1.

РАСЧЕТ АВТОГЕНЕРАТОРНОГО МУЛЬТИВИБРАТОРА НА

БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

Исходные данные:
Схема автогенераторного мультивибратора на биполярных транзисторах
(рис. 1);
U выхm
- амплитуда выходных импульсов;
tи
- длительность импульса;
tф
- длительность фронта;
tс
- длительность среза;
T - период следования импульсов;
Rн
- сопротивление нагрузки;
t 0
окр - температура окружающей среды.

Рис. 1

Последовательность расчета:
1. Выберем тип транзистора по следующим параметрам:
f h 21 б
- граничная частота транзистора в 2схеме с общей базой;
U КБмакс
- максимальное допустимое напряжение между базой и
коллектором;
h 21 э
- минимальное значение коэффициента усиления по току.
По частотным свойствам к транзисторам мультивибратора
предъявляются следующее требование:

f h 21 б ≥ 5 ( Q − 1 ) / t и
,

где Q – скважность импульсов.

По коэффициенту усиления к транзисторам мультивибратора
предъявляются следующее требование:
h 21 э =( Q − 1 ) K на с / 0 , 23
,
 K нас
где - коэффициент насыщения транзистора в схеме мультивибратора.
Для мультивибраторов рекомендуется выбирать K нас в пределах (2- 3).
Требование по максимально допустимому напряжению между базой и
коллектором:
U КБмакс ≥2 U ип
;
U ип =( 1,1 − 1,2 ) U выхm
.

2. Рассчитаем сопротивления в цепи коллекторов транзисторов.

R k 1= R k 2 = R k
Примем .
KU выхm
Rk =
I к . нас
,
где К – коэффициент запаса (К = 3-4).
I к . нас
– ток насыщения коллектора транзистора при указанной в исходных
данных температуре окружающей среды:

( tk . макс −t окр )
I к. нас ≤I ки
√ ( t k . макс−20 ) ;

I ки
где - импульсный ток коллектора транзистора (по справочнику).

3. Рассчитаем сопротивления в базовых цепях транзисторов.

R б 1 = R б 2= R б
Примем .
h 21 э R к
Rб =
K нас
.

4. Проверим условие температурной стабильности схемы:

(t окр−20 )/ 10
I КБОмакс =I КБО⋅2 .

I КБОмакс⋅R б
U ип
Если выполняется условие - значительно меньше единицы, то
температурным влиянием обратного тока коллектора транзистора на величины
t и и T можно пренебречь.
В противном случае необходимо скорректировать расчет.

5. Рассчитаем емкости конденсаторов времязадающих цепей:

tи
C б 2=
0,7⋅R б
;
 ( T −t и )
C б 1=
0,7⋅R б
.

6. Проверим длительности среза и фронта:

t с = 2,3 R к С б 2
;
t ф =2 τ α
;
0 , 16
τα=
f h 21 б
где .

Если полученные значения не превышают заданных, то рассчитанные

значения емкостей оставляем.

2. РАСЧЕТ ЖДУЩЕГО МУЛЬТИВИБРАТОРА

Исходные данные:
Схема ждущего мультивибратора (рис. 2);
U выхm - амплитуда выходных импульсов;
t и - длительность импульса;
tф - длительность фронта;
tс - длительность среза;
T - период следования импульсов;
Rн - сопротивление нагрузки;
tокр 0 - температура окружающей среды.

Рис. 2

Последовательность расчета:
1. Выберем тип транзистора по следующим параметрам:
f h 21б – граничная частота транзистора в схеме с общей базой;
 U КБмакс - максимальное допустимое напряжение между базой и
коллектором;
h21э - минимальное значение коэффициента усиления по току.
По частотным свойствам к транзисторам мультивибратора
предъявляются следующее требование:

f h 21б  5 Q  1 / tи ,

где Q – скважность импульсов.

