Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
Лавинные транзисторы
вчера, сегодня и завтра
Весьма интересна и поучительна судьба поистине уникальных прибо-
ров — лавинных транзисторов (avalanche transistors). Они не только со-
четают возможности обычных транзисторов с возможностями негатронов
с S- и N-образными управляемыми ВАХ, но и имеют большие рабочие
напряжения и токи в импульсе с предельно малым временем включения.
Применение их, как и обычных транзисторов в лавинном режиме работы,
в том числе в сочетании с другими высокоскоростными активными при-
борами, позволяет упростить наносекундные импульсные генераторы
и получить уникальные параметры импульсов. Однако возможности лавин-
Владимир Дьяконов,
д. т. н., профессор ных транзисторов все еще малоизвестны. Им и их перспективам развития
vpdyak@yandex.ru посвящена данная статья.
Немного истории стом рабочего тока из-за известного эффекта Лавинный режим для обычных транзисто‑
Кирка [5]. А токи в импульсных устройствах ров многие годы рассматривался как вред‑
Обычным биполярным транзисторам по‑ обычно намного больше, чем в усилителях ный и способствующий выходу приборов
надобилось почти полвека, чтобы преодо‑ и генераторах синусоидальных сигналов. из строя. И действительно, в обычных схе‑
леть «барьер» во времени включения в 1 нс. Лавинными называют транзисторы, полез‑ мах возникновение лавинного пробоя вело
Лишь к концу 1970‑х годов, к примеру, но использующие эффект лавинного умно‑ к практически мгновенной последующей ги‑
в СССР был разработан транзисторный ге‑ жения носителей в коллекторном переходе. бели приборов из-за теплового или вторич‑
нератор наносекундных импульсов Г5-78, Это позволяет в несколько раз увеличить ра‑ ного пробоев необратимого характера. При
обеспечивающий получение импульсов бочие напряжения и во много раз — импульс‑ заходе в лавинную область работы в услови‑
с амплитудой до 5 В на нагрузке 50 Ом (ам‑ ные токи и придает лавинным транзисторам ях низкой технологической культуры произ‑
плитуда тока 0,1 А) с временем нарастания новые свойства негатронов S- и N-типа. водства первых транзисторов снижался про‑
1 нс. Он был создан в Вильнюсском НИИ В качестве лавинных транзисторов в се‑ цент выхода годных изделий.
радиоизмерительных приборов. Позже (уже редине прошлого века применялись герма‑ Остроту проблемы создания коротких
в 1980‑е годы) там же был разработан гене‑ ниевые сплавные, а затем диффузионно- импульсов с субнаносекундными фронта‑
ратор Г5-85, обеспечивший, с применением сплавные транзисторы. В начале 1970‑х годов ми в какой-то мере сняло появление диодов
специализированных гибридно-пленочных в НИИ «Пульсар» (Москва) был разработан с резким восстановлением и накоплением
микросхем, получение на нагрузке 50 Ом первый советский специальный лавинный заряда (ДНЗ) [6], а позже СВЧ кремниевых
импульсов со временем нарастания до 0,3 нс, диффузионно-сплавной меза-эпитаксиальный и арсенид-галлиевых полевых транзисторов
но при уменьшенной до 2 В амплитуде. транзистор ГТ338, обеспечивший получение [7, 8]. Однако для запуска этих довольно
Медленное развитие скоростной импульс‑ импульсов с амплитудой 5–20 В на нагрузке дорогих приборов требовались импульсы,
ной техники может показаться странным 50 Ом и преодолевший барьер времени их на‑ которые сами по себе с трудом удавалось по‑
на фоне появления в эти годы мощных СВЧ- растания в 1 нс (10–9 с) [1–3]. Прибор предназна‑ лучать от обычных серийных биполярных
биполярных (а затем и полевых) транзисто‑ чался для работы в генераторах стробирующих транзисторов. Зато их легко было получить
ров с частотами в единицы и даже десятки импульсов скоростных стробоскопических от транзисторов, используемых в лавинном
гигагерц и уровнями рабочих напряжений осциллографов и других применений. За ру‑ режиме. Но у нас развитие лавинных тран‑
в десятки вольт. Причины медленного ро‑ бежом его реклама дважды появлялась на сайте зисторов прекратилось в связи с распадом
ста быстродействия и импульсной мощности www.ebay.co.th (по цене $38 за штуку). СССР в 1990‑е годы и прекращением произ‑
импульсных устройств носят фундаменталь‑ Вскоре были созданы кремниевые пла‑ водства многих типов транзисторов и изме‑
ный характер. Дело в том, что генераторы нарные и меза-эпитаксиальные транзисто‑ рительных генераторов импульсов.
