Вы находитесь на странице: 1из 48

СОДЕРЖАНИЕ

№4 (162), 2017 г. ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА


Информационно-технический Полупроводниковая отрасль в 2016 году: беспилотные электромобили, связь 5G
журнал и дорогая память
Алексей Васильев ...........................................................................................................3

Учредитель – ООО «КОМПЭЛ»


ПРАКТИКА
Подключаем датчик температуры LMT01 к MSP430, PIC10F204 и к Arduino
Издается с 2005 г.
(Texas Instruments)
Вячеслав Гавриков, Олег Пушкарев ..............................................................................9
Свидетельство о регистрации:
ПИ № ФС77-43993
ТЕОРИЯ
Дорогу карбиду кремния! – диоды Шоттки производства Littelfuse
Вячеслав Гавриков........................................................................................................17

Редактор:
ИННОВАЦИИ
Геннадий Каневский
vesti@compel.ru Начинаем работу с сотовым модулем MC60 от Quectel
Владимир Бобрович .....................................................................................................22

Выпускающий редактор: Новый бюджетный приемопередатчик 433/868 МГц с бескомпромиссным


Снежана Холодова качеством радиотракта (STMicroelectronics)
Сергей Нерухов .............................................................................................................26

Редакционная коллегия:
Андрей Агеноров
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Яна Баскакова Универсальные солдаты от МЭЛТ: ЖК-дисплеи с поддержкой I2C
Александр Григорьев Вячеслав Гавриков........................................................................................................31
Олег Пушкарев
Борис Рудяк
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ
Как запрограммировать LED-драйверы Mean Well и Inventronics?
Дизайн, графика, верстка: Сергей Миронов ...........................................................................................................39
Елена Георгадзе
Евгений Торочков ПОЛИГОН
Сравнительное тестирование литий-тионилхлоридных батареек
E-mail-рассылка (Varta, Minamoto, EEMB, EVE, Robiton, Saft, Tekcell). Часть 3
и продвижение: Сергей Миронов ...........................................................................................................44
Снежана Холодова
Екатерина Железнова
Александра Гирина

Электронная подписка:
www.compel.ru/mail

Распространяется бесплатно 9 22 26
в электронном виде

Подписано к публикации: Если вы хотите предложить интересную тему для статьи в следующий номер журнала –
10 мая 2017 г. пишите на адрес vesti@compel.ru c пометкой «Тема в номер» или в рубрику «Я – автор»
раздела «Разработчикам» сайта www.compel.ru.

WWW.COMPEL.RU 1
ОТ РЕДАКТОРА

Уважаемые читатели!
Мы часто говорим с ной обработки информации, приемопередающие устройс-
вами на страницах жур- тва, передавшие необычайно четкие изображения и спект-
нала о параметрах и тех- рограммы на расстояние, повторюсь, 1,4 млрд км.
нологиях, о слияниях и Но и на земле электронная отрасль преподносит сюр-
поглощениях компаний, призы, показывающие нам, что жизнь не останавливает-
о прибыли и проектах. ся, а, несмотря ни на какие попытки любителей архаики
И порой забываем, ради замедлить ее ход, движется вперед. Компания КОМПЭЛ,
чего все это. Но вспом- издающая наш журнал, существует с 1993 года, и имен-
ните: у каждого из вас но с того времени лидером мирового полупроводнико-
был хотя бы один момент вого рынка по объемам продаж неизменно оставалась
в жизни, когда, выбрав компания Intel. Никакие попытки сменить лидера, ника-
профессию инженера- кие экономические катаклизмы ни разу не поколебали
электронщика, вы осоз- устойчивой позиции супергиганта. Но, кажется, и этой
нали, что теперь будете монополии приходит конец, и на фоне достаточно не-
в первых рядах ведущих ожиданного для большинства аналитиков роста цен на
человечество вперед на микросхемы памяти в лидеры отрасли по итогам второ-
безостановочном пути го квартала 2017 года прорывается Samsung. (Об иных
развития. Я хорошо понимаю, что написал только что сло- сюрпризах и перспективах рынка читайте в обзорной
ва, полные, что греха таить, немалого пафоса. Но прогресс статье Алексея Васильева).
еще может удивлять и преподносить сюрпризы. Не знаю как вы, а лично я именно за постоянное ощу-
21 апреля космический зонд «Кассини» сфотографиро- щение движения вперед и ценю возможность, не обращая
вал Землю и Луну с расстояния 1,4 млрд км между кольца- внимания на ежедневную рутину, работать в нашей с вами
ми Сатурна. То есть – в тот самый промежуток (щель Касси- отрасли.
ни), открытый итальянским астрономом, в честь которого
и названа межпланетная станция. А 26 апреля зонд проле-
тел между атмосферой планеты и кольцами, не обнаружив
там ожидавшейся пыли и твердых частиц. Теперь ученым
предстоит разгадывать и эту загадку. Рассматривая сним-
ки, переданные аппаратом и опубликованные Европейс-
ким космическим агентством, лично я не могу не думать в
первую очередь о людях. Людях, создавших космические С уважением,
датчики, специальные цифровые камеры и блоки первич- Геннадий Каневский

2 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

Алексей Васильев (г. Москва)

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОТРАСЛЬ
В 2016 ГОДУ: БЕСПИЛОТНЫЕ ЭЛЕКТРОМОБИЛИ,
СВЯЗЬ 5G И ДОРОГАЯ ПАМЯТЬ
Иногда стремление избавиться от ка-
Отраслевой аналитик и независимый журналист, бывший редактор журнала кого-либо подразделения связано с уста-
«Магазин Свет», представляет свой взгляд на основные итоги развития полу- реванием технологии. Например, в 2016
проводниковой отрасли в прошедшем 2016 году и на ее дальнейшие перспек- году завершился процесс передачи заво-
тивы. да Renesas Electronic в японском городе
Цуруоке компании TDK. Данный завод
производил чипы по устаревшей техно-

П
роисходящие сейчас переме- ке комплектующих для электромобилей. логии, использующей пластины диамет-
ны, характеризующиеся перехо- Тем не менее, в собственности Semikron ром 5 дюймов (7,5 см). Если бы Renesas
дом к новому, так называемому еще остается 49% акций Compact Electronics не передала завод в собствен-
«четвертому технологическому Dynamics. Одновременно Semikron и ность TDK, его бы просто закрыли. TDK
укладу», немыслимы без развития полу- Schaeffler заключили партнерское со- впоследствии на этой площадке развер-
проводниковой отрасли. По данным Аме- глашение, открывающее более широкие нет производство по более современ-
риканской ассоциации полупроводни- перспективы для использования мощных ным технологиям, а Renesas Electronics,
ковой промышленности (Semiconductor полупроводниковых устройств Semikron освободившись от данной обузы, смогла
Industry Association, SIA), в 2016 году объем в электромобилях. еще сильнее сфокусироваться на реше-
продаж полупроводниковых приборов в ниях для беспилотных автомобилей.
мире достиг $338,9 млрд, что является ис- Известный японский производи-
торическим максимумом. По сравнению тель электроники Omron когда-то имел Компания TSMC продала в 2016 году
с 2015 годом рост не очень впечатляю- в своем составе подразделение Omron 5,1% акций Xintec. Это уже вторая прода-
щий – всего 1,1%, но не будем забывать, Oilfield and Marine, имеющее лидиру- жа акций данной компании, после нее у
что в настоящее время мировая экономи- ющие позиции на таком специфическом TSMC остается 41% акций. TSMC завери-
ка испытывает определенные трудности. рынке как поставки инвертеров для бу- ла акционеров, что больше акции Xintec
Наличие хоть небольшого роста в какой- ровых установок в Северной Америке. продаваться ею не будут. Компания Xintec
нибудь отрасли – уже само по себе по- В 2016 году это подразделение было знаменита своей технологией 3D-кор-
ложительное явление, тем более, что из- продано компании Schlumberger, для пусирования, позволяющей корпусиро-
начально на 2016 год прогнозировалось которой данный бизнес является про- вать чипы одновременно на всей пласти-
снижение продаж полупроводников. Го- фильным. не. Причины, побудившие TSMC продать
раздо важнее, что в 2016 году прошли
важные структурные изменения в отрас-
ли, которые окажут влияние на ее разви-
тие в последующие годы.

СТРЕМЛЕНИЕ К СПЕЦИАЛИЗАЦИИ
Современное полупроводниковое
производство настолько сложное, что
управлять им в рамках многопрофиль-
ного холдинга становится практически
невозможно. Вот почему современной
тенденцией становится выделение ком-
паний, производящих полупроводнико-
вые приборы, в отдельный бизнес.

2016 год ознаменовался продажей


принадлежащего немецкой компании
Semikron пакета из 51% акций компании
Compact Dynamics, производящей элек-
трические моторы, известному постав-
щику автомобильных и индустриальных
комплектующих – Schaeffler. Это позво-
лит Schaeffler укрепить позиции на рын- Рис. 1. Компания Quallcom знаменита в первую очередь своими процессорами для мобильных устройств

WWW.COMPEL.RU 3
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

году Samsung Electronics отличился не купки производителей чипов. До 2015


только в производстве, но и в потреб- года эта компания, уже поглотившая к
лении, став самым большим потребите- тому времени ряд серьезных игроков
лем полупроводниковых компонентов. рынка, специализировалась на выпуске
В 2015 году эта компания занимала вто- всевозможных чипов и OEM-модулей для
рое место, а первое с небольшим отры- производителей средств связи. В февра-
вом принадлежало Apple. ле 2016 года завершился процесс при-
обретения данной компанией извест-
СЛИЯНИЯ И ПОГЛОЩЕНИЯ ного производителя чипов для средств
ПО-ПРЕЖНЕМУ АКТУАЛЬНЫ связи – Broadcom Corporation. Полу-
Тем не менее, в полупроводниковой чившаяся в итоге компания была назва-
отрасли продолжают проходить слияния на Broadcom Limited. Ожидается, что
и поглощения. Настоящей «сделкой года» конгломерат станет седьмым по разме-
Рис. 2. MOSFET-транзистор для использования стала покупка Quallcom компании NXP ру производителем полупроводниковых
в электромобилях Semiconductors, – производителя полу- приборов в мире с годовым оборотом
проводников, некогда выделившегося из порядка $15 млрд.
часть акций близкой по профилю ком- Philips, – за $47 млрд. Бренд Quallcom из-
пании, официально не разглашается, но вестен даже людям, далеким от полупро- Возможно, не столь впечатляющей
можно предположить, что это как-то свя- водниковой промышленности. Эта ком- по сумме на фоне ранее описанных ока-
зано с амбициозными планами по разви- пания – мировой лидер в производстве залась сделка по приобретению в 2016
тию основного бизнеса. К 2018 году TSMC процессоров для мобильных устройств году компанией ON Semiconductor про-
планирует запустить производство чи- (рисунок 1). У NXP Semiconductors очень изводителя полупроводниковых при-
пов по технологии 16 мкм на пластинах сильные позиции в области создания боров Fairchild Semiconductor за $2,4
диаметром 12 дюймов (30,5 см). Под этот микроконтроллеров, чипов для средств млрд. Но, вдумайтесь, какие имена в ней
проект в 2016 году удалось договориться безопасности, автомобильной электро- фигурируют! ON Semiconductor – это
с правительством китайской провинции ники, сетевых технологий и беспровод- бывшее полупроводниковое отделение
Наньин о получении инвестиций в раз- ного электропитания. C коммерческой Motorola, отделившееся от материнс-
мере $3 млрд. точки зрения у NXP Semiconductors есть кой компании в 1999 году. До сих пор ON
интересные каналы прямых продаж. Semiconductor производит широкий ас-
Тем временем конкуренты не дрем- От сделки ожидается мощный синерги- сортимент микросхем под легендарным
лют, и в октябре 2016 года компания ческий эффект, позволяющий получить брендом Motorola. ON Semiconductor
Samsung Electronics начала производс- прочные позиции на новых рынках. Ожи- имеет сильные позиции во многих сег-
тво чипов по 10 нм-процессу, а в ноябре дается, что годовая выручка объединен- ментах рынка, но наиболее известны ее
представила широкой публике кремние- ной компании на первых порах составит сигнальные процессоры. Кроме этого, ON
вую подложку для процесса 7 нм. Так что не менее $30 млрд. Semicoductor владеет уникальной техно-
технологические прорывы по-прежнему логией, позволяющей создавать в одном
возможны и в условиях гигантских мно- Американская компания Avago полупроводниковом кристалле как мощ-
гопрофильных холдингов. Кстати, в 2016 Technologies продолжила стратегию по- ный цифровой процессор, так и сложные
аналоговые узлы устройства.

Компания Fairchild Semiconductor,


созданная еще в 1957 году в рамках
многопрофильной промышленной
группы – признанный первопроходец
полупроводниковой промышленности.
Это – первый кремниевый транзистор (до
Fairchild Semiconductor транзисторы де-
лали только из германия, поэтому их па-
раметры сильно зависели от температу-
ры), первая микросхема операционного
усилителя. Также это – впервые в миро-
вой практике – разработка и реализация
производства твердотельных микросхем
и MOSFET-транзисторов (рисунок 2). На
протяжении своей истории компания не
раз меняла владельцев.

В номенклатуре Fairchild Semicon-


ductor и сейчас есть немало уникаль-
Рис. 3. Беспилотные автомобили могут стать локомотивом, который поведет электронную промышлен- ных технологий. Для компании ON
ность к светлому будущему Semiconductor, активно действующей

4 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

сейчас на рынке автомобильной элект- условиях продолжающейся острой кон-


роники, возможно, наибольший интерес курентной борьбы на рынке решений
представляют датчики движения и мощ- для мобильных устройств, Intel в чет-
ные MOSFET-транзисторы. Объедине- вертом квартале 2016 года продемонс-
ние двух компаний должно дать огром- трировала рекордную для себя выручку
ный импульс производству беспилотных в $16,4 млрд, причем рост по сравнению
электромобилей. с аналогичным периодом предыдущего
года составил 10%.
Представим себе автомобиль (рису-
нок 3), в котором установлены чипы от В ОЖИДАНИИ 5G
объединенной компании. Информация, Помимо революционных изменений в
поступающая от датчиков, разработан- автомобильной индустрии, к переменам
ных Fairchild Semiconductor, а также про- полупроводниковую отрасль подталки-
изводимых ON Semiconductor КМОП- вает ожидаемое уже в ближайшем буду-
матриц обрабатывается сигнальными щем внедрение сетей мобильной связи
процессорами ON Semiconductor, а за- стандарта 5G. Скорость передачи данных Рис. 4. Особое строение кристаллической решетки
тем поступает на центральный процес- в таких сетях может достигать 25 Гбит/с. нитрида галлия обусловило его свойства, полез-
сор автомобиля (от стороннего произ- Пока единый международный стандарт ные для электронной промышленности
водителя). Процессор отдает команды, не выработан, но в июне 2015 года Меж-
передаваемые на MOSFET-транзисторы, дународный союз электросвязи уже дал
переключающие силовые электричес- отмашку, выпустив план развития тех- ключатели. Их преимуществом является
кие цепи автомобиля. Впрочем, мож- нологии 5G и дав ей рабочее название очень маленькое сопротивление в за-
но указать и на другой аспект сделки. IMT-2020. В итоге весь 2016 год прошел мкнутом состоянии, а также малое вре-
Ранее Fairchild Semiconductor активно для полупроводниковой промышлен- мя переключения, что снижает потери в
сотрудничал с Infineon в деле созда- ности под знаком 5G. Свои чипы для 5G системе электропитания.
ния MOSFET-транзисторов, теперь та- представили Broadcom, Intel, Qorvo,
кого сотрудничества с конкурентом ON Qualcomm, Samsung и некоторые дру- Не следует сбрасывать со счетов и
Semiconductor уже не будет. гие компании. обострение международной обстанов-
ки, что повлекло рост спроса на обо-
Интересом к рынку автомобиль- В феврале 2016 года на Mobile World рудование для военных, в том числе и
ных комплектующих можно объяснить Congress в Барселоне компании NXP радиолокаторы, военные средства на-
и действия Analog Devices в 2016 году. Semiconductors и Bell Labs (приобретен- земной и спутниковой связи. Во всех
Важной вехой в развитии как самой ком- ная в 2016 году в рамках сделки по погло- этих применениях широко используют-
пании, так и рынка в целом, стал погло- щению компанией Alcatel Lucent) проде- ся транзисторы, диоды и микросхемы из
щение компании Linear Technolоgies. монстрировали модем, объединяющий в нитрида галлия.
Сделка оценивается в $30 млрд, часть из одном устройстве кабельный доступ, DSL,
которых оплачена путем обмена акций. LTE и 5G. В нем используется специально Наиболее яркий пример конверсии
В портфеле компании Linear Technologies разработанный NXP Semiconductors чип технологий – выход британской ком-
есть много интересных технологий, в том AFD4400 для систем мобильной связи пании Dialog Semiconductor на рынок
числе – и конкурирующих с технология- пятого поколения, включающий в себя электроники для массового применения
ми Analog Devices. Но главное, ради чего 11 сигнальных и один ARM-процессор. с GaN-микросхемой DA8801, предназна-
стоило покупать компанию – ее уникаль- ченной для использования в блоках пи-
ные разработки в области силовой элек- ПЕРЕХОД НА НИТРИД ГАЛЛИЯ тания. Чип производится по технологии,
троники, которые найдут свое примене- Ожидается, что благодаря повсемес- разработанной тайваньской компанией
ние в электромобилях. А ближе к концу тному распространению 5G нитрид гал- TSMC. Микросхему предполагается ис-
года Analog Devices прикупила еще и лия потеснит кремний в качестве основ- пользовать не в радарах или электро-
Vescent Photonics – компанию, извест- ного материала для изготовления чипов мобилях, а в более обыденных устройс-
ную своими лазерными радарами, кото- (рисунок 4). Ранее GaN использовался, в твах, таких как электрический привод
рые весьма перспективны для использо- основном, для светодиодов. Микросхе- ворот в гараже или ускоренная зарядка
вания в беспилотных автомобилях. мы на основе данных полупроводников для мобильника. Благодаря использова-
изготавливались небольшими партия- нию GaN (технология GaN-on-Si) потери
В 2016 году на рынке впервые по- ми, главным образом – для устройств мощности в блоке питания уменьшают-
явились слухи, что Intel может купить специального назначения. Теперь же ся вдвое. В итоге блок питания на основе
Quallcom. Возможно, не всю компанию, GaN выходит на массовый рынок, спрос микросхемы DA8801 имеет КПД до 94%.
а ту ее часть, которая производит чипы будет стимулировать рост производства Благодаря этому уменьшается рассеива-
для Apple. Если это произойдет, то Intel электромобилей и мощных дата-цент- емая мощность, и блок питания можно
будет занимать такую же доминирую- ров. Ведь, помимо возможности изго- сделать компактнее. Например, блок пи-
щую роль на рынке процессоров для тавливать приборы, работающие на бо- тания мощностью 40 Вт на GaN-чипе без
мобильных устройств, какую она зани- лее высоких частотах, чем кремниевая проблем размещается о объеме, кото-
мала на рынке процессоров для деск- электроника, GaN позволяет произво- рый занимает 25-ваттный блок питания
топов в 90-е годы. Тем не менее, даже в дить мощные полупроводниковые пере- на кремниевой элементой базе.

