Micro-Electromechanical Systems (MEMS) - Microsystems Technology (MST) - Micromachines

Лекция №6: «Электростатика.
»
1. Что такое микросистемная техника. Основные определения
Micro-electromechanical systems (MEMS) – термин появился в США
Microsystems Technology (MST) – термин распространенный в Европе
Micromachines - термин используемый в Японии
В общем случае под МЭМС понимают различные механико-

электрические (сенсорные) или электромеханические
преобразователи (актюаторы) размером порядка микрон (не более 1
мм). Перемещение подвижных элементов МЭМС- структуры при
этом также не превышает нескольких микрон
Микроэлектромеханические системы (МЭМС) — устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и микромеханические компоненты.

Лекция №6: «Электростатика.»
2. Физические эффекты лежащие в основе устройств микросистемной техники. Электростатические. Применение в МСТ.
•
• Работа электростатических сенсоров и актюаторов основана на
понятии заряда.
• Применение электростатики для микроразмерных устройств
выгодно из-за высокого соотношения поверхность/объѐм.
• Электростатический эффект зависит от площади поверхности, а
масса от объѐма, таким образом электростатические силы
можно эффективно использовать для микродатчиков и
микроактюаторов.
Акселерометр фирмы Analog Devices Матрица из микрозеркал фирмы

Texas Instruments 2
1.1. Электрическое поле. Напряженность поля
Электрически заряженные тела или отдельные частицы (электроны, ионы,
протоны) создают электрическое поле, через которое они взаимодействуют.
Электрический заряд может быть отрицательным или положительным. У одно-
именно заряженных тел возникают силы отталкивания, у разноименно заря-
женных – силы притяжения. Заряженные тела через электрическое поле воздей-
ствуют на исходно нейтральные (незаряженные) тела таким образом, что они
испытывают силы притяжения к заряженным.
, где к – коэффициент пропорциональности, зависящий от выбора системы

измерений и свойств среды, в которой происходит взаимодействие.
напряженность электрического поля в некоторой точке пространства
определяется как вектор E, численно равный силе F, с которой это поле действует
на единичный положи-тельный заряд q 0 , помещенный в эту точку и
направленный в сторону действия силы, т.е.
Напряженность поля, создаваемого системой точечных зарядов, равна векторной

сумме напряженностей, создаваемых каждым из зарядов в отдельности.
3
1.1. Электрическое поле. Напряженность поля
Теорема Гаусса утверждает, что в произвольном электростатическом поле (в

вакууме) поток N вектора напряженности E через произвольную замкнутую
поверхность S равен умноженной на 4π величине заряда, расположенного внутри
этой поверхности, т.е.:
С помощью теоремы Гаусса сравнительно просто получаются выражения для

расчета электрического поля вблизи заряженных поверхностей. Плотностью
поверхностного заряда ζ называют заряд, приходящийся на единицу площади
поверхности.
Поле между пластинами бесконечного плоского конденсатора. Поле в такой

системе однородно, т.е. вектор E постоянен по величине и направлению во всех
точках этого поля. Его величина должна подчиняться формуле :
где ζ – плотность поверхностного заряда обкладок конденсатора.
4
1.2. Потенциал поля
При перемещении на расстояние dl единичного заряда q0 силами электрического

поля совершается работа, определяемая следующим выражением:
А на конечном пути L она составит
Доказано, что если электрическое поле создается системой неподвижных зарядов,

то оно обладает важным свойством: работа сил этого поля на пути между
произвольными точками зависит только от положения этих точек и не зависит от
формы пути. Поля, обладающие таким свойством, называют потенциальными.
Очевидно, что при движении заряда по любому замкнутому контуру в таком поле
Из последнего выражения, в частности, можно получить условие, согласно

которому слагающие напряженности поля, касательные к произвольной
поверхности в любой ее точки имеют по обеим сторонам поверхности одинаковое
значение.
5
1.2. Потенциал поля
Из определения потенциального поля следует важное понятие: разность
потенциалов между двумя точками электростатического поля равна взятой с
обратным знаком работе, совершаемой силой поля при перемещении единичного
положительного заряда из первой точки во вторую.
Если же точки P и P 0 достаточно удалены друг от друга, то справедливо следующее

выражение:
Напряженность электрического поля E равна градиенту электрического потенциала

ϕ, взятому с отрицательным знаком.
, где ρ – объѐмная плотность заряда, создающего поле.

В декартовой системе координат, выражение имеет следующий вид:
Либо при ρ = 0 - уравнение Лапласа

6
1.3. Электрическая емкость
В случае электростатического равновесия потенциал проводника одинаков на
всем его протяжении. Это, в частности, следует из того факта, что внутри
проводника поле равно нулю и, разность потенциалов между его отдельными
точками отсутствует.
Ёмкостью уединенного проводника называется величина заряда, необходимая
для сообщения этому проводнику потенциала, равного единице, обычно
емкость обозначается буквой C.
Рассмотрим для примера заряженный шар. Как отмечалось в предыдущем
разделе, потенциал шара радиуса a с зарядом q равен ϕ = q/a Тогда потенциал ϕ
становится равным единице при единичных значениях q и a, и, в соответствии с
определением емкости, в этом случае C=a, т. е. емкость шара равна его радиусу.
Из примера видно, что емкость, в первую очередь, определяется
геометрическими размерами и формой тела, и это действительно так.
Единица емкости в СИ (фарада)
7
1.3. Электрическая емкость
Под ѐмкостью конденсатора надо понимать отношение заряда конденсатора q к
разности потенциалов (ϕ2 – ϕ1) его обкладок:
Оценим емкость плоского конденсатора, модель которого представляется

системой двух параллельных проводящих плоскостей (обкладок), разделенных
зазором d. Если размеры обкладок существенно превышают зазор d, поле между
ними можно считать равномерным и пренебречь краевым эффектом (неод-
нородностью поля) на краях. Представим заряд такого конденсатора в форме:
Для шарового конденсатора, имеющего радиус внутренней и

внешней шаровой поверхности R 1 и R 2, соответственно
8
1.4. Энергия электрического поля и силы, действующие на
Рассмотрим сначала силы, действующие на поверхностные заряды в проводнике. В
уединенном проводнике взаимодействие зарядов сводится к их взаимному
отталкиванию. В результате заряд распределяется на поверхности проводника и
возникающие силы стремятся его растянуть.
Действующая на единицу поверхности полупроводника сила f , направленная
нормально к его поверхности, определяется следующими соотношениями:
Более подробно рассмотрим силы взаимодействия двух противоположно

заряженных и расположенных параллельно плоских электродов. Этот случай
используется в большом числе задач по расчету элементов электротехники и
микросистемной техники (конденсаторы, реле, некоторые двигатели, гироскопы и
пр.).
При перенесении заряда в электрическом поле совершается работа A
Потенциальная энергия заряда в электрическом поле составит
9
[Введите текст]
При взаимодействии двух точечных зарядов q 1 и q2, находящихся на расстоянии R

друг от друга, можно записать ряд соотношений. Потенциал, создаваемый зарядом
q2 в точке, где находится заряд q 1, определяется выражением
Потенциальная энергия заряда q1 в этой точке будет
Определим энергию, которую запасает заряженный плоский конденсатор. Пусть в

исходном состоянии разность потенциалов между его пластинами равна (ϕ2 - ϕ 1 ).
Если за счет внешнего источника конденсатор получит дополни-тельный заряд dq,
то совершаемая при этом внешним источником работа будет равна:
Воспользовавшись определением емкости конденсатора, перепишем последнее

выражение в виде
10
Лекция №12: «Магнитные эффекты.»
Для увеличения расстояния между пластинами заряженного конденсатора на
малую величину δ необходимо совершить работу dA, приводящую к изменению
энергии конденсатора на величину dW:
С другой стороны, эта работа может быть выражена через силу F, которую надо
преодолеть при изменении расстояния между пластинами на δ. Очевидно, что она
равна
где f – сила притяжения, испытываемая единицей поверхности пластины

конденсатора. Приравнивая два последних выражения, получим
где ζ – плотность заряда на поверхности пластин конденсатора.
где U – напряжение.
Применение: Ёмкостной датчик уровня воды, Ёмкостные датчики присутствия, Ёмкостная система охраны
автомобиля, Ёмкостные акселерометры, Ёмкостные датчики давления
2
3. Физические эффекты лежащие в основе устройств микросистемной техники. Магнитные. Применение в МСТ.
Эффект Холла был открыт в 1879 г. американским
ученым Эдвином Гербертом Холлом (1855-1938).
Первоначально эффект применялся для изучения электропроводности металлов,

полупроводников и других токопроводящих материалов.
В настоящее время датчики Холла используются для обнаружения магнитных полей и

определения положения и перемещения объектов.
3
Эффект основан на взаимодействии между движущимися носителями электрического

заряда и внешним магнитным полем.
При движении электронов в магнитном поле на них действует отклоняющая сила:
, где q = 1.6x10-19 Кл - заряд,

v – его скорость,
B – магнитная индукция.
4
Рассмотрим эффект, обусловленный действием лоренцевой силы на свободные заряды в

проводнике. Представим себе проводник с током I в виде плоской ленты, расположенной в магнитном поле
с индукцией , направленной от нас.
В случае изображенном на рис. а, верхняя часть проводника будет заряжаться отрицательно, в случае б
– положительно.
5
Это позволяет экспериментально определить знак
носителя заряда в проводнике.

При равной концентрации носителей заряда обоих знаков возникает холловская разность
потенциалов, если различна подвижность, т.е. дрейфовая скорость носителей заряда.
Подсчитаем величину холловской разности потенциалов
(Uх).
Обозначим: Ex – напряженность электрического поля,

обусловленного ЭДС Холла, h – толщина ленты проводника.
6
Перераспределение зарядов прекратится, когда

сила qEx уравновесит лоренцеву силу, т.е.
Плотность тока, откуда
Подставим Ex в выражение для Ux
Где R = 1/qn – Коэффициент Холла
7
Исследования ЭДС Холла привели к удивительным выводам. Металлы могут обладать

проводимостью р-типа (Zn, Cd – у них дырки более подвижные, чем электроны). Это металлы с чуть
перекрывающимися знаками, т.е. полуметаллы. Можно найти концентрацию носителей:
8
Простейший датчик состоит из:

• Постоянного магнита
• Лопасти ротора
• Магнитопровода
• Пластикового корпуса
• Электронной микросхемы
• Контактов
9
На данный момент датчики Холла делятся на два вида:
цифровые и обычные
Обычные датчики измеряют индукцию поля. От полярности и силы поля зависит величина, которую может
показывать датчик.
Цифровые датчики отличаются отсутствием магнитного поля. Принцип работы такого датчика заключается в
следующем, датчик выдает единицу, когда индукция достигает порога, а дывает ноль, когда порог не
достигнут. Но минус цифрового датчика заключается в низкой чувствительности.
1
Сфера применения датчиков Холла очень широка. Устройство используется в таких схемах, где требуется
бесконтактное измерение силы тока. Что касается автомобилей, датчик Холла служит для измерения угла
положения распределительного или коленчатого вала, а также нашел свое применение в системе
зажигания, указывая на момент образования искры.
10
В автомобиле три основные технологии датчиков Холла:
• Технология вертикального датчика Холла

• Технологиях двухосевых измерений датчиков с ИМК
• Датчики Холла с массивом планарных элементов
H
В автомобиле три основные
технологии датчиков Холла:
• Технология вертикального
датчика Холла
• Технологиях двухосевых
измерений датчиков с ИМК
• Датчики Холла с массивом
планарных элементов
Гигантский магниторезистивный эффект
Эффект значительного изменения электрического сопротивления (10% - 70%), открытый в 1988 году,
наблюдается под действием магнитного поля в тонкопленочных (толщиной менее 10 нм) стековых
металлических слоях ферромагнитных материалов, равно разделенных тонкими
неферромагнитными слоями.
Совокупность этих слоев была названа

гигантскими магниторезисторами.
13
Эффект объясняется зависимостью рассеяния электронов от их спина и поляризацией

спинов электронов электропроводности в ферромагнитных металлах.
Эффект основывается на увеличении сопротивления проводящих слоев меди под

действием магнитного поля, если их толщина уменьшается до нескольких атомных слоев. Электроны
электропроводности в меди имеют большой средний свободный путь до своего рассеяния или
изменения направления вследствие столкновения с другой частицей. При минимальной толщине
медного слоя длина свободного пробега электронов уменьшается, а сопротивление увеличивается.
14
Слои с параллельными магнитными моментами будут иметь меньшее рассеяние на

межслойных интерфейсах, более длинные средние свободные пути и более низкое сопротивление.
Сопротивление двух тонких ферромагнитных слоев, разделенных тонким магнитным проводящим
слоем может быть увеличено до максимального значения инвертированием моментов М
ферромагнитных слоев от параллельных к антипараллельным.
Методы получения антипараллельного магнитного выравнивания:
• Неприколотые сандвичи
• Антиферромагнитные мультислои
• Спин-клапанные структуры
• Спин-зависимое туннелирование.
15
Функциональный принцип датчикав ГМР типа ―неприколотый сэндвич‖ а) антиферромагнитное

состояние без поля б) насыщенное состояние ферромагнитных слоев под действием поля – низкое
сопротивлени 16
Функциональный принцип датчиков ГМР на основе антиферромагнитных
мультислоев а) антиферромагнитное объединение в отсутствии внешнего

поля, б) насыщенное состояние. Низкое сопротивление. 17
Функциональный принцип датчиков ГМР на основе структуры со спин- зависимым туннелированием. А)

максимальное сопротивление Б)
минимальное сопротивление 18
Колоссальное магнитосопротивление Колоссальные магниторезистивные

материалы. Смешанные оксиды марганца и лантана, а также некоторых других.
Величина изменения в сопротивлении: 103 – 108 %.
Объяснение: наблюдается в условиях магнитоуправляемого перехода полупроводник-

металл под действием магнитного большого магнитного поля. Несколько Тл.
КМР-эффект возникает на основе перехода металл-изолятор в процессе изменения

низкотемпературного ферромагнитного металлического состояния до состояния
парамагнитного изолятора, что связано с образованием наномасштабных поляронов структурно
комбинированных спин-поляризованных нанообластей порядка 1 нм.
Лекция №10: «Температурные свойства
материалов.»
Датчики линейного положения. Например подвести или гидравлических цилиндров. Из-за
нелинейной характеристики магнитных полей, образованных дипольными постоянными магнитами, диапазон
линейного выхода может быть ограничен.
Датчики углового положения. Чувствителен только к направлению поля, а не к его величине.
Устойчивы к высокочастотной вибрации. Способны работать в системах с постоянной скоростью, широкие
рабочие пределы измерений как положения, так и скорости.
2
Измерительные техники КМР: а,б,в – линейные ГМР-
датчики, г – угловые измерения
4. Физические эффекты лежащие в основе устройств микросистемной техники. Тепловые. Применение в МСТ.
Каждая частица нашей вселенной находится в движении. Температура

– мера кинетической энергии колеблющихся частиц. Чем быстрее – тем выше
температура.
Средняя кинетическая энергия большого количества движущихся
частиц определяет макроскопическую температуру объекта. Поскольку
температура зависит от движения молекул, она тесно связана с давлением,
которое равно силе, приложенной к молекулам на единице площади.
3
Когда различные материалы соприкасаются, атомы и молекулы,
двигающиеся в них, взаимодействуют друг с другом.
Каждый колеблющийся атом ведет себя как микроскопический
передатчик, посылающий электромагнитное излучение в окружающее
пространство. Все это и позволяет осуществить передачу от горячего тела к
холодному.
Для измерения температуры используются специальное устройство –
термометры, которые либо контактируют с объектом, либо принимают его
электромагнитное излучение и вырабатывают на выходе физический сигнал.
4
Слово термометр впервые появилось в литературе в 1624 году в книге
J. Leurechon ―La Recreation Mathematique‖. Автор описал устройство
стеклянного термометра, заполненного водой, деление шкалы которого
составляло 8 градусов.
Первый термометр, независимый от давления, был изготовлен
герцогом Тоскании Фердинандом2 в 1654 г. Он представлял собой герметично
запаянную трубку, заполненную спиртом.
Тепловая энергия, часто называемая теплом, измеряется в калориях

(калория, измеряющая калорийность пищи, в действительности равна 1000
физических калорий и называется килокалорией). Одна калория (кал) равна
количеству тепла, необходимому для нагрева 1 грамма воды на 1 градус при
нормальном атмосферном давлении.
В США часто используется английская единица тепла: БТЕ
(британская тепловая единица). 1 БТЕ = 252,02 кал.
5
Температурные шкалы
1. Нулевая. Установлена в 1664 году Робертом Гуком в точке

замерзания дистиллированной воды.
2. В 1694 году Карл Ренальди предложил использовать две точки:
точку таяния льда и точку кипения воды, в качестве двух реперных точек на
линейной температурной шкале. Он разделил весь интервал на 12 равных
частей.
3. В 1701 году Ньютон также предложил использовать 2 точки. Для
первой (нулевой) выбрал температуру плавления льда, а для второй –
температуру подмышкой здорового англичанина., кот назвал 12. По его шкале
вода кипела при 34.
4. Даниэль Фаренгейт, датчанин, в 106 году для своего термометра в
качестве нулевой точки выбрал холодную температуру смеси воды, льда и
поваренной соли. В качестве второй – 96 градусов, опр. температурой крови
здорового человека. Точка плавления льда – 32, а кипения – 212.
5. В 1742 году профессор астрономии Андреас Цельсий предложил
шкалу, в которой нуль – это точка таяния льда., а 100 – точка кипения воды.
6. Шкала Кельвина базируется на тройной точке воды, соотв.
давлению 4,58 мм рт. столба., при котором вода одновременно находится в трех
состояниях: в виде пара, жидкости и льда. Температура ройной точки воды –
273,16 К, или 0 С. Абсолютный ноль – при кот. кинетическая энергия всех
двигающихся частиц равна нулю. С = К – 273,15. F = 32 + 1,8 C.
4
5
6
Тепловое расширение
Все твердые объекты увеличиваются в объеме с ростом температуры,

что происходит в результате колебательного движения атомов и молекул. При
увеличении температуры среднее расстояние между атомами растет, что
приводит к расширению всего твердого тела.
Изменение любого линейного размера называется линейным
расширением.
где α – коэффициент линейного расширения. Для разных материалов

разный.
7
8
Тепловое расширение
Для изотропных материалов, коэффициенты расширения в любом

направлении равны. Площадь и объем:
Тепловое расширение – очень полезное физическое явление, на основе

которого реализовано много датчиков, которые либо измеряют тепловую
энергию, либо используют ее в качестве сигнала возбуждения.
В результате изгиба максимальное отклонение может служить мерой

изменения температуры. При калибровочной температуре структура занимает
горизонтальное положение.
9
Удельная теплоемкость описывает сам материал, в то время как теплоемкость

является характеристикой объекта, сделанного из этого материала. Уд.
Теплоемкость не является постоянной величиной во всем температурном
диапазоне. Меняется при изменении состояния материала, к примеру при
переходе от твердой фазы к жидкой. На микроскопическом уровне отражает
структурные изменения материала.
10
11
Теплопередача
Существуют два фундаментальных свойства теплоты:
1. У тепла нет никаких специфических характеристик; это значит что оно может
иметь разную физическую природу, его можно измерить, но при этом
невозможно различить.
2. Тепло невозможно ограничить; это означает, что оно свободно передается от

теплых частей системы к холодным.
Тепловая энергия может быть передана от объекта к объекту тремя

способами: теплопроводностью, конфекцией и излучением. Один из объектов,
получающий или отдающий тепло может быть детектором тепла.
Его функция заключается в измерении количества тепла, поглощаемого
или выделяемого объектом, для получения определенной информации об этом
объекте. Такой информацией может быть температура объекта, теплота
химических реакций, расположение или перемещение объектов и т.д.
12
13
Для передачи тепла через механизм теплопроводности необходимо

обеспечить контакт между двумя объектами. Термически возбужденные частицы
теплого тела передают кинетическую энергию частицам более холодного тела,
которые при этом переходят в возбужденное состояние. Передача тепла по
механизму теплопроводности аналогична потоку воды или электрическому току.
Например, прохождение тепла через стержень описывается
выражением, похожим на закон ОМА. Скорость теплового потока через
поперечное сечение площадью А (тепловой ток) пропорциональна градиенту
температуры (тепловому напряжению) по длине стрежня (dT/dx):
где к – коэффициент теплопроводности материала. – означает что тепло

течет в в направлении уменьшения температуры. Хорошие проводники тепла
обладают высоким коэффициентом к (большинство металлов), в то время как
хорошие теплоизоляторы – низким.
Коэффициент теплопроводности считается константой, хотя он немного
увеличивается с ростом температуры.
14
Для вычисления тепловых потерь за счет теплопроводности, например,

через провод, необходимо знать температуру на обоих его концах T 1 и T 2 :
Где L – длина провода.

На практике часто вместо коэффициента теплопроводности
используется тепловое сопротивление, определяемое как:
15
Передача тепла в зоне контакта определяется следующими факторами:
1.Теплопроводность реального физического соединения двух материалов

2.Теплопроводность газов (воздуха) в порах, созданных неровностями
поверхностей.
Поскольку теплопроводность газов как правило гораздо меньше
теплопроводности твердых материалов, газ в порах и создает наибольшее
сопротивление при передаче тепла. Поэтому выражение для переходного
коэффициента можно записать в виде:
где Lg – толщина пористой зоны, kf – коэффициент теплопроводности

газов, заполняющих поры, ac и av – площади зон контактов и пор, а kA и kB –
коэффициент теплопроводности соответствующих материалов.
Переходное сопротивление увеличивается при уменьшении давления
окружающих газов.
С другой стороны, переходное сопротивление уменьшается с ростом
давления в зоне соединения, что связано с деформацией высоких выступов на
контактных поверхностях.
16
Тепловая конфекция
Для нее требуется промежуточный агент (жидкость, газ) который

забирает тепло у теплого объекта, переносит его до холодного объекта, отдает
тепловую энергию и после этого возвращается (а может и нет) к теплому объекту
за новой порцией тепла.
Передача тепла от твердого тела подвижному агенту или внутри
подвижного агента также называется конвекцией.
Конвекция может быть естественной (под действием силы тяжести) или
искусственной (выполняемой механическим путем).
При естественной конвекции воздуха на его молекулы действуют две
силы: сила тяжести и выталкивающая сила. Теплый воздух поднимается вверх
унося тепло. Боле холодный опускается вниз. Эффективность передачи тепла
конвективным способом определяется скоростью движения промежуточного
агента, градиентом температуры, площадью поверхности объекта и тепловыми
свойствами окружающей среды.
Где α – коэффициент конвекции, определяемый удельной теплоемкостью текучей

среды, ее вязкостью и скоростью движения.
Для горизонтальной на воздухе пластины:
Для вертикальной на воздухе пластины:
17
Тепловое излучение
Любой объект, атом и молекула совершают колебательные движения. По

законам термодинамики движущийся электрический заряд вызывает появление
переменного электрического поля, которое приводит к образованию переменного
магнитного поля. Т.о. вибрирующие частицы – источники электромагнитногот
поля, подчиняющегося законам оптики и распространяющегося со скоростью
света. Электромагнитные волны могут отражаться, фильтроваться,
фокусироваться и т.д.
Связь длины волны с частотой:
Зависимость между длиной волны и температурой подчиняется закону

Планка, открытому в 1901 году (в 1918 году немецкий физик Планк был удостоен
Нобелевской премии за открытие энергии кванта). Планк установил зависимость
между плотностью потока излучения Wλ, длиной волны λ и абсолютной
температурой T. Плотность потока излучения – это мощность электромагнитного
тока на единицу длины волны:
ε(λ) – излучающая способность объекта, C1 = 3,74x10-12 Вт×см2 и C2 = 1,44 К×см.
18
19
Температура – это результат осреднения кинетических энергий

огромного количества вибрирующих частиц. Однако не все частицы вибрируют с
одинаковой частотой и амплитудой. Разрешенные частоты лежат близко друг к
другу, поэтому количество частот, на которых могут излучать различные
материалы, является практически бесконечным.
Поскольку температура – статистическое выражение средней
кинетической энергии, она определяет наиболее вероятную частоту и длину
волны колеблющихся частиц. Наиболее вероятная длина определяется законом
Вина (в 1911 году немецкому ученому Вильгельму Вину была присуждена
Нобелевская премия за открытие законов теплового излучения).
20
21
При детектировании тепловых излучений тепловыми датчиками

необходимо также учитывать излучение от датчика к объекту. Тепловые датчики
способны определять только полезную мощность теплового излучения (т.е.
мощность излучения объекта минус мощность излучения самого датчика).
Поверхность датчика, направленная в сторону объекта, обладает
излучающей способностью εs, и следовательно его отражающая способность ρs =
1 – εs. Часть мощности Фb0 поглощается датчиком Фba, а другая часть Фbr
отражается обратно к объекту. Предполагается дополнительных источников
вокруг датчика. Отраженный поток излучений пропорционален коэффициенту
отражения датчика:
Полезная мощность излучения объекта:

В зависимости от температуры собственной поверхности Ts датчик излучает
собственный тепловой поток по направлению к объекту:
Эти два потока, направленные в противоположные стороны, формируют

полезный поток, действующий между двумя поверхностями:
Это выражение описывает работу теплового датчика, который преобразует

полезную мощность теплового излучения в выходной электрический сигнал.
22
Излучающая способность
Это функция ее диэлектрической проницаемости и, следовательно,

коэффициента преломления n. Максимальная излучающая способность равна 1.
Соответствует черному телу.
Для неполяризованного света дальнего ИК диапазона, направленного
перпендикулярно поверхности, можно записать следующее выражение для
коэффициента излучения:
23
Лекция №8: «Упругость. Жѐсткость.»
5. Физические эффекты лежащие в основе устройств микросистемной техники. Упругие. Применение в МСТ.
Излучающая способность
Все неметаллические материалы являются очень хорошими

источниками диффузионного теплового излучения, обладающими практически
постоянной излучающей способностью в пределах телесного угла ±70 град. За
его границами коэффициент излучения стремительно падает.
Излучающая способность металлов сильно зависит от обработки
поверхности. Хорошо отшлифованные плохо излучают. А при больших углах
значительно лучше.
Газы во многих случая прозрачны для теплового излучения. Они
поглощают и испускают излучения только определенного узкого спектрального
диапазона.
При использовании ИК датчиков для бесконтактного измерения
температуры необходимо знать излучающую способность объекта.
Диаграммы направленности излучений для неметаллических

материалов (А) и полированных металлов (Б)
1. Закон Гука
В 1676 году английский ученый Роберт Гук открыл фундаментальную

закономерность между силами и вызванными ими перемещениями: сила растяжения
или сжатия, приложенная к телу в форме стержня, вызывает изменение длины тела.
Величина изменения длины тела зависит от размеров тела, материала и величины

силы
где F – внешняя сила; S – площадь поперечного сечения тела; Е – модуль Юнга

(упругости) определяется экспериментально; Δl – изменение длины тела; l – длина
тела.
где ζ – механическое напряжение; ε – относительная деформация.

