Вы находитесь на странице: 1из 181

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ

ФЕДЕРАЦИИ

Санкт–Петербургский национальный исследовательский


университет информационных технологий механики и оптики

М.Н. Либенсон, Е.Б. Яковлев, Г.Д. Шандыбина

ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЛАЗЕРНОГО
ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ
(силовая оптика)

Часть II

ЛАЗЕРНЫЙ НАГРЕВ И РАЗРУШЕНИЕ


МАТЕРИАЛОВ

Учебное пособие

Санкт–Петербург
2014
2
Либенсон М.Н., Яковлев Е.Б., Шандыбина Г.Д. Взаимодействие лазерного
излучения с веществом (силовая оптика). Часть II. Лазерный нагрев и
разрушение материалов. Учебное пособие. Под общей редакцией В.П.
Вейко – СПб: НИУ ИТМО, 2014. –181с.

В пособии изложены физические основы нагревания и разрушения


металлов, полупроводников и диэлектривов под действием лазерного
излучения. Рассмотрены линейные и нелинейные режимы лазерного нагрва, а
также особенности воздействия сверхкоротких импульсов на материалы.
Учебное пособие предназначено для самостоятельной работы студентов
высших учебных заведений, обучающихся по специальности 200201 «Лазерная
техника и лазерные технологии», по направлениям подготовки бакалавров
200500 «Лазерная техника и лазерные технологии» и 223200, 140400
«Техническая физика». Материал конспекта будет также полезен для
самостоятельной работы магистров и аспирантов, интересующихся
нелинейными процессами и вопросами самомодификации поверхности.

Рекомендовано Учебно-методическим объединением вузов Российской


Федерации по образованию в области приборостроения и оптотехники для
студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению
подготовки бакалавриата 12.03.05 (200500) «Лазерная техника и лазерные
технологии» и специальности 200201 «Лазерная техника и лазерные
технологии». Протокол № 2 от 09.04.2014 заседания Президиума УМО.

 Санкт–Петербургский
национальный исследовательский
университет информационных
технологий, механики и оптики,
2014
 М.Н. Либенсон, Е.Б. Яковлев,
Г.Д. Шандыбина, 2014
3
Содержание
Введение ............................................................................................................... 6
1. Лазерный нагрев материалов ......................................................................... 7
1.1. Общая характеристика нагревания лазерным излучением ...................... 7
1.1.1. Основные процессы поглощения в материалах ..................................... 7
1.1.2. Особенности лазерного нагрева .............................................................. 8
1.1.3. Тепловые эффекты в конденсированных средах ................................... 9
1.1.4. Основные особенности температурной кинетики при лазерном
воздействии на металлы ................................................................................... 12
1.1.5. Теплопроводностные механизмы отвода тепла. Уравнение
теплопроводности, начальное и граничные условия..................................... 13
1.2. Термические эффекты, сопровождающие лазерный нагрев ................. 22
1.2.1. Термомеханические эффекты ................................................................ 22
1.2.2. Фазовые переходы в твердом состоянии (лазерное упрочнение) ...... 26
1.2.3. Эмиссионные процессы .......................................................................... 28
1.2.4. Основные особенности лазерной активации процессов
аррениусовского типа. Лазерное окисление................................................... 30
1.2.5. Диффузионно-химические явления ...................................................... 34
1.2.6. Экзотермические эффекты при импульсном лазерном
воздействии на металлы ................................................................................... 38
1.3. Линейные режимы лазерного нагрева ..................................................... 41
1.3.1. Понятие температуры электронной и решеточной подсистем .......... 41
1.3.2. Нагрев полупространства экспоненциально спадающим с
глубиной тепловым источником ..................................................................... 47
1.3.3. Нагрев металла импульсным излучением постоянной мощности ..... 50
1.3.4. Нагрев материала лазерным пучком с гауссовым профилем ............. 51
1.3.5. Нагрев материала постоянным лазерным излучением, луч
сфокусирован в пятно круглого сечения ........................................................ 54
1.3.6. Влияние временной зависимости интенсивности лазерного
излучения ........................................................................................................... 58
1.3.7. Лазерный нагрев тонких слоев и пленок .............................................. 59
1.3.8. Нагрев материалов в интерференционном лазерном поле ................. 62
1.3.9. Особенности нагрева материала движущимся световым пятном...... 63
1.4. Нелинейные режимы лазерного нагрева ................................................. 65
1.4.1. Нагрев с учетом температурной зависимости поглощательной
способности ....................................................................................................... 65
1.4.2. Изменение поглощательной способности окисляющихся
материалов при лазерном нагревании. Тепловая неустойчивость............... 69
1.4.3. Интерференционные явления в окисном слое ..................................... 74
1.5. Лазерное плавление поверхности ............................................................. 76
1.5.1. Вакансионная модель плавления ........................................................... 81
Контрольные вопросы к разделу 1 .................................................................. 85
2. Лазерное разрушение поглощающих материалов ..................................... 86
2.1. Общая характеристика механизмов лазерного разрушения .................. 86
4
2.1. Механическое низкотемпературное разрушение хрупких
материалов ......................................................................................................... 87
2.1.1. Разрушение упругими напряжениями .................................................. 87
2.1.2. Разрушение остаточными напряжениями ............................................ 92
2.2. Химические механизмы разрушения ....................................................... 95
2.3. Высокотемпературные механизмы с участием испарения .................. 100
2.4. Поляритонный механизм формирования лазерно-
индуцированного поверхностного рельефа.................................................. 103
2.5. Лазерное испарение ................................................................................. 105
2.5.1. Кинетика испарения плоской поверхности ........................................ 106
2.5.1.1. Испарение в вакуум и среду с противодавлением.......................... 106
2.5.1.2. Температурная граница перехода от нагрева к испарению ........... 107
2.5.2. Теплофизика перехода от нагрева к испарению ................................ 108
2.5.3. Одномерная задача о лазерном нагреве с испарением ...................... 109
2.5.3.1. Установление стационарного режима. Определение
квазистационарных параметров .................................................................... 110
2.5.3.2. Зависимость температуры и скорости лазерного разрушения от
плотности светового потока. .......................................................................... 112
2.5.4. Вытеснение расплава избыточным давлением паров ....................... 116
2.6. Свойства лазерного пара и плазмы, их влияние на процесс
разрушения....................................................................................................... 118
Контрольные вопросы к разделу 2 ................................................................ 124
3. Современные представления об оптическом пробое прозрачных
сред ................................................................................................................... 125
3.1. Физические представления об оптическом пробое идеальных
диэлектриков .................................................................................................... 125
3.1.1. Оптический пробой газов ..................................................................... 126
3.1.2. Оптический пробой идеально чистых твердых тел ........................... 128
3.2. Тепловой механизм оптического пробоя реальных сред ..................... 130
3.2.1. Основные экспериментальные закономерности и особенности
оптического пробоя и разрушения оптически неоднородных сред ........... 130
3.2.2. Тепловая неустойчивость ..................................................................... 133
3.2.3. Статистическая концепция оптического пробоя ............................... 134
3.2.4. Размерная зависимость порога пробоя ............................................... 135
Контрольные вопросы к разделу 3 ................................................................ 137
4. Воздействие сверхкоротких лазерных импульсов на материалы .......... 138
4.1. Двухтемпературная модель при сверхкоротком воздействии ............ 139
4.2. Особенности экспериментального изучения воздействия фемтосекундных
лазерных импульсов на материалы .................................................................... 143
4.3. Особенности разлета вещества при фемтосекундном лазерном
воздействии........................................................................................................... 146
4.4. Плавление при воздействии сверхкоротких лазерных импульсов .......... 150
4.4.1. Термическое плавление с высокими скоростями .............................. 151
4.4.2. Нетермическое плавление .................................................................... 153
4.5. Фотофизическая абляция ............................................................................. 158
5
4.6. Уплотнение электронного газа и кулоновский взрыв в поверхностном
слое проводника ................................................................................................... 160
4.7. Формирование лазерно-индуцированного поверхностного рельефа при
воздействии сверхкоротких лазерных импульсов ............................................ 166
4.7.1. Механизм образования поверхностных периодических структур
при воздействии сверхкоротких импульсов ................................................. 167
4.7.2. Резонансная дифракция на плоской поверхности с
периодической модуляцией оптических свойств ........................................ 169
4.7.3. Формирование периодического профиля поля температур ............. 169
4.7.4. Эволюция периодических поверхностных структур в
расплавленном поверхностном слое ............................................................. 172
4.8. Силовое действие сверхкоротких импульсов на прозрачные диэлектрики
................................................................................................................................ 173
Контрольные вопросы к разделу 4 ..................................................................... 176
Список рекомендуемой литературы .................................................................. 177
6

Введение
В пособии рассмотрены следующие за стадией поглощения света и
передачи энергии тепловым колебаниям решетки этапы тепловой модели
взаимодействия лазерного излучения с веществом: лазерное нагревание и
разрушение. Учтена роль обратных связей по оптическим параметрам
поверхности материала, изменяющимся в процессе лазерного воздействия.
Рассмотрены различные физические процессы, сопровождающие силовое
лазерное воздействие: возникновение и эволюция напряжений, изменение
структуры поверхности, фазовые переходы, термохимические явления и т.п.

В основу учебного пособия положен курс лекций, который на


протяжении многих лет читал Лауреат Государственной премии СССР;
заслуженный деятель науки и техники Российской Федерации, доктор физико-
математических наук, профессор Михаил Наумович Либенсон.
В разные годы им были рассмотрены проблемы лазерного нагрева
металлов и металлических пленок с учетом кинетики изменения их оптических
свойств; фотовозбуждения и нагрева полупроводников интенсивным
излучением; оптического пробоя диэлектриков сложного химического состава.
Им был предложен и исследован термохимический механизм взаимодействия
непрерывного лазерного излучения с металлами в окислительной среде (на
воздухе). В начале 80-х годов М.Н. Либенсон обратил внимание на важную
роль возбуждения поверхностных электромагнитных волн в процессе лазерного
термического воздействия на поверхность различных материалов и предложил
поляритонный механизм самоорганизации лазерно-индуцированного
поверхностного рельефа – широко распространенного эффекта при лазерных
воздействиях. В различные годы им были предложены и теоретически изучены
несколько физических механизмов лазерно-индуцированных неустойчивостей в
конденсированных средах, в том числе при действии сверхкоротких
(фемтосекундных) импульсов. В последние годы он развивал представления о
взаимодействии лазерного излучения с поверхностью в устройствах
ближнепольной оптики, когда область локализации света значительно меньше
длины его волны.
7

1. Лазерный нагрев материалов


1.1. Общая характеристика нагревания лазерным
излучением
Взаимодействие лазерного излучения с сильнопоглощающими
материалами в широком диапазоне плотностей световых потоков хорошо
описывается тепловой моделью, согласно которой весь процесс в целом может
быть условно разделен на несколько стадий: 1) поглощение света и передача
энергии тепловым колебаниям решетки твердого тела; 2) нагревание материала
без разрушения; 3) разрушение материала и разлет образующихся продуктов
(абляция); 4) остывание после окончания взаимодействия.
Прежде, чем перейти к стадии нагревания, напомним основные процессы
поглощения в материалах, предшествующие нагреванию. Подробное описание
первой стадии процесса можно найти в первой части конспекта курса лекций по
взаимодействию лазерного излучения с веществом.

1.1.1. Основные процессы поглощения в материалах


При взаимодействии излучения с поверхностью среды оно частично
отражается, а частично проникает внутрь материала, поглощается в нем и, как
правило, достаточно быстро переходит в тепло. В этом случае изменение
плотности светового потока по глубине описывается законом Бугера:
q( z )  Aq0ez , (1.1)
где q0 - плотность падающего светового потока на поверхности материала; А –
поглощательная способность материала; α – линейный коэффициент
поглощения.
Координата z отсчитывается от поверхности в глубь материала. Формула
(1.1), соответствующая линейному поглощению излучения, применима к
металлам, металлизированным полупроводникам и диэлектрикам в широком
диапазоне длин волн. В то же время конкретные значения входящих в нее
величин А и α, а также механизмы поглощения света и перехода его в тепло
могут сильно отличаться для материалов различных классов.
В металлах кванты света поглощаются в основном электронами
проводимости, которые рассеивают энергию на тепловых колебаниях решетки
за время релаксации 10-11-10-12 с. Этот процесс протекает в слое толщиной 10-6-
10-5 см, примерно соответствующей глубине проникновения света в металл.
Поскольку время релаксации значительно меньше длительности используемых
для обработки материалов световых импульсов (речь не идет об обработке
ультракороткими лазерными импульсами), можно считать, что в течение
лазерного импульса тепловой источник, нагревающий решетку металла,
следует за изменениями светового потока с пренебрежимо малым временным
запаздыванием. Для большинства металлов в диапазоне длин волн от дальней
инфракрасной области до ближней ультрафиолетовой характерны высокая
8
отражательная способность R=1-А (особенно для благородных металлов) и
большой коэффициент поглощения α ~ 105-106 см-1.
В отличие от металлов, в полупроводниках, имеющих при комнатной
температуре незначительную концентрацию свободных электронов,
поглощение определяется в основном связанными носителями.
Полупроводники будут сильно поглощать излучение, начиная с некотрой
частоты ν, для которой энергия кванта hν больше ширины запрещенной зоны
Еg. Линейный коэффициент α может достигать при этом значений до 10 3-104 см-
1
. Если h  Eg , то действие лазерного излучения приводит к внутреннему
фотоэффекту в полупроводнике. С течением времени концентрация свободных
носителей растет. Однако в пределе ее рост ограничен различными видами
рекомбинации и диффузией электронов и дырок из области возбуждения из-за
наличия градиента концентрации носителей. Интенсивное выделение тепла в
решетке полупроводника начинается с момента достижения такой
концентрации электронов, когда они сами будут поглощать значительную долю
светового потока, т.е. когда полупроводник «металлизируется». Исходный
коэффициент отражения у полупроводников обычно меньше, чем у металлов.
Механизмы поглощения света в непрозрачных неметаллических
материалах могут быть самими разнообразными и включать в себя как
составную часть отмеченные выше механизмы междузонного и внутризонного
поглощения. Существенную роль может играть примесное поглощение и
поглощение на дефектах и включениях, приводящее к собственному
поглощению в материале в процессе нагревания.

1.1.2. Особенности лазерного нагрева


Уже первые эксперименты по воздействию лазерного излучения на
материалы, проведенные в 60-х годах прошлого века, показали, что лазерный
нагрев по своей физической сущности не отличается от других видов нагрева.
Как и при любом другом нагревании, однозначной характеристикой теплового
действия является температура, а сам нагрев состоит в увеличении амплитуды
тепловых колебаний решетки. Перенос тепла в твердом теле осуществляется
механизмами теплопроводности, из которых для металлов и сильно
вырожденных полупроводников основным является электронная
теплопроводность, а для неметаллов – решеточная.
Лазерный нагрев может сопровождаться изменением оптических и
теплофизических свойств материала, его тепловым расширением, а также
фазовыми переходами в твердом состоянии и плавлением. В ряде случаев при
нагревании могут активироваться диффузионные процессы в твердом теле и
некоторые химические реакции на его поверхности и в приповерхностных
слоях. Таким образом, нагреванию материалов лазерным излучением
сопутствуют обычные, достаточно изученные явления.
В то же время высокие скорости нагревания и охлаждения и большие
пространственные градиенты температуры обуславливают особенности
лазерного нагрева. Они могут привести и приводят к значительным отличиям в
протекании тепловых процессов, стимулированных лазерным воздействием.
9
Важную роль при нагревании лазерным излучением играет изменение
оптических свойств вещества, так как от величин поглощательной способности
и коэффициента поглощения непосредственно зависит количество выделенного
тепла и его пространственное распределение. Образование обратных связей по
оптическим параметрам поверхности материала, которые изменяются в
процессе лазерного воздействия, вносит принципиальные особенности в ход
протекающих процессов.
Уникальная специфика лазерного нагрева проявляется в области
коротких и ультракоротких длительностей лазерных импульсов и заключается в
том, что необходимо рассматривать отдельно температуры для подсистемы
электронов и решетки. Подробнее об этом будет сказано в главе 5.
Стадия нагревания материалов лазерным излучением является основной
при изучении физической сущности технологических операций, проводимых
без разрушения материала, например, сварки, термообработки, диффузии и т.д.
Для операций лазерной обработки материалов, связанных с разрушением и
удалением некоторой их части, стадия нагревания является предварительной,
но вместе с тем весьма важной, так как ее анализ позволяет определить условия
начала разрушения.

1.1.3. Тепловые эффекты в конденсированных средах


При лазерном воздействии на материалы наблюдаются многообразные
процессы и явления, которые приводят к изменению оптических и
электрических характеристик материала, его структуры и фазового состава.
Отметим основные физико-химические явления, представляющие
наибольший практический интерес при решении инженерных задач в
технологии лазерной обработки материалов.
Плавление. При облучении кристаллического или поликристаллического
твердого тела лазерным излучением достаточной плотности мощности его
температура T может возрасти до температуры плавления Tm . Температуры
плавления различных материалов сильно различаются примерно от 500 К для
легкоплавких металлов (свинец, олово) до 3300 К для тугоплавких (вольфрам,
платина). Соответственно меняется как количество теплоты, которое
необходимо для нагревания металла от комнатной температуры до
температуры плавления, так и скрытая теплота фазового перехода твердое тело
– расплав Lm . При этом роль скрытой теплоты плавления, т.е. теплоты,
необходимой для разрушения кристаллической решетки тела, тем больше, чем
ниже температура плавления. Если продукты лазерного разрушения
немедленно удаляются с поверхности твердого тела, например, в результате
обдува струей воздуха, то процесс называется лазерной абляцией.
Целью теоретическою анализа процесса плавления является определение
толщины расплавленного слоя и продолжительности плавления до момента
начала интенсивного испарения материала. Знание этих параметров процесса
плавления весьма важно, в частности, при использовании лазерного излучения
для импульсной и непрерывной сварки.
10
Испарение. Жидкая фаза, образовавшаяся при плавлении твердого тела,
может быть нагрета до температуры испарения Tev . Фазовый переход жидкость
– пар происходит при подводе в зону воздействия количества теплоты, равного
или большего теплоты испарения Lev . Для ряда материалов, у которых процесс
теплового разрушения протекает без образования жидкой фазы, происходит
фазовый переход твердое тело – пар, называемый сублимацией. Испарение
материалов может протекать в виде кипения, для которого характерно
возникновение и рост пузырьков насыщенного пара в расплаве вблизи
поверхности нагрева. Испарение является типичным механизмом лазерной
абляции.
У некоторых материалов (древесина, минералы) интенсивный лазерный
нагрев ведет к испарению связанной (кристаллизационной) воды или других
жидких компонентов. Подобные легкоиспаряемые продукты создают высокое
давление в зоне нагрева, что приводит к образованию микротрещин, выбросу
частиц материала, перестройке его химической структуры.
При анализе лазерного испарения материалов очень важен вопрос об
"энергетической организации" процесса. При малых плотностях мощности
поглощенного лазерного излучения ( q  104 Вт/см2) разрушение практически
всех металлов связано с процессами плавления и абляции. Доля газовой фазы в
продуктах разрушения невелика. Увеличение мощности лазерного излучения
ведет к росту температуры материала ( T  Tm ), соответственно возрастает и
роль испарения в процессе разрушения. Физическая модель, описывающая
процесс испарения, довольно сложна. В частности, трудно определить долю
рассеянного и поглощенного лазерного излучения в облаке пара вблизи
поверхности, учесть взрывные эффекты и взаимодействие различных фаз в зоне
обработки.
Кристаллизация. Тепловое действие поглощенного лазерного излучения
может приводить к изменению структуры и оптических и электрофизических
свойств материала в зоне обработки. Характер этих изменений зависит от
свойств облучаемого материала, мощности поглощенного излучения, скорости
нагрева и охлаждения.
При лазерном воздействии кристаллизация расплава может приводить
либо к образованию материалов с другим типом кристаллической решетки либо
к структурированию аморфных тел. При этом происходит выделение удельной
теплоты кристаллизации в зоне воздействия (при фазовом переходе жидкость –
твердое тело она равна Lm ).
Термохимические реакции. Лазерный нагрев веществ может
стимулировать протекание необратимых химических реакций, которые
вызывают ускорение процесса разрушения материала. Большой тепловой вклад
экзотермических реакций, инициируемых в зоне нагрева, приводит к
воспламенению материала, которое может перейти в автономный режим. При
этом материал воспламеняется в области, размеры которой многократно
превосходят зону облучения.
11
Кроме того, воздействие лазерного излучения на металлы способствует
развитию термохимических реакций, с помощью которых можно окислять
поверхность, восстанавливать металлы, разлагая сложные соединения,
синтезировать новые материалы. При этом существенно меняются оптические
свойства материалов (в первую очередь поглощательная способность)
вследствие изменения физико-химических свойств поверхности.
Взаимосвязь физических процессов, сопровождающих процесс
воздействия лазерного излучения на материалы, изображена на рис. 1.1.
При лазерном облучении в соответствии с величиной поглощенного
потока материал нагревается, плавится и испаряется. По окончании
воздействия – остывает. После любой из названных стадий (нагрев, плавление,
испарение) возможен процесс кристаллизации – изменение структуры.
Стрелками показано возникновение обратных связей по оптическим
свойствам, в частности, по поглощательной способности при нагреве
материала, при плавлении. Последнее особенно сказывается при облучении
полупроводников.
Также в нагретом материале на поверхности могут активироваться
термохимические реакции, происходить деформация поверхности, а при
испарении материала возможны химические реакции в парофазном состоянии.

Рис. 1.1. Взаимосвязь физических процессов при воздействии лазерного


излучения па материалы

В левой части схемы отмечено возникновение оптического пробоя при


прохождении излучения сквозь прозрачную среду. В частности, при облучении
на воздухе может произойти оптический пробой (возникновение искры) в
12
воздухе. Над поверхностью материала образуется плазма, состоящая как из
частиц оптического пробоя окружающей среды, так и из испаренных частиц
материала. Приповерхностная плазма участвует в поглощении излучения и
может существенно экранировать мишень.
Очевидно, что совокупность физических процессов в зоне воздействия
определяется температурой, скоростью и временем нагрева, скоростью
охлаждения материала, которые, в свою очередь, зависят от геометрических и
энергетических характеристик лазерного излучения, свойств обрабатываемого
материала, массы облучаемого изделия, технологических схем обработки и т.д.
Поэтому в дальнейшем основными целями при анализе лазерного
нагревания будут:
- оценка темпа разогрева и характерных масштабов прогрева вглубь и в
стороны (теплофизика процесса);
- выявление и анализ физико-химических процессов, происходящих во
время воздействия, и описание их воздействия на нагревание.

1.1.4. Основные особенности температурной кинетики при


лазерном воздействии на металлы
Часть энергии лазерного излучения, падающего на поверхность металла,
поглощается в нем, а часть отражается. Коэффициент отражения R определяет
долю энергии падающего излучения, которая отражается и не может быть
использована для нагрева.
Коэффициент отражения R всех металлов возрастает по мере смещения в
дальнюю ИК-область спектра. Для длин волн   5 мкм, коэффициенты
отражения практически всех металлов превышают 90%. В указанной области
коэффициент отражения связан с электропроводностью материала. Металлы с
высокой электропроводностью обладают максимальными значениями
коэффициента отражения в ИК-области спектра. Так, золото имеет более
высокий коэффициент отражения, чем алюминий, а алюминий в свою очередь
имеет более высокий коэффициент отражения, чем сталь. В такой же
последовательности эти материалы располагаются в зависимости от их
электропроводности.
Количество света, поглощаемого металлической поверхностью,
пропорционально величине ( 1  R ). На длине волны 10,6 мкм коэффициент
отражения R ~1 и величина ( 1  R ) становится малой. Отсюда следует, что на
этой длине волны лишь небольшая часть падающей на поверхность энергии
поглощается, то есть может быть использована для нагрева металла. Так,
например, при длине волны 10,6 мкм значение ( 1  R ) для серебра или меди
составляет ~ 0,02, тогда как для стали оно равно ~ 0,05.
Поэтому важное значение имеет правильный выбор длины волны
технологического лазера. В области более коротких волн значение величин
(1  R) существенно выше. В частности, для стали при  = 1,06 мкм величина
(1  R) составляет ~ 0,35. Отсюда следует, что если на поверхность стали падает
излучение лазеров на иттрий алюминиевом гранате (ИАГ) с неодимом и СО 2-
13
лазеров, имеющие одинаковую плотность мощности, то, по крайней мере, на
начальной стадии, поглощение излучения лазера на ИАГ с неодимом в семь раз
больше.
Поглощенная световая энергия переходит в тепловую и вызывает нагрев
материала. Температура, до которой нагревается материал, зависит от
плотности мощности излучения, длительности воздействия, теплофизических
свойств вещества, геометрии образца и оптических свойств материала.
Коэффициент поглощения металлов  имеет большую величину, порядка 105-
106 1/см, поэтому значительная часть поглощенной энергии выделяется в
приповерхностном слое толщиной ~ 1  ~ 105-10-6 см.
Тепло из области воздействия лазерного излучения отводится за счет
теплопроводности в стороны и в глубину материала. Эти потери тепла малы,
если лазерные импульсы имеют малую длительность, но они могут стать
существенными для импульсов с большой длительностью или при малых
областях облучения. Нагрев может протекать с высокой скоростью.
Рассмотренная качественная схема механизмов и последовательности
процессов поглощения света и перехода поглощенной энергии в тепло
позволяет перейти к количественной оценке различных режимов нагревания.

1.1.5. Теплопроводностные механизмы отвода тепла.


Уравнение теплопроводности, начальное и граничные условия
Перенос тепловой энергии (кинетической энергии микрочастиц) в
веществе определяется процессами теплопроводности. Явление
теплопроводности проявляется при непосредственном соприкосновении
отдельных частиц тела или отдельных тел, имеющих различные температуры.
В газах перенос тепловой энергии осуществляется путем взаимодействия
диффундирующих молекул и атомов, а в жидкостях и твердых телах
(диэлектриках) – упругих волн (фононов). В проводниках перенос энергии в
основном осуществляется путем диффузии свободных электронов.
Процесс переноса теплоты теплопроводностью возможен лишь тогда,
когда в различных точках тела температура неодинакова. Поэтому передача
теплоты теплопроводностью в веществе сопровождается изменением
температуры, как в пространстве, так и во времени.

Температурным полем T r , t  называют совокупность значений
температуры во всех точках рассматриваемого тела, положение которых задано

координатами x , y , z или вектором r , в каждый фиксированный момент
времени t . Основной задачей теории теплопроводности является изучение
пространственно-временного распределения температуры, то есть определение

зависимости T  T r ,t   T x , y , z ,t  .
Температурное поле, изменяющееся как в пространстве, так и во времени,
называется нестационарным температурным полем. Для нестационарного
температурного поля характерен неустановившийся режим теплопроводности,
когда температура изменяется с течением времени. При обработке материала
14
импульсным лазерным излучением возникает нестационарное температурное
поле.
При установившемся тепловом режиме температура в каждой точке тела
с течением времени остается неизменной, меняясь лишь от точки к точке. Такое
температурное поле называется стационарным. При этом температура является
функцией только координат
 T
T  T r   T ( x, y, z ) , 0.
t

В теле с температурой T r , t  можно выделить поверхность, во всех
точках которой в любой, но один и тот же момент времени t1 , температура
одинакова. Такая поверхность называется изотермической. Ее уравнение имеет

вид T r , t1   const .
При анализе теплообмена между двумя бесконечно близко
расположенными изотермическими поверхностями с температурами T и
T  T (рис. 1.2) можно показать, что скорость изменения температуры в

некоторой локальной точке M пространства  в направлении l определяется
производной функции T по направлению l
T  T   T   T 
   cos    cos     cos ,
l  x   y   z 

 ,  ,  - направляющие углы вектора l в декартовой системе координат.

Рис. 1.2. К определению температурного градиента и изотермической


поверхности

Наибольшая скорость изменения температуры наблюдается в



направлении нормали к изотермической поверхности n . Следовательно, в
любой точке M изотермической поверхности можно построить некоторый
вектор, направленный по нормали к этой поверхности в сторону увеличения
температуры, который характеризует скорость возрастания температуры в этом

направлении (т.е. производную от температурной функции T r , t  по

направлению нормали n ). Такой вектор называют градиентом температурного
поля и записывают в виде
15
 
T  T  T 
T  grad T  i j k
x y z
  
i , j , k - единичные векторы, совпадающие по направлению с координатными
осями x, y, z соответственно.

Независимо от выбора направления нормали n вектор grad T направлен
в сторону возрастания температуры. Он показывает: как резко меняется
температура внутри тела.
Согласно сказанному выше, можно записать
T T 
T  grad T  ,  n grad T
n n
В теле с неравномерным распределением температуры (не находящемся в
полном тепловом равновесии) всегда происходит перенос теплоты, то есть для
передачи теплоты теплопроводностью необходимо, чтобы существовал
градиент температуры, который определяет величину теплового потока. В этом
смысле температурный градиент является основным физическим параметром,
определяющим условие возникновения процесса передачи теплоты. Тепловой
поток, в отличие от температуры (величины скалярной) имеет вполне
определенное направление: от точек тела с высокой температурой к точкам
тела с более низкой.
Связь между величинами, определяющими передачу теплоты,
устанавливает уравнение теплопроводности. Уравнение теплопроводности
выведено на основе закона сохранения энергии и закона Фурье. В общем случае
задача теплопроводности описывается системой дифференциальных уравнений.
В случае неподвижного источника тепла эта система имеет вид:
cT  
 div   grad T   qv (r , t ) (1.2)
t
Теплофизические коэффициенты c – удельная теплоемкость,  –
плотность,  – коэффициент теплопроводности в общем случае зависят от
координат, времени и температуры. Тепловой поток   grad T измеряется
количеством теплоты, проходящим в единицу времени через единицу площади
поверхности, перпендикулярной направлению потока в рассматриваемой точке.

Плотность мощности теплового источника qv (r , t ) , действующего в объеме
тела, в общем случае также зависит от температуры.
При описании лазерного нагрева вещества необходимо учитывать
следующие обстоятельства. Поскольку световая волна проникает в глубь среды,
то тепловые источники распределены в объеме среды, то есть являются
объемными. Из-за уменьшения интенсивности лазерного излучения по мере
проникновения его в глубь материала выделение энергии происходит
неоднородно по объему взаимодействия, что приводит к неоднородному
нагреву вещества и, как следствие, вызывает в нем интенсивные процессы
тепло- и массопереноса между различными участками.
Наиболее удобна для аналитического анализа ситуация, когда материал,
облучаемый лазерным пучком:
16
а) изотропен и гомогенен, то есть его свойства одинаковы по всем
направлениям, а температурные зависимости оптических и теплофизических
коэффициентов слабые;
б) объемный источник теплоты не зависит от температуры.
В этом случае, так как div ( gradT )  T (  – оператор Лапласа),
уравнение (1.2) можно преобразовать к следующему уравнению
теплопроводности

T r , t   1 
 aT (r , t )  qv (r , t ) (1.3)
t c
где a   c – коэффициент температуропроводности.

Уравнению (1.3) должна удовлетворять функция T r , t , представляющая
собой распределение температуры в теле.
В отличие от теплопроводности  , которая характеризует способность
материала проводить тепло, температуропроводность a характеризует
теплоинерционные свойства тела. Она является мерой скорости выравнивания
температурного поля в рассматриваемой среде. Чем больше a , тем быстрее
меняется во времени температура. То есть a характеризует способность
вещества изменять с большей или меньшей скоростью свою температуру во
времени (определяет эффективность разогрева среды в процессе переноса
тепла).
Особо важно подчеркнуть, что вид решения уравнения (1.3)
T  T ( x, y, z, t ) определяется функцией, зависимой от плотности тепловых

источников qv (r , t ) и значениями теплофизических постоянных  , c ,  , а
однозначность решения – граничными условиями для каждой конкретной
задачи нагрева. В частности, значение  определяет максимальную
температуру, соответствующую данной плотности мощности объемных

тепловых источников qv (r , t ) .
При нагревании твердых тел лазерным излучением распределение
плотности мощности светового потока q( x , y , z ) в поглощающей среде по
глубине z описывается законом Бугера – Ламберта, в дифференциальном виде
dq( z )
 q( z ) . (1.4)
dz
В диапазоне длин волн от дальней ИК-области до ближней УФ для
большинства металлов характерен большой коэффициент поглощения, который
можно считать неизменным (   const ). В этом случае изменение плотности
светового потока по глубине описывается интегральным законом Бугера-
Ламберта.
q( z)  Aq0 exp  z  , (1.5)
где q0 – плотность падающего светового потока на поверхность материала, A –
поглощательная способность.
В материале с малой теплопроводностью  при определенной плотности
потока q0 ( x, y) равновесная температура всегда выше, чем в веществе с
17
большим значением  . Удельная теплоемкость c проявляется в способности
материала накапливать тепло, поступающее от внешнего источника, пока не
достигнуто состояние равновесия. Коэффициент же температуропроводности
a   c определяет, как уже было отмечено, скорость установления теплового
равновесия в материале при мгновенном включении теплового источника. При
этом расстояние, на которое тепловая волна распространяется в материале
за время t , может быть оценено как lT  at . Размер прогретой области
материала растет за счет температуропроводности пропорционально этому
параметру.
Уравнение (1.3) получено при некоторой идеализации процесса, поэтому
оно является феноменологическим (описательным) уравнением. Вопрос о том,
насколько точно это уравнение описывает реальный физический процесс,
происходящий при взаимодействии лазерного излучения с материалами, может
быть решен только сравнением результатов, полученных при решении
уравнения и в эксперименте. В абсолютном большинстве случаев
феноменологическое описание процесса теплопроводности находится в весьма
удовлетворительном согласии с экспериментом, конечно, при правильном
выборе модели реального процесса.
Уравнение теплопроводности есть дифференциальное уравнение в
частных производных, в котором независимыми переменными являются время
и три пространственные координаты, а зависимой переменной – функция T
(температура). Это уравнение первой степени (линейное), поскольку зависимая
переменная T входит в него только в первой степени. Но вместе с тем, оно
является уравнением второго порядка, так как оператор Лапласа содержит
производные второго порядка от температуры T по пространственным

координатам. Функция qv (r , t ) (в общем случае) считается заданной функцией
координат и времени.
Уравнение теплопроводности является математической моделью целого
класса процессов теплопроводности, но оно само по себе ничего не говорит о
развитии процесса передачи теплоты от лазерного источника в
рассматриваемом теле. Математически это объясняется неоднозначностью
решения дифференциальных уравнений в частных производных. Чтобы
получить частное решение, соответствующее конкретной задаче нагрева
материала, необходимо иметь дополнительные данные. Эти дополнительные
условия, которые однозначно определяют конкретную задачу
теплопроводности, называются условиями однозначности. В условия
однозначности входят:
1) геометрические условия, характеризующие форму и размеры тела, в
котором протекает процесс теплообмена;
2) условия, определяющие физические и теплофизические свойства тела
(тепло- и температуропроводность, теплоемкость, плотность), а также закон

распределения объемных источников теплоты qv (r , t ) ;
3) граничные условия, характеризующие особенности теплового
взаимодействия граничной поверхности тела с окружающей средой. В
18
частности, необходимо знать, каким образом происходят потери тепла с
поверхности: либо с помощью лучеиспускания (по закону Стефана -
Больцмана), конвекции (по закону Ньютона) или испарения;
4) временные или начальные условия, определяющие распределение
температуры в любой точке тела в некоторый момент времени, который для
конкретной физической задачи задается или принимается за нулевой t  0 .
Для тела определенной геометрической формы с известными
физическими свойствами (заданы  ,  , c , a ) условия однозначности сводятся
к заданию начального и граничных условий. Начальное условие является
краевым условием по времени, а граничные условия – пространственными
краевыми условиями. Эти условия в совокупности называются краевыми
условиями. Дифференциальное уравнение теплопроводности вместе с краевыми
условиями составляет краевую тепловую задачу.
Начальное условие для уравнения теплопроводности обычно состоит в
задании температуры в начальный момент времени t  0 во всех точках
обрабатываемой лазерным излучением детали
  
T (r , t  0)  Tн (r ) , r  0 . (1.6)
Граничные условия – условия теплового взаимодействия тела с
окружающей средой – могут быть заданы в различной форме в зависимости от
характера процесса. В тех случаях, когда на границе тела не происходит
никаких процессов с поглощением или выделением теплоты, а теплообмен
определяется только теплопроводностью, граничные условия на поверхности
заключаются в равенстве температуры и тепловых потоков на границе
T T
T  Tcp ,    ср cp , (1.7)
n n
где T и Tcp – температуры тела и среды,  и  cp – теплопроводности тела и

среды, n – нормаль к граничной поверхности тело – среда,  n - производная
по направлению нормали к граничной поверхности.
Условие (1.7) весьма неудобно, так как для расчета температуры
материала необходимо отыскивать температуру и в окружающей среде, обычно
это воздух или газы, подаваемые в зону обработки. По этой причине в
большинстве практических случаях используют условия, представляющие
собой некую идеализацию действительных физических процессов.
Граничное условие I рода состоит в задании распределения температуры
на поверхности тела T0 для любого момента времени
T0  T ( x, y,0, t ) . (1.8)
В частном случае, когда температура на поверхности постоянна на протяжении
всего времени протекания процессов теплообмена, условие (1.8) упрощается и
принимает вид T0  const .
При граничных условиях II рода задаются значения плотности теплового
потока для каждой точки поверхности тела как функции координат и времени
19
T ( x, y, z, t )
  Aq0 ( x, y, t )  ql (T ) (1.9)
n

n – нормаль к поверхности, A – поглощательная способность материала,
q0 ( x, y, t ) – функция, описывающая временную структуру и пространственное
распределение плотности потока излучения по поверхности тела, ql (T ) –
плотность мощности тепловых потерь, связанных с радиационным или
конвективным теплообменом. В случае, когда Aq0 ( x, y, t )  ql (T ) , потерями
тепла с поверхности можно пренебречь. При лазерной обработке указанное
условие обычно справедливо при таких плотностях мощности лазерного
излучения и временах облучения, когда температура поверхности не превышает
температуру плавления.
Именно краевые тепловые задачи с граничными условиями II рода
представляют наибольший интерес для процессов взаимодействия лазерного
излучения с материалами.
Если заданы температура окружающей среды Tcp и закон теплообмена
между окружающей средой и поверхностью обрабатываемого материала, то
говорят, что в тепловой задаче заданы граничные условия III рода
ql   T  Tcp  (1.10)
где  – коэффициент теплопередачи (  = Вт/(см2·К)) характеризует
интенсивность теплообмена между поверхностью тела и окружающей средой.
Условие (1.10) можно с учетом закона Фурье представить в виде
T
   T  Tcp  (1.11)
n z 0
Уравнение (1.11) по существу является частным выражением закона
сохранения энергии для поверхности тела.
Напомним, что решение уравнения (1.4) может быть получено
несколькими способами. Наиболее математически мощными и универсальными
являются метод разделения переменных, операционный метод или метод
интегральных преобразований и метод источников или метод функций Грина.
Операционный метод является одним из самых эффективных
аналитических методов при решении краевых задач теплопроводности. Причем
решения, получаемые операционным методом, удобны для практического
использования. Операционный метод основан на преобразовании искомой

функции T r ,t  по одной из переменных, причем это преобразование
выбирается с таким расчетом, чтобы уравнение для новой (преобразованной)
функции было значительно проще исходного. Находят решение
преобразованного уравнения, а затем, применяя к нему обратное
преобразование, определяют решение исходного уравнения.
В качестве преобразования, позволяющего реализовать эту идею, обычно
применяют преобразование Лапласа по времени
 

T (r , p)   exp( pt )T (r , t )dt , (1.12)
0
20
где t - действительная переменная, p - комплексный параметр.
 
Функция T r , t  в (1.12) называется оригиналом, а T r , p  - изображением
 
T (r , t )  T (r , p) .
Широкое применение операционного метода основано на том, что
дифференцированию функции в пространстве оригиналов соответствует
алгебраическая операция умножения в пространстве изображений
f (t )  pf ( p)  f (0) . Благодаря этому свойству преобразование Лапласа
является одним из основных методов решения дифференциальных уравнений в
частных производных, в том числе уравнения теплопроводности.
Использование преобразования Лапласа позволяет уменьшить на единицу
количество переменных, по которым производится дифференцирование. В
частности, если в уравнении теплопроводности есть производные по времени и
одной координате, то в пространстве изображений в соответствующем
уравнении будет только производная по одной координате, т.е. уравнение
теплопроводности будет обыкновенным дифференциальным уравнением.
Другим мощным математическим методом аналитического решения
краевых задач теплопроводности типа (1.4) является метод источников или
функций Грина. Метод функции Грина весьма универсален: его можно
применять для решения краевых задач при достаточно общей постановке в
одно, двух и трехмерных случаях, ограниченных и неограниченных областях,
при однородных и неоднородных, начальных и граничных условиях, причем
как для нестационарных, так и для стационарных температурных полей.
Идея метода состоит в том, что сначала находят специальное решение
краевой задачи теплопроводности того же типа (так называемую функцию

Грина G(r , t  t ) ), но более простое. Через него определяют интегральное
представление решения исходной задачи.
Важным является понятие источника теплоты, локализованного в точке

пространства r  0 и имеющего вид "мгновенного" теплового импульса, т.е.
источника вида
1 
 r  t  t 
c
  
 (z ) - дельта-функция,  ( z  0)  1 ,  ( z  0)  0 .
При этом, решение уравнения теплопроводности можно заменить
решением уравнения относительно функции Грина
G   2 G  2 G  2 G 
     t  z 
t  x 2 y 2 z 2 
Если в уравнении (1.3) нет объемных тепловых источников qv = 0, то для
одномерного случая функция вида
1  (z   )2 
G  z , , t   exp   (1.13)
2 at  4 at 
удовлетворяет уравнению теплопроводности и называется фундаментальным
решением уравнения теплопроводности.
21
Начальное распределение температуры, удовлетворяющее условию (1.13)
называется тепловым импульсом. С учетом этого понятия можно сказать, что
фундаментальное решение уравнения теплопроводности (1.3) дает
распределение температуры в любой точке облучаемого тела в момент времени
t , которое вызывается мгновенным точечным источником теплоты q0 c ,
действующим в точке z 0   в момент времени t  0 .
Из рис. 1.3 следует, что во всякой точке тела температура, создаваемая
мгновенным точечным источником тепла, действующим в точке z0   , при
t  0 определяется фундаментальным решением уравнения и довольно быстро
выравнивается.
Из сказанного следует, что функция Грина G( x, y, z, t ) описывает влияния
мгновенного точечного теплового источника на температурное поле.
Вследствие линейности уравнения теплопроводности вместе с граничными и
начальными условиями, решение краевой задачи теплопроводности имеет вид:
1
T x, y, z, t   dt  q x, y, z , t Gx  x, y  y, z  z , t  t dxdydz . (1.14)
c   v

Рис. 1.3. Графическое представление фундаментального решения уравнения


теплопроводности по методу функций Грина

Зная начальное распределение температуры н ( x, y, z ) и


фундаментальное решение (функцию Грина) можно установить искомое
температурное поле (в одномерном случае):
 


T z, t   Tн z exp  z    / 4at d .


1

2
(1.15)
4at  2 
3

Согласно решению (1.14, 1.15), после мгновенного точечного теплового


импульса температура в точке нагрева убывает с течением времени по закону
T ~ t 3 2 , а характерный размер зоны термического влияния растет ~ at .
22
Метод источников (функция Грина) успешно используется при решении
тепловых задач лазерного воздействия на материалы с низкой
температуропроводностью (биологические объекты, неметаллы и т.д.), в этом
случае мгновенный тепловой источник действительно локализован, поэтому
можно установить характерные закономерности изменения температурного
поля в объеме материала.

