Зо

Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.

на

ДОКУМЕНТАЦИЯ
--------------------------------
А4 РМ302.16.000v07ПЭЗ Перечень элементов
А3 РМ302.16.000v07ЭЗ Схема электрическая
принципиальная
А3 РМ302.16.000СБ Сборочный чертеж
ТЭСМ.021102 Файл прошивки PPLD 15a.pof
7962 25/12/2002 DD5

ДЕТАЛИ
--------------------
1 ТЭСМ.025014v10 Плата печатная 1
А4 6 ТЭСМ.319904-04 Шайба 1 под С12

ПРОЧИЕ ИЗДЕЛИЯ
------------------------------

ДИОДЫ
10 BAV199LT1 SOT-23 Motorola DS
MOTOROLA BAV199LT1/D rev. 1
1997 13 VD1 .. VD13

ИНДУКТИВНОСТИ
12 SWR8-330K-1.1a 33 мкГн (ДМ1.2
30 мкГн) 1 L1

КОНДЕНСАТОРЫ
13 Ионистор Gold Capacitor Series

9 РМ 932 17.03.2005 РМ302.16.000

Изм. Лист № докум. Подп. Дата
Разраб. Наумкина 29.03.2005 Лит. Лист Листов
Пров. Юрков Плата процессора 1 8
Т. контр. ООО фирма
Н. контр. Куликова "Тритон-ЭлектроникС"
Утв. Полунин Архив КД, версия 3.07

ТЭСМ.026206

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата Перв. прим.
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

NF EECF5R5U105 GC 1 F 5.5V 20x6

(Ионистор К58-6 0.47 F 5.5В
Промэлектроника, Ионистор Gold
Capacitor Series NF EECF5R5U474
GC 0.47 F 5.5V 20x6) 1 C12

14 EKAP 47 мкФ 16V 0407 5 C1, C4, C13, C17

C20

16 EKAP 470 мкФ 16V 0812

(SR-16-470 470 мкФ ±20% 16V
0814 Transcend Electrolytic Co.
Ltd. DS SR SERIES) 2 C16, C18

20 Керам. ЧИП конд. 0.1 мкФ ±10%

0805 X7R C5437 CVNF100K0805
SCHUKAT 16 C3, C5 .. C11
C14, C19
C22 .. C27

22 Керам. ЧИП конд. 20 пФ ±5% 0805

NPO 1 C2

24 Керам. ЧИП конд. 100 пФ ±5%

0805 NPO 1 C21

26 КТ4-25б 6..30пФ 250V М750

(CTC5-30RA) 1 C15

МИКРОСХЕМЫ АНАЛОГОВЫЕ
28 LM78L05ACZ TO-92 (UA78L05CLP
TO-92, MC78L05ACP TO-92) 1 DA1

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 2

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ
32 80C196KC20 PLCC-68 INTEL 1 DD2

34 ADM691AR SOIC-16W Analog

Devices (ADM695AR SOIC-16W
Analog Devices) 1 DD3

36 CY62128LL-70SC SOIC-32
(621025CM-70LL SOIC-32,
M5M1008-55XL SOIC-32) 1 DD6

38 DS1302Z SOIC-8 DALLAS

Semiconductor DS DS1302
rev.032598 1/12 1 DD4

40 EPM7128SQC100-15 PQFP-100
Altera (ATF1508AS-15QC100
PQFP-100 Atmel) 1 DD5

41 W27C512-70 DIP-28 (W27C512-45

DIP-28) 1 DD7

42 ЭКФ1533ЛН1 SOIC-14 (SN74ALS04AD

SOIC-14, SN74ALS04BD SOIC-14,
74ALS04D SOIC-14) 1 DD1

43 Панель SCL-28 1 Для DD7

РЕЗОНАТОРЫ
44 Кварцевый 32768 Гц столб. 2х6мм
DT-26T, столб. 3х8мм DT-38T
Промэлектроника 1 BQ2