2
На основании закона Гука (2.3) можно сказать, что модуль Юнга равен отношению
приложенного напряжения к вызванному им относительному удлинению:
Величина, обратная модулю Юнга, называется коэффициентом упругости:
Необходимо помнить, что закон Гука выполняется только в области упругих

деформаций.
Абсолютное значение отношения относительной поперечной деформации εпопер к

относительной продольной деформации εпрод при растяжении или сжатии в области
действия закона Гука, называется коэффициентом Пуассона:
3
Если на тело вдоль его оси действует некоторая внешняя сила, то согласно закону
Гука относительная продольная деформация будет определяться следующим
выражением:
Относительная поперечная деформация определяется выражением:
Если на тело действуют внешние силы вдоль трех осей X, Y, Z (рис. 2.2), то
относительная деформация тела по этим осям будет уже зависеть от всех
действующих на тело сил.
4
Рассмотрим действие сил вдоль оси Х (см. рис. 2.2). От действия напряжения ζx,
направленного вдоль оси Х, относительная линейная деформация по данной оси
составит
От действия напряжения ζy, направленного вдоль оси Y, относительная линейная

деформация по оси Х составит
От действия напряжения ζz, направленного вдоль оси Z, относительная линейная

деформация по оси Х составит
Сложив выражения, получим
Аналогично получаем выражения для относительной линейной деформации по осям

Y, Z:
Эти выражения представляют собой аналитическое выражение обобщенного

закона Гука. 5
Закон Гука при сдвиге будет иметь следующий вид:
где η – касательное напряжение; F – сила, параллельная площади S; S – площадь

поверхности; G – модуль сдвига (упругости); γ – угловая деформация.
Необходимо отметить, что модуль сдвига, как и модуль Юнга, является физической
постоянной материала и определяется экспериментально.
Модуль сдвига связан с модулем Юнга и коэффициентом Пуассона следующим
выражением
Величина, обратная модулю сдвига, называется коэффициентом сдвига
6
7
6. Физические эффекты лежащие в основе устройств микросистемной техники. Резистивные. Применение в МСТ.
1. Удельное сопротивление
У каждого материала есть характеристика, описывающая его способность
пропускать электрический ток – удельное сопротивление.
Величина сопротивления определяется как самим материалом, так и

геометрией резистора.
J –плотность тока, i/s
8
Часто используется величина, обратная удельному сопротивлению,

называемая удельной проводимостью или электропроводностью:
Удельное сопротивление можно выразить через среднее время между
столкновениями электронов с атомами вещества η, заряд электрона е, его
массу и число электронов проводимости в единичном объѐме n:
, где S – площадь поперечного сечения, а l – его длина.
9
2. Температурная чувствительность
Проводимость материала зависит от температурыt, и в сравнительно узком
диапазоне она может быть выражена при помощи температурного
коэффициента сопротивления (ТКС) α:
ρ 0 – удельное сопротивление материала при эталонной температуре t 0

(обычно либо 0 °С либо 25 °С )
10
Лекция №7: «Магнетизм. Сопротивление.»
3. Термисторы
Термисторы – это резисторы с большим значением либо положительного,
либо отрицательного ТКС. Термисторы изготавливаются из керамических
полупроводников, состоящих из оксидов одного или нескольких следующих
металлов: никеля, марганца, кобальта, титана и железа.
T0 – калибровочная температура в Кельвинах, Rt0 –

значение сопротивления при температуре
калибровки, а β – характеристическая температура
материала, в кельвинах. Обычно в диапазоне от
3000 до 5000 К.
20
4. Тензочувствительность
Обычно при механической деформации материала его электрическое
сопротивление изменяется. Это явление – пьезорезистивный эффект.
E – модель Юнга материала, а F – приложенная сила. dl/l – относительная

деформация материала. Для провода с током:
Следовательно чувствительность повышается при увеличении длины

провода и его удельного сопротивления, а также при уменьшении
поперечного сечения. Относительное изменение сопротивления:
Se – коэффициент тензочувствительности или чувствительность

тензоэлемента. Для металлических проводов он лежит в пределах 2…6, а
для полупроводников – 40….200.
21
5. Влагочувствительност
ь
При выборе материала для резистора
необходимо учитывать его удельное
сопротивление и восприимчивость к
факторам окружающей среды. Один из
этих факторов – количество влаги,
поглощаемое резистором.
Гигроскопичные материалы материалы
удельное сопротивление которых сильно
зависит от концентрации поглощѐнных
молекул воды.
Такие резисторы – гигристоры.
7. Физические эффекты, лежащие в основе устройств микросистемной
техники. Оптические. Применение в МСТ.
ФИЗИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ
1. Отражение
Отражение света может быть или зер-
кальным (как зеркало) или диффузным (с со-
хранением энергии, но потерей изображения)
в зависимости от природы поверхности. При
зеркальном отражении фаза отраженных
волн зависит от выбора координат, но отно-
сительная фаза между s и p поляризациями
определена свойствами сред и границ между
ними.
Когда свет отражается от материала более
плотного (с более высоким показателем пре-
ломления), чем внешняя среда, он изменяет
фазу на противоположную. В отличие от
этого, материал менее плотный, с более низ-
ким показателем преломления будет отра-
жать свет в фазе. Это важный закон в области
оптики тонких пленок.
Зеркальное отражение формирует изображение. Зеркальное отражение от кри-
вой поверхности формирует уменьшенное или увеличенное изображение; кри-
вые зеркала имеют оптическую силу. Такие зеркала имеют поверхности в
форме сферы или параболы.
Отражательная способность - это величина, равная отношению мощно-
стей отраженной и падающей электромагнитнитных волн. (Иногда коэффици-
ентом отражения называют отношение напряженностей электрического поля
отраженной и падающей волн, но в оптике чаще используется первое опреде-
ление, а именно соотношение мощностей (энергий)).
Полное внутреннее отражение света от более плотной среды возникает, если
угол падения превышает критический угол. Полное внутреннее отражение ис-
пользуется как средство фокусировки волн, которые не могут быть эффек-
тивно отражены обычными средствами. Рентгеновские телескопы строятся
путем создания собирающего "туннеля" для волн. Когда волны взаимодей-
ствуют с поверхностью этого туннеля при малом угле, они отражаются в сто-
рону точки фокусировки (или к другому взаимодействию с поверхностью тун-
неля, в конечном счете, направляясь к детектору в фокусе). Обычный отража-
тель будет бесполезным, так как рентгеновские лучи просто пройдут сквозь
предполагаемый отражатель.
Если отражающая поверхность очень гладкая, отражение света называ-

ется зеркальным. Вот основные законы отражения от гладкой поверхности:
•Падающий луч, отражённый луч и перпендикуляр к границе раздела
двух сред, восстановленный в точке падения луча, лежат в одной плоскости.
•Угол, который образуется между падающим лучом и нормалью равен
углу, образованному между отраженным лучом и нормалью.
•Отраженный и падающий лучи находятся на противоположных сторо-
нах от нормали к этой поверхности.
Эти три закона могут быть получены из уравнений Френеля.
Двулучепреломление – оптиче-
ское свойство материала, имеющего
показатель преломления, который за-
висит от поляризации и направления
распространения света. Такие опти-
чески анизотропные материалы
называют двулучепреломляющими
(или двоякопреломляющими). Дву-
лучепреломление часто определяется
количественно как максимальная
разница между преломляющими коэффициентами материала. Кристаллы с
асимметричными кристаллическими структурами часто являются двулучепре-
ломляющими, также как пластмассы при механическом напряжении.
2. Двулучепреломление
Двулучепреломление вызывает явление двойного преломления, посред-
ством чего луч света, попадающий на двулучепреломляющий материал, раз-
деляется поляризацией на два луча, которые немного различаются своими пу-
тями. Этот эффект впервые был описан датским ученым Расмусом Бартоли-
ном в 1669, который наблюдал его в кальците, кристалле, имеющим одно из
самых сильных двулучепреломлений. Однако, только в 19-м веке, Огюстен
Жан Френель описал явление с точки зрения поляризации, приняв свет как
волну с компонентами поля в поперечной поляризации (перпендикуляр к
направлению вектора волны).
Простейший (и наиболее распространенный) тип двулучепреломления - одно-
осное двулучепреломление, это значит, что существует единственное направ-
ление, управляющее оптической анизотропией, в то время как все направления
перпендикулярные к нему (или под заданным углом к нему) оптически экви-
валентны. Таким образом, вращение материала вокруг этой оси не изменяет
направления распространения света. Это определенное направление называ-
ется оптической осью материала.
Когда произвольный луч света попадает на поверхность двулучепрелом-
ляющего материала, свет с поляризацией, соответствующая обыкновенному и
необыкновенному лучам, распространяется несколько различными путями.
Неполяризованный свет состоит из равного количества энергий любых двух
ортогональных поляризаций, и даже поляри-
зованный свет (за исключением особых слу-
чаев) будет иметь некую энергию в каждой
из этих поляризаций. Согласно закону пре-
ломления Снеллиуса, угол преломления будет регулироваться эффективным
коэффициентом преломления, который различается между этими двумя поля-
ризациями.
Это ясно видно, например, в призме Волластона, которая предназначена для
разделения входящего света на две линейные поляризации с использованием
двулучепреломляющего материала (например, кальцита).
В оптике показатель преломления (иначе - коэффициент преломления,
индекс преломления) n оптической среды является безразмерной величиной,
которая описывает прохождение света или любого другого излучения через
эту среду.
Определяется как n=c/v, где с- это скорость света в вакууме, а v – скорость
света в среде.
Например, показатель преломления воды 1.33 означает, что свет распростра-
няется в вакууме в 1.33 раза быстрее, чем в воде.
От показателя преломления зависит, как изменится направление луча света
при прохождении границы двух сред.
Исторически сложилось, что первым определением понятия "показатель пре-
ломления" было значение, полученное из закона Снеллиуса, представленного
в виде n1 sinθ1=n2 sinθ2 , где θ1 и θ2 - углы падения и преломления света про-
ходящего между двумя средами с показателями преломления и соответ-
ственно.
Показатели преломления двух сред также определяют, какая доля света отра-
жается от границы двух прозрачных сред. Также, показателями преломления
определяется критический угол для полного внутреннего отражения и угла
Брюстера.
Показатель преломления показывает, во сколько раз скорость света и
длина волны в среде отличаются от скорости света в вакууме: скорость света
в среде v=c/n. а длина волны в такой среде λ = λ0 /n , где λ0 - длина волны света
в вакууме. Это подразумевает, что у вакуума показатель преломления равен 1,
и что частота (f=v/λ) волны не зависит от показателя преломления.
Показатель преломления различен для разных длин волны света. Это свойство
называют дисперсией. Дисперсия вызывает разложение белого света на со-
ставляющие, что объясняет разложение света призмой, внешний вид радуги и
хроматическую аберрацию в линзах. Распространение света в абсорбирующих
материалах может быть описано с использованием комплексного показателя
преломления. Мнимая часть тогда становится отрицательной, в то время как
реальная часть будет приниматься за то, что мы обычно считаем показателем
преломления.
Понятие "показатель преломления" широко используется для описания про-
хождения электромагнитных волн через среду во всем электромагнитном
спектре от рентгена до радиоволн.
Показатель преломления n оптической среды определяется как отноше-
ние скорости света в вакууме, c = 299792458 м/с, и фазовой скорости vphase
света в прозрачной среде. n=c/vphase
Фазовая скорость- скорость, с которой движутся гребни и фаза волны. Она мо-
жет отличаться от групповой скорости света, т.е. скорости, с которой переме-
щается импульс света или фронт волны.
Данное выше определение ча-
сто называют абсолютным по-
казателем преломления. Его
используют для того, чтобы
отличить его от тех случаев,
где за скорость света принима-
ется величина, отличная от
скорости света в вакууме. Ис-
торически сложилось так, что
коэффициент преломления воздуха с нормальным атмосферным давлением и
температурой принимают за единицу в элементарных расчетах.
3. Геометрическая оптика
Геометрическая оптика (иначе - лучевая оптика) — раздел оптики, рас-
сматривающий законы распространения света в прозрачных средах, отраже-
ния света и принципы построения изображений исходя из представления о све-
товых лучах.
Законы геометрической оптики является частным предельным случаем более
общих законов волновой оптики, в предельном случае стремления к нулю
длины волны света.
Геометрическая оптика или лучевая оптика, описывает распространение
света. Основным понятием геометрической оптики является световой луч. Луч
в геометрической оптике является абстракцией или может быть использован
как «инструмент», который показывает примерную модель распространения
света. Световые лучи распространяются по прямолинейной траектории при
прохождении через однородную среду. Пучки света разделяются на две части
на поверхности раздела между двумя разными средами, могут изгибаться в
среде, где показатель преломления меняется, могут быть поглощенными или
отраженной.
Геометрическая оптика устанавливает правила для распространения этих лу-
чей через оптическую систему, которые могут зависеть от цвета (длины
волны) луча. Это существенное упрощение оптики, не учитывающее оптиче-
ских эффектов, таких как дифракция и интерференция. Это отличное прибли-
жение, когда длина волны очень мала по сравнению с размером структур, с
которым взаимодействует свет. Геометрическая оптика может быть использо-
вана для описания геометрических аспектов визуализации, в том числе опти-
ческих аберраций.
Световой луч – прямая линия или кривая, которые перпендикулярны волно-
вым фронтам света (и поэтому коллинеарны с волновым вектором. Более стро-
гое определение светового луча следует из принципа Ферма, в котором гово-
рится о том, что путь света между двумя точками с соответствует траектории,
для прохождения которой свету требуется наименьшее время.
4. Рефракция
Рефракцией света называется искривление световых лучей вследствие
преломления в оптически неоднородной среде с непрерывно изменяющимся
от точки к точке показателем преломления.
С данным явлением мы сталкиваемся постоянно, например, когда опускаем
трубочку в стакан с водой, то кажется, как будто она поменяет свой наклон и
изменился её диаметр.
Преломление света с физичеcкой точки зрения можно объяснить следующим
образом: рассмотрим падение плоской волны на границу, разделяющую две
прозрачные однородные диэлектрические среды с показателями преломления
n1 и n2 . Будем считать, что граница представляет собой плоскость (так как в
пределах бесконечно малой области любую поверхность можно считать плос-
кой). Будем также считать, что сама граница раздела свет не поглощает.
После прохождения границы раздела двух сред падающая плоская волна (луч
S) разделяется на две волны: проходящую во вторую среду (луч S”) и отражен-
ную (луч S’).
Если рассматривать преломление света в призме, то поворот света в ней
представляют как два последовательных преломления на плоских гранях
призмы при входе света в неё и при его выходе.
В призме с основанием АВ и преломляющим
ребром С угол α между гранями АС и ВС
называется преломляющим углом призмы.
Луч света, падающий на призму в плоскости,
перпендикулярной к ее ребрам А, В и С, по-
сле преломления отклоняется к основанию
АВ призмы на угол φ= i1 + r2 —α, где i1 —
угол падения луча на грань АС и r2— угол
преломления на грани ВС. Если r2= i1 , то
угол отклонения минимален (φ = φмин).
Такое расположение призмы относительно источника света называется уста-
новкой под углом наименьшего отклонения; при этом
Место для уравнения.
где n— показатель преломления материала призмы по отношению к окружа-

ющей среде.
5. Линзы
Линзой называется прозрачное тело, ограниченное двумя криволиней-
ными или криволинейной и плоской поверхностями.
В большинстве случаев применяются линзы, поверх-
ности которых имеют сферическую форму. Линза
называется тонкой, если ее толщина d мала по сравне-
нию с радиусами кривизны ее поверхностей R1 и R2 .
В противном случае линза называется толстой. Глав-
ной оптической осью линзы называют прямую, про-
ходящую через центры кривизны ее поверхностей.
В тонкой линзе точки пересечения главной оптической оси с обеими поверх-
ностями линзы сливаются в одну точку О, называемую оптическим центром
линзы. Тонкая линза имеет одну главную плоскость, общую для обеих поверх-
ностей линзы и проходящую через оптический центр линзы перпендикулярно
к ее главной оптической оси. Все прямые, проходящие через оптический центр
линзы и не совпадающие с ее главной оптической осью, называют побочными
оптическими осями линзы. Лучи, идущие вдоль оптических осей линзы (глав-
ной и побочных), не испытывают преломления.
Формула тонкой линзы: где п21 = п2 /п1 , п2 и n1 — абсолютные пока-
затели преломлениядля материала линзы и окружающей среды, R1 и R2 — ра-
диусы кривизны передней и задней (относительно предмета) поверхностей
линзы, а1 и а2 — расстояния до предмета и его изображения, отсчитываемые
от оптического центра линзы вдоль ее главной оптической оси.
Величину F называют фокусным расстоянием линзы. Точки, лежащие на глав-
ной оптической оси линзы по обе стороны от оптического центра па одинако-
вых расстояниях, равных f, называют главными фокусами линии. Плоскости,
проходящие через главные фокусы F1 и F2 линзы перпендикулярно к ее глав-
ной оптической оси, называют фокальными плоскостями линзы. Точки пере-
сечения побочных оптических осей с фокальными плоскостями линзы назы-
вают побочными фокусами линзы.
Линзу называют собирающей (положительной), если ее фокусное расстояние
f > 0. Линзу называют рассеивающей (отрицательной), если ее фокусное рас-
стояние f < 0.
Для n2 > n1 собирающими линзами являются двояковыпуклые, плосковыпук-
лые и вогнуто-выпуклые (положительные менисковые линзы), утоньшающи-
еся от центра к краям; рассеивающими являются двояковогнутые, плоско-во-
гнутые и выпукло-вогнутые линзы (отрицательные мениски), утолщающиеся
от центра к краям. Для п2 n1 .
Основные явления и закономерности, наблюдающиеся при падении све-
тового луча на дисперсную систему:
1. Прохождение света через систему (для прозрачных систем молекуляр-
ной степени дисперсности: газы, жидкости, растворы)
2. Преломление света частицами дисперсной фазы (мутность: суспензии
и эмульсии)
3. Отражение света частицами дисперсной фазы (мутность: суспензиии
эмульсии)
4. Рассеяние света (опалесценция)
5. Абсорбция (поглощение) света дисперсной фазой с превращением
световой энергии в тепловую.
Когда луч света направлен на золь сбоку,
то его путь обнаруживается на темном
фоне в виде светящегося конуса –– ко-
нуса Тиндаля.
Эффект Тиндаля.
ПРИМЕНЕНИЕ В МСТ
Наиболее распространенные области применения микрооптических систем:
• Оптическое сканирование
− Медицина (минимально инвазивная хирургия)
− Космические исследования
• Оптическое выравнивание
• Волоконно-оптические датчики
− Авионика и автоэлектроника
− Энергетика
− Химическая и нефтегазовая промышленность, металлургия
• Оптические коммуникации
− Переключение
− Оптическая фильтрация
− Спектрометрия (Разделение по длинам волн)
− Адаптивная оптика
Типы оптических МЭМС и компонентов МСТ
• Отражающие
− Микрозеркала
• Преломляющие
− Микролинзы
− Микропризмы
• Дифракционные
− Микрорешетки
− Микролинзы (Френелевские)
• Волноводы
• Интерференционные
− Фильтры
− Перестраиваемые вертикально-излучающие лазеры
− Микроспектрометры
• Неохлаждаемые инфракрасные детекторы
• Фотонные кристаллы
• Микродисплеи
1. Микрозеркала
Микрозеркала представляют собой микроразмерные зеркала, которые произ-
водятся на кристалле и активируются электростатическими, тепловыми, маг-
нитными (электромагнитными) средствами и предназначены для направления
и/или сканирования светового луча. Их применения – дисплеи, сканеры, опти-
ческие переключатели и другие оптоэлектронные компоненты.
Необходимые характеристики для микрозеркал:
• Хорошее отражение
• Качественная поверхность
• Хорошая жесткость
• Малая масса
Плоские зеркала с наружным или внутренним отражающим покрытием, нане-
сенным соответственно на переднюю или заднюю поверхность плоскопарал-
лельной стеклянной пластинки, — подложки, применяются в оптических си-
стемах для изменения направления или смещения оптической оси, разделения
пучка лучей, для оборачивания изображения. Плоское зеркало образует мни-
мое изображение предмета. Отражение лучей от зеркальных поверхностей
подчиняется закону отражения, согласно которому угол падения равен углу
отражения (-ԑ = ԑ’), а точки предмета и изображения находятся на нормали к
плоскости зеркала на равных расстояниях -s = s’ по обе стороны от него.
Сферические зеркальные поверхности находят применение в оптических си-

стемах различного назначения (в осветительных и проекционных системах, в
объективах фотоэлектрических следящих устройств и т.п.). Сферические зер-
кала, действие которых эквивалентно действию линз, позволяют получить бо-
лее компактные системы по сравнению с линзовыми системами. Применение
зеркальных поверхностей в ряде случаев более предпочтительно, чем приме-
нение преломляющих поверхностей вследствие отсутствия хроматических
аберраций. В качестве отражающих покрытий, наносимых на поверхности зер-
кал, работающих в видимом и ближнем ИК диапазонах, применяются серебро,
алюминий, хром и родий. Для устройств, используемых в дальней ИК области
спектра, лучше всего подходит золото. При выборе соответствующих покры-
тий можно реализовать практически любой коэффициент отражения: от 0 до
1.
Существует другой тип отражающих устройств, в которых не требуется нане-
сения отражательных слоев. Такими отражателями являются призмы, исполь-
зующие эффект полного внутреннего отражения. В таких устройствах угол
полного отражения является функцией коэффициента преломления. Отража-
тели данного типа наиболее эффективны в видимом и ближнем ИК диапазонах
спектра, поскольку их коэффициент отражения здесь близок к единице. На
принципе полного внутреннего отражения построены оптические волоконные
линии
В таких устройствах угол полного
отражения является функцией коэф-
фициента преломления.
Cпектральная отражающая способ-
ность зеркал с различными покры-
тиями.
Все линзы делят на три группы:

− положительные (собирательные) линзы, имеющие положительные зад-
ние фокусные расстояния
− отрицательные (рассеивающие) линзы имеющие отрицательные задние
фокусные расстояния
− телескопические (афокальные) линзы, оптическая сила которых равна
нулю
Линзы Френеля — это оптические элементы, имеющие ступенчатую поверх-
ность. Они широко используются в датчиках, где не требуется высокого каче-
ства фокусировки, в световых конденсорах, увеличителях и устройствах фо-
кусировки детекторов присутствия. Линзы Френеля изготавливаются из
стекла, полиметилметакрилата (оргстекло, для видимого и ближнего ИК диа-
пазона) и полиэтилена (для дальнего ИК диапазона). В настоящее время ши-
роко применяются линзы Френеля двух типов: с постоянным шагом и с посто-

янной глубиной. Чтобы не ухудшать фокусирующие свойства линзы, все сту-
пени должны располагаться как можно ближе друг к другу.
2. Оптическое волокно
Оптическое волокно — стеклянный пруток обычно круглого поперечного се-
чения диаметром от 5—6 мкм до 0,3 мм с полированными боковой поверхно-
стью и торцами, предназначенный для передачи излучений оптического диа-
пазона на основе явления полного внутреннего отражения от боковой поверх-
ности.
8. Что такое пьезоэффект? В каких устройствах МСТ применяется?

