1. ОСНОВНОЕ ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ.

Исходные данные, необходимые для расчета, приведены в табл. 1.

Таблица 1 – Исходные данные

обратный ток насыщения р-n перехода I0(T0), мкА
максимальное обратное напряжение прибора Uобр max, В
напряжение питания Е, В
сопротивление нагрузки Rн, Ом
величины токов и напряжений туннельного диода:
Uп, мВ
пика
Iп, мА
Uв, мВ
впадины
Iв, мА
раствора Uр, мВ
схемы включения транзистора:
с общим коллектором ОК
с общей базой ОБ
с общим эмиттером ОЭ
рабочая частота и длительность выходного импульса f, кГц
мультивибратора tu, мкс
максимально допустимая мощность рассеивания транзистора Рк max, мВт
коэффициент перекрытия по емкости кс

2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

Основу большинства полупроводниковых приборов составляет р-n

переход - переходный слой между двумя областями полупроводника с
различными типами электропроводности (электронная и дырочная) шириной
от сотых долей до единиц микрометра.
Вольтамперная характеристика р-n перехода определяется
соотношениями:
g∙U
Iпр = Iобр ∙ (ек∙Т∙m − 1) ;
1
 Iобр = Iо ∙ (Tо ) ∙ еα∆Т ,
где Iо - обратный ток насыщения при температуре Tо = 293 К;
U - напряжение на р-n переходе;
q = 1,610-19 Кл - заряд электрона;
k = 1,3810-23 Дж/К - постоянная Больцмана;
m - коэффициент, зависящий от материала,
m = 1 (германий), m =2 (кремний);
 - температурный коэффициент,
 = (0,09...0,05) I/град (кремний),  = (0,13...0,07) I/град (германий).
Полупроводниковый прибор с р-n переходом и двумя омическими
выводами называется диодом. Область с большей концентрацией основных
носителей заряда называется эмиттером, другая - базой (р+ и n-
соответственно).
2.1. Для заданных значений Е, I0(T0), Rн, Uобр max при Т равной 20°
(Т = Tо - Т) рассчитать и построить вольт-амперную характеристику р-n
перехода; характеристику диода рассчитаем по ВАХ переходу увеличением
значений падения напряжения в 3 раза (рис. I).

2
 Рисунок 1
2.2. Определим падение напряжения и ток диода в соответствии со
схемой (рис. 2) по уравнению построив нагрузочную характеристику (рис. 3)
(Е − UVD )
IVDпр = ,
Rн
где UVD – падение напряжения на диоде.

3
Рисунок 2

4
 Рисунок 3
∆U
2.3. Рассчитать дифференциальное сопротивление R диф = ,
∆i

пороговое напряжение Uпор и ∆P в диоде от прямого тока IVDпр.

2
∆P = Uпор ∙ IVDср + IVDэф ∙ R диф ,
где IVDср и IVDэф – среднее и эффективное значение тока на диоде.
2.4. Изобразить форму напряжения и тока диода в схеме однофазного
мостового выпрямителя при работе на активную нагрузку (рис. ).

5
 Рисунок 4
2.5. Привести и пояснить условное обозначение диода общего
пользования (до 10 А) и силового диода.

3 СТАБИЛИТРОН

Стабилитрон - полупроводниковый диод, напряжение на котором в

области электрического пробоя слабо зависит от тока. Обратная ветвь
вольтамперной характеристики имеет участок, где напряжение практически
не меняется при значительном изменении тока. Стабилитроны применяются
в стабилизаторах напряжения, в ограничителях и формирователях
импульсов. На рис. 5 приведена схема параметрического стабилизатора
постоянного напряжения.

6
 Рисунок 5
3.1. Для заданных значений сопротивления нагрузки R н и напряжения
питания Е величины Uсm , Emin , Emax принимаем равными 2Е, 3Е и 4Е
соответственно По напряжению стабилизации Uсm определим ток нагрузки
Iн , выбирая тип стабилитрона (прил., табл. 2), и рассчитаем ток стабилизации
Iсm.
Uсm
Iн = ;
Rн
Iн ∙ (Emax − Emin ) + Iсmmin ∙ (Emax − Uсm )
Iсm =
Emin − Uсm
При этом необходимо выполнить условие Iсm < Iсmmax.
3.2. Для выбранного типа стабилитрона определяем координаты точек
BAХ в зоне лавинного пробоя по значениям Uсm , Iсmн , Iсmmin, R диф и ∆Uсm,
по которым строится обратная ветвь ВАХ (рис. 6).
∆Uсm = R диф ∙ (Iсmн − Iсmmin ).

