Вы находитесь на странице: 1из 7

УДК 621.383.

52

КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ РЕЗОНАНСНОГО InGaAs/GaAs ФОТОДЕТЕКТОРА


ДЛЯ СВЕРХКОРОТКИХ ОПТИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

С. В. Грищенко, А. А. Демин, В. В. Лысак, С. И. Петров

Харьковский национальный университет радиоэлектроники,


пр. Ленина 14, Харьков, 61166, Украина
E-mail: s_gryshchenko@kture.kharkov.ua

Проводится теоретическое исследование квантовой эффективности резонансного p-i-n фотодетектора на основе InGaAs/GaAs
для сверхкоротких оптических соединений. Рассчитана квантовая эффективность для условий резонанса. Математическая модель вклю-
чает физические параметры фотодетектора и учитывает длину волны излучения, отражательную способность зеркал и оптическое по-
глощение во всех слоях детектора. Были получены зависимости квантовой эффективности от коэффициента отражения верхнего зеркала
резонатора на основе Al0,65Ga0,35As/GaAs при различных других параметрах структуры. Найдены значения коэффициента отражения
верхнего зеркала в зависимости от физических параметров структуры. Ил. 8. Табл. 1. Библиогр.: 15 назв.
Ключевые слова: квантовая эффективность, резонансный фотодетектор, распределенный брегговский отражатель.

Быстрый рост компьютерных технологий Целью является исследование влияния фи-


предъявляет новые требования к высокоскорост- зических параметров резонансного детектора на его
ным системам связи и в том числе сверхкоротким квантовую эффективность. Получение требуемых
соединениям. Прототипы современных компьюте- для высокой КЭ значений коэффициента отражения
ров используют оптические соединения не только верхнего зеркала для заданного материала детектора
вместо шлейфов, но и вместо электронных логиче- и длины волны детектируемого излучения.
ских элементов материнской платы. Таким обра- К задачам относится использование анали-
зом, исследование элементов оптических соедине- тической модели для построения зависимости кван-
ний (приемник, передатчик, волновод) продолжает товой эффективности от коэффициентов отражения
являться на сегодняшний день важной задачей. В зеркал резонатора, ширины активного слоя и коэф-
качестве передатчиков особо привлекательны ла- фициентов поглощения. Провести анализ результа-
зеры с вертикальным резонатором (ЛВР). В каче- тов и выявить механизмы влияния физических па-
стве приемников лазерного излучения использу- раметров на КЭ. Используя полученные зависимо-
ются p-i-n фотодиоды, которые обладают высоким сти, определить требуемое число слоев верхнего
быстродействием и смещенной по отношению к брэгговского отражателя для высокой КЭ.
другим типам фотодиодов в область высоких час- 1. Математическая модель. Квантовая
тот частотной характеристикой [1 - 4]. Весьма пер- эффективность детектора определяется как веро-
спективными являются резонансные фотодетекто- ятность попавшего в детектор фотона возбудить
ры (РФД), p-i-n структура которых помещена в электрон, который будет составлять фототок. Пол-
оптический резонатор, зеркала которого, как пра- ная КЭ состоит из оптической КЭ (учитывается
вило, являются брэгговскими отражателями. Пре- абсорбция фотонов в веществе), внутренней КЭ
имущество такого технического решения состоит в (учитывается неупругое рассеяние электронов в
усилении оптического поля на резонансной часто- квантовой яме) и барьерной КЭ (учитывается рас-
те внутри РФД. Это позволяет при малой i-области сеяние электронов на приконтактном барьере).
(порядка десятков нанометров) получить высокую Исходя из вышесказанного, можем запи-
квантовую эффективность (КЭ) (близко к 100%) сать полную КЭ
[1, 2, 5, 6]. Таким образом, быстродействие диода,   abc , (1)
которое зависит от ширины i-области, остается где  a - оптическая КЭ;  - барьерная КЭ;  c -
высоким. Обладая высоким быстродействием и
b