WWW.COMPEL.RU 5
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

Алмазная основа позволяет также


расширить частотный диапазон мощ-
ных полупроводниковых приборов.
RFHIC Corporation планирует уже в 2018
году выпустить на рынок линейку про-
дуктов, способных работать на частотах
до 40 ГГц.

Можно сказать, что мы стоим на по-


роге новой революции в полупровод-
никовой индустрии. Transparency Market
Research прогнозирует, что среднего-
довой рост рынка GaN-компонентов с
учетом сложного процента (CAGR) за
Рис. 5. Драйвер для мощного GaN-транзистора Panasonic X-GaN 2016...2024 года составит 17%. Ожида-
ется, что к 2024 году объем этого рынка
Panasonic в 2016 году начал прода- вала параметры мощных GaN-устройств. превысит $3,4 млрд.
жи мощного GaN-транзистора X-GaN для Наиболее полно раскрыть возможнос-
использования в инверторах и системах ти GaN-электроники позволит техно- ВКУСНЫЙ И ЗДОРОВЫЙ БИЗНЕС
возобновляемой энергетики. В зависи- логия GaN-on-Diamond, которую с 2016 Ведущие производители светодио-
мости от модификации сопротивление года стала развивать южно-корейская дов из стран «старого света», такие как
открытого канала такого транзистора со- компания RFHIC Corporation. Суть этой Cree, Osram и Luxeon, оказались в 2016
ставляет 70 или 190 мОм. GaN-транзистор технологии заключается в выращива- году под мощным ценовым давлением
требует для управления наличия специ- нии структуры из GaN не на кремние- со стороны китайских компаний. Причем
ального драйвера (рисунок 5). В ноябре вой, а на алмазной основе. Плотность качество китайских светодиодов неук-
2016 года начат выпуск чипа драйвера электрической мощности в транзисторе лонно росло, а светоотдача оказывалась
AN34092B. Получившееся решение поз- при использовании данной технологии подчас выше, чем у некоторых амери-
воляет переключать цепи под напряже- можно увеличить до 3 раз по сравнению канских и европейских производителей.
нием до 600 В на частоте до 4 МГц. с GaN-on-Si. Открываются возможности Сильная сторона компаний «старого све-
по созданию одиночного транзистора, та» – наличие серьезных разработок. Но
До недавнего времени основной тех- способного коммутировать мощность какая высокая наука нужна для офисного
нологией для массового производства до 1 кВт! Планируется выпускать в том светильника и потолков «армстронг»?
GaN-электроники была технология GaN- числе мощные транзисторы, которые
on-Si. Структуры из GaN выращивались заменят магнетроны в промышленных, Решить проблему европейские и
на кремниевой подложке. Теплопровод- а может быть, и в бытовых микроволно- американские компании пытаются про-
ность кремниевой подложки ограничи- вых печах. изводством светодиодов для агротех-
нических и медицинских применений
(рисунок 6). Например, компания Cree
начала выпуск мощных светодиодов глу-
бокого красного цвета, стимулирующих
набирание массы растениями. Luxeon в
2016 году представил две модели све-
тодиодов для агрокультуры: SunPlus 20
и SunPlus 35. Они отличаются оптими-
зированным спектром, стимулирующим
рост растений и получение плодов с на-
сыщенным вкусом.

Компания Osram Opto создала инф-


ракрасный светодиод SFH 4735 со спек-
тром излучения 650...1050 нм. На основе
этого светодиода планируется создавать
миниатюрные анализаторы качества
продуктов питания, основанные на спек-
троскопии. Устройство размером с USB-
флешку будет использоваться совместно
со смартфоном для повседневного конт-
роля качества еды.

Рис. 6. Основные усилия американских и европейских производителей светодиодов направлены Vishay Intertechnology выпустила
на выпуск продукции для сельского хозяйства ультрафиолетовый светодиод с длиной

6 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

волны 365 нм, мощность излучения ко-


торого достигает 945 мВт. Предполага-
ется, что он заменит ртутные лампы, ко-
торые сейчас используются в медицине
для создания мощного ультрафиолето-
вого излучения. Светодиод имеет встро-
енную силиконовую линзу, что упроща-
ет его использование в медицинской
аппаратуре.

РАЗОЧАРОВАНИЯ ГОДА ИЛИ НЕТ


ХУДА БЕЗ ДОБРА
Следует отметить, что рост мирово-
го рынка полупроводниковой продук-
ции происходил в основном за счет та- Рис. 7. Аналитики еще в начале года прогнозировали обвальное падение цен на память DRAM, но в итоге
цены резко пошли вверх
ких стран как Китай (крупнейший рынок
полупроводников по итогам 2016 года,
рост на 9,2%), Япония (рост 3,8%, несмот-
ря на длительный экономический застой
в стране) и стран Азиатско-Тихоокеанс-
кого региона (прибавка в 1,6%). В то же
время, согласно данным SIA, Европа и
США «просели» на 4,5%. Косвенно это оз-
начает, что попытки правительств стран
«старого света» стимулировать возврат
туда высокотехнологичных производств
из Юго-Восточной Азии, которые пред-
принимаются с 2008 года, пока не дали
ожидаемых результатов.

Продолжили в 2016 году ухудшаться


дела у группы компаний Toshiba. Основ-
ная причина – бедственное положение
дочерней компании в США, занимающей-
ся ядерной энергетикой. Тем не менее,
ситуация косвенно ударила и по полу-
проводниковому бизнесу Toshiba. В на- Рис. 8. Выгода от роста цен на память оказалась столь велика, что позволила компании Samsung компен-
чале 2017 он был выставлен на продажу. сировать потери от неприятных событий вокруг смартфона Galaxy Note 7

Неприятным сюрпризом для потре- проблемами. Но по итогам четвертого цен на DRAM “спасет” всю полупровод-
бителей электроники стал рост цен на квартала 2016 года Samsung Electronics никовую индустрию, обеспечив хорошие
чипы памяти DRAM, начавшийся с июля все же показала неплохую прибыль. показатели и в 2017 году. Но это будет
2016 году. Например, в октябре средняя Дело в том, что эта компания является непросто, поскольку в 2017 году элект-
цена на плату DDR4 2x8 Гбайт (рисунок 7) крупным производителем чипов DRAM, ронную промышленность ожидает спад,
выросла сразу с $70 до $75. Некоторые и рост цен позволил ей получить допол- вызванный замедлением темпов эконо-
контракты на поставку чипов памяти, нительную прибыль, компенсировавшую мического роста в Китае. Другой серьез-
заключенные в конце 2016 года, вооб- убытки из-за самовоспламенявшихся мо- ной проблемой стала неопределенность
ще предусматривают увеличение цены бильных устройств. позиции новой администрации США
на 30%. И это при том, что еще в нача- в вопросах развития альтернативной
ле 2016 года предсказывалось падение Другим «бенефициаром» роста энергетики.
цен на DRAM аж на 20% по итогам года. цен на DRAM стала компания Micron
Причины связаны со значительным рос- Technology. Если в третьем квартале она ПРОГНОЗЫ НА БУДУЩЕЕ
том спроса на память, который не смогли показала чистый убыток в $170 млн, то В фокусе 2017 года в полупроводни-
(или не захотели?) отследить производи- уже в четвертом квартале – чистую при- ковой индустрии будет Интернет вещей
тели, уже привыкшие к затовариванию и быль в $471 млн. Основной причиной (IoT). Для нового направления будут со-
падению цен на продукцию. убытков стало сокращение рынка Flash- здаваться чипы, включающие в себя как
памяти, которое потом с лихвой было процессоры, так и основные элементы
Но, как говорится, нет худа без добра. компенсировано ростом цен на DRAM. сетей связи. Важным моментом станет
После неприятной истории с Samsung уменьшение энергопотребления таких
Galaxy Note 7 (рисунок 8), южнокорейс- Предполагается, что таким же обра- чипов, в чем поможет переход на GaN.
кая компания столкнулась с серьезными зом, но уже на глобальном уровне, рост Малое энергопотребление означает

WWW.COMPEL.RU 7
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА

возможность использования автоном- зи, а также новые функции. Придется полупроводниковых чипов сделали став-
ного питания, что позволит включать в создавать дисплеи более высокого раз- ку на WiMax, но в итоге возобладала точ-
глобальную сеть самые разнообразные решения и контроллеры для них, видео- ка зрения связистов, для которых более
предметы. Создание инфраструктуры для камеры более высокого разрешения. удобным оказался стандарт LTE.
беспилотных автомобилей также потре- Возможно, 5G-устройства будут переда-
бует развития Интернета вещей. Важный вать не только видео и звук, но и инфор- Развитие силовой электроники в бли-
шаг на пути в этом направлении сделала мацию другого рода, например, тактиль- жайшие годы будет проходить под зна-
компания STMicroelectronics, купившая ные ощущения. Это требует разработки ком создания и внедрения диодов, тран-
в 2016 году AMS – компанию, производя- абсолютно новых чипов, что станет в зисторов и микросхем на основе GaN.
щую устройства для технологий комму- 2017 году актуальной задачей. В част- Такие транзисторы могут использовать-
никаций ближнего действия NFC и RFID. ности, потребуются сигнальные процес- ся как в электромобилях, так и в инфра-
Одновременно STMicroelectronics пред- соры с принципиально новым уровнем структуре для их быстрой зарядки.
ставила линейку продуктов с понижен- производительности.
ным энергопотреблением. А вот иных изменений технологи-
Единственное препятствие, которое ческих основ производства полупро-
Новый стандарт мобильной связи может возникнуть на пути создания 5G- водниковых приборов, кроме как ши-
5G потребует не только создания новых чипов для массового промышленного рокого перехода на GaN, ожидать в
коммуникационных чипов, но и перера- производства – отсутствие на данный ближайшие год-два не стоит. Многообе-
ботки всех элементов мобильного уст- момент утвержденного международ- щающие технологии вроде графеновой
ройства, так как увеличивать скорость ного стандарта. Без этого инвестиции электроники или углеродных нанотру-
передачи данных есть смысл только в в отрасль не пойдут. Всем еще памятны бок пока остаются в стенах лаборато-
том случае, когда будет обеспечивать- события по внедрению сетей 4G, когда рий, до внедрения их в производство
ся принципиально новое качество свя- крупнейшие компании по производству еще очень далеко.

8 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПРАКТИКА

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск), Олег Пушкарев (КОМПЭЛ)

ПОДКЛЮЧАЕМ
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ LMT01 К MSP430,
PIC10F204 И К АRDUINO
• высокая линейность;
• стойкость к внешним помехам;
Датчик температуры LMT01 производства компании Texas Instruments • невысокая цена;
весьма популярен среди разработчиков. Он позволяет с высокой точностью – до • возможность подключения не-
±0,5°С – измерять температуру в диапазоне -50...150°С. При этом главной особен- скольких датчиков к одной инфор-
ностью сенсора является двухпроводной токовый интерфейс и очень простой мационной шине;
протокол выдачи данных. В статье рассмотрены особенности практического • простота использования.
применения LMT01 и его подключение к различным микроконтроллерам.
Последнее свойство является очень
важным, хотя и не относится к группе

Т
емпературный датчик является их чувствительность достаточно низка. метрологических характеристик. Цифро-
неотъемлемым элементом совре- Термисторы представляют собой полу- вые термометры не требуют источника
менных электронных устройств. проводниковые резисторы меняющие тока (как термисторы или RTD) или вы-
Выбор конкретного типа сенсо- свое сопротивление при изменении тем- сокоточного усилителя и АЦП (как тер-
ра во многом определяет конечные мет- пературы. Для них характерна высокая мопары). Для связи с ними используются
рологические характеристики системы чувствительность и быстрый отклик. Их популярные цифровые интерфейсы (SPI,
в целом. В настоящий момент наиболее главным недостатком является нелиней- I2C, 1-wire, SMAART и прочие).
распространенными типами датчиков ность температурной характеристики.
температуры являются термопары, тер- Цифровые датчики – наиболее популяр-
мисторы, резистивные датчики темпе- ный тип среди датчиков температуры. Го-
ратуры (RTD), полупроводниковые сен- воря об их недостатках, следует в первую
соры. Каждый из перечисленных типов очередь отметить относительно узкий
сенсоров имеет свои достоинства и осо- температурный диапазон -55...125°C для
бенности применения (таблица 1). типовых датчиков и -55...200°C для спе-
циализированных сенсоров. Однако для
Термопары применяются в наибо- большинства коммерческих приложений
лее широком диапазоне температур, этого оказывается вполне достаточно.
где прочие виды сенсоров не могут ис-
пользоваться в принципе. В то же время Основными преимуществами цифро-
они имеют низкую точность и чувстви- вых датчиков являются:
тельность. RTD выполняются из металла
(обычно меди или платины), и отличаются • высокая точность;
высокой линейностью и точностью тем- • отличная повторяемость характе- Рис. 1. LMT01 выпускается в корпусе TO-92
пературной характеристики, при этом ристик; с двумя выводами

Таблица 1. Сравнение различных типов температурных датчиков


Параметр Термопары RTD Термисторы Цифровые датчики
Диапазон температур, °С -200...2000 -200...650 -55...300 -55...200
Точность Средняя Высокая Средняя Высокая
Повторяемость Средняя Отличная Средняя Отличная
Временная стабильность Низкая Хорошая Низкая Хорошая
Чувствительность Низкая Средняя Очень высокая Высокая
Линейность Средняя Хорошая Низкая Хорошая
Время отклика Среднее или высокое Среднее Среднее или высокое Среднее или высокое
Взаимозаменяемость Хорошая Отличная Низкая или средняя Хорошая
Влияние проводов и соединений Высокое Среднее Низкое Низкое
Саморазогрев Нет Низкий Высокий Низкий
Сложность реализации в схеме Высокая Высокая Низкая Низкая

WWW.COMPEL.RU 9
ПРАКТИКА

Таблица 2. Характеристики популярных датчиков температуры


Параметр DS18B20 STLM75 TMP107 LMT01
Производитель Maxim Integrated STMicroelectronics Texas Instruments Texas Instruments
Диапазон измеряемых температур, °С -55...125 -55...125 -55...125 -50...150
Разрешение, бит 9/10/11/12 9 14 12
Точность, °С ±0,5...±2 ±0,5...±2 ±0,4...±0,7 ±0,5...±0,6875
Время измерения, мс 93,75…750 150 18 54
Напряжение питания 3...5,5 В 2,7...5,5 В 1,7...5,5 В 2...5,5 В
Ток потребления (активное состояние), мкА 1500 150 400 125
Ток потребления (режим ожидания), мкА 1 1 10 34
Однопроводной
Интерфейс 1-Wire I2C/SMBus USART/SMAART
с токовым выходом
Корпус SOIC8, uSOP8, TO-92 SOIC8, TSSOP8, SOIC8 TO-92

КРАТКИЙ ОБЗОР ПОПУЛЯРНЫХ


ЦИФРОВЫХ ДАТЧИКОВ ТЕМПЕРАТУРЫ
Выбор датчика температуры нужно
делать с учетом целого ряда парамет-
ров. Речь идет не только о метроло-
гических характеристиках – диапазо-
не температур, точности, разрядности.
Очень часто при поиске оптимально-
го сенсора на первое место ставят та-
кие качества как уровень потребле-
ния, габариты, простота подключения,
возможность параллельной работы
нескольких датчиков в сетевой конфи-
гурации и так далее. Все это приводит
Рис. 2. Внутренняя структура LMT01 к тому, что «идеального» сенсора, под-
ходящего для всех случаев жизни, не су-
ществует, и разработчикам приходится
искать компромиссные варианты.

Сейчас среди разработчиков попу-


лярны датчики температуры, которые
работают с одно- или двухпроводны-
ми шинными интерфейсами: 1-wire, I2C,
SMAART и так далее. Это позволяет ис-
пользовать микроконтроллеры с малым
числом выводов для одновременной ра-
боты с множеством датчиков. Рассмот-
рим достоинства и особенности некото-
рых популярных сенсоров (таблица 2).

DS18B20 – популярный датчик тем-


Рис. 3. Характеристика преобразования температуры для LMT01 пературы, работающий в диапазоне
-55...125°С. Его главными преимущест-

Рис. 4. Организация токового интерфейса с LMT01 Рис. 5. Временные диаграммы работы датчика LMT01

10 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПРАКТИКА

вами являются доступность, невысокая стоимость, про- • при -20...90°C погрешность не превышает ±0,5°C;
граммируемая разрядность измерений 9/10/11/12 бит, воз- • при 90...150°C погрешность не превышает ±0,62°C;
можность подключения множества датчиков на общую • при -50...-20°C погрешность не превышает ±0,7°C.
двухпроводную шину 1-Wire, малое потребление в спящем
режиме до 1 мкА. Вместе с тем у этого сенсора есть и недо- Для получения результатов измерения используется доста-
статки, в том числе – достаточно высокое потребление в ак- точно необычный двухпроводной токовый интерфейс. Такое
тивном режиме до 1,5 мА, невысокое быстродействие при решение дает следующие основные преимущества:
высокой разрядности измерений, относительно узкий диа-
пазон рабочих напряжений от 3 В. • высокая стойкость к электромагнитным помехам;
• возможность размещения датчика как на плате, так и вне
STLM75 – датчик температуры, который также работает с ее, например, на выносном проводе длинной до 2 м.
диапазоном -55...125°С. По сравнению с DS18B20 данный сен-
сор может похвастаться сверхнизким потреблением как в ак- ОСОБЕННОСТИ ДВУХПРОВОДНОГО ТОКОВОГО
тивном, так и в спящем режиме (150 мкА и 1 мкА соответствен- ИНТЕРФЕЙСА В ДАТЧИКАХ ТЕМПЕРАТУРЫ LMT01
но), а также работой с напряжениями питания 2,7...5,5 В. Для Как было сказано выше, для передачи результата измере-
связи с STLM75 используется I2C-шина с возможностью одно- ний LMT01 формирует битовую последовательность в виде
временного подключения до девяти устройств. Недостатком счетных импульсов тока. Для этого датчику требуется всего
датчика является малое разрешение – всего 9 бит. лишь два вывода (рисунок 4). Чтобы преобразовать токовые
импульсы в форму, привычную для цифровых микросхем, в не-
TMP107 производства Texas Instruments имеет макси- которых случаях можно использовать единственный резистор
мальную разрядность среди рассматриваемых датчиков – (но не всегда – об этом ниже).
14 бит, отличную точность – ±0,4...±0,7°С, минимальное вре-
мя преобразования – 18 мс. Особенностью датчика является После включения питания LMT01 начинает цикл измере-
интерфейс SMAART, c помощью которого можно подключить ния, который занимает до 54 мс (рисунок 5). В течение этого
до 32 датчиков на 3-проводную шину. Однако уровень потреб- времени на выходе датчика формируется ток малого уровня
ления TMP107 достаточно высок как в активном режиме (до 28...39 мкА. После этого следует цикл передачи результата из-
400 мкА), так и в режиме сна (10 мкА),. и для работы с ним пот- мерения в виде импульсов тока амплитудой 112...143 мкА. При-
ребуется один внешний буфер с тремя состояниями, напри- емный микроконтроллер должен вести подсчет этих импуль-
мер, SN74LVC1G125. В результате измерительный блок зай- сов, например с помощью встроенного счетчика/таймера. Так
мет больше места на плате. как частота сигналов составляет около 82...94 кГц, то при мак-
симальном числе импульсов (4095) длительность передачи мо-
LMT01 – близкий по идеологии к датчику DS18B20, но пре- жет достигать 50 мс.
восходит его по ряду параметров: шире диапазон рабочих
напряжений (2...5,5 В), меньше потребление и время преоб- По числу подсчитанных импульсов (PC) можно определить
разования (54 мс). Выходная разрядность датчика – 12 бит. значение температуры согласно формуле 1:
LMT01 отличается наиболее широким диапазоном рабочих
температур, составляющим -50...150°С, и максимальной точ-
ностью – ±0,5...±0,6875°С. В отличие от TMP107, данный сен- , (1)
сор в простейшем случае требует для подключения наличия
единственного внешнего резистора, так как работает с токо- Таким образом при 0°C датчик сформирует около 800 им-
вым интерфейсом. пульсов.

