Вы находитесь на странице: 1из 8

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Резонансные трехмерные фотонные кристаллы


© Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
(Поступила в Редакцию 24 мая 2005 г.)
Развита теория экситон-поляритонной зонной структуры резонансного трехмерного фотонного кристалла
при произвольном диэлектрическом контрасте и произвольной эффективной массе экситона, который
возбуждается в одном из композиционных материалов. Расчет проводился для периодического массива
полупроводниковых шариков, помещенных в диэлектрическую матрицу. Показано, что положение нижних
ветвей поляритонной дисперсии монотонно зависит от экситонной эффективной массы и определяется
взаимодействием света с первыми несколькими состояниями механического экситона, размерно квантован-
ного внутри каждого шарика. Рассмотрено влияние экситонных состояний на запрещенную зону фотонного
кристалла в направлении [001], допускающее аналитическое описание в рамках двухволнового приближения.
Работа поддержана Министерством науки и образования РФ и Российского фонда фундаментальных
исследований (грант № 05-02-16372).
PACS: 42.70.Qs, 71.35.-y

1. Введение боте теоретически исследована дисперсия экситонных


поляритонов в резонансном фотонном кристалле при
Фотонными кристаллами принято называть среды, у учете всех возможных уровней размерного квантования
которых диэлектрическая проницаемость периодически экситона и при наличии диэлектрического контраста,
меняется в пространстве с периодом, допускающим т. е. при εa 6= εB .
брэгговскую дифракцию света. Концепция фотонного
кристалла была сформулирована Яблоновичем [1] и
Джоном [2]. Теория фотонных кристаллов разрабатыва- 2. Постановка задачи и метод расчета
лась в большом числе последующих работ, см. напри-
В настоящей работе теория зонной структуры ре-
мер [3–7]. Главная цель исследований — определение
зонансных фотонных кристаллов строится на примере
фотонной зонной структуры и анализ разрешенных и
периодического массива шариков из материала A, упако-
запрещенных минизон при различных направлениях вол-
ванных в гранецентрированную кубическую (ГЦК) ре-
нового вектора в первой зоне Бриллюэна. Простейшей
шетку и помещенных в матрицу из материала B. Рас-
реализацией фотонного кристалла является структура,
сматриваемая структура характеризуется семью пара-
состоящая из двух материалов A и B с разными ди-
метрами: R, a, εB , εa , ωLT , ω0 и M. Здесь R — радиус
электрическими постоянными εA и εB : периодическая
шариков; a — постоянная ГЦК решетки (вставка на
слоистая среда . . . A/B/A/B . . . в случае одномерных
фотонных кристаллов и периодические массивы цилин- рис. 1); εB — диэлектрическая проницаемость матрицы;
дров или шариков из материала A, помещенные в ди- ω0 , ωLT и M — резонансная частота, продольно-попе-
электрическую матрицу B, в двумерных и трехмерных речное расщепление и трансляционная эффективная
фотонных кристаллах соответственно. Периодические масса триплетного 1s-экситона, возбуждаемого в шари-
структуры, в которых диэлектрическая проницаемость ках A соответственно; εa — фоновая диэлектрическая
одного из двух композиционных материалов как функ- проницаемость, учитывающая вклад в диэлектрический
ция частоты ω имеет полюс на некоторой резонансной отклик всех остальных электронно-дырочных возбужде-
частоте, удобно выделить в особый класс резонансных ний. Таким образом, в диэлектрической проницаемости
фотонных кристаллов, в которых нормальными свето- объемного материала A
выми волнами являются поляритоны. В [8,9] расчет εa ωLT ~q2
дисперсии световых волн в фотонных кристаллах прово- εA (ω, q) = εa + , ωexc (q) = ω0 + (1)
ωexc (q) − ω 2M
дился с учетом частотной зависимости диэлектрической
проницаемости в рамках локальной материальной связи учитывается как частотная, так и пространственная
D = εA (ω)E между электрической индукцией и электри- дисперсия, т. е. зависимость и от частоты света ω, и
ческим полем. В [10] дисперсия экситонных поляри- от его волнового вектора q. Радиус R выбирается так,
тонов в резонансном фотонном кристалле рассчитыва- чтобы, с одной
√ стороны, шарики не перекрывались,
лась с учетом только одного размерно-квантованного т. е. R < a/ 8, но, с другой стороны, чтобы их радиус
уровня механического экситона в шарике A и в пре- превышал боровский радиус 1s-экситона в материале A
небрежении различием между диэлектрической про- и экситон можно было рассматривать как точечную
ницаемостью матрицы εB и фоновой диэлектрической частицу массы M. Частотной зависимостью парамет-
проницаемостью εa в материале A. В настоящей ра- ров εB и εa пренебрегается. Кроме того, мы считаем

