управ
Блоксхема для фиксированной и линейной аппрок ления введены некоторые допущения. Следовательно,
симации показана на рис. 4а, а для прогнозирования между управляющим и выходным напряжениями дол
– на рис. 4б. Для первых двух случаев производится жна существовать определенная ошибка. При анали
дискретная выборка входного напряжения, затем про зе принято, что колеблющееся входное напряжение
гнозируется величина входного напряжения и рассчи имеет вид
тывается длительность импульса. После этого
формируется управляющий импульс. ⎡ ⎛ 2πf ~ ⎞⎤
uвх (t ) = U = + ⎢1 + δ sin⎜ t + θ ⎟⎥ , (22)
С другой стороны, в случае прогнозирования снача ⎝ α ⎠⎦

ла производится дискретная выборка величины вход
ного напряжения, а затем формируется импульс. После где U=– постоянная составляющая колеблющегося
этого дискретные данные преобразуются, прогнозиру входного напряжения;
ется величина Uвх(k + 1) и рассчитывается длительность δ = U~ /U=;
импульса следующего периода переключений. То есть U~ – переменная составляющая входного напряжения;
длительность импульса kго периода была рассчитана f~ – частота переменной составляющей входного
на предыдущем периоде. напряжения;
Время, необходимое на прогнозирования величи θ = 0...2π – угол сдвига фаз.
ны входного напряжения и расчета длительности им Отношение напряжения, при котором происходит
пульса, значительно превышает время дискретизации преобразование, к постоянной составляющей вход
ного напряжения задана как k = 2U */U=. Ошибку вы
ходного напряжения можно выразить следующим
соотношением

U 1 − 3U *
εU = , (23)
3U *

где U1 – основная гармоника линейного напряжения.


Значения максимальной ошибки для всех спосо
бов аппроксимации при всех углах сдвига фазы в за
висимости от п р и δ приведены в таблицах 1 и 2
соответственно. Величины максимальной ошибки,
возникающей при отсутствии корректировки дли
тельности импульса в зависимости от колебаний вход
ного напряжения приведены в столбце (4).
Из таблицы 1 следует, что с помощью рассмотрен
ного способа качество выходного напряжения может
быть существенно улучшено. По мере увеличения
числа импульсов ошибка уменьшается. Несмотря на
то, что ошибка способа (3) больше при малых значе
ниях пр, чем для других способов, с увеличением зна
чения пр она существенно уменьшается. А именно,
а б
ошибка способа (3II) становится такой же как для
Рис. 4. Блоксхемы программ обработки прерываний: а – для способа (2) при пр, превышающем 33. Кроме того, при
способов (1) и (2); б – для способа (3)
(ВиХ – выборка и хранение; АЦ преобр. – аналогоцифровое пр более 33 ошибка способа (3I) меньше, чем способа
преобразование) (1). Из таблицы 2 видно, что ошибка возрастает при

27
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
увеличении переменной составляющей входного на быстро убывать. Коэффициент гармоник возрастает
пряжения. при увеличении δ.
Таким образом, рассмотренные способы пригод Таким образом, с точки зрения гармонического со
ны с точки зрения уменьшения ошибки выходного става выходного напряжения амплитуда переменной
напряжения. Для способа (3) наиболее пригодны ре составляющей входного напряжения должна быть
жимы ШИМ с большим числом импульсов (пр). надлежащим образом ограничена.
Искажения выходного напряжения. Далее рас
смотрены искажения формы выходного напряжения Результаты экспериментальных исследований
инвертора с точки зрения величины коэффициента Экспериментальная система. Экспериментальные
гармоник (kг вых), определяемого как исследования проводились при использовании в ка
честве источника постоянного напряжения мостово

∑A
q =2
2
q вых
го выпрямителя, показанного на рис. 5, и системы
управления, приведенной на рис. 3. Силовые ключи
k г вых = , (24) трехфазного мостового коммутатора выполнены на
A1 вых
основе IGBтранзисторов.
где А1 вых – амплитуда основной гармоники выходно
го напряжения;
Аq вых – амплитуда qой гармоники выходного
напряжения;
q = 1, 2, … – номер гармоники.
Значения коэффициента гармоник при различных Рис. 5. Выпрямитель на входе мостового коммутатора
величинах пр и приведены в таблицах 3 и 4 соответ
ственно. Несмотря на то, что в случае способа (3) kг В схеме управления использован 16битовый кон
при малых пр больше, чем для способов (1) и (2), он троллер. Входное напряжение подается в систему уп
существенно уменьшается при возрастании пр. Это равления через развязывающий усилитель. В системе
происходит потому, что при способе (3) амплитуды управления рассчитывается длительность импульса,
низкочастотных гармоник, особенно третьей, намно с помощью 16и разрядного счетчика формируется
го больше, чем для первых двух способов. Однако с управляющий импульс, подаваемый на вход драйве
ростом пр амплитуда третьей гармоники начинает ра соответствующего силового транзистора.

Таблица 1 Таблица 3

α = 0,5; δ = 0; k = 0,6 α = 0,5; δ = 0,2; k = 0,6; θ = 0.0 (рад/с)


Таблица 2 Таблица 4

np = 21; α = 0,5; k = 0,6 np = 21; α = 0,5; k = 0,6; θ = 0.0 (рад/с)

28
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Результаты исследований. Осциллограммы напря монические составляющие, возникающие вследствие
жений на конденсаторе, выходного напряжения и наличия переменной составляющей входного напря
тока нагрузки при параметрах, приведенных в табли жения, не появляются в выходном напряжении ин
цах 5 и 6, показаны на рис. 6 и 7. Соответствующие вертора (рис. 7 и 9).
результаты гармонического анализа приведены на Измеренные амплитуды линейных выходных на
рис. 8 и 9. Из рис. 6а и 8а видно, что напряжение на пряжений по условиям таблиц 5 и 6 составляют 29,8
конденсаторе представляет собой постоянное напря В и 59,8 В соответственно. По тем же условиям ошибка
жение с переменной составляющей, возникающей составляет 10% и 9,8% соответственно. При экспери
вследствие выпрямления переменного напряжения и ментальных исследования ошибка получилась не
работы мостового коммутатора инвертора. Влияние сколько больше, чет при теоретическом анализе
переменной составляющей входного напряжения на вследствие потерь в силовых транзисторах и диодах,
амплитуду выходного напряжения инвертора хорошо а также формы входного напряжения. Максимальная
видно на рис. 6б и 8б. Однако низкочастотные гар величина амплитуды линейного напряжения при ус

Таблица 5 Таблица 6

а а

б б

Рис. 6. Осциллограммы, соответствующие параметрам Рис. 7. Осциллограммы, соответствующие параметрам


таблицы 5: а – напряжение на конденсаторе (20 В/дел; таблицы 6: а – напряжение на конденсаторе (20 В/дел;
10 мс/дел); б – выходное напряжение (108 В/дел, 10 мс/дел) и 10 мс/дел); б – выходное напряжение (108 В/дел, 10 мс/дел) и
ток нагрузки (4 А/дел, 10 мс/дел) ток нагрузки (4 А/дел, 10 мс/дел)

29
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 8. Спектральный состав выходного напряжения Рис. 9. Спектральный состав выходного напряжения
при параметрах таблицы 5 при параметрах таблицы 6

ловиях таблицы 5 составляет 34 В, а таблицы 6 – 2. S. Funabilki and Y. Sawada. A Computative Decision


77,4 В. Таким образом, становится ясно, что наибо of Pulse Width in threePhase PWM Inverter. – IEEE IAS
лее предпочтительным способом управления являет 1998 Annual Meeting Record, Part I, pp. 694–699.
ся способ прогнозирования (3). 3. Jia2You Lee and York2Yih Sun. Adaptive Harmonic
Control in PWM Inverters with Fluctuating Input Voltage.
Выводы – IEEE Trans. Ind. Elect., Vol. IE33, 1986, No. 1,
Рассмотрен способ формирования выходного на pp. 92–98.
пряжения трехфазного инвертора в режиме ШИМ. 4. T. Takeshita and N. Matsui. Onechip
Корректность рассмотренного способа в отношении Microcomputerbased Flu[xcontrolled Real Time PWM.
ошибки выходного напряжения и коэффициента гар – Trans. on IEE of Japan, Vol. 105B, 1985, No. 6,
моник подтверждена теоретически. Достаточная точ pp. 531–538.
ность результатов получена на с помощью анализа 5. S. Funabiki. A control Strategy of ThreePhase PWM
ошибки выходного напряжения в зависимости от чис Inverter. – IEEE Proc., 1989, pp. 1170–1175.
ла импульсов выходного напряжения и изменения
входного напряжения. Из алгоритма расчета длитель
ности импульса выявлено, что способ прогнозирова
ния (3) наиболее предпочтителен. Эффективность Постников Валерий Александрович, профессор, де2
рассмотренного способа ШИМ подтверждена экспе кан факультета “Систем управления, информатики и
риментальными результатами. электромеханики” МАИ;
Аверин Сергей Владимирович, к. т. н., доцент кафед2
Литература ры “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
1. Y. H. Kim. An Algebraic Algorithm for 8(499) 158245259, e2mail: acb@starlink.ru;
MicrocomputerBased (Direct) Inverter Pulsewidth Следков Юрий Германович, к. т. н., доцент кафедры
Modulation. – IEEE Trans. Ind. Appl., Vol. IA23, No 4, “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел. 8(499)
1987, pp. 654–660. 158249221, e2mail: dean3_dep5@mai.ru.

