Universidad Nacional De Colombia Electrónica

Facultad De Ingenierı́a Análoga I

Departamento De Ingenierı́a Eléctrica Y Electrónica 2011-I

Amplificadores de pequeña
señal con BJTs

1. Objetivos
Objetivo General:

Diseñar, simular e implementar circuitos amplificadores básicos con BJTs en las configuraciones de emisor
común, base común y colector común.

Objetivos Especı́ficos:

Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor como amplificador de voltaje.

Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor como acoplador de impedancias.
Comprobar experimentalmente el comportamiento del transistor como amplificador de corriente.

2. Materiales e Instrumentos Requeridos

1 Osciloscopio de 2 Canales.
1 Generador de funciones.

1 Multı́metro Fluke.
3 Sondas.
1 Fuente Dual
Resistencias de varios valores, según el diseño.

3. Práctica
La práctica se divide en tres partes referentes a los amplificadores emisor común, colector común y base común.
Cada una de ellas implica trabajo previo al dı́a de la práctica y en el dı́a de la práctica. Para la realización de esta
práctica se utilizarán dos sesiones de laboratorio.

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3.1. Amplificador Emisor Común

Previo al dı́a de la práctica:

Diseñe, simule e implemente un amplificador utilizando un transistor BJT NPN en configuración emisor común, que
garantice un punto de polarización estable con corriente IcQ = 9mA. Utilizando el montaje propuesto en la figura 1.
Realice el análisis en DC, halle las diferentes corrientes y voltajes de polarización, especialmente determine VceQ , de
acuerdo con los criterios de diseño sugeridos en los libros o vistos en clase.
Realice el análisis AC, establezca la frecuencia de la señal de entrada AC vi a utilizar y según ello determine los
valores para los condensadores. Obtenga Av , Ai , Zi , Zo , y demás parámetros que considere necesarios para la
realización del diseño. Determine los valores máximos y mı́nimos de la señal de entrada AC vi para que el transistor
permanezca en región activa.
Retire el condensador que está en paralelo con la resistencia de emisor. ¿qué ocurre con la ganancia Av ?. Analice el
resultado y obtenga nuevamente Av , Ai , Zi , Zo .

El dı́a de la práctica:
Compruebe experimentalmente los valores DC, verifique que el transistor esté efectivamente en región activa.
Compruebe experimentalmente los valores AC (Av , Ai , Zi , Zo ), utilizando como entrada la señal ac determinada
previamente y verifique el intervalo de valores de vi para los cuales que el transistor se encuentra en región activa.

VCC VCC

RC
RB1 Co
vo
C1

Q1

vi
RB2 RE CE

Figura 1: Amplificador Emisor Común

3.2. Amplificador Colector Común

Previo al dı́a de la práctica:

Diseñe, simule e implemente un amplificador utilizando un transistor BJT NPN en configuración colector común, que
garantice un punto de polarización estable con corriente IcQ = 9mA. Utilizando el montaje propuesto en la figura 2.
Realice el análisis en DC, halle las diferentes corrientes y voltajes de polarización, especialmente determine VceQ , de
acuerdo con los criterios de diseño sugeridos en los libros o vistos en clase.
Realice el análisis AC, establezca la frecuencia de la señal de entrada AC vi a utilizar y según ello determine los
valores para los condensadores. Obtenga Av , Ai , Zi , Zo , y demás parámetros que considere necesarios para la

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realización del diseño. Determine los valores máximos y mı́nimos de la señal de entrada AC vi para que el transistor
permanezca en región activa.

El dı́a de la práctica:
Compruebe experimentalmente los valores DC, verifique que el transistor esté efectivamente en región activa.
Compruebe experimentalmente los valores AC (Av , Ai , Zi , Zo ), utilizando como entrada la señal ac determinada
previamente y verifique el intervalo de valores de vi para los cuales que el transistor se encuentra en región activa.

VCC VCC

RC
RB1

C1

Q1
vo
vi
RB2 RE Co

Figura 2: Amplificador Colector Común

3.3. Amplificador Base Común

Previo al dı́a de la práctica:

Diseñe, simule e implemente un amplificador utilizando un transistor BJT NPN en configuración base común, que
garantice un punto de polarización estable con corriente IcQ = 9mA. Utilizando el montaje propuesto en la figura 3.
Realice el análisis en DC, halle las diferentes corrientes y voltajes de polarización, especialmente determine VceQ , de
acuerdo con los criterios de diseño sugeridos en los libros o vistos en clase.
Realice el análisis AC, establezca la frecuencia de la señal de entrada AC vi a utilizar y según ello determine los
valores para los condensadores. Obtenga Av , Ai , Zi , Zo , y demás parámetros que considere necesarios para la
realización del diseño. Determine los valores máximos y mı́nimos de la señal de entrada AC vi para que el transistor
permanezca en región activa.
Retire el condensador que está en paralelo con las resistencias de base. ¿qué ocurre con la ganancia Av ?. Analice el
resultado y obtenga nuevamente Av , Ai , Zi , Zo .

El dı́a de la práctica:
Compruebe experimentalmente los valores DC, verifique que el transistor esté efectivamente en región activa.
Compruebe experimentalmente los valores AC (Av , Ai , Zi , Zo ), utilizando como entrada la señal ac determinada
previamente y verifique el intervalo de valores de vi para los cuales que el transistor se encuentra en región activa.

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4. Preguntas sugeridas
Al término de la práctica el estudiante estará en la capacidad de responder las siguientes preguntas:

En la topologı́a de emisor común ¿qué papel cumple el condensador que se encuentra en paralelo con la
resistencia de emisor? ¿Cómo explica lo sucedido al desconectar este condensador?
¿Por qué razones la topologı́a de colector común suele denominarse seguidor de emisor?
¿Según su punto de vista para qué podrı́a ser útil la configuración de colector común?

¿Qué sucede con la ganancia de los amplificadores si se aumenta o disminuye considerablemente, la frecuencia
de la señal de entrada?
Compare las impedancias de entrada del amplificador de emisor común y el de base común, ¿Qué conclusión
puede sacar?

VCC VCC

RC
RB1
vo
C2
Q1

RB2 C1 vi
RE

Figura 3: Amplificador Base Común

NOTA
Los laboratorios ası́ como los informes deben ser entregados el dı́a y a la hora acordados, por ningún motivo se
aceptarán en fecha posterior. Recomendación: Consultar los manuales y hojas de especificaciones de los dispositivos
semiconductores, previo al desarrollo de la práctica.

5. Bibliografı́a
Para el desarrollo de la práctica se recomienda consultar:

A. Sedra, K. Smith, Microelectronic Circuits, 5th Edition, Ed. Oxford University Press, 2004.
R. Boylestad, L. Nashelsky, Electrónica: Teorı́a de circuitos, Ed. Pearson, 10 Edición, 2009.