7
 Рисунок 6
3.3. Величина сопротивления балластного резистора.
Emin − Uсm
𝑅б = .
Iн + Iсmmin
3.4. Строим нагрузочные характеристики для заданных значений
напряжений в соответствии с уравнением
𝑅б
𝐸 = Iсm ∙ 𝑅б + Uсm ∙ (1 + ),
𝑅н
принимая Uсm = 0, Iсm = 0.
Если точки пересечения нагрузочных характеристик с ВАХ
стабилитрона будут лежать выше точки перегиба ВАХ (не на падающем
участке ВАХ), следует повторить расчёт, выбрав стабилитрон с меньшим
напряжением стабилизации.

8
 3.5. Определяем пределы измерения напряжения на нагрузке при
изменении входного напряжения
∆Е
∆𝑈вх = .
𝑅 𝑅
1+ б + б
𝑅н 𝑅диф
При изменении тока нагрузки на величину ∆Iн отклонение выходного
напряжения может быть рассчитано по формуле
𝑅б ∙ ∆Iн
∆𝑈вых = .
𝑅б
(1 + )
𝑅диф
3.6. Рассчитывают коэффициент стабилизации напряжения
∆Е ∆Е ∙ Uсm Uсm ∙ 𝑅б
кс𝑚 = = ≅ .
∆𝑈вых Е ∙ ∆𝑈вых Е ∙ 𝑅н

4 ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД

Туннельный диод - полупроводниковый прибор, принцип действия

которого базируется на туннельном эффекте, который проявляется при малой
толщине р-n перехода, высокой напряженности
электрического поля и наличии вакантного места но энергетическом
уровне, соответствующем энергии электрона. ВАХ прибора имеет участок с
отрицательным сопротивлением (рис. 7). Диоды используются в схемах
усилителей, генераторов и переключателей. Режим работы диода
определяется взаимным расположением ВАХ и нагрузочной прямой.

9
 Рисунок 7
4.1. Строится ВАХ по заданным основным параметрам.
4.2. Используя полученную ВАХ туннельного диода, построить
эквивалентную ВАХ для двух диодов, включенных последовательно,
параллельно, встречно-параллельно, встречно. Изобразить схемы включения
диода и эквивалентные характеристики.
4.3. Изобразить график зависимости дифференциального со-
∆U
противления по данным ВАХ (R диф = ).
∆i

4.4. Привести схему включения туннельного диода в режиме нагрузки

(рис. 8).

10
 Рисунок 8
Режим линейного усилителя: R н < |−R диф|, Е < Uв точка равновесия
– точка 2.
Режим переключателя: R н > |−R диф |, Е > Uв , точка равновесия -
точки 1, 3.
4.5. Показать на характеристиках диода форму входного и выходного
гармонического сигнала при работе в режиме усиления. Определить
необходимые значения Е и R в режиме усиления и переключения.
4.6. Привести пример условного обозначения туннельного диода с
указанием основных параметров.

5 ВАРИКАП

Варикап - полупроводниковый прибор, барьерная емкость перехода

которого зависит от величины обратного напряжения. Варикапы
(параметрические диоды) используются в качестве электрически
управляемых конденсаторов. На рис. 9 изображена вольт-фарадная
характеристика варикапа и схема его включения.

11
 Рисунок 9
5.1. Привести необходимые обозначения на характеристике варикапа
при обратном допустимом напряжении 25 В, минимальном значении
барьерной емкости Cбар =10 пФ и заданном коэффициенте перекрытия по
Сбmax
емкости кс (кс = ).
Сбmin

5.2. Указать требуемую для рабочего режима полярность источников

питания в схемах (рис. 9, 10).

12
 Рисунок 10
5.3. Определить диапазон изменения частоты в схеме (рис. 10) для
варикапа с параметрами, рассчитанными в п. 5.1, при величине
индуктивности 100 мкГн (емкость разделительного конденсатора равна 0,1
мкФ).
5.4. Привести пример условного обозначения варикапа и его основные
параметры.

