Semiconductores

Un   semiconductor   es   un   elemento   material   cuya   conductividad   eléctrica   puede 

considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor. En general no conducen 
la   electricidad   con   facilidad,   sino   que   deben   estimularse   suministrándoles   energía   para 
lograrlo.   Esta   propiedad   es   útil,   porque   permite   que   los   dispositivos   fabricados   con 
semiconductores   tengan   esencialmente   estados   de   “prendido”   y   “apagado”,   que 
constituyen la base de la lógica binaria en las computadoras. 

Los principales semiconductores son el silicio y el germanio, que se consideran semimetales y 
o   metaloides,   así   como   el   arsénico,   el   antimonio,   etc,   que   se   encuentran   en   la   tabla 
periódica en forma diagonal, separando los metales de los no metales. 

Los elementos del Grupo 4A, silicio y germanio, tienen estructuras similares a la del diamante, 
y sin embargo, en contraste con éste, el silicio y el germanio son semiconductores, es decir, 
materiales capaces de conducir pequeñas cantidades de corriente. Son conductores más 
pobres   que   los   metales,   pero   no   son   aislantes.   La   razón   para   las   diferencias   en   la 
conductividad de estas dos sustancias con el diamante, que es estructuralmente muy similar 
a ellas tiene que ver básicamente con el tamaño de la brecha de bandas. 

Cuando un electrón es promovido de la banda de valencia a la banda de conducción, se 
forman estados ocupados por un solo electrón en las bandas de conducción y valencia. Al 
igual que en los metales, estos estados permiten que tenga lugar la conductividad eléctrica, 
sin embargo, cuando la brecha de bandas es grande, como en el caso del diamante, que 
es del orden de 500 kJ/ml,   el material se comporta como  aislante. Los semiconductores 
tiene brechas de bandas en un rango entre los 50 a los 300 kJ/mol. La brecha de bandas se 
va haciendo más angosta conforme se va descendiendo por el Grupo 4A, y las brechas de 
banda del silicio y el germanio se encuentran en este rango. 

La   magnitud   de   este   espacio   de   banda   permite   que   por   lo   menos   algunos   electrones 
puedan ser promovidos hacia la banda de conduccción, y que con tan sólo cantidades 
moderadas   de   energía,   se   produzca   cierta   conductividad   eléctrica.   Justamente   los 
semiconductores pueden conducir la corriente porque la energía térmica es suficiente para 
promover algunos de los electrones de la banda de valencia a la banda de conduccción. 
La conducción entonces, tiene lugar cuando los electrones de la banda de conducción 
migran en una dirección y los huecos positivos  de la banda de valencia lo  hacen en la 
dirección opuesta.

Semiconductores Intrínsecos

Los semiconductores intrínsecos son semiconductores puros, cuya conductividad electrónica 
se determina mediante sus propiedades conductivas inherentes. En estos semiconductores, 
el número de electrones en la banda de de conducción depende de la temperatura y de la 
magnitud de la brecha de bandas.

El silicio y el germanio puros elementales son materiales semiconductores intrínsecos. Estos 
elementos,   tienen   la   estructura   cubica   de   diamante   con   enlace   covalentes   altamente 
direccionales   Los   orbitales   de   enlace   híbridos   sp3   tetraédricos   consistentes   en   pares   de 
electrones, mantienen  unidos a los  átomos  en una red cristalina, en esta estructura cada 
átomo de silicio o germanio aporta cuatro electrones de valencia.

Los electrones de enlace son incapaces de moverse a través de la retícula cristalina y por 
ello de conducir electricidad a menos que se proporcione energía suficiente para excitarlos 
desde sus posiciones de enlace. Cuando se suministra una cantidad critica de energía a un 
electrón de valencia para excitarlo mas allá de su posición de enlace, este se vuelve un 
electrón de conducción libre y deja detrás de él un hueco cargado positivamente en la red 
de cristal.

En el proceso de conducción eléctrica en un semiconductor (como el Si y Ge) puro, tanto 
los electrones cómo los huecos son portadores de carga y se mueven en el campo eléctrico 
aplicado. Los electrones de conducción tienen una carga negativa y son atraídos hacia la 
terminal positiva de un circuito eléctrico.Los huecos, se comportan como cargas positivas y 
son   atraídos   ala   terminal   negativa   de   un   circuito   eléctrico.   Un   hueco   tiene   una   carga 
positiva igual en magnitud a la carga del electrón. 

Los   diagramas     de   bandas   de   energía   son   otro   método   para   describir   la   excitación   de 
electrones  de valencia que se vuelven electrones de conducción en los semiconductores. 
En esta representación solo esta implicada la energía que se requiere para el proceso. En El 
diagrama de bandas de energía para semiconductores elementales (por ejemplo Si y Ge), 
los   electrones   de   valencia   de   enlace   del   cristal   ligados   en   forma   covalente   ocupan   los 
niveles de energía en la banda de valencia inferior, la cual esta casi llena a 20°C.

