Вы находитесь на странице: 1из 47

СОДЕРЖАНИЕ

№2 (160), 2017 г. ЭЛЕКТРОНИКА: ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА


Информационно-технический
Infineon: портрет компании
журнал
Георгий Келл ...................................................................................................................3

Учредитель – ООО «КОМПЭЛ» ПРАКТИКУМ

Летать! – дрон на компонентах STMicroelectronics


Издается с 2005 г. Вячеслав Гавриков..........................................................................................................6

Свидетельство о регистрации: АКБ EEMB для питания дрона


ПИ № ФС77-43993 Сергей Миронов ...........................................................................................................18

Защити свой дрон с помощью компонентов Littelfuse


Антон Стильве...............................................................................................................19

ТЕОРИЯ
Редактор:
Геннадий Каневский Тиристоры с малым уровнем потерь для мощных приложений
vesti@compel.ru (Infineon)
Йенс Пржибилла, Уве Кельнер-Вердехацзен, Себастьян П. Соммер.......................24

Выпускающий редактор: ИННОВАЦИИ


Снежана Холодова
IoT: как совместить передачу данных на большое расстояние и подключение
смартфона? (Texas Instruments)
Редакционная коллегия: Свейн Ветти, Джонас Олссон, Джина Копли .............................................................27
Андрей Агеноров
Евгений Звонарев
Александр Маргелов ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ
Николай Паничкин
Борис Рудяк Источник питания для беспроводного диммера без использования нейтрали:
типовая разработка и ее испытания (Texas Instruments)
Ситараман Девендран, Сурья Мишра, Абед Мисра ..................................................33

Дизайн, графика, верстка: ПОЛИГОН


Елена Георгадзе
Евгений Торочков Сравнительное тестирование литий-тионилхлоридных батареек
(Varta, Minamoto, EEMB, EVE, Robiton, Saft, Tekcell)
Сергей Миронов ...........................................................................................................44
E-mail-рассылка
и продвижение:
Снежана Холодова
Екатерина Железнова
Александра Гирина

Электронная подписка:
www.compel.ru/mail

Распространяется бесплатно
3 6 24
в электронном виде

Подписано к публикации: Если вы хотите предложить интересную тему для статьи в следующий номер журнала –
8 марта 2017 г. пишите на адрес vesti@compel.ru c пометкой «Тема в номер» или в рубрику «Я – автор»
раздела «Разработчикам» сайта www.compel.ru.

WWW.COMPEL.RU 1
ОТ РЕДАКТОРА

Уважаемые читатели!
Вежливость – прежде новшествами, с выводами об их практическом значении и
всего, поэтому разрешите возможном применении, а также статьи об оригинальных
представить вам обнов- схемотехнических решениях.
ленный журнал «Новости Переменных рубрик теоретически может быть сколь-
электроники»! ко угодно, однако пока мы остановились на следующем
Журнал существует их наборе: «Компоненты», «Инновации» (статьи о новых
уже почти двенадцать лет, технологиях), «Вендоры предлагают» или «Импорт тех-
и в какой-то момент нам нологий» (переводные статьи о типовых разработках ком-
показалось, что мы ушли паний-производителей), «Российские разработки» (статьи
от реальных проблем отечественных производителей электроники о разработках
разработчиков электро- с применением элементной базы, поставляемой компанией
ники и перестали быть КОМПЭЛ), «Руководство по выбору», «Рейтинг» (хит-па-
интересны нашей основ- рады изделий различных товарных групп) и «Полигон» (от-
ной аудитории. Эту ситуа- четы об испытаниях).
цию было необходимо ис- Мы планируем повысить наглядность – увеличить коли-
править. чество иллюстраций, ввести видеоматериалы. После каж-
Прежде всего мы от- дой статьи появятся кнопки «понравилось» или «не пон-
казались от тематического и «брендового» принципов фор- равилось», а также «поделиться». Призываем вас активно
мирования номеров журнала. Больше не будет выпусков, пользоваться ими – это поможет нам оценить наши усилия.
целиком посвященных продукции какого-либо производи- Возможно, прочитав все это, вы захотите радостно под-
теля или одной товарной группе (хотя мы оставляем за со- держать наши обновления, предложить свои рубрики или,
бой право время от времени возвращаться к этой практике, наоборот, резко (но аргументированно) возразить про-
но не в качестве базовой). тив изменений, а прочитав новый номер журнала, захоти-
Вас ждет новый формат журнала с разнообразием руб- те задать множество вопросов. В любом случае призываю
рик. Рубрики мы запланировали двух видов: постоянные, вас написать об этом на адрес электронной почты vesti@
которые будут повторяться из номера в номер, и «перемен- compel.ru.
ные», которые будут появляться в журнале по мере написа-
ния актуальных статей и заметок.
Основных постоянных рубрик у нас пока будет три. Это,
во-первых, «Электроника вчера, сегодня, завтра», где бу-
дут материалы о состоянии отрасли, слияниях и поглоще-
ниях, об истории компаний, наиболее известных в отрасли
брендов и легендарных изделий. Во-вторых, «Практикум» –
практические рекомендации по разработке, пошаговые
инструкции, старт-гайды, секреты применения, описания
средств разработки и отладки. В-третьих, «Теория» – обзо- С уважением,
ры линеек компонентов, отличающихся технологическими Геннадий Каневский

2 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ЭКОНОМИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

Георгий Келл

INFINEON:
ПОРТРЕТ КОМПАНИИ

в 1954 году в лаборатории был разработан


В нашу рубрику «Экономика вчера, сегодня, завтра» любезно согласился писать метод получения сверхчистого кремния
статьи известный аналитик рынка электронных компонентов и знаток истории за счет химического парофазного осажде-
отрасли, директор по развитию компании Мир Электроники (г. Самара) Георгий ния (ХПО) из газовой среды с дальнейшей
зонной плавкой для очистки от примесей
Келл. Читатели со стажем помнят его статьи в журнале «Новости электроники»
и преобразования поликристаллическо-
– и вот сотрудничество возобновлено. Первый обзор – о компании Infineon, дист-
го кремния в монокристаллический. Этот
рибьютором продукции которой КОМПЭЛ стал в 2016 году. метод получения чистого кремния, пре-
терпев множество усовершенствований,
широко используется наряду с методом

Н
емного найдется в электронной лось всего 40 тыс. человек. В самом кон- Чохральского и в наши дни.
отрасли компаний, корни кото- це войны компания приняла программу
рых уходят в XIX век. Но в Евро- переноса в районы, не слишком затрону- Полупроводниковая тематика была в
пе такое вполне возможно, ведь тые войной, уцелевших и создания новых сфере внимания и других лабораторий
именно это время было отмечено бурным предприятий и лабораторий. Таких новых Siemens. В 1953 году Генрих Велкер об-
ростом промышленности и возникнове- «площадок» было создано около 400. наружил, что некоторые соединения 3- и
нием известных брендов. 5-валентных материалов, например, ар-
Одна из новых лабораторий была со- сенид галлия, обладают полупроводнико-
И лучшим примером, несомненно, яв- здана летом 1946 года в поместье (или, как выми свойствами. Эти материалы в даль-
ляется компания Infineon, созданная в пишут в официальной истории компании, нейшем стали основой для производства
1999 году на базе полупроводникового «в небольшом замке») баварского селения светодиодов.
Прецфельд в 50 км к северу от Нюрнберга.
Ее руководителем стал Эберхард Спенке, В 1959 году Siemens открывает фабрику
Компания: Infineon Technologies переехавший из Берлина, где он трудил- в Регенсбурге, изначально предназначен-
Штаб-квартира: Нойбиберг, Германия ся в лаборатории Siemens над разработ- ную для производства керамических кон-
Образована: 1999 г. кой оборудования для обнаружения мин. денсаторов, но впоследствии перепрофи-
CEO: Рейнхард Плосс А научным консультантом был Вальтер лированную на полупроводники. В наши
Штат: 36 300 человек Шоттки – легендарный немецкий ученый дни около 2 тыс. человек заняты здесь на
Объем продаж за 2016: €6,47 млрд. (ученик Макса Планка), с именем которо- производстве 200-мм пластин. В 60-е годы
го связаны многие изобретения в области начинается активное внедрение полупро-
электроники: ленточный микрофон и ди-
подразделения концерна Siemens, ко- намик, ламповый пентод, супергетеродин-
торый к тому времени превратился из ный эффект. Но основным его открытием
небольшой телеграфной мастерской, стал эффект выпрямления переменного
основанной в 1847 году Вернером фон тока на переходе «полупроводник-металл»,
Сименсом и Иоганном Гальске, в глобаль- получивший название «эффект Шоттки» и
ный холдинг в области электротехники, реализованный в хорошо известном всем
электроники, энергетики, транспорта, электронщикам диоде Шоттки.
медицинской и светотехники.
Поскольку Шоттки и Спенке были соав-
Вторая мировая война закончилась торами опубликованной еще в 1939 году
для компании Siemens убытком в 2,58 статьи ”Zur quantitativen Durchfuhrung der
млрд. рейхсмарок (примерно 4/5 всех ее Raumladungs- und Randschichttheorie der
активов), что было, в первую очередь, ре- Kristallgleichrichter” («Количественное вы-
зультатом бомбардировок союзниками ражение поверхностного заряда и теория
ее предприятий в крупных промышлен- поверхностных слоев полупроводниковых
ных центрах Германии. На этих предпри- диодов»), в которой описывался принцип
ятиях к 1944 году трудилось 244 тыс. ра- действия диодов с переходом «металл-
ботников (более 50 тыс. из которых были полупроводник», не удивительно, что те-
военнопленными и подневольными ра- матикой лаборатории стали именно полу-
бочими). В 1946 году в компании труди- проводники. Первый успех пришел, когда Вальтер Шоттки в 1954 году

WWW.COMPEL.RU 3
ЭКОНОМИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

компанией чипы защищенной памяти ста-


ли использоваться в телефонных картах.
В том же году компания представила пер-
вый защищенный smart SIPMOS-транзис-
тор BTS412.

В 1989 году компания представила


первый европейский 16-разрядный мик-
роконтроллер 80C166. В том же году
компания приобрела английского произ-
водителя электроники Plessey и переда-
ла свой бизнес пассивных компонентов в
совместрое предприятие (СП) с японской
компанией Matsushita. В 1999 году ком-
пания S+M (так называлось это СП) была
деконсолидирована в самостоятельную
компанию Epcos, которая в 2008 году ста-
ла частью японской же компании TDK.
Фабрика Siemens/Infineon в Регенсбурге

В 90-е годы компания вышла на рынок


GSM-телефонии, выпустив очень популяр-
ный чипсет для сотовых телефонов. Летом
1994 года канцлер Германии Гельмут Коль и
CEO Siemens Хайнрих фон Пирер заложили
камень в основание новой полупроводни-
ковой фабрики в Дрездене, рассчитанной
на производство 200-мм пластин. Фабри-
ка расположилась на бывшей территории
советской воинской части (11-й танковой
дивизии, 1-й танковой армии ЗГВ) в районе
Клоче, вблизи аэропорта, и была постро-
ена в рекордные 9 месяцев. В те годы она
стала крупнейшей европейской фабрикой
по производству полупроводников с чис-
лом работающих 2 тыс. человек.

Компания Eupec, созданная в 1990


году как СП между Siemens и AEG для
производства силовых полупроводни-
Фабрика Siemens в Дрездене ков на заводе в Варштайне, перешла под
полный контроль компании. Около 2 тыс.
водниковой продукции Siemens в электронную технику европейских производителей. человек трудится там и сейчас, выпуская
Так, в 1963 году меза-планарные ВЧ-транзисторы стали массово использоваться компа- мощные IGBT-модули для энергетики и
нией Grundig в производстве телевизоров. В 1966 году компания Siemens объявила о транспортных применений. В 1997 году
начале массового выпуска первых европейских интегральных схем. выпущено новое семейство МОП-тран-
зисторов CoolMOS™ с пятикратно умень-
В 1969 году в результате реструктуризации компании Siemens создано подраз- шенным сопротивлением канала отно-
деление электронных компонентов (Bauelemente). Пять других бизнес-направле- сительно предшествующего семейства
ний – Data Systems, Power Engineering, Electrical Installations, Medical Engineering и SIPMOS™. А в 1998 году был начат выпуск
Telecommunications – также стали более автономными. На этот момент в компании очень полулярных у автомобилестроите-
трудилось уже более 270 тыс. человек, а годовой оборот превысил 10 млрд. дойчма- лей 32-разрядных микроконтроллеров
рок. В 1970 году завершено строительство полупроводниковой фабрики в австрий- семейства TriCore™ – каждый третий ав-
ском Филлахе. Ее первой массовой продукцией стали пассивированные стеклом вы- томобиль в последующем десятилетии
прямительные диоды. имел «на борту» чип из этого семейства.

В 1971 году компания Siemens начинает выпуск красных светодиодов, а в 1974 Наступил 1999 год, и 1 апреля (так
разрабатывает оптоэлектронный ИК-тракт, который, начиная с 1976 года, компания совпало) подразделение Siemens
Grundig первой в мире стала применять в пультах ДУ телевизоров. В 1979 году на ры- Semiconductor было выделено (spin-off)
нок поступает первый SIPMOS™-транзистор BUZ10, а в 1984 компания вступает в кон- в новую компанию Infineon Technologies
курентную борьбу с японцами, запустив проект MEGA, результатом которого стал вы- AG, 100% которой принадлежало
пуск в 1987 году первой европейской мегабайтной DRAM. В 1986 году разработанные Siemens. Название было синтезировано

4 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ЭКОНОМИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

из английского infinity (бесконечность) и греческого eon (вечность). Прозаической


причиной возникновения этой «вечной бесконечности» стали убытки Siemens в биз-
несе DRAM-памяти (только в 1998 году они составили $674 млн.). Уже через год ком-
пания провела IPO на биржах Нью-Йорка и Франкфурта, а к концу 2001 года Siemens
уменьшила свою долю в Infineon до 41,3%, что, несомненно, порадовало акционеров.

Успешный процесс spin-off (1999 финансовый год был завершен с прибылью в $70
млн.) был несомненной заслугой Ульриха Шумахера, являвшегося с 1996 года президен-
том и CEO Siemens Semiconductors и возглавившего новую компанию. Он сместил ак-
цент на производство чипов для смарт-карт и завоевал 34% рынка. Разразился кризис
2001 года, затронувший всех производителей полупроводников, однако в этих условиях
компания смогла первой осуществить переход на пластины диаметром 300 мм при про-
изводстве памяти, составлявшей 30...40% всего оборота. И в том же 2001 году Infineon
освоил производство дискретных полупроводниковых приборов на карбиде кремния
(SiC). Стоит отметить, что Ульрих Шумахер покинул Infineon в 2004 году, не согласившись
с позицией Совета директоров о дальнейших путях развития компании.
Ульрих Шумахер, СЕО компании Infineon
Не лишним будет напомнить, что в 1999 году была создана компания Osram Opto в 1999-2004 г.г.
Semiconductors – СП с участием Infineon (49%) и Osram (51%). Последняя была со-
здана еще в 1919 году как объединение светотехнических бизнесов Siemens & Halske,
AEG и Auer-Gesellschaft. Имя компании сформировалось путем слияния частей назва-
ния металлов осмий и вольфрам (Osmium + wolfRAM) – главных составляющих нитей
накаливания осветительных ламп. Но уже летом 2001 года все акции Infineon’а были
выкуплены Osram за €565 млн.

Последующие годы стали периодом глобального роста компании. В 2002 году от-
крывается R&D-центр в Бангалоре (Индия), а в 2003 году – новый офис в Шанхае (Ки-
тай). В 2005 создаются центр разработок силовых полупроводников в Бухаресте (Ру-
мыния) и штаб-квартира для азиатско-тихоокеанского региона в Сингапуре, а в 2006
году вводится в строй полупроводниковая front-end-фабрика в Кулиме (Малайзия). Не
забыта была и Германия – в 2006 году компания переезжает в новую штаб-квартиру в
баварском Нойбиберге, где на 62 га ландшафтного парка разместились «дружествен-
ные к окружающей среде» офисы для 5 тыс. сотрудников.

С 2006 года Infineon начинает переформатирование бизнес-направлений – в первую


очередь избавляется от производства памяти, выделив его в отдельное предприятие
Рейнхард Плосс, СЕО компании Infineon
Qimonda, куда переходит 12 тыс. сотрудников и передается пять фабрик по производс- с 2012 года
тву 300 мм пластин. Но рынок микросхем памяти продолжает оставаться «недружест-
венным», и через три года Qimonda будет обанкрочена. В 2007 году компании Avago кторской диссертации. В настоящее время
продается ВОЛС-бизнес, а в 2008 компания LSI покупает бизнес микросхем для нако- в компании существует четыре бизнес-сег-
пителей на жестких дисках. В июле 2009 Infineon выделяет свой бизнес микросхем для мента, продукция для которых выпускает-
проводной связи в компанию Lantiq, и в ноябре продает его инвестиционной компа- ся на 19 фабриках по всему миру:
нии Golden Gate Capital. Позднее, в 2015 году, Lantiq станет частью Intel. Но еще в 2010
году Intel покупает у Infineon бизнес микросхем беспроводной связи и переводит около • Automotive – 41% оборота
3500 сотрудников в свой департамент Mobile Communications. • Power Management & Multimarket –
31% оборота
В августе 2014 года Infineon анонсирует крупнейшую в своей истории M&A-сделку – • Industrial Power Control – 17% обо-
покупку за $3 млрд. американской компании International Rectifier, а к октябрю 2015 рота
года сделка успешно завершается и штат компании вырастает до 35400 человек. Компа- • Chip Card & Security – 11% оборота
ния Infineon выходит в лидеры рынка силовых дискретных полупроводников широкого
назначения и получает доступ к перспективной технологии GaN-полупроводников. В заключение следует отметить, что под-
робная информация о продукции Infineon,
Последние 10 лет компания Infineon постепенно поднимается в мировых рейтин- с примерами применения и средствами
гах производителей полупроводников. По данным аналитической компании IHS в 2006 разработки, размещена на сайте компа-
году компания занимала 15 место, а в 2015 – 12. В аналогичном рейтинге от компании нии – www.infineon.com.
IC Insights за те же годы компания переместилась с 12 на 11 место. Но стоит вспом-
нить, что в 2006 году, с учетом продажи Qimonda, компания занимала 4 место в Top-10
от iSuppli.
С октября 2012 года Infineon’ом руководит Рейнхард Плосс, с 2007 года входивший Оцените статью:
в Совет директоров компании. А пришел он в компанию, – тогда еще Siemens – в дале- Нравится Не нравится
ком 1986 году после окончания Мюнхенского Технического Университета и защиты до-

WWW.COMPEL.RU 5
ПРАКТИКУМ

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

ЛЕТАТЬ! – ДРОН НА КОМПОНЕНТАХ


STMICROELECTRONICS

• микросхемы семейства Teseo II и


Разработчикам беспилотных летательных аппаратов (БПЛА) приходится Teseo III для систем глобального
использовать широкий спектр электронных компонентов – от силовых транзис- позиционирования (GPS/Galileo/
торов и МЭМС-датчиков до микроконтроллеров и беспроводных трансиверов. Вы- Glonass/Beidou2/QZSS).
бор элементной базы осложняется тем, что в большинстве случаев инженеры вы-
нуждены применять продукцию разных производителей: мало кто производит все Отдельно рассмотрим анонсирован-
необходимое для создания такого непростого приложения. Однако есть и исключе- ные ST демонстрационные наборы, кото-
ния, например, компания STMicroelectronics. рые должны выйти в течение 2017 года.

