Вы находитесь на странице: 1из 88

Конструирование

и технология
микросхем

учебное пособие
для вузов
Конструирование
и технология
микросхем
Курсовое проектирование

Под редакцией д-ра техн. наук,


проф. J1. А. К оледова

Допущ ено Министерством высшего и среднего


специального образования СССР
в качестве учебного пособия
дл я студентов вузов, обучающ ихся по специальностям
«Конструирование и производство радиоаппаратуры »
и «Конструирование и производство
электронно-вычислительной аппаратуры»

М осква «Высшая школа» 1984


ББК 32.844
К 65
УД К 621.38

Л . А. Коледов, В. А. Волков, Н. И. Д окучаев,


Э. М. И льина, Н. И. П атрик

Рецензенты:
кафедра «Технология производства радиоэлектронной аппаратуры»
Московского авиационного института (зав. кафедрой —
проф. Б. Ф. Высоцкий); проф. М. Ф. Пономарев (Таганрогский
радиотехнический институт)

Конструирование и технология микросхем. Курсовое


К65 проектирование: Учеб. пособие д л я вузов по спец. «К он­
струирование и производство рад и о ап парату ры » и «К он­
струирование и производство электронно-вы числитель­
ной ап п аратуры » /К о л е д о в JI. А., Волков В. А., Д о к у ч а ­
ев Н. И. и др.; П од ред. JI. А. Коледова. — М ’: Высш. шк.,
1984. 231 с., ил.
В пер.: 70 к.
В книге приведены данны е об элем ен тах и компонентах, материалах и
технологии производства, конструктивно-технологических ограничениях и пра­
вилах разработки топологии интегральных микросхем; рассмотрены методы
обеспечения их н адеж ности, влагостойкости, тепловых реж им ов и др.

Б Б К 32.844
6Ф0.3

© И здательство «Высшая школа», 1984


ПРЕДИСЛОВИЕ

В соответствии с Основными н аправлениям и экономического и


социального разви тия С С С Р на 1981 — 1985 годы и на период до
1990 года на одиннадцатую пятилетку и последующие годы наме­
чено сохранить высокие темпы развития микроэлектроники, как наи­
более прогрессивного направления электронной техники, которое
б у д е т 'Принимать на себя решение новых, все более сложных и р а з ­
нообразных задач. Успехи микроэлектроники оказы ваю т револю ци­
онизирующее воздействие на многие отрасли народного хозяйства:
приборостроение, радиоаппаратостроение, машиностроение, авто­
мобильный и ж елезнодорож ны й транспорт и др. Расш ирение о б л а ­
стей поименения микроэлектроники, ее использование в производ­
ственных процессах, в сфере бытового о бслуж ивания потребует но­
вых р азр а б о т о к элементной базы микроэлектронной ап п аратуры
различного назначения. В этих условиях важнейшей задачей я в л я ­
ется всемерное повышение качества подготовки специалистов в об­
ласти микроэлектроники.
Д а н н а я книга предназначена д ля студентов специальностей
«К онструирование и производство радиоаппаратуры », «Конструи­
рование и производство электронно-вычислительной аппаратуры ».
Она будет полезна та к ж е студентам смежных специальностей э л е ­
ктронной и вычислительной техники, приборостроения и ав том ати ­
ки при изучении курсов по основам микроэлектроники.
Пособие содержит данные, необходимые д ля самостоятельного
выполнения студентам и курсового проекта по разр а б о тк е топологии
и конструкции одного из типов интегральны х микросхем: полупро­
водниковых (на биполярных или полевых транзисторах) и гибрид­
ных (по тонкопленочной или толстопленочной технологии).
Д л я каж дого типа И М С в пособии имеются сведения о техно­
логических процессах, технологических ограничениях (возм ож но­
стя х), свойствах и характер и сти ках используемых материалов, по­
следовательности действия при р азра б отк е конструкции И М С и ме­
тодах расчетов. Кроме того, оно снабжено методическими у к а за н и ­
ями о том, как использовать имеющиеся сведения, чтобы получить
окончательный результат и проверить правильность разработк и.
Ввиду ограниченности времени, отводимого на курсовое проек­
тирование (40— 60 ч самостоятельной внеаудиторной раб оты ), и
сложности разработки пособие рассчитано на то, что проектируе­
мыми объектами будут в основном микросхемы второй степени
интеграции. Но принципы р азработк и конструкций ИМ С более вы ­
соких степеней интеграции остаются теми же. М еняется лиш ь о бъ­
ем вычислительных операций и появляется необходимость в исполь­
3
зовании машинных средств д л я поиска оптимальных вариантов
конструкции.
Д л я экономии времени при выполнении курсового проекта и
привития навыков работы с вычислительной техникой в учебном
пособии приводятся алгоритмы и программы .расчетов некоторых
элементов И М С на ЭВМ, а т а к ж е сведения о возмож ностях сущ е­
ствующей специализированной системы автоматизированного про-,
ектирования ИМ С.
Пособие состоит из трех частей. П е р в а я часть посвящена техно­
логии и конструированию полупроводниковых интегральных м и к ­
росхем на биполярных и униполярных тр анзисторах. Во второй ча­
сти р ассм атриваю тся вопросы конструирования гибридных пленоч­
ных интегральных микросхем с использованием технологии тонких
и толстых пленок. М атериал по технологии производства полупро­
водниковых и гибридных И М С приводится лишь в объеме, требуе­
мом д ля понимания и обоснования технологических ограничений
при конструировании. В третьей части представлен материал, отно­
сящийся к оформлению конструкций полупроводниковых и гибрид­
ных микросхем, конструктивному обеспечению требований к инте­
гральны м микросхемам, оговоренных в технических условиях. О со­
бое внимание уделено расчетам и обеспечению теплового реж им а,
защ иты от климатических воздействий. Рассм атри ваю тся вопросы
оформления технической документации на ИМ С, приводятся при­
меры ее оформления.
В основу пособия положен многолетний опыт проведения курсо­
вого проектирования И М С на каф ед ре микроэлектроники Москов-
ского института электронной техники.
П редисловие и введение написаны Л. А. Коледовым, глава 1—
Л. А. Коледовым и Н. И. Патриком, гл ав а 2 — Н. И. Д окучаевы м,
главы 3 и 4 — Л . А. Коледовым и Э. М. Ильиной, гл ав а 5 — Л . А.
К оледовым и В. А. Волковым, гл ав а 6 — Э. М. Ильиной, П р и л о ж е ­
н и я — Л. А. Коледовым, Э. М. Ильиной, Н. И. Патриком.
Авторы в ы р а ж аю т искреннюю благодарность профессорам
Б. Ф. В ы со ц к о м у , А. И. Коробову, М. Ф. П ономареву за ценные з а ­
мечания и советы, высказанны е ими при рецензировании рукописи
пособия и способствовавшие улучшению его содерж ания. Они п ри ­
знательны председателю Научно-методического совета по техноло­
гии, конструированию и производству радио- и электронно-вычис-
лительной аппаратуры проф. В. Б. П естрякову за постоянное внима­
ние к изданию книги. Авторы б лаго д а р ят так ж е коллектив препо­
давател ей и сотрудников каф едры микроэлектроники М И Э Т за по­
лезные советы и помощь при написании и подготовке данного посо­
бия.
Все зам еч ан ия и п ож елания, которые могут возникнуть при изу­
чении и практическом .использовании данного пособия, просим н а ­
правлять по адресу: 101430, М осква, Г С П -4 , Н егли н ная ул., д. 29/14,
издательство «В ы сш ая школа».

Авторы
ВВЕДЕНИЕ

Интегральная микросхема (И М С ) — это конструк­


тивно законченное изделие электронной техники, выполняю щее оп­
ределенную функцию преобразования информации и со д ерж ащ ее
совокупность электрически связанных меж ду собой электрорадио-
элементов (Э Р Э ), изготовленных в едином технологическом цикле.
Термин «интегральная микросхема» отраж ает: объединение значительного
числа транзистороз, диодоз, конденсаторов, резисторов и соединяющих проводни­
ков в единую конструкцию (конструктивная интеграция); выполнение схемой
функций преобразования информации, более сложных по сравнению с функциями
отдельных ЭРЭ (схемотехническая интеграция); выполнение в едином технологи­
ческом цикле одновременно всех ЭРЭ схемы и межсоединений и одновременное
формирование группозым методом большого числа одинаковых ИМС (техноло*
гическая интеграция).

По способу изготовления различаю т полуп р о во д ни к о вы е и п л е ­


ночные ИМС. В полупроводниковых ИМ С все Э Р Э и часть м еж сое­
динений сформированы в приповерхностном слое полупроводнико­
вой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных ИМ С пассивные
Э Р Э изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или
толстых (10— 50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую под­
лож ку. Гиб ри дны е ИМ С (ГИ С ) представляю т собой комбинацию
пленочных пассивных Э Р Э с миниатюрными бескорпусными дис­
кретными активными приборами (полупроводниковыми ИМ С, тр а н ­
зисторами, д и о д ам и ), расположенны х на общей диэлектрической
подложке. ЭРЭ , которые являю тся неотъемлемой составной частью
И М С и не могут быть выделены из нее к а к самостоятельное и зде­
лие, назы ваю т элементами ИМ С, а дискретные активные Э Р Э
Г И С — навесными компонентами (или просто ком понентам и), под­
черкивая тем самым, что их изготовляю т отдельно в виде самостоя­
тельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем
Г И С к а к покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов
элементы И М С назы ваю т интегральными (интегральный резистор,
интегральный диод).
В совмещ енны х ИМ С активные Э Р Э выполнены в приповерхно­
стном слое полупроводникового кр и сталла (к а к у полупроводнико­
вой И М С ), а пассивные нанесены в виде пленок на покрытую д и ­
электриком поверхность того ж е кр и сталла (к ак у пленочной И М С ).
Перечислим особенности И М С как нового типа изделий эл е кт­
ронной техники:
а) ИМ С самостоятельно выполняет законченную, часто д оволь­
но сложную функцию. Она мож ет (быть усилителем, запоминаю щ им
устройством, генератором, детектором и т. д. Ни один из Э Р Э с а ­
мостоятельно таких функций выполнять не может, для этого его
следует соединить с другими дискретными Э Р Э по отдельной схеме;
5
б) выпуск и применение ИМ С сопровож даю тся существенным
уменьшением массы, габаритов и стоимости радиоэлектронной ап ­
парату ры , снижением потребляемой мощности и повышением н а­
дежности;
в) элементы И М С р асполагаю тся в п ред елах одной подложки
« а сравнительно небольших расстояниях друг от друга и ф орм и ру­
ются одновременно; это о бусловли вает малый технологический р а з ­
брос их параметров. Особенно высока точность выполнения соот­
ношения п арам етров нескольких элементов (например, отношения
сопротивлений). Эта точность сохраняется при изменении т ем п ер а­
туры окруж аю щ ей среды, так как все элементы И М С работаю т
практически при одной температуре и термические коэффициенты
параметров элементов одной и той ж е ИМ С приблизительно оди­
наковы. Эту особенность И М С часто используют при создании уст­
ройств, мало чувствительных .к влиянию технологического разброса
парам етров элементов и к изменению температуры;
г) при р азра б отк е полупроводниковых ИМ С стремятся выбрать
схемные решения с минимальным числом пассивных элементов. Р е ­
зисторы и конденсаторы зан и м аю т значительную площ адь ИМ С,
технологические возможности создания этих элементов с достаточ­
ной точностью в широком диапазоне номиналов ограничены.
Обозначения ИМС,. К аж ды й конструктивно-технологический вариант (груп­
па) интегральных микросхем согласно ОСТ 11.073.915—80 имеет следующие обо­
значения: 1, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — пленочные и
некоторые другие ИМС (например, вакуумные, керамические). По функциональ­
ному назначению ИМС подразделяю т на подгруппы (Г — генераторы, Д — детек­
торы, К — коммутаторы и ключи, Л — логические элементы, М — модуляторы,
Н — наборы элементов, П — преобразователи сигналов, Е — схемы источников
вторичного питания, Б — схемы задерж ки, С — схемы сравнения, Т — триггеры,
У — усилители, Ф — фильтры, А — формирователи импульсов, Р — схемы запоми­
нающих устройств, И — схемы цифровых устройств, В — схемы вычислительных
средств, Ц — фоточувствительные схемы с зарядовой связью, X — многофункци­
ональные схемы). В пределах каж дой подгруппы ИМС подразделяю т на виды,
каж дом у виду присвоена определенная буква; таким о б р а зо м , сочетание двух
букз в обозначении ИМС характеризует ее вид и подгруппу (например, ГС — ге­
нераторы гармонических сигналов, Л И — логические элементы, И, И Р — наборы
резисторов, УВ — усилители высокой частоты, ВМ — микропроцессоры, BE —
микро-ЭВМ, ВУ — схемы микропрограммного управления, ВТ — микрокалькуля­
торы и др.).
Обозначение интегральной микросхемы состоит из следующих элементов:
первый эл ем ен т—-цифра, означаю щ ая группу, второй элемент — три цифры (от
ООО до 999) или две цифры (от 00 до 99), означающие порядковый номер р а з­
работки серии ИМС, третий элемент — две буквы, означающие подгруппу и вид
ИМС, четвертый элемент — условный номер разработки ИМС по функционально­
му признаку в данной серии. И нтегральные микросхемы выпускаю тся в состазе
серии, т. е. в совокупности нескольких видов ИМС, имеющих единое конструк­
тивно-технологическое исполнение и предназначенных для совместного примене­
ния в аппаратуре. Д в а первых элемента обозначения ИМС относятся к обозна­
чению серии (т. е. оно содерж ит от трех до четырех циф р). Н апример, ИМС
синхронизации микропроцессорного комплекта серии 1800 с порядковым номером
2 ее разработки в данной серии (по функциональному признаку) имеет обозна­
чение 1800ВБ2, ИМС логического элемента И — НЕ, открывающего перечень
схем широко распространенной серии 133, — обозначение 133ЛА1.
При необходимости разработчик ИМС имеет право в конце условного обо­
значения дополнительно указы вать буквы (от А до Я, кроме букв 3, М, О, Т, Ш,
6
П, Ч, Ы, Ъ ), характеризую щ ие отличие ИМС одного вида по электрическим
характеристикам. При маркировке эта буква мож ет быть заменена цветной
точкой.
Д л я ИМС, используемых в устройствах широкого применения, в начале обо*
значения добавляю т букзу К: К1800ВБ1, К133ЛА1.
Д ля бескорпусных ИМС з состав обозначения вводят дополнительно два
элемента: букву Б в начале обозначения и цифру (от 1 до 6) — в конце. Цифра
характеризует конструктивное исполнение бескорпусных ИМС: 1 — с гибкими вы­
водами; 2 — с ленточными (паучковыми) выводами и выводами, выполненными
на диэлектрической (в том числе полиимидной) пленке; 3 — с жесткими (шари­
ковыми или столбиковыми) выводами; 4 — на общей подлож ке или пластине, не
разделенные друг от друга; 5 — то ж е, что и 4, но разделенные без потери
ориентации (например, наклеенные на пленке); 6 — кристаллы с контактными
площ адками без выводов. Н апример, Б106ЛБ1А-1 — полупроводниковая ИМС се­
рии Б106-1 (логический элемент И — Н Е /И Л И — Н Е) в бескорпусном исполне-
нии с гибкими выводами.
При перезоде серии микросхем для исполнения в более дешевом пластм ас­
совом корпусе в начале обозначения ставят букву Р. Например, при переводе
микросхем серии 140 в металлостеклянном корпусе на пластмассовый корпус
201.14-1 серию стали обозначать Р140. ИМС операционного усилителя, входящ е­
го в эту серию, имеет обозначение Р140УД1А.
Д л я обозначения ИМС повышенного качества перед цифровым обозначени­
ем серии указываю т буквы ОС (а при их малом выпуске — буквы ОСМ ).
Д л я микросхем, поставляемых на экспорт (шаг выводов 1,27 или 2,54 мм ),
в начале обозначения добавляю т букву Э. Например, полупроводниковая логи­
ческая ИМС серии К1500 (логический элемент И — Н Е) в экспортном исполне­
нии имеет обозначение ЭК1500ЛА1.
Цель, задачи и методика выполнения курсового проекта. З а д а ­
чей выполнения курсового проекта (К П ) является р азр а б о тк а кон­
струкции ИМ С и технологического м арш рута ее производства в со­
ответствии с заданной в техническом задании (ТЗ) принципиаль­
ной электрической схемой. Конструктивно-технологический вариант
изготовления И М С выбирается студентом в результате ан ал и за з а ­
дания на К П или зад ается руководителем проекта.
Ц елью работы н ад курсовы м проектам является приобретение
практических навыков решения инженерной зад ач и создания кон­
кретного микроэлектронного изделия, а т а к ж е закрепление, угл у б ­
ление и обобщение теоретических знаний, приобретенных на преды ­
дущих этап ах обучения в вузе.
Основные этапы выполнения курсового проекта:
этап I — анализ технического зад ан и я с целью выявления сути,
оценки объема и плана предстоящей работы;
этап II — выбор технологии изготовления ИМ С исходя из а н а ­
лиза технического зад ан и я (функции, выполняемой ИМС, м а сш та­
бов производства, условий э ксп л уатац и и ). Особое внимание при
этом необходимо обратить на технологические ограничения, что об ­
легчит последующую работу по конструированию элементов ИМС,
выбору .компонентов и р азр а б о тк е конструкции И М С в целом;
этап III — расчет элементов и выбор компонентов И М С соглас­
но принципиальной электрической схеме с учетом технологических
ограничений;
этап IV — р а зр а б о тк а топологии и выбор корпуса ИМ С. Р а з ­
работку эскиза топологии И М С и последующих вариантов тополо­
гии проводят согласно п равилам проектирования, изложенным в
ГЛ- i — 4 дЛЯ различных конструктивно-технологических типов
ИМ С. Выбор корпуса ИМ С производят из числа унифицированных
конструкций (см. гл. 5) по следующим исходным данным: разм еру
кри сталла полупроводниковой И М С или платы ГИС и числу внеш ­
них выводов ИМ С (числу контактных п лощ адок внешних выво­
дов на топологии И М С ); герметичности корпуса и условиям э к с ­
плуатации (последние данны е указы ваю тся в Т З ) . П л о щ а д ь и р а з ­
меры монтажной площ адки долж ны соответствовать разм ерам
кри сталла или платы либо несколько превосходить их, число
выводов корпуса и их рядность т а к ж е долж ны соответствовать то­
пологии ИМ С;
этап V — проверка качества разработки топологии и конструк­
ции ИМ С. М етодика проверки правильности разработки топологии
ИМ С различных типов приведена в гл. 1— 4. Дополнительно для
оценки качества разработки проводят расчеты 'паразитных связей
и параметров, тепловой расчет, расчет вл агозащ и ты (см. гл. 5);
этап VI — корректировка или переработка топологии либо кон­
струкции ИМ С. П оправки в топологию и конструкцию вводят, если
проверка качества и проверочные расчеты даю т на это основания;
этап V II — оформление расчетно-пояснительной записки. Она
д о л ж н а содерж ать обоснование выбранного конструкторского и
технологического решения в виде сравнительной оценки этого реш е­
ния с другими возможны ми вариантами, показ преимущ еств при ­
нятого инженерного решения с точки зрения эффективности про­
изводства, качества и стоимости. Пояснительная записка д олж на
выполняться на листах писчей или линованной бумаги форм ата 11,
необходимые иллюстрации и чертежи долж ны .быть выполнены на
миллиметровой бумаге ф орм ата 11 или большего ф о рм ата.
Объем пояснительной записки без учета чертежей и графиков
должен составлять примерно 30—40 страниц рукописного текста.
Она д олж н а содержать: титульный лист, оглавление, техническое
задание, подписанное руководителем, описание принципа действия
проектируемой ИМС, выбор и обоснование конструктивно-техноло­
гического в ари ан та производства ИМ С, описание технологии со
структурной схемой процесса, расчет конструктивных и электриче­
ских парам етров элементов ИМ С, эскиз топологии И М С на милли­
метровой бумаге, проверочные расчеты и скорректированный при
необходимости вариант топологии, исследовательскую часть (в ы д а­
ется по усмотрению руководителя п роекта), выводы, список исполь­
зованной литературы и ГОСТов, приложения (маршрутную или
операционные карты технологического процесса);
этап V III — оформление конструкторской документации на
ИМС. Ее объем составляет 2— 3 листа форм ата 24. Ч ертеж и следу­
ет выполнять в соответствии в Е С К Д каран даш ом или тушью. Они
д олж ны содерж ать как минимум следующую информацию: э л е к т­
рическую схему ИМ С, топологический чертеж ИМ С, сборочный чер­
теж ИМС, структурную схему технологического процесса. Д р у г а я
информация выносится на чертежи по указанию руководителя про­
екта. Н а ч ертеж ах и пояснительной записке д о л ж н а стоять лич­
ная подпись студента, удостоверяю щ ая самостоятельность вы пол­
нения проекта и ответственность за принятые решения;
этап IX — подготовка в защ ите курсового проекта. Н а этом э т а ­
пе проводится работа по составлению короткого (8— 10 мин) до­
к л ад а о наиболее существенных р езул ьтатах курсового проектиро­
вания, подготовке к обоснованию и защ ите принятых инженерных
решений, подготовке ответов на возможны е вопросы членов комис­
сии по приемке КП.
Организация и руководство курсовым проектом. Курсовой про­
ект по курсу «К онструирование и технология микросхем» выполня­
ют с использованием одного из четырех наиболее распростран ен ­
ных вариантов конструктивно-технологического ^исполнения инте­
гральных микросхем: полупроводникового на биполярных тран зи ­
сторах, полупроводникового на М Д П -тран зи сторах, гибридного тон­
копленочного и гибридного толстопленочного. В связи с этим
техническое задан и е на проект долж но содерж ать необходимое и
достаточное количество сведений, опираясь на которые студент д о л ­
ж ен самостоятельно обосновать и вы брать способ изготовления
ИМ С. Однако, учиты вая раннее (за 2—3 года) распределение сту­
дентов на места работы, зак азн у ю систему подготовки специалис­
тов д л я того или иного предприятия или объединения, каф едры и
руководители проектов могут у ж е в ТЗ определять технологию
производства И М С с учетом специфики будущей работы молодого
специалиста. Типовое ТЗ на р азрабо тк у конструкции И М С д олж но
содержать: электрическую схехму И М С с указанием номиналов и
х арактери сти к элементов и компонентов, кратким описанием р еа л и ­
зуемой функции и необходимыми характеристикам и входных и вы ­
ходных сигналов, а та к ж е назначение, серийность производства,
условия эксплуатации И М С и рекомендуемую литературу.
Р азн о о б р а зи е функционального назначения ИМ С, вариантов их
конструктивно-технологического исполнения позволяет выдать к а ж ­
дому студенту индивидуальное задание на проект.
З а д а н и е на проект долж но быть подписано руководителем, д а ­
тировано и зарегистрировано в ж у р н а л е учета К П кафедры.
Руководство курсовым проектированием начинается с выдачи
ТЗ на проект. И н д иви ду альн ая беседа руководителя со студентом
по заданию является необходимым условием успеха дальнейшей
работы, так как позволяет выявить степень подготовленности сту­
дента, отметить отдельные, наиболее ответственные этапы КП,
уточнить граф и к его выполнения.
Б ольш ое организующее значение на первых этапах курсового
проектирования имеет вводная лекция по КП, прочитанная л екто ­
ром курса, в которой разъ ясн яю тся роль этого вида учебной р а б о ­
ты д л я подготовки специалиста, уровень требований к занятиям,
сущность выданных заданий и пути их реализации.
В процессе выполнения К П к аф ед ра и руководитель проекта
проводят групповые и индивидуальные консультации. К а к прави­
ло, групповые консультации проводятся по расписанию и не долж ны
переходить в лекции. Н а этих консультациях необходимо д ав ат ь
9
конкретные указан ия по устранению встретившихся затруднений,
проводить разбор решений типовых зад ач , встречаю щ ихся при в ы ­
полнении КП, ан ализировать типовые ошибки, выполнять наиболее
трудны е расчеты. И ндивидуальны е консультации долж ны прово­
диться регулярно 1— 2 р аза в неделю. Г л ав н ая их цель — контроль
за ходом и правильностью выполнения КП, выявление допущенных
ошибок, помощь студенту в нахождении правильного пути решения
вопроса.
К ак групповые, так и индивидуальные консультации не долж ны
п ревращ аться в репетиторство, в н атаскивание студента. Они д о л ­
ж ны помогать разви тию 'сам остоятельн ости в инженерной д еяте л ь ­
ности, навы ков планомерной, продуманной, ответственной работы.
В процессе консультирования руководитель н е-долж ен д ав ать сту­
денту готовых решений, а лишь р азв и ва ть его творческие способ­
ности, умение анал и зи ро вать вари ан ты технических решений, осоз­
навать допущенные ошибки и находить пути к их исправлению. Эту
работу следует проводить, опираясь на конкретные материалы, р а с ­
четы, эскизы, вари ан ты технических решений, п редъявляем ы е сту­
дентом консультанту. Ины ми словами, руководитель долж ен стро­
ить свою индивидуальную работу со студентом, исходя из его сам о­
стоятельных проработок после того, как появилась уверенность, что
студент достаточно хорошо ознаком ился с м атериалом, понял его
сущность.
После заверш ения работы руководитель тщ ательно проверяет
проект и, если он удовлетворяет всем требованиям к КП, д оп у ска­
ет проект к защите, д е л а я соответствующие надписи на чертеж ах
и в записке с проставлением предварительной оценки.
З а щ и т а курсового проекта. З а щ и т а является особой формой
проверки выполнения курсового проекта. Эта процедура д олж н а
приучить будущего инж енера к публичной защ ите принятых им тех­
нических решений.
З а щ и та вклю чает короткий д о к л а д (8— 10'мин) студента по т е ­
ме проекта перед н азн ачаем ой кафедрой комиссией п реподавате­
лей из двух-трех человек и ответы на вопросы, зад ав ае м ы е чле­
нами комиссии. Студент при защ ите д олж ен д ать объяснения по су­
щ еству проекта, проявить достаточный уровень теоретической под­
готовки и умение применить ее при решении конкретной задачи.
Р езу л ь таты защ иты оцениваются отметкой по четырехбалльной
системе. Студент, не выполнивший и не представивший КП в ус­
тановленный срок или не защ итивш ий его по неуважительной при­
чине, считается имею щ им академическую задолж енность.
Курсовые проекты, сод ер ж ащ и е оригинальные обоснованные ре­
шения, новые теоретические, технологические и конструкторские
проработки и предлож ения по практической их реализации, вы дви­
гаются на конкурс курсовых проектов, городские и республикан­
ские смотры студенческих работ, а проекты, имеющие наибольшую
научную и практическую ценность, — на всесоюзный конкурс науч­
ных раб о т «Студент и научно-технический прогресс».
Часть I
КОНСТРУИ РОВАН ИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ
ПО ЛУ П РО ВО ДН И КО ВЫ Х ИНТЕГРАЛЬНЫ Х М ИКРОСХЕМ