30
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

М. Ю. Кастров, И. Н. Соловьев

РЕГУЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ


ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ПОСТОЯННОГО НАПРЯЖЕНИЯ
ЦИФРОВЫМИ МЕТОДАМИ

Существует большое количество портативных ус2 интерфейс. Он меньше по размеру и имеет только
тройств, в которых рабочие характеристики опти2 два, либо три провода для последовательной пере
мизируются за счет корректировки выходного дачи данных, в отличии от параллельного интер
напряжения преобразователя постоянного напряже2 фейса, содержащего 8 или 16 проводов. Меньшее
ния. Например, для экономии электроэнергии многие число выводов обеспечивает меньший размер кор
микропроцессоры могут работать при пониженном пуса, а ,следовательно, и стоимость.
напряжении, а затем для повышения производитель2 Основные параметры для выбора ЦАП.
ности обработки данных переходить к работе при h Напряжение источника питания: для портатив
высоком напряжении. Для переключения между эти2 ных устройств обычно требуются источники с напря
ми двумя режимами работы требуется регулировка жением 3 В или 5 В.
выходного напряжения преобразователя постоянно2 h Ток источника питания: малый ток продляет срок
го напряжения. Другой пример это жидкокристал2 службы аккумулятора.
лический индикатор (ЖКИ). По мере изменения h Диапазон выходного напряжения: обычный диа
температуры дисплея, приложенное к нему напряже2 пазон выходного напряжения от 0 до Uэт (эталонное
ние должно изменяться для обеспечения необходимой напряжение ЦАП).
контрастности. h Число бит разрешения: определяет число шагов
корректировки с помощью ЦАП. Число шагов опре
Известно, что регулирование с помощью цифро деляется как 2N, где N – число бит разрешения ЦАП.
вого управления является наиболее надежным мето 6битовое ЦАП, например, позволяет осуществить
дом выполнения таких и подобных изменений 26 = 64 шага корректировки, а 8битовое – 28 = 256
напряжений. Для этих целей можно использовать руч шагов. При этом, размер шага на выходе ЦАП – это
ной потенциометр, но, как правило, он имеет доста диапазон выходного напряжения, деленный на чис
точно большие габариты. Кроме того, могут ло шагов ЦАП. Например для 6битового ЦАП
возникнуть проблемы надежности, вследствие изно МАХ5361 с диапазоном напряжения 4 В размер шага
са, вызванного ручными регулировками. К тому же, будет 62,5 мВ (4 В/26 шагов).
напряжение на нем нельзя регулировать с помощью h Источники погрешностей.
микропроцессора. В статье рассмотрены несколько — Абсолютная погрешность (погрешность полной
способов цифрового регулирования выходного на шкалы). Для ЦАП с разрешением менее 8 бит
пряжения преобразователей постоянного напряже эта ошибка, как правило, максимальная и ока
ния с упором на портативные устройства. зывает наибольшее влияние на точность всей
системы. Ошибка при использовании деше
Цифровые способы вых компонентов может составлять 25%. Од
Существуют несколько цифровых способов циф нако эта исходная ошибка может быть
рового регулирования выходного напряжения преоб устранена за счет калибровки, которая проис
разователей постоянного напряжения: ходит на этапе тестирования оборудования,
3 цифроаналоговый преобразователь (ЦАП); либо за счет использования внутреннего АЦП.
3 потенциометр (цифровой); — Напряжение смещения нуля. Может также вно
3 формирование сигналов ШИМ на выходе мик сить существенную ошибку, которая при дос
ропроцессора. таточно большом значении может быть
устранена за счет калибровки.
Цифро-аналоговый преобразователь — Дифференциальная нелинейность (DNL). Как
ЦАП является просто источником напряжения правило необходимо, чтобы выходное напря
с цифровым управлением. Цифровой интерфейс жение ЦАП было монотонным (т .е. линейно
ЦАП может быть либо последовательным, либо па увеличивалось при увеличении значения вход
раллельным. В устройствах с относительно низкой ного кода). Это требует максимальной диффе
частотой обновления(например корректировки на ренциальной погрешности ±1 младший бит.
пряжения преобразователя постоянного напряже — Интегральная нелинейность (INL). Этот пара
ния) обычно используется последовательный метр обычно задается в справочниках доста

31
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
точно точным и не играет важной роли в та Резисторы R1, R2 и R3, а также источник эталон
ких устройствах. ного напряжения имеют погрешности, следователь
— Температурный коэффициент. Выходное на но, все они имеют минимальное и максимальное
пряжение зависит от температуры. Этот ис значения: R1min, R1max, R2min, R2max, R3min, R3max и Uэт min,
точник ошибки не может быть устранен за счет Uэт max.
калибровки при изготовлении, за исключение Выходное напряжение ЖКИ (Uвых) можно рассчи
ого случая, когда система проходит темпера тать с учетом следующего:
турные испытания. Хотя, если температурный U вых = U эт + i1R1 ; (1)
дрейф достаточно мал, калибровку можно
провести, используя встроенный АЦП. Обыч i1 = i 2 + i3 ; (2)
но температурный дрейф достаточно мал и не i 2 = U эт /R2 ; (3)
вызывает проблем.
h Встроенный или внешний источник опорного на i3 = (U эт −U ЦАП ) / R3 . (4)
пряжения. Имеются в наличии дешевые устройства с Подставив (2) (4) в (1), получим
внутренним источником эталонного напряжения.
Однако, если в системе есть точный опорный источ ⎛ R ⎞ R
U вых = U эт ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟ + (U эт −U ЦАП ) 1 . (5)
ник (т. е. внешний опорный источник) он может быть
⎝ R2 ⎠ R3
использован для улучшения рабочих характеристик.
h Тип интерфейса – последовательный или парал Из выражения (5) видно, что максимум выход
лельный. Последовательный интерфейс необходим ного напряжения имеет место при минимуме на
для уменьшения габаритов. Типовыми устройствами пряжения на выходе ЦАП, а минимум выходного
являются SPITM, I2C, SMBusTM или bit2banging. После напряжения – при максимально выходном напря
дний влечет за собой использование выводов ввода жении ЦАП.
вывода общего назначения для обеспечения Для обеспечения необходимого диапазоне напря
необходимого управления ЦАП. Выбор типа интер жения величины сопротивлений R1, R2 и R3 необхо
фейса зависит от интерфейсов, поддерживаемых про димо выбирать такими, чтобы удовлетворить
цессором системы. следующие равенства:
h Размер корпуса чем меньше, тем лучше. Имеют
ся в наличии корпуса типа SOT или SC70. ⎛ R ⎞
h Энергозависимые или энергонезависимые уста U вых max() = U эт min ⎜⎜1 + 1min ⎟+

⎝ R2 max ⎠
новки параметров. Для большинства используемых (6)
ЦАП установки выходного напряжения энергоза R
+ (U эт min −U ЦАП min(+ ) ) 1min ;
висимы (т. е. они пропадают при отключении на R3 max
пряжения питания). Обычно это не представляет
проблемы, поскольку большинство систем содер ⎛ R ⎞
жат энергонезависимую память, которая может U вых min(+ ) = U эт max ⎜⎜1 + 1max ⎟⎟ +
быть использована для обслуживания ЦАП. Име ⎝ R2 min ⎠
(7)
ются также и энергонезависимые ЦАП, содержащие R
+ (U эт max −U ЦАП max(−) ) 1max .
во встроенной памяти регистр установки, в кото R3 min
ром при снятии напряжения питания сохраняются
параметры выходного напряжения ЦАП. Символ (–) в индексах указывает на наименьшее зна
Пример: регулируемое выходное напряжение чение, а (+) – на наибольшее значения записанного
ЖКИ. параметра.
Схема преобразователя, которая должна обеспечи В выражении (6) вместо Uвых max записано Uвых max(–).
вать регулируемое выходное напряжение в диапазоне Поскольку на переменные правой части выражения
от низкого Uвых min до повышенного Uвых max, показана существуют допуски, на максимальное значение вы
на рис. 1. ходного напряжения также существует допуск, и, сле
довательно, это напряжение может изменяться в
пределах от Uвых max(–) до Uвых max(+). Для обеспечения не
обходимого максимального значения выходного на
пряжения при всех условиях в выражение (6)
подставлено наименьшее возможное значение мак
симального напряжения Uвых max(низк).
Аналогично, все переменные выражения (7) так
же имеют допуски, поэтому Uвых min может изменяться
от Uвых min(–) до Uвых min(+). Для обеспечения необходи
мого минимального значения выходного напряжения
Рис. 1. Преобразователь постоянного напряжения с ЦАП для
в выражение (7) подставлено наибольшее возможное
регулирования выходного напряжения значение выходного напряжения Uвых min(выс). В выра