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДАТЧИКА К сожалению, использование одного внешнего резистора


ТЕМПЕРАТУРЫ LMT01 не всегда возможно из-за ограничений по минимальному па-
Датчик температуры LMT01 выпускается в двухвыводном дению напряжения на датчике LMT01. В течение цикла изме-
корпусном исполнении TO-92 (рисунок 1). рения падение на датчике должно быть не менее 2,15 В. В те-
чение цикла передачи данных падение напряжения допустимо
В качестве чувствительного элемента в LMT01 использу- уменьшать до 2 В. Несложно сделать некоторые приблизитель-
ется полупроводниковый диод (рисунок 2). Сигнал с диода ные расчеты.
оцифровывается с помощью 12-битного ΣΔ-АЦП и источника
опорного напряжения. Полученный цифровой поток преобра- Рассмотрим устройство с напряжением питания Vdd = 3,3 В.
зуется в последовательность счетных токовых импульсов с по- Если принять минимально допустимое падение на датчике
мощью встроенных токовых регуляторов верхнего и нижнего равным 2,15 В во время цикла измерения, то на резисторе бу-
плеча. Кроме того, в состав микросхемы входит регулятор на- дем наблюдать сигнал не более 1,15 В. Для большинства циф-
пряжения для формирования напряжения питания. ровых контроллеров логическая единица составляет 0,7∙Vdd,
что для нашего случая составит 2,31 В. В итоге использование
Датчик предназначен для измерения температуры в диапа- простого резистора оказывается невозможным, так как микро-
зоне -50...150°С с разрешением 12 бит, что позволяет получать контроллер попросту не «увидит» сигнал логической единицы.
величину единичного отсчета 0,0625°C (рисунок 3). На разных Выходом из этой ситуации может стать использование микро-
участках рабочего диапазона погрешность принимает различ- контроллера со встроенным компаратором или схем преобра-
ные значения: зования уровней.

WWW.COMPEL.RU 11
ПРАКТИКА

Рис. 6. Простейшая схема использования LMT01 совместно с MSP430 Рис. 7. Схема подключения LMT01 со схемой сдвига уровней

Рис. 8. Изолированное подключение LMT01 Рис. 9. Подключение нескольких датчиков LMT01 к одному микроконтроллеру

Рис. 10. Подключение LMT01 к Аrduino Рис. 11. Работа скетча LMT01 для Аrduino

БАЗОВЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ДАТЧИКА ТЕМПЕРАТУРЫ Если управляющий контроллер содержит на борту встро-
LMT01 енный компаратор, то задача существенно упрощается (рису-
Существует несколько вариантов решения проблемы согла- нок 6). В таком случае разработчику остается запрограммиро-
сования уровней напряжений между управляющим контрол- вать пороговое напряжение и гистерезис компаратора. Выход
лером и датчиком LMT01. компаратора подключается к таймеру/счетчику.

12 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПРАКТИКА

Если микроконтроллер не имеет


компаратора, то разработчику придет-
ся добавлять схему сдвига уровней. Ее
можно выполнить на базе однокаскад-
ного транзисторного усилителя (рису-
нок 7).

При необходимости гальванической


развязки или существенного отличия
в уровнях сигналов можно воспользо-
ваться дополнительным изолятором, на-
пример ISO734x (рисунок 8).

Заметим, что ток, формируемый


LMT01, достаточно мал. Это позволяет
использовать для питания датчиков вы-
воды GPIO-микроконтроллера, что дает
разработчикам дополнительные пре-
имущества:
Рис. 12. Сигнал на выводе D7 Аrduino
• возможность сокращения потреб-
ления сенсора за счет его отключе-
ния с помощью GPIO. В таком состо-
янии ток утечки LMT01 составляет
всего 1 мкА, что гораздо меньше

Рис. 13. Макет и схема подключения LMT01 к микроконтроллеру ATiny25

Рис. 15. Осциллограммы сигналов на выводе 7


Рис. 14. Подключение LMT01 к микроконтроллеру ATiny25 ATiny25

WWW.COMPEL.RU 13
ПРАКТИКА

тока в рабочем режиме (34 мкА и с выхода LMT01 используется внутрен- образом, чтобы порог сравнения
125 мкА); ний компаратор. В качестве положитель- 1,25 В попадал как раз посередине
• возможность подключения не- ного входа компаратора задействован между уровнями логических 0 и 1
скольких датчиков к одному встроенный источник опорного напря- для токового выхода LMT01;
входу микроконтроллера (рису- жения REF 1.25 В. Подключение выполне- • сигнал с выхода LMT01 снимается с
нок 9). При таком включении вы- но следующим образом: точки соединения резистора и вы-
воды VN датчиков объединяются, вода VM и подается на отрицатель-
а входы VP подключаются к раз- • LMT01 подключен контактом VP к ный вход компаратора D7.
ным GPIO. порту D12 Arduino, этот выход циф-
рового порта используется для по- Класс LMT01 позволяет использовать
ПОДКЛЮЧЕНИЕ LMT01 К АRDUINO дачи питания на LMT01; датчик в режиме как однократных, так и
Для подключения LMT01 к Arduino • вывод VM LMT01 подключен к зем- постоянных измерений. Программа раз в
Nano (рисунок 10) достаточно лишь од- ле через резистор 16 кОм. Номи- секунду выводит значение температуры
ного резистора. Для подсчета импульсов нал этого резистора выбран таким в UART. Температура отображается в тек-
стовом виде.

Для проверки работоспособности


датчик LMT01 охлаждался с помощью
специального аэрозольного баллончика.
Таким способом очень просто получить
температуру ниже -40°С без использова-
ния специализированной термокамеры.
Результат испытаний можно увидеть на
рисунке 11, а на рисунке 12 представлен
сигнал на выводе D7 Аrduino.

Скетч для выдачи значения темпера-


туры можно найти в архиве примеров
кода для LMT01.

ПОДКЛЮЧЕНИЕ LMT01 К ATINY25


На рисунке 13 представлена схема и
макет подключения LMT01 к микроконт-
роллеру ATiny25 в корпусе SOIC-8. В дан-
ном случае использовался дополнитель-

Рис. 16. Макет устройства (LMT01 + PIC10F204)

Рис. 18. Изменение количества импульсов LMT01


Рис. 17. Схема подключения LMT01 к микроконтроллеру PIC10F204 в зависимости от температуры

14 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПРАКТИКА

ный ключ на биполярном транзисторе.


Использование транзистора позволя-
ет подавать сигнал на любой цифровой
порт входа микроконтроллера без ком-
паратора. На рисунке 14 показана схема
в работе. Пусть вас не смущает большая
отладочная плата MSP432 – на ней ис-
пользуется лишь преобразователь UART/
USB. В терминал выводится значение
температуры без дробной части, что уп-
рощает и сокращает код программы. Ос-
циллограммы сигналов с LMT01 можно
посмотреть на рисунке 15.

Программа для ATiny25 написана на


Си (GCC) и использует счет импульсов по
прерываниям со входа INT0. Тактовая час-
тота – 8 МГц. Для отсчета временных ин-
тервалов задействован таймер TIMER1.

Исходный проект “LMT01 demo


programm for ATtiny25 MCU” и дополни- Рис. 19. Схема подключения LMT01 к MSP430G2553
тельную информацию можно найти в ар-
хиве примеров кода для LMT01.

ПОДКЛЮЧЕНИЕ LMT01 К PIC10F204


На рисунке 16 представлен макет
подключения LMT01 к микроконтрол-
леру PIC10F204 в корпусе DIP-8. Так как
данный микроконтроллер имеет в сво-
ем составе компаратор, внешний ключ
на транзисторе не нужен. Схема под-
ключения представлена на рисунке 17.
На рисунке 18 представлены осциллог-
раммы сигналов для разных измеряе-
мых температур.

В связи с крайне ограниченными ре-


сурсами PIC10F204 код программы был
написан на ассемблере и занял большую
часть объема Flash-памяти. Результаты
измерения выводятся через програм-
мный UART на скорости 9600 бит/с. Счет
импульсов идет программным способом
на пределе скорости для тактовой часто-
ты 4 МГц. В программе реализован пря- Рис. 20. Подключение LMT01 к Launchpad MSP-EXP430G2
мой пересчет для получения результата
с максимальным разрешением 0,0625°C подключения использовался вариант c на скорости 9600 бит/с. Результат работы
без использования программного ум- внутренним компаратором, подсчет им- программы приведен на рисунке 21.
ножения и деления. Для отображения пульсов производился с помощью тай-
результата используется подпрограмма мера. Все это существенно упрощает В архиве можно найти код про-
b24dec для перевода 24-битного резуль- как схему подключения, так и код про- граммы для работы LMT01 совместно с
тата в ASCII-код. Исходный код проекта граммы. Макет устройства приведен на MSP430G2553.
LMT01_MSP430 с дополнительными ма- рисунке 20 (на фото питание на LMT01
териалами можно найти в архиве «При- подается с P2.4, однако в прилагаемом ЗАКЛЮЧЕНИЕ
меры кода для LMT01». примере для этого используется линия Датчик температуры LMT01 найдет
P1.6). Программа имеет множество ком- применение в различных устройствах,
ПОДКЛЮЧЕНИЕ LMT01 К MSP430 ментариев на русском языке и будет по- где необходима высокая точность изме-
Схема подключения LMT01 к недоро- нятна даже начинающему разработчику. рения 0,5°C и широкий диапазон. Малое
гой отладочной плате Launchpad MSP- Значение температуры и «сырые» дан- время измерения и низкий ток потребле-
EXP430G2 приведена на рисунке 19. Для ные (число импульсов) выводятся в UART ния позволяют использовать LMT01 в ба-

WWW.COMPEL.RU 15
ПРАКТИКА

Рис. 21. Измерение температуры с помощью LMT01

тарейном оборудовании. Высокая разрешающая способность ЛИТЕРАТУРА


0,0625°C гарантирует точное слежение даже за малыми темпе- 1. 2-Wire Galvanically Isolated IC Temperature Sensor With
ратурными изменениями. Минимальное число линий подклю- Pulse Count Interface. Texas Instruments, 2016.
чения и простой алгоритм вычитывания цифрового результата 2. http://www.st.com.
позволяет использовать LMT01 даже с самыми простыми 6-вы- 3. http://www.ti.com.
водными микроконтроллерами. Для быстрого старта разра- 4. www.maximintegrated.com.
ботчик может использовать подробную документацию произ-
водителя, а также приложенные к данной статье примеры кода
для разных МК.

16 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ТЕОРИЯ

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

ДОРОГУ КАРБИДУ КРЕМНИЯ! –


ДИОДЫ ШОТТКИ
ПРОИЗВОДСТВА LITTELFUSE
• модели с одиночным диодом и па-
рой диодов, объединенных общим
Карбид кремния (SiC) – один из наиболее перспективных полупроводниковых
катодом;
материалов. Он отличается от традиционного кремния возможностью получе-
• в корпусных исполнениях TO220-2L
ния более высоких значений рабочего напряжения, меньшим уровнем статических
и TO247.
и динамических потерь, большей устойчивостью к перегревам и помехам. Пример
успешного использования этого материала – изделия компании Littelfuse.
Ключевыми областями применения
рассматриваемых диодов Шоттки станут
мощные приложения, работающие в ре-

К
онструкции силовых высоко- кремния SiC. При его использовании уда- жимах как с мягкими, так и с жесткими
вольтных кремниевых диодов ется достичь значительного прогресса в переключениями.
постоянно совершенствуют- решении задач по снижению мощности
ся. После стандартных дио- потерь, увеличению диапазона рабочих МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ:
дов на рынке появились семейства частот и напряжений, повышения устой- ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ
Fast Recovery и Ultra Fast Recovery, ко- чивости к помехам и перегревам. При- Перед тем как начать разговор о не-
торые отличаются меньшим временем мером успешного использования досто- достатках кремния, стоит отметить, что
восстановления. Главной целью их со- инств карбида кремния стало семейство кремниевые диоды – это надежное, про-
здания было снижение потерь и увели- мощных высоковольтных диодов Шоттки веренное десятилетиями решение. Гово-
чение значений коммутируемых токов. на его основе, производимых компанией рить о том, что они абсолютно устарели,
Несмотря на явные достижения, в раз- Littelfuse (рисунок 1). Эти диоды по заяв- конечно, нельзя. Более того, они облада-
витии силовых кремниевых диодов в ленным характеристикам не только не ют неоспоримыми достоинствами и це-
последнее время наблюдается некото- уступают существующим кремниевым лым рядом преимуществ:
рая стагнация. Причиной этого является аналогам, но и превосходят их по ряду
тот факт, что технологические возмож- параметров. • самые современные диоды способ-
ности кремния практически исчерпаны. ны работать с напряжениями более
Требуется либо отказываться от диодов В настоящее время Littelfuse предла- 1 кВ и коммутировать токи в сотни
в пользу синхронных приложений с уп- гает диоды Шоттки на основе карбида ампер;
равляемыми мощными ключами, либо кремния с различными рабочими харак- • кремниевая технология бюджетна
искать новые материалы, которые смо- теристиками: и хорошо отлажена;
гут удовлетворять растущие требова- • к услугам разработчиков пред-
ния рынка. • с рейтингом напряжения 650 или лагается огромная номенклатура
1200 В; моделей от множества производи-
Одним из наиболее перспективных • с номинальными токами до 20 А; телей;
материалов для сферы высоковольтных • с зарядом восстановления от • доступны различные корпусные ис-
мощных приложений является карбид 6 нКл; полнения и так далее.

Рис. 1. Диоды Шоттки на основе карбида кремния


(SiC), производимые компанией Littelfuse Рис. 2. Влияние толщины полупроводника на характеристики диода

WWW.COMPEL.RU 17
ТЕОРИЯ

Таблица 1. Сравнение характеристик различных полупроводниковых материалов


Материал
Параметр
GaN Si SiС

Ширина запрещенной зоны, эВ 3,4 1,12 3,2

Критическая напряженность, МВ/см 3,3 0,3 3,5


7
Дрейфовая скорость насыщения электронов, x10 см/с 2,5 1 2
Подвижность, см2/В•с 990...2000 1500 650
Диэлектрическая проницаемость 9,5 11,4 9,7

Чтобы создать диод, способный ра-


ботать без пробоя с напряжениями до
1200 В, потребуется общая толщина слоя
кремния в 120 мкм. Увеличение стоимос-
ти и габаритов – это только часть про-
блемы, так как рост толщины неизбежно
приводит к увеличению мощности по-
терь при прямой проводимости.

Снизить потери проводимости пы-


таются за счет внедрения высоколеги-
рованных областей различной формы,
чтобы увеличить число неосновных но-
сителей. Но и здесь возникают пробле-
Рис. 3. Процесс восстановления диода при переключениях
мы – при выключении диода требуется
дополнительное время на рассасывание
этих носителей (время восстановления).

В целом ряде приложений нали-


чие времени восстановления приводит
к возрастанию динамических потерь.
Рассмотрим случай самого обычного
импульсного преобразователя, рабо-
тающего на индуктивную нагрузку, на-
пример, мотор вентилятора (рисунок 3).
Пусть в начальный момент времени
транзистор находился во включенном
состоянии, при этом энергия накачива-
лась в индуктивную нагрузку Lн. В мо-
мент выключения транзистора ток на-
чинает протекать через диод VD. Если
к моменту начала следующего перио-
да коммутации ток в индуктивности не
спал до нуля, то при включении VT1 бу-
дет наблюдаться бросок тока (сквозной
ток через транзистор и диод). Это связ-
но с тем, что за время включенного со-
Рис. 4. Удельное сопротивление различных полупроводниковых материалов стояния диод VD1 успел накопить боль-
шой объем неосновных носителей. Эти
Анализируя вышесказанное, можно Ожидать фантастических прорывов в носители и приводят к возникновению
утверждать, что новые материалы еще не характеристиках кремниевых прибо- сквозных токов. Чем больше время вос-
скоро смогут вытеснить кремний с рынка. ров не стоит. В частности, многие элек- становления – тем длительнее импульс
Вместе с тем, у этого полупроводниково- трические свойства мощных диодов, тока и тем больше потери.
го материала есть очевидные недостатки. например, допустимое рабочее на-
пряжения и уровень потерь проводи- Для минимизации динамических по-
С чисто физической точки зрения мости (рисунок 2), зависят от толщины терь применяют различные ухищрения,
кремний практически исчерпал себя. кристалла. однако полностью избавиться от токо-

18 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ТЕОРИЯ

вых хвостов не удается. На сегодняшний


день время восстановления традицион-
ных кремниевых диодов составляет де-
сятки-сотни наносекунд. При использо-
вании карбида кремния это значение
удается снизить на порядок. Это одна из
причин, по которой карбид кремния яв-
ляется одним из наиболее перспектив-
ных материалов для создания мощных
высоковольтных компонентов.

