Открыть Электронные книги
Категории
Открыть Аудиокниги
Категории
Открыть Журналы
Категории
Открыть Документы
Категории
Редактор:
ИННОВАЦИИ
Геннадий Каневский
vesti@compel.ru Начинаем работу с сотовым модулем MC60 от Quectel
Владимир Бобрович .....................................................................................................22
Редакционная коллегия:
Андрей Агеноров
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Яна Баскакова Универсальные солдаты от МЭЛТ: ЖК-дисплеи с поддержкой I2C
Александр Григорьев Вячеслав Гавриков........................................................................................................31
Олег Пушкарев
Борис Рудяк
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ
Как запрограммировать LED-драйверы Mean Well и Inventronics?
Дизайн, графика, верстка: Сергей Миронов ...........................................................................................................39
Елена Георгадзе
Евгений Торочков ПОЛИГОН
Сравнительное тестирование литий-тионилхлоридных батареек
E-mail-рассылка (Varta, Minamoto, EEMB, EVE, Robiton, Saft, Tekcell). Часть 3
и продвижение: Сергей Миронов ...........................................................................................................44
Снежана Холодова
Екатерина Железнова
Александра Гирина
Электронная подписка:
www.compel.ru/mail
Распространяется бесплатно 9 22 26
в электронном виде
Подписано к публикации: Если вы хотите предложить интересную тему для статьи в следующий номер журнала –
10 мая 2017 г. пишите на адрес vesti@compel.ru c пометкой «Тема в номер» или в рубрику «Я – автор»
раздела «Разработчикам» сайта www.compel.ru.
WWW.COMPEL.RU 1
ОТ РЕДАКТОРА
Уважаемые читатели!
Мы часто говорим с ной обработки информации, приемопередающие устройс-
вами на страницах жур- тва, передавшие необычайно четкие изображения и спект-
нала о параметрах и тех- рограммы на расстояние, повторюсь, 1,4 млрд км.
нологиях, о слияниях и Но и на земле электронная отрасль преподносит сюр-
поглощениях компаний, призы, показывающие нам, что жизнь не останавливает-
о прибыли и проектах. ся, а, несмотря ни на какие попытки любителей архаики
И порой забываем, ради замедлить ее ход, движется вперед. Компания КОМПЭЛ,
чего все это. Но вспом- издающая наш журнал, существует с 1993 года, и имен-
ните: у каждого из вас но с того времени лидером мирового полупроводнико-
был хотя бы один момент вого рынка по объемам продаж неизменно оставалась
в жизни, когда, выбрав компания Intel. Никакие попытки сменить лидера, ника-
профессию инженера- кие экономические катаклизмы ни разу не поколебали
электронщика, вы осоз- устойчивой позиции супергиганта. Но, кажется, и этой
нали, что теперь будете монополии приходит конец, и на фоне достаточно не-
в первых рядах ведущих ожиданного для большинства аналитиков роста цен на
человечество вперед на микросхемы памяти в лидеры отрасли по итогам второ-
безостановочном пути го квартала 2017 года прорывается Samsung. (Об иных
развития. Я хорошо понимаю, что написал только что сло- сюрпризах и перспективах рынка читайте в обзорной
ва, полные, что греха таить, немалого пафоса. Но прогресс статье Алексея Васильева).
еще может удивлять и преподносить сюрпризы. Не знаю как вы, а лично я именно за постоянное ощу-
21 апреля космический зонд «Кассини» сфотографиро- щение движения вперед и ценю возможность, не обращая
вал Землю и Луну с расстояния 1,4 млрд км между кольца- внимания на ежедневную рутину, работать в нашей с вами
ми Сатурна. То есть – в тот самый промежуток (щель Касси- отрасли.
ни), открытый итальянским астрономом, в честь которого
и названа межпланетная станция. А 26 апреля зонд проле-
тел между атмосферой планеты и кольцами, не обнаружив
там ожидавшейся пыли и твердых частиц. Теперь ученым
предстоит разгадывать и эту загадку. Рассматривая сним-
ки, переданные аппаратом и опубликованные Европейс-
ким космическим агентством, лично я не могу не думать в
первую очередь о людях. Людях, создавших космические С уважением,
датчики, специальные цифровые камеры и блоки первич- Геннадий Каневский
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ОТРАСЛЬ
В 2016 ГОДУ: БЕСПИЛОТНЫЕ ЭЛЕКТРОМОБИЛИ,
СВЯЗЬ 5G И ДОРОГАЯ ПАМЯТЬ
Иногда стремление избавиться от ка-
Отраслевой аналитик и независимый журналист, бывший редактор журнала кого-либо подразделения связано с уста-
«Магазин Свет», представляет свой взгляд на основные итоги развития полу- реванием технологии. Например, в 2016
проводниковой отрасли в прошедшем 2016 году и на ее дальнейшие перспек- году завершился процесс передачи заво-
тивы. да Renesas Electronic в японском городе
Цуруоке компании TDK. Данный завод
производил чипы по устаревшей техно-
П
роисходящие сейчас переме- ке комплектующих для электромобилей. логии, использующей пластины диамет-
ны, характеризующиеся перехо- Тем не менее, в собственности Semikron ром 5 дюймов (7,5 см). Если бы Renesas
дом к новому, так называемому еще остается 49% акций Compact Electronics не передала завод в собствен-
«четвертому технологическому Dynamics. Одновременно Semikron и ность TDK, его бы просто закрыли. TDK
укладу», немыслимы без развития полу- Schaeffler заключили партнерское со- впоследствии на этой площадке развер-
проводниковой отрасли. По данным Аме- глашение, открывающее более широкие нет производство по более современ-
риканской ассоциации полупроводни- перспективы для использования мощных ным технологиям, а Renesas Electronics,
ковой промышленности (Semiconductor полупроводниковых устройств Semikron освободившись от данной обузы, смогла
Industry Association, SIA), в 2016 году объем в электромобилях. еще сильнее сфокусироваться на реше-
продаж полупроводниковых приборов в ниях для беспилотных автомобилей.
мире достиг $338,9 млрд, что является ис- Известный японский производи-
торическим максимумом. По сравнению тель электроники Omron когда-то имел Компания TSMC продала в 2016 году
с 2015 годом рост не очень впечатляю- в своем составе подразделение Omron 5,1% акций Xintec. Это уже вторая прода-
щий – всего 1,1%, но не будем забывать, Oilfield and Marine, имеющее лидиру- жа акций данной компании, после нее у
что в настоящее время мировая экономи- ющие позиции на таком специфическом TSMC остается 41% акций. TSMC завери-
ка испытывает определенные трудности. рынке как поставки инвертеров для бу- ла акционеров, что больше акции Xintec
Наличие хоть небольшого роста в какой- ровых установок в Северной Америке. продаваться ею не будут. Компания Xintec
нибудь отрасли – уже само по себе по- В 2016 году это подразделение было знаменита своей технологией 3D-кор-
ложительное явление, тем более, что из- продано компании Schlumberger, для пусирования, позволяющей корпусиро-
начально на 2016 год прогнозировалось которой данный бизнес является про- вать чипы одновременно на всей пласти-
снижение продаж полупроводников. Го- фильным. не. Причины, побудившие TSMC продать
раздо важнее, что в 2016 году прошли
важные структурные изменения в отрас-
ли, которые окажут влияние на ее разви-
тие в последующие годы.
СТРЕМЛЕНИЕ К СПЕЦИАЛИЗАЦИИ
Современное полупроводниковое
производство настолько сложное, что
управлять им в рамках многопрофиль-
ного холдинга становится практически
невозможно. Вот почему современной
тенденцией становится выделение ком-
паний, производящих полупроводнико-
вые приборы, в отдельный бизнес.
WWW.COMPEL.RU 3
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА
WWW.COMPEL.RU 5
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА
Рис. 6. Основные усилия американских и европейских производителей светодиодов направлены Vishay Intertechnology выпустила
на выпуск продукции для сельского хозяйства ультрафиолетовый светодиод с длиной
Неприятным сюрпризом для потре- проблемами. Но по итогам четвертого цен на DRAM “спасет” всю полупровод-
бителей электроники стал рост цен на квартала 2016 года Samsung Electronics никовую индустрию, обеспечив хорошие
чипы памяти DRAM, начавшийся с июля все же показала неплохую прибыль. показатели и в 2017 году. Но это будет
2016 году. Например, в октябре средняя Дело в том, что эта компания является непросто, поскольку в 2017 году элект-
цена на плату DDR4 2x8 Гбайт (рисунок 7) крупным производителем чипов DRAM, ронную промышленность ожидает спад,
выросла сразу с $70 до $75. Некоторые и рост цен позволил ей получить допол- вызванный замедлением темпов эконо-
контракты на поставку чипов памяти, нительную прибыль, компенсировавшую мического роста в Китае. Другой серьез-
заключенные в конце 2016 года, вооб- убытки из-за самовоспламенявшихся мо- ной проблемой стала неопределенность
ще предусматривают увеличение цены бильных устройств. позиции новой администрации США
на 30%. И это при том, что еще в нача- в вопросах развития альтернативной
ле 2016 года предсказывалось падение Другим «бенефициаром» роста энергетики.
