Эквивалентная
электрическая схема
кварцевого резонатора
(а); характеристики
зависимости реактивного
(б) и полного (в)
сопротивления от частоты
Кварцевый резонатор, как видно из его эквивалентной схемы, представляет
собой последовательный (LK, Ск, rк) и параллельный (LK, Ск, rк, С0) контуры и
обладает двумя резонансными частотами - последовательного контура 𝜔посл =
1 1
и параллельного 𝜔пap = , при rк = 0. Конденсатор С0 характеризует
𝐿 𝐾 𝐶𝐾 𝐶 𝐶
𝐿𝐾 𝐶 0+𝐶𝐾
0 𝐾
емкость кварцедержателя и имеет величину порядка нескольких пикофарад.
Емкость кварца Ск в сотни раз меньше эквивалентной емкости кварцедержателя
С0, поэтому собственная резонансная частота кварца, как последовательного
контура, ωпосл близка к собственной резонансной частоте эквивалентного
контура.
Характер изменения реактивного и полного сопротивления кварца от частоты
(без учета активных потерь в кварце) показан на рис, б. Из графиков видно, что в
диапазоне частот ωпосл < ω < ωпар реактивное сопротивление эквивалентного
контура кварца имеет индуктивный характер, а в диапазонах ω < ωпосл и ω > ωпap
— емкостной.
Величина сопротивления потерь rк составляет единицы-десятки ом. Поэтому
добротность кварца очень большая - 105—106, а это обеспечивает малое
затухание и высокую стабильность частоты генерации. Так как кварцевые
пластины имеют строго определенные размеры, то кварцевая стабилизация
частоты применяется в генераторах генерирующих колебаний только
фиксированной частоты, что является недостатком.
Условное обозначение кварцевого резонатора
Формы импульсов:
а - прямоугольная; б - треугольная; в - трапецеидальная; г - пилообразная; д -
колоколообразная
Для формирования импульсов, близких к трапецеидальной и прямоугольной
формам требуемой амплитуды и полярности, часто используются
формирователи импульсов из сигнала синусоидальной формы. В качестве
простейших и наиболее распространенных формирователей импульсов обычно
применяются различные ограничители напряжения.
Мультивибраторы
Схема простейшего
ждущего
мультивибратора на
биполярных
транзисторах, имеющего
одну резистивную и одну
емкостную коллекторно-
базовые связи.
Благодаря связи базы VT2 с источником напряжения питания +Е
через Rб2 в цепи базы течет отпирающий ток, достаточный для
насыщения этого транзистора. При этом выходное напряжение,
снимаемое с коллектора VT2 близко к нулю. Транзистор VT1 заперт
отрицательным напряжением, полученным в результате деления
напряжения источника смещения -Есм делителем Rб1Rс. Таким
образом, после включения источников питания состояние схемы
определено. В этом состоянии конденсатор С1 заряжен до
напряжения источника +Е (плюс на левой, минус на правой
обкладке).
В данном состоянии ждущий мультивибратор может находиться
сколь угодно долго – до прихода запускающего импульса.
Положительный запускающий импульс отпирает транзистор VT1,
что приводит к увеличению коллекторного тока и уменьшению
коллекторного потенциала этого транзистора. Отрицательное
приращение потенциала через конденсатор С1 передается на базу
VT2, выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его
переход в активный режим.
Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на
коллекторе получает положительное приращение, которое с
коллектора VT2 через резистор Rc передается на базу VT1, вызывая
его дальнейшее отпирание. В этом состоянии происходит разряд
конденсатора С1 через резистор Rб2 и насыщенный транзистор
VT1 на источник питания +Е. Положительно заряженная обкладка
С1 через насыщенный транзистор VT1 подключена к общему
проводу, а отрицательно заряженная – к базе VT2. Благодаря
этому, транзистор VT2 удерживается в запертом состоянии. После
разряда С1 потенциал базы VT2 становится неотрицательным. Это
приводит к лавинообразному переключению транзисторов (VT2
отпирается, а VT1 запирается). Формирование выходного
импульса заканчивается. Таким образом, длительность
выходного импульса определяется процессом разрядки
конденсатора С1:
tu=0.7Rб2C1.
Амплитуда выходного импульса