Modulo I

FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA
MÓDULO I
TEORÍA DE
SEMICONDUCTORES
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES
MÓDULO I
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores que permiten una circulación mayor de corriente
por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulación de corriente, se encuentra una gama de materiales con
propiedades propias que se denominan semiconductores ellos tienen una
conductividad que varía con la temperatura, pudiendo comportarse como
conductores o como aislantes dependiendo del valor de esta.
Todos los semiconductores se caracterizan porque en su última capa de electrones
de su estructura atómica poseen cuatro electrones llamados electrones de valencia.
El elemento semiconductor más usado es el Silicio (Si), pero hay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que también son usados en la fabricación
de circuitos. El silicio es el segundo elemento más abundante en la naturaleza,
después del oxígeno, constituye aproximadamente el 28% de la corteza terrestre.
Además, el Si presenta propiedades eléctricas buenas debido a que su resistividad
eléctrica que a temperatura ambiente es intermedia entre la de los metales y los
aislantes y su conductividad puede ser controlada agregando pequeñas cantidades
de impurezas. En la industria del acero se usa como un constituyente de las
aleaciones de acero al silicio las cuales se utilizan para hacer los núcleos de los
transformadores eléctricos porque esta aleación disminuye la histéresis magnética.
Su purificación es relativamente sencilla (llegándose a Si puro del 99,99999%) y el
Si se presta fácilmente a ser oxidado, formándose SiO2 (dióxido de silicio) y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnología
CMOS. Aunque idéntico comportamiento presentan las combinaciones de
elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente [GaAs
(Arseniuro de Galio), InP (Fosfuro de Indio), AsGaAl (Arseniuro de Galio y
Aluminio), CdTe (Teluro de Cadmio), CdSe (Seleniuro de Cadmio) y CdS (Sulfuro
de Cadmio)] de la tabla periódica. Últimamente también se usa el azufre (S).
TEORÍA DE SEMICONDUCTORES 2
En la tabla # 1 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos II (Cd

Cadmio), III (Al Aluminio, Ga Galio, B Boro, In Indio), IV (Si Silicio, Ge Germanio), V
(P Fósforo, As Arsénico, Sb Antimonio), VI (Se Selenio, Te Telurio, S Azufre) de la
tabla periódica.
Estos elementos tienen una estructura más estable si comparten electrones,
formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones con
átomos vecinos todos ellos tengan en la última capa ocho electrones, situación que
es muy estable.
Electrones en
Elemento Grupo
la última capa
Cd II A 2 e-
Al, Ga, B, In III A 3 e-
Si, Ge IV A 4 e-
P, As, Sb VA 5 e-
Se, Te, (S) VI A 6 e-
Tabla N° 1
Esto hace que se forme una malla de átomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por átomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares tal
como se puede apreciar en las figuras 1.1a y 1.1b.
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrón
geométrico. La gran proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones
de su última capa sufran la interacción de los átomos vecinos.
En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, así que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
Un aumento en la temperatura hace que los átomos en un cristal por ejemplo, de
silicio, vibren dentro de él, a mayor temperatura mayor será la vibración. Con lo que
un electrón se puede liberar de su órbita, y deja un hueco (Vacío que deja un
electrón al ser liberado de su orbita), que a su vez atraerá otro electrón, y así
sucesivamente.
Fig. 1.1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1.1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio
(GaAs)
Fuente: www.ele.uva.es
En la figura 1.2a se puede observar un cristal de silicio antes del aumento de la

temperatura y en la figura 1.2b el cristal de silicio después de un aumento de
temperatura donde se produce la creación del hueco y del electrón libre por el
rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. A 0 K, todos los electrones están
ligados por su enlace covalente, la dependencia con la temperatura crea la limitante
al material semiconductor de no crear electrones libres. A 300 K o más, aparecen
electrones libres.
(a) (b)
Fig. 1.2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 1.2b.- Cristal de
Silicio (Si) después del aumento de la temperatura.
Fuente: El Autor
La unión de un electrón libre y un hueco se llama "recombinación", y el tiempo entre

la creación y desaparición de un electrón libre se denomina "tiempo de vida".
2.- Banda de Energía y Conductividad Eléctrica del Cristal

El nivel energético de cada electrón puede estar situado en la "banda de valencia" o
en la "banda de conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la
banda de valencia está ligado a un átomo del cristal y no puede moverse libremente
a través de él, mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conducción,
el electrón puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de
una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningún electrón del cristal. La magnitud de esa
banda prohibida [Eg] permite definir otra diferencia entre los semiconductores,
aislantes y conductores. Y tiene por unidad de energía al Electrón- Voltio [eV], la
cual es igual a la energía que adquiere una partícula cargada, cuando es acelerada
en el vacío, a través de una diferencia de potencial de 1 voltio.
En la figura 1.3 se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energía
según el tipo del material. La magnitud de la banda prohibida (Eg) de algunos
semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio
(Ge) de 0,67 eV, Arseniuro de Galio (GaAs) de 1,43 eV, Telurio de Cadmio (CdTe)
0,33 eV, Galena (SPb) de 0,37 eV, Antimoniuro de Indio (SbIn) de 0,23 eV.
Para la conducción de la electricidad es necesario que hayan electrones en la capa

de conducción, así se pueden considerar tres situaciones:
Los conductores, en donde la banda de valencia y la banda de conducción a

se superponen.
Los aislantes, en donde la diferencia existente entre las bandas de energía,
en el orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los
electrones hacia la banda de conducción.
Los semiconductores, en donde el salto de energía es pequeño, en el orden
de 1 eV, al suministrarles energía pueden conducir la electricidad; pero
además, su conductividad puede regularse, puesto que al disminuir la

energía aportada es menor el número de electrones que salte a la banda de
conducción; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o más propiamente, poco variable con la
temperatura.
Eg≈ 1eV Eg = 6eV
Semiconductor Aislante Conductor
Banda de Banda de Banda de

Conducción Valencia Prohibida
Solapamiento de la Banda de
Valencia y la Banda de conducción
Fig. 1.3 Estructura de las bandas de energía de un Aislante, un Semiconductor y un

Conductor
Fuente: El Autor
Es importante notar que la conductividad eléctrica de los semiconductores es

directamente proporcional a la temperatura, y por ello se afirma que su Coeficiente
Térmico de Conductividad es positivo, a diferencia de los metales cuyo Coeficiente
Térmico de Conductividad es negativo.
Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los

metales aumenta o, en forma equivalente, su conductividad disminuye.
Por lo contrario, a temperaturas normales (aprox. 27°C), la conductividad de los
semiconductores aumenta en un 5% por cada grado de incremento en la
temperatura.
NOTA: No debe confundirse la resistividad del material con la resistencia del

mismo. La resistividad es una propiedad característica de cada material, mientras
que la resistencia depende de la forma geométrica.
La corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres

mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libre
y los huecos.
3.- Tipos de Semiconductores
3.1 Semiconductores Intrínseco
Los semiconductores intrínsecos son los cristales semiconductores puros. A

temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En ellos, el número de
huecos es igual al número de electrones y es función de la temperatura del cristal.
La conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la

cantidad de electrones libres es igual a la cantidad de huecos presente en el cristal
debido al fenómeno de recombinación. A una determinada temperatura, las
velocidades de creación de pares electrón-hueco, y de recombinación se igualan, de
modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable.
Siendo n la concentración de electrones (cargas negativas) y p la concentración

de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p Ec 1.1
Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

temperatura. Al someter al cristal a una diferencia de tensión, se producen dos
corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conducción, y por otro lado, la corriente debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos,
originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico

cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.
⎛ −E g ⎞
⎜ ⎟
⎜ ⎟
⎜ 2 * k *T ⎟
ni = B * T 3 / 2 * e ⎝ ⎠
Ec 1.2
Donde:
B : Constante del material semiconductor especifico.
E g : Es la magnitud del nivel de energía entre banda (banda prohibida).
T : Temperatura en grado Kelvin (K)
k : Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*1015 cm-3K-3/2, para el Arseniuro
de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2 y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2.
3.2.- Semiconductores Extrínseco
Para aumentar la conductividad en un semiconductor intrínseco se somete al

semiconductor a un proceso de “Dopado”, el cual consiste en agregar de una forma
controlada átomos o impurezas para cambiar sus características eléctricas del
material semiconductor y así convertirlo en un Material Semiconductor Extrínseco y
dependiendo del tipo de impurezas o átomos añadidos se pueden tener dos tipos de
semiconductores extrínsecos.
3.2.1.- Semiconductores Extrínseco Tipo N
Los semiconductores extrínsecos tipo N son los semiconductores intrínsecos que en

el proceso de dopado se le han añadido átomos o impurezas pentavalentes, es
decir, las que poseen 5 electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar
Fósforo (P), Arsénico (As), Antimonio (Sb), las cuales son llamadas también
Impurezas Donadoras ellas añaden un electrón libre al cristal a temperatura
ambiente, los cuatros electrones de valencia restantes forman enlaces covalentes
con los átomos vecinos del semiconductor. Estas impurezas introducen un nivel
donador entre la banda de valencia y la banda de conducción pero mas cercano a
esta última.
En estos semiconductores a una temperatura cualquiera existen más electrones que

huecos, los cuales serán llamados portadores mayoritarios y portadores minoritarios
respectivamente. En la figura 1.4 se puede observar un cristal de silicio al cual se le
ha añadido un átomo de fósforo (P) el cual genera un electrón libre.
Fig. 1.4.- Cristal de Silicio contaminado con átomos de Fósforo (Liberación de un electrón) y
átomos de Boro (Absorción de un electrón). Fuente: www.acapomil.cl
En la figura 1.5 se muestra el nuevo nivel de energía de un semiconductor con

átomos donadores (por ejemplo P en Si), el nivel dador se encuentra justo por
debajo de la banda de conducción. Los electrones (●) son promocionados
fácilmente a la banda de conducción. El semiconductor es de tipo N.
Fig. 1.5. Nivel donador o dador introducido por los átomos pentavalentes
Fuente: El Autor
3.2.2.- Semiconductores Extrínseco Tipo P
Los semiconductores extrínsecos tipo P son los semiconductor intrínseco que en el

proceso de dopado se le han añadido átomos o impurezas trivalentes, es decir,
poseen tres electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar Boro (B),
Indio (In), Aluminio (Al), Galio (Ga) las cuales son llamadas también Impurezas
Aceptadoras ellas añaden un hueco en el cristal a temperatura ambiente por cada
átomo agregado al semiconductor, tres de sus electrones de valencia forman enlace
covalente con los átomos vecinos del semiconductor y queda un vacío en un de los
enlaces covalentes o simplemente no se llega a formar el enlace. Ellas introducen
un nivel aceptador entre la banda de valencia y la banda de conducción pero más
cercano a la primera. En estos semiconductores a cualquiera temperatura existen
más huecos que electrones, los cuales serán llamados portadores mayoritarios y
portadores minoritarios respectivamente, contrario a los semiconductores
extrínsecos tipo N. En la figura 1.4 se puede ver un cristal de silicio al cual se le ha
añadido o agregado un átomo de boro (B) el cual genera un hueco. En la figura 1.6
se muestra el nuevo nivel de energía añadido en un semiconductor con átomos
aceptores (por ejemplo B en Si), el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la
banda de valencia. Los electrones son promovidos fácilmente al nivel aceptor
dejando agujeros positivos (○) en la banda de valencia. El semiconductor es de tipo-
P.
Fig. 1.6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los átomos trivalentes
Fuente: El Autor
4.- Ley de Acción de Masas
Se ha podido observar que, al añadir impurezas pentavalentes al semiconductor

intrínseco, disminuye el número de huecos. De forma similar ocurre al dopar al
semiconductor con impurezas trivalentes, disminuye la concentración de electrones

libres a un valor inferior al del semiconductor intrínseco, en condiciones de equilibrio
térmico, el producto de la concentración de las cargas positivas y negativas libres es
una constante independiente de la cantidad de átomo donador o aceptador. Esta
ecuación se denomina Ley de Acción de Masas y viene dada por:
n * p = ni2 Ec 1.3
5.- Ley de Neutralidad de Carga

En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de
las cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. Así la
concentración de cargas positivas esta constituida por la suma de los iones positivos
N D y los huecos p , ( N D + p ) . De la misma manera la concentración de cargas
negativas esta constituida por la suma de los iones negativos N A y los electrones
n , ( N A + n)
ND + p = N A + n Ec 1.4
Cuando se tiene un material tipo N, que tenga N A = 0 . El número de electrones

será mucho mayor que el número de huecos y se puede aproximar la ecuación
anterior a:
n ≈ ND ⇒ nn ≈ N D Ec 1.5
Por lo tanto lo portadores minoritarios los huecos, se calculan utilizando la ley de

acción de masas:
ni2
pn = Ec 1.6
ND
De igual manera, en un semiconductor del tipo p:
n p * p p = ni2 pp ≈ NA
ni2
np = Ec 1.7
NA
6.- Movilidad y Conductividad
En los semiconductores la corriente eléctrica es el resultado del movimiento de
ambas cargas, es decir, de los electrones libres y los huecos, esto esta asociado a
dos fenómenos físicos.
Densidad de Corriente de Arrastre o Desplazamiento (fuga)
Densidad de Corriente de Difusión.
6.1 Densidad De Corriente de Arrastre
Este primer fenómeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se le
aplica un campo eléctrico al material semiconductor. Cuando las cargas son
aceleradas por el campo eléctrico se produce un aumento de la energía térmica la
cual va a fomentar el movimiento de las cargas en forma no aleatoria. Y los
portadores de carga se ven afectados de la siguiente manera:
Electrones libres: La fuerza que el campo eléctrico ejerce sobre los electrones
provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo eléctrico aplicado. De
este modo se origina una corriente eléctrica. La densidad de corriente eléctrica
(número de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo)
dependerá de la fuerza que actúa ( q * E ), del número de portadores existentes y de

la movilidad con que estos se mueven por la red, es decir:
J n = μn * n * q * E Ec 1.8
Donde:
J n : Densidad de corriente de los electrones [A / cm2]
μ n : Movilidad de los electrones en el material [cm2/ V *s]

n : Concentración de los electrones [cm-3]
q : Carga eléctrica [1,6 * 10-19 C]
E : Campo eléctrico aplicado. [V/ cm]
La movilidad μ n es una característica del material, y está relacionada con la

capacidad de movimiento del electrón a través de la red cristalina.
Huecos: El campo eléctrico aplicado ejerce una fuerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrón
perteneciente a un enlace cercano a la posición del hueco salte a ese espacio. Así,
el hueco se desplaza una posición en el sentido del campo eléctrico. Si este
fenómeno se repite, el hueco continúa desplazándose. Aunque este movimiento se
produce por los saltos de electrones, se puede suponer que es el hueco el que se
está moviendo por los enlaces.
E Instante
t1
t2
t3
t4
Huecos Electrones
Fig. 1.7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones

Fuente: El Autor
La carga neta del hueco vacante es positiva y, se puede pensar en el hueco como
una carga positiva moviéndose en la dirección del campo eléctrico. Se puede ver en
la figura 1.7 que los electrones individuales del enlace se involucran en el llenado de
los espacios vacantes por la propagación del hueco, no muestran movimiento
continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve únicamente una
vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrón libre se mueve de forma
continua en la dirección opuesta al campo eléctrico.
Análogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de los
huecos viene dada por:
J p = μp * p * q * E Ec 1.9
Donde:
J p : Densidad de corriente de los huecos [A / cm2]
μ p : Movilidad de los huecos en el material [cm2/ V *s]

p : Concentración de huecos [cm-3]
E : Campo eléctrico aplicado. [ V/ cm]
La movilidad μ p es característica del material, y está relacionada con la capacidad

de movimiento del hueco a través de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad"
de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
Se puede considerar el caso de un semiconductor que disponga de huecos y
electrones, el cual se somete a la acción de un campo eléctrico. Los electrones se
mueven en el sentido opuesto al campo eléctrico, mientras que los huecos se
mueven según el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas en el
sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en sentido
contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las densidades
de corriente de electrones y de huecos:
J Arrastre _ Total = Jn + J p Ec 1.10
6.2.- Densidad De Corriente de Difusión

En segundo lugar se tiene el fenómeno de difusión; por regla las cargas electrones y
huecos, se mueven en sentido del gradiente de concentración, van de regiones de
mayor concentración a regiones de menor concentración para favorecer el equilibrio
de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de
concentración.
La difusión no depende del valor absoluto de la concentración de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Ley
de Fick es la relación de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el
gradiente de concentración de portadores de carga debido al fenómeno de la

difusión.
J = −D * q * ∇n Ec 1.11
Donde:
J : Densidad de corriente [A/cm2].
D : Constante de Difusión o Difusividad [cm2/s].
∇n o ∇p : Gradiente de concentración de electrones (o huecos) [ cm-3]

En los metales, la difusión no es un proceso de importancia, porque no existe un
mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Dado que
en un metal únicamente hay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de
portadores que se pueda formar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo
eléctrico resultante crea una corriente de arrastre, de manera instantánea anula el
gradiente antes de que se de la difusión. Por el contrario, en un semiconductor hay
portadores positivos y negativos de carga, por lo que hace posible la existencia de
un gradiente de densidad de huecos y de electrones, mientras se mantiene la
neutralidad de la carga.
En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de difusión
pueden expresarse de forma unidimensional mediante la ecuación:
dn dp
J Difusión _ Total = q * Dn * − q * Dp * Ec 1.12
dx dx
El segundo término de la expresión tiene signo negativo porque la pendiente
negativa de los huecos da lugar a una corriente negativa de los huecos.
Donde:
J Difusión : Densidad de Difusión total [A/ cm2]
D p : Difusividad de los huecos [cm2 / s]
Dn : Difusividad de los electrones [cm2 / s]

n : Concentración de electrones [cm-3]
p : Concentración de huecos [cm-3]
7.- Relación de Einstein
Establece la relación entre la constante de difusión (Difusividad) y la constante de

movilidad de cada portador de carga ya que ambas son fenómenos estadísticos
termodinámicas y no son independientes. Esta relación viene dada por la ecuación
de Einstein
Dn Dp
= = VT Ec 1.13
μn μp
Donde VT es el “Potencial equivalente de Temperatura” o Voltaje Térmico, definido

por:
k *T
VT = Ec 1.14
q
Donde:
k : Constante de Boltzmann [1,38*10-23 J/ K]
T : Temperatura en Kelvin [K]
q : Carga del electrón [1,6*10-19 C]
Constantes de los Semiconductores a una Temperatura de 27°C
μn
B Dn Dp μp
Semiconductor E g (eV ) −3 −3 / 2 (cm 2 / V * s )
(cm K ) (cm 2 / s ) 2
(cm / s ) (cm 2 / V * s )
Si 1.1 5.23*1015 35 12.5 1350 480
GaAs 1.4 2.10*1014 220 10 8500 400
Ge 0.67 1.66*1015 100 50 3900 1900
8.- Glosario de Términos
Aceptor: m. Fís. Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos

semiconductores para que acepten electrones en exceso.
Átomo: Es la partícula más pequeña de un elemento que mantiene las propiedades
químicas de este. Los átomos son eléctricamente neutros, tienen la carga positiva
concentrada en su núcleo y uno o más electrones con carga negativa girando a su
alrededor.
Banda de Conducción: Se denomina “banda de conducción” al nivel de energía
donde la atracción del núcleo del átomo sobre los electrones es más débil. Ese
nivel corresponde a la última órbita del átomo, la que puede compartir así sus
electrones entre el resto de los átomos de un cuerpo, allí los electrones circulan
libremente.
Banda de Valencia: Se denomina banda de valencia al último nivel de energía u
órbita más alejada del núcleo del átomo. La banda de valencia permite que los
electrones que giran en la última órbita puedan pasar de un átomo a otro, en
dependencia de su "número de valencia" o "número de oxidación", que puede ser
positivo (+), o negativo (–), de acuerdo con las propiedades específicas de cada
elemento.
Banda Prohibida: Región que está entre la banda de valencia y la de conducción,
en la cual los electrones de un átomo o red de átomos, atraviesan por un proceso
cuántico para que, por ejemplo, los electrones de la banda de valencia lleguen a la
de conducción. El ancho de la banda prohibida se mide en unidades de energía y
determina que un material sea conductor, semiconductor o aislante.
Concentración: La concentración es la magnitud física que expresa la cantidad de
un elemento o un compuesto por unidad de volumen.
Difusión: El movimiento de átomos al azar, de una región de alta concentración a
otra de baja concentración.
Donador: Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos semiconductores
para que done o ceda electrones.
Dopado: Proceso mediante el cual se le cambia las características eléctricas al

material semiconductor al agregarle impureza.
Electrón Libre: Es el electrón que ha absorbido la energía suficiente para pasar a la
banda de conducción.
Enlace Covalente: Es el compartimiento de electrones de valencias.
Gradiente: Se denomina gradiente de un campo escalar a la variación espacial del
mismo. El resultado es un vector. Este vector apunta en la dirección en la que la
variación del campo es mayor por unidad de desplazamiento, y el módulo nos indica
el valor de dicho cambio, por tanto, el gradiente es la mayor de las derivadas
direccionales de un punto dado dentro de dicho campo u. Matemáticamente se
obtiene derivando parcialmente el vector respecto de cada una de las coordenadas
espaciales.
Hueco: Es el vacío que queda en el átomo después del rompimiento de un enlace.
Ión: Es cuando un átomo gana o cede uno o varios electrones en su última órbita o
capa.
Ión Positivo: Se cuando el átomo cede o pierde electrones, debido a que en esa
situación la carga eléctrica positiva de los protones del núcleo supera a la negativa
de los electrones que quedan girando en sus respectivas órbitas.
Ión Negativo: Se cuando el átomo gana algún electrón en la última órbita, en este
caso la carga eléctrica negativa (–) de los de electrones supera a la carga positiva
de los protones contenidos en el núcleo.
Ionización: Mecanismo mediante el cual un electrón de valencia absorbe energía
suficiente para pasar a la banda de conducción.
Ley de Fick: La ley de Fick dice que el flujo difusivo que atraviesa una superficie es
directamente proporcional al gradiente de concentración. El coeficiente de
proporcionalidad se llama coeficiente de difusión (D, en cm2 s-1)
Recombinación: Es cuando un electrón es recapturado por un hueco,
reestableciendo el enlace covalente.
Tiempo de Vida: Es el tiempo que tarda un electrón libre en ser capturado por un
hueco.
Ejercicios Resueltos
1.- Determine la concentración intrínseca para una porción de Arseniuro de Galio

GaAs a una Temperatura de 300 K.
Datos:
B = 2,10 * 1014 (cm −3 K −3 / 2 )
T = 300 K
E g = 1,4eV
k = 86 * 10 −6 eV / K
ni = ?
⎛ − Eg ⎞
⎜ ⎟
⎜ 2 * k *T ⎟
La concentración intrínseca viene dada por la ecuación ni = B * T 3/ 2
*e ⎝ ⎠
−1, 4 eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 300 K
ni = 2,10 * 1014 cm − 3 K − 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
n i = 1, 797 * 10 6 cm − 3
2.- Determine la concentración de portadores Mayoritarios y minoritarios del silicio Si
al cuál se le ha añadido una concentración de átomos de arsénico de 6x1018 cm-3 a
una temperatura de 20 ºC
Datos:
B = 5,23 * 1015 (cm−3 K −3 / 2 )