внутренняя КЭ.
возможностью выделить необходимый узкий Схематическая структура РФД представле-
спектр колебаний, РФД являются наиболее подхо- на на рис. 1. Активный слой, в котором происходит
дящими устройствами для систем передачи дан- поглощение, расположен между двумя распреде-
ных. Параметр КЭ (  ) фактически показывает ленными брэгговскими отражателями (РБО) и опре-
эффективность преобразования оптической мощ- деляется толщиной d и коэффициентом поглоще-
ности в электрическую и является ключевым для ния α. Расстояния между активным слоем и верхним
фотодетекторов любого типа. Величина КЭ зави-
и нижним зеркалами обозначены как L1 и L2 соот-
сит от физических параметров детектора и зеркал
резонатора. Исследование этих зависимостей фор- ветственно (длина разделительных слоев). Мы рас-
мируют цель и задачи данной работы. сматриваем прямое попадание излучения на фото-

__________
ISSN 1028-821X Радиофизика и электроника, том 12, № 2, 2007, с. 401-407 © ИРЭ НАН Украины, 2007
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________

детектор и поэтому ограничимся одномерным слу- Прямая волна E f в точке z = 0 может


чаем. Примем, что тангенциальная составляющая
быть получена из условия самосогласования, т. е.
электрического вектора, падающего на фотодетектор
излучения, равна E i . Используя приближение пло-
E f - является суммой волны, прошедшей через
ских волн, разложим электромагнитное поле в струк- верхнее зеркало, и волны, прошедшей через весь
резонатор туда и обратно. Таким образом, выра-
туре РФД на прямую волну E f и обратную - Eb .
жение для E f может быть представлено в виде
Зеркала резонатора, верхнее и нижнее, описываются
самосогласованного уравнения [1, 5, 6]
амплитудными коэффициентами отражения r1e j1 и
 j2
E f  t1 Ei  r1r2 e  d ex ( L1  L2 ) 
r2 e соответственно, где 1 и  2 - сдвиги фаз, (2)
e j (2  L 1 2 ) E f ,
обусловленные проникновением оптического поля
внутрь зеркала; r1 и r2 - модули амплитудных коэф- где t1 - коэффициент пропускания верхнего РБО;
фициентов отражения. Энергетические коэффициен-  - коэффициент поглощения активной области;
ты отражения верхнего и нижнего зеркал выражают-  ex - коэффициент поглощения разделительных
ся как R1  r12 и R2  r22 соответственно. слоев;  - постоянная распространения.
Ei Исходя из уравнения (2), прямая волна
E f записывается в виде
t1
Ef   d ex ( L1  L2 )  j (2  L 1 2 )
Ei .
1  r1r2e e
αex r1e-jφ1 Ef 1 Обратная волна Eb
Eb  r2e d / 2e(ex / 2)( L1  L2 ) e j (  L 2 ) E f . (3)
α 2
Оптическая мощность внутри резонато-
αex -jφ2
3
ра [1]
r2e
Еb n 2
Ps  Es , (где s = f или b ), (4)
20
где  0 - вакуумный импеданс; n - показатель пре-
ломления материала детектора.
В этом случае оптическая мощность, по-
глощенная в активном слое Pl может быть полу-
Рис. 1. Схематическая структура резонансного детектора: 1, 3 - чена из входной мощности Pi в следующей форме
разделительные слои, 2 - активный слой [1, 7, 8]:
___________________________________________

(1  r12 )(eex L1  r22eex L2 ec L )(1  e  d )