Для любого коммерческого продукта

Н
едавно в информационных лен- выбор элементной базы. Это осложня- этап разработки следует только после ис-
тах появилась новость о том, ется тем, что найти весь спектр элект- следования рынка и изучения законода-
что в России может появить- ронных компонентов у одного произво- тельной базы.
ся новая профессия – опера- дителя практически нереально. Тем не
тор беспилотного летательного аппарата менее, есть и исключения. В частности, РЫНОК ДРОНОВ: ВСЕ ВЫШЕ, И ВЫШЕ,
(БПЛА) [1]. С точки зрения электронной компания STMicroelectronics предлага- И ВЫШЕ!
отрасли это известие является еще од- ет практически весь спектр необходи- Прежде чем начать разработку како-
ним подтверждение высокого интереса к мых элементов. го-либо устройства, следует внимательно
рынку БПЛА. изучить его потенциальные рынки сбыта.
Сделаем небольшой обзор рынка БПЛА не являются исключением. Не сек-
Сейчас на рынке дронов присутствует дронов и его потенциала, а также рас- рет, что ниша самых простых и маленьких
огромное количество моделей, которые смотрим основные нормативные акты игровых дронов достаточно плотно «за-
условно можно поделить на три группы: по использованию БПЛА в России. Ос- селена» азиатской продукцией. Конкури-
простейшие дроны-игрушки, дроны об- новная часть статьи посвящена особен- ровать в этом сегменте тяжело. Гораздо
щего назначения и профессиональные ностям построения дронов на элемент- более привлекательными выглядят сег-
БПЛА (рисунок 1). Они отличаются не ной базе компонентов из номенклатуры менты дронов общего назначения и про-
только по функциональности и цене, но STMicroelectronics: фессиональных БПЛА.
и по технической реализации. Дроны-иг-
рушки в большинстве случаев оказыва- • микроконтроллеры семейства В начале 2010 гг. преобладали про-
ются маломощными и служат для развле- STM32; гнозы, что к 2015 г. рынок дронов не бу-
чения. При их создании ориентируются • транзисторы StipFET F7 и драйверы дет превышать $1 млрд. В реальности, по
на невысокую цену и простоту сборки, а силовых ключей; данным J’son & Partners Consulting, в 2016
вся электроника умещается на одной пе- • МЭМС-датчики и инерционные мо- он достиг $7,3 млрд, а в 2020 составит
чатной плате. Дроны общего назначения дули; около $9,5 млрд [1]. Российский рынок в
и, тем более, профессиональные БПЛА • датчики параметров окружающей 2016 году оценивается в $147 млн, про-
чаще всего строятся по модульному при- среды; гнозируемые объемы к 2020 году могут
нципу и оказываются на несколько по- • датчики приближения VL6180; превысить $224 млн.
рядков сложнее, мощнее и дороже. • беспроводные приемопередатчики
субгигагерцевого диапазона, моду- Здесь нужно отметить, что прогнозы
Чтобы создать профессиональный ли Bluetooth и Wi-Fi; по быстро развивающемуся рынку дро-
дрон, потребуется широчайший спектр
электронных компонентов: транзисторы
и диоды для питания двигателей, микро-
контроллеры для управления отдельны-
ми драйверами и всем БПЛА в целом,
МЭМС-датчики для стабилизации поле-
та, радиотрансиверы для связи с опера-
тором, микросхемы питания для работы
с аккумуляторами и так далее. Таким об-
разом, схемотехникам придется потра-
тить огромное количество времени на Рис. 1. Три группы беспилотных аппаратов

6 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

Рис. 2. Функции электроники в составе мультикоптеров

нов почти всегда оказываются неточ- потенциал в $127 млрд. Очевидно, что По сути, все перечисленные факторы
ными. По этой причине аналитическая при стечении ряда обстоятельств про- являются следствием невнятной законо-
компания PricewaterhouseCoopers (PwC) гнозы вновь могут не оправдаться. Для дательной базы. Сейчас в большинстве
подошла к этому вопросу с другой сторо- этого есть свои предпосылки. Дело в том, стран она находится в зачаточном состо-
ны [2]. Она оценила потребности в БПЛА что на рынке электроники наблюдается янии.
в восьми ключевых областях (таблица 1). появление компонентов, «заточенных»
Оказалось, что потенциал рынка даже без именно под создание дронов. Их внед- ОСОБЕННОСТИ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВА
учета военной отрасли превышает $127 рение может как снизить стоимость ко- В ОБЛАСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ БПЛА
млрд! Большая часть из этой суммы при- нечных устройств, так и перенести БПЛА Дроны являются источником повы-
ходится на дроны общего назначения и на качественно новый уровень развития. шенной опасности. При этом их количес-
профессиональные БПЛА. Впрочем, стоит Это неизбежно приведет к скачкообраз- тво растет, а используются они зачастую
отметить, что в данном случае под БПЛА ному росту рынка. в непосредственной близости от людей.
понимаются не только мультикоптеры, Государственные органы, понимая это,
но и БПЛА самолетного типа. Особенно Впрочем, нужно отметить и негатив- начали построение соответствующей за-
это касается отраслей инфраструктуры и ные факторы, препятствующие росту [2]: конодательной базы. Перед тем, как за-
сельского хозяйства, в которых требует- пустить дрон собственной разработки,
ся обеспечение значительной дальности • отсутствие правил безопасности; необходимо ознакомиться с существую-
полета. • отсутствие инструментов обеспече- щими нормативными актами.
Таким образом, мы имеем две циф- ния конфиденциальности данных;
ры: прогнозируемый рост до $9,5 млрд • слабое развитие системы страхова- Стоит отметить, что нормативное за-
к 2020 году и существующий уже сейчас ния. конодательство в РФ не устоялось, и про-
изводителям необходимо внимательно
Таблица 1. Мировой потенциал рынка дронов следить за вносимыми в него изменени-
ями и нововведениями. На настоящий
Потенциальный объем рынка,
Область
$ США, млрд
момент наиболее важными являются три
документа:
Инфраструктура 45,2
Сельское хозяйство 32,4 • Постановление Правительства РФ от
Транспорт 13 11.03.2010 N 138 (ред. от 12.07.2016)
«Об утверждении Федеральных
Безопасность 10
правил использования воздушного
СМИ и индустрия развлечений 8,8 пространства Российской Федера-
Страхование 6,8 ции» [3]
• Закон «О внесении изменений в
Телекоммуникационные услуги 6,3
Воздушный кодекс Российской Фе-
Горнодобывающая промышленность 4,4 дерации в части использования

WWW.COMPEL.RU 7
ПРАКТИКУМ

беспилотных воздушных судов» [4].


Согласно этому закону, государс-
твенной регистрации подлежат
беспилотные воздушные суда, за
исключением беспилотных граж-
данских воздушных судов с макси-
мальной взлетной массой 0,25 ки-
лограмма и менее
• Порядок регистрации БПЛА будет
определяться дополнительным
постановлением правительства «Об
утверждении порядка учета беспи-
лотных воздушных судов, ввезен-
ных в Российскую Федерацию или
произведенных в Российской Феде-
рации» [5]. В настоящий момент этот
закон пока не действует и находится
в состоянии обсуждения и согласо-
вания, но именно на этот документ
следует ориентироваться произво-
дителям БПЛА

Последнее постановление устанавли-


вает правила регистрации БПЛА в ФСБ.
Юридическое или физическое лицо, из-
готовившее или ввезшее БПВС в Россий-
скую Федерацию, подает в Федераль- Рис. 3. Профессиональные дроны состоят из отдельных функциональных электронных модулей
ную службу безопасности заявление,
в котором содержится полный список
сведений как о БПЛА (государство изго-
товитель, тип, серийный номер, год из-
готовления, назначение, наименование
производителя или имя изготовителя,
максимальная взлетная масса, тип и ко-
личество двигателей, взлетная масса),
так и о самом владельце (наименование
юридического лица или имя владельца,
паспортные данные, адрес, номер те-
лефона, номер налогоплательщика или
ИНН и так далее).

Очевидно, что практически любой


дрон, за исключением детских игрушек,
весит более 250 г, и значит, должен быть
зарегистрирован. Столь жесткие нормы
действуют не только в России, но и в США
и других развитых странах [1]. Это объяс-
няется тем, что даже небольшой БПЛА по-
тенциально может стать источником тер-
рористической угрозы. С этим сложно не
согласиться.

Таким образом, перед тем как начать


разработку дрона, следует тщательно
взвесить все «за» и «против». Это касает-
ся как коммерческой составляющей, так
и возможности обеспечения требуемой
безопасности. Если же решение о разра-
ботке и производстве принято, то следу-
ет определиться со структурой дрона и
используемой элементной базой. Рис. 4. Выбор коммуникационных интерфейсов для связи функциональных узлов в дронах

8 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

ГЛОНАСС, но существуют также системы


ГАЛИЛЕО (Европа), BeiDou2 (Китай), QZSS
(Япония).

Очевидно, что решение перечислен-


ных задач сильно зависит от типа дрона.
Если речь идет об игрушке, то все функ-
ции значительно упрощаются, например,
навигация вряд ли вообще понадобится.
К тому же, мощность моторов является
невысокой. По этой причине все функ-
циональные блоки могут уместиться на
одной единственной плате. Мощность
двигателей в дронах общего назначения
обычно оказывается достаточно высокой,
и для их управления требуются мощные и
габаритные дискретные транзисторы и
драйверы. В таких случаях контроллеры
электродвигателей (контроллеры скоро-
сти, Electronic Speed Control, ESC) выделя-
ют в отдельные модули. Если речь идет о
профессиональных дронах, то в них поч-
ти всегда используется модульная систе-
ма. Каждый электронный блок выполняет
одну из перечисленных выше функций –
драйверы двигателей (FSC), плата управ-
ления (Flight Control Unit, FCU), инерци-
онный модуль IMU, радиопередатчик,
модуль питания, модуль навигации (ри-
Рис. 5. Номенклатура микроконтроллеров STM32 от ST сунок 3).

На этапе проектирования важно пра-


ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СТРУКТУРА Координация в пространстве и за- вильно организовать структуру дрона,
МУЛЬТИКОПТЕРА щита от столкновений. Для обеспече- решить, из каких блоков он будет состо-
Дрон представляет собой сложное ус- ния требуемого уровня безопасности ять. Следующим шагом будет определе-
тройство. При его создании потребуется необходимо контролировать параметры ние коммуникационных связей. Выбор
решить множество задач (рисунок 2). полета (высоту, температуру) и вовремя интерфейсов зависит от типа дрона и
определять препятствия. Для этого при- особенностей модуля. Например, мини-
Эффективное управление двигате- меняется целый спектр различных дат- атюрные игрушечные дроны вполне мо-
лями. Как правило, в состав дрона вхо- чиков: датчиков высоты, приближения и гут обойтись простыми интерфейсами
дят не менее четырех электромоторов. прочих. I2C или UART, которые не требуют допол-
Для управления их работой потребуются нительных приемопередатчиков и име-
силовые транзисторы, микроконтроллер, Связь с оператором. Для управления ют малую стоимость реализации. Чтобы
драйверы. дроном чаще всего используются радио- обеспечить высокую надежность и поме-
интерфейсы (субгигагерцевые, Bluetooth, хозащищенность, в профессиональных
Стабилизация полета. При решении Wi-Fi и так далее). дронах используют более продвинутые
этой задачи необходимо определять по- протоколы: CAN или RS-422/485 (рису-
ложение дрона в трех плоскостях (крен, Управление питанием. Эта зада- нок 4). Некоторые блоки могут иметь и
тангаж, рыскание). В настоящее время ча включает в себя контроль за уров- особые интерфейсы. Например, драйве-
для этой цели используются различные нем заряда аккумуляторов, обеспечение ры двигателей поддерживают задание
МЭМС-датчики: акселерометры, гироско- процесса заряда и функций защиты при скорости вращения посредством ШИМ-
пы, магнитометры. возникновении аварийных ситуаций (на- сигнала, передаваемого от управляюще-
пример, перегрева батарей, коротких за- го контроллера.
Общее управление полетом включа- мыканий и прочего).
ет в себя подзадачи: прием сигналов уп- Несложно отметить, что для реализа-
равления от оператора, формирование Навигация. Функция чрезвычайно ции практически каждой задачи необхо-
задающих сигналов для контроллеров важная для профессиональных дронов, дим микроконтроллер. При этом требова-
двигателей, стабилизацию полета, управ- которые работают на значительных уда- ния к ним могут очень сильно отличаться.
ление питанием и так далее. Все эти фун- лениях от оператора или совершают ав- Если от процессора центрального блока
кции обычно возлагают на мощный цент- тономные полеты. Для отслеживания по- управления (FCU) требуется максималь-
ральный процессор. ложения чаще всего применяют GPS или ная производительность, то для драйвера

WWW.COMPEL.RU 9
ПРАКТИКУМ

электродвигателей важным преимущест-


вом станет наличие специализированной
периферии (об этом – ниже). Для модуля
датчиков критичным является уровень
потребления. Если же речь идет о недо-
рогом дроне, то и выбирать контроллеры
необходимо с оглядкой на их стоимость.

В случае использования микроконт-


роллеров STM32 производства компа-
нии STMicroelectronics проблем с выбо-
ром у разработчиков не будет.

ОБЗОР МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ STM32


ОТ ST Рис. 6. Принцип работы бесколлекторных двигателей
Компания STMicroelectronics является
одним из лидеров в области производс- максимальным разнообразием пе- • STM32F0 – семейство, построен-
тва микроконтроллеров. Наибольшей риферии, например, USB, Ethernet, ное на базе ядра Cortex®-M0 с ра-
популярностью пользуются семейства CAN, HDMI, DFSDM, ЕАЕ-контрол- бочей частотой «всего» 48 МГц, ко-
STM8 и STM32. Для создания дронов мо- лер, графический ускоритель, кон- торое имеет объем памяти Flash
гут использоваться представители обо- троллер внешней памяти FMC и так 16...256 кбайт. Основными досто-
их семейств, но «смешивать» различные далее. Семейство STM32F7 остава- инствами этих микроконтроллеров
контроллеры в одном устройстве было лось наиболее мощным в номенк- является сверхнизкая цена при ши-
бы нелогично из-за необходимости ис- латуре STMicroelectronics до появ- роком перечне периферии.
пользования разных сред разработки. В ления STM32H7. • STM32F1 – линейка 32-битных мик-
то же время на базе STM32 без проблем • STM32H7 – флагманское семейство роконтроллеров производства ST,
можно создать любой функциональный STMicroelectronics, производитель- построенных на ядре Cortex-M3 с
блок для дрона. Рассмотрим это семейс- ность которого имеет рекордное рабочей частотой до 72 МГц. В на-
тво более подробно. значение – 856 DMIPS при рабо- стоящий момент семейство объ-
чей частоте до 400 МГц. По сравне- единяет представителей с объемом
В настоящий момент STM32 объеди- нию с STM32F7, новые контроллеры Flash 16 кбайт...1 Мбайт.
няет более семи сотен моделей из 10 STM32H7 могут похвастаться увели- • STM32F3 – семейство микроконт-
семейств, отличающихся по четырем чением ОЗУ до 1 Мбайт, появлением роллеров, нацеленное на работу с
ключевым характеристикам: произво- новой периферии, в частности – вы- аналоговыми сигналами. Для это-
дительности, потреблению, стоимости, сокоточного таймера HR с макси- го к услугам разработчиков – ядро
уровню интеграции (рисунок 5). мальной рабочей частотой 400 МГц Cortex®-M4 с рабочей частотой до
и разрешением 2,5 нс, расширени- 72 МГц, блоком вычислений с пла-
Высокопроизводительные се- ем коммуникационных возможнос- вающей запятой и поддержкой DSP-
мейства STM32F2, STM32F4, STM32F7, тей. Например, встроенный CAN- инструкций. Кроме того, STM32F3
STM32H7. Эта группа ориентирована на контроллер теперь поддерживает обладают наиболее богатой ана-
достижение максимального быстродейс- не только традиционные протоко- логовой периферией, в том числе
твия и отличается наиболее развитой пе- лы ISO 11898-1 (CAN 2.0 A, B), но и 16-битными ΣΔ-АЦП, сверхбыстро-
риферией. CAN FD 1.0 и TTCAN (ISO 11898-4). действующими АЦП последователь-
ного приближения со скоростью
• STM32F2. Данное семейство пос- Очевидно, что данные семейства ста- преобразования до 5 млн. выборок
троено на базе «разогнанного» до нут идеальным выбором для создания в секунду.
120 МГц ядра Cortex®-M3. Объем па- центральных блоков управления дрона-
мяти для представителей семейства ми. Для относительно простых БПЛА по- Семейства STM32F0 и STM32F3 явля-
составляет 128 кбайт...1 Мбайт. дойдут младшие модели STM32F2, для ются идеальным выбором при создании
• STM32F4 – чрезвычайно богатое дронов общего назначения следует в драйверов электродвигателей для дро-
семейство, построенное на ядре первую очередь рассматривать STM32F4, нов. На базе STM32F0 можно реализо-
Cortex®-M4 и объединяющее почти для самых сложных профессиональных вывать недорогие драйверы бесколлек-
полторы сотни микроконтролле- аппаратов оптимальным выбором станут торных электродвигателей с 6-шаговым
ров. Сейчас к услугам разработчи- STM32F7 и STM32H7. управлением. Семейство STM32F3 подхо-
ков предоставлены модели с ра- дит для создания точных драйверов дви-
бочими частотами 168...180 МГц и Базовые семейства STM32F0, гателей с векторным управлением.
объемом памяти до 2 Мбайт. STM32F1, STM32F3. Данная группа вклю-
• STM32F7 – производительное се- чает семейства со сбалансированными В этой же группе стоит отметить и на-
мейство на базе ядра Cortex®-M7 с характеристиками и компромиссным личие специализированного драйвера
рабочей частотой до 216 МГц и объ- значением производительности/потреб- двигателя STSPIN32F0. Эта микросхема
емом Flash до 2 МБайт. Отличается ления/цены. объединяет полноценный контроллер

10 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

Рис. 7. Построение привода бесколлекторного двигателя на базе STSPIN32F0

STM32F0, драйвер трехфазного поста, • STM32L4 – микроконтроллеры ются высокооборотистые моторы для со-
аналоговую периферию (компараторы, со сверхпроизводительным яд- здания необходимой подъемной силы.
АЦП, ОУ) и микросхемы питания (LDO ром Cortex®-M4 и объемом Flash Значительная скорость вращения лопас-
12 В, DC/DC). STSPIN32F0 может работать с 128 кбайт...1 Мбайт. Производитель- тей вынуждает разработчиков использо-
напряжениями до 45 В и является идеаль- ность этого семейства достигает вать бесколлекторные двигатели вместо
ным решением для создания сверхком- 177 ULPMark/273 CoreMark, что пре- щеточных двигателей постоянного тока
пактных драйверов электродвигателей. восходит даже производительность (DC-двигатели). DC-двигатели отличаются
Более подробно об этом будет сказано в контроллеров из базовых семейств очень простой схемой управления, одна-
следующем разделе. STM32F. ко их ресурс оказывается недостаточным
из-за наличия щеточных узлов, которые
Малопотребляющие микроконтрол- Малопотребляющие линейки STM32 требуют периодического обслуживания.
леры семейств STM32L. Данная группа логично применять во всех блоках, кроме
объединяет семейства, ориентированные драйверов электродвигателей. STM32L0 Бесколлекторные двигатели (BLDC-
в первую очередь на достижение мини- идеально подойдут в качестве концент- двигатели) не используют щеточных уз-
мального уровня потребления. Для этого раторов на платах датчиков или в качес- лов и при наличии хороших подшипни-
используют различные методы: динами- тве управляющего микроконтроллера в ков требуют минимального технического
ческое управление напряжением пита- модулях навигации и управления пита- обслуживания. Ротор BLDC-двигателей
ния, гибкую систему тактирования, спе- нием. изготавливается из постоянного магни-
циализированную периферию (LP-Timer, та и не имеет обмоток. Статор содержит
LP-UART), развитую систему режимов по- Таким образом, при создании дронов обмотки, переменное поле которых при-
ниженного потребления и так далее. разработчик всегда сможет подобрать водит к вращению ротора. Обычно ис-
себе оптимальный микроконтроллер из пользуются три обмотки. Создание пере-
• STM32L0 – семейство, построенное семейства STM32 для конкретного функ- менного поля требует особых алгоритмов
на базе ядра Cortex®-M0+ с рабочей ционального модуля. коммутации. Рассмотрим особенности
частотой до 32 МГц и объемом Flash шестишагового и векторного способов
8...192 кбайт. ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ управления BLDC.
• STM32L1 – семейство с ядром КОНТРОЛЛЕРОВ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕ-
Cortex®-M3, обладающее рабочей ЛЕЙ НА БАЗЕ КОМПОНЕНТОВ ОТ ST В самом простом случае используют
частотой до 32 МГц и объемом Flash Электродвигатели – ключевые эле- алгоритм из шести шагов (рисунок 6). На
32...521 кбайт. менты любого дрона. В БПЛА использу- каждом из шагов активными являются

