Лекция 6

• Специальные типы
полупроводниковых диодов
• Варикап
• Стабилитрон
• Туннельный диод
• Фотодиод
• Светодиод
 Специальные типы полупроводниковых диодов

Разновидности полупроводниковых диодов.

К специальным полупроводниковым диодам относятся
приборы, в которых используются особые свойства р-п-
переходов: управляемая полупроводниковая емкость -
варикапы и варакторы; зенеровский и лавинный прибой -
стабилитроны; туннельный эффект - туннельные и
обращенные диоды; фотоэффект - фотодиоды; фотонная
рекомбинация носителей зарядов - светодиоды; многослойные
диоды - динисторы. Кроме того, к диодам относят некоторые
типы приборов с тремя выводами, такие, как тиристоры и
двухбазовые диоды.
 Варикап
Варикапы — это полупроводниковые диоды, в которых
используется барьерная емкость p-n-перехода. Эта емкость
зависит от приложенного к диоду обратного напряжения и с
увеличением его уменьшается. Добротность барьерной
емкости варикапа может быть достаточно высокой, так как она
шунтируется достаточно высоким сопротивлением диода при
обратном смещении.
Условное обозначение варикапа состоит из пяти элементов.
Первый элемент обозначает материал, из которого изготовлен
варикап (К — кремний). Второй элемент обозначает
принадлежность диода к подклассу варикапов (В — варикап).
Третий элемент — цифра, определяющая назначение варикапа
(1 — для подстроечных варикапов, 2 — для умножительных
варикапов). Четвертый элемент — это порядковый номер
разработки. И наконец, пятый элемент — соответствует
разбраковке по параметрам.
 Схематическое
изображение варикапа (а)
и зависимость емкости
варикапа от обратного
напряжения (б)

Теоретическое значение емкости варикапа

можно определить по формуле 𝐶𝐵 = 𝐶0 (1 − 𝑈𝐵 /𝜑𝑘 )−1/2
Основными параметрами варикапа являются: его начальная
емкость С0, добротность QC коэффициент перекрытия по
емкости Кс. Добротность варикапа определяется отношением
реактивной мощности варикапа Q к мощности Р: Qc=Q/P
Коэффициент перекрытия по емкости определяется как
отношение максимальной емкости Сmах варикапа к его
минимальной емкости Сmin: KC=Cmax/Cmin
Кроме этого, часто указывают температурный коэффициент
емкости варикапа αс=ΔС/ΔT и предельную частоту fпред, при
которой добротность варикапа снижается до Q=1.
Добротность варикапа увеличивается с увеличением
обратного напряжения и с уменьшением рабочей частоты.
Графики зависимости добротности варикапа КВ117А от
частоты и обратного напряжения приведены ниже.
Эквивалентная схема варикапа где Сб - барьерная емкость, RШ
- сопротивление перехода и шунтирующих его утечек,
обусловленных конструкцией варикапа, Rп — сопротивление
материала полупроводника, р-п-области и контакта. Полное
сопротивление варикапа определяется выражением
𝑅Ш 𝜔𝐶𝐵 𝑅Ш 𝑅Ш
𝑍𝐵 = 𝑅𝐵 − 𝑗𝑋𝐶𝐵 = 𝑅П + 2 −𝑗 2
1 + 𝜔𝐶б 𝑅Ш 1 + 𝜔𝐶б 𝑅Ш
Добротность варикапа в области низких частот
можно определить по формуле Qн.ч=ωCбRШ т.е.
она растет с ростом частоты.
На высоких частотах при выполнении условия
ωСбRш >> 1 сопротивлением RП можно
пренебречь и тогда добротность варикапа
зависит от частоты по формуле: Qв.ч=1/ωCбRШ
Отсюда следует, что добротность варикапа имеет максимум,
1 1
который соответствует частоте: 𝜔опт =
𝐶б 𝑅Ш 𝑅П
. при этом

максимальную добротность можно найти по формуле: 𝑄𝑚𝑎𝑥 = 12 𝑅Ш

𝑅П

На рис приведены зависимости добротности Q от частоты для

варикапов, изготовленных из кремния и арсенида галлия. Из
графиков видно, что для варикапов из арсенида галлия
оптимальная частота составляет ~1кГц, в то время как для
кремниевых варикапов она почти достигает 1МГц.
Варикапы находят применение в различных электронных
схемах: модуляторах, перестраиваемых резонансных контурах,
генераторах с электронной настройкой, параметрических
усилителях и генераторах и др.