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 3

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

46 РК169-МА-8НП 20 МГц 1 BQ1

РАЗЪЁМЫ
48 Вилка 100/10 G5234 ASL100G
SCHUKAT 2 XP8, XP9

50 Вилка 100/26 G5234 ASL100G

SCHUKAT 1 XP7

52 Вилка SCM-10 1 XP3

54 Вилка SCM-26 1 XP2

56 Вилка SCM-26R 1 XP1

58 Вилка WF-12 BRIZ LTD. 1 XP4

59 Вилка WF-2 BRIZ LTD. 1 XP10

РЕЗИСТОРЫ ПЕРЕМЕННЫЕ
62 СП3-19Б 0.5-6.8 кОм ОЖО.468.134
ТУ 2 RP1, RP4

63 СП5-2В 1-6.8 кОм 2 RP2, RP3

РЕЗИСТОРЫ ПОСТОЯННЫЕ
64 РН1-12 0.125-1 кОм ±5% 0805 3 R1, R2, R5

66 РН1-12 0.125-4.7 кОм ±5% 0805 2 R4 , R6

68 РН1-12 0.125-5.62 кОм ±1% 0805 1 R3

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 4

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

70 РН1-12 0.125-51 кОм ±5% 0805 1 Rx

МАТЕРИАЛЫ
---------------------
86 Трубка 305 ТВ-40 2,0 белая
ГОСТ19034-82 (1 сорта) 0,01 м

Переменные данные для

исполнений:

РМ302.16.000-02
МПР6-03

ДОКУМЕНТАЦИЯ
--------------------------------
ТЭСМ.031113 Файл прошивки ПЗУ для платы
процессора (МПР6-03,
МПР6-03М09) mpr6_302.bin 32623
26.05.03

ПРОЧИЕ ИЗДЕЛИЯ
------------------------------

РАЗЪЁМЫ
51 Вилка G5520 LPV26P3.2 SCHUKAT 1 XP5

60 Розетка G5111 SC10SR SCHUKAT 1 XP11

МАТЕРИАЛЫ
---------------------
84 Кабель плоский FRC-26 пр-во
Тайвань 0.3 м
90 Провод МГТФ 0,12 ТУ16-505.185-71 0.13 м

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 5

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

РМ302.16.000-03
МПР6-03М09

ДОКУМЕНТАЦИЯ
--------------------------------
ТЭСМ.031113 Файл прошивки ПЗУ для платы
процессора (МПР6--03,
МПР6-03М09) mpr6_302.bin 32623
26.05.03

ПРОЧИЕ ИЗДЕЛИЯ
------------------------------

РАЗЪЁМЫ
51 Вилка 100/26 G5234 ASL100G
SCHUKAT 1 XP5

МАТЕРИАЛЫ
---------------------
90 Провод МГТФ 0,12 ТУ16-505.185-71 0.13 м

РМ302.16.000, РМ302.16.000-01
Базовый вариант, Транспортный
вариант

ДОКУМЕНТАЦИЯ
--------------------------------
ТЭСМ.021100 Файл прошивки ПЗУ
nastr\common\serial\MPR5\mpr5_31.bin
от 08.10.2003 DD7

ПРОЧИЕ ИЗДЕЛИЯ

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 6

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 Зо
Ф-т Поз. Обозначение Наименование Кол. Прим.
на

------------------------------

РАЗЪЁМЫ
51 Вилка 100/26 G5234 ASL100G
SCHUKAT 1 XP5

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 7

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата
 ЛИСТ РЕГИСТРАЦИИ ИЗМЕНЕНИЙ

Номера листов (страниц) Всего № Вход. №

Изм. листов документа Дата
Измененных замененных новых аннулиро сопр. Подпись
ванных (стр.) документа
1 РМ 491 Наумкина 26.03.2003
2 РМ 546 Антонова 05.06.2003
3 РМ 550 Полунин 17.06.2003
4 РМ 571 Бурдуков 09.07.2003
5 РМ 604 Полунин 15.08.2003
6 РМ 625 Полунин 03.10.2003
7 РМ 674 Куликова 20.01.2004
8 РМ 742 Куликова 12.05.2004
9 РМ 932 Ошев 08.02.2005

Лист
РМ302.16.000
Изм. Лист № докум. Подп. Дата 8

Инв. № подл. Подп. и дата Взам. инв. № Инв. № дубл. Подп. и дата