32
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
жениях (6) и (7) Uвых max и Uвых min известные величины Отметим, что при переходе от равенства (7) к ра
(максимальное и минимальное выходное напряжение венству (9) UЦАП max(низк) заменено на UЦАП min(+) без за
дисплея соответственно). Минимальное (UЦАП min) и мены “–” на “+”. Эта замена не была сделана,
максимальное (UЦАП max) напряжения на выходе ЦАП поскольку равенства (6) и (8) относятся к Uвых min, по
находятся по справочным данным на конкретный лучаемому при UЦАП max.
ЦАП. Если величина Uвых min (–) слишком мала для обес
Неизвестными величинами являются сопротив печения необходимого режима работы, коды ЦАП,
ления резисторов R1, R2 и R3. Поскольку для трех вызывающие излишнее снижение напряжения на
неизвестных имеются только два уравнения, суще ЖКИ, необходимо исключить. Способы исключения
ствуют более, чем одно, решение для этих неизвес таких кодов приведены в разделе “Компенсация по
тных. Самый простой способ выбора величин грешностей в схеме цифрового регулирования”.
сопротивлений резисторов R1, R2 и R3 – это исполь
зование электронных таблиц с последующей под Цифровой потенциометр
становкой результатов в выражения (6) и (7) до тех Цифровой потенциометр это резистор, регулиру
пор, пока не будут выполнены условия равенств. Ве емый цифровым способом. Обычно он устанавлива
личины сопротивлений должны быть достаточно ется в контуре обратной связи преобразователя
большими, чтобы ограничить рассеиваемую мощ (рис. 2) постоянного напряжения, и, по мере измене
ность. Наилучшей начальной точкой расчетов бу ния его величины, изменяется выходное напряжение
дет выбор величины сопротивления резистора R2, преобразователя.
задаваемой производителем преобразователя по Кроме таких важных параметров, как напряжение
стоянного напряжения. В большинстве случаев питания, ток источника, DNL, INL, тип интерфейса,
Uвых max будет больше, чем Uвых max (–), поскольку пос размер корпуса, вид памяти, приводимых для ЦАП,
леднее рассчитывается с использованием величин для цифрового потенциометра необходимы следую
для наихудшего случая. Использование других ве щие параметры.
личин для самого наихудшего случая, т. е. замена h Полный диапазон сопротивления. Обычно сопро
“min” на “max” и “max” на “min”, а (–) на (+) в тивление потенциометра изменяется от 0 Ом до мак
правой части выражения (6), приводит к другим симального значения, приводимо в справочных
предельным величинам Uвых max, а именно, Umax (+): данных. На этот параметр существует большой допуск
(см. раздел “Компенсация погрешностей в схеме циф
⎛ R ⎞ рового регулирования”).
U вых max(+ ) = U эт max ⎜⎜1 + 1max ⎟⎟ +
⎝ R2 min ⎠ h Сопротивление токосъемного контакта. Этим па
(8) раметром окончательно определяется минимальная
R1max
+ (U эт max −U ЦАП min() ) . величина сопротивления потенциометра.
R3 min
h Диапазон рабочего напряжения. Напряжения, при
Отметим, что при переходе от равенства (6) к равен ложенные ко всем выводам потенциометра не должны
ству (8) UЦАП min(+) заменено на UЦАП min(–) без замены превышать диапазона его рабочих напряжений.
“min” на “max”. Эта замена не была сделана, посколь h Число шагов. Шаг изменения сопротивления
ку равенства (6) и (8) относятся к Uвых max, получаемо цифрового потенциометра, как правило, либо линей
му при UЦАП min. ный, либо логарифмический. Для регулирования на
Если величина Uвых max (выс) превосходит величину пряжения ЖКИ желательно применять потенциометр
максимального допустимого напряжения ЖКИ, коды с линейным изменением шага. Деление полного диа
ЦАП, вызывающие превышение предела напряжения пазона сопротивления потенциометра на число ша
на ЖКИ, необходимо исключить. Способы исключе гов дает величину сопротивления одного шага.
ния таких кодов приведены в разделе “Компенсация Например, цифровой потенциометр MAX5161NEZT с
погрешностей в схеме цифрового регулирования”.
Как правило, Uвых min будет меньше Uвых min(), по
скольку последнее рассчитывается с использование
величин для наихудшего случая. Использование дру
гих величин для самого наихудшего случая, т. е. заме
на “min” на “max” и “max” на “min”, а (+) на (–) в
правой части выражения (7), приводит к другим пре
дельным величинам Uвых min, а именно, Umax (–):

⎛ R ⎞
U вых min() = U эт max ⎜⎜1 + 1min ⎟+

⎝ R2 max ⎠ (9)
R
+ (U эт max −U ЦАП max( + ) ) 1min .
R3 max Рис. 2. Преобразователь постоянного напряжения с
регулированием выходного напряжения с помощью
цифрового потенциометра

33
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
полным сопротивлением 200 кОм позволяет регули
⎛ R1min ⎞
ровать сопротивление на 32 шагах. Деление 200 кОм U вых max() = U эт min ⎜1 + ⎟
на 32 дает 6,25 кОм на один шаг. ⎜ R2 min + R3−(max) ⎟ ; (11)
⎝ ⎠
h Источники погрешностей.
— Точность сопротивления в начале полного диа2 ⎛ ⎞
R1max
пазона. Обычно это источник наибольшей по U вых min( + ) = U эт max ⎜1 + ⎟
⎜ R2 min + R3+(min) ⎟ ; (12)
грешности, оказывающий самое большое ⎝ ⎠
влияние на точность всей системы. Погреш
ность Начальная погрешность (вблизи нуля) ⎛ R1max ⎞
U вых max( + ) = U эт max ⎜1 + ⎟
может достигать 25%. Эту погрешность необ ⎜ R2 min + R3−(min) ⎟ ; (13)
ходимо скомпенсировать. Обычно компенса ⎝ ⎠
ция этой погрешности производится с
помощью калибровки при производственном ⎛ R1min ⎞
U вых min() = U эт min ⎜1 + ⎟. (14)
контроле, либо ее можно скомпенсировать с ⎜ R2 max + R3+(max) ⎟
помощью встроенного в систему АЦП, если ⎝ ⎠
последнее имеется в наличии (рис. 4 и 5 в раз Некоторые из кодов можно исключить, используя
деле “Компенсация погрешностей в схеме способы, описанные в разделе “Компенсация по
цифрового регулирования”). грешностей в схеме цифрового регулирования”.
— Начальная точность сопротивления токосъем2
ного контакта. Обычно точные данные не
приводятся, поскольку обычно сопротивле Выход ШИМ
ние токосъемного контакта значительно мень Многие микропроцессоры (микроконтроллеры)
ше величины одного шага изменения имеют выход ШИМ. Это цифровые выходы, на ко
сопротивления. Это источник погрешности торых коэффициент заполнения изменяется, что
можно скомпенсировать, используя методы, бы изменять среднее значение выходного
описанные в разделе “Компенсация погреш напряжения. “Постоянное напряжение”получает
ностей в схеме цифрового регулирования”. ся за счет установки фильтра нижних частот на вы
— Температурный дрейф полного диапазона сопро2 ходе ШИМ процессора (рис. 3). Коэффициент
тивления. Диапазон изменения сопротивле заполнения на выходе ШИМ процессора это от
ния зависит от температуры. Как правило, эта ношение промежутка времени нахождения выхода
погрешность не устраняется при изготовлении в высоком логическом состоянии к периоду ШИМ.
с помощью калибровки, до тех пор пока сис Например, микропроцессор MC68VZ238 обеспечи
тема не тестируется на температурные изме вает как 16битовый, так и 8битовый выходной
нения. Однако, если АЦП системы достаточно код. Число бит определяет число шагов регулиро
устойчив к температурным изменениям, он вания выхода ШИМ. 8 бит наиболее пригодны для
может быть использован для компенсации регулирования выходного напряжения преобразо
температурных погрешностей. Тем не менее, вателя постоянного напряжения, обеспечивая 256
температурный дрейф достаточно незначите шагов регулирования изменение коэффициента
лен и обычно не является проблемой. заполнения от нуля до единицы.
Пример: используя обозначения из примера при Применение выходов с ШИМ обеспечивает наи
менения ЦАП, при рассмотрении схемы рис. 2 мож более дешевый способ регулирования выходного на
но увидеть, что пряжения, так как у большинства микропроцессоров
имеется, по крайней мере, один выход ШИМ. еется,
⎛ R1 ⎞ по крайней мере, один выход ШИМ. Не смотря на
U вых = U эт ⎜⎜1 + ⎟.

(10)
2 + R3 ⎠
⎝ R то, что эти способы дешевы (выходы ШИМ встрое
ны в микропроцессор), способы ШИМ оказываются
R3 – цифровой потенциометр, величина сопротив
ления которого может изменяться от R3+ до R3. Ана
логично АЦП величина R3+ может изменяться от
R3+(max) до R3(min), а величина R3 R3(min) до R3(max) (знаки
“+” и “–” в индексах формул указывают соответ
ственно на наибольшее и наименьшее значения со
ответствующего параметра). Все эти величины можно
получить, используя справочные данные на соответ
ствующий цифровой потенциометр.
Величины, аналогичные рассчитанным с помо
щью (6) и (9), используя описанный ранее способ,
можно получить, решив уравнения, приведенные Рис. 3. Преобразователь постоянного напряжения с ШИМ для
далее. регулирования выходного напряжения