Глава 1
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

§ 1.1. Элементы полупроводниковых ИМС


на биполярных транзисторах

Транзисторы типа п-р-п. Биполярны й транзистор типа п-р-п я в ­


л яе тся основным схемным элементом полупроводниковых ИМ С. Он
о б ладает лучшими характеристикам и, чем транзистор типа р-п-р,
а технология его изготовления более проста. Остальные элементы
И М С выбираю т и конструируют так и м образом, чтобы они совм ещ а­
лись со структурой транзистора типа п-р-п. Их изготовляют одно­
временно с транзистором типа п-р-п на основе какой-либо из его об­
ластей. Таким образом, выбор физической структуры транзистора
типа п-р-п определяет основные электрические парам етр ы осталь­
ных элементов микросхемы.
Н аиболее широкое распространение получила тр ан зи сторн ая
структура типа п+-р-п со скрытым подколлекторным д+-слоем
(рис. 1.1). С ледует обратить внимание на то, что вывод коллектора
интегрального транзистора распо­
ложен на поверхности прибора. Это
увеличивает сопротивление тела
коллектора и ухудш ает х а р а к т е ­
ристики транзистора в усилитель­
ном режиме (ухудшается ч астот­
ная храктеристика) и в п ереклю ­
чающем реж им е (уменьш ается
эффективность переключения в
реж им е н асы щ ения). Увеличение
степени легирования всего объема Рис. 1.1. Конструкция интегрального
коллекторной области и уменьш е­ транзистора типа п+-р-п
ние ее удельного сопротивления
снижаю т пробивное нап ряж ени е перехода коллектор — база
и увеличивают емкость этого перехода, т. е. та к ж е ухудш аю т х а ­
рактеристики транзистора. Компромиссным решением проблемы
является создание скрытого высоколегированного я+-слоя на гра­
нице коллектора и подложки. Этот слой обеспечивает низкоомный
II
путь току от активной коллекторной зоны к коллекторному кон­
такту без с н и ж е н и я пробивного н ап ряж ен и я перехода коллектор —
база. Конструктивно он располагается непосредственно под всей б а ­
зовой областью и простирается вплоть до дальней от базы стороны
коллекторного контакта. Толщина слоя составляет 2,5— 10 мкм,
удельное поверхностное сопротивление ps = 1 0 4 - 3 0 О м /П .
Р аб о ч а я зона транзистора начинается непосредственно под эмит-
терной зоной, и д л я обеспечения требуемого коллекторного тока
при минимальном последовательном падении нап р яж ени я коллек­
торный контакт р асполагаю т как можно ближ е к эмиттерному. М и­
н имальны е горизонтальны е р азм еры прибора определяются двум я

Рис. 1.2. Конструкция биполярных интегральных транзисторов:


а — асимметричная; б — симметричная

основными технологическими ф акторам и : минимально д остиж им ы ­


ми при фотолитографии разм ер ам и окон в окисле кремния и з а з о ­
ров меж ду окнами, а та к ж е разм ером боковой дифф узии под оки­
сел. Поэтому при проектировании транзистора следует учитывать,
что расстояние меж ду базовой областью и коллекторны м к о н так­
том долж но быть значительно больше суммы разм еров боковой
диффузии р-б азы и гс+-области под коллекторным контактом. Н а ­
значение этой /г+-области состоит в обеспечении надежного ф орм и ­
рования невыпрямляю щ его контакта алю миния к слаб олеги рован ­
ной «-области коллектора, поскольку алюминий является акцептор­
ной примесью в кремнии с растворимостью порядка 1018 атомов/см3
при тем пературе формирования контакта. Уровень ж е легиро­
вания эпитаксиального «-слоя, составляю щ его тело коллектора, р а ­
вен 1015— 1056 атом ов/см3. К а к отмечалось, он.диктуется необходи­
мостью увеличения н ап ряж ен и я пробоя перехода коллектор — база.
Расстоян ия м еж д у изолирующей р-областью и элементам и т р а н ­
зистора определяю тся т а к ж е разм ером боковой диффузии. Они
до лж ны быть примерно равны толщине эпитаксиального слоя.
Д в е типичные конструкции интегральных транзисторов п о к а за ­
ны на рис. 1.2. Д л я асимметричной конструкции (рис. 1.1, 1.2, а).
12
характерн о то, что коллекторны й ток протекает к эмиттеру только
в одном направлении. При симметричной конструкции (рис. 1.2, б)
коллекторный ток подходит к эмиттеру с трех сторон и сопротивле­
ние коллектора оказы вается примерно втрое меньше, чем при асим­
метричной конструкции. Д л я симметричной конструкции тр ан зи ­
стора облегчается р а зр а б о тк а топологии металлической разводки,
так как в ней часть .коллекторной области можно разместить под
окислом, а поверх окисла над коллектором провести алюминиевую
полоску к эмиттерной (рис. 1.2, б) или базовой области. Н а рис.
1.2, а дан ы топологические разм еры областей интегрального бипо­
лярного транзистора, типичные д л я И М С средней степени и нтегра­
ции. П а рам етры этих областей приведены в табл. 1.1.

Т а б л и ц а 1.1
П араметры областей интегрального транзистора типа п - р - п

Удельное Удельное
Концентрация Толщина слоя объемное поверхностное
Наименование области примеси /V, d , мкм сопротивление сопротивление
см- 3 материала р, слоя р5 , Om/D
Ом-см

П одлож к а р-типа 1 ,5 -1015 200— 400 10


Скрытый П+-СЛОЙ — 2,5— 10 — 10— 30

СЛ
СЛ
Коллекторная /г-область —

1
1 0 16 2,5— 10
0

о
Б азовая р-область 5 - 1 0 18 1,5— 2,5 — 100—300
Эмиттерная п+-область 1021 0,5— 2,0 —, 2 — 15
И золирую щ ая область — 3,5— 12 — 6 — 10
Пленка окисла кремния — 0,3— 0,6 — —
М еталлическая пленка 0 ,6— 1,0 1,7- 10-в 0,06— 0,1
(алюминий)

П р и м е ч а н и е : .V — объем ная концентрация примеси для подложки и коллекторной


области и поверхностная концентрация примеси для эмиттерной и базовой областей.

При больших токах существенную роль играет эф ф ект вытесне­


ния тока эмиттера, который объясняется достаточно 'просто. Н а п р я ­
ж ение в любой точке эмиттерного перехода п редставляет собой р а з ­
ность внешнего нап ряж ени я и падения н ап р яж ени я в объеме базы,
т. е. нап ряж ени е в центральной части эмиттера меньше н а п р я ж е ­
ния у его краев, и внешние области эмиттера 'работают при боль­
ших плотностях тока по сравнению с внутренними. П овы ш енная
плотность то ка у краев эмиттера приводит к повышенным рекомби­
национным потерям носителей за р я д а в этих областях и к уменьш е­
нию коэффициента усиления транзистора В. .Конструкция мощных
транзисторов д о л ж н а обеспечивать максимальное отношение пери­
метра эмиттера к его площ ади. Н апример, целесообразно исполь­
зовать узкие эмиттеры с большим периметром (рис. 1.3). П а р а м е т ­
ры интегральных транзисторов типа п-р-п приведены в табл. 1.2.
13
Р ассмотрим разновидности интегральных биполярных тран зи ­
сторов. „ „
Т р а н з и с т о р ы с т о н к о й б а з о й . 1ранзисторы с тонкой
базой о б л а д а ю т повышенными значениями коэффициента усиления
В и необходимы д л я создания ряда аналоговых И М С (входные к а ­
скады операционных усилителей). У этих транзисторов ширина ба-

Рис. 1.3. Конструкция мощного Рис. 1.4. Конструкция много-


транзистора (вид с в ер х у ): эмиттерного транзистора
1 — эмиттерная область; 2 — область
базы; 3 — область изоляции; 4 — кол­
лекторная область

Т а б л и ц а 1.2
П араметры интегральных транзисторов типа п - р - п

Температурный
Параметры Номинал Допуск S, % коэффициент,
1/°С

Коэффициент усиления В 100— 200 ±30 5-1 0 - 3


П редельная частота /т , МГц 200—500 ±20
Пробивное напряжение UKб, В 40—50 ±30
Пробивное напряж ение Uaб, В 7— 8 ±5 (2—б ) - 10-*

зы (расстояние м еж д у эмиттерными и коллекторными переходами)


да = 0,2н-0,3 мкм, коэффициент усиления 5 = 2000-^-5000 при ко л л ек­
торном токе / к = 20 мкА и уровне нап ряж ени я (Укэ = 0,5 В. П робив­
ное н ап р яж ени е коллектор — эмиттер около 1,5— 2 В.
М н о г о э м и т т е р н ы е т р а н з и с т о р ы ( М Э Т ). Конструкция
МЭТ, широко используемых в цифровых ИМ С транзисторно-тран­
зисторной логики, приведена на рис. 1.4. Число эмиттеров м ож ет
быть равным 5— 8 . М ЭТ мож но р ассм атри в ать как совокупность
транзисторов с общими б азам и и коллекторами. П ри их конструи­
ровании необходимо учитывать следую щие обстоятельства.
Д л я подавления действия паразитных горизонтальных п+-р-п+-
транзисторов расстояние м е ж д у кр а ям и соседних эмиттеров д о л ж ­
но превыш ать диффузионную длину носителей з а р я д а в базовом
14
слое. Если структура леги рована золотом, то д иф ф узионная длина
не превыш ает 2— 3 мкм и указан ное расстояние достаточно сделать
равным 10— 15 мкм.
Д л я уменьшения п аразитны х токов через эмиттеры при инве­
рсном включении М ЭТ искусственно увеличиваю т сопротивление
пассивной области базы, у д ал я я б азо ­
вый контакт от активной области т р а н ­
зистора, чтобы сопротивление переш ей­
ка, соединяющего базовый контакт с
базовой областью, составило 200—
300 Ом.
Многоколлекторные тран­
з и с т о р ы (M KT). М К Т — это прак- Рис- к5- Конструкция много-
,д „ г коллекторного транзистора
тически М сН , используемыи в инверс-
ном режиме: общим эмиттером я в л я ­
ется эпитаксиальны й слой, а кол лекторам и — п+-области малы х
разм еров (рис. 1.5). Т а к а я структура яв л яется основой И М С ин­
тегральной инжекционной логики (И 2Л ) . Главной проблемой при
конструировании М К Т явл яется обеспечение достаточно высокого
коэффициента усиления в расчете на один коллектор, д л я чего
скрытый гс+-слой необходимо р асп о л агать как можно бли ж е к б а ­
зовому слою, а п+-коллекторы — как можно бли ж е друг к другу.
Транзисторы типа р-п-р. И н тегральн ы е транзисторы типа
р-п-р существенно уступают транзисторам типа п-р-п по коэф ф ици­
енту усиления и предельной частоте. Д л я их изготовления исполь­
зуют стандартную технологию, оптимизированную для ф ор м и р ова­
ния транзистора типа п+-р-п. Естественно, что получение транзисто­
ров типа р-п-р с близкими к теоретическим пределам п ар ам етр ам и
в этом случае невозможно.
Г о р и з о н т а л ь н ы е т р а н з и с т о р ы т и п а р-п-р. В н а­
стоящ ее время эти транзисторы используют в И М С наиболее часто
(рис. 1.6). Их изготовляю т одновременно с транзисторам и типа
п+-р-п по обычной технологий. Эмиттерный и коллекторны й слои
получают на этап е базовой диффузии, причем коллекторный слой
ох ваты вает эмиттер со всех сторон. Б а з о в а я область формируется
на основе эпитаксиального слоя с подлегированием контактной об ­
ласти во время эмиттерной диффузии. Перенос носителей з а р я д а в
транзисторе типа р-п-р происходит в горизонтальном направлении.
Д ы рки, инж ектированны е из боковых частей эмиттера в базу, диф ­
фундирую т к коллекторной области. Перенос наиболее эффективен
в приповерхностной области, так к а к здесь расстояние w м еж ду
коллектором и эмиттером минимально и, кроме того, наиболее вы ­
сокая концентрация примеси в p -слоях. Ш ирину базы w уд ается в ы ­
полнить равной 3— 4 мкм (м еш ает боковая диф ф у зия под м а ску ),
в резул ьтате чего коэффициент усиления оказы вается равным 50,
а /т —20ч-40 МГц. Б е з особого труда получаю т w = б-г-12 мкм, но
при этом В = 1,5-4-20, а /т —2-^5 МГц. Д л я подавления действия п а­
разитных р-п-р-транзисторов (р—эмиттер, п —эпитаксиальны й слой,
р — п одл о ж к а) стремятся уменьшить п л о щ ад ь донной части эм ит­
15
тера (его д ел аю т возможно более у зк и м ), используют скрытый пр­
елой вдоль границы эпитаксиального слоя и подложки. Н а основе
горизонтального транзистора легко
сформ ировать многоколлекторный
транзистор типа р-п-р (рис. 1.7).

Рис. 1.6. Конструкция гори­ Рис. 1.7. Конструкция


зонтального транзистора многоколлекторного го­
типа р-п-р ризонтального транзи­
стора типа р-п-р

Основные недостатки горизонтального транзистора типа р-п-р —


сравнительно бо льш ая ширина б азы и однородность распределения
примесей в ней (транзистор является бездрейфовым). Их можно
устранить двум я способами. Д л я этого
базовый контакт используют дрейфовую структуру, п о ка­
занную на рис. 1.8. Д в а электр од а в про­
тивоположных концах базы создают в б а ­
зовом слое электрическое поле, которое
уменьш ает время переноса инж екти ро ван ­
ных дырок и создает в эмиттере смещение,
сниж аю щ ее инжекцию из его донной ч а ­
сти.
ДрейсроБый
Вертикальные т р а н з и с т ор ы
ДрейшоВыи
анод катод т и п а р-п-р. М ожно использовать та к ж е
з к Д вертикальную р-я-р-структуру, п о к а за н ­
Dl\ p | I—Г ную на рис. 1.9. Д л я ее формирования н е­
обходимо изменить технологию: прово­
Подложка дить более глубокую диффузию д ля ф ор­
мирования p -слоя и вводить дополнитель­
ную операцию диффузии д л я создания
Рис. 1.8. Конструкция дрей­ р ++-слоя, причем д л я получения р++-слоя
фового бокового транзисто­
ра типа р-п-р требуется акцепторная примесь, у кото­
рой п редельн ая растворимость больше,
чем у донорной примеси в я+-слое. Фактически перед проведением
диффузии акцепторов приходится стравливать наиболее л егирован­
ную часть л +-слоя, т. е. вводить еще одну дополнительную о п ер а­
цию.
16
Составные транзисторы. С оставные интегральные транзисторы
могут быть реали зован ы на основе двух транзисторов одного или
разных типов, располож енны х в одной изолированной области. На
~7~

_ ... .

__8Д- IjJp-n-Dj*—°Л"
Ь Ч&Д ta-p-п) б HZb5W
! 1П'Р'П) ЬЭ 'I?
Рис. 1.9. Конструкция вертикального Рис. 1.10. Конструкция составного
транзистора типа р-п-р, изготовленно- транзистора
го методом тройной диффузии на ос­
нове планарно-эпитаксиальной струк­
туры

рис. 1.10 представлена транзисторная структура, в которой в зав и ­


симости от схемы соединений могут быть реализованы составные
транзисторы, состоящие из двух транзисторов типа п-р-п с общим
коллектором или из вертикального тран зи сто ра типа п-р-п и гори­
зонтального тран зи стора типа р-п-р. В принципе возм ож на р е а л и ­
зация составных транзисторов в разных изолированных областях.
Составной транзистор имеет коэффициент усиления, равный про­
изведению коэффициентов усиления составляю щ их его транзисто­
ров: В ~ В \ В 2, однако быстродействие составного транзистора опре­
д еляется наименее быстродействующим транзистором.
Интегральные диоды. Л ю бой из /?-я-переходов п лан арн о -эп и так­
сиальной структуры мож ет быть использован д л я формирования
диодов, но только переходы б аза — эмиттер и база — коллектор
действительно удобны д ля схемных применений. П я ть возможных

г) д)

Рис. 1.11. Конструкции интегральных диодов

вариантов диодного включения интегрального транзистора п о к а за ­


ны на рис. 1. 11: а — переход база — эмиттер с коллектором, зак о ­
роченным на базу; б — переход коллектор — б аза с эмиттером, за-
17
I
/
короченным на базу; в — п арал л ел ьное включение обоих перехо­
дов- g — переход база — эмиттер с разомкнутой цепью коллектора;
д _’переход б а за — коллектор с разомкнутой цепью эмиттера. П а ­
рам етры интегральных диодов приведены в табл. 1.3.
Таблица 1.3
Параметры интегральных диодов
Значения параметров

Вариант паразитная время восстанов­


пробивное обратный ток емкость емкость на
включение ления обратного
напряжение диода подложку
'сбр- нА тока / в, не
V в Сд , пФ Со. пФ

Б К —Э 7—8 0,5— 1,0 0,5 3 10


Б Э —К 40—50 15—30 0,7 3 50
Б —ЭК 7—8 20—40 1,2 3 100
Б —Э 7—8 0,5— 1,0 0,5 1,2 50
Б -К 40—50 15—30 0,7 3 75

П р и м е ч а н и е : для обозначения вариантов ди одн ого включения транзистора при­


няты следую щ ие сокращ ения: слева от тнре указы вают обозначение ан ода, справа — ка>
тода; если две области транзистора соединены , их обозначения пишут слитно.

И з а н ал и за таблицы видно, что вари ан ты включения различа-


ются по электрическим п арам етр ам . Пробивны е н ап ряж ен и я (Упр
больше д л я вариантов с коллекторным переходом, обратные токи
^обр — д ля вариантов только с эмиттерным переходом, имеющим
наименьшую площ адь. Емкость диода м еж ду катодом и анодом Сд
для вар и ан та с наибольшей площ адью переходов м аксимальна
( Б — Э К ). П а р а зи т н а я емкость на п одлож ку С0 (считается, что под­
л о ж ка зазем л ен а) миним альна для варианта Б — Э. Время восста­
новления обратного тока tB, хар актери зую щ ее время переключения {
диода из открытого состояния в закрытое, минимально д ля в ар и ­
анта Б К — Э, т а к к а к здесь з а р я д н акапли вается только в базе.
О птимальны ми д ля И М С вар и ан там и включения являю тся
Б К — Э и Б — Э, причем чаще используется Б К — Э. П робивные н а­
п ряж ения (7— 8 В) достаточны д л я использования этих вариантов
в низковольтных ИМ С.
Интегральные резисторы. Резисторы ИМ С формирую т в любом j
из диффузионных слоев транзисторной структуры (эмиттерная и ба-
зовая о б ласти ), в эпитаксиальном слое (к оллекторн ая область) и
с помощью ионного легирования.
Р ассмотрим разновидности интегральных резисторов.
Диффузионные р е з и с т о р ы . Д иф ф узионны е резисторы ]
( Д Р ) изготовляю т одновременно с базовой или эмиттерной о б л а ­
стью (рис. 1. 12, 1.13, 1.14). Сопротивление Д Р п редставляет собой
объемное сопротивление участка диффузионного слоя, ограничен-
ного р-я-переходом. Оно определяется геометрическими р азм ерам и
резистивной области и распределением примеси по глубине диффу-
18
знойного слоя, которое, в свою очередь, характери зуется удельным
поверхностным сопротивлением ps. Значение ps является конструк­
тивным парам етром резистора, зависящ им от технологических ф а к ­
торов (реж им а д иф ф у зии ). При создании И М С парам етры д и ф ф у ­
зионных слоев оптимизируют с целью получения наилучших х а р а к ­
теристик транзисторов типа п-р-п, поэтому парам етры Д Р улучша-

Рис. 1.12. Конструкция диф ­ Рис. 1.13. Поперечный разрез


фузионного резистора на структуры диффузионного рези­
основе базовой области стора на основе базовой о бла­
сти

ют не варьированием технологических режимов, а выбором конфи­


гурации и геометрических разм еров резистора. Конфигурации д и ф ­
фузионных резисторов д аны на рис. 1.15. Низкоомны е (десятки ом)
р ези сто р ы ( рис. 1.15, а) имеют м алое отношение 1/Ь. Форму и р а з ­
меры контактов к ним вы бираю т такими, чтобы сопротивление
приконтактных областей было значительно меньше сопротивления
основной области резистора. Резисторы с сопротивлением от сотен
ом до единиц килоом в плане имеют вид, изображ енный на рис.
1.15, б, в. Здесь длина и ширина приконтактной области равны ш и ­
рине резистора. Топологию, показанную на рис. 1.15, г, д, исполь­
зуют для создания высокоомных резисторов (до 20 к О м ). Эти р е­
зисторы имеют сравнительно малую ширину, разм еры приконтакт­
ных областей определяю тся возможностями технологии создания
надежного контакта проводящ их алюминиевых полосок с полупро­
водниковым материалом. Ещ е более высокоомные резисторы (до
60 кОм) имеют форму меандра (рис. 1.15, е) или изготовляются
в донной части базовой области (пинч-резисторы, рис. 1.15, ж).
Д л и н а однополоскового диффузионного резистора не мож ет превы­
шать разм еров активной области кр и сталл а ( 1— 5 м м), ш и р и на ог­
раничена минимальной шириной окна под диффузию, определяемой
возможностями фотолитографии (2,5— 3 м км ), и боковой д и ф ф у зи ­
ей (уход примеси под окисел равен примерно глубине диф ф узион ­
ного р -я -п е р е х о д а ). Типичные значения сопротивления диф ф узион­
ных резисторов, 'которые можно получить при данном значении ps ,
л е ж а т в д иапазоне 4ps < i ? < 1 0 4ps- Ниж ний предел ограничивается
19
сопротивлениями приконтактных областей, верхний — допустимой
площадью, отводимой под резистор. {
М ак си м ал ьно е сопротивление Д Р на основе базовой области при­
близительно равно 60 кОм, если площ адь, отведенная под резистор,
не очень велика (не более 15% от (
п лощ ади к р и ста л л а ). Воспроизводи­
мость номинальных значений сопро­
тивления обычно составляет 15—
2 0% и зависит от ширины резистора
(табл. 1.4). Отклонения от номина­ а)
лов сопрс^тивлений резисторов, р а с ­ к.
4^
положенных на одном кристалле, за □ □
счет неточностей технологии имеют
один и тот ж е знак, поэтому отноше­ *)
ние сопротивлений сохраняется с вы ­
сокой точностью (табл. 1.4). А н ал о ­ □ □
гично, температурный коэффициент
отношения сопротивлений мал по
сравнению с ТК.R д л я отдельного □ □
резистора [(1,5— 3) • 10~4 1/°С]. Эту
особенность диффузионных резисто­ г)
ров учитываю т при р азр а б о тк е полу­
проводниковых ИМС. □
д)


в)
□ О
i1 h
ж)

Рис. 1.14. Конструкция диф ­ Рис. 1.15. Конфигурации диф ­


фузионного резистора на фузионных резисторов
основе эмиттерной области

На основе эмиттерной области формируются резисторы неболь­


ших номиналов [3— 100 Ом с Т К # = ( 1-т-2) • 10-4 1/°С], поскольку
значение ps эмиттерного слоя невелико (см. табл. 1. 1).
Пинч-резисторы. При необходимости создания в ИМ С
резисторов с сопротивлением более 60 кОм используют пинч-рези­
сторы (синонимы: канальные, сжаты е, закры ты е резисторы). Их
формирую т на основе донной, слаболегированной базовой области,
имеющей большее сопротивление и меньшую п лощ адь сечения
(рис. 1.16, 1.17). М акси м альное сопротивление таких резисторов со­
ставляет 200— 300 кОм при простейшей полосковой конфигурации,
ps = 2-b5 кО м /D . Пинч-резисторы имеют большой разброс номина­
лов (до 50% ) из-за трудностей получения точных значений толщи-
20
Таблица 1.4
Точность изготовления диффузионных резисторов на основе базовой области
и отношения их сопротивлений
Точность отношения сопротивлений, %
Ширина резистора, Точность воспроизведения
мкм номинала сопротив­
ления, % 1:1 1 :5

7 ±15 ±2 ±5
25 ±8 ± 0 ,5 ± 1 ,5

I
1— U- -1 1
::У, М-
Y^zzezzz, и

1'7 1|------------Т

\ П*/------\ р I Г
\
р
Рис. 1.16. Конструкция Рис. 1.17. Конструкция
пинч-резистора пинч-резисторов на основе
базовой области с использо­
ванием эмиттерной диф ф у­
зии (закрытый I и полуза­
крытый II варианты)

ны донной части p -слоя, большого T I < # = (3-f-5) • 10~3 1/°С вследст­


вие меньшей степени легирования донной части. У пинч-резистора
п+- и p -слои закорочены металлизацией (см. рис. 1.16) и соединены
с выводом резистора, находящ имся под большим положительным
потенциалом, чем остальные области структуры. Такое соединение
обеспечивает обратное смещение на всех переходах пинч-резистора.
Этот резистор имеет линейный участок в. а. х. только до н а п р я ж е ­
ний 1— 1,5 В, его пробивное н ап ряж ени е равно 5—7 В (эмиттерный
лереход, см. табл. 1.2).
Эпитаксиальные р е з и с т о р ы . Из трех областей т р а н ­
зистора коллекторная имеет наименьшую концентрацию л еш р у ю -
щей примеси и максимальное значение ps (500— 5000 О м/ D ) . П о ­
скольку эпитаксиальны й слой легирован однородно, проводимость
эпитаксиального резистора (Э Р ) постоянна по всему его сечению
в отличие от Д Р . У Э Р (рис. 1.18) поперечное сечение по форме су­
щественно отличается от сечений Д Р , ибо эпитаксиальны й резистор
■формируется разделительной диффузией. Т ак к а к эта дифф узия
•самая п родолж и тельн ая и точная регулировка разм еров д и ф ф узи ­
онны х областей, особенно величины боковой диффузии, затруднена,
р азб р о с номиналов сопротивления Э Р значителен. К азал ось бы, что
больш ие значения ps позволяю т экономить площ адь кр и сталл а при
формировании Э Р больших номиналов, однако значительная пло­
щ адь области разделительной диффузии (рис. 1.18) сводит на нет
21
это преимущество. Эпитаксиальны е резисторы имеют высокое н а­
пряж ение пробоя ( > 1 0 0 В) и большой Т К R, поскольку коллектор­
ная область легирована слабо.
Эпитаксиальные пинч-резисторы. Конструкции
этих резисторов отличаются от обычного Э Р тем, что их поперечное
сечение уменьшено сверху на глу­
бину базового слоя, что и предоп­
ределяет большие, чем у ЭР, з н а ­
чения ps ( p s = 4 - ^ 8 кО м / D ) и но-

Рис. 1.18. Конструкция ин- Рис. 1.19. Конструкция


грального резистора на ос­ эпитаксиального пинч-
нове коллекторной области резистора

миналы сопротивления при одной и той ж е площ ади (рис. 1.19).