1.2. Термические эффекты, сопровождающие лазерный


нагрев
1.2.1. Термомеханические эффекты
В результате поглощения лазерного излучения в материале могут
возникать волны сжатия. Один из механизмов, приводящих к возникновению
таких волн, связан с испарением материала с поверхности образца, в результате
чего нагретый материал получает импульс отдачи, направленный от
поверхности в глубь материала. Импульс, передаваемый облучаемому образцу,
был измерен во многих экспериментальных исследованиях, в которых
использованы в основном мощные лазеры. В этом случае с поверхности
удаляется значительное количество материала.
Удельный импульс, который определяется как отношение передаваемого
механического импульса к энергии лазерного импульса, оказывается
значительно больше импульса, который может быть передан маятнику за счет
эффекта отражения фотонов (пондеромоторный эффект). Из результатов
экспериментов (рис. 1.4) следует, что для каждого материала существует
оптимальная плотность мощности лазерного излучения, при которой удельный
импульс максимален. Если плотность мощности меньше оптимальной, то
увеличивается доля энергии на теплопроводностные потери. Если же плотность
мощности оказывается выше оптимального значения, то часть лазерной
энергии поглощается парами материала, в результате чего передаваемый
импульс оказывается меньше, чем в случае, когда это же количество энергии
затрачивается для испарения большого количества материала.
В экспериментах исследуется зависимость изменения передаваемого
образцу импульса от плотности мощности лазерного излучения по отклонению
простого маятника в виде сферы из исследуемого материала, подвешенной на
нити в вакуумной камере, на которую фокусировали излучение рубинового
лазера.
Пиковые давления, достигнутые в металлических материалах, которые
облучались импульсами мощных лазеров на стекле с неодимом, работающих в
режиме модуляции добротности, составляют десятки килобар. Импульс
давления может оказаться достаточным для того, чтобы вызвать откол на
обратной поверхности тонких металлических листов.
23
10

Удельный передаваемый
C

импульс, дин.с/Дж
5
Al W

2 Be

1 8 9 10 11
10 10 10 10
Плотность мощности лазерного излучения, Вт/см2
Рис. 1.4. Удельный импульс, передаваемый различным металлам в
зависимости от мощности импульса рубинового лазера, работающего в режиме
модуляции добротности при постоянном размере области облучения

Возникающий при испарении импульс давления может приводить к


возбуждению в облучаемом веществе звуковой волны.
Для испарения необходимо, чтобы энергия, подводимая к материалу,
была больше, чем удельная скрытая теплота испарения Lev . Время начала
процесса испарения зависит от соотношения энергии, необходимой для
испарения и мощности поглощенного излучения
L
 ev  ev . (1.16)
q
Из (1.16) следует, что увеличение мощности излучения уменьшает время,
за которое устанавливается режим испарения. Схематически картина
поверхностного испарения изображена на рис. 1.5.
Разлетающиеся молекулы жидкости имеют импульс, направленный в
среднем нормально к поверхности жидкости, по этой причине импульс отдачи,
возбуждающий деформации в жидкости, так же направлен перпендикулярно к
поверхности в глубь объема. Максимальное давление в жидкости pmax при
условии, что жидкость не нагревается выше критической температуры, можно
оценить из соотношения:
mVev
pmax  ,
 ev2 rV
где m — испаренная масса,  ev — время установления процесса испарения,V—
скорость движения волны сжатия, r — расстояние от поверхности, Vev —
скорость истечения пара.
Очевидно, энергия световой волны, перешедшая в энергию звуковой
волны, растет при увеличении поглощения световой волны в среде. Поэтому
коэффициент трансформации максимален при оптическом пробое.
Другой механизм возбуждения звуковых волн в среде основан на
вынужденном рассеянии Мандельштама-Бриллюэна (ВРМБ), т.е. явлении
рассеяния световых волн на тепловых упругих волнах (см. раздел 3).
24

Рис. 1.5. Схема процесса возбуждения звука в жидкости при ее испарении с


поверхности за счет поглощения лазерного излучения: 1 —лазерный пучок; 2 —
испаряемый объем; 3 — разлетающийся пар: 4 — волна сжатия в жидкости

При любом механизме генерации акустических волн, как за счет


локального нагревания и испарения, так и за счет вынужденного рассеяния на
неоднородностях показателя преломления, звуковая волна может приводить
либо к разрушению среды, если амплитуда звуковой волны больше предела
упругости материала, либо к уменьшению интенсивности поглощенного
лазерного потока вследствие перекачки его энергии в звуковые колебания
среды.
Механические напряжения при неравномерном нагреве
К появлению механических напряжений в материале может привести его
неравномерное нагревание. Это обусловлено свойством тела увеличивать свой
объем при нагревании, чему препятствует холодный массив тела, возникают
напряжения. Термические напряжения тем больше, чем больше перепад
температур при локальном нагревании и чем больше коэффициент
термического расширения материала.
Напряжения, возникающие при локальном лазерном нагревании, можно
характеризовать тензором напряжений. В цилиндрической системе координат
его нормальные компоненты -  zz .  rr и   . Сжимающие напряжения
являются отрицательными, а растягивающие положительными.
В первом приближении можно считать, что при локальном нагревании на
поверхности напряжения  zz = 0. Решение соответствующей задачи
термоупругости позволяет вычислить радиальные  rr (r , z ) и азимутальные
  (r , z ) напряжения на поверхности среды и вдоль оси симметрии (см. рис.
1.6).
25

Рис. 1.6. Стационарное распределение температуры T (r , z ) и напряжений 


в полупространстве при подводе тепла через круг радиуса r0 , r - радиальная
координата поверхности; z - координата, направленная в глубь материала.

Видно, что напряжения повсюду сжимающие: установившееся


температурное поле кругового поверхностного источника тепла достаточно
медленно изменяется в пространстве и собственное тепловое расширение среды
в любой ее точке приводит, вследствие упругой реакции окружающего
материала, к таким сжимающим усилиям, которые превосходят растягивающие
усилия со стороны более нагретых областей. Максимальные напряжения
возникают в центре зоны облучения.
Предельные термические искажения плоской металлической
поверхности, нагреваемой непрерывным излучением, сводятся к тому, что эта
поверхность в пределах всей равномерно освещаемой круговой площади
принимает форму выпуклой сферы с радиусом кривизны поверхности
 2r0
 1    T , r  r0
 p T 0
 (r)   ,
  2 r 2
, r  r0
 1   p  T T0 r0

где T - коэффициент линейного расширения;  p - коэффициент Пуассона.
Оценка радиуса кривизны деформированной поверхности показывает, что при
r0 ~0,1 см,  p  0,5   15 см.
Такая локальная деформация поверхности может приводить к изменению
индикатрисы отражения металлических зеркал при наличии оптических
неоднородностей на поверхности.
Пусть на поверхности зеркала с поглощательной способностью A0 есть
неоднородность радиуса r0 с поглощательной способностью A1  A0 .
Температуру поверхности зеркала внутри неоднородности можно оценить как
температуру, до которой нагреется полупространство с поглощательной
26
способностью поверхности A0 при действии равномерно распределенного
лазерного потока с плотностью мощности q0 (см. раздел 1.3.3) плюс
температура локального перегрева неоднородности Tлок :
2q0 A0 at
T0   Tлок
 
Перегрев неоднородности можно оценить как температуру, до которой
нагреется малая область радиуса r0 при действии поглощенного потока
( A1  A0 )q0
q  A  A0  r0
Tлок  0 1 .

Относительный перегрев неоднородности составит
T  A1  A0 r0 
 ,
T 2 A0 at
при A1  1 относительный перегрев будет:
T r 
 0 .
T 2 A0 at
При малых значениях A0 , что характерно для металлических зеркал,
перегрев может достигать значительных величин (в десятки раз).

1.2.2. Фазовые переходы в твердом состоянии (лазерное


упрочнение)
Известно, что при нагревании твердых тел, в них могут происходить
различные изменения структуры, так называемые структурно-фазовые
переходы. Поскольку воздействие световых потоков большой мощности
сопровождается ростом температуры материала, очевидно, что лазерный
разогрев вещества при определенных условиях также может привести к
инициации структурно-фазовых изменений. При быстром охлаждении, которое
характерно для лазерного воздействия, обратный переход, как правило,
успевает произойти не полностью, происходит «замораживание» (закалка)
высокотемпературных состояний. Кроме того, могут быть реализованы:
кристаллизация аморфизированных при ионной имплантации
полупроводников, аморфизация поверхности металлов (образование
металлических стекол) при сверхбыстром охлаждении расплава, упрочнение
металлов за счет ударной волны, возникающей при наличии импульса отдачи.
При медленном нагреве структурно-фазовый переход происходит при
определенной температуре T p . При быстром лазерном нагревании такой
переход происходит в некотором диапазоне температур Tp1  Tp  Tp 2 (см. рис.
1.7).
Как известно из теории структурно-фазовых переходов, они проходят в
две стадии: образование устойчивых зародышей новой фазы с размером
27
большим критического и рост этих зародышей за счет диффузионного
присоединения атомов к новой фазе.
Скорость образования зародышей критического размера Vb определяется
выражением
 F  Gb 
Vb  V0b exp  b .
 k0T 
Fb - энергия перехода молекулы из исходной фазы на поверхность зародыша
новой фазы, V0b - постоянная, Gb - энергия образования зародыша
критического размера, k0 - постоянная Больцмана.
Скорость роста кристаллов новой фазы Vk , которая определяется
диффузионным переходом молекул из исходной фазы в новую, подчиняется
закону:
 Fk  G p 
Vk  V0 k exp  .
 k 0 T 
Fk - энергия активации диффузии молекулы из исходной фазы в зародыш, V0 k
- постоянная, G p - энергия роста кристаллов.
Скорости образования и роста зародышей имеют максимумы при
различных температурах (температура, при которой скорость образования
зародышей максимальна, меньше температуры максимальной скорости роста
зародышей).
При закалке сплавов (сталей, латуней, бронз и т.п.), когда
высокотемпературные фазы отличаются от низкотемпературных главным
образом соотношением компонентов, определяющей стадией перехода является
рост образовавшихся на предварительном этапе или уже существовавших
зародышей новой фазы.
Обычно анализ структурно-фазовых переходов проводят по изотерме
температуры перехода, отвечающей переходу при стационарном нагревании
или изотерме T p 2 . Рассматривают температурное поле, возникающее в
материале при лазерном нагревании. При этом считают, что термоупрочнение
происходит в той области термического влияния, где температура окажется
выше температуры T p1 или T p 2 . При этом считается, что скорость остывания
достаточно велика для того, чтобы образовавшиеся высокотемпературные
структуры не успели разрушиться.
28

Рис. 1.7. Смещение критической точки T p при быстром нагреве.

1.2.3. Эмиссионные процессы


При действии лазерного излучения на металл возможны два механизма
эмиссии электронов: термической эмиссии и многоквантового фотоэффекта.
Экспериментально эти механизмы можно различить по зависимости фототока
от поляризации падающего света и отсутствию запаздывания тока по
отношению к световому импульсу (характерные для механизма
многоквантового фотоэффекта). Наблюдаемая экспериментально электронная
эмиссия обусловлена обычно термическим механизмом.
Ток термоэлектронной эмиссии dJ с элемента поверхности dS ,
имеющего температуру Т, определяется известной формулой:
  
dJ  dS CЭT 2 exp  e  , (1.17)
 k 0T 
где  e  работа выхода, CЭ  постоянная. Простейшая теория дает для CЭ
выражение СЭ  4me qe k02 h 3 = 120 Асм2град2 ( me – масса электрона, qe – его
заряд, h – постоянная Планка), одинаковое для всех металлов.
Экспериментально определяемые значения CЭ могут отличаться от
приведенного теоретического иногда даже по порядку величины. Исследования
показывают, что значения CЭ и  e весьма чувствительны к состоянию
поверхности металла. Так, наличие адсорбированных на поверхности
положительных ионов приводит к образованию двойного электрического слоя,
который заметно снижает работу выхода.
Не останавливаясь на вопросе о значениях констант CЭ и  e для
различных металлов в различных условиях, обратимся к зависимости тока
эмиссии от распределения плотности падающего лазерного излучения по
освещаемой площади. Чтобы определить эту зависимость, надо найти
электронную температуру Te как функцию времени и координат на
поверхности металла, и, подставив ее в выражение (1.17), проинтегрировать по
всей площади, на которую действует световой поток. Естественно считать, что
распределение интенсивности света обладает симметрией относительно оси
29
потока q(r , t )  f (r / r0 ) g (t ) . Считая распределение температуры на поверхности
металла с достаточной точностью повторяющим распределение интенсивности
в падающем световом потоке (это справедливо при малой длительности
светового импульса или больших радиусах области облучения r0 ( a  r0 ),
когда поток тепла в глубь металла много больше, чем поток в поперечном
направлении), получим:
2C эTe2 k 0Te 2
J (t )  r0 exp( e / k 0Te ) , (1.18)
f (0)  e
где Te  Te (0, t ) - температура электронного газа на поверхности металла, при
этом предполагается, что при r  0 функция f (r ) достигает максимума:
f (0)  1.
Оказывается удобным ввести эффективный радиус reff , определив его как
радиус кружка на поверхности металла, который, будучи нагрет до
температуры Te , дает тот же полный ток термоэмиссии, что и реальная
площадка с распределением температуры f (r / r0 ) . Из 1.18 получаем следующее
выражение для reff
reff  r 2k0Te (0, t ) /  e f (0) . (1.19)
Из выражения (1.19) следует, что лишь малая часть освещенного пятна вносит
заметный вклад в термоэлектронную эмиссию, причем площадь этой «рабочей»
части изменяется со временем пропорционально Te (0, t ) . Сложная форма
реальных импульсов требует использования численного интегрирования для
расчета Te (0, t ) .
Следует отметить обстоятельство, которое может оказаться
существенным при изучении термоэлектронной эмиссии под действием
лазерного излучения. Формула (1.17), используемая обычно для расчета тока
эмиссии, выведена в предположении, что электронный газ однородно нагрет до
температуры Te . В рассматриваемых условиях это предположение неточно,
поскольку в металле, поглощающем мощное излучение, возникает вблизи
поверхности значительный градиент температуры, который вызывает в свою
очередь возникновение электронного тока. Расчет, уточняющий выражение
(1.17) показывает, что добавка к току, связанная с градиентом температуры,
мала. Уменьшение тока термоэлектронной эмиссии определяется наличием
градиента температуры, направленного к поверхности металла. Так, например,
относительная величина поправки к току для меди составляет примерно
J / J ~ 3 10 8 T / x  3 10 8 q0 / e ,
(  e - работа выхода электрона), что при q0 ~ 107 Вт/см2 дает около 10%.
Особенность фотоэлектрического эффекта под действием лазерного
излучения состоит в том, что в практически важных случаях энергия кванта
оказывается меньше потенциала ионизации, так что выход электрона из
металла происходит при поглощении нескольких квантов.
30
Для этого случая плотность тока J равна
n0
q0 m 2 e   F  2
q0 E x2 
J  
4 6    8m 2 (   )  exp(n0  1) (1.20)
 e F 

Здесь n0  ent 1  e   F   , а ent x  целая часть числа х,  F - энергия


Ферми, E x - составляющая электрического поля перпендикулярная поверхности
металла.
Формула (1.20) описывает фотоэффект с поглощением n0  U 0   F  
числа квантов. Она тем более точна, чем больше число квантов n0 . Однако,
даже при n0  2 ошибка формулы (1.20) сравнительно невелика.
Как уже отмечалось, ток, обусловленный многофотонным фотоэффектом,
сравнительно трудно наблюдать, поскольку он маскируется термоэлектронной
эмиссией. Один из способов преодоления этой трудности состоит в
уменьшении длительности лазерного импульса. Поскольку ток
термоэлектронной эмиссии несколько запаздывает относительно потока
излучения, а фотоэффект является практически безынерционным, возможно
раздельное наблюдение этих эффектов. Для наблюдения фотоэффекта следует
выбирать режимы облучения, когда температура поверхности T мала,
например, для серебра температура поверхности за время импульса не должна
превысить ~ 250 °С, что исключает разрушение поверхности и обусловливает
очень малую величину термоэмиссионного тока.

1.2.4. Основные особенности лазерной активации процессов


аррениусовского типа. Лазерное окисление
При лазерном нагреве материалов на их поверхности могут
инициироваться различные реакции, скорость которых растет с температурой
по активационному закону (закону Аррениуса), например реакции окисления,
разложения, нитрирования, карбидизации др. Большие скорости изменения
температуры, реализуемые при лазерном воздействии, определяют
особенности протекания этих процессов по сравнению с изотермическими
условиями. Рассмотрим их на примере лазерного окисления металлов и
полупроводников.
При построении физических моделей и теории лазерного окисления
исходят из представлений, сформированных в результате исследований
обычного, изотермического гетерогенного окисления поверхности с
образованием твердых окисных пленок.
Процесс окисления включает в себя несколько стадий: адсорбцию
кислорода на поверхности, связывание свободных электронов металла или
растущего окисла, диффузию и электроперенос ионов металла и кислорода по
вакансиям, междоузлиям и другим дефектам сквозь слой продукта реакции к
межфазным границам и собственно химическую реакцию с образованием
нового слоя окисла. В тонких окисных слоях ( b  50  500 Å; здесь b —
толщина окисла) сильное влияние на кинетику окисления может оказывать
электрическое поле, возникающее вследствие появления контактной разности
31
потенциалов между окислом и металлом, и локализации электронов на границе
окисел–газ на поверхностных энергетических уровнях хемосорбированного
кислорода. Для окислов толщиной до 100 Å, в которых можно пренебречь
объемным зарядом, это поле существенным образом снижает энергию
активации диффузии ионов, если энергия, приобретенная ионом от поля на
пути в одну постоянную решетки окисла, оказывается гораздо больше
тепловой. В результате скорость окисления металла заметно возрастает. По
мере увеличения толщины окисла электрическое поле, связанное с разделением
зарядов вблизи контактных границ с металлом и газовой фазой, постепенно
экранируется объемным зарядом. Критериальным параметром здесь выступает
дебаевская длина экранирования ld , составляющая ~ 0.1 мкм при температуре 
1000 К и концентрации заряда ~ 1015 см–3 или  0,01 мкм при концентрации
заряда  1017 см–3. Для окислов толщиной b  ld основным механизмом
переноса ионов становится диффузия.
Законы классического окисления могут существенно отличаться как для
различных металлов, так и для конкретного металла в зависимости от толщины
окисла, температуры, давления кислорода. При этом, как и вообще в
химической кинетике, скорость окисления в каждой ситуации определяется
скоростью его самой медленной (лимитирующей) стадии. В большом числе
случаев кинетику классического (изотермического) окисления металла можно
описать обобщенным активационным законом вида
db B  T 
 n m m exp  a  , (1.21)
dt T b  T
где t – время; Bm – некоторая константа; Ta – выраженная в Кельвинах энергия
активации лимитирующей стадии реакции (обычно Ta  1  5  10 4 К), m и n –
параметры. При различных m и n из уравнения (1.21) следуют известные
законы окисления. В частности, при m  0 , n  0 выражение (1.21)
соответствует линейному окислению, лимитируемому процессом перехода
ионов металла через контактную границу с окислом; при этом Ta  u k0 , где
u — высота граничного потенциального барьера. При m  0 , n  2
выражение (1.21) описывает линейный закон окисления, которому подчиняется
первоначальный рост окисла, лимитируемый термоэлектронной эмиссией из
металла; в этом случае Ta  e  u01  k0 , где  e — работа выхода электрона из
металла, u01 — энергия электронного сродства окисла. При m  1 обобщенный
закон окисления переходит в уравнение Мотта, если n  1 , и Вагнера, если
n  0 , которые соответствуют параболическим законам изотермического
окисления, контролируемого диффузионными процессами. При m  2
уравнение описывает кубический закон окисления, когда лимитирующей
стадией реакции является диффузия ионов сквозь слой объемного заряда в
окисле. Таким образом, уравнение (1.21) формально обобщает многие
конкретные законы окисления. Исключение составляют случаи, когда скорость
32
реакции определяется туннелированием электронов из металла к кислороду
сквозь слой растущего окисла или притоком кислорода из газовой фазы.
Наиболее общей особенностью лазерного окисления, независимо от длины
волны используемого излучения и длительности воздействия, является
неизотермичность реакции. Если окисная пленка не влияет на оптические
свойства металла, то для построения простейшей феноменологической теории
лазерного окисления необходимо найти временной закон, по которому
изменяется температура окисляющейся поверхности T t  , и ввести его в общее
решение уравнения (1.21):
b m1  Bm m  1I n (t )  b0m1 ,
t
 T 
I n t    exp  a  T n t  dt , (1.22)
0  T t 
где b0 — начальная толщина окисной пленки. Такой подход фактически
означает, что микрокинетика лазерного окисления считается идентичной
кинетике изотермического окисления.
При вычислении I n t  следует учесть, что во всех представляющих
интерес случаях реальная температура металла T t  остается значительно
меньше температуры активации Ta , T  TH   TH2 Ta ~ 100 (где TH —
начальная температура). Поскольку при T t   Ta активационная экспонента
резко растет с температурой, основной вклад в I n t  вносят лишь те моменты
времени, когда температура близка к максимальной. Поэтому процесс
неизотермического окисления по своему результату эквивалентен
изотермическому окислению при максимальной (на данном временном
интервале) температуре, которая поддерживается в течение некоторого
«эквивалентного» времени te . При этом te определяется поведением функции
T t  вблизи ее максимального значения Tmax .
Если при всех t  0 температура растет, то есть максимальное значение
T  Tmax достигается в каждый момент времени на конце временного
промежутка, то
T 2 t 
te  . (1.23)
TaT t 
Если внутрь промежутка ( 0,t ) попадает максимум температуры Tmax ,
достигаемый в некоторый момент t0 , причем скорость изменения температуры
в этот момент претерпевает разрыв, то
TМ2   1 1 
te    . (1.24)
Ta T  t 0 T  t 0 
 0 0 
Такой температурный режим характерен для нагрева металла импульсом
прямоугольной формы.
33
Если же T t0   0 (импульс треугольной формы), то, используя для
вычисления I n t  метод перевала, получим:
12
 2Tmax 2

te    . (1.25)
Ta T t0  
Как видно из уравнений (1.23–1.25), в рассмотренном приближении время
t e не зависит от параметра n .
При наличии на кривой T t  нескольких максимумов температуры
(например, когда металл нагревается серией световых импульсов), полное
эквивалентное время изотермической реакции равно сумме времен,
вычисленных для каждого из максимумов.
Одним из следствий, вытекающих из рассмотренных закономерностей
лазерного окисления, является зависимость скорости неизотермической
реакции ( S R ) от темпа нагрева металла при m  0 . В этом нетрудно убедиться,
если подставить в исходное уравнение (1.21) его решение
 T 
b m1  Bm m  1 exp  a T n t  b0m1 ; T  Tmax ; t  te
 T 
с учетом зависимости te от температуры и скорости ее изменения (1.23). В
итоге для наиболее типичного случая ( m  1 , n  0 ) получим:
1
 B1Ta  2  T 
S R   2 T t  exp  a  .
 2T t    2T t 
Видно, что скорость окисления при температуре T тем больше, чем выше
скорость нагрева металла T t .
Оценки и эксперимент показывают, что при нагреве термически тонких
пластин из металлов с большим тепловым эффектом реакции окисления до
некоторой граничной температуры, плотности потока, выделяемого при
реакции qR  Lок S R , может оказаться достаточно для продолжения разогрева
после окончания импульса. Например, при нагреве титановой пластины до
температуры Tmax  1500 К за время 1.5 мс ( T   106 град/с) величина qR в
момент достижения этой температуры составляет 1 кВт/см2, а при Tmax  1800 К
qR  7.3 кВт/см2.
Быстрый разогрев может служить также причиной структурных отличий
окисных пленок, получаемых при лазерном воздействии. Это связано как с
возникновением заметных термонапряжений в системе окисел–металл, так и с
тем, что на поверхности металла не успевает образоваться промежуточный
подслой низкотемпературных окислов.
Наряду с быстрым нагревом, при лазерном воздействии происходит
быстрое остывание материала. Это характерно, в первую очередь, для
массивных металлов, температура поверхности которых после окончания
импульса заметно уменьшается. В таких условиях на поверхности могут
сохраниться высокотемпературные (как правило, неустойчивые) высшие
34
окислы, которые при медленном охлаждении распадаются. Так, при
исследовании методом электронной спектроскопии состава окисла на пленке
хрома, нагретой на воздухе импульсами излучения длительностью 10 нс,
одновременно с обычной двуокисью хрома Cr2O3 обнаруживается высший
окисел CrO3, который в условиях изотермического окисления неустойчив и не
сохраняется.

1.2.5. Диффузионно-химические явления


При нагреве многих металлов в кислороде или на воздухе, наряду с
окислением, происходит частичная диффузия и растворение кислорода в
приповерхностных слоях металла. Поскольку диффундирующие атомы
представляют собой дополнительные центры рассеяния для электронов
проводимости, а растворение кислорода сопровождается перестройкой
электронной структуры металла, то в результате изменяются как частота
столкновений  d , так и плазменная частота  p свободных электронов, и,
следовательно, поглощательная способность металла.
Существенно, что активация процесса диффузии происходит при более
низких температурах, чем окисление, и проявление влияния диффузионных
процессов требует сравнительно малого времени. Это связано с тем, что для
возникновения изменений поглощательной способности достаточно, чтобы
диффузия и растворение кислорода произошли в скин–слое, толщина которого
 s для видимого и ИК–излучения не превышает 10–6 –10–5 см. В
изотермических условиях время t d , необходимое для этого, определяется
большим из времен - характерным временем диффузии через скин-слой
 s2 DT  или временем насыщения диффузантом поверхности металла до
предела растворимости N 0  f T  N 02 DT  J a2 . Здесь DT   D0 exp Td T  —
коэффициент диффузии с энергией активации Td (в Кельвинах); J a — поток
атомов кислорода через границу металла из газовой фазы или из окисла.
Оценки показывают, что величина td определяется диффузией кислорода
в металле даже при N 0  1020  1022 см–3 независимо от того, как изменяется
температура.
В общем виде td находится из условия:
   DO T t  dt .
td
2
s
0

Например, для титана (  s  10 5 см для   10.6 мкм), как следует из оценок по


этой формуле с использованием данных из табл. 1.1, время насыщения скин–
слоя кислородом составляет: при T  7500 С td  3.5 с, а при T  12000 С td  1
мс. Толщины образующихся за эти времена при соответствующих
температурах при изотермическом окислении окисных пленок составляют
B1  T  Ta 
bT   s exp d 
D0  2T 
35
и
bl  bT Td Ta
при лазерном.
При указанных выше значениях td величина bT не превышает 210–5 см,
поэтому окисные пленки не влияют на ИК–поглощение титана. В то же время,
при лазерном разогреве до указанных температур в течение времени t d
термически тонких титановых фольг наблюдается почти двукратное
возрастание поглощательной способности титана на   10.6 мкм по
отношению к исходному значению за счет роста толщины окисла (рис. 1.8).

Таблица 1.1 Параметры взаимодействия титана с кислородом


Диффузия кислорода Окисление
2
D0 , см /с Td , К Примечание B1 , см2/с Td , К
1.8  10–3 18300 T  1000 К
330 33000
3.36  10 –3
34680 T  1000 К

Рис. 1.8. Экспериментальные зависимости необратимого изменения


относительной поглощательной способности A A0 на   10.6 мкм (1) и
температуры T (2) титановой фольги толщиной 50 мкм от времени воздействия t
излучения непрерывного СО2–лазера при плотности потока q0  0.7 кВт/см2 (а) и от
плотности энергии Q в импульсе излучения неодимового лазера длительностью 1.3
мс (б).

Кинетику изменения поглощательной способности металла в процессе


диффузии и растворения кислорода аналитически можно описать в том случае,
когда происходит лишь изменение частоты электронных столкновений и во
всей области изменения поглощательной способности реализуются условия
высокочастотного нормального скин эффекта:  d     p . Тогда можно
найти добавку Ap к поглощательной способности металла A0 , связанную с
дополнительным примесным рассеянием электронов
4   2z 
Ap t     p z ,t exp   dz , (1.26)
 ps 0  s 
36
где  p z ,t   epF nO z ,t  определяется мгновенным распределением по
глубине металла ( z ) диффундирующих атомов кислорода nO z ,t  . Здесь  ep —
сечение рассеяния электронов на примесях ( 10–16–10-15 см2);  F —
фермиевская скорость (~ 108 см/с).
Распределение концентрации диффундирующего кислорода nz, t  можно
найти из решения одномерного уравнения диффузии:
n   nz, t 
  DT  0,
t x  x 
которое при условии, что сначала ( t  0 ) поверхность металла ( z  0 )
насыщается кислородом вплоть до предела растворимости N 0 , а перепад
температур в пределах диффузионного слоя несуществен, имеет вид:
 
 
 
n z , t   N 0  * 
x
t . (1.27)
 2 DT  dt 
  
 0 
Подстановка (1.27) в (1.26) после вычисления интеграла в итоге дает:
At   A0 
4
 ps
  
 ep  F N 0 1  exp *  ; (1.28)

2 DO T t  dt
t

 0
.
 2s
Характерное время нарастания поглощательной способности по порядку
величины согласуется с приведенной выше качественной оценкой,
соответствующей значению   2 в точном выражении (1.28). Кроме того, одно
и то же значение A достигается при тем меньшей температуре лазерного
нагрева, чем меньше его скорость. Такая особенность объясняется
одновременным ростом эквивалентного времени диффузии.
Еще один специфический механизм, приводящий к изменению
поглощательной способности в результате термохимических процессов в скин–
слое, можно наблюдать при лазерном нагревании сплавов. Он заключается в
том, что вследствие преимущественного окисления некоторых компонентов
сплава при его нагреве импульсным лазерным излучением на воздухе
изменяется их процентное содержание в скин–слое. Качественные особенности
механизма удобно пояснить на примере бинарного окисляющегося сплава
М1М2 с резкой границей между ним и образующимся окислом. Зависимость
поглощательной способности такой системы от содержания компонентов,
аналогично зависимости электросопротивления, немонотонна – существует
максимум (рис. 1.9).
По мере роста окисной пленки и обеднения приповерхностного слоя
сплава одним из элементов (для определенности примем, что таким элементом
37
является M 2 , см. рис. 1.9) величина A будет возрастать или убывать в
зависимости от того, по какую сторону от экстремума ( Amax ) находятся
начальное ( An ) и конечное ( Ak ) состояния системы. Очевидно, что в данном
случае, как и при диффузии кислорода в металл, оптические свойства сплава
изменятся, когда толщина обедненного слоя станет близкой к  s ~ 105 см.

Рис. 1.9. Поглощательная способность бинарного сплава в зависимости от


процентного содержания элементов М1 и М2. Пунктиром показаны изменения A
между начальным ( An ) и конечным ( Ak ) значениями: 1 — с уменьшением A ; 2 — с
возрастанием A .

Этому соответствует образование окисных пленок толщиной b ~  s ,


которые слабо влияют на ИК–поглощение металлов. Поэтому на начальном
участке лазерного окисления изменение поглощательной способности сплава
полностью определяется процессами в его скин–слое. Наиболее интересным
здесь является случай уменьшения величины A (на рис. 1.9 обозначен цифрой
1), который по внешним проявлениям сходен с эффектом лазерной очистки
поверхности образца от примесей и загрязнений, но на самом деле может иметь
иную, чисто термохимическую природу.
Более строгий подход к определению поглощательной способности
облученного сплава требует решения волнового уравнения для
пространственно неоднородной среды, проводимость которой (  ) меняется с
расстоянием от границы отражения ( z ) за счет изменения относительного
содержания (  ) одного из элементов (например, хрома в нержавеющей стали)
по линейному закону   z z 0 , где z 0 — характерный размер области,
обедненной этим элементом, при   0.1 проводимость    0   .
При 4 z1  s  1 справедливо выражение:
2
  s 
A  A0 1   ,

 8 2 0 0 
z
38
где A0 — поглощательная способность однородного сплава исходного состава,
z1  0 z0  ,  s  c0 0 2 – глубина скин–слоя при низкочастотном
нормальном скин–эффекте.

1.2.6. Экзотермические эффекты при импульсном лазерном


воздействии на металлы
Важным фактором, определяющим закономерности и специфику
термохимического механизма взаимодействия лазерного излучения с
металлами, является дополнительное выделение тепла при протекании реакции
– ее экзотермичность. Трудность обнаружения экзотермических эффектов при
импульсном облучении окисляющихся металлов связана с тем, что в обычных
условиях дополнительный тепловой поток от химической реакции qr  Gs ( G -
тепловыделение при протекании химической рекции, s - еѐ скорость) мал по
сравнению с используемым для нагрева металла падающим световым потоком
q0 . Вместе с тем, для металлов с большим тепловым эффектом окисления, а
также для каталитического окисления на поверхности металлического
катализатора экзотермичность реакции при ее протекании с высокой скоростью
в течение импульса проявляется в тепловом последействии и может
существенно изменить характер окисления.
На рис. 1.10 приведены зависимости температуры центра зоны облучения
титановой пластины толщиной 50 мкм от времени при различных плотностях
энергии излучения ( Q0 ) импульса свободной генерации неодимового лазера
(  1.3 мс). Видно, что при Q0  50 Дж/см2 (кривая 3) температура образца
продолжает повышаться и после окончания светового воздействия (кривая 4).
Это можно объяснить только экзотермичностью окисления, тепловой эффект
которого оказывается достаточным для покрытия всех видов теплопотерь.
Вместе с тем эти зависимости показывают, что через несколько десятков
миллисекунд возникшее горение начинает затухать (кривые 3, 4 на рис. 1.10, б).
Это естественно связать с обеднением приповерхностного слоя воздуха
кислородом и малой эффективностью диффузионного механизма его притока к
образцу. Другой возможный механизм затухания горения титана в
конденсированной фазе – испарение металла и образующегося окисла с
оттеснением воздуха от поверхности образца – не реализуется, так как
температура в зоне реакции во всех режимах воздействия меньше температуры
кипения Tev титана и его окислов.
Характер протекающих процессов резко меняется при импульсном
облучении термически тонкой пластины в воздушном потоке, особенно это
сказывается при T  Tev когда возможно незатухающее горение термически
тонкого металлического слоя (рис. 1.10, б, кривая 5). Область горения в таком
режиме постепенно (со скоростью до 1 см/с) распространяется за пределы
светового пятна, внутри которого была инициирована импульсная реакция, и
сам процесс горения становится автоволновым.
39
Рассмотрим условия импульсного воспламенения термически тонкой
металлической пластины теоретически. Как известно, в отсутствие
пространственных перепадов температуры воспламенение происходит при
таком значении T f , когда тепловой поток от реакции qS полностью
компенсирует теплопотери образца F T  в момент окончания светового
импульса:
qr  GsT f   F T f .

Рис. 1.10. Зависимости температуры от времени в центре зоны облучения


титановой пластины толщиной 50 мкм, нагреваемой импульсом излучения
неодимового лазера длительностью 1.3 мс при различных плотностях энергии Q0 в
неподвижном воздухе (1–4) и при обдуве (5): 1 — Q0  35 Дж/см2; 2 — 40; 3 — 50;
4,5 — 75; а — ранние моменты времени; б — поздние моменты времени. Пунктиром
на рис.1.10–а показана форма импульса излучения.

Если считать, что окисление металла подчиняется обобщенному


степенному закону, то толщина окисной пленки к моменту окончания импульса
b0 и скорость окисления s0 в этот момент могут быть выражены через
эквивалентное время изотермического окисления при максимальной
температуре T  Tм следующим образом:
m
Ta
 Bm 
Ta
 m1 
bm1
 m  1Bm e Tм
te Tм  ; s0    e  m1Tм
,
 m  1te 
0

где

Q
Tм  Tн  ; Q   q0 t At  dt ,
ch 0

Для прямоугольного светового импульса, когда te  Tм2 TaT  , при Tм  3Tн


и te  Tм Ta
40
m
1
 Ta  m1
 Ta 
s0  Bm1
 m  1T  exp  .
 m  1Tм 
m
 м

Для наиболее распространенного, параболического закона окисления


( m  1 ) можно найти приближенное значение температуры воспламенения:
T f  Ta 2 ln g ln 9 2 g  ,
g  G B1 Ta4 2
(  - постоянная Стефана).
Например, для титана при   1 мс величина T f (при изменении G от 46
до 5 кДж/см3) составляет 1000–1200 К в зависимости от экзотермичности
реакции. Необходимо, однако, подчеркнуть, что определенные здесь значения
T f представляют собой минимальные температуры воспламенения, поскольку
при оценках не учтены теплопроводностные потери за пределы светового
пятна, играющие существенную роль в тепловом балансе во многих реальных
экспериментах.
Температура воспламенения зависит от длительности импульса и
логарифмически уменьшается по мере его укорочения. Эта неочевидная
особенность является прямым следствием параболического закона окисления,
при котором тепловой эффект реакции тем больше, чем тоньше слой окисла,
образовавшегося к моменту достижения температуры T f . Естественно, что
такая закономерность сохраняется до определенных значений  , пока нагрев
образца можно рассматривать в приближении термически тонкой пластины:
  4h 2 a .

Рис. 1.11. Зависимость пороговой плотности энергии Q* в импульсе излучения


неодимового лазера длительностью 1,3 мс, необходимой для воспламенения
титановой пластины, от ее толщины h .

При отклонении от этого условия, имеющем место при исследовании


воспламенения термически толстых слоев металла, определяющим механизмом
теплоотвода становится теплопроводность вглубь образца. Пороговая
41
плотность энергии здесь сверхлинейно растет с толщиной пластины (рис. 1.11),
причем воспламенение возможно до тех пор (при данной длительности
импульса), пока пороговая температура ниже температуры кипения металла.

1.3. Линейные режимы лазерного нагрева


В реальных условиях чаще всего параметры процесса нагревания веществ
лазерным излучением зависят от температуры и, следовательно, от
пространственного ее распределения.
Дифференциальное уравнение теплопроводности определяет временное и
пространственное распределение температуры внутри нагреваемого тела в
любой момент времени. Для того чтобы найти температурное поле, надо знать
распределение температуры внутри тела в начальный момент времени
(начальные условия), геометрическую форму и размеры тела, закон теплового
взаимодействия между поверхностью тела и окружающей средой (граничные
условия). Реальные задачи решить аналитически чаще всего не удается.
Получить аналитическое выражение для распределения температурного
поля возможно, когда материал, облучаемый лазерным пучком изотропен и
гомогенен, а температурные зависимости оптических и теплофизических
коэффициентов являются слабыми, и, кроме того, источник теплоты не зависит
от температуры. Это, так называемые, линейные режимы лазерного нагрева.
Действительно, температурная зависимость теплофизических и
оптических постоянных для многих материалов не слишком резкая, поэтому
при постановке задач нагрева (в первом приближении) эту зависимость можно
не учитывать. Поглощательная способность и коэффициент отражения зависят
от длины волны лазерного излучения и плотности потока излучения. В
большинстве случаев в оценках используют среднее значение поглощательной
способности по некоторому интервалу температур.

1.3.1. Понятие температуры электронной и решеточной


подсистем
Лазерный нагрев по своей физической сущности не отличается от других
видов теплового воздействия, поскольку основная доля теплоты при лазерном
воздействии переносится вглубь металла посредством электронной
проводимости. Это дает основание рассматривать задачи лазерного нагрева в
рамках классической теории теплопроводности. Главная задача при этом
состоит в адекватном описании теплового источника в месте воздействия
лазерного излучения. При этом мы предполагаем, что лазерный нагрев
однозначно определяется температурой. Покажем, что данный подход
справедлив при длительностях воздействия больше 1 нс и плотности потока
меньше 1010 Вт/см2. Для менее продолжительных лазерных импульсов
температур может быть несколько.
Предварительно напомним, что означает само понятие температуры.
Температура – это термодинамическая величина, характеризующая состояние
термодинамического равновесия системы. В равновесных условиях
температура пропорциональна средней кинетической энергии частиц тела и
42
определяет: распределение образующих систему частиц по уровням энергии
(распределение Больцмана); распределение частиц по скоростям
(распределение Максвелла); степень ионизации вещества (формула Саха);
спектральную плотность излучения (закон излучения Планка); полную
объемную плотность излучения (закон излучения Стефана-Больцмана); и т.д.
Температуру, входящую в качестве параметра в распределение
Больцмана, часто называют температурой возбуждения, в распределение
Максвелла – кинетической температурой, в формулу Саха – ионизационной
температурой, в закон Стефана-Больцмана – радиационной температурой.
Поскольку для системы, находящейся в термодинамическом равновесии, все
эти параметры равны друг другу, их называют просто температурой системы.
Строго говоря, температура характеризует лишь равновесное состояние
системы. Однако понятием температуры часто пользуются при рассмотрении
неравновесных процессов распределений частиц и квазичастиц в физических
системах, применяя его к части системы - подсистеме. Например, электронная и
ионная температуры неравновесной плазмы, электронная и решеточная
температуры в физике твердого тела и т. п.
Согласно представлениям классической физики металл можно
представить как ионный остов, в котором движутся свободные электроны со
скоростями порядка фермиевской ~108 см/с. Свет в металлах поглощается
главным образом свободными электронами, поэтому поглощение лазерного
излучения металлом приводит, прежде всего, к возрастанию внутренней
энергии электронного газа. Этот этап взаимодействия характеризуется частотой
столкновения электронов с фотонами  ef , которая пропорциональна плотности
мощности лазерного излучения, поглощенного металлом q . Еѐ можно оценить
с помощью соотношения
q
 ef  , (1.29)
hn
где h  энергия кванта; n  концентрация электронов, поглощающих
излучение.
Для видимого участка спектра, n  nh  F (n ~ 51022 см3 
концентрация электронов проводимости,  F  энергия Ферми);
(3 2 )1 3 hn 2 3
F  ,
8 2 me
Для металлов и полупроводников  F  5  10 эВ. Поэтому для металлов при
q ~1010 Вт/см2  ef ~1014 с-1.
Время установления равновесия в электронном газе определяется
частотой межэлектронных столкновений  ee . Частота межэлектронных
столкновений  ee в металле преимущественно определяется количеством
электронов в области размытости Ферми и вычисляется с помощью
соотношения
43
2
k T 
 ee  VF ee n 0 e  , (1.30)
 F 
где VF  скорость электрона на поверхности Ферми ~ 108 см/с;  ee  сечение
взаимодействия электронэлектрон; ee  51016 см2; k 0Te  область размытости
Ферми. Тогда при Te ~ 103 К величина  ee  1014 с1, а время установления
равновесного распределения электронного газа ee ~  ee1 ~ 1013с.
Передача энергии решетке происходит гораздо медленнее из-за большой
разницы в массах электронов и ионов, поэтому, при
 ee  ei (1.31)
(  ei  частота электрон-ионных столкновений) в металле возникают две
равновесные подсистемы – электронная и решеточная. Для них вводят понятия
температуры электронного газа Te и температуры решетки Ti . При этом
температура электронного газа является кинетической температурой или
температурой движения электронов.
Скорость передачи энергии электронного газа решетке и ее температура
определяются разницей температур Te  Ti и коэффициентом теплопередачи от
электронов решетке. Поэтому количество энергии, получаемое решеткой от
электронного газа в единице объема в единицу времени равно
u   Te  Ti  ,
где  ~1010 Вт/(см3град) - коэффициент теплообмена между электронами и
решеткой.
Частота электронно-ионной релаксации  ei может быть выражена через
коэффициент теплообмена

 ei  ,
ci
где ci  объемная теплоемкость решетки [101 Дж/(см3град)]. Подстановка
численных значений дает  ei ~ 1011 с1 и ei ~ 1011 с.
 