34
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
дорогостоящими с точки зрения потребления энер да не приведет к формированию напряжения, доста
гии, поскольку на выходах ШИМ формируется опре точно высокого, чтобы вызвать повреждение других
деленный уровень “постоянного напряжения” в виде участков схемы. Эти измерения можно провести при
высокочастотных импульсов с последующей фильт тестировании готовой продукции, измеряя выходное
рацией. На переключение выходного каскада ШИМ напряжение ШИМ при изменении различных пара
на высокой частоте расходуется значительно больше метров (температуры, нагрузки источника питания и
энергии, чем потребляют маломощный ЦАП или по т. п.). Или же напряжение ЖКИ можно измерять с
тенциометр, по своей сути работающие на постоян помощью АЦП и поддерживать необходимый уровень
ном токе. В рассматриваемом преобразователе напряжения ЖКИ с помощью программного обеспе
(рис. 3) фильтрация напряжения на выходе ШИМ чения (раздел “Компенсация погрешностей в схеме
микропроцессора обеспечивается цепочкой R4–C1. цифрового регулирования”).
Резистор R3 необходим для предотвращения влияния Пример: используя обозначения из примера ис
изменяемого сигнала цепи обратной связи R1–R2 на пользования ЦАП (рис. 1) и рис. 3, выходное напря
напряжение на конденсаторе С1. жение (Uвых) можно определить, проведя следующие
Выходы ШИМ обладают, по своему характеру, замены в выражении (5):
крайне небольшой точностью, так как выходные на 3 R3 – на R3 + R4;
пряжения на них – есть функции цифровых уровней 3 UЦАП – на UШИМ = D UВВ + (1 – D) UВН,
UВВ и UВН. Вследствие того, что UВН и UВВ являются где UШИМ – среднее напряжение на выходе ШИМ;
параметрами логического выходного напряжения, их D – коэффициент заполнения; UВВ – высокое выход
справочные величины задаются крайне неточно: UВВ ное напряжение; UВН – низкое выходное напряжение.
– может находится в пределах UВВ min и Uп (напряже Таки образом
ния источника питания микропроцессора), UВН в пре
делах UВН max и “земли”. Поскольку, эти логические ⎛ R ⎞
уровни, в основном, зависят от напряжения питания, U вых = U эт ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟ + [U эт − DU ВВ +
они изменяются по мере изменения напряжения пи ⎝ R2 ⎠
тания микропроцессора. R1 (15)
+ (1 − D )U ВН ] .
Важные справочные данные для выхода ШИМ. R3 + R 4
h UВН и UВВ. Приводимые справочные уровни или
диапазоны для каждой из величин совместно с коэф Величина D может изменяться от D+ до D– (как пра
фициентом заполнения определяют номинальный вило, от 1 до 0 с дискретными приращениями). Ко
уровень выходного постоянного напряжения на вы эффициент заполнения имеет собственную
ходе ШИМ микропроцессора. погрешность (несмотря на то, что она не приводятся
h Коэффициент заполнения. Одинаково важны как в справочных данных на процессор), которая приво
диапазон, так и точность. Коэффициентом заполне дит к возникновению величин D+(max) и D+(min), а также
ния определяется, какую часть времени выход ШИМ D–(max) и D–(min). Логические выходные напряжения UВВ
будет находится в состоянии логической единицы и UВН также имеют собственные ошибки, приводящие
(UВВ), а какую в состоянии логического нуля (UВН). к возникновению величин UВВ(min), UВВ(max), UВН(min) и
h Частота ШИМ. Частота является важным пара UВН(max).
метром, поскольку для практического использования Величины, аналогичные полученным с помощью
напряжение с выхода ШИМ фильтруется с помощью выражений (6) (9), можно рассчитать, используя сле
фильтра нижних частот. Частота ШИМ используется дующие выражения
для расчета ослабления пульсаций этого напряжения
(напряжение ШИМ может изменяться от UВВ до UВН,
⎛ R1 min ⎞
поэтому для практического использования при регу U вых max() = U эт min ⎜1 + ⎟ + [U эт min −
⎜ R2 max ⎟
лировании выходного напряжзения преобразователя ⎝ ⎠
постоянного напряжения это прямоугольное напря − D −(max)U ВВ(min) + (1 − D −(max) )U ВН(min) ] × (16)
жение необходимо фильтровать для формирования
постоянного сигнала с малыми пульсациями). R1 min
× ;
Вследствие того, что величины UВВ и UВН описы (R3 + R4 )max
ваются с достаточно малой точностью, выходы ШИМ
наиболее целесообразно использовать в замкнутых
системах регулирования напряжения ЖКИ или уров
⎛ R1 max ⎞
ня громкости, где абсолютная погрешность не важ U вых min( + ) = U эт max ⎜1 + ⎟ + [U эт max −
на. В этих случаях при необходимости пользователь ⎜ R2 min ⎟
⎝ ⎠
просто повышает или понижает напряжение. Тем не
− D +(min)U ВВ(max) + (1 − D +(min) )U ВН(max) ] × (17)
мене, при погрешностях, вносимых напряжениями
выходов ШИМ, необходимо провести некоторые из R1 max
× ;
мерения, чтобы убедиться, что сигнал ШИМ никог (R3 + R4 )min

35
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

⎛ R1 max ⎞
U вых max( + ) = U эт max ⎜1 + ⎟ + [U эт max −
⎜ R2 min ⎟
⎝ ⎠
− D −(min)U ВВ(max) + (1 − D −(min) )U ВН(max) ] × (18)
R1 max
× ;
(R3 + R4 )min

⎛ R1 min ⎞
U вых min() = U эт min ⎜1 + ⎟ + [U эт min −
⎜ R2 max ⎟
⎝ ⎠
− D +(max)U ВВ(min) + (1 − D +(max) )U ВН(min) ] × (19) Рис. 4. Измерение погрешности преобразователя постоянного
напряжения и цифровая схема компенсации со встроенным АЦП
R1 min
× .
(R3 + R4 )max

Величины коэффициента заполнения, приводя


щие к превышению выходным напряжением желае
мой величины (аналогично кодам ЦАП или
потенциометра) можно исключить способами, опи
санными в следующем разделе.

Компенсация погрешностей в схеме


цифрового регулирования
Существуют два стандартных способа компенса
ции погрешностей цифровой схемы, используемой
для регулирования выходного напряжения преобра
зователя постоянного напряжения (рис. 4, 5). Оба
способа включают измерение выходного напряжения Рис. 5. Измерение погрешности преобразователя постоянного
преобразователя с помощью АЦП. Полученные ре напряжения и цифровая схема компенсации при заводских
испытаниях
зультаты измерения (или измерений) используются
для компенсации исходных погрешностей схемы
цифрового регулирования и самого преобразователя.
В первом способе АЦП установлен на системной ка питания ЖКИ, выходное напряжение ЦАП долж
плате (рис. 4), а во втором он используется, как со но быть увеличено до значения, при котором выход
ставная часть проверочного оборудования при завод ное напряжение преобразователя постоянного
ских испытаниях (рис. 5). Оба способа имеют как напряжения будет ниже, до того, как питание будет
достоинства, так и недостатки. подано на сам преобразователь. Один из способов
Преимущество использования АЦП, установлен обеспечения такого режима это задержка включения
ного на системной плате, состоит в том, что при этом преобразователя до момента формирования на выхо
не требуется отдельная операция при заводских ис де ЦАП соответствующего уровня напряжения. Дру
пытаниях. Кроме того, если АЦП устойчив к измене гой способ избежать проблем перенапряжения выбор
ниям температуры, с его помощью можно ЦАП, на выходе которого при подаче питания фор
скомпенсировать температурные дрейфы, присущие мируется напряжение, близкое к середине рабочего
цифровым устройствам регулирования и сами преоб диапазона выходных напряжений АЦП.
разователям постоянного напряжения. Однако, ис В большинстве случаев при подаче напряжения
пользование системного АЦП требует его питания на выходах цифровых потенциометров фор
повышенной точности, а также выделения для него мируется напряжение из середины диапазона рабо
отдельного канала. чих напряжений. Однако, если при включении
середина диапазона рабочих напряжений потенцио
Вопросы перенапряжений метра вызывает появление на выходе преобразовате
Многие ЦАП при подаче на них питания форми ля постоянного напряжения ЖКИ напряжения,
руют на выходе нулевое напряжение, что приводит к превышающего Uвых max(+), (рис. 3, выражение (13)),
появлению на выходе преобразователя максимально напряжение питания не должно подаваться на пре
го напряжения Uвых max (рис. 1), что соответствует вы образователь до тех пор, пока на цифровом потенци
ражению (5). Если U вых max(+) (выражение (8)) ометре не установится напряжение более высокого
превышает рабочий диапазон напряжений источни уровня.

36
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Н. Н. Петросян, П. С. Манукян

АНАЛИЗ РЕЗОНАНСНОГО ИНВЕРТОРА С ЗАКРЫТЫМ


ВХОДОМ ДЛЯ ИНДУКЦИОННОГО НАГРЕВА С ШИРОТНО-
ИМПУЛЬСНЫМ РЕГУЛИРОВАНИЕМ ВХОДНОГО
НАПРЯЖЕНИЯ

Приведены две схемы резонансных инверторов для велики. Даже использование преобразователей с уд
индукционного нагрева. Получены аналитические вы2 воением частоты практически не приводит к сниже
ражения и временные диаграммы, позволяющие опре2 нию массогабаритых параметров [3].
делить характер изменения токов и напряжений в Использование управляемого тиристорного вып
схемах, а также оценить их максимальные значение рямителя, а также преобразователей на IGBтранзис
с целью минимизации массо2габаритных характери2 торах, построенных только на инверторе, не всегда
стик преобразователей. позволяет получать требуемые мощностные парамет
ры. Поэтому возникает необходимость использова
В настоящее время широко используются техноло ния широтноимпульсного регулятора (ШИР) на
гии, в основу которых положен индукционный нагрев, входе инвертора, т. е. построения преобразователя по
например, для термической обработки деталей, сварных структуре “выпрямитель–ШИР–резонансный ин
соединений, сборкиразборки узлов и механизмов, со вертор (РИ)–нагрузка”.
прягаемых посредством горячей посадки и т. д. В систе В статье приводится анализ схемы резонансных
мах индукционного нагрева нагрузкой преобразователя инверторов на IGBтранзисторах по структуре “вып
является параллельный или последовательный резонан рямитель–ШИР–РИ–нагрузка” для индукционного
сный контур, образованный нагревающейся деталью нагрева.
(индуктором) и компенсирующей его реактивную мощ Схемы преобразователей по структуре “выпрями
ность емкостью. тель–ШИР–резонансный инвертор (РИ)–нагрузка”
Существует много работ [1, 2, 3], где используется показаны на рис. 1 а и б.
параллельный резонансный контур, питаемый пре В обеих схемах ШИР реализован на одном IGB
образователем частоты (ПЧ) на основе инвертора. В транзисторе с защитной RCцепью.
этих работах недостаточно полно рассмотрены труд На выходе ШИР среднее значение напряжения
ности, возникающие при реализации источника тока оценивается следующим выражением:
большой мощности. Дело в том, что при больших

мощностях необходимо вводить регулирующее звено U d (t ) =
[U d 0 − I d (t ) ⋅ rт ] , (1)
постоянного тока, преобразующее полный поток T
энергии, а это значительно ухудшает массогабарит где tи – время проводимости транзисторa VT1; T – пе
ные показатели инвертора изза наличия дросселя. риод рабочей частоты импульсного регулятора;
Указанный недостаток особенно существенен в Id(t) – сглаженный ток на входе инвертора, rт – экви
тиристорных преобразователях, так как рабочая час валентное сопротивление транзистора VT1 в откры
тота тиристоров обычно низка (до нескольких кило том состоянии; Ud0 – выпрямленное напряжение на
герц), а масса и габариты таких преобразователей выходе выпрямителя на диодах (VD1…VD6).