6 МАГНИТОДИОД

Магнитодиод - полупроводниковый прибор, вольтамперная ха-

рактеристика которого изменяется под действием магнитного поля. Диод
используется для преобразования магнитных величин в электрические.
∆Uпр
Основным параметром диода является чувствительность y = . Значение
∆B∙I

этого параметра меняется в пределах 10...50103 B/(ТлмА).

На рис. 11 изображена ВАХ и условное обозначение диода.
Определить чувствительность магнитодиода типа КД301К (рис. 12) для токов
1, 2 и 3 мА.

13
Рисунок 11

Рисунок 12
14
 7 ФОТОДИОД

Фотодиод - полупроводниковый прибор с одним р-n переходом,

вольтамперная характеристика которого зависит от светового потока.
На рис. 13 изображены ВАХ фотодиода.

Рисунок 13
Режимы работы фотодиода - фотодиодный (фотопреобразователь) и
фотогенераторный (вентильный). На рис. 13-15 изображены схемы
включения фотодиода и вольтамперные характеристики.

15
Рисунок 14 а

Рисунок 14 б

16
Рисунок 15 а

Рисунок 15 б
17
Рисунок 16 а

Рисунок 16 б

18
 7.1. Используя ВАХ (рис. 13), определить на графике фото-ЭДС диода
в режиме холостого хода и ток короткого замыкания при световых потоках
Ф1, Ф2, Ф3.
7.2. Определить полярность напряжения источника питания и
направление протекания тока в схемах (рис. 14). Указать отличия в режимах
работы фотодиодов
.
7.3. Пояснить принцип действия схем, приведенных на рис. 16, указав
полярность напряжения источника питания. В схему входят реле (Р),
ограничивающий резистор и фотодиоды.
7.4. Энергетические характеристики фотодиода в режиме
фотогенератора для заданного сопротивление нагрузки R н изображены на
рис. 17. Привести пример условного обозначения фотодиода.

Рисунок 17

19
 8 ТРАНЗИСТОР

Транзистор - полупроводниковый прибор, применяемый для усиления

мощности, имеющий три и более выводов. Транзисторы делятся на
биполярные и униполярные. Биполярный транзистор - прибор, в котором
чередуются три области с различной электропроводностью. Работа
транзистора основана на использовании носителей зарядов обоих знаков.
Различают транзисторы типа р-n-p и n-р-n. Обычные биполярные
транзисторы имеют выводы, один из которых является общим для входной и
выходной цепей. В зависимости от этого различают три схемы включения
транзистора:
с общей базой (ОБ),
с общим эмиттером (ОЭ),
с общим коллектором (ОК).
Сочетания знаков и значений напряжений на р-n переходах
определяют режим работы транзистора:
активный – напряжение на эмиттерном переходе прямое, на
коллекторном - обратное;
отсечки - оба перехода смещены в обратном направлении (транзистор
заперт);
насыщения - на обоих переходах прямое напряжение (транзистор
открыт);
инверсный – напряжение на эмиттерном переходе обратное, на
коллекторном - прямое.
8.1. Изобразите схемы включения транзисторов типа р-n-p и n-р-n.
Показать полярность напряжения на электродах транзисторов для указанных
выше режимов работы транзистора (риc. 18).

20
 Тип транзистора р-n-p
Схема включения ОБ
Режим - активный
Рисунок 18
8.2. Расчет усилительного каскада.
Биполярные транзисторы используются в схемах усиления и
генерирования импульсов. При расчете усилительных устройств необходимо
обеспечить заданный режим работы (выбрать точку покоя) и
термокомпенсацию. Для этих целей применяют резисторы обратной связи,
активные делители напряжения, дополнительные источники питания. На рис.
19 изображена схема усилительного каскада с общим эмиттером со

21
смещением в цепи базы с помощью резистора Rб. Напряжение источника
питания Ек усилительного каскада выбирается в пределах I0...30 В.