540
Резонансные трехмерные фотонные кристаллы 541

Рис. 1. Экситон-поляритонная зонная структура резонансного фотонного кристалла, в котором ГЦК решетка из шариков A
помещена в матрицу B. Расчет проводился в пренебрежении диэлектрическим контрастом и при значениях параметров, указанных
в тексте. На вставке в центре рисунка схематически показана ГЦК решетка из шариков A радиуса R с постоянной решетки a.

материал A изотропным и учитываем в дальнейшем С учетом периодичности структуры решения уравне-


только 1s-экситонные состояния, возбуждаемые в этом ний (2) и (3) ищутся в форме блоховских функций,
материале. Таким образом, задача сводится к решению удовлетворяющих условию
системы двух векторных уравнений: волнового уравне- Ek (r + a) = e ika Ek (r). (4)
ния
Здесь k — волновой вектор экситонного полярито-
 ω 2   на, заданный в первой зоне Бриллюэна, которая для
rot rot E(r) = ε(r)E(r) + 4πPexc (r) (2)
c ГЦК пространственной решетки имеет форму четырнад-
цатигранника с шестью квадратными гранями и восемью
и материального уравнения для вклада 1s-экситона в шестиугольными гранями.
диэлектрическую поляризацию В работе рассчитывалась дисперсионная зависи-
  мость ωnk , где n — номер экситон-поляритонной ветви.
~ ε ω
− 1 + ω0 − ω Pexc (r) = a LT E(r), (3) При численном расчете в качестве основного использо-
2M 4π вался фотонный аналог метода Корринги−Кона−Росто-
кера (ККР) [11–13], в котором (а) электрическое поле
где ε(r) = εa внутри шариков и ε(r) = εB вне шариков,
разлагается по сферическим волнам, точнее по вектор-
E(r) и Pexc (r) — электрическое поле и экситонная ным сферическим функциям, центрированным в точках
поляризация на частоте ω. На сферической поверхности, r = a и (б) в результате независимого анализа рассея-
разделяющей материалы A и B, задаются стандартные ния света на одиночном шаре и структурного фактора
граничные условия Максвелла: непрерывность танген- дисперсионное уравнение приводится к виду
циальных составляющих электрического и магнитного
δ j 0 j δm0 m δσ 0 σ − G j 0 m0 σ 0 , jmσ (k, ω)R jσ (ω) = 0. (5)
полей, и граничное условие Пекара для экситонной
поляризации: обращение в нуль вектора Pexc (r) при Здесь R jσ — коэффициенты рассеяния сферической вол-
|r − a| = R, где векторы трансляции a определяют по- ны на одном шарике A, которые зависят от полного угло-
ложение центров шариков A. вого момента j и индекса поляризации σ , различающего