Пробивное н апряж ение этих резисторов определяется пробивным
напряж ением UKб (см. табл. 1.2), Т К ^ ~ 4 - 10-3 1/°С .
Ионно-легированные резисторы. С труктура этих
резисторов т а к а я же, к а к и у Д Р , но глубина ионно-легированных
слоев, в которых сформировано тело резистора, составляет лиш ь
0,1— 0,3 мкм (рис. 1.20). Ионная имплантация мож ет обеспечить

а) 6)
Рис. 1.20. Конструкции ионно-легированных резисто­
ров, сформированных имплантацией примеси р-типа
в эпитаксиальный (коллекторный) слой (а) и приме­
си «-типа в базовый слой (б)

малую концентрацию легирующей примеси в слое. При соответст­


вующем выборе дозы легирования и парам етров отж ига (10—20
мин при 500— 600°С) можно получить p s = 0,5-4-20 кО м/ D в резисто­
рах со структурой рис. 1.20, а и p s = 500-=-1000 О м / D в резисторах
со структурой рис. 1.20, б. Могут быть достигнуты номиналы со­
22
противлений в сотни килоом со сравнительно « изким Т К .ft и допус­
ком ± 1 0 % . Ш ирина и толщ ина ионно-легированных резисторов с
большими номиналами сопротивлений очень малы, что услож няет
получение качественного омического контакта. Д л я формирования
надеж ны х контактов используют диффузионные р- или п-области,
которые создают на стадии базовой или эмиттерной дифф узии (рис.
1.20 ).
Характеристики интегральных р е з и с т о р о в . Ти­
пичные характеристики интегральных резисторов приведены в табл.
1.5.
Таблица 1.5
Характеристики интегральных резисторов

Толщина Поверхностное ТКЯ (а ), Паразитная


Тип резистора СЛОЯ, МКМ сопротивление Допуск, % емкость,
I/°C пФ/ммв
РS ’ Ои/П

Д ифф узион­ 2 ,5 -3 ,5 100— 300 ± (5— 20) ± ( 0 , 5 - 3 ) -1 0 - 3 150— 350


ный резистор
на основе базо­
вой области
Пинч-рези- 0 ,5 — 1,0 (2— 1 5 ) -10s ±50 ± ( 1 , 5 — 3 ) - 1 0 ~ 3 1000— 1500
стор
Диффузион­ 1 ,5 -2 ,5 1— 10 ±20 ± ( 1 — 5 ) - 10-* 1000— 1500
ный резистор
на основе эмит­
терной обла­
сти
Эпитакси­ 7— 1,0 (0V5 — 5) - 103 ± ( 1 5 — 25) ± (2 — 4 ) • 10~ s 80— 100
альный рези­
стор
Ионно-леги­ 0 , 1- 0 , 2 (5 — 10 ) • 102 ±50 ± (1,5— 5) ■1 0 - 3 200— 350
рованный ре­
зистор /г-типа

Т о н к о п л е н о ч н ы е р е з и с т о р ы . В совмещенных И М С (в
одной конструкции совмещены элементы, изготовляемы е по полу­
проводниковой и пленочной технологии) поверх слоя защ итного
диэлектрика могут быть сформ ированы тонкопленочные резисторы.
По сравнению с полупроводниковыми резисторами они об ладаю т
следующими преимуществами: имеют более .высокие значения ps,
меньшие значения п аразитны х парам етров, более высокую точность
изготовления, низкий TKft. Основной их недостаток— необходимость
введения дополнительных операций в технологический м арш рут из­
готовления И М С и дополнительных мер защ иты от внешних воздей­
ствий. Н а и б о л ее часто используемые м атер и ал ы д л я тонкопленоч­
ных резисторов — нихром и тан тал (табл. 1.6 ), наиболее распрост­
раненная ф орм а — п олосковая (см. гл. 3). Тонкопленочные резисто­
ры располагаю т на гладкой поверхности защ итного д и электри ка
(обычно стекло или SiCb), не содерж ащ ей ступенек.
23
Т а б л и ц а 1.6
Характеристики тонкопленочных резисторов совмещ енных ИМС

ТКЯ(ссд) ■ 10~4’ Разброс


Материал ps , Ом/а Допуск, % отношения
1/°С сопротивлений,^

Нихром 40—400 1 ±5 ±1
Тантал 200— 5000 1 ±5 ±1
П ленка SiC>2 80—4000 0— 15 ±8 ±2

Интегральные конденсаторы. В интегральных полупроводнико­


вых конденсаторах роль д и электри ка могут выполнять обедненные
слои обратно смещенных р-п-переходов или пленка окисла крем ­
ния, роль о б к л а д о к — легированные полупроводниковые области
или напыленные металлические пленки. Х арактеристики конденса­
торов полупроводниковых ИМ С невысоки; кроме того, д л я получе­
ния сравнительно больших емкостей необходима значительная пло­
щ адь схемы. Поэтому при проектировании электрической схемы
полупроводниковой И М С стремятся избегать применения конден­
саторов.
Д и ф ф у з и о н н ы е к о н д е н с а т о р ы . В И М С для формиро­
вания диффузионных конденсаторов (Д К ) мож ет быть использо­
ван любой из р-я-переходов (рис. 1.2 1 ): коллектор — подлож ка

Рис. 1.21. Варианты формирования интегральных диффузионных


конденсаторов на основе р-п-переходов

(C j), база — коллектор ( С2), эмиттер — база (С3), переход р-обла-


сти изолирующей диффузии и скрытого п+-слоя ( £ 4). В арианты Cj
и С4 не могут быть р еали зован ы в ИМ С с диэлектрической и зо л я­
цией.
В близкой к реальной полупроводниковой структуре (рис. 1.21)
с удельным сопротивлением подложки 10 О м -см , сопротивлением
слоя базы 200 О м /П и сопротивлением слоя эмиттера 2 О м/D при
глубинах р - п - п е р е х о д о в эмиттер — база 2, 3 мкм, база — коллектор
2,7 мкм и коллектор — п одлож ка 12,5 мкм р-/г-переходы, использу­
емые д л я формирования Д К , имеют такие характеристики:
удельную емкость дна р-п-перехода коллектор — п одлож ка
100 п Ф /мм2, а боковой стенки 250 п Ф /м м 2; пробивное н апряж ение
перехода до 100 В;
24
удельную емкость р-гс-перехода б а з а — коллектор 350 пФ /мм2,
а его пробивное нап ряж ени е 30— 70 В;
удельную емкость дна р -п -перехода эмиттер — б аза 600 пФ /мм2,
а боковой стенки 1000 п Ф /м м 2, пробивное нап ряж ени е перехо­
д а 7 В.
Самую большую удельную емкость (более 1000 п Ф /мм2) имеет
р -п-переход, область изолирующей р-диффузии — подколлекторный
л +-слой, его пробивное нап ряж ени е 10 В. Т К С конденсаторов на
этом переходе сравнительно большой (2 -1 0" 4 1/°С).
Поскольку ширина обедненного слоя обратно смещенного пере­
хода зависит от н апряж ения, емкость Д К та к ж е изменяется с и зм е­
н е н и е м н апряж ения. Удельную емкость любого полупроводниково­
го перехода можно аппроксимировать формулой С0~ K { .\IU )m,
где К — коэффициент пропорциональности, зависящ ий от уровня
леги ровани я полупроводниковых областей; т — показатель: т е
^ [ 7 з ; V2], причем т = У 2 соответствует ступенчатому, а т — Уз —
линейному переходу. О стальны е значения т , входящ ие в у к а з а н ­
ное множество, соответствуют реальным распределениям примеси,
в том числе гауссову и по функции ошибок.
В табл. 1.7 д аны значения удельной емкости переходов интег­
рального транзистора со скрытым слоем iг без него, с подложкой
p -типа ( р = 5 О м - с м ) , гауссовым распределением примеси в базе
(ширина 0,7 мкм) и распределением примеси по функции ошибок
в эмиттере.
Таблица 1.7
Значения удельной емкости переходов интегрального транзистора

СКп(без Л+-СЛОИ),
и, в С эб, пФ/мм» С бк , пФ/мм* ^ки(с я^ -слоем ),
иФ/мм* пФ/мм2

0 1400 300 260 190


5 1000 120 90 60
10 — 90 55 40

Эмиттерный переход о б л а д а ет наибольшей удельной емкостью,


но малы ми н ап ряж ени ем пробоя и добротностью. Базовы й переход
используется д л я ф орм ирования Д К наиболее часто. Пример кон­
струкции такого конденсатора приведен на рис. 1.22. П ар ам етр ы
диффузионных конденсаторов на этих переходах приведены в
табл. 1.8. Значения максимальной емкости даны ориентировочно
в предположении, что площ адь всех конденсаторов И М С не пре­
вы ш ает 20— 25% площ ади кри сталла. Н едостатком Д К является
необходимость обеспечения строго определенной полярности (см.
рис. 1.21), т ак как условием их нормальной работы является о б р а т ­
ное смещение р-п-перехода.
М Д П - к о н д е н с а т о р ь т . Их конструкция представлена на
рис. 1.23. Н ижней обкладкой служит эмиттерный л+-слой, в ерх­
н е й — пленка А1, диэлектриком — тонкие слои S i 0 2 или SisN4. П о ­
25
следний предпочтителен вследствие большей емкости Со (диэлек­
трическая проницаемость е нитрида выше, чем окисла крем н ия), но
S i 0 2 более доступен. Толщ ина д и эл ектри ка составляет 0,05—
0,12 мкм. П а р ам етр ы М Д П -конденсаторов приведены в табл. 1.8.
Недостатком М Д П -кон д ен саторов в составе биполярных И М С яв-

Рис. 1.22. Конструкция интеграль­ Рис. 1.23. Конструкция интеграль­


ного диффузионного конденсато­ ного М Д П -конденсатора:
ра: 1 —■верхняя обкладка; 2 — алюминие­
1 — алюминиевый вывод от верхней о б ­ вый вывод от нижней обкладки; 3 —
кладки конденсатора; 2 — алюминие­ подлож ка р-тнпа; 4 — коллект орная
вый вывод от нижней обкладки кон­ п-область; 5 — /г+-слой (ннжняя об­
денсатора; 3 — пленка золота (контакт кладка к онденсатора); 6 ~ тонкий оки­
к п одлож ке); 4 — подлож ка р-типа; сел (диэлектрик к онденсатора); 7 —
5 — коллекторная n -область (ннжняя толстый окисел
обкладка конденсатора); 6 — базовая
p-область (верхняя обкладка конден­
сатора); 7 — пленка окнсла кремния

Т а б л и ц а 1.8
Параметры интегральных конденсаторов
Максимальная

£ X
С тах- пф

Тип Удельная Допуск 8, Пробивное Доброт­


1 емкость

конденсатора емкость С0) напряжение ность*


пФ/мм % U„nt
пр’
ВJ

Д К на переходах:
Б -К 1 50(350)** 300 ± 15ч-20 - 1 , 0 33— 70 50— 100
Э— Б 6 00(1 0 0 0 )* * 1200 ±20 - 1 , 0 7— 8 1— 2 0
к -п 1 00(250)** — ± 15-Г-20 — 35— 70 —
М ДП с диэлектри­
ком:
S i0 2 400— 600 500 ±20 0 ,0 1 5 33—53 25—80
Si3N4 800— 1600 1200 ±20 0 ,0 1 50 2 0 — 1 00
Тонкопленочные с
диэлектриком:
S i0 2 500—800 653 ±20 ±3 20— 40 13— 100
Si3N4 3000—5500 4500 ±20 2—5 23 10— 10!)

* Д ля Д К на частоте I МГц, для М ДП и тонкоплеиочиых конденсаторов иа частоте


10 МГц.
** В ск обках указаны значения С0 для вертикальных (боковых) стеиок р-га-перехода.

26
л я е т с я необходимость введения дополнительной операции со зд а­
ния тонкого д иэл ектри ка и еще одной фотолитографии.
Т о н к о п л е н о ч н ы е М Д М - к о н д е н с а т о р ы . В совмещен­
ных И М С мож но сформ ировать плоские М Д М -конденсаторы в ми­
ниатюрном исполнении. Они состоят из двух м еталлических слоев,
разделенны х слоем д и электри ка (см. гл. 3). В качестве об кл ад о к
используют А1 или Та, в первом случае диэлектриком служ ит А120 з,
во втором — Т а 2Об. Д и э л ектри ч еск ая посто­
ян н ая Т а2Об на порядок выше, чем у боль­
шинства других диэлектриков, но окисел п
та н тал а не применяют в ИМС, работаю щ их п+
т. 1*
н а высоких частотах. М ДМ -конденсаторы ,
т а к ж е как и М Д П -конденсаторы , работаю т
при любой полярности. Их недостатком по
сравнению с диффузионными кон ден сатора­
ми является необратимый отказ в случае 1 п+
пробоя диэлектрика. п \
Соединения и контактные площ адки. С о- , . p - si )
е д и н е н и я . Элементы И М С электрически
соединены м еж д у собой с помощью ал ю м и ­ Рис. 1.24. Конструкция
ниевой разводки толщиной до 0,8 мкм. К ог­ диффузионной перемыч­
д а в однослойной разводке не удается и збе­ ки
ж а т ь пересечений, применяют диф ф узион ­
ные перемычки (рис. 1.24). Речь идет об изоляции двух взаимно
перпендикулярны х проводников, первый из которых разм ещ ен по­
верх защ итного окисла, второй «подныривает» 'под него в виде у ч а ­
стка п+-слоя. Этот участок имеет заметное сопротивление (3—
5 О м ), вносит дополнительную паразитную емкость и зан и м ает
сравнительно большую п л о щ ад ь (для него требуется о тд ел ьн ая

Рис. 1.25. Конструкция соединений (а) и контакт­


ной площ адки (б) ИМС

изолированная о б ласть), поэтому диффузионной перемычкой .поль­


зуются в исключительных случаях. Д иф ф узионны е перемычки не
применяют в цепях питания, в которых протекают достаточно боль­
шие токи.
К о н т а к т н ы е п л о щ а д к и . К онтактные площ адки ( К П ),
расп о л агаем ы е обычно по периферии полупроводникового кр и ста л ­
27
ла, с л у ж а т д л я создания соединений полупроводниковой схемы с
выводами корпуса с помощью золотых или алюминиевых прово­
лочек методом термокомпрессии. Д л я К П используют тот ж е м а те­
риал, что и д л я создания разводки (чащ е всего алю миний); К П ф ор ­
мируют одновременно с созданием разводки. Д л я предотвращ ения
зам ы к ан ий К П на подлож ку в случае нарушения целостности
окисла при термокомпрессии под каж д ой К П формирую т изоли­
рованную область (за исключением КП, соединенных с проводни­
ками, имеющими контакт с п одлож кой). Конструкция К П приве­
дена на рис. 1.25.
Рис. 1.26, Фрагмент тополо­
гии ИМС с фигурами сов­
мещения

Фигуры совмещения. Фигуры совмещения являю тся вспомога­


тельными элементами ИМ С, необходимыми д ля точного выполне­
ния операции совмещения рисунка ф отош аблона при ф отолитогра­
фии с рисунком ранее созданных слоев. Число фигур совмещ ения
на единицу меньше числа операций фотолитографии, использован­
ных при изготовлении И М С (рис. 1.26). Фигуры совмещения могут
иметь различную форму (рис. 1.27, а — д ) .

§ 1.2. Изоляция элементов и технологические


процессы производства ИМС

Д л я нормальной работы И М С необходимо, чтобы элементы или


группы элементов были разм ещ ены в электрически изолированных
друг от д руга областях. Эти области долж ны иметь следующие
электрические и физические свойства: нап ряж ени е пробоя изоляции
более высокое, чем нап ряж ени е питания ИМС; м алу ю паразитную
28
емкость, небольшие токи утечки, высокую теплопроводность, бли­
зость коэффициента термического расш ирения (К Т Р ) изолирующей
области к К.ТР кремния, большую радиационную стойкость, малую
площ адь, отводимую под изоляцию.
Изоляция с помощью р-п-переходов. В § 1.1 были приведены
данны е о конструктивно-технологическом исполнении и некоторых
хар актери сти ках элементов И М С на биполярных транзисторах,
выполненных способом изоляции элементов с помощью обратно
смещенных р-п-переходов (диодная и зо ляция).
Д л я формирования любого элемента полупроводниковой ИМ С
и создания ее конструкции обычно достаточно трех р -п -переходов
и четырех слоев двух типов электропроводности. И зо л яц и я обеспе­
чивается р-п-переходом м еж ду подложкой и коллекторными о б л а ­
стями элементов И М С (рис. 1.28). При подаче отрицательного по­
тенциал а_на подлож ку и золирую ­
щий переход см ещ а ет ся- в о б р а т ­
ном н ап р ав л ен и и 1Г карм ан ы «-ти­
па, в которых разм ещ ены элем ен ­
ты ИМС, оказы ваю тся окр уж ен ­
ными со всех сторон областью р-
типа и изолированными друг от
друга обратно смещенными р-п-
-СГ \ПсиЛШХХ!.
переходами, сопротивление кото­
рых по постоянному току велико. Рис. 1.28. И золяция двух интеграль­
Х арактеристики изоляции могут ных транзисторов с помощью р-п-пе­
ухудш аться з а счет паразитны х реходов
емкостей и токов утечки, особенно
при работе на высоких частотах и в т яж ел ы х эксплуатационны х ус­
ловиях (повышенные тем пературы ). Несмотря на это, метод диод ­
ной изоляции является распространенным. -
Сокращ енны й м а рш рут изготовления И М С с изоляцией э л е ­
ментов обратно смещенными р -п -переходами методом п л а н ар н о ­
эпитаксиальной технологии представлен на рис. 1.29. И з рисунка
видно, что операция изоляции элементов осущ ествляется группо­
вым методом, органически сочетается с технологией изготовления
И М С в целом и реализуется проведением разделительной (изоли­
рующей) дифф узии на всю глубину эпитаксиального слоя.
Рассм отрен н ая технология позволяет получать необходимую
степень легирования коллектора и подложки независимо друг от
друга. При выборе высокоомной подложки и не очень высокоомно­
го эпитаксиального слоя (коллектора) можно обеспечить оп тим ал ь­
ные емкости перехода коллектор — база и его нап ряж ени е пробоя.
Н али ч и е эпитаксиального слоя позволяет точно регулировать тол­
щину и сопротивление коллектора, которое, однако, остается д оста­
точно высоким (70— 100 О м ). Снижение сопротивления коллектора
достигается созданием скрытого п+-слоя путем диффузии в р-под-
л о ж к у примеси «-типа перед наращ иванием эпитаксиального слоя.
Изоляция диэлектриком. Д иэл ектри ч еск ая изоляция позволяет
создавать ИМ С с улучшенными характеристиками по сравнению
29
77У7771______ tZZZ
P P
\______ ___________ ©,

77777J
V
ч 17/
J
77; V V J

+S*
' ©, ._______________' © , ©

pn щ
&Ш=±п
2Z Z Z ^71 Г У /У У /Л ^ //.! 177
n

© p ©

Рис. 1.29. Последовательность операций планарно-эпитакси­


альной технологии производства биполярных полупроводнико­
вых ИМС с изоляцией элементов /?-я-переходами:
/ — механическая обработка поверхности рабочей стороны Si пласти­
ны p -типа д о 14-го класса чистоты и травление в п арах НС1 для
удал ен и я наруш енного слоя; 2 — окисление для создан и я защитной
маскн при диф ф узии прнмесн л-типа; 3 — фотолитография для вскры­
тия окон в окисле и проведения локальной диф ф узии в м естах форми­
рования скрытых слоев; 4 — диф ф узия для создания скрытого п+ -слоя;
5 — снятие окисла и подготовка поверхности перед процессом эпитак­
сиального наращивания; 6 — формирование эпитаксиальной структуры;
7 — окисление поверхности эпитаксиального слоя дл я создан и я защ ит­
ной маски при разделительной диф ф узии; 8 — фотолитография для
вскрытия окон под разделительную диф ф узию ; 9 — проведение р а зд е ­
лительной диф ф узии н создан и е изолированных карманов; 10 — окис­
ление; / / — фотолитография для вскрытия окон под базовую ди ф ф у­
зию; 12 — формирование базового слоя диф ф узией прнмесн р-типа;
13 — окисление; 14 — фотолитография дл я вскрытия окон под эмнттер-
ную диф ф узию ; 15 — формирование эмнттерного слоя диф ф узней при­
меси л-типа; 16 — фотолитография для вскрытия контактных окои;
17 — напыление пленки алюминия; 18 — фотолитография для создания
рисунка разводки и нанесение слоя защ итного диэлектрика
7///7%Ь
V
zfzzzza 77Л y-r?r-r7/7] rZZ
У. Г\17
п
©
/?+

Рис. 1.30. Последовательность операций технологического про­


цесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с
диэлектрической изоляцией элементов:
1 — структура со скрытым диффузионным слоем на подлож ке я-типа
после операций механической обработки, химического полирования,
окисления, фотолитографии, локальной диф ф узии примеси п-тнпа;
2 — фотолитография для вскрытия окон в окисле перед операцией ло­
кального травления кремния; 3 — травление кремния; 4 — снятие окис­
ла; 5 — нанесение окисла, нитрида нлн карбида кремния; 6 — о с а ж д е ­
ние нз парогазовой фазы слоя высокоомного полнкрнсталлического
кремния толщиной — 200 мкм; 7 — сошлифовыванне монокристалличе-
ского кремния д о получения изолированных диэлектриком карманов и
получение рабочей поверхности высокого класса чистоты; 8 — окисле­
ние рабочей поверхности; 9 — фотолитография для вскрытня окон под
базовую диф ф узию ; 10 — формирование базового слоя; 11 — фотолито­
графия для вскрытия окон п од эмнттерную диф ф узию ; 12 — ф орми­
рование зм иттериого слоя; 13 — фотолитография для вскрытия кон­
тактных окон; 14 — напыление пленки алюминия; 15 — фотолитогра­
фия дл я создания рисунка разводки и нанесение слоя защ итного д и ­
электрика
со схемами, в которых применяется диодная изоляция, а именно:
существенно увеличить нап ряж ени е пробоя изолирующей области,
значительно (примерно на шесть порядков) уменьшить токи утеч­
ки, уменьшить (примерно на два п орядка) п аразитны е емкости и
в результате увеличить рабочую частоту аналоговых и быстродей­
ствие цифровых ИМС, повысить их радиационную стойкость.
Один из технологических м арш рутов формирования ИМ С с д и ­
электрической изоляцией элементов представлен на рис. 1.30. И з о ­
ляция обеспечивается слоем окисла, нитрида или кар би д а кремния
(Si) либо их сочетаниями (позиция 5 и последую щие). Поликрис-
таллический кремний, удельное сопротивление которого составляет
менее 0,01 О м-см, выполняет роль механического основания ИМС.
Основные трудности реали заци и этого способа заклю чаю тся в про­
ведении прецизионного ш лиф ования с исключительно малыми от­
клонениями толщины сош лифованного слоя и высокой дефектности
монокристаллических карм ан ов после механической обработки их
рабочей поверхности. П оликристаллический кремний можно з а м е ­
нить диэлектриком, например ситаллом, керамикой (керамическая
и зо л яц ия), но ввиду несогласованности К Т Р кремния и керамики
этот вар и ан т не обеспечивает требуемой плоскостности пластин
после процессов термической обработки и отличается низким в ы ­
ходом годных изделий. В ИМ С с диэлектрической изоляцией з а ­
труднен теплоотвод от полупроводниковых областей; кроме того,
площ адь, зан и м ае м ая элементами ИМ С, сравнительно большая,
т. е. степень интеграции ИМ С невысока.
Комбинированная изоляция. К о м б инированная__изоляция э л е ­
ментов И М С является компромиссным в а р и а н т о в сочетающим
технологичность изоляции р-п-переходом и высокие качества и зо­
ляц и и диэлектриком. Количество способов этой изоляции очень
велико. Зд ес ь'эл ем е н ты ИМ С со стороны подложки изолированы
обратно смещенным р-я-переходом, а с боковых сторон — д и э л ек ­
триком (окислом, стеклом, керам икой).
ТакихМ образом, изоляция р -^ п е р е х о д о м зам еняется и зо л я­
цией диэлектриком в наиболее уязвимом приповерхностном слое и
с боковых сторон. Н аиб ол ьш ее распространение на сегодняшний
день получили такие способы комбинированной изоляции, как л о ­
кальное окисление (и зоп лан арн ая технология) и вертикальное
анизотропное травление (п ол и п л ан ар н ая технология).
В основе этих технологий л еж и т локальное сквозное окисление
или протравливание тонкого (2— 3 мкм) эпитаксиального слоя
кремния n -типа, в результате чего этот слой оказы вается разд ел е н ­
ным на островки, в которых можно формировать элементы ИМС.
Схема технологического процесса «И зоп л ан ар I» представлена
на рис. 1.31, а — д. М аской при локальном травлении и последу­
ющем окислении кремния служ ит нитрид кремния, скорость окис­
ления которого примерно на порядок меньше, чем у кремния. П р е д ­
варительное перед окислением локальное травление эпи так си ал ь­
ного слоя кремния осуществляют на 60— 65% от общей его толщины,
с тем чтобы о б р азо в ав ш ая ся ка н а вк а при окислении зарос-
32
л а окислом точно до краев, так как удельный объем окисла при­
мерно вдвое больше удельного объема кремния. Это обеспечивает
планарность структуры перед формированием разводки.
Технологический процесс «И зоп л ан ар II» (рис. 1.32, а — г ) по­
зв о л яет уменьшить заним аем ую транзистором ИМ С площ адь на
злог 5i.;Nb 70% по сравнению с 'планарно­
эпитаксиальной технологией и
Q
/
иа 40% по сравнению с процес­
1
сом « И зоп лан ар I». Особенно­
1 П- 7Т/л+_ сти конструкции транзистора,
р /
1 \ \ сформированного по техноло­
с; \ \ /
J 2 7 гии «И зоп л ан ар I», за к л ю ч а ­
ются в следующем: вывод кол­
С г х и 1 лектора отделен от базы и
j [ п~ ) {
\ р
6} 5iOz
"7F~
Р V//y^ р р т р
а)
п~ Уг п+
с
3)

JT

Р и с .'1.31. П оследовательность опе­ Рис. 1.32. П оследователь­


раций технологического процесса ность операций технологиче­
«И зопланар I»: ского процесса «И зопла­
а — структура со скрытыми слоями нар II»:
после проведения фотолитографии по а — структура со скрытым сло­
слоям окисла и нитрида кремния; б — ем и пленкой нитрида кремния;
травление кремния; в — формирование б — фотолитография по нитриду
разделительного окисла; г — формиро­ и локальное травление кремния;
вание коллектори методом диффузии; в — формирование толстого изо­
д — формирование других областей ак ­ лирующего окисла; г — удал е­
тивных и пассивных элементов мето­ ние маски иитрида кремния и
дами планарной технологии формирование элементов в изо­
лированных областях методом
планарной технологии

эмиттера слоем изолирующего толстого окисла и помещен в отдель­


ную область; уменьшение числа фотошаблонов, так как базовую
дифф узию можно проводить по всей поверхности полупроводнико­
вой структуры, не формируя базовых окон.
2 -4 4 9 33
Особенностями технологического процесса «И зопланар II» я в л я ­
ются: снижение требований к допускам при изготовлении ф ото ш аб ­
лонов и к точнности их совмещения при фотолитографическом
вскрытии окон под коллекторную и эмиттерную дифф узии, посколь­
ку неточности приходятся на область разделительного толстого
окисла и не влияют на окончательный результат; сформирован при­
стеночный эм итт ер,‘больш ая часть боковых-стенок которого изоли­
рован а разделительны м окислом, что позволяет получить тран зи с­
торы с более высоким коэффициентом усиления.