Схема резонансного
контура с электронной
перестройкой при
помощи постоянного
напряжения UП.

Напряжение перестройки подается в среднюю точку двух

встречно последовательно включенных варикапов VD1 и VD2
через дополнительный резистор RД. Такое включение варикапов
позволяет увеличить крутизну перестройки и устраняет
необходимость применения разделительного конденсатора.
 Стабилитрон

Стабилитроны - это полупроводниковые диоды,

работающие в режиме лавинного пробоя. При обратном
смещении полупроводникового диода возникает электричес-
кий лавинный пробой p-n-перехода. При этом в широком
диапазоне изменения тока через диод напряжение на нем
меняется очень незначительно. Для ограничения тока через
стабилитрон последовательно с ним включают
сопротивление. Если в режиме пробоя мощность,
расходуемая в нем, не превышает предельно допустимую, то
в таком режиме стабилитрон может работать неограниченно
долго.
 На рисунке
показаны
схе-
матическое
а)
УО 2\
КС113
изображение
стабилитрон
ов, их вольт-
амперные
характеристи
ки.

Напряжение стабилизации стабилитронов зависит от

температуры. Очевидно, что повышение температуры увеличивает
напряжение лавинного пробоя.
Иногда для стабилизации напряжения используют прямое падение напряже-
ние на диоде. Такие приборы в отличие от стабилитронов называют
стабисторами. В области прямого смещения p-n-перехода напряжение на
нем имеет значение 0,7...2 В и мало зависит от тока. В связи с этим
стабисторы позволяют стабилизировать только малые напряжения (не более
2 В). Для ограничения тока через стабистор последовательно с ним также
включают сопротивление. В отличие от стабилитронов при увеличении
температуры напряжение на стабисторе уменьшается, так как прямое
напряжение на диоде имеет отрицательный ТКН. Схема включения
стабилитрона приведена на рис. а, а стабистора - на рис. б.
Приведенный выше характер температурной зависимости напряжения
стабилитронов обусловлен различным видом пробоя в них. В широких
переходах при напряженности поля в них до 5*104В/см имеет место
лавинный пробой. Такой пробой при напряжении на переходе >6В имеет
положительный температурный коэффициент.
В узких переходах при большой
напряженности электрического
поля (более 1.4*106 В/см)
наблюдается пробой, который
называется зенеровским. Такой
пробой имеет место при низком
напряжении на переходе (менее 5
В) и характеризуется
отрицательным температурным
коэффициентом. При напряжении
на переходе от 5 до 6 В
одновременно существуют оба
График зависимости температурного вида пробоя, поэтому
коэффициента ТКНС1 от напряжения температурный коэффициент
стабилизации UС1 приведен на рисунке. близок к нулю.
Основными параметрами стабилитронов являются:
• напряжение стабилизации UCT;
• температурный коэффициент напряжения стабилизации
ТКНCT;
• допустимый ток через стабилитрон Iдоп.ст
• дифференциальное сопротивление стабилитрона rст

Кроме того, для импульсных стабилитронов нормируется

время включения стабилитрона tвкл а для двухсторонних
стабилитронов нормируется несимметричность напряжений
стабилизации ΔUСТ=ΔUСТ1-ΔUСТ2
Дифференциальное сопротивление стабилитрона - это
параметр, который характеризует наклон вольт-амперной
характеристики в области пробоя. На рис приведена
линеаризованная характеристика стабилитрона, с помощью
которой можно определить его дифференциальное
сопротивление и построить схему замещения.
Условное обозначение стабилитрона включает: материал
полупроводника (К - кремний); обозначение подкласса
стабилитронов (букву С); цифру, указывающую на мощность
стабилитрона; две цифры, соответствующие напряжению
стабилизации, и букву, указывающую особенность конструкции
или корпуса Например, стабилитрон КС 168А соответствует
маломощному стабилитрону (ток менее 0,3 А) с напряжением
стабилизации 6,8 В, в металлическом корпусе.
Кроме стабилизации напряжения стабилитроны также
используются для ограничения импульсов напряжения и в
схемах защиты различных элементов от повышения напряжения
на них.
 Туннельные диоды.