Рисунок 19
Для расчета каскада необходимо:
выбрать тип транзистора (по величине Ек , и Pкmax);
построить выходные и входную характеристики транзистора (рис. 20);

22
 Рисунок 20
нанести на выходные характеристики ограничения по максимальной
мощности Pкmax, Iкmax и Uкmax .
Pкmax
Iк = .
Uк
По уравнению
Uк = Eк − R к − Iк
построить нагрузочную характеристику по двум точкам:
Uк = Eк при Iк = 0; Iк = Iкmax.
Линия нагрузки должна проходить ниже допустимых значений
ограничений.
Определяют R к = Eк / Iкmax.
Величина R к лежит в пределах нескольких килоом.
23
 По выходным характеристикам и нагрузочной прямой строят
переходную характеристику Iк = 𝑓(𝐼б ), как это показано на рис. 21. На
переходной характеристике выделяют линейный участок "аб" при изменении
тока базы от нуля до некоторого значения.
Выбирают рабочую точку II в середине линейного участка
переходной характеристики.
Проецируют участок "аб" на нагрузочную и входную характеристики,
определяют для точки покоя:
𝐈бп - значение тока базы;
𝐔бп - напряжение между базой и эмиттером;
𝐑 б - резистор в цепи базы, обеспечивающий режим покоя;
Eк − Uбп
Rб = .
Iбп
Изменение входного и выходного сигналов показано на рис. 21.
При заданной величине постоянной составляющей 𝐈бп = 𝐈бо тока
базы на переходной характеристике указывается ее значение и аналогично
определяются остальные величины токов и напряжений. Далее определяют:
коэффициент усиления по току
𝐈𝐤𝐦
К𝐈 = ;
𝐈б𝐦
амплитуду выходного напряжения
Umвых = Ikm ∙ R к ;
выходную мощность
Pвых = 0,5 ∙ Ikm ∙ Ukm ;
потребляемую мощность усилителя
Pо = Eк ∙ Ikп ,
здесь Ikп - постоянная составляющая коллекторного тока;
КПД каскада
Pвых
𝑛= .
Pо

24
 Мощность, выделяемая на коллекторе от постоянных составляющих
тока и напряжения,
Pко = Ikп ∙ Ukп ;
Pко < Pкmax .
Коэффициент усиления по напряжению
𝐔𝐤𝐦
𝐤𝐮 = .
𝐔б𝐦
Коэффициент усиления по мощности
kp = kI ∙ ku.
Входная мощность
Pвх = 0,5 ∙ Uбm ∙ Iбm.
Входное сопротивление
Uбm
R вх = .
Iбm
Емкость конденсатора
10
Cр = ,
2 ∙ π ∙ fmin ∙ R вх
здесь fmin - минимальное значение диапазона частот (I00...5 кГц).

25
 Рисунок 21
8.3. Расчет мультивибратора.

Импульсы прямоугольной формы получают с помощью релакса-

ционных генераторов. Релаксационный генератор на основе усилителей с
положительной обратной связью, реализуемой RC цепями, называется
мультивибраторе (генератор с трансформаторной обратной связью
называется блокинг-генератором). Релаксационные генераторы могут
работать в двух режимах: автоколебательном и ждущем.

26
 Мультивибратор, работающий в автоколебательном режиме, имеет
два квазиустойчивых состояния, длительность нахождения в каждом из них
определяется времязадающими цепями.
Генератор в ждущем режиме имеет одно устойчивое состояние. При
подаче запускающего импульса он переходит в квазиустойчивое состояние,
из которого возвращается в исходное, формируя импульс заданной
длительности.
Схема симметричного мультивибратора приведена на рис. 22.
Диаграммы процессов в мультивибраторе изображены на рис. 23.

Рисунок 22

27
 Рисунок 23
Привести описание работы мультивибратора и диаграмму процессов с
указанием основных физических величин и их качественную зависимость от
параметров схемы.
Рассчитать параметры мультивибратора для заданной длительности
импульса t u и частоты f.
Принимаем амплитуду выходного импульса Uвых, равной Е в
соответствии с вариантом задания. Далее рассчитывают:
скважность выходного сигнала
T 1
Q= = ;
t u ft u
минимальный коэффициент усиления по току
βmin > 3 ∙ (Q − 1) ∙ кн ,
где кн = 2 − 3 - коэффициент насыщения;

