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MEMÓRIA

Independentemente do tipo de dado que um computador esteja usando e independentemente da


complexidade que estes dados podem nos parecer, para o computador os dados existem somente como 0s e
1s. Os números binários são a língua nativa dos computadores porque mesmo o maior e mais poderoso
computador em essência não passa de uma coleção de chaves: uma chave aberta representa um 0; uma
chave fechada representa um 1. Isto é algumas vezes denominado a linguagem de máquina de um
computador. A partir deste sistema numérico, que é mais simples de todos, o computador pode construir
representações de milhões de números, qualquer palavra em qualquer língua e centenas de milhares de
cores e formas.
Como as pessoas não são nem de perto tão fluentes na notação binária como os computadores,
todos estes números binários aparecem na tela sob alguma forma compreensível — usualmente o alfabeto
ou números decimais. Para esta representação utilizamos uma convenção chamada ASCII (American
Standard Code Information Interchange), que é a codificação do alfabeto, números e outros caracteres em
linguagem de máquina (binário). Por exemplo, quando digitamos um “A” maiúsculo, o sistema operacional e
o software usam o ASCII para codificar em números binários a representação deste caracter para o
computador. Um computador é essencialmente um manipulador de números, em vista de que ao nível de
máquina é mais fácil para os computadores manusearem números binários. Mas é mais fácil para
programadores e outras pessoas usar os números decimais. O “A”maiúsculo corresponde ao número decimal
65; o B ao 66; o C ao 67; e assim por diante.
Entretanto, no “coração” de um computador, os números são armazenados em seus equivalentes
binários. São estas notações que preenchem os discos e a memória do computador.

MEMÓRIA RAM

A memória fornece ao computador um lugar onde o processamento possa ocorrer, onde o


processador possa armazenar seus programas e dados para a realização de determinada tarefa. A memória
não faz distinção entre dados e instruções, ela simplesmente armazena temporariamente as informações
para o processador. Por isso a importância da memória no computador, quanto mais memória maior espaço
haverá para armazenamento de informações durante o processamento.
As Memórias de Acesso Aleatório (RAM) são chips, Para que um computador possa fazer qualquer
coisa de útil, ele precisa mover programas do disco para a RAM. Os dados contidos em documentos,
planilhas, ilustrações, bancos de dados ou qualquer tipo de arquivo precisam também ser armazenados em
RAM, mesmo que apenas momentaneamente, para que o software possa usar o processador para manipular
estas informações.
Mas logo ao ligar o computador, a RAM está vazia. A memória é preenchida com 0s e 1s lidos do disco ou
criados pelo trabalho que fazemos no computador. As memórias RAM (Random Access Memory) em geral
são voláteis, isto é, quando o computador é desligado os dados armazenados são perdidos.
Existem também alguns tipos recentes de chips de RAM que retêm cargas elétricas quando o
computador é desligado. Mas a maioria dos chips de memória funciona somente se houver uma fonte de
eletricidade para renovar continuamente os milhares ou milhões de cargas elétricas individuais que
compõem os programas e os dados armazenados na RAM.

Tipos de memória RAM

RAM ESTÁTICA (SRAM)

As células de memória das RAMs estáticas são formadas por flip-flops que estarão em certo estado (1 ou 0),
por tempo indeterminado. Estão disponíveis nas tecnologias bipolar e MOS. Possuem as seguintes
características:
* bipolar: maior velocidade, maior área de integração.
* MOS: maior capacidade de armazenamento e menor consumo de potência; alto
custo.

ASYNCHRONOUS SRAM

Esse é o tipo tradicional de memória estática, utilizada a partir do 80386. Embora seja rápida, em
freqüências de operação acima de 33MHz, necessita utilizar wait states. Tem um tempo de acesso típico de
20 a 12 ns.

SYNCHRONOUS BURST SRAM

Esse é o melhor tipo de memória estática para micros que utilizem até 66MHz como freqüência de operação
do barramento local, pois não é preciso utilizar wait states. Tem um tempo de acesso típico de 12 a 8,5ns.

PIPELINED BURST SRAM

Esse tipo consegue trabalhar com barramentos de até 133Mhz sem a necessidade de wait states. Tem um
tempo de acesso típico de 8 a 4,5ns.
RAM DINÂMICA ( DRAM )
São fabricadas usando a tecnologia MOS. Apresentam:
* alta capacidade de armazenamento.
* baixo consumo de energia.
* velocidade de operação moderada.
* armazenam 1s e 0s como carga de microcapacitores mos.
* baixo custo.