цен на DRAM аж на 20% по итогам года. цен на DRAM стала компания Micron
Причины связаны со значительным рос- Technology. Если в третьем квартале она ПРОГНОЗЫ НА БУДУЩЕЕ
том спроса на память, который не смогли показала чистый убыток в $170 млн, то В фокусе 2017 года в полупроводни-
(или не захотели?) отследить производи- уже в четвертом квартале – чистую при- ковой индустрии будет Интернет вещей
тели, уже привыкшие к затовариванию и быль в $471 млн. Основной причиной (IoT). Для нового направления будут со-
падению цен на продукцию. убытков стало сокращение рынка Flash- здаваться чипы, включающие в себя как
памяти, которое потом с лихвой было процессоры, так и основные элементы
Но, как говорится, нет худа без добра. компенсировано ростом цен на DRAM. сетей связи. Важным моментом станет
После неприятной истории с Samsung уменьшение энергопотребления таких
Galaxy Note 7 (рисунок 8), южнокорейс- Предполагается, что таким же обра- чипов, в чем поможет переход на GaN.
кая компания столкнулась с серьезными зом, но уже на глобальном уровне, рост Малое энергопотребление означает
WWW.COMPEL.RU 7
ЭЛЕКТРОНИКА ВЧЕРА, СЕГОДНЯ, ЗАВТРА
возможность использования автоном- зи, а также новые функции. Придется полупроводниковых чипов сделали став-
ного питания, что позволит включать в создавать дисплеи более высокого раз- ку на WiMax, но в итоге возобладала точ-
глобальную сеть самые разнообразные решения и контроллеры для них, видео- ка зрения связистов, для которых более
предметы. Создание инфраструктуры для камеры более высокого разрешения. удобным оказался стандарт LTE.
беспилотных автомобилей также потре- Возможно, 5G-устройства будут переда-
бует развития Интернета вещей. Важный вать не только видео и звук, но и инфор- Развитие силовой электроники в бли-
шаг на пути в этом направлении сделала мацию другого рода, например, тактиль- жайшие годы будет проходить под зна-
компания STMicroelectronics, купившая ные ощущения. Это требует разработки ком создания и внедрения диодов, тран-
в 2016 году AMS – компанию, производя- абсолютно новых чипов, что станет в зисторов и микросхем на основе GaN.
щую устройства для технологий комму- 2017 году актуальной задачей. В част- Такие транзисторы могут использовать-
никаций ближнего действия NFC и RFID. ности, потребуются сигнальные процес- ся как в электромобилях, так и в инфра-
Одновременно STMicroelectronics пред- соры с принципиально новым уровнем структуре для их быстрой зарядки.
ставила линейку продуктов с понижен- производительности.
ным энергопотреблением. А вот иных изменений технологи-
Единственное препятствие, которое ческих основ производства полупро-
Новый стандарт мобильной связи может возникнуть на пути создания 5G- водниковых приборов, кроме как ши-
5G потребует не только создания новых чипов для массового промышленного рокого перехода на GaN, ожидать в
коммуникационных чипов, но и перера- производства – отсутствие на данный ближайшие год-два не стоит. Многообе-
ботки всех элементов мобильного уст- момент утвержденного международ- щающие технологии вроде графеновой
ройства, так как увеличивать скорость ного стандарта. Без этого инвестиции электроники или углеродных нанотру-
передачи данных есть смысл только в в отрасль не пойдут. Всем еще памятны бок пока остаются в стенах лаборато-
том случае, когда будет обеспечивать- события по внедрению сетей 4G, когда рий, до внедрения их в производство
ся принципиально новое качество свя- крупнейшие компании по производству еще очень далеко.
ПОДКЛЮЧАЕМ
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ LMT01 К MSP430,
PIC10F204 И К АRDUINO
• высокая линейность;
• стойкость к внешним помехам;
Датчик температуры LMT01 производства компании Texas Instruments • невысокая цена;
весьма популярен среди разработчиков. Он позволяет с высокой точностью – до • возможность подключения не-
±0,5°С – измерять температуру в диапазоне -50...150°С. При этом главной особен- скольких датчиков к одной инфор-
ностью сенсора является двухпроводной токовый интерфейс и очень простой мационной шине;
протокол выдачи данных. В статье рассмотрены особенности практического • простота использования.
применения LMT01 и его подключение к различным микроконтроллерам.
Последнее свойство является очень
важным, хотя и не относится к группе
Т
емпературный датчик является их чувствительность достаточно низка. метрологических характеристик. Цифро-
неотъемлемым элементом совре- Термисторы представляют собой полу- вые термометры не требуют источника
менных электронных устройств. проводниковые резисторы меняющие тока (как термисторы или RTD) или вы-
Выбор конкретного типа сенсо- свое сопротивление при изменении тем- сокоточного усилителя и АЦП (как тер-
ра во многом определяет конечные мет- пературы. Для них характерна высокая мопары). Для связи с ними используются
рологические характеристики системы чувствительность и быстрый отклик. Их популярные цифровые интерфейсы (SPI,
в целом. В настоящий момент наиболее главным недостатком является нелиней- I2C, 1-wire, SMAART и прочие).
распространенными типами датчиков ность температурной характеристики.
температуры являются термопары, тер- Цифровые датчики – наиболее популяр-
мисторы, резистивные датчики темпе- ный тип среди датчиков температуры. Го-
ратуры (RTD), полупроводниковые сен- воря об их недостатках, следует в первую
соры. Каждый из перечисленных типов очередь отметить относительно узкий
сенсоров имеет свои достоинства и осо- температурный диапазон -55...125°C для
бенности применения (таблица 1). типовых датчиков и -55...200°C для спе-
циализированных сенсоров. Однако для
Термопары применяются в наибо- большинства коммерческих приложений
лее широком диапазоне температур, этого оказывается вполне достаточно.
где прочие виды сенсоров не могут ис-
пользоваться в принципе. В то же время Основными преимуществами цифро-
они имеют низкую точность и чувстви- вых датчиков являются:
тельность. RTD выполняются из металла
(обычно меди или платины), и отличаются • высокая точность;
высокой линейностью и точностью тем- • отличная повторяемость характе- Рис. 1. LMT01 выпускается в корпусе TO-92
пературной характеристики, при этом ристик; с двумя выводами
WWW.COMPEL.RU 9
ПРАКТИКА
Рис. 4. Организация токового интерфейса с LMT01 Рис. 5. Временные диаграммы работы датчика LMT01
вами являются доступность, невысокая стоимость, про- • при -20...90°C погрешность не превышает ±0,5°C;
граммируемая разрядность измерений 9/10/11/12 бит, воз- • при 90...150°C погрешность не превышает ±0,62°C;
можность подключения множества датчиков на общую • при -50...-20°C погрешность не превышает ±0,7°C.
двухпроводную шину 1-Wire, малое потребление в спящем
режиме до 1 мкА. Вместе с тем у этого сенсора есть и недо- Для получения результатов измерения используется доста-
статки, в том числе – достаточно высокое потребление в ак- точно необычный двухпроводной токовый интерфейс. Такое
тивном режиме до 1,5 мА, невысокое быстродействие при решение дает следующие основные преимущества:
высокой разрядности измерений, относительно узкий диа-
пазон рабочих напряжений от 3 В. • высокая стойкость к электромагнитным помехам;
• возможность размещения датчика как на плате, так и вне
STLM75 – датчик температуры, который также работает с ее, например, на выносном проводе длинной до 2 м.
диапазоном -55...125°С. По сравнению с DS18B20 данный сен-
сор может похвастаться сверхнизким потреблением как в ак- ОСОБЕННОСТИ ДВУХПРОВОДНОГО ТОКОВОГО
тивном, так и в спящем режиме (150 мкА и 1 мкА соответствен- ИНТЕРФЕЙСА В ДАТЧИКАХ ТЕМПЕРАТУРЫ LMT01
но), а также работой с напряжениями питания 2,7...5,5 В. Для Как было сказано выше, для передачи результата измере-
связи с STLM75 используется I2C-шина с возможностью одно- ний LMT01 формирует битовую последовательность в виде
временного подключения до девяти устройств. Недостатком счетных импульсов тока. Для этого датчику требуется всего
датчика является малое разрешение – всего 9 бит. лишь два вывода (рисунок 4). Чтобы преобразовать токовые
импульсы в форму, привычную для цифровых микросхем, в не-
TMP107 производства Texas Instruments имеет макси- которых случаях можно использовать единственный резистор
мальную разрядность среди рассматриваемых датчиков – (но не всегда – об этом ниже).