28
 При меньших значениях коэффициента увеличивается длительность
фронта импульса; при больших – возрастает длительность импульса.
Напряжение питания мультивибратора
Ек ≅ 1,2 ∙ Uвых .
Максимально допустимое коллекторное напряжение закрытого
транзистора
Uкбдоп = 2 ∙ Ек .
По значениям βmin и Uкбдоп выбирают транзистор и указывают
параметры: β, Uкбдоп, Iкбдоп, Iкбо .
Сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора
Ек
R к1 = R к2 = R к = .
Iкдоп
Сопротивление резистора в цепи обратной связи
𝐑 𝟏 = 𝐑 𝟐 ≤ 𝛃𝐦𝐢𝐧 ∙ 𝐑 к ∙ 𝟎, 𝟖.
Емкость конденсатора 𝐂𝟏 , 𝐂𝟐 определяют выражениями
𝟐 ∙ Ек + 𝐈кбо ∙ (𝐑 𝟏 − 𝐑 к𝟏 )
𝐭 𝐮 = 𝐑 𝟏 ∙ 𝐂𝟏 ∙ 𝐥 п ∙ ;
Ек + 𝐈кбо ∙ 𝐑 𝟏
2 ∙ Ек + Iкбо ∙ (R 2 − R к2 )
t п = R 2 ∙ C2 ∙ l п ∙ .
Ек + Iбо ∙ R 2
tu tп
Если Ек ≫ Iкбо ∙ R 2 , то C1 ≅ , C2 ≅ .
0,7∙R1 0,7∙R2

9 ПОЛЕВОИ ТРАНЗИСТОР

Полевой транзистор - полупроводниковый прибор, в котором поток

основных носителей управляется электрическим полем в области,
называемой проводящим каналом.
Полевой транзистор называют униполярным, так как ток создается
носителями заряда одной полярности.
Транзистор имеет три (сток, исток, затвор) и более электродов.

29
 В зависимости от вида управляющего электрического поля различают
транзисторы с p-n переходом и изолированным затвором. Тип
электропроводности канала определяет разновидности транзистора по этому
признаку (канал р или n типа).
9.1. Привести условное обозначение полевых транзисторов (6 видов)
и их стоко-затворные характеристики.
9.2. Изобразить схемы включения (с общим истоком, общим стоком,
общим затвором) транзисторов с р - n переходом и изолированным
затвором для статического режима и режима нагрузки.
9.3. Изобразить выходные характеристики полевого транзистора.
9.4. Рассчитать параметры усилительного каскада (рис. 24).

Рисунок 24

30
 Исходные данные (напряжение питания Ес , равном Е, по заданию):
напряжение отсечки Uотс = −2 В;
максимальный ток стока Iсmax = 1,5 мА;
ток стока Iс = 0,8 мА;
модуль коэффициента усиления по напряжению |k u | = −10.
Напряжение затвор - исток Uзи
2
|Uзи |
Iс = Iсmax ∙ (1 − ) .
Uотс
Максимальная крутизна характеристики прибора
𝟐 ∙ 𝐈с𝐦𝐚𝐱
𝐒𝐦𝐚𝐱 = .
𝐔отс
Крутизна характеристики в рабочей точке
|Uзи |
𝑆 = Smax ∙ (1 − ).
Uотс
Сопротивление резистора в цепи истока
|Uзи |
𝑅𝑢 = .
Iс
Сопротивление резистора в цепи стока
|k u |
Rc = .
S
Емкость звена автоматического смещения
(10 … 20)
Cu = .
2 ∙ π ∙ f ∙ Ru
9.5. Привести пример условного обозначения полевого транзистора.

10. ТИРИСТОР.

Тиристор - полупроводниковый прибор с многослойной структурой,

имеющий три и более р-n переходов. При подаче прямого напряжения на его
электроды тиристор может находиться в одном из двух состояний:
выключенном (через тиристор протекает незначительный ток утечки),
31
включенном (протекает прямой ток нагрузки, на структуре имеется
незначительное падение напряжения).
10.1. Привести схематическое изображение структуры
однооперационного тиристора, его условное изображение, схемы замещения
и ВАХ с указанием на ней основных параметров.
10.2 Изобразить ВАХ и дать в виде таблицы условные обозначения
следующих видов тиристоров: быстродействующих, симметричных, с
обратной проводимостью, ассиметричных, комбинированно выключаемых,
фото – и оптоприборов, двухоперационных, магнитоуправляемых,
быстровыключающихся, неуправляемых, лавинных; ВАХ изображены на
рис. 25.
Таблица
Название прибора Условное обозначение Вольт-амперная
характеристика
1. Тиристор
2.

Рисунок 25 а
32
Рисунок 25 б

Рисунок 25 в

33
Рисунок 25 г

Рисунок 25 д

34
 Рисунок 25 е
10.3. На .рис. 26 и 27 изображены схемы однофазного симметричного
управляемого мостового выпрямителя и тиристорного триггера. Привести
диаграммы выходного напряжения и тока при работе выпрямителя на
активную нагрузку для заданного угла регулирования αp . Дать описание
принципа действия триггера, изобразить форму напряжения на конденсаторе
при переключении триггера с частотой 100 Гц.