Поскольку закон Ома j  E выполняется в области частот видимого и
ИК-спектра, то световое излучение затухает в металле экспоненциально
 x
E  E0 exp   ,
 
при этом толщина скин-слоя  равна
1   p
 
c0  0 c0
(  p – плазменная частота, c0 – скорость света,  0 - диэлектрическая
проницаемость).
С учетом вышеприведенных замечаний получим следующие уравнения
теплопроводности для электронной и решеточной температур (ось x
направлена в глубь металла)
44
Te   Te  q0 A  x 
ce   ke  e   Te  Ti  (1.32)
t x  x  
T   T 
ci i   ki i    Te  Ti  , (1.33)
t x  x 
где ci , ce – соответственно теплоемкости кристаллической решетки и
электронного газа; ki , ke – коэффициенты теплопроводности для
рассматриваемых подсистем; Te  Ti  – определяет энергию, получаемую
решеткой от электронного газа в единице объема в единицу времени, т.е. имеет
физический смысл теплового источника для решетки.
Граничные условия запишем в следующем виде (граничные условия II
рода)
Te ( x, t ) T ( x, t )
ke  ki i  0 , Te (, t )  Ti (, t )
x x  0 x x  0
т.е. поверхность теплоизолирована от окружающей среды. Начальные условия
стандартны Te ( x,0)  Ti ( x,0) ,.
На начальном этапе облучения передача энергии решетке отсутствует,
поэтому электронный газ греется изолированно и очень быстро из-за его
небольшой теплоемкости ce  ci . Температура решетки Ti изменяется мало,
поскольку время релаксации температуры электронного газа  ee  1  ee
существенно меньше времени релаксации температуры решетки. Затем рост
температуры Te замедляется из-за того, что становится существенной
теплопередача решетке, начинается ее разогрев. Таким образом, с
определенного момента времени электронный газ является буферным,
передаточным звеном, эффективность которого максимальна тогда, когда
Te  Ti максимальна. В дальнейшем эта разность Te  Ti (см. рис. 1.12)
уменьшается и можно ввести понятие температуры металла. Обычно это время
выравнивания t  100 ei  10-9 с.

Рис. 1.12. Изменение решеточной и электронной температур от времени.

Упростим уравнения (1.32) и (1.33). Поскольку ce  ci и ke  ki , то


можно пренебречь первым членом в уравнении (1.32) и вторым членом в (1.33).
В результате получим:
45
 2Te
  Te  Ti    0 e x 
qA
ke (1.34)
x 2

Ti
  Te  Ti  / ci . (1.35)
t
Перепишем (1.34), (1.35) в удобном для анализа виде, вводя табличные
параметры процесса теплопередачи в металле, положив  e   , ci  c , где  и
c - истинные (табличные) коэффициент теплопроводности и теплоемкость
металла соответственно,
 2Te c q A
k 2  Te  Ti    0 e  x  (1.36)
x  ei 
Ti Te  Ti
 , (1.37)
t  ei
Проанализируем частные случаи решения системы (1.36, 1.37), считая,
что оптические свойства не зависят от температуры ( A  A(T )  const ).
Решение зависит от трех характерных масштабов  , lei , lT :  – глубина
затухания световой волны (толщина скин-слоя); lei  a ei – расстояние, на
котором разогретый электронный газ передает энергию решетке; lT  at –
глубина проникновения теплового потока вглубь материала из-за
теплопроводности.
1) При   lei (  ~ 106 см, lei  a ei ~ 106  105 см) решение системы
(1.36, 1.37) имеет вид:
  t   t 
t
Te  Ti  2 ei
Te (t )  e t   ei  I 0    I1  
 ei 
  ei 
2 
 ei 
2
t    t   t 
t

Ti (t )  Te  Ti  e 2 ei  I 0    I1   ,
 ei   ei  2 
 ei 
2
где I 0 и I1 – функции Бесселя нулевого и первого порядков, Te  Ti  q a ei k ,
q  q0 A .
Оценим перегревы, которые могут быть при q  1010 Вт/см2, k ~ 1 Вт/см К,
A ~ 0,1.
Te  Ti ~ 109 (106  105 ) ~ 103  104 К.
Это очень высокая степень перегрева. Из рис. 1.12 следует, что, начиная с
некоторого времени  ei , рост Ti за счет обмена энергией электронного газа с
решеткой существенно быстрее, чем рост Te , поэтому через определенное
время можно ввести понятие температуры металла T . Это произойдет при
времени  1 ~ 10 ei , когда Ti  0,1Te ,  1 ~ 1011  109 с. Таким образом, при
длительности лазерного импульса   108 с можно с хорошим приближением
считать, что Te  Ti  T , те есть уже идет прогрев металла как единого целого.
46
2
2) lei   ,  ei – это случай, когда тепловой поток мгновенно
a
разогревает решетку, разрыва в величинах Te и Ti нет, весь процесс поглощения
энергии лазерного импульса определяется глубиной проникновения световой
волны в толщину металла, т.е. определяется коэффициентом поглощения  в
законе Бугера - Ламберта (1.4). Решением системы (1.36, 1.37) будет
q  2 at  at  
at

Te  Ti  T    e  
2   1

k       

 exp s ds
 2
где   erfc( z )  1  erf ( z )  2
– функция Лапласа или интеграл
 z
ошибок.
В аналитической теории теплопроводности широко применяется интеграл
типа
2 z  2
( z )   e d ,
 0
который называется функцией Лапласа или интегралом ошибок. Значения этой
функции табулированы. Установлено, что
а) (z ) монотонно возрастает, изменяясь в пределах -1,+1, и
( z)  ( z) , так что таблицы составлены только для положительных
значений аргумента:
б) (0)  0 , ()  1, ()  1, ( z  2,7)  1.
В некоторой литературе используют обозначения ( z )  erf ( z ) , а также
 
 ( z )  erfc( z )  1  erf ( z ) , i n   ( z )  i n erfc( z )          ( )d n .

z z

z

n

2
При z  1 , ( z )  z


2

 ( z )  1  ( z )  e
 2
d - дополнительная функция ошибок.
 z
e z
2

При z    ( z )  2 , для z  1  ( z ) 
 

z

1
В частности i  ( z )     ( )d , при z  1 i  ( z )   z.
z 
Выпишем в заключение формулу для перегрева электронного газа Ten в
общем случае:
q0 A
Te  Ti  a ei
 a 0 
k 1  
  
 
Используя ее можно получить оба рассмотренных выше частных случая.
47
1.3.2. Нагрев полупространства экспоненциально спадающим
с глубиной тепловым источником
Предположим, что на металл, поглощательная способность которого A не
зависит от температуры, падает лазерное излучение, плотность потока которого
равномерно распределена по пятну нагрева радиуса r0
q , r  r
q 0 0
 0, r  r0
и не зависит от времени.
Для получения качественных представлений о нагреве материала
непрерывным лазерным излучением достаточно моделировать временной ход
оптического воздействия ступенчатой функцией Хевисайда:
0, t  0
 (t )  
1, t  0
Выявление основных закономерностей процесса удобно проводить для
одномерных моделей, применение которых справедливо при r0  at .
Практически все начальные стадии нагрева металлов как импульсным, так и
непрерывным излучением можно рассматривать в одномерном приближении,
представляя металл полупространством (рис. 1.13), т.е. 0  z   , объемный

источник тепла будет qv (r , t )  qex ( q  Aq0 ). Считаем, что t  108 с, то есть
Te  Ti  T .
T  2T qe x
a 2  (1.38)
t x c
Начальное условие (1.6) запишем для равномерного распределения
температуры в теле: T ( x,0)  Tн (в большинстве случаев можно считать Tн  0 ).
Тогда, когда процесс нагревания определяется абсолютной температурой,
считать Tн  0 нельзя, если процесс реагирует на перепад температуры, то
можно принять Tн  0 .
Граничные условия (1.8) описывают поведение температуры на большом
удалении от облучаемой поверхности
T (, t )  Tн (1.39)
На облучаемой поверхности действуют граничные условия II рода (1.9)
при
ql  vT v  T 4  Lvev (T )
ql - теплопотери (отрицательные по величине), первый член – потери
конвекционные, при 1000 К ~10 Вт/см2, второй член – лучистые потери, при
1000 К ~5 Вт/см2, последний член – потери на испарение, наиболее
существенный, в определенных условиях могут компенсировать ввод тепла
полностью. На стадии, когда разрушения вещества нет (скорость испарения vev
мала), этим членом пренебрегают.
48

Рис. 1.13. К постановке краевой задачи теплопроводности при выравнивании


температур Te и Ti

Таким образом, в большинстве случаев поверхность, на которую падает


лазерное излучение, можно считать теплоизолированной. Поэтому граничные
условия на поверхности выглядят так:
T
k (0, t )  ql ,
x
следовательно, при малых потерях
T
(0, t )  0 . (1.40)
x
Применив преобразования Лапласа (1.12) к уравнению (1.38) и
граничным условиям (1.39, 1.40), получим дифференциальное уравнение в
полных дифференциалах для рассматриваемой краевой задачи
d 2T dT 1
2
  qe x (1.41)
dx a pca
В (1.41) учтено, что T t  pT  T (0) , кроме того, T (, t )  T (, p)  0 и
T (0, t ) x  dT (0, p) dx . Условия (1.39, 1.40) приобретают вид:
dT
(0, p)  0 , Tн  0 .
dx
При этих условиях решение (1.41) будет:
p
 x
 x
q e  qe
2 a
T ( x, p )  
p  p  p
pk    2  pk    2 
a  a  a
Воспользовавшись таблицами обратных преобразований, получим
распределение температуры в глубь металла:
49
  x  
4 at i    2e x  
q   2 at  
T ( x, t )     Tн . (1.42)
2k   2at  x   x  x   
x  
 e e    at    e    at  
   2 at   2 at  
 

Весь разогрев определяется соотношением трех величин, имеющих


размерность длины: x - координата,  - глубина проникновения излучения,
lT  at - длина теплопроводности (то есть расстояние, на которое уходит
температурная волна от места, в котором она образовалась).
Проанализируем выражение (1.42). При x  0 получим выражение для
температуры на поверхности:
q   2 at at
 at  
T0 (t )    e  
2   1  Tн
 (1.43)
k       
После окончания воздействия длительностью  для нахождения
температуры на поверхности можно воспользоваться понятием стока. Под
стоком понимают источник тепла с отрицательной интенсивностью, равной
интенсивности источника, включенный на время  позднее источника.
 2 at at
 at  
  e  
2 
 
q       
T0 (t )   a ( t  )   Tн
k
      

2 a (t ) a (t )
 e   
2

    
  
Частные случаи:
1) Теплопроводность еще не работает – lT   , ( t   2 a ),
qt
T0 (t )  (1.44)
c
весь разогрев определяется тепловыделением на глубине  .
T ( x, t )  T0 (t )e x
Если тепловой поток является функцией времени, то qt следует заменить
t

на  q (t )dt .
0
Для металлов это приближение справедливо при временах

 2 a ~ 1012 с. При этих временах для металлов можно говорить только о


температуре электронов Te . Для диэлектриков, когда может быть  2 a ~ 1,
выражение (1.44) справедливо почти всегда.
В тех случаях, когда теплопроводность играет определяющую роль в
распределении температуры lT   ( t  t0 ), что характерно для большинства
случаев лазерного воздействия на металлы, распределение температуры можно
получить из (1.42) при   0 . Но можно специально решить задачу о
нагревании полупространства при поглощении лазерного излучения на
границе.
50
1.3.3. Нагрев металла импульсным излучением постоянной
мощности

Рис. 1.14. Нагрев металла импульсным излучением постоянной мощности

Если область тепловыделения  мала, то все источники можно перенести


на границу:
 T  2T
 t  a x 2
 T (1.45)
 k (0, t )  q0 A
 x
Решение этого уравнения при 0  t   будет:
2 Aq0 at   x 
T ( x, t )  i    Tн , (1.46)
k  2 at 
а температура поверхности
2 Aq0 at
T0 (t )   Tн (1.47)
k
Выражения (1.46), (1.47) часто используются в оценках режимов, при
которых должна достигаться заданная температура поверхности T .
Поток q , необходимый для достижения температуры T к моменту
окончания импульса длительностью  , будет
 k (T  Tн )
q  ,
2A a
обратно пропорционален корню квадратному из длительности импульса
q ~ 1  ,
а вложенная за время импульса энергия, необходимая для достижения
поверхностью температуры T , пропорциональна корню квадратному из
длительности импульса
Q  q ~  .
Определим изменение температуры при остывании полупространства
после окончания импульса излучения. Зная, как нагревается полупространство
постоянным во времени излучением, включим в момент окончания импульса
отрицательный поток лазерного излучения (см. стр. 49). Тогда одномерное
температурное поле полубесконечного тела от действия источника тепла
постоянной интенсивности длительностью  может быть представлено для
t   в виде
51
2 Aq0 a 
  x   x 
T ( x, t )   t i *    t   i *     Tн , (1.48)
k 
  2 at   2 a (t   )  

Отсюда для скорости охлаждения V0 поверхности x  0 после окончания
действия импульса получим
T (0, t ) Aq0 a  1 1 
V0     .
t t    t t  
Выражение для градиента температуры при нагреве полупространства
поверхностным источником тепла с постоянной интенсивностью получим,
дифференцируя по x функцию, описываемую уравнением (1.46),
T ( x, t ) q  x 
    .
x k  2 at 
Для определения lT (t ) можно использовать линейную аппроксимацию,
причем размер прогретого слоя определяется в этом случае довольно строго:
T0 (t ) kT (t ) 2
lT (t )   0  at
T ( x  0) q 
x
Если тепловой поток зависит от времени, то температура поверхности
будет:
t
a q (u )du
 k 0 t  u
T0 (t )   Tн . (1.49)

1.3.4. Нагрев материала лазерным пучком с гауссовым


профилем
Особенностью задач, связанных с нагревом материалов лазерным
излучением является то, что распределение излучения и, следовательно,
тепловой источник, как правило, обладает резко изменяющимися
пространственно-временными характеристиками. Поэтому идеализация свойств
тепловых источников, часто допускаемая в расчетных схемах для уменьшения
математических трудностей, может приводить к отклонениям расчетных
данных от экспериментальных.
Временная структура импульса зависит от типа лазера и особенностей
режима генерации излучения. В самом общем виде распределение плотности
мощности лазерного излучения на поверхности материала является сложной
функцией координат и времени q0  q0 ( x, y, t ) . С некоторым приближением
структуру распределения q0 ( x, y, t ) можно представить в виде произведения
функции, зависящей только от времени, на функцию координат поверхности:
q0 ( x, y, t )  A (t )q0 ( x, y) , (1.50)
где A  поглощательная способность, в общем случае зависящая как от
состояния (степени обработки) поверхности, так и от ее температуры;  (t ) 
описывает временную структуру импульса; q0 ( x, y)  пространственное
распределение плотности мощности падающего лазерного излучения.
52
Если неоднородности в лазерной системе малы, то после фокусирующей
системы распределение q0 ( x, y) можно описать дифракционной кривой.
Конечно, в реальных условиях распределение мощности излучения отлично от
неѐ. Это связано с неоднородностью распределения фазы и амплитуды
лазерного излучения по торцу активного элемента вследствие генерации
многих видов колебаний оптического резонатора, несимметрии возбуждения,
оптического несовершенства кристалла и т.д. Поэтому целесообразно
использовать при рассмотрении процессов нагрева лазерным излучением более
простую математическую аппроксимацию реальной пространственной
структуры лазерного импульса – закон нормального распределения или
равномерное по пятну фокусировки значение q0 . Следует заметить, что
пространственно-временная структура импульса излучения не всегда может
быть аппроксимирована выражением (1.50).
Проанализируем теперь процесс лазерно-индуцированного нагрева
материала методом функции Грина с учетом теплового размытия зоны
воздействия по поверхности. Предполагаем, что лазерный пучок, падающий на
поверхность x,y, имеет гауссов профиль и распространяется вдоль оси z
  x2  y2 
qr , t   Aq0 exp z exp 2
 t , (1.51)
 r0 
где r0 — радиус гауссова светового пучка.
Для получения качественных представлений о нагреве материала
непрерывным лазерным излучением достаточно моделировать временной ход
оптического воздействия ступенчатой функцией Хевисайда (см. рис. 1.15):
0, t  0
 (t )   (1.52)
1, t  0

а б
Рис. 1.15. Пространственное (а) и временное (б) распределение потока
падающего лазерного излучения

Из уравнения (1.14) можно получить удобную для анализа


аналитическую зависимость скорости нагрева полупространства непрерывным
лазерным пучком, в котором пространственно-временное распределение
интенсивности описывается выражениями (1.51, 1.52)
53
T Aq0 1  x 2  y 2  z   z  z   z 
 exp  2 e   at   e   at  
t 2 c 1  4at  r0  4at   2 at   2 at  
r02
Как и следовало ожидать, максимальный темп роста температуры
наблюдается на поверхности ( z  0 ) облучаемого материала на оси лазерного
пучка ( x  y  0 ).

T Aq0 exp( 2 at )*  at

 (1.53)
t c 1 2
4at
r0
Согласно (1.53), на начальном этапе воздействия процессы
теплопроводности не влияют на скорость нагрева, которая в этом случае не
зависит от времени. Поэтому можно ввести два характерных времени: t1 –
время, за которое влияние источника тепловыделения распространяется на
расстояние порядка r0 , и t 2  1 (  2 a ) – время, по истечении которого глубина
проникновения лазерного излучения в вещество скажется на нагреве
поверхности. Как следует из (1.53), при t  min(t1 , t2 ) максимальная
температура материала растет с течением времени по линейному закону T ~ t .
С увеличением времени нагрева начинают сказываться процессы
теплопередачи вглубь среды, при этом темп нагрева замедляется. При условии
t1  t  t2 соотношение (1.53) принимает вид
T Aq0 1
 , T ~ t.
t c at
С увеличением времени воздействия ( t  t2 ), темп роста температуры
ещѐ более замедляется за счѐт включения механизмов теплопередачи вдоль
поверхности, происходит ―размытие‖ границ зоны термического влияния:
T Aq0 r02
 .
t t  2 c (at ) 3
Установление температурного поля происходит по закону
Aq0r02
T ( z, t )  Tmax (0, )  . (1.54)
4 ca at
Максимальная температура Tmax определяется формулой
AP
Tmax ~ ,
kr0
где P  r02 q0 - полная мощность лазерного пучка с радиусом r0 и
интенсивностью на оси q0 . В случае слабопоглощающих материалов ( r0  1  )
замедление темпа нагрева начинается при временах t  t1 . При t1  t  t2
T Aq0 r02
 ~ t 1 , T ~ ln t .
t 4 cat
54
При дальнейшем увеличении времени воздействия ( t  t1 ) начинает
играть роль поверхностное размытие пятна нагрева за счет теплопроводности.
Поэтому справедливы оценки по (1.54), что в пределе при t   и
ln(1 / r0 )  1 дает
AP 1
Tmax  ln , P  r02 q0 .
car0 r0
Из приведенных формул ясно, что для достижения максимальной
температуры нагрева материала при фиксированных пространственных и
энергетических параметрах (r0 , q0 ) лазерного пучка необходимо использовать
лазерные источники, которые лучше поглощаются в материале. При
фиксированных же  и P увеличение максимального нагрева можно добиться
путем фокусировки лазерного пучка, т.е. уменьшения r0 .

1.3.5. Нагрев материала постоянным лазерным излучением,


луч сфокусирован в пятно круглого сечения
При    , когда тепловой источник из объемного переходит в
поверхностный, при равномерной засветке области облучения (см. рис. 1.16)
q , 0  r  r0
q(r )   0
 0, r  r0
легко получается аналитическое решение в центре пятна на оси z
2q at 
  z   r2  z2 

T ( z,0, t )  i    i  0    Tн .
k   2 at   
  2 at   

Рис. 1.16. Нагрев материала постоянным лазерным излучением, луч


сфокусирован в пятно круглого сечения

Температура на поверхности в центре зоны облучения будет:


2 Aq0 at  1  r 
T0 (t )    i  0   Tн
k    2 at 
Как и в предыдущей задаче, решение зависит от соотношения между
lT  at и r0 . Поэтому решение задачи сводится к сопоставлению
геометрических размеров зоны облучения с величиной прогретого слоя lT .
55
r02
При lT  r0 , или t 
a
2 Aq0 at
T0 (t )   Tн ,
k
2 Aq0 at   z 
T ( z,0, t )  i    Tн .
k  2 at 
Пока вклад теплопроводности в распределение температуры мал,
температура определяется решением одномерной задачи.
r02
При t  ( lT  r0 ), что выполняется обычно для t   ,
a
Aq0 r0
T (0,0, t )  T (0,0, )   Tн (1.55)
k
Таким образом, при нагреве полупространства ограниченным по
размерам пятном при t   устанавливается стационарная температура
(справедливо только при трехмерном теплоотводе).
Формула (1.55) удобна для оценки минимальной плотности потока,
необходимой для разогрева поверхности до определенной температуры T :
(T  Tн )k
q min 
r0
Так, для того, чтобы нагреть на 100 К при k = 1 Вт/с град и r0 =10-2 см,
требуется поглощенная плотность мощности qmin =105 Вт/см2.
Стационарное распределение температуры в центре области облучения в
глубине материала будет:
T ( z,0) 
q
k
r 0
2

 z 2  z  Tн (1.56)
Можно считать, что время установления стационарного распределения
r02
температуры при t   t st справедливо для точек r  r0 . Для случая нагрева
a
ограниченным во времени лазерным импульсом tst  103 с.
Обобщим полученные результаты
Довольно точные и важные результаты можно получить, не решая задачу
строго, а лишь проводя приближенные вычисления. Пусть образец, который
подвергается лазерному воздействию, имеет вид цилиндра с характерными
размерами: диаметр - b , длина - D , радиус области облучения - r0 (см. рис.
1.17).
56

Рис. 1.17. Воздействие лазерного излучения на образец цилиндрической


формы

Образец находится в контакте с газом или жидкостью (есть теплообмен с


окружающей средой). Теплообменом можно пренебречь только в зоне
лазерного воздействия, но на других поверхностях его надо учитывать. При
T  10000 К важен конвективный теплообмен, а при T > 10000 К – важен
лучистый теплообмен и теплообмен за счет испарения.
Исследуем ситуации с различными соотношениями между r0 , b , D ,
lT  at .
1) Размеры цилиндра и r0 много больше длины теплопроводности
b, r0 , Dmin  lT
В этом случае всѐ определяется теплопроводностью вглубь материала.
Задачу можно рассматривать как одномерную, температура поверхности
T (0, t ) ~ t (см. рис. 1.18, кривая 1).
2) Диаметр цилиндра меньше длины теплопроводности b  lT , то есть
at  b , t  b 2 a , а длина цилиндра D  lT .
Можно считать, что цилиндр равномерно прогрет по толщине,
поверхностный источник превратился в объемный, а задача стала двумерной.
Цилиндр греется в стороны.
qt  r02  r02 
r2
 0
T (t )  1  e 4 at
 E1     Tн
cb  4at  4at 
 y
e
E1 (u )   dy - интегральная показательная функция.
u y
Из полученного выражения следуют два важных частных случая:
а) r0  lT , при r0  D (иначе тривиально), тогда греется только часть
цилиндра под облучаемой областью, теплоотвода нет – температура линейно
зависит от времени
qt
T (t )  .
cb
б) При r0  lT
qr02  4at 
T (t )  ln  2  ,
k b  r0 
57
то есть, все определяется теплоотводом вбок за счет теплопроводности
(теплоотвод двумерный, поэтому T (t ) ~ ln t (см. рис. 1.18, кривая 2), при
трехмерном теплоотводе, как было показано раньше, происходит стабилизация
температуры (рис. 1.18, кривая 3).
3) Для lT  (b, r0 , D) max будет адиабатический нагрев всего образца
теплом, которое мы подводим через поверхность. Температура определяется
калориметрическим уравнением:
dT b 2
cV  P  q r02 , где V  D.
dt 4
Ход зависимостей температуры от времени для различной размерности
теплоотвода показан на рис. 1.18.

Рис. 1.18. Зависимость температуры от времени. 1 – одномерный теплообмен,


2 – двумерный теплообмен, 3 – трехмерный теплообмен.

Отсюда следуют условия определения пороговых характеристик


нагревания до требуемой температуры T .
При одномерном теплоотводе: q ~ 1  , при двумерном - q ~ ln 1 ( ) , а
при трехмерном: q ( )  const .
Если теплофизические характеристики ни от чего не зависят, то оценки,
полученные выше, весьма удовлетворительны.

Формулы, удобные для инженерных оценок


Приведем формулы для расчета температуры центра зоны облучения на
поверхности материала при действии светового потока постоянной плотности
для различных соотношений между величинами r0 (радиус зоны облучения),
at (толщина прогретого путем теплопроводности слоя), δ (глубина
проникновения излучения) (см. таблицу 1.2.). Когда эти три величины меньше
размеров облучаемого образца, его в теплофизическом смысле можно считать
полубезграничной средой. Если к тому же прогретый путем теплопроводности
слой значительно больше глубины проникновения излучения, то источник
тепла можно считать поверхностным. Практически такое допущение всегда
оправдано при анализе нагревания металлов. Для других сред оно пригодно для
58
моментов времени t>δ2/a от начала воздействия. Если же at < δ
(полупрозрачные среды), то источник тепла следует считать объемным, но зато
можно не учитывать теплопроводность в направлении распространения
излучения. При r0> at можно пренебречь теплоотводом в стороны от места
воздействия излучения, а при r0< at боковой теплоотвод становится
решающим.
Таблица 1.2. Температура центра зоны облучения при различных
соотношениях величин r0, δ, at .

Поверхностный источник Объемный источник


at   at  
Общий 2q at  1  r  qt   r02  r02  r02 
T   iФ*  0   Tн T 1  exp     Ei     Tн
случай k    2 at  c  4 at  4 at  4 at 

r0  at 2q at T
qt
 Tн
T  Tн
k c
r0  at qr
T  0  Tн qr02  at 
T ln 19,4 2   Tн
k 4k  r0 

В формулах k - теплопроводность; ρ - плотность; с – удельная


теплоемкость материала; q=Aqo - плотность поглощенного светового потока; Тн

– начальная температура; iФ* u   u Ф * x dx - интеграл дополнительной функции

ошибок Ф* x  
2
 e dm ; Ei(-u) - интегральная показательная функция.
m2

Теперь рассмотрим некоторые случаи влияния реальных условий


облучения на характеристики лазерного нагрева материалов.

1.3.6. Влияние временной зависимости интенсивности


лазерного излучения
На рис. 1.19 представлена кинетика изменения температуры поверхности
при действии импульсов прямоугольной и треугольной формы.
Полная энергия в импульсе одинакова, но максимальные температуры,
достигаемые при действии этих импульсов - разные. Максимальная
температура для прямоугольного импульса достигается к его окончанию
2 Aq0 a
Tmax (t )   Tн .
k
Максимальная температура для треугольного импульса будет:
8 qm a
Tmax    Tн
3 6 k
Переход от одной аппроксимации к другой (от прямоугольного импульса
к треугольному) при сохранении энергетики приводит к незначительному
(~10%) изменению Tmax , и значительному (~1/3) изменению времени
59
достижения этой температуры. Поэтому для оценочных расчетов усложнять
аппроксимацию нет смысла, важно сохранять энергию в импульсе.
Существенную роль форма импульса играет в активационных процессах,
например при лазерном окислении, в режимах прецизионной резки.

Рис. 1.19. Зависимости плотности мощности и температуры от времени для


импульсов прямоугольной (а) и треугольной (б) формы

1.3.7. Лазерный нагрев тонких слоев и пленок


Тонкие слои на массивных подложках часто являются объектами
лазерной обработки. Рассмотрим случай тонкой пленки на подложке (см. рис.
1.20).
Уравнения теплопроводности имеют вид:
T1, 2  2T1, 2 f1, 2
 a1, 2  (1.57)
t x 2 c1, 2
f1, 2 -тепловые источники в пленке (среда 1) и подложке (среда 2), c1 .и c2 -
объемные теплоемкости пленки и подложки соответственно.

Рис. 1.20. Лазерное облучение тонкой пленки на подложке.


60
Будем считать, что на границе пленки (1) толщиной b и подложки (2)
тепловой контакт идеальный (соответствует идеальной адгезии пленки к
подложке), то есть на границе пленки с подложкой равны температуры
T1 ( x  b  0)  T2 ( x  b  0) (1.58)
и равны тепловые потоки через границу
T ( x  b  0) T ( x  b  0)
1 1  2 2 . (1.59)
x x
В другом предельном случае (нулевая адгезия) тепловой контакт
отсутствует, теплового потока из пленки в подложку нет
T ( x  b  0)
 0.
x
Для промежуточного случая (реальная адгезия) можно считать тепловой
поток в подложку пропорциональным отношению реальной адгезии Ar к
идеальной Ai
T ( x  b  0) Ar T ( x  b  0)
k1  k2 .
x Ai x
Добавим граничные
T1 ( x  0)
 0 ; T2 ( x  )  0
x
и начальные условия
Tн  0 , T1 (t  0)  T2 ( x  0, t  0)  0 .
Тепловой источник в подложке в самом общем случае имеет вид
q0 1  R1  A1  
x

f2  e . 2

2
Будем считать, что поглощательная способность пленки является
функцией ее толщины ( A  A(b) ) и вся энергия, поглощенная в пленке,
равномерно выделяется по ее толщине. Поэтому
qA
f1  0 1 . (1.60)
b
Условие (1.60) выполняется при длительностях импульса   b 2 a . Для b ~ 10-5
см, a ~ 1 см2/с, b 2 a ~ 10-10 с.
То есть (1.60) хорошо выполняется при временах воздействия  10-10 с за
счет выравнивания температуры теплопроводностью или же за счет
непосредственного тепловыделения при поглощении (при толщинах ~ 100 Å
для металлических пленок).
Будем считать также, что подложка прозрачная, то есть все излучение
поглощается в пленке
f2  0
Одно из сильных и правильных допущений уже сделано: за время
импульса пленка прогрелась равномерно и поэтому T1 ( x, t )  T1 (t ) , что
справедливо при b 2  a1t или t  4b 2 a1 .
61
Это позволяет интегрировать (1.57) по всей толщине пленки
b
 T1  2T1  q0 A1
  t  a1 x 2  dx  bc b
0  1

T1 T b
 b  a1  q0 A1
t x 0
Используя граничные условия (1.58, 1.59) получим новое граничное
условие
T1 dT
c1b  k2 2  q0 A1
t dx x b

T2 T2
 k2  q0 A1  c1b .
x x b t x b

Решение для T1 (t )
 
a2t c1  c12 b 2   c1 at   
c 22 a 2 t
q Ab  2
T1 (t )  0 1   e     1 
 (1.61)
k2   b c2   c2b   
 
Видно, что характерными параметрами в (1.61) являются толщина пленки
b и расстояние, на которое распространяется за счет теплопроводности тепло в
подложке lT 2 ~ a2t .
Рассмотрим частные случаи:
1) Малые времена воздействия: c1b  c2 a2t t  t c  c12 b 2 c22 a 2
Возьмем для примера металлическую пленку на стекле: b ~ 10-5 см,
a2  6∙10-3 см2/с, tc ~ 108 с – пленка греется фактически в условиях тепловой
изоляции. В этом случае все определяется пленкой
q A t Q (t ) A1
T1 (t )  0 1  0 (1.62)
c1b c1b
2) Большие времена воздействия
2 q0 A a2t
T1 (t )  (1.63)
 k2
Времена большие, потери тепла на нагрев пленки ничтожны. Пленка
греется так же, как полупространство из материала подложки, но с
оптическими свойствами пленки.
В полной постановке задача о нагреве источником тепла постоянной
интенсивности q0 двухслойного материала при идеальном тепловом контакте
между слоями формулируется следующим образом:
T1  2T1 
 a1 2 ; 
t x

t  0, 0  x  b; 
 (1.64)
T2  2T2 
 a2 2 ;
t x 
t  0, b  x  .
62
Краевые условия задачи имеют вид
T1
x  0 ,  k1 A1q0 , (1.65)
x
 T1  T2 ,

xb T1 T2 , (1.66)
 k  k
x x
1 2

t  0 , T1  T2  0 . (1.67)
Соотношения (1.66) описывают идеальный тепловой контакт между
слоями (равенство температур и тепловых потоков на границе).
Решение задачи (1.64)  (1.67) имеет вид
  x        
T1 ( x, t ) 
2 A1q0
a1t i     ( g ) n i  2nb  x   i  2nb  x   ;
    2 a1t   2 a t 
k1   2 a1t  n1  1   
 a1 
 (2n  1)h  ( z  h) 
2 A q (1  g ) 
a2 
T2 ( x, t )  1 0 a1t  ( g ) n i   ,
k1 n 1
 2 a1t 
 
 
1 2

a1 a2
где g  .
1 2

a1 a2

1.3.8. Нагрев материалов в интерференционном лазерном


поле
Представляет интерес рассмотреть нагревание поверхности
полупространства, освещаемой излучением, распределение которого
определяется интерференционным полем (рис. 1.21). Это распределение можно
описать выражением вида:
q0 ( y)  q0 1   cos(gy) g  2 d

Рис. 1.21. Распределение интенсивности лазерного излучения при


интерференции.
63
Температурное поле на поверхности можно представить в виде двух
слагаемых:
T0 ( y, t )  T1 (t )  T2 ( y, t )
Первое из них описывает температуру поверхности, которую определяет
усредненное по y лазерное излучение q0 .
 x  2q0 A at
T1 ( x, t )   T01i    , T01(t ) 
 2 at  k 
Второе – вклад пространственно промодулированной составляющей. При
оценке вклада в нагревание пространственно промодулированной
составляющей излучения мы имеем дело в рассматриваемом случае с так
называемым тепловым диполем. Усредняя модуляционный член по y ,
очевидно, получим 0. Дополнительного нагрева за счет модуляционного члена
принципиально не получить, есть лишь дополнительный по отношению к
среднему значению плотности мощности излучения приток тепла, но есть и его
точно такой же отток, что в среднем дает ноль. Этот член может привести
только к модуляции среднего значения температуры. Решение задачи имеет
вид:
T2 ( y, x, t ) 
q0 
kg
 
 g at cos( gy)e gx ,

Как и следовало ожидать, распределение температуры на поверхности


пропорционально cos(gy)
T02 ( y) ~ cos(gy) .
Рассмотрим, как изменится распределение температуры при больших
временах воздействия:
1 d2
t  2 ~ ,
ag a
Температура поверхности будет стремиться к
q0 
T02  cos( gy ) ,
kg
то есть даже в условиях, когда времена большие, теплопроводность не
сглаживает модуляцию полностью, перепад температур остается:
2q 
T02  0 . (1.68)
g
Выражение (1.68) определяет тепловую разрешающую способность
лазерного излучения с интерференционным распределением.
В условиях, когда в системе есть положительные обратные связи, даже
малые T02 могут играть важную роль.

1.3.9. Особенности нагрева материала движущимся световым


пятном.
Во многих практических применениях лазерная обработка происходит
движущимся по поверхности материала пятном лазерного излучения. Если
64
пятно движется по поверхности, то независимо от характера теплоотвода и
теплообмена происходит стабилизация температуры, связанная с тем, что при
движении источника в процесс нагрева вовлекаются все новые и новые участки
поверхности.
Рассмотрим случай, когда тело массивное, то есть его можно представить
в виде полупространства, а источник точечный: его размеры малы по
сравнению с длиной теплопроводности. Источник движется по поверхности со
скоростью V в направлении x (см. рис. 1.22). Мощность источника P  qS (S –
его площадь).

Рис. 1.22. Схема движения точечного источника по поверхности тела

В этом случае распределение температуры по поверхности (z=0) в


движущейся системе координат имеет вид:
V 
  x  x  y 
2 2
P
T0 ( x, y )  e 2a  

2k x 2  y 2
На оси ( y  0 ) выражение становится совершенно простым:
 P  Vxa
 e x0
T0 ( x,0)   2kx (1.69)
 P
x0
 2kx
Из выражения (1.69) видна особенность нагревания движущимся
источником: материал впереди него ( x  0 ) прогревается слабо. Характерная
область прогрева впереди: lT  a V . Позади себя движущийся источник
оставляет слабо затухающий температурный шлейф (см. рис. 1.23).

Рис. 1.23. Распределение температуры поверхности при движущемся


источнике в движущейся системе координат
65
Результат воздействия зависит от соотношения двух времен:
эффективного времени воздействия - времени прохождения пятном излучения
своего диаметра tэф  2r0 V , и теплопроводностного времени tT  r02 a ,
Рассмотрим частные случаи.
1. Быстродвижущийся источник.
V  2a r0 , t эф  tT (тепло не успевает выйти из зоны облучения).
Воздействие аналогично разогреву полупространства импульсом с
длительностью   2r0 V .
2q a 2 2q ar0 AP
T0 (0)   , q 2
k k V r0
2) Медленнодвижущийся источник.
При t  t эф происходит стабилизация температуры за счет
теплопроводности, поэтому источник можно считать неподвижным.
Температура в центре области воздействия будет:
qr0
T0 (0)  .
k

1.4. Нелинейные режимы лазерного нагрева


1.4.1. Нагрев с учетом температурной зависимости
поглощательной способности
Практически все задачи, связанные с воздействием мощного лазерного
излучения на металлы, являются нелинейными в том смысле, что и
теплофизические и оптические постоянные металлов зависят от температуры и,
следовательно, от интенсивности лазерного излучения.
Рассмотрим общий подход к решению нелинейных задач
теплопроводности на примере влияния температурной зависимости оптических
постоянных металла на характер его нагрева лазерным излучением.
Согласно экспериментальным данным, поглощательная способность
металла A с хорошей точностью может быть представлена в виде
A  A0  bT0 , (1.70)
где A0 - поглощательная способность металла при начальной температуре,
b   p 2 0 - параметр, определяемый статической электропроводностью
металла  0 и плазменной частотой  p . Обычно величина b  (1  5) 105 К .
1

2
При температурах T0 ~ 1000 К произведение bT0 ~ (1  5)·10 . Для большинства
2
металлов A0 ~10 , то есть температурную добавку bT в поглощательную
способность металла надо учитывать (см. таблицу 1.3).
66
Таблица 1.3. Параметры, определяющие температурную зависимость
поглощательной способности для ряда металлов (  =1,06 мкм)
Материал A0 b 104 K 1 A при 700 К
Волфрам 0.24 1.03 0.31
Молибден 0.0 0.99 0.07
Тантал 0.048 0.92 0.049
Платина 0.099 0.64 0.10
Медь 0.028 0.14 0.037
Графит 0.890 -0.40 0.76
Германий 0.747 -0.92 0.69

Рассмотрим, как в условиях линейной положительной обратной связи по


поглощательной способности будет вести себя разогрев металла. Постановка
краевой задачи нагрева полубесконечного пространства в одномерном случае
при отсутствии объемных источников имеет следующий вид
T  2T
a 2
t z
T
k z  0  q0 ( A0  bT0 ) (1.71)
z
T ( z ,0)  T (, t )  Tн ,
Задача (1.71) позволяет найти аналитическое выражение для температуры
поверхности металла и ее изменения во времени. Решение может быть
получено операционным методом в виде
A
 
T (t )  Tн  0 exp( t ) * ( t )  1 ,
b
где   1 t0  q0 b a k 2 ,
2 2
 * ( t ) - интеграл ошибок. При этом
A(t )  A0 exp( t ) * ( t )
Для удобства анализа введем безразмерный параметр Y0  q0b at k ,
характеризующий прогретый слой металла, в котором изменяются условия
поглощения лазерного излучения, что эквивалентно изменению мощности
теплового источника на поверхности, и который определяет положительную
обратную связь в системе лазерное излучение - металл.
Изменение температуры поверхности металла во времени для случаев
A  A0 и A  A0  bT представлено на рис. 1.24
Очевидно, что температурная зависимость поглощательной способности
металла приведет к особенностям нагрева тела. При этом в зависимости от
времени, определяющего вклад в изменение процессов поглощения лазерного
излучения, вносят либо множитель exp( t ), либо  * ( t ).
67

Рис. 1.24. Отношение текущей температуры поверхности металла T0 (t ) к


начальной температуре Tн в зависимости от параметра Y0  q0b at k ; при
неизменной поглощательной способности метала – 1; с учетом температурной
зависимости поглощательной способности - 2

При малых временах t  t 0 , когда Y0  1 превышение T над Tн невелико,


малы и изменения поглощательной способности A . Металл ведет себя как
материал с постоянной поглощательной способностью A(T )  A0 и тогда,
поскольку при t  0  ( t )  2 , а exp( t )  1
2q0 A0 at
T0 (t )  Tн  .
k 
При более длительном воздействии лазерного излучения на металл
параметр Y0  1 и
2A
T0  Tн  0 exp( t ) .
b
Происходит стабилизация размера прогретого слоя металла
T0 T0 k
lT   .
T q0 ( A0  bT0 )
z z  0
При bT  A0 получаем: lT  k q0b ,   a e 2 , tT  lT2 a - характерное время
выхода процесса на режим предельного разогрева (рис. 1.25).

Рис. 1.25. Изменение толщины прогретого слоя металла при линейной


зависимости поглощательной способности от температуры
68
Очевидно, что lT определяет толщину прогретого слоя металла, которая
при изменении поглощательной способности через время tT становиться
практически не зависимой от времени воздействия лазерного пучка. Толщина
прогретого слоя металла определяется в этом случае величиной мощности
теплового источника на поверхности материала. Очевидно, что безразмерный
параметр Y0 , введенный ранее, есть не что иное, как, отношение толщины
металла, нагретого за счет процессов теплопроводности, к lT .
Время, которое соответствует точке перегиба функции T (t ) , определяют
как t   0.2tT , при истечении этого времени температура поверхности металла
будет
A
T * (t )  T0 (t )  Tн  0,81
b
В частности для меди k  40 Вт/м·К; q0  3 *1010 Вт/м2; b  2 105 К ; a =
1

1.2 10-4 м с ; t   0,2  2 q02b 2 a   0,2 102 с, т.е. выход лазерного нагрева меди
2 1

на предельный режим вполне реален даже в случае облучения металла


импульсами твердотельных лазеров, при работе последних в режиме свободной
генерации. При этом температура поверхности достигает величины T  ~ 700 K.
Реально величина поглощательной способности металлов не может быть
больше 1, Amax  1 . По этой причине функциональную зависимость A(Т) можно
более реально описать не соотношением типа (1.70), а зависимостью
 A0  bT ; T  T 
A(T )   
(1.72).
 Amax; T  T
где T  - некоторая, характерная для заданного материала температура.
Учет температурной зависимости поглощательной способности металла
приводит к заметному отличию в плотностях лазерных потоков, необходимых
для достижения максимальной температуры поверхности к концу действия
импульса. Например, для серебра учет поправки снижает необходимые
мощности потока на 30% (от q  3106 Вт/см до q  = 9·105 Вт/см2).
2

Оценки T * можно провести следующим образом. Рассмотрим


предельный случай мгновенного нагрева поверхностного слоя материала. В
этом случае T * можно определить из соотношения
(1  R)q0  T * SlT c, (1.73)
где S - площадь облучаемой поверхности, c - объемная теплоемкость металла,
T * - температура расплава, R - коэффициент отражения, lT ~  Положим
1

q0  108 Вт/см2 (умеренные лазерные потоки), R=0.9,  1  105 см, S  1 см2,


c  1 Дж/ см3 К. Постановка этих числовых значений в (1.73) даст значение
T *  103 К, что совпадает с ранее сделанными оценками
Рассмотрим влияние температурной зависимости поглощательной
способности при облучении области размером r0 .
69
При постоянной поглощательной способности ( A  A0 ) температура в
центре области облучения на поверхности будет
q0 Ar0
T0  ,
k
если же A  A0  bT0 , то
q0 A0 r0
T0  k . (1.74)
q0br0
1
k

Рис. 1.26. Зависимость температуры поверхности от r0 , 1 – при постоянной


поглощательной способности, 2 - при учете зависимости A(T )

Как следует из (1.74), при r0  r возникает неустойчивость


стационарного режима нагревания полупространства, связанная с наличием
зависимости A(T ) ,
k
r  . (1.75)
q0b
Как видно из (1.74) и (1.75), при r0  r T0 (r )   . Точный расчет дает
аналогичные результаты.