синусоидальных сигналов всегда имели ре‑ ры с большей стабильностью параметров, На фоне этого интерес к лавинным тран‑
зонансные и согласующие цепи, позволяв‑ в том числе лавинных. За рубежом появи‑ зисторам к началу 1990‑х годов резко упал.
шие нейтрализовать паразитные емкости лись первые типы серийных кремниевых Отражение данной тематики в Интернете
и индуктивности их активных компонентов лавинных транзисторов. Число публикаций практически отсутствовало. Между тем
и монтажа, но в узкой области частот. Такие по применению транзисторов в лавинном во всем мире после 1990‑х годов появился
цепи встраиваются в СВЧ-транзисторы, и это режиме во всем мире достигло многих тысяч. ряд новых и весьма перспективных областей
сильно затрудняет их применение в прин‑ В 1973 г. вышла первая монография по ла‑ применения нано- и даже пикосекундных
ципиально широкополосных импульсных винным транзисторам и их применениям [3]. импульсов. Это запуск скоростных лазерных
устройствах. К тому же фундаментальным Достижения в разработке теории и схемотех‑ полупроводниковых излучателей, управле‑
свойством обычного режима работы бипо‑ ники лавинных транзисторов и тиристоров ние оптическими коммутаторами на ячей‑
лярных транзисторов была потеря быстро‑ в последующие годы обобщены в новой мо‑ ках Поккельса и Керра, контроль параметров
действия и усилительных способностей с ро‑ нографии [4]. антенн во временной области, возбуждение
Рис. 5. Осциллограмма напряжения на коллекторе транзистора ключа, Рис. 6. Осциллограмма напряжения на коллекторе транзистора ключа на рис. 4
изображенного на рис. 4, при Eк = 100 В выявляет «подозрительно» быстрый, при Eк = 150 В показывает аномально быстрое полное переключение транзистора
пока небольшой спад напряжения за время менее 1 нс — вплоть до его входа в насыщение
Рис. 7. Осциллограммы импульсов напряжения на коллекторе лавинного транзистора Рис. 8. Осциллограммы импульсов напряжения на коллекторе высоковольтного транзистора
и при сопротивлении нагрузки Rн = 50 Ом релаксатора, изображенного на рис. 4 и при сопротивлении нагрузки Rн = 50 Ом релаксатора, изображенного на рис. 4
меньших токах из-за эффекта Кирка. Ни один могут использоваться для синхронизации). зависимость не наблюдается у старых типов
обычный полупроводниковый прибор не дает При меньших Eк у транзисторов с описанны‑ лавинно-инжекционных транзисторов.
таких малых значений времени нарастания ми эффектами наблюдается разрывной ха‑ Итак, в работе релаксатора можно выделить
и длительности импульсов при таких боль‑ рактер зависимости амплитуды импульсов 5 характерных стадий (рис. 7): начало лавин‑
ших амплитудах напряжения и тока. от напряжения Eк (рис. 9) (из книги [4]). Такая ного пробоя (1), развитие быстрого пробоя
Еще более поразительные результаты дает из-за сужения базы по мере роста тока и бы‑
применение современных высоковольтных стрый рост разрядного тока (2), спад разряд‑
кремниевых эпитаксиальных транзисто‑ ного тока из-за разряда накопительного кон‑
ров, например КТ630 или КТ642 с UM более денсатора C (3), вход транзистора в глубокое
300 В. Такие приборы дают перепад напряже‑ динамическое насыщение (иногда и в обрати‑
ния свыше 300 В при времени спада около 2 нс. мый вторичный пробой) (4) и выход из насы‑
Таким образом, скорость изменения напря‑ щения, полное закрытие транзистора и заряд
жения на коллекторе достигает 1,510–11 В/c конденсатора C через токоограничивающий
и выше. На нагрузке 50 Ом формируется резистор в цепи коллектора (5).
импульс с амплитудой выше 160 В с време‑ Работу релаксатора на рис. 4 можно рас‑
нем нарастания 1 нс (рис. 8). Эти параметры сматривать как дифференцирование пере‑
не хуже, чем у современных специальных ла‑ пада напряжения на включающемся транзи‑
винных транзисторов. сторе цепочкой CRн. На этом основан метод
При Eк > UM релаксатор переходит в авто‑ Рис. 9. Зависимость амплитуды импульсов релаксатора
динамического пробоя, описанный в [3, 4]
колебательный режим работы и не требует от напряжения Eк у разных типов транзисторов и позволяющий рассчитать временную за‑
запуска (входные импульсы в этом случае висимость разрядного тока.
