Вы находитесь на странице: 1из 10

Расчет транзисторного ключа

Вариант № 8

Схема транзисторного ключа с ускоряющей ёмкостью с


временными диаграммами входных сигналов
Дано:
U твхп  3.5 B tвкл  1.7 мксек Rген  600 Ом
tвык := t вкл = 1.7 мксек
U твхот  3.5 B

tнп  26 мксек tнот  26 мксек

1. Определяем напряжение источника питания коллекторной


цепи:
Eк  13 B по заданию

2. Выберем дополнительный источник смещения в базовой цепи


транзисторного ключа напряжением
U бсмещ  1.1 B по заданию

3. Выберем транзистор, параметры которого должны отвечать


следующим требованиям:
а) максимально допустимое напряжение на коллекторе
U кэдоп  30 В >= Eк = 13 B

б) максимально допустимое напряжение между коллектором и


базой
U кбдоп  40 В >= Eк + U твхп = 16.5 B

в) граничная частота
tф := tвкл 0.8 = 1.36 мкс

Длительность формируемого при отпёртом транзисторе фронта


импульса и составляет часть tвкл, примем 80% от tвкл
1 5
а  1.5 г := = 1.17  10 Гц
МГц >= ( - 6)
2  t ф  10

Данным требованиям отвечает германиевый транзистор типа


МП-21B, у которого
U кэдоп = 30 В U кбдоп = 40 В

а = 1.5 МГц
Коэффициент передачи тока
min  20 max  100
Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды
20
IКОmax  50 мкА

Iкдоп  300 мкА

Значения барьерных ёмкостей коллекторного и эмиттерного


переходов:
Cкбар  30 пФ

Cэбар  60 пФ

4. Определяем величину сопротивления резистора Rк



Rк  510 Ом >= = 43.333 Ом
( - 3)
Iкдоп  10

Сопротивление мы выбрали по ГОСТу


5. Определяем величину сопротивления резистора Rб. Для этого
найдем ток колектора обратный при температуре окружающей
среды 40 градусов:
tокрср  40
t окрср - 20 40- 20
10 ( - 6) 10 -6 -4
IКОокрср = 2  IКОmax 10 = 2  50 10 = 2  10 A
U бсмещ 3
Rб  15 кОм >= = 5.5  10 Ом
IКОокрср

Сопротивление мы выбрали по ГОСТу


6. Определяем сопротивление резистора R так, чтобы обеспечить
неглубокое насыщение транзисторного ключа
S 2 - степень насыщения
S Eк 2  13 -3
Iбстац' := = = 2.549  10 A
Rк min 510 20

min Rк 20 510 3


Rсум' = = = 1.335  10
Eк Rк U бсмещ 13 510 1.1 Ом
S + min 2 + 20
U твхот 3 3.5 3
Rб  10  U твхот 15 10  3.5

R'' = Rсум' - Rген = 1334.6792283535217 - 600 = 734.679 Ом

Выберем сопротивление по ГОСТу:


R'  5 кОм

а) при этом установившийся (стационарный) ток базы в режиме


насыщения:

U твхот -U бсмещ 3.5 -1.1 -4


Iбстац = + = + = 5.517  10 A
3 3 3 3
Rген + R' 10 Rб  10 600 + 5  10 15 10

б) ток базы на границе насыщения транзисторного ключа


Eк 13 -3
Iбнас := = = 1.275  10 A
Rк min 510 20

7. Определение величины «ускоряющей ёмкости» C

а) ёмкость конденсатора С выбирается с таким расчётом, чтобы время


его заряда tзар=3τс превышало время включения (выключёния)
транзистора. При этом ток базы не будет ограничиваться резистором
R`
Рассчитаем предварительную емкость по заданным параметрам
( - 6) 3
tвкл 10   Rген + R' 10 -6 ( 3 ) = 1.058  10- 9 Ф
C'' =
  = 1.7  10  600 + 5  10
3 3
3Rген R' 10 3  600 5 10

Выбираемая емкость должна быть больше данного значения.


б) но также, напряжение на конденсаторе должно успевать
устанавливаться ,пока транзистор заперт

Рассчитаем предварительную емкость по заданным


параметрам
-6 3 3
tнп 10   R' 10 + Rб  10 + Rген -6 ( 3 3 ) = 2.289  10-Ф9
C' :=
  =
26 10  5  10 + 15 10 + 600
3 3
3  R' 10   Rб  10 + Rген
 
3
(
3  5  10  15 10 + 600
3
)
Выбираемая емкость должна быть меньше данного значения.
Выбираем емкость конденсатора по ГОСТу:
C  1.5 нФ

Проверка транзисторного ключа на соответствие техническим


требованиям
1. Определим амплитуду отпирающего скачка тока в базе:

(U твхот - U бсмещ) R'103 ( 3.5 - 1.1 )  5  10


3
U сот := = = 0.583 B
3 3 3 3
Rген + R' 10 + Rб  10 600 + 5  10 + 15 10

U твхот + U сот U бсмещ 3.5 + 0.58252427184466016 1.1 -3


Iбвкл = + = + = 6.878  10 A
Rген 3 600 3
Rб  10 15 10

2. Определим амплитуду запирающего скачка тока в базе:


U твхот 3.5 -4
U сп = = = 6.25  10 B
3 3
Rген + R' 10 600 + 5  10

U твхот + U сп U бсмещ 3.5 + 0.000625 1.1 -3


Iбвыкл = + = + = 5.908  10 A
R ген 3 600 3
Rб  10 15 10

Определим время выключения транзистора:

min 20 -6
= = = 2.122  10 сек
6 6
2  а 10 2   1.5  10

- 12 - 12 -7
' := Rк Cкбар  10  ( )
min + 1 = 510 30 10  ( 20 + 1 ) = 3.213  10 сек

-6
эк = + ' = 2.1220659078919381E-06 + 3.2130000000000005E-07 = 2.443  10 сек

 Iбвыкл + Iбстац  -7
tрас := 2.3  эк log  = -2.589  10 сек
Iбнас + Iбвыкл
 

б) время формирования заднего фронта (длительность фронта


запирания, во время формирования которого транзистор работает в
активном режиме:

 Iбнас   -7
tсп := 2.3  эк log  + 1 = 4.768  10 сек
 Iбвыкл  

в) время выключения транзисторного ключа


-7
tвыкл' = t рас + t сп = -2.5889077817525686E-07 + 4.7677632213894857E-07 = 2.179  10сек

отвечает техническим требованиям по расчёту транзисторного


ключа.

3
U твхп U бсмещ   R' 10 + Rген
U зап :=
3
 Rб  10 +
  = 2.848 В
3 3 3 3
Rген + R' 10 + R б 10 Rген + R' 10 + R б 10

- 12 U зап - 12 2.8475728155339808 -8
tзадфр = Cэбар 10  = 60 10  = 2.484  10 сек
Iбвкл 0.0068775404530744327

б) фронт отпирания транзисторного ключа, работающего в это время


в активном режиме
 Iбвкл  -7
tфр := 2.3  эк log  = 5.002  10 сек
Iбвкл - Iбнас
 

в) время включения транзистора

-7
tвкл' = t задфр + tфр = 2.4842364810179002E-08 + 5.0021407229878347E-07 = 5.251  10

отвечает техническим требованиям по расчёту транзисторного


ключа.

Вывод: Данный транзистор МП21В подходит для технических


требований данных в задаче расчета, так как его время отключения
и включения в качестве запирающего ключа соответствуют
указанным в задании условиям.