Транзисторы германиевые сллавные структуры р-п-р уси
лительные. Предназначены для применения в усилителях мощ ности низкой частоты. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип при бора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 15 г. Изготовитель — акционерное общество ♦Кремний», г. Брянск. гпош.в.и) 2от604, /
Электрические параметры Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ при 0Ю = 1 В, /э = 0,05 А: Т= +25 °С: ГТ703А, ГТ703В.......................................... 30...70 ГТ703Б, ГТ703Г........................................... 50...100 ГТ703Д.......................................................... 20...45 Т - +55 °С: ГТ703А, ГТ703В.......................................... 30...100 ГТ703Б, ГТ703Г........................................... 50...150 ГТ703Д....... .................................................. 20...70 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при = 2 В, /к = 0,5 А, не менее...................................................................... 10 кГц Линейность статического коэффициента пере дачи тока К ~ (^21э при 4 = 0*05 А )/(Л 2Ь при /э = 1,5 А ). 0,6...1,5 Напряжение насыщения коллектор— эмиттер при /к = 3 А, /Б = 0,225 А, не более................... 0,6 В
ООО компания "Электроника и Связь"
1 www.eandc.ru +7(473) 277-14-34 Напряжение насыщения база— эмиттер при /к = 3 А, 4 = 0,225 А, не более................. 1В Обратный ток коллектора при 6 ^ = 20 В для ГТ703А, ГТ703В и - 30 В для ГТ703Б, ГТ703Г, ГТ703Д, не более.................................. 0,5 мА Обратный ток эмиттера при 64э = 10 В............ 0,5 мА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор— эмиттер при /^ э = 50 Ом: ГТ703А, ГТ703Б............................................. 20 В ГТ703В, ГТ703Г............................................... 30 В ГТ703Д............................................................ 40 В Импульсное напряжение коллектор— эмиттер при /^ э = 50 Ом, 7И = 1 мс, О > 10: ГТ703А, ГТ703Б............................................. 25 В ГТ703В, ГТ703Г.............................................. 35 В ГТ703Д............................................................ 50 В Постоянный ток коллектора.............................. 3,5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллек тора1: с теплоотводом, Т = — 40... Тк = +40 °С..... 15 Вт без теплоотвода, Г = — 40...+35 °С ............ 1,6 Вт Тепловое сопротивление переход— корпус...... 3 °С/Вт Тепловое сопротивление переход— среда....... 30 °С Температура р -п перехода................................. +85 °С Температура окружающей среды...................... — 40... Тк = = +55 вС
1 При Тк > +40 *С для транзисторов с теплоотводом
Ас макс = (85 — Гк) / 3 , Вт; для транзисторвв без теплоотвода рк МАКС = (85 ~ Т )/ 30, Вт.
Пайка выводов транзисторов допускается не ближе 6 мм
от корпуса любым способом (пайка, сварка, пайка погружени ем и т. п.) при условии, что температура в любой точке корпу са не превышает предельно допустимую температуру окружа ющей среды. При включении транзисторов в электрическую цепь кол лекторный вывод должен присоединяться последним и отсо единяться первым. Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами. ООО компания "Электроника и Связь" 2 www.eandc.ru +7(473) 277-14-34