14 бит, отличную точность – ±0,4...±0,7°С, минимальное вре-
мя преобразования – 18 мс. Особенностью датчика является После включения питания LMT01 начинает цикл измере-
интерфейс SMAART, c помощью которого можно подключить ния, который занимает до 54 мс (рисунок 5). В течение этого
до 32 датчиков на 3-проводную шину. Однако уровень потреб- времени на выходе датчика формируется ток малого уровня
ления TMP107 достаточно высок как в активном режиме (до 28...39 мкА. После этого следует цикл передачи результата из-
400 мкА), так и в режиме сна (10 мкА),. и для работы с ним пот- мерения в виде импульсов тока амплитудой 112...143 мкА. При-
ребуется один внешний буфер с тремя состояниями, напри- емный микроконтроллер должен вести подсчет этих импуль-
мер, SN74LVC1G125. В результате измерительный блок зай- сов, например с помощью встроенного счетчика/таймера. Так
мет больше места на плате. как частота сигналов составляет около 82...94 кГц, то при мак-
симальном числе импульсов (4095) длительность передачи мо-
LMT01 – близкий по идеологии к датчику DS18B20, но пре- жет достигать 50 мс.
восходит его по ряду параметров: шире диапазон рабочих
напряжений (2...5,5 В), меньше потребление и время преоб- По числу подсчитанных импульсов (PC) можно определить
разования (54 мс). Выходная разрядность датчика – 12 бит. значение температуры согласно формуле 1:
LMT01 отличается наиболее широким диапазоном рабочих
температур, составляющим -50...150°С, и максимальной точ-
ностью – ±0,5...±0,6875°С. В отличие от TMP107, данный сен- , (1)
сор в простейшем случае требует для подключения наличия
единственного внешнего резистора, так как работает с токо- Таким образом при 0°C датчик сформирует около 800 им-
вым интерфейсом. пульсов.
WWW.COMPEL.RU 11
ПРАКТИКА
Рис. 6. Простейшая схема использования LMT01 совместно с MSP430 Рис. 7. Схема подключения LMT01 со схемой сдвига уровней
Рис. 8. Изолированное подключение LMT01 Рис. 9. Подключение нескольких датчиков LMT01 к одному микроконтроллеру
Рис. 10. Подключение LMT01 к Аrduino Рис. 11. Работа скетча LMT01 для Аrduino
БАЗОВЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ДАТЧИКА ТЕМПЕРАТУРЫ Если управляющий контроллер содержит на борту встро-
LMT01 енный компаратор, то задача существенно упрощается (рису-
Существует несколько вариантов решения проблемы согла- нок 6). В таком случае разработчику остается запрограммиро-
сования уровней напряжений между управляющим контрол- вать пороговое напряжение и гистерезис компаратора. Выход
лером и датчиком LMT01. компаратора подключается к таймеру/счетчику.
WWW.COMPEL.RU 13
ПРАКТИКА
тока в рабочем режиме (34 мкА и с выхода LMT01 используется внутрен- образом, чтобы порог сравнения
125 мкА); ний компаратор. В качестве положитель- 1,25 В попадал как раз посередине
• возможность подключения не- ного входа компаратора задействован между уровнями логических 0 и 1
скольких датчиков к одному встроенный источник опорного напря- для токового выхода LMT01;
входу микроконтроллера (рису- жения REF 1.25 В. Подключение выполне- • сигнал с выхода LMT01 снимается с
нок 9). При таком включении вы- но следующим образом: точки соединения резистора и вы-
воды VN датчиков объединяются, вода VM и подается на отрицатель-
а входы VP подключаются к раз- • LMT01 подключен контактом VP к ный вход компаратора D7.
ным GPIO. порту D12 Arduino, этот выход циф-
рового порта используется для по- Класс LMT01 позволяет использовать
ПОДКЛЮЧЕНИЕ LMT01 К АRDUINO дачи питания на LMT01; датчик в режиме как однократных, так и
Для подключения LMT01 к Arduino • вывод VM LMT01 подключен к зем- постоянных измерений. Программа раз в
Nano (рисунок 10) достаточно лишь од- ле через резистор 16 кОм. Номи- секунду выводит значение температуры
ного резистора. Для подсчета импульсов нал этого резистора выбран таким в UART. Температура отображается в тек-
стовом виде.
WWW.COMPEL.RU 15
ПРАКТИКА
К
онструкции силовых высоко- кремния SiC. При его использовании уда- жимах как с мягкими, так и с жесткими
вольтных кремниевых диодов ется достичь значительного прогресса в переключениями.
постоянно совершенствуют- решении задач по снижению мощности
ся. После стандартных дио- потерь, увеличению диапазона рабочих МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ:
дов на рынке появились семейства частот и напряжений, повышения устой- ДОСТОИНСТВА И НЕДОСТАТКИ
Fast Recovery и Ultra Fast Recovery, ко- чивости к помехам и перегревам. При- Перед тем как начать разговор о не-
торые отличаются меньшим временем мером успешного использования досто- достатках кремния, стоит отметить, что
восстановления. Главной целью их со- инств карбида кремния стало семейство кремниевые диоды – это надежное, про-
здания было снижение потерь и увели- мощных высоковольтных диодов Шоттки веренное десятилетиями решение. Гово-
чение значений коммутируемых токов. на его основе, производимых компанией рить о том, что они абсолютно устарели,
Несмотря на явные достижения, в раз- Littelfuse (рисунок 1). Эти диоды по заяв- конечно, нельзя. Более того, они облада-
витии силовых кремниевых диодов в ленным характеристикам не только не ют неоспоримыми достоинствами и це-
последнее время наблюдается некото- уступают существующим кремниевым лым рядом преимуществ:
рая стагнация. Причиной этого является аналогам, но и превосходят их по ряду
тот факт, что технологические возмож- параметров. • самые современные диоды способ-
ности кремния практически исчерпаны. ны работать с напряжениями более
Требуется либо отказываться от диодов В настоящее время Littelfuse предла- 1 кВ и коммутировать токи в сотни
в пользу синхронных приложений с уп- гает диоды Шоттки на основе карбида ампер;
равляемыми мощными ключами, либо кремния с различными рабочими харак- • кремниевая технология бюджетна
искать новые материалы, которые смо- теристиками: и хорошо отлажена;
гут удовлетворять растущие требова- • к услугам разработчиков пред-
ния рынка. • с рейтингом напряжения 650 или лагается огромная номенклатура
1200 В; моделей от множества производи-
Одним из наиболее перспективных • с номинальными токами до 20 А; телей;
материалов для сферы высоковольтных • с зарядом восстановления от • доступны различные корпусные ис-
мощных приложений является карбид 6 нКл; полнения и так далее.
WWW.COMPEL.RU 17
ТЕОРИЯ
ПРЕИМУЩЕСТВА ИСПОЛЬЗОВАНИЯ
КАРБИДА КРЕМНИЯ В ВЫСОКОВОЛЬТ-
НОЙ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ
Интерес к альтернативным полупро-
водниковым материалам появился дав-
но. Почти все наиболее перспективные
Рис. 5. Структура диодов Шоттки от Littelfuse на основе карбида кремния
полупроводники были открыты до 90-х
годов прошлого столетия. Такие матери-
алы как нитрид галлия и карбид кремния Для кремниевых диодов с рабочим Говоря о величине сопротивления
уже прошли стадию теоретических ис- напряжением до 1200 В требуется со- канала, стоит упомянуть о таком пока-
следований и активно внедряются в про- здание слоя полупроводника толщиной зателе как удельное сопротивление. По
изводство. не менее 120 мкм. Это связано с тем, что этому параметру карбид кремния пре-
критическая напряженность для крем- восходит обычный кремний и лишь не-
Анализ характеристик помогает об- ния составляет «всего» 0,3 МВ/см. Для много уступает нитриду галлия (рису-
наружить ключевые достоинства полу- SiC критическая напряженность превос- нок 4). В результате GaN и SiC имеют на
проводниковых материалов, которые ходит аналогичный показатель кремния порядок большую удельную мощность,
будут определять их специализацию более чем в 10 раз и составляет 3,5 МВ/ что приводит к значительному уменьше-
(таблица 1). Например, нитрид галлия от- см. Это значит, что для SiC-диода с рабо- нию габаритов по сравнению с традици-
личается максимальным значением под- чим напряжением 1200 В необходимая онными кремниевыми элементами.