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


542 Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный

магнитную и электрическую сферические гармоники, частота


но не зависят от проекции углового момента m. Для ~  π 2
ω1 = ω0 + (7)
рассеивателя в форме шара эти коэффициенты связыва- 2M R
ют падающее поле E0 (r) ∝ J jmσ (r) с рассеянным полем основного состояния экситона, размерно-квантованно-
Es c (r) ∝ H jmσ (r), где J jmσ , H jmσ — векторные сфери- го в шаре радиуса R. Заметим, что настройке часто-
ческие функции [13]. В работе [14] величины R jσ (ω) ты (7) на брэгговский резонанс√ ω1 = ck L /nB в точ-
рассчитаны с учетом экситонного резонанса в шарике A ке L зоны Бриллюэна с k L = 3 π/a или ω1 = ck X /nB
и конечной эффективной массы экситона M. В отличие в точке
√ X с k X = 2π/a отвечают значения P = 1 и
от матрицы рассеяния на одном шарике, которая со- P = 3 3/8 ≈ 0.65 соответственно. При P = 1.1 антипе-
держит только диагональные компоненты R jmσ ≡ R jσ , у ресечение горизонтальной прямой ω = ω1 (ветвь „го-
матрицы структурных коэффициентов G j 0 m0 σ 0 , jmσ (k, ω) лых“ экситонов) и прямой ω = ck/nB (ветвь „голых“
отличны от нуля как диагональные, так и недиагональ- фотонов) происходит внутри зоны Бриллюэна при k,
ные компоненты. Заметим, что от частоты ω зависят обе составляющем примерно 97% от k L и 84% от k X .
матрицы, тогда как от волнового вектора поляритона k Для полноты картины зависимость ω(k) показана не
зависит только структурная матрица G. В то же время G только для высокосимметричных направлений k k [001]
не зависит от экситонных параметров и совпадает с (точки 1) и k k [111] (точки 3), но и на отрезках
матрицей, рассмотренной в работах [11–13], в которых прямых X−W , W −K, X−U и U−L.
экситонные состояния не учитывались. На рис. 1 область частот отрезана сверху так, чтобы
В разд. 4 при анализе отдельных вкладов в поляри- остались только несколько нижних ветвей дисперсион-
тонную дисперсию размерно-квантованных экситонных ной кривой. В отрезанной области дисперсия представ-
состояний воспользуемся методом функций Грина, а в лена густой сетью поляритонных ветвей, которые полу-
разд. 5 — двухволновым приближением, допускающим
чаются в результате антипересечения „голых“ фотонных
аналитическое описание.
ветвей (6) с плотным набором дискретных уровней
размерного квантования экситона. Эта сеть имеет запу-
3. Поляритонная дисперсия танный характер, сложный для изображения. Поэтому
при конечной массе экситона в настоящей работе поставлена цель проанализировать
эволюцию нижних поляритонных ветвей с изменением
Сначала мы сосредоточим внимание на сугубо экси- параметров фотонного кристалла.
тонных эффектах и пренебрежем диэлектрическим кон- На рис. 2 сплошными кривыми показаны те же
трастом, положив εa = εB . Тогда в отсутствие экситон- дисперсионные ветви, что и на предыдущем рисунке,
фотонного взаимодействия, т. е. при ωLT = 0, среда ста- но в увеличенном масштабе вблизи точек X и L. Для
новится оптически однородной, и распространяющиеся сравнения штрихпунктиром изображена нижняя ветвь
в ней фотоны имеют линейную дисперсию ω = cq/nB с дисперсионной кривой, рассчитанная при учете только

показателем преломления nB = εB . В схеме приведен- основного экситонного уровня размерного квантования,
ных зон эта однозначная связь между частотой и вол- для чего достаточно было при расчете уменьшить эф-
новым вектором света q превращается в многозонную фективную массу M до 0.01m0 и понизить ω0 так,
дисперсионную кривую чтобы частота ω1 в (7) осталась неизменной. Штрих-
ωk = c|k + b|/nB , (6) пунктирные кривые совпадают с результатом расчета
дисперсии экситонных поляритонов методом, развитым
где b — вектор обратной решетки, такой что вектор в работе [10]. Штриховой кривой показан противополож-
k = q − b лежит в первой зоне Бриллюэна. При ωLT 6= 0
ный предельный случай очень тяжелых экситонов, когда
происходит смешивание фотонных и экситонных состо-
M → ∞. В этом случае связь между экситонной поляри-
яний и образование гибридных поляритонных возбуж-
зацией и электрическим полем становится локальной
дений со сложной многозонной дисперсией ωnk . При
этом волна (n, k) является смесью двух или нескольких εa ωLT
Pexc = χE, χ= .
фотонных состояний (6) с одним и тем же k, но 4π ω0 − ω
различными значениями b.
На рис. 1 представлена дисперсия экситонных поляри- Поэтому значения k, отвечающие заданной частоте ω,
тонов для ГЦК решетки, рассчитанная при следующих можно находить так же, как и для нерезонансного
значениях параметров структуры: фотонного кристалла с диэлектрическими проницаемо-
εa = εB = 10, R = a/4, ~ω1 = 2 eV, стями εB и εA = εa + 4πχ. Расчет показывает, что штри-
ховая кривая на рис. 2 практически не отличается от
−4
ωLT = 5 × 10 ω1 , нижней ветви, получаемой по формуле (5) при M = 5m0 .
√ !3 Нижняя поляритонная ветвь формируется в результате
3 πc
P≡ = 1.1, M = 0.5m0 , „отталкивания“ фотонной ветви (6) с b = 0 в длинно-
ω1 nB a волновую сторону из-за взаимодействия с экситонны-
где m0 — масса свободного электрона в вакууме и ми уровнями размерного квантования. При M → 0, но
вместо затравочной частоты ω0 введена резонансная ω1 = const, на эту ветвь заметное влияние оказывает