Pl  ( Pf eex L1  Pb eex L2 )(1  e d )  Pi . (5)
1  2r1r2ec L cos(2 L  1  2 )  (r1r2 )2 e2c L
___________________________________________
где  c - нормированный коэффициент поглоще- Учитывая, что оптическая КЭ
ния, равный  c  ( ex L1   ex L2   d ) / L . a  Pl P , (6)
i
_________________________________________
получим
 (eex L1  eex L2 R2ec L ) 
a  (1  R1 )(1  e d )   . (7)
 [1  2 R R ec L cos(2 L     )  R R e2c L ] 
 1 2 1 2 1 2 
___________________________________________
Из (7) легко видеть, что КЭ имеет периодиче- резонанса (2 L  1  2  2m (m  1, 2, 3...))
ский спектр. Максимальная КЭ будет наблю- выражение (7) можно упростить
даться на резонансной длине волны. В условии

402
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________

 (eex L1  eex L2 R2 ec L )  Барьерная КЭ определяется как вероят-


a    ность прохода электроном расстояния x вблизи
 [1  R R ec L ]2 
 1 2  (8) барьера без рассеяния
(1  R1 )(1  e d ). b  exp( x / Ls ) , (12)
Необходимо отметить, что в уравнении (8) где Ls - длина свободного пробега в потенциаль-
игнорируются отражения на поверхностях раздела ной яме, созданной силой "электрического изо-
между активным слоем и разделительными слоями. бражения"; x - расстояние между максимумом
Эта аппроксимация справедлива, когда рассматри- барьера и границей раздела. Сила "электрическо-
вается гетероструктура с малыми контрастами ди- го изображения" характеризует взаимодействие
электрической постоянной [1, 3, 7]. электрических зарядов с границей раздела двух
Влияние стоячей волны (СВ) (т. е. про- полупроводников [9].
странственного распределения оптического поля Расположение и высота максимума барь-
в резонаторе) в этом уравнении также не учтено. ера зависит от приложенного напряжения смеще-
Если рассматривать детекторы с толстыми актив- ния, так как внешнее поле меняет силу "электри-
ными слоями, охватывающими несколько перио- ческого изображения" [10]. Вследствие этого за-
дов СВ, то влиянием СВ можно пренебречь. Од- висимость фототока от напряжения смещения
нако для очень тонких активных слоев, вклад СВ обуславливается рассеянием электронов в потен-
значителен [8]. циальной яме на границе раздела и изменением
Вклад СВ может быть учтен, используя максимальной энергии барьера. Расстояние x
концепцию эффективного коэффициента погло- может быть представлено как [10]
щения [1, 8] q 1
eff  KCB   , x( ) 2, (13)
(9) 16 0 a F
где КСВ - поправочный коэффициент стоячей где q - заряд электрона;  0 - диэлектрическая
волны;  eff - эффективный коэффициент погло-
постоянная;  a - диэлектрическая проницаемость
щения в активной области, учитывающий влияние активного слоя; F  (Vb  V0 ) / d - электрическое
СВ. Подставляя  eff вместо  в выражение (8),
поле в активной области, Vb - напряжение сме-
получим КЭ, учитывающую СВ.
щения, V0 - энергия плоской зоны.
Для случая, когда 1  0 , 2  0 (т. е.
2. Исследуемая структура. Детекти-
длина волны излучения соответствует брэггов-
рующая структура представляет собой трехслой-
ской длине волны зеркал   B ) и L1  L2 (ак- ное In0,2Ga0,8As/GaAs соединение, оптическая
тивный слой расположен точно в центре резона- длина которого составляет половину длины волны
тора), можно использовать следующую формулу падающего излучения (  = 0,98 мкм). Структура
для КСВ [8]: и материалы выбирались на основании данных,
2r2 sin(  d ) полученных при практических исследованиях
KCB  1  , (10)
 d (1  r22 ) различными научными группами и с учетом ин-
формации о реальных приборах [3 - 5, 11 - 13].
2 neff L1n1  L2 n2  dna Схематическое изображение исследуемой струк-
где   ; neff  - эффек-
 L туры представлено на рис. 2.
тивный показатель преломления, n1 , n2 и na -
показатели преломления разделительных и актив-
ного слоев. p
Параметр внутренней КЭ следует рас-
сматривать только при наличии квантоворазмер-
ных слоев в фотодетекторе. Оптически возбуж-
денные электроны в активном слое будут претер-
певать неупругое рассеяние, вследствие чего бу-
дут терять энергию, и вероятность выхода из по-
тенциальной ямы будет понижаться. Параметр
можно представить в виде
c  exp(d / Lz ) , (11) n