1.4.2. Изменение поглощательной способности окисляющихся


материалов при лазерном нагревании. Тепловая неустойчивость
Изменение поглощательной способности металлов в результате
термической активации поверхностного окисления существенным образом
влияет на кинетику их лазерного нагрева на воздухе. Возникающие обратные
связи между поглощением и разогревом (даже без учета пространственных
эффектов), а также закономерности роста температуры здесь гораздо сложнее,
чем при термооптических явлениях в металлах, поскольку химические
процессы инерционны, а знак обратной связи зависит от толщины окисла и
температуры и, в принципе, может меняться в течение светового воздействия.
Первоначально эта обратная связь, как правило, положительна. Ее следствием
является тепловая неустойчивость температурного поля, определяемого
начальным поглощением в среде (низкотемпературного поля). Такая
термохимическая неустойчивость возникает, когда в результате накопления
продуктов реакции и дополнительного поглощения положительная обратная
70
связь между разогревом и поглощением становится столь сильной, что
температура в зоне реакции лавинообразно нарастает. В результате этого (см.
рис. 1.27), в зависимости от плотности потока осуществляется либо переход к
разогреву при максимальном значении поглощательной способности A1
(высокотемпературному разогреву, кривые 1 и 2), либо разрушение (кривая 3).
Термохимическая неустойчивость наблюдается при воздействии на металлы
непрерывного излучения СО2-лазера.
Отметим некоторые общие особенности поведения температуры в
рассматриваемых условиях. Если поглощательная способность системы
металл–окисел изменяется во времени монотонно (как показано на рис. 1.27а),
то истинная кривая T t  в области неустойчивости представляет собой
переходную кривую между двумя предельными режимами нагрева,
соответствующими начальному (неокисленный металл) и конечному
(массивный окисел) значениям поглощательной способности. При этом
аррениусовская температурная зависимость скорости окисления приводит к
тому, что сам переход - резкий, занимает относительно малое время, а в
основном (в особенности, до возникновения неустойчивости) ход температуры
во времени близок к двум предельным режимам. Поэтому можно выделить два
характерных случая: неустойчивость возникает раньше, чем за счет
теплоотвода и теплопотерь в системе устанавливается квазистационарное
температурное распределение при начальном поглощении ( ta  tT , см. кривую 3
на рис. 1.27–б), и наоборот ( ta  tT , кривые 1, 2 на том же рисунке).

Рис. 1.27. Изменение поглощательной способности (а) и температуры (б)


окисляющегося металла во времени при различных плотностях потоков q1  q2  q3
(кривые 1, 2, 3 соответственно): tT — время установления стационарной
температуры при исходном поглощении A0 ; ta — время активации реакции
71
(возникновения термохимической неустойчивости); t y — время установления
высокотемпературного режима нагрева T1 q ,t  при максимальном поглощении A1 ;
t p — время достижения температуры разрушения T p .

Теоретический анализ термохимического механизма лазерного нагрева


окисляющихся металлов и определение условий термохимической
неустойчивости необходимо проводить при совместном решении уравнений:
теплопроводности
T  2T
a 2 0,
t z
с начальным T z ,0  Tн , T ,t   Tн и граничным  k T (0, t ) z  q0 A(b)
условиями,
химической кинетики
T
db Bm  Ta
 e
dt T nb m
и электродинамики
A(b)  A0  l bl ( l = 1,2,…),
записанное в виде связи поглощательной способности системы металл–окисел с
толщиной окисного слоя b ,  - коэффициент, определяемый оптическими
характеристиками окисла и длиной волны излучения.
В силу нелинейности задачи, аналитически могут быть найдены лишь
приближенные решения.
Рассмотрим частные случаи ( m =1, n =0):
1) ta  tT
Решая систему методом последовательных приближений, получим
нулевое приближение при A(0) (b)  A0
2q0 A0 at
T0( 0)   Tн ,
k 
при окислении по параболическому закону
12
 t
 T  
b(t )  2 B1  exp  ( 0)a dt  .
 0  T0 (t )  
Из последнего выражения следует, что b( t  0 )  0 .
При первом приближении A(1) (b)   A0  1b , плотность поглощенного
светового потока вместо q0 A0 принимается равной q (1)  q0 ( A0  1b(t )) ,
температура определяется по формуле (1.49) будет:
1 a t b(u )du
T0  T0  
(1) ( 0)
.
  0 t u
72
Здесь пренебрегается затратами тепла на нагрев окисла по сравнению с
теплоотводом в глубь металла, так как всегда bt   c at cok ( c и cок -
удельные объемные теплоемкости металла и окисла).
За момент возникновения неустойчивости ta можно принять точку
перегиба на кривой T 1 0,t  ( d 2T ( 1 ) dt 2  0 ), когда исходный сублинейный
режим разогрева сменяется сверхлинейным.
 
t a  Ta2 4 2 ln 2 2 2 2Ta2 , (1.76)
где
2q0 A0 a 2q  aB1
 ,  0 1 .
k  kTa
Как следует из (1.76), термохимический режим разогрева при ta  tT
характеризуется относительно слабым влиянием инерционного процесса
окисления на возникновение неустойчивости, так как при высоких потоках q0
температура растет быстро и при исходном поглощении. Процесс нагревания
здесь можно условно разбить на две стадии: нагревание без окисления в
течение времени ta до некоторой температуры T * (рис. 1.27–б, кривая 3):
 
T *  Ta 2 ln 2 2Ta2 2 (1.77)
и мгновенное «включение» реакции и дополнительного подогрева излучением
после достижения этой температуры. В итоге ta ~ q02 , а сама температура T * ,
как видно из (1.76) и (1.77), увеличивается с ростом потока логарифмически.
2) t a  tT .
Наибольший интерес представляет случай сравнительно низких
интенсивностей света q0 и малых начальных значений поглощательной
способности, когда термохимической неустойчивости предшествует
стабилизация температуры среды на исходном поглощении, например, при
нагреве полупространства через круг, когда tT  10 r02 a .
В этом случае вместо уравнения теплопроводности можно использовать
его интеграл, представляющий собой уравнение теплового баланса, которое в
каждый момент времени из промежутка tT  t  ta имеет вид
q0 A( t )  F ( T )  F ( Tн ) , (1.78)
где F T   F T t  — плотность рассеиваемого теплового потока как функция
абсолютной температуры T , медленно изменяющейся во времени на указанном
промежутке вследствие постепенного роста поглощения.
Уравнение химической кинетики запишем в форме обобщенного
степенного закона (1.21) при n  0 :
db Bm  T 
 m exp  a  . (1.79)
dt b  T
Что касается временной зависимости поглощательной способности
окисляющегося металла, то, при малых толщинах окисла ( b   ) она
выражается степенной функцией b :
73
At   A0  f bt ; f b   l bl , (1.80)
где  l определяется формулами
A02
 
1  2 n2 k 2 1  k32  n32   n3 k3 n22  k 22  1 ,
n3
 2 A02
  
 2  2 2 1  n32  k32 2n2 k2 k3  n3 n22  k22  1  n3 1  n22  k22  ,
 n3
2

где n2 , k 2 и n3 , k3 - показатели преломления и поглощения окисла и металла


соответственно.
Если же A0  0 , то
2  4b 
3

Ab     n2 k 2 .
3  
В таком виде задача охватывает широкий круг химических, оптических и
теплофизических явлений, определяющих кинетику возникновения и развития
тепловой неустойчивости при лазерном нагреве не только окисляющихся
металлов, но и других сред в условиях протекания термохимических реакций. С
учетом основного неравенства t a  tT , за начало отсчета времени при решении
системы уравнений (1.78–1.80) уместно принять момент установления
квазистационарного распределения температуры при исходном поглощении
T0 q0  (см. рис. 1.27), когда термохимические изменения, приводящие к
изменению поглощательной способности, еще не успевают накопиться. Тогда
начальные условия, замыкающие задачу об отыскании t a q0  , примут вид:
T 0  T0 ; b0  0 ,
а температура формально находится как корень уравнения
q0 A0  F T0   F Tн  .
Во многих практических случаях
F T   T n , n  0 .
В результате решения получим время возникновения неустойчивости:
p
1 2  n  n 2  A0T0  T 
p
1
ta    p   exp a  , (1.81)
Bm l  e   l Ta   T0 
m и n - параметры закона окисления (1.21), p  (m  1) l .
Поглощательная способность окисляющегося металла при возникновении
термохимической неустойчивости равна:
 T 
At a   A0 1  2np 0  .
 Ta 
Она отличается от начальной поглощательной способности, как правило,
незначительно, так как T0  Ta .
Как следует из выражения, полученного для ta (1.81), время
возникновения неустойчивости очень резко зависит от температуры
поверхности T0 и, следовательно, от плотности потока и начального значения
74
поглощательной способности. Оно быстро уменьшается с ростом q0 (см. рис.
1.27). Это хорошо коррелирует с экспериментом, где наблюдается уменьшение
ta на 1–2 порядка (например, от нескольких минут до долей секунды) при
увеличении q0 в 2–3 раза. Существует минимальная плотность потока q* , при
которой термохимическая неустойчивость может привести к разрушению
среды в результате ее асимптотического нагрева до температуры T p , например
температуры воспламенения или испарения. Согласно (1.78), величина q*
находится из условия:
q* A1  F Tp   F Tн  .
1.4.3. Интерференционные явления в окисном слое
Специфический режим допорогового разогрева металла может
реализоваться при образовании прозрачных окисных пленок
(  2   1;  2b  1), когда поглощательная способность системы металл–окисел
периодически изменяется вследствие интерференционных эффектов в окисном
слое. Поскольку в процессе роста интерференционных окисных пленок
положительная обратная связь между толщиной окисла и поглощательной
способностью периодически меняется на отрицательную, должен
осциллировать и темп нагрева металла лазерным излучением. Если на участке
спада функции Ab  теплопотери в зоне облучения превысят поглощенный
световой поток, то осциллировать будет и температура окисляющейся
поверхности (рис. 1.28–а, в). Теоретический анализ этой ситуации,
выполненный по аналогии с термохимической неустойчивостью, в
предположении квазистационарности теплового баланса в зоне реакции:
q0 Ab  T s , показывает, что интервал времени между двумя соседними ( N –м
и ( N  1)–м) температурными максимумами определяется соотношением:
m1
    sT0 n22  2 N m  N  1m1 Ta0
1 T

t    
 2  a 2
4 n T n 2
 1
 Bm
e

и, так же как и величина ta , резко зависит от плотности потока (через


стационарную температуру T0 ) и энергии активации реакции. Следует
заметить, что осцилляции температуры будут периодическими только при
линейном законе окисления ( m  0 ). При m  0 t с каждой последующей
осцилляцией возрастает, так как с ростом толщины окисла уменьшается
скорость окисления поверхности. Объяснить возникновение температурных
осцилляций при лазерном нагреве возможно с привлечением представлений о
термохимических эффектах и учетом их определяющего влияния на оптические
свойства металла.
75

Рис. 1.28. Зависимости поглощательной способности A (а, б) и температуры


T (в, г) окисляющегося металла от времени нагрева t непрерывным излучением
при различных плотностях светового потока (кривые 1–3): а, в — для прозрачного
окисла; б, г — с учетом температурной зависимости оптических постоянных для
первоначально прозрачного окисла; Tн — начальная температура; T0 —
стационарная температура при исходном поглощении A0 ; T p — температура
разрушения; A1 — поглощательная способность массивного окисла. При переходе
от кривых 1 к кривым 3 плотность падающего светового потока возрастает.

Ряд особенностей в кинетику нагрева и поведение поглощательной


способности системы металл–окисел вносят температурные изменения
оптических постоянных окисла, связанные с ростом концентрации и
плазменной частоты равновесных свободных носителей, вплоть до значений,
свойственных области аномальной дисперсии вблизи точки плазменного
резонанса. На рис. 1.28 б пунктиром показан ход такой зависимости во времени
в процессе нагрева металла излучением постоянной плотности (рис. 1.28, г).
Сначала на поверхности образуется прозрачный окисел, и первая осцилляция
поглощательной способности и температуры обусловлена
интерференционными явлениями в нем. При последующем разогреве из-за
резкого роста концентрации носителей окисный слой быстро теряет
прозрачность и вторая осцилляция поглощательной способности имеет
совершенно иную природу - она связана с термически активированными
явлениями аномальной дисперсии в оптически толстом окисле. Это необходимо
учитывать при интерпретации экспериментальных зависимостей A( t ) и
определении с их помощью оптических и термохимических констант окисла.
Наряду с периодическими замедляющимися пульсациями
поглощательной способности и температуры теория предсказывает учащение
осцилляций поглощательной способности, если температура поверхности
монотонно возрастает (например, вследствие малости теплоотвода) при этом
скорость окисления, определяемая активационной экспонентой, непрерывно
увеличивается. Один из таких режимов нагрева термически тонкой
металлической пластины, рассчитанный с учетом электронного поглощения,
76
интерференционных явлений в растущем окисле, а также радиационного
теплообмена, иллюстрируется рис. 1.29. Вместе с тем, высокотемпературное
окисление на воздухе становится неактивированным процессом, так как
лимитируется газофазной диффузией кислорода, его скорость перестает
зависеть от температуры. Это радикально влияет на кинетику
высокотемпературного нагрева металла, причем существенно упрощается
соответствующее теоретическое рассмотрение, так как химическая, оптическая
и теплофизическая части задачи могут быть решены раздельно в указанной
последовательности.

Рис. 1.29. Изменение поглощательной способности ( A ) и температуры ( T )


титановой пластины толщиной 50 мкм при нагреве на воздухе излучением СО 2–
лазера при плотности падающего потока 0.5 кВт/см2. Численный расчет выполнен с
учетом электронного поглощения в окисле ( N 0  10 см–3, Tc  12000 К, n2  2 ) и
21

радиационных потерь.

1.5. Лазерное плавление поверхности


Плавление при лазерном воздействии рассматривают на основе взглядов
на плавление при изотермическом нагревании. Характерная зависимость
температуры от времени при плавлении с непрерывным подводом тепла
приведена на рис. 1.30. Следует отметить постоянство температуры тела в
процессе перехода кристалл – расплав, характерное для всех кристаллов.
Процесс плавления происходит только в кристаллических веществах. При
нагревании аморфных тел характерной температуры плавления нет, плотность,
вязкость и другие свойства изменяются непрерывно, а не скачком как при
плавлении.
При температуре плавления Tm происходит фазовый переход с
поглощением скрытой удельной теплоты перехода Lm. Учет теплоты фазового
перехода приводит к необходимости решения нелинейной краевой задачи
теплопроводности, которая называется задачей Стефана.
77

Рис. 1.30. Стабилизация температуры при плавлении кристаллического тела.


По оси абсцисс отложено время, в течение которого к телу равномерно подводится
теплота.

В случае чистых металлов условие Стефана, которое учитывает наличие


скрытой теплоты фазового перехода, можно записать в виде
T dz (t )
q  k  Lm (1.82)
n dt
где n — нормаль в каждой точке к поверхности раздела фаз твердое тело –
расплав; z (t ) — координата границы раздела фаз в произвольный момент
времени, отсчитываемого от момента достижения на поверхности температуры
плавления. Целью решения задачи Стефана является отыскание соотношений в
твѐрдой и жидкой фазах металла и скорости перемещения границы раздела фаз
при продолжении действия на него лазерного излучения для нахождения
температурного поля T ( x, y, z, t ) .
В общем случае постановка краевой задачи теплопроводности с учетом
плавления сложна, но некоторые реальные допущения позволяют получить ее
аналитическое решение. Эти допущения следующие: 1) теплофизические
свойства фаз не зависят от температуры; 2) в жидкой фазе происходит
выравнивание температуры фазы до температуры плавления; 3) время
плавления таково, что можно не учитывать теплообмен гетерофазной
структуры твердое тело – расплав с окружающей средой. В этом случае
получается однофазная задача Стефана относительно температуры в металле с
нелинейными граничными условиями при t  0 и h(t )  z  l
T  2T
a 2
t z
T dh(t )
q(t )  k  Lm ,t 0 (1.83)
z dt
T [h(t ), t ]  Tm , T (l , t )  T ( z,0)  Tн ,
78
где T  T ( z, t ) – температурное поле, образующееся в металле под действием
теплового источника на поверхности; h(t ) – положение границы фазового
перехода, т.е. глубина проплавления материала; l - толщина металла.
Второе уравнение системы (1.83) выражает закон сохранения энергии при
плавлении. Оно выполняется как в процессе перемещения фазовой границы
dh dt  0 ( T (h, t )  Tm ), так и при нагреве поверхности ( T (0, t )  Tm , dh dt  0 ).
В случае воздействия на поверхность металла импульсного лазерного
излучения время от начала действия импульса лазера до достижения на
поверхности температуры плавления, очевидно, зависит от теплофизических
свойств материала, формы лазерного импульса и мощности теплового потока. В
случае q0  const можно получить
 T  T c a 
2

t m   m н  ,
 2 q 
Решение задачи (1.83) в общем виде удается получить только
численными методами.
Применимость этих взглядов к лазерному плавлению подтверждается
постоянством температуры поверхности металлов в течение некоторого
времени при лазерном воздействии с плавно меняющейся плотностью
мощности (рис.1.31).
Удобным параметром для измерений температуры при лазерном
воздействии оказывается отражательная способность металлов R .
Отражательная способность при увеличении температуры уменьшается, при
температуре плавления металла она испытывает резкий скачок, затем
продолжает уменьшаться, но уже гораздо медленнее, чем до плавления. Такое
поведение отражательной способности позволяет связать ее изменение во
время лазерного импульса с изменением температуры.
Типичный вид зависимости отражательной способности металла при
лазерном нагревании импульсом длительностью порядка одной микросекунды
приведен на рис. 1.31. (В эксперименте использованы отдельные пички
лазерного излучения в режиме свободной генерации.)
Область быстрого изменения отражательной способности (левее точки b
на рис. 1.31) связывают, естественно, с процессами начального нагревания, а
затем плавления поверхностного слоя металла. Постоянство отражательной
способности, после того как слой металла, участвующий в поглощении и
отражении света, переходит в жидкое состояние (участок bc на рис. 1.31),
свидетельствует о постоянстве температуры расплавленного слоя.
79

Рис. 1.31. Изменение отражательной способности серебра при лазерном


воздействии (можно считать, что 1  R  A0  bT0 ). Пунктиром показана форма
импульса. Q = 7.5 кДж/см2. q0 max =7 107 Вт/см2

В рамках понятий теплопроводности (см. уравнение 1.83) такое


поведение температуры на поверхности расплава (участок bc на рис. 1.31)
объяснить довольно трудно. Для существования теплового потока к границе
фронта плавления необходим градиент температуры в расплаве. При
постоянстве температуры поверхности и продвижении границы плавления в
глубину градиент температуры должен уменьшаться. Поэтому при достижении
на поверхности температуры плавления, даже если весь падающий поток
излучения расходуется в этот момент на плавление, по мере продвижения
фронта поверхности вглубь, с поверхности должен отводиться все меньший
поток, т.е. температура поверхности должна продолжать расти, чтобы фронт
плавления продолжал продвигаться вглубь.
Для оценки времени t 2 , в течение которого подводимое к металлу тепло
расходуется практически только на фазовый переход, можно использовать
предположение о том, что возрастание температуры поверхности не будет
происходить до тех пор, пока волна плавления не догонит волну прогрева.
Считая, что средняя скорость первой волны V ~ q ( Lm  cTm )1 , а второй ~ a t ,
можно оценить время t 2 следующим образом:
L  cT 
t2  m 2 m ,
aq
80
где q – средняя плотность потока в течение времени t 2 , при q = 1,3•107 Вт/см2
и Lm  cTm = 3,4•103 Дж/см3, время t 2 ≈ 1,2•10-7 с, что хорошо согласуется с
длительностью участка bc на рис. 1.31.
Для объяснения постоянства температуры поверхности расплава во время
плавления при лазерном воздействии можно использовать другой подход.
Увеличение глубины проплавления, как следует из анализа уравнения
теплопроводности, снижает подвод теплоты к фронту фазового перехода и
уменьшает скорость его перемещения. В свою очередь, это вызывает перегрев
поверхностных слоев расплава, что приводит к усилению конвективных
потоков в расплаве. Интенсивность движения расплава можно оценить по
критерию Грасгофа
g1Tl0
Gr  ,
3
где g – ускорение силы тяжести;  1 – коэффициент объемного расширения; 
– кинематическая вязкость, l0 – толщина слоя расплава.
Оценки, выполненные для типичных значений параметров металлов,
малых перегревов и сравнительно небольших глубин проплавления ( T <50 К,
l0  5·10-4 м), показывают, что Gr  1 , т.е. в расплаве происходит его
конвективное перемешивание. При этих условиях температура ванны расплава
выравнивается, приближаясь к температуре плавления, а перенос теплоты к
границе фазового перехода интенсифицируется ( a1   ). В результате
скорость плавления быстро возрастает, а глубина расплава достигает
предельного для данной плотности потока значения.
Существуют и другие экспериментальные данные о зависимости
измеренной температуры от времени при облучении поверхности ниобия ( Nb )
излучением Nd-YAG-лазера с различными плотностями мощности, которые
приведены на рис. 1.32. Изменение плотности мощности излучения обеспечено
изменением длительности прямоугольного импульса при постоянной энергии в
импульсе. Характерной особенностью изменения температуры при нагревании
является отсутствие горизонтального участка на графике T ( t ) при температуре
плавления Tm , который обычно связывают с плавлением поверхностного слоя
металла. Такой участок существует, но при температуре большей, чем
температура плавления, причем эта температура связана с плотностью
мощности лазерного излучения. Между тем при остывании такой
горизонтальный участок при Tm существует (см. рис. 1.32).
81

Рис. 1.32. Зависимость реальной температуры поверхности Nb при действии


прямоугольного импульса Nd-YAG-лазера. Энергия в импульсе 27 Дж. 1 -
длительность импульса 3,5 мс, плотность мощности 4,5 105 Вт/см2 и 2 -
длительность импульса 6 мс, плотность мощности 2,5 105 Вт/см2

Таким образом, вопрос о механизме переноса энергии к фронту


плавления при постоянной температуре поверхности расплава остается
открытым.
Он может быть решен при применении вакансионной модели плавления.

1.5.1. Вакансионная модель плавления


Принимая во внимание отсутствие идеального порядка в кристалле и
сохранение некоторой упорядоченности в жидкости, Я.И. Френкель предложил
рассматривать процесс перехода кристалла в жидкость как процесс
проникновения вакансий в кристалл через его поверхность, при этом вакансии
как бы разрыхляют его структуру. Поэтому, в случае простых и, в особенности,
одноатомных веществ, процесс аморфизации кристалла можно понимать как
процесс образования в кристалле ''вакансионного раствора'', концентрация
которого возрастает с ростом температуры. Этот процесс приводит, в конце
концов, к плавлению. Исходя из этих представлений об изменении структуры
тела при изменении температуры, можно представить себе структуру жидкости
как кристалл, деформированный вакансиями.
При больших концентрациях вакансий, когда деформированные области
перекрываются, кристаллическая решетка будет деформирована полностью
(рис. 1.33 б). В таком, деформированном вакансиями кристалле, атомы,
окружающие какой-либо произвольно выбранный атом, располагаются вокруг
него преимущественно на тех же расстояниях, что и в кристалле, но с
некоторым разбросом - сохраняется ближний порядок. Разброс этот носит
случайный характер и быстро возрастает с увеличением расстояния от
выбранного атома.
82
При этом характер кинематики теплового движения у аморфных тел и
жидкостей не различается, что и было предсказано Я.И. Френкелем.

Рис. 1.33. Схема искажения кристаллической решетки вакансиями.

Чтобы понять процесс плавления и получить точное значение


температуры перехода, следуя описанной выше модели жидкости, рассмотрим
кристалл и жидкость как состояния одной и той же конденсированной фазы,
отличающиеся только концентрацией вакансий.
Проанализируем зависимость свободной энергии кристалла F от
концентрации вакансий n с учетом их парного взаимодействия. Предположим,
что при увеличении концентрации вакансий n растет вероятность их
расположения на таком расстоянии друг от друга, что взаимное влияние
начинает заметно уменьшать суммарную энергию образования вакансий Fv .
Будем считать также, что энергия образования пары взаимодействующих
вакансий меньше, чем энергия образования двух невзаимодействующих
вакансий 2 E , на величину 2 . Тогда энергия образования вакансий с учетом
их взаимодействия будет Fv  En  nn ( nn - число вакансий во
взаимодействующих парах), nn можно определить как произведение общего
числа вакансий n на вероятность того, что около вакансии в некотором объеме
v , определяемом радиусом взаимодействия вакансий, окажется еще хотя бы
одна вакансия, то есть по закону Пуассона nn  n1  exp nv .
Учитывая сказанное, зависимость F (n) получим в виде:
 Ne   Ne 
F  Fv  k0Tn ln    En  n1  exp nv   k0Tn ln  ,
 n   n 
где: N - концентрация узлов кристаллической решетки.
Анализ показывает, что на зависимости F (n) существуют два минимума,
два устойчивых состояния, соответствующих равновесным концентрациям
вакансий n1 и n2 , причем n2  n1 . Эти концентрации можно определить из
условий dF dn  0 и d 2 F dn 2  0 .
 E   1  exp nv   nv exp nv 
n  N exp   (1.84)
 k0T 
k0T
 v exp nv 2  nv   0 (1.85)
n
83
Первый минимум соответствует значениям nv  1 , поэтому
n1  N exp E  2vn k0T  . Второй минимум соответствует такой
концентрации вакансий n2 , при которой почти все вакансии участвуют в
парных взаимодействиях: n2  N exp E    k0T . При увеличении
температуры минимум в области малых концентраций исчезает. Перед этим,
при температуре Tm и концентрации вакансий n10 , когда dF dn  d 2 F dn 2  0
состояние с концентрацией n10 становится неустойчивым. То есть, во время
нагревания кристалла при температуре Tm происходит резкое увеличение
равновесной концентрации вакансий от n10 до n 2 . Для n10 и Tm из (1.84) и (1.85)
можно получить: k0Tm  2vn10 , n10  N exp1  E k0T .
Определим энергию U m , которая затрачивается на переход из состояния
неустойчивого равновесия с концентрацией вакансий n10 в устойчивое с
концентрацией n 20 . При переходе n10  n 20 энергия затрачивается на
образование вакансий Fvm  Fv n20   Fv n10  и на увеличение
конфигурационной S v и колебательной S c энтропии, поэтому полная энергия
U m , затрачиваемая на переход, будет:
U m  Fvm  Tm Sv (n20 )  Sv (n10 )  Sc (n20 )  Sc (n10 )
При vn  1 и n20  n10 для U m справедливо выражение:
U m  n20 2E     5,5k0Tm  (1.86)
Значения U m и Tm для некоторых металлов, вычисленные по (1.86),
приведены в таблице 1.4.
Термодинамический анализ вакансионной модели плавления, основанный
на представлениях о жидкости как о деформированном вакансиями кристалле,
позволил получить однозначную связь между параметрами кристалла и
температурой и теплотой его плавления.
Используя вакансионную модель плавления, можно однозначно
объяснить постоянство температуры поверхности при лазерном плавлении и
наличие потока энергии к фронту плавления без градиента температуры в
расплавленном слое. Такой режим возможен до тех пор, пока плотность потока
мощности на поверхности не превысит некоторого критического значения,
определяемого скоростью генерации вакансий на поверхности расплава и
величиной диффузионного потока вакансий, определяемого градиентом
концентрации вакансий на фронте плавления. Поэтому глубина проплавления
будет определяться величиной плотности потока лазерного излучения и
свойствами материала.
Связь величины теплового потока с температурой поверхности расплава
при T  Tп можно определить следующим образом:
Lm N 2 3  E    Ed 
  .
 n20  n10  
q~ exp
k0T 
84
Таблица 1.4. Сравнение расчетных и экспериментальных значений
теплоты плавления металлов.

Металл Tm  N n 20 Um L
(K) 10 см22 -3
10 21 см-3 Дж см-3 Дж см-3
Cs 302 0,025 0,84 0,63 28 30,7
K 336 0,023 1,30 0,90 45 50,8
Na 371 0,026 2,50 1,90 104 107,5
Cd 594 0,056 4,60 6,50 502 494,0
Pb 600 0,037 3,20 3,0 255 253,5
Al 933 0,15 6,0 9,0 1077 1070

Оценим изменение температуры поверхности расплава при изменениии


плотности мощности излучения от 2,5105 Вт/см2 до 4,5105 Вт/см2. Считая
изменение температуры поверхности малым, для T T1 получим
T k0T1 q
 ln 2
T1 E    Ed q1
При exp E    Ed  k0T1   103 ( k0T1 E    Ed   1 6 ) получим
оценку T T1  1 6  ln4 ,5 2,5   0 ,098 , которая хорошо совпадает со значением
T T1  0 ,1 при T1  3000 К, T  300 К, определенных из эксперимента (см.
рис. 1.32).
85

Контрольные вопросы к разделу 1


1. Какими физическими процессами определяется перенос тепловой энергии в
веществе?
2. Какова основная задача теории теплопроводности?
3. Отличается ли лазерный нагрев по своей физической сущности от других
видов нагрева?
4. Назовите ряд характерных особенностей лазерного нагрева.
5. В чем состоит специфика лазерного нагрева в области коротких и
ультракоротких длительностей лазерных импульсов?
6. Какое температурное поле называется стационарным; нестационарным;
равновесным; неравновесным?
7. Назовите основной физический параметр, определяющий условие
возникновения процесса передачи теплоты.
8. Между какими величинами устанавливает связь уравнение
теплопроводности?
9. Что характеризуют коэффициенты теплоемкости, теплопроводности,
температуропроводности?
10.Оцените расстояние, на которое распространяется тепловая волна при
лазерном облучении металлической мишени импульсом длительностью:
1мс; 100мкс; 10нс.
11.Что входит в краевые условия конкретной задачи теплопроводности?
12.Почему на начальном этапе лазерного облучения металлов передача энергии
решетке отсутствует?
13.Воспользовавшись выводами из формул 1.23 и 1.24, оцените перегрев
электронного газа Te  Ti для q  10 Вт/см2,  ~ 1 Вт/см К, A ~ 0,2.
11

14.По формуле 1.34 оцените температуру поверхности в центре лазерного


пятна, если медная мишень облучается миллисекундным импульсом
неодимового лазера с плотностью светового потока 5٠105 Вт/см2.
15.По формуле 1.35 постройте график функции Т(х, t).
16.Как пороговая плотность светового потока, необходимая для нагревания
металла до требуемой температуры, зависит от длительности лазерного
импульса в случае одномерного, двухмерного и трехмерного теплообмена?
17.Какой тепловой источник можно считать быстродвижущимся, а какой
медленнодвижущимся при нагреве материала движущимся световым
пятном?
18.Напишите функциональную зависимость поглощательной способности от
температуры, характерную для нелинейных режимов воздействия лазерного
излучения на вещество.
19.Назовите возможные механизмы эмиссии электронов при действии
лазерного излучения на металл.
20.Что является целью решения задачи Стефана в случае чистых металлов?
86

2. Лазерное разрушение поглощающих материалов


2.1. Общая характеристика механизмов лазерного
разрушения
Использование лазерных технологий во многих практических случаях
ставит своей конечной целью разрушение материала. Так, наиболее
распространенной операцией в машиностроении при обработке металлов
является резание.
При воздействии лазерного излучения с плотностью мощности,
превосходящей некоторое критическое значение, материал начинает
разрушаться. Следует отметить, что термин "разрушение" при воздействии
лазерного излучения на материалы достаточно условен. Это связано с тем, что
процесс разрушения является многостадийным.
Можно выделить несколько механизмов разрушения поглощающих
материалов:
- термомеханические,
- химические,
-плавление,
- испарение,
- ударная волна.
На первоначальных стадиях разогрева следует отметить вклад в процессы
лазерного разрушения термодеформации (упругие, вязкоупругие и
пластические), химические реакции (окисление и разложение), стимулирование
миграции дефектов вглубь материала и т.п.
При достижении в зоне воздействия температуры плавления
кристаллические материалы расплавляются, и в глубь материала начинает
перемещаться фазовая граница жидкость - твердое тело. Дальнейшее
повышение температуры, вплоть до следующей критической температуры
разрушения – температуры кипения, приводит к интенсивному испарению.
Скорость испарения достигает своего максимального значения при
стационарной температуре испарения, когда скорость фазовых границ
плавления и испарения совпадают.
Кроме того, как непосредственно в зоне облучения поверхности, так и в
области, прилегающей к поверхности материала, протекают физические
процессы, вызывающие необратимые изменения в веществе, обусловленные
процессами диффузии, адсорбции и десорбции, генерации дефектов и т.п.
Следует отметить, что в окончательный процесс разрушения материалов вносят
вклад предшествующие этапы, которые протекают при нагреве металла до
температуры разрушения.
Отметим, что процессом разрушения можно управлять не только
изменением плотности мощности лазерного излучения и временем воздействия
его на материалы, но и состоянием поверхности материала, поскольку его
поглощательная способность зависит от температуры, состояния парогазовой
плазмы вблизи поверхности и т.д.
87
2.1. Механическое низкотемпературное разрушение
хрупких материалов
При лазерном воздействии в обрабатываемом материале в результате
формирования локального теплового поля и отсутствия свободного расширения
нагретых областей материала возникают термонапряжения. Эти напряжения
могут превысить предел прочности материала и привести к его разрушению,
что часто происходит при лазерной обработке стекла и других хрупких
материалов. Величина термонапряжений, возникающих при лазерной
обработке, определяется локальным перегревом и упругими и реологическими
свойствами материала. На величине напряжений сказывается также локальное
изменение объема, связанное с изменением структуры материала при
нагревании. Обычно это дополнительное изменение объема учтено в
экспериментально определенной зависимости коэффициента теплового
расширения от температуры.

2.1.1. Разрушение упругими напряжениями


При лазерной обработке хрупких материалов их разрушение происходит
обычно под действием упругих напряжений (во время обработки) поскольку
предел прочности таких материалов лежит, как правило, ниже температур
появления вязкоупругих или пластических деформаций. Однако разрушение
может произойти и под действием остаточных напряжений (после обработки),
которые возникают в результате формирования вязкоупругих или пластических
деформаций, снижающих величину действующих во время цикла нагревание-
охлаждение напряжений. В тех случаях, когда во время действия лазерного
излучения не происходит релаксации напряжений, упругие напряжения в
материале после окончания цикла нагревание-охлаждение полностью исчезают.
Устойчивость материала к действию термоупругих напряжений
характеризуют максимальной величиной локального перегрева Tt , при котором
разрушение еще не происходит. Локальный перегрев Tt и, следовательно,
величину термоупругих напряжений можно уменьшить, применив
предварительный равномерный подогрев обрабатываемого материала.
Рассмотрим поведение упругих напряжений при лазерном локальном
нагревании.
При сложнонапряженном состоянии изотропного материала связь между
компонентами напряжений и деформаций определяется обобщенным законом
Гука, который для хрупких материалов применим при всех нагрузках, так как
предел их прочности лежит обычно - ниже предела упругости.
Максимальные напряжения в материале возникают при плоской
деформации, когда существуют только три главных составляющих тензора
деформаций:  rr ,   и  zz .
Для цилиндрической системы координат связь между деформациями и
напряжениями в этом случае описывается следующими уравнениями:
88

 rr 
1
rr   p    zz   T T (2.1)
EM

 
1
   p rr   zz   T T (2.2)
EM
 zz 
1
EM
 
 zz   p  rr       T T (2.3)

( EM - модуль Юнга,  p - коэффициент Пуассона, T - коэффициент теплового


расширения, ii - главные составляющие тензора напряжений, i  r, z,  .) Для
удобства дальнейших вычислений введем функцию напряжений  ,
определяемую следующим образом:
 rr   r (2.4)
    r . (2.5)
При плоской деформации  zz  0 . Следовательно (2.3) примет вид
 zz   p ( rr   )  T EM T . (2.6)
Уравнение неразрывности для деформаций связывает их компоненты
следующим образом:
r r     rr  0 (2.7)
Подставляя в (2.7) выражения для величин, входящих в (2.1), (2.2), (2.4) и
(2.5), получаем уравнение для функции напряжений:
d 2  1 d  T E M dT
    . (2.8)
dr 2 r dr r 2 1   p dr
Интегрирование уравнения (2.8) позволяет вычислить функцию
напряжений:
T E M 1 r Cr C

1 p r g
 Trdr  1  2 .
2 r
Постоянные интегрирования определяются условиями:  rr  0 при r  g
и r 
( g  f (z ) ). При таких граничных условиях C1  0 и C2  0 . Следовательно,
 E 1r
   T M  Trdr .
1 p r g
Теперь, используя выражения (2.4), (2.5) (2.6), можно найти выражения
для всех составляющих тензора напряжений:
 T EM 1  r 
 rr     Trdr  ;
1 p r  g
2

 T EM 1  r 2
     Trdr  Tr  ;
1 p r  g
2

 E
 zz   T M T .
1 p
89
Предполагается, что к границам материала не приложено никаких
внешних сил.
Из трех перечисленных компонент напряжений наибольшую опасность
представляют азимутальные  , так как они могутт изменить знак, то есть
стать растягивающими. (Сжимающие напряжения отрицательны,
растягивающие – положительны.) Предел прочности материалов на растяжение
значительно меньше, чем на сжатие, поэтому при нагревании материала, когда
лазерное излучение сфокусировано в пятно круглого сечения, появляются
трещины, окружающие область облучения, где азимутальные напряжения
положительны и максимальны.
Для нестационарных температурных полей используют решения задач
упругости для стационарного температурного поля, поскольку при «не
быстрых» изменениях температуры можно не учитывать динамические
эффекты. Это приводит к параметрическому учету зависимости температуры от
времени.
Проанализируем разрушение стекол термоупругими напряжениями,
возникающими при лазерном воздействии. Этот механизм разрушения
реализуется при термораскалывании стекол. Следует отметить, что подобный
анализ дает лишь качественную картину, поскольку в этих расчетах не учтены
зависимости свойств стекол от температуры и процессы релаксации
напряжений за счет возникновения вязкоупругих деформаций, кроме того, сами
уравнения напряженного состояния приближенные.
Температурное поле в пластине при нагревании движущимся круговым
тепловым источником имеет вытянутую в направлении движения форму.
Поэтому при качественном анализе можно использовать распределение
напряжений, возникающих при нагревании до постоянной температуры
прямоугольной области размером 2l  2b . Нагретая область действует как клин.
Напряжения, перпендикулярные длинной стороне прямоугольника, могут стать
растягивающими. Поэтому проведем анализ именно этих напряжений.
Разрушение материала произойдет при его прогреве на достаточную глубину,
когда предел прочности будет превышен напряжениями в некотором объеме,
следовательно, разрушение произойдет с запаздыванием по отношению к
положению движущейся зоны облучения.
Систему координат, связанную с движущимся тепловым источником
расположим так, что ось X будет направлена по направлению движения зоны
облучения (см. рис. 2.1). В этой системе координат перпендикулярно к
направлению движения действуют напряжения  yy .
Величина напряжений  yy связана с температурным полем следующим
образом:
T E
 yy   T max M (1   2 )  ( 3   4 )
(1   p )
90
1  arctg ( y  b ) ( x  l ) , 2  arctg ( y  b ) ( x  l ) , 3  arctg ( y  b ) ( x  l ) ,
4  arctg( y  b ) ( x  l ), Tmax - максимальная температура в области
обработки.
Напряжения  yy будут максимальны при y  0 . Внутри прямоугольной
области, при x  l , напряжения будут сжимающими. Для них справедливо
выражение:
2 T E  b b 
 yy ( x,0)   T max M   arctg  arctg .
(1   p )  xl xl

Рис. 2.1. Движение лазерного луча со скоростью V при обработке стекла

На границе области x  l происходит скачкообразное изменение знака


напряжений – при x  l они становятся положительными (растягивающими):
2T Tmax EM  b b 
 yy ( x,0)    arctg  arctg 
(1   p )  xl xl 
Известно, что чем больше скорость движения лазерного пучка по
поверхности V , тем больше тепловое поле вытянуто по направлению
движения, тем больше эти напряжения. Растягивающие напряжения будут
максимальны непосредственно вблизи границы, при x  l
2 T E   b
 yy (l ,0)  T max M   arctg  .
(1   p )  2 2l 
При b 2l  1 , для быстродвижущегося источника, когда V  a r0
arctg b 2l   0
2 T E
 yy (l ,0)  T max M . (2.9)
(1   p )
Из выражения (2.9) можно определить термостойкость стекла Tt :
минимальную температуру в области нагревания, при которой возникают
термоупругие напряжения, превышающие предел прочности стекла на
растяжение  p .
91
p( 1   p )
Tt ~ . (2.10)
T E M
Для кварцевого стекла модуль упругости EM  7,3·1010 Н/м2; плотность
 - 2200 кг/м3; предел прочности при сжатии  c  2,94·109 – 3,9·109 Н/м2;
предел прочности на растяжение  p  9,8·107 – 1,14·108 Н/м2; температурный
коэффициент линейного расширения T в диапазоне температур 100 oC 
40·10-6 1/K, при 500oC - T  45·10-6 1/К.
Используя приведенные выше значения для EM ,  T ,  p  9,8·107 Н/м2,
получим оценку термостойкости плавленого кварца по минимуму Tt  1200 oС,
поскольку она ориентирована на превышение предела прочности только в
одной точке пластины стекла.
Для оценки термостойкости по максимуму следует найти условия, при
которых термоупругие напряжения на обрабатываемой и противоположной
поверхностях пластины стекла превышают предел прочности одновременно.
Рассмотрим температурное поле изотропной пластины, нагреваемой
движущимся поверхностным круговым тепловым источником. Максимальную
температуру поверхности при движении теплового источника радиуса r0 со
скоростью V и поглощенной плотностью мощности q в квазистационарном
приближении можно оценить из выражения
1
 r 2
Tmax  1,8q 0  .
 kcV 
Максимальную температуру на обратной (тыльной) стороне обрабатываемой
пластины можно оценить, используя выражение:
 h2 
2 P exp  
Tmax ( y0 , z0 , t )   4at 
,
12
  r 
2

Vc (4at )1 2 4a t  0 


  4a  
где: y0 , z0 - координаты рассматриваемой точки, лежащей в плоскости y0 z
(см., например, рис. 2.1), t - время, отсчитываемое от момента, когда центр
теплового источника пересекает плоскость y0 z , a - температуропроводность
материала пластины, P - мощность лазерного излучения в зоне облучения. При
равномерном распределении лазерного излучения по области облучения P  Sq
( S - площадь области облучения, при круглом пятне – P  r0 q ), y  0 , z  h
2

( h - толщина пластины).
Максимальная температура тыльной поверхности Tmax будет достигнута
через некоторое время после прохождения луча. Это время t m можно
определить из условия dT (h) dt  0 при h ~ r0 , tmax ~ h 4a . Тогда для Tmax (0, h)
2

получим:
92
2Pe1
Tmax (0, h)  .
Vch h 2  r02
Исходя из того, что температура Tmax (0, h) должна быть больше, чем
термостойкость Tt и что P ~  r0 q , можно получить вторую оценку для режима
2

термораскалывания
q Tt ch h 2  r02 
12

 . (2.11)
V 2e 1r02
Итак, используя выражения (2.10), (2.11), можно определить плотность
мощности лазерного излучения и скорость движения области лазерного
воздействия, при которых произойдет термораскалывание.
Для плавленого кварца, k = 1.2 Вт/мK,  = 2,2·103 кг/м3, c = 1074
Дж/кгК, a = 0,9·10-6 м2/с, r0 = 2·10-4 м, h = 3·10-3 м, T p = 900 0С, Tt = 1200 0С
получим: q  1,1 107 Вт/м2, V  7,5·10-3 м/с.