Рис. 1.33. Уменьшение размеров ИМС, сформированных с применением пла*


нарно-эпнтаксиальной технологии (а), технологий «И зопланар I» (б) и «И зо­
планар II» (в)

Современные биполярные Б И С и С Б И С , изготовляемые в ос­


новном способами комбинированной изоляции, об ладаю т достаточ­
но высокими характери сти кам и изоляции. Преимущ еством этой и зо­
ляции является возможность достижения высокой степени интегра­
ции ИМ С, которую иллю стрирует рис. 1.33, а — в.

§ 1.3. Конструирование и расчет параметров


элементов ИМС на биполярных транзисторах

К а к правило, при р азр а б о тк е И М С производят расчет геомет­


рии пассивных элементов биполярных И М С (резисторов и конден­
саторо в), а конструкции транзисторов и диодов выбираю т из банка
данны х по этим элементам , имеющегося на данном предприятии,
применительно к одной (или нескольким) базовым технологиям.
При строгом соблюдении режимов базовой технологии вер ти кал ь ­
ную структуру элементов можно считать заданной. В этом смысле
расчет резисторов и конденсаторов п ривязан к базовой технологии
(заданы поверхностные концентрации, глубины залегани я р-я-пере-
х о д о в и д р .).
Конструирование и расчет параметров резисторов. Исходными
данны ми д л я расчета геометрических разм еров интегральных по­
34
л упроводниковы х резисторов являются: задан н ое в принципиаль­
ной электрической схеме номинальное значение сопротивления R и
допуск на него AR\ поверхностное сопротивление легированного
слоя ps, на основе которого формируется резистор; среднее зн ач е­
ние мощности Р и максимально допустимая удельная мощность
р ассеяния Р о; основные технологические и конструктивные огран и ­
чения.
Топология интегральных полупроводниковых резисторов пред­
ставл ена на рис. 1.15. Х арактеристики резисторов зави сят от того,
какой слой транзисторной структуры использован в качестве рези ­
стивного (см. табл. 1.5).
П о л н ая относительная погрешность сопротивления д иф ф узио н ­
ного резистора определяется суммой погрешностей:

AR / R — ДЛ'ф/Л''ф- f Aps/ps -\-a RA T ; ( 1 .1 )


К ф = 1 /Ь = R/Ps, ( 1.2 )
где /<ф — коэффициент формы резистора; АКф/Кф — относительная
погрешность коэффициента формы резистора; Aps/ps — относитель­
н ая погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопро­
тивления легированного слоя, д ля типовых технологических процес­
сов A p s/p s = 0 ,0 5 -^ 0 ,l; ал — температурный коэффициент сопро­
тивления резистора (см. табл. 1.5); ад Д Т — тем пературн ая погреш­
ность сопротивления. П ринимаем, что интегральный полупроводни­
ковый резистор в сечении, перпендикулярном направлению п ротека­
ния тока, имеет прямоугольную форму.
Р асчет геометрических разм еров интегрального полупроводни­
кового резистора начинают с определения его ширины. З а расчетную
ширину Ьрасч резистора принимают значение, которое не меньше
наибольшего значения одной из трех величин: ЬТехп, Ьточн, ЬР, т. е.
^расч5?г п а х {^Texui Ь10ЧН, ЬР}, где ЬТехн — м и ним альная ширина рези­
стора, оп ределяем ая разреш аю щ ей способностью технологических
процессов; ЬТОЧн — м и н им альн ая ширина резистора, при которой
обеспечивается зад а н н а я погрешность геометрических разм еров;
ЬР — м и ним альная ширина резистора, опред ел яем ая из м а к си м ал ь ­
но допустимой мощности рассеяния.
Величину Ьтехн находят из перечня технологических ограниче­
ний выбранной технологии (например, д л я план ар н о-эп и таксиал ь­
ной технологии Ьтехн= : 5 м км ).
Ш ирину Ьточн определяют из вы раж ен и я ■
^Тточн
ОЧН (Д b -j- Д//Л’ф) А'ф/ДЛ'ф, (1.3)

где А6 и АI — абсолютные погрешности ширины и длины резистив­


ной полоски, обусловленные технологическими процессами.
Д л я типовых технологических процессов (АЬ = А / = 0 , 0 5 ч -
0,1 мкм)
Д-Кф/^ф—ДRlR APs/Ps—а/?ДГ . (1.4)
35
Ш и р и н у bp о п р е д е л я ю т и з в ы р а ж е н и я

Р
Ьр = (1.5)
Р (/<ф ’

где P q— максимально допустим ая удельная мощность рассеяния,


в ы б и раем ая в зависимости от типа корпуса микросхемы и условий,
ее эксплуатации в пределах 0,5—4,5 В т/мм2.
Д л я составления чертеж а топологии следует вы брать шаг коор­
динатной сетки. Его вы бираю т равным 0,5 или 1 мм (допускается
0,1 или 0,2 мм) . З а д а в а я с ь .м а с ш т а б о м 1 0 0 : 1, 200: 1, 300: 1_ и т. д.,
определяю т шаг координатной сетки д л я фотош аблона, затем про­
межуточное значение ширины резистора:

( 1.6 )
где Дтрав— погрешность,-вносимая за счет растравл иван и я окон в
маскирую щем окисле перед диффузией (для типовых технологиче­
ских процессов Дтрав = 0,2 -f-0,5 м км); Ау —-погрешность, вносим ая
за. счет ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел в бо­
ковую сторону (ориентировочно Ду составляю т 60% глубины б а ­
зового слоя и 80% глубины эмиттерного слоя).
Д а л е е н аходят топологическую ширину резистора Ьтоп (ширину
на чертеже топологии) и реальную ширину резистора иа к р и сталл е
после изготовления ИМС.
Если Ьдром^Ьтехн, то за bтоп принимают равное или б л и ж а й ш ее
к Ьпром большее значение, кратное шагу координатной сетки, при­
нятому д л я чертеж а топологии.
Р е а л ь н а я ширина резистора на кристалле

b — b lQU-f- 2 (Дтрав -{- Ду). (1.7)

Если в &Пром<&тех1ь то за bTоп принимаю т равное или б л и ж а й ­


шее к bтехн большее значение, кратное ш агу координатной сетки.
Р еальную ширину резистора на кристалле определяю т так же, к а к
и в первом случае.
Расчетную длину резистора определяю т по формуле

v . . = ь (Я/Ps — я 1^1 — f h h ~ 0,55JVII3r), ( 1.8)


где A W — количество изгибов резистора на угол л / 2 ; k\, к2 — по­
правочные коэффициенты, учитывающие сопротивление контактных
областей резистора (рис. 1.34, а — е й 1.35, а — г), зависящ ее от
конфигурации контактной области резистора, соотношения р а з м е ­
ров контактного окна L b контактной области L2 и реальной ширины
резистора b с каж д ой его стороны; п\ и по — число контактных пло­
щ адок (обычно п = 2 ).
Следует учитывать, что реальн ая длина резистора I на к р и стал ­
ле будет меньше топологической длины /топ на чертеж е топологии
за счет увеличения геометрических р азм еров контактных областей
36
резистора с обоих кондов в результате боковой диффузии. Поэтому
сн ач ал а оценивают промежуточное значение длины резистора
Aij-ou = ^расч "4" ^ чравН- .• (1-9)

З а топологическую длину резистора /топ принимают ближ айш ее


к /пром значение длины, кратное ш агу координатной сетки, приня­
тому д ля чертеж а топологии.

Рис. 1.34. Линии тока и эквипотенциальные поверхности в резистивном


слое:
а — при изгибе резистора под прямым углом; б — у металлического контакта; в —
у металлического контакта плнч-резисгора

ЗМ?-ч)

! : ! ! 1
1 1 ! ! 1чПг
W i г
/ К
/ I л-
V

О 0.750.500,75L,./Ь 1,0 2,0 3,0 i 2/b 1,0 7,0 3,0 Lz /b 0 2 4 6 8 b/!.2


I) 5) В) г)
Рис. 1.35. Значения коэффициентов /г( и k2 для расчета диффузионных ре­
зисторов при различных конструкциях контактных областей:
а, г — для низкоомных резисторов; б, в — для высокоомных резисторов

Р е а л ь н а я длина резистора на кристалле


/ = / Т0„ - 2 ( Д трав + Д//). (1.10)
Отклонение разм еров резистивной области за счет погрешно­
стей Дтрав и Ду следует обязательно учитывать при определении
величин L\ и L 2 и выборе коэффициентов k x и k 2.
37
При окончательном определении топологических значений Ьтоп
и /тол рассчитывают сопротивление спроектированного резистора
и погрешность, используя реальные значения ширины и длины р е­
зистора на кристалле. При необходимости увеличиваю т ширину
пли длину резистора до значения, даю щ его приемлемую погреш­
ность.
Сопротивление резисторов, показанны х на рис. 1.15, определяю т
по формулам :
д ля резисторов рис. 1.15, а, б, г, д
R = P s ( U b + 2k); (1.11)

д л я резистора рис. 1.15, в


R = ?s b-\-2>k\\ (1-12)

д л я резистора рис. 1.15, е


R ~ P s {h lb -\-2 k —
)—0,5БДА„ЗГ), (1-13)

где {х — су м м арн ая длина прямолинейных участков;


д л я пинч-резистора рис. 1.15, ж
R = ?sklb + Ps l(/i + h)lb + 2*1, (1.14)
где p s ' — поверхностное сопротивление базового слоя, ограничен­
ного эмиттерным слоем; ps — поверхностное сопротивление б а зо ­
вого слоя.
Конструирование и расчет параметров конденсаторов. И сходны ­
ми д аиньш и д ля расчета конденсаторов являются: необходимое з н а ­
чение емкости С и допуск на него А С; рабочее нап р яж ени е U, В;
интервал рабочих тем ператур АТ, °С; р аб о ч ая частота /, Гц; основ­
ные технологические и конструктивные ограничения. При расчете

5) в)

Р________________ 1
г) Ю
Рис. 1.36. Структуры конденсаторов полупроводниковых ИМС на основе
переходов Э — Б (а), К — Б (б), К- - П (в), параллельно включенных пе-
реходов Э — Б и К — Б ( :), М Д П -конденсатора (д)

необходимо вы брать тип и конструкцию конденсатора, определить


его геометрические разм еры , зан и м аем ую площадь. Н а рис. 1.22,
1.23, 1.36, а — д представлены структуры конденсаторов полупро­
водниковых ИМ С, их характеристики д ан ы в табл. 1.8.
38
Емкость диффузионного конденсатора прямоугольной формы
на основе обратно смещенного р-я-перехода
С = С лон-\-Сбок= С 0аЬ-{-Соб(а-{-Ь) Xj, ( 1- 15)
где С о и С об — удельные емкости донной и боковых частей р-п-пе­
рехода; а, b и Xj — геометрические разм еры р-м-перехода.
Соотношение сл агаем ы х зависит от отношения а/b. О п ти м ал ь ­
ным является отношение a / b — 1, при этом доля «боковой» емкости
оказы в ается минимальной. Д л я курсового проектирования д о ста­
точно определить С0 и С0б из табл. 1.8.
По зад ан н ы м значениям С, С0, С0б, Xj находят геометрические
разм еры конденсатора квадратной формы; если д л я топологии
И М С требуется конденсатор прямоугольной формы, то один из р а з ­
меров прямоугольника выбирают, исходя из конструктивных со­
ображений. Р асч ет еще более упрощается, если значением Сбок
мож но пренебречь. Д л я расчета ДС необходимо учесть погрешно­
сти технологии при выполнении геометрических разм еров д и ф ф у ­
зионных слоев и отклонения емкости от номинального значения за
счет изменения температуры.
Емкость М Д П -ко н д ен сатор а определяется вы раж ением
C = 0 , 0 8 8 5 e S / d = C 0S , (1.16)
где е и d — относительная диэлектрическая проницаемость (для
SiOg 8 = 4 ) и толщ ина диэлектрика; С0 — у дельн ая емкость (см.
табл. 1.8 ); 5 — п лощ адь верхней обкладки конденсатора.
Р аб очее н ап р яж ени е М Д П -кон ден саторов (обычно 10— 50 В)
ограничено напряж ением пробоя диэлектрика, которое рассчиты ва­
ют по ф ормуле Unp= E npd, где Е пр — электрическая прочность д и ­
электр и ка (для S i 0 2 £ n p -= 1 0 7 В /см ). При расчете геометрических
разм еров М Д П -ко н д ен сатор а зад аю тся d, определяю т Со и рассчи­
ты ваю т площ адь верхней обкладки.
М Д М -конденсаторы совмещенных ИМ С рассчитываю т а н а л о ­
гично пленочным конденсаторам ГИМ С (см. гл. 3).
При вычерчивании ч ертеж а топологии конденсаторов их р азм еры
корректирую т с учетом ш а га координатной сетки.
Конструирование и выбор структуры интегральных транзисто­
ров. Процесс проектирования п ланарны х транзисторов состоит из
следующих этапов: д л я данной серии ИМ С или нескольких серий,
исходя из быстродействия, потребляемой мощности, необходимой
степени интеграции, за д а ю т электрические п арам етры транзисторов
как базовых элементов ИМ С; выбираю т технологию производства
ИМ С, п арам етры м а т ер и ал а подложки и эпитаксиального слоя, при ­
ближенно оценивают основные разм еры конструкции транзисторов
в плане и в сечении, проводят расчет электрических п арам етров
транзисторов и, если они существенно отличаются от заданны х, пу­
тем ступенчатого изменения конструктивных разм еров и последу­
ющих расчетов подбирают геометрию всех областей транзисторной
структуры, не выходя за рам ки технологических ограничений. З а ­
тем осущ ествляю т экспериментальную проверку проведенной р а б о ­
39
ты: р а зр а б а т ы в аю т комплект фотошаблонов, выпускают опытные
партии транзисторных структур и измеряю т их характеристики. Ес­
ли парам етры транзисторов отличаются от заданных, то методом
последовательных приближений путем изменения разм еров т р а н ­
зисторных областей и их характеристик, корректировки режимов
технологических процессов добиваю тся необходимого соответствия
параметров.
Расчет транзисторов сложен, трудоемок, без применения ЭВМ
практически невыполним, точность его невысока. Поэтому часто
этап расчета конструкции транзисторов опускают, акцентируя вни­
мание на экспериментальном этапе. При этом на предприятии, вы ­
пускающем ИМС, формирую т банк интегральных транзисторов с
широким спектром характеристик. При таком подходе зад ач а кон­
структора ИМ С состоит в подборе конкретных типов интеграль­
ных транзисторов для данной ИМ С в соответствии с ее электриче­
ской схемой.
С начала выбираю т физическую структуру различных областей
транзистора. Удельное сопротивление подложки долж но быть боль­
шим (1 — 10 О м -с м ), что обеспечивает высокое нап ряж ени е пробоя
и малую емкость обратно смещенного р-п-перехода коллекторной
подложки.
При выборе уровня легирования коллекторной области (эпи так­
сиального слоя) необходимо выполнить ряд противоречивых требо­
ваний: д ля получения малого последовательного сопротивления
коллектора уровень его легирования д олж ен быть высокий, а для
получения малой емкости и высокого н ап ряж е н и я пробоя перехода
б а з а — коллектор — низкий.
Обычно удельное сопротивление эпитаксиального слоя в ы б и р а­
ют равным 0,1— 0,5 О м -см , а толщину — в пределах 2— 15 мкм.
И спользование тонких эпитаксиальны х слоев (до 3 мкм) позволяет
уменьшить паразитны е емкости и увеличить плотность разм ещ ения
элементов. В структурах со скрытым п+-слоем и подлегированием
области коллекторного контакта последовательное сопротивление
коллектора составляет 10— 50 Ом.
При выборе уровней легирования базовой и эмиттерной о б л а ­
стей необходимо та к ж е учитывать несколько противоречивых т р е­
бований. Так, д л я уменьшения паразитного сопротивления между
активной областью базы и контактом к базе следует увеличивать
уровень легирования базы. О днако это приводит к снижению э ф ф ек ­
тивности эмиттера и уменьшению нап ряж ени я пробоя перехода б а ­
з а — эмиттер. Кроме того, поверхностная концентрация примеси в
базовом слое не д олж на быть меньше 5 - 10 16 см-3, так как на по­
верхности этого слоя возможно образован ие инверсного проводящ е­
го к ан ала п -типа, индуцированного встроенным зар я дом в окисле.
Высокий уровень легирования эмиттера необходим для получе­
ния большого коэффициента инжекции. О днако при уровнях л еги ­
рования эмиттерной области, достигающих предела растворимости
примеси в кремнии, в кристаллической решетке образую тся точеч­
ные и линейные дефекты, которые значительно уменьш аю т время
40
ж изн и носителей за р я д а , что, в свою очередь, приводит к умень­
шению коэффициента инжекцни.
Частотные характеристики транзисторов зави сят в основном от
паразитны х емкостей переходов н последовательных сопротивле­
ний его областей. Влияние паразитны х парам етров уменьшают
конструктивно за счет м акси м альн о возможного уменьшения гео­
метрических разм еров транзистора.
После выбора физической структуры выбирают конфигурацию
транзистора. Поскольку характеристики в значительной степени
зависят от разм еров различны х областей транзистора, нужно учи­
тывать, что периметр эмиттера определяет токовые характеристики
транзистора, п лощ адь эмиттера — частотные характеристики, пло­
щ адь базы — емкость перехода б аза — коллектор и распределенное
сопротивление базы, п лощ адь коллектора — е.мкость перехода кол­
лектор — подлож ка и последовательное сопротивление коллектора.
В м алом ощ ны х (0 ,3 < c P < c 3 мВт) и микромощ ных ( 1 < Р < С
< 3 0 0 мкВт) цифровых И М С разм еры всех областей транзистора
стремятся выполнить минимальными, на пределе возможностей
технологии, хотя это мож ет привести к снижению выхода годных
изделий.
Обычно анализирую т несколько типовых конфигураций тран зи с­
торов, представленных на рис. 1.37, где сплошными линиями обо­
значены границы диффузионных областей, а пунктирными — г р а ­
ницы вскрытия окон в пленке двуокиси кремния д ля последующего
ф ормирования металлических контактов. Д л я микромощ ных схем
наиболее пригодна полосковая конструкция тран зи стора (рис.
1.37, а, в).
Взаимное располож ение контактов к различным областям т р а н ­
зисторной структуры вы бираю т в зависимости от конкретного топо­
логического рисунка микросхемы и удобства располож ени я вы во­
дов транзистора. Если необходимо получить м алое сопротивление
коллектора, применяют транзисторы с увеличенной контактной об ­
ластью к коллектору (рис. 1.37, б, г — ж). Д л я получения малого
сопротивления базы и высокого коэффициента усиления использу­
ют конструкции с двум я контактами к базовой области (рис.
1.37, ж ) . М ногоэмиттерные транзисторы (рис. 1.37, з — к) п рим еня­
ют во входных цепях схем транзисторно-транзисторной логики
(Т Т Л ). Конструкция, п о казан н ая на рис. 1.37, м, используется при
формировании двух (или более) транзисторов, имеющих один ако­
вый потенциал на коллекторе.
Транзисторы средней ( 3 < Р < 2 5 мВт) й большой ( 2 5 < Р <
< 2 5 0 мВт) мощностей работаю т в реж им ах высоких плотностей
эмиттерного тока (200— 3000 А /см2). Поэтому в мощных схемах це­
лесообразны узкие эмиттеры с.большим периметром.
Топологию мощного тран зи стора р а зр а б а т ы в а ю т так, чтобы
обеспечить м аксим альное отношение периметра эм иттера к его пло­
щади. Это значительно увеличивает активную область транзистора
и обеспечивает достаточно большой рабочий ток без увеличения
разм еров всей структуры. Н а рис. 1.3 представлена топология мощ-
41
пого транзистора с эмиттерной областью, выполненной в виде гре­
бенки с зубцами, расположенными по одну сторону от общей пере­
мычки. Контакты эмиттера и базы располагаю тся рядом и чере­
дуются. Возможны и другие варианты топологии эмиттерной области.
\ а к н е транзисторы используют в выходных к а ск а д а х ИМС,
когда требуется обеспечить достаточно большие мощности.
Отметим, что усложнение конструкции транзисторов повышен:
пои мощности приводит к ряду н еж елательны х эффектов. Так, в
результате технологического разб роса парам етров отдельные эле-

141,5

Щ15 10

!? ш\
itfl!

- М —/-*1----« 5----

177,5
100

--------»-

1T I lT IT Z
ii i
j
i f щ ii!
i t-f- * 1 1"•
t-U -i' 4
iiL
jji г
~iJ — - — -- Ti f
Iщ \10
«Гр
-I г ?5
д) e)

Рис. 1.37. Б анк данных о топологии интегральных биполярных транзисто­


ров: одноэмнттерных (а — ж)\ многоэмиттерных (з — л ) \ с общим кол­
лектором (м )
менты тран зи стора имеют различны е сопротивления и входят в р е­
ж и м насы щ ения не одновременно. Это приводит к перегрузке низ-
"коомных элементов.
- Д л я формирования транзисторов типа р-п-р одновременно с
транзисторам и типа п-р-п в одном технологическом процессе ис­
пользуют л ате р ал ьн ы е структуры (см. рис. 1.6, 1.7), в которых кол-

Рис. 1.37. Продолжение

43
лекторную область распол агаю т вокруг эм иттера д ля увеличения
коэффициента усиления.
Конструирование и выбор структуры диодов ИМС. Б а н к д а н ­
ных диодных структур, выполненных по планарно-эпитаксиальной
технологии, представлен на рис. 1.38, а — в. Диоды, сф орм ирован ­
ные на основе перехода эмиттер — б аза (см. рис. 1.11), х арактер и ­
зуются наименьшими значениями обратного тока за счет самой м а ­
лой площ ади и самой узкой области объемного зар я д а . Обычно
структурам диодов соответствуют обратные токи в п ределах 0, 1—
50,0 мА (см. табл. 1.3).

