2017 RFMT RT MTPK Makarov Alexey Anatol Evich

Министерство образования и науки
Российской Федерации
КАЗАН СК И Й НАЦ ИО Н АЛ ЬНЫ Й

ИССЛ ЕД ОВАТЕЛ ЬСКИЙ
Т ЕХН И Ч ЕСКИ Й УН И В ЕРС И ТЕТ им. А.Н.
ТУПО Л ЕВА
(КНИТУ-КАИ)
(КАЗАНСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО

КРАСНО ГО ЗН АМ ЕН И И ОРДЕНА
Д РУЖ БЫ НАРОДОВ АВ И АЦ И О Н Н Ы Й
И Н СТ И Т УТ им. А.Н. ТУПОЛ ЕВА
МАГИСТЕРСКАЯ
ДИССЕРТАЦИЯ
Исследование характеристик полосковых брэгговских
СВЧ-структур со сложнопериодическим профилем
ДИПЛОМАНТ Макаров Алексей Анатольевич
НАУЧНЫЙ
РУКОВОДИТЕЛЬ Насыбуллин Айдар Ревкатович
Казань, 2017
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего образования «Казанский национальный исследовательский
технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ»
(КНИТУ-КАИ)
Институт Радиоэлектроники и телекоммуникаций
Кафедра Радиофотоники и микроволновых технологий
Направление подготовки(специальность) 11.04.01 - Радиотехника
\7
ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА
на тему «Исследование характеристик полосковых брэгговских СВЧ-

структур со сложнопериодическим профилем»
ОБУЧАЮ Щ ИЙСЯ А. А. Макаров

(инициалы, фамилия)
Казань 2017
MINISTRY OF EDUCATION AND SCIENCE OF THE RUSSIAN FEDERATION
Federal State Budgetary Education Institution of

Higher Education «Kazan National Research
Technical University named after A.N.Tupolev - КА1»
(KNRTU-KAI)
Institute o f Radio Electronics and Telecommunications
Department of Radiophotonics and Microwave Technologies
Destination (specialty) 11.04.01 - Radiotechniques
Admitted to defend ,
Head of the department
20 •//- ~yT
FINAL QUALIFYING WORK
on the topic o f « Investigation o f the characteristics o f strip Bragg microwave

structures with a complex period profile»
STUDENT A. A. M akarov
(The initials Surname)
ADVISER PhD.. A. R. Nasvbullin

(Scientific degree, rank, the initials Surname)
Kazan 2017
Содержание
В вед ен и е......................................................................................................................................5
In tro d u ctio n ................................................................................................................................. 9
1 А нализ свойств брэгговских микрополосковы х СВЧ структур........................12
1.1 Л инейны е м икрополосковы е с тр у к ту р ы ...........................................................12

1.1.1 О пределение характеристик линейны х м икрополосковы х
брэгговских структур С ВЧ д и ап азо н а ..................................................................12
1.1.2 О пределение характеристик линейны х микрополосковы х структур
со слож ным п роф и л ем ................................................................................................15
1.2 К ольцевы е м икрополосковы е структуры ЭМ К СВЧ ди ап азон а 19
1.2.1 О пределение характеристик кольцевой м икрополосковой
структуры ЭМ К СВЧ диапазона............................................................................. 19
1.2.2 О пределение характеристик круговой микрополосковой структуры
ЭМ К со слож ным п р о ф и л ем ....................................................................................21
1.3 К опланарны е линии п е р е д а ч ................................................................................ 22
1.4 М икрополосковая копланарная структура с периодическим и
неоднородностям и в виде о т в е р с т и й ........................................................................ 23
1.5 В ведение наруш ения периодичности в копланарной структуре с
неоднородностям и в виде отверстий......................................................................... 25
1.6 К опланарная м икрополосковая линия с периодическим изменением
толщ ены п р о в о д н и ко в....................................................................................................26
1.7 В ведение сдвига фазы в периодическую структуру с явны м изменением
волнового сопротивления.............................................................................................. 30
1.8 Структуры СВЧ диапазона на основе О Ф К .................................................... 32
1.9 В ы воды по гл аве.........................................................................................................35
2 И сследование характеристик и свойств слож нопериодических
м икрополосковы х С В Ч -стр у к ту р ....................................................................................36
2.1 М икрополосковая СВ Ч структура с двойной периодичностью ..............36

2.1.1 А нализ влияния конф игурации неоднородностей на
м икрополосковую линию с двойной периодичностью ................................... 37
2.1.2 П рим енение структуры с двойной периодичностью для
определения характеристик сред............................................................................46
2.2 И сследование свойств и характеристик слож нопериодических
ком планарны х с т р у к т у р ................................................................................................ 52
2.2.1 Н есим м етричная ком планарная линия с фазовым сдвигом и ее
характеристики ............................................................................................................ 52
2.2.2 П рим енение компланарны х микрополосковы х линий для
определения характеристик м атериалов............................................................ 55
2.2.3 С имм етричная ком планарная линия с фазовым сдвигом и ее
п а р а м е т р ы .......................................................................................................................56
2.2.4 И сследование влияния различны х типов апертуры н а передаточны е
характеристик симм етричной ком планарной л и н и и ..................................... 58
2.2.5. К ольцевы е резонаторы с м икрополосковой брэгговской
структурой .................................................................................................................... 62
2.3 В ы воды по гл аве.........................................................................................................64
3. Э кспериментальное исследование м икрополосковы х брэгговских структур
С ВЧ ди ап азона........................................................................................................................66
3.1 И зготовление линейны х м икрополосковы х брэгговских структур СВЧ

диапазона и определение их характеристик........................................................... 66
3.2 Э кспериментальное исследование м икрополосковы х брэгговских
структур СВЧ диапазона при определении диэлектрических свойств
м ате р и а л о в ..........................................................................................................................69
3.2.1 Э кспериментальное испы тание сим метричной компланарной линии
для исследования неф тяной эм ульсии ................................................................ 69
3.2.2 Э кспериментальное испы тание несим м етричной компланарной
линии для исследования эпоксидной смолы .................................................... 72
3.3 В ы воды по гл аве.........................................................................................................73
З а к л ю ч е н и е ............................................................................................................................. 74
C onclusion ................................................................................................................................ 75
С писок использованны х источников 76
П риложение. П резентация к В К Р ...... 81

Введение
Д остиж ения в области радиоэлектроники способствую т появлению и
соверш енствованию новы х направлений прим енения радио технологий.
О собую роль в развитии современны х наукоем ких прилож ений заним аю т

м икроволновы е технологии, к которы м, в ш ироком смы сле этого
определения, мож но отнести м ногочисленны е области использования
электром агнитного поля м икроволнового диапазона, за исклю чением
традиционны х м етодов передачи инф орм ационны х сообщ ений посредством
радиосигналов.
М икроволновы е технологии откры ли перспективы создания сенсорны х
устройств всевозм ож ны х областей применения. П роблем ы разработки
датчиков СВЧ диапазона в первую очередь связаны с вы бором конф игурации
и парам етров СВЧ устройства, вы ступаю щ его в качестве
преобразовательного элемента. В этой связи нахож дение новы х путей
достиж ения требуем ы х характеристик сенсорны х устройств, основой
которы х является разработка электродинам ической структуры как
чувствительного элемента, является актуальной научно-технической задачей.
В последнее врем я рядом учены х ведутся исследования в области
анализа и синтеза резонансны х структур в виде полосковы х и
м икрополосковы х периодических структур с эф ф ектом брэгговского
отраж ения для определения электроф изических парам етров м атериалов и
изделий. Н аиболее значим ы е результаты в этом направлении получены в
К Н И ТУ -К А И (Казань), С ГУ (С аратов) и С ибГА У (Красноярск).
Н астоящ ая работа посвящ ена вопросам введения в м икрополосковы е
линии периодической последовательности неоднородностей не тривиального
вида, то есть характеризую щ иеся слож нопериодическим характером
неоднородной структуры, что позволяет в результате улучш ить
характеристики СВЧ датчика.
Целью работы является улучш ение резонансны х свойств брэгговских
5
м икрополосковы х структур посредством введения слож но-периодического
проф иля неоднородностей.
Объект исследования: отрезок м икрополосковой линии с введенны м и

периодическим и неоднородностям и брэгговского типа.
Предмет исследования: резонансны й контроль электроф изических

парам етров материалов и изделий.
Д ля достиж ения поставленной цели были определены следую щ ие
задачи:
- провести анализ свойств и характеристик СВЧ систем с
периодическим и нерегулярностям и брэгговского тип а в отрезках
микрополосковы х линий передач;
- разработать слож но-периодические ф ормы брэгговских
микрополосковы х структур, вклю чаю щ их элем енты с двойной
периодичностью , с фазовым сдвигом в симм етричной линии и с кольцевы м
резонатором и показать возм ож ность улучш ения их резонансны х свойств по
сравнению со брэгговскими структурами тривиальной ф ормы ;
- проведение экспериментального исследования разработанны х СВЧ-
структур в процессе контроля парам етров ж идких и тверды х сред.
Научная новизна работы заклю чается в следующ ем:

1. П оказана возм ож ность улучш ения резонансны х свойств брэгговских
микрополосковы х структур путем введения слож ного характера закона
периодичности.
2. П редлож ены возмож ны е конструкции С В Ч -датчиков на основе
брэгговских микрополосковы х структур со слож но-периодическим и
неоднородностям и для контроля парам етров материалов и сред.
Практическая ценность работы:

1. П олучены результаты компью терного м оделирования вариантов
исполнения м икрополосковы х преобразователей при определении
диэлектрической проницаемости.
6
2. Д аны реком ендации к построению датчиков контроля
обводненности нефти.
Личный вклад автора:

А втор приним ал непосредственное участие в проведение
м атем атического, компью терного моделирования по созданию
м икрополосковой модели с различного рода периодическим и
неравномерностям и, а такж е участвовал в подготовке и проведении
экспериментального исследования.
Апробация работы. О сновны е результаты работы доклады вались и

обсуж дались на М еж дународной научно-технической конф еренции «Н овые
задачи технических наук и пути их реш ения», Челябинск, 2015;
М еж дународной научно-технической конф еренции м олоды х ученых,
аспирантов и студентов «П рикладная электродинамика, ф отоника и ж ивые
системы» П РЭ Ф Ж С -2016, Казань.
Публикации. О сновны е работы диссертации отраж ены в 8 печатны х

работах.
Автор защищает следующие основные положения:

1. С лож но-периодические ф ормы неоднородностей в брэгговских
м икрополосковы х структурах.
2. Результаты компью терного моделирования разработанны х
брэгговских структур в м икрополосковом исполнении.
3. Результаты экспериментального исследования брэгговских
м икрополосковы х структур с ф азовы м сдвигом, реализованны х в
сим м етричной и несим м етричной копланарной линии.
Структура и объем работы. Д иссертация состоит из введения, 3 глав,

заклю чения и списка использованны х источников. Работа излож ена н а 95
страницах и иллю стрируется 92 рисунком и 1 таблицей. С писок цитируем ой
литературы содерж ит 44 наименования.
П ервы й раздел является обзорны м и посвящ ен сущ ествую щ им
реш ениям в области создания брэгговских м икрополосковы х структур СВЧ

7
диапазона. П оказан принцип построения и особенности конструирования
м икрополосковы х элем ентов различной ф ормы периодичности. В торой
раздел посвящ ен компью терному м оделированию слож но-периодических

м икрополосковы х брэгговских структур, в частности рассмотрены структуры
с двойной периодичностью , с фазовым сдвигом в сим м етричной и
несим м етричной копланарной линии и в кольцевом резонаторе. В третьем
разделе приводятся результаты экспериментального исследования
брэгговских структур и даны реком ендации к технической реализации.
8
Introduction
A dvances in radio electronics contribute to the em ergence and im provem ent
o f new areas o f application o f radio technology. M icrow ave technologies occupy a
special role in the developm ent o f m odern high technology applications, to which,
in the broad sense o f this definition, there are num erous areas o f use o f the
electrom agnetic field o f the m icrow ave range, w ith the exception o f the traditional
m ethods o f transm itting inform ation m essages by m eans o f radio signals.
M icrow ave technology has opened up prospects for creating sensory devices
o f all kinds o f applications. Problem s in the developm ent o f m icrow ave sensors are
prim arily related to the choice o f configuration and the param eters o f the
m icrow ave device, w hich acts as a converter element. In this regard, finding new
ways to achieve the required characteristics o f sensory devices, the basis o f which
is the developm ent o f an electrodynam ic structure as a sensitive elem ent, is an
urgent scientific and technical task.
R ecently, a num ber o f scientists have been studying the analysis and
synthesis o f resonance structures in the form o f strip and m icrostrip periodic
structures w ith the B ragg reflection effect to determ ine the electrophysical
param eters o f m aterials and products. The m ost significant results in this direction
were obtained in the K N ITU -K A I (K azan), Saratov State U niversity (Saratov) and
SibSA U (Krasnoyarsk).
The present w ork is devoted to the introduction of non-trivial
inhom ogeneities into the m icrostrip lines o f the periodic sequence, that is,
characterized by the com plex-periodic nature o f the inhom ogeneous structure,
which, as a result, im proves the characteristics o f the m icrow ave sensor.
The aim o f the w ork is to im prove the resonance properties o f B ragg
m icrostrip structures by introducing a com plex-periodic profile of
inhom ogeneities.
O bject o f investigation: a segm ent o f a m icrostrip line w ith introduced
periodic inhom ogeneities o f the B ragg type.
9
The subject o f the research: resonance control o f the electrophysical
param eters o f m aterials and products.
To achieve this goal, the follow ing tasks were identified:
- analyze the properties and characteristics o f m icrow ave system s w ith
periodic irregularities o f the B ragg type in segm ents o f m icrostrip transm ission
lines;
- to develop com plex-periodic form s o f B ragg m icrostrip structures
including elem ents w ith double periodicity, w ith a phase shift in a sym m etric line
and w ith a ring resonator and to show the possibility o f im proving their resonance
properties in com parison w ith B ragg structures o f the trivial form;
- conducting an experim ental study o f the developed m icrow ave structures
in the process o f m onitoring the param eters o f liquid and solid media.
The scientific novelty o f the w ork is as follows:
1. The possibility o f im proving the resonance properties o f B ragg m icrostrip
structures by introducing the com plex nature o f the law o f periodicity is shown.
2. Possible designs o f m icrow ave sensors based on B ragg m icrostrip
structures w ith com plex-periodic inhom ogeneities for controlling the param eters o f
m aterials and m edia are proposed.
Practical value o f the work:

