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Los principales semiconductores son el silicio y el germanio, que se consideran semimetales y
o metaloides, así como el arsénico, el antimonio, etc, que se encuentran en la tabla
periódica en forma diagonal, separando los metales de los no metales.
Los elementos del Grupo 4A, silicio y germanio, tienen estructuras similares a la del diamante,
y sin embargo, en contraste con éste, el silicio y el germanio son semiconductores, es decir,
materiales capaces de conducir pequeñas cantidades de corriente. Son conductores más
pobres que los metales, pero no son aislantes. La razón para las diferencias en la
conductividad de estas dos sustancias con el diamante, que es estructuralmente muy similar
a ellas tiene que ver básicamente con el tamaño de la brecha de bandas.
Cuando un electrón es promovido de la banda de valencia a la banda de conducción, se
forman estados ocupados por un solo electrón en las bandas de conducción y valencia. Al
igual que en los metales, estos estados permiten que tenga lugar la conductividad eléctrica,
sin embargo, cuando la brecha de bandas es grande, como en el caso del diamante, que
es del orden de 500 kJ/ml, el material se comporta como aislante. Los semiconductores
tiene brechas de bandas en un rango entre los 50 a los 300 kJ/mol. La brecha de bandas se
va haciendo más angosta conforme se va descendiendo por el Grupo 4A, y las brechas de
banda del silicio y el germanio se encuentran en este rango.
La magnitud de este espacio de banda permite que por lo menos algunos electrones
puedan ser promovidos hacia la banda de conduccción, y que con tan sólo cantidades
moderadas de energía, se produzca cierta conductividad eléctrica. Justamente los
semiconductores pueden conducir la corriente porque la energía térmica es suficiente para
promover algunos de los electrones de la banda de valencia a la banda de conduccción.
La conducción entonces, tiene lugar cuando los electrones de la banda de conducción
migran en una dirección y los huecos positivos de la banda de valencia lo hacen en la
dirección opuesta.
Semiconductores Intrínsecos
Los semiconductores intrínsecos son semiconductores puros, cuya conductividad electrónica
se determina mediante sus propiedades conductivas inherentes. En estos semiconductores,
el número de electrones en la banda de de conducción depende de la temperatura y de la
magnitud de la brecha de bandas.
El silicio y el germanio puros elementales son materiales semiconductores intrínsecos. Estos
elementos, tienen la estructura cubica de diamante con enlace covalentes altamente
direccionales Los orbitales de enlace híbridos sp3 tetraédricos consistentes en pares de
electrones, mantienen unidos a los átomos en una red cristalina, en esta estructura cada
átomo de silicio o germanio aporta cuatro electrones de valencia.
Los electrones de enlace son incapaces de moverse a través de la retícula cristalina y por
ello de conducir electricidad a menos que se proporcione energía suficiente para excitarlos
desde sus posiciones de enlace. Cuando se suministra una cantidad critica de energía a un
electrón de valencia para excitarlo mas allá de su posición de enlace, este se vuelve un
electrón de conducción libre y deja detrás de él un hueco cargado positivamente en la red
de cristal.
En el proceso de conducción eléctrica en un semiconductor (como el Si y Ge) puro, tanto
los electrones cómo los huecos son portadores de carga y se mueven en el campo eléctrico
aplicado. Los electrones de conducción tienen una carga negativa y son atraídos hacia la
terminal positiva de un circuito eléctrico.Los huecos, se comportan como cargas positivas y
son atraídos ala terminal negativa de un circuito eléctrico. Un hueco tiene una carga
positiva igual en magnitud a la carga del electrón.
Los diagramas de bandas de energía son otro método para describir la excitación de
electrones de valencia que se vuelven electrones de conducción en los semiconductores.
En esta representación solo esta implicada la energía que se requiere para el proceso. En El
diagrama de bandas de energía para semiconductores elementales (por ejemplo Si y Ge),
los electrones de valencia de enlace del cristal ligados en forma covalente ocupan los
niveles de energía en la banda de valencia inferior, la cual esta casi llena a 20°C.
Semiconductores Extrínsecos
Los semiconductores extrínsecos son materiales cuya conductividad se regula mediante la
adición de una cantidad pequeña de átomos de distintos tipos denominados dopantes. Es
decir, las características de los semiconductores pueden modificarse alterando su
constitución química, del mismo modo que las propiedades de las aleaciones difieren de las
propiedades de los metales puros. Las concentraciones de los átomos de impurezas
agregados en estos semiconductores suelen encontrarse en el intervalo de 100 a 1000 partes
por millón (ppm).
Al sustituir algunos átomos del retículo cristalino de la sustancia pura, por átomos de algún
otro elemento perteneciente a otro Grupo, se forman diferentes enlaces que tienen ya sea
excedentes o deficiencia de electrones, lo que forma una banda en un nivel energético
diferentes.
En el caso de formar enlaces con elementos de menor valencia, se tendría una deficiencia
de electrones, y se formaría una banda discreta en un nivel energético más alto que el de la
banda de valencia, que se denomina como nivel aceptor, ya que puede aceptar
electrones. El espacio entre la banda de valencia y este nivel suele ser bastante pequeño,
por lo que los electrones son promovidos fácilmente al nivel aceptor. Los huecos positivos
que se crean en la banda de valencia pueden desplazarse a todos sitios por influencia de
un potencial eléctrico, de modo que esta movilidad de los huecos genera una corriente.
Como se forman huecos positivos en un semiconductor impurificado con aluminio, éste se le
designa como semiconductor de tipo p.
En el otro caso, en que se forme el enlace con elementos de valencia mayor, el material
continúa siendo semiconductor, pero ahora con más electrones . Los semiconductores así
purificados tienen un nivel donador discreto parcialmente lleno que se encuentra justo
debajo de la banda de conducción. Los electrones procedentes de esta banda donadora
son promovidos con facilidad a la banda de conducción, y los electrones en esta banda de
conducción transportan la carga. Dicho material que se compone de portadores de carga
negativa, se le conoce como semiconductor de tipo n.
Semiconductores extrinsecos tipo n (tipo negativo)
Si un átomo de impureza de un elemento del grupo 5A, tal como el fosforo, sustituye al
átomo de silicio, que es un elemento del grupo 6A, existirá un exceso de electrones por
arriba de los cuatro que se necesitan para el enlace covalente tetraédrico en la retícula de
silicio. Este electrón adicional solo esta ligado débilmente al núcleo de fosforo con una
carga positiva y tiene una energía de enlace de 0.044
Los semiconductores de silicio o germanio que contienen átomos de impurezas del grupo V
reciben el nombre de semiconductores extrínsecos de tipo n (tipo negativo) puesto que la
mayoría de los portadores de carga son electrones.
Semiconductores extrinsecos tipo p (tipo positivo).
Cuando un elemento trivalente del grupo IIIA, como el boro, se introduce en forma
sustitucional en la retícula de silicio ligada tetraédricamente, se pierde uno de los orbitales de
enlace, y existe un hueco en la estructura de enlace de silicio. Si se aplica un campo
eléctrico externo al cristal de silicio, uno de los electrones vecinos de otro enlace tetraédrico
puede alcanzar suficiente energía para desprenderse de su enlace y moverse hacia el
enlace faltante (hueco) del átomo boro. Cuando el hueco asociado con el átomo de boro
se llena mediante un electrón del átomo de silicio vecino, el átomo de boro se ioniza y
adquiere una carga negativa de 1. La energía de enlace asociada con la remoción un
electrón de un átomo de silicio formando de ese modo un hueco, y la transferencia
subsiguiente de un electrón de átomo de boro es solo de 0.045 eV.