WWW.COMPEL.RU 11
ПРАКТИКУМ

только две обмотки: одна коммутируется рированными драйверами транзисторов ков Холла или от бездатчиковой схе-
на землю, вторая на шину питания, тре- (рисунок 7). мы с измерением обратной ЭДС;
тья остается неподключенной. При этом • сверхбыстрый программируемый
для управления скоростью вращения не- STSPIN32F0 представляет собой компаратор для контроля тока элек-
обходимо формировать ШИМ-сигналы «систему в корпусе» (SIP), которая созда- тродвигателя;
и точно определять моменты, когда вал на специально для управления работой • встроенный DC/DC-регулятор 3,3 В
двигателя провернулся и необходимо трехфазных бесколлекторных двигателей с защитой от перегрузки, КЗ и пере-
перейти к возбуждению следующей об- с питающим напряжением до 45 В. В со- грева для питания низковольтных
мотки. Моменты перехода могут опреде- став STSPIN32F0 входят: схем;
ляться с помощью датчиков либо бездат- • встроенный LDO 12 В с защитой от
чиковым способом. • микроконтроллер STM32F031x6x7 перегрева для питания драйверов,
с 32-битным ядром ARM® Cortex®-M0, компараторов и ОУ;
Существует и более сложный алго- рабочей частотой до 48 МГц, 4 кбайт • широкий выбор дополнительной
ритм с векторным управлением. При ОЗУ, 32 кбайт Flash и программиро- периферии: 16 каналов ввода-выво-
этом переход между активными обмот- ванием по SWD; да, 5 таймеров, 12-битный 9-каналь-
ками происходит не скачком, а постепен- • 16-битный таймер с тремя парами ный АЦП;
но. Таким образом, можно добиться плав- комплементарных выходов и про- • коммуникационные интерфейсы:
ного движения магнитного поля. Однако граммируемым мертвым временем I2C, USART и SPI.
векторное управление потребует точно- для формирования ШИМ-сигналов
го измерения положения вала и токов в для драйверов транзисторов; STSPIN32F0, благодаря наличию опе-
обмотках. • три полумостовых драйвера сило- рационных усилителей и АЦП, может ре-
вых транзисторов со встроенными ализовать не только 6-шаговое, но и век-
C помощью компонентов производс- бутстрепными диодами и выход- торное управление.
тва ST можно реализовать оба метода ным током до 600 мА для управле-
управления. Если стоит задача создания ния трехфазным транзисторным Для создания силового трехфазного
максимально компактного решения, то мостом; моста компания ST предлагает исполь-
идеальным вариантом станет использо- • четыре операционных усилителя для зовать низковольтные транзисторы се-
вание микросхемы STSPIN32F0 с интег- нормирования сигналов ОС от датчи- мейства StripFET 7, которое объединяет

Рис. 8. Построение мощного привода на базе STM32 и дискретных драйверов

12 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

около сотни моделей с различными ха- за счет снижения сопротивления до типо- • наличие 12-битного АЦП для конт-
рактеристиками: вого значения 1,6 мОм (Uзи = 10 В). роля параметров вращения;
• широкий выбор коммуникацион-
• с рейтингом напряжения По своим основным характеристикам ных интерфейсов: I2C, SPI, UART, а
40/60/80/100 В; семейство транзисторов StripFET 7 пре- также CAN и USB.
• с максимальным током стока восходит предыдущее семейство StripFET
4...260 А; 6 почти в два раза. Такие показатели яв- В данном случае на первое место пос-
• с сопротивлением открытого кана- ляются рекордными не только для самой тавлена цена, что не случайно. Дело в
ла 1,1...8 мОм; компании STMicroelectronics, но и для ее том, что приведенный набор периферий-
• с зарядом затвора 8...193 нКл; основных конкурентов. ных блоков можно найти практически во
• с различными корпусными испол- всех семействах STM32 (кроме STM32L),
нениями: DPAK, D2PAK, ISOTOP, Если по каким-то причинам возмож- но ни одно из них не сможет сравниться
Max247, SOT-223, TO-220, TO-220FP, ностей STSPIN32F0 не хватает, следует рас- с STM32F0 по стоимости.
TO-247, PowerFLAT 5x6/3,3x3,3/2x2 смотреть варианты реализации контролле-
мм, SO-8 and SOT23-6L. ра двигателя на базе микроконтроллеров Если требуется получить прецизион-
STM32 и внешних драйверов силовых клю- ное векторное управление мощным двига-
В качестве примеров идеального ком- чей. Например, мощный контроллер двига- телем, то вместо STM32F0 следует восполь-
промисса тока/габаритов можно при- теля с 6-шаговым алгоритмом управления зоваться микроконтроллерами STM32F3.
вести силовые ключи STL140N4F7AG и просто реализовать с помощью бюджет- Это наиболее «продвинутое» семейство
STL160NS3LLH7. ных моделей STM32F0 (рисунок 8). для работы с аналоговыми сигналами. Пре-
имуществами STM32F3 являются:
STL140N4F7AG – N-канальный по- Выбор микроконтроллеров STM32F0
левой транзистор с рабочим напряже- достаточно логичен из-за таких очевид- • повышенное быстродействие бла-
нием до 40 В и постоянным током до ных преимуществ как: годаря производительному ядру
120 А. Несмотря на миниатюрный корпус ARM® Cortex®-M4 с рабочей часто-
PowerFLAT 5x6 WF 6x5 мм, значение ти- • сверхнизкая цена; той до 72 МГц;
пового сопротивления открытого канала • быстродействующее 32-битное • 16-битные таймеры для формиро-
этого ключа – всего 2,1 мОм (Uзи = 10 В). ядро ARM® Cortex®-M0 с рабочей вания ШИМ-сигналов;
частотой до 48 МГц; • до четырех быстродействующих АЦП
Силовой N-канальный ключ • наличие 16-битного таймера с тре- последовательного приближения со
STL160NS3LLH7 выпускается в том же мя парами комплементарных вы- скоростью преобразования от 200 нc
корпусном исполнении PowerFLAT 5x6 ходов и программируемым «мерт- и общим числом до 39 каналов;
WF, отличается большим допустимым то- вым» временем для формирования • до двух 12-битных ЦАП;
ком до 160 А, но меньшим напряжением ШИМ-сигналов для внешних драй- • до семи быстродействующих анало-
30 В. Увеличения тока удалось добиться веров транзисторов; говых компараторов со временем
срабатывания 25 нс;
• до четырех ОУ с программируемым
усилением;
• 16-битный ΣΔ-АЦП;
• широкий выбор коммуникацион-
ных интерфейсов: I2C, SPI, UART, CAN,
USB.

Для управления силовыми транзисто-


рами можно воспользоваться драйвера-
ми производства STMicroelectronics. В на-
стоящий момент номенклатура компании
насчитывает полтора десятка драйверов
полумостов:
Рис. 9. Структура центрального блока управления с расширенным функционалом
• с максимальным током до 650 мА;
• со встроенным диодом;
• с рабочим напряжением шины до
600 В.

В качестве конкретного примера мож-


но привести L6398 – драйвер полумоста
со встроенным диодом, выходным током
до 450 мА и напряжением шины 600 В.
Чтобы продемонстрировать пре-
Рис. 10. Структура блока управления положением камеры имущества своей продукции, компания

WWW.COMPEL.RU 13
ПРАКТИКУМ

STMicroelectronics предполагает начать теристиках двигателей. Это приводит к Это важно для поддержания стабиль-
выпуск специализированных отладочных тому, что в процессе полета БПЛА будет ной высоты и для обеспечения безопас-
плат STEVAL-ESC001V1. отклоняться от положения равновесия. ного приземления. Очевидно, что для
Компенсировать эти отклонения мож- БПЛА желательно иметь сенсор с высо-
ОРГАНИЗАЦИЯ ЦЕНТРАЛЬНОГО но за счет изменения тяги двигателя, ким быстродействием и максимальной
БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ НА БАЗЕ но такое решение требует точного оп- точностью, минимальным потреблени-
КОМПОНЕНТОВ ОТ ST ределения крена, тангажа и рыскания. ем и малыми габаритами. Этим требо-
Проектирование центрального блока Для измерения перечисленных угловых ваниям отвечают датчики из семейства
управления (FCU) следует начать с выбо- координат необходимы инерционные LPS производства ST. Сейчас это се-
ра микроконтроллера. В составе дрона сенсоры. STMicroelectronics предлагает мейство насчитывает 6 представителей,
он выполняет большую часть вычисли- использовать для этих целей комбиниро- которые имеют одинаковый рабочий
тельных функций: прием и обработку ванные модули iNEMO [6]. диапазон 260...1260 гПа, но отличаются
данных с датчиков положения, форми- по ряду основных параметров (потреб-
рование управляющих сигналов для кон- Инерционные модули iNEMO пред- лению, корпусному исполнению, часто-
троллеров двигателей, работу с датчи- ставляют собой комбинацию из 3-осево- те опроса и так далее). В настоящий мо-
ками приближения и предотвращение го акселерометра и 3-осевого гироскопа мент наиболее интересным сенсором
столкновений с объектами, взаимодейс- (LSM6DSN имеет в своем составе и 3-осе- в данной линейке изделий ST является
твие с оператором с помощью одного из вой магнитометр). Такая комбинация яв- LPS22HD.
радиоинтерфейсов, сбор данных о состо- ляется идеальным вариантом для дрона.
янии окружающей среды. С помощью iNeMO удается уменьшить • LPS22HD – датчик, позволяющий
габариты и потребление, сохранив при измерять давление в диапазоне
В данном случае логично использовать этом высокую точность. В настоящий мо- 260...1260 гПа с 24-битной точнос-
микроконтроллеры производительных мент ST предлагает 14 моделей iNEMO. тью. Максимальная частота изме-
семейств STM32F4, STM32F7 и STM32H7 Наиболее интересными представителя- рений у LPS22HD достигает 200 Гц,
(рисунок 9). Возможности семейств су- ми в данном семействе можно считать при этом потребление в активном
щественно отличаются, поэтому разра- LSM6DS1 и LSM6DSM. режиме может составлять 12 мкА
ботчики смогут подобрать подходящий (частота 1 Гц), а в режиме пони-
вариант как для дронов общего назначе- • LSM6DSM – 6-осевой инер- женного потребления и вовсе па-
ния, так и для профессиональных БПЛА. ционный модуль с широ- дает до 3 мкА. Отдельно стоит от-
ким диапазоном измерений метить высокую точность данного
В предыдущем разделе уже была дана (±2/±4/±8/±16g для акселерометра сенсора: погрешность измерений
общая характеристика каждому из се- и ±125/±245/±500/±1000/±2000°/с после выполнения калибровки со-
мейств, но следует отметить и те особен- для гироскопа) и минимальным ставляет 0,1 гПа. Габариты LPS22HD
ности, которые оказываются наиболее потреблением: 0,65 мА в активном малы – всего 2x2x0,76 мм.
востребованными для построения цент- состоянии и всего 4,5 мкА в спя-
ральных модулей управления дронов: щем режиме. Дополнительными Электронный компас помогает опре-
преимуществами модуля являют- делять положение дрона относительно
• высокую производительность: до ся компактные размеры LGA-14L сторон света. К магнитометрам предъ-
225 DMIPS при 180 МГц для STM32F4, 2,5x3x0,83 мм. являются те же требования, что и к дру-
до 462 DMIPS при 216 МГц для • LSM6DSN1 – 9-осевой сенсор, объ- гим рассмотренным выше датчикам, это
STM32F7, до 856 DMIPS при 400 МГц единяющий акселерометр, гироскоп минимальное потребление, малые габа-
для STM32H7; и магнитометр с диапазонами изме- риты, высокая точность. В номенклатуре
• поддержку операций с плавающей рений 2/±4/±8/±16 g (акселерометр), ST имеются шесть моделей электронных
точкой и DSP-инструкций; ±125/±245/±500/±1000/±2000°/с компасов семейства LSM303, каждый из
• ART-акселератор; (гироскоп), 2/±4/±8/±16° (магнито- которых отвечает перечисленным тре-
• широкий выбор стандартной перифе- метр). бованиям. В качестве примера рассмот-
рии: таймеры, порты ввода-вывода, рим LSM303AGR.
часы реального времени и так далее; STMicroelectronics также предлагает
• наличие полного комплекта стан- дискретные магнитометры, которые ис- • LSM303AGR – электронный ком-
дартных коммуникационных интер- пользуются для координации положения пас, представляющий комбина-
фейсов: USART, I2C, SPI; дрона в пространстве. цию 3-осевого акселерометра
• наличие расширенного набора ком- (±2/±4/±8/±16g) и 3-осевого маг-
муникационных интерфейсов: CAN, КООРДИНАЦИЯ МУЛЬТИКОПТЕРА нитометра ±50°. Датчик выпускает-
Ethernet, интерфейс для работы с В ПРОСТРАНСТВЕ ся в сверхкомпактном корпусе LGA
камерой. На практике для координации поло- 2х2х1 мм. Типовое потребление ак-
жения дрона в пространстве необходима селерометра при максимальной
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЭМС-СЕНСОРОВ пара датчиков: датчик давления и элект- разрядности измерений и частоте
ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ронный компас. 50 Гц составляет 12,7 мкА, магни-
ПОЛЕТА тометр потребляет до 200 мкА при
Любой дрон имеет погрешности в Датчик давления используется для максимальном разрешении и той
распределении веса и разброс в харак- определения текущей высоты полета. же частоте опроса.

14 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ражения объектов, зависимость точности Также стоит отметить и другие досто-
ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЫ от уровня освещения, чувствительность инства VL6180: минимальное потребле-
Информация о состоянии параметров к внешним засветам и так далее). Однако ние (около 1,5 мА для датчика приближе-
окружающей среды имеет важное значе- компания STMicroelectronics смогла ре- ния и 300 мкА для датчика освещения) и
ние для обеспечения безопасности БПЛА. шить эти проблемы и предлагает закон- малые габариты (4,8х2,8х1 мм).
Кроме того, дрон может использоваться ченный оптический датчик VL6180, пос-
для непосредственного сбора таких дан- троенный с применением технологии Таким образом, VL6180 представляет
ных. Решить эти задачи поможет очень FlightSenseTM [8]. собой законченный модуль, а это значит,
удачный сенсор HTS221 от ST [7]. что разработчику не придется затрачи-
Традиционный оптический метод оп- вать значительных усилий для получения
• HTS221 – комбинированный дат- ределения расстояния до объекта осно- системы оптического зрения.
чик влажности и температуры. Его ван на сравнении интенсивности излу-
главными преимуществами являют- чаемого и отраженного света: чем ближе ОБЕСПЕЧЕНИЕ СВЯЗИ С ОПЕРАТОРОМ
ся высокая разрядность для обоих приемник, тем выше амплитуда отражен- Между оператором и дроном необхо-
сенсоров (16 бит), малые габариты ной волны. Однако этот способ имеет пе- димо обеспечить канал связи для обме-
(2x2x0,9 мм), отличная точность и речисленные выше недостатки. Новая на информацией. От оператора поступа-
малое потребление. Питающий ток технология ST FlightSenseTM использует ют команды управления, а дрон передает
при частоте опроса 1 Гц составляет другой принцип измерения. Расстояние на землю параметры полета (уровень за-
всего 2 мкА, а в режиме сна падает до объекта определяется по времени рас- ряда батарей, высоту, температуру, диа-
до 0,5 мкА. пространения светового потока от пере- гностическую информацию и так далее).
датчика к приемнику. Чем ближе объект, ST предлагает на выбор три варианта ре-
ОБЕСПЕЧЕНИЕ ЗАЩИТЫ тем меньше времени требуется свету, что- ализации беспроводных радиоинтерфей-
ОТ СТОЛКНОВЕНИЙ С ОБЪЕКТАМИ бы преодолеть расстояние. При этом его сов, на базе различных модулей:
Угроза столкновения с объектами амплитуда не играет решающей роли.
особенно высока в городской черте из-за • модули субгигагерцевого диапазо-
наличия различных препятствий (прово- • VL6180 – готовый модуль, включа- на;
да, мачты, рекламные растяжки, здания ющий датчик приближения с техно- • модули Bluetooth;
и так далее). Конечно, можно уповать на логией FlightSense™, датчик освеще- • модули Wi-Fi.
мастерство оператора, но все-таки следу- ния и ИК-светодиод. ИК-приемник
ет обеспечить БПЛА хотя бы простейшей излучения имеет узкий спектр чувс- Микросхемы и модули субгигагер-
системой машинного зрения. твительности, что позволяет мини- цевого диапазона представлены в порт-
мизировать влияние засветов и пе- фолио ST двумя приемопередатчиками S2-
Самые распространенные системы рас- реотражений. Встроенный датчик LP и SPIRIT1, а также одним передатчиком
познавания препятствий строятся на базе освещения используется для уче- STS1TX [9]. Кроме того, к услугам разработ-
ультразвуковых или оптических датчиков. та влияния фонового излучения. чиков – готовые модули SP1ML и SPSGRF.
Каждое из решений имеет достоинства и VL6180 позволяет определять рас-
недостатки. Например, классические оп- стояния до объектов вне зависи- Для дронов важно иметь ресивер, ко-
тические методы имеют множество сла- мости от их коэффициентов отраже- торый бы объединял целый ряд качеств:
бых сторон (влияние коэффициента от- ния на расстоянии до 10 см и более. значительную мощность передатчика,
высокую чувствительность приемника,
малое потребление, минимальные габа-
риты и высокую скорость передачи. Всем
этим требованиям отвечает SPIRIT1.

• SPIRIT1 – универсальный при-


емопередатчик, работающий
с частотными диапазонами
169/315/433/868/915 МГц и обеспе-
чивающий скорость передачи до 500
кбит/с. Мощность передатчика для
SPIRIT1 достигает 16 дБм, а чувстви-
тельность приемника -118 дБм. Также
SPIRI1T отличается малыми габарита-
ми (2х2 мм) и низким потреблением.

Микросхемы и модули Bluetooth от


ST представлены пятью моделями [10]:

• BlueNRG-MS – сетевой процессор


Bluetooth Low Energy с поддержкой
Рис. 11. Демонстрационный набор STEVAL-ESC001V1 будет доступен в первом квартале 2017 года Bluetooth 4.1;

WWW.COMPEL.RU 15
ПРАКТИКУМ

• BlueNRG-1 – система-на-кристал-
ле (SOC) с поддержкой стека BLE,
которая объединяет контроллер с
ядром ARM Cortex-M0, микросхемы
питания (LDO и DC/DC) и широкий
выбор периферии;
• SPBT3.0DP1 – законченный модуль
Bluetooth Class1 – iAP2;
• SPBT3.0DP2 – законченный модуль
Bluetooth Class2 – iAP2;
• SPBTLE-RF – законченный малопот-
ребляющий модуль Bluetooth Smart v4.1.

