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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL

FACULTAD REGIONAL VILLA MARÍA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

UNIDAD N° 1 – Física de las junturas P-N graduales

Tema: Banda de Energía de los Sólidos

1 - La carga de un electrón es: 1,6 x 10


−19
C .

2 - Un pA representa el movimiento, por segundo, de 6,25 millones (6.250.000) de


electrones.

3 – Las cargas eléctricas, + y/o -, son consideradas como masas puntuales por su
reducido tamaño y masa. Aunque en realidad es solo una consideración, ya que poseen
radios (atómico y del electrón respectivamente) y masas características.

4-
4.1 – Campo Eléctrico (E): Se dice que existe un campo eléctrico en una región
cuando colocando en ella una carga (+ o -) aparece sobre esta una fuerza de
F N
origen eléctrico. E= =
q C[ ]
4.2 – Potencial Eléctrico (V): Es el trabajo necesario para llevar una carga positiva
atravez del campo (E) desde el punto A al punto B, donde consideramos al
B

punto A en el infinito donde el potencial es cero. V =∫ E.dx


A

4.3 – Energía Potencial ( E p ): Es la energía que posee un cuerpo dependiendo


de la posicion de este respecto a las fuentes de campo. E p =qV

4.4 - Ley de Conservación de la Energía: Esta ley indica que la energía total (W),
que es igual a la suma de la energía cinética y energía potencial, se mantiene
constante. Una derivación es que la energía no se crea ni se destruye, solo
cambia de una forma a otra. W =Ec E p
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4.5 - Barrera de Energía Potencial: Es un nivel de energía potencial que como


minimo debe tener una partícula, para trasladarse de un punto A a un punto B
atravesandola.

5 – La unidad de energía en el sistema M.K.S. es el Joule = [J]. En el sistema C.G.S. Es el


Ergio = [erg].

6 – El electrón-Volt es una unidad de medida de energía. Su nombre surge de multiplicar


la carga de un electrón por un Volt. Se relaciona con el Joule de la siguiente manera:
−19
1 eV ≡1,6 x 10 J

7 – La ley que establece la fuerza de atracción entre un electrón y un protón (y entre


1 q.q '
cualquier tipo de carga eléctrica) es la ley de Coulomb. F= .
4.π.ξ r 2

8 - La relacion entre la frecuencia de emision de un foton y la energia del electrón es:


2
q
W =−
8.π.ξ.r

9 – Una carga electrica acelerada genera un campo magnético.

10 – La relación entre la frecuencia de la radiación emitida y la energía con que el


4
W −W 1 m.q 1
electrón gira alrededor del nucleo es: f = 2 donde W i=− 2 2 . 2
h 8. h . ξ n

11 – La relación entre radio y energía desde el punto de vista de la mecánica clásica es


que mientras mas alejado del nucleo (mayor radio) esté un electrón, mayor será su
q2
energía según la relación: W =−
8.π.ξ.r
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12 – Postulados de Bohr:

1 – No son posibles todas las energías dadas por la mecánica clásica, sino que el
átomo solo puede poseer ciertas energías discretas. Dentro de los estados
correspondientes a estas energías discretas, el electrón no emite radiación y se dice que
se halla en estado estacionario.

2 – En la transición de un estado estacionario correspondiente a una energía


definida W 2 a otro estado con una energía asociada W 1 se emitirá radiación.

3 – Un estado estacionario queda determinado por la condición de que el


momento angular del electrón en este estado está cuantificado y debe ser multiplo
h
entero de .
2.π

13 – Potencial de Ionización: Es el potencial que se requiere para sacar de la estructura


atomica a cualquier electrón de valencia. Es menor que el potencial necesario para sacar
a cualquier otro electrón que no sea de valencia.

14 – Fotón: Es la partícula elemental responsable de las manifestaciones cuánticas del


fenómeno electromagnético. Es la portadora de todas las formas de radiación
electromagnética. Tiene masa invariante igual a cero y viaja a una velocidad c. Presenta
tanto propiedades corpusculares como ondulatorias.

15 – La mecanica ondulatoria de De Broglie establece que “Naturaleza es simetrica”, es


decir, que las particulas sub-atomicas poseen comportamientos ondulatorios y que las
ondas electromagneticas tienen comportamientos corpusculares.

16 – Un semiconductor posee entre la banda de valencia y la banda de conduccion, la


denominada banda prohibida. Para superarla y lograr conducción el electrón necesitara
una pequeña energia. Mientras que en un conductor no existe dicha banda prohibida, ya
que la banda de valencia y conducción se hallan solapadas.
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Tema: Conducción en los Semiconductores

1 – La corriente eléctrica en un conductor se genera aplicando una diferencia de


potencial en sus extremos. Dicho potencial es generado por un campo eléctrico.
• Las cargas se desplazan de un potencial mayor a uno menor.
• El desplazamiento de cargas se denomina corriente de desplazamiento.
• La magnitud de la densidad de corriente es
[ ]
A

2 – Semiconductor: posee un nivel de conductividad localizado entre los extremos de un


dielectrico y de un conductor.

• Germanio:
◦ Estructura cristalina: Cubico de cara centrada
◦ Electrones totales = 32
◦ Electrones de valencia = 4
◦ Enlace covalente

• Silicio:
◦ Estructura cristalina: Cubico de cara centrada
◦ Electrones totales = 14
◦ Electrones de valencia = 4
◦ Enlace convalente

Para romper el enlace covalente entre átomos, es necesaria energía térmica o luminica
cuyo valor sea mayor a la energía de enlace entre los átomos.

3 – Un semiconductor extrínseco es un material semiconductor intrinseco que se ha


sometido a un proceso de dopaje.

• Tipo N: Semiconductor dopado con impurezas pentavalentes. Sus portadores


mayoritarios son los electrones, lo que lo convierte en donador de electrones.

• Tipo P: Semiconductor dopado con impurezas trivalentes. Sus portadores


mayoritarios son los huecos o lagunas, lo que lo convierte en aceptador de
electrones.
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4 – El dopaje de un material intrinseco se realiza para disminuir la banda prohibida entre


la banda de conduccion y la banda de valencia y la generacion de portadores
mayoritarios. Como consecuencia la energia necesaria para producir un salto entre
bandas disminuye.

5 – El transporte de cargas por difusión en un semiconductor es producido por los


portadores minoritarios presentes en el mismo. Esta, es funcion de la temperatura y es un
fenomeno totalmente independiente de la aplicación de cualquier campo eléctrico o
magnético exterior, es un efecto debido exclusivamente al gradiente de portadores
minoritarios.

dp
La expresión de la densidad de corriente de difusion es: J p=−q . D p .
dx

6 – La expresión de la densidad de corriente total en un semiconductor es:


dn
J n=q.µn . n . Eq.D n .
dx