T = 20o C
Eg = 1,1eV
k = 86 * 10 −6 eV / K
N D = 6 * 1018 cm −3
ni = ? n = ? p = ?
Para pasar de grado Celsius a Kelvin se la suman 273 a la temperatura dada.
T = 20o C T = 20 o C + 273 = 293 K

Se calcula la concentración Intrínseca del Material
− 1 ,1 eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 293 K
−3 −3 / 2
n i = 5 , 23 * 10 15 cm K * ( 293 K ) 3 / 2 * e K
η i = 8.69 x10 9 cm −3
Como N D es mucho mayor a ni se puede decir que:
nn ≈ N D = 6 * 1018 cm −3 Concentración de Portadores Mayoritarios
nn * p n = ni2
ni2
Quedando la concentración de portadores minoritarios pn =
ND
pn =
(8.69 * 10 cm )9 −3 2
= 12,58cm − 3
18 −3
6 * 10 cm
p n = 12.58cm −3 Concentración de Portadores Minoritarios
3.- Determine la densidad de corriente de arrastre del germanio Ge cuando es
dopado con una concentración de 10x1020 cm-3 de átomos de Boro a una
temperatura de 300 K, y se le aplica un campo eléctrico de 150 V/cm.
Datos:
B = 1,66 * 1015 (cm −3 K −3 / 2 )
T = 300K
Eg = 0,67eV
k = 86 * 10 − 6 eV / K
N A = 10 * 10 20 cm −3
E = 150V / cm
J Arrastre = ?
Se realiza el calcula la concentración intrínseca del material
−0 , 67 eV
eV
2*86*10 − 6 *300 K
ni = 1,66 * 1015 cm −3 K −3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
η i = 1,98 x10 13 cm − 3
Como N A es mucho mayor a ni se plantea que:
p p ≈ N A = 10 x10 20 cm − 3 Concentración de Portadores Mayoritarios
n p * p p = ni2
ni2
Quedando la concentración de portadores minoritarios n p =
NA
np =
(1,98 * 10 13
cm −3 )
2
= 392,04 * 103 cm − 3
10 * 1020 cm − 3
Como la corriente de arrastre depende de los electrones y de los huecos, se tiene

que:
J Arrastre = J An + J Ap
cm 2 V
J An = qμn nE = 1,6 * 10 −19
C * 3900 * 392,04 * 103 cm − 3 * 150
V *s cm
J An = 36 ,69 * 10 −9 A / cm 2
cm 2 V
J Ap = qμ p pE = 1,6 * 10 −19 C * 1900 * 10 * 1020 cm − 3 * 150
V *s cm
J Ap = 45 , 6 * 10 6 A / cm 2
J Arrastre = 36,69 * 10 −9 A / cm 2 + 45,6 * 10 6 A / cm 2 ≈ 45,9 * 106 A / cm 2
J Arrastre = 45,6 * 10 6 A / cm 2
4. Calcule la corriente de Difusión para una porción de GaAs la cual es dopada con
una concentración de átomos de fósforo de 5x1015e-3x cm-3 a una temperatura de
300 K.
Datos:
B = 2,10 * 10 14 (cm −3 K −3 / 2 )
T = 300K
Eg = 1,4eV
−6
k = 86 * 10 eV / K
N D = 5 * 10 15 * e −3 x cm −3
J Difusion = ?
Se calcula la Concentración Intrínseca:
−1, 4 eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 300 K
ni = 2,10 * 1014 cm − 3 K − 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
ni = 1,797 * 106 cm−3

Como N D es mucho mayor a ni se puede decir que:
nn ≈ N D = 5 * 1015 * e −3 x cm−3 n n = 5 * 10 15 e − 3 x cm −3
ni2 (1,797 * 106 cm−3 ) 2

pn = ⇒ 15 −3 x −3
= 6,458 * 10− 4 e3 x cm− 3
ND 5 * 10 * e cm
Las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios son:
nn = 5 * 1015 e −3 x cm−3 pn = 6,458 * 10−4 e 3 x cm−3

Para calcular la corriente de difusión se debe determinar las variaciones de
concentración de los portadores de carga.
∇nn = −3 * 5 * 1015 e −3 x = −15 * 1015 e −3 x cm −3
∇pn = 3 * 6,458 * 10 −4 e 3 x = 19,37 * 10 −4 e 3 x cm −3

Se procede a determinar la Corriente de Difusión del Material
J Dn = D n * q * ∇ n JDp = −Dp * q * ∇p
cm 2
J Dn = 1,6 * 10 −19 C * 220 * −15 * 1015 e − 3 x cm − 3 = −0,528e − 3 x A / cm 2
s
cm 2
J Dp = − 1, 6 * 10 − 19 C * 10 * 19 ,37 * 10 − 4 e − 3 x cm − 3 = − 3, 09 * 10 − 21 e 3 x A / cm 2
s
J Dp = −3,09 * 10 −21 e 3 x A / cm 2
(
J Difusion = − 0,528e −3 x − 3,09 * 10 −21 e 3 x A / cm 2 )
Si x = 0 la corriente de difusión es aproximadamente igual a:
J Difusion = −0,528A / cm2
Ejercicios Propuestos
1.- Calcule la concentración intrínseca para una porción de Germanio (Ge) a una
temperatura de 45 ºC
2.- ¿Cuál es la conductividad de un material del Si dopado uniformemente con 1016
cm-3 de átomos de fósforo (P)?
3.- Se tiene una muestra de Si la cual esta dopada con 1014 átomos de boro (B) por
cada cm3, ¿Cuáles son las concentraciones de los portadores de carga a 300 K?
4.- Determine la corriente de arrastre del GaAs a una temperatura de 470 K cuando
se le aplica un campo eléctrico de 120 V/cm, el cual es dopado con átomos de Galio
a una concentración de 106 cm-3
5.- Calcular la corriente de arrastre de los huecos y la corriente de difusión de los
electrones, sabiendo que la densidad de corriente solo depende de estas y su valor
es de 6.3 A/cm2; se desea conocer el campo eléctrico que se aplica para estas
x
−3
respuestas. Se conocen los siguientes datos: n = 10 cm , p ( x ) = 10 15 e L cm − 3 ,
16
L = 12μm , D p = 12 cm 2 , μ η = 1000 cm 2 / V .s
s
6.- Determine la concentración de portadores Mayoritarios y minoritarios del
Germanio Ge al cuál se le ha añadido una concentración de átomos de Antimonio
de 12x1018 cm-3 a una temperatura de 55 ºC.
MÓDULO II
TEORÍA DE DIODOS
TEORÍA DE DIODOS
MÓDULO II
TEORÍA DE DIODOS
1.- El Diodo
Un diodo no es más que la unión de un semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N al que se le han añadido 2 terminales uno en la parte P y otro en la parte N,
para poder acoplarse a un circuito. En la figura 2.1 se puede observar una
representación idealizada de la unión PN.
Ion Aceptador Ion Donador
Hueco
Electrón
Tipo “p” Tipo “n”