2.1.2. Разрушение остаточными напряжениями


Порог усталостного разрушения хрупких материалов много меньше
порога разрушения их растягивающими напряжениями, поэтому наибольшую
опасность при лазерной обработке представляют остаточные напряжения. В
зависимости от величины остаточных напряжений разрушение заготовки может
произойти как практически сразу после окончания обработки, так и спустя
некоторое время (минуты, часы, дни, месяцы). Основной причиной
возникновения остаточных напряжений в стекле при лазерной обработке
является релаксация напряжений во время цикла нагревание-охлаждение.
Достаточно легко оценить величину остаточных напряжений в случае,
когда во время лазерного воздействия происходит полная релаксация
напряжений: их величина будет равна величине упругих напряжений при
максимальной температуре, но они изменят знак – станут растягивающими.
Можно также предположить, что вязкость стекла при нагревании скачком
уменьшается до значения соответствующего максимальной температуре и
сохраняется некоторое время на постоянном уровне. Тогда величину
остаточных напряжений можно оценить по величине релаксации напряжений.
Первый случай соответствует высоким температурам нагревания стекла,
когда вязкость мала, либо временам нагревания много большим, чем
характерное время релаксации напряжений    G , где  – вязкость
материала, G – модуль сдвига.
Второй – более общий случай. Он может быть применен для оценок
остаточных напряжений и при кратковременном нагревании до температур
значительно ниже температуры размягчения стекла, когда времена нагревания
сравнимы с характерным временем релаксации  . В обоих случаях оценки
получаются завышенными.
Для более точной оценки величины остаточных напряжений,
возникающих в результате лазерного воздействия, необходимо учитывать
93
изменение времени релаксации    G при изменении температуры. Учет
этой зависимости приводит к значительному усложнению задач
термовязкоупругости.
Указать общие пути аналитического решения таких задач не
представляется возможным. Тем не менее, можно рассмотреть основные
особенности образования остаточных напряжений на модельных задачах.
Приведем решение задачи об оценке остаточных напряжений в тонкой
стеклянной пластине, нагреваемой круговым тепловым источником радиусом
r0 с плотностью мощности лазерного излучения, распределенной по закону
Гаусса. Максимальная температура не превышает температуру стеклования,
поэтому зависимость вязкости стекла от температуры представима в виде
B 
  B1 exp 2  ,
T 
где B1 и B2 – постоянные, зависящие от типа стекла. Считается также, что
длительность лазерного импульса мала и упругие напряжения при нагревании
релаксировать полностью не успевают.
Для простоты температурный профиль в пластине аппроксимирован
зависимостью:
Aq0  t r2 
T ( r, t )  t exp    2  , (2.12)
c h   c r0 
где  c – характерное время охлаждения, r – координата в радиальной системе
координат.
Напряженное состояние, возникающее при нагреве тонкой пластины,
может считаться плоским. В рассматриваемом радиально симметричном случае
главными напряжениями являются  rr и   .
Для описания связи между напряжениями и деформациями стекла можно
использовать модель вязкоупругой среды Максвелла:
Sii S e
 ii  2G ii , (2.13)
t (T ) t
где ii принимает значения либо rr , либо  . S ii – девиатор напряжений,
определяемый через компоненты напряжений
1
S ii   ii   ii ,
3 i
а eii – тензор деформаций, связанный с деформациями  ij соотношением
1
eii   ii    ij .
3 j
T  T (r , t ) – температурный профиль в пластине.
Для приведенных остаточных напряжений
 rr  
 rr  ,    ,
EM  T Tmax EM  T Tmax
94
G 2
где   ,
B2 echG
B1
 3 Aq0
Получено:
r02 1     B2   B rr  1  B rr 
2 2

 rr  2  E1    E1  2 e   E1  2 e 
2 2
0 0
(2.14)
r 12   Tmax   Tmax  2  Tmax 
    
r02 1   p   B2   B rr   p  B rr 
2 2

    2  E1    E1  2 e   E1  2 e 
2 2
0 0

r 12   Tmax     
  Tmax  2  Tmax 
(2.15)
1 2  r 
r2 2  
r2
 B 1 r 
r2 2

 (1   p )  e r  1  e r  exp  2 e r 
2 2 2
0 0 0 0

2 3 r 
2
  Tmax 2 r02 
    
Aq0  t
e
где Tmax  , E1 ( x)   dt – интегральная показательная функция.
che x t
На рис. 2.2 приведены характерные зависимости величины приведенных
остаточных напряжений  rr и   от расстояния до центра области облучения
r при облучении круглым пятном радиуса r0 . Видно, что величины остаточных
напряжений максимальны в центре зоны воздействия лазерного излучения,
причем  rr везде растягивающие, а   меняют знак. При r  r0 остаточные
напряжения практически равны нулю, то есть они действуют в области,
ограниченной зоной воздействия лазерного излучения.

Рис. 2.2. Зависимость приведенных остаточных напряжений ii от r r0 при


B2 Tmax  20,  p  0,2
95
Максимальные напряжения можно оценить следующим образом:
G 2 Aq0 1   p T
2 B

 rr     E max
e (2.16)
chGB2 e che 12
B1
 3 Aq0
Из (2.16) следует резкая зависимость остаточных напряжений от времени
облучения ( rr , ~ 5 2 ), что наблюдается в экспериментах.

2.2. Химические механизмы разрушения


Химические реакции, стимулированные нагреванием, приводят к
изменению состава и свойств поверхности, что можно трактовать как
разрушение или создание предпосылок к разрушению.
Рассмотрим подробнее термохимические механизмы лазерного
разрушения полупроводников на примере диссоциирующего полупроводника
арсенида галлия. Хотя приведенные ниже конкретные результаты расчетов
относятся лишь к GaAs, термохимические механизмы разрушения и
теоретические закономерности носят общий характер.
Экспериментально установлено, что термохимические явления влияют на
характер и результат разрушения GaAs импульсным излучением СО2-лазера. На
его поверхности в очагах разрушения обнаружен дефицит мышьяка. Поэтому
при теоретическом описании могут быть использованы две модели
твердофазного разложения материала сложного состава: диффузионная и
кинетическая.
Согласно диффузионной модели разложения, при достижении
температуры разложения (для GaAs на воздухе Tразл  7000 С) происходит
быстрое испарение летучего компонента (мышьяка) из поверхностного слоя. В
дальнейшем скорость испарения лимитируется диффузией этого компонента из
объема среды. В этой модели компонентный состав среды в зоне реакции
изменяется во времени и пространстве непрерывно, фронт реакции оказывается
размытым, а полное разложение получается лишь в асимптотическом пределе.
Такое рассмотрение справедливо лишь в случае, когда компоненты среды
могут образовывать непрерывный ряд твердых растворов. Для GaAs при
температуре свыше 1000 0С это не противоречит термодинамической
диаграмме состояния.
Важной особенностью диффузионных явлений при импульсном лазерном
воздействии является то, что они проходят в неизотермических условиях.
Поэтому существенную роль играет изменение температуры во времени. Что
же касается перепада температуры внутри диффузионного слоя, то его можно
не учитывать. Поскольку коэффициент температуропроводности среды на
много порядков больше коэффициента диффузии, то можно считать, что
диффузионный слой прогревается равномерно. В модели принято, что
изменение состава среды ведет к появлению дополнительного наведенного
поглощения, пропорционального дефициту летучего компонента, то есть
96
 n  z , t 
 z, t    0 1  ,
 n 0 
где  z, t  – значение коэффициента наведенного поглощения;  0 – его
предельное значение, соответствующее в рассматриваемом случае поглощению
металлического галлия; nz, t  – текущая концентрация летучего компонента; z
– координата, отсчитываемая от поверхности в глубь среды, n0 - начальная
концентрация летучего компонента.
Дополнительное (наведенное) поглощение резко растет при увеличении
температуры вследствие экспоненциальной температурной зависимости
коэффициента диффузии
DT   D0 exp Td T  ,
что и является причиной возникновения тепловой и химической
неустойчивости среды при определенных условиях ее разогрева ( Td - энергия
активации диффузии, выраженная в градусах).
Для выяснения этих условий будем для простоты считать, что
поверхностный слой, оптическая толщина которого мала и не зависит от
температуры, а геометрическая толщина h  a , где a – размер
прогретого теплопроводностью слоя среды за импульс длительностью  .
Реально для GaAs при   100 нс этому условию удовлетворяют слои толщиной
h ~ 105 см. Будем считать также, что размер области облучения
r0  a ~ 10 4 см. Тогда тепловая неустойчивость среды может быть
проанализирована в рамках одномерных феноменологических задач диффузии
и теплопроводности. Общее решение диффузионного уравнения имеет вид:
 
 
z
n z ,t   n0  
 t , (2.17)
2 0 DT0  dt 
 
где T0 — температура поверхности. Отсюда
 
 
 z 
 z, t    0  *  t , (2.18)
 2  D T0  dt 
 
 0 
За начало отсчета времени в выражениях (2.17) и (2.18) принят момент
достижения на поверхности температуры разложения T0  Tpазл , отвечающий
времени t pазл от начала воздействия.
Переходя к теплофизической части задачи, отметим, что ожидаемый
размер диффузионного слоя
97
12
t 
ld ~   DT0  dt 
0 
гораздо меньше прогретого. Это позволяет рассматривать дополнительный
разогрев за счет наведенного поглощения в приближении поглощательной
способности, что с учетом (2.18) и общих формул оптики тонкослойных
покрытий дает
 t
2
A1    z, t  dz   0  DT0  dt , (2.19)
0  0
При такой зависимости поглощательной способности от температуры
поверхности зависимость T0 ( t ) при нагреве диссоциирующей поверхности
световым потоком постоянной плотности q0 описывается выражением:
2q0 A at p  t  4 q0 0 D0 a T02 t   2T0 t 
d T

T0 t   Tн   e . (2.20)
k e k Td T0t 
Это выражение содержит в себе нелинейно растущее со временем
слагаемое, описывающее тепловую неустойчивость сублинейного режима
разогрева поверхности среды ( T0 ~ t p  t ) на исходном поглощении. Решая
(2.20) методом последовательных приближений и считая, что температура
тепловой неустойчивости T0  T* , а время ее возникновения t* соответствует
точке перегиба на кривой T0 t  , получим, что
Td k 2T*2
T*  ; t p  t*  .
  D0 k 0Td  4aq02 A2
2 ln  
2 e a q0 A2 
Отсюда нетрудно найти связь величины T* и необходимой для ее
достижения пороговой плотности мощности q* при длительности импульса  ,
считая в пороговых условиях t p  t*   . В итоге получим
2 0 D0 
; q*   kT* ;  
Td
T*  .
2 ln  ln   2 A a e A
Результаты расчета величин T* и q* для GaAs при A  0.1 и 0  5  10 5
см–1 для нескольких длительностей импульса сведены в таблицу 2.1. Видно, что
при изменении  в широких пределах температура термохимической
неустойчивости GaAs изменяется слабо, а функциональная зависимость q*  
1
близка к  2 , что характерно для тонкого плоского поглощающего слоя.
Полученные результаты можно обобщить на случай воздействия на среду
последовательности световых импульсов. Это обобщение представляет
интерес, так как описывает эффект постепенного накопления необратимых
изменений состава и наведенного поглощения в приповерхностных слоях
материала, обусловленных испарением летучего компонента, и тем самым
объясняет известный для самых различных оптических материалов
экспериментальный факт снижения порога пробоя при многократном
98
воздействии. Этот факт может рассматриваться как свидетельство
термохимического механизма оптического пробоя.

Таблица 2.1 Расчетные значения температуры термохимической


неустойчивости T* и порога ее возникновения q* для арсенида галлия при
различных длительностях светового импульса  (диффузионная модель)
,с T* , 0С q* ,
МВт/см2
10–8 1440 95
–7
10 1380 29
–6
10 1330 8.8
–5
10 1280 2.7
Примечание. При расчетах использованы следующие значения
параметров: k  0.73 Вт/смград; a  0.26 см2/с; Td  1.18  105 К; D0  4  10
21

см2/с.
Для определения зависимости q*  q*N от числа световых импульсов N
удобно воспользоваться формулой (2.19), справедливой для произвольного
закона изменения температуры поверхности во времени. В рассматриваемом
случае входящий в (2.19) интеграл можно заменить суммой интегралов, каждый
из которых описывает термический цикл поверхности среды в конкретном
импульсе излучения. Вычисления показывают, что
1
q*N T*N  e 1 
  1  N  1  . (2.21)
q*1 T*1   ln   ln  ln   
Индекс «1» в формуле (2.21) относится к параметрам при однократном
лазерном воздействии. Оценки показывают, что при указанных выше
параметрах заметное уменьшение q*N возможно лишь при N  100 . Порог
неустойчивости, согласно (2.21), при N   формально стремится к нулю.
Однако из физических соображений ясно, что уменьшение q*N будет
продолжаться до тех пор, пока T*N остается больше температуры разложения
Tpазл .
В отличие от диффузионной, в кинетической модели разложения
допускают, что реакция идет до конца и имеет резкий фронт, отделяющий
исходное вещество от конденсированного продукта диссоциации. Считается
также, что удаление летучего продукта не лимитирует скорость реакции. Такой
механизм разложения в твердой фазе, как следует из многочисленных
экспериментальных данных, протекает, если в веществе существуют зародыши
типа различного рода дефектов в приповерхностных слоях тела. Вокруг этих
зародышей возникает, а затем развивается первоначальный очаг разложения.
Скорость роста таких изолированных очагов разложения (до их
пространственного перекрытия) при постоянной температуре в простейшем
случае описывается уравнением реакции первого порядка
99
dr  T 
 s0 exp  D  ,
dt  T 
где r – текущий радиус очага разложения, который будем считать
сферическим; s0 – предельная скорость разложения порядка скорости звука; TD
– энергия диссоциации в Кельвинах, T – мгновенное значение температуры на
фронте реакции.
При таком подходе на кинетику разложения переносятся чисто
статистические особенности лазерного воздействия, связанные с разбросом
оптических характеристик поглощающих неоднородностей. Вследствие
сильной температурной зависимости скорости разложения активно растущими
ядрами станут только сильно поглощающие неоднородности. Если в результате
разложения вокруг неоднородности растет слой поглощающего продукта
(например, галлия), то нагрев такой неоднородности светом может привести к
возникновению тепловой неустойчивости среды. Для оценки времени
неустойчивости t* примем, что вокруг неоднородности радиуса r0 с
поглощательной способностью равной A0 , достаточно быстро (за время t  t* )
устанавливается квазистационарное температурное поле, а установившаяся
температура T0 равна
q0 A0 r0
T0  Tн  . (2.22)

Полагая далее, что по мере роста поглощающего сферического ореола (с
поглощательной способностью A ) квазистационарность температурного поля
сохраняется вплоть до момента t* , для определения которого можно
воспользоваться выражением
2 A0 r0 T0 T 
t*  exp D  . (2.23)
e As0 TD  T0 
Из (2.23) легко найти зависимость температуры неустойчивости T0  T*
от длительности импульса ( t*   ):
TD e As0 
T*  ;  .
ln ln   2 A0 r0
Расчетные значения T* для GaAs ( TD  1.2 104 К, s0  105 см/с) при A  1
для различных параметров неоднородностей A0 r0 и длительностей импульса 
приведены в табл. 2.2. Там же даны вычисленные значения порога
возникновения неустойчивости q* , полученные из (2.22) для соответствующих
значений T0  T* . Из табл. 2.2 видно, что температура неустойчивости в
кинетической модели разложения зависит от длительности импульса гораздо
сильнее, чем в диффузионной (табл. 2.1). В то же время для временной
зависимости порога неустойчивости характерно обратное. Эти особенности
связаны как с различием в режимах разогрева для этих двух случаев, так и с
существенной разницей в величинах энергий активации диффузии и
разложения ( Td и TD ). Для известных условий экспериментального
100
исследования порога пробоя поверхности GaAs импульсами излучения CO2–
лазера (  100 нс) обе модели дают для T* и q* близкие результаты.
Удовлетворительно согласуются между собой и расчетные значения q* с
экспериментальной величиной порога очагового пробоя ( 20–30 МВт/см2). В
рамках кинетической модели, так же как и диффузионной, возможно описание
эффектов накопления необратимых изменений поглощения и снижения порога
пробоя при многократном световом воздействии.

Таблица 2.2 Расчетные значения температуры термохимической


неустойчивости T* и порога ее возникновения q* для арсенида галлия при
различных длительностях светового импульса  и параметрах неоднородности
A0 r0 (кинетическая модель)
A0 r0 , см ,с T* , 0С q* , МВт/см2
10–5 10–8 1680 62
–7
10 1080 40
–6
10 780 29
–4 –8
10 10 3550 13
–7
10 1680 6.2
–6
10 1080 2.9

В заключение отметим, что термохимические явления играют важную


роль и при сверхпороговых режимах облучения полупроводника, в том числе
GaAs . Наряду с диссоциацией, которая способствует возникновению
оптического пробоя поверхности, при контакте с воздухом здесь возможно
высокотемпературное окисление GaAs и продуктов его разложения с
образованием Ga2O, Ga2O3, GaAsO4 и др. Эти явления могут приводить к
ускорению развития очага поверхностного разрушения.
Не исключено, что в действительности реализуются промежуточные, а не
предельные модельные ситуации, когда во всем температурном интервале
разогрева среды светом лимитирующей стадией разложения считается либо
диффузия летучего компонента к поверхности, либо кинетика реакции.

2.3. Высокотемпературные механизмы с участием


испарения
Основным механизмом поверхностного разрушения материалов является
испарение. Однако разрушение материала под действием лазерного излучения
не ограничивается только испарением. При плотностях потоков q  108 Вт/см2
происходит разрушение за счет ударной волны, выноса расплава под действием
давления отдачи пара или его вскипания и т.д.
Давление отдачи паров может достигать десятков атмосфер (кг/см2). При
этих давлениях расплав может быть удален с поверхности материала в виде
брызг, что отчетливо наблюдается в эксперименте («вымывание» расплава).
101
Давление насыщенного пара PT связано с температурой T уравнением
Клаузиуса-Клайперона
T  L   T 
PT  P0 exp  ev 1  0  ,
T0  RT0  T 
 – молекулярный (атомный) вес испаряющегося вещества, R – универсальная
газовая постоянная, T0 – температура, при которой давление пара равно
известной величине P0 , Lev – теплота испарения материала.
В бесстолкновительном приближении давление отдачи пара Pp равно
половине давления насыщенного пара
P
Pp  T
2
В условиях эксперимента возможно раздельное наблюдение капель
жидкой фазы, выносимых в результате процессов объемного вымывания и
парообразования. Это обусловлено тем, что при вымывании разлет капель
происходит преимущественно под некоторым углом к поверхности зоны
воздействия, в то время как процессы объемного парообразования приводят к
разлету капель по нормали к поверхности расплава.
Рассмотрим роль объемного парообразования при разрушении
непрозрачных материалов при воздействии лазерного излучения с плотностью
потока q0  106 Вт/см2.
Для сред, не содержащих центров парообразования (загрязнений,
примесей, газов и дефектов структуры), объемное (спонтанное)
парообразование может играть заметную роль только при температурах
порядка 0,3Ea / k0 ( Ea - энергия связи атомов вещества, k0 - постоянная
Больцмана). Эта величина для типичных металлов достигает десятков тысяч
градусов. Роль объемного парообразования мала.
В реальных условиях парообразование происходит на искусственных
центрах (скопления примесей, неметаллические включения, растворенные газы
и т.п.).
Критический размер r * пузырька, превысив который он (пузырек)
становится устойчивым, то есть не может схлопнуться, но может расти,
находится из условий устойчивости:
2 sV 

p  pi  2S / r*; p  p exp ( ),
k0Tr 
где V * – критический объем пузырька; p – давление пара в пузырьке; pi –
внешнее давление; p  – давление в жидкости;  s – коэффициент
поверхностного натяжения.
Максимальный размер пузырька не может быть больше толщины слоя
расплава, которая изменяется от сотен до единиц микрометра. Рост пузырька в
объеме равномерно нагретой жидкости происходит пропорционально t 1 2 :
102
2 Bc p T at
r (t )  ,
Lev 
где   – удельный объем жидкости;   – удельный объем пара при данной
температуре; c p – удельная теплоемкость; T – величина перегрева; B –
постоянная, близкая к 1,7. По оценкам размер пузырька в расплаве меди при
q0 = 106 – 107 Вт/см2 составляет 10–5 – 10–6 см.
Для каждого пузырька в зависимости от величины q0 существует свое
время жизни  e . Зависимость времени жизни отдельного пузырька от
плотности мощности лазерного излучения (для меди) приведена на рис. 2.3.

Рис. 2.3. Зависимость времени существования пузырька в жидкой фазе Cu от


удельной мощности излучения q0 .

Увеличение плотности мощности лазерного излучения и сокращение


длительности импульса приводит к уменьшению толщины зоны расплава,
повышению температуры в приповерхностном слое и уменьшению времени
жизни зародышевых пузырьков. Это означает, что искусственные центры
парообразования перестают играть заметную роль по сравнению со
спонтанными. Роль объемного парообразования в процессах выноса вещества
будет снижаться (продолжительность импульса меньше, чем время жизни
пузырька).
Упомянем о газодинамической модели разрушения. Эта модель
практически не анализирует конденсированную среду, на поверхности которой
происходит испарение. Основой такого подхода к описанию процесса
разрушения является тот факт, что при высоких плотностях лазерных потоков
q  108 Вт/см2 роль теплопроводности в твердом теле в общем энергетическом
балансе существенно уменьшается, а основные энергозатраты определяются
поглощением излучения плазменным облаком, так называемая экранировка
лазерного излучения, падающего на вещество.
103
Газодинамическая и тепловая модели разрушения материалов в диапазоне
плотностей световых потоков 106-107 Вт/см2 приводят к одинаковым
результатам при оценке достигаемых температур и скоростей испарения.
Использование аналитических выражений для T * и Ve (T ) в обеих моделях дает
только качественное согласие с экспериментом.

2.4. Поляритонный механизм формирования лазерно-


индуцированного поверхностного рельефа
В начале 80-х годов было предположено, а в дальнейшем однозначно
установлено, что поверхностные электромагнитные волны (ПЭВ) или
поляритоны играют большую роль в воздействии мощного лазерного излучения
на материалы (металлы, полупроводники), приводящем к их нагреву и
разрушению. Одним из главных признаков и следствий генерации ПЭВ в
процессе такого силового воздействия излучения на вещество является
образование поверхностных периодических структур (ППС), представляющих
собой систему упорядоченных линейных выступов и впадин рельефа
поверхности. На рис. 2.4 представлены фотографии фрагментов остаточного
микрорельефа поверхности, сформированного при воздействии на различные
материалы лазерного излучения со следующими параметрами: рис. 2.4а –
германий, длина волны  =1,06 мкм, длительность импульса  =200 нс, число
воздействующих импульсов в серии N =20, плотность мощности светового
потока q0 =6·107 Вт/см2, рис. 2.4б – кремний,  =1,06 мкм,  =1 нс, N =1,
q0 =0,7·106 Вт/см2, рис. 2.4в – нержавеющая сталь,  =1,06 мкм,  =30 нс, N =40,
q0 =3·107 Вт/см2, рис. 2.4г – титан,  =10,6 мкм,  =40 мкс, N =80, q0 =106 Вт/см2.

Рис. 2.4. Поверхностные периодические структуры, сформированные при


воздействии на материал лазерного излучения с различными параметрами
104
Структуры имеют период порядка длины волны света  и
преимущественно ориентированы своими штрихами перпендикулярно
проекции электрического вектора световой волны на поверхность (при
линейной поляризации излучения). Согласно существующим физическим
представлениям об образовании ППС, силовое воздействие обязано частичному
преобразованию лазерного излучения в ПЭВ на резонансных периодических
решетках, в той или иной мере представленных в пространственном спектре
случайных неровностей реальной поверхности. Период и ориентация
резонансных решеток (см. предыдущие разделы) соответствуют условиям,
когда дифрагированные в плюс первом или минус первом порядке волны
направлены вдоль поверхности. В процессе своего распространения они
интерферируют с падающим лазерным излучением. В результате
интерференции этих двух бегущих в различных направлениях волн возникает
результирующее "неподвижное" распределение воздействующего излучения,
модулированное в пространстве с тем же периодом, что и резонансная решетка.
При достаточной интенсивности излучения в сформировавшемся
интерференционном поле происходят неоднородный разогрев среды и
вызванное им увеличение высоты резонансного рельефа вследствие активации
различных тепловых процессов на поверхности. Последнее замыкает цепь
положительных обратных связей и приводит к росту резонансного рельефа, от
высоты которого зависят эффективность возбуждения ПЭВ и глубина
модуляции интерференционного поля.
После окончания воздействия и остывания поверхности наведенный
рельеф закрепляется в виде ППС. Конкретными процессами их образования
могут быть испарение, оплавление поверхности и вытеснение расплава
избыточным давлением паров, термокапиллярные явления и термохимические
реакции, термические деформации и др. В целом явление носит универсальный
характер и представляет собой интересный пример самоорганизации в системе,
где изначально отсутствуют выделенные направления и структуры.
Формирование ППС наблюдается при воздействии лазерного излучения
на поверхностно-активные среды в широком диапазоне длин волн (от ИК- до
УФ-области спектра) и импульсов (от фемтосекундных до непрерывных
воздействий). При этом явлению свойственна "память": рельеф может
нарастать в течение серии световых импульсов.
Наиболее типичными материалами, на которых возникают ППС по
описанному механизму, являются металлы и сплавы, а также большинство
полупроводников, переходящих в поверхностно-активное состояние при
достижении температуры плавления.
Период структур зависит от угла падения  и состояния поляризации
излучения: для p-поляризованного света он меняется в соответствии с
зависимостью

d ( p )  ,
1  sin 
а для s-поляризованного излучения близок к величине
105

d (S)  .
cos 
Энергетические режимы получения ППС соответствуют нагреву
материала до температуры, примерно равной температуре плавления (нижний
предел), но не выше температуры развитого испарения и обычно относятся к
диапазону умеренных плотностей светового потока q0 = (0,1–100)·106 Вт/см2 в
зависимости от длительности импульса. Как установлено в последние годы,
ППС образуются под действием излучения с различным состоянием
поляризации (линейной, круговой, хаотической).
Наряду с поверхностными поляритонами к образованию структур может
приводить возбуждение светом волноводных мод. Этот процесс более
свойствен диэлектрикам и неметаллизирующимся при плавлении
полупроводникам. Период таких структур при нормальном падении излучения
равен  n , где n – показатель преломления материала, а их ориентация
ортогональна рассмотренным выше.
Росту ППС сопутствует и специфическое оптическое явление — заметное
уменьшение коэффициента зеркального отражения, связанное с генерацией
ПЭВ (или других мод) и их поглощением при распространении вдоль
поверхности. Вследствие этого изменяется поглощательная способность
материала A , которая может заметно возрасти, иногда почти до 1.
Одновременно появляется совершенно специфическая размерно-
ориентационная зависимость поглощения, определяемая направлением и
длиной пробега ПЭВ, если последняя превышает размер зоны лазерного
облучения. В этих условиях удается успешно управлять степенью теплового
воздействия излучения, изменяя ориентацию электрического вектора световой
волны относительно какого-либо другого выделенного направления, например
направления движения мощного светового пучка вдоль поверхности.
Упомянутые особенности влияния ПЭВ на силовое действие лазерного
излучения имеют существенное практическое значение для лазерной
технологии обработки поверхности материалов. Одним из основных
направлений здесь может стать получение дифракционных элементов,
особенно перспективное для субмикронной литографии. Другое направление
связано с управлением поглощательной способностью и характером
распределения интенсивности света у поверхности при генерации ПЭВ путем
изменения только поляризационных характеристик излучения. Это может
найти применение в термообработке, сварке, фотоосаждении материалов
сканируемым световым пучком и, судя по экспериментам с неодимовыми
лазерами на ИАГ, с большой эффективностью.

2.5. Лазерное испарение


Теоретические модели, описывающие поверхностное разрушение
металлов под действием лазерных потоков в диапазоне плотностей потоков ~
106 -107 Вт/см2 за счет испарения, развиты в работах С.И. Анисимова. В рамках
тепловой теории испарения механизмы разрушения материала принципиально
106
не различаются, происходит ли отрыв атомов от атомарно гладкой локально
плоской поверхности расплава (испарение), или от заведомо обладающей
рельефом сравнимым с размерами атома поверхности твердого тела (возгонка
или сублимация). При испарении из расплава можно считать, что работа вылета
атома не зависит от его положения на поверхности. При сублимации
поверхность тела очень неоднородна, что требуется учитывать.

2.5.1. Кинетика испарения плоской поверхности


С физической точки зрения испарение (отрыв атома от поверхности)
происходит тогда, когда атом обладает энергией, большей энергии связи атомов
в твердом теле. При испарении атома его кинетическая энергия частично или
полностью переходит в потенциальную энергию разорванных связей ионов, то
есть при испарении тело остывает. Для поддержания постоянной температуры
требуется постоянный подвод энергии. Испарение – фазовый переход первого
рода, для его протекания требуются затраты энергии испарения Lev .
Испарившиеся атомы движутся хаотично. Часть из них может вернуться на
поверхность тела, возвратив ему энергию  . В том случае, когда испарившиеся
атомы не могут (при испарении в замкнутый объем) или не успевают (при
интенсивном испарении) покинуть приграничный объем, наступает момент,
когда число испарившихся атомов становиться равным числу атомов
возвратившихся на поверхность испарения, пар становится насыщенным.
Давление насыщенного пара зависит от температуры и свойств расплава
(твердого тела при сублимации). С увеличением температуры давление
насыщенного пара увеличивается, а энергия испарения уменьшается. При
увеличении температуры возможно достижение состояния, когда энергия
испарения становится равной нулю.

2.5.1.1. Испарение в вакуум и среду с противодавлением


При давлении окружающей среды, в которую вылетают испаряющиеся
атомы, P  1 мм. рт. ст. можно считать, что испарение с поверхности
происходит в вакуум. Если энергия  атома, подошедшего к границе больше
энергии связи Ea (   Ea ), то атом оторвется от поверхности. В случае
больцмановского распределения атомов по энергиям вероятность  отрыва
атома в единицу времени от поверхности при температуре T будет
 ~ 0 exp Ea k0T  ( 0 – частота колебаний атома). Отсюда скорость
испарения:
Ta

Vev  a0  Se T

a 0 - постоянная решетки, Ta  Ea / k0 , S  0 a0 .
Более точная формула (так как на самом деле атомы колеблются не
только перпендикулярно поверхности и т.д.):
B  T 
Vev (T )  exp   a  , (2.24)
T  T 
107
3 S 3
B  ,
2e R
S - средняя скорость звука в твердом теле ( 3 / S  2 / St  1/ Sl , S t , S l -
поперечная и продольная скорости звука)  - молекулярный (атомный) вес, R -
универсальная газовая постоянная, e - основание натурального логарифма.
Соотношение (2.24) справедливо для идеального газа в температурном
диапазоне ~ 7000 - 10000° К. При более высоких температурах скорость
испарения определяется формулой Френкеля:
Ea
Vev (T )  CS exp(  ), (2.25)
k0T
где C S – скорость, по порядку величины близкая к скорости звука в металле.
Для дебаевской модели решетки
1

4  1 2  3
CS     .
9  Cl3 Ctl3 
С учетом того, что для некоторых атомов с энергией   Ea возможна
конденсация, истинная скорость испарения равна
V (T )  Vev (T )  Vc (T ) ,
где Vc (T ) – скорость конденсации пара.
При испарении в вакуум Vc (T ) зависит от Vev (T )  Vc  Vev (T ) ,
следовательно, V (T )  1   Vev (T ) .
При испарении в воздух (среду с противодавлением) картина получается
совсем другая. При T  Tev ( Tev - температура кипения, температура при которой
давление насыщенного пара равно атмосферному), когда концентрация пара
мала по сравнению с концентрацией молекул воздуха, отток испарившихся
атомов от поверхности испарения определяется их диффузией и конвекцией.
Поэтому концентрация пара вблизи поверхности близка к концентрации
насыщенного пара, то есть Vc  Vev , V  0 . При T  Tev концентрация
испарившихся атомов становиться больше концентрации молекул воздуха,
поэтому ситуация быстро приближается к той, которая была при испарении в
вакуум.

2.5.1.2. Температурная граница перехода от нагрева к испарению


Энергетическим критерием начала испарения при лазерном нагревании
является та мощность, при которой этот процесс начинает играть
существенную роль в разрушении материала. Это произойдет тогда, когда
энергозатраты на испарение будут не менее 0,1 затрат на нагрев металла
qev  0,1Aq0 (2.26)
Температурную границу начала разрушения материала T * можно
установить следующим образом. Очевидно, что каждый индивидуальный акт
испарения приводит к уменьшению теплового потока, падающего на материал,
108
так как он расходуется на сообщение твердому телу удельной теплоты
испарения, т.е.
qev  LevV (T ) .
С учетом (2.25) и (2.26), при Vc  Vev получим
   0.1  kT *
LevCs exp   
*
. (2.27)
 k0T  2 a
В (2.27) принято, что температура поверхности T * ( ) , которая
достигается к концу лазерного импульса, определяется без учета затрат на
испарение, когда весь лазерный поток расходуется на нагрев металла за счет
теплопроводности
2q0 A a
T0 ( )  .
k 
Из (2.27) следует, что в общем случае температура начала испарения
определяется энергетическими и временными характеристиками лазерного
импульса.

2.5.2. Теплофизика перехода от нагрева к испарению


Физически ясно, что испарение может происходить при любой
температуре выше абсолютного нуля, причем интенсивность процесса
испарения (число молекул или атомов, покинувших твердую фазу) растет с
ростом температуры. Однако движение фронта испаряемого вещества в глубь
материала будет отличным от нуля только тогда, когда процесс испарения
преобладает над процессами конденсации из обратного потока, образующегося
при столкновении атомов (молекул) пара между собой и с атомами
(молекулами) окружающей среды. По этой причине за верхнюю границу стадии
нагревания можно принять температуру T  , при превышении которой
образующиеся пары испаряемого вещества начинают расширяться под
действием избыточного давления. Из условия достижения температуры T  на
поверхности материала к концу импульса лазерного излучения можно
рассчитать пороговую плотность (2.27), при которой начинается разрушение
материала.
Очевидно, что изменение температуры на поверхности металла будет
зависеть от времени и, в значительной мере, будет определяться соотношением
плотностей мощности поглощенного потока q и тепловых потерь qп , главным
образом энергии, необходимой для испарения металла, т.е. соотношением

величин q  q0  exp( z )dz и qev  LevV (T ) .
0
Скорость испарения достигает своего максимального значения при
стационарной температуре испарения, когда скорость движения фазовых
границ плавления и испарения совпадают.
Изменение температуры поверхности T0 (t ) можно при этом представить
качественно следующим образом (рис. 2.5).
109
Когда потери теплового источника на испарение незначительны
( 0  t  t1 ), температура поверхности будет
2 Aq0 at
T0  Tн  .
k 

Рис. 2.5. Изменение температуры на поверхности под действием лазерного


излучения. 1 –без учета фазового перехода твердое тело – пар, 2 – с учетом затрат
на испарение.

С увеличением времени воздействия лазерного излучения на металлы


(t  t1 ) становятся существенными затраты на испарение, рост температуры
поверхности замедляется. С течением времени (t  10t1 ) температура
поверхности приближается к температуре стационарного испарения Tст , а
удельный тепловой поток, уносимый паром - к (0.7  0.8) Aq0 . Испарение
становится квазистационарным. В глубь вещества распространяется волна
испарения, скорость которой стремится к стационарной Vev (Tст )  V0  q Lev   . Так
как скорость волны нагревания VТ  a / t постепенно уменьшается, то спустя
время t y  ( a Lev  / q0 ) 2 волна испарения догонит тепловую волну нагрева,
после чего роль теплопроводности будет сводиться лишь к установлению
распределения температуры перед стационарным фронтом испарения.
Таким образом, в течение действия лазерного импульса изменяется и
температура материала, и скорость движения межфазной границы, то есть
процесс существенно нестационарен. В более общей модели испарения эту
первоначальную стадию теплового разрушения материала приходится
учитывать.

2.5.3. Одномерная задача о лазерном нагреве с испарением


Процесс испарения математически описывают в рамках краевой задачи
теплопроводности для конденсированной среды в системе координат,
связанной с подвижной межфазной границей твердое тело - пар или расплав -
пар, на которой происходит испарение. Если не учитывать боковой отвод
110
энергии лазерного излучения за счет теплопроводности, что справедливо при
условии r0  a , где  – продолжительность воздействия лазерного
излучения на материал, r0 – радиус пятна нагрева, то задача о движении
границы испарения может быть рассмотрена в рамках одномерной модели
T T  2T q
 Vev (t ) a 2  exp  z 
t z z c
T
k  q  Vev H (2.28)
z
T ( z,0)  T (, t )  0,
где H  Lev  RT 2 разность удельных энтальпий твердой и газообразных фаз,
Vev (t ) – скорость движения межфазной границы.
Краевая задача теплопроводности (2.28) существенно нелинейна, поэтому
ее общего аналитического решения не существует. Следует отметить, что
выход процесса на стационарный режим испарения определяется плотностью
мощности лазерного излучения. Здесь возможны три варианта (см. рис. 2.6)

Рис. 2.6. Режимы выхода процесса испарения на стационарный режим


( q1  q2  q3 , q  106  107 Вт/см2)

2.5.3.1. Установление стационарного режима. Определение


квазистационарных параметров
Стационарный режим испарения металла ( t  t у , см. рис. 2.5, кривая 2)
будем рассматривать при следующих допущениях:
а) концентрация плазмы вблизи поверхности невелика, поэтому
эффектами экранирования лазерного излучения можно пренебречь;
б) все подводимое тепло идет на испарение;
в) фазовая граница движется с постоянной скоростью Vev (Tст )  V0 .
При этом учтем, что источник тепла в материале в общем случае является
объемным, связанным с поглощением лазерного излучения в среде, а на
поверхности материала все тепловые потери определяются затратами тепла на
фазовый переход при испарении.
В этом случае краевая задача теплопроводности (2.28) запишется в виде
111
T  2T q A
V0 a 2  0 exp( z )
z z c
dT
k   LevV0 (2.29)
dz
T ( z ,0)  Tн , T (, t )  0
 Ea 
V0 T (0)  v(T )  
B
exp   ,
T (0)  0 k T ( 0) 
  1 — коэффициент, учитывающий тот факт, что часть испаряемых атомов
вновь конденсируется на поверхности, Tн — начальная температура
поверхности. Решение системы (2.29) имеет вид
 
q0 A  q0 A   a0
V z V z
 0
T ( z)  e  z  T (0)  e  T (0)e a , (2.30)
 V0   V 
k    k 0    
a   a  
где T0  q V0c  Lev c – стационарная температура поверхности конденсированной
фазы, которая в общем случае отличается от температуры кипения при
нормальном давлении и зависит от плотности поглощенного теплового потока
q . Из (2.30) следует, что характерный размер прогретого слоя в материале при
стационарном испарении, так же, как и при нагревании, определяется либо
глубиной поглощения световой волны   1 /  , либо величиной a V0 ,
зависящей от теплопроводящих свойств материала.
Важной особенностью распределения температуры T (z ) по глубине при
совместном действии в среде объемного источника тепла и фазового перехода
является наличие максимума на глубине z 0 (см. рис.2.7). При значительной
разности температур Tmax  T0 внутренний перегрев может привести к
неустойчивости в перемещении фронта испарения.

Рис. 2.7. Изменение температуры в зависимости от глубины прогрева

Величину z 0 найдем из условия dT ( z ) dz  0


  V0  
    
ln 1   V L  .
1 a
z0  (2.31)
V0
  q0 0 ev

a  
112
Обычно для металлов и сильнопоглощающих полупроводников   V0 a ,
поэтому
1 Aq0
z0  ln  .
 cV0T0
Оценки показывают, что Tmax  T0  1000 C .
В этом случае, учитывая, что глубина прогретого слоя z пр  3 , при
стационарном испарении получим zпр  3a V0 .
При плотностях мощности световых потоков ~ 105 Вт/см2 для хорошо
проводящих тепло материалов zпр  107  103 см. Поскольку в области z  z пр
разогрев идет за счет проникновения лазерного излучения в материал и его
поглощения, очевидно, что z пр ~  , где  - толщина скин-слоя.
Для металлов   102  101 мкм и Tmax  T0  T0  100 С, т.е. поглощение
потока лазерного излучения можно считать поверхностным.

2.5.3.2. Зависимость температуры и скорости лазерного разрушения


от плотности светового потока.
Найдем связь между стационарной скоростью испарения V0 и
температурой T0 . Интегрирование первого уравнения системы (2.29) по
координате в случае полубесконечного тела дает
dT Aq
a  V0T0   0 .
dz c
С учетом граничных условий получим
Aq0  v0 ( Lev  cT0 ) (2.32)
Последнее соотношение – это, в сущности, закон сохранения энергии: все
поглощенное в единицу времени t тепло Aq0 t расходуется на нагрев и
испарение слоя материала толщиной V0t .
В уравнении теплового баланса при стационарном испарении
коэффициент теплопроводности  материала явно не входит, однако очевидно,
что теплофизические параметры среды весьма важны. Во-первых,
сформированная за счет теплопроводности волна нагрева в материале,
движущаяся впереди фронта испарения, нагревает очередные слои материала
от начальной температуры Tн до температуры испарения Tev . Во-вторых,
скорость испарения v0 как бы помнит начальную температуру поверхности,
оставаясь, все время равновесной по отношению к этой температуре.
Действительно, из (2.32) легко оценить стационарную скорость перемещения
фазовой границы в глубь материала
Aq0
V0  . (2.33)
Lev   cT0
Проведем оценку величины этой скорости при типичных параметрах
материалов, а именно: Lev  106 Дж/см3, cT0  5  103 Дж/см3, то есть в обычных
случаях cT (0)  Lev , V0  Aq0 / Lev  5 м/с.
113
Используя выражение (2.25), для квазистационарного испарения легко
оценить температуру поверхности
E
T0   (4  103  104 ) K .
cL
k  ln ev
Aq0
Эти оценки показывают, что температура поверхности и скорость
движения фазовой границы испарения (2.33) зависят от плотности мощности
лазерного излучения, причем эта зависимость существенно нелинейна (рис. 2.8)

Рис. 2.8. Изменение температуры поверхности и скорости движения фазовой


границы от мощности теплового источника

При решении краевой задачи теплопроводности при стационарном


испарении (2.29) мы предполагали, что все подводимое тепло идет на
испарение металла, не учитывая процессы нагревания. Однако в течение
действия лазерного импульса изменяется и температура материала, и скорость
движения межфазной границы, то есть процесс существенно нестационарен. В
более общей модели испарения эту первоначальную стадию теплового
разрушения материала приходится учитывать. При этом краевая задача
нестационарного испарения формулируется в виде системы (источник тепла
поверхностный):
T T  2T
 Vev (t )  a 2  0
t z z
T
k z 0  Aq 0  LevV (t ) (2.34)
z
V ev (t )  f (T0 ) T ( z,0)  T (, t )  0.
Задача (2.34) нелинейная, точного аналитического решения она не имеет.
Приближенные оценочные решения основаны на аппроксимации члена
V (t ) T z . Поскольку зависимость скорости испарения от температуры очень
резкая ( ~ exp Ea k0T  ), то потери на испарение на начальном этапе
воздействия незначительны. Затем потери возрастают, скорость изменения
температуры уменьшается. С течением времени процесс выходит на
стационарный режим, когда потери становятся равными поглощенному потоку,
температура поверхности становится постоянной.
Можно выделить три временные зоны изменения температуры (см. рис.
2.9): 1 — нестационарный нагрев LevVev  Aq0 ( t  t1 ), II — переходная область,
когда на отдельных участках поверхности металла образуются островки
114
расплава и начинает происходить процесс испарения ( t1  t  t0 ).
Необходимость подвода скрытой теплоты плавления и парообразования к
металлу резко замедляет дальнейший разогрев тела, скорость роста
температуры затормаживается. Зона III — режим стационарного испарения,
когда все тепло, подводимое к металлу лазерным излучением, расходуется на
испарение материала – LevVev  Aq0 ( t  t0 ). Именно с этого момента времени
граница фазового перехода начинает перемещаться в глубь металла с
постоянной скоростью V0 .