вижности и дрейфовой скоростью носи- толщина полупроводникового слоя ока-
телей. Этот материал идеально подходит зывается также в 10 раз меньше. В итоге получается, что по сравнению
для высокочастотных приложений и си- с кремнием карбид кремния имеет бо-
ловой импульсной электроники с рабо- Кроме снижения габаритов, умень- лее высокое рабочее напряжение, мень-
чими напряжениями до 600 В. Карбид шение толщины приводит к двум допол- шее значение удельного сопротивления,
кремния характеризуется максимальным нительным преимуществам. Во-первых, большую удельную мощность и лучшие
значением критической напряженности появляется возможность более эффек- возможности теплоотвода. В результа-
и высокой дрейфовой скоростью, что де- тивного теплоотвода. Во-вторых, умень- те именно карбид кремния оказывается
лает его наиболее привлекательным ма- шение длины проводящего канала неиз- наиболее перспективным высоковоль-
териалом для создания высоковольтных бежно снижает сопротивление, а значит, тным материалом для мощных полупро-
полупроводниковых компонентов. и уровень потерь мощности. водниковых компонентов. Ярким приме-
WWW.COMPEL.RU 19
ТЕОРИЯ
ром этого стало новое семейство диодов рованные карманы p+. Они выполняют При максимальном рабочем напряже-
Шоттки на основе SiC производства ком- двойную функцию. С одной стороны, при нии до 1200 В они отличаются мини-
пании Littelfuse. приложении к диоду обратного смеще- мальным падением напряжения, мак-
ния области p+ создают дополнительную симальной допустимой температурой
СТРУКТУРА И ХАРАКТЕРИСТИКИ зону обеднения, что приводит к умень- перехода до 175°С, рекордными значе-
SIC-ДИОДОВ ШОТТКИ ОТ LITTELFUSE шению значений обратных токов. С дру- ниями времени восстановления и за-
Диоды Шоттки не содержат тради- гой стороны, при приложении прямого ряда восстановления.
ционного p-n-перехода. Вместо этого смещения области p+ могут обеспечить
используется переход «металл-полу- защиту от помех со значительными им- Малые значения времени обратного
проводник». Структура диодов Шоттки пульсными токами. В последнем случае восстановления и заряда восстановле-
на основе SiC производства компании они выступают в качестве источников ния позволяют минимизировать динами-
Littelfuse состоит из трех слоев (рису- дополнительных носителей зарядов. ческие потери на переключения (рису-
нок 5): высоколегированного основания нок 7). При использовании импульсных
n+, низколегированного дрейфового В результате исследований, про- схем (рисунок 3) удается практически
слоя n-, металла анода. Барьер Шоттки веденных компанией Littelfuse, ока- полностью избавиться от токовых им-
образуется между металлом анода и залось, что новое семейство диодов пульсов обратной полярности.
дрейфовым слоем. Шоттки на основе SiC превосходит
Кроме основных n-легированных кремниевые диоды по целому ряду Использование диодов Шоттки на ос-
слоев в структуре формируются леги- ключевых показателей (рисунок 6). нове SiC производства Littelfuse дает це-
лый ряд преимуществ:
Модели LFUSCD20120B и
LFUSCD30120B отличаются наличием
двух диодов с общим катодом в одном
корпусе. Эти же модели характеризуют-
ся максимальной токовой нагрузкой.
WWW.COMPEL.RU 21
ИННОВАЦИИ
К
омпания Quectel Wireless Solutions в 2016 году выпус-
тила новый сотовый модуль MC60, внешний вид кото- ляется, а просто продолжается цикл ожидания.
рого приведен на рисунке 1, а основные особенности
перечислены ниже: ТЕКСТ ПРОГРАММЫ:
//07.10.2016 BVV
• 4-диапазонный GSM-GPRS-модуль 850/900/1800/1900 МГц; //GPS to SMS primer
• подключение двух SIM-карт в режиме Dual SIM Single //Программа ожидает SMS с заданного номера и
Standby; отсылает ответ со строкой NMEA RMC.
• встроенный интерфейс Bluetooth версии 3.0;
• встроенный приемник GPS-GNSS (GPS/GLONASS/QZSS); #include «ril.h»
• поддержка технологии OpenCPU; #include «ril_util.h»
• размеры 18,7х16,0х2,1 мм. #include «ril_sms.h»
#include «ril_system.h»
Наличие в составе модуля приемника GPS-GNSS и поддержка #include «ril_gps.h»
технологии OpenCPU позволяют создавать простые устройства #include «ql_stdlib.h»
определения географических координат точки, в которой нахо- #include «ql_error.h»
дится модуль MC60. То есть, можно создать, например, трекер, в #include «ql_trace.h»
котором будут только источник питания, модуль и две антенны, #include «ql_system.h»
GSM и GNSS. Программа такого трекера пишется на языке Си и #include «ql_memory.h»
#include «ql_type.h»
WWW.COMPEL.RU 23
ИННОВАЦИИ
Если будет осуществлена отправка SMS, то сначала произво- • «A» – автономный режим;
дится считывание строки из приемника GPS-GNSS, для этого вы- • «D» – дифференциальный режим;
зывается функция RIL_GPS_Read(item, rdBuff). Переда- • «N» – недостоверные данные.
ваемый параметр item определяет тип читаемой NMEA-строки,
а rdBuff является указателем на буфер, в который будет поме- Символ «*» означает конец данных, а «75» – это контрольная
щена строка. Если параметру item присвоить значение «ALL», то сумма. В начале и конце строки передаются еще символы «\r\n»,
будет считан целый кадр NMEA-сообщения. Для MC60 это: то есть перевод строки и новая строка.
+QGNSSRD: $GNRMC,060654.000,A,5543.5146,N,03 После того как строка RMC прочитана, она копируется в бу-
739.1604,E,0.00,35.05,050916,,,D*40 фер текста отправляемой SMS: Ql_strncpy(sendBuff,rdBu
$GNVTG,35.05,T,,M,0.00,N,0.00,K,D*15 ff+13,sizeof(sendBuff)). Для уменьшения размера SMS
$GNGGA,060654.000,5543.5146,N,03739.1604,E, начальные символы «\r\n+QGNSSRD: $» в буфер отправки
2,17,0.66,145.6,M,14.4,M,,*7D не копируются, для этого к начальному значению адреса буфе-
$GPGSA,A,3,29,02,32,19,31,25,06,24,14,12,,, ра RMC прибавляется число 13. Отправка SMS производится вы-
0.95,0.66,0.67*0C зовом функции RIL_SMS_SendSMS_Text. В DEBUG-порт вы-
$GLGSA,A,3,77,78,70,88,87,86,71,,,,,,0.95,0 водится сообщение об отправке и текст отправляемой SMS. Для
.66,0.67*1C этого два раза вызывается функция Ql_Debug_Trace.
$GPGSV,3,1,12,12,78,128,35,25,60,288,41,02,
56,120,21,06,40,061,30*78 ГЛАВНАЯ ФУНКЦИЯ ПРОГРАММЫ, PROC_MAIN_TASK(S32
$GPGSV,3,2,12,29,30,242,36,49,20,217,35,24, ITASKID)
19,182,22,14,17,300,24*7C В начале главной функции в DEBUG-порт выводятся строки,
$GPGSV,3,3,12,31,16,322,16,19,15,065,24,32, свидетельствующие о старте программы, и создается структу-
10,273,31,03,03,001,16*70 ра taskMsg, в которую будут передаваться системные сообще-
$GLGSV,3,1,10,87,82,057,24,77,59,174,38,78, ния по мере их возникновения. Далее организуется цикл вы-
55,311,21,88,43,224,45*6F борки сообщений и их обработка. Здесь можно отметить, что
$GLGSV,3,2,10,86,23,046,18,70,17,012,21,79, Quectel OpenCPU является многозадачной системой реально-
14,325,,71,10,061,17*69 го времени, в которой может исполняться одна главная зада-
$GLGSV,3,3,10,76,10,155,,69,03,321,*69 ча и до 10 субзадач. Для каждой задачи в программе должна
$GNGLL,5543.5146,N,03739.1604,E,060654.000, быть создана своя структура типа ST_MSG и организован свой
A,D*4F цикл выборки сообщений. Программа «GPS-to-SMS» – одноза-
дачная, и в ней только один такой цикл. В самом начале цик-
Чтобы не усложнять программу, в ней не производится ника- ла производится обнуление всех полей стандартной структуры
кой обработки NMEA-сообщений, а просто читается одна стро- ST_MSG, а затем вызывается функция, осуществляющая выбор-
ка, и ее содержимое передается в отправляемую SMS. Для этого ку (считывание) сообщения из очереди сообщений: Ql_OS_
параметру item присваивается значение «RMC». GetMessage(&taskMsg).
Вот пример RMC-строки, которая читается из приемника, Первым в цикле проверяется сообщение о готовности мо-
если сигнал со спутников еще не захвачен: дуля RIL, это MSG_ID_RIL_READY. Если такое сообщение
появилось, то вызывается функция инициализации модуля –
+QGNSSRD: $GNRMC,000100.710,V,,,,,0.00,0.00, Ql_RIL_Initialize(). Только после инициализации RIL
010104,,,N*50 программа может использовать RIL API-функции, и в данном
случае программа вызывает функцию RIL_GPS_Open(1), ко-
Если захвачен сигнал только с одного спутника или с не- торая включает питание GPS-GNSS-приемника.
