Вы находитесь на странице: 1из 2

ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ГТ703Г, ГТ703Д

Транзисторы германиевые сллавные структуры р-п-р уси­


лительные. Предназначены для применения в усилителях мощ­
ности низкой частоты. Выпускаются в металлическом корпусе
со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип при­
бора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Изготовитель — акционерное общество ♦Кремний»,
г. Брянск.
гпош.в.и)
2от604, /

Электрические параметры
Статический коэффициент передачи тока
в схеме ОЭ при 0Ю = 1 В, /э = 0,05 А:
Т= +25 °С:
ГТ703А, ГТ703В.......................................... 30...70
ГТ703Б, ГТ703Г........................................... 50...100
ГТ703Д.......................................................... 20...45
Т - +55 °С:
ГТ703А, ГТ703В.......................................... 30...100
ГТ703Б, ГТ703Г........................................... 50...150
ГТ703Д....... .................................................. 20...70
Граничная частота коэффициента передачи
тока в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 0,5 А,
не менее...................................................................... 10 кГц
Линейность статического коэффициента пере­
дачи тока
К ~ (^21э при 4 = 0*05 А )/(Л 2Ь при /э = 1,5 А ). 0,6...1,5
Напряжение насыщения коллектор— эмиттер
при /к = 3 А, /Б = 0,225 А, не более................... 0,6 В

ООО компания "Электроника и Связь"


1 www.eandc.ru +7(473) 277-14-34
Напряжение насыщения база— эмиттер
при /к = 3 А, 4 = 0,225 А, не более................. 1В
Обратный ток коллектора при 6 ^ = 20 В
для ГТ703А, ГТ703В и - 30 В для ГТ703Б,
ГТ703Г, ГТ703Д, не более.................................. 0,5 мА
Обратный ток эмиттера при 64э = 10 В............ 0,5 мА

Предельные эксплуатационные данные


Постоянное напряжение коллектор— эмиттер
при /^ э = 50 Ом:
ГТ703А, ГТ703Б............................................. 20 В
ГТ703В, ГТ703Г............................................... 30 В
ГТ703Д............................................................ 40 В
Импульсное напряжение коллектор— эмиттер
при /^ э = 50 Ом, 7И = 1 мс, О > 10:
ГТ703А, ГТ703Б............................................. 25 В
ГТ703В, ГТ703Г.............................................. 35 В
ГТ703Д............................................................ 50 В
Постоянный ток коллектора.............................. 3,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллек­
тора1:
с теплоотводом, Т = — 40... Тк = +40 °С..... 15 Вт
без теплоотвода, Г = — 40...+35 °С ............ 1,6 Вт
Тепловое сопротивление переход— корпус...... 3 °С/Вт
Тепловое сопротивление переход— среда....... 30 °С
Температура р -п перехода................................. +85 °С
Температура окружающей среды...................... — 40... Тк =
= +55 вС

1 При Тк > +40 *С для транзисторов с теплоотводом


Ас макс = (85 — Гк) / 3 , Вт;
для транзисторвв без теплоотвода
рк МАКС = (85 ~ Т )/ 30, Вт.

Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 6 мм


от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружени­
ем и т. п.) при условии, что температура в любой точке корпу­
са не превышает предельно допустимую температуру окружа­
ющей среды.
При включении транзисторов в электрическую цепь кол­
лекторный вывод должен присоединяться последним и отсо­
единяться первым.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих
токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами.
ООО компания "Электроника и Связь"
2 www.eandc.ru +7(473) 277-14-34

Вам также может понравиться