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 P&'& ' () * Es aquel que permite el paso de la
corriente en una sola dirección, claro está que solo
se lo utilizara en comparaciones con otros
dispositivos. Una característica del diodo ideal es
que al efectuar en la región de la derecha la ley de
ohm nos da un Rf = 0Ÿ y será un circuito cerrado
mientras que en la región de la izquierda RR = ’Ÿ
(circuito abierto).

+,-  - . * La polarización que esta recibe es de

manera inversa como se ve en el grafico aparte tiene una
región la cual denominaremos región avalancha o zener en
ella existe un gran incremento de la corriente adicional a
ello podemos concluir q la ley de ohm deja de relacionarse
y debemos regirnos a las características que tiene cada
material, además debemos decir que a medida que crece la
región de polarización inversa también incrementa la
velocidad de los portadores minoritarios los cuales son los
responsables de la corriente inversa de saturació.

+&- /()(-01( * La región avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical mediante
un incremento en los niveles de dopado tanto para el material tipo n como para el tipo p.
Ahora bien si el Vz disminuye ocurre algo interesante que se denomina ruptura Zener
pues a medida q va bajando a niveles muy bajo como -5V el cual hace un cambio
abrupto de las características del diodo.

(.(0&- ' )(


Debemos dar una pequeña comparación entre los 2
materiales que sirven como semiconductores en este
caso el silicio (Si) y el Germanio (Ge)

Se aprecia que cada uno de ellos tiene diferentes

voltajes de polarización directa o inversamente

También las corrientes cambian pero su variación

no está significante.

El voltaje de polarización del silicio es mucho

mayor que el voltaje de polarización del germanio

Este grafico pude modificarse si aumentamos otra

variable que es la temperatura con el cual se contrae
hacia el eje de las Y (corriente)
 23 .(45.(  * La teoría dice: La magnitud de la corriente de saturación
inversa Is, se incrementara en una proporción doble por cada incremento de 10ºC en la
temperatura.

P&'& 6
Ý3-,- & &2 -4(.&6

Estos semiconductores tienen su dirección ya fijada convencionalmente, cuando la

dirección de la corriente es la misma a la del diodo es polarización directa y cuando la
dirección del diodo es contraria a la dirección de la corriente es polarización inversa, el
único elemento que puede aguantar la polarización inversa es el diodo zener.

El diodo zener trabaja con voltajes altos inversamente aunque tiene un límite que es en
la región del zener y pudiéndose mostrar el efecto avalancha.

La magnitud de la corriente de saturación inversa se incrementara en el doble por cada

incremento de 10ºC en la temperatura, esto nos dice que habrá mayor temperatura
cuando la polarizamos inversamente.

El diodo 1N4007 es con el que se trabaja en los laboratorios y este como se lo puede
apreciar puede soportar voltajes de 1000V antes de caer en el Efecto Avalancha y en
este caso puede trabajar hasta 1A.