скольких, но координаты еще не определены:
Далее в цикле проверяется системное сообщение MSG_ID_
+QGNSSRD: $GNRMC,053816.304,V,,,,,0.40,309.5 URC_INDICATION, оно появляется при получении URC. Если
5,050916,,,N*58 имеется такое системное сообщение, далее тестируется поле
param1 структуры taskMsg, которое определяет тип полу-
А такая строка выдается, если сигнал захвачен и координаты ченного URC. В модуле MC60 может быть множество URC-со-
определены: общений. Те из них, которые обрабатываются модулем RIL, пе-
речислены в файле ril.h. В поле param2 структуры taskMsg этом содержит номер (индекс) принятой SMS, по которому про-
содержатся дополнительные параметры для пришедшего URC. изводится ее чтение. Программа вызывает функцию-обработ-
В цикле нашей программы проверяется приход только двух ти- чик Hdlr_RecvNewSMS(taskMsg.param2), которая вы-
пов URC, это URC_SYS_INIT_STATE_IND и URC_NEW_SMS_ полняет все необходимые действия – читает пришедшую SMS,
IND. читает RMC-строку из приемника GPS-GNSS и отправляет ответ.
После возврата из функции-обработчика опять же вызывается
URC-сообщение URC_SYS_INIT_STATE_IND генерирует- функция удаления SMS.
ся в момент инициализации MC60 при его включении или пере-
загрузке. Если при этом параметр param2 структуры taskMsg ПРИМЕЧАНИЯ
равен SYS_STATE_SMSOK, это означает, что модуль MC60 за- Впрограмме никак не обрабатываются коды ошибок, кото-
регистрировался в сети и готов к приему и отправке SMS. Для рые возвращают почти все API-функции OpenCPU. Это сделано
исключения ситуации с переполнением памяти SMS в програм- для упрощения программы и уменьшения ее текста. В програм-
ме вызывается функция удаления всех SMS, принятых ранее: ме не используются режимы энергосбережения приемника
RIL_SMS_DeleteSMS. GPS-GNSS и трансивера GSM, и средний ток потребления до-
стигает 95 мА при проверке с использованием фирменного от-
URC-сообщение URC_NEW_SMS_IND генерируется при по- ладочного комплекта Quectel GSMEVB-KIT и активной антенны
лучении новой SMS. Параметр param2 структуры taskMsg при GPS-GLONASS из Quectel MC60-TE-A Kit.
WWW.COMPEL.RU 25
ИННОВАЦИИ
О
дним из наиболее динамично для таких применений как автоматиза- Технические параметры S2-LP
развивающихся сегментов сов- ция зданий, медицина, системы монито- Рассмотрим отдельные техничес-
ременной электроники являет- ринга для сельского хозяйства, автома- кие параметры S2-LP и сравним их с со-
ся Интернет вещей (IoT). Рынок тические парковки и интеллектуальные ответствующими параметрами SPIRIT1.
IoT за 2016 год вырос на треть, а в 2017 системы ЖКХ по сбору данных со счетчи- У приемопередатчика S2-LP повышена
году ожидается рост на 40%. Отраслевые ков ресурсов. Данный приемопередат- чувствительность за счет уменьшения
эксперты предсказывают, что к 2020 году чик может работать в частотных диапазо- наведенных помех. Это стало возмож-
в мире будет насчитываться 20...50 млрд. нах 430...470 МГц и 860...940 МГц. Помимо ным вследствие разнесения SMPS-бло-
устройств, подключенных к Интернету. уже привычных типов модуляции 2-GFSK, ка и ВЧ-тракта на печатной плате (рису-
Расширяется и сфера применения IoT: OOK и ASK он также поддерживает моду- нок 1) и увеличению расстояния между
энергетика, промышленность, жилищ- ляцию 4-GFSK/D-BPSK, а скорость пере- выводами SMPS и ВЧ-частью микросхе-
но-коммунальное, сельское хозяйство, дачи данных настраивается в диапазоне мы (рисунок 2). Также была изменена
транспорт, медицина – вот лишь некото- 0,3...500 кбит/с. S2-LP может работать в схема внутреннего питания для органи-
рые сегменты экономики, в которых ак- сетях LPWAN компании SigFox, а также зации лучшей развязки отдельных на-
тивно развивается концепция Интернета имеет встроенный обработчик пакетов пряжений.
вещей. В странах Евросоюза, Китае, Юж- 802.15.4g. При своих миниатюрных габа-
ной Корее и Индии уже известны приме- ритах (4x4 мм, корпус QFN24) данная мик- Сравнение чувствительности прие-
ры внедрения IoT на уровне целых горо- росхема обладает превосходными харак- мопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP при мо-
дов, благодаря чему удается повысить теристиками: чувствительность до -130 дуляции 2-FSK приведено на рисунке 3.
эффективность управления транспорт- дБм при скорости передачи данных 300 На нем мы видим, что среднее значение
ными потоками и расходом энергии. бит/с, выходная мощность на антенном практического улучшения чувствитель-
разъеме – до 16 дБм. Кроме того, стоит ности приемопередатчика S2-LP по срав-
ПРИЕМОПЕРЕДАТЧИК S2-LP (S2-LP) отметить и отличные параметры энер- нению с таковой у микросхемы SPIRIT1
Концепция Интернета вещей во мно- гопотребления: ток потребления 10 мА составляет 3 дБ в диапазоне скорости
гих случаях подразумевает использова- при выходной мощности 10 дБм в режи- передачи данных 1,2...250 кбит/с. Микро-
ние радио в качестве канала передачи ме низкого энергопотребления; 8 мА на схема S2-LP соответствует требованиям
информации. С увеличением количества приеме в режиме высокой производи- для работы в сети SigFox, где необходи-
передающих устройств растет и уровень тельности; 350 нА – в режиме ожидания. мо иметь чувствительность приемопере-
электромагнитных помех, что в свою
очередь приводит к ужесточению тре- По сравнению со своим предшествен-
бований к параметрам избирательности ником, приемопередатчиком SPIRIT1, у
радиочастотных приемопередатчиков S2-LP повышена чувствительность, бла-
(трансиверов) и малого уровня энерго- годаря чему увеличивается дальность
потребления. В начале 2017 года компа- передачи сигнала. Высокая избиратель-
ния STMicroelectronics выпустила новый ность S2-LP позволяет создавать на его
приемопередатчик S2-LP, обеспечива- основе устройства, которые будут со-
ющий работу в субгигагерцевом диа- ответствовать требованиям стандартов
пазоне. Использование радиоканала с EN300-220 и EN303-131 к устройствам
частотами до 1 ГГц позволяет добиться категории 1. Впервые примененный уси- Рис. 1. Взаимное расположение SMPS-блока
максимальной дальности передачи сиг- литель класса E позволил достигнуть и ВЧ-тракта на печатной плате у приемопередатчи-
нала. Новая микросхема разработана лучшего в отрасли энергопотребления ков SPIRIT1 и S2-LP (SPIRIT2)
Рис. 2. Взаимное расположение SMPS-блока и ВЧ-тракта на печатной плате у приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP
Таблица 1. Дальности связи SPIRIT1 и S2-LP седних частотах, играет важную роль, так
как появляется все больше и больше уст-
Радиус действия, м
Среда распространения ройств, работающих в диапазонах ISM, а
SPIRIT1 S2-LP также LTE-оборудование на смежных час-
Помещение 73 82 тотах. Различные стандарты разделяют
Городская среда 442 525 устройства на категории по избиратель-
ности, а стандарты EN300-220 и EN303-
Открытое пространство 11200 14800
131 предъявляют к устройствам катего-
рии 1 требование избирательности по
соседнему каналу не менее 60 дБ при от-
стройке 2 МГц/10 МГц не менее 84 дБ. На
сегодняшний день на рынке отсутствуют
радиочастотные приемопередатчики,
полностью соответствующие критериям
категории 1 на частотах 433 и 868 МГц.
Для устранения этого несоответствия
приходится применять узкополосные
ПАВ-фильтры, что негативно сказывает-
ся на стоимости изделия и его чувстви-
тельности (вносимые фильтром потери
составляют ориентировочно 3 дБ). На
малых скоростях передачи данных S2-LP
соответствует требованиям категории 1,
что позволяет избавиться от необходи-
мости использования ПАВ-фильтра. По
сравнению с микросхемой SPIRIT1 у при-
емопередатчика S2-LP улучшена филь-
трация при отстройке 2 МГц (рисунок 4),
а его канальный фильтр программирует-
ся вплоть до значения 6,25 кГц (у SPIRIT1 –
до 12,5 кГц).