1. R esults o f com puter sim ulation o f m icrostrip converter variants in
determ ining the perm ittivity are obtained.

2. R ecom m endations are given for the construction o f sensors for m onitoring
w ater cut o f oil.
Personal contribution o f the author:
The author took a direct part in conducting m athem atical, com puter
m odeling to create a m icrostrip m odel w ith various periodic irregularities, and also
participated in the preparation and conduct o f an experim ental study.
A pprobation o f work. The m ain results o f the w ork w ere reported and
discussed at the International Scientific and Technical C onference "N ew Problem s
o f the Technical Sciences and W ays to Solve them ", C helyabinsk, 2015;
10
International Scientific and Technical C onference o f Y oung Scientists, P ost
G raduates and Students "A pplied Electrodynam ics, Photonics and L iving Systems"
PR EFZH S-2016, Kazan.
Publications. The m ain works o f the thesis are reflected in 8 published
works.
The author defends the follow ing m ain points:

1. Com plex-periodic form s o f inhom ogeneities in B ragg m icrostrip
structures.
2. R esults o f com puter m odeling o f the developed B ragg structures in
m icrostrip perform ance.
3. R esults o f an experim ental study o f B ragg m icrostrip structures w ith a
phase shift realized in a sym m etric and asym m etric coplanar line.
Structure and am ount o f work. The thesis consists o f an introduction, 3
chapters, conclusion and list o f sources used. The w ork is presented in 76 pages
and is illustrated by 86 draw ings and 1 table. The list o f references cited includes
35 items.
The first section is a review and is devoted to the existing solutions in the
field o f creating B ragg m icrostrip structures o f the m icrow ave range. The principle
o f construction and features o f designing m icrostrip elem ents o f various form s o f
periodicity are shown. The second section is devoted to com puter m odeling o f
com plex-periodic m icrostrip Braggs
11
1 Анализ свойств брэгговских микрополосковых СВЧ
структур
В настоящ ее врем я разработано больш ое число видов
м икрополосковы х линий, используем ы х для контроля электроф изических
парам етров м атериалов и сред. С В Ч -м етоды контроля основанны е н а данны х
структурах являю тся наиболее предпочтительны м и для определения
парам етров материалов и структур, используем ы х при создании различного
рода приборов, а такж е обладаю т рядом важ ны х достоинств: относятся к
бесконтактны м методам, позволяю т проводить измерения в ш ироком
диапазоне температур, позволяю т изучать анизотропны е полупроводниковы е
м атериалы , порош кообразны е м атериалы и образцы произвольной формы,
даю т возмож ность изучения эф ф ектов в сильны х полях и явлений
резонансного взаим одействия электром агнитного излучения с вещ еством. По

типу используем ы е С В Ч -структуры м огут быть разделены на несколько
основны х типов описанны х далее.
1.1 Линейные микрополосковые структуры

1.1.1 Определение характеристик линейных микрополосковых
брэгговских структур СВЧ диапазона
В работе [1] описы ваю тся прим еры построения линейны х М П Л их
основные характеристики и варианты исполнения.
М икрополосковая линия является неоднородной ЛП, так как не все
силовые линии поля м еж ду полосковы м проводником и зазем ленной
пластиной проходят подложку. П оэтом у волна, распространяю щ аяся вдоль
м икрополоскового проводника, является не чисто Т-волной (является «квази-

Т -волной) и отличается наличием продольны х компонент электрического
поля, обусловленны х несимм етричны м заполнением линии диэлектриком
(неоднородной диэлектрической средой). П родольны е компоненты
электром агнитного поля зависят от парам етров структуры (ш ирины,
толщ ины м икрополоска, вы соты и диэлектрической проницаем ости
12
подлож ки), такж е им ею т зависим ость и от рабочего диапазона частот. Это
приводит к зависим ости собственны х парам етров МПЛ (волнового
сопротивления, эф ф ективной диэлектрической проницаемости, длины волны
в линии, потерь) от частоты.
В отличие от несим м етричной полосковой линии с малым значением
диэлектрической подлож ки, в МПЛ в электром агнитное поле
концентрируется м еж ду м икрополосковом и зазем лением , поэтом у потери на
излучение уменьш ается. [1]

В качестве прим ера в работе приведен расчет линейной структуры с
исходны ми данны м и представленны м и в таб 1.1
Таблица 1.1 - Исходные данные
П арам етр Значение
Д иэлектрическая проницаемость подлож ки е = 2.5 tg S = 0.007
Т олщ ина диэлектрика t = 35 мкн

Т олщ ина М П Л h = 0.002 м
Ш ирина М П Л W1 = 0.0076 м
Ш ирина М П Л с неоднородностью W2 = 0.0125 м
Д лина неоднородности и длин а регулярной 11 = 12 = 16 мм
линии
М агнитная постоянная go = 4п*10-7 Гн/м

У дельное сопротивление проводника р = 18* 10-9 Ом*м
Ш ирина регулярной линии при этом передач берется с расчетом
обеспечения согласования с подводящ ей линией передач, которая как
правило является коаксиальной, волновое сопротивление, которого
рассчитано на 50 Ом. Схематичное изображ ение такой линейной М П Л
структуры СВЧ диапазона представлено на (рис.1.1)
13
Рис. 1.1 - Линейная МПЛ СВЧ-структура
А втор работы [1] приводит рассчитанны е для такой структуры

следую щ ие характеристики.
Рис. 1.2 - Расчетные частотные зависимости коэффициента отражения МПЛ

структуры с 5-ю неоднородностями:
а) коэффициент отражения; б) коэффициент передачи
П ри изменение ш ирины неоднородности структуры в диапазоне 8 ...3 5
мм было предлож ено, что это приводит к увеличению полосы пропускания
(рис.1.3)
Т ак ж е нас просят обратить внимание на то, что как с увеличением , так и
с ум еньш ением длины неоднородности полоса пропускания уменьш ается.
П ри этом при увеличении длины неоднородности появляю тся побочны е
боковые лепестки, а коэф ф ициент передачи становится только хуж е, что
свидетельствует о затруднении распространения электром агнитной волны.
14
1 004x10 2 003x10 3.002x10
Частота f: ГГц
Рис. 1.3 - Расчетные характеристика коэффициента отражения при изменении

ширины неоднородности
о
\
n
-4.5
-9
- 13.5
\
р.
О)
= -13
Н
Я
и - 22.5
X
-27
-- W2=8
31.5 -- W2=10
i
- W2=15
l
-30
-- W2=20
l
- 40.5
W2=35
-45
1
1х1(Г IxlO3 3*10^ 4Х105 SxlO5
Частота f: ГТц
Рис. 1.4 - Расчетные характеристики коэффициента отражения при изменении

ширины неоднородности
1.1.2 Определение характеристик линейных микрополосковых

структур со сложным профилем
В той ж е работе приведены основные типы структур со слож ным
проф илем трех видов:
- структура по аналогии с оптическими фотонны ми кристаллам и -
15
ЭМ К с ведением неоднородности в середину структуры;
- реализована по аналогии с волоконно-оптическим и избирательны м и
структурам и - ЭМ К с фазовым сдвигом, характеризую щ ийся наличием
участка с ум еньш ением вдвое периода структуры;
- с плавны м (ступенчаты м) переходом.
С начала рассмотрим Э М К с ведением неоднородности в середину
структуры. Д анны й электром агнитны й кристалл характеризуется
располож ением узкой неоднородности в середине м икрополосковой линии
передач, в отличие от 4-х других. П ериод остается неизменны м, изменяется
только 3-я неоднородность и длина ее становится 4 мм.
Рис. 1.5 - Микрополосковый ЭМК с узкой неравномерностью по середине

структуры
П оявление наруш ения периодичности электром агнитного кристалла,
виде изм енения геом етрических размеров и/или электроф изических
парам етров приводит к возникновению в запрещ енной зоне
электром агнитного кристалла узкого «окна» прозрачности» (рис.1.6). П ри
изм енении электроф изических и геом етрических парам етров наруш ения
периодичности происходит частотны й сдвиг и изменение ф ормы «окна
прозрачности», по котором у наиболее удобно отслеж ивать перестройку
резонансной частоты.
16
Частота £ ГГц Ч астота £ ГТ ц
а) б)
Рис. 1.6 - Расчетные частотные зависимости МПЛ структуры с узкой
неравномерностью в середине:
а) коэффициент отражения; б) коэффициент прохождения
В торая структура - ЭМ К с фазовым сдвигом - характеризуется
наличием участка с ум еньш ением вдвое периода структуры. П ериод в месте
наруш ения периодичности структуры равен 6. Ч тобы реализовать данную
структуру, было взято четное количество неоднородностей.
Рис. 1.7 - Микрополосковый ЭМК с фазовым сдвигом
В отличии от линейной структуры здесь претерпевает изменение длина
нечетного участка. Все м атем атические вы кладки остаю тся преж ними,
изм еняется только количество неоднородностей увеличилось в сравнении с
основной линейной структурой. П ри этом автор получил следую щ ие
характеристики.
17
а) б)
Рис. 1.8 - Расчетные частотные зависимости МПЛ структуры с фазовым сдвигом:
Т ретий вид линейной структуры со слож ны м проф илем - М П Л с
плавны м (ступенчаты м) переходом волнового сопротивления.
Рис. 1.9 —Ступенчатая структура микрополоскового ЭМК
В данном варианте исполнения изм енение перехода от одного
волнового сопротивления к другому составляет 1,33 мм. Х арактеристики
полученны е в ходе исследования структуры представлены ниже.
Frequency / GHz
Рис. 1.10 —Частотная зависимости коэффициента отражения МПЛ структуры с

плавным переходом волнового сопротивления
18
S-Parameter [Magnitude in dB]
\
\
\ I
......... ......... л - - ... .....
......... ......... ......... _д...... ......... ......... .........
\
7
У
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

Frequency / GHz
Рис. 1.11 - Частотная зависимости коэффициента передачи МПЛ структуры с плавным

переходом волнового сопротивления
В работе указы вается на преим ущ ества данного типа структур со
слож ным проф илем, таким и являю тся увеличение полосы пропускания,
такж е наблю дается прям оугольность характеристики коэф ф ициента
отраж ения в сравнении с аналогичной структурой со скачкообразны м
переходом.
1.2 Кольцевые микрополосковые структуры ЭМК СВЧ

диапазона
1.2.1 Определение характеристик кольцевой микрополосковой

структуры ЭМК СВЧ диапазона
В то же врем я актуальны м направлением стало исследование
возм ож ностей ум еньш ения разм еров фотонны х кристаллов СВЧ-диапазона.
Это ум еньш ение возмож но, во-первы х, за счет прим енения подлож ек с
вы соким значением эф ф ективной диэлектрической проницаем ости (такая
возм ож ность реализуется при напы лении на диэлектрическую подлож ку
тонкой сегнетоэлектрической пленки [9]), во-вторы х, за счет использования
структуры с ф отонной запрещ енной зоной слож ной формы. В торой из
указанны х вариантов исследован в работе [1], в которы х изучаю тся
характеристики микрополосковы х С В Ч -ф ильтров с кольцевы м элем ентом ,
обладаю щ их свойствами структур с ф отонной запрещ енной зоной.
19
а) б)
Рис. 1.12 - Кольцевая МПЛ СВЧ-структура (а) и
ее изометрическое изображение (б)
В работе были исследованы вариации располож ения неоднородностей
относительно друг друга, наиболее оптимальны м располож ением является,
когда длина неоднородности и длина полоскового проводника равны меж ду
собой по величине. Х арактеристики структуры полученны е автором
представлены ниже.
Рис. 1.13 - Коэффициент отражения круговой структуры ЭМК СВЧ диапазона
S-Parameter [Magnitude in dB]
1 !- - - - - Ч — х i i ;
i i
j
:
i
! :
j
: \ :
( :
j
; i ; i. ; j
i f \! i i
j i i
__ ;:___ Г __ : _ _ _ _ j___ __ L__ _____
- - - - - i - - - - - - i- - - - - :
MN
I ''Г '” ' j TV :
4 5 6
Frequency / GHz
Рис. 1.14 - Коэффициент передачи круговой структуры ЭМК СВЧ диапазона
20
В работе так же исследовалась возмож ность других располож ений
неоднородностей в структуре, стоит отметить, что с ум еньш ением длины
неоднородности на вы соких частотах появляю тся неравном ерности в

характеристике коэф ф ициента отраж ения, а с увеличением длины - растет
уровень боковы х лепестков.
1.2.2 Определение характеристик круговой микрополосковой

структуры ЭМК со сложным профилем
Е щ е более перспективной представляется конструкция со слож ным
проф илем, в работе [1] бы ла исследована м одель структуры кольцевой
полосковой линии с ф азовы м сдвигом, характеризую щ им ся участком
ум еньш ением периода вдвое.
Рис. 1.15 - Кольцевая МПЛ СВЧ-структура со сложным профилем
В полосе пропускания появляется узкий резонанс, по котором у и
отслеж ивается изменение состояния объекта в зависим ости от
диэлектрической проницаем ости исследуемого объекта (рис.1.16)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Frequency / GHz
Рис. 1.16 - Коэффициент отражения круговой структуры ЭМК СВЧ диапазона с

фазовым сдвигом
21
S -Param eter [Magnitude in dB]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Frequency / GHz
Рис. 1.17 - Коэффициент передачи круговой структуры ЭМК СВЧ диапазона с

Т аким образом, анализируя характеристики круговы х и линейны х
М П Л стоит заметить, что кольцевы е структуры не проигры ваю т в своих
качественны х свойствах и возм ож ностях применения. Так ж е это является
актуальным м етодом для ум еньш ения физических размеров ф отонны х
кристаллов С В Ч -диапазона
1.3 Копланарные линии передач
В торы м типом С В Ч-структур описанны х в литературе являю тся
компланарны е линии передачи. Они находят ш ирокое прим енение в