а б

Рис. 1. Полумостовая (а) и мостовая (б) схемы инверторов

37
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Рассмотрим принцип действия полумостового
преобразователя, допуская, что на вход инвертора по ⎧ 1 1 ⎫
дается регулируемое напряжение Ud. ⎪ 0 Lк
0
Lн ⎪
Для упрощения описания процесса примем, что ⎧iLк (t ) ⎫ ⎪ ⎪
ток Id на входе инвертора неизменен, т. е. индуктив ⎪ ⎪ ⎪− 1 0 0 0 ⎪
• d ⎪uCк (t ) ⎪ ⎪ C ⎪
X (t ) = ⎨ A=⎨ к
1 ⎬
ность LF по крайней мере на порядок больше, чем Lк ⎬; ;
(коммутирующая индуктивность). dt ⎪iLн (t ) ⎪ ⎪ 0 0 0 ⎪
Нагрузка показана в виде параллельного соедине ⎪⎩uCн (t )⎪⎭ ⎪ Lн ⎪
ния элементов Lн, Rн, Сн. ⎪ 1 1 1 ⎪
⎪− 0 − − ⎪
Эквивалентная схема полумостового инвертора ⎩ Cн Cн Rн ⎭
для установившегося периодического режима пока
зана на рис. 2, где Lк1 = Lк2= Lк; Cк1 = Cк2 = Cк.

⎧0 ⎫
⎧iLк (t ) ⎫ ⎪ 1 ⎪
⎪u (t ) ⎪ ⎪ ⎪
⎪ Cк ⎪ ⎪ 2Cк ⎪
X (t ) = ⎨ ⎬; B=⎨ ⎬ ; U (t ) = I d (t ) . (4)
⎪iLн (t ) ⎪ ⎪0 ⎪
⎪⎩uCн (t )⎪⎭ ⎪ 1 ⎪
⎪ ⎪
⎩ 2Cн ⎭

Уравнение (3) можно решить по методике, приве


Рис. 2. Эквивалентная схема инвертора денной в [2]. Так как в общем виде решить уравнение
(4) аналитически достаточно сложно, то дополнитель
В процессе работы происходит периодическая сме но примем, что нагрузка работает в режиме резонан
на состояний инвертора. Если считать транзисторы и са токов, при котором ХСн = ХLн, а нагрузку можно
диоды идеальными, то возможны следующие режи считать чисто активной. Эквивалентную схему рис. 2
мы работы схемы: при принятых допущениях можно представить в виде
а) открыты вентили VT2 и VD8; рис. 3а – для полумостовой схемы и рис. 3б – для мо
б) открыты вентили VT3 и VD9, т. е. в каждом по стовой схемы.
лупериоде работают транзистор и диод (рис. 1а). В каждом полупериоде рабочей частоты характер
При принятых допущениях для эквивалентной изменения тока через Lк (Lк1, Lк2) определяется сле
схемы получается следующая система дифференци дующим образом[3]:
альных уравнений:
UCк (0) − 0,5I d Rн −δt
i к (t ) = e sin ωt +
ωLк
⎧ diLк (t ) 1 1
⎪ = uCк (t ) + uн (t) ; ⎡ δ ⎤
⎪ dt L к L к + 0,5I d ⎢(1 + e−δt (cosωt − sin ωt )⎥ .
⎪ duCк (t ) ⎣ ω ⎦
1 1
⎪ = − iLk (t ) + I d (t) ;
⎪ dt Cк 2Cк
⎪⎪ diLн (t ) 1
⎨ = uн (t) ;
⎪ dt Lн
⎪ duCн (t ) 1 1 (2)
⎪ =− iLк (t ) − iL (t ) −
⎪ dt Cн Cн н
⎪ 1 1
⎪ − uн (t ) + I d (t ) ,
⎪⎩ Rн 2Cн а

где iLk(t), uCk(t), iLн(t) и uCн(t) – соответственно токи и


напряжения на элементах эквивалентной схемы.
Уравнение (2) легко представить в матричновек
торной форме:
X(t ) = AX(t ) + BU(t ) , (3)
где X(t) – вектор переменных состояния; U(t) – век
б
тор входных сигналов; А – матрица состояния; В –
Рис. 3. Упрощенные эквивалентные схемы инверторов:
матрица воздействия. Из (2) имеем: а – полумостового; б – мостового

38
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Напряжение на коммутирующем конденсаторе Ck
2δωk L
(Ck1,Ck2) изменяется по закону tg(ωt m ) = , (14)
ω2 (1 − k L ) + δ 2 (1 + k L )
δ
uCк (t ) = (0,5I d Rн − uCк (0))e −δt (cos ωt + sin ωt ) − где tm – моменты времени, при которых напряжения
ω на транзисторах инвертора достигают минимального
I d −δt (6) и максимального значений.
− e sin ωt + 0,5I d Rн .
ωCк С помощью вышеприведенных уравнений оцене
ны также максимальные токи через транзистор и диод:
2
Rн 1 ⎛ R ⎞ 4U d
δ= ; ω= − ⎜⎜ н ⎟⎟ . (7) I VT max = Bn 2e − α ctg α sin α ; (15)
2 Lк LкCк ⎝ 2 Lк ⎠ ω1Lk
Используя (4) и (5), можно найти напряжение на
закрытом транзисторе: 4U d
I VD max = Bn 2e −( α + π) ctg α sin(α + π) , (16)
u VT (t ) = uCк (t ) + I d (t ) Rн . (8) ω1Lk
Напряжение на Lk можно определить вырaжением
ω 1
u Lк (t ) = Lк (diк / dt ) , где tg α = ; n= ;
δ 1 − exp(−π / 2Q )
а добротность контура Q определяется соотношением
−1
2 ⎡ 2 ⎤
ω ⎛ ρк ⎞ B = ⎢1 + (2n − 1)2 − (2n − 1) sin(2α)⎥ . (17)
Q= = ⎜⎜ ⎟⎟ − 1 , (9) ⎣ π ⎦
2δ ⎝ 2Rн ⎠
На рис. 4, 5 приведены зависимости (15), (16) и
(18). Как видно из этих зависимостей действующее

где ρк = . значение тока через транзисторы (VТ2,V3) и через
Cк диоды (VD6, VD9) (рис. 1а) соответственно опреде
На практике наиболее часто применяется мосто ляются в виде
вая схема [4], в которой максимальное напряжение
на вентилях вдвое меньше, чем в полумостовой схе 2U d
I VT = B ⋅ n tg α(2n − 1) ; (18)
ме, однако следует учесть, что уменьшение последо ω 0 Lk
вательных вентилей в контуре цепи нагрузки может
привести к снижению КПД. n −1
I VD = I VT ; (19)
Напряжение на закрытом транзисторе можно оп n
ределить из уравнения
1
uVT (t ) = uCк (t ) + uLк (t ) . (10) ω0 = . (20)
LкCк
Используя выражения для uCk и uLk из (10), получим
Величину Id входного тока инвертора можно най
uVT (t ) = U d (t ) + Rн ⋅ I d (t ) − U э (t ) ⋅ e −δt ×
ти, если учесть соотношение между максимальным
⎡ δ ⎤ (11) током транзистора и Id:
× ⎢(1 − k L ) ⋅ cos ωt + (1 + k L ) ⋅ sin ωt ⎥ .
⎣ ω ⎦
I VT max / I d = 2π ⋅ n 2 exp(−α ⋅ ctg α) /[(2n − 1) sin α] . (21)
где kL – коэффициент распределения индуктивности
в схеме инвертора, который определяется как С учетом (15) и (21) получим

kL = . (12) 2U d
Lк + L3 Id = B ⋅ (2n − 1) sin(2α) . (22)
πω1L0
Для правильной работы инвертора необходимо,
чтобы коэффициент распределения индуктивности kL Действующее значение тока нагрузки равно
был не ниже некоторого критического значения
π
[4, 5] (kL > 0,7) во избежание появления внутренней 1 2
циркуляции токов между реактивными элементами
IH =
π0 ∫
i Н (ϑ)dϑ . (23)
инвертора и перегрузки транзисторов по току и по
скорости изменеия токов di/dt. Учитывая, что ток нагрузки iH определяется выра
Экстремумы напряжения на транзисторах опреде жением
ляются из уравнения:
U ⎛ −δ ⎞
du VT (t ) i H (ϑ) = exp⎜ ϑ⎟ − I d , (24)
=0, (13) ωL0 ⎝ ω ⎠
dt
откуда для действующего значения тока нагрузки получим

39
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

а б

Рис. 4. Зависимости максимальных значении токов: а – через транзистор; б – через диод

2I d b
I H = I d2 + [exp(−aπ) + 1] + L
π(a 2 + 1)
b 2 (a + 1) (25)
L+ [1 − exp(−2πa)].
2πa(a + 2)

δ U
где ϑ = ωt ; a = ; b = 0 ; U 0 = 4Bn 2U d . (26)
ω ωL0
Зависимости максимального напряжения UVT max/Ud
на транзисторах в относительных единицах от доброт
ности и коэффициента распределения индуктивностей
KL приведены на рис. 5. Наибольшее значение UVT max/Ud
имеет при добротности Q = 0,8 ... 1,0.
Рис. 5. Зависимости максимальных значении напряжении на
Временные диаграммы токов и напряжений для ключевых элементах схемы
схемы рис. 1б, полученные с помощью системы
OrCAD 9.2 при параметрах: Pн = 40 кВт; f = 50 кГц;
Q = 1,25; kL = 0,7; Ud = 500 В, приведены на рис. 6. Как видно из приведенных зависимостей видно,
Гармонический состав тока нагрузки показан на что ток через обратный диод примерно в 4…5 раз
рис. 7. Как видно, в данном случае коэффициент гар меньше прямого максимального тока, проходящего
моники kг ≈ 12,0%. через транзистор, что обеспечивает оптимальный ре