Рисунок 26

35
 Рисунок 27
10.4. Привести условное обозначение тиристора и дать его
расшифровку.

11 ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Операционным усилителем называется усилитель электрических

сигналов, который служит для усиления напряжения, тока или мощности
входного сигнала при выполнении различных операций над аналоговыми
величинами. Свойства и показатели операционного усилителя зависят от
характеристик обратной связи, которой он охвачен. Операционный

36
усилитель выполняется по схеме усилителей постоянного тока с большим
коэффициентом усиления и входным сопротивлением при незначительном
выходном сопротивлении.
На рис. 28 приведены условные обозначения усилителей в некоторых
типовых схемах инвертирования, неинвертирующего включения,
повторителя, сложения, интегрирования, дифференцирования,
логарифмирования, преобразования тока в напряжение, разностного
усиления, суммирования нескольких величин, сравнения входного
напряжения с опорным.

Рисунок 28 а

Рисунок 28 б
37
Рисунок 28 в

Рисунок 28 г

Рисунок 28 д

38
Рисунок 28 е

Рисунок 28 ж

Рисунок 28 з

39
Рисунок 28 и

Рисунок 28 к

Рисунок 28 л
40
 Рисунок 28 м
9.1. Указать (по заданию) назначение одной из схем включения
операционного усилителя (рис. 28), дать соотношение входных и выходной
величин, выбрав соответствующее из нижеприведенных.
1. Uвых = −Uвх .
2. Uвых = −Iвх ∙ R ос .
Rос
3. Uвых = −Uвх ∙ .
R1
R1 +Rос
4. Uвых = Uвх ∙ .
R1
Rос Rос Rос
5. Uвых = − ( ∙ U1 + ∙ U2 + ⋯ + ∙ Un ).
R1 R2 Rn
R1 +Rос
6. Uвых = ∙ (U1 + U2 + ⋯ + Un ).
n∙R1
1 t
7. Uвых = − ∫ U dt.
RC 0 вх
dUвх
8. Uвых = −R ос ∙ C ∙ .
dt
kT Uвх
9. Uвых = ∙ ln .
q Iобр∙Rос

Rос
10. Uвых = ∙ (Uвх1 − Uвх2 ).
R

9.2. На рис. 29 изображена схема генератора гармонических

колебаний. Выходная величина изменяется по закону
u = Um ∙ sin ∙ (ωt + f).

41
 Частота колебаний генератора
1 1
f= = ,
2 ∙ π ∙ √R1 ∙ R 2 ∙ C1 ∙ C2 2∙π∙R∙C

где R1 = R 2 = R; C1 = C2 = C.
Дать описание работы схемы генератора и определить параметры
цепи обратной связи для частоты, равной 10 кГц.

Рисунок 29
На рис. 30 приведены схемы мультивибраторов (симметричного и
несимметричного). Пояснять принцип действия с учетом диаграмм
выходного напряжения (рис. 31) и рассчитать параметры цепей для выходной
частоты 15 кГц по формулам:
1 1 1
f= = = ;
T t u1 + t u2 2t u
1
f= ;
2 ∙ R1
2 ∙ τ ∙ (1 + )
R2
2 ∙ R1
t u = τln (1 + );
R2
r = R ∙ c.

42
Рисунок 30 а

Рисунок 30 б

43
 Рисунок 31 а

Рисунок 31 б
9.4. Привести пример условного обозначения операционного
усилителя.

44
 12 ЦИФРОВЫЕ УСТРОЙСТВА

Для построения систем обработки и преобразования информации

применяют цифровые методы. В качестве устройства их реализации
используют логические элементы, способные выполнять простейшие
логические операции - триггеры, сохраняющие двоичную информацию,
счетчики импульсов, регистры, предназначенные для приема, хранения,
передачи и преобразования информации, дешифраторы и т.д. Используя
логические элементы, можно реализовать схемы более сложных устройств,
например генераторов. На рис. 32 изображена схема мультивибратора, вы-
полненного на двух логических элементах ИЛИ-НЕ, диаграммы выходного
напряжения которого приведены на рис 33.