интегральны х СВЧ схемах. И спользование копланарны х волноводов в СВЧ
устройствах повы ш ает гибкость конструирования, упрощ ает исполнение при
реализации некоторы х функций устройств. К онф игурация копланарного
волновода (КП В) показана н а рис. 1.18а. К ром е копланарного волновода

им еется еще одна важ ная конф игурация, показанная на рис.1.18б. Э та
конф игурация назы вается ком планарной полосковой линией (КПЛ). Обе
конф игурации относятся к категории “копланарны х лин ий”, в которы х все
проводники располож ены в одной плоскости (т.е. на одной стороне
диэлектрической подлож ки, а на другой стороне м еталлизация отсутствует).
22
а) б)
Рис. 1.18 - Копланарный волновод (КПВ) (а) и компланарная полосковая линия (КПЛ) (б)
В аж ны м достоинством линий этих типов является возм ож ность сущ ественно
более простого м онтаж а пассивны х и активны х компонентов
последовательно или параллельно с линией. П ри этом нет необходим ости в
вы сверливании отверстий или изготовлении пазов в подложке.
1.4 Микрополосковая копланарная структура с периодическими

неоднородностями в виде отверстий
К ак и в преды дущ ей работе линия рассчиты вается с учётом
обеспечения согласования с подводящ ей линией передач, которая является
коаксиальной, волновое сопротивление, которого считаем равны м 50 Ом.
К ом планарная микрополосковая С В Ч -структура изображ ена на рис.1.19.
Рис. 1.19 - Периодическая копланарная микрополосковая структура
23
Д ля такой структуры в работе [2] представлены следую щ ие
характеристики коэф ф ициента отраж ения и передачи. Резонансная частота
равна 4,38 ГГц, а уровень коэф ф ициента отраж ения равен -12,6 дБ.
Частота F, ГГц
Рис. 1.20 - Частотные зависимости коэффициента отражения копланарной

а) коэффициент отражения; б) коэффициент передачи неоднородностей
Д алее в своем исследовании автор описы вает влияние изм енения разм еров
неоднородностей на характеристики структуры, при этом говорится, что при
изм енении диам етра неоднородностей структуры в диапазоне 1.. .4 мм
приводит к увеличению амплитуды на резонансной кривой, а резонансная
частота остаётся постоянной и равной 4,38 ГГц. В ходе дальнейш его
электродинам ического моделирования и структуры с различны м и
физическими параметрами, автор приш ел к выводу, что для получения
прием лемы х парам етров коэф ф ициента отраж ения и передачи, увеличения
амплитуды резонанса необходимо увеличить диаметр неоднородностей до
8мм, что возмож но только при смещ ении центра отверстий на грань боковых
линий.
24
1.5 Введение нарушения периодичности в копланарной
структуре с неоднородностями в виде отверстий.
В следую щ ей части работы [2] рассматриваю тся компланарны е
структуры с введённы м и в них периодическим и неоднородностями. Н а
рис.1.21 изображ ена структура, в которой в центре линии происходит
наруш ение периодичности, которое приводит к появлению узкого окна
прозрачности в резонансе на кривой коэф ф ициента отражения.
Рис. 1.21 - Копланарная микрополосковая структура с нарушением периодической

неоднородности
Н а рис.1.22 изображ ены характеристики коэф ф ициента отраж ения и
передачи, а так же наличие узкого окна прозрачности у данной структуры.
П ри появлении узкого окна прозрачности амплитуда резонанса ум еньш илась
и стала равна -10,75 дБ, а амплитуда узкого окна прозрачности равна -34,35
дБ. Ш ирина такого резонанса равна 1,1 ГГц, пиш ет автор.
П роанализировав характеристики коэф ф ициентов передачи и
отраж ения изображ ённы х н а рис.1.21 и рис.1.22 автор делает заклю чение, что
укорачивание структуры путём ум еньш ения количества периодических
неоднородностей приводит к ум еньш ению амплитуд резонансов
коэф ф ициентов отраж ения и их уш ирению . Такие ж е изм енения происходят
и в структуре с наруш ением периодичности неоднородностей.
25
(а) (б)
Рис. 1.22 - Частотные зависимости коэффициента отражения копланарной

1.6 Копланарная микрополосковая линия с периодическим

изменением толщены проводников
К ак и в преды дущ ей части исследования проводятся для компланарной
линии с неоднородностями, но в данном случае это линии с введением
периодического явного изм енения волнового сопротивления путём

изм енения геом етрических парам етров центральной и боковы х проводящ их
линий. Н а копланарной м икрополосковой линии было введено изм енение
волнового сопротивления, путём изм енения геом етрической конструкции
центрального проводящ его полоска. Н а рис. 1.23 показаны парам етры

которы е изменялись.
26
Рис. 1.23 - Копланарная микрополосковая линия с периодическим явным
изменением волнового сопротивления
В работе были рассмотрены структуры с изм енением парам етра w , он
изм енялся от изначальной ш ирины полоска 5мм до 11мм с ш агом в 2мм.
Расстояние м еж ду центральной и боковы м и проводящ ими линиям и
ум еньш ается в местах изм енения Я волн. , такая структура изображ ена на
рис.1.24.
1—1 1—1 п п гя п т т 1--I IBI

1—1 1—1 1_1 1_1 1_1 1_1 1_1 -----1_1 1_1 1_1
I II I I I I I II I
Рис. 1.24 - Копланарная микрополосковая структура с 10-ю явными изменениями
волнового сопротивления
Н иж е на рисунке 1.25 отображ ены коэф ф ициенты отраж ения
представленной копланарной структуры. А нализируя полученны е парам етры
автор делает, что с увеличением w увеличивается ш ирина резонанса на
кривой коэф ф ициента отраж ения за счёт сдвига левого фронта.
27
0 1 2 3 4 5 6
Ч астота F, Г Т ц
Рис.1.25 - Характеристика коэффициента отражения структур изменением
параметра w от 5 до 11мм
Т ак ж е были рассмотрены структуры с изменением парам етра l ,
начиная с 1мм до 8мм и постоянны м парам етром w = 20m m . Т акая структура

изображ ена на рис.1.26.
Рис.1.26 - Микрополосковая копланарная линия с l =8мм
28
Рис.1.27 S11 - параметры структуры с изменяющимся параметром l от 1 до 4мм
з
F, ГГц
Рис. 1.28 - S11 параметры структуры с изменяющимся параметром l от 5 до 8мм
На рисунках 1.27 и 1.28 отображ ены коэф ф ициенты отраж ения
структур с изм еняю щ им ся парам етром l от 1 до 8мм. И сходя из слов автора
увеличение парам етра l такж е приводит к увеличению ш ирины резонанса на

кривой путём смеш ения левого ф ронта в лево.
29
1.7 Введение сдвига фазы в периодическую структуру с явным
изменением волнового сопротивления
Рассм отренная в работе [2] структура копланарной линии, в которой
путём изм енения парам етров центрального полоска, вводятся десять
периодических явны х изм енений волнового сопротивления им еет явно
вы раж енны й резонанс на кривой коэф ф ициента отраж ения и передачи.
С ледовательно, в данной структуре мож но получить узкое окно
прозрачности методом сдвига фазы. Д анная линия представлена на рис.1.29,
а её коэф ф ициент отраж ения и передачи на рис.1.30.
Рис. 1.29 - Копланарная линия с введёнными десятью явными изменениями

волнового сопротивления и сдвигом фазы в центре
Частота F, ГГц Частота F, ГГц
(а) (б)
Рис. 1.30 - Частотные характеристики микрополосковой копланарной структуры со
сдвигом фазы: а - коэффициент отражения б - коэффициент передачи
Д анная структура им еет в центре наруш ение периодичности, которое

30
приводит к появлению узкого окна прозрачности на резонансной кривой на
частоте 3.82 ГГц и им еет амплитуду -21,16 дБ. Так ж е следует отметить, что
данное окно находится не в центре резонансной кривой, а со смещ ением в

право. Д анная линия длиной 263.75 мм, ш ириной 40мм, толщ ина
диэлектрика 2,5мм, а проводника 0,05мм. Д иэлектрическая проницаем ость
подлож ки 2,1 и tgA = 0.005 . В целях ум еньш ения габаритов, автором работы
было принято реш ение сократить число изм енения волновы х сопротивлений.
Д анная структура представлена н а рис. 1.31.
С
■=£—
1 1 1__ 1
1
V
I I I I I
1 II 1 1 1
1
1
0
V
Рис. 1.31 - Копланарная линия с введёнными четырьмя явными изменениями

волнового сопротивления и сдвигом фазы в центре
В ходе исследований данной структуры в работе [2] были вы явлены
следую щ ие зависимости:
1) П ри изм енении парам етра с происходит смещ ение узкого окна

прозрачности, если его ум еньш ить окно прозрачности смещ ается влево.
2) П ри изм енении парам етра h происходит смещ ение резонансной
кривой в целом по оси частот, а так ж е изм еняется амплитуда. Е сли
увеличивать h , то смещ ение по оси частот будет в лево, а амплитуда будет
расти.
3) П арам етр s влияет на смещ ение резонансной кривой по оси частот,
при его ум еньш ении смещ ение происходит вправо, а так же сама кривая
уш иряется, в следствии чего становится явно вы раж енное смещ ение окна
прозрачности влево относительно центра. Следует отметить, что при
31
ум еньш ении данного парам етра до разм ера м еньш е чем 2е происходит
искаж ение кривой, и отслеж ивать изм енения узкого окна прозрачности
становится не возмож ны м, так как на такой линии оно появляется без сдвига
по фазе в центре линии.
4) П арам етр е так ж е влияет на смещ ение резонансной кривой по оси
частот, при его ум еньш ении происходит сдвиг в право, в сторону больш их
частот.
1.8 Структуры СВЧ диапазона на основе ОФК
А вторы работы [4] исследовали ряд «базовых» структур (рис. 1.32,
1.33), с ф отонны ми запрещ енны м и зонами, полученны х методом гравировки
в плоскости зазем ления, с последую щ им просверливанием отверстий
различной формы. В работе указано, что подлож ки у всех конструкций
им ею т эф ф ективную диэлектрическую проницаем ость £е^ = 10.2, толщ ину h
= 1.27 мм и толщ ину м еталлизации с обеих сторон равную 35 мкм.

П лоскости зазем ления подклю чены к 50-ти омным линиям передачи.
Н а рисунке 1.32a,в показана ф отограф ия и А Ч Х конструкции с девятью
отверстиям и равного диам етра D = 7.05 мм, с величиной периода а = 14.1 мм.
О тнош ение D /a = 0.5 позволяет автором установить Ф ЗЗ на требуем ую
величину 4.25 ГГц.
Рис. 1.32 - (а, б) - фотография конструкции с периодическими неоднородностями в

форме окружности и их зависимости (в, г) прямых потерь мощности на прохождение
32
На рисунке 1.33а показана ф отограф ия и АЧХ (рис. 1.33 в)
конструкции с девятью отверстиям и синусообразной ф ормы с величиной
периода а = 23.9 мм. А вторы заявляю т, что отнош ение м еж ду амплитудой
синуса и периодом t/a = 0.25 позволяет им контролировать глубину и ш ирину
полосы пропускания, а такж е неравном ерность прохож дения ЭМ В в ней.
Более слож ная конструкция с отверстиям и в форме двойного синуса показана
на рисунке 1.33б, а ее А Ч Х на рисунке 1.33г. В еличина периода первого
синуса а 1=23.9 мм и второго а2 = 14.8 мм соответственно. О тнош ение для
обоих синусов t/a = 0.2.
Рис. 1.33 - (а) и (б) - фотографии конструкций с периодическими

неоднородностями в форме синуса и двойного синуса соответственно, и их зависимости
(в) и (г) прямых потерь мощности на прохождение
В работе [18] исследовалась конструкция, показанная на рис. 1.34а, б.
С вернутые достаточно компактны м образом (линией м еандра с 2 3 -мя
периодами), располож енны е н а подлож ки с эф ф ективной диэлектрической
проницаем остью £ef = 10.2 и толщ иной h = 0.635, проводники имели
следую щ ие размеры: w1 = 0.6 мм, w2 = 0.4 мм, w = 0.4 мм, g 1 = 0.6 мм, g = 0.4
мм, l = 6.4 мм
33
/Г Г ц
Рис. 1.34 - Схематическое изображение конструкции с линией меандра (а, б) и ее

теоретические и экспериментальные АЧХ (в)
В идно, что в устройстве задействовано слиш ком мало варьируем ы х
парам етров, при таком больш ом количестве периодов, поэтом у
характеристики конструкции (рис. 1.34 в) достаточно низкие.
Т аким образом, в вы ш ерассм отренны х работах показано, что
одномерны е периодические структуры в миллиметровом диапазоне длин
волн им ею т ф отонны е запрещ енны е зоны (полосы заграж дения) и окна
прозрачности (ПП ), однако ни каких четких предлож ений по улучш ению их
характеристик не было представлено. Эту задачу реш али авторы работ [37,
39], они показали, что при настройки м икрополосковой конструкции как
полосно-пропускаю щ его ф ильтра требуется вы полнить три условия: во-

первы х, обеспечить необходимую связь наруж ны х звеньев-резонаторов с
входной и вы ходной линиям и передачи, величина которой определяется
заданной полосой пропускания устройства, во-вторы х, обеспечить баланс
связей всех звеньев друг с другом и, наконец, в-третьих, необходимо
добиться совпадения резонансны х частот звеньев с центральной частотой
полосы пропускания. О тм ечается такж е, что кроме скачков волновы х
сопротивлений на взаимодействие звеньев в м икрополосковой структуре
влияет такж е величина нагруж енной добротности резонаторов, от которой
зависят амплитуды вы сокочастотны х полей в них и которая, как известно,
вы ш е у внутренних звеньев. В результате, для обеспечения заданной

34
величины связи м еж ду внутренним и резонаторам и, требуется несколько
больш ий скачок волновы х сопротивлений, образую щ их их отрезков линий,
по сравнению с внеш ним и резонаторами.
1.9 Выводы по главе

Д анная глава является обзорной, где рассмотрены периодические СВЧ
системы с нерегулярностям и на прим ерах линейны х, компланарны х
диэлектрического, коаксиального волноводов и микрополосковой линии.
П ерспективны м направлением в СВЧ диапазоне является структуры в
м икрополосковом исполнении. Рассм отрена аналогия м еж ду фотонным
кристаллом и ее м икрополосковой модели. Такж е вы делены и рассмотрены
сущ ествую щ ие м етоды определения диэлектрической постоянной и
диэлектрических потерь.
35
2 Исследование характеристик и свойств
сложнопериодических микрополосковых СВЧ-структур
2.1 Микрополосковая СВЧ структура с двойной периодичностью
П од двойной переодичностью будет подразум еваться, что в одной
м икрополосковой структуре сущ ествует две последовательности
периодических неоднородностей, различаю щ иеся конф игурацией и
пространственны м периодом. В частности был рассмотрен вариант с
одновременной вариацией ш ирины микрополоскового проводника и
введением круглы х апертур в экранном проводнике. Теоретически
использование двойной переодичности долж но привести к образованию
более узкого резонанса, другими словами увеличить его добротность. Это
происходит в следствие того, что резонансны й контур, соответствую щ ий
одному типу неоднородностей, наклады вается на резонансны й контур
другого типа неоднородностей, с образованием участка перекрытия,
зависящ его от разности пространственны х периодов. В результате м еж ду
ними возникает узкое окно прозрачности с больш ой добротностью , что
позволит использовать его для более точного определения парам етров
м атериалов и сред в задачах СВЧ сенсорики. П ри конструировании

устройств твердотельной м икро и наноэлектроники или при создании
изделий из ком позитны х м атериалов важ но контролировать наличие
дефектов с возмож но более вы сокой точностью и в короткое время.