где L z - длина свободного пробега электрона. Рис. 2. Исследуемая структура

403
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________

Выбор In0,2Ga0,8As в качестве активного при уменьшении R2 необходимо уменьшать и


вещества был обусловлен наличием пика погло-
R1 . Это связано с тем, что для получения макси-
щения в области 1 мкм, так как значительная
часть излучателей, применяемых в системах пере- мального эффекта усиления в резонаторе необхо-
дачи данных, работает в этой спектральной облас- димо, чтобы излучение задерживалось в цен-
ти. В качестве материала разделительного слоя тральной области, т. е. должно выполняться усло-
детектора был выбран GaAs. Такой выбор, в пер- вие R2 > R1 .
вую очередь связан с малым поглощением на ра- 60
бочей длине волны [2, 3]. Для РБО было выбрано
многослойное зеркало Al0,65Ga0,35As/GaAs. Эта 50

Квантовая эффективность, %
структура обладает низкими барьерными напря-
жениями, высокой теплопроводностью, высокой 40

электропроводностью, необходимым контрастом 30


показателей преломления, малыми потерями по-
глощения излучения на свободных носителях и 20
возможностью использования существующих
методов поперечного ограничения тока и оптиче- 10

ского поля. Толщины слоев брэгговских зеркал 0


выбирались таким образом, чтобы брэгговская 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Коэффициент отражения входного зеркала
0,8 0,9 1

длина волны зеркал  B составляла 0,98 мкм.


Рис. 3. Зависимость КЭ от коэффициентов отражения верхнего
В таблице приведены параметры, исполь- и нижнего зеркал для α = 1,5·104 см-1. В скобках указано число
зуемые для численного моделирования КЭ и от- слоев РБО для нижнего зеркала. Сплошная кривая соответству-
ражательных свойств РБО. ет R2 = 1 при N = ∞. Остальные кривые сверху вниз
R2 = 0,98(N = 50); R2 = 0,95(N = 40); R2 = 0,86(N = 30); R2 = 0,63(N = 20)

Параметры структуры
60
Параметр Значение
Квантовая эффективность, %

Толщина активного слоя, d (In0,2Ga0,8As) от 4 до 15 нм 50

от 61 до 67 нм
40
Толщина разделительного слоя, h (GaAs) (в зависимости
от значения d)
30
Толщина слоя зеркала (Al0,65Ga0,35As) 77,44 нм
Толщина слоя зеркала (GaAs) 69,5 нм 20
Показатель преломления Al0,65Ga0,35As 3,1637
Показатель преломления GaAs, n1, n2 3,5256 10
Показатель преломления In0,2Ga0,8As, na 3,5691
Коэффициент поглощения активной об- от 1,5·104 0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
ласти, α (In0,2Ga0,8As) до 24·104 см-1 Коэффициент отражения входного зеркала
Коэффициент поглощения разделитель-
1,5·102 см-1 Рис. 4. Зависимость КЭ от коэффициентов отражения верхнего
ных слоев, αex (GaAs)
и нижнего зеркал для α = 24·104 см-1. В скобках указано число
Энергия плоской зоны, V0 2,1 В слоев РБО для нижнего зеркала. Сплошная кривая соответству-
ет R2 =1 при N = ∞. Остальные кривые сверху вниз
Длина свободного пробега носителей, Lz 250 А R2 = 0,98(N = 50); R2 = 0,95(N = 40); R2 = 0,86(N = 30); R2 = 0,63(N = 20)