По коэффициенту усиления к транзисторам мультивибратора
предъявляются следующее требование:

h21э  (Q  1) K нас / 0,23 ,

где K нас - коэффициент насыщения транзистора в схеме ждущего

мультивибратора. Для ждущего мультивибратора рекомендуется выбирать
K нас в пределах (1,2 - 1,4).
Требование по максимально допустимому напряжению между базой и
коллектором:

U КБмакс  2U ип ;
U ип  (1,1  1,2)(U выхm  U 1 ) ,

где U 1 - падение напряжения на резисторе Rэ в режиме ожидания

Обычно выбираютU 1  (0,2  0,3)U ип .

2. Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2:

K запU выхm
Rk  .
I к 2.нас

где I к 2.нас - ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в

исходных данных температуре окружающей среды:

I к.нас  I ки
tk .макс  tокр 
,
 tk .макс  20

где I ки - импульсный ток коллектора транзистора (по справочнику);

K зап - коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы
принимают K зап = (6 - 8).
3. Рассчитаем сопротивление резистора Rэ :
 U 1h21э Rк 2
Rэ  .
( K нас  h21э )(U ип  U 1 )

4. Рассчитаем сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1:

Rк1  2 Rk 2 .

5. Рассчитаем сопротивления резисторов входного делителя:

h21э ( Rк1  Rk 2 )
R1  ;
K нас
h21э R1Rэ
R2  .
( h21э Rk1  K нас R1 )

6. Рассчитаем сопротивление резистора и емкость конденсатора

времязадающей цепи:
h21э Rk 2
R ;
K нас
tи
C .
0,7  R

7. Проверим длительности фронта и среза:

tф  tc  3 ,
0,16
где   .
f h 21б

Если полученные значения не превышают заданных, то рассчитанные

значения емкостей оставляем.
8. Рассчитаем время восстановления, то есть время заряда емкости С после
окончания обратного переброса:

tв  4 Rк1С
tп  Т  tв

Если t в значительно меньше t п , то схема будет возвращаться в исходное

состояние задолго до прихода следующего управляющего импульса.
9. Рассчитаем емкость разделительного конденсатора:

T
Cр  ,
6( R1  Rи )

где Rи - сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм)

 3. РАСЧЕТ ТРИГГЕРА ШМИТТА

Исходные данные:
Схема ждущего мультивибратора (рис. 3);
U выхm - амплитуда выходных импульсов;
t и - длительность импульса;
tф - длительность фронта;
tс - длительность среза;
T - период следования импульсов;
Rн - сопротивление нагрузки;
tокр 0 - температура окружающей среды.

Рис. 3

Последовательность расчета:
1. Выберем тип транзистора по следующим параметрам:
f h 21б – граничная частота транзистора в схеме с общей базой;
U КБмакс - максимальное допустимое напряжение между базой и
коллектором;
h21э - минимальное значение коэффициента усиления по току;
По частотным свойствам к транзисторам триггера Шмитта
предъявляются следующее требование:

f h 21б  f вх / 0,7 .

По коэффициенту усиления к транзисторам триггера Шмитта

предъявляются следующее требование:

h21э  (Q  1) K нас / 0,23 ,

где - коэффициент насыщения транзистора в схеме триггера Шмитта.
K нас
Для триггера Шмитта рекомендуется выбирать K нас в пределах (1,2 -
1,4).

Требование максимально допустимому напряжению между базой и

коллектором:

U КБмакс  2U ип ;
U ип  (1,1  1,2)(U выхm  U 1 ) ,

где U 1 - падение напряжения на резисторе Rэ при открытом транзисторе VT2.

Обычно выбирают U 1  1,5  3В .
2. Рассчитаем сопротивление резистора в цепи коллектора транзистора VT2:

K запU выхm
Rk  ,
I к 2.нас

где I к 2.нас - ток насыщения коллектора транзистора VT2 при указанной в

исходных данных температуре окружающей среды:

I к.нас  I ки
tk .макс  tокр 
,
 tk .макс  20

где K зап - коэффициент запаса. Обычно, в целях экономичности работы схемы

принимают K зап = (6 - 8)

3. Рассчитаем сопротивление резистора Rэ :

U 1h21э Rк 2
Rэ  .
( K нас  h21э )(U ип  U 1 )

4. Рассчитаем сопротивление резистора коллекторной цепи транзистора VT1:

Rк1  2 Rk 2 .