1. Пьезоэффект
Пьезоэлектрический эффект —
эффект возникновения поляризации ди-
электрика под действием механических
напряжений (прямой пьезоэлектриче-
ский эффект). Существует и обратный
пьезоэлектрический эффект — возник-
новение механических деформаций под
действием электрического поля.
При прямом пьезоэффекте дефор-
мация пьезоэлектрического образца при-
водит к возникновению электрического напряжения между поверхностями де-
формируемого твердого тела, при обратном пьезоэффекте приложение напря-
жения к телу вызывает его деформацию.
Пьезоэлектрические вещества всегда обладают одновременно и пря-
мым, и обратным пьезоэффектом. Не обязательно, чтобы вещество было мо-
нокристаллом, эффект наблюдается и в поликристаллических веществах,
предварительно поляризованных сильным электрическим полем во время кри-
сталлизации, или при фазовом переходе в точке температуры Кюри при охла-
ждении для сегнетоэлектриков (например, керамические пьезоэлектрические
материалы на основе цирконата-титаната свинца) при наложенном внешнем
электрическом поле.
Полная энергия, сообщенная пьезоэлементу внешней механической силой,
равна сумме энергии упругой деформации и энергии заряда ёмкости пьезоэле-
мента. Вследствие обратимости пьезоэффекта возникает пьезоэлектрическая
реакция: возникшее вследствие прямого пьезоэффекта электрическое напря-
жение создаёт (в результате обратного пьезоэффекта) механические напряже-
ния и деформации, противодействующие внешним силам. Это проявляется в
увеличении жесткости пьезоэлемента. Если электрическое напряжение, возни-
кающее вследствие пьезоэффекта, исключить, например, закоротив электроды
пьезоэлемента, то обратного пьезоэлектрического действия наблюдаться не
будет и произойдёт уменьшение жесткости пьезоэлемента.
Проводники не обладают пьезоэлектрическим коэффициентом, потому что
при применении механических напряжений( для прямого) и электрических (
для обратного) заряд будет компенсироваться проводящей средой.
2. Применение в МСТ
Пьезоактюаторы – пьезомеханическое устройство, предназначенное для при-
ведения в действие механизмов, систем или управления ими на основе пьезо-
электрического эффекта. Пьезоактюаторы преобразовывают электрические
сигналы (напряжения или заряда) в механическое перемещение или силу. Диа-
пазон рабочих частот пьезоактюаторов варьируется от статического состояния
до половины резонансной частоты механической системы. Могут быть пьезо-
кристаллическими (на базе монокристаллов) либо пьезокерамическими (на
базе пьезокерамики). Вторые более широко распространены.
9. Что такое пироэлектрический эффект? В каких устройствах МСТ при-
меняется?
Пироэлектрики – это материалы с кристаллической структурой, в кото-
рых при воздействии на них тепловым потоком появляются электрические за-
ряды. Типичный пироэлектрик – турмалин. В нём при изменении температуры
на один градус возникает электрическое поле. Пироэлектрики используются в
качестве приёмников и индикаторов излучений.
Пироэлектричество — явление возникновения электрического поля в
кристаллах при изменении их температуры, например: при нагревании, тре-
нии, облучении или даже примитивном натирании.
10. Что такое эффект Птелье? В каких устройствах МСТ применяется?
11. Что такое эффект Зеебека? В каких устройствах МСТ применяется?

Эффект Зеебека — явление возникновения ЭДС на концах последовательно
соединённых разнородных проводников, контакты между которыми нахо-
дятся при различных температурах.
Эффект Зеебека также иногда называют просто термоэлектрическим эффек-
том. Эффект, обратный эффекту Зеебека, называется эффектом Пельтье.
12. Что такое эффект Холла? В каких устройствах МСТ применяется?
1. Эффект Холла
Эффект Холла — явление возникновения поперечной разности потенциа-
лов (называемой также холловским напряжением) при помещении провод-
ника с постоянным током в магнитное поле.
2. Применение в МСТ
13. Что такое эффект магнитосопротивления? В каких устройствах МСТ
применяется?
Эффект увеличения магнитосопротивления за счет геометрии резистора может быть достигнут также в
полупроводниковой пластине, длина L которой значительно меньше ее ширины W. при воздействии на
пластину магнитного поля, направление которого перпендикулярно плоскости пластины, Холл ослабляется
за счет шунтирующего эффекта токовых электродов. Геометрически эффект магнитосопротивления в этом
случае проявляется тем сильнее, чем меньше отношение L / W. для дальнейшего увеличения эффекта
соединяют резисторы с малым отношением L / W.
Основой материала магниторезистора как правило является антимонид Индия, обладающий высокой
подвижностью носителей, к которому добавляется 1,8% NiSb. После плавления и последующего
охлаждения кристаллизуется антимонид никеля в антимонид индия в виде игл толщиной 1 мм и длиной
примерно 50 мкм, расположенных параллельно друг другу и перпендикулярно направлению тока.
Проводимость иглы NiSb составляет около 10∧4 Ом-1⋅см-1, а InSb на два порядка меньше.
Таким образом, иглы играют роль хороших проводящих электродов, разделяющих основную массу
полупроводника на отдельные участки с малым отношением L/W. Это приводит к резкому подавлению поля
Холла, а следовательно, к искривлению траекторий электронов под действием магнитного поля, т. е. к
увеличению эффекта магнитосопротивления.
Другой способ реализации этого принципа на основе микроэлектронной технологии. Его суть
заключается в формировании магниторезисторов на основе кремниевой эпитаксиальной пленки,
содержащей низкоомные шунтирующие участки поликристаллического кремния (ПК),
расположенные перпендикулярно направлению тока.
Технология изготовления такого магниторезистивного материала основана на одновременное
выращивание моно - и поликристаллических пленок кремния (ПК). Посредством процессов
окисления и фотолитографии образуются локальные области SiO2, в которых в процессе
выращивания эпитаксиальной пленки растут пленки ПК.
Для замыкания ЭДС Холла создают легирование областей ПК атомами фосфора до концентрации
10∧21 см-3, причем, учитывая более высокую скорость диффузии атомов легирующего вещества в ПК
по сравнению с монокристаллическим кремнием, легирование проводят одновременно с процессом
создания пленки в монокристаллических n+ - областях под омическими контактами.
14. Эффект фарадея. В каких устройствах МСТ.
Эффект фарадея – заключается во вращении плоскости поляризации

линейно-поляризованного излучения при его распространении через
оптически неактивное вещество, находящееся в магнитном поле,
параллельном направлению распространения излучения
Работа оптического датчика тока

Работа оптического датчика тока основана
на эффекте Фарадея, заключающемся в изменении поляризации светового потока под
воздействием магнитного поля. Конкретная
реализация датчиков, использующих этот
эффект, может отличаться и патентуется
15. Эффект томсона и применение в МСТ
Эффект Томсона заключается в следующем. Если вдоль полупроводника, по

которому протекает электрический ток, существует градиент температуры, то
кроме джоулева тепла выделяется или поглощается тепло QT,
пропорциональное силе тока и градиенту температуры. Когда направление
тока совпадает с направлением градиента температуры, то при дрейфе
носителей от более горячего конца к более холодному их избыточная
энергия передается кристаллической решетке полупроводника. Это
приводит к повышению температуры более холодной части полупроводника.
При другом направлении протекания тока носители пополняют недостаток
своей кинетической энергии за счет энергии кристаллической решетки в
более горячей области полупроводника. Это приводит к поглощению тепла и
понижению температуры горячей области [16]. Количество выделяемого
(поглощаемого) тепла определяется следующим выражением
16. Эффект магнитострикции и в каких мст применяется
Магнитостри́кция — явление, заключающееся в том, что при изменении состояния
намагниченности тела его объём и линейные размеры изменяются
В сенсорах линейного перемещения/положения производства компании «MTS-
Sensors» используется физический феномен магнитострикции. Сердцем датчика
является ферромагнитный измерительный элемент — волновод. Подвижный
позиционирующий постоянный магнит наводит в волноводе магнитное поле.
Движущийся в волноводе токовый импульс вызывает возникновение второго
магнитного поля, радиального к волноводу, направления. Момент «встречи»
(пересечения) магнитных полей способствует возникновению торсионного
импульса. Этот импульс в виде звуковой волны (т.е. механического колебания)
движется с константной, ультразвуковой скоростью от точки измерения (т.е. от
места нахождения магнита) к краю измерительного элемента (шнура), где
расположена сенсорная приемная головка. Сигнал принятый головкой поступает
на электронику, которая преобразует результат измерения времени в
пропорциональный пути/расстоянию выходной сигнал.
17. Эффект сверхпроводимости и применение в мст
Сверхпроводи́мость — свойство некоторых материалов обладать строго нулевым

электрическим сопротивлением при достижении ими температуры ниже
определённого значения.
Существуют детекторы фотонов на сверхпроводниках. В одних используется

наличие критического тока, используют также эффект
Джозефсона, андреевское отражение и т. д. Так, существуют
сверхпроводниковые однофотонные детекторы (SSPD)[25] для регистрации
единичных фотонов ИК-диапазона, имеющие ряд преимуществ перед
детекторами аналогичного диапазона (ФЭУ и др.), использующими другие
способы регистрации.
18.Тензорезисторный эффект и где применяется в мст.
Тензорезисти́вный эффе́кт, тензоэффе́кт — свойство твёрдых материалов изменять при

деформации своё электрическое сопротивление. При этом считается, что сопротивление
проводника или полупроводника зависит (при неизменном объеме) от его длины. На этом
эффекте основан принцип действия тензорезистора.
Тензорезистивные датчики работают на основе чувствительных элементов, принципом

которых является измерение деформации тензорезисторов, сформированных в
эпитаксиальной пленке кремния на подложке из сапфира (КНС), припаянной твердым
припоем к титановой мембране. Иногда вместо кремниевых тензорезисторов используют
металлические: медные, никелевые,железные и др. Принцип действия
тензопреобразователей основан на явлении тензоэффекта в материалах. Чувствительным
элементом служит мембрана с тензорезисторами, соединенными в мостовую схему. Под
действием давления измеряемой среды мембрана прогибается, тензорезисторы меняют
свое сопротивление, что приводит к разбалансу моста Уитстона. Разбаланс линейно
зависит от степени деформациирезисторов и, следовательно, от приложенного давления.
Следует отметить принципиальное ограничение КНС преобразователя - неустранимую
временную нестабильность градуировочной характеристики и существенные
гистерезисные эффекты от давления и температуры. Это обусловлено неоднородностью
конструкции и жесткой связью мембраны с конструктивными элементами датчика.
Поэтому, выбирая преобразователь на основе КНС, необходимо обратить внимание на
величину основной погрешности с учетом гистерезиса и величину дополнительной
погрешности.
19.Что такое термоэлектронная эмиссия? В каких устройствах МСТ
применяется?
Термоэлектронной эмиссией называется явление выхода (эмиссии)
электронов из нагретых тел. Этот вид эмиссии был открыт в 1883 году Т.А.
Эдисоном. Для выхода электрона из металла во внешнее пространство ему
необходимо придать некоторую энергию, называемую работой выхода электрона —
преодолеть потенциальный барьер.
Концентрация свободных электронов в металлах достаточно высока,
поэтому даже при средних температурах вследствие распределения электронов по
скоростям (по энергии) некоторые электроны обладают энергией, достаточной для
преодоления потенциального барьера на границе металла. При комнатной
температуре доля таких электронов очень мала и ток термоэлектронной эмиссии не
наблюдается. С повышением температуры кинетическая энергия теплового
движения быстро растёт, и явление термоэлектронной эмиссии становится
заметным.
Исследование закономерностей термоэлектронной эмиссии можно
наблюдать с помощью простейшей двухэлектродной лампы — вакуумного диода,
представляющего собой баллон, из которого откачан газ, с размещёнными внутри
него двумя электродами: катодом и анодом. В простейшем случае катодом может
служить проволока из тугоплавкого металла (например, вольфрама), накаливаемая
электрическим током. Анод чаще всего выполняют в виде полого металлического
цилиндра, окружающего катод. Если между анодом и катодом приложить
напряжение, то при горячем катоде и подаче на анод положительного относительно
катода напряжения через промежуток между анодом и катодом начинает протекать
ток. Если на анод подавать отрицательное относительно катода напряжение, то ток
прекращается, как бы сильно катод ни нагревали. Из этого опыта следует, что
нагретый катод испускает отрицательные частицы — электроны.
Зависимость термоэлектронного тока от анодного напряжения в области
малых положительных значений описывается законом
ВАХ
Данный эффект широко используется в современных вакуумных и

газонаполненных электронных приборах, в промышленных и
исследовательских установках с применением электронных пучков.
Термоэлектронная эмиссия лежит в основе работы термокатодов, которые
применяются во многих электровакуумных и газоразрядных приборах и
промышленных установках, например электродуговые плавильные печи.В
космической технике нашли применение эффективные (к. п. д. более 20 %)
термоэмиссионные преобразователи (ТЭП) тепловой энергии в электрическую.
Первоначально для изготовления эмиттеров-катодов использовали чистые
металлы, имеющие высокую температуру плавления (главным образом
вольфрам). В настоящее время вольфрамовые катоды применяются лишь в
некоторых электронных приборах. На смену вольфрамовым катодам пришли
более эффективные пленочные и полупроводниковые катоды.
20.Классификация компонентов микросистемной техники по принципу действия.
Компонент микросистемы - часть микросистемы или функционального устройства,

реализующая определенную функцию в составе функционального устройства или
микросистемы, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения
требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации
Существуют следующие виды компонентов микросистем [3-6]:
– микропривод: компонент микросистемы, используемый для приведения микрообъектов
в состояние гармонических колебаний или вращений под воздействием управляющего
сигнала;
– микротрансмиссия: компонент микросистемы, используемый для передачи вращения от
микродвигателя к потребителям энергии;
– микроредуктор: компонент микросистемы, использующий зубчатую или червячную
передачу для управляемого изменения угловой скорости и момента вращения
микрообъекта;
– микропоршень: компонент микросистемы, который плотно перекрывает поперечное
сечение микрообъекта и перемещается в направлении его оси при подаче управляющего
сигнала или активирующей энергии;
– микромембрана: компонент микросистемы в виде тонкой пленки или пластины,
закрепленный по контуру и работающий на прогиб или вибрацию под воздействием
управляющего сигнала;
– зубчатая микропередача: компонент микросистемы, предназначенный для передачи
вращательного движения, изменения частоты, направления и характера вращения под
воздействием управляющего сигнала;
– зубчатое микроколесо: компонент микросистемы, имеющий форму зубчатого колеса и
предназначенный для передачи линейного движения, изменения скорости, направления и
характера движения под воздействием управляющего сигнала;
– микропереключатель: часть конструкции микросистемы, выполняющая функцию
управляемого физического замыкания или размыкания контактов;
– управляемый микрофильтр: компонент микросистемы, обеспечивающий управляемое
распространение механических воздействий или электромагнитных волн оптического
диапазона;
– угловой кубический микроотражатель: компонент микросистемы, осуществляющий под
воздействием управляющего сигнала модулирование интенсивности отраженного
электромагнитного излучения оптического диапазона;
– микронасос: компонент микросистемы, выполняющий функцию управляемого
напорного перемещения микрообъемов жидкости, пара
ЕСЛИ ИМЕЛИСЬ В ВИДУ ДАТЧИКИ
Классификация компонентов микросистемной техники по физическим эффектам.

-Компоненты МСТ на электростатических эффектах
-Компоненты МСТ на магнитных эффектах
-Компоненты МСТ на тепловых эффектах
Компоненты МСТ на упругих эффектах
-Компоненты МСТ на резистивных эффектах
-Компоненты МСТ на оптических эффектах
22.Типы чувствительных элементов. Их описание.
Чувствительные элементы:
- пьезорезистивные
- емкостные
-пьезоэлектрические
- резонансные
- на ПАВ
- тензорезисторные
Для пьезорезистивных сенсоров используют резисторы, сопротивление которых

пропорционально внешнему давлению. В этом случае изменением удельного
сопротивления пренебрегают, поскольку изменения геометрических размеров будет
пропорционально приложенному давлению. В таких сенсорах фольга из
полупроводникового полимера накладывается на электроды встречно-штыревого
преобразователя (рис. 4.2). Если на электроды подано напряжение при отсутствии
давления, сопротивление преобразователя составляет порядка мега Ом. Под действием
внешней силы по полимерной фольге течет ток, то есть возникает параллельная цепь, что
приводит к уменьшению сопротивления всего датчика. В этом случае сопротивление
чувствительного элемента является обратно пропорциональным приложенному давлению.
Параметры пьезорезистивных преобразователей зависят от температуры и давления. Чем
выше температура, тем выше чувствительность датчиков. Любое остаточное напряжение,
возникающее в датчике в процессе его изготовления, также оказывает влияние на его
чувствительность. Пьезорезистивный сенсор первого типа при высоких давлениях, когда
деформация его мембраны превышает 10% ее толщины, становится нелинейным.
23.Чувствительные элементы на ПАВ. (часть вопроса 22)
Принцип работы ПАВ-датчиков основан на двух физических явлениях, открытых

независимо, но почти одновременно, в 80-х годах XIX века: поверхностных акустических
волнах (ПАВ) и пьезоэлектричестве. Поверхностные акустические волны − это упругие
волны, распространяющиеся вдоль свободной поверхности твердого тела или вдоль
границы твердого тела с другими средами и затухающие при удалении от границ. ПАВ
бывают двух типов: с вертикальной поляризацией, у которых вектор колебательного
смещения частиц среды в волне расположен в плоскости, перпендикулярной к граничной
поверхности (вертикальная плоскость), и с горизонтальной поляризацией, у которых
вектор смещения параллелен граничной поверхности и перпендикулярен направлению
распространения волны.
Скорость распространения ПАВ примерно на пять порядков меньше, чем у
электромагнитных волн – характерная скорость ПАВ составляет около 3000 м/с. При этом
частота ПАВ находится в радиочастотном диапазоне электромагнитных волн – обычно от
30 МГц до 3 ГГц. Соответственно, длина ПАВ может составлять от одного до нескольких
десятков микрон. Амплитуда ПАВ лежит в нанометровом диапазоне. Энергия ПАВ
уменьшается экспоненциально с увеличением глубины – большая ее часть сосредоточена
в приповерхностном слое толщиной примерно в одну длину волны. Если средой
распространения ПАВ является пьезоэлектрический материал, то ПАВ могут возбуждать
электромагнитные волны, и, наоборот, для генерации ПАВ могут использоваться
электромагнитные колебания.
Анизотропная природа пьезоэлектрических кристаллов позволяет, меняя углы среза,
получать уникальные характеристики чувствительных элементов, реализованных на их
основе. Например, в акселерометрах на ПАВ применяются кварцевые кристаллы,
обладающие практически нулевым температурным коэффициентом, что обеспечивает
незначительный уход частоты при изменении температуры. Меняя ориентацию срезов
кристалла, можно реализовывать разные виды ПАВ. При этом для каждого конкретного
случая применения возможно подобрать оптимальную волну, и с учетом этого уже
разрабатывать сенсор. Другими преимуществами пьезоэлектрических материалов
являются их низкие внутренние потери, равномерная плотность и упругость, а также
хорошие механические свойства. При разработке акустических сенсоров важным является
выбор устройства для преобразования ПАВ, в которых заключена информация об
изменениях измеряемых физических параметров в выходной электрический сигнал.
Любое малое возмущение, появляющееся в акустических волнах, должно вызывать
значительный отклик в преобразованном выходном электромагнитном сигнале.
Возможность реализации этого заключена в огромной разности скоростей
распространения акустической и электромагнитной волн.
24.Колебания. Резонанс. Звуковые волны

Колеба́ния — повторяющийся в той или иной степени во времени процесс изменения
состояний системы около точки равновесия.
Резона́нс - частотно-избирательный отклик колебательной системы на периодическое
внешнее воздействие, который проявляется в резком увеличении амплитуды
стационарных колебаний при совпадении частоты внешнего воздействия с
определёнными значениями, характерными для данной системы.
Под действием резонанса колебательная система оказывается особенно отзывчивой на
действие внешней силы. Степень отзывчивости в теории колебаний описывается
величиной, называемой добротностью. При помощи резонанса можно выделить и/или
усилить даже весьма слабые периодические колебания.
Классификация по характеру взаимодействия с окружающей средой

• Вынужденные — колебания, протекающие в системе под влиянием внешнего
периодического воздействия. Примеры: листья на деревьях, поднятие и опускание
руки. При вынужденных колебаниях может возникнуть явление резонанса: резкое
возрастание амплитуды колебаний при совпадении собственной
частоты осциллятора и частоты внешнего воздействия.
• Свободные (или собственные) — это колебания в системе под действием
внутренних сил после того, как система выведена из состояния равновесия (в
реальных условиях свободные колебания всегда затухающие). Простейшими
примерами свободных колебаний являются колебания груза, прикреплённого к
пружине, или груза, подвешенного на нити.
• Автоколебания — колебания, при которых система имеет запас потенциальной
энергии, расходующейся на совершение колебаний (пример такой
системы — механические часы). Характерным отличием автоколебаний от
вынужденных колебаний является то, что их амплитуда определяется свойствами
самой системы, а не начальными условиями.
• Параметрические — колебания, возникающие при изменении какого-либо
параметра колебательной системы в результате внешнего воздействия.
Параметры колебаний
Амплитуда — максимальное отклонение колеблющейся величины от положения
равновесия,
Период — время полного колебания, через который повторяются какие-либо

показатели состояния системы (система совершает одно полное колебание),
Частота — число колебаний в единицу времени,
Смещение — отклонение от положения равновесия
Фаза колебаний — определяет смещение в любой момент времени, то есть

определяет состояние колебательной системы.
Звуковыми (акустическими) волнами называют упругие волны,

распространяющиеся в среде, имеющие частоты в
диапазоне 16≤ν≤20 000 16≤ν≤20 000 Гц.
Волны звука в газах и жидкостях могут быть только продольными, потому что эти
вещества имеют упругость только по отношению к сжатию (растяжению). В твердых
телах волны звука могут быть и продольными и поперечными, так как твердые тела
могут быть упругими по отношению к деформациям сжатия (растяжения) и сдвига.
Интенсивностью звука (силой звука) (I I) называют величину, которую определяют средней по

времени энергией (⟨E⟩⟨E⟩), переносимой волной звука за единицу времени, через единичную
площадку, нормальную к направлению распространению волны
ФМР.
Ферромагнитный резонанс, одна из разновидностей электронного
магнитного резонанса; проявляется в избирательном
поглощении ферромагнетиком энергии электромагнитного поля при
частотах, совпадающих с собственными частотами w 0 прецессии магнитных
моментов электронной системы ферромагнитного образца во внутреннем
эффективном магнитном поле Н эф. Ф. р. в более узком смысле – возбуждение
колебаний типа однородной (во всём объёме образца) прецессии вектора
намагниченности J (спиновых волн с волновым вектором k = 0), вызываемое
магнитным СВЧ-полем H ^ , перпендикулярным постоянному
намагничивающему полю H 0 . Однородный Ф. р., как и электронный
парамагнитный резонанс (ЭПР), может быть обнаружен методами
магнитной радиоспектроскопии. Поскольку магнитная СВЧ-
восприимчивость (а следовательно, и поглощение) пропорциональна
статической магнитной восприимчивости c 0 = J s /H 0 , где J s –
намагниченность насыщения ферромагнетика, то при Ф. р. поглощение на
несколько порядков больше, чем при ЭПР. Благодаря спонтанной
намагниченности ферромагнетика поле Н эф может существенно отличаться
от внешнего поля H0 (из-за магнитной анизотропии и размагничивающих
эффектов поверхности образца; см. Размагничивающий
фактор), обычно Н эф (0 даже при H 0 = 0 («естественный» Ф. р.). Основные
характеристики Ф. р. – резонансные частоты, релаксация, форма и ширина
линий поглощения, нелинейные эффекты – определяются коллективной
многоэлектронной природой ферромагнетизма. Квантовомеханическая
теория Ф. р. приводит к тому же выражению для частоты Ф. р. w 0 , как и
классическому рассмотрение w 0 = gН эф , где g = gmБ / –
магнитомеханическое отношение, g – фактор спектроскопического
расщепления (Ланде множитель), mБ – магнетон Бора, = h/2p – Планка
постоянная. Через Н эф частота w 0 зависит от формы образца, от
ориентации H 0 относительно осей симметрии кристалла и от температуры.
Наличие доменной структуры в ферромагнетике усложняет Ф. р., приводя к
возможности появления нескольких резонансных пиков.
Обычно имеют дело с неоднородным Ф. р. – возбуждением магнитным

СВЧ-полем неоднородных типов коллективных колебаний J s (спиновых волн
с k ¹ 0), специфичных именно для ферромагнетиков. Существование
нескольких типов резонансных колебаний, ветвей Ф. р. (спиновых волн
с k ¹ 0), наряду с колебаниями типа однородной прецессии (с k = 0)
совершенно меняет характер магнитной релаксации и уширения линий
поглощения при Ф. р. по сравнению с ЭПР. С квантовомеханической точки
зрения процессы релаксации описываются как рассеяние спиновых волн друг
на друге, на тепловых колебаниях (фононах) и на электронах проводимости
(в металлах). Например, при однородном Ф. р. релаксация проявляется в
уширении его линии поглощения на величину Dw 0 = , где t 0 –
время релаксации, т. е. среднее «время жизни» спиновой волны
с k = 0. Ширина линии DН для различных ферромагнетиков меняется в
пределах от 0,1 до 103 э. Основную роль в уширении линии играют
статические неоднородности: примесные атомы,
поры, дислокации, мельчайшие шероховатости на поверхности образца.
Наиболее узкая линия (с DН = 0,53 э) наблюдалась в монокристалле
соединения Y 3 Fe 5 O 12 – иттриевом феррите со структурой граната. В
металлических ферромагнетиках один из главных механизмов уширения
линий Ф. р. связан со скин-эффектом: СВЧ-поле из-за вихревых токов
становится неоднородным и поэтому возбуждает широкий спектр спиновых
волн. Существенную роль в рассеянии спиновых волн в металлических
ферромагнетиках играет также взаимодействие волн с электронами
проводимости. Ширина наиболее узкой линии Ф. р. в металлических
ферромагнетиках по порядку величины составляет 10 э.
Нелинейные эффекты Ф. р. определяются связью между однородной

прецессией магнитных моментов и неоднородными типами колебаний,
которые отсутствуют при ЭПР. Из-за указанной связи при увеличении
амплитуды напряжённости магнитного поля Н ^ до некоторой критической
величины Н ^, кр начинается быстрый (экспоненциальный) рост колебаний с
определёнными волновыми числами (т. н. нестабильное возбуждение
колебаний). Такой пороговый характер нестабильного возбуждения
обусловлен тем, что при достижении Н ^, кр , некоторые из спиновых волн
с k ¹ 0 не успевают получаемую ими (от волн с k = 0) энергию передавать
другим спиновым волнам или фононам.
Магнитоупругие взаимодействия в ферромагнетиках

(см. Магнитострикция) могут привести к параметрическому возбуждению
нестабильных колебаний кристаллической решётки (фононов) магнитным
СВЧ-полем и обратному эффекту – возбуждению спиновых волн СВЧ-полем
упругих напряжений (гиперзвуком). Изучение Ф. р. привело к созданию на
его основе многих СВЧ-устройств: вентилей и циркуляторов, генераторов,
усилителей, параметрических преобразователей частоты и ограничителей
мощности.
Закон Гука. Модуль Юнга.
7. Закон Гука и модуль Юнга.