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


Резонансные трехмерные фотонные кристаллы 543

Рис. 2. Дисперсия экситонных поляритонов в резонансном фотонном кристалле в спектральной области, примыкающей
к резонансной частоте нижнего экситонного уровня ω1 , и для волновых векторов k k [111] (точки 3) и k k [001] (точки 1).
Дисперсионные кривые рассчитывались при эффективной массе экситона M = 0.5m0 (сплошные кривые), M → ∞ (штриховые
кривые) и M → 0 (штрихпунктирные кривые). Значения остальных параметров те же, что и при расчете рис. 1.

только нижний уровень (7). При M → ∞ остальные вания экситона на нижнюю поляритонную ветвь. С этой
уровни оказывают на нее максимально возможное вли- целью, следуя [14] и используя метод функции Грина,
яние, так как в этом пределе их резонансные частоты разложим решение уравнения (3) с произвольной функ-
стремятся к одному и тому же значению ω0 . Поэтому цией E(r) в ряд
нижняя поляритонная ветвь, отвечающая конечной мас- ε X ωLT X
се M, должна лежать всегда между штрихпунктирной и Pexc (r) = a 8 (r − a)
4π ν ων − ω a ν
штриховыми кривыми в согласии с результатом расчета,
представленного на рис. 2. Z
× 8∗ν (r0 − a)E(r0 )d 3 r 0 (8)
4. Анализ вкладов в поляритонную |r0 −a|<R

дисперсию отдельных уровней по собственным состояниям механического экситона


размерного квантования экситона в шаре с бесконечно высокими барьерами. Здесь ин-
декс ν = (nr , l, m), характеризующий состояния экси-
Введем обозначения ωX (M) для частоты в точке X на тона, включает соответственно радиальное квантовое
нижней поляритонной ветви при эффективной массе M число, угловой момент и его проекцию на ось z ,
экситона в материале A, ωX (0) и ωX (∞) для значений ων — резонансная частота экситона в состоянии ν.
этой частоты при M → 0 и M → ∞ и, наконец, ω̄X Заметим, что нормированные на единицу функции 8ν (r)
для среднего арифметического [ωX (0) + ωX (∞)]/2. Из удовлетворяют уравнению (2) с ω = ων , но без неод-
рис. 2 видно, что разность ω1 − ω̄X заметно превышает нородного члена, т. е. с E(r) ≡ 0, для шара с центром
разность ωX (0) − ωX (∞). Это означает, что основной в точке r = 0. Частоты ων удобно представить в виде
вклад в положение частоты ωX (M) должно вносить ω0 + (~/2MR 2 )x 2nr ,l , где x nr ,l — безразмерные числа.
экситон-фотонное смешивание с основным уровнем (7). Приведем эти числа для нескольких нижних энерге-
В данном разделе подробнее проанализируем влияние тических уровней [15]: π (1s), 4.493 (1p), 5.764 (1d),
основного и возбужденных уровней размерного кванто- 2π (2s), 6.988 (1 f ), где в скобках указаны значение nr

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


544 Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный

Рис. 3. Зависимость спектра экситонных поляритонов от числа экситонных уровней, учитываемых при расчете дисперсионной
кривой методом функции Грина. Кривые 1–4 — расчет при учете соответственно одного, двух, трех и четырех нижних уровней;
кривая 5 — точный расчет с учетом всех уровней размерного квантования механического экситона. Значения параметров те же,
что и при расчете рис. 1.