3. Анализ результатов. Рис. 3 и 4 демон- На графиках видно, что  снижается при


стрируют результаты расчета КЭ как функции уменьшении R2 при любых значениях R1 . Это
коэффициента отражения верхнего зеркала R1 связано с тем, что уменьшая R2 , мы значительно
для различных величин коэффициента отражения увеличиваем потери системы (излучение после
нижнего зеркала R2 . Графики построены для каждого прохода внутри резонатора частично вы-
двух значений коэффициента поглощения актив- ходит из него через нижнее зеркало). Поскольку
ного слоя в условии резонанса. Как показали рас- активный слой квантоворазмерный, то поглоще-
четы, только зависимость КЭ от R1 имеет экс- ние за один проход весьма мало. Таким образом,
тремум, поэтому далее рассмотрим эту зависи- коэффициент отражения нижнего зеркала должен
мость для различных значений других параметров быть как можно больше. Причем влияние величи-
структуры. Значение R1 в точке максимума КЭ ны R2 на КЭ тем больше, чем меньше коэффици-
ент поглощения в активном слое (сравните вели-
зависит от R2 . Для достижения максимальной КЭ
чину сдвига кривых на рис. 3 и 4), так как за один

404
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________

проход отношение поглощения в активном слое к

Коэффициент отражения верхнего зеркала R 1


1
потерям на нижнем зеркале будет уменьшаться.
Как известно, при росте числа слоев РБО 0,9

возрастает коэффициент отражения [2, 12], что 0,8


показано на рис. 5, где представлена зависимость
коэффициента отражения нижнего зеркала от 0,7

числа слоев. Видно, что при малом числе слоев 0,6


зависимость имеет почти линейный нарастающий
характер. Это позволяет получить сравнительно 0,5

высокий коэффициент отражения, просто добав- 0,4


ляя слои нижнего РБО. Однако при увеличении
слоев больше 15 появляется изгиб кривой и сни- 0,3
0 10 20 30 40 50
жение роста коэффициента отражения. Данное Число слоев верхнего брэгговского зеркала, N

насыщение является следствием уменьшения доли Рис. 6. Зависимость коэффициента отражения верхнего зеркала
отражения отдельного слоя из-за увеличения их от числа слоев РБО
общего числа. Этот факт делает затруднительным
получить 100%-ное отражение, просто добавляя Рассмотрим теперь, как влияет на КЭ
новые слои. Безмерное увеличение слоев РБО толщина активного слоя. На рис. 7 показано, что
повлечет за собой увеличение затрат на изготов- КЭ растет с уменьшением толщины активного
ление и рост оптических потерь в РБО. Таким слоя детектора. Этот результат справедлив только
образом, для выходного зеркала РФД значение для детекторов с квантоворазмерными активными
коэффициента отражения R2 = 0,98 представляет- слоями. Это связано с тем, что полная КЭ вклю-
чает оптическую и внутреннюю КЭ. Согласно
ся достаточным [3, 4, 13]. Такое значение дости-
теории для детекторов на основе массивного по-
гается при числе слоев N = 50. Еще более эффек-
лупроводника оптическая КЭ растет при увеличе-
тивным способом, позволяющим получить мак- нии толщины активного слоя [2]. Однако при рас-
симально близкий к 1 коэффициент отражения, смотрении детекторов с квантоворазмерными
будет использование материалов с большим кон- активными слоями необходимо учитывать вклад
трастом показателя преломления [14]. внутренней КЭ (11), которая растет с уменьшени-
ем толщины активного слоя детектора и оказыва-
1 ет более сильное влияние на полную КЭ при ма-
Коэффициент отражения нижнего зеркала R 2