ПРЕИМУЩЕСТВА ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
КАРБИДА КРЕМНИЯ В ВЫСОКОВОЛЬТ-
НОЙ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ
Интерес к альтернативным полупро-
водниковым материалам появился дав-
но. Почти все наиболее перспективные
Рис. 5. Структура диодов Шоттки от Littelfuse на основе карбида кремния
полупроводники были открыты до 90-х
годов прошлого столетия. Такие матери-
алы как нитрид галлия и карбид кремния Для кремниевых диодов с рабочим Говоря о величине сопротивления
уже прошли стадию теоретических ис- напряжением до 1200 В требуется со- канала, стоит упомянуть о таком пока-
следований и активно внедряются в про- здание слоя полупроводника толщиной зателе как удельное сопротивление. По
изводство. не менее 120 мкм. Это связано с тем, что этому параметру карбид кремния пре-
критическая напряженность для крем- восходит обычный кремний и лишь не-
Анализ характеристик помогает об- ния составляет «всего» 0,3 МВ/см. Для много уступает нитриду галлия (рису-
наружить ключевые достоинства полу- SiC критическая напряженность превос- нок 4). В результате GaN и SiC имеют на
проводниковых материалов, которые ходит аналогичный показатель кремния порядок большую удельную мощность,
будут определять их специализацию более чем в 10 раз и составляет 3,5 МВ/ что приводит к значительному уменьше-
(таблица 1). Например, нитрид галлия от- см. Это значит, что для SiC-диода с рабо- нию габаритов по сравнению с традици-
личается максимальным значением под- чим напряжением 1200 В необходимая онными кремниевыми элементами.
вижности и дрейфовой скоростью носи- толщина полупроводникового слоя ока-
телей. Этот материал идеально подходит зывается также в 10 раз меньше. В итоге получается, что по сравнению
для высокочастотных приложений и си- с кремнием карбид кремния имеет бо-
ловой импульсной электроники с рабо- Кроме снижения габаритов, умень- лее высокое рабочее напряжение, мень-
чими напряжениями до 600 В. Карбид шение толщины приводит к двум допол- шее значение удельного сопротивления,
кремния характеризуется максимальным нительным преимуществам. Во-первых, большую удельную мощность и лучшие
значением критической напряженности появляется возможность более эффек- возможности теплоотвода. В результа-
и высокой дрейфовой скоростью, что де- тивного теплоотвода. Во-вторых, умень- те именно карбид кремния оказывается
лает его наиболее привлекательным ма- шение длины проводящего канала неиз- наиболее перспективным высоковоль-
териалом для создания высоковольтных бежно снижает сопротивление, а значит, тным материалом для мощных полупро-
полупроводниковых компонентов. и уровень потерь мощности. водниковых компонентов. Ярким приме-

Рис. 6. Сравнение характеристик различных типов диодов

WWW.COMPEL.RU 19
ТЕОРИЯ

Таблица 2. Характеристики SiC-диодов Littelfuse


Рейтинг
Наименование Iном, А Uпрям, В Iобр, мкА Iимп, А Qс, нКл Корпус Tj макс, °С Схема
напряжения, В
LFUSCD04065A 650 4 1,5 170 32 6 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD06065A 650 6 1,5 200 48 9 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD08065A 650 8 1,5 230 64 13 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD10065A 650 10 1,5 250 75 16 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD16065B 650 16 1,5 460 96 26 TO247 175 Одиночный
LFUSCD20065B 650 20 1,5 500 90 32 TO247 175 Одиночный
LFUSCD05120A 1200 5 1,5 190 40 14 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD10120A 1200 10 1,5 250 80 35 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD15120A 1200 15 1,5 300 120 60 TO220-2L 175 Одиночный
LFUSCD20120B 1200 2 x 10 1,5 500 160 70 TO247 175 Общий катод
LFUSCD30120B 1200 2 x 15 1,5 600 240 120 TO247 175 Общий катод

ром этого стало новое семейство диодов рованные карманы p+. Они выполняют При максимальном рабочем напряже-
Шоттки на основе SiC производства ком- двойную функцию. С одной стороны, при нии до 1200 В они отличаются мини-
пании Littelfuse. приложении к диоду обратного смеще- мальным падением напряжения, мак-
ния области p+ создают дополнительную симальной допустимой температурой
СТРУКТУРА И ХАРАКТЕРИСТИКИ зону обеднения, что приводит к умень- перехода до 175°С, рекордными значе-
SIC-ДИОДОВ ШОТТКИ ОТ LITTELFUSE шению значений обратных токов. С дру- ниями времени восстановления и за-
Диоды Шоттки не содержат тради- гой стороны, при приложении прямого ряда восстановления.
ционного p-n-перехода. Вместо этого смещения области p+ могут обеспечить
используется переход «металл-полу- защиту от помех со значительными им- Малые значения времени обратного
проводник». Структура диодов Шоттки пульсными токами. В последнем случае восстановления и заряда восстановле-
на основе SiC производства компании они выступают в качестве источников ния позволяют минимизировать динами-
Littelfuse состоит из трех слоев (рису- дополнительных носителей зарядов. ческие потери на переключения (рису-
нок 5): высоколегированного основания нок 7). При использовании импульсных
n+, низколегированного дрейфового В результате исследований, про- схем (рисунок 3) удается практически
слоя n-, металла анода. Барьер Шоттки веденных компанией Littelfuse, ока- полностью избавиться от токовых им-
образуется между металлом анода и залось, что новое семейство диодов пульсов обратной полярности.
дрейфовым слоем. Шоттки на основе SiC превосходит
Кроме основных n-легированных кремниевые диоды по целому ряду Использование диодов Шоттки на ос-
слоев в структуре формируются леги- ключевых показателей (рисунок 6). нове SiC производства Littelfuse дает це-
лый ряд преимуществ:

• сокращение уровня потерь прово-


димости;
• сокращение уровня динамических
потерь;
• увеличение диапазонов частот ком-
мутации с последующим уменьше-
нием габаритов трансформаторов,
индуктивностей и конденсаторов
выходных фильтров;
• рост коммутируемой мощности без
увеличения габаритов радиаторов;
• сокращение импульсных нагрузок
на силовые транзисторы, которые
при использовании кремниевых
диодов работали в режиме пере-
груза при протекании сквозных то-
ков при включении;
• сокращение общего перегрева сис-
темы.

ОБЗОР НОМЕНКЛАТУРЫ SIC-ДИОДОВ


ШОТТКИ ОТ LITTELFUSE
В настоящее время семейство SiC-
Рис. 7. Сравнение диаграмм восстановления различных типов диодов диодов Шоттки производства Littelfuse

20 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ТЕОРИЯ

насчитывает 11 представителей: шесть будут востребованы в целом ряде при-


моделей с рабочим напряжением до ложений силовой и преобразователь-
650 В и пять моделей с рейтингом 1200 В ной техники, например, в корректорах
(таблица 2). коэффициента мощности, в DC/DC-пре-
образователях блоков питания, в инвер-
Диоды с рейтингом 650 В имеют сле- торах сварочных аппаратов, в системах
дующие характеристики: питания и драйверах электромоторов, в
блоках бесперебойного питания и мно-
• постоянная токовая нагрузка: гих других.
4...20 А;
• импульсная токовая нагрузка: ЗАКЛЮЧЕНИЕ
32...90 А; По сравнению с традиционным крем- Рис. 8. Расшифровка наименований SiC-диодов
• прямое падение напряжения: 1,5 В; нием, карбид кремния имеет более вы- Littelfuse
• заряд восстановления: 6...32 нКл; сокое рабочее напряжение, меньшее
• обратный ток: 170...500 мкА; значение удельного сопротивления, SiC-диоды Шоттки Littelfuse имеют
• два типа корпусных исполнений: большую удельную мощность и лучшие рейтинги напряжения 650 В и 1200 В,
TO220-2L и TO247. возможности теплоотвода. В результа- постоянный ток до 20 А, заряд восста-
те именно карбид кремния оказывается новления от 6 нКл. Выпускаются они
Особо нужно отметить модели наиболее перспективным материалом в корпусных исполнениях TO220-2L
LFUSCD04065A с минимальным заря- для мощных полупроводниковых ком- и TO247. Это позволяет использовать
дом восстановления 6 нКл и наиболее понентов. их в целом ряде приложений силовой
мощный диод LFUSCD20065B с токовой электроники – от блоков бесперебой-
нагрузкой до 20 А и зарядом на восста- Диоды Шоттки на основе SiC отлича- ного питания до драйверов электро-
новление всего 32 нКл. ются высоким рабочим напряжением, двигателей.
минимальным падением напряжения
Диоды с рейтингом 1200 В имеют сле- при прямом смещении, максимальной ЛИТЕРАТУРА
дующие характеристики: допустимой температурой перехода до 1. The New Name in Power
175°С, рекордно низкими значениями Semiconductors. LFUSCD Series SiC
• постоянная токовая нагрузка: времени восстановления и заряда вос- Schottky Diodes. 2016, Littelfuse.
5...15 А; становления. 2. http://www.littelfuse.com/.
• импульсная токовая нагрузка:
40...240 А;
• прямое падение напряжения: 1,5 В;
• заряд восстановления: 14...120 нКл;
• обратный ток: 190...600 мкА;
• два типа корпусных исполнений:
TO220-2L и TO247.

Модели LFUSCD20120B и
LFUSCD30120B отличаются наличием
двух диодов с общим катодом в одном
корпусе. Эти же модели характеризуют-
ся максимальной токовой нагрузкой.

При заказе SiC-диодов Littelfuse необ-


ходимо использовать наименование, ко-
торое включает пять полей (рисунок 8):
зашифрованное название компании и
семейство, рейтинг тока, рейтинг напря-
жения и тип корпуса.

Рассматриваемое семейство диодов


выпускается в двух вариантах корпусных
исполнений: TO220-2L и TO247. Они оба
идеально подходят для мощных прило-
жений с радиаторами и монтажом на пе-
чатную плату.

Анализ заявленных характеристик го-


ворит о том, что SiC-диоды Шоттки про-
изводства компании Littelfuse наверняка

WWW.COMPEL.RU 21
ИННОВАЦИИ

Владимир Бобрович (КОМПЭЛ)

НАЧИНАЕМ РАБОТУ С СОТОВЫМ МОДУЛЕМ


MC60 ОТ QUECTEL

использует API OpenCPU модуля. Рассмотрим простой пример


Новый сотовый модуль MC60 производства компа- такой программы – «GPS-to-SMS». Эта программа была напи-
нии Quectel с приемником GPS-GNSS поддерживает тех- сана в учебных целях и может быть отнесена к примерам типа
нологию открытого ПО OpenCPU, то есть на базе него, «Hello, World!». Она работает следующим образом: после подачи
источника питания и GPS- и GNSS-антенн можно пост- питания на модуль и его регистрации в сотовой сети програм-
роить полноценный трекер для отслеживания коорди- ма включает приемник GPS-GNSS и далее ожидает поступления
нат транспортного средства. Как это сделать, описано SMS на номер SIM-карты в модуле. После получения SMS про-
в предлагаемой статье. грамма сравнивает номер ее отправителя с номером, заданным
в программе, и, при их совпадении, считывает с приемника GPS-
GNSS строку с NMEA RMC-сообщением и отправляет ее в ответ-
ной SMS. Если номер не совпадает, то ответная SMS не отправ-

К
омпания Quectel Wireless Solutions в 2016 году выпус-
тила новый сотовый модуль MC60, внешний вид кото- ляется, а просто продолжается цикл ожидания.
рого приведен на рисунке 1, а основные особенности
перечислены ниже: ТЕКСТ ПРОГРАММЫ:
//07.10.2016 BVV
• 4-диапазонный GSM-GPRS-модуль 850/900/1800/1900 МГц; //GPS to SMS primer
• подключение двух SIM-карт в режиме Dual SIM Single //Программа ожидает SMS с заданного номера и
Standby; отсылает ответ со строкой NMEA RMC.
• встроенный интерфейс Bluetooth версии 3.0;
• встроенный приемник GPS-GNSS (GPS/GLONASS/QZSS); #include «ril.h»
• поддержка технологии OpenCPU; #include «ril_util.h»
• размеры 18,7х16,0х2,1 мм. #include «ril_sms.h»
#include «ril_system.h»
Наличие в составе модуля приемника GPS-GNSS и поддержка #include «ril_gps.h»
технологии OpenCPU позволяют создавать простые устройства #include «ql_stdlib.h»
определения географических координат точки, в которой нахо- #include «ql_error.h»
дится модуль MC60. То есть, можно создать, например, трекер, в #include «ql_trace.h»
котором будут только источник питания, модуль и две антенны, #include «ql_system.h»
GSM и GNSS. Программа такого трекера пишется на языке Си и #include «ql_memory.h»
#include «ql_type.h»

//Номер телефона, с которого должна прийти


SMS
char strPhoneNumber[] = «+7xxxxxxxxxx»;

//Функция, вызываемая при получении новой


SMS
static void Hdlr_RecvNewSMS(u32 nIndex)
{
u32 uMsgRef = 0;
ST_RIL_SMS_TextInfo *pTextInfo = NULL;
ST_RIL_SMS_DeliverParam *pDeliverTextInfo =
NULL;
char aPhNum[RIL_SMS_PHONE_NUMBER_MAX_
LEN] = {0,};
pTextInfo = Ql_MEM_Alloc(sizeof(ST_RIL_
SMS_TextInfo));
Ql_memset(pTextInfo, 0x00, sizeof(ST_RIL_
SMS_TextInfo));
Рис. 1. Внешний вид сотового модуля MC60 производства Quectel Wireless RIL_SMS_ReadSMS_Text(nIndex, LIB_SMS_
Solutions CHARSET_GSM, pTextInfo);

22 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ИННОВАЦИИ

pDeliverTextInfo = &((pTextInfo->param). break;


deliverParam); }
Ql_strcpy(aPhNum, pDeliverTextInfo->oa); case MSG_ID_URC_INDICATION:
Ql_MEM_Free(pTextInfo); switch (taskMsg.param1)
{
//Отправка SMS, если номер отправителя из case URC_SYS_INIT_
пришедшей SMS совпадает с номером в программе STATE_IND:
if (Ql_strstr(aPhNum, strPhoneNumber)) {
{ if (SYS_STATE_
u8 rdBuff[160]; // буфер для GPS SMSOK == taskMsg.param2)
u8 sendBuff[160]; // буфер для текста от- // Получено «SMS
правляемой SMS Ready» – модуль готов к работе
char item[]= «RMC»; // из GPS будет про- {
читана строка: +QGNSSRD: $GNRMC... RIL_SMS_
Ql_memset(rdBuff, 0, sizeof(rdBuff)); // DeleteSMS(0, RIL_SMS_DEL_ALL_MSG);
заполнение буфера GPS нулями }
Ql_memset(sendBuff, 0, sizeof(sendBuff)); break;
// заполнение буфера SMS нулями }
RIL_GPS_Read(item, rdBuff); // чтение из case URC_NEW_SMS_IND:
GPS // Получена новая SMS
// Копирование GPS NMEA RMC строки в текст {
SMS, кроме символов «\r\n+QGNSSRD: $» Q l _ D e b u g _
Ql_strncpy(sendBuff, rdBuff+13, Trace(«New SMS received!\r\n»);
sizeof(sendBuff)); H d l r _
// Отправка SMS RecvNewSMS(taskMsg.param2);
Ql_Debug_Trace(«Sending SMS with the R I L _ S M S _
text:\r\n»); DeleteSMS(0, RIL_SMS_DEL_ALL_MSG);
Ql_Debug_Trace(«%s\r\n», sendBuff); break;
RIL_SMS_SendSMS_Text(aPhNum, Ql_ }
strlen(aPhNum), LIB_SMS_CHARSET_GSM, (u8*) default:
sendBuff, Ql_strlen(sendBuff), &uMsgRef); break;
} }
else // Входящая СМС пришла с неизвестного break;
номера default:
{ break;
Ql_Debug_Trace («Received SMS came from }
unknown phone number: %s\r\n», aPhNum); }
} }
return;
} Вначале, как обычно, подключаются необходимые заголо-
вочные файлы. Файлы ril.h и ril_xxx.h, относятся к мо-
//Главная функция программы дулю Quectel OpenCPU RIL (Radio Interface Layer). Функции, реа-
void proc_main_task(s32 iTaskID) лизованные в этом модуле – выполнение AT-команд, первичная
{ обработка URC (Unsolicited Result Code), прием и отправка SMS,
ST_MSG taskMsg; управление GPS-GNSS-приемником и другие. Особенностью
Ql_Debug_Trace(«MC60 OpenCPU GPS-to-SMS модуля RIL является то, что он имеет открытый исходный код и
primer\r\n»); позволяет пользователю добавлять собственные программные
Ql_Debug_Trace(«Waiting for incoming функции. Подключаемые файлы ql_stdlib.h и ql_trace.h
SMS...\r\n»); необходимы для вывода отладочной информации в DEBUG
while (TRUE) UART-порт. Файл ql_error.h содержит все коды ошибок, воз-
{ вращаемых API-функциями OpenCPU, а файл ql_system.h не-
Ql_memset(&taskMsg, 0x0, sizeof(ST_ обходим для организации главного цикла программы.
MSG));
Ql_OS_GetMessage(&taskMsg); В символьном массиве strPhoneNumber[] должен быть
switch (taskMsg.message) записан номер телефона, с которого будут отправляться входя-
{ щие SMS.
case MSG_ID_RIL_READY:
{ Функция Hdlr_RecvNewSMS(u32 nIndex) вызывается
Ql_RIL_Initialize(); при получении новой SMS, параметр nIndex передает в функ-
// Включение питания GPS цию порядковый номер принятой SMS. Содержимое приня-
RIL_GPS_Open(1); той SMS cчитывается RIL-функцией RIL_SMS_ReadSMS_Text

WWW.COMPEL.RU 23
ИННОВАЦИИ

в переменную с указателем pTextInfo. Текст SMS никак не +QGNSSRD: $GNRMC,065536.000,A,5543.5135,N,03


анализируется, из нее только извлекается номер отправителя 739.1593,E,0.00,357.42,280916,,,A*75
в переменную aPhNum. Далее функция Ql_strstr(aPhNum,
strPhoneNumber) производит сравнение телефонных номе- RMC означает минимальный рекомендованный набор дан-
ров, и если они совпадают, то будет выполнена отправка SMS с ных GPS, он содержит UTC-время определения координат
NMEA RMC-строкой. Если номера не совпадают – SMS отправ- (065536.000), признак их валидности (A – валидны, V – нева-
лена не будет, а в отладочный порт будет выведено сообще- лидны), сами координаты (5543.5135,N,03739.1593,E), скорость
ние о недопустимом номере: Ql_Debug_Trace(«Received (0.00) и направление движения (357.42), а также дату (280916).
SMS came from unknown phone number: %s\r\n», Параметр, который стоит непосредственно перед символом
aPhNum). «*», показывает режим определения координат:

Если будет осуществлена отправка SMS, то сначала произво- • «A» – автономный режим;
дится считывание строки из приемника GPS-GNSS, для этого вы- • «D» – дифференциальный режим;
зывается функция RIL_GPS_Read(item, rdBuff). Переда- • «N» – недостоверные данные.
ваемый параметр item определяет тип читаемой NMEA-строки,
а rdBuff является указателем на буфер, в который будет поме- Символ «*» означает конец данных, а «75» – это контрольная
щена строка. Если параметру item присвоить значение «ALL», то сумма. В начале и конце строки передаются еще символы «\r\n»,
будет считан целый кадр NMEA-сообщения. Для MC60 это: то есть перевод строки и новая строка.