Рис. 2.9. Изменение температуры поверхности во время лазерного нагревания


с испарением. I – нестационарный нагрев ( LevVev  Aq0 ), II – переходная область, III –

область стационарного испарения ( LevV0  Aq0 )


На оси времени t 1 – время установления стационарной температуры
поверхности, t y — время установления стационарной скорости движения
фронта испарения, t 0 - время, начиная с которого скорость движения фронта
испарения стационарна. Обычно t0  t у
Качественно ступени аппроксимации представлены на рис. 2.10.
Сначала температура быстро растет ( ~ t ), затраты на испарение много
меньше потока лазерного излучения. Начиная с времени t1 потери на испарение
становятся заметными в общем тепловом балансе (больше 0,1 Aq0 ). Изменение
температуры замедляется, но скорость испарения быстро растет. Наконец, при
времени t y , скорость испарения становится мало отличной от скорости
стационарного испарения.
115

Рис. 2.10. Изменение температуры T (t ) и скорости испарения Vev (t ) от


времени при нестационарном испарении, t п - точка перегиба на зависимости Vev (t ) .

Таким образом, аппроксимация допускает два этапа (см. рис. 2.11):


1) температура поверхности еще не достигла температуры, при которой
процессы испарения выдвигаются на первый план.
2) скорость испарения стремится к стационарной скорости движения
фронта испарения V0 , то есть можно говорить об установлении
квазистационарной температуры поверхности T t  0 , задачу (2.34) можно
заменить краевой задачей стационарного испарения (2.29)

Рис. 2.11. Аппроксимация изменения температуры поверхности во времени


при испарении

Аналитическое выражение для температуры поверхности T0 можно


получить при условии
Lev  RT * и T *   ev ln Aq0 /(cLev )1
L
T 
Установившаяся скорость фронта испарения в этом приближении равна
q
V0  .
Lev
Зная V0 и T  можно найти толщину слоя металла, который испарился за
время t
z  V0  (t  t y ) ,
116
a 9
где t y  2 2 .
V0  Lev 
4  2.5 
 RT * 
Очевидно, что отношение t y t1   (q) определяется мощностью
лазерного потока, падающего на поверхность металла, например, при q = 108
Вт/см2 t y  40t1 .
Иными словами, нестационарность процесса испарения необходимо
учитывать тогда, когда унос теплоты при испарении незначителен и составляет
не более 10-20 % от плотности падающего светового потока.
Когда потери на испарение незначительны ( 0  t  t1 ), температура
поверхности
2 Aq0 at
T0  Tн  .
k 
С увеличением времени воздействия лазерного излучения на металлы
(t  t у ) становится существенным унос теплоты паром, рост температуры
поверхности замедляется. С течением времени (t  10t у ) температура
поверхности приближается к T  , а удельный тепловой поток, уносимый паром –
( 0.7  0.8 ) Aq0 . Испарение становится квазистационарным. В глубь вещества
распространяется волна испарения, скорость которой стремится к стационарной
V0  Aq0 Lev . Так как скорость волны разогрева VT  a / t постепенно
уменьшается, то спустя время t y  ( a Lev  / Aq0 ) 2 волна испарения догонит
тепловую волну нагрева, после чего роль теплопроводности будет сводиться
лишь к установлению распределения температуры перед стационарным
фронтом испарения.

2.5.4. Вытеснение расплава избыточным давлением паров


Разрушение металлов лазерным излучением обычно сопровождается
выдавливанием расплава из зоны обработки, давление испаряющегося
материала выталкивает жидкость по краям отверстия. Моделирование
температурного поля и скорости вытеснения расплава весьма сложная задача.
Однако основные закономерности этого процесса удается проследить при
анализе развитого разрушения тонких металлических пленок на
диэлектрических подложках.
Рассмотрим двухфазную модель удаления пленок из зоны воздействия
излучения, в которой учтено вытеснение расплава под действием давления
отдачи паров. При плотностях световых потоков, характерных для режимов
лазерной обработки пленок, q  108 Вт/см2, при   10 нс пленки толщиной
около 100 нм нагреваются до температуры плавления за времена пренебрежимо
малые по сравнению с длительностью импульса, причем толщина испаренного
за это время слоя пренебрежимо мала. По мере дальнейшего роста температуры
продолжается испарение пленки со все возрастающей скоростью, однако теперь
оно уже происходит из расплава. Нетрудно подсчитать, что давление отдачи
117
паров p p при указанных параметрах импульса может достигать 104 - 105 Па.
Этого оказывается вполне достаточным, чтобы привести в движение расплав
пленки, который под действием давления паров p p вытесняется за пределы
зоны облучения. Отсюда понятен эффект разбрызгивания (рис. 2.12а), то есть
наличие значительного количества продуктов разрушения за пределами зоны
облучения, при разрушении пленок лазерным излучением. При больших
размерах зоны воздействия вытеснение расплава за пределы зоны играет все
меньшую роль из-за конечной скорости его истечения и при r0  50 мкм ( h  1
мкм) становится пренебрежимо малым.
Рассмотрим упрощенную феноменологическую модель двухфазного
разрушения, которая позволяет получить достаточно простые и наглядные
результаты.
Пусть известны средние по времени скорость истечения расплава из зоны
облучения Vm и скорость испарения Vev . Тогда изменение толщины слоя
расплава можно описать уравнением
dh V h0  h 
  Vev  m (2.35)
dt S
(  , S - периметр и площадь области разрушения, h0 - исходная толщина
пленки).

а б
Рис. 2.12. Оптическая (а) и электронная (б) микрофотографии общего вида (в
плане) пленок хрома (h0 = 100 нм) на стекле К-8 после облучения лазерным пучком
квадратного сечения размерами 10×10 мкм2 при плотности светового потока q0 —
9·107 Вт/см2: 1 – пленка; 2 – подложка; 3 – вытесненная жидкая фаза.

Интегрируя (2.35) при нулевом начальном условии, получим закон


изменения толщины пленки
 l V   V t 
h   h0  0 ev  1  exp   m  , (2.36)
 Vm    l0 
( l0  S  ) откуда суммарная скорость удаления пленки V равна
 V h   V t
V  Vev  m 0  exp   m  . (2.37)
 l0   l0 
Полное время удаления t f пленки толщиной h0 составляет
l0  h0Vm 
tf  ln 1   (2.38)
Vm  l0Vev 
118
Из выражений (2.36) – (2.38) можно определить соотношение жидкости и
пара в продуктах разрушения
ml x
  1,
m p ln(1  x )
где x – параметр двухфазного разрушения,
h0Vm
x .
l0Vev
При x  1, воспользовавшись разложением ln(1  x)  x  x 2 2 , получим
ml m p  x 2 . Для развитого двухфазного разрушения x  1 , а ml m p  x . В
частности, для характерных значений h0 = 200 нм, Vm  2,5·102 м/с, l0  10 мкм,
Vev  10 м/с имеем x  0,5, a ml m p  0,23.
Таким образом, параметр x характеризует относительный вклад
вытеснения расплава и испарения в разрушении пленок. Испарительному
механизму соответствует условие x  1, которое выполняется обычно при
больших зонах облучения и малых толщинах пленки. При малых же зонах
облучения и больших толщинах, при условии x  1 , возрастает роль
разрушения вытеснением жидкой фазы.
Некоторые зависимости основных параметров двухфазного разрушения
от времени приведены на рис. 2.13.

Рис. 2.13. Зависимости основных параметров процесса двухфазного


разрушения от времени для пленки серебра h0 = 200 нм на кварцевой подложке при
q0  108 Вт/см2, размер области l = 20 мкм. p п – давление отдачи пара, p –
давление сил поверхностного натяжения, p – давление, вытесняющее расплав
пленки, Vev скорость испарения, V* - скорость вытеснения пленки

2.6. Свойства лазерного пара и плазмы, их влияние на


процесс разрушения
Взаимодействие лазерного излучения с поверхностью материала в случае,
когда плотность мощности лазерного излучения достаточна для развития
119
интенсивного испарения, приводит к интенсивному движению паров материала
и к взаимодействию их с падающим световым потоком, которое может
существенно изменить условия попадания света на поверхность вследствие
эффекта экранировки.
Действительно, при воздействии лазерного потока на поверхность
конденсированного тела, газ, образующийся в результате испарения,
расширяется в окружающее пространство. Как мы уже отмечали, скорость
испарения вещества определяется двумя процессами: уходом атомов (молекул)
с поверхности из-за теплового движения и возвращением их обратно в
результате столкновений в газовой фазе, сопровождающихся потерей энергии.
(При начальных стадиях испарения плотность пара у поверхности мала,
столкновения редки и возвращением атомов на поверхность (конденсация)
можно пренебречь.)
В связи с этим весьма важна проблема разлета испарившихся молекул
или атомов вблизи поверхности стационарного испарения, поскольку именно
приповерхностное облако пара определяет условия попадания лазерного
излучения на гетерофазную границу.
Для простоты описания процесса испарения будем считать, что испарение
происходит на всей поверхности, испарившиеся атомы (молекулы) разлетаются
в телесном угле 2π, а их распределение по скоростям описывается законом
Максвелла
3
 m 2  mu 2 
dn  n0   exp 4u 2 du ,
 2k0T1   2k0T1 
где u - модуль скорости атома или молекулы, m – ее масса, n0 – общее число
молекул в газовой фазе, T1 – температура пара, которая всегда несколько ниже
температуры поверхности T0 , так как часть кинетической энергии частицы пара
идет на удаление ее от поверхности испарения.
За счет столкновений между молекулами в приповерхностном слое пара
происходит обмен энергиями между ними и на расстоянии  3 0 (  0 – длина
свободного пробега в вакууме), формируется равновесное распределение
частиц в паровом облаке. Это означает, что фронт разлетающихся частиц
удаляется от поверхности испарения со скоростью v1 .
Как известно, этот слой l  2  3 0 называется кнудсеновским, именно в
этом слое в результате столкновений частиц устанавливается новое состояние
пара, характеризующееся изотропной функцией распределения, отличной от
максвелловской.
С хорошим приближением можно положить
v1   u1 1   R1 / m ,
1/ 2

где   C p Cv показатель адиабаты, определяемый отношением молекулярных


теплоемкостей пара при постоянном давлении C p и постоянном объеме Cv , m
– молекулярная масса, u1 (T1 ) – скорость звука в газовой среде. При этом по
120
отношению к своей температуре разлетающийся пар всегда перенасыщен, т.е.
склонен к конденсации.
Для одноатомного газа это приводит к тому, что около 20% вылетевших
частиц возвращается обратно, снижая тем самым истинную скорость
испарения. Физически, это означает, что, наличие приповерхностного пара
снижает удельную теплоту парообразования
 RT
Lev (T0 )  Lev 0  0.8 1 0 ,
m
где Lev 0 – удельная теплота парообразования в вакууме, 1 – плотность пара
вблизи поверхности. В нулевом приближении скорость стационарного
перемещения фронта испарения можно определить как vev  Aq0 Lev0 . При
q0  108 Вт/см2, Lev 0  (2  5)  104 Дж /см3 оценка дает vev  20  50 м/с. При
длительности лазерного импульса   107 с фронт испарения может
переместиться на глубину h  vev  (2  5) 106 м. Физически это означает, что
металл испаряется как бы скин-слоями.
Проследим дальнейший разлет молекул пара, по-прежнему, считая его
идеальным и расширяющимся адиабатически, то есть без теплообмена с
окружающей средой. Распределение частиц в паре в этом случае описываются
уравнениями газодинамики, основанными на законах сохранения числа частиц,
импульса и энергии:
   v
 t  v   0
z z
 v v 1 dp
 v 
 z t  dz
(2.39)
 RT
p M

 p    const ,

где  – плотность пара, p – давление,  – показатель адиабаты, M -
молекулярный вес. Введя параметр   z t , интересующее нас решение
системы (2.39) можно получить в виде (рис. 2.14)
 2    1 1 
v( z , t )  u1 1   , T ( z, t )  T1 1  
   1u1     1 u1 
2 2

  1 1   1
  1 1   1
p( z , t )  P1 1   ,  ( z, t )  1 1   .
   1 u1     1 u1 
121

Рис. 2.14. Зависимость параметров пара как функции расстояния от


поверхности испарения

Можно определить расстояние, на которое разлетелись молекулы пара за


время t
 1
zmax  u1t .
 1
Считая пар одноатомным газом, оценим этот параметр, положив   5 / 3,
u1  102 м/с, t  106 с, тогда zmax  4  103 м. Для одноатомного газа
 2 
vmax  v( zmax )  u1 1    4u1  4  10 2 м/с.
   1
Мы рассмотрели условия разлета пара в случае, когда испаряемый
материал находится в вакууме. При испарении в воздух модель разлета
несколько усложняется, так как необходимо учитывать движение границы пар-
воздух, вблизи которой образуется слой сжатого воздуха, движущийся с
некоторой скоростью u0 , и который воспринимает механическое возмущение и
реагирует на него. В этих условиях зависимость T (z ) и v(z ) несколько иная
(рис. 2.15).
В области 0  z  z1 на процессы разлета не сказывается наличие воздуха,
начиная с расстояний z1 скорость разлета v2 и температура T2 стабилизируется,
в области z1  z  z2 наблюдается стационарная волна разряжения. При этом

2 
  2 u  1.8u
2  
1 1

1    
2

T2  T1    0.5T
 2   
  2 1 / (   1)  2  5,
где  1 ,   – показатели адиабаты для пара и воздуха, 1 ,  – плотность пара и
воздуха, соответственно.
122

Рис. 2.15. Зависимость T (z ) и v(z ) от расстояния в случае разлета пара в


воздух

В области z  z 2 скорость движения фронта разлета не изменяется, в то


время как вследствие сжатия воздуха его температура скачкообразно возрастает
до величины T3 , для ряда случаев она столь велика, что могут возникнуть
условия для возникновения низкопорогового оптического пробоя в газе
 a (   1)  (2   ) 
2

T3     0.6  0.8T1 .
a 2  2   
На расстоянии z3 фронт ударной волны, перед которым находится
невозмущенный воздух, движется со скоростью u0 . Очевидно, что толщина
сжатого воздуха z2  z1  (u0  2 )t .
Оптический пробой, возникающий вблизи поверхности испарения в
области фокусировки лазерного луча, приводит к образованию
низкотемпературной плазмы
Te  (1  3)104 K .
При этом возможно сильное поглощение лазерного потока (эффект
экранировки) в плазменном факеле в основном вследствие протекания трех
процессов: а) поглощения световой волны связанными электронами, линии
поглощения этих переходов очень узки, но сечения поглощения весьма велики
 e  1013  1014 м 2 ; б) поглощение света электронами, слабо связанными с
атомами; в) поглощение световой волны свободными электронами в полях
атомов и ионов, сечение таких переходов невелико и неселективно по спектру.
В низкотемпературной плазме основной вклад в поглощение вносят процессы,
связанные с фотоэлектрическим поглощением и тормозным поглощением.
Суммарный коэффициент поглощения лазерного пучка определяется
формулой Крамерса – Унзольда
8 e 6 k 0T1n1 z 2  I   
 ( )  exp   ,
3 3 hc( )
3
 k 0 1 
T
123
где e – заряд электрона; z – кратность ионизации атомов пара; I – потенциал
ионизации; T1 – температура плазмы (пара);  – частота лазерного излучения;
n1 – концентрация атомов в плазме.
Для оценки температуры приповерхностной плазмы можно
воспользоваться приближенной формулой
dT
T1 ( z )  T0  z 0
 z,
dz
где T0 – температура поверхности; dT dz – температурный градиент вблизи
поверхности испарения.
В частности, для излучения лазера на ИАГ (λ=1.06 мкм),
T1  10 4 K ,  ( )  10 4 м.
Оптическая толщина поглощающего слоя b(t ) вследствие сильной
экспоненциальной зависимости коэффициента поглощения от температуры,
невелика и основную роль в сильном резонансном поглощении света играют
пары , непосредственно прилетающие к поверхности испарения

 k T 
d (t )   ( )l (t )  B 1 
I  
( 0,5    1 , а l (t ) – геометрическая толщина плазменного облака).
Заметная толщина приповерхностной плазмы и ее значительная
оптическая плотность наблюдается лишь при высоких интенсивностях (q> 108
Вт/см2). Для металлов же при плотностях потока лазерного излучения q ~ 106
Вт/см2 коэффициент поглощения пара оказывается весьма малым. Пар,
образующийся при стационарном режиме испарения металла, настолько
прозрачен, что дополнительный нагрев его лазерным излучением отсутствует.
Однако оптический пробой вблизи поверхности, особенно при обработке
материалов в среде посторонних газов (азот, гелий и т.д.), весьма вероятен.
Физически этот процесс начинается на флуктуациях, которые могут
образоваться на некотором расстоянии от поверхности, а температура их
несколько повышена. В этом слое возрастает поглощение лазерного излучения.
Слои с повышенной температурой расширяются в обе стороны до тех пор, пока
их положение не станет устойчивым, то есть в среде пара устанавливается
оптический разряд. При этом за счет плазменной экранировки поверхности тела
энергия лазерного излучения расходуется не только на нагрев тела, но и на
поддержание оптического разряда.
При плотностях мощности ~ 107 Вт/см2 в видимом и ближнем ИК
диапазонах спектра режим чистого испарения (без оптического пробоя)
реализовать практически нельзя. Отметим также, что экранировка поверхности
испарения от лазерного потока может происходить не только за счет
образования плазмы вблизи поверхности, но и за счет частиц твердой и жидкой
фаз, образующихся при конденсации переохлажденного пара.
124

Контрольные вопросы к разделу 2


1. В чем суть механического механизма низкотемпературного разрушения
хрупких материалов?
2. Почему при термораскалывании стекол разрушение происходит с
запаздыванием по отношению к положению сканируемого пятна лазерного
излучения?
3. Оцените плотность мощности излучения СО2-лазера и скорость движения
лазерного пятна, при которых произойдет термораскалывание кварцевой
пластины, (используйте данные раздела 2.1.1).
4. Почему наибольшую опасность при лазерной обработке представляют
остаточные напряжения?
5. Как максимальная величина остаточных напряжений зависит от времени
облучения?
6. В чем отличие в подходах диффузионной и кинетической моделей
твердофазного разложения материала?
7. Какова причина развития химической неустойчивости при диффузионном
представлении? При кинетическом рассмотрении?
8. Почему температура неустойчивости гораздо сильнее зависит от
длительности импульса в кинетической модели по сравнению с
диффузионной?
9. В чем суть поляритонного механизма образования поверхностных
периодических структур при лазерном облучении металлов?
10. Когда скорость испарения при стационарной температуре испарения
достигает своего максимального значения?
11. Качественно опишите варианты выхода процесса на стационарный режим
испарения в зависимости от плотности лазерного излучения.
12. Почему во временной зависимости скорости стационарного.лазерного
испарения присутствует точка перегиба?
13. Что учитывает упрощенная феноменологическая модель двухфазного
разрушения?
14. С какой максимальной скоростью разлетается пар в приближении
одноатомного газа в результате микросекундого лазерного воздействия на
металл?
15. Почему оптический пробой возникает вблизи поверхности испарения в
области фокусировки лазерного луча?
125

3. Современные представления об оптическом пробое


прозрачных сред
В 1 части рассмотрено распространение излучения в прозрачных средах.
Однако известно, что под действием лазерного излучения прозрачные среды
могут разрушаться. Катастрофическое развитие повреждения, возникающего
при действии лазерного излучения на прозрачную для излучения среду,
называют оптическим пробоем. Оптический пробой ограничивает предельные
значения энергии и мощности лазерного излучения, которые можно получить с
одного активного элемента. Системы транспортировки и формирования
лазерного излучения в технологических установках также состоят из
прозрачных линз, призм и других оптических элементов, а излучение
распространяется в воздухе, поэтому разрушение этих элементов и пробой
воздуха также накладывают ограничения на энергию и мощность излучения.
Разрушения, возникающие в прозрачных твердых телах под действием
лазерного излучения, целесообразно разделить на разрушения, возникающие в
идеально чистых средах, и разрушения, обусловленные различного рода
дефектами структуры и примесями, поскольку в этих случаях различны
механизмы развития оптического пробоя. В чистой среде – это оптический
пробой, качественно аналогичный электрическому пробою в газах, в средах с
дефектами и примесями – разрушения, связанные с локальным нагревом при
поглощении излучения на неоднородностях. Пробой в газах, являясь
нелинейным эффектом, зависит от мощности излучения, а нагрев
неоднородности – в основном от энергии излучения. Следует отметить, что на
практике обычно реализуется тепловой механизм оптического пробоя, так как
идеально чистых прозрачных материалов в природе не существует.
Наблюдаемая на опыте сильная размерная зависимость порога оптического
пробоя, имеющая место во всем интервале используемых в экспериментах длин
волн и длительностей импульсов, получила чисто статистическое обоснование.

3.1. Физические представления об оптическом пробое


идеальных диэлектриков
Оптический пробой, возникающий в идеальных (бездефектных)
прозрачных диэлектриках, находящихся в различных агрегатных состояниях
(газовом, жидком, кристаллическом), качественно описывается в рамках одного
физического процесса, отвечающего за превращение прозрачной среды в
сильно поглощающую под действием мощного светового потока. Главные
черты этого явления остаются неизменными: исходно прозрачное, нейтральное
вещество ионизируется, образуется плазма, если ее плотность достигает
значений, близких к критическим, то лазерное излучение эффективно
поглощается в плазме, нагревая ее до высокой температуры.
Основной вклад в энергетику процесса взаимодействия лазерного
излучения с веществом вносит электрическое поле электромагнитной волны,
поэтому в литературе встречается наряду с термином «оптический пробой»
126
термин «электрический пробой». Подчеркнем, что для разных сред и разных
частот лазерного излучения существуют свои особенности возникновения и
протекания оптического пробоя.
При больших интенсивностях лазерного излучения необходимо
принимать во внимание нелинейные эффекты при поглощении света. Кроме
того, при оптическом пробое резко изменяется поглощение среды вследствие
изменения агрегатного состояния самой среды. В исходно нейтральной среде
под действием лазерного излучения образуется плазма, сильно поглощающая
излучение, падающее на вещество. Известно, что поглощение излучения в
плазме зависит от соотношения частоты излучения  и плазменной частоты
 p . Максимальное поглощение излучения достигается при    p . Плазменная
частота  p  Ne qe2 me
1/ 2
( qe – заряд электрона, me – его масса,  –
диэлектрическая проницаемость среды) зависит от плотности гармонических
осцилляторов N e (плотности свободных электронов). По мере роста степени
ионизации под действием лазерного излучения увеличивается N e и,
следовательно, увеличивается  P . При достижении критической плотности N кр
(    р ) плазма становится непрозрачной для электромагнитной волны.
Рассмотрим процессы, ведущие к фотоионизации вещества, то есть к
образованию плазмы, на примере оптического пробоя газов.
3.1.1. Оптический пробой газов
Взаимодействие лазерного излучения с газами инициирует процессы
однофотонной, многофотонной и лавинной ударной ионизации среды.
При однофотонной фотоионизации атом или молекула вещества
ионизуется при столкновении с одним фотоном. Процесс прямой ионизации
возможен только при выполнении законов сохранения энергии и импульса. Из-
за того, что mi  me , и e2  i2 ( me , e – масса и скорость электрона, mi , i -
масса и скорость иона), практически вся энергия фотона передается электрону
Многофотонное возбуждение представляет собой процесс, в котором
электрон в квантовой системе (в атоме, молекуле) переходит из одного
связанного состояния в другое связанное состояние в результате поглощения
нескольких фотонов действующего излучения. Многофотонное возбуждение
противоположно ступенчатому или каскадному возбуждению, когда
поглощение каждого последующего фотона переводит квантовую систему из
одного связанного состояния в другое (более высокое) связанное состояние.
Принципиальная возможность многофотонного перехода электрона из одного
связанного состояния в другое (связанно-связанный переход) обусловлена
соотношением неопределенности энергия — время. Согласно этому
соотношению закон сохранения энергии для промежуточных (виртуальных)
состояний может не выполняться; он выполняется лишь для начального и
конечного состояний.
Кроме нелинейной ионизации нейтральных атомов в поле излучения
происходит процесс ионизации атомов при их столкновении с электронами,
127
ускоренными в поле излучения. Образование плазмы за счет электронной
ионизации при фиксированной напряженности поля может произойти с
большей вероятностью, чем процесс нелинейной ионизации. Лавинная
ионизация приведет к оптическому пробою только в том случае, когда
результирующая скорость размножения электронов настолько велика, что
превышает пороговое значение, необходимое для образования плазмы в
течение лазерного импульса. Так как скорость набора энергии электронами
пропорциональна интенсивности лазерного излучения, а скорость потерь
практически не зависит от поля, то при заданной длительности лазерного
импульса должно существовать пороговое значение интенсивности лазерного
излучения, по достижении которого возникает лавинная ионизация.
Подробно процессы фотоионизации описаны в 5 главе первой части
пособия. Там же получено выражение для пороговой интенсивности лазерного
излучения I кр при лавинной ударной ионизации
me cWI ( 1   2 τ ee2 )  1 nкр 
I кр  
 g  ln  , (3.40)
2πe 2 τ ee  τ n0 

где e и me  заряд и масса электрона соответственно,  ee  характерное время


между столкновениями, сопровождающимися передачей импульса, WI -
энергия ионизации атомов или молекул, g  скорость потерь энергии
свободными электронами, n0 - начальная плотность свободных электронов в
диэлектрике, nкр - критическая плотность электронов, при которой начинает
развиваться электронная лавина.
Соотношение (3.40) позволяет в явной форме установить, как порог
пробоя зависит от различных физических параметров.
Область, охваченная ионизацией, расширяется навстречу излучению (рис.
3.1). Расширение плазмы обусловлено гидродинамическим механизмом:
нагреваемый газ, давление в котором велико, порождает ударную волну.
Распространяясь навстречу лазерному пучку, ударная волна также ионизирует
вещество, облегчая условия оптического пробоя. Новые порции вещества,
ионизированные и прогретые ударной волной, становятся непрозрачными для
излучения, которое сильно поглощается, и таким образом, поддерживает
движение волны. Расширение может определяться также радиационным
механизмом, в основе которого лежит прогрев вещества тепловым излучением,
испускаемым горячей плазмой из области максимальной фокусировки
лазерного излучения.
Условия для пробоя могут возникнуть в течение лазерного импульса во
многих точках по пути луча. Отметим, что объем фокусировки V f определяется
поперечным размером лазерного пучка 2r0 , начальной расходимостью пучка 
перед фокусировкой, а также фокусным расстоянием линзы f
f 43
Vf  . (3.41)
2r0
128

Рис. 3.1. Эволюция фронта плазмы в оптическом пробое в воздухе. Цифры на


кривых — время от начала пробоя в нс.

Оптический пробой в случае малых значений объема фокусировки


наступает при более высоких значениях интенсивности световых пучков, т.к.
электроны очень быстро выводятся из области ионизации и лавины электронов
не образуется.
3.1.2. Оптический пробой идеально чистых твердых тел
Переходя к анализу процесса разрушения прозрачных твердых тел,
сначала рассмотрим процесс разрушения идеально чистых сред, а потом
обратимся к средам с локальными примесями. Разрушение прозрачных твердых
тел описываются различными физическими процессами для идеально чистых
сред и для сред, в которых имеются посторонние включения или примеси.
Первое, что надо иметь в виду, – идеально чистые твердые прозрачные
среды практически не существуют. В любом кристалле, стекле всегда имеются
макроскопические локальные примеси, представляющие собой локальные
области, имеющие иной показатель преломления и коэффициент поглощения,
чем сама среда. Типичным примером являются непрозрачные примеси. Эти
примеси, как правило, носят технологический характер, они обусловлены
методикой изготовления кристалла или стекла. Это могут быть частички
платины, из которой изготавливаются тигли, в которых варят стекло. При
среднем (по объему) коэффициенте поглощения прозрачных кристаллов и
стекол порядка 10-3—10-5 см-1 локальный коэффициент поглощения таких
примесей может достигать значений порядка 102—103 см-1, т. е. превышать
среднее значение на много порядков величины. Однако некоторые кристаллы
удается выращивать в таких условиях, когда количество примесей минимально.
В качестве примера можно привести кристаллы NaCl и KCL. Результаты
экспериментов с такими, почти совершенно однородными средами, могут с
достаточным основанием сопоставляться с теорией пробоя идеально чистых
сред.
В случае идеально чистых материалов механизм разрушения во многом
похож на механизм оптического пробоя, рассмотренный выше. Лазерное
излучение за счет многостадийных взаимосвязанных процессов генерирует
свободные носители зарядов. На свободных носителях происходит
дополнительное поглощение лазерного излучения, при этом в облучаемом
объеме выделяется тепло, повышается температура и показатель преломления
129
среды, происходит самофокусировка пучка и повышается интенсивность
излучения, что приводит к ускорению перечисленных процессов.
Прежде чем обратиться к описанию пробоя, сопоставим типичные
характеристики кристаллов и стекол с характеристиками газов. Будем при этом
исходить из основных черт процесса пробоя, возникающего за счет развития
электронной лавины. Кратко напомним, что процесс пробоя заключается в
создании свободных электронов, в увеличении энергии свободных электронов
при столкновениях с третьим телом (в данном случае с решеткой) до
значения, при котором ускоренный электрон может вырвать связанный
электрон из третьего тела (в данном случае из валентной зоны); в развитии
электронной лавины, приводящей к образованию критической плотности
электронов для излучения заданной частоты; в эффективном, поглощении
энергии излучения электронами, быстром локальном нагреве среды, повышении
давления и разрушении твердого тела.
В процессе возникновения пробоя, обусловленного развитием
электронной лавины, определяющее значение имеют плотность свободных
электронов в среде, энергия, которую свободный электрон должен набрать за
счет столкновений, частота столкновений электрона с третьим телом и наличие
(или отсутствие) потерь энергии за счет конкурирующих процессов.
Строгое количественное описание этого процесса, проведенное путем
решения квантового кинетического уравнения для электронов, позволило
получить зависимость напряженности поля, при которой возникает пробой, от
параметров, характеризующих излучение ( , ) и среду. Сопоставление
результатов расчетов с экспериментальными данными (см. рис. 3.2),
полученными для особо чистых кристаллов (NaCl, KCl) при воздействии
лазерного излучения с энергией кванта от 0,1 до 2 эВ, показало хорошее
согласие для средних значений частот (энергия кванта 1,2 эВ; 1,7 эВ).

Рис. 3.2. Экспериментальная зависимость пороговой плотности мощности q


разрушения кристалла NaCI от его температуры при различных энергиях кванта
лазерного излучения

Данные расчета и эксперимента для больших и меньших частот


существенно различались. При малых частотах излучения развитие лавины
сдерживалось недостатком начальных электронов, так как их образование за
счет фотоионизации примесей или многофотонной ионизации атомов решетки
при таких частотах происходит с меньшей эффективностью, чем при больших
130
частотах. Этот вывод следовал из экспериментов с подсветкой кристалла
ультрафиолетовым излучением, увеличивающим фотопроводимость. Наличие
ультрафиолетового излучения понижало порог пробоя при основном
длинноволновом излучении в несколько раз и не влияло на порог при основном
коротковолновом излучении. В тех случаях, когда определяющим является
образование начальных электронов в зоне проводимости, возникает
зависимость порога пробоя от размера облучаемого объекта. В случае большой
частоты излучения (энергия кванта 2,30 эВ) пробой обусловлен не
возникновением электронной лавины, а процессом двухфотонной ионизации,
который эффективно конкурирует с развитием лавины.
Повреждения прозрачных материалов могут быть вызваны, кроме того,
образованием фононов (гиперзвуковых колебаний) в процессе вынужденного
рассеяния Мандельштама  Бриллюэна (ВРМБ);

3.2. Тепловой механизм оптического пробоя реальных


сред
Было установлено, что при наличии в прозрачной среде локальных
макроскопических примесей или дефектов с большим коэффициентом
поглощения излучения эти локальные области быстро нагреваются, что и
служит, в конечном счете, причиной разрушения прозрачной среды. Таким
образом, при наличии примесей идет речь о тепловом разрушении прозрачных
сред.
В результате поглощения энергии лазерного излучения этими
локальными областями в них очень быстро (за время лазерного импульса)
увеличивается температура, соответственно увеличивается давление,
приводящее к растрескиванию стекла (кристалла) в небольшой области вокруг
примеси (дефекта), увеличение температуры приводит к сгоранию покрытия,
нанесенного на подложку.
3.2.1. Основные экспериментальные закономерности и особенности
оптического пробоя и разрушения оптически неоднородных сред
О влиянии микронеоднородностей на порог оптического пробоя
прозрачных материалов и покрытий говорят различные экспериментальные
данные.
В первую очередь, это статистический характер оптического пробоя
поверхности и объема прозрачных материалов. При постоянных размерах
области облучения и длительности импульса в некоторой области плотностей
мощности импульса пробой происходит с некоторой вероятностью, причем при
увеличении плотности мощности увеличивается (вплоть до 1) и вероятность
пробоя. Диапазон плотностей мощности, где вероятность оптического пробоя
больше 0, но меньше 1, зависит от размеров области облучения и длительности
импульса. При увеличении того и другого порог пробоя с вероятностью
близкой к 1 снижается (рис.3.3).
Аналогичные зависимости наблюдаются при изменении площади области
облучения (см. рис. 3.4). При увеличении области облучения уменьшается
порог разрушения с вероятностью близкой к 1.
131

Рис. 3.3. Зависимость пороговой мощности Р поверхностного разрушения кристалла


рубина от длительности импульса лазерного излучения.

Рис. 3.4. Размерная зависимость порога поверхностного разрушения (оптического


пробоя) стекла К-8.

Результаты прямой экспериментальной проверки статистической


природы пробоя поверхности стекла под действием импульса лазера на стекле
с неодимом длительностью 150 нс приведены на рис. 3.5. Для определения
вероятности оптического пробоя поверхности исследуемого образца
использовалась установка с фокусирующей системой, содержащей растровый
и сферический объективы. Такая система позволяла создавать на поверхности
образца воспроизводимое от опыта к опыту распределение интенсивности
излучения, состоящее из большого числа фокальных пятен с диаметрами
~100мкм. Вероятность оптического пробоя (с первой попытки) определялась как
отношение числа фокальных пятен, в которых имел место пробой, к полному
числу фокальных пятен в распределении.
Если в каждом последующем опыте облучался новый участок
поверхности образца, то интегральная картина оптических пробоев
изменялась (рис. 3.5 а), а среднее число пробоев в серии идентичных опытов
зависело от уровня мощности лазерного излучения.
132

Рис. 3.5. Интегральные фотографии оптического пробоя поверхности стекла Ф-2.


а — при облучении различных участков поверхности, б — при облучении одного и
того же участка поверхности.

Если один и тот же участок поверхности образца многократно


подвергался облучению при одном и том же уровне мощности лазерного
излучения, то интегральная картина оптических пробоев в среднем
воспроизводилась от опыта к опыту (рис. 3.5, б).

Рис. 3.6. Зависимость вероятности оптического пробоя от величины q / q(r0 ) , q(r0 )


плотность мощности, при которой в области облучения радиуса r0 вероятность
пробоя ~1

Полученные экспериментальные данные (рис. 3.6) находят естественное


объяснение в рамках статистической модели оптического пробоя, позволяющей
получить связь вероятности пробоя W с плотностью мощности лазерного
излучения.
Эксперименты по разрушению прозрачных материалов подтвердили, что
стойкость материалов к мощному лазерному излучению в режиме
133
многократного воздействия во многих случаях ниже, чем при однократном
облучении.
Возникновение разрушений в прозрачном диэлектрике при его
многократном облучении может быть обусловлено двумя существенно
различающимися процессами:
1) возникновение разрушений на N -й вспышке в серии, носящих
случайный, флуктуационный характер;
2) накопление необратимых изменений в среде от вспышки к вспышке.
Однако, как показали эксперименты, исключение пространственно-
временных флуктуации интенсивности лазерного излучения от импульса к
импульсу не привело к исчезновению эффекта снижения порога разрушения
диэлектриков при многократном облучении.
Очевидно, что процесс теплового разрушения определяется не только
теплофизическими свойствами вещества и примеси, но и размерами
посторонних включений, средним расстоянием между ними и коэффициентом
поглощения. По этой причине весьма заметен так называемый размерный
эффект: зависимость пороговой энергии излучения, при которой начинается
необратимый процесс разрушения среды, от размера облучаемой зоны. Это
связано с тем, что примеси совершенно случайным образом распределены по
объему образца, при этом плотность включений обратно пропорциональна их
размерам, а также тем, что процесс разрушения начинается на самой крупной
неоднородности, поглощающей максимальное количество энергии. Вследствие
размерного эффекта ясно, что пороговая мощность лазерного пучка,
необходимая для разрушения, тем меньше, чем больше размер зоны облучения.
Таким образом, эксперименты показывают, что разрушение реальных
диэлектриков связано с наличием в них очагов зарождения разрушения, причем
даже в режимах без разрушения эти очаги могут менять свои свойства, что
приводит, в конце концов, к пробою.
Основу современных взглядов на оптический пробой прозрачных
материалов (полупроводников и диэлектриков) в широком диапазоне длин волн
и длительностей лазерного воздействия составляют представления об
определяющей роли тепловой неустойчивости среды вокруг содержащихся в
ней поглощающих микронеоднородностей. Одним из центральных вопросов
теории оптического пробоя является в связи с этим вопрос о температурной
зависимости коэффициента поглощения среды  (T ) , которая приводит к
возникновению тепловой неустойчивости.

3.2.2. Тепловая неустойчивость


Используя полученные соотношения для наведенного поглощения в
первоначально прозрачной среде, можно определить порог возникновения в
ней тепловой неустойчивости. Для этого рассмотрим простейшую модельную
задачу о разогреве объема материала вокруг поглощающей неоднородности
радиуса r0 с поглощательной способностью A0 световым потоком постоянной
плотности q0 в течение времени t  r02 a . В этом случае при малых r0 вокруг
134
~ ~
неоднородности формируется стационарное температурное поле T (r )  T0 r0 r ,
~
где T0  q0 A0 r0 /  – температура внутри неоднородности. Это распределение
температуры, в свою очередь, формирует пространственный профиль
~
 
наведенного поглощения  T (r ) , которое определяет его вклад в
дополнительный разогрев неоднородности. В первом приближении ее
температура T0 определяется из интегрального выражения:
q Ar q  ~

T  0 0 0  0   T (r ) rdr ,
 

r0

которое представляет собой трансцендентное уравнение для T . Вследствие


резкой зависимости  от T и q0 , его решение существует лишь в
определенном диапазоне световых потоков. Порогу неустойчивости
низкотемпературного стационарного распределения температуры T (r ) отвечает
условие: T  T  ; dq0 dT0  T T  . T  - температура развития неустойчивости
0

3.2.3. Статистическая концепция оптического пробоя


Статистический характер оптического пробоя поверхности и объема
прозрачных материалов является экспериментальным доказательством влияния
поглощающих неоднородностей на порог разрушения. Выше была показана
зависимость температуры тепловой неустойчивости такого включения от его
размера. На основе этих результатов можно построить статистическую модель
оптического пробоя прозрачных сред.
Ранее мы рассмотрели модельную задачу о разогреве объема материала
вокруг поглощающей неоднородности малого радиуса r0 с поглощательной
способностью A0 световым потоком постоянной плотности q0 в течение
времени t  r02 aT . При нагревании этой неоднородности вокруг нее
формируется стационарное температурное поле, которое в свою очередь,
формирует пространственный профиль наведенного поглощения  [T r ] ,
~
приводящего к возникновению тепловой неустойчивости. Возникновение
тепловой неустойчивости может произойти при облучении потоком q только
для неоднородностей размером больше rb . Поэтому вероятность разрушения 
будет определяться вероятность попадания в область облучения хотя бы одной
неоднородности с размером r  rb . Эта вероятность подчиняется
распределению Пуассона
  1  exp Vn(rb ) , (3.42)
где V - объем облученной области с плотность мощности q , определяется
формирующей излучение оптикой, n(rb ) – концентрация неоднородностей с
размером большим rb (При пробое поверхности следует рассматривать
площадь области облучения и концентрацию дефектов на поверхности.)
Распределение дефектов по размерам примем в виде
135

dn   r 2 
 Br exp     , (3.43)
dr   0  
r
где B определяется из условия нормировки – концентрация дефектов всех
размеров равна n0 – получим
   r 2  r02
n0   Br exp    dr  B .
0   r0   2
Откуда B  2n0 r02 . Тогда распределение (3.43) примет вид
dn 2n0   r 2 
 r exp    
dr r02   r0  
В первом приближении можно принять, что критическая температура
определяется из выражения
q Ar
T  0 0 0 .

Поэтому критический размер неоднородности для потока q будет
T 
rb  .
A0 q0
Концентрация неоднородностей с размером r  rb составит
  r 2 
n(rb )  n0 exp     (3.44)
  0  
r
Вероятность разрушения (оптического пробоя) определим из (3.42) и
(3.44)
   T   2  
p  1  exp  Vn0 exp      (3.45)
   0 0 0   
A q r
При больших потоках A0 q0 r0  T  вероятность разрушения будет
определяться вероятностью попадания хотя бы одного дефекта в область
облучения, то есть вероятность разрушения отлична от 1 при любых режимах.
p  1  exp Vn0  .

