Cap.

2 – O Transistor Bipolar

Introdução

O transistor é um componente eletrônico semicondutor composto de três terminais, sendo

que o potencial (ou a corrente elétrica) de um deles é usado para controlar o nível de corrente que
circula nos outros dois terminais (terminais principais).
O primeiro transistor inventado foi do tipo “Contato de Ponta” ou simplesmente transistor
de “ponta”, que se baseava no fenômeno da retificação, verificado quando se apoiavam contatos
metálicos na superfície do cristal semicondutor (no início o germânio – Ge). A Fig. 1 ilustra este
dispositivo.

Fig. 1 – O primeiro transistor.

Quase que simultaneamente foi desenvolvido outro procedimento, mais estável e

reprodutível que o primeiro, empregando o princípio da junção P-N. O componente é denominado
hoje em dia de transistor bipolar de junção. O termo bipolar está relacionado com o fato de o
dispositivo empregar dois tipos de portadores, elétrons e lacunas, no processo de circulação da
corrente elétrica. (Outros dispositivos, como o transistor de efeito de campo – FET, só empregam
um tipo, elétrons ou lacunas).
Os primeiros transistores foram desenvolvidos na empresa norte-americana Bell Telephones
Laboratories, Inc. (um braço de pesquisas da gigante de telefonia AT&T) no final de 1947, início de
1948. Em maio de 1948, um memorando interno da empresa foi circulado solicitando contribuições
para a denominação do novo componente. Entre os nomes sugeridos apareceram:

• Semiconductor Triode
• Surface States Triode
• Crystal Triode
• Solid Triode
• Iotatron
• Transistor (este nome “vitorioso” baseia-se na junção dos termos TRANSconductance
VarISTOR, ou TRANSfer Impedance VarISTOR).
 O transistor e outros componentes semicondutores eletrônicos similares constituem a base para
o projeto de AMPLIFICADORES e CHAVES ESTÁTICAS, empregados em Eletrônica Digital e
Microprocessadores, bem como em Conversores de Eletrônica de Potência. Como será mostrado, o
comportamento do transistor pode ser explicado por meio de fontes controladas (corrente/corrente
ou corrente/tensão – transcondutância), o que fortalece os conceitos estudados no Capítulo 1 deste
curso. Os fenômenos relacionados com tais componentes permitem ainda fazer com que se
comportem como diodos, capacitores, resistores e diversos tipos de fontes controladas, o que é a
base para a implementação de circuitos integrados (CIs ou chips).

História

Pode-se enumerar uma série de eventos importantes na história da ciência, que resultaram na
invenção do transistor ou que, posteriormente, tiveram este fato como seu fundamento. A Tabela 1 é
uma tentativa simplificada de organizá-los.