лых изменениях толщины активного слоя. При


0,8 этом прослеживается смещение пика КЭ в об-
ласть высокого коэффициента отражения R1 . Это
0,6 объясняется уменьшением поглощения в актив-
ной области за один проход излучения через ак-
0,4 тивный слой и таким образом, возможностью
увеличить число проходов за счет увеличения
0,2 коэффициента отражения верхнего зеркала.
90
0
0 10 20 30 40 50 80
Число слоев нижнего брэгговского зеркала, N
Квантовая эффективность, %

70

Рис. 5. Зависимость коэффициента отражения нижнего зеркала 60


от числа слоев РБО 50

40
При расчете коэффициента отражения в
30
числе слоев РБО учитывались также внешние
слои: подложка и разделительные слои. В отличие 20

от нижнего зеркала, верхнее зеркало в качестве 10

одного из внешних слоев имеет воздух, в следст- 0


0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
вие чего имеется большой контраст показателя Коэффициент отражения входного зеркала
преломления воздух-AlGaAs. Это приводит к зна-
Рис. 7. Зависимость КЭ от коэффициента отражения верхнего
чительному увеличению коэффициента отражения зеркала при различных толщинах активного слоя. Сплошная
зеркала при том же числе слоев (рис. 6), делая кривая соответствует d = 15 нм, пунктирная d = 12 нм, точечная
возможным уменьшение их количества. d = 8 нм, маркированая крестом d = 4 нм

405
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________

На рис. 8 показана зависимость КЭ от ко- - зависимость КЭ от коэффициента отра-


эффициента отражения верхнего зеркала при раз- жения верхнего зеркала резонатора имеет экстре-
личных коэффициентах оптического поглощения мальный характер. При достаточно высоком по-
активного слоя. При увеличении поглощения КЭ глощении пик характеристики наблюдается при
прогнозируемо растет. Однако в то же время име- низком коэффициенте отражения верхнего зерка-
ет место сдвиг пика КЭ в область низкого коэф- ла (КЭ = 54,1% при  = 24·104 см-1, d = 15 нм,
фициента отражения верхнего зеркала. Это про- R2 = 0,98 и R1 = 0,24) (в качестве верхнего зерка-
исходит по следующим причинам. Одним из ус-
ла достаточно отражение границы раздела воздух-
ловий низкого обратного отражения излучения от
полупроводник [1]);
детектора на резонансной длине волны является
- дальнейшее увеличение полной КЭ за-
многолучевая интерференция внутри резонатора.
трудняется низкой внутренней КЭ в связи с кван-
При этом важно многократное прохождение из-
товыми эффектами в активном слое. Для получе-
лучения от зеркала к зеркалу. При сильном увели-
ния высокой КЭ необходимо уменьшить толщину
чении коэффициента поглощения в активной об-
активного слоя (КЭ = 80,7% при  = 24·104 см-1,
ласти количество проходов резко уменьшается и
достаточной интерференции не будет наблюдать- d = 4 нм, R2 = 0,98 и R1 = 0,67, т. е. достаточно
ся. Как результат, высокий коэффициент отраже- 10 слоев верхнего зеркала);
ния от детектора и соответственно низкая доброт- - нижнее зеркало должно иметь как можно
ность резонатора. При уменьшении коэффициента больший коэффициент отражения. При уменьше-
отражения верхнего зеркала необходимое количе- нии числа слоев нижнего зеркала для сохранения
ство проходов излучения через резонатор умень- требуемой КЭ необходимо уменьшить число сло-
шается и в результате растет добротность и КЭ. ев верхнего зеркала;
Если же оптическое поглощение невелико, то для - КЭ падает при уменьшении коэффициен-
полной абсорбции в активном слое излучению та поглощения в активном слое, однако она зна-
требуется большое число проходов резонатора. чительно уменьшается только при уменьшении
Поэтому для обеспечения высокой добротности коэффициента поглощения на порядок. При этом
коэффициенты отражения должны быть велики. сильно меняются требования к отражающей спо-
собности верхнего зеркала (КЭ = 54,1% при
60  = 24·104 см-1 и R1 = 0,24 против КЭ = 44,3% при
50
 = 1,5·104 см-1 и R1 = 0,9).
Квантовая эффективность, %