Рис. 6. Временные диаграммы токов и напряжений, полученные с помощью системы “Orcad 9.2”

40
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Гармонический состав тока нагрузки Рис. 8. Опытный образец преобразователя на


IGB–транзисторах мощностью 40кВт

жим инвертора [6]. На рис. 8 показан внешний вид ника, № 12, 2000, С. 31–35.
опытного образца транзисторного преобразователя 2. Потемкин В. Г. Система инженерных и научных
на IGBтранзисторах мощностью 40 кВт. расчетов MATLAB 5.x. – В 2х т. Том 1. М.: ДИАЛОГ
Преобразователь по рис. 8 используется для плав МИФИ, 1999. – 366с.
ки цветных металлов, в преобразователе осуществля 3. Шапиро С. В. и др. Тиристорные генераторы уль
ется водяное охлождение. тразвуковой частоты. – М.: Энергоатомиздат, 1986. –
144 с.
Выводы 4. Тиристорные преобразователи частоты для ин
1. Получены основные расчетные формулы для оп дукционного нагрева металлов // Труды Уфимского
ределения максимальных значений токов и напряже авиационного института. – Уфа: УАИ, 1971,
ний на элементах схемы, для правильного выбора вып. XXII. Сборник 1; – 130 с.
основных силовых элементов преобразователя. 5. Руденко В. С., Сенько В. И., Чиженко И. М. Ос
2. Получены временные и статистические харак новы преобразовательной техники. – М.: Высшая
теристики преобразователя в зависимости от парамет школа, 1980. – 424 с.
ров нагрузки, вчастности, от добротности. 6. Силкин Е. М. Транзисторные преобразователи
3. На примере резонансного преобразователя мощ частоты для индукционного нагрева // Электротех
ностью 40 кВт рассчитан гармонический состав тока ника, 2004, №10, С. 24–30.
нагрузки, что важно знать в зависимости типа оплав
ляемого металла.
4. Разработан и внедрен в производство опытный
образец транизисторного преобразователя мощнос Петросян Норик Нагапетович, зав. кафедрой элек2
тью 40 кВт. тронной техники, к. т. н., доцент Государственного
инженерного университета Армении(ГИУА), тел. 2292,
Литература 58236262;
1. Поляков В. Д., Чаколья Э. Высокочастотный ге Манукян Паргев Суренович, асистент кафедры
нератор для индукционного нагрева // Электротех Электроэнергетики ГИУА, тел. 2202, 55217242.

41
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. А. Шевцов, Д. Р. Манбеков

АНАЛИЗ НЕСИММЕТРИЧНЫХ РЕЖИМОВ


ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ СЕРДЕЧНИКА ТРАНСФОРМАТОРА В
ДВУХТАКТНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ С ДРОССЕЛЕМ
ПОСТОЯННОГО ТОКА В ПЕРВИЧНОЙ ЦЕПИ

В статье представлены результаты количествен2 симметричном режиме перемагничивания. Таким


ного анализа несимметричного режима перемагничи2 образом, коэффициент несимметрии определяется
вания сердечника силового трансформатора в следующим отношением:
двухтактных транзисторных преобразователях с
IН −IС
дросселем постоянного тока в первичной цепи. Ана2 КН = .
лиз проводился при варьировании следующих парамет2 IС
ров: разности длительностей смежных управляющих Для моделирования использовалась программа
импульсов, коэффициента заполнения. OrCAD 9.2. Результаты моделирования представлены
на рис. 6, 7 для структуры 1, рис. 8, 9 для структуры 2
В [1, 2, 3] приведены результаты моделирования и и рис. 10, 11 для структуры 3. Каждому из графиков
анализа несимметричного режима перемагничивания соответствует изменение одного из следующих пара
сердечника силового трансформатора в двухтактных метров. При варьировании разницы длительностей
структурах с дросселем постоянного тока во вторич смежных управляющих импульсов Δt (рис.6, 8, 10)
ной цепи и дросселем переменного тока в первичной коэффициент заполнения принимается равным по
цепи. Результаты показали, что при наличии разно ловине от максимально допустимого для конкретной
сти длительностей управляющих импульсов возника структуры. При варьировании коэффициента запол
ет режим несимметричного перемагничивания. Это нения (kз) (рис. 7, 9, 11) Dt имело фиксированное зна
приводит к одностороннему магнитному насыщению чение, равное 5% от длительности полупериода.
сердечника силового трансформатора в конце полу Напряжение питания (V1) во всех структурах равно
периодов и далее к броскам тока через силовые тран 300 В.
зисторы. В результате этого: Результаты моделирования показали, что данным
y снижается надежность; структурам, также как и ранее рассмотренным [2, 3],
y ухудшается электромагнитная совместимость; характерно появление режима несимметричного пе
y увеличиваются потери мощности в силовом ремагничивания сердечника силового трансформато
каскаде; ра. Причиной могут послужить любые неодинаковости
y уменьшается КПД. электрических параметров плеч, а также смежных
В статье рассмотрены силовые структуры двухтак импульсов управления. При этом отметим еще раз,
тных преобразователей постоянного напряжения с что любая неодинаковость электрических параметров
дросселем постоянного тока в первичной цепи, изоб плеч силового каскада может быть сведена к эквива
раженные на рис.1–3. лентной несимметрии длительностей управляющих
Общая для всех рассмотренных структур вторич импульсов.
ная цепь показана на рис. 4. Отметим основные закономерности результатов
Для структуры 1 применен алгоритм управления моделирования:
типа “С” [2]. Для структур 2 и 3 использовался алго y с увеличением частоты в 4 раза происходит уве
ритм управления типа “D”, показанный на рис. 5. личение КН в 24 раза;
Также отметим, что максимальный коэффициент y увеличение разницы длительностей смежных уп
заполнения (kз) управляющих импульсов для струк равляющих импульсов с 5% до 15% приводит к
тур 1 и 2 не превосходит 0,5. Прочие особенности, а увеличению КН в 2,5 раза;
также положительные и отрицательные стороны рас y постоянная составляющая тока первичной цепи
смотренных структур приведены в [4]. может превосходить приведенный ток нагрузки;
Для представления результатов моделирования y возникновение эффекта интегрирования тока
введено понятие коэффициента несимметрии (КН). первичной обмотки трансформатора в рас
Под КН понимается отношение разности токов, по смотренных режимах моделирования не на
требляемых от первичного источника питания (V1) в блюдалось;
несимметричном (IН) и симметричном (IС) режимах y приведенные закономерности справедливы и для
перемагничивания к току, потребляемому от сети при других схем выпрямления, представленных в [2].

42
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 1. Структура силового каскада 1 с дросселем постоянного Рис. 5. Закон управления типа “D” для силовых ключей S1–S5
тока в первичной цепи в структурах 2 и 3

Рис. 6. Зависимость КН от частоты при изменении Δt


(структура 1)

Рис. 2. Структура силового каскада 2 с дросселем постоянного


тока в первичной цепи

Рис. 7. Зависимость КН от частоты при изменении kз


(структура 1)
Рис. 3. Структура силового каскада 3 с дросселем постоянного
тока в первичной цепи

Рис. 4. Вторичная цепь силовых Рис. 8. Зависимость КН от частоты при изменении Δt


структур (структура 2)

43
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 9. Зависимость КН от частоты при изменении kз Рис. 11. Зависимость КН от частоты при изменении kз
(структура 2) (структура 3)

Практическая силовая электроника, № 31, 2008.


С.48–50.
3. Шевцов Д. А., Манбекво Д. Р. Анализ несиммет
ричных режимов перемагничивания сердечника
трансформатора в двухтактных преобразователях с
дросселем переменного тока в первичной цепи //
Практическая силовая электроника, № 32, 2008, С.
46–47.
4. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный
анализ и классификация методов симметрирования
Рис. 10. Зависимость КН от частоты при изменении Δt
(структура 3) двухтактных преобразователей напряжения с
ШИМрегулированием // Силовые транзисторные
устройства. Выпуск 2. / Тематический сборник на
Литература учных трудов. Под редакцией Е. В. Машукова – М.:
1. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Моделирование “ЭконИнформ”, 2006. С. 58–75.
процессов несимметричного перемагничивания двух
тактных ИВЭП // Практическая силовая электрони Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафед2
ка, № 30, 2008, С. 41–45. ры”Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
2. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Количественный (499)158245259;
анализ несимметричных режимов перемагничивания Манбеков Дмитрий Рауфович, аспирант кафедры
трансформаторов в двухтактных преобразователях с “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
дросселем постоянного тока во вторичной цепи // (499)158245259.

44
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. Р. Манбеков, Д. А. Шевцов

СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РАЗЛИЧНЫХ ТИПОВ


ТРАНЗИСТОРНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ПОСТОЯННОГО
НАПРЯЖЕНИЯ ПРИ НЕСИММЕТРИЧНОМ РЕЖИМЕ
ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ

В статье представлен сравнительный анализ режимов структур двухтактных преобразователей представле


перемагничивания двухтактных транзисторных преобра2 ны на рис. 1. При этом коэффициент заполнения kз
зователей различных типов при наличии факторов, при2 равен половине от максимально возможного для кон
водящих к несимметричному режиму перемагничивания кретной структуры.
сердечника силового трансформатора. Приведены досто2 На рис. 2 в качестве параметра принят kз, а Δt
инства и недостатки рассмотренных типов преобразо2 зафиксировано и составляет 5% от полупериода
вателей и проанализированы основные закономерности преобразования.
режима несимметричного перемагничивания. Представленные зависимости позволяют сделать
следующие выводы:
Сравнительный анализ проводился для двухтакт – неодинаковость параметров плеч преобразова
ных преобразователей следующих типов: теля оказывает наименьше влияние на режим пере
h с дросселем постоянного тока во вторичной магничивания в структурах с дросселем постоянного
цепи [2]; тока в первичной цепи;
h с дросселем переменного тока в первичной – наибольшее влияние разброс параметров оказы
цепи [3]; вает на режим перемагничивания в структурах с дрос
h с дросселем постоянного тока в первичной селем постоянного тока во вторичной цепи.
цепи [4]. Далее отметим другие достоинства и недостатки
Для количественной оценки несимметричности рассмотренных типов силовых каскадов.
режима перемагничивания используется коэффици Основными достоинствами структур с дросселем
ент несимметрии КН: постоянного тока в первичной цепи являются:
y наименьшая опасность возникновения сквозных
IН −IС
КН = . токов;
IС y малая перекрестная нестабильность при исполь
где IН – ток, потребляемый от первичного источника зовании в многоканальных преобразователях;
при несимметричном режиме перемагничивания; y ниже потери в первичной цепи (рис. 2 [4]), чем в
IС – ток, потребляемы от первичного источника при структурах других типов при прочих равных усло
симметричном режиме перемагничивания. виях;
Анализ проведен на основе исследований, резуль y наименьшая подверженность эффекту несиммет
таты которых изложены в [1, 2, 3, 4]. ричного перемагничивания сердечника силово
Зависимости КН от частоты преобразования при го трансформатора;
варьировании разности длительностей смежных уп y технологичность в производстве при использо
равляющих импульсов Δt для трех упомянутых выше вании в многоканальных преобразователях.