Лавинные транзисторы с ограниченной областью ной частоты транзистора f T с ростом тока коллектора. Он наблюда‑
объемного заряда (ЛТОООЗ) ется и у специальных лавинных транзисторов при работе в обычном
режиме. Однако при M > Mкр в базовой ООЗ преобладает заряд вто‑
Причины «аномально высокого быстродействия» биполяр‑ ричных, а не первичных носителей, поэтому с ростом Iк область базы
ных транзисторов (особенно кремниевых n +-p-n-n + планарно- сужается вплоть до ее смыкания с эмиттерным переходом (рис. 10).
эпитаксиальных) в лавинном режиме кроются во впервые обнару‑ При этом время переноса определяется отношением размеров ООЗ
женном и объясненном в [3, 4, 9–11] эффекте расширения ООЗ кол‑ к предельной скорости неосновных носителей и составляет доли на‑
лекторного перехода вглубь базы, при росте коллекторного тока даже носекунды. Соответствующие расчеты приведены в [3, 4, 9, 10].
при спаде напряжения на коллекторе. Расширение ООЗ происходит Использующие этот новый эффект транзисторы были названы
вплоть до динамического (временного) смыкания базовой границы нами лавинными транзисторами с ограниченной областью объемно‑
ООЗ коллекторного перехода с ООЗ эмиттерного перехода в услови‑ го заряда — ЛТOOOЗ. К таким транзисторам относятся серийные со‑
ях двойной (обычной и лавинной) инжекции носителей в перекры‑ ветские германиевые p+-n-p-p+ специальные лавинные транзисторы
тую ООЗ базовую область транзистора. После смыкания переходов серии ГТ338, зарубежные массовые кремниевые лавинные транзисто‑
расширение ООЗ (ограниченной низкоомными областями эмиттера ры наших дней фирмы Zetex и большинство кремниевых n+-p-n-n+
и коллектора) прекращается, и она, с содержащейся в ней плазмой, обычных транзисторов, используемых в лавинном режиме [3, 4].
выполняет роль разрядного промежутка.
Этот эффект происходит при больших токах коллектора и ко‑ Моделирование релаксационных генераторов
эффициенте лавинного умножения M, превышающем некоторое на лавинных транзисторах
вполне умеренное критическое значение Mкр. Приближенно оно оце‑
нивается как [3, 4, 9, 10]: Положенные в основу ЛТОООЗ физические явления не учитыва‑
ются в классических моделях биполярных транзисторов, например
M > Mкр = (νp+νn)/νn, (4) Эберса-Молла, Гуммеля-Пуна и др., в том числе в моделях для схе‑
мотехнических САПР класса PSpice. Однако полная модель биполяр‑
где νp и νn — скорости насыщения дырок и электронов в ООЗ коллек‑ ного транзистора с учетом этих эффектов была описана еще в [3],
торного перехода. Ему соответствует некоторое критическое значение и результаты расчета по ней ряда схем на лавинных транзисторах
напряжения на коллекторе Uкр, вычисляемое из (1). Обычно оно ле‑ были выполнены на ЭВМ и приведены в [3, 4].
жит в интервале между напряжениями Uβ и UM. Не повторяя описания этой довольно сложной модели, рассмотрим
При этом заряд вторичных носителей превышает заряд первич‑ результаты моделирования по полной модели транзистора 2Т603,
ных носителей и ООЗ коллектора расширяется, а не сужается, как одного из первых ЛТОООЗ. Представленные на рис. 11а зависимо‑
в обычном режиме работы транзистора (последний эффект и назван сти напряжения на коллекторе и тока коллектора даны для разных
эффектом Кирка и снижает быстродействие транзисторов в области значений начального напряжения на коллекторе, которое изменя‑
больших токов [5]). Эффект Кирка в обычном режиме имеет место лось при разных значениях напряжения питания. Диаграммы были
у всех плоскостных транзисторов и ведет к заметному спаду гранич‑ получены на экране графического дисплея ЭВМ. Отчетливо видно
проявление всех стадий переходных процессов, описанных выше для
ЛТОООЗ. Реальные осциллограммы представлены на рис. 11б.
а а б
(5)
——
где δ = R/2ω0L, x = ω0t и ω0 = 1/√LCпл.
Из выражения (5) имеем:
(6)
Рис. 27. Временные диаграммы работы генератора, изображенного на рис. 26 открывает новые возможности в сфере промышленных и нанотехно‑
логий, видеоимпульсной локации, в разработке георадаров и в других
новых областях гражданской и военной науки и техники.
Несомненно, что схемы на лавинных транзисторах перспективны
для создания специализированных высоковольтных и сильноточных
импульсных устройств в интегральном исполнении. Конструктивно
и технологически такие транзисторы вполне совместимы с интеграль‑
ными схемами на обычных транзисторах. Пока такие устройства
применяются редко и обычно являются уникальными разработка‑
ми. Но то, что сегодня кажется уникальным и редким, завтра станет
массовым и повсеместно используемым изделием. n
Литература