Модули Wi-Fi SPWF01S от ST пред-


ставляют собой законченные системы
Рис. 12. Демонстрационный набор STEVAL-FCU001V1 будет доступен в течение 2017 года
для построения узлов беспроводных се-
тей с поддержкой стека TCP/IP, серверных
функций и протоколов безопасности SSI/ QZSS, а STA8090 дополнительно работают Структурная схема этого блока под-
TLS [11]. При этом все протоколы являют- с Beidou2 и отличаются оптимизирован- разумевает наличие приводов элект-
ся встроенными и не требуют от разра- ной системой питания. родвигателей для поворота камеры,
ботчика дополнительных денежных вло- инерционный модуль для обеспечения
жений. Сейчас к услугам разработчиков пред- стабилизации изображения и управляю-
лагается семь типов модулей: щий процессор (рисунок 10). Для созда-
Мощность передатчиков в SPWF01S ния такой схемы можно использовать
достигает 18,1 дБм, а чувствительность • STA8088CWG – законченный тран- уже рассмотренные выше компоненты:
приемника до -90 дБм. Потребление мо- сивер GPS/Galileo/Glonass/QZSS с контроллеры, инерционные сенсоры,
дулей зависит от режима работы. При интегрированным радиомодулем; транзисторы и драйверы.
передаче уровень питающего тока со- • STA8088EXG – законченный про-
ставляет 243 мА, при приеме – 105 мА, в граммируемый трансивер GPS/ ДЕМОНСТРАЦИОННЫЕ НАБОРЫ
режиме сна потребление снижается до Galileo/Glonass/QZSS с мощным ОТ ST ДЛЯ ПОСТРОЕНИЯ ДРОНОВ
15 мА, а в состоянии глубокого сна – до процессором ARM9; Компания ST высоко оценивает потен-
43 мкА. • STA8088FG – законченный транси- циал рынка БПЛА и стремится расширить
вер GPS/Galileo/Glonass/QZSS с ин- свое присутствие в данной отрасли. При
Сейчас ST предлагает две модели, от- тегрированным радиомодулем и этом ее деятельность не ограничивает-
личающихся типом антенны: встроенной Flash; ся только производством компонентов и
• STA8088GA – автомобильный реси- модулей. ST проводит и активную марке-
• SPWF01SA – модуль Wi-Fi со встро- вер GPS/Galileo/Glonass/QZSS; тинговую компанию. Частью этой компа-
енной модульной антенной; • STA8088TG – треккер GPS/Galileo/ нии должны стать специализированные
• модуль SPWF01SC снабжен тради- Glonass/QZSS; демонстрационные наборы, выпуск кото-
ционным коннектором u.fl для под- • STA8089FG – законченный транси- рых запланирован на 2017 год.
ключения внешней антенны. вер GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/
QZSS с интегрированным радиомо- • STEVAL-ESC001V1 – законченный
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ГЛОБАЛЬНЫХ дулем и встроенной Flash; контроллер бесколлекторного дви-
НАВИГАЦИОННЫХ СИСТЕМ • STA8090FG – законченный транси- гателя, построенный на базе микро-
Функция глобального позициониро- вер GPS/Galileo/Glonass/Beidou2/ контроллера STM32F303, драйверов
вания не является востребованной для QZSS с интегрированным радиомо- LM6398 и новейших транзисторов
небольших игрушечных дронов и дро- дулем и встроенной Flash. STL160NS (рисунок 11).
нов общего назначения из-за малого • STEVAL-FCU001V1 – законченный
радиуса действия. Зато для професси- УПРАВЛЕНИЕ ПОЛОЖЕНИЕМ КАМЕРЫ центральный блок управления для
ональных БПЛА, выполняющих полеты Камера является важным элементом небольших дронов (рисунок 12). Он
на значительные расстояния, навигация для дронов общего назначения и про- построен на базе микроконтролле-
имеет большое значение. В настоящий фессиональных БПЛА. Она востребова- ра STM32F401 с рекордными пока-
момент существует несколько глобаль- на для профессиональной и любитель- зателями динамического потребле-
ных систем позиционирования: ГЛОНАСС ской видео- и фотосъемки, для систем ния. Кроме контроллера на плате
(Россия), GPS (США), ГАЛИЛЕО (Европа), наблюдения и охраны, для выполнения располагается набор инерционных
BeiDou2 (Китай), QZSS (Япония). мониторинга, например, за состоянием сенсоров, датчик давления и прие-
леса в лесном хозяйстве или за состо- мопередатчик Bluetooth.
Компания ST предлагает два семейс- янием посевов в аграрном секторе. По • STEVAL-FCU002V1 – демонстраци-
тва универсальных модулей навигации: этой причине блок управления поло- онный набор в виде законченно-
STA8088 и STA8090. Модули STA8088 жением камеры часто входит в состав го центрального блока управления
имеют поддержку GPS/Galileo/Glonass/ дронов. для дронов общего назначения и

16 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

3. Постановление Правительства РФ
от 11.03.2010 N 138 (ред. от 12.07.2016)
«Об утверждении Федеральных правил
использования воздушного пространс-
тва Российской Федерации».
4. Закон «О внесении изменений в
Воздушный кодекс Российской Федера-
ции в части использования беспилотных
воздушных судов».
5. Проект дополнительного постанов-
ления правительства «Об утверждении
порядка учета беспилотных воздушных
судов, ввезенных в Российскую Федера-
цию или произведенных в Российской
Федерации».
Рис. 13. Демонстрационный набор STEVAL-FCU002V1 будет доступен в течение 2017 года
6. Александр Калачев. Электрон-
ные капитаны: iNEMO – новое семейс-
профессиональных БПЛА (рису- • транзисторы и драйверы силовых тво МЭМС-систем на кристалле. Новости
нок 13). Данный блок имеет высо- ключей для создания приводов электроники, №10. 2015 г.
кую вычислительную мощность за электродвигателей; 7. Вячеслав Гавриков. Атмосфера под
счет производительного микрокон- • МЭМС-датчики и инерционные мо- контролем: датчики влажности HTS221 и
троллера STM32F756VGT6 с ядром дули для обеспечения стабилиза- атмосферного давления LPS25. Новости
ARM Cortex-M7. ции полета; электроники, №10. 2015 г.
• датчики параметров окружающей 8. Вячеслав Гавриков. Для 3D-систем:
ЗАКЛЮЧЕНИЕ среды для мониторинга парамет- датчик света и приближения VL6180. Но-
В настоящий момент на рынке дронов ров полета; вости электроники, №10. 2015 г.
наблюдается устойчивый рост, который • датчики приближения для систем 9. Михаил Чигарев. Spirit1 – дух, объ-
сохранится в течение ближайшего време- предотвращения столкновений в единяющий микроконтроллеры ST в бес-
ни. Это делает его весьма привлекатель- воздухе; проводную сеть. Новости электроники,
ным как для производителей БПЛА, так • беспроводные приемопередатчики №8. 2013 г.
и для поставщиков электронных компо- субгигагерцевого диапазона, моду- 10. Виктор Чистяков. BlueNRG-1 – од-
нентов. Вместе с тем использование дро- ли Bluetooth и Wi-Fi; нокристальное решение для BLE-датчи-
нов имеет ряд законодательных ограни- • приемопередатчики Teseo II и Teseo ков Интернета вещей. Новости электро-
чений. III для систем глобального позици- ники, №12. 2016 г.
онирования (GPS/Galileo/Glonass/ 11. Олег Пушкарев. Запускаем
Создание дронов – сложная задача. Beidou2/QZSS). встраиваемый Wi-Fi с помощью модуля
Однако значительное упрощение про- SPWF01SA.11. Новости электроники, №6.
цесса разработки может наступить уже Для популяризации своей продукции 2014 г.
в ближайшее время, так как производи- компания STMicroelectronics предпола- 12. www.st.com.
тели электронных компонентов наращи- гает начать выпуск специализированных
вают объем продукции, ориентирован- демонстрационных наборов уже в нача-
ной именно на рынок БПЛА. Одним из ле 2017 года.
лидеров этого движения стала компания
STMicroelectronics, уже сейчас предлага- ЛИТЕРАТУРА
ющая целый спектр компонентов, кото- 1. Прогнозы и тренды в области беспи-
рые будут востребованы как в небольших лотников. http://robotrends.ru/robopedia/
дронах, так и в профессиональных БПЛА: prognozy-i-trendy-v-oblasti-bespilotnikov.
2. «Нам сверху видно все». Отчет PwC
• микроконтроллеры семейства о коммерческом применении беспилот-
STM32 для центральных блоков уп- ных летательных аппаратов в мире. http://
равления, контроллеров двигате- www.pwc.ru/ru/publications/assets/clarity- Оцените статью:
лей и блоков управления положе- from-above/drone-technology-survey-2016_ Нравится Не нравится
нием камеры; rus.pdf. Май 2016 г.

WWW.COMPEL.RU 17
ПРАКТИКУМ

Сергей Миронов (КОМПЭЛ)

АКБ EEMB ДЛЯ ПИТАНИЯ ДРОНА


Для того чтобы дрон смог взлететь и Поэтому, выбирая аккумулятор, следует В таблице 1 указаны параметры от-
находиться в воздухе, требуется обес- внимательно отнестись к этому парамет- дельных аккумуляторных ячеек с на-
печить его электродвигатели и элек- ру, иначе система питания просто не под- пряжением 3,7 В. В летательных аппа-
тронику необходимой энергией. Для нимет аппарат в воздух или быстро вый- ратах используются и другие, более
электропитания дронов и других лета- дет из строя. Причем чем ниже выбрано высокие, напряжения. В этом случае у
тельных аппаратов в настоящее время напряжение питания и чем больше вес компании EEMB можно заказать сбор-
используются аккумуляторы на основе аппарата, тем выше должен быть и пока- ки из отдельных ячеек под требуемые
лития, в частности – литий-полимерные затель токоотдачи. параметры емкости, напряжения и
(Li-Pol) – благодаря их превосходным разрядного тока. Также на отдельные
массогабаритным показателям. Аккумуляторы, которые можно ис- ячейки или сборки можно заказать ус-
пользовать в летательных аппаратах, тановку платы защиты (PCM) от корот-
Отличительной особенностью лити- имеются в линейке продукции компании кого замыкания, перезаряда и глубоко-
евых аккумуляторов, предназначенных EEMB. Это серии LP/HC и LP/HD (табли- го разряда.
для питания летательных аппаратов, яв- ца 1).
ляется их способность к высокой токо- EEMB производит литиевые аккуму-
отдаче, которая выражается величиной Как видно из таблицы 1, серия акку- ляторы уже более 20 лет, и все это вре-
“C”, кратной емкости аккумулятора. Для муляторов LP/HC имеет токоотдачу крат- мя компания известна в России. Про-
летательных аппаратов необходимы ностью до 15...20°С, а серия LP/HD – 20С. дукция компании предназначена для
аккумуляторы с токоотдачей не менее Например, аккумулятор LP1042126HD с применения в промышленном сегмен-
15...25С. Наиболее распространенные емкостью 5 А•ч способен долговременно те и характеризуется высокой безопас-
на рынке аккумуляторы имеют показа- работать на нагрузку с током потребле- ностью, что подтверждено имеющими-
тель токоотдачи, не превышающий 3С. ния до 100 А. ся сертификатами

Таблица 1. Аккумуляторы серий LP/HC и LP/HD производства компании EEMB


Напряжение Емкость тип., Размеры, мм
Наименование Токоотдача
ном., В мА•ч Высота Ширина Длина
LP481530HC 3,7 120 4,8 15 30 15...20С
LP753496HC 3,7 2200 7,5 34 96 15...20С
LP3834106HD 3,7 1200 3,8 34 106 20С
LP8242125HD 3,7 4000 8,2 42 125 20С
LP9245150HD 3,7 5550 9,2 45 150 20С
LP1042126HD 3,7 5000 10 42 126 20С
LP7842125HD 3,7 3500 7,8 42 125 20С

Оцените статью:
Нравится Не нравится

18 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

Антон Стильве (КОМПЭЛ)

ЗАЩИТИ СВОЙ ДРОН


С ПОМОЩЬЮ КОМПОНЕНТОВ LITTELFUSE

(рисунок 3), которые защищают аккуму-


лятор от обоих видов рисков.
Авария в воздухе – самое неприятное, что может случиться с беспилотным
летательным аппаратом. А самая распространенная причина такой ава-
Для защиты аккумуляторов только от
рии – сбой работы электронной схемы из-за неполадок с электропитанием. Пре-
перегрузки по току компания Littelfuse
дотвратить это помогут защитные компоненты производства Littelfuse.
предлагает позисторы PolySwitch (ри-
А наша статья расскажет, какие из них и в каких местах схемы электропита-
сунок 4), которые обладают очень низ-
ния следует применять.
ким сопротивлением и выпускаются как
в форм-факторе с плоскими выводами,
так и в корпусах для поверхностного

С
пециалисты предсказывают уве- уровень разряда ниже 1 В, медь на токо- монтажа.
личение количества дронов (ри- приемнике растворяется, что приводит к
сунок 1) к 2020 году в мире с 2,5 внутреннему короткому замыканию в ак- Комбинированные защитные термо-
до 7 миллионов. Вместе с тем кумуляторе. Поэтому защита от глубоко- размыкатели MHP-TA (рисунок 5) имеют
увеличивается и количество аварий из-за го разряда аккумулятора просто необхо- низкие температуры размыкания и вы-
неполадок, приводящих к потере управ- дима. Она обеспечивается специальной сокие рабочие токи, и при этом обладают
ления этими технически сложными лета- микросхемой. Перезарядвыше 4,6 В при- компактными размерами. Последнее по-
ющими аппаратами. водит к образованию газа в аккумулято- коление MHP-TA имеет номинальное на-
ре и его нагреву. Помимо этого аккуму- пряжение 9 В и более высокие рабочие
Многие инциденты можно предотвра- ляторы не имеют внутренней защиты от токи, чем обычные терморазмыкатели.
тить, используя защитные электронные перегрузки по току и перегрева, в них нет Небольшие линейные размеры и крайне
компоненты. Рассмотрим общую схему даже позистора, поэтому внешние ком- малая высота позволяют устанавливать
строения дрона (рисунок 2). поненты защиты от перегрузок по току и их на платы с очень высокой плотностью
от перегрева также необходимы. монтажа.
Разберем защиту каждого блока по от-
дельности. Специально для этого была разрабо- Для аккумуляторов других типов, на-
тана серия терморазмыкателей MHP-TA пример, Li-ion или NiMH, Littelfuse пред-
ЗАЩИТА АККУМУЛЯТОРА
И СХЕМЫ ЗАРЯДКИ
Наиболее часто в дронах использу-
ют литий-полимерные аккумуляторы по
причине наиболее высокой удельной
плотности заряда по сравнению с акку-
муляторами других типов. Это позволяет
уменьшить вес и объем батарей, обеспе-
чивающих работу дрона. Но при непра-
вильных режимах зарядки и/или пере-
грузках по току при разряде аккумулятор
может вздуться или даже загореться.

Основными проблемами всех лити-


евых аккумуляторов, которые наиболее
ярко выражены в их подклассе литий-
полимерных аккумуляторов, являются
превышение максимально допустимого
уровня заряда и полного разряда акку-
мулятора – при уровне приблизительно
ниже 1,5 В на аноде в емкости аккумуля-
тора образуется газ. Когда достигается Рис. 1. Дрон-квадрокоптер

WWW.COMPEL.RU 19
ПРАКТИКУМ

Рис. 2. Общая структурная схема дрона

Рис. 3. Внешний вид терморазмыкателей MHP-TA Рис. 4. Внешний вид позисторов PolySwitch

Рис. 5. Аккумулятор с управляющей микросхемой и терморазмыкателем Рис. 6. Позисторы Littelfuse с пониженным сопротивлением

20 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

лагает альтернативные решения по за-


щите от перегрузок по току – серию
PolySwitch (рисунок 6). Они не только от-
лично работают с емкими аккумулятор-
ными батареями (рисунок 7), но и отве-
чают стандартам UL, CSA и TUV. Их малое
сопротивление способствует увеличению
времени работы дрона от одной зарядки
аккумулятора.

Компактные размеры и низкий про-


филь компонентов отлично подходят для
защиты компактных Li- и Ni-аккумулято-
ров. Очень малое сопротивление обус-
лавливает невысокое падение напряже-
Рис. 7. Типовая батарея из литиевых элементов
ния на позисторе и уменьшает потери
энергии на джоулево тепло. SMD-корпус
позволяет сделать миниатюрные низко-
профильные платы управления зарядом
батареи, которые почти не увеличат раз-
меры всего литиевого элемента питания.

В качестве альтернативы позисторам


для общей защиты цепи питания реко-
мендуется серия миниатюрных плавких
предохранителей 449 NANO2 SLO-BLO
(рисунок 8). Медленный тип срабатыва-
ния нужен для предотвращения ложных Рис. 8. Серия миниатюрных плавких предохрани- Рис. 9. Полимерные подавители нового поколе-
срабатываний при короткоимпульсных телей 449 NANO2 SLO-BLO ния XTreme Guard от Littelfuse
перегрузках по току.

ЗАЩИТА GPS, АНТЕННОГО ВХОДА ПРИ- электростатических разрядов. Новая се-


ЕМНИКА И ПОРТОВ ВВОДА/ВЫВОДА рия XTreme-Guard отличается от пред-
Как показано на общей схеме дрона шественников высочайшей скоростью
(рисунок 2), электростатические разря- срабатывания и минимально достижимой
ды могут существенно сказаться на ра- емкостью 0,04...0,09 пФ, которая не вно-
боте его подсистем, включая GPS и антен- сит изменений в форму высокочастотных
ны приемника, а также различных портов сигналов. Помимо этого, их напряжение
ввода/вывода. Каждая точка доступа ум- фиксации значительно ниже, чем у пре-
ножает риски как мгновенного, так и от- дыдущей серии полимерных подавителей
ложенного во времени отказа, который Pulse-Guard, и составляет всего 40 В.
может случиться из-за высоковольтно-
го разряда статического электричества. Для защиты высокочастотных це-
Компания Littelfuse предлагает разработ- пей компания Littelfuse также выпускает
чикам широкий выбор низкоемкостных большое количество дискретных TVS-ди-
TVS-сборок и полимерных подавителей одов и сборок. Например, SP0201B-ELC- Рис. 10. Топология сборки SLVU2.8-4BTG

Таблица 1. Варисторы для поверхностного монтажа производства компании Littelfuse


Диапазон рабочих напряжений, В Диапазон допус- Диапазон допус-
Диапазон рабочих
Наименование Технология тимых пиковых тимых пиковых
AC DC температур, °С
токов, А энергий, Дж
MHS – 9...42 – –
MLE – 18 – –
0201MLA 4 5,5 4 –
MLA MLV 2,5...107 3,5...120 4,0...500 0,02...2,5
-55...125
MLA Automotive 2,5...40 3,5...48 500 0,1...2,5
AUML – 18 – 1,5...25
MLN 18 5,5...18 30 0,05...0,1
CH 14...275 18...369 100...250 1,0...8,0
SM7 MOV 115...510 369...675 1200 23...40
-55...85
SM20 20...320 26 6500 165

WWW.COMPEL.RU 21
ПРАКТИКУМ

Таблица 2. TVS-сборка SM24CANB


Рейтинг (Contact
Число Uогр при 1 А Iпик при 8/20
Наименование Uраб, В P, Вт C, пФ Discharge, IEC61000- Корпус
каналов и 8/20 мкс, В мкс, А
4-2), кВ
SM24CANB-02HTG 24 2 500 30 34 10 ±30 SOT23-3

Таблица 3. Характеристики сборки SP4023-01FTG-C


Рейтинг (Contact
Число Uогр при 1А Iпик при 8/20
Наименование Uраб, В P, Вт C, пФ Discharge, Корпус
каналов и 8/20 мкс, В мкс, А
IEC61000-4-2), кВ
SP4023-01FTG-C 15 1 450 1,3 23 12 ±30 SOD323

импульсам высоких энергий в соответс-


твии со стандартами IEC 610000-4-4 и
610000-4-5. Максимальный импульсный
ток этой сборки достигает 40 А. Корпус
сборки – миниатюрный SOIC-8. Это позво-
ляет установить ее даже на плате с очень
высокой плотностью компонентов, что
немаловажно для разработчиков авиони-
ки и дронов. Важным фактором является
и крайне низкий ток утечки – до 0,1 мкА.

ЗАЩИТА ШИН LIN И CAN


Шина CAN позволяет с высокой ско-
ростью обмениваться информацией раз-
Рис. 11. Топология сборки и внешний вид Рис. 12. Сборки SPHV15-01ETG-C и SPHV24-
SM24CANB в корпусе SOT023-6 01ETG-C для эффективной защиты шины LIN личным модулям дрона, таким как при-
емник и контроллер полета. TVS-сборка
SM24CANB была специально разработана
для защиты этого интерфейса и обладает
выдающимися характеристиками [1].

Сборка состоит из двух двунаправ-


ленных TVS-диодов, размещенных в ми-
ниатюрном корпусе SOT23-3 (рисунок 11,
таблица 2). Несмотря на размер, пиковая
мощность этой сборки составляет 500 Вт
для импульса с длительностью 8/20 мкс, а
ток утечки не превышает 1 мкА.