+QGNSSRD: $GNRMC,060654.000,A,5543.5146,N,03 После того как строка RMC прочитана, она копируется в бу-
739.1604,E,0.00,35.05,050916,,,D*40 фер текста отправляемой SMS: Ql_strncpy(sendBuff,rdBu
$GNVTG,35.05,T,,M,0.00,N,0.00,K,D*15 ff+13,sizeof(sendBuff)). Для уменьшения размера SMS
$GNGGA,060654.000,5543.5146,N,03739.1604,E, начальные символы «\r\n+QGNSSRD: $» в буфер отправки
2,17,0.66,145.6,M,14.4,M,,*7D не копируются, для этого к начальному значению адреса буфе-
$GPGSA,A,3,29,02,32,19,31,25,06,24,14,12,,, ра RMC прибавляется число 13. Отправка SMS производится вы-
0.95,0.66,0.67*0C зовом функции RIL_SMS_SendSMS_Text. В DEBUG-порт вы-
$GLGSA,A,3,77,78,70,88,87,86,71,,,,,,0.95,0 водится сообщение об отправке и текст отправляемой SMS. Для
.66,0.67*1C этого два раза вызывается функция Ql_Debug_Trace.
$GPGSV,3,1,12,12,78,128,35,25,60,288,41,02,
56,120,21,06,40,061,30*78 ГЛАВНАЯ ФУНКЦИЯ ПРОГРАММЫ, PROC_MAIN_TASK(S32
$GPGSV,3,2,12,29,30,242,36,49,20,217,35,24, ITASKID)
19,182,22,14,17,300,24*7C В начале главной функции в DEBUG-порт выводятся строки,
$GPGSV,3,3,12,31,16,322,16,19,15,065,24,32, свидетельствующие о старте программы, и создается структу-
10,273,31,03,03,001,16*70 ра taskMsg, в которую будут передаваться системные сообще-
$GLGSV,3,1,10,87,82,057,24,77,59,174,38,78, ния по мере их возникновения. Далее организуется цикл вы-
55,311,21,88,43,224,45*6F борки сообщений и их обработка. Здесь можно отметить, что
$GLGSV,3,2,10,86,23,046,18,70,17,012,21,79, Quectel OpenCPU является многозадачной системой реально-
14,325,,71,10,061,17*69 го времени, в которой может исполняться одна главная зада-
$GLGSV,3,3,10,76,10,155,,69,03,321,*69 ча и до 10 субзадач. Для каждой задачи в программе должна
$GNGLL,5543.5146,N,03739.1604,E,060654.000, быть создана своя структура типа ST_MSG и организован свой
A,D*4F цикл выборки сообщений. Программа «GPS-to-SMS» – одноза-
дачная, и в ней только один такой цикл. В самом начале цик-
Чтобы не усложнять программу, в ней не производится ника- ла производится обнуление всех полей стандартной структуры
кой обработки NMEA-сообщений, а просто читается одна стро- ST_MSG, а затем вызывается функция, осуществляющая выбор-
ка, и ее содержимое передается в отправляемую SMS. Для этого ку (считывание) сообщения из очереди сообщений: Ql_OS_
параметру item присваивается значение «RMC». GetMessage(&taskMsg).

Вот пример RMC-строки, которая читается из приемника, Первым в цикле проверяется сообщение о готовности мо-
если сигнал со спутников еще не захвачен: дуля RIL, это MSG_ID_RIL_READY. Если такое сообщение
появилось, то вызывается функция инициализации модуля –
+QGNSSRD: $GNRMC,000100.710,V,,,,,0.00,0.00, Ql_RIL_Initialize(). Только после инициализации RIL
010104,,,N*50 программа может использовать RIL API-функции, и в данном
случае программа вызывает функцию RIL_GPS_Open(1), ко-
Если захвачен сигнал только с одного спутника или с не- торая включает питание GPS-GNSS-приемника.
скольких, но координаты еще не определены:
Далее в цикле проверяется системное сообщение MSG_ID_
+QGNSSRD: $GNRMC,053816.304,V,,,,,0.40,309.5 URC_INDICATION, оно появляется при получении URC. Если
5,050916,,,N*58 имеется такое системное сообщение, далее тестируется поле
param1 структуры taskMsg, которое определяет тип полу-
А такая строка выдается, если сигнал захвачен и координаты ченного URC. В модуле MC60 может быть множество URC-со-
определены: общений. Те из них, которые обрабатываются модулем RIL, пе-

24 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ИННОВАЦИИ

речислены в файле ril.h. В поле param2 структуры taskMsg этом содержит номер (индекс) принятой SMS, по которому про-
содержатся дополнительные параметры для пришедшего URC. изводится ее чтение. Программа вызывает функцию-обработ-
В цикле нашей программы проверяется приход только двух ти- чик Hdlr_RecvNewSMS(taskMsg.param2), которая вы-
пов URC, это URC_SYS_INIT_STATE_IND и URC_NEW_SMS_ полняет все необходимые действия – читает пришедшую SMS,
IND. читает RMC-строку из приемника GPS-GNSS и отправляет ответ.
После возврата из функции-обработчика опять же вызывается
URC-сообщение URC_SYS_INIT_STATE_IND генерирует- функция удаления SMS.
ся в момент инициализации MC60 при его включении или пере-
загрузке. Если при этом параметр param2 структуры taskMsg ПРИМЕЧАНИЯ
равен SYS_STATE_SMSOK, это означает, что модуль MC60 за- Впрограмме никак не обрабатываются коды ошибок, кото-
регистрировался в сети и готов к приему и отправке SMS. Для рые возвращают почти все API-функции OpenCPU. Это сделано
исключения ситуации с переполнением памяти SMS в програм- для упрощения программы и уменьшения ее текста. В програм-
ме вызывается функция удаления всех SMS, принятых ранее: ме не используются режимы энергосбережения приемника
RIL_SMS_DeleteSMS. GPS-GNSS и трансивера GSM, и средний ток потребления до-
стигает 95 мА при проверке с использованием фирменного от-
URC-сообщение URC_NEW_SMS_IND генерируется при по- ладочного комплекта Quectel GSMEVB-KIT и активной антенны
лучении новой SMS. Параметр param2 структуры taskMsg при GPS-GLONASS из Quectel MC60-TE-A Kit.

WWW.COMPEL.RU 25
ИННОВАЦИИ

Сергей Нерухов (г. Москва)

НОВЫЙ БЮДЖЕТНЫЙ ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК


433/868 МГЦ С БЕСКОМПРОМИССНЫМ
КАЧЕСТВОМ РАДИОТРАКТА
в режиме передачи. Приемопередатчик
Новый приемопередатчик 433/868 МГц S2-LP производства S2-LP является одним из лучших по па-
STMicroelectronics – преемник известного SPIRIT1. Высокая чувствительность раметрам радио (в частности, чувстви-
позволила увеличить дальность передачи, а повышенная избирательность, уль- тельности и избирательности приемного
транизкое энергопотребление и гибкость настроек при сохранении цены и ма- тракта, а также диапазону выходных час-
лых габаритах делают новую микросхему прекрасным бюджетным решением для тот и улучшенной фильтрации). Также он
медицины, сельского хозяйства, охраны природы и интеллектуальных го- имеет ультрамалое потребление, что де-
родских систем. лает его оптимальным выбором для са-
мых требовательных приложений.

О
дним из наиболее динамично для таких применений как автоматиза- Технические параметры S2-LP
развивающихся сегментов сов- ция зданий, медицина, системы монито- Рассмотрим отдельные техничес-
ременной электроники являет- ринга для сельского хозяйства, автома- кие параметры S2-LP и сравним их с со-
ся Интернет вещей (IoT). Рынок тические парковки и интеллектуальные ответствующими параметрами SPIRIT1.
IoT за 2016 год вырос на треть, а в 2017 системы ЖКХ по сбору данных со счетчи- У приемопередатчика S2-LP повышена
году ожидается рост на 40%. Отраслевые ков ресурсов. Данный приемопередат- чувствительность за счет уменьшения
эксперты предсказывают, что к 2020 году чик может работать в частотных диапазо- наведенных помех. Это стало возмож-
в мире будет насчитываться 20...50 млрд. нах 430...470 МГц и 860...940 МГц. Помимо ным вследствие разнесения SMPS-бло-
устройств, подключенных к Интернету. уже привычных типов модуляции 2-GFSK, ка и ВЧ-тракта на печатной плате (рису-
Расширяется и сфера применения IoT: OOK и ASK он также поддерживает моду- нок 1) и увеличению расстояния между
энергетика, промышленность, жилищ- ляцию 4-GFSK/D-BPSK, а скорость пере- выводами SMPS и ВЧ-частью микросхе-
но-коммунальное, сельское хозяйство, дачи данных настраивается в диапазоне мы (рисунок 2). Также была изменена
транспорт, медицина – вот лишь некото- 0,3...500 кбит/с. S2-LP может работать в схема внутреннего питания для органи-
рые сегменты экономики, в которых ак- сетях LPWAN компании SigFox, а также зации лучшей развязки отдельных на-
тивно развивается концепция Интернета имеет встроенный обработчик пакетов пряжений.
вещей. В странах Евросоюза, Китае, Юж- 802.15.4g. При своих миниатюрных габа-
ной Корее и Индии уже известны приме- ритах (4x4 мм, корпус QFN24) данная мик- Сравнение чувствительности прие-
ры внедрения IoT на уровне целых горо- росхема обладает превосходными харак- мопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP при мо-
дов, благодаря чему удается повысить теристиками: чувствительность до -130 дуляции 2-FSK приведено на рисунке 3.
эффективность управления транспорт- дБм при скорости передачи данных 300 На нем мы видим, что среднее значение
ными потоками и расходом энергии. бит/с, выходная мощность на антенном практического улучшения чувствитель-
разъеме – до 16 дБм. Кроме того, стоит ности приемопередатчика S2-LP по срав-
ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК S2-LP (S2-LP) отметить и отличные параметры энер- нению с таковой у микросхемы SPIRIT1
Концепция Интернета вещей во мно- гопотребления: ток потребления 10 мА составляет 3 дБ в диапазоне скорости
гих случаях подразумевает использова- при выходной мощности 10 дБм в режи- передачи данных 1,2...250 кбит/с. Микро-
ние радио в качестве канала передачи ме низкого энергопотребления; 8 мА на схема S2-LP соответствует требованиям
информации. С увеличением количества приеме в режиме высокой производи- для работы в сети SigFox, где необходи-
передающих устройств растет и уровень тельности; 350 нА – в режиме ожидания. мо иметь чувствительность приемопере-
электромагнитных помех, что в свою
очередь приводит к ужесточению тре- По сравнению со своим предшествен-
бований к параметрам избирательности ником, приемопередатчиком SPIRIT1, у
радиочастотных приемопередатчиков S2-LP повышена чувствительность, бла-
(трансиверов) и малого уровня энерго- годаря чему увеличивается дальность
потребления. В начале 2017 года компа- передачи сигнала. Высокая избиратель-
ния STMicroelectronics выпустила новый ность S2-LP позволяет создавать на его
приемопередатчик S2-LP, обеспечива- основе устройства, которые будут со-
ющий работу в субгигагерцевом диа- ответствовать требованиям стандартов
пазоне. Использование радиоканала с EN300-220 и EN303-131 к устройствам
частотами до 1 ГГц позволяет добиться категории 1. Впервые примененный уси- Рис. 1. Взаимное расположение SMPS-блока
максимальной дальности передачи сиг- литель класса E позволил достигнуть и ВЧ-тракта на печатной плате у приемопередатчи-
нала. Новая микросхема разработана лучшего в отрасли энергопотребления ков SPIRIT1 и S2-LP (SPIRIT2)

26 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ИННОВАЦИИ

Рис. 2. Взаимное расположение SMPS-блока и ВЧ-тракта на печатной плате у приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP

Таблица 1. Дальности связи SPIRIT1 и S2-LP седних частотах, играет важную роль, так
как появляется все больше и больше уст-
Радиус действия, м
Среда распространения ройств, работающих в диапазонах ISM, а
SPIRIT1 S2-LP также LTE-оборудование на смежных час-
Помещение 73 82 тотах. Различные стандарты разделяют
Городская среда 442 525 устройства на категории по избиратель-
ности, а стандарты EN300-220 и EN303-
Открытое пространство 11200 14800
131 предъявляют к устройствам катего-
рии 1 требование избирательности по
соседнему каналу не менее 60 дБ при от-
стройке 2 МГц/10 МГц не менее 84 дБ. На
сегодняшний день на рынке отсутствуют
радиочастотные приемопередатчики,
полностью соответствующие критериям
категории 1 на частотах 433 и 868 МГц.
Для устранения этого несоответствия
приходится применять узкополосные
ПАВ-фильтры, что негативно сказывает-
ся на стоимости изделия и его чувстви-
тельности (вносимые фильтром потери
составляют ориентировочно 3 дБ). На
малых скоростях передачи данных S2-LP
соответствует требованиям категории 1,
что позволяет избавиться от необходи-
мости использования ПАВ-фильтра. По
сравнению с микросхемой SPIRIT1 у при-
емопередатчика S2-LP улучшена филь-
трация при отстройке 2 МГц (рисунок 4),
а его канальный фильтр программирует-
ся вплоть до значения 6,25 кГц (у SPIRIT1 –
до 12,5 кГц).
Рис. 3. Чувствительность приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP при модуляции 2-FSK
У приемопередатчика S2-LP предус-
датчика не ниже -126 дБм при скорости скорости передачи данных 1,2 кбит/с и мотрено несколько LDO для организа-
передачи данных 600 бит/с. коэффициенте усиления антенны 0 дБи. ции питания различных блоков. Гибкая
система питания включает несколько ре-
В таблице 1 приведены ориентиро- В современном мире параметр из- жимов:
вочные значения дальности передачи бирательности, то есть способности де-
сигнала приемопередатчиками SPIRIT1 кодирования принимаемого сигнала в • BM (Boost Mode) – режим повышен-
и S2-LP при выходной мощности 10 дБм, присутствии значительных помех на со- ной мощности, в котором на антен-

WWW.COMPEL.RU 27
ИННОВАЦИИ

ном разъеме возможно получить


мощность +16 дБм;
• HPM (High Performance Mode) – ре-
жим высокой производительности,
в котором задействуются внутрен-
ние LDO и достигается наилучшая
изоляция вкупе с минимальными
шумами и пульсацией SMPS;
• LPM (Low Power Mode) – режим ма- Рис. 4. Фильтрация по отстройке приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP
лого энергопотребления, в кото-
ром все узлы питаются напрямую обработки данных, что приводит к опти- в этом режиме можно описать следую-
от SMPS в обход внутренних LDO, а мизации энергопотребления на систем- щим образом: микроконтроллер, управ-
также повышается КПД. ном уровне. ляющий S2-LP, попеременно задействует
частоты 433 и 868 МГц до тех пор, пока
Все перечисленные режимы питания S2-LP имеет встроенный обработчик не будет получен пакет с одним из синх-
доступны на одной печатной плате с од- пакетов стандарта 802.15.4g: декодиро- рослов; при детектировании синхросло-
ним перечнем элементов. Выходное на- вание физического уровня 802.15.4g, об- ва происходит прием сигнала на частоте,
пряжение SMPS программируется с ша- работку полезной нагрузки 802.15.4g со соответствующей данному синхрослову.
гом 0,1 В в диапазоне 1,1...1,8 В. 128-битным FIFO, возможность работы с Благодаря быстрому обнаружению синх-
В таблицах 2, 3 и 4 приведены типо- двумя синхрословами, а также совмес- рослова снижаются ограничения на тай-
вые значения параметров микросхемы тимый с 802.15.4g CRC. Все это упрощает минги, что положительно влияет на быс-
S2-LP в зависимости от выбранного ре- реализацию стека 6LoWPAN. тродействие системы.
жима питания.
Как уже упоминалось ранее, S2-LP Как и у приемопередатчика SPIRIT1, у
Как и у микросхемы SPIRIT1, у S2-LP поддерживает DUAL SYNC (то есть работу микросхемы S2-LP есть режим быстрого
есть режимы ожидания (Stand-by) и сна с двумя синхрословами). Вкратце работу прекращения приема (Sniff Mode), одна-
(Sleep A), однако у S2-LP есть и второй
режим сна – Sleep B, в котором стало Таблица 2. Типовые значения тока потребления приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP в зависимости
возможным сохранение данных в FIFO. от режима питания при напряжении питания 3 В
В режимах же Stand-by и Sleep A ток пот- Ток потребления в режиме:
ребления S2-LP значительно снижен по Приемопередатчик
LPM (Vsmps = 1,2 В), мА HPM (Vsmps = 1,4 В), мА
сравнению с его величиной у SPIRIT1, в
S2-LP 7,1 8,4
чем можно убедиться, ознакомившись с
данными таблицы 5. SPIRIT1 9,5

В приемопередатчике SPIRIT1 уси- Таблица 3. Типовые значения чувствительности приемопередатчика S2-LP для частот 433 МГц
литель работал в классах AB и E, что яв- и 868 МГц в зависимости от режима питания при скорости передачи данных 300 бит/с
лялось компромиссом между произво-
Чувствительность в режиме:
дительностью и энергопотреблением. Частота
В микросхеме S2-LP использован усили- LPM (Vsmps = 1,2 В), дБм HPM (Vsmps = 1,4 В), дБм
тель класса E, что позволяет максимизи- 433 МГц -131,4 -131,5
ровать КПД и получить технически более 868 МГц -129,1 -129,3
совершенное решение. S2-LP является
лучшим в своем классе трансивером по
току потребления в режиме передачи Таблица 4. Типовые значения избирательности приемопередатчика S2-LP для различных отстроек
(10 мА при 10 мВт). в зависимости от режима питания при скорости передачи данных 1200 бит/с
Избирательность в режиме:
Отстройка
Кроме того, S2-LP можно использо- LPM (Vsmps = 1,2 В), дБ LPM (Vsmps = 1,2 В), дБ
вать с внешним интегральным балуном, +/- 2 МГц 82 81
который будет доступен в двух версиях:
для диапазонов 433 МГц и 868 МГц. +/- 10 МГц 85 84
Соседний канал 49 59
При работе над программным обес-
печением S2-LP были учтены замечания
Таблица 5. Типовые значения тока потребления SPIRIT1 и S2-LP
разработчиков к SPIRIT1. В частности, у
S2-LP появился гибкий обработчик па- Режим S2-LP SPIRIT1 Улучшение
кетов, благодаря чему поддерживаются Shutdown, нА 2,5 –
преамбула большой длительности, синх- Standby, нА 310 600 ≈ 50%
рослово длиной до 64 бит (с точностью Sleep A, нА 640 850 ≈ 25%
до бита), а также код Манчестера. Все это
избавляет микроконтроллер от лишней Sleep B, нА 950 – –

28 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ИННОВАЦИИ

SPIRIT1 в режиме Sniff Mode приведена


на рисунке 5.