Рис. 3. Чувствительность приемопередатчиков SPIRIT1 и S2-LP при модуляции 2-FSK
У приемопередатчика S2-LP предус-
датчика не ниже -126 дБм при скорости скорости передачи данных 1,2 кбит/с и мотрено несколько LDO для организа-
передачи данных 600 бит/с. коэффициенте усиления антенны 0 дБи. ции питания различных блоков. Гибкая
система питания включает несколько ре-
В таблице 1 приведены ориентиро- В современном мире параметр из- жимов:
вочные значения дальности передачи бирательности, то есть способности де-
сигнала приемопередатчиками SPIRIT1 кодирования принимаемого сигнала в • BM (Boost Mode) – режим повышен-
и S2-LP при выходной мощности 10 дБм, присутствии значительных помех на со- ной мощности, в котором на антен-
WWW.COMPEL.RU 27
ИННОВАЦИИ
В приемопередатчике SPIRIT1 уси- Таблица 3. Типовые значения чувствительности приемопередатчика S2-LP для частот 433 МГц
литель работал в классах AB и E, что яв- и 868 МГц в зависимости от режима питания при скорости передачи данных 300 бит/с
лялось компромиссом между произво-
Чувствительность в режиме:
дительностью и энергопотреблением. Частота
В микросхеме S2-LP использован усили- LPM (Vsmps = 1,2 В), дБм HPM (Vsmps = 1,4 В), дБм
тель класса E, что позволяет максимизи- 433 МГц -131,4 -131,5
ровать КПД и получить технически более 868 МГц -129,1 -129,3
совершенное решение. S2-LP является
лучшим в своем классе трансивером по
току потребления в режиме передачи Таблица 4. Типовые значения избирательности приемопередатчика S2-LP для различных отстроек
(10 мА при 10 мВт). в зависимости от режима питания при скорости передачи данных 1200 бит/с
Избирательность в режиме:
Отстройка
Кроме того, S2-LP можно использо- LPM (Vsmps = 1,2 В), дБ LPM (Vsmps = 1,2 В), дБ
вать с внешним интегральным балуном, +/- 2 МГц 82 81
который будет доступен в двух версиях:
для диапазонов 433 МГц и 868 МГц. +/- 10 МГц 85 84
Соседний канал 49 59
При работе над программным обес-
печением S2-LP были учтены замечания
Таблица 5. Типовые значения тока потребления SPIRIT1 и S2-LP
разработчиков к SPIRIT1. В частности, у
S2-LP появился гибкий обработчик па- Режим S2-LP SPIRIT1 Улучшение
кетов, благодаря чему поддерживаются Shutdown, нА 2,5 –
преамбула большой длительности, синх- Standby, нА 310 600 ≈ 50%
рослово длиной до 64 бит (с точностью Sleep A, нА 640 850 ≈ 25%
до бита), а также код Манчестера. Все это
избавляет микроконтроллер от лишней Sleep B, нА 950 – –
Средства разработки
Для того чтобы разработчики смог-
ли на практике оценить возможности
приемопередатчика S2-LP, компания ST
предлагает наборы для разработки на
базе S2-LP – Steval-FKI868 (для частот
868/915 МГц) и Steval-FKI433 (для часто-
ты 433 МГц). Внешний вид набора Steval-
FKI868 представлен на рисунке 7.
Рис. 6. Временная диаграмма работы приемопередатчика S2-LP в режиме Sniff Mode
Рис. 7. Отладочная плата Steval-FKI868 Рис. 8. Плата Steval-FKI868 как пример расстановки элементов обвязки с участием S2-LP
WWW.COMPEL.RU 29
ИННОВАЦИИ
П
ричина широкого признания Пока что в планах компании значится зии легко выбрать дисплей с требуемыми
ЖК-дисплеев производства ком- выпуск модернизированных версий на- характеристиками (рисунок 1):
пании МЭЛТ заключается в том, иболее популярных моделей MT-20S4A и
что, несмотря на наличие на MT-16S2H. Если спрос на новинки будет • с технологиями STN Positive/
рынке дисплеев других производителей, высоким, последует обновление и других Negative, FSTN Positive/Negative;
российская продукция не уступает им по знакосинтезирующих ЖК-дисплеев. • с форматами строк 08х2, 10х1, 16х1,
большинству характеристик, а по ряду 16х2, 16х4, 20х1, 20х2, 20х4, 24х1,
параметров дисплеи МЭЛТ превосходят Стоит отметить, что использование I2C 24х2;
зарубежные аналоги. Например, они от- дает модернизированным дисплеям не- • с янтарным, желто–зеленым, крас-
личаются реальной работоспособностью сколько важных преимуществ: ным, голубым или белым цветом
при низких и высоких температурах. Су- • возможность простой интеграции подсветки;
ществуют дисплеи с диапазоном рабочих со стеком Arduino. При этом от раз- • с напряжением питания 3 или 5 В;
температур -30...70°C и диапазоном хра- работчиков не потребуется каких- • с диапазоном рабочих температур
нения -40...80°C. При этом, в отличие от либо усилий по сопряжению, так до -30...70°C;
иностранных аналогов, это не какие-то как для Arduino I2C является базо- • с различными ЖК-контроллерами:
специализированные версии, выполнен- вым интерфейсом; КБ1013ВГ6 или ST7070;
ные под заказ, а серийные образцы. • возможность работы с микроконт- • с параллельным или последова-
роллерами с малым числом выво- тельным коммуникационным ин-
Еще одним преимуществом диспле- дов. Если традиционный четырех- терфейсом.
ев МЭЛТ является широкий выбор мо- битный параллельный интерфейс
делей [1]. Сейчас к услугам разработчи- требует от контроллера семи пор- Модели дисплеев, построенные на
ков – около полутора сотен графических тов ввода-вывода, то при использо- базе ЖК-контроллера ST7070, подде-
ЖК, более пяти сотен знакосинтезирую- вании I2C понадобится всего два; рживают как параллельные 8/4-битные
щих и более тридцати сегментных. Моде- • расширение функционала для уп- шины, так и последовательный интер-
ли отличаются форматами изображения, равления подсветкой дисплея (об фейс SPI. Для обмена по SPI от управляю-
напряжением питания (3/5 В), цветом этом подробнее рассказано в раз- щего контроллера требуется всего лишь
подсветки (янтарным, желто-зеленым,
красным, голубым, белым), типом изобра-
жения (прямым или инвертированным),
наличием или отсутствием термокомпен-
сации и так далее.
WWW.COMPEL.RU 31
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
MT-16S1A 122x33x9,3
16х1 99x13 4,86x9,56
MT-16S1B 122x33x13,1
КБ1013ВГ6
MT-16S2D 85x36x13
20х4
MT-20S4M 146x62,5x13 122,5x43 4,84x9,22
128 кГц), стандартный набор интерфей- уже существующих моделей на базе КБ- контроллерами, но и поможет безболез-
сов (UART, I2C, SPI), 10-битный АЦП. При 1013ВГ6. Такой подход не только позво- ненно решить вопросы обратной совмес-
этом стоимость этих микросхем состав- лит модернизированным ЖК-дисплеям тимости и сохранения богатства номенк-
ляет менее $0,5 для корпусных исполне- работать с маловыводными бюджетными латуры.
ний TSSOP-20.
WWW.COMPEL.RU 33
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Рис. 4. Внешний вид дисплея MT-20S4A-2VLA-3V Рис. 5. Габаритные размеры дисплеев MT-20S4A
Сейчас предполагается провести мо- с шагом 2,54 мм. При этом нумерация РЕЖИМЫ ОБМЕНА ДАННЫМИ
дернизацию наиболее популярных мо- контактов выполнена не по порядку: 16 С КОНТРОЛЛЕРОМ КБ1013ВГ6
делей MT-20S4A и MT-16S2H. Если опыт и 15 выводы вынесены отдельно. Эту осо- ЖК-контроллер КБ1013ВГ6 работает
будет признан успешным, то далее после- бенность следует иметь в виду. только с параллельными интерфейсами
дует обновление и других моделей зна- разрядностью 8 или 4 бита.
косинтезирующих ЖК-дисплеев. MT-20S4A имеет четыре строки по 20
знаков в каждой (рисунок 4). Эти дисп- 8-битный интерфейс требует для об-
ДИСПЛЕИ MT-20S4A И MT-16S2H – леи выпускаются с напряжением питания мена восемь линий данных (DB0...DB7) и
РАБОЧИЕ ЛОШАДКИ ОТ МЭЛТ 3 или 5 В, без подсветки и с подсветкой три служебных линии (RS, RD/WR, E) (ри-
Модели MT-20S4A и MT-16S2H поль- (янтарной, синей, желто-зеленой, бе- сунок 6).
зуются высокой популярностью у разра- лой), с рабочим диапазоном температур
ботчиков и простых любителей электро- -20...70°С или -30...70°С. Адресный сигнал RS (вывод A0 дисп-
ники. лея) – определяет выбор между переда-
Размеры MT-20S4A составляют чей данных и команд управления. Если
MT-16S2H имеет две строки по 16 зна- 98x60x13 мм (рисунок 5). Для его подклю- на этой линии установлен логический 0,
ков в каждой (рисунок 2). Существует не- чения используется один ряд из шест- то возможна запись в регистр команд (IR)
сколько различных исполнений данного надцати металлизированных отверстий или чтение счетчика адреса и бита заня-
дисплея: с напряжением питания 3 или с шагом 2,54 мм. В отличие от MT-16S2H, тости BS. Если же RS = 1, то обмен проис-
5 В, без подсветки и с подсветкой (янтар- у MT-20S4A нумерация выводов идет по ходит с регистром данных (DR).