Зако́н Гу́ка — утверждение, согласно которому, деформация, возникающая
в упругом теле (пружине, стержне, консоли, балке и т. д.), пропорциональна
приложенной к этому телу силе. Открыт в 1660 году английским
учёным Робертом Гуком[1].
Закон Гука выполняется только при малых деформациях. При
превышении предела пропорциональности связь между силой и деформацией
становится нелинейной. Для многих сред закон Гука неприменим даже при
малых деформациях.
Закон Гука.
Силы упругости растут при увеличении деформации.
Коэффициент жесткости зависит не только от материала пружины, но также

от её формы и размеров.
Из формулы следует, что график зависимости силы упругости от (малой)

деформации является прямой линией (рис. 1 ):
Рис. 1. Закон Гука
Коэффициент жёсткости — о угловой коэффициент в уравнении прямой

. Поэтому справедливо равенство: ,
где — угол наклона данной прямой к оси абсцисс. Это равенство удобно
использовать при экспериментальном нахождении величины .
Закон Гука о линейной зависимости силы упругости от величины

деформации справедлив лишь при малых деформациях тела. Когда
деформации перестают быть малыми, эта зависимость перестаёт быть
линейной и приобретает более сложный вид. Соответственно, прямая линия
на рис. 1 — это лишь небольшой начальный участок криволинейного
графика, описывающего зависимость от при всех значениях деформации
.
Модуль Юнга.
Мо́дуль Ю́нга (синонимы: модуль продольной упругости, модуль

нормальной упругости) — физическая величина, характеризующая
способность материала сопротивляться растяжению, сжатию при упругой
деформации[1]. Обозначается большой буквой Е.
Назван в честь английского физика XIX века Томаса Юнга.
В динамических задачах механики модуль Юнга рассматривается в более
общем смысле — как функционал деформируемой среды и процесса.
В Международной системе единиц (СИ) измеряется
в ньютонах на квадратный метр или в паскалях. Является одним из модулей
упругости.
Модуль Юнга рассчитывается следующим образом:
В частном случае малых деформаций стержней имеется более детальная

формула, уточняющая общий вид (1) закона Гука.
Именно, если стержень длиной и площадью поперечного

сечения растянуть или сжать на величину , то для силы упругости
справедлива формула: .
Здесь - модуль Юнга материала стержня. Этот коэффициент уже не
зависит от геометрических размеров стержня. Модули Юнга различных
веществ приведены в справочных таблицах.
Постоянные магниты. Их применение.
Что такое постоянный магнит

Ферромагнитное изделие, способное сохранять значительную остаточную
намагниченность после снятия внешнего магнитного поля, называется
постоянным магнитом.
Постоянные магниты изготавливают из различных металлов, таких как:
кобальт, железо, никель, сплавы редкоземельных металлов (для неодимовых
магнитов), а также из естественных минералов типа магнетитов.
Сфера применения постоянных магнитов сегодня очень широка, однако

назначение их принципиально везде одно и то же — как источник
постоянного магнитного поля без подвода электроэнергии. Таким
образом, магнит — это тело, обладающее своим собственным магнитным
полем.
Само же слово «магнит» происходит от греческого словосочетания, которое

переводится как «камень из Магнесии», по названию азиатского города,
где были в древности открыты залежи магнетита — магнитного
железняка. С физической точки зрения элементарным магнитом является
электрон, а магнитные свойства магнитов вообще обуславливаются
магнитными моментами электронов, входящих в состав намагниченного
материала.
Постоянный магнит является частью магнитных систем электротехнических
изделий. Работа устройств с постоянными магнитами, как правило, основана
на преобразовании энергии:
• механической в механическую (сепараторы, магнитные муфты и т. п.);
• механической в электромагнитную (электрогенераторы, громкоговорители и
т. п.);
• электромагнитной в механическую (электродвигатели, динамики,
магнитоэлектрические системы и т. п.);
• механической во внутреннюю (тормозные устройства и т. п.).
К постоянным магнитам предъявляются следующие требования:
• высокая удельная магнитная энергия;
• минимальные габариты при заданной напряженности поля;
• сохранение работоспособности в широком диапазоне рабочих температур;
• устойчивость к воздействию внешних магнитных полей; – технологичность;
• низкая стоимость исходного сырья;
• стабильность магнитных параметров во времени.
Разнообразие задач, решаемых при помощи постоянных магнитов, вызывает
необходимость создания множества форм их исполнения. Часто постоянным
магнитам придается форма подковы (т. н. "подковообразные" магниты).
На рисунке приведены примеры форм промышленно выпускаемых
постоянных магнитов на основе редкоземельных элементов с защитным
покрытием.
Промышленно выпускаемые постоянные магниты различной формы: а –

диск; б – кольцо; в – параллелепипед; г – цилиндр; д – шар; е – сектор полого
цилиндра
Также выпускаются магниты из магнитотвердых металлических сплавов и
ферритов в виде стержней круглого и прямоугольного сечения, а также
трубчатые, С-образные, подковообразные, в виде пластин прямоугольной
формы и др.
После того как материалу придана форма, он должен быть намагничен, т. е.
помещен во внешнее магнитное поле, т.к. магнитные параметры постоянных
магнитов определяются не только их формой или материалом, из которого
они изготовлены, но и направлением намагничивания.
Заготовки намагничивают, используя постоянные магниты, электромагниты
постоянного тока или намагничивающие катушки, через которые
пропускаются импульсы тока. Выбор способа намагничивания зависит от
материала и формы постоянного магнита.
В результате сильного нагревания, толчков постоянные магниты могут
частично или полностью потерять свои магнитные свойства
(размагнититься).
Характеристики размагничивающего участка петли магнитного
гистерезиса материала, из которого изготовлен постоянный магнит,
определяют свойства того или иного постоянного магнита: чем выше
коэрцитивная сила Нс, и чем выше остаточная магнитная индукция Вr – тем
сильнее и стабильнее магнит.
Коэрцитивная сила (буквально в переводе с латинского - «удерживающая
сила») — сила, препятствующая изменению магнитной
поляризации ферромагнетиков.
Пока ферромагнетик не поляризован, т. е. элементарные токи не
ориентированы, коэрцитивная сила препятствует ориентировке
элементарных токов. Но когда ферромагнетик уже поляризован, она
удерживает элементарные токи в ориентированном положении и после того,
как внешнее намагничивающее поле устранено.
Этим объясняется остаточный магнетизм, который наблюдается у многих
ферромагнетиков. Чем больше коэрцитивная сила, тем сильнее выражено
явление остаточного магнетизма.
Итак, коэрцитивная сила — это значение напряжённости магнитного поля,
необходимого для полного размагничивания ферро- или ферримагнитного
вещества. Таким образом, чем большей коэрцитивной силой обладает
конкретный магнит, тем он устойчивее к размагничивающим факторам.
Единица измерения коэрцитивной силы в системе СИ — Ампер/метр.
А магнитная индукция, как известно, - это векторная величина, являющаяся
силовой характеристикой магнитного поля. Характерное значение
остаточной магнитной индукции постоянных магнитов — порядка 1 Тесла.
Магнитный гистерезис — наличие последствия поляризации магнетиков
приводит к тому, что намагничивание и размагничивание магнитного
материала происходят неодинаково, т. к. намагничивание материала все
время немного отстает от намагничивающего поля.
При этом часть энергии, затраченной на намагничивание тела, при
размагничивании не возвращается обратно, а превращается в тепло. Поэтому
многократное перемагничивание материала связано с заметными потерями
энергии и иногда может вызвать сильное нагревание намагничиваемого тела.
Чем сильнее выражен гистерезис в материале, тем больше потери в нем при
перемагничивании. Поэтому для магнитных цепей с переменным магнитным
потоком применяют материалы, не обладающие гистерезисом (смотрите -
Магнитопроводы электротехнических устройств).
Магнитные свойства постоянных магнитов могут изменяться под действием

времени и внешних факторов, к которым относятся:
• температура;
• магнитные поля;
• механические нагрузки;
• радиация и др.
Изменение магнитных свойств характеризуется нестабильно- стью
постоянного магнита, которая может быть структурной или магнитной.
Структурная нестабильность связана с изменениями кристаллической
структуры, фазовыми превращениями, уменьшением внутренних
напряжений и т. п. В этом случае исходные магнитные свойства могут быть
получены восстановлением структуры (например, термообработкой
материала).
Магнитная нестабильность обусловлена изменением магнитной структуры
вещества магнита, которая стремится к термодинамическому равновесию с
течением времени и под влиянием внешних воздействий. Магнитная
нестабильность может быть:
• обратимой (возвращение к исходным условиям восстанавливает исходные
магнитные свойства);
• необратимой (возращение исходных свойств может быть достигнуто только
путем повторного намагничивания).
Постоянный магнит или электромагнит - что лучше?

Применение постоянных магнитов для создания постоянного магнитного
поля вместо эквивалентных им электромагнитов позволяет:
• уменьшить массогабаритные характеристики изделий;
• исключить применение дополнительных источников питания (что упрощает
конструкцию изделий, снижает стоимость их изготовления и эксплуатации);
• обеспечить практически неограниченное время поддерживания магнитного
поля в рабочих условиях (в зависимости от применяемого материала).
Недостатками постоянных магнитов являются:
• хрупкость материалов, применяемых при их создании (это затрудняет
механическую обработку изделий);
• необходимость защиты от влияния влаги и плесневых грибков (для ферритов
ГОСТ 24063), а также от воздействия повышенных влажности и
температуры.
Виды и свойства постоянных магнитов
Ферритовые
Ферритовые магниты хоть и отличаются хрупкостью, но обладают хорошей
коррозийной стойкостью, что при невысокой цене делает их наиболее
распространенными. Такие магниты изготавливают из сплава оксида железа
с ферритом бария или стронция. Данный состав позволяет материалу
сохранять свои магнитные свойства в широком температурном диапазоне —
от -30°C до +270°C.
Магнитные изделия в форме ферритовых колец, брусков и подков широко

используются как в промышленности, так и в быту, в технике и электронике.
Их используют в акустических системах, в генераторах, в двигателях
постоянного тока. В автомобилестроении ферритовые магниты
устанавливают в стартеры, в стеклоподъемники, в системы охлаждения и в
вентиляторы.
Ферритовые магниты отличаются коэрцитивной силой порядка 200 кА/м и
остаточной магнитной индукцией порядка 0,4 Тесла. В среднем, ферритовый
магнит может прослужить от 10 до 30 лет.
Альнико (алюминий-никель-кобальт)
Постоянные магниты на основе сплава из алюминия, никеля и кобальта
отличаются непревзойденной температурной устойчивостью и
стабильностью: они способны сохранять свои магнитные свойства при
температурах до +550°C, хотя коэрцитивная сила, характерная для них,
относительно мала. Под действием относительно небольшого магнитного
поля, такие магниты потеряют исходные магнитные свойства.
Посудите сами: типичная коэрцитивная сила порядка 50 кА/м при остаточной
намагниченности порядка 0,7 Тесла. Однако несмотря на эту особенность,
магниты альнико незаменимы для некоторых научных исследований.
Типичное содержание компонентов в сплавах альнико с высокими
магнитными свойствами изменяется в следующих пределах: алюминий - от 7
до 10%, никель - от 12 до 15%, кобальт - от 18 до 40%, и от 3 до 4% меди.
Чем больше кобальта, тем выше индукция насыщения и магнитная энергия
сплава. Добавки в виде от 2 до 8% титана и всего 1% ниобия способствуют
получению большей коэрцитивной силы — до 145 кА/м. Добавка от 0,5 до
1% кремния обеспечивает изотропию магнитных свойств.
Самариевые
Если нужна исключительная устойчивость к коррозии, окислению и
температуре до +350°C, то магнитный сплав самария с кобальтом — то что
надо.
По стоимости самарий-кобальтовые магниты дороже неодимовых за счёт
более дефицитного и дорогого металла — кобальта. Тем не менее, именно их
целесообразно применять в случае необходимости иметь минимальные
размеры и вес конечных изделий.
Наиболее целесообразно это в космических аппаратах, авиационной и
компьютерной технике, миниатюрных электродвигателях и магнитных
муфтах, в носимых приборах и устройствах (часах, наушниках, мобильных
телефонах и т.д.)
Благодаря особой коррозийной стойкости, именно самариевые магниты

применяются в стратегических разработках и военных приложениях.
Электродвигатели, генераторы, подъемные системы, мототехника – сильный
магнит из сплава самария-кобальта идеально подходит для агрессивных сред
и сложных условий эксплуатации. Коэрцитивная сила порядка 700 кА/м при
остаточной магнитной индукции порядка 1 Тесла.
Неодимовые
Неодимовые магниты на сегодняшний день очень востребованы и
представляются наиболее перспективными. Сплав неодим-железо-бор
позволяет создавать супермагниты для различных сфер, начиная с защелок и
игрушек, заканчивая электрогенераторами и мощными подъемными
машинами.
Высокая коэрцитивная сила порядка 1000 кА/м и остаточная

намагниченность порядка 1,1 Тесла, позволяют магниту сохраняться на
протяжении многих лет, за 10 лет неодимовый магнит теряет лишь 1% своей
намагниченности, если температура его в условиях эксплуатации не
превышает +80°C (для некоторых марок до +200°C). Таким образом, лишь
два недостатка есть у неодимовых магнитов — хрупкость и низкая рабочая
температура.
Магнитопласты
Магнитный порошок вместе со связующим компонентом образует мягкий,
гибкий и легкий магнит. Связующие компоненты, такие как винил, каучук,
пластик или акрил позволяют получать магниты различных форм и размеров.
Магнитная сила, конечно, уступает чистому магнитному материалу, но

иногда такие решения необходимы для достижения определенных
необычных для магнитов целей: в производстве рекламной продукции, при
изготовлении съемных наклеек на авто, а также в изготовлении различных
канцелярских и сувенирных товаров.
Взаимодействие магнитов
Одноименные полюса магнитов отталкиваются, а разноименные полюса
притягиваются. Взаимодействие магнитов объясняется тем, что любой
магнит имеет магнитное поле, и эти магнитные поля взаимодействуют между
собой. В чем, например, причина намагничивания железа?
Согласно гипотезе французского ученого Ампера, внутри вещества
существуют элементарные электрические токи (токи Ампера), которые
образуются вследствие движения электронов вокруг ядер атомов и вокруг
собственной оси.
При движении электронов возникают элементарные магнитные поля. И если
кусок железа внести во внешнее магнитное поле, то все элементарные
магнитные поля в этом железе ориентируются одинаково во внешнем
магнитном поле, образуя собственное магнитное поле куска железа. Так, если
приложенное внешнее магнитное поле было достаточно сильным, то после
его отключения кусок железа станет постоянным магнитом.
Знание формы и намагниченности постоянного магнита позволяет для расчетов
заменить его эквивалентной системой электрических токов намагничивания.
Такая замена возможна как при расчете характеристик магнитного поля, так и при
расчетах сил, действующих на магнит со стороны внешнего поля.
Для примера проведем расчет силы взаимодействия двух постоянных
магнитов. Пусть магниты имеют форму тонких цилиндров, их радиусы обозначим
r1 и r2, толщины h1, h2 , оси магнитов совпадают, расстояние между магнитами
обозначим z, будем считать, что оно значительно больше размеров магнитов.
Возникновение силы взаимодействия между магнитами объясняется
традиционным способом: один магнит создает магнитное поле, которое
воздействует на второй магнит.
Для расчета силы взаимодействия мысленно заменим магниты с однородной
намагниченностью J1 и J2 круговыми токами, текущими по боковой поверхности
цилиндров. Силы этих токов выразим через намагниченности магнитов, а их
радиусы будем считать равными радиусам магнитов.
Разложим вектор индукции B магнитного поля, создаваемого первым магнитом в
месте расположения второго на две составляющие: осевую, направленную вдоль
оси магнита, и радиальную - перпендикулярную ей.
Для вычисления суммарной силы, действующей на кольцо, необходимо мысленно
разбить его на малые элементы Idl и просуммировать силы Ампера, действующие
на каждые такой элемент.
Используя правило левой руки, легко показать, что осевая составляющая
магнитного поля приводит к появлению сил Ампера, стремящихся растянуть (или
сжать) кольцо – векторная сумма этих сил равна нулю.
Наличие радиальной составляющей поля приводит к возникновению сил Ампера,
направленных вдоль оси магнитов, то есть к их притяжению или отталкиванию.
Останется вычислить силы Ампера — это и будут силы взаимодействия между
двумя магнитами.
Температура. Шкалы температур. Методы измерения.

Температурные шкалы - способы деления на части
интервалов температуры, измеряемых термометрами по изменению какого-
либо удобного для измерений физического свойства объекта, при прочих
равных условиях однозначно зависящего от температуры
(объёма, давления, электрического сопротивления, ЭДС, интенсивности
излучения, показателя преломления, скорости звука и др.) и
называемого термометрическим свойством (см. Термометрия). Для
построения шкалы температур приписывают её численные значения двум
фиксированным точкам (реперным точкам температуры), например точке
плавления льда и точке кипения воды. Деля разность температур реперных
точек (основной температурный интервал) на выбранное произвольным
образом число частей, получают единицу измерения температуры, а задавая,
опять-таки произвольно, функциональную связь между выбранным
термометрическим свойством и температурой, получают возможность
вычислять температуру по данной температурной шкале[1].
Ясно, что построенная таким способом эмпирическая температурная
шкала является произвольной и условной. Поэтому можно создать любое
число температурных шкал, различающихся выбранными
термометрическими свойствами, принятыми функциональными
зависимостями температуры от них (в простейшем случае связь между
термометрическим свойством и температурой полагают линейной) и
температурами реперных точек.
Примерами температурных шкал служат
шкалы Цельсия, Реомюра, Фаренгейта, Ранкина и Кельвина.
Пересчёт температуры от одной температурной шкалы к другой,
отличающейся термометрическим свойством, невозможен без
дополнительных экспериментальных данных.
Принципиальный недостаток эмпирических температурной шкал —
их зависимость от выбранного термометрического свойства — отсутствует
у абсолютной (термодинамической) температурной шкалы.
Методы измерения температуры

Каждому равновесному состоянию тела можно поставить в
соответствие некоторый параметр, характеризующий температуру этого тела,
причём, чем больше температура, тем больше значение этого параметра.
Величина указанного параметра называется значением температуры.
Для определения значения температуры какого-либо тела
необходимо выбрать эталон температуры, то есть тело, которое при
определённых условиях, равновесных и достаточно легко воспроизводимых,
имело бы определённое значение температуры. Это значение температуры
является реперной точкой соответствующей шкалы температур -
упорядоченной последовательности значений температуры, позволяющей
количественно определять температуру того или иного тела. Температурная
шкала позволяет косвенным образом определять температуру тела путем
прямого измерения какого-либо его физического параметра, зависящего от
температуры.
Наиболее часто при получении шкалы температур используются
свойства вода. Точки таяния льда и кипения воды при нормальном
атмосферном давлении выбраны в качестве реперных точек в современных (но
не обязательно изначальных) температурных шкалах,
предложенных Андерсом Цельсием (1701 - 1744), Рене Антуаном Фершо
Реомюром (1683 - 1757), Даниэлем Габриэлем Фаренгейтом (1686 - 1736).
Последний создал первые практически пригодные спиртовой и ртутный
термометры, широко используемые до сих пор. Температурные шкалы
Реомюра и Фаренгейта применяют в настоящее время в США,
Великобритании и некоторых других странах.
Введенную в 1742 году температурную шкалу Цельсия, который
предложил температурный интервал между температурами таяния льда и
кипения воды при нормальном давлении (1 атм или 101 325 Па) разделить на
сто равных частей (градусов Цельсия), широко используют и сегодня, правда в
уточненном виде, когда один градус Цельсия считается равным одному
кельвину (см. ниже). При этом температура таяния льда берется равной 0 oC, а
температура кипения воды становится приблизительно равной 99,975 oC.
Возникающие при этом поправки, как правило, не имеют существенного
значения, так как большинство используемых спиртовых, ртутных и
электронных термометров не обладают достаточной точностью (поскольку в
этом обычно нет необходимости). Это позволяет не учитывать указанные,
очень небольшие поправки.
После введения Международной системы единиц (СИ) к
применению рекомендованы две температурные шкалы. Первая шкала -
термодинамическая, которая не зависит от свойств используемого вещества
(рабочего тела) и вводится посредством цикла Карно. Эта температурная
шкала подробно рассмотрена в третьей главе. Отметим только, что единицей
измерения температуры в этой температурной шкале является один кельвин (1
К), одна из семи основных единиц в системе СИ. Эта единица названа в честь
английского физика Уильяма Томсона (лорда Кельвина) (1824 - 1907), который
разрабатывал эту шкалу и сохранил величину единицы измерения
температуры такой же, как и в температурной шкале Цельсия. Вторая
рекомендованная температурная шкала - международная практическая. Эта
шкала имеет 11 реперных точек - температуры фазовых переходов ряда
чистых веществ, причём значения этих температурных точек постоянно
уточняются. Единицей измерения температуры в международной
практической шкале также является 1 К.
В настоящее время основной реперной точкой, как
термодинамической шкалы, так и международной практической шкалы
температур является тройная точка воды. Эта точка соответствует строго
определенным значениям температуры и давления, при которых вода может
одновременно существовать в твердом, жидком и газообразном состояниях.
Причем, если состояние термодинамической системы определяется только
значениями температуры и давления, то тройная точка может быть только
одна. В системе СИ температура тройной точки воды принята равной 273,16 К
при давлении 609 Па.
Кроме задания реперных точек, определяемых с помощью эталона
температуры, необходимо выбрать термодинамическое свойство тела,
описывающееся физической величиной, изменение которой
является признаком изменения температуры или термометрическим
признаком. Это свойство должно быть достаточно легко воспроизводимо, а
физическая величина - легко измеряемой. Измерение указанной физической
величины позволяет получить набор температурных точек (и
соответствующих им значений температуры), промежуточных по отношению
к реперным точкам.
Тело, с помощью измерения термометрического признака которого
осуществляется измерение температуры, называется термометрическим
телом.
Термометрическими признаками могут быть изменения: объёма газа
или жидкости, электрического сопротивления тел, разности электрического
потенциала на границе раздела двух проводящих тел и т.д. Соответствующие
этим признакам приборы для измерения температуры (термометры) будут:
газовый и ртутный термометры, термометры, использующие в качестве
датчика термосопротивление или термопару.
Приводя термометрическое тело (датчик термометра) в состояние
теплового контакта с тем телом, температуру которого необходимо измерить,
можно на основании нулевого начала термодинамики утверждать, что по
прошествии времени, достаточного для установления термодинамического
равновесия, их температуры сравняются. Это позволяет приписать телу то же
значение температуры, которое показывает термометр.
Другой метод измерения температуры реализован в пирометрах -
приборах для измерения яркостной температуры тел по интенсивности их
теплового излучения. При этом достигается равновесное состояние
термодинамической системы, состоящей из самого пирометра и теплового
излучения, принимаемого им. Подробнее это явление рассмотрено в разделе
курса, посвящённом квантовым свойствам равновесного теплового излучения.
Сейчас мы только отметим, что оптическая пирометрия (бесконтактные
методы измерения температур) используется в металлургии для измерения
температуры расплава и проката, в лабораторных и производственных
процессах, где необходимо измерение температуры нагретых газов, а также
при исследованиях плазмы.
Первый термометр был изобретён Галилео Галилеем (1564 - 1642) и
представлял собой газовый термометр.
Газовый термометр постоянного объёма (см. рис. 1.1) состоит из
термометрического тела - порции газа, заключенной в сосуд, соединенный с
помощью трубки с манометром. Измеряемая физическая величина
(термометрический признак), обеспечивающая определение температуры, -
давление газа при некотором фиксированном объёме. Постоянство объёма
достигается тем, что вертикальным перемещением левой трубки уровень в
правой трубке манометра доводится до одного и того же значения (опорной
метки) и в этот момент производится измерения разности высот уровней
жидкости в манометре. Учет различных поправок (например, теплового
расширения стеклянных деталей термометра, адсорбции газа и т.д.) позволяет
достичь точности измерения температуры газовым термометром постоянного
объема, равной одной тысячной кельвина.
Газовые термометры имеют то преимущество, что температура,
определяемая с их помощью, при малых плотностях газа не зависит от
природы используемого газа, а шкала газового термометра - хорошо совпадает
с абсолютной шкалой температур (о ней подробно будет сказано ниже). Во
второй главе мы подробнее опишем идеально-газовый термометр,
определяющий абсолютную шкалу температур.
Газовые термометры используют для градуировки других видов
термометров, например, жидкостных. Они более удобны на практике, однако,
шкала жидкостного термометра, проградуированного по газовому,
оказывается, как правило, неравномерной. Это связано с тем, что плотность
жидкостей нелинейным образом зависит от их температуры.
Жидкостной термометр - это наиболее часто используемый в
обыденной жизни термометр, основанный на изменении объёма жидкости при
изменении её температуры. В ртутно-стеклянном термометре
термометрическим телом является ртуть, помещенная в стеклянный баллон с
капилляром. Термометрическим признаком является расстояние от мениска
ртути в капилляре до произвольной фиксированной точки. Ртутные
термометры используют в диапазоне температур от -35 oC до нескольких
сотен градусов Цельсия. При высоких температурах (свыше 300 oC) в
капилляр накачивают азот (давление до 100 атм или 107 Па), чтобы
воспрепятствовать кипению ртути. Применение в жидкостном термометре
вместо ртути таллия позволяет существенно понизить нижнюю границу
измерения температуры до -59 oC.
Другими видами широко распространённых жидкостных
термометров являются спиртовой (от -80 C до +80 C) и пентановый (от -
o o
200 oC до +35 oC). Отметим, что воду нельзя применять в качестве