Desvantagem:
* necessitam de recarga periódica das células de memória
* operação de refresh de cada célula a cada 2 10 ms.

Sempre que uma operação de leitura for realizada em determinada célula da DRAM, todas as
células desta mesma linha sofrerão refresh. Mesmo não podendo baixar o tempo de acesso da memória
dinâmica (sobretudo por
causa da necessidade de ciclos de refresh), os fabricantes conseguiram desenvolver diversas novas
tecnologias de construção de circuitos de memória RAM. Embora tenha o mesmo tempo de acesso, circuitos
com tecnologias de construção diferentes podem apresentar velocidades diferentes.
Para entendermos as novas tecnologias de construção de memórias dinâmicas e as suas vantagens,
devemos ir um pouco mais a fundo no funcionamento das memórias dinâmicas. As novas tecnologias são
alterações na estrutura básica do funcionamento da memória, fazendo gastarem um número menor de wait
states. Podemos citar:
* Memória Fast Page Mode (FPM)
* Memória Extended Data Out (EDO)
* Memória Burst Extended Data Out (BEDO)
* Memória Synchronous Dynamic RAM (SDRAM)
* Memória Double Data Rate SDRAM (SDRAM-II)

RAM NÃO-VOLÁTIL ( NVRAM )

Este tipo de memória contém uma matriz de RAM estática e uma matriz EEPROM
(que não perde os dados quando desligada) no mesmo chip. Cada célula da RAM estática tem uma
correspondente na EEPROM, e a informação pode ser transferida entre células correspondentes em ambas
as direções. Elas atuam na ocorrência de falta de energia, ou quando o computador for desligado. A
operação de transferência é realizada em paralelo e gasta alguns poucos milisegundos.
A NVRAM tem a vantagem de não precisar de bateria. Não estão disponíveis em versões de grande
capacidade de armazenamento. Neste caso, usa-se RAMs CMOS com bateria.

Padrões de memória RAM

A memória mais comumente utilizada em computador são conhecidas como DRAM (Dynamic RAM).
São ditas dinâmicas porque de tempos em tempos seus circuitos precisam ser recarregados para não
perderam as informações (chamado também de ciclo de Refresh), sendo também que quando o computador
é desligado os dados são perdidos. A montagem destas memórias em pequenos circuitos (pentes de
memória) seguem alguns padrões:

Memória SIMM — “Single In-line Memory Module”

As primeiras memórias SIMM possuíam 30 pinos com capacidades de 1, 4 e 16 Mbytes . Foram


utilizadas em computadores com processadores 386,
486 e Apple. Os bancos eram constituídos para encaixar de 2 até 8 pentes desta memória dependendo do
modelo da placa mãe. Mais tarde foram desenvolvidos pentes de memória com 72 pinos. Sendo utilizados
em processadores 486, Pentium e outros modelos Apple. Sua capacidade de armazenamento são de 4, 8,
16, 32, 64 e 128 Mb. Observe que os processadores Pentium e PowerMacs necessitam de pares de pentes de
memória para funcionamento.

Memória DIMM — “Dual In-line Memory Modules”

Como os sistemas operacionais demandam cada vez mais memória, grandes módulos de memória
mais rápidos foram necessários e outro padrão de memória foi desenvolvido. É uma memória de 168 pinos
utilizadas em computadores.

Memória SODIMM — “Small Outline DIMM”

Estes módulos de memória foram projetados para computadores pequenos onde o espaço físico é
limitado como nos Notebooks. São memórias de 72 pinos com capacidades de 4,8,16,32 e 64 mbytes.
Memória convencional: são os primeiros 640kbytes de memória do computador.

Área de memória superior: são os 384kbytes de memória acima da memória con-vencional. É utilizada
principalmente pelo adaptador de vídeo para armazenamento de imagem de tela, ou por outro dispositivo de
hardware. As partes não utilizadas desta memória são chamadas de Blocos de Memória Superior (UMB)

Memória estendida (XMS): é a memória acima de 1Mbyte,

A memória ainda pode ser dividida nas seguintes partes:

1. Área de memória alta (HMA): são os primeiros 64kbytes da memória estendida.

2. Memória expandida (EMS): memória existente em placa adicional instalada no microcomputador para
aumentar a memória convencional, que pode ser utilizada por alguns aplicativos, conforme Figura 4.11.
Necessita de um gerenciador de memória expandida fornecido pelo fabricante da placa. O acesso é feito por
página de 64kbytes mapeados na área de memória superior. Parte da memória estendida também pode ser
utilizada para emular memória expandida

MEMÓRIAS ROM

As memórias ROM (Read Only Memory) são memórias que armazenam sempre os mesmos dados. São
conhecidas como memória somente de leitura, onde os dados gravados não podem ser alterados. As
memórias tipo ROM armazenam os dados mesmo quando o computador é desligado, ou seja, são memórias
não voláteis. Algumas variações de ROM, podem ter seus dados alterados, como por exemplo as memórias
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Este tipo de memória pode ter seus dados apagados
através de luz ultravioleta e regravados com equipamento eletrônico conhecido como gravador de EPROM.
Uma das principais aplicações da ROM é no armazenamento de alguns programas do sistema operacional
dos microcomputadores, e também para armazenar informações em equipamentos controlados por
microprocessadores, como caixas registradoras eletrônicas, sistemas de segurança industrial e diversos
aparelhos eletrodomésticos. Para alguns tipos de ROM, os dados que estão armazenados foram gravados
durante o processo de fabricação da memória. Para outros tipos, os dados são gravados eletricamente. O
processo de gravação de dados é chamado de programação, ou queima, da ROM. Algumas podem apagar
e regravar seus dados quantas vezes forem necessárias.

Tipos de memória ROM

ROM PROGRAMADA POR MÁSCARA — MROM

Este tipo tem suas posições de memória escritas (programadas) pelo fabricante de
acordo com as especificações do cliente. Um negativo fotográfico, denominado máscara, é usado para
especificar as conexões elétricas do chip. Uma máscara diferente é requerida para cada conjunto de
informações a ser armazenado na ROM. Em razão de tais máscaras serem caras, este tipo de ROM só será
viável sob ponto de vista econômico, se for produzido um número muito grande de ROMs com a mesma
máscara. A maior desvantagem destas ROMs é o fato de elas não poderem ser apagadas e reprogramadas,
quando uma mudança qualquer no projeto do dispositivo exigir modificações nos dados armazenados. Neste
caso, a ROM com os dados antigos não pode ser reaproveitada, devendo ser substituída por uma outra com
os novos dados gravados.

ROMs PROGRAMÁVEIS — PROMs

Para aplicações mais modestas em termos de quantidades de chips a ser produzidos, a indústria
desenvolveu as PROMs a fusível, programáveis pelo usuário, isto é, elas não são programadas durante o
processo de fabricação, e sim pelo usuário, de acordo com suas necessidades. Porém, uma vez programada,
a PROM torna-se uma MROM, ou seja, não pode ser apagada e novamente programada. O processo de
programação de uma PROM com a conseqüente verificação dos dados gravados pode ser muito tedioso e
demorado, se realizado manualmente. Existe no mercado um sem-número de dispositivos programadores de
PROMs que permitem a entrada da programação por teclado, para então realizar a queima dos fusíveis e
verificação dos dados gravados, sem a intervenção do usuário.

ROM PROGRAMÁVEL APAGÁVEL — EPROM

Uma EPROM pode ser programada pelo usuário, podendo, além disso, ser apa-gada e reprogramada quantas
vezes forem necessárias. Uma vez programada, a EPROM comporta-se como memória não-volátil que reterá
os dados nela armazenados por vários anos. Uma vez que uma célula da EPROM tenha sido programada, é
possível apagá-la expondo à radiação ultravioleta, aplicada através da janela do chip. Tal processo de
apagamento requer uma exposição de 15 a 30 minutos aos raios ultravioletas. Infelizmente não há como
apagar células selecionadas. A luz ultravioleta apaga todas as células ao mesmo tempo, de forma que, após
a exposição, a EPROM estará novamente armazenando apenas 1s. Uma vez apagada, a EPROM pode ser
reprogramada. As EPROMs estão disponíveis numa faixa bem ampla de capacidade e tempos de acesso.
Dispositivos com capacidade de 128K x 8 com tempo de 45 ns são muito comuns.

ROM PROGRAMÁVEL APAGÁVEL ELETRICAMENTE — EEPROM

A EEPROM foi desenvolvida no início dos anos 80, e apresentada ao mercado como um
aperfeiçoamento da idéia da PROM. A maior vantagem da EEPROM sobre a EPROM é a possibilidade de
apagamento e reprogramação de palavras individuais, em vez da memória toda. Além disso, uma EEPROM
pode ser totalmente apagada em 10 ms, no próprio circuito, contra mais ou menos 30 minutos para uma
EPROM que deve ser retirada do circuito para submeter-se à ação da luz ultravioleta. Uma EEPROM também
pode ser programada bem mais rapidamente do que uma EPROM, requerendo um pulso de programação de
10 ms para cada palavra, em contraste com o de 50 ms necessário a se programar uma palavra da EPROM.

EEPROM x FLASH

Qual a diferença entre EEPROM e FLASH EPROM?


Seria apenas a rapidez de ler e gravar os dados?
A diferença básica entre memória EEPROM e a FLASH é a seguinte :
A estrutura básica da célula de EEPROM é mais complexa do que a da FLASH, pois permite o apagamento
seletivo de apenas um byte se necessário. Com isto o preço de sua produção é elevado.
A FLASH tem uma estrutura básica de célula simplificada, o que reduz o custo de produção. No entanto só
pode ser apagada em blocos, cujo tamanho varia de acordo com o modelo e ou fabricante.
Portanto a memória FLASH é uma alternativa mais econômica, e a tendência é que a memória EEPROM fique
restrita ao uso de memórias de acesso serial, para o armazenamento de parâmetros, sendo gradativamente
substituída pela FLASH e por outras que estão surgindo.

4.4 MEMÓRIA CACHE

A memória cache é uma memória RAM tipo estática extremamente rápida utilizada para armazenar
cópias de dados da memória RAM principal. Entre as operações mais demoradas que o processador efetua
está a transferência de dados para a memória principal. A memória cache, como é mais rápida, é utilizada
como um local temporário de armazenamento de dados durante a execução dos programas, otimizando
então a transferência de dados. Por exemplo o tempo de acesso de uma memória principal (SIMM) pode ser
de 70, 60 ns enquanto que a cache possui um tempo de acesso de 15, 10 e 5 ns.
Placas de CPU Pentium produzidas por volta de 1996 passaram a usar memórias
SRAM com o encapsulamento COAST (Cache on a stick), para implementar memória cache. Apresentam em
geral capacidades de 256 kB ou 512 kB.

MEMÓRIA DE MASSA

Os dispositivos de grande armazenamento de dados, comumente chamados de memória de massa,


são de importante utilidade para usuários de computadores. Exemplos de dispositivos de memória de
massa: discos magnéticos (disquete e winchester), discos ópticos (CD-ROM), fita magnética (fita DAT), etc.
Nestes dispositivos é possível armazenar um grande volume de dados (arquivos ou programas) que seria
impossível carregar totalmente na memória tipo RAM, além de armazenar os dados permanentemente
(mesmo desligando o computador). Estes dispositivos são acessados pela CPU como portas de
entrada/saída, porém, devido a sua função de armazenamento de dados, serão tratados como dispositivos
de memória secundária (ou de massa).

WAIT STATES

Um Wait State é um pulso de clock adicional ao ciclo de leitura ou escrita da memória. Como o ciclo de
acesso à memória RAM dura dois pulsos de clock, com a adição de um wait state o ciclo passa a ter três
pulsos de clock.Aumentar a duração do ciclo de acesso à memória faz com que memórias com tempos de
acesso maiores possam ser utilizadas.

Tempo de Acesso

O temo de acesso de uma memória é o tempo necessário para ler uma palavra armazenada depois
da fabricação dos bits de endereço. Uma vez que os transistores bipolares são mais rápidos que os
MOSFETs, as memórias bipolares têm tempos de acesso mais rápidos do que as memórias MOS. Por
exemplo, a 3636 é uma PROM bipolar com um tempo de acesso de 80 ns; a 2716 é uma EPROM MOS com
um tempo de acesso de 450 ns. Temos que pagar pela velocidade; uma memória bipolar é mais dispendiosa
do que uma memória MOS, e portanto cabe ao projetista decidir que tipo usar aplicação específica.