110
50 ,
15

I+ 1
J_
___
Г- Г

I го ,20
■w 12,5 12,5
117,5 'шь ■^г
О) с) в)
Рис. 1.38. Б анк данных о топологии интегральных диодов: на переходе Б — К
(а, б), на переходе Б — Э (в)

Н аименьш ей паразитной емкостью ( ~ 1 , 2 пФ) т а к ж е об ладаю т


диодные структуры на основе перехода эмиттер — база. Д л я других
структур значение паразитной емкости порядка 3 пФ.
Бы стродействие диодов кроме паразитной емкости х ар а к тер и зу ­
ется временем восстановления обратного сопротивления, т. е. вре­
менем переключения диода из открытого состояния в закрытое.
Оно минимально (около 10 не) для перехода эмиттер — б аза при
условии, что переход коллектор — б аза закорочен (см. рис. 1. 11, а ) ,
так как при такой диодной структуре за р я д н акапл и в ается только
в базовом слое. В других структурах за р я д накапл и вается не то л ь ­
ко в базе, но и в коллекторе и время восстановления обратного
сопротивления составляет 50— 100 не.
И з а н ал и за парам етров диодов мож но заключить, что диод на
основе транзисторной структуры с зам кнутым переходом база —
коллектор предпочтительнее использовать в цифровых ИМС, по­
скольку он обеспечивает наибольшее быстродействие. Д иод на основе
перехода эмиттер — б аза применяют в цифровых схемах в к а ­
честве накопительного диода. Д иоды с замкнутым переходом б а ­
за — эмиттер и диоды на основе перехода б аза — коллектор, и м е­
ющие наибольшие н апряж ения пробоя, могут быть использованы в
качестве диодов общего назначения.
44
§ 1.4. Разработка топологии ИМС

Основой д л я разработки топологии полупроводниковой ИМ С


яв л яю тс я электрическая схема, требования к электрическим п а р а ­
м е тр ам и к п ар ам етр ам активных и пассивных элементов, конструк­
тивно-технологические требования и ограничения.
Р а зр а б о т к а чертеж а топологии вклю чает в себя такие этапы: вы ­
б о р конструкции и расчет активных и пассивных элементов ИМ С;
р азм ещ ен и е элементов на поверхности и в объеме подложки и со­
з д а н и е рисунка разводки (коммутации) меж ду элементами; р а з ­
работку предварительного в ари ан та топологии; оценку качества т о ­
пологии и ее оптимизацию; разр аботку окончательного варианта
топологии. Целью работы конструктора при р а з р а б о т к е топологии
.является минимизация площ ади кри сталла ИМС, миним изация
сум м арн ой длины разводки и числа пересечений в ней.
Конструктивно-технологические ограничения при разработке
топологии ИМС на биполярных транзисторах. Электрофизические
.характеристики и геометрические разм еры вертикальной структуры
элементов ИМС, формируемых по планарно-эпитаксиальной тех­
нологии, приведены в табл. 1.1.
В аж нейш ей технологической характеристикой, определяю щей
гори зонтальн ы е разм еры областей транзисторов и других элем ен ­
то в ИМС, является минимальный геометрический разм ер, который
м о ж е т быть уверенно сформирован при заданном уровне техноло­
гии, например миним альная ширина окна в окисле кремния, мини­
м а л ь н а я ширина проводника, минимальный зазор м еж д у проводни­
к а м и , минимальное расстояние между
к р а я м и эмиттерной и базовой областей и 11б+20э
т. д. Пусть минимальный размер, который
м о ж е т обеспечить технология, равен d. d
Т о гд а разм еры активных областей и сам о­ JCM»
+
го транзистора при минимальной его пло­ ■ъ
‘о Я 1 1
1
щ а д и определятся величинами, приведен­
1
н ым и на рис. 1.39. З а зо р меж ду областью,
зан и м а е м о й транзистором, и другими э ле­
d 1 | d d_
!
м ентами ИМ С больше минимального р а з ­
м е р а d на величину боковой диффузии
---- !
1—

-1
под окисел, которая при разделительной Рнс. 1.39. Соотношение р а з­
д и ф ф у зи и примерно равна толщине эпи­ меров областей транзистора
т ак с и а л ь н о г о слоя dr,. Таким образом, .при со стандартным размером d.
Минимальном разм ере 10 мкм миним аль­
н а я длина транзистора простейшей конструкции будет равна
~ 130 мкм. П ри достигнутом в настоящее время' уровне технологии,
хар актери зую щ ем ся минимальным размером 4 мкм, м и н им альн ая
д л и н а транзистора равна ~ 6 0 мкм. При минимальном р азм ере
1,5— 2 мкм, предельном для оптической фотолитографии, разм ер
т р а н зи с т о р а при d0— 3 мкм составит ~ 2 8 мкм.
П риведенные рассуж дения верны, если сум м арн ая величина
«боковой диффузии при формировании базовой и эмиттерной обла-
45
стсй существенно меньше d. Если это условие не выполняется, то
д ля минимально допустимого топологического зазо р а меж ду д в у м я
диффузионными областями справедливо соотношение
^д.о ^ У\~{~ ^ 2 - Ь 5ф Ч ' ® 1. (1-^7)
где tj\ и г/2 — величины боковой диффузии под окисел; 6ф — с у м м ар ­
ная допустим ая ошибка в положении кр ая окон под диффузию за
счет фотолитографии; ш \ — м акси м ал ь н ая ширина области об ъем ­
ного за р я д а в работаю щ ем приборе.
Приведенное неравенство можно не учитывать при a f = 1 0 мкм
(см., например, рис. 1.40), но при d ^ -Ъ мкм с ним приходится счи­
таться и снижение линейных размеров транзисторов с дальнейш им
уменьшением d будет проходить уж е не столь высокими тем пами.

Si о,

U'
3-

\
V'
Рис. 1.40. В ертикальная структура планарно-эпитаксиального би­
полярного транзистора с двумя выводами базы и кольцевым вы­
водом коллектора, выполненная в масш табе (разводка не пока­
зана):
/ — скрытый п+-слой; 2 — подлож ка р-тнпа; 3 — коллектор (эпитаксиаль­
ный слой); 4 — область разделительной диффузии

lL'Z.—

di
!: п;'л:
djA

Б-:
ш ш

Л ь
г dm *5 d-ig dm d iz

:!:£ fe i: +Еп
т
г
I_____
о'з

Рис. 1.41. Конструктивно-технологические ограничения при разработке то­


пологии ИМС на биполярных транзисторах

46
Конструктивно'технологические ограничения, которые необхо­
димо учитывать при разр а б о тк е топологии И М С на биполярных
транзисторах, приведены на рис. 1.41. Приведем конструктивно-тех­
нологические ограничения при конструировании И М С на б иполяр­
ных транзисторах, выполненных по п лапарно-эпитаксиальиой тех­
нологии с использованием изоляции р-п-переходом.
Минимально допустимые размеры , мкм
Ш ирина линии скрайбирования слоя .................................. 60
Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края
слоя металлизации илн до края диффузионной обла­
сти ................................................................................................... 50— 100
Размер контактных площ адок для термокомпрессионной
приварки проводников d j ....................................................... 100X100
Расстояние меж ду контактными площ адками d2 ................ 70
Размер контактных площ адок тестовых элементов рабо­
чей с х е м ы ...................................................................................... 50X 50
Ш ирина проводника d3:
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 4
при длине ^ 5 0 м к м ..................................... .................... 6
Расстояние меж ду проводниками <£»:
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 3
при длине ^ 5 0 м к м ........................................................... 4
Ш ирина области разделительной диффузии d s ................. 4
Расстояние от базы до области разделительной диф ф у­
зии d6 .............................................................................................. 10
Расстояние меж ду краем области подлегирования кол­
лекторного контакта и краем разделительной обла­
сти d7 ............................................................................................... 10
Расстояние меж ду краем разделительной области и к р а­
ем скрытого « +-слоя d g ............................................................ 10
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
коллектору и краем базы d g ................................................ 7
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
базе и краем базы d l 0 ............................................................. 3
Расстояние меж ду эмиттерной и базовой областями d n 3
Расстояние меж ду краем контактного окна в окисле к
эмиттеру и краем эмиттера d i 2 ............................................ 3
Расстояние меж ду контактным окном к базе и эмитте­
ром d, ................................................................................................ 4
Расстояние меж ду базовыми областями, сформирован­
ными в одном к о л л е к т о р е ....................................................... 9
Расстояние меж ду эмиттерными областями, сформиро­
ванными в одной б а з е ............................................................. 6
Расстояние меж ду контактным окном к коллектору и
областью разделительной диффузии d 14............................ 10
Размеры контактного окна к базе d i .................................. 4X 0
Разм еры контактного окна к эмиттеру d l 6 .......................... 4 X 4 или
3X 5
Ш ирина области подлегирования п + -слоя в коллекто­
ре d l 7 ............................................................................................... 8
Ш ирина контактного окна к коллектору d i 8 ...................... 4
Ширина резистора d ...................................................................... 5
Размеры окна вскрытия в о к и с л е ........................................... 2,5X 2,5
Перекрытие металлизацией контактных окон в окисле к
элементам ИМС d2о .................................................................. 2
Расстояние от края контактного окна к ^ -р а з д е л и т е л ь ­
ным областям для подачи смещения до края области
разделения d2 i ............................................................................. 6

47
Расстояние от края контактного окна к изолированным
областям, л-типа для подачи смещения до края обла­
сти разделения d22 ..................................................................... 6
Ш ирина диффузионной п ер ем ы ч к и .......................................... 3
Размер окна в пассивирующем окисле d23 ...................... 100X 100
Расстояние от края окна в пассивации до края контакт­
ной площадки d 2A........................................................................ 6
Расстояние меж ду соседними резисторами d25 ................... 7
Расстояние меж ду диффузионными и ионно-легнрован-
ными р е зи с т о р а м и ..................................................................... 4
Расстояние между контактной площадкой и проводя­
щей дорожкой d26 ..................................................................... 20
Ш ирина скрытого л + - с л о я ......................................................... 4
Расстояние между контактным» площ адками тестовых
э л е м е н т о в ....................................................................................... 40

Следует об ращ ать особое внимание на размеры топологических


зазоров, так как при неоправданно м алы х их значениях ИМС или
не будет функционировать из-за перекрытия областей структуры
(например, базовой области и области разделительной д и ф ф у зи и )„
или будет иметь искаженные парам етры за счет усиления п ар ази т­
ных связей между элементами. С другой стороны, завыш ение р а з ­
меров топологических зазоров приводит к увеличению площ ади
кристалла.
Правила проектирования топологии полупроводниковой ИМС.
Р а з р а б о т к а топологии И М С — творческий процесс, и его результа­
ты существенно зависят от индивидуальных способностей р а з р а ­
ботчика, его навыков и знаний. Сущность работы по созданию топо­
логии ИМС сводится к нахождению такого оптимального вар и ан та
взаимного расположения элементов схемы, при котором обеспечи­
ваются высокие показатели эффективности производства и каче­
ства ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость,
материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых
электрических параметров заданным. Приводимые здесь п равила
проектирования являю тся обобщением опыта проектирования И М С
на биполярных транзисторах.
К разр або тк е топологии приступают после того, как количество,,
типы и геометрическая форм а элементов ИМ С определены.
Правила проектирования и з о л и р о в а н н ы х об­
л а с т е й . Количество и разм еры изолированных областей о к а зы в а­
ют существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:
1) сум м арн ая площ адь изолирующих р-п-переходов д о л ж н а
быть минимальной, так как их емкость является паразитной. М ини­
мальные разм еры изолированной области определяются геометри­
ческими разм ерам и находящихся в ней элементов и зазорами, ко­
торые необходимо выдерж ивать между краем изолированной о б л а ­
сти и элементами и между самими элементами, размещенными в
одной изолированной ообласти;
2 ) к изолирующим р-я-переходам всегда долж но быть прилож е­
но напряж ение обратного смещения, что практически осущ ествля­
ется подсоединением подложки p -типа, или области р аздели тель­
ной диффузии p -типа, к точке схемы с наиболее отрицательным
48
потенциалом. При этом суммарное обратное напряжение, п рило­
женное к изолирующему р-я-переходу, не долж но превыш ать н а ­
пряж ени я пробоя;
3) диффузионные резисторы, формируемые на основе б а з о в о г о
слоя, можно распол агать в одной изолированной области, которая,
подключается к точке схемы с наибольшим полож ительным п о­
тенциалом. Обычно такой точкой является контактная площадках
ИМ С, на которую подается нап ряж ени е смещения от коллекторного'
источника титания (рис. 1.42, а, б);

Рис. 1.42. Принципиальная электрическая схема цифровой ИМС на токовы х


ключах (а) и преобразованная электрическая схема для составления эскиза-
топологии (б)

4) резисторы на основе эмиттерного и коллекторного слоев сл е­


дует распол агать в отдельных изолированных областях;
5) транзисторы типа п-р-п, коллекторы которых подсоединены
непосредственно к источнику питания, целесообразно р азм ещ а ть вт.
одной изолированной области вместе с резисторами;
6) транзисторы типа п-р-п, которые включены по схеме с общим?
коллектором, можно распо л агать в одной изолированной области;
7) все другие транзисторы, кроме упомянутых в п. 5 и 6 , необхо­
димо распо л агать в отдельных изолированных областях, т. е. в се
коллекторные области, имеющие различны е потенциалы, д о л ж н ы
быть изолированы;
8 ) для уменьшения паразитной емкости меж ду контактны ми
площ адкам и и подложкой, а т а к ж е д л я защ иты от короткого з а ­
мы кания в случае нарушения целостности пленки окисла под ним и
при приварке проволочных выводов под каж дой контактной пло­
щ адкой создаю т изолированную область, за исключением кон так т­
ных п лощ адок с наиболее отрицательным потенциалом;
9) количество изолированных областей д л я диодов мож ет силь­
но изменяться в зависимости от типа диодов и способов их в к л ю ­
49
чения. Если в качестве диодов используются переходы база — кол­
лектор, то д л я каждого диода требуется отдельная изолированная
область, так как каж д ы й катод (коллекторная область п-типа) д о л ­
жен иметь отдельный вывод (рис. 1.43, а ) . Если в качестве диодов
используются переходы эмиттер — база, то все диоды можно поме­
стить в одной изолированной о б л а сти .'П р и этом все катоды диодов
(эмиттерные области) сформ ированы отдельно в общем аноде ( б а ­
зовой области, рис. 1.43, б). Аноды диодов с помощью соединитель­
ной м еталлизаци и зак ор ач иваю т на изолированную (к оллектор­
ную) область;

Рис. 1.43, Принципиальные электрические схемы и конструкции трех диодов


с общими анодами:
а — на основе перехода Б—К ( I — базовые области р-тнпа; 2 — коллекторные области
л-типа; 3 — подлож ка; 4 — коллекторные контакты ); б — на основе перехода БК—Э
(/ — подложка; 2 — коллекторная область л-типа; 3 — базовая область р-типа; 4 —
эмиттерные области л-типа; 5 — перемычка коллектор — б а з а ) .

10) д ля дифф узионных конденсаторов требуются отдельные и зо­


лированны е области. Исклю чение составляю т случаи, когда один
из выводов конденсатора является общим с другой изолированной
областью;
11) д ля диффузионных перемычек всегда требую тся отдельные
изолированные области.
Правила р а з м е щ е н и я э л е м е н т о в И М С на п л о ­
щ а д и к р и с т а л л а . П осле определения количества и золирован ­
ных областей приступают к их разм ещ ению в нужном порядке, р а з ­
мещению элементов, соединению элементов меж ду собой и с кон­
тактны ми площ адкам и, руководствуясь следующими правилами:
1) при размещении элементов И М С и выполнении зазоров м е ж ­
ду ними необходимо строго выполнять ограничения (см. рис. 1.41),
соответствующие типовому технологическому процессу;
2 ) резисторы, у которых нужно точно вы д ер ж и в ать отношение
номиналов, долж ны иметь одинаковую ширину и конфигурацию и
располагаться рядом друг с другом. Это относится и к другим э л е ­
ментам ИМ С, у которых требуется обеспечить точное соотношение
их характеристик;
3) резисторы с большой мощностью не следует распол агать
вблизи активных элементов;
50
4) диффузионные резисторы можно пересекать п р о в о д я щ е й 'д о ­
рож кой поверх слоя окисла кремния, покрываю щего резистор (см.
рис. 1.42, б ) ;
5) форм а и место располож ения конденсаторов не являю тся кр и ­
тичными?
6 ) соединения, используемые д л я ввода питания, зазем лен и я,
входной и выходной выводы, необходимо выполнять в виде широких
и коротких полосок, что уменьш ает п арази тн ы е сопротивления;
7) д л я улучшения р азв язки меж ду изолированными областями
контакт к подл ож ке следует располагать рядом с мощным тр ан зи ­
стором или как можно б ли ж е к входу или выходу схемы;
8 ) число внешних выводов в схеме, а та к ж е порядок р асп о л о ­
ж ени я и обозначения контактных площ адок выводов И М С на кри­
ст а л л е долж ны соответствовать выводам корпуса;
9) ком мутация в И М С д о л ж н а иметь минимальное количество
пересечений и минимальную длину проводящ их дорожек. Если
полностью и зб е ж ать пересечений не удается, их мож но осущ ест­
вить, используя обкладки конденсаторов, формируя дополнитель­
ные контакты к коллекторным областям транзисторов, применяя
диффузионные перемычки и, наконец, созд авая дополнительный
слой изоляции меж ду пересекаю щимися проводниками;
10) первую контактную п лощ адку расп ол агаю т в нижнем левом
углу кри сталл а и отличают от остальных по ее положению отно­
сительно фигур, совмещения или зар а н е е оговоренных элементов
топологии. Н умерацию остальны х контактных п лощ адок п роводят
против часовой стрелки. Контактные площ адки распо л агаю т в з а ­
висимости от типа выбранного корпуса по периметру кри сталл а или
по двум противоположным его сторонам;
11) фигуры совмещения распо л агаю т одной-двумя группами на
лю бом свободном месте кристалла;
12) при р а зр а б о тк е аналоговы х ИМ С элементы входных д и ф ­
ференциальны х каскадов долж ны иметь одинаковую топологию и
быть одинаково ориентированными в плоскости кри сталла; д ля
уменьш ения тепловой связи входные и выходные каскады долж ны
бы ть максим ально удалены; д ля уменьшения высокочастотной св я­
зи через подлож ку контакт к ней следует осущ ествлять в двух точ­
к а х — вблизи входных и выходных каскадов.
Р е к о м е н д а ц и и по р а з р а б о т к е эскиза тополо­
г и и . Д л я обеспечения разработк и эскиза топологии рекомендуется
с самого н ач ал а вычертить принципиальную .электрическую схему
так, чтобы ее выводы были располож ены в необходимой последова­
тельности (см. рис. 1.42, б ). К а ж д а я линия, п ересекаю щ ая резистор
на принципиальной электрической схеме, будет соответствовать ме­
таллизированной дорожке, пересекающей диффузионный резистор
по окислу на топологической схеме.
Н а этап е эскизного проектирования топологии необходимо пре­
дусмотреть решение следующих задач: располож ить как можно
больш ее число резисторов в одной изолированной области; подать
наибольш ий потенциал на изолированную область, где разм ещ ены
51
резисторы ; подать наиболее отрицательный потенциал на п о д л о ж ­
ку вблизи мощного транзистора выходного каскада; рассредоточить
элем енты , на которых рассеиваю тся большие мощности; располо­
ж и ть элементы с наименьшими разм ерам и и с наименьшими з а п а ­
сам и на совмещение в центре эскиза топологии; сократить число
и зол ир ов ан н ы х областей и уменьшить периметр каж дой изолиро­
ванной области.
В случае если принципиальная электрическая схема содерж ит
обособленны е группы или периодически повторяющиеся группы
элементов, объединенных в одно целое с точки зрения вы п олн я­
е м ы х ими функций, р азрабо тк у рекомендуется начинать с составле­
н и я эскизов топологии д л я отдельных групп элементов, затем объ-
•единить эти эскизы в одни, соответствующий всей схеме.
Н а основе эскиза р азр а б а т ы в а ю т предварительный вариант то­
пологии, который вычерчивают на миллиметровой бумаге в в ы б р ан ­
ном масш табе, обычно 100:1 или 2 0 0 : 1 (вы бираю т масш табы ,
кратны е 100). Топологию проектируют в прямоугольной системе
координат. К аж д ы й элемент топологии представляет собой за м к н у ­
т у ю фигуру со сторонами, состоящими из отрезков прямых линий,
п ар ал л ел ь н ы х осям координат. П ридание элементам форм в виде
отрезков прямых линий, не п арал л ел ьн ы х осям координат, допу­
стимо только в тех случаях, когда это приводит к значительному
упрощ ению формы элемента. Н апример, если форма элемента со­
стоит из ломаны х прямых, составленных в виде «ступенек» с м е л ­
ким шагом, рекомендуется заменить их одной прямой линией. К о ­
о рд ин аты всех точек, располож енны х в вершинах углов ломаны х
линий, д олж н ы быть кратны шагу координатной сетки.
При вычерчивании чертеж а топологии на миллиметровой б у м а­
ге принимают минимальный шаг координатной сетки, равный
0,5 мм. М ожно выбрать другой шаг, но он д олж ен быть кратным
минимальному. Действительный (на кристалле) разм ер ш ага коор­
динатной сетки зависит от выбранного м асш таба топологии.
При вычерчивании общего вида топологии рекомендуется ис­
п ользовать линии разного цвета д ля различных слоев ИМС: эмит-
терного — черный, базового — красный, разделительного (к олл ек­
т о р н о г о ) — зеленый, вертикального — черный пунктирный, скры ­
того — зеленый пунктирный, м еталлизаци и — желтый, окна в окисле
д л я контакта к элементам — синий пунктирный, окна в пассиви­
рующем (защ итном ) о к и с л е — синий сплошной.
В процессе вычерчивания топологии д л я получения оптимальной
компоновки возможно изменение геометрии пассивных элементов,
например пропорциональное увеличение длины и ширины резисто­
ров или их многократный изгиб, позволяю щ ие провести над рези ­
стором полоски металлической разводки или получить более плот­
ную упаковку элементов. При изменении формы пассивных элем ен ­
тов в процессе их разм ещ ения проводят корректировочные расчеты
в соответствии с ф ормулам и и рекомендациями, изложенными
в § 1.3.

52
При проектировании слоя м еталлизации разм еры контактных
п л о щ а д о к и проводников следует брать минимально допустимыми,
я расстояния м еж ду ними — м аксим ально возможными.
П осле выбора располож ения элементов и контактных площ адок,
со зд ан и я рисунка разводки необходимо разм естить на топологии
ф и гу р ы совмещения, тестовые элементы (транзисторы, резисторы
и т. д.— приборы, предназначенные д л я за м ер а электрических п а ­
р а м ет р о в отдельных элементов схемы), реперные знаки. Фигуры
со в м е щ ен и я могут иметь любую форму из приведенных на рис. 1.27
(чащ е всего к в ад рат или крест), причем надо учесть, что на каж дом
фотош аблоне, кроме первого и последнего, имеются две фигуры,
р ас п о л о ж е н н ы е рядом друг с другом. М еньш ая фигура п редна­
з н а ч е н а для совмещения с предыдущей технологической операцией,
а больш ая — с последующей. Н а первом ф отош аблоне располож ена
т о л ь к о б ольш ая фигура, а на последнем — только меньшая.
При разр а б о тк е топологии важ н о получить минимальную пло­
щ а д ь кр и сталла ИМС. Это позволяет увеличить производитель­
ность, снизить материалоемкость и повысить выход годных ИМ С,
п о скол ьку на одной полупроводниковой пластине мож но р а зм е ­
сти ть большее число кристаллов и уменьшить вероятность п о п а д а­
н и я дефектов, приходящ ихся на кристалл. При разм ер ах стороны
к р и с т а л л а до 1 мм ее величину выбираю т кратной 0,05 мм, а при
р а з м е р а х стороны кристалла 1— 2 мм — кратной 0,1 мм.
Д л я любой принципиальной электрической схемы мож но полу­
чить много приемлемых предварительны х вариантов топологии,
удовл етво ряю щ и х электрическим, технологическим и конструктив­
ным требованиям. Лю бой предварительный вар и ан т подлеж ит
д ал ьн ей ш е й доработке.
Если после уплотненного разм ещ ения всех элементов на кри­
с т а л л е выбранного р а зм ер а о стал ась н езан ят ая площ адь, рекомен­
д у е т с я перейти на меньший разм ер кристалла. Если этот переход
н евозм ож ен, то незанятую площ адь кри сталла можно использовать
д л я внесения в топологию изменений, направленны х на снижение
треб о в ан и й к технологии изготовления полупроводниковой ИМС.
Н апри м ер , мож но увеличить разм еры контактных площ адок и р а с ­
ст о я н и я меж ду контактными площ адкам и, ширину проводников и
р асстоян и е м еж ду ними, по возможности выпрямить элементы р а з ­
водки, резисторы, границы изолированных областей.
В заклю чение производят контрольно-проверочные расчеты по­
лученной топологии микросхемы, вклю чаю щ ие в себя оценку теп­
л о в о го р еж и м а и п аразитны х связей.
Проверка правильности разработки тополо­
г и и И М С . Последний из составленных и удовлетворяю щий всем
тр еб ов ан и я м вариант топологии подвергают проверке в такой по­
следовательности: П роверяю т соответствие технологическим о г р а ­
ничениям: минимальных расстояний м еж ду элементами, п рин ад­
л е ж а щ и м и одному и разным слоям ИМ С; м иним альны х разм еров
элем ен тов, принятых в данной технологии, и других технологиче­
ских ограничений; наличие фигур совмещения для всех слоев ИМ С;
53
размеров контактных п лощ адок д л я присоединения гибких выводов;
расчетных разм еров элементов их р азм ер ам на чертеж е топологии;
мощности рассеяния резисторов, м акси м альн о допустимой у д ел ь ­
ной мощности рассеяния (Ро = P / S n ^ 103- М 0 4 м В т/м м 2), а т а к ж е
обеспечение возможности контроля х арактери сти к элементов ИМ С.
Р а з р а б о т к а документации на комплект фотошаблонов для про­
изводства ИМС. Исходя из окончательного и проверочного в а р и а н ­
та топологии ИМ С, выполняю т чертежи слоев схемы, необходимые
д л я создания комплекта фотошаблонов. Д л я ИМ С со скрытым
слоем и изоляцией элементов р-п-переходами, изготовляемой по
планарно-эпитаксиальной технологии, необходим комплект из семи
фотош аблонов д л я проведения следующих фотолитографических
операций: 1 — вскрытия окон в окисле под локальную дифф узию
донорной примеси при создании скрытых слоев перед операцией
эпитаксии; 2 — вскрытия окон в окисле под разделительную д и ф ф у ­
зию акцепторной примеси при создании изолирую щих областей;
3 — вскрытия окон в окисле под локальную диффузию акцепторной
примеси при создании базовой области транзисторов и резисторов;
4 — вскрытия окон в окисле под локальную диффузию донорной
примеси при создании эмиттерных областей транзисторов, резисто­
ров, диффузионных перемычек и прикоптактных областей в к ол л ек­
торах транзисторов; 5 — вскрытия окон в окисле под. контакты
разводки к элементам ИМ С; 6 — фотолитографии по пленке алю м и ­
ния д ля создания рисунка разводки и контактных площ адок; 7 —
фотолитографии по пленке защ итного диэлектрика д л я вскры тия
окон к контактным п лощ ад кам ИМС.