Для эффективной защиты шины LIN


Рис. 13. Одноканальная сборка SP4023-01FTG-C у компании Littelfuse имеются сбор-
ки SPHV15-01ETG-C и SPHV24-01ETG-
01UTG обладает емкостью всего 0,15 пФ, ными процессами. Littelfuse предлагает C (рисунок 12) в миниатюрном корпусе
имеет очень малое напряжение фикса- широкий ассортимент варисторов для SOD882, который соответствует паттер-
ции Vcl = 14 В и выдерживает электроста- поверхностного монтажа (таблица 1). Эти нам для корпуса 0402.
тические разряды согласно стандарту IEC защитные компоненты также существуют
610000-4-2 ±22 кВ. При этом ток утечки не в версиях с автомобильной сертификаци- SP4023-01FTG-C (рисунок 13, табли-
превышает 25 нА. ей AEC-Q200. ца 3) – альтернативный более мощный
вариант SPHV15-01ETG-C. Он имеет очень
РАЗЪЕМ ДЛЯ ЗАРЯДКИ ЗАЩИТА ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ малое напряжение ограничения – всего
АККУМУЛЯТОРА ИНТЕРФЕЙСОВ ОТ ГРОЗЫ 23 В при рабочем напряжении 15 В. Кор-
Разъем рассчитан на низкое входное Для защиты высокоскоростных интер- пус SOD323 совместим с паттерном 0805.
напряжение, поэтому для его защиты фейсов от грозы поможет диодная сбор- Несмотря на размер, максимальная им-
требуется мощный подавитель скачков ка SLVU2.8-4 (рисунок 10). Одна сборка пульсная мощность достигает 450 Вт.
напряжения. В цепи питания могут воз- обеспечивает защиту сразу четырех ли-
никать более мощные, чем электроста- ний данных, а благодаря добавлению в ЗАКЛЮЧЕНИЕ
тические разряды, скачки напряжения, топологию дополнительных диодов, уда- Каждый год изготовители переходят на
вызванные молниями, кратковременны- лось понизить емкость до 2 пФ на линию новые, все более высокотехнологичные
ми системными перегрузками и переход- и обеспечить высочайшую стойкость к процессы, растут производительность кон-

22 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПРАКТИКУМ

троллеров, объемы памяти и ширина шин


IHM, IHV и PrimePACK – мощные силовые ких подложек из нитрида алюминия AlN
данных. Вместе с тем электроника стано- обеспечивается минимальное отличие по
вится более чувствительной к различным модули от Infineon
КТР материалов и, как следствие, высокая
угрозам: электростатическим разрядам, надежность при термоциклировании.
скачкам напряжения, индуцированным На склад КОМПЭЛ поступили мощные си-
электромагнитными импульсами различ- ловые IGBT-модули Infineon для коммута- Ключевыми особенностями упомяну-
ной природы. Нагрузка на цепи питания ции больших токов и высоких напряжений. тых серий являются:
также значительно возрастает с увеличе- Они находят применение в инверторах • малые токи утечки;
нием удельной мощности. Тем не менее, различной конфигурации, сварочном обо- • высокая плотность мощности (уменьше-
рудовании, источниках бесперебойного ние габаритов преобразователя);
сделать надежный и безопасный дрон не
питания и импульсных источниках тока, • значительное снижение паразитной ин-
так уж сложно: параллельно развивается и тяговых электроприводах железнодо- дуктивности силовых выводов;
направление защитных компонентов. По- рожного и городского электротранспор- • малые динамические потери;
являются миниатюрные предохранители та, системах динамического торможения • надежная работа в режимах циклично из-
в корпусах для SMT, способные работать ж/д-транспорта, преобразователях для меняющейся мощности;
с большими токами. Новые TVS-сборки в питания собственных электроприборов • использование высокоэффективных диэ-
миниатюрных корпусах обладают не толь- локомотивов (например, кондиционеров, лектрических материалов (CTI > 600 для
ко мощностями, доступными ранее только вентиляции), установках индукционного IHV и CTI > 400 для IHM и PrimePACK);
дискретным TVS-диодам в больших корпу- нагрева. Модули отлично зарекомендова- • использование облегченных материалов
ли себя в жестких условиях эксплуатации для снижения общего веса модуля.
сах, но и сверхмалыми емкостями, позво-
под постоянной нагрузкой.
ляющими им защищать высокочастотные Еще одна инновация компании Infineon –
шины и СВЧ радиоинтерфейсы. Линейка мощных силовых модулей Infineon технология TIM (Thermal Interface Material),
перекрывает диапазон мощностей 0,48 МВт при которой на основание модуля нано-
ЛИТЕРАТУРА (1200 В, 400 А)...6,12 МВт (1700 В, 3600 А) и сится специальный материал, в отсутствии
1. http://www.littelfuse.com/~/media/ представлена в трех категориях: нагрева пребывающий в твердом состоя-
electronics/datasheets/tvs_diode_arrays/ нии. Это значительно ускоряет и облегчает
littelfuse_tvs_diode_array_sm24canb_ • IHM – модули большой мощности; сборку прибора с охладителем. При дости-
datasheet.pdf.pdf. • IHV – высоковольтные модули; жении температуры основания в 45°C мате-
• PrimePACK™. риал переходит в жидкое состояние и рав-
номерно распределяется по поверхности.
Оцените статью:
Благодаря использованию оснований из При этом дополнительной затяжки крепеж-
Нравится Не нравится материала AlSiC и применению керамичес- ных винтов не требуется.

WWW.COMPEL.RU 23
ТЕОРИЯ

Йенс Пржибилла, Уве Кельнер-Вердехацзен, Себастьян П. Соммер


(Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co)

ТИРИСТОРЫ С МАЛЫМ УРОВНЕМ ПОТЕРЬ


ДЛЯ МОЩНЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ

добиваться роста максимальной рабочей


Тиристоры до сих пор остаются основными силовыми компонентами для температуры до 125°C. Это никак не сказы-
мощных приложений, таких, например, как промышленные приводы и высоко- вается на таких критичных для тиристоров
вольтные линии электропередач постоянного тока (HVDC). Промышленные характеристиках, как уровень допустимых
приводы для насосов и компрессоров с потребляемой мощностью до 80 МВт, и даже импульсных токов, долговременная ста-
выше, востребованы в различных областях, например, в газо- и нефтедобыче. Из-за бильность рабочего напряжения или стой-
жестких требований, предъявляемых к таким приложениям, тиристоры должны кость к периодическим импульсам напря-
иметь как можно более высокое значение допустимой температуры кристалла жения.
(Tvj) вплоть до 125°C. Кроме того, необходимо, чтобы они обладали долговремен-
ной стабильностью и стойкостью к мощным токовым импульсам для создания Проведенные испытания показали,
высокоэффективных, мощных силовых устройств, способных безотказно рабо- что величины повторяющихся блокиру-
тать в течение нескольких десятков лет. емых напряжений VRRM и VDRM могут быть
увеличены на 15...20% без роста толщи-
ны кремниевого кристалла. Исследова-

У
ровень потерь является основным тиристоры 9,5 кВ, которые сейчас исполь- ние стойкости тиристоров к воздействию
параметром при выборе тирис- зуются на высоковольтных линиях посто- периодических импульсов напряже-
торов для мощных приложений. янного тока [1, 2]. Выбор большого диамет- ния проводилось согласно требованиям
Также имеют большое значение ра позволяет в короткие сроки перейти на стандарта IEC 60747-6 [2]. Типовые значе-
и должны учитываться долговременная меньшие типоразмеры, такие как 100 мм ния напряжений и токов представлены на
стабильность и стойкость к мощным то- (4”) и 125 мм (5”). рисунке 3. К тиристору прикладывалась
ковым импульсам. В настоящее время в одна полуволна синусоидального сигна-
силовых применениях используются ти- НОВЫЙ ПОДХОД К ПОСТРОЕНИЮ ла амплитудой, равной рабочему напря-
ристоры с классом напряжения 7...8 кВ. ТИРИСТОРОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ жению VRWM и длительностью tP = 10 мс. На
Это позволяет уменьшить число после- ТЕХНОЛОГИИ LTS эту полуволну синусоиды накладывался
довательно включенных приборов при Технология LTS основывается на ис- импульс напряжения с повышенной амп-
создании преобразователей среднего пользовании диффузной сварки при литудой VRRM и длительностью tP = 300 мкс.
диапазона напряжений. формировании сплошного металлизиро- При таких условиях импульсный обрат-
ванного перехода по всей поверхности ный ток достигал значений до несколь-
Для удовлетворения всех требований, между кремниевым диском и молибдено- ких ампер при приложении к тиристору
предъявляемых к промышленным устройс- вым основанием (слой LTS на рисунке 2а). сверхвысоких напряжений VRRM и VDRM.
твам, компания Infineon выпустила новое По сравнению с традиционной технологи-
семейство тиристоров 8,5 кВ, которые ха- ей Free Floating assembly (FF), в которой ис- Анализ данных, полученных при ис-
рактеризуются минимальными потерями пользуется «сухой» контакт между кремни- пытаниях устойчивости к импульсным
во включенном состоянии и способнос- ем и молибденом (рисунок 2б), тепловое нагрузкам, показывает два варианта раз-
тью коммутировать высокие напряжения сопротивление LTS-тиристоров оказыва- вития тиристоров:
при температуре кристалла вплоть до Tvj = ется значительно ниже (таблица 1). Кроме
125°C. Такие показатели достигнуты за счет того, у FF-тиристоров нет контакта между
оптимизации полупроводниковой струк- молибденовыми дисковыми выводами и
туры, а также благодаря использованию выступающими частями кремниевой плас-
проверенных технологических процессов, тины, выполненной с двумя симметричны-
таких, например, как низкотемпературное ми отрицательными скосами. Это может
спекание (Low Temperature Sintering, LTS) и приводить к ограничению максимального
пассивация электроактивного аморфного значения рабочей температуры при пери-
углерода (a-C:H). Отличительными чертами одическом воздействии сверхвысоких на-
представителей нового семейства являют- пряжений VRRM и VDRM.
ся: высококачественный кремниевый диск
диаметром 150 мм (6 дюймов) с превосход- LTS-структура позволяет эффективно
ными характеристиками и корпус с кон- отводить тепло, образующееся при про-
тактными площадками диаметром 135 мм текании значительных обратных токов
(рисунок 1). Новые приборы обеспечива- от границ кристалла. Лучшие показатели Рис. 1. Новые 6-дюймовые 8,5 кВ тиристоры с
ют те же преимущества, что и 6-дюймовые теплоотвода в свою очередь позволяют 135-миллиметровыми выводами

24 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ТЕОРИЯ

Таблица 1. Сравнение основных характеристик технологий LTS и FF на примере 4-дюймовых тиристоров [3, 4]
Параметр Технология LTS Технология FF
Рабочее напряжение, кВ 9,2 8
Пиковый ток, кА 65 при 125°С 47,5 при 115°С
Тепловое сопротивление, °С/кВт 5 5,7
Минимальное усилие, кН 63 81

• если оставить толщину кремниевого диска неизменной –


такой же, как и у существующих тиристоров, – то можно
увеличить значения рабочих напряжений VRRM и VDRM, что
позволит снизить количество последовательно включае-
мых приборов и компонентов вспомогательных цепей без
роста потерь мощности;
• если сохранить значения рабочих напряжений VRRM и VDRM –
можно снизить толщину кремниевой пластины при одно-
временном уменьшении падения напряжения во вклю-
ченном состоянии V T.

Для рассматриваемых новых тиристоров выбран второй


путь. При этом для получения меньшего падения напряжения
а) во включенном состоянии V T и меньших динамических потерь
толщина кремниевой пластины была снижена на 6% без какого-
либо ухудшения запирающих свойств.

ОЦЕНКА ХАРАКТЕРИСТИК НОВЫХ ТИРИСТОРОВ


На рисунке 3 показаны результаты исследования запирающих
свойств новых 6-дюймовых тиристоров при воздействии пери-
одических обратных напряжений VRRM = 8,5 кВ частотой f = 50 Гц.
Измерения напряжений и токов утечки проводились для четырех
значений температур: 25°C, 90°C, 115°C и 125°C. В соответствии с
рекомендациями производителей для обычных тиристоров при-
кладываемое рабочее напряжение VRWM, как правило, составляет
60...80% от величины пикового значения VRRM [2, 5]. При исполь-
б) зовании новых LTS-тиристоров рабочее напряжение VRWM может
быть увеличено до 90% от величины пикового значения VRRM.
Рис. 2. . Поперечное сечение: а) LTS-структуры с положительно-отрицатель-
ным скосом перехода; б) FF-структуры с двойным отрицательным скосом На рисунке 4 показана температурная зависимость тока
перехода утечки. Во время проведения испытаний были продемонстри-
рованы запирающие свойства новых тиристоров 8,5 кВ при час-
тоте 50 Гц и температурах кристалла до 125°C.

На рисунке 5 приведены значения максимально допустимо-


го блокируемого напряжения. Новые тиристоры продемонстри-
ровали сохранение запирающих свойств при воздействии сигна-
лов 9,5 кВ при температурах до 125°C. Эти испытания показывают
значительный запас по напряжению, что позволяет новым ти-
ристорам сохранять работоспособность в течение нескольких
десятилетий. При этом ключевыми технологиями для достиже-
ния таких результатов стали низкотемпературное спекание LTS и
пассивация электроактивного аморфного углерода (a-C:H).

Новые приборы показали не только отличные запирающие


свойства – их уровень потерь также был значительно снижен.
На рисунке 6 демонстрируется уменьшение потерь для 150-мил-
лиметровых тиристоров на 30% по сравнению с конкурентами.
Это вызвано сокращением величины заряда обратного восста-
новления Qr при сохранении того же значения прямого паде-
ния напряжения V T.

Рис. 3. Повторяющееся обратное напряжение и ток при различных темпера- На рисунке 7 представлены расчетные значения заряда об-
турах при одновременном воздействии полуволны и импульса напряжения ратного восстановления Qr для нового семейства тиристоров с

WWW.COMPEL.RU 25
ТЕОРИЯ

Рис. 4. Типовая температурная зависимость тока утечки при воздействии Рис. 5. Зависимость тока утечки от прикладываемого напряжения при воз-
периодического полуволнового сигнала (VRWM, VDWM V = 8,5 кВ, tP = 10 мс) действии одиночных импульсов (tP = 300 мкс) при различной температуре
и синусоидальном рабочем напряжении VRWM = 7,5 кВ

Рис. 6. Усредненная зависимость Qr от VT, полученная при испытании выбо- Рис. 7. Расчетная зависимость Qr от VT для представителей нового семейс-
рок типовых тиристоров и представителей нового семейства 8,5 кВ (рабочая тва 8,5 кВ – 100-миллиметровых тиристоров (при параметрах: IT = 1,5 кА,
температура 125°C, ток испытания IT = 5 кА, di/dt = -1,5 А/мкс, VR = -100 В) di/dt = -1,5 А/мкс, VR = -100 В)

диаметром кремниевого диска 100 мм. Показатели этих доста- 2. M. Schenk, J. Przybilla, U. Kellner-Werdehausen, R. Barthelmess,
точно миниатюрных ключей соответствуют характеристикам J. Dorn, G. Sachs, M. Uder, S. Völkel, „State of the Art of Bipolar
150-миллиметровых тиристоров для заданных условий: IT = 1,5 Semiconductors for Very High Power Applications“, Proceedings
кА, di/dt = -1,5 А/мкс, VR = -100 В. PCIM Europe 2015, Nuremberg, p. 930...936.
3. Datasheet “Infneon-T1901N-DS-v09_00-en_de”, www.Infneon.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ com
Новое семейство 8,5 кВ тиристоров разработано для про- 4. Datasheet “5STP 20N8500_5SYA1072-04 Dec 13”, http://new.
мышленных приложений. Благодаря новым технологиям уда- abb.com/semiconductors
лось достичь рабочего напряжения 8,5 кВ для сигналов частотой 5. J. Vobecký, K. Stiegler, R. Siegrist, F. Weber,„Low Loss HighPower
50/60 Гц при температурах вплоть до 125°C. Можно отметить и Thyristors for Industrial Applications”, Bodo´s Power Systems, Nov.
такие их важные для промышленных приложений свойства как 2015, p. 18...21.
высокая стойкость к импульсам тока и малое усилие при мон-
таже. Это позволяет с их помощью создавать высокоэффектив-
ные, мощные и надежные устройства, отвечающие современ-
ным и будущим требованиям.

ЛИТЕРАТУРА
1. J. Przybilla, J. Dorn, R. Barthelmess, R. Joerke, U. Kellner Оцените статью:
Werdehausen, “Reaching New Limits with High Power Bipolar Нравится Не нравится
Devices”, Proceedings PCIM 2010, Nuremberg, p. 761...766.

26 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ИННОВАЦИИ

Свейн Ветти, Джонас Олссон, Джина Копли (Texas Instruments)

IOT: КАК СОВМЕСТИТЬ ПЕРЕДАЧУ ДАННЫХ


НА БОЛЬШОЕ РАССТОЯНИЕ И ПОДКЛЮЧЕНИЕ
СМАРТФОНА?

решенной в субгигагерцевом диапазо-


Инженеры Texas Instruments рассказывают, как на базе нового двухдиапа- не, у низкоскоростных каналов передачи
зонного сетевого микроконтроллера СС1350 организовать беспроводную данных меньше проблем с нарушениями
сеть, сочетающую дальние расстояния передачи и эффективное взаимодейс- связи по сравнению с диапазоном 2,4 ГГц,
твие с управляющим процессами и отображающим информацию мобильным где они, в основном, обусловлены рабо-
устройством. той устройств Wi-Fi®. Более низкие рабо-
чие частоты позволяют также ограничить
потребляемый ток, что позволяет про-

В
современном мире Интернета СУБГИГАГЕРЦЕВЫЙ ДИАПАЗОН: длить срок службы батареи и использо-
вещей (IoT) на рынке ежеднев- БОЛЬШАЯ ДАЛЬНОСТЬ СВЯЗИ ПРИ вать литиевые элементы питания мень-
но появляется множество но- НИЗКОЙ МОЩНОСТИ ПЕРЕДАТЧИКА ших размеров.
вых беспроводных приложе- Существует значительное число бес-
ний, осуществляющих непрерывный проводных устройств, для которых даль- Однако получение данных из суб-
сбор информации от датчиков и двусто- ность связи имеет намного большее гигагерцевой сети может оказаться не-
ронний обмен данными. С нашего смар- значение, чем высокая пропускная спо- простой задачей для интеллектуальных
тфона мы получаем информацию о том, собность канала связи. К подобным уст- устройств пользователя ввиду того, что
например, какие мероприятия были ройствам относятся, например, интеллек- они, как правило, не охватывают субги-
предприняты в нашей системе безопас- туальные приборы учета электроэнергии, гагерцевый диапазон ISM. По этой при-
ности, сообщения о том, что ни одно из извещатели в системах охранной сигна- чине Bluetooth® с низким энергопот-
окон в помещении не осталось откры- лизации или датчики температуры в сис- реблением стал де-факто стандартом
тым. Уведомления, присылаемые сис- темах домашней автоматизации. В этих для двухдиапазонных МК беспроводной
темой безопасности с использованием приложениях субгигагерцевый диапазон сети, служащих в качестве моста между
беспроводных сетей, помогают сделать ISM (433/868/915 МГц), выделенный для устройствами, работающими в двух раз-
нашу каждодневную жизнь комфорт- промышленных, научных и медицинских ных диапазонах. В настоящее время на
ной. Тенденция сбора все большего ко- беспроводных устройств, обеспечива- рынке представлен микроконтроллер
личества дополнительной информации ет значительно большую дальность свя- CC1350 (Texas Instruments), работающий
ведет к ежедневному взаимодействию с зи, чем диапазон 2,4 ГГц, что обусловле- в субгигагерцевом диапазоне частот и
различными беспроводными устройс- но физическими свойствами радиоволн в стандарте Bluetooth с низким энерго-
твами. В течение одного дня человек на более низких частотах. Теоретически в потреблением (Bluetooth Low Energy, BLE).
может взаимодействовать с более чем свободном пространстве при том же ко- МК CC1350 способен передавать сиг-
100 устройствами, использующими не- эффициенте усиления антенны уменьше- нал с уровнем +10 дБм, потребляя при
сколько беспроводных протоколов или ние рабочей частоты вдвое увеличивает этом ток до 15 мА, что является допус-
стандартов. На сегодняшний день раз- дальность связи в два раза. Еще одним тимым значением при питании от лити-
личные беспроводные сети, например, важным фактором является то, что бо- евой батареи. Используя низкоскорос-
системы безопасности дома и автомо- лее длинные радиоволны имеют возмож- тную передачу данных, можно получить
бильные и офисные сети очень мало ность проходить сквозь стены и огибать дальность связи по прямой видимости
взаимодействуют друг с другом. Пере- препятствия. свыше 20 км с передатчиком, поднятым
ключение между различными диапазо- над поверхностью земли, при этом ток
нами частот и разными сетями созда- Определенную роль в увеличении потребления приемника составит 5,4 мА
ет некоторые неудобства, связанные с дальности связи играет также низкая при питании от литиевой батареи.
использованием разных интерфейсов, скорость передачи данных, так как чувс-
вследствие чего возникает вопрос – как твительность приемника существенно ПРОБЛЕМЫ, СВЯЗАННЫЕ С РАБОТОЙ
добиться более тесного взаимодейс- зависит от этого параметра. Согласно эм- В СУБГИГАГЕРЦЕВОМ ДИАПАЗОНЕ
твия между этими сетями? Основная пирическому правилу, уменьшение ско- Преимущества субгигагерцевого диа-
проблема в межсетевых взаимодейс- рости передачи в четыре раза увеличи- пазона вполне очевидны, однако ему при-
твиях состоит в отсутствии переключе- вает вдвое дальность связи в свободном сущи также определенные недостатки.
ния с диапазона 2,4 ГГц на субгигагер- пространстве. И, наконец, вследствие ма- Например, смартфон – одно из основных
цевый диапазон. лой длительности рабочего цикла, раз- устройств, используемых в нашей повсед-

WWW.COMPEL.RU 27
ИННОВАЦИИ

составе128 кбайт Flash-памяти программ,


20 кбайт статической оперативной памя-
ти данных (ОЗУ) со сверхнизким энерго-
потреблением и дополнительно ОЗУ объ-
емом 8 кбайт, используемое в качестве
кеш-памяти (также может быть использо-
вано как обычное ОЗУ). Радиочастотный
блок МК содержит полный тракт приемо-
передатчика, охватывающего субгигагер-
цевые поддипазоны 315, 433, 470, 868 и
915 МГц, а также диапазон 2,4 ГГц. Радио-
частотный блок включает в себя модем
с гибкой программной настройкой кон-
фигурации, обеспечивающей скорость
передачи данных от нескольких сотен
бит/с до 4 Мбит/с и несколько форма-
тов модуляции от «простой» коммутации
(вкл-выкл), до (G)FSK, (G)MSK, 4-(G)FSK и
CPM (shaped 8-FSK). Основное преиму-
щество гибко программируемого радио-
частотного блока состоит в поддержке
большого количества представленных
на рынке субгигагерцевых беспроводных
устройств прежнего поколения, а также
в возможности программной настройки
радиочастотного блока для соответствия
существующим стандартам. Одним из на-
глядных примеров гибкой настройки кон-
фигурации является то, что для работы МК
CC1350 в новых режимах связи большой
дальности или высокоскоростного режи-
ма передачи данных, представленного
Bluetooth SIG в июне 2016 г. (Bluetooth 5.0),
достаточно всего лишь обновить встроен-
ное программное обеспечение МК.