и стандартный символ орбитального момента: s для отсутствие экситонных резонансов. В самой точке X
l = 0, p для l = 1 и т. д. Подчеркнем, что символы в этим волнам отвечает симметрия X5 и X50 . Сплошными
скобках обозначают размерно-квантованное состояние кривыми 10 , 20 и 30 показаны дисперсионные ветви, рас-
экситона как целого в отличие от внутреннего 1s-состоя- считанные при учете экситон-фотонного взаимодействия
ния, которое здесь только и учитывается. Подставляя с одним экситонным уровнем 1s, резонансная частота
разложение (8) в волновое уравнение (2) и оставляя в которого выбрана так, чтобы лежать посередине между
сумме по ν один любой член или конечное число членов, частотами „голых“ фотонов X5 и X50 . Дополнительная
можно изучать влияние этих членов на формирование ветвь 40 представляет продольные экситонные состоя-
поляритонной дисперсии. Результаты анализа показаны ния, которые практически не обладают дисперсией и в
на рис. 3. Видно, что (а) главную роль в положении дальнейшем не обсуждаются. Наконец, штрихпунктир-
частоты ωX (M) играет основной экситонный уровень 1s, ные кривые 100 , 200 иллюстрируют дисперсию экситон-
(б) на частоту поляритона в точках X и L уровень 1p ных поляритонов с учетом всех экситонных уровней.
не влияет и (в) учета дополнительных уровней 1d и 2s Для расчета выбран фотонный кристалл с не очень боль-
достаточно для точки X, тогда как в точке L сумма по ν шим контрастом (εB = 12, εa = 13), таким чтобы шири-
сходится медленнее. Очевидно, это различие связано с на нижней запрещенной зоны в направлении k k [001],
выбором при расчете значения P = 1.1, при котором или расщепление между состояниями X5 и X50 , была со-
эффект антипересечения вблизи точки L значительно поставима с матричным элементом экситон-фотонного
сильнее, чем в точке X.
взаимодействия. Из рис. 4 следует, что учет экситонных
состояний 1s, оптически активных в поляризации E ⊥ z ,
5. Поляритоны в фотонном кристалле порождает вместо двух ветвей (1, 2) три ветви (10 , 20
с диэлектрическим контрастом и 30 ). Добавление вкладов остальных, возбужденных,
экситонных уровней приводит в области частот ω < ω0
Штриховые кривые 1 и 2 на рис. 4 изображают к преобразованию ветви 10 в ветвь 100 и появлению еще
дисперсию световых волн в окрестности точки X зоны одной ветви 200 , а в области ω > ω0 формируется густая
Бриллюэна в нерезонансном фотонном кристалле, т. е. в сеть поляритонных ветвей, которая не показана, чтобы

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


Резонансные трехмерные фотонные кристаллы 545

Рис. 4. Фотонная зонная структура при наличии диэлектрического контраста: εa = 12, εB = 13. Штриховые кривые — расчет
для фотонного кристалла без экситона; сплошные кривые — расчет при учете только одного нижнего экситонного уровня;
штрихпунктирные кривые и горизонтальные штрихи на X оси — расчет с учетом всех размерно-квантованных состояний
механического экситона. Обозначения кривых — см. текст.

не усложнять рисунок. Вместо этого горизонтальными уравнение (2), умножая его почленно на exp(−ik j z )
отрезками, пересекающими вертикаль X, отмечены ча- и интегрируя по элементарной ячейке ГЦК решетки,
стоты экситонных поляритонов при ω > ω0 только в имеющей объем v 0 = a 3 /4, получим
точке X.
  X X (1)∗ ( j)
Далее предложено простое двухволновое описание (k 1 /k 0 )2 − ε̄ E1 = ε 0 E2 + Ej I ν I ν Tν ,
поляритонного спектра, применимое при слабом диэлек- j=1,2 ν
трическом контрасте и позволяющее понять природу
ветвей, отмеченных на рис. 4 цифрами с одним и двумя   X X (2)∗ ( j)
(k 2 /k 0 )2 − ε̄ E2 = ε 0 E1 + Ej I ν I ν Tν . (10)
штрихами. Ранее это приближение использовалось при
j=1,2 ν
анализе дисперсии фотонов в нерезонансном фотонном
кристалле [16]. Здесь введены обозначения: k 0 = ω/c,
Блоховское решение (4) представляет собой разложе- Z Z
ние по пространственным гармоникам с волновыми век- 1 1
ε̄ = ε(r)d 3 r, ε0 = e 4πiz /a ε(r)d 3 r,
торами k + b. Для волновых векторов k k [001], лежащих v0 v0
v0 v0
вблизи точки X, оставляем в этом разложении два сла-
гаемых с k1 = (0, 0, k 1 ), k2 = (0, 0, k 2 ) и k 1 − k 2 = 4π/a. Z
В точке X имеем k 1 = −k 2 = 2π/a. Таким образом, 1 εa ωLT
e ik j z 8∗ν (r)d 3r,
( j)
Iν = √ Tν = (11)
электрическое поле записывается приближенно как v0 ων − ω
v0