Пример разработки топологии ИМС

Н а рис. 1.44 а представлена принципиальная электрическая схема логиче­


ского элемента И — НЕ диодно-транзисторной логики. Активными элементами
схемы являю тся транзистор промежуточного каскада Т и транзистор выходного
каскада Т2, входные диоды Д , —Д 4, диод промежуточного каскада Д 5, пассивны­
ми элементами — резисторы R :—Т?4.
После проверочного расчета схемы проводят расчет геометрических (топо­
логических) размеров пассивных и активных элементов.
Д ля схемы рис. 1.44 а в качестве транзистора промежуточного каскада Т }
выбран из банка транзисторов одноэмиттерный однобазовый транзистор с по­
лосковой контактной областью к коллектору (см. рис. 1.37, в). Н а основе струк­
туры транзистора Г] сформированы диод Д 5 и тестовый транзистор (рис. 1.44 в).
Транзистор выходного каскада Т2 является более мощным. В качестве этого
транзистора выбран одноэмиттерный однобазовый транзистор с П-образной кон­
тактной областью к коллектору (см. рис. 1.37, г).
В качестве входных диодов Д \ —Д 4 выбран диод на основе р-л-перехода
база — коллектор транзисторной стр у к ту р ы .. Д иод промежуточного каскада Д 5
выполняют на переходе эмиттер — база той ж е транзисторной структуры. И сход­
ными данными для разработки эскиза топологии являю тся принципиальная
электрическая схема, геометрические размеры активных элементов, геометриче­
ские размеры резисторов. Проектирование эскиза топологии (рис. 1.44 б) реко­
мендуется начинать с какой-либо контактной площадки, затем последовательно
переходить от одного элемента к другому, по возможности располагая элементы,
соединенные меж ду собой, в непосредственной близости друг от друга и учиты­
вая требования к расположению контактных площ адок. Н а рис. 1.44 б показан
первый вариант эскиза топологии логического элемента И — НЕ.
54
Контакт Цепь
11 Питание
Контакт | Цепь
10 |,Питание
JU.
LJ \кснтакт Цепь
i 7 \BaxoO

Цепь Контакт
Вход 5

Вход 4

Вход

Вход Ш м -

Расширитель [ 7 ] —'

Рис. 1.44а. П ринципиальная электрическая схема логического


элемента И — НЕ

= ^ = 1 г ,-~
11 j jI 10
, - i — L lL - - L= n ±l

U -
ItjJ г
ш
a
1 L.

J
___ l
!
----- h ПЩПШп
! II—5—J t! ! r - o - 1
.ЬгфггЬ Li^rtr j j a
|i °Д,\
Г
=^1
I I
I I = J jl U = ,
L" .J

Рис. 1,446. Эскиз топологии логического элемента И — НЕ


Окончательный вид топологии приведен на рис. 1.44 в. Н а кристалле преду­
смотрен тестовый транзистор, предназначенный для контроля параметров транзис­
торов схемы. Он имеет такую ж е конфигурацию, что н транзистор T t. К онтакт-

Рис. 1.44в. Топология логического элемента И — Н Е

ные площадки тестового транзистора имеют форму, отличную от формы кон­


тактных площ адок схемы.
Фигуры совмещения имеют форму квадратов. Зап ас на совмещение для
к вадратов составляет 5 мкм.

Глава 2
КОНСТРУИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИМС
НА УНИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

§ 2.1. Механизм работы и классификация


МД П-транзисторов
М Д П -тран зи сторы отличаю тся от биполярных транзисторов, по­
скольку механизм их работы основан на перемещении только ос­
новных носителей зар я д а . В связи с этим их н азы ваю т у н и п о л я р ­
ными. Эти транзисторы имеют преимущества перед биполярными:
малый уровень шумов, бо льш ая стойкость к радиационным излуче­
ниям, устойчивость от перегрузок по току, высокое входное сопро­
тивление. К недостаткам следует отнести меньшее быстродействие,
56
худш ую технологическую воспроизводимость парам етров и боль­
ш у ю временную нестабильность.
М Д П -тран зи стор имеет четыре электрода, которые н азы ваю т
истоком, стоком, затвором и подложкой (рис. 2.1, а). Принцип
.действия М Д П -тран зи стор а основан на эф ф екте изменения э л е к ­
тропроводности поверхностного слоя полупроводника меж ду сто­
ком и истоком под действием н апряж ения, приложенного к у п р ав ­
л я ю щ е м у электроду (затвору), отделенному от поверхности полу­
проводника тонким слоем диэлектрика. Участок полупроводника
с изменяющ ейся электропроводностью н азы ваю т каналом и изо­
б р а ж а ю т на чертеж ах в виде скрещенных тонких л и н и й .
Существуют две разновидности М Д П -транзпсторов: с встроен­
н ы м каналом и с индуцированным каналом.

<>и и^ 3 <?с U,o5


J . ijAwW l . L , . Н иж няя f j Y f
1 1—p
--j
п
1 граница
канала
___II
n \. -g-T-i
II_
. _
я
СГ

(~$£,7}0К \Сток
V " ист ок
тГ
Объемный заряд j

Сток
3 °—|
|4 ! Х 1

'чтдор а) 6]
■Ja'mQop
Р и с. 2.1. М ДП -транзистор с инду­ Рис. 2.2. М ДП -транзистор с инду­
цированным каналом р-типа: цированным каналом /г-типа:
а — упрощ енная конструкция; б — ус­ а — упрощенная конструкция; б — ус­
ловное обозначение ловное обозначение

В М Д П -тран зи стор е с индуцированным каналом (рис. 2.1, а,


2.2, а) при нулевом напряжении па затворе канал отсутствует. Ес­
л и увеличивать нап ряж ени е на затворе (по м одулю ), то при неко­
то р о м значении нап ряж ени я затвор — исток U0, н азы ваемом поро­
говым напряжением, на поверхности полупроводника будет индуци­
р о в ать ся инверсный слой, электропроводность которого совпадает
с электропроводностью истока и стока. В результате образован ия
э того слоя области стока и истока оказы ваю тся соединенными тон­
ким токопроводящ им каналом и во внешней цепи возникает ток.
Структура М Д П -тр ан зи стора с встроенным каналом такова,
■что создание ка н а л а в тонком приповерхностном слое полупровод­
ника предусматривается самой технологией производства. Поэтому
конструкция такого транзистора будет отличаться от конструкций,
п редставленных на рис. 2. 1, а, 2 .2, а, изображ ением нижней гран и ­
цы к а н а л а сплошной линией. Электропроводность ка н а л а о б я з а ­
тел ьн о совпадает с электропроводностью стока и истока. П оско л ь­
к у электропроводность подложки обратн а электропроводности к а ­
н а л а , области стока, истока и ка п а л а отделены от подложки
57
р-я-переходом. Ток в к а н а л е такого транзистора м о ж ет возникать
и при нулевом смещении на затворе.
И сток и сток в принципе обратимы, и их можно менять местами
при включении транзистора в схему. В этом случае при симметрич­
ной структуре тран зи стора его п арам етры сохраняю тся, а при не­
симметричной структуре (сток и исток могут разли чаться формой,
п лощ адям и ) они будут отличаться.
В связи с тем, что до последнего времени наибольш ее примене­
ние в цифровых ИМ С получили М Д П -тран зи сторы с индуцирован­
ным каналом , дальнейш ее излож ение будет относиться к т р а н зи ­
сторам этого типа.
По электропроводности ка н а л а разл и чаю т /7-кан альн ы е и « -к а ­
нальны е М Д П -тран зи сторы . У прощ енная конструкция этих прибо­
ров п о казан а на рис. 2 .1, а, 2 .2, а, а условное обозначение на э л е к ­
трических с х е м а х — на рис. 2.1, б, 2.2, б.
Существует класси ф и кац и я М Д П -тран зи сторов по конструктив­
но-технологическим п ризн акам (чащ е по виду м а тер и ал а затв о р а)
(см. § 2 . 3 ) .
И н тегральн ы е микросхемы, сод ерж ащ и е одновременно р -к а ­
нальные и n -канальны е М Д П -транзисторы , назы ваю т ком плем ен­
тарны ми (сокращенно К М Д П - И М С ). К М Д П -И М С отличаются в ы ­
сокой помехоустойчивостью, малой потребляемой мощностью, в ы ­
соким быстродействием. Эти преимущества, однако, достигаются за
счет более сложной технологии с меньшим выходом годных схем.

§ 2.2. Особенности использования МДП-транзистора


как типового схемного элемента ИМС

В электрических схемах цифровых ИМ С кроме активных э л е ­


ментов (М Д П -транзисторов) широко используют резисторы боль­
ших номиналов и конденсаторы. Резисторы являю тся нагрузками
ключевых схем (инверторов), рассм атриваем ы х далее, а конденса­
торы находят применение при проектировании ячеек памяти з а п о ­
минаю щих устройств.
П роектирование резисторов по аналогии с полупроводниковыми
И М С на биполярных тран зи сторах в М Д П -И М С я в л яе тся-н е ц е л е­
сообразны м по двум я причинам: п лощ ад ь диффузионного резисто­
ра большого номинала ( ^ 2 0 кОм) п о ч т и 'н а порядок превы ш ает
п лощ адь активного М Д П -п р иб ора; п ар ази тн ая емкость резистор —
подл о ж ка диффузионного резистора значительна и существенно
ухудш ает частотные свойства схемы.
Поэтому д л я получения большей степени интеграции в М Д П -
И М С в качестве резисторов нагрузки используют т ак н азы ваем ы е
нагрузочн ы е МДП-транзисторы. Эти транзисторы имеют конструк­
цию, сходную с М Д П -тран зн сто рам и, работаю щ им и в активном ре­
жиме. Необходимый номинал резистора достигается подачей на
затвор нагрузочного М Д П -тран зи стора определенного потенциала
и подбором геометрических размеров канала.
При необходимости спроектировать конденсатор в М Д П -И М С
58
мож но использовать емкость затвор — по дл ож ка или сток (ис­
ток) — по дл ож ка М Д П -транзисторов. Требуемое значение емкости
конденсатора обеспечивается площ адью областей затвора, стока
или истока М Д П -тр ап зи стор а.
Н а основании изложенного можно утверж дать, что М Д П -т р а н ­
зистор является типовым схемным элементом М Д П -И М С и может
выполнять функции как активных приборов (ключевой транзистор
в инверторе, усилительный транзистор и т. д .), так и пассивных
элементов (нагрузочный транзистор в инверторе, конденсатор в
ячейке памяти и т. д .). Это позволяет при проектировании М Д П -
И М С обходиться только использованием М Д П -тран зи сторов, кон­
структивные п арам етры и схема включения которых будут зависеть
от выполняемой функции.

§ 2.3. Технологические процессы производства М ДП-ИМ С

В М Д П -И М С нет необходимости применять дополнительные об­


ласти д л я изоляции элементов друг от друга, в связи с чем степень
интеграции М Д П -И М С выше, чем степень интеграции И М С на би­
полярны х транзисторах, а технологические марш руты их изготов­
ления сод ерж ат меньшее количество операций.
Н аибольш ее распространение получили следующие марш руты
производства: технология М Д П -И М С на p -канальных тран зи сторах
с алюминиевыми и кремниевыми затворам и, технология М Д П -И М С
на /г-канальных транзисторах с кремниевыми з а ­
творами, технология К М Д П -И М С с алю миниевы ­
ми, молибденовыми или кремниевыми затворам и.
Н а рис. 2.3 п о казана .последовательность тех­
нологических операций при производстве р -к а ­
нальных М Д П -И М С с алюминиевыми затворам и,
на рис. 2.4 — /г-канальных М Д П -И М С с крем н ие­
выми затво рам и и на рис. 2.5 — м арш рут произ­
водства К М Д П -И М С с кремниевыми затворам и.
У каж ем лишь некоторые хар актерн ы е п а р а ­
метры областей и слоев М Д П -структур, приве­
денных на рис. 2.3— 2.5: для ионно-легированных
п+-областей ps = 3 0 - r 3 5 О м /П , глубина залегания
Рис. 2.3. Последовательность технологических операций при
производстве р-канальных М ДП -И М С с алюминиевыми з а ­
творами:
1 — окисление кремниевой пластины я-типа; 2 — фотолитография
дл я вскрытия ОКОИ под области стоков, истоков и диффузионных
шин; 3 — локальная загонка примеси p-типа в поверхностную об­
ласть будущих стоков н истоков методом ионного легирования
и второе окисление с одновременной разгонкой примеси; 4 — ф о­
толитография для удаления окисла с подзатворных областей; 5 —
формирование подзатворного диэлектрика окислением в сухом
кислороде и дополнительная разгонка примеси в областях стоков
и истоков; 6 — фотолитография для вскрытия окон под контакты
к областям стока, истока и диффузионным шинам; 7 — нанесение
пленки алюминия н фотолитография д л я создания рисунка р аз­
водки; в — нанесение пассивирующего слоя ФСС с последующим
фотолитографическим вскрытием окон над контактными площ ад­
ками и областями скрайбирования

59
р-п-перехода л'/= (1 ,0 ± 0 ,2 ) мкм; для р+-области ps =40 -f-6 0 Ом/П,.
Xj— (1 ,5 ± 0 ,3 ) мкм; области р-карманов, являю щ иеся к а к бы под­
л ож кой /г-канального транзистора в К М Д П -И М С , легированы до.
концентрации 2 - 1016 ат/см3 и имеют значение Xj= (6 ± 1) мкм; плен­
ки поликристаллического кремния толщиной ^ 0 , 5 мкм, используе­
мые в качестве проводящ пх шнн, имеют ps=£$50 О м /П при легиро­
вании их фосфором и p s ^ l O O О м /П при легировании бором. Т ол ­
щина защитного окисла составляет ~ 1 мкм, толщина подзатворно-
го окисла, получаемого методом термического окисления в сухом,
кислороде, 0,07— 0,10 мкм.

§ 2.4. Основные параметры МДП-структур


и М ДП-транзисторов

Д л я удобства проектирования М Д П -И М С целесообразно р а с ­


смотреть электрофизические парам етр ы исходной полупроводнико­
вой (кремниевой) подложки, а т ак ж е конструктивные и электри че­
ские парам етры М Д П -трап зи стор ов и их связь между собой.
К электрофизическим парам етрам кремния, влияю щим на х а ­
рактеристики М Д П -структур, относятся: тип электропроводности
п ( р ) ; концентрация примеси в пластине N 0, см“ 3 или удельное о б ъ ­
емное сопротивление ру, О м -см ; подвижность носителей з а р я д а в
ка н а л е j.in или ,up, см2/ ( В - с ) ; концент­
рац и я поверхностных состояний N пов, с ^
см-2 ; диэлектрическая проницаемость Д ,| л и 3-
£п. ■ ^11 П+ 1 T n U i\
Основными конструктивными п а р а ­ 1
метрами М Д П -тр ан зи стор а (рис. 2.6) i р
являю тся: длина ка н а л а /к, мкм; ш ири­
на к а н а л а Ьк, мкм; толщина затворного
диэлектрика /гд, мкм. Остальные кон­
структивные п арам етры [размеры з а ­
твора, областей стока (истока), толщ и­
на стока (истока) и т. д.] являются
вспомогательными и определяются при
проектировании по технологическим
ограничениям на разм еры М Д П -с т р у к ­
тур (см. табл. 2 . 1). Рис. 2.6. К определению кон­
К основным электрическим п а р а ­ структивных параметров М Д П -
метрам и характери сти кам М Д П - т р а н ­ транзнстора
зисторов относятся: стоковая х а р а к т е ­
ристика / с = / ( ^ с ) при ^ 3 = const; стоко-затворная х а р а к те р и с т и к а
I c = f { U з) при Uc = const; пороговое н апряж ение U0, В; крутизна 5,.
А/В, и удельная крутизна S 0, А /В 2; дифф еренциальное сопротивле­
ние к а н а л а R K, Ом; входное сопротивление R BX, МОм; п арази тн ы е
м еж электродны е емкости Сзп, С3ц, Сзс, ССц, Сип, ССц, пФ; постоянная
времени ка н а л а тк, не.
61
Рассмотрим парам етр ы Uо, 5 , So и R K на основе а н ал и за стоко­
вых и стоко-затворных х арактери сти к М Д П -тран зи стор а без учета
токов утечки в схеме включения с общим истоком (рис. 2.7, а ) , как
наиболее распространенной в цифровых ИМС.
Семейство стоковых х арактери сти к п- и р-кан альн ы х М Д П -тран -
зисторов приведено на рис. 2.7, б. Условно их мож но разделить на

и3о \ \ UP >U32
У
и * ---- Л “сн
U„ .и .

Г
а) 6) б)
Рис. 2.7. Схемы включения (а), стоковые (б) и стоко-затворные (в)
статические характеристики п- и р-канальны х М ДП -транзисторов

д в а участка: крутой и пологий, где н аблю дается насыщение стоко­


вого тока / с при достаточно большом стоковом напряж ении UQ.
Границу насыщения характери зую т напряжением насыщения
U m = U 3- U Q (2.1)
(знаки при U3 и U0 соответствуют типу электропроводности инду­
цированного к а н а л а ).
Семейство стоко-затворных характери сти к приведено на рис.
2.7, в. Н а ч а л о всех характери сти к соответствует пороговому н а ­
пряжению U q. При стоковых нап ряж ени ях, соответствующих р еж и ­
му насыщения (U c^ U c u ) , характеристики практически сливаются.
Аналитическое вы р аж ен и е стоковой характеристики имеет вид

/ с= |лСзо6к- [2 U C{U3 — С/о)— U с] при L/c ^ L f 3 — U 0 (крутой участок),


21к . ( 2 .2 )
/ с_ v-C3r)bK :Qrj3 — L/Qy при U c y > U 3 — U Q (пологий участок),
(2-3)
где Сзо — удельн ая емкость затвора относительно канала, опреде­
л я е м а я по формуле
£ 3о= £ о£д//гд (2-4)
(ед — диэлектрическая проницаемость затворного д и эл ектри ка ).
Усилительные свойства М Д П -тран зи стор а х арактери зую тся
крутизной стоко-затворной характеристики:'"-

5 = - ^
dU з

62
П родиф ф еренцировав вы раж ен и я (2 .2 ), (2.3), получим зн ач е­
ния крутизны д л я крутого и пологого участков стоковой х ар а к т ер и ­
стики соответственно:

при U c (2.5)

S = - ^ f ^ ( U , - U „ ) = S , ( U !>- U a) при U C > U 3- U 0, (2.6)

где S 0 — удельн ая крутизна.


И з выражений (2.5), (2.6) видно, что крутизна М Д П -тр ан зи сто ­
ра линейно зависит от нап ряж ени я на э л ектр од ах и не является од­
нозначным параметром. Д л я ее определения необходимо о б я з а ­
тельно оговорить реж им работы, т. е. нап ряж ени я. Поэтому д ля х а ­
рактеристики п ар ам етров М Д П -тр ан зи стор а целесообразнее ввести
удельную крутизну, которая в ы р а ж ае тся через электрофизические
и конструктивные п арам етры М Д П -структуры :
S Q= \)-C3QbtJ l K. (2.7)
Аналогично, дифф еренцируя вы раж ен и е (2.2), мож но опреде­
лить сопротивление ка н а л а д ля крутого участка характеристики:

R K— ----- ----- = ------------ ----------- при £/(.■<£/3 — U Q. (2.8 )


д / с/ д и с S 0 (U3 - U i - C f о) и • 3 v '
Д л я определения сопротивления ка н а л а в пологой области сто­
ковой характеристики существует эмпирическая формула

4 = ------^ --------— , (2.9)


s a ( U , - u 0r
где So' — удельная крутизна, вычисляем ая опытным путем; п =
= 1-1-2 — коэффициент, зависящ ий от технологии изготовления.
Пороговое н ап ряж ени е связано с электрофизическими п ар ам ет­
рами М Д П -структуры соотношениями

£ /0= — (|?мп| + - % ^ — 1— —— j-2^ ] для р-канального тр ан зи сто р а,


\ С 3q С 307
(2 . 10)
U о= — | ?мп| — _|— — 1~2оФ. для « -к ан ал ьн ого транзистора.
^зО ^зО 1
( 2. 11)
Здесь фмп — разность потенциалов, оп ределяемая разницей в р аб о­
т ах выхода полупроводника п м атер и ал а затвора, в частности м е­
та л л а (в случае алюминиевого затвора эту величину определяют
по графику рис. 2.8 по известной концентрации примесей в полу­
проводниковой пластине А^о и типу ее электропроводности); QSSr
Qп — соответственно плотности зар я д а поверхностных состояний на
границе полупроводника и диэлектрика и пространственного з а р я ­
да в полупроводнике.
63
Плотности зарядов определяю т по вы раж ен и ям
QsS = <
j N u ов> (2 .1 2 )

Qtt = V 2 e 0saN Q^ r (2.13)


г д е q — за р я д электрона; фф. — потенциал, зависящ ий от п о лож е­
н и я уровня Ферми в полупроводнике относительно середины з а ­
прещенной зоны:
? ф , - = ? т In А ^ о / / / ( 2. 14)

г д е фт — температурный потенциал ( ~ 0,026 В); щ — собственная


концентрация носителей в полупроводнике, р ав н ая д л я кремния
•2 -1C10 с м - 3.
И з сравнения формул (2.10), (2.11) видно, что пороговое н а ­
п р яж е н и е /г-канального транзистора ниже, т а к как два последних
N, СМ-3
слагаемы х меняют знаки на обратные. С у­
щественным резервом снижения пороговых
1 напряж ений является уменьшение разности
п потенциалов фмп за счет подбора м атери ала
з атв ор а и уменьшения плотности поверхно­
стных состояний N нов, которая зависит от
качества поверхности и ее ориентации отно­
сительно плоскостей кристаллической (ре­
шетки.
Д л я определения паразитных емкостей
Рис. 2.8. Зависимость и входного сопротивления необходимо снова
разн ости ■ потенциалов
д л я системы А1—Si
обратиться к конструкции М Д П -транзисто-
■-от концентрации примеси ра, представленной на рис. 2 .6. К ак видно
в кремнии из рисунка, входное сопротивление R B% р а в ­
но сопротивлению утечки конденсатора з а ­
т в о р — сток (исток) или затвор — подлож ка и достигает десятков
— сотен мегаом.
П а р ази тн ы е меж электродны е емкости М Д П -тран зи стора зави-
•сят от геометрических разм еров стока, истока, затво ра и о п р ед ел я­
ю т с я (при симметричном расположении стока и истока) по форму-
«ЛЭМ'
емкость затвор — сток (исток)
^зн = ^ зс = СзО^к (^3 — ^к)/2 , (2.15)
емкость затвор — подлож ка
^зп С ,$ЬК1 (2.16)
емкость сток (исток) -^ п о д л о ж к а
Ссп = Сцп = С/'о ]ЬК1С+ 2 (bK-j- /с) hj] , (2.17)
емкость сток — исток
С си— CcuCttJ\Pcn 4" Сип) = Сс11/ 2. (2.18)
В схеме с общим истоком (рис. 2.7, а)
Ссп ~ Ссп. (2.19)
«54
Удельную емкость обратно смещенного перехода сток — п одл ож ­
ка Cj о определяю т по эмпирической формуле

С ], о-
V- 2?5де0ЛГ0
( 2 .20 )

где £/дПф — диффузионный потенциал перехода сток — подлож ка


( —•0,7 В ); U cmin — минимальное н апряж ение стока.
При проектировании цифровых М Д П -И М С удобнее оперировать
входной и выходной емкостями М Д П -тр ан зи сто ра, которые легко
в ы разить через меж электродны е емкости д л я схемы с общим исто­
ком:
С,«=С,„ + С„„ (2.21)
Ст = С „. (2.22)

Быстродействие М Д П -тран зи сторов ограничивается временем


релаксации з а р я д а в активной области транзистора, которое х а р а к ­
теризуют постоянной времени ка н а л а тк:
*к == с зЛ ,
П од ста вл яя сюда значения из вы раж ений (2 .8), (2.7), (2.16),
получим
при U c < £ / 3— £/0. (2.23J

П остоянная времени ка н а ла , равная 10- 9— 10-10 с, много мень­


ше постоянных времени внешних цепей транзистора, которыми и
определяю тся частотные характеристики М Д П -И М С .
Рассмотренные парам етры М Д П -тран зи стора отраж ен ы на э к ­
вивалентной схеме рис. 2.9, а, где через Rim и Я Сп обозначены со-

зо

жт
о)
Рис. 2.9. Эквивалентные схемы М Д П -транзисторов:
а — полная; б — упрощ енная (для аналитических расчетов)

противления закры ты х р-п-переходов исток— подлож ка и сток —


подлож ка. Д л я аналитических расчетов в статическом реж им е м о ж ­
но использовать упрощенную схему (рис. 2.9, б ), полученную путем
объединения выводов истока и подложки в пренебрежении инер­
ционностью канала.
3—449 65
§ 2.5. Режимы работы и связь м еж ду конструктивными
и электрическими параметрами МДП-транзисторов в цифровых
ИМС

Ц и ф ровы е М Д П -И М С п редназначены д л я выполнения опреде­


ленных логических функций. Базовой логической схемой д л я по­
строения этих И М С является и н в е р т о р , выполняющий логиче­
скую функцию инвертирования входного сигнала (операцию Н Е ) .
Д л я установления связи м еж д у конструктивными и электриче­
скими п ар ам етр ам и М Д П -тран зи стор ов цифровых М Д П -И М С м а ­
лой и средней степеней интеграции достаточно рассмотреть стати­
ческий и динамический реж им ы работы трех наиболее распростра­
ненных инверторов, которые отличаются схемой включения
нагрузочного транзистора. Схемы, где нагрузочный транзистор вы­
полняет функцию резистора, относят к инверторам с пассивной н а­
грузкой, а схемы, где он выполняет функцию активного элем ента,—
к инверторам с активной нагрузкой.

Рис. 2.10. Схема инвер­ Рис. 2.11. Вольт-амперные характери­


тора с пассивной н а­ стики нагрузочного транзистора:
грузкой / - 1/ , 2 - и з= и я п1+и0;
3 - u e>u,.m+U'

Статический режим работы инвертора с пассивной нагрузкой.