Unión
Fig. 2.1.- Unión PN

Fuente: El Autor
Es decir que el semiconductor de la región P tiene impurezas de tipo aceptadora

con una concentración NA y la región N tiene impurezas de tipo donadora ND. A la
temperatura ambiente esas impurezas son ionizadas. Una impureza aceptadora NA
da un hueco libre móvil y una impureza donadora ND da un electrón libre móvil.
Después esas impurezas forman iones cargados, fijos en la red, iones negativos en
la región P e iones positivos en la región N respecto a la característica de la
neutralidad de los semiconductores antes del movimiento de los portadores.
Cuando los trozos de semiconductores entran en contacto, comienza a actuar los
mecanismos de difusión tanto en los electrones del semiconductor N como en los
huecos del semiconductor P. El mecanismo de difusión actúa de modo similar al
comportamiento de un gas.
TEORÍA DE DIODOS 2
Por Ejemplo, los huecos del semiconductor P, cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de huecos es casi nula (Semiconductor N),
comienzan a desplazarse hacia el semiconductor tipo N.
Ahora bien, tal como lo haría un gas, los huecos que se encuentran en la frontera
con el semiconductor N comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor
tipo N, con el propósito de equilibrar la concentración de huecos a lo largo de toda la
unión PN.
Ocurre exactamente lo mismo con los electrones del semiconductor N que se
encuentran en la frontera con semiconductor tipo P donde apenas hay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo P.
¿Que ocurriría si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de
la zona N se dirigen a la zona P?
Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con
los huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, también
se recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona próxima a la unión
se produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando
por lo tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada
positivamente en el semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conformé
se va formando esa región de carga espacial o también conocida como región de
→
agotamiento, entorno a la unión, se va creando un campo eléctrico E en dicha
región de carga, y dirigido de la parte positiva a la negativa como se puede
observar en la figura 2.2.
Fig. 2.2.- Formación de la región de vaciamiento. Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 3
En principio, los electrones y los huecos seguirán difundiéndose, pero en el

momento en que forma el campo eléctrico este se opone al movimiento de
electrones de la zona N a la P y se opone al movimiento de huecos de la zona P a la
N. Por lo tanto hay, una doble tendencia que intenta mover a los electrones y a los
huecos: la difusión y el campo eléctrico que se generan en la región de carga
espacial.
Al principio, la difusión es suficiente para vencer al campo eléctrico, pero, al ir
creciendo la región de carga espacial, el campo también crece, y cada vez se opone
con más fuerza a la difusión. Pero llega el momento en que el campo eléctrico sea
lo suficientemente grande como para detener el flujo de los electrones y huecos
debido a la difusión. Entonces se habrá llegado a una situación de equilibrio, y habrá
cesado el flujo de carga.
Región de Carga Espacial
Neutro Neutro
→
E
Fig. 2.3.- Unión PN en equilibrio. Fuente El Autor
Como se ha dicho anteriormente la unión PN conforma un diodo. Ahora queda

añadirle 2 terminales externos para ver como se comporta la unión PN cuando se le
aplica una determinada tensión entre la parte p y su parte n.
2.- Polarización en Sentido Directo.

Suponga que se le aplica una tensión positiva VD entre la parte p y n como muestra
la figura 2.4.
TEORÍA DE DIODOS 4
→
E
→
ED
VD
Fig. 2.4.- Polarización en Directo de la unión PN
Fuente: El Autor
→
El hecho de aplicar esa tensión VD hace que se forme un campo eléctrico E D que
atraviesa toda la unión PN, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo
se superpone en sentido opuesto al campo eléctrico que había en la región de carga
espacial el cual disminuye, provocando que se reanude la difusión y que se genere
una corriente eléctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona
n y el flujo de electrones hacia la zona p. En tal situación la región de carga espacial
habrá disminuido. Situación que se puede observar en la figura 2.5.
→
E
Hueco
Electró
Ι
Ι
→
ED
V
Fig. 2.5.- Circulación de Corriente en la Unión PN
Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 5
La corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores

mayoritarios tanto de los huecos como de los electrones.
3.- Polarización en Sentido Inverso

Suponga ahora que se le aplica una tensión positiva VD entre la parte n y p como
muestra la figura 2.6.
→
E
→
ED
VD
Fig. 2.6.- Polarización en Inverso de la Unión PN
Fuente: El Autor
Al aplicar más tensión a la parte N que a la parte P se genere un campo eléctrico

→
E D dirigido de la zona N a la zona P, que se superpone al campo de la región de
carga espacial, y, al ser del mismo sentido, da como resultado que el campo
→
eléctrico E de la región de carga aumente; al ser el campo el elemento que se
opone a la difusión, entonces, al aumentar imposibilita aun más la difusión. El
resultado es que, al igual que en el equilibrio, no circulara corriente a través de la
unión, pero esta vez habrá aumentado la región de carga espacial. Como se puede
observar en la figura 2.7.
TEORÍA DE DIODOS 6
→
E
Tipo Tipo
“p” “n”
→
ED
V
Fig. 2.7.- Aumento de la Región Carga Espacial
Fuente: El Autor
En la polarización Inversa se dice que no hay circulación de corriente significativa a

través de la unión pero en realidad existe una pequeñísima corriente eléctrica que
es debida a los portadores minoritarios y fluye de la zona N a la zona P la cual
recibe el nombre de corriente inversa de saturación.
4.- Características De Un Diodo En Unión PN

Matemáticamente, la relación existente entre la tensión directa VD que soporta la
unión y la corriente Ι que fluye de la zona P a la zona N viene dada por la siguiente
expresión:
V D
ηVT
Ι = Ι S (e − 1) Ec 2.1
Esta es la expresión Ι =f(VD) de una unión ideal. En una unión real, es similar pero
no del todo idéntica.
Donde:
Ι: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo (A)
VD: Es diferencia de tensión en los extremo del diodo (V)
ΙS: Es la intensidad de corriente de saturación (Es decir valores negativos de VD)
TEORÍA DE DIODOS 7
η : Coeficiente de Corrección, η = 1 para el Ge y η = 2 para el Si en niveles

relativamente bajos de corriente del diodo (En o abajo del punto de inflexión de la
curva) y η = 1 para el Si y Ge en mayores niveles de corriente del diodo (En la
sección de crecimiento rápido de la curva)
VT: Es una Constante que varía con la temperatura conocido como “Voltaje
Térmico” o “Potencial equivalente de Temperatura” y que para una temperatura de
300 K tiene un valor de:
V T = 0,0259 V = 25 ,9 mV
La gráfica de esta relación tensión corriente es evidente:
Fig. 2.8.- Curva Característica del Diodo

Fuente: El Autor.
Si a la unión PN se le aplica una tensión inversa muy grande, entonces por ella
circulará una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
¾ Avalancha (Diodos Poco Dopados):

Si la tensión inversa es muy grande, entonces el campo eléctrico que soporta la
unión también lo es.
Como ese campo atraviesa toda la unión, es capaz de captar tanto electrones
minoritarios de la zona P como huecos de la zona N, y acelerarlos mucho, de tal
modo que, tan grande es su energía cinética, que al colisionar con los enlaces
TEORÍA DE DIODOS 8
de la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ( es decir,

rompen los enlaces, liberándose electrones), que, por el mismo mecanismo,
pueden seguir rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al final una
gran cantidad de electrones en movimientos que dan lugar a la corriente
eléctrica.
¾ Efecto Zener ( Diodos muy Dopados):

El efecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan
fuertes campos eléctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes
dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción y no requiere
la aceleración de un portador de carga (huecos o electrones) debida al campo.
El efecto zener es reversible y así no es destructible cuando se limita la corriente
a un valor no demasiado elevado para que no se funda la unión.
De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unión en sentido de P
hacia N en función de la tensión directa será:
Fig. 2.9.- Curva Característica real del Diodo

Fuente: El Autor.
TEORÍA DE DIODOS 9
Donde:
Vγ: Tensión umbral.

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa
coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado.
Ιmax: Corriente máxima.
Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule.
Ιs: Corriente Inversa de Saturación
Es la pequeña intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura,
admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 º en la temperatura.
Vr: Tensión de ruptura.
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
5.- Representación Simbólica del Diodo.