TABELA 1 – EVENTOS RELACIONADOS COM A INVENÇÃO DO TRANSISTOR

Ano Evento Pessoal Envolvido, Empresa e País

1898 Descoberta do elétron J. J. Thomson, Cambridge University, UK
1895/1901 Telégrafo sem fio Guglielmo Marconi, Itália
1900 Descrição do Efeito Quântico Max Planck, Alemanha
1901 Primeira Transmissão de Rádio Guglielmo Marconi, Itália
1906 Invenção do Amplificador para Rádio Lee De Forest, EUA
1912 Invenção do Amplificador para Telefone Lee De Forest, EUA
1921 Prêmio Nobel para Efeito Fotoelétrico Albert Einstein, Alemanha
1923 Primeiro Filme com Áudio Lee De Forest, EUA
1930 Mecânica Quântica aplicada a Semicondutores Louis de Broglie, França
Erwin Schröedinger, Suíça
1930 Patente Concedida: FET* Julius Edgard Lilienfeld, EUA
1932 Teoria Quântica dos Sólidos
1940 Descoberta da Junção P-N Russel Ohl, Bell Labs., EUA
1946 ENIAC - Primeiro Computador Digital John Mauchly e J. Presper Eckert, University of
Electronic and Numerical IntegrAtor Computer (18 Pennsylvania, EUA
mil válvulas).
1947 Invenção do Transistor de Ponta (Dezembro) Walter Brattain e John Bardeen, Bell Labs.
(Núcleo Científico da AT&T), EUA
1948 Invenção do Transistor de Junção (Janeiro) William Schockley, Bell Labs., EUA
1956 Prêmio Nobel: Transistor Schockley, Brattain e Bardeen, EUA
1958 Invenção do Circuito Integrado (CI) Jack Kilby, Texas Instruments, EUA
1959 Aprimoramento do CI Robert Noyce, Fairchild Semiconductors, EUA
1965 Lei de Moore – taxa de crescimento de CIs Gordon Moore, Fairchild Semiconductors, EUA
1967 Primeira Calculadora Manual Jack Kilby, Texas Instruments, EUA
1968 Surge a Intel Corp. Gordon Moore and Robert Noyce, EUA
1970 Rede de Computadores (Internet) ARPA, EUA
1971 Invenção do Microprocessador Marcian E. (Ted) Hoff, Intel Corp., EUA
1975 Surge a Microsoft Corp. William (Bill) Gates e Paul Allen, EUA
1981 Primeiro PC IBM, EUA
1989 Invenção da World Wide Web (WWW) Berners Lee, CERNE, Suíça
1991 Surge a idéia do Linux Linus Benedict Torvalds e outros, Finlândia
1997/1999 Microprocessador Pentium (7,5 milhões de Intel Corp., EUA
transistores)
* Apesar de concebido por volta de 1930, o FET só passou a ser comercializado nos anos 60 e teve sua mais importante
contribuição com a tecnologia MOS (Metal Oxide Semiconductor) nos anos 80.

Construção

O transistor bipolar de junção pode ser entendido, grosso modo, como um sanduíche de três
camadas (e, conseqüentemente duas junções) semicondutoras dopadas alternadamente. Nesta
concepção, podem existir duas possibilidades, ilustradas na Fig. 2, que dão origem aos transistores
NPN e PNP. Os terminais externos são denominados (E) Emissor, (B) Base e (C) Coletor. O
terminal da base é o terminal de controle e os terminais emissor e coletor são os terminais
principais, por onde circula a corrente que se deseja controlar. J1 e J2 são as junções base-emissor e
base- coletor, respectivamente.

J1 J2 J1 J2
EMISSOR COLETOR EMISSOR COLETOR
(E) (C) (E) (C)
N P N P N P

(B) (B)
BASE BASE

Fig. 2 – Tipos e símbolos do transistor de junção.

O transistor NPN é o tipo mais comumente empregado na prática. Em função disto, a maior
parte da explanação e dos circuitos abordados neste capítulo será baseada neste modelo.

A Tab. 2 apresenta os modos de operação do transistor NPN, em função da polarização que

se aplica às junções do elemento. Lembre-se que polarizar uma junção P-N é uma técnica muito
utilizada, a fim de forçar a operação da mesma numa região praticamente linear, a despeito de sua
característica global não-linear. Um dos importantes modos de operação do transistor é o modo
AMPLIFICADOR, que exige operação linear! Os modos CORTE e SATURAÇÃO também são
muito empregados na operação como chave. Neste caso o elemento se comporta como chave
fechada (saturação, curto-circuito ou resistência quase nula) ou aberta (corte, circuito-aberto ou
resistência quase infinita).
A Fig. 3 mostra a representação simplificada destas regiões do ponto de vista da
característica de saída do componente (ic x vCE). É preciso ressaltar que entre a região de corte e de
saturação existe a região ATIVA. Esta região é caracterizada por determinadas curvas que serão
apresentadas oportunamente.
TAB. 2 – MODOS DE OPERAÇÃO DO TRANSISTOR BIPOLAR.

POLARIZAÇÃO PRINCIPAIS
GRANDEZAS ELÉTRICAS
MODO J1 J2 iC vCE Comportamento
ATIVO DIRETA REVERSA >0 >0 Amplificação
CORTE REVERSA REVERSA ≈0 >0 Circuito-Aberto
SATURAÇÃO DIRETA DIRETA >0 ≈0 Curto-Circuito
INVERSO* REVERSA DIRETA ≈0 <0 Circuito-Aberto
* não é muito usado.

iC iC
SATURAÇÃO
vCE
ATIVA
CORTE
INVERSA

vCE

Fig. 3 - Característica de saída simplificada e

regiões de operação do transistor NPN.