E(r) = E1 e ik 1 z
+ E2 e ik 2 z
. (9) и предполагается, что начало отсчета декартовой систе-
мы координат выбрано в центре одного из шаров A.
Для двукратно вырожденных поляритонных состояний В пренебрежении экситон-фотонным взаимодействи-
симметрии 15 , совместимых с представлениями X5 и X50 , ем и диэлектрическим контрастом правые части уравне-
амплитуды E1 и E2 параллельны друг другу и перпенди- ний (10) равны нулю, ε̄ = εB , и мы приходим к двум
кулярны оси z k [001]. Подставляя (8) и (9) в волновое ветвям дисперсионной зависимости (6) для „голых“

11 Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


546 Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный

фотонов. В точке X эти ветви смыкаются. При нали- (точки пересечения кривых 2 и 20 с вертикалью X на
чии диэлектрического контраста, когда ε 0 6= 0, происхо- рис. 4). Учет возбужденных экситонных состояний в (10)
дит расщепление четырехкратно вырожденного состо- смещает частоту нижнего поляритонного состояния X50
яния в точке X на двукратно вырожденные состояния вниз (кривая 100 ), однако их влияние мало по сравнению
X50 (E1 = E2 ) и X5 (E1 = −E2 ) с частотами с экситоном 1s. В то же время в формировании поля-
ритона X5 (кривая 200 ) главную роль играет смешивание
ck ck фотона X5 с экситоном 1p и m = 0. Расчет показывает,
ω(X5 ) = √ X 0 , ω(X50 ) = √ X 0 (12)
ε̄ − ε ε̄ + ε что ветвь 200 удовлетворительно описывается двухвол-
новой моделью (10), в которой учтено только одно
и расщеплением√ ω(X5 ) − ω(X50 ) ≈ (ε 0 / ε̄)(ck X / n̄), где экситонное состояние (1p, m = 0).
k X = 2π/a, n̄ = ε̄. Приближенные формулы (12) с
высокой точностью воспроизводят результат точного
расчета, представленного на рис. 4 штриховыми кривы- 6. Заключение
ми.
В отсутствие диэлектрического контраста при учете Построена теория зонной структуры резонансных
только одного экситонного уровня 1s и в пренебрежении трехмерных фотонных кристаллов, образованных из
(1) (2) двух материалов A (шарики) и B (диэлектрическая мат-
различием между вещественными интегралами I 1s и I s
рица), при произвольной величине эффективной массы
система уравнений (10) приводится к виду экситона и произвольном диэлектрическом контрасте,
    т. е. различии между диэлектрической проницаемостью
(k 1 /k 0 )2 − εB E1 = (k 2 /k 0 )2 − εB E2
матрицы εB и фоновой диэлектрической проницаемо-
= T1s I 21s (E1 + E2 ), (13) стью εa материала A.
Нижняя поляритонная ветвь при конечной эффектив-
где I 1s — интеграл в (11), рассчитанный при вол- ной массе экситона M лежит между ветвями, рассчи-
новом векторе k X . При условии близости частот ω1 танными в двух предельных случаях: при отсутствии
и ωX ≡ ck X /nB приходим к трем двукратно вырожден- пространственной дисперсии, т. е. при M → ∞, и учете
ным состояниям: одному симметрии X5 с частотой ωX и только одного экситонного уровня, т. е. при M → 0,
двум симметрии X50 с частотами но так, чтобы резонансная частота основного состоя-
ния экситона ω1 оставалась постоянной. Для описания
s
 2 поляритонных ветвей в спектральной области ω < ω1
ω1 + ωX ω1 − ωX
ω= ± + δ2, (14) достаточно учесть взаимодействие света с несколькими
2 2 нижними состояниями механического экситона.
q Для резонансного фотонного кристалла с диэлект-
где δ = ω1 ωLT I 21s . При точном совпадении частот ω1 рическим контрастом проанализировано, как меняется
и ωX в спектре поляритонов в направлении k k [001] запрещенная зона ГЦК решетки в направлении [001] при
формируется запрещенная зона с центром в точке ω1 выборе резонансной частоты экситона ω1 посередине за-
и шириной 2δ. По мере расстройки ωX относительно ω1 прещенной зоны аналогичного фотонного кристалла, но
края запрещенной зоны сдвигаются согласно (13), а в без учета экситона. При малом диэлектрическом контра-
центре формируется разрешенная зона аналогично тому, сте, таком что |εB − εa |  εB , применимо двухволновое
как это происходит в резонансной брэгговской структуре приближение, которое позволяет с удовлетворительной
с квантовыми ямами ([17] и ссылки там). точностью аналитически описать результаты численного
Для приближенного описания сплошных кривых на расчета. Основной вклад в положение нижней границы
рис. 4 нужно оставить в суммах по ν в (10) вклад запрещенной зоны на прямой 0−X зоны Бриллюэна
основного состояния размерно-квантованного экситона. вносят экситонные состояния 1s, взаимодействующие
В этом приближении смешивание фотонных и экситон- со световой волной симметрии X50 . Положение верхней
ных состояний симметрии X50 приводит к их взаимному границы главным образом определяется смешиванием
отталкиванию и образованию гибридных поляритонных экситона (1p, m = 0) с фотоном симметрии X5 .
волн с частотами Заметим, что развитая теория применима при M → ∞
s для рассмотрения фотонных кристаллов с красителем,
 2 периодически распределенным в пространстве и харак-
ω1 + ω(X50 ) ω1 − ω(X50 )
ω= ± + δ2. (15) теризуемым резонансной частотой оптических перехо-
2 2
дов ([18] и ссылки там). Теория может быть также
Формула (14) является частным случаем этой более об- обобщена для расчета дисперсии экситонных поляри-
щей формулы. Поскольку 1s-экситон не взаимодействует тонов в резонансных двумерных фотонных кристаллах,
например, в периодической системе цилиндров A, поме-
со световой волной симметрии X5 , в рассматриваемом
щенных в матрицу B.
приближении частота состояния X5 не меняется. Этим
объясняется близость частот поляритона X5 , рассчитан- Авторы благодарны В.А. Кособукину за полезное
ного без учета экситона и с учетом только уровня 1s обсуждение работы.