En   resumen   en   los   semiconductores   intrinsecos,   como   se   menciona   arriba,   el   número   de 

electrones en la banda de conducción, depende de la temperatura  y de la magnitud de la 
brecha de bandas. Cuanto más pequeña la separación de las bandas, tanto menos energía 
se   requiere   para   promover   un   número   significativo   de   electrones.   Conforme   aumenta   la 
temperatura, más electrones son promovidos a la banda de conducción y por consiguiente, 
aumenta la conductividad.

Semiconductores Extrínsecos

Los semiconductores extrínsecos son materiales cuya conductividad se regula mediante la 
adición de una cantidad pequeña de átomos de distintos tipos denominados dopantes.  Es 
decir,   las   características   de   los   semiconductores   pueden   modificarse   alterando   su 
constitución química, del mismo modo que las propiedades de las aleaciones difieren de las 
propiedades   de   los   metales   puros.  Las   concentraciones   de   los   átomos   de   impurezas 
agregados en estos semiconductores suelen encontrarse en el intervalo de 100 a 1000 partes 
por millón (ppm).

Al sustituir algunos átomos del retículo cristalino de la sustancia pura, por átomos de algún 
otro elemento perteneciente a otro Grupo, se forman diferentes enlaces que tienen ya sea 
excedentes o deficiencia de electrones, lo que forma una banda en un nivel energético 
diferentes. 

En el caso de formar enlaces con elementos de menor valencia, se tendría una deficiencia 
de electrones, y se formaría una banda discreta en un nivel energético más alto que el de la 
banda   de   valencia,   que   se   denomina   como  nivel   aceptor,   ya   que   puede   aceptar 
electrones. El espacio entre la banda de valencia y este nivel suele ser bastante pequeño, 
por lo que los electrones son promovidos fácilmente al nivel aceptor. Los huecos positivos 
que se crean en la banda de valencia pueden desplazarse a todos sitios por influencia de 
un potencial eléctrico, de modo que esta movilidad de los huecos genera una corriente. 
Como se forman huecos positivos en un semiconductor impurificado con aluminio, éste se le 
designa como semiconductor de  tipo p.

En el otro caso, en que se forme el enlace con elementos de valencia mayor, el material 
continúa siendo semiconductor, pero ahora con más electrones . Los semiconductores así 
purificados   tienen   un  nivel   donador  discreto   parcialmente   lleno   que   se   encuentra   justo 
debajo de la banda de conducción. Los electrones procedentes de esta banda donadora 
son promovidos con facilidad a la banda de conducción, y los electrones en esta banda de 
conducción transportan la carga. Dicho material que se compone de portadores de carga 
negativa, se le conoce como semiconductor de tipo n.

Semiconductores extrinsecos tipo n (tipo negativo)

Si  un  átomo  de   impureza  de   un  elemento   del   grupo   5A,  tal   como   el   fosforo,  sustituye   al 
átomo de  silicio,  que  es  un  elemento  del  grupo   6A,  existirá un exceso  de  electrones  por 
arriba de los cuatro que se  necesitan para el enlace covalente tetraédrico en la retícula de 
silicio.  Este   electrón   adicional   solo   esta   ligado   débilmente   al   núcleo   de   fosforo   con   una  
carga positiva y tiene una energía de enlace de 0.044

Los semiconductores de silicio o germanio que contienen átomos de impurezas del grupo V 
reciben el nombre de  semiconductores extrínsecos de tipo n (tipo negativo) puesto que la 
mayoría de los portadores de carga son electrones.

Semiconductores extrinsecos tipo p (tipo positivo).

Cuando   un   elemento   trivalente   del   grupo   III­A,   como   el   boro,   se   introduce   en   forma 
sustitucional en la retícula de silicio ligada tetraédricamente, se pierde uno de los orbitales de 
enlace,   y   existe   un   hueco   en   la   estructura   de   enlace   de   silicio.   Si   se   aplica   un   campo 
eléctrico externo al cristal de silicio, uno de los electrones vecinos de otro enlace tetraédrico 
puede   alcanzar   suficiente   energía   para   desprenderse   de   su   enlace   y   moverse   hacia   el 
enlace faltante (hueco) del átomo boro. Cuando el hueco asociado con el átomo de boro 
se  llena  mediante   un  electrón  del  átomo   de   silicio   vecino,   el   átomo   de   boro   se   ioniza   y 
adquiere una carga negativa de ­1. La energía de enlace asociada con la   remoción   un 
electrón   de   un   átomo   de   silicio   formando   de   ese   modo   un   hueco,   y   la   transferencia 
subsiguiente de un electrón de átomo de boro es solo de 0.045 eV.