термометрического тела в жидкостном термометре: объём воды с повышением
температуры сначала падает, а потом растёт, что делает невозможным
использование объема воды в качестве термометрического признака.
С развитием измерительной техники, наиболее удобными
техническими видами термометров стали те, в которых термометрическим
признаком является электрический сигнал. Это термосопротивления
(металлические и полупроводниковые) и термопары.
В металлическом термометре сопротивления измерение
температуры основано на явлении роста сопротивления металла с ростом
температуры. Для большинства металлов вблизи комнатной температуры эта
зависимость близка к линейной, а для чистых металлов относительное
изменение их сопротивления при повышении температуры на 1 К
(температурный коэффициент сопротивления) имеет величину близкую к
4*10-3 1/К. Термометрическим признаком является электрическое
сопротивление термометрического тела - металлической проволоки. Чаще
всего используют платиновую проволоку, а также медную проволоку или их
различные сплавы. Диапазон применения таких термометров от водородных
температур (~20 К) до сотен градусов Цельсия. При низких температурах в
металлических термометрах зависимость сопротивления от температуры
становится существенно нелинейной, и термометр требует тщательной
калибровки.
В полупроводниковом термометре сопротивления
(термисторе) измерение температуры основано на явлении уменьшения
сопротивления полупроводников с ростом температуры. Так как
температурный коэффициент сопротивления полупроводников по абсолютной
величине может значительно превосходить соответствующий коэффициент
металлов, то и чувствительность таких термометров может значительно
превосходить чувствительность металлических термометров.
Специально изготовленные
полупроводниковые термосопротивления могут быть использованы при
низких (гелиевых) температурах порядка нескольких кельвин. Однако следует
учитывать то, что в обычных полупроводниковых сопротивлениях возникают
дефекты, обусловленные воздействием низких температур. Это приводит к
ухудшению воспроизводимости результатов измерений и требует
использования в термосопротивлениях, специально подобранных
полупроводниковых материалов.
Другой принцип измерения температуры реализован
в термопарах. Термопара представляет собой электрический контур,
спаянный из двух различных металлических проводников, один спай которых
находится при измеряемой температуре (измерительный спай), а другой
(свободный спай) - при известной температуре, например, при комнатной
температуре. Из-за разности температур спаев возникает электродвижущая
сила (термо-ЭДС), измерение которой позволяет определять разность
температур спаев, а, следовательно, температуру измерительного спая.
В таком термометре термометрическим телом является спай двух
металлов, а термометрическим признаком - возникающая в цепи термо-ЭДС.
Чувствительность термопар составляет от единиц до сотен мкВ/К, а диапазон
измеряемых температур от нескольких десятков кельвин (температуры
жидкого азота) до полутора тысяч градусов Цельсия. Для высоких температур
применяются термопары из благородных металлов. Наибольшее применение
нашли термопары на основе спаев следующих материалов: медь-константан,
железо-константан, хромель-алюмель, платинородий-платина.
Следует отметить, что термопара способна измерить только
разность температур измерительного и свободного спаев. Свободный спай
находится, как правило, при комнатной температуре. Поэтому для измерения
температуры термопарой необходимо использовать дополнительный
термометр для определения комнатной температуры или систему
компенсации изменения температуры свободного спая.
В радиотехнике часто применяют понятие шумовой температуры,
равной температуре, до которой должен быть нагрет резистор, согласованный
с входным сопротивлением электронного устройства, чтобы мощность
тепловых шумов этого устройства и резистора были равными в определенной
полосе частот. Возможность введения такого понятия обусловлена
пропорциональностью средней мощности шума (среднего квадрата шумового
напряжения на электрическом сопротивлении) абсолютной температуре
сопротивления. Это позволяет использовать шумовое напряжение в качестве
термометрического признака для измерения температуры. Шумовые
термометры используются для измерения низких температур (ниже
нескольких кельвинов), а также в радиоастрономии для измерения
радиационной (яркостной) температуры космических объектов.
Теплопроводность. Тепловое излучение. Теплоёмкость.
Теплопрово́дность — способность материальных тел проводить энергию (теплоту) от более

нагретых частей тела к менее нагретым частям тела путём хаотического движения частиц
тела (атомов, молекул, электронов и т. п.). Такой теплообмен может происходить в
любых телах с неоднородным распределением температур, но механизм переноса теплоты
будет зависеть от агрегатного состояния вещества.
Различают стационарный и нестационарный процессы теплопроводности в твердом теле.
Стационарный процесс характеризуется неизменными во времени параметрами процесса.
Такой процесс утанавливается при длительном поддержании температур
теплообменивающихся сред на одном и том же уровне. Нестационарный процесс
представляет собой неустановившийся тепловой процесс в телах и средах, характеризуемый
изменением температуры в пространстве и во времени.
Теплопроводностью называется также количественная характеристика способности тела
проводить тепло. В сравнении тепловых цепей с электрическими это аналог проводимости.
Количественно способность вещества проводить тепло характеризуется коэффициентом
теплопроводности. Эта характеристика равна количеству теплоты, проходящему через
однородный образец материала единичной длины и единичной площади за единицу времени
при единичной разнице температур (1 К). В Международной системе единиц (СИ) единицей
измерения коэффициента теплопроводности является Вт/(м·K).
Исторически считалось, что передача тепловой энергии связана с перетеканием
гипотетического теплорода от одного тела к другому. Однако с развитием молекулярно-
кинетической теории явление теплопроводности получило своё объяснение на основе
взаимодействия частиц вещества. Молекулы в более нагретых частях тела движутся быстрее
и передают энергию посредством столкновений медленным частицам в более холодных
частях тела.
Закон теплопроводности Фурье[править | править код]

В установившемся режиме плотность потока энергии, передающейся
посредством теплопроводности, пропорциональна градиенту температуры:
где — вектор плотности теплового потока — количество

энергии, проходящей в единицу времени через единицу площади,
перпендикулярной каждой оси, — коэффициент
теплопроводности (удельная теплопроводность), T — температура. Минус
в правой части показывает, что тепловой поток направлен противоположно
вектору gradT (то есть в сторону скорейшего убывания температуры). Это
выражение известно как закон теплопроводности Фурье.[1]
В интегральной форме это же выражение запишется так (если речь идёт о
стационарном потоке тепла от одной грани параллелепипеда к другой):
2. ТЕПЛОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Тепловое излучение – процесс распространения электромагнитных

колебаний с различной длиной волн, обусловленный тепловым движением
атомов или молекул излучающего тела. Возникновение потока лучей в
результате превращения тепловой энергии в лучистую,
называется излучением или лучеиспусканием, а обратный переход
лучистой энергии в тепловую называют поглощением лучей.
В зависимости от температуры излучающего тела его лучеиспускание
различно. При температуре ниже 500°С только незначительная часть всех
лучей воспринимается глазом как “свет”, а наибольшая часть приходится на
долю невидимого теплового излучения. Интенсивность теплового излучения
характеризуется излучательной (лучеиспускательной) способностью тела,
имеющего температуру Т:
, (2.1)
где Q л – полное количество теплоты, Дж; F – поверхность излучающего тела,
м2; τ – время, с.
Лучеиспускательная способность тела есть количество энергии,
излучаемое в единицу времени единицей поверхности нагретого тела,
имеющего температуру Т, в окружающую среду с температурой абсолютного
нуля. Для абсолютно черного тела связь между излучательной способностью
и абсолютной температурой выражается законом Стефана-Больцмана:
, (2.2)
где К о – константа излучения абсолютно черного тела, К о =5,67·10-
8
Вт/(м2·К4); Т – абсолютная температура поверхности тела, К; E о –
излучательная способность черного тела, Вт/м2.
Тело, которое поглощает только часть энергии с любой длиной волны,
принято называть серым телом. Отношение коэффициента излучения серого
тела (С) к коэффициенту излучения абсолютно черного тела (С о ) при той же
температуре называют относительной излучательной
способностью или степенью черноты тела ε:
, (2.3)
где С о – коэффициент излучения абсолютно черного тела, С о = 5,67
Вт/(м2·К4).
Величина ε является важнейшей характеристикой любого серого тела.
Числовые значения ε для некоторых металлов приведены в таблице 2.1.
Таблица 2.1
Значения степени черноты для некоторых материалов
Металлы Температура, °С Степень черноты, ε
Алюминий 200 600 0,11 0,19
Латунь 200 600 0,61 0,69
Медь 200 600 0,57 0,87
Железо (сталь) окисленное 175 900 0,74 0,96
Сталь (нержавеющая) 200 600 0,25 0,35
Сталь (полированная) 900 1100 0,52 0,61
Сталь (окисленная) 40 370 0,94 0,97
Железо (окисленное) 30 0,23
Когда между двумя твердыми телами происходит взаимный
обмен теплотой посредством излучения, то необходимо учитывать, что из
всех лучей, испускаемых каждым телом, к другому доходит только некоторая
часть их. Тепловой поток, переходящий от более нагретого тела к менее
нагретому посредством излучения, определяется по уравнению:
, (2.4)
где - коэффициент взаимного излучения, Вт/(м2·К4); F –
площадь поверхности излучения, м2; Т 1 , Т 2 – абсолютные температуры
поверхностей более нагретого и менее нагретого тел, К; φ – средний угловой
коэффициент, который определяется формой и размерами участвующих в
теплообмене поверхностей, их взаимным расположением в пространстве и
расстоянием между ними.
Если тело, излучающее теплоту, заключено внутри другого тела,
то φ=1, а коэффициент взаимного излучения определяют по формуле:
, (2.5)
где - коэффициент излучения более нагретого тела,
Вт/(м2·К4); - коэффициент излучения менее нагретого тела,
Вт/(м2·К4); - поверхность более нагретого и менее нагретого тел, м2.
Если площадь F 2 очень велика по сравнению с F 1 , т.е.
, то коэффициент взаимного излучения .
Если (две параллельные поверхности), то:
. (2.6)
Теплоёмкость, количество теплоты, поглощаемой телом при

нагревании на 1 градус; точнее — отношение количества теплоты,
поглощаемой телом при бесконечно малом изменении его температуры, к
этому изменению Т. единицы массы вещества (г, кг) называется удельной
теплоёмкостью, 1 моля вещества — мольной (молярной) Т.
Количество теплоты, поглощённой телом при изменении его

состояния, зависит не только от начального и конечного состояний (в
частности, от их температуры), но и от способа, которым был осуществлен
процесс перехода между ними. Соответственно от способа нагревания тела
зависит и его Т. Обычно различают Т. при постоянном объёме (C v ) и Т. при
постоянном давлении (С р ), если в процессе нагревания поддерживаются
постоянными соответственно его объём или давление. При нагревании при
постоянном давлении часть теплоты идёт на производство работы
расширения тела, а часть — на увеличение его внутренней энергии, тогда как
при нагревании при постоянном объёме вся теплота расходуется только на
увеличение внутренней энергии; в связи с этим c p всегда больше, чем c v . Для
газов (разреженных настолько, что их можно считать идеальными) разность
мольных Т. равна c p — c v = R, где R — универсальная газовая
постоянная, равная 8,314 дж/(моль× К), или 1,986 кал/(моль× град). У
жидкостей и твёрдых тел разница между С р и C v сравнительно мала.
Теоретическое вычисление Т., в частности её зависимости от

температуры тела, не может быть осуществлено с помощью чисто
термодинамических методов и требует применения
методов статистической физики. Для газов вычисление Т. сводится к
вычислению средней энергии теплового движения отдельных молекул. Это
движение складывается из поступательного и вращательного движений
молекулы как целого и из колебаний атомов внутри молекулы. Согласно
классической статистике (то есть статистической физике, основанной на
классической механике), на каждую степень свободы поступательного и
вращательного движений приходится в мольной Т. (C v ) газа величина,
равная. R /2; а на каждую колебательную степень свободы — R, это правило
называется равнораспределения законом. Частица одноатомного газа
обладает всего тремя поступательными степенями свободы, соответственно
чему его Т. должна составлять R [то есть около 12,5 дж/Кмоль× К), или
3 кал/(моль×град)], что хорошо согласуется с опытом. Молекула
двухатомного газа обладает тремя поступательными, двумя вращательными
и одной колебательной степенями свободы, и закон равнораспределения
приводит к значению C v = R; между тем опыт показывает, что Т.
двухатомного газа (при обычных температурах) составляет всего R. Это
расхождение теории с экспериментом связано с тем, что при вычислении Т.
необходимо учитывать квантовые эффекты, то есть пользоваться
статистикой, основанной на квантовой механике. Согласно квантовой
механике, всякая система частиц, совершающих колебания или вращения (в
том числе молекула газа), может обладать лишь определёнными
дискретными значениями энергии. Если энергия теплового движения в
системе недостаточна для возбуждения колебаний определённой частоты, то
эти колебания не вносят своего вклада в Т. системы (соответствующая
степень свободы оказывается «замороженной» — к ней неприменим закон
равнораспределения). Температура Т, при достижении которой закон
равнораспределения оказывается применимым к вращательной или
колебательной степени свободы, определяется квантово-механическим
соотношением T >> hv/k (v — частота колебаний, h — Планка постоянная,
k — Больцмана постоянная). Интервалы между вращательными уровнями
энергии двухатомной молекулы (деленные на k) составляют всего несколько
градусов и лишь для такой лёгкой молекулы, как молекула водорода,
достигают сотни градусов. Поэтому при обычных температурах
вращательная часть Т. двухатомных (а также многоатомных) газов
подчиняется закону равнораспределения. Интервалы же между
колебательными уровнями энергии достигают нескольких тысяч градусов и
поэтому при обычных температурах закон равнораспределения совершенно
неприменим к колебательной части Т. Вычисление Т. по квантовой
статистике приводит к тому, что колебательная Т. быстро убывает при
понижении температуры, стремясь к нулю. Этим объясняется то
обстоятельство, что уже при обычных температурах колебательная часть Т.
практически отсутствует и Т. двухатомного газа равна R вместо R.
При достаточно низких температурах Т. вообще должна вычисляться

с помощью квантовой статистики. Как оказывается, Т. убывает с
понижением температуры, стремясь к нулю при Т ® 0 в согласии с так
называемом принципом Нернста (третьим началом термодинамики).
В твёрдых (кристаллических) телах тепловое движение атомов
представляет собой малые колебания вблизи определённых положений
равновесия (узлов кристаллической решётки). Каждый атом обладает, таким
образом, тремя колебательными степенями свободы и, согласно закону
равнораспределения, мольная Т. твёрдого тела (Т. кристаллической решётки)
должна быть равной 3 nR, где n — число атомов в молекуле. В
действительности, однако, это значение — лишь предел, к которому
стремятся Т. твёрдого тела при высоких температурах. Он достигается уже
при обычных температурах у многих элементов, в том числе металлов (n = 1,
так называемый Дюлонга и Пти закон) и у некоторых простых соединений
[NaCI, MnS (n = 2), PbCl 2 (n = 3) и др.]; у сложных соединений этот предел
фактически никогда не достигается, т. к. ещё раньше наступает плавление
вещества или его разложение.
Квантовая теория Т. твёрдых тел была развита

А. Эйнштейном (1907) и П. Дебаем (1912). Она основана на квантовании
колебательного движения атомов в кристалле. При низких температурах Т.
твёрдого тела оказывается пропорциональной кубу абсолютной температуры
(так называемый закон Дебая). Критерием, позволяющим различать высокие
и низкие температуры, является сравнение с характерным для каждого
данного вещества параметром — так называемой характеристической, или
дебаевской, температурой Q D . Эта величина определяется спектром
колебаний атомов в теле и, тем самым, существенно зависит от его
кристаллической структуры. Обычно QD — величина порядка нескольких сот
К, но может достигать (например, у алмаза) и тысяч К (см. Дебая
температура).
У металлов определённый вклад в Т. дают также и электроны

проводимости. Эта часть Т. может быть вычислена с помощью квантовой
статистики Ферми, которой подчиняются электроны. Электронная Т. металла
пропорциональна первой степени абсолютной температуры. Она
представляет собой, однако, сравнительно малую величину, её вклад в Т.
становится существенным лишь при температурах, близких к абсолютному
нулю (порядка нескольких градусов), когда обычная Т., связанная с
колебаниями атомов кристаллической решётки, представляет собой ещё
меньшую величину.
Сенсоры. Основные характеристики сенсоров.
Классификация.
35. Полупроводниковые датчики (сенсоры).
В настоящее время одним из наиболее динамично развивающихся направлений в

области элементной базы измерительных систем является разработка полупроводниковых
датчиков. Совершенствование полупроводниковых технологий открывает новые
возможности для миниатюризации компонентов и реализации интегрированных решений
для широкой номенклатуры изделий. Это приводит, с одной стороны, к удешевлению
датчиков, а с другой – делает их более удобными и простыми в использовании.
В настоящее время используется широкий спектр полупроводниковых датчиков.
Это датчики давления и ускорения, специализированные микросхемы датчиков дыма и
тревожной сигнализации, датчики изображения. Также идет работа по созданию новых
продуктов, например, недавно был представлен бесконтактный датчик объема, способный
по измерениям в слабом электрическом поле строить трехмерный образ объекта.
Датчики давления
Полупроводниковая технология позволила создать упругий элемент датчика
давления в виде кремниевой диафрагмы, непосредственно на которую методом ионной
имплантации внедряют тензорезистивную структуру. Сцепление тснзорсзистора и
кремниевой мембраны на молекулярном уровне позволяет исключить погрешности,
связанные с передачей деформации от упругого элемента к тензорезистору.
Основным классификационным признаком для деления датчиков на группы
является степень интеграции. Различают следующие типы датчиков:
• • некомпенсированные датчики;
• • термокомпенсированные и калиброванные датчики;
• • интегрированные датчики;
• • медицинские датчики.
Термокомпенсированные и калиброванные датчики включают также термисторы
для коррекции температурной погрешности нуля и чувствительности датчика, а также
дополнительные подгоночные резисторы, сопротивления которых в процессе
производства подстраиваются лазером для минимизации разброса нулевого смещения и
чувствительности датчиков от образца к образцу.
В схему датчиков, которые называются интегрированными или датчиками со
стандартным выходным сигналом, введен дополнительный усилитель, который
приводит выходное напряжение датчика к стандартному входному диапазону
интегральных аналого-цифровых преобразователей (ЛЦП).
Медицинские датчики по степени интеграции можно было бы отнести к
термокомпенсированным датчикам, но они выделены в отдельную группу, поскольку их
тип корпуса, рабочий и температурный диапазоны соответствуют специальным
медицинским приложениям.
По виду измеряемого давления различают абсолютные (для измерения
абсолютного давления), дифференциальные (для измерения разности
давлений), относительные (для измерения избыточного давления над атмосферным)
и вакуумные датчики (для измерения степени разрежения).
Датчики давления разделяют также по типам корпусов, в которые упаковываются
чувствительные элементы. Чувствительный элемент приклеен к внутренней поверхности
корпуса и защищен специальным гелем, который равномерно передает давление на
мембрану и в то же время изолирует выводы чувствительного элемента от внешней среды
(рис. 6.5).
Рис. 6.5. Конструкция базового корпуса
Кроме базового корпуса, широко распространены и другие типы корпусов,
предназначенные как для монтажа на поверхность, так и для пайки в отверстие. Корпуса
медицинских датчиков выполняются из специальных нетоксичных, неаллергичных
материалов, пригодных для дезинфекции и прошедших необходимые медицинские тесты.
Кроме четырех или трех (у датчиков со стандартным выходным сигналом) рабочих
выводов корпуса датчиков имеют дополнительные технологические выводы, которые
используются во время лазерной подгонки внутренних резисторов.
Датчик с дифференциальным чувствительным элементом может быть
дифференциальным, относительным или вакуумным в зависимости от типа используемого
порта. Дифференциальный датчик имеет два ввода для подачи среды с обеих сторон
мембраны. Относительный датчик имеет один ввод для подачи среды со стороны
большего давления Р1 и отверстие в корпусе, через которое окружающий воздух свободно
поступает с другой стороны мембраны. Вакуумный датчик, наоборот, имеет ввод со
стороны меньшего давления Р2.
Датчики давления имеют линейную характеристику преобразования со смещением
нуля. Для исключения ошибок, связанных с разбросом номинальных значений начального
смещения и чувствительности, в измерительном устройстве должны быть предусмотрены
средства калибровки датчиков.
Составляющими погрешности датчиков давления являются нелинейность,
гистерезис при изменении температуры и гистерезис при изменении давления,
температурный дрейф начального смещения и чувствительности. Инерционность у всех
типов датчиков характеризуется временем отклика на скачок входного сигнала 1 мс и
временем, необходимым датчику, чтобы войти в рабочий режим после включения питания
– 20 мс.
Большинство датчиков давления предназначены для работы в сухом воздухе. В
настоящее время прослеживается тенденция дальнейшей миниатюризации датчиков
давления. В ближайшее время ожидается появление датчиков, которые объединяют в себе
функции измерения давления и температуры. Они ориентированы на применение в
системах контроля давления в шинах.
Датчики давления используются в автомобильной и авиационой технике,
например, для построения индикаторов уровня топлива, в альтиметрах, измерителях
давления масла, измерителях давления воздуха в шинах; в медицине для построения
тонометров и спирометров; на производстве на основе датчиков давления строятся,
например, уровнемеры, барометры, устройства контроля качества воздушных фильтров;
датчики давления применяются также в бытовых пылесосах, стиральных машинах и даже
при создании электронных ударных инструментов.
Полупроводниковые акселерометры (или датчики ускорения) содержат
емкостной чувствительный элемент и интегрированную на кристалле измерительную
цепь, выполненную по КМОП-технологии.
Емкостной чувствительный элемент (G-cell) является герметичным. Он
представляет собой механическую структуру, выполненную при помощи
полупроводникового процесса из поликремния. Дифференциальный чувствительный
элемент имеет верхнюю и нижнюю неподвижные пластины и центральную пластину,
закрепленную при помощи упругих элементов. Центральная пластина обладает
сейсмомассой и может смещаться под воздействием ускорения. Четвертая пластина в
составе чувствительного элемента предназначена для самотестирования целостности
механической и электрической частей датчика.
Встроенная измерительная цепь выполнена на переключающихся конденсаторах и
содержит интегратор, усилитель, фильтр низких частот (ФНЧ), устройство температурной
компенсации, тактовый генератор (рис. 6.6).
Когда подвижная пластина занимает центральное положение, выходной сигнал
равен половине напряжения питания. Измерительная цепь имеет логометрическую
структуру, так что начальное смещение и чувствительность датчика линейным образом
связаны с питающим напряжением.
Рис. 6.6. Функциональная схема датчика ускорения:

G-cell – емкостной чувствительный элемент: Self-test – тест CMOS; CMOS Control
ASIC – КМОП-схема нормализации сигнала; Vs – значение напряжения на пластине
Для того, чтобы воспользоваться функцией самотестирования датчика, необходимо
подать высокий логический уровень на вход "Self-test", т.е. тест CMOS, который делает
программатор. Тогда блок тестирования прикладывает калиброванный потенциал к
тестирующей пластине. Электрическое поле при этом смещает центральную пластину на
заданную величину, и в случае исправности на выходе датчика появляется сигнал
заданного уровня.
В зависимости от ориентации чувствительного элемента относительно корпуса,
датчики ускорения могут в качестве рабочей оси иметь ось Y, ось X или они могут быть
чувствительными по двум осям XY (рис. 6.7).
Рис. 6.7. Рабочие оси датчика ускорения

Кроме использования в качестве измерителей собственно ускорения и вибраций,
акселерометры применяются также для определения абсолютного угла наклона. Если
датчик ускорения расположен так, что его ось чувствительности перпендикулярна к
поверхности земли, выходной сигнал соответствует ускорению свободного падения. При
изменении угла наклона выходной сигнал уменьшается в соответствии с U~g • cos α, где α
– угол между осью чувствительности датчика и абсолютным вертикальным положением.
Датчики ускорения широко применяются в автомобильной электронике для
измерения ускорения автомобиля в различных направлениях, для измерения вибраций и
контроля состояния шасси, в антиблокировочных системах (АБС), в системах защиты от
опрокидывания и в противоугонных устройствах.
Также акселерометры находят применение в системах контроля состояния
механических несущих, в системах регистрации ударов и вибраций, в спортивных
диагностирующих приборах, в ударных выключателях.
Датчики дыма и тревожной сигнализации
Системы аварийной сигнализации необходимы в самых различных областях

человеческой деятельности. При этом совокупность аварийных сигналов не зависит от
вида аварии и может быть стандартизована. Интегральные схемы для датчиков
дыма являются одной из разновидностей датчиков тревожной
сигнализации. Поскольку системы пожарной безопасности появились уже достаточно
давно и наиболее широко представлены на рынке систем аварийной сигнализации, для
них были разработаны специализированные интегральные схемы (ИС), отличающиеся
типом входного датчика, первичного источника питания и рядом эксплуатационных
качеств.
По типу входного датчика ИС делятся на ионные и фотодатчики. Ионные
датчики реагируют на изменение тока, протекающего через ионную
камеру, фотодатчики же содержат систему из светодиода и фотодиода и срабатывают на
снижение тока фотодиода при уменьшении оптической прозрачности камеры.
В зависимости от типа питающих цепей интегральные схемы датчиков дыма
делятся на датчики с питанием от источника переменного или постоянного напряжения.
Напряжение питания для тех и других составляет от 6 до 12 В.
Следует отмстить особенность интегральных схем датчиков дыма и тревожной
сигнализации – возможность объединения в сеть. Такая особенность позволяет
подключать на одну линию до 40 датчиков, при этом сигнал, поступающий от любого из
них, приводит в действие сигнализацию всех устройств. В результате об аварийной
ситуации или пожарной опасности оповещается персонал, находящийся в любом
помещении, где установлены датчики, объединенные в сеть.
Датчики изображения
Датчики (или приемники) изображения служат для преобразования видимого