Como se dijo anteriormente un diodo no es más que una unión PN a la que se le
añaden 2 terminales externos para conectarse a un circuito, en la figura 2.10 se
puede observar la representación simbólica y la física de un diodo normal (De
Propósito General o Rectificador) con son 2 terminales Ánodo (Positivo) y Cátodo
(Negativo).
Fig. 2.10.- Representación Simbólica y Física del Diodo

Fuente: El Autor
TEORÍA DE DIODOS 10
6.- Resistencias del Diodos

Cuando el punto de operación de un diodo se mueve desde una región a otra, la
resistencia del diodo también cambia debido a la forma no lineal de la curva
característica, si se analiza un diodo trabajando en régimen de continua o si está
trabajando en pequeña señal, lo cual significa que se aplica una señal alterna
montada sobre un nivel de continua. Se puede decir que tiene 2 tipos de resistencia:
¾ Resistencia Estática.
¾ Resistencia Dinámica.
6.1.- Resistencia Estática.

Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de operación no cambia con el tiempo,
es decir la resistencia estática de un diodo es independiente de la característica en
la región entorne al punto de interés solo depende del Voltaje y la corriente en el
punto de polarización (Q). Este punto corresponde a una tensión de polarización
que para un valor determinado da una corriente constante en régimen continuo.
Vd
RD = Ec 2.2
Id
Fig. 2.11.- Representación del punto Q sobre la curva característica de Diodo

Fuente: El Autor
6.2.- Resistencia Dinámica
La resistencia del diodo cambia con la corriente que le atraviese, por lo tanto se
define una resistencia en cada punto de la característica por la expresión:
dV
rD = Ec 2.3
dI
rD Se llama resistencia o dinámica de la unión, que corresponde a la resistencia
interna del diodo.
Gráficamente la resistencia dinámica rD es un punto de la característica y se mide

por la pendiente de la recta tangente en ese punto.
VD
η VT
Teóricamente de la ecuación 2.1 Ι = Ι S (e − 1)
1 dI 1 V
= = IS e D
rD dV ηVT VT
Pero en la polarización directa
VD
η VT dI I
Ι ≅ ΙSe ⇒ =
dV η VT
ηVT
rD = Ec 2.4
I
La ecuación 2.4 corresponde a la expresión de la resistencia de unión
correspondiente a la corriente Ι que la atraviesa, es decir, que fija el punto sobre la
curva característica Ι(V) llamado punto de polarización. La resistencia diferencial rD

cambia el punto de polarización sobre la curva característica.
A la temperatura ambiente:
rD = 25,9 Ω cuando Ι = 1mA
rD = 2,59 Ω cuando Ι = 10mA
rD = 2,59KΩ cuando Ι = 10µA
dV
La resistencia diferencial o dinámica rD = se puede determinar gráficamente por
dI
la medición de la pendiente de la tangente a la curva característica en el punto de
1
polarización. Esa pendiente da rD .
Experimentalmente se puede notar la resistencia dinámica del diodo rD como la

razón de una pequeña variación de voltaje ΔV y de la variación correspondiente de
la intensidad ΔΙ.
ΔV
rD = Ec 2.5
ΔI
Prácticamente se toma una pequeña variación de la ΔΙ alrededor del punto de
polarización Ι y se nota la variación correspondiente del ΔV. Esas variaciones deben
ser pequeñas porque la característica se aproxima a una recta y eso es exacto
sobre un pequeño intervalo ΔΙ alrededor de Ι.
Fig. 2.12 Resistencia dinámica y Variación del punto Q

Fuente: El Autor
7.- Influencia De La Temperatura Sobre Las Propiedades De La Unión

Los semiconductores dependen mucho del efecto de la temperatura. En el caso de
los diodos la temperatura cambia:
¾ A la corriente Ι directa constante, el valor de la tensión a los bornes del
diodo.
¾
A la tensión inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturación
ΙS
Esos efectos se denominan “Derivas Térmicas”.
7.1.- Influencia de la temperatura sobre la corriente de Saturación ΙS

La corriente inversa de la unión viene del flujo de los portadores minoritarios en la
unión. Es decir que la variación de ΙS en función de la temperatura sigue la ley de
variación de la generación de los portadores en función de la temperatura.
⎛ − Eg ⎞
⎜ ⎟
⎜ k *T ⎟
IS = B * T 3 * e ⎝ ⎠
Ec 2.6
− Eg
El término de la ecuación anterior, cambia mucho más que T3 alrededor de la
e KT
temperatura ambiente (300 K).
I S (T1 ) = I S (T0 )e Ki (T1 − T0 ) Ec 2.7
Donde K i = 0,072/°C= 7,2%/°C, resulta:
I S (T1 ) = I S (T0 )2(T1 − T0 ) / 10 , (e0,72 ≈ 2)

“ΙS se duplica aproximadamente cada 10 °C de aumento de T ”
La corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rápidamente cuando aumenta la temperatura.
7.2.- Influencia de la temperatura sobre la tensión directa a los bornes de la

unión.
De manera general la tensión a los bornes de un diodo de unión PN de Si o Ge
polarizada a corriente constante, disminuye aproximadamente de 2,3 mV/°C
cuando la temperatura ambiente aumenta 1°C.
VD (T2 ) − VD (T1 ) = k v (T2 − T1 ) Ec 2.8
ΔV D = k v Δ T Ec 2.9
T1 , T2 : Temperatura
kv Coeficiente de temperatura V/°C (usado en termómetros)
-2,5 mV/°C Germanio
-2,0 mV/°C Silicio
-1,5 mV/°C Schottky
Fig. 2.13 Influencia de la temperatura sobre la tensión del diodo.

Fuente: El Autor
8.- Esquema Equivalente del Diodo en Régimen Alterno.
¾ Capacidad de agotamiento o Transición.

¾ Capacidad de Difusión.
8.1.- Capacidad de Agotamiento o de Transición
Del comportamiento de la unión PN en la región inversa se puede observar la

analogía entre la capa de agotamiento (o deplexión) de un condensador. A medida
que cambia el voltaje en paralelo con la unión PN, la carga almacenada en la capa
de agotamiento cambia de conformidad. En la figura 2.14 se muestra una curva

característica típica de carga versus el voltaje externo aplicado de una unión PN.
Fig. 2.14 Curva Característica de la Carga Almacenada vs. Tensión Inversa Aplicada.
Fuente: El Autor.
Cuando el dispositivo se polariza en inverso y la variación de la señal alrededor del

punto de polarización es pequeña como se ilustra en la Fig. 2.14 se puede usar una
aproximación de capacitancia lineal. Desde esta aproximación a pequeña señal, la
capacidad de agotamiento o transición es simplemente la pendiente de la curva qJ
versus VR en el punto Q de polarización.
dq
C j = J
Ec 2.10
dV R VR = VQ
Fácilmente derivando se puede hallar una expresión para Cj. Si se trata la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas se obtendrá una
expresión idéntica para Cj.
εS A
Cj = Ec 2.11
Wagot
Donde:
C j : Capacitancia de unión o de transición o de agotamiento
ε S : Permitibilidad del semiconductor

Wagot : Ancho de la región de agotamiento.
A : Área de la unión
La expresión resultante para Cj se puede escribir en una forma conveniente
C
C j =
jo
Ec 2.12
VR
1 +
VO
Donde:
C jO : Capacitancia con polarización cero es decir VR = VQ = 0
VR : Tensión de polarización Inversa