Встроенное в радиочастотный блок


процессорное ядро ARM Cortex-M0 ра-
ботает под управлением программы, за-
Рис. 1. Структурная схема МК CC1350 писанной в постоянном запоминающем
устройстве (ПЗУ), и обеспечивает подде-
невной жизни – не поддерживает субгига- зи со смартфоном, планшетом и персо- ржку низкоуровневых функций протоко-
герцевый диапазон. По факту, смартфоны нальным компьютером (ПК). Компания лов Bluetooth и собственных протоколов
способны осуществлять связь с беспро- Texas Instruments представляет первый TI для беспроводной передачи данных,
водными устройствами, используя лицен- на рынке МК беспроводной сети CC1350, что позволяет разгрузить основное про-
зированные диапазоны (GPRS, 3G и LTE) для совмещающий на одном кристалле вы- цессорное ядро ARM Cortex-M3 от вы-
получения максимальной дальности, од- сокопроизводительный процессор ARM® полнения критичных по времени задач.
нако они не используют субгигагерцевый Cortex®-M3, контроллер датчиков с низ- Система питания построена на преобра-
диапазон ISM. Очевидным преимуществом ким энергопотреблением и маломощный зователе постоянного напряжения (DC/
технологий Wi-Fi и Bluetooth является то, двухдиапазонный трансивер. DC), тесно интегрированного со схемой
что они имеются в виде стандартных фун- управления. Преобразователь напряже-
кций в любом смартфоне, представленном CC1350 – ДВУХДИАПАЗОННЫЙ МК ния работает во всех режимах, включая
на сегодняшний день на рынке. МК CC1350 (рисунок 1) представляет дежурный, что обеспечивает малое энер-
собой полностью однокристальное ус- гопотребление, а также стабильность ха-
Решением данной проблемы является тройство в миниатюрном корпусе QFN рактеристик радиосвязи независимо от
объединение преимуществ двух диапа- с минимальным посадочным местом на падения напряжения батареи.
зонов – субгигагерцевого для получения плате 4х4 мм. При необходимости исполь-
максимальной дальности связи с низким зования большего числа портов ввода/ ВСТРОЕННОЕ ПЗУ МК CC1350
энергопотреблением и диапазона 2,4 ГГц вывода можно использовать МК в корпу- Встроенное ПЗУ МК CC1350 имеет
с использованием технологии Bluetooth се QFN размером 7х7 мм. Процессор при- объем более 200 кбайт и поддерживает
с низким энергопотреблением для свя- ложений ARM Cortex-M3 имеет в своем следующие функции:

28 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ИННОВАЦИИ

• операционную систему (ОС) реаль-


ного времени TI-RTOS;
• библиотеку низкоуровневых драй-
веров SPI, UART и других устройств;
• функции шифрования;
• функции низкого уровня и некото-
рые функции высокого уровня сте-
ка протоколов Bluetooth.

Необходимо отметить, что програм-


мное обеспечение ПЗУ может быть мо-
дифицировано c помощью механизма
программной коррекции (патчей) из фун-
кций во Flash-памяти.

СВЕРХНИЗКОЕ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ
МК CC1350 обеспечивает сверхмалый
ток потребления во всех режимах работы
как процессорного ядра, так и радиочас-
тотного блока, что иллюстрирует рису-
нок 2.

КОНТРОЛЛЕР ДАТЧИКОВ Рис. 2. Сверхмалый ток потребления во всех режимах работы CC1350
Контроллер датчиков представляет
собой встроенный в устройства серии ния. Все программные стеки компании ляющийся реализацией стандарта IEEE
CC13xx небольшой оптимизированный TI, поддерживающие устройства беспро- 802.15.4g/e и поддерживающий сетевые
по энергопотреблению 16-разрядный водных сетей, используют свободно рас- топологии типа «звезда». Стек TI-15.4 рас-
МК с интерфейсами для обработки сиг- пространяемую операционную систему пространяется бесплатно в двух версиях:
налов малопотребляющих аналоговых (ОС) реального времени TI-RTOS, также
и цифровых датчиков. Программирова- разработанную компанией TI. ОС TI-RTOS • в версии, оптимизированной в со-
ние контроллера датчиков осуществля- распространяется в соответствии с п. 3 ответствии с нормативными доку-
ется посредством программной среды лицензии BSD (программная лицензия ментами ЕС (ETSI) и использующей
Sensor Controller Studio, в которой поль- университета Беркли), что означает пре- быструю перестройку частоты и
зователь может самостоятельно выбрать доставление полного доступа к исход- технологию LBT (прослушивание
заранее определенные функции для раз- ному коду. Для упрощения разработки канала перед включением пере-
личных периферийных устройств. Дан- приложений компания TI разработала датчика);
ная программная среда предоставляет большой набор драйверов периферий- • в версии, оптимизированной в со-
также примеры программной поддержки ных устройств, в том числе – драйверов, ответствии с нормативными доку-
интерфейсов датчиков общего примене- оптимизирующих работу радиочастот- ментами США (FCC) и использующей
ния – работу с АЦП (потоковое чтение, ного блока МК, что позволяет разработ- скачкообразное изменение частоты
протоколирование, функция двухпорого- чикам сосредоточиться исключительно для получения максимальной вы-
вого компаратора) и работу с цифровы- на решении задач, связанных с работой ходной мощности.
ми датчиками по интерфейсам I2C/SPI. На приложения. Для МК серий CC13xx и
рисунке 3 показан примерный вид окна CC26xx, работающих под управлением TI- ВАРИАНТЫ СОВМЕСТНОГО ИСПОЛЬ-
программы Sensor Controller Studio. RTOS, компания TI предлагает комплек- ЗОВАНИЯ СУБГИГАГЕРЦЕВОЙ СЕТИ
ты разработки программного обеспече- И СОЕДИНЕНИЯ ПО ПРОТОКОЛАМ BLE
ПРОСТОЕ В ИСПОЛЬЗОВАНИИ ПО ния (SDK), включающие в себя большое Работа МК CC1350 в субгигагерцевом
И ЕГО ТЕХПОДДЕРЖКА число примеров для быстрого освоения диапазоне и поддержка протоколов BLE
Для малопотребляющего МК CC2540 программных продуктов. Примеры ре- открывает много возможностей, основ-
с поддержкой Bluetooth компания TI вы- ализации беспроводных приложений ные из которых перечислены ниже.
пустила один из первых сертифициро- представлены с целью демонстрации
ванных стеков протоколов BLE. Програм- возможностей использования различ- Монтаж, ввод в эксплуатацию, тех-
мный стек получил дальнейшее развитие ных драйверов с оптимизированной ническое обслуживание и диагнос-
для поддержки появившейся в 2015 г. производительностью и являются хоро- тика субгигагерцевых сетей. На этапе
платформы CC26xx. В настоящее время шей отправной точкой для разработки монтажа и ввода в эксплуатацию большая
программный стек доступен также для собственных беспроводных систем. При дальность связи устройств субгигагерце-
МК CC1350 и обладает теми же функци- разработке новых систем, не требующих вого диапазона может оказаться недо-
ями, что и Bluetooth 4.2 – от применения поддержки устройств предыдущего по- статком, так как пользователю необходи-
в виде «простых» маячков до полнофун- коления, отличным решением являет- мо настроить узлы только своей сети, не
кционального двустороннего соедине- ся новый программный стек TI-15.4, яв- захватывая при этом соседнюю сеть, ко-

WWW.COMPEL.RU 29
ИННОВАЦИИ

Рис. 3. Окно программы Sensor Controller Studio

торая может использовать тот же набор беспроводных системах, установленных • другим примером является уста-
устройств. Использование смартфона с специализированными компаниями, а новка пользователем или специа-
меньшей дальностью связи, но значи- также выполняться пользователем само- лизированной компанией системы
тельно более высокой скоростью пере- стоятельно, например: охранной сигнализации или систе-
дачи данных по протоколу Bluetooth, а мы домашней автоматизации.
также наличие экрана большого размера • пользователь приобрел два комп-
в смартфоне намного упрощают настрой- лекта дымовых извещателей, пред- Обновление встроенного програм-
ку узлов в сети (рисунок 4). С помощью варительно сконфигурированных много обеспечения. Для обеспечения
смартфона, подключенного к сети Ин- для совместной работы в беспро- наилучшей производительности в те-
тернет, проще загружать новое програм- водной сети субгигагерцевого диа- чение всего срока службы сетевого ус-
мное обеспечение в конечные беспро- пазона, а затем обнаружил, что ему тройства решающее значение имеет
водные устройства, а также осуществлять необходимо еще одно устройство, возможность удаленного обновления
сбор диагностической информации. Та- которое он хотел бы подключить к встроенного программного обеспече-
кие действия могут осуществляться в той же сети. ния по технологии OTA (Over-the-air). Об-
новление встроенного программного
обеспечения позволяет также добавлять
новые функции уже установленным на
объектах сетевым устройствам. Благо-
даря более высокой скорости передачи
данных, осуществляемой по Bluetooth,
обновление встроенного программного
обеспечения может быть сделано намно-
го быстрее. Система может включать в
себя устройства, в которых программное
обеспечение обновляется по субгигагер-
цевой сети или посредством соедине-
ния по Bluetooth с низким энергопотреб-
лением, что дает большую гибкость для
пользователей. Одним из примеров об-
новления по технологии OTA с использо-
ванием Bluetooth может быть следующий
Рис. 4. Программное обеспечение Bluetooth: стек двустороннего соединения. Программное обеспечение сценарий: устройство получает команду
субгигагерцевой сети: стек протокола TI 15.4 или протоколов предыдущего поколения через интерфейс субгигагерцевой сети

30 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ИННОВАЦИИ

переключиться в режим BLE, далее поль-


зователь подключается к устройству по
интерфейсу Bluetooth и, после установле-
ния соединения, загружает в устройство
новое программное обеспечение (рису-
нок 5). Далее устройство перезагружает-
ся с обновленной программой.

Использование смартфона в качест-


ве удаленного дисплея. Создание удоб-
ных в использовании готовых изделий
имеет большое значение как для потре-
бительских, так и для специализирован-
ных товаров. Однако цветные дисплеи с
красивым дизайном являются дорогими
в разработке и производстве, зачастую Рис. 5. Программное обеспечение Bluetooth: полнофункциональный Bluetooth-стек. Программное обес-
имеют недостаточную механическую про- печение для работы на частотах до 1 ГГц: стек протоколов TI 15.4-Stack или драйвер для совместимос-
чность и увеличивают ток, потребляемый ти с предыдущими поколениями радиочастоттных приемопередатчиков
устройством. Во многих случаях можно
значительно упростить интерфейс или
добавить новые функции имеющимся ус-
тройствам, используя смартфон в качес-
тве дисплея. Например, беспроводной
дымовой пожарный извещатель может
использовать смартфон для отображе-
ния состояния батареи или времени, про-
шедшего с момента последнего срабаты-
вания. В принципе, любая сеть датчиков,
имеющая данные для отображения, мо-
жет использовать смартфон в качестве
удаленного дисплея вместо стандартного
ЖК-дисплея (рисунок 6).

Управление данными, передаваемы-


ми устройством BLE в режиме маячка. Од- Рис. 6. Программное обеспечение Bluetooth: стек двустороннего соединения. Программное обеспечение
ним из основных преимуществ исполь- субгигагерцевой сети: стек протокола TI 15.4 или протоколов предыдущего поколения
зования субгигагерцевой сети является
большая дальность связи при той же вы-
ходной мощности передатчика. При об-
новлении информации большого числа
устройств Bluetooth с низким энергопот-
реблением, работающих в режиме маяч-
ков, физический доступ к каждому маячку
может оказаться невыполнимой задачей.
В этом случае субгигагерцевая сеть мо-
жет быть использована для подключения
к маячку и загрузки в него новой инфор-
мации, которую он будет передавать по
каналу Bluetooth (рисунок  7). В данном
разделе описано несколько вариантов
использования такой системы.

Physical Web компании Google


В концепции Physical Web производс-
тва компании Google маячки использу-
ются для передачи адреса URL, который
открывается в стандартном веб-браузере.
Преимуществом этого решения является
простота использования, так как для него Рис. 7. Программное обеспечение Bluetooth: маячок (стек двустороннего соединения не требуется).
не требуется никаких специальных при- Программное обеспечение субгигагерцевой сети: стек протокола TI 15.4 или протоколов предыдущего
ложений: достаточно создать веб-стра- поколения

WWW.COMPEL.RU 31
ИННОВАЦИИ

• UDI передает уникальный иденти- как загрузить новое приложение для со-
фикатор устройства, используемый здания небольшой беспроводной сети
для геолокации (например, внутри датчиков. Сеть датчиков включает в себя
зданий). концентратор, который принимает дан-
ные в диапазоне 868 МГц от конечных уз-
Пример реализации системы: киноте- лов сети. Устройства, которые посылают
атр объявляет следующий фильм с помо- данные концентратору, могут «на ходу»
щью маячков Bluetooth, расположенных перестроить радиочастотный блок для
в нескольких местах вокруг кинотеатра. передачи пакетов объявлений по прото-
Субгигагерцевая сеть используется для колу BLE в диапазоне 2,4 ГГц.
обновления «цифровых плакатов» каж-
дый раз, когда готовится показ нового ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ
фильма.
Отладочные наборы для разработчи-
МАЯЧКИ С СОБСТВЕННЫМИ ков:
ПРОТОКОЛАМИ • отладочный набор LaunchPad на ос-
В тех случаях, когда не требуется взаи- нове двухдиапазонного МК CC1350
модействовать с другими приложениями, LAUNCHXL-CC1350;
разработчик может использовать свой • демонстрационный комплект
собственный формат кадра BLE-маячка, SensorTag на основе МК CC1350
одним из примеров которого является CC1350STK;
набор приложений SensorTag для сети • комплект LaunchPad на основе МК
SimpleLink компании TI, осуществляющий CC1310 (только субгигагерцевый
связь смартфона с оконечными устройс- диапазон) LANUCHXL-CC1310.
твами посредством собственного форма-
та кадра, разработанного компанией TI Программное обеспечение:
(рисунок 8). • комплект разработки программно-
го обеспечения TI BLE-Stack;
РАБОТА С ОТЛАДОЧНЫМ НАБОРОМ • примеры программ с использовани-
МК CC1350 ем ОС TI-RTOS для МК серий CC13xx/
Установочная версия программного CC26xx;
Рис. 8. Набор приложений SensorTag обеспечения МК CC1350 позволяет про- • комплект разработки программно-
демонстрировать большинство вариан- го обеспечения с использованием
тов использования, описанных в данной стека протоколов TI-15,4;
ницу, на которую будет указывать маячок статье. Отладочный набор LaunchPad™ • программная среда SmartRF ™
Bluetooth. Управление маячком заключа- на основе двухдиапазонного МК CC1350 Studio;
ется, в основном, в изменении ссылки на поставляется с предварительно запрог- • программатор SmartRF Flash
веб-страницу и осуществляется по субги- раммированным стеком TI BLE, что позво- Programmer.
гагерцевой сети. ляет подключиться к устройству, исполь-
зуя приложение SensorTag iOS/Android, Техподдержка:
Google Physical Web использует спе- установленное на смартфоне. После • форумы сообщества TI E2E™.
цификацию Eddystone с открытым ис- подключения к смартфону МК CC1350
ходным кодом, определяющую несколь- обеспечивает тот же набор функций, что
ко различных форматов кадра маячка и отладочный набор LaunchPad на ос-
Bluetooth с низким энергопотреблением: нове МК CC2650, поддерживающего не-
сколько стандартов только в диапазоне
• URL передает стандартный адрес 2,4 ГГц. Благодаря возможности работы
URL; в двух радиочастотных диапазонах, МК
• TLM используется для передачи дан- CC1350 может быть переведен посредс-
ных телеметрии, например, уровня твом удаленного программирования по
заряда аккумулятора, времени с мо- технологии OTA из режима BLE в режим Оцените статью:
мента перезагрузки и тому подоб- датчика сети субгигагерцевого диапазо- Нравится Не нравится
ного; на. Пошаговое руководство показывает,

32 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Ситараман Девендран, Сурья Мишра, Абед Мисра (Texas Instruments)

ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ДЛЯ БЕСПРОВОДНОГО


ДИММЕРА БЕЗ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ НЕЙТРАЛИ:
ТИПОВАЯ РАЗРАБОТКА И ЕЕ ИСПЫТАНИЯ

ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Разработанный Texas Instruments типовой источник питания для беспровод- ПЛАТЫ ПИТАНИЯ И РАДИОМОДУЛЯ
ного диммера предназначен для модернизации систем освещения. Он состоит из TIDA-01097:
платы питания и радиомодуля. Авторы статьи – инженеры TI – подробно и пошагово • потребляемый ток составляет не бо-
описывают работу изделия, расчет и выбор внешних компонентов для его практи- лее 125 мкА в дежурном режиме с
ческого применения и результаты испытаний. учетом МК беспроводной сети и КПД
69% в рабочем режиме при мощнос-
ти нагрузки 35 мВт;
• сетевой источник выполнен на мик-

У
стройства управления освеще- вал срабатывания УЗО или дифавтомата.
нием, к которым относятся про- Как следствие, это требует очень малого росхеме контроллера со встроен-
водные и беспроводные выклю- энергопотребления устройства в дежур- ным 700-вольтовым МОП-транзис-
чатели и регуляторы яркости ном режиме и высокого КПД источника тором;
(диммеры), могут использоваться как питания. • имеется встроенная схема ограни-
при модернизации существующих сис- чения тока, в том числе - пускового,
тем освещения, так и в новых проектах. В Беспроводной блок управления осве- защита от перегрузки и КЗ выхода;
разводке электропитания современных щением на основе платы питания TIDA- • питание МК осуществляется от ма-
систем освещения имеется доступ к про- 01097, представленный компанией Texas лошумящего линейного стабилиза-
водам фазы, нейтрали и заземления, что Instruments (TI), включает в себя сетевой тора с малым падением напряжения
дает возможность питания блока управ- источник питания, отличающийся высо- (LDO), характеризующегося высоким
ления освещением от фазы и нейтрали, в ким КПД при малых токах, малошумящий коэффициентом подавления пульса-
то время как в большинстве модернизи- линейный стабилизатор с малым паде- ций напряжения питания и гладким
руемых систем доступны только провода нием напряжения (Low Drop Out, LDO) и переходным процессом при изме-
фазы и заземления. В таких случаях пи- высоким коэффициентом подавления нении входного напряжения и тока
тание блока управления осуществляет- пульсаций напряжения питания, и мик- нагрузки;
ся от проводов фазы и заземления, при роконтроллер (МК) беспроводной сети со • используемый в проекте TIDA-
этом ток, протекающий по проводу за- сверхнизким энергопотреблением в де- 01097 микромощный МК с током
земления, должен быть ограничен вели- журном режиме и малым током потребле- потребления 1 мкА в дежурном
чиной не более 0,5 мА, чтобы он не вызы- ния в активном режиме. режиме leLink может быть легко
интегрирован в системы управле-
ния освещением с управлением по
Bluetooth;
• плата питания позволяет реализо-
вать устройства управления освеще-
нием без подключения к нейтрали.
В качестве возвратного провода ис-
пользуется провод заземления в со-
ответствии со стандартом UL773A.

ВОЗМОЖНЫЕ ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕ-


НИЯ ПЛАТЫ ПИТАНИЯ И РАДИОМО-
ДУЛЯ TIDA-01097:
• выключатели освещения и димме-
ры, работающие без провода ней-
трали, с проводным или беспровод-
ным управлением;
• устройства, управляемые светом;
• датчики присутствия людей;
Рис. 1. Беспроводная система управления освещением без использования провода нейтрали • датчики движения.

WWW.COMPEL.RU 33
ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

ПРИНЦИП РАБОТЫ СИСТЕМЫ УПРАВ-


ЛЕНИЯ ОСВЕЩЕНИЕМ БЕЗ ИСПОЛЬ-
ЗОВАНИЯ ПРОВОДА НЕЙТРАЛИ
Устройства управления освещени-
ем играют важную роль в повышении
энергоэффективности офисных и жилых
зданий. Управление освещением может
осуществляться по проводам или по ра-
диоканалу, однако в настоящее время
беспроводные системы получают все
большее распространение благодаря
отсутствию дополнительных проводов
и, как следствие, упрощению монтажа
системы. Беспроводные системы управ-
ления освещением включают в себя ра-
Рис. 2. Проводное симисторное устройство управления яркостью (диммер) без использования прово- диоуправляемые выключатели, пульты,
да нейтрали диммеры и датчики. Они обычно рассчи-
таны на работу от компактных источни-
ков питания мощностью до 100 мВт.