Приемопередатчик S2-LP дополни-


тельно обрабатывает ложное обнару-
жение данных. Работает это следующим
образом: как и в случае со SPIRIT1, S2-LP
находится в режиме сна до тех пор, пока
RSSI не превысит пороговое значение,
после чего запускается новый таймер,
в окне которого можно задействовать
оценку качества сигнала; если один из
индикаторов качества не соответствует
ожиданиям, то прием сигнала мгновен-
но прекращается, а приемопередатчик
Рис. 5. Временная диаграмма работы приемопередатчика SPIRIT1 в режиме Sniff Mode снова переходит в режим сна. Таким об-
разом, при ложном захвате нет необхо-
димости ждать окончания пакета, что
помогает добиться снижения тока пот-
ребления. Схематичная временная диа-
грамма работы S2-LP в режиме Sniff Mode
приведена на рисунке 6.

Средства разработки
Для того чтобы разработчики смог-
ли на практике оценить возможности
приемопередатчика S2-LP, компания ST
предлагает наборы для разработки на
базе S2-LP – Steval-FKI868 (для частот
868/915 МГц) и Steval-FKI433 (для часто-
ты 433 МГц). Внешний вид набора Steval-
FKI868 представлен на рисунке 7.
Рис. 6. Временная диаграмма работы приемопередатчика S2-LP в режиме Sniff Mode

В обоих случаях элементы обвязки


ко в алгоритмах их работы есть разли- описать следующим образом: находясь четко разделены по функциональным
чие. Вкратце логику работы этого режи- в режиме сна, приемопередатчик пе- блокам, что является отличным приме-
ма у приемопередатчика SPIRIT1 можно риодически пробуждается на короткое ром расстановки элементов с участием
время для измерения уровня принима- S2-LP и позволяет разработчикам быст-
емого сигнала (RSSI); если RSSI ниже по- рее освоиться с логикой работы платы,
рогового уровня, то приемопередатчик а также – в будущем – легко перенести
возвращается в режим сна; в против- подобное расположение элементов на
ном случае приемопередатчик остается свою печатную плату. На рисунке 8 пред-
в режиме приема вплоть до конца па- ставлено увеличение области с элемен-
кета, после чего принимается решение тами обвязки на плате Steval-FKI868, а на
о валидности принятых данных. Схема- рисунке 9 – соответствующая трассиров-
тичная временная диаграмма работы ка печатной платы.

Рис. 7. Отладочная плата Steval-FKI868 Рис. 8. Плата Steval-FKI868 как пример расстановки элементов обвязки с участием S2-LP

WWW.COMPEL.RU 29
ИННОВАЦИИ

Как в Steval-FKI868, так и в Steval-


FKI433 материнской платой является
Nucleo-L152RE, содержащая на борту
микроконтроллер STM32L152RE, дебаг-
гер-программатор ST-LINK/V2-1 с разъ-
емом SWD, несколько вариантов питания,
три светодиода, две кнопки и USB-порт.
Осуществляется поддержка нескольких
интегрированных сред разработки, та-
ких как IAR™, ARM® Keil® и других.

В комплект поставки обоих наборов


входит подробная документация, а также
набор программного обеспечения STSW-
S2LP-DK, в который входят:

• графическая оболочка S2-LP DK GUI


для Windows, представляющая со-
бой интерактивный интерфейс ре-
гистров S2-LP и предназначенная
для удобного конфигурирования
параметров РЧ и обработчика па-
кетов; Рис. 9. Трассировка блока элементов обвязки на плате Steval-FKI868
• библиотеки S2-LP и примеры кода;
• низкоуровневый API для сопряже- няться в системах с повышенными тре- твительностью и скоростью передачи
ния материнской платы с дочерней бованиями к времени жизни батареи данных. Благодаря чрезвычайной гиб-
платой; и дальности связи. Малый уровень кости настроек радио, разработчик с
• драйвер HAL для STM32L1; энергопотребления позволяет прие- помощью S2-LP сможет создать радио-
• драйверы для ПК (виртуальный мопередатчику работать более 10 лет линк, максимально оптимизированный
USB + устройство хранения дан- от дискового элемента CR2032. Высо- под конкретные задачи. Высокие ра-
ных). кая выходная мощность 16 дБм и чувс- диочастотные характеристики нового
твительность -130 дБм позволяют пе- трансивера не привели к повышению
ЗАКЛЮЧЕНИЕ редавать данные на расстояние более цены микросхемы, что позволяет ис-
Новый приемопередатчик S2-LP 10 км. Разумеется, всегда существу- пользовать S2-LP даже в бюджетных
имеет ряд преимуществ, благодаря ет компромисс между выходной мощ- приложениях.
которым он может с успехом приме- ностью и потреблением, между чувс-

30 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Вячеслав Гавриков (г. Смоленск)

УНИВЕРСАЛЬНЫЕ СОЛДАТЫ ОТ МЭЛТ:


ЖК-ДИСПЛЕИ С ПОДДЕРЖКОЙ I2C

деле, посвященном подключению


Компания МЭЛТ анонсировала выпуск модернизированных знакосинтезиру- микросхемы INF8574).
ющих ЖК-дисплеев, которые будут поддерживать не только традиционные
8/4-битные параллельные шины, но и интерфейс I2C. При его использовании для ОБЗОР ЗНАКОСИНТЕЗИРУЮЩИХ
обмена данными потребуются всего две сигнальные линии – SDA и SCL, что позво- ЖК-ДИСПЛЕЕВ МЭЛТ
ляет управлять работой дисплея даже с помощью микроконтроллеров с малым Номенклатура знакосинтезирующих
числом выводов. ЖК-дисплеев МЭЛТ насчитывает 19 се-
рий, которые объединяют более 500 мо-
делей (таблица 1). При таком многообра-

П
ричина широкого признания Пока что в планах компании значится зии легко выбрать дисплей с требуемыми
ЖК-дисплеев производства ком- выпуск модернизированных версий на- характеристиками (рисунок 1):
пании МЭЛТ заключается в том, иболее популярных моделей MT-20S4A и
что, несмотря на наличие на MT-16S2H. Если спрос на новинки будет • с технологиями STN Positive/
рынке дисплеев других производителей, высоким, последует обновление и других Negative, FSTN Positive/Negative;
российская продукция не уступает им по знакосинтезирующих ЖК-дисплеев. • с форматами строк 08х2, 10х1, 16х1,
большинству характеристик, а по ряду 16х2, 16х4, 20х1, 20х2, 20х4, 24х1,
параметров дисплеи МЭЛТ превосходят Стоит отметить, что использование I2C 24х2;
зарубежные аналоги. Например, они от- дает модернизированным дисплеям не- • с янтарным, желто–зеленым, крас-
личаются реальной работоспособностью сколько важных преимуществ: ным, голубым или белым цветом
при низких и высоких температурах. Су- • возможность простой интеграции подсветки;
ществуют дисплеи с диапазоном рабочих со стеком Arduino. При этом от раз- • с напряжением питания 3 или 5 В;
температур -30...70°C и диапазоном хра- работчиков не потребуется каких- • с диапазоном рабочих температур
нения -40...80°C. При этом, в отличие от либо усилий по сопряжению, так до -30...70°C;
иностранных аналогов, это не какие-то как для Arduino I2C является базо- • с различными ЖК-контроллерами:
специализированные версии, выполнен- вым интерфейсом; КБ1013ВГ6 или ST7070;
ные под заказ, а серийные образцы. • возможность работы с микроконт- • с параллельным или последова-
роллерами с малым числом выво- тельным коммуникационным ин-
Еще одним преимуществом диспле- дов. Если традиционный четырех- терфейсом.
ев МЭЛТ является широкий выбор мо- битный параллельный интерфейс
делей [1]. Сейчас к услугам разработчи- требует от контроллера семи пор- Модели дисплеев, построенные на
ков – около полутора сотен графических тов ввода-вывода, то при использо- базе ЖК-контроллера ST7070, подде-
ЖК, более пяти сотен знакосинтезирую- вании I2C понадобится всего два; рживают как параллельные 8/4-битные
щих и более тридцати сегментных. Моде- • расширение функционала для уп- шины, так и последовательный интер-
ли отличаются форматами изображения, равления подсветкой дисплея (об фейс SPI. Для обмена по SPI от управляю-
напряжением питания (3/5 В), цветом этом подробнее рассказано в раз- щего контроллера требуется всего лишь
подсветки (янтарным, желто-зеленым,
красным, голубым, белым), типом изобра-
жения (прямым или инвертированным),
наличием или отсутствием термокомпен-
сации и так далее.

МЭЛТ продолжает пополнять свой


модельный ряд. На этот раз компания
анонсировала выпуск знакосинтезиру-
ющих ЖК-дисплеев с поддержкой ин-
терфейса I2C. При этом предполагается,
что новые модели по-прежнему смогут
работать с традиционными 8/4-битными
параллельными шинами и будут иметь
повыводную совместимость с предшес-
твенниками. Рис. 1. Примеры знакосинтезирующих ЖК-индикаторов МЭЛТ

WWW.COMPEL.RU 31
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Таблица 1. Серии знакосинтезирующих ЖК-дисплеев МЭЛТ


Наименование Контроллер Разрешение Габариты, мм Видимая область, мм Символ, мм

MT-08S2A 08х2 58x32x12,9 38x16 3,55х5,56

MT-10S1 10х1 66x31x9,2 56x12 4,34x8,35

MT-16S1A 122x33x9,3
16х1 99x13 4,86x9,56
MT-16S1B 122x33x13,1
КБ1013ВГ6
MT-16S2D 85x36x13

MT-16S2H 84x44x13,0 62x19 2,95x5,55


16х2
MT-16S2J 85x30x13,5

MT-16S2R 122x44x13 105,2x24 4,86x9,56


MT-16S2S ST7070 84x44x13,0 62x19 2,95x5,55

MT-16S4A 16х4 87x60x13,1 62x26 2,95x4,75

MT-20S1L-2FLA 20х1 180x40x9,3 149x23 6,00x14,54

MT-20S2A-2FLA 20х2 116x37x13 82x19 3,20x5,55


КБ1013ВГ6
MT-20S2M 20х2 180x40x9,3 149x23 6,00x9,63

MT-20S4A 98x60x13 76x26 2,95x4,75

20х4
MT-20S4M 146x62,5x13 122,5x43 4,84x9,22

MT-20S4S ST7070 98x60x13 76x26 2,95x4,75

MT-24S1L 24х1 208x40x14,3 178x23 6,00x14,75

MT-24S2A КБ1013ВГ6 118x36x13,5 92,5x14,8 3,15x5,72


24х2
MT-24S2L-2FLA 208x40x14,3 178x23 6,00x9,63

является отечественным аналогом мик- нами. К сожалению, реализация таких


росхем HD44780 производства Hitachi интерфейсов требует от управляющего
и KS0066 от Samsung. Отличительными микроконтроллера большого числа пор-
чертами КБ1013ВГ6 являются: тов ввода-вывода. Например, 8-битный
интерфейс занимает 11 линий: 8 линий
• широкий диапазон питающих на- данных (DB0...DB7) и 3 служебных линии
пряжений: 2,7...5,5 В; (RS, RD/WR, E). При использовании 4-бит-
• диапазон питания ЖКИ: 3,0...13 В; ного интерфейса число портов уменьша-
• высокоскоростной интерфейс свя- ется до семи: 4 линии данных (DB4...DB7)
зи до 2 МГц (при Uпит = 5 В); и 3 служебных линии (RS, RD/WR, E). Для
• 80 байт ОЗУ отображаемых данных популярных систем Arduino и для микро-
Рис. 2. Внешний вид дисплея MT-16S2H-3FLA
(80 символов); контроллеров с малым числом выводов
четыре порта ввода-вывода. Условным • 19840 бит ПЗУ знакогенератора с параллельные интерфейсы оказываются
недостатком семейств с контроллером возможностью программирова- малопригодными.
ST7070 можно считать малое разнообра- ния двух пользовательских страниц
зие моделей – их насчитывается «всего» символов; Вместе с тем, в последнее время пос-
тридцать. • 64 байта ОЗУ знакогенератора; тоянно повышается спрос на бюджет-
• 4/8-битный параллельный интер- ные микроконтроллеры, такие как STM8
Номенклатура ЖК-дисплеев на базе фейс обмена данными. или ATtiny. Эта тенденция достаточно
контроллера КБ1013ВГ6 гораздо шире – логична. Например, микроконтролле-
почти пять сотен моделей! КБ1013ВГ6 Стоит отметить, что КБ1013ВГ6 может ры STM8S003F имеют до 8 кбайт памя-
производства компании ОАО «Ангстрем» работать только с параллельными ши- ти, встроенные генераторы (16 МГц и

32 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Подсветка Тип стекла Uпит, В Траб, °C


FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая 3, 5 -20...70, -30...70
Positive
Желто-зеленая STN Positive 5 0...50, -20...70, -30...70
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая 3, 5
Positive
Янтарная, желто-зеленая, нет FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive 5
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, нет 3, 5
Positive
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
3, 5
красная, нет Positive
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, нет 3, 5
Positive
Янтарная, синяя, желто-зеленая FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive 3, 5
Янтарная, синяя, желая, желто-зеленая FSTN Positive, STN Positive 5
-20...70, -30...70
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive, STN Negative
3, 5
Blue
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive, STN Negative
3, 5
Blue
Янтарная, синяя, желто-зеленая, красная, нет FSTN Positive, STN Positive 3, 5
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
3, 5
красная, нет Positive
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive, STN Negative
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, нет 3, 5
Blue
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
3, 5
красная, нет Positive
FSTN Positive, STN Positive 5 -20...70
Янтарная, синяя, белая, желто-зеленая FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
3, 5
Positive
Янтарная, синяя, желто-зеленая, белая, нет FSTN Positive, FSTN Negative, STN Positive 3, 5 -20...70, -30...70
FSTN Positive, FSTN Negative, STN Negative Blue, STN
Янтарная, синяя, белая, желто-зеленая 3, 5
Positive

128 кГц), стандартный набор интерфей- уже существующих моделей на базе КБ- контроллерами, но и поможет безболез-
сов (UART, I2C, SPI), 10-битный АЦП. При 1013ВГ6. Такой подход не только позво- ненно решить вопросы обратной совмес-
этом стоимость этих микросхем состав- лит модернизированным ЖК-дисплеям тимости и сохранения богатства номенк-
ляет менее $0,5 для корпусных исполне- работать с маловыводными бюджетными латуры.
ний TSSOP-20.

Корпус TSSOP-20 имеет 20 выводов.


Если от этого числа отнять три вывода
питания (VDD, VSS, VCAP), вывод сброса
(NRST), вывод программирования (SWIM),
пару выводов для внешнего резонатора
(которые, впрочем, могут использоваться
и как порты ввода-вывода), то у разработ-
чика остается всего 13 свободных линий.
Таким образом, ЖК-дисплей с параллель-
ным интерфейсом «съест» почти все сво-
бодные выводы.

Идя навстречу потребителям, инже-


неры компании МЭЛТ нашли выход из
сложившейся ситуации. Они предлагают
добавить поддержку I2C-интерфейса для Рис. 3. Габаритные размеры дисплеев MT-16S2H

WWW.COMPEL.RU 33
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Рис. 4. Внешний вид дисплея MT-20S4A-2VLA-3V Рис. 5. Габаритные размеры дисплеев MT-20S4A

Сейчас предполагается провести мо- с шагом 2,54 мм. При этом нумерация РЕЖИМЫ ОБМЕНА ДАННЫМИ
дернизацию наиболее популярных мо- контактов выполнена не по порядку: 16 С КОНТРОЛЛЕРОМ КБ1013ВГ6
делей MT-20S4A и MT-16S2H. Если опыт и 15 выводы вынесены отдельно. Эту осо- ЖК-контроллер КБ1013ВГ6 работает
будет признан успешным, то далее после- бенность следует иметь в виду. только с параллельными интерфейсами
дует обновление и других моделей зна- разрядностью 8 или 4 бита.
косинтезирующих ЖК-дисплеев. MT-20S4A имеет четыре строки по 20
знаков в каждой (рисунок 4). Эти дисп- 8-битный интерфейс требует для об-
ДИСПЛЕИ MT-20S4A И MT-16S2H – леи выпускаются с напряжением питания мена восемь линий данных (DB0...DB7) и
РАБОЧИЕ ЛОШАДКИ ОТ МЭЛТ 3 или 5 В, без подсветки и с подсветкой три служебных линии (RS, RD/WR, E) (ри-
Модели MT-20S4A и MT-16S2H поль- (янтарной, синей, желто-зеленой, бе- сунок 6).
зуются высокой популярностью у разра- лой), с рабочим диапазоном температур
ботчиков и простых любителей электро- -20...70°С или -30...70°С. Адресный сигнал RS (вывод A0 дисп-
ники. лея) – определяет выбор между переда-
Размеры MT-20S4A составляют чей данных и команд управления. Если
MT-16S2H имеет две строки по 16 зна- 98x60x13 мм (рисунок 5). Для его подклю- на этой линии установлен логический 0,
ков в каждой (рисунок 2). Существует не- чения используется один ряд из шест- то возможна запись в регистр команд (IR)
сколько различных исполнений данного надцати металлизированных отверстий или чтение счетчика адреса и бита заня-
дисплея: с напряжением питания 3 или с шагом 2,54 мм. В отличие от MT-16S2H, тости BS. Если же RS = 1, то обмен проис-
5 В, без подсветки и с подсветкой (янтар- у MT-20S4A нумерация выводов идет по ходит с регистром данных (DR).
ной, синей, желто-зеленой, белой, крас- порядку: слева направо.
ной), с рабочим диапазоном температур Сигнал R/W необходим для задания
-20...70°С или -30...70°С. Дисплеи MT-20S4A и MT-16S2H не яв- направления передачи. В цикле записи
ляются совместимыми по выводам. Од- на этой линии устанавливается 0, в цикле
Габариты дисплея составляют нако они используют одни и те же парал- чтения – 1.
79x44x9,5 мм (рисунок 3). Для его под- лельные интерфейсы обмена данными,
ключения используется один ряд из шес- так как построены на базе одного и того Фиксация данных при записи или чте-
тнадцати металлизированных отверстий же контроллера КБ1013ВГ6. нии происходит по срезу сигнала E.

Для реализации такого обмена требу-


ется 11 портов ввода-вывода. Для умень-
шения числа линий возможно использо-
вание 4-битного интерфейса.

При использовании 4-битного интер-


фейса число сигналов уменьшается до
семи: четыре линии данных (DB4...DB7) и
три служебных линии (RS, RD/WR, E). При-
нцип передачи и назначение служебных
сигналов при этом не меняется. Единс-
твенное отличие заключается в том, что
информация передается последователь-
ностями по четыре бита по линиям DB4...
DB7 (рисунок 7). Сначала на шину выстав-
Рис. 6. 8-битный режим обмена с контроллером КБ1013ВГ6 ляются четыре старших бита, а потом че-

34 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

тыре младших. При этом требуется два


импульса сигнала E для фиксации каждо-
го полубайта.