5. Рассчитаем сопротивления резисторов входного делителя:

h21э R2 Rк 2
R1  ;
(h21э Rэ  R2 )

U ип Rэ
R2  ;
( Rэ  Rк1 ) I КБОмакс
 tокр 20
I КБОмакс  I КБО 2 10 .

6. Рассчитаем сопротивления резисторов выходного делителя транзистора

VT1:

h21U ип Rэ Rк1
R4  ;
(U ип Rк 2  h21э Rк1 ( Rэ  Rк 2 ) I КБОмакс )
h21э R4 Rк1
R3  .
( R4  h21э RЭ )

7. Рассчитаем емкость форсирующего конденсатора:

tф ( R3  Rк1 )
C .
2,3R3 Rк1

8. Рассчитаем емкость разделительного конденсатора:

T
Cр  ,
6( R1  Rи )

где Rи - сопротивление источника входного сигнала (принять Rи = 1 кОм)

9. Проверим длительности фронта и среза:

t ф  tc  2   ,
1
где   .
2f h 21б
Если получим значения меньше заданных, то принимаем расчетные.

10. Рассчитаем амплитуду выходных импульсов:

U ип Rк 2
U выхm  .
( Rэ  Rк 2 )

Аналитический метод расчета усилительного каскада

Исходные данные:
Схема включения (рис. 4);
Транзистор (согласно варианту) с h-параметрами, определенными по
статическим ВАХ: ( h21, h22 , h11 , h12 );
I m вх
- амплитуда входного сигнала;
Eк - источник питания;
Rн - сопротивление нагрузки;
 Rк - сопротивление коллекторной цепи;

Рис. 4

Последовательность расчета:
1. Рассчитаем коэффициент усиления по току:
h21
кi  ,
1  h22 Rн'
' Rк Rн
где Rн  R  R (при условии, что Rн подключено параллельно Rк ).
к н

2. Рассчитаем входное сопротивление:

Um вх
Rвх   h11  h22 кi Rн' .
Im вх

При малом сопротивлении нагрузки Rн входное сопротивление прибли-

жается к статическому параметру h11 , то есть можно принять h11  Rвх .
3. Рассчитаем коэффициент усиления по напряжению:

U вых I m вых Rн' R'

ku 
U вх

I m вх Rвх
 кi н
Rвх
.

4. Рассчитаем коэффициент усиления по мощности:

к p  кu кi .

5. Рассчитаем амплитудное значение входного напряжения:

 U m вх  Rвх I m вх .

6. Рассчитаем амплитудное значение входной мощности:

1 2
Pm вх  Im вх Rвх .
2

7. Рассчитаем амплитудное значение выходного тока:

I m вых  кi I m вх .

8. Рассчитаем амплитудное значение выходного напряжения:

U m вых  I m вых Rн .

9. Рассчитаем выходную мощность:

1
Pвых  I m вых U m вых .
2

10. Рассчитаем выходное сопротивление:

Um вых
Rвых 
Im вых
.
11. Рассчитаем сопротивление в цепи базы:

U к  U эбо
Rб  ,
I бо

где I бо - ток базы при отсутствии переменного входного сигнала, обычно

принимается I бо  2 I m вх ; U эбо  U эб нас – напряжение насыщения эмиттер-базового
перехода, определяемого по справочнику.
12. Если по условию задачи не задано сопротивление коллекторной цепи, то
оно может быть определено по формуле:

Uк Uк эо
Rк  ,
Iк

где U к эо  U кэ нас – напряжение насыщения коллектор-эмиттерного перехода,

принимается из справочника; I к – ток коллектора, при расчетах можно
принять I к  0,5 I к max .
13. Разделительная емкость на входе усилителя C p определяется из
следующего условия: сопротивление конденсатора на низких частотах должно
быть во много раз меньше входного сопротивления транзистора.
 Практически принимается индуктивное сопротивление X c в 10 раз
меньше Rвх .
10
Cр  ,
2 f min Rвх

где f min - минимальная входная частота, принимается 50…100 кГц.

14. Разделительная выходная емкость определяется по аналогичной формуле с
заменой Rвх на Rвых

10
Cр вых 
2 f min Rвых