П рим енение для данны х процессов вы ш е описанной структуры позволит
значительно улучш ить и облегчить процессы контроля и увеличить точность
измерений.
36
2.1.1 Анализ влияния конфигурации неоднородностей на
микрополосковую линию с двойной периодичностью
П ервоначально был рассмотрен каж ды й из типов неоднородностей в
отдельности. Бы ли исследованы характеристики коэф ф ициентов передачи
для структуры с неоднородностям и в виде цилиндрической апертуры в
экране и отдельно характеристики в виде изм енения ш ирины
м икрополосковой линии. О бщ ий вид м икрополосковой структуры с
круглы ми апертурой в экранном проводнике показан на рис. 2.1, а структура
с периодическим изменением полоскового проводника - на рис. 2.2.
Рис. 2.1 - Общий вид структуры с переодичностью в виде апертур в экране
Рис. 2.2 - Общий вид структуры с переодичностью в виде вариации щирины

полоскового проводника
В обоих структурах за основу взяты м икрополосковы е линии с
волновы м сопротивлением 50 Ом, реализованны е на металло-
37
диэлектрической подлож ке тип а Ф А Ф -4Д и возбуж даемы е коаксиальны м и
волноводами.
Д ля каж дой из представленны х выш е периодических структур были
полученны частотны е характеристики. П ри изм енении радиуса r апертур
коэф ф ициент передачи представлен на рис. 2.3.
Рис. 2.3 - Коэффициент передачи при различных радиусах апертур в экране
У величение радиуса r неоднородности структуры приводит к
увеличению полосы пропускания и ум еньш ению амплитуды резонанса, но

при этом появляю тся некоторы е искаж ения формы.
Д ля микрополосковой линии с неоднородностям и ш ирина регулярны е
участки линии берутся с расчетом обеспечения согласования с подводящ ей
линией передач, которая является коаксиальной, волновое сопротивление,
которого такж е задается равны м 50 Ом. К оэф ф ициент передачи такой
структуры для различной ш ирины неоднородности представлен н а рис. 2.4.
38
1— и
sP
1
\ // \
- \> til—
1\ \ .
^ J II
ш
я
ей -
\\ // !
Я
>
нл \V - у /
S > / /
п
с 6
f
J ширина неод-ти 10
7 Г ширина неод-ти 13
4
шииина неод-ти 16
ширина неод-ти 19
- ширина неод-ти 22
О 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Ч астотах гц
Рис. 2.4 - Расчетные характеристики коэффициента передачи при изменении ширины

неоднородности
И зм енение ш ирины неоднородности w структуры от 10 до 22 мм
приводит к увеличению полосы пропускания.
Д ля показанном вы ш е семейству характеристик были построены
граф ики зависим остей амплитуды резонанса от радиуса апертуры и ш ирины
неоднородностей (рис. 2.5 и рис. 2.6).
\
\
\
\
\
\
\
\
\
*,
\
\
\
\
\
\
\•
Радиус неоднородностей,мм
Рис. 2.5 - Зависимость изменения амплитуды от радиуса апертуры в экране

39
" х
\
\
\
\
V
\
\
\
10 15 20 25
Ширина неоднородностей,мм
Рис. 2.6 - Зависимость амплитуды резонанса от ширины неоднородностей
И з полученны х зависим остей видно,что с увеличением радиуса r или
ш ирины неоднородного w участка ум еньш ается амплитуда в окне

прозрачности резонанса.
Д ля структуры с двойной периодичностью , полученной путем
совм ещ ения в одной м икрополосковой линии двух, описанны х выш е
переодических структур, было проведенно аналогичное моделирование и

полученны следую щ ие коэф ф ициенты передачи (рис. 2.8 - 2.10).
i Г
< э о ™ d 1 ' )
Рис. 2.7 - Общий вид структуры с двойной переодичностью в виде вариации

щирины полоскового проводника и с переодичностью в виде апертур в экране
40
Бы ли расчитаны структуры при трех разны х радиусах апертур в экране,
взяты х в пределах от 5 до 9 мм с ш агом 2 мм, и пяти значениях ш ирины
неоднородности полосковой линии от 10 до 22 мм с ш агом 3 мм.
—
и ^
\\\
1\ V \ ///
I
/
%
—
\\ \ /А
V/
-- ширина неод-ти 10
\ J/Л ширина неод-ти 13
М — ш ирина неод-ти 19
iyЛ ш ирина неод-ти 22
1 1 1
Частота, Ггц

неоднородности для радиуса апертур в экране равного 5 мм

41
П о полученны м характеристикам заметно, что при совмещ ении двух
типов неоднородностей в одной м икрополосковой структуре два резонанса
наклады ваясь друг н а друга образую т м еж ду собой узкое окно прозрачности.
Такж е ниж е представлены зависим ости амплитуд, полосы пропускания
и центральной частоты от варьируем ы х парам етров (рис. 2.11 - 2.13).
•ч \ -
-V
ч
N
- ]Q * ■*
- 15
ч*
ч*
10 15 20
Ш ирина неоднородности.мм
Рис. 2.11 - Зависимость изменения амплитуды при различных параметрах структуры с

двойной периодичностью
42
Рис. 2.12 - Зависимость изменения резонансной частоты при различных параметрах
структуры с двойной периодичностью
Рис. 2.1 3 - Зависимость изменения полосы пропускания при различных параметрах

структуры с двойной периодичностью
П о полученны м зависим остя не слож но зам етить что при увелиичении
радиуса цилиндрических апертур r в экране при одинаковы х значениях
ш ирины неоднородностей w линии ум еньш ается амплитуда резонанса,
43
несколько смещ ается центральная частота, а полоса пропускания и
соответственно лучш ая добротность наблю дается у структуры с радиусом
неоднородностей равны м 7, а наиболее ш ирокой полосой пропускания и
соответственно наихудш ей добротностью обладает структура с радиусом
неоднородностей в экране равной 9.
Бы ло предлож енно произвести исследование со смещ ением центров

апертур относительно апертуры располож енной по середине структуры.
П олученны е при этом характеристики представаленны ниже.
0.5 1 1.5 2 2.5 3
Частота,Г гц
Рис. 2.14 - Коэффициент передачи структуры с двойной периодичностью при различных

расстояниях относительно центров апертур
Так же были вы явлены зависим оти амплитуд, полосы
пропускания и центральной частоты от изм енения растояний м еж ду
центрами апертур в экране. Граф ики полученны х зависим остей
представлены ниж е н а рисунках 2.13 - 2.15.
44
Рис. 2.15 - Зависимость изменения амплитуды резонанса структуры с двойной
периодичностью при различных расстояниях относительно центров апертур
Рис. 2.16 - Зависимость центральной частоты структуры с двойной периодичностью при

различных расстояниях относительно центров апертур
45
u
—'
s
с
с
a,
с
л
и
с
§
оI
j—
1—1
20 22 24 26 2S 30
Ш ирина н е о д н о р о д н о с т н .м м
Рис. 2.17 - Зависимость изменения полосы пропускания структуры с двойной

периодичностью при различных расстояниях относительно центров апертур
П о полученны м зависимостям не слож но зам етить, что при увеличении
расстояний м еж ду центрам и цилиндрических апертур в экране при
одинаковы х значениях ш ирины неоднородностей линии ум еньш ается
центральная частота резонанса, ам плитуда ум еньш ается до значения -1.78 дБ,
после чего начинает увеличиваться, а полоса пропускания и соответственно
добротность практически не изм еняю тся при различны х значениях
исследуемого параметра.
2.1.2 Применение структуры с двойной периодичностью для

определения характеристик сред.
П ерспективны м направлением прим енения структур с двойной
переодичностью является создание н а их основе сенсорны х устройств для
контроля свойств и парам етров диэлектрической проницаемости. Д ля того,
что бы оценить возм ож ность применения данной структуры в задачах
сенсорики было проведено моделирование вы ш е описанной структуры в

46
двух вариациях располож ения диэлектрического м атериала, в первом случае
исследуем ы й диэлектрический материал раполагался над неоднородностям и
в экране, а во втором над сенсорны м устройством полосковой линии,

им итируя исследуем ы й диэлектрический объект (рис. 2.18, 2.19).
Рис. 2.18 - Структура с двойной периодичностью с диэлектрическим материалом

над апертурами в экране
Рис. 2.1 9 - Структура с двойной периодичностью с диэлектрическим материалом

над полосковой линией
М оделирование проводилось в програм м е M icrow ave CST Studio.
Д иэлектрическая проницаем ость диэлектрика s варьировалась от 2 до 10,
тангенс угла диэлектрических потерь tg 5 был взят для первого случая
равны м 0,001, а для второго 0,1, толщ ина диэлектрического слоя такж е
варьируется в переделах от 4мм до 10мм. Д иапазон частот для расчета 0 ^ 5
ГГц. Н иж е вы борочно представлены граф ики характеристик передачи при
различны х вариациях толщ ины диэлектрического материала и при разны х
значениях его диэлектрической проницаемости.
47
l
- 4.1
- 9.2
\ / -
14.3
V V ,/
LQ -
-19.4 J
Pt
>,
н
я - 24.5
яс
£ - 29.6
С
- 34.7
- 39.
---- eps 2
---- eps_6
- 44.9
epslO
-5 0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
Частота.Ггц
Рис. 2.20 - Коэффициент передачи с расположением диэлектрического материала

над апертурами в экране при различной диэлектрической проницаемости и толщине
диэлектрика 4мм
Рис. 2.21 - Коэффициент передачи с расположением диэлектрического материала

над апертурами в экране при различной диэлектрической проницаемости и толщине
диэлектрика 10мм
48
По графикам мож но зам етить, что при увеличении
диэлектрической проницаем ости исследуем ого материала, ум еньш ается
добротность резонанса и увеличивается его полоса пропускания. Так же

были построены граф ики зависим ости амплитуды и центральной частоты от
диэлектрических потерь.
* щ ♦
рЧс •- -■►
■>.
й \ 1 ^
?я - 10
=
=; v
высота материала 4 мм
- 15 высота материала 6 мм
-20 10
Диэлектрическая проницаем ость
Рис. 2.22 - Зависимость изменения амплитуды от диэлектрической проницаемости

при расположении диэлектрического материала над апертурами в экране
3.6
£
3 .4 f 11 •
3 .2 высота материала 4 мм
10
Диэлектрическая проницаемостъ.6
Рис. 2.23 - Зависимость изменения центральной частоты от диэлектрической

проницаемости при расположении диэлектрического материала над апертурами в экране
49
Из полученны х зависим остей видно, что с увеличением
диэлектрической постоянной объекта, полученны й резонанс имеет место
смещ ения, а амплитуда на центральной частоте уменьш ается.
А налогичное м оделирование было проведено и для второго варианта

располож ения м атериала с потерям и над сенсорны м устройством полосковой
линии, им итируя исследуем ы й диэлектрический объект. П олученны е при
этом результаты представлены ниже.
1
Л А
- 4.1
9.2
\\ /' \
\ \ /у
-
\
%
■-
-
-
14.3
19.4 "VV / \
\
- 24.5
У'
- 29.6
J
-
-
34.7
39.8
—-eps 2 у
---- eps_6
- 44.9
— eps10
Частота,Ггц
Рис. 2.24 - Коэффициент передачи для расположения материала над сенсорным

устройством полосковой линии при различной диэлектрической проницаемости и
толщине диэлектрика 4мм
1—
— 4.1 i
М i \ \- j1А-
-9 2
/V1 /
- 14.3 ГГ
В \ \
УД
3 - 19 4 ш
-Z4? ргт
!!'■
<“ ■ 34.7
-3S.S
— *ips_2
-4 4 9
cps 10
1.5 2 2.5 3
Частотахга
Рис. 2.25 - Коэффициент передачи для расположения материала над сенсорным

устройством полосковой линии при различной диэлектрической проницаемости и
толщине диэлектрика 10мм
50
П о графикам заметно, что с увеличением толщ ины исследуемого
м атериала, при больш их значениях диэлектрических потерь происходит
искаж ение передаточной кривой, в плоть до того что становится не
возм ож ны м определение парам етров материалов применительно к задачам
сенсорики.