Рис. 1. Зависимости Кн(f) при изменении Δt Рис. 2. Зависимости Кн(f) при изменении kз для 3х типов
для 3х типов структур структур

45
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
К недостаткам этих структур можно отнести: 3 необходимо применять специальные узлы для
3 для структур (рис. 1, 2 [4]) имеет место ограни вычисления вольтсекундного интеграла для ис
чение коэффициента заполнения (kз) от 0 до 0,5; ключения магнитного насыщения сердечника
3 изза усложненной структуры силовых каска силового трансформатора в переходных режи
дов имеет место более сложный алгоритм уп мах;
равления, что, однако, не сказывается на массе 3 для структур данного типа при определенном ал
преобразователя; горитме управления возможно возникновение
3 при насыщении сердечника дроссель перестает эффекта интегрирования тока.
оказывать симметрирующее воздействие.
К достоинствам структур с дросселем переменно Заключение
го тока в первичной цепи относятся: Исходя из проведенного анализа, основанного на
y малая перекрестная нестабильность при исполь компьютерном моделировании, можно сделать сле
зовании в многоканальных преобразователях; дующие выводы:
y технологичность в производстве при использо — режим несимметричного перемагничивания по
вании в многоканальных преобразователях; является изза неодинаковости любых электрических
y kз может изменяться во всем диапазоне от 0 до 1; параметров плеч преобразователя. Это, в свою оче
y менее остро стоит проблема несимметричного редь, приводит к неодинаковости вольтсекундных
перемагничивания сердечника силового транс интегралов смежных полупериодов. Возникающее
форматора, чем в структурах с дросселем посто при этом магнитное насыщение сердечника транс
янного тока во вторичной цепи. форматора приводит к броскам тока в конце полупе
При этом они имеют следующие недостатки: риодов, что отрицательно сказывается на надёжности,
3 наихудшие энергетические характеристики из электромагнитной совместимости, а также приводит
рассматриваемых типов структур при прочих равных к увеличению потерь и, следовательно, к снижению
условиях [5]; КПД;
3 нелинейная регулировочная характеристика; — неодинаковость любых параметров может быть
3 не происходит увеличения выходного напряже сведена к эквивалентной разности длительнос
ния при kз > 0,5; тей смежных управляющих импульсов. Следова
3 опасность возникновения сквозных токов. тельно, изменяя их длительность можно
Вторым серьезным минусом данного типа струк компенсировать причины несимметрии;
тур является возможность возникновения эффекта — во всех типах рассмотренных структур двухтак
интегрирования тока первичной обмотки (рис. 3) при тных силовых каскадов с увеличением частоты
определенных параметрах и алгоритме управления [2]. преобразования происходит увеличение КН. При
Достоинствами структур с дросселем постоянно этом в структурах с дросселем постоянного тока
го тока во вторичной цепи являются: во вторичной цепи имеет место наиболее быст
y линейная регулировочная характеристика; рый рост КН от частоты преобразования. Одна
y КПД подобных структур выше при прочих рав ко следует отметить, что наличие индуктивности
ных условиях; рассеивания сердечника трансформатора (как
y изменение kз возможно во всем диапазоне (0...1). реактивного сопротивления) в ряде случаев мо
Недостатки этих структур следующие: жет приводить к уменьшению скорости роста КН
3 наиболее остро стоит проблема несимметрии и с увеличением частоты;
сквозных токов; — в двухтактных структурах преобразователей с
3 большая перекрестная нестабильность в много дросселем постоянного тока во вторичной цепи
канальных преобразователях; возможно возникновение эффекта интегрирова
3 нетехнологичность производства при использо ния тока [1, 2];
вании в многоканальных преобразователях; — с увеличением частоты преобразования КН воз
растает быстрее, чем по линейному закону;
— в структурах двухтактных преобразователей с
дросселем постоянного тока в первичной цепи
при насыщении его сердечника (например в пе
реходных и аварийных режимах) дроссель пере
стает оказывать симметрирующее воздействие;
— для обеспечения нормальной работы преобра
зователя требуются автоматические симметри
рующие контуры, сохраняющие свою
работоспособность, как в установившихся, так
в переходных и аварийных режимах.
Рис. 3. Ток первичной обмотки трансформатора при возникнове Проведенный анализ позволяет сделать вывод, что
нии эффекта интегрирования тока ни один из рассмотренных типов двухтактных тран

46
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
зисторных преобразователей постоянного напряже трансформаторов в двухтактных преобразователях с
ния нельзя считать пригодным для эксплуатации без дросселем постоянного тока во вторичной цепи //
применения специальных схем симметрирования. Практическая силовая электроника, Выпуск 31, 2008,
Следовательно, для обеспечения работоспособности С. 48–51.
РППН их необходимо снабжать специальными схе 3. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Анализ несиммет
мами симметрирования, которые должны удовлетво ричных режимов перемагничивания сердечника
рять следующим требованиям: трансформатора в двухтактных преобразователях с
Š быть пригодными, как для одноканальных, так дросселем переменного тока в первичной цепи. Вы
и для многоканальных двухтактных транзисторных пуск 32, 2008, С. 46–47.
преобразователей; 4. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный ана
Š сохранять работоспособность в установивших лиз различных типов двухтактных транзисторных пре
ся, переходных и аварийных режимах во всем диапа образователей постоянного напряжения при
зоне питающих напряжений, токов нагрузки и несимметричном режиме перемагничивания // Прак
температур окружающей среды; тическая силовая электроника, № 1( 33), 2009, С.
Š быть пригодными для серийного производства; 5. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Сравнительный ана
В связи с изложенными требованиями симметри лиз и классификация методов симметрирования двух
рующие схемы должны строиться не по параметри тактных преобразователей напряжения с
ческому принципу, а по компенсационному, как ШИМрегулированием.// Силовые транзисторные
системы автоматического регулирования с управле устройства. Выпуск 2./ Под редакцией Машукова Е.
нием по отклонению. В. – М.: ЭконИнформ, 2006, С. 58–74.

Литература
1. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Моделирование Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафед2
процессов несимметричного перемагничивания двух ры”Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
тактных ИВЭП // Практическая силовая электрони (499)158245259;
ка, Выпуск 30, 2008, С. 41–45. Манбеков Дмитрий Рауфович, аспирант кафедры
2. Шевцов Д. А., Манбеков Д. Р. Количественный “Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
анализ несимметричных режимов перемагничивания (499)158245259.

47
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Д. А. Шевцов, Буй Дык Кыонг

ИСТОЧНИК ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ С


РЕГУЛИРУЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ

В статье рассмотрен источник вторичного элект2 y реле (РНП), блокирующее схему от понижения
ропитания (ИВЭП) с регулируемым выходным напряже2 напряжения питания при пониженном напря
нием, предназначенный для испытательного стенда жении питания ИМС – оно находится в состоя
коммутационной аппаратуры. Выходное постоянное нии “Выключено” и потребляет малый ток
напряжение имеет широкий диапазон регулирования от (менее 1 мА);
0 до 110 В при достаточной высокой стабильности. y непрерывный стабилизатор напряжения (НСН);
Максимальный выходной ток 0,3 А (при максимальном y источник опорного напряжения на ширине зап
выходном напряжении 110 В). рещенной зоны с подстройкой (ИОН);
y источник смещения на 2,5 В;
Схема сетевого ИВЭП с бестрансформаторным y усилитель сигнала рассогласования DA1;
входом на основе регулируемого преобразователя по y компаратор ограничения тока DA2;
стоянного напряжения представлена на рис. 1. Регу y компаратор ограничения тока с порогом 1 В,
лирование выходного напряжения обеспечивается обеспечивающий защитные функции.
изменением внешнего опорного напряжения Логические элементы DD1, DD4 и триггеры DD2,
(0…11 В). Постоянное выходное напряжение форми DD3 служат для обеспечения переключения выход
руется в выпрямлением напряжения сети (220 В, ных каскадов с фиксированной частотой, задаваемой
50 Гц) с последующим его преобразованием в высо генератором ГТИ как в номинальном, так и в аварий
кочастотное переменное (50 кГц) и выпрямлением. ном режимах.
Гальваническая развязка входа и выхода обеспечива Выходной двухтранзисторный каскад предназна
ется с помощью трансформаторов Тр1 и Тр2. Стаби чен для работы на большую емкостную нагрузку, на
лизация выходного напряжения осуществляется пример, затворы мощных МОПтранзисторов.
методом ШИМ. Временные диаграммы процессов, поясняющие
Для управления силовым каскадом преобразова работу схемы, приведены на рис. 3.
теля использована специализированная микросхема Принципиальная электрическая схема ИВЭП по
ШИМконтроллера UC3845, функциональная схема казана на рис. 4.
которой представлена на рис. 2. Силовой каскад ИВЭП выполнен на основе одно
В состав микросхемы входят: тактного обратноходового преобразователя на сило
y генератор тактовых импульсов (ГТИ); вом МДПтранзисторе VT1 и трансформаторе TV2,