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3


Резонансные трехмерные фотонные кристаллы 547

Список литературы
[1] E. Yablonovitch. Phys. Rev. Lett. 58, 2059 (1987).
[2] S. John. Phys. Rev. Lett. 58, 2486 (1987).
[3] K.M. Ho, C.T. Chan, C.M. Soukoulis. Phys. Rev. Lett. 65, 3152
(1990).
[4] R.D. Meade, A.M. Rappe, K.D. Brommer, J.D. Joannopoulos,
O.L. Alerhand. Phys. Rev. B 48, 8434 (1993).
[5] R.M. Hornreich, S. Shtrikman, C. Sommers. Phys. Rev. B 49,
10 914 (1994).
[6] J.E. Sipe. Phys. Rev. E 62, 5672 (2000).
[7] K. Busch. C.R. Physique 3, 53 (2002).
[8] O. Toader, S. John. Phys. Rev. E 70, 46 605 (2004).
[9] K.C. Huang, E. Lidorikis, X. Jiang, J.D. Joannopoulos,
K.A. Nelson, P. Bienstman, S. Fan. Phys. Rev. B 69, 195 111
(2004).
[10] E.L. Ivchenko, Y. Fu, M. Willander. ФТТ 42, 1707 (2000).
[11] A. Moroz. Phys. Rev. B 51, 2068 (1995).
[12] A. Moroz. Phys. Rev. B 66, 115 109 (2002).
[13] X. Wang, X.-G. Zhang, Q. Yu, B.N. Harmon. Phys. Rev. B 47,
4161 (1993).
[14] H. Ajiki, T. Tsuji, K. Kawano, K. Cho. Phys. Rev. B 66,
245 322 (2002).
[15] З. Флюгге. Задачи по квантовой механике. Том. 1. Мир, М.
(1974). 341 с.
[16] S. Satpathy, Ze Zhang, M.R. Salehpour. Phys. Rev. Lett. 64,
1239 (1990).
[17] E.L. Ivchenko, M.M. Voronov, M.V. Erementchouk,
L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B 70, 195 106 (2004).
[18] N. Eradat, A.Y. Sivachenko, M.E. Raikh, Z.V. Vardeny,
A.A. Zakhidov, R.H. Baughman. Appl. Phys. Lett. 80, 3491
(2002).

11∗ Физика твердого тела, 2006, том 48, вып. 3