Очевидно, что 11 или 7 сигнальных


линий – это недопустимо много для бюд-
жетных микроконтроллеров с малым
числом выводов. Решить эту пробле-
му можно сменой ЖК-контроллера КБ-
1013ВГ6, но при этом придется проделать
гигантскую работу по разработке новых Рис. 7. 4-битный режим обмена с контроллером КБ1013ВГ6
дисплеев. Чтобы избежать этого, инже-
неры МЭЛТ предлагают использовать
старый ЖК-контролер и дополнитель- INF8574 работает с напряжениями АНАЛИЗ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ
ный преобразователь I2C-интерфейса на 2,5...6 В, что позволяет использовать его I2C-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ INF8574
базе микросхемы INF8574. Такой подход в версиях дисплеев с питанием как 3, так В НОВЫХ ДИСПЛЕЯХ МЭЛТ
позволит снизить число необходимых и 5 В. Стоит отметить, что данный расши- В новых дисплеях предполагается ис-
для обмена выводов, сократить трудо- ритель имеет достаточно скромное пот- пользовать все восемь портов микросхе-
емкость по переработке существующих ребление – не более 100 мкА при мак- мы INF8574 (рисунок 10):
моделей, сохранить многообразие но- симальной частоте обмена 100 кГц. При
менклатуры и обеспечить обратную сов- этом типовое значение составляет всего • порты P0...P2 для служебных сигна-
местимость. 40 мкА (таблица 3). лов (RS, RD/WR, E);
• порты P4...P7 для линий данных
МОДЕРНИЗАЦИЯ МАЛОЙ КРОВЬЮ: Несложно заметить, что INF8574 имеет (DB4...DB7);
РЕАЛИЗАЦИЯ I2C-ИНТЕРФЕЙСА только восемь выходных двунаправлен- • к порту P3 подключается цепь уп-
НА БАЗЕ INF8574 ных каналов. Этого недостаточно для ре- равления подсветкой дисплея.
Для того чтобы обеспечить повывод- ализации 8-битного интерфейса, который
ную совместимость новых и старых моде- требует 11 сигнальных линий. Это означа- Предложенная схема имеет целый ряд
лей дисплеев, было решено добавить до- ет, что обмен с КБ1013ВГ6 может произво- особенностей:
полнительные контакты для I2C – 17 (SDA) диться только по 4-битному параллель- • число линий для обмена данными
и 18 (SCL) (рисунок 8). Таким образом, в ному интерфейсу, который требует лишь между управляющим микрокон-
существующих устройствах базовые мо- семи сигнальных линий. Рассмотрим под- троллером и дисплеем уменьша-
дели могут быть заменены на модерни- робнее схему включения INF8574 для это- ется до двух (SDA и SCL), что поз-
зированные версии без каких-либо про- го случая. воляет использовать для работы
блем, так как они имеют те же габариты
и расположение контактов. Здесь еще раз
стоит отметить, что дисплеи MT-20S4A и
MT-16S2H не являются совместимыми по
выводам, так как у MT-16S2H расположе-
ние выводов на плате идет не по порядку
(выводы 15...18 вынесены левее осталь-
ных контактов), хотя нумерация у обоих
дисплеев совпадает (таблица 2).

Чтобы использовать данные, переда-


ваемые по I2C, необходимо преобразо-
вать их в параллельную форму, понятную
для ЖК-контроллера КБ1013ВГ6. Для это-
го предполагается применять 8-битный
двунаправленный расширитель портов
ввода-вывода INF8574 производства бе-
лорусской компании «Интеграл».

Расширитель INF8574, по сути, высту-


пает в качестве моста между I2C и парал-
лельной шиной (рисунок 9). В его составе
присутствует I2C-контроллер и сдвиговый
регистр. Для задания адреса ведомого I2C
доступно три вывода A0...A2, при этом
полный адрес имеет следующий вид:
0-1-0-0-A2-A1-A0. Рис. 8. Дополнительные контакты в дисплеях MT-20S4A с I2C

WWW.COMPEL.RU 35
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Таблица 2. Назначение выводов дисплеев MT-20S4A и MT-16S2H Порядок подключения портов INF8574
Вывод Обозначение Назначение вывода к параллельной шине контроллера КБ-
1013ВГ6, а также состояние перемычек на
1 GND Общий вывод (0 В)
линиях адреса определяют вид сообще-
2 UCC Напряжение питания (5/3 В) ний при обмене по I2C.
3 Uо Управление контрастностью
Адресный сигнал – выбор между передачей данных и команд ОБМЕН ДАННЫМИ С МОДЕРНИЗИРО-
4 A0
управления ВАННЫМИ ДИСПЛЕЯМИ МЭЛТ ПО I2C
5 R/W Выбор режима записи или чтения Структура сообщений при обмене по
шине I2C с INF8574 имеет стандартный
6 E Разрешение обращений к модулю (а также строб данных)
вид (рисунок 11).
Шина данных (8-битный режим; младший бит в 8-битном
7 DB0
режиме) После формирования состояния
8 DB1 Шина данных (8-битный режим) Start управляющий микроконтроллер
9 DB2 Шина данных (8-битный режим) посылает адрес ведомого устройства и
10 DB3 Шина данных (8-битный режим) бит направления передачи. Адрес со-
стоит из семи бит и для INF8574 имеет
Шина данных (8- и 4-битные режимы; младший бит в 4-битном
11 DB4 вид 0-1-0-0-A2-A1-A0. Значение битов
режиме)
A2-A1-A0 определяется состоянием пе-
12 DB5 Шина данных (8- и 4-битные режимы) ремычек на соответствующих выводах
13 DB6 Шина данных (8- и 4-битные режимы) микросхемы.
14 DB7 Шина данных (8- и 4-битные режимы; старший бит)
15 +LED + питания подсветки Первый байт завершается битом
R/W, который определяет дальнейшее
16 –LED – питания подсветки
направление передачи данных. Здесь
17 SDA* Линия данных I2C стоит особо отметить, что в данном слу-
18 SCL* Линия тактирования I2C чае речь идет о бите R/W, который отно-
* – Только для новых моделей с I2C. сится только к I2C. Его не следует путать
с одноименным сигналом R/W парал-
даже самые миниатюрные конт- транзистора BC817. Так как мак- лельного интерфейса, который подклю-
роллеры; симальная частота I2C для INF8574 чен к порту P1 микросхемы INF8574.
• на плате дисплея предусмотрены достаточно высока и достигает Если первый байт сообщения I2C завер-
резисторы 4,7 кОм для подтяжки 100 кГц, пользователи смогут уп- шается состоянием бита R/W = 1, то все
линий SDA и SCL, что дает возмож- равлять яркостью даже с помощью порты P0...P7 переводятся в состояние
ность сэкономить место на пользо- ШИМ, периодически меняя значе- входов. Если R/W = 0, то порты настраи-
вательской плате; ние порта P3. При этом цепь катода ваются на выход.
• наличие перемычек J1...J3 на выво- LED-подсветки может быть и вовсе
дах A0...A2 позволяет при необходи- не подключена на пользователь- Передача каждого байта по I2C завер-
мости изменять адрес дисплея; ской плате; шается сигналом подтверждения ACK от
• на плате дисплея расположена • цепь катода подсветки может под- ведомого.
цепь управления яркостью, пос- ключаться к земле с помощью оп-
троенная на базе биполярного циональной перемычки 0 Ом. После задания адреса и направления
передачи следует посылка байта/байтов
данных. В соответствии со схемой под-
ключения вначале следуют биты DB7…
DB4, затем бит состояния LED-подсвет-
ки, далее идут биты служебных сигналов
E, R/W ,RS (A0 по именованию МЭЛТ). В
данном случае речь уже идет о сигнале
R/W, относящемся к параллельном ин-
терфейсу.

Несмотря на внешнюю простоту, об-


мен с дисплеем по I2C имеет несколько
тонких моментов:

• для защелкивания данных требу-


ется формирование среза сигнала
E (рисунок 7). Для этого придется
передать два байта данных по I2C.
Рис. 9. Структура микросхемы INF8574 В первом байте бит E = 1, а во вто-

36 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Рис. 10. Схема включения микросхемы INF8574 в новых дисплеях от МЭЛТ

ром E = 0. При этом состояние остальных битов (кроме граммисты даже могут применять часть библиотечного кода,
LED-) менять не разрешается; который создавался для индикаторов с параллельным интер-
• так как на стороне КБ1013ВГ6 используется 4-битный ин- фейсом. Речь идет о файле AllText4. c входящим в пакет приме-
терфейс, то для передачи одного байта данных придется ров SamplesOfLCMsProgramming.zip (доступен для скачи-
сформировать два среза сигнала E. Для этого потребуется вания на сайте МЭЛТ).
переслать целых четыре байта по I2C;
• направление передачи портов P0...P7 микросхемы В частности, основная функция main из AllText4.c по-
INF8574 задается в стартовом байте с помощью бита R/W. прежнему остается актуальной:
При этом все порты настраиваются либо на вход, либо на
выход. Это, пожалуй, самый тонкий момент реализации void main(void)
I2C в данном случае. Он оказывается не так критичен при {
выполнении цикла записи, так как все порты находятся в int i;
режиме выхода и все сообщения можно передать в од- LCDinit();
ном кадре I2C. Зато в цикле чтения последовательность WriteCmd(0x80); //установка курсора в
действий оказывается гораздо сложнее и потребует не- начало первой строки индикатора
скольких кадров. for(i=0;i<Len1;i++)
{
Несмотря на высокую сложность программной реализации WriteData(Text1[i]);
I2C, стоит отметить и два положительных момента: }
• процессы инициализации и обмена данными не измени- WriteCmd(0x80+0x40); //установка кур-
лись, так как дисплеи построены на базе привычного ЖК- сора в начало второй строки индикатора
контроллера КБ1013ВГ6; for(i=0;i<Len2;i++)
• существуют готовые бесплатные библиотечные функции, {
такие, например, как Arduino-LiquidCrystal-I2C- WriteData(Text2[i]);
library для Arduino, в которых все тонкие моменты уже }
реализованы. }

ОСОБЕННОСТИ ПРОГРАММИРОВАНИЕ ЖК-ИНДИКАТОРОВ Тем не менее, аппаратные функции, в частности – LCDinit()


МЭЛТ С I2C и WriteByte(byte b, bit cd), из этого файла должны быть
Так как новые дисплеи по прежнему используют ЖК-кон- переопределены для работы с I2C. Кроме того, файл AllText8.c не
троллер КБ1013ВГ6, то с алгоритмической точки зрения ини- содержит реализацию функции задержек и функций инициали-
циализация и обмен данными не претерпели изменений. Про- зации и работы с портами ввода-вывода. Пользователь должен

WWW.COMPEL.RU 37
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ

Рис. 11. Диаграммы обмена с дисплеями по I2C

Таблица 3. Характеристики микросхемы INF8574 нако такое удорожание можно компен-


сировать, выбрав простой и недорогой
Параметр Значение
микроконтроллер, например, STM8S003.
Диапазон напряжений питания, В 2,5...6,0 При этом схемотехническая реализация
Ток потребления, мкА 40...100 ( без нагрузки, Uпит = 6 В, FSCL = 100 кГц) значительно упростится, а размеры пе-
Максимальная частота I2C, кГц 100 чатной платы уменьшатся, что приведет к
Диапазон рабочих температур, °С -40...85
дополнительному снижению стоимости.

Если новые ЖК будут востребованы на


создать их самостоятельно для конкрет- можность поддержки русского/ рынке, можно будет ожидать обновления
ного используемого микроконтроллера. английского/белорусского/укра- других семейств знакосинтезирующих
инского/казахского знакогенера- дисплеев.
Если предполагается работа дисп- торов. Кроме того, использование
лея в составе стека Arduino, то для про- формата букв 5х8 делает отображе- ЗАКЛЮЧЕНИЕ
граммирования следует воспользо- ние кириллических символов боль- В настоящий момент номенклатура
ваться готовой библиотекой. Например, ше и понятнее; ЖК-дисплеев производства компании
https://github.com/fdebrabander/Arduino- • дополнительная страница знакоге- МЭЛТ насчитывает более 600 моделей с
LiquidCrystal-I2C-library. нератора в кодировке Win-CP1251 различными форматами и цветовыми ис-
упрощает написание программ в полнениями. При этом многие дисплеи
ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ среде Microsoft Windows; способны работать с диапазоном рабо-
ЖК-ИНДИКАТОРОВ МЭЛТ • высочайшая надежность и качество чих температур -30...70°C, что недоступно
С ИНТЕРФЕЙСОМ I2C продукции МЭЛТ; для импортных бюджетных аналогов.
Области применения ЖК-дисплеев • доступность и возможность постав-
производства компании МЭЛТ достаточ- ки больших партий индикаторов в Недавно компания МЭЛТ анонсирова-
но разнообразны, что является следстви- кратчайшие сроки при малой сто- ла запуск модернизированных знакосин-
ем целого ряда преимуществ: имости. Например, цена дисплея тезирующих дисплеев, которые, кроме
• великолепные показатели контрас- MT-16S2H-2Y при заказе крупной параллельного интерфейса, имеют под-
та, не уступающие конкурентам. Это партии начинается от 202 рублей, а держку I2C. Эти ЖК-индикаторы построе-
достигается благодаря использова- цена MT-20S4A-2Y – от 429 рублей. ны на базе привычного контроллера КБ-
нию самых современных техноло- 1013ВГ6, а функционал I2C реализуется с
гий FSTN и STN; Перечисленные достоинства делают помощью микросхемы расширителя пор-
• широчайший выбор моделей (более дисплеи МЭЛТ весьма привлекательны- тов ввода-вывода INF8574. Для обмена
600 представителей): знакосинтези- ми для таких приложений, как автомо- по I2C управляющему микроконтролле-
рующих и графических; с позитив- бильная электроника, промышленное ру потребуется всего пара выводов, в то
ным и негативным отображением; оборудование, оборудование для нефте- время как ранее при использовании па-
с различными цветами подсветки газовой отрасли и так далее. раллельных интерфейсов было необхо-
(янтарным, желто-зеленым, крас- димо не менее семи портов.
ным, голубым, белым); с напряжени- Появление поддержки интерфейса I2C
ем питания 2,8/3,0/3,3/5 В; с различ- дополнительно расширяет область при- Наличие у дисплеев поддержки I2C
ными форматами и разрешением; с менения дисплеев: оказывается весьма привлекательной
термокомпенсацией и без; особенностью при работе с микроконт-
• реальная работоспособность се- • идеальное решение для любитель- роллерами с малым числом выводов, а
рийных моделей в широком диапа- ской электроники на базе стека также при совместном использовании с
зоне температур до -30...70°C. При Arduino; платами Arduino.
этом диапазон хранения для них со- • отличный вариант для бюджетных
ставляет -40...80°C. Для заказных ин- приложений. ЛИТЕРАТУРА
дикаторов рабочий диапазон и вов- 1. Вячеслав Гавриков. Российское –
се может достигать -40...80°C; По оценкам инженеров МЭЛТ, внедре- значит отличное: ЖК-дисплеи производс-
• цифро-буквенные знакосинтези- ние I2C ориентировочно добавит около тва МЭЛТ. Новости Электроники №1/ 2016.
рующие дисплеи МЭЛТ имеют воз- 20...30 рублей к стоимости дисплея. Од- 2. http://www.melt.com.ru.

38 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ

Сергей Миронов (КОМПЭЛ)

КАК ЗАПРОГРАММИРОВАТЬ LED-ДРАЙВЕРЫ


MEAN WELL И INVENTRONICS?

ранее подготовленный файл или сохра-


Организация димминга без дополнительной линии управления, автоматичес- нить текущие установки в новом фай-
кая компенсация старения светодиодов, плавное включение и выключение, ле (подменю “File”), cоздать соединение
принудительное включение режима максимального выходного тока и индикация с компьютером, загрузить установки из
времени оставшейся работы – все это возможно с программируемыми LED- источника питания или записать текущие
драйверами производства Mean Well и Inventronics. установки в источник питания (подменю
“Action”).

Р
анее в статье «Как выбрать про- на компьютере должны быть установ- Панель инструментов позволяет
граммируемый LED-драйвер и лены система Windows 7 и Microsoft NET обеспечить посредством пиктограмм
использовать его новые воз- Framework версии 4.0 или выше, а для быстрый доступ к основным функциям
можности» (НЭ 2017 №3) мы рас- подключения программаторов требует- из строки меню, таким как сохранение/
смотрели программируемые LED-драй- ся наличие USB-порта. загрузка файла, установка/разрыв связи
веры производителей Mean Well (MW) и с компьютером, запись/чтение данных в/
Inventronics (Invent), разобрали преиму- Блок-схема подключения устройств из источника питания.
щества их использования в светодиодных показана на рисунке 2. Следует отме-
светильниках, и подошли непосредствен- тить важную особенность: при програм- В установках проекта можно запи-
но к самому процессу их программиро- мировании источников питания MW не- сать некоторые свои данные (название
вания. Источники питания обоих произ- обходимо подключить к ним нагрузку компании, наименование проекта), кото-
водителей имеют схожий функционал и от 10% и выше, а также обеспечить под- рые будут записаны в источник питания,
возможности, но различаются графичес- ключение к сети 220 В; при программи- и в дальнейшем по ним можно будет его
ким интерфейсом (для каждого источни- ровании источников питания Invent ни идентифицировать.
ка используется свой собственный софт). то, ни другое не требуется. Источники
Рассмотрим подробно интерфейс про- питания Invent удобно программиро- В рабочем поле программы произ-
граммирования источников питания про- вать на входном контроле, а источни- водятся необходимые настройки из
изводителя MW. Имея представление о ки MW – непосредственно в собранном выбираемых функциональных вкла-
программировании LED-драйверов MW, светильнике. док, через которые обеспечивает-
можно без особого труда запрограмми- ся доступ к основным функциям про-
ровать и источники питания Invent. ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ ИНТЕРФЕЙС граммы, таким как Overview, AOC,
CLO, Dimming Profile, Override, Fade
Для программирования, кроме са- Основное поле программы Time, Lifetime.
мого источника питания и программы, Основное поле программы (рису-
потребуется программатор. В качестве нок 3) содержит строку меню, панель Overview (Обзор)
программатора MW предлагает модель инструментов, окно установок проекта, В поле “Overview” отображаются
SDP-001 (рисунок 1а), а Invent – две мо- функциональные вкладки и основное ра- функции, которые включены в текущих
дели: PRG-MUL2 и PRG-CASE2 (рису- бочее поле. настройках (“Enabled”), а с помощью
нок 1б, в). Различие между изделиями чек-боксов “Download to Device” можно
заключается в том, что программаторы Строка меню содержит выпадающие выбрать те из них, которые будут загру-
PRG-MUL2 и SDP-001 при работе должны вкладки, которые позволяют загрузить жены в источник питания. Включение-от-
быть все время подключены к компьюте-
ру, а единожды запрограммированный
PRG-CASE2 в дальнейшем может рабо-
тать без компьютера, что очень удобно
при массовом программировании источ-
ников питания на производстве.

Дистрибутив программы можно ска-


чать по ссылкам [1] и [2]. Ввиду того,
что процесс установки программы на
а) б) в)
компьютер достаточно простой, описы-
вать его не будем. Отметим лишь, что Рис. 1. Программаторы MW и Invent: а) SDP-001, б) PRG-MUL2; в) PRG-CASE2

WWW.COMPEL.RU 39
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ

а) б)

Рис. 2. Блок-схемы подключения изделий при программировании: а) Invent; б) MW

Рис. 3. Основное поле программы Рис. 4. В поле “Overview” отображаются функции, которые включены
в текущих настройках

Рис. 5. Автоматический расчет AOC по введенному номинальному току Рис. 6. Программирование параметра CLO

40 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ

Рис. 7. Выбор уровней выходного тока в режиме диммирования для Рис. 8. Выбор уровней выходного тока в режиме диммирования для
Adjustable Proportion Profile Midpoint-set Profile

Рис. 9. Программа позволяет задать вручную необходимый сдвиг во време- Рис. 10. Пользователь может задать профиль, который не будет изменяться
ни или рассчитать его по географическим координатам

ключение самих функций производится на соответствующих бы. Включение этого режима достигается установкой чек-бок-
закладках (рисунок 4). са “Enabled”. Параметр CLO представляет собой таблицу до 16
строк, в которых можно численно вводить значения времени
Adjustable maximum output (х100 часов) и значение тока, которое должно быть по истече-
(Установка максимального выходного тока; AOC) нии этого времени (рисунок 6). Количество точек выбирается в
Эта функция позволяет пользователю установить/за- окне “Scheduled Division”.
программировать максимальный выходной ток драйве-
ра. Функция “AOC” активируется путем установки чек-бокса Dimming profile
“Enabled”. (Профиль диммирования)
Доступны три различных профиля диммирования, из них
Значение рабочего тока можно установить с помощью пол- два профиля – адаптивные, то есть самоподстраивающиеся к
зунка в % от номинального штатного значения источника пи- изменяющимся внешним условиям, и один – фиксированный.
тания в диапазоне между 10% и 100%. Если в окне “LED driver Самоподстройка в адаптивных режимах может выполняться
rated current” ввести численное значение номинального тока по принципу пропорциональности или подстройки по сред-
источника, то в окне “Equivalently” AOC будет автоматически ней точке. В качестве средней точки можно выбрать полночь
рассчитываться и отображаться выставляемое значение тока в (midnight). Особенности работы источника питания во всех
численном виде (рисунок 5). указанных режимах были приведены в статье «Как выбрать
программируемый LED-драйвер и использовать его новые
Constant light output возможности.» [3], и здесь не рассматриваются.
(Компенсация старения светодиодов; CLO)
Указанная функция обеспечивает компенсацию сниже- • Adjustable Proportion Profile (Принцип пропорциональ-
ния светового потока светодиодов в течение их срока служ- ности)

WWW.COMPEL.RU 41
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ

Рис. 11. Включение функции “Override” Рис. 12. Включение функции “Fade time”

тать его по географическим координатам – широте/долготе.


Осуществить это можно, кликнув по кнопке Midpoint Time
Shift Set-up (рисунок 9).

• Fixed Profile (Фиксированный профиль)

Пользователь может задать профиль, который не будет из-


меняться. Указанный режим диммирования выбирается цик-
лическим перебором с помощью кликов по кнопке Adjustable
Proportion Profile/Midpoint-set Profile/Fixed Profile (рису-
нок 10). Можно задать 2...5 уровней выходного тока в течение
24 часов (на сутки).

Override
Функция “Override” позволяет включить источник питания
на максимальный выходной ток в любой момент времени. Дан-
Рис. 13. Включение функции “Life time” ная функция включается установкой чек-бокса “Enabled” на
вкладке “Override” (рисунок 11).
Режим диммирования выбирается циклическим перебо-
ром с помощью кликов по кнопке “Adjustable Proportion Profile/ Данная функция может потребоваться, когда светильник, на-
Midpoint-set Profile/Fixed Profile“. ходящийся в режиме димминга, необходимо включить на мак-
симальную яркость, например, для проезда спецтранспорта.
В этом режиме можно выбрать с помощью “Level stage” 2…5 Включить источник питания, находящийся в режиме диммин-
уровней выходного тока и задать требуемые значения по уров- га, можно трехкратным включением-выключением в течение
ню и времени ползунками Level/Time в диапазоне 10…100% 10 секунд (промежутки должны быть более одной секунды).
продолжительностью до 14 часов (рисунок 7). После этого источник питания выйдет на максимальный ток,
установленный в п. 1.3.
• Midpoint-set Profile (Самоподстройка по средней точке)
У Invent эта функция отсутствует.
Режим диммирования выбирается циклическим перебо-
ром с помощью кликов по кнопке Adjustable Proportion Profile/ Fade time
Midpoint-set Profile/Fixed Profile. (Плавное погасание/зажигание)
Функция “Fade time” включается установкой чек-бокса
В этом режиме можно выбрать с помощью Level stage 2...5 “Enabled” на соответствующей вкладке и позволяет установить
уровней выходного тока и задать требуемые значения по уров- плавный переход между изменяемыми уровнями тока. Время
ню и времени ползунками Level/Time в диапазоне 10...100% об- нарастания/спада, которое может составлять от 1 секунды до
щей длительностью 10...14 часов (рисунок 8). 50 минут, задается с помощью ползунков (рисунок 12).

Время наступления полночи зависит от географического Life time (Срок службы)


места установки источника питания. Программа позволяет Включение функции “Life time” позволяет получить инфор-
задать вручную необходимый сдвиг во времени или рассчи- мацию о том, что светильник отработал свой срок службы.

42 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ

Например, можно поставить чек- После того, как все необходимые на- сить технологичность производства
бокс “Enabled” в “LED module EOL Alert” стройки функций и режимов выполне- светильников.
и задать количество часов в окне “LED ны, необходимо записать установки в ис-
module work time at start” (рисунок 13). точник питания, выбрав в строке меню ЛИТЕРАТУРА
Тогда по достижении заданного коли- “Action” подпункт “Download to Device”. 1. Дистрибутив программы от Mean
чества часов работы при последующем Перед этим следует установить связь с Well//http://www.compel.ru/wordpress/
включении светильник “моргнет” три компьютером “Action – Open Connection” wp-content/uploads/2017/05/Distributiv-
раза, и тем самым покажет, что он отра- и выбрать из ниспадающего списка но- programmyi-ot-Mean-Well.zip.
ботал свой ресурс. мер COM-порта. 2. Дистрибутив программы от
I nventronics//http://w w w.compel.ru/
Значение в окне “LED module work ЗАКЛЮЧЕНИЕ wordpress/wp-content/uploads/2017/05/
time since this start” показывает, сколько Запрограммировать LED-драйвер Distributiv-programmyi-ot-Mean-Well.zip .
LED-модуль проработал с текущим бло- несложно, а по стоимости программи- 3. Как выбрать программиру-
ком питания. Эта информация доступ- руемый драйвер ненамного отличается емый LED-драйвер и использо-
на при считывании информации из LED- от обычного источника питания, но при вать его новые возможности. Но-
драйвера. Можно поставить чек-бокс этом вы получите весьма богатый фун- вости электроники №3/2017. http://
“Reset work time since this start”, напри- кционал вплоть до организации дим- w w w.compel.ru/lib/ne/2017/3/6-kak-
мер, при замене LED-модуля для обнуле- минга без прокладки дополнительной vyibrat-programmiruemyiy-led-drayver-i-
ния этой информации. линии управления. При использовании ispolzovat-ego-novyie-vozmozhnosti.
программируемых LED-драйверов мож-
В окне “LED module warranty” можно но оперативно изменять их выходные
указать время гарантии на LED-модуль. параметры, сократив тем самым общую
Эта возможность доступна при условии номенклатуру источников питания, уп-
включения “LED module EOL Alert”. ростить управление складом и повы-

WWW.COMPEL.RU 43
ПОЛИГОН

Сергей Миронов (КОМПЭЛ)

СРАВНИТЕЛЬНОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ
ЛИТИЙ-ТИОНИЛХЛОРИДНЫХ БАТАРЕЕК

ЧАСТЬ 3.

Vitrocell. Один комплект образцов – по


Действительно ли сравнительно дорогие, но широко используемые в промыш- одной батарейке каждого производите-
ленности литий-тионилхлоридные элементы питания стоят своих денег? ля – мы тестируем постоянной нагруз-
Ответить на этот вопрос поможет тестирование элементов питания типо- кой 3,3 кОм при температуре -20°С (таб-
размера АА семи различных производителей, проводимое инженерами компании лица 1). Второй комплект тестируется в
КОМПЭЛ. импульсном режиме нагрузкой 75 Ом
длительностью 150 миллисекунд 1 раз в
минуту.

В
предыдущих номерах журнала щий момент тестирование продолжает-
мы рассказали о начале сравни- ся. Имеются промежуточные результаты, На момент написания этой статьи эк-
тельного тестирования литий-ти- о которых мы хотим сообщить. сперимент продолжается уже 57 суток и
онилхлоридных батареек различ- есть существенное событие. На 52 сутки
ных производителей и уже представили Напомним, что мы взяли по две ба- (через 1248 часов) напряжение на бата-
некоторые результаты, полученные в на- тарейки разных производителей: SAFT, рейке Minamoto, находящейся при тем-
чальной стадии эксперимента. В настоя- EEMB, Varta, Minamoto, EVE, Robiton и пературе -20°С, понизилось до величины

Таблица 1. Напряжение на нагрузке при температуре -20°С


Дата Напряжение на нагрузке при температуре -20°С, В
измерения Varta Minamoto EEMB EVE Robiton SAFT Tekcell
27.02.2017 3,59 3,6 3,52 3,52 3,61 3,6 3,54
28.02.2017 3,42 3,53 3,51 3,49 3,54 3,44 3,37
01.03.2017 3,31 3,51 3,49 3,48 3,51 3,42 3,34
02.03.2017 3,31 3,5 3,49 3,48 3,51 3,41 3,34
03.03.2017 3,31 3,5 3,49 3,48 3,51 3,41 3,33
06.03.2017 3,3 3,49 3,48 3,46 3,5 3,4 3,32
09.03.2017 3,17 3,52 3,51 3,49 3,52 3,43 3,35
10.03.2017 3,49 3,52 3,51 3,5 3,52 3,43 3,35
13.03.2017 3,26 3,5 3,48 3,46 3,5 3,39 3,32
14.03.2017 3,33 3,5 3,49 3,47 3,51 3,4 3,33
16.03.2017 3,33 3,52 3,51 3,49 3,52 3,44 3,35
20.03.2017 3,29 3,5 3,48 3,45 3,5 3,4 3,31
22.03.2017 3,3 3,5 3,49 3,47 3,51 3,41 3,32
24.03.2017 3,31 3,51 3,5 3,49 3,52 3,43 3,34
27.03.2017 3,3 3,5 3,49 3,47 3,51 3,42 3,32
29.03.2017 3,27 3,48 3,47 3,45 3,5 3,4 3,3
03.04.2017 3,29 3,5 3,49 3,47 3,52 3,43 3,32
07.04.2017 3,27 3,49 3,48 3,45 3,51 3,43 3,31
10.04.2017 3,25 3,48 3,48 3,44 3,5 3,42 3,3
12.04.2017 3,25 3,45 3,47 3,43 3,5 3,41 3,3
17.04.2017 3,28 2,7 3,5 3,46 3,51 3,45 3,33
21.04.2017 3,3 0,7 3,5 3,45 3,51 3,45 3,34
24.04.2017 3,22 – 3,46 3,38 3,48 3,41 3,29

44 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПОЛИГОН

Таблица 2. Внутреннее сопротивление батареек

Дата Внутреннее сопротивление, Ом


измерения Varta Minamoto EEMB EVE Robiton SAFT Tekcell
27.02.2017 40 12,8 14,5 12,3 10,1 9,7 23,7
28.02.2017 17,6 8,1 10,1 12,8 7,1 7,7 10,7
01.03.2017 16,4 7,1 9,6 12,8 7,1 7,2 10,2
02.03.2017 15,2 7,1 9,1 12,8 6,6 7,2 10,2
03.03.2017 15,8 7,1 8,6 11,8 6,2 7,2 9,1
06.03.2017 15,2 7,1 9,1 11,3 6,2 5,3 8,1
09.03.2017 12,9 7,6 9,7 11,8 6,7 6,7 7,6
10.03.2017 12,9 7,6 9,7 11,8 6,7 6,7 8,1
13.03.2017 12,3 7,6 10,2 10,7 6,7 6,7 8,1
14.03.2017 12,3 7,6 10,2 10,7 6,7 6,2 7,6
16.03.2017 9,1 6,2 9,1 10,2 6,2 6,7 7,6
20.03.2017 9,7 8,1 9,1 10,2 6,7 6,7 7,6
22.03.2017 9,7 8,6 9,7 10,2 7,6 7,2 7,6
24.03.2017 9,7 8,6 10,2 10,2 7,6 7,2 8,1
27.03.2017 9,7 9,1 10,7 9,7 7,6 7,2 8,1
29.03.2017 9,7 8,6 10,2 9,7 6,7 6,7 7,6
03.04.2017 10,2 9,1 10,7 9,7 6,7 7,2 8,1
07.04.2017 9,7 8,1 10,7 9,1 6,2 6,7 7,6
10.04.2017 10,2 8,1 10,2 9,1 6,2 7,7 8,1
12.04.2017 10,2 8,6 10,7 9,1 6,2 7,2 8,1
17.04.2017 10,2 8,1 10,7 9,7 6,2 7,2 8,1
21.04.2017 10,2 10,7 10,7 9,1 8,6 7,2 8,1
24.04.2017 10,2 10,2 10,7 8,6 8,1 7,2 8,1

Рис. 1. График зависимости емкости батарейки


Minamoto от условий разряда

2 В, а это значит, что батарейка разряди-


лась. При этом до самого момента разря-
да напряжение на батарейке держалось
стабильно на уровне 3,5 В.

Примерная емкость экспери-


ментального образца составила
С = (3,5 В/3300 Ом) × 1248 ч = 1323 мА•ч, Рис. 2. График напряжения на нагрузке при температуре -20°С
что существенно ниже указанного значе-
ния в технической документации (рису- на быть на уровне 2150 мА•ч. Конечно, Minamoto обладают пониженной емкос-
нок 1). При режиме разряда током 1 мА по одному испытанному образцу мы не тью при использовании их на отрица-
при температуре -20°С емкость долж- можем сделать вывод, что батарейки тельных температурах. Для уточнения

WWW.COMPEL.RU 45
ПОЛИГОН

Таблица 3. Напряжение на нагрузке в импульсе

Дата Напряжение на нагрузке в импульсе, В


измерения Varta Minamoto EEMB EVE Robiton SAFT Tekcell
27.02.2017 2,4 3,16 3,1 3,18 3,26 3,24 2,78
28.02.2017 2,98 3,34 3,26 3,16 3,38 3,32 3,22
01.03.2017 3,02 3,38 3,28 3,16 3,38 3,34 3,24
02.03.2017 3,06 3,38 3,3 3,16 3,4 3,34 3,24
03.03.2017 3,04 3,38 3,3 3,18 3,4 3,34 3,28
06.03.2017 3,06 3,36 3,28 3,2 3,4 3,4 3,32
09.03.2017 3,14 3,34 3,26 3,18 3,38 3,36 3,34
10.03.2017 3,14 3,34 3,26 3,18 3,38 3,36 3,32
13.03.2017 3,16 3,34 3,24 3,22 3,38 3,36 3,32
14.03.2017 3,16 3,34 3,24 3,22 3,38 3,38 3,34
16.03.2017 3,28 3,4 3,28 3,24 3,4 3,36 3,34
20.03.2017 3,26 3,32 3,28 3,24 3,38 3,36 3,34
22.03.2017 3,26 3,3 3,26 3,24 3,34 3,34 3,34
24.03.2017 3,26 3,3 3,24 3,24 3,34 3,34 3,32
27.03.2017 3,26 3,28 3,22 3,26 3,34 3,34 3,32
29.03.2017 3,26 3,3 3,24 3,26 3,38 3,36 3,34
03.04.2017 3,24 3,28 3,22 3,26 3,38 3,34 3,32
07.04.2017 3,26 3,32 3,22 3,28 3,4 3,36 3,34
10.04.2017 3,24 3,32 3,24 3,28 3,4 3,32 3,32
12.04.2017 3,24 3,3 3,22 3,28 3,4 3,34 3,32
17.04.2017 3,24 3,32 3,22 3,26 3,4 3,34 3,32
21.04.2017 3,24 3,22 3,22 3,28 3,3 3,34 3,32
24.04.2017 3,24 3,24 3,22 3,3 3,32 3,34 3,32

этого и получения более объективных


данных следует провести еще как ми-
нимум один тест на нескольких образ-
цах, что в дальнейшем мы постараемся
сделать. В данном же случае у нас, воз-
можно, оказался бракованный образец
(такое иногда случается). Тем не менее,
на данном этапе батарейка Minamoto
из этой части тестирования выбывает
и в дальнейшем ходе эксперимента не
участвует.

Примечание. При измерении напря-


жения, когда мы держали эту батарейку
в руках, был замечен рост напряжения,
связанный с повышением температуры
батарейки. Поэтому мы решили оставить
эту батарейку с нагрузкой в нормальных
условиях и понаблюдать за ней. В тече-
ние первых 5 часов напряжение на на-
грузке поднялось до 3,62 В и следующее
измерение напряжения через сутки по-
казало 3,58 В. Что будет дальше – пос-
мотрим. Рис. 3. График внутреннего сопротивления

46 НОВОСТИ ЭЛЕКТРОНИКИ № 4, 2017


ПОЛИГОН

При этом все остальные бренды пока-


зывают достаточно ровное напряжение
более 3,2 В (рисунок 2).

Из графика на рисунке 2 видно, что в


данном эксперименте максимальное на-
пряжение имеют батарейки производи-
телей EEMB и Robiton, а минимальное –
у Varta и Tekcell.

Во второй части эксперимента пока


все батарейки работают стабильно, о
чем свидетельствуют данные таблиц 2, 3
и графиков на рисунках 2 и 3.

Минимальное внутреннее сопротив-


ление в нашем эксперименте показыва-
ют производители SAFT и Robiton.

В настоящий момент тестирование


продолжается, о дальнейших результа-
тах мы сообщим в следующем номере. Рис. 4. График напряжения на нагрузке в импульсе

WWW.COMPEL.RU 47