Рис. 1 Функциональная схема ИВЭП

48
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 2. Функциональная схема микросхемы UC3845

изготовленном на кольцевом сердечнике из магнито


диэлектрика марки МП140 (рис. 5).
Размеры сердечника TV2 находятся из минималь
ной необходимости для обеспечения мощности
ИВЭП
2μμ 0
V мин = P0 = 1,708 ⋅10 −6 ,
B m2 ⋅ f
где Р0 = 33 Вт – максимальная мощность ИВЭП;
μ = 140 – относительная магнитная проницаемость
материала;
μ0 = 4π ⋅ 10–7 Гн/м магнитная постоянная;
f = 50 кГц – частота преобразования;
Вт = 0,4 Тл – максимально допустимое значение
индукции.
По таблице типоразмеров выбран сердечник
27×15×6 мм.
В соответствии с законом электромагнитной ин
дукции, число витков обмоток определяется:
Рис. 3. Временные диаграммы, поясняющие работу
микросхемы UC3845

Рис. 4. Принципиальная электрическая схема ИВЭП

49
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.
Узел гальванической развязки выполнен на тран
k з max
w1 = E п. ном = 215,9 витков; зисторной оптопаре DA3.
f ⋅ S с ⋅ Bm Цепь защиты силового транзистора VT1 от пере
выбрано w1 = 216 витков; напряжений, обусловленных индуктивностями рас
сеяния обмоток трансформатора TV2, выполнена на
1 − k з max элементах VD4, R6, C7.
w 2 = (U н + ΔU д ) = 77,1 витков; Датчик тока выполнен на резисторе R2, номинал
f ⋅ S с ⋅ Bm
которого определяется последующим условиям:
выбрано w1 = 78 витков,
⎧I c max ⋅ R2 = U оп ;
где, Sс = 36 мм2 – площадь поперечного сечения маг ⎪I ⋅ E
нитного сердечника. ⎪ c ср п min
⎨ = Pн max ;
ΔUд = 1 В – падение напряжения на диоде. ⎪ η
⎪⎩I c ср = 0,5I С max ⋅ k з max ,

где: Uоп – опорное напряжение компаратора токовой


защиты ШИМконтроллера;
Ic – ток стока силового транзистора;
kз max – максимальный коэффициент заполнения;
η = 0,9 – ориентировочный КПД.
Из приведенных выше условий получаем:

Рис. 5. Кольцевой сердечник η ⋅ Pн max


I с ср = = 0,14 А;
E п min
Выпрямитель сетевого напряжения выполнен по
мостовой схеме на диодах VD1.1VD1.4. Однофазный 2I с ср
мостовой выпрямитель характеризуется значитель I с max = = 0,57 А;
k з max
ным размахом пульсаций выпрямленного напряже
ния (рис. 6), что требует применения сглаживающего Следовательно
фильтра (конденсатор С1).
Емкость конденсатора С1 определяется как: U оп
R2 = = 1,73 .
P0 I с max
C1 = = 53 ⋅10 −6 ,
2U m ⋅ f с ⋅ ΔU По ряду E24, выбран резистор номиналом1,8 Ом.
где Um = 311 В – амплитудное значение выпрямлен Датчик выходного напряжения выполнен на рези
ного напряжения; стивном делителе R7, R8.
fс = 50 Гц – частота сети; Выходной выпрямитель выполнен на диоде VD5.
ΔU = 20 В – частота пульсацийвыпрямленного се Выходной сглаживающий фильтр выполнен на C9,
тевого напряжения. С10, емкость которых определяются, исходя из тре
Терморезистор Rт предназначен для ограничения бований по размаху пульсаций выходного напряже
зарядных токов сглаживающего фильтра. ния, который будет максимальным в случае, если ток
Маломощный низкочастотный трансформатор нагрузки в течение относительно малого промежутка
TV1 и выпрямители VD2, VD3 предназначены для времени поддерживается за счет накопленной энер
питания схемы управления, выполненной на микро гии в обмотке трансформатора
схемах DA1, DA2.
I н ⋅ kз
C9 = = 150 ⋅10 −6 ,
2 ⋅ f ⋅ ΔU н
где kз = 0,5 – коэффициент заполнения;
ΔU н = 10 мВ – размах пульсаций выходного
напряжения.
Частота преобразования задается элементами C5,
R5.
Для исключения ложных срабатываний токовой
защиты предназначен фильтр на элементах С4, R2.
Для обеспечения устойчивости работы преобразо
вателя предназначена цепь коррекции на элементах
Рис. 6. Напряжение на выходе мостового выпрямителя R9, C11, R13, C13.

50
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Рис. 7. Результаты моделирования:


V(IN1)-V(IN2) – ñåòåâîå íàïðÿæåíèå; V(ÀÀ1) – âõîäíîå íàïðÿæåíèå; V(AA5) âûõîäíîå íàïðÿæåíèå;
V(ÀÀ2) – íàïðÿæåíèå ñòîê-èñòîê; V(ÀÀ3) – íàïðÿæåíèå íà äàò÷èêå òîêà (òîê ñòîêà);
V(ÀÀ4) – íàïðÿæåíèå íà âòîðè÷íîé îáìîòêå òðàíñôîðìàòîðà

Внешнее опорное напряжение подводится резис – нестабильность выходного напряжения при из
тором R11. менении сетевого напряжения от 180 В до 240 В
Для подтверждения работоспособности ИВЭП не более 3%.
проведено компьютерное моделирование с помощью Литература
программы OrCAD 9.2. Результаты моделирования 1. Конев Ю. И. Источник вторичного электропи
показаны на рис. 7. тания. Справочное пособие. – М.:Радио и связь, 1983.
Из временных диаграмм видно, что время выхода 2. Источники электропитания РЭА. Справочник/
на режим не превышает 100 мс. Процесс выхода на Под ред. Г. С. Найвельта. – М.: Радио и связь, 1985.
режим апериодический без перерегулирования. 3. Ромаш Э. М. Источники вторичного электропи
Анализ переходного процесса показал, что устрой тания РЭА. – М.:Радио и связь, 1981.
ство работает устойчиво. 4. Куневич А. В. Ферриты и магнитодиэлектрики.
Разработанный ИВЭП имеет следующие основные Каталог. – М.: ВНИИ, 1991.
технические параметры: 5. Интегральные микросхемы: Микросхемы для
– масса: 0,363 г; импульсных источников питания и их применение.
– габариты: 120×70×40 мм; Справочник. – М.: ДОДЭКА, 1997.
– КПД: 87%; Шевцов Даниил Андреевич, д. т. н., профессор кафед2
– время выхода на режим: 70 мс; ры”Микроэлектронных электросистем” МАИ, тел.
– размах пульсации выходного напряжения при (499)158245259;
максимальной нагрузке: 10 мВ; Буй Дык Кыонг (Вьетнам), студент2дипломник ка2
– нестабильность выходного напряжения при из федры “Микроэлектронных систем” МАИ, тел.
менении тока нагрузки от 0 до 0,3А не более 5%; (499)158245259.

51
№ 1 (33) Практическая силовая электроника 2009 г.

Требования к авторам для публикации в журнале


“Практическая силовая электроника” (ПСЭ)

Публикация в сборнике бесплатна для авторов. — Текст без расстановки переносов в словах;
Язык журнала – русский. — Межстрочный интервал: одинарный;
Для публикации статьи необходимо предоставить: — Отступ первой строки: 0,5 см;
— заявление от автора (авторов) в электронном и — Выравнивание текста: по ширине;
бумажном видах; — Исполнение формул: редактор формул (стиль
— статью в электронном (в формате не выше MS Word математический). Обозначения в тексте по
2003) и бумажном видах. возможности не делать в редакторе формул;
Статья должна содержать: — Шрифт обозначений устройств (C – конденсатор,
— заголовок; VD – диод, L – дроссель и т.п.) – прямой:
— цель; y цифровое окончание обозначения устройства
— текст с иллюстрациями, который может быть разбит (C1, VD2 и т. п.) – не в индексе, шрифт
на разделы; прямой;
— заключение; y буквенное, цифровое+буквенное окончания
— список литературы (если есть); обозначения устройства (CД, Lm1 и т. п.) – в
— информацию об авторе (авторах) (Ф.И.О., название индексе, шрифт прямой.
организации, телефон, адрес электронной почты). — Шрифт обозначений параметров (C – емкость,
I – ток, L – индуктивность и т. п.) – наклонный:
Документы в электронном виде должны быть отправ y буквенное, цифровое, буквенное+цифровое
лены по email: pse@mmpirbis.ru или sin@mai.ru окончания обозначения устройства (I1, LS, Uупр1
Документы в бумажном виде должны быть отправле и т. п.)
ны по адресу: 111024, г. Москва, Андроновское шоссе, y в индексе, цифровое и буквенное русское
дом 26, ЗАО "ММПИрбис". окончание – шрифт прямой, буквенное
латинское окончание – шрифт наклонный;
Требования к оформлению статей:
— Формат иллюстраций: .tif, .eps, .ai (просьба
— Поля: верхнее, нижнее – по 2 см; левое – 3 см, прилагать отдельными (оригинальными) файла
правое – 1,5 см; ми, дублируя в тексте статьи). Подписи к рисункам
— Шрифт: Times New Roman, размер: 10; не вносить в рисунки.

Стоимость размещения полноцветной рекламы в журнале “Практическая силовая электроника”

Требования к рекламным макетам


Формат .tif, .eps (конвертирование в кривые), 300 dpi, CMYK.

График выхода журнала

Подробная информация о журнале “Практическая силовая электроника” представлена на сайте:


www.mmpirbis.ru

52