Одним из основных требований к


источникам питания для них являет-
ся сверхнизкий ток потребления, что
обусловлено необходимостью посто-
янного нахождения устройств управле-
ния во включенном состоянии. Второе
важное требование заключается в ком-
пактности и высоком уровне интегра-
ции источников питания. На рисунках 1
и 2 показаны типовые реализации ус-
тройств управления освещением (вы-
ключателей и диммеров) без использо-
Рис. 3. Структурные схемы платы питания и платы радиомодуля TIDA-01097 вания провода нейтрали.

Таблица 1. Основные характеристики платы питания TIDA-01097


Условия Значение
Параметр Обозначение
испытаний Мин. Ном. Макс.
Входные характеристики
Напряжение сети, В VIN_AC – 93,5 110 126,5
Частота сети, Гц FAC – – 60 –
Минимальное напряжение включения, В VHVIN(min) – – 30 –
Входной переменный ток, мкА IIN_AC – 100 500 800
Выходные характеристики
Входное напряжение стабилизатора (LDO)
Выходное напряжение, В VLDO_IN 3,55 3,61 3,8
при VIN_AC = 110 В
VLDO_OUT Выходное напряжение стабилизатора (LDO) 3,23 3,294 3,36
2
Выходной ток, В IOUT VIN_AC = 110 В 0,005 6,75 10,74
Пульсации напряжения на входе стабилиза-
Пульсации выходного напряжения, мВ – 72 – 240
тора (LDO) при VIN_AC = 110 В
Выходная мощность, мВт PLDO_OUT VIN_AC = 110 В, IIN_AC = 740 мкА – 33,2 –
3
КПД, % – VIN_DC = 155,5 В, IIN_DC = 374 мкА – 68,9 –
Защиты от перегрузки по току и КЗ выхода
Защиты – – – –
и перегрева4
Примечания: 1 – Напряжение на входе стабилизатора (LDO) при IIN_AC = 500 мкА. 2 – Выходной ток при IIN_AC = 500 мкА. 3 – КПД обратноходо-
вого преобразователя напряжения без учета потерь в сетевом выпрямителе, входной схеме ограничения тока и выходном стабилизаторе
(LDO). 4 – Защиты реализованы в микросхеме UCC28881, используемой в данном проекте TI.

34 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Установка устройств управления в модернизируемых сис-


темах управления освещением является более сложной зада-
чей, поскольку смонтированное ранее оборудование может
не иметь подключения к проводнику нейтрали или к совме-
щенному проводнику заземления и нейтрали. В таких случа-
ях блок питания подключается между проводом фазы и про-
водом или шиной заземления. В соответствии со стандартом
UL773A такая схема подключения допустима при определен-
ных условиях, и одним из важнейших из них является ограни-
чение тока, протекающего через проводник заземления, ве-
личиной не более 0,5 мА. Это требование обусловлено тем, Рис. 4. Схема ограничения входного тока
что ток утечки на землю не должен превысить порог сраба-
тывания устройства защитного отключения (УЗО), установ-
ленного в цепи питания. Для выполнения этого требования,
а также учитывая необходимость получения максимально
большой мощности для питания схемы управления освеще-
нием, источник питания должен иметь высокий КПД и низкий
ток собственного потребления. Данные требования реализо-
ваны в проекте TIDA-01097 от компании TI. Результаты испы-
таний источника питания TIDA-01097 с малопотребляющим
МК беспроводной сети будут приведены далее в качестве
справочных значений.

Несмотря на то, что данный источник питания предназначен,


в основном, для модернизируемых систем управления освеще-
нием без использования провода нейтрали, он может быть ис-
пользован также в новых проектах. Кроме того, плата питания
TIDA-01097, разработанная и испытанная для выходного напря-
жения 3,3 В и тока нагрузки 10 мА, может быть легко модифици-
рована для устройств с другим напряжением питания и большей
мощностью.
Рис. 5. Модифицированная схема ограничения тока
Основные характеристики платы питания TIDA-01097 приве-
дены в таблице 1. NPN-транзистор Q3 управляет напряжением на затворе
МОП-транзистора в зависимости от тока, протекающего через
Структурные схемы платы питания TIDA-01097 и подключен- резистивный датчик тока. Порог ограничения тока определяет-
ной к ней платы радиомодуля TIDA-01097 RF показаны на рисун- ся сопротивлением резистивного датчика тока (R4) и падением
ке 3. напряжения на переходе «база-эмиттер» (VBE) транзистора Q3 в
соответствии с формулой (1):
ОПИСАНИЕ РАБОТЫ И МЕТОДИКА РАСЧЕТА СЕТЕВОГО
ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ (1)
Проект TIDA-01097 производства компании TI включает в
себя сетевой источник питания с выходным напряжением 3,3 В. Данная схема получила широкое распространение, однако
Для ограничения тока, протекающего по проводнику заземле- имеет и ряд недостатков. Ток через резистор R1, создающий на-
ния на уровне не более 0,5 мА, что необходимо для устройств пряжение смещения на затворе МОП-транзистора, не проходит
управления освещением без использования нейтрали, источ- через датчик тока (R4), вследствие чего при увеличении входно-
ник питания содержит схему ограничения входного тока, вы- го напряжения питания увеличивается ток смещения, который,
полненную на дискретных компонентах. К выходу ограничителя в свою очередь, увеличивает порог ограничения тока, что явля-
тока подключен неизолированный обратноходовой преобра- ется нежелательным эффектом. Другим негативным свойством
зователь с обратной связью по выходному напряжению. Напря- данной схемы является отрицательный температурный коэф-
жение питания с выхода преобразователя подается через LDO фициент напряжения «база-эмиттер» транзистора Q3, что при-
LP5912 на МК беспроводной сети СС2650. Линейный стабилиза- водит к значительному изменению порога ограничения тока в
тор повышает точность стабилизации напряжения питания МК диапазоне рабочих температур.
и уменьшает пульсации напряжения на выходе обратноходово-
го преобразователя. На рисунке 5 показана модифицированная схема ограниче-
ния тока, которая частично устраняет перечисленные выше не-
Схема ограничения входного тока достатки.
На рисунке 4 показана упрощенная функциональная схема
ограничения входного тока с использованием МОП-транзисто- Резистор R3 и PNP-транзистор Q2 образуют источник посто-
ра в качестве элемента, регулирующего ток. янного тока, подключенный к коллектору Q3. Любой избыточ-

WWW.COMPEL.RU 35
ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Таблица 2. Технические требования для расчета преобразователя и выбора элементной базы


Значение.
Параметр Описание
Мин. Ном. Макс.
Входные характеристики
VIN_DC, В Входное постоянное напряжение преобразователя 100 – 400
Выходные характеристики
VOUT, В Выходное напряжение преобразователя – 3,6 5
IOUT, мА Выходной ток – 10 –
Fmax, кГц Частота коммутации – 62 –
η, % Планируемое значение КПД – 70 –

ный ток смещения направляется через коллектор Q2 в датчик • VCLAMP – выброс напряжения на стоке транзистора, обус-
тока R4, благодаря чему при увеличении входного напряжения ловленный индуктивностью рассеивания трансформато-
питания ток смещения остается относительно постоянным и ра и ограниченный по амплитуде схемой снаббера;
регулировочная характеристика тока ограничения становится • VR – «отраженное» напряжение на выводах первичной об-
более плоской. Другой проблемой, свойственной данному типу мотки трансформатора;
схем, является отрицательный температурный коэффициент на- • VDC_IN(MAX) – максимальное входное напряжение питания
пряжения «база-эмиттер», составляющий примерно –1,6 мВ/°C, постоянного тока.
что приводит к значительному изменению порога ограничения
тока в диапазоне рабочих температур. Одним из путей решения Предполагая величину VCLAMP в пределах 25% от VDS_MAX и за-
данной проблемы является добавление стабилитрона D2 с на- дав величину VDS_MAX = 630 В, величину VR можно вычислить из
пряжением 5,6...6,2 В в цепи эмиттера Q3, что увеличивает на- уравнения 630 = 400 + VR + 160.
пряжение, снимаемое с датчика тока. Стабилитрон с напряже-
нием 5,6 В имеет положительный температурный коэффициент, Полученное значение VR = 70 В является компромиссом меж-
компенсирующий отрицательный температурный коэффици- ду выбросами напряжения на силовом МОП-транзисторе, под-
ент транзистора. Кроме того, более высокое напряжение, сни- ключенном к первичной обмотке, и выпрямительным диодом,
маемое с датчика тока, приводит к тому, что изменение напря- подключенным ко вторичной обмотке. При большем отноше-
жения «база-эмиттер» на величину порядка 100 мВ в меньшей нии числа витков первичной и вторичной обмоток (коэффици-
степени влияет на регулируемый ток. енте трансформации) увеличиваются напряжения VR и VDS_MAX,
но уменьшается выброс напряжения на выходном выпрями-
Проектирование обратноходового преобразователя тельном диоде. При меньшем коэффициенте трансформации
напряжения уменьшаются VR и VDS_MAX, но увеличивается выброс напряжения
В данном разделе подробно описывается процесс проекти- на выходном выпрямительном диоде.
рования и выбора компонентов обратноходового преобразо-
вателя напряжения на микросхеме UCC28881. Для максимального выходного напряжения 5 В минималь-
ный коэффициент трансформации определяется формулой 3.
В таблице 2 представлены технические требования, которые
в дальнейшем будут использованы для расчета преобразовате- , (3)
ля и выбора элементной базы.
Где:
Расчет коэффициента трансформации • NPS – коэффициент трансформации для выхода 5 В;
Микросхема UCC28881 содержит встроенный МОП-тран- • VOUT – максимальное выходное напряжение;
зистор с предельно допустимым напряжением «сток-исток» • VDIODE – падение напряжения на выпрямительном диоде,
700 В, что позволяет определить с учетом диапазона вход- составляющее примерно 0,7 В.
ных напряжений до 400 В «отраженное» напряжение (VR) и
максимальное напряжение «сток-исток» (VDS) МОП-транзис- Фактическое значение коэффициента трансформации со-
тора. «Отраженное» напряжение VR представляет собой на- ставляет 12,61. Данный трансформатор предназначен для ис-
пряжение на выводах первичной обмотки трансформатора точника питания, работающего в диапазоне входного посто-
при разомкнутом состоянии силового транзистора. Оно вли- янного напряжения 100...400 В, выходного напряжения 5 В, вы-
яет также на максимальное напряжение «сток-исток» (VDS_MAX) ходного тока 1 А и частоты коммутации 62 кГц.
встроенного МОП-транзистора UCC28881, которое определя-
ется формулой 2. Выбор компонентов обратной связи
Пороговое напряжение обратной связи UCC28881 составля-
, (2) ет 1,03 В. Следовательно, для выходного напряжения 3,6 В необ-
ходим резистивный делитель напряжения, который можно рас-
где: считать согласно формуле 4:

36 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

формируя один импульс коммутации и оставаясь затем в вы-


(4) ключенном состоянии до тех пор, пока снижение выходного
напряжения не инициирует через обратную связь очередной
С целью ограничения тока, протекающего через дели- импульс коммутации. Работа с переменной частотой комму-
тель, для резистора RPULL_UP следует выбрать значение поряд- тации приводит к значительным пульсациям выходного на-
ка 100 кОм. Для RPULL_UP = 100 кОм расчетное значение RPULL_DN = пряжения. При малой мощности нагрузки частота импульсов
40,2 кОм. Эти номиналы резисторов делителя использованы в коммутации значительно снижается, поэтому выходной кон-
данном проекте. денсатор должен быть рассчитан так, чтобы снизить пульса-
ции напряжения до требуемого уровня при заданной мощ-
Выбор конденсатора собственного питания контроллера ности нагрузки.
Микросхема UCC28881 содержит внутреннюю схему, форми-
рующую напряжение собственного питания контроллера, поэ- При питании радиомодуля мощность нагрузки источника
тому ей не требуется других источников собственного питания питания непостоянна и подвержена циклическим изменени-
(например, с дополнительной обмотки трансформатора). Для ям. При включенной нагрузке потребляемый ею пиковый ток
нормальной работы встроенного стабилизатора 5 В достаточно превышает максимальный выходной ток источника питания.
подключить блокировочный конденсатор 0,1 мкФ между выво- Поскольку входной ток обратноходового преобразователя
дами VDD и GND, разместив его при этом максимально близко к не может превышать значение, заданное схемой ограничения
выводам микросхемы для минимизации паразитных индуктив- тока, пиковый ток нагрузки должен обеспечить выходной на-
ностей и сопротивлений. копительный конденсатор. Таким образом, необходимая ем-
кость выходного конденсатора определяется пиковым током
Выбор выходного выпрямительного диода нагрузки и длительностью ее включенного состояния (предпо-
Обратное напряжение выходного выпрямительного диода в лагается, что длительность выключенного состояния нагрузки
закрытом состоянии можно определить по формуле 5: значительно больше длительности включенного состояния).
Емкость выходного конденсатора можно рассчитать согласно
(5) формуле 6.

Для неизолированного выхода 3,6 В обратное напряжение , (6)


выпрямительного диода составляет:
Где:
В данном проекте инженерами компании TI использо- • I – ток, потребляемый МК;
ван диод с обратным напряжением 100 В и прямым током 2 А • ΔT – интервал времени, в течение которого МК потребляет
PMEG10020AELRX. Выбор диода с увеличенным значением большой пиковый ток от выходного конденсатора;
прямого тока обусловлен необходимостью снижения прямого • ΔVDD – допустимое снижение напряжения питания МК.
падения напряжения на диоде.
При мощности передатчика 5 дБм ток, потребляемый МК
Выбор выходного конденсатора CC2650MODA, составляет примерно 10 мА в течение интер-
Контроллер UCC28881 работает в релейном режиме: когда вала времени 4,7 мс при условии падения напряжения ΔVDD =
напряжение на выводе FB превышает порог, заданный встро- 300 мВ.
енным источником опорного напряжения 1 В, преобразова-
тель формирует импульсы коммутации и передает энергию В данном проекте TI для обеспечения максимального тока,
входного источника питания в нагрузку. При напряжении потребляемого МК, используются три конденсатора 47 мкФ,
на выводе FB ниже порога 1 В преобразователь выключает- 10 В, соединенные параллельно. Два конденсатора (C4 и С5)
ся и прекращает передачу энергии в нагрузку. Обычно пре- подключены к выходу обратноходового преобразователя и
образователь работает с переменной частотой коммутации, один (C9) – к выходу линейного стабилизатора LP5912.

Таблица 3. Нестабильность выходного напряжения по току нагрузки при входном напряжении 93,5 В
VIN_AC, В IIN_AC, мА IOUT, мА VLDO_IN, В VLDO_OUT, В

93,5 0,8 8,92 3,54 3,294

93,5 0,69 8,05 3,56 3,294

93,5 0,6 7,02 3,57 3,294

93,5 0,5 5,71 3,58 3,294

93,5 0,41 4,47 3,59 3,294

93,5 0,31 3,1 3,59 3,295

93,5 0,21 1,6 3,55 3,295

93,5 0,1 0,008 3,57 3,295

WWW.COMPEL.RU 37
ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Таблица 4. Нестабильность выходного напряжения по току нагрузки при входном напряжении 110 В ПОДГОТОВКА К ПРОВЕДЕНИЮ ИСПЫ-
VIN_AC, В IIN_AC, мА IOUT, мА VLDO_IN, В VLDO_OUT, В ТАНИЙ ПЛАТЫ ПИТАНИЯ TIDA-01097
110 0,82 10,74 3,55 3,294
Оборудование, необходимое для испы-
110 0,74 10,09 3,57 3,294 таний платы питания:
110 0,69 9,51 3,58 3,294 • лабораторный регулируемый ис-
110 0,65 8,99 3,59 3,294 точник питания переменного тока
110 0,6 8,31 3,59 3,294 0...130 В;
• цифровой осциллограф с изолиро-
110 0,5 6,75 3,6 3,294
ванными пробниками для исследо-
110 0,53 7,22 3,6 3,294 вания формы тока и напряжения;
110 0,42 5,53 3,61 3,294 • цифровой мультиметр с разреше-
110 0,34 4,13 3,61 3,294 нием 6...1/2 разрядов
• резистивная нагрузка.
110 0,23 2,27 3,6 3,294
110 0,15 0,96 3,59 3,295 Условия проведения испытаний
110 0,108 0,005 3,59 3,295 Диапазон входного напряжения.
Лабораторный источник переменного
тока должен обеспечивать установку на-
Таблица 5. Нестабильность выходного напряжения по току нагрузки при входном напряжении 126,5 В пряжения VIN_AC в диапазоне 93,5...126,5 В.
VIN_AC, В IIN_AC, мА IOUT, мА VLDO_IN, В VLDO_OUT, В Ограничение выходного тока источника
126,5 0,8 12,25 3,58 3,294 питания необходимо установить на уров-
126,5 0,69 10,84 3,61 3,294
не 0,1 А.
126,5 0,61 9,59 3,61 3,294 Нагрузка платы питания. В качестве
126,5 0,5 7,73 3,63 3,294 нагрузки выхода платы питания исполь-
126,5 0,41 6,15 3,63 3,294 зуется реостат или декадный магазин со-
126,5 0,31 4,19 3,63 3,295 противлений. В заключительных испыта-
ниях к выходу платы питания TIDA-01097
126,5 0,2 2,08 3,62 3,295
подключается беспроводной модуль
126,5 0,1 0,006 3,6 3,295 CC2650.

Таблица 6. КПД обратноходового преобразователя


КПД без учета КПД с учетом
VIN_AC, В IIN_AC, мкА PIN_AC, мВт IOUT, мА VLDO_IN, В PLDO_IN, мВт VLDO_OUT, В PLDO_OUT, мВт
LDO, % LDO, %
155,5 374 58,16 10,74 3,73 40,07 68,9 3,31 35,55 61,13
155,5 328 51 9,16 3,73 34,17 66,99 3,31 30,32 59,45
155,5 296 46,03 8,07 3,73 30,08 65,36 3,31 26,71 58,03
155,5 269 41,83 7,14 3,73 26,6 63,58 3,31 23,63 56,5
155,5 257 39,96 6,75 3,72 25,13 62,88 3,31 22,34 55,91
155,5 240 37,32 6,18 3,72 23 61,62 3,31 20,46 54,81
155,5 210 32,66 5,15 3,72 19,13 58,59 3,31 17,05 52,2
155,5 191 29,7 4,47 3,71 16,58 55,84 3,31 14,8 49,82
155,5 175 27,21 3,94 3,71 14,6 53,66 3,31 13,04 47,92
155,5 158 24,57 3,34 3,7 12,36 50,3 3,31 11,06 45
155,5 132 20,53 2,45 3,69 9,05 44,07 3,31 8,11 39,51
155,5 114 17,73 1,84 3,69 6,78 38,27 3,31 6,09 34,36
155,5 96 14,93 1,19 3,68 4,38 29,34 3,31 3,94 26,39
155,5 87 13,53 0,9 3,68 3,31 24,47 3,31 2,98 22,02
155,5 79 12,28 0,6 3,68 2,21 18,01 3,31 1,99 16,22
155,5 75 11,66 0,45 3,67 1,65 14,18 3,31 1,49 12,77
155,5 67 10,42 0,2 3,67 0,74 7,12 3,31 0,67 6,42
155,5 65 10,11 0,13 3,67 0,48 4,72 3,31 0,43 4,26

38 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Рис. 7. Испытательная схема для измерения КПД обратноходового преобразователя

Рис. 6. Изменение входного тока в зависимости от тока нагрузки при раз- Рис. 8. КПД платы питания (только обратноходового преобразователя без
личных значениях напряжения питания переменного тока LDO и с учетом потерь в линейном стабилизаторе LDO) в зависимости от
тока нагрузки

Методика испытаний: ный на плате TIDA-01097 RF. При работе платы питания
• подключите лабораторный источник переменного тока к TIDA-01097 с модулем CC2650MODA для передачи данных
входному разъему J1 платы питания; по беспроводной сети использовалось приложение диспет-
• подключите резистивную нагрузку к выходному разъему чера устройств BLE, установленное на персональном ком-
J2 платы питания; пьютере (ПК). Результаты испытаний платы питания пред-
• установите резистивную нагрузку в выключенное состоя- ставлены далее в нескольких разделах и включают в себя
ние; результаты испытаний с резистивной нагрузкой, графики,
• постепенно увеличивайте входное напряжение питания характеризующие эксплуатационные характеристики платы
от 0 до 110 В; питания, и результаты испытаний с беспроводным модулем
• включите нагрузку выхода платы питания; CC2650MODA.
• исследуйте осциллограммы начального запуска, ограни-
чения тока и импульсов коммутации. РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ ПЛАТЫ ПИТАНИЯ
С РЕЗИСТИВНОЙ НАГРУЗКОЙ
ПРОВЕДЕНИЕ ИСПЫТАНИЙ ПЛАТЫ ПИТАНИЯ
И ИХ РЕЗУЛЬТАТЫ Нестабильность выходного напряжения по току нагрузки
В процессе испытаний к плате питания TIDA-01097 под- Рассмотрим результаты, характеризующие изменение вы-
ключались два вида нагрузок – резистивная нагрузка и бес- ходного напряжения при изменении тока нагрузки (нестабиль-
проводной модуль на основе CC2650MODA, установлен- ность выходного напряжения по току нагрузки) для несколь-

WWW.COMPEL.RU 39
ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

Рис. 9. Форма напряжения на стоке МОП-транзистора при токе нагрузки Рис. 10. Форма напряжения на входе и выходе линейного стабилизатора LDO
10,4 мА и входном напряжении сети 110 В при токе нагрузки 1,09 мА и входном переменном напряжении сети 110 В

Зависимость входного тока от тока нагрузки


На рисунке 6 показаны графики зависимости входного тока
от тока нагрузки при различных значениях напряжения пита-
ния переменного тока.