Para viabilizar o comportamento desejado (ou seja, controle de corrente) é preciso garantir
as seguintes características no projeto do componente:

1. O emissor deve ser fortemente dopado;

2. A região da base é bem mais estreita que a do coletor e fracamente dopada;
3. A região do coletor representa a maior parte do dispositivo.

A representação usada na Fig. 2 é, obviamente, muito simplificada e não retrata estes

detalhes construtivos.
Uma forma mais realista de representar o transistor, tal qual ele é atualmente fabricado, é
mostrada na Fig. 4. A técnica de construção empregada dá origem ao Transistor Planar Epitaxial. O
termo planar é usado por que todos os terminais encontram-se no mesmo plano, enquanto o termo
epitaxial se refere à forma como as regiões são implementadas em um substrato fortemente dopado
(técnica de crescimento epitaxial). Observe que, por ser a base muito estreita, a região de emissor é
muito próxima da região do coletor.
 A Fig. 5, mostra outros arranjos possíveis usando a mesma técnica. Nesta figura, a
representação N+ indica dopagem elevada. Por esta convenção, a base poderia receber a indicação
P_ .

(E) (B) (C)

n p
n

Fig. 4 – Diagrama de transistor planar epitaxial NPN.

(a) (b)

Fig. 5 – Transistor NPN planar epitaxial prático.

(a) vista 3D com encapsulamento (case); (b) corte transversal.

Funcionamento na Região Ativa (Amplificação)

O funcionamento do transistor bipolar de junção pode ser explicado, de forma simplificada,

com base nos detalhes construtivos descritos na seção anterior e tendo em vista a Fig. 6. Nesta
figura, o fluxo real de portadores é indicado por setas no interior do componente, ao passo que a
convenção de corrente elétrica é mostrada pelas setas externas. Os portadores de corrente, elétrons
e lacunas, também são indicados no corpo do dispositivo.
 iE In
iC
J1 J2
(E) (C)
- -
N P N
+

Ip iB
_ (B) _ +
+

VBE VCB

Fig. 6 – Transistor polarizado para operar como amplificador.

Representação dos principais fluxos de corrente elétrica.

Em função da polarização direta de J1, surge uma corrente de elétrons (In) e de lacunas (Ip).
Pode-se dizer que o emissor injeta (ou emite) In, enquanto a base é responsável por Ip. Por
construção, a base é feita muito estreita, o que torna a junção J1 muito mais próxima de J2 que do
terminal da base. Desta forma, a maior parte dos portadores injetados atinge o limiar da região de
depleção de J2. A polaridade VCB é normalmente superior a VBE o que, adicionalmente, favorece o
rápido TRANSPORTE dos elétrons provenientes do emissor para o coletor. Produz-se, então, uma
corrente de coletor que é praticamente igual a In, permanecendo a corrente de base igual a Ip. Dessa
discussão, fica evidente que a corrente total (terminal) de emissor é, na verdade, a soma de In com
Ip .
Devido à alta concentração de elétrons no emissor (dopagem elevada) e à fraca concentração
de lacunas na base, In é muito maior que Ip. Devido a este comportamento, iC pode ser de 100 a
1000 vezes maior que iB, sendo este fator de amplificação denominado βF (beta direto - forward).
A descrição de funcionamento do transitor nesta seção é bastante simplificada. Foram
desprezadas as correntes de deriva devido aos portadores minoritários, bem como as relativas à
recombinação de elétrons do emissor com lacunas na base. Porém, tais efeitos são relativamente
muito menos proeminentes que os fenômenos aqui relatados, sendo comum desprezá-los para um
primeiro entendimento do comportamento do dispositivo.
Talvez o fato mais significativo relacionado com o funcionamento do transistor bipolar seja
que, se a corrente de base variar (por alteração no valor da polarização), a corrente de coletor
também irá variar, de sorte que a razão entre elas, para uma larga faixa de valores de corrente, é
aproximadamente igual a βF. Isto é um conceito teórico (idealizado). Na prática, o valor de βF não é
estritamente constante (Fig. 7), sendo necessário adotar técnicas para compensar isto. O
equacionamento rigoroso das correntes no transistor leva em conta diversos fatores e parâmetros
construtivos (veja Sedra).
 Fig. 7 – Variação de βF para um transistor típico, em função
da corrente de coletor e da temperatura (escala horizontal logarítmica).