Научная новизна работы состоит в том,


40 что получены значения коэффициента отражения
верхнего зеркала для заданных материалов детек-
30 тора и длины волны детектируемого излучения.
Понимание принципов влияния физических пара-
20
метров структуры на КЭ имеет практическую зна-
10
чимость при создании новых и оптимизации су-
ществующих конструкций РФД.
0 Нами проводилось исследование влияния
0 0.1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
Коэффициент отражения входного зеркала физических параметров структуры на КЭ только в
условии резонанса. Однако для более полного
Рис. 8. Зависимость КЭ от коэффициента отражения верхнего
зеркала при различных коэффициентах поглощения активного
описания необходимо учитывать и нерезонансный
слоя. Сплошная кривая соответствует α = 1,5 мкм-1, точечная случай, рассматривая зависимость от длины вол-
α = 5 мкм-1, пунктирная α = 15 мкм-1, маркированая кружком ны. Для проведения подобных исследований при-
α = 24 мкм-1. веденные выше аналитические модели не работа-
ют и необходимо использовать другие методы
Проведенные расчеты показали, что влия- расчета КЭ путем вычисления электромагнитного
ние коэффициентов поглощения разделительных поля внутри структуры.
слоев на КЭ РФД пренебрежимо мало. Также было Авторы выражают благодарность
выяснено, что барьерная квантовая эффективность И. А. Сухоиванову за советы в ходе выполнения
при правильно подобранном напряжении смещения работы и помощь при подготовке рукописи.
равна практически 100% [15].
Выводы. Таким образом была выполнена 1. Selim Unlu M., Strite Samuel. Resonant Cavity enhanced photon-
поставленная задача исследования влияния физи- ic devices // J. Appl. Phys. - 1995. - 78, №2. - P.230-234.
ческих параметров резонансного детектора на его 2. Киес Р. Дж., Крузе П. В., Патли П. В. и др. Фотоприемни-
ки видимого и ИК диапазона / Пер. с англ. под ред.
КЭ. Выполненные расчеты показали что: Р. Дж. Киеса. - М.: Радио и связь, 1985. - 328 с.