Измерение КПД обратноходового преобразователя


Испытательная схема для измерения КПД обратноходового
преобразователя показана на рисунке 7 и приведена в табли-
це 6.
На рисунке 8 показаны графики КПД платы питания в зави-
симости от тока нагрузки.

Осциллограмма импульсов коммутации UCC28881


Для измерения напряжения на стоке встроенного МОП-
транзистора UCC28881 используйте пробник с пружинным
контактом заземления. Ввиду малого значения тока нагрузки
Рис. 11. Форма напряжения на входе и выходе линейного стабилизатора преобразователь работает в режиме разрывных токов (DCM).
LDO при токе нагрузки 10,21 мА и входном переменном напряжении сети Для лучшего понимания принципа работы преобразователя в
110 В
режиме разрывных токов на рисунке 9 показана осциллограм-
ма импульса коммутации, на которой буквами A...D обозначены
ких значений входного напряжения питания переменного тока характерные интервалы времени, включающие в себя два резо-
(таблицы 3, 4, 5). нансных колебательных процесса:

Рис. 12. Испытательная установка для измерения тока, потребляемого беспроводным модулем CC2650MODA

40 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

• A: встроенный МОП-транзистор, подключенный к выво-


дам DRAIN и GND UCC28881, находится во включенном
состоянии и через него протекает нарастающий ток пер-
вичной обмотки. В этом интервале может быть измерено
напряжение VDRAIN на выводе стока встроенного МОП-
транзистора.
• B: процесс выключения встроенного МОП-транзистора.
В момент выключения на стоке МОП-транзистора появля-
ются высокочастотные колебания, обусловленные индук-
тивностью рассеивания трансформатора T1 и паразитной
емкостью между выводами DRAIN и GND.
• C: встроенный МОП-транзистор находится в выключенном
состоянии, выходной выпрямительный диод D8 смещен в
прямом направлении и энергия передается из вторичной
Рис. 13. Плата питания TIDA-01097 и установленная на ней плата TIDA-
обмотки трансформатора в нагрузку.
01097 RF
• D: колебательный процесс начинается при снижении
энергии вторичной обмотки до нуля. В этом интервале обе
обмотки трансформатора разомкнуты, вследствие чего РЕЗУЛЬТАТЫ ИСПЫТАНИЙ ПЛАТЫ ПИТАНИЯ
индуктивность первичной обмотки трансформатора и па- С БЕСПРОВОДНЫМ МОДУЛЕМ CC2650MODA
разитная емкость цепи стока формируют колебательный В данном виде испытаний плата TIDA-01097 RF с установлен-
процесс. ным на ней МК CC2650MODA подключена к выходу платы пита-
ния TIDA-01097.
Пульсации выходного напряжения обратноходового
преобразователя Условия проведения испытаний
На рисунках 10 и 11 показаны осциллограммы напряжения Для проведения испытаний и измерений параметров платы
на входе и выходе линейного стабилизатора (LDO) 3,3 В при раз- питания в данном проекте TI используется следующее оборудо-
личных токах нагрузки. вание:

Рис. 14. Блок-схема процедуры измерения тока, потребляемого модулем CC2650MODA

WWW.COMPEL.RU 41
ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

• лабораторный источник питания переменного тока; ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ УПРАВЛЯЮЩЕГО ПК И МАКЕТНОЙ


• изолированный осциллограф для исследования формы ПЛАТЫ TIDA-01097
потребляемого тока; Для настройки встроенного программного обеспечения платы
• оборудование для измерения средней мощности, потреб- TIDA-01097 и измерения потребляемого тока беспроводного моду-
ляемой модулем BLE: ля CC2650MODA в таких режимах работы, как широковещательные
– плата питания TIDA-01097; рассылки (advertising), периодический обмен данными (connection),
– преобразователь сигнала токового шунта INA216A3; уведомления (notificatiopns), выполните следующие действия.
– демонстрационная плата CC2650 LaunchPad™.
• персональный компьютер (ПК) с ОС Windows® и установ- Подготовка к работе управляющего ПК:
ленным программным обеспечением, включающим: • установите интегрированную среду разработки CCS вер-
– стек BLE для CC2650 версии 2.0.2.0.31 или выше; сии не ниже указанной в р. 4.2.1;
– Code Composer Studio™ версии 6.1.2.00015 или выше; • установите стек BLE для CC2650;
– диспетчер устройств BLE (BLE Device Monitor); • сделайте импорт в CCS приложений Host Test App и про-
– Smart RF Studio 7. граммного стека из обозревателя ресурсов компании TI:

Рис. 15. Выходные напряжения стабилизатора LDO (верхний график) Рис. 16. Выходные напряжения стабилизатора LDO (верхний график)
и INA216A3 (нижний график) при работе в широковещательном режиме и INA216A3 (нижний график) при работе в широковещательном режиме
с мощностью 0 дБм при сетевом напряжении 110 В с мощностью 5 дБм при сетевом напряжении 110 В

Рис. 17. Выходные напряжения стабилизатора LDO (верхний график) Рис. 18. Выходные напряжения стабилизатора LDO (верхний график)
и INA216A3 (нижний график) при работе в режиме двустороннего соедине- и INA216A3 (нижний график) при работе в режиме двустороннего соедине-
ния и периодического обмена данными с мощностью 0 дБм при сетевом ния и периодического обмена данными с мощностью 5 дБм при сетевом
напряжении 110 В напряжении 110 В

42 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ВЕНДОРЫ ПРЕДЛАГАЮТ

– Ble_sdk_2_02_00_31 → examples → упростить процесс измерений. Компоненты, относящиеся к схеме измерения тока
cc2650lp → host_test и не используемые в рабочем варианте платы, отмечены на схеме как DNP (не уста-
• подключите к ПК демонстрацион- навливать).
ную плату CC2650 LaunchPad;
• загрузите стек host_test и затем не- Порядок проведения испытаний
обходимые приложения в память На рисунке 14 показана блок-схема процедуры измерения тока, потребляемого
программ CC2650 LaunchPad; модулем CC2650MODA.
• завершите работу отладчика и от-
кройте диспетчер устройств BLE; Результаты испытаний
• введите актуальный номер после- В данном разделе приведены осциллограммы, снятые с выхода INA216A3 при ра-
довательного порта, подключенно- боте модуля CC2650MODA с различными уровнями мощности в широковещательном
го к CC2650 LaunchPad, и подтвер- режиме и режиме двустороннего обмена данными.
дите его подключение в диспетчере
устройств BLE. Режим широковещательной передачи
На рисунках 15 и 16 показаны осциллограммы напряжения на выходе линейно-
Подготовка к работе макетной платы: го стабилизатора LDO и выходного напряжения INA216A3, подключенного к выходу
• снимите все перемычки на платах стабилизатора, при работе модуля CC2650MODA с уровнями мощности 0 и 5 дБм со-
XDS110 и CC2650 LaunchPad ответственно.
• подключите плату TIDA-01097
RF с установленным на ней МК В качестве датчика тока используется резистор 3,09 Ом, подключенный к входам
CC2650MODA к внешнему разъему INA216A3. Ток, потребляемый модулем CC2650MODA, может быть рассчитан по макси-
платы CC2650 LaunchPad; мальному выходному напряжению INA216A3 согласно формуле 7:
• запустите программу CCS и сделай-
те импорт в рабочий проект стека (7)
простых периферийных устройств
BLE и приложений: Например, на осциллограмме, показанной на рисунке 15, пиковое значение вы-
– Ble_sdk_2_02_00_31 → examples → ходного напряжения INA216A3, включенного на выходе стабилизатора LDO, составля-
cc2650em → simple_peripheral ет 2,12 В, что соответствует потребляемому току
• в директивах препроцессора до-
бавьте CC2650DK_5XD и удали- Таким образом, пиковый потребляемый ток беспроводного модуля CC2650MODA
те CC2650DK_7ID. Скомпилируйте составляет 6,86 мА в широковещательном режиме с мощностью 0 дБм. Аналогично
проекты программного стека и при- путем измерения выходного напряжения INA216A3 можно рассчитать потребляемый
ложения; ток в режиме двустороннего соединения и периодического обмена данными при раз-
• загрузите стек simple_peripheral и личных уровнях мощности передатчика.
затем рабочее приложение в па-
мять программ платы TIDA-01097 Режим двустороннего соединения
RF; и периодического обмена данными
• завершите работу отладчика; На рисунках 17 и 18 показаны осциллограммы напряжения на выходе линейного
• подключите лабораторный источ- стабилизатора LDO и выходного напряжения INA216A3, подключенного к выходу ста-
ник питания к плате питания TIDA-01097. билизатора LDO, при работе модуля CC2650MODA с уровнями мощности 0 и 5 дБм со-
ответственно.
Испытательная установка
На рисунке 12 показана функциональ- ЛИТЕРАТУРА
ная схема испытательной установки для 1. EDN Network, Circuit achieves constant current over wide range of terminal voltages,
измерения тока, потребляемого беспро- Donald Boughton, Jr, International Rectifier, Orlando, FL; Edited by Martin Rowe and Fran
водным модулем CC2650MODA, установ- Granville.
ленным на плате TIDA-01097 RF с исполь- 2. Acuity Brands, Impact of NEC 2011 Section 404.2(C) on Application of Occupancy
зованием платы питания TIDA-01097. Sensors, Dave Behnke.
3. Texas Instruments, 100-V to 450-V DC, 5-W, 80% Efficiency at 1 W, Auxiliary Supply
На рисунке 13 показаны в собранном Reference Design for AC-DC Power Converters, TIDA-00708 Design Guide (TIDUBK7).
виде плата питания TIDA-01097 и установ- 4. http://www.ti.com/tool/TIDA-01097.
ленная на ней плата TIDA-01097 RF c бес-
проводным модулем CC2650MODA.

Примечание. Измерение тока, пот-


ребляемого CC2650MODA, осущест-
вляется посредством преобразования
сигнала токового шунта INA216, подклю- Оцените статью:
ченного к выходу линейного стабилиза- Нравится Не нравится
тора, что позволяет повысить точность и

WWW.COMPEL.RU 43
ПОЛИГОН

Сергей Миронов (КОМПЭЛ)

СРАВНИТЕЛЬНОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ
ЛИТИЙ-ТИОНИЛХЛОРИДНЫХ БАТАРЕЕК

ЧАСТЬ 1.

Для оценки поведения в различных ус-


Широко используемые в промышленности литий-тионилхлоридные элемен- ловиях эксплуатации и сравнения основ-
ты питания идеально подходят для снабжения энергией устройств с небольшим ных характеристик мы решили провести
энергопотреблением и длительным периодом работы. Рыночный разброс цен на тестирование таких батареек. Для этого
них достаточно велик. Действительно ли дорогие батарейки стоят своих денег? были приобретены литий-тионилхлорид-
Ответить на этот вопрос поможет тестирование элементов питания типо- ные «пальчиковые» батарейки типораз-
размера АА семи различных производителей, проводимое инженерами компании мера АА европейских и азиатских произ-
КОМПЭЛ. водителей SAFT, EEMB, EVE, Minamoto,
Varta, Vitzrocell (Tekcell), Robiton (рису-
нок 1). Основные параметры этих элемен-

В
о многих современных промыш- нения. Элементы этой группы с бобинной тов из листа технических данных (даташи-
ленных устройствах исполь- конструкцией элемента лучше всего под- тов) сведены в таблицу 1.
зуются литиевые химические ходят для устройств с небольшим потреб-
источники тока – литиевые галь- лением энергии и длительным периодом При подготовке к тестированию мы
ванические элементы или батарейки. работы (10...15 лет). Следует заметить, что столкнулись с некоторыми нюансами.
Указанный тип батареек широко приме- по указанной электрохимической систе- У компании Robiton на батарейках не была
няется в приборах учета энергоресурсов, ме изготавливаются также и элементы с указана дата производства (Datacode) и
датчиках контроля с дистанционным сбо- повышенными токами, но имеющие при понять, когда они были изготовлены, не
ром информации, автомобильных охран- этом меньшую емкость (спиральная конс- представляется возможным.
ных системах, охранно-пожарных датчи- трукция). С батарейкой Tekcell ситуация еще
ках. Широкое применение объясняется интересней. Закупалась батарейка с на-
превосходными энергетическими и экс- На рынке присутствует достаточно именованием SB-AA11. Элемент должен
плуатационными показателями по отно- много литий-тионилхлоридных элемен- быть синего цвета, так как мы тестиру-
шению к другим типам. тов различных производителей с оди- ем элементы бобинного типа, и именно
наковыми или близкими по значению синим цветом обозначаются элементы
Среди литиевых источников тока на- параметрами, но различных по цене, производителя Vitzrocell (Tekcell). По ин-
иболее популярными в промышленных причем, в некоторых случаях цена отли- формации на чеке от торговой органи-
устройствах являются элементы на осно- чается в несколько раз. Логично предпо- зации было наименование SB(W)-AA11,
ве электрохимической системы литий-ти- ложить, что такое сильное ценовое раз- оболочка элемента имеет синий цвет, но
онилхлорид (Li-SOCl2). Они характеризу- личие не может быть объяснено только на самом элементе написано SW-AA11,
ются максимальной удельной плотностью принадлежностью к тому или иному что обозначает маркировку спираль-
энергии, наиболее высоким напряжени- бренду, и, скорее всего, на него влияют ной конструкции (рисунок 2а). Батарей-
ем, низким саморазрядом и, соответс- какие-то технические или эксплуатаци- ки между собой отличаются внутренней
твенно, самым длительным сроком хра- онные аспекты. конструкцией (синяя – бобинная и зеле-

Таблица 1. Основные параметры гальванических элементов


Максимальный Максималь-
Производи- Ток измерения Температурный Дата
Наименование Емкость, мАч непрерывный ный импуль-
тель емкости, мА диапазон, °С изготовления
ток, мА сный ток, мА
ER AA Varta 2500 2 60 150 -55…85 2014.01
ER14505 Minamoto 2400 1 100 200 -55…85 2016.12
ER14505 EEMB 2400 2 100 200 -55…85 2016.09
ER14505 EVE 2700 1 40 150 -55…85 2015.02
ER14505 Robiton 2400 1 100 200 -55…85 отсутствует
LS 14500 Saft 2600 2 50 250 -60…85 2016.11
SB-AA11 Tekcell 2500 2 60 100 -55…85 2016.06

44 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017


ПОЛИГОН

менты серии SW предназначены для ра-


боты с повышенными токами и обладают
меньшей емкостью (2000 мА•ч). Кстати,
подобные сильноточные батарейки есть
и у других рассматриваемых нами произ-
водителей. Но для данного эксперимен-
та мы сознательно выбрали слаботочные
элементы, имеющие максимальную ем-
кость. В данном случае мы будем считать,
что имеет место опечатка при производс-
тве батарейки, однако такие оплошности
среди серьезных производителей встре-
чаются редко.

Уточним, что у этого производителя


были дополнительно проверены листы
технических данных и информация на
сайте о подобных батарейках других ти-
поразмеров. Во всех документах значит-
ся, что синим цветом маркируются ба-
тарейки SB, а батарейки SW – зеленым.
В итоге получается, что цвет и наимено-
вание нашего элемента не соответству-
ют указанной информации в листе техни-
Рис. 1. Тестируемые батарейки ческих данных производителя. Поэтому
в действительности нам неизвестно, что
мы закупили. Тем не менее, мы включим
эту батарейку в тестирование и будем
считать ее SB-AA11, а по результату теста
попробуем определить, что же это на са-
мом деле.

По данным таблицы 1 видно, что вы-


бранные батарейки производителей EVE,
Saft, Varta и Tekcell обладают несколько
пониженным максимальным непрерыв-
ным током по отношению к производи-
телям EEMB, Robiton и Minamoto, но мак-
а) б) симальный импульсный ток у них всех
имеет сравнимое значение, за исключе-
нием Tekcell, импульсный ток которого
самый низкий.

На фоне остальных батареек выде-


ляется элемент производителя SAFT –
единственное изделие с температурным
диапазоном от -60°С и максимальным
значением импульсного тока 250 мА. Кро-
ме того, эта батарейка имеет самую боль-
шую емкость среди рассматриваемых
при токе разряда 2 мА.

Суть проводимого эксперимента бу-


в) дет заключаться не в том, чтобы перепро-
верить параметры даташита, а в опреде-
Рис. 2. Внешний вид батареек Tekcell: а) SW-AA11 (закупленные), б) SW-AA11 (по даташиту), нии, какой элемент лучше в том или ином
в) SB-AA11 (по даташиту) применении. Для этого все элементы пос-
тавим в одинаковые условия.
ная – спиральная, рисунки 2б, 2в) и, соот- для работы с небольшими токами, как и
ветственно, электрическими параметра- выбранные элементы других производи- Эксперимент будет состоять из двух
ми. Элементы серии SB предназначены телей, и имеют емкость 2500 мА•ч, а эле- частей, которые будут проводиться од-

WWW.COMPEL.RU 45
ПОЛИГОН

Таблица 2. Напряжение на холостом ходу и под нагрузкой


Напряжение холостого Напряжение холостого Напряжение на нагрузке Напряжение на нагрузке
Производитель
хода, В (образец № 1) хода, В (образец № 2) 360 Ом, В (образец № 1) 360 Ом, В (образец № 2)
Varta 3,66 3,66 3,30 3,32
Minamoto 3,67 3,67 3,32 3,34
EEMB 3,67 3,67 3,55 3,45
EVE 3,67 3,67 3,51 3,53
Robiton 3,67 3,67 3,45 3,42
Saft 3,66 3,66 3,40 3,44
Tekcell 3,66 3,66 3,30 3,31

новременно. В первой части мы осущест-


вим полный разряд на постоянное сопро-
тивление 3,3 кОм при температуре -20°С
в камере холода, а во второй – разрядим
батарейки в импульсном режиме в нор-
мальных температурных условиях (рису-
нок 3). Параметры импульсного режима
выберем следующие: амплитуда импуль-
са примерно 47 мА (нагрузочное сопро-
тивление 75 Ом), длительность импульса
150 мс, период 1 минута.

Во всех режимах разрядный ток не


превышает параметров, указанных в
листе технических данных на батарейку.
Ориентировочно данный эксперимент
продлится около 2,5 месяцев для первой
части и примерно 1,5 месяца для второй
части.

В первой части эксперимента мы бу-


дем контролировать только напряжение
под нагрузкой (разрядная кривая), а во
второй – напряжение холостого хода, на-
пряжение под нагрузкой, сможем рассчи-
тать внутреннее сопротивление в данном
режиме и построить его график.

Известно, что литий-тионилхлорид-


ные элементы питания подвержены эф-
фекту пассивации. Степень пассивации
зависит от сроков и условий хранения. Из
таблицы 1 видно, что у нас есть элементы
2015 и даже 2014 года выпуска. Поэтому
перед началом эксперимента мы прове- Рис. 3. Установка для импульсного разряда батареек
рили батарейки на пассивацию, подклю-
чив к ним нагрузочное сопротивление дителей не имеют серьезных проблем с О ходе и результатах эксперимента
360 Ом (10 мА) и проконтролировав про- пассивацией, и их хранение сроком око- мы будем информировать вас в последу-
садку напряжения. В результате проверки ло полугода не критично. ющих выпусках журнала.
мы обнаружили, что ни у одного элемента
напряжение не понизилось до значения
менее чем 3,30 В (результаты приведены
в таблице 2), поэтому можно считать, что
депассивация (активация) выбранным
батарейкам не требуется. Исходя из это- Оцените статью:
го, можно сделать первый вывод, что все Нравится Не нравится
исследуемые батарейки разных произво-

46 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 2, 2017

Вам также может понравиться