ной, синей, желто-зеленой, белой, крас- порядку: слева направо.
ной), с рабочим диапазоном температур Сигнал R/W необходим для задания
-20...70°С или -30...70°С. Дисплеи MT-20S4A и MT-16S2H не яв- направления передачи. В цикле записи
ляются совместимыми по выводам. Од- на этой линии устанавливается 0, в цикле
Габариты дисплея составляют нако они используют одни и те же парал- чтения – 1.
79x44x9,5 мм (рисунок 3). Для его под- лельные интерфейсы обмена данными,
ключения используется один ряд из шес- так как построены на базе одного и того Фиксация данных при записи или чте-
тнадцати металлизированных отверстий же контроллера КБ1013ВГ6. нии происходит по срезу сигнала E.
WWW.COMPEL.RU 35
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Таблица 2. Назначение выводов дисплеев MT-20S4A и MT-16S2H Порядок подключения портов INF8574
Вывод Обозначение Назначение вывода к параллельной шине контроллера КБ-
1013ВГ6, а также состояние перемычек на
1 GND Общий вывод (0 В)
линиях адреса определяют вид сообще-
2 UCC Напряжение питания (5/3 В) ний при обмене по I2C.
3 Uо Управление контрастностью
Адресный сигнал – выбор между передачей данных и команд ОБМЕН ДАННЫМИ С МОДЕРНИЗИРО-
4 A0
управления ВАННЫМИ ДИСПЛЕЯМИ МЭЛТ ПО I2C
5 R/W Выбор режима записи или чтения Структура сообщений при обмене по
шине I2C с INF8574 имеет стандартный
6 E Разрешение обращений к модулю (а также строб данных)
вид (рисунок 11).
Шина данных (8-битный режим; младший бит в 8-битном
7 DB0
режиме) После формирования состояния
8 DB1 Шина данных (8-битный режим) Start управляющий микроконтроллер
9 DB2 Шина данных (8-битный режим) посылает адрес ведомого устройства и
10 DB3 Шина данных (8-битный режим) бит направления передачи. Адрес со-
стоит из семи бит и для INF8574 имеет
Шина данных (8- и 4-битные режимы; младший бит в 4-битном
11 DB4 вид 0-1-0-0-A2-A1-A0. Значение битов
режиме)
A2-A1-A0 определяется состоянием пе-
12 DB5 Шина данных (8- и 4-битные режимы) ремычек на соответствующих выводах
13 DB6 Шина данных (8- и 4-битные режимы) микросхемы.
14 DB7 Шина данных (8- и 4-битные режимы; старший бит)
15 +LED + питания подсветки Первый байт завершается битом
R/W, который определяет дальнейшее
16 –LED – питания подсветки
направление передачи данных. Здесь
17 SDA* Линия данных I2C стоит особо отметить, что в данном слу-
18 SCL* Линия тактирования I2C чае речь идет о бите R/W, который отно-
* – Только для новых моделей с I2C. сится только к I2C. Его не следует путать
с одноименным сигналом R/W парал-
даже самые миниатюрные конт- транзистора BC817. Так как мак- лельного интерфейса, который подклю-
роллеры; симальная частота I2C для INF8574 чен к порту P1 микросхемы INF8574.
• на плате дисплея предусмотрены достаточно высока и достигает Если первый байт сообщения I2C завер-
резисторы 4,7 кОм для подтяжки 100 кГц, пользователи смогут уп- шается состоянием бита R/W = 1, то все
линий SDA и SCL, что дает возмож- равлять яркостью даже с помощью порты P0...P7 переводятся в состояние
ность сэкономить место на пользо- ШИМ, периодически меняя значе- входов. Если R/W = 0, то порты настраи-
вательской плате; ние порта P3. При этом цепь катода ваются на выход.
• наличие перемычек J1...J3 на выво- LED-подсветки может быть и вовсе
дах A0...A2 позволяет при необходи- не подключена на пользователь- Передача каждого байта по I2C завер-
мости изменять адрес дисплея; ской плате; шается сигналом подтверждения ACK от
• на плате дисплея расположена • цепь катода подсветки может под- ведомого.
цепь управления яркостью, пос- ключаться к земле с помощью оп-
троенная на базе биполярного циональной перемычки 0 Ом. После задания адреса и направления
передачи следует посылка байта/байтов
данных. В соответствии со схемой под-
ключения вначале следуют биты DB7…
DB4, затем бит состояния LED-подсвет-
ки, далее идут биты служебных сигналов
E, R/W ,RS (A0 по именованию МЭЛТ). В
данном случае речь уже идет о сигнале
R/W, относящемся к параллельном ин-
терфейсу.
ром E = 0. При этом состояние остальных битов (кроме граммисты даже могут применять часть библиотечного кода,
LED-) менять не разрешается; который создавался для индикаторов с параллельным интер-
• так как на стороне КБ1013ВГ6 используется 4-битный ин- фейсом. Речь идет о файле AllText4. c входящим в пакет приме-
терфейс, то для передачи одного байта данных придется ров SamplesOfLCMsProgramming.zip (доступен для скачи-
сформировать два среза сигнала E. Для этого потребуется вания на сайте МЭЛТ).
переслать целых четыре байта по I2C;
• направление передачи портов P0...P7 микросхемы В частности, основная функция main из AllText4.c по-
INF8574 задается в стартовом байте с помощью бита R/W. прежнему остается актуальной:
При этом все порты настраиваются либо на вход, либо на
выход. Это, пожалуй, самый тонкий момент реализации void main(void)
I2C в данном случае. Он оказывается не так критичен при {
выполнении цикла записи, так как все порты находятся в int i;
режиме выхода и все сообщения можно передать в од- LCDinit();
ном кадре I2C. Зато в цикле чтения последовательность WriteCmd(0x80); //установка курсора в
действий оказывается гораздо сложнее и потребует не- начало первой строки индикатора
скольких кадров. for(i=0;i<Len1;i++)
{
Несмотря на высокую сложность программной реализации WriteData(Text1[i]);
I2C, стоит отметить и два положительных момента: }
• процессы инициализации и обмена данными не измени- WriteCmd(0x80+0x40); //установка кур-
лись, так как дисплеи построены на базе привычного ЖК- сора в начало второй строки индикатора
контроллера КБ1013ВГ6; for(i=0;i<Len2;i++)
• существуют готовые бесплатные библиотечные функции, {
такие, например, как Arduino-LiquidCrystal-I2C- WriteData(Text2[i]);
library для Arduino, в которых все тонкие моменты уже }
реализованы. }
WWW.COMPEL.RU 37
РОССИЙСКИЕ РАЗРАБОТКИ
Р
анее в статье «Как выбрать про- на компьютере должны быть установ- Панель инструментов позволяет
граммируемый LED-драйвер и лены система Windows 7 и Microsoft NET обеспечить посредством пиктограмм
использовать его новые воз- Framework версии 4.0 или выше, а для быстрый доступ к основным функциям
можности» (НЭ 2017 №3) мы рас- подключения программаторов требует- из строки меню, таким как сохранение/
смотрели программируемые LED-драй- ся наличие USB-порта. загрузка файла, установка/разрыв связи
веры производителей Mean Well (MW) и с компьютером, запись/чтение данных в/
Inventronics (Invent), разобрали преиму- Блок-схема подключения устройств из источника питания.
щества их использования в светодиодных показана на рисунке 2. Следует отме-
светильниках, и подошли непосредствен- тить важную особенность: при програм- В установках проекта можно запи-
но к самому процессу их программиро- мировании источников питания MW не- сать некоторые свои данные (название
вания. Источники питания обоих произ- обходимо подключить к ним нагрузку компании, наименование проекта), кото-
водителей имеют схожий функционал и от 10% и выше, а также обеспечить под- рые будут записаны в источник питания,
возможности, но различаются графичес- ключение к сети 220 В; при программи- и в дальнейшем по ним можно будет его
ким интерфейсом (для каждого источни- ровании источников питания Invent ни идентифицировать.
ка используется свой собственный софт). то, ни другое не требуется. Источники
Рассмотрим подробно интерфейс про- питания Invent удобно программиро- В рабочем поле программы произ-
граммирования источников питания про- вать на входном контроле, а источни- водятся необходимые настройки из
изводителя MW. Имея представление о ки MW – непосредственно в собранном выбираемых функциональных вкла-
программировании LED-драйверов MW, светильнике. док, через которые обеспечивает-
можно без особого труда запрограмми- ся доступ к основным функциям про-
ровать и источники питания Invent. ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ ИНТЕРФЕЙС граммы, таким как Overview, AOC,
CLO, Dimming Profile, Override, Fade
Для программирования, кроме са- Основное поле программы Time, Lifetime.