изображения в электрические сигналы. До недавнего времени по технологическим и
экономическим соображениям на этом рынке доминировали приборы с зарядовой связью
(ПЗС, или CCD – Charge Coupled Device). Однако из-за присущих им определенных
проблем, самыми серьезными из которых являются специфическая, ни на что не похожая
технология изготовления и чрезвычайно жесткие требования к однородности исходного
кремния и степени совершенства технологического процесса, они постепенно уступают
пальму первенства устройствам, выполненным по КМОП-технологии. По сравнению с
датчиками на базе ПЗС они имеют более простую структуру, единую для поля
фотоэлеметов и прочей периферии, более экономичны но потребляемой мощности, но
главное их преимущество – они производятся по традиционной КМОП-тсхнологии, по
которой выпускается большинство интегральных схем. Помимо существенно более
низкой стоимости производства это позволяет реализовывать дополнительные функции
непосредственно на кристалле датчика, снижая количество компонентов в системе, что
также приводит к уменьшению конечной цены продукта.
Трехмерные датчики
В портфеле датчиков недавно появился новый интересный продукт – интегральная

схема МС33794 (компания Моторола), представляющая собой бесконтактный датчик
объема. Принцип его действия основан на измерении пространственного заряда в
электромагнитном поле, создаваемом внешними электродами. Если в это поле поместить
какой-либо объект, то по изменению пространственного заряда можно не только создать
трехмерный образ объекта, но и следить за его перемещением.
МС33794 является практически готовым решением для использования в системах
наблюдения за положением объектов в пространстве и бесконтактного мониторинга. Уже
сейчас данная интегральная схема находит применение в таких приложениях, как
управление раскрытием подушек безопасности в автомобиле, управление координатными
станками, бесконтактный контроль уровня жидкости, различные бесконтактные
выключатели, устройства типа сенсорной площадки (панели touch-pad), системы контроля
несанкционированного вторжения.
Характеристики датчиков:
1. Передаточная функция
2. Диапазон измеряемых значений (максимальный входной сигнал)
3. Диапазон выходных значений
4. Точность
5. Калибровка
6. Ошибка калибровки
7. Гистерезис
8. Нелинейность
9. Насыщение
10. Воспроизводимость
11. Мертвая зона
12. Разрешающая способность
13. Выходной импеданс
14. Сигнал возбуждения
15. Динамические характеристики
16. Надежность
31. Температурные сенсоры. Эффекты, на которых основана их работа
Принцип работы датчика-термопары

Основной принцип работы температурных датчиков в системах
автоматического управления – преобразование температуры в электрическое
значение. Эффективность использования электрических величин обеспечена:
удобством передачи на большие расстояния с высокой скоростью,
возможностью их обратной трансформации, преобразования в цифровой код,
чувствительностью измерений. Различают несколько типов устройств.
Принцип действия устройства основан на термоэлектрическом эффекте: если
в замкнутом контуре из двух полупроводников или проводников места спаев
(контактов) имеют разную температуру, то в нем возникает электрический
ток. Спай, расположенный в среде, в которой происходит измерение
температуры, называется «горячим», противоположный контакт –
«холодным». Чем больше температура измеряемой среды отличается от
температуры воздуха, тем больший электрический ток возникает. Эти
измерительные устройства могут иметь изоляционный слой или
изготавливаться без него. Во втором случае термопары могут использоваться
только в схемах, не контактирующих с «землей».
(Принцип действия основан на эффекте Зеебека или, иначе,
термоэлектрическом эффекте. Между соединёнными проводниками
имеется контактная разность потенциалов; если стыки связанных в кольцо
проводников находятся при одинаковой температуре, сумма таких разностей
потенциалов равна нулю. Когда же стыки разнородных проводников
находятся при разных температурах, разность потенциалов между ними
зависит от разности температур. Коэффициент пропорциональности в этой
зависимости называют коэффициентом термо-ЭДС. У разных металлов
коэффициент термо-ЭДС разный и, соответственно, разность потенциалов,
возникающая между концами разных проводников, будет различная.
Помещая спай из металлов с отличными от нуля коэффициентами термо-
ЭДС в среду с температурой T1 , мы получим напряжение между
противоположными контактами, находящимися при другой температуре T2 ,
которое будет пропорционально разности температур: T1-T2.)
Виды термопар
• Хромель-алюминиевые. В основном применяются в

промышленности. Характерные особенности: широкий температурный
интервал измерений -200…+13000°C, доступная стоимость. Не
допускаются к применению в цехах с высоким содержанием серы.
• Хромель-копелевые. Применение сходно с предыдущим типом,
особенность – сохранение работоспособности только в неагрессивных
жидких и газообразных средах. Часто используются для измерения
температуры в мартеновских печах.
• Железо-константовые. Эффективны в разреженной атмосфере.
• Платинородий-платиновые. Наиболее дорогие. Для них характерны
стабильные и точные показания. Используются для измерения высоких
температур.
• Вольфрам-рениевые. Обычно в их конструкции присутствуют
защитные кожухи. Основная область применения – измерение сред со
сверхвысокими температурами.
Терморезистивные датчики
Принцип действия резистивных датчиков температуры (RTD) основан на

зависимости сопротивления проводника или полупроводника от
температуры. Для изготовления проводников применяют материалы с
высоким температурным коэффициентом сопротивления и линейным
соответствием сопротивления и температуры. Указанные характеристики
относятся к пластине, в несколько меньшей степени – к меди.
Преимущества проводниковых термометров сопротивления:
• простая и надежная конструкция, которая обуславливает

использование этих устройств в машиностроении и электронике;
• высокая точность и чувствительность;
• простые устройства считывания.
32. Сенсоры положения. Эффекты, на которых основана их работа
Детекторы положения
(?)Потенциометрические датчики• Гравитационные датчики • Емкостные

датчики • Индуктивные и магнитные датчики • Оптические датчики(?)
Принцип действия оптических датчиков положения основан на измерении

степени ослабления оптического луча, прошедшего путь от излучателя до
приемника, являющихся частями датчика. Для повышения
помехозащищенности и снижения влияния внешних источников освещения в
оптических датчиках положения обычно используется модулированное
излучение -луч излучателя датчика пульсирует с частотой от 5 до 30 кГц.
Излучатель датчика состоит из излучающего светодиода и питающего его
генератора последовательности импульсов. В датчиках применяют
светодиоды, которые испускают импульсы света в спектре от видимого
зеленого света до невидимого инфракрасного излучения в зависимости от
сферы применения датчика. Излучатель, кроме того, может иметь
регулировки интенсивности излучения и индикатор работы. Приемник
состоит из фотодетектора (фотодиода), демодулятора, порогового устройства
(триггера) и выходных цепей (PNP или NPN транзистор с открытым
коллектором, реле, аналоговый выход NAMUR, IO-link и др.). При
необходимости приемник оснащается регулятором чувствительности и
индикатором работы.
Оптические датчики положения относятся к фотоэлектрическим датчикам,

так как принцип их действия основан на обнаружении световых сигналов.
Когда луч света от датчика достигает объекта контроля возникают такие
явления как передача света, отражение и поглощение света. То, какое
явление преобладает в этом случае зависит от взаимного расположения
излучателя и приемника, размеров объекта, его материала, толщины, цвета и
шероховатости поверхности. В зависимости от того, на каком оптическом
явлении основан принцип обнаружения объектов, оптические датчики
положения делятся на три типа:
 тип T– датчики с приемом прямого луча от излучателя;

 тип R– рефлекторные датчики с приемом луча, возвращенного от
отражателя;
 тип D– диффузионные датчики с приемом луча, рассеянно
отраженного от объекта контроля.
(ДОХРЕНА ВСЕГО ПО ЭТОМУ ВОПРОСУ ПО ССЫЛКЕ:
http://azbukakip.ru/publ/ehlementy_avtomatiki/opticheskie_datchiki_polozhenija/3
-1-0-
73#:~:text=Оптические%20датчики%20положения%20относятся%20к,света%
2C%20отражение%20и%20поглощение%20света)
Датчики положения бывают бесконтактные и контактные.
• Бесконтактные, это приборы являются индуктивными, магнитными,

емкостными, ультразвуковыми и оптическими. Они при помощи
магнитного, электромагнитного или электростатического поля
образуют связь с объектом.
• Контактные. Самым распространенным из этой категории, является
энкодер.
Бесконтактный
Бесконтактные датчики положения или сенсорный выключатель,
срабатывают без контакта с подвижным объектом. Они способны быстро
реагировать и часто включаться.
По прицепу действия бесконтактные бывают:
• емкостными,
• индуктивными,
• оптическими,
• лазерные,
• ультразвуковые,
• микроволновые,
• магниточувствительные.
Бесконтактные могут применяться для перехода на частоту вращения ниже,
или остановки.
Индуктивные
Индуктивный датчик бесконтактный работает за счет изменений в
электромагнитном поле.
Основные узлы индуктивного датчика изготовлены из латуни либо
полиамида. Узлы связанны между собой. Конструкция надежна, способна
выдерживать большие нагрузки.
• Генератор создает электромагнитное поле.

• Триггер Шмидта перерабатывает информацию, и передает другим
узлам.
• Усилитель способен передавать сигнал на большие расстояния.
• Светодиодный индикатор помогает контролировать его работу и
отслеживать изменение настроек.
• Компаунд — фильтр.
Работа индуктивного прибора начинается с момента включения генератора,
создается электромагнитное поле. Поле влияет на вихревые токи, которые
меняют амплитуду колебаний генератора. Но генератор первый реагирует на
изменения. Когда в поле попадает двигающийся металлический предмет,
сигнал подается на блок управления.
После поступления сигнала, происходит его обработка. Величина сигнала

зависит от объема предмета, и от расстояния, разделяющего предмет и
прибор. Затем происходит преобразование сигнала.
Емкостные
Емкостной датчик внешне может иметь обычный плоский или
цилиндрический корпус, внутри которого штыревые электроды, и
диэлектрическая прокладка. Одна из пластин стабильно отслеживает
перемещение предмета в пространстве, в результате изменяется емкость. С
помощью этих приборов измеряют угловое и линейное перемещение
предметов, их размеры.
Оптические
Оптические датчики называют глазами авторизованного производства. В
основном это фотодатчики, работающие в инфракрасной области. Они
способны:
• Измерять положение, перемещение предметов, после концевых

выключателей.
• Выполнять бесконтактное измерение.
• Выявить положение предметов двигающихся на большой скорости.
Барьерный
Барьерный оптический датчик обозначают латинской буквой «Т». Этот
оптический прибор двухблочный. Используется для обнаружения предметов
попавших в зону обзора между передатчиком и приемником. Зона действия
до 100м.
Рефлекторный
Буквой «R» обозначается рефлекторный оптический датчик. Изделие
рефлекторное вмещает в одном корпусе передатчик и приемник. Рефлектор
служит отражением луча. Чтобы обнаружить предмет с зеркальной
поверхностью в датчике устанавливают поляризационный фильтр. Дальность
действия до 8м.
Диффузионный
Датчик диффузионный обозначается буквой «D». Корпус прибора
моноблочный. Этим приборам не требуется точная фокусировка.
Конструкция рассчитана на работу с предметами, находящиеся на близком
расстоянии. Дальность действия 2 м.
Лазерные
Лазерные датчики обладают высокой точностью. Они могут определить
место, где происходит движение и дать точные размеры объекта. Приборы
эти небольших габаритов. Потреблении энергии приборами минимальное.
Изделие моментально способно выявить чужого и сразу включить
сигнализацию.
Основа работы лазерного прибора — измерить расстояние до предмета с

помощью треугольника. Излучается лазерный луч из приемника с высокой
параллельностью, попадая на поверхность предмета, отражается. Отражение
происходит под определенным углом. Величина угла зависит от расстояния,
на котором находится предмет. Отраженный луч возвращается в приемник.
Считывает информацию интегрированный микроконтроллер – он определяет
параметры объекта и его расположение.
Ультразвуковые
Ультразвуковые датчики – это сенсорные приборы, которые используются
для преобразования электрического тока в волны ультразвука. Их работа
основана на взаимодействии колебаний ультразвука с контролируемым
пространством.
Работают приборы по принципу радара — улавливают объект по

отраженному сигналу. Звуковая скорость постоянная величина. Прибор
способен вычислить расстояние до объекта в соответствии с диапазоном
времени, когда вышел сигнал и вернулся.
Микроволновые
Микроволновые датчики движения излучают высокочастотные
электромагнитные волны. Изделие чувствительно к изменению отражаемых
волн, которые создаются объектами в контролируемой зоне. Объект же
может быть теплокровным, живым, или просто предметом. Важно чтобы
объект отражал радиоволны.
Используемый принцип радиолокации, позволяет обнаружить объект и

вычислить скорость его перемещения. При движении срабатывает прибор.
Это эффект Допплера.
Магниточувствительные
Этот вид приборов изготавливают двух видов:
• на основе механических контактов;

• на основе эффекта Холла.
Первый может работать при переменном и постоянном токе до 300V или при
напряжении близком к 0.
Сферы применения
Области использования миниатюрных устройств обширны:
• Используют в машиностроении для сборки, тестирования, упаковки,

сварки, заклепки.
• В лабораториях применяют для контроля, измерения.
• Автомобильной технике, в транспортной промышленности, подвижной
технике. Наиболее популярен датчик нейтральной передачи для
МКПП. Во многих системах управления автомобилей присутствуют
датчики. Они есть в механизме рулевого управления, клапана, педали,
в подкапотных системах, в системах управления зеркалами, креслами,
откидными крышами.
• Применяют их в конструкциях роботов, в научной сфере и сфере
образования.
• Медицинской технике.
• Сельском хозяйстве и спецтехнике.
• Деревообрабатывающей промышленности.
• Металлообрабатывающей области, в станках металлорежущих.
• Проволочном производстве.
• Конструкциях прокатных станов, в станках с программным
управлением.
• Системы слежения.
• В охранных системах.
• Гидравлических и пневматических системах.
33.Магнитные сенсоры. Эффекты, на которых основана их работа.

Одна из катушек – эталонная, а другая – чувствительная, реагирующая на
вихревые токи, индуцируемые в проводящем объекте. Вихревые токи
формируют магнитное поле, направленное навстречу полю чувствительной
катушки, приводящее к разбалансу между двумя катушками. Чем ближе
объект к катушке тем больше меняется магнитное сопротивление.
Такой детектор определяет расстояние до объекта, оказывающего влияние на

магнитное поле в катушке. Индуктивность измеряется при помощи внешней
электронной схемы. Принцип действия основан на явлении самоиндукции.
При попадании ерромагнитного объекта в окрестность датчика приближения,
его магнитное поле изменяется, что приводит к изменению индуктивности
катушки. Бесконтактное устройство.
1. Широкий диапазон измерения и перенастройки шкалы, а также высокую
точность измерения, благодаря линейной зависимости между расходом Q
(скоростью потока V) и наводимой электродвижущей силой Е;
2. Отсутствие механических движущихся частей;
3. Отсутствие потерь давления, свободное поперечное сечение трубы;
4. Возможность измерения в прямом обратном направлении, т.к. меняется

только знак ЭДС, а не величина.
34. Определение МОЭМС устройств. Основные элементы из которых

они состоят.
МОЭМС – это выпускаемые методами микропроизводства оптические

компоненты или оптоэлектронные устройства и системы, включающие
волноводы, дифракционные решетки, подвижные зеркала и другие элементы,
которые могут изменять, модулировать путь светового луча или спектрально
модифицировать световой луч.
Типы оптических МЭМС и компонентов МСТ •Отражающие - Микрозеркала

•Преломляющие - Микролинзы - Микропризмы •Дифракционные -
Микрорешетки - Микролинзы (Френелевские) •Волноводы
•Интерференционные - Фильтры - Перестраиваемые вертикально-
излучающие лазеры - Микроспектрометры •Неохлаждаемые инфракрасные
детекторы •Фотонные кристаллы •Микродисплеи
Главные применения МОЭМС включают:
• сенсорные: детектирование оптических

сигналов, обработка, коммуникационные
функции;
• актюаторные: обработка и генерация изображений.
МОЭМС-актюаторы сегодня используются в дисплейных системах для

генерации изображения непосредственно на экране в реальном времени или
для представления изображений на записывающем средстве, а также
для сканирования штрих-кодов или в устройствах чтения записи оптических
накопителей
информации.
Преимущества оптических микросистем •Простота управления светом - Так

как в основе работы оптических систем лежит перенаправление движения
фотонов, а известно, что момент фотонов мал. •Простота дизайна - При
изготовлении МОЭМС используются стеклянные корпуса, которые не
препятствуют прохождению света. - Изолированный рабочий объем
оптических устройств приводит к отсутствии в них пыли либо механического
повреждения микрооптических устройств, в отличие от к примеру потоковых
сенсоров, сенсоров давления и т.д., которые для работы требуют
непосредственный контакт. •Размер устройства - Возможность упаковать
большое количество микрооптических компонентов в относительно малом
объѐме.
35. Микролинзы. Микропризмы. Принцип работы.

Применение микролинз
•Химические микрочипы и миниатюрные аналитические системы (μTAS –

total analytical systems) • Анализ органических систем • Биохимия •
Электроника • Микроинженерия • ФТТ • Лазерная физика • Микрооптика
•Освещение •Оптические детекторы •Массив микролинз для фотолитографии
С помощью микролинз, обратного рассеяния лазерного излучения на

поверхности точечным отверстием диска может быть значительно
уменьшена, таким образом, значительно увеличивая отношение сигнал-шум
(S / N) конфокальных изображений.
Делают возможным просмотр конфокальных флуоресцентных изображений в

реальном масштабе времени
36. Элементы МОЭМС. Отражающие.
(Возможно несколько не то, но что нашёл у него в лекциях)
Микрозеркала – весьма часто упоминающиеся в различных источниках

элементы МОЭМС. Микрозеркала представляют собой микроразмерные
зеркала, которые производятся на кристалле и активируются
электростатическими, тепловыми, магнитными (электромагнитными)
средствами и предназначены для направления и/или сканирования светового
луча. Их применения – дисплеи, сканеры, оптические переключатели и
другие оптоэлектронные компоненты. Необходимые характеристики для
микрозеркал: •Хорошее отражение •Качественная поверхность •Хорошая
жесткость •Малая масса
37. МОЭМС интерферометры.
МОЭМС – это выпускаемые методами микропроизводства оптические компоненты или

оптоэлектронные устройства и системы, включающие волноводы, дифракционные
решетки, подвижные зеркала и другие элементы, которые могут изменять, модулировать
путь светового луча или спектрально модифицировать световой луч.
Интерферометр — измерительный прибор, действие которого основано на

явлении интерференции. Принцип действия интерферометра заключается в следующем:
пучок электромагнитного излучения (света, радиоволн и т. п.) с помощью того или иного
устройства пространственно разделяется на два или большее
количество когерентных пучков. Каждый из пучков проходит различные оптические пути
и направляется на экран, создавая интерференционную картину, по которой можно
установить разность фаз интерферирующих пучков в данной точке картины.
Измерениями при помощи интерферометра занимается дисциплина интерферометрия.
Интерферометры применяются как при точных измерениях длин, в частности в станко-

и машиностроении, так и для оценки качества оптических поверхностей и
проверки оптических систем в целом.
ТГц сканирующий интерферометр Фабри-Перо (ТСИФП) предназначен для измерения
длины волны и интенсивности узкополосного ТГц излучения. ТСИФП может быть
использован для работы, как с импульсными, так и с непрерывными источниками
узкополосного ТГц излучения. ТСИФП состоит из двух полупрозрачных, параллельных
друг другу кремниевых зеркал, одно из которых смонтировано на моторизированном
линейном трансляторе. Измерение параметров ТГц излучения происходит за счет
перемещения подвижного зеркала (сканирования), как показано на рис. 1.
ТСИФП может быть использован со следующими источниками: • гиротронами; •

субмиллиметровыми лазерами с оптической накачкой; • лампами обратной волны; •
лазерами на свободных электронах; • источниками ТГц излучения на основе разностной
генерации; • источниками ТГц излучения на основе фотосмешения; • квантово-
каскадными лазерами; • p-Ge лазерами; • принципиально новыми источниками ТГц
излучения. ТСИФП может быть применен и для измерения длины волны и интенсивности
широкополосных источников ТГц излучения, а также для фильтрации ТГц излучения
согласно спектру пропускания интерферометра Фабри-Перо (рис. 2). В ТСИФП возможно
реализовать следующие варианты перемещения зеркала: движение зеркала в заданную
позицию, сдвиг зеркала на заданное расстояние, непрерывное движение зеркала,
циклическое движение зеркала. Также, есть возможность задавать скорость движения
зеркала, интервалы между перемещениями, начальное и конечное положение зеркала.
Интерферометр Майкельсона — двухлучевой интерферометр, изобретённый Альбертом
Майкельсоном. Данный прибор позволил впервые[1] измерить длину волны света. В опыте
Майкельсона интерферометр был использован Майкельсоном и Морли для
проверки гипотезы о светоносном эфире[1] в 1887 году.
Конструктивно состоит из светоделительного зеркала, разделяющего входящий луч на

два, которые в свою очередь, отражаются зеркалом обратно. На полупрозрачном зеркале
разделённые лучи вновь направляются в одну сторону, чтобы, смешавшись на экране,
образовать интерференционную картину. Анализируя её и изменяя длину одного плеча на
известную величину, можно по изменению вида интерференционных полос измерить
длину волны, либо, наоборот, если длина волны известна, можно определить неизвестное
изменение длин плеч. Радиус когерентности изучаемого источника света или другого
излучения определяет максимальную разность между плечами интерферометра.
Устройство используется[1] и сегодня в астрономических, физических исследованиях, а

также в измерительной технике. В частности, интерферометр Майкельсона лежит в основе
оптической схемы современных лазерных гравитационных антенн.
38. Емкостные сенсоры. Принцип работы и области применения.
39. Микроактюаторы. Определения. Классификация.
40. Магнитные микроактюаторы. Принцип действия.
41. Электростатические микроактюаторы. Принцип действия.
42. Пьезоэлектрические микроактюаторы. Принцип действия.
75
5. Микроактюаторы [2, 3, 9]
Микроактюатор (составная часть МЭМС) - это механическое уст-
ройство, которое преобразует различные виды энергии (электрическую,
химическую или термическую) в управляемое движение т.е. в механиче-
скую работу. Микроактюаторы имеют размеры от нескольких квадратных
микрометров до одного квадратного сантиметра. Диапазон применения
микроактюаторов чрезвычайно широк и различен, и он постоянно возрас-
тает. Они используются в робототехнике (рис 5.1), в управляющих уст-
ройствах, в космической области, в биомедицине (рис 5.2), дозиметрии, в
измерительных приборах, в технологии развлечения, автомобилестроении
и в домашнем хозяйстве.
Микроактюаторы нужны для управления резонансными датчиками,
они генерируют и передают им резонансную частоту; для управления ре-
жущими инструментами в микрохирургии (рис. 5.3), это также различные
микродвигатели (рис. 5.4), которые используются для управления микро
Рис 5.1. Матрица из микроактюаторов Рис.5.2. Полностью вжив-

для дисплея высокого разрешения ляемый слуховой аппарат.
Рис.5.3. Ультразвуковой катетер с Рис.5.4. Электростатиче

микроактюатором (для вращения ский микроактюатор
ультразвукового преобразователя)
внутри.
микрореле, микрозеркаламии зажимами; микроактюатором может быть
даже микроэлектродное устройство для возбуждения тканей мускул в
неврологических протезах.
Все методы получения активации (движение, деформация, приведе-
ние в действие) в таких устройствах кратко сведены к следующим видам
энергии: электростатической, магнитной, пьезоэлектрической, гидравли-
ческой и тепловой. При оценке использования того или иного метода час-
то пользуются законами пропорционального уменьшения размеров. Наи-
более перспективными методами считаются пьезоэлектрический и гид-
равлический, хотя и другие имеют важное значение. Электростатическая
активация применяется примерно в одной трети актюаторов, и, вероятно,
76
это наиболее общий и хорошо разработанный метод, его главные недос-

татки это износ и слипание. Магнитные актюаторы обычно требуют отно-
сительно большой электрический ток (т.е. много энергии), также на мик-
роскопическом уровне при использовании электростатических методов
активации, получаемый выходной сигнал на относительную единицу раз-
мерности лучше, чем при использовании магнитных методов, т.е при од-
ном и том же размере электростатическое устройство выдаёт более хоро-
ший выходной сигнал. Тепловые актюаторы тоже потребляют относи-
тельно большое количество электрической энергии, главный их недоста-
ток в том, что генерируемое тепло должно быть рассеяно.
Для оценки микроактюаторов используют следующие критерии ка-
чества: линейность, точность, погрешность, повторяемость, разрешение,
гистерезис, пороговое значение, люфт, шум, сдвиг, несущая способность,
амплитуда, чувствительность, скорость, переходная характеристика, мас-
штабируемость, выход по энергии.
Основные проблемы: при использовании очень гладких поверхностей,
типичных для микромашинных устройств, слипание или примерзание двух
частей между собой это обычное дело, и в конструировании микроактюато-
ров это целая проблема. Эти эффекты могут увеличить трение до такой сте-
пени, что вся выходная мощность такого устройства сводится к преодоле-
нию трения, а трение и, как следствие, износ приводит к преждевременному
старению и поломке. Для преодоления этих проблем, необходимо использо-
вать точно рассчитанные конструкции и хорошо подобранные материалы,
но и в этом случае во многих конструкциях микроактюаторов неприятности,
связанные с этими эффектами, не исчезают. Ещё одну опасность для конст-
рукции микроактюатора представляет поверхностное натяжение в момент
извлечения его из раствора травителя.
5.1. Электростатические актюаторы

В общем виде электростатический актюатор содержит подвижный и
неподвижный электроды (рис.5. 5).
Рис.5.5. Схема электростатического

актюатора
Принцип действия данных актюаторов основан на возникновении

электростатической силы между подвижным и неподвижным электродами.
При подаче отклоняющего напряжения на неподвижный электрод
относительно подвижного, на последний начинает действовать
электростатическая сила, определяемая выражением:
77
dFЭЛ = Е * dq
где Е - напряженность электрического поля; q - заряд электрона.
Поскольку
dq=C * dU
U
E= ,
d
выражение dFЭЛ примет вид
C
dFЭЛ = UdU
d
то электростатическая сила, действующая на подвижный электрод будет
определяться следующим выражением:
U
C CU 2
F = ∫ UdU =
d 0 2d
где U - отклоняющее напряжение;
d- расстояние между подвижным и неподвижным электрода-
ми;
С — емкость, создаваемая подвижным и неподвижным элек-
тродами, определяемая выражением:
εε 0 S
C=
d
где ε - относительная диэлектрическая проницаемость воздуш-
ного зазора; ε 0 электрическая постоянная (8.85*10-12 Ф/м);
S - площадь подвижного электрода.
Таким образом, сила действующая на подвижной электрод относи-
тельно неподвижного может быть получена как
εε 0 S
F= U 2 где у – перемещение подвижного электрода
2(d − y ) 2
При подаче отклоняющего напряжения U между подвижным и не-

подвижным электродами возникает электростатическое взаимодействие и
подвижный электрод притягивается к неподвижному. По мере отклонения
подвижного электрода от первоначального положения расстояние между
электродами d будет уменьшаться, что приводит к увеличению электроста-
тической силы.
Для плоского конденсатора (рис.5.6) накопленная энергия W может
2
CU
быть рассчитана по формуле W =
2
где C-ёмкость и U-напряжение между обкладками конденсатора.
Когда пластины конденсатора перемещаются навстречу друг другу,
работа, совершаемая силой взаимодействия между ними, может быть рас-
78
Рис.5.6. Схема конденсатора
считана, как изменение U в зависимости от изменения расстояния (x). Си-

ла рассчитывается по формуле
FX = U 2∂C / ∂X / 2
Существует несколько вариантов реализации электростатических
актюаторов на основе плоскопараллельных конденсаторов: Перпендику-
лярное движение (рис.5.7)
1 ε0 A 2
FX = W
2 x2
Рис.5.7. К расчету электростатического актюатора при перпендикуляр-

ном движении
и при боковом движении (рис.5.8)
1 ε0z 2
FV = W
2 d
Рис.5.8. К расчету электростатического актюатора при боковом

движении
Возможен сердечник из диэлектрика (рис.5.9) и сердечник из полу-
проводника (рис.5.10)
79
Рис.5.9. С сердечником из
диэлектрика
Рис.5.10. С сердечником из
полупроводника
Справедливы соотношения
1 (ε d − ε 0 ) z 2
FV = W
2 d
1 ε 0 zd
FV = W2
2 d (d − d )
!
В этом случае можно сгенерировать только силы взаимодействия.