3.2.4. Размерная зависимость порога пробоя


В идеальном диэлектрике пробой определяется возникновением
лавинного роста концентрации электронов. Как уже было отмечено, порог
оптического пробоя идеальных диэлектриков при малых объемах фокусировки
выше, чем при больших (см. стр. 72). Согласно (3.40) концентрация электронов
зависит от величины потерь g . Потери зависят кроме всего и от
диффузионного ухода электронов из области облучения. Поэтому, чем больше
размер области облучения, тем меньше электронов успеет покинуть ее в
136
течение импульса за счет диффузии – порог оптического пробоя будет ниже.
При дальнейшем увеличении области облучения, когда она станет много
больше характерного размера диффузии электронов, порог пробоя станет
постоянным.
При наличии в прозрачной среде поглощающих дефектов различных
размеров пробой носит статистический характер (см. предыдущий раздел). При
известном распределении вероятности пробоя от плотности мощности
лазерного излучения, можно рассчитать все моменты этого распределения, в
том числе и определяемую первым моментом размерную зависимость порога
пробоя. Для рассмотренной выше простейшей задачи размерная зависимость
порога пробоя имеет вид
~ T 
q .
2 Vn0
Ar0 ln
ln 2
Естественно, что при увеличении V q~ в реальных условиях не будет
стремиться к 0, поскольку для развития тепловой неустойчивости на дефекте
даже большого размера ( r  a ) требуется вполне определенная, не нулевая
плотность мощности.
137

Контрольные вопросы к разделу 3


1. Какие ограничения на параметры лазерного излучения накладывает
оптический пробой в прозрачных для излучения средах?
2. Назовите основные механизмы развития оптического пробоя.
3. Опишите эволюцию фронта плазмы в оптическом пробое в воздухе.
4. Какое взаимодействие является определяющим в переходе Мотта
диэлектрик-металл?
5. Каким образом статистический характер оптического пробоя поверхности и
объема прозрачных материалов объясняет размерную зависимость
оптического пробоя?
6. Почему стойкость материалов к мощному лазерному излучению в режиме
многократного воздействия во многих случаях ниже, чем при однократном
облучении?
7. Как температура тепловой неустойчивости зависит от размера поглощающей
неоднородности?
8. Какова размерная зависимость порога оптического пробоя согласно
модельному представлению разогрева объема материала вокруг
поглощающей неоднородности малого радиуса световым потоком
постоянной плотности?
138

4. Воздействие сверхкоротких лазерных импульсов на


материалы
При воздействии на вещество импульсов излучения пико- и
фемтосекундной длительности складывается новая ситуация, когда время
перехода световой энергии в тепловую оказывается больше длительности
импульса, так что нагревание кристаллической решетки и все остальные
тепловые процессы происходят после его окончания. В этом случае
воздействующий лазерный импульс иногда называют импульсом накачки.
В традиционной двухтемпературной модели (см. раздел 1.3.1)
предполагается, что почти вся энергия, поглощенная металлом или
полупроводником запасается в электронном газе. Эта модель достаточно
успешно была применена для анализа воздействия сверхкоротких импульсов на
поглощающие материалы, однако она смогла объяснить далеко не все
экспериментальные результаты. Были выявлены особенности в процессах
лазерной абляции1 металлов и полупроводников, значительный перегрев
твердых тел выше температуры плавления, процессы разупорядочивания
кристаллов (интерпретируемые как нетермическое плавление) и выноса
материала, происходящие при малых температурах решетки.
Что касается силового действия сверхкоротких лазерных импульсов на
прозрачные материалы, то здесь в стадии становления находятся методы
анализа существенно нелинейного взаимодействия света с веществом, когда
оптические свойства последнего являются функцией напряженности светового
поля.
Поскольку сейчас еще нет общепринятых моделей нетепловых процессов,
происходящих при воздействии сверхкоротких лазерных импульсов на
вещество, мы посчитали возможным не обсуждать предлагаемые различными
авторами модели процессов, а привести результаты некоторых экспериментов,
в которых такие явления обнаружены. Выбор работ определяется их «идейной»
непротиворечивостью с принятым в предыдущих главах подходом, а также
собственными научными интересами авторов и не претендует на полноту.
Для детального анализа процессов в эксперименте требуется измерять
различные характеристики процессов абляции с пико- и фемтосекундным
временным разрешением, что само по себе является достаточно сложной
задачей. Некоторые характеристики вообще сложно измерить непосредственно,
поэтому анализ физических механизмов, вовлеченных в абляцию под
действием сверхкоротких лазерных импульсов, приходится делать на основе
теоретического анализа "косвенных" экспериментальных данных.

1
При анализе разрушения твердого вещества, происходящего при воздействии сверхкоротких
импульсов, принято использовать термин "лазерная абляция", который обозначает любой процесс лазерно-
стимулированного удаления вещества, включая эмиссию электронов
139
4.1. Двухтемпературная модель при сверхкоротком
воздействии
При взаимодействии сверхкоротких лазерных импульсов с проводниками
процесс традиционно исследуется в рамках двухтемпературной модели,
рассматривающей раздельно электронную и фононную подсистемы вещества в
масштабе характерного времени электрон-фононного взаимодействия (порядка
пикосекунд для большинства металлов). Подавляющее большинство
экспериментальных работ, связанных с изучением характерных параметров
данной модели - времен электрон-электронной релаксации и термализации
электронного газа, постоянной электрон-фононного взаимодействия, а также
транспорта энергии в проводнике путем баллистического разлета горячих
электронов и электронной теплопроводности, проводится при низких
плотностях энергии Q нагревающего излучения – не выше 10 мДж/см2, что
соответствует пиковым температурам электронного газа Te порядка 104 К, то
есть значительно ниже характерной температуры Ферми TF ~105 К.
Проведенные впоследствии исследования динамики электрон-фононного
взаимодействия (на основании решения кинетического уравнения) подтвердили
правильность основных идей двухтемпературной модели и позволили
определить константу электрон-фононного взаимодействия и выразить
некоторые кинетические коэффициенты через микроскопические
характеристики металлов.
Двухтемпературная модель описывает перенос энергии внутри металла с
помощью связанных уравнений теплопроводности для температуры электронов
Te и решетки (фононов) Ti :
Te T   T 
ce  ceV e   ke e   qV  kei (Te  Ti ) , (4.1)
t z z  z 
T T   T 
ci i  ciV i   ki i   kei (Te  Ti ) . (4.2)
t z z  z 
Здесь ce и cie – удельные теплоемкости [Дж/см3К] электронов и решетки, ke и
ki – соответствующие коэффициенты теплопроводности, параметр kei  ce  ei
характеризует скорость обмена энергией [Вт/см3К] между электронной и
решеточной подсистемами ( ei – характерное время теплообмена между
электронами и решеткой).
Поглощение электронами лазерной энергии описывается с помощью
источника
qV q( z )
  q(0, t ) exp(z ) , q(0, t )  q0 (t ) , (4.3)
ce z
где q0 – интенсивность поглощенного излучения на поверхности металла
( z  0 ). Величина q0 (t )  Aq(t ) в (4.3) зависит от формы лазерного импульса и
поглощательной способности вещества.
Уравнения теплопроводности (4.1) и (4.2) записаны в системе координат,
связанной с фронтом абляции, который распространяется относительно
140
неподвижного вещества со скоростью V  V (t ) . Приведенная форма удобна для
анализа стационарной волны испарения.
Граничные условия представляют потоки мощности на поверхности
z  0.
Поток, определяемый потерями на эмиссию электронов:
T (4.4)
 kе e  qe ,
z z 0

 Tu 
qe  кebR (Te 0  T ) 2 exp    – закон Ричардсона, (4.5)
 Te 0  T 
где bR – постоянная Ричардсона, Tu – работа выхода (в градусах К). Множитель
кe  k0 (Tes  T ) / qe в (4.5) используется для преобразования плотности потока
энергии в единицы [Вт/см2].
Тепловой поток, связанный с потерями энергии на удаление вещества
(абляцию), дается формулой:
T (4.6)
 ki i  qи   VLev .
z z 0

Два других граничных условия (при z   ) и начальные условия (при


t  0 ) очевидны:
Te z    Ti z   Te t 0  Ti t  0  0. (4.7)
Индекс " 0 " используется для обозначения температуры на поверхности
z  0 , т.е. Te z 0  Te 0 , Ti z 0  Ti 0 . Величина Te 0 входит в закон Ричардсона, а
величина Ti 0 определяет скорость лазерной абляции, которая записывается так:
 Ta  . (4.8)
V  V0 exp   
 Ti 0  T 
Для того чтобы модель была пригодна к анализу экспериментальных
данных, необходимо учесть температурные зависимости коэффициентов ce , ci ,
ke , ki , A ,  и kie . Например, электронная теплоемкость линейно зависит от
электронной температуры: ce  Te . Решеточная теплоемкость ci практически
постоянна при температурах выше дебаевской температуры TD . Однако, если в
расчетах учитываются плавление и другие структурные фазовые переходы, то
эффективная решеточная теплоемкость ci зависит от температуры решетки Ti .
Электронная теплопроводность ke зависит от температур Te и Ti .
Коэффициенты отражения R и поглощения  также в общем случае зависят от
температур Te и Ti . В полупроводниках коэффициент отражения R изменяется
линейно с электронной температурой Te .
Для того чтобы проиллюстрировать основные особенности
двухтемпературной модели, рассмотрим упрощенную задачу, в которой все
коэффициенты считаются постоянными.
Следует отметить, что двухтемпературная модель (4.1) и (4.2) применима
в случае, когда можно использовать классические законы Фурье для описания
переноса тепловой энергии электронов и фононов. Это означает, что модель
141
применима для времен, много больших, чем характерное время  ee
установления равновесного распределения в электронном газе. Время  ee
зависит от электронной температуры и обычно составляет десятки - сотни
фемтосекунд. Кроме того, предположение, связанное с диффузионным
переносом электронной энергии (4.1), подразумевает, что характерные
вариации в распределении электронной температуры возникают на
пространственных масштабах, больших, чем длина свободного пробега
электрона le . На более коротких длинах перенос электронов в основном
баллистический. Величина le  VF e (где VF – фермиевская скорость электронов)
для различных металлов меняется более чем на порядок (для никеля длина
свободного пробега электронов le составляет несколько десятков нанометров, в
то время как для золота она составляет сотни нанометров).
Когда время релаксации  ei  0 ( kei   ), двухтемпературная модель
переходит в тепловую модель с единой температурой твердого тела T  Ti  Te ,
при этом величины c  ce  ci и k  ke  ki представляют собой полные
теплоемкость и теплопроводность твердого тела.
В случае лазерного фемтоимпульса возникает большая разница в
характеристических временах нагрева электронов и решетки, тогда как абляция
обычно начинается после лазерного импульса.
Расчеты с помощью упрощенной двухтемпературной модели (см. раздел
1.2.1), в которой не учтены конвективные члены VTei , не позволяют
определить толщину слоя материала, удаленного в результате воздействия
лазерного импульса. Для таких расчетов необходимо использовать полную
модель (4.1), (4.2) и, кроме того, вести расчет до времен порядка 103
длительности лазерного импульса.
Динамика нагрева металла лазерным импульсом с длительностью   1 пс
и плотностью энергии в импульсе Q  0,15 Дж/см2 представлена на рис. 4.1.
Форма импульса моделировалась функцией
t
q(t )  q0 exp(t / t1 ), (4.9)
t1
параметры расчета: ce =0,04035 Дж/см3К, ci =2,43 Дж/см3К, ke =2,37 Вт/смК,
ki =1 Вт/смК, время релаксации  ei =1 пс ( kei  ce  ei ), плотность  =2,688 гсм-3,
скрытая теплота испарения Lev =10860 Дж/г, множитель в (4.8) V0 =414000 см/с,
энергия активации Ta =35240 К, работа выхода в (4.5) Tи =49300 К, постоянная
Ричардсона bR =120,4 А/см2К2, начальная температура Tн =300 К, коэффициент
поглощения  =1,516105 см-1, поглощательная способность A  1 .
Из рис. 4.1, видно, что в течение лазерного импульса электронная
температура Te "отрывается" от решеточной температуры Ti и достигает
максимума в момент t  1,8 пс. Характерное время нагрева решетки
142
существенно больше (это следует из соотношения ci kei  ce kei   ei );
фононная температура достигает максимума при t  27,2 пс.

Рис. 4.1. Динамика воздействия на металл импульсного лазерного излучения с


длительностью  = 1 пс и плотностью энергии в импульсе Q = 0,15 Дж/см2,
электронная и решеточная температуры Te 0 и Ti 0 (на вставке – увеличенное
изображение начальной стадии процесса)

Эффект зависимости кинетики абляции от длительности лазерного


импульса иллюстрирует рис. 4.2б, откуда следует, что для наносекундного
лазерного импульса абляция нечувствительна к скорости обмена энергией
между решеткой и электронами. При  ei  1 пс кривые совпадают с
результатами, следующими из чисто тепловой модели абляции с единой
температурой электронов и решетки. Для пикосекундных лазерных импульсов
соответствующие кривые чувствительны к характерному времени релаксации
 ei . При  ei  0 (случай чисто тепловой модели) кривые демонстрируют
слишком быстрый рост толщины аблированного слоя по сравнению с
экспериментальными зависимостями.
Из рис. 4.2б следует и другой известный эффект – уменьшение порога
абляции при укорочении лазерного импульса.
Таким образом, двухтемпературная модель правильно описывает
основные закономерности абляции, тогда, когда переход из твердой фазы в
газообразную происходит поэтапно: нагревание, плавление, испарение.
Отличие в том, что в условиях мгновенного нагрева вместо обычной задачи о
распространении фронта абляции следует решать более простую задачу об
адиабатическом разлете предварительно нагретого слоя вещества.
Детальный анализ процесса разлета можно провести на основе
экспериментальных данных, подобных приведенным в разделе Рис. 4.2. а –
толщина удаленного материала как функция времени (длительность импульса
 =1 пс, плотность энергии в импульсе Q =500 мДж/см2), б – толщина
удаленного за импульс материала как функция плотности энергии в импульсе
для одного длинного и двух коротких лазерных импульсов
143
4.2.
h, нм

t, пс

а б
Рис. 4.2. а – толщина удаленного материала как функция времени
(длительность импульса  =1 пс, плотность энергии в импульсе Q =500 мДж/см2), б –
толщина удаленного за импульс материала как функция плотности энергии в
импульсе для одного длинного и двух коротких лазерных импульсов

4.2. Особенности экспериментального изучения


воздействия фемтосекундных лазерных импульсов на
материалы
Кратковременность воздействия вызывает значительные
экспериментальные трудности при изучении кинетики воздействия.
Возможность изучения изменения свойств поверхности с фемтосекундным
временным разрешением возможна с использованием зондирующих импульсов,
связанных с основным импульсом излучения. Задача усложняется тем, что
требуется получать данные о состоянии области воздействия не только во
время импульса накачки, но и при временах, больших его длительности на
порядки, что необходимо для понимания важных особенностей протекающих
физических процессов.
Сегодня изучена лазерная абляция в металлах и полупроводниках при
использовании калиброванных пико- и фемтосекундных лазерных импульсов.
Схема типичной экспериментальной установки показана на рис. 4.3.
Воздействующий импульс, используемый для лазерной абляции (импульс
накачки), подается на мишень (часто под углом). Возбужденная поверхностная
область освещается слабым, задержанным по времени зондирующим
импульсом, попадающим на поверхность образца через объектив с высоким
разрешением.
144

Рис. 4.3. Экспериментальная установка (вставка показывает как импульс


накачки перемещается поперек поверхности образца)

Отраженный мишенью свет собирается объективом и регистрируется


цифровой камерой (ПЗС-камерой). Таким образом, можно регистрировать
изменение отражения света, интерференционные картины отраженного
зондирующего импульса, само изображение области воздействия в
произвольные моменты времени после импульса накачки. Временное
разрешение согласуется с продолжительностью зондирующего импульса. Такая
техника позволяет детально рассмотреть все стадии развития абляции, в
зависимости от времени и от значения оптической энергии, включая и
формирование окончательной морфологии поверхности.
Приведем наиболее характерные результаты одного из экспериментов. На
рис. 4.4 приведены микрофотографии, выполненные с фиксируемым
временным разрешением, поверхности кремниевых пластин. На фотографиях
видно изменение отражтельной способности поверхности после воздействия
импульса накачки длительностью 100 фс на длине волны 620 нм с плотностью
энергии 0,47 Дж/см2. Числа в рамках указывают временную задержку после
импульса накачки.
Увеличение яркости поверхности, наблюдаемое в течение первых
несколько сотен фемтосекунд, говорит об увеличении оптического отражения,
вызванного фотовозбужденной электронно-дырочной плазмой. Яркая овальной
формы область при 2,0 пс представляет собой металлическую жидкость.
Во время абляции на изображении поверхности в центре расплавленной
поверхности через 0,9 нс появляется система узких темных колец (колец
Ньютона). Изображения, наблюдаемые через 10 нс, 20 нс после воздействия и
при t   , говорят о затвердевании поверхности на окончательной стадии
абляции.
Бледная кольцевая переходная область жидкой фазы представляет
аморфный кремний, а контрастная темная линия представляет периферию
области, в которой сформирована система темных колец. Ряд особенностей в
изменении структуры темных колец, наблюдаемых через несколько сотен
пикосекунд после воздействия, показан на рис. 4.5.
145

Рис. 4.4. Микрофотографии поверхности кремния (ориентация 111 ) с


временным разрешением 100 фс, облученной импульсом длительностью 100 фс с
плотностью энергии 0,47 Дж/см2. Размер структуры: 300 х 220 мкм

Рис. 4.5. Развитие кольцевой структуры во времени при возбужденнии


импульсом с плотностью энергии 0,47 Дж/см2 поверхности 111 кремния. Размер
структуры: 300 х 220 мкм

Число колец увеличивается со временем, в то время как область,


охваченная кольцами, остается постоянной, то есть, интервал между кольцами
уменьшается.
По этим фотографиям можно восстановить распределение коэффициента
отражения по области воздействия в различные моменты времени. Пример
измеренного профиля отражения приведен на рис. 4.6.
Аналогичные результаты были получены для различных материалов.
Примеры таких колец, полученных при облучении тонких пленок Ti , Al , Au и
GaAs через 1,5 – 4 наносекунды после воздействия приведены на рис. 4.7.

Рис. 4.6. Профиль отражения кольцевой структуры для 1,2 нс.


146
На рис. 4.8 приведены картины при t   после воздействия на GaAs
111 импульса с плотностью энергии 0,27 Дж/см2 и микрофотография
структуры тонкой линии. Левая картина была получена при использовании
фазоконтрастной микроскопии.

Рис. 4.7. Примеры кольцевых структур, наблюдаемых в различных материалах

Рис. 4.8. Картины на "бесконечности" и структура тонкой линии кольца

По результатам подобных экспериментов можно судить о временах


нагревания, плавления и разрушения при действии сверхкоротких лазерных
импульсов. Меняющиеся интерференционные картины области воздействия
свидетельствуют о перемещении материала в пределах тонкого поверхностного
слоя при формировании следа воздействия переменной глубины.
Для анализа процессов, инициируемых сверхкоротким лазерным
воздействием, требуется соотнести изменение свойств поверхности с ее
температурой. Изменение температуры рассчитывают, как правило, используя
двухтемпературную модель.

4.3. Особенности разлета вещества при фемтосекундном


лазерном воздействии
Эксперименты, проведенные при облучении импульсами с различной
длиной волны, но одинаковой энергией, показали, что при увеличении длины
волны получено соответствующее интеференции линейное увеличение
интервалов полос. Оказалось также, что влиянием поверхностного профиля
материала можно пренебречь, то есть можно считать, что абляционный слой
создает две оптические неоднородности, которые формируют условия
наблюдения колец Ньютона. Поэтому, определив локальную оптическую
толщину между созданными воздействием плоскостями интерференции, можно
определить временное развитие профиля и скорость относительного движения
поверхностного слоя.
Появление интерференции от двух поверхностей иллюстрирует рис. 4.9.
Первая поверхность – это внутренняя граница, отделяющая невозмущенный
слой плотного материала от жидкой фазы, имеющей меньшую плотность.
147
Вторая поверхность – внешняя граница фронта. Чтобы образовалась
интерференционная картина, она должна быть резкой, спадающей к вакууму на
расстоянии намного меньшем длины волны.
Большое количество наблюдаемых интерференционных колец и их
высокий контраст говорит о том, что абляционный материал оптически
прозрачен и обладает высоким значением показателя преломления. Так,
например, для формирования колец при абляции кремния показатель
преломления абляционного материала n должен быть больше 2, а показатель
поглощения k p  0,1.
Абляционный фронт

Абляционный материал
Рис. 4.9. Схема структуры слоя абляционных уровней, создающих
поверхности, приводящие к усилению оптической интерференции

На рис. 4.10 приведены примеры пространственных профилей


аблирующего слоя для кремния. Скорость движения фронта в центре слоя
составляет около 1000 м/с, что соответствует гидродинамической скорости
фронта абляции перемещающегося в вакуум.
Покажем, что при абляции возникает слой, который может вызывать
интерференционную картину.
h, мкм
0,5 нс
0,7 нс
0,9 нс
2 1,2 нс
2,6 нс

0 l , мкм
- 80 - 40 0 - 40 - 80
Рис. 4.10. Пространственные профили фронта абляции h , полученные из
интерференционных картин, при воздействии на Si 111 для Q  0,43 Дж/см2

Будем рассматривать расширение материала при высокой температуре


как изотропное. В этом случае при определенных условиях образуется
двухфазный режим, когда формируются газовые пузыри и создается
гетерогенная жидкостно-газовая фаза, которая определяет как динамику
148
развития системы, так и свойства гетерогенной жидкостно-газовой смеси. Не
может быть исключен и вариант, когда абляционный материал представляет
собой газонаполненный объем с очень тонким «слоем» расплавленного
материала на границе с вакуумом.
Начальная стадия расширения в любом случае может быть описана
простой одномерной, самосогласованной волной разрежения:

z
  s (  )    s (  ) /  d . (4.10)
t 0

Здесь, z – расстояние от поверхности, и  s (  ) – скорость звука. Для


изотропного расширения, скорость звука зависит только от плотности, а
выражение (4.10) – неявная зависимость профиля плотности от времени,
   ( z, t )  0 - исходная плотность расширяющегося газа.
Сравним изменения профиля плотности расширяющегося идеального газа
и процесс преобразования жидкой фазы в газовую. Случай идеального газа
описывается формулой (4.10), при  s   s 0   1 , где   c p cv – показатель
адиабаты.
Для иллюстрации поведения жидкости при расширении также
используем (4.10), что возможно, если принять поэтапное уменьшение скорости
звука в жидкости для   1 , где 1 соответствует плотности жидкой фазы.
Профили плотности для двух случаев представлены на рис. 4.11. Пунктирная
линия показывает начальный профиль плотности невозмущенных сред. Фронт
волны разреженности продвигается внутрь мишени со скоростью  р . Для
случая идеального газа (рис. 4.11a), плотность плавно снижается к вакууму.
Скорость потока нарастает линейно с расстоянием, достигая максимума в
«хвосте волны», maxg  2s 0 (  1) .

а б
Рис. 4.11. Профили плотности идеального газа, расширяющегося в вакуум (а),
и жидкости, проходящей переходные стадии (б)

Существенно отличен случай расширяющейся жидкости (рис. 4.11б), где


плотность постепенно снижается от начальной  0 до 1 , затем формируется
плато при плотности   1 , и, наконец - крутое снижение к вакууму в «хвосте
волны». Как следует из (4.10), скорость потока в «хвосте» приблизительно
составляет maxl   s 0 ln 1 0  .
149
Рассмотрим теперь структуру и этапы развития абляционного слоя и
формирования поверхности, создающей интерференционную картину (рис.
4.12).

Рис. 4.12. Структура и развитие абляционного слоя

На верхнем рисунке показана ситуация перед началом расширения


абляционного слоя. Существуют две области, отличающиеся плотностью: слой
материала толщиной d , возбужденный действием лазерного излучения, и
подстилающий слой. Излом на кривой (средний рисунок) соответствует
изменению плотности волны разреженности. Наружный слой (двухфазный
материал) соответствует плотности   1 . Как пояснялось выше, далее следует
резкое снижение плотности волны разрежения при переходе к вакууму. Эта
особенность и является границей для интерференции.
Вторая неоднородность плотности развивается, когда передний фронт
волны разреженности пройдет расстояние, определяемое временем t  d  s 0 .
Толщина слоя d может быть оценена по глубине лунки, наблюдаемой
экспериментально, и составляет обычно 50 – 100 нм. Типичное значение
скорости звука составляет  0  2500 м/с, а время формирования пара на
поверхности - t 0  40 пс. Затем, отраженная волна разреженности вызывает
снижение плотности к границе и создает неоднородность плотности на задней
стороне фронта.
Ситуация для t  t 0 может быть пояснена последним из рисунков.
Созданный слой расширенного материала определяет две интерференционные
границы. Передний интерференционный фронт перемещается с максимальной
скоростью vmaxl . Материал между поверхностями состоит главным образом из
неоднородной двухфазной смеси с низкой средней плотностью   1 . С
внутренней стороны слоя плотность продолжает понижаться с течением
времени, в то время как около фронта абляции, плотность остается постоянной
по величине приблизительно соответствующей   1 . Поскольку с течением
времени происходит расширение абляционного слоя, поддерживающего
тонкую внешнюю оболочку с плотностью, приблизительно равной жидкой фазе
150
и имеющую малую внутреннюю газовую полость, то слой абляции принимает
структуру газового пузыря.
Таким образом, абляционный слой приобретает структуру, которая при
определенных оптических свойствах приводит к ярко выраженным
интерференционным эффектам. Если неоднородная фаза состоит из мелких
жидких капель, окруженных паром, то можно показать, что для капель
значительно меньших длины волны и в случае заполнения объема
абляционного материала капельками до пятьдесяти процентов, двухфазная
среда будет оптически прозрачна и может иметь коэффициент преломления
приблизительно равный двум. При однородном слое интеференция становится
возможной, если материал прозрачен и имеет высокий коэффициент
преломления (например, n  2 и k p  0,1 для Si ).
На основе анализа изменяющихся во времени интерференционных картин
области абляции следует, что процесс абляции начинается до того как
нормализуется поглощенная лазерная энергия. Во время расширения в вакуум и
охлаждения, система существует в жидко-газовым состоянии. Смесь двух фаз
обладает гидродинамическими и оптическими свойствами, которые влияют на
развитие абляции двумя способами. Либо при входе в режим с двумя фазами,
существенно уменьшается скорость звука. Этот эффект ответственен за
формирования крутого фронта абляции, в котором плотность резко понижается
на расстояниии значительно меньшим чем длина волны. Либо изначально
непрозрачная, металлическая гомогенная жидкость преобразуется в
неоднородную прозрачную с высоким коэффициентом преломления, которая
может приобрести структуру с высокой отражательной способностью.

4.4. Плавление при воздействии сверхкоротких лазерных


импульсов
В обычных условиях кристалл начинает плавиться с поверхности
(гетерогенное плавление) при достижении ею температуры Tm . При этом фронт
плавления распространяется в глубь вещества со скоростью много меньшей
скорости звука, а время плавления определяется отношением толщины
нагретого слоя к скорости фронта плавления (характерные времена
гетерогенного плавления лежат в диапазоне от 10 до 100 пс).
При использовании сверхкоротких лазерных импульсов достаточно
высокой мощности достигаются высокие скорости нагрева решетки. За
нескольких пикосекунд кристалл может быть нагрет до температур,
существенно превышающих температуру плавления Tm . В качестве примера на
рис. 4.13 приведена зависимость от времени температуры решетки поверхности
мишени из золота под действием гауссова импульса с длительностью 1 пс и
пиковой плотностью мощности порядка 1012 Вт/см2, рассчитанная с
использованием двухтемпературной модели. Параметры интенсивности и
длительности импульса соответствуют плотности энергии ~ 1 Дж/см2,
несколько превышающей порог абляции. Из рис. 4.13 следует, что уже через
151
несколько пикосекунд после воздействия температура решетки существенно
превышает температуру плавления.

Рис. 4.13. Зависимость температуры решетки Ti от времени на поверхности


мишени из золота при нагреве лазерным импульсом длительностью 1 пс с
плотностью энергии 1 Дж/см2

4.4.1. Термическое плавление с высокими скоростями


Экспериментально показано, что при высокой степени перегрева
плавление может произойти за несколько пикосекунд, что соответствует
характерному времени нагрева решетки.
В эксперименте были измерены коэффициенты отражения от
возбужденного импульсом длительностью 100 фс образца
монокристаллического теллура для различных углов  между поляризацией
зондирующего импульса и оптической осью кристалла. На рис. 4.14 показана
временная эволюция коэффициентов отражения для обыкновенной волны Ro
(   90 o ), необыкновенной – Re (   0 0 ) и так называемой анизотропной волны
Rcr (   450 ) для различных значений плотности энергии выше порога
плавления. Как видно, в течение нескольких пикосекунд наблюдается полное
исчезновение отражения для анизотропной волны. Исчезновение Rcr совпадает
со временем выравнивания коэффициентов отражения для обыкновенной Ro и
необыкновенной Re волн, причем значение коэффициента отражения Ro  Re
является стационарным на протяжении нескольких наносекунд.
R0/Re

Re
0,6

R0
0,4
t , пс
0 2 4 6
а б
Рис. 4.14. Зависимость коэффициентов отражения теллура от времени: а –
для анизотропной волны Rcr при различных плотностях энергии Q ; б – для
обыкновенной и необыкновенной волны при плотности энергии 30 мДж/см2
152
Переход из оптически анизотропного в оптически изотропное состояние
интерпретируется как следствие плавления приповерхностного слоя теллура,
нагретого лазерным излучением. Толщина слоя расплава при этом должна
превышать глубину скин-слоя для зондирующего излучения. За время порядка
нескольких наносекунд оптическая анизотропия расплавленной поверхности
восстанавливается до исходных значений, что свидетельствует о
кристаллизации расплава. Таким образом, время исчезновения оптической
анизотропии можно рассматривать как время плавления. Из рис. 4.14а видна
явная зависимость времени плавления от плотности энергии нагревающего
лазерного излучения. Зависимость характерного времени плавления,
определенного по экспоненциальной аппроксимации спада Rcr из рис. 4.14а,
как функции плотности энергии приведена на рис. 4.15. Для плотности энергии
выше 45 мДж/см2, которая примерно в три раза превышает порог плавления
процесс плавления происходит менее чем за одну пикосекунду. Для плотности
энергии лазерного излучения вблизи порога плавления время плавления
увеличивается до нескольких пикосекунд.

Рис. 4.15. Зависимость времени плавления t m от плотности энергии лазерного


излучения для теллура

Толщина скин-слоя теллура является нижней границей при оценке


толщины расплавленного слоя.
Для этого были проведены измерения оптических констант жидкого
теллура в области нагрева с использованием фемтосекундной оптической
интерферометрии. Используя в качестве исходных оптические константы
кристаллического теллура на длине волны зондирующего излучения  =400 нм
и формулы Френеля, можно получить комплексный показатель преломления в
области нагрева nl Te = 2,6  2,1i .
Коэффициент отражения, соответствующий данным оптическим
константам, хорошо согласуется с коэффициентом отражения жидкого теллура.
Важно отметить, что для  =400 нм толщина скин-слоя теллура в расплаве
(  s l Te = 15 нм) больше, чем в кристаллическом состоянии  s 0 =10 нм,  se = 8 нм),
но меньше толщины скин-слоя в кристаллическом состоянии на длине волны
греющего излучения (  =800 нм). Исходя из измеренных оптических констант,
153
можно сделать вывод, что глубина приповерхностного слоя расплава для
рассматриваемых измерений превышает 15 нм.
Гетерогенное плавление начинается с поверхности и распространяется в
глубь объема со скоростью, ограниченной величиной порядка скорости звука.
Как следует из проведенного выше анализа оптических констант, установление
стационарного во времени изотропного коэффициента отражения образца
требует образования слоя расплава толщиной не менее 15 нм. Скорость звука в
кристаллическом теллуре составляет  s 2000 м/с, что дает нижний предел для
времени гетерогенного плавления 7 – 10 пс. Эксперимент же дает времена
плавления меньшие 2 пс (см. рис. 4.15). Таким образом, в диапазоне
исследованных плотностей энергий, гетерогенное плавление может быть
исключено, хотя оно и может иметь место при лазерном возбуждении, очень
близком к порогу плавления.
Могут быть предложены, по крайней мере, две модели, которые в
принципе могли бы объяснить наблюдаемый эффект.
Одной из них может быть модель гомогенного объемного плавления,
согласно которой в твердом теле могут образоваться зародыши жидкой фазы.
Малые времена плавления по этой модели определяются малым изменением
размера зародышей при заполнении ими объема расплавляемого материала.
Модель гомогенной нуклеации могла бы дать зависимость времени плавления
от температуры. Но в ней не учтено, что при плавлении объем увеличивается на
1-3 %, а это должно привести к появлению не учтенной в модели энергии
деформации. Учет этой энергии, которая гораздо больше энергии
поверхностного натяжения, может сделать невозможным образование
зародышей жидкой фазы в твердой.
Вторая модель – это вакансионная модель плавления. В этой модели
скорость плавления определяется скоростью диффузии вакансий, что
обеспечивает перегрев твердых тел выше температуры плавления при больших
греющих тепловых потоках. Но скорость движения фронта плавления все равно
не может быть больше скорости звука. Однако, при значительных перегревах,
будут образовываться пары Френкеля (вакансия - междузельный атом), которые
при больших концентрациях могут привести к деформации кристаллической
решетки, то есть к нарушению дальнего порядка – плавлению. При таком
механизме разупорядочивания кристаллической решетки плавление может
произойти в некотором объеме одновременно при наличии у него свободной
поверхности. В этом случае важнейшим фактором, определяющим время
плавления, является время нагрева кристаллической решетки.

4.4.2. Нетермическое плавление


Приведем результаты экспериментов по воздействию фемтосекундных
лазерных импульсов с длиной волны 1 (   1,56 эВ) на нелегированный
кремний 111 , в которых обнаружено плавление во время воздействия
лазерного импульса длительностью 100 фс.
154
В эксперименте получены зависимости коэффициента самоотражения
излучения накачки (  ) для s - и p -поляризаций от его энергии, а также
временная динамика отражения зондирующего излучения ( 2 ) при
фиксированной максимальной плотности энергии p-поляризованного
излучения накачки. Распределение интенсивности, построенное по
изображению образца кремния в отраженном свете пробного импульса для ряда
задержек относительно импульса накачки, нормировались программным
образом на распределение интенсивности изображения невозбужденного
образца. После калибровки было получено двумерное распределение
коэффициента отражения образца, симметричное относительно центра пятна
излучения накачки. Характеристики канала зондирования позволяли
исследовать динамику изменения отражательной способности мишени с
пространственным разрешением 2 мкм и временным разрешением около 100
фс.
Поскольку длительности пробного импульса и импульса накачки
практически совпадают, то для получения временного разрешения выше 100 фс
для малых задержек (100  100 фс) вычислены усредненные коэффициенты
отражения R22 . Для этого применена процедура усреднения коэффициента
отражения для зондирующего излучения в пределах длительности пробного
импульса (Т-преобразование) при этом форма пробного импульса приближенно
принята прямоугольной с шириной 100 фс на уровне 0,5 мощности реального
импульса.
Измеренные зависимости коэффициентов самоотражения излучения
накачки для обеих поляризаций ( Rs и R p ) от энергии импульса накачки были
обработаны с использованием пространственного преобразования,
устраняющего усреднение этих коэффициентов вследствие неоднородности
плотности энергии W в световом пятне на мишени (нормальное распределение
с параметрами  x  73 мкм и  y = 43 мкм). Отражение, рассчитанное по
вертикальным сечениям нормированных изображений, проведенных через
центр пятна излучения накачки на поверхности образца, после приведения
пространственных координат характеризуют зависимости R12 от интегральной
Qэф .
Результирующие зависимости R1s и R1p представлены на рис. 4.16 как
функции эффективной (интегральной за импульс) плотности энергии излучения
накачки Qэф  (1  R1s , p )Q . Такое представление позволяет соотнести на одном
рисунке участки кривых R1s и R1p , отвечающие одинаковым условиям
возбуждения образца.
Полученные зависимости R2s (Qэф (t )) и R2p (Qэф (t )) имеют в области
малых Qэф (t )  0,15 Дж·см-2 один широкий минимум для р-поляризации и два
совпадающих с ним узких минимума для s -поляризации и проявляют резкий
155
рост при более высоких значениях Qэф (t ) (рис. 4.16). Зависимость R22 от
Qэф (t ) , показанная на рис.4.17 жирной линией, также имеет в указанной
области при тех же значениях Qэф (t ) два небольших минимума с
предшествующими максимумами.

Рис. 4.16. Зависимости коэффициента самоотражения Si для s- и p-


   
поляризованного излучения накачки: R1s и R1 p от Wэф ; R2 s и R2 p от Qэф (t )

Предполагается, что в течение импульса накачки здесь зарегистрированы


обе полосы межзонного поглощения Si с максимумами полос, соответственно,
на 3,4 и 4,3 эВ. Инициирование "красного" сдвига происходит за счет
двухфотонного поглощения, сменяющегося интенсивным линейным
поглощением при уменьшении ширины запрещенной зоны  g 111 .

Рис. 4.17. Зависимости коэффициента отражения Si для пробного излучения


второй гармоники от Qэф для различных задержек пробного импульса: кривые 1, 2 -
R12 (Qэф ) (исходная) и R22 (Qэф (t )) (после T-преобразования) при нулевой
2
задержке пробного импульса; кривая 3 -зависимость R1 (Qэф ) для задержки
2
пробного импульса 200 фс; кривая 4 - зависимость R1 (Qэф ) для задержки 100 пс.
Пик на кривой 4 соответствует коэффициенту отражения области расплава кремния,
не подвергшейся абляции
156
С использованием зависимостей R2s и R2p были рассчитаны значения
оптических констант n и k  возбужденного Si при различных Qэф (t ) (рис.
4.17). Расчеты проведены по формулам Френеля путем подбора пар значений
n( ) и k p ( ) , дающих минимальное отклонение расчетных значений R2s и R2p
от экспериментальных.

 
Рис. 4.18. Зависимости действительной n и мнимой k p частей показателя
преломления Si от мгновенной эффективной плотности энергии Qэф (t )

В области Qэф (t )  0,23 Дж/см2 (рис. 4.17) рассчитанные значения


n Qэф t  и k  Qэф t  соответствуют оптическим постоянным равновесной
жидкой фазы l  Si : n (1,5 эВ) = 3,3, k p (1,5 эВ) = 5,7. Это значит, что
превышение порога Qэф (t )  0,23 Дж/см2 приводит к сверхбыстрому
нетермическому плавлению вещества в течение лазерного импульса (скачок
R2s и R2p на рис. 4.16). Соотношение порогов термического плавления Si
Qэф 0,16 Дж/см2 (пик кривой R12 для 100 пс на рис. 4.17) и нетермического
плавления Qэф  0,23 Дж/см2 составляет, примерно, 1,5, что соответствует
аналогичным данным для Si и GaAs .
Отметим, что при Qэф 0,23 Дж/см2 кривая R22 для задержки 0 фс имеет
дополнительный минимум (рис. 4.17) по сравнению с кривыми R2s и R2p на
рис. 4.16. Эту особенность R22 можно объяснить переходом "металл –
диэлектрик" вблизи плазменной частоты  p холодного металлического
расплава Si при условии    p  2 . Наконец, в диапазоне Qэф (t )  0,5 Дж/см2
для кривой R22 на рис. 4.17, как и для кривых R2s и R2p на рис. 4.16,
отмечается насыщение отражения, в данном случае – на уровне 0,66,
отвечающем коэффициенту отражения равновесного термического расплава
l  Si при задержке 100 пс и его неравновесного расплава при 200 фс (рис.
4.17). Указанное плато R2 , R2s и R2p соответствует "резистивно насыщенной"
157
жидкой фазе Si , для которой  ee  1 (  ee – характерное время электрон-
электронных соударений).
Непрерывное уменьшение  g для полос межзонного поглощения Si с
максимумами на 3,4 и 4,3 эВ с ростом Qэф (t ) , проявляющееся в
последовательном появлении обеих полос, может быть вызвано как
электронными, так и структурными эффектами. Верхняя оценка плотности
электронно-дырочной плазмы для "синего" края полос ~ 0,1 и 0,2 Дж/см2 из
условия равенства скоростей оптической генерации носителей и оже-
рекомбинации (  A =410-31 см6/с), то есть для верхнего предела применимости
Т-преобразования, для соответствующих значений Qэф (t ) и коэффициента
поглощения возбужденного Si    k  c (данные k  рис. 4.17) согласно
выражению
 (Qэф )Qэф
N eh (Qэф )  3 (4.11)
 A
составляет, соответственно, 1,41022 и 21022 см-3. Эти плотности электронно-
дырочной плазмы удовлетворяют как условию коллапса запрещенной зоны
шириной  g  3 – 4 эВ – благодаря экранированию ионного остова и
многочастичным взаимодействиям в электронно-дырочной плазме, так и
условию дестабилизации решетки Si . В последнем случае непрерывное
уменьшение  g по направлению 111 (или 100 ) в течение лазерного
импульса может быть объяснено непрерывным ростом межатомного
расстояния, происходящим, как показывает мгновенное образование
"оптически толстого" слоя расплава, практически одновременно в пределах
скин-слоя. Такое движение обусловлено наличием соответствующих "мягких"
продольных оптических мод. Наличие "мягкой" моды является признаком
структурного фазового перехода 2-го рода из метастабильной алмазной
структуры возбужденного Si , по-видимому, в орторомбическую структуру
полуметалла (  g 111 = 0) и далее с ростом Qэф (t ) – в разупорядоченную
жидкую металлическую фазу. Следует отметить, что описанные явления были
обнаружены также для образца GaAs 100 .
Таким образом, экспериментально обнаружены эффекты
последовательного "схлопывания" запрещенной зоны Si по направлениям 111
и 100 с последующим образованием "холодной" металлической жидкой фазы,
происходящие в течение лазерного импульса длительностью 100 фс.
Экспериментально показано также, что при действии фемтосекундных
импульсов с высокими интенсивностями в полупроводниках происходит
сверхбыстрое плавление за времена порядка 100 фс. Так как такой тип
плавления не требует нагрева решетки, поэтому его часто называют
нетермическим плавлением. В металлах также может произойти такое
плавление из-за деформации решетки, возникающей в результате влияния газа
158
горячих электронов, однако в экспериментах с алюминием его признаков не
обнаружено. Предполагается, что механизм нетермического плавления – это
возникающая при возбуждении плотной электронно-дырочной плазмы с
высокой концентрацией носителей неустойчивость кристаллической решетки.

4.5. Фотофизическая абляция


Приведенные выше механизмы лазерной абляции можно
классифицировать как механизмы поверхностного и объемного удаления
вещества, которые могут усложняться вследствие тех или иных физико-
химических процессов в объеме или на поверхности твердого тела. В этой
связи представляет интерес исследование механизма так называемой
фотофизической лазерной абляции, обусловленной электронным возбуждением
вещества.
Механизм фотофизической абляции связан с модификацией энергии
активации для удаления возбужденной частицы. Хотя такого рода явления
хорошо изучены при диссоциации сложных органических молекул, их
реализация при абляции твердых веществ затруднительна в связи с быстрой
релаксацией электронного возбуждения.
Достаточно простая модель фотофизической абляции следует из
рассмотрения четырехуровневой модели. Предполагается, что при поглощении
кванта с энергией  система переходит из основного состояния N 0 в
возбужденное состояние N1 , из которого в дальнейшем она быстро
(соответствующее время релаксации  r1  0 ) переходит в состояние N  ,
отвечающее "долгоживущему" синглетному или триплетному состоянию.
Подобная схема позволяет исключить эффекты стимулированной эмиссии,
которые не наблюдаются при абляции многих широкозонных материалов и
органических соединений. Предполагается также, что система в состоянии N 
может поглотить второй квант  (сечения поглощения переходов  01
( N 0  N1 ) и  12 ( N   N 2 ) различны). Время релаксации  r 2 ( N 2  N  )
считается малым по сравнению со временем термической релаксации  rT .
Параметр    12  01 описывает эффекты наведенного поглощения (или
просветления). Такого рода схемы используются, например, при анализе
процессов возбуждения – релаксации в сложных органических веществах.
Система уравнений, описывающих абляцию, включает теперь три
уравнения: для концентрации возбужденных частиц N  , плотность мощности
излучения q и температуры T , а именно
N * N * q N*
 a  ( N  N *) 01  , (4.12)
t z   rT
q
 q 01 [ N  (  1) N *]  q g , (4.13)
z
T T  2T N*
 a  aT 2  (q 01   /  rT ) . (4.14)
t z z c
159
Входящая в уравнения (4.12) - (4.14) скорость движения фронта абляции
 a   a (t ) определяется как
 N s    a  N s    a 
 a  1   a 0 exp     a 0 exp   (4.15)
 N   k 0Ts  N  k 0Ts 
где  a и  a – энергии активации, необходимые для удаления из вещества
невозбужденной и возбужденной частиц, N – концентрация поглощающих
частиц, индекс " s " используется для обозначения величин на фронте абляции
( z  0 ).
Граничные условия имеют вид
T  N s   a   Ns

  a 
T  H 1   a 0 exp    H  a 0 exp 

 (4.16)
z z  0  N   0 s
k T N  0 s
k T
 t

q z 0  q(t ) exp   g   a (t1 )dt1 , (4.17)
 0 
N * z   0. (4.18)
Условие (4.17) учитывает экранировку излучения парами аблированного
вещества.
Понятно, что основной эффект фотофизической абляции вещества
возникает при условии  a   a , когда второе слагаемое в (4.16) существенно
превышает первое. Особенно интересен случай высоких энергий активации,
когда  a  3 – 6 эВ и обычная тепловая абляция требует очень высоких
температур. Эффект сильно зависит от интенсивности лазерного импульса и от
времени термической релаксации  rT .
В случае лазерного импульса с длительностью около 10 нc (типичное
значение для эксимерных лазеров) фотофизическая абляция происходит,
например, когда  a  1 – 1,5 эВ, а  a = 3 – 6 эВ. При этом, однако, требуется,
чтобы время релаксации  rT составляло сотни пикосекунд. Если же время
релаксации  rT составляет десятки пикосекунд, то фотофизически удаляется
лишь тонкий поверхностный слой в начале импульса, тогда как последующая
абляция становиться чисто тепловой. В случае же короткого лазерного
импульса эффект фотофизической абляции хорошо выражен даже при
относительно низкой энергии активации (  a  1,5 эВ), если при этом все же
выполняется условие  a   a (рис. 4.19). Фотофизический механизм,
возможно, наблюдается при лазерной абляции пористого кремния. Скорость
абляции пористого кремния излучением с длиной волны 1064 нм была
незначительной при использовании импульса с плотностью энергии 400
мДж/см2. В то же время добавление синхронизованного импульса с длиной
волны 532 нм и плотностью энергии всего 10 мДж/см2 приводило к резкому
увеличению фотовозбуждения пористого кремния и к ускорению абляции.
Дополнительные возможности для уменьшения энергии активации (в том
числе возбужденных состояний) связаны с напряжениями, развивающимися
при лазерном воздействие в твердом теле. Не исключены также объемные
160
процессы, обусловленные фотохимическими реакциями. Анализ нетепловых
моделей абляции затруднителен в связи с отсутствием детальных
экспериментальных сведений о динамике процесса. В то же время
интегральные кривые можно одинаково хорошо объяснить, исходя из разных
моделей.