мого источника питания и программы, Основное поле программы (рису-
потребуется программатор. В качестве нок 3) содержит строку меню, панель Overview (Обзор)
программатора MW предлагает модель инструментов, окно установок проекта, В поле “Overview” отображаются
SDP-001 (рисунок 1а), а Invent – две мо- функциональные вкладки и основное ра- функции, которые включены в текущих
дели: PRG-MUL2 и PRG-CASE2 (рису- бочее поле. настройках (“Enabled”), а с помощью
нок 1б, в). Различие между изделиями чек-боксов “Download to Device” можно
заключается в том, что программаторы Строка меню содержит выпадающие выбрать те из них, которые будут загру-
PRG-MUL2 и SDP-001 при работе должны вкладки, которые позволяют загрузить жены в источник питания. Включение-от-
быть все время подключены к компьюте-
ру, а единожды запрограммированный
PRG-CASE2 в дальнейшем может рабо-
тать без компьютера, что очень удобно
при массовом программировании источ-
ников питания на производстве.
WWW.COMPEL.RU 39
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ
а) б)
Рис. 3. Основное поле программы Рис. 4. В поле “Overview” отображаются функции, которые включены
в текущих настройках
Рис. 5. Автоматический расчет AOC по введенному номинальному току Рис. 6. Программирование параметра CLO
Рис. 7. Выбор уровней выходного тока в режиме диммирования для Рис. 8. Выбор уровней выходного тока в режиме диммирования для
Adjustable Proportion Profile Midpoint-set Profile
Рис. 9. Программа позволяет задать вручную необходимый сдвиг во време- Рис. 10. Пользователь может задать профиль, который не будет изменяться
ни или рассчитать его по географическим координатам
ключение самих функций производится на соответствующих бы. Включение этого режима достигается установкой чек-бок-
закладках (рисунок 4). са “Enabled”. Параметр CLO представляет собой таблицу до 16
строк, в которых можно численно вводить значения времени
Adjustable maximum output (х100 часов) и значение тока, которое должно быть по истече-
(Установка максимального выходного тока; AOC) нии этого времени (рисунок 6). Количество точек выбирается в
Эта функция позволяет пользователю установить/за- окне “Scheduled Division”.
программировать максимальный выходной ток драйве-
ра. Функция “AOC” активируется путем установки чек-бокса Dimming profile
“Enabled”. (Профиль диммирования)
Доступны три различных профиля диммирования, из них
Значение рабочего тока можно установить с помощью пол- два профиля – адаптивные, то есть самоподстраивающиеся к
зунка в % от номинального штатного значения источника пи- изменяющимся внешним условиям, и один – фиксированный.
тания в диапазоне между 10% и 100%. Если в окне “LED driver Самоподстройка в адаптивных режимах может выполняться
rated current” ввести численное значение номинального тока по принципу пропорциональности или подстройки по сред-
источника, то в окне “Equivalently” AOC будет автоматически ней точке. В качестве средней точки можно выбрать полночь
рассчитываться и отображаться выставляемое значение тока в (midnight). Особенности работы источника питания во всех
численном виде (рисунок 5). указанных режимах были приведены в статье «Как выбрать
программируемый LED-драйвер и использовать его новые
Constant light output возможности.» [3], и здесь не рассматриваются.
(Компенсация старения светодиодов; CLO)
Указанная функция обеспечивает компенсацию сниже- • Adjustable Proportion Profile (Принцип пропорциональ-
ния светового потока светодиодов в течение их срока служ- ности)
WWW.COMPEL.RU 41
РУКОВОДСТВО ПО ВЫБОРУ
Рис. 11. Включение функции “Override” Рис. 12. Включение функции “Fade time”
Override
Функция “Override” позволяет включить источник питания
на максимальный выходной ток в любой момент времени. Дан-
Рис. 13. Включение функции “Life time” ная функция включается установкой чек-бокса “Enabled” на
вкладке “Override” (рисунок 11).
Режим диммирования выбирается циклическим перебо-
ром с помощью кликов по кнопке “Adjustable Proportion Profile/ Данная функция может потребоваться, когда светильник, на-
Midpoint-set Profile/Fixed Profile“. ходящийся в режиме димминга, необходимо включить на мак-
симальную яркость, например, для проезда спецтранспорта.
В этом режиме можно выбрать с помощью “Level stage” 2…5 Включить источник питания, находящийся в режиме диммин-
уровней выходного тока и задать требуемые значения по уров- га, можно трехкратным включением-выключением в течение
ню и времени ползунками Level/Time в диапазоне 10…100% 10 секунд (промежутки должны быть более одной секунды).
продолжительностью до 14 часов (рисунок 7). После этого источник питания выйдет на максимальный ток,
установленный в п. 1.3.
• Midpoint-set Profile (Самоподстройка по средней точке)
У Invent эта функция отсутствует.
Режим диммирования выбирается циклическим перебо-
ром с помощью кликов по кнопке Adjustable Proportion Profile/ Fade time
Midpoint-set Profile/Fixed Profile. (Плавное погасание/зажигание)
Функция “Fade time” включается установкой чек-бокса
В этом режиме можно выбрать с помощью Level stage 2...5 “Enabled” на соответствующей вкладке и позволяет установить
уровней выходного тока и задать требуемые значения по уров- плавный переход между изменяемыми уровнями тока. Время
ню и времени ползунками Level/Time в диапазоне 10...100% об- нарастания/спада, которое может составлять от 1 секунды до
щей длительностью 10...14 часов (рисунок 8). 50 минут, задается с помощью ползунков (рисунок 12).
Например, можно поставить чек- После того, как все необходимые на- сить технологичность производства
бокс “Enabled” в “LED module EOL Alert” стройки функций и режимов выполне- светильников.
и задать количество часов в окне “LED ны, необходимо записать установки в ис-
module work time at start” (рисунок 13). точник питания, выбрав в строке меню ЛИТЕРАТУРА
Тогда по достижении заданного коли- “Action” подпункт “Download to Device”. 1. Дистрибутив программы от Mean
чества часов работы при последующем Перед этим следует установить связь с Well//http://www.compel.ru/wordpress/
включении светильник “моргнет” три компьютером “Action – Open Connection” wp-content/uploads/2017/05/Distributiv-
раза, и тем самым покажет, что он отра- и выбрать из ниспадающего списка но- programmyi-ot-Mean-Well.zip.
ботал свой ресурс. мер COM-порта. 2. Дистрибутив программы от
I nventronics//http://w w w.compel.ru/
Значение в окне “LED module work ЗАКЛЮЧЕНИЕ wordpress/wp-content/uploads/2017/05/
time since this start” показывает, сколько Запрограммировать LED-драйвер Distributiv-programmyi-ot-Mean-Well.zip .
LED-модуль проработал с текущим бло- несложно, а по стоимости программи- 3. Как выбрать программиру-
ком питания. Эта информация доступ- руемый драйвер ненамного отличается емый LED-драйвер и использо-
на при считывании информации из LED- от обычного источника питания, но при вать его новые возможности. Но-
драйвера. Можно поставить чек-бокс этом вы получите весьма богатый фун- вости электроники №3/2017. http://
“Reset work time since this start”, напри- кционал вплоть до организации дим- w w w.compel.ru/lib/ne/2017/3/6-kak-
мер, при замене LED-модуля для обнуле- минга без прокладки дополнительной vyibrat-programmiruemyiy-led-drayver-i-
ния этой информации. линии управления. При использовании ispolzovat-ego-novyie-vozmozhnosti.
программируемых LED-драйверов мож-
В окне “LED module warranty” можно но оперативно изменять их выходные
указать время гарантии на LED-модуль. параметры, сократив тем самым общую
Эта возможность доступна при условии номенклатуру источников питания, уп-
включения “LED module EOL Alert”. ростить управление складом и повы-
WWW.COMPEL.RU 43
ПОЛИГОН
СРАВНИТЕЛЬНОЕ ТЕСТИРОВАНИЕ
ЛИТИЙ-ТИОНИЛХЛОРИДНЫХ БАТАРЕЕК
ЧАСТЬ 3.
В
предыдущих номерах журнала щий момент тестирование продолжает-
мы рассказали о начале сравни- ся. Имеются промежуточные результаты, На момент написания этой статьи эк-
тельного тестирования литий-ти- о которых мы хотим сообщить. сперимент продолжается уже 57 суток и
онилхлоридных батареек различ- есть существенное событие. На 52 сутки
ных производителей и уже представили Напомним, что мы взяли по две ба- (через 1248 часов) напряжение на бата-
некоторые результаты, полученные в на- тарейки разных производителей: SAFT, рейке Minamoto, находящейся при тем-
чальной стадии эксперимента. В настоя- EEMB, Varta, Minamoto, EVE, Robiton и пературе -20°С, понизилось до величины
WWW.COMPEL.RU 45
ПОЛИГОН
WWW.COMPEL.RU 47