Для генерации больших сил, которые будут совершать полезную работу
такого устройства, необходимо, чтобы при изменении расстояния сильно
изменялись ёмкости. Это и есть руководство к действию для получения
электростатических гребневых микродвигателей. Гребневые микродвига-
тели распространены среди устройств, полученных поверхностной мик-
рообработкой. Они состоят из большого количества встречностержневых
штырей (рис 5.11).
Рис 5.11. Пример электростатических гребневых микродвигателей

При приложении напряжения, появляется сила взаимодействия ме-
жду штырями, и они начинают двигаться. Увеличение ёмкости пропор-
ционально количеству штырей, таким образом, для генерации больших
сил, требуется большое количество штырей. Одной из потенциальных
проблем такого устройства будет то, что если поперечное расстояние ме-
80
жду штырями не одинаково с обеих сторон, (или если устройство полома-

но), то возможно движение штырей под прямым углом к правильному на-
правлению и соединение их друг с другом до выключения напряжения
(при самом плохом раскладе они останутся соединёнными и после снятия
напряжения). Пример гребневого микродвигателя, изготовленного по
технологии MUMPs (многопользовательская МЭМС технология), пред-
ставлен на рис.5.12.
Рис.5.12. Гребневый микродвигатель, изготовленный по многополь-

зовательской МЭМС технологии
Нашли применение двигатели качения, названые так по действию рас-
качивания, положенному в основу их принципа работы. На рис.5.13-а пока-
зана конструкция двигателя качения, полученного при помощи технологии
поверхностной микрообработки.
а б
Рис.5.13. Конструкции двигателя качения
Ротор - это круглый диск. Во время работы снизу расположенные электро-
ды последовательно, друг за другом, включают и выключают. Диск после-
довательно притягивается к каждому электроду; край диска контактирует с
диэлектриком, расположенным над электродами. В такой манере он мед-
ленно вращается по кругу; делая один оборот вокруг своей оси совокупно-
стью нескольких изменений напряжения на статоре. Другая конструкция
двигателя качения представлена на рис 5.13-б. Ротор, находящийся внутри
статора, формирует ось двигателя. Электрическое поле раскачивает ротор
внутри статора, и трение вращает ротор.
Проблемы могут возникнуть: если быстро износится изоляция на
электродах статора; если произойдёт сцепление (или слипание) с ротором;
если ротор и подшипник не круглые, что обычно бывает из-за того, что
большинство пакетов автоматизированного проектирования рисуют не
81
круг, а многоугольник с большим количеством сторон, то в этом случае

ротор может застопориться даже во время своего первого оборота.
Проблема моторов полученных поверхностной микрообработкой -
это их очень маленькие вертикальные размеры, поэтому так трудно дос-
тичь большого изменения ёмкости при движении ротора. Для преодоле-
ния этих проблем можно использовать LIGA технологию. Мотор, изго-
товленный по этой технологии, показан на рис.5.13-а (c,d) - здесь цилинд-
рический ротор вращается вокруг статора.
При изготовлении электростатических актюаторов могут использо-
ваться технологии поверхностной и объемной микрообработки и MUMPs-
технология.
Таким образом:
1).Преимущества:
- выгодность пропорционального уменьшения размеров,
- лёгкость миниатюризации.
2).Недостатки:
- для большинства электростатических актюаторов частицы пыли и
поверхностные дефекты могут быть причиной поломки вследст-
вие малых воздушных зазоров,
- высокое напряжение,
- для двигателей вращения малый вращающий момент и короткий
срок жизнедеятельности из-за трения.
5.2. Магнитные актюаторы
Довольно часто микроустройства изготавливают при помощи галь-
ванотехники, используя никель (это особенно характерно для LIGA техно-
логии). А так как никель это ферромагнитный материал, то это стало пер-
вопричиной появления магнитных актюаторов. Слово магнитный употреб-
лять не совсем корректно, так как в этот класс микроактюаторов входят и
электромагнитные, магнитострикционные актюаторы .
Принцип их работы основан на деформации поликремниевых балок
или мембран, с нанесенным на них слоем пермаллоя (NiFe), под дей-
ствием внешнего магнитного поля.
Основным компонентом большинства магнитных актюаторов являет-
ся тонкоплёночная структура пластины, которая поддерживает электроли-
тический пермаллоевый участок, генерирующий механическую силу и вра-
щающий момент при условии помещения его в магнитное поле. Эти актюа-
торы различаются по виду механической поддержки, которая расположена
либо на консольных балках (рис.5.14 а), либо балках кручения (рис.5.14b).
Структурные пластины, как и поддерживающие балки сделаны из поли-
кристаллических тонких плёнок. Механизм активации проиллюстрирован
на рис. 5.14, используя актюатор первого типа.
82
Рис.5.14. Магнитные актюаторы
Три величины L, W, T - это длина, ширина и толщина магнитного

участка, соответственно. Консольная балка имеет длину l, ширину w,
толщину t. Когда внешнее магнитное поле равно нулю структурная пла-
стина параллельна плоскости подложки (рис.5.15).
Когда внешнее магнитное поле HВНЕШ, приложено нормально к
плоскости структурной пластины, внутри пермаллоевого участка возни-
кает вектор намагниченности М и он впоследствии взаимодействует с
HВНЕШ. Взаимодействие создаёт вращающий момент (ММАГ) и небольшую
силу, воздействующую на свободный конец консольной балки при этом,
заставляя её изгибаться.
Рис 5.15. Принцип дейст-

вия магнитного актюатора
Анализ квазистатических характеристик таких актюаторов предос-

тавлен в следующих двух абзацах. Прежде всего, будет проанализирован
магнитный момент и сила, которые появляются благодаря магнитному
взаимодействию. После этого будет получено полное смещение.
При приложении внешнего подмагничивания, пермаллоевый мате-
риал рассматривается как материал, имеющий постоянный плоскопарал-
лельный вектор намагниченности с величиной равной намагниченности
насыщения МНАС. При помещении во внешнее магнитное поле генериру-
ются две компоненты силы. Силы: F1, действующая на верхнюю грань и
сила F2 действующая на нижнюю грань зависят от напряжённости маг-
нитного поля на верхней H1 и нижней H2 грани пластины (в текущей
конфигурации H1 < H2). Величина H1 и H2 линейно зависит от соответ-
ствующего расстояния до поверхности электромагнитного источника
(рис.5.15). Структура пластины вместе с пермаллоевым участком имеет
толщину T+t. Её момент инерции I, пропорционален (T+t)3 и он намного
больше по сравнению с моментом инерции консольной балки, которая
83
имеет толщину t. Пластина структуры, вместе с пермаллоевым участком,

таким образом, рассматривается как твёрдое тело. Основываясь на этом
предположении систему сил, упрощают, перемещая F1 до совмещения с
F2. Результатом является вращающий момент, действующий против часо-
вой стрелки и сосредоточенная сила, воздействующая на нижнюю грань
структурной пластины.
Вращающий момент всегда стремится уменьшить полную энергию
в системе актюатора, выравниванием вектора намагниченности с силовы-
ми линиями внешнего магнитного поля. Фотография магнитного микро-
актюатора, полученная на сканирующем электронном микроскопе, пред-
ставлена на рис 5.16
Примером магнитного микроактюатора другой конструкции может
служить линейный мотор, показанный на рис 5.17. Магнит, расположен-
ный в канале, движется взад-вперёд при переключении тока в обмотках,
то с одной, то с другой стороны канала. Это магнитный микроактюатор
запоминания формы.
Рис.5.16. Фотография
магнитного микроактюатора
(a-вид, сверху, b-в перспекти-
ве)
Рис 5.17. Микроактюатор запоминания

формы
Общей проблемой, связанная с магнитными актюаторами является то,

что обмотки двумерны (трёхмерные обмотки очень тяжело изготовить на
микроуровне). Также ограничен выбор магнитного материала. Выбираются
только те материалы, которые легко обработать на микроуровне, т.е получа-
ется, что не всегда материал магнита выбирается оптимально. Во многом из-
за этого магнитные актюаторы потребляют большое количество энергии и
рассеивают много тепла.
Данный тип актюаторов нашел широкое применение в интеграль-
ной микросборке элементов МСТ.
Основной недостаток магнитных актюаторов - необходимость
использования внешних источников магнитного поля.
Данный тип актюаторов изготавливается по MUMPs-технологии.
84
Следует отметить, что для изготовления микроскопических компо-

нентов (размером до нескольких миллиметров) электростатические уст-
ройства обычно выгоднее магнитных, однако при более больших разме-
рах магнитные устройства превосходят электростатические.
5.3. Пьезоэлектрические актюаторы

Пьезоэлектрический эффект был открыт братьями Кюри в 1880.
Впервые его начали применять, используя естественные монокристаллы
(такие как кварц) в 1920 году. В 1950 появляется пьезоэлектрическая ке-
рамика, например PZT. Позже появляются пьезоэлектрические полимеры
(PVDF). Также было открыто, что для получения пьезоэлектрического
эффекта пьезоэлектрическую керамику надо подвергать процессу поляри-
зации, а для улучшения пьезоэлектрических свойств структура кристалла
должна быть асимметричной.
Пьезоэлектрический микроактюатр построен на использовании пье-
зоэлектрического эффекта. В основе теории пьезоэлектрических актюато-
ров лежит прямой пьезоэлектрический эффект - появление электрических
зарядов разного знака на противоположных гранях некоторых кристаллов
при их механических деформациях: сжатии, растяжении и т.п. Обратный
пьезоэлектрический эффект - состоит в деформации этих же кристаллов
под действием внешнего электрического поля. При обратном пьезоэлек-
трическом эффекте электрическое поле и деформацию актюатора связыва-
ют те же пьезоэлектрические коэффициенты, которые связывают напряже-
ние и поляризацию при прямом эффекте:
ε ij = π ij Ei
ε ij
где - тензор относительной деформации;
π ij
- тензор пьезокоэффициентов материалов;
Ei
- напряженность электрического поля.
В качестве материалов пьезоэлектриков используются кварц, LiTaO3
и ZnO.
На рис.5.18 показаны два простых примера, демонстрирующих прин-
цип действия пьезоэлектричекских актюаторов. На рис.5.18-а слой пьезо-
электрика осаждён на балку. При приложении напряжения балка изгибается:
Такой же принцип можно применить и с тонкой кремниевой мембраной (рис
5.18-б). Если приложить напряжение, мембрана деформируется.
Единственное ограничение это то, что плёнки должны быть доста-
точно толстыми для предотвращения диэлектрического пробоя или ко-
роткого замыкания, это может произойти, если приложить высокое на-
пряжение.
Данный тип актюаторных элементов изготавливается с использова-
85
нием технологии объемной микрообработки и LIGA-технологии.
(a) (б)
Рис.5.18. Актюатор, работающий по принципу балки (a) с тонкой
кремниевой мембраной (б)
Наибольшую популярность имеют следующие конструкции пьезо-
электрических микроактюаторов: блочные актюаторы, двигатели враще-
ния, шаговые двигатели, биморфные актюаторы, цилиндрические
(рис.5.19)
Рис.5.19. Конструкции пьезоэлектрических микроактюаторов
5.4. Тепловые исполнительные микроустройства

Термоактюаторы были разработаны одними из первых и использо-
вались в сенсорах измерения и определения потоков жидкости и газов в
качестве нагревательных элементов.
Основное применение термоактюаторы нашли в механизмах
горизонтального и вертикального поворота структур элементов МСТ. Те-
пловые исполнительные микроустройства (тепловые актюаторы) исполь-
зуют как линейное или объёмное расширение жидкости или газа, так и
деформацию формы вследствие биметаллического эффекта, которые
имеют место благодаря изменению температуры.
Принцип работы термоактюаторов основан на тепловом расшире-
нии структурных материалов элементов микросистемной техники.
Если при однородном нагреве температура твердого тела возрас-
тает на ∆T , то тело испытывает деформацию, описываемую следующим
выражением
ε = α ⋅ ∆T
где α - коэффициент теплового расширения;
43. Пьезоэлектрические микроактюаторы. Принцип действия.
Микроактюатор (составная часть МЭМС) - это устройство, которое
преобразовывает энергию в управляемое движение. Микроактюаторы имеют
размеры от нескольких квадратных микрометров до одного квадратного
сантиметра. Диапазон применения микроактюаторов чрезвычайно широк и
различен, и он постоянно возрастает. Они используются в робототехнике, в
управляющих устройствах, в космической области, в биомедицине , дозиметрии, в
измерительных приборах, в технологии развлечения, автомобилестроении и в
домашнем хозяйстве.
Конкретные примеры использования: микроактюаторы нужны для управления
резонансными датчиками, они генерируют и передают им резонансную частоту;
для управления режущими инструментами в микрохирургии, это также различные
микродвигатели, которые используются для управления микрореле,
микрозеркалами и микрозажимами; микроактюатором может быть даже
микроэлектродное устройство для возбуждения тканей мускул в неврологических
протезах.
В данном разделе все методы получения активации (движение, деформация,
приведение в действие) в таких устройствах кратко сведены к следующим:
электростатический, магнитный, пьезоэлектрический, гидравлический и тепловой.
При оценке использования того или иного метода часто пользуются законами
пропорционального уменьшения размеров. Наиболее перспективными методами
считаются пьезоэлектрический и гидравлический, хотя и другие имеют важное
значение. Электростатическая активация применяется примерно в одной трети
актюаторов, и, вероятно, это наиболее общий и хорошо разработанный метод, его
главные недостатки это износ и слипание. Магнитные актюаторы обычно требуют
относительно большой электрический ток (т.е много энергии), также на
микроскопическом уровне при использовании электростатических методов
активации, получаемый выходной сигнал на относительную единицу размерности
лучше, чем при использовании магнитных методов, т.е при одном и том же размере
электростатическое устройство выдаёт более хороший выходной сигнал. Тепловые
актюаторы тоже потребляют относительно большое количество электрической
энергии, главный их недостаток в том, что генерируемое тепло должно быть
рассеяно.
Для оценки микроактюаторов используют следующие критерии качества:

линейность, точность, погрешность, повторяемость, разрешение, гистерезис,
пороговое значение, люфт, шум, сдвиг, несущая способность, амплитуда,
чувствительность, скорость, переходная характеристика, масштабируемость, выход
по энергии.
Для получения надёжных, функциональных и относительно дешёвых МЭМС
очень важным становится этап проектирования. Существует довольно много
программных средств, которые позволяют моделировать МЭМС устройства.
Наиболее известные из них это: SUGAR, MEM Research, 3-D ANISOTROPIC ETCH
SIMULATION ON-LINE , CorningIntelliSense Corporation, Nodal Design of Actuators
and Sensors, Coventor Inс, MEMSCAP, Tanner Research.
Основные проблемы: при использовании очень гладких поверхностей, типичных

для микромашинных устройств, слипание или примерзание двух частей между
собой это обычное дело, и в конструировании микроактюаторов это целая
проблема. Эти эффекты могут увеличить трение до такой степени, что вся
выходная мощность такого устройства сводится к преодолению трения, а трение и,
как следствие, износ приводит к преждевременному старению и поломке . Для
преодоления этих проблем, необходимо использовать точно рассчитанные
конструкции и хорошо подобранные материалы, но и в этом случае во многих
конструкциях микроактюаторов неприятности, связанные с этими эффектами, не
исчезают. Ещё одну опасность для конструкции микроактюатора представляет
поверхностное натяжение в момент извлечения его из раствора травителя.
В основе теории пьезоэлектрических актюаторов лежит прямой пьезоэлектрический

эффект - появление электрических зарядов разного знака на противоположных гранях
некоторых кристаллов при их механических деформациях: сжатии, растяжении и т.п и
обратный пьезоэлектрический эффект - состоит в деформации этих же кристаллов под
действием внешнего электрического поля. Основная формула для прямого эффекта:
Для обратного
где - вектор электрического смещения, - напряжённость электрического

поля, - относительная деформация, - механическое напряжение. Основными
параметрами являются: - пьезоэлектрические коэффициенты, - коэффициенты
упругой деформации, коэффициенты диэлектрической проницаемости . Краткая
историческая справка: Пьезоэлектрический эффект был открыт братьями Кюри в 1880.
Впервые его начали применять используя естественные монокристаллы (такие как
кварц) в 1920 году. В 1950 появляется пьезоэлектрическая керамика, например PZT.
Позже появляются пьезоэлектрические полимеры (PVDF). Также было открыто, что для
получения пьезоэлектрического эффекта пьезоэлектрическую керамику надо
подвергать процессу поляризации, а для улучшения пьезоэлектрических свойств
структура кристалла должна быть асимметричной. Пьезоэлектрический микроактюатр -
это микроактюатор, который построен на использовании пьезоэлектрического эффекта.
Наибольшую популярность имеют следующие конструкции пьезоэлектрических
микроактюаторов:
44. Термоэлектрические микроактюаторы. Принцип действия.

Тепловые исполнительные микроустройства (тепловые актюаторы) используют как
линейное или объёмное расширение жидкости или газа, так и деформацию формы
вследствие биметаллического эффекта, которые имеют место благодаря изменению
температуры. Рассмотрим биметаллический актюатр. На рис 15-а вы видите балку из
одного материала (кремний), и слой из другого материала (алюминий). Коэффициент
теплового расширения у них разный. При нагревании, один материал расширяется
быстрее, чем другой, и балка изгибается. Нагревание можно производить, пропуская
через это устройство электрический ток.
Пример показывает, что тепловые актюаторы могут создавать относительно большие

силы, но нет конструкции которая бы позволяла это сделать с позиции эффективного
использования энергии. Результат становится более хорошим при увеличении разницы
между коэффициентами теплового расширения α и при большем изменении
температуры ∆T, однако достигаемое КПД всё равно остаётся относительно маленьким.
Газы и жидкости имеют намного больший коэффициент теплового расширения, чем
твёрдые тела, и это можно использовать в термопневматических микроактюаторах. На
рис 16-b показан резонатор, внутри которого находится жидкость, с тонкой мембраной
в роли нижней стенки. Через нагревательный элемент (резистор) пропускается ток.
Жидкость нагревается и начинает расширяться, деформируя мембрану.
45. Микромеханизмы. Классификация.
46. Технологии, применяемые для изготовления устройств микросистемной

техники. Их отличие от технологий микроэлектроники.
«технологии микросистем» – обеспечивает работу
информационных систем и их связи с внешним
материальным миром
Для изготовления элементов МСТ применяют
технологические операции, которые используются в
микроэлектронике: окисление, фотолитография, травление,
легирование, металлизация и т.д. А также специально
разработанные технологические операции – анизотропное и
селективное травление для формирования структур, метод
анодной сварки или плавления для соединения пластин. Однако
при сходстве процессов изготовления элементов ИС и МСТ
между ними существуют различия, которые связаны с
различными требованиями к геометрическим размерам
элементов.
Технологические нормы изготовления элементов интегральных схем и
микросистемной техники
47. Беспроводные сенсорные сети. Классификация и основные элементы, из
которых они состоят.
Объединенные в беспроводную сенсорную сеть, датчики образуют распределенную,

самоорганизующуюся систему сбора, обработки и передачи информации. Основной областью
применения является контроль и мониторинг измеряемых параметров различных физических полей,
сред и объектов.
Сенсорные сети состоят из: •Общие, рядовые (многоцелевые) узлы или generic (multipurpose) nodes
Задача общего узла – проводить измерения контролируемой среды. Он может быть оснащен
различными устройствами, которые могут измерять различные физические свойства, такие как свет,
температура, влажность, атмосферное давление, скорость, ускорение, акустики, магнитное поле и
т.п.
Шлюзовые (мостовые) узлы или Gateway (bridge) nodes Задача шлюзового узла – сбор данных от
датчиков и передача их на базовую станцию. Шлюзовые узлы имеют большие возможности по
обработке данных, лучшую мощность батареи и большую дальность передачи (радио). БСС
представляют собой сочетание общих и шлюзовых узлов.
Время жизни сенсорной сети напрямую зависит от числа активных узлов и возможности передачи
данных между ними. Так как узлы сенсорных сетей работают на батарее с малым запасом энергии,
то вопросы зарядки либо увеличения срока службы данных батарей выходят на первый план.
1.Использование новых протоколов или операционных систем для более эффективной работы сети
и меньшего потребления энергии.
2.Разработка более энергоемких батарей.
3.Разработка автономных источников энергии, собирающих энергии окружающей среды.
5 основных типов сенсорных сетей в зависимости от среды применения:
•Наземные БСС (Terrestrial WSN);
•Подземные БСС (Underground WSN);
•Подводные БСС (Underwater WSN);
•Видео, аудио и фото БСС (Multi-media WSN);
•Мобильные БСС (Mobile WSN).
48. Типы автономных источников энергии. Классификация.
Технология Energy Harvesting развивается уже несколько лет, но
только сейчас появилась возможность ее коммерческой реализации.
Это обусловлено, во-первых, тем, что каждое новое поколение
микросхем потребляет все меньше энергии. Так, по оценкам компании
Texas Instruments, подобно закону Мура, но с обратным знаком,
потребляемая мощность цифровых микросхем каждые 18 месяцев
уменьшается в два раза. Во-вторых, развитие технологии
беспроводных сетей привело к появлению систем и протоколов
радиосвязи, обеспечивающих передачу все большего объема
информации при все меньшей потребляемой мощности. И, наконец,
существенно расширились возможности разнообразных устройств
освоения энергии окружающей среды.
Исследование масштабирования полевых МОП-транзисторов Деннардом [6, 7] показало, что
если не меняется напряженность поля, то напряжение и время задержки уменьшаются в S
раз. Следовательно, быстродействие растет, а энергопотребление падает. Таким образом,
масштабирование влияет на развитие микроэлектроники через изменение степени интеграции
и цены функции ИС, а также повышение рабочих характеристик ИС. Исторически
масштабирование ИС прошло несколько этапов, которые были отражены в их определениях в
изданиях ITRS. В несколько адаптированном виде они приведены ниже.
Геометрическое масштабирование
Геометрическое масштабирование (Geometrical Scaling) направлено на постоянное сокращение

горизонтальных и вертикальных физических размеров областей функций логики и памяти для
повышения плотности элементов и функциональных характеристик (скорость, мощность и
надежность), необходимых для приложений у конечного заказчика.
Масштабирование параметров производится после выбора одного из них постоянным. В

качестве постоянного фактора при масштабировании обычно принимались постоянная
напряженность поля или постоянное напряжение [8] (табл.1). В последнем случае были
рассмотрены три варианта учета частоты, а также возможность учета многоядерной
структуры.
Казалось, что масштабирование полностью решает проблемы миниатюризации при

последовательном переходе к все более малым размерам структурных элементов МОП-
транзистора. И действительно, вплоть до проектных норм 90 нм (2004 г.), происходила
масштабная геометрическая миниатюризация при постоянном электрическом поле – все
размеры транзистора и напряжения в нем изменялись с таким же коэффициентом, как и
минимальный литографический размер. Этот период называют "золотой эрой
миниатюризации", когда уменьшение размеров транзистора было относительно простой
задачей, с малыми изменениями в его структуре при переходе от одного технологического
уровня к другому. Однако ниже 90 нм дальнейшее простое геометрическое масштабирование
приводило к ухудшению транзисторных характеристик.
Эквивалентное масштабирование
С уменьшением толщины затворного оксида ниже 1,6 нм резко возрастает ток прямого
квантово-механического туннелирования, и затворный диэлектрик из традиционного диоксида
кремния теряет свои изолирующие свойства. Выход был найден в использовании
диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной (high-k –диэлектриков).
С точки зрения управляемости транзистора, то есть возможности контролировать ток в канале

затворным напряжением, необходимо чтобы при масштабной миниатюризации удельная
емкость затворного диэлектрика Сox увеличивалась. При геометрическом масштабировании
это увеличение обеспечивалось уменьшением толщины затворного диэлектрика. Однако
можно не уменьшать толщину, а увеличить диэлектрическую проницаемость затворного
диэлектрика, используя другой материал, что обеспечит необходимое значение Сox. Таким
образом исключается увеличение вертикального электрического поля и предотвращается
затворная утечка. Используемый диэлектрик характеризуется значением "эквивалентной
толщины оксида кремния" (ЭОТ-EOT).
Этот подход начали реализовывать еще с проектных норм 180 нм. В качестве альтернативного
диэлектрика до проектных норм 65 нм использовался оксинитрид кремния с увеличивающейся
долей нитрида по мере масштабирования (и, соответственно, увеличением диэлектрической
проницаемости до 8–9). Начиная с проектных норм 45 нм в качестве затворных диэлектриков
стали применять такие материалы, как HfO2 и ZrO2. Замена SiO2 на другие диэлектрики была
первым примером "эквивалентного масштабирования".
Функциональное масштабирование
Система, реализованная для выполнения специфических функций с помощью определенной

технологии, называется функционально масштабированной (Functional Scaling) если может
быть реализована с использованием альтернативной технологии так, что ее функции будут
идентичны функциям оригинальной системы, и по крайней мере одна из ее рабочих
характеристик улучшается, а остальные не ухудшаются. На практике функциональное
масштабирование предполагает такое проектирование ИС, при котором ее последующее
изготовление возможно по различным проектным нормам.
Эквивалентное масштабирование на основе проектирования
Масштабирование элементов ИС выдвигает новые проблемы, непосредственно касающиеся

проектирования ИС как системы. Поэтому необходима разработка новых методов
проектирования, которые позволяют при масштабировании достичь рабочих характеристик
ИС, включая потребляемую мощность и стоимость в соответствии с законом Мура. Такой
подход получил название "эквивалентное масштабирование на основе проектирования"
(Design-based Equivalent Scaling). Оно включает геометрическое и эквивалентное
масштабирование элементов ИС и позволяет достичь улучшения рабочих характеристик,
плотности упаковки и других показателей негеометрическими методами. Взаимосвязь типов
масштабирования приведена на рис.6.
Различные методы эквивалентного масштабирования (как интегральных элементов, так и на

основе проектирования) могут быть применены для различных типов ИС. Это привело к тому,
что улучшения рабочих характеристик в соответствии с законом Мура стали характерными для
определенного типа ИС. Поэтому по мере масштабирования происходит дальнейшая
дифференциация и специализация ИС на уровне проектирования, технологических процессов,
а также проектных норм.
49. Спиновые устройства.