проницаемости при расположении диэлектрического материала над сенсорным
устройством полосковой линии

проницаемости при расположении диэлектрического материала над сенсорным
устройством полосковой линии
51
П о полученны м зависим остям мож но зам етить, что при располож ении
объекта с потерям и над полосковой линией ам плитуда резонанса
практически не изм еняется в зависим ости от изм енения диэлектрических
потерь материала, но при этом центральная частота им еет место смещ ения в
сторону более низких значений. Все это говорит о работоспособности
структуры и о возм ож ности ее прим енения для задач сенсорики, в частности
для определения параметров материалов.
Т аким образом, совмещ ение двух законов распределения
неоднородностей, в одной м икрополосковой структуре позволило нам добить
узкого окна прозрачности с вы сокой добротностью . П ри этом частотное
полож ение и ф орма узкого резонанса определяется длинам и и

электроф изическим и парам етрам и структуры.
2.2 Исследование свойств и характеристик

сложнопериодических компланарных структур
2.2.1 Несимметричная компланарная линия с фазовым сдвигом и

ее характеристики
Б ы ла рассмотрена компланарная несим м етричная структура,
обладаю щ ая фазовым сдвигом в центре линии для получения более
добротного резонанса. Все рассмотренны е структуры являлись одно
портовы м и, на противополож ном от м еста возбуж дения структуры бы ла
подклю чена согласованная нагрузка на 50 Ом. Схематичное изображ ение
копланарной м икрополосковой структуры СВЧ диапазона (рис. 2.28).
52
Рис. 2.28 - Компланарная несимметричная микрополосковая линия с фазовым
сдвигом
Д анная структура обладает следую щ им коэф ф ициентом отраж ения
-3
-6
\
/
-О \ /
п
а - 12
/
р - 11
=:
=
5 - 18
<
-1 1
-1 4
-1 7
-5 0
5J б 6.5 7 7J 8 8.5 9 9.5 10
Частота. Ггц
Рис. 2.29 - Коэффициент отражения несимметричной компланарной линии
Резонансная частота для данной структуры равна 6,9 ГГ ц, а уровень -
21,12 дБ. Д анная структура обладает удовлетворяю щ им и нас парам етрам и
для дальнейш его ее рассмотрения. Было реш ено провести расчеты для линии
с зам кнуты м экраном структуры с парам етрам и полностью идентичны м и
вы ш е описанной структуре. Схематическое изображ ение полученной
структуры представлено на рис. 2.30
53
рр| t \ \ г \ \ \ \
11 1 1 1 1 II 1------------ 1 1— —---------
■1
Рис. 2.30 - Компланарная линия с замкнутым экраном
В отличии от обычной не симметричной компланарной линии здесь
им еет место зам ы кание экрана и боковы х п роводящих линий. Что в
принципе полож ительно долж но сказаться н а характеристиках структуры и
сделать ее менее подверж енной внеш ним наводкам. К оэф ф ициент отраж ения
для полученной линии с замкнуты м экраном показан н а рис. 2.31.
/ \
\
\ //
V
3° 4 4.5 5 5.5 6 б_5 7 13 8 8.5 9
Частота, Ггц
Рис. 2.31 - Коэффициент отражения для структуры с замкнутым экраном с

П роанализировав характеристики коэф ф ициентов отраж ения, видно,
что у структуры с зам кнуты м экраном амплитуда резонанса вы ш е на 2,9 дБ и
равняется -18,2 дБ, а центральная частота резонанса сместилась и равна 6,3
ГГц.
54
2.2.2 Применение компланарных микрополосковых линий для
определения характеристик материалов
Д ля этого было проведено м оделирование структуры с зам кнуты м

экраном с фазовым сдвигом, с применением диэлектрического материала,
которы й располагался над сенсорны м устройством, им итируя исследуем ы й
диэлектрический объект (рис. 2.32).
Рис. 2.32 - Компланарная структура с замкнутым экраном, фазовым сдвигом с

диэлектрическим материалом
М оделирование проводилось программ е M icrow ave CST Studio.
Д иэлектрическая проницаем ость диэлектрика s варьировалась от 2 до 6,
тангенс угла диэлектрических потерь tg 5 принять равны м 0,001, толщ ина
диэлектрического слоя - 4 мм. Д иапазон частот для расчета 0 ^ 10 ГГц.
Рис. 2.33 - Коэффициент отражения при различной диэлектрической

проницаемости
55
т
/
/
/
I
/
►
/
Диэлектрическая проницаем ость^
Рис. 2.34 - Зависимость смещения центральной частоты от диэлектрической

проницаемости
И з полученной зависим ости видно, что с увеличением диэлектрической
постоянной объекта, полученны й резонанс им еет место смещ ения с
ум еньш ением значения резонансной частоты , что свидетельствует о
работоспособности компланарной структуры в СВЧ диапазоне для задач
определения характеристик материалов.
2.2.3 Компланарная линия с замкнутым экраном с фазовым

сдвигом и ее параметры
Д ля ум еньш ения области взаим одействия вещ еств с больш ими
потерям и и увеличения чувствительности м икрополоскового датчика было
предлож ено сделать саму структуру из двух частей. В торая часть структуры
будет прикреплена на м икрополосковую линию сверху. Так ж е в ней будут
располагаться различного характера вы резы, что бы обеспечить
взаим одействие среды с непосредственно с чувствительной структурой. Было
реш ено использовать такие типы вы резов, первое это круглы й вы рез в
верхнем проводящ ем слое, вы рез располагается непосредственно над

неоднородны м участком м икрополосковой линии, такой тип компланарной
56
лини назы вается симм етричной компланарной линией, подобная структура
представлена на рис. 2.35.
Д ля такой структуры были получены следую щ ая характеристика
коэф ф ициента отражения.
2 6 .9
~ 3 3.5 4 4.5 5 5.5 б 6.5 7 7J 8
Ч а ст о таХ щ
Рис. 2.36 - Расчетные частотные зависимости коэффициента отражения
По характеристике коэф ф ициента отраж ения симм етричной
компланарной структуры с фазовым сдвигом видно, что структура обладает
резонансом на частоте 5,67 ГГц и амплитудой резонанса -17,35 дБ.
57
2.2.4 Исследование влияния различных типов апертуры на
передаточные характеристик компланарной линии с замкнутым
экраном
Бы ли рассм отрены три тип а апертуры две из которы х имею т
цилиндрическую форму, а одна в виде щели. О дна из цилиндрических
аппретур сквозная, т.е. полностью проходит сквозь диэлектрический слой и
откры вает полосковую линию в области фазового сдвига на компланарной
м икрополосковой линии, две другие не такие глубокие, они располагаю тся
только в верхней части экрана над фазовым сдвигом структуры. Все три вида
апертур представлены ниже.
Рис. 2.37 - Симметричная компланарная линия с цилиндрической апертурой в виде

выреза в экране структуры
В торой тип апертуры это цилиндрический вы рез сквозь верхний
проводящ ий слой и слой диэлектрика рис. 2.38
J
н
1—
58
Рис. 2.38 - Линия с цилиндрической апертурой в виде сквозного выреза в экране
структуры и слое диэлектрика
Т ретий тип это щ елевая апертура в виде прям оугольного вы реза в
верхнем проводящ ем слое. Этот тип представлен на рис. 2.39.
Рис. 2.39 - Симметричная компланарная линия с щелевой апертурой в экране над

фазовым сдвигом структуры
Н иж е приведены граф ики для вы ш е представленны х структур для
каж дого тип а апертуры при различны х значениях радиусов апертуры r и при
нескольких значениях длины щ елевой апертуры l.
-2 .1 у*
-5 .2
А
-S 3 /
РС
й - 11.4
ч
F? - 14.5
=
3 - 17.6
<
-2 0 .7
-2 3 .S
---- радиус апертуры 2
---- радиус апертуры 3
-2 6 .9
радиус апертуры 4
-30
3J 45 6.5 7.5
Ч а сто та Х гц
Рис 2.40 - Коэффициент отражения для симметричной линии с цилиндрической

апертурой в экране в области фазового сдвига
59
Рис. 2.41 - Характеристика коэффициента отражения для компланарной линии с
апертурой в виде щели
1
-21
- 5 .2
-S .3
XI f
№
й -1 1 .4
Р - 14.5
Ц
=
£ - 17.6
<
-2 0 . 7 ]
-7 3 Л
-----радиус апертуры 2 -
-----радиус апертуры 3
-2 6 .9
радиус апертуры 4
-30
3.5 4.5 5 5.5 6 6.5 7.5
ЧастотаХгц
Рис. 2.42 - Коэффициент отражения для структуры с цилиндрической апертурой в

экране в области фазового сдвига и в диэлектрической подложке
Зависим ости амплитуд от изм енения парам етров апертур представлены
60
ниже.
Радиус апертуры:мм
Рис. 2.43 - Зависимость амплитуды для структуры с цилиндрической апертурой в

экране
Длинашели=мм
Рис. 2.44 - Зависимости амплитуд для структуры с щелью
"' к
/
/
/
/
1 2 3 4 5
Радиус апертуры.мм
Рис. 2.45 - Зависимость амплитуда от параметров цилиндрической апертуры в

экране в области фазового сдвига и в диэлектрической подложке
61
П о полученны м зависим остям не слож но заметить, что при увеличении
радиусов цилиндрических апертур в экране незначительно ум еньш ается
центральная частота резонанса, амплитуда так же ум еньш ается, для

м икрополосковой структуры с щ елью ж е наблю даю тся противополож ны е
результаты.
2.2.5. Кольцевые резонаторы с микрополосковой брэгговской

структурой
В оптическом диапазоне проводились исследования [36] по получению
вы сокодобротной резонансной характеристики с применением кольцевого
резонатора и волоконно-оптической реш етки Б рэгга (ВРБ) с ф азовы м п-
сдвигом. На рис 2.46 представлена схем а резонатора и частотны е
характеристики различны х вариантов структуры.
Рис. 2.46 —К получению резонанса Фано в кольцевой волоконно-оптической

решетке Брэгга с фазовым п-сдвигом
К ак видно из рис 2.46 резонатор состоит из закольцованной самой на
себя В РБ с фазовым п-сдвигом в своей структуре. П одача сигнала
возбуж дения и отбор вы ходного сигнала производится посредством двух
каплеров. В результате налож ения в резонаторе двух волн: одна прош едш ая
через гаусовский контур, а вторая такж е через гаусовский контур, но
сдвинутая по фазе на п, за счет присутствия фазового сдвига в реш етке,
отдельные резонансы расщ епляю тся на дуплеты - симм етричны й резонанс и
62
ассим етричны й резонанс, характерны й для эф ф екта Ф ано и обладаю щ его в 4
раза уж е полосой. Такж е на рис 2.46 мож но наблю дать вид резонансны х
кривы х, рассчитанны х теоретически, для случая обы чного кольцевого
резонатора, кольцевого резонатора из обы чной В БР и кольцевого резонатора
с В БР с фазовым п-сдвигом.
5-Parameters [Magnitude]
О 2 4 6 8 10 12 14 15
Frequency/GHz
Рис. 2.47 —Общий вид и характеристика микрополоскового кольцевого

резонатора
М икрополосковая брэгговская структура обладает аналогичны ми
свойствами как оптическая В БР, с этой целью проведена попы тка
реализовать аналогичную схему в СВЧ диапазоне. И спользовался
м икрополосковы й кольцевой резонатор на несим м етричной полосковой
линии, рассчитанны й на частоту 1 ГГц (рис. 2.47).
Д алее в кольцевую линию были введены неоднородности в виде
расш ирения ш ирины полоскового проводника (рис. 2.48).

H ’araietas [Magntude]
--------------------------------------------------------------------------- О 2 1 6 8 10 12 Н 15
Рис. 2.48 - Общий вид и характеристика микрополоскового кольцевого резонатора

с брэгговской структурой
63
А нализируя представленны е характеристики резонатора можно
наблю дать смещ ения резонансов кольцевого резонатора в полосе
заграж дения брэгговской структуры (показана пунктиром).
В ведя в брэгговскую структуру ф азовы й сдвиг (рис. 2.48) можно
наблю дать возникновение ассиметричного резонанса Ф ано в центре полосы
заграж дения борэгговской структуры.

Skiameters [Magntudel
О 2 4 6 8 10 12 14 15
____________________________________ I Frequency/ GHz
Рис. 2.49 - Общий вид и характеристика микрополоскового кольцевого резонатора

с брэгговской структурой с фазовым сдвигом
Н изкий уровень резонанса Ф ано и небольш ая добротность объясняется
м алы м и значениям и направленности ответвителей на связанны х
микрополосковы х линиях по сравнению с оптическими каплерами.
Во втором разделе бы ли исследованы структуры с двойной
периодичностью и компланарны е симметричны е и не сим метричны е линии.
К ом планарны е структуры представлены с фазовым сдвигом
неоднородностей линии. В структурах со слож ным профилем
прослеж ивается тенденция, при наруш ении периодичности в линии
появляю тся «окна прозрачности». И сследуемы е структуры были построены в
програм ме электродинам ического моделирования, достоинством такого
м етода анализа является возмож ность осущ ествления максимального
приближ ения к реальной физической ситуации при условии точного задания
электрических парам етров всех м атериалов модели и геометрического

64
подобия структуры. Т ак ж е в главе проведено исследование кольцевого
резонатора с брэгговской структурой, в оптическом диапазоне подобны е
структуры позволяю т получить вы сокодобротную резонансную
характеристику, в наш ем случае исследование получилось удачны м,
использование ВРБ в СВЧ диапазоне так же позволило добиться
полож ительны х результатов.
65
3. Экспериментальное исследование микрополосковых
брэгговских структур СВЧ диапазона
3.1 Изготовление линейных микрополосковых брэгговских
структур СВЧ диапазона и определение их характеристик
Задачей экспериментального исследования являлось физическое
обоснование возм ож ности прим енения микрополосковы х брэгговских
структур с периодическим и неоднородностям и для контроля парам етров сред
и материалов, вы явление реком ендаций к построению дистанционны х
средств для контроля парам етров м атериалов и сред.