Туннельный эффект заключается в туннельном прохождении тока

через p-n-переход. При этом ток начинает проходить через
переход при напряжении, значительно меньшем контактной
разности потенциалов. Достигается туннельный эффект
созданием очень тонкого обедненного слоя, который в тун-
нельном диоде достигает 0,01 мкм. При таком тонком
обедненном слое в нем даже при напряжении 0,6...0,7В
напряженность поля достигает (5...7)105В/см. При этом через
такой узкий p-n-переход протекает значительный ток.
Этот ток проходит в обоих
направлениях, только в области прямого
смещения ток вначале растет, а
достигнув значения Imах при напряжении
U1, затем довольно резко убывает до Iтin
при напряжении U2. Снижение тока
связано с тем, что с ростом напряжения
в прямом направлении уменьшается
число электронов, способных совершить
туннельный переход. При напряжении
U2 число таких электронов становится
равным нулю и туннельный ток исчезает.
При дальнейшем повышении
напряжения выше U2 прохождение
прямого тока такое же, как у обычного
диода, и определяется диффузией.
Ввиду очень малой толщины слоя p-n-перехода время
перехода через него очень мало (до 10-13-10-14с),
поэтому туннельный диод - практически безынерци-
онный прибор. В обычных же диодах электроны
проходят через переход благодаря диффузии, т. е.
очень медленно. Cхематическое изображение
туннельного диода .

На вольт-амперной характеристике туннельного диода можно

выделить три основных участка: начальный участок роста тока
от точки 0 до Iтaх, участок спада тока от Imax до Iтin и участок
дальнейшего роста тока от Iтin. Очевидно, что спадающий
участок, на котором положительному приращению напряжения
ΔU > 0 соответствует отрицательное приращение тока ΔI < 0,
имеет отрицательное сопротивление (или отрицательную
проводимость -G).
Схема замещения туннельного диода в выбранной рабочей
точке на участке отрицательного сопротивления для малого
сигнала имеет вид, приведенный на рис. На этой схеме С -
общая емкость диода в точке минимума вольт-амперной
характеристики, -G - отрицательная проводимость на
падающем участке, rп - последовательное сопротивление
потерь, L - индуктивность выводов.
Схема генератора на туннельном диоде. В этой
схеме ТД включается последовательно с
нагрузкой и источником постоянного напряжения
Е. Для возникновения колебаний в этой схеме
необходимо выполнить два условия. Первое
условие состоит в том, чтобы напряжение
источника Е обеспечивало нахождение рабочей
точки ТД на участке отрицательного
сопротивления (падающем участке). Второе
условие заключается в том, чтобы отрицательное
сопротивление ТД было больше положительного
сопротивления нагрузки RH (т. е. 1/G>RН).
На рис. показано, как нужно выбирать напряжение источника питания Е при
заданном сопротивлении нагрузки RH. На осях вольт-амперной характеристи-
ки ТД откладываются две точки. На оси напряжения откладывается
напряжение источника питания Е, что соответствует напряжению на диоде
при закороченной нагрузке RH, а на оси тока откладывается ток Е/RH, что
соответствует закороченному ТД. Эти две точки соединяются прямой
линией, которая называется нагрузочной. Пересечение линии нагрузки RH с
вольт-амперной характеристикой ТД соответствует их одинаковому току (что
необходимо при последовательном их соединении) и определяет положение
рабочей точки.
Нагрузочная линия 1 пересекает вольт-
амперную характеристику ТД в трех
точках А, В и С. Очевидно, что при
подключении питания к схеме первой
будет рабочая точка А, в которой
сопротивление ТД положительное и,
следовательно, генерации не будет.
Нагрузочная линия 2 пересекает вольт- амперную характеристику ТД только
в одной точке В. Такой выбор напряжения питания Е2 и нагрузки RH2
обеспечивает возможность возникновения колебаний в схеме.
 1 𝐺 2
Частота колебаний в схеме 𝜔р = −
𝐿𝐶 𝐶
Для того чтобы колебания не содержали гармоники, необходимо, чтобы их
амплитуда не превышала 0.1U0. Поэтому в генераторах на ТД амплитуда
колебаний обычно составляет примерно 10...20 мВ. Максимальная амплитуда
колебаний равна U2-U1=100 мВ. Рабочая частота генератора на ТД обычно
превышает 1 ГГц.
Обращенный диод является вырожденным
туннельным диодом. Подбором
концентрации примесей таким образом,
чтобы границы зон не перекрывались, а
совпадали при отсутствии внешнего
смещения на переходе, можно получить
обычную диодную характеристику в области
положительных напряжений. При этом φK
участок отрицательного сопротивления
будет отсутствовать. Обращенные диоды
применяются для выпрямления на
сверхвысоких частотах очень малых
напряжений.
 Фотодиод
Фотодиод (ФД) представляет собой диод с открытым p-n-переходом. Свето-
вой поток, падающий на открытый p-n-переход приводит к появлению в
одной из областей дополнительных неосновных носителей зарядов, в
результате чего увеличивается обратный ток. В общем случае ток фотодиода
определяется формулой 𝐼 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑈/𝜑𝐾 − 1 − 𝐼ф = 𝐼диф − 𝐼𝑆 + 𝐼ф , где Iф= SiФ
- фототок, Si - интегральная чувствительность, Ф - световой поток.

Без включения нагрузки

фотодиод может работать
в двух режимах:
1) короткого замыкания и
2) холостого хода.
В режиме короткого замыкания
φK напряжение на диоде равно нулю, и
ток в диоде равен фототоку, т. е. I=-
I ф.
Таким образом, в режиме короткого замыкания соблюдается прямая про-
порциональность между током в диоде и световым потоком.
В режиме холостого хода тока в Диоде нет, а напряжение холостого
хода лежит на горизонтальной оси. Оно определяется по формуле
𝐼ф
𝑈𝑥𝑥 = 𝜑 𝑇 𝑙𝑛 +1
𝐼𝑠

Таким образом, при I=0 область p заряжается положительно, а область n

- отрицательно и между электродами фотодиода при освещении
появляется разность потенциалов, называемая фото-эдс. Фото-эдс равна
напряжению Uхх и не может превышать контактной разности
потенциалов φK. Для кремниевых фотодиодов напряжения Uхх<0.7В.

Uфд.max
Из приведенного на рис.
построения следует, что
при отсутствии освещения
RH
напряжение на фотодиоде
будет максимальным
Uфд.max. При увеличении
освещения ток в
фотодиоде возрастает, а
напряжение на нем падает.
Фотодиоды находят применение как приемники оптического излучения.
Основными характеристиками фотодиодов являются: диапазон длин волн
принимаемого излучения, интегральная чувствительность Si, темновой ток
Is, и постоянная времени τ. Большинство фотодиодов работает в широком
диапазоне длин волн как видимого, так и невидимого излучения Δλ=0,4... 2
мкм. Интегральная чувствительность зависит от площади p-n-перехода и
может изменяться в пределах 10-3…1 мкА/люкс. Темновой ток обычно
невелик и имеет значение 10-2...1 мкА. Фотодиоды имеют очень малую
инерционность, т. к. ток в них обусловлен дрейфом неосновных носителей
и не связан с диффузией носителей через переход. Постоянная времени τ
фотодиодов лежит в пределах 10-3... 1 мкс.
Обозначение фотодиодов состоит из букв ФД и порядкового номера
разработки. Например, фотодиод ФД24К имеет интегральную
чувствительность 0.5мкА/лк и темновой ток 1 мкА. В связи со
сравнительно небольшим уровнем выходного сигнала фотодиоды обычно
работают с усилителем. Усилитель может быть внешним и интегри-
рованным вместе с фотоприемником.
 Светоизлучающие диоды
Светоизлучающие диоды (СИД) преобразуют электрическую энергию в
световое излучение за счет рекомбинации электронов и дырок. В обычных
диодах рекомбинация (объединение) электронов и дырок происходит с
выделением тепла, т. е. без светового излучения. Такая рекомбинация
вызывается фононной. В СИД преобладает рекомбинация с излучением
света, которая называется фотонной. Обычно такое излучение бывает
резонансным и лежит в узкой полосе частот. Для изменения длины волны
излучения можно менять материал, из которого изготовлен светодиод, или
изменять ток.
 Лекция 6
• Специальные типы
полупроводниковых диодов
• Варикап
• Стабилитрон
• Туннельный диод
• Фотодиод
• Светодиод
Спасибо за внимание