Простейшей инвертирующей схемой на М Д П -тран зи сторе яв л я е т­
ся инвертор с пассивной нагрузкой (рис. 2.10). В нем в качестве н а ­
грузки используется М Д П -тран зи стор Т\ (в дальнейш ем просто н а ­
грузочный транзистор) с каналом того ж е типа, что и ключевой
тран зи стор-7Y Рассмотрим вначале более простой случай, когда н а ­
грузочный транзистор Т\ включен как нелинейный двухполюсник
(затвор объединен со стоком). Вольт-амперной характеристикой
такого двухполю сника является геометрическое место точек, в ко­
торых выполняется условие UC= U 3. Она п редставляет собой п а р а ­
болу, описываемую вы раж ением
I c = S j 2 ( U a- U & ,

целиком л еж а щ у ю в пологой области стоковых характер и сти к (кри­


в а я 1 на рис. 2.11).
Основной статической характеристикой инвертора является его
66
передаточная характери сти ка £/Вы х=/(£Лзх), по которой легко р а с ­
считать остальные статические характери сти ки схемы: амплитуду
логического перепада ( U вых max— ^ в ы х т 1п), ц
потребляемую мощность, статическую поме- цШ
хоустойчивость. _ и'п
Р ассм отри м передаточную характер и сти ­
ку инвертора (рис. 2.12). П ри этом будем uM~uoi
считать пороговые н ап р яж ени я ключевого
Т2 и нагрузочного Т { транзисторов одинако- и%ш
выми: U0l = U02 = U0, что х арактерн о д ля
схем в интегральном исполнении. Влияние ^6х Uo2 ^вх ^ Sx
п одлож ки полагаем пренебрежимо малым,
Рис. 2.12. П ередаточная
что хорошо выполняется д л я низколегиро­ характеристика инверто­
ванной подлож ки с концентрацией примеси ра с нелинейной нагруз­
не более 1015 см-3. В общем случае на пере­ кой
даточной характеристике можно выделить
три участка. Н а участке А В ключевой транзистор закры т, а н ап р я­
ж ен и е на выходе инвертора
и въ^ и л,п - и ^ и л л - и , . (2.24)

Участок В С является переходным, где оба транзистора, Т \ к Т 2,


откры ты и р аботаю т в пологой области стоковых характеристик.
Н а участке CD раб оч ая точка ключевого транзистора Т2 переходит
в область стоковых хар актери сти к с большой крутизной.
Зако н изменения выходного н ап ряж ени я д ля участка CD м о ж ­
но получить из условия равенства токов транзисторов Т\ и Т2:
So, (У„.„ - u m - и „у = S 02 [2U m (£/„ - и ,) - u L J .
Отсюда i
^и.п + rnUm — ( m + 1) 6^0 —
m+ 1
— VWvi.n + rn(fBX— ( m + 1)У 0]2 — (m + 1) — Up)2
(2.25)
m+ 1

г д е m — S 02/ S Qi — отношение значений удельной крутизны транзисто­


ров инвертора.
Обычно статический реж им инвертора рассчиты ваю т так, чтобы
при задан н ы х значениях
(2.26)
получились выходные напряжения, удовлетворяю щ ие неравен-
ствам

^ Вых1 > ^ в ы х , и лыа <£/2ы*. (2.27)


П од ставл яя вторые неравенства (2.26), (2.27) в (2.25), получим
в ы р а ж ен и е д л я расчета отношения значений удельной крутизны
з* 67
ключевого н нагрузочного транзисторов, при котором выполняется
заданны й статический режим:

________ . ( 2 .2 8 )

Если концентрация примесей в подл ож ке больше 1015 см-3, то


необходимо учитывать влияние подложки. И з схемы рис. 2.10 вид­
но, что меж ду истоком и подложкой нагрузочного транзистора Т\
имеется разность потенциалов, которая изменяет пороговое н ап р я ­
ж ение транзистора U0u а следовательно, и выходное напряжение,
определяемое вы раж ен и ям и (2.24), (2.25). Тогда выходное н ап р я­
ж ение инвертора с учетом влияния подложки и первого неравен­
ства (2.27) мож но рассчитать по ф ормуле
< и „ х - K J J m = U m (1 - /<•„), (2.29)
где Uвых — нап ряж ени е без учета влияния подложки (2.24);
K n = b l V Un.n — Uo — t V U n . n — Uo — коэффициент влияния под­
ложки; »— V ' 2soEnWVo/C3o — постоянная величина д л я д ан н о ­
го транзистора.
В лияние потенциала подложки на характеристики М Д П -тран -
зистора закл ю ч ается в том, что его изменение модулирует то л щ и ­
ну области объемного з а р я д а (см. рис. 2.2, а) и, следовательно,
канала, изменяя ток стока / с. Таким образом, подл о ж ка является
как бы вторым затвором в М Д П -транзисторе.
Статический режим работы инвертора с пассивной нагрузкой и
двумя источниками питания. Д л я повышения быстродействия на
затвор нагрузочного тран зи стора часто подаю т нап ряж ени е от от­
дельного источника питания ^/ц.п2> ^ и . п 1+ ^о (рис. 2.13). При 00
I3
N
ии.Пг 9
> у
Выход
—О

Вых

Рис. 2.13. Схема инвер­ Рис. 2.14. П ередаточная


тора с пассивной н агруз­ характеристика инвер­
кой и двумя источника­ тора При £/и.п2 > Уи.щ +
ми питания + t/oi
этом нагрузочная характери сти ка п ерем ещ ается в область малы х
н апряж ений Uc i и становится более крутой (кривые 2, 3 на
рис. 2.11). С татическая х арактери сти ка нагрузочного транзистора
в этом случае описывается уравнением

/„ 1= - % - [(У .,,2- u m - £/„)2- (У„.„2- - £/„)*]. (2.30)

68
С повышением н ап ряж ени я V n.n2 нелинейность этой х ар а к тер и ­
стики уменьшается и быстродействие схемы в пределе стремится
к быстродействию инвертора с линейной нагрузкой (резистором).

П еред ато чн ая характери сти ка инвертора имеет три участка


(рис. 2.14), причем на каж дом участке нагрузочный транзистор от­
крыт, так как t/Il.n 2 > ^ n .n i+ t / o . Н а участке А В ключевой т р а н зи ­
стор Т 2 зак ры т и выходное н ап ряж ени е и вых= и п.п ь Н а участке В С
ключевой транзистор р аб о тает в пологой области, а на участке
C D — в крутой области стоковой характеристики. П ри рав н и в ая то­
ки транзисторов Т { и Т 2 д л я участка CD, получим
S o i [(^ И .п 2 — ^вы х ~ ^ о )2 ~ илг2 — U и.п1 — & о ) 2] =

= 5 K [ 2 i/.„ ( £ /„ - £ /„ ) - i/L ] . (2.31)


Отсюда

ГГ Я г ( £ /вх — У р ) + W и.п2 — У р ) — [яг (^ в х — У о ) + (Ц-и.п2 — ^ о)]2 — .


^ вых
т + .1 ’‘ *

(яг + I) [( Uи.„2 — U q) 2 — ( U и.п2 — Cf0 — U и.п1)2]


т+ 1

В ф орм улах (2.30), (2.31) при необходимости мож но учесть


влияние подложки путем уменьшения н ап р яж ени я и ял2 на величи­
ну ЯпУвых, эквивалентную повышению порогового н ап р яж ен и я н а ­
грузочного транзистора Т\. Д л я упрощения расчетов мож но под­
ставить в . (2.31) вместо Un.n2 значение UnM2— (KnUn.ni)/2, достаточно
точное д ля середины д и а п а зон а изменения выходного нап ряж ени я.

Обычно статический реж им инвертора с двум я источниками пи­


тан и я рассчиты ваю т аналогично схеме с одним источником (см.
рис. 2.10). П о д ставл яя вторые неравенства (2.26), (2.27) в (2.31),
получим вы раж ен и е д ля расчета отношения значений удельной кру­
тизны ключевого и нагрузочного транзистора, при котором вы пол­
няется заданный статический режим:

,п > - ^ и-п2 — ^ ~ . ^ ^ и-п2^ : .”1Г^ 0.. )2 . (2.32)"


2^ ых( ^ х- ^ о ) - К ых)2
Статический режим работы инвертора с активной нагрузкой.
Т а к а я схема инвертора широко распространена в К М Д П -И М С ,
где одновременно используются п- и р-кан альн ы е М Д П -тр ан зи сто -
ры. П реимущ ествам и подобных инверторов являю тся отсутствие
потребления мощности от источника питания в статическом реж им е
и лучш ая форма передаточной характеристики.
Схема инвертора и его стоковые характеристики приведены на
рис. 2.15, а, б. К а к видно, затворы нагрузочного р-канального т р а н ­
зистора Ti и ключевого я-кан ал ьного транзистора Т2 соединены вм е­
69
сте, а исток каж дого транзистора объединен с подложкой. Выходом
инвертора являю тся объединенные стоки. При таком включении
ключевой и нагрузочный транзисторы раб отаю т в противофазе, т. е.
зап и ран ие одного связано с отпиранием другого и наоборот, что улуч­
шает быстродействие. П ротивоф азны й реж им мож но объяснить тем,
что в схеме всегда выполняется условие UMx-\-U3vl2 — Utt,n, так что
уменьшение н ап ряж ени я £/зи одного из транзисторов приводит к
увеличению н апряж ения и зи другого.

li
В)
Рис. 2.15. Инвертор с активной нагрузкой:
а — электрическая схема; 6 — стоковые характеристики в открытом (А) и закры­
том (Б) состояниях; в — передаточная характеристика

Р ассмотрим передаточную характеристику инвертора (рис.


2.15, в). П ар ам етр ы транзисторов будем считать одинаковыми, а
токи утечки— пренебрежимо малыми. Пусть н ап р яж ен и е питания
связано с пороговыми н ап ряж ени ям и транзисторов неравенством
£ /и .п > I tfoi I + ^ 02- (2.33)

Тогда при 0 < U BX<Uo2 транзистор Т2 закрыт, транзистор Т\ от­


крыт и выходное нап ряж ени е и вых— и и.п. При увеличении UBX от
U 02 до и а л — U 01 происходят плавное зап и ран ие транзистора Т\, от­
пирание транзистора Г2 и уменьшение н ап ряж ен и я UBых. При U BX=
= £Ai.n— £Лн транзистор Т\ окончательно зап и рается и L/Bы х = 0.
В заклю чение отметим, что инвертор м ож ет р аб отать и при
Un.n< | £Лп | + U 02, однако этот реж им приводит к увеличению в ре­
мени переключения, т а к как в течение части его оба транзистора
Т х и Т2 будут закрыты . Но, с другой стороны, он д ает экономию в
потребляемой инвертором мощности.
Обычно статический реж им инвертора рассчиты ваю т так, чтобы
при условиях (2.26) выполнялись неравенства (2.27). В силу спе­
цифики работы инвертора с активной нагрузкой д л я этого д о с та ­
точно проверить неравенство (2.33).
Статическая помехоустойчивость инвертора. С татическая поме­
хоустойчивость £/пом характери зуется м акси м альн ы м н ап р яж е н и ­
ем статической помехи, действующей на выходе или входах инвер­
тора, но не наруш аю щ ей его нормального функционирования.
70
Помехоустойчивость определяют из соотношения
/ / +ПО»
£ / n0M= m i n < (2.34]
U noi
где U пш • — допустимые значения положительной и отри ца­
тельной статических помех.
Значения статических помех мож но определить по передаточной
характеристике рис. 2.15, в или по форм улам
и ^ = и 02- и °вх» (2.35)
и - (2.36)
При расчете статического реж им а инвертора д л я обеспечения
заданной помехоустойчивости в рабочем д иапазоне температур
И М С пороговые н ап р яж ени я ключевого и нагрузочного тран зи сто­
ров необходимо определять (при Uq\ — Uq2 = U q) п о в ы раж ению
(£/0-ТК£/0Л7\) ,/у° (2.37)
^пом
У ™ - ( У о + т к г / 0л П ) ,
где Т К ^ о — температурный коэффициент пороговых напряж ений
( ^ 4 мВ/°С) ; AT'i^T'max— T’komhJ А7’2=7'комн— Т mini Ткоми— + 20° С.
Д инам ический реж им работы инверторов. А нализ динам ическо­
го реж им а работы рассмотренных схем инверторов проведен при
следующих условиях:
а) входное нап ряж ени е изменяется скачкообразно от £/вхшщ
ДО U в х m a x ’)
б) нагрузка имеет чисто емкостный характер и р ав н а С п' —
= СН+Свых~Си, где Свых—выходная емкость инвертора.
Схема включения источника входного нап ряж ени я и конденса­
тора нагрузки д л я оценки быстродействия инвертора с нелинейной
uu (t)

ГН
tm^tsb/M/2

ЕЁ
о

Рис. 2.16. Схема включения (а) и временные Рис. 2.17. К определе-


днаграммы работы инвертора (б) в динамическом нию быстродействия ин-
режиме вертора

нагрузкой приведена на рис. 2.16, а, а соответствующие ей времен­


ные д иаграм м ы — на рис. 2.16, б. Обычно быстродействие инверто­
ра оценивают временами включения tm a , выклю чения tVbWn и за-
71
держ кн распространения сигнала /зад, уровни отсчета которых у к а ­
заны на рис. 2.16, б. Очевидно, быстродействие инвертора будет
определяться временем п ерезаряд а конденсатора Сш которое, в
свою очередь, определяется средним значением емкостного тока ic .
П ри скачкообразном входном сигнале раб о ч ая точка инвертора
перем ещ ается по траекториям, отмеченным на рис. 2.17 цифрами
1 — 2 — 3 при выключении (соответствует запиранию транзисто­
ра Гг) и 3 — 4 — 1 при включении (соответствует отпиранию т р а н ­
зистора Т2). В этом случае быстродействие инвертора мож но оце­
нить по площ ади, расположенной под нагрузочной статической
характеристикой при выключении, и по площ ади м еж ду нагрузоч­
ной и стоковой характери сти кам и ключевого транзистора при вкл ю ­
чении. Д ействительно, как видно из рис. 2.17, эти площ ади пропор­
циональны средним значениям токов з а р я д а и р аз р я д а конденсато­
ра нагрузки: t’c 3ap = fn , icpa 3P= i c — in- Чем больше площ ади, тем
больш е средние значения емкостных токов и тем быстрее протекают
переходные процессы. Т ак к а к площадь, соответствующ ая р азря д у
конденсатора нагрузки, на рис. 2.17 больше площади, соответству­
ющей его заряду , то время включения инвертора t Bкл всегда
меньше времени выключения / Выкл. Поэтому ограничимся расчетом
большего времени £Выкл.
Расчет времени выключения /ВЫкл легко провести при скачкооб­
разном входном сигнале, составив дифф еренциальное уравнение
за р я д а конденсатора нагрузки С„ током i ( t ) нагрузочного тр ан зи ­
стора:
(2.38)
at

Д л я решения уравнения (2.38) в его правую часть нужно под­


ставить в случае инвертора с пассивной нагрузкой уравнение тока
(2.3 ), в случае инвертора с пассивной нагрузкой и двум я источни­
ками питания — уравнение тока (2.2), а в случае инвертора с а к ­
тивной нагрузкой — оба у равнения тока (2.2), (2.3).
Д а л е е приведены решения уравнения (2.38) д л я различных т и ­
пов инверторов в виде вы раж ен и й д л я времен выключения ^выкл-
Сюда включены вы р а ж ен и я д ля слож ны х схем инверторов с пас-
сивной (рис. 2.18, а, б) и с
активной (рис. 2.19, а, б)
нагрузками. Эти схемы
имеют расширенные фун­
кциональные возм ож но­
сти, выполняя логические
функции И Л И — Н Е и

Рис. 2.18. Сложные схемы ин­


E/.SS л g верторов с пассивной н агруз­
Вход п о— кой:
О 5 а — элемент ИЛИ — НЕ;
&} б — элемент И—НЕ

72
И — НЕ, и отличаю тся от простых инверторов п ар ал л ел ьн ы м или
последовательным включением нескольких ключевых и нагрузоч­
ных М Д П -транзисторов.
Д л я инвертора с пассивной нагрузкой (см. рис. 2.10, 2.18, а , б)
, _ ______18СН______ (2.39)
выкл~ S0 l{CIH.u- C I 0)

п Вход2\
Входпо- -Н Тп Выход

Тп+,

а) 5)
Рис, 2.19. Сложные схемы инверторов с активной нагрузкой:
а — элемент И Л И —НЕ; б — элемент И —НЕ

Д л я инвертора с пассивной нагрузкой и двумя источниками пи­


тан и я (см. рис. 2.13, 2.18, а, б)
С„ 9 ( 2 - 1 ,9/С)
^ВЫКЛ---' (2.40);
■Sqi (1 — К) (Ии.п2 — Ud)j 2,0 - 1,1 к >
где

К — ^ H . n l / ( ^ H.n2 CJQ).
Д л я инвертора с активной нагрузкой по схемам рис. 2.15, а,
2.19, б
С„ 0 ,9 — К
^выкл In ( 2 0 /С - 1) (2.41)
•501(^И.п tf0) 0 ,5 К

по схеме рис. 2.19, а


пС« 0 ,9 — /С
^выкл In (20ЛГ — 1) 4- (2.42)
5 q i { U и.п — ^ о ) 0,5/С

где п — число последовательных нагрузочных транзисторов; К —


= (Un.n- U 0) / U a.n.
Р аб о та инверторов в цепочке. Одиночный инвертор использует­
ся довольно редко. К ак правило, он раб отает в составе сложны х
логических схем. При этом к инвертору п редъявляю тся требования
согласования электрических уровней с соседними ка ска д а м и д ля
передачи двоичной информации и обеспечения заданного быстро­
действия.
73
Обычно согласование электрических уровней обеспечивается пу­
тем зап и ран ия последующего инвертора при открытом предыдущем
и наоборот. Д л я цепочки инверторов на М Д П -тран зи сто рах
(рис. 2.20) вследствие непосредственной связи м еж ду ними усло­
вие согласования обеспечивается, если
и ^ > и а, (2.43)
У .ы „ ш < У о , (2.44)
где U вых min— минимальное нап р яж ени е на выходе открытого ин­
вертора.
П ри проектировании инверторов, работаю щ их в цепочке, д ля
выполнения условия (2.43) требуется правильный подбор н а п р я ж е ­
ния источника питания, а для выпол­
нения условия (2.44) необходимо р а с ­
считать отношение значений крутиз­
ны ключевого и нагрузочного тран зи ­
сторов по форм улам (2.28), (2.32). При
проектировании цепочки инверторов с
активной нагрузкой достаточно вы пол­
Рис. 2.20. Ц епочка инверторов нить только условие (2.43).
с пассивной нагрузкой Обеспечение заданного быстродей­
ствия в цепочке инверторов достигает­
ся путем равномерного распределения з а д е р ж е к м еж д у ка ска д а м и
по формуле
*Вы к л = 2 /зад/ я , (2.45)
где £зад — треб уем ая за д е р ж к а распространения сигнала (задается
Т З ) ; п — количество последовательно включенных инверторов.
Емкость нагрузки выходного инвертора обычно зад ается, а ем ­
кость нагрузки промежуточного инвертора Си принимаю т равной
входной емкости последующего инвертора С Вх и собственной в ы ­
ходной емкости Свых:
Ся = СВус С вых= С ЗИ2 —{—Сзп2 ~Ь- СЗС<)КtA~\- С Мет .п1 ~Ь ^сп2* (2.46)
г д е / С м = 5 о2/5 о1 — коэффициент М и ллера; С мет — емкость конден­
сатора, образованного проводником, соединяющим каскады , и под­
ложкой.
О днако определение С„ по ф орм уле (2.46) невозможно, т а к как
последние три слагаем ы х неизвестны и могут быть определены
только после разрабо тк и эскиза топологии И М С в целом. Поэтому
д л я предварительного расчета ц елесообразно выбирать
С’я= 1,0-s- 1,5 пФ, (2.47)
а в процессе поверочного расчета уточнить это допущение.
Р асч ет динамического р еж и м а работы инвертора проводят так,
чтобы при задан н ом времени за д е р ж к и сигнала £эаД и емкости н а ­
грузки Св в любых р е ж и м ах работы выполнялось неравенство
* аа ж < Л С к д /2 . (2.48).
74
Условие (2.48) выполняется в том случае, если удельную кру­
тизну нагрузочных транзисторов инверторов рассчитывать по ф ор­
м улам (2.39) — (2.42) в зависимости от схемы*, а время вы клю че­
ния — по в ы раж ению (2.45).
Н а основании ан ал и за статического и динамического режимов
работы различны х типов инверторов удалось установить в а ж н е й ­
шие связи их конструктивных и электрических парам етров:
1) расчет толщины затворного диэлектрика /гд производят по
ф орм улам (2.4), (2.10), (2.11) и (2.37) из условия получения з а д а н ­
ной статической помехоустойчивости;
2 ) удельная крутизна Soi нагрузочного транзистора, рассчиты ­
ваем ая по ф орм улам (2.39) — (2.42), из условия получения з а д а н ­
ного быстродействия однозначно определяет отношение ширины
к а н а л а М Д П -тр ан зи стор а к его длине bKi/lKi\
3) расчет геометрии ключевого транзистора (отношения
производят по ф орм улам (2.28), (2.32) из условия обеспечения з а ­
д анны х выходных н апряж ений инвертора в статическом режиме.

§ 2.6. Конструирование транзисторов


и топологии кристалла М ДП-ИМ С

При разр а б о тк е М Д П -тран зи стор ов конструктор д олж ен стре­


миться к повышению удельной крутизны So при работе в активном
реж име, снижению порогового нап р яж ени я Uо, уменьшению зан и ­
маемой площ ади и паразитны х емкостей. Конечной целью явл яется
увеличение быстродействия и степени интеграции при заданной по­
требляемой мощности. Техническая противоречивость указан ны х
требований (особенно первого и третьего) зас тав л яет конструктора
идти на определенные компромиссы и д ел ает его труд творческим.
Требование уменьшения площ ади, занимаемой отдельным М Д П -
транзистором и микросхемой в целом, приводит к р а зр а б о тк е
кри сталл а минимально возможной площади. Однако существует
предел возможностей той или иной технологии, связанны й с мини­
мальным геометрическим разм ером (см. § 1.4) и точностью его вы­
полнения. Поэтому при расчете и выборе конструктивных п а р а м е т ­
ров М Д П -тран зи стор ов и других элементов схемы следует учиты­
вать технологические ограничения на разм еры М Д П -структур, ко­
торые приведены в табл. 2.1.
П роектирование топологии М Д П -И М С средней и большой сте-.
пеней интеграции имеет некоторые особенности. В частности, мето­
ды проектирования топологии м ож но п одразделить на д в а в з а в и ­
симости от того, из каких элементов создаю тся эти ИМ С:
1) совокупности типовых элементов — МДП-транзисторов;
2 ) совокупности типовых логических элементов и блоков (вы ­
ходных и промежуточных инверторов, триггеров, регистров и т. д .).
Первый метод совпадает с методом проектирования И М С малой
степени интеграции и позволяет получить наибольшую плотность
разм ещ ения элементов на кристалле. Однако затр а ты времени при
этом велики.
78
Т а б л и ц а 2.1
Технологические ограничения на размеры МДП-структур
Вид технологии
Наименование элемента топологии,
Чертежи топологии наименование и обозначение размера
/г-М Д П л -М Д П КМДП

р-канальный МДП-тран­ 0,07— 0,10

1
Толщ ина затворного диэлектрика (SiCh) Лд, мкм

О
:5 * 0 ,1

о
0
зистор с алюминиевым Толщина толстого диэлектрика ( S i 0 2) Лтд, мкм 1,0 1,0 1,0
затвором Толщ ина м еталлизации (алю миния) Лм, мкм 1,2 1,2 1,2
Толщ ина кремниевого затво р а Лп.к.з, мкм — 0,5 0,5
Толщина межслойной изоляции (ФСС) Лм.и, мкм — 1,0 1,0
Толщина пассивирующего слоя (ФСС) Лпс, мкм 1,0 1,0 1,0
Т олщ ина стоков, истоков, диффузионных проводни­ 1,5 1,0 1,0 (п+)
ков h j, мкм 1,5 (р+)
Толщ ина p -областей для формирования я-канальных --- — 6,0— 7,0
транзисторов К М Д П -И М С hi, мкм
М инимальная длина алюминиевого (кремниевого) з а ­ 12' 5 5
твора /з, мкм
П ерекрытие областей стока (истока) алюминиевым 2,0 0,8 1,0
(кремниевым) затвором £, мкм
п-канальный МДП-тронзис- М инимальное расстояние от края контактного окна 4,0 2,0 2,0
тор с кремниевым затвором до края стока (истока), диффузионного проводника
кремниевого затво р а а, мкм
М инимальный разм ер контактного окна к стоку (исто­ 6X 6 5X 5 5X 5
ку), диф фузионному проводнику и кремниевому з а ­
твору сХ с, мкм
М инимальное расстояние от затвора до края контакт­ 10,0 4,0 4,0
ного окна к стоку (истоку) d, мкм
П ерекрытие области канала затвором на его конце е, 3,0 2,0 Д о охран­
мкм ного кольца
(А1)
2,0 (Si)
М инимальное расстояние меж ду соседними стоковыми 10,0 5,0 5,0
(истоковыми) областями и диффузионными проводника­
Исток Затвор Сток Охранное ми /, мкм
кольцо

Продолж ение табл. 2.1


Вид технологии

Чертежи топологии ■Наименование элемента топологии,


наименование и обозначение размера
р-М Д П л-М Д П КМДП

М инимальная ширина диффузионного проводника и 8,0 5,0 5,0


охранного кольца g , мкм
Дифф узионные
проводники Минимальное расстояние м еж ду кремниевыми затв о ­
(3* — 4,0 4,0
рами к, мкм

М инимальное расстояние меж ду алюминиевыми з а ­ 8,0 5,0 5,0


творами и меж ду проводниками металлизации s, мкм
ПоликремпиеВые
М инимальная ширина проводников металлизации /, 8,0 5,0 5,0
проводники
мкм

Перекрытие проводником металлизации контактного 3,0 2,0 2,0


окна ко всем областям t, мкм
ш ш н щ : ••
Расстояние от края кристалла до контактной площ ад­ 5? 50
Проводники металлизации ки и, мкм
v / A '/ . / s ? / / / / ; / / ? . Я
и М инимальный размер контактной площ адки для руч­ 50X 50
f ^ ной (числитель) и автом атизированной (знаменатель)
150 X 1 5 0
термокомпрессионной сварки v x v , мкм
Контакт1ные площадки
М инимальное расстояние м еж ду контактными пло­ 70
щ адкам и для ручной (числитель) и автоматизированной
50
(знаменатель) термокомпрессионной сварки w, мкм