В микрополосковой технике С В Ч -диэлектрические м атериалы главны м
образом прим еняю тся для изготовления полосковы х плат. Д иэлектрические
м атериалы в полосковы х линиях использую тся в качестве среды для
распространения С В Ч -энергии и как элем ент конструкции, поддерж иваю щ ий
электрическую схему, располож енную на ее поверхности. В данном случае в
качестве подлож ки использовался армированны й диэлектрический материал
- Ф А Ф -4Д (суспензия н а основе фторопласта-4Д ). Х арактеристики этого
м атериала е = 2,5 ± 0,20 и tg 5 до 0,001.
В качестве подводящ его устройства используется коаксиальны й
кабель. Д ля передачи С В Ч -энергии с коаксиальной линии на М П Л наиболее
ш ироко прим еняю тся коаксиально-м икрополосковы е переходы. Такие
переходы могут быть соосны м или перпендикулярны м.
И спользуя распространенную «классическую » технологию

изготовления печатной платы, при которой лиш ние участки м еди с
поверхности платы удаляю тся путем хим ического травления, были сделаны
две заготовки м икрополосковы х брэгговских структур в м икрополосковом
исполнении (рис.3.1). П ервая - не симметричная компланарная линия с
фазовым сдвигом, характеризую щ ийся изменением периода вдвое, вторая -
сим м етричная компланарная линия с фазовым сдвигом.
66
Рис. 3.1 - Платы с нанесением брэгговских структур в микрополосковом
исполнении:
а) не симметричная компланарная линия с фазовым сдвигом, б) симметричная
компланарная линия
Д ля достиж ения м иним альны х потерь С В Ч -сигнала при переходе с
коаксиальной линий на МПЛ было реш ено использовать соосны й
коаксиально-м икрополосковы й переход. Д ля снятия изм енения
характеристик коэф ф ициента отраж ения при различны х парам етра
исследуем ы х сред бы ла собрана установка изображ енная на рис.3.2.
Рис. 3. 2 - Установка измерения микрополосковых брэгговских стрктур
67
С пом ощ ью векторного анализатора цепей A gilent T echnologies E 5071C
были получены соответствую щ ие характеристики коэф ф ициента передачи,
что подтверж дает работоспособность построенны х линейны х структур. С
введением неоднородности в структуре появляется узкий резонанс, по
котором у наглядно мож но отследить изменение состояние исследуемого
диэлектрического объекта по его электроф изическим параметрам.
зо1-------------------------------------------------------------
2хЮ 9 4хЮ 9 fe lO 9 SxlO9
ЧастотаЛ гц
Рис. 3.3 - Экспериментальная характеристика коэффициента отражения не

симметричной линии
зо1----------------------------------------------------------------
:=<io9 бхю9 Sxio9
Ч асто таХ гц
Рис. 3.4 - Экспериментальные характеристики коэффициента отражения

симметричной компланарной линии
68
С тоит отметить, что экспериментальны е характеристики хорош о
согласую тся с расчетными. М ы получили как и в расчётны х данны х узкий
резонанс на частоте 6,5 ГГц, его амплитуда составила -18 дБ, полоса частот
при этом составляет 400 МГц для несим м етричной компланарной
м икрополосковой структуры и резонанс на частоте 6,01 ГГ ц амплитуда
которого равняется -20,8 дБ и полоса частот 330 М Гц для симметричной
линии.
3.2 Экспериментальное исследование микрополосковых

брэгговских структур СВЧ диапазона при определении
диэлектрических свойств материалов
3.2.1 Экспериментальное испытание симметричной компланарной
линии для исследования нефтяной эмульсии
П осле того, как бы ла проверена работоспособность разработанны х
линейны х структур, проведены измерения с непосредственны м контактом
изм еряемого объекта к чувствительном у устройству. С хем а установки
представлена на рис.3.5. И зм ерения проводились на симметричной
компланарной линии с фазовым сдвигом. Д ля изм ерений бы ла вы брана
эм ульсия нефти с водой, плотностью нефти в исследуем ы х образцах 905,86
кг/м 3, воды 998,23 кг/м 3 образцы были взяты с различны м содерж анием
нефти в суспензии:
- С 50% содерж анием нефти;
- С 80% содерж анием нефти;
- Ч истая нефть;
П осле снятия коэф ф ициента отраж ения с узким окном прозрачности
пустой линии. С труктура бы ла заф иксирована в держ ателе дабы избеж ать
искаж ения характеристик из за изм енения пространственной ориентации
структуры рис.3.5. О бразцы были для удобства эксперим ента были разлиты в
69
емкости по 200мл, предварительно разм еш енны е взбалты ванием для
получения однородности вещ ества. И сследование проходило путем
погруж ения сим метричной структуры в емкости с образцам и, после каж дого
образца микрополосковы й датчик очищ ался, что бы избеж ать взаимного
влияния образцов на характеристики друг друга.
Рис. 3.5 - Экспериментальная установка измерения диэлектрических параметров

нефти
Рис. 3.6 - Погружение симметричной компланарной линии в образцы нефтяной

эмульсии
70
В ходе эксперим ента по исследования изменения
диэлектрической проницаем ости неф тяной эм ульсии в зависим ости от
различного соотнош ения в ней воды и нефти бы ли получены характеристики
коэф ф ициентов отраж ения представленны е н а рис.3.7.
-5
-8
- 11
I-Q - 14
4cS
- 17
ЕС
>1
f- -20
5
Е -2 3
Е с:ырая I4ефть
< - 26
50% нефть
-2 9
80% нефть
-3 2 хар-ка датчика
-3 5
1 1
5.&х109 5.83х1095.86х1095.89х109 5.92х1095.95х1095.98х109 6.01х109б.04х1096.07х109 6.1 х 109
Ч астота,Г гц
Рис. 3.7 - Экспериментальные характеристики измерения нефтяной эмульсии
К ак мож но наблю дать на графиках, сы рая нефть обладает низким
значением диэлектрической проницаем ости поэтому ее резонанс
незначительно изм енился по амплитуде относительно резонанса пустой
структуры, всего л иш ь н а 0,8 дБ, и равен -22,8 дБ. Резонанс эм ульсии с 80%
нефти, немного больш е отклоняется по амплитуде и незначительно по
частоте, его ам плитуда составляет -24 дБ. Д ля образца с 50% содерж анием
нефти мож но зам етить значительное сниж ение амплитуды, она равняется -
33,3 дБ. Таким образом мож но зам етить, что при измерении диэлектрических
парам етров характеристика коэф ф ициента отраж ения претерпевает
изм енение амплитуды узкого резонанса и происходит смещ ение
относительно оси частот.
71
3.2.2 Экспериментальное испытание несимметричной
компланарной линии для исследования эпоксидной смолы
В торы м эксперим ентом по проработке возм ож ности использования
описанны х вы ш е структур для контроля парам етров м атериалов и сред, было
исследование влияния на диэлектрическую проницаемость, различного
количественного содерж ания углерода в эпоксидной смоле. И зм ерения были
проведены с помощ ью не симметричной компланарной линии в качестве
чувствительного элемента. С хем а установки представлена на рис.3.8. Д ля
эксперим ента были взяты два образца смол, с 1% и 0,5% содерж анием
углерода в составе.
Рис. 3.8 - Экспериментальная установка измерения диэлектрических параметров

эпоксидной смолы
И сследовалась эпоксидная см ола в виде плоских пластин с разм ерам и
900х450х30мм и с двумя различны м и содерж аниями углерода в составе. Для
проведения эксперим ента чувствительны й элем ент был заф иксирован в
горизонтальной плоскости, снятие влияния исследуем ы х образцов на
характеристику коэф ф ициента отраж ения несим м етричной структуры,
проводилось путем приклады вания пластин из смолы к центральной части
элем ента, прям над областью фазового сдвига. Х арактеристики отраж ения
полученны е в результате исследования смол представлены на рис.3.9.
72
1
- 2.1 ~
-Х -/
- 5.2
\А / ч ,Х / V'
о
чсЗ
- 8.3
\/ )
н
(-Z
- 11.4
1
гс
- 14.5
- 17.6
/ / У.
-2 0 .7
-----Исходная характеристика
-2 3 .8
-----Для смолы с углеродом 0,5%
-2 6 .9 Для смолы с углеродом 1%
- 30
5x109 5.3х109 5.бк109 5.9х109 6.2х109 6.5х109 6.8х109 7.1х109 7.4х109 7.7^109 Sk IO9
Частота,Г гц
Рис. 3.9 - Экспериментальные характеристики измерения образцов смол
По графикам мож но наблю дать смещ ение резонанса
коэф ф ициента отраж ения при контакте датчика со смолой, причем так как
разница в содерж ании углерода в образцах незначительная, разница

характеристик для них так же не ярко выражена.
Т аким образом, полученны е экспериментальны е зависим ости

показы ваю т возмож ность эф ф ективного использования чувствительны х
элем ентов н а основе м икрополосковы х СВЧ-структур. Д анная структура
м ож ет использоваться для изм ерения диэлектрической проницаем ости е, а
полученны е измерения конвертировать в такие парам етры как тем пература,
влаж ность и плотность предмета. В озм ож но определение наличия
неоднородностей в м оно-структурах, а так ж е определение м атериала из
которого состоит исследуемы й объект.

Разработаны компланарны е структуры с фазовым сдвигом,
характеризую щ им ся наличием участка с уменьш ением вдвое периода, в
м икрополосковом исполнении в симметричном и не симметричном
исполнении. Экспериментально исследованы две структуры для определения
диэлектрических свойств материалов. П оказано прим енение разработанны х
структур для контроля парам етров материалов.
73
Заключение
В результате проведенны х исследований разработаны микрополосковы е
линии с введенны м и периодическим и неоднородностям и брэгговского типа,
в том числе со слож ной формой периодичности для использования в качестве
преобразователей диэлектрических парам етров материалов.
К ром е того, реш ены следую щ ие задачи:
- проведен анализ свойств и характеристик СВЧ систем с
периодическим и нерегулярностям и брэгговского типа в отрезках
микрополосковы х линий передач;
- разработаны слож но-периодические ф ормы брэгговских
м икрополосковы х структур, вклю чаю щ их элем енты с двойной
периодичностью , с фазовым сдвигом в симм етричной линии и с кольцевы м
резонатором и показана возм ож ность улучш ения их резонансны х свойств по
сравнению с брэгговскими структурами тривиальной формы;
- проведена ком пью терная вериф икации в программе
электродинам ического м оделирования вариантов м икрополосковы х СВЧ
систем при определении диэлектрических парам етров м атериалов и сред;
- проведено экспериментальное исследование разработанны х СВЧ-
структур.
74
Conclusion
A s a result o f the research, m icrostrip lines w ith introduced periodic B ragg-
type inhom ogeneities w ere developed, including a com plex periodicity form for
use as dielectric m aterial param eters converters.
In addition, the follow ing tasks have been accom plished:
- A nalysis o f the properties and characteristics o f m icrow ave system s
w ith periodic irregularities o f the B ragg type in segm ents o f m icrostrip
transm ission lines;
- com plex-periodic form s o f B ragg m icrostrip structures including
elem ents w ith double periodicity, w ith a phase shift in a sym m etric line and w ith a
ring resonator are developed and show the possibility o f im proving their resonance
properties in com parison w ith B ragg structures o f the trivial form;

- C om puter verification in the program o f electrodynam ic sim ulation o f
m icrostrip m icrow ave system s variants in determ ining the dielectric param eters o f
m aterials and m edia;
- conducted an experim ental study o f the developed m icrow ave
structures.
75
Список использованных источников
1. M acleod, H.A. T hin-film O ptical Filtres [Text]/ H.A. M acleod-
London: A dam H ilger Ltd, 1969.-332 p.
2. Борн, М. О сновы оптики [Текст]/ М. Борн, Э. Вольф. - М.: М ир. -
1973.-720 с.
3. Shandon, D. External R eflection from O m nidirectional D ielectric
M irror Fibers [Text] / D .S handon // Science.- 2002. -Vol. 296, № 5567. - P . 510 -
513.
4. Singh, S. K. Structural param eters in the form ation o f om nidirectional
high reflectors [Text] / S. K. Singh [et. al.] // Progress In E lectrom agnetics
R esearch - 2007. - № 70. - P. 53 - 78
5. П ономарев, Д.В. О собенности взаим одействия С В Ч -излучения с
фотонны ми кристаллами, содерж ащ ими в качестве неоднородностей
диэлектрические, полупроводниковы е и м еталлические вклю чения: автореф.
дис. ... д-та физ.-мат. наук / Д.В. П оном арев - Саратов, 2012. - 19с
6. B. Yun, H ighly Sensitive Liquid-Level Sensor B ased on E tched Fiber
B ragg G rating [Text] / B. Y un , N. Chen, and Y. Cui. // IEEE Photonics
Technology Letters - 2007 vol. 19 - pp.1747 - 1749.
7. Jie H uanga, Tao W eia, X inw ei Lana, Jun Fanb, H ai Xiao. Coaxial
cable B ragg grating sensors for large strain m easurem ent w ith high accuracy//
Proc. o f SPIE -2012-Vol. 8345 83452Z-1.
8. Tao W ei, Coaxial cable B ragg grating Songping [Text] / Tao W ei,
W u, Jie H uang, H ai X iao, and Jun Fan. Appl. Phys. Lett. 99 - 2011, 113517
9. Беляев, Б. А. И сследование микрополосковы х м оделей полосно
пропускаю щ их ф ильтров н а одномерны х ф отонны х кристаллах [Текст] / Б. А.
Беляев, А. С. В олош ин, В. Ф. Ш абанов // Докл. акад. наук. - 2005. - Т. 400,
№ 2 .-С. 181-185
10. Passos, М. G. A pplications o f M odular RBF / M L P N eural N etw orks
in the M odeling o f M icrostrip Photonic B andgap Structures [Text] / M. G. Passos,
76
H. С. С. Fernandes, P. H. da F. Silva // PIERS Online. - 2007. - Vol. 3, № 5. - P.
695 - 700.
11. G akir, G. D esign o f a novel m icrostrip electrom agnetic bandgap
(EB G ) structure [Text] / G. Cakir, L. Sevgi // M icrow ave and Optical Technology
Letters. - 2005. - Vol. 46, № 4. - P. 399 - 401
12. K itahara, Н. Im purity m ode in line photonic crystal in m illim eter
w ave region [Text] / H. K itahara [et.al.] // J. Phys. Soc. o f Japan. - 2003. - Vol. 72,
№ 4. - P. 951 - 955.
13. Erro, M. J. Phase - reconstruction in photonic crystals from A-
param eter m agnitude in m icrostrip technology [Text] / M. J. Erro [et. al.] // Opt
Q uant Electron. - 2007.- P . 321-331.
14. L. Yui - Hui, L. L inew idth N arrow ing in M icrostrip R esonator U sing
E ffective H ighly D ispersive M edium [Text] / L. Yui - H ui [et. al.] // Chinese
Physics Letters. - 2007. - Vol. 24, № 4. - P. 975 - 978.
15. Isaac, C. A. D ispersion in O ne-D im ensional Photonic B and Gap
Periodic T ransm ission Lines [Text] / C. A. Isaac [et. al.]. // Subm itted to
M icrow ave and O ptical T echnology Letters. - 2008. - № 11. - P. 689 - 692.
16. B alasundaram Elam aran. A B eam - Steerer U sing Reconfigurable
PB G G round Plane [Text] / B alasundaram E lam aran [et. al.] // M icrow ave
Sym posium D igest., 2000 IE EE M TT - S International, 2000. - P. 835 - 838.
17. Х оденков, С.А. И сследование м икрополосковы х фотонны х
кристаллов и устройств частотой селекции н а их основе [Текст]: дис.
.. .канд.техн.наук / С.А. Х оденков - С ГА У им.Реш етникова, 2009 - 159 с.
18. Тю рнев, В. В. Т еория цепей СВЧ [Текст] : учеб. пособие / В. В.
Тюрнев. — К расноярск : И П Ц КГТУ. - 2003. - 194 с.
19. Д.А. У санов, А.В. Скрипаль, А.В. А брам ов, А.С. Боголю бов,
М .Ю . К уликов, Д.В. П ономарев. М икрополосковы е ф отонны е кристаллы и
их использование для изм ерения параметров ж идкостей [Текст] / Д.А. У санов
(и др.)// Ж урнал технической физики.- 2010.- том 80, вып. 8
77
20. Волош ин, А.С. И сследование м икрополосковы х моделей
полосно-пропускаю щ их ф ильтров на одномерны х фотонны х кристаллах
[Текст] : автореф. дис. ...к -т а физ.-мат. наук / А.С. В олош ин - К расноярск,
2006. - 20 с.
21. Брандт, А.А. И сследование диэлектриков на сверхвы соких
частотах [Текст] / А.А. Б рандт - М .:И з-во физ.-мат.лит.,1963. - 404с.
22. А.П. С ухоруков «О птические периодические структуры:
фотонны е кристаллы и индуцированны е реш етки» 43 с.