VO : Potencial de la región de transición
⎛ N * N ⎞
Vo = V T ln ⎜ A D
⎟ Ec 2.13
⎝ n 2i ⎠
El análisis precedente y la expresión para Cj se aplican para uniones en las que la
concentración de portadores se hace cambiar abruptamente en la frontera de la
unión. Una fórmula más general para Cj es
C
=
jO
C j m Ec 2.14
⎛ VR ⎞
⎜⎜ 1 + ⎟⎟
⎝ VO ⎠
Donde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la

concentración del lado P al lado N de la unión. Se denomina coeficiente de
distribución, y su valor es de ⅓ a ½. También se conoce Cj = CT.
Para resumir, a medida que un voltaje de polarización inversa se aplica a una unión
PN, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al
nuevo voltaje de polarización. Una vez que gradualmente desaparezca el transitorio,
la corriente inversa de estado estable es simplemente ΙS. En realidad, corrientes de

hasta unos pocos nanoamper (10-9A) circulan en dirección inversa, en dispositivos
para los que ΙS es del orden 10-15A. Esta gran diferencia se debe a fuga y otros
efectos. Además, la corriente inversa depende en cierta medida de la magnitud del
voltaje inverso, contrario al modelo teórico, que expresa que Ι ≅ ΙS independiente del
valor del voltaje inverso aplicado. No obstante lo anterior, debido a que intervienen
corrientes muy bajas, por lo general no se toma en cuenta los detalles de la curva
característica i-v del diodo en la dirección inversa.
En la Figura 2.15 se observa la variación de CT en función de VR para dos diodos
típicos.
Fig. 2.15 Variaciones de CT en función de VR para dos diodos Típicos

Fuente: El Autor
Se observa de la figura 2.15 que cuanto mayor sea la tensión inversa, mayor es el
ancho Wagot de la región de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia,
menor la capacidad Cj.
De manera análoga, si aumenta la tensión directa, Wagot disminuye y Cj aumenta. En
ciertos circuitos se utiliza este efecto de la variación de la capacidad con la tensión
de una unión PN polarizada inversamente.
8.2.-Capacidad de Difusión
De la descripción de la operación de la unión PN en la región de sentido directo se
observa que, en estado estable, cierta cantidad de exceso de carga de portadores
minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones P y N con
carga neutra. Si cambia la tensión entre terminales, este cambio finaliza antes de
que se alcance un nuevo estado estable. Este fenómeno de carga y
almacenamiento da lugar a otro efecto capacitivo, muy diferente del que se debe al
almacenamiento de carga en la región de agotamiento.
Para pequeñas variaciones de carga situadas alrededor de un punto de
polarización, podemos definir la capacitancia de difusión a pequeña señal Cd como:
dQ
Cd = Ec 2.15
dV
Y se pode demostrar que
⎛τ ⎞
C d = ⎜⎜ T ⎟⎟ I Ec 2.16
⎝ VT ⎠
Donde Ι es la corriente del diodo en el punto de polarización. Es de Notar que Cd es
directamente proporcional a la corriente Ι del diodo y es, por lo tanto, tan pequeña
que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Es de notar también
que para mantener una Cd pequeña, el tiempo de tránsito τT debe hacerse pequeño,
lo cual es un requisito importante para diodos destinados para operación a alta
velocidad o alta frecuencia.
9.- Modelos o Aproximaciones del Diodo.
¾ Modelo Ideal
¾ Modelo de caída de voltaje constante
¾ Modelo Lineal por tramos
9.1.- Modelo Ideal
Un modelo útil para una gran variedad de instancias del análisis es el “ideal”, que
describe al diodo como una válvula unidireccional, esto es, como un conductor
perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el ánodo, negativo en el
cátodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente.
La figura 2.16 muestra la grafica el modelo ideal.
Fig. 2.16 Curva V Vs. Ι de un Diodo Ideal.

Fuente: El Autor
Cuando ΙD es positiva, VD es cero, y se dice que el diodo está en estado ON
(encendido).
Cuando VD es negativo, ΙD es cero, y se dice que el diodo está en estado OFF
(apagado).
El modelo ideal se puede utilizar si el contexto del circuito se puede presumir que
los voltajes serán de magnitud suficiente para asegurar uno u otro estado de
operación de los diodos, y si, frente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes
de conducción y las corrientes inversas resultan despreciables. También resulta
muy útil el modelo ideal si lo que se requiere es la comprensión del funcionamiento
de un circuito (cualitativo) más que un análisis exacto (cuantitativo).
En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el símbolo de diodo por
cortocircuitos (los supuestos en estado ON) y por circuitos abiertos (los supuestos
en estado OFF).
9.2.- Modelo de Caída de Tensión Constante
En este modelo no solo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el símbolo de

diodo por cortocircuitos los que están en estado ON y por circuitos abiertos los que
están en estado OFF, sino que se lo agrega una fuente de tensión en serie al diodo
al diodo ideal, el valor de la fuente es la tensión umbral del diodo. En la figura 2.17
se puede observar la curva característica V vs. Ι de diodo bajo usando esta
aproximación o modelo.
Fig. 2.17 Modelo de caída de voltaje constante de la característica directa del diodo y la
Representación de su circuito equivalente.
Fuente: El Autor
9.3.- Modelo Lineal por Tramos

Algunas aplicaciones cuyas solución requiere de mayor precisión obligan a mejorar
el modelo anterior, haciendo consideración tanto del voltaje de umbral (VD0)
(diferente de 0[V]) como del carácter finito de la pendiente de la curva V-Ι.
Fig. 2.18 Modelo lineal por tramos de la característica directa del diodo y su circuito
equivalente. Fuente: El Autor
rD = 20 Ω; ΙD = 0, VD ≤ VD0 ; ΙD = (VD – VD0)/rD ; Para VD ≥ VD0

rD: Resistencia interna del diodo válida tanto para condiciones estáticas como
dinámicas.
10.- Parámetros y Especificaciones Eléctricas De Los Diodo

La construcción de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensión inversa pico que
puede soportar sin dañarse. A continuación se lista los parámetros principales que
se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador:
1. Tipo de dispositivo con el número genérico de los números del fabricante.
2. Tensión de pico Inverso (PIV). Este valor es igual al máximo valor que el
diodo puede tolerar cuando se polariza en inversa.
3. Máxima corriente inversa en PIV (ΙR) (a temperatura y corriente
especificadas)
4. Máxima corriente de cd en directo (Ιf). Este valor es igual a la máxima
corriente que puede circular por el diodo sin dañarlo cuando éste se
encuentra en el estado de conducción.
5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo (Ιo).
6. Máxima temperatura de la unión.
7. Capacitancia máxima (C).
8. Disipación de Potencia.
9. Curvas de degradación de corriente.
10. Curvas características para cambio en temperatura de tal forma que el
dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas.
Fig.2.19 Hoja de Especificaciones del Fabricante BAY73

Fuente: www.datasheests.org
Fig.2.20 Curvas Eléctricas Típicas del Diodo BAY73

Fuente: www.datasheests.org
11.- Verificación del Estado de un Diodo

Hay que recordar que los diodos son componentes que conducen la corriente en un
solo sentido, teniendo en cuenta esto, se pueden probar con un multimetro en la
posición de "ohmetro" ya que para hacer la prueba de resistores, por él circula una
pequeña corriente que suministra el propio instrumento. En otras palabras, el
multimetro como ohmetro no es más que un microamperímetro en serie con una
batería y una resistencia limitadora.
Cuando el terminal positivo de la batería del multimetro se conecta en serie con el
ánodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del instrumento se conecta al cátodo,
la indicación debe mostrar una baja resistencia, mayor deflexión se conseguirá
cuanto más grande sea el rango, según se indica en la figura 2.21a.
En inversa el instrumento causará alta resistencia. En teoría la resistencia inversa
debería ser infinita, con lo cual la aguja del multimetro no se debería mover, como lo
sugiere la figura 2.21b, pero en algunos diodos, especialmente los de germanio,
cuando se los mide en rangos superiores a R x 100 en sentido inverso, provocan
una deflexión notable llegando hasta un tercio de la escala, lo cual podría
desorientar a los principiantes creyendo que el diodo está defectuoso cuando en
realidad está en buenas condiciones. Por lo tanto, para evitar confusiones la prueba
de diodos debe realizarse en el rango más bajo del ohmetro tal que al estar
polarizado en directa la aguja deflecte indicando baja resistencia y cuando se lo
polariza en inversa la aguja del instrumento casi no se mueva, lo que indicará
resistencia muy elevada. Si se dan estas dos condiciones, entonces el diodo está en
buen estado.
Si la resistencia es baja en ambas mediciones, significa que el diodo está en
cortocircuito, en cambio si ambas lecturas indican muy alta resistencia, es indicio de
que el diodo está abierto. En ambos casos se debe desechar el componente.
La prueba es válida para la mayoría de los multimetros analógicos en los cuales el
negativo del "multimetro" corresponde al terminal positivo de la batería interna,
cuando el multimetro funciona como ohmetro, esto se ejemplifica en la figura 2.22
El método aplicado es igualmente válido para todos los diodos sin incluir los
rectificadores de alta tensión empleados en televisores transistorizados, como por
ejemplo diodos de potencia para fuentes de alimentación, diodos de señal, diodos

varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio.
Hay que observar que cuando se utiliza un multimetro digital que tiene una posición
para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinámica de este dispositivo
semiconductor. Con un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarización
directa que despliega el multimetro debe ser, aproximadamente, de 0,7 V. El
procedimiento anterior es la mejor prueba para verificar el estado de un diodo
a b
Fig. 2.21 Verificación del estado de un diodo con un ohmetro.
a.- Cuando el diodo está polarizado en sentido directo, la lectura del ohmetro es baja
b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ohmetro indica una
resistencia muy alta (infinita).
Fuente: Revista Multimetro
Fig. 2.22 Multimetro Como Ohmetro

Fuente: Revista Multimetro
Nota: En los multimetros analógicos, la punta roja corresponde al negativo de la
batería interna.
Ejercicios Resueltos
1.- Calcule la corriente de polarización directa en una unión PN. Considere una
unión PN a T = 300 K en la cual ΙS = 5*10-14 A y VD = 0,65V.
Datos:
T = 300 K
ΙS = 5*10-14 A
VD = 0,65V
Ι=?
Se emplea la ecuación (2.1) y asumiendo η = 1

0, 65V
−14
Ι = 5 * 10 (e VT
− 1)
Se determina el voltaje térmico para la temperatura dada haciendo uso de la
ecuación (1.14), como T =300 K ⇒ VT = 0,0259 V = 25,9 mV

0 , 65V
−14
Ι = 5 * 10 (e 25, 9 mV
− 1) = 3,96mA
2.- Calcule la capacitancia de unión de una unión PN de silicio a T = 300 K , con
concentraciones de dopado de átomos Aceptadores igual a 1016 cm-3 y una
concentración de átomos Donadores de 1015 cm-3. Se sabe que CjO = 0,5 pF y que el
voltaje inverso aplicado es de 2V.
Datos
T = 300 K
N A = 1016 cm −3
N D = 1015 cm −3
C jo = 0,5 pF
VR = 2V
Para determinar la capacitancia de unión se usa la ecuación de (2.14) y para ello se
debe calcular el potencial de la barrera de la unión que viene dado por la siguiente
ecuación: Vo = VT ln ⎛⎜ ⎞ y para determinar este valor hay que determinar la

NA * ND
⎟
⎝ n2i ⎠
concentración intrínseca para el silicio a la temperatura dada.
−1,1eV
eV
2 * 86 *10 − 6 * 300 K
ni = 5,23 * 1015 cm − 3 K − 3 / 2 * (300 K ) 3 / 2 * e K
n i = 1, 499 * 10 10 cm −3
⎛ 1016 * 1015 ⎞
Vo = 25,9mV ln⎜ ⎟ = 0,635V
⎝ (
⎜ 1,499 * 1010 )2 ⎟
⎠
0,5 pF
Cj = = 0,245 pF
2V
1+
0,635V
Ejercicios Propuestos
1.- Se tiene un diodo de silicio a una T = 300 K que tiene una corriente de
saturación inversa de ΙS = 10-13 A. El diodo esta polarizado en directo y por el circula
una corriente de 1 mA. Determinar la tensión del Diodo.
2.-Se tiene una unión PN de silicio a T = 300K la cual es dopada de 1016 cm-3 de
átomos donadores y de 1017 cm-3 de átomos aceptadores, se sabe que tiene una
capacitancia de transición de 0,8 pF cuando se le aplica una tensión inversa de 5V.
Determine la capacitancia de la unión de polarización cero.
3.- Determine la corriente en un diodo de unión de Germanio ideal para voltajes de
polarización directa de 0.4 V y 0.5 V si la corriente de saturación de inversa es de ΙS
= 10-13 A.
4.- Calcule VO en una unión de Arseniuro de Galio a temperatura ambiente para una
concentración de átomos donadores igual a la concentración de átomos
aceptadores de 1015 cm-3.
TEORÍA DE LOS TRANSISTORES 1

Modulo I

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FUNDAMENTOS DE ELECTRÓNICA

En la tabla # 1 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos II (Cd

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Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los

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3.- Tipos de Semiconductores

3.1 Semiconductores Intrínseco

Los semiconductores intrínsecos son los cristales semiconductores puros. A

La conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la

Siendo n la concentración de electrones (cargas negativas) y p la concentración

Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

originando una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico

B : Constante del material semiconductor especifico.

E g : Es la magnitud del nivel de energía entre banda (banda prohibida).

T : Temperatura en grado Kelvin (K)

k : Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K

3.2.- Semiconductores Extrínseco

Para aumentar la conductividad en un semiconductor intrínseco se somete al

3.2.1.- Semiconductores Extrínseco Tipo N

Los semiconductores extrínsecos tipo N son los semiconductores intrínsecos que en

En estos semiconductores a una temperatura cualquiera existen más electrones que

En la figura 1.5 se muestra el nuevo nivel de energía de un semiconductor con

3.2.2.- Semiconductores Extrínseco Tipo P

Los semiconductores extrínsecos tipo P son los semiconductor intrínseco que en el

4.- Ley de Acción de Masas

Se ha podido observar que, al añadir impurezas pentavalentes al semiconductor

semiconductor con impurezas trivalentes, disminuye la concentración de electrones

5.- Ley de Neutralidad de Carga

Cuando se tiene un material tipo N, que tenga N A = 0 . El número de electrones

Por lo tanto lo portadores minoritarios los huecos, se calculan utilizando la ley de

dependerá de la fuerza que actúa ( q * E ), del número de portadores existentes y de

μ n : Movilidad de los electrones en el material [cm2/ V *s]

La movilidad μ n es una característica del material, y está relacionada con la

Fig. 1.7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones

μ p : Movilidad de los huecos en el material [cm2/ V *s]

La movilidad μ p es característica del material, y está relacionada con la capacidad

J Arrastre _ Total = Jn + J p Ec 1.10

6.2.- Densidad De Corriente de Difusión

gradiente de concentración de portadores de carga debido al fenómeno de la

∇n o ∇p : Gradiente de concentración de electrones (o huecos) [ cm-3]

D p : Difusividad de los huecos [cm2 / s]

Dn : Difusividad de los electrones [cm2 / s]

q : Carga eléctrica [1,6 * 10-19 C]

7.- Relación de Einstein

Establece la relación entre la constante de difusión (Difusividad) y la constante de

Donde VT es el “Potencial equivalente de Temperatura” o Voltaje Térmico, definido

Constantes de los Semiconductores a una Temperatura de 27°C

Si 1.1 5.23*1015 35 12.5 1350 480

GaAs 1.4 2.10*1014 220 10 8500 400

Ge 0.67 1.66*1015 100 50 3900 1900

8.- Glosario de Términos

Aceptor: m. Fís. Impureza que se introduce en la red cristalina de ciertos

Los conductores, en donde la banda de valencia y la banda de conducción a