Инженеры изобрели прорывное спиновое запоминающее устройство
Оно разработано на основе ферримагнетиков и предоставляет более стабильные обработку и

хранение информации.
Международная команда исследователей под руководством инженеров из Национального

университета Сингапура (НУС) изобрела новое магнитное устройство для манипуляции цифровой
информацией в 20 раз эффективнее и в 10 раз стабильнее, чем коммерческие спинтронные
запоминающие устройства. Новаторское спинтронное запоминающее устройство использует
ферримагнетики. Об изобретении рассказано в статье журнала Nature Materials. Этот прорыв
может ускорить коммерческий рост спиновых технологий.
Спинтроника — электроника нового поколения
Достаточно молодая область современной физики — спиновая электроника, или спинтроника, —

притягивает всё больше исследователей многообещающими практическими применениями. Если
в традиционной электронике используется обычный электрический ток (перемещаются заряды),
то электроника нового поколения основана на ином физическом принципе — в ней
перемещаются спины электронов.
Спин электрона (собственный момент количества движения) — это внутренняя характеристика
электрона, имеющая квантовую природу и не зависящая от движения электрона. Спин электрона
может находиться в одном из двух состояний — либо «спин-вверх» (направление спина совпадает
с направлением намагниченности магнитного материала), либо «спин-вниз» (спин и
намагниченность разнонаправлены). Обычно электроны в веществе в среднем неполяризованы —
электронов со спином вверх и со спином вниз примерно поровну. Орудием спинтроники является
ток, создаваемый электронами с однонаправленными спинами (спиновый ток). Для получения
достаточно сильного тока необходимо поляризовать спины, упорядочив их в одном направлении.
Важно, чтобы еще и время жизни спина (время, в течение которого направление спина не
меняется) было достаточно большим для передачи его на нужные расстояния
Спиновый вентиль или спиновый клапан — устройство, состоящее из двух или более проводящих
магнитных материалов, чьё электрическое сопротивление может меняться между двумя
значениями в зависимости от относительного выравнивания намагниченности в слоях. Изменение
сопротивления при изменении намагниченности слоёв в такой вертикальной структуре является
результатом эффекта гигантского магнитосопротивления. Магнитные слои устройства
выравниваются «вверх» или «вниз» в зависимости от направления внешнего магнитного поля. В
простейшем случае спиновый клапан состоит из немагнитного материала, зажатого между двумя
ферромагнетиками, одним из которых является слой фиксированный (закрепленный) на
антиферромагнетике, который действует так, чтобы поднять его магнитную коэрцитивность и
ведет себя как «жесткий» слой, а другой ферромагнитный слой свободен и ведет себя как
«мягкий» слой. Из-за разницы в коэрцитивности мягкий слой меняет полярность при меньших
изменениях магнитного поля, чем твердый. При приложении магнитного поля соответствующей
напряжённости мягкий слой, переключая полярность, может находиться в двух различных
состояниях: параллельном, состояние с низким сопротивлением и антипараллельном, состояние с
высоким сопротивлением.
Принцип работы
Работа спиновых клапанов основывается на квантовом свойстве электронов, называемом спином.

Из-за расщепления плотности состояний электронов на уровне Ферми в ферромагнетиках
наблюдается чистая спиновая поляризация. Проходящий электрический ток через ферромагнетик,
следовательно, несет в себе как заряд, так и спиновую компоненту. Для сравнения, обычный
металл имеет равное число электронов со спинами вверх и вниз, таким образом, в равновесной
ситуации такие материалы поддерживают ток заряда с нулевым спином. Однако при пропускании
тока из ферромагнетика в нормальный металл спин также переносится. Обычный металл может,
таким образом, передавать спин между отдельными ферромагнетиками, при условии
достаточной длины спиновой диффузии.
Передача спина зависит от выравнивания магнитных моментов в ферромагнетиках. Если ток

проходит в ферромагнетик с основным спином «вверх», например, электроны со спином вверх
будут проходить через границу относительно беспрепятственно, а электроны со спином «вниз» -
отражаться или, при перевороте спина на границе ферромагнетика, чтобы попасть на
незаполненное состояние. Таким образом, если оба - фиксированный и свободный слои -
поляризованы в одном направлении, устройство имеет относительно низкое электрическое
сопротивление, а если под воздействием магнитного поля меняется полярность свободного слоя,
то устройство имеет повышенное сопротивление за счет дополнительной энергии, необходимой
для рассеяния спина в другое состояние.
создан первый в мире спин-электронный транзистор, удовлетворяющий всем перечисленным

выше критериям! Причем он создан на базе кремния, которому пророчили позицию аутсайдера в
современной электронике.
Исследовательская группа в составе Иана Аппельбаума (Ian Appelbaum) и его аспиранта Бициня
Хуана (Biqin Huang) из Делавэрского университета (University of Delaware), а также Доу Монмы
(Douwe Monsma) из компании «Кембридж НаноТех» (Cambridge NanoTech) показала, что спин
может быть транспортирован (перемещен) на марафонскую по меркам микроэлектроники
дистанцию — 350 мкм!!! — сквозь беспримесную кремниевую подложку (использование
беспримесной подложки позволяет добиться протекания «чистого» спинового тока в
полупроводнике, что очень важно для точного детектирования результирующего сигнала).
Туннельное магнитосопротивление (TMR) является магнитоустойчивым эффектом, который

происходит в магнитном туннельном соединении (MTJ), которое является компонентом,
состоящим из двух ферромагнетиков, отделенных тонким изолятором. Если слой изолирования
достаточно тонкий (как правило, несколько миллимикронов), электроны могут тоннель от одного
ферромагнетика в другой. Так как этот процесс запрещен в классической физике, туннельное
магнитосопротивление строго квант механическое явление.
Описание
Эффект туннельного магнетосопротивления аналогичен гигантскому магнетосопротивлению,
однако ферромагнитные области разделены не проводящими, а изолирующими прослойками. В
этом случае транспорт носителей заряда через изолирующую прослойку обеспечивается
исключительно квантовомеханическими эффектами. Примером системы, в которой реализуется
эффект туннельного магнетосопротивления, может служить композит, представляющий собой
ферромагнитные зерна в изолирующей матрице, или слоистая структура, в которой магнитные
слои разделены тонкими слоями диэлектрика. В настоящее время на базе эффекта туннельного
магнитного сопротивления создана магнеторезистивная оперативная память (MRAM). Эффект
также применяется в считывающих головках накопителей на жестких дисках. Данный эффект —
один из основных эффектов, который может быть практически реализован в
устройствах спинтроники.
магнетосопротивление, гигантское сокр., ГМС иначе гигантское магнитосопротивление

(англ. giant magnetoresistance сокр., GMR) — эффект изменения электрического сопротивления
образца под действием магнитного поля (преимущественно в гетероструктурах и сверхрешетках),
отличающееся от магнетосопротивления масштабом эффекта (возможно изменение сопротивления
на десятки процентов, в отличие от магнетосопротивления, когда изменение сопротивления не
превышает единиц процентов).
Описание
Гигантское магнетосопротивление наблюдается в многослойных материалах с чередующимися

тонкими слоями ферромагнитных и немагнитных металлов.
Толщина отдельного слоя может составлять всего несколько атомов. Сопротивление таких
образцов велико, если локальные магнитные поля в ферромагнетиках направлены в
противоположные стороны, и минимально, когда параллельны. Явление получило название
гигантского магнетосопротивления, поскольку его величина существенно превосходила таковую
для известного магнетосопротивления. ГМС было открыто в 1988–89 гг. независимо друг от друга
двумя группами под руководством Альбера Фера и Петера Грюнберга, за что им была присуждена
Нобелевская премия по физике за 2007 г. Явление гигантского магнетосопротивления
используется в считывающих головках жестких дисков и сверхчувствительных магнитных
сенсорах.
В ряде случаев более перспективным по сравнению с ГМС-материалами является использование

материалов с эффектом колоссального магнетосопротивления.
53. МЭМС (про трансформаторы нихуя нет) и индуктивности.
Для создания малогабаритных широкополосных СВЧ-схем необходимы

сверхминиатюрные элементы с сосредоточенными параметрами, резонанс которых не наступает
вплоть до субмиллиметрового диапазона длин волн. К серийно выпускаемым изделиям
подобного типа относятся МЭМС-индуктивности и МЭМС-конденсаторы с фиксированными
или переключаемыми параметрами (их в некоторых англоязычных источниках неудачно
называют варикапами или варакторами).
На современном рынке представлены различные конструктивные варианты МЭМС-

индуктивностей (табл.3). Обзор и сопоставление вариантов конструкций индуктивных
элементов дан в [9 (в какой-то там работе он дан)]. В работе описана изготовленная по
технологии поверхностной обработки спиральная катушка, подвешенная над кремниевой
подложкой на высоте около 60 мкм. В другой конструкции спиральная катушка, выполненная
по технологии объемной микрообработки, размещается на поверхности подложки, и
находящаяся под ней область удаляется, образуя зазор. Наиболее высокие значения добротности
и резонансной частоты получены для объемного соленоида с ленточными витками в виде
меандра со сторонами 30·30 мкм и высотой около 100 мкм [8].
Интересна конструкция МЭМС-индуктивности, выполненной в виде тора диаметром

около 100 мкм с 20 прямоугольными витками высотой 10 мкм [8].
Качество подложки существенным образом влияет на добротность индуктивности QL и

ее резонансную частоту f рез. Для индуктивностей с воздушным зазором шириной 20 мкм
измеренные значения добротности достигают 7 при резонансной частоте 18,6 ГГц. Для
подобных узлов, изготовленных на высокоомной кремниевой подложке, добротность равна 20,2
при резонансной частоте 25,6 ГГц [9].
Управляемые МЭМС-индуктивности выполняются на основе двух параллельно

включенных катушек [9]. Одна из них размещена на неподвижной подложке, а другая – на
термоуправляемом подвижном актуаторе. Диапазон изменения индуктивности в
предварительных экспериментах составил примерно 13% в полосе частот 2–5 ГГц.
На основе рассмотренных базовых компонентов с сосредоточенными параметрами

(ключи, индуктивности и емкости) разрабатываются переключаемые и перестраиваемые
частотные фильтры [14].
54. Устройства МСТ в медицине.
Рынок медицинской техники – один из немногих, выдержавших спад экономики в 2009

году.
Развитию рынка медицинской техники активно способствуют МЭМС-компоненты: они

малогабаритны, энергоэффективны, не агрессивны (т.е. не болезненны), для выполнения
анализов с их помощью требуется лишь небольшое количество исследуемого вещества
(например, крови). Достаточно большое число таких компонентов может быть объединено в
одну микросхему, как правило, с помощью групповых процессов кремниевой технологии, что
также способствует росту их применения, поскольку кожа человека слабо реагирует на кремний.
БиоМЭМС – это МЭМС, выполняющие биологические или биомедицинские функции.

Используются для анализа, диагноза, лечения заболевания, доставки лекарства, исследования
клеточной структуры.
Определяют 4 основных сектора рынка медицинских МЭМС:
● Фармацевтическая продукция
● Средства диагностики в лабораторных условиях (in-vitro)
● Устройства медицинского назначения
● Медицинские средства надомного обслуживания
Эти графики прогнозирования развития рынка медМЭМС и соотношения объема рынка

по типам мэмс рассказывать наверно не придется, но на всякий стоит ознакомиться
Снова табличка “что за что отвечает и где применяется”
Рофлянки (примеры) по теме нумеро уно и дос (ыыы мясо для ебли), а так же
имплантируемый датчик давления, слуховой имплант, лаборатория на чипе, протезирование и
все все все… всё.
55. Устройства МСТ в судостроении. (и отсюда продолжение в авиастроение и военку)
Инерциальная навигация стала одним из важнейших направлений судостроения и

атомного подводного флота. А соответствующая отрасль приборостроения — одной из самых
наукоемких в промышленности. Ведь вся история рождения и становления инерциальной
навигации основана на непосредственном использовании теоретической механики и
фундаментальной математики при решении практических инженерных задач.
И поэтому не случайно технологиями, необходимыми для создания инерциальных

навигационных систем самой высокой точности, которые используются в военной,
космической, судовой и авиационной технике, в мире в полном объеме сейчас владеют всего
четыре страны — США, Франция, Россия и Китай.
В последние десятилетия получили развитие и стали неотъемлемой частью нашей жизни

спутниковые системы навигации — GPS, ГЛОНАСС и другие. Датчики этих систем
установлены не только на кораблях или самолетах, но и в автомобилях и почти во всех
современных гаджетах, позволяя нам самим определять свое местоположение, равно как и
следить за нами, что многих уже стало и раздражать.
Применение инерциальных МЭМС в судостроении:
● Стабилизация транспортного средства

● Навигация судов. Информация о курсе и т.д.
● Наклон движения и стабильность
● Измерение уровней заполнения резервуаров с питьевой и морской водой, топливных
баков и танков (уровня заполнения открытых отсеков и осадки при погрузке судна)
● Контроль работы насосных и компрессорных установок, пневматических систем
управления, давление смазочного масла в топливной системе
56. Устройства МСТ в авиастроении. (по предыдущему вопросу почти нихуя не написать,
а тут классификация за классификацией)
Датчики и приборы летательных аппаратов можно классифицировать по следующим

признакам:
- назначение;
- выходной сигнал;
- способ представления информации;
- дистанционность действия.
По назначению их можно разделить на такие группы:
- пилотажно-навигационные приборы и датчики;

- приборы и датчики контроля режимов работы бортовых агрегатов;
- медико-биологические приборы и датчики;
- приборы и датчики для измерения параметров окружающего пространства.
Пилотажно-навигационные приборы и датчики определяют линейные и угловые

координаты положения ЛА и их производные: географическую широту и долготу, высоту
полѐта, скорость полѐта, курс, углы тангажа и крена, углы атаки и т.д.
Датчики контроля режимов работы определяют: давление, температура, расход

жидкостей и газов, количество жидкости, угловая скорость вращения вала двигателя и т.д.
Медико-биологические приборы и датчики определяют: частота пульса, частота и

глубина дыхания, температура тела, давление крови, биотоки мышц и т.д.
Датчики для измерения параметров окружающего пространства выдают информацию о

составе, концентрации, давлении, плотности и температуре межпланетного вещества, о зарядах
частиц этого вещества, солнечном ветре, об энергетическом и химическом спектре космических
лучей, о параметрах магнитных, гравитационных и электрических полей планет и т.д.
По выходному сигналу приборы делятся на следующие виды:
- визуальные приборы с выходным сигналом, воспринимаемым органами зрения

человека;
- акустические приборы с выходным сигналом, воспринимаемым слухом человека;
- приборы с выходным сигналом, воспринимаемым органами осязания человека
(механическое, электрическое или химическое раздражение).
Датчики по выходному сигналу распределяются на:
- с электрическим выходным сигналом;

- с гидравлически или пневматическим выходным сигналом;
- с механическим выходным сигналом;
- с оптическим выходным сигналом;
- с акустическим выходным сигналом.
В состав авиационных приборов входят первичные измерительные преобразователи

перемещений, которые классифицируются следующим образом:
- по характеру измеряемых перемещений: линейные и угловые;

- по физическому принципу действия чувствительного элемента (фотоэлектрические,
электростатические, пьезоэлектрические, электроакустические, электромагнитные,
электромеханические);
- по структуре построения: с последовательным преобразованием, дифференциальные,
компенсационные;
- по характеру выходного сигнала: непрерывные и дискретные;
- по параметру выходного сигнала, линейно зависящего от перемещения: непрерывные
подразделяются на амплитудные, частотные, фазовые; дискретные – на амплитудно-
импульсные, частотно-импульсные, время-импульсные, число-импульсные,
кодоимпульсные.
Датчики с частотным выходом классифицируются следующим образом:
- по физической природе: механические, акустические, корпускулярные и т.д.

- по принципу действия: резонаторные, частотно-зависимые, развертывающие и
интеграционные;
- по режиму работы: работающие в режиме свободных и вынужденных колебаний;
- по типу используемых элементов (с сосредоточенными и распределѐнными
параметрами).
Внутренние условия задаются при проектировании и выборе состава бортового

оборудования и поддерживаются в полѐте с помощью автоматических устройств в заданных
пределах:
- температура воздуха – от -60 до +60 С, вблизи источников тепла она может достигать
более 250 С;
- давление воздуха – от 700…800 мм рт. ст. у поверхности Земли (760 мм рт. ст.) до 40 мм
рт. ст. на высоте 20000 м.;
- плотность воздуха от 1,2255 до 0,0879 кг/м3 при изменении высоты от0 до 20000 м;
- относительная влажность – от 0 до 100%.
Кроме климатических воздействий на работу приборов и датчиков существенно влияют

вибрации и перегрузки. Линейные ускорения самолѐта достигают 5…10 g. Вибрационные
линейные ускорения в местах крепления приборов - от единиц до нескольких тысяч герц по
частоте и от единиц до нескольких десятков g по ускорению. Угловые ускорения, вызванные
колебаниями самолѐта относительно ц.м., могут достигать нескольких десятков 1/c2 . Угловые
ускорения, вызванными изгибными и крутильными колебаниями конструкции самолѐта – до
нескольких герц по частоте и нескольких десятков 1/c2 по амплитуде.
В связи с этим при проектировании и изготовлении авиационных датчиков и приборов

необходимо обеспечить выполнение ряда общих и специальных требований, основные:
- минимальная масса, габариты и стоимость;

- высокая надѐжность функционирования элементов и систем в пределах установленного
для них ресурса времени работы и температуры окружающей среды от -60 до +60…80 С
при влажности до 100 %;
- работоспособность оборудования независимо от положения самолѐта в пространстве и
возможных вибрационных и ударных воздействий;
- отсутствие влияния отдельных видов оборудования на работу соседних агрегатов и
систем;
- высокая точность измерения, стандартизация отдельных элементов и всего
оборудования в целом.
57. Устройства МСТ в ВПК.
В военно-промышленном комплеке (ВПК) микросистемная техника используется в

сферах, описанных выше.
Также МСТ в ВПК применяется для:
- Мониторинга границ военных объектов

- Военного наблюдения
- Отслеживания неприятеля
- Военных систем безопасности
Все это возможно благодаря беспроводным сенсорным сетям (БСС). Объединенные в

беспроводную сенсорную сеть, датчики образуют распределенную, самоорганизующуюся
систему сбора, обработки и передачи информации. Основной областью применения является
контроль и мониторинг измеряемых параметров различных физических полей, сред и объектов.
Достоинства систем на основе сенсорных сетей:
● возможность расположения в труднодоступных местах, куда сложно и дорого тянуть

обыкновенные проводные решения;
● оперативность и удобство развертывания и обслуживания системы;
● надежность сети в целом — в случае выхода из строя одного из них, информация
передается через соседние элементы;
● возможность добавления или исключения любого количества устройств из сети;
● высокий уровень проникновения сквозь препятствия (стены, потолки) и стойкость к
электромагнитным помехам (благодаря высокой частоте работы системы — 2,4 ГГц);
● длительное время работы без замены элементов питания.
Отличие от традиционных сетей:
● ограничение по энергии, либо малый источник энергии либо ограничения по источнику

энергии;
● передача данных на малое расстояние, ограниченная мощностью передатчиков узла;
● низкая пропускная способность по передаче данных между узлами;
● Ограниченные возможности по обработке и хранению информации в каждом отдельном
узле сети.

Micro-Electromechanical Systems (MEMS) - Microsystems Technology (MST) - Micromachines

Загружено:

Сведения о документе

Оригинальное название

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

Micro-Electromechanical Systems (MEMS) - Microsystems Technology (MST) - Micromachines

Оригинальное название:

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Лекция №6: «Электростатика.

В общем случае под МЭМС понимают различные механико-

Микроэлектромеханические системы (МЭМС) — устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и микромеханические компоненты.

Акселерометр фирмы Analog Devices Матрица из микрозеркал фирмы

, где к – коэффициент пропорциональности, зависящий от выбора системы

Напряженность поля, создаваемого системой точечных зарядов, равна векторной

1.1. Электрическое поле. Напряженность поля

Теорема Гаусса утверждает, что в произвольном электростатическом поле (в

С помощью теоремы Гаусса сравнительно просто получаются выражения для

Поле между пластинами бесконечного плоского конденсатора. Поле в такой

где ζ – плотность поверхностного заряда обкладок конденсатора.

1.2. Потенциал поля

При перемещении на расстояние dl единичного заряда q0 силами электрического

А на конечном пути L она составит

Доказано, что если электрическое поле создается системой неподвижных зарядов,

Из последнего выражения, в частности, можно получить условие, согласно

Если же точки P и P 0 достаточно удалены друг от друга, то справедливо следующее

Напряженность электрического поля E равна градиенту электрического потенциала

, где ρ – объѐмная плотность заряда, создающего поле.

Либо при ρ = 0 - уравнение Лапласа

Оценим емкость плоского конденсатора, модель которого представляется

Для шарового конденсатора, имеющего радиус внутренней и

Более подробно рассмотрим силы взаимодействия двух противоположно

Потенциальная энергия заряда в электрическом поле составит

При взаимодействии двух точечных зарядов q 1 и q2, находящихся на расстоянии R

Потенциальная энергия заряда q1 в этой точке будет

Определим энергию, которую запасает заряженный плоский конденсатор. Пусть в

Воспользовавшись определением емкости конденсатора, перепишем последнее

где f – сила притяжения, испытываемая единицей поверхности пластины

где ζ – плотность заряда на поверхности пластин конденсатора.

Эффект Холла был открыт в 1879 г. американским

ученым Эдвином Гербертом Холлом (1855-1938).

Первоначально эффект применялся для изучения электропроводности металлов,

В настоящее время датчики Холла используются для обнаружения магнитных полей и

Эффект основан на взаимодействии между движущимися носителями электрического

, где q = 1.6x10-19 Кл - заряд,

Рассмотрим эффект, обусловленный действием лоренцевой силы на свободные заряды в

Это позволяет экспериментально определить знак

носителя заряда в проводнике.

Обозначим: Ex – напряженность электрического поля,

Перераспределение зарядов прекратится, когда

Плотность тока, откуда

Подставим Ex в выражение для Ux

Где R = 1/qn – Коэффициент Холла

Исследования ЭДС Холла привели к удивительным выводам. Металлы могут обладать

Простейший датчик состоит из:

На данный момент датчики Холла делятся на два вида:

В автомобиле три основные технологии датчиков Холла:

• Технология вертикального датчика Холла

Совокупность этих слоев была названа

Эффект объясняется зависимостью рассеяния электронов от их спина и поляризацией

Эффект основывается на увеличении сопротивления проводящих слоев меди под

Слои с параллельными магнитными моментами будут иметь меньшее рассеяние на

Функциональный принцип датчикав ГМР типа ―неприколотый сэндвич‖ а) антиферромагнитное

Функциональный принцип датчиков ГМР на основе антиферромагнитных

мультислоев а) антиферромагнитное объединение в отсутствии внешнего

Функциональный принцип датчиков ГМР на основе структуры со спин- зависимым туннелированием. А)

Колоссальное магнитосопротивление Колоссальные магниторезистивные

Величина изменения в сопротивлении: 103 – 108 %.

Объяснение: наблюдается в условиях магнитоуправляемого перехода полупроводник-

КМР-эффект возникает на основе перехода металл-изолятор в процессе изменения

Измерительные техники КМР: а,б,в – линейные ГМР-