Рис. 4.19. Толщина слоя h удаленного за импульс материала для тепловой и


фотофизической моделей (параметры материала имеют значения, типичные для
полиамида)

4.6. Уплотнение электронного газа и кулоновский взрыв в


поверхностном слое проводника
Как уже было отмечено, обычно эксперименты проводят при плотностях
энергии Q нагревающего излучения – не выше 10 мДж/см2 (пиковая
температура электронного газа Te порядка 104 К значительно ниже характерной
температуры Ферми TF ~ 105 К). В случае более высоких значений Q  0,1
Дж/см2 (пиковые Te ~ TF ) получены экспериментальные результаты,
свидетельствующие о возможности реализации другого типа электрон-
решеточного взаимодействия при субпикосекундном разупорядочивании
кристаллической решетки металлов ("электронное плавление").
Приведем результаты экспериментов, проведенных по методике,
использованной для обнаружения нетермического плавления, но при
плотностях энергии значительно выше порога нетермического плавления
M
( Qэф  0,25 Дж/см2).
В качестве мишеней использовались пленки Al и Cu (толщиной 30  40
нм) на стекле, а также оптически "толстые" металлические пленки расплава
l  Si или l  GaAs толщиной до 20 нм, получаемые на поверхности объемных
нелегированных образцов этих материалов ( 100 ) под действием и в течение
того же импульса накачки с эффективной плотностью энергии Qэф на образце
выше порога нетермического плавления ( Qэф
M
 0,25 Дж/см2 и 0,15 Дж/см2,
соответственно).
161
Для всех указанных образцов экспериментально исследованы
зависимости коэффициента самоотражения p -поляризованного излучения
накачки (для Si и GaAs  также s -поляризованного) от его энергии.
Полученные зависимости коэффициента самоотражения излучения накачки R p
(для Si и GaAs - R p и Rs ) от энергии импульса накачки были обработаны по
методике, использованной при обработке данных в эксперименте по
нетермическому плавлению. Напомним, что в основе упомянутой процедуры
лежит предположение о зависимости величин R p и Rs от вложенной в течение
лазерного импульса мгновенной эффективной плотности Qэф (t ) , а не
интенсивности qэф (t ) , что достаточно справедливо при воздействии на металлы
сверхкоротких импульсов с умеренными значениями Qэф  10 Дж/см2.
Результирующие зависимости Rs Qэф (t )  и Rp Qэф (t )  представлены на рис.
4.20 (вертикальная пунктирная линия показывает положение порога плавления
Si и GaAs в течение импульса накачки, стрелка - начало аномалии оптических
свойств (плато R p и Rs ) для всех образцов).
Приведенные зависимости Rp Qэф (t )  свидетельствуют, что при
воздействии на все типы металлических пленок излучения с характерной
1
Qэф (t )  0,2 Дж/см2 наблюдается плато величины R p в диапазоне значений 0,5 
0,6. Аналогичный эффект ранее наблюдался для лазерно-индуцированного
расплава пленок Al и Ag при близких значениях Qэф и объяснялся в рамках
двухтемпературной модели значительным уменьшением характерного времени
электрон-электронного рассеяния  ee  до 10-16 с  при нагреве электронной
подсистемы до 105 К. Вместе с тем, отмечаемая на рис. 4.20 особенность
зависимостей X (Qэф ) вблизи Qэф 1
 резкое уменьшение глубины кратера до
ширины скин-слоя  указывает на более сложный характер процессов,
происходящих в скин-слое проводника при таких высоких степенях нагрева.
С использованием зависимостей Rs Qэф (t )  и Rp Qэф (t )  для проводящих
пленок l  Si и l  GaAs были исследованы их оптические характеристики n и
k  вблизи Qэф
1
(рис. 4.21).
Для указанных образцов выше порога плавления отмечается
непрерывный рост величины n Qэф (t )  при постоянстве k  , что указывает на
неоднородность оптических свойств вещества в пределах скин-слоя. В то же
время, превышение n над k  при Qэф (t )  Qэф 1
(t ) означает, что в пределах
скин-слоя появляется диэлектрическая фаза с положительной величиной
действительной части диэлектрической проницаемости. С целью выяснения
природы наблюдаемых аномалий с использованием эффективных значений n
и k  были получены соответствующие зависимости эффективных значений
162
плазменной частоты  p и  ee от Qэф (t ) (рис. 4.21, вертикальная пунктирная
линия показывает положение порога плавления Si и GaAs в течение импульса
накачки, стрелка - начало аномалии оптических свойств для указанных
образцов), показывающие, что при Qэф (t )  Qэф
1
(t ) происходит резкий рост  p и
падение  ee .

Рис. 4.20. Зависимости коэффициента самоотражения R p и Rs от


мгновенной эффективной (поглощенной) плотности энергии Qэф (t ) накачки для
образцов Cu , Al , Si и GaAs и глубины (профиля) кратера X от интегральной Qэф
для образцов Cu , Al и Si

Рис. 4.21. Зависимости оптических констант n


 
и k p , а также  p и  ee от
Qэф (t ) для образцов Si и GaAs (аналогичные оси для обоих образцов совмещены)

Падение  ee Qэф (t )  при Qэф (t )  Qэф


1
(t ) можно объяснить в рамках теории
ферми-жидкости ростом  p и Te (рис. 4.21), причем последняя, как и
соответствующие постоянные электрон-электронного рассеяния K ee (2,5 и 1,5
163
фс ·эВ для l  Si и l  GaAs , соответственно), рассчитывались согласно
-1 -2

выражениям
  
1  exp  
 ee  K ee1  0 e
k T
(4.19)
(k 0Te ) 2  ( ) 2
C x p
K ee  2 (4.20)
 F0
с использованием зависимостей  p и  F 0 от Qэф (t ) (рис. 4.21, 4.22) и
подгоночного параметра C x , оцениваемого при Qэф (t )  Qэф M
(то есть при
Te  0 ).
Поскольку для l  Si и l  GaAs измеренная оптическая масса электрона
равняется единице, то наблюдаемый значительный монотонный рост  p Qэф (t ) 
можно связать с соответствующим ростом эффективной плотности электронов
N e в скин-слое, а, следовательно, и эффективной энергии Ферми  F 0 (рис.
4.22).
Зависимости N e ,  F 0 и Te от Qэф (t ) (рис. 4.22, стрелка показывает порог
появления аномалии N e ,  F 0 и k BTe в течение импульса накачки) показывают,
что, несмотря на значительный рост Te в течение импульса накачки,
вырождение электронного газа в скин-слое металлических пленок l  Si и
l  GaAs сохраняется вследствие роста его эффективной плотности N e ,
который, по-видимому, имеет термоэлектрическую природу. Так, с ростом
Te Qэф (t )  в скин-слое пленок l  Si и l  GaAs возникают градиенты
температуры Te и давления электронного газа pe , где
 5 2  k T  2 
pe (Te )  0,4 N e F 0 1   0 e
  ... . (4.21)
 12   F 0  
В скин-слое на длине градиента pe происходит дрейфовый перенос
электронного газа, причем по мере смещения распределения N e от
поверхности образца происходит смещение в глубь скин-слоя "эффективной
поверхности" последнего, то есть поверхности максимального
энерговыделения, и обострение pe . Это приводит к еще более быстрому (по
сравнению с лежащими глубже слоями движущегося распределения N e )
смещению в глубь скин-слоя его "эффективной поверхности", обострению pe
и дальнейшему уменьшению реальной ширины скин-слоя (то есть сжатию
электронного газа и соответствующему росту локального коэффициента
поглощения). Очевидно, что задний фронт распределения N e , смещающегося в
объем под действием pe , распространяется быстрее его переднего фронта,
постепенно порождая нестационарную "ударную" волну pe сжимающую
электронный газ у переднего фронта. Экспоненциальный характер нарастания
164
зависимостей N e ,  F 0 и Te от мгновенной Qэф (t ) (рис. 4.22), представляющих
собой набор мгновенных значений данных параметров в течение лазерного
импульса, подтверждает предложенную выше нестационарную картину
явления.
Вместе с тем, очевидно, что при распространении такой волны с ростом
N e увеличение степени экранирования ионов электронным газом приведет к
насыщению поглощения на "эффективной поверхности" скин-слоя при
величине N emax и дальнейшая эволюция "ударной" волны при наличии
лазерного излучения будет происходить за счет увеличения пространственной
ширины скачка уплотнения с амплитудой N emax и, по-видимому, образования
универсального "плазменного зеркала", наблюдавшегося для широкого круга
материалов при q  1015 Вт/см2. Заметим, что для пленки l  Si достигается
двадцатикратное уплотнение электронного газа без каких-либо признаков
насыщения зависимости N e Qэф (t )  (рис. 4.22).

Рис. 4.22. Зависимости N e ,  F 0 и Te от Qэф (t ) для образцов Si и GaAs

Очевидно, что по мере пробега "ударной" волны pe в пределах скин-слоя


может образоваться двойной электрический слой из "поверхностного" слоя
положительно заряженных ионов и "подповерхностного" слоя сверхплотного и
"холодного" вырожденного электронного газа. Толщина слоя ионов с
плотностью N i и зарядовым состоянием z i , а также электронного слоя
оценивается из условия электронейтральности zi N i li  ( N e  N e0 )le , где
li  le   1 и N e0  21023 см-3 – равновесная плотность электронов для пленок
l  Si и l  GaAs .
Для средней объемной плотности энергии в скин-слое при Qэф (t )  Qэф 1

около 10 эВ/атом, близкой к величине первого потенциала ионизации атомов


Si , Ga , As , Al и Cu (8,2, 6,0, 9,8, 6,0 и 7,7 эВ), имеем le   1 N e0 N e и
li   1 1  N e N e0 , где N e N e0  фактор уплотнения слоя электронного газа.
При достигнутых уплотнениях электронного газа около 10 – 20 величина
le составляет ~ 1 нм и уменьшается с ростом N e , тогда как li возрастает,
соответственно, до  1 . Для Qэф (t )  Qэф 1
непосредственно после окончания
импульса накачки напряженность внутреннего электрического поля двойного
165
электрического слоя составляет согласно уравнению Пуассона
E  eN i li  0  10 В/м (разность потенциалов u  10 В), что качественно
13 5

согласуется с экспериментальными данными.


Для Qэф (t )  Qэф1
в течение первой пикосекунды после импульса накачки
отмечается падение величины R 2 для пленок Cu и Al и ее рост для пленки
l  Si (рис. 4.23, стрелки показывают положение порога субпикосекундного
расширения двойного электрического слоя для указанных образцов),
обусловленные, по-видимому, удалением нагретого скин-слоя пленок металлов
и расплава с поверхности возбужденного кремния.
То есть, благодаря внутреннему электрическому полю разрушение
двойного электрического слоя происходит путем "разгрузки" (кулоновского
взрыва) неустойчивого поверхностного слоя положительных ионов, а
уплотнение электронного газа исчезает вследствие межэлектронного
отталкивания и электронной теплопроводности. Сравнение значений X при
Qэф (t )  Qэф
1
(рис. 4.20) и толщины скин-слоя  e1 (8  12 нм) для пленок l  Si ,
Cu и Al показывает, что время разрушения двойного электрического слоя,
ограничивающее продолжительность процесса переноса энергии из скин-слоя в
объем образца, достаточно мало для сохранения практически всей
поглощенной энергии лазерного излучения в плазме двойного электрического
слоя.

2
Рис. 4.23. Зависимости коэффициента отражения R ( 2  3,12эВ,
нормальное падение) от эффективной плотности энергии Qэф накачки для образцов
Al , Si и Cu и задержек от начала импульса накачки соответственно 0,3, 0,5 и 0,5 пс

Таким образом, на основании полученных экспериментальных данных


можно выдвинуть предположение, что при сильном неоднородном нагреве
скин-слоя проводящих материалов в течение лазерного импульса накачки в нем
распространяется "ударная" волна электронного давления, создающая тонкий
слой сверхплотного (1023  1025см-3) вырожденного электронного газа в области
границы скин-слоя под "поверхностным" слоем положительных ионов.
Возникающий при этом поверхностный двойной электрический слой
разрушается вследствие кулоновского взрыва и электронной теплопроводности
в течение одной пикосекунды.
166
В заключение, говоря о механизмах лазерной абляции, следует отметить,
что некоторые из них (тепловая модель, газодинамическая модель,
двухтемпературная модель) получили надежное экспериментальное
подтверждение. Возможность реализации других механизмов, например
фотофизического, продолжает оставаться предметом теоретических и
экспериментальных исследований.

4.7. Формирование лазерно-индуцированного


поверхностного рельефа при воздействии сверхкоротких
лазерных импульсов
В первой части пособия были проанализированы условия образования
ПЭВ, а в разделе 2.4 - механизм формирования лазерно-индуцированного
поверхностного рельефа. При использовании сверхкоротких лазерных
импульсов механизм возникновения ПЭВ не меняется, но формирование
поверхностного рельефа происходит после окончания импульса воздействия,
когда ПЭВ уже не существует. Поэтому механизмы формирования лазерно-
индуцированного поверхностного рельефа при воздействии сверхкоротких
импульсов имеют свои особенности.
В эксперименте после воздействия на поверхность образца
микрокристаллического пирографита серии лазерных импульсов
длительностью ~ 1 пс была обнаружена периодическая поверхностная
структура. Поверхностные периодические структуры были обнаружены также
и при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами на поверхность
пластин кристаллического кремния с ориентацией 110 .
Нагревающий лазерный импульс длительностью ≈1 пс и длиной волны
780 нм фокусировался в пятно диаметром ≈ 200 мкм на торец и поверхность
графита под углом, близким к нормальному падению. Плотность энергии в
пятне фокусировки составляла ≈ 0.5 Дж/см2. При многократном воздействии
лазерными импульсами с частотой повторения 10 Гц в центре пятна
фокусировки на торце возникает периодический поверхностный рельеф с
периодом ≈ 0.6 мкм на торцевых пятнах (рис. 4.24б), и с периодом ≈ 1 мкм в
пятне на поверхности образца.

Рис. 4.24. Электронная микроскопия микрокристаллического пирографита: а -


исходная поверхность до облучения, б - после облучения импульсами
длительностью  = 1 пс, плотность энергии ≈ 0.5 Дж/см2.

На рис. 4.25 представлено полученное в сканирующем электронном


микроскопе типичное изображение микроструктурированной поверхности
167
кремния после ее облучения 1200 импульсами. Диаметр светового пятна на
облучаемой поверхности составлял примерно 100 мкм, значение плотности
потока энергии 2 Дж/см2. Оптически наведенная решетка с периодом 1 мкм
ориентирована в направлении, перпендикулярном поляризации лазерного
излучения. Глубина модуляции решетки также составляет около 1 мкм. При
облучении поверхности кремния с ориентацией поверхности 110 получены
аналогичные результаты.

Рис. 4.25. Изображение облученной 1200 импульсами поверхности кремния в


сканирующем электронном микроскопе. Направление поляризации
структурирующего лазерного излучения отмечено стрелкой.

4.7.1. Механизм образования поверхностных периодических


структур при воздействии сверхкоротких импульсов
При воздействии лазерного излучения на металлы и полупроводники на
поверхности могут образоваться периодические структуры с периодом порядка
длины световой волны. В основе механизма их образования лежат процессы
резонансного возбуждения поверхностных электромагнитных волн,
интерференция которых с падающей волной приводит к пространственной
модуляции энерговыделения, что посредством подходящего теплофизического
механизма (например, испарения или теплового расширения) при наличии
положительной обратной связи приводит к образованию периодического
поверхностного профиля.
При воздействии лазерных импульсов пикосекундной и более короткой
длительности теряется возможность осуществления ряда из указанных
процессов за время длительности лазерного импульса. В таких условиях
формирование периодических поверхностных структур может происходить
лишь после окончания лазерного воздействия, что составляет принципиальное
отличие режима сверхкоротких лазерных импульсов от обычного случая.
Кроме того, имеются и другие существенные особенности режима
сверхкоротких лазерных воздействий: отрыв температуры электронов
проводимости от температуры кристаллической решетки, малость глубины
модулированного прогрева. Поэтому исследование процессов образования
168
периодических поверхностных структур в этих условиях имеет исключительно
важное значение для понимания физики взаимодействия сверхкоротких
лазерных импульсов с конденсированными средами.
Характерная особенность процессов воздействия пикосекундных (и более
коротких) лазерных импульсов с умеренными величинами плотности энергии
(  1-5 Дж/см2) на сильно поглощающие конденсированные среды состоит в
том, что за время длительности  лазерного импульса происходит поглощение
энергии излучения и ее перераспределение между подсистемами вещества
(электронами проводимости и решеткой), в то время как остальные процессы,
такие как тепловое расширение, испарение, а возможно, и плавление (см.
раздел 4.4), требуют более длительного времени и идут после окончания
лазерного импульса. Так, упругая разгрузка прогретого слоя вещества
толщиной lT ~ 10-5 см результатом которой является тепловое расширение,
происходит за время ~ lT  s  3-10 пс ( s - скорость звука), заметно
превышающее длительность  лазерного импульса. Отсюда следует, что
образованию периодической поверхностной структуры должен предшествовать
этап формирования пространственно-модулированного поля температуры
(запись температурной решетки) за счет неустойчивого процесса с
положительной обратной связью за время t   ). Существенной
характеристикой этого процесса является то, что при воздействии
пикосекундными и более короткими импульсами он идет со значительным
отрывом электронной температуры от температуры кристаллической решетки.
В основе процесса формирования периодического профиля температур
при воздействии на высокопроводящие материалы должно быть резонансное
возбуждение поверхностных электромагнитных волн при дифракции падающей
лазерной волны на плоской поверхности с пространственной модуляцией
оптических свойств, вызванной периодической модуляцией температуры.
Существенно при этом, что глубина модуляции может быть как больше, так и
порядка глубины скин-слоя.
В том случае, когда формирование периодических поверхностных
структур при t   происходит за счет теплового расширения расплавленного
слоя вещества - выдавливания решетки (второй этап), вслед за ним (в качестве
третьего этапа) идет обратный процесс - рассасывание решетки вследствие
поверхностного натяжения. Фиксация периодического поверхностного профиля
в итоге зависит от того, сохранится ли пространственная модуляция
температуры поверхности, до того как расплавленный поверхностный слой
вещества успеет затвердеть, и сможет ли вязкость расплава оказаться
достаточно эффективной, чтобы до затвердевания воспрепятствовать
рассасыванию периодического профиля за счет поверхностного натяжения.
169
4.7.2. Резонансная дифракция на плоской поверхности с
периодической модуляцией оптических свойств
При выполнении условий  1  0 ,  2  0, причем  2   1 , поверхностная
электромагнитная волна на поверхности активного материала будет
образовываться во время действия импульса возбуждения. Поэтому будет
происходить дифракция плоской волны на плоской поверхности с
пространственно-модулированными оптическими свойствами, которые
определяются локальной концентрацией свободных электронов.
Решение задачи о дифракции плоской волны на плоской поверхности с
пространственно-модулированными оптическими свойствами приводит к
выражениям для векторов электрического и магнитного полей поверхностной
волны, которые дают следующее соотношение для интерференционной
пространственно-модулированной части мощности поглощенного в единице
объема лазерного излучения:
T
qV ( z )   (1  R)q0 AB cos exp( z  i ) i
Ti
(4.22)
Ti 
B ,    Re 
  Ti
Здесь R - коэффициент отражения, отвечающий температуре решетки Ti , q 0 -
плотность мощности падающего излучения,   2 c  Im1   , ~     -
эффективный поверхностный импеданс, состоящий из однородной
(усредненной по поверхности) части  и пространственно-модулированной
части  , причем    .
2
E p cos  E s cos sin
A 2
, (4.23)
E p  E s cos 
2 2

E p , E s - составляющие амплитуды поля падающей волны соответственно в


 
плоскости падения и перпендикулярно ей,  - угол между векторами kt  g d и

k t ;  - угол, определяемый расстройкой резонанса падающей лазерной волны
относительно поверхностной волны и меняющийся в пределах
  
     arctg ,    Im . (4.24)
2 
Выражение (4.22) для пространственно-модулированной части плотности
мощности поглощения отвечает резонансной дифракции с возбуждением одной
 
поверхностной волны с волновым вектором kt  g d .

4.7.3. Формирование периодического профиля поля


температур
Величина периодически модулированного поглощения излучения (4.23)
является резко избирательной в отношении вектора периодичности
170

поверхностной структуры gd благодаря резонансу относительно
поверхностной электромагнитной волны. Поэтому при наличии положительной
обратной связи возникает неустойчивость формирования периодически
модулированного поля температур в приповерхностном слое образца.
Рассмотрим этот процесс, используя двухтемпературную модель. Система
уравнений для пространственно-модулированных частей температур
электронов проводимости и кристаллической решетки при условиях Te  Ti ,
Te  Ti будет иметь вид
  ~  2
 ce  k ei Te  Te 2 Te  qV ,
 t  z
(4.25)
Ti
ci  k eiTe .
t
Здесь ce и ci - теплоемкости соответственно электронов проводимости и
~
кристаллической решетки, kei  kei   e g d2 , kei - параметр обмена энергией
между электронами проводимости и кристаллической решеткой,  e -
коэффициент электронной теплопроводности.
Неустойчивое решение системы (4.25) будем искать в форме
Te ,Ti  exp( i t ) , Re  i  0 . (4.26)
Рассмотрим случай относительно длинных лазерных импульсов, когда
длина диффузии тепла в глубь образца для пространственно-модулированного
прогрева велика в сравнении с толщиной скин-слоя
 e 2
 1.
ce  i
Учитывая, что последний член справа в первом из уравнений (4.25)
играет роль поверхностного источника, принимая во внимание (4.22), после
подстановки (4.26) в (4.25) получим уравнение для инкремента:
1 qV (0) d
i i   , (4.27)
 ee ci Ti  ee
в котором введены следующие обозначения:
ce kei2
 ee  ~ , d  ~ . (4.28)
k ei  e kei 2
В диапазоне видимого и ближнего инфракрасного спектра излучения,
когда время релаксации импульса электронов проводимости  ee удовлетворяет
неравенству  ee  1, величина B в выражении (4.22) при температурах выше
дебаевской, когда  ee  Ti 1 , слабо зависит от температуры решетки,
вещественна, и близка к единице B  1.
В этих условиях, с учетом выражений (4.22) и (4.24) из уравнения (4.27)
следует, что в рассматриваемом режиме при интенсивностях излучения ниже
порогового значения, определяемого по порядку величины выражением
171
ciTi
q ~ , (4.29)
1  R kei ee
нарастающее во времени решение системы уравнений (4.25) отсутствует и,
следовательно, периодическая поверхностная структура не образуется.
При интенсивностях выше пороговых, инкремент нарастания
температуры решетки в режиме пространственной модуляции согласно
уравнению (4.27) будет
2
 qV (0) k ei  3
 i    .

(4.30)
c 
 i i T  ee 

Из равенства (4.30) и соотношений (4.22)-(4.24) следует, что к моменту


окончания лазерного импульса в рассматриваемом режиме вещественная часть
показателя экспоненты в соотношениях (4.26),    Re  i , приближенно равна
1
 2 ~ 2   3 ~  (1  R)q
   keiQ  , Q . (4.31)
  ee  ciTi
Углы  и  в соотношениях (4.22)-(4.24) определены путем
максимализации вещественной части инкремента.
Рассмотрим формирование температурной решетки при малой по
сравнению с толщиной скин-слоя длине диффузии тепла в глубь образца для
пространственно-модулированного прогрева, когда
 e 2
 1 .
ce  i
В этом случае в системе уравнений (4.25) можно пренебречь влиянием
теплопроводности. Тогда, с учетом соотношений (4.22)-(4.24) следует, что к
моменту окончания лазерного импульса    Re  i будет:
~ 
 Q . (4.32)
 ee
Формирование пространственно-модулированного поля температур
(температурной решетки), а, следовательно, и весь процесс формирования
периодических структур в рассматриваемых условиях является пороговым.
Оценим пороговую интенсивность, определяемую выражением (4.29). Полагая
kei  10 Вт/см К,   3 10 см , 1  R  0,7,  e  1 Вт/смК, ci  1.6 Дж/см К,
12 3 5 -1 3

ee  10 с, Ti  10 К, из (4.28) получаем d  3, из (4.29) находим q  2 10


-13 3 10

Вт/см2.
При принятых выше значениях величин  и  e , длительности лазерного
импульса   10-12 с и плотности энергии 0,1-0,5 Дж/см2, учитывая, что
вещественная часть показателя экспоненты в (4.26) к моменту окончания
лазерного импульса должна быть велика (   10), получим, что в эксперименте
реализуются условия малой по сравнению с толщиной скин-слоя длине
диффузии тепла. Поскольку Ti  kei  i ci Te (см. (4.25), (4.26)), а величина
172
пороговой интенсивности (4.29) отвечает условию  i  ee ~ 1, то при q  q
справедливо соотношение между периодически модулированными частями
температур электронов и решетки
k c
Ti  ~ei e Te .
k eici
То есть формирование температурной решетки может происходить лишь
в условиях значительного отрыва модулированной части электронной
температуры Te от Ti (поскольку ce  ci ), который возможен при отрыве
Te от Ti .

4.7.4. Эволюция периодических поверхностных структур в


расплавленном поверхностном слое
После окончания лазерного импульса электронная и решеточная
температуры выравниваются ( Te  Ti  T , Te  Ti  T ) , поверхностный слой
плавится. При наличии температурной решетки за счет теплового расширения
расплава происходит формирование периодического профиля поверхности с
глубиной
1
b  T T ,
3
где  - эффективная глубина пространственно-модулированного прогрева,  T -
коэффициент теплового расширения расплава. Силы поверхностного
натяжения стремятся сгладить периодическую структуру. Решение уравнений
гидродинамики в приближении тонкого слоя с учетом поверхностного
натяжения и вязкости расплава дает зависимость глубины поверхностного
профиля от времени:
 t 
b(t )  b(0) exp    .
 t 

Время сглаживания рельефа t  при g d   1, g d  g g , определяется
выражением
3
t  , (4.33)
 S g g ( g ) 3
в котором  - динамическая вязкость,  S - поверхностное натяжение.
Для реализации механизма, основанного на пространственно-
модулированном тепловом расширении жидкого слоя, требуются быстрое
затвердевание за счет диффузии тепла в глубь образца и медленная релаксация
пространственно-модулированного температурного поля за счет диффузии
тепла в плоскости границы. Сравним характерные времена соответствующих
процессов.
Требуемые для оценки времени релаксации периодического профиля на
жидкой поверхности (формула (4.33)) значения поверхностного натяжения и
вязкости для жидкого графита неизвестны. Однако отношение этих двух
173
характеристик для жидких металлов меняется в сравнительно узких пределах.
Для совокупности жидких Al , Bi , Pb , Cu и Fe это отношение порядка
  S  (1  4)  10 5 с/см. Считая, что для жидкого графита эта величина не
выходит далеко за эти пределы, и полагая   2•10-6 см, g d  105 см-1, получаем
оценку t   1 нс. Время релаксации пространственно-модулированного
температурного профиля за счет диффузии тепла в плоскости границы образца
определяется выражением t r  ag d2  , в котором a - коэффициент
1

температуропроводности. Полагая a  0,1 см2/с, при g d  105 см-1 имеем t r  1


нс. Затвердевание поверхности в рассматриваемом режиме лазерных
воздействий происходит за времена порядка t s  100 пс.
Сопоставив времена t  , t r и t s , приходим к выводу, что до затвердевания
расплавленного приповерхностного слоя сохраняется пространственная
модуляция температуры поверхности, с одной стороны, и, вместе с тем,
периодический поверхностный профиль не успевает сгладиться за счет
поверхностного натяжения, с другой. Все это дает основание полагать, что
предложенный механизм формирования периодических поверхностных
структур за счет теплового расширения расплавленного приповерхностного
слоя графита соответствует проведенному эксперименту.
Следует отметить, что характер и качество образующихся периодических
поверхностных мод в значительной мере зависит от первоначального состояния
поверхности. Кроме того, при интенсивностях ~ 1012 Вт/см2 могут оказаться
заметными полевые поправки к диэлектрической проницаемости, что может
привести к зависимости периода поверхностных структур от плотности
мощности лазерного излучения.
Что касается образования периодических структур на поверхности
кремния (рис. 4.25), то для возникновения поверхностной электромагнитной
волны кремний требуется расплавить, чтобы его диэлектрическая
проницаемость стала отрицательной. В условиях фемто- и пикосекундного
воздействия это становится возможным при реализации механизмов
«холодного» плавления.

4.8. Силовое действие сверхкоротких импульсов на


прозрачные диэлектрики
В разделе 3 показано, что силовое воздействие лазерного излучения на
прозрачные материалы определяется изменением поглощения среды вследствие
изменения ее агрегатного состояния. При действии сверхкоротких лазерных
импульсов во время действия импульса успевают произойти только наиболее
быстрые процессы возбуждения электронов, в результате которых образуется
плазма, сильно поглощающая излучение, падающее на вещество.
На начальной стадии воздействия при больших интенсивностях лазерного
излучения необходимо принимать во внимание нелинейные эффекты при
поглощении света, которые определяют распределение интенсивности
излучения и свойства диэлектрика в области воздействия. Как показывают
174
эксперименты, эти явления практически не влияют на интегральные
характеристики силового воздействия сверхкоротких импульсов на
диэлектрики, поэтому мы на них останавливаться не будем.
Возбуждение свободных электронов в диэлектриках под действием
лазерного излучения возможно либо путем многофотонной ионизации, либо
лавинной ударной ионизацией. Порог ионизации для многих материалов
порядка (1013 - 1014) Вт/см2 при сильной нелинейной зависимости от
интенсивности. Для кварца, при плотности мощности 10 14 Вт/см2 и
длительности импульса 20 фс доминирует многофотонная ионизация, а
плотность свободных электронов достигает величины 1023 см-3. При плотности
же мощности 2∙1013 Вт/см2 полная ионизация не достигается и к концу
импульса длительностью 100 фс.
Разрушения диэлектрика произойдет тогда, когда во время действия
импульса будет достигнута такая концентрация свободных электронов и такая
их энергия, что запасенной в электронном газе энергии будет достаточно для
начала абляции, которая может произойти и после окончания лазерного
импульса.
Порог разрушения при многофотонной ионизации определяется
количеством квантов излучения, необходимых для достижения пороговой
плотности свободных электронов и энергией запасенной в электронном газе,
достаточной для начала абляции. То есть порог зависит и от длины волны
излучения (энергии кванта) и плотности энергии в области облучения. При
малых длительностях импульса, когда малы потери, порог не зависит от
длительности импульса. При ударной лавинной ионизации порог разрушения
определяется напряженностью ускоряющего электрического поля (плотности
мощности лазерного излучения) и длительностью воздействия. С увеличением
длительности импульса порог разрушения должен возрастать, поскольку будут
расти потери.

Рис. 4.26. Зависимость порога разрушения плавленого кварца от


длительности импульса для различных длин волн лазерного излучения.
175
На рис. 4.26 приведены экспериментальные зависимости порога
разрушения плавленого кварца от длины волны и длительности импульса
действующего излучения, как видно, эти зависимости вполне подтверждают
приведенные рассуждения.
Пороги абляции диэлектриков при действии сверхкоротких импульсов
выше порогов абляции металлов, поскольку необходимо ионизировать все
атомы в зоне воздействия.
176

Контрольные вопросы к разделу 4


1. В чем проявляются специфические условия взаимодействия сверхкоротких
лазерных импульсов с веществом?
2. Каковы основные положения классической двухтемпературной модели?
3. Изобразите графически качественное изменение электронной и решеточной
температур металла в случае лазерного воздействия импульсом
фемтосекундного диапазона.
4. Когда обычно начинается абляция мишени в случае лазерного
фемтоимпульса?
5. Как изменяется порог абляции при укорочении лазерного импульса?
6. Каковы особенности экспериментального изучения воздействия
фемтосекундных лазерных импульсов на материалы?
7. Почему при фемтосекундном лазерном воздействии формируются условия
для наблюдения колец Ньютона?
8. Как протекает гетерогенное плавление кристалла в условиях длинных
лазерных импульсов?
9. Как зависит характерное время плавления от плотности энергии лазерного
излучения (пикосекундный диапазон)?
10. В чем суть модели нетермического «холодного» плавления кремния?
11. Чем обусловлен механизм фотофизической лазерной абляции вещества?
12. Почему реализация фотофизического механизма затруднена при абляции
твердых веществ?
13. Как можно объяснить образование универсального «плазменного зеркала»,
наблюдавшегося для широкого круга материалов при плотностях световых
потоков порядка 1015Вт/см2?
14. Поясните механизм образования поверхностных периодических структур
при воздействии сверхкоротких импульсов.
15. Назовите два основных вида возбуждения свободных электронов в
диэлектриках под действием лазерного излучения.
177

Список рекомендуемой литературы


1. Вейко В.П., Либенсон М.Н., Червяков Г.Г., Яковлев Е.Б.
Взаимодействие лазерного излучения с веществом. Силовая оптика. Под ред.
В.И. Конова. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008, 312.
2 Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходы Ю.В. Действие
излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970, 272 с.
3. Либенсон М.Н. Лазерно-индуцированные оптические и термические
процессы в конденсированных средах и их взаимное влияние. СПб.: Наука,
2007, 423 с.
4. Делоне Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом. М.:
Наука, 1989.
5. Виноградов Б.А., Гавриленко В.Н., Либенсон М.Н. Теоретические
основы воздействия лазерного излучения на материалы: Учебное пособие для
вузов. Благовещенск: изд-во БПИ, 1993, с. 344.
6. Алешин И.В., Имас Я.А., Комолов В.Л. Оптическая прочность
слабопоглощающих материалов. Л.: изд. ЛДНТП, 1974, 34 с.
7. Лыков А.В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967.
8. Карслоу Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: Наука, 1964,
487 с.
9. Яковлев Е.Б. Особенности поведения стекол и стеклообразных
материалов при быстром нагревании. С.–Петербург: СПбГУ ИТМО, 2004, 83 с.
10. Рыкалин Н.Н., Углов А.А., Зуев И.В., Кокора А.Н. Лазерная и
электронно-лучевая обработка металлов. М., Машиностроение, 1985.
11. Коздоба Л.А. Методы решения нелинейных задач теплопроводности.
М.: Наука, 1975.
12. Янке Е., Эмде Ф., Леш ф. Специальные функции. М.: Наука, 1964.
13. Ахманов С.А., Никитин С.Ю. Физическая оптика. М.: Изд. МГУ,
Наука, 2004, 656 с.
14. Делоне Н.Б. Атом в сильном поле лазерного излучения. М.:
Физматлит, 2002, 64 с.
15. Gamaly E.G. The physics of ultra-short laser interactions with solid at non-
relativistic intensities // Physics Reports. V. 508. 2011. P. 91-243.
16. Dyukin R.V., Martsinovskiy G.A., Sergaeva O.N., Shandybina G.D.,
Svirina V.V., Yakovlev E.B. Interaction of Femtosecond Laser Pulses with Solids:
Eleсtron/Phonon/Plasmon Dynamics //Laser Pulses - Theory, Technology, and
Applications// Ed. by Igor Peshko. - Rijeka: InTech. 2012. P. 197–218.
178
История создания кафедры лазерных технологий и экологического
приборостроения (ЛТ и ЭП)
В декабре 1965 года по инициативе директора а/я 155 Ф.Г. Староса и
проректора ЛИТМО по науке С.А. Майорова создана лаборатории лазерной
технологии (ОЛЛТ).
1976 г. — научные работы ОЛЛТ по физическим основам лазерной обработки
тонких пленок удостоены Премии Президиума АН СССР за лучшую научную
работу в области «Фундаментальных проблем микроэлектроники».
В 1982 г. на базе лаборатории создана кафедра охраны труда и окружающей
среды с отраслевой лабораторией лазерных технологий.
1983, 1984 гг. — работы кафедры по лазерным технологиям и системам
удостоены Премий Минвуза СССР за лучшую научную работу.
1986 г. — работы кафедры по лазерной обработке тонких пленок совместно с
рядом других организаций удостоены Государственной Премии СССР.
Все это время идет подготовка специалистов по лазерным технологиям по
индивидуальным планам.
В 1988 г. кафедра переименована в кафедру лазерных технологий, начинается
систематический выпуск специалистов по специальности 07.23 «лазерная
техника и лазерные технологии».
1997 г. — По инициативе кафедры создана новая учебная специальность
высшего образования России «Лазерная техника и лазерные технологии»
0723000, по которой ГИТМО (ТУ) становится головным ВУЗом.
В 2000 г. — лаборатория и кафедра ЛТ признаны Ведущей научной школой
Российской Федерации по «Фундаментальным основам лазерных
микротехнологий». 2001 – 2014 г. — этот статус подтверждается.
2001 г. — ИТМО в лице кафедры ЛТ и ЭП включен в состав «Франко–
Германо–Русского Университета без стен» (France–German–Russian University
without walls) для подготовки специалистов в области высокотемпературных
технологий.
С 1988 по 2010 г. кафедра выпустила более 500 специалистов в области
лазерных технологий, сотрудниками и аспирантами кафедры защищены 2
докторские и более 30 кандидатских диссертаций;
По результатам работ кафедры издано 9 монографий; результаты исследований
сотрудников кафедры изложены более чем в 500 научных статьях и 50 патентах
и авторских свидетельствах;
Кафедрой лазерных технологий и экологического приборостроения бессменно,
с момента ее образования, заведует Заслуженный деятель науки России,
Лауреат Государственной Премии СССР и Премии Правительства РФ,
академик Академии Инженерных Наук РФ, д.т.н., профессор В.П. Вейко. Среди
преподавателей кафедры Почетный работник высшей школы, Лауреат Премии
Правительства РФ, д.т.н., профессор Е.Б. Яковлев, Почетный работник высшей
школы, д.т.н., профессор Е.А. Шахно, Почетный работник высшей школы,
к.ф.–м.н., доцент Г.Д. Шандыбина, Почетный работник высшей школы, к.ф.–
м.н., доц. Ю.И. Копилевич, молодые преподаватели, к.т.н., доц. А.А. Петров,
к.т.н., доц. Н.Н. Марковкина, к.т.н., ст. преподаватель. Б.Ю. Новиков.
179
Работа кафедры проводится в тесном контакте с ведущими предприятиями
Санкт–Петербурга по лазерным технологиям: ООО СП «Лазертех» (ген.
директор С.Н. Смирнов), ООО «Лазерный центр» (ген. директор С.Г. Горный),
ООО «Мобильные лазерные системы» (ген. директор В.Н. Смирнов).
Кафедра активно сотрудничает с университетами и институтами США (Prinston
University, Cornell University), Германии (BIAS, FHS Emden), Японии (RIKEN),
Китая (HUST), Франции (ENISE), Италии (Lecce University) и др.
В 2007 - 2008 г.г. в рамках приоритетного национального проекта
«Образование» по направлению научно-образовательной деятельности
Университета «Лазерные технологии и системы» был создан научно-
образовательных центр, развивающий основные научные направления кафедры
и состоящий из лабораторий укомплектованных современным лазерным,
измерительным и аналитическим оборудованием:
1. Лаборатория лазерных нанотехнологий работающая по 4–м научно–
образовательным направлениям:
1) Лазерное формирование многофункциональных зондов для зондовой
микроскопии.
2) Исследование процессов лазерной локальной модификации материалов
и способов управления размерами областей, глубиной их залегания,
скоростью переключения и степенью кристаллизации.
3) Наноструктурирование тонких металлических и полупроводниковых
слоев.
4) Управление микро– и наношероховатостью поверхностей оптических
материалов
2. Лаборатория лазерной очистки и реставрации произведений культуры и
искусства (организована совместно с фирмой ООО «Мобильные лазерные
системы»).
3. Учебно–производственный центр лазерных технологий резки, сварки,
наплавки и термообработки создан совместно с фирмой ООО «СП
Лазертех»

К 2014 г. в ИТМО сложились следующие основные научные направления


лазерных технологий:
1. Лазерная микро и наноструктурирование поверхности твердого тела,
тонких пленок и слоев, в том числе
- наноструктурирование тонких металлических и полупроводниковых
слоев,
- лазерное локальное осаждение тонких пленок.
2. Исследование физических основ формирования А–К–А переходов в
стеклокерамиках (А — аморфизованный, К — кристаллизованный слой) и
способов управления их размерами, глубиной их залегания, скоростью
переключения и степенью кристаллизации.
3. Создание новых оптических материалов и элементов микро– и
нанофотоники на базе лазерных технологий.
180
4. Лазерное формирование многофункциональных зондов для зондовой
микроскопии с целью создания универсальных зондовых микроскопов.
5. Физико-химические основы лазерной очистки в промышленности и при
реставрации произведений культурно–исторического наследия.
6. Фундаментальные исследования в области взаимодействия лазерного
излучения с веществом: лазерная абляция и конденсация металлических и
композиционных пленок и эффекты самоорганизации.
7.Физико–математическое моделирование в задачах дистанционного
лазерного зондирования морской среды.
181

Михаил Наумович Либенсон, Евгений Борисович Яковлев,


Галина Дмитриевна Шандыбина
Взаимодействие лазерного излучения с веществом (силовая оптика).
Часть II Лазерный нагрев и разрушение материалов. Учебное пособие.
Под общей редакцией Вадима Павловича Вейко

Компьютерный набор и верстка Е.Б.Яковлев


Дизайн обложки
Редакционно–издательский отдел НИУ ИТМО
Зав. отделом Н.Ф.Гусарова
Лицензия ИД № 00408 от 05.11.99.
Подписано в печать .
Отпечатано на ризографе Заказ № . Тираж 100 экз.