406
С. В. Грищенко и др. / Квантовая эффективность резонансного…
_________________________________________________________________________________________________________________
3. Xie K., Zhao J. H., Shi Y. at al. Resonant Cavity Enhanced QUANTUM EFFICIENCY OF THE InGaAS/GaAs
GaInAsSb-AlAsSb Photodetector Grown by MBE for Mid-IR
RESONANT CAVITY ENHANCED
Applications // IEEE Photonics Technology Letters. - 1996. - 8,
№5. - P.1230-1234. PHOTODETECTOR FOR THE ULTRASHORT
4. Tailor G. W, Simmons J. G., Cho A. Y. and Mand R. S. A new OPTICAL CONNECTION
double-heterostructure optoelectronic switching device using
molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 59. - 1986. - P.230-
234.
S. V. Gryshchenko, A. A. Dyomin,
5. Грищенко С. В., Клименко М. В. Исследование квантовой V. V. Lysak, S. I. Petrov
эффективности резонансного GaAs фотодетектора // 10-й
ювiлейний мiжнародний молодiжний форум “Радiоелектро- We present a theoretical analysis on the quantum efficiency of a
нiка i молодь в XXI ст.”: Зб. матерiалiв. - Харкiв: ХНУРЕ, resonant cavity enhanced (RCE) InGaAs/GaAs p-i-n detector for the
2006. - 161 с. ultrashort optical connections. The quantum efficiency (QE) under
6. Kafai Lai, Campbell Joe C. Design of a Tunable GaAs/AlGaAs resonant condition has been calculated. The math model includes
Multiple-Quantum-Well Resonant-Cavity Photodetector // IEEE physical parameters of photodetector and takes into account wave-
J. of Quantum Electronics. - 1994. - 30, №1. - P.108-114. length, reflecting availability of mirrors and optical absorption in all
7. Соболева Н. А., Меламид А. Е Фотоэлектронные приборы - photodetector layers. QE dependence from the top mirror reflectivi-
М.: Высшая шк., 1974. - 376 с. ty coefficient based on Al0,65Ga0,35As/GaAs was obtained. Magni-
8. Zhang Y. H., Luo H. T., Shen W. Z. Study on the quantum tude of reflectivity coefficient of the top mirror in dependence of
efficiency of resonant cavity enhanced GaAs far-infrared detec- different physical parameters was found.
tors // J. Appl. Phys. - 2002. - 91, №9. - P.5538-5544. Key words: quantum efficiency, resonance cavity enhanced photo-
9. Стриха В. И. Контактные явления в полупроводниках. - detector, distributed Bragg reflectors.
Киев: Вища шк. Головное изд-во, 1982. - 224 с.
10. Perera A. G. U., Yuan H. X., Francombe M. H. Homojunction
internal photoemission far-infrared detectors: Photoresponse
КВАНТОВА ЕФЕКТИВНІСТЬ РЕЗОНАНСНОГО
performance analysis // J. Appl. Phys. - 1995. - 77, №2. - InGaAs/GaAs ФОТОДЕТЕКТОРА ДЛЯ
P.915-924. НАДКОРОТКИХ ОПТИЧНИХ З’ЄДНАНЬ
11. Jervase Joseph A., Bourdoucen Hadj. Design of Resonant-
Cavity-Enhanced Photodetectors Using Genetic Algorithms //
IEEE J. of Quantum Electronics. - 2000. -36, №3. - P.325-332.
С. В. Грищенко, А. А. Демин,
12. Knodl T., Choy H. K., Pan J. L. at al. RCE Photodetectors В. В. Лисак, С. І.Петров
Based on VCSEL Structures // IEEE Photonics Technology
Letters. - 1999. - 11, №10. - P.1289-1291. Проводиться теоретичне дослідження квантової
13. De Corby R. G., Hnatiw A. J. P., Hillier G. Resonant-Cavity єфективності резонансного p-і-n фотодетектора на основі
MSM Photodetector Employing a Burstein-Shifted InGaP-GaAs InGaAs/GaAs для надшвидких оптичних з’еднань. Розрахована
Reflector // IEEE Photonics Technology Letters. - 1999. - 11, квантова ефективність для умов резонансу. Математична мо-
№9. - P.1165-1167. дель включає до себе фізичні параметри фотодетектора та
14. Ковбаса А. А., Зиньковская И. О., Лысак В. В. и др. Отра- враховує довжину хвілі випромінювання, відбивну спромож-
жательные свойства распределенных Брегговских отража- ність дзеркал та оптичне поглинання в усіх шарах детектора.
телей в комплексе с оксидным окном // Радиоэлектроника Були отримани залежності квантової ефективності від коєфіці-
и информатика. - 2005. - №3. - С.55-61. ента відбивання верхнього дзеркала резонатора на основі
15. Грищенко С. В., Демин А. А. Влияние сил изображения на Al0,65Ga0,35As/GaAs при різних інших параметрах структури.
движение электронов в гетероструктуре InGaAs/GaAs // 11-й Знайдено значення коєфіциента відбивання верхнього дзеркала
ювiлейний мiжнародний молодiжний форум “Радiоелектро- в залежності від фізичних параметрів структури.
нiка i молодь в XXI ст.”: Зб. матерiалiв. - Харкiв: ХНУРЕ, Ключовi слова: квантова еффетивнiсть, резонанс-
2007. - Ч.1. - 293 с. ний фотодетектор, розподілений відбивач Брега.

Рукопись поступила 27 апреля 2007 г.

407