23. А.С. Спицы н, Г.Ф. Г линский «С войства волноводны х м од в
фотонном кристалле н а основе щ елевого крем ния с дефектом » А.С. Спицы н,
Г.Ф. Глинский
24. Брандт А.А. И сследование диэлектриков на сверхвы соких
частотах. - М.: И зд-во физ.-мат.лит. 1963. 404 с.
25. Способ и устройство для изм ерения электрических характеристик
электролитов и диэлектриков[Текст]: пат. 2431855 Рос. Ф едераия :
G O 1R 27/26 /К орндорф С.Ф ., Н огачева Т.И., Д авы дова Н.В. ; О релГТУ ,

Россия. -№ 2009144301/09/, заявл. 30.11.2009 ; опубл. 20.10.2011
26. К алинин, В.В. Способ и устройство для изм ерения
сопротивления водны х электролитов [Текст] / В.В. К алини, А.В. К азак //
Заводская лаборатория. Д иагностика материалов, 2008 - № 8 - том 74 - с.46-
48.
27. Способ изм ерения комплексной диэлектрической проницаем ости
ж идких и сы пучих вещ еств в ш ироком диапазоне частот [Текст]/ пат.
2474830 Рос. Ф едерация : G O 1R27/26 / Бобров П .П ., Репин А.В., К ондратьева
О.В ; О мГП У , Россия. - № 2011134175/28, завл.12.08.2011; опубл. 10.02.2013
28. У стройство для определения диэлектрической проницаем ости
образца м атериала при воздействии внеш них ф акторов [Текст] / пат. 2453856
Рос. Ф едерация : G 01R27/26 / К ры лов В .П ., Ром аш кин В .Г., К улаковский
М .В; ОАО «О Н П П «Технология», Россия. - № 2011106859/28,
завл.22.02.2011; опубл. 20.06.2012

78
29. П роектирование СВЧ устройств: методические указания по
вы полнению лабораторны х работ для студентов специальности 21020165
«П роектирование и технология радиоэлектронны х средств» и направления
21100062 «К онструирование и технология электронны х средств» / сост. О. В.
М аксим ова, Д. А. Е всевичев. - У льяновск : У лГТУ , 2011. - 65 с.
30. П роектирование полосковы х устройств СВЧ [Текст] : учебное
пособие - У льяновск, 2001.- 123 с.
31. Sheng L iang, Swee C huan Tjin, N am Quoc N go, Chunxi Zhang,
L ijing L i./ N ovel tunable fiber-optic edge filter based on m odulating the chirp rate
o f a n-phase-shifted fiber B ragg grating in transm ission/ Optics C om m unications
282, с.1363-1369 (2009)
32. Patent US 2012/0272741 A 1, Coaxial cable bragg grating sensor/ Hai
X iao, Jun Fan, Tao W ei, Songping W u, pub.date: apr.2, 2012.
33. H ippel A .R., D ielectric M aterials and A pplication, M IT Technology
Press and Wiley, N ew Y ork (1954).

34. Д олгова Е.С. М икроволновы е фотонны е кристаллы в
дистанционны х датчиках контроля состояния диэлектрических объектов
[Текст] / Е.С. Д олгова, В.Д. Я м щ иков /Гагаринские чтения: тез. межнурад.
научн. конф. - М осква - 2014
35. Д олгова Е.С. С истем а диагностики состояния диэлектриков на
базе м икроволновы х резонансны х датчиков [Текст] /Е.С. Д олгова/
В сероссийская 48-я научная студенческая конф еренция по техническим ,
гум анитарны м и естественны м наукам, посвящ енная году культуры в России:
тез. к о н ф .- Ч ебоксары - 2014
36. Carlo Edoardo Cam panella, Francesco D e L eonardis, Lorenzo
M astronardi, Pietro M alara, G ianluca G agliardi, and Vittorio M. N. Passaro -
Investigation o f refractive index sensing based on Fano resonance in fiber B ragg
grating ring resonators OPTICS EX PR ESS Vol. 23, No. 11
37. Беляев, Б . А. И сследование микрополосковы х моделей полосно -
пропускаю щ их ф ильтров н а одномерны х ф отонны х кристаллах [Текст] / Б .А.

79
Беляев, А. С. В олош ин, В. Ф . Ш абанов // Докл. акад. наук. - 2005. - Т.400, №
2 . - С . 181-185.
38. Phase - reconstruction in photonic crystals from A-param eter
m agnitude in m icrostrip technology [Text] / M . J. Erro [et. al.] // O pt Q uant
Electron. - 2007. - P . 321-331 .
39. W ide — field — o f - view narrow - band spectral filters based on
photonic crystal nanocavities [Text] / W ataru N akagaw a [et. al.] // Optics Letters. -
2002. - Vol.2 7 , № 3 . - P U 9 1 - 1 9 3
40. M odeling and testing o f uniform fiber B ragg gratings using 1 - D
photonic bandgap structures in m icrostrip technology [Text] / M . J. Erro [et. al.] //
Fiber and Integrated Optics. - 2000. - Vol. 19, № 4. - P . 31 1 - 325.
41. Park, J. N ovel Periodic Structures for a Slotline [Text] : patch L oaded
Slotline /J. Park, J - К Lim , S. N am // IEIC E Trans. Electron. - 2005. - № 88. - P .
135 -138.
42. Бры кин Е.В. / СВЧ структуры с периодическим и
неоднородностям и в копланарном волноводе [Текст] / Е.В. Бры кин, А.Р.
Н асы буллин / сборник статей «Н овые задачи технических наук и пути их
реш ения» м еж дунар.научн.конф . - Ч елябинск - 2015
43. Бры кин Е.В. / СВЧ структуры с периодическим и

неоднородностям и в копланарном волноводе [Текст] / Е.В. Бры кин, А.Р.
Н асы буллин / X X II Т уполевские чтения: тез. меж дунар.науучн.конф . -
К азань - 2015
44. Х оденков С.А., Беляев Б.А. И сследование коэф ф ициентов связи
резонаторов в фильтре на одномерном фотонном кристалле Н С овременны е
проблемы радиотехники и телеком м уникаций «РТ-2008»: м атериалы 4-ой
междунар. молодеж ной науч.-техн. конф. - Севастополь: И зд-во СевНТУ ,
2008. - С. 87.
80
=кфи=
К а за н ск и й н а ц и о н ал ьн ы й иссл ед овательский
те хн и ч е ски й ун и в е р си те т им. А .Н . Т уп олева - К А И
(К Н И Т У -К А И )
Каф едра радиоф отоники и м и кр о в о л н о в ы х техн о л оги й
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛОСКОВЫХ БРЭГГОВСКИХ СВЧ-
СТРУКТУР СО СЛОЖНОПЕРИОДИЧЕСКИМ
ПРОФИЛЕМ
Выполнил: Макаров А.А. гр.5294
Научный руководитель: доц., к.т.н.
Насыбуллин А.Р.
К а за н ь , 2 0 1 7
Целью работы является улучшение резонансных свойств брэгговских
микрополосковых структур посредством введения сложно-периодического
профиля неоднородностей.
Основная задача научных исследований - исследование и разработка
принципов построения, методов анализа и синтеза брэгговских СВЧ-структур со
сложнопериодическим профилем.
Для ее достижения были определены следующие частные задачи:
• провести анализ свойств и характеристик СВЧ систем с периодическими
нерегулярностями брэгговского типа в отрезках микрополосковых линий
передач;
• разработать сложно-периодические формы брэгговских микрополосковых
U U I
структур, включающих элементы с двойной периодичностью, с фазовым

сдвигом в симметричной линии и с кольцевым резонатором и показать
возможность улучшения их резонансных свойств по сравнению со
брэгговскими структурами тривиальной формы;
• проведение экспериментального исследования разработанных СВЧ-структур в
процессе контроля параметров жидких и твердых сред.
2
Существующие линейные микрополосковые
структуры
Л и н е й н а я м и к р о п о л о с к о в а я с тр у к т у р а б е з Л и н е й н а я м и к р о п о л о ск о в а я структура с
наруш ения периодичности в в е д е н и е м узкой н е о д н о р о д н о сти
Л и н е й н а я м и к р о п о л о с к о в а я с т р у к т у р а со
Л и н е й н а я м и к р о п о л о с к о в а я с тр у к ту р а
ступ ен ч аты м п е р е х о д о м во л н о в о го со п р о ти в л е н и я
с ф азовы м сд ви го м
3
Существующие копланарные периодические
структуры
К о м п л а н а р н ы е м и к р о п о л о с к о в ы е с т р у к ту р ы :
а) с н а р у ш е н и е м п е р и о д и ч е с к о й н е о д н о р о д н о с т и ;
б) ст р у к т у р а с 1 0 -ю я в н ы м и и з м е н е н и я м и в о л н о в о г о
соп ротивлени я;
в) л и н и я с в в е д ё н н ы м и д е с я т ь ю я в н ы м и и з м е н е н и я м и
в) в о л н о в о г о с о п р о т и в л е н и я и с д в и г о м ф азы в ц е н т р е
4
Структуры СВЧ диапазона на основе
одномерного фотонного кристалла
а) б)
С т р у к т у р ы на о с н о в е о д н о м е р н о г о ф о т о н н о г о
к р и с т а л л а и их х а р а к т е р и с т и к и : а) к о н с т р у к ц и я с
п е р и о д и ч е ски м и н е о д н о р о д н о стя м и в ф орм е окруж ности;
б) к о н с т р у к ц и я с п е р и о д и ч е с к и м и н е о д н о р о д н о с т я м и в
ф о р м е синуса и д в о й н о го синуса соответственно;
в) к о н с т р у к ц и я с л и н и е й м е а н д р а
5
в)
Анализ влияния конфигурации неоднородностей на
микрополосковую линию с разными видами
периодичности
: ; *
*
-5
в о гj
О
с
©
О б щ и й ви д структуры с п е р и о д и ч н о сть ю в ви д е ап ертур в О б Щи й виД ст р у к ту р ы с т е р ш д т т о с т ж в в в д е в а р т а ц га
Эк р а н е ш и р и н ы п о л о ско во го п ро в о д н и ка
Ж
\\\ \ ^ — / /i
1\ \
У //!
/г
//(
\\
i — ширина неод-ти 10
! г 4 v ': тн 13
— ширина неод- га 16
— ширина неод-ти 19
б) 0.5 1 1,5 2 2,5 5 3,5 4 4.5 5
Расчетны е характеристики коэф ф ициента отраж ения и зависим ость ам плитуды от парам етров
неоднородностей :
а) д л я с т р у к т у р ы с п е р и о д и ч н о с т ь ю в в и д е а п е р т у р в э к р а н е б) д л я с т р у к т у р ы с 6
п е р и о д и ч н о сть ю в виде вариаци и ш и р и н ы п о л о ско во го п ро в о д н и ка
Влияния конфигурации неоднородностей на
микрополосковую линию с двойной
периодичностью
О б щ и й вид стр уктур ы с двойной а)

периодичностью
Ж" - у Х \
\
п \ \ V , 11
ч
(Т
-
|\ A v^ г,
\ 'ЛЬ\ЛГ
/
■/
П
\ V 4 1Щ г •
\ а
— ш и р и н а н е о д -т и 10
— ш и р и н а н е о д - т и 13
'X <
X
— ш и р и н а н е о д -т и 16 "А? т Г
А
— ш и р и н а н е о д -т и 19 ’11 Щ <S
ш и р и н а н ео д -т и 22
б)
Ч а с т о т а ,Г щ
Ш ирина н еодн ородн ости ^™
Х а р а кте р и сти к а коэф ф ициента отраж ения
Граф ики зави си м остей ам плитуды , резонансной частоты и п о л о сы пропускания:

а) п р и р а з л и ч н ы х з н а ч е н и я х р а д и у с а r и ш ирины w, б) п р и с м е щ е н и е м ц е н т р о в а п е р т у р о т н о с и т е л ь н о
а п е р т у р ы р а с п о л о ж е н н о й п о с е р е д и н е с т р у к т у р ы , т.е. п р и р а з л и ч н ы х l 7
Применение структуры с двойной периодичностью
для определения характеристик сред
С т р у к т у р а с д и э л е к т р и ч е с к и м м а т е р и а л о м со Структура с д и э л е к т р и ч е с к и м м а т е р и а л о м
сторон ы апертур в экране р а с п о л о ж е н н ы м со с т о р о н ы п о л о с к о в о й л и н и и со
слож ны м проф илем
а) б)
С е м е й с т в о з а в и с и м о с т е й и з м е н е н и я ц е н т р а л ь н о й ч а сто т ы и а м п л и т у д ы о т д и э л е к т р и ч е с к о й п р о н и ц а е м о с т и
м атериала : а) д л я с т р у к т у р ы с д и э л е к т р и ч е с к и м м а т е р и а л о м н а д а п е р т у р а м и в э к р а н е , 8
б) д л я с т р у к т у р ы с м а т е р и а л о м н а д с е н с о р н ы м у с т р о й с т в о м п о л о с к о в о й л и н и и
Исследование свойств и характеристик
сложнопериодических компланарных структур
а) б) в)
О б щ и й в и д с т р у к т у р : а) к о м п л а н а р н а я н е с и м м е т р и ч н а я м и к р о п о л о с к о в а я л и н и я с ф а з о в ы м с д в и г о м ,
б) к о м п л а н а р н а я л и н и я с з а м к н у т ы м э к р а н о м с ф а з о в ы м с д в и г о м , в) к о м п л а н а р н а я стр у к т у р а с з а м к н у т ы м э к р а н о м ,
д в и го м с д^иэлектр и ч е ск и м м а т е р и а л о м
ф а з о в ы м . сс д
------
\
\ //
/
Р -1 5
S
S
< С
X
13
ЕГ
зо*----- 6.5 7 7.5 S 8.5 9 9.5 10

Ч а с т о т а ,Г г ц Диэлектрическая проницаемость:с
Частота. Ггц
К оэф ф и ц и ен т о тр а ж е н и я при р азл и ч н о й д и эл е к тр и ч е ск о й
К оэф ф и ц иент отраж ения н е си м м е тр и ч н о й
п рон и ц аем ости и зав и си м о сть см е щ е н и я центральной
компланарной линии 9
ч а сто ты о т д и э л е к т р и ч е с к о й п р о н и ц а е м о с т и м а т е р и а л а
Исследование влияния различных типов
апертуры на передаточные характеристик
компланарной линии с замкнутым экраном
1
f—5
лг -
а) б) в)
Р а з л и ч н ы е в а р и а ц и и а п е р т у р в э к р а н е : а) с т р у к т у р а с ц и л и н д р и ч е с к о й а п е р т у р о й в э к р а н е ,
б ) с т р у к т у р а с ц и л и н д р и ч е с к о й а п е р т у р о й в э к р а н е и о т в е р с т и е м в д и э л е к т р и ч е с к о й п о д л о ж к е ; в) с т р у к т у р а с щ е л ь ю
Граф ики зави си м остей ам плитуды , резонансной

ч а с т о т ы и п о л о с ы п р о п у с к а н и я : а) д л я
с тр у к ту р ы с ц и л и н д р и ч е ско й апертурой в
Амплитуда,дБ
1
1
f
экране,
/
/
/
б) д л я с т р у к т у р ы с ц и л и н д р и ч е с к о й а п е р т у р о й
/
Р а д и у с а п е р т у р ы ,м м Д л и н а miе л и , м м
в э к р а н е и в д и э л е к т р и ч е с к о й п о д л о ж к е ; в) д л я
Р а д и у с а п е р т у р ы .м м
структуры с щ елью 10
а) б) в)
Кольцевые резонаторы с микрополосковой
U U
брэгговской структурой
в)
М и к р о п о л о с к о в ы й к о л ь ц е в о й р е з о н а т о р и е го х а р а к т е р и с т и к и : а) о б ы ч н ы й , б) с б р э г г о в с к о й с т р у к т у р о й ,
в) с б р э г г о в с к о й с т р у к т у р о й с ф а з о в ы м с д в и г о м
11
Экспериментальное исследование
микрополосковых брэгговских структур
П л а ты с н а н е с е н и е м б р э г г о в с к и х
структур в м и к р о п о л о с к о в о м
и сполнении:
а) не с и м м е т р и ч н а я к о м п л а н а р н а я
л и н и я с ф а з о в ы м с д в и г о м , б)
сим м етричная ком планарная
линия У становка и зм е р е н и я м и к р о п о л о с к о в ы х
б р э г г о в с к и х с тр к ту р
а) б
Э к с п е р и м е н т а л ь н ы е х а р а к т е р и с т и к и к о э ф ф и ц и е н т а о т р а ж е н и я : а) не с и м м е т р и ч н а я к о м п л а н а р н а я с тр у к т у р а с 12
ф а з о в ы м с д в и г о м ; б) с и м м е т р и ч н а я к о м п л а н а р н а я с т р у к ту р а с ф а з о в ы м с д в и г о м
Экспериментальная установка и результаты
1
5-
- 2.1
S
- 5 .2
'Л '• X T '
ч 'X / V
\ Л /
ю - 8 ,3
1 \
Амплитуда,ДБ
1==С
- 1 1 .4
к - 1 4 .5
\
- 1 7 .6
и
----- :ы рая 1еф ть - 2 0 .7
5
5 0% н еф ть - И сходн ая хар актер и сти ка
9 -23
— 80% н еф ть - Д ля см олы с углеродом 0,5%
2 ----- х а р -к а д а т ч и к а - 2 6 .9 - Д ля см олы с углеродом 1%
-3 0
Ч а с т о т а ,F гц Ч астота,Г ГЦ
Экспериментальная установка и результаты измерения Экспериментальная установка и результаты измерения

диэлектрических параметров нефти. объекта в виде эпоксидной смолы с примесями углерода.
13
Заключение
• Проведен анализ свойств и характеристик существующих СВЧ систем с
периодическими нерегулярностями на примерах линейных, компланарных линий. В
рассмотренных работах показано, что одномерные периодические структуры в
миллиметровом диапазоне длин волн имеют фотонные запрещенные зоны (полосы
заграждения) и окна прозрачности;
• при разработке структур со сложным профилем было замечено, что введение в
структуру сложной периодичности приводит к появлению «окна прозрачности». Так
же стоит выделить, что открытые структуры обладают высокой чувствительностью, но
при измерениях сред с значительными диэлектрическими потерями, их
чувствительность падает и определение характеристик объекта становится
невозможным, для этого следует использовать закрытые структуры с малой
чувствительной областью, она обладает несколько худшей чувствительность
сравнительно с открытыми структурами, но при этом менее зависима от параметром
исследуемого объекта;
• проведено экспериментальное исследование компланарных структур с фазовым
сдвигом, характеризующимся наличием участка с уменьшением вдвое периода, в
симметричном и не симметричном исполнении. По полученным характеристикам
можно заметить, что изменение диэлектрической проницаемости исследуемых
образцов, влечет за собой смещение центральной частоты и амплитуды резонанса
следовательно Данная структура может использоваться для измерения
диэлектрической проницаемости, а полученные измерения можно конвертировать в
такие параметры как температура, влажность и плотность предмета.
14
Публикации
1) Насыбуллин А.Р., Фархутдинов Р.В., Макаров А.А., СВЧ микрополосковый электромагнитный кристалл. Материалы международной
научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов «Прикладная электродинамика, фотоника и живые системы-
2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО «16ПРИНТ», 2016,с.100-102
2) Насыбуллин А.Р., Фархутдинов Р.В., Макаров А.А., Определение диэлектрических параметров материалов на основе СВЧ
микрополосковых электромагнитных кристалов. Материалы международной научно-технической конференции молодых ученых,
аспирантов и студентов «Прикладная электродинамика, фотоника и живые системы-2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО
«16ПРИНТ», 2016,с.102-104
3) Насыбуллин А.Р., Фархутдинов Р.В., Макаров А.А., СВЧ микрополосковые электромагнитные кристаллы с кольцевой конфигурацией.
Материалы международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов «Прикладная электродинамика,
фотоника и живые системы-2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО «16ПРИНТ», 2016,с.104-106
4) Насыбуллин А.Р., Фархутдинов Р.В., Макаров А.А., Сенсорные приложения СВЧ микрополосковых электромагнитных кристаллов с
кольцевой конфигурацией. Материалы международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов
«Прикладная электродинамика, фотоника и живые системы-2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО «16ПРИНТ», 2016,с.106-109
5) Насыбуллин А.Р., Веденькин Д.А., Макаров А.А., Экспериментальное исследование микрополосковых электромагнитных кристаллов СВЧ
диапазона. Материалы международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов «Прикладная
электродинамика, фотоника и живые системы-2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО «16ПРИНТ», 2016,с.109-111
6) Насыбуллин А.Р., Веденькин Д.А., Макаров А.А., Экспериментальное исследование микрополосковых электромагнитных кристаллов СВЧ
диапазона при оценке свойств материалов. Материалы международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и
студентов «Прикладная электродинамика, фотоника и живые системы-2016», 7-8 апреля 2016г., Казань, Изд. ООО «16ПРИНТ», 2016,с.111-
113
7) Зуев О.Ю., Макаров А.А., «Применение оптоволоконной решетки Брэгга в исследовании переработки нефтешламов», форум
«Инженерные кадры - будущее инновационной экономики России», конференция «Новые технологии инфокоммуникаций, радиотехники
и электроники для перспективных отраслей промышленности» 23-28 ноября, республика Марий Эл, г.Йошкар-Ола, 2015г Изд-во
Поволжского гос.тех. ун-та. т.3. с.49-521-113
8) Насыбуллин А.Р., Фархутдинов Р.В., Макаров А.А., Периодические неоднородные СВЧ-структуры в полосковом исполнении для задач
определения электрофизическихпараметров диэлектриков. Материалы международной научно-практической конференции «Новые 15
задачи технических наук и пути их решения», 10 декабря 2015 г., Челябинск, Изд. ООО «АЭТЕРНА», 2015,с.26-31

2017 RFMT RT MTPK Makarov Alexey Anatol Evich

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

2017 RFMT RT MTPK Makarov Alexey Anatol Evich

Оригинальное название:

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Министерство образования и науки

КАЗАН СК И Й НАЦ ИО Н АЛ ЬНЫ Й

(КАЗАНСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО

ДИПЛОМАНТ Макаров Алексей Анатольевич

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

Направление подготовки(специальность) 11.04.01 - Радиотехника

ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА

на тему «Исследование характеристик полосковых брэгговских СВЧ-

ОБУЧАЮ Щ ИЙСЯ А. А. Макаров

Federal State Budgetary Education Institution of

Destination (specialty) 11.04.01 - Radiotechniques

FINAL QUALIFYING WORK

on the topic o f « Investigation o f the characteristics o f strip Bragg microwave

ADVISER PhD.. A. R. Nasvbullin

In tro d u ctio n ................................................................................................................................. 9

1 А нализ свойств брэгговских микрополосковы х СВЧ структур........................12

1.1 Л инейны е м икрополосковы е с тр у к ту р ы ...........................................................12

м икрополосковы х С В Ч -стр у к ту р ....................................................................................36

2.1 М икрополосковая СВ Ч структура с двойной периодичностью ..............36

3.1 И зготовление линейны х м икрополосковы х брэгговских структур СВЧ

С писок использованны х источников 76

П риложение. П резентация к В К Р ...... 81

соверш енствованию новы х направлений прим енения радио технологий.

О собую роль в развитии современны х наукоем ких прилож ений заним аю т

определения, мож но отнести м ногочисленны е области использования

электром агнитного поля м икроволнового диапазона, за исклю чением

традиционны х м етодов передачи инф орм ационны х сообщ ений посредством

М икроволновы е технологии откры ли перспективы создания сенсорны х

устройств всевозм ож ны х областей применения. П роблем ы разработки

датчиков СВЧ диапазона в первую очередь связаны с вы бором конф игурации

и парам етров СВЧ устройства, вы ступаю щ его в качестве

преобразовательного элемента. В этой связи нахож дение новы х путей

достиж ения требуем ы х характеристик сенсорны х устройств, основой

которы х является разработка электродинам ической структуры как

чувствительного элемента, является актуальной научно-технической задачей.

В последнее врем я рядом учены х ведутся исследования в области

анализа и синтеза резонансны х структур в виде полосковы х и

м икрополосковы х периодических структур с эф ф ектом брэгговского

отраж ения для определения электроф изических парам етров м атериалов и

изделий. Н аиболее значим ы е результаты в этом направлении получены в

К Н И ТУ -К А И (Казань), С ГУ (С аратов) и С ибГА У (Красноярск).

Н астоящ ая работа посвящ ена вопросам введения в м икрополосковы е

линии периодической последовательности неоднородностей не тривиального

вида, то есть характеризую щ иеся слож нопериодическим характером

неоднородной структуры, что позволяет в результате улучш ить

характеристики СВЧ датчика.

Целью работы является улучш ение резонансны х свойств брэгговских

проф иля неоднородностей.

Объект исследования: отрезок м икрополосковой линии с введенны м и

Предмет исследования: резонансны й контроль электроф изических

периодическим и нерегулярностям и брэгговского тип а в отрезках

микрополосковы х линий передач;

- разработать слож но-периодические ф ормы брэгговских

микрополосковы х структур, вклю чаю щ их элем енты с двойной

периодичностью , с фазовым сдвигом в симм етричной линии и с кольцевы м

резонатором и показать возм ож ность улучш ения их резонансны х свойств по

сравнению со брэгговскими структурами тривиальной ф ормы ;

- проведение экспериментального исследования разработанны х СВЧ-

структур в процессе контроля парам етров ж идких и тверды х сред.

Научная новизна работы заклю чается в следующ ем:

микрополосковы х структур путем введения слож ного характера закона

2. П редлож ены возмож ны е конструкции С В Ч -датчиков на основе