Рисунок 32

45
 Рисунок 33 а

Рисунок 33 б
12.1. Описать работу мультивибратора, используя схему и диаграммы
напряжений.
12.2. Определить параметры времязадающей цепи для выходной
частоты 25 кГц, используя выражение
𝑼,
𝑻 = 𝟐 ∙ 𝒕𝒖 = 𝟐 ∙ 𝑹 ∙ 𝑪 ∙ 𝟎 .
𝑼
12.3. Привести пример условного обозначения цифровой схемы.
46
 13 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ

Полупроводниковый прибор, в котором используется зависимость

электрического сопротивления от внешних воздействий (температура,
напряжение и т.д.), называется полупроводниковым рзистором. Характер
зависимостей определяется типом примесей в равномерно легированном
полупроводнике. Резисторы делятся на линейные, нелинейные и
преобразовательные.
На рис. 34 изображены условные обозначения полупроводниковых
резисторов и характеристики этих приборов. Необходимо определить вид
характеристики и условное графическое изображение каждого из названных
ниже приборов: линейного резистора, варистора, тензорезистора, термистора,
позистора, фоторезиотора, магниторезистора. Определить основные
параметры данных элементов:
U
I
1. л = dU ;
di

1 dRт
2. α = ∙ ;
Rт dT
∆R
R
3. k = ∆l ;
l

I
4 k ф = ф.
Ф

47
Рисунок 34 а

Рисунок 34 б

48
Рисунок 34 в

Рисунок 34 г

49
Рисунок 34 д

Рисунок 34 е

50
Рисунок 34 ж

Рисунок 34 з

51
 Рисунок 34 и

14 ЗАДАНИЯ ПО УЧЕБНО-ИССЛЕДВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ

1. p-n переход, его виды, методы получения. Объяснить, почему

нельзя замерить контактную разность потенциалов p-n перехода.
2. Показать влияние разброса параметров п/п приборов на работу при
групповом соединении (параллельном, последовательном).
3. Изобразить схемы ограничения уровня напряжений с помощью
диодов (диодные ограничители).
4. Привести и описать схему двухкаскадного параметрического
стабилизатора напряжения.
5. Меры по выравниванию напряжения полупроводниковых приборов
при последовательном соединении.
6. Схемы и устройства, ограничивающие скорость нарастания тока и
напряжения на полупроводниковых приборах.
52
 7. Привести схему импульсного стабилизатора напряжения на
транзисторах.
8. Принцип действия генератора импульсов на основе туннельного
диода.
9. Привести условные обозначения транзисторов: лавинного, фото-,
опто-, магнито-, с переходом Шотки, однопереходного.
10. Меры по выравниванию тока по полупроводниковым приборам
при их параллельном соединении.
11. Схема удвоителя напряжения на диодах.
12. Схема умножателя напряжения на диодах.
13. Схема однофазного однополупериодного выпрямителя,
работающего на активную нагрузку, диаграммы тока и напряжения.
14. Схема однофазного однополупериодного выпрямителя при работе
на индивидуальную нагрузку.
15. Однофазный мостовой выпрямитель при работе на
индивидуальную нагрузку.
16. Рассчитать потери мощности в диоде при следующих условиях:
ток прямоугольной формы, амплитуда тока – 100 А, длительность импульса
100 ∙ 10−6 с, частота – 100 Гц, дифференциальное сопротивление – 0,01 Ом,
пороговое напряжение – 0,8 В.
17. Изобразить схему двухстороннего ограничителя напряжения на
стабилитронах и диаграмму выходного напряжения при напряжении питания
синусоидальной формы (Uэф = 220 В), напряжение стабилизации Uсm ,
равном 100В.
18. Описать способы включения и выключения тиристоров в цепях
переменного и постоянного напряжения.
19. Привести и пояснить с использованием диаграмм напряжения
работу тиристора в схеме однофазного однополупериодного выпрямителя
при работе на активную нагрузку при угле регулирования 600.

53
 20. Принцип действия стабилизатора напряжения на основе
униполярного транзистора.
21. Схема транзисторного мультивибратора в ждущем режиме.
22. Показать различие в режиме работы усилителей по классам А, В,
С.
23. Привести и пояснить вариант схемы усилителя мощности с
использованием тиристора.
24. Изобразить плоскостные модели полупроводниковых приборов с
одним, двумя и более p-n переходами.
25. Оптоэлектронные приборы, их разновидности, свойства и
сравнительные характеристики (частота, быстродействие и т.д.).
26. Способы защиты транзисторов от перегрузок.
27. Однопереходный транзистор, условное обозначение, ВАХ, пример
применения в схемах генерирования импульсов.

54
 Варианты задания
Таблица 1
m 1 2 2 1 1 2 1 2
Uобрmax 50 100 150 200 250 300 400 450
R н , Ом 200 300 400 500 600 700 800 900
Iп , мА 5 10 20 40 60 80 100 120
Iв , мА 1 2 3 4 5 6 7 8
Схема
ОБ ОЭ ОК ОБ ОЭ ОК ОБ ОЭ
включения
Iδо , мА 0,1 0,12 0,15 0,2 0,22 0,25 0,28 0,3
Pkmax , мВт 80 90 100 110 120 130 140 150
t u , мкс 40 60 80 100 120 140 160 180
kc 10 12 14 16 18 20 22 24
αp , град 15 30 45 60 75 90 120 150

Iо (То) 𝐸, В 𝑈п, мВ 𝑈в , мВ 𝑈𝛽 , мВ 𝑓, кГц Номера вариантов

1 5 50 100 250 1,0 1 2 3 4 5 6 7 8
2 6 60 110 300 1,2 9 10 11 12 13 14 15 16
3 7 70 150 350 1,4 17 18 19 20 21 22 23 24
4 8 80 160 400 1,5 25 26 27 28 29 30 31 32
5 9 90 200 420 1,8 33 34 35 36 37 38 39 40
6 10 100 210 450 2,0 41 42 43 44 45 46 47 48
7 11 110 250 480 2,2 49 50 51 52 53 54 55 56
8 12 120 280 500 2,4 57 58 59 60 61 62 63 64
9 13 130 300 550 2,6 65 66 67 68 69 70 71 72
10 14 140 320 600 2,8 73 74 75 76 77 78 79 80
11 15 160 330 650 3,0 81 82 83 84 85 86 87 88
12 16 160 340 700 3,2 89 90 91 92 93 94 95 96

55
Таблица 2 Данные полупроводниковых стабилитронов

Тип 𝑈𝑐𝑚н , Rд, 𝐼𝑐𝑚н , 𝛼, 𝐼𝑐𝑚𝑚𝑎𝑥 , 𝐼𝑐𝑚𝑚𝑖𝑛 , 𝑃𝑚𝑎𝑥 ,

стабилит. В Ом мА %/0С мА мА В

КС433А 3,3±0,33 25 30 -0,1 190 3 0,5

КС439А 3,9±0,39 25 30 -0,1 175 3 0,5
КС447А 4,7±0,47 18 30 -0,8…0,33 160 3 0,5
КС456А 5,5±0,56 12 30 +0,05 140 3 0,5
КС468А 6,8±0,68 5 30 +0,065 120 3 0,5
Д814А 7-8,5 6 5 0,07 40 3 0,34
Д814Б 8-9,5 10 5 0,08 36 3 0,34
Д814В 9-10,5 12 5 0,09 32 3 0,34
Д8147 10-12 15 5 0,095 29 3 0,34
Д814Д 11-14 18 5 0,095 24 3 0,34
КС515А 13,5-16,5 25 5 0,1 53 1 0,5
Д815А 5,6±0,84 0,9 1000 0,56 1400 50 8,0
Д815Б 6,8±1,0 1,2 1000 0,062 1150 50 8,0
Д815В 8,2±1,2 1,5 1000 0,088 950 50 8,0
Д815Г 10±1,5 2,7 500 0,10 600 25 8,0
Д815Л 12±1,8 3,0 500 0,11 650 25 8,0
Д815Е 15±2,2 3,8 500 0,13 550 25 8,0
Д818Б 6,75±9,0 25 10 0,02 33 3 0,3
Д818А 9,0±11,25 25 10 0,02 33 3 0,3
Д818Г 7,6-10,3 25 10 0,006 33 3 0,3
КС162А 6,2±0,24 35 20 - 22 3 0,15
КС175А 7,5±0,33 16 5 ±0,1 18 3 0,15
КС210Б 10±0,7 22 5 - 14 3 0,15
КС213Б 13±0,11 25 5 - 10 0,15
КС196Б 9,6±0,5 18 10 0,0005 20 3 0,20

56
57