%
Р асстояние меж ду контактными площ адками и други ­ 20
ми элементами схемы х, мкм
Второй метод п редполагает использование топологии логических
элементов или блоков, спроектированных ранее. Д л я рац и ональн о­
го использования площ ади кри сталл а топологию типовых элем ен ­
тов и блоков проектируют в виде прямоугольных ячеек равной вы­
соты. П роектирование вклю чает разм ещ ение типовых элементов
или блоков и трассировку соединений м еж д у ними. Д ан н ы й метод
ускоряет процесс проектирования топологии, но приводит к увели­
чению площ ади кр и сталл а и ухудшению п арам етров ИМ С.
Находит применение и комбинированный метод разрабо тк и то­
пологии М Д П -И М С , в котором сн ач ал а р азр а б а ты в ае тся тополо­
гия типовых логических элементов с последующим их разм ещ ени ­
ем на плоскости кристалла.
Курсовое проектирование М Д П -И М С охваты вает схемы малой
и (реже) средней степеней интеграции. При этом наиболее прием­
лемыми являю тся первый и комбинированный методы проектирова­
ния топологии.'
Р а зр а б о т к у эскиза топологии кр и сталл а целесообразно начи­
нать с конструирования отдельных элементов, к которым относятся
ключевые и нагрузочные М Д П -тран зи сторы , охранные диоды и
кольца. З а тем производят рациональное разм ещ ение этих элем ен ­
тов на кри сталле с одновременной прокладкой диффузионных шин
и металлической разводки. Н а периферии к р и сталл а р азм ещ а ю т
внешние контактные площ адки д ля соединения с выводами корпу­
са и фигуры совмещения.
Конструирование М Д П -транзисторов, работаю щ их в активном
реж име. Д л я транзисторов, работаю щ их в активном реж им е (к
ним относятся ключевые транзисторы всех инверторов и нагрузоч­
ный транзистор инвертора, изо­
браженны й « а рис. 2.15), с целью
получения малы х паразитны х
меж электродны х емкостей необхо­
димо вы бирать по табл. 2.1 мини­
мальную длину к а н а л а , обуслов­
ленную технологическими ограни­
чениями:

, = / 3- 2/, (2.49)

и подгонять отношение ширины и


длины к а н а л а bKflK,TeXB к требуемо*
му значению удельной крутизны
S 02, рассчитанному по формулам
(2.28), (2.32). О стальны е конст­
Рис. 2.21. Ч ертеж топологии М Д П - руктивные пар ам етры транзисто­
транзистора с П-образным каналом ра (размеры областей стока, ис­
тока, затвора, контактных окон
и т. д.) вы бираю т в соответствии с технологическими ограничения­
ми (см. табл. 2.1). Там ж е представлены чертежи топологии М Д П -
транзисторов с к а н а л а м и разны х типов электропроводности.
78
В случае, когда ЬкДк.техн^20, рекомендуется П -о б р аз н а я конфи­
гурация ка н а л а ключевого тран зи стора (рис. 2.21). Это имеет мес­
то при проектировании К М Д П -И М С .
Отдельно следует остановиться на ч ертеж ах топологии М Д П -
транзисторов д ля сложны х схем инверторов, где требуется обеспе­
чивать последовательное или п арал л ел ьно е соединение ключевых
транзисторов. Д л я повышения степени интеграции допускается
объединение областей стоков или истоков, как это сделано на
рис. 2.22, а, б\ 2.23, а, б.
м, с„иг

T 2EJ хУ 1 )
3’ .
°ч

и„иг
б)

Рис. 2.22. Чертеж топологии (а) Рис. 2.23. Чертеж топологии (а) и элект­
и электрическая схема (б) после­ рическая схема (б) параллельного вклю­
довательного включения М ДП- чения МДП-транзисторов
транзисторов

Конструирование М Д П -транзисторов, раб о таю щ их в пассивном


реж име. К ним относятся нагрузочные транзисторы инверторов с
пассивной нагрузкой типа и зображ ен н ы х на рис. 2.10, 2.13. У таких
транзисторов значение удельной крутизны Soi мож ет быть малым,
и д л я уменьшения площади, заним аем ой элементом, ц елесооб раз­
но выбирать минимальную ширину ка н а ла , обусловленную техно­
логическими ограничениями согласно табл. 2 .1:

2a - j - c д л я прямоугольной
формы стока (истока),
(2.50)
g д л я ступенчатой
формы стока (истока).

Д л и н у к а н а л а подгоняют в целях получения отношения Ьк.техв/1к,


соответствующего требуемому значению удельной крутизны Sow
рассчитанному по в ы р аж ен и ям (2.39), (2.40). Остальные конструк­
тивные парам етр ы вы бираю т в соответствии с технологическими ог­
раничениями (см. табл. 2.1). Ч е р теж топологии и электрическая
схем а нагрузочного тран зи стора с областям и стока (истока) сту*
пенчатой формы приведены на рис. 2.24, а, б.
Конструирование охранных диодов. О хранны е диоды использу*
ются во входных цепях цифровы х ком плем ентарных и обычных
М Д П -И М С и предназначены д л я предотвращ ения пробоя пленки
79
затворного диэлектри ка под действием статического электричества.
В качестве примера рассмотрим диодную защ итную схему входной
цепи инвертора К М Д П -И М С . В ходная цепь, электрическая схема
которой приведена на рис. 2.25, состоит из подключенных к входной
шине охранных диодов Д \ и Д 2. К ак известно, статический заряд,
накапли ваем ы й на выводах корпуса И М С или инструменте мон-
г. и

Рис. 2.24. Конструкция (а) Рис. 2.25. Д иодная


и электрическая схема (б) защ итная схема
' нагрузочного р-канального
М Д П -транзистор а

таж ни ка, м ож ет иметь положительный и отрицательный знаки.


П олож ительны й за р я д «стекает» через диод Д \, а отрицательный —
через диод Д 2. Т а к а я схема приводит к уменьшению входного со­
противления и появлению входного тока утечки в пределах 0,5—
— 1 мкА. Однако динамические парам етры схемы при правильном
проектировании охранных диодов практически не ухудшаются.
Описанная защ и тн ая схема не допускает подачу на вход на-
пряж ения и вх> и ж.п, что мож ет привести к протеканию через вход­
ную цепь больших токов и разруш ению диодов. Поэтому при вкл ю ­
чении ап п ар атур ы на К М Д П -И М С с защ ищ енны ми входными ц еп я­
ми н ап р яж ен и е питания следует п одавать раньш е входного сигна­
ла, а при выключении ап п аратуры — снимать позже. Н а х о д я т при­
менение и однодиодные защ итны е схемы, в которых используется
только охранный диод Д 2.
Основными требованиями при конструировании охранных д ио­
дов являю тся обеспечение достаточного нап ряж ени я пробоя
C ^ 2 U n.n), т а к как в рабочем состоянии схемы на диоды подается
обратное напряж ение, равное £/„.п, и получение малы х паразитных
емкостей. П ервое требование обеспечивается тем, что одной об­
ластью этих диодов служ и т низколегированная п о д л о ж к а ИМ С,
а другой — специально формируемые низколегированные участки*
Д л я получения малы х п аразитны х емкостей контактное окно к об­
ласти диода необходимо р а зр а б а ты в ат ь с учетом технологических
ограничений, указан ны х в табл. 2.1.
Ч е р теж топологии охранных диодов Д 2 и Д \ приведен на
рис. 2.26. Особенностью топологии является то, что электрический
контакт к я-области диода Д \ и p -области диода, осуществляется
через подложку.
80
Паразитные МДП-структуры и конструирование охранных колец.
В М Д П -И М С активные п арази тн ы е эф ф екты возникают за счет
об разован ия п аразитны х М Д П - и биполярных транзисторов. На
рис. 2.27, а , б д л я примера п о каза н а возможность о б разован ия п а­
разитного p -к ан ал а, меж ду диффузионными проводниками пита­
ния р+-типа, если поперечный проводник м еталлизации находится
под высоким отрицательным потенциалом.

Рис. 2.26. Ч ертеж топологии Рис. 2.27. Ч ертеж топо­


охранных диодов логии (а) и электриче­
ская схема (б) п ар ази т­
ного р-канального М ДП -
транзистора

Основным путем борьбы с паразитны м и кан алам и в обычных


р -М Д П и л -М Д П схемах явл яется такое повышение пороговых н а­
пряж ений п арази тн ы х структур, чтобы выполнялось неравенство
(2.51) и структуры не вклю чались при работе схемы. Это достига­
ется увеличением толщины изолирующего д и электри ка /гт.д либо
дополнительным легированием областей
Паразитный Паразитный
вне основных М Д П -стр уктур (см. р-канал п-канал
рис. 2.4).
Б л агоп ри ятн ы е условия д л я о б р а зо в а ­
ния паразитных кан алов имеются в кон­
щгшр-
Т Т Г 7Г 8
струкции с К М Д П -тран зи сто рам и . Ф р аг­
мент структуры инвертора с К М Д П -тран -
п
зисторам и показан на рис. 2.28. П а р а з и т ­
ный p -канал об разу ется м еж ду о б л а ст я ­
Рис. 2.28. О бразование па­
ми 3 и 6 при отрицательном потенциале разитны х каналов в инвер­
относительно подлож ки 1 на м еталличе­ торе с активной нагрузкой:
ском проводнике 4, соединяющем стоки 3 / — подлйжка; 2, 3 — исток и
и 8 КМ Д П -транзисторов. П арази тны й п - сток р-канального М Д П -транзи­
стора; 4 — металлический про­
ка н а л образуется м еж ду областям и 1 и водник; 5 — п + -охранное коль­
8 при положительном потенциале на про­ цо; 6 — р-карман; 7 — р + .охран­
воднике 4 относительно р -к арм ан а. Эти /г-канального ное кольцо; 8, 9 — сток и исток
М Д П -транзнетора
ка н а лы способствуют протеканию токов
утечки м еж ду транзисторам и за счет инверсии электропроводности
полупроводникового м а тери ал а на границе кремний — окисел.
Основным методом устранения паразитных каналов в К М Д П -
структурах явл яется применение охранных колец. Их формируют
81
л окальн ы м легированием в процессе формирования стоков и исто­
ков р- и /i-канальны х транзисторов. При этом каж д ы й р- и п-ка-
кальиый транзистор о к р уж аю т охранным кольцом соответственно
п+- и р +-типов. Д л я лучшей изоляции на кольцо р+-типа подают
самый низкий, а на кольцо п+- т и п а — самый высокий потенциал
схемы Пример выполнения ч ер теж а топологии охранного
кольца р+-типа п оказан в табл. 2.1. Н а структуре рис. 2.28 охр ан ­
ные кольца 5 (п+) и 7 (р+) разм ещ а ю т в областях об разован ия п а ­
разитных каналов.
Применение охранных колец существенно увеличивает площ адь
элементов К М Д П -И М С , поэтому при проектировании необходимо
стремиться к уменьшению их количества, используя одно кольцо
на группу транзисторов.
Конструирование эски за топологии кри ста л л а М Д П -И М С . Р а з ­
работку э ски за топологии кр и сталл а производят в такой после­
довательности:
1) р азм ещ а ю т контактные площ адки (К П ) по периметру крис­
т а л л а (нумерация контактных площ ад о к н ар ас тает против часовой
стрелки от К П ь к а к п оказано на
------------- '----- 3----- рис. 2.29), способы распозн аван и я КП[
□ □ □ □ D g s \ Фигуры от остальных ука зан ы в гл. 1;
□ I! п ®a совмещения
U 2 ) о ставляю т место >на периферии
кр и ста л л а д ля разм ещ ения фигур со­
! □ вмещ ения и тестовых элементов
и □ ш п □ (М Д П -т р а н зи с т о р о в );
3) выделяю т контактны е площ адки
д л я подведения цепей питания (£/и.п
Рис. 2.29. Пример размещения и « об щ ая » ), которые являю тся неиз­
контактных площадок и фигур менными д л я данной серии ИМ С;
совмещения на кристалле 4) если И М С содерж ит р яд одно­
типных схем, « р и стал л д ел ят на р а в ­
ные части (по площ ади) и проектируют топологию только одной
части с последующим разм нож ением;
5) эскиз топологии необходимо начинать с первой контактной
площ адки, а затем переходить от одного элемента к другому, р а з ­
мещ ая соединенные м е ж д у собой элементы в непосредственной
близости друг от друга с учетом технологических ограничений (см.
табл. 2.1);
6 ) в М Д П -И М С с алю миниевыми зат в о р ам и в качестве р а з в о д ­
ки используют диффузионные проводники и проводники м етал л и ­
зации, а в М Д П -И М С с кремниевыми затв ор ам и — диффузионные
проводники, проводники из поликристаллического кремния (как
продолж ение областей затворов) и проводники металлизации. Д л я
увеличения степени интеграции проводники м еталлизации ж е л а ­
тельно разм ещ а т ь перпендикулярно диффузионным и кремниевым
проводникам.
§ 2.7. Порядок расчета конструктивных
и электрических параметров элементов М ДП-ИМ С
П ор ядок расчета транзисторов обычных и ком плем ентарных
М Д П -И М С , имеющих различную схемотехническую реализацию ,
имеет свою специфику.
Типовое техническое за д а н и е на р азр а б о тк у конструкции
М Д П -И М С в качестве исходных данны х вклю чает электрическую
схему цифровой ИМС, коэффициент разветвления / ( р а з , емкость
н агрузки Са, время зад ер ж ки распространения сигнала t3ад, н а­
п ряж ение источника питания Un.п, выходное нап р яж ени е логиче­
ского нуля СУвых выходное н ап ряж ен и е логической единицы и 1 Ых>
статическую помехоустойчивость Unом, входную емкость СВх, поро­
говое нап ряж ени е паразитны х транзисторов Uопар, технологию и з­
готовления ИМ С, материал пластины и затворов, концентрацию
примеси в пластине No, плотность поверхностных состояний N a0B,
подвижность носителей з а р я д а в ка н а л е ц, технологические ограни­
чения на разм еры М Д П -структур.
П о р я д о к расчета параметров транзисторов р- и п -к а н а л ь н ы х
М Д П - И М С (данные ИМ С используют инверторы рис. 2.10, 2.13,
2.18):
1) изучают принцип работы ИМ С и связи ее электрических и
конструктивных парам етров по § 2.5;
2) рассчитываю т требуемое пороговое нап ряж ени е М Д П -т р а н ­
зисторов |£70| д ля обеспечения заданной статической помехоустой­
чивости по ф ормуле (2.37) при условии U l x = i f l bix и U l x = U вЫХ,
3) определяю т удельную емкость затвора относительно ка н а л а
Сзо для р- и n -кан альн ы х транзисторов по вы раж ен и ям (2 .10),
(2. 11);
4) находят толщину затворного диэлектрика Лд по ф ор м у ­
ле (2.4);
5) определяю т по схеме И М С количество последовательно вкл ю ­
ченных инверторов п и время выключения каж д ого инвертора г^ыкл
по вы раж ению (2.45);
6 ) рассчитываю т конструктивные п арам етры выходного инвер­
тора:
а) технологическую ширину к а н а л а &к1техн нагрузочного т р ан ­
зистора по табл. 2.1 и формуле (2.50);
б) удельную крутизну S 0i нагрузочных р- и п-канальных т р а н ­
зисторов по форм улам (2.39), (2.40) при заданной емкости н агруз­
ки Сн;
в) отношение ширины ка н а л а нагрузочного транзистора к его
длине ЬК1ТехнДк1 по форм уле (2.7) при заданны х значениях подви ж ­
ности носителей з а р я д а в к ан але ц,р или
г) технологическую длину к а н а л а /К2техн ключевого М Д П -тран -
зистора по табл. 2.1 и формуле (2 .49 );
д) отношение значений удельной крутизны ключевого и н агру­
зочного транзисторов тп по ф ормуле (2.28) при задан н ы х Umu и
U ВХ------
x — иI I ВхЫХ•1
83
е) отношение ширины к а н а л а ключевого тран зи стора к его
длине &к2/^к2техн по величине т\
ж) остальные конструктивные п арам етр ы нагрузочного и ключе­
вого транзисторов по д анны м табл. 2.1 с учетом рек ом ен д а­
ций § 2.6 ;
7) рассчитываю т конструктивные парам етр ы промежуточного
инвертора: после определения емкости нагрузки Сн промеж уточно­
го инвертора по в ы раж ению (2.47) ведут расчеты п ар ам етров по
п. а), б), в), д ал ее находят отношение значений удельной крутизны
ключевого и нагрузочного транзисторов т : д ля р -к а н а л ь н ы х — по
ф ормуле (2.28) и д л я л-канальны х — по формуле (2.32) при з а д а н ­
ных Ua.ni, UЦ.П2, U вх ~ ^ в ы х и затем конструктивные парам етры
согласно п. е) и ж ) ;
8) рассчиты ваю т конструктивные парам етр ы входного инверто­
ра (порядок расчета полностью совпадает с расчетом п ромеж уточ­
ного инвертора).
П ор я д о к расчета параметров транзисторов комплементарных
М Д П - И М С с к рем ниевы м и затворами (данные И М С используют
инверторы рис. 2.15 и 2.19):
1) изучаю т принцип работы инвертора с активной нагрузкой и
связи его электрических и конструктивных парам етров по § 2.5;
2) рассчиты ваю т требуемое пороговое нап р яж ени е М Д П -тран -
зисторов |[Уо| д ля обеспечения заданной статической помехоустой­
чивости по формуле (2.37) при условии U вх =£/вых и £/вх=£/вых;
з) определяют удельную емкость затвора относительно канала
Сз0 для р- и n-канальных транзисторов по формулам (2.10), (2.11)
при условии фмп=0;
4) находят толщину затворного д и электри ка /гд по формуле
(2.4) д л я р- и /г-канальных структур и вы бираю т большее значение;
5) проверяю т выполнение условия (2.33) д ля выбранного з н а ­
чения толщины затворного д иэл ектр и ка /гд;
6) рассчиты ваю т технологическую длину ка н а л а нагрузочного
транзистора (/К1техн) и ключевого транзистора (/К2техн) по табл. 2.1
и в ы раж ению (2.49);
7) рассчитываю т удельную крутизну S 0i нагрузочного транзисто­
ра по ф орм улам (2.41), (2.42) при зад ан н ы х значениях Сн и
^выкл = 2 ^зад в зависимости от схемы инвертора;
8) рассчиты ваю т удельную крутизну S 02 ключевого транзистора
по ф ормулам (2.42) или (2.41) при зад ан н ы х значениях Сн и
^выкл — 2 ^зад в зависимости от схемы инвертора;
9) находят отношение ширины к а н а л а нагрузочного и ключевого
транзисторов к его длине 6к1^ к 1техн и бкгДкгтехн по ф ормуле (2.7)
при зад ан н ы х значениях подвижности носителей з а р я д а ц р и Цп;
10) определяю т другие конструктивные парам етр ы ключевых и
нагрузочных транзисторов, охранных колец, диодов по табл. 2.1 с
учетом рекомендаций § 2.6.
Расчет паразитных связей и параметров М Д П - И М С . Р асч ет п а­
разитных связей и парам етро в вклю чает проверку наличия п а р а ­
зитных каналов, определение статического коэффициента разветв-
84
лення Краз и времени зад ер ж к и сигнала £3ад с целью контроля вы ­
полнения условий:

^Опар (2.51)

^раз раз.доп» (2.52)

(2.53)

П р авы е части неравенств (2.51) — (2.53) зад аю тс я в ТЗ, а л е­


вые части при проверке необходимо определить расчетным путем.
П р о в ер к а наличия паразитны х каналов включает:
1) анализ эскиза топологии кр и сталла д л я выявления областей
возможного образован ия п аразитны х каналов;
2 ) р азработк у мер повышения пороговых напряж ений п ар ази т­
ных структур для исключения их влияния. К таким мерам относят
выбор толщины толстого д и электри ка /гт.д, которая обеспечивала
бы требуемое пороговое нап р яж ени е паразитны х М Д П -структур
U о пар. Значение /гт.д определяю т из вы раж ений (2.10) и (2.11) со­
ответственно д ля паразитны х р- и п-каналов.
Д л я определения статического коэффициента разветвления т р е­
буется:
1) рассчитать удельную емкость проводника м еталлизации над
толстым диэлектриком Ст.д о по формуле (2.4), а та к ж е удельную
емкость перехода сток (исток) — п одлож ка Cj о по в ы р а ж е ­
нию (2.20);
2) д ля проверки неравенства (2.52) определить статический ко­
эффициент разветвления по формуле

(2.54)

где СМонт — емкость м о н таж а ( ~ 5 — 10 пФ ); Св х j — входная ем ­


кость ИМ С по /-му входу, опред ел яем ая как
*
Свх/ = ^ (^зп/-)~^'зи/)~1~^зс^М-|-(^кп~1~^пр) Ст.дО-j-CpxP» (2.55)

где k — количество транзисторов входного инвертора, включенных


п араллельно; Сзс — емкость затвор — сток ключевых транзисторов;
К м — коэффициент, учитывающий эф ф ект М иллера; 5 КП— площ адь
контактной площ адки; 5 пр — п лощ адь проводника м еталлизации
от контактной площ адки до затвора; С0хр— емкость охранных д ио­
дов.
Определение времени зад ер ж к и сигнала разработанной много­
каскадной М Д П -И М С вклю чает расчет конструктивной н агрузоч­
ной емкости Сц.констр промежуточного и входного инверторов по
ф о р м у л е (2.46) и по эскизу топологии кри сталла, а та к ж е проверку
неравенства
85
н.консТр (2.56)
где С„ — расчетное значение емкости (2.47).
При невыполнении условия (2.52) производят перерасчет топо­
логии входного инвертора путем увеличения времени его выключе­
ния, рассчитанного ранее по (2.5). Д л я однокаскадны х И М С целе­
сообразно переработать топологию входного инвертора, произведя
расчет на меньшую емкость нагрузки Сн. При невыполнении усло­
вия (2.53) или (2.56) необходимо произвести перерасчет топологии
промежуточных инверторов на большую емкость Сн', чем з ад ан о
в (2.47).

Пример расчета конструкции и топологии КМ ДП -И М С

Техническое задание
Р азраб отать конструкцию и топологию микросхемы И Л И — Н Е по следую*
щим исходным данным: электрическая схема (рис. 2.30); /СРа з = Ю ; Св = 50 пФ;

о—и !

7
005щии
Рис. 2.30. Электрическая схема микросхемы И Л И — Н Е

*зад = 50 не; <7и.п = 9 В ± 1 0 % ; С/°ых< ;0 ,3 В; U xb!X^ 7,5 В; УПо м = 0 ,9 В; техно­


логия КМ Д П ; технология м онтаж а кристалла в корпусе — ручная термоком»
прессия; материал пластины — КЭФ4.5 < 1 0 0 > ; м атериал затвора — поликри*
сталлический кремний; М0Л = Ю15 см-3 ; ^ = 2■ 10 1в см-3 ; Nn0Ji= ( l- i- 2 ) Ж
Х 1 0 “ см- 2 ; jx„ = 450 см2/( В - с ) ; jj,p = 2 5 0 см2/( В - с ) ; t/о п а р ^ Ю В; герметич»
ность корпуса 5 -1 0 -5 л-м км /с; Т = — 45-т- + 8 5 ° С.
Т ак как электрическая схема содерж ит четыре однотипных двухвходовых
инвертора, достаточно рассчитать конструктивные параметры только одного из
них. П оследовательность расчета соответствует приведенному ранее порядку:
1) по выражению (2.37) | i / 0| = l,46 В;
2) по формуле (2.10) С3о = 4 ,6 5 -1 0 -8 Ф/см2, а по формуле (2.11) С»о“
= 2 , 4 - 10~8 Ф/см2;
№ *» (0 ,0 7 5
3) по выражению (2.4) /гд = т а х j = m ax < = 0 , 1 5 мкм;

4) Уо1= —2,31 В, U02= 1,46 В, |УоП + г/о2 = 3 ,7 7 < £ /я.п = 9 В;


5) по табл. 2.1 и формуле (2.49) /к1техн = /к2техн==^з—2г = 3 мкм;
6) по выражению (2.42) S 0i= = 4 ,4 -10-4 А /В2;
7) по выражению (2.41) S 02= 1,93-10~ 4 А/В2;
8) по выражению (2.7) 6Ki/LiTexH = 73 и ЬК2/Л<2техн= 18.
Отсюда Ьк1= 219 мкм, а Ьк2 = 5 4 мкм.
Остальные размеры областей М ДП -транзисторов выбирают по табл. 2.1.

86
<3 UJ
s^ ^-i. g ’=J
S 51
<э X ^£
S§ |S
=3
e §&
Cl Co
*= S: e
»; ^
Й C; §l a* С
§S с: 3* cз
° c~ П
.§ LJ

И Л И — НЕ
кристалла КМДП-ИМС
Рис. 2.31. Топология
При разработке эскиза топологии кристалл разбиваю т на четыре равные
части и производят размещ ение транзисторов только первого инвертора (Г,— 7\,)
с учетом технологических ограничений. П лотность размещ ения элементов обес­
печивается последовательным соединением р-канальных транзисторов (Т\, Т2)
с объединенными стоковой и истоковой областями и параллельным соединенней
«-канальных транзисторов (Т3, Г4) через область подложки. Вариант топологии
кристалла с четырьмя двухвходовыми инверторами приведен на рис. 2.31. По
оси симметрии кристалла расположены фигуры совмещения.
Оценку качества разработанной топологии производят по ранее изложенной
методике. Д ля устранения паразитных /г-каналов вводят охранное кольцо р+-ти-
па, охватываю щ ее /г-канальные транзисторы инверторов, а для устранения ос­
тальных паразитных p -каналов толщину окисла кремния /гт.д в соответствии с
(2.10) делаю т равной 1,7 мкм.
Определенное по (2 .5 4 ) значение статического коэффициента разветвления
/Сраз = 57>/С раз.доп = 10 удовлетворяет требованиям технического задания, по­
этому доработку эскиза топологии не производят.