МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО-

ДОРОЖНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (МАДИ)

Г.И.АСМОЛОВ, В.М.РОЖКОВ, О.П. ЛОБОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В
СИСТЕМАХ ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ
 МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО-ДОРОЖНЫЙ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
(МАДИ)

Г.И.АСМОЛОВ, В.М.РОЖКОВ, О.П. ЛОБОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В СИСТЕМАХ

ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ

Учебное пособие

Утверждено
в качестве
учебного пособия
педсоветом МАДИ (ГТУ)

МОСКВА 2013
УДК-621.382
ББК-32.852
А905
Асмолов, Г.И. Полупроводниковые приборы в системах
транспортной телематики: учебное пособие / Г.И. Асмолов, В.М.
Рожков, О.П. Лобов. – М.: МАДИ, 2012. – 89 с.

Рецензенты:
д-р техн. наук, проф. В.И. Марсов;
канд. техн. наук, доц. Б.А. Глебов.

В учебном пособии рассмотрены базовые

полупроводниковые элементы, на которых основана аппаратная
реализация электронных устройств транспортной телематики.
Рассмотрены разные типы диодов, транзисторов, тиристоров и
оптоэлектронных приборов – фотодиодов, светодиодов, оптронов.
Приведены вольтамперные характеристики, схемы включения,
расчѐты рабочих режимов, даны примеры применения.
Пособие предназначено для студентов направлений
подготовки 190109 “Автомобильная техника в транспортных
технологиях”, 190600 “Автомобильный сервис” и 140400
“Электрооборудование автомобилей и тракторов”.

УДК-621.382
ББК-32.852

© Московский автомобильно-дорожный
государственный технический университет (МАДИ), 2013
 ВВЕДЕНИЕ

Основой транспортной телематической системы являются

информационные технологии. Транспортная телематическая
система даѐт возможность сбора, передачи, обработки и обмена
информацией между разными потребителями и элементами
транспортной сети, а также создаѐт телематические приложения
для еѐ управления и оптимизации. Реализация этих
телематических приложений опирается на совокупность
технических средств, в которые входят датчики, аппаратные
средства коммуникационных и информационных технологий,
исполнительные элементы и т.д.
Основой всех технических средств являются современные
полупроводниковые приборы, изучению которых и посвящено
настоящее учебное пособие. В нѐм рассмотрены основы теории
полупроводников, различные типы полупроводниковых приборов,
их характеристики, схемы включения и особенности эксплуатации,
биполярные и полевые транзисторы. Особое внимание уделено
современным силовым транзисторам, которые применяются в
исполнительных элементах транспортной телематики.
Из приборов с многослойной структурой рассмотрены
динисторы, тиристоры и симисторы. Большое внимание уделено
анализу оптоэлектронных приборов – фотодиодов, светодиодов и
оптронов.
Освоение материала данного учебного пособия является
залогом успешного изучения аппаратных реализаций
телематических средств на основе интегральных микросхем.

3
 1. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1.1. Собственная электропроводность полупроводников

В качестве основных материалов для изготовления

полупроводниковых приборов используются кремний Si и германий
Gе. На рис. 1.1 показана плоская модель кристаллической решетки
германия, в которой атомы соединяются четырьмя ковалентными
связями с четырьмя ближайшими соседними атомами.

+4 Ge
-
-

+4 - + +4 - - +4
атом
-
- Ge
-
Рис. 1.1. Плоская модель кристаллической решѐтки Ge

При относительно близком расположении атомов в

кристалле и их большой концентрации электроны соседних атомов
образуют густорасположенные электронные оболочки, которые
объединяются в зоны, имеющие определенные энергетические
уровни. Внешняя зона энергетических уровней - это зона
проводимости, ее образуют свободные электроны, создающие
электрический ток. Валентные электроны располагаются на
большом числе близко расположенных уровней в пределах
валентной зоны.
Между зоной проводимости и валентной зоной расположена
зона запрещенных энергетических уровней с шириной ∆W (рис.
1.2). Для металлов ∆W=0,т.е. запрещенная зона отсутствует.

4
 W
зона
проводимости

запрещенная ∆W ∆W
зона

валентная
зона
а б в
Рис. 1.2. Структура энергетических зон: диэлектрика (а),
полупроводника (б), металла (в)

Если ∆W ≥ 3эВ, то вещество является диэлектриком, так как

в обычных условиях его электроны практически не попадают в зону
проводимости. У полупроводников ширина запрещенной зоны отно-
сительно мала (∆W < 3эВ), поэтому при повышении температуры
или воздействии внешнего электрического поля электроны могут
отрываться от атома и переходить в зону проводимости. При
отрыве одного общего валентного электрона от двух соседних
атомов нарушается электрическая нейтральность, что эквивалент-
но появлению положительного заряда. Место ушедшего электрона
может занять валентный электрон других атомов. Таким образом,
не компенсированный положительный заряд будет перемещаться
от одной пары атомов к другим. Этот положительный заряд
получил название "дырка". Появляясь одновременно парами, дырки
и электроны движутся в противоположных направлениях, образуя
электрический ток, или собственную проводимость полупроводника.
Процесс создания пары электрон-дырка называется генерацией, а
их соединение - рекомбинацией.
Ширина запрещенной зоны германия ∆W = 0,72 эВ, а
кремния ∆W= 1,12 эВ.

5
 1.2. Примесная электропроводность полупроводников

Введением в кристалл соответствующей примеси

(легированием) можно резко увеличить электропроводность
полупроводника. Атомы примесей обладают системой
энергетических уровней, отличных от уровней чистого
полупроводникового материала. Процентное содержание
примесных атомов обычно незначительно, расстояние между ними
велико. Это позволяет рассматривать их в структуре полу-
проводника как отдельные атомы, уровни которых не
превращаются в зоны.
Если в качестве примеси взять пятивалентные химические
элементы (мышьяк As , фосфор Р , сурьму SB), то пятивалентные
атомы примеси, располагаясь в некоторых узлах кристаллической
решетки, заполнят своими электронами четыре ковалентные связи
соседних атомов. Пятый валентный электрон, являясь лишним в
единой структуре валентных связей кристалла, оказывается слабо
связанным с примесным атомом. Под воздействием тепла он легко
отделяется и становится свободным (рис. 1.3,а), т.е. пятый элект-
рон SB легко переходит из валентной зоны в зону проводимости Gе
(рис. 1.4,а). Оставшийся положительный ион не перемещается по
кристаллу, который по-прежнему нейтрален.
Такая примесь называется донорной. При внесении ее в
полупроводник его электропроводность (n - типа) приобретает
электронный характер.
Если примесями являются трехвалентные химические
элементы (индий In, галлий Ga, алюминий Al, боp B), то трех
валентный атом, располагаясь в узле кристаллической решетки,
заполняет своими электронами лишь три ковалентные связи с
соседними атомами (рис. 1.3,б). Свободная четвертая ковалентная
связь легко заполняется валентным электроном соседнего атома.
Трехвалентный примесный атом, захвативший лишний электрон,
превращается в неподвижный отрицательный ион, а у двух сосед-

6
них атомов, потерявших общий электрон, возникает дырка, которая
начинает блуждать по кристаллу. На рис. 1.4,б показана структура
энергетических уровней In и Ge.

+4 Ge +4 Ge
- - -
- -
Ge Ge
Sb In
- - +5 - - +4 - - +3 - - +4

- -
- -
а б
Рис. 1.3. Плоская модель кристаллической решѐтки примесных
полупроводников: n-типа (а), р-типа (б)

W W

Ge зоны
проводимости
∆Wg

In
∆Wа

а б
Рис. 1.4. Структура энергетических зон в примесных
полупроводниках: n-типа (а), р-типа (б)

Внесение таких, акцепторных, примесей увеличивает

концентрацию дырок. Электропроводность полупроводника
приобретает дырочный характер (электропроводность р - типа).
В примесном полупроводнике преобладающие носители
зарядов называются основными, остальные – неосновными.
7
Например, в полупроводнике n-типа основными носителями
являются электроны, а в p-типа – дырки.

1.3. Электронно-дырочный переход

Если в кристалле полупроводника имеются области с

проводимостью типа p и n, то границу между ними называют
электронно-дырочным переходом (p-n-переходом). Его толщина
составляет 0,3 микрона.
Вследствие различия в областях концентрации дырок и
электронов происходит процесс диффузии: дырки переходят из p-
области в n-область, а электроны – из n-области в p-область. Так
появляется диффузионный ток, направление которого совпадает с
направлением диффузии дырок. На месте ушедших с границы p-n-
перехода электронов и дырок остаются положительные и
отрицательные ионы. Скопление противоположных зарядов
приводит к образованию на границе p-n-перехода контактной
разности потенциалов ∆φ. Электрическое поле, порождаемое ∆φ,
является тормозящим для основных носителей зарядов и
ускоряющим для неосновных. Под действием этого поля дырки из
n-области переходят в p-область, а электроны – из p-области в n-
область. При этом возникает дрейфовый ток, направленный
навстречу диффузионному току. Эти токи уравновешивают друг
друга, оставляя кристалл нейтральным.
Приложим к полупроводнику внешнее постоянное
напряжение величиной Uп. При этом возможны два варианта
подключения (рис. 1.5). В случае I говорят, что к полупроводнику
приложено обратное напряжение, а в случае II – прямое.
При приложении обратного напряжения возрастает
потенциальный барьер до величины U=Uп+∆φ. Возникающий при
этом ток незначителен, так как определяется неосновными
носителями. Он называется обратным током Iобр. Во втором случае
потенциальный барьер понижается: через p-n-переход проникает
8
достаточно большой ток, обусловленный основными носителями
зарядов. Этот ток называется прямым Iпр.
Iобр
n p

I (+) (-)

II (-) (+)

Iпр

Рис. 1.5. Электронно-дырочный переход – способы включения

внешнего напряжения

Концентрация основных носителей в полупроводнике

значительно превосходит концентрацию неосновных Iпр>> Iобр. На
этом основано вентильное свойство p-n-перехода – способность
проводить ток в одном направлении.
Процесс перехода неосновных носителей заряда через
потенциальный барьер под действием обратного напряжения
(случай I) называется экстракцией. Аналогичный процесс переноса
основных носителей при приложении прямого напряжения (случай
II) – инжекцией.

2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

Полупроводниковый диод содержит один p-n-переход и

имеет два вывода. В схемах согласно ГОСТ имеет обозначение,
приведѐнное на рис. 2.1. Треугольник в качестве стрелки
показывает направление прямого тока Iпр, буква V означает
принадлежность к полупроводниковым приборам, D – уточняет
класс диодов, цифра 1 после букв VD указывает порядковый номер
диода на принципиальной схеме.
9
 VD1

a
0
60 a 5 5
b 4 6

Рис. 2.1. Условное обозначение полупроводникового диода

2.1. Вольтамперная характеристика (ВАХ) диода

Свойства любых приборов в том числе и диода определяет

ВАХ, которая показывает зависимость тока, протекающего через
этот прибор, от приложенного к нему напряжения (рис. 2.2,а,б).
Участки А вольтамперной характеристики называют прямой ветвью,
В – обратной. Отрезок 0-1 ВАХ является нелинейным, а выше точки
1 становится практически прямолинейным. За точкой 2
наблюдается существенное увеличение обратного тока,
вызываемое пробоем p-n-перехода.
ВАХ диодов сильно зависят от температуры окружающей
среды. С увеличением температуры растут прямой и обратный токи
диодов, однако влияние температуры сказывается на
характеристики кремниевых диодов меньше, чем на характеристики
германиевых диодов (рис. 2.2,а,б).
Однако следует отметить, что часто при исследовании схем
с диодами используют ВАХ идеального и идеализированного диода
(рис. 2.2,в,г). Идеальный диод (рис. 2.2,в), если к нему приложено
прямое напряжение, представляет собой короткое замыкание, а
при обратном напряжении – обрыв цепи.
Прямая ветвь идеализированного диода эквивалентна
включению в цепь резистора с небольшим сопротивлением Rпр, а
обратная – резистору с большим сопротивлением Rобр. Отношение
этих сопротивлений Rобр/Rпр для германиевых диодов составляет
порядка 103, а для кремниевых – 105.

10
 а б

I пр [mA] I пр [mA]

+ -

R пр
U обр [В] U обр [В]
U пр [В] U пр [В]
- +
R обр

I обр [mkA] I обр [mkA]

в г
Рис. 2.2. Вольтамперные характеристики диодов: германиевого (а),
кремниевого (б), идеального (в), идеализированного (г)

2.2. Основные параметры полупроводниковых диодов

Параметрами электронного прибора являются физические

величины, характеризующие его свойства. В зависимости от
режима работы прибора различают динамические и статические
параметры. Статические параметры характеризуют свойства
прибора в установившемся режиме, динамические – в переходном
или динамическом режиме.

11
 Динамическим параметром диода является
дифференциальное (динамическое сопротивление),
представляющее собой соотношение:
rg= dU/dI.
На линейном участке ВАХ можно от дифференциалов
перейти к конечным приращениям ∆, т.е. rg=∆U/∆I. В качестве
конечных приращений могут быть взяты амплитудные Um, Im или
мгновенные U~, I~ значения переменных составляющих напряжения
и тока, если они малы по сравнению с постоянными
составляющими:
rg≈ Um/ Im= U~/I~.
В таком виде имеет смысл внутреннее сопротивление
электронного прибора для переменного тока.
Полупроводниковые диоды имеют следующие статические
параметры:

- статическое сопротивление или сопротивление диода

постоянному току:
Rд=Uд/Iд.
В справочниках вместо Rд обычно приводят величины
прямого и обратного сопротивлений Rпр, Rобр, которые
соответствуют сопротивлениям диода при установленных
стандартных значениях прямого и обратного напряжения или тока;

- обратное максимально допустимое напряжение:

Umax
обр 0,8Uпроб ,
где Uпроб - напряжение теплового или электрического пробоя;

- максимально допустимая мощность, рассеиваемая диодом

(обычно приводится для 200С);
- прямое падение напряжения на диоде

12
 Ge
Uпр 0,4....0,5 В;
Si
Uпр 0.6....1B;

- прямой ток диода Iпр [A, mA],

где А – амперы, mA – миллиамперы;

- обратный ток диода Iобр [A, mkА],

где mkA – микроамперы.

2.3. Диод в режиме нагрузки

На рис. 2.3,а приведена электрическая схема, содержащая

источник питания UП, диод VD1 и резистор RН. Расчѐт такой
электрической цепи, содержащей нелинейные элементы, можно
выполнить графоаналитическим методом двумя способами:
- с помощью нагрузочной прямой;
- путѐм построения суммарной вольтамперной характеристики.
Выполним последовательно расчѐт схемы, представленной
на рис. 2.3,а, одним и другим способом.
Графоаналитический расчѐт с помощью нагрузочной прямой
следует начать с определения электрического состояния цепи (рис.
2.3,а), которое описывается вторым законом Кирхгофа
UП=IНRН+UVD,
UП UVD
откуда IН . (2.1)
RН RН
Это уравнение называют аналитическим выражением
нагрузочной прямой, так как в рассматриваемой схеме резистор RН
выполняет функцию нагрузки.
Из уравнения (2.1) требуется определить ток IH=IVD и
напряжение UVD. Этот расчѐт проводится графоаналитическим
построением нагрузочной характеристики. Нагрузочная
характеристика представляет собой прямую линию, отсекающую на

13
осях координат (рис. 2.3,б) отрезки: на оси абсцисс UVD=UП при IН=0;
на оси ординат IН=UП/RH при UVD=0. Построенная по двум этим
точкам характеристика называется нагрузочной прямой. Она
отражает все возможные режимы электрической цепи: от режима
короткого замыкания диода UVD=0 до холостого хода IН=0.

Rн
+

Uп Iн VD1 Uвых

-
а б

в г
Рис. 2.3. Графоаналитическое решение цепи, содержащей диод

14
 Изменение сопротивления Rн вызывает изменение наклона
нагрузочной прямой (линия 2 на рис. 2.3,в).
Изменение Uп при фиксированном значении Rн приводит к
параллельному смещению нагрузочной прямой относительно еѐ
исходного положения (линия 3). На рис. 2.3,в нагрузочная прямая
изображена совместно с ВАХ диода.
В электрической последовательной цепи (см. рис. 2.3,а)
течѐт единый ток IН=IVD, который одновременно должен
удовлетворять закономерностям ВАХ и нагрузочной прямой.
Для графоаналитического расчѐта с помощью нагрузочной
прямой такой электрической цепи (рис. 2.3,а), содержащей
нелинейный элемент диод VD1, построим в одних осях (рис. 2.3,б)
ВАХ диода VD1 и конкретную нагрузочную прямую по заданным
значениям напряжения источника питания Uп и сопротивления
нагрузки Rн. Точка А пересечения ВАХ диода и нагрузочной прямой
одновременно удовлетворяет их закономерностям и поэтому
является графоаналитическим решением системы уравнений,
описывающих ВАХ диода IVD=f(UVD) и нагрузочную прямую
UП UVD
IVD .
RН RН
Таким образом, приведѐнные выше построения позволили
определить общий ток Iобщ=IVD=IН, падение напряжения на диоде
UVD и нагрузке UH.
Для расчѐта по второму способу построим суммарную ВАХ
нелинейного прибора, напряжение на котором при заданном токе
IVD=Iобщ=IН равно сумме падений напряжений на диоде VD1 и
нагрузке Rн (рис. 2.3,г). Для еѐ построения при конкретных
значениях общего тока Iобщ=IVD= IН находим значения напряжений
UVD и UH и их сумму UП= UVD+ UH откладываем по оси напряжения.
Полученные результаты, как видно из рис. 2.3,б и 2.3,г,
совпадают. Первый метод более удобен и он будет использован в
дальнейшем при решении подобных задач, когда нагрузка и

15
нелинейный элемент включены последовательно. В более сложных
случаях приходится использовать оба метода.
Так на рис. 2.4,а представлена схема, для расчѐта которой
графоаналитическим методом необходимо использовать оба
способа.
R1
+
IΣ
VD1
Uп I VD IH R2

-
а
I
IΣ I VD
UП2
I= R1
I’Σ
I R2

A
IΣ
I’VD
I’R2
I VD
I R2

U П1 U П2 UΣ
UΣ I Σ R1 U VD
б
Рис. 2.4. Графоаналитическое решение цепи, содержащей диод,
несколькими способами

16
 На первом этапе строится ВАХ нового нелинейного
элемента, состоящего из параллельно-включѐнных резистора R2 и
диода VD1 (рис. 2.4,б). Для этого при конкретных значениях Uп
определяются токи диода VD1 и резистора R2 и по оси тока
' '
откладывается их сумма: I IR2 I'VD (рис. 2.4,б).
На втором этапе строится нагрузочная прямая по уравнению
UП2 U' '
I , где U – напряжение, определяемое по ВАХ нового
R2 R1
нелинейного элемента, построенной на первом этапе. Полученная
при этом построении точка А является графоаналитическим
решением. Из рис. 2.4,б можно определить суммарный ток IΣ,
протекающий по резистору R1, и падение напряжения UR1; токи IR2 и
IVD и падение напряжения UΣ=UVD= UR2.

2.4. Классификация диодов

Полупроводниковые диоды классифицируются по

следующим параметрам:
1. По конструкции они делятся на плоскостные и точечные. В
плоскостных диодах p-n-переход образуется двумя
полупроводниками с различными типами электропроводности.
Площадь перехода находится в пределах от сотых долей
квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных
сантиметров.
В точечных диодах используются пластинки
полупроводников n-типа. С пластинкой соприкасается стальная
проволочка, образующая p-n-переход в месте контакта. Радиус
точечного перехода составляет 2-3 мкм.
2. По применению различают выпрямительные и
специальные диоды. К последним относятся стабилитроны,
стабисторы, туннельные и параметрические диоды, варикапы,
светодиоды, фотодиоды и т.д.

17
 Выпрямительные диоды применяются для выпрямления
переменного тока низкой частоты от 50 до 2000 Гц. Это
плоскостные диоды с относительно большой площадью p-n-
перехода.
Выпрямительные диоды различаются по номинальным
значениям тока и напряжения. Если Iпр>0, то диоды называются
вентилями. У современных вентилей значения номинального тока
достигают 2000 А, а напряжения 2000 В.
С увеличением частоты выпрямительного напряжения
коэффициент полезного действия (КПД) диодов уменьшается,
поэтому для высокочастотных сигналов используются точечные
высокочастотные диоды.
В импульсных системах применяются импульсные диоды, у
которых длительность переходных процессов не превышает
десятых долей микросекунд.

2.5. Стабилитроны и стабисторы

Рабочим участком ВАХ полупроводникового стабилитрона

является участок электрического пробоя (рис. 2.5). Обозначение
стабилитрона и схема его включения показаны на рис. 2.6.
Напряжение стабилизации зависит от ширины p-n-перехода:
чем меньше толщина, тем меньше Uст. Последняя величина, в свою
очередь, определяется удельным сопротивлением
полупроводникового материала. Наиболее подходящим
материалом для изготовления стабилитронов является кремний.
Стабилитроны применяются в системах стабилизации
напряжения и включаются в обратном направлении.
Прямая ВАХ стабилитрона имеет резкий излом, поэтому для
стабилизации напряжений, равных 0,6…1 В, можно использовать
эти диоды, включѐнные в прямом направлении. В этом случае их
называют стабисторами.

18
 Стабилитроны имеют следующие основные параметры:
- напряжение стабилизации Uст;
- максимальный и минимальный допустимые токи
max min
стабилизации Iст , Iст ;
- дифференциальное (динамическое) сопротивление
rg=∆Uст/∆Iст;
- температурный коэффициент напряжения (ТКН), который
показывает, на сколько процентов меняется величина ∆Uст при
изменении температуры на 1оС. Стабилитроны имеют
положительный ТКН, а диоды и стабисторы отрицательный.

I пр [mA]

20

15

10

U П2 U П1 U СТ 8 6 4 2 0
U обр [В] U пр [В]
1
Imin
cт

1 5
2
10

15

20
UП1
RН
25
max
Icт
I обр [mA]
Рис. 2.5. Вольтамперная характеристика стабилитрона

19
 Исследуем свойства стабилитрона, включѐнного в схему
(рис. 2.6,а), используя уравнение нагрузочной прямой:
UП=IНRН+UСТ.
Ввиду того, что стабилитрон и резистор Rн включены
последовательно, IН=IСТ. Для удовлетворительной работы схемы
ток стабилитрона не должен превышать пределов:
Imin
ст Iст Imax
ст .

а б
Рис. 2.6. Стабилитрон: условное изображение (а), схема
исследования стабилитрона (б)

Это условие ограничивает пределы изменения входного

напряжения Uп, в которых обеспечивается постоянство выходного
напряжения Uст=const. На рис. 2.5 различными значениями UП1, UП2
соответствуют рабочие точки 1,2.

2.6. Туннельный диод

Туннельный диод изготавливается из высоколегированных

материалов, т.е. области p и n обладают высокой концентрацией
основных носителей заряда. Ширина p-n перехода этого диода
очень мала. Обозначение диода и его ВАХ представлены на рис.
2.7. Отличительной особенностью ВАХ туннельного диода является
наличие участка (АВ) с отрицательным дифференциальным
AB
сопротивлением rд 0 , так как положительному приращению

20
напряжения +∆UАВ соответствует отрицательное приращение тока -
∆IАВ.
Туннельные диоды используются в качестве генераторов и
усилителей СВЧ в быстродействующих ключевых и импульсных
устройствах.

а б
Рис. 2.7. Туннельный диод: условное обозначение (а), ВАХ (б)

2.7. Диод Шоттки

В диодах Шоттки (рис. 2.8,а) в отличие от обычных p-n

диодов используют в качестве барьера Шоттки переход металл-
полупроводник n-типа, который позволяет снизить величину
прямого падения напряжения на таком диоде до 0,2…0,4 вольт.
Однако следует иметь в виду, что такое малое падение
напряжения в открытом состоянии имеют только диоды Шоттки, у
которых максимальное обратное напряжение не превышает
десятки вольт. У диодов с обратным напряжением сотни и выше
вольт Uпр=(0,75…1)В. Так, например, при протекании по силовому
диоду Шотки 30Q150, который имеет максимально возможное
21
обратное напряжение 150 В, прямого тока 15 А, падение
напряжения на нѐм при температуре +125ОС равно 0,75В, а при
температуре -55оС – порядка 1,07В. Диоды Шоттки работают на
основных носителях заряда – электронах, поэтому здесь
отсутствует диффузионная ѐмкость, что существенно уменьшает их
время переключения и повышает рабочую частоту.

а б
Рис. 2.8. Условное графическое изображение: диода Шотки (а),
схемы диодной сборки (б)

Это свойство используется в дискретных транзисторах и в

интегральных микросхемах, когда диодами Шоттки шунтируются их
p-n-переходы. Выпрямители, собранные на диодах Шоттки, могут
работать на частотах в сотни кГц и выше. Малое прямое падение
напряжения на диодах Шоттки позволило их широко применять в
сильнотоковых каналах выпрямителей (+3,3 и +5В при токах в
десятки ампер), так как при этом обеспечивается значительный
выигрыш в КПД. В настоящее время диоды Шоттки выпускаются в
виде диодных сборок из двух диодов (диодные полумосты, рис.
2.8,б):
- ТО – 220 с рабочими токами 20…30А;
- ТО – 247 с рабочими токами 30…40А;
- ТО – 38 – мощные сборки.
Таким образом, высокое быстродействие и малое падение
напряжения в открытом состоянии позволили широко применять
диоды Шотки в выпрямителях, ненасыщенных ключах на
дискретных транзисторах, в цифровой интегральной схемотехнике,
например, в транзисторно-транзисторных интегральных
микросхемах.
22
 2.8. Варикап

Варикап (от англ. vari(able) — «переменный», и cap(acity) —

«ѐмкость») — полупроводниковый диод, работа которого основана
на зависимости барьерной ѐмкости p-n-перехода от обратного
напряжения. Обозначение варикапа и его структура показаны на
рис. 2.9. Варикапы применяются в качестве элементов с
электрически управляемой ѐмкостью в схемах перестройки частоты
колебательного контура, деления и умножения частоты, частотной
модуляции, управляемых фазовращателей и др.

а б
Рис. 2.9. Варикап: обозначение (а), структура (в)

При отсутствии внешнего напряжения в p-n-переходе

существуют потенциальный барьер и внутреннее электрическое
поле. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота
этого потенциального барьера увеличится. Внешнее обратное
напряжение отталкивает электроны в глубь n-области, в результате
чего происходит расширение обеднѐнной области p-n-перехода,
которую можно представить как простейший плоский конденсатор, в
котором обкладками служат границы области. В таком случае, в
соответствии с формулой для ѐмкости плоского конденсатора, с
ростом расстояния между обкладками (вызванной ростом значения
обратного напряжения) ѐмкость p-n-перехода будет уменьшаться.
Это уменьшение ограничено лишь толщиной базы, далее которой
переход расширяться не может. По достижении этого минимума с
ростом обратного напряжения ѐмкость не изменяется.

23
 Промышленностью выпускаются варикапы как в виде
дискретных элементов (например, КВ105, КВ109, КВ110, КВ114,
BB148, BB149), так и в виде варикапных сборок (например,
КВС111).
Основные параметры:
- общая ѐмкость — ѐмкость, измеренная между выводами варикапа
при заданном обратном напряжении;
- коэффициент перекрытия по ѐмкости — отношение ѐмкостей при
двух заданных значениях обратного напряжения на варикапе;
- добротность — отношение реактивного сопротивления варикапа
на заданной частоте к сопротивлению потерь при заданном
значении ѐмкости или обратного напряжения;
- постоянный обратный ток — постоянный ток, протекающий через
варикап при заданном обратном напряжении;
- максимально допустимое постоянное обратное напряжение;
- максимально допустимая рассеиваемая мощность;
- температурные коэффициенты емкости и добротности —
отношение относительного изменения емкости (добротности)
варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры.
В общем случае сами эти коэффициенты зависят от значения
обратного напряжения, приложенного к варикапу;
- предельная частота варикапа — значение частоты, на которой
реактивная составляющая проводимости варикапа становится
равной активной составляющей. Измерение предельной частоты
производится при конкретных заданных обратном напряжении и
температуре, которые, в свою очередь, зависят от типа варикапа.
Варикапы в настоящее время широко используются для
изменения резонансной частоты колебательных контуров в схемах
генераторов и в приѐмных каскадах приѐмников радиосигналов.
На рис. 2.10 показана схема управления резонансной
частотой:
1 Ск1Ск2
fрез , где Ск .
2π L к С к Ск1 Ск2
24
 Рис. 2.10. Схема управления резонансной частотой

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

Транзистор – это полупроводниковый управляемый прибор,

имеющий три вывода и предназначенный для усиления и
преобразования электрических сигналов.

3.1. Классификация транзисторов

Основными параметрами классификации транзисторов

являются следующие:
- допустимая мощность рассеивания Pдоп. В зависимости от
величины этого параметра различают маломощные транзисторы, у
которых Pдоп < 0,3Вт; у транзисторов средней мощности Pдоп =
0,3…1,5Вт. Для транзисторов большой мощности Pдоп > 1,5Вт. В
этих транзисторах применяется специальная система охлаждения;
- предельная (граничная) частота усиливаемого сигнала fпр.
Классификация транзисторов по этому параметру иллюстрируется
табл. 3.1;
- исходный материал: различают кремниевые и
германиевые, а также из арсенид-галия;
- число электронно-дырочных p-n-переходов. Транзисторы,
имеющие два p-n-перехода, называются биполярными. Кроме этих,
наиболее распространѐнных, существуют однопереходные,
трехпереходные и многопереходные транзисторы. Транзисторы, в
25
которых отсутствует инжекция носителей и которые не имеют ни
одного p-n-перехода, называются полевыми. Более подробная
классификация транзисторов по роду носителей иллюстрируется
таблицей 3.2.
Таблица 3.1
Наимено-
Высоко- Сверх-
вание Низкочас- Средне-
частот- высоко-
транзис- тотный частотный
ный частотный
тора
Частота Менее 3…30 30…300 Более 300
3 МГц МГц МГц МГц

Таблица 3.2
Транзисторы

Биполярные Полевые

p-n-p n-p-n с управляющим с изолированным

Э K p-n-p-переходом затвором МОП -
K Э
транзисторы

Б с встроенным с индуцированным
Б
каналом каналом

канал канал канал

n-типа p-типа n-типа p-типа n-типа p-типа

С С
З З
И И

26
 3.2. Биполярные транзисторы

3.2.1. Устройство и принцип действия биполярного

транзистора

Условное графическое изображение транзисторов в

электронных схемах показано на рис. 3.1. В схемах транзисторы
обозначаются буквами VT с последующей порядковой нумерацией
(VT1, VT2…).

p-n-p n-p-n
Рис. 3.1. Условное обозначение биполярных транзисторов

Биполярный транзистор состоит из двух противоположно

направленных p-n-переходов П1 и П2 (рис. 3.2). В монокристалле
транзистора выделяют три области: эмиттер (Э), базу (Б),
коллектор (К), имеющие соответствующие выводы. В схемах
эмиттер изображается в виде стрелки, указывающей направление
тока эмиттера.
Переход П1 между эмиттером и базой называется
эмиттерным, а переход П2 – коллекторным (рис.3.2).
Биполярные транзисторы должны удовлетворять
следующим основным конструктивным требованиям:
- база должна быть настолько тонкой, чтобы
инжектированные в неѐ носители могли без значительных потерь
из-за рекомбинации достигать коллектора;
27
 - концентрация примесей в эмиттере должна быть больше,
чем в базе, а толщина базы малой;
- площадь коллекторного перехода должна быть в несколько
раз больше площади эмиттерного перехода.

p П1 n П2 p

Э ` К

Рис. 3.2. Структура биполярного p-n-p транзистора

Различают две структуры биполярных транзисторов p-n-p и

n-p-n. Принцип действия обоих структур одинаков, различие лишь в
том, что в транзисторах p-n-p от эмиттера к коллектору через базу
двигаются дырки, а в транзисторах n-p-n – электроны.
При работе транзистора в качестве усилителя эмиттерный
переход включают в прямом, а коллекторный - в обратном
направлениях (рис. 3.3).

Рис. 3.3. Электродные токи в биполярном транзисторе

28
 В p-n-p транзисторе базе сообщается отрицательное
напряжение по отношению к эмиттеру, а коллектору ещѐ более
отрицательное. В n-p-n транзисторе наоборот: база имеет более
высокий потенциал по отношению к эмиттеру, а величина этого
потенциала у коллектора ещѐ выше.
Если задать Uэб=0, а к переходу П2 приложить обратное
напряжение Uкб, тогда Iэ=0 и в коллекторной цепи возникает слабый
обратный коллекторный ток Iко. Это ток неосновных носителей базы
– дырок, притягиваемых отрицательным полюсом коллектора.
Если при этом приложить прямое напряжение Uэб к
переходу П1, то дырки эмиттера, отталкиваясь от его
положительного полюса, устремляются через П1 в базу. Благодаря
незначительной ширине базы большинство дырок преодолевает еѐ
и переход П2, притягиваясь отрицательным полюсом коллектора и
образуя при этом ток коллектора Iк.
Оставшаяся в базе незначительная часть дырок,
притягиваясь отрицательным полюсом базы, образует
незначительный ток базы Iб. Следовательно, между токами
транзистора устанавливается соотношение Iэ=Iб+Iк.
Транзистор – обратимый прибор, в котором коллектор и
эмиттер можно менять местами. Обычное включение называют
нормальным, а обратное – инверсным. Из-за различия площадей
переходов П1 и П2 параметры транзистора при нормальном и
инверсном включения различны.

3.2.2. Схемы включения транзистора

Существует три схемы включения транзистора: с общим

эмиттером (ОЭ), с общей базой (ОБ), с общим коллектором (ОК).
Термин ―общий‖ означает, что данный электрод транзистора
является общей точкой для входной и выходной цепи двух
источников питания по переменному сигналу.

29
 Схема с ОБ показана на рис. 3.4,а. Здесь входной является
цепь эмиттера, а выходной – цепь коллектора, в которую включена
нагрузка Rн. Коэффициент усиления тока определяется
выражением α=∆Iвых/∆Iвх или α=∆Iк/∆Iэ.
Ввиду того, что Iк<Iэ, α<1.
Обычно величина α находится в пределах от 0,90 до 0,99.
Следовательно, схемы с ОБ тока не усиливают.
Коэффициент усиления напряжения Кu=Uвых/Uвх больше
единицы, так как Rн>Rвх.

а б

в
Рис. 3.4. Схемы включения транзистора: с общей базой (а), с
общим эмиттером (б), с общим коллектором (б)

Схема с ОЭ приведена на рис. 3.4,б. В этой схеме источник

входного усиливаемого напряжения включѐн между базой и
эмиттером. Эмиттер является общим электродом для входной и
30
выходной цепей. Резистор Rн, на котором создаѐтся выходное
напряжение, включѐн в коллекторную цепь транзистора.
Коэффициент усиления тока β=∆Iк/∆Iб, причѐм β>1 и
находится в пределах от 10 до 100. Соотношение между β и α:
α
β .
1 α
Коэффициент усиления напряжения Кu также больше
единицы. Следовательно, схемы с ОЭ одинаково хорошо
усиливают и токи, и напряжения, что обусловило их широкое
применение в усилительных каскадах.
В схеме с ОК (рис. 3.4,в) нагрузка Rн, с которой снимается
выходное напряжение, включена в эмиттерную цепь, здесь входной
является цепь базы. Схема с ОК обеспечивает наибольший
коэффициент усиления тока γ=∆Iэ/∆Iб по сравнению с другими
схемами γ>β>α. Ввиду того, что Uвх=Uвых + Uбэ, а величина Uбэ
незначительна, входное и выходное напряжения практически равны
Uвх ≈ Uвых. Поэтому Кu=1, а схема с ОК получила название
эмиттерного повторителя.

3.2.3. Статические характеристики транзистора с общим

эмиттером

Статической характеристикой называют зависимость тока

электрода транзистора от одного из аргументов при фиксированном
значении другого и медленном изменении варьируемых
переменных величин, чтобы режим работы практически оставался
статическим. Каждая точка такой характеристики соответствует
определѐнному статическому режиму.
Задавая различные значения фиксированному аргументу и
устанавливая каждый раз зависимость электродного тока от
варьируемого аргумента, получают семейство статических
характеристик.

31
 Схема для снятия статических характеристик представлена
на рис. 3.5. Статические характеристики транзистора с ОЭ делятся
на входные Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const и выходные Iк=f(Uкэ) при Iб=const.
Входные или базовые характеристики (рис. 3.6,а) при
увеличении по модулю напряжения Uкэ=0В и Uкэ= -5В смещаются
веерообразно вправо.

Рис. 3.5. Схема для снятия статических характеристик транзистора

с общим эмиттеров (ОУ)

IК
IБ
U КЭ=0 U КЭ=5В I Б3

IБ I Б2

ΔI К
I Б1

ΔU ЭБ
-I Б =I КО

I Б =0
0 0 I Б =I КО
U ЭБ U ЭК

а б
Рис. 3.6. Статические характеристики транзистора с ОЭ: входные
(а), выходные (б)

32
 Выходные или коллекторные характеристики (рис. 3.6,б) при
возрастании тока базы Iб смещаются относительно характеристики
при Iб=0 вверх на величину βIб.
По выходной характеристике можно определить
коэффициент усиления по току β:
β=∆Iк/∆Iб, где ∆Iб=Iб2-Iб1.

3.2.4. Динамические характеристики транзисторов с общим

эмиттером

Динамические характеристики – это зависимости между

токами и напряжениями транзистора при включении в его входную
цепь источника переменного напряжения Ес, а в выходную –
нагрузки Rн=Rк (рис. 3.7,а).
При наличии нагрузки в выходной цепи изменение входного
напряжения (или тока) вызывает изменение выходного напряжения
и тока. В таком режиме зависимость одной переменной величины
от другой, взятой в качестве аргумента, определяют динамические
характеристики или нагрузочные прямые. При отсутствии входного
сигнала уравнение нагрузочной прямой описывает электрическое
состояние выходной цепи и имеет вид:
Ек=IкRк+Uкэ.
Нагрузочная прямая (линия I рис. 3.7,б) строится по двум
точкам: первая из них соответствует режиму холостого хода, когда
Iк=0, тогда Uкэ=Ек; вторая точка описывает режим короткого
замыкания, при котором Uкэ=0, а Iк=Ек/Rк. В рассмотренном случае
линия нагрузки является динамической характеристикой по
постоянному току.
Если сопротивления нагрузки для постоянного и
переменного токов одинаковы, то динамическая характеристика по
переменному току совпадает с нагрузочной прямой.

33
 При изменении Rк (Ек=const) изменяется наклон линии
нагрузки, а при изменении Ек (Rк=const) линия нагрузки смещается
параллельно относительно еѐ исходного положения.

а
IК
IК
max
I Б2 > I Б1 PК
III
I Б2
B I Б2 max
IК
1 I Б1 I Б1
2

3
I

I Б =0 I Б =0
0 -IБ =I КО 0 -IБ =I КО
U КЭ max U КЭ
II U КЭ

б в
Рис. 3.7. Динамический режим работы транзистора: схема
исследования транзисторов (а), выходная характеристика (б),
рабочая область (в)

На рис. 3.7,б выделены три области работы транзистора:

- область усиления I, в которой коллекторный переход
смещѐн в обратном (Uкб<0), а эмиттерный в прямом (Uбэ>0)
34
направлении, характеризуется пропорциональным соотношением
между коллекторным и базовым током Iк=βIб;
- область отсечки II, в которой коллекторный и эмиттерный
переходы смещены в обратном направлении (Uкб<0, Uбэ<0), ток
базы отрицателен и равен обратному току коллектора (-Iб=Iко) при
токе эмиттера равным нулю (Iэ=0);
- область насыщения III, в которой коллекторный и
эмиттерный переходы смещены в прямом направлении (Uкб≥0,
Uбэ>0), а увеличение тока базы практически не вызывает изменение
тока коллектора.
На рис. 3.8 приведены входные и выходные динамические и
статические ВАХ транзистора, иллюстрирующие работу
транзистора, включѐнного по схеме с ОЭ при подаче на еѐ вход
синусоидального сигнала.
Входная динамическая характеристика для маломощных
транзисторов практически совпадает с входной статистикой при
Uкэ= - 5В. По этой характеристике определяют входное
сопротивление транзистора Rвх=∆Uбэ/∆Iб.
Анализ работы транзистора в режиме усиления (рис. 3.8)
позволяет заключить, что:
- напряжение на базе Uбэп определяет режим работы
транзистора по постоянному току (точка покоя П);
- изменение входного сигнала изменяет ток базы, что
изменяет ток коллектора и, как следствие, в коллекторной цепи
выделяется усиленный сигнал Uкэ;
- рабочая точка транзистора в любой момент времени
должна одновременно принадлежать как его статической, так и
динамической ВАХ;
- при правильном выборе точки покоя (П) синусоидальный
входной сигнал Uс, если он проходит через линейные участки
входной и выходной ВАХ, передаѐтся на вход без искажений

35
 IБ I Б [mkA]
UКЭ =-5В
1 I Б1 1

I Бm = ΔIБ

I БП П

I БП
I Б2 2
2

0
ωt 0 U ЭБ [В]
U БЭП
0
U ЭБ

ωt UБm =ΔUБЭ

а
IК I К [mA]

IБН
IК= Е К /R К
Н I Б1
1 III 1
I К1

I Кm = ΔIК I
IБП
I КП П

2 2 I Б2
I К2
IБ =0
0
0 -IБ =I КО
0
ωt U КЭ [В]
U КЭП II I КП R К ЕК
0
U КЭ

UКЭm =ΔUКЭ
ωt

б
Рис. 3.8. Иллюстрация работы транзистора с ОЭ: входная
характеристика (а), выходная характеристика (б)
36
с заданным коэффициентом усиления;
- синусоидальный входной сигнал при прохождении через
транзистор, включѐнный по схеме с ОЭ, имеет сдвиг по фазе 180о,
то есть входной сигнал инвертируется, а транзистор в этой схеме
является инвертором.
В усилительном режиме работа транзистора в схеме с ОЭ
характеризуется следующими параметрами, которые можно
определить из рис. 3.8 на линейном участке входной
характеристики:
- входное сопротивление транзистора
Rвхэ=∆Uбэ/∆Iб при Uкэ=const;
- коэффициент усиления тока
β=∆Iк/∆Iб;
- коэффициент усиления напряжения
ΔUкэ
Ku ;
ΔUбэ
- коэффициент усиления мощности
Kp=KIKU;
- выходное сопротивление
ΔUкэ
R в ых э при Iб=const.
ΔIк

3.2.5. Инверсный режим работы транзистора

У транзистора между эмиттерным и коллекторным

переходами нет принципиальных различий. Поэтому транзистор
допускает инверсное включение, при котором коллектор выполняет
роль эмиттера и наоборот (рис. 3.9).

37
 Рис. 3.9. Инверсное включение транзистора

При инверсном включении улучшаются параметры

транзистора:
- уменьшается по модулю остаточное напряжение Uкэ в
режиме насыщения, что очень важно для транзисторных ключей,
работающих в режимах малых токов;
- уменьшается обратный ток Iэо в режиме отсечки.
Вместе с тем из-за не симметрии эмиттерного и
коллекторного переходов уменьшается коэффициент усиления тока
β. Это вызвано различием площадей, указанных p-n-переходов.
Статические характеристики инверсного режима подобны
соответствующим характеристикам нормального режима.
Возможность прямого и инверсного включений транзистора
позволяет упростить ряд устройств.

3.2.6. Максимально допустимые параметры транзистора

Превышение максимально допустимых параметров прибора

приводит к нарушению режима нормальной работы, а часто и
выводит его из строя.

38
 Основными максимально допустимыми параметрами
транзистора являются:
а) максимально допустимый ток коллекторного перехода
Imax
к , причѐм максимально допустимый ток коллектора в режиме
насыщения горазда больше максимально допустимого тока
коллектора в режиме усиления;
б) максимально допустимое напряжение между коллектором

и эмиттером транзистора U max

кэ ;

в) максимально допустимая мощность, рассеиваемая

коллекторным переходом Pкmax ;

г) максимально допустимое напряжение перехода эмиттер-

база Umax
эб ;

д) максимально допустимое напряжение между коллектором

и базой Umax
кб .

На рис. 3.7,в показано семейство статических выходных

характеристик с нанесенными на них границами максимально
допустимых режимов. Линия максимально допустимой мощности
определяется выражением:

Pкmax
Iк .
Uкэ
Область гарантированной надежной работы транзистора
располагается ниже границы, очерченной штриховкой;
е) диапазон рабочих температур: для германиевых
транзисторов (-600…+250), для кремниевых (-1000…+1200).

39
 3.3. Полевые транзисторы

В полевых транзисторах (ПТ) управление выходным током

осуществляется электрическим полем, создаваемым внешним
входным напряжением, а не током, как в биполярных транзисторах.
С другой стороны, работа ПТ основана на использовании
носителей заряда одного знака: только дырок или только
электронов, поэтому такие транзисторы называют униполярными.
Существуют два основных вида ПТ:
- полевые транзисторы с p-n-переходом;
- полевые транзисторы с изолированным затвором, которые
иначе называют МДП - транзисторы или МОП - транзисторы.

Каждый из этих двух видов ПТ может быть n-канальным и

p-канальным.

3.3.1. Полевой транзистор с p-n переходом

Полевой транзистор с p-n-переходом (рис. 3.10)

представляет собой пластину полупроводникового материала, в
данном случае n-типа, заключенную между двумя слоями
полупроводникового материала другой проводимости, в данном
случае p-типа, с более высокой концентрацией примесей.
Пластина является токопроводящим каналом, на торцах
которого имеются омические контакты. Контакт, от которого
движутся основные носители заряда, называют истоком (И), а
контакт, к которому они движутся, - стоком (С).
Полупроводниковые слои (типа p) соединены между собой
электрически и имеют один общий вывод, который называют
затвором (З). Между каналом и затвором образуется p-n-переход.
Полярность включения источников внешнего напряжения показана
на рис. 3.10. Входное управляющее напряжение Uзи подаѐтся

40
между затвором и истоком. Оно является обратным для p-n-
перехода.
p канал

И n С
-

p
U зи Iс Rн
З
+ - U си

+ -
Рис. 3.10. Полевой транзистор с p-n-переходом с n-каналом

Величина тока стока Iс, протекающего через канал ПТ,

определяется его сечением, которое можно изменять, меняя
величину напряжения Uзи. При Uзи=0 сечение канала максимально и
ток стока Iс имеет максимальное значение. При увеличении
обратного напряжения Uзи увеличивается ширина p-n-перехода.
Поскольку p-слой имеет большую концентрацию носителей,
увеличение осуществляется за счѐт более высокоомного n-слоя,
что уменьшает сечение канала, увеличивает его сопротивление и
уменьшает ток стока Iс. При некотором значении обратного
напряжения сечение канала уменьшается практически до нуля,
токопроводящий канал ликвидируется, и ток Iс прекращается. Это
отс
напряжение называют напряжением отсечки тока стока Uзи .
Следовательно, управление сечением канала и током Iс
осуществляется за счѐт обратно включѐнного p-n-перехода, что
определяет большое входное сопротивление ПТ (более 1012 Ом).
Незначительный обратный ток p-n-перехода не влияет на процесс

41
управления. Прямое включение p-n-перехода (Uзи>0) приводит к
резкому увеличению тока затвора и резкому уменьшению входного
сопротивления ПТ. Такой режим работы ПТ с p-n-переходом не
используют.
Условно графическое обозначение ПТ в схемах показано на
рис. 3.11. Следует обратить внимание на то, что линия истока
должна быть изображена на продолжении линии затвора.
a 10 12 14
b 5 6 7
d 7 8 5

a
b
d

а б
Рис. 3.11. Условное графическое обозначение ПТ с p-n-переходом:
с n-каналом (а), с p-каналом (б)

Различают три схемы включения ПТ: с общим затвором (ОЗ),

общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Широкое
распространение получила схема с общим истоком, приведѐнная
на рис. 3.12.

Рис. 3.12. Схема включения ПТ с p-n-переходом с общим истоком

42
 Свойства этой схемы определяются семейством
вольтамперных характеристик:
- статических выходных характеристик при Iс=f(Uси),
Uзи=const,
- статических стоково-затворных характеристик Iс=f(Uзп) при
Uси=const.
На каждой из характеристик Iс=f(Uси) можно выделить три
участка (рис. 3.13,а):
- I – сильная зависимость тока Iс от напряжения Uси;
- II – слабая зависимость тока Iс от напряжения Uси;
- III – пробой p-n-перехода вблизи стока по цепи сток-затвор.

Геометрическое место точек границы I и II участка показано

на рис. 3.13,а пунктирной линией. В точке А при Uзи=0, U си U отс
зи , а

ток стока достигает значения Iнач

c и в дальнейшем практически не

изменяется. Ток Iнач

c называют начальным током стока. При работе
ПТ в усилительных схемах используется участок II этих
характеристик при различных значениях Uзи. При Uзи Uотс
зи

выходная характеристика ПТ практически сливается с осью

абсцисс, так как в этом случае в стоковой цепи течѐт лишь
незначительный остаточный ток Icост .
Семейство стоково-затворных характеристик Iс=f(Uзи) при
Uси=const практически сливается в одну (рис. 3.13,б), так как ток Ic
на участке II выходных характеристик для разных значений Uси
имеет практически одинаковое значение. Эту характеристику можно
построить по точкам, определяющим значения Iс при Uси=const и

различных значениях U зи Uотс

зи (на рис. 3.13,а).
Динамическая характеристика ПТ строится аналогично
характеристике биполярных транзисторов с помощью уравнения

43
нагрузочной прямой Eк=IcRc+Uси по двум точкам, что было подробно
рассмотрено выше.
I c [mA] I c [mA]

I с нач
Uзи=0
II
30 A
Uп III
Iс =
Rc Uзи =-2.5В
I ΔI С
20
ΔUС ΔI с
ΔI с
Uзи =-5В
10

Uзи =-10В отс

0 Uп Uзи
Uси [В] U зи [В] -10 -7.5 -5 -2.5 0
10 20 30

I с ост
отс
си=Uзи
ΔUзи

а б
Рис. 3.13. Вольтамперная характеристика ПТ с общим истоком:
выходная (а), входная (б)

Основными параметрами ПТ являются:

max
- максимальный ток стока Ic 50mA ;
отс
- напряжение отсечки Uзи (0,8...10) В при Ic=0;
dIc ΔIc
- крутизна характеристики S при Ucи=const;
dUзи ΔUзи
ΔUc
- внутреннее сопротивление rc при Ucи=const;
ΔIc
dUзи
- входное сопротивление rв х ;
dIз
- максимальное значение напряжений Uси, Uзи, Uсз;
max
- рассеиваемая мощность Pp ;

44
 - статический коэффициент усиления по напряжению
ΔIc ΔUси ΔUси
K S rс при Iс=const. Статический
ΔUзи ΔIc ΔUзи
коэффициент усиления по напряжению показывает, во сколько раз
изменение напряжения на затворе воздействует эффективнее на
ток Iс, чем изменение напряжения на стоке.
К основным достоинствам ПТ относятся малые собственные
шумы и высокое входное сопротивление.

3.3.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором

В этих ПТ металлический затвор изолирован от

полупроводникового канала слоем диэлектрика. Структура металл-
диэлектрик-полупроводник определяет название этих приборов –
МДП-транзисторы. Обычно в качестве диэлектрика используются
окислы (например двуокись кремния SiO2), поэтому МДП-
транзисторы часто называют МОП-транзисторами, что означает
металл-окисел-полупроводник.
В настоящее время существуют два типа МДП-транзисторов:
- МДП-транзисторы с встроенным каналом;
- МДП-транзисторы с изолированным каналом.

3.3.3. МДП-транзистор с встроенным каналом

МДП-транзистор состоит из пластины кремния n- или p-типа,

служащей основной при изготовлении МДП-транзистора. Эта
пластина называется подложкой. В подложке с помощью
диффузионной технологии создают две области с
противоположным относительно подложки типом
электропроводности. Эти области имеют внешние электроды, и
одна из них используется как исток (И), другая как сток (С).
Подложка в зависимости от конструкции может иметь или не иметь
внешний электрод. Обычно внешний электрод подложки соединяют
45
с истоком. Исток и сток соединены тонким полупроводниковым
каналом, имеющим одинаковый с ними тип электропроводности.
Затвор изолирован от полупроводниковой области слоем двуокиси
кремния. На рис. 3.14 показан МДП-транзистор со встроенным
каналом n-типа, его условное графическое изображение (УГО) и
схема включения с общим истоком.

а б в
Рис. 3.14. МДП-транзистор с встроенным каналом: схема
включения (а), УГО без вывода и с выводом от подложки (б), схема
включения с общим истоком (в)

На электроды такого МДП-транзистора подаѐтся внешнее

напряжение. Полярность напряжения между стоком и истоком Uси
показана на рис. 3.14. Управляющее напряжение Uзи может иметь
как отрицательную, так и положительную полярность.
Рассмотрим принцип действия этого МДП-транзистора,
включѐнного по схеме с общим истоком (рис. 3.14,в),
воспользовавшись его вольтамперными характеристиками (рис.
3.15).

46
 I c [mA] I c [mA]
Uзи =+1В
8 8

6 6
Uзи=+0.5В Режим Режим
обеднения обогащения

4 4

Uзи=0
2 Uзи =-0.5В 2

Uзи =-1В
отс
0 Uзи 0
Ucи [В] U зи [В]
5 10 15 20 25 -1 1
а б
Рис. 3.15. Вольтамперные характеристики МДП-транзистора с
встроенным каналом n-типа: выходная ВАХ (а), входная ВАХ (б)

В зависимости от величины и полярности напряжения можно

выделить три режима работы МДП-транзистора:
1. Uзи=0. Через МДП-транзистор течѐт ток стока Iс, определяемый
исходной проводимостью канала.
2. Uзи>0. Положительное напряжение, приложенное к затвору
относительно истока и подложки, будет притягивать в канал
дополнительные электроны из подложки. Вследствие этого
количество основных носителей заряда (электронов) в
токопроводящем канале увеличивается, а его рабочая
проводимость и ток стока Iс возрастают. Стоковые характеристики
при Uзи>0 располагаются выше характеристики Uзи=0. Транзистор
работает в режиме обогащения.
3. Uзи<0. Отрицательное напряжение, приложенное к затвору,
относительно истока и подложки, отталкивает из канала электроны
и притягивает из подложки дырки, т.е. обедняет канал основными
носителями и уменьшает его проводимость. Ток стока Iс при этом

47
 отс
уменьшается. При некотором отрицательном напряжении U зи
канал меняет электропроводность с электронной на дырочную, и
ток Iс=0. Стоковые характеристики при Uзи<0 располагаются ниже
характеристики Uзи=0. Транзистор работает в режиме обеднения.
Таким образом, МДП-транзистор с встроенным каналом в
отличие от ПТ с p-n-переходом может работать при разной
полярности входного напряжения Uзи, что отчѐтливо видно при
сравнении их стоково-затворных характеристик.

3.3.4. МДП-транзистор с индуцированным каналом

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом отсутствует

структурно выраженный токопроводящий канал между истоком и
стоком. Этот канал индуцируется в рабочем режиме транзистора
соответствующим напряжением Uзи.
Рассмотрим принцип действия МДП-транзистора с
индуцированным каналом p-типа (рис. 3.16).

а б в
Рис. 3.16. МДП-транзистор с встроенным каналом: схема
включения (а), УГО без вывода и с выводом от подложки (б), схема
включения с общим истоком (в)
48
 На электроды транзистора подаѐтся внешнее напряжение.
Полярность напряжения показана на рис. 3.16.
В зависимости от величины и полярности напряжения можно
рассмотреть три случая:
1. Uзи=0. В этом случае p-n-переход между стоком и
подложкой включѐн в обратном направлении и препятствует
протеканию тока Iс (Ic=0).
2. Uзи>0. Положительное напряжение затвора относительно
истока и подложки создаѐт электрическое поле, которое через
диэлектрик проникает на некоторую глубину в приконтактный слой
подложки, выталкивает из него дырки и притягивает электроны, и
ток стока равен нулю.
3. Uзи<0. Отрицательное напряжение затвора относительно
истока и подложки создаѐт электрическое поле, которое через
диэлектрик проникает на некоторую глубину в приконтактный слой
подложки, выталкивает из него основные носители заряда
(электроны) и притягивает неосновные носители (дырки). Это
приводит к обеднению приконтактного слоя электронами и
обогащению его дырками. При некоторой величине напряжения Uзи,
которое называют пороговым напряжением затвора Uпор
зи , в
приконтактном слое подложки начинается смена типа
электропроводности с электронной на дырочную. При дальнейшем
увеличении отрицательного напряжения в подложке между истоком
и стоком индуцируется токопроводящий канал p-типа (рис. 3.16).
При этом большему отрицательному напряжению Uзи соответствует
большая концентрация дырок в канале и, следовательно, большая
проводимость индуцированного канала. Свойства индуцированного
канала зависят от степени его обогащения дырками, поэтому
говорят, что ПТ с индуцированным каналом работают в режиме
обогащения, а сами транзисторы этого типа иногда называют
обогащенными.
На рис. 3.17 показано семейство статических выходных
(стоковых) характеристик МДП-транзистора с индуцированным
49
каналом p-типа Ic=f(Uси) при Uзи=const (рис. 3.17,а) и стоко-
затворная характеристика Ic=f(Uзи) при Uси=const (рис. 3.17,б).
Последнюю характеристику, как и в предыдущих случаях, можно
построить по точкам, определяющим значения Ic при Uси=const и

различных значениях Uзи Uпор

зи . При Uзи Uпор
зи ток Ic , будет

равен остаточному току стока Iост

c , который является обратным

током p-n-перехода сток-подложка и имеет относительно малое

значение.
Основные параметры МДП-транзистора аналогичны
параметрам ПТ с p-n-переходом и имеют тот же физический смысл.
Только в МДП-транзисторах с индуцированным каналом вместо

параметра напряжения отсечки U отс

зи вводят параметр – пороговое

пор
значение затвора Uзи . Наличие диэлектрика, изолирующего
затвор от канала, увеличивает на несколько порядков входное
сопротивление МДП-транзисторов (до 1015 Ом).

I c наc [mA] I c [mA]

пор
U зи =-10В

8 8
Uзи =-15В U проб
cи при Uзи =-8В

6 пор
ΔI’с

6 U зи =-8В

ΔU си
4 4 ΔUзи
ΔI с
ΔI с пор
U зи =-6В
2 2
пор
Uзи U зи =-4В
пор пор
U зи 0 U зи =-3В
0
U зи [В] нас Uси [В]
-10 -8 -6 -4 -2 U cи 10 15 20 25 30 35
I с ост

а б
Рис. 3.17. Статические характеристики МДП-транзистора с
индуцированным каналом p-типа: входная (а), выходная (б)
50
 Таблица 3.3

У всех типов МДП-транзисторов потенциал подложки

относительно истока, если она с ним не соединена, оказывает
влияние на их параметры и ВАХ. По своему воздействию на
проводимость канала подложка выполняет роль второго затвора,
при этом p-n-переход исток-подложка включается в обратном
направлении.
МДП-транзисторы различных типов имеют различное
условное графическое обозначение на схемах, разные полярности
электродных напряжений относительно истока и разные режимы
работы (табл. 3.3).

4. ТИРИСТОРЫ

Термин ―тиристор‖ обозначает любой полупроводниковый

ключевой прибор, два возможных состояния которого (закрытое и
открытое) обусловлены внутренней положительной обратной
связью в многослойной структуре.

4.1. Классификация тиристоров

Тиристоры могут иметь два, три или четыре наружных

электрода и проводить ток в одном или двух направлениях.

51
 К однонаправленным тиристорам относятся
двухэлектродные тиристоры, которые обычно называют
динисторами или диодными тиристорами; трѐхэлектродные
тиристоры – тринисторы или триодные тиристоры; фототиристоры
– тиристоры, управляемые внешним световым потоком, и
оптронные тиристоры или оптотиристоры (табл. 4.1).

Таблица 4.1

К двунаправленным тиристорам относятся

полупроводниковые приборы с многослойной структурой,
проводящие ток в любом направлении. Такие приборы называют
симисторами (табл. 4.1).
На рис. 4.1 показаны размеры условных графических
обозначений тиристоров. В электрических принципиальных схемах
тиристоры могут обозначаться либо как все полупроводниковые

52
приборы одной буквой V, либо двумя буквами VS. В дальнейшем
будет применяться двухбуквенное обозначение.

a 5 6
b 4 5
R 5 6

Рис. 4.1. Размеры условных графических обозначений тиристоров

4.2. Динистор

Четырѐхслойная структура динистора типа p-n-p-n показана

на рис. 4.2,а. К крайним слоям p1 и p2 подключены металлические
контакты – анод (А) и катод (К), к которому обычно через
сопротивление нагрузки Rн подключается источник внешнего
напряжения Uп. Два крайних перехода П1 и П3 обычно называют
эмиттерными, а средний П2 – коллекторным.
Рассмотрим свойства динистора с помощью его статической
и динамической характеристик, приведѐнных на рис. 4.2,в.
Статическая характеристика динистора состоит из прямой и
обратной ветвей. Обратная ветвь ВАХ соответствует подключению
внешнего напряжения отрицательным полюсом к аноду, а
положительным к катоду. При этом переходы П1 и П3 смещены в
обратном направлении, а переход П2 – в прямом. Всѐ приложенное
напряжение UАК распределяется между двумя соединѐнными
последовательно p-n-переходами П1 и П3.

53
 Rн
A
A
IЭ1=I А
ГД OB OE
p1 IБ1=(1-α1) IЭ1
+ + (-)
П1 VТ1

IК2 =α 2 IЭ2
- - (+)
n1 +(-)

IК1=α1IЭ1
-
+ (-) I Кp
+
- П2 Uп
(+) -(+)
p2 I Кn
+ + (-)
- - П3
(+) VТ2
n2
IБ2=(1-α 2) IЭ2 IЭ2= I А
К
К

а б

IА [A]
U п2
IА =
Rн

U п1 Д
IА =
Rн
3

+(-)
U п3
IА = Rн
Rн
уд Г
IА B
4 2
ут
IА 5 Б1 Uп
UАК [В] VS1
Е 0 U п3 U п1 U п2
U vs URH
ост
U vs U’RH -(+)
в г
Рис. 4.2. Динистор: структура динистора (а), схема замещения (б),
вольтамперная характеристика (в), схема включения (г)

54
 Однако при изготовлении динистора делают так, что
концентрация примеси в p2-n2-слоях оказывается выше
концентрации в p1-n1-слоях, поэтому переход П3 получается узким
и уже при малых обратных напряжениях будет переходить в режим
электрического пробоя и обладать при этом малым
сопротивлением. Следовательно, его влиянием на обратную ВАХ
динистора можно пренебречь и принять, что она определяется p-n-
переходом П1, а обратный ток близок к его обратному току.
Прямая ветвь ВАХ динистора соответствует полярности
внешнего напряжения, указанной на рис. 4.2,а без скобок. В этом
случае переходы П1 и П3 смещены в прямом, а переход П2 в
обратном направлении, и всѐ напряжение UАК приложено к
переходу П2.
Анализ процессов в динисторе при UАК>0 удобно
рассмотреть, представив его p-n-p-n структуру в виде двух
транзисторов типа p-n-p (VT1) и n-p-n (VT2) (рис. 4.2,б), включѐнных
так, что эмиттерным переходом транзистора VT1 является переход
П1, а транзистора VT2 – переход П3. Переход П2 служит общим
коллекторным переходом обоих транзисторов.
Транзистор VT1 коэффициент усиления α1 и ток эмиттера
IЭ1=IА, транзистор VT2 – коэффициент усиления α2 и ток эмиттера
IЭ2=IА. Токи в динисторе обусловлены основными и неосновными
носителями заряда.
Токи базы IБ1=(1- α1)IЭ1 и токи коллектора IК= α1IЭ1
транзистора VT1 обусловлены движением основных носителей
заряда – дырок через n1 – базу. Токи базы IБ2=(1- α2)IЭ2 и токи
коллектора IК=α2IЭ2 транзистора VT2 обусловлены движением
электронов. В то же самое время коллекторный переход П2 смещѐн
в обратном направлении, поэтому через него протекают также
составляющие тока, обусловленные неосновными носителями
заряда. Это дырки n1-области, которые создают ток IКp, и электроны
p2-области, создающие ток IКn. Эти токи образуют суммарный ток IК

55
коллекторного перехода П2. Тогда ток, протекающий через переход
П2, будет равен:
IП2= α1IЭ1+α2IЭ2+ IК.
Учитывая, что через любое сечение динистора течѐт один и
тот же ток IА, (IА=IП2=IЭ1= IЭ2), предыдущее выражение можно
переписать в следующем виде:
IП2=IА=(α1+α2)IА+IК,
откуда
IК
IП2 .
1 - (α1 α 2 )
Это выражение позволяет достаточно просто
проанализировать прямую ветвь ВАХ, если учесть, что на работу
динистора в этом режиме существенную роль оказывает
зависимость коэффициентов α1 и α2 от величины тока IА: при малых
токах анода α1 и α2 малы, при больших токах анода α1 и α2 растут.
Так, на участке 0-Б, когда значения прямого напряжения UА и тока IА
малы, коэффициенты α1 и α2 близки к нулю, а следовательно, и их
сумма α1+α2≈0. Поэтому ток динистора IА на участке О-Б будет
определяться обратным током Iко перехода П2, а прямая ветвь ВАХ
на этом участке является обратной ветвью этого p-n-перехода П2,
смещѐнного в обратном направлении.
На участке Б-В возрастает ток IА, так как с ростом UАК
увеличивается ток IК и сумма α1+α2. Однако сумма α1+α2 на этом
участке ещѐ не достигает значения единицы. В точке В сумма α1+α2
близка к единице, создаются условия, обеспечивающие действие
положительной обратной связи, когда один из условных
транзисторов своим коллекторным током, который является током
базы другого транзистора, управляет его коллекторным током. В
результате этого оба транзистора лавинообразно переходят в
режим насыщения (участок ГД) и полярность перехода П2 изменяет
свой знак (рис. 4.2,а). Напряжение на p-n-переходах П1 и П3 на
участке ГД противоположно напряжению коллекторного перехода
П2. Поэтому падение напряжения на динисторе приблизительно
56
равно падению напряжения на одном p-n-переходе. Напряжение в
в кл
точке В называют напряжением включения динистора U АК .
Таким образом, на прямой ветви ВАХ динистора можно
выделить три участка О-В – В-Г – Г-Д.
На участке О-В характеристика динистора определяется
ут
током утечки I А - обратным током перехода П2. Динистор закрыт и
обладает очень большим положительным дифференциальным
сопротивлением Rд=dU/dI. По мере увеличения напряжения на
динисторе ток, протекающий через переход П2, незначительно
возрастает, как у всякого закрытого диода. При достижении на
динисторе напряжения включения (точка В на рис. 4.2,в) его
дифференциальное сопротивление станет равным нулю dU/dI=0.
Если в дальнейшем на участке В-Д постепенно увеличивать
ток (используя, например, в качестве источников питания
регулируемый генератор тока), то после точки В напряжение между
анодом и катодом за счѐт внутренней положительной обратной
связи будет уменьшаться, следовательно, динистор на участке В-Д
имеет отрицательное дифференциальное сопротивление
Rд=dU/dI<0.
На участке Г-Д все переходы П1, П2, П3 смещены в прямом
направлении. Динистор открыт и обладает незначительным
положительным дифференциальным сопротивлением. Его ВАХ
практически совпадает с прямой ветвью ВАХ диода.
Выключение динистора происходит при уменьшении тока его
уд
анода ниже тока удержания I А (точка Г на рис. 4.2,в). Процесс
переключения динистора, включѐнного по схеме рис. 4.2,в,
рассмотрим с помощью его динамической характеристики, которая
в данном случае совпадает с нагрузочной прямой. Уравнение
нагрузочной прямой по второму закону Кирхгофа имеет вид:
UП=IНRН+UАК.

57
 Построение нагрузочной прямой выполним по двум точкам,
характеризующим режим холостого хода (точка Uп1) и короткого
замыкания (точка IА=Uп1/Rн).
При изменении напряжения питания в диапазоне 0≤Uп≤Uп2
анодный ток динистора VS1 практически не изменяется и равен его
току утечки. Например, точка 1 на характеристике (рис. 4.2,в) при
Uп=Uп1. В точке 2 дифференциальное сопротивление динистора
dU/dI быстро, но монотонно уменьшается до нуля и затем
становится отрицательным. Работа в области отрицательного
сопротивления сопровождается уменьшением напряжения на
динисторе, в результате чего динистор мнгновенно, лавинообразно
открывается (точки 2-3). При дальнейшем увеличении напряжения
питания падение напряжения на динисторе практически не
изменяется.
При уменьшении напряжения Uп ток нагрузки динистора
уменьшается и при прежнем напряжении Uп1 будет равен:
Uп1 Uv s Uп1
Iн .
Rн Rн
При напряжении Uп3 нагрузочная прямая вновь становится
касательной к вольтамперной характеристике динистора (точка 4).
Дифференциальное сопротивление динистора вновь
уменьшается до нуля и затем становится отрицательным, в
результате чего динистор мгновенно закрывается (точки 4-5).
Анодный ток в точке 4 является ―удерживающим‖ током при
данной совокупности условий. Очевидно, что напряжения
открывания и закрывания динистора зависят не только от его
вольтамперной характеристики, но и от величины сопротивления
нагрузки.
Таким образом, для открывания динистора необходимо
увеличить прямое напряжение между его анодом и катодом до
напряжения включения, а для закрывания – уменьшить ток ниже
тока удержания. На практике обычно этот ток уменьшают до нуля.

58
 4.2.1. Основные параметры динистора

Закрытое состояние динистора определяется:

в кл
- напряжением включения U v s , при достижении которого
динистор открывается;
ут
- током утечки I А , который протекает через него при прямом
в кл
напряжении, равном 0,5U v s .
Открытое состояние динистора определяется:
ост
- остаточным напряжением U v s при определѐнном прямом
токе динистора;
- предельным прямым анодным током;
- временем включения tвкл и выключения динистора;
уд
- удерживающим током I А (током выключения), который
определяет нижнюю границу открытого состояния динистора.
Обратная ветвь ВАХ определяется:
- обратным током утечки при определѐнном обратном
напряжении;
- предельным обратным напряжением.
Параметры динистора зависят от температуры окружающей
среды.

4.3. Тринистор

Тринистор или триодный тиристор (см. табл. 4.1) имеет

дополнительный вывод – управляемый электрод (УЭ), по которому
осуществляется управление процессов его переключения. При
этом по цепи УЭ могут выполняться либо одна, либо две операции
изменения состояния тринистора. В зависимости от этого
различают одно- и двухоперационные тринисторы. В
однооперационных тринисторах по цепи УЭ только отпирают
тринистор. Двухоперационные тринисторы позволяют по цепи

59
управляющего электрода как отпирать, так и запирать тринистор.
Для запирания через управляющую цепь пропускают ток
противоположного направления.
Управляющий электрод может быть выведен как от слоя p2,
так и от слоя n1. В первом случае управляющий отпирающий ток
является прямым током перехода p2-n2, а во втором – перехода p1-
n1(4.4,а).
На рис. 4.3 показано условное графическое обозначение
рассмотренных выше типов тринисторов.
Анализ принципа действия указанных типов тиристоров
проведѐм на примере наиболее распространѐнного незапираемого
тринистора с управлением по катоду (рис. 4.3,а) с помощью его
ВАХ.
Четырѐхслойная структура такого тринистора показана на
рис. 4.4,а. Управляющий электрод выведен от слоя p2, а цепь
управления показана пунктиром. Управляющий ток Iу втекает в УЭ и
вытекает из К, являясь прямым током перехода p2-n2.

а б в г
Рис. 4.3. Тринистор: незапираемый с управлением по катоду (а), по
аноду (б), запираемый с управлением по катоду (в), по аноду (г)

Схема включения такого тринистора и его характеристики

приведены на рис. 4.4,б,в. При токе Iу=0 ВАХ тринистора совпадает
с ВАХ динистора, и процессы, происходящие в тринисторе,
полностью совпадают с рассмотренными выше. Так, при Uп=Uп1
тринистор будет заперт, и в нагрузке будет протекать
незначительный ток.

60
 IА Rн Uу
+ -
+
p1 Rу Rн Iн
Iу
n1 +
Uп
p2 - VS1 Uп
Iу Rу
n2
Rу
Uу Iу
-

+
+ -
-
Uу
а б

IА [A]

U п1
IА =
Rн

Г спр
I у1 < I у2 < I у
3

4 I у =0
B I у2 I у1
6 2
спр
Б
Iу 5 1
7
вкл U АК [В]
0 U п3 U п2 U п1 U vs

в
Рис. 4.4. Тринстор: структура (а), схема включения (б),
характеристики (в)

61
 При наличии положительного тока управления Iу>0 ВАХ
видоизменяется, так как ток эмиттера условного транзистора VT2
увеличивается, а следовательно, увеличивается α2, что уменьшает
величину напряжения включения Uвкл. Предположим, что при
некотором токе управления Iу1 ВАХ тринистора (пунктирная линия
на рис. 4.4,в) изменится так, что нагрузочная прямая станет
касательной к ней (точка 2) и тринистор отпирается (точки 2-3). Это
состояние сохранится даже при токе управления, равном нулю.
При уменьшении напряжения питания нагрузочная прямая
становится касательной к ВАХ в точке 4 при Iу=0 или в точке 6 при
Iу=Iу1, и тринистор запирается.
Изменяя значение тока в цепи управления, можно изменить
величину напряжения включения тринистора. При некотором токе
спр
управления тринистора, который называют током спрямления I у ,
престаѐт существовать участок отрицательного сопротивления, и
ВАХ тринистора вырождается в прямую ветвь ВАХ диода (жирная
пунктирная линия на рис. 4.4,в).
Управляющий сигнал может подаваться как непрерывно, так
и импульсно. Второй способ предпочтительнее.
Мощность включения тринистора Pу=IуUу во много раз
меньше мощности его нагрузки.
Таким образом, отпирание тринистора осуществляется по
цепи управляющего электрода, а запирание – при уменьшении
анодного тока ниже удерживающего.
В рассмотренном тринисторе управляющий электрод
выведен от слоя p2 с дырочной проводимостью и управление
осуществляется ―втекающим‖ током управления, поэтому такой
тринистор называют однооперационным с управлением по катоду
(пунктир на рис. 4.4,а).
В тиристорах с управляющим электродом, выведенным от
слоя n1, управление осуществляется вытекающим током (пунктир
на рис.4.4,а). Такой тринистор называют однооперационным
тринистором с управлением по аноду.
62
 Основные параметры тринистора по анодной (силовой) цепи
аналогичны параметрам динистора, поэтому рассмотрим здесь
лишь параметры цепи управления:
- ток спрямления;
- напряжение спрямления;
- прямой ток управляющего электрода;
- прямой импульсный ток управляющего электрода;
- обратный ток управляющего электрода.

Тиристоры выпускаются на диапазоны прямых токов от

десятков миллиампер до нескольких сотен ампер и напряжения от
десятков вольт до нескольких киловольт. Они находят широкое
применение в устройствах преобразовательной техники.

4.4. Симистор

Симистор – двунаправленный однооперационный тиристор,

способный пропускать ток в обоих направлениях. В симисторе
путѐм комбинации p-n-слоѐв создана полупроводниковая структура
(рис. 4.5,а), обеспечивающая условия, соответствующие прямой
ветви ВАХ тринистора как при прямой, так и при обратной
полярности питающего напряжения. Вольтамперная
характеристика симистора приведена на рис. 4.5,в.
Силовые выводы симистора некорректно называть анодом и
катодом, так как они при изменении полярности питающего
напряжения меняются ролями. Поэтому силовой электрод,
относительно которого обычно подаѐтся напряжение на
управляющий электрод (УЭ), будем называть СЭУ (рис. 4.5,а), а
другой СЭ.
Из рис. 4.5,а, на котором приведена упрощенная структура
симистора, видно, что в верхней части структуры слой
металлизации, имеющий контакт с внешним выводом СЭ, обедняет
электрические слои n1 и p1, а в нижней части структуры слой
63
металлизации, имеющий контакт с внешним выводом СЭУ,
объединяет электрические слои p2 и n3. Третий вывод симистора –
управляющий электрод (УЭ) имеет контакт со слоем металлизации,
объединяющим слои p2 и n4. Слои с противоположным типом
электропроводности образуют в структуре пять p-n-переходов.
Для удобства изучения процессов, протекающих в
симисторе, представим его в виде эквивалентной схемы,
состоящей из двух условных тринисторов VS1 и VS2 (рис. 4.5,б). В
первом тринисторе VS1 управляющий электрод соединѐн с n-слоем
(n4) и он управляется ―вытекающим‖ током. Следовательно,
структура VS1 представляет собой однооперационный тринистор с
управлением по аноду. Тринистор VS2, управляющий электрод
которого соединѐн с p-слоем (p2), управляется ―втекающим‖ током,
поэтому является тринистором с управлением по катоду.
Iн Rн Iн Rн
+(-) +(-)
СЭ Iн К A Iн
n1 VS1 VS2
П1 p1 n1
p1
П2 П1
n2 p1 П2
П3 Uп П2 n2 Uп
n2 П3
p2 П3
p2
П5 П4 p2 П5 П4
n4 n3 n4 n3
Iу
Iу Iу Iн A Iу К Iн
Iн Iн
-(+) -(+)
Iу УЭ
Rу Rу
Iу Iу
УЭ СЭУ
+ - + -
(-) (+) (-) (+)
Uу Uу
а б
Рис. 4.5. Симистор: полупроводниковая структура симистора (а),
эквивалентная схема (б), вольтамперная характеристика (в),
условное графическое изображение (г), схема включения
симистора в цепь переменного тока (д)
64
 I vs

I уд
Iспр

-U vs U vs
U вкл

I у2 > I у1=0

-I vs
в

г д
Рис. 4.5. Продолжение

В первый полупериод питающего напряжения Uп, полярность

которого на рис. 4.5,а,б показана без скобок, на p-n-переходы
65
симистора П2 и П4 подано прямое напряжение, а на переходы П1 и
П3 – обратное. Таким образом, на условный тринистор VS1 подано
обратное напряжение и он закрыт, а на тринистор VS2 – прямое
напряжение. Поэтому в этот полупериод питающего напряжения
может быть включѐн в работу тринистор VS2 – правая половина
симистора p1-n1-p2-n3. Его ВАХ представлена в первом квадранте
на рис. 4.5,в. Однако следует заметить, что пока не подано
управляющее напряжение, тринистор VS2 будет закрыт, так как
максимальная амплитуда питающего напряжения меньше
напряжения включения симистора.
При подаче на управляющий электрод напряжения
положительной полярности (на рис. 4.5,а,б полярность показана
без скобок), ―втекающий‖ управляющий ток перехода П4 включает
тринистор VS2 (правую половину симистора) и через него
протекает ток нагрузки.
Во второй полупериод питающего напряжения Uп (на рис.
4.5,а,б полярность показана в скобках) переходы П1 и П3 смещены
в прямом направлении, а переходы П2 и П4 – в обратном. При этом
работает тринистор VS1 p2-n2-p1-n1 (левая половина симистора).
Его ВАХ представлена в третьем квадранте на рис. 4.5,в.
При подаче на управляющий электрод напряжения
отрицательной полярности (на рис. 4.5,а,б полярность показана в
скобках) переход П5 включается в прямом направлении и
протекающий через него ток управления включает тринистор VS1
(левую половину симистора) и через него протекает ток нагрузки.
Таким образом, при управлении нагрузкой в цепи
переменного тока симистор включается последовательно с
нагрузкой. Для открывания симистора на его управляющий
электрод через резистор Rу подаѐтся напряжение, которое
обеспечивает необходимый ток управления. Полярность этого
напряжения, как правило, совпадает с полярностью напряжения
вывода СЭ симистора. Симистор остаѐтся открытым пока через
него протекает ток нагрузки больше его тока удержания.
66
 Практически можно считать, что вблизи момента перехода
синусоидального питающего напряжения через ноль симистор
выключается и для его включения в следующий полупериод
требуется следующий управляющий импульс соответствующей
полярности.
Таким образом, схема, формирующая сигналы управления
для гарантийной работоспособности, должна менять полярность
управляющего сигнала согласно полуволне питающего нагрузку
напряжения. Импульсный сигнал управления должен быть по
длительности больше некоторого минимального импульса,
длительность которого на практике обычно принимают равной 50
мкс.
Возможно управление данного типа симистора
однополярным отрицательным управляющим напряжением,
которое при управлении в обратном направлении есть свойство его
структуры, а в прямом направлении (через тиристор VS2) симистор
при этом включается с некоторым запаздыванием.
В открытом состоянии симисторы характеризуются:
- падением напряжения на силовых электродах, которое
равно 1…2 В;
max
- максимально допустимым током Iпр и ударным током
(кратковременный импульс тока длительностью не более 20…50
мС);
- током удержания Iуд;
- временами включения tвкл и выключения tвыкл.

Параметры управления:
- ток спрямления Iспр, при котором симисторы полностью
открываются;
- отпирающее напряжение управления Uу, при котором
симистор переходит в открытое состояние;
- неотпирающее напряжение управления, до которого
симистор остаѐтся закрытым;
67
 - критическая скорость нарастания силового тока симистора
(dIпр/dt)кр.

В закрытом состоянии симисторы не пропускают ток нагрузки

пока напряжение на силовых электродах не превысит Uвкл. При
превышении Uвкл симистор открывается, как динистор.

5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

5.1. Фототиристор

Фототиристором называют трѐхслойный полупроводниковый

переключатель, управляемый световым потоком, для чего в его
корпусе имеется стеклянное окно.
Условное графическое обозначение фототиристора
приведено в табл. 4.1. В затемненном состоянии свойства
фототиристора не отличаются от свойств обычного тиристора (рис.
5.1). При наличии светового потока Ф2 ВАХ фототиристора
видоизменяется и при некоторой величине светового потока (поток
спрямления Фспр) вырождается в прямую ветвь ВАХ диода.

I vs

Ф1< Ф2 <Ф спр

Ф1=0

Ф спр Ф2

U vs
U вкл
Рис. 5.1. ВАХ фототиристора
68
 5.1.1. Запираемый (двухоперационный) тиристор

Однооперационные тринисторы имеют принципиальный

недостаток – невозможность их включения с помощью
управляющего электрода. Поэтому параллельно с разработкой
новых видов тиристоров велись исследования возможности их
включения путѐм подачи мощного отрицательного управляющего
импульса.
В настоящее время созданы и продолжают развиваться так
называемые запираемые тиристоры, которые выключаются
сигналом, подаваемым на управляющий электрод.
Среди них наиболее популярны три вида запираемых
тиристоров:
- запираемый тиристор Gate Turn-Off (GTO), который можно
открывать и запирать путѐм подачи управляющего сигнала
соответствующей полярности на управляющий электрод;
- тиристор Gate Commutated Thyristor (GCT), который
коммутируется по управляющему электроду, и его разновидность
Integrad Gate Commutated Thyristor (IGCT) с наличием интегральной
схемы управления.
Запираемые тиристоры включают и выключают подачей
соответственно положительного и отрицательного управляющего
импульса. Физические процессы, протекающие в запираемых
тиристорах, аналогичны уже рассмотренным выше для
однооперационных тиристоров.
Отличие заключается в процессе закрывания тиристора
отрицательным током управления. Рассмотрим последовательно
четыре возможных состояния запираемого тиристора GTO.
При включении тиристора GTO между его анодом и катодом
прикладывается прямое напряжение от источника питания нагрузки
(―+‖ к аноду, ―-‖ к катоду), а между управляющим электродом и
катодом прямое напряжение (―+‖ к управляющему электроду) от
источника управляющего сигнала.
69
 В проводящем состоянии тиристора ток управления может
отсутствовать. Однако чаще всего в проводящем состоянии
система управления поддерживает необходимый ток управления.
Для выключения тиристора GTO при прямом напряжении
питания нагрузки к управляющему электроду и катоду
прикладывается напряжение отрицательной полярности, что
вызывает ток управления обратного знака, который и выключает
тиристор.
В блокирующем (закрытом) состоянии к управляющему
электроду и катоду постоянно приложено напряжение
отрицательной полярности.
Таким образом, во время выключения и блокирующего
состояния запираемого тиристора система управления формирует
напряжение отрицательной полярности.
При включении тиристорам GTO необходима защитная цепь,
которая ограничивает скорость нарастания прямого тока, а при
выключении защита от скорости нарастания прямого напряжения.
Частота переключения таких тиристоров лежит в диапазоне от 50
до 30 Гц, а среднее время переключения от включѐнного состояния
к выключенному составляет порядка 10…30 мкс.
Дальнейшим развитием тиристоров GTO явились
запираемые тиристоры GCT. Основным отличием GCT от GTO
является быстрое выключение, которое обеспечивается тем, что
тиристорная структура при выключении превращается в
транзисторную, что делает прибор нечувствительным к dU/dt.
Процесс выключения тиристора GCT протекает на один-два
порядка быстрее чем в GTO. Последующее развитие технологии
привело к созданию запираемых тиристоров с интегральным
блоком управления IGCT, которые, имея рабочее напряжение до
4500 В и способность коммутации токов до 1800 А, вытесняют
тиристор GTO. При интегрированном устройстве управления при
выключении величина катодного тока уменьшается раньше, чем
увеличивается анодное напряжение. Это позволило увеличить
70
скорость выключаемого тока до 4000 А/мкс. При напряжении между
управляющим электродом и катодом 20 В катодный ток становится
равным нулю, а оставшийся анодный ток течѐт через устройство
управления, т.е. тиристор переходит из p-n-p-n состояния в
транзисторный режим p-n-p, длительность которого 1 мкс. Средняя
частота переключения IGCT составляет 500 Гц.

5.2. Фотодиод

Фотодиод, как и обычный диод, представляет собой

полупроводниковую пластинку, имеющую области электронной и
дырочной проводимости, разделѐнные p-n-переходом. В
конструкции прибора предусмотрена возможность доступа
светового потока в область p-n-перехода. Фотодиод преобразует
световую энергию в электрическую, используя явление внутреннего
фотоэффекта, заключающегося в том, что под действием светового
потока в области p-n-перехода ионизируются атомы основного
полупроводника и примесей. В результате этого возникают
носители заряда (электрон и дырка). В настоящее время
фотодиоды выпускаются на основе германия, кремния, арсенида
галлия, сернистого серебра. Фотодиоды могут работать в двух
режимах:
- фотопреобразовательном или фотодиодном (с внешним
источноком питания);
- фотогенераторном или вентильном (без внешнего
источника питания).
Условное графическое обозначение, схема включения и
характеристики фотодиода приведены на рис. 5.2.
В фотопреобразовательном режиме при Ф=0 поведение
фотодиода не отличается от обычного диода, включѐнного в
обратном направлении (рис. 5.2,б). Обратный ток I0 в данном
случае называют тепловым током (точка 1 на рис. 5.2,д). При
наличии светового потока (Ф>0) ток фотодиода возрастает:
71
 I=-I0-Iф,
где Iф=КФ – фототок, т.е. ток, созданный носителями,
возбуждѐнными за счѐт света, а К - интегральная чувствительность
фотодиода.

+ +
+ + +
Iн p I
RН
- + +
Ф
Uп - +
RН

VD1 -
n
- - -
у -
E si
фчх=0,6В
-

а б в

-I

-I =
Uп Ф3
Rн
3

I Ф 3 >Ф 2

2 Ф2

0
-U U
Ф=0
1 Ф1=0
-I0
Ф=0 -U
Uп
-I
г д
Рис. 5.2. Фотодиод: обозначение (а), схема включения в
фотодиодном режиме (б), в фотогенераторном режиме (в),
вольтамперные характеристики (г,д)

72
 В фотогенераторном режиме при отсутствии освещения
(Ф=0) ток через p-n-переход фотодиода равен нулю и разность
потенциалов между внешними электродами равна нулю.
При освещении фотодиода в области p-n-перехода
генерируются дополнительные пары носителей заряда, в
результате чего в области полупроводника p-типа накапливаются
избыточные носители с положительным зарядом, а в области
полупроводника n-типа – с отрицательным зарядом, между
внешними электродами появляется разность потенциалов с
полярностью, указанной на рис. 5.2,в. Предельно возможное
значение фото-ЭДС равно величине потенциального барьера p-n-
перехода. У германиевых фотодиодов фото-ЭДС достигает
значения 0,3…0,4 В, а кремниевых 0,6…0,7 В. Если к внешним
электродам фотодиода подключить нагрузку, то в цепи потечѐт ток.

5.3. Светодиод

К светодиодам относят как диоды видимого излучения, так и

инфракрасные излучающие диоды.
Светодиоды, излучающие энергию в видимой области
спектра, предназначены для визуального восприятия
отображаемой информации и работают с биологическим
приѐмником – глазом.
Инфракрасные светодиоды излучают энергию в
инфракрасной области спектра и работают с физическим
приѐмником.
Излучение возникает в области p-n-перехода при протекании
по нему прямого тока в результате рекомбинации носителей заряда
(электронов и дырок). При этом они переходят с более высокого
энергетического уровня на более низкий, а избыточная энергия
выделяется в виде излучения.
Длина волны λ излучающего потока определяется разностью

73
энергетических уровней ΔЕ, между которыми происходит обмен:
λ=ёc/ΔЕ,
где ё – постоянная Планка;
с – скорость света.
Обычно ΔЕ практически равна ширине запрещенной зоны
полупроводника, на основе которого изготовлен диод.
Диапазон длин волн видимого глазом света составляет
0,45 мкм ≤ λ ≤ 0,68 мкм. Для изготовления светодиодов применяют
полупроводниковые материалы со сравнительно большой шириной
запрещѐнной зоны Ер>1,8 эВ, такие как фосфид галлия, карбид
кремния и твѐрдые растворы, имеющие в своѐм составе галлий-
мышьяк-фосфор или галлий-мышьяк-алюминий. Цвет излучения
светодиодов можно изменять в некоторых пределах путѐм
добавления в полупроводниковый материал атомов веществ-
активаторов. Например, в зависимости от концентрации цинка и
азота в фосфиде галлия цвет свечения может измениться от
красного до зелѐного.
Имеются светодиоды с управляемым цветом свечения
(например типа АЛС331А), содержащие в корпусе два
светоизлучающий перехода, один из которых имеет резко
выраженный максимум спектральной характеристики в красной
полосе, другой – в зелѐной. Цвет излучения такого светодиода
зависит от соотношения токов через переходы (рис. 5.3).
Важнейшие параметры светодиодов:
- сила света Iv – излучаемый диодом световой поток при
заданном значении прямого тока, приходящийся на единицу
телесного угла, в направлении, перпендикулярном к плоскости
излучающего кристалла, измеряется в канделах;
- яркость L – величина, равная отношению силы света к
площади светящейся поверхности;
- прямое падение напряжения на светодиоде Uпр при
постоянном прямом токе;
max
- максимально допустимый прямой ток ( Iпр );
74
 max
- максимально допустимое обратное напряжение ( Uобр );
- максимум спектрального распределения λmax – длина волны
светового излучения, соответствующая максимуму спектральной
характеристики излучения светодиода.

Основной характеристикой светодиода является яркостная

характеристика L=f(Iпр), представляющая собой зависимость
яркости от прямого тока, или световая характеристика Iv=f(Iпр) –
зависимость силы света от прямого тока светодиода (рис. 5.4).
Вольтамперная характеристика светодиода Iпр=f(Uпр)
аналогична характеристике обычного диода.
Излучение светодиода характеризуется диаграммой
направленности, которая определяется конструкцией прибора. Оно
может быть узконаправленным и рассеянным.
Принцип светодиодов аналогичен светодиодам. Спектральные
характеристики светодиодов имеют один максимум в интервале
длин волн от 0,87…0,96 мкм. Основным материалом для
изготовления их является арсенид галлия.

ток через переход красного цвета свечения, мА

20 15 10 5 0

Цвет свечения
зелѐный
красный

жѐлтый

оранжевый

0 5 10 15 20
ток через переход зелѐного цвета свечения, мА

Рис. 5.3. Зависимость цвета свечения от протекания прямого тока

через переходы
75
 Iv

I пр

Рис. 5.4. Световая характеристика светодиода

Основной характеристикой светодиода является ватт-

амперная характеристика Pизл=f(Iпр) – зависимость мощности
излучения от прямого тока через диод. При этом под мощностью
излучения понимают поток излучения определѐнного спектрального
состава, излучаемого диодом, при заданном прямом токе.

5.4. Оптрон

Оптопара представляет собой оптоэлектронный

полупроводниковый прибор, включающий источник и приѐмник
излучения (ИИ и ПИ), соединѐнные оптическим каналом (рис. 5.1,а).
Электрический сигнал, поступающий на вход ИИ, преобразуется в
световой поток, под действием которого изменяются электрические
параметры приѐмника излучения. В качестве источника излучения
обычно применяются лампы накаливания и излучающие диоды
(свето- и ИК-диоды), а в качестве приѐмников излучения –
фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и
другие аналогичные приборы.
Оптический канал может быть закрытым и открытым. В
закрытых оптических каналах в качестве оптической среды
используют полимерные органические соединения, халькогенидные
76
стѐкла, стекловолоконные светодиоды. Оптроны с гибкими
стекловолоконными световодами по своему назначению
аналогичны коротким линиям фотонной связи. Если свойства
оптического канала могут изменяться под действием некоторого
управляющего сигнала, то имеет место управляемый оптический
канал, а оптрон в этом случае называют оптроном с управляемым
оптическим каналом (УОК) (рис. 5.1,б).

I вх I вых I вх вых

U вх ИП ПИ Uвых U вх ИП УОК ПИ Uвых

xy
а б
Рис. 5.5. Оптрон: схема элементарного оптрона (а), схема оптрона с
управляемым оптическим каналом (б)

Сигнал xy может иметь различную физическую природу. При

открытом оптическом канале имеет место оптрон с открытым
оптическим каналом.
Основная особенность оптронов – гальваническая развязка
входной и выходной цепей. Сопротивление изоляции может
достигать 1012…1014 Ом, а ѐмкость связи 10-2 пФ.
Различные комбинации источников и приѐмников излучения
образуют отличающиеся по своим характеристикам и параметрам
различные типы элементарных оптронов. На рис. 5.6 показаны
условные графические обозначения оптронов в схемах.
Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесѐнным
способом. При этом знак оптического взаимодействия заменяется
знаками оптического излучения и фотоэлектрического эффекта.
Взаимная ориентация обозначений ИИ и ПИ не устанавливается, а
определяется удобством вычерчивания схемы.

77
 а б в г
Рис. 5.6. Условные графические обозначения оптронов

Рассмотрим подробнее наиболее распространѐнные типы

оптронов.

5.4.1. Диодный оптрон

Диодные оптроны имеют в качестве источника излучения

ИК-диод, а в качестве приѐмника излучения фотодиод. Диодные
оптроны могут работать в двух режимах: фотогенераторном и
фотодиодном.
Свойства диодных оптронов описываются входными и
выходными ВАХ, передаточными характеристиками в
фотогенераторном и фотодиодном режимах. Характеристики
оптронов типа АОД101А, АОД101Д приведены на рис. 5.3; из них
ясны свойства диодных оптронов и их зависимость от температуры
окружающей среды.
Выходная характеристика оптрона в фотодиодном режиме
аналогична обратной ветви ВАХ диода. Обратный ток не зависит от
напряжения, но существенно зависит от температуры окружающей
среды. Передаточная характеристика в фотодиодном режиме
практически линейна. Выходная ВАХ в фотогенераторном режиме
существенно зависит от выходного тока. Фото-ЭДС не превышает
контактной разности потенциалов на p-n-переходе фотодиода и
равна 0,4…0,8 В.

78
 Iобр
вых [mкA] Iвых [mA]

АОД101Д
70 oC

1 0.3
АОД101А

25 oC
0,1 0,2

60 oC
0,01 0,1

0 0
U обр
вых [В] I вх [мА]
5 10 10

а б
Uвых [В]

0,5

0,4
K I / K(Tокр=25oC)

0,3

2
0,2

1
0,1

0 0
Iвых [mA] T [oC] T [oC]
0,1 0,2 0,3 0,4 -60 -40 -20 20 40 60

в г
Рис. 5.7. Характеристики диодной оптопары АОД101А-АОД101Д:
выходные в фотодиодном режиме (а); передаточная (б); выходная
в фотогенераторном режиме (в); зависимость от температуры:
коэффициента передачи (г), сопротивления гальванической
развязки (д)

79
 R из [Ом]
1011

1010

10 9

0
T [oC] T [oC]
-60 -40 -20 20 40 60

г
Рис. 5.7. Продолжение

Основные параметры диодных оптронов (в скобках

приведены значения этих параметров для оптронов типа АОД107А,
АОД107Д):
- входное напряжение Uвх – постоянное напряжение на диоде
излучателя при эаданном входном токе (при Iвх=10 мА, не более 1.5
В);
max
- максимальный входной ток Iв х - максимальное значение
постоянного или среднего входного тока (20 мА). Импульсный

входной ток может быть больше ( при τu=100 мкс до 100 мА);

- максимальное входное обратное напряжение Umax

вх.обр ,

приложенное к входу диодного оптрона, при котором

обеспечивается его надѐжная работа (2 В);
- максимальное выходное обратное постоянное и
импульсное напряжение Umax
вых.обр и Umax
вых.обр.и определяют
максимальные напряжения в выходной цепи оптрона, при которых
обеспечивается его надѐжная работа ( Uвых.обр=15 В при Tобр=25oC,
Umax o
вых.обр =5 В, Tокр≤85 C);

80
 - выходной обратный (тепловой) ток Iвых.обр – ток,
протекающий в выходной цепи диодного оптрона при отсутствии
входного тока и заданном напряжении на выходе (меньше 5 мкА);
- время нарастания tнр и спада tсп выходного импульса –
интервал времени, в течение которого выходной сигнал изменяется
соответственно от 0,1 до 0,5 и от 0,9 до 0,5 максимального
значения (изм. Iнр=tсп≤500 нС);
- статический коэффициент передачи по току (KI) –
отношение разницы выходного тока и выходного теплового тока к
входному току, выраженное в процентах (для АОД107А KI=5%,
АОД107Б KI=3%, АОД107В KI=1%).
Iв ых Iв ых.обр.т Iв ых
KI .
Iв х Iв х
Основным недостатком диодных оптронов является малый
коэффициент передачи KI. Для устранения этого недостатка на
выходе оптрона включают, например, транзисторный усилитель
(рис. 5.4).
+
U п1
R2
Uвых

R1 +
-
-
U п2
Рис. 5.8. Фотодиодный оптрон с усилителем

81
 5.4.2. Тиристорный оптрон

Тиристорные оптроны имеют в качестве приѐмника

излучения кремниевый фототиристор, который обладает большим
внутренним усилением фототока. Отличительной особенностью
тиристорных оптронов является сохранение включѐнного состояния
при прекращении действия входного тока, как у обычного
тринистора. Это позволяет управлять такими оптронами
импульсным входным сигналом.
Запирание фототиристора обеспечивается при снижении
прямого выходного тока ниже удерживающего. При отсутствии
входного сигнала через закрытый фототиристор протекает
закр
незначительный тепловой ток утечки Iв ых .

Основные параметры тиристорных оптронов (в скобках даны

значения этих параметров для тиристорного оптрона 3ОУ103В):
- входной постоянный прямой ток срабатывания Iвсрх ,
переводящий оптрон в открытое состояние при заданном режиме
ср
на выходе (при Iв х 10 мА, Uвых=10 В);
- амплитуда входного импульсного тока заданной
ср
длительности Iв х.и (рис. 5.9,а), при котором оптрон переходит в

открытое состояние ( Iв х.и =40 мА при τu=10 мкс);

ср

- выходной ток в закрытом состоянии Iвзакр

ых - ток,
протекающий в выходной цепи при закрытом состоянии
закр
фототиристора при заданном режиме ( Iв ых ≤100 мкА,
Umax
вых.пр.закр =200 В);

- максимальное выходное прямое напряжение в закрытом

max
состоянии Uвых.пр.закр – прямое напряжение на выходе, при котором

82
фототиристор ещѐ находится в закрытом состоянии при отсутствии
max
входного сигнала ( Uвых.пр.закр =200 В);
откр
- выходное напряжение в открытом состоянии Uв ых -
напряжение на выходе оптрона при открытом состоянии
откр
фототиристора ( Uв ых ≤ 2 В при Iвых=100 мА);
уд
- выходной удерживающий ток Iв ых - наименьшее значение
выходного тока, при котором фототиристор ещѐ находится в
уд
открытом состоянии в отсутствии входного тока ( Iв ых =10 мА);
min
- выходной минимальный ток Iв ых при наличии управляющего
сигнала, при котором фототиристор ещѐ сохраняет включѐнное
min
состояние ( Iв ых =1 мА);
max
- максимальное выходное обратное напряжение Uвых.обр , при
котором обеспечивается заданная надѐжность при длительной
max
работе ( Uвых.обр =200 В).
Кроме этих основных параметров, отражающих особенности
работы тиристорных оптронов, в справочниках приводятся
максимально допустимые режимы входной и выходной цепей, а
также параметры изоляции выходной цепи от входной.
На рис. 5.9,б приведено семейство выходных ВАХ
тиристорной оптопары, которое аналогично семейству ВАХ
тринистора. Студентам предлагается самим провести анализ
характеристик этого семейства с помощью нагрузочных прямых в
соответствии с анализом тринистора, приведѐнного выше.
На рис. 5.9,в приведены выходные характеристики
тиристорного оптрона в открытом состоянии.
Тиристорные оптроны используют для гальванической
развязки логических цепей управления от высоковольтных цепей
нагрузок большой мощности.

83
 I ср
вх [mA]

50 I вых.пр. [mA]

40

30

20 I вх =0
30У103В I вх =5mA
I вх=50mA I вх=20mA

10
I вых
0
τ Uвых.пр.[B]
10 20 30 40 50 60 70 0

а б

I вых [mA] 25 oC
60 oC

80

60

40

20

0 откр [В]
U вых
0,2 0,6 1

в
Рис. 5.9. Характеристики тиристорного оптрона: зависимость тока
срабатывания от длительности импульсов (а); ВАХ оптрона 30У103
(б); характеристики в открытом состоянии (в)

Оптопары (оптроны) с открытым оптическим каналом (ООК)

имеют в качестве источника излучения ИКдиоды, а в качестве
приѐмника излучения фоторезисторы или фотодиоды. Известны
84
две разновидности оптопар с открытым оптическим каналом: с
прямым прохождением лучей от ИИ к ПИ и с отражением лучей
внешним объектом (рис. 5.10).
В первом случае (рис. 5.10,а) в зазоре между ПИ и ИИ может
отсутствовать или находиться непроницаемый для лучей объект.
Иногда такую оптопару называют оптопрерывателем. Во втором
случае (рис. 5.10,б) с помощью оптопары определяют наличие или
отсутствие объекта, поверхность которого может отражать лучи ИИ.
При отсутствии объекта лучи, излучаемые ИИ, рассеиваются в
пространстве, не попадая на ПИ. При наличии объекта лучи
попадают на ПИ и в выходной цепи оптопары возникает
электрический сигнал.

ООК
ООК ИИ
ИИ ПИ
ПИ

а б
Рис. 5.10. Принцип действия оптопары с ООК: с прямым
прохождением лучей (а), с отражением лучей от объекта

85
 Литература

1. Прянищников, В.А. Электроника: Курс лекций / В.А.

Прянищников. – Спб.: Корона принт, 2000. – 401 с.
2. Миловзоров, О.В. Электроника: учебник для вузов / О.В.
Миловзоров, И.Г. Панков. 3-е изд., стер. – М.: Высшая школа, 2006.
– 288 с. : ил.
3. Крякин-Черняк, С.П. Маркировка, обозначение, аналоги
электронных компонентов. Карманный справочник. / С.П. Крякин-
Черняк. – Спб.: Наука и техника, 2010. – 288 с. : ил.

86
 Оглавление

ВВЕДЕНИЕ………………………………………………………… 3
1. ОСНОВЫ ТЕОРИИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУ-
ПРОВОДНИКОВ…………………………………………………... 4
1.1. Собственная электропроводность полупроводников…. 4
1.2. Примесная электропроводность полупроводников…… 6
1.3. Электронно-дырочный переход…………………………… 8
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ...……………………….. 9
2.1. Вольтамперная характеристика (ВАХ) диода…………... 10
2.2. Основные параметры полупроводниковых диодов…… 11
2.3. Диод в режиме нагрузки……………………………………. 13
2.4. Классификация диодов…………………………………….. 17
2.5. Стабилитроны и стабисторы………………………………. 18
2.6. Туннельный диод……………………………………………. 20
2.7. Диод Шоттки………………………………………………….. 21
2.8. Варикап………………………………………………………... 23
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ……………….. 25
3.1. Классификация транзисторов……………………………... 25
3.2. Биполярные транзисторы………………………………….. 27
3.2.1. Устройство и принцип действия биполярного
транзистора………………………………………………………... 27
3.2.2. Схемы включения транзистора…………………………. 29
3.2.3. Статические характеристики транзистора с общим
эмиттером………………………………………………………….. 31
3.2.4. Динамические характеристики транзисторов с
общим эмиттером………………………………………………… 33
3.2.5. Инверсный режим работы транзистора……………….. 37
3.2.6. Максимально допустимые параметры транзистора… 38
3.3. Полевые транзисторы………………………………………. 40
3.3.1. Полупроводниковый транзистор с p-n-переходом…... 40
3.3.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором…. 45

87
3.3.3. МДП-транзистор с встроенным каналом……………… 45
3.3.4. МДП-транзистор с индуцированным каналом……… 48
4. ТИРИСТОРЫ…………………………………………………. 51
4.1. Классификация тиристоров………………………………... 51
4.2. Динистор………………………………………………………. 53
4.2.1. Основные параметры динистора……………………….. 59
4.3. Тринистор……………………………………………………... 59
4.4. Симистор……………………………………………………… 63
5. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ………………………... 58
5.1. Фототиристор………………………………………………… 68
5.1.1. Запираемый (двухоперационный) тиристор………….. 69
5.2. Фотодиод……………………………………………………… 71
5.3. Светодиод…………………………………………………….. 73
5.4. Оптрон…………………………………………………………. 76
5.4.1. Диодный оптрон…………………………………………… 78
5.4.2. Тиристорный оптрон……………………………………… 82
Литература…………………………………………………………. 86

Учебное издание

Геннадий Иванович АСМОЛОВ

Валентин Михайлович РОЖКОВ
Олег Павлович ЛОБОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ В СИСТЕМАХ

ТРАНСПОРТНОЙ ТЕЛЕМАТИКИ

УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ

Редактор Ю.К. Фетисова

Тем. план 2012 г., п. 40

Подписано в печать 16.01.2013 г. Формат 60х84/16

Печать офсетная Усл. печ. л. 5,6 Уч. - изд. л. 4,5
Тираж 250 экз. Заказ Цена 90 руб.

Ротапринт МАДИ